JP2017211258A - Biological information detector, biological information detection sensor, and method for correcting biological information detector - Google Patents

Biological information detector, biological information detection sensor, and method for correcting biological information detector Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that anything that responds to a magnetic field induced by a coil happens to be detected although it is not a living matter.SOLUTION: A biological information detection sensor 24 includes a support plate 50 and magnetic field detection chips 31, 32. The magnetic field detection chips 31, 32 are arranged on a side face of the support plate so as to be separate from each other in a first direction (direction X) in a first plane. Each of the magnetic field detection chips 31, 32 is configured so that sensitivity to a change of magnetic field in a second direction (direction Y) orthogonal to the first direction (direction X) in the first plane becomes maximum. Since the presence, dimension, position and manner of neural activity of a living matter are detected by detecting a magnetic field generated around by an electric current due to the neural activity of the living matter, i.e., what is called a biomagnetic field, it is possible to easily detect even a human body having a magnetic substance or a conductor.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、磁気を用いて生体を検知する生体情報検出装置、生体情報検出センサおよび生体情報検出装置の補正方法に関する。   The present invention relates to a biological information detection apparatus that detects a living body using magnetism, a biological information detection sensor, and a correction method for the biological information detection apparatus.

特表2004−529313号公報(特許文献1)には、車両等の座席に内蔵された磁気センサを用いて、座席に座った生体の情報(鉄分を含有する血液パーミアンス)を、磁気を用いて検出するシステムが開示されている。このシステムでは、座席に交流磁界を印加するためのコイルと、磁場を検出するための磁気センサが内蔵されており、コイルが誘起した磁場に対する生体の応答を磁気センサで検出し、乗員の存在、寸法、位置などを検出する。   In Japanese translations of PCT publication No. 2004-529313 (patent document 1), using a magnetic sensor built in a seat of a vehicle or the like, information on a living body sitting on the seat (blood permeance containing iron) is obtained using magnetism. A system for detecting is disclosed. In this system, a coil for applying an alternating magnetic field to the seat and a magnetic sensor for detecting the magnetic field are built in, and the response of the living body to the magnetic field induced by the coil is detected by the magnetic sensor, Detect dimensions, position, etc.

特表2004−529313号公報(請求項8、段落0032)JP-T-2004-529313 (claim 8, paragraph 0032)

しかし、この先行例では、コイルが誘起した磁場に対して応答するものであれば、生体でなくても検出される場合があった。このような誤検出を発生させるものとしては、例えば磁性体やリング状の導体のような物体が挙げられる。   However, in this prior example, if it responds to the magnetic field induced by the coil, it may be detected even if it is not a living body. Examples of such an erroneous detection include an object such as a magnetic body or a ring-shaped conductor.

本発明の目的は、生体以外の物体を誤検出する可能性を低減させた、生体情報検出装置、生体情報検出センサおよび生体情報検出装置の補正方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a biological information detection device, a biological information detection sensor, and a correction method for a biological information detection device that reduce the possibility of erroneous detection of an object other than a living body.

この発明は、生体情報検出装置であって、第1の面を有する支持板と、第1および第2の磁界検出部とを備える。第1および第2の磁界検出部は、第1の面内の第1の方向に互いに離間するように、第1の面に配置される。第1および第2の磁界検出部の各々は、第1の方向に対して第1の面内で直交する第2の方向の磁界の変化に対して感度が最大となるように構成される。   The present invention is a biological information detection device, and includes a support plate having a first surface, and first and second magnetic field detection units. The first and second magnetic field detectors are arranged on the first surface so as to be separated from each other in the first direction within the first surface. Each of the first and second magnetic field detection units is configured to have a maximum sensitivity to a change in the magnetic field in the second direction orthogonal to the first direction in the first plane.

本発明によれば、コイルが誘起した磁場を使用せずに生体が自ら発生する磁界を検出するので、磁性体やリング状の導体のような外部からの磁界に応答する物体に起因するノイズの影響を受けにくくすることができる。   According to the present invention, since a living body detects a magnetic field generated by itself without using a magnetic field induced by a coil, noise caused by an object responding to an external magnetic field, such as a magnetic body or a ring-shaped conductor, is detected. Can be less affected.

TMR素子を構成する磁性薄膜構造の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the magnetic thin film structure which comprises a TMR element. TMR素子の形状の一例を示す(A)上面図および(B)断面図である。It is (A) top view and (B) sectional drawing which show an example of the shape of a TMR element. TMR素子の磁気抵抗特性の一例を示した特性図である。It is the characteristic view which showed an example of the magnetoresistive characteristic of a TMR element. 実施の形態1に係る生体情報検出センサを内蔵したシートを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the sheet | seat incorporating the biometric information detection sensor which concerns on Embodiment 1. FIG. 生体情報検出センサを内蔵したシートの上面図である。It is a top view of the sheet | seat incorporating the biometric information detection sensor. 図5の生体情報検出センサ24の拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view of the biological information detection sensor 24 of FIG. 5. 生体情報検出センサに用いるTMR素子の一部を拡大して示す上面図である。It is a top view which expands and shows a part of TMR element used for a biological information detection sensor. 図7のVIII−VIIIにおける断面図である。It is sectional drawing in VIII-VIII of FIG. 支持板の形状の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification of the shape of a support plate. 検出回路の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of a detection circuit. 検出回路の第1の変形例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the 1st modification of a detection circuit. TMR素子の配置の変形例を示す上面図である。It is a top view which shows the modification of arrangement | positioning of a TMR element. 検出回路の第2の変形例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the 2nd modification of a detection circuit. 実施の形態2に係る生体情報検出センサを内蔵したシートを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the sheet | seat incorporating the biometric information detection sensor which concerns on Embodiment 2. FIG. 複数の生体情報検出センサの信号から所望の信号を選択する解析例を示すグラフである。It is a graph which shows the example of analysis which selects a desired signal from the signal of a plurality of living body information detection sensors. 生体情報検出センサを構成するTMR素子の感度ばらつきの影響を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the influence of the sensitivity variation of the TMR element which comprises a biological information detection sensor. TMR素子の感度補正を行うための回路図である。It is a circuit diagram for performing sensitivity correction of a TMR element. 補正用コイルを組み込んだシートの斜視図である。It is a perspective view of the sheet | seat incorporating the coil for correction | amendment. 環状電流路を備えた生体情報検出センサの上面図である。It is a top view of the biological information detection sensor provided with the annular current path. 生体情報検出センサを構成するTMR素子の感度ばらつきの補正後の特性を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the characteristic after correction | amendment of the sensitivity variation of the TMR element which comprises a biological information detection sensor. 補正用コイルと環状電流路を使用して行なう補正処理の内容を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the content of the correction | amendment process performed using a coil for a correction | amendment and an annular current path. 生体情報検出センサを内蔵したシートの変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification of the sheet | seat incorporating the biometric information detection sensor. 生体情報検出センサを内蔵したベッドの一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the bed incorporating the biometric information detection sensor. 図23に示した生体情報検出センサを内蔵したベッドの素子配置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the element arrangement | positioning of the bed incorporating the biometric information detection sensor shown in FIG. 生体情報検出センサを内蔵したベッドの素子配置の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the element arrangement | positioning of the bed which incorporates the biometric information detection sensor. 生体情報検出センサの変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of a biometric information detection sensor.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、同一または相当部分には同一の符号を付し、説明は繰り返さない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

以下の実施の形態では、車のシート、あるいはベッドの内部など、生体が接触する部分に内蔵して磁気センサを設けた生体情報検出センサを開示する。このセンサは、生体の神経活動に伴う電流が周囲に発生する磁場、いわゆる生体磁場を検出することによって、生体の存在、寸法、位置、神経活動の様子を検出するので、磁性体や導体を持った人体であっても容易に検出することができる。   In the following embodiments, a biological information detection sensor provided with a magnetic sensor built in a portion that comes into contact with a living body, such as the interior of a car seat or a bed, is disclosed. This sensor detects the presence, size, position, and state of nerve activity by detecting the magnetic field generated by the current associated with the nerve activity of the living body, that is, the so-called biomagnetic field. Even a human body can be easily detected.

[実施の形態1]
生体では、神経を流れる電流によって情報の伝達を行っている。このような電流が生体の周囲に発生する磁界は、生体磁気といわれる。生体磁気は、神経が延びる方向に、微弱な電流が流れることで発生する磁界である。神経の延びる方向に流れる電流に対しては、右ねじの法則に示されるように、神経を囲むような同心円状の磁界が発生する。本実施の形態では、この生体磁気を、車両の座席のバックシート、または、ベッドの内部に取り付けた生体情報検出センサ(感磁ユニット)で測定する生体情報検出装置について説明する。このような生体磁気を検出するための高感度の磁気センサとしては、トンネル型磁気抵抗効果(Tunnel Magneto Resistance Effect)素子(TMR素子)が好ましい。
[Embodiment 1]
In a living body, information is transmitted by a current flowing through a nerve. A magnetic field in which such a current is generated around the living body is called biomagnetic. Biomagnetism is a magnetic field generated when a weak current flows in the direction in which a nerve extends. For the current flowing in the direction in which the nerve extends, a concentric magnetic field surrounding the nerve is generated as shown by the right-handed screw law. In the present embodiment, a biometric information detection apparatus that measures the biomagnetism with a backsheet of a vehicle seat or a biometric information detection sensor (magnetic sensor unit) attached to the inside of a bed will be described. As such a highly sensitive magnetic sensor for detecting biomagnetism, a tunnel magnetoresistance effect element (TMR element) is preferable.

図1は、TMR素子を構成する磁性薄膜構造の一例を示す断面図である。TMR素子は、自由層4(上部電極)と固定層8(下部電極)とトンネル絶縁層6とを含む。自由層4と固定層8と称する強磁性層をトンネル絶縁層6を介して積層し、この積層膜を写真製版等によって加工する。これにより、図1に示すように、トンネル絶縁層6を挟んで上部に位置する自由層4と下部に位置する固定層8を形成してなるTMR素子が得られる。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a magnetic thin film structure constituting a TMR element. The TMR element includes a free layer 4 (upper electrode), a fixed layer 8 (lower electrode), and a tunnel insulating layer 6. A free layer 4 and a ferromagnetic layer called a fixed layer 8 are laminated via a tunnel insulating layer 6, and this laminated film is processed by photolithography or the like. As a result, as shown in FIG. 1, a TMR element is obtained in which the free layer 4 located above and the fixed layer 8 located below are formed with the tunnel insulating layer 6 interposed therebetween.

固定層8の磁化方向は、たとえば、後に図2に示すように、反強磁性層10との交換結合磁界により1方向に固定されている。あるいは、固定層8の磁化方向は、保磁力の大きい磁性材料によって一方向に保持される。   The magnetization direction of the fixed layer 8 is fixed in one direction by an exchange coupling magnetic field with the antiferromagnetic layer 10, for example, as shown later in FIG. Alternatively, the magnetization direction of the fixed layer 8 is held in one direction by a magnetic material having a large coercive force.

一方、自由層4は、磁化方向が外部磁界Hexによって自由に回転するスピンバルブ構造をもつ。このようなスピンバルブ構造を有したTMR素子の抵抗は、固定層8の磁化方向と自由層4の磁化方向とのなす角度に応じて変化する。つまり、外部磁界に影響されて自由層4の磁化方向が変化することによってTMR素子の抵抗が変化する。このため、外部磁界による自由層4の磁化方向の変化を素子の抵抗の形で検知することが可能である。   On the other hand, the free layer 4 has a spin valve structure in which the magnetization direction is freely rotated by the external magnetic field Hex. The resistance of the TMR element having such a spin valve structure changes according to the angle formed by the magnetization direction of the fixed layer 8 and the magnetization direction of the free layer 4. That is, the resistance of the TMR element changes as the magnetization direction of the free layer 4 changes due to the external magnetic field. For this reason, it is possible to detect a change in the magnetization direction of the free layer 4 due to an external magnetic field in the form of the resistance of the element.

