JP2017537453A - Photoresist stripping apparatus and photoresist stripping method using the same - Google Patents
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Abstract
本発明は、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク、表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具、前記基板移送具にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口および前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクから前記ストリッパ噴射口にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具を含む剥離室と、前記剥離室の上部に位置し、前記剥離室から蒸発した物質を冷却する冷却装置と、前記冷却装置で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクまたは剥離室に移送する搬送具と、を含むフォトレジスト剥離装置を利用したフォトレジスト剥離方法に関する。The present invention relates to a stripper storage tank for removing a photoresist, a substrate transfer tool for moving a substrate on which a photoresist is formed, a stripper injection port for injecting a stripper for removing the photoresist onto the substrate transfer tool, and the photoresist removal A stripping chamber including a stripper transmission tool for transferring a stripper for removing a photoresist from a stripper storage tank to the stripper ejection port; a cooling device positioned above the stripping chamber for cooling the material evaporated from the stripping chamber; The present invention relates to a photoresist stripping method using a photoresist stripping device including a transporter that transports a material cooled by a cooling device to a stripper storage tank for stripping photoresist or a stripping chamber.
Description
本発明はフォトレジスト剥離装置およびこれを利用したフォトレジスト剥離方法に関する。より詳細には、蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止し、フォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減でき、フォトレジスト除去用ストリッパの剥離力を維持できるフォトレジスト剥離装置およびこれを利用したフォトレジスト剥離方法に関する。 The present invention relates to a photoresist stripping apparatus and a photoresist stripping method using the same. More specifically, a photoresist stripping apparatus that can prevent loss of the stripper for removing the photoresist due to evaporation, reduce the amount of the stripper for stripping the photoresist, and maintain the stripping force of the stripper for stripping the photoresist is used. The present invention relates to a photoresist stripping method.
液晶表示素子の微細回路工程または半導体直接回路の製造工程は、基板上にアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、モリブデン、モリブデン合金などの導電性金属膜またはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アクリル絶縁膜などの絶縁膜のような各種下部膜を形成し、このような下部膜上にフォトレジストを均一に塗布し、選択的に露光、現象処理してフォトレジストパターンを形成した後、これをマスクとして下部膜をパターニングする様々な工程を含む。このようなパターニング工程後、下部膜上に残留するフォトレジストを除去する工程を経るが、これのために使用されるのがフォトレジスト除去用ストリッパである。 The fine circuit process of the liquid crystal display element or the manufacturing process of the semiconductor direct circuit is performed on a conductive metal film such as aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, molybdenum, molybdenum alloy or silicon oxide film, silicon nitride film, acrylic insulation on the substrate. Various lower films such as insulating films such as films are formed, and a photoresist is uniformly coated on the lower film, and selectively exposed and processed to form a photoresist pattern, which is then masked Various processes for patterning the lower film. After such a patterning step, a step of removing the photoresist remaining on the lower film is performed, and a stripper for removing the photoresist is used for this purpose.
一般に、前記フォトレジスト除去用ストリッパを利用して基板上に形成されたフォトレジストを除去する工程で温度条件などにより、前記フォトレジスト除去用ストリッパが蒸発してヒューム(fume)が発生し、これにより前記フォトレジスト除去用ストリッパの量が減少して前記フォトレジスト除去用ストリッパの全体的な使用量が増加する問題があった。特に、水系フォトレジスト除去用ストリッパの場合、水分の蒸発量が多いため、ストリッパとしての剥離力が低下するなどの限界があった。 In general, in the step of removing the photoresist formed on the substrate using the photoresist removing stripper, the photoresist removing stripper evaporates due to a temperature condition and the like to generate a fume. There is a problem in that the amount of the stripper for removing the photoresist decreases and the total amount of the stripper for removing the photoresist increases. In particular, in the case of a stripper for removing a water-based photoresist, there is a limit that the peeling force as a stripper is reduced because the amount of evaporation of water is large.
これに、蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減でき、フォトレジスト除去用ストリッパの剥離力を維持できるフォトレジスト剥離装置およびこれを利用したフォトレジスト剥離方法の開発が求められている。 In addition, a photoresist stripping apparatus capable of preventing the loss of the stripper for removing the photoresist due to evaporation and reducing the amount of the stripper for stripping the photoresist and maintaining the stripping force of the stripper for stripping the photoresist, and a photoresist using the photoresist stripper. Development of a peeling method is required.
本発明は蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減でき、フォトレジスト除去用ストリッパの剥離力を維持できるフォトレジスト剥離装置を提供する。 The present invention provides a photoresist stripping apparatus that can prevent loss of a stripper for removing a photoresist due to evaporation, reduce the amount of the stripper for stripping the photoresist, and maintain the stripping force of the stripper for stripping the photoresist.
