JP2018051733A - Polishing pad, method for manufacturing the same, and method for manufacturing polished article - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing pad that has appropriate disintegration property and maintains a stable polishing rate, and to provide a method for manufacturing the same and a method for manufacturing a polished article using the polishing pad.SOLUTION: A polishing pad 10 includes a substrate 12 and a resin part 11 arranged on the substrate 12. The resin part 11 includes: a resin containing acryl phenolic resin and/or polyurethane acrylate; a fixed abrasive grain 13 contributing to polishing an object to be polished; and a filler material 14 hardly contributing to polishing the object to be polished.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、研磨パッド及びその製造方法、並びに、研磨加工品の製造方法に関する。   The present invention relates to a polishing pad, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a polished product.

近年、次世代パワー半導体素子材料として、ワイドバンドギャップ半導体である炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、ダイヤモンド、サファイア(Al23)及び窒化アルミニウム(AlN)などの材料が注目されている。例えば、炭化珪素(SiC)はSi半導体と比べてバンドギャップが3倍であり、絶縁破壊電界強度が約7倍である等優れた物性値を有しており、現在のシリコン半導体に比べ高温動作性に優れ、小型で省エネ効果も高いといった点で優れている。また、サファイアウエハについては、その化学的安定性、光学的特性(透明性)、機械的強度、熱的特性(熱伝導性)等から、光学的要素を持った電子機器、例えば高性能オーバーヘッドプロジェクター用部品としての重要性が高まりつつある。これらの次世代パワーデバイスの本格的普及に向けて、基板の大口径化・量産化が進められ、それに伴い、基板加工技術の重要性も増している。そのような基板の加工プロセスでは、Siと同様に、まず、ウエハに用いる円柱状単結晶(インゴット)をスライスすることで円盤状に切り出す。次に、スライスした円盤状単結晶の表面を平坦化するが、まずは、その表面を大まかに平坦化するため、ラッピング定盤を用いてラッピング加工を行う。その後、円盤状単結晶の表面の平坦性を更に向上させ、かつ、表面の微細な傷を除去して鏡面化するために、ポリシング加工を行う。 In recent years, materials such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), diamond, sapphire (Al 2 O 3 ), and aluminum nitride (AlN), which are wide band gap semiconductors, have attracted attention as next-generation power semiconductor device materials. Yes. For example, silicon carbide (SiC) has excellent physical properties such as three times the band gap and about seven times the dielectric breakdown electric field strength compared to Si semiconductors, and operates at higher temperatures than current silicon semiconductors. It is excellent in that it is excellent in performance, small size, and high energy saving effect. For sapphire wafers, electronic devices with optical elements, such as high-performance overhead projectors, due to their chemical stability, optical properties (transparency), mechanical strength, thermal properties (thermal conductivity), etc. The importance as an industrial part is increasing. For the full-scale spread of these next-generation power devices, the substrate diameter and mass production have been promoted, and the importance of substrate processing technology has increased accordingly. In such a substrate processing process, similarly to Si, first, a cylindrical single crystal (ingot) used for a wafer is sliced to be cut into a disk shape. Next, the surface of the sliced disk-shaped single crystal is flattened. First, in order to roughly flatten the surface, lapping is performed using a lapping platen. Thereafter, in order to further improve the flatness of the surface of the disk-shaped single crystal and to remove a fine flaw on the surface to make a mirror surface, a polishing process is performed.

このような研磨加工においては、研磨粒子を含む研磨層組成物を、基材フィルムの一方の面にスクリーン印刷法で印刷し、電離放射線で硬化させて得られる研磨シートを用いる方法や(例えば、特許文献1参照)、飽和共重合ポリエステル樹脂に、一次粒子径が3μm未満の研磨粒子(固定砥粒)が分散された複数の研磨構造体が形成された研磨シートを用いて、遊離砥粒を用いずに研磨を行う方法が知られている(例えば、特許文献2参照)。   In such polishing process, a method using a polishing sheet obtained by printing a polishing layer composition containing abrasive particles on one surface of a base film by screen printing and curing with ionizing radiation (for example, Patent Document 1), using a polishing sheet in which a plurality of polishing structures in which abrasive particles (fixed abrasive grains) having a primary particle diameter of less than 3 μm are dispersed in a saturated copolymerized polyester resin are used, free abrasive grains are used. A method of polishing without using it is known (see, for example, Patent Document 2).

特開2003−145433号公報JP 2003-145433 A 特開2009−72832号公報JP 2009-72832 A

しかしながら、特許文献1及び2に記載の研磨シートでは、研磨層(研磨構造体)表面に露出した研磨粒子のみが固定砥粒として機能し、研磨層内に埋没している研磨粒子は砥粒として作用しないため、経時的に研磨レートが低下し得る。経時的に研磨レートが変化するとその都度研磨条件を変更する必要性が生じるため、従来技術においては研磨レートの安定性について更に検討の余地がある。   However, in the polishing sheets described in Patent Documents 1 and 2, only the abrasive particles exposed on the surface of the polishing layer (polishing structure) function as fixed abrasive grains, and the abrasive particles embedded in the polishing layer serve as abrasive grains. Since it does not act, the polishing rate can decrease over time. When the polishing rate changes with time, it becomes necessary to change the polishing conditions each time. Therefore, there is room for further study on the stability of the polishing rate in the prior art.

この点について、研磨層が所望の崩壊性を有し、研磨とともに研磨層表面が所望の速度で徐々に削れることにより研磨層内に埋没している研磨粒子が新たに露出するようにすることにより、研磨レートの安定性を向上することが考えられる。研磨層の崩壊性は、研磨層中の研磨粒子の体積割合に依存すると考えられ、研磨粒子の体積割合が多いほど崩壊性が向上するものと考えられる。   In this regard, the polishing layer has a desired disintegration, and the polishing particles embedded in the polishing layer are newly exposed by gradually scraping the polishing layer surface at a desired speed with polishing. It is conceivable to improve the stability of the polishing rate. The disintegration property of the polishing layer is considered to depend on the volume ratio of the abrasive particles in the polishing layer, and the disintegration property is considered to improve as the volume ratio of the abrasive particles increases.

しかしながら、単純に研磨層中の研磨粒子の体積割合を増加させると崩壊性が極端に高まり、研磨パッドの寿命が極端に低下するという問題がある。これは、研磨に伴い崩壊した研磨層から研磨粒子が遊離し、遊離した研磨粒子が研磨層の崩壊を助長するように働くためと考えられる。また、研磨粒子として、研磨レートの観点からダイヤモンドなどの比較的高価な粒子を用いる場合、崩壊性向上の観点から研磨粒子の体積割合を増加させたとしても、崩壊性が高まりすぎることで研磨パッドの寿命が低下してしまうのではコスト的な観点から許容し難いという問題もある。一方で、単純に研磨粒子の体積割合を低下させると、研磨層を製造するために用いる組成物の粘度が変化し、スクリーン印刷などの手法により製造することが困難となる他、崩壊性も低下し、研磨レートも低下するという問題が生じる。   However, simply increasing the volume ratio of the abrasive particles in the polishing layer causes a problem that the disintegration property is extremely increased and the life of the polishing pad is extremely decreased. This is presumably because the abrasive particles are released from the abrasive layer collapsed with the polishing, and the released abrasive particles work to promote the collapse of the abrasive layer. In addition, when relatively expensive particles such as diamond are used as abrasive particles from the viewpoint of the polishing rate, even if the volume ratio of the abrasive particles is increased from the viewpoint of improving disintegration, the disintegration is too high and the polishing pad is increased. There is also a problem that it is difficult to tolerate from the viewpoint of cost if the lifespan of the product is reduced. On the other hand, if the volume ratio of the abrasive particles is simply reduced, the viscosity of the composition used to produce the abrasive layer changes, making it difficult to produce by screen printing and other techniques, and the disintegration also decreases. In addition, there arises a problem that the polishing rate is lowered.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、適切な崩壊性を有することにより、安定した研磨レートを維持することのできる研磨パッド及びその製造方法、並びに、その研磨パッドを用いた研磨加工品の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and by having an appropriate disintegration, a polishing pad capable of maintaining a stable polishing rate, a method for manufacturing the same, and polishing using the polishing pad It aims at providing the manufacturing method of a processed article.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した。その結果、固定砥粒とは別に被研磨物の研磨にほぼ寄与しない充填材を用いることにより、上記課題を解決できることを見出して、本発明を完成するに至った。   The present inventors diligently studied to solve the above problems. As a result, the present inventors have found that the above problem can be solved by using a filler that does not substantially contribute to the polishing of an object to be polished apart from fixed abrasive grains, and have completed the present invention.