固定層8は、薄い非磁性層を介して積層され、互いに反強磁性結合をする2層の強磁性薄膜からなるいわゆるSAF(Synthetic AntiFerromagnetic)構造を含んでよい。自由層4は、単一の磁性層でもよいが、2種類以上の磁性層を積層してなる構造でもよい。図1の積層膜の構造のように、反強磁性層10が上部電極に含まれるように構成してもよいし、下部電極に含まれるように構成してもよい。   The pinned layer 8 may include a so-called SAF (Synthetic Anti Ferromagnetic) structure formed of two layers of ferromagnetic thin films stacked via a thin nonmagnetic layer and antiferromagnetically coupled to each other. The free layer 4 may be a single magnetic layer or may have a structure in which two or more kinds of magnetic layers are stacked. As in the structure of the laminated film in FIG. 1, the antiferromagnetic layer 10 may be included in the upper electrode, or may be included in the lower electrode.

例えば、反強磁性層10としてIrMn、固定層8としてCoFe、トンネル絶縁層6としてAl、自由層4としてNiFeを用いることによって、TMR素子を構成することができる。このほか、反強磁性層10としては、FeMn、IrMn、PtMn、強磁性体を構成する材料としては、例えばCo、Fe、CoFe合金、CoNi合金、CoFeNi合金、などのCo、Ni、Feを主成分として含む金属や、NiMnSb、CoMnGeなどのホイスラ合金など、TMR素子に所望の性能が得られる材料であれば特段の制約はない。また、トンネル絶縁層6である非磁性層は、絶縁体であればよく、例えばTa、SiO、MgO等の金属の酸化物やそれらの混合物でもよい。弗化物であってもよい。 For example, a TMR element can be configured by using IrMn as the antiferromagnetic layer 10, CoFe as the fixed layer 8, Al 2 O 3 as the tunnel insulating layer 6, and NiFe as the free layer 4. In addition, the antiferromagnetic layer 10 is mainly made of FeMn, IrMn, PtMn, and the material constituting the ferromagnetic material is mainly Co, Ni, Fe such as Co, Fe, CoFe alloy, CoNi alloy, CoFeNi alloy, etc. There are no particular restrictions as long as the material can provide a desired performance for the TMR element, such as a metal contained as a component or a whistler alloy such as NiMnSb or Co 2 MnGe. The nonmagnetic layer that is the tunnel insulating layer 6 may be an insulator, and may be a metal oxide such as Ta 2 O 5 , SiO 2 , MgO, or a mixture thereof. It may be fluoride.

上記のそれぞれの膜は、例えばDCマグネトロンスパッタリングにより形成される。また、例えば分子線エピタキシー(MBE)法、各種スパッタ法、化学気相成長(CVD)法、蒸着法によって形成されてもよい。   Each of the above films is formed by, for example, DC magnetron sputtering. Further, it may be formed by, for example, a molecular beam epitaxy (MBE) method, various sputtering methods, a chemical vapor deposition (CVD) method, or a vapor deposition method.

また、TMR素子は、例えばそれぞれの膜をフォトリソグラフィーと反応性イオンエッチングによりパターン加工して作製される。その場合、たとえば、まず自由層4、トンネル絶縁層6および固定層8の膜をそれぞれ形成後、フォトレジストによる所望の素子パターンを形成する。その後、イオンミリングもしくは反応性イオンエッチングにより素子の形状を得る。また、素子パターンの形成は電子線リソグラフィー、集束イオンビームであってもよい。   In addition, the TMR element is manufactured, for example, by patterning each film by photolithography and reactive ion etching. In that case, for example, first, after forming the films of the free layer 4, the tunnel insulating layer 6 and the fixed layer 8, a desired element pattern is formed by a photoresist. Thereafter, the element shape is obtained by ion milling or reactive ion etching. The element pattern may be formed by electron beam lithography or a focused ion beam.

このようなTMR素子は、外部磁界Hexが印加されていないときに自由層4の磁化方向と固定層8の磁化方向が直交するように構成することで、外部磁界Hexに対して線形に抵抗が変化するようにできる。例えば反強磁性膜を用いて固定層8を構成する場合、所望の方向に十分に強い磁界(たとえば1テスラ以上)を印加しつつ、反強磁性膜のブロッキング温度以上に素子を加熱し冷却することで、固定層8の磁化方向を所望の方向とすることができる。   Such a TMR element is configured such that when the external magnetic field Hex is not applied, the magnetization direction of the free layer 4 and the magnetization direction of the fixed layer 8 are orthogonal to each other, so that the resistance is linear with respect to the external magnetic field Hex. Can change. For example, when the fixed layer 8 is formed using an antiferromagnetic film, the element is heated and cooled above the blocking temperature of the antiferromagnetic film while applying a sufficiently strong magnetic field (for example, 1 Tesla or more) in a desired direction. Thus, the magnetization direction of the fixed layer 8 can be set to a desired direction.

図2は、TMR素子の形状の一例を示す(A)上面図および(B)断面図である。
自由層4の磁化方向は、前述のように外部磁界Hexに応じて変化する。ここで、外部磁界Hexが印加されていないときの自由層4の磁化方向は、図2(A)に示すように、素子形成面の上面からみた素子のパターンを横長形状にすることで、規定することができる。
2A is a top view and FIG. 2B is a cross-sectional view showing an example of the shape of the TMR element.
The magnetization direction of the free layer 4 changes according to the external magnetic field Hex as described above. Here, the magnetization direction of the free layer 4 when the external magnetic field Hex is not applied is defined by making the element pattern viewed from the upper surface of the element formation surface into a horizontally long shape as shown in FIG. can do.

図3はTMR素子の磁気抵抗特性の一例を示した特性図である。図2に示した形状に形成されたTMR素子に、固定層8の磁化方向と平行な方向に磁界を印加すると、自由層4の磁化方向は外部磁界により変化し、図3に示すような抵抗の変化が現れる。このとき、自由層4の磁化方向と固定層8の磁化方向とが平行または反平行となり抵抗が外部磁界に依存しない飽和領域と、外部磁界に対して線形な依存性を持つ線形領域とがあらわれる。なお、TMR素子では一般に自由層4の磁化方向と固定層8の磁化方向とが平行の場合に抵抗は最小値、自由層4の磁化方向と固定層8の磁化方向とが反平行の場合に抵抗は最大値となる。   FIG. 3 is a characteristic diagram showing an example of the magnetoresistance characteristic of the TMR element. When a magnetic field is applied to the TMR element formed in the shape shown in FIG. 2 in a direction parallel to the magnetization direction of the fixed layer 8, the magnetization direction of the free layer 4 changes due to an external magnetic field, and the resistance as shown in FIG. Changes appear. At this time, a saturation region in which the magnetization direction of the free layer 4 and the magnetization direction of the fixed layer 8 are parallel or antiparallel and the resistance does not depend on the external magnetic field, and a linear region having a linear dependence on the external magnetic field appear. . In the TMR element, generally, the resistance is the minimum value when the magnetization direction of the free layer 4 and the magnetization direction of the fixed layer 8 are parallel, and the resistance direction is when the magnetization direction of the free layer 4 and the magnetization direction of the fixed layer 8 are antiparallel. The resistance becomes the maximum value.

このようなTMR素子を用いて微小な磁界を検出するセンサを構成する場合、TMR素子に飽和領域に対応する磁界が印加されると、磁界の検出ができないという課題があることが分かった。   When a sensor that detects a minute magnetic field using such a TMR element is configured, it has been found that when a magnetic field corresponding to the saturation region is applied to the TMR element, the magnetic field cannot be detected.

TMR素子に特段の磁場遮蔽をしていない場合、地磁気、車両外部からの磁気、車両内の磁化した磁性体の磁化の影響により、1e−6〜1e−5Tの磁界(以後、単に静磁界と呼ぶ)がかかっている。一方、生体磁気に関わる磁界(以後、生体磁界とよぶ)としては、1e−10Tの磁界を検出しなければならない。静磁界の大きさは、例えば地磁気の時間的な変化や、車両の方向の変化、車両外部の磁性体の配置の変化等によって、生体磁界よりも低い周波数で変化することを想定しなければならない。例えば、車両の進行方向が変化すると、車両に印加される磁界の相対的な向きも変化し、結果としてシートに取り付けたセンサに印加される静磁界も変化する。さらに、TMR素子の磁界−抵抗特性には、図3に示すように飽和領域と線形領域がある。飽和領域に対応する静磁界が印加されると、生体磁気に関わる磁界の変化が生じても抵抗変化を示さなくなるので、磁界検出ができない。   If the TMR element is not specially shielded from magnetic fields, the magnetic field of 1e-6 to 1e-5T (hereinafter simply referred to as a static magnetic field) due to the influence of geomagnetism, magnetism from the outside of the vehicle, and magnetization of the magnetized magnetic material in the vehicle. Call). On the other hand, a magnetic field of 1e-10T must be detected as a magnetic field related to biomagnetism (hereinafter referred to as biomagnetic field). The magnitude of the static magnetic field must be assumed to change at a frequency lower than that of the biomagnetic field due to, for example, changes in geomagnetism over time, changes in the direction of the vehicle, changes in the arrangement of magnetic bodies outside the vehicle, and the like. . For example, when the traveling direction of the vehicle changes, the relative direction of the magnetic field applied to the vehicle also changes, and as a result, the static magnetic field applied to the sensor attached to the seat also changes. Further, the magnetic field-resistance characteristics of the TMR element have a saturation region and a linear region as shown in FIG. When a static magnetic field corresponding to the saturation region is applied, even if a change in the magnetic field related to the biomagnetism occurs, the resistance change does not appear, so that the magnetic field cannot be detected.

この課題を解決するため、線形領域の磁界範囲が十分に広いTMR素子を使用し、TMR素子が検出対象とする磁界の範囲は、TMR素子特性の線形領域内とすることが好ましい。TMR素子は、図2(A)に示すように横長形状となるようにアスペクト比を大きくし、自由層4の形状磁気異方性を大きくすることによって、線形領域の幅を広くすることができるので、このような用途に好適である。さらに、TMR素子の配置を工夫することによって静電界の影響を低減させることができる。   In order to solve this problem, it is preferable to use a TMR element having a sufficiently wide magnetic field range in the linear region, and the magnetic field range to be detected by the TMR element is within the linear region of the TMR element characteristics. In the TMR element, the width of the linear region can be increased by increasing the aspect ratio so as to have a horizontally long shape and increasing the shape magnetic anisotropy of the free layer 4 as shown in FIG. Therefore, it is suitable for such a use. Furthermore, the influence of the electrostatic field can be reduced by devising the arrangement of the TMR elements.

図4は、実施の形態1に係る生体情報検出センサを内蔵したシートを示す斜視図である。図5は、生体情報検出センサを内蔵したシートの上面図である。図6は、図5の生体情報検出センサ24の拡大図である。   FIG. 4 is a perspective view showing a sheet incorporating the biological information detection sensor according to the first embodiment. FIG. 5 is a top view of a sheet incorporating a biological information detection sensor. FIG. 6 is an enlarged view of the biological information detection sensor 24 of FIG.

図4〜図6に示される生体情報検出装置20は、シート22と、生体情報検出センサ24とを含む。シート22は、生体に密着する部分を有する構造物の一例である。支持板50は、そのような構造物の内部に配置される。   The biological information detection device 20 shown in FIGS. 4 to 6 includes a sheet 22 and a biological information detection sensor 24. The sheet 22 is an example of a structure having a portion that is in close contact with a living body. The support plate 50 is disposed inside such a structure.

