JP2018050039A - Wafer mounting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエハ載置装置に関する。 The present invention relates to a wafer mounting apparatus.
プラズマ処理装置としては、例えばプラズマCVD装置、プラズマエッチング装置、プラズマアッシング装置などが知られている。こうしたプラズマ処理装置では、通常、真空チャンバ内にウエハを載置するためのウエハ載置装置が設置される。ウエハ載置装置は、プラズマ処理を施すウエハを吸着固定するための静電チャックと、この静電チャックを冷却する冷却板とを備えている。静電チャックとしては、絶縁体又は誘電体(多くはセラミックス)に内部電極が埋設されたものが用いられる。このようなウエハ載置装置では、ウエハを静電チャックのウエハ載置面に載置した状態で内部電極に直流電圧を印加して静電力(クーロン力又はジョンソン・ラベック力)を発生させることにより、ウエハをウエハ載置面に吸着固定する。そして、この状態で、ウエハに接するようにプラズマを発生させる。プラズマは、通常、真空チャンバ内に設置される上部電極と静電チャックに埋設された内部電極との間又は上部電極と冷却板との間に印加される高周波電圧によって発生させる。このようにして発生したプラズマは、プラズマ載置装置の一部を腐食させることがある。例えば、静電チャックと冷却板とは樹脂層を介して接着されているが、この樹脂層の側面が腐食することがあるため、樹脂層の側面に沿ってフッ素樹脂製のOリングを設置することが提案されている(特許文献1参照)。Oリングは、静電チャックと冷却板とによって挟み込まれて押し潰された状態で維持されることによりOリングの内側をシールする。そのため、樹脂層は腐食ガスから保護される。 As a plasma processing apparatus, for example, a plasma CVD apparatus, a plasma etching apparatus, a plasma ashing apparatus, and the like are known. In such a plasma processing apparatus, a wafer mounting apparatus for mounting a wafer in a vacuum chamber is usually installed. The wafer mounting apparatus includes an electrostatic chuck for attracting and fixing a wafer to be subjected to plasma processing, and a cooling plate for cooling the electrostatic chuck. As the electrostatic chuck, an insulator or a dielectric (mostly ceramic) in which an internal electrode is embedded is used. In such a wafer mounting apparatus, by applying a DC voltage to the internal electrode in a state where the wafer is mounted on the wafer mounting surface of the electrostatic chuck, an electrostatic force (Coulomb force or Johnson / Labeck force) is generated. Then, the wafer is sucked and fixed to the wafer mounting surface. In this state, plasma is generated so as to contact the wafer. The plasma is usually generated by a high frequency voltage applied between the upper electrode installed in the vacuum chamber and the internal electrode embedded in the electrostatic chuck or between the upper electrode and the cooling plate. The plasma generated in this way may corrode a part of the plasma mounting device. For example, although the electrostatic chuck and the cooling plate are bonded via a resin layer, the side surface of the resin layer may corrode, so a fluororesin O-ring is installed along the side surface of the resin layer. Has been proposed (see Patent Document 1). The O-ring seals the inside of the O-ring by being held between the electrostatic chuck and the cooling plate and being crushed. Therefore, the resin layer is protected from corrosive gas.
しかしながら、樹脂層の側面に沿ってOリングを設置する構造では、Oリングの押し潰し量を大きくすると、押し潰されたOリングの復元力が大きくなるため、その復元力によって静電チャックと冷却板とが離間するおそれがあった。そのため、Oリングの押し潰し量を十分大きくすることができなかった。その結果、Oリングのシール性が低くなり、樹脂層の保護性能が十分得られないという問題があった。 However, in the structure in which the O-ring is installed along the side surface of the resin layer, if the amount of crushing of the O-ring is increased, the restoring force of the crushed O-ring increases. There was a risk of separation from the plate. For this reason, the crushing amount of the O-ring cannot be increased sufficiently. As a result, there is a problem that the sealing performance of the O-ring is lowered and the protective performance of the resin layer cannot be obtained sufficiently.
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、静電チャックと冷却板との間の樹脂層の保護性能を高めることを主目的とする。 This invention is made | formed in view of such a subject, and makes it the main objective to improve the protection performance of the resin layer between an electrostatic chuck and a cooling plate.
