JP2018029140A - Substrate and manufacturing method thereof, and module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板およびその製造方法並びにモジュールに関し、例えば金属層と絶縁層が積層された基板およびその製造方法並びにモジュールに関する。 The present invention relates to a substrate, a manufacturing method thereof, and a module, for example, a substrate on which a metal layer and an insulating layer are laminated, a manufacturing method thereof, and a module.
金属層と絶縁層が積層された配線基板が知られている(例えば特許文献1、2)。配線基板には電子部品等が搭載される。例えば、配線基板内の金属層に電子部品が埋め込まれる。また、配線基板の上面に電子部品が搭載される。 A wiring board in which a metal layer and an insulating layer are laminated is known (for example, Patent Documents 1 and 2). Electronic components and the like are mounted on the wiring board. For example, an electronic component is embedded in a metal layer in the wiring board. An electronic component is mounted on the upper surface of the wiring board.
配線基板は、複数の絶縁層および金属層が積層された多層基板を所望の形状の配線基板に切断することにより製造される。しかしながら、多層基板を切断すると個片化された配線基板の側面に金属層の側面が露出する。これにより、露出した金属層が外部の部品とカップリングし特性が劣化する。または、露出した金属層が外部と電気的に接触する。 The wiring board is manufactured by cutting a multilayer board in which a plurality of insulating layers and metal layers are laminated into a wiring board having a desired shape. However, when the multilayer substrate is cut, the side surface of the metal layer is exposed on the side surface of the separated wiring substrate. As a result, the exposed metal layer is coupled with an external part and the characteristics are deteriorated. Alternatively, the exposed metal layer is in electrical contact with the outside.
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、金属層が側面から露出することを抑制することを目的とする。 This invention is made | formed in view of the said subject, and it aims at suppressing that a metal layer is exposed from a side surface.
本発明は、互いに積層された1または複数の第1絶縁層と、前記1または複数の第1絶縁層上に設けられ、側面が前記1または複数の第1絶縁層の側面の少なくとも下部より内側に位置する金属層と、前記金属層上に設けられ、側面が前記第1絶縁層の側面の少なくとも下部より内側に位置し、互いに積層された1または複数の第2絶縁層と、前記1または複数の第2絶縁層の側面の少なくとも下部、前記金属層の側面および前記1または複数の第1絶縁層の周縁部の上面を覆う第3絶縁層と、を具備する基板である。 The present invention provides one or more first insulating layers stacked on each other and the one or more first insulating layers, and the side surfaces are at least lower than the side surfaces of the one or more first insulating layers. A metal layer located on the metal layer, a side surface of which is located at least inside a lower side of the side surface of the first insulating layer, and the two or more second insulating layers stacked on each other; And a third insulating layer covering at least a lower portion of side surfaces of the plurality of second insulating layers, a side surface of the metal layer, and an upper surface of a peripheral edge of the one or more first insulating layers.
上記構成において、前記金属層は、側方に突出する突出部を有し、前記第3絶縁層は前記突出部の側面を覆う構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: The said metal layer has a protrusion part which protrudes to a side, A said 3rd insulating layer can be set as the structure which covers the side surface of the said protrusion part.
上記構成において、前記金属層および前記1または複数の第2絶縁層の側面は略同一平面に設けられ、前記第3絶縁層の側面および前記1または複数の第1絶縁層の側面の少なくとも下部は略同一平面に設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, side surfaces of the metal layer and the one or more second insulating layers are provided in substantially the same plane, and at least lower portions of the side surfaces of the third insulating layer and the side surfaces of the one or more first insulating layers are It can be set as the structure provided in the substantially same plane.
上記構成において、前記金属層は前記1または複数の第1絶縁層および前記1または複数の第2絶縁層のそれぞれの絶縁層より厚い構成とすることができる。 In the above configuration, the metal layer may be thicker than each of the one or more first insulating layers and the one or more second insulating layers.