生体情報検出センサ24は、第1の面(上面)と第2の面(裏面)を有する支持板50と、磁界検出チップ31,32とを含む。磁界検出チップ31,32は、第1の面内の第1の方向(X方向)に互いに離間するように、支持板50の第1の面に配置される。磁界検出チップ31,32の各々は、第1の方向(X方向)に対して第1の面内で直交する第2の方向(Y方向)の磁界の変化に対して感度が最大となるように構成される。磁界検出チップ31,32の各々は、直列接続された多数のTMR素子が集積されたチップである。支持板50は、磁界検出チップ31,32が離間する第1の方向(図6のX方向)がシート22の背もたれ面に平行な方向(図4のX方向)と一致するように配置される。   The biological information detection sensor 24 includes a support plate 50 having a first surface (upper surface) and a second surface (back surface), and magnetic field detection chips 31 and 32. The magnetic field detection chips 31 and 32 are arranged on the first surface of the support plate 50 so as to be separated from each other in the first direction (X direction) in the first surface. Each of the magnetic field detection chips 31 and 32 is maximally sensitive to changes in the magnetic field in the second direction (Y direction) orthogonal to the first direction (X direction) in the first plane. Configured. Each of the magnetic field detection chips 31 and 32 is a chip in which a large number of TMR elements connected in series are integrated. The support plate 50 is arranged so that the first direction (X direction in FIG. 6) in which the magnetic field detection chips 31 and 32 are separated from each other coincides with the direction parallel to the backrest surface of the seat 22 (X direction in FIG. 4). .

上記のように、静磁界の大きさがほぼ等しくかつ生体磁界の大きさが異なる2か所に、各々の特性の揃ったTMR素子を含む磁界検出チップ31,32を配置し、2か所の磁界の差を増幅するように検出回路を構成することで、静磁界の影響をキャンセルすることができる。   As described above, the magnetic field detection chips 31 and 32 including the TMR elements having the same characteristics are arranged at two places where the magnitudes of the static magnetic fields are substantially equal and the magnitudes of the biomagnetic fields are different. By configuring the detection circuit so as to amplify the magnetic field difference, the influence of the static magnetic field can be canceled.

背骨に平行して延びる神経を伝達する電流28が形成する磁界30は、背骨付近を中心とした同心円上に発生する。ここで、図4に示した座標軸のように、人体26の鉛直方向(たとえば背骨の軸)をZ軸として、車両の略前方をY軸とし、Z軸およびY軸と直交する軸をX軸とする直交座標系を規定する。静磁界の大きさがほぼ等しく生体磁界の大きさが異なる2か所としては、例えば、図4〜図6の生体情報検出センサ24の配置に示すように、Y方向、Z方向の配置がほぼ等しく、背骨位置を基準として、X方向にほぼ等距離で背骨からみて正反対方向の位置である。   A magnetic field 30 formed by a current 28 that transmits a nerve extending parallel to the spine is generated on a concentric circle centered around the spine. Here, like the coordinate axes shown in FIG. 4, the vertical direction of the human body 26 (for example, the axis of the spine) is the Z axis, the front of the vehicle is the Y axis, and the axes orthogonal to the Z axis and the Y axis are the X axis. Is defined as an orthogonal coordinate system. As two places where the magnitude of the static magnetic field is substantially the same and the magnitude of the biomagnetic field is different, for example, as shown in the arrangement of the biological information detection sensor 24 in FIGS. Equally, it is a position in the opposite direction when viewed from the spine at approximately the same distance in the X direction on the basis of the spine position.

図6によって、生体情報検出センサ24上の素子位置における磁界30の方向が示される。静磁界の大きさがほぼ等しく生体磁界の大きさが異なる2か所は、例えば、位置PAと位置PBである。生体情報検出センサ24は、位置PAと位置PBにそれぞれ配置された磁界検出チップ31および磁界検出チップ32を含む。   FIG. 6 shows the direction of the magnetic field 30 at the element position on the biological information detection sensor 24. Two places where the magnitude of the static magnetic field is substantially the same and the magnitude of the biomagnetic field are different are, for example, the position PA and the position PB. The biological information detection sensor 24 includes a magnetic field detection chip 31 and a magnetic field detection chip 32 that are disposed at the position PA and the position PB, respectively.

頭から足先に向けて背骨中を延びる神経を伝達する電流28が位置PAに発生させる磁界30は、X成分HxとY成分Hyとを有する。また、この電流28が位置PBに発生させる磁界30は、X成分Hx’とY成分Hy’とを有する。この例では、X成分HxとHx’は大きさも方向もほぼ等しいが、Y成分HyとY成分Hy’は大きさがほぼ等しく方向が正反対となっている。一方、静磁界のY方向成分は、どちらの位置でもほぼ同じ大きさである。結果として、位置PAと位置PBのTMR素子の抵抗は、生体磁界の大きさに比例した差が生じる。これを適切な検出回路を用いて出力とする。   A magnetic field 30 generated at a position PA by a current 28 that transmits a nerve extending through the spine from the head toward the toes has an X component Hx and a Y component Hy. The magnetic field 30 generated by the current 28 at the position PB has an X component Hx ′ and a Y component Hy ′. In this example, the X components Hx and Hx ′ are approximately equal in size and direction, but the Y component Hy and Y component Hy ′ are approximately equal in size and opposite in direction. On the other hand, the Y direction component of the static magnetic field is substantially the same at either position. As a result, the difference between the resistances of the TMR elements at position PA and position PB is proportional to the magnitude of the biomagnetic field. This is output using an appropriate detection circuit.

ここで、位置PAと位置PBに、XY平面内に形成され、Y方向に高感度なTMR素子を多数集積した磁界検出チップ31,32を配置する。磁界検出チップ31,32としては、固定層の向きがY方向のプラス方向であり、かつX方向に長い素子形状の単位TMR素子を例えば1600個直列接続したものを使用することができる。   Here, magnetic field detection chips 31 and 32, which are formed in the XY plane and integrated with a large number of highly sensitive TMR elements in the Y direction, are arranged at the position PA and the position PB. As the magnetic field detection chips 31 and 32, for example, 1600 unit TMR elements each having an element shape in which the direction of the fixed layer is the plus direction of the Y direction and is long in the X direction can be used.

図7は、生体情報検出センサに用いるTMR素子の一部を拡大して示す上面図である。図8は、図7のVIII−VIIIにおける断面図である。   FIG. 7 is an enlarged top view showing a part of the TMR element used in the biological information detection sensor. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG.

TMR素子1の横長の島状部分である上部電極46は、磁性膜の積層構造がすべてそろっている。2つの上部電極46を囲む島状部分である下部電極48は、磁性膜の積層構造のうち絶縁層よりも上方の部分をイオンミリング等の手法で部分的に削り、最下層の導電層を残して接続部とすることによって形成される。さらに、上部電極46は隣り合う別の下部電極48に囲まれた上部電極46と、コンタクト孔42を介してアルミ配線44で接続されている。同じ下部電極48で囲まれる2つの上部電極46は、下部電極48を介して互いに電気的に接続されている。   The upper electrode 46, which is a horizontally long island portion of the TMR element 1, has all the laminated structures of magnetic films. The lower electrode 48, which is an island-shaped portion surrounding the two upper electrodes 46, partially cuts the upper part of the laminated structure of the magnetic film by a technique such as ion milling to leave the lowermost conductive layer. And forming a connection portion. Further, the upper electrode 46 is connected to the upper electrode 46 surrounded by another adjacent lower electrode 48 by the aluminum wiring 44 through the contact hole 42. Two upper electrodes 46 surrounded by the same lower electrode 48 are electrically connected to each other via the lower electrode 48.

このようにして、複数の単位TMR素子が、アルミ配線44−上部電極46−下部電極48−上部電極46−アルミ配線44…と直列接続された磁気センサが構成される。固定層(下部電極48)の磁化方向は、すべてのTMR素子で等しく、紙面上下方向(Y方向)である。これと直交する紙面左右方向(X方向)に、上部電極46の長軸方向が揃えられている。   In this way, a magnetic sensor is configured in which a plurality of unit TMR elements are connected in series with the aluminum wiring 44 -the upper electrode 46 -the lower electrode 48 -the upper electrode 46 -the aluminum wiring 44. The magnetization direction of the fixed layer (lower electrode 48) is the same in all TMR elements, and is the vertical direction (Y direction) of the drawing. The major axis direction of the upper electrode 46 is aligned in the horizontal direction (X direction) perpendicular to this.

このようにして、以下のような構成が実現されている。すなわち、図6の磁界検出チップ31,32の各々は、複数のTMR素子1を含む。複数のTMR素子1の各々は、図2に示したように固定層8の磁化の向きと垂直方向に延伸した横長形状を有する。複数のTMR素子1は、図7に示すように、固定層の磁化の向きの方向(Y方向)に並んで配置され、固定層の磁化の向きの方向(Y方向)に延びる素子間配線(アルミ配線44と、下部電極48)によって直列接続して構成される。複数のTMR素子1の各々と素子間配線のコンタクト孔42は、複数個設けられる。   In this way, the following configuration is realized. That is, each of the magnetic field detection chips 31 and 32 in FIG. 6 includes a plurality of TMR elements 1. Each of the plurality of TMR elements 1 has a horizontally long shape extending in a direction perpendicular to the magnetization direction of the fixed layer 8 as shown in FIG. As shown in FIG. 7, the plurality of TMR elements 1 are arranged side by side in the direction of magnetization of the fixed layer (Y direction), and extend between the directions of magnetization of the fixed layer (Y direction). An aluminum wiring 44 and a lower electrode 48) are connected in series. Each of the plurality of TMR elements 1 and a plurality of contact holes 42 for inter-element wiring are provided.

このようにして、各TMR素子は、X方向に自由層の異方性が高く、Y方向に固定層の磁化が固定されるように構成される。これにより、複数のTMR素子が直列接続された磁界検出チップ31,32の各々は、Y方向の磁界に対して感度が高い磁気センサとなる。図6の例では、無磁界のときのTMR素子の抵抗値を基準として、位置PAに配置した磁界検出チップ31に搭載されるTMR素子の抵抗が高く、位置PBに配置した磁界検出チップ32に搭載されるTMR素子の抵抗が低くなる。なお、X方向とY方向の感度差を設けるため、TMR素子の上部電極部のアスペクト比は、好ましくは10:1以上、さらに好ましくは100:1以上とすると良い。   In this way, each TMR element is configured such that the free layer has high anisotropy in the X direction and the magnetization of the fixed layer is fixed in the Y direction. Thereby, each of the magnetic field detection chips 31 and 32 in which a plurality of TMR elements are connected in series becomes a magnetic sensor having high sensitivity to the magnetic field in the Y direction. In the example of FIG. 6, the resistance of the TMR element mounted on the magnetic field detection chip 31 disposed at the position PA is high with reference to the resistance value of the TMR element when there is no magnetic field, and the magnetic field detection chip 32 disposed at the position PB has a high resistance. The resistance of the mounted TMR element is lowered. In order to provide a sensitivity difference between the X direction and the Y direction, the aspect ratio of the upper electrode portion of the TMR element is preferably 10: 1 or more, more preferably 100: 1 or more.

生体情報検出センサ24を構成する支持板は、樹脂のような非磁性材料で形成された矩形の平板であって、位置PAと位置PBに設けられた磁界検出チップ31,32の位置関係が変わらないように保持することが好ましい。   The support plate constituting the biological information detection sensor 24 is a rectangular flat plate made of a nonmagnetic material such as resin, and the positional relationship between the magnetic field detection chips 31 and 32 provided at the position PA and the position PB is changed. It is preferable to hold so that there is no.