本発明のウエハ載置装置は、
静電チャックと冷却板とが樹脂層を介して接着されたウエハ載置装置であって、
前記樹脂層の側面に沿って該側面を覆うように設けられたクランプ部材と、
前記クランプ部材と前記静電チャックとの間に配置された弾性変形可能な第1リング部材と、
前記クランプ部材と前記冷却板との間に配置された弾性変形可能な第2リング部材と、
を備え、
前記第1リング部材は、前記クランプ部材と前記静電チャックとによって押し潰された状態で保持され、
前記第2リング部材は、前記クランプ部材と前記冷却板とによって押し潰された状態で保持され、
前記樹脂層の側面は、前記第1リング部材と前記第2リング部材と前記クランプ部材とによって囲まれた閉空間内に配置されている、
ものである。
The wafer mounting apparatus of the present invention is
A wafer mounting device in which an electrostatic chuck and a cooling plate are bonded via a resin layer,
A clamp member provided so as to cover the side surface along the side surface of the resin layer;
An elastically deformable first ring member disposed between the clamp member and the electrostatic chuck;
An elastically deformable second ring member disposed between the clamp member and the cooling plate;
With
The first ring member is held in a state of being crushed by the clamp member and the electrostatic chuck,
The second ring member is held in a state of being crushed by the clamp member and the cooling plate,
The side surface of the resin layer is disposed in a closed space surrounded by the first ring member, the second ring member, and the clamp member.
Is.
このウエハ載置装置では、樹脂層の側面は、第1リング部材と第2リング部材とクランプ部材とによって囲まれた閉空間内に配置されているため、周囲の雰囲気から遮断されている。また、押し潰された第1及び第2リング部材が元の形状に戻ろうとする復元力は、静電チャックと冷却板とを離間する方向には働かないため、第1及び第2リング部材の押し潰し量が十分大きくなるようにクランプ部材を締めることができる。その結果、第1及び第2リング部材のシール性が十分高くなり、周囲の雰囲気から樹脂層を保護する性能を高めることができる。 In this wafer mounting apparatus, since the side surface of the resin layer is disposed in a closed space surrounded by the first ring member, the second ring member, and the clamp member, it is shielded from the surrounding atmosphere. Further, the restoring force that the crushed first and second ring members return to their original shapes does not work in the direction of separating the electrostatic chuck and the cooling plate, so that the first and second ring members The clamp member can be tightened so that the amount of crushing becomes sufficiently large. As a result, the sealing performance of the first and second ring members is sufficiently high, and the performance of protecting the resin layer from the surrounding atmosphere can be enhanced.
本発明のウエハ載置装置において、前記樹脂層の材質は、シリコーン樹脂、アクリル樹脂又はエポキシ樹脂、前記第1及び第2リング部材の材質は、フッ素樹脂としてもよい。こうすれば、樹脂層によって静電チャック及び冷却板がしっかりと接着される。また、周囲の雰囲気が腐食ガス雰囲気だとしても、第1及び第2リング部材は耐食性に優れているため樹脂層を長期にわたって保護することができる。 In the wafer mounting apparatus of the present invention, the resin layer may be made of silicone resin, acrylic resin or epoxy resin, and the first and second ring members may be made of fluororesin. By doing so, the electrostatic chuck and the cooling plate are firmly bonded by the resin layer. Even if the surrounding atmosphere is a corrosive gas atmosphere, the first and second ring members are excellent in corrosion resistance, so that the resin layer can be protected over a long period of time.
本発明のウエハ載置装置において、前記クランプ部材は、前記クランプ部材の締め付け量を調節する調節部材を有していてもよい。この場合、クランプ部材が強く締まるように調節部材を調節すれば、第1及び第2リング部材の押し潰し量が増え、樹脂層の保護性能が高まる。また、クランプ部材の締め付けを解除するように調節部材を調節すれば、第1リング部材や第2リング部材を容易に交換することができる。 In the wafer mounting apparatus of the present invention, the clamp member may include an adjustment member that adjusts the tightening amount of the clamp member. In this case, if the adjustment member is adjusted so that the clamp member is strongly tightened, the crushing amounts of the first and second ring members are increased, and the protection performance of the resin layer is improved. Moreover, if the adjustment member is adjusted so as to release the clamping of the clamp member, the first ring member and the second ring member can be easily replaced.
