JP2018036640A - Electronic percussion instrument - Google Patents

Electronic percussion instrument Download PDF

Info

Publication number
JP2018036640A
JP2018036640A JP2017160865A JP2017160865A JP2018036640A JP 2018036640 A JP2018036640 A JP 2018036640A JP 2017160865 A JP2017160865 A JP 2017160865A JP 2017160865 A JP2017160865 A JP 2017160865A JP 2018036640 A JP2018036640 A JP 2018036640A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
peripheral
hit
central
hitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017160865A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
量 高▲崎▼
Ryo Takasaki
量 高▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Roland Corp
Original Assignee
Roland Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Roland Corp filed Critical Roland Corp
Publication of JP2018036640A publication Critical patent/JP2018036640A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic percussion instrument, which can resolve a so-called hotspot by approximately uniformizing distribution of beat sensitivity on a percussion surface, without delaying a sound production instruction for a beat sound.SOLUTION: In an electronic drum 1, when a central sensor 10 detects a beat before peripheral sensors (a first peripheral sensor 20 to a third peripheral sensor 40) detect it, a velocity is calculated by weighting operation between the peak of the beat detected by the central sensor 10 and the peak of the beat detected by the peripheral sensors after completion of a scanning time by the central sensor 10. On the other hand, when the beat is detected by the peripheral sensors earlier, and the central sensor 10 does not detect the beat within the scanning time by the peripheral sensors, a velocity is calculated from the peak of the beat detected by the peripheral sensors. Since a generation instruction for a musical sound is made based on these velocities, a so-called hotspot can be resolved by approximately uniformizing distribution of beat sensitivity on a percussion surface, without delaying a generation instruction for the musical sound.SELECTED DRAWING: Figure 9

Description

本発明は、電子打楽器に関し、特に、打面の打撃感度の分布を略均一にして所謂ホットスポットを解消できると共に、打撃音の発音指示を遅延させることがない電子打楽器に関するものである。   The present invention relates to an electronic percussion instrument, and more particularly to an electronic percussion instrument that can eliminate a so-called hot spot by making the distribution of hitting sensitivity of a hitting surface substantially uniform, and that does not delay the instruction to generate a hitting sound.

電子ドラムなどの電子打楽器が種々開発されている。特許文献1,2の電子打楽器では、打撃を検出する打撃センサを、打面中央に1個だけ備えている。しかし、打撃センサの打撃感度はセンサに近いほど高く、センサから離れるほど低くなる。よって、打面中央に打撃センサを1つだけ備えた電子打楽器では、打撃センサのある打面中央部に、打撃音が異様に大きくなる所謂ホットスポットと呼ばれる領域が発生してしまう。一方で、中央の打撃センサから離れた打面周辺部では打撃感度は著しく低下するので、打面口径が大きくなると周辺部の弱打を検出できない。   Various electronic percussion instruments such as an electronic drum have been developed. In the electronic percussion instruments of Patent Documents 1 and 2, only one hit sensor for detecting hit is provided at the center of the hitting surface. However, the impact sensitivity of the impact sensor is higher as it is closer to the sensor, and lower as it is farther from the sensor. Therefore, in an electronic percussion instrument having only one batting sensor in the center of the hitting surface, a so-called hot spot region in which the hitting sound becomes abnormally large is generated in the center of the hitting surface where the hitting sensor is located. On the other hand, since the hitting sensitivity is remarkably reduced at the periphery of the hitting surface away from the central hitting sensor, it is not possible to detect a weak hit at the peripheral part when the hitting face diameter is increased.

これに対し、特許文献3〜7の電子打楽器では、打面に複数の打撃センサを配設し、各打撃センサの検出結果に基づいて打撃強度を算出することで、打面の打撃感度の分布を略均一にして所謂ホットスポットを解消している。同様に特許文献8〜11の電子打楽器では、打面の中央に中央センサを、打面の周辺に周辺センサをそれぞれ配設して、打面の打撃感度の分布を略均一にしている。   On the other hand, in the electronic percussion instruments disclosed in Patent Documents 3 to 7, a plurality of hitting sensors are arranged on the hitting surface, and the hitting strength is calculated based on the detection result of each hitting sensor, whereby the hitting sensitivity distribution of the hitting surface is calculated. So as to eliminate so-called hot spots. Similarly, in the electronic percussion instruments disclosed in Patent Documents 8 to 11, a central sensor is disposed at the center of the striking surface, and peripheral sensors are disposed at the periphery of the striking surface, so that the impact sensitivity distribution on the striking surface is substantially uniform.

特開平10−020854号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-020854 特開平10−111690号公報JP-A-10-111690 特開昭62−501653号公報Japanese Patent Laid-Open No. 62-501653 特開平05−232943号公報Japanese Patent Laid-Open No. 05-232943 特開2005−037922号公報JP 2005-037922 A 特開2011−158594号公報JP2011-158594A 特開2014−119664号公報JP 2014-119664 A 実開昭54−172726号公報Japanese Utility Model Publication No. 54-172726 特開2012−203191号公報JP 2012-203191 A 特開2009−186886号公報JP 2009-186886 A 特表2014−524008号公報Special table 2014-524008 gazette

しかしながら、これらの複数の打撃センサを備えた電子打楽器によれば、打撃感度の分布を略均一にして所謂ホットスポットを解消できるが、打面口径が大きくなると、打撃位置から離れたセンサが打撃信号を検出するまでに長時間を要すので、打撃音の発音指示が遅延するという問題点があった。   However, according to the electronic percussion instrument having a plurality of hitting sensors, it is possible to eliminate so-called hot spots by making the hitting sensitivity distribution substantially uniform. Since it takes a long time to detect the sound, there is a problem that the instruction to pronounce the hit sound is delayed.

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、打面の打撃感度の分布を略均一にして所謂ホットスポットを解消できると共に、打撃音の発音指示を遅延させることがない電子打楽器を提供することを目的としている。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems. An electronic device that can eliminate a so-called hot spot by making the distribution of the hitting sensitivity of the hitting surface substantially uniform, and that does not delay the instruction to pronounce the hitting sound. The purpose is to provide percussion instruments.

この目的を達成するために請求項1記載の電子打楽器は、打面と、その打面への打撃を検出する打撃センサとを備え、前記打撃センサは、前記打面の中央部に配設された中央センサと、前記打面の周辺部に配設された周辺センサとを有して構成され、前記周辺センサより先に前記中央センサが打撃を検出した場合、その中央センサの打撃検出から第1所定時間のウエイト処理を実行する第1ウエイト手段と、前記中央センサより先に前記周辺センサが打撃を検出した場合、その周辺センサの打撃検出から第2所定時間のウエイト処理を実行する第2ウエイト手段と、前記第1ウエイト手段の作動時には、その第1ウエイト手段によるウエイト処理の終了後に、前記中央センサ及び前記周辺センサの検出結果に基づいて打撃強度を算出し、前記第2ウエイト手段の作動時には、その第2ウエイト手段によるウエイト処理の期間内に、前記中央センサが打撃を検出しない場合、前記周辺センサの検出結果に基づいて打撃強度を算出する強度算出手段と、その強度算出手段によって算出された打撃強度に基づいて、打撃音の発音を指示する発音指示手段とを備えている。なお、打撃強度算出手段による打撃強度は、例えば、打撃の速度(ベロシティ)により算出されるものである。   In order to achieve this object, an electronic percussion instrument according to claim 1 comprises a striking surface and a striking sensor for detecting striking on the striking surface, and the striking sensor is disposed at the center of the striking surface. A central sensor and a peripheral sensor disposed in a peripheral portion of the hitting surface, and when the central sensor detects a hit prior to the peripheral sensor, A first weight means for executing a weight process for a predetermined time; and a second weight for executing a weight process for a second predetermined time from the detection of a hit by the peripheral sensor when the peripheral sensor detects a hit before the central sensor. When the weighting means and the first weighting means are in operation, after the end of the weighting process by the first weighting means, the impact strength is calculated based on the detection results of the central sensor and the peripheral sensor, In the operation of the two-weight means, if the central sensor does not detect the impact within the period of the weight processing by the second weight means, the strength calculating means for calculating the impact strength based on the detection result of the peripheral sensor, and Sound generation instruction means for instructing sound generation of the hitting sound based on the hitting intensity calculated by the intensity calculating means. The striking strength by the striking strength calculating means is calculated by, for example, the striking speed (velocity).

請求項2記載の電子楽器は、請求項1において、前記第2ウエイト手段の作動時に、その第2ウエイト手段によるウエイト処理の期間内に、前記中央センサが打撃を検出した場合、その中央センサの打撃検出から第3所定時間のウエイト処理を実行する第3ウエイト手段を備え、前記強度算出手段は、その第3ウエイト手段によるウエイト処理の終了後に、前記中央センサ及び前記周辺センサの検出結果に基づいて打撃強度を算出するものである。   According to a second aspect of the present invention, in the electronic musical instrument according to the first aspect, when the central sensor detects an impact within the period of the weight processing by the second weight means during the operation of the second weight means, Third weight means for executing weight processing for a third predetermined time from hit detection is provided, and the strength calculating means is based on detection results of the central sensor and the peripheral sensor after completion of the weight processing by the third weight means. To calculate the impact strength.

請求項3記載の電子楽器は、請求項2において、前記第1所定時間と前記第3所定時間とは同一時間であることを特徴としている。   According to a third aspect of the present invention, in the electronic musical instrument according to the second aspect, the first predetermined time and the third predetermined time are the same time.

請求項4記載の電子楽器は、請求項1から3のいずれかにおいて、前記打面を平面視した場合において、前記打面は円形に形成され、前記中央センサは、前記打面の中央に配設されると共に、前記周辺センサは、その中央センサを円中心とした円周上に等間隔に少なくとも3個配設されていることを特徴としている。   According to a fourth aspect of the present invention, in the electronic musical instrument according to any one of the first to third aspects, when the hitting surface is viewed in plan, the hitting surface is formed in a circular shape, and the center sensor is arranged at the center of the hitting surface. In addition, at least three of the peripheral sensors are arranged at equal intervals on a circumference centered on the central sensor.

請求項1記載の電子打楽器によれば、打撃センサは、打面の中央部に配設された中央センサと、打面の周辺部に配設された周辺センサとを有して構成されている。周辺センサより先に中央センサが打撃を検出した場合、第1ウエイト手段によって、中央センサの打撃検出から第1所定時間のウエイト処理が実行される。このウエイト処理の終了後に、強度算出手段によって中央センサ及び周辺センサの検出結果に基づいて打撃強度が算出され、その算出された打撃強度に基づいて、発音指示手段によって打撃音の発音が指示される。   According to the electronic percussion instrument of the first aspect, the percussion sensor has a center sensor disposed at the center of the striking surface and a peripheral sensor disposed at the periphery of the striking surface. . When the central sensor detects a hit prior to the peripheral sensor, the first weight means executes a weight process for a first predetermined time from the hit detection of the central sensor. After the end of the weight process, the strength calculation means calculates the impact strength based on the detection results of the central sensor and the peripheral sensor, and the sound generation instruction means instructs the pronunciation of the hit sound based on the calculated impact strength. .

このように、打面の中央部に配設された中央センサと打面の周辺部に配設された周辺センサとの検出結果に基づいて打撃強度を算出するので、打面の打撃感度の分布を略均一にして所謂ホットスポットを解消できる。また打面が大きく形成された結果、中央センサと周辺センサとによる打撃検出の時間差が大きくなったとしても、打撃強度の算出は、周辺センサより先に中央センサが打撃を検出した場合に、その中央センサの打撃検出から第1所定時間の経過後に行われるので、打撃音の発音指示を遅延させることがない。   Thus, the impact strength is calculated based on the detection results of the central sensor disposed at the center of the striking surface and the peripheral sensor disposed at the periphery of the striking surface. So that the so-called hot spot can be eliminated. Even if the time difference between hitting detection by the central sensor and the peripheral sensor becomes large as a result of the large hitting surface being formed, the calculation of the hitting strength is performed when the central sensor detects hitting before the peripheral sensor. Since it is performed after the elapse of the first predetermined time from the hit detection of the central sensor, the instruction for sound generation of the hitting sound is not delayed.

一方、中央センサより先に周辺センサが打撃を検出した場合、第2ウエイト手段によって、周辺センサの打撃検出から第2所定時間のウエイト処理が実行される。そのウエイト処理の期間内に中央センサが打撃を検出しない場合は、強度算出手段によって周辺センサの検出結果に基づいて打撃強度が算出され、その算出された打撃強度に基づいて、発音指示手段によって打撃音の発音が指示される。   On the other hand, when the peripheral sensor detects a hit prior to the central sensor, the second weight means executes a weight process for a second predetermined time from the hit detection of the peripheral sensor. If the central sensor does not detect a hit within the weight processing period, the strength calculating means calculates the hit strength based on the detection results of the peripheral sensors, and the sound generation instruction means hits based on the calculated hit strength. Sound generation is instructed.

よって、打面の周辺部で、中央センサが検出できないほどの弱打が行われた場合にも、周辺センサによって、その弱打を検出して発音制御することができる。しかも、周辺センサの打撃検出後、第2所定時間内に中央センサによる打撃検出がなされない場合は、中央センサによる打撃検出を待つことなく打撃音を発音指示する。従って、かかる場合にも、打撃音の発音指示を遅延させることがない。   Therefore, even when a weak hit that cannot be detected by the central sensor is made at the periphery of the hitting surface, the peripheral sensor can detect the weak hit and control the sound generation. In addition, if the center sensor does not detect the hit within the second predetermined time after the peripheral sensor detects the hit, the sound generation instruction is issued without waiting for the hit detection by the center sensor. Therefore, even in such a case, the instruction for sound generation of the hitting sound is not delayed.

請求項2記載の電子打楽器によれば、請求項1の奏する効果に加え、次の効果を奏する。中央センサより先に周辺センサが打撃を検出した場合、第2ウエイト手段によって、周辺センサの打撃検出から第2所定時間のウエイト処理が実行され、そのウエイト処理の期間内に中央センサが打撃を検出すると、第3ウエイト手段によって、その中央センサの打撃検出から第3所定時間のウエイト処理が実行される。第3ウエイト手段によるウエイト処理の終了後に、強度算出手段によって中央センサ及び周辺センサの検出結果に基づいて打撃強度が算出され、その算出された打撃強度に基づいて、発音指示手段によって打撃音の発音指示がなされる。   According to the electronic percussion instrument of claim 2, in addition to the effect of claim 1, the following effect is provided. When the peripheral sensor detects a hit prior to the central sensor, the second weight means executes the weight processing for the second predetermined time from the detection of the peripheral sensor hit, and the central sensor detects the hit within the weight processing period. Then, the weight process for the third predetermined time is executed by the third weight means from the hit detection of the center sensor. After the end of the weight processing by the third weight means, the strength calculating means calculates the striking strength based on the detection results of the central sensor and the peripheral sensor, and based on the calculated striking strength, the sound generation instruction means generates the hit sound. Instructions are given.

さて、打面中央部は打面周辺部に比べて打面の変形量(たわみ量)が大きいので、打面中央部に配設された中央センサは、打面周辺部に配設される周辺センサに比べて打撃に対する出力のレンジが広く、打撃の検出感度が良い。よって、中央センサより先に周辺センサが打撃を検出した場合にも、第2所定時間内に中央センサが打撃を検出すれば、中央センサの打撃検出時間を第3所定時間確保した上で、中央センサ及び周辺センサの検出結果に基づいて打撃強度が算出される。従って、中央センサより先に周辺センサが打撃を検出した場合にも、感度の良い中央センサの検出結果を使って打撃強度を算出することができる。   Now, since the amount of deformation (deflection) of the striking surface is larger in the center of the striking surface than in the periphery of the striking surface, the central sensor disposed in the central portion of the striking surface is the periphery disposed in the perimeter of the striking surface. Compared to sensors, the output range for impact is wide, and impact detection sensitivity is good. Therefore, even when the peripheral sensor detects a hit prior to the central sensor, if the central sensor detects a hit within the second predetermined time, the central sensor can secure the hit detection time for the third predetermined time, The striking strength is calculated based on the detection results of the sensor and the peripheral sensor. Therefore, even when the peripheral sensor detects a hit before the center sensor, the hit strength can be calculated using the detection result of the center sensor with good sensitivity.

なお、かかる場合、周辺センサの打撃検出から中央センサの打撃検出までの時間分、打撃音の発音指示は遅延する。しかし、中央センサの打撃検出があるか否かの判断期間は、周辺センサの打撃検出から第2所定時間内であるので、かかる発音指示の遅延時間を一定時間(第2所定時間)内に止めることができる。即ち、第2所定時間を調整することにより、発音指示の遅延時間を設計値の範囲内に止めることができる。   In this case, the sound generation instruction for the hit sound is delayed by the time from the hit detection of the peripheral sensor to the hit detection of the central sensor. However, since the determination period of whether or not there is a hit detection of the central sensor is within the second predetermined time from the hit detection of the peripheral sensors, the delay time of the sound generation instruction is stopped within a predetermined time (second predetermined time). be able to. That is, by adjusting the second predetermined time, the delay time of the sound generation instruction can be stopped within the range of the design value.

請求項3記載の電子打楽器によれば、請求項2の奏する効果に加え、次の効果を奏する。第1所定時間と第3所定時間とは同一時間とされているので、中央センサが打撃を検出した場合には、その打撃検出が周辺センサより先であっても後であっても、中央センサによる打撃検出を同条件で行って、感度の良い中央センサの検出結果を使って打撃強度を算出することができる。   According to the electronic percussion instrument of claim 3, in addition to the effect of claim 2, the following effect is provided. Since the first predetermined time and the third predetermined time are the same time, if the central sensor detects an impact, the central sensor may detect whether the impact is detected before or after the peripheral sensor. It is possible to calculate the striking strength using the detection result of the central sensor with good sensitivity.

請求項4記載の電子打楽器によれば、請求項1から3のいずれかの奏する効果に加え、次の効果を奏する。打面を平面視した場合において、打面は円形に形成され、中央センサは、打面の中央に配設されると共に、周辺センサは、その中央センサを円中心とした円周上に等間隔に少なくとも3個配設されている。よって、円形に形成された打面の全域について、打撃を適切に検出して、その打撃強度を算出することができる。   According to the electronic percussion instrument of the fourth aspect, in addition to the effect of any one of the first to third aspects, the following effect is achieved. When the striking surface is viewed in plan, the striking surface is formed in a circular shape, the central sensor is disposed at the center of the striking surface, and the peripheral sensors are equally spaced on the circumference centered on the central sensor. Are arranged at least three. Therefore, it is possible to appropriately detect the hit and calculate the hit strength of the entire hitting surface formed in a circle.

本発明の一実施形態における電子ドラムの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the electronic drum in one Embodiment of this invention. 電子ドラムの断面図である。It is sectional drawing of an electronic drum. 電子ドラムの各センサ配置を模式的に表した平面図である。It is a top view showing each sensor arrangement of an electronic drum typically. 電子ドラムの電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric constitution of an electronic drum. (a)は、中央センサ打撃位置テーブルを模式的に表した図であり、(b)は、周辺センサ打撃位置テーブルを模式的に表した図であり、(c)は、センサ値リングバッファを模式的に表した図である。(A) is a figure showing a central sensor hitting position table typically, (b) is a figure showing a peripheral sensor hitting position table typically, (c) is a sensor value ring buffer. It is the figure represented typically. (a)は、中央センサにおける打撃に基づく電圧波形(中央センサからの出力波形)の電圧−時間グラフであり、(b)は、電子ドラムの打面への、ある打撃に対して検出される、第1周辺センサ、第2周辺センサ、第3周辺センサにおける電圧波形の電圧−時間グラフである。(A) is a voltage-time graph of a voltage waveform (output waveform from the central sensor) based on an impact at the central sensor, and (b) is detected for a certain impact on the impact surface of the electronic drum. FIG. 5 is a voltage-time graph of voltage waveforms in the first peripheral sensor, the second peripheral sensor, and the third peripheral sensor. (a)は、初期化処理のフローチャートであり、(b)は、MIDI受信処理のフローチャートである。(A) is a flowchart of the initialization process, and (b) is a flowchart of the MIDI reception process. 定期処理のフローチャートである。It is a flowchart of a regular process. 中央センサ打撃処理のフローチャートである。It is a flowchart of a center sensor hit process. 周辺センサ打撃処理のフローチャートである。It is a flowchart of a periphery sensor impact process.

以下、本発明の好ましい実施形態について、添付図面を参照して説明する。まず、図1及び図2を参照して、電子ドラム1の全体構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態における電子ドラム1の分解斜視図であり、図2は、電子ドラム1の断面図である。なお、図1及び図2では、理解を容易にするために、電子ドラム1の一部が省略して図示される。また、図1及び図2の上側を電子ドラム1の上方、その下側を電子ドラム1の下方とする。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. First, with reference to FIG.1 and FIG.2, the whole structure of the electronic drum 1 is demonstrated. FIG. 1 is an exploded perspective view of an electronic drum 1 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the electronic drum 1. 1 and 2, a part of the electronic drum 1 is omitted for easy understanding. Further, the upper side of FIGS. 1 and 2 is the upper side of the electronic drum 1, and the lower side is the lower side of the electronic drum 1.

図1に示すように、電子ドラム1は、演奏者が持つスティック等を使用して演奏されるドラムを模擬した電子打楽器である。この電子ドラム1は、上端(図1及び図2の上側の端部)が開口するシェル2と、そのシェル2の上端の開口を覆うヘッド3と、そのヘッド3の外縁に連結されるリム4と、そのリム4が取り付けられる固定部5と、ヘッド3に対向配置されてシェル2の内周側に配設されるフレーム6と、そのフレーム6に支持される制御装置7と、ヘッド3及びフレーム6の間に介設されると共に平面視において打面(後述する膜部材3a)の中央側に配設される中央センサ10と、その中央センサ10よりも平面視において打面の周辺側(膜部材3aの径方向外側)に配設される複数の周辺センサ(第1周辺センサ20、第2周辺センサ30及び第3周辺センサ40)とを備える。   As shown in FIG. 1, an electronic drum 1 is an electronic percussion instrument that simulates a drum played using a stick or the like held by a performer. The electronic drum 1 includes a shell 2 whose upper end (the upper end in FIGS. 1 and 2) is open, a head 3 that covers the opening at the upper end of the shell 2, and a rim 4 that is connected to the outer edge of the head 3. A fixing portion 5 to which the rim 4 is attached, a frame 6 disposed opposite to the head 3 and disposed on the inner peripheral side of the shell 2, a control device 7 supported by the frame 6, the head 3 and A central sensor 10 interposed between the frames 6 and disposed on the center side of the striking surface (a membrane member 3a described later) in plan view, and a peripheral side of the striking surface in plan view with respect to the central sensor 10 ( A plurality of peripheral sensors (a first peripheral sensor 20, a second peripheral sensor 30, and a third peripheral sensor 40) disposed on the outer side in the radial direction of the film member 3a.

電子ドラム1は、演奏者がスティック等(図示せず)を用いて打面を打撃した場合に、その打撃に基づく中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40からの検出結果を音源76(図4参照)へ出力するものであり、かかる検出結果に基づいた楽音信号が音源76により生成される。その楽音信号がアンプ77を介してスピーカ78へ出力され(図4参照)、その楽音信号に基づく電子楽音がスピーカ78から放音される。   When the player hits the hitting surface using a stick or the like (not shown), the electronic drum 1 detects the detection results from the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 based on the hitting. The sound signal is output to the sound source 76 (see FIG. 4), and a tone signal based on the detection result is generated by the sound source 76. The musical sound signal is output to the speaker 78 via the amplifier 77 (see FIG. 4), and the electronic musical sound based on the musical sound signal is emitted from the speaker 78.

シェル2は、その軸方向両端(上下の両端)が開口する円筒状に形成され、その外径が14インチに形成される。なお、シェル2の外径は14インチに限らず、その外径を14インチ未満または14インチよりも大きい外径に設定することも可能である。   The shell 2 is formed in a cylindrical shape whose both ends in the axial direction (upper and lower ends) are open, and has an outer diameter of 14 inches. The outer diameter of the shell 2 is not limited to 14 inches, and the outer diameter can be set to be less than 14 inches or larger than 14 inches.

ヘッド3は、打面として形成される膜部材3aと、その膜部材3aの外縁が接着される円環状の枠部3bとを備える。膜部材3aは、合成繊維を編み上げたメッシュ状素材や合成樹脂により形成されたフィルム状素材によって円板状に形成される。枠部3bは、合成樹脂または金属材料によって形成され、この枠部3bに膜部材3aが固定される。   The head 3 includes a film member 3a formed as a striking surface and an annular frame portion 3b to which an outer edge of the film member 3a is bonded. The membrane member 3a is formed in a disk shape from a mesh-like material knitted from synthetic fibers or a film-like material formed from a synthetic resin. The frame part 3b is formed of a synthetic resin or a metal material, and the film member 3a is fixed to the frame part 3b.

