JP2018014498A - Laminated structure, switching element, magnetic device, and high frequency device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、積層構造体、スイッチング素子、磁気デバイスおよび高周波デバイスに関する。 The present invention relates to a laminated structure, a switching element, a magnetic device, and a high frequency device.
近年、電子の電荷とスピンを同時に利用するスピントロニクス(spin+electronics)という分野が注目されている。スピントロニクスは、トンネル磁気抵抗(TMR)効果に代表される磁気抵抗効果素子の急速な発達により発展している。磁気抵抗効果素子等は、ハードディスクドライブ(HDD)や、磁気抵抗メモリ(MRAM)といった形態で産業に大きく貢献している。また、磁気抵抗効果素子の高周波特性を利用したマイクロ波の発振といった高周波デバイスへの産業利用なども提案されている。 In recent years, a field called spintronics (spin + electronics) that uses the charge and spin of electrons simultaneously has attracted attention. Spintronics has been developed by the rapid development of magnetoresistive elements represented by the tunnel magnetoresistive (TMR) effect. Magnetoresistive elements and the like greatly contribute to the industry in the form of hard disk drives (HDD) and magnetoresistive memories (MRAM). In addition, industrial use for high-frequency devices such as microwave oscillation using the high-frequency characteristics of magnetoresistive elements has also been proposed.
上記のデバイスを構成する要素として、電磁誘導を利用した磁場印加機構が存在する。これらのデバイスは、電流を利用にすることにより発生する消費エネルギーの低減が課題となっている。 As an element constituting the above device, there is a magnetic field application mechanism using electromagnetic induction. These devices have a problem of reducing energy consumption generated by using current.
特許文献1には、電流ではなく電圧を用いることにより、磁場印加に必要なエネルギーを省電力化する方法が記載されている。特許文献1に記載のスイッチング素子は、磁性薄膜と強誘電体との接合界面で磁性薄膜の磁気歪みを電圧制御する。この方法を利用したスイッチング素子は、磁気ヘッドの書き込み動作において、電磁誘導を利用する場合に比べ、消費エネルギーを大きく低減することが可能である。
しかしながら、特許文献1に記載されているような単結晶の強誘電体基板を用いた場合、磁気歪みによる磁化方向の制御のために必要な電圧は500V程度となり、比較的大きな電圧を加える必要があった。
However, when a single crystal ferroelectric substrate as described in
本発明は、強磁性体の磁化方向の電圧制御をより低エネルギーで実現することを可能にする積層構造体、スイッチング素子、磁気デバイスおよび高周波デバイスを提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a laminated structure, a switching element, a magnetic device, and a high-frequency device that can realize voltage control in the magnetization direction of a ferromagnetic material with lower energy.
発明者らは鋭意検討の結果、積層される各層の実際の格子間隔を規定することで、強磁性体の磁化方向をより低エネルギーで電圧制御できることを見出した。具体的には、以下の手段を提供する。 As a result of intensive studies, the inventors have found that the voltage of the magnetization direction of the ferromagnetic material can be controlled with lower energy by defining the actual lattice spacing of each layer to be laminated. Specifically, the following means are provided.
(1)第1の態様にかかる積層構造体は、下部電極と、強誘電層と、強磁性層と、を順に有し、前記下部電極の実際の格子間隔は、前記強誘電層の実際の格子間隔より広く、前記強誘電層を構成する強誘電体が、チタン酸バリウムまたはチタン酸鉛を少なくとも含む。 (1) The multilayer structure according to the first aspect includes a lower electrode, a ferroelectric layer, and a ferromagnetic layer in order, and the actual lattice spacing of the lower electrode is the actual lattice spacing of the ferroelectric layer. The ferroelectric material which is wider than the lattice spacing and forms the ferroelectric layer contains at least barium titanate or lead titanate.
(2)上記態様にかかる積層構造体は、前記下部電極の前記強誘電層と反対側の面に下地層をさらに備えてもよい。 (2) The laminated structure according to the above aspect may further include a base layer on the surface of the lower electrode opposite to the ferroelectric layer.
(3)上記態様にかかる積層構造体において、前記下地層の実際の格子間隔が、前記下部電極の実際の格子間隔より広くてもよい。 (3) In the laminated structure according to the above aspect, the actual lattice spacing of the base layer may be wider than the actual lattice spacing of the lower electrode.
(4)上記態様にかかる積層構造体において、前記下地層が、マグネシウムアルミネートスピネル又はチタン酸ストロンチウムのいずれかであってもよい。 (4) In the laminated structure according to the above aspect, the base layer may be either magnesium aluminate spinel or strontium titanate.