本発明のウエハ載置装置において、前記クランプ部材は、分断箇所を少なくとも1つ有し、前記調節部材は、前記分断箇所の間隔を調節することによって前記クランプ部材の締め付け量を調節するものとしてもよい。こうすれば、クランプ部材の締め付け量を簡単な構造で調節することができる。この場合、前記クランプ部材が前記調節部材によって最も締め付けられた状態では、前記分断箇所の間隔がゼロになるようにしてもよい。こうすれば、クランプ部材を最も締め付けた状態では、第1リング部材と第2リング部材とクランプ部材とによって囲まれた空間は閉空間になる。また、前記クランプ部材が前記調節部材によって所定の締め付け状態から最も締め付けられた状態に至る過程では、前記分断箇所の分断された端部同士は当接した状態を維持して前記クランプ部材の内外の連通を遮断するようにしてもよい。こうすれば、クランプ部材が所定の締め付け状態から最も締め付けられた状態に至る過程では、第1リング部材と第2リング部材とクランプ部材とによって囲まれた空間は絶えず閉空間になる。 In the wafer mounting apparatus according to the present invention, the clamp member may include at least one part to be divided, and the adjustment member may adjust a tightening amount of the clamp member by adjusting an interval between the parts to be divided. Good. In this way, the tightening amount of the clamp member can be adjusted with a simple structure. In this case, in the state where the clamp member is most tightened by the adjusting member, the interval between the divided portions may be zero. If it carries out like this, in the state which clamped the clamp member most, the space enclosed by the 1st ring member, the 2nd ring member, and the clamp member turns into a closed space. Further, in the process from the predetermined tightening state to the most tightened state by the adjustment member, the divided ends of the divided portions are kept in contact with each other, and the inside and outside of the clamping member are maintained. You may make it cut off communication. If it carries out like this, in the process from which a clamp member will be in the most tightened state from a predetermined | prescribed tightening state, the space enclosed by the 1st ring member, the 2nd ring member, and the clamp member will become always a closed space.
本発明のウエハ載置装置において、前記クランプ部材は、分断箇所を少なくとも1つ有し、前記調節部材は、前記分断箇所の間隔を調節することによって前記クランプ部材の締め付け量を調節するものである場合、前記分断箇所には、弾性変形可能なパッキンが配置されていてもよい。こうすれば、クランプ部材を締め付けたときに分断箇所に配置されたパッキンが押し潰された状態になるため、分断箇所の密閉性がより高くなる。 In the wafer mounting apparatus of the present invention, the clamp member has at least one part to be divided, and the adjustment member adjusts the tightening amount of the clamp member by adjusting an interval between the parts to be divided. In this case, an elastically deformable packing may be disposed at the dividing portion. If it carries out like this, since it will be in the state where the packing arrange | positioned at a parting part was crushed when a clamp member was clamp | tightened, the sealing property of a parting part will become higher.