図9は、支持板の形状の構成例を示す斜視図である。支持板は、矩形の平板でも良いが、変形によって位置PAと位置PBの位置関係が変わらないように、支持板50の長辺側に、図9に示すような突起部52を設けて剛性を高めてもよい。   FIG. 9 is a perspective view illustrating a configuration example of the shape of the support plate. The support plate may be a rectangular flat plate, but a protrusion 52 as shown in FIG. 9 is provided on the long side of the support plate 50 so that the positional relationship between the position PA and the position PB does not change due to deformation. May be raised.

支持板50は、例えば四隅に穴56があけられ、穴56挿入された略円筒形のゴム等の保持機構54を介してシートの構造材に取り付けられている。ゴム製の保持機構54を介することで、車両からの振動等のノイズを軽減できる。   The support plate 50 has holes 56 formed at four corners, for example, and is attached to the structural member of the sheet via a holding mechanism 54 such as a substantially cylindrical rubber inserted into the holes 56. By using the rubber holding mechanism 54, noise such as vibration from the vehicle can be reduced.

図10は、検出回路の一例を示す回路図である。生体情報検出センサ24は、位置PAに配置した磁界検出チップ31と、位置PBに配置した磁界検出チップ32とを含む。電源Vccと接地GNDとの間に磁界検出チップ31と磁界検出チップ32とをこの順に直列接続する。差動増幅回路64の一方の入力端子は、磁界検出チップ31と磁界検出チップ32の接続ノードの電位を受ける。差動増幅回路64の他方の入力端子には、適切な参照電圧が与えられる。例えば、電源Vccと接地GNDとの間に、抵抗61と可変抵抗63とを直列接続した回路が、磁界検出チップ31および磁界検出チップ32に並列に接続される。差動増幅回路64の出力が飽和しないように、可変抵抗62の抵抗値が調整され、生体磁気の入力がないときの出力電圧の原点が設定される。   FIG. 10 is a circuit diagram illustrating an example of a detection circuit. The biological information detection sensor 24 includes a magnetic field detection chip 31 disposed at the position PA and a magnetic field detection chip 32 disposed at the position PB. A magnetic field detection chip 31 and a magnetic field detection chip 32 are connected in series in this order between the power supply Vcc and the ground GND. One input terminal of the differential amplifier circuit 64 receives the potential of the connection node between the magnetic field detection chip 31 and the magnetic field detection chip 32. An appropriate reference voltage is applied to the other input terminal of the differential amplifier circuit 64. For example, a circuit in which a resistor 61 and a variable resistor 63 are connected in series between the power supply Vcc and the ground GND is connected in parallel to the magnetic field detection chip 31 and the magnetic field detection chip 32. The resistance value of the variable resistor 62 is adjusted so that the output of the differential amplifier circuit 64 is not saturated, and the origin of the output voltage when there is no biomagnetic input is set.

静磁界に生体磁気が重畳すると、位置PAと位置PBに印加される磁界に差が生じる。これに応じて磁界検出チップ31と磁界検出チップ32のTMR素子の抵抗値の変化量が異なるので、差動増幅回路64の一方端子への入力電圧が変化する。結果として、生体磁気の大きさに応じた出力が得られる。差動増幅回路64は、例えば計装アンプを用いることができる。差動増幅回路64の出力は、A/Dコンバータ66によってデジタル信号に変換される。このデジタル信号は、コンピュータを内蔵したコントローラ等で生体の検出情報として使用される。   When biomagnetism is superimposed on a static magnetic field, a difference occurs between the magnetic fields applied to the position PA and the position PB. Accordingly, the amount of change in the resistance value of the TMR elements of the magnetic field detection chip 31 and the magnetic field detection chip 32 is different, so that the input voltage to one terminal of the differential amplifier circuit 64 changes. As a result, an output corresponding to the magnitude of biomagnetism is obtained. For example, an instrumentation amplifier can be used as the differential amplifier circuit 64. The output of the differential amplifier circuit 64 is converted into a digital signal by the A / D converter 66. This digital signal is used as living body detection information by a controller or the like incorporating a computer.

図11は、検出回路の第1の変形例を示す回路図である。検出回路は、図11に示すようなホイートストンブリッジ回路でも良い。この変形例の検出回路では、位置PAにTMR素子71とTMR素子72とが集積された磁界検出チップが配置され、位置PBにTMR素子73とTMR素子74とが集積された磁界検出チップが配置される。   FIG. 11 is a circuit diagram showing a first modification of the detection circuit. The detection circuit may be a Wheatstone bridge circuit as shown in FIG. In the detection circuit of this modification, a magnetic field detection chip in which the TMR element 71 and the TMR element 72 are integrated is disposed at the position PA, and a magnetic field detection chip in which the TMR element 73 and the TMR element 74 are integrated is disposed at the position PB. Is done.

ホイートストンブリッジを構成する1つ目のブランチには、電源Vccと接地GNDとの間に、TMR素子71とTMR素子74がこの順に直列接続される。第2のブランチには、電源Vccと接地GNDとの間に、TMR素子73とTMR素子72とがこの順に直列接続される。差動増幅回路64の一方の入力端子は、TMR素子71とTMR素子74の接続ノードの電位を受ける。差動増幅回路64の他方の入力端子は、TMR素子73とTMR素子72の接続ノードの電位を受ける。   In the first branch constituting the Wheatstone bridge, a TMR element 71 and a TMR element 74 are connected in series between the power supply Vcc and the ground GND in this order. In the second branch, a TMR element 73 and a TMR element 72 are connected in series in this order between the power supply Vcc and the ground GND. One input terminal of the differential amplifier circuit 64 receives the potential of the connection node between the TMR element 71 and the TMR element 74. The other input terminal of differential amplifier circuit 64 receives the potential of the connection node between TMR element 73 and TMR element 72.

TMR素子71〜74がすべて同じ特性であれば、印加される磁界が同じであるときにTMR素子71〜74の抵抗値はすべて同じとなる。したがって、差動増幅回路64の一方の入力端子および他方の入力端子の電圧は、いずれもVcc/2となる。   If all the TMR elements 71 to 74 have the same characteristics, the resistance values of the TMR elements 71 to 74 are all the same when the applied magnetic field is the same. Therefore, the voltages at one input terminal and the other input terminal of the differential amplifier circuit 64 are both Vcc / 2.

生体磁気が静磁界に重畳すると、位置PAと位置PBに印加される磁界に差が生じるので、TMR素子71とTMR素子72、TMR素子73とTMR素子74の抵抗がそれぞれ異なる大きさで変化する。このため、差動増幅回路64の一方の入力端子と他方の入力端子の電圧に差が生じ、生体磁気の大きさに応じた出力が得られる。   When biomagnetism is superimposed on a static magnetic field, there is a difference between the magnetic fields applied to the position PA and the position PB, so that the resistances of the TMR element 71 and the TMR element 72, and the TMR element 73 and the TMR element 74 change with different magnitudes. . For this reason, a difference arises in the voltage of one input terminal of the differential amplifier circuit 64, and the other input terminal, and the output according to the magnitude | size of biomagnetism is obtained.

このとき、位置PAや位置PBでは、単位TMR素子の配置を工夫することによって、検出精度を向上させることができる。ここで、TMR素子71とTMR素子72の配置を同一位置とできない理由について説明する。   At this time, at the position PA and the position PB, the detection accuracy can be improved by devising the arrangement of the unit TMR elements. Here, the reason why the arrangement of the TMR element 71 and the TMR element 72 cannot be the same position will be described.

複数のTMR素子を同一チップに形成する場合、同一面に形成された磁性薄膜を部分的に除去して複数のTMR素子とする。この関係上、TMR素子71とTMR素子72を形成する位置が全く同じにはできない。したがって、TMR素子71とTMR素子72の位置には、差が生じる。   When a plurality of TMR elements are formed on the same chip, the magnetic thin film formed on the same surface is partially removed to form a plurality of TMR elements. In this relationship, the positions where the TMR element 71 and the TMR element 72 are formed cannot be exactly the same. Therefore, a difference occurs between the positions of the TMR element 71 and the TMR element 72.

図7に記載されたTMR素子は、すべて電気的に直列接続されている。したがって、この位置には例えば図11のTMR素子71のみが形成される。このときTMR素子72は、チップ上のここから離れた位置(図7には図示されていない)に形成される。このため、TMR素子71とTMR素子72は、図7の配置を採用する限りは、TMR素子71自体の大きさよりも近くに配置することはできない。特に生体用の面内サイズの大きな素子では、この影響が無視できない。   All the TMR elements described in FIG. 7 are electrically connected in series. Therefore, for example, only the TMR element 71 of FIG. 11 is formed at this position. At this time, the TMR element 72 is formed at a position (not shown in FIG. 7) away from here on the chip. Therefore, the TMR element 71 and the TMR element 72 cannot be arranged closer to the size of the TMR element 71 itself as long as the arrangement of FIG. 7 is adopted. In particular, this effect cannot be ignored in an element having a large in-plane size for a living body.

図12は、TMR素子の配置の変形例を示す上面図である。好ましくは、例えば図12のように、入れ子状にTMR素子を配置した磁界検出チップを用いることで、TMR素子71とTMR素子72の2つの素子の配置位置の違いの影響を低減するように構成する。   FIG. 12 is a top view showing a modified example of the arrangement of the TMR elements. Preferably, for example, as shown in FIG. 12, a magnetic field detection chip in which TMR elements are arranged in a nested manner is used to reduce the influence of the difference in the arrangement positions of the two elements of the TMR element 71 and the TMR element 72. To do.

図12では、直列接続されたTMR素子の列が2列、入れ子状に同一チップ上に形成されている。これらを、例えば図11における、TMR素子71、TMR素子72の位置に接続する。TMR素子71ないしTMR素子72の感じる磁界は、直列接続されているTMR素子の位置の平均で記述できる。このため、図12の配置を採用する場合には、TMR素子71,72の間の位置の差は素子の面内サイズ以下にすることができる。   In FIG. 12, two rows of TMR elements connected in series are formed on the same chip in a nested manner. These are connected to the positions of the TMR element 71 and the TMR element 72 in FIG. 11, for example. The magnetic field felt by the TMR elements 71 to 72 can be described by the average position of the TMR elements connected in series. For this reason, when the arrangement shown in FIG. 12 is adopted, the difference in position between the TMR elements 71 and 72 can be made smaller than the in-plane size of the element.

図13は、検出回路の第2の変形例を示す回路図である。この検出回路は、直列接続されたTMR素子81,82と、直列接続された抵抗83,84と、差動増幅回路85と時間積分回路87と、A/Dコンバータ86とを含む。検出回路は、図13に示すように、磁気センサの出力を時間平均した値との差分を出力するように構成しても良い。この構成では、差動増幅回路85の出力を時間積分回路87で積分した出力に応じて、抵抗84に電流が流れる。抵抗84の電流量が増加し、抵抗83と抵抗84の接続ノードの電位が上昇する。このため、抵抗83と抵抗84の接続ノードの電位と、TMR素子81とTMR素子82の接続ノードの電位との差が減少する。このようにして、抵抗83と抵抗84の接続ノードの電位が、時間平均したTMR素子81とTMR素子82の中間電位の時間平均値に近づく。   FIG. 13 is a circuit diagram showing a second modification of the detection circuit. This detection circuit includes TMR elements 81 and 82 connected in series, resistors 83 and 84 connected in series, a differential amplifier circuit 85, a time integration circuit 87, and an A / D converter 86. As shown in FIG. 13, the detection circuit may be configured to output a difference from a value obtained by averaging the outputs of the magnetic sensors. In this configuration, a current flows through the resistor 84 in accordance with the output obtained by integrating the output of the differential amplifier circuit 85 by the time integration circuit 87. The amount of current in the resistor 84 increases, and the potential of the connection node between the resistor 83 and the resistor 84 increases. For this reason, the difference between the potential of the connection node of the resistor 83 and the resistor 84 and the potential of the connection node of the TMR element 81 and the TMR element 82 decreases. In this way, the potential of the connection node between the resistor 83 and the resistor 84 approaches the time average value of the intermediate potential of the TMR element 81 and the TMR element 82 that are time averaged.