上記構成において、前記突出部は、前記金属層の中央部より薄い構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: The said protrusion part can be set as the structure thinner than the center part of the said metal layer.
上記構成において、前記第3絶縁層の弾性率は前記1または複数の第1絶縁層および前記1または複数の第2絶縁層の弾性率より小さい構成とすることができる。 In the above configuration, the elastic modulus of the third insulating layer may be smaller than the elastic modulus of the one or more first insulating layers and the one or more second insulating layers.
上記構成において前記第3絶縁層の上面は前記1または複数の第2絶縁層のうち最上の絶縁層の上面より低い構成とすることができる。 In the above configuration, the upper surface of the third insulating layer may be lower than the upper surface of the uppermost insulating layer among the one or more second insulating layers.
上記構成において、前記金属層内に埋め込まれた電子部品を具備する構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: It can be set as the structure which comprises the electronic component embedded in the said metal layer.
本発明は、上記基板と、前記基板上に設けられた電子部品と、前記電子部品を封止する第4絶縁層と、を具備するモジュールである。 The present invention is a module comprising the above substrate, an electronic component provided on the substrate, and a fourth insulating layer for sealing the electronic component.
本発明は、互いに積層された1または複数の第1絶縁層と、前記1または複数の第1絶縁層上に、平面視において溝部を介し周期的に複数設けられた金属層と、前記金属層上に設けられ前記溝部を介し周期的に設けられた互いに積層された1または複数の第2絶縁層と、前記溝部内に充填され、前記金属層と前記1または複数の第2絶縁層との側面を覆う第3絶縁層と、を具備する基板である。 The present invention includes one or more first insulating layers stacked on each other, a plurality of metal layers periodically provided on the one or more first insulating layers via a groove in plan view, and the metal layers One or a plurality of second insulating layers stacked on top of each other and provided periodically through the groove, and filled in the groove, the metal layer and the one or more second insulating layers And a third insulating layer covering the side surface.
本発明は、互いに積層された1または複数の第1絶縁層と、前記1または複数の第1絶縁層上に設けられた金属層と、前記金属層上に設けられ互いに積層された1または複数の第2絶縁層と、を有する積層基板に、前記1または複数の第2絶縁層および前記金属層が切断されるように溝部を形成する工程と、前記溝部内に第3絶縁層を充填する工程と、前記金属層の側面が前記第3絶縁層から露出しないように前記第3絶縁層で切断することで、前記積層基板を個片化する工程と、を含む基板の製造方法である。 The present invention includes one or more first insulating layers stacked on each other, a metal layer provided on the one or more first insulating layers, and one or more stacked on each other provided on the metal layer. Forming a groove portion so that the one or the plurality of second insulating layers and the metal layer are cut, and filling the third insulating layer in the groove portion. And a step of cutting the laminated substrate into pieces by cutting the third insulating layer so that side surfaces of the metal layer are not exposed from the third insulating layer.
上記構成において、前記溝部を形成する工程は、前記1または複数の第1絶縁層の少なくとも下部が残存するように溝部を形成する工程であり、前記積層基板を個片化する工程は、前記1または複数の第1絶縁層の前記少なくとも下部の側面が前記第3絶縁層から露出するように前記第3絶縁層で切断する工程を含む構成とすることができる。 In the above configuration, the step of forming the groove portion is a step of forming the groove portion so that at least the lower part of the one or the plurality of first insulating layers remains, and the step of separating the multilayer substrate is the step of 1 Or it can be set as the structure including the process cut | disconnected by the said 3rd insulating layer so that the said at least lower side surface of a some 1st insulating layer may be exposed from the said 3rd insulating layer.
本発明によれば、金属層が側面から露出することを抑制することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can suppress that a metal layer is exposed from a side surface.