また、本発明は前記フォトレジスト剥離装置を利用したフォトレジスト剥離方法を提供する。 The present invention also provides a photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus.
本明細書では、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク、表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具、前記基板移送具にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口および前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクから前記ストリッパ噴射口にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具を含む剥離室と、前記剥離室の上部に位置し、前記剥離室から蒸発した物質を冷却する冷却装置と、前記冷却装置で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクまたは剥離室に移送する搬送具と、を含むフォトレジスト剥離装置が提供される。 In the present specification, a stripper storage tank for removing a photoresist, a substrate transfer tool for moving a substrate on which a photoresist is formed, a stripper injection port for injecting a stripper for removing the photoresist onto the substrate transfer tool, and the photoresist removal A stripping chamber including a stripper transmitter for transferring the stripper for removing the photoresist from the stripper storage tank to the stripper outlet, and a cooling device positioned above the stripping chamber to cool the material evaporated from the stripping chamber; There is provided a photoresist stripping device including a transporter that transports a material cooled by the cooling device to a stripper storage tank for stripping photoresist or a stripping chamber.
本明細書ではまた、前記フォトレジスト剥離装置を利用したフォトレジスト剥離方法が提供される。 The present specification also provides a photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus.
本発明によれば、蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減でき、フォトレジスト除去用ストリッパの剥離力を維持できるフォトレジスト剥離装置およびこれを利用したフォトレジスト剥離方法が提供され得る。 According to the present invention, a photoresist stripping apparatus capable of preventing the loss of the stripper for removing the photoresist due to evaporation and reducing the usage of the stripper for stripping the photoresist and maintaining the stripping force of the stripper for stripping the photoresist can be used. An improved photoresist stripping method can be provided.
以下、発明の具体的な実施例によるフォトレジスト剥離装置およびフォトレジスト剥離方法についてより詳細に説明する。 Hereinafter, a photoresist stripping apparatus and a photoresist stripping method according to specific embodiments of the invention will be described in more detail.
発明の一実施形態によれば、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4、表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具3、前記基板移送具3にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口2およびフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4から前記ストリッパ噴射口2にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具16を含む剥離室1と、前記剥離室1の上部に位置し、前記剥離室1から蒸発した物質を冷却する冷却装置7と、前記剥離室1から蒸発した物質を冷却装置7に移送するための伝達具6、および前記冷却装置7で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4または剥離室1に移送する搬送具と、を含むフォトレジスト剥離装置が提供され得る。
According to one embodiment of the present invention, a stripper storage tank 4 for removing a photoresist, a
本発明者らは、上述した特定のフォトレジスト剥離装置を利用すれば、剥離過程で発生する蒸発物質を冷却させ、再びフォトレジスト除去用ストリッパと混合することにより、蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止し、フォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減できることを実験により確認して発明を完成した。 If the above-mentioned specific photoresist stripping apparatus is used, the present inventors cool the evaporated substance generated in the stripping process and mix it again with the stripper for removing the photoresist, thereby removing the stripper for stripping the photoresist by evaporation. It was confirmed by experiments that loss could be prevented and the amount of stripper used to remove the photoresist could be saved, and the invention was completed.
特に、前記フォトレジスト剥離装置は、前記冷却装置7で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4または剥離室1に移送する搬送具を含み得る。これにより、前記フォトレジスト剥離装置は、蒸発によるフォトレジスト除去用ストリッパの損失を防止してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減することができる。
前記搬送具の具体的な例は大きく限定されず、形態、長さ、直径などが多様な配管を制限なく使用し得る。
In particular, the photoresist stripping device may include a transport tool for transporting the material cooled by the cooling device 7 to the stripper storage tank 4 for stripping photoresist or the
The specific example of the said conveying tool is not largely limited, Piping with various forms, lengths, diameters, etc. can be used without a restriction | limiting.
前記フォトレジスト剥離装置は、前記冷却装置7で冷却した物質を前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に移送する搬送具9または冷却装置で冷却した物質を剥離室1に移送する搬送具10を含み得る。前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に移送する搬送具9および冷却装置で冷却した物質を剥離室1に移送する搬送具10はそれぞれ別途に冷却装置と連結されるか、一つの配管に合わさって冷却装置に連結され得る。
The photoresist stripping apparatus includes a transport tool 9 for transporting the material cooled by the cooling device 7 to the stripper storage tank 4 for removing the photoresist or a
また、前記冷却装置7で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に移送する搬送具9は、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4の高さの50%以上、または55%から100%、または60%から95%である位置に連結され得る。 Further, the transfer tool 9 for transferring the material cooled by the cooling device 7 to the stripper storage tank 4 for removing the photoresist is 50% or more of the height of the stripper storage tank 4 for removing the photoresist, or 55% to 100%. , Or 60% to 95%.
