JP2018006498A - Photoelectric conversion element - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion element capable of improving an opening ratio.SOLUTION: The present invention relates to a photoelectric conversion element 100 comprising at least one photoelectric conversion cell 50, a first external connection terminal 70a for taking a current out of the at least one photoelectric conversion cell 50, a second external connection terminal 70b for taking a current out of the at least one photoelectric conversion cell 50, and a connector 60 for taking the currents out of the first external connection terminal 70a and second external connection terminal 70b, and characterized in that: the connector 60 has a connector body part 61, a first connector terminal 62a, and a second connector terminal 62b; the first external connection terminal 70a is provided outside an annular sealing part 30 of one photoelectric conversion cell 50 of the at least one photoelectric conversion cell 50 and at a first transparent conductive part 12 of a first conductive substrate 10; and the second external connection terminal 70b is provided on a metal substrate 21 of a second conductive substrate 20 of one photoelectric conversion cell 50 of the at least one photoelectric conversion cell 50.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、光電変換素子に関する。   The present invention relates to a photoelectric conversion element.

光電変換素子として、安価で、高い光電変換効率が得られることから色素を用いた光電変換素子が注目されている。   As a photoelectric conversion element, a photoelectric conversion element using a dye has attracted attention because it is inexpensive and can provide high photoelectric conversion efficiency.

このような色素を用いた光電変換素子として、光電変換セルと、光電変換セルから電流を取り出すための2つの外部接続端子とを備える色素増感太陽電池素子が知られている(下記特許文献1参照)。下記特許文献1には、光電変換セルが、透明導電層を有する透明導電性基板と、透明導電性基板に対向し、金属基板を有する対極と、透明導電性基板と対極とを接合する環状の封止部とを有し、2つの外部接続端子が透明導電性基板の透明導電層上であって環状の封止部の外側に設けられることが開示されている。さらに下記特許文献1には、上記2つの外部接続端子にコネクタを接続させることも開示されている。   As a photoelectric conversion element using such a dye, a dye-sensitized solar cell element including a photoelectric conversion cell and two external connection terminals for taking out current from the photoelectric conversion cell is known (Patent Document 1 below). reference). In Patent Document 1 below, a photoelectric conversion cell is a ring-shaped electrode that joins a transparent conductive substrate having a transparent conductive layer, a counter electrode having a metal substrate facing the transparent conductive substrate, and the transparent conductive substrate and the counter electrode. It has been disclosed that two external connection terminals are provided on the transparent conductive layer of the transparent conductive substrate and outside the annular sealing portion. Further, Patent Document 1 below discloses that a connector is connected to the two external connection terminals.

特開2014−211951号公報JP 2014-211951 A

しかし、上記特許文献1に記載の光電変換素子は以下の課題を有していた。すなわち、上記特許文献1では、透明導電性基板上に、コネクタを接続させる2つの外部接続端子が設けられるため、透明導電性基板上に2つの外部接続端子のためのスペースが必要であり、この2つの外部接続端子用のスペースを確保するために、封止部の開口面積を小さくせざるを得なかった。このため、上記特許文献1に記載の光電変換素子は、開口率の低下防止の点で改善の余地を有していた。   However, the photoelectric conversion element described in Patent Document 1 has the following problems. That is, in the above Patent Document 1, two external connection terminals for connecting the connector are provided on the transparent conductive substrate. Therefore, a space for two external connection terminals is required on the transparent conductive substrate. In order to ensure the space for two external connection terminals, the opening area of the sealing part had to be reduced. For this reason, the photoelectric conversion element described in Patent Document 1 has room for improvement in terms of preventing a decrease in the aperture ratio.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、開口率を向上させることができる光電変換素子を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of the said situation, and it aims at providing the photoelectric conversion element which can improve an aperture ratio.

上記課題を解決するため、本発明は、少なくとも1つの光電変換セルと、前記少なくとも1つの光電変換セルから電流を取り出すための第1外部接続端子と、前記少なくとも1つの光電変換セルから電流を取り出すための第2外部接続端子と、前記第1外部接続端子及び前記第2外部接続端子から電流を取り出すコネクタとを備え、前記光電変換セルが、第1導電性基板を有し、前記第1導電性基板が、透明基板、及び、前記透明基板上に設けられる第1透明導電部を有し、前記第2導電性基板が金属基板を有し、前記封止部が、樹脂を含む樹脂封止部を有し、前記コネクタが、コネクタ本体部と、前記コネクタ本体部に設けられ、前記第1外部接続端子に固定される第1コネクタ端子と、前記コネクタ本体部に設けられ、前記第2外部接続端子に固定される第2コネクタ端子とを有し、前記第1外部接続端子が、前記少なくとも1つの光電変換セルのうちの1つの光電変換セルの前記環状の封止部の外側であって前記第1導電性基板の前記第1透明導電部に設けられ、前記第2外部接続端子が、前記少なくとも1つの光電変換セルのうちの1つの光電変換セルの前記第2導電性基板の前記金属基板上に設けられている光電変換素子である。   In order to solve the above problems, the present invention provides at least one photoelectric conversion cell, a first external connection terminal for taking out current from the at least one photoelectric conversion cell, and taking out current from the at least one photoelectric conversion cell. A second external connection terminal and a connector for extracting current from the first external connection terminal and the second external connection terminal, wherein the photoelectric conversion cell has a first conductive substrate, and the first conductive The conductive substrate includes a transparent substrate and a first transparent conductive portion provided on the transparent substrate, the second conductive substrate includes a metal substrate, and the sealing portion includes a resin seal containing a resin. A connector main body, a first connector terminal provided on the connector main body, fixed to the first external connection terminal, provided on the connector main body, and the second external Connection A second connector terminal fixed to the child, wherein the first external connection terminal is outside the annular sealing portion of one photoelectric conversion cell of the at least one photoelectric conversion cell, and The metal substrate of the second conductive substrate of one of the at least one photoelectric conversion cells provided in the first transparent conductive portion of the first conductive substrate, and the second external connection terminal. It is a photoelectric conversion element provided on the top.

この光電変換素子によれば、第1外部接続端子が、少なくとも1つの光電変換セルのうちの1つの光電変換セルの環状の封止部の外側であって第1導電性基板の第1透明導電部に設けられ、第2外部接続端子が、少なくとも1つの光電変換セルのうちの1つの光電変換セルの第2導電性基板の金属基板上に設けられ、コネクタの第1コネクタ端子が第1外部接続端子に接続され、第2コネクタ端子が第2外部接続端子に接続されている。すなわち、コネクタを介して光電変換セルから電流を取り出すために、第1導電性基板の第1透明導電部に設ける外部接続端子を第1外部接続端子のみとすることが可能となる。このため、第1導電性基板上であって環状の封止部の外側に、第2外部接続端子を設けるためのスペースを設ける必要がなくなる。その分、封止部の内側の開口面積を増加させることが可能となり、光電変換素子の開口率を向上させることが可能となる。   According to this photoelectric conversion element, the first external connection terminal is outside the annular sealing portion of one photoelectric conversion cell of at least one photoelectric conversion cell, and the first transparent conductive material of the first conductive substrate. And the second external connection terminal is provided on the metal substrate of the second conductive substrate of one of the at least one photoelectric conversion cells, and the first connector terminal of the connector is the first external terminal. Connected to the connection terminal, the second connector terminal is connected to the second external connection terminal. That is, in order to take out an electric current from a photoelectric conversion cell via a connector, it becomes possible to make only the 1st external connection terminal the external connection terminal provided in the 1st transparent conductive part of a 1st conductive substrate. For this reason, it is not necessary to provide a space for providing the second external connection terminal on the first conductive substrate and outside the annular sealing portion. Accordingly, the opening area inside the sealing portion can be increased, and the aperture ratio of the photoelectric conversion element can be improved.

上記光電変換素子は、前記コネクタ本体部と前記第1導電性基板とを接着し、前記封止部の前記樹脂封止部よりも小さい線膨張係数を有する接着部をさらに備えることが好ましい。   The photoelectric conversion element preferably further includes an adhesive portion that bonds the connector main body portion and the first conductive substrate and has a smaller linear expansion coefficient than the resin sealing portion of the sealing portion.