(5)上記態様にかかる積層構造体において、前記下部電極が、ルテニウム酸バリウムストロンチウム、ニオブドープされたチタン酸ストロンチウム、ランタンドープされたスズ酸バリウム、モリブデン酸ストロンチウム、ニオブ酸ストロンチウム、チタン酸バリウムニオブからなる群から選択される少なくとも一つを含んでもよい。 (5) In the laminated structure according to the above aspect, the lower electrode is made of barium strontium ruthenate, niobium-doped strontium titanate, lanthanum-doped barium stannate, strontium molybdate, strontium niobate, and barium niobium titanate. It may include at least one selected from the group consisting of:
(6)上記態様にかかる積層構造体において、前記強誘電層の厚さが50nm〜300nmであってもよい。 (6) In the multilayer structure according to the above aspect, the ferroelectric layer may have a thickness of 50 nm to 300 nm.
(7)上記態様にかかる積層構造体において、前記強磁性層がCu層とNi層との積層体であってもよい。 (7) In the laminated structure according to the above aspect, the ferromagnetic layer may be a laminated body of a Cu layer and a Ni layer.
(8)第2の態様にかかるスイッチング素子は、上記態様にかかる積層構造体を備える。 (8) The switching element concerning a 2nd aspect is provided with the laminated structure concerning the said aspect.
(9)第3の態様にかかる磁気デバイスは、上記態様にかかる積層構造体を備える。 (9) A magnetic device according to a third aspect includes the laminated structure according to the aspect.
(10)第4の態様にかかる高周波デバイスは、上記態様にかかる積層構造体を備える。 (10) A high frequency device according to a fourth aspect includes the multilayer structure according to the aspect.
上記態様にかかる積層構造体、スイッチング素子、磁気デバイスおよび高周波デバイスによれば、強磁性体の磁化方向をより低電圧で電圧制御できる。 According to the multilayer structure, the switching element, the magnetic device, and the high-frequency device according to the above aspect, the magnetization direction of the ferromagnetic material can be controlled with a lower voltage.
以下、本発明における好ましい実施形態を示す。しかし、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、形態が本発明の技術的思想を有するものである限り、本発明の範囲に含まれる。各実施形態における各構成及びそれらの組み合わせなどは一例であり、本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、及びその他の変更が可能である。また、本発明は実施形態によって限定されることはなく、特許請求の範囲によってのみ限定される。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. However, the present invention is not limited to these embodiments, and is included in the scope of the present invention as long as the form has the technical idea of the present invention. Each configuration in each embodiment, a combination thereof, and the like are examples, and the addition, omission, replacement, and other changes of the configuration can be made without departing from the spirit of the present invention. Further, the present invention is not limited by the embodiments, and is limited only by the scope of the claims.
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る積層構造体1の積層構造を示す断面図である。第1実施形態1の積層構造体1は、下地層2と、下部電極3と、強誘電層4と、強磁性層5とを備える。各層は、エピタキシャル成長により形成されている。ここで「エピタキシャル成長」とは、基準となる結晶の上に、基準となる結晶の面方位と同一の面方位をもちながら結晶成長することである。基準となる結晶に対して結晶面が回転している場合でも、面方位が同じであればエピタキシャル成長に含まれる。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a laminated structure of the laminated
下地層2は、結晶成長の基準となる層である。下地層2は、積層された層でもよいし、基板でもよい。下部電極3が、結晶成長の基準として十分機能する場合は、下地層2を有していなくてもよい。
The
下地層2は、マグネシウムアルミネートスピネル(MgAl2O4)又はチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)のいずれかであることが好ましい。これらの材料を用いた結晶は(001)配向し、下地層2上に下部電極3を好適にエピタキシャル成長できる。
The
マグネシウムアルミネートスピネルは、バルクの格子定数がa=0.405と大きい。下地層2のバルクの格子定数が大きいと、積層される下部電極3の実際の格子間隔を広げる方向に、引張り歪みを与えることができる。下部電極3の実際の格子間隔が広がると、強誘電層4に引張り歪みを与えやすくなり、強誘電層4の分極方向を面内分極に維持しやすくなる。
Magnesium aluminate spinel has a large bulk lattice constant of a = 0.405. When the bulk lattice constant of the
ここで「格子定数」とは結晶軸の理論的な長さを意味し、「実際の格子間隔」とは各層を積層した後の実際の原子間の距離を意味する。実際の原子間の距離は、積層している二層の間の移行領域における原子間の距離ではなく、積層界面から数原子層以上離れた位置における原子間の距離に対応する。 Here, “lattice constant” means the theoretical length of the crystal axis, and “actual lattice spacing” means the actual distance between atoms after the layers are stacked. The actual distance between atoms does not correspond to the distance between atoms in the transition region between two stacked layers, but corresponds to the distance between atoms at a position away from the stack interface by several atomic layers or more.