次に、本発明のウエハ載置装置の好適な実施形態について以下に説明する。図1は本実施形態のウエハ載置装置20を含むプラズマ処理装置10の構成の概略を示す説明図、図2はウエハ載置装置20の縦断面図、図3はウエハ載置装置20の平面図である。
Next, a preferred embodiment of the wafer mounting apparatus of the present invention will be described below. FIG. 1 is an explanatory diagram showing an outline of the configuration of a
プラズマ処理装置10は、図1に示すように、内圧を調整可能な金属製(例えばアルミニウム合金製)の真空チャンバー12の内部に、ウエハ載置装置20とプラズマを発生させるときに用いる上部電極70とが設置されている。上部電極70のうちウエハ載置装置20と対向する面には、反応ガスをウエハー面に供給するための多数の小穴が開いている。真空チャンバー12は、反応ガス導入路14から反応ガスを上部電極70に導入可能であると共に、排気通路16に接続された真空ポンプによって真空チャンバー12の内圧を所定の真空度まで減圧可能である。
As shown in FIG. 1, the
ウエハ載置装置20は、図2に示すように、静電チャック22と冷却板30とが樹脂層36を介して接着され、樹脂層36の外周に沿ってクランプ部材40を有するものである。
As shown in FIG. 2, the
静電チャック22は、セラミック製(例えばアルミナ製とか窒化アルミニウム製)の円形プレートであり、静電チャック22の上部が小径部22a、下部が大径部22bとなっている。そのため、静電チャック22の外周部には、段差22cが形成されている。小径部22aは、上面がウエハ載置面22dとなっており、静電電極24とヒータ電極26とを内蔵している。静電電極24は、平面状の電極であり、図示しない給電棒を介して直流電圧が印加される。この静電電極24に直流電圧が印加されるとウエハWはクーロン力又はジョンソン・ラーベック力によりウエハ載置面22dに吸着固定され、直流電圧の印加を解除するとウエハWのウエハ載置面22dへの吸着固定が解除される。ヒータ電極26は、一端から他端まで一筆書きの要領でウエハ載置面22dの全面にわたって配線されている。このヒータ電極26は、図示しない給電棒を介して電力が供給される。静電電極24及びヒータ電極26の材質としては、例えばMo,W,Mo系合金、W系合金などが挙げられる。
The
冷却板30は、金属アルミニウムやアルミニウム合金などの金属からなる円形プレートである。冷却板30の直径は、静電チャック22の大径部22bの直径と一致している。冷却板30の内部には、冷媒が循環する冷媒通路32が形成されている。静電電極24の図示しない給電棒やヒータ電極26の図示しない給電棒は、冷却板30の上下を貫通する図示しない穴に、穴の内壁と電気的に絶縁された状態で挿通されている。
The cooling
樹脂層36は、静電チャック22と冷却板30とを接着する層であり、シリコーン樹脂接着剤、アクリル樹脂接着剤又はエポキシ樹脂接着剤が固化したものである。樹脂層36の外周面(側面)は、静電チャック22の大径部22bの外周面や冷却板30の外周面と一致している。
The
クランプ部材40は、樹脂層36の外周面に沿ってその外周面を覆うように設けられている。クランプ部材40の断面は、図2の円内の部分拡大図に示すように、静電チャック22から樹脂層36の外周面を経て冷却板30に至る形状となっている。クランプ部材40は、アルミニウム製であり、表面にアルマイト加工又は溶射によりアルミナ膜が形成されたものであるが、材質は特にこれに限定されない。クランプ部材40は、図3に示すように、上方からみたときに略円形の部材であるが、2箇所で分断されていて、略半円状の2つの分割体42から構成されている。各分割体42の両端には、図3の円内の部分拡大図に示すように、段差42aが形成されている。一方の分割体42の端部の段差42aは半径方向内側の段Pが延び出した形状であり、これに対向する他方の分割体42の端部の段差42aは半径方向外側の段Qが延び出した形状である。クランプ部材40が所定の締め付け状態(図3の円内の実線参照)から最も締め付けられた状態(図3の円内の点線参照)までの間にクランプ部材40の径が変化したとしても、一方の段Pと他方の段Qとは当接した状態が維持される。そのため、クランプ部材40の内外に連通する隙間がこの分断箇所に生じることはない。各分割体42は、2箇所でボルト44により冷却板30の外周面のボルト穴34に締結されている。ボルト44の締結を強くするにしたがって、分割体42は静電チャック22及び冷却板30に接近するため、クランプ部材40は強く締まる。ボルト44の材質としては、表面を絶縁膜でコートした金属やセラミックなどが挙げられる。
The
クランプ部材40と静電チャック22との間には、弾性変形可能なフッ素樹脂製の第1Oリング46が配置され、クランプ部材40と冷却板30との間には、弾性変形可能なフッ素樹脂製の第2リング48が配置されている。第1Oリング46は、クランプ部材40と静電チャック22とによって押し潰された状態で保持され、第2Oリング48は、クランプ部材40と冷却板30とによって押し潰された状態で保持されている。クランプ部材40を固定するボルト44は、第1Oリング46と第2Oリング48との間を通ってボルト穴34に螺合されている。4つのボルト44の締結を強くするにしたがってクランプ部材40の各分割体42が静電チャック22及び冷却板30に近づくため、第1及び第2Oリング46,48の押し潰し量が増加する。