リム4は、ヘッド3に張力を付与する円環状の部材である。このリム4は、下端(固定部5側の端部。図2の下側の端部)が枠部3bに接触する円筒状の枠接触部4aと、その枠接触部4aの上端(枠部3bに接触する端部とは反対側の端部)に全周に沿って配設される円環状の弾性部材4bと、枠接触部4aの下端からその径方向外側へ張り出す円環状のフランジ部4cとを備える。   The rim 4 is an annular member that applies tension to the head 3. The rim 4 includes a cylindrical frame contact portion 4a whose lower end (end portion on the fixed portion 5 side, lower end portion in FIG. 2) contacts the frame portion 3b, and an upper end (frame portion) of the frame contact portion 4a. An annular elastic member 4b disposed along the entire circumference at the end opposite to the end in contact with 3b), and an annular flange projecting radially outward from the lower end of the frame contact portion 4a. Part 4c.

枠接触部4aは、後述するボルトB1の締結力を枠部3bに付与し、膜部材3aを張設するための部位である。この枠接触部4aの内径は、シェル2の外径よりも大きく、且つ、枠部3bの外径よりも小さい寸法に設定される。弾性部材4bは、演奏者によって打撃される部位であり、スポンジやゴム、熱可塑性エラストマ等の弾性材料によって形成される。フランジ部4cには、ボルトB1を挿入するための複数の貫通孔が後述する被締結部5cに対応した位置に形成される。   The frame contact portion 4a is a portion for applying a fastening force of a bolt B1, which will be described later, to the frame portion 3b to stretch the membrane member 3a. The inner diameter of the frame contact portion 4a is set to be larger than the outer diameter of the shell 2 and smaller than the outer diameter of the frame portion 3b. The elastic member 4b is a part hit by a player, and is formed of an elastic material such as sponge, rubber, thermoplastic elastomer or the like. In the flange portion 4c, a plurality of through holes for inserting the bolts B1 are formed at positions corresponding to a fastening portion 5c described later.

固定部5は、ヘッド3及びリム4をシェル2に固定するための部材である。この固定部5は、シェル2の下端(図2の下側の端部)に固定される環状部5aと、その環状部5aから径方向外側へ張り出して形成される複数の張出部5bと、それら複数の張出部5bから上方へ向けて立設される複数の被締結部5cとを備える。   The fixing portion 5 is a member for fixing the head 3 and the rim 4 to the shell 2. The fixing portion 5 includes an annular portion 5a that is fixed to the lower end of the shell 2 (the lower end portion in FIG. 2), and a plurality of protruding portions 5b that are formed to protrude radially outward from the annular portion 5a. And a plurality of fastened portions 5c that are erected upward from the plurality of overhanging portions 5b.

環状部5aは、合成樹脂または金属材料によって円環状に形成され、この環状部5aと張出部5bとが一体に形成される。張出部5bには、ねじ(図示せず)によって被締結部5cが固定され、この被締結部5cは、金属材料によって円筒状に形成され、その内周面にめねじが形成される。フランジ部4cに挿入されたボルトB1が被締結部5cに螺合されることにより、ヘッド3及びリム4がシェル2に固定される。   The annular portion 5a is formed in an annular shape from a synthetic resin or a metal material, and the annular portion 5a and the protruding portion 5b are integrally formed. A fastened portion 5c is fixed to the projecting portion 5b by a screw (not shown). The fastened portion 5c is formed in a cylindrical shape by a metal material, and a female screw is formed on the inner peripheral surface thereof. The head 3 and the rim 4 are fixed to the shell 2 by screwing the bolt B1 inserted into the flange portion 4c into the fastened portion 5c.

フレーム6は、シェル2の内周側で中央センサ10や第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40等の各種部材を支持するための椀状の部材であり、合成樹脂によって形成される。このフレーム6は、ヘッド3と所定距離を隔てて対向配置される底部6aと、その底部6aの外縁から立設される側壁部6bと、底部6aからヘッド3側へ立設される複数の中央突起部6cと、それら複数の中央突起部6c同士を連結する連結部6dと、中央突起部6c及び連結部6dから放射状に側壁部6b側へ延設される複数のリブ6eと、そのリブ6eに一体に形成される周辺突起部6fとを備える。   The frame 6 is a bowl-shaped member for supporting various members such as the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 on the inner peripheral side of the shell 2, and is formed of a synthetic resin. The frame 6 includes a bottom portion 6a arranged to face the head 3 with a predetermined distance, a side wall portion 6b erected from an outer edge of the bottom portion 6a, and a plurality of centers erected from the bottom portion 6a to the head 3 side. The protrusion 6c, a connecting part 6d for connecting the plurality of central protruding parts 6c, a plurality of ribs 6e extending radially from the central protruding part 6c and the connecting part 6d to the side wall part 6b, and the rib 6e And a peripheral protrusion 6f formed integrally.

側壁部6bの上端には、その径方向外側へ向けて張り出すと共に、下方へ向けて湾曲する湾曲部6b1が形成される。この湾曲部6b1がシェル2の上端の縁に沿って係合されることでシェル2の上端側の開口の縁にフレーム6が支持される。   A curved portion 6b1 that protrudes outward in the radial direction and curves downward is formed at the upper end of the side wall portion 6b. The curved portion 6 b 1 is engaged along the edge of the upper end of the shell 2, so that the frame 6 is supported on the edge of the opening on the upper end side of the shell 2.

中央突起部6cは、中央センサ10が取り付けられる部位であり、その基端が底部6aと一体に形成され、シェル2の周方向に沿って複数(本実施形態では、3個)配設される。これら複数の中央突起部6c同士をシェル2の周方向に沿って連結する態様で連結部6dが形成され、それら中央突起部6c及び連結部6dに複数(本実施形態では、12個)のリブ6eが連結される。   The central protrusion 6c is a part to which the central sensor 10 is attached, and its base end is formed integrally with the bottom 6a, and a plurality (three in this embodiment) are arranged along the circumferential direction of the shell 2. . A connecting portion 6d is formed in such a manner that the plurality of central protruding portions 6c are connected along the circumferential direction of the shell 2, and a plurality of (in this embodiment, 12) ribs are formed on the central protruding portion 6c and the connecting portion 6d. 6e is connected.

複数のリブ6eは、底部6aから平板状に立設するようにそれぞれ形成されると共に、シェル2の周方向に沿って等間隔に配置され、それら複数のリブ6eのうち、3個のリブ6eのそれぞれに一対の周辺突起部6fが形成される。   The plurality of ribs 6e are respectively formed so as to stand up from the bottom 6a in a flat plate shape, and are arranged at equal intervals along the circumferential direction of the shell 2. Of the plurality of ribs 6e, three ribs 6e are provided. A pair of peripheral projections 6f is formed in each of the two.

周辺突起部6fは、リブ6eの延設方向に沿って一対に形成され、それら一対の周辺突起部6fの上端にはめねじ孔がそれぞれ形成される。この一対の周辺突起部6fは、シェル2の周方向に沿って3箇所に配設され、これら3箇所の周辺突起部6fに第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40がそれぞれ配設される。よって、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、シェル2の周方向に沿って等間隔に配設される。   The peripheral projections 6f are formed as a pair along the extending direction of the rib 6e, and female screw holes are formed at the upper ends of the pair of peripheral projections 6f. The pair of peripheral protrusions 6f are disposed at three locations along the circumferential direction of the shell 2, and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are disposed at the three peripheral protrusions 6f, respectively. . Therefore, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are arranged at equal intervals along the circumferential direction of the shell 2.

中央センサ10は、打面が打撃されたことを検出するセンサであり、平面視においてフレーム6の中央に配設される。この中央センサ10は、中央突起部6cの先端に取り付けられるプレート11と、そのプレート11のヘッド3側に両面テープ12を介して接着されるヘッドセンサ13と、そのヘッドセンサ13のヘッド3側に接着されるクッション部材14とを備える。   The center sensor 10 is a sensor that detects that the hitting surface has been hit, and is disposed at the center of the frame 6 in plan view. The central sensor 10 includes a plate 11 attached to the tip of the central protrusion 6c, a head sensor 13 bonded to the head 3 side of the plate 11 via a double-sided tape 12, and a head 3 side of the head sensor 13. And a cushion member 14 to be bonded.

プレート11は、金属材料によって円板状に形成され、その外縁にはシェル2の径方向外側に張り出す3個の被固定部11aが形成される。この被固定部11aがボルトB2によって中央突起部6cの先端に固定される。   The plate 11 is formed in a disk shape from a metal material, and three fixed portions 11 a that protrude outward in the radial direction of the shell 2 are formed on the outer edge thereof. This fixed portion 11a is fixed to the tip of the central protrusion 6c by a bolt B2.

ヘッドセンサ13は、打面が打撃されたことを検出する円板状のセンサであり、圧電素子から構成される。クッション部材14は、スポンジやゴム、熱可塑性エラストマ等の弾性材料によって形成される円錐台形状の緩衝材であり、その上端が膜部材3aに当接して配設される。   The head sensor 13 is a disk-shaped sensor that detects that the hitting surface has been hit, and is composed of a piezoelectric element. The cushion member 14 is a frustoconical cushioning material formed of an elastic material such as sponge, rubber, or thermoplastic elastomer, and its upper end is disposed in contact with the membrane member 3a.

第1周辺センサ20、第2周辺センサ30及び第3周辺センサ40は、打面が打撃されたことを検出するセンサであり、平面視において中央センサ10を円中心とした円周上に等間隔に配設される。   The first peripheral sensor 20, the second peripheral sensor 30, and the third peripheral sensor 40 are sensors that detect that the hitting surface has been hit, and are equally spaced on the circumference with the central sensor 10 as the center in plan view. It is arranged.

なお、第1周辺センサ20、第2周辺センサ30及び第3周辺センサ40は、配設される位置が異なる以外は同じセンサとして構成される。よって、第2周辺センサ30及び第3周辺センサ40には、第1周辺センサ20と同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。   In addition, the 1st surrounding sensor 20, the 2nd surrounding sensor 30, and the 3rd surrounding sensor 40 are comprised as the same sensor except the position arrange | positioned. Therefore, the second peripheral sensor 30 and the third peripheral sensor 40 are denoted by the same reference numerals as those of the first peripheral sensor 20, and detailed description thereof is omitted.

第1周辺センサ20(第2周辺センサ30及び第3周辺センサ40)は、一対の第1周辺突起部6fの先端に取り付けられるプレート21と、そのプレート21のヘッド3側の面に両面テープ22を介して接着されるヘッドセンサ23と、そのヘッドセンサ23のヘッド3側の面に接着されるクッション部材24とを備える。   The first peripheral sensor 20 (the second peripheral sensor 30 and the third peripheral sensor 40) includes a plate 21 attached to the tips of the pair of first peripheral protrusions 6f, and a double-faced tape 22 on the surface of the plate 21 on the head 3 side. And a cushion member 24 bonded to the head 3 side surface of the head sensor 23.

プレート21は、金属材料によって円板状に形成され、その外縁にはリブ6eの延設方向に沿って張り出す2個の被固定部21aが形成される。この被固定部21aがボルトB3によって周辺突起部6fに固定される。   The plate 21 is formed in a disk shape from a metal material, and two fixed portions 21a that protrude along the extending direction of the rib 6e are formed on the outer edge thereof. The fixed portion 21a is fixed to the peripheral protrusion 6f by a bolt B3.

ヘッドセンサ23は、打面が打撃されたことを検出する円板状のセンサであり、圧電素子から構成される。このヘッドセンサ23は、中央センサ10のヘッドセンサ13よりも打面に近い位置に配設される(即ち、ヘッドセンサ13と膜部材3aとの対向間隔よりもヘッドセンサ23と膜部材3aとの対向間隔のほうが短く形成される)。   The head sensor 23 is a disk-shaped sensor that detects that the hitting surface has been hit, and is composed of a piezoelectric element. The head sensor 23 is disposed at a position closer to the hitting surface than the head sensor 13 of the central sensor 10 (that is, the head sensor 23 and the film member 3a are more spaced apart from each other than the facing distance between the head sensor 13 and the film member 3a). The facing distance is shorter).

クッション部材24は、スポンジやゴム、熱可塑性エラストマ等の弾性材料によって形成される円錐台形状の緩衝材であり、中央センサ10のクッション部材14と同じ弾性材料によって形成される。   The cushion member 24 is a frustoconical cushioning material formed of an elastic material such as sponge, rubber, or thermoplastic elastomer, and is formed of the same elastic material as the cushion member 14 of the central sensor 10.

即ち、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、実質的に中央センサ10と同構造のセンサ(膜部材3aにクッション部材14,24が当接され、そのクッション部材14,24の下面にヘッドセンサ13,23が配設されるセンサ)として構成される。これにより、中央センサ10と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40とを別構造のセンサから構成する場合に比べて、電子ドラム1の製造コストを低減できる。また、中央センサ10の打撃出力の特性と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃出力の特性との合わせ込みが不要となるので、その分、設計を容易化できる。   That is, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are sensors having substantially the same structure as the central sensor 10 (the cushion members 14 and 24 are in contact with the membrane member 3a, and the lower surfaces of the cushion members 14 and 24 are The head sensors 13 and 23 are provided as sensors). Thereby, compared with the case where the center sensor 10 and the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40 are comprised from a sensor of another structure, the manufacturing cost of the electronic drum 1 can be reduced. Further, since it is not necessary to match the hit output characteristics of the central sensor 10 with the hit output characteristics of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the design can be facilitated accordingly.

ここで、クッション部材24の厚み(ヘッドセンサ23からの立設高さ)は、クッション部材14の厚み(ヘッドセンサ13からの立設高さ)よりも薄く(立設高さが低く)設定される(即ち、クッション部材24よりもクッション部材14が肉厚に形成される)。即ち、中央センサ10は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40よりも打面から離れた位置に配設される。   Here, the thickness (the standing height from the head sensor 23) of the cushion member 24 is set to be thinner (the standing height is lower) than the thickness (the standing height from the head sensor 13) of the cushion member 14. (That is, the cushion member 14 is formed thicker than the cushion member 24). That is, the central sensor 10 is disposed at a position farther from the hitting surface than the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40.

これにより、ヘッドセンサ23と打面との対向間隔を短くすることができるので、打面の中央部(クッション部材14が当接する付近)が打撃された場合に、その打撃を中央センサ10のヘッドセンサ13が検出してから、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のヘッドセンサ23が検出するまでの時間を短くできる。即ち、中央センサ10と第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40とにそれぞれ同じ厚みのクッション部材を設ける場合に比べ、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のヘッドセンサ23が打撃を検出するまでの時間(即ち、信号到達時刻やピークレベルなどの必要情報を取得できるまでの時間)を短くすることができるので、制御装置7による発音制御の遅延時間を短くできる。   Thereby, since the opposing space | interval of the head sensor 23 and a hitting surface can be shortened, when the center part (vicinity where the cushion member 14 contact | abuts) of a hitting surface is hit | damaged, the hit of the head of the center sensor 10 is carried out. The time from detection by the sensor 13 to detection by the head sensor 23 of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 can be shortened. That is, the head sensor 23 of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detects a hit as compared with the case where the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are provided with cushion members having the same thickness. Since the time until the time (ie, the time until the necessary information such as signal arrival time and peak level can be acquired) can be shortened, the delay time of sound generation control by the control device 7 can be shortened.

また、打面の中央部が打撃された場合、周辺部(膜部材3aにおける中央部よりもシェル2の径方向外側)では打撃の振動(膜部材3aの振幅)が打面の中央部に比べて小さくなるので、その分、打撃検出の感度が低下する。   Further, when the center portion of the striking surface is hit, the vibration of the striking (amplitude of the film member 3a) is larger in the peripheral portion (outside in the radial direction of the shell 2 than the central portion in the film member 3a) compared to the central portion of the striking surface. Therefore, the hit detection sensitivity decreases accordingly.

これに対して、本実施形態の電子ドラム1によれば、ヘッドセンサ23は、ヘッドセンサ13よりも打面に近い位置に配設される(ヘッドセンサ13と膜部材3aとの対向間隔よりもヘッドセンサ23と膜部材3aとの対向間隔のほうが短く形成される)ので、かかる検出感度の低下を補うことができる。   On the other hand, according to the electronic drum 1 of the present embodiment, the head sensor 23 is disposed at a position closer to the hitting surface than the head sensor 13 (more than the facing distance between the head sensor 13 and the film member 3a). Since the facing distance between the head sensor 23 and the film member 3a is shorter), such a decrease in detection sensitivity can be compensated.

また、ヘッドセンサ13,23は、打面の裏面側にクッション部材14,24を介して配設されているので、ヘッドセンサ13,23の直上を打撃された場合であっても、その打撃の衝撃をクッション部材14,24によって吸収することができる。よって、打撃の衝撃からヘッドセンサ13,23を保護して、その破損を抑制できる。   Further, since the head sensors 13 and 23 are disposed on the back side of the striking surface via the cushion members 14 and 24, even if the head sensors 13 and 23 are hit directly above the head sensors 13 and 23, The impact can be absorbed by the cushion members 14 and 24. Therefore, it is possible to protect the head sensors 13 and 23 from impact of hitting and to suppress the breakage.

ここで、打撃検出の感度を高めるためには、クッション部材14,24の厚みを薄く設定し、ヘッドセンサ13,23は、打面に極力近い位置に配設されることが好ましい。しかしながら、クッション部材14,24の厚みを薄くしてヘッドセンサ13,23を打面に近づけ過ぎると、打面が強打されることでヘッドセンサ13,23へ底当たりする。即ち、クッション部材14,24では打撃による衝撃を吸収しきれず、ヘッドセンサ13,23が実質的に直接強打される状態となるため、ヘッドセンサ13,23が破損する。   Here, in order to increase the sensitivity of hit detection, it is preferable that the thickness of the cushion members 14 and 24 is set to be thin, and the head sensors 13 and 23 are disposed as close as possible to the hitting surface. However, if the thickness of the cushion members 14 and 24 is reduced and the head sensors 13 and 23 are too close to the hitting surface, the hitting surface is hit hard to hit the head sensors 13 and 23. That is, the cushion members 14 and 24 cannot absorb the impact caused by the impact, and the head sensors 13 and 23 are substantially directly hit. Therefore, the head sensors 13 and 23 are damaged.

よって、クッション部材14,24は、打面が強打された場合に、ヘッドセンサ13,23へ底当たりしない厚みに形成されることが好ましい。この場合、クッション部材14,24の厚みをヘッドセンサ13,23へ底当たりしない厚みに設定するには、まず、クッション部材14,24と打面とが当接する付近を、クッション部材14,24を取り外した状態でスティックによって強打し、打面(膜部材3a)の最大たわみ量を測定する。このたわみ量は、打面のテンションによって変化するが、想定される範囲(演奏可能な範囲)における最も低いテンションで打面を張設した状態で測定する。   Therefore, it is preferable that the cushion members 14 and 24 are formed to have a thickness that does not contact the head sensors 13 and 23 when the hitting surface is hit hard. In this case, in order to set the thickness of the cushion members 14 and 24 so as not to contact the bottom of the head sensors 13 and 23, first, the cushion members 14 and 24 are placed in the vicinity where the cushion members 14 and 24 abut against the striking surface. The struck with a stick in a detached state, and the maximum deflection amount of the striking surface (film member 3a) is measured. The amount of deflection changes depending on the tension of the hitting surface, but is measured in a state where the hitting surface is stretched with the lowest tension in the assumed range (playable range).

この場合、打面が強打された場合の打面の最大たわみ量に対し、クッション部材14,24の厚みは、その最大たわみ量の約1.5〜2倍の厚みに設定されることが好ましい。クッション部材14,24の厚みが強打時の打面の最大たわみ量の1.5倍よりも薄い場合は、ヘッドセンサ13,23へ底当たりしやすくなる。また、クッション部材14,24の厚みが強打時の打面の最大たわみ量の2倍よりも厚い場合は、その厚みが過剰になるため、ヘッドセンサ13,23の検出感度が低下する。   In this case, it is preferable that the thickness of the cushion members 14 and 24 is set to about 1.5 to 2 times the maximum deflection amount with respect to the maximum deflection amount of the hitting surface when the hitting surface is struck. . When the thickness of the cushion members 14 and 24 is thinner than 1.5 times the maximum deflection amount of the striking surface at the time of heavy hitting, the head sensors 13 and 23 are likely to hit the bottom. In addition, when the thickness of the cushion members 14 and 24 is thicker than twice the maximum deflection amount of the striking surface at the time of heavy hitting, the thickness becomes excessive, so that the detection sensitivity of the head sensors 13 and 23 decreases.

即ち、クッション部材14,24の厚みを、打面が強打された場合の打面の最大たわみ量の約1.5〜2倍の厚みに形成することにより、ヘッドセンサ13,23が破損することを抑制しつつ、その検出感度を高めることができる。   That is, the head sensors 13 and 23 are damaged by forming the cushion members 14 and 24 to have a thickness approximately 1.5 to 2 times the maximum deflection of the hitting surface when the hitting surface is hit hard. This can increase the detection sensitivity.

本実施形態では、強打時の打面の最大たわみ量が、打面の中心付近(クッション部材14が当接する付近)で20mm、それよりも周辺側(クッション部材24が当接する付近)で14mmであった。よって、クッション部材14の厚みを35mm(最大たわみ量20mmの1.75倍)に、クッション部材24の厚みを25mm(最大たわみ量14mmの1.78倍)に、それぞれ設定した。これにより、打面が強打された場合であっても、ヘッドセンサ13,23へ底当たりすることを抑制できると共に、ヘッドセンサ13,23の検出感度を高めることができる。   In the present embodiment, the maximum deflection amount of the striking surface at the time of striking is 20 mm near the center of the striking surface (near the cushion member 14 abuts), and 14 mm near the periphery (near the cushion member 24 abuts). there were. Therefore, the thickness of the cushion member 14 was set to 35 mm (1.75 times the maximum deflection amount 20 mm), and the thickness of the cushion member 24 was set to 25 mm (1.78 times the maximum deflection amount 14 mm). Thereby, even when the hitting surface is hit hard, it is possible to suppress bottom contact with the head sensors 13 and 23 and to increase the detection sensitivity of the head sensors 13 and 23.

このように、打面はその外周端にテンションがかけられて張設されるので、打撃時における打面の最大たわみ量は、中央付近が大きく、それよりも周辺側は中央付近に比べて小さくなる。よって、その最大たわみ量に合わせて、クッション部材14をクッション部材24より肉厚に形成する(クッション部材24をクッション部材14より肉薄に形成する)ことで、ヘッドセンサ23を、ヘッドセンサ13より、打面に近い位置に配設できる。   In this way, since the striking surface is stretched with tension applied to its outer peripheral edge, the maximum deflection amount of the striking surface at the time of striking is large near the center, and the peripheral side is smaller than that near the center. Become. Therefore, according to the maximum deflection amount, the cushion member 14 is formed thicker than the cushion member 24 (the cushion member 24 is formed thinner than the cushion member 14). It can be disposed at a position close to the hitting surface.

従って、打撃時における打面のたわみ量に合わせてクッション部材14,24の厚みを設定(本実施形態では、たわみ量の約1.75倍の厚みに設定)することにより、クッション部材14,24によってヘッドセンサ13,23を保護しつつ、ヘッドセンサ13,23の打面からの配設位置(膜部材3aとの対向間隔)をそれぞれ適切に調整することができる。   Accordingly, by setting the thickness of the cushion members 14 and 24 in accordance with the deflection amount of the striking surface at the time of impact (in this embodiment, the thickness is set to about 1.75 times the deflection amount), the cushion members 14 and 24 are set. Thus, while the head sensors 13 and 23 are protected, the arrangement positions of the head sensors 13 and 23 from the striking surface (opposite distance from the film member 3a) can be appropriately adjusted.

即ち、打面のたわみ量に合わせて予めクッション部材14,24の高さを設定し、そのクッション部材14,24の下面にヘッドセンサ13,23を配設すれば、底当たりせず、且つ、検出感度を高めることができる高さにヘッドセンサ13,23を配設することができる。   That is, if the height of the cushion members 14 and 24 is set in advance according to the amount of deflection of the striking surface, and the head sensors 13 and 23 are disposed on the lower surfaces of the cushion members 14 and 24, the bottom contact will not occur, and The head sensors 13 and 23 can be arranged at a height that can increase the detection sensitivity.