他方、チタン酸ストロンチウムはバルクの格子定数がa=0.3905であり、バルクの格子定数はマグネシウムアルミネートスピネルより小さい。一方で、単結晶を得やすく、当該材料を基準となる結晶とすると、デバイスの汎用性が高まる。 On the other hand, strontium titanate has a bulk lattice constant of a = 0.3905, which is smaller than that of magnesium aluminate spinel. On the other hand, when a single crystal is easily obtained and the material is a reference crystal, the versatility of the device is enhanced.
下部電極3の実際の格子間隔は、強誘電層4の実際の格子間隔より広い。そのため、下部電極3は強誘電層4に引張り歪みを加える。強誘電層4は、引張り歪により分極方向が面内方向に配向する。
The actual lattice spacing of the
下部電極3は、ルテニウム酸バリウムストロンチウム(BaxSr1−xRuO3)(例えば0.25≦x≦0.40)、ニオブドープされたチタン酸ストロンチウム(SrTi1−xNbxO3)(例えば0.01≦x≦0.05)、ランタンドープされたスズ酸バリウム(Ba1−xLaxSnO3)(例えば0.01≦x≦0.05)、モリブデン酸ストロンチウム(SrMoO3)、ニオブ酸ストロンチウム(SrNbO3)、チタン酸バリウムニオブ(BaNbxTi1−xO3)(例えば0.2≦x≦0.5)から選択される少なくとも一つ以上の酸化物を含むことが好ましい。なお、チタン酸バリウムニオブ(BaNbxTi1−xO3)は、0≦x<0.2の場合においては絶縁体となるため、下部電極には適さない。またモリブデン酸ストロンチウム(SrMoO3)は、バルクの格子定数が小さく、その他の材料よりも強誘電層4に引張り歪みを与えにくい。
The
下部電極3の膜厚は、10nm以上200nm以下であることが望ましく、10nm以上50nm以下であることがより望ましい。下部電極3の膜厚が薄すぎると、導電性を確保しにくくなる。また下部電極3の膜厚が厚すぎると、膜平坦性が悪化する。また下部電極3の膜厚が厚すぎると、下部電極3がルテニウム酸バリウムストロンチウム、ニオブドープされたチタン酸ストロンチウム、モリブデン酸ストロンチウム、ニオブ酸ストロンチウムの場合に、マグネシウムアルミネートスピネルによって広げられた下部電極3の実際の格子間隔(面内格子定数)が緩和してしまうおそれがある。マグネシウムアルミネートスピネルによる下部電極3の面内格子定数の拡大については後述する。
The film thickness of the
下地層2と下部電極3との間には、バッファ層を設けてもよい。バッファ層は、下地層2と下部電極3との間の格子不整合を緩和する。バッファ層には、バルクの格子定数が下地層2と下部電極3の間である材料を用いることが好ましい。
A buffer layer may be provided between the
例えば、下地層2がマグネシウムアルミネートスピネルで、下部電極3がランタンドープされたスズ酸バリウム又はチタン酸バリウムニオブである場合は、例えばニオブの組成が小さいチタン酸バリウムニオブ(BaNbxTi1−xO3)(0≦x<0.2)をバッファ層として用いることが好ましい。
For example, when the
また例えば、下地層2がマグネシウムアルミネートスピネルで、下部電極3がルテニウム酸バリウムストロンチウム、ニオブドープされたチタン酸ストロンチウム、モリブデン酸ストロンチウム、ニオブ酸ストロンチウムのいずれかである場合は、例えばチタン酸バリウムなどをバッファ層として用いることが好ましい。
For example, when the
バッファ層の膜厚は、例えば2〜10nm程度とすることが好ましい。膜厚が薄すぎるとバッファ層が安定して形成されにくく、膜厚が厚すぎると膜平坦性が悪化する。また下地層2によって広げられたバッファ層の実際の格子間隔(面内格子定数)が、下部電極3に至るまでに緩和してしまう。マグネシウムアルミネートスピネルによるバッファ層の実際の格子間隔(面内格子定数)の拡大については後述する。
The film thickness of the buffer layer is preferably about 2 to 10 nm, for example. If the film thickness is too thin, the buffer layer is difficult to be formed stably, and if the film thickness is too thick, the film flatness deteriorates. In addition, the actual lattice spacing (in-plane lattice constant) of the buffer layer expanded by the
強誘電層4は、下部電極3の上にエピタキシャル成長させる事が可能であり、かつ自発分極を示す正方晶系ペロブスカイト構造を有する材料を含む。具体的には、強誘電層4は、チタン酸バリウム(BaTiO3)又はチタン酸鉛(PbTiO3)の少なくとも一方を含む。強誘電層4は、下部電極3との界面において引張り歪みを受ける。その結果、強誘電層4の分極方向が面内方向になる。
The ferroelectric layer 4 includes a material that can be epitaxially grown on the
強誘電層4の膜厚は、50nm〜300nmの範囲であることが望ましい。強誘電層4の膜厚が50nm〜300nmで規定されていることによって、電圧印加時に絶縁破壊を引き起こす恐れが生じることや、強誘電体の面内格子定数が次第に緩和され、強誘電層4の誘電分極が面直配向に戻ることを防ぐことができる。すなわち、強誘電層4の分極方向を面内分極に維持しやすくなる。 The film thickness of the ferroelectric layer 4 is desirably in the range of 50 nm to 300 nm. When the film thickness of the ferroelectric layer 4 is defined in the range of 50 nm to 300 nm, there is a risk of causing dielectric breakdown when a voltage is applied, and the in-plane lattice constant of the ferroelectric is gradually relaxed. It is possible to prevent the dielectric polarization from returning to the plane orientation. That is, it becomes easy to maintain the polarization direction of the ferroelectric layer 4 in the in-plane polarization.