A first O-
次に、こうして構成されたウエハ載置装置20の使用例について説明する。まず、真空チャンバー12内にウエハ載置装置20を設置した状態で、ウエハWを静電チャック22のウエハ載置面22dに載置する。そして、真空チャンバー12内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、静電チャック22の静電電極24に直流電圧をかけてクーロン力又はジョンソン・ラーベック力を発生させ、ウエハWを静電チャック22のウエハ載置面22dに吸着固定する。次に、真空チャンバー12内を所定圧力(例えば数10〜数100Pa)の反応ガス雰囲気とし、この状態で、真空チャンバー12内の上部電極70と静電チャック22の静電電極24との間に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させる。なお、静電電極24には静電気力を発生させるための直流電圧と高周波電圧の両方が印加されるものとしたが、高周波電圧は静電電極24の代わりに冷却板30に印加されるものとしてもよい。そして、発生したプラズマによってウエハWの表面がエッチングされる。Si膜や種々の絶縁膜等をエッチングする場合、反応ガスとしてNF3、Cl2、CF4、CCl4、HF、ClF3、HCl等のハロゲンガスが使用される。ヒータ電極26には、ウエハWの温度が予め設定された目標温度となるように電力が供給される。
Next, a usage example of the
ここで、本実施形態の構成要素と本発明の構成要素との対応関係を明らかにする。本実施形態のウエハ載置装置20が本発明のウエハ載置装置に相当し、本実施形態の静電チャック22、冷却板30、樹脂層36がそれぞれ本発明の静電チャック、冷却板、樹脂層に相当する。また、クランプ部材40がクランプ部材に相当し、第1Oリング46が第1リング部材に相当し、第2Oリング48が第2リング部材に相当し、ボルト44が調節部材に相当する。
Here, the correspondence between the components of the present embodiment and the components of the present invention will be clarified. The
以上詳述したウエハ載置装置20では、樹脂層36の外周面は、第1Oリング46と第2リング48とクランプ部材40とによって囲まれた閉空間Sの内部に配置されているため、周囲の雰囲気(例えばハロゲンガスなどの腐食ガス雰囲気)から遮断されている。また、押し潰された第1及び第2Oリング46,48が元の形状に戻ろうとする復元力は、静電チャック22と冷却板30とを離間する方向には働かないため、第1及び第2Oリング46,48の押し潰し量が十分大きくなるようにクランプ部材40をボルト44で締め付けることができる。その結果、第1及び第2Oリング46,48のシール性が十分高くなり、周囲の雰囲気から樹脂層36を保護する性能を高めることができる。
In the
また、樹脂層36の材質は、シリコーン樹脂、アクリル樹脂又はエポキシ樹脂であるため、静電チャック22と冷却板30とはしっかりと接着される。第1及び第2Oリング46,48の材質は、耐食性に優れるフッ素樹脂であるため、周囲の雰囲気が腐食ガス雰囲気だとしても、樹脂層36を長期にわたって保護することができる。
Moreover, since the material of the
更に、クランプ部材40は、クランプ部材40締め付け量を調節するボルト44を有している。そのため、クランプ部材40が強く締まるようにボルト44を調節すれば、第1及び第2Oリング46,48の押し潰し量が増え、樹脂層36を保護する性能が高まる。また、クランプ部材40の締め付けを解除するようにボルト44を調節すれば、第1及び第2Oリング46,48を容易に交換することができる。
Further, the
更にまた、クランプ部材40は2つの分断箇所を有していて略半円状の2つの分割体42から構成されており、ボルト44は静電チャック22及び冷却板30に対する分割体42の接近・離間を調節することで2つの分断箇所の間隔を調節してクランプ部材40の締め付け量を調節する。そのため、クランプ部材40の締め付け量を比較的簡単な構造で調節することができる。
Furthermore, the
そしてまた、クランプ部材40が所定の締め付け状態から最も締め付けられた状態に至る過程でクランプ部材40の径が変化したとしても、一方の分割体42の段Pと他方の分割体42の段Qとは当接した状態が維持されるため、クランプ部材40の内外を連通する隙間が分断箇所に生じることはない。したがって、この過程では、第1Oリング46と第2Oリング48とクランプ部材40とによって囲まれた空間Sは絶えず閉空間になる。
In addition, even if the diameter of the
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that the present invention can be implemented in various modes as long as it belongs to the technical scope of the present invention.