また、打面を平面視した場合において、その打面の中央に配設される1個の中央センサ10と、その中央センサ10を円中心とした円周上に沿って等間隔に配設された複数(本実施形態では、3個)の周辺センサとが配設されているので、3個の周辺センサが配設される円周内が打撃された場合、それら3個の周辺センサそれぞれで検出される打撃信号(後述するピーク、電圧波形の立ち下がり、又は、立ち上がり)の検出時間差によって、打面の中央からの打撃位置を検出できる。更に、中央センサ10による打撃信号の検出波形によって、3個の周辺センサが配設された円周外において、打面の中央からの打撃位置を検出できる。よって、中央センサ10と3個の周辺センサとによって、打面の中央からの打撃位置を適切に検出できる。   Further, when the striking surface is viewed in plan, one central sensor 10 disposed at the center of the striking surface and the central sensor 10 are disposed at equal intervals along a circle centered on the center. Since a plurality of (three in this embodiment) peripheral sensors are arranged, when the inside of a circle where the three peripheral sensors are arranged is hit, each of the three peripheral sensors The striking position from the center of the striking surface can be detected by the detection time difference of the striking signal to be detected (peak, voltage waveform falling, or rising, which will be described later). Further, the hitting position from the center of the hitting surface can be detected outside the circumference where the three peripheral sensors are arranged by the detection waveform of the hitting signal by the central sensor 10. Therefore, the hit position from the center of the hitting surface can be appropriately detected by the center sensor 10 and the three peripheral sensors.

また、クッション部材24の厚みは、打面の中央が打撃された場合の打撃信号(後述するピーク)をヘッドセンサ23によって所定時間(本実施形態では、中央センサ10が打撃を検出してから2ms)以内に検出できる厚みに設定されている。この2msは、後述する中央センサ10によるスキャンタイムである。このスキャンタイム内に第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40で打撃のピークを検出させる(即ち、打撃の有無とその強度を検出させる)ことにより、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40で検出されるピークの時間差から打面の中央付近の打撃位置の検出を行うことができる。よって、後述する初期半波ピッチに基づいて、打面の中央付近の打撃位置を中央センサ10によって検出する場合に比べ、打撃位置の検出をより短い時間で行うことができる。   The cushion member 24 has a thickness of 2 ms after a hit signal (peak described later) when the center of the hitting surface is hit is detected by the head sensor 23 for a predetermined time (in this embodiment, the center sensor 10 detects the hit). ) Is set to a thickness that can be detected within. This 2 ms is a scan time by the central sensor 10 described later. By causing the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 to detect the peak of the hit within this scan time (that is, the presence / absence of the hit and its intensity are detected), the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are detected. The hit position near the center of the hitting surface can be detected from the time difference between the peaks detected in step. Therefore, the hitting position can be detected in a shorter time compared to the case where the hitting position near the center of the hitting surface is detected by the central sensor 10 based on the initial half-wave pitch described later.

次に、電子ドラム1に対する打撃を、中央センサ10及び、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値に応じて、その打撃位置およびベロシティを算出し、ドラム音の演奏を行う制御プログラムについて説明する。   Next, a control for performing the performance of the drum sound by calculating the striking position and velocity of the electronic drum 1 according to the sensor output values of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. Describe the program.

まず、図3を参照して、電子ドラム1の各センサの配置について説明する。図3は、電子ドラム1のセンサ配置を模式的に表した平面図である。電子ドラム1は、打面を平面視した場合において、打面は円形に形成され、中央センサ10は、打面の中央に配設されると共に、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、中央センサ10を円中心とした同心円の円周上に等間隔に配設されている。よって、円形に形成された打面の全域について、打撃を適切に検出して、そのベロシティを算出することができる。また、打面の中央は打面の周辺部に比べて打面の変形量(たわみ量)が大きいので、打面の中央に配設された中央センサ10は、打面の周辺部に配設される第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40に比べて打撃に対するセンサ出力値のレンジが広く、打撃の検出感度が良い。   First, the arrangement of the sensors of the electronic drum 1 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a plan view schematically showing the sensor arrangement of the electronic drum 1. The electronic drum 1 is formed in a circular shape when the striking surface is viewed in plan, the central sensor 10 is disposed at the center of the striking surface, and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are The central sensor 10 is arranged at equal intervals on the circumference of a concentric circle with the circle center. Therefore, it is possible to appropriately detect the hit and calculate the velocity of the entire hitting surface formed in a circle. Further, since the center of the striking surface has a larger deformation amount (deflection amount) of the striking surface than the peripheral portion of the striking surface, the central sensor 10 disposed at the center of the striking surface is disposed at the peripheral portion of the striking surface. Compared to the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the range of sensor output values with respect to impact is wide and the detection sensitivity of impact is good.

なお、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、中央センサ10による打撃の検出から2msのウエイト処理(以下「中央センサ10によるスキャンタイム」と称する)中に、同じ打撃によるセンサ出力値の絶対値の最大値(以下「ピーク」と称する)が、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の全てで検出でき、且つ、中央センサ10が打撃を検出してから、中央センサ10によるスキャンタイム内に、中央センサ10のセンサ出力値による打撃における最初のマイナス値の波形、即ち、初期半波が検出できる位置に配設される。具体的に、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、図3における「100」の位置に配設される。   Note that the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 have sensor output values of the same hit during the 2 ms wait process (hereinafter referred to as “scan time by the central sensor 10”) from the hit detection by the central sensor 10. The maximum absolute value (hereinafter referred to as “peak”) can be detected by all of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 and the central sensor 10 detects a hit, and then the scan by the central sensor 10 is performed. Within the time, it is arranged at a position where the waveform of the first minus value in the impact by the sensor output value of the central sensor 10, that is, the initial half wave can be detected. Specifically, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are disposed at a position “100” in FIG.

本実施形態においては、打面の中央付近の打撃位置の検出を第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値により行い、それ以外の打撃位置の検出を中央センサ10のセンサ出力値と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値とにより行う。詳細は後述するが、中央センサ10による打撃位置は、中央センサ10のセンサ出力値による打撃における最初のマイナス値の波形、即ち、初期半波のピッチの大きさによって算出される。一方、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃位置の検出は、第1周辺センサ20と第2周辺センサ30とのピークを検出する時間差と、第1周辺センサ20と第3周辺センサ40とのピークを検出する時間差とから算出される。   In the present embodiment, the detection of the hitting position near the center of the hitting surface is performed based on the sensor output values of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, and the other hitting positions are detected as sensor output values of the central sensor 10. And the sensor output values of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. Although the details will be described later, the hit position by the center sensor 10 is calculated by the waveform of the first negative value in the hit by the sensor output value of the center sensor 10, that is, the pitch of the initial half wave. On the other hand, the hit positions of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are detected by a time difference for detecting a peak between the first peripheral sensor 20 and the second peripheral sensor 30, and the first peripheral sensor 20 and the third peripheral sensor. It is calculated from the time difference for detecting the peak from 40.

中央センサ10によるスキャンタイム内に、中央センサ10における初期半波が完全に検出され、且つ、同一の打撃による、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のピークが検出される場合は、中央センサ10により算出される打撃位置と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置との重み付け演算によって打撃位置が算出される。   When the initial half wave in the central sensor 10 is completely detected within the scan time by the central sensor 10 and the peaks of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 due to the same hit are detected, The striking position is calculated by weighting the striking position calculated by the sensor 10 and the striking positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40.

一方、打面の中央付近、即ち、中央センサ10付近に対する打撃の場合(図3の「75」の位置より内周側)は、中央センサ10で検出される初期半波のピッチが大きく、中央センサ10によるスキャンタイム内に収まらない場合があり、その時は中央センサ10による正確な打撃位置が算出できない。即ち中央センサ10で検出される、初期半波のピッチの大きさに基づいて、打撃位置を算出できる領域は、打面の中央付近よりも外周側に限定される。   On the other hand, in the case of hitting near the center of the hitting surface, that is, near the center sensor 10 (inner side from the position “75” in FIG. 3), the pitch of the initial half-wave detected by the center sensor 10 is large, and the center There is a case where it does not fall within the scan time by the sensor 10, and at that time, an accurate hitting position by the central sensor 10 cannot be calculated. That is, the area where the hitting position can be calculated based on the pitch of the initial half-wave detected by the center sensor 10 is limited to the outer peripheral side rather than the vicinity of the center of the hitting surface.

これに対して、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置は、第1周辺センサ20と第2周辺センサ30とのピークを検出する時間差と、第1周辺センサ20と第3周辺センサ40とのピークを検出する時間差とから算出される。また、上述した通り、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、中央センサ10の打撃を検出してからの中央センサ10によるスキャンタイム内に、その打撃の初期半波が検出できる位置に配設される。   On the other hand, the hit positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are the time difference for detecting the peak between the first peripheral sensor 20 and the second peripheral sensor 30, and the first peripheral sensor 20 and the third peripheral sensor. It is calculated from the time difference for detecting the peak with the sensor 40. Further, as described above, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are located at positions where the initial half wave of the hit can be detected within the scan time by the central sensor 10 after the hit of the central sensor 10 is detected. Arranged.

ここで、中央センサ10と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40との距離が大きいと、中央センサ10が打撃を検出してから、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が、その打撃を検出するまでの時間が長くなる。従って、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が、中央センサ10によるスキャンタイム内に、その打撃を検出できる位置より外周側に配設されると、中央センサ10によるスキャンタイム内に第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって打撃が検出されず、打撃位置が算出できない。さらに、かかる第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の配設位置において、打面の中央付近を打撃すると、中央センサ10によるスキャンタイム内に、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置が算出できない上に、上述した通り、中央センサ10によって正確な打撃位置も算出できない。即ち中央センサ10によるスキャンタイム内に、打撃位置が正確に算出できない領域が存在してしまう。   Here, if the distance between the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is large, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are detected after the central sensor 10 detects a hit. The time until the hit is detected becomes longer. Accordingly, when the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are arranged on the outer peripheral side from the position where the hit can be detected within the scan time by the central sensor 10, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are within the scan time by the central sensor 10. The hit is not detected by the peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, and the hit position cannot be calculated. Furthermore, when the vicinity of the center of the hitting surface is hit at the positions where the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are disposed, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are within the scan time of the central sensor 10. In addition to being able to calculate the hit position, as described above, the center sensor 10 cannot also calculate the correct hit position. That is, there is an area in which the hitting position cannot be accurately calculated within the scan time by the central sensor 10.

そこで、本実施形態における第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、打面が打撃された場合に、中央センサ10が打撃を検出してから、中央センサ10によるスキャンタイム内にその打撃を検出でき、且つ、中央センサ10によるスキャンタイム内に、その打撃の初期半波を検出できる位置(図3における「100」の位置)に配設される。これにより、打面の中央付近の打撃であっても、中央センサ10によるスキャンタイム内に、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置の算出が可能となる。そして、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40により検出される打撃位置が、打面の中央付近であると判断される場合は、算出可能な第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置のみから、打撃位置が算出される。これにより、正確な打撃位置を取得することができる。   Therefore, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 in the present embodiment, when the hitting surface is hit, after the central sensor 10 detects the hit, the hit within the scan time by the central sensor 10. It is possible to detect and within the scan time by the central sensor 10, it is disposed at a position (position “100” in FIG. 3) where the initial half wave of the hit can be detected. Thereby, even if the hit is near the center of the hitting surface, the hit positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 can be calculated within the scan time by the central sensor 10. When it is determined that the striking position detected by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is near the center of the hitting surface, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 that can be calculated. The striking position is calculated from only the striking position. Thereby, an accurate hitting position can be acquired.

また、打撃強度(ベロシティ)の算出は、打撃によって検出される、中央センサ10のピークと、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のピークとによる重み付け演算に応じて行う。詳細は後述するが、中央センサ10によるスキャンタイム内に、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって打撃が検出された場合は、中央センサ10のピークと、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のピークとから、ベロシティを算出する。これにより、打撃の感度が高い中央センサ10と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40とからベロシティが算出されるので、より正確にベロシティが算出できる。   Further, the calculation of the striking strength (velocity) is performed according to a weighting calculation based on the peak of the central sensor 10 and the peaks of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detected by the striking. Although details will be described later, when a hit is detected by the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 within the scan time by the central sensor 10, the peak of the central sensor 10 and the first peripheral sensor The velocity is calculated from the 20th to the third peripheral sensor 40 peaks. Thereby, since the velocity is calculated from the central sensor 10 having high hitting sensitivity and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the velocity can be calculated more accurately.

これに対して、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃の検出から2msのウエイト処理(以下「周辺センサによるスキャンタイム」と称する)内において、中央センサ10によって打撃を検出しない場合は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40ピークからベロシティが算出される。これにより、打面の外周部等で、中央センサ10で打撃が検出できない程の弱い打撃を行ったとしても、確実にベロシティが算出され、そのベロシティに基づいて楽音の生成指示が行われる。   On the other hand, in the case where no hit is detected by the central sensor 10 within the 2 ms wait process (hereinafter referred to as “scan time by the peripheral sensor”) from the detection of the hit by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. The velocity is calculated from the peaks of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. As a result, even if the impact is so weak that the central sensor 10 cannot detect the impact at the outer periphery of the impact surface, the velocity is reliably calculated, and a tone generation instruction is issued based on the velocity.

なお、本実施形態においては、打面の中央の位置を「0」とし、打面における最外周の位置を「127」とする。また、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、「100」の位置に、等間隔に配設される(即ち、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は正三角形の頂点の位置)。また、打撃位置の算出を、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40により検出される打撃位置のみで行うかどうかの閾値を「75」の位置とする。   In the present embodiment, the center position of the hitting surface is “0”, and the outermost position on the hitting surface is “127”. Further, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are arranged at equal intervals at the position “100” (that is, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are positions of the vertices of an equilateral triangle. ). Further, the threshold value for determining whether or not the hitting position is calculated only at the hitting positions detected by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is set to a position “75”.

次に、図4を参照して、電子ドラム1の電気的構成について説明する。図4は電子ドラム1の電気的構成を示すブロック図である。電子ドラム1は、電子ドラム1の各部を制御するための制御装置7を備えている。制御装置7は、CPU71と、ROM72と、RAM73とを有し、それぞれバスライン74を介して接続される。また、バスライン74には、中央センサ10と、第1周辺センサ20と、第2周辺センサ30と、第3周辺センサ40と、外部入出力端子75とがそれぞれ接続される。外部入出力端子75には、音源76又は検査PC79が接続される(図面には、説明のために、音源76と検査PC79との両方が接続された状態を図示している)。音源76にはアンプ77が接続され、アンプ77にはスピーカ78が接続される。   Next, the electrical configuration of the electronic drum 1 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a block diagram showing an electrical configuration of the electronic drum 1. The electronic drum 1 includes a control device 7 for controlling each part of the electronic drum 1. The control device 7 includes a CPU 71, a ROM 72, and a RAM 73, and each is connected via a bus line 74. In addition, the central sensor 10, the first peripheral sensor 20, the second peripheral sensor 30, the third peripheral sensor 40, and the external input / output terminal 75 are connected to the bus line 74. A sound source 76 or an inspection PC 79 is connected to the external input / output terminal 75 (for the sake of illustration, the state where both the sound source 76 and the inspection PC 79 are connected is illustrated). An amplifier 77 is connected to the sound source 76, and a speaker 78 is connected to the amplifier 77.

CPU71は、バスライン74により接続された各部を制御する演算装置である。ROM72は、書き換え不可能なメモリであり、制御プログラム72aと、中央センサ打撃位置テーブル72bと、周辺センサ打撃位置テーブル72cとが記憶される。CPU71によって、制御プログラム72aが実行されると、初期化処理(図7(a))が実行される。中央センサ打撃位置テーブル72bは、中央センサ10に対する打撃の出力値による、初期半波のピッチΔThwから、電子ドラム1の打撃位置を取得するテーブルである。ここで、この初期半波のピッチΔThwについて、図6(a)を参照して説明する。   The CPU 71 is an arithmetic unit that controls each unit connected by the bus line 74. The ROM 72 is a non-rewritable memory, and stores a control program 72a, a central sensor impact position table 72b, and a peripheral sensor impact position table 72c. When the control program 72a is executed by the CPU 71, an initialization process (FIG. 7A) is executed. The central sensor hitting position table 72b is a table for acquiring the hitting position of the electronic drum 1 from the initial half-wave pitch ΔThw based on the hitting output value for the central sensor 10. Here, the pitch ΔThw of the initial half-wave will be described with reference to FIG.

図6(a)は、中央センサ10における打撃に基づく電圧波形(中央センサ10からの出力波形)の電圧−時間グラフである。縦軸が電圧を示し、横軸が時間を示す。中央センサ10が出力する打撃に基づく電圧波形の開始の時刻Tsと、その直後の電圧波形のゼロクロス点となる時刻Teとの間の電圧波形はマイナス値となる。これは、電子ドラムの打面が打撃されることにより、打面が負方向に「たわむ」からである。本実施形態においては、この打撃の検出開始における時刻TsからTeまでに出力されるマイナス値の電圧波形のことを「初期半波」と称する。一般的に、中央センサ10と打撃位置との距離に応じて、中央センサ10によって検出される初期半波のピッチΔThw,即ち、時刻Teと時刻Tsとの時間差は変化するという特性を持つ。具体的には、打撃位置が中央センサ10に近いほど、初期半波のピッチΔThwが大きくなり、打撃位置が中央センサ10から離れるほど、初期半波のピッチΔThwが小さい特性を持つ。この関係性を実測値から算出し、テーブル化したものが、中央センサ打撃位置テーブル72bである。図5(a)を参照して、中央センサ打撃位置テーブル72bについて説明する。   FIG. 6A is a voltage-time graph of a voltage waveform (an output waveform from the central sensor 10) based on the hit in the central sensor 10. FIG. The vertical axis represents voltage and the horizontal axis represents time. The voltage waveform between the start time Ts of the voltage waveform based on the strike output by the central sensor 10 and the time Te that becomes the zero cross point of the voltage waveform immediately after that is a negative value. This is because the striking surface “bends” in the negative direction when the striking surface of the electronic drum is hit. In the present embodiment, the negative voltage waveform output from time Ts to Te at the start of detection of the hit is referred to as “initial half wave”. In general, the initial half-wave pitch ΔThw detected by the central sensor 10, that is, the time difference between the time Te and the time Ts changes according to the distance between the central sensor 10 and the hitting position. Specifically, the closer the hitting position is to the center sensor 10, the larger the initial half-wave pitch ΔThw, and the farther the hitting position is from the center sensor 10, the smaller the initial half-wave pitch ΔThw. A central sensor hitting position table 72b is a table in which this relationship is calculated from actual measurement values. With reference to Fig.5 (a), the center sensor hitting position table 72b is demonstrated.

図5(a)は、中央センサ打撃位置テーブル72bを模式的に表した図である。中央センサ打撃位置テーブル72bは、初期半波のピッチΔThwに応じて、実測値から算出された打撃位置が記憶されるテーブルである。中央センサ10における打撃に基づく電圧波形から算出された初期半波のピッチΔThwを中央センサ打撃位置テーブル72bの初期半波のピッチΔThwと参照し、該当する打撃位置が取得される。取得された打撃位置と、後述の第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40から求めた打撃位置とを用いて、打撃位置を算出し、それに基づいて電子ドラム1の演奏情報が生成される。なお、図5(a)における、中央センサ打撃位置テーブル72bの各数値は、必ずしもこれに限られるものではなく、ヘッド3や中央センサ10やクッション部材14の素材や特性、中央センサ10の配置、クッション部材14の高さなどに応じて、適宜設定してもよい。   FIG. 5A is a diagram schematically showing the central sensor hitting position table 72b. The central sensor hitting position table 72b is a table in which hitting positions calculated from actual measurement values are stored in accordance with the initial half-wave pitch ΔThw. The initial half-wave pitch ΔThw calculated from the voltage waveform based on the hit in the central sensor 10 is referred to as the initial half-wave pitch ΔThw in the central sensor hitting position table 72b, and the corresponding hit position is acquired. The hitting position is calculated using the acquired hitting position and the hitting position obtained from the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 described later, and the performance information of the electronic drum 1 is generated based on the calculated hitting position. In addition, each numerical value of the central sensor hitting position table 72b in FIG. 5A is not necessarily limited to this, the material and characteristics of the head 3, the central sensor 10, and the cushion member 14, the arrangement of the central sensor 10, You may set suitably according to the height of the cushion member 14, etc.

図4に戻る。周辺センサ打撃位置テーブル72cは、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40における打撃検出の時間差によって、電子ドラム1の打撃位置を取得するテーブルである。ここで、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40における打撃検出の時間差について、図6(b)を参照して説明する。   Returning to FIG. The peripheral sensor hitting position table 72c is a table that acquires the hitting position of the electronic drum 1 based on the time difference of hit detection in the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. Here, the time difference of the hit detection in the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40 is demonstrated with reference to FIG.6 (b).

図6(b)は、電子ドラム1の打面への、ある打撃に対して検出される、第1周辺センサ20,第2周辺センサ30,第3周辺センサ40における電圧波形の電圧−時間グラフである。それぞれ、縦軸が電圧を示し、横軸が時間を示す。第1周辺センサ20に検出される、ある打撃によるピークを検出する時刻をピーク時刻Tm1とし、第2周辺センサ30,第3周辺センサ40によって検出される、同じ打撃によるピークが検出される時刻をそれぞれピーク時刻Tm2,ピーク時刻Tm3とする。また、ピーク時刻Tm1とピーク時刻Tm2との時間差をΔT1,ピーク時刻Tm1とピーク時刻Tm3との時間差をΔT2とする。第1周辺センサ20,第2周辺センサ30,第3周辺センサ40はそれぞれ、打面の中央から「100」の位置に等間隔で配設されるので(図3参照)、打面の中央を打撃された場合は、検出されるピーク時刻Tm1,Tm2,Tm3が等しい。一方、打面の中央以外を打撃された場合は、検出されるピーク時刻Tm1,Tm2,Tm3は、その打撃位置に応じて変化する。即ち、打撃位置に応じてΔT1,ΔT2は変化する。そこで、本実施形態において、第1周辺センサ20を周辺センサの基点として、第2周辺センサ30,第3周辺センサ40との打撃のピークの時間差ΔT1,ΔT2に応じた、打撃位置を実測値から算出し、テーブル化したものが、周辺センサ打撃位置テーブル72cである。図5(b)を参照して、周辺センサ打撃位置テーブル72cについて説明する。   6B is a voltage-time graph of voltage waveforms in the first peripheral sensor 20, the second peripheral sensor 30, and the third peripheral sensor 40, which are detected in response to a certain hit on the hitting surface of the electronic drum 1. FIG. It is. In each case, the vertical axis represents voltage and the horizontal axis represents time. The time at which the first peripheral sensor 20 detects a peak due to a certain hit is the peak time Tm1, and the time at which the same peripheral peak detected by the second peripheral sensor 30 and the third peripheral sensor 40 is detected. The peak times are Tm2 and Tm3, respectively. The time difference between the peak time Tm1 and the peak time Tm2 is ΔT1, and the time difference between the peak time Tm1 and the peak time Tm3 is ΔT2. The first peripheral sensor 20, the second peripheral sensor 30, and the third peripheral sensor 40 are disposed at equal intervals from the center of the striking surface at a position of “100” (see FIG. 3). When hit, the detected peak times Tm1, Tm2, and Tm3 are equal. On the other hand, when hitting other than the center of the hitting surface, the detected peak times Tm1, Tm2, and Tm3 change according to the hitting position. That is, ΔT1 and ΔT2 change according to the striking position. Therefore, in the present embodiment, with the first peripheral sensor 20 as the base point of the peripheral sensor, the hit position according to the time difference ΔT1, ΔT2 of the hit peak with the second peripheral sensor 30 and the third peripheral sensor 40 is determined from the actual measurement value. What is calculated and tabulated is a peripheral sensor hitting position table 72c. With reference to FIG.5 (b), the periphery sensor hitting position table 72c is demonstrated.