この場合、光電変換素子が温度変化の大きな環境下に置かれると、封止部の樹脂封止部が伸縮して封止部の厚さが増大する。このとき、接着部が封止部の樹脂封止部の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有し、この接着部によってコネクタ本体部と第1導電性基板とが接着されている。このため、コネクタのコネクタ本体部が第1導電性基板から離れる方向に移動しようとしても、コネクタ本体部が第1導電性基板から離れる方向に移動することが接着部によって十分に抑制される。このため、コネクタ本体部の移動により第1コネクタ端子と第1外部接続端子との間、及び、第2コネクタ端子と第2外部接続端子との間に過大な応力が加わることが十分に抑制され、第1外部接続端子からの第1コネクタ端子の剥離、及び、第2外部接続端子からの第2コネクタ端子の剥離が十分に抑制される。その結果、本発明の光電変換素子によれば、温度変化の大きな環境下においても優れた耐久性を有することも可能となる。   In this case, when the photoelectric conversion element is placed in an environment with a large temperature change, the resin sealing portion of the sealing portion expands and contracts and the thickness of the sealing portion increases. At this time, the bonding portion has a linear expansion coefficient smaller than that of the resin sealing portion of the sealing portion, and the connector main body portion and the first conductive substrate are bonded by the bonding portion. For this reason, even if the connector main body portion of the connector attempts to move away from the first conductive substrate, the bonding portion sufficiently suppresses the connector main body portion from moving away from the first conductive substrate. For this reason, the movement of the connector main body sufficiently suppresses excessive stress from being applied between the first connector terminal and the first external connection terminal and between the second connector terminal and the second external connection terminal. The peeling of the first connector terminal from the first external connection terminal and the peeling of the second connector terminal from the second external connection terminal are sufficiently suppressed. As a result, according to the photoelectric conversion element of the present invention, it is possible to have excellent durability even in an environment where the temperature change is large.

上記光電変換素子においては、前記接着部が、本体部と、前記本体部から張り出す張出し部とを有し、前記張出し部が、前記コネクタ本体部と前記第2導電性基板の前記金属基板とを接着していることが好ましい。   In the photoelectric conversion element, the adhesive portion includes a main body portion and an overhang portion protruding from the main body portion, and the overhang portion includes the connector main body portion and the metal substrate of the second conductive substrate. Are preferably adhered.

この場合、本発明の光電変換素子が温度変化の大きな環境下に置かれると、封止部が伸縮して封止部の厚さが変化する。このとき、接着部が封止部の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有し、この接着部の張出し部がコネクタ本体部と第2導電性基板の金属基板とを接着している。このため、例えば第2導電性基板の金属基板が第1導電性基板に近づく方向に移動しようとしても、金属基板が第1透明導電部に近づく方向に移動することが十分に抑制される。そのため、金属基板の移動により第2外部接続端子と第2コネクタ端子との間に過大な応力が加わることがより十分に抑制され、第2外部接続端子からの第2コネクタ端子の剥離が十分に抑制される。その結果、本発明の光電変換素子によれば、温度変化の大きな環境下においてもより優れた耐久性を有することが可能となる。   In this case, when the photoelectric conversion element of the present invention is placed in an environment with a large temperature change, the sealing portion expands and contracts and the thickness of the sealing portion changes. At this time, the bonding portion has a linear expansion coefficient smaller than the linear expansion coefficient of the sealing portion, and the protruding portion of the bonding portion bonds the connector main body portion and the metal substrate of the second conductive substrate. For this reason, for example, even if the metal substrate of the second conductive substrate tries to move in the direction approaching the first conductive substrate, the metal substrate is sufficiently suppressed from moving in the direction approaching the first transparent conductive portion. For this reason, it is more sufficiently suppressed that excessive stress is applied between the second external connection terminal and the second connector terminal due to the movement of the metal substrate, and separation of the second connector terminal from the second external connection terminal is sufficiently performed. It is suppressed. As a result, according to the photoelectric conversion element of the present invention, it is possible to have more excellent durability even in an environment with a large temperature change.

上記光電変換素子においては、前記第2導電性基板の前記金属基板がチタンを含み、前記第2外部接続端子が、金属と、樹脂と、カーボンとを含むことが好ましい。   In the photoelectric conversion element, it is preferable that the metal substrate of the second conductive substrate includes titanium, and the second external connection terminal includes a metal, a resin, and carbon.

この場合、第2外部接続端子が金属基板から剥離しにくくなる。   In this case, the second external connection terminal is difficult to peel from the metal substrate.

本発明によれば、開口率を向上させることができる光電変換素子が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photoelectric conversion element which can improve an aperture ratio is provided.

本発明の光電変換素子の第1実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows 1st Embodiment of the photoelectric conversion element of this invention. 図1のII−II線に沿った部分切断面端面図である。FIG. 2 is an end view of a partially cut surface along the line II-II in FIG. 1. 図2の部分拡大図である。FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2. 図1の光電変換素子の第1導電性基板を示す平面図である。It is a top view which shows the 1st electroconductive board | substrate of the photoelectric conversion element of FIG. 図4の第1導電性基板に酸化物半導体層及び封止部を設けた状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which provided the oxide semiconductor layer and the sealing part in the 1st conductive substrate of FIG. 図1の光電変換素子の製造方法の一工程を示す平面図である。It is a top view which shows 1 process of the manufacturing method of the photoelectric conversion element of FIG. 本発明の光電変換素子の第2実施形態の一部を示す部分切断面端面図である。It is a partial cut surface end view which shows a part of 2nd Embodiment of the photoelectric conversion element of this invention. 本発明の光電変換素子の第3実施形態の一部を示す部分切断面端面図である。It is a partial cut surface end view which shows a part of 3rd Embodiment of the photoelectric conversion element of this invention.

以下、本発明の実施形態について図1〜図5を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の光電変換素子の一実施形態を示す平面図、図2は、図1のII−II線に沿った切断面端面図、図3は、図2の部分拡大図、図4は、図1の光電変換素子の第1導電性基板を示す平面図、図5は、図4の第1導電性基板に酸化物半導体層及び封止部を設けた状態を示す平面図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 is a plan view showing one embodiment of a photoelectric conversion element of the present invention, FIG. 2 is a sectional end view taken along the line II-II in FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 4 is a plan view showing a first conductive substrate of the photoelectric conversion element of FIG. 1, and FIG. 5 is a plan view showing a state where an oxide semiconductor layer and a sealing portion are provided on the first conductive substrate of FIG. is there.

図1〜図5に示すように、光電変換素子100は、1つの光電変換セル50と、光電変換セル50から電流を取り出すための第1外部接続端子70aと、光電変換セル50から電流を取り出すための第2外部接続端子70bと、第1外部接続端子70a及び第2外部接続端子70bから電流を取り出すコネクタ60とを備えている。   As illustrated in FIGS. 1 to 5, the photoelectric conversion element 100 extracts one photoelectric conversion cell 50, a first external connection terminal 70 a for extracting current from the photoelectric conversion cell 50, and a current from the photoelectric conversion cell 50. And a connector 60 for taking out current from the first external connection terminal 70a and the second external connection terminal 70b.

図2に示すように、光電変換セル50は、第1導電性基板10と、第1導電性基板10に対向する第2導電性基板20と、第1導電性基板10上に設けられる酸化物半導体層13と、第1導電性基板10及び第2導電性基板20の間に設けられる電解質40と、第1導電性基板10及び第2導電性基板20を接合する環状の封止部30とを備えている。電解質40は、第1導電性基板10、第2導電性基板20及び封止部30によって形成されるセル空間に充填されている。   As shown in FIG. 2, the photoelectric conversion cell 50 includes a first conductive substrate 10, a second conductive substrate 20 facing the first conductive substrate 10, and an oxide provided on the first conductive substrate 10. A semiconductor layer 13; an electrolyte 40 provided between the first conductive substrate 10 and the second conductive substrate 20; an annular sealing portion 30 that joins the first conductive substrate 10 and the second conductive substrate 20; It has. The electrolyte 40 is filled in a cell space formed by the first conductive substrate 10, the second conductive substrate 20, and the sealing unit 30.

図2〜図4に示すように、第1導電性基板10は、透明基板11と、透明基板11の上に設けられる第1透明導電部としての透明導電層12とで構成されている。   As shown in FIGS. 2 to 4, the first conductive substrate 10 includes a transparent substrate 11 and a transparent conductive layer 12 as a first transparent conductive portion provided on the transparent substrate 11.

図2に示すように、酸化物半導体層13は、封止部30の内側に配置されている。また酸化物半導体層13には色素が吸着されている。   As shown in FIG. 2, the oxide semiconductor layer 13 is disposed inside the sealing portion 30. Further, a dye is adsorbed on the oxide semiconductor layer 13.

図2に示すように、封止部30は第1導電性基板10上に設けられている。封止部30は、無機材料で構成される無機封止部30Bと、無機封止部30Bと第2導電性基板20とを連結し、樹脂を含む樹脂封止部30Aとで構成されている。図5に示すように、封止部30はその厚さ方向に沿って見た場合に四角環状をなしており、四角環状の封止部30は、4本の線状部30aと、2本の線状部30aを延長させて交差させてなる4つの交差部30bとを有しており、4つの交差部30bのうちの1つの交差部30cにおいて酸化物半導体層13と反対側の角部30dが切り欠かれている。   As shown in FIG. 2, the sealing unit 30 is provided on the first conductive substrate 10. The sealing unit 30 includes an inorganic sealing unit 30B made of an inorganic material, and a resin sealing unit 30A that connects the inorganic sealing unit 30B and the second conductive substrate 20 and contains a resin. . As shown in FIG. 5, the sealing portion 30 has a quadrangular ring shape when viewed along the thickness direction, and the quadrangular annular sealing portion 30 includes four linear portions 30 a and two 4 crossing portions 30b formed by extending and intersecting the linear portions 30a, and one corner portion 30c of the four crossing portions 30b opposite to the oxide semiconductor layer 13 is provided. 30d is cut out.