強磁性層5は、強誘電層4の上にエピタキシャル成長させる事が可能であり、かつ垂直磁気異方性を有することが好ましい。具体的には強磁性層5は、強磁性体Niと非磁性体Cuとを、Cuを下地として互い違いに複数回積層させた多層膜であることが望ましい。図2では、Ni層7a、7b、7cと、Cu層8a、8b、8cとが、互い違いに3周期積層された構造を図示した。なお、強磁性体を主成分とするNi層7a、7b、7cと、Cu層8a、8b、8cが有する周期構造は、3周期に限られず、1周期でも良い。層の境界面を平坦にし、より強磁性体の磁化方向を安定させるためには、強磁性層5は複数の周期構造を有することが好ましい。
The
強磁性層5をこのような構造にすることによって、強磁性層5を構成するCuのエピタキシャル成長が可能となる。またCuがエピタキシャル成長することによって、Niの格子が面内に引き伸ばされ、面直方向の磁化が安定的になる。
By making the
なお、垂直磁気異方性を有する材料として、Mn−Ga系合金、Mn−Al系合金、Mn−Ge系合金、Co、Co/Niの多層膜、Co/Ptの多層膜、Co/Pdの多層膜、Co/Ruの多層膜、Co/Auの多層膜、Co/非磁性体の多層膜、Co−Cr系合金、Co−Pt系合金、Fe−Pt系合金、Fe−Rh系合金、Fe−Pd系合金、希土類を含むSm−Co系合金、Tb−Fe−Co合金またはホイスラー合金なども適用可能であると考えられる。 In addition, as a material having perpendicular magnetic anisotropy, Mn—Ga alloy, Mn—Al alloy, Mn—Ge alloy, Co, Co / Ni multilayer, Co / Pt multilayer, Co / Pd multilayer Multilayer film, Co / Ru multilayer film, Co / Au multilayer film, Co / non-magnetic multilayer film, Co—Cr alloy, Co—Pt alloy, Fe—Pt alloy, Fe—Rh alloy, An Fe—Pd alloy, an Sm—Co alloy containing a rare earth, a Tb—Fe—Co alloy, or a Heusler alloy may be applicable.
強誘電層4と強磁性層5との間には、バッファ層を設けてもよい。バッファ層は、強誘電層4と強磁性層5との間の格子不整合を緩和する。バッファ層には、格子定数が強誘電層4と強磁性層5のバルクの格子定数の間である材料、例えばFe、Crなどを用いることが好ましい。バッファ層の膜厚は、例えば1〜5nm程度とすることが好ましい。バッファ層が薄すぎるとバッファ層を安定して形成することが難しくなり、膜厚が厚すぎると強誘電層4のひずみがバッファ層で緩和され、強磁性層5に伝わらなくなる恐れがある強誘電層4から強磁性層5に伝わるひずみの関係については後述する。
A buffer layer may be provided between the ferroelectric layer 4 and the
強磁性層5の下部電極3と反対側の面には上部電極を有する。上部電極は、Ti、Ta、Cu、Au、Au50Cu50、Ru、Pt、もしくはこれらのいずれか2つ以上の膜で構成されており、その膜厚は5nm〜30nmであることが望ましい。
An upper electrode is provided on the surface of the
例えば、バッファ層、強磁性層、上部電極の組合せとして以下のような組合せが挙げられる。バッファ層はFe(1nm)であり、強磁性層はCu(9nm)とNi(2nm)とを交互に3周期積層させた多層膜であり、上部電極はCu(9nm)/Au(5nm)である。当該構成では、下部電極3、強誘電層4、強磁性層5のいずれもが、エピタキシャル成長する。
For example, combinations of the buffer layer, the ferromagnetic layer, and the upper electrode include the following combinations. The buffer layer is Fe (1 nm), the ferromagnetic layer is a multilayer film in which Cu (9 nm) and Ni (2 nm) are alternately stacked for three periods, and the upper electrode is Cu (9 nm) / Au (5 nm). is there. In this configuration, all of the
なお、本発明においては、積層構造体1の積層構造は実施形態1の限りではなく、本発明の効果が得られる場合において、各層の間に薄い層を配置してもよい。また、いずれの層においても、エピタキシャル成長が可能な範囲であれば、欠損が生じたり、不純物が含まれていてもよい。
In the present invention, the stacked structure of the stacked
以下の表1に、各層を構成する材料、及び、各層を構成し得る材料のバルクの格子定数を示す。 Table 1 below shows the material constituting each layer and the bulk lattice constant of the material that can constitute each layer.
