JP2017188106A - Detection device, display device, and detection method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、検出装置、表示装置及び検出方法に関する。 The present invention relates to a detection device, a display device, and a detection method.
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能な検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、表示装置として用いられている。このような検出装置において、複数の駆動電極を同時に選択して、選択された複数の駆動電極のそれぞれに対して、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号を供給して外部近接物体の検出を行う符号分割選択駆動が知られている(特許文献1参照)。 In recent years, a so-called touch panel called a detection device capable of detecting an external proximity object has attracted attention. The touch panel is mounted or integrated on a display device such as a liquid crystal display device and used as a display device. In such a detection apparatus, a plurality of drive electrodes are simultaneously selected, and a drive signal whose phase is determined based on a predetermined code is supplied to each of the selected plurality of drive electrodes to thereby provide an external proximity object. A code division selection drive for detecting the above is known (see Patent Document 1).
しかし、相互静電容量方式の場合とは異なり、検出電極の静電容量に基づいて外部近接物体の検出を行う自己静電容量方式の場合には、異なる位相の駆動信号が複数の検出電極に供給されると、検出電極間の容量結合が大きくなるため、検出感度が低下する場合がある。 However, unlike the case of the mutual capacitance method, in the case of the self-capacitance method that detects an external proximity object based on the capacitance of the detection electrodes, drive signals of different phases are applied to the plurality of detection electrodes. When supplied, the capacitive coupling between the detection electrodes increases, and the detection sensitivity may decrease.
本発明は、電極間の容量結合を抑制して、良好な検出感度を得ることが可能な検出装置、表示装置及び検出方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a detection device, a display device, and a detection method capable of suppressing capacitive coupling between electrodes and obtaining good detection sensitivity.
本発明の一態様の検出装置は、外部の物体の接触又は近接により変化する検出信号を検出するための複数の第1電極を含む検出電極群と、出力信号線と、第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力し、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力する選択接続部と、を有する。 According to one embodiment of the present invention, a detection device includes a detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object, an output signal line, and a first selection signal. A first output signal obtained by connecting the first electrode of the first detection target of the detection electrode group and the output signal line and integrating the detection signals from the selected first electrode of the first detection target. In response to a second selection signal that is output to the output signal line and is different from the first selection signal, the first electrode of the second detection target that is not included in the first detection target in the detection electrode group and the output And a selection connection unit that connects the signal line and outputs a second output signal in which the detection signals from the selected first electrodes of the second detection target are integrated to the output signal line.
本発明の一態様の表示装置は、画像を表示させる表示機能層と、外部の物体の接触又は近接により変化する検出信号を検出するための複数の第1電極を含む検出電極群と、出力信号線と、第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力し、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力する選択接続部と、を有する。 A display device according to one embodiment of the present invention includes a display function layer that displays an image, a detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object, and an output signal A detection signal from the first electrode of the first detection target selected by connecting the first electrode of the first detection target of the detection electrode group and the output signal line in accordance with the first selection signal and the line Is output to the output signal line, and a second selection signal different from the first selection signal is not included in the first detection target in the detection electrode group in response to a second selection signal. A selection connecting unit that connects the first electrode to be detected and the output signal line, and outputs a second output signal in which the detection signals from the selected first electrode to be detected are integrated to the output signal line. And having.
本発明の一態様の検出方法は、外部の物体の接触又は近接により変化する検出信号を検出するための複数の第1電極を含む検出電極群と、出力信号線と、前記第1電極と前記出力信号線との接続と遮断とを切り換える選択接続部とを有する検出装置の検出方法であって、前記選択接続部が、第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力するステップと、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力するステップとを含む。 The detection method of one embodiment of the present invention includes a detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object, an output signal line, the first electrode, A detection method of a detection device having a selection connection section for switching between connection and disconnection with an output signal line, wherein the selection connection section is a first detection target in the detection electrode group according to a first selection signal. Connecting the first electrode of the first and the output signal line, and outputting to the output signal line a first output signal in which the detection signals from the selected first electrodes of the first detection target are integrated; In response to a second selection signal different from the one selection signal, the first electrode of the second detection target not included in the first detection target in the detection electrode group and the output signal line are connected and selected. Integrated detection signal from the first electrode of the second detection target An output signal and outputting the output signal line.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the constituent elements described below can be appropriately combined. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate modifications while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. In addition, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part in comparison with actual aspects for the sake of clarity of explanation, but are merely examples, and the interpretation of the present invention is not limited. It is not limited. In addition, in the present specification and each drawing, elements similar to those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description may be omitted as appropriate.
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。図1に示すように、表示装置1は、検出機能付き表示部10と、制御部11と、表示用ゲートドライバ12Aと、検出用ゲートドライバ12Bと、ソースドライバ13と、第1電極ドライバ14と、信号処理部40とを備えている。表示装置1は、検出機能付き表示部10が検出機能を内蔵した表示装置である。検出機能付き表示部10は、表示素子として液晶表示素子を用いている表示パネル20と、タッチ入力を検出する検出装置である検出部30とを一体化した装置である。表示パネル20と検出部30とが一体化した装置とは、例えば、表示パネル20又は検出部30に使用される基板や電極の一部を兼用することを示す。なお、検出機能付き表示部10は、表示パネル20の上に検出部30を装着した、いわゆるオンセルタイプの装置であってもよい。表示パネル20は、例えば、有機EL表示パネルであってもよい。
(First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of the display device according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the
表示パネル20は、後述するように、表示用ゲートドライバ12Aから供給される表示用の表示走査信号Vscanに従って、1水平ラインずつ順次走査して表示を行う表示装置である。
As will be described later, the
制御部11は、外部より供給された映像信号に基づいて、表示用ゲートドライバ12A、検出用ゲートドライバ12B、ソースドライバ13、第1電極ドライバ14及び信号処理部40に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して、又は同期しないで動作するように制御する回路である。
The
表示用ゲートドライバ12Aは、制御部11から供給される制御信号に基づいて、検出機能付き表示部10の表示駆動の対象となる1水平ラインを順次選択する機能を有している。検出用ゲートドライバ12Bは、制御部11から供給される制御信号に基づいて、検出用の検出走査信号Vscansを出力し、検出部30の後述する複数の第1電極25のうち、検出対象となる第1電極25を選択する機能を有している。
The display gate driver 12 </ b> A has a function of sequentially selecting one horizontal line as a display drive target of the
ソースドライバ13は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、検出機能付き表示部10の、後述する各副画素SPixに画素信号Vpixを供給する回路である。制御部11は、画素信号Vpixを生成し、この画素信号Vpixをソースドライバ13に供給してもよい。
The
第1電極ドライバ14は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、検出機能付き表示部10の第1電極25に検出用の検出駆動信号Vs又は表示用の表示駆動信号Vcomを供給する回路である。
The
検出部30は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、自己静電容量方式によりタッチ検出動作を行い、外部の導体の接触又は近接を検出する。検出部30は、外部の導体の接触又は近接を検出した場合、選択された第1電極からの検出信号の統合値である出力信号Shを出力する。
The
図2は、信号処理部の一構成例を示すブロック図である。信号処理部40は、制御部11から供給される制御信号と、検出部30から供給される出力信号Shに基づいて、検出部30に対するタッチの有無を検出する回路である。また、信号処理部40は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。この信号処理部40は、検出信号増幅部42と、A/D変換部43と、信号演算部44と、座標抽出部45と、記憶部47とを備える。検出タイミング制御部46は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、A/D変換部43と、信号演算部44と、座標抽出部45とが同期して動作するように制御する。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of the signal processing unit. The
上述のとおり、検出部30は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作する。ここで、図3及び図4を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図3は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図4は、自己静電容量方式のタッチ検出の検出駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図3は、検出回路を併せて示している。
As described above, the
指が接触又は近接していない状態において、検出電極E1に所定の周波数(例えば数kHz〜数百kHz程度)の交流矩形波Sgが印加される。検出電極E1は、静電容量C1を有しており、静電容量C1に応じた電流が流れる。電圧検出器DETは、交流矩形波Sgに応じた電流の変動を電圧の変動(実線の波形V4(図4参照))に変換する。電圧検出器DETは、例えば図2に示す検出信号増幅部42に含まれる積分回路である。
In a state where the finger is not in contact with or in close proximity, an AC rectangular wave Sg having a predetermined frequency (for example, about several kHz to several hundred kHz) is applied to the detection electrode E1. The detection electrode E1 has a capacitance C1, and a current corresponding to the capacitance C1 flows. The voltage detector DET converts a current fluctuation according to the AC rectangular wave Sg into a voltage fluctuation (solid line waveform V 4 (see FIG. 4)). The voltage detector DET is an integration circuit included in the detection
次に、図3に示すように、指が接触又は近接した状態において、指と検出電極E1との間の静電容量C2が、検出電極E1の静電容量C1に加わる。したがって、検出電極E1に交流矩形波Sgが印加されると、静電容量C1及び静電容量C2に応じた電流が流れる。図4に示すように、電圧検出器DETは、交流矩形波Sgに応じた電流の変動を電圧の変動(点線の波形V5)に変換する。そして、得られた波形V4及び波形V5の電圧値をそれぞれ積分し、これらの値を比較することで、検出電極E1への、指の接触又は近接の有無を判別することができる。なお、信号処理部40は、当該内容に限らず、電圧値を積分せずに比較するようにしてもよい。また、図4では、波形V2と波形V3について、所定の基準電圧VTHに低下するまでの期間を求めて、これらの期間を比較する等の方法であってもよい。
Next, as shown in FIG. 3, in a state where the finger is in contact with or close to the capacitance, the capacitance C2 between the finger and the detection electrode E1 is added to the capacitance C1 of the detection electrode E1. Therefore, when the AC rectangular wave Sg is applied to the detection electrode E1, a current corresponding to the capacitance C1 and the capacitance C2 flows. As shown in FIG. 4, the voltage detector DET converts a current fluctuation according to the AC rectangular wave Sg into a voltage fluctuation (dotted line waveform V 5 ). Then, by integrating the obtained voltage values of the waveform V 4 and the waveform V 5 and comparing these values, it is possible to determine the presence or absence of finger contact or proximity to the detection electrode E1. The
具体的には、図3に示すように、検出電極E1はスイッチSW1及びスイッチSW2で切り離すことが可能な構成となっている。図4において、時刻T01のタイミングで交流矩形波Sgは電圧V0に相当する電圧レベルを上昇させる。このときスイッチSW1はオンしておりスイッチSW2はオフしている。このため検出電極E1も電圧V0の電圧上昇となる。次に時刻T11のタイミングの前にスイッチSW1をオフとする。このとき検出電極E1はフローティング状態であるが、検出電極E1の静電容量C1、あるいは検出電極E1の静電容量C1に指等の接触又は近接による静電容量C2を加えた静電容量(C1+C2、図3参照)によって、検出電極E1の電位はV0が維持される。更に、時刻T11のタイミングの前にスイッチSW3をオンさせ所定の時間経過後にオフさせ電圧検出器DETをリセットさせる。このリセット動作により出力電圧はVrefと略等しい電圧となる。 Specifically, as shown in FIG. 3, the detection electrode E1 can be separated by a switch SW1 and a switch SW2. In FIG. 4, the AC rectangular wave Sg increases the voltage level corresponding to the voltage V 0 at the timing of time T 01 . At this time, the switch SW1 is on and the switch SW2 is off. Therefore detection electrodes E1 also becomes the voltage rise of the voltage V 0. Then to turn off the switch SW1 in front of the timing of time T 11. At this time, although the detection electrode E1 is in a floating state, the capacitance (C1 + C2) obtained by adding the capacitance C1 of the detection electrode E1 or the capacitance C2 of the detection electrode E1 due to contact or proximity of a finger or the like , by reference to FIG. 3), the potential of the detection electrodes E1 are V 0 is maintained. Moreover, to off after a predetermined time has elapsed to turn on the switch SW3 before the timing of time T 11 to reset the voltage detector DET. By this reset operation, the output voltage becomes substantially equal to Vref.
続いて、時刻T11のタイミングでスイッチSW2をオンさせると、電圧検出器DETの反転入力部が検出電極E1の電圧V0となり、その後、検出電極E1の静電容量C1(またはC1+C2)と電圧検出器DET内の静電容量C3の時定数に従って電圧検出器DETの反転入力部は基準電圧Vrefまで低下する。このとき、検出電極E1の静電容量C1(またはC1+C2)に蓄積されていた電荷が電圧検出器DET内の容量C3に移動するため、電圧検出器DETの出力が上昇する(図4の検出信号Vdet参照)。電圧検出器DETの出力(検出信号Vdet)は、検出電極E1に指等が近接していないときは、実線で示す波形V4となり、Vdet=C1・V0/C3となる。指等の影響による静電容量が付加されたときは、点線で示す波形V5となり、Vdet=(C1+C2)・V0/C3となる。
Subsequently, when turning on the switch SW2 at time T 11, next to the voltage V 0 which inverting input is the detection electrode E1 of the voltage detector DET, then the capacitance C1 (or C1 + C2) and the voltage of the detection electrodes E1 The inverting input of the voltage detector DET is lowered to the reference voltage Vref according to the time constant of the capacitance C3 in the detector DET. At this time, since the electric charge accumulated in the electrostatic capacitance C1 (or C1 + C2) of the detection electrode E1 moves to the capacitance C3 in the voltage detector DET, the output of the voltage detector DET increases (the detection signal in FIG. 4). Vdet). The output of the voltage detector DET (detection signal Vdet), when the finger or the like to the detection electrodes E1 are not in close proximity, next waveform V 4 shown by a solid line, and Vdet = C1 · V 0 / C3 . When the electrostatic capacitance due to the influence of such a finger is added, becomes a waveform V 5 shown by a dotted line, and Vdet = (C1 + C2) ·
その後、検出電極E1の静電容量C1(またはC1+C2)の電荷が容量C3に十分移動した後の時刻T31のタイミングでスイッチSW2をオフさせ、スイッチSW1及びスイッチSW3をオンさせることにより、検出電極E1の電位を交流矩形波Sgと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器DETをリセットさせる。なお、このとき、スイッチSW1をオンさせるタイミングは、スイッチSW2をオフさせた後、時刻T02以前であればいずれのタイミングでもよい。また、電圧検出器DETをリセットさせるタイミングは、スイッチSW2をオフさせた後、時刻T12以前であればいずれのタイミングとしてもよい。 Then, turn off the switch SW2 at time T 31 after the charge is sufficiently moved to the capacitor C3 of the capacitance C1 of the detection electrodes E1 (or C1 + C2), by turning on the switch SW1 and the switch SW3, the detection electrode The potential of E1 is set to a low level that is the same potential as the AC rectangular wave Sg, and the voltage detector DET is reset. At this time, the timing to turn on the switch SW1 may be any timing before the time T02 after the switch SW2 is turned off. The timing for resetting the voltage detector DET is, after turning off the switch SW2, may be any timing as long as the time T 12 before.