前記冷却装置7で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に移送する搬送具9は前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に連結された位置が前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4の高さの50%未満であれば、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4内に含まれたストリッパが前記冷却装置7で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に移送する搬送具9側に逆流し得る。 The transport device 9 for transferring the material cooled by the cooling device 7 to the photoresist removal stripper storage tank 4 is connected to the photoresist removal stripper storage tank 4 at a position higher than that of the photoresist removal stripper storage tank 4. If it is less than 50%, the stripper contained in the photoresist removal stripper storage tank 4 transfers the substance cooled by the cooling device 7 to the photoresist removal stripper storage tank 4 on the side of the carrier 9. Can flow backwards.
前記冷却装置7で冷却した物質を剥離室1に移送する搬送具10は、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4の高さと前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具3の高さとの間で連結され得る。
The
このように、前記冷却装置7で冷却した物質を剥離室1に移送する搬送具10が、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4の高さと前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具3の高さとの間で連結されることにより、基板移送具3によって移動する基板に影響を与えず、前記冷却装置7から排出された物質がフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に移動し得る。
As described above, the
前記フォトレジスト剥離装置は、前記冷却装置7で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4または剥離室1に移送する搬送具の開閉を調節できるバルブ8をさらに含み得る。
The photoresist stripping device may further include a valve 8 that can adjust opening and closing of a transport tool that transfers the material cooled by the cooling device 7 to the stripper storage tank 4 for stripping photoresist or the
前記「開閉」とは、開いたり閉じたりすることを意味し、具体的には、前記バルブ8を利用して前記搬送具が開かれたり閉じられることを意味する。前記搬送具が開かれた場合、前記冷却装置7で冷却した物質がフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4または剥離室1に移送され得、前記搬送具が閉じられた場合は、前記冷却装置7で冷却した物質がフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4または剥離室1の代わりに後述する廃液タンク14に移送され得る。
The “opening / closing” means opening and closing, and specifically, means that the conveying tool is opened and closed using the valve 8. When the transport tool is opened, the material cooled by the cooling device 7 can be transferred to the stripper storage tank 4 for removing the photoresist 4 or the
また、前記フォトレジスト剥離装置は、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4、表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具3、前記基板移送具3にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口2および前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4から前記ストリッパ噴射口2にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具16を含む剥離室1を含み得る。
The photoresist stripping apparatus includes a stripper storage tank 4 for removing a photoresist, a
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパの具体的な種類は制限されず、フォトレジスト除去用ストリッパとしての用途を有するいかなる組成の組成物でも制限なく使用できる。例えば、蒸溜水38重量%、(1−アミノ)−イソプロパノール(AIP)10重量%、N−メチルホルムアミド(NMF)10重量%、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG)41.9重量%および2、2'[(メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−リール)メチル]イミノ]ビスエタノール0.1重量%の混合物が挙げられる。 The specific type of the stripper for removing the photoresist contained in the stripper storage tank 4 for removing the photoresist is not limited, and any composition having a use as a stripper for removing the photoresist can be used without limitation. For example, 38% by weight of distilled water, 10% by weight of (1-amino) -isopropanol (AIP), 10% by weight of N-methylformamide (NMF), 41.9% by weight of diethylene glycol monobutyl ether (BDG) and 2, 2 ′ [ A mixture of 0.1% by weight of (methyl-1H-benzotriazole-1-reel) methyl] imino] bisethanol is mentioned.
前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具3の例は大きく限定されず、例えば、コンベヤベルトなどが挙げられ、前記基板移送具3は地平面に平行な方向に前記剥離室1の内部に位置し得る。前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる方法は、例えば、前記基板移送具3上に表面にフォトレジストが形成された基板を載せ、前記基板移送具3に沿って地平面に平行な方向に移動させ得る。
An example of the
前記基板移送具3にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口2の例も、大きく限定されず、例えば、80個の孔を有するノズル、具体的にホールノズル、ピントルノズル、スロットルピントルノズル、フラットピントルノズルなどを使用し得る。前記フォトレジスト除去用ストリッパを噴射する方法は、例えば、前記ストリッパ噴射口2を介して0.01MPaから0.9MPaの圧力および30℃から50℃の温度でフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する方法がある。
The example of the