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1(a)から図1(d)は、実施例1に係る基板の製造方法を示す断面図である。図2(a)から図3(b)は、実施例1に係る基板の製造方法を示す平面図である。図1(a)から図1(d)は、図2(a)から図3(b)のA−A断面に相当する。図2(a)は、絶縁層16を透過して図示している。コアの配列方向をX方向およびY方向とし、絶縁層14、16および金属層12の積層方向をZ方向とする。
FIG. 1A to FIG. 1D are cross-sectional views illustrating a substrate manufacturing method according to the first embodiment. FIG. 2A to FIG. 3B are plan views illustrating the method for manufacturing the substrate according to the first embodiment. 1 (a) to 1 (d) correspond to the AA cross section of FIGS. 2 (a) to 3 (b). FIG. 2A illustrates the
図1(a)に示すように、多層基板10は、金属層12、絶縁層14および16を備える。絶縁層14上に金属層12が設けられ、金属層12上に絶縁層16が積層されている。絶縁層14は積層された1または複数の絶縁層14aおよび14bを含む。絶縁層16は、積層された1または複数の絶縁層16aおよび16bを含む。絶縁層14a、14b、16aおよび16bの間、には配線を形成する金属層(不図示)が設けられている。絶縁層14a、14b、16aおよび16bを貫通するビア配線(不図示)が設けられている。
As shown in FIG. 1A, the
図2(a)に示すように、コア12aはX方向およびY方向に周期的に配列されている。金属層12は、コア12a同士を接続するタイバー12bを有する。タイバー12bは金属層12、絶縁層14および16を積層するときに、コア12aを機械的に接続しておくためのものである。タイバー12bはコア12aの各辺間に1または複数設けられている。タイバー12bはコア12aより薄くてもよい。X方向に隣接するコア12aは3本のタイバー12bにより接続され、Y方向に隣接するコア12aは4本のタイバー12bにより接続されている。タイバー12bの個数は任意に設定できる。
As shown in FIG. 2A, the
金属層12は、例えば銅層である。コア12aの厚さは例えば340μm、タイバー12bの厚さは例えば170μmである。タイバー12bの幅W4は例えば400μmである。タイバー12bのピッチW5は例えば2000μmである。コア12a間の幅W1は、例えば500μmから600μmである。絶縁層14および16は例えばエポキシ系樹脂である。絶縁層14a、14b、16aおよび16bの厚さは例えば15μmから60μmである。
The
図1(b)および図2(b)に示すように、多層基板10の上面から金属層12のタイバー12bを切断するように、多層基板10に溝部30を形成する。溝部30は、コア12aの間に形成する。溝部30の底面は絶縁層14に達するが多層基板10を切断はしない。溝部30の幅W2は例えば400μmから500μmであり、幅W1より小さい。これにより、溝部30の両側にタイバー12bが残存する。溝部30は、例えば幅の広いダイシングブレードを用いハーフカットにより形成する。
As shown in FIGS. 1B and 2B, a
図1(c)および図3(a)に示すように、溝部30内に絶縁層18を充填する。これにより、ダイバー12bの切断面は絶縁層18で覆われる。絶縁層18は例えばエポキシ系樹脂等の樹脂である。図1(d)および図3(b)に示すように、絶縁層18に溝部32を形成する。溝部32は多層基板10を完全に切断する。溝部30の幅W3は例えば200μmから300μmであり、幅W2より小さい。これにより、絶縁層18からタイバー12bは露出しない。溝部32は、例えば幅の狭いダイシングブレードを用いフルカットにより形成する。これにより、多層基板10が個片化され配線基板50が形成される。配線基板50において、多層基板10の絶縁層16および金属層12の側面は絶縁層18で覆われる。絶縁層14の側面の一部(下部)は露出する。
As shown in FIG. 1C and FIG. 3A, the insulating