以上の動作を所定の周波数(例えば数kHz〜数百kHz程度)で繰り返す。波形V4と波形V5との差分の絶対値|ΔV|に基づいて、外部近接物体の有無(タッチの有無)を測定することができる。なお、検出電極E1の電位は、図4に示すように、指等が近接していないときはV2の波形となり、指等の影響による静電容量C2が付加されるときはV3の波形となる。波形V2と波形V3とが、それぞれ所定の基準電圧VTHまで下がる時間を測定することにより外部近接物体の有無(タッチの有無)を測定することも可能である。 The above operation is repeated at a predetermined frequency (for example, about several kHz to several hundred kHz). Based on the absolute value | ΔV | of the difference between the waveform V 4 and the waveform V 5 , the presence or absence of an external proximity object (the presence or absence of a touch) can be measured. The potential of the detecting electrode E1, as shown in FIG. 4, when the finger or the like is not close has a waveform of V 2, the waveform of V 3 when the electrostatic capacitance C2 due to the influence of a finger or the like is added It becomes. It is also possible to measure the presence / absence of an external proximity object (the presence / absence of touch) by measuring the time during which the waveform V 2 and the waveform V 3 fall to a predetermined reference voltage V TH .
図2に示す検出信号増幅部42は、検出部30から供給される出力信号Shを増幅する。なお、検出信号増幅部42は、出力信号Shに含まれる高い周波数成分(ノイズ成分)を除去して出力する低域通過アナログフィルタであるアナログLPF(Low Pass Filter)を備えていてもよい。
The detection
A/D変換部43は、検出駆動信号Vsに同期したタイミングで、検出信号増幅部42から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。
The A /
信号演算部44は、A/D変換部43から出力された出力信号に含まれる、検出駆動信号Vsをサンプリングした周波数以外の周波数成分(ノイズ成分)を低減するデジタルフィルタを備えている。信号演算部44は、A/D変換部43から出力された出力信号に基づいて、検出部30に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号演算部44は、出力信号Shに含まれる、指による検出信号Vdetの差分を取り出す処理を行う。この指による差分の信号は、上述した波形V4と波形V5との差分の絶対値|ΔV|である。信号演算部44は、検出した指による差分の信号を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧未満であれば、外部近接物体が非接触状態であると判断する。一方、信号演算部44は、検出した指による差分の信号を所定のしきい値電圧と比較し、しきい値電圧以上であれば、外部近接物体の接触状態と判断する。このようにして、信号処理部40はタッチ検出が可能となる。また、信号演算部44は、後述するように、検出対象となる複数の第1電極25からの出力信号Shを受け取って、所定の符号に基づいて演算処置を行う。信号演算部44によって演算された第3出力信号が記憶部47に一時的に保存される。記憶部47は、例えばRAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、レジスタ回路等であってもよい。
The
座標抽出部45は、信号演算部44においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部45は、記憶部47に保存された第3出力信号を受け取って、所定の符号に基づいて復号化処理を行う。言い換えると、座標抽出部45は、出力信号Shに基づいて、検出信号Vdetを算出する。座標抽出部45は、復号化された情報に基づいてタッチパネル座標を算出し、得られたタッチパネル座標を検出信号出力Voutとして出力する。なお、座標抽出部45は、タッチパネル座標を算出せずに検出信号出力Voutとして検出信号Vdetを出力してもよい。以上のように、本実施形態の表示装置1は、自己静電容量方式によるタッチ検出の基本原理に基づいて、指などの導体が接触又は近接する位置のタッチパネル座標を検出することができる。
The coordinate
図5は、表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。図5に示すように、表示装置1は、後述する画素基板2(第1基板21)と、プリント基板71とを備えている。なお、プリント基板71は、例えば、フレキシブルプリント基板である。画素基板2(第1基板21)は、第1半導体集積回路(第1IC)19、例えば、COG(Chip On Glass)を搭載し、上述した表示パネル20の表示領域Adと、表示領域Adの外側の領域である額縁領域Gdとが形成されている。第1半導体集積回路(第1IC)19は、第1基板21に実装されたICドライバのチップであり、図1に示した制御部11として機能する表示動作に必要な各回路を内蔵した制御装置である。本実施形態では、上述した表示用ゲートドライバ12A、検出用ゲートドライバ12B、ソースドライバ13及び第1電極ドライバ14は、第1基板21上に形成されている。ソースドライバ13は、第1半導体集積回路(第1IC)19に内蔵されていてもよい。また、表示装置1は、第1半導体集積回路(第1IC)19に第1電極ドライバ14、表示用ゲートドライバ12A、検出用ゲートドライバ12Bなどの回路を内蔵してもよい。なお、COGはあくまで実装の一形態であってこれに限られるものでない。例えば、第1半導体集積回路(第1IC)19と同様の機能を有する構成をCOF(Chip on film又はChip on flexible)で設けてもよい。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a module in which a display device is mounted. As shown in FIG. 5, the
図5に示すように、第1基板21の表示領域Adと重畳する位置において、複数の第1電極25が行列状に設けられている。第1電極25は、矩形状であり、表示領域Adの長辺及び短辺に沿った方向にそれぞれ複数配列されている。各第1電極25には、第1電極ドライバ14から検出駆動信号Vsが供給される。また、各第1電極25は、プリント基板71を介して、プリント基板71に実装された第2半導体集積回路(第2IC)49と接続されている。第2半導体集積回路(第2IC)49は、図1に示した信号処理部40として機能する。各第1電極25の検出信号Vdetが統合された出力信号Shは、プリント基板71を介して第2半導体集積回路(第2IC)49に出力される。また、第1電極25はそれぞれ第2半導体集積回路(第2IC)49に接続されるが、これに限定されない。例えば、第1半導体集積回路(第1IC)19が信号処理部40の機能を内蔵し、各第1電極25がそれぞれ第1半導体集積回路(第1IC)19に接続されていてもよい。
As shown in FIG. 5, a plurality of
プリント基板71は、フレキシブルプリント基板に限られず、リジット基板、又は、リジットフレキシブル基板であってもよい。また、第2半導体集積回路(第2IC)49は、プリント基板71上に実装されていなくてもよく、プリント基板71を介して接続されるモジュール外部の制御基板上、若しくは、第1基板21上に備えられていてもよい。本実施形態では、第2半導体集積回路(第2IC)49はプリント基板71に実装されたタッチドライバICであるが、信号処理部40の一部の機能は、第1半導体集積回路(第1IC)19、又は、他のMPUの機能として設けられてもよい。具体的には、タッチドライバICの機能として設けられ得るA/D変換、ノイズ除去等の各種機能のうち一部の機能(例えば、ノイズ除去等)は、タッチドライバICと別個に設けられた第1半導体集積回路(第1IC)19、又は、MPU等の回路で実施されてもよい。図2に示す信号演算部44、座標抽出部45、記憶部47は、第1半導体集積回路(第1IC)19、又は、外部のMPU等に含まれていてもよい。また、第1半導体集積回路(第1IC)19と第2半導体集積回路(第2IC)49とを1つのIC(1チップ構成)にする場合等、例えば、第1基板21上の配線、又は、プリント基板71等の配線を介して、検出信号を第1基板21上の第1半導体集積回路(第1IC)19に伝送するようにしてもよい。
The printed
ソースドライバ13は、第1基板21上の表示領域Adの近傍に形成されている。表示領域Adには、後述する副画素SPixがマトリックス状(行列状)に多数配置されている。額縁領域Gdは、第1基板21の表面を垂直な方向からみて副画素SPixが配置されていない領域である。
The
表示用ゲートドライバ12A、検出用ゲートドライバ12B及び第1電極ドライバ14は、第1基板21上の額縁領域GdにTFT素子を用いて形成されている。本実施形態では、表示用ゲートドライバ12A、検出用ゲートドライバ12Bの2つの回路が設けられているが、これに限られるものでなく、例えば、額縁領域Gdの一辺に設けられた1つの回路であってもよい。第1電極ドライバ14は、プリント基板71が設けられた額縁領域Gdの一辺に設けられているが、これに限られず、表示用ゲートドライバ12A又は検出用ゲートドライバ12Bの近傍に設けられていてもよい。また、第1電極ドライバ14は、1つの回路が設けられているが、2つの回路で構成されていてもよい。
The
次に検出機能付き表示部10の構成例を詳細に説明する。図6は、検出機能付き表示部の概略断面構造を表す断面図である。図6に示すように、検出機能付き表示部10は、画素基板2と、この画素基板2の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板3と、画素基板2と対向基板3との間に挿設された表示機能層(例えば、液晶層6)とを備えている。言い換えると、第1基板21と第2基板31の間に表示機能層が設けられている。表示機能層は画素基板2として構成されていてもよい。表示機能層は、例えば、第1電極25と第2電極22の間に配置されていてもよい。
Next, a configuration example of the
画素基板2は、回路基板としての第1基板21と、この第1基板21の上方にマトリックス状に配設された複数の第2電極(画素電極)22と、第1基板21と第2電極22との間に形成された複数の第1電極(検出電極)25と、第1電極25と第2電極22とを絶縁する絶縁層24と、を含む。第1基板21には、TFT(Thin Film Transistor)が配置される。第1基板21の下側には、接着層を介して偏光板(図示しない)を設けてもよい。第1電極25及び第2電極22は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)等の透光性を有する導電性材料が用いられる。
The
なお、本実施例において、第1基板21に対して、第1電極25、絶縁層24、第2電極22の順で積層されているが、これに限られない。第1基板21に対して第2電極22、絶縁層24、第1電極25の順で積層されてもよいし、第1電極25と第2電極22とは絶縁層24を介して、同層に形成されてもよい。さらに、第1電極25と第2電極22の少なくとも一方は、第2基板31上に配置されてもよい。
In the present embodiment, the
対向基板3は、第2基板31と、この第2基板31の一方の面に形成されたカラーフィルタ32とを含む。さらに、第2基板31の上には、接着層を介して偏光板35が設けられている。なお、カラーフィルタ32は第1基板21上に配置されてもよい。本実施形態において、第1基板21及び第2基板31は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。
The
第1基板21と第2基板31との間に液晶層6が設けられる。液晶層6は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、FFS(フリンジフィールドスイッチング)を含むIPS(インプレーンスイッチング)等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図6に示す液晶層6と画素基板2との間、及び液晶層6と対向基板3との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
The
第1基板21の下方には、図示しない照明部が設けられる。照明部は、例えばLED等の光源を有しており、光源からの光を第1基板21に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板2を通過して、その位置の液晶の状態により光が遮られて射出しない部分と射出する部分とが切り換えられることで、表示面に画像が表示される。なお、第2電極22として、第2基板31側から入射する光を反射する反射電極が設けられ、対向基板3側に透光性の第1電極25が設けられた反射型液晶表示装置の場合、第1基板21の下方に照明部は設けなくてもよい。反射型液晶表示装置は、第2基板31の上方にフロントライトを設けていてもよい。この場合、第2基板31側から入射する光は、反射電極(第2電極22)で反射されて、第2基板31を通過して観察者の目に到達する。また、表示パネル20(図1参照)として有機EL表示パネルを用いた場合には、副画素SPix毎に自発光体を有しており、自発光体の点灯量を制御することにより画像が表示されるため、照明部は設ける必要がない。また、表示パネル20として有機EL表示パネルを用いた場合には、表示機能層は画素基板2に含まれていてもよい。例えば、表示機能層である発光層が第1電極と第2電極の間に配置されてもよい。
An illumination unit (not shown) is provided below the
図7は、第1の実施形態に係る検出機能付き表示部の画素配列を表す回路図である。図6に示す第1基板21には、図7に示す各副画素SPixのスイッチング素子Tr、各第2電極22に画素信号Vpixを供給するデータ線SGL、各スイッチング素子Trを駆動するゲート線GCL等の配線が形成されている。データ線SGL及びゲート線GCLは、第1基板21の表面と平行な平面に延在する。
FIG. 7 is a circuit diagram illustrating a pixel arrangement of the display unit with a detection function according to the first embodiment. The
図7に示す表示パネル20は、マトリックス状に配列された複数の副画素SPixを有している。副画素SPixは、それぞれスイッチング素子Tr及び液晶素子LCを備えている。スイッチング素子Trは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成されている。スイッチング素子Trのソース又はドレインの一方はデータ線SGLに接続され、ゲートはゲート線GCLに接続され、ソース又はドレインの他方は液晶素子LCの一端に接続されている。なお、第2電極22(図7では省略して示す)はスイッチング素子Trのソース又はドレインの他方に接続されており、液晶素子LCは、第2電極22を介してスイッチング素子Trと接続される。液晶素子LCは、一端がスイッチング素子Trのソース又はドレインの他方に接続され、他端が選択電極ブロック25Aに接続されている。選択電極ブロック25Aは、副画素SPixの1水平ラインに対応する複数の第1電極25を含む。そして、第1電極25と第2電極22に与えられる電荷に応じて副画素SPixは駆動される。
The
副画素SPixは、ゲート線GCLにより、表示パネル20の同じ行に属する他の副画素SPixと互いに接続されている。ゲート線GCLは、表示用ゲートドライバ12A(図1参照)と接続され、表示用ゲートドライバ12Aより表示走査信号Vscanが供給される。また、副画素SPixは、データ線SGLにより、表示パネル20の同じ列に属する他の副画素SPixと互いに接続されている。データ線SGLは、ソースドライバ13(図1参照)と接続され、ソースドライバ13より画素信号Vpixが供給される。第1電極25(共通電極)は、第1電極ドライバ14(図1参照)と接続され、第1電極ドライバ14より表示駆動信号Vcomが供給される。表示駆動信号Vcomは、複数の副画素SPixに共通電位を与えるための直流の電圧信号である。この例では、同じ一行に属する複数の副画素SPixが1つの選択電極ブロック25Aを共有するようになっている。
The subpixel SPix is connected to other subpixels SPix belonging to the same row of the
なお、本実施例において、選択電極ブロック25Aの延在方向は、ゲート線GCLの延在方向と平行である場合について説明したが、これに限られない。選択電極ブロック25Aの延在方向は、データ線SGLの延在方向と平行であってもよい。その場合、同じ一列に属する複数の副画素SPixが1つの選択電極ブロック25Aを共有するようになり、第1電極ドライバ14は、表示パネル20上のデータ線SGLの延在方向のいずれかの端部に配置されることとなる。
In the present embodiment, the extending direction of the
図1に示す表示用ゲートドライバ12Aは、ゲート線GCLを順次走査するように駆動する。表示走査信号Vscanが、ゲート線GCLを介して、副画素SPixのスイッチング素子Trのゲートに印加され、副画素SPixのうちの1水平ラインが表示駆動の対象として順次選択される。また、表示装置1は、1水平ラインに属する副画素SPixに対して、ソースドライバ13が画素信号Vpixを供給することにより、1水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、第1電極ドライバ14は、少なくともその1水平ラインに対応する選択電極ブロック25Aに対して表示駆動信号Vcomを印加する。なお、第1電極ドライバ14は、表示走査信号Vscanが印加されている1水平ラインに対応する選択電極ブロック25Aの第1電極25(共通電極)を含む複数又は表示領域Ad全体のすべての第1電極25に対して表示駆動信号Vcomを印加してもよい。
The
図6に示すカラーフィルタ32は、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に着色されたカラーフィルタの色領域32R、32G、32Bが周期的に配列されている。上述した図7に示す各副画素SPixに、R、G、Bの3色の色領域32R、32G、32Bが1組として対応付けられ、色領域32R、32G、32Bを1組として画素Pixが構成される。図6に示すように、カラーフィルタ32は、第1基板21と垂直な方向において、液晶層6と対向する。なお、カラーフィルタ32は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ32は、3色の組み合わせに限定されず、4色以上の組み合わせであってもよい。さらに、検出機能付き表示部10は、カラーフィルタ32を有さず、白黒表示であってもよい。
In the
図6及び図7に示す第1電極25は、表示パネル20の複数の副画素SPixに共通電位を与える共通電極として機能するとともに、検出部30のタッチ検出を行う際の検出電極としても機能する。図8は、第1の実施形態に係る検出部の第1電極の配列を表す回路図である。
The