具体的には、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4の上部に前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具3が位置し、前記基板移送具3の上部に前記基板移送具3にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口2が位置し得る。前記「上部」とは、地平面を基準により高い位置に位置することを意味する。
Specifically, a
これにより、最も高いところに位置した前記基板移送具3の上部に前記基板移送具3にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口2から噴射された前記フォトレジスト除去用ストリッパが、表面にフォトレジストが形成された基板上に接触し得る。また、前記表面にフォトレジストが形成された基板と接触したフォトレジスト除去用ストリッパは、前記基板移送具3の下端に位置した前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に移動し得る。
As a result, the stripper for removing the photoresist sprayed from the
具体的には、前記基板移送具3と前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4との間にはドレイン装置12をさらに含み得る。前記ドレイン装置12を含むことにより、前記基板上に噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパを集めて前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に流入させ得る。
Specifically, a
前記剥離室1は前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4から前記ストリッパ噴射口2にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具16を含み得る。前記ストリッパ伝達具16の例は大きく限定されず、形態、長さ、直径などが多様な配管を制限なく使用することができる。
The
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4から前記ストリッパ噴射口2にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具16は濾過装置17をさらに含み得る。前記濾過装置17を含むことにより、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパに含まれ得る異物を除去してフォトレジスト除去用ストリッパの品質および性能を維持することができる。
The
前記濾過装置17の例は大きく限定されず、例えばフィルタを使用し得る。前記フィルタの材質も大きく限定されず、例えば、ポリエチレン(Polyethylene)、ポリプロピレン(Polypropylene)などの高分子樹脂またはポリビニリデンフルオライド(Polyvinylidene fluoride)などのテフロン(登録商標)系樹脂を使用し得、フィルタに含まれた空隙(pore)の直径は0.1μmから300μmであり得る。前記フィルタの大きさは大きく限定されず、多様な大きさのフィルタを使用することができる。
The example of the said
また、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4から前記ストリッパ噴射口2にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具16はポンプ5をさらに含み得る。前述のように、前記基板移送具3の上部に前記基板移送具3にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口2は前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4より上部に位置するため、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4から前記基板移送具3の上部に前記基板移送具3にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口2に移送するために前記ストリッパ噴射口2にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具16はポンプ5をさらに含み得る。
Further, the
具体的には、前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4から前記ストリッパ噴射口2にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具16は前記基板移送具3にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口2および前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に連結され得る。
Specifically, the
また、前記フォトレジスト剥離装置は、前記剥離室1の上部に位置し、前記剥離室1から蒸発した物質を冷却する冷却装置7を含み得る。前記冷却装置7は前記フォトレジスト剥離過程で蒸発により損失される物質を冷却により液化させてフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減させ得る。
In addition, the photoresist stripping device may include a cooling device 7 that is located above the stripping
前記冷却装置7の例としては凝縮機(condenser)などが挙げられ、前記冷却装置7では−10℃から50℃、または−8℃から30℃、または−5℃から10℃の温度で冷媒を利用した凝縮が行われ得る。前記冷媒は、冷凍サイクルの作動流体として低温の物体から熱を奪って高温の物体に熱を運ぶ媒体を意味し、広く使用されている多様な冷媒を制限なく使用することができる。 Examples of the cooling device 7 include a condenser, and the cooling device 7 supplies the refrigerant at a temperature of −10 ° C. to 50 ° C., or −8 ° C. to 30 ° C., or −5 ° C. to 10 ° C. Utilized condensation can take place. The refrigerant refers to a medium that takes heat from a low-temperature object and transfers heat to a high-temperature object as a working fluid of a refrigeration cycle, and various widely used refrigerants can be used without limitation.
前記冷却装置7は前記剥離室1の上部に位置し得る。前記「上部」とは、地平面を基準により高い位置に位置することを意味する。つまり、前記冷却装置7の高さは前記剥離室1の高さより高くてもよい。前記剥離室1で剥離を行う過程において、剥離室1の内部の温度により前記フォトレジスト除去用ストリッパに含まれた成分のうち一部が蒸発され得る。この時、蒸発した成分による損失を防止するため、前記蒸発した成分を集めて冷却装置7を介して液化させて回収するため、前記冷却装置7は前記剥離室1より高いところに位置し得る。
The cooling device 7 may be located in the upper part of the peeling
また、前記フォトレジスト除去用ストリッパ廃液を貯蔵する廃液タンク14をさらに含み得る。前記フォトレジスト除去用ストリッパ廃液とは、前記フォトレジスト除去用ストリッパの剥離過程で発生する異物、または長い間フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に保管されることにより変質したフォトレジスト除去用ストリッパ、または濾過装置17でフィルタされた異物などを含み得る。
Further, it may further include a
前記廃液タンク14の位置は大きく限定されないが、好ましくは、前記剥離室1の下部に位置し得る。
The position of the
前記廃液タンク14は、前記剥離室1から直接フォトレジスト除去用ストリッパ廃液が移送されるか、前記冷却装置7で冷却した物質が移送され得る。前記剥離室1から直接フォトレジスト除去用ストリッパ廃液が移送される場合、配管13を介して移送され得る。また、前記冷却装置7で冷却した物質を廃液タンク14に移送する場合は開閉を調節できるバルブ11を含む配管15を介して移送され得る。
A stripper waste liquid for removing a photoresist is directly transferred from the peeling
一方、発明の他の実施例によれば、前記フォトレジスト剥離装置を利用したフォトレジスト剥離方法が提供され得る。 Meanwhile, according to another embodiment of the invention, a photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus can be provided.