図4(a)および図4(b)は、実施例1に係る基板の側面図である。図4(a)および図4(b)はそれぞれY方向およびX方向から配線基板50をみた側面図であり、絶縁層18を透過して図示している。図4(a)および図4(b)に示すように、金属層12は絶縁層14および16に挟まれている。タイバー12bはコア12aより薄い。タイバー12bはコア12a上部と下部とに互い違いに設けられている。金属層12が厚いと、タイバー12bをエッチングにより形成するときにタイバー12bが太くなる。タイバー12bを薄くすることで、タイバー12bを細くできる。さらに、タイバー12bを互い違いに設けると、タイバー12bのエッチングを金属層12の上面と下面とから行なうことができる。よって、タイバー12bを密に形成できる。さらに、タイバー12bと絶縁層14および16との接触面積が大きくなる。よって、タイバー12bと絶縁層14および16との密着強度を大きくできる。
FIG. 4A and FIG. 4B are side views of the substrate according to the first embodiment. FIGS. 4A and 4B are side views of the
[実施例1の変形例1]
図5(a)から図5(c)は、実施例1の変形例1に係る配線基板の側面図である。図5(a)に示すように、タイバー12bは互い違いに設けられておらず、コア12aの下部に接続されている。図5(b)に示すように、タイバー12bは、コア12aの上部に接続されている。図5(a)および図5(b)に示すように、タイバー12bは、互い違いに設けられていなくてもよい。タイバー12bの厚さはコア12aと同じでもよい。図5(c)に示すように、タイバー12bを設けなくともよい。この場合、図2(a)において、金属層12は全面に設けられ、図2(b)において、切断された金属層12がコアとなるコアの側面が溝部30に露出する。図3(a)において、コアの側面は絶縁層18に接触する。実施例1の変形例1のように、タイバー12bの個数や配置は任意に設定できる。また、タイバー12bは設けなくてもよい。
[Modification 1 of Example 1]
FIG. 5A to FIG. 5C are side views of the wiring board according to the first modification of the first embodiment. As shown in FIG. 5A, the tie bars 12b are not provided alternately but are connected to the lower part of the
[実施例1の変形例2]
図6(a)および図6(b)は、実施例1の変形例2に係る基板の断面図である。図6(a)に示すように、金属層12のコア12aに開口部21が形成されている。開口部21内に電子部品20が搭載されている。電子部品20は、例えば弾性表面波共振器または圧電薄膜共振器を含む弾性波デバイスである。弾性波デバイスは、例えば高周波信号を濾過する高周波フィルタである。電子部品20は、例えばチップコンデンサ、チップインダクタまたはチップ抵抗等のチップ部品でもよい。電子部品20は、例えばアンプまたはスイッチ等の能動素子でもよい。コア12a内には複数の電子部品20が搭載されていてもよい。開口部21内およびダイバー12bの周囲は樹脂層等の絶縁層22が充填されている。
[Modification 2 of Embodiment 1]
6A and 6B are cross-sectional views of the substrate according to the second modification of the first embodiment. As shown in FIG. 6A, an
絶縁層14aおよび14bの下面に配線24aおよび24bが設けられている。絶縁層14bの上面の開口部21内に配線27が設けられている。絶縁層14aおよび14bを貫通するビア配線23aおよび23bが設けられている。ビア配線23aは配線24aと24bを電気的に接続する。ビア配線23bは配線24bと配線27とを電気的に接続する。配線27は電子部品20に接続されている。絶縁層16aおよび16bの上面に配線26aおよび26bが設けられている。絶縁層16bを貫通するビア配線25bが設けられている。ビア配線25bは配線26aと26bを電気的に接続する。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図6(b)に示すように、絶縁層14は3層の絶縁層14aから14cを含み、絶縁層16は3層の絶縁層16aから16cを含む。絶縁層14cの下面に配線24cが設けられ、絶縁層14cの上面に配線27が設けられている。絶縁層14cを貫通するビア配線23cが設けられている。絶縁層16cの上面に配線26cが設けられ、絶縁層16cを貫通するビア配線25cが設けられている。その他の構成は図6(a)と同じであり説明を省略する。