表1において、単位格子の短軸方向の格子定数をaとし、長軸方向の格子定数をcとした。また、下地層2およびチタン酸バリウムニオブを除く下部電極3の材料は立方晶であり、各バルクの格子定数の長さは均一であるため、cの表記は省略した。下部電極3の材料において、ルテニウム酸バリウムストロンチウムおよびチタン酸バリウムニオブの格子定数は、バリウムとストロンチウムまたはバリウムとニオブの組成比によって変化し、ニオブドープされたチタン酸ストロンチウムおよびランタンドープされたスズ酸バリウムの格子定数は、ニオブまたはランタンのドープ量によって変化する。
In Table 1, the lattice constant in the short axis direction of the unit cell is a, and the lattice constant in the long axis direction is c. Further, since the material of the
下部電極3と強誘電層4の短軸方向の格子定数を比較すると、ランタンドープされたスズ酸バリウムおよびチタン酸バリウムニオブのバルク(下部電極3)の格子定数は、強誘電層4を構成するいずれの材料の格子定数よりも大きい。そのため、当該格子定数の差により、下部電極3は接合界面を通じて強誘電層4に引張歪みを加える。その結果、強誘電層4の誘電分極は面内配向する。
When the lattice constants in the short axis direction of the
一方で、下部電極3がルテニウム酸バリウムストロンチウム、ニオブドープされたチタン酸ストロンチウム及びモリブデン酸ストロンチウムの場合は、強誘電層4を構成する材料より格子定数が小さい。この場合、格子定数を単純比較すると、強誘電層4に引張り歪を与えることができない。しかしながら、下地層2にマグネシウムアルミネートスピネルを用いると、下地層2の影響を受けて下部電極3の実際の格子間隔は広がる。そのため、当該実際の格子間隔の差により、下部電極3は接合界面を通じて強誘電層4に引張歪みを加える。その結果、強誘電層4の誘電分極は面内配向する。
On the other hand, when the
また表1に示すように、マグネシウムアルミネートスピネル(下地層2)のバルクの格子定数は、下部電極3におけるルテニウム酸バリウムストロンチウム、ニオブドープされたチタン酸ストロンチウム、モリブデン酸ストロンチウム及びニオブ酸ストロンチウムのバルクの格子定数よりも大きい。そのため、下地層2としてマグネシウムアルミネートスピネルを用いると、引張歪により下部電極3の実際の格子間隔を広げることができる。その結果、下部電極3は接合界面を通じて強誘電層4に引張歪みを加えることが可能となり、強誘電層4の誘電分極を面内配向させることが可能となる。
Further, as shown in Table 1, the bulk lattice constant of the magnesium aluminate spinel (underlayer 2) is the bulk lattice constant of barium strontium ruthenate, niobium doped strontium titanate, strontium molybdate and strontium niobate in the
これに対し、表1に示すように、チタン酸ストロンチウム(下地層2)のバルクの格子定数は、下部電極3の格子定数より小さい。そのため、下地層2にチタン酸ストロンチウムを用いる場合は、下地層2が引張歪により下部電極3の実際の格子間隔を広げることができない。従って、下地層2にチタン酸ストロンチウムを用いる場合は、下部電極3のバルクの格子定数が、強誘電層4のバルクの格子定数より大きくなるように設定する。
On the other hand, as shown in Table 1, the bulk lattice constant of strontium titanate (underlayer 2) is smaller than the lattice constant of the
また下部電極3および強誘電層4をエピタキシャル成長させるためには、下地層2の面内格子定数はいずれの層の面内格子定数と近いことが求められる。この観点から、下地層は、マグネシウムアルミネートスピネル又はチタン酸ストロンチウムが下地層2として適した材料であると言える。
In order to epitaxially grow the
なお、下地層2と下部電極3との間にバッファ層を挿入する場合も、下地層2と下部電極3との接合界面を通じて、バッファ層は引張歪みを受ける。例えば、下地層2をマグネシウムアルミネートスピネルとし、下部電極3をルテニウム酸バリウムストロンチウム、ニオブドープされたチタン酸ストロンチウム、モリブデン酸ストロンチウム、ニオブ酸ストロンチウムとする場合に、バッファ層を挿入する。引張歪みをうけたバッファ層は下地層2からの引張歪により実際の格子間隔が拡張され、下部電極3に引張歪みを加える。その結果、下部電極3の実際の格子間隔が拡張する。そして、下部電極3は接合界面を通じて、強誘電層4に引張歪みを加え、強誘電層4の誘電分極を面内配向させる。
Even when a buffer layer is inserted between the
強誘電層4において自発分極を示す正方晶系ペロブスカイト構造の強誘電体は、二つのタイプの強誘電ドメインを有する。一方の強誘電ドメインは、積層体の面内方向に誘電分極が配向しており、他方の強誘電ドメインは積層体の面直方向に誘電分極が配向している。面内方向に分極する場合は面内方向に長方形の格子を有し、面直方向に分極する場合は面内方向に正方形の格子を有する。磁化方向制御技術においては、面内方向に分極する強誘電ドメインが支配的であることが重要である。 A ferroelectric with a tetragonal perovskite structure that exhibits spontaneous polarization in the ferroelectric layer 4 has two types of ferroelectric domains. One ferroelectric domain has dielectric polarization oriented in the in-plane direction of the laminate, and the other ferroelectric domain has dielectric polarization oriented in the direction perpendicular to the laminate. In the case of polarization in the in-plane direction, a rectangular lattice is provided in the in-plane direction, and in the case of polarization in the perpendicular direction, a square lattice is provided in the in-plane direction. In the magnetization direction control technique, it is important that the ferroelectric domain polarized in the in-plane direction is dominant.