図5(b)は、周辺センサ打撃位置テーブル72cを模式的に表した図である。周辺センサ打撃位置テーブル72cは、第1周辺センサ20と、第2周辺センサ30,第3周辺センサ40との打撃のピークの時間差ΔT1,ΔT2に応じて、実測値から算出された打撃位置が記憶されるテーブルである。打撃のピークの時間差ΔT1及びΔT2を、周辺センサ打撃位置テーブル72cの時間差ΔT1及びΔT2と参照し、該当する打撃位置が取得される。これにより、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置を、その都度、打撃のピークの時間差ΔT1及びΔT2から算出する場合と比較して、迅速に取得することができる。取得された打撃位置と、中央センサ10から求めた打撃位置とを用いて、打撃位置を算出し、それに基づいて電子ドラム1の演奏情報が生成される。なお、打撃のピークの時間差ΔT1及びΔT2による打撃位置は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の位置より外周側では算出できない。これは、例えば、第1周辺センサ20の位置(位置A)で打撃された場合の打撃のピークの時間差ΔT1及びΔT2と、位置Aと打面中央とを結ぶ延長線上かつ、第1周辺センサ20の外周側の位置で打撃された場合の打撃のピークの時間差ΔT1及びΔT2とが、同じ値となるからである。従って、周辺センサ打撃位置テーブル72cにおいても、時間差ΔT1及びΔT2により、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40よりも外周側である場合の記憶位置には、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の位置と同じ「100」が記憶される。   FIG. 5B is a diagram schematically illustrating the peripheral sensor hitting position table 72c. The peripheral sensor hitting position table 72c stores the hitting positions calculated from the measured values according to the time differences ΔT1 and ΔT2 of the hitting peaks between the first peripheral sensor 20, the second peripheral sensor 30, and the third peripheral sensor 40. Is a table to be played. The time difference ΔT1 and ΔT2 of the hitting peak are referred to as the time difference ΔT1 and ΔT2 of the peripheral sensor hitting position table 72c, and the corresponding hitting position is acquired. Thereby, the hit position by the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40 can be acquired rapidly compared with the case where it calculates from time difference (DELTA) T1 and (DELTA) T2 of the peak of a hit each time. The hit position is calculated using the acquired hit position and the hit position obtained from the central sensor 10, and the performance information of the electronic drum 1 is generated based on the calculated hit position. It should be noted that the striking position by the time difference ΔT1 and ΔT2 of the striking peak cannot be calculated on the outer peripheral side from the positions of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. This is, for example, on the extension line connecting the time difference ΔT1 and ΔT2 of the hitting peak when hit at the position (position A) of the first peripheral sensor 20 and the center of the hitting surface, and the first peripheral sensor 20. This is because the time difference ΔT1 and ΔT2 of the hitting peak when hitting at a position on the outer peripheral side is the same value. Accordingly, also in the peripheral sensor hitting position table 72c, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral position are stored in the storage position in the outer peripheral side of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 due to the time differences ΔT1 and ΔT2. The same “100” as the position of the sensor 40 is stored.

なお、図5(b)における周辺センサ打撃位置テーブル72cの各数値は、必ずしもこれに限られるものではなく、ヘッド3や第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40やクッション部材24の素材や特性、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の配置、クッション部材24の高さなどに応じて、適宜設定される。   5B is not necessarily limited to this, and the materials and characteristics of the head 3, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, and the cushion member 24 are not necessarily limited thereto. The first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the height of the cushion member 24, and the like are set as appropriate.

また、図5(b)における周辺センサ打撃位置テーブル72cは、時間差ΔT1及びΔT2の絶対値に対して、打撃位置が算出されるが、時間差ΔT1及びΔT2の正負の符号を含めて、打撃位置が算出されてもよい。即ち、打撃のピークの時間差ΔT1及びΔT2の正負の符号によって、算出される打撃位置(中央センサ10からの距離)が異なる構成としてもよい。   Further, in the peripheral sensor hitting position table 72c in FIG. 5B, the hitting position is calculated with respect to the absolute values of the time differences ΔT1 and ΔT2, and the hitting positions including the positive and negative signs of the time differences ΔT1 and ΔT2 are calculated. It may be calculated. That is, the calculated striking position (distance from the center sensor 10) may be different depending on the sign of the striking peak time differences ΔT1 and ΔT2.

図4に戻る。RAM73は、CPU71が制御プログラム72a等のプログラム実行時に各種のワークデータやフラグ等を書き換え可能に記憶するメモリであり、センサ値メモリ73aと、センサ値リングバッファ73bと、センサピーク値メモリ73cと、中央センサスキャンフラグ73dと、周辺センサスキャンフラグ73eと、中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fと、中央センサ打撃位置メモリ73gと、周辺センサ打撃位置メモリ73hと、打撃位置メモリ73iと、ベロシティメモリ73jと、テストモードフラグ73kとがそれぞれ設けられる。   Returning to FIG. The RAM 73 is a memory in which the CPU 71 stores various work data, flags, and the like in a rewritable manner when executing a program such as the control program 72a. The sensor value memory 73a, the sensor value ring buffer 73b, the sensor peak value memory 73c, A central sensor scan flag 73d, a peripheral sensor scan flag 73e, a central sensor hitting position gain memory 73f, a central sensor hitting position memory 73g, a peripheral sensor hitting position memory 73h, a hitting position memory 73i, and a velocity memory 73j; A test mode flag 73k is provided.

センサ値メモリ73aは、A/D変換された中央センサ10および第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値(単位は無し)を記憶するメモリである。図示しないが、センサ値メモリ73aには、中央センサ10,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のそれぞれのセンサ出力値が個別に記憶される。センサ値メモリ73aは、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に「0」で初期化される。そして、図8の定期処理において、中央センサ10,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40における、定期処理が実行された時点でのセンサ出力値が、該当するセンサ値メモリ73aに記憶される(図8,S10)。   The sensor value memory 73a is a memory for storing the sensor output values (the unit is none) of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 that have been A / D converted. Although not shown, the sensor value memory 73a individually stores the sensor output values of the central sensor 10, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. The sensor value memory 73a is initialized with “0” when the electronic drum 1 is powered on and immediately after the initialization process of FIG. In the periodic process of FIG. 8, the sensor output value at the time when the periodic process is executed in the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is stored in the corresponding sensor value memory 73a. (FIG. 8, S10).

センサ値リングバッファ73bは、中央センサ10および第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40における、それぞれのA/D変換されたセンサ出力値の過去5ms分を記憶するバッファである。図5(c)を参照してセンサ値リングバッファ73bを説明する。   The sensor value ring buffer 73b is a buffer that stores the past 5 ms of the respective sensor output values subjected to A / D conversion in the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. The sensor value ring buffer 73b will be described with reference to FIG.

図5(c)は、センサ値リングバッファ73bを模式的に表した図である。センサ値リングバッファ73bは、中央センサ値メモリ73b1と、第1周辺センサ値メモリ73b2と、第2周辺センサ値メモリ73b3と、第3周辺センサ値メモリ73b4とを有し、それぞれが対応付けられて記憶される。中央センサ値メモリ73b1は、A/D変換された中央センサ10のセンサ出力値(単位は無し)を記憶するメモリであり、第1周辺センサ値メモリ73b2〜第3周辺センサ値メモリ73b4は、それぞれ、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のA/D変換されたセンサ出力値(単位は無し)を記憶するメモリであり、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に「0」で初期化される。そして、図8の定期処理において、中央センサ10,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40における、定期処理が実行された時点でのセンサ出力値が、該当する中央センサ値メモリ73b1と、第1周辺センサ値メモリ73b2〜第3周辺センサ値メモリ73b4に追加される(図8,S10)。   FIG. 5C is a diagram schematically showing the sensor value ring buffer 73b. The sensor value ring buffer 73b has a central sensor value memory 73b1, a first peripheral sensor value memory 73b2, a second peripheral sensor value memory 73b3, and a third peripheral sensor value memory 73b4, which are associated with each other. Remembered. The central sensor value memory 73b1 is a memory for storing the sensor output value (no unit) of the A / D converted central sensor 10, and the first peripheral sensor value memory 73b2 to the third peripheral sensor value memory 73b4 are respectively , A memory for storing A / D converted sensor output values (no unit) of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, when the electronic drum 1 is powered on and initialized in FIG. It is initialized with “0” immediately after the processing is executed. In the periodic process of FIG. 8, the sensor output values at the time when the periodic process is executed in the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are the corresponding central sensor value memory 73b1 and the first The data is added to the first peripheral sensor value memory 73b2 to the third peripheral sensor value memory 73b4 (S10 in FIG. 8).

センサ値リングバッファ73bは、50個分のセンサ出力値を記憶するメモリが設けられる。これは、後述の図8の定期処理は100マイクロ秒(以下「μs」と表す)毎に実行され、且つ、過去5ms分のそれぞれのセンサ出力値を記憶するからである。センサ値リングバッファ73bは、まず、No.1〜50の順で、取得したそれぞれのセンサ出力値が記憶される。そして、No.50にそれぞれのセンサ出力値が記憶されたら、再度No.1から順にセンサ出力値が記憶される。これにより、センサ値リングバッファ73bには、最大過去5ms分のセンサ出力値が記憶された状態となる。このセンサ値リングバッファ73bの値を用いて、それぞれのセンサ出力値のピークの取得や、中央センサ10の初期半波のピッチΔThwの取得を行う。   The sensor value ring buffer 73b is provided with a memory for storing 50 sensor output values. This is because the periodic processing of FIG. 8 described later is executed every 100 microseconds (hereinafter referred to as “μs”), and the sensor output values for the past 5 ms are stored. First, the sensor value ring buffer 73b is set to No. The acquired sensor output values are stored in the order of 1 to 50. And No. 50, each sensor output value is stored in No. 50 again. Sensor output values are stored in order from 1. As a result, the sensor value ring buffer 73b is in a state in which sensor output values for the maximum past 5 ms are stored. Using the value of the sensor value ring buffer 73b, the peak of each sensor output value is acquired, and the initial half-wave pitch ΔThw of the central sensor 10 is acquired.

図4に戻る。センサピーク値メモリ73cは、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値のピーク(絶対値の最大値)を記憶するメモリである。図示しないが、センサピーク値メモリ73cには、中央センサ10,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のそれぞれのセンサ出力値のピークが個別に記憶される。センサピーク値メモリ73cの値は、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に「0」で初期化される。そして、図8の定期処理において、中央センサ10,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40により打撃が検出された場合、センサ値リングバッファ73bから中央センサ10,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40における、センサ出力値のピークが、センサピーク値メモリ73cに記憶される(図8,S16,S19)。その後は、中央センサ10,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40におけるセンサ値メモリ73aの値と、該当するセンサピーク値メモリ73cの値とを比較し、大きい方がセンサピーク値メモリ73cに記憶される(図8,S21,S25)。中央センサ10,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cの値による重み付け演算によって、打撃によるベロシティが算出される(図9,S33,図10,S53)。   Returning to FIG. The sensor peak value memory 73c is a memory for storing the peak (maximum absolute value) of the sensor output values of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. Although not shown, the sensor peak value memory 73c individually stores the peak of each sensor output value of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. The value in the sensor peak value memory 73c is initialized to “0” when the electronic drum 1 is powered on and immediately after the initialization process of FIG. Then, in the periodic process of FIG. 8, when a hit is detected by the central sensor 10, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the central sensor 10, the first peripheral sensor 20 to the third sensor from the sensor value ring buffer 73 b. The sensor output value peak in the peripheral sensor 40 is stored in the sensor peak value memory 73c (FIG. 8, S16, S19). Thereafter, the value of the sensor value memory 73a in the central sensor 10, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is compared with the value of the corresponding sensor peak value memory 73c, and the larger one is stored in the sensor peak value memory 73c. Stored (FIG. 8, S21, S25). Velocity due to impact is calculated by weighting calculation based on the values in the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 (FIGS. 9, S33, 10, and S53).

中央センサスキャンフラグ73dは、2msのウエイト処理である、中央センサ10によるスキャンタイム中であることを示すフラグである。中央センサスキャンフラグ73dは、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に、中央センサ10によるスキャンタイム中でないことを示す、オフに設定される。そして、図8の定期処理において、中央センサ10において、打撃が検出されたと判断した場合、中央センサスキャンフラグ73dにオンが設定され(図8,S17)、図9の中央センサ打撃処理において、中央センサ10のスキャンタイムが終わった時点で中央センサスキャンフラグ73dにオフが設定される(図9,S31)。   The center sensor scan flag 73d is a flag indicating that the scan time by the center sensor 10 is in a 2 ms wait process. The center sensor scan flag 73d is set to OFF, indicating that the scan time by the center sensor 10 is not in progress, when the electronic drum 1 is turned on and immediately after the initialization process of FIG. When the central sensor 10 determines that a hit is detected in the periodic process of FIG. 8, the central sensor scan flag 73d is set to ON (FIG. 8, S17). In the central sensor hit process of FIG. When the scan time of the sensor 10 ends, the central sensor scan flag 73d is set to OFF (FIG. 9, S31).

周辺センサスキャンフラグ73eは、2msのウエイト処理である、周辺センサによるスキャンタイム中であることを示すフラグである。周辺センサスキャンフラグ73eは、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に、周辺センサによるスキャンタイム中でないことを示す、オフに設定される。そして、図8の定期処理において、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のいずれかにおいて、打撃が検出されたと判断した場合、周辺センサスキャンフラグ73eにオンが設定され(図8,S20)、図10の周辺センサ打撃処理において、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のスキャンタイムが終わった時点で周辺センサスキャンフラグ73eにオフが設定される(図10,S51)。また、周辺センサスキャンフラグ73eがオンの状態で、中央センサ10による打撃を検出した場合は、周辺センサスキャンフラグ73eにオフが設定される(図8,S24)。詳細は後述するが、これは、周辺センサによるスキャンタイム内に、中央センサ10による打撃を検出した場合は、周辺センサによるスキャンタイムを中止し、改めて中央センサ10によるスキャンタイムを行い、中央センサ10によるスキャンタイム後に中央センサ10と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40とによる打撃位置およびベロシティの算出を行うからである。   The peripheral sensor scan flag 73e is a flag indicating that the scan time by the peripheral sensor is in the 2 ms wait process. The peripheral sensor scan flag 73e is set to OFF indicating that the scan time by the peripheral sensor is not in effect when the electronic drum 1 is turned on and immediately after the initialization process of FIG. Then, in the periodic process of FIG. 8, when it is determined that any one of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 has detected a hit, the peripheral sensor scan flag 73e is set to ON (FIG. 8, S20). In the peripheral sensor hitting process of FIG. 10, the peripheral sensor scan flag 73e is set to OFF when the scan time of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is over (FIG. 10, S51). Further, when a hit by the central sensor 10 is detected in a state where the peripheral sensor scan flag 73e is on, the peripheral sensor scan flag 73e is set to off (FIG. 8, S24). Although details will be described later, this is because when the hit by the central sensor 10 is detected within the scan time by the peripheral sensor, the scan time by the peripheral sensor is stopped, the scan time by the central sensor 10 is performed again, and the central sensor 10 This is because the hitting position and velocity are calculated by the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 after the scan time.

中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fは、打撃位置を算出する際に用いられる、中央センサ10による打撃位置に対する、重み係数を記憶するメモリである。中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fは、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に「0」で初期化される。本実施形態において中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fには、打撃位置の算出に対して、中央センサ10による打撃位置がどの程度考慮されるかを示す割合(0以上1以下の値)が、重み係数として記憶される。一方、1から中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fの値を減じた値が、打撃位置の算出に対して、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置がどの程度考慮されるかを示す割合(重み係数)とされる。   The central sensor hitting position gain memory 73f is a memory for storing a weighting coefficient for the hitting position by the central sensor 10 used when calculating the hitting position. The central sensor impact position gain memory 73f is initialized to “0” when the electronic drum 1 is powered on and immediately after the initialization process of FIG. In the present embodiment, the central sensor hitting position gain memory 73f stores a ratio (a value between 0 and 1) indicating how much the hitting position by the central sensor 10 is considered in calculating the hitting position. Is remembered as On the other hand, the value obtained by subtracting the value of the central sensor hitting position gain memory 73f from 1 indicates how much the hitting positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are considered in calculating the hitting position. It is a ratio (weight coefficient).

即ち図9の中央センサ打撃処理において、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置が、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40により検出される打撃位置のみで行うかどうかの閾値である「75」以上の場合は、中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fに「0.5」が設定され、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置が「75」より小さい場合は「0」が設定される(図9,S38,S39)。そして、中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fの値と、中央センサ10による打撃位置(即ち、後述の中央センサ打撃位置メモリ73gの値)と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置(即ち、周辺センサ打撃位置メモリ73hの値)とによる重み付け演算によって、打撃位置が算出される(図9,S40)。   That is, in the central sensor hitting process of FIG. 9, a threshold value as to whether or not the hit positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are only hit positions detected by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. Is equal to or greater than “75”, “0.5” is set in the central sensor impact position gain memory 73f, and when the impact position by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is smaller than “75”, 0 "is set (FIG. 9, S38, S39). Then, the value of the central sensor hitting position gain memory 73f, the hitting position by the central sensor 10 (that is, the value of the central sensor hitting position memory 73g described later), and the hitting positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 ( That is, the hitting position is calculated by a weighting calculation using the peripheral sensor hitting position memory 73h) (FIG. 9, S40).

中央センサ打撃位置メモリ73gは、中央センサ10によって取得された打撃位置を記憶するメモリであり、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に「0」で初期化される。そして、図9の中央センサ打撃処理において、センサ値リングバッファ73bから算出された、中央センサ10の初期半波のピッチΔThwを中央センサ打撃位置テーブル72bで参照し、取得された打撃位置が、中央センサ打撃位置メモリ73gに記憶される(図9,S34)。   The central sensor impact position memory 73g is a memory for storing the impact position acquired by the central sensor 10, and is “0” when the electronic drum 1 is turned on and immediately after the initialization process of FIG. It is initialized with. Then, in the central sensor hitting process of FIG. 9, the central sensor hitting position table 72b refers to the initial half-wave pitch ΔThw of the central sensor 10 calculated from the sensor value ring buffer 73b, and the acquired hitting position is the center It is stored in the sensor hitting position memory 73g (FIG. 9, S34).

周辺センサ打撃位置メモリ73hは、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって取得された打撃位置を記憶するメモリであり、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に「0」で初期化される。そして、センサ値リングバッファ73bから算出した、第1周辺センサ20と第2周辺センサ30とのピークの時間差ΔT1及び、第1周辺センサ20と第3周辺センサ40とのピークの時間差ΔT2を周辺センサ打撃位置テーブル72cで参照し、取得された打撃位置が、周辺センサ打撃位置メモリ73hに記憶される(図9,S36)。   The peripheral sensor hitting position memory 73h is a memory for storing hitting positions acquired by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, and the initialization process shown in FIG. 7A is performed when the electronic drum 1 is turned on. It is initialized with “0” immediately after execution. Then, the peak time difference ΔT1 between the first peripheral sensor 20 and the second peripheral sensor 30 and the peak time difference ΔT2 between the first peripheral sensor 20 and the third peripheral sensor 40 calculated from the sensor value ring buffer 73b are calculated as peripheral sensors. The hit position obtained by referring to the hit position table 72c is stored in the peripheral sensor hit position memory 73h (FIG. 9, S36).

打撃位置メモリ73iは、電子ドラム1の打面への打撃の検出結果によって算出された、打撃位置を記憶するメモリであり、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に「0」で初期化される。中央センサ10が打撃を検出した場合は、中央センサ10によるスキャンタイム後に、中央センサ10による打撃位置と第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置とから、打撃位置が算出される(図9,S40)。   The striking position memory 73i is a memory for storing the striking position calculated based on the detection result of striking the striking surface of the electronic drum 1, and the initialization process shown in FIG. It is initialized with “0” immediately after execution. When the central sensor 10 detects a hit, the hit position is calculated from the hit position by the central sensor 10 and the hit positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 after the scan time by the central sensor 10 ( FIG. 9, S40).

一方で、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40で打撃を検出し、周辺センサによるスキャンタイム内に、中央センサ10が打撃を検出しない場合は、打撃位置メモリ73iに「100」が記憶される。即ち、打面の外周部が弱打された場合等、中央センサ10がその打撃を検出しない一方で、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40で打撃を検出した場合は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の位置で打撃されたものとして(図10,S54)、その打撃位置に基づいて楽音の生成指示が行われる。これにより、打面の外周部の弱打による、楽音の生成指示を行うことができ、且つ、楽音の生成指示を遅延させることがない。なお、中央センサ10が打撃を検出しない場合に、打撃位置メモリ73iに記憶される値は、必ずしも「100」に限られるものではなく、「100」〜「127」の範囲の、任意の値が記憶されてもよい。   On the other hand, when the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detect a hit and the central sensor 10 does not detect the hit within the scan time by the peripheral sensor, “100” is stored in the hit position memory 73i. The That is, when the outer periphery of the hitting surface is hit weakly, the first peripheral sensor 20 does not detect the hit while the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detect hits. Assuming that the player is hit at the position of the 20th to third peripheral sensors 40 (FIG. 10, S54), an instruction to generate a musical tone is issued based on the hit position. As a result, it is possible to issue a musical sound generation instruction by weakly striking the outer periphery of the hitting surface, and the musical sound generation instruction is not delayed. When the central sensor 10 does not detect a hit, the value stored in the hit position memory 73i is not necessarily limited to “100”, and any value in the range of “100” to “127” can be set. It may be stored.

ベロシティメモリ73jは、電子ドラム1の打面への打撃の検出結果によって算出された、ベロシティ(打撃強度)を記憶するメモリであり、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に「0」で初期化される。図9の中央センサ打撃処理において、センサピーク値メモリ73cに記憶された、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値のピークを重み付け演算することで、算出されたベロシティがベロシティメモリ73jに記憶される(図9,S33)。また、図10の周辺センサ打撃処理において、センサピーク値メモリ73cに記憶された第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値のピークを重み付け演算することで、算出されたベロシティがベロシティメモリ73jに記憶される(図10,S53)。そして、このベロシティメモリ73jの値と、打撃位置メモリ73iの値とに応じた楽音の生成指示を、後述の音源76に対して行う(図9,S41,図10,S55)。   The velocity memory 73j is a memory for storing the velocity (striking strength) calculated based on the detection result of the impact on the striking surface of the electronic drum 1, and is initialized when the electronic drum 1 is powered on and in FIG. It is initialized with “0” immediately after the processing is executed. In the central sensor hitting process of FIG. 9, the calculation is performed by weighting the peak of the sensor output values of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, which are stored in the sensor peak value memory 73c. The velocity is stored in the velocity memory 73j (S33 in FIG. 9). Further, in the peripheral sensor hitting process of FIG. 10, the calculated velocity is calculated by weighting the peak of the sensor output values of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 stored in the sensor peak value memory 73c. It is stored in the memory 73j (S53 in FIG. 10). Then, an instruction to generate a musical tone according to the value in the velocity memory 73j and the value in the hitting position memory 73i is given to the sound source 76 described later (FIGS. 9, S41, 10, and S55).

テストモードフラグ73kは、電子ドラム1がテストモード中であることを示すフラグであり、電子ドラム1の電源投入時および図7(a)の初期化処理が実行された直後に、テストモード中でないことを示すオフに設定される。図7(b)のMIDI受信処理において、テストモードへの切替メッセージを受信した場合に、テストモードフラグ73kはオンに設定される(図7(b),S3)。本実施形態において、テストモード中の電子ドラム1は、中央センサ10又は第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃を検出した場合、320ms後に、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値、即ち、センサピーク値メモリ73cの値をMIDIのシステム・エクスクルーシブ(以下「SysEx」と称する)メッセージに含めたものを、後述の外部入出力端子75を介して送信する。外部入出力端子75に接続された、後述の検査PC79は、受信したSysExメッセージを解析し、その中に含まれる中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値から、各センサが正常動作をしているかを判断する。   The test mode flag 73k is a flag indicating that the electronic drum 1 is in the test mode. The test mode flag 73k is not in the test mode when the electronic drum 1 is turned on and immediately after the initialization process of FIG. Is set to off. In the MIDI reception process of FIG. 7B, when a message for switching to the test mode is received, the test mode flag 73k is set to ON (FIG. 7B, S3). In the present embodiment, when the electronic drum 1 in the test mode detects a hit by the central sensor 10 or the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the first peripheral sensor 320ms later. 3. Transmit the sensor output value of the peripheral sensor 40, that is, the value of the sensor peak value memory 73c included in the MIDI system exclusive (hereinafter referred to as “SysEx”) message via the external input / output terminal 75 described later. To do. An inspection PC 79 described later connected to the external input / output terminal 75 analyzes the received SysEx message, and from the sensor output values of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 included therein, It is determined whether each sensor is operating normally.

外部入出力端子75は、電子ドラム1と、後述の音源76,検査PC79又は、他のコンピュータとのデータの送受信を行うためのインターフェイスである。外部入出力端子75を経由して、電子ドラム1が生成した楽音の生成指示を音源76に送信し、外部入出力端子75を経由して、センサピーク値メモリ73cの値を含めたMIDIのSysExメッセージを検査PC79に送信する。また、検査PC79からも、MIDIのSysExメッセージを受信する。   The external input / output terminal 75 is an interface for transmitting / receiving data between the electronic drum 1 and a sound source 76, an inspection PC 79, or another computer, which will be described later. A musical sound generation instruction generated by the electronic drum 1 is transmitted to the sound source 76 via the external input / output terminal 75, and MIDI SysEx including the value of the sensor peak value memory 73c is transmitted via the external input / output terminal 75. The message is transmitted to the inspection PC 79. Also, a MIDI SysEx message is received from the inspection PC 79.

音源76は、CPU71からの指示にしたがって楽音(打撃音)の音色や各種効果などを制御する装置である。音源76には、波形データのフィルタやエフェクトなどの演算処理を行うDSP(Digital Signal Processor)76aが内蔵される。音源76によって処理された楽音は、アナログ楽音信号として出力される。   The sound source 76 is a device that controls the tone color and various effects of a musical sound (striking sound) in accordance with an instruction from the CPU 71. The sound source 76 incorporates a DSP (Digital Signal Processor) 76 a that performs arithmetic processing such as filtering of waveform data and effects. The musical sound processed by the sound source 76 is output as an analog musical sound signal.

