JP2018004990A - Mems display - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high performance display mounted with an electromechanical optical modulator and a backlight which are efficient and inexpensive.SOLUTION: An MEMS (Micro Electro Mechanical System) display comprises: a first and a second actuators; and a shutter which has a first and a second edge sections. The shutter is supported above a surface by a plurality of support sections fixed to the first and the second edge sections. The support sections fixed to the first and the second edge sections are inclined with respect to each other and to the surface.SELECTED DRAWING: Figure 15A

Description

関連する米国特許文献は、以下の通りである。2009年9月3日付で出願され、米国特許第7995261号となった米国特許出願第12/584465号、2015年1月5日に出願された米国特許出願第14/589699号、2015年1月5日に出願された米国特許出願第14/589634号、2015年1月5日に出願された米国特許出願第14/589434号、2015年1月5日に出願された米国特許出願第14/589551号、2015年1月5日に出願された米国特許出願第14/589715号であり、これらは、参照により本明細書に組み込まれている。   The relevant US patent documents are: US patent application Ser. No. 12 / 58,465 filed on Sep. 3, 2009 and became US Pat. No. 7,995,261; US patent application Ser. No. 14 / 589,699 filed Jan. 5, 2015, Jan. 2015 U.S. Patent Application No. 14/589634 filed on May 5, U.S. Patent Application No. 14/589434 filed on Jan. 5, 2015, U.S. Patent Application No. 14/58 filed on Jan. 5, 2015. 589551, US patent application Ser. No. 14 / 589,715, filed Jan. 5, 2015, which is incorporated herein by reference.

本発明は、一般にディスプレイに関する。より具体的には、本発明は、電気機械的画像素子を含むディスプレイに関する。   The present invention relates generally to displays. More specifically, the present invention relates to a display that includes an electromechanical imaging element.

現在、液晶ディスプレイが、フラットパネルディスプレイの市場において支配的である。   Currently, liquid crystal displays are dominant in the flat panel display market.

電気機械光変調器に基づくディスプレイは、LCDに対して実施可能な代替案として提案されている。本発明は、画像性能、光効率及びコストの点でLCDに対抗することができる電気機械光変調器及びディスプレイを開示する。   Displays based on electromechanical light modulators have been proposed as a viable alternative to LCDs. The present invention discloses electromechanical light modulators and displays that can compete with LCDs in terms of image performance, light efficiency and cost.

以下に述べるのは、本発明の例示的な実施形態の概要的な説明である。これは、当業者が、以本発明を具体的に理解することができるように、いかなる態様においても、本明細書に添付された特許請求の範囲を限定することを意図してない、以下に述べる詳細な設計についての議論をより迅速に理解することを容易にするための序説として提供される。   The following is a general description of an exemplary embodiment of the present invention. This is not intended to limit the scope of the claims appended hereto in any way so that those skilled in the art can more fully understand the present invention. It is provided as an introduction to facilitate a quicker understanding of the detailed design discussion described.

本明細書は、いくつかの電気機械光変調器を開示する。本発明の例示的な実施形態によれば、変調器は1つまたは2つの静電アクチュエータと、シャッタの第1及び第2の端部においてシャッタに取り付けられた複数の支持部によって、基板の表面の上方に支持された光シャッタと、を含む。動作時には、アクチュエータは、力をシャッタに印加する。シャッタ支持部は、力の方向のシャッタの移動を制限し、シャッタが力に対して実質的に横方向に移動することを可能にする。シャッタは、第1の位置と第2の位置との間で横方向に、静止部または表面と物理的に接触することなく移動する。各静電アクチュエータは、実質的に平行で互いに対して近接した距離に配置された2つの電極を含む。いくつかの実施形態において、シャッタは導電性であり、アクチュエータ電極の1つとして働く。他の設計において、シャッタは、シャッタの縁から垂直に延設するフランジを含み、固定電極とともに静電アクチュエータを形成する。固定電極は、フランジに対して実質的に近接して配置され、効率的な静電アクチュエータを形成しうる。   This specification discloses several electromechanical light modulators. According to an exemplary embodiment of the present invention, the modulator comprises a surface of the substrate by one or two electrostatic actuators and a plurality of supports attached to the shutter at the first and second ends of the shutter. An optical shutter supported above. In operation, the actuator applies a force to the shutter. The shutter support limits the movement of the shutter in the direction of the force and allows the shutter to move substantially transverse to the force. The shutter moves laterally between the first position and the second position without physically contacting the stationary part or the surface. Each electrostatic actuator includes two electrodes that are substantially parallel and located at a distance close to each other. In some embodiments, the shutter is electrically conductive and acts as one of the actuator electrodes. In other designs, the shutter includes a flange that extends vertically from the edge of the shutter to form an electrostatic actuator with a fixed electrode. The fixed electrode can be placed substantially in close proximity to the flange to form an efficient electrostatic actuator.

シャッタ支持部は、シャッタと表面との間に配置され、そのため、ディスプレイにおいて、シャッタは、それぞれの間にシャッタ移動のための空間を許容するのみで、互いに対して実質的に近接して配置されうる。いくつかの変調器において、シャッタは、片持ち梁によって表面上に支持される。本発明は、片持ち梁及び片持ち梁によって支持されたシャッタを製造する方法を開示する。本発明はまた、光透過領域を有する光吸収層と、光を光吸収層の方へ反射するための背面反射体を含むバックライトと、バックライトと光吸収層との間に配置されたシャッタをそれぞれ含む複数の変調器と、を含むディスプレイを開示し、シャッタは、光透過領域と、バックライトに面し、バックライトから放出された光を再利用するための光反射性表面と、を有し、バックライトからシャッタの光透過領域に入射する光は、シャッタが第1の位置にあるときに光吸収層の光透過領域を透過し、シャッタが第2の位置にあるときに光吸収層に吸収される。   The shutter support is arranged between the shutter and the surface, so in the display, the shutters are arranged substantially close to each other, only allowing space for the shutter movement between them. sell. In some modulators, the shutter is supported on the surface by a cantilever beam. The present invention discloses a method of manufacturing a cantilever and a shutter supported by the cantilever. The present invention also provides a light absorption layer having a light transmission region, a backlight including a back reflector for reflecting light toward the light absorption layer, and a shutter disposed between the backlight and the light absorption layer. A display comprising a plurality of modulators, each comprising a light transmissive region and a light reflective surface for reusing light emitted from the backlight facing the backlight. The light incident on the light transmission region of the shutter from the backlight is transmitted through the light transmission region of the light absorption layer when the shutter is in the first position and is absorbed when the shutter is in the second position. Absorbed into the layer.

本発明はまた、光透過領域を有するシャッタと、表面及び複数の埋め込み反射体を有する基板とをそれぞれ含む複数の変調器を含む別のディスプレイを開示し、埋め込み光反射体により、光は、基板の表面から基板の外に脱出し、シャッタのそれぞれの光透過領域に集束する。   The present invention also discloses another display including a plurality of modulators each including a shutter having a light transmissive region and a substrate having a surface and a plurality of embedded reflectors, wherein the light is transmitted to the substrate. Escapes from the surface to the outside of the substrate and is focused on each light transmission region of the shutter.

本発明の前述の、そしてその他の対象は、添付された図面に示され、以下の明細書において説明される。   The foregoing and other objects of the invention are shown in the accompanying drawings and described in the following specification.

本明細書の例示的な実施形態に従う、シャッタアセンブリの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a shutter assembly, according to an exemplary embodiment herein. 図1Aに示されたシャッタアセンブリの前面図である。1B is a front view of the shutter assembly shown in FIG. 1A. FIG. 図1Aに示されたシャッタアセンブリの製造に関する例示的なモールドの上面図である。FIG. 1B is a top view of an exemplary mold for manufacturing the shutter assembly shown in FIG. 1A. 図2Aの直線2Bに沿った断面図である。It is sectional drawing along the straight line 2B of FIG. 2A. 本発明の例示的な実施形態に従う、光変調器の斜視図である。1 is a perspective view of a light modulator, according to an illustrative embodiment of the invention. FIG. 図3Aに示された光変調器の前面図である。3B is a front view of the optical modulator shown in FIG. 3A. FIG. 第1の位置に位置するシャッタを示す、図3Aに示された光変調器の前面図である。FIG. 3B is a front view of the light modulator shown in FIG. 3A showing the shutter in a first position. 第2の位置に位置するシャッタを示す、図3Aに示された光変調器の前面図である。FIG. 3B is a front view of the light modulator shown in FIG. 3A showing the shutter in a second position. 本発明の例示的な実施形態に従う光変調器の斜視図である。1 is a perspective view of a light modulator according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 図4Aに示された光変調器の前面図である。FIG. 4B is a front view of the optical modulator shown in FIG. 4A. 本発明の例示的な実施形態に従う光変調器の斜視図である。1 is a perspective view of a light modulator according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 図5Aに示された光変調器の前面図である。FIG. 5B is a front view of the optical modulator shown in FIG. 5A. 本発明の例示的な実施形態に従う光変調器の斜視図である。1 is a perspective view of a light modulator according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 図6Aに示された光変調器の側面図である。FIG. 6B is a side view of the optical modulator shown in FIG. 6A. 図6Aに示された光変調器のシャッタ支持部を示す斜視図である。FIG. 6B is a perspective view showing a shutter support portion of the optical modulator shown in FIG. 6A. 図6Aに示された光変調器の上面図である。FIG. 6B is a top view of the optical modulator shown in FIG. 6A. 第1の位置に位置するシャッタを示す、図6Aに示された光変調器の上面図である。FIG. 6B is a top view of the light modulator shown in FIG. 6A showing the shutter located in the first position. 第2の位置に位置するシャッタを示す、図6Aに示された光変調器の上面図である。FIG. 6B is a top view of the light modulator shown in FIG. 6A showing the shutter located in the second position. 本発明の例示的な実施形態に従う光変調器の上面図である。1 is a top view of an optical modulator according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 図7Aに示された光変調器の側面図である。FIG. 7B is a side view of the optical modulator shown in FIG. 7A. 図7Aに示された光変調器のシャッタ支持部を示す上面図である。It is a top view which shows the shutter support part of the optical modulator shown by FIG. 7A. 第1の位置に位置するシャッタを示す、図7Aに示された光変調器の上面図である。FIG. 7B is a top view of the light modulator shown in FIG. 7A showing the shutter located in the first position. 本発明の例示的な実施形態に従うシャッタ支持部の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a shutter support according to an exemplary embodiment of the present invention. 図8Aに示されたシャッタ支持部を製造するためのモールドの斜視図である。It is a perspective view of the mold for manufacturing the shutter support part shown by FIG. 8A. 図8Aに示されたシャッタ支持部を製造するための段階を示す、図8Bの直線CCに沿った断面図である。FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 8B showing the steps for manufacturing the shutter support shown in FIG. 8A. 図8Aに示されたシャッタ支持部を製造するための段階を示す上面図である。It is a top view which shows the step for manufacturing the shutter support part shown by FIG. 8A. 図8Aに示されたシャッタ支持部を製造するための段階を示す前面図である。FIG. 8B is a front view showing the steps for manufacturing the shutter support shown in FIG. 8A. 図8Aに示されたシャッタ支持部を製造するための段階を示す前面図である。FIG. 8B is a front view showing the steps for manufacturing the shutter support shown in FIG. 8A. 図8Aに示されたシャッタ支持部を製造するための段階を示す上面図である。It is a top view which shows the step for manufacturing the shutter support part shown by FIG. 8A. 図8Aに示されたシャッタ支持部を製造するための段階を示す側面図である。FIG. 8B is a side view showing the steps for manufacturing the shutter support shown in FIG. 8A. 本発明の例示的な実施形態に従うシャッタの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a shutter according to an exemplary embodiment of the present invention. 図9Aに示されたシャッタを製造するためのモールドの斜視図である。FIG. 9B is a perspective view of a mold for manufacturing the shutter shown in FIG. 9A. 図9Aに示されたシャッタを製造する段階を示す、図9Bの直線CCに沿った断面図である。FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 9B, showing a stage of manufacturing the shutter shown in FIG. 9A. 図9Aに示されたシャッタを製造する段階を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the step which manufactures the shutter shown by FIG. 9A. 図9Aに示されたシャッタを製造する段階を示す、図9Dの直線EEに沿った断面図である。FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line EE of FIG. 9D, showing a stage of manufacturing the shutter shown in FIG. 9A. 図9Aに示されたシャッタを製造する段階を示す、図9Dの直線FFに沿った断面図である。FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line FF of FIG. 9D, showing a stage of manufacturing the shutter shown in FIG. 9A. 本発明の例示的な実施形態に従うディスプレイバックライトの斜視図である。1 is a perspective view of a display backlight according to an exemplary embodiment of the present invention. 図10Aに示されたディスプレイバックライトの側面図である。FIG. 10B is a side view of the display backlight shown in FIG. 10A. 図10Bにおいて10Cで示された領域の拡大図である。FIG. 10B is an enlarged view of a region indicated by 10C in FIG. 10B. 本発明の例示的な実施形態に従う、埋め込み光反射体を有する光学層を製造するための段階を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating steps for manufacturing an optical layer having an embedded light reflector, in accordance with an exemplary embodiment of the present invention. 本発明の例示的な実施形態に従う、埋め込み光反射体を有する光学層を製造するための段階を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating steps for manufacturing an optical layer having an embedded light reflector, in accordance with an exemplary embodiment of the present invention. 本発明の例示的な実施形態に従う、埋め込み光反射体を有する光学層を製造するための段階を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating steps for manufacturing an optical layer having an embedded light reflector, in accordance with an exemplary embodiment of the present invention. 本発明の例示的な実施形態に従う、埋め込み光反射体を有する光学層を製造するための段階を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating steps for manufacturing an optical layer having an embedded light reflector, in accordance with an exemplary embodiment of the present invention. 本発明の例示的な実施形態に従う、埋め込み光反射体を有する基板を製造するための段階を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating steps for manufacturing a substrate having an embedded light reflector, in accordance with an exemplary embodiment of the present invention. 本発明の例示的な実施形態に従う、埋め込み光反射体を有する基板を製造するための段階を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating steps for manufacturing a substrate having an embedded light reflector, in accordance with an exemplary embodiment of the present invention. 本発明の例示的な実施形態に従う、埋め込み光反射体を有する基板を製造するための段階を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating steps for manufacturing a substrate having an embedded light reflector, in accordance with an exemplary embodiment of the present invention. 本発明の例示的な実施形態に従うディスプレイカバーアセンブリの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a display cover assembly according to an exemplary embodiment of the present invention. 図13Aにおける直線13Bに沿った断面図である。It is sectional drawing along the straight line 13B in FIG. 13A. 第1の位置に位置するシャッタを示す、本発明の例示的な実施形態に従うディスプレイの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a display according to an exemplary embodiment of the present invention showing a shutter located in a first position. 第2の位置に位置するシャッタを示す、図14Aに示されたディスプレイの断面図である。FIG. 14B is a cross-sectional view of the display shown in FIG. 14A showing a shutter located in a second position. 第1の位置に位置するシャッタを示す、本発明の例示的な実施形態に従うディスプレイの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a display according to an exemplary embodiment of the present invention showing a shutter located in a first position. 第2の位置に位置するシャッタを示す、図15Aに示されたディスプレイの断面図である。FIG. 15B is a cross-sectional view of the display shown in FIG. 15A showing the shutter located in a second position.