面内方向に分極する強誘電ドメインが支配的である強誘電層4に対し、面直方向に電圧を印加すると、面内方向に分極していた強誘電ドメインの分極方向が面直方向に変化する。この変化に応じて、強誘電層4の面内方向の格子は長方形から正方形に変形する。この格子の変形に伴い、強誘電層4と強磁性層5との接合界面に生じるひずみが強磁性層5に伝わり、強磁性層5の磁化方向を面直方向から面内方向に変化する。以上により、強磁性層5の磁化方向をスイッチングすることができる。
When a voltage is applied to the ferroelectric layer 4 in which the ferroelectric domain polarized in the in-plane direction is dominant, the polarization direction of the ferroelectric domain polarized in the in-plane direction changes to the in-plane direction. To do. In response to this change, the lattice in the in-plane direction of the ferroelectric layer 4 is deformed from a rectangle to a square. Along with the deformation of the lattice, the strain generated at the junction interface between the ferroelectric layer 4 and the
また本実施形態にかかる積層構造体は強誘電層4を構成する強誘電体が薄膜であるため、基板を使用する場合と比べて強誘電層4の厚みが薄く、必要な駆動電圧を大きく低減できる。 In the multilayer structure according to the present embodiment, the ferroelectric layer 4 is a thin film, so that the thickness of the ferroelectric layer 4 is smaller than that when a substrate is used, and the required driving voltage is greatly reduced. it can.
特許文献1においてスイッチング素子に印加している電界(10kV/cm)を適用すると、強誘電層4の膜厚が50nmの場合、スイッチングの際に必要な電圧は50mVであり、強誘電層4の膜厚が300nmの場合、スイッチングの際に必要な電圧は300mVである。
When the electric field (10 kV / cm) applied to the switching element in
また下部電極3から上部電極6の積層方向に対して垂直な面の形状は、特に限定されず、円でも楕円でも、多角形でもよい。
The shape of the surface perpendicular to the stacking direction of the
(第2実施形態)
図3は、第2実施形態のスイッチング素子11の積層構造を示す断面図である。図3に示す第2実施形態に係るスイッチング素子11は、下地層2に対して下部電極3を積層した後、下部電極3の表面を一部露出させている。そして下部電極3上に、強誘電層4、強磁性層5、上部電極6をこの順に積層している。
(Second Embodiment)
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a laminated structure of the switching
また露出した下部電極3および上部電極6の上にそれぞれ電極9が設置され、電極9同士は電源10と電気的に接続されている。電源10からスイッチング素子11に電圧を印加することに依って第1実施形態の場合と同様の原理によって強磁性層5の磁化方向を切り替え制御できる。
なお、ここで積層構造体1に対する電圧の印加方向は、下部電極3から上部電極6の面直方向またはその逆方向とする。
Here, the direction in which the voltage is applied to the
(第3実施形態)
図4は、本実施形態にかかる磁気デバイスの一例を示す概略図である。図4では、磁気デバイスの一例として磁気ヘッド12に積層構造体1を用いる場合を例示している。電源13から積層構造体1に対して電圧を印加しない場合、強磁性層5の磁化方向が面直方向となる。これに対して、スイッチ14を入力して、積層構造体1に電圧を印加すると、磁化方向が面直方向から面内方向に切り替わる。
(Third embodiment)
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a magnetic device according to the present embodiment. In FIG. 4, the case where the
このように、磁化方向が面直方向から面内方向に切り替わることによって、積層構造体1の強磁性層5からの漏れ磁場が変化する。この漏れ磁場を用いて、不図示の磁気メディアに書き込みを行うことができる。すなわち、強磁性層5の漏れ磁場を電圧により制御することによって、磁気ヘッドを用いた書き込み動作を制御できる。