図2に示すように、第2導電性基板20は、基板と電極を兼ねる金属基板21と、金属基板21の第1導電性基板10側に設けられて電解質40の還元に寄与する導電性の触媒層22とを備えている。第2導電性基板20はその厚さ方向に沿って見た場合に四角形状をなしており、4つの角部のうち1つの角部が切り欠かれている(図1参照)。この角部が切り欠かれるとともに封止部30の4つの交差部30bのうち1つの交差部30cから角部が切り欠かれることによって第1導電性基板10の角部が露出されている。   As shown in FIG. 2, the second conductive substrate 20 includes a metal substrate 21 serving as a substrate and an electrode, and a conductive substrate that is provided on the first conductive substrate 10 side of the metal substrate 21 and contributes to the reduction of the electrolyte 40. And a catalyst layer 22. The second conductive substrate 20 has a quadrangular shape when viewed along its thickness direction, and one of the four corners is cut away (see FIG. 1). The corner portion of the first conductive substrate 10 is exposed by cutting out the corner portion and cutting out the corner portion from one of the four intersection portions 30b of the sealing portion 30.

第1外部接続端子70aは、光電変換セル50の環状の封止部30の外側であって第1導電性基板10の透明導電層12に設けられている。一方、第2外部接続端子70bは、光電変換セル50の第2導電性基板20の金属基板21上に設けられている。   The first external connection terminal 70 a is provided on the transparent conductive layer 12 of the first conductive substrate 10 outside the annular sealing portion 30 of the photoelectric conversion cell 50. On the other hand, the second external connection terminal 70 b is provided on the metal substrate 21 of the second conductive substrate 20 of the photoelectric conversion cell 50.

一方、図3に示すように、コネクタ60は、コネクタ本体部61と、コネクタ本体部61に設けられる第1コネクタ端子62aと、コネクタ本体部61に設けられる第2コネクタ端子62bとを有している。第1コネクタ端子62aは、第1固定部80aによって第1外部接続端子70aに固定され、第2コネクタ端子62bは、第2固定部80bによって第2外部接続端子70bに固定されている。   On the other hand, as shown in FIG. 3, the connector 60 includes a connector main body 61, a first connector terminal 62 a provided in the connector main body 61, and a second connector terminal 62 b provided in the connector main body 61. Yes. The first connector terminal 62a is fixed to the first external connection terminal 70a by the first fixing portion 80a, and the second connector terminal 62b is fixed to the second external connection terminal 70b by the second fixing portion 80b.

また、第1導電性基板10上には接着部90が設けられている。そして、接着部90は、コネクタ本体部61と第1導電性基板10とを接着し、封止部30よりも小さい線膨張係数を有している。また、本実施形態では、接着部90は、本体部90aと、本体部90aから張り出す張出し部90bとを有し、張出し部90bが、コネクタ本体部61と第2導電性基板20の金属基板21とを接着している。   In addition, an adhesive portion 90 is provided on the first conductive substrate 10. The bonding portion 90 bonds the connector main body portion 61 and the first conductive substrate 10 and has a smaller linear expansion coefficient than the sealing portion 30. In the present embodiment, the bonding portion 90 includes a main body portion 90a and an overhang portion 90b protruding from the main body portion 90a. The overhang portion 90b is a metal substrate of the connector main body portion 61 and the second conductive substrate 20. 21 is bonded.

光電変換素子100によれば、第1外部接続端子70aが、光電変換セル50の環状の封止部30の外側であって光電変換セル50の第1導電性基板10の透明導電層12に設けられ、第2外部接続端子70bが、光電変換セル50の第2導電性基板20の金属基板21上に設けられ、コネクタ60の第1コネクタ端子62aが、第1固定部80aによって第1外部接続端子70aに固定され、第2コネクタ端子62bが、第2固定部80bによって第2外部接続端子70bに固定されている。すなわち、コネクタ60を介して光電変換セル50から電流を取り出すために、第1導電性基板10の透明導電層12に設ける外部接続端子を第1外部接続端子70aのみとすることが可能となる。このため、第1導電性基板10上であって環状の封止部30の外側に、第2外部接続端子70bを設けるためのスペースを設ける必要がなくなる。その分、封止部30の内側の開口面積を増加させることが可能となり、光電変換素子100の開口率を向上させることが可能となる。   According to the photoelectric conversion element 100, the first external connection terminal 70 a is provided on the transparent conductive layer 12 of the first conductive substrate 10 of the photoelectric conversion cell 50 outside the annular sealing portion 30 of the photoelectric conversion cell 50. The second external connection terminal 70b is provided on the metal substrate 21 of the second conductive substrate 20 of the photoelectric conversion cell 50, and the first connector terminal 62a of the connector 60 is connected to the first external connection by the first fixing portion 80a. The second connector terminal 62b is fixed to the second external connection terminal 70b by the second fixing portion 80b. That is, in order to take out current from the photoelectric conversion cell 50 via the connector 60, it is possible to use only the first external connection terminal 70a as the external connection terminal provided on the transparent conductive layer 12 of the first conductive substrate 10. For this reason, it is not necessary to provide a space for providing the second external connection terminal 70 b on the first conductive substrate 10 and outside the annular sealing portion 30. Accordingly, the opening area inside the sealing portion 30 can be increased, and the aperture ratio of the photoelectric conversion element 100 can be improved.

また、光電変換素子100が温度変化の大きな環境下に置かれると、封止部30の樹脂封止部30Aが伸縮して封止部30の厚さが変化する。このとき、接着部90が封止部30の樹脂封止部30Aの線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有し、この接着部90によってコネクタ本体部61と第1導電性基板10とが接着されている。このため、コネクタ60のコネクタ本体部61が第1導電性基板10から離れる方向に移動しようとしても、コネクタ本体部61が第1導電性基板10から離れる方向に移動することが接着部90によって十分に抑制される。このため、コネクタ本体部61の移動により第1コネクタ端子62aと第1外部接続端子70aとの間、及び、第2コネクタ端子62bと第2外部接続端子70bとの間に過大な応力が加わることが十分に抑制され、第1外部接続端子70aからの第1コネクタ端子62aの剥離、及び、第2外部接続端子70bからの第2コネクタ端子62bの剥離が十分に抑制される。その結果、光電変換素子100によれば、温度変化の大きな環境下においても優れた耐久性を有することも可能となる。   Further, when the photoelectric conversion element 100 is placed in an environment with a large temperature change, the resin sealing portion 30A of the sealing portion 30 expands and contracts, and the thickness of the sealing portion 30 changes. At this time, the bonding portion 90 has a linear expansion coefficient smaller than the linear expansion coefficient of the resin sealing portion 30A of the sealing portion 30, and the connector main body 61 and the first conductive substrate 10 are bonded by the bonding portion 90. Has been. For this reason, even if the connector main body 61 of the connector 60 tries to move away from the first conductive substrate 10, the bonding portion 90 is sufficient for the connector main body 61 to move away from the first conductive substrate 10. To be suppressed. For this reason, excessive stress is applied between the first connector terminal 62a and the first external connection terminal 70a and between the second connector terminal 62b and the second external connection terminal 70b due to the movement of the connector body 61. Is sufficiently suppressed, and separation of the first connector terminal 62a from the first external connection terminal 70a and separation of the second connector terminal 62b from the second external connection terminal 70b are sufficiently suppressed. As a result, according to the photoelectric conversion element 100, it is possible to have excellent durability even in an environment with a large temperature change.