このように、静磁界が等しく生体磁気が異なる位置に配置した2か所に配置したTMR素子と、静磁界の影響をキャンセルする回路とを備えることで、高感度に生体磁気を検出することが可能である。   As described above, the TMR element disposed at two positions where the static magnetic field is the same and the biomagnetic field is different from each other and the circuit that cancels the influence of the static magnetic field are provided, so that the biomagnetism can be detected with high sensitivity. Is possible.

なお、図11に示すようなホイートストンブリッジや、図13のような時間平均を取得してブリッジの片側の入力とする回路は、「静磁界の影響をキャンセルする回路」に相当する。   A Wheatstone bridge as shown in FIG. 11 or a circuit that obtains a time average as shown in FIG. 13 and inputs it on one side of the bridge corresponds to a “circuit that cancels the influence of a static magnetic field”.

TMR素子の飽和がなく、磁界とTMR素子特性がほぼ比例する場合には、差動増幅器を利用すれば、入力として図11に示すようなホイートストンブリッジであっても、図13のような時間平均を取得する回路であっても、静磁界の影響をキャンセルすることが可能である。   When there is no saturation of the TMR element and the magnetic field and the TMR element characteristics are almost proportional, even if a Wheatstone bridge as shown in FIG. 11 is used as an input, a time average as shown in FIG. Even in a circuit that obtains the value, it is possible to cancel the influence of the static magnetic field.

[実施の形態2]
実施の形態1では、1つの生体情報検出センサを構造体内部に配置する例を説明したが、実施の形態2では、複数の生体情報検出センサを使用することによって、さらに細かい生体情報を得る。
[Embodiment 2]
In the first embodiment, an example in which one biological information detection sensor is arranged inside the structure has been described. However, in the second embodiment, more detailed biological information is obtained by using a plurality of biological information detection sensors.

図14は、実施の形態2に係る生体情報検出センサを内蔵したシートを示す斜視図である。図14に示される生体情報検出装置120は、シート122と、複数の生体情報検出センサ131〜135とを含む。生体情報検出センサ131〜135の各々は、図6で示したように支持板上に配置された磁界検出チップ31,32を含む。図6と同様に、静磁界の大きさがほぼ等しくかつ生体磁界の大きさが異なる2か所に、特性の揃った磁界検出チップ31,32を配置し、2か所の磁界の差を増幅するように検出回路を構成することで、静磁界の影響をキャンセルすることができる。   FIG. 14 is a perspective view showing a sheet incorporating the biological information detection sensor according to the second embodiment. A biological information detection device 120 shown in FIG. 14 includes a sheet 122 and a plurality of biological information detection sensors 131 to 135. Each of the biological information detection sensors 131 to 135 includes magnetic field detection chips 31 and 32 arranged on a support plate as shown in FIG. Similar to FIG. 6, the magnetic field detection chips 31 and 32 having the same characteristics are arranged at two places where the magnitudes of the static magnetic fields are substantially equal and the magnitudes of the biomagnetic fields are different, and the difference between the magnetic fields at the two places is amplified. By configuring the detection circuit to do so, the influence of the static magnetic field can be canceled.

図15は、複数の生体情報検出センサの信号から所望の信号を選択する解析例を示すグラフである。図15には、図14に示すシートの複数の生体情報検出センサ131〜135からの出力の経過時間変化が示される。生体内の神経の情報伝達の速度は、電気や磁気の伝達速度に比べると十分に遅い。さらに、情報伝達に関わる神経の種類によって、伝達速度が異なる。このため、生体情報検出装置120に複数の生体情報検出センサ131〜135を配置し、複数の生体情報検出センサ131〜135から得られる磁気信号を互いに比較する。   FIG. 15 is a graph illustrating an analysis example in which a desired signal is selected from signals from a plurality of biological information detection sensors. FIG. 15 shows changes in the elapsed time of outputs from the plurality of biological information detection sensors 131 to 135 of the sheet shown in FIG. The information transmission speed of nerves in the living body is sufficiently slow compared with the transmission speed of electricity and magnetism. Furthermore, the transmission speed differs depending on the type of nerve involved in information transmission. Therefore, a plurality of biological information detection sensors 131 to 135 are arranged in the biological information detection device 120, and magnetic signals obtained from the plurality of biological information detection sensors 131 to 135 are compared with each other.

検出対象の信号か否かを見分ける方法は、種々考えられるが、例えば各生体情報検出センサで検出された信号のピークを検出し、各信号間でピークのインターバルを演算することによって得られる伝達速度を得る方法を用いることができる。   There are various methods for discriminating whether a signal is a detection target. For example, a transmission speed obtained by detecting a peak of a signal detected by each biological information detection sensor and calculating a peak interval between the signals. Can be used.

各生体情報検出センサからの出力を微分し、その値が0になるところをピーク位置とする。各生体情報検出センサ間でピーク位置の時間的な差を比較し、時間的な差が神経の伝達速度に相当する値となっている場合には、検出対象信号と判断し、ずれている場合には検出対象でない信号と判断する。   The output from each biological information detection sensor is differentiated, and the point where the value becomes 0 is defined as the peak position. When the time difference in peak position is compared between each biological information detection sensor, and if the time difference is a value corresponding to the transmission speed of the nerve, it is judged as a detection target signal, and it is shifted Is determined not to be a detection target.

これらの判定に用いる演算はアナログ的に実現することもできるが、コンピュータのプログラムで実現する方法が最も理解しやすい。   The calculation used for these determinations can be realized in an analog manner, but the method realized by a computer program is the easiest to understand.

例えば、すべてのユニットの出力を定期的に順番に取得するデータ取得ループを回す。第1番目の生体情報検出センサ131で直前出力値との差が正から負になった時をピーク位置と判断してフラグをたてる。生体情報検出センサ131の検出波形がピーク位置に達したフラグをたててから、第2番目の生体情報検出センサ132のフラグがたつまで、データ取得ループが回った回数をカウントする。このカウント値が、予め定めた予測値とずれていなければ生体情報検出センサ132と生体情報検出センサ133の間の時間を計測するプロセスに進む。カウント値が、予測値とずれていれば、生体情報検出センサ131のフラグをリセットし、もとのデータ取得ループの処理に戻る。以上のように生体情報検出センサ131と生体情報検出センサ132との間で行なった処理を、生体情報検出センサ132−133間、133−134間、134−135間についても行ない、これらについてすべてカウント値が予測値と一致していた場合に、検出された信号を検出対象信号と判定する。   For example, a data acquisition loop for periodically acquiring the outputs of all units in turn is turned. The first biological information detection sensor 131 determines that the difference from the previous output value has changed from positive to negative as the peak position and sets a flag. The number of times that the data acquisition loop has been turned is counted from the time when the detection waveform of the biological information detection sensor 131 reaches the peak position until the time when the flag of the second biological information detection sensor 132 is reached. If this count value does not deviate from a predetermined predicted value, the process proceeds to a process of measuring the time between the biological information detection sensor 132 and the biological information detection sensor 133. If the count value is different from the predicted value, the flag of the biological information detection sensor 131 is reset, and the process returns to the original data acquisition loop. The processing performed between the biological information detection sensor 131 and the biological information detection sensor 132 as described above is also performed between the biological information detection sensors 132-133, 133-134, and 134-135, and all of these are counted. When the value matches the predicted value, the detected signal is determined as a detection target signal.

このようにして神経信号の伝達速度を検出することができる。複数の生体情報検出センサが検出した磁気信号のピーク位置の生体情報検出センサ間の差異Δt1が、あらかじめ設定した伝達速度と一致していた場合に所望の信号とし、図15の生体情報検出センサ間の差異Δt2のように設定した伝達速度とのずれが大きい場合にはノイズとして処理する。このようにすれば、検出対象でない信号を取り除くことができる。実施の形態2に係る生体情報検出装置によれば、例えば、手足を動かすための信号と、心臓を動かす信号を区別することができる。   In this way, the transmission speed of the nerve signal can be detected. When the difference Δt1 between the biological information detection sensors at the peak positions of the magnetic signals detected by the plurality of biological information detection sensors matches the preset transmission speed, a desired signal is obtained, and between the biological information detection sensors in FIG. When the difference from the transmission speed set as in the difference Δt2 is large, it is processed as noise. In this way, signals that are not detection targets can be removed. According to the biological information detection apparatus according to Embodiment 2, for example, a signal for moving the limbs and a signal for moving the heart can be distinguished.

[実施の形態3]
実施の形態1,2のような磁気センサつきシートでは、複数の磁界検出チップ31,32を離間して配置するので、基準電圧の補正を行なっている。
[Embodiment 3]
In the sheet with the magnetic sensor as in the first and second embodiments, the plurality of magnetic field detection chips 31 and 32 are arranged apart from each other, so that the reference voltage is corrected.

この補正は、TMR素子の抵抗や、TMR素子と他の回路部品をつなぐための配線の抵抗などのばらつきが無視できないことに起因する誤差の補正である。例えば図10の回路において磁界検出チップ31、磁界検出チップ32の特性が一致しないので、抵抗61と可変抵抗62の抵抗は理想的なVcc/2にはならない。図10においては、可変抵抗62の抵抗値を、磁界検出チップ31、磁界検出チップ32の抵抗差に応じた量だけ抵抗61の抵抗値とずらすことで補正できる。また、図13の回路でも時間積分回路87によって補正が可能である。図13の回路では、差動増幅回路85の出力の時間平均が0になるように抵抗84に電流を流して抵抗83と抵抗84の間の接続ノードの電位を変化させる。多少寄生抵抗の影響があったとしても、TMR素子81,82にかかる磁界が時間積分回路87の積分時間に対して十分長い間一定であれば、ブリッジの電位差が0になるように時間積分回路の出力が設定されるので、寄生抵抗の影響はキャンセルされる。   This correction is a correction for errors caused by variations in resistance of the TMR element and resistance of wiring for connecting the TMR element and other circuit components cannot be ignored. For example, since the characteristics of the magnetic field detection chip 31 and the magnetic field detection chip 32 in the circuit of FIG. 10 do not match, the resistances of the resistor 61 and the variable resistor 62 are not ideal Vcc / 2. In FIG. 10, the resistance value of the variable resistor 62 can be corrected by shifting it from the resistance value of the resistor 61 by an amount corresponding to the resistance difference between the magnetic field detection chip 31 and the magnetic field detection chip 32. Further, the time integration circuit 87 can also correct the circuit of FIG. In the circuit of FIG. 13, a current is passed through the resistor 84 so that the time average of the output of the differential amplifier circuit 85 becomes 0, and the potential of the connection node between the resistor 83 and the resistor 84 is changed. Even if there is some influence of parasitic resistance, if the magnetic field applied to the TMR elements 81 and 82 is constant for a sufficiently long time with respect to the integration time of the time integration circuit 87, the time integration circuit so that the potential difference of the bridge becomes zero. Is set, so the influence of parasitic resistance is cancelled.

実施の形態3では、他の補正について説明する。この補正は、離間して設けられた2つの磁界検出チップ間で感度が異なると、ある静磁界でセンサ出力の原点を正しく調整したとしても、静磁界が変化すると、センサ出力の原点がずれてしまうという課題に対応するための補正である。この課題を、図16、図17で説明する。   In the third embodiment, another correction will be described. In this correction, if the sensitivity differs between two magnetic field detection chips provided apart from each other, even if the origin of the sensor output is correctly adjusted with a certain static magnetic field, if the static magnetic field changes, the origin of the sensor output shifts. This is a correction to cope with the problem of end. This problem will be described with reference to FIGS.