すなわち、本発明は以下のとおりである。
〔1〕
基材と、該基材上に配された樹脂部と、を備え、
該樹脂部は、樹脂と、被研磨物の研磨に寄与する固定砥粒と、前記被研磨物の研磨に寄与し難い充填材と、を有する、
研磨パッド。
〔2〕
前記樹脂が、アクリルフェノール系樹脂及び/又はポリウレタンアクリレートを含む、
〔1〕に記載の研磨パッド。
〔3〕
前記固定砥粒が、ダイヤモンド砥粒、酸化セリウム砥粒、アルミナ砥粒、炭化珪素砥粒、酸化珪素砥粒、ジルコニア砥粒、酸化鉄砥粒、酸化マンガン砥粒、酸化マグネシウム砥粒、酸化カルシウム砥粒、酸化バリウム砥粒、酸化亜鉛砥粒、炭酸バリウム砥粒、及び炭酸カルシウム砥粒からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、
〔1〕又は〔2〕に記載の研磨パッド。
〔4〕
前記充填材が、シリカ、及び酸化チタンからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、
〔1〕〜〔3〕のいずれか1項に記載の研磨パッド。
〔5〕
前記固定砥粒の含有量が、前記樹脂部の総量に対して、30〜60質量%である、
〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載の研磨パッド。
〔6〕
前記充填材の含有量が、前記樹脂部の総量に対して、5〜35質量%である、
〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載の研磨パッド。
〔7〕
前記基材が、ポリエステル系フィルムを含む、
〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載の研磨パッド。
〔8〕
前記基材の前記樹脂部とは反対側に、接着層をさらに備える、
〔1〕〜〔6〕のいずれか1項に記載の研磨パッド。
〔9〕
基材の上に、樹脂と、被研磨物の研磨に寄与する固定砥粒と、前記被研磨物の研磨に寄与し難い充填材と、を含む硬化性組成物を付着させる付着工程と、
付着した前記硬化性組成物を硬化させて樹脂部を得る硬化工程と、を有する、
研磨パッドの製造方法。
That is, the present invention is as follows.
[1]
A substrate and a resin portion disposed on the substrate;
The resin portion includes a resin, fixed abrasive grains that contribute to polishing of the object to be polished, and a filler that hardly contributes to polishing of the object to be polished.
Polishing pad.
[2]
The resin includes an acrylic phenol resin and / or polyurethane acrylate,
The polishing pad according to [1].
[3]
The fixed abrasive is diamond abrasive, cerium oxide abrasive, alumina abrasive, silicon carbide abrasive, silicon oxide abrasive, zirconia abrasive, iron oxide abrasive, manganese oxide abrasive, magnesium oxide abrasive, calcium oxide Including at least one selected from the group consisting of abrasive grains, barium oxide abrasive grains, zinc oxide abrasive grains, barium carbonate abrasive grains, and calcium carbonate abrasive grains,
The polishing pad according to [1] or [2].
[4]
The filler includes at least one selected from the group consisting of silica and titanium oxide,
The polishing pad according to any one of [1] to [3].
[5]
The content of the fixed abrasive is 30 to 60% by mass with respect to the total amount of the resin part.
The polishing pad according to any one of [1] to [4].
[6]
The content of the filler is 5 to 35% by mass with respect to the total amount of the resin part.
The polishing pad according to any one of [1] to [5].
[7]
The base material includes a polyester film,
The polishing pad according to any one of [1] to [4].
[8]
An adhesive layer is further provided on the side opposite to the resin part of the base material,
The polishing pad according to any one of [1] to [6].
[9]
An adhesion step of adhering a curable composition comprising a resin, a fixed abrasive that contributes to polishing of the object to be polished, and a filler that does not easily contribute to polishing of the object to be polished on the substrate;
Curing the attached curable composition to obtain a resin part,
Manufacturing method of polishing pad.

本発明によれば、適切な崩壊性を有することにより、安定した研磨レートを維持することのできる研磨パッド及びその製造方法、並びに、その研磨パッドを用いた研磨加工品の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a polishing pad capable of maintaining a stable polishing rate by having appropriate disintegration, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a polished product using the polishing pad. Can do.

本実施形態の研磨パッドの一例を示す概略的な正面図である。It is a schematic front view which shows an example of the polishing pad of this embodiment.

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態(以下、単に「本実施形態」という。)について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。   Hereinafter, a form for carrying out the present invention (hereinafter simply referred to as “the present embodiment”) will be described in detail with reference to the drawings as necessary. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.

〔研磨パッド〕
本実施形態の研磨パッドは、基材と、該基材上に配された樹脂部と、を備え、該樹脂部は、樹脂と、被研磨物の研磨に寄与する固定砥粒と、前記被研磨物の研磨に寄与し難い充填材と、を有する。
[Polishing pad]
The polishing pad of the present embodiment includes a base material and a resin portion disposed on the base material, and the resin portion includes a resin, fixed abrasive grains that contribute to polishing of an object to be polished, and the object to be polished. And a filler that hardly contributes to polishing of the polished article.

図1に、本実施形態の研磨パッドの一例を示す概略的な正面図を示す。図1に示されるように、この研磨パッド10は、基材12と、該基材12上に配された樹脂部11とを備える。図1では、基材12の表面上に樹脂部11による複数のドットが配置されて凹凸パターン(ポジパターン)が形成されている。ただし、樹脂部11は、図1に示すように基材12と共に凹凸パターンを構成するものであっても、基材表面上に形成された一様な層であってもよい。また、凹凸パターンは、一様な層がドット状に打ち抜かれるようにして形成された樹脂部11によるパターン(ネガパターン)であってもよい。なお、本実施形態の研磨パッドは、必要に応じて、後述する接着層を有していてもよい。   FIG. 1 is a schematic front view showing an example of the polishing pad of the present embodiment. As shown in FIG. 1, the polishing pad 10 includes a base material 12 and a resin portion 11 disposed on the base material 12. In FIG. 1, a plurality of dots by the resin portion 11 are arranged on the surface of the base material 12 to form an uneven pattern (positive pattern). However, the resin portion 11 may form a concavo-convex pattern together with the substrate 12 as shown in FIG. 1 or may be a uniform layer formed on the substrate surface. Further, the uneven pattern may be a pattern (negative pattern) formed by the resin portion 11 formed so that a uniform layer is punched into dots. In addition, the polishing pad of this embodiment may have an adhesive layer described later as necessary.

図1に示されるように、本実施形態の研磨パッドでは、研磨に寄与し難い充填材14の存在により、樹脂部の崩壊性が制御されたものとなり、研磨が進むと共に樹脂部11の研磨面が徐々に削れ、樹脂部11に埋め込まれていた固定砥粒13が露出した新たな研磨面が形成される。   As shown in FIG. 1, in the polishing pad of this embodiment, the disintegration property of the resin part is controlled due to the presence of the filler 14 that does not easily contribute to polishing. Are gradually scraped off to form a new polished surface in which the fixed abrasive grains 13 embedded in the resin portion 11 are exposed.

樹脂部が固定砥粒と樹脂とを有し、研磨に寄与し難い充填材を有しない場合であって、樹脂自体の崩壊性が小さい場合、表面から突出している固定砥粒は研磨に寄与するが、樹脂の崩壊性が抑制されることにより内部の固定砥粒が表面に露出し難く、経時的に研磨レートが低下し得る。これに対して、樹脂部が固定砥粒と樹脂とを有し、研磨に寄与し難い充填材を有しない場合であって、樹脂自体の崩壊性が大きい場合には、樹脂部分の崩壊により固定砥粒の露出・脱離が進み、脱離した(遊離化した)固定砥粒が樹脂を研磨することによりさらに樹脂部の崩壊が促進され、加速度的に崩壊が進むことにより研磨パッドのライフが短くなる。   When the resin part has a fixed abrasive and a resin and does not have a filler that does not easily contribute to polishing, and the resin itself has low disintegration, the fixed abrasive protruding from the surface contributes to polishing. However, since the disintegration property of the resin is suppressed, the internal fixed abrasive is hardly exposed on the surface, and the polishing rate can be lowered with time. On the other hand, if the resin part has fixed abrasive grains and a resin and does not have a filler that does not contribute to polishing, and the resin itself is highly disintegratable, the resin part is fixed by the collapse of the resin part. As the abrasive grains are exposed and desorbed, the desorbed (freed) fixed abrasive grains polish the resin to further accelerate the collapse of the resin part, and the decay progresses at an accelerated rate, thereby reducing the life of the polishing pad. Shorter.