図1Aは、本発明の例示的な実施形態に従うシャッタアセンブリ100の斜視図であり、図1Bは前面図である。シャッタアセンブリ100は、支持部104及び105で透明基板102の表面103の上方に支持されている光シャッタ101を含む。支持部104は、シャッタ101の第1の端部106に取り付けられ、支持部105は、シャッタ101の第2の端部107に取り付けられている。支持部104及び105は実質的に直線状であり、互いに対して、及び表面103に対して傾斜しており、表面103に対して70°から85°の角度113を成す。支持部104及び105は、パッド109で、シャッタ101の支持部104及び105の取付け点の間の距離115よりも大きな距離114で、基板102の表面103に取り付けられている。シャッタアセンブリ100は、互いに対して傾斜した支持部104及び105を有するように構築されてもよく、距離115より小さな距離114で、表面103に取り付けられてもよい。支持部104及び105並びにパッド109は、薄膜導電材料から形成され、表面103からシャッタ101までの電気的接続を提供する。シャッタ101もまた、薄膜導電材料または導電層を含む多層膜から形成される。シャッタ101は、光透過領域108及び光妨害領域または光遮断領域110を含む。光遮断領域110は、光透過領域108よりも大きい(より幅広く、より長い)。光透過領域108は、光透過領域108に入射する光の90%以上を透過し、光遮断領域110は、光の少なくとも99%を遮断する。   FIG. 1A is a perspective view and FIG. 1B is a front view of a shutter assembly 100 according to an exemplary embodiment of the present invention. The shutter assembly 100 includes an optical shutter 101 supported above the surface 103 of the transparent substrate 102 by support portions 104 and 105. The support portion 104 is attached to the first end portion 106 of the shutter 101, and the support portion 105 is attached to the second end portion 107 of the shutter 101. The supports 104 and 105 are substantially straight and are inclined with respect to each other and with respect to the surface 103 and form an angle 113 with respect to the surface 103 of 70 ° to 85 °. The support portions 104 and 105 are attached to the surface 103 of the substrate 102 by a pad 109 at a distance 114 larger than the distance 115 between the attachment points of the support portions 104 and 105 of the shutter 101. The shutter assembly 100 may be constructed with supports 104 and 105 inclined relative to each other and may be attached to the surface 103 at a distance 114 that is less than the distance 115. Supports 104 and 105 and pad 109 are formed from a thin film conductive material and provide electrical connection from surface 103 to shutter 101. The shutter 101 is also formed from a multilayer film including a thin film conductive material or a conductive layer. The shutter 101 includes a light transmission area 108 and a light blocking area or light blocking area 110. The light blocking area 110 is larger (wider and longer) than the light transmitting area 108. The light transmission region 108 transmits 90% or more of the light incident on the light transmission region 108, and the light blocking region 110 blocks at least 99% of the light.

シャッタ101の外側の縁または全ての縁は、シャッタ101が曲がらないように傾斜を付けられている。シャッタアセンブリ100は、アルミニウムやシリコン合金などの金属から、モールド上に製造されうる。1つの実装形態において、シャッタ101の全ての表面は、光吸収仕上げを有しうる。他の実装形態において、シャッタ101は、光反射性の第1の表面120及び光吸収性の第2の表面121を有しうる。光反射性表面120は、光の80%以上を反射し、光吸収性表面121は、光の80%以上を吸収する。   The outer edge or all edges of the shutter 101 are inclined so that the shutter 101 does not bend. The shutter assembly 100 can be fabricated on a mold from a metal such as aluminum or a silicon alloy. In one implementation, all surfaces of the shutter 101 can have a light absorbing finish. In other implementations, the shutter 101 can have a light-reflective first surface 120 and a light-absorbing second surface 121. The light reflective surface 120 reflects 80% or more of the light, and the light absorbing surface 121 absorbs 80% or more of the light.

モールドの平滑な表面上にアルミニウム層を成膜することにより、鏡面状の第1の表面120を有するシャッタ101が設けられることとなり、黒色酸化層が、陽極酸化によって第2の表面121の上に形成されうる。黒色酸化層は、光透過領域108をエッチングした後に形成されてもよく、そのため、光透過領域108の内側の縁は、黒色酸化層で覆われることとなる。   By forming an aluminum layer on the smooth surface of the mold, a shutter 101 having a mirror-like first surface 120 is provided, and a black oxide layer is formed on the second surface 121 by anodic oxidation. Can be formed. The black oxide layer may be formed after the light transmission region 108 is etched. Therefore, the inner edge of the light transmission region 108 is covered with the black oxide layer.

クロム酸化物またはニオブ酸化物が成膜されてもよく、または黒色有機樹脂が、光吸収性表面を形成するためにシャッタ101の表面に適用されてもよい。   Chromium oxide or niobium oxide may be deposited, or a black organic resin may be applied to the surface of the shutter 101 to form a light absorbing surface.

限定をすることなく、シャッタアセンブリ100の一部は以下の大きさを有してもよい。シャッタ101は、50から1000マイクロメートルの幅115及び0.5から5マイクロメートルの厚さを有しうる。光透過領域108は、2から50マイクロメートルの幅122を有しうる。支持部104及び105は、2から20マイクロメートルの幅及び0.5から5マイクロメートルの厚さを有しうる。支持部104及び105は、光透過領域108の幅122よりも1.5から3倍大きい長さ112を有しうる。   Without limitation, a portion of the shutter assembly 100 may have the following dimensions. The shutter 101 may have a width 115 of 50 to 1000 micrometers and a thickness of 0.5 to 5 micrometers. The light transmissive region 108 may have a width 122 of 2 to 50 micrometers. Supports 104 and 105 may have a width of 2 to 20 micrometers and a thickness of 0.5 to 5 micrometers. The support portions 104 and 105 may have a length 112 that is 1.5 to 3 times larger than the width 122 of the light transmission region 108.

図2A及び2Bは、シャッタアセンブリ100の製造のためのモールド200を示す。図2Aはモールド200の上面図であり、図2Bは、図2Aの直線2Bに沿った断面図である。   2A and 2B show a mold 200 for manufacturing the shutter assembly 100. 2A is a top view of the mold 200, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line 2B in FIG. 2A.

モールド200は、グレースケールマスクフォトリソグラフィまたは複数マスクフォトリソグラフィを用いて、基板102の表面103上に形成される。犠牲材料201の層は、表面103上に成膜される。溝203及び凹部領域206は、層201の表面205上に形成される。シャッタアセンブリ100は、モールド200の表面上の導電薄膜の薄い層を成膜し、選択的にエッチングすることによって形成される。支持部104及び105は、溝203の側壁204の上に形成される。側壁204は、表面103に対して支持部104及び105と同一の傾斜角度113を有する。凹部領域206は、傾斜を付された縁を有するシャッタ101を形成するために設けられる。傾斜を付した縁は、シャッタ101が曲がり、または屈曲することを防止する助けとなる。導電材料の方向性成膜と形状追従性成膜の組み合わせは、支持部104及び105並びにシャッタ101の相対的な厚さを制御するために用いられうる。   The mold 200 is formed on the surface 103 of the substrate 102 using gray scale mask photolithography or multiple mask photolithography. A layer of sacrificial material 201 is deposited on the surface 103. The groove 203 and the recessed area 206 are formed on the surface 205 of the layer 201. The shutter assembly 100 is formed by depositing and selectively etching a thin layer of a conductive thin film on the surface of the mold 200. The support portions 104 and 105 are formed on the side wall 204 of the groove 203. The side wall 204 has the same inclination angle 113 as the support portions 104 and 105 with respect to the surface 103. The recessed area 206 is provided to form the shutter 101 having an inclined edge. The beveled edge helps to prevent the shutter 101 from bending or bending. A combination of directional film formation and shape following film formation of the conductive material can be used to control the relative thicknesses of the support portions 104 and 105 and the shutter 101.

図3Aから3Dは、本発明の例示的な実施形態に従う光変調器300を示している。   3A through 3D illustrate an optical modulator 300 according to an exemplary embodiment of the present invention.