例えば、上述した実施形態では、クランプ部材40を構成する2つの分割体42をボルト44で冷却板30に締結したが、冷却板30ではなく静電チャック22に締結してもよい。
For example, in the embodiment described above, the two divided
上述した実施形態において、図4に示すように、クランプ部材40の分断箇所のうち、半径方向内側の段Pの先端に生じる隙間に、弾性変形可能なパッキン43を配置してもよい。パッキン43としては、第1及び第2Oリング46,48と同じ材料製(例えばフッ素樹脂製)の板材を用いることができる。こうすれば、2つの分割体42,42からなるクランプ部材40を締め付けたときにパッキン43が押し潰された状態になるため、分断箇所の密閉性がより高くなる。
In the above-described embodiment, as shown in FIG. 4, the elastically deformable packing 43 may be disposed in a gap generated at the tip of the step P on the radially inner side in the divided portion of the
上述した実施形態のクランプ部材40の代わりに、図5に示すように、分断箇所を1箇所有するC字状のクランプ部材140を用いてもよい。クランプ部材140は、樹脂層36の側面に沿って樹脂層36を覆うように設けられている。このクランプ部材140は、分断された端部に半径外方向に延びる爪142,142を備えており、両方の爪142,142の間隔つまり分断箇所の間隔をボルト144及びナット146の締結具合によって調節できるようにする。この場合、ボルト144及びナット146が本発明の調節部材に相当する。また、クランプ部材140がボルト144及びナット146によって最も締め付けられた状態では、分断箇所の間隔がゼロになるようにする。こうすれば、クランプ部材140を最も締め付けた状態にすると、第1Oリング46と第2リング部材48とクランプ部材140とによって囲まれた空間は閉空間になる。こうしたクランプ部材140を上述した実施形態のクランプ部材40の代わりに採用したとしても、上述した実施形態と同様の効果が得られる。また、図6に示すように、クランプ部材140の分断箇所つまり両方の爪142,142の隙間に、弾性変形可能なパッキン143を配置してもよい。パッキン143としては、パッキン43と同様の部材を用いることができる。こうすれば、ボルト144及びナット146を締結して両方の爪142,142の間隔が狭めるとパッキン143が押し潰された状態になるため、分断箇所の密閉性がより高くなる。
Instead of the
なお、クランプ部材140の分断箇所において、図7に示すように、互いに対向する端部に段差140aを設け、一方の段差140aは半径方向内側の段Pが延び出した形状であり、これに対向する他方の端部の段差140aは半径方向外側の段Qが延び出した形状としてもよい。こうすれば、クランプ部材140が所定の締め付け状態から最も締め付けられた状態までの間にクランプ部材140の径が変化したとしても、一方の段Pと他方の段Qとは当接した状態が維持されるため、クランプ部材140の内外を通じる隙間が分断箇所に生じることはない。また、図8に示すように、クランプ部材140の分断箇所のうち、半径方向内側の段Pの先端に生じる隙間に、弾性変形可能なパッキン147を配置してもよい。パッキン147としては、パッキン43と同様の部材を用いることができる。こうすれば、クランプ部材140を締め付けたときにパッキン147が押し潰された状態になるため、分断箇所の密閉性がより高くなる。
As shown in FIG. 7, a
あるいは、上述した実施形態のクランプ部材40の代わりに、図9に示すように、分断箇所を2箇所有するクランプ部材240を採用してもよい。このクランプ部材240は、半円状の2つの分割リング242,242で構成され、各分断箇所は図5に示したクランプ部材140の分断箇所と同様の構成になっている。このクランプ部材240を採用した場合も、上述した実施形態と同様の効果が得られる。なお、各分断箇所に図6に示したパッキン143を配置してもよく、その場合には分断箇所の密閉性がより高くなる。
Or instead of the
上述した実施形態では、クランプ部材40として、静電チャック22の大径部22bの外周面と樹脂層36の外周面と冷却板30の外周面の上部とを覆う形状のものを採用したが、特にこれに限定されるものではない。例えば、図10に示すように、冷却板30の直径が静電チャック22の大径部22bの直径や樹脂層36の直径よりも大きい場合、冷却板30の外側には静電チャック22の載っていないツバ部30aが現れる。その場合、クランプ部材340を採用してもよい。クランプ部材340は、静電チャック22の大径部22bの側面と対向する静電チャック対向面340aと、その静電チャック対向面340aと直交しツバ部30aと対向するツバ部対向面340bとを有している。ボルト344は、静電チャック対向面340aとツバ部対向面340bの両方に対して角度(例えば30〜60°)を持つようにして冷却板30のボルト穴にねじ込まれている。そのボルト344の締め具合をきつくするにしたがって、静電チャック対向面340aが静電チャック22の大径部22bの側面に近づくと同時にツバ部対向面340bがツバ部30aに近づくため、第1及び第2Oリング46,48の押し潰し量が増える。図10の構成を採用した場合でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。
In the embodiment described above, the
あるいは、クランプ部材340の代わりに、図11に示すクランプ部材440を採用してもよい。クランプ部材440は、静電チャック22の段差22cと対向する静電チャック対向面440aと、その静電チャック対向面440aに平行でツバ部30aと対向するツバ部対向面440bとを有している。ボルト444は、ボルト足が静電チャック対向面440aやツバ部対向面440bと直交するようにボルト穴にねじ込まれている。そのボルト444の締め具合をきつくするにしたがって、静電チャック対向面440aが静電チャック22の段差22cに近づくと同時にツバ部対向面440bがツバ部30aに近づくため、第1及び第2Oリング46,48の押し潰し量が増える。図11の構成を採用した場合でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。
Alternatively, instead of the