なお、樹脂部の崩壊性の制御方法としては、樹脂部に用いる樹脂の選択等により硬度や脆性を変化させる方法や、樹脂部に用いる固定砥粒の割合を増加させて樹脂部の脆性を変化させる方法や、研磨中に流すスラリーの中に(被研磨物の研磨ではなく)樹脂崩壊に寄与するホワイトアルミナなどの成分を添加する方法など、物理的に崩壊を制御する方法;スラリーのpHに応じて反応する樹脂を用いることで化学的に崩壊を制御する方法などが考えられる。   In addition, as a method for controlling the disintegration property of the resin part, a method of changing the hardness or brittleness by selecting a resin used for the resin part, or a change of the brittleness of the resin part by increasing the ratio of the fixed abrasive used for the resin part. And a method of physically controlling disintegration, such as a method of adding a component such as white alumina that contributes to resin disintegration (instead of polishing of the object to be polished) into the slurry flowing during polishing; A method of chemically controlling disintegration by using a resin that reacts accordingly can be considered.

これに対して、本実施形態の研磨パッドは、樹脂部が固定砥粒とは別に被研磨物の研磨に寄与し難い充填材を有することで、物理的に樹脂部の崩壊を制御しようとしたものであり、スクリーン印刷など製造時において要求される樹脂の特性を変更することなく、崩壊性を適度に制御するものである。特に、樹脂部が固定砥粒を有し、充填材を有しない研磨パッドと比較して、その固定砥粒の一部を研磨に寄与し難い充填材に置換した場合には、通常は研磨レートが低くなると考えられる。しかしながら、本実施形態の研磨パッドでは、研磨レートが高く、その上、経時的に安定した研磨レートを維持することができたという点は驚くべきことである。この要因は、下記に特に限定されないが、研磨に寄与し難い充填材を用いることにより、樹脂部における樹脂自体の脆性を低下させたり、樹脂部における固定砥粒の割合を増加させたりすることにより樹脂部の脆性を低下させる必要がないこと、崩壊性向上の観点から樹脂部に用いる固定砥粒の割合を増加させる必要もないため、遊離した固定砥粒が樹脂部を崩壊させることを抑制できること、研磨に寄与し難い充填材が崩壊性を向上させることにより、樹脂部の内部に埋め込まれていた固定砥粒が露出した新たな研磨面が形成されやすいこと、等のバランスによる結果であると考えられる。   On the other hand, the polishing pad of this embodiment tried to physically control the collapse of the resin portion by having the filler that does not contribute to the polishing of the object to be polished separately from the fixed abrasive. Therefore, the disintegration property is moderately controlled without changing the resin properties required during production such as screen printing. In particular, when the resin part has fixed abrasive grains and a part of the fixed abrasive grains is replaced with a filler that hardly contributes to polishing as compared with a polishing pad having no filler, the polishing rate is usually Is considered to be low. However, it is surprising that the polishing pad of the present embodiment has a high polishing rate and can maintain a stable polishing rate over time. This factor is not particularly limited to the following, but by using a filler that does not easily contribute to polishing, by reducing the brittleness of the resin itself in the resin part, or by increasing the proportion of fixed abrasive grains in the resin part. It is not necessary to reduce the brittleness of the resin part, and it is not necessary to increase the proportion of the fixed abrasive used in the resin part from the viewpoint of improving disintegration, so that it is possible to suppress the release of the fixed abrasive grains from the resin part. In addition, the filler that does not contribute to polishing improves the disintegration property, so that it is easy to form a new polished surface in which the fixed abrasive grains embedded in the resin portion are exposed. Conceivable.

〔基材〕
基材としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム;ポリエチレン(PE)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、エチレン−プロピレン共重合体フィルム等のポリオレフィン系フィルム;ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)フィルム、ポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルムが挙げられる。基材としては上面に後述する樹脂を形成可能なものであれば特に限定されず、耐薬品性・耐熱性・経済性などの観点からポリステル系フィルムが好ましい。
〔Base material〕
Although it does not specifically limit as a base material, For example, polyester-type films, such as a polyethylene terephthalate film, a polypropylene terephthalate film, a polybutylene terephthalate film; A polyethylene (PE) film, a polypropylene (PP) film, an ethylene propylene copolymer film, etc. A polyolefin-based film; a polyether ether ketone (PEEK) film and a polyphenylene sulfide (PPS) film. The substrate is not particularly limited as long as it can form a resin described later on the upper surface, and a polyester film is preferable from the viewpoint of chemical resistance, heat resistance, economy, and the like.

〔樹脂部〕
樹脂部は、基材上に配され、樹脂と、被研磨物の研磨に寄与する固定砥粒と、前記被研磨物の研磨に寄与し難い充填材と、を有する。ここで、「研磨に寄与する」及び「研磨に寄与し難い」とは、研磨に寄与する砥粒を遊離砥粒として含むスラリーを用いた場合の研磨レートAと、研磨に寄与し難い充填材を遊離砥粒として含むスラリーを用いた場合の研磨レートBとの対比において、研磨レートAを1としたときに研磨レートBが0.1以下となるような関係をいう。ここで、研磨レートA、Bの測定条件は、遊離砥粒が異なる他は、スラリーにおける遊離砥粒の含有量(質量基準)を含め、同一である。
(Resin part)
The resin portion is disposed on the substrate and includes a resin, fixed abrasive grains that contribute to polishing of the object to be polished, and a filler that does not easily contribute to polishing of the object to be polished. Here, “contributing to polishing” and “difficult to contribute to polishing” mean a polishing rate A when using a slurry containing abrasive grains contributing to polishing as free abrasive grains, and a filler that hardly contributes to polishing. In comparison with the polishing rate B in the case of using a slurry containing a free abrasive grain, the polishing rate B is 0.1 or less when the polishing rate A is 1. Here, the measurement conditions of the polishing rates A and B are the same including the content (mass basis) of the free abrasive grains in the slurry, except that the free abrasive grains are different.

〔固定砥粒〕
固定砥粒としては、特に制限されないが、例えば、ダイヤモンド砥粒、酸化セリウム砥粒、アルミナ砥粒、炭化珪素砥粒、酸化珪素砥粒、ジルコニア砥粒、酸化鉄砥粒、酸化マンガン砥粒、酸化マグネシウム砥粒、酸化カルシウム砥粒、酸化バリウム砥粒、酸化亜鉛砥粒、炭酸バリウム砥粒、及び炭酸カルシウム砥粒からなる群より選ばれる少なくとも1種が挙げられる。このなかでも、ダイヤモンド砥粒が好ましい。このような固定砥粒を用いることにより、研磨レートがより向上する傾向にある。
(Fixed abrasive)
The fixed abrasive is not particularly limited, for example, diamond abrasive, cerium oxide abrasive, alumina abrasive, silicon carbide abrasive, silicon oxide abrasive, zirconia abrasive, iron oxide abrasive, manganese oxide abrasive, Examples thereof include at least one selected from the group consisting of magnesium oxide abrasive grains, calcium oxide abrasive grains, barium oxide abrasive grains, zinc oxide abrasive grains, barium carbonate abrasive grains, and calcium carbonate abrasive grains. Among these, diamond abrasive grains are preferable. By using such fixed abrasive grains, the polishing rate tends to be further improved.

固定砥粒の含有量は、樹脂部の総量に対して、好ましくは30〜60質量%であり、より好ましくは35〜55質量%であり、さらに好ましくは40〜50質量%である。固定砥粒の含有量が30質量%以上であることにより、研磨レートがより向上する傾向にある。また、固定砥粒の含有量が60質量%以下であることにより、研磨レートの安定性がより向上する傾向にある。   The content of the fixed abrasive is preferably 30 to 60% by mass, more preferably 35 to 55% by mass, and further preferably 40 to 50% by mass with respect to the total amount of the resin part. When the content of the fixed abrasive is 30% by mass or more, the polishing rate tends to be further improved. Moreover, when the content of the fixed abrasive is 60% by mass or less, the stability of the polishing rate tends to be further improved.