具体的には、前記フォトレジスト剥離方法は、表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階と、前記噴射時発生する気体を捕集して冷却装置7で冷却する段階、および前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に回収する段階と、を含み得る。 Specifically, the photoresist stripping method includes a step of spraying a stripper for removing a photoresist onto a substrate having a photoresist formed on a surface, and a gas generated during the spraying is collected and cooled by a cooling device 7. And recovering the sprayed photoresist removal stripper and the cooled material to the photoresist removal stripper storage tank 4.
前記フォトレジスト剥離方法は、表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階を含み得る。前記噴射方法の例は大きく限定されず、例えば、ホールノズル、ピントルノズル、スロットルピントルノズル、フラットピントルノズルなどを使用して0.01MPaから0.9MPaの圧力および30℃から50℃の温度でフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する方法などが挙げられる。 The photoresist stripping method may include a step of spraying a stripper for removing a photoresist onto a substrate having a photoresist formed on a surface thereof. Examples of the spraying method are not largely limited. For example, using a hole nozzle, a pintle nozzle, a throttle pintle nozzle, a flat pintle nozzle, etc., a photo at a pressure of 0.01 MPa to 0.9 MPa and a temperature of 30 ° C. to 50 ° C. For example, a method of spraying a stripper for resist removal may be used.
前記表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階で、前記フォトレジスト除去用ストリッパの温度が40℃から60℃であり得る。前記フォトレジスト除去用ストリッパの温度が40℃未満である場合は、剥離性能が低下し得、前記フォトレジスト除去用ストリッパの温度が60℃を超過する場合には引火の危険があるため作業性が落ち得る。前記フォトレジスト除去用ストリッパの具体的な種類は制限されず、フォトレジスト除去用ストリッパとしての用途を有するいかなる組成の組成物でも制限なく使用することができる。 In the step of spraying the stripper for removing the photoresist onto the substrate having the photoresist formed on the surface, the temperature of the stripper for removing the photoresist may be 40 ° C. to 60 ° C. When the temperature of the stripper for removing the photoresist is less than 40 ° C., the stripping performance may be deteriorated, and when the temperature of the stripper for removing the photoresist exceeds 60 ° C., there is a risk of ignition, so workability is improved. Can fall. The specific type of the stripper for removing the photoresist is not limited, and any composition having a use as a stripper for removing the photoresist can be used without limitation.
前記表面にフォトレジストが形成された基板上にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射する段階の前に、濾過装置17で前記フォトレジスト除去用ストリッパを濾過する段階をさらに含み得る。これにより、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパに含まれ得る異物を除去し、噴射されるフォトレジスト除去用ストリッパの品質および性能を維持することができる。
The method may further include filtering the stripper for removing the photoresist with a
前記濾過段階の方法の例は大きく限定されず、例えば、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4から前記ストリッパ噴射口2にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具16に含まれた濾過装置17を介して行われ得る。前記濾過装置17に関する内容は前記一実施例で上述した内容を含む。
An example of the method of the filtration step is not largely limited. For example, the
また、前記フォトレジスト剥離方法は、前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却する段階を含み得る。前述のように、フォトレジスト除去用ストリッパの温度が40℃から60℃を示すことにより、前記フォトレジスト除去用ストリッパに含まれた成分のうち一部が蒸発され得る。前記フォトレジスト剥離方法は、前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却する段階を含み、剥離過程で蒸発により損失される前記フォトレジスト除去用ストリッパの量を最少化することができる。 The photoresist stripping method may include a step of collecting and cooling a gas generated during the jetting. As described above, when the temperature of the stripper for removing photoresist shows 40 ° C. to 60 ° C., a part of the components contained in the stripper for removing photoresist can be evaporated. The photoresist stripping method includes a step of collecting and cooling the gas generated during the jetting, and can minimize the amount of the stripper for removing the photoresist that is lost by evaporation during the stripping process.
具体的には、前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却装置7で冷却する段階で、前記噴射時に発生する気体の捕集は、前記一実施例の剥離装置で剥離室1と前記剥離室1の上部に位置した冷却装置7を配管6を介して連結して気体を移送させる方法により行われ得る。また、前記冷却は、−10℃から50℃、または−8℃から30℃、または−5℃から10℃の温度で前記一実施例の冷却装置7を利用した凝縮方法により行われ得る。前記冷却装置7に関する内容は前記一実施例で上述した内容を含む。
Specifically, in the stage of collecting the gas generated during the injection and cooling with the cooling device 7, the gas generated during the injection is collected from the
また、前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に回収する段階を含み得る。これにより、前記剥離過程で蒸発により損失される前記フォトレジスト除去用ストリッパの量を最少化してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を減少することができ、フォトレジスト除去用ストリッパの剥離力を維持することができる。 The sprayed stripper for removing the photoresist and the cooled material may be collected in the stripper storage tank 4 for removing the photoresist. This minimizes the amount of the stripper for removing the photoresist that is lost due to evaporation during the stripping process, thereby reducing the amount of the stripper for removing the photoresist, and maintaining the stripping force of the stripper for removing the photoresist. be able to.