アンプ77は、音源76が出力したアナログ楽音信号を増幅する装置であり、増幅したアナログ楽音信号を、スピーカ78に出力する。スピーカ78は、アンプ77により増幅されたアナログ楽音信号を楽音として発音(出力)する。   The amplifier 77 is a device that amplifies the analog tone signal output from the sound source 76, and outputs the amplified analog tone signal to the speaker 78. The speaker 78 produces (outputs) the analog tone signal amplified by the amplifier 77 as a tone.

検査PC79は、テストモードにおいて、電子ドラム1から受信したMIDIのSysExメッセージに含まれる、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値を解析するためのコンピュータである。検査PC79は、電子ドラム1に対して、外部入出力端子75経由で、テストモード切替メッセージを含んだMIDIのSysExメッセージを送信する。電子ドラム1はテストモード切替メッセージを受信した場合は、テストモードに移行し、電子ドラム1が打撃を検出した場合は、320ms後にセンサピーク値メモリ73cの値をMIDIのSysExメッセージに含めたものを、検査PC79に送信する。そして、検査PC79は、検査PC79が実行する検査治具アプリケーション上において、受信したセンサピーク値メモリ73cの値を含んだMIDIのSysExメッセージを解析し、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が正常に動作しているかを判断する。   The inspection PC 79 is a computer for analyzing the sensor output values of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 included in the MIDI SysEx message received from the electronic drum 1 in the test mode. The inspection PC 79 transmits a MIDI SysEx message including a test mode switching message to the electronic drum 1 via the external input / output terminal 75. When the electronic drum 1 receives the test mode switching message, the electronic drum 1 shifts to the test mode. When the electronic drum 1 detects a hit, the electronic drum 1 includes the value of the sensor peak value memory 73c included in the MIDI SysEx message after 320 ms. To the inspection PC 79. Then, the inspection PC 79 analyzes the SysEx message of MIDI including the received value of the sensor peak value memory 73c on the inspection jig application executed by the inspection PC 79, and the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third sensor. It is determined whether the peripheral sensor 40 is operating normally.

図7(a)を参照して、電子ドラム1のCPU71で実行される、初期化処理について説明する。図7(a)は、初期化処理のフローチャートである。初期化処理は、電子ドラム1の電源投入直後に実行され、RAM73上の各メモリ値およびフラグの初期化を行う(S1)。   With reference to Fig.7 (a), the initialization process performed by CPU71 of the electronic drum 1 is demonstrated. FIG. 7A is a flowchart of the initialization process. The initialization process is executed immediately after the electronic drum 1 is powered on, and initializes each memory value and flag on the RAM 73 (S1).

次に、図7(b)を参照して、電子ドラム1のCPU71で実行される、MIDI受信処理について説明する。MIDI受信処理は、外部入出力端子75を介して、MIDIデータを受信したことを契機に行われる、割り込み処理によって実行される。   Next, a MIDI reception process executed by the CPU 71 of the electronic drum 1 will be described with reference to FIG. The MIDI reception process is executed by an interrupt process that is performed when MIDI data is received via the external input / output terminal 75.

図7(b)は、MIDI受信処理のフローチャートである。MIDI受信処理ではまず、受信したMIDIデータを解析し、その結果がテストモードへの切替メッセージかどうかを確認する(S2)。受信したMIDIデータがテストモードへの切替メッセージである場合は(S2:Yes)、テストモードフラグ73kにオンを設定する(S3)。一方、受信したMIDIデータがテストモードへの切替メッセージでない場合は(S2:No)、S3の処理をスキップする。S2,S3の処理の後、MIDI受信処理を終了する。これにより、検査PC79から受信したMIDIデータが、テストモードへの切替メッセージである場合は、電子ドラム1はテストモードに移行する。そして、電子ドラム1は、電子ドラム1が打撃を検出した場合は、320ms後にセンサピーク値メモリ73cの値をMIDIのSysExメッセージに含めたものを、検査PC79に送信する。なお、オンに設定されたテストモードフラグ73kは、電子ドラム1の電源がオフされるまで、オンの状態が継続され、次回の電子ドラム1の電源投入直後の図7(a)のS1の処理によって、オフに設定される。   FIG. 7B is a flowchart of the MIDI reception process. In the MIDI reception process, first, the received MIDI data is analyzed, and it is confirmed whether or not the result is a message for switching to the test mode (S2). When the received MIDI data is a message for switching to the test mode (S2: Yes), the test mode flag 73k is set to ON (S3). On the other hand, if the received MIDI data is not a message for switching to the test mode (S2: No), the process of S3 is skipped. After the processes of S2 and S3, the MIDI reception process is terminated. Thus, when the MIDI data received from the inspection PC 79 is a message for switching to the test mode, the electronic drum 1 shifts to the test mode. When the electronic drum 1 detects a hit, the electronic drum 1 transmits the sensor peak value memory 73 c including the value in the MIDI SysEx message to the inspection PC 79 after 320 ms. Note that the test mode flag 73k set to ON is kept on until the power of the electronic drum 1 is turned off, and the process of S1 in FIG. 7A immediately after the next power-on of the electronic drum 1 is performed. Is set to OFF.

次に、図8〜図10を参照して、電子ドラム1のCPU71で実行される、定期処理について説明する。定期処理では、定期処理が実行された時点での、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値の取得や、スキャンタイムを経過した場合は、打撃位置およびベロシティを算出して、楽音の生成指示を行う、中央センサ打撃処理(図9)または周辺センサ打撃処理(図10)を実行する。定期処理は、100μs毎のインターバル割り込み処理によって、100μs毎に繰り返し実行される。   Next, periodic processing executed by the CPU 71 of the electronic drum 1 will be described with reference to FIGS. In the periodic processing, when the periodic processing is executed, the sensor output values of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are acquired, and when the scan time has passed, the hit position and velocity are calculated. The central sensor hitting process (FIG. 9) or the peripheral sensor hitting process (FIG. 10) is executed to calculate and issue a musical sound generation instruction. Periodic processing is repeatedly executed every 100 μs by interval interrupt processing every 100 μs.

図8は、定期処理のフローチャートである。定期処理ではまず、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ出力値を取得し、センサ値メモリ73aに保存し、センサ値リングバッファ73bに追加する(S10)。センサ値リングバッファ73bへは、まず、図5(c)におけるNo.1がセンサ出力値の記憶位置となる。その後、No.2,No.3・・・と昇順に記憶位置が移動し、その領域にセンサ出力値が記憶される。No.50まで記憶された場合は、再びNo.1に記憶される。なお、定期処理は100μs毎に実行されるので、センサ値メモリ73aの値およびセンサ値リングバッファ73bの値も、100μs毎に更新される。   FIG. 8 is a flowchart of the regular processing. In the regular processing, first, sensor output values of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are acquired, stored in the sensor value memory 73a, and added to the sensor value ring buffer 73b (S10). To the sensor value ring buffer 73b, first, No. 3 in FIG. 1 is the storage position of the sensor output value. Then, no. 2, no. The storage position moves in ascending order of 3..., And the sensor output value is stored in that area. No. If up to 50 are stored, No. 1 is stored. Since the regular processing is executed every 100 μs, the value of the sensor value memory 73a and the value of the sensor value ring buffer 73b are also updated every 100 μs.

S10の処理の後、中央センサスキャンフラグ73dがオンかを確認する(S11)。中央センサスキャンフラグ73dがオフの場合(S11:No)、即ち、中央センサ10によるスキャンタイム中ではない場合は、周辺センサスキャンフラグ73eがオンかを確認する(S12)。   After the process of S10, it is confirmed whether the central sensor scan flag 73d is on (S11). When the central sensor scan flag 73d is off (S11: No), that is, when the central sensor 10 is not in the scan time, it is confirmed whether the peripheral sensor scan flag 73e is on (S12).

周辺センサスキャンフラグ73eがオフの場合(S12:No)、即ち、周辺センサによるスキャンタイム中ではない場合は、中央センサ10が打撃を検出したかを確認する(S13)。中央センサ10による打撃の検出は、中央センサ10のセンサ値リングバッファ73bによる電圧波形において、立ち下り(又は立ち上り)を検出したかどうかで判断される。   When the peripheral sensor scan flag 73e is off (S12: No), that is, when the peripheral sensor is not in the scan time, it is confirmed whether the central sensor 10 has detected a hit (S13). The hit detection by the central sensor 10 is determined by whether or not the falling (or rising) is detected in the voltage waveform by the sensor value ring buffer 73b of the central sensor 10.

中央センサ10が打撃を検出した場合は(S13:Yes)、中央センサ10及び、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cに0を設定する(S15)。センサピーク値メモリ73cには、前回以前に記憶されたセンサ出力値のピークが記憶されている場合があるので、中央センサ10が打撃を検出した時点で、センサピーク値メモリ73cの値を「0」で初期化する。   When the central sensor 10 detects a hit (S13: Yes), 0 is set in the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 (S15). Since the sensor peak value memory 73c may store the peak of the sensor output value stored before the previous time, when the central sensor 10 detects a hit, the value of the sensor peak value memory 73c is set to “0”. ”To initialize.

S15の処理の後、センサ値リングバッファ73bの値から、中央センサ10及び、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cのピークを取得し、該当するセンサのセンサピーク値メモリ73cに保存する(S16)。   After the process of S15, the peak of the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is acquired from the value of the sensor value ring buffer 73b, and the sensor peak value of the corresponding sensor is acquired. The data is stored in the memory 73c (S16).

S16の処理の後、中央センサスキャンフラグ73dにオンを設定して、スキャンタイムの計時を0から開始する(S17)。以後スキャンタイムは定期処理が実行される毎に計時される。これにより「中央センサ10によるスキャンタイム」の計時が開始される。   After the process of S16, the central sensor scan flag 73d is set to ON, and the scan time is started from 0 (S17). Thereafter, the scan time is counted every time the periodic process is executed. Thereby, the timing of “scan time by the central sensor 10” is started.

S13の処理において、中央センサ10が打撃を検出しなかった場合は(S13:No)、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のいずれかが打撃を検出したかを確認する(S14)。第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃の検出も、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のいずれかのセンサ値リングバッファ73bによる電圧波形において、立ち下り(又は立ち上り)を検出したかどうかで判断される。   In the process of S13, when the central sensor 10 does not detect the hit (S13: No), it is confirmed whether any of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detects the hit (S14). The detection of the hit by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 also detects the falling (or rising) in the voltage waveform by the sensor value ring buffer 73b of any of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. It is judged by whether or not.

第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のいずれかが打撃を検出した場合は(S14:Yes)、中央センサ10及び、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cに0を設定し(S18)、センサ値リングバッファ73bの値から、中央センサ10及び、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cのピークを取得し、該当するセンサのセンサピーク値メモリ73cに保存する(S19)。   If any of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detects a hit (S14: Yes), the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is stored. 0 is set (S18), and the peak of the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is acquired from the value of the sensor value ring buffer 73b, and the sensor of the corresponding sensor It is stored in the peak value memory 73c (S19).

S19の処理の後、周辺センサスキャンフラグ73eにオンを設定して、スキャンタイムの計時を0から開始する(S20)。以後、スキャンタイムは定期処理が実行される毎に計時される。これにより、「周辺センサによるスキャンタイム」の計時が開始される。   After the process of S19, the peripheral sensor scan flag 73e is set to ON, and the scan time is started from 0 (S20). Thereafter, the scan time is counted every time the periodic process is executed. Thereby, the timing of “scan time by the peripheral sensor” is started.

中央センサ10によるスキャンタイム又は、周辺センサによるスキャンタイムの開始時に、センサ値リングバッファ73bに記憶された、直近の5msにおける各センサのピークを取得し、センサピーク値メモリ73cに保存する。これは、中央センサ10又は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が打撃を検出した場合でも、先に第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のいずれか又は、中央センサ10が打撃を検出し、その打撃による電圧波形におけるピークが、センサピーク値メモリ73cに記憶されている可能性があるからである。まず、各スキャンタイムの開始時に、センサ値リングバッファ73bの値からピークを検索して、そのピークがセンサピーク値メモリ73cに記憶される。その後は、後述のS21,S25の処理において、各スキャンタイム中に、定期処理が実行される毎に、定期処理が実行された時点でのセンサ出力値が記憶されるセンサ値メモリ73aの値と、センサピーク値メモリ73cの値とが比較され、絶対値の最大値が大きい値が、センサピーク値メモリ73cに記憶される。これにより、中央センサ10によるスキャンタイム前後における、センサ出力値のピークがセンサピーク値メモリ73cに記憶される。   At the start of the scan time by the central sensor 10 or the scan time by the peripheral sensor, the peak of each sensor at the latest 5 ms stored in the sensor value ring buffer 73b is acquired and stored in the sensor peak value memory 73c. Even if the central sensor 10 or the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detects a hit, either the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 or the central sensor 10 hits first. This is because there is a possibility that the peak in the voltage waveform due to the impact is stored in the sensor peak value memory 73c. First, at the start of each scan time, a peak is searched from the value of the sensor value ring buffer 73b, and the peak is stored in the sensor peak value memory 73c. Thereafter, in the processing of S21 and S25 described later, each time the periodic processing is executed during each scan time, the value of the sensor value memory 73a in which the sensor output value at the time when the periodic processing is executed is stored. The value in the sensor peak value memory 73c is compared, and the value having the largest absolute value is stored in the sensor peak value memory 73c. Thereby, the peak of the sensor output value before and after the scan time by the central sensor 10 is stored in the sensor peak value memory 73c.

一方、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のいずれも打撃を検出しなかった場合は(S14:No)、S18〜S20の処理をスキップする。   On the other hand, when none of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detects a hit (S14: No), the processing of S18 to S20 is skipped.

S11の処理において、中央センサスキャンフラグ73dがオンの場合は(S11:Yes)、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cの値の絶対値と、該当するセンサのセンサ値メモリ73aの絶対値とを比較し、それぞれ大きい値を、センサピーク値メモリ73cに保存する(S21)。センサピーク値メモリ73cには、中央センサ10による打撃が検出された(S13:Yes)直後の、S16の処理において、各センサのセンサ値リングバッファ73bにおけるピークの値が記憶されている。これ以降のタイミングでも、各センサからピークの値が検出される可能性があるので、中央センサスキャンフラグ73dがオン、即ち、中央センサ10によるスキャンタイム中は、その時点で各センサから取得されたセンサ出力値(即ち、センサ値メモリ73aの値)の絶対値と、該当するセンサのセンサピーク値メモリ73cの値の絶対値とを比較して、大きい方の値がセンサピーク値メモリ73cに記憶される。S21の処理の後は、中央センサ打撃処理を実行する(S22)。中央センサ打撃処理については、図9を参照して後述する。   In the process of S11, when the central sensor scan flag 73d is on (S11: Yes), the absolute value of the value in the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, and the corresponding The absolute value of the sensor value memory 73a of the sensor to be compared is compared, and each large value is stored in the sensor peak value memory 73c (S21). The sensor peak value memory 73c stores the peak value in the sensor value ring buffer 73b of each sensor in the process of S16 immediately after the hit by the central sensor 10 is detected (S13: Yes). Since there is a possibility that the peak value is detected from each sensor at the subsequent timing, the central sensor scan flag 73d is turned on, that is, during the scan time by the central sensor 10, it is acquired from each sensor at that time. The absolute value of the sensor output value (that is, the value of the sensor value memory 73a) is compared with the absolute value of the value of the sensor peak value memory 73c of the corresponding sensor, and the larger value is stored in the sensor peak value memory 73c. Is done. After the process of S21, the central sensor hitting process is executed (S22). The center sensor hitting process will be described later with reference to FIG.

S12の処理において、周辺センサスキャンフラグ73eがオンの場合は(S12:Yes)、中央センサ10が打撃を検出したかを確認する(S23)。なお、中央センサ10が打撃を検出したかを確認する方法は、S13の処理と同一である。中央センサ10が打撃を検出した場合は(S23:Yes)、周辺センサスキャンフラグ73eにオフを設定し、スキャンタイムの計時を停止し(S24)、S16以降の処理を行う。即ち、周辺センサによるスキャンタイム中において、中央センサ10による打撃を検出した場合は、中央センサ10によるスキャンタイムを開始する。   In the process of S12, when the peripheral sensor scan flag 73e is on (S12: Yes), it is confirmed whether the central sensor 10 has detected a hit (S23). In addition, the method of confirming whether the center sensor 10 detected the hit is the same as the process of S13. If the central sensor 10 detects a hit (S23: Yes), the peripheral sensor scan flag 73e is set to OFF, the scan time is stopped (S24), and the processes after S16 are performed. In other words, when a hit by the central sensor 10 is detected during the scan time by the peripheral sensor, the scan time by the central sensor 10 is started.

即ち、打面の中央は打面の周辺部に比べて打面の変形量(たわみ量)が大きいので、打面中央に配設された中央センサ10は、打面の周辺部に配設される第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40に比べて打撃に対するセンサ出力値のレンジが広く、打撃の検出感度が良い。よって、中央センサ10より先に第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が打撃を検出した場合でも、周辺センサによるスキャンタイム内に中央センサ10が打撃を検出すれば、中央センサ10によるスキャンタイムを経た上で、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃の検出結果に基づいてベロシティが算出される。従って、中央センサ10より先に第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が打撃を検出した場合にも、中央センサ10より後で第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が打撃を検出した場合にも、感度の良い中央センサ10の検出結果を使ってベロシティを算出することができる。   That is, the center of the striking surface has a larger deformation amount (deflection amount) of the striking surface than the peripheral portion of the striking surface, so the central sensor 10 disposed at the center of the striking surface is disposed at the peripheral portion of the striking surface. Compared with the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the range of sensor output values with respect to impact is wide and the detection sensitivity of impact is good. Therefore, even when the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detect a hit before the central sensor 10, if the central sensor 10 detects a hit within the scan time by the peripheral sensor, the scan time by the central sensor 10 Then, the velocity is calculated based on the hit detection results of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. Therefore, even when the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detect a hit before the central sensor 10, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detect the hit after the central sensor 10. Even in this case, the velocity can be calculated using the detection result of the central sensor 10 with good sensitivity.

なお、この場合、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃の検出から中央センサ10の打撃の検出までの時間分、楽音の生成指示は遅延する。しかし、中央センサ10の打撃の検出があるか否かを判断する期間は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃の検出からの周辺センサによるスキャンタイム内であるので、楽音の生成指示の遅延時間を周辺センサによるスキャンタイム(即ち、2ms)内に止めることができる。即ち、周辺センサによるスキャンタイムの計時時間を調整することにより、楽音の生成指示の遅延時間を設計値の範囲内に止めることができる。   In this case, the musical sound generation instruction is delayed by the time from the detection of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 to the detection of the central sensor 10. However, since the period during which it is determined whether or not the hit of the central sensor 10 is detected is within the scan time by the peripheral sensor from the detection of the hit of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the generation of the musical sound The instruction delay time can be stopped within a scan time (ie, 2 ms) by the peripheral sensor. That is, the delay time of the musical sound generation instruction can be stopped within the range of the design value by adjusting the time measured by the peripheral sensor.

S23の処理において、中央センサ10が打撃を検出しなかった場合は(S23:No)、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cの値の絶対値と、該当するセンサのセンサ値メモリ73aの絶対値とを比較し、それぞれ大きい値を、センサピーク値メモリ73cに保存する(S25)。S25の処理の後、周辺センサ打撃処理を実行する(S26)。周辺センサ打撃処理については、図10を参照して後述する。S14,S17,S20,S22,S26の処理の後、定期処理は終了する。   In the process of S23, when the central sensor 10 does not detect an impact (S23: No), the absolute value of the value in the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is The absolute value of the sensor value memory 73a of the corresponding sensor is compared, and each large value is stored in the sensor peak value memory 73c (S25). After the process of S25, the peripheral sensor hitting process is executed (S26). The peripheral sensor hitting process will be described later with reference to FIG. After the processes of S14, S17, S20, S22, and S26, the regular process ends.

次に、図9を参照して、中央センサ10によるスキャンタイム中に実行される、中央センサ打撃処理(図8,S22)について説明する。中央センサ打撃処理は、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cの値や、センサ値リングバッファ73bの値から、打撃位置およびベロシティを算出し、その打撃位置およびベロシティに応じた楽音の生成指示を音源76に行い、電子ドラム1の楽音の生成を行う。   Next, with reference to FIG. 9, the center sensor hitting process (FIG. 8, S22) executed during the scan time by the center sensor 10 will be described. The central sensor hitting process calculates the hit position and velocity from the values of the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 and the value of the sensor value ring buffer 73b. A musical sound generation instruction corresponding to the position and velocity is given to the sound source 76, and the musical sound of the electronic drum 1 is generated.

まず、中央センサ打撃処理は、スキャンタイムが2ms以上となったかを確認する(S30)。中央センサ10が打撃を検出した後の、2msにおける中央センサ10によるスキャンタイムは、打撃による各センサの出力値を監視し、打撃による打撃位置およびベロシティの算出を行わない、所謂「ウエイト処理」中であるので、そのスキャンタイムが経過したかを確認する。   First, in the central sensor impact process, it is confirmed whether the scan time is 2 ms or more (S30). The scan time by the central sensor 10 at 2 ms after the central sensor 10 detects a hit is during the so-called “weight processing” in which the output value of each sensor by the hit is monitored and the hitting position and velocity by the hit are not calculated. Therefore, it is confirmed whether the scan time has elapsed.

スキャンタイムが2ms以上となった場合は(S30:Yes)、中央センサ10によるスキャンタイムが終了したので、中央センサ10によるスキャンタイム中であることを示す中央センサスキャンフラグ73dにオフを設定し、スキャンタイムの計時を停止する(S31)。   When the scan time is 2 ms or more (S30: Yes), the scan time by the central sensor 10 is ended, so the central sensor scan flag 73d indicating that the scan time by the central sensor 10 is being set is set to OFF, Scan time measurement is stopped (S31).

S31の処理の後、テストモードフラグ73kがオフかどうかを確認する(S32)。即ち、電子ドラム1がテストモードかどうかを確認する。テストモードフラグ73kがオフの場合は(S32:Yes)、中央センサ10のセンサピーク値メモリ73cの値と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cの値とを重み付け演算し、その結果をベロシティメモリ73jに保存する(S33)。即ち、中央センサ打撃処理における、打撃によるベロシティ(打撃強度)は、各センサのピーク値の重み付け演算により算出される。中央センサ10のセンサピーク値メモリ73cの値をpeak_c,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cの値をそれぞれ、peak_s1,peak_s2,peak_s3とすると、ベロシティVlは、数式1の重み付け演算で算出される。

Figure 2018036640
ここで、gain_c,gain_s1,gain_s2,gain_s3はゲイン定数であり、それぞれ、「0.3」,「0.2」,「0.2」,「0.2」である。また、gain_Mix_vは、ユーザによって設定される値であり、電子ドラム1の入力装置(図示せず)によって設定される値である。数式1で算出された、ベロシティVlがベロシティメモリ73jに記憶される。なお、各ゲイン定数は、必ずしも上述した値に限られるものではなく、打面の大きさや素材、中央センサ10や第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の感度等に応じて、適宜設定してもよい。 After the process of S31, it is confirmed whether or not the test mode flag 73k is off (S32). That is, it is confirmed whether the electronic drum 1 is in the test mode. When the test mode flag 73k is off (S32: Yes), the value of the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 and the value of the sensor peak value memory 73c of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are weighted. The calculation is performed and the result is stored in the velocity memory 73j (S33). That is, in the central sensor hitting process, the velocity (hitting strength) due to hitting is calculated by weighting calculation of the peak value of each sensor. When the value of the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 is peak_c, and the values of the sensor peak value memory 73c of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are peak_s1, peak_s2, and peak_s3, respectively, the velocity Vl is expressed by Equation 1. It is calculated by weighting calculation.
Figure 2018036640
Here, gain_c, gain_s1, gain_s2, and gain_s3 are gain constants, which are “0.3”, “0.2”, “0.2”, and “0.2”, respectively. Further, gain_Mix_v is a value set by the user, and is a value set by an input device (not shown) of the electronic drum 1. The velocity Vl calculated by Equation 1 is stored in the velocity memory 73j. Each gain constant is not necessarily limited to the value described above, and is appropriately set according to the size and material of the hitting surface, the sensitivity of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, and the like. May be.