〔研磨に寄与し難い充填材〕
研磨に寄与し難い充填材(以下、単に「充填材」ともいう。)としては、上記固定砥粒との関係において、「研磨に寄与し難い」といえるものであれば特に制限されないが、例えば、シリカ、及び酸化チタンからなる群より選ばれる少なくとも1種が挙げられる。このような、充填剤を用いることにより、樹脂部の崩壊性がより向上する傾向にある。
[Fillers that are difficult to contribute to polishing]
The filler that does not easily contribute to polishing (hereinafter, also simply referred to as “filler”) is not particularly limited as long as it can be said to be “difficult to contribute to polishing” in relation to the fixed abrasive, for example, , Silica, and at least one selected from the group consisting of titanium oxide. By using such a filler, the disintegration property of the resin part tends to be further improved.

充填材の含有量は、樹脂部の総量に対して、好ましくは5〜35質量%であり、より好ましくは7.5〜30質量%であり、さらに好ましくは10〜25質量%である。充填剤の含有量が5質量%以上であることにより、樹脂部の崩壊性がより高まり、研磨レートの安定性がより向上する傾向にある。また、充填剤の含有量が35質量%以下であることにより、相対的に固定砥粒が増えるため研磨レートがより向上する傾向にあると共に、研磨パッドのライフがより向上する傾向にある。   The content of the filler is preferably 5 to 35% by mass, more preferably 7.5 to 30% by mass, and further preferably 10 to 25% by mass with respect to the total amount of the resin part. When the content of the filler is 5% by mass or more, the disintegration property of the resin part is further increased, and the stability of the polishing rate tends to be further improved. Further, when the filler content is 35% by mass or less, the number of fixed abrasive grains is relatively increased, so that the polishing rate tends to be further improved and the life of the polishing pad tends to be further improved.

また、充填材の含有量は、固定砥粒と充填材の総体積量100体積%に対して、好ましくは10〜70体積%であり、より好ましくは20〜60体積%であり、さらに好ましくは25〜50体積%である。充填剤の含有量が10体積%以上であることにより、樹脂部の崩壊性がより向上し、研磨レートの安定性がより向上する傾向にある。また、充填剤の含有量が70体積%以下であることにより、相対的に固定砥粒が増えるため研磨レートがより向上する傾向にある。なお、後述する硬化性組成物の粘度等は、固定砥粒と充填材の総質量よりも総体積量に依存する傾向がある。   The content of the filler is preferably 10 to 70% by volume, more preferably 20 to 60% by volume, and still more preferably, with respect to 100% by volume of the total volume of the fixed abrasive and the filler. It is 25-50 volume%. When the content of the filler is 10% by volume or more, the disintegration property of the resin part is further improved, and the stability of the polishing rate tends to be further improved. Further, when the filler content is 70% by volume or less, the number of fixed abrasive grains is relatively increased, so that the polishing rate tends to be further improved. In addition, the viscosity of the curable composition described later tends to depend on the total volume rather than the total mass of the fixed abrasive and the filler.

〔樹脂部のパターン〕
樹脂部は、基材表面上に一様な層として形成されていてもよいし、単独で又は基材と共に凹凸パターンを構成するように形成されていてもよい(図1参照)。このなかでも、スラリー等の研磨時に使用する液体成分を研磨面に供給又は排出する観点から、樹脂部は規則的な凹凸パターンを構成することが好ましい。規則的なパターンを有することにより、均質な研磨を可能とし、面品位に優れた研磨を達成し得る。なお、「規則的なパターン」とは、単位となる小パターンを複数並べて得られるパターンをいう。また、樹脂部の基材と反対側の表面は、被研磨物を研磨するための研磨面となる。
[Resin pattern]
The resin part may be formed as a uniform layer on the surface of the base material, or may be formed alone or together with the base material so as to form a concavo-convex pattern (see FIG. 1). Among these, from the viewpoint of supplying or discharging a liquid component used during polishing such as slurry to the polishing surface, it is preferable that the resin portion forms a regular uneven pattern. By having a regular pattern, uniform polishing is possible, and polishing with excellent surface quality can be achieved. The “regular pattern” refers to a pattern obtained by arranging a plurality of small patterns as a unit. Further, the surface of the resin portion opposite to the base material is a polishing surface for polishing the object to be polished.

凹凸パターンとしては、被研磨物に接触する部分(凸部)と、被研磨物に接触しない部分(凹部)とを有するパターンであれば特に限定されないが、例えば、図1に示すような樹脂部11が基材12上に独立して形成されたポジパターン(ドット状の凸部を有するパターン);樹脂部が基材上に連続して形成されたネガパターン(ドット状の凹部を有するパターン);ドーナツ状の凸部を有するパターン;略C型の凸部を有するパターン;同心円状に、被研磨物に接触する部分と被研磨物に接触しない部分とを有するパターン;格子状に、被研磨物に接触する部分と被研磨物に接触しない部分とを有するパターン;放射状に、被研磨物に接触する部分と被研磨物に接触しない部分とを有するパターン;螺旋状に、被研磨物に接触する部分と被研磨物に接触しない部分とを有するパターン;又はこれらを組み合わせて構成されたパターンが挙げられる。このなかでも、ドット状の凸部を有するパターン、又は、ドット状の凹部を有するパターンが好ましい。このような凹凸パターンを有することにより、研磨レートがより向上する傾向にある。   The concavo-convex pattern is not particularly limited as long as it is a pattern having a portion (convex portion) that contacts the object to be polished and a portion (concave portion) that does not contact the object to be polished. For example, a resin portion as shown in FIG. 11 is a positive pattern formed independently on the substrate 12 (pattern having dot-shaped convex portions); a negative pattern in which the resin portion is continuously formed on the substrate (pattern having dot-shaped concave portions) A pattern having a donut-shaped convex part; a pattern having a substantially C-shaped convex part; a pattern having concentric circles and a part that contacts the object to be polished and a part that does not contact the object to be polished; A pattern having a part that contacts the object and a part that does not contact the object to be polished; a pattern having a part that contacts the object to be polished and a part that does not contact the object to be polished; Parts and cover Pattern and a portion which does not contact the Migakubutsu; or include pattern composed of a combination of these. Among these, a pattern having a dot-like convex portion or a pattern having a dot-like concave portion is preferable. By having such a concavo-convex pattern, the polishing rate tends to be further improved.

なお、ドット状の凸部を有するパターンの場合のドットの立体形状は、特に制限されず、例えば半球状、略半球状、球帽状、略球帽状、球帯状、略球帯状、半楕円体状、略半楕円体状、柱状(円柱状、略円柱状、楕円柱状、略楕円柱状、多角柱状)、錐台状(円錐台状、略円錐台状、楕円錐台状、略楕円錐台状、多角錐台状)が挙げられる。上記のうち、錐台状は、基材側から研磨面側に向けて広がる錐台状であってもよく、研磨面側から基材側に向けて広がる錐台状であってもよい。また、ドット状の凹部を有するパターンの場合の凹部における空間の立体形状も、ドット状の凸部を有するパターンの場合の立体形状と同様のものを例示できる。   In addition, the three-dimensional shape of the dot in the case of a pattern having a dot-like convex part is not particularly limited, and for example, hemispherical, substantially hemispherical, spherical cap shape, substantially spherical cap shape, spherical belt shape, substantially spherical belt shape, semi-elliptical shape Body shape, substantially semi-ellipsoidal shape, columnar shape (columnar shape, substantially columnar shape, elliptical columnar shape, substantially elliptical columnar shape, polygonal columnar shape), frustum shape (conical truncated cone shape, substantially truncated cone shape, elliptical truncated cone shape, substantially elliptical truncated cone shape) Trapezoidal and polygonal frustum-shaped). Among the above, the frustum shape may be a frustum shape extending from the substrate side toward the polishing surface side, or may be a frustum shape extending from the polishing surface side toward the substrate side. In addition, the three-dimensional shape of the space in the concave portion in the case of the pattern having the dot-shaped concave portion can be exemplified by the same three-dimensional shape as in the case of the pattern having the dot-shaped convex portion.