また光電変換素子100においては、接着部90が、本体部90aと、本体部90aから張り出す張出し部90bとを有し、張出し部90bが、コネクタ本体部61と第2導電性基板20の金属基板21との間に設けられている。このため、光電変換素子100が温度変化の大きな環境下に置かれると、封止部30の樹脂封止部30Aが伸縮して封止部30の厚さが変化する。このとき、接着部90が封止部30の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有し、この接着部90の張出し部90bがコネクタ本体部61と第2導電性基板20の金属基板21とを接着している。このため、例えば第2導電性基板20の金属基板21が第1導電性基板10に近づく方向に移動しようとしても、金属基板21が透明導電層12に近づく方向に移動することが十分に抑制される。そのため、金属基板21の移動により第2外部接続端子70bと第2コネクタ端子62bとの間に過大な応力が加わることがより十分に抑制され、第2外部接続端子70bからの第2コネクタ端子62bの剥離が十分に抑制される。その結果、光電変換素子100によれば、温度変化の大きな環境下においてもより優れた耐久性を有することが可能となる。   Further, in the photoelectric conversion element 100, the bonding portion 90 has a main body portion 90a and a protruding portion 90b that protrudes from the main body portion 90a, and the protruding portion 90b is a metal of the connector main body portion 61 and the second conductive substrate 20. It is provided between the substrate 21. For this reason, when the photoelectric conversion element 100 is placed in an environment with a large temperature change, the resin sealing portion 30A of the sealing portion 30 expands and contracts, and the thickness of the sealing portion 30 changes. At this time, the bonding portion 90 has a linear expansion coefficient smaller than the linear expansion coefficient of the sealing portion 30, and the protruding portion 90 b of the bonding portion 90 is connected to the connector main body portion 61 and the metal substrate 21 of the second conductive substrate 20. Is glued. For this reason, for example, even if the metal substrate 21 of the second conductive substrate 20 tries to move in the direction approaching the first conductive substrate 10, the metal substrate 21 is sufficiently suppressed from moving in the direction approaching the transparent conductive layer 12. The Therefore, the movement of the metal substrate 21 can more sufficiently suppress the application of excessive stress between the second external connection terminal 70b and the second connector terminal 62b, and the second connector terminal 62b from the second external connection terminal 70b can be suppressed. Peeling is sufficiently suppressed. As a result, according to the photoelectric conversion element 100, it is possible to have more excellent durability even in an environment with a large temperature change.

さらに光電変換素子100においては、コネクタ60の第2コネクタ端子62bが第2導電性基板20の金属基板21上の第2外部接続端子70bに固定される一方、四角環状の封止部30における4つの交差部30bのうち1つの交差部30cにおいて酸化物半導体層13と反対側の角部30dが切り欠かれ、それによって露出した第1導電性基板10の透明導電層12上の第1外部接続端子70aに、コネクタ60の第1コネクタ端子62aが固定されている。ここで、図5に示すように、4つの交差部30cの対角線の長さw2は線状部30aの幅w1よりも長い。このため、4つの交差部30cのうちの1つの交差部30cにおいて酸化物半導体層13と反対側の角部30dが切り欠かれても、その交差部30cにおける封止幅が線状部30aの封止幅を過度に低下させることを防止できる。従って、環状の封止部30の封止幅を確保するために、封止部の内側開口の面積を狭める必要がなくなる。従って、光電変換素子100の開口率の低下を十分に防止することができる。   Furthermore, in the photoelectric conversion element 100, the second connector terminal 62 b of the connector 60 is fixed to the second external connection terminal 70 b on the metal substrate 21 of the second conductive substrate 20, while the 4 in the rectangular annular sealing portion 30. The first external connection on the transparent conductive layer 12 of the first conductive substrate 10 exposed by the cutout of the corner portion 30d opposite to the oxide semiconductor layer 13 at one of the cross portions 30b. The first connector terminal 62a of the connector 60 is fixed to the terminal 70a. Here, as shown in FIG. 5, the length w2 of the diagonal lines of the four intersecting portions 30c is longer than the width w1 of the linear portions 30a. For this reason, even if the corner part 30d on the opposite side to the oxide semiconductor layer 13 is cut out at one of the four intersection parts 30c, the sealing width at the intersection part 30c is equal to that of the linear part 30a. An excessive reduction in the sealing width can be prevented. Therefore, in order to secure the sealing width of the annular sealing portion 30, it is not necessary to reduce the area of the inner opening of the sealing portion. Therefore, a decrease in the aperture ratio of the photoelectric conversion element 100 can be sufficiently prevented.

次に、第1導電性基板10、第2導電性基板20、酸化物半導体層13、封止部30、電解質40、色素、第1外部接続端子70a、第2外部接続端子70b、コネクタ60、第1固定部80a、第2固定部80b及び接着部90について詳細に説明する。   Next, the first conductive substrate 10, the second conductive substrate 20, the oxide semiconductor layer 13, the sealing portion 30, the electrolyte 40, the dye, the first external connection terminal 70a, the second external connection terminal 70b, the connector 60, The 1st fixing | fixed part 80a, the 2nd fixing | fixed part 80b, and the adhesion part 90 are demonstrated in detail.

<第1導電性基板>
第1導電性基板10は、透明基板11と、透明基板11の上に設けられる透明導電層12とで構成されている。
<First conductive substrate>
The first conductive substrate 10 includes a transparent substrate 11 and a transparent conductive layer 12 provided on the transparent substrate 11.

透明基板11を構成する材料は、例えば透明な材料であればよく、このような透明な材料としては、例えばホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、白板ガラス、石英ガラスなどのガラス、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、及び、ポリエーテルスルフォン(PES)などの絶縁材料が挙げられる。透明基板11の厚さは、光電変換素子100のサイズに応じて適宜決定され、特に限定されるものではないが、例えば50〜40000μmの範囲にすればよい。   The material which comprises the transparent substrate 11 should just be a transparent material, for example, As such a transparent material, glass, such as borosilicate glass, soda lime glass, white plate glass, quartz glass, polyethylene terephthalate (PET), for example Insulating materials such as polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), and polyethersulfone (PES). The thickness of the transparent substrate 11 is appropriately determined according to the size of the photoelectric conversion element 100 and is not particularly limited, but may be in the range of 50 to 40,000 μm, for example.

透明導電層12を構成する材料としては、例えばスズ添加酸化インジウム(ITO)、酸化スズ(SnO)、及び、フッ素添加酸化スズ(FTO)などの導電性金属酸化物が挙げられる。透明導電層12は、単層でも、異なる導電性金属酸化物で構成される複数の層の積層体で構成されてもよい。透明導電層12が単層で構成される場合、透明導電層12は、高い耐熱性及び耐薬品性を有することから、FTOで構成されることが好ましい。透明導電層12の厚さは例えば0.01〜2μmの範囲にすればよい。 Examples of the material constituting the transparent conductive layer 12 include conductive metal oxides such as tin-added indium oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and fluorine-added tin oxide (FTO). The transparent conductive layer 12 may be a single layer or a laminate of a plurality of layers made of different conductive metal oxides. When the transparent conductive layer 12 is composed of a single layer, the transparent conductive layer 12 is preferably composed of FTO because it has high heat resistance and chemical resistance. The thickness of the transparent conductive layer 12 may be in the range of 0.01 to 2 μm, for example.

<第2導電性基板>
第2導電性基板20は、上述したように、基板と電極を兼ねる金属基板21と、導電性の触媒層22とを備える。
<Second conductive substrate>
As described above, the second conductive substrate 20 includes the metal substrate 21 serving as a substrate and an electrode, and the conductive catalyst layer 22.

金属基板21は、例えばチタン、ニッケル、白金、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ステンレス等の耐食性の金属材料で構成される。金属基板21の厚さは、光電変換素子100のサイズに応じて適宜決定され、特に限定されるものではないが、例えば0.005〜4mmとすればよい。   The metal substrate 21 is made of a corrosion-resistant metal material such as titanium, nickel, platinum, molybdenum, tungsten, aluminum, and stainless steel. The thickness of the metal substrate 21 is appropriately determined according to the size of the photoelectric conversion element 100 and is not particularly limited, but may be, for example, 0.005 to 4 mm.

触媒層22は、白金、炭素系材料又は導電性高分子などから構成される。ここで、炭素系材料としては、カーボンナノチューブが好適に用いられる。なお、第2導電性基板20は、金属基板21が触媒機能を有する場合(例えばカーボンなどを含有する場合)には触媒層22を有していなくてもよい。   The catalyst layer 22 is composed of platinum, a carbon-based material, a conductive polymer, or the like. Here, carbon nanotubes are suitably used as the carbon-based material. Note that the second conductive substrate 20 may not have the catalyst layer 22 when the metal substrate 21 has a catalytic function (for example, when it contains carbon or the like).

<酸化物半導体層>
酸化物半導体層13は、酸化物半導体粒子で構成されている。酸化物半導体粒子は、例えば酸化チタン(TiO)、酸化ケイ素(SiO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タングステン(WO)、酸化ニオブ(Nb)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO)、酸化スズ(SnO)又はこれらの2種以上で構成される。
<Oxide semiconductor layer>
The oxide semiconductor layer 13 is composed of oxide semiconductor particles. Examples of the oxide semiconductor particles include titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), zinc oxide (ZnO), tungsten oxide (WO 3 ), niobium oxide (Nb 2 O 5 ), and strontium titanate (SrTiO 3 ). , Tin oxide (SnO 2 ), or two or more thereof.

酸化物半導体層13の厚さは通常は、2〜40μmであり、好ましくは10〜30μmである。   The thickness of the oxide semiconductor layer 13 is usually 2 to 40 μm, preferably 10 to 30 μm.

<封止部>
封止部30は、上述したように、無機封止部30Bと、樹脂封止部30Aとで構成されている。
<Sealing part>
As described above, the sealing unit 30 includes the inorganic sealing unit 30B and the resin sealing unit 30A.