前記冷却させた物質の例は大きく限定されず、例えば、水または有機化合物を含み得る。前記有機化合物の例は大きく限定されず、例えばアミン、アミド、アルキレングリコールモノアルキルエーテルなどフォトレジスト除去用ストリッパに含まれる全ての成分が挙げられる。 Examples of the cooled material are not largely limited, and may include, for example, water or an organic compound. Examples of the organic compound are not particularly limited, and examples include all components contained in a stripper for removing a photoresist such as amine, amide, and alkylene glycol monoalkyl ether.
前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパをフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に回収する方法の例は大きく限定されず、例えば、前記一実施例の基板移送具3の下部に位置したドレイン装置12を利用してフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に移送する方法により行われ得る。
An example of a method for recovering the sprayed stripper for removing the photoresist in the stripper storage tank 4 for removing the photoresist is not largely limited. For example, the
前記冷却した物質を回収する方法の例は大きく限定されず、例えば、前記一実施例の冷却装置7と前記剥離室1またはフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4を配管9を介して連結し、バルブ8を開く方法により行われ得る。
An example of a method for recovering the cooled substance is not particularly limited. For example, the cooling device 7 of the above-described embodiment and the stripping
前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に回収する段階の後に、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパが他の基板を処理するために再循環する段階をさらに含み得る。前記再循環する段階を含むことにより、新たなフォトレジスト除去用ストリッパを使用しなくても一定分量のフォトレジスト除去用ストリッパを数十回使用してフォトレジスト除去用ストリッパの使用量を節減することができる。 After the step of recovering the sprayed stripper for removing photoresist and the cooled material in the stripper storage tank 4 for removing photoresist, the stripper for removing photoresist contained in the stripper storage tank 4 for removing photoresist is another substrate. May be further included to recycle to process. By including the recycling step, the amount of photoresist stripper used can be reduced by using a certain amount of photoresist stripper several tens of times without using a new stripper for removing photoresist. Can do.
前記フォトレジスト剥離方法は、下記数式1により得られた前記フォトレジスト除去用ストリッパの維持率が90%以上、または92%から99%であり得る。
In the photoresist stripping method, the maintenance ratio of the stripper for removing the photoresist obtained by the following
具体的には、前記剥離後のフォトレジスト除去用ストリッパとは、前記他の実施例のフォトレジスト剥離方法により、前記剥離前のフォトレジスト除去用ストリッパを噴射し、前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却させた後、前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質を回収したフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパを意味する。 Specifically, the stripper for removing the photoresist after the stripping is performed by spraying the stripper for stripping the photoresist before stripping by the photoresist stripping method of the other embodiment, and capturing the gas generated during the spraying. This means the stripper for removing the photoresist contained in the stripper storage tank 4 for collecting and cooling the sprayed photoresist removing stripper and the collected material after cooling.
これにより、前記フォトレジスト剥離方法は、フォトレジスト除去用ストリッパの使用量を大きく節減することができる。前記数式1により得られたフォトレジスト除去用ストリッパの維持率が90%未満であれば、追加的なフォトレジスト除去用ストリッパの投入によりフォトレジスト除去用ストリッパの使用量が増加し得る。
Accordingly, the photoresist stripping method can greatly reduce the amount of the stripper for removing the photoresist. If the retention rate of the stripper for removing photoresist obtained by
具体的には、図1を参照して前記フォトレジスト剥離装置を利用したフォトレジスト剥離方法の一例について説明する。フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に貯蔵されていたフォトレジスト除去用ストリッパは、ポンプ5により第6配管16に沿って移送され、濾過装置17を介して濾過された後、ノズル2を介して剥離室1内で基板移送具3上に位置した基板に噴霧されて剥離工程を行う。前記剥離工程において、フォトレジスト除去用ストリッパに含まれた物質中、蒸発した物質を剥離室1から第1配管6を介して冷却装置7に流入させて冷却装置7内で冷却させる。剥離室1で剥離工程を終えたフォトレジスト除去用ストリッパはドレイン装置12を介してフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に回収され、冷却装置7で冷却した物質は第1流量調節バルブ8を開いて前記冷却した物質を第2配管9に沿ってフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4に移送するか、第3配管10に沿って剥離室1に移送する。この時、第2流量調節バルブ11は閉じる。そして、再び剥離工程が再循環される。フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク4や濾過装置17で発生したフォトレジスト除去用ストリッパ廃液や異物は第4配管13を介して廃液タンク14に移送される。
Specifically, an example of a photoresist stripping method using the photoresist stripping apparatus will be described with reference to FIG. The stripper for removing the photoresist stored in the photoresist removing stripper storage tank 4 is transferred along the
本発明について以下の実施例によりさらに詳細に説明する。但し、以下の実施例は本発明の例示に過ぎず、本発明の内容は以下の実施例により限定されない。 The present invention is further illustrated by the following examples. However, the following examples are merely illustrative of the present invention, and the content of the present invention is not limited by the following examples.