樹脂部を構成する樹脂としては、特に限定されないが、例えば、分子内にエーテル又はエステル結合を有するポリウレタン、ポリウレタンポリウレア、ポリウレタンアクリレート等のポリウレタン系樹脂;ポリアクリレート、アクリルフェノール系樹脂、ポリアクリロニトリル等のアクリル系樹脂;ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリフッ化ビニリデン等のビニル系樹脂;ポリサルホン、ポリエーテルサルホン等のポリサルホン系樹脂;アセチル化セルロース、ブチリル化セルロース等のアシル化セルロース系樹脂;ポリアミド系樹脂;及びポリスチレン系樹脂が挙げられる。このなかでも、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂が好ましく、アクリルフェノール系樹脂及び/又はポリウレタンアクリレートがより好ましい。このような樹脂を用いることにより、研磨レートがより向上する傾向にある。なお、樹脂部を構成する樹脂は、1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。   Although it does not specifically limit as resin which comprises a resin part, For example, polyurethane-type resins, such as a polyurethane which has an ether or ester bond in a molecule | numerator, a polyurethane polyurea, a polyurethane acrylate; Polyacrylate, an acrylphenol type resin, a polyacrylonitrile Acrylic resins; vinyl resins such as polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, and polyvinylidene fluoride; polysulfone resins such as polysulfone and polyethersulfone; acylated cellulose resins such as acetylated cellulose and butyryl cellulose; polyamides Resin; and polystyrene resin. Among these, acrylic resins and polyurethane resins are preferable, and acrylic phenol resins and / or polyurethane acrylates are more preferable. By using such a resin, the polishing rate tends to be further improved. In addition, resin which comprises a resin part may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

〔接着層〕
本実施形態の研磨パッドは、基材の樹脂部とは反対側に、研磨機の研磨定盤に研磨パッドを貼着するための接着層をさらに備えてもよい。接着層は、従来知られている研磨パッドに用いられている接着剤又は粘着剤を含むものであってもよい。接着層の材料としては、例えば、アクリル系接着剤、ニトリル系接着剤、ニトリルゴム系接着剤、ポリアミド系接着剤、ポリウレタン系接着剤、ポリエステル系接着剤、シリコーン系接着剤等の各種熱可塑性接着剤が挙げられる。接着層は、例えば両面テープであってもよい。
(Adhesive layer)
The polishing pad of this embodiment may further include an adhesive layer for attaching the polishing pad to the polishing surface plate of the polishing machine on the side opposite to the resin portion of the substrate. The adhesive layer may include an adhesive or a pressure-sensitive adhesive used for a conventionally known polishing pad. Examples of the material for the adhesive layer include various thermoplastic adhesives such as acrylic adhesives, nitrile adhesives, nitrile rubber adhesives, polyamide adhesives, polyurethane adhesives, polyester adhesives, and silicone adhesives. Agents. The adhesive layer may be a double-sided tape, for example.

〔アンカー層〕
本実施形態の研磨パッドは、基材と樹脂部との間にアンカー層を有していてもよい。アンカー層を有することにより、基材と樹脂部との密着性をより向上する傾向にある。アンカー層を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂コート剤が挙げられる。
[Anchor layer]
The polishing pad of this embodiment may have an anchor layer between the base material and the resin portion. By having an anchor layer, it exists in the tendency which improves the adhesiveness of a base material and a resin part more. Although it does not specifically limit as a material which comprises an anchor layer, For example, an acrylic resin coating agent is mentioned.

〔研磨パッドの製造方法〕
本実施形態の研磨パッドの製造方法は、基材の上に、樹脂と、被研磨物の研磨に寄与する固定砥粒と、前記被研磨物の研磨に寄与し難い充填材と、を含む硬化性組成物を付着させる付着工程と、付着した前記硬化性組成物を硬化させて樹脂部を得る硬化工程と、を有する。
[Production method of polishing pad]
The polishing pad manufacturing method of the present embodiment includes a resin, a fixed abrasive that contributes to the polishing of the object to be polished, and a filler that hardly contributes to the polishing of the object to be polished on the substrate. An adhering step for adhering the adhesive composition, and a curing step for curing the adhering curable composition to obtain a resin portion.

〔付着工程〕
付着工程では、基材の上に、樹脂と、被研磨物の研磨に寄与する固定砥粒と、被研磨物の研磨に寄与し難い充填材と、を含む硬化性組成物を付着させる。この際に、樹脂部が所望の凹凸パターンを形成するように、基材の上に硬化性組成物を付着させてもよい。
[Adhesion process]
In the attaching step, a curable composition containing a resin, fixed abrasive grains that contribute to polishing of the object to be polished, and a filler that hardly contributes to polishing of the object to be polished is attached on the base material. At this time, the curable composition may be adhered on the base material so that the resin portion forms a desired uneven pattern.

基材の上に硬化性組成物を付着させる方法としては、特に限定されないが、例えば、グラビアコーター法、小径グラビアコーター法、リバースロールコーター法、トランスファロールコーター法、キスコーター法、ダイコーター法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法等が挙げられる。これらの中では、複雑な凹凸パターンの形成のしやすさの観点から、スクリーン印刷法が好ましい。   The method for attaching the curable composition on the substrate is not particularly limited. For example, a gravure coater method, a small diameter gravure coater method, a reverse roll coater method, a transfer roll coater method, a kiss coater method, a die coater method, a screen. Examples thereof include a printing method and a spray coating method. Among these, the screen printing method is preferable from the viewpoint of easy formation of a complicated uneven pattern.

(硬化性組成物)
硬化性組成物としては、特に限定されないが、例えば、光重合開始剤及び重合性化合物を含む光硬化性組成物、熱重合開始剤及び重合性化合物を含む熱硬化性組成物、熱硬化性樹脂、UV硬化樹脂、2液混合型の硬化樹脂を含む硬化性組成物等が挙げられる。また、硬化性組成物は、必要に応じて、重合性官能基を2以上有する架橋剤等を含んでもよい。
(Curable composition)
Although it does not specifically limit as a curable composition, For example, the photocurable composition containing a photoinitiator and a polymeric compound, the thermosetting composition containing a thermal polymerization initiator and a polymeric compound, a thermosetting resin And a curable composition containing a UV curable resin, a two-component mixed curable resin, and the like. Moreover, the curable composition may contain the crosslinking agent etc. which have 2 or more of polymerizable functional groups as needed.

重合性化合物としては、特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレートが挙げられる。   Although it does not specifically limit as a polymeric compound, For example, (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate is mentioned.

光重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、ベンゾフェノン系化合物、アセトフェノン系化合物、チオチサントン系化合物が挙げられる。また、熱重合性開始剤としては、特に限定されないが、例えば、2,2’−アゾビスブチロニトリルのようなアゾ化合物、過酸化ベンゾイル(BPO)などの過酸化物が挙げられる。   Although it does not specifically limit as a photoinitiator, For example, a benzophenone series compound, an acetophenone series compound, and a thiotisanthone series compound are mentioned. The thermal polymerization initiator is not particularly limited, and examples thereof include azo compounds such as 2,2'-azobisbutyronitrile and peroxides such as benzoyl peroxide (BPO).

熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレア樹脂、ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。   Although it does not specifically limit as a thermosetting resin, For example, a phenol resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a urea resin, a formaldehyde resin etc. are mentioned.

UV硬化樹脂としては、特に限定されないが、例えば、数平均分子量1000〜10000程度のプレポリマーが良く、材料としてはアクリル(メタクリル)系エステルやそのウレタン変性物、チオコール系等が挙げられ、適宜用途に応じて反応性希釈剤や有機溶剤を用いることができる。また、2液混合型の硬化樹脂としては、特に限定されないが、例えば、異なる物性のプレポリマーを用いることができる。   Although it does not specifically limit as UV curable resin, For example, a prepolymer with a number average molecular weight of about 1000 to 10000 is good, and examples of the material include acrylic (methacrylic) esters, urethane-modified products thereof, thiocols, etc. Depending on the case, a reactive diluent or an organic solvent can be used. Further, the two-component mixed type curable resin is not particularly limited, but for example, prepolymers having different physical properties can be used.

〔硬化工程〕
硬化工程は、付着した硬化性組成物を硬化させて樹脂部を得る工程である。硬化方法としては、特に限定されないが、例えば、光硬化、熱硬化等が挙げられる。得られる樹脂部は、一部の固定砥粒と充填材が表面に露出し、その他の固定砥粒と充填材が樹脂中に埋め込まれたものとなる。
[Curing process]
A hardening process is a process of hardening the adhering curable composition and obtaining a resin part. Although it does not specifically limit as a hardening method, For example, photocuring, thermosetting, etc. are mentioned. In the obtained resin part, a part of the fixed abrasive grains and the filler are exposed on the surface, and the other fixed abrasive grains and the filler are embedded in the resin.