図3A及び3Bを参照すると、変調器300は、図1Aのシャッタアセンブリ100及びカバーアセンブリ303を含む。カバーアセンブリ303は、スペーサー306及び307で基板102の表面103の上方に支持された透明基板304を含む。2つの電極308及び309は、基板304の内側表面305上に形成される。   Referring to FIGS. 3A and 3B, the modulator 300 includes the shutter assembly 100 and the cover assembly 303 of FIG. 1A. Cover assembly 303 includes a transparent substrate 304 supported above surface 103 of substrate 102 by spacers 306 and 307. Two electrodes 308 and 309 are formed on the inner surface 305 of the substrate 304.

電極308及び導電性シャッタ101は、第1の静電アクチュエータ311及び電極309を形成し、導電シャッタ101は、第2の静電アクチュエータ312を形成する。動作時には、電極308とシャッタ101との間に印加された電圧電位は、シャッタ101の第1の端部106に取り付けられた支持部104を、表面103に対してより垂直に近い位置に引っ張り、シャッタ101を第1の位置へ横方向に(図3C)移動させる静電力(図3C)を発生させ、または、電極309とシャッタ101との間に印加された電圧電位は、シャッタ101の第2の端部107に取り付けられた支持部105を、表面103に対してより垂直に近い位置まで引っ張り、シャッタ101を第2の位置へ横方向に(図3D)移動させる静電力(図3D)を発生させる。   The electrode 308 and the conductive shutter 101 form a first electrostatic actuator 311 and an electrode 309, and the conductive shutter 101 forms a second electrostatic actuator 312. In operation, the voltage potential applied between the electrode 308 and the shutter 101 pulls the support 104 attached to the first end 106 of the shutter 101 closer to a position that is closer to the surface 103, An electrostatic force (FIG. 3C) that moves the shutter 101 laterally (FIG. 3C) to the first position is generated, or the voltage potential applied between the electrode 309 and the shutter 101 is the second potential of the shutter 101. The electrostatic force (FIG. 3D) for pulling the support portion 105 attached to the end portion 107 to a position nearer to the surface 103 and moving the shutter 101 laterally (FIG. 3D) to the second position. generate.

支持部104及び105に蓄積された機械的な力は、図3Bに示されるように、シャッタ101を第1の位置または第2の位置から機械的安定位置または中立位置へ引き戻す。   The mechanical force accumulated in the supports 104 and 105 pulls the shutter 101 back from the first position or the second position to the mechanical stable position or the neutral position, as shown in FIG. 3B.

変調器300において、第1のアクチュエータ311及び第2のアクチュエータ312は、それぞれ、シャッタ101に対して実質的に同一方向に力を印加し、シャッタ101を反対方向へ横方向に移動させる。   In the modulator 300, the first actuator 311 and the second actuator 312 respectively apply force to the shutter 101 in substantially the same direction, and move the shutter 101 in the lateral direction in the opposite direction.

図3Cにおいて、矢印314は、第1のアクチュエータ311によってシャッタ101に印加された力の方向を示し、矢印315は、機械的安定位置から第1の位置へのシャッタ101の横方向の移動の方向を示す。シャッタ101は、機械的安定位置から第1の位置へ、第1のアクチュエータ311によってシャッタ101に印加された力の方向におけるものよりも少なくとも5倍、横方向に移動する。   In FIG. 3C, an arrow 314 indicates the direction of the force applied to the shutter 101 by the first actuator 311, and an arrow 315 indicates the direction of the lateral movement of the shutter 101 from the mechanically stable position to the first position. Indicates. The shutter 101 moves from the mechanically stable position to the first position in the lateral direction at least five times that in the direction of the force applied to the shutter 101 by the first actuator 311.

図3Dにおいて、矢印316は、第2のアクチュエータ312によってシャッタ101に印加された力の方向を示し、矢印317は、第2の位置へのシャッタ101の横方向の移動の方向を示している。   In FIG. 3D, an arrow 316 indicates the direction of the force applied to the shutter 101 by the second actuator 312, and an arrow 317 indicates the direction of the lateral movement of the shutter 101 to the second position.

次第に高くなる電圧をアクチュエータ311に印加し、次第に低くなる電圧をアクチュエータ312に印加すると、シャッタは第1の位置と第2の位置との間を徐々に移動することとなり、アクチュエータ311に固定電圧を印加し、アクチュエータ312に可変電圧を印加しても、シャッタは第1の位置と第2の位置との間を徐々に移動することとなる。   When a gradually increasing voltage is applied to the actuator 311 and a gradually decreasing voltage is applied to the actuator 312, the shutter gradually moves between the first position and the second position, and a fixed voltage is applied to the actuator 311. Even when the variable voltage is applied to the actuator 312, the shutter gradually moves between the first position and the second position.

ディスプレイにおいて、電極308及び309は、より幅広く形成され、連続する行または列に位置する複数のシャッタアセンブリによって共有されてもよい。   In the display, the electrodes 308 and 309 may be shared by multiple shutter assemblies that are formed wider and located in consecutive rows or columns.

図4A及び4Bは、本発明の例示的な実施形態に従う光変調器400を示している。変調器400は、シャッタアセンブリ401及びカバーアセンブリ418を含む。シャッタアセンブリ401は、支持部406及び407で、透明基板402の表面403の上方に支持されたシャッタ410を含む。支持部407は、シャッタ410の第1の端部408に取り付けられ、支持部406は、シャッタ410の第2の端部409に取り付けられる。シャッタ410は、電気的絶縁体または誘電体材料から形成され、光透過領域411及び光遮断領域412を含む。シャッタ410はさらに、第1の電極405及び第2の電極404を含む。支持部407は、表面403から電極405まで電気的接続を提供し、支持部406は、表面403から電極404まで電気的接続を提供する。   4A and 4B illustrate an optical modulator 400 according to an exemplary embodiment of the present invention. The modulator 400 includes a shutter assembly 401 and a cover assembly 418. The shutter assembly 401 includes a shutter 410 supported above the surface 403 of the transparent substrate 402 by support portions 406 and 407. The support portion 407 is attached to the first end portion 408 of the shutter 410, and the support portion 406 is attached to the second end portion 409 of the shutter 410. The shutter 410 is made of an electrical insulator or dielectric material, and includes a light transmission region 411 and a light blocking region 412. The shutter 410 further includes a first electrode 405 and a second electrode 404. Support 407 provides an electrical connection from surface 403 to electrode 405, and support 406 provides an electrical connection from surface 403 to electrode 404.

カバーアセンブリ418は、スペーサー416及び417で表面403の上方に支持された透明基板413を含む。カバーアセンブリ418はさらに、インジウムスズ酸化物のような材料から、基板413の内側表面414上に形成された透明導電層415を含む。   Cover assembly 418 includes a transparent substrate 413 supported above surface 403 by spacers 416 and 417. The cover assembly 418 further includes a transparent conductive layer 415 formed on the inner surface 414 of the substrate 413 from a material such as indium tin oxide.

変調器400において、導電層415を有する第1の電極405は、第1の静電アクチュエータ418を形成し、導電層415を有する第2の電極404は、第2の静電アクチュエータ419を形成する。   In the modulator 400, the first electrode 405 having the conductive layer 415 forms the first electrostatic actuator 418, and the second electrode 404 having the conductive layer 415 forms the second electrostatic actuator 419. .

動作時には、第1のアクチュエータは、支持部407を、表面403に対して垂直に近い位置まで引っ張り、シャッタ410を第1の位置へ横方向に移動させ、第2のアクチュエータは、支持部406を表面403に対して垂直に近い位置まで引っ張り、シャッタ410を第2の位置へ横方向に移動させる。支持部406及び407に蓄積された機械的な力は、図4Bに示されるように、シャッタ410を第1の位置または第2の位置から機械的安定位置または中立位置まで引き戻す。   In operation, the first actuator pulls the support 407 to a position near perpendicular to the surface 403 to move the shutter 410 laterally to the first position, and the second actuator moves the support 406 Pulling to a position near the surface 403 perpendicular to the surface 403, the shutter 410 is moved laterally to the second position. The mechanical force accumulated in the supports 406 and 407 pulls the shutter 410 back from the first position or the second position to the mechanical stable position or the neutral position, as shown in FIG. 4B.

図5A及び5Bは、本発明の例示的な実施形態に従う光変調器500を示す。変調器500は、基板501の表面502上にポリマーから形成されたスペーサー508及び509並びにシャッタアセンブリ503を含む。シャッタアセンブリ503は、シャッタ507並びに、導電性材料から形成され、導電パッド512及び513でスペーサー508及び509に取り付けられたシャッタ支持部505及び506を含む。   5A and 5B show an optical modulator 500 according to an exemplary embodiment of the present invention. Modulator 500 includes spacers 508 and 509 and a shutter assembly 503 formed from a polymer on surface 502 of substrate 501. The shutter assembly 503 includes a shutter 507 and shutter supports 505 and 506 formed from a conductive material and attached to spacers 508 and 509 with conductive pads 512 and 513.

変調器500はさらに、基板501の表面502上に形成された2つの電極510及び511を含む。電極510及び導電性シャッタ507は第1の静電アクチュエータ514を形成し、電極511及び導電性シャッタ507は第2の静電アクチュエータ515を形成する。   The modulator 500 further includes two electrodes 510 and 511 formed on the surface 502 of the substrate 501. The electrode 510 and the conductive shutter 507 form a first electrostatic actuator 514, and the electrode 511 and the conductive shutter 507 form a second electrostatic actuator 515.

シャッタアセンブリ503は、シャッタアセンブリ401と同様に形成されてもよく、2つの電極510及び511は、透明導電層と置き換えることができる。   The shutter assembly 503 may be formed similarly to the shutter assembly 401, and the two electrodes 510 and 511 can be replaced with a transparent conductive layer.

図6Aから6Fは、本発明の例示的な実施形態に従う光変調器600を示している。図6Aから6Cを参照すると、変調器600は、導電性材料から形成された光シャッタ601を含み、光透過領域602及び光遮断領域603を含む。   6A through 6F show an optical modulator 600 according to an exemplary embodiment of the present invention. 6A to 6C, the modulator 600 includes an optical shutter 601 formed of a conductive material, and includes a light transmission region 602 and a light blocking region 603.

シャッタ601は、シャッタ601と表面605との間であって、シャッタ601の実質的に境界内に形成された4つの片持ち梁606及び607で、基板604の表面605の上に支持されている(図6C)。各片持ち梁606及び607の第1の端部は、ポスト609及び導電性パッド610で表面605に取り付けられ、第2の端部はポスト608でシャッタ601に取り付けられている。片持ち梁606は、シャッタ601の第1の端部618において取り付けられており、片持ち梁607は、シャッタ601の第2の端部617において取り付けられている。梁606及び607は、表面605に対して実質的に平行に配置されており、第1のギャップ619によって、表面605から間隔をあけて配置されている。梁606及び607はまた、シャッタ601に対して実質的に平行に配置されており、第2のギャップ620によって、シャッタ601から間隔をあけて配置されている。片持ち梁606及び607は、大きな力を必要とせずに屈曲し、変形することができるように、薄く長く形成されてもよい。梁606及び607はまた、シャッタ601の重さを支持するために、表面605に対して垂直方向に配向された十分な高さを有するように形成されてもよい。   The shutter 601 is supported on the surface 605 of the substrate 604 by four cantilevers 606 and 607 formed between the shutter 601 and the surface 605 and substantially within the boundary of the shutter 601. (FIG. 6C). The first end of each cantilever 606 and 607 is attached to the surface 605 with a post 609 and a conductive pad 610 and the second end is attached to the shutter 601 with a post 608. Cantilever 606 is attached at first end 618 of shutter 601 and cantilever 607 is attached at second end 617 of shutter 601. Beams 606 and 607 are disposed substantially parallel to surface 605 and are spaced from surface 605 by first gap 619. The beams 606 and 607 are also disposed substantially parallel to the shutter 601 and are spaced from the shutter 601 by a second gap 620. The cantilevers 606 and 607 may be formed thin and long so that they can be bent and deformed without requiring a large force. The beams 606 and 607 may also be formed to have a sufficient height oriented perpendicular to the surface 605 to support the weight of the shutter 601.