<製造例:フォトレジスト除去用ストリッパの製造>
蒸溜水38重量%、(1−アミノ)−イソプロパノール(AIP)10重量%、N−メチルホルムアミド(NMF)10重量%、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG)41.9重量%および2、2'[(メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−リール)メチル]イミノ]ビスエタノール0.1重量%を混合してフォトレジスト除去用ストリッパを製造した。
<Production example: Production of stripper for removing photoresist>
Distilled water 38% by weight, (1-amino) -isopropanol (AIP) 10% by weight, N-methylformamide (NMF) 10% by weight, diethylene glycol monobutyl ether (BDG) 41.9% by weight and 2, 2 ′ [(methyl A stripper for removing a photoresist was prepared by mixing 0.1% by weight of -1H-benzotriazole-1-reyl) methyl] imino] bisethanol.
<実施例:フォトレジスト剥離方法>
図1に示すように、前記製造例のフォトレジスト除去用ストリッパを剥離室1のフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵容器に入れ、ポンプ5を利用してノズル2まで引き上げた後、40℃温度の剥離室1内で24時間噴射した。前記噴射過程で蒸発した物質を配管を介して冷却装置7に移動させて25℃温度で冷却させた。前記冷却した物質は配管を介してフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵容器に注入した。
<Example: Photoresist peeling method>
As shown in FIG. 1, the stripper for removing photoresist of the above manufacturing example is put in a stripper storage container for removing photoresist in the
<比較例:フォトレジスト剥離方法>
図2に示すように、前記冷却した物質を配管を介して廃液容器に注入したことを除いては前記実施例と同様に行った。
<Comparative example: Photoresist peeling method>
As shown in FIG. 2, the same procedure as in the above example was performed except that the cooled substance was injected into a waste liquid container via a pipe.
<実験例:実施例および比較例のフォトレジスト剥離効率の測定>
以下の方法により前記実施例および比較例フォトレジスト剥離方法の効率を測定し、その結果を表1に示した。
<Experimental Example: Measurement of Photoresist Stripping Efficiency in Examples and Comparative Examples>
The efficiency of the photoresist stripping methods of the examples and comparative examples was measured by the following method, and the results are shown in Table 1.
1.水分含有量(重量%)
前記実施例および比較例のフォトレジスト剥離方法において、6時間ごとにフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵容器に含まれた一定量のフォトレジスト除去用ストリッパを採取してカールフィッシャー水分測定法により水分含有量を測定した。
1. Water content (wt%)
In the photoresist stripping methods of the above-mentioned examples and comparative examples, a certain amount of photoresist stripper contained in the photoresist stripper storage container is sampled every 6 hours, and the moisture content is measured by the Karl Fischer moisture measurement method. It was measured.
2.フォトレジスト除去用ストリッパの維持率(%)
前記実施例および比較例のフォトレジスト剥離方法において、6時間ごとにフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵容器に含まれたフォトレジスト除去用ストリッパの質量を測定し、下記数式2によりフォトレジスト除去用ストリッパの維持率を求めた。
2. Maintenance rate of stripper for removing photoresist (%)
In the photoresist stripping methods of the examples and comparative examples, the mass of the stripper for removing the photoresist contained in the stripper storage container for removing the photoresist is measured every 6 hours, and the stripper for removing the photoresist is maintained by the following
前記表1に示すように、実施例のフォトレジスト剥離方法の場合、フォトレジスト除去用ストリッパに含まれた水分含有量が38重量%から33.02重量%に約5重量%減少した反面、比較例のフォトレジスト剥離方法の場合、フォトレジスト除去用ストリッパに含まれた水分含有量が38重量%から18.80重量%に約20重量%減少し、前記実施例のフォトレジスト剥離方法の場合、比較例のフォトレジスト剥離方法に比べてフォトレジスト除去用ストリッパに含まれた水分の減少を大幅に防止できることが確認できた。 As shown in Table 1, in the case of the photoresist stripping method of the example, the moisture content contained in the stripper for removing the photoresist was reduced by about 5% by weight from 38% by weight to 33.02% by weight. In the case of the photoresist stripping method of the example, the water content contained in the stripper for removing the photoresist is reduced by about 20% by weight from 38% by weight to 18.80% by weight. It was confirmed that the moisture contained in the stripper for removing the photoresist can be largely prevented as compared with the photoresist stripping method of the comparative example.