〔その他の工程〕
本実施形態の研磨パッドの製造方法は、必要に応じて、その他の工程等を有してもよい。例えば、付着工程の後、硬化工程の前に硬化性組成物中の揮発成分の少なくとも一部を揮発除去する工程を有していてもよい。また、付着工程の後であって硬化工程の前、及び/又は、硬化工程の後に、所望の凹凸パターンを形成するために、硬化性組成物や樹脂部の一部を除去する工程を有していてもよい。除去する方法としては、例えば、切削が挙げられる。
[Other processes]
The manufacturing method of the polishing pad of this embodiment may have other processes as needed. For example, you may have the process of volatilizing and removing at least one part of the volatile component in a curable composition after an adhesion process and before a hardening process. In addition, after the adhesion step, before the curing step and / or after the curing step, there is a step of removing a part of the curable composition or the resin portion in order to form a desired uneven pattern. It may be. An example of the removal method is cutting.

〔研磨加工品の製造方法〕
本実施形態の研磨加工品の製造方法は、遊離砥粒の存在下、上記研磨パッドを用いて、被研磨物を研磨する研磨工程を有する方法であれば、特に限定されない。研磨工程は、1次ラッピング研磨(粗ラッピング)であってもよく、2次ラッピング(仕上げラッピング)であってもよく、ポリッシング研磨であってもよく、これらのうち複数の研磨を兼ねるものであってもよい。
[Production method of polished product]
The manufacturing method of the polishing processed product according to this embodiment is not particularly limited as long as it includes a polishing step of polishing an object to be polished using the polishing pad in the presence of loose abrasive grains. The polishing process may be primary lapping polishing (rough lapping), secondary lapping (finish lapping), or polishing polishing, and may also serve as a plurality of polishing. May be.

被研磨物としては、特に限定されないが、例えば、半導体デバイス、電子部品等の材料、特に、Si基板(シリコンウェハ)、SiC(炭化珪素)基板、GaAs(ガリウム砒素)基板、ガラス、ハードディスクやLCD(液晶ディスプレイ)用基板等の薄型基板(被研磨物)が挙げられる。このなかでも、本実施形態の研磨加工品の製造方法は、パワーデバイス、LEDなどに適用され得る材料、例えば、サファイア、SiC、GaN、及びダイヤモンドなど、研磨加工の困難な難加工材料の製造方法として好適に用いることができる。これらの中では、本実施形態の研磨パッドによる作用効果をより有効に活用できる観点から、半導体ウエハが好ましく、SiC基板、サファイア基板又はGaN基板が好ましい。その材質としては、SiC単結晶及びGaN単結晶等の難削材が好ましいが、サファイア、窒化珪素、窒化アルミニウムの単結晶などであってもよい。   The object to be polished is not particularly limited. For example, materials such as semiconductor devices and electronic components, in particular, Si substrates (silicon wafers), SiC (silicon carbide) substrates, GaAs (gallium arsenide) substrates, glass, hard disks and LCDs. A thin substrate (object to be polished) such as a substrate for (liquid crystal display) can be mentioned. Among these, the manufacturing method of the polished product of the present embodiment is a method of manufacturing difficult-to-process materials that are difficult to polish, such as materials that can be applied to power devices, LEDs, and the like, for example, sapphire, SiC, GaN, and diamond. Can be suitably used. Among these, a semiconductor wafer is preferable, and a SiC substrate, a sapphire substrate, or a GaN substrate is preferable from the viewpoint of more effectively utilizing the effects of the polishing pad of the present embodiment. The material is preferably a difficult-to-cut material such as SiC single crystal and GaN single crystal, but may be a single crystal of sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, or the like.

〔研磨工程〕
研磨工程は、遊離砥粒の存在下、上記研磨パッドを用いて、被研磨物を研磨する工程である。研磨方法としては、従来公知の方法を用いることができ、特に限定されない。
[Polishing process]
The polishing step is a step of polishing an object to be polished using the polishing pad in the presence of loose abrasive grains. As a polishing method, a conventionally known method can be used and is not particularly limited.

研磨方法では、まず、研磨装置の所定位置に研磨パッドを装着する。この装着の際には、上述の接着層を介して、研磨パッドが研磨装置に固定されるよう装着される。そして、研磨定盤としての研磨パッドと対向するように配置された保持定盤に保持させた被研磨物を研磨面側へ押し付けると共に、外部からダイヤモンド砥粒を含む研磨スラリーを供給しながら、研磨パッド及び/又は保持定盤を回転させる。これにより、研磨パッドと被研磨物との間に供給された砥粒の作用で、被研磨物の加工面(被研磨面)に研磨加工を施す。   In the polishing method, first, a polishing pad is mounted at a predetermined position of a polishing apparatus. At the time of mounting, the polishing pad is mounted so as to be fixed to the polishing apparatus through the above-described adhesive layer. Then, while pressing the object to be polished held on the holding surface plate disposed so as to face the polishing pad as the polishing surface plate to the polishing surface side, polishing while supplying a polishing slurry containing diamond abrasive grains from the outside Rotate the pad and / or holding platen. Thus, the processed surface (surface to be polished) of the object to be polished is polished by the action of the abrasive grains supplied between the polishing pad and the object to be polished.

研磨スラリーは、好ましくは、ダイヤモンド砥粒と、それを分散する分散媒とを含む。研磨スラリーにおけるダイヤモンド砥粒の含有割合は特に限定されないが、研磨加工をより有効に行うと共に、被研磨物における加工変質層が厚くなるのを抑制する観点から、研磨スラリーの全体量に対して0.01〜1.0質量%であると好ましい。   The polishing slurry preferably includes diamond abrasive grains and a dispersion medium for dispersing the diamond abrasive grains. Although the content rate of the diamond abrasive grains in the polishing slurry is not particularly limited, it is 0 with respect to the total amount of the polishing slurry from the viewpoint of performing the polishing process more effectively and suppressing the thickness of the work-affected layer in the object to be polished. It is preferable that it is 0.01-1.0 mass%.

なお、研磨において用いる遊離砥粒は、ダイヤモンド砥粒に限定されず、例えば、シリカやアルミナなどであってもよい。また、遊離砥粒の平均粒径は0.5〜20μmが好ましく、1〜18μmがより好ましく、2〜15μmが更に好ましく、5〜13μmが特に好ましい。ダイヤモンド砥粒の平均粒径が上記範囲内にあることにより、研磨レートをより向上すると共に、ワーク表面におけるスクラッチの発生をより抑制することができる。   Note that the free abrasive grains used in polishing are not limited to diamond abrasive grains, and may be, for example, silica or alumina. The average particle size of the free abrasive grains is preferably 0.5 to 20 μm, more preferably 1 to 18 μm, still more preferably 2 to 15 μm, and particularly preferably 5 to 13 μm. When the average particle diameter of the diamond abrasive grains is within the above range, the polishing rate can be further improved and the occurrence of scratches on the workpiece surface can be further suppressed.

分散媒としては、例えば、水及び有機溶媒が挙げられ、被研磨物の変質をより抑制する観点から、有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、一般的に沸点110〜300℃程度の有機溶媒が適する。有機溶媒の種類には、脂肪族及び芳香族、環状炭化水素やエステル、エーテル、アミン、アミド系、ケトン類等の市販の有機溶媒を樹脂や作業的性に応じて適宜選択できる。溶媒は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。また、溶媒には、必要に応じて、その他の添加剤が含まれていてもよい。そのような添加剤としては、例えば極性化合物が挙げられ、具体的には、非イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤、カルボン酸エステル、カルボン酸アミド及びカルボン酸が挙げられる。さらに、消泡剤、分散剤、レベリング剤、粘性改良材として、各種シリコーン、無機微粉末を添加することができる。   Examples of the dispersion medium include water and an organic solvent, and an organic solvent is preferable from the viewpoint of further suppressing deterioration of the object to be polished. As the organic solvent, an organic solvent having a boiling point of about 110 to 300 ° C. is generally suitable. As the type of organic solvent, commercially available organic solvents such as aliphatic and aromatic, cyclic hydrocarbons, esters, ethers, amines, amides, and ketones can be appropriately selected according to the resin and workability. A solvent is used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Further, the solvent may contain other additives as necessary. Examples of such additives include polar compounds, and specific examples include nonionic surfactants, anionic surfactants, carboxylic acid esters, carboxylic acid amides, and carboxylic acids. Furthermore, various silicones and inorganic fine powders can be added as an antifoaming agent, a dispersing agent, a leveling agent, and a viscosity improving material.