As described above, when the magnetization direction is switched from the perpendicular direction to the in-plane direction, the leakage magnetic field from the
(第4実施形態)
図5は、本実施形態にかかる磁気デバイスの一例を示す概略図である。図5では、磁気デバイスの一例としてスピントランジスタ15に積層構造体1を用いる場合を例示している。スピントランジスタ15は、半導体チャネル層18の両端に磁性電極16a、16bが、半導体チャネル層18の中央部分に積層構造体1が、それぞれ電気的に接続された構造をしている。また積層構造体1にはゲート電極17を介して電源13が取り付けられている。磁性電極16aはソース電極の機能を有し、磁性電極16bはドレイン電極の機能を有し、半導体チャネル層18はスピン偏極電流を流す機能を有する。電源13から積層構造体1に対して電圧を印加しない場合、強磁性層5の磁化方向が面直方向となる。これに対して、積層構造体1に電圧を印加すると、磁化方向が面直方向から面内方向に切り替わる。積層構造体1の強磁性層5からの漏れ磁場が変化することで、半導体チャネル層18を流れるスピン偏極電流のスピン方向を制御できる。
(Fourth embodiment)
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example of a magnetic device according to the present embodiment. In FIG. 5, the case where the
(第5実施形態)
図6は、本実施形態にかかる高周波デバイスの一例を示す概略図である。図6では、高周波デバイスの一例として無配線信号伝達に用いられる発振装置19に積層構造体1を用いる場合を例示している。発振装置19は、磁気抵抗効果素子20と積層構造体1を含んだ信号発生部21と、電源部22と、信号増幅部23とを有する。電源部22から積層構造体1に電圧を印加することにより、強磁性層5の磁化方向が面内方向を向き、磁気抵抗効果素子20の発振に必要な磁界を印加する。電源部22による印加電流により発振する積層構造体1からの信号は、信号増幅部23により所望の出力に増幅され、信号伝達に使用される。
(Fifth embodiment)
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of the high-frequency device according to the present embodiment. In FIG. 6, the case where the
上記の第1実施形態〜第5実施形態では、下地層2自体がある程度の厚みを有し基板として機能している場合を図示している。当該場合に限られず、他の基板上に下地層((001)配向を有する膜)を形成したものを用いてもよい。この場合でも、下地層2は下部電極3に引張り歪を与え、下部電極3の実際の格子間隔は拡張され、強誘電層4の短軸方向の格子定数よりも大きくなる。その結果、下部電極3は、接合界面を通じて強誘電層4に引張歪みを加え、強誘電層4の誘電分極を面内配向させる。
In said 1st Embodiment-5th Embodiment, the case where
このように、第1実施形態にかかる積層構造体1を第2実施形態〜第5実施形態にかかる磁気デバイス(例えば、磁気ヘッドやスピントランジスタ)または高周波デバイス(例えば、発振装置)に適用することで、電流を用いずに電圧のみで磁化方向を制御できる。すなわち磁気デバイスまたは高周波デバイスの動作時における消費電力を著しく低減できる。
As described above, the
(実施例1)
第1実施形態にかかる積層構造体1の一部を作製した。下地層2としてMgAl2O4基板を用い、その上にスパッタリング装置およびPLD(Pulsed Laser Deposition)装置を用いて、第1のバッファ層、下部電極3、強誘電層4を、この順に成膜した。各層の膜構成は、第1のバッファ層をBaTiO3(7nm)、下部電極3をBa0.4Sr0.6RuO3(20nm)、強誘電層4をBaTiO3(160nm)とした。なお、括弧内の数値は各層の厚さである。
Example 1
A part of the
以上の手法で作製した実施例1の積層構造体に対して、XRD測定を行った。表2は、XRD測定で得られたチタン酸バリウムに該当する回折ピークに対して、Voigt関数を用いてフィッティングを行い、算出したチタン酸バリウムの面内および面直の実際の格子間隔を示している。 XRD measurement was performed on the laminated structure of Example 1 manufactured by the above method. Table 2 shows the actual lattice spacing in the plane and in the plane of the barium titanate calculated by fitting the diffraction peak corresponding to barium titanate obtained by XRD measurement using the Voigt function. Yes.