10 プラズマ処理装置、12 真空チャンバー、14 反応ガス導入路、16 排気通路、20 ウエハ載置装置、22 静電チャック、22a 小径部、22b 大径部、22c 段差、22d ウエハ載置面、24 静電電極、26 ヒータ電極、30 冷却板、30a ツバ部、32 冷媒通路、34 ボルト穴、36 樹脂層、40 クランプ部材、42 分割体、42a 段差、43 パッキン、44 ボルト、46 第1Oリング、48 第2Oリング、70 上部電極、140 クランプ部材、140a 段差、142 爪、143 パッキン、144 ボルト、146 ナット、147 パッキン、240 クランプ部材、242 分割リング、340 クランプ部材、340a 静電チャック対向面、340b ツバ部対向面、344 ボルト、440 クランプ部材、440a 静電チャック対向面、440b ツバ部対向面、444 ボルト。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記樹脂層の側面に沿って該側面を覆うように設けられたクランプ部材と、
前記クランプ部材と前記静電チャックとの間に配置された弾性変形可能な第1リング部材と、
前記クランプ部材と前記冷却板との間に配置された弾性変形可能な第2リング部材と、
を備え、
前記第1リング部材は、前記クランプ部材と前記静電チャックとによって押し潰された状態で保持され、
前記第2リング部材は、前記クランプ部材と前記冷却板とによって押し潰された状態で保持され、
前記樹脂層の側面は、前記第1リング部材と前記第2リング部材と前記クランプ部材とによって囲まれた閉空間内に配置されている、
ウエハ載置装置。 A wafer mounting device in which an electrostatic chuck and a cooling plate are bonded via a resin layer,
A clamp member provided so as to cover the side surface along the side surface of the resin layer;
An elastically deformable first ring member disposed between the clamp member and the electrostatic chuck;
An elastically deformable second ring member disposed between the clamp member and the cooling plate;
With
The first ring member is held in a state of being crushed by the clamp member and the electrostatic chuck,
The second ring member is held in a state of being crushed by the clamp member and the cooling plate,
The side surface of the resin layer is disposed in a closed space surrounded by the first ring member, the second ring member, and the clamp member.
Wafer mounting device.
前記第1及び第2リング部材の材質は、フッ素樹脂である、
請求項1に記載のウエハ載置装置。 The material of the resin layer is silicone resin, acrylic resin or epoxy resin,
The material of the first and second ring members is a fluororesin.
The wafer mounting apparatus according to claim 1.
請求項1又は2に記載のウエハ載置装置。 The clamp member includes an adjustment member that adjusts the tightening amount of the clamp member.
The wafer mounting apparatus according to claim 1 or 2.
前記調節部材は、前記分断箇所の間隔を調節することによって前記クランプ部材の締め付け量を調節する、
請求項3に記載のウエハ載置装置。 The clamp member has at least one dividing point,
The adjustment member adjusts the tightening amount of the clamp member by adjusting an interval between the divided portions.
The wafer mounting apparatus according to claim 3.
請求項4に記載のウエハ載置装置。 In the state where the clamp member is most tightened by the adjusting member, the interval between the divided portions becomes zero.
The wafer mounting apparatus according to claim 4.
請求項4又は5に記載のウエハ載置装置。 In the process of the clamp member reaching the most tightened state from the predetermined tightening state by the adjusting member, the divided end portions of the divided portions are kept in contact with each other and communication between the inside and outside of the clamp member is blocked. The wafer mounting apparatus according to claim 4 or 5.
請求項4に記載のウエハ載置装置。 An elastically deformable packing is arranged at the dividing portion.
The wafer mounting apparatus according to claim 4.
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