シャッタ601はさらに、シャッタ601の第1の端部または縁618から表面605に向けて、表面605に対する法線から5°以内で延設する第1のフランジ613を含む。シャッタ601はまた、第2の縁617から表面605に向けて、表面605に対する法線から5°以内で延設する第2のフランジ615を含む。   The shutter 601 further includes a first flange 613 extending from the first end or edge 618 of the shutter 601 toward the surface 605 within 5 ° from the normal to the surface 605. The shutter 601 also includes a second flange 615 extending from the second edge 617 toward the surface 605 and within 5 ° of the normal to the surface 605.

梁606及び607は、フランジ613の表面629に対して傾斜され、70から89°の間の角度628を形成する(図6D)。   Beams 606 and 607 are tilted with respect to surface 629 of flange 613 to form an angle 628 between 70 and 89 ° (FIG. 6D).

変調器600はさらに、表面605から直角に近い方向に延設する2つの電極614及び616を含む。電極614は、導電性パッド611で表面605に取り付けられ、電極616は、導電性パッド612で表面605に取り付けられる。電極614及びフランジ613は、第1の静電アクチュエータ622を形成し、電極616及びフランジ615は、第2の静電アクチュエータ621を形成する。   Modulator 600 further includes two electrodes 614 and 616 extending from surface 605 in a direction near normal. Electrode 614 is attached to surface 605 with conductive pad 611, and electrode 616 is attached to surface 605 with conductive pad 612. The electrode 614 and the flange 613 form a first electrostatic actuator 622, and the electrode 616 and the flange 615 form a second electrostatic actuator 621.

動作時には、アクチュエータ622は、第1の力625をシャッタ601に印加し、シャッタ601の第1の端部618に取り付けられた梁606を引っ張り、シャッタ601を、第1の力625に対して実質的に横方向626に、第1の位置まで移動させ(図6E)、アクチュエータ621は、第2の力627をシャッタ601に印加し、シャッタ601の第2の端部617に取り付けられた梁607を引っ張り、シャッタ601を、第2の力627に対して実質的に横方向628に、第2の位置まで移動させる(図6F)。シャッタ601は、横方向626に、第1の力625の方向におけるものよりも少なくとも5倍大きく移動する。   In operation, the actuator 622 applies a first force 625 to the shutter 601, pulls the beam 606 attached to the first end 618 of the shutter 601, and causes the shutter 601 to be substantially against the first force 625. Thus, the actuator 621 applies a second force 627 to the shutter 601 and moves to the first position in the lateral direction 626 (FIG. 6E), and the beam 607 attached to the second end 617 of the shutter 601. To move the shutter 601 to a second position, substantially laterally 628 to the second force 627 (FIG. 6F). The shutter 601 moves in the lateral direction 626 at least five times greater than that in the direction of the first force 625.

梁606及び607に蓄積された機械的な力は、図6Dに示されるように、シャッタ601を第1または第2の位置から機械的安定位置または中立位置へ引き戻す。シャッタ601は、表面605に対して実質的に平行な平面内において、第1の位置と第2の位置との間を移動する。   The mechanical force accumulated in beams 606 and 607 pulls shutter 601 back from the first or second position to the mechanically stable or neutral position, as shown in FIG. 6D. The shutter 601 moves between a first position and a second position in a plane substantially parallel to the surface 605.

シャッタ601が機械的安定位置(図6D)から第1の位置(図6E)に移動する場合、梁607の端部に取り付けられたポスト608と609との間の線形距離が増大する。そのため、梁607は、ポスト608と609との間の線形距離の増大に関して補償するために、わずかに曲線状に形成される。   When the shutter 601 moves from the mechanical stable position (FIG. 6D) to the first position (FIG. 6E), the linear distance between the posts 608 and 609 attached to the end of the beam 607 increases. As such, the beam 607 is formed in a slightly curvilinear shape to compensate for the increase in linear distance between the posts 608 and 609.

図7Aから7Dは、本発明の例示的な実施形態に従う光変調器700を示している。変調器700は、導電性材料から形成された光シャッタ701を含み、光透過領域702及び光遮断領域703を含む。シャッタ701はさらに、第1の端部706においてシャッタ701に取り付けられた第1のフランジ708を含む。シャッタ701は、4つの片持ち梁712及び714で基板705の表面704上に支持されている(図7C)。   7A-7D illustrate an optical modulator 700 according to an exemplary embodiment of the present invention. The modulator 700 includes an optical shutter 701 formed from a conductive material, and includes a light transmission region 702 and a light blocking region 703. The shutter 701 further includes a first flange 708 attached to the shutter 701 at a first end 706. The shutter 701 is supported on the surface 704 of the substrate 705 by four cantilevers 712 and 714 (FIG. 7C).

各片持ち梁712及び714の第1の端部は、ポスト716及び導電性パッド717で表面704に取り付けられ、第2の端部は、ポスト715でシャッタ701に取り付けられている。片持ち梁714は、シャッタ701の第1の端部706において取り付けられ、片持ち梁712は、シャッタ701の第2の端部707において取り付けられる。片持ち梁712及び714は、実質的に直線状である。片持ち梁714は、フランジ708に対して傾斜され、70°から89°の間の角度730を成し、片持ち梁712は、フランジ708に対して90°に近い角度731を形成する。   The first end of each cantilever 712 and 714 is attached to the surface 704 with a post 716 and a conductive pad 717, and the second end is attached to the shutter 701 with a post 715. Cantilever 714 is attached at first end 706 of shutter 701 and cantilever 712 is attached at second end 707 of shutter 701. Cantilever beams 712 and 714 are substantially straight. The cantilever 714 is tilted with respect to the flange 708 and forms an angle 730 between 70 ° and 89 °, and the cantilever 712 forms an angle 731 close to 90 ° with respect to the flange 708.

変調器700はさらに、表面704から垂直に延設し、導電性パッド710で表面704に取り付けられた電極709を含む。シャッタ701の電極709及びフランジ708は、静電アクチュエータ711を形成する。   The modulator 700 further includes an electrode 709 extending vertically from the surface 704 and attached to the surface 704 with a conductive pad 710. The electrode 709 and the flange 708 of the shutter 701 form an electrostatic actuator 711.

動作時には、アクチュエータ711は、シャッタ701の第1の端部706において取り付けられた梁714を方向720に引っ張り、シャッタ701を、方向720に対して実質的に横方向721に、第1の位置まで移動させる(図7D)。梁712及び714に蓄積された機械的な力は、シャッタ701を、第1の位置から機械的安定位置または中立位置まで引き戻す(図7A)。シャッタ701は、表面704に対して実質的に平行な平面内の複数の位置の間を移動する。   In operation, the actuator 711 pulls the beam 714 attached at the first end 706 of the shutter 701 in the direction 720 and moves the shutter 701 substantially transversely 721 to the direction 720 to the first position. Move (FIG. 7D). The mechanical force accumulated in the beams 712 and 714 pulls the shutter 701 back from the first position to the mechanically stable or neutral position (FIG. 7A). The shutter 701 moves between a plurality of positions in a plane substantially parallel to the surface 704.

変調器700はさらに、第2の端部707においてシャッタ701に取り付けられた第2のフランジ722及び、平面704から垂直方向に延設し、導電性パッド724で表面704に取り付けられた第2の電極723によって形成された第2の静電アクチュエータ725を含んでもよい。変調器700において、支持部712は、シャッタ701及び第2のフランジ722が、第2の電極723の方に近づくように移動するのを制限し、そのため、第2の電極723は、効率的なアクチュエータを形成するために、第2のフランジ722から近い距離に配置されてもよい。   The modulator 700 further includes a second flange 722 attached to the shutter 701 at the second end 707 and a second flange extending vertically from the plane 704 and attached to the surface 704 with a conductive pad 724. A second electrostatic actuator 725 formed by the electrode 723 may be included. In the modulator 700, the support 712 restricts the shutter 701 and the second flange 722 from moving closer to the second electrode 723, so that the second electrode 723 is efficient. It may be placed at a close distance from the second flange 722 to form an actuator.

ディスプレイにおいて、画素アドレス指定電圧は、シャッタ701を機械的中立位置において選択的に保持するために、第2のアクチュエータ725に印加されうる。   In the display, a pixel addressing voltage can be applied to the second actuator 725 to selectively hold the shutter 701 in a mechanical neutral position.

図8Aから8Fは、変調器600及び700における支持部と類似する、本発明の例示的な実施形態に従うシャッタ支持部800の製造段階を示す。図8Aは、片持ち梁803を含むシャッタ支持部800を示す。梁803の第1の端部は、梁803をパッド805で基板802の表面801に接続する第1のポスト804に取り付けられ、梁803の第2の端部は、後でシャッタに接続する第2のポスト806に取り付けられる。第1のポスト804及び第2のポスト806はそれぞれ、3つの側面及び1つの頂部を有する。   FIGS. 8A through 8F illustrate a manufacturing stage for a shutter support 800 according to an exemplary embodiment of the present invention, similar to the support in modulators 600 and 700. FIG. FIG. 8A shows a shutter support 800 that includes a cantilever 803. The first end of the beam 803 is attached to a first post 804 that connects the beam 803 to the surface 801 of the substrate 802 with a pad 805, and the second end of the beam 803 is connected to the shutter later on to the shutter. 2 post 806. The first post 804 and the second post 806 each have three sides and a top.

支持部800は、モールド807上に形成される。第1の製造段階は、基板802の表面801上に、犠牲材料からモールド807を形成する段階である(図8B)。モールド807は、直方体の形状を有して形成され、4つの側壁808、809、810、及び811並びに頂部812を有する。側壁は、法線に対して+/−5°の範囲内で、表面801に対して垂直に配向される。次の段階は、モールド807の表面及び表面801上に、マグネトロンスパッタリングによって導電性材料814の形状追従性層を成膜し、導電層814上に電気泳動成膜またはスプレーによって、ポジティブ型フォトレジスト815の形状追従性層を適用する段階である(図8C)。   The support unit 800 is formed on the mold 807. The first manufacturing step is a step of forming a mold 807 from a sacrificial material on the surface 801 of the substrate 802 (FIG. 8B). The mold 807 is formed to have a rectangular parallelepiped shape, and has four side walls 808, 809, 810, and 811 and a top portion 812. The sidewalls are oriented perpendicular to the surface 801 within a range of +/− 5 ° with respect to the normal. The next step is to form a shape following layer of the conductive material 814 on the surface of the mold 807 and the surface 801 by magnetron sputtering, and to form a positive photoresist 815 on the conductive layer 814 by electrophoretic film formation or spraying. This is the step of applying the shape following layer (FIG. 8C).

次の段階は、モールド807の上方に第1のフォトマスク816を配置し(図8D)、フォトレジスト層815を、2度未満の逸脱及び表面801に対して側壁808及び809の方向から45°から75°の間の傾斜角817を有する、コリメートされ、傾斜した光線を有するUV光源で照射する段階である(図8E及び8F)。モールド807及び第1のフォトマスク816は、片持ち梁803、第1のポスト804、第2のポスト806及びパッド805の幾何学的形状を画定するフォトレジスト層815上の領域から、UV光を遮断する。さらなる段階は、モールド807の上方に第2のフォトマスク818を配置し(図8G)、側壁811の方向からフォトレジスト層815を照射する段階(図8J)である。これは、側壁811の下側の部分に適用されたフォトレジスト層815を照射することとなる。図8G及び8Jに示された段階は、第2のポスト806が、モールド807の側壁808及び809の上並びに頂部に形成される2つの側部しか有さずに形成される場合には、省略されうる。   The next step is to place a first photomask 816 over the mold 807 (FIG. 8D) and place the photoresist layer 815 at 45 ° from the direction of the sidewalls 808 and 809 relative to the surface 801 with a deviation of less than 2 degrees. Illuminating with a UV light source having a collimated and tilted light beam with a tilt angle 817 between 1 and 75 ° (FIGS. 8E and 8F). The mold 807 and the first photomask 816 emit UV light from regions on the photoresist layer 815 that define the geometric shapes of the cantilever 803, the first post 804, the second post 806, and the pad 805. Cut off. A further step is a step of placing a second photomask 818 above the mold 807 (FIG. 8G) and irradiating the photoresist layer 815 from the direction of the side wall 811 (FIG. 8J). This irradiates the photoresist layer 815 applied to the lower part of the side wall 811. The steps shown in FIGS. 8G and 8J are omitted if the second post 806 is formed with only two sides formed on the sidewalls 808 and 809 of the mold 807 and on top. Can be done.