As shown in FIG. 6B, the insulating
実施例1の変形例2のように、絶縁層14および16内の絶縁層の積層数は任意である。絶縁層14aから14cの間には、配線24bおよび24c等の金属層が設けられていてもよい。絶縁層16aから16cの間には、配線26aおよび26b等の金属層が設けられていてもよい。配線基板50は、金属層12に電子部品20が埋め込まれた部品内蔵基板でもよい。
As in the second modification of the first embodiment, the number of stacked insulating layers in the insulating
実施例1およびその変形例によれば、図1(a)に示すように、多層基板10は、1または複数の絶縁層(第1絶縁層)14aおよび14b、金属層12、および1または複数の絶縁層(第2絶縁層)16aおよび16bを備えている。金属層12は絶縁層14上に設けられ、絶縁層16は金属層12上に設けられている。図1(b)および図2(b)のように、多層基板10に絶縁層16および金属層12が切断されるように溝部30を形成する。図1(c)および図3(a)のように、溝部30内に絶縁層18(第3絶縁層)を充填する。図1(d)および図3(b)のように、多層基板10を、金属層12の側面が絶縁層18から露出しないように絶縁層18で切断することで、多層基板10を個片化し、配線基板50を形成する。
According to the first embodiment and its modification, as shown in FIG. 1A, the
これにより、図1(d)および図3(b)のように、配線基板50は、互いに積層された1または複数の絶縁層14aおよび14b(第1絶縁層)と、金属層12と、互いに積層された1または複数の絶縁層16aおよび16b(第2絶縁層)と、絶縁層18(第3絶縁層)を備えている。金属層12は絶縁層14上に設けられている。金属層12の側面は、平面視において絶縁層14の側面の少なくとも下部より内側に位置する。絶縁層16の側面は、平面視において絶縁層14の側面の少なくとも下部より内側に位置する。絶縁層18は、絶縁層16の側面の少なくとも下部、金属層12の側面および絶縁層14の周縁部の上面を覆う。
Thereby, as shown in FIG. 1D and FIG. 3B, the
これにより、タイバー12b等の金属層12の側面が絶縁層18に覆われている。よって、露出した金属層12が外部の部品とカップリングし特性が劣化する。または、露出した金属層12が外部と電気的に接触することを抑制できる。
Thus, the side surface of the
また、図1(b)のように、溝部30を形成するときに、絶縁層14の少なくとも下部に溝部30を形成しない。図1(d)のように、多層基板10を配線基板50に個片化するときに、絶縁層16の少なくとも下部の側面が絶縁層18から露出するように絶縁層18で多層基板10を切断する。これにより、溝部30を形成するときに、多層基板10が個片化されてしまうことを抑制できる。また、絶縁層18が多層基板10の下面まで流れ込むことを抑制できる。
Further, as shown in FIG. 1B, when forming the
図4(a)から図5(b)のように、金属層12は、側方に突出するタイバー12b(突出部)を有し、絶縁層18はタイバー12bの側面を覆うことが好ましい。
As shown in FIGS. 4A to 5B, the
さらに、図1(b)および図2(b)のように、金属層12と絶縁層16を同時に切断することで、金属層12および絶縁層16の側面は略同一平面に設けられる。図1(d)および図3(b)のように、絶縁層18と絶縁層14を同時に切断することで、絶縁層18の側面および絶縁層14の側面の少なくとも下部は略同一平面に設けられる。
Further, as shown in FIGS. 1B and 2B, the
金属層12は絶縁層14a、14b、16aおよび16bのそれぞれの絶縁層より厚い。このように、金属層12が厚い場合、図1(a)のように、金属層12を絶縁層14および16と積層させるときに、タイバー12bを介しまたは直接接続されたコア12aを絶縁層14と16との間に積層する。よって、金属層12の側面が絶縁層14および16から露出してしまう。よって、絶縁層18を設けることが好ましい。
The