また、実施例のフォトレジスト剥離方法の場合、24時間の剥離後にも、フォトレジスト除去用ストリッパの維持率が94.16重量%であり、比較例の78.25重量%に比べてフォトレジスト除去用ストリッパの維持率が大きく向上した。これにより、前記実施例のフォトレジスト剥離方法の場合、比較例に比べてフォトレジスト除去用ストリッパの減少を大幅に防止できることを確認した。 Further, in the case of the photoresist stripping method of the example, even after stripping for 24 hours, the retention rate of the stripper for stripping the photoresist is 94.16% by weight, and the photoresist removal compared to 78.25% by weight of the comparative example. The stripper maintenance rate has been greatly improved. Thereby, in the case of the photoresist peeling method of the said Example, it confirmed that the reduction | decrease of the stripper for photoresist removal can be prevented significantly compared with a comparative example.
1 剥離室
2 ノズル
3 基板移送具
4 フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク
5 ポンプ
6 第1配管
7 冷却装置
8 第1流量調節バルブ
9 第2配管
10 第3配管
11 第2流量調節バルブ
12 ドレイン装置
13 第4配管
14 廃液タンク
15 第5配管
16 第6配管
17 濾過装置
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記剥離室の上部に位置し、前記剥離室から蒸発した物質を冷却する冷却装置と、
前記冷却装置で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクまたは剥離室に移送する搬送具を含む、フォトレジスト剥離装置。 A stripper storage tank for removing photoresist, a substrate transfer tool for moving a substrate on which a photoresist is formed, a stripper injection port for spraying the stripper for removing photoresist onto the substrate transfer tool, and a stripper storage tank for removing the photoresist A stripping chamber including a stripper transmission tool for transferring a stripper for removing a photoresist to the stripper ejection port;
A cooling device located at the top of the stripping chamber, for cooling the material evaporated from the stripping chamber;
A photoresist stripping device comprising a transport tool for transferring the material cooled by the cooling device to a stripper storage tank or stripping chamber for stripping photoresist.
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクの高さの50%以上の位置に連結された請求項1に記載のフォトレジスト剥離装置。 A transport tool for transferring the material cooled by the cooling device to a stripper storage tank for removing the photoresist,
The photoresist stripping apparatus according to claim 1, wherein the photoresist stripping apparatus is connected to a position of 50% or more of a height of the stripper storage tank for removing the photoresist.
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクの高さと前記表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具の高さとの間で連結された請求項1に記載のフォトレジスト剥離装置。 A carrier for transferring the substance cooled by the cooling device to the peeling chamber,
The photoresist stripping apparatus according to claim 1, wherein the photoresist stripping apparatus is connected between a height of the stripper storage tank for removing the photoresist and a height of a substrate transfer tool for moving the substrate on which the photoresist is formed.
前記噴射時に発生する気体を捕集して冷却装置に冷却する段階と、
前記噴射されたフォトレジスト除去用ストリッパおよび冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクに回収する段階と、を含む請求項8に記載のフォトレジスト剥離方法。 Spraying a stripper for removing photoresist onto a substrate having a photoresist formed on the surface;
Collecting the gas generated during the injection and cooling it to a cooling device;
9. The method of removing a photoresist according to claim 8, further comprising the step of recovering the sprayed stripper for removing the photoresist and the cooled material in a stripper storage tank for removing the photoresist.
前記フォトレジスト除去用ストリッパの温度が40℃から60℃である請求項9に記載のフォトレジスト剥離方法。 In the step of spraying a stripper for removing a photoresist on a substrate having a photoresist formed on the surface,
The photoresist stripping method according to claim 9, wherein a temperature of the stripper for removing the photoresist is 40 ° C. to 60 ° C.
濾過装置で前記フォトレジスト除去用ストリッパを濾過する段階をさらに含む請求項9に記載のフォトレジスト剥離方法。 Before the step of spraying a stripper for removing a photoresist onto a substrate having a photoresist formed on the surface,
The photoresist stripping method according to claim 9, further comprising: filtering the stripper for removing the photoresist with a filtering device.
前記冷却は−10℃から50℃の温度で行われる請求項9に記載のフォトレジスト剥離方法。 In the stage of collecting the gas generated during the injection and cooling with a cooling device,
The method according to claim 9, wherein the cooling is performed at a temperature of −10 ° C. to 50 ° C.
前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクに含まれたフォトレジスト除去用ストリッパが他の基板を処理するために再循環する段階をさらに含む請求項9に記載のフォトレジスト剥離方法。 After recovering the sprayed photoresist removal stripper and the cooled material in a photoresist removal stripper storage tank,
The photoresist stripping method according to claim 9, further comprising a step of recirculating a photoresist stripper included in the photoresist stripper storage tank to process another substrate.
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