S33の処理の後、センサ値リングバッファ73bの値から、中央センサ10の打撃による初期半波を取得し、その初期半波のピッチΔThwで、中央センサ打撃位置テーブル72bを参照し、該当する打撃位置を中央センサ打撃位置メモリ73gに保存する(S34)。具体的には、センサ値リングバッファ73bの中央センサ値メモリ73b1の値を
参照し、最小値となる位置を取得する。まず、その位置から、遡る方向にセンサ値リングバッファ73bの中央センサ値メモリ73b1の値を参照し、その値が0となる位置を取得する。即ち、この時点が図6(a)における時刻Tsである。
After the process of S33, an initial half wave due to the strike of the central sensor 10 is acquired from the value of the sensor value ring buffer 73b, and the corresponding strike is made with reference to the central sensor hit position table 72b with the pitch ΔThw of the initial half wave The position is stored in the central sensor hitting position memory 73g (S34). Specifically, referring to the value of the central sensor value memory 73b1 of the sensor value ring buffer 73b, the position that becomes the minimum value is acquired. First, from the position, the value in the central sensor value memory 73b1 of the sensor value ring buffer 73b is referred in the backward direction, and the position where the value becomes 0 is acquired. That is, this time is time Ts in FIG.

そして、センサ値リングバッファ73bの中央センサ値メモリ73b1の値から、時間を下る方向にセンサ値リングバッファ73bの中央センサ値メモリ73b1の値を参照し、その値が0となる位置を取得する。即ち、この時点が図6(a)における時刻Teである。なお、時間を下る方向にセンサ値リングバッファ73bの中央センサ値メモリ73b1の値を参照した結果、0となる位置が存在しない場合は、現在のセンサ値リングバッファ73bの位置を時刻Teとする。これは、電子ドラム1の打面の中央付近が打撃された場合、中央センサ10によるスキャンタイム内にその振動による初期半波を、全て検出できなかった場合である。この場合の対応については、S37〜S39の処理で後述する。   Then, the value of the central sensor value memory 73b1 of the sensor value ring buffer 73b is referred to in the direction of decreasing time from the value of the central sensor value memory 73b1 of the sensor value ring buffer 73b, and the position where the value becomes 0 is obtained. That is, this time is time Te in FIG. Note that, when there is no position that becomes 0 as a result of referring to the value of the central sensor value memory 73b1 of the sensor value ring buffer 73b in the direction of decreasing time, the current position of the sensor value ring buffer 73b is set as time Te. This is a case where when the vicinity of the center of the hitting surface of the electronic drum 1 is hit, all of the initial half waves due to the vibration cannot be detected within the scan time by the center sensor 10. The correspondence in this case will be described later in the processing of S37 to S39.

この時刻Tsと時刻Teとの時間差、即ち、初期半波のピッチΔThwの値で、中央センサ打撃位置テーブル72bを参照し、該当する打撃位置を中央センサ打撃位置メモリ73gに記憶する。   With reference to the time difference between this time Ts and time Te, that is, the value of the initial half-wave pitch ΔThw, the central sensor impact position table 72b is referred to, and the corresponding impact position is stored in the central sensor impact position memory 73g.

S34の処理の後、センサ値リングバッファ73bの値から、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃の検出時刻を取得する(S35)。具体的には、センサ値リングバッファ73bの第1周辺センサ値メモリ73b2,第2周辺センサ値メモリ73b3,第3周辺センサ値メモリ73b4の値をそれぞれ参照し、最小値となる位置(即ち、図5(c)における「No.」)を取得する。そして、その位置と、現在のセンサ値リングバッファ73bの記憶位置(即ち、図8のS10で記憶された記憶位置)との差に100μsを乗じることで、最小値となる時刻、即ち、図6(b)における、ピーク時刻Tm1,Tm2,Tm3をそれぞれ算出する。   After the process of S34, the detection time of hitting of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is acquired from the value of the sensor value ring buffer 73b (S35). Specifically, referring to the values of the first peripheral sensor value memory 73b2, the second peripheral sensor value memory 73b3, and the third peripheral sensor value memory 73b4 of the sensor value ring buffer 73b, a position that is the minimum value (ie, the figure) 5 (c) “No.”) is acquired. Then, by multiplying the difference between the position and the current storage position of the sensor value ring buffer 73b (that is, the storage position stored in S10 of FIG. 8) by 100 μs, the time that becomes the minimum value, that is, FIG. Peak times Tm1, Tm2, and Tm3 in (b) are calculated.

そして、ピーク時刻Tm1とTm2との時間差ΔT1と、ピーク時刻Tm1とTm3との時間差ΔT2とで、周辺センサ打撃位置テーブル72cを参照し、該当する打撃位置を、周辺センサ打撃位置メモリ73hに保存する(S36)。   Then, by referring to the peripheral sensor impact position table 72c with the time difference ΔT1 between the peak times Tm1 and Tm2 and the time difference ΔT2 between the peak times Tm1 and Tm3, the corresponding impact position is stored in the peripheral sensor impact position memory 73h. (S36).

S36の処理の後、周辺センサ打撃位置メモリ73hの値が75以上かを確認する(S37)。周辺センサ打撃位置メモリ73hの値が75以上の場合は(S37:Yes)、中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fに「0.5」を設定する(S38)。一方、周辺センサ打撃位置メモリ73hの値が75より小の場合は(S37:No)、中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fに「0」を設定する(S39)。前述した通り、電子ドラム1の打面の中央付近を打撃された場合、打面の中央付近が大きく振動することで、中央センサ10が、スキャンタイム内にその初期半波を検出できない場合がある。中央センサ10による打撃位置は、この初期半波のピッチΔThwによって中央センサ打撃位置テーブル72bから取得される。従って、初期半波が完全に検出できなければ、その打撃位置を取得することができない。   After the process of S36, it is confirmed whether the value of the peripheral sensor hitting position memory 73h is 75 or more (S37). If the value in the peripheral sensor hitting position memory 73h is 75 or more (S37: Yes), “0.5” is set in the central sensor hitting position gain memory 73f (S38). On the other hand, when the value of the peripheral sensor hitting position memory 73h is smaller than 75 (S37: No), “0” is set in the central sensor hitting position gain memory 73f (S39). As described above, when the vicinity of the center of the hitting surface of the electronic drum 1 is struck, the center sensor 10 may not be able to detect the initial half wave within the scan time due to a large vibration near the center of the hitting surface. . The striking position by the central sensor 10 is acquired from the central sensor striking position table 72b by this initial half-wave pitch ΔThw. Therefore, if the initial half-wave cannot be completely detected, the striking position cannot be acquired.

しかし、この場合であっても、S35の処理で前述した、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃検出の時間差による、打撃位置は正確に取得される。これは、中央センサ10による初期半波のピッチΔThwの完全な検出よりも、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃検出の方が早いからである。従って、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃検出の時間差による打撃位置(即ち、周辺センサ打撃位置メモリ73hの値)が「75」より小さい場合は、即ち、電子ドラム1の打面の中央付近に近い場合は、中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fに「0」が設定され、後述する重み付け演算による、打撃位置の算出には、中央センサ10による打撃位置が考慮されない。これにより、電子ドラム1の打面の中央付近で打撃が行われ、中央センサ10によって正確に打撃位置が取得されない可能性がある場合は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって取得された打撃位置のみで打撃位置が算出されるので、正確な打撃位置を取得することができる。   However, even in this case, the striking position is accurately obtained by the time difference of the striking detection of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 described above in the process of S35. This is because the impact detection by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is faster than the complete detection of the initial half-wave pitch ΔThw by the central sensor 10. Therefore, when the impact position (that is, the value of the peripheral sensor impact position memory 73h) due to the impact detection time difference of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is smaller than “75”, that is, the impact surface of the electronic drum 1 When the position is close to the center, “0” is set in the center sensor hitting position gain memory 73f, and the hitting position by the central sensor 10 is not considered in the calculation of the hitting position by the weighting calculation described later. Thereby, when the impact is performed near the center of the hitting surface of the electronic drum 1 and there is a possibility that the hit position is not accurately acquired by the center sensor 10, it is acquired by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. Since the striking position is calculated only from the striking position, an accurate striking position can be acquired.

一方で、周辺センサ打撃位置メモリ73hの値が「75」以上の場合は、即ち、電子ドラム1の打面の中央から離れている場合は、中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fに「0.5」が設定され、後述する重み付け演算による、打撃位置の算出に中央センサ10による打撃位置が考慮される。中央センサ10による打撃位置は、その位置が「75」以上であれば、正確に算出され、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置は、その位置が「100」未満であれば、正確に打撃位置が算出される。従って、中央センサ10による打撃位置と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置とを組み合わせて打撃位置を算出することで、より精度の高い打撃位置が取得できる。なお、この場合に中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fに設定される値は、必ずしも「0.5」に限られるものではなく、打面の大きさや素材等に応じて、適宜設定してもよい。   On the other hand, when the value of the peripheral sensor hitting position memory 73h is “75” or more, that is, when it is away from the center of the hitting surface of the electronic drum 1, “0.5” is stored in the central sensor hitting position gain memory 73f. Is set, and the hitting position by the central sensor 10 is taken into consideration in the calculation of the hitting position by weighting calculation described later. The hit position by the central sensor 10 is accurately calculated if the position is “75” or more, and the hit positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are less than “100”. The hitting position is accurately calculated. Therefore, by calculating the striking position by combining the striking position by the central sensor 10 and the striking positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, it is possible to acquire a highly precise striking position. In this case, the value set in the central sensor hitting position gain memory 73f is not necessarily limited to “0.5”, and may be set as appropriate according to the size and material of the hitting surface.

S38,S39の処理の後、中央センサ打撃位置メモリ73gの値と、周辺センサ打撃位置メモリ73hの値と、中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fの値との重み付け演算により、打撃位置を算出し、打撃位置メモリ73iに保存する(S40)。中央センサ打撃位置メモリ73gの値をposition_center,周辺センサ打撃位置メモリ73hの値をposition_subとすると、打撃位置positionは、数式2の重み付け演算で算出される。

Figure 2018036640
ここで、pre_gain_cは中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fの値である。また、1-pre_gain_cは第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置への重み係数である。即ちpre_gain_cは、打撃位置の算出において、中央センサ10による打撃位置がどの程度考慮されるかを示す割合なので、1-pre_gain_cは、打撃位置の算出において、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置が考慮される割合を示す割合(重み係数)である。また、gain_Mix_pは、ユーザによって設定される値であり、電子ドラム1の入力装置(図示せず)によって設定される値である。数式2で算出された、打撃位置positionが打撃位置メモリ73iに記憶される。S40の処理の後、打撃位置メモリ73iの値およびベロシティメモリ73jの値に応じた楽音の生成指示を音源76に出力する(S41)。 After the processes of S38 and S39, the striking position is calculated by weighting the values of the central sensor striking position memory 73g, the peripheral sensor striking position memory 73h, and the central sensor striking position gain memory 73f. It is stored in the position memory 73i (S40). When the value of the central sensor hitting position memory 73g is position_center and the value of the peripheral sensor hitting position memory 73h is position_sub, the hitting position position is calculated by the weighting calculation of Formula 2.
Figure 2018036640
Here, pre_gain_c is a value in the central sensor hitting position gain memory 73f. Further, 1-pre_gain_c is a weighting factor for the hitting position by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. That is, pre_gain_c is a ratio indicating how much the hit position by the central sensor 10 is considered in the calculation of the hit position, so 1-pre_gain_c is the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 in the calculation of the hit position. This is a ratio (weighting coefficient) indicating a ratio in which the hit position is considered. Further, gain_Mix_p is a value set by the user, and is a value set by an input device (not shown) of the electronic drum 1. The striking position position calculated by Formula 2 is stored in the striking position memory 73i. After the process of S40, a tone generation instruction corresponding to the value of the striking position memory 73i and the value of the velocity memory 73j is output to the sound source 76 (S41).

S32の処理において、テストモードフラグ73kがオンの場合は(S32:No)、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cの値をMIDIのSysExメッセージに含めたものを出力する(S42)。また、S30の処理において、スキャンタイムが2msより小さい場合は、S31〜S42の処理をスキップする。そして、S30,S41,S42の処理の後、中央センサ打撃処理は終了し、図8の定期処理へ戻る。   If the test mode flag 73k is ON in the process of S32 (S32: No), the values in the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are included in the MIDI SysEx message. Is output (S42). If the scan time is shorter than 2 ms in the process of S30, the processes of S31 to S42 are skipped. Then, after the processes of S30, S41, and S42, the central sensor hitting process ends, and the process returns to the regular process of FIG.

次に、図10を参照して、打面の外周側が弱打される等、周辺センサによるスキャンタイム中に、中央センサ10によって打撃が検知されない場合に実行される、周辺センサ打撃処理(図8,S26)について説明する。周辺センサ打撃処理は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサ値リングバッファ73bの値から、打撃位置およびベロシティを算出する。なお、この場合の打撃位置は「100(固定値)」とする(図3参照)。そして、その打撃位置およびベロシティに応じた楽音の生成指示を音源76に行い、電子ドラム1の楽音の生成を行う。   Next, referring to FIG. 10, a peripheral sensor hitting process (FIG. 8) that is executed when no hit is detected by the central sensor 10 during a scan time by the peripheral sensor, such as when the outer peripheral side of the hitting surface is weakly hit. , S26) will be described. In the peripheral sensor hitting process, the hitting position and velocity are calculated from the values of the sensor value ring buffer 73b of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. In this case, the striking position is “100 (fixed value)” (see FIG. 3). Then, an instruction to generate a musical sound according to the hitting position and velocity is given to the sound source 76, and the musical sound of the electronic drum 1 is generated.

まず、周辺センサ打撃処理は、スキャンタイムが2ms以上となったかを確認する(S50)。第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が打撃を検出した後の2msにおける周辺センサによるスキャンタイムは、打撃による各センサの出力値を監視し、打撃による打撃位置およびベロシティの算出を行わない、所謂「ウエイト処理」中であるので、そのスキャンタイムが経過したかを確認する。   First, in the peripheral sensor impact process, it is confirmed whether the scan time is 2 ms or more (S50). The scan time by the peripheral sensor in 2 ms after the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detects the hit is monitored by the output value of each sensor by the hit and does not calculate the hit position and velocity by the hit. Since so-called "wait processing" is in progress, it is confirmed whether the scan time has elapsed.

スキャンタイムが2ms以上となった場合は(S50:Yes)、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によるスキャンタイムが経過したので、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40がスキャンタイム中であることを示す周辺センサスキャンフラグ73eにオフを設定し、スキャンタイムの計時を停止する(S51)。   When the scan time is 2 ms or more (S50: Yes), the scan time of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 has elapsed, so the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are in the scan time. The peripheral sensor scan flag 73e indicating this is set to OFF, and the scan time measurement is stopped (S51).

S51の処理の後、テストモードフラグ73kがオフかどうかを確認する(S52)。テストモードフラグ73kがオフの場合は(S52:Yes)、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cの値を重み付け演算し、その結果をベロシティメモリ73jに保存する(S53)。即ち、周辺センサ打撃処理における、打撃によるベロシティ(打撃強度)は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のピーク値の重み付け演算により算出される。第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cの値をそれぞれ、peak_s1,peak_s2,peak_s3とすると、ベロシティVlは、数式3の重み付け演算で算出される。

Figure 2018036640
ここで、gain_s1,gain_s2,gain_s3はゲイン定数であり、それぞれ、「0.2」,「0.2」,「0.2」である。なお、各ゲイン定数は、必ずしも上述した値に限られるものではなく、打面の大きさや素材、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の検出感度等に応じて、適宜設定してもよい。また、gain_Mix_vは、ユーザによって設定される値であり、電子ドラム1の入力装置(図示せず)によって設定される値である。なお、gain_Mix_vは、数式1におけるgain_Mix_vと同じ値に限られるものではなく、別の値が設定されてもよい。 After the process of S51, it is confirmed whether or not the test mode flag 73k is off (S52). When the test mode flag 73k is off (S52: Yes), the values of the sensor peak value memory 73c of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are weighted, and the result is stored in the velocity memory 73j (S53). ). That is, in the peripheral sensor hitting process, the velocity due to hitting (striking strength) is calculated by weighting the peak values of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. When the values in the sensor peak value memory 73c of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are respectively peak_s1, peak_s2, and peak_s3, the velocity Vl is calculated by the weighting calculation of Equation 3.
Figure 2018036640
Here, gain_s1, gain_s2, and gain_s3 are gain constants, which are “0.2”, “0.2”, and “0.2”, respectively. Each gain constant is not necessarily limited to the value described above, and may be appropriately set according to the size and material of the hitting surface, the detection sensitivity of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, and the like. . Further, gain_Mix_v is a value set by the user, and is a value set by an input device (not shown) of the electronic drum 1. Note that gain_Mix_v is not limited to the same value as gain_Mix_v in Equation 1, and another value may be set.

S53の処理の後、打撃位置メモリ73iへ「100」を保存する(S54)。このS54が実行される条件は、周辺センサスキャンフラグ73eがオン(図8,S12:Yes)、且つ、中央センサ10が打撃を検出していない(図8,S22:No)、且つ、スキャンタイムが2ms以上となった場合(S50:Yes)である。即ち、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のいずれかでは打撃を検出したが、そのスキャンタイム内に、中央センサ10での打撃の検出されない場合である。言い換えると、打面の周辺部において、電子ドラム1の打面が弱打された場合である。これには、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40より外周側が弱打された場合のみならず、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40より内周側が弱打され、中央センサ10がその打撃を検出しない場合も含まれる。第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40より内周側が弱打された場合は、打撃のピークの時間差ΔT1及びΔT2から打撃位置が正確に算出される。一方、外周側が弱打された場合は、前述した通り、打撃のピークの時間差ΔT1及びΔT2から打撃位置が正確には算出されず、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の位置が打撃位置とされる。また、中央センサ10がその打撃を検出しないので、中央センサ10の初期半波のピッチΔThwから打撃位置の算出ができない。そこで、本実施形態においては、処理の簡略化のため、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のいずれかでは打撃を検出したが、中央センサ10での打撃の検出されない場合は、打撃位置を第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の位置と同じ「100」とし、その打撃位置を楽音の生成指示に用いる。   After the process of S53, “100” is stored in the hitting position memory 73i (S54). The condition for executing this S54 is that the peripheral sensor scan flag 73e is on (FIG. 8, S12: Yes), the central sensor 10 has not detected a hit (FIG. 8, S22: No), and the scan time. Is 2 ms or more (S50: Yes). In other words, the hit is detected by any of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, but the hit by the central sensor 10 is not detected within the scan time. In other words, the hitting surface of the electronic drum 1 is weakly hit at the periphery of the hitting surface. This includes not only the case where the outer peripheral side is weakly hit from the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 but also the inner peripheral side is weakly hit from the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. The case where the hit is not detected is also included. When the inner peripheral side is weakly hit from the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the hit position is accurately calculated from the time difference ΔT1 and ΔT2 of the hit peak. On the other hand, when the outer peripheral side is hit weakly, as described above, the hitting position is not accurately calculated from the time difference ΔT1 and ΔT2 of the hitting peak, and the positions of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are hit positions. It is said. Further, since the central sensor 10 does not detect the hit, the hit position cannot be calculated from the initial half-wave pitch ΔThw of the central sensor 10. Therefore, in the present embodiment, for simplification of processing, any one of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detects a hit, but when the hit by the central sensor 10 is not detected, the hit position Is set to “100”, which is the same as the position of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, and the striking position is used for an instruction to generate a musical sound.

S54の処理の後、打撃位置メモリ73iの値およびベロシティメモリ73jの値に応じた楽音の生成指示を音源76に出力する(S55)。   After the process of S54, a tone generation instruction corresponding to the value of the striking position memory 73i and the value of the velocity memory 73j is output to the sound source 76 (S55).

打面の周辺部で、中央センサ10が検出できないほどの弱打が行われた等、周辺センサによるスキャンタイム内に、中央センサ10によって打撃が検出されなかった場合は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって、その弱打が検出され、楽音の生成指示が行われる。即ち、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃が検出された後、周辺センサによるスキャンタイム内に中央センサ10によって打撃が検出されない場合は、中央センサ10による打撃の検出を待つことなく楽音の生成指示が行われる。従って、この場合にも、楽音の生成指示を遅延させることがない。   If no hit is detected by the central sensor 10 within the scan time by the peripheral sensor, such as a weak hit that the central sensor 10 cannot detect at the peripheral portion of the hitting surface, the first peripheral sensor 20- The third peripheral sensor 40 detects the weak hit and issues a musical sound generation instruction. In other words, after the hit of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is detected, if no hit is detected by the central sensor 10 within the scan time by the peripheral sensor, without waiting for the hit detection by the central sensor 10. Music generation instructions are given. Therefore, in this case as well, the musical sound generation instruction is not delayed.

S52の処理において、テストモードフラグ73kがオンの場合は(S52:No)、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のセンサピーク値メモリ73cの値をMIDIのSysExメッセージに含めたものを出力する(S56)。また、S50の処理において、スキャンタイムが2msより小さい場合は、S51〜S56の処理をスキップする。そして、S50,S55,S56の処理の後、周辺センサ打撃処理は終了し、図8の定期処理へ戻る。   If the test mode flag 73k is ON in the processing of S52 (S52: No), the values of the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are included in the MIDI SysEx message. Is output (S56). If the scan time is shorter than 2 ms in the process of S50, the processes of S51 to S56 are skipped. Then, after the processes of S50, S55, and S56, the peripheral sensor hitting process ends, and the process returns to the regular process of FIG.

以上より、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置が0〜75の間は、電子ドラム1の打面の中央部による打撃であり、中央センサ10では、初期半波のピッチΔThwを完全に検出できない可能性があるので、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置のみで、打撃位置が算出される。即ち、数式2のpre_gain_c(中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fの値)に「0」を設定する。そして、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置が75〜100の間においては、中央センサ10,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40共に打撃位置が検出される範囲であるので、両者の重み付け演算によって打撃位置が算出される。このとき、数式2のpre_gain_c(中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fの値)に「0.5」を設定する。なお、この場合に設定されるpre_gain_cの値は、必ずしも「0.5」に限られるものではなく、打面の大きさや素材等に応じて、適宜設定してもよい。   From the above, when the hit position by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is between 0 and 75, the hit is due to the center of the hitting surface of the electronic drum 1, and the center sensor 10 has the initial half-wave pitch ΔThw. Therefore, the hitting position is calculated only by the hitting positions of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. That is, “0” is set to pre_gain_c (the value of the central sensor hitting position gain memory 73f) of Expression 2. And when the hit position by the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40 is between 75-100, it is the range in which a hit position is detected by the center sensor 10 and the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40. Therefore, the hitting position is calculated by the weighting calculation of both. At this time, “0.5” is set to pre_gain_c (the value of the central sensor hitting position gain memory 73f) of Expression 2. Note that the value of pre_gain_c set in this case is not necessarily limited to “0.5”, and may be set as appropriate according to the size of the hitting surface, the material, and the like.

そして、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置が100以上の場合は、即ち、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の位置(図3の「100」の位置)より外周側である。本実施形態では、図5(b)の通り、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40より外周側の場合、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の位置と同じく「100」の位置となる。一方で、中央センサ10による打撃位置は、正確に取得されるので、両者の重み付け演算により打撃位置が算出される。   And when the hit position by the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40 is 100 or more, ie, an outer periphery rather than the position (position "100" of FIG. 3) of the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40 On the side. In the present embodiment, as shown in FIG. 5B, when the hit position by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is on the outer peripheral side from the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the first peripheral sensor The position of “100” is the same as the positions of the 20th to third peripheral sensors 40. On the other hand, since the hit position by the central sensor 10 is obtained accurately, the hit position is calculated by weighting calculation of both.

また、中央センサ10が第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40よりも先に打撃を検出した場合には、2msの中央センサ10によるスキャンタイム後に楽音の生成が指示される。第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が中央センサ10よりも先に打撃を検出し、その後中央センサ10が打撃を検出しなかった場合でも、2msの周辺センサによるスキャンタイム後に楽音の生成が指示される。第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が中央センサ10よりも先に打撃を検出し、その後中央センサ10が打撃を検出した場合、最大4msのスキャンタイム(中央センサ10によるスキャンタイム+周辺センサによるスキャンタイム)後まで、楽音の生成が指示されない。しかし、従来技術でも、中央センサ10が打撃を検出してから2msのスキャンタイム後に、楽音の生成が指示されていた。本実施形態においても、中央センサ10が打撃を検出してから2msの中央センサ10によるスキャンタイム後に楽音の生成が指示される点は従来技術と変わりない。中央センサ10が打撃を検出するよりも前に、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が打撃を検出する点が異なる。従って、中央センサ10又は第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40で打撃を検出してから、中央センサ10によるスキャンタイム及び/又は周辺センサによるスキャンタイム後に、即ち最大4ms後には打撃位置およびベロシティが算出されるので、楽音の生成指示を遅延させることがない。従って、打撃に対して、レスポンス性のよい電子ドラム1の演奏が可能となる。   When the central sensor 10 detects a hit before the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, generation of a musical tone is instructed after a scan time by the central sensor 10 of 2 ms. Even when the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detect a hit before the central sensor 10 and the central sensor 10 does not detect a hit after that, the generation of a musical tone is performed after the scan time by the peripheral sensor of 2 ms. Instructed. When the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detect an impact before the central sensor 10 and then the central sensor 10 detects an impact, a maximum scan time of 4 ms (scan time by the central sensor 10 + peripheral sensor) The tone generation is not instructed until after the scan time. However, even in the prior art, generation of a musical sound is instructed after a scan time of 2 ms after the central sensor 10 detects a hit. Also in this embodiment, the point that generation of a musical tone is instructed after a scan time by the central sensor 10 of 2 ms after the central sensor 10 detects a hit is the same as the prior art. Before the center sensor 10 detects a hit, the points from which the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40 detect a hit differ. Therefore, after the hit is detected by the central sensor 10 or the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the hit position and velocity after the scan time by the central sensor 10 and / or the scan time by the peripheral sensor, that is, after a maximum of 4 ms. Therefore, the musical sound generation instruction is not delayed. Therefore, it is possible to play the electronic drum 1 with good responsiveness to impact.