タイバー12bは、コア12a(金属層12の中央)より薄い。これにより、金属層12をエッチングしてタイバー12bを形成するときに、エッチング量が少なくて済むため、タイバー12bを簡単に形成できる。ダイバー12bは、絶縁層14a、14b、16aおよび16bのそれぞれより厚いことが好ましい。これにより、コア12aを機械的に接続する強度を大きくできる。
The
絶縁層18の弾性率は絶縁層14および絶縁層16の弾性率より小さい。これにより、図1(c)および図3(b)の状態における多層基板10の反りを抑制できる。例えば絶縁層18は、絶縁層14および18より弾性率の小さいエポキシ系樹脂を用いる。
The elastic modulus of the insulating
図1(c)および図3(a)の状態の多層基板10において、金属層12および絶縁層16は、平面視において溝部30を介し周期的に複数設けられている。絶縁層18は、溝部30内に充填され、金属層12と絶縁層16の側面を覆う。これにより、この状態での多層基板10の運搬が容易となる。
In the
図7(a)から図7(d)は、実施例2に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。図7(a)に示すように、絶縁層18の上面は多層基板10の上面より低くなるように絶縁層18を形成する。絶縁層18は、金属層12の側面は全て覆うが、絶縁層14の側面の上部は露出している。絶縁層18の上面と多層基板10の上面との間隔dは約100μmである。これにより、絶縁層18を形成する樹脂等が多層基板10の上面に広がることを抑制できる。
FIG. 7A to FIG. 7D are cross-sectional views illustrating the module manufacturing method according to the second embodiment. As shown in FIG. 7A, the insulating
図7(b)に示すように、多層基板10上に電子部品28を搭載する。電子部品28は、実施例1の変形例2の電子部品20で例示したものと同じである。電子部品28は、例えば図6(b)の配線27上に搭載される。図7(c)に示すように、多層基板10上に電子部品28を覆うように絶縁層29を形成する。絶縁層29は例えばエポキシ系樹脂等の樹脂であり、モールド成形により形成する。絶縁層29により、絶縁層18の上面が覆われる。
As shown in FIG. 7B, the
図7(d)に示すように、溝部32を形成することで、多層基板10を個片化しモジュール52を形成する。モジュール52の側面には、下から絶縁層14、絶縁層18および絶縁層29が露出しており、金属層12の側面は露出しない。
As shown in FIG. 7D, by forming the
図8は、実施例2に係るモジュールの断面図である。図8に示すように、多層基板10は、部品内蔵基板である。コア12aに開口部21が形成され、開口部21内に電子部品20が内蔵されている。電子部品20は例えば弾性波フィルタである。コア12aに開口部33が形成され、開口部33内にコア12aと電気的に分離されたビア配線34が設けられている。ビア配線34は、絶縁層14内の配線24aまたは24bと絶縁層16内の配線26aまたは26bとを電気的に接続する。絶縁層14の下面および絶縁層16の上面にはそれぞれソルダーレジスト35および39が設けられている。多層基板10上に複数の電子部品28aおよび28bが搭載されている。電子部品28aは例えばアンプである。電子部品28bは例えばチップ部品である。多層基板10のその他の構成は実施例1およびその変形例と同じであり説明を省略する。
FIG. 8 is a cross-sectional view of the module according to the second embodiment. As shown in FIG. 8, the
実施例2によれば、電子部品28、28aおよび28bが多層基板10上に設けられている。多層基板10上に電子部品28、28aおよび28bを覆う絶縁層29(第4絶縁層)が設けられている。これにより、実施例1およびその変形例を用いたモジュール52を形成できる。モジュール52では、金属層12の側面が露出していないため、金属層12と外部の部品とカップリングおよび/または電気的な接触を抑制できる。
According to the second embodiment, the
また、図7(a)のように、絶縁層18の上面は絶縁層16のうち最上の絶縁層16bの上面より低いことが好ましい。これにより、絶縁層18が多層基板10の上面を覆うことを抑制できる。
7A, the upper surface of the insulating
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.