図16は、生体情報検出センサを構成する磁界検出チップの感度ばらつきの影響を説明するためのグラフである。図16には、磁界検出チップ181と磁界検出チップ182で、ある静磁界の値において、磁界検出チップ181と磁界検出チップ182の抵抗に生じる差が、グラフG1とG2の傾きの差で示されている。磁界検出チップ181と磁界検出チップ182は、たとえば図10の構成では、磁界検出チップ31と磁界検出チップ32にそれぞれ対応するチップである。   FIG. 16 is a graph for explaining the influence of sensitivity variation of the magnetic field detection chip constituting the biological information detection sensor. In FIG. 16, the difference between the resistances of the magnetic field detection chip 181 and the magnetic field detection chip 182 at a certain static magnetic field value between the magnetic field detection chip 181 and the magnetic field detection chip 182 is indicated by the difference between the slopes of the graphs G1 and G2. ing. For example, in the configuration of FIG. 10, the magnetic field detection chip 181 and the magnetic field detection chip 182 are chips corresponding to the magnetic field detection chip 31 and the magnetic field detection chip 32, respectively.

静磁界が一定であれば、抵抗差に応じたオフセットを回路的にキャンセルすることで補正が可能である。しかし、生体磁界の検出においては、静磁界には時間変動があり、かつ静磁界の変化幅は生体磁界の大きさよりも大きい。このため、静磁界が変動すると、磁界検出チップ181と磁界検出チップ182の抵抗の差も変動するので、生体磁界が一定でも磁気センサの出力が変動する。   If the static magnetic field is constant, correction can be performed by canceling the offset according to the resistance difference in a circuit. However, in the detection of the biomagnetic field, the static magnetic field varies with time, and the change width of the static magnetic field is larger than the magnitude of the biomagnetic field. For this reason, when the static magnetic field fluctuates, the difference in resistance between the magnetic field detection chip 181 and the magnetic field detection chip 182 also fluctuates, so that the output of the magnetic sensor fluctuates even if the biomagnetic field is constant.

このため、複数の磁界検出チップ上におかれたTMR素子について、逐次感度を調節して厳密に一致させる機構を備えることが重要である。   For this reason, it is important to provide a mechanism that adjusts the sensitivity one after the other for the TMR elements placed on the plurality of magnetic field detection chips so as to be exactly the same.

このような感度のずれは、例えば、2つの磁界検出チップの取り付け方向に少しずれが生じた場合、静磁界の方向に対する固定層の磁化の方向が2つの磁界検出チップで異なることによって生じる。また、装置が設置された場所によっては2つのセンサ間で温度に差が生じることによって、TMR素子の温度特性に関わる感度差が生じる。また、室内に磁性体が持ち込まれた場合や磁性体の位置が変化した場合、磁性体によって静磁界の分布が変わることによっても、感度差が生じる。   Such a shift in sensitivity occurs, for example, when the direction of magnetization of the fixed layer with respect to the direction of the static magnetic field differs between the two magnetic field detection chips when a slight shift occurs in the mounting direction of the two magnetic field detection chips. In addition, depending on the location where the apparatus is installed, a difference in temperature between the two sensors may cause a difference in sensitivity related to the temperature characteristics of the TMR element. In addition, when a magnetic material is brought into the room or when the position of the magnetic material changes, a difference in sensitivity also occurs due to a change in the distribution of the static magnetic field depending on the magnetic material.

図17は、TMR素子の感度補正を行うための回路図である。図17の回路図は、二つの磁界検出チップ31,32の感度の差を補正するために、図10の回路構成に加えて、プリアンプ64A,64Bを含む。プリアンプ64A,64Bのゲインを調整することによって、生体磁気を印加しないときの出力が基準電圧となるようにゲインを調整する。しかし、この回路構成では、センサ間の温度差などの時間変化する要因に応じて生じるTMR素子の感度変化に対応することは困難である。   FIG. 17 is a circuit diagram for performing sensitivity correction of the TMR element. The circuit diagram of FIG. 17 includes preamplifiers 64A and 64B in addition to the circuit configuration of FIG. 10 in order to correct the difference in sensitivity between the two magnetic field detection chips 31 and 32. By adjusting the gains of the preamplifiers 64A and 64B, the gain is adjusted so that the output when the biomagnetism is not applied becomes the reference voltage. However, with this circuit configuration, it is difficult to cope with a change in sensitivity of the TMR element that occurs according to a factor that changes with time, such as a temperature difference between sensors.

そこで、実施の形態3の生体情報検出装置では、補正用コイルや環状電流路を設けてバイアス磁界を印加することによって補正を行なう。   Therefore, in the biological information detection apparatus of the third embodiment, correction is performed by providing a correction coil and an annular current path and applying a bias magnetic field.

図18は、補正用コイルを組み込んだシートの斜視図である。図19は、環状電流路を備えた生体情報検出センサの上面図である。図18の斜視図に示すように、実施の形態3の生体情報検出装置170は、シート172と、シート172の背面に設けられた補正用コイル190と、生体情報検出センサ175とを含む。図19に示すように、生体情報検出センサ175は、支持板183と、磁界検出チップ181,182と、信号処理回路184,185と、差動増幅器186と、アンプ187と、環状電流路188とを含む。支持板183と、磁界検出チップ181,182と、差動増幅器186については、実施の形態1の構成に相当する構成である。信号処理回路184,185は、低域通過フィルタなどを含み高周波ノイズを除去する信号処理を行なう。   FIG. 18 is a perspective view of a sheet in which a correction coil is incorporated. FIG. 19 is a top view of a biological information detection sensor having an annular current path. As shown in the perspective view of FIG. 18, the biological information detection apparatus 170 according to the third embodiment includes a sheet 172, a correction coil 190 provided on the back surface of the sheet 172, and a biological information detection sensor 175. As shown in FIG. 19, the biological information detection sensor 175 includes a support plate 183, magnetic field detection chips 181 and 182, signal processing circuits 184 and 185, a differential amplifier 186, an amplifier 187, and an annular current path 188. including. The support plate 183, the magnetic field detection chips 181 and 182 and the differential amplifier 186 have a configuration corresponding to the configuration of the first embodiment. The signal processing circuits 184 and 185 include a low-pass filter and perform signal processing for removing high-frequency noise.

生体情報検出センサ175は、支持板183の上に、電流による磁界を磁界検出チップ182に印加するための環状電流路188とアンプ187とを設けている点が、実施の形態1の生体情報検出センサ24と異なる。アンプ187の出力電流値は、事前のキャリブレーションによって決定される。   The biological information detection sensor 175 is provided with an annular current path 188 and an amplifier 187 for applying a magnetic field due to an electric current to the magnetic field detection chip 182 on the support plate 183. Different from the sensor 24. The output current value of the amplifier 187 is determined by a prior calibration.

TMR素子の固定層の磁化の向きと平行方向に磁界を印加することで、TMR素子の感度が減少することが知られている。   It is known that the sensitivity of the TMR element is reduced by applying a magnetic field in a direction parallel to the magnetization direction of the fixed layer of the TMR element.

そこで、図19に示すように、生体情報検出装置170に搭載される生体情報検出センサ175は、支持板183の第1の面(上面)または第1の面に平行な支持板の第2の面(裏面)に配置された環状電流路188をさらに備える。磁界検出チップ181に比べて磁界検出チップ182の感度が高い場合、環状電流路188に所定の電流を流して磁界検出チップ182のTMR素子の感度を減少させ、磁界検出チップ181と磁界検出チップ182のTMR素子の感度を揃えることで、センサの感度ずれに起因したオフセットのドリフトの差を小さくすることができる。   Therefore, as shown in FIG. 19, the biological information detection sensor 175 mounted on the biological information detection device 170 has a first surface (upper surface) of the support plate 183 or a second support plate parallel to the first surface. An annular current path 188 is further provided on the surface (back surface). When the sensitivity of the magnetic field detection chip 182 is higher than that of the magnetic field detection chip 181, a predetermined current is passed through the annular current path 188 to reduce the sensitivity of the TMR element of the magnetic field detection chip 182, and the magnetic field detection chip 181 and the magnetic field detection chip 182 are reduced. By aligning the sensitivities of the TMR elements, it is possible to reduce the difference in offset drift caused by the sensor sensitivity shift.

環状電流路188は、支持板183の片側の面に形成されていてもよい。また、支持板183の両面に形成された2つの環状電流路が直列に接続されており、一方の面からみたときの電流の向きが正反対になっていてもよい。例えば、上面の環状電流路は右巻き、裏面の環状電流路は左巻とする。この場合、磁界検出チップ182は上面と裏面の環状電流路からの距離が異なる。したがって、上面の環状電流路から発生する磁界と、裏面の環状電流路から発生する逆向きの磁界の大きさが異なる。このため磁界検出チップ182には、距離の割合で異なる差磁界が印加される。一方、外部から大きい磁界が印加されても、一般的に外部からの磁界発生源は生体磁界に比べて発生源が遠方にあるため、上面の環状電流路と下面の環状電流路に誘起する電流はほぼ等しい。したがって、支持板183の両面に環状電流路を設けた場合には、環状電流路がノイズ発生源とならない効果がある。   The annular current path 188 may be formed on one surface of the support plate 183. Further, two annular current paths formed on both surfaces of the support plate 183 may be connected in series, and the direction of current when viewed from one surface may be opposite. For example, the annular current path on the top surface is clockwise and the annular current path on the back surface is counterclockwise. In this case, the magnetic field detection chip 182 has a different distance from the annular current path on the top surface and the back surface. Therefore, the magnitude of the magnetic field generated from the annular current path on the upper surface is different from that of the reverse magnetic field generated from the annular current path on the rear surface. For this reason, a different magnetic field is applied to the magnetic field detection chip 182 at a distance ratio. On the other hand, even when a large magnetic field is applied from the outside, since the external magnetic field generation source is generally farther than the biomagnetic field, the current induced in the upper ring current path and the lower ring current path Are almost equal. Therefore, when the annular current path is provided on both surfaces of the support plate 183, there is an effect that the annular current path does not become a noise generation source.

上記の回路に遠方から磁界が印加されると、表面側の環状電流路と裏面側の環状電流路に鎖交する磁界はほとんど同じなので、2つの環状電流路に生じる起電力が互いに打ち消し合い、電磁誘導による電流が流れないと考えられる。一方、ごく近くから磁界が印加されると、表面側の環状電流路と裏面側の環状電流路に鎖交する磁界に差が生じるので、それぞれの環状電流路に誘起される電圧に差が生じて、電磁誘導による電流が流れる。   When a magnetic field is applied to the above circuit from a distance, the magnetic fields linked to the annular current path on the front surface side and the annular current path on the back surface side are almost the same, so the electromotive forces generated in the two annular current paths cancel each other, It is thought that current due to electromagnetic induction does not flow. On the other hand, when a magnetic field is applied from very close, there is a difference in the magnetic field interlinked between the annular current path on the front surface side and the annular current path on the back surface side, so that a difference occurs in the voltage induced in each annular current path. Current due to electromagnetic induction flows.

ここで、「遠方」、「ごく近く」の違いは、表面側の環状電流路と裏面側の環状電流路の間の距離(すなわち支持板の厚さ)とくらべたときの、磁界発生源からの距離に依存する。たとえば、地磁気や他の車からの磁界は、「遠方」から印加される磁界に相当し、生体からの磁界が「ごく近く」から印加される磁界に相当する。   Here, the difference between “far” and “very close” is that the distance from the annular current path on the front side and the annular current path on the back side (that is, the thickness of the support plate) differs from the magnetic field source. Depends on the distance. For example, geomagnetism or a magnetic field from another vehicle corresponds to a magnetic field applied from “far”, and a magnetic field from a living body corresponds to a magnetic field applied from “very close”.