無機封止部30Bは、無機材料で構成されるものであれば特に制限されるものではなく、無機封止部30Bを構成する無機材料としては、例えばガラス、セラミックスなどが挙げられる。   The inorganic sealing part 30B is not particularly limited as long as it is made of an inorganic material, and examples of the inorganic material constituting the inorganic sealing part 30B include glass and ceramics.

樹脂封止部30Aは樹脂を含む材料で構成されていれば特に制限されるものではないが、樹脂封止部30Aを構成する樹脂としては、例えば変性ポリオレフィン樹脂、ビニルアルコール重合体などの熱可塑性樹脂、及び、紫外線硬化樹脂などが挙げられる。変性ポリオレフィン樹脂としては、例えばアイオノマー、エチレン−ビニル酢酸無水物共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体およびエチレン−ビニルアルコール共重合体が挙げられる。これらの樹脂は単独で又は2種以上を組み合せて用いることができる。   The resin sealing portion 30A is not particularly limited as long as the resin sealing portion 30A is made of a material containing a resin. Examples of the resin constituting the resin sealing portion 30A include thermoplastic resins such as modified polyolefin resins and vinyl alcohol polymers. Examples thereof include resins and ultraviolet curable resins. Examples of modified polyolefin resins include ionomers, ethylene-vinyl acetic anhydride copolymers, ethylene-methacrylic acid copolymers, and ethylene-vinyl alcohol copolymers. These resins can be used alone or in combination of two or more.

<電解質>
電解質40は、例えばヨウ化物イオン(ヨウ素イオン)/ポリヨウ化物イオンなどの酸化還元対と有機溶媒とを含んでいる。有機溶媒としては、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、メトキシプロピオニトリル、プロピオニトリル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジエチルカーボネート、γ−ブチロラクトン、バレロニトリル、ピバロニトリルなどを用いることができる。酸化還元対としては、ヨウ化物イオン/ポリヨウ化物イオン(例えばI/I )のほか、臭化物イオン(臭素イオン)/ポリ臭化物イオン、亜鉛錯体、鉄錯体、コバルト錯体などのレドックス対が挙げられる。なお、ヨウ化物イオン/ポリヨウ化物イオンは、ヨウ素(I)と、アニオンとしてのアイオダイド(I)を含む塩(イオン性液体や固体塩)とによって形成することができる。アニオンとしてアイオダイドを有するイオン性液体を用いる場合には、ヨウ素のみ添加すればよく、有機溶媒や、アニオンとしてアイオダイド以外のイオン性液体を用いる場合には、LiIやテトラブチルアンモニウムアイオダイドなどのアニオンとしてアイオダイド(I)を含む塩を添加すればよい。
<Electrolyte>
The electrolyte 40 includes, for example, a redox pair such as iodide ion (iodine ion) / polyiodide ion and an organic solvent. As the organic solvent, acetonitrile, methoxyacetonitrile, methoxypropionitrile, propionitrile, ethylene carbonate, propylene carbonate, diethyl carbonate, γ-butyrolactone, valeronitrile, pivalonitrile and the like can be used. Examples of the redox pair include iodide ions / polyiodide ions (for example, I / I 3 ), and redox pairs such as bromide ions (bromine ions) / polybromide ions, zinc complexes, iron complexes, and cobalt complexes. It is done. The iodide ion / polyiodide ion can be formed by iodine (I 2 ) and a salt (ionic liquid or solid salt) containing iodide (I ) as an anion. When using an ionic liquid having an iodide as an anion, only iodine should be added. When using an ionic liquid other than an organic solvent or an anion as an anion, an anion such as LiI or tetrabutylammonium iodide is used. A salt containing iodide (I ) may be added.

また電解質40は、有機溶媒に代えて、イオン液体を用いてもよい。イオン液体としては、例えばピリジニウム塩、イミダゾリウム塩、トリアゾリウム塩等の既知のヨウ素塩であって、室温付近で溶融状態にある常温溶融塩が用いられる。このような常温溶融塩としては、例えば、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムアイオダイド、1−エチル−3−プロピルイミダゾリウムアイオダイド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムアイオダイド、1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムアイオダイド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムアイオダイド、又は、1−メチル−3−プロピルイミダゾリウムアイオダイドが好適に用いられる。   The electrolyte 40 may use an ionic liquid instead of the organic solvent. As the ionic liquid, for example, a known iodine salt such as a pyridinium salt, an imidazolium salt, or a triazolium salt, and a room temperature molten salt that is in a molten state near room temperature is used. Examples of such room temperature molten salts include 1-hexyl-3-methylimidazolium iodide, 1-ethyl-3-propylimidazolium iodide, 1-ethyl-3-methylimidazolium iodide, 1, 2 -Dimethyl-3-propylimidazolium iodide, 1-butyl-3-methylimidazolium iodide, or 1-methyl-3-propylimidazolium iodide is preferably used.

また、電解質40は、上記有機溶媒に代えて、上記イオン液体と上記有機溶媒との混合物を用いてもよい。   In addition, the electrolyte 40 may use a mixture of the ionic liquid and the organic solvent instead of the organic solvent.

また電解質40には添加剤を加えることができる。添加剤としては、LiI、4−t−ブチルピリジン、グアニジウムチオシアネート、1−メチルベンゾイミダゾール、1−ブチルベンゾイミダゾールなどが挙げられる。   An additive can be added to the electrolyte 40. Examples of the additive include LiI, 4-t-butylpyridine, guanidinium thiocyanate, 1-methylbenzimidazole, 1-butylbenzimidazole and the like.

さらに電解質40としては、上記電解質にSiO、TiO、カーボンナノチューブなどのナノ粒子を混練してゲル様となった擬固体電解質であるナノコンポジットゲル電解質を用いてもよく、また、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンオキサイド誘導体、アミノ酸誘導体などの有機系ゲル化剤を用いてゲル化した電解質を用いてもよい。 Further, as the electrolyte 40, a nano-composite gel electrolyte, which is a pseudo-solid electrolyte formed by kneading nanoparticles such as SiO 2 , TiO 2 , carbon nanotubes, etc. into the electrolyte, may be used, and polyvinylidene fluoride may be used. Alternatively, an electrolyte gelled with an organic gelling agent such as a polyethylene oxide derivative or an amino acid derivative may be used.

なお、電解質40は、ヨウ化物イオン/ポリヨウ化物イオン(例えばI/I )からなる酸化還元対を含み、ポリヨウ化物イオンの濃度が0.006mol/リットル以下であることが好ましい。この場合、電子を運ぶポリヨウ化物イオンの濃度が低いため、漏れ電流をより減少させることができる。このため、開放電圧をより増加させることができるため、光電変換特性をより向上させることができる。特に、ポリヨウ化物イオンの濃度は0.005mol/リットル以下であることが好ましく、0〜6×10−6mol/リットルであることがより好ましく、0〜6×10−8mol/リットルであることがさらに好ましい。この場合、光電変換素子100を第1導電性基板10の光入射側から見た場合に、電解質40の色を目立たなくすることができる。 The electrolyte 40 preferably includes an oxidation-reduction pair composed of iodide ions / polyiodide ions (for example, I / I 3 ), and the concentration of polyiodide ions is preferably 0.006 mol / liter or less. In this case, since the concentration of polyiodide ions that carry electrons is low, the leakage current can be further reduced. For this reason, since an open circuit voltage can be increased more, a photoelectric conversion characteristic can be improved more. In particular, the concentration of polyiodide ions is preferably 0.005 mol / liter or less, more preferably 0 to 6 × 10 −6 mol / liter, and 0 to 6 × 10 −8 mol / liter. Is more preferable. In this case, the color of the electrolyte 40 can be made inconspicuous when the photoelectric conversion element 100 is viewed from the light incident side of the first conductive substrate 10.

<色素>
色素としては、例えばビピリジン構造、ターピリジン構造などを含む配位子を有するルテニウム錯体、ポルフィリン、エオシン、ローダミン、メロシアニンなどの有機色素などの光増感色素や、ハロゲン化鉛系ペロブスカイト結晶などの有機−無機複合色素などが挙げられる。ハロゲン化鉛系ペロブスカイトとしては、例えばCHNHPbX(X=Cl、Br、I)が用いられる。ここで、色素として光増感色素を用いる場合には、光電変換素子100は色素増感光電変換素子となり、光電変換セル50は色素増感光電変換セルとなる。
<Dye>
Examples of the dye include a photosensitizing dye such as a ruthenium complex having a ligand containing a bipyridine structure, a terpyridine structure, or the like, an organic dye such as porphyrin, eosin, rhodamine, or merocyanine, and an organic- Examples include inorganic composite dyes. For example, CH 3 NH 3 PbX 3 (X = Cl, Br, I) is used as the lead halide perovskite. Here, when using a photosensitizing dye as a dye, the photoelectric conversion element 100 becomes a dye-sensitized photoelectric conversion element, and the photoelectric conversion cell 50 becomes a dye-sensitized photoelectric conversion cell.