なお、研磨加工時に研磨パッドと被研磨物との間の摩擦に伴う温度上昇を抑制する観点から、砥粒を含まず、添加剤を含んでもよい溶媒を研磨パッドの研磨面に適宜供給してもよい。その溶媒及び添加剤の例としては上記のものが挙げられる。   In addition, from the viewpoint of suppressing a temperature rise due to friction between the polishing pad and the object to be polished during polishing, a solvent that does not contain abrasive grains and may contain additives is appropriately supplied to the polishing surface of the polishing pad. Also good. Examples of the solvent and additives include those described above.

以下、本発明を実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。本発明は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited in any way by the following examples.

〔研磨試験1〕
研磨パッドを研磨装置の所定位置に両面テープを介して設置し、被研磨物としての2インチのシリコンウエハに対して、下記条件にて研磨を施す研磨試験を行った。研磨試験3では、研磨時間が10分及び20分のときの研磨レートをそれぞれ算出した。
(研磨条件)
定盤回転数 :60rpm
面圧力 :150gf/cm2
ルブリカント流量 :100cc/min
ルブリカント :溶媒純水、ホワイトアルミナ2質量%
[Polishing test 1]
A polishing pad was installed at a predetermined position of the polishing apparatus via a double-sided tape, and a polishing test was performed in which a 2-inch silicon wafer as an object to be polished was polished under the following conditions. In the polishing test 3, the polishing rates when the polishing time was 10 minutes and 20 minutes were calculated.
(Polishing conditions)
Surface plate rotation speed: 60 rpm
Surface pressure: 150 gf / cm 2
Lubricant flow rate: 100cc / min
Lubricant: Solvent pure water, white alumina 2% by mass

〔研磨試験2〕
研磨パッドを研磨装置の所定位置に両面テープを介して設置し、被研磨物としての2インチのサファイアCウエハに対して、下記条件にて研磨を施す研磨試験を行った。研磨試験3では、研磨時間が10分及び20分のときの研磨レートをそれぞれ算出した。
(研磨条件)
定盤回転数 :60rpm
面圧力 :150gf/cm2
ルブリカント流量 :100cc/min
ルブリカント :溶媒純水、ホワイトアルミナ1質量%
[Polishing test 2]
A polishing pad was installed at a predetermined position of the polishing apparatus via a double-sided tape, and a polishing test was performed to polish a 2-inch sapphire C wafer as an object to be polished under the following conditions. In the polishing test 3, the polishing rates when the polishing time was 10 minutes and 20 minutes were calculated.
(Polishing conditions)
Surface plate rotation speed: 60 rpm
Surface pressure: 150 gf / cm 2
Lubricant flow rate: 100cc / min
Lubricant: Solvent pure water, 1% by weight of white alumina

〔研磨試験3〕
研磨パッドを研磨装置の所定位置に両面テープを介して設置し、被研磨物としての2インチのサファイアCウエハに対して、下記条件にて研磨を施す研磨試験を行った。研磨試験3では、研磨時間に応じて、用いるルブリカントを変更し、研磨時間が20分、40分、60分、80分、100分、120分のときの研磨レートをそれぞれ算出した。
(研磨条件)
定盤回転数 :60rpm
面圧力 :150gf/cm2
ルブリカント流量 :100cc/min
ルブリカント1 :(0〜20分)溶媒純水、ホワイトアルミナ0質量%
ルブリカント2 :(20〜40分)溶媒純水、ホワイトアルミナ0質量%
ルブリカント3 :(40〜60分)溶媒純水、ホワイトアルミナ4質量%
ルブリカント4 :(60〜80分)溶媒純水、ホワイトアルミナ1質量%
ルブリカント5 :(80〜100分)溶媒純水、ホワイトアルミナ2質量%
[Polishing test 3]
A polishing pad was installed at a predetermined position of the polishing apparatus via a double-sided tape, and a polishing test was performed to polish a 2-inch sapphire C wafer as an object to be polished under the following conditions. In the polishing test 3, the lubrication used was changed according to the polishing time, and the polishing rates when the polishing time was 20 minutes, 40 minutes, 60 minutes, 80 minutes, 100 minutes, and 120 minutes were calculated.
(Polishing conditions)
Surface plate rotation speed: 60 rpm
Surface pressure: 150 gf / cm 2
Lubricant flow rate: 100cc / min
Lubricant 1: (0 to 20 minutes) Solvent pure water, white alumina 0 mass%
Lubricant 2: (20-40 minutes) Solvent pure water, white alumina 0 mass%
Lubricant 3: (40-60 minutes) Solvent pure water, 4% by weight of white alumina
Lubricant 4: (60-80 minutes) Solvent pure water, 1% by mass of white alumina
Lubricant 5: (80 to 100 minutes) Solvent pure water, white alumina 2% by mass

(研磨レート)
研磨レート(単位:μm/h)は、上記研磨試験1及び2の研磨前後の被研磨物の質量減少から求めた研磨量、被研磨物の研磨面積及び比重から、研磨により除去された厚さを算出し、時間当たりの除去された厚さとして評価した。なお、厚さは、加工前後の被研磨物の質量減少から求めた研磨量、被研磨物の研磨面積及び比重から算出した。なお、研磨試験は、3枚のシリコンウエハに対して行い、その加重平均を研磨レートとした。
(Polishing rate)
The polishing rate (unit: μm / h) is the thickness removed by polishing from the polishing amount obtained from the decrease in the mass of the object before and after polishing in the polishing tests 1 and 2, the polishing area and specific gravity of the object to be polished. Was calculated and evaluated as the thickness removed per hour. The thickness was calculated from the polishing amount obtained from the decrease in the mass of the object to be polished before and after processing, the polishing area and specific gravity of the object to be polished. The polishing test was performed on three silicon wafers, and the weighted average was used as the polishing rate.

〔実施例1〕
固定砥粒としてダイヤモンド砥粒(トラストウェル社製、平均粒径9μm)45質量部(28体積%)と、研磨に寄与し難い充填材として球状シリカ(東亞合成社製、平均粒径9μm)11.4質量部(9.5体積%)と、アクリルフェノール樹脂(荒川化学工業社製)40質量部と混合し、硬化性組成物を調製した。
[Example 1]
45 parts by mass (28% by volume) of diamond abrasive grains (28% by volume, manufactured by Trustwell Co., Ltd.) as fixed abrasive grains, and spherical silica (average particle diameter: 9 μm manufactured by Toagosei Co., Ltd.) 11 as a filler that hardly contributes to polishing .4 parts by mass (9.5% by volume) and 40 parts by mass of an acrylic phenol resin (Arakawa Chemical Industries, Ltd.) were mixed to prepare a curable composition.

基材であるポリエチレンテレフタレートフィルム(東洋紡績株式会社製、製品名コスモシャイン A4300、厚さ250μm)上に、スクリーン印刷にて、ドット状の凸部である半球状のドットが凹凸パターンで規則的に配列されるように硬化性組成物を塗布した。その後、硬化性組成物を加熱することにより硬化させ、樹脂部を形成した。   On a polyethylene terephthalate film (Toyobo Co., Ltd., product name Cosmo Shine A4300, thickness 250 μm) as a base material, dot-shaped convex hemispherical dots are regularly formed in an uneven pattern by screen printing. The curable composition was applied so as to be aligned. Thereafter, the curable composition was cured by heating to form a resin portion.

最後に、基材の樹脂部とは反対側に、接着層として両面テープ(3M社製、製品名フィルム基材両面粘着テープ 442JS)を貼り付けて、実施例1の研磨パッドを得た。得られた研磨パッドにおいて、ドットの直径は2mm、隣接するドット同士の最近接距離は500mm、単位面積当たりの凹凸パターンは18個/cm2であった。 Finally, a double-sided tape (manufactured by 3M, product name film base double-sided pressure-sensitive adhesive tape 442JS) was attached as an adhesive layer on the side opposite to the resin part of the base material to obtain a polishing pad of Example 1. In the obtained polishing pad, the dot diameter was 2 mm, the closest distance between adjacent dots was 500 mm, and the uneven pattern per unit area was 18 pieces / cm 2 .

〔実施例2〕
固定砥粒としてダイヤモンド砥粒(トラストウェル社製、平均粒径9μm)30質量部(18.5体積%)と、研磨に寄与し難い充填材として球状シリカ(東亞合成社製、平均粒径9μm)22.7質量部(19体積%)と、アクリルフェノール樹脂(荒川化学工業社製)40質量部とを混合し、硬化性組成物を調製した。その他の工程は実施例1と同様に行い、実施例2の研磨パッドを得た。
[Example 2]
30 parts by mass (18.5% by volume) of diamond abrasive grains (manufactured by Trust Well, average particle size 9 μm) as fixed abrasive grains, and spherical silica (manufactured by Toagosei Co., Ltd., average particle diameter 9 μm) that is difficult to contribute to polishing ) 22.7 parts by mass (19% by volume) and 40 parts by mass of an acrylic phenol resin (Arakawa Chemical Industries, Ltd.) were mixed to prepare a curable composition. Other steps were performed in the same manner as in Example 1 to obtain a polishing pad of Example 2.