表2において、a1、a2が面内方向の実際の格子間隔を表し、cが面直方向の実際の格子間隔を表している。表2より、実施例1の積層構造体における強誘電層4の面内方向の格子間隔は、2種類存在していることが分かる。これは、面内方向の単位格子が長方形を形成し、強誘電層4が面内分極していることを示唆している。MgAl2O4基板からの引張歪みにより下部電極3の実際の格子間隔が拡張され、下部電極3の実際の格子間隔が強誘電層4を構成する強誘電体のバルクの格子定数より大きくなり、下部電極3が強誘電層4に引張り歪を与えていると考えられる。その結果、実施例1では面内方向に強誘電層4の格子間隔が引き伸ばされ、面内分極した強誘電層4が形成されたと考えられる。
In Table 2, a 1 and a 2 represent the actual lattice spacing in the in-plane direction, and c represents the actual lattice spacing in the perpendicular direction. From Table 2, it can be seen that there are two types of lattice spacings in the in-plane direction of the ferroelectric layer 4 in the laminated structure of Example 1. This suggests that the unit cell in the in-plane direction forms a rectangle, and the ferroelectric layer 4 is in-plane polarized. The actual lattice spacing of the
(実施例2)
実施例1と同様に、積層構造体1を作製した。実施例2では、下地層2としてSrTiO3基板を用いた点、下部電極3をBaNb0.2Ti0.8O3(75nm)とした点、強誘電層4をBaTiO3(200nm)とした点が異なる。その他の構成は、実施例1と同様にした。なお、括弧内の数値は各層の厚さである。
(Example 2)
A
以上の方法で作製した実施例2の積層構造体に対して、XRD測定を行った。表3は、XRD測定で得られたチタン酸バリウムに該当する回折ピークに対して、Voigt関数を用いてフィッティングを行い、算出したチタン酸バリウムの面内および面直の格子定数を示している。 XRD measurement was performed on the laminated structure of Example 2 manufactured by the above method. Table 3 shows the lattice constants of in-plane and perpendicular to the barium titanate calculated by fitting the diffraction peak corresponding to barium titanate obtained by XRD measurement using the Voigt function.
表3に示すように、チタン酸バリウムの面内の格子間隔は0.405であった。この格子間隔は、チタン酸バリウムの格子定数よりも大きい。下部電極3の実際の格子間隔が、強誘電層4を構成する強誘電体のバルクの格子定数より大きくなり、下部電極3が強誘電層4に引張り歪を与えていると考えられる。その結果、実施例2では面内方向に強誘電層4の格子が引き伸ばされ、面内分極した強誘電層4が形成されたと考えられる。
As shown in Table 3, the in-plane lattice spacing of barium titanate was 0.405. This lattice spacing is larger than the lattice constant of barium titanate. It is considered that the actual lattice spacing of the
以上、本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は、上記で説明した実施例に限定されない。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the embodiments described above.
本発明の一態様に係る積層構造体およびスイッチング素子は、スイッチングの特性を利用して、磁気ヘッド、スピントランジスタ、発振装置などの磁気デバイスまたは高周波デバイスとして利用可能である。 The multilayer structure and the switching element according to one embodiment of the present invention can be used as a magnetic device such as a magnetic head, a spin transistor, or an oscillation device, or a high-frequency device by utilizing switching characteristics.
1・・・積層構造体
2・・・下地層
3・・・下部電極
4・・・強誘電層
5・・・強磁性層
6・・・上部電極
7a、7b、7c・・・Ni層
8a、8b、8c・・・Cu層
9・・・電極
10・・・電源
11・・・スイッチング素子
12・・・磁気ヘッド
13・・・電源
14・・・スイッチ
15・・・スピントランジスタ
16a、b・・・磁性電極
17・・・ゲート電極
18・・・半導体チャネル層
19・・・発振装置
20・・・磁気抵抗効果素子
21・・・信号発生部
22・・・電源部
23・・・信号増幅部
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記下部電極の実際の格子間隔は、前記強誘電層の実際の格子間隔より広く、
前記強誘電層を構成する強誘電体が、チタン酸バリウムまたはチタン酸鉛を少なくとも含む、積層構造体。 It has a lower electrode, a ferroelectric layer, and a ferromagnetic layer in order,
The actual lattice spacing of the lower electrode is wider than the actual lattice spacing of the ferroelectric layer,
A laminated structure in which the ferroelectric constituting the ferroelectric layer includes at least barium titanate or lead titanate.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016137906 | 2016-07-12 | ||
JP2016137906 | 2016-07-12 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110350076A (en) * | 2019-07-15 | 2019-10-18 | 陕西科技大学 | A kind of artificial multilayer structure strontium titanates thermoelectric material and preparation method thereof |
-
2017
- 2017-07-11 JP JP2017135725A patent/JP2018014498A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110350076A (en) * | 2019-07-15 | 2019-10-18 | 陕西科技大学 | A kind of artificial multilayer structure strontium titanates thermoelectric material and preparation method thereof |
CN110350076B (en) * | 2019-07-15 | 2022-10-21 | 陕西科技大学 | Artificial strontium titanate thermoelectric material with multilayer structure and preparation method thereof |
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