上記色素の中でも、ビピリジン構造又はターピリジン構造を含む配位子を有するルテニウム錯体からなる光増感色素が好ましい。この場合、光電変換素子100の光電変換特性をより向上させることができる。   Among the above dyes, a photosensitizing dye composed of a ruthenium complex having a ligand containing a bipyridine structure or a terpyridine structure is preferable. In this case, the photoelectric conversion characteristics of the photoelectric conversion element 100 can be further improved.

<第1外部接続端子>
第1外部接続端子70aは金属材料を含む。金属材料としては、例えば銀、銅およびインジウムなどが挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合せて用いてもよい。
<First external connection terminal>
The first external connection terminal 70a includes a metal material. Examples of the metal material include silver, copper, and indium. You may use these individually or in combination of 2 or more types.

<第2外部接続端子>
第2外部接続端子70bは金属と樹脂とを含む。金属材料としては、第1外部接続端子70aに含まれる金属材料と同様の材料を用いることができる。
<Second external connection terminal>
The second external connection terminal 70b includes a metal and a resin. As the metal material, the same material as the metal material included in the first external connection terminal 70a can be used.

第2外部接続端子70bはさらに非金属の導電性材料をさらに含んでもよい。非金属の導電性材料としては、例えばカーボン、導電性高分子などが挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The second external connection terminal 70b may further include a non-metallic conductive material. Examples of non-metallic conductive materials include carbon and conductive polymers. You may use these individually or in combination of 2 or more types.

但し、第2導電性基板20の金属基板21がチタンを含む場合には、第2外部接続端子70bが、金属及び樹脂に加えて、カーボンをさらに含むことが好ましい。この場合、第2外部接続端子70bが金属基板21から剥離しにくくなる。このため、光電変換素子100の耐久性がより優れたものとなる。   However, when the metal substrate 21 of the second conductive substrate 20 contains titanium, the second external connection terminal 70b preferably further contains carbon in addition to the metal and the resin. In this case, the second external connection terminal 70b is difficult to peel from the metal substrate 21. For this reason, the durability of the photoelectric conversion element 100 is further improved.

<コネクタ>
コネクタ60は、上述したようにコネクタ本体部61と、第1コネクタ端子62aと、第2コネクタ端子62bとを備える。
<Connector>
As described above, the connector 60 includes the connector main body 61, the first connector terminal 62a, and the second connector terminal 62b.

コネクタ本体部61は例えば絶縁材料で構成される。絶縁材料としては、ガラスなどの無機絶縁材料、および、樹脂などの有機絶縁材料が挙げられる。   The connector body 61 is made of an insulating material, for example. Examples of the insulating material include an inorganic insulating material such as glass and an organic insulating material such as resin.

コネクタ本体部61は、接着部90に対向する底部と、底部と反対側の頂部と、底部と頂部とを連結する側部とを備えている。   The connector main body 61 includes a bottom facing the bonding portion 90, a top opposite to the bottom, and a side connecting the bottom and the top.

コネクタ本体部61は、差込口(図示せず)を有しているが、差込口に代えて、回路基板に装着されたコネクタの差込口に差し込むための凸部を有していてもよい。   The connector main body 61 has an insertion port (not shown), but has a convex portion for inserting into the insertion port of the connector mounted on the circuit board instead of the insertion port. Also good.

第1コネクタ端子62a及び第2コネクタ端子62bは、図2ではコネクタ本体部61の底部から延びているが、第1コネクタ端子62a及び第2コネクタ端子62bはそれぞれ、コネクタ本体部61の側部から延びていてもよい。   The first connector terminal 62a and the second connector terminal 62b extend from the bottom of the connector main body 61 in FIG. 2, but the first connector terminal 62a and the second connector terminal 62b are respectively from the side of the connector main body 61. It may extend.

<第1固定部>
第1固定部80aは、第1コネクタ端子62aを第1外部接続端子70aに固定させることができる材料で構成されていればよく、この材料は通常、金属及び樹脂を含む。金属としては、例えば銀および半田が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエステル樹脂及びエポキシ樹脂などが挙げられる。第1固定部80a中のカーボンの含有率は特に制限されるものではないが、第1外部接続端子70a中のカーボンの含有率よりも小さいことが好ましい。この場合、第1外部接続端子70aに対する第1固定部80aの接着性をより向上させることができ、コネクタ60をより強く第1外部接続端子70aに接着できる。
<First fixing part>
The 1st fixing | fixed part 80a should just be comprised with the material which can fix the 1st connector terminal 62a to the 1st external connection terminal 70a, and this material usually contains a metal and resin. Examples of the metal include silver and solder. Examples of the resin include a polyester resin and an epoxy resin. The carbon content in the first fixing portion 80a is not particularly limited, but is preferably smaller than the carbon content in the first external connection terminal 70a. In this case, the adhesiveness of the 1st fixing | fixed part 80a with respect to the 1st external connection terminal 70a can be improved more, and the connector 60 can be more strongly bonded to the 1st external connection terminal 70a.

<第2固定部>
第2固定部80bは、第2コネクタ端子62bを第2外部接続端子70bに固定させることができる材料で構成されていればよく、この材料は通常、金属及び樹脂を含む。金属としては、例えば銀および半田が挙げられる。第2固定部80b中のカーボンの含有率は特に制限されるものではないが、第2外部接続端子70b中のカーボンの含有率よりも小さいことが好ましい。この場合、第2外部接続端子70bに対する第2固定部80bの接着性をより向上させることができ、コネクタ60をより強くより強く第2外部接続端子70bに接着できる。
<Second fixing part>
The 2nd fixing | fixed part 80b should just be comprised with the material which can fix the 2nd connector terminal 62b to the 2nd external connection terminal 70b, and this material contains a metal and resin normally. Examples of the metal include silver and solder. The carbon content in the second fixing portion 80b is not particularly limited, but is preferably smaller than the carbon content in the second external connection terminal 70b. In this case, the adhesiveness of the 2nd fixing | fixed part 80b with respect to the 2nd external connection terminal 70b can be improved more, and the connector 60 can be more strongly and strongly bonded to the 2nd external connection terminal 70b.

<接着部>
接着部90は、封止部30の樹脂封止部30Aの線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有し、コネクタ60と第1導電性基板10とを接着させることが可能な材料で構成されていればよく、このような材料としては、樹脂封止部30Aに含まれる樹脂と同様の樹脂のほか、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ガラスなどの無機材料を用いることもできる。樹脂封止部30Aが熱可塑性樹脂で構成されている場合には、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂などの硬化樹脂や無機材料が好適に用いられる。
<Adhesive part>
The bonding part 90 has a linear expansion coefficient larger than that of the resin sealing part 30A of the sealing part 30, and is made of a material capable of bonding the connector 60 and the first conductive substrate 10. As such a material, in addition to a resin similar to the resin contained in the resin sealing portion 30A, a thermosetting resin such as an epoxy resin, or an inorganic material such as glass can be used. When the resin sealing portion 30A is made of a thermoplastic resin, a curable resin such as an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin or an inorganic material is preferably used.

樹脂封止部30Aの線膨張係数に対する接着部90の線膨張係数の比Rは1より小さければ特に制限されるものではないが、0.1〜0.9であることが好ましく、0.3〜0.7であることがより好ましい。   The ratio R of the linear expansion coefficient of the adhesive portion 90 to the linear expansion coefficient of the resin sealing portion 30A is not particularly limited as long as it is smaller than 1, but is preferably 0.1 to 0.9, 0.3 More preferably, it is -0.7.

次に、上述した光電変換素子100の製造方法について図4〜図6を参照しながら説明する。図6は、図1の光電変換素子の製造方法の一連の工程を示す平面図である。   Next, a method for manufacturing the above-described photoelectric conversion element 100 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a plan view showing a series of steps in the method for producing the photoelectric conversion element of FIG.

まず図4に示すように、1つの透明基板11の上に、透明導電層12を形成してなる第1導電性基板10を用意する。   First, as shown in FIG. 4, a first conductive substrate 10 formed by forming a transparent conductive layer 12 on one transparent substrate 11 is prepared.

透明導電層12の形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、スプレー熱分解法及びCVD法などが用いられる。   As a method for forming the transparent conductive layer 12, a sputtering method, a vapor deposition method, a spray pyrolysis method, a CVD method, or the like is used.

次に、透明導電層12の上に、酸化物半導体層13を形成する。酸化物半導体層13は、酸化物半導体層形成用ペーストを印刷した後、焼成して形成すればよい。   Next, the oxide semiconductor layer 13 is formed over the transparent conductive layer 12. The oxide semiconductor layer 13 may be formed by printing an oxide semiconductor layer forming paste and then baking it.

酸化物半導体層形成用ペーストは、上述した酸化物半導体粒子のほか、ポリエチレングリコールなどの樹脂及び、テレピネオールなどの溶媒を含む。   The oxide semiconductor layer forming paste includes a resin such as polyethylene glycol and a solvent such as terpineol in addition to the oxide semiconductor particles described above.