10 多層基板
12 金属層
12a コア
12b タイバー
14、14a−14c 絶縁層
16、16a−16c 絶縁層
18、29 絶縁層
20、28、28a、28b 電子部品
30、32 溝部
50 配線基板
52 モジュール
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記1または複数の第1絶縁層上に設けられ、側面が前記1または複数の第1絶縁層の側面の少なくとも下部より内側に位置する金属層と、
前記金属層上に設けられ、側面が前記第1絶縁層の側面の少なくとも下部より内側に位置し、互いに積層された1または複数の第2絶縁層と、
前記1または複数の第2絶縁層の側面の少なくとも下部、前記金属層の側面および前記1または複数の第1絶縁層の周縁部の上面を覆う第3絶縁層と、
を具備する基板。 One or more first insulating layers stacked on each other;
A metal layer provided on the one or more first insulating layers and having a side surface located at least inside a lower side of the side surface of the one or more first insulating layers;
One or a plurality of second insulating layers provided on the metal layer, the side surfaces of which are located at least below the side surfaces of the first insulating layer, and are stacked on each other;
A third insulating layer that covers at least the lower part of the side surface of the one or more second insulating layers, the side surface of the metal layer, and the upper surface of the peripheral edge of the one or more first insulating layers;
A substrate comprising:
前記第3絶縁層は前記突出部の側面を覆う請求項1記載の基板。 The metal layer has a protruding portion protruding sideways,
The substrate according to claim 1, wherein the third insulating layer covers a side surface of the protruding portion.
前記第3絶縁層の側面および前記1または複数の第1絶縁層の側面の少なくとも下部は略同一平面に設けられている請求項1または2記載の基板。 Side surfaces of the metal layer and the one or more second insulating layers are provided on substantially the same plane,
3. The substrate according to claim 1, wherein a side surface of the third insulating layer and at least a lower portion of a side surface of the one or more first insulating layers are provided on substantially the same plane.
前記基板上に設けられた電子部品と、
前記電子部品を封止する第4絶縁層と、
を具備するモジュール。 A substrate according to any one of claims 1 to 8,
Electronic components provided on the substrate;
A fourth insulating layer for sealing the electronic component;
A module comprising:
前記1または複数の第1絶縁層上に、平面視において溝部を介し周期的に複数設けられた金属層と、
前記金属層上に設けられ前記溝部を介し周期的に設けられた互いに積層された1または複数の第2絶縁層と、
前記溝部内に充填され、前記金属層と前記1または複数の第2絶縁層との側面を覆う第3絶縁層と、
を具備する基板。 One or more first insulating layers stacked on each other;
On the one or more first insulating layers, a plurality of metal layers periodically provided via grooves in plan view,
One or a plurality of second insulating layers stacked on each other provided on the metal layer and periodically provided through the groove;
A third insulating layer filled in the groove and covering side surfaces of the metal layer and the one or more second insulating layers;
A substrate comprising:
前記溝部内に第3絶縁層を充填する工程と、
前記金属層の側面が前記第3絶縁層から露出しないように前記第3絶縁層で切断することで、前記積層基板を個片化する工程と、
を含む基板の製造方法。 One or more first insulating layers stacked on each other, a metal layer provided on the one or more first insulating layers, and one or more second insulating layers provided on the metal layer and stacked on each other Forming a groove in the laminated substrate having a layer so that the one or more second insulating layers and the metal layer are cut;
Filling the groove with a third insulating layer;
Cutting the third insulating layer into pieces by cutting the third insulating layer so that side surfaces of the metal layer are not exposed from the third insulating layer;
The manufacturing method of the board | substrate containing this.
前記積層基板を個片化する工程は、前記1または複数の第1絶縁層の前記少なくとも下部の側面が前記第3絶縁層から露出するように前記第3絶縁層で切断する工程を含む請求項11記載の基板の製造方法。 The step of forming the groove is a step of forming the groove so that at least the lower part of the one or more first insulating layers remains.
The step of dividing the laminated substrate into pieces includes a step of cutting with the third insulating layer so that the at least lower side surface of the one or more first insulating layers is exposed from the third insulating layer. 11. A method for producing a substrate according to 11.
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