3つの方向全てから照射した後、フォトレジスト層815は現像され、導電層814の保護されていない領域は、エッチングによって除去される。モールド807上に形成された片持ち梁803は、導電層814の厚さと等しい幅を有する。   After irradiation from all three directions, the photoresist layer 815 is developed and the unprotected areas of the conductive layer 814 are removed by etching. The cantilever 803 formed on the mold 807 has a width equal to the thickness of the conductive layer 814.

導電層814が、UV光を反射することができるアルミニウムのような材料から形成される場合には、光吸収層が、フォトレジスト層815を適用する前に、導電層814上に適用され、または形成されてもよい。これは、水平方向及び垂直方向の表面からのUV光の反射を低減することとなる。フォトレジスト層815の表面からの反射を低減するために、モールド及びマスクは、フォトレジスト層815と同様な屈折率を有する液体に浸漬されうる。   If the conductive layer 814 is formed from a material such as aluminum that can reflect UV light, a light absorbing layer is applied over the conductive layer 814 prior to applying the photoresist layer 815, or It may be formed. This will reduce the reflection of UV light from the horizontal and vertical surfaces. To reduce reflection from the surface of the photoresist layer 815, the mold and mask can be immersed in a liquid having a refractive index similar to that of the photoresist layer 815.

図9Aから9Fは、変調器600及び700に類似する本発明の例示的な実施形態に従うシャッタ900及び電極905の製造段階を示している。   FIGS. 9A through 9F illustrate the manufacturing stages of shutter 900 and electrode 905 according to an exemplary embodiment of the present invention similar to modulators 600 and 700.

図9Aは、光透過領域901及びフランジ902を含むシャッタ900を示している。シャッタ900は、前述された支持部800のポスト806に接続される。図9Aはさらに、パッド904で基板802の表面801に取り付けられた電極905を示している。   FIG. 9A shows a shutter 900 including a light transmission region 901 and a flange 902. The shutter 900 is connected to the post 806 of the support unit 800 described above. FIG. 9A further shows an electrode 905 attached to the surface 801 of the substrate 802 with a pad 904.

第1の製造段階は、基板802の表面801上の犠牲材料から、2つの直方体911及び912を含むモールド910を形成する段階である(図9B)。直方体911は、4つの側壁914、915、916、917及び頂部918を含む。直方体912は、4つの側壁920、921、923、924及び頂部925を含む。側壁は、法線から+/−5°の範囲内で、表面801に対して垂直に配向される。支持部800のポスト806にシャッタ900を接続するためのビアホール926は、直方体911の頂部918上に形成される。   The first manufacturing stage is a stage in which a mold 910 including two rectangular parallelepipeds 911 and 912 is formed from a sacrificial material on the surface 801 of the substrate 802 (FIG. 9B). The rectangular parallelepiped 911 includes four side walls 914, 915, 916, 917 and a top 918. The rectangular parallelepiped 912 includes four side walls 920, 921, 923, 924 and a top 925. The sidewalls are oriented perpendicular to the surface 801 within a range of +/− 5 ° from the normal. A via hole 926 for connecting the shutter 900 to the post 806 of the support unit 800 is formed on the top 918 of the rectangular parallelepiped 911.

次の段階は、モールド910の表面及び表面801上に導電性材料930の形状追従性層を成膜する段階並びに導電層930上にネガティブ型フォトレジスト931の形状追従性層を成膜する段階である(図9C)。   The next step is to form a shape following layer of the conductive material 930 on the surface of the mold 910 and the surface 801 and to form a shape following layer of the negative photoresist 931 on the conductive layer 930. Yes (FIG. 9C).

後続の段階は、モールド910の上方にフォトマスク932を配置し(図9D)、フォトレジスト層931を、側壁916及び924の方向から、コリメートされ傾斜した光線を有するUV光源で照射する段階である(図9E及び9F)。   The subsequent step is to place a photomask 932 over the mold 910 (FIG. 9D) and irradiate the photoresist layer 931 from the direction of the side walls 916 and 924 with a UV light source having collimated and tilted light rays. (FIGS. 9E and 9F).

マスク932は、シャッタ900の光透過領域901が形成される側壁915、916、917、920及び923の表面並びに頂部表面918の領域に適用されるフォトレジスト層931のUV光照射を遮断する。モールドは、フランジ902及び電極905が形成される側壁914及び921の表面の下側の部分並びに側壁914と921との間の表面801の部分を遮断する。   The mask 932 blocks UV light irradiation of the photoresist layer 931 applied to the surface of the side walls 915, 916, 917, 920 and 923 where the light transmission region 901 of the shutter 900 is formed and the region of the top surface 918. The mold blocks the lower portion of the surface of the sidewalls 914 and 921 where the flange 902 and the electrode 905 are formed and the portion of the surface 801 between the sidewalls 914 and 921.

両方向から照射した後、フォトレジスト層931は現像され、導電層930の保護されていない領域がエッチングされる。   After irradiating from both directions, the photoresist layer 931 is developed and the unprotected areas of the conductive layer 930 are etched.

次の段階は、犠牲層を除去し、シャッタ900及び支持部800を解放する段階である。   The next step is to remove the sacrificial layer and release the shutter 900 and the support portion 800.

シャッタ900は、シャッタ900の4つ全ての縁に、フランジ902のようなフランジを含むように形成されうる。これらのフランジは、ディスプレイから出る迷光を効果的に遮断することができ、それによってコントラストを改善する。   The shutter 900 may be formed to include a flange, such as a flange 902, on all four edges of the shutter 900. These flanges can effectively block stray light exiting the display, thereby improving contrast.

図10A、10B及び10Cは、本発明の例示的な実施形態に従うディスプレイバックライト1000を示している。図10Aは、バックライト1000の斜視図であり、図10Bは、バックライト1000の側面図であり、図10Cは、図10Bにおいて10Cとして示された領域の拡大図である。   10A, 10B, and 10C illustrate a display backlight 1000 according to an exemplary embodiment of the present invention. 10A is a perspective view of the backlight 1000, FIG. 10B is a side view of the backlight 1000, and FIG. 10C is an enlarged view of a region indicated as 10C in FIG. 10B.

バックライト1000は、一般的に、アクリルまたは1.45から1.6の値の屈折率n1を有するその他の透明材料から形成された平板光ガイド1001を含む。光ガイド1001は、頂部表面1002、底部表面1003、対向する側部表面1004及び1005、並びに光入力端1006を含む。   The backlight 1000 generally includes a flat light guide 1001 formed from acrylic or other transparent material having a refractive index n1 between 1.45 and 1.6. The light guide 1001 includes a top surface 1002, a bottom surface 1003, opposing side surfaces 1004 and 1005, and a light input end 1006.

底部表面1003は、頂部表面1002に対して傾斜され、約0.1から2.0°の間の値を有する角度1009を成す(図10B)。底部平面1003は、頂部表面1002を、光入力端1006から離れる方向に収れんする。   The bottom surface 1003 is inclined with respect to the top surface 1002 and forms an angle 1009 having a value between about 0.1 and 2.0 degrees (FIG. 10B). The bottom plane 1003 converges the top surface 1002 in a direction away from the light input end 1006.

バックライト1000はさらに、光ガイド1001の底面1003及び光入力端1006に近接して配置された複数の光源1011に近接して配置された光吸収フィルム1010を含む。   The backlight 1000 further includes a light absorbing film 1010 disposed in the vicinity of the plurality of light sources 1011 disposed in the vicinity of the bottom surface 1003 of the light guide 1001 and the light input end 1006.

バックライト1000はまた、約1.45から1.6の値である屈折率n2を有する実質的に透明な材料から形成された第1の光学層1015を含む。第1の光学層1015は、光脱出表面1016、光入力表面1017、及び光入力表面1017と光脱出表面1016との間に配置された複数の埋め込まれた光反射体1018を含む。光反射体1018は、アルミニウムや銀のような薄い光反射性の材料から形成される。光反射体1018は、実質的に平坦な表面または、約20から80ミクロンの曲率半径を有する断面を有する屈曲した表面を有してもよい。光反射体1018は、光ガイド1001の頂部表面1002に対して傾斜し、約20から40°の値を有する角度1026を成す。   The backlight 1000 also includes a first optical layer 1015 formed from a substantially transparent material having a refractive index n2 that is a value of about 1.45 to 1.6. The first optical layer 1015 includes a light escape surface 1016, a light input surface 1017, and a plurality of embedded light reflectors 1018 disposed between the light input surface 1017 and the light escape surface 1016. The light reflector 1018 is formed from a thin light reflective material such as aluminum or silver. The light reflector 1018 may have a substantially flat surface or a curved surface with a cross section having a radius of curvature of about 20 to 80 microns. The light reflector 1018 is inclined with respect to the top surface 1002 of the light guide 1001 and forms an angle 1026 having a value of about 20 to 40 degrees.

バックライト1000はまた、第1の光学層1015の光入力表面1017と光ガイド1001の頂部表面1002との間に形成された第2の光学層1020を含む。第2の光学層1020は、約1.3から1.4の間の値である屈折率n3を有する、フッ化ポリマーまたはその他の実質的に透明な材料から形成される。   The backlight 1000 also includes a second optical layer 1020 formed between the light input surface 1017 of the first optical layer 1015 and the top surface 1002 of the light guide 1001. The second optical layer 1020 is formed from a fluorinated polymer or other substantially transparent material having a refractive index n3 that is between about 1.3 and 1.4.

動作時には、光ガイド1001の光入力端1006から入った光線1023は、頂部表面1002及び底部表面1003から反射し、頂部表面1002に対して垂直な方向に角度を変える。頂部表面1002に対する入射角が、光ガイド1001の屈折率n1及び第2の光学層1020の屈折率n3によって画定される臨界角1024(図10C)よりも小さい場合には、光線1023は光ガイド1001を出る。第2の光学層1020を通過した光線1023は、光入力表面1017から第1の光学層1015に入り、第1の光学層1015の屈折率n2によって画定される角度を変化させる。第1の光学層1015に入った光線1023のほとんどは、光脱出表面1016から内側に反射される。光線は、埋め込み光反射体1018から反射されることにより、光脱出表面1016から、第1の光学層1015を出る。屈曲した光反射体1018から反射した光線は、光脱出表面1016から第1の光学層1015を出て、光脱出表面1016からある距離1025のところで集束する。   In operation, light beam 1023 entering from light input end 1006 of light guide 1001 reflects from top surface 1002 and bottom surface 1003 and changes its angle in a direction perpendicular to top surface 1002. If the angle of incidence with respect to the top surface 1002 is smaller than the critical angle 1024 (FIG. 10C) defined by the refractive index n1 of the light guide 1001 and the refractive index n3 of the second optical layer 1020, the light beam 1023 is reflected by the light guide 1001. Exit. The light beam 1023 that has passed through the second optical layer 1020 enters the first optical layer 1015 from the light input surface 1017 and changes the angle defined by the refractive index n2 of the first optical layer 1015. Most of the light rays 1023 entering the first optical layer 1015 are reflected inward from the light escape surface 1016. Light rays exit the first optical layer 1015 from the light escape surface 1016 by being reflected from the embedded light reflector 1018. Light rays reflected from the bent light reflector 1018 exit the first optical layer 1015 from the light escape surface 1016 and converge at a distance 1025 from the light escape surface 1016.