以上から、検出される打撃位置に応じて、打撃位置を算出するために用いられる、中央センサ10,第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃の重み付けを変更することにより、より正確な打撃位置を算出することができる。   From the above, by changing the weighting of hitting by the central sensor 10, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, which is used for calculating the hitting position, according to the detected hitting position, more accurate. The striking position can be calculated.

以上説明したように、本実施形態における電子ドラム1は、打面の中央に配設された中央センサ10と、打面の周辺部に配設された第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40とを有して構成される。また、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、中央センサ10を円中心とした円周上に、等間隔に配設され、円周内のいずれの位置が打撃された場合にも、中央センサ10が打撃を検出した後の2msの中央センサ10によるスキャンタイム内に、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40がすべて打撃を検出できる位置に配設されている。そして、電子ドラム1の打面に対する打撃によって各センサで検出される、それぞれのセンサ出力値に応じてベロシティ(打撃強度)及び打撃位置が算出され、その算出されたベロシティ及び打撃位置に基づいて、楽音の生成指示が行われる。   As described above, the electronic drum 1 according to the present embodiment includes the central sensor 10 disposed in the center of the striking surface and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 disposed in the periphery of the striking surface. And is configured. Further, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are arranged at equal intervals on the circumference with the center sensor 10 as the center of the circle, and when any position within the circumference is hit, The first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are all disposed at a position where a hit can be detected within a scan time of the central sensor 10 of 2 ms after the central sensor 10 detects a hit. Then, the velocity (striking strength) and the striking position are calculated according to each sensor output value detected by each sensor by striking the striking surface of the electronic drum 1, and based on the calculated velocity and striking position, Music generation instructions are given.

まず、ベロシティは、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40で検出された打撃のピークに基づいて算出される。具体的に、電子ドラム1の打面に対する打撃によって、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40より先に中央センサ10が打撃を検出した場合、中央センサ10の打撃の検出から、中央センサ10によるスキャンタイムの計時が行われ、このスキャンタイムの終了後に、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40で検出された打撃のピークに基づいて、ベロシティが算出される。   First, the velocity is calculated based on the hitting peaks detected by the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. Specifically, when the central sensor 10 detects a hit before the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 by hitting the hitting surface of the electronic drum 1, the central sensor 10 The scan time is measured, and after the end of the scan time, the velocity is calculated based on the hit peaks detected by the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40.

このように、中央センサ10と第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40とで検出された打撃のピークに基づいてベロシティが算出されるので、打面の打撃感度の分布を略均一にすることができ、中央センサ10のある打面の中央部で打撃音が異様に大きくなる、所謂ホットスポットを解消できる。また打面が大きく形成された結果、中央センサ10と第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40とによる打撃の検出の時間差が大きくなったとしても、ベロシティの算出は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40より先に中央センサ10が打撃を検出した場合に、その中央センサ10の打撃の検出からスキャンタイム(即ち、2ms)後に行われるので、楽音の生成指示を遅延させることがない。   In this way, the velocity is calculated based on the hitting peaks detected by the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, so that the hitting sensitivity distribution on the hitting surface is made substantially uniform. It is possible to eliminate so-called hot spots in which the hitting sound is unusually loud at the center of the hitting surface where the center sensor 10 is located. Further, as a result of the formation of a large hitting surface, even if the time difference in hit detection between the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 becomes large, the velocity is calculated by the first peripheral sensor 20. When the central sensor 10 detects a hit prior to the third peripheral sensor 40, it is performed after the scan time (that is, 2ms) from the detection of the hit of the central sensor 10, so that the musical sound generation instruction is not delayed. .

打面の周辺部で、中央センサ10が検出できないほどの弱打が行われた等、周辺センサによるスキャンタイム内に、中央センサ10によって打撃が検出されなかった場合は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって、その弱打が検出され、楽音の生成指示が行われる。即ち、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃が検出された後、周辺センサによるスキャンタイム内に中央センサ10によって打撃が検出されない場合は、中央センサ10による打撃の検出を待つことなく楽音の生成指示が行われる。従って、この場合にも、楽音の生成指示を遅延させることがない。   If no hit is detected by the central sensor 10 within the scan time by the peripheral sensor, such as a weak hit that the central sensor 10 cannot detect at the peripheral portion of the hitting surface, the first peripheral sensor 20- The third peripheral sensor 40 detects the weak hit and issues a musical sound generation instruction. In other words, after the hit of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is detected, if no hit is detected by the central sensor 10 within the scan time by the peripheral sensor, without waiting for the hit detection by the central sensor 10. Music generation instructions are given. Therefore, in this case as well, the musical sound generation instruction is not delayed.

一方、打撃位置は、中央センサ10による打撃位置と第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置とから算出される。具体的には、まず、電子ドラム1の第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置が、第1周辺センサ20と第2周辺センサ30とのピークを検出する時間差ΔT1と、第1周辺センサ20と第3周辺センサ40とのピークを検出する時間差ΔT2とを、周辺センサ打撃位置テーブル72cで参照することで算出される。一方、中央センサ10による打撃位置が、中央センサ10で検出される打撃の初期半波のピッチΔThwを中央センサ打撃位置テーブル72bで参照することで算出される。そして、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置と、中央センサ10による打撃位置とを重み付け演算することで、打撃位置が算出される。   On the other hand, the hitting position is calculated from the hitting position by the central sensor 10 and the hitting positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. Specifically, first, the hit position of the electronic drum 1 by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detects the time difference ΔT1 for detecting the peak between the first peripheral sensor 20 and the second peripheral sensor 30, and the first The time difference ΔT2 for detecting the peak between the peripheral sensor 20 and the third peripheral sensor 40 is calculated by referring to the peripheral sensor hitting position table 72c. On the other hand, the hit position by the central sensor 10 is calculated by referring to the pitch ΔThw of the initial half wave of the hit detected by the central sensor 10 in the central sensor hit position table 72b. Then, the striking position is calculated by weighting the striking position by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 and the striking position by the central sensor 10.

第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、円周内のいずれの位置が打撃された場合にも、中央センサ10が打撃を検出した後の2msの中央センサ10によるスキャンタイム内に、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の全てで打撃を検出できる位置に配設されている。よって、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃の検出を、中央センサ10によるスキャンタイム内に行って、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が配設される円周内の打撃位置を算出することができる。一方、中央センサ10で検出される初期半波のピッチΔThwに基づいて、打面の周辺部の打撃位置が算出される。そして、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって算出された打撃位置が示す打撃位置に応じて、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40から得られる打撃位置と、中央センサ10から得られる打撃位置との重み付け演算により、打撃位置を算出する。この重み付け演算によって打撃位置が算出されるので、一層的確な打撃位置の算出が可能となる。   The first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are within the scan time by the central sensor 10 of 2 ms after the central sensor 10 detects a hit, regardless of which position in the circumference is hit. All of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are disposed at positions where a hit can be detected. Therefore, the detection of hits by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is performed within the scan time by the central sensor 10, and the first peripheral sensor 20 to the first peripheral sensor 20 by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are detected. 3 The hit position within the circumference where the peripheral sensor 40 is disposed can be calculated. On the other hand, based on the initial half-wave pitch ΔThw detected by the central sensor 10, the hitting position of the peripheral portion of the hitting surface is calculated. Then, according to the striking position indicated by the striking position calculated by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the striking position obtained from the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 and the central sensor 10 are obtained. The hitting position is calculated by weighting the hitting position. Since the hitting position is calculated by this weighting calculation, the hitting position can be calculated more accurately.

ここで、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、打面が打撃された場合に中央センサ10がその打撃を検出した後の2msの中央センサ10によるスキャンタイム内に、同じ打撃によるピークが、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の全てで検出できる位置(図3の「100」の位置)に配設される。よって、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による検出を中央センサ10によるスキャンタイム内に行って、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が配設される円周内における、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置を算出することができる。一方、中央センサ10が検出する初期半波のピッチΔThwに基づいて、中央センサ10による打撃位置が算出される。   Here, in the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, when the hitting surface is hit, the peak due to the same hit is within the scan time by the central sensor 10 of 2 ms after the central sensor 10 detects the hit. Is disposed at a position (a position “100” in FIG. 3) that can be detected by all of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. Therefore, the detection by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is performed within the scan time by the central sensor 10, and the first peripheral sensor 20 to the first peripheral sensor 40 in the circumference where the third peripheral sensor 40 is disposed. The hitting position by the peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 can be calculated. On the other hand, based on the initial half-wave pitch ΔThw detected by the central sensor 10, the hit position by the central sensor 10 is calculated.

ここで、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、打面が打撃された場合に中央センサ10がその打撃を検出してから中央センサ10によるスキャンタイム内にその初期半波のピッチΔThwを検出できる位置に配設されている。よって、円周外の位置が打撃された場合には、中央センサ10は中央センサ10によるスキャンタイム内に初期半波のピッチΔThwを検出でき、これに基づき、中央センサ10による打撃位置が算出される。そして、この中央センサ10による打撃位置と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置とを重み付け演算することで、打撃位置が算出される。一方、円周内であって、電子ドラム1の打面の中央付近が打撃された場合は、中央センサ10によって初期半波のピッチΔThwが完全に検出できない可能性がある。そこで、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置が電子ドラム1の打面の中央付近(即ち「75」以下の位置)である場合は、中央センサ10によるスキャンタイム後の打撃位置の算出において、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置を打撃位置とする。従って、中央センサ10によって初期半波のピッチΔThwが完全に検出できない場合であっても、中央センサ10によるスキャンタイム内に打撃位置を算出することができる。   Here, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 have their initial half-wave pitch ΔThw within the scan time of the central sensor 10 after the central sensor 10 detects the hit when the hitting surface is hit. It is arrange | positioned in the position which can detect. Therefore, when a position outside the circumference is hit, the central sensor 10 can detect the initial half-wave pitch ΔThw within the scan time by the central sensor 10, and based on this, the hit position by the central sensor 10 is calculated. The The hitting position is calculated by weighting the hitting position by the central sensor 10 and the hitting positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. On the other hand, when the vicinity of the center of the hitting surface of the electronic drum 1 is hit within the circumference, the center sensor 10 may not be able to detect the initial half-wave pitch ΔThw completely. Therefore, when the hit position by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is near the center of the hitting surface of the electronic drum 1 (that is, a position of “75” or less), the hit position after the scan time by the central sensor 10. In the calculation, the hit position by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is set as the hit position. Therefore, even when the central sensor 10 cannot completely detect the initial half-wave pitch ΔThw, it is possible to calculate the striking position within the scan time of the central sensor 10.

このように、円周内の打撃位置が、第1周辺センサ20と第2周辺センサ30とのピークの時間差ΔT1及び、第1周辺センサ20と第3周辺センサ40とのピークの時間差ΔT2を周辺センサ打撃位置テーブル72cで参照して算出され、円周外の打撃位置が、中央センサ10で検出される初期半波のピッチΔThwを、中央センサ打撃位置テーブル72bで参照して算出されるので、円周内外の打撃位置を中央センサ10によるスキャンタイム内の打撃の検出結果に基づいて算出することができる。従って、打面が大きく形成された場合にも、打撃位置の算出を迅速に行うことができるので、楽音の生成指示を遅延させることがない。   As described above, the hitting position within the circumference has the peak time difference ΔT1 between the first peripheral sensor 20 and the second peripheral sensor 30 and the peak time difference ΔT2 between the first peripheral sensor 20 and the third peripheral sensor 40 in the periphery. Since it is calculated with reference to the sensor hitting position table 72c, the hitting position outside the circumference is calculated with reference to the pitch ΔThw of the initial half wave detected by the central sensor 10 with reference to the central sensor hitting position table 72b. The hit positions inside and outside the circumference can be calculated based on the hit detection result within the scan time by the central sensor 10. Therefore, even when the striking surface is large, the striking position can be calculated quickly, so that the musical sound generation instruction is not delayed.

打撃強度(ベロシティ)を検出するために中央センサ10のみを用いる場合、打面中央付近に所謂ホットスポットが出現する。また、打面周辺を弱打された場合、打撃を検出できない恐れがある。これを軽減するために、本実施形態においては、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40を追加する。   When only the center sensor 10 is used to detect the impact strength (velocity), a so-called hot spot appears near the center of the hitting surface. Further, when the hitting surface is weakly hit, there is a possibility that the hit cannot be detected. In order to reduce this, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are added in the present embodiment.

また、打撃位置を検出するために第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のみを用いる場合、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40よりも外周側の打撃位置を検出することができない。これを解決するために、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40を打面の最外周に置くと、すべての第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が打撃を検出するまでに時間を要し、楽音の生成指示が遅延する。遅延を軽減するために周辺センサを内周側に置くと、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40より外周側の打撃位置を検出できない。そこで、本実施形態においては、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40に加えて中央センサ10を用いることによって、楽音生成指示の遅延を軽減しつつ打面の周辺部(即ち、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40よりも外周側)の打撃位置を検出することができる。   Further, when only the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are used to detect the striking position, it is not possible to detect the striking position on the outer peripheral side of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. In order to solve this, when the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are placed on the outermost periphery of the hitting surface, it takes time until all the first peripheral sensors 20 to the third peripheral sensor 40 detect hitting. In short, the musical sound generation instruction is delayed. If the peripheral sensor is placed on the inner peripheral side in order to reduce the delay, the hit position on the outer peripheral side from the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 cannot be detected. Therefore, in the present embodiment, by using the central sensor 10 in addition to the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the peripheral portion of the hitting surface (that is, the first peripheral sensor) while reducing the delay of the musical sound generation instruction. The striking position on the outer periphery side of the sensor 20 to the third peripheral sensor 40 can be detected.

以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変更が可能であることは容易に推察できるものである。   Although the present invention has been described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various improvements and modifications can be easily made without departing from the spirit of the present invention. Can be inferred.

上記実施形態において、電子打楽器の例として電子ドラム1を説明した。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、バスドラム、スネア、タム、シンバル等の、他の打楽器などの模擬に適用してもよい。   In the above embodiment, the electronic drum 1 has been described as an example of an electronic percussion instrument. However, the present invention is not necessarily limited to this, and may be applied to simulation of other percussion instruments such as bass drum, snare, tom, and cymbal.

上記実施形態において、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のクッション部材24が中央センサ10のクッション部材14と同じ弾性材料によって形成される場合について説明した。しかし、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、クッション部材24をスポンジやゴム、熱可塑性エラストマ等の弾性材料によって形成する場合には、クッション部材14よりも硬度が高い弾性材料を用いることが好ましい。これにより、打面の中央部が打撃された場合に、その打撃を中央センサ10が検出してから、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が検出するまでの時間を短くできるので、発音制御の遅延時間を短くできる。   In the said embodiment, the case where the cushion member 24 of the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40 was formed with the same elastic material as the cushion member 14 of the center sensor 10 was demonstrated. However, it is not necessarily limited to this. For example, when the cushion member 24 is formed of an elastic material such as sponge, rubber, or thermoplastic elastomer, it is preferable to use an elastic material having a higher hardness than the cushion member 14. Thereby, when the central part of the hitting surface is hit, it is possible to shorten the time from when the center sensor 10 detects the hit until the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detect it. Control delay time can be shortened.

上記実施形態において、中央センサ10のクッション部材14の厚みに対し、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のクッション部材24の厚みを薄くする(ヘッドセンサ23と打面との対向間隔を短くする)ことにより、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のヘッドセンサ23が打撃を検出するまでの時間を短くする場合について説明した。しかし、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、クッション部材14とクッション部材24とを同じ厚みで形成する(若しくは、クッション部材24の厚みをクッション部材14の厚みよりも厚く形成する)構成でも良い。   In the above embodiment, the thickness of the cushion member 24 of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is made thinner than the thickness of the cushion member 14 of the central sensor 10 (the facing distance between the head sensor 23 and the hitting surface is shortened). The case where the time until the head sensor 23 of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detects a hit is shortened. However, it is not necessarily limited to this. For example, the cushion member 14 and the cushion member 24 may be formed with the same thickness (or the cushion member 24 is formed thicker than the cushion member 14).

この場合には、クッション部材24の材質の硬度を高める(クッション部材24を打撃の振動が伝達しやすいものから構成する)ことで、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のヘッドセンサ23が打撃を検出するまでの時間を短くすることができる。即ち、少なくとも第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40を、中央センサ10より、打面を打撃した場合の打撃信号の伝達時間が短くなるように構成すれば良く、その手段は限定されない。これにより、打面の中央部が打撃された場合に、その打撃を中央センサ10が検出してから、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が検出するまでの時間を短くできるので、発音制御の遅延時間を短くできる(楽音の生成指示の遅延を短くできる)。   In this case, by increasing the hardness of the material of the cushion member 24 (the cushion member 24 is made of a material that can easily transmit the vibration of the impact), the head sensors 23 of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 The time until the hit is detected can be shortened. That is, at least the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 may be configured so that the transmission time of the hit signal when hitting the hitting surface is shorter than that of the center sensor 10, and the means is not limited. Thereby, when the central part of the hitting surface is hit, it is possible to shorten the time from when the center sensor 10 detects the hit until the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detect it. Control delay time can be shortened (musical sound generation instruction delay can be shortened).

また、クッション部材24の材質の硬度をクッション部材14より高める場合には、クッション部材14とクッション部材24とを同一の材質の弾性材料から構成し、クッション部材24の硬度のみを高めることがより好ましい。これにより、クッション部材14とクッション部材24との硬度に相違がある場合であっても(硬度および材質の双方に相違がある場合に比べ)、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40における打撃出力の特性(波形、レベル、反応時間など)を容易に合わせこむことができる。   When the hardness of the material of the cushion member 24 is higher than that of the cushion member 14, it is more preferable that the cushion member 14 and the cushion member 24 are made of an elastic material of the same material and only the hardness of the cushion member 24 is increased. . Thereby, even if there is a difference in hardness between the cushion member 14 and the cushion member 24 (compared to a case where there is a difference in both hardness and material), the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral The impact output characteristics (waveform, level, reaction time, etc.) of the sensor 40 can be easily adjusted.

上記実施形態において、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、圧電素子から構成されるものとした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、加速度センサや圧力センサ等、打面の打撃を検知できるものであれば、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40に適用できる。   In the said embodiment, the center sensor 10 and the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40 shall be comprised from a piezoelectric element. However, the present invention is not necessarily limited to this, and can be applied to the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 as long as they can detect the hitting of the hitting surface, such as an acceleration sensor or a pressure sensor.

上記実施形態において、打面(膜部材3a)が円盤状に形成される場合について説明した。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、矩形状や、多角形状、または、曲線および直線を組み合わせた形状で打面を形成するようにしても良い。即ち、打面がどのような形状の場合であっても、本実施形態のように、1個の中央センサ10と、その中央センサ10を円中心とした円周上に沿って等間隔に配設される少なくとも3個の第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40とを、打面として形成される領域内に配置すれば良い。   In the said embodiment, the case where the hitting surface (film | membrane member 3a) was formed in disk shape was demonstrated. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the striking surface may be formed in a rectangular shape, a polygonal shape, or a shape combining curves and straight lines. That is, regardless of the shape of the striking surface, as in the present embodiment, one central sensor 10 is arranged at equal intervals along the circumference with the central sensor 10 as the center of the circle. What is necessary is just to arrange | position the at least 3 1st periphery sensor 20-3rd periphery sensor 40 provided in the area | region formed as a hitting surface.

即ち、これにより、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40で検出されるピークの時間差から、その第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が配設された円周内の打撃位置を検出できる。また、1個の中央センサによる打撃信号の検出波形によって、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40が配設された円周外の打撃位置を検出できる。よって、矩形状や、多角形状、または、曲線および直線を組み合わせた形状で打面が形成される場合であっても、打面中央からの打撃位置を中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって適切に検出できる。   That is, the hit position in the circumference where the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are arranged is detected from the time difference between the peaks detected by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. it can. Further, the hit position outside the circumference where the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are arranged can be detected by the detection waveform of the hit signal by one central sensor. Therefore, even if the hitting surface is formed in a rectangular shape, a polygonal shape, or a shape that combines a curve and a straight line, the hit position from the center of the hitting surface is determined by the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20-the first. 3 The peripheral sensor 40 can detect appropriately.

この場合、中央センサ10を中央から外れた位置に配設される構成でもよく、少なくとも、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40を、中央センサ10を円中心とした円周上に等間隔に配設する構成とすればよい。これにより、打撃位置の算出に関しては、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の検出結果によって、適切に行うことができる。   In this case, the configuration may be such that the central sensor 10 is disposed at a position off the center, and at least the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are equally spaced on the circumference centered on the central sensor 10. The configuration may be such that it is arranged in the above. Thereby, the calculation of the hitting position can be appropriately performed according to the detection results of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40.

上記実施形態において、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、中央センサ10を円中心とした円周上に沿って等間隔に配設されるとした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40は、中央センサ10を円中心とした円周上ではなく、中央センサ10を囲む多角形状や楕円状等の線上に配設されるものとしてもよいし、不等間隔に配設されるものとしてもよい。この場合は、そのような配置に対応した周辺センサ打撃位置テーブル72cを、実測等により作成して打撃位置を算出すればよい。また、数式1における各ゲイン定数も実測などにより適宜設定し、ベロシティを算出すればよい。   In the above embodiment, the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are arranged at equal intervals along a circumference with the central sensor 10 as the center of the circle. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are not on the circumference centered on the central sensor 10 but in a polygonal shape or an elliptical shape surrounding the central sensor 10. It may be arranged on a line or may be arranged at unequal intervals. In this case, the perimeter sensor hitting position table 72c corresponding to such an arrangement may be created by actual measurement or the like to calculate the hitting position. In addition, each gain constant in Formula 1 may be set as appropriate by actual measurement or the like to calculate the velocity.

上記実施形態において、中央センサ10は、打面の中央に1個配設される構成とした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、中央センサ10を2個以上配設する構成としてもよい。その場合は、上記実施形態における1個の中央センサ10による打撃の検出結果の代わりに、複数の中央センサ10による打撃の検出結果の平均値等を、ベロシティ及び打撃位置の算出に用いればよい。   In the above embodiment, one central sensor 10 is arranged at the center of the hitting surface. However, the present invention is not necessarily limited to this, and two or more central sensors 10 may be provided. In that case, instead of the hit detection result by one central sensor 10 in the above-described embodiment, an average value of hit detection results by a plurality of central sensors 10 may be used for calculation of velocity and hit position.

上記実施形態において、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の3個の周辺センサを、中央センサ10を円中心とした円周上に、等間隔に配設されるものとした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、周辺センサは3個以上配設されるものとしてもよい。この場合、周辺センサは、中央センサ10を円中心とした円周上に、等間隔に配設し、周辺センサを基点として、各周辺センサにおける、打撃のピーク時間差を、周辺センサ打撃位置テーブル72cに記憶して、打撃が検知された場合に、周辺センサ打撃位置テーブル72cを各周辺センサにおける、打撃のピーク時間差を参照することで、打撃位置を取得すればよい。   In the above embodiment, the three peripheral sensors of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are arranged at equal intervals on the circumference with the central sensor 10 as the center of the circle. However, the present invention is not necessarily limited to this, and three or more peripheral sensors may be provided. In this case, the peripheral sensors are arranged at equal intervals on the circumference centered on the central sensor 10, and the peripheral sensor hitting position table 72c is used to calculate the hit peak time difference in each peripheral sensor with the peripheral sensor as a base point. In this case, when a hit is detected, the hit position may be acquired by referring to the hit peak time difference in each peripheral sensor in the peripheral sensor hit position table 72c.

また、周辺センサは2個配設されるものとしてもよい。この場合でも、2つの周辺センサを結ぶ直線方向の打撃位置を検出できる。2つの周辺センサから得られた打撃位置と、中央センサ10の初期半波のピッチΔThwから得られた打撃位置との重み付け演算によって、打撃位置を算出することができる。ただし、2つの周辺センサを結ぶ直線に交差する方向の打撃位置を検出することはできない。   Two peripheral sensors may be provided. Even in this case, the striking position in the linear direction connecting the two peripheral sensors can be detected. The striking position can be calculated by weighting the striking position obtained from the two peripheral sensors and the striking position obtained from the initial half-wave pitch ΔThw of the central sensor 10. However, the striking position in the direction intersecting the straight line connecting the two peripheral sensors cannot be detected.