図20は、生体情報検出センサを構成するTMR素子の感度ばらつきの補正後の特性を説明するためのグラフである。環状電流路に適切な電流を流すことによって、図16の磁界検出チップ182の特性が変化し、図20ではグラフG2はグラフG1とほぼ特性が揃っている。   FIG. 20 is a graph for explaining the characteristic after correcting the sensitivity variation of the TMR elements constituting the biological information detection sensor. By passing an appropriate current through the annular current path, the characteristics of the magnetic field detection chip 182 in FIG. 16 change, and in FIG. 20, the graph G2 has almost the same characteristics as the graph G1.

図21は、補正用コイルと環状電流路を使用して行なう補正処理の内容を説明するためのフローチャートである。図12を参照して、生体情報検出装置の補正方法は、補正用コイル190によって磁界検出チップ181,182に均一な静磁界を印加するステップS2と、磁界検出チップ181,182の出力を取得するステップS3と、ステップS3において取得した出力に応じて環状電流路188に流す電流を制御するステップS4と、環状電流路188に流す電流量を記憶するステップS6とを備える。   FIG. 21 is a flowchart for explaining the content of the correction process performed using the correction coil and the annular current path. Referring to FIG. 12, in the correction method of the biological information detection apparatus, step S <b> 2 in which a uniform static magnetic field is applied to magnetic field detection chips 181 and 182 by correction coil 190 and the outputs of magnetic field detection chips 181 and 182 are acquired. Step S3, Step S4 for controlling the current flowing through the annular current path 188 in accordance with the output acquired at Step S3, and Step S6 for storing the amount of current flowing through the annular current path 188 are provided.

図21の処理のポイントは、補正用コイルで静磁界を印加する点である。すなわち、零磁界の出力が2つの磁界検出チップで等しくなり、かつ補正用コイルで外部磁界Hexを印加した場合の2つの磁界検出チップの出力が等しくなるように、環状電流路に電流を流して感度を調整する。環状電流路に流した電流とセンサの感度の関係が既知であれば、1回のステップで補正できるはずであるが、実際にはセンサの感度が未知なので環状電流路に流した電流とセンサの感度の関係も未知となり、複数ステップで感度を合わせていくようにしている。   The point of the processing in FIG. 21 is that a static magnetic field is applied by the correction coil. That is, current is passed through the annular current path so that the output of the zero magnetic field is equal between the two magnetic field detection chips and the output of the two magnetic field detection chips is equal when the external magnetic field Hex is applied by the correction coil. Adjust the sensitivity. If the relationship between the current flowing in the annular current path and the sensitivity of the sensor is known, it should be able to be corrected in one step. However, since the sensitivity of the sensor is actually unknown, the current flowing in the annular current path and the sensor sensitivity The relationship of sensitivity is unknown, and the sensitivity is adjusted in multiple steps.

以下、各ステップについてより詳細に説明を行なう。生体情報検出装置170は、例えばマイクロコンピュータのようなコントローラに接続されている。ステップS1において、コントローラは、補正用コイル190に電流を流さない状態で生体情報検出センサ175の出力を取得し、記憶する。   Hereinafter, each step will be described in more detail. The biological information detection device 170 is connected to a controller such as a microcomputer. In step S <b> 1, the controller acquires and stores the output of the biological information detection sensor 175 in a state where no current is passed through the correction coil 190.

ステップS2では、コントローラは、補正用コイル190に所望の電流を流して生体情報検出センサ175上の2つの磁界検出チップに対して均一な磁界を発生する。なお、均一な磁界とは、大きさが等しいことが好ましいが、たとえば、補正用コイル190は、磁界検出チップ181,182の出力に同じ向きの変化を与える磁界を磁界検出チップ181,182に印加するように構成されるものであっても良い。   In step S <b> 2, the controller passes a desired current through the correction coil 190 to generate a uniform magnetic field for the two magnetic field detection chips on the biological information detection sensor 175. The uniform magnetic field preferably has the same magnitude, but for example, the correction coil 190 applies a magnetic field that gives a change in the same direction to the output of the magnetic field detection chips 181 and 182 to the magnetic field detection chips 181 and 182. It may be configured to do so.

このとき、補正用コイル190が発生する磁界は、各チップのTMR素子の飽和磁界よりも低くなければならない。コントローラは、補正用コイル190に流れる電流が安定するまで待ってからステップS3に処理を進める。   At this time, the magnetic field generated by the correction coil 190 must be lower than the saturation magnetic field of the TMR element of each chip. The controller waits until the current flowing through the correction coil 190 is stabilized before proceeding to step S3.

ステップS3では、コントローラは、生体情報検出センサ175の2つの磁界検出チップ181,182の出力差を取得し、記憶する。このとき、磁界検出チップ182のTMR素子の感度が磁界検出チップ181の感度よりも高いと、ステップS1とステップS2で出力差が異なる。   In step S <b> 3, the controller acquires and stores the output difference between the two magnetic field detection chips 181 and 182 of the biological information detection sensor 175. At this time, if the sensitivity of the TMR element of the magnetic field detection chip 182 is higher than the sensitivity of the magnetic field detection chip 181, the output difference is different between step S1 and step S2.

ステップS4では、ステップS1とステップS2で得られた出力差の差分に応じた電流を環状電流路に流す。コントローラは、環状電流路188に流れる電流が安定するまで待ってからステップS5に処理を進める。環状電流路188に電流を流すと、磁界検出チップ181よりも磁界検出チップ182に強い磁界が印加される。すなわち、環状電流路188は、磁界検出チップ181よりも磁界検出チップ182に不均一な磁界を発生させるように構成される。   In step S4, a current corresponding to the difference between the output differences obtained in steps S1 and S2 is passed through the annular current path. The controller waits until the current flowing through the annular current path 188 is stabilized before proceeding to step S5. When a current is passed through the annular current path 188, a magnetic field stronger than the magnetic field detection chip 181 is applied to the magnetic field detection chip 182. That is, the annular current path 188 is configured to generate a non-uniform magnetic field in the magnetic field detection chip 182 rather than the magnetic field detection chip 181.

そしてステップS5において、補正用コイル190に電流を流して静磁界を印加している時の2つの磁界検出チップの出力差が、ステップS1における補正用コイル190の電流が0の場合の出力差(オフセット)と等しいか否かを判断する。コントローラは、ステップS1で得た値(オフセット)とステップS3で得た値(静磁界印加時の出力差)とが異なる場合には(S5でNO)、ステップS4に処理を戻す。上記の値が等しい場合には(S5でYES)、コントローラは、ステップS6に処理を進め、環状電流路188に流す電流値を記憶する処理を行なう。その後ステップS7において、コントローラは、補正用コイル190の電流を元に戻し、生体情報検出センサ175の補正を完了する。   In step S5, the output difference between the two magnetic field detection chips when a static magnetic field is applied by passing a current through the correction coil 190 is the output difference when the current of the correction coil 190 in step S1 is zero ( It is determined whether it is equal to (offset). If the value (offset) obtained in step S1 is different from the value obtained in step S3 (output difference when applying a static magnetic field) (NO in S5), the controller returns the process to step S4. If the above values are equal (YES in S5), the controller advances the process to step S6 and performs a process of storing a current value to be passed through the annular current path 188. Thereafter, in step S7, the controller restores the current of the correction coil 190 to complete the correction of the biological information detection sensor 175.

以降、生体磁気を検出する際には、ステップS6において記憶された電流値の電流を環状電流路188に流しつつ測定を行なう。   Thereafter, when detecting biomagnetism, measurement is performed while the current having the current value stored in step S6 is caused to flow through the annular current path 188.

以上のように、補正用コイルと環状電流路を備えることにより、実施の形態3の生体情報検出装置は、生体情報検出センサに配置した2つの磁界検出チップに特性のバラツキが生じた場合にも、特性を補正することが可能である。   As described above, by providing the correction coil and the annular current path, the biological information detecting device of the third embodiment can be used even when the characteristics of the two magnetic field detecting chips arranged in the biological information detecting sensor vary. It is possible to correct the characteristics.

[種々の変形例]
図22は、生体情報検出センサを内蔵したシートの変形例を示す斜視図である。図22を参照して、この変形例の生体情報検出装置220は、シート222と、補正用コイル240と複数の生体情報検出センサ231〜236とを含む。図4、図14、図18では、位置PA、位置PBを、シートの背もたれ面に平行な方向(X方向)に離間させて2つの磁界検出チップを配置した例を示したが、図22に示すように、シートの背もたれ面に交差する方向(Y方向)に離間して2つの磁界検出チップが配置される向きに生体情報検出センサ231〜236を配置し、X方向の磁界差を検出するようにしてもよい。
[Various modifications]
FIG. 22 is a perspective view showing a modified example of the sheet incorporating the biological information detection sensor. Referring to FIG. 22, the biological information detection device 220 of this modification includes a sheet 222, a correction coil 240, and a plurality of biological information detection sensors 231 to 236. 4, FIG. 14 and FIG. 18 show an example in which two magnetic field detection chips are arranged with the positions PA and PB separated from each other in the direction parallel to the seat back surface (X direction). As shown, biological information detection sensors 231 to 236 are arranged in a direction in which two magnetic field detection chips are arranged apart from each other in the direction intersecting the backrest surface of the seat (Y direction), and a magnetic field difference in the X direction is detected. You may do it.

また、実施の形態1〜3では、構造物がシートである場合を示したが、生体が密着する面を有する構造物がベッドであっても良い。図23は、生体情報検出センサを内蔵したベッドの一例を示す斜視図である。図24は、図23に示した生体情報検出センサを内蔵したベッドの素子配置を示す断面図である。生体情報検出装置270は、ベッド272と、各々がX方向に2つの磁界検出チップが離間するように配置された複数の生体情報検出センサ281〜286とを含む。図22、図24に示すように、生体情報検出センサをベッドに内蔵し、ベッドに横たわる人体が発する生体磁気を検出してもよい。図6の支持板50は、2つの磁界検出チップが離間する方向(図6のX方向)がベッドの生体密着面に平行な方向(図23のX方向)に一致するように配置される。   In Embodiments 1 to 3, the case where the structure is a sheet is shown, but the structure having a surface to which the living body is in close contact may be a bed. FIG. 23 is a perspective view showing an example of a bed incorporating a biological information detection sensor. FIG. 24 is a cross-sectional view showing the element arrangement of the bed incorporating the biological information detection sensor shown in FIG. The biological information detection device 270 includes a bed 272 and a plurality of biological information detection sensors 281 to 286 that are arranged such that two magnetic field detection chips are separated from each other in the X direction. As shown in FIGS. 22 and 24, a biological information detection sensor may be built in the bed to detect biomagnetism generated by a human body lying on the bed. The support plate 50 in FIG. 6 is arranged so that the direction in which the two magnetic field detection chips are separated (the X direction in FIG. 6) coincides with the direction parallel to the biological contact surface of the bed (the X direction in FIG. 23).

図25は、生体情報検出センサを内蔵したベッドの素子配置の変形例を示す断面図である。生体情報検出装置270Aは、ベッド272と、各々がY方向に2つの磁界検出チップが離間するように配置された複数の生体情報検出センサ281A〜286Aとを含む。図23、図24に示すように位置PA、位置PBについて、ベッドの生体密着面に平行な方向(X方向)に離間してもよいし、図25のようにベッドの生体密着面に交差する方向(Y方向)に離間してもよい。   FIG. 25 is a cross-sectional view showing a modification of the element arrangement of the bed incorporating the biological information detection sensor. The biological information detection device 270A includes a bed 272 and a plurality of biological information detection sensors 281A to 286A each disposed so that two magnetic field detection chips are separated from each other in the Y direction. As shown in FIGS. 23 and 24, the positions PA and PB may be separated in a direction parallel to the biological contact surface of the bed (X direction), or intersect the biological contact surface of the bed as shown in FIG. You may separate in a direction (Y direction).