酸化物半導体層形成用ペーストの印刷方法としては、例えばスクリーン印刷法、ドクターブレード法、又は、バーコート法などを用いることができる。   As a method for printing the oxide semiconductor layer forming paste, for example, a screen printing method, a doctor blade method, a bar coating method, or the like can be used.

焼成温度は酸化物半導体粒子の材質により異なるが、通常は350〜600℃であり、焼成時間も、酸化物半導体粒子の材質により異なるが、通常は1〜5時間である。   The firing temperature varies depending on the material of the oxide semiconductor particles, but is usually 350 to 600 ° C., and the firing time also varies depending on the material of the oxide semiconductor particles, but is usually 1 to 5 hours.

次に、透明導電層12の上に、四角環状の無機封止部30Bを形成する。無機封止部30Bは、無機材料を含む無機封止部形成用ペーストを印刷した後、焼成して形成すればよい。但し、無機封止部30Bはその厚さ方向に沿って見た場合にその外側の角部が切り欠かれるように形成する。   Next, a rectangular annular inorganic sealing portion 30 </ b> B is formed on the transparent conductive layer 12. The inorganic sealing portion 30B may be formed by printing an inorganic sealing portion forming paste containing an inorganic material and then baking it. However, the inorganic sealing portion 30 </ b> B is formed so that the outer corner portion is cut away when viewed along the thickness direction.

無機封止部形成用ペーストは、上述した無機材料のほか、ポリエチレングリコールなどの樹脂及び、テレピネオールなどの溶媒を含む。   The inorganic sealing part forming paste contains a resin such as polyethylene glycol and a solvent such as terpineol in addition to the inorganic material described above.

無機封止部形成用ペーストの印刷方法としては、例えばスクリーン印刷法、ドクターブレード法、又は、バーコート法などを用いることができる。   As a printing method of the inorganic sealing portion forming paste, for example, a screen printing method, a doctor blade method, a bar coating method, or the like can be used.

焼成温度は無機材料の材質により異なるが、通常は400〜600℃であり、焼成時間も、無機材料の材質により異なるが、通常は0.5〜5時間である。   Although the firing temperature varies depending on the material of the inorganic material, it is usually 400 to 600 ° C., and the firing time also varies depending on the material of the inorganic material, but is usually 0.5 to 5 hours.

次に、環状の封止部形成体を準備する。封止部形成体は、例えば封止用樹脂フィルムを用意し、その封止用樹脂フィルムに1つの四角形状の開口を形成することによって得ることができる。   Next, an annular sealing portion forming body is prepared. The sealing part forming body can be obtained, for example, by preparing a sealing resin film and forming one rectangular opening in the sealing resin film.

そして、この封止部形成体を無機封止部30Bに接着させる。このとき、封止部形成体の無機封止部30Bへの接着は、例えば封止部形成体を加熱溶融させることによって行うことができる。   And this sealing part formation body is adhere | attached on the inorganic sealing part 30B. At this time, adhesion of the sealing portion forming body to the inorganic sealing portion 30B can be performed, for example, by heating and melting the sealing portion forming body.

こうして構造体が得られる(図5参照)。   Thus, a structure is obtained (see FIG. 5).

次に、構造体の酸化物半導体層13の表面に色素を吸着させる。このためには、作用極を、色素を含有する溶液の中に浸漬させ、その色素を酸化物半導体層13に吸着させた後に上記溶液の溶媒成分で余分な色素を洗い流し、乾燥させることで、色素を酸化物半導体層13に吸着させればよい。但し、色素を含有する溶液を酸化物半導体層13に塗布した後、乾燥させることによって色素を酸化物半導体層13に吸着させてもよい。   Next, a dye is adsorbed on the surface of the oxide semiconductor layer 13 of the structure. For this purpose, the working electrode is immersed in a solution containing a dye, the dye is adsorbed to the oxide semiconductor layer 13, and then the excess dye is washed away with the solvent component of the solution and dried. A dye may be adsorbed on the oxide semiconductor layer 13. However, the dye may be adsorbed to the oxide semiconductor layer 13 by applying a solution containing the dye to the oxide semiconductor layer 13 and then drying the solution.

次に、電解質40を準備する。   Next, the electrolyte 40 is prepared.

次に、酸化物半導体層13の上に電解質40を配置する。電解質40は、例えばスクリーン印刷等の印刷法によって配置することが可能である。   Next, the electrolyte 40 is disposed on the oxide semiconductor layer 13. The electrolyte 40 can be disposed by a printing method such as screen printing.

次に、第2導電性基板20を形成するための四角形状の第2導電性基板形成体を用意する。そして、この第2導電性基板形成体における4つの角部のうち封止部30の交差部30cと接合しない角部を特定し、この角部を切除する。こうして第2導電性基板20が得られる。ここで、第2導電性基板形成体の角部の切除は、例えばレーザ加工法やワイヤー加工法を用いて行うことができる。レーザ加工法を用いて第2導電性基板形成体の角部の切除を行う場合には、レーザ光源としては、例えばパルスレーザ光源が用いられる。   Next, a quadrangular second conductive substrate forming body for forming the second conductive substrate 20 is prepared. And the corner | angular part which is not joined to the cross | intersection part 30c of the sealing part 30 among the four corner | angular parts in this 2nd conductive substrate formation body is specified, and this corner | angular part is excised. Thus, the second conductive substrate 20 is obtained. Here, the excision of the corners of the second conductive substrate forming body can be performed using, for example, a laser processing method or a wire processing method. When the corner portion of the second conductive substrate forming body is excised using the laser processing method, for example, a pulse laser light source is used as the laser light source.

上記レーザ光の波長は、1000nm以上であればよく、好ましくは1000〜20
00nmであり、より好ましくは1000〜1200nmである。
The wavelength of the laser beam may be 1000 nm or more, preferably 1000-20.
It is 00 nm, More preferably, it is 1000-1200 nm.

上記レーザ光のパルス幅は、特に限定されるものではないが、通常は150ns以下
であり、好ましくは100ns以下である。但し、レーザ光のパルス幅は、5ns以上であることが好ましい。
The pulse width of the laser light is not particularly limited, but is usually 150 ns or less, preferably 100 ns or less. However, the pulse width of the laser light is preferably 5 ns or more.

上記レーザ光の単位走査距離当たりの照射エネルギーは、0.01〜0.3J/mmとすることが好ましく、0.06〜0.09J/mmとすることがより好ましい。   The irradiation energy per unit scanning distance of the laser light is preferably 0.01 to 0.3 J / mm, and more preferably 0.06 to 0.09 J / mm.

1箇所あたりの切除回数は、1回であっても複数回であってもよいが、1回であること
が生産効率の点から好ましい。
The number of excisions per location may be one time or a plurality of times, but one time is preferable from the viewpoint of production efficiency.

次に、この第2導電性基板20を、上記構造体のうち封止部30の開口を塞ぐように配置した後、封止部30と貼り合わせる。このとき、第2導電性基板20の封止部30への貼合せは、例えば減圧下で行う。   Next, after arrange | positioning this 2nd electroconductive board | substrate 20 so that the opening of the sealing part 30 may be plugged up among the said structures, it bonds together with the sealing part 30. FIG. At this time, the bonding of the second conductive substrate 20 to the sealing portion 30 is performed, for example, under reduced pressure.

次に、第1導電性基板10の透明導電層12上であって封止部30の外側に第1外部接続端子70aを形成する。一方、第2導電性基板20の金属基板21の上に第2外部接続端子70bを形成する。   Next, the first external connection terminal 70 a is formed on the transparent conductive layer 12 of the first conductive substrate 10 and outside the sealing portion 30. On the other hand, the second external connection terminal 70 b is formed on the metal substrate 21 of the second conductive substrate 20.

次に、コネクタ60を用意する。   Next, the connector 60 is prepared.

そして、コネクタ60の第1コネクタ端子62aを第1固定部80aによって第1外部接続端子70aに固定する。一方、コネクタ60の第2コネクタ端子62bを第2固定部80bによって第2外部接続端子70bに固定する。   Then, the first connector terminal 62a of the connector 60 is fixed to the first external connection terminal 70a by the first fixing portion 80a. On the other hand, the second connector terminal 62b of the connector 60 is fixed to the second external connection terminal 70b by the second fixing portion 80b.

最後に、コネクタ60と第1導電性基板10とを接着部90によって接着させる。例えば接着部90が紫外線硬化樹脂で構成される場合には、接着は、コネクタ60と第1導電性基板10とに接触するように接着部90の原料として紫外線硬化性樹脂を配置させた後、原料に紫外線を照射させることによって原料を硬化させればよい。   Finally, the connector 60 and the first conductive substrate 10 are bonded by the bonding portion 90. For example, when the bonding portion 90 is made of an ultraviolet curable resin, after bonding the ultraviolet curable resin as a raw material of the bonding portion 90 so as to come into contact with the connector 60 and the first conductive substrate 10, What is necessary is just to harden a raw material by irradiating a raw material with an ultraviolet-ray.