バックライト1000はまた、ガラス基板のような透明基板及び、第1の光学層1015と第2の光学層1020との間に介在したダイクロイックフィルタの層を含んでもよい。   The backlight 1000 may also include a transparent substrate such as a glass substrate and a dichroic filter layer interposed between the first optical layer 1015 and the second optical layer 1020.

埋め込み光反射体または光反射ファセット1106を有する光学層1108の製造の段階を、図11Aから11Dに示す。段階(A)において、マイクロプリズム1101が、透明UV硬化液体ポリマーからのフォトリソグラフィを用いて、基板1103上に形成される。段階(B)において、基板1103は、角度1105だけ傾けられ(図11B)、マイクロプリズム1101の延長部1104が、同じ液体ポリマーから形成される。延長部1104を有するマイクロプリズム1101はまた、モールドによって形成されてもよい。段階(C)において、反射鏡フィルムが延長部1104の各ファセット上に成膜され、光反射ファセット1106を形成する。段階(D)において、溝1107が、同じUV硬化液体ポリマーで満たされる。図11Dは、埋め込み光反射ファセット1106を有する光学層1108の形成が完了したものを示している。   The stages of fabrication of the optical layer 1108 having an embedded light reflector or light reflecting facet 1106 are shown in FIGS. 11A-11D. In step (A), microprisms 1101 are formed on substrate 1103 using photolithography from a transparent UV curable liquid polymer. In step (B), the substrate 1103 is tilted by an angle 1105 (FIG. 11B), and the extension 1104 of the microprism 1101 is formed from the same liquid polymer. The microprism 1101 having the extension 1104 may also be formed by a mold. In step (C), a reflector film is deposited on each facet of the extension 1104 to form a light reflecting facet 1106. In step (D), the groove 1107 is filled with the same UV curable liquid polymer. FIG. 11D shows the completed formation of the optical layer 1108 with embedded light reflecting facets 1106.

光学層1108は、上述の変調器300及び400のシャッタアセンブリ100または401と組み合わせられてもよい。光学層1108は、シャッタアセンブリ100または401を形成する前に、シャッタ支持部間に配置された基板上に形成されてもよい。基板表面から近接した距離に位置するシャッタを有する変調器500、600または700について、埋め込み光変調器は基板内に形成されてもよい。   The optical layer 1108 may be combined with the shutter assembly 100 or 401 of the modulators 300 and 400 described above. The optical layer 1108 may be formed on a substrate disposed between the shutter supports prior to forming the shutter assembly 100 or 401. For modulators 500, 600 or 700 having shutters located at close distances from the substrate surface, the embedded light modulator may be formed in the substrate.

図12A、12B及び12Cは、本発明の例示的な実施形態に従う埋め込み光反射体1205を有するガラス基板1200を製造する段階を示している。第1の段階は、ガラス基板1200内に溝1203をエッチングする段階である。次の3つの段階は、上述の段階B、C及びDと類似している。第2の段階は、基板1200を傾け、UV硬化液体ポリマーから各溝の内部に延長部1204を形成する段階である。第3の段階は、延長部1204上に反射鏡フィルムを成膜し、光反射ファセット1205を形成する段階である。第4の段階は、同じUV硬化液体ポリマーで溝を充填する段階である。図12Cは、埋め込み光反射体1205を有して形成されたガラス基板1200を示す。硬化したポリマーは、好適にはガラス基板1200と実質的に同じ屈折率を有する。バックライト1000において、第1の光学層1015は、ガラス基板1200に置き換えられてもよく、変調器500、600、または700は、ガラス基板1200上に形成されてもよい。   12A, 12B, and 12C illustrate the steps of manufacturing a glass substrate 1200 having an embedded light reflector 1205 in accordance with an exemplary embodiment of the present invention. The first step is a step of etching the groove 1203 in the glass substrate 1200. The next three stages are similar to stages B, C and D described above. The second step is to tilt the substrate 1200 to form extensions 1204 from the UV curable liquid polymer inside each groove. The third stage is a stage in which a reflecting mirror film is formed on the extension 1204 to form a light reflecting facet 1205. The fourth stage is to fill the groove with the same UV curable liquid polymer. FIG. 12C shows a glass substrate 1200 formed with an embedded light reflector 1205. The cured polymer preferably has substantially the same refractive index as the glass substrate 1200. In the backlight 1000, the first optical layer 1015 may be replaced with a glass substrate 1200, and the modulator 500, 600, or 700 may be formed on the glass substrate 1200.

図13A及び13Bは、本発明の例示的な実施形態に従うディスプレイカバーアセンブリ1400を示している。カバーアセンブリ1400は、第1の表面1402及び第2の表面1403を有する透明基板1401を含む。カバーアセンブリ1400はまた、第1の表面1402上に形成された光拡散層1404及び光拡散層1404上に形成された光吸収層1405を含む。200マイクロメートル以下の厚さを有する薄い基板については、拡散層1404は、第2の表面または外部表面1403上に形成されてもよく、光吸収層1405は、基板1401の内部表面1402上に形成されてもよい。光吸収層1405は、光透過領域1407及び不透明な光吸収領域1406を含む。カバーアセンブリ1400はさらに、光反射性鏡面または変調器400の電極415などの透明導電層を有する光吸収層1405の不透明な光吸収領域1406上に形成された変調器300の電極308及び309などの電極をさらに含んでもよい。   13A and 13B show a display cover assembly 1400 according to an exemplary embodiment of the present invention. Cover assembly 1400 includes a transparent substrate 1401 having a first surface 1402 and a second surface 1403. Cover assembly 1400 also includes a light diffusing layer 1404 formed on first surface 1402 and a light absorbing layer 1405 formed on light diffusing layer 1404. For thin substrates having a thickness of 200 micrometers or less, the diffusion layer 1404 may be formed on the second or outer surface 1403 and the light absorbing layer 1405 is formed on the inner surface 1402 of the substrate 1401. May be. The light absorption layer 1405 includes a light transmission region 1407 and an opaque light absorption region 1406. Cover assembly 1400 further includes electrodes 300 and 309 of modulator 300 formed on opaque light-absorbing region 1406 of light-absorbing layer 1405 having a light-reflective mirror or a transparent conductive layer such as electrode 415 of modulator 400. An electrode may be further included.

光吸収層1405は、導電性材料から形成されてもよい。導電性光吸収層1405は、ディスプレイのEMIもしくは静電シールドまたは変調器400のアクチュエータのようなアクチュエータのための電極として働いてもよい。   The light absorption layer 1405 may be formed of a conductive material. The conductive light absorbing layer 1405 may serve as an electrode for an actuator such as an EMI or electrostatic shield of the display or an actuator of the modulator 400.

光吸収層1405は、不透明光吸収領域1406に入射する光の80%以上を吸収し、1%未満の光しか透過しないものであってよい。   The light absorption layer 1405 may absorb 80% or more of light incident on the opaque light absorption region 1406 and transmit less than 1% of light.

電気機械光変調器に基づくディスプレイは、行および列に配置された多数の変調器を含んでもよい。ディスプレイ内の各画像素子または画素は、1つまたは複数の変調器を含んでもよい。説明の目的のために、以下の図面は、ただ1つの変調器のみを有するディスプレイを示す。   A display based on an electromechanical light modulator may include a number of modulators arranged in rows and columns. Each image element or pixel in the display may include one or more modulators. For illustrative purposes, the following figures show a display with only one modulator.

図14A及び14Bは、本発明の例示的な実施形態に従うディスプレイ1500の断面図を示している。ディスプレイ1500は、カバーアセンブリ1501、変調器1502及び、背面反射体1504を含むバックライト1503を含む。カバーアセンブリ1501は、透明基板1505、基板1505の第1の表面1507上に形成された光拡散層1506、及び光拡散層1506上に形成された光吸収層1508を含む。光吸収層1508は、光透過領域1509及び不透明な光吸収領域1510を含む。変調器1502は、光透過領域1514及び光遮断領域1515を有するシャッタ1511を含む。バックライト1503に面するシャッタ1511の表面は、光反射性表面であり、光吸収層1508に面する表面は、光吸収性表面である。光吸収層1508の光透過領域1509は、シャッタ1511の光透過領域1514よりも大きく、シャッタ1511の光遮断領域1515よりも小さい。図14Aにおいて、シャッタ1511は、第1の位置またはオン位置にあり、図14Bにおいて、シャッタ1511は、第2の位置またはOFF位置にある。シャッタ1511の光透過領域1514に入射するバックライト1503からの光1520は、シャッタ1511が第1の位置(図14A)にあるときには、光吸収層1508の光透過領域1509を通過し、シャッタが第2の位置(図14B)にあるときには、光吸収層1508で吸収される。シャッタ1511の光遮断領域1515に入射する光は、バックライト1503の方へ反射して戻され、背面反射体1504から反射することによって再循環する。変調器1502は、上述の変調器のうちどの変調器であってもよく、またはバックライト1503から放出された光を再循環させるために、バックライト1503に面した光反射性表面を有するシャッタを含む変調器であってもよい。   14A and 14B show a cross-sectional view of a display 1500 according to an exemplary embodiment of the present invention. Display 1500 includes a cover assembly 1501, a modulator 1502, and a backlight 1503 that includes a back reflector 1504. The cover assembly 1501 includes a transparent substrate 1505, a light diffusion layer 1506 formed on the first surface 1507 of the substrate 1505, and a light absorption layer 1508 formed on the light diffusion layer 1506. The light absorption layer 1508 includes a light transmission region 1509 and an opaque light absorption region 1510. The modulator 1502 includes a shutter 1511 having a light transmission region 1514 and a light blocking region 1515. The surface of the shutter 1511 facing the backlight 1503 is a light reflecting surface, and the surface facing the light absorbing layer 1508 is a light absorbing surface. The light transmission region 1509 of the light absorption layer 1508 is larger than the light transmission region 1514 of the shutter 1511 and smaller than the light blocking region 1515 of the shutter 1511. In FIG. 14A, the shutter 1511 is in the first position or the ON position, and in FIG. 14B, the shutter 1511 is in the second position or the OFF position. The light 1520 from the backlight 1503 incident on the light transmission region 1514 of the shutter 1511 passes through the light transmission region 1509 of the light absorption layer 1508 when the shutter 1511 is in the first position (FIG. 14A). When it is at position 2 (FIG. 14B), it is absorbed by the light absorption layer 1508. Light incident on the light blocking area 1515 of the shutter 1511 is reflected back toward the backlight 1503 and recirculated by being reflected from the back reflector 1504. The modulator 1502 may be any of the modulators described above, or a shutter having a light reflective surface facing the backlight 1503 to recirculate the light emitted from the backlight 1503. It may be a modulator including.

シャッタ支持部が、シャッタによって必要とされるよりも実質的に大きなディスプレイ表面を占めないように変調器を設計することが重要であり、そのため、シャッタは、シャッタの移動及びそれらの間のある程度の導体のための空間のみを許容するように、互いに対して実質的に近接して配置されうる。   It is important to design the modulator so that the shutter support does not occupy a substantially larger display surface than is required by the shutter, so that the shutter will have some movement between them and some degree between them. They can be arranged substantially close to each other to allow only space for the conductors.