図26は、生体情報検出センサの変形例を示す図である。図26を参照して、生体情報検出センサ175Aは、支持板183と、磁界検出チップ181,182と、差動増幅器186と、アンプ187,187Aと、環状電流路188,188Aとを含む。支持板183と、磁界検出チップ181,182と、差動増幅器186については、実施の形態1の構成に相当する構成である。   FIG. 26 is a diagram illustrating a modification of the biological information detection sensor. Referring to FIG. 26, biological information detection sensor 175A includes a support plate 183, magnetic field detection chips 181 and 182, a differential amplifier 186, amplifiers 187 and 187A, and annular current paths 188 and 188A. The support plate 183, the magnetic field detection chips 181 and 182 and the differential amplifier 186 have a configuration corresponding to the configuration of the first embodiment.

生体情報検出センサ175Aは、支持板183の上に電流による磁界を磁界検出チップ182に印加するための環状電流路188Aとアンプ187Aとを設けている点が実施の形態3の生体情報検出センサ175と異なる。   The biological information detection sensor 175A is provided with an annular current path 188A and an amplifier 187A for applying a magnetic field due to current to the magnetic field detection chip 182 on the support plate 183, and the biological information detection sensor 175 of the third embodiment. And different.

実施の形態3の図19では、説明のために磁界検出チップ182のTMR素子の方が高感度な場合について説明したが、実際には磁界検出チップ181の方が高感度となる場合もある。そこで、生体情報検出センサ175Aは、図26に示すように2つの環状電流路188および188Aを備えることによって、どちらの磁界検出チップの感度が高い場合でも対応できる。   In FIG. 19 of the third embodiment, the case where the TMR element of the magnetic field detection chip 182 has higher sensitivity has been described for the sake of explanation. However, the magnetic field detection chip 181 may actually have higher sensitivity. In view of this, the biological information detection sensor 175A includes two annular current paths 188 and 188A as shown in FIG.

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiment but by the scope of claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.

1,71,72,73,74,81,82 TMR素子、4 自由層、6 トンネル絶縁層、8 固定層、10 反強磁性層、20,120,170,220,270,270A 生体情報検出装置、22,122,172,222 シート、24,131,132,133,135,175,175A,231,236,281,281A,286,286A 生体情報検出センサ、26 人体、28 電流、30 磁界、31,32,181,182 磁界検出チップ、42 コンタクト孔、44 アルミ配線、46 上部電極、48 下部電極、50,183 支持板、52 突起部、54 保持機構、56 穴、61,83,84 抵抗、62,63 可変抵抗、64,85 差動増幅回路、64A,64B プリアンプ、66,86 コンバータ、87 時間積分回路、184,185 信号処理回路、186 差動増幅器、187,187A アンプ、188,188A 環状電流路、190,240 補正用コイル、272 ベッド。   1,71,72,73,74,81,82 TMR element, 4 free layer, 6 tunnel insulating layer, 8 fixed layer, 10 antiferromagnetic layer, 20, 120, 170, 220, 270, 270A biological information detection device , 22, 122, 172, 222 sheet, 24, 131, 132, 133, 135, 175A, 231, 236, 281, 281A, 286, 286A biological information detection sensor, 26 human body, 28 current, 30 magnetic field, 31 , 32, 181, 182 Magnetic field detection chip, 42 Contact hole, 44 Aluminum wiring, 46 Upper electrode, 48 Lower electrode, 50, 183 Support plate, 52 Protruding part, 54 Holding mechanism, 56 holes, 61, 83, 84 Resistance, 62, 63 variable resistance, 64, 85 differential amplifier circuit, 64A, 64B preamplifier, 66, 86 converter, 7 hours integrating circuit, 184 a signal processing circuit, 186 a differential amplifier, 187,187A amplifier, 188,188A annular current path, 190,240 correction coils, 272 beds.

Claims (13)

第1の面を有する支持板と、
前記第1の面内の第1の方向に互いに離間するように、前記第1の面に配置された第1および第2の磁界検出部とを備え、
前記第1および第2の磁界検出部の各々は、前記第1の方向に対して前記第1の面内で直交する第2の方向の磁界の変化に対して感度が最大となるように構成される、生体情報検出装置。
A support plate having a first surface;
A first magnetic field detector and a second magnetic field detector disposed on the first surface so as to be separated from each other in a first direction within the first surface;
Each of the first and second magnetic field detection units is configured to have a maximum sensitivity to a change in a magnetic field in a second direction orthogonal to the first direction in the first plane. A biological information detection device.
生体に密着する部分を有する構造物をさらに備え、
前記支持板は、前記構造物の内部に配置される、請求項1に記載の生体情報検出装置。
It further comprises a structure having a portion that adheres to the living body,
The biological information detection apparatus according to claim 1, wherein the support plate is disposed inside the structure.
前記構造物は、シートであり、
前記支持板は、前記第1の方向が前記シートの背もたれ面に平行な方向になるように配置される、請求項2に記載の生体情報検出装置。
The structure is a sheet,
The biological information detection apparatus according to claim 2, wherein the support plate is disposed such that the first direction is parallel to a backrest surface of the seat.
前記構造物は、ベッドであり、
前記支持板は、前記第1の方向が前記ベッドの生体密着面に平行な方向になるように配置される、請求項2に記載の生体情報検出装置。
The structure is a bed;
The biological information detection apparatus according to claim 2, wherein the support plate is disposed such that the first direction is parallel to the biological contact surface of the bed.
前記構造物は、シートであり、
前記支持板は、前記第1の方向が前記シートの背もたれ面に交差する方向になるように配置される、請求項2に記載の生体情報検出装置。
The structure is a sheet,
The biological information detection apparatus according to claim 2, wherein the support plate is arranged so that the first direction is a direction intersecting a backrest surface of the seat.
前記構造物は、ベッドであり、
前記支持板は、前記第1の方向が前記ベッドの生体密着面に交差する方向になるように配置される、請求項2に記載の生体情報検出装置。
The structure is a bed;
The biological information detection apparatus according to claim 2, wherein the support plate is disposed so that the first direction intersects the biological adhesion surface of the bed.
前記構造物に埋め込まれ、前記第1および第2の磁界検出部の出力に同じ向きの変化を与える磁界を前記第1および第2の磁界検出部に印加するように構成された補正用コイルをさらに備える、請求項2に記載の生体情報検出装置。   A correction coil embedded in the structure and configured to apply a magnetic field that applies a change in the same direction to the outputs of the first and second magnetic field detection units to the first and second magnetic field detection units; The living body information detecting device according to claim 2 further provided. 前記支持板の前記第1の面または前記第1の面に平行な前記支持板の第2の面に配置された環状の電流路をさらに備える、請求項1に記載の生体情報検出装置。   The biological information detection device according to claim 1, further comprising an annular current path disposed on the first surface of the support plate or the second surface of the support plate parallel to the first surface. 前記第1および第2の磁界検出部の各々は、複数のTMR素子を含み、
前記複数のTMR素子の各々は、固定層の磁化の向きと垂直方向に延伸した横長形状を有し、
前記複数のTMR素子は、固定層の磁化の向きの方向に並んで配置され、固定層の磁化の向きの方向に延びる素子間配線によって直列接続される、請求項1に記載の生体情報検出装置。
Each of the first and second magnetic field detectors includes a plurality of TMR elements,
Each of the plurality of TMR elements has a horizontally long shape extending in a direction perpendicular to the magnetization direction of the fixed layer,
The biological information detection apparatus according to claim 1, wherein the plurality of TMR elements are arranged side by side in a direction of magnetization direction of the fixed layer, and are connected in series by inter-element wiring extending in the direction of magnetization direction of the fixed layer. .
第1の面を有する支持板と、
前記第1の面内の第1の方向に互いに離間するように、前記第1の面に配置された第1および第2の磁界検出部とを備え、
前記第1および第2の磁界検出部の各々は、前記第1の方向に対して前記第1の面内で直交する第2の方向の磁界の変化に対して感度が最大となるように構成される、生体情報検出センサ。
A support plate having a first surface;
A first magnetic field detector and a second magnetic field detector disposed on the first surface so as to be separated from each other in a first direction within the first surface;
Each of the first and second magnetic field detection units is configured to have a maximum sensitivity to a change in a magnetic field in a second direction orthogonal to the first direction in the first plane. A biological information detection sensor.
前記支持板の前記第1の面または前記第1の面に平行な前記支持板の第2の面に配置された環状の電流路をさらに備える、請求項10に記載の生体情報検出センサ。   The biological information detection sensor according to claim 10, further comprising an annular current path disposed on the first surface of the support plate or the second surface of the support plate parallel to the first surface. 前記第1および第2の磁界検出部の各々は、複数のTMR素子を含み、
前記複数のTMR素子の各々は、固定層の磁化の向きと垂直方向に延伸した横長形状を有し、
前記複数のTMR素子は、固定層の磁化の向きの方向に並んで配置され、固定層の磁化の向きの方向に延びる素子間配線によって直列接続される、請求項10に記載の生体情報検出センサ。
Each of the first and second magnetic field detectors includes a plurality of TMR elements,
Each of the plurality of TMR elements has a horizontally long shape extending in a direction perpendicular to the magnetization direction of the fixed layer,
The biological information detection sensor according to claim 10, wherein the plurality of TMR elements are arranged side by side in the direction of magnetization of the fixed layer and are connected in series by inter-element wiring extending in the direction of magnetization of the fixed layer. .
第1の面を有する支持板と、前記第1の面内の第1の方向に互いに離間するように、前記第1の面に配置された第1および第2の磁界検出部とを備える生体情報検出センサと、前記第1および第2の磁界検出部に不均一な磁界を発生させる環状電流路とが構造物の内部に配置された生体情報検出装置の補正方法であって、
前記生体情報検出装置は、前記構造物に埋め込まれ、前記第1および第2の磁界検出部に同じ磁界を印加するように構成された補正用コイルをさらに備え、
前記第1および第2の磁界検出部の各々は、前記第1の方向に対して前記第1の面内で直交する第2の方向の磁界の変化に対して感度が最大となるように構成され、
前記方法は、
前記補正用コイルで前記第1および第2の磁界検出部に均一な静磁界を印加するステップと、
前記第1および第2の磁界検出部の出力を取得するステップと、
前記取得するステップにおいて取得した出力に応じて前記環状電流路に流す電流を制御するステップと、
前記環状電流路に流す電流量を記憶するステップとを備える、生体情報検出装置の補正方法。
A living body comprising a support plate having a first surface and first and second magnetic field detectors arranged on the first surface so as to be separated from each other in a first direction within the first surface. An information detection sensor and a correction method for a biological information detection device in which an annular current path that generates a non-uniform magnetic field in the first and second magnetic field detection units is disposed inside a structure,
The biological information detection apparatus further includes a correction coil embedded in the structure and configured to apply the same magnetic field to the first and second magnetic field detection units,
Each of the first and second magnetic field detection units is configured to have a maximum sensitivity to a change in a magnetic field in a second direction orthogonal to the first direction in the first plane. And
The method
Applying a uniform static magnetic field to the first and second magnetic field detectors with the correction coil;
Obtaining outputs of the first and second magnetic field detectors;
Controlling the current flowing through the annular current path according to the output obtained in the obtaining step;
And a step of storing the amount of current flowing through the annular current path.
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