図8に示す検出部30は、第1基板21(図6参照)に行列状に設けられた第1電極25を有している。第1電極25(検出電極)は、上述した1つの副画素SPixに対応して1つ設けられていてもよく、複数の副画素SPixに対応して1つの第1電極25が設けられていてもよい。第1電極25はそれぞれ検出用スイッチング素子Trsを備えている。検出用スイッチング素子Trsは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成されている。検出用ゲート線GCLsは行方向に延在し、列方向に複数配列されている。検出用データ線SGLsは列方向に延在し、行方向に複数配列されている。第1電極25は、検出用ゲート線GCLsと検出用データ線SGLsとで囲まれた領域に設けられている。検出用スイッチング素子Trsは、検出用ゲート線GCLsと検出用データ線SGLsとの交差部の近傍に設けられており、第1電極25のそれぞれに対応して複数設けられている。
The
検出用スイッチング素子Trsは、第1基板21の上において、図7に示すスイッチング素子Trと同層に設けられていてもよく、異なる層に設けられていてもよい。検出用ゲート線GCLsは、図7に示すゲート線GCLと平行方向に延在し、検出用データ線SGLsは、図7に示すデータ線SGLと平行方向に延在する。検出用ゲート線GCLsは、ゲート線GCLと同層に設けられていてもよく、異なる層に設けられていてもよい。検出用データ線SGLsは、ゲート線GCLと同層に設けられていてもよく、異なる層に設けられていてもよい。
The switching element for detection Trs may be provided on the
検出用スイッチング素子Trsのソースは検出用データ線SGLsに接続され、ゲートは検出用ゲート線GCLsに接続され、ドレインは第1電極25に接続されている。ここで、共通の検出用ゲート線GCLsに接続された複数の第1電極25を含む電極ブロックを選択電極ブロック25Aとし、共通の検出用データ線SGLsに接続された複数の第1電極25を含む電極ブロックを検出電極ブロック25Bとする。また、図8に示すように、m列目に配列された検出用データ線SGLsと検出電極ブロック25Bとを、それぞれ検出用データ線SGLs(m)、検出電極ブロック25B(m)と示し、n行目に配列された検出用ゲート線GCLsと選択電極ブロック25Aとを、それぞれ検出用ゲート線GCLs(n)と選択電極ブロック25A(n)と示している。
The detection switching element Trs has a source connected to the detection data line SGLs, a gate connected to the detection gate line GCLs, and a drain connected to the
図1に示す検出用ゲートドライバ12Bは、検出用ゲート線GCLsのうち1又は2以上の検出用ゲート線GCLsを選択するように駆動する選択駆動部である。検出走査信号Vscansが、選択された検出用ゲート線GCLsを介して、検出用スイッチング素子Trsのゲートに印加され、1又は2以上の選択電極ブロック25Aが検出対象として選択される。また、第1電極ドライバ14(図1参照)は、検出用データ線SGLsを介して、選択電極ブロック25Aに属する第1電極25に対して検出駆動信号Vsを供給する。そして、検出電極ブロック25Bに属する第1電極25は、検出用データ線SGLsを介して、各第1電極25の静電容量変化に応じた検出信号Vdetを信号処理部40に出力する。本実施形態の第1電極25は、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における検出電極E1に対応し、検出部30は、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理に従って接触又は近接する指を検出することができる。
The
図9は、検出動作の一例を表す模式図である。第1電極ブロックBKNは、例えば4つの選択電極ブロック25Aを含んでおり、複数の第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pが列方向に配列されている。検出用ゲートドライバ12Bは、複数の第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pを順次選択し、選択された複数の第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pの選択電極ブロック25Aは、検出駆動信号Vsが供給される。選択されていない第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pは、電圧信号が供給されず、電位が固定されていない、いわゆるフローティング状態となっている。一部の非選択電極ブロックに関しては、選択された第1電極ブロックと非選択の第1電極ブロックとの間の付加容量を低減するために検出駆動信号Vsと同電位の電圧信号が供給されてもよい。
FIG. 9 is a schematic diagram illustrating an example of the detection operation. The first electrode block BKN includes, for example, four selection electrode blocks 25A, and a plurality of first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p are arranged in the column direction. The
複数の第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pを順次選択して検出動作を行うことにより、1検出面の全体の検出が実行される。第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pは、それぞれ4つの選択電極ブロック25Aを含んでいるが、4つに限られず、2つ、3つ又は5つ以上であってもよい。また、検出用ゲートドライバ12Bは、選択電極ブロック25Aを1行ごとに順次走査してもよい。第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pは、一部の選択電極ブロック25Aが重複するように配列されていてもよい。また、複数の第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pは列方向に配列されている構成に限られず、行列状に配置されていてもよい。
By sequentially selecting a plurality of first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p and performing a detection operation, the entire detection of one detection surface is executed. Each of the first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p includes four selection electrode blocks 25A, but is not limited to four, and may be two, three, or five or more. Further, the
表示装置1の動作方法の一例として、表示装置1は、上述した表示動作(表示期間)とタッチ検出動作(検出期間)とを時分割に行ってもよい。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよいが、以下、表示パネル20の1フレーム期間(1F)、すなわち、一画面分の映像情報が表示されるのに要する時間の中において、タッチ検出動作と表示動作とをそれぞれ複数回に分割して行う方法について説明する。
As an example of the operation method of the
図10は、表示期間と検出期間の配置の一例を表す模式図である。1フレーム期間(1F)は、2つの表示期間Pd1、Pd2及び2つの検出期間Pt1、Pt2からなっており、これらの各期間は、時間軸上において、表示期間Pd1、検出期間Pt1、表示期間Pd2、検出期間Pt2のように交互に配置されている。 FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an example of the arrangement of the display period and the detection period. One frame period (1F) includes two display periods Pd1 and Pd2 and two detection periods Pt1 and Pt2. These periods are displayed on the time axis as a display period Pd1, a detection period Pt1, and a display period Pd2. The detection periods Pt2 are alternately arranged.
制御部11(図1参照)は、表示用ゲートドライバ12Aとソースドライバ13とを介して、各表示期間Pd1、Pd2に選択される複数行の副画素SPix(図7参照)に画素信号Vpixを供給する。
The control unit 11 (see FIG. 1) sends the pixel signal Vpix to the sub-pixels SPix (see FIG. 7) in a plurality of rows selected in the display periods Pd1 and Pd2 via the
また、制御部11(図1参照)は、第1電極ドライバ14により、各検出期間Pt1、Pt2に選択される第1電極25に、検出駆動信号Vsを供給する。信号処理部40は、第1電極25から供給される検出信号Vdetに基づいて、タッチ入力の有無及び入力位置の座標の演算を行う。
Further, the control unit 11 (see FIG. 1) supplies the detection drive signal Vs to the
本実施形態において、第1電極25は表示パネル20の共通電極を兼用するので、制御部11は、表示期間Pd1、Pd2においては、第1電極ドライバ14を介して選択される選択電極ブロック25Aの各第1電極25に、表示用の共通電極電位である表示駆動信号Vcomを供給する。
In the present embodiment, since the
図10では、1フレーム期間(1F)において1画面分の映像表示を2回に分けて行うことになっているが、1フレーム期間(1F)内の表示期間はさらに多くの回数に分けられていてもよい。検出期間についても、1フレーム期間(1F)中にさらに多くの回数が設けられていてもよい。 In FIG. 10, video display for one screen is performed twice in one frame period (1F), but the display period in one frame period (1F) is further divided into more times. May be. As for the detection period, more times may be provided in one frame period (1F).
検出期間Pt1、Pt2は、それぞれ一検出面の半分ずつのタッチ検出を行ってもよく、それぞれが一画面分のタッチ検出を行ってもよい。1つの検出期間Pt1、Pt2で、上述した第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pのうち1つの第1電極ブロックのタッチ検出を行ってもよい。また、必要に応じて間引き検出等を行ってもよい。また、1フレーム期間(1F)中の表示動作とタッチ検出動作とを複数回に分けずに一回ずつ行ってもよい。 In the detection periods Pt1 and Pt2, half of each detection surface may be touch-detected, or each may perform touch detection for one screen. Touch detection of one first electrode block among the above-described first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p may be performed in one detection period Pt1, Pt2. Further, thinning detection or the like may be performed as necessary. Further, the display operation and the touch detection operation during one frame period (1F) may be performed once without dividing into a plurality of times.
検出期間Pt1、Pt2において、表示用のゲート線GCL及びデータ線SGL(図7参照)は、電圧信号が供給されず電位が固定されていないフローティング状態としてもよい。また、表示用のゲート線GCL及びデータ線SGLは、検出駆動信号Vsと同期した同一の波形の信号が供給されてもよい。これにより、検出対象の第1電極25とゲート線GCLとの間の寄生容量及び第1電極25とデータ線SGLとの間の寄生容量が低減されるので、検出誤差の発生や、検出感度の低下を抑制することができる。
In the detection periods Pt1 and Pt2, the display gate line GCL and the data line SGL (see FIG. 7) may be in a floating state in which a voltage signal is not supplied and a potential is not fixed. The display gate line GCL and the data line SGL may be supplied with signals having the same waveform synchronized with the detection drive signal Vs. Thereby, the parasitic capacitance between the
次に、本実施形態の検出部30の符号分割選択駆動の一例を説明する。図11は、第1の実施形態に係る駆動回路の一構成例を示すブロック図である。図11に示すように、検出用ゲートドライバ12Bは、走査信号生成部15aと、カウンタ15bとを備える。カウンタ15bは制御部11から供給されるクロック信号に基づいて、検出用ゲート線GCLsを選択するタイミングを制御するタイミング制御信号を走査信号生成部15aに供給する。走査信号生成部15aは、検出走査信号Vscansを生成し、カウンタ15bから供給されるタイミング制御信号に基づいて、選択された検出用ゲート線GCLsに検出走査信号Vscansを供給する。走査信号生成部15aは、検出用ゲート線GCLsを順次選択してもよく、複数本同時に選択してもよい。
Next, an example of code division selection driving of the
検出用ゲートドライバ12Bは、例えば上述した検出期間Ptが終了するタイミングでリセット信号Resetが供給され、走査信号生成部15a及びカウンタ15bがリセットされる。
For example, the
図11に示すように、検出部30にはマルチプレクサ14Bが接続されている。マルチプレクサ14Bは、検出用データ線SCLs(図8参照)を介して第1電極25と駆動信号生成部14Aとを接続し、また、第1電極25と信号処理部40とを接続する。選択信号生成部16は、後述する所定の符号に基づいて、検出対象の第1電極25を選択するための選択信号を生成する。カウンタ17は、制御部11から供給されるクロック信号に基づいて、検出対象の第1電極25を選択するタイミングを制御するタイミング制御信号を選択信号生成部16に出力する。選択信号生成部16は、カウンタ17からのタイミング制御信号に基づいて、選択信号をマルチプレクサ14Bに出力する。マルチプレクサ14Bは、選択信号に基づいて、検出用データ線SCLs(図8参照)を介して検出対象となる第1電極25と接続状態となり、検出対象以外の第1電極25との接続を解除する。このようにして、マルチプレクサ14Bにより、検出対象となる第1電極25が選択される。
As shown in FIG. 11, a
駆動信号生成部14Aは、マルチプレクサ14Bを介して、選択された検出用データ線SCLsに検出駆動信号Vsを供給する。検出対象として選択された第1電極25は、検出用データ線SCLsを介して順番に、又は同時に検出駆動信号Vsが供給される。また、第1電極25からの出力信号Shは、マルチプレクサ14Bを介して信号処理部40に出力される。マルチプレクサ14Bを介することで第1電極25と、駆動信号生成部14Aと信号処理部40のそれぞれとの接続を切り換える構成を簡便にすることができる。検出駆動信号Vsの供給と、出力信号Shの出力とは、例えばスイッチ素子SW5、xSW5により切り替え可能になっている。スイッチ素子SW5がオン(開)のとき、スイッチ素子xSW5がオフ(閉)となり、配線L2及び配線L3を介して出力信号Shが信号処理部40に出力される。スイッチ素子SW5がオフ(閉)のとき、スイッチ素子xSW5がオン(開)となり、配線L1及び配線L3を介して検出駆動信号Vsが検出対象の第1電極25に対して供給される。
The
マルチプレクサ14B、スイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、L3、選択信号生成部16、カウンタ17、及び駆動信号生成部14Aは、図1に示す第1電極ドライバ14及び制御部11に含まれていてもよい。例えば、第1電極ドライバ14がマルチプレクサ14B、スイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、L3として機能し、制御部11が選択信号生成部16及びカウンタ17として機能してもよい。マルチプレクサ14B、スイッチ素子SW5、xSW5及び配線L1、L2、L3は、第1基板21上に設けられる。なお、駆動信号生成部14Aとマルチプレクサ14Bとは、第1電極ドライバ14に含まれていてもよく、第1電極ドライバ14とは別に設けられた回路であってもよい。マルチプレクサ14Bは、本発明の「選択接続部」に対応する。
The
本実施形態の検出部30は、第2電極ブロックBKNB(n)について、検出対象となる第1電極25を所定の符号に基づいて選択する。具体的には、マルチプレクサ14Bが検出対象として選択された第1電極25と駆動信号生成部14Aとを接続する。これにより、検出対象として選択された第1電極25に検出駆動信号Vsが供給される。また、選択された第1電極25の静電容量変化に基づいてそれぞれの第1電極25から検出信号が出力される。それぞれの第1電極25の検出信号を統合した信号が出力信号としてマルチプレクサ14Bを介して信号処理部40に出力される。
The
図12は、検出対象として選択される第1電極の選択パターンを説明するための説明図である。図12(A)は、第1検出動作Tc0の第1電極の選択パターンを示し、図12(B)は、第2検出動作Tc1の第1電極の選択パターンを示し、図12(C)は、第3検出動作Tc2の第1電極の選択パターンを示し、図12(D)は、第4検出動作Tc3の第1電極の選択パターンを示す。 FIG. 12 is an explanatory diagram for explaining a selection pattern of the first electrode selected as a detection target. FIG. 12A shows a selection pattern of the first electrode of the first detection operation Tc 0 , and FIG. 12B shows a selection pattern of the first electrode of the second detection operation Tc 1 , and FIG. ) shows a selection pattern of the third first electrode of the detecting operation Tc 2, FIG. 12 (D) shows a selection pattern of the fourth first electrode of the detection operation Tc 3.
図12では、1つの第2電極ブロックBKNB(n)について説明する。第2電極ブロックBKNB(n)は、共通の配線L3を介してマルチプレクサ14Bに接続された複数の第1電極25を含む。第2電極ブロックBKNB(n)は、行方向に4つ配列された第1電極25を含み、4つの第1電極25は、それぞれ検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)に対応する。また、4つの第1電極25は、それぞれ共通の検出用ゲート線GCLs(n)(図8参照)に接続されている。
In FIG. 12, one second electrode block BKNB (n) will be described. The second electrode block BKNB (n) includes a plurality of
ここで、それぞれの第1電極25から出力される検出信号の信号値をSiqとする。第2電極ブロックBKNB(n)からマルチプレクサ14Bを介して、選択信号によって選択された第1電極25の信号値Siqを統合した信号値が出力信号Shpとして出力される。出力信号Shpは、下記の式(1)で表される。すなわち、出力信号Shpは、複数の第1電極25から出力される信号値Siqの和で表される。
Here, the signal value of the detection signal output from each
なお、図12では、図11のスイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、選択信号生成部16、カウンタ17、及び駆動信号生成部14Aの図示を省略している。図12においても、図11で説明したように、配線L2及び配線L3を介して出力信号Shが信号処理部40に出力され、また、配線L1及び配線L3を介して検出駆動信号Vsが検出対象の第1電極25に対して供給される。
In FIG. 12, the switch elements SW5 and xSW5, the wirings L1 and L2, the selection
ここで、Siqは、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)の各第1電極25からの検出信号に対応する信号値である。Siqは、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における、検出電極E1の静電容量C1、あるいは検出電極E1の静電容量C1に指等の接触又は近接による静電容量C2を加えた静電容量(C1+C2、図4参照)に基づいて出力される信号値である。Shpは、第2電極ブロックBKNB(n)の出力信号であり、第2電極ブロックBKNB(n)のうち所定の符号に基づいて選択された第1電極25の出力信号を演算して求められる値である。所定の符号は、例えば、下記の式(2)の正方行列Hhで定義される。正方行列Hhは、アダマール行列であり、「1」又は「−1」を要素とし、任意の異なった2つの行が直交行列となる正方行列である。
Here, Si q is a signal value corresponding to the detection signal from each
正方行列Hhの次数は、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1電極25の数、すなわち、4つの検出電極ブロック25Bの数である4となる。本実施形態では、4つの第1電極25を含む第2電極ブロックBKNB(n)について説明するが、これに限定されず、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1電極25の個数は2つ、3つ又は5つ以上であってもよい。この場合、正方行列Hhの次数もマルチプレクサ14Bによって選択的に制御される第1電極25の個数に応じて変更される。
Order square matrix H h, the number of the
正方行列Hhに対応する第1電極25は、複数の第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)…に対応する。第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)…について正方行列Hhに基づいて順次検出動作を行うことにより、1検出面の全体の検出が実行される。第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)…は、一部の第1電極25が重複するように配列されていてもよい。つまり、8列の第1電極25に対して4つの正方行列Hhに基づく検出動作を2回行ってもよく、また、5つの正方行列に基づく検出動作を2回行うように、一部の第1電極25に関して重複するように実施してもよい。また、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)…は列方向に配列されている構成に限られず、行列状に配置されていてもよい。第2電極ブロックBKNBは複数である場合に限られず、1つであってもよい。
The
図12(A)から図12(D)に示すように、第1検出動作Tc0、第2検出動作Tc1、第3検出動作Tc2及び第4検出動作Tc3の4つの検出動作に分けて符号分割選択駆動の一例を説明する。図12(A)に示す第1検出動作Tc0では、正方行列Hhの1行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図12(B)に示す第2検出動作Tc1では、正方行列Hhの2行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図12(C)に示す第3検出動作Tc2では、正方行列Hhの3行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図12(D)に示す第4検出動作Tc3では、正方行列Hhの4行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。
As shown in FIG. 12A to FIG. 12D, the detection operation is divided into four detection operations: a first detection operation Tc 0 , a second detection operation Tc 1 , a third detection operation Tc 2, and a fourth detection operation Tc 3. An example of code division selection driving will be described. In the first detection operation Tc 0 shown in FIG. 12A, the
第1検出動作Tc0、第2検出動作Tc1、第3検出動作Tc2及び第4検出動作Tc3はそれぞれ、正符号選択動作Tc0 +、Tc1 +、Tc2 +、Tc3 +と、負符号選択動作Tc0 −、Tc1 −、Tc2 −、Tc3 −とを含む。正符号選択動作Tc0 +、Tc1 +、Tc2 +、Tc3 +では、正方行列Hhの成分「1」に対応する第1選択信号に応じて、第2電極ブロックBKNB(n)のうち第1検出対象となる第1電極25が選択される。図12では、選択された第1電極25に斜線を付して示している。第1検出対象の第1電極25からマルチプレクサ14Bを介して第1出力信号Shp +(p=0、1、2、3)が出力される。ここで、第1出力信号Shp +は、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1検出対象の第1電極25の検出信号が統合された信号である。
The first detection operation Tc 0 , the second detection operation Tc 1 , the third detection operation Tc 2, and the fourth detection operation Tc 3 are respectively positive code selection operations Tc 0 + , Tc 1 + , Tc 2 + , Tc 3 + , Negative sign selection operations Tc 0 − , Tc 1 − , Tc 2 − and Tc 3 − . In the positive code selection operations Tc 0 + , Tc 1 + , Tc 2 + , Tc 3 + , the second electrode block BKNB (n) is changed according to the first selection signal corresponding to the component “1” of the square matrix H h . Of these, the
負符号選択動作Tc0 −、Tc1 −、Tc2 −、Tc3 −では、正方行列Hhの成分「−1」に対応する第2選択信号に応じて、第2電極ブロックBKNB(n)のうち、第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極25が選択される。この第2検出対象の第1電極25からマルチプレクサ14Bを介して第2出力信号Shp −(p=0、1、2、3)が出力される。ここで、第2出力信号Shp −は、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第2検出対象の第1電極25の検出信号が統合された信号である。本実施形態では、正符号選択動作Tcp +(p=0、1、2、3)と、負符号選択動作Tcp −(p=0、1、2、3)とが時分割で実行される。このため、各出力信号が1つの電圧検出器DET(図3、図4参照)に時分割で出力されるため、信号処理部40の構成を簡便にすることができる。
In the negative sign selection operations Tc 0 − , Tc 1 − , Tc 2 − , Tc 3 − , the second electrode block BKNB (n) is selected according to the second selection signal corresponding to the component “−1” of the square matrix H h. Among these, the
信号処理部40の信号演算部44(図2参照)は、第1出力信号Shp +と第2出力信号Shp −との差分を演算することにより、第3出力信号Shp=Shp +−Shp −を算出する。信号演算部44は、第3出力信号Shpを記憶部47に出力して、第3出力信号Shpを一時的に記憶させる。選択信号に応じて選択された第1電極群を電極E1とした場合において、第1出力信号Shp +と第2出力信号Shp −とは、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における検出信号Vdetに対応する。
The signal calculation unit 44 (see FIG. 2) of the
正方行列Hhの次数が4の場合、下記の式(3)に示すように、1つの第2電極ブロックBKNB(n)から、4つの出力信号(Sh0、Sh1、Sh2、Sh3)が得られる。この場合、4つの第1出力信号Sh0 +、Sh1 +、Sh2 +、Sh3 +と、4つの第2出力信号Sh0 −、Sh1 −、Sh2 −、Sh3 −から、第3出力信号(Sh0、Sh1、Sh2、Sh3)がそれぞれ求められる。 When the order of the square matrix H h is 4, as shown in the following equation (3), four output signals (Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 ) are generated from one second electrode block BKNB (n). ) Is obtained. In this case, the four first output signals Sh 0 + , Sh 1 + , Sh 2 + , Sh 3 + and the four second output signals Sh 0 − , Sh 1 − , Sh 2 − , Sh 3 − Three output signals (Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 ) are respectively obtained.
以下では、第2電極ブロックBKNB(n)の各第1電極25から検出される検出信号値が(Si0、Si1、Si2、Si3)=(1、7、3、2)である場合を例にとって説明する。検出信号Si0は検出電極ブロック25B(m)に対応する第1電極25の検出信号である。検出信号Si1は検出電極ブロック25B(m+1)に対応する第1電極25の検出信号である。検出信号Si2は検出電極ブロック25B(m+2)に対応する第1電極25の検出信号である。検出信号Si3は検出電極ブロック25B(m+3)に対応する第1電極25の検出信号である。
In the following, the detection signal value detected from each
図12(A)に示すように、第1検出動作Tc0の正符号選択動作Tc0 +において、正方行列Hhの1行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、4つの第1電極25が選択される。4つの第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続される。第1出力信号Sh0 +は、式(3)から、Sh0 +=1×1+1×7+1×3+1×2=13となる。負符号選択動作Tc0 −において、正方行列Hhの1行目の成分「−1」が存在しないため、成分「−1」に対応する第2検出対象として第1電極25は選択されない。つまり、4つの第1電極25はマルチプレクサ14Bとの接続が解除される。よって第2出力信号Sh0 −は、Sh0 −=0×1+0×7+0×3+0×2=0となる。第3出力信号Sh0は、第1出力信号Sh0 +と第2出力信号Sh0 −との差分から、Sh0=Sh0 +−Sh0 −=13−0=13となる。
As shown in FIG. 12A, in the positive sign selection operation Tc 0 + of the first detection operation Tc 0 , four detection targets corresponding to the component “1” in the first row of the square matrix H h The
次に、図12(B)に示すように、第2検出動作Tc1の正符号選択動作Tc1 +において、正方行列Hhの2行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。一方、第1検出対象として選択されていない検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)に属する第1電極25は、マルチプレクサ14Bとの接続が解除され、出力信号は出力されない。このため、第1出力信号Sh1 +は、式(3)から、Sh1 +=1×1+0×7+1×3+0×2=4となる。
Next, as shown in FIG. 12B, in the positive sign selection operation Tc 1 + of the second detection operation Tc 1 , the first detection target corresponding to the component “1” in the second row of the square matrix H h is used. The two
負符号選択動作Tc1 −において、正方行列Hhの2行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。一方、第2検出対象として選択されていない検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)に属する第1電極25は、マルチプレクサ14Bとの接続が解除され、出力信号は出力されない。第2出力信号Sh1 −は、Sh1 −=0×1+1×7+0×3+1×2=9となる。第3出力信号Sh1は、Sh1=Sh1 +−Sh1 −=4−9=−5が得られる。
In the negative sign selection operation Tc 1 − , as the second detection target corresponding to the component “−1” in the second row of the square matrix H h , the two first firsts belonging to the detection electrode blocks 25B (m + 1) and 25B (m + 3). The
次に、図12(C)に示すように、第3検出動作Tc2の正符号選択動作Tc2 +において、正方行列Hhの3行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。第1出力信号Sh2 +は、式(3)から、Sh2 +=1×1+1×7+0×3+0×2=8となる。
Next, as shown in FIG. 12C, in the positive sign selection operation Tc 2 + of the third detection operation Tc 2 , the first detection target corresponding to the component “1” in the third row of the square matrix H h is used. The two
負符号選択動作Tc2 −において、正方行列Hhの3行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、検出電極ブロック25B(m+2)、25B(m+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。第2出力信号Sh2 −は、Sh2 −=0×1+0×7+1×3+1×2=5となる。第3出力信号Sh2は、Sh2=Sh2 +−Sh2 −=8−5=3が得られる。
In the negative sign selection operation Tc 2 − , as the second detection target corresponding to the component “−1” in the third row of the square matrix H h , the two first firsts belonging to the detection electrode blocks 25B (m + 2) and 25B (m + 3). The
次に、図12(D)に示すように、第4検出動作Tc3の正符号選択動作Tc3 +において、正方行列Hhの4行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。第1出力信号Sh3 +は、式(3)から、Sh3 +=1×1+0×7+0×3+1×2=3となる。
Next, as shown in FIG. 12D, in the positive sign selection operation Tc 3 + of the fourth detection operation Tc 3 , the first detection target corresponding to the component “1” in the fourth row of the square matrix H h is used. The two
負符号選択動作Tc3 −において、正方行列Hhの4行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+2)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。第2出力信号Sh3 −は、Sh3 −=0×1+1×7+1×3+0×2=10となる。第3出力信号Sh3は、Sh3=Sh3 +−Sh3 −=3−10=−7が得られる。
In the negative sign selection operation Tc 3 − , as the second detection target corresponding to the component “−1” in the fourth row of the square matrix H h , the two first firsts belonging to the detection electrode blocks 25B (m + 1) and 25B (m + 2). The
信号演算部44は、4つの第3出力信号(Sh0、Sh1、Sh2、Sh3)=(13、−5、3、−7)を順次、記憶部47に出力する。なお、信号演算部44は、4つの第1出力信号Sh0 +、Sh1 +、Sh2 +、Sh3 +と、4つの第2出力信号Sh0 −、Sh1 −、Sh2 −、Sh3 −を、それぞれ記憶部47に記憶させて、すべての期間の検出を行った後に4つの第3出力信号Sh0、Sh1、Sh2、Sh3の演算を行ってもよい。
The
座標抽出部45(図2参照)は、信号演算部44が演算した出力信号Sh0、Sh1、Sh2、Sh3を記憶部47から受け取り、4つの第3出力信号(Sh0、Sh1、Sh2、Sh3)=(13、−5、3、−7)を下記の式(4)で復号化する。座標抽出部45は、式(4)に基づいて、復号信号(Si0 ’、Si1 ’、Si2 ’、Si3 ’)=(4、28、12、8)を算出する。指が接触又は近接した場合、その位置に対応する第1電極25の復号信号Si0 ’、Si1 ’、Si2 ’、Si3 ’の値が変化する。これにより、座標抽出部45は、復号信号Si0 ’、Si1 ’、Si2 ’、Si3 ’に基づいて、第2電極ブロックBKNB(n)のうち指が接触又は近接した座標を求めることができる。なお、座標抽出部45は、復号信号Si0 ’、Si1 ’、Si2 ’、Si3 ’に基づいて求められた座標を検出信号出力Voutとして出力してもよいし、復号信号Si0 ’、Si1 ’、Si2 ’、Si3 ’を検出信号出力Voutとして出力してもよい。
The coordinate extraction unit 45 (see FIG. 2) receives the output signals Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 calculated by the
以上の符号分割選択駆動によれば、第1検出対象及び第2検出対象として選択された第1電極25からの信号値(Si0、Si1、Si2、Si3)=(1、7、3、2)を統合した出力信号である第3出力信号(Sh0、Sh1、Sh2、Sh3)から、式(4)による座標抽出部45の復号処理により、個別の第1電極25の信号値(Si0、Si1、Si2、Si3)=(1、7、3、2)の正方行列Hhの次数にあたる4倍に対応する復号信号(Si0 ’、Si1 ’、Si2 ’、Si3 ’)=(4、28、12、8)が得られる。すなわち、各ノードの信号値の電圧を上げることなく、時分割選択駆動の4倍の信号強度が得られることとなる。また、第3出力信号Shpは、第1出力信号Shp +と第2出力信号Shp −との差分により求められるため、外部からノイズが侵入した場合であっても、第1出力信号Shp +のノイズ成分と第2出力信号Shp −のノイズ成分がキャンセルされる。これにより、ノイズ耐性を向上させることができる。また、本実施形態によれば、所定の符号に基づいて選択された第1検出対象の第1電極25の検出動作と、所定の符号に基づいて選択された、第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極25の検出動作とを、異なる期間に時分割で行う。これにより、第1検出対象の第1電極25と、第2検出対象の第1電極25との容量結合を抑制できるので、検出誤差や検出感度の低下を抑制することができる。
According to the above code division selection driving, the signal values (Si 0 , Si 1 , Si 2 , Si 3 ) = (1, 7,...) From the
なお、式(2)に示す正方行列Hhは、一例であって、例えば下記の式(5)に示す正方行列Hh等であってもよい。この場合、正符号選択動作Tcp +(p=0、1、2、3)において、成分「1」に対応する第1検出対象の第1電極25が3つ選択され、負符号選択動作Tcp −(p=0、1、2、3)において、成分「−1」に対応する第2検出対象の第1電極25が1つ選択される。
Note that the square matrix H h shown in Expression (2) is an example, and may be, for example, a square matrix H h shown in Expression (5) below. In this case, in the positive sign selection operation Tc p + (p = 0, 1, 2, 3), three
図12に示すように、正方行列Hhの成分「1」に対応する第1検出対象として選択される第1電極25の組み合わせパターンを示す第1選択パターンは、正符号選択動作Tcp +(p=0、1、2、3)に示した4つのパターンである。つまり、第1検出対象として選択される第1電極25の第1選択パターンは、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1電極25の数と等しい。また、正方行列Hhの成分「−1」に対応する第2検出対象として選択される第1電極25の組み合わせパターンを示す第2選択パターンは、第1選択パターンの数と等しい。第2選択パターンは、負符号選択動作Tcp −(p=0、1、2、3)に示した4つのパターンであり、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1電極25の数と等しい。
As shown in FIG. 12, the first selection pattern indicating the combination pattern of the
正符号選択動作Tcp +と負符号選択動作Tcp −とは、検出期間Pt1、Pt2(図10参照)内において、連続した期間で実行され、連続する1組の正符号選択動作Tcp +と負符号選択動作Tcp −とが、繰り返し実行される。連続して実行される正符号選択動作Tcp +と負符号選択動作Tcp −とで、外部から侵入するノイズの大きさの差が抑制される。このため、第1出力信号Shp +と第2出力信号Shp −との差分によりノイズ成分がキャンセルされ、ノイズ耐性が向上する。なお、これに限定されず、例えば4つの正符号選択動作Tcp +(p=0、1、2、3)を連続して実行した後に、4つの負符号選択動作Tcp −(p=0、1、2、3)を連続して実行する等、適宜変更してもよい。また、正符号選択動作Tcp +と負符号選択動作Tcp −とは、それぞれ第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1電極25の数と等しく、4つずつ設けられる。すなわち、式(1)の正方行列Hhの行成分の個数と同じ数となる。
The positive code selection operation Tc p + and the negative code selection operation Tc p − are executed in consecutive periods within the detection periods Pt1 and Pt2 (see FIG. 10), and a set of consecutive positive code selection operations Tc p + And the negative sign selection operation Tc p − are repeatedly executed. Continuously positive sign selection operation Tc p + and executed negative sign selection operation Tc p - out with the difference in magnitude of the noise entering from the outside is suppressed. For this reason, the noise component is canceled by the difference between the first output signal Sh p + and the second output signal Sh p −, and noise resistance is improved. The present invention is not limited to this, for example, four after performing successively a positive sign selection operation Tc p + (p = 0,1,2,3) , 4 single negative sign selection operation Tc p - (p = 0 , 1, 2, 3) may be changed as appropriate, for example, continuously. Further, a positive sign selection operation Tc p + minus sign selection operation Tc p - and, equal to the number of the
第1検出対象の第1電極25と、第2検出対象の第1電極25とは、同じ極性を有する検出駆動信号Vsが供給される。本実施形態では、第1検出対象の検出動作と第2検出対象の検出動作とが時分割で行われるので、検出駆動信号Vsが、第1極性駆動信号と、第1極性駆動信号と極性の異なる第2極性駆動信号とを含み、第1検出対象の第1電極25に第1極性駆動信号が供給され、第2検出対象の第1電極25に第2極性駆動信号を供給してもよい。この場合、第1出力信号Shp +と第2出力信号Shp −との和を演算することにより、第3出力信号Shp=Shp ++Shp −が算出される。
The first detection target
ここで図30及び図31を参照して、ノイズの影響と検出タイミングとの関係を説明する。図30は、第1電極の検出の順番を説明するための模式図である。図31は、センサ番号と相関関数との関係を模式的に示すグラフである。図30及び図31に関しては、本発明と同様の構成の検出装置において、ノイズの影響と検出タイミングとの関係を示すための図面であり、ノイズの影響がどのように推移するかを説明するための図面である。図30に示すように、複数の第1電極25のうち、第1電極25(1)、25(2)、…25(5)、…の順番で選択して、検出動作を行う。具体的には、検出用ゲート線GCLs(n)が選択され、検出用ゲート線GCLs(n)に対応する検出用スイッチング素子Trsがオンになる。マルチプレクサ14Bが、検出用データ線SGLs(m)、(m+1)、(m+2)、(m+3)を順番に選択して、検出駆動信号Vsが供給される。これにより、第1電極25(1)、25(2)、25(3)、25(4)の順番で検出動作が行われる。次に検出用ゲート線GCLs(n+1)が選択され、マルチプレクサ14Bが、検出用データ線SGLs(m)、(m+1)、(m+2)、(m+3)を順番に選択することで、第1電極25(5)、…の順番で検出動作が行われる。なお、図30に示す検出の順番は、説明のために示した順番であり、本実施形態の表示装置1及び検出部30の検出動作は、これに限定されるものではない。
Here, the relationship between the influence of noise and detection timing will be described with reference to FIGS. FIG. 30 is a schematic diagram for explaining the order of detection of the first electrodes. FIG. 31 is a graph schematically showing the relationship between the sensor number and the correlation function. 30 and 31 are diagrams for showing the relationship between the influence of noise and detection timing in a detection apparatus having the same configuration as that of the present invention, and for explaining how the influence of noise changes. It is a drawing of. As shown in FIG. 30, among the plurality of
図31は、横軸がセンサ番号であり、上述した第1電極25の測定順番に対応する。縦軸は、各第1電極25の出力信号の相関関数である。検出部30にノイズが侵入した場合、各第1電極25の出力信号に誤差が生じる。図31に示すように各第1電極25の出力信号の相関関数は、センサ番号が大きくなるにしたがって減少する傾向を示している。つまり、時間の経過とともにノイズによる誤差成分が大きくなることが示される。例えば、1番目に測定した第1電極25(1)の出力信号と、5番目に測定した第1電極25(5)の出力信号との間で、ノイズの影響による誤差が大きくなっている。
In FIG. 31, the horizontal axis represents the sensor number, and corresponds to the measurement order of the
したがって、図12に示す、4つの第1出力信号Sh0 +、Sh1 +、Sh2 +、Sh3 +と、4つの第2出力信号Sh0 −、Sh1 −、Sh2 −、Sh3 −との測定は、Sh0 +、Sh0 −、Sh1 +、Sh1 −、Sh2 +、Sh2 −、Sh3 +、Sh3 −の順番で測定することがより好ましい。こうすれば、第1出力信号Shp +と第2出力信号Shp −(p=1、2、3、4)との検出時間の間隔が小さくなり、ノイズ成分の差が小さくなる。第3出力信号Shpは、Shp=Shp +−Shp −のように第1出力信号Shp +と第2出力信号Shp −との差分によって求められるので、第1出力信号Shp +のノイズ成分と第2出力信号Shp −のノイズ成分がキャンセルされる。
Accordingly, the four first output signals Sh 0 + , Sh 1 + , Sh 2 + , Sh 3 + and the four second output signals Sh 0 − , Sh 1 − , Sh 2 − , Sh 3 shown in FIG. - measurement of a, Sh 0 +, Sh 0 - ,
次に、図13及び図14を参照して、複数の第2電極ブロックBKNBについての一動作例を説明する。図13は、第1の実施形態に係るマルチプレクサ及びゲートドライバの一動作例を示す説明図である。図14は、選択対象の第2電極ブロックBKNBが変更された場合のマルチプレクサ及びゲートドライバを一動作例を示す説明図である。図13(A)及び図14(A)は、第1検出動作Tc0の正符号選択動作Tc0 +を示し、図13(B)及び図14(B)は、第1検出動作Tc0の負符号選択動作Tc0 −を示し、図13(C)及び図14(C)は、第2検出動作Tc1の正符号選択動作Tc1 +を示す。なお図13及び図14では、検出用ゲートドライバ12B(図1参照)の図示を省略している。
Next, with reference to FIG. 13 and FIG. 14, an operation example of the plurality of second electrode blocks BKNB will be described. FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating an operation example of the multiplexer and the gate driver according to the first embodiment. FIG. 14 is an explanatory diagram illustrating an operation example of the multiplexer and the gate driver when the second electrode block BKNB to be selected is changed. FIGS. 13 (A) and 13 14 (A) is first detected operation Tc indicates a positive sign selection operation Tc 0 + 0, and FIG. 13 (B) and FIG. 14 (B) is in the first detection operation Tc 0 The negative sign selection operation Tc 0 − is shown, and FIGS. 13C and 14C show the positive sign selection operation Tc 1 + of the second detection operation Tc 1 . In FIGS. 13 and 14, the
図13(A)から図13(C)に示すように、検出用ゲートドライバ12Bから検出用ゲート線GCLs(n)に供給される検出走査信号Vscansがオン(高レベル)になり、検出用ゲート線GCLs(n)に接続された検出用スイッチング素子Trsがオンとなる。検出用ゲート線GCLs(n)に対応する第2電極ブロックBKNB(n)の各第1電極25は、検出対象として選択可能となる。第2電極ブロックBKNB(n)の各第1電極25から、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)を介して検出信号が出力可能となっている。
As shown in FIGS. 13A to 13C, the detection scanning signal Vscan supplied from the
一方、検出用ゲート線GCLs(n+1)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)は、検出走査信号Vscansがオフ(低レベル)となり、検出用ゲート線GCLs(n+1)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)に接続された検出用スイッチング素子Trsがオフとなる。第2電極ブロックBKNB(n+1)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)の各第1電極25は、検出対象として選択されない。
On the other hand, for the detection gate lines GCLs (n + 1), GCLs (n + 2), and GCLs (n + 3), the detection scanning signal Vscans is turned off (low level), and the detection gate lines GCLs (n + 1), GCLs (n + 2), GCLs ( The switching element for detection Trs connected to n + 3) is turned off. The
第2電極ブロックBKNB(n)の各第1電極25が選択された状態で、上述した第1検出動作Tc0の正符号選択動作Tc0 +、負符号選択動作Tc0 −、第2検出動作Tc1の正符号選択動作Tc1 +…を順番に実行する。第2電極ブロックBKNB(n)の第1電極25から第1出力信号Shp +と第2出力信号Shp −とがマルチプレクサ14Bを介して出力される。これにより、第2電極ブロックBKNB(n)の各第1電極25と重なる領域における、接触又は近接する指等の第1方向Dx(検出用ゲート線GCLsに沿った方向)の位置が検出される。
With each
次に、図14(A)から図14(C)に示すように、検出用ゲートドライバ12Bから検出用ゲート線GCLs(n+1)に供給される検出走査信号Vscansがオン(高レベル)になり、検出用ゲート線GCLs(n+1)に接続された検出用スイッチング素子Trsがオンとなる。検出用ゲート線GCLs(n+1)に対応する第2電極ブロックBKNB(n+1)の各第1電極25は、検出対象として選択可能となる。
Next, as shown in FIGS. 14A to 14C, the detection scanning signal Vscan supplied from the
一方、検出用ゲート線GCLs(n)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)は、検出走査信号Vscansがオフ(低レベル)となり、検出用ゲート線GCLs(n)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)に接続された検出用スイッチング素子Trsがオフとなる。第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)の各第1電極25は、検出対象として選択されない。
On the other hand, for the detection gate lines GCLs (n), GCLs (n + 2), GCLs (n + 3), the detection scanning signal Vscans is turned off (low level), and the detection gate lines GCLs (n), GCLs (n + 2), GCLs ( The switching element for detection Trs connected to n + 3) is turned off. The
第2電極ブロックBKNB(n+1)の各第1電極25が選択された状態で、上述した第1検出動作Tc0の正符号選択動作Tc0 +、負符号選択動作Tc0 −、第2検出動作Tc1の正符号選択動作Tc1 +…を順番に実行する。第2電極ブロックBKNB(n+1)の第1電極25から第1出力信号Shp +と第2出力信号Shp −とがマルチプレクサ14Bを介して出力される。これにより、第2電極ブロックBKNB(n+1)の各第1電極25と重なる領域における、接触又は近接する指等の第1方向Dxの位置が検出される。
With each
このように、検出用ゲートドライバ12Bが、検出用ゲート線GCLs(n)、GCLs(n+1)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)に順次、検出走査信号Vscansを供給する。第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)が順番に選択される。第1方向Dxの位置は、上述した符号分割選択駆動の復号信号(Si0 ’、Si1 ’、Si2 ’、Si3 ’)に基づいて算出できる。また、第2方向Dy(検出用データ線SGLsに沿った方向)の位置は、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)のそれぞれの検出結果から算出できる。これにより、指等が接触又は近接する位置の二次元座標が得られる。
In this way, the
なお、図13及び図14に示すように、第2方向Dyに配列された第1電極25は、共通の検出用データ線SGLsに接続されているが、これに限定されず、個別の検出用データ線が接続されていてもよい。
As shown in FIG. 13 and FIG. 14, the
(第2の実施形態)
図15は、第2の実施形態に係る信号処理部の一構成例を示すブロック図である。なお、以下の各実施形態と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。本実施形態の信号処理部40Aは、2つの検出信号増幅部42A、42Bと、2つのA/D変換部43A、43Bを有している。検出信号増幅部42Aは検出部30から第1出力信号を受け取って、第1出力信号を増幅する。A/D変換部43Aは、検出信号増幅部42Aから出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。A/D変換部43Aから出力されるデジタル信号は、記憶部47に保存される。検出信号増幅部42Bは検出部30から第2出力信号を受け取って、第2出力信号を増幅する。A/D変換部43Bは、検出信号増幅部42Bから出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。A/D変換部43Bから出力されるデジタル信号は、記憶部47に保存される。
(Second Embodiment)
FIG. 15 is a block diagram illustrating a configuration example of the signal processing unit according to the second embodiment. In the following embodiments and drawings, elements similar to those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted as appropriate. The
検出タイミング制御部46は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、A/D変換部43A、43Bと、信号演算部44と、座標抽出部45とが同期して動作するように制御する。
Based on the control signal supplied from the
信号演算部44は、第1出力信号をデジタル変換した信号の情報と、第2出力信号をデジタル変換した信号の情報とを、記憶部47から受け取って、演算処理を行う。信号演算部44の演算結果は記憶部47に保存される。座標抽出部45は、記憶部47からの情報を受け取って、上述した復号化処理を行い、タッチパネル座標を求める。
The
図16は、第2の実施形態に係る選択接続部の一構成例を示す回路図である。図11に示す「選択接続部」としてのマルチプレクサ14Bに換えて、本実施形態では、選択接続部14Cが設けられている。なお、図16では、図11のスイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、L3、選択信号生成部16、及び駆動信号生成部14Aの図示を省略している。選択接続部14Cは、第1スイッチング素子Tr1と、第2スイッチング素子Tr2と、反転部85とを有している。検出用データ線SGLsのそれぞれに第1スイッチング素子Tr1と第2スイッチング素子Tr2とが接続されている。検出用データ線SGLsは、第1スイッチング素子Tr1を介して第1検出器DET1に接続可能となっており、第2スイッチング素子Tr2を介して第2検出器DET2に接続可能となっている。第1スイッチング素子Tr1及び第2スイッチング素子Tr2は、nチャネルのMOS型のTFT素子であってもよい。第1検出器DET1及び第2検出器DET2は、上述した自己静電容量方式の検出原理における電圧検出器DETに対応する。第1検出器DET1は、検出信号増幅部42A(図15参照)に含まれていてもよく、第2検出器DET2は、検出信号増幅部42B(図15参照)に含まれていてもよい。
FIG. 16 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the selective connection unit according to the second embodiment. In this embodiment, a
選択接続部14C、及び図示しないスイッチ素子SW5、xSW5、図示しない配線L1、L2、L3、図示しない選択信号生成部16、図示しない駆動信号生成部14A、カウンタ17、及びデコーダ18は、図1に示す第1電極ドライバ14及び制御部11に含まれていてもよい。例えば、第1電極ドライバ14が選択接続部14C、図示しないスイッチ素子SW5、xSW5及び図示しない配線L1、L2、L3として機能し、制御部11が図示しない選択信号生成部16、図示しない駆動信号生成部14A、カウンタ17及びデコーダ18として機能してもよい。
The
第1スイッチング素子Tr1のゲートはデコーダ18に接続される。第2スイッチング素子Tr2のゲートは、反転部85を介してデコーダ18に接続される。デコーダ18は、所定の符号に基づいて、検出対象の第1電極25を選択する選択信号を生成し、第1スイッチング素子Tr1及び第2スイッチング素子Tr2に出力する。デコーダ18は、例えば、正方行列Hhの成分「1」に対応してオン(高レベル)となり、成分「−1」に対応してオフ(低レベル)となる信号を生成する。デコーダ18は、カウンタ17から受け取ったタイミング制御信号に基づいて、正方行列Hhの1行分の成分に対応する選択信号を出力する。ここで、スイッチング素子Tr1によって選択的に検出用データ線SGLsと接続される配線が第1出力信号線に対応する。第1出力信号線は、第1検出器DET1に接続される。第1出力信号線は、第1選択信号によって選択された検出電極からの検出信号の統合値である第1出力信号が伝達する。また、スイッチング素子Tr2によって選択的に検出用データ線SGLsにと接続される配線が第2出力信号線に対応する。第2出力信号線は、第2検出器DET2に接続される。第2出力信号線は、第2選択信号によって選択された検出電極からの検出信号の統合値である第2出力信号が伝達する。
The gate of the first switching element Tr1 is connected to the
デコーダ18から、高レベルの選択信号が出力された場合、第1スイッチング素子Tr1はオンとなり、検出用データ線SGLsと第1検出器DET1とが接続される。一方、第2スイッチング素子Tr2は、反転部85により高レベルの選択信号が反転された低レベルの選択信号が供給される。これにより、第2スイッチング素子Tr2はオフとなり、検出用データ線SGLsと第2検出器DET2との接続が解除される。
When a high-level selection signal is output from the
デコーダ18から、低レベルの選択信号が出力された場合、第1スイッチング素子Tr1はオフとなり、検出用データ線SGLsと第1検出器DET1との接続が解除される。一方、第2スイッチング素子Tr2は、反転部85により低レベルの選択信号が反転された高レベルの選択信号が供給される。これにより、第2スイッチング素子Tr2はオンとなり、検出用データ線SGLsと第2検出器DET2とが接続される。
When a low-level selection signal is output from the
本実施形態では、選択接続部14Cは、第1スイッチング素子Tr1と、第2スイッチング素子Tr2と、反転部85とを有しているため、第1検出対象の第1電極25を選択するための第1選択信号と、第1選択信号を反転した第2選択信号とが、同時に各検出用データ線SGLsに供給される。また、第1検出器DET1と第2検出器DET2とを有しているため、正方行列Hhの成分「1」に対応する第1電極25からの出力信号と、正方行列Hhの成分「−1」に対応する第1電極25からの出力信号と、が同時に検出可能となっている。
In the present embodiment, the
なお、本実施形態において、選択接続部14Cは、反転部85を有しているが、nチャネルとpチャネルのMOS型TFT素子を用いたCMOS(Complementary MOS)回路構成としてもよい。
In the present embodiment, the
図17は、第2の実施形態に係る選択接続部及びゲートドライバの一動作例を示す説明図である。図17(A)は第1検出動作Tc0を示し、図17(B)は第2検出動作Tc1を示し、図17(C)は第3検出動作Tc2を示し、図17(D)は第4検出動作Tc3を示す。図17(A)から図17(D)の各動作において、検出用ゲートドライバ12Bは検出用ゲート線GCLs(n)に検出走査信号Vscansを供給し、第2電極ブロックBKNB(n)が検出対象として選択されている。
FIG. 17 is an explanatory diagram illustrating an operation example of the selective connection unit and the gate driver according to the second embodiment. 17A shows the first detection operation Tc 0 , FIG. 17B shows the second detection operation Tc 1 , FIG. 17C shows the third detection operation Tc 2 , and FIG. shows a fourth detection operation Tc 3. In each operation of FIG. 17A to FIG. 17D, the
図17(A)に示す第1検出動作Tc0では、デコーダ18(図16参照)は正方行列Hhの1行目の成分「1」に対応する第1選択信号を選択接続部14Cに出力する。これにより、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)は、選択接続部14Cを介して第1検出器DET1に接続される。検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)に接続された4つの第1電極25が第1検出対象として選択される。一方、正方行列Hhの1行目は成分「−1」が含まれないため、第1選択信号を反転した第2選択信号により、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)は、第2検出器DET2との接続が解除される。
In the first detection operation Tc 0 shown in FIG. 17A, the decoder 18 (see FIG. 16) outputs the first selection signal corresponding to the component “1” in the first row of the square matrix H h to the
第1検出動作Tc0では、第1出力信号Sh0 +が第1検出器DET1に出力される。第1出力信号Sh0 +は第2電極ブロックBKNB(n)の4つの第1電極25の検出信号が統合された信号である。一方、第2出力信号Sh0 −は第2検出器DET2に出力されない。第1出力信号Sh0 +及び第2出力信号Sh0 −は、記憶部47(図14参照)に保存される。
In the first detection operation Tc 0, the first output signal Sh 0 + is output to the first detector DET1. The first output signal Sh 0 + is a signal obtained by integrating the detection signals of the four
図17(B)に示す第2検出動作Tc1では、デコーダ18(図16参照)は正方行列Hhの2行目の成分「1」に対応する第1選択信号を選択接続部14Cに出力する。これにより、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+2)は、選択接続部14Cを介して第1検出器DET1に接続される。検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+2)に接続された第1電極25が第1検出対象として選択される。同時に、正方行列Hhの2行目の成分「−1」に対応する、第1選択信号を反転した第2選択信号により、検出用データ線SGLs(m+1)、SGLs(m+3)は、第2検出器DET2に接続される。検出用データ線SGLs(m+1)、SGLs(m+3)に接続された第1電極25が第2検出対象として選択される。
In the second detection operation Tc 1 shown in FIG. 17B, the decoder 18 (see FIG. 16) outputs the first selection signal corresponding to the component “1” in the second row of the square matrix H h to the
第2検出動作Tc1では、第1出力信号Sh1 +が第1検出器DET1に出力される。第1出力信号Sh1 +は第2電極ブロックBKNB(n)の4つの第1電極25のうち、第1検出対象の2つの第1電極25の検出信号が統合された信号である。一方、第2出力信号Sh1 −は第2検出器DET2に出力される。第2出力信号Sh1 −は第2電極ブロックBKNB(n)の4つの第1電極25のうち、第2検出対象の2つの第1電極25の検出信号が統合された信号である。第1出力信号Sh1 +及び第2出力信号Sh1 −は、記憶部47(図14参照)に保存される。
In the second detection operation Tc 1, the first output signal Sh 1 + is output to the first detector DET1. The first output signal Sh 1 + is a signal obtained by integrating the detection signals of the two
図17(C)に示す第3検出動作Tc2では、デコーダ18(図16参照)は正方行列Hhの3行目の成分「1」に対応する第1選択信号を選択接続部14Cに出力する。これにより、第1検出対象の第1電極25と第2検出対象の第1電極25とがそれぞれ同時に選択される。また、図17(D)に示す第4検出動作Tc3では、デコーダ18(図16参照)は正方行列Hhの4行目の成分「1」に対応する第1選択信号を選択接続部14Cに出力する。これにより、第1検出対象の第1電極25と第2検出対象の第1電極25とがそれぞれ同時に選択される。
In the third detection operation Tc 2 shown in FIG. 17 (C), the decoder 18 (see FIG. 16) output a first selection signal corresponding to the component in the third row of the square matrix H h "1" to the selected
次に、検出用ゲートドライバ12Bは、検出対象として選択する第2電極ブロックBKNBを順次異ならせて、第2電極ブロックBKNBごとに第1検出動作Tc0から第4検出動作Tc3を行う。
Next, the
以上のように、本実施形態では、第1検出器DET1と第2検出器DET2との2つの検出器を有しているため、正方行列Hhの成分「1」に対応する正符号選択動作Tcp +(p=0、1、2、3)(図12参照)と、正方行列Hhの成分「−1」に対応する負符号選択動作Tcp −(p=0、1、2、3)(図12参照)とが同時に実行可能となっている。正方行列Hhの成分「+1」に対応する第1電極25からの出力信号と、正方行列Hhの成分「−1」に対応する第1電極25からの出力信号と、が同時に検出可能となっている。したがって、検出に要する時間を短縮することが可能である。この場合、第1検出対象の第1電極25と、第2検出対象の第1電極25とは、同じ極性を有する検出駆動信号Vsが供給される。これにより、第1検出対象の第1電極25と、第2検出対象の第1電極25との容量結合が抑制され、良好な検出感度が得られる。
As described above, in this embodiment, since the first detector DET1 and the second detector DET2 are included, the positive code selection operation corresponding to the component “1” of the square matrix H h is performed. Tc p + (p = 0, 1, 2, 3) (see FIG. 12) and the negative sign selection operation Tc p − (p = 0, 1, 2, 3) corresponding to the component “−1” of the square matrix H h 3) (see FIG. 12) can be executed simultaneously. An output signal from the
図18は、選択接続部の他の例を示す回路図である。図11に示す「選択接続部」としてのマルチプレクサ14Bに換えて、本実施形態では、選択接続部14Caが設けられている。なお、図18では、図11のスイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、L3、選択信号生成部16の図示を省略している。本変形例の選択接続部14Caは、共通配線LC1−LC8を有する。共通配線LC1−LC8の一端側は、シフトレジスタ19に接続される。本変形例では、共通配線LC1、LC2の一端側同士が接続され、共通配線LC3、LC4の一端側同士が接続され、共通配線LC5、LC6の一端側同士が接続され、共通配線LC7、LC8の一端側同士が接続される。共通配線LC1、LC3、LC5、LC7の他端側は、第1検出器DET1に接続される。共通配線LC2、LC4、LC6、LC8の他端側は、第2検出器DET2に接続される。
FIG. 18 is a circuit diagram illustrating another example of the selective connection unit. In this embodiment, a selective connection portion 14Ca is provided instead of the
共通配線LC1、LC3、LC5、LC7は、正方行列Hhの各行の成分「1」に対応して、検出用データ線SGLsと接続されている。具体的には、共通配線LC1は正方行列Hhの1行目の成分「1」に対応して、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)に接続されている。共通配線LC3は正方行列Hhの2行目の成分「1」に対応して、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+2)に接続されている。共通配線LC5は正方行列Hhの3行目の成分「1」に対応して、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)に接続されている。共通配線LC7は正方行列Hhの4行目の成分「1」に対応して、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+3)に接続されている。 The common lines LC1, LC3, LC5, and LC7 are connected to the detection data line SGLs corresponding to the component “1” of each row of the square matrix H h . Specifically, the common line LC1 corresponds to the component “1” in the first row of the square matrix H h , and the detection data lines SGLs (m), SGLs (m + 1), SGLs (m + 2), and SGLs (m + 3). It is connected to the. Common wiring LC3 is corresponding to the second row of components "1" of the square matrix H h, detection data lines SGLs (m), is connected to the SGLs (m + 2). Common wiring LC5 is corresponding to component "1" in the third line of the square matrix H h, detection data lines SGLs (m), is connected to the SGLs (m + 1). Common wiring LC7 is in correspondence with the components of the fourth row of the square matrix H h "1", detection data lines SGLS (m), is connected to the SGLs (m + 3).
一方、共通配線LC2、LC4、LC6、LC8は、正方行列Hhの各行の成分「−1」に対応して、検出用データ線SGLsと接続されている。具体的には、共通配線LC2は正方行列Hhの1行目の成分「−1」に対応して、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)に接続されていない。共通配線LC4は正方行列Hhの2行目の成分「−1」に対応して、検出用データ線SGLs(m+1)、SGLs(m+3)に接続されている。共通配線LC6は正方行列Hhの3行目の成分「−1」に対応して、検出用データ線SGLs(m+2)、SGLs(m+3)に接続されている。共通配線LC8は正方行列Hhの4行目の成分「−1」に対応して、検出用データ線SGLs(m+1)、SGLs(m+2)に接続されている。 On the other hand, the common lines LC2, LC4, LC6, and LC8 are connected to the detection data line SGLs corresponding to the component “−1” of each row of the square matrix H h . Specifically, the common wiring LC2 corresponds to the component “−1” in the first row of the square matrix H h , and the detection data lines SGLs (m), SGLs (m + 1), SGLs (m + 2), and SGLs (m + 3). ) Is not connected. Common wiring LC4 is to correspond to the component "-1" in the second line of the square matrix H h, detection data lines SGLs (m + 1), is connected to the SGLs (m + 3). The common line LC6 is connected to the detection data lines SGLs (m + 2) and SGLs (m + 3) corresponding to the component “−1” in the third row of the square matrix H h . Common wiring LC8 will correspond to components "-1" in the fourth line of square matrix H h, detection data lines SGLs (m + 1), is connected to the SGLs (m + 2).
シフトレジスタ19は、カウンタ17からのタイミング制御信号に基づいて、駆動信号生成部14Aから供給された検出駆動信号Vsを共通配線LC1―LC8に順次供給する。共通配線LC1―LC8は、正方行列Hhの成分「1」又は成分「−1」に対応して検出用データ線SGLsに接続されているので、検出駆動信号Vsを共通配線LC1−LC8に供給することで、上述した第1検出動作Tc0から第4検出動作Tc3が実行される。例えば、共通配線LC1は、第1検出動作Tc0の正符号選択動作Tc0 +に対応する。また、共通配線LC2は、第1検出動作Tc0の負符号選択動作Tc0 −に対応する。共通配線LC1と共通配線LC2とは、一端側が接続されているため、同時に検出駆動信号Vsが供給されて、正符号選択動作Tc0 +と負符号選択動作Tc0 −とが同時に実行される。
Based on the timing control signal from the
選択接続部14Ca、及び図示しないスイッチ素子SW5、xSW5、図示しない配線L1、L2、L3、図示しない選択信号生成部16、駆動信号生成部14A、カウンタ17、及びシフトレジスタ19は、図1に示す第1電極ドライバ14及び制御部11に含まれていてもよい。例えば、第1電極ドライバ14が選択接続部14Ca、図示しないスイッチ素子SW5、xSW5及び図示しない配線L1、L2、L3、及びシフトレジスタ19として機能し、制御部11が図示しない選択信号生成部16、駆動信号生成部14A、カウンタ17として機能してもよい。
The selection connection unit 14Ca, switch elements SW5 and xSW5 (not shown), wirings L1, L2, and L3 (not shown), the selection
(第3の実施形態)
上述した実施形態では、第2電極ブロックBKNBについて符号分割選択駆動を行うことで、第1方向Dxにおけるタッチ入力位置を検出する例を示したが、第2方向Dyの検出に適用してもよい。図19は、第3の実施形態に係る、検出対象として選択される第1電極の選択パターンの他の例を説明するための説明図である。図19(A)は第1検出動作Td0の正符号選択動作Td0 +を及び負符号選択動作Td0 −を示す。図19(B)は第2検出動作Td1の正符号選択動作Td1 +及び負符号選択動作Td1 −を示す。図19(C)は第3検出動作Td2の正符号選択動作Td2 +及び負符号選択動作Td2 −を示す。図19(D)は第4検出動作Td3の正符号選択動作Td3 +及び負符号選択動作Td3 −を示す。
(Third embodiment)
In the embodiment described above, by performing the code division selection drive for the second electrode block BKNB, although an example of detecting the touch input position in the first direction D x, is applied to the detection of the second direction D y Also good. FIG. 19 is an explanatory diagram for explaining another example of the selection pattern of the first electrode selected as the detection target according to the third embodiment. FIG. 19A shows the positive sign selection operation Td 0 + and the negative sign selection operation Td 0 − of the first detection operation Td 0 . FIG. 19B shows a positive sign selection operation Td 1 + and a negative sign selection operation Td 1 − of the second detection operation Td 1 . FIG. 19C shows a positive sign selection operation Td 2 + and a negative sign selection operation Td 2 − of the third detection operation Td 2 . FIG. 19D shows a positive sign selection operation Td 3 + and a negative sign selection operation Td 3 − of the fourth detection operation Td 3 .
図19では、1つの検出電極ブロック25B(m)について説明する。検出電極ブロック25B(m)は、列方向(第2方向Dy)に4つ配列された第1電極25を含み、4つの第1電極25は、それぞれ選択電極ブロック25A(n)、25A(n+1)、25A(n+2)、25A(n+3)に対応する。また、4つの第1電極25は、共通の検出用データ線SGLs(m)(図8参照)に接続されている。本実施形態の検出部30において、検出用ゲートドライバ12Bは、検出電極ブロック25B(m)のうち検出対象となる第1電極25を所定の符号に基づいて選択する。選択された第1電極25に検出駆動信号Vsが供給され、第1電極25の静電容量変化に基づいてそれぞれの第1電極25から検出信号が出力される。上述した式(1)と同様に、それぞれの第1電極25の検出信号が統合された出力信号Svr(r=0、1、2、3)が出力される。本実施形態において、検出用データドライバ12Bは、1つの検出電極ブロック25B(m)に含まれる検出電極と、共通の検出用データ線SGLs(m)とを選択的に接続する選択接続部であり、共通の検出用データ線SGLs(m)は出力信号線である。
In FIG. 19, one
所定の符号は、例えば、下記の式(6)の正方行列Hvで定義され、式(1)で示した正方行列Hhと同様である。正方行列Hvはこれに限られず、他のアダマール行列であってもよい。正方行列Hvの次数は、検出電極ブロック25B(m)に含まれる第1電極25の数、すなわち、4つの選択電極ブロック25Aの数である4となる。本実施形態では、4つの第1電極25を含む検出電極ブロック25B(m)について説明するが、これに限定されず、列方向に配列される第1電極25の個数は2つ、3つ又は5つ以上であってもよい。この場合、正方行列Hvの次数も検出電極ブロック25B(m)に含まれる第1電極25の個数に応じて変更される。
The predetermined code is defined by, for example, a square matrix H v in the following equation (6), and is the same as the square matrix H h shown in the equation (1). The square matrix Hv is not limited to this, and may be another Hadamard matrix. Order square matrix H v, the number of
図19(A)から図19(D)では、第1検出動作Td0、第2検出動作Td1、第3検出動作Td2及び第4検出動作Td3の4つの検出動作に分けて符号分割選択駆動の一例を説明する。図19(A)に示す第1検出動作Td0では、正方行列Hvの1行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図19(B)に示す第2検出動作Td1では、正方行列Hvの2行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図19(C)に示す第3検出動作Td2では、正方行列Hvの3行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図19(D)に示す第4検出動作Td3では、正方行列Hvの4行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。
In FIG. 19A to FIG. 19D, code division is performed by dividing into four detection operations of a first detection operation Td 0 , a second detection operation Td 1 , a third detection operation Td 2, and a fourth detection operation Td 3. An example of selection driving will be described. In the first detection operation Td 0 shown in FIG. 19 (A), the
第1検出動作Td0、第2検出動作Td1、第3検出動作Td2及び第4検出動作Td3はそれぞれ、正符号選択動作Td0 +、Td1 +、Td2 +、Td3 +と、負符号選択動作Td0 −、Td1 −、Td2 −、Td3 −とを含む。正符号選択動作Td0 +、Td1 +、Td2 +、Td3 +では、正方行列Hvの成分「1」に対応する第1選択信号に応じて、検出電極ブロック25B(m)のうち第1検出対象となる第1電極25が選択される。図19では、選択された第1電極25に斜線を付して示している。第1検出対象の第1電極25からマルチプレクサ14Bを介して第1出力信号Svr +(r=0、1、2、3)が出力される。ここで、第1出力信号Svr +は、検出電極ブロック25B(m)に含まれる第1検出対象の第1電極25の検出信号が統合された信号である。
The first detection operation Td 0 , the second detection operation Td 1 , the third detection operation Td 2, and the fourth detection operation Td 3 are respectively positive sign selection operations Td 0 + , Td 1 + , Td 2 + , Td 3 + Negative sign selection operations Td 0 − , Td 1 − , Td 2 − and Td 3 − . Plus sign selection operation Td 0 +, Td 1 +, Td 2 +, the Td 3 +, in response to the first selection signal corresponding to the component of the square matrix H v "1", of the detecting
負符号選択動作Td0 −、Td1 −、Td2 −、Td3 −では、正方行列Hvの成分「−1」に対応する第2選択信号に応じて、検出電極ブロック25B(m)のうち、第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極25が選択される。この第2検出対象の第1電極25からマルチプレクサ14Bを介して第2出力信号Svr −(r=0、1、2、3)が出力される。ここで、第2出力信号Svr −は、検出電極ブロック25B(m)に含まれる第2検出対象の第1電極25の検出信号が統合された信号である。本実施形態では、正符号選択動作Tdr +(r=0、1、2、3)と、負符号選択動作Tdr −(r=0、1、2、3)とが時分割で実行される。
Negative sign selection operation Td 0 -, Td 1 -, Td 2 -, Td 3 - In, in response to the second selection signal corresponding to the component of the square matrix H v "-1", the
信号処理部40の信号演算部44(図2参照)は、第1出力信号Svp +と第2出力信号Svp −との差分を演算することにより、第3出力信号Svr=Svr +−Svr −を算出する。信号演算部44は、第3出力信号Svrを記憶部47に出力して、第3出力信号Svrを一時的に記憶させる。第1出力信号Shp +と第2出力信号Shp −とは、選択信号に応じて選択された第1電極群を電極E1とした場合において、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における検出信号Vdetに対応する。
The signal calculation unit 44 (see FIG. 2) of the
正方行列Hvの次数が4の場合、上述した式(3)と同様に、1つの検出電極ブロック25B(m)から、4つの出力信号(Sv0、Sv1、Sv2、Sv3)が得られる。この場合、4つの第1出力信号Sv0 +、Sv1 +、Sv2 +、Sv3 +と、4つの第2出力信号Sv0 −、Sv1 −、Sv2 −、Sv3 −から、第3出力信号(Sv0、Sv1、Sv2、Sv3)がそれぞれ求められる。
If the order of the square matrix H v is 4, similarly to the equation (3) described above, from one detection electrode blocks 25B (m), the four
図19(A)に示すように、第1検出動作Td0の正符号選択動作Td0 +では、正方行列Hvの1行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、4つの第1電極25が選択される。具体的には、検出用ゲートドライバ12Bが、第1検出対象の第1電極25に対応する検出用ゲート線GCLsに対して検出走査信号Vscansを供給する。これにより、検出用スイッチング素子Trsがオンとなり、第1検出対象の第1電極25により自己静電容量方式の基本原理に基づいた検出が実行される。第1出力信号Sv0 +は4つの第1電極25の検出信号が統合された信号が出力される。
As shown in FIG. 19A, in the positive sign selection operation Td 0 + of the first detection operation Td 0 , four detection targets corresponding to the component “1” in the first row of the square matrix H v are four. The
第1検出動作Td0の負符号選択動作Td0 −では、正方行列Hvの1行目の成分「−1」が存在しないため、成分「−1」に対応する第2検出対象として第1電極25は選択されない。よって、第2出力信号Sv0 −は、Sv0 −=0となる。第1出力信号Sv0 +と第2出力信号Sv0 −との差分から、第3出力信号Sv0=Sv0 +−Sv0 −が算出される。
In the negative sign selection operation Td 0 − of the first detection operation Td 0 , since the component “−1” in the first row of the square matrix H v does not exist, the first detection target corresponding to the component “−1” is the first. The
次に、図19(B)に示すように、第2検出動作Td1の正符号選択動作Td1 +では、正方行列Hvの2行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、選択電極ブロック25A(n)、25A(n+2)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25から第1出力信号Sv1 +が出力される。
Next, as illustrated in FIG. 19B, in the positive sign selection operation Td 1 + of the second detection operation Td 1 , the first detection target corresponding to the component “1” in the second row of the square matrix H v is used. The two
第2検出動作Td1の負符号選択動作Td1 −では、正方行列Hvの2行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、選択電極ブロック25A(n+1)、25A(n+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25から第2出力信号Sv1 −が出力される。第1出力信号Sv1 +と第2出力信号Sv1 −との差分から、第3出力信号Sv1=Sv1 +−Sv1 −が算出される。
Second negative sign selection operation Td detecting operation Td 1 1 - So, as a second detection target corresponding to the second row of the components of the square matrix H v "-1", the
次に、図19(C)に示すように、第3検出動作Td2の正符号選択動作Td2 +では、正方行列Hvの3行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、選択電極ブロック25A(n)、25A(n+1)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25から第1出力信号Sv2 +が出力される。
Next, as shown in FIG. 19C, in the positive sign selection operation Td 2 + of the third detection operation Td 2 , the first detection target corresponding to the component “1” in the third row of the square matrix H v is used. The two
第3検出動作Td2の負符号選択動作Td2 −では、正方行列Hvの3行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、選択電極ブロック25A(n+2)、25A(n+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25から第2出力信号Sv2 −が出力される。第1出力信号Sv2 +と第2出力信号Sv2 −との差分から、第3出力信号Sv2=Sv2 +−Sv2 −が算出される。
Negative sign selection operation Td 2 of the third detection operation Td 2 - In, as a second detection object corresponding to the component of the third row of the square matrix H v "-1", the
次に、図19(D)に示すように、第4検出動作Td3の正符号選択動作Td3 +では、正方行列Hvの4行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、選択電極ブロック25A(n)、25A(n+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25から第1出力信号Sv3 +が出力される。
Next, as illustrated in FIG. 19D, in the positive sign selection operation Td 3 + of the fourth detection operation Td 3 , the first detection target corresponding to the component “1” in the fourth row of the square matrix H v is used. The two
第4検出動作Td3の負符号選択動作Td3 −では、正方行列Hvの4行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、選択電極ブロック25A(n+1)、25A(n+2)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25から第2出力信号Sv3 −が出力される。第1出力信号Sv3 +と第2出力信号Sv3 −との差分から、第3出力信号Sv3=Sv3 +−Sv3 −が算出される。
In the negative sign selection operation Td 3 − of the fourth detection operation Td 3 , as the second detection target corresponding to the component “−1” in the fourth row of the square matrix H v , the selection electrode blocks 25A (n + 1) and 25A (n + 2 Two
信号演算部44は、4つの出力信号Sv0、Sv1、Sv2、Sv3を順次、記憶部47に出力する。座標抽出部45(図2参照)は、信号演算部44が演算した出力信号Sv0、Sv1、Sv2、Sv3を記憶部47から受け取り、上述した式(4)と同様に復号処理を実行する。座標抽出部45は、復号処理を実行することで検出電極ブロック25B(m)に含まれる各検出電極の検出信号を取得することができる。座標抽出部45は、復号信号を算出することで検出電極ブロック25B(m)のうち指が接触又は近接した座標を求めることができる。
The
以上のように、符号分割選択駆動により第2方向Dyにおけるタッチ入力位置の検出が可能となる。また、本実施形態においても、各第1電極25の検出信号を統合した出力信号から、復号処理を行うことで、各ノードの信号値の電圧を上げることなく、時分割選択駆動の4倍の信号強度が得られることとなる。
As described above, it is possible to detect a touch input position in the second direction D y by code division selection drive. Also in the present embodiment, decoding is performed from an output signal obtained by integrating the detection signals of the
本実施形態において、検出電極ブロック25B(m)の4つの第1電極25は、共通の検出用データ線SGLs(m)(図8参照)に接続されている。このため、正符号選択動作Tdr +と負符号選択動作Tdr −とは時分割で実行される。これにより、第1電極25同士の容量結合を抑制して、検出感度を向上させることができる。なお、検出電極ブロック25B(m)の4つの第1電極25のそれぞれに、1本ずつデータ線を接続した場合には、正符号選択動作Tdr +と負符号選択動作Tdr −とを同時に実行してもよい。
In the present embodiment, the four
(第4の実施形態)
次に、図20から図27を参照して、第1方向Dx及び第2方向Dyのタッチ入力位置の検出について、符号分割選択駆動を適用した場合の動作例を説明する。図20は、第4の実施形態に係る、第1検出動作及び第2検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図21は、第3検出動作及び第4検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図22は、第5検出動作及び第6検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図23は、第7検出動作及び第8検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図24は、第9検出動作及び第10検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図25は、第11検出動作及び第12検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図26は、第13検出動作及び第14検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図27は、第15検出動作及び第16検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。本実施形態において、検出用ゲートドライバ12B及びマルチプレクサ14Bが、第1方向Dx及び第2方向Dyに配置された検出電極ブロックから第1電極を選択する選択接続部に対応し、マルチプレクサ14Bと検出器(第1検出器、第2検出器)を結ぶ配線が出力信号線に対応する。なお、出力信号線は、検出用ゲートドライバ12Bとマルチプレクサ14Bによって選択された第1電極の検出信号を統合した出力信号を伝達する。
(Fourth embodiment)
Next, with reference to FIG. 20 to FIG. 27, an example of operation when code division selection driving is applied to detection of touch input positions in the first direction D x and the second direction D y will be described. FIG. 20 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the first detection operation and the second detection operation according to the fourth embodiment. FIG. 21 is an explanatory diagram for describing an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the third detection operation and the fourth detection operation. FIG. 22 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the fifth detection operation and the sixth detection operation. FIG. 23 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the seventh detection operation and the eighth detection operation. FIG. 24 is an explanatory diagram for describing an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the ninth detection operation and the tenth detection operation. FIG. 25 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the eleventh detection operation and the twelfth detection operation. FIG. 26 is an explanatory diagram for describing an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the thirteenth detection operation and the fourteenth detection operation. FIG. 27 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the fifteenth detection operation and the sixteenth detection operation. In the present embodiment, the
図20から図27では、図12に示した第1電極の選択パターンと、図19に示した第1電極の選択パターンとを組み合わせて符号分割選択駆動が実行される。 20 to 27, the code division selection drive is executed by combining the selection pattern of the first electrode shown in FIG. 12 and the selection pattern of the first electrode shown in FIG.
図20(A)は、第1検出動作の正符号選択動作Te00 +を示し、図20(B)は、第1検出動作の負符号選択動作Te00 −を示し、図20(C)は、第2検出動作の正符号選択動作Te01 +を示し、図20(D)は、第2検出動作の負符号選択動作Te01 −を示す。図20(A)において、第2方向Dyの符号分割選択駆動は、正方行列Hvの1行目の成分「1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)に属する第1電極25が、正方行列Hvの第1検出対象の第1電極25として選択される。すなわち、検出用ゲート線GCLs(n)、GCLs(n+1)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)に接続された第1電極25が選択される。
20A shows the positive sign selection operation Te 00 + of the first detection operation, FIG. 20B shows the negative sign selection operation Te 00 − of the first detection operation, and FIG. FIG. 20D shows the positive sign selection operation Te 01 + of the second detection operation, and FIG. 20D shows the negative sign selection operation Te 01 − of the second detection operation. In FIG. 20A, the code division selection drive in the second direction D y corresponds to the component “1” in the first row of the square matrix H v , and the second electrode blocks BKNB (n), BKNB (n + 1) , BKNB (n + 2),
また、図20(A)において、第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正符号選択動作と負符号選択動作とが同時に実行される。正方行列Hhの1行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)に属する第1電極25が、正方行列Hhの第1検出対象の第1電極25として選択され、マルチプレクサ14Bを介して第1検出器DET1に接続される。正方行列Hhの1行目の成分「−1」が存在しないため、成分「−1」に対応する正方行列Hhの第2検出対象として第1電極25は選択されない。
Further, in FIG. 20 (A), code division selectively driven in the first direction D x is a positive sign selection operation and the negative sign selection operation are performed simultaneously. The
各第1電極25の検出信号を統合した信号が第1出力信号Svh00 ++として出力される。第2出力信号Svh00 +−は、Svh00 +−=0となる。これらの差分から、出力信号Svh00 +=Svh00 ++−Svh00 +−が算出される。
A signal obtained by integrating the detection signals of the
図20(B)において、第2方向Dyの符号分割選択駆動は、正方行列Hvの1行目の成分「−1」が存在しないため、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)に属する第1電極25が、成分「−1」に対応する正方行列Hvの第2検出対象として選択されない。
In FIG. 20B, the code division selection drive in the second direction D y does not include the component “−1” in the first row of the square matrix H v , so the second electrode blocks BKNB (n), BKNB (n + 1) ), BKNB (n + 2) ,
第1出力信号Svh00 −+と第2出力信号Svh00 −−とは、Svh00 −+=Svh00 −−=0となる。これらの差分から、出力信号Svh00 −=Svh00 −+−Svh00 −−が算出される。出力信号Svh00 +と出力信号Svh00 −の差分から、第1検出動作における第3出力信号Svh00が算出される。 The first output signal Svh 00 − + and the second output signal Svh 00 −− are Svh 00 − + = Svh 00 −− = 0. From these differences, the output signal Svh 00 − = Svh 00 − + −Svh 00 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 00 + and the output signal Svh 00 − , the third output signal Svh 00 in the first detection operation is calculated.
図20(C)、図20(D)は、それぞれ、第2方向Dyの符号分割選択駆動が図20(A)、図20(B)と同様の選択となっている。第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの2行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの2行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。図20(C)に示す第2検出動作の正符号選択動作Te01 +では、出力信号Svh01 +=Svh01 ++−Svh01 +−が算出される。図20(D)に示す第2検出動作の負符号選択動作Te01 −では、出力信号Svh01 −=Svh01 −+−Svh01 −−が算出される。出力信号Svh01 +と出力信号Svh01 −の差分から、第2検出動作における第3出力信号Svh01が算出される。
In FIG. 20C and FIG. 20D , the code division selection drive in the second direction D y is the same selection as in FIG. 20A and FIG. 20B, respectively. In the code division selection driving in the first direction D x , the
図21(A)は、第3検出動作の正符号選択動作Te02 +を示し、図21(B)は、第3検出動作の負符号選択動作Te02 −を示し、図21(C)は、第4検出動作の正符号選択動作Te03 +を示し、図21(D)は、第4検出動作の負符号選択動作Te03 −を示す。図21(A)から図21(D)において、第2方向Dyの符号分割選択駆動は、図20(A)から図20(D)と同様である。つまり、正方行列Hvの1行目の成分「1」に対応して、正方行列Hvの第1検出対象の第1電極25及び正方行列Hvの第2検出対象の第1電極25が選択される。
FIG. 21A shows the positive sign selection operation Te 02 + of the third detection operation, FIG. 21B shows the negative sign selection operation Te 02 − of the third detection operation, and FIG. FIG. 21D shows the positive sign selection operation Te 03 + of the fourth detection operation, and FIG. 21D shows the negative sign selection operation Te 03 − of the fourth detection operation. In FIGS. 21A to 21D , the code division selection drive in the second direction D y is the same as that in FIGS. 20A to 20D. That is, in response to the first row of the components of the square matrix H v "1", the
図21(A)及び図21(B)において、第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの3行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの3行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+2)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。図21(A)に示す第3検出動作の正符号選択動作Te02 +では、出力信号Svh02 +=Svh02 ++−Svh02 +−が算出される。図21(B)に示す第3検出動作の負符号選択動作Te02 −では、出力信号Svh02 −=Svh02 −+−Svh02 −−が算出される。