上述のシャッタアセンブリは、この要求を満たす。シャッタ支持部がシャッタの側部に配置され、ディスプレイ表面の50%超を占めるいくつかの従来技術のシャッタアセンブリと比較して、上で開示されたシャッタアセンブリでは、シャッタ支持部は、シャッタと、上にシャッタが支持される表面との間に配置され、実質的に、第1の位置と第2の位置との間のシャッタの移動を含むシャッタの境界内に実質的に配置される。   The shutter assembly described above meets this requirement. In the shutter assembly disclosed above, as compared to some prior art shutter assemblies where the shutter support is located on the side of the shutter and occupies more than 50% of the display surface, the shutter support is a shutter; It is disposed between the surface on which the shutter is supported and is substantially disposed within a shutter boundary that substantially includes movement of the shutter between the first position and the second position.

これは、ディスプレイ表面に対して全光透過領域を増大させることにより、光効率を向上させ、ディスプレイの行および列の間のギャップを低減させる。   This improves the light efficiency by increasing the total light transmission area relative to the display surface and reduces the gap between the rows and columns of the display.

ディスプレイ1500において、光吸収層1508は、導電性材料から形成されてもよく、上述の変調器400における電極415を置き換えることができる。   In the display 1500, the light absorption layer 1508 may be formed of a conductive material and can replace the electrode 415 in the modulator 400 described above.

変調器300の電極308及び309は、バックライト1503に面する光反射性表面を有する光吸収層1508上に形成されてもよく、シャッタ101は、基板1521の表面1522の上に支持されてもよい。変調器600のシャッタ601及び変調器700のシャッタ701もまた、基板1521の表面1522上に支持されてもよい。変調器500のスペーサー508及び509は、光吸収層1508上に形成されてもよく、シャッタ503は、スペーサー508及び509から懸架されてもよい。   The electrodes 308 and 309 of the modulator 300 may be formed on a light absorbing layer 1508 having a light reflective surface facing the backlight 1503, and the shutter 101 may be supported on the surface 1522 of the substrate 1521. Good. The shutter 601 of the modulator 600 and the shutter 701 of the modulator 700 may also be supported on the surface 1522 of the substrate 1521. The spacers 508 and 509 of the modulator 500 may be formed on the light absorption layer 1508, and the shutter 503 may be suspended from the spacers 508 and 509.

ディスプレイ1500において、バックライト1503は、表面光を放出し、LCDディスプレイで知られたエッジ照明または直接照明バックライトであってもよい。   In the display 1500, the backlight 1503 emits surface light and may be edge illumination or direct illumination backlight known for LCD displays.

図15A及び15Bは、本発明の例示的な実施形態に従うディスプレイ1700の断面図を示している。ディスプレイ1700は、カバーアセンブリ1701、変調器1702及びバックライト1703を含む。カバーアセンブリ1701は、透明基板1705、基板1705の第1の表面1707上に形成された光拡散層1706、及び光拡散層1706上に形成された光吸収層1708を含む。光吸収層1708は、光透過領域1709及び光吸収領域1710を含む。変調器1702は、光透過領域1714及び光遮断領域1715を有するシャッタ1711を含む。バックライト1703に面するシャッタ1711の表面は、光反射性表面または光吸収性表面であってよく、光吸収層1708に面する表面は光吸収性表面である。光吸収層1708の光透過領域1709は、シャッタ1711の光透過領域1714よりも大きく、シャッタ1711の光遮断領域1715よりも小さい。変調器1702はさらに、光脱出表面1721及び埋め込み光反射ファセット1717を有する基板1716を含む。ファセット1717は屈曲し、バックライト1703からの光1720を、基板1716から脱出させ、シャッタ1711の光透過領域1714で集束させる。シャッタ1711は、基板1716の表面1721上に支持される。バックライト1703は、光ガイド1719及び光ガイド1719と基板1716との間に位置する光学層1718を含む。バックライト1703は、図10Aから10Cのバックライト1000と類似している。バックライト1703はさらに、迷光またはシャッタ1711から反射した光を吸収するために、光ガイド1719の背後に配置された光吸収層1704を含む。   15A and 15B show a cross-sectional view of a display 1700 according to an exemplary embodiment of the present invention. Display 1700 includes a cover assembly 1701, a modulator 1702, and a backlight 1703. The cover assembly 1701 includes a transparent substrate 1705, a light diffusion layer 1706 formed on the first surface 1707 of the substrate 1705, and a light absorption layer 1708 formed on the light diffusion layer 1706. The light absorption layer 1708 includes a light transmission region 1709 and a light absorption region 1710. The modulator 1702 includes a shutter 1711 having a light transmission region 1714 and a light blocking region 1715. The surface of the shutter 1711 facing the backlight 1703 may be a light reflecting surface or a light absorbing surface, and the surface facing the light absorbing layer 1708 is a light absorbing surface. The light transmission region 1709 of the light absorption layer 1708 is larger than the light transmission region 1714 of the shutter 1711 and smaller than the light blocking region 1715 of the shutter 1711. The modulator 1702 further includes a substrate 1716 having a light escape surface 1721 and a buried light reflecting facet 1717. The facet 1717 is bent, and the light 1720 from the backlight 1703 escapes from the substrate 1716 and is focused by the light transmission region 1714 of the shutter 1711. The shutter 1711 is supported on the surface 1721 of the substrate 1716. The backlight 1703 includes a light guide 1719 and an optical layer 1718 located between the light guide 1719 and the substrate 1716. The backlight 1703 is similar to the backlight 1000 of FIGS. 10A-10C. The backlight 1703 further includes a light absorbing layer 1704 disposed behind the light guide 1719 to absorb stray light or light reflected from the shutter 1711.

図15Aにおいて、シャッタ1711は、第1の位置またはオン位置にあり、図15Bにおいて、シャッタ1711は、第2の位置またはオフ位置にある。基板1716から放出された光1720は、シャッタ1711が第1の位置(図15A)にあるときには、シャッタ1711の光透過領域1714及び光吸収層1708の光透過領域1709を通過し、シャッタ1711が第2の位置(図15B)にあるときにはシャッタ1711の光遮断領域1715によって遮断される。シャッタ1711の光遮断領域1715から反射して戻された光は、光吸収層1704で吸収される。   In FIG. 15A, the shutter 1711 is in the first position or the on position, and in FIG. 15B, the shutter 1711 is in the second position or the off position. Light 1720 emitted from the substrate 1716 passes through the light transmission region 1714 of the shutter 1711 and the light transmission region 1709 of the light absorption layer 1708 when the shutter 1711 is in the first position (FIG. 15A). When it is at position 2 (FIG. 15B), it is blocked by the light blocking area 1715 of the shutter 1711. The light reflected and returned from the light blocking area 1715 of the shutter 1711 is absorbed by the light absorption layer 1704.

ディスプレイ1700において、屈曲した反射体1717は、平坦な反射体と比べて、ディスプレイの視野角を増加させ、オン位置とオフ位置との間のシャッタ1711の必要な移動距離を低減させる。   In the display 1700, the bent reflector 1717 increases the viewing angle of the display and reduces the required travel distance of the shutter 1711 between the on position and the off position compared to a flat reflector.

上述のディスプレイはさらに、基板間の正確な距離を維持するためのスペーサと、1つまたは両方の基板上に形成された行導電体および列導電体と、ディスプレイ画素のアドレス指定をするための1つまたは複数の薄膜トランジスタ及び蓄積キャパシタと、接地または電力平面と、ディスプレイ画素をリセットするための共通相互接続と、ダイクロイックフィルタまたはカラーフィルタと、反射防止被覆と、を含んでもよい。   The above-described display further includes spacers for maintaining an accurate distance between the substrates, row and column conductors formed on one or both substrates, and 1 for addressing the display pixels. It may include one or more thin film transistors and storage capacitors, a ground or power plane, a common interconnect for resetting display pixels, a dichroic or color filter, and an anti-reflective coating.

上述のディスプレイは、電気機械ディスプレイ、微小機械ディスプレイ、微小電気機械ディスプレイまたは微小電気機械システム(MEMS)ディスプレイとして示されてもよい。上述のディスプレイは、白黒ディスプレイ、カラーディスプレイまたはカラーシーケンシャルディスプレイであってもよい。   The above-described display may be shown as an electromechanical display, a micromechanical display, a microelectromechanical display, or a microelectromechanical system (MEMS) display. The display described above may be a black and white display, a color display or a color sequential display.

特許法の要請に応じて詳細に本発明を説明し、当業者は、特定の要求または条件に合致するように、個別の部分またはそれらの関連する組み立てもしくは製造方法において、変更や改良を行うことに何らの困難もないであろう。そのような変更及び改良は、以下の特許請求の範囲に記載されているように、本発明の範囲及び思想から逸脱せずに行われうる。   Having described the invention in detail as required by patent law, one of ordinary skill in the art may make changes or improvements in the individual parts or their associated assembly or manufacturing methods to meet specific requirements or conditions. There will be no difficulty. Such changes and modifications can be made without departing from the scope and spirit of the invention as set forth in the following claims.