さらに、周辺センサは1個配設されるものとしてもよい。この場合の周辺センサは、中央センサ10を円中心とした円状の1個のリングセンサ(センサ自体がリング形状のもの、又は、ヘッドに接触するリング状の部材の振動を検出する1個のセンサ)とする。この場合のベロシティは、中央センサ10が検出する打撃のピーク値と、リングセンサが検出する打撃のピーク値との重み付け演算によって算出される。そして、打撃位置は、まず、リングセンサが検出した打撃のピークと、中央センサ10が検出した打撃のピークとの時間差により、打撃位置(以下「時間差による打撃位置」と称する)が算出される。これにより、リングセンサが配設される円周内の打撃位置を算出することができる。   Further, one peripheral sensor may be provided. In this case, the peripheral sensor is a single ring sensor with the center sensor 10 as the center of the circle (the sensor itself is ring-shaped, or one sensor that detects vibration of a ring-shaped member that contacts the head). Sensor). The velocity in this case is calculated by a weighting operation between the peak value of the hit detected by the central sensor 10 and the peak value of the hit detected by the ring sensor. The striking position is first calculated based on the time difference between the striking peak detected by the ring sensor and the striking peak detected by the central sensor 10 (hereinafter referred to as “striking position due to time difference”). Thereby, the striking position within the circumference where the ring sensor is disposed can be calculated.

この時間差による打撃位置が、中央センサ10によるスキャンタイム内に、中央センサ10の初期半波のピッチΔThwが完全に検出できる位置(例えば、図3の「75」の位置より外周側)である場合は、時間差による打撃位置と、中央センサ10の初期半波のピッチΔThwにより算出される打撃位置とを重み付け演算することで、打撃位置が算出される。一方、時間差による打撃位置の結果が、中央センサ10によるスキャンタイム内に中央センサ10の初期半波のピッチΔThwを完全に検出できない位置である場合は、時間差による打撃位置を打撃位置とする。   The hit position due to this time difference is a position where the initial half-wave pitch ΔThw of the central sensor 10 can be completely detected within the scan time of the central sensor 10 (for example, on the outer peripheral side from the position “75” in FIG. 3). The hit position is calculated by weighting the hit position due to the time difference and the hit position calculated by the initial half-wave pitch ΔThw of the central sensor 10. On the other hand, when the result of the hit position due to the time difference is a position where the initial half-wave pitch ΔThw of the central sensor 10 cannot be completely detected within the scan time by the central sensor 10, the hit position due to the time difference is set as the hit position.

このように、リングセンサが配設される円周内の打撃位置を、リングセンサが検出した打撃のピークと、中央センサ10が検出した打撃のピークとの時間差により、算出し、円周外の打撃位置を中央センサ10の初期半波のピッチΔThwに基づいて算出することで、円周内外の打撃位置を中央センサ10によるスキャンタイム内の打撃の検出結果に基づいて算出することができる。従って、打面が大きく形成された場合にも、打撃位置の算出を迅速に行うことができるので、楽音の生成指示を遅延させることがない。   Thus, the hit position within the circumference where the ring sensor is arranged is calculated by the time difference between the hit peak detected by the ring sensor and the hit peak detected by the central sensor 10, and By calculating the striking position based on the initial half-wave pitch ΔThw of the central sensor 10, the striking positions inside and outside the circumference can be calculated based on the hit detection result within the scan time by the central sensor 10. Therefore, even when the striking surface is large, the striking position can be calculated quickly, so that the musical sound generation instruction is not delayed.

また、時間差による打撃位置が、リングセンサの位置である場合は、リングセンサの位置が打撃されたのか、リングセンサより外周側が打撃されたのかが判別できない。この場合は、中央センサ10の初期半波のピッチΔThwにより算出される打撃位置を、打撃位置としてもよい。   Further, when the hit position due to the time difference is the position of the ring sensor, it cannot be determined whether the position of the ring sensor has been hit or whether the outer peripheral side has been hit from the ring sensor. In this case, the striking position calculated by the pitch ΔThw of the initial half wave of the center sensor 10 may be used as the striking position.

時間差による打撃位置を、リングセンサが検出した打撃のピークと、中央センサ10が検出した打撃のピークとの時間差によって算出したが、リングセンサが検出した打撃のピーク値と、中央センサ10が検出した打撃のピーク値との差や比によって、打撃位置を算出してもよい。また、リングセンサと中央センサ10との立ち下り(又は立ち上り)の検出時間差(即ち、信号到達時刻の差)によって、打撃位置を算出してもよい。   The hit position due to the time difference was calculated by the time difference between the hit peak detected by the ring sensor and the hit peak detected by the central sensor 10, but the hit value detected by the ring sensor and the central sensor 10 detected the hit position. The hitting position may be calculated based on the difference or ratio with the peak hit value. Further, the striking position may be calculated based on the detection time difference between the falling (or rising) of the ring sensor and the central sensor 10 (that is, the difference in signal arrival time).

中央センサ10による打撃位置を、初期半波のピッチΔThwによって算出したが、中央センサ10で検出される初期半波のピーク位置や初期半波の面積などに基づいて打撃位置を算出してもよい。   Although the hit position by the central sensor 10 is calculated by the pitch ΔThw of the initial half wave, the hit position may be calculated based on the peak position of the initial half wave detected by the central sensor 10 or the area of the initial half wave. .

以上より、中央センサ10及び少なくとも1つの周辺センサの内の、複数のセンサ(の打撃検出時間または打撃強度の差や比)から得られる打撃位置と、中央センサ10の初期半波から得られた打撃位置との重み付け演算により、打撃位置を算出することができる。   From the above, it was obtained from the hit position obtained from a plurality of sensors (difference or ratio of hit detection time or hit intensity) of the center sensor 10 and at least one peripheral sensor, and the initial half wave of the center sensor 10. The hitting position can be calculated by weighting calculation with the hitting position.

上記実施形態において、中央センサ10によるスキャンタイム及び、周辺センサによるスキャンタイムの計時時間を共に2msとした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、打面の大きさや、打面の素材に応じて計時時間を、2ms以上としてもよいし、2ms以下としてもよい。また、中央センサ10によるスキャンタイムと、周辺センサによるスキャンタイムとの計時時間は、異なるものとしてもよい。例えば、中央センサ10はピークの出現が第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40に比べて遅いのでスキャンタイムを長くし、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40はピークの出現が早いのでスキャンタイムを短くする構成としてもよい。   In the above embodiment, both the scan time by the central sensor 10 and the scan time by the peripheral sensor are 2 ms. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the time counting time may be 2 ms or more or 2 ms or less depending on the size of the hitting surface and the material of the hitting surface. Moreover, the time measured by the scan time by the central sensor 10 and the scan time by the peripheral sensor may be different. For example, since the peak of the central sensor 10 is slower than the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, the scan time is lengthened, and the peak of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is early. The scan time may be shortened.

上記実施形態において、周辺センサによるスキャンタイム中に、中央センサ10による打撃を検出した場合は、周辺センサによるスキャンタイムを停止して、中央センサ10によるスキャンタイムを開始するものとした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、周辺センサによるスキャンタイム中に、中央センサ10による打撃を検出しても、中央センサ10によるスキャンタイムを行わず、周辺センサによるスキャンタイム後に、それまでに得られたセンサ値リングバッファ73bの値及びセンサピーク値メモリ73cの値からベロシティ及び打撃位置を算出して、楽音の生成指示を行ってもよい。この場合、ベロシティについては、周辺センサによるスキャンタイム内に得られた中央センサ10のセンサピーク値メモリ73cの値を、中央センサ10のピーク値とすればよい。   In the above embodiment, when a hit by the central sensor 10 is detected during the scan time by the peripheral sensor, the scan time by the peripheral sensor is stopped and the scan time by the central sensor 10 is started. However, the present invention is not necessarily limited to this. Even when a hit by the central sensor 10 is detected during the scan time by the peripheral sensor, the scan time by the central sensor 10 is not performed, and after the scan time by the peripheral sensor, The velocity and striking position may be calculated from the obtained value of the sensor value ring buffer 73b and the value of the sensor peak value memory 73c, and a musical sound generation instruction may be issued. In this case, with respect to velocity, the value in the sensor peak value memory 73c of the central sensor 10 obtained within the scan time by the peripheral sensors may be used as the peak value of the central sensor 10.

また、打撃位置については、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40のいずれかがが先に打撃を検出したということは、中央センサ10よりも第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40に近い位置が打撃されたと考えられるので、中央センサ10と第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の中間位置(「50」の位置)から最外周(「127」の位置)までの所定の位置(例えば、「100」の位置)を打撃位置とすればよい。又は、周辺センサによるスキャンタイム内に得られた中央センサ10の初期半波の開始時刻から周辺センサによるスキャンタイム終了までの時刻の差を、中央センサ10の初期半波のピッチΔThwとし、数式2のpre_gain_c(即ち、中央センサ打撃位置ゲインメモリ73fの値)に通常よりも大きな値(例えば、0.6)を設定し、数式2の重み付け演算によって打撃位置を算出すればよい。これにより、中央センサ10によるスキャンタイムを待つことがなくなるので、楽音の生成指示の遅延がさらに小さくなり、打撃に対するレスポンス性が高くなる。   In addition, with respect to the striking position, that any one of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 detects the striking first means that the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are more sensitive than the central sensor 10. Since a close position is considered to have been hit, a predetermined position from an intermediate position (position “50”) to the outermost periphery (position “127”) between the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 (For example, the position “100”) may be set as the hitting position. Alternatively, the difference in time from the start time of the initial half wave of the central sensor 10 obtained during the scan time by the peripheral sensor to the end of the scan time by the peripheral sensor is defined as the pitch ΔThw of the initial half wave of the central sensor 10, and Equation 2 The pre_gain_c (that is, the value of the central sensor hitting position gain memory 73f) is set to a larger value than usual (for example, 0.6), and the hitting position may be calculated by the weighting calculation of Formula 2. This eliminates the wait for the scan time by the central sensor 10, thereby further reducing the delay in the musical sound generation instruction and increasing the responsiveness to impact.

上記実施形態において、周辺センサによるスキャンタイム中に、中央センサ10による打撃を検出した場合は、周辺センサによるスキャンタイムを停止して、中央センサ10によるスキャンタイムを開始するものとした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、周辺センサによるスキャンタイム中に、中央センサ10による打撃を検出した場合は、周辺センサによるスキャンタイムを停止して、「中央センサ10+周辺センサによるスキャンタイム」を開始するものとし、「中央センサ10によるスキャンタイム」と区別する構成としてもよい。この場合は、中央センサ10+周辺センサによるスキャンタイムの時間を2msより短くする等、適宜調整することで楽音の生成指示の遅延を小さくすることができる。   In the above embodiment, when a hit by the central sensor 10 is detected during the scan time by the peripheral sensor, the scan time by the peripheral sensor is stopped and the scan time by the central sensor 10 is started. However, the present invention is not necessarily limited to this. When a hit by the central sensor 10 is detected during a scan time by the peripheral sensor, the scan time by the peripheral sensor is stopped, and the “scan time by the central sensor 10 + the peripheral sensor” May be configured to be distinguished from the “scan time by the central sensor 10”. In this case, the delay of the musical sound generation instruction can be reduced by appropriately adjusting the scan time of the central sensor 10 + peripheral sensor to be shorter than 2 ms.

上記実施形態において、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって算出された打撃位置が「75」以上の場合は、中央センサ10による打撃位置と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置との重み付け演算で打撃位置を算出し、「75」より小さい場合は、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって算出された打撃位置のみで、打撃位置を算出した。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40によって算出された打撃位置のみで、打撃位置を算出する打面の領域と、中央センサ10によって算出された打撃位置のみで、打撃位置を算出する打面の領域とを隣接させる構成としてもよい。   In the above embodiment, when the hit position calculated by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is “75” or more, the hit position by the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. The hitting position was calculated by weighting the hitting position with the hit position. When the hitting position was smaller than “75”, the hitting position was calculated using only the hitting positions calculated by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. However, the present invention is not necessarily limited to this, and only the striking position calculated by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is used to calculate the striking surface area for calculating the striking position and the striking calculated by the central sensor 10. It is good also as a structure which adjoins the area | region of the hitting surface which calculates a striking position only by a position.

上記実施形態において、打撃位置の算出を、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40により検出される打撃位置のみで行うかどうかの閾値を「75」の位置とした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、打面の大きさや素材等、中央センサ10及び第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の打撃の検出特性に応じて、境界値を「75」以下の値としてもよいし、「75」以上の値としてもよい。   In the above embodiment, the threshold for determining whether or not the hitting position is calculated only at the hitting positions detected by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 is set to the position “75”. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the boundary value is “75” or less according to the hitting detection characteristics of the central sensor 10 and the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40, such as the size and material of the hitting surface. Or a value greater than or equal to “75”.

上記実施形態において、中央センサ打撃位置テーブル72bを、中央センサ10の打撃による電圧波形の初期半波のピッチΔThwで参照することで、打撃位置を取得するものとした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、演算によって、初期半波のピッチΔThwから打撃位置を取得するものとしてもよい。その場合は、中央センサ打撃位置テーブル72bを省いた構成とすることができるので、ROM72のサイズを小さくすることができる。   In the above embodiment, the hitting position is obtained by referring to the center sensor hitting position table 72b with the pitch ΔThw of the initial half wave of the voltage waveform generated by hitting the center sensor 10. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the hitting position may be obtained from the initial half-wave pitch ΔThw by calculation. In that case, since the central sensor hitting position table 72b can be omitted, the size of the ROM 72 can be reduced.

上記実施形態において、中央センサ10による打撃位置は、中央センサ10で検出される初期半波のピッチΔThwを中央センサ打撃位置テーブル72bで参照することで算出した。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、中央センサ10で検出される初期半波のピーク位置や初期半波の面積などに基づいて打撃位置を算出してもよい。   In the above embodiment, the hit position by the central sensor 10 is calculated by referring to the pitch ΔThw of the initial half wave detected by the central sensor 10 in the central sensor hit position table 72b. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the striking position may be calculated based on the peak position of the initial half wave detected by the central sensor 10 or the area of the initial half wave.

上記実施形態において、周辺センサ打撃位置テーブル72cを第1周辺センサ20と、第2周辺センサ30,第3周辺センサ40との打撃のピークの時間差ΔT1,ΔT2で参照することで、打撃位置を取得するものとした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、打撃のピークの時間差ΔT1,ΔT2から演算によって、打撃位置を取得するものとしてもよい。その場合は、周辺センサ打撃位置テーブル72cを省いた構成とすることができるので、ROM72のサイズを小さくすることができる。   In the above embodiment, the hitting position is obtained by referring to the peripheral sensor hitting position table 72c with the time difference ΔT1, ΔT2 of the hitting peak between the first peripheral sensor 20, the second peripheral sensor 30, and the third peripheral sensor 40. To do. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the striking position may be obtained by calculation from the time difference ΔT1, ΔT2 of the striking peak. In that case, since the peripheral sensor impact position table 72c can be omitted, the size of the ROM 72 can be reduced.

上記実施形態において、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置は、第1周辺センサ20と第2周辺センサとの30のピークの時間差ΔT1及び、第1周辺センサ20と第3周辺センサ40とのピークの時間差ΔT2を周辺センサ打撃位置テーブル72cを参照することで算出した。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40間のピーク値の差や、ピーク値の比に基づいて打撃位置を算出してもよい。   In the above embodiment, the hit positions by the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 are the time difference ΔT1 of 30 peaks between the first peripheral sensor 20 and the second peripheral sensor, and the first peripheral sensor 20 and the third peripheral sensor. The peak time difference ΔT2 from the sensor 40 was calculated by referring to the peripheral sensor hitting position table 72c. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the striking position may be calculated based on the peak value difference between the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 or the peak value ratio.

上記実施形態において、第1周辺センサ20と第2周辺センサ30とのピークの時間差をΔT1,第1周辺センサ20と第3周辺センサ40とのピークの時間差をΔT2とした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、第1周辺センサ20と第2周辺センサ30との立ち下り(又は立ち上り)の検出時間差(即ち、信号到達時刻の差)をΔT1,第1周辺センサ20と第3周辺センサ40との立ち下り(又は立ち上り)の検出時間差をΔT2とし、このΔT1とΔT2とを用いて、周辺センサ打撃位置テーブル72cから、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40による打撃位置を算出してもよい。   In the above embodiment, the peak time difference between the first peripheral sensor 20 and the second peripheral sensor 30 is ΔT1, and the peak time difference between the first peripheral sensor 20 and the third peripheral sensor 40 is ΔT2. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the detection time difference (that is, the difference in signal arrival time) between the first peripheral sensor 20 and the second peripheral sensor 30 is represented by ΔT1, the first peripheral sensor 20. The difference between the detection times of falling (or rising) between the first peripheral sensor 40 and the third peripheral sensor 40 is ΔT2, and the ΔT1 and ΔT2 are used to determine the difference between the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 from the peripheral sensor hitting position table 72c. The striking position may be calculated.

上記実施形態において、打撃位置の取得を第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40の、打撃の検出時間差によって、打撃位置を取得するものとした。しかし、必ずしもこれに限られるものではなく、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40と、中央センサ10とによる打撃の検出時間差によって打撃位置を取得してもよい。その場合は、中央センサ10と、第1周辺センサ20〜第3周辺センサ40とのピークの時間差に応じた打撃位置を周辺センサ打撃位置テーブル72cに追加する構成とすればよい。   In the above-described embodiment, the hitting position is acquired from the hitting detection time difference of the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40. However, the present invention is not necessarily limited to this, and the striking position may be acquired based on a striking detection time difference between the first peripheral sensor 20 to the third peripheral sensor 40 and the central sensor 10. In that case, what is necessary is just to set it as the structure which adds the impact position according to the time difference of the peak of the center sensor 10 and the 1st periphery sensor 20-the 3rd periphery sensor 40 to the periphery sensor impact position table 72c.

1 電子ドラム(電子打楽器)
3a 膜部材(打面)
7 制御装置
10 中央センサ(打撃センサの一部)
20 第1周辺センサ(周辺センサの一部、打撃センサの一部)
30 第2周辺センサ(周辺センサの一部、打撃センサの一部)
40 第3周辺センサ(周辺センサの一部、打撃センサの一部)
S17,S30,S31 第1ウエイト手段、第3ウエイト手段
S20,S50,S51 第2ウエイト手段
S33,S53 強度算出手段
S41,S55 発音指示手段
1 Electronic drum (electronic percussion instrument)
3a Membrane member (striking surface)
7 Control device 10 Central sensor (part of impact sensor)
20 1st surrounding sensor (a part of surrounding sensor, a part of impact sensor)
30 Second peripheral sensor (part of peripheral sensor, part of impact sensor)
40 Third peripheral sensor (part of peripheral sensor, part of impact sensor)
S17, S30, S31 First weight means, third weight means S20, S50, S51 Second weight means S33, S53 Strength calculation means S41, S55 Sound generation instruction means

Claims (4)

打面と、その打面への打撃を検出する打撃センサとを備えた電子打楽器において、
前記打撃センサは、前記打面の中央部に配設された中央センサと、前記打面の周辺部に配設された周辺センサとを有して構成され、
前記周辺センサより先に前記中央センサが打撃を検出した場合、その中央センサの打撃検出から第1所定時間のウエイト処理を実行する第1ウエイト手段と、
前記中央センサより先に前記周辺センサが打撃を検出した場合、その周辺センサの打撃検出から第2所定時間のウエイト処理を実行する第2ウエイト手段と、
前記第1ウエイト手段の作動時には、その第1ウエイト手段によるウエイト処理の終了後に、前記中央センサ及び前記周辺センサの検出結果に基づいて打撃強度を算出し、前記第2ウエイト手段の作動時には、その第2ウエイト手段によるウエイト処理の期間内に、前記中央センサが打撃を検出しない場合、前記周辺センサの検出結果に基づいて打撃強度を算出する強度算出手段と、
その強度算出手段によって算出された打撃強度に基づいて、打撃音の発音を指示する発音指示手段とを備えていることを特徴とする電子打楽器。
In an electronic percussion instrument comprising a striking surface and a striking sensor for detecting striking on the striking surface,
The impact sensor is configured to include a center sensor disposed in a central portion of the striking surface and a peripheral sensor disposed in a peripheral portion of the striking surface,
First weight means for executing a weight process for a first predetermined time from detection of hitting by the central sensor when the central sensor detects hitting prior to the peripheral sensor;
Second weight means for executing a weight process for a second predetermined time from the hit detection of the peripheral sensor when the peripheral sensor detects hit before the central sensor;
When the first weight means is activated, the impact strength is calculated based on the detection results of the central sensor and the peripheral sensor after the end of the weight processing by the first weight means, and when the second weight means is activated, A strength calculating means for calculating a striking strength based on a detection result of the peripheral sensor when the central sensor does not detect a striking within a period of the weight processing by the second weighting means;
An electronic percussion instrument comprising sound generation instruction means for instructing sound generation of a percussion sound based on the batting intensity calculated by the intensity calculation means.
前記第2ウエイト手段の作動時に、その第2ウエイト手段によるウエイト処理の期間内に、前記中央センサが打撃を検出した場合、その中央センサの打撃検出から第3所定時間のウエイト処理を実行する第3ウエイト手段を備え、
前記強度算出手段は、その第3ウエイト手段によるウエイト処理の終了後に、前記中央センサ及び前記周辺センサの検出結果に基づいて打撃強度を算出するものであることを特徴とする請求項1記載の電子打楽器。
When the central sensor detects a hit within the period of the weight processing by the second weight means during the operation of the second weight means, the weight processing for the third predetermined time is executed after the hit detection of the central sensor. With 3 weight means,
2. The electronic apparatus according to claim 1, wherein the strength calculating means calculates a striking strength based on detection results of the central sensor and the peripheral sensor after completion of the weight processing by the third weight means. Percussion instrument.
前記第1所定時間と前記第3所定時間とは同一時間であることを特徴とする請求項2記載の電子打楽器。   The electronic percussion instrument according to claim 2, wherein the first predetermined time and the third predetermined time are the same time. 前記打面を平面視した場合において、前記打面は円形に形成され、前記中央センサは、前記打面の中央に配設されると共に、前記周辺センサは、その中央センサを円中心とした円周上に等間隔に少なくとも3個配設されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の電子打楽器。   When the hitting surface is viewed in plan, the hitting surface is formed in a circular shape, the center sensor is disposed at the center of the hitting surface, and the peripheral sensor is a circle centered on the center sensor. The electronic percussion instrument according to any one of claims 1 to 3, wherein at least three are arranged at equal intervals on the circumference.
JP2017160865A 2016-08-30 2017-08-24 Electronic percussion instrument Pending JP2018036640A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016168457 2016-08-30
JP2016168457 2016-08-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018036640A true JP2018036640A (en) 2018-03-08

Family

ID=61565760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017160865A Pending JP2018036640A (en) 2016-08-30 2017-08-24 Electronic percussion instrument

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018036640A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021534444A (en) * 2018-08-07 2021-12-09 ソナス リミテッド Electronic drum

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021534444A (en) * 2018-08-07 2021-12-09 ソナス リミテッド Electronic drum

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3291221B1 (en) Electronic percussion instrument and control device thereof
JP4183626B2 (en) Electronic percussion instrument
US8940991B2 (en) Electronic percussion device and method
US8173886B2 (en) Electronic percussion instrument
US9099070B2 (en) Electric drum and cymbal with spider web-like sensor
JP6676332B2 (en) Electronic percussion instrument
JP2009186886A (en) Electronic percussion instrument
US20140069265A1 (en) Electric Drum And Cymbal With Spider Web-Like Sensor
JP2015068912A (en) Sound source control information generation device and program
JP2017102303A (en) Percussion instrument and cajon
JP6986387B2 (en) Electronic percussion instrument
JP6207113B1 (en) Electronic percussion instrument
JP2018036640A (en) Electronic percussion instrument
US11600253B2 (en) Electronic percussion instrument, electronic musical instrument, information processing device, and information processing method
JP2009128426A (en) Electronic percussion instrument
TW201610979A (en) Electronic drum and cymbal with spider web-like sensor
JP2018036642A (en) Electronic percussion instrument
JP2007256627A (en) Electronic percussion instrument device
US20230049103A1 (en) Electronic percussion instrument and musical sound generating method
JP5434394B2 (en) Electronic percussion instrument
JP2021105681A (en) Musical sound generation device and musical sound generation method
JP2021105702A (en) Electronic percussion instruments and hitting detection method
CN113129858A (en) Electronic percussion instrument and percussion detection method
JP2014134716A (en) Musical signal generation device, musical signal generation program and musical signal generation method