〔比較例1〕
固定砥粒としてダイヤモンド砥粒(トラストウェル社製、平均粒径9μm)60質量部(37.5体積%)と、アクリルフェノール樹脂(荒川化学工業社製)40質量部とを混合し、硬化性組成物を調製した。その他の工程は実施例1と同様に行い、比較例2の研磨パッドを得た。
[Comparative Example 1]
As fixed abrasive, 60 parts by mass (37.5% by volume) of diamond abrasives (manufactured by Trustwell, average particle size 9 μm) and 40 parts by mass of acrylic phenol resin (manufactured by Arakawa Chemical Industries) are mixed and cured. A composition was prepared. Other steps were performed in the same manner as in Example 1 to obtain a polishing pad of Comparative Example 2.

実施例1及び2で得られた研磨パッドを用いて研磨試験1及び2を実施した結果、並びに、比較例1で得られた研磨パッドを用いて研磨試験1を実施した結果を表1に示す。また、比較例1で得られた研磨パッドを用いて研磨試験3を実施した結果を表2に示す。   Table 1 shows the results of conducting polishing tests 1 and 2 using the polishing pads obtained in Examples 1 and 2 and the results of carrying out polishing test 1 using the polishing pads obtained in Comparative Example 1. . Table 2 shows the results of polishing test 3 using the polishing pad obtained in Comparative Example 1.

表1から分かる様に、比較例1の研磨パッドは最初の10分間は研磨レートが高いものの、続く10分間では研磨レートが低くなっている。これは、初めは研磨パッド表面の固定砥粒が研磨に寄与するものの、崩壊性が低いため表面に析出する固定砥粒が徐々に減少し、研磨レートが低下しているものと考えられる。比較例1に対して、ルブリカントに含まれるホワイトアルミナの濃度を変化させながら研磨試験を行った結果が表2に示されており、上記傾向がより顕著に表れている。すなわち、初めは研磨パッドの表面の固定砥粒が研磨に寄与するため研磨レートが大きいものの、崩壊性の低さによりすぐに研磨レートが低下してしまう。ホワイトアルミナの添加量を増やし、崩壊性を高めることにより、研磨レートの回復はみられるものの、ホワイトアルミナの添加量を減らすと、崩壊性が低くなり、研磨レートが低くなってしまう。   As can be seen from Table 1, the polishing pad of Comparative Example 1 has a high polishing rate for the first 10 minutes, but has a low polishing rate for the following 10 minutes. This is presumably because although the fixed abrasive grains on the surface of the polishing pad contribute to the polishing at first, the fixed abrasive grains deposited on the surface gradually decrease due to low disintegration and the polishing rate is lowered. The result of a polishing test performed while changing the concentration of white alumina contained in the lubricant relative to Comparative Example 1 is shown in Table 2, and the above tendency appears more remarkably. That is, initially, the fixed abrasive grains on the surface of the polishing pad contribute to the polishing, so that the polishing rate is large, but the polishing rate is quickly lowered due to the low disintegration property. Although recovery of the polishing rate can be seen by increasing the amount of white alumina added and improving disintegration, if the amount of white alumina added is reduced, the disintegration becomes lower and the polishing rate becomes lower.

一方、実施例1および実施例2の研磨パッドは、比較例1に比べて研磨に寄与する固定砥粒の含有量が少ないものの、表1から分かる様に、最初の10分間の研磨レートが比較例1と同等の値であり、なおかつ続く10分間においても研磨レートの大幅な低下がみられなかった。これは、実施例の研磨パッドが適切な崩壊性を有しているためであると考えられる。   On the other hand, although the polishing pads of Example 1 and Example 2 have a smaller content of fixed abrasive grains that contribute to polishing compared to Comparative Example 1, as can be seen from Table 1, the polishing rates for the first 10 minutes are compared. The value was the same as in Example 1, and no significant reduction in the polishing rate was observed in the subsequent 10 minutes. This is presumably because the polishing pads of the examples have appropriate disintegration properties.

本発明の研磨パッドは、光学材料、半導体デバイス、ハードディスク用のガラス基板等のラッピングや研磨、特にサファイアやSiCなどのラッピングや研磨用の研磨パッドとして産業上の利用可能性を有する。   The polishing pad of the present invention has industrial applicability as a polishing pad for lapping and polishing of optical materials, semiconductor devices, hard disk glass substrates and the like, particularly lapping and polishing of sapphire and SiC.

10…研磨パッド、11…樹脂部、12…基材、13…固定砥粒、14…研磨に寄与し難い充填材   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Polishing pad, 11 ... Resin part, 12 ... Base material, 13 ... Fixed abrasive, 14 ... Filler which is hard to contribute to grinding | polishing

Claims (9)

基材と、該基材上に配された樹脂部と、を備え、
該樹脂部は、樹脂と、被研磨物の研磨に寄与する固定砥粒と、前記被研磨物の研磨に寄与し難い充填材と、を有する、
研磨パッド。
A substrate and a resin portion disposed on the substrate;
The resin portion includes a resin, fixed abrasive grains that contribute to polishing of the object to be polished, and a filler that hardly contributes to polishing of the object to be polished.
Polishing pad.
前記樹脂が、アクリルフェノール系樹脂及び/又はポリウレタンアクリレートを含む、
請求項1に記載の研磨パッド。
The resin includes an acrylic phenol resin and / or polyurethane acrylate,
The polishing pad according to claim 1.
前記固定砥粒が、ダイヤモンド砥粒、酸化セリウム砥粒、アルミナ砥粒、炭化珪素砥粒、酸化珪素砥粒、ジルコニア砥粒、酸化鉄砥粒、酸化マンガン砥粒、酸化マグネシウム砥粒、酸化カルシウム砥粒、酸化バリウム砥粒、酸化亜鉛砥粒、炭酸バリウム砥粒、及び炭酸カルシウム砥粒からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、
請求項1又は2に記載の研磨パッド。
The fixed abrasive is diamond abrasive, cerium oxide abrasive, alumina abrasive, silicon carbide abrasive, silicon oxide abrasive, zirconia abrasive, iron oxide abrasive, manganese oxide abrasive, magnesium oxide abrasive, calcium oxide Including at least one selected from the group consisting of abrasive grains, barium oxide abrasive grains, zinc oxide abrasive grains, barium carbonate abrasive grains, and calcium carbonate abrasive grains,
The polishing pad according to claim 1.
前記充填材が、シリカ、及び酸化チタンからなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨パッド。
The filler includes at least one selected from the group consisting of silica and titanium oxide,
The polishing pad of any one of Claims 1-3.
前記固定砥粒の含有量が、前記樹脂部の総量に対して、30〜60質量%である、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨パッド。
The content of the fixed abrasive is 30 to 60% by mass with respect to the total amount of the resin part.
The polishing pad of any one of Claims 1-4.
前記充填材の含有量が、前記樹脂部の総量に対して、5〜35質量%である、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の研磨パッド。
The content of the filler is 5 to 35% by mass with respect to the total amount of the resin part.
The polishing pad according to claim 1.
前記基材が、ポリエステル系フィルムを含む、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨パッド。
The base material includes a polyester film,
The polishing pad of any one of Claims 1-4.
前記基材の前記樹脂部とは反対側に、接着層をさらに備える、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の研磨パッド。
An adhesive layer is further provided on the side opposite to the resin part of the base material,
The polishing pad according to claim 1.
基材の上に、樹脂と、被研磨物の研磨に寄与する固定砥粒と、前記被研磨物の研磨に寄与し難い充填材と、を含む硬化性組成物を付着させる付着工程と、
付着した前記硬化性組成物を硬化させて樹脂部を得る硬化工程と、を有する、
研磨パッドの製造方法。
An adhesion step of adhering a curable composition comprising a resin, a fixed abrasive that contributes to polishing of the object to be polished, and a filler that does not easily contribute to polishing of the object to be polished on the substrate;
Curing the attached curable composition to obtain a resin part,
Manufacturing method of polishing pad.
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