以上のようにして光電変換素子100が得られる。   The photoelectric conversion element 100 is obtained as described above.

本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では接着部90が本体部90aと張出し部90bとで構成されているが、図7に示す光電変換素子200のように、接着部90は張出し部90bを有していなくてもよい。すなわち接着部90が本体部90aのみで構成されていてもよい。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the bonding portion 90 includes the main body portion 90a and the overhang portion 90b, but the bonding portion 90 does not include the overhang portion 90b as in the photoelectric conversion element 200 illustrated in FIG. Good. That is, the adhesion part 90 may be comprised only by the main-body part 90a.

また上記実施形態では、光電変換素子100がコネクタ60と第1導電性基板10とを接着する接着部90を有しているが、図8に示す光電変換素子300のように、光電変換素子は必ずしも接着部90を有していなくてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the photoelectric conversion element 100 has the adhesion part 90 which adhere | attaches the connector 60 and the 1st electroconductive board | substrate 10, like the photoelectric conversion element 300 shown in FIG. The adhesive portion 90 is not necessarily required.

また上記実施形態では、第1導電性基板10が透明基板11を有し、透明基板11上に透明導電層12を介して酸化物半導体層13が設けられているが、酸化物半導体層13が第2導電性基板20の金属基板21上に設けられてもよい。但し、この場合、触媒層22は第1導電性基板10の透明導電層12上に設けられることになる。   In the above embodiment, the first conductive substrate 10 includes the transparent substrate 11, and the oxide semiconductor layer 13 is provided on the transparent substrate 11 via the transparent conductive layer 12. It may be provided on the metal substrate 21 of the second conductive substrate 20. However, in this case, the catalyst layer 22 is provided on the transparent conductive layer 12 of the first conductive substrate 10.

さらに上記実施形態では、封止部30が、無機封止部30Bと、樹脂封止部30Aとで構成されているが、封止部30は樹脂封止部30Aのみで構成されてもよい。   Furthermore, in the said embodiment, although the sealing part 30 is comprised with the inorganic sealing part 30B and the resin sealing part 30A, the sealing part 30 may be comprised only with resin sealing part 30A.

さらにまた上記実施形態では、封止部30が四角環状になっているが、封止部30は環状であればよく、四角環状を除く多角環状でもよく、円環状でもよい。   Furthermore, in the said embodiment, although the sealing part 30 is a square ring shape, the sealing part 30 should just be cyclic | annular, the polygonal ring except a square ring may be sufficient, and an annular | circular shape may be sufficient.

また、上記実施形態では、第1外部接続端子70aが、四角形状の第1導電性基板10の角部に設けられているが、第1外部接続端子70aは、第1導電性基板10の第1透明導電部上であって環状の封止部30の外側に設けられていればよく、四角形状の第1導電性基板10の角部と角部との間に設けられてもよい。   In the above embodiment, the first external connection terminals 70 a are provided at the corners of the rectangular first conductive substrate 10, but the first external connection terminals 70 a are provided on the first conductive substrate 10. As long as it is provided on the outer side of the annular sealing part 30 on one transparent conductive part, it may be provided between the corners of the rectangular first conductive substrate 10.

また上記実施形態では、光電変換素子100が1つの光電変換セル50を有しているが、光電変換素子は、光電変換セル50を複数備えていてもよい。この場合、例えば複数の光電変換セル50のうち1つの光電変換セル50の第1導電性基板10の第1透明導電部に第1外部接続端子70aが固定され、複数の光電変換セル50のうち別の1つの光電変換セル50の第2導電性基板20の金属基板21に第2外部接続端子70bが固定される。   Moreover, in the said embodiment, although the photoelectric conversion element 100 has the one photoelectric conversion cell 50, the photoelectric conversion element may be provided with two or more photoelectric conversion cells 50. FIG. In this case, for example, the first external connection terminal 70 a is fixed to the first transparent conductive portion of the first conductive substrate 10 of one photoelectric conversion cell 50 among the plurality of photoelectric conversion cells 50. The second external connection terminal 70 b is fixed to the metal substrate 21 of the second conductive substrate 20 of another one photoelectric conversion cell 50.

10…第1導電性基板
11…透明基板
12…透明導電層(第1透明導電部)
20…第2導電性基板
21…金属基板
30…封止部
30A…樹脂封止部
50…光電変換セル
60…コネクタ
61…コネクタ本体部
62a…第1コネクタ端子
62b…第2コネクタ端子
70a…第1外部接続端子
70b…第2外部接続端子
90…接着部
100,200…光電変換素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... 1st conductive substrate 11 ... Transparent substrate 12 ... Transparent conductive layer (1st transparent conductive part)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 ... 2nd electroconductive board | substrate 21 ... Metal substrate 30 ... Sealing part 30A ... Resin sealing part 50 ... Photoelectric conversion cell 60 ... Connector 61 ... Connector main-body part 62a ... 1st connector terminal 62b ... 2nd connector terminal 70a ... 1st DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 External connection terminal 70b ... 2nd external connection terminal 90 ... Adhesion part 100,200 ... Photoelectric conversion element

Claims (4)

少なくとも1つの光電変換セルと、
前記少なくとも1つの光電変換セルから電流を取り出すための第1外部接続端子と、
前記少なくとも1つの光電変換セルから電流を取り出すための第2外部接続端子と、
前記第1外部接続端子及び前記第2外部接続端子から電流を取り出すコネクタとを備え、
前記光電変換セルが、
第1導電性基板と、
前記第1導電性基板に対向する第2導電性基板と、
前記第1導電性基板と前記第2導電性基板とを接合する環状の封止部とを有し、
前記第1導電性基板が、透明基板、及び、前記透明基板上に設けられる第1透明導電部を有し、
前記第2導電性基板が金属基板を有し、
前記封止部が、樹脂を含む樹脂封止部を有し、
前記コネクタが、
コネクタ本体部と、
前記コネクタ本体部に設けられ、前記第1外部接続端子に固定される第1コネクタ端子と、
前記コネクタ本体部に設けられ、前記第2外部接続端子に固定される第2コネクタ端子とを有し、
前記第1外部接続端子が、前記少なくとも1つの光電変換セルのうちの1つの光電変換セルの前記環状の封止部の外側であって前記第1導電性基板の前記第1透明導電部に設けられ、
前記第2外部接続端子が、前記少なくとも1つの光電変換セルのうちの1つの光電変換セルの前記第2導電性基板の前記金属基板上に設けられている光電変換素子。
At least one photoelectric conversion cell;
A first external connection terminal for taking out a current from the at least one photoelectric conversion cell;
A second external connection terminal for taking out a current from the at least one photoelectric conversion cell;
A connector for taking out current from the first external connection terminal and the second external connection terminal;
The photoelectric conversion cell is
A first conductive substrate;
A second conductive substrate facing the first conductive substrate;
An annular sealing portion for joining the first conductive substrate and the second conductive substrate;
The first conductive substrate has a transparent substrate, and a first transparent conductive portion provided on the transparent substrate,
The second conductive substrate comprises a metal substrate;
The sealing part has a resin sealing part containing resin,
The connector is
A connector body,
A first connector terminal provided in the connector body and fixed to the first external connection terminal;
A second connector terminal provided on the connector main body and fixed to the second external connection terminal;
The first external connection terminal is provided on the first transparent conductive portion of the first conductive substrate outside the annular sealing portion of one of the at least one photoelectric conversion cells. And
The photoelectric conversion element in which the second external connection terminal is provided on the metal substrate of the second conductive substrate of one of the at least one photoelectric conversion cells.
前記コネクタ本体部と前記第1導電性基板とを接着し、前記封止部の前記樹脂封止部よりも小さい線膨張係数を有する接着部をさらに備える、請求項1に記載の光電変換素子。   The photoelectric conversion element according to claim 1, further comprising an adhesive portion that adheres the connector main body portion and the first conductive substrate and has a smaller linear expansion coefficient than the resin sealing portion of the sealing portion. 前記接着部が、
本体部と、
前記本体部から張り出す張出し部とを有し、
前記張出し部が、前記コネクタ本体部と前記第2導電性基板の前記金属基板とを接着している、請求項2に記載の光電変換素子。
The adhesive portion is
The main body,
A projecting portion that projects from the main body,
The photoelectric conversion element according to claim 2, wherein the overhanging portion bonds the connector main body portion and the metal substrate of the second conductive substrate.
前記第2導電性基板の前記金属基板がチタンを含み、
前記第2外部接続端子が、金属と、樹脂と、カーボンとを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光電変換素子。
The metal substrate of the second conductive substrate includes titanium;
The photoelectric conversion element according to claim 1, wherein the second external connection terminal includes a metal, a resin, and carbon.
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