100 シャッタアセンブリ
101 光シャッタ
102 基板
103 表面
104 支持部
105 支持部
106 第1の端部
107 第2の端部
108 光透過領域
109 パッド
110 光遮断領域
120 光反射性表面
121 光吸収性表面
200 モールド
201 犠牲材料
203 溝
204 側壁
206 凹部領域
300 光変調器
303 カバーアセンブリ
304 透明基板
306、307 スペーサー
308、309 電極
311 第1の静電アクチュエータ
312 第2の静電アクチュエータ
400 光変調器
401 シャッタアセンブリ
402 透明基板
403 表面
404、405 電極
406、407 支持部
408 第1の端部
409 第2の端部
410 シャッタ
411 光透過領域
412 光遮断領域
413 基板
414 内側表面
415 透明導電層
416、417 スペーサー
418 カバーアセンブリ
500 光変調器
501 基板
502 表面
503 シャッタアセンブリ
505、506 シャッタ支持部
507 シャッタ
508、509 スペーサー
510、511 電極
514 第1の静電アクチュエータ
515 第2の静電アクチュエータ
600 変調器
601 光シャッタ
602 光透過領域
603 光遮断領域
605 表面
606、607 片持ち梁
608、609 ポスト
610、611 導電性パッド
614 電極
615 フランジ
616 電極
619 第1のギャップ
621 第2の静電アクチュエータ
622 第1の静電アクチュエータ
700 光変調器
701 光シャッタ
702 光透過領域
703 光遮断領域
705 基板
708 フランジ
709 電極
710 導電性パッド
711 静電アクチュエータ
712、714 片持ち梁
715、716 ポスト
717 導電性パッド
722 第2のフランジ
723 第2の電極
724 導電性パッド
800 シャッタ支持部
802 基板
803 片持ち梁
804 第1のポスト
806 第2のポスト
807 モールド
814 導電層
815 フォトレジスト層
816 第1のフォトマスク
900 シャッタ
901 光透過領域
1000 バックライト
1001 光ガイド
1002 頂部表面
1003 底部表面
1004、1005 側部表面
1006 光入力端
1010 光吸収フィルム
1011 光源
1015 第1の光学層
1016 光脱出表面
1017 光入力表面
1018 光反射体
1020 第2の光学層
1023 光線
1024 臨界角
1101 マイクロプリズム
1103 基板
1104 延長部
1106 光反射ファセット
1107 溝
1108 光学層
1200 ガラス基板
1203 溝
1204 延長部
1205 埋め込み光反射体
1400 カバーアセンブリ
1401 透明基板
1402 第1の表面
1403 第2の表面
1404 光拡散層
1405 光吸収層
1406 光吸収領域
1407 光透過領域
1500 ディスプレイ
1501 カバーアセンブリ
1502 変調器
1503 バックライト
1504 背面反射体
1505 透明基板
1506 光拡散層
1507 第1の表面
1508 光吸収層
1509 光透過領域
1510 光吸収領域
1511 シャッタ
1514 光透過領域
1515 光遮断領域
1520 光
1700 ディスプレイ
1701 カバーアセンブリ
1702 変調器
1703 バックライト
1705 透明基板
1706 光拡散層
1707 第1の表面
1708 光吸収層
1709 光透過領域
1710 光吸収領域
1711 シャッタ
1714 光透過領域
1715 光遮断領域
1716 基板
1717 埋め込み光反射ファセット
1718 光学層
1719 光ガイド
1721 光脱出表面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Shutter assembly 101 Optical shutter 102 Board | substrate 103 Surface 104 Support part 105 Support part 106 1st edge part 107 2nd edge part 108 Light transmission area 109 Pad 110 Light blocking area 120 Light reflective surface 121 Light-absorbing surface 200 Mold 201 Sacrificial material 203 Groove 204 Side wall 206 Recessed area 300 Optical modulator 303 Cover assembly 304 Transparent substrate 306, 307 Spacer 308, 309 Electrode 311 First electrostatic actuator 312 Second electrostatic actuator 400 Optical modulator 401 Shutter assembly 402 Transparent substrate 403 Surface 404, 405 Electrode 406, 407 Support portion 408 First end portion 409 Second end portion 410 Shutter 411 Light transmission region 412 Light blocking region 413 Substrate 414 Inner surface 415 Transparent conductive layer 416, 417 Spacer 418 Cover assembly 500 Optical modulator 501 Substrate 502 Surface 503 Shutter assembly 505, 506 Shutter support 507 Shutter 508, 509 Spacer 510, 511 Electrode 514 First electrostatic actuator 515 Second electrostatic Actuator 600 Modulator 601 Optical shutter 602 Light transmission region 603 Light blocking region 605 Surface 606, 607 Cantilever 608, 609 Post 610, 611 Conductive pad 614 Electrode 615 Flange 616 Electrode 619 First gap 621 Second electrostatic Actuator 622 First electrostatic actuator 700 Optical modulator 701 Optical shutter 702 Light transmission area 703 Light blocking area 705 Substrate 708 Flange 709 Electrode 710 Conductive pattern 711 Electrostatic actuator 712, 714 Cantilever 715, 716 Post 717 Conductive pad 722 Second flange 723 Second electrode 724 Conductive pad 800 Shutter support 802 Substrate 803 Cantilever 804 First post 806 First Post 2 807 Mold 814 Conductive layer 815 Photoresist layer 816 First photomask 900 Shutter 901 Light transmission region 1000 Back light 1001 Light guide 1002 Top surface 1003 Bottom surface 1004, 1005 Side surface 1006 Light input end 1010 Light absorbing film 1011 Light source 1015 First optical layer 1016 Light escape surface 1017 Light input surface 1018 Light reflector 1020 Second optical layer 1023 Light beam 1024 Critical angle 1101 Microprism 1103 Base 1104 Extension 1106 Light reflection facet 1107 Groove 1108 Optical layer 1200 Glass substrate 1203 Groove 1204 Extension 1205 Embedded light reflector 1400 Cover assembly 1401 Transparent substrate 1402 First surface 1403 Second surface 1404 Light diffusion layer 1405 Light absorption layer 1406 Light absorption area 1407 Light transmission area 1500 Display 1501 Cover assembly 1502 Modulator 1503 Backlight 1504 Back reflector 1505 Transparent substrate 1506 Light diffusion layer 1507 First surface 1508 Light absorption layer 1509 Light transmission area 1510 Light absorption area 1511 Shutter 1514 Light Transmission area 1515 Light blocking area 1520 Light 1700 Display 1701 Cover assembly 1702 Modulator 1703 Backlight 1705 Transparent substrate 1706 Light diffusion layer 1707 First surface 1708 Light absorption layer 1709 Light transmission region 1710 Light absorption region 1711 Shutter 1714 Light transmission region 1715 Light blocking region 1716 Substrate 1717 Embedded light reflection facet 1718 Optical layer 1719 Light guide 1721 Light escape surface

Claims (15)

光透過領域を有するシャッタをそれぞれ含む複数の変調器と、
表面及び複数の埋め込み光反射体を有する基板と、を含み、
前記埋め込み光反射体により、光が、前記基板の前記表面から前記基板を脱出し、前記シャッタの各光透過領域において集束する、ディスプレイ。
A plurality of modulators each including a shutter having a light transmission region;
A substrate having a surface and a plurality of embedded light reflectors,
A display in which light escapes the substrate from the surface of the substrate and converges in each light transmission region of the shutter by the embedded light reflector.
複数の光透過領域を有する光吸収層をさらに含み、
前記シャッタの前記光透過領域を透過した光が、前記光吸収層の各光透過領域を透過する、請求項1に記載のディスプレイ。
A light absorption layer having a plurality of light transmission regions;
The display according to claim 1, wherein light transmitted through the light transmission region of the shutter is transmitted through each light transmission region of the light absorption layer.
前記基板がさらに、光入力表面を含み、
前記光入力表面が光学層を介して光ガイドに光学的に結合され、
前記光学層が、前記光ガイドの屈折率よりも小さな屈折率を有する、請求項1に記載のディスプレイ。
The substrate further comprises a light input surface;
The light input surface is optically coupled to a light guide via an optical layer;
The display according to claim 1, wherein the optical layer has a refractive index smaller than that of the light guide.
前記埋め込み光反射体が、20から80マイクロメートルの曲率半径を有する断面を有する屈曲した表面を有する、請求項1に記載のディスプレイ。   The display of claim 1, wherein the embedded light reflector has a curved surface having a cross-section with a radius of curvature of 20 to 80 micrometers. 前記シャッタが第1及び第2の端部を有し、前記第1及び第2の端部に取り付けられた複数の支持部によって表面の上方に支持され、前記第1及び第2の端部に取り付けられた前記支持部が、互いに対して傾斜し、前記表面に対して傾斜した、請求項1に記載のディスプレイ。   The shutter has first and second ends, and is supported above the surface by a plurality of support portions attached to the first and second ends, and is disposed on the first and second ends. The display according to claim 1, wherein the attached support portions are inclined with respect to each other and with respect to the surface. 前記シャッタが、前記シャッタと前記表面との間に配置された複数の片持ち梁によって前記表面の上方に支持され、前記片持ち梁が、第1のギャップによって前記シャッタから間隔をあけて配置され、第2のギャップによって前記表面から間隔をあけて配置された、請求項1に記載のディスプレイ。   The shutter is supported above the surface by a plurality of cantilevers disposed between the shutter and the surface, and the cantilever is spaced from the shutter by a first gap. The display of claim 1, spaced from the surface by a second gap. 前記シャッタが第1及び第2の端部を有し、前記第1及び第2の端部において取り付けられた複数の支持部によって表面の上方に支持され、前記第1の端部に取り付けられた前記支持部が実質的に直線状であり、前記第2の端部に取り付けられた前記支持部が屈曲した、請求項1に記載のディスプレイ。   The shutter has first and second ends, is supported above the surface by a plurality of supports attached at the first and second ends, and is attached to the first end The display according to claim 1, wherein the support portion is substantially linear and the support portion attached to the second end is bent. 前記シャッタが、前記シャッタの縁から延設するフランジを含み、前記シャッタが、前記表面に対して実質的に平行に配置され、前記フランジの表面に対して傾斜された複数の支持部によって表面の上方に支持された、請求項1に記載のディスプレイ。   The shutter includes a flange extending from an edge of the shutter, and the shutter is disposed substantially parallel to the surface and has a plurality of support portions inclined with respect to the surface of the flange. The display of claim 1, supported above. 前記変調器がそれぞれさらに、前記シャッタに第1の力を印加し、前記シャッタを、前記第1の力に対して実質的に横方向に、前記基板の前記表面に対して実質的に平行な面内で移動させるアクチュエータを含む、請求項1に記載のディスプレイ。   Each of the modulators further applies a first force to the shutter, the shutter being substantially transverse to the first force and substantially parallel to the surface of the substrate. The display of claim 1, comprising an actuator that moves in a plane. 光透過領域を有する光吸収層をさらに含み、前記シャッタが光遮断領域を含み、前記光吸収層の前記光透過領域が、前記シャッタの前記光透過領域よりも大きく、前記シャッタの前記光遮断領域よりも小さい、請求項1に記載のディスプレイ。   A light absorption layer having a light transmission region; and the shutter includes a light blocking region; the light transmission region of the light absorption layer is larger than the light transmission region of the shutter; and the light blocking region of the shutter. The display of claim 1, wherein the display is smaller. 前記変調器がそれぞれさらに第1及び第2の電極を含み、前記第1及び第2の電極が前記シャッタ上に形成された、請求項1に記載のディスプレイ。   The display according to claim 1, wherein the modulator further includes first and second electrodes, respectively, and the first and second electrodes are formed on the shutter. 光拡散層と、前記光拡散層上に形成された光吸収層と、をさらに含み、前記光吸収層が、光透過領域及び光遮断領域を有する、請求項1に記載のディスプレイ。   The display according to claim 1, further comprising a light diffusion layer and a light absorption layer formed on the light diffusion layer, wherein the light absorption layer has a light transmission region and a light blocking region. 前記シャッタから反射された光を吸収するための背面光吸収体を含むバックライトをさらに含む、請求項1に記載のディスプレイ。   The display according to claim 1, further comprising a backlight including a back light absorber for absorbing light reflected from the shutter. 導電性材料から形成された光吸収層をさらに含む、請求項1に記載のディスプレイ。   The display of claim 1, further comprising a light absorbing layer formed from a conductive material. 導電性材料から形成された光吸収層をさらに含み、前記シャッタが第1及び第2の電極を含み、前記第1及び第2の電極が、前記導電性の光吸収層とともに静電アクチュエータを形成する、請求項1に記載のディスプレイ。   A light absorbing layer formed of a conductive material; wherein the shutter includes first and second electrodes; and the first and second electrodes form an electrostatic actuator together with the conductive light absorbing layer. The display according to claim 1.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060268389A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-30 Andrew Huibers Method of projecting an image from a reflective light valve
JP2008083073A (en) * 2006-09-25 2008-04-10 Toshiba Corp Stereoscopic display device and driving method
US7995261B2 (en) * 2009-09-03 2011-08-09 Edward Pakhchyan Electromechanical display and backlight
JP2015111281A (en) * 2015-01-19 2015-06-18 セイコーエプソン株式会社 Image relay optical system and virtual display device including the same
JP2015519607A (en) * 2012-06-01 2015-07-09 ピクストロニクス,インコーポレイテッド Microelectromechanical device and manufacturing method
WO2015192117A1 (en) * 2014-06-14 2015-12-17 Magic Leap, Inc. Methods and systems for creating virtual and augmented reality
JP2016504625A (en) * 2012-12-18 2016-02-12 ピクストロニクス,インコーポレイテッド Display device with closely packed electromechanical system display elements

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060268389A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-30 Andrew Huibers Method of projecting an image from a reflective light valve
JP2008083073A (en) * 2006-09-25 2008-04-10 Toshiba Corp Stereoscopic display device and driving method
US7995261B2 (en) * 2009-09-03 2011-08-09 Edward Pakhchyan Electromechanical display and backlight
JP2015519607A (en) * 2012-06-01 2015-07-09 ピクストロニクス,インコーポレイテッド Microelectromechanical device and manufacturing method
JP2016504625A (en) * 2012-12-18 2016-02-12 ピクストロニクス,インコーポレイテッド Display device with closely packed electromechanical system display elements
WO2015192117A1 (en) * 2014-06-14 2015-12-17 Magic Leap, Inc. Methods and systems for creating virtual and augmented reality
JP2017529635A (en) * 2014-06-14 2017-10-05 マジック リープ, インコーポレイテッドMagic Leap,Inc. Methods and systems for creating virtual and augmented reality
JP2015111281A (en) * 2015-01-19 2015-06-18 セイコーエプソン株式会社 Image relay optical system and virtual display device including the same

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