JP2017194471A - Evaluation method of silica powder appropriate for manufacturing silica glass crucible for pulling up silicon single crystal - Google Patents

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俊明 須藤
Toshiaki Sudo
俊明 須藤
忠広 佐藤
Tadahiro Sato
忠広 佐藤
賢 北原
Ken Kitahara
賢 北原
真喜子 旭岡
Makiko HINOOKA
真喜子 旭岡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an evaluation method of silica powder allowing stable manufacturing of a silica glass crucible having a bubble-free layer.SOLUTION: The evaluation method of silica powder appropriate for forming a bubble-free layer in a silica glass crucible for pulling up a silicon single crystal includes the steps of: measuring the porosity between silica particles in silica powder; melting the silica powder; measuring the bubble content of the silica glass block produced by cooling and hardening the molten silica powder; and determining whether the silica powder is appropriate, on the basis of the porosity in the silica powder and the bubble content of the silica glass block.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造に好適なシリカ粉の評価
方法に関する。
The present invention relates to a silica powder evaluation method suitable for producing a silica glass crucible for pulling a silicon single crystal.

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶は、シリカガラスルツボを用いて製造される
。高純度のポリシリコンを熔融させてシリコン融液を得て、このシリコン融液表面に種結
晶の端部を接触させ、回転させながら引上げることによって、シリコン単結晶は製造され
る。シリコン融液を単結晶に接触させているシリコン融液面中心部分の固液界面をシリコ
ンの融点である1420℃付近に保つためにシリカガラスルツボの温度は約1450〜1
600℃という高温となっている。2週間以上かかることがあるシリコン単結晶引き上げ
においてはシリカガラスルツボのリム部の沈み込み変形量は5cm以上となることもある
A silicon single crystal by the Czochralski method is manufactured using a silica glass crucible. A silicon single crystal is produced by melting high-purity polysilicon to obtain a silicon melt, bringing the end of the seed crystal into contact with the surface of the silicon melt and pulling it up while rotating. The temperature of the silica glass crucible is about 1450 to 1 in order to keep the solid-liquid interface at the center of the silicon melt surface where the silicon melt is in contact with the single crystal at around 1420 ° C. which is the melting point of silicon.
The temperature is as high as 600 ° C. In silicon single crystal pulling, which may take two weeks or more, the amount of deformation of the rim of the silica glass crucible may be 5 cm or more.

シリカガラスルツボのサイズは、直径が28インチ(約71cm)、32インチ(約8
1cm)、36インチ(約91cm)、40インチ(約101cm)などのものがある。
直径101cmのルツボは、重量が約120kgという巨大なものであり、そこに収容さ
れるシリコン融液の質量は900kg以上である。つまり、シリコン単結晶の引き上げ時
には、約1500℃のシリコン融液が900kg以上もルツボに収容されることになる。
The size of the silica glass crucible is 28 inches (about 71 cm) in diameter and 32 inches (about 8 cm).
1 cm), 36 inches (about 91 cm), 40 inches (about 101 cm), and the like.
The crucible having a diameter of 101 cm is a huge one weighing about 120 kg, and the mass of the silicon melt accommodated therein is 900 kg or more. In other words, when the silicon single crystal is pulled, 900 kg or more of silicon melt at about 1500 ° C. is stored in the crucible.

このようなシリカガラスルツボは、直径200〜450mm(例:200mm、300
mm、450mm)で長さが1mから5m以上の大型の単結晶シリコンインゴットの製造
に好適に利用される。このような大型インゴットから製造される単結晶シリコンウェーハ
は、フラッシュメモリやDRAMの製造に好適に利用される。
Such a silica glass crucible has a diameter of 200 to 450 mm (eg, 200 mm, 300 mm).
mm, 450 mm) and a length of 1 to 5 m or more is suitably used for manufacturing a large single crystal silicon ingot. A single crystal silicon wafer manufactured from such a large ingot is preferably used for manufacturing a flash memory and a DRAM.

半導体の製造に用いられるシリコンウェーハは、シリコン単結晶をスライスすることで
得られる。近年の半導体デバイスの高集積度化に伴い、シリコンウェーハの表面における
ボイド欠陥の低減が要求されている。
A silicon wafer used for manufacturing a semiconductor is obtained by slicing a silicon single crystal. With the recent increase in the degree of integration of semiconductor devices, reduction of void defects on the surface of silicon wafers is required.

ボイド欠陥は、ウェーハ表層部をエッチング処理することで除去できることが知られて
いるが、エッチング工程は時間と費用がかかるためボイド欠陥が存在しないシリコン単結
晶の製造がエレクトロニクス分野から望まれている。
It is known that void defects can be removed by etching the surface layer of the wafer. However, since the etching process is time-consuming and expensive, it is desired from the electronics field to produce a silicon single crystal free of void defects.

ボイド欠陥のないシリコン単結晶を製造するために、さまざま方法が知られている。そ
の一つに、シリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボにおける透明層の気泡を低減す
る方法がある。シリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボは、粉体のシリカを用いて
製造される。回転モールド法によれば、シリカガラスルツボは、(1)回転モールドにシ
リカ粉を堆積させて、(2)アーク放電によりシリカ粉を熔融させる工程により製造され
る。シリコン単結晶における気泡の混入がボイド欠陥の一つの原因と考えられている。そ
のため、シリコン単結晶への気泡の混入を避ける目的で、シリカガラスルツボの透明層は
気泡が存在しない層から形成されている。
Various methods are known for producing a silicon single crystal free from void defects. One of them is a method for reducing bubbles in a transparent layer in a silica glass crucible for pulling a silicon single crystal. The silica glass crucible for pulling a silicon single crystal is manufactured using powdered silica. According to the rotary mold method, the silica glass crucible is manufactured by (1) depositing silica powder on the rotary mold and (2) melting the silica powder by arc discharge. It is considered that the inclusion of bubbles in the silicon single crystal is one cause of void defects. Therefore, for the purpose of avoiding the mixing of bubbles into the silicon single crystal, the transparent layer of the silica glass crucible is formed from a layer without bubbles.

透明層、即ち、実質的な無気泡層を備えるシリカガラスルツボを製造するために、モー
ルド内部からガス成分を吸引可能な回転モールドを用いたシリカガラスルツボの製造方法
が知られている。詳細には、モールド内面にシリカ粉を堆積させて吸引装置によりガス成
分を吸引しながらアーク熔融する方法である(特許文献1)。また、特許文献2において
は、シリカガラス原料の気泡の発生要因の有無を判定する方法が記載されている。
In order to manufacture a silica glass crucible having a transparent layer, that is, a substantially bubble-free layer, a method for manufacturing a silica glass crucible using a rotating mold capable of sucking a gas component from the inside of the mold is known. Specifically, this is a method in which silica powder is deposited on the inner surface of a mold and arc melting is performed while sucking a gas component with a suction device (Patent Document 1). Further, Patent Document 2 describes a method for determining the presence or absence of a bubble generation factor in a silica glass raw material.

特開2010−143818JP2010-143818A 特開2009−007211JP 2009-007211 A

しかしながら、特許文献1の方法であっても、無気泡層ができる場合とできない場合が
あり、品質を安定させることが困難である。
However, even the method of Patent Document 1 may or may not be able to form a bubble-free layer, and it is difficult to stabilize the quality.

品質が安定しない理由が、これまで明らかになっていないため、シリカガラスルツボを
製造しなければ品質の良し悪しを知ることが出来ない。
The reason why the quality is not stable has not been clarified so far, and it is impossible to know whether the quality is good or not unless a silica glass crucible is manufactured.

本発明は、このような事情に鑑み、無気泡層を備えるシリカガラスルツボを安定して製
造できるシリカ粉の評価方法を提供する。
In view of such circumstances, the present invention provides a method for evaluating silica powder that can stably produce a silica glass crucible having a bubble-free layer.

上記課題を解決するために、本発明は次のような評価方法を提供する。即ち、シリカ粉
におけるシリカ粒子間の間隙率を測定する工程と、前記シリカ粉を熔融する工程と、熔融
シリカ粉を冷却し硬化させたシリカガラスブロックの気泡含有率を測定する工程と、前記
シリカ粉における間隙率と前記シリカガラスブロックの気泡含有率から好適なシリカ粉で
あるか否かを判定する工程と、を有する、シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボに
おける無気泡層の形成に好適なシリカ粉の評価方法である。
In order to solve the above problems, the present invention provides the following evaluation method. That is, a step of measuring the porosity between silica particles in the silica powder, a step of melting the silica powder, a step of measuring the bubble content of the silica glass block obtained by cooling and curing the fused silica powder, and the silica A silica suitable for forming a bubble-free layer in a silica glass crucible for pulling up a silicon single crystal, the step of determining whether or not the silica powder is a suitable silica powder from the porosity in the powder and the bubble content of the silica glass block This is a method for evaluating powder.

シリカガラスルツボの無気泡層の形成に好適なシリカ粉であるかどうかの評価は、シリ
カガラスルツボを試験的に製造することで行う事ができる。しかしながら、シリカガラス
ルツボの製造には時間と費用がかかりすぎるため、一般的には、シリカ粉末を熔融して作
成したシリカブロックの気泡含有率を測定して、好適なシリカ粉の評価を行なっている(
特許文献2)(以下、従来の評価方法)。従来の評価方法は、耐熱性容器にシリカ粉を供
給して、真空雰囲気下でシリカ粉を熔融させ、そして、シリカ粉が熔融して固まったシリ
カブロック中の気泡の含有率を測定する方法が一般的である。しかしながら、この方法に
より好適であると評価されたシリカ粉は、酸水素炎溶融を用いるベルヌイ法によりシリカ
ガラスを製造するのであるが、アーク溶融でおこなうシリカガラスルツボの製造に用いた
としても、必ずしも良好な結果が得られるわけではない。この方法では、酸水素バーナー
からの燃焼ガスである水蒸気がシリカガラスに含まれるため、シリコン単結晶引上げに用
いた際に気泡を発生する原因となる。
Whether the silica powder is suitable for forming a bubble-free layer of the silica glass crucible can be evaluated by experimentally producing a silica glass crucible. However, since it takes too much time and money to produce a silica glass crucible, generally, a suitable silica powder is evaluated by measuring the bubble content of a silica block prepared by melting silica powder. Yes (
Patent Document 2) (hereinafter, a conventional evaluation method). A conventional evaluation method is to supply silica powder to a heat-resistant container, melt the silica powder in a vacuum atmosphere, and measure the content of bubbles in the silica block in which the silica powder has melted and solidified. It is common. However, the silica powder evaluated as suitable by this method produces silica glass by the Bernoulli method using oxyhydrogen flame melting, but even if it is used for the production of a silica glass crucible by arc melting, it is not always necessary. It does not give good results. In this method, since water vapor, which is a combustion gas from the oxyhydrogen burner, is contained in the silica glass, bubbles are generated when used for pulling a silicon single crystal.

本発明者らは、気泡含有率が低いシリカガラスブロックが得られるシリカ粉の解析を行
なっていた。その結果、当初はシリカ粉の平均粒子径がシリカガラスブロックの気泡含有
率と相関があるという結果が得られた。しかし、シリカ粉によっては、同じ平均粒子径で
あるにもかかわらず、シリカガラスブロックの気泡含有率が低かったり高かったりと結果
にバラツキが生じることが明らかとなった。詳しく解析したところ、結果にバラツキのあ
るシリカ粉は、熔融前のシリカ粒子の間隙率が異なっていることが明らかとなった。すな
わち、粒子の形状が異なれば、たとえ平均の粒子径が同じであっても充填の仕方(充填さ
れた状態)が変わる。
The inventors of the present invention have been analyzing silica powder from which a silica glass block having a low bubble content can be obtained. As a result, initially, the average particle diameter of the silica powder was correlated with the bubble content of the silica glass block. However, it has been clarified that, depending on the silica powder, although the average particle diameter is the same, the silica glass block has a low or high bubble content, resulting in variations in the results. As a result of detailed analysis, it was revealed that the silica powders having variations in the results differed in the porosity of the silica particles before melting. That is, if the particle shape is different, the filling method (filled state) changes even if the average particle diameter is the same.

このような驚くべき発見に基づいて、本発明者らは、単に熔融後のシリカガラスブロッ
ク中の気泡含有率を測定するだけでは、好適なシリカ粉であるかは評価できないという結
論に至った。つまり、熔融後のシリカガラスブロックの気泡含有率だけでなく、熔融前の
シリカ粉の間隙も考慮する必要があるという結論である。本発明者らは、更に研究を重ね
た結果、シリカ粒子間の間隙率に対してシリカガラスブロックの気泡含有率が規定値の範
囲内のシリカ粉は、シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボにおける無気泡層の形成
に好適であることを見出し本発明は完成した。本発明にかかる評価方法を用いることで、
透明層に気泡が発生しないシリカ粉を事前に識別することが可能になる。
Based on such a surprising discovery, the present inventors have come to the conclusion that it is not possible to evaluate whether a suitable silica powder is obtained simply by measuring the bubble content in the fused silica glass block. That is, it is a conclusion that it is necessary to consider not only the bubble content of the silica glass block after melting, but also the gap of the silica powder before melting. As a result of further research, the present inventors have found that silica powder having a bubble content of the silica glass block within the specified range with respect to the porosity between the silica particles is not present in the silica glass crucible for pulling up the silicon single crystal. The present invention has been completed by finding that it is suitable for forming a bubble layer. By using the evaluation method according to the present invention,
It becomes possible to identify in advance silica powder that does not generate bubbles in the transparent layer.

図1は、堆積したシリカ粉の表面11上を対物レンズ10が走査する様子を表した模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a state where the objective lens 10 scans the surface 11 of the deposited silica powder. 図2は、耐熱性容器内におけるシリカ粉の概念図である。斜線部がシリカ粒子であり、白色部が間隙であることを示す。FIG. 2 is a conceptual diagram of silica powder in a heat-resistant container. A hatched portion indicates silica particles, and a white portion indicates a gap. 図3は、耐熱性容器内における、熔融したシリカガラスブロックの概念図である。斜線部がシリカであり、白色部が間隙であることを示す。FIG. 3 is a conceptual diagram of a fused silica glass block in a heat resistant container. The hatched portion is silica and the white portion is a gap. 図4は、合成シリカ粉を用いて作成したシリカガラスルツボにおける透明層の気泡を確認する手法の概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram of a method for confirming bubbles in a transparent layer in a silica glass crucible created using synthetic silica powder.

本発明にかかる実施形態の評価方法は、シリカ粉におけるシリカ粒子間の間隙率を測定
する工程と、前記シリカ粉を熔融する工程と、熔融シリカ粉を冷却し硬化させたシリカガ
ラスブロックの気泡含有率を測定する工程と、前記シリカ粉における間隙率と前記シリカ
ガラスブロックの気泡含有率から好適なシリカ粉であるか否かを判定する工程と、を有す
る、シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボにおける無気泡層の形成に好適なシリカ
粉の評価方法である。なお、目視にて透明であるシリカガラス層を透明層と言い、無気泡
層とは、特に直径20〜100μmの気泡の気泡含有率が0.1以下のシリカガラス層で
ある。以下、各構成要素について詳細に検討する。
The evaluation method of the embodiment according to the present invention includes a step of measuring a porosity between silica particles in silica powder, a step of melting the silica powder, and a bubble containing silica glass block obtained by cooling and curing the fused silica powder. In a silica glass crucible for pulling up a silicon single crystal, comprising measuring a rate, and determining whether the silica powder is a suitable silica powder from a porosity in the silica powder and a bubble content of the silica glass block This is a method for evaluating silica powder suitable for forming a bubble-free layer. In addition, the silica glass layer that is visually transparent is referred to as a transparent layer, and the bubble-free layer is a silica glass layer in which the bubble content of bubbles having a diameter of 20 to 100 μm is 0.1 or less. Each component will be discussed in detail below.

1 シリカ粉
本発明におけるシリカ粉は、合成シリカ粉又は天然シリカ粉である。合成シリカ粉は、
化学合成されたシリカであり、不純物濃度が非常に低いため、シリカガラスルツボの内面
層に使用される。合成シリカ粉の製造方法は、特に限定されないが、四塩化珪素(SiC
)の気相酸化(乾式合成法)や、シリコンアルコキシド(Si(OR))の加水分
解(ゾル・ゲル法)が挙げられる。天然シリカ粉は、α―石英を主成分とする天然鉱物を
粉砕して粉状にすることによって製造される粉末である。
1 Silica powder The silica powder in this invention is a synthetic silica powder or a natural silica powder. Synthetic silica powder
It is a chemically synthesized silica and has a very low impurity concentration, so it is used for the inner surface layer of a silica glass crucible. The method for producing the synthetic silica powder is not particularly limited, but silicon tetrachloride (SiC
Examples include gas phase oxidation of l 4 ) (dry synthesis method) and hydrolysis of silicon alkoxide (Si (OR) 4 ) (sol-gel method). The natural silica powder is a powder produced by pulverizing a natural mineral mainly composed of α-quartz.

2 シリカガラスルツボ
シリカガラスルツボは、シリカガラスルツボ製造用回転モールドに、天然シリカ粉を供
給し、更に合成シリカ粉を天然シリカ粉上に供給し、アーク放電の熱によりシリカ粉を熔
融することで、合成シリカ粉から形成される内面層(合成層)と天然シリカ粉から形成さ
れる外面層(天然層)からなるシリカガラスルツボが製造される。アーク熔融工程の初期
にはシリカ粉層を強く減圧することによって気泡を除去して透明シリカガラス層(透明層
)を形成し、その後、減圧を弱くすることによって気泡が残留した気泡含有シリカガラス
層(以下、「気泡含有層」と称する。)が形成される。
2 Silica glass crucible Silica glass crucible is made by supplying natural silica powder to a rotating mold for producing silica glass crucible, supplying synthetic silica powder onto natural silica powder, and melting the silica powder by the heat of arc discharge. A silica glass crucible comprising an inner surface layer (synthetic layer) formed from synthetic silica powder and an outer surface layer (natural layer) formed from natural silica powder is produced. In the initial stage of the arc melting process, the silica powder layer is strongly depressurized to remove bubbles to form a transparent silica glass layer (transparent layer), and then the bubble is contained in the bubble-containing silica glass layer by decreasing the depressurization. (Hereinafter referred to as the “bubble-containing layer”).

3 評価方法
耐熱性容器に大気圧下で、回転モールド法で製造するときと同様にシリカ粉を自由落下
させて供給する。容器からはみ出たシリカ粉はすり切って観察面を平らにする。こうする
ことで回転モールド法によりシリカ粉を充填するのと同様の充填となる。耐熱性容器は、
高温での使用に耐えられる素材であれば特に限定されないが、例えば、セラミック系複合
材料や炭素繊維強化炭素複合材(C/Cコンポジット)である。耐熱性容器のサイズは特
に限定されないが、例えば、縦10から50mm、横10から50mm、高さ10から3
0mmとすることができ、具体的には、縦30mm×横40mm×高さ20mmの直方体
の容器を選択することができる。
3 Evaluation Method Silica powder is supplied to a heat-resistant container by free-falling in the same manner as in the case of manufacturing by a rotary molding method under atmospheric pressure. The silica powder that protrudes from the container is worn to flatten the observation surface. By doing so, it becomes the same filling as filling the silica powder by the rotational mold method. The heat-resistant container
Although it will not specifically limit if it is a raw material which can endure use at high temperature, For example, they are a ceramic type composite material and a carbon fiber reinforced carbon composite material (C / C composite). The size of the heat-resistant container is not particularly limited. For example, the length is 10 to 50 mm, the width is 10 to 50 mm, and the height is 10 to 3
Specifically, a rectangular parallelepiped container 30 mm long × 40 mm wide × 20 mm high can be selected.

シリカ粉における間隙率を測定する。シリカ粒子間の間隙は、シリカ粉に照射した光の
反射光を受ける受光装置を備える光学的検出手段を用いて非接触的に測定することが可能
である。
The porosity in silica powder is measured. The gap between the silica particles can be measured in a non-contact manner using an optical detection means provided with a light receiving device that receives reflected light of light irradiated on the silica powder.

この光学的検出手段における照射光の発光手段は、内蔵されたものでもよく、また外部
の発光手段を利用するものでもよい。また、光学的検出手段は、耐熱容器中に堆積したシ
リカ粉の表面に沿って走査できるものを用いることが好ましく、例えば、共焦点顕微鏡を
用いて行われることが例示できる。共焦点顕微鏡は、ボケのない像を取得できるため好適
である。照射光としては、可視光、紫外線及び赤外線のほか、レーザー光などを利用でき
、シリカ粒子間における間隙を検出できるものであればいずれを採用してもよい。受光装
置は、照射光の種類に応じて選択されるが、例えば、受光レンズ及び映像部を含む光学カ
メラを用いることができる。シリカ粒子間における間隙を検出するためには、集光点で生
じる光のみを受光することが好ましい。集光点で生じる光のみを受光するためには、受光
装置に含まれる光検出器の手前にピンホールを備えることが好ましい。焦点距離は、特に
限定されないが、好ましくは表面から0.1mm〜3mmの深さであって、例えば、0.3から1.0mmである。
The light emitting means for irradiating light in this optical detection means may be built-in, or may utilize an external light emitting means. Moreover, it is preferable to use what can be scanned along the surface of the silica powder deposited in the heat-resistant container, for example, an optical detection means can be performed using a confocal microscope. A confocal microscope is preferable because an image without blur can be obtained. As irradiation light, in addition to visible light, ultraviolet light, and infrared light, laser light or the like can be used, and any light can be used as long as it can detect a gap between silica particles. The light receiving device is selected according to the type of irradiation light. For example, an optical camera including a light receiving lens and an image unit can be used. In order to detect the gap between the silica particles, it is preferable to receive only light generated at the condensing point. In order to receive only light generated at the condensing point, it is preferable to provide a pinhole in front of the photodetector included in the light receiving device. The focal length is not particularly limited, but is preferably 0.1 mm to 3 mm deep from the surface, for example, 0.3 to 1.0 mm.

測定方法としては、図1に示す通り、光学的検出手段の対物レンズ10を耐熱容器12
中の堆積したシリカ粉の表面11に非接触的に配置し、走査方向13に向かって走査する
ことで、シリカ粒子間における間隙が測定される。他の走査方式としては、サンプル走査
方式とレーザー走査方式とがある。サンプル走査方式は、サンプルを載せたステージをX
Y方向に駆動させて二次元像を取得する方式である。レーザー走査方式は、レーザーをX
Y方向に当てることで、サンプル上を二次元走査する方式である。いずれの走査方式を採
用してもよい。
As a measuring method, as shown in FIG. 1, the objective lens 10 of the optical detection means is attached to the heat-resistant container 12.
The gap between the silica particles is measured by disposing it in contact with the surface 11 of the deposited silica powder and scanning in the scanning direction 13. Other scanning methods include a sample scanning method and a laser scanning method. In the sample scanning method, the stage on which the sample is placed is
This is a method of acquiring a two-dimensional image by driving in the Y direction. Laser scanning method uses X laser
This is a method in which the sample is two-dimensionally scanned by being applied in the Y direction. Any scanning method may be adopted.

複数の測定点における間隙率を測定し、その平均値を採用してもよい。例えば、3箇所
を測定し、その平均値であってもよい。測定された間隙率は、任意のパラメーターに変換
してもよく、例えば、面積、面積比及び割合であってもよい。測定の結果、間隙が不明瞭
である場合は、X軸、Y軸又はZ軸のいずれかの方向に焦点をズラして測定しても良い。
The average value may be adopted by measuring the porosity at a plurality of measurement points. For example, three places may be measured and the average value may be sufficient. The measured porosity may be converted into an arbitrary parameter, for example, area, area ratio, and ratio. If the gap is unclear as a result of the measurement, the focus may be shifted in the direction of the X axis, the Y axis, or the Z axis.

熔融前のシリカ粒子間の間隙率は、好ましくは15%以下、より好ましくは10%以下
、更に好ましく5%以下であって、少なくとも1%以上であってもよい。「間隙率」:n
とは、ある区画の面積をS、上記区画中に堆積するシリカ粉の断面積の合計面積をS
し、例えば、以下の通りに求めることができる。
間隙率:n=((S―S)/S)×100
また、間隙の合計面積をSとすると、以下の式で求めることができる。
間隙率:n=(S/S)×100
The porosity between the silica particles before melting is preferably 15% or less, more preferably 10% or less, still more preferably 5% or less, and may be at least 1% or more. “Porosity”: n
And is the area of a partition S, the total area of the cross-sectional area of the silica powder to be deposited in the compartment and S p, for example, can be determined as follows.
Porosity: n = ((S−S p ) / S) × 100
Further, the total area of the gap when the S n, can be calculated by the following equation.
Porosity: n = (S n / S) × 100

シリカ粉入り耐熱性容器を炉の内に入れて、炉の内の温度を上記シリカ粉が熔融する温
度まで上昇させる。熱源は、例えばカーボンヒーターを選択することができる。炉内の加
熱速度は、シリカ粉中のガス成分が膨張して破裂する様な急激な温度変化でなければ、特
に限定されない。例えば、加熱速度は、50から300℃/minであってもよい。シリ
カ粉を熔融させる温度は、特に限定されないが、好ましくは、アーク熔融時の温度である
約1500〜2600℃で、例えば、1500、1600、1700、1800、190
0、2000、2100、2200、2300、2400、2500又は2600であっ
て、ここで例示した何れか2つの数値の範囲内であってもよい。この温度範囲内に設定す
ることでアーク熔融に近い温度条件を再現することができる。加熱時間は、熔融する温度
に達してから好ましくは20時間から60時間、より好ましくは30時間から50時間ま
でである。シリカ粉の熔融は、大気圧下でおこなってもよい。大気圧下で熔融することで
、対象のシリカ粉の性質をより詳細に解析することができる。真空下で行なう場合は、例
えば1.0×10Paから1.0×10Paの間であってもよく、好ましくは2.0
×10Paである。
A heat-resistant container containing silica powder is placed in a furnace, and the temperature in the furnace is raised to a temperature at which the silica powder melts. As the heat source, for example, a carbon heater can be selected. The heating rate in the furnace is not particularly limited as long as the temperature does not change so rapidly that the gas component in the silica powder expands and bursts. For example, the heating rate may be 50 to 300 ° C./min. The temperature at which the silica powder is melted is not particularly limited, but is preferably about 1500 to 2600 ° C., which is the temperature at the time of arc melting, for example, 1500, 1600, 1700, 1800, 190.
0, 2000, 2100, 2200, 2300, 2400, 2500, or 2600, which may be within the range of any two numerical values exemplified here. By setting the temperature within this temperature range, it is possible to reproduce temperature conditions close to arc melting. The heating time is preferably 20 to 60 hours, more preferably 30 to 50 hours after reaching the melting temperature. The melting of the silica powder may be performed under atmospheric pressure. By melting under atmospheric pressure, the properties of the target silica powder can be analyzed in more detail. When performed under vacuum, it may be, for example, between 1.0 × 10 4 Pa and 1.0 × 10 5 Pa, preferably 2.0.
× 10 4 Pa.

熔融シリカ粉を冷却し、ガラス化させたシリカガラスブロックの気泡含有率を測定する
。熔融シリカ粉の冷却は、加熱終了に伴って冷却すればよい。シリカガラスブロックにお
ける気泡含有率P(%)は、共焦点顕微鏡などの光学検出手段による測定結果を画像処理装
置に取り込んで算出される。シリカガラスブロック内表面の画像を撮像し、シリカガラス
ブロック内表面を一定体積ごとに区分して基準体積W1とし、この基準体積W1に対する
気泡の占有体積W2を求め、P(%)=(W2/W1)×100により算出される。焦点
距離は、特に限定されないが、好ましくは表面から0.1mm〜3mmの深さであって、
例えば、0.3から1.0mmの深さである。
The fused silica powder is cooled and the bubble content of the vitrified silica glass block is measured. What is necessary is just to cool a fused silica powder with completion | finish of a heating. The bubble content P (%) in the silica glass block is calculated by taking the measurement result by an optical detection means such as a confocal microscope into an image processing apparatus. An image of the inner surface of the silica glass block is taken, and the inner surface of the silica glass block is divided into fixed volumes to obtain a reference volume W1, and an occupied volume W2 of bubbles with respect to the reference volume W1 is obtained, and P (%) = (W2 / W1) × 100. The focal length is not particularly limited, but is preferably 0.1 mm to 3 mm deep from the surface,
For example, the depth is 0.3 to 1.0 mm.

シリカ粒子間における間隙率とシリカガラスブロック中における気泡含有率から最適な
シリカ粉であるか否かを評価する。最適なシリカ粉であるか否かを評価する方法は、特に
限定されないが、熔融前のシリカ粒子間の間隙率に対する熔融後のシリカガラスブロック
の気泡含有率(以下、溶融前後の収縮指数という場合がある。)が、好ましくは0.5以
上、より好ましくは0.7以上、更に好ましくは0.8以上の時に優れたシリカ粉である
と評価することができる。数値を規定することによって、高品質なシリカ粉を事前に評価
することが可能であり、これまでこのような方法は、存在していなかった。一方、溶融前
後の収縮指数が0.5未満の場合、無気泡状態の透明層を安定して製造できないことがあ
る。上記評価は、間隙や気泡の面積であってもよい。また、面積以外で間隙や気泡を数値
化した場合であっても面積に換算、又は他の手段を用いて面積を算出した結果が、上述の
範囲内であってもよい。
Whether the silica powder is optimum or not is evaluated from the porosity between the silica particles and the bubble content in the silica glass block. The method for evaluating whether or not the silica powder is optimal is not particularly limited, but the bubble content of the silica glass block after melting relative to the porosity between the silica particles before melting (hereinafter referred to as the shrinkage index before and after melting) However, it can be evaluated as an excellent silica powder when it is preferably 0.5 or more, more preferably 0.7 or more, and still more preferably 0.8 or more. By defining the numerical value, it is possible to evaluate high-quality silica powder in advance, and no such method has existed so far. On the other hand, when the shrinkage index before and after melting is less than 0.5, a bubble-free transparent layer may not be produced stably. The evaluation may be an area of a gap or a bubble. Further, even when the gaps and bubbles are quantified other than in the area, the result of conversion into the area or calculation of the area using other means may be within the above-described range.

4 シリカガラスルツボの製造方法
シリカガラスルツボは、(1)シリカガラスルツボの外形を規定する碗状の内表面を有
するモールドを回転させながら、その内部の底部及び側面上に天然シリカ粉を所定の厚さ
に堆積させ、その後、合成シリカ粉を所定厚さに堆積させることによってシリカ粉層を形
成し、(2)このシリカ粉層をアーク放電によって熔融させた後に冷却することによって
、製造することができる。
4. Manufacturing method of silica glass crucible Silica glass crucible is (1) while rotating a mold having a bowl-shaped inner surface that defines the outer shape of the silica glass crucible, natural silica powder is placed on the bottom and side surfaces of the silica glass crucible. A silica powder layer is formed by depositing to a thickness and then a synthetic silica powder is deposited to a predetermined thickness, and (2) the silica powder layer is melted by arc discharge and then cooled. Can do.

シリカ粉の熔融は、回転モールドの内表面での最高到達温度が2000〜2600℃に
なるように行うことが好ましい。
The melting of the silica powder is preferably performed so that the maximum temperature reached on the inner surface of the rotary mold is 2000 to 2600 ° C.

アーク熔融は、例えば、交流3相(R相、S相、T相)のアーク放電によって実施され
る。従って、交流3相の場合は、3本の炭素電極を使用してアーク放電を発生させること
でシリカ粉層が熔融する。アーク熔融は、上記炭素電極の先端がモールド開口部よりも上
方に位置する地点でアーク放電を開始する。これにより、モールド開口部近傍におけるシ
リカ粉層が優先して熔融される。その後、炭素電極を降下させモールド直胴部、コーナー
部及び底部のシリカ粉層を熔融させる。
The arc melting is performed by, for example, AC three-phase (R phase, S phase, T phase) arc discharge. Therefore, in the case of AC three-phase, the silica powder layer is melted by generating arc discharge using three carbon electrodes. Arc melting starts arc discharge at the point where the tip of the carbon electrode is located above the mold opening. Thereby, the silica powder layer in the mold opening vicinity is preferentially melted. Thereafter, the carbon electrode is lowered to melt the silica powder layer in the mold body part, the corner part, and the bottom part.

シリカガラスルツボにおける気泡含有率P(%)は、共焦点顕微鏡などの光学検出手段に
よる測定結果を画像処理装置に取り込んで算出される。ルツボ内表面の画像を撮像し、ル
ツボ内表面を一定体積ごとに区分して基準体積W1とし、この基準体積W1に対する気泡
の占有体積W2を求め、P(%)=(W2/W1)×100により算出される。
The bubble content P (%) in the silica glass crucible is calculated by taking the measurement result by an optical detection means such as a confocal microscope into an image processing apparatus. An image of the inner surface of the crucible is taken, and the inner surface of the crucible is divided into fixed volumes to obtain a reference volume W1, and an occupied volume W2 of bubbles with respect to the reference volume W1 is obtained, and P (%) = (W2 / W1) × 100 Is calculated by

1 間隙の測定
(実施例1)
耐熱性容器に実施例1の合成シリカ粉を縦30mm×横40mm×高さ20mmの直方
体のカーボン製容器に供給し、共焦点顕微鏡で間隙率を測定した。焦点距離は、表面から
0.3mmの位置とした。間隙率は、3箇所の測定位置(焦点距離は同じ)における間隙
面積の相加平均値に基づいて算出した。この時の間隙率は、7.2%であった。間隙率を
測定の後、合成シリカ粉入りの耐熱性容器を炉内に設置した。
1 Measurement of gap (Example 1)
The synthetic silica powder of Example 1 was supplied to a rectangular parallelepiped carbon container 30 mm long × 40 mm wide × 20 mm high in a heat resistant container, and the porosity was measured with a confocal microscope. The focal length was 0.3 mm from the surface. The porosity was calculated based on an arithmetic average value of the gap area at three measurement positions (focal length is the same). The porosity at this time was 7.2%. After measuring the porosity, a heat-resistant container containing synthetic silica powder was placed in the furnace.

カーボンヒーターを用いて炉内の温度を上昇させ、炉内温度を約2200℃にし、耐熱
容器内における実施例1の合成シリカ粉を熔融させた。2200℃で40時間熔融後、炉
を開けることなく室温になるまで放置した。室温になった時点で、シリカガラスブロック
を取り出し、溶融前と同じ方法により気泡含有率を測定すると4.2%であった。
The temperature in the furnace was raised using a carbon heater, the furnace temperature was about 2200 ° C., and the synthetic silica powder of Example 1 in the heat-resistant container was melted. After melting at 2200 ° C. for 40 hours, it was left to reach room temperature without opening the furnace. When the temperature reached room temperature, the silica glass block was taken out and the bubble content was measured by the same method as before melting and found to be 4.2%.

従って、実施例1のシリカ粉は、溶融前後の収縮指数((シリカガラスブロックの気泡
含有率)/(シリカ粒子の間隙率))が0.58であることが明らかとなった。
Accordingly, it was revealed that the silica powder of Example 1 had a shrinkage index ((bubble content of silica glass block) / (porosity of silica particles)) before and after melting of 0.58.

(実施例6)
耐熱性容器に実施例1とは異なる製造ロットの合成シリカ粉(実施例6)を縦30mm
×横40mm×高さ20mmの直方体のカーボン製容器に供給し、共焦点顕微鏡で間隙率
を測定した。測定方法は、実施例1と同じである。この時の間隙率は、10.2%であっ
た。間隙率の測定後、合成シリカ粉入りの耐熱性容器を炉内に設置した。
(Example 6)
Synthetic silica powder (Example 6) of a production lot different from Example 1 in a heat resistant container is 30 mm long
X Width 40 mm x height 20 mm A rectangular carbon container was supplied, and the porosity was measured with a confocal microscope. The measurement method is the same as in Example 1. The porosity at this time was 10.2%. After measuring the porosity, a heat-resistant container containing synthetic silica powder was placed in the furnace.

カーボンヒーターを用いて炉内の温度を上昇させ、炉内温度を約2200℃に、耐熱容
器内における実施例2の合成シリカ粉を熔融させた。2200℃で40時間熔融後、炉を
開けることなく室温になるまで放置した。室温になった時点で、シリカガラスブロックを
取り出し、溶融前と同じ方法により気泡含有率を測定すると4.0%であった。
The temperature in the furnace was raised using a carbon heater, the furnace temperature was about 2200 ° C., and the synthetic silica powder of Example 2 in a heat-resistant container was melted. After melting at 2200 ° C. for 40 hours, it was left to reach room temperature without opening the furnace. When the temperature reached room temperature, the silica glass block was taken out and the bubble content was measured by the same method as before melting and found to be 4.0%.

従って、実施例6のシリカ粉は、溶融前後の収縮指数((シリカガラスブロックの間隙
率)/(シリカ粒子の気泡含有率))が0.39であることが明らかとなった。
Therefore, it was revealed that the silica powder of Example 6 had a shrinkage index ((porosity of silica glass block) / (bubble content of silica particles)) before and after melting of 0.39.

(実施例2〜5,7〜10)
製品ロットが異なる合成シリカ粉を用いて同様に溶融前後の収縮指数を測定した。表1
は、実施例1〜10に関する、溶融前の間隙率、シリカガラスブロックの気泡含有率及び
溶融前後の収縮指数である。
(Examples 2-5, 7-10)
Similarly, the shrinkage index before and after melting was measured using synthetic silica powders with different product lots. Table 1
These are the porosity before melting | fusing, the bubble content rate of a silica glass block, and the shrinkage | contraction index before and behind melting regarding Examples 1-10.


2 シリカガラスルツボの製造
実施例1〜10の合成シリカ粉を用いて、回転モールド法により、シリカガラスルツボ
を製造した。モールド口径は、32インチ(81.3cm)、モールド内表面に堆積した
シリカ粉層の平均厚さは15mm、3相交流電流3本電極によりアーク放電を行った。ア
ーク熔融工程の通電時間は90分、出力2500kVA、通電開始から10分間はシリカ
粉層の真空引きを行った。
2 Production of silica glass crucible Silica glass crucibles were produced by the rotational molding method using the synthetic silica powders of Examples 1 to 10. The diameter of the mold was 32 inches (81.3 cm), the average thickness of the silica powder layer deposited on the inner surface of the mold was 15 mm, and arc discharge was performed with three electrodes of three-phase alternating current. In the arc melting process, the energization time was 90 minutes, the output was 2500 kVA, and the silica powder layer was evacuated for 10 minutes from the start of energization.

それぞれの合成シリカ粉を用いてシリカガラスルツボを3つ作成し、図4の通り肉厚方
向にルツボをスライスして厚さが2mmとなるように研磨して透明層25の気泡を確認し
た。気泡の測定は、共焦点顕微鏡を用いて測定した。結果を表2に示す。
Three silica glass crucibles were prepared using each synthetic silica powder, and the crucible was sliced in the thickness direction as shown in FIG. 4 and polished to a thickness of 2 mm to confirm the bubbles in the transparent layer 25. Bubbles were measured using a confocal microscope. The results are shown in Table 2.

実施例1〜5の合成シリカ粉を用いたシリカガラスルツボは、いずれも無気泡状態の透
明層であることが確認され、無気泡な層を有するシリカガラスルツボを安定して製造する
ことができた。一方、実施例6〜10の合成シリカ粉を用いたシリカガラスルツボは、5
つ全てのシリカガラスルツボに気泡含有率が0.1%超の箇所が存在していることが確認
され、無気泡な層を有するシリカガラスルツボを安定して製造することができなかった。
The silica glass crucibles using the synthetic silica powders of Examples 1 to 5 are all confirmed to be a bubble-free transparent layer, and can stably produce a silica glass crucible having a bubble-free layer. It was. On the other hand, the silica glass crucible using the synthetic silica powder of Examples 6 to 10 is 5
It was confirmed that all the silica glass crucibles had locations with a bubble content of more than 0.1%, and silica glass crucibles having a bubble-free layer could not be stably produced.

(比較例1)
特許文献2(特開2009−007211)の実施例に記載の方法に基づいて、気泡発
生要因が無いと判断した合成シリカ粉を用いた以外は、上記と同様にしてシリカガラスル
ツボを作成し、気泡を共焦点顕微鏡を用いて測定した。結果を表2に示す。
(Comparative Example 1)
A silica glass crucible was prepared in the same manner as described above except that synthetic silica powder determined to have no bubble generation factor based on the method described in Examples of Patent Document 2 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-007211), Bubbles were measured using a confocal microscope. The results are shown in Table 2.


以上の結果から、本発明にかかる評価方法を用いることで、透明層に気泡が発生しない
シリカ粉を事前に評価(判定)することが可能になることが明らかとなった。
From the above results, it became clear that by using the evaluation method according to the present invention, it is possible to evaluate (determine) silica powder in which bubbles are not generated in the transparent layer in advance.

10 対物レンズ
11 表面
12 耐熱容器
13 捜査方向
21 直銅部
22 コーナー部
23 底部
24 気泡層
25 透明層
26 スライス片
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Objective lens 11 Surface 12 Heat-resistant container 13 Investigation direction 21 Direct copper part 22 Corner part 23 Bottom part 24 Bubble layer 25 Transparent layer 26 Slice piece

Claims (7)

共焦点顕微鏡の光学的検出手段の対物レンズを、耐熱容器中に堆積したシリカ粉の表面に非接触的に配置して走査することで、シリカ粒子間における間隙を測定する工程と、
ある区画の面積をS、前記区画中に堆積する前記シリカ粉の断面積の合計面積をSpとし、間隙率nを、
n=((S―Sp)/S)×100
の式、又は、
ある区画の面積をS、前記区画中に堆積する前記シリカ粉の間隙の合計面積をSnとし、間隙率nを、
n=(Sn /S)×100
の式で求める工程と、
前記シリカ粉を熔融する工程と、
熔融シリカ粉を冷却し硬化させたシリカガラスブロックの気泡含有率を測定する工程と、
前記シリカ粒子の間隙率nに対する前記シリカガラスブロックの気泡含有率が規定の範囲であるか否かを判定する工程と、を有する、
シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボにおける無気泡層の形成に好適なシリカ粉の評価方法。
A step of measuring the gap between the silica particles by scanning the surface of the silica powder deposited in the heat-resistant container in a non-contact manner with the objective lens of the optical detection means of the confocal microscope; and
The area of a certain section is S, the total area of the cross-sectional area of the silica powder deposited in the section is Sp, and the porosity n is
n = ((S−Sp) / S) × 100
Or
The area of a certain section is S, the total area of the gaps of the silica powder deposited in the section is Sn, and the porosity n is
n = (Sn / S) × 100
The process obtained by the formula of
Melting the silica powder;
A step of measuring the bubble content of the silica glass block obtained by cooling and curing the fused silica powder;
Determining whether or not the bubble content of the silica glass block with respect to the porosity n of the silica particles is within a specified range.
A method for evaluating silica powder suitable for forming a bubble-free layer in a silica glass crucible for pulling a silicon single crystal.
前記シリカ粒子の間隙率nは、15%以下、1%以上である、請求項1に記載の評価方法。   The evaluation method according to claim 1, wherein the porosity n of the silica particles is 15% or less and 1% or more. 前記シリカ粒子の間隙率nに対する前記シリカガラスブロックの気泡含有率は、(前記シリカガラスブロックの気泡含有率)/(前記シリカ粒子の間隙率)で求める、請求項1に記載の評価方法。   The evaluation method according to claim 1, wherein the bubble content of the silica glass block with respect to the porosity n of the silica particles is obtained by (bubble content of the silica glass block) / (porosity of the silica particles). 前記規定の範囲は、0.5以上である、請求項1に記載の評価方法。   The evaluation method according to claim 1, wherein the prescribed range is 0.5 or more. 前記規定の範囲は、0.7以上である、請求項1に記載の評価方法。   The evaluation method according to claim 1, wherein the specified range is 0.7 or more. 前記規定の範囲は、0.8以上である、請求項1に記載の評価方法。   The evaluation method according to claim 1, wherein the prescribed range is 0.8 or more.
請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載されたシリカ粉の評価方法を用いてシリカ粉の無気泡層の形成に好適なシリカ粉を選び、前記好適なシリカ粉を用いてアーク溶融法によりシリカガラスルツボを製造することを特徴とするシリカガラスルツボの製造方法。

A silica powder suitable for forming a bubble-free layer of silica powder is selected using the method for evaluating silica powder according to any one of claims 1 to 6, and arc melting is performed using the suitable silica powder. A method for producing a silica glass crucible, characterized by producing a silica glass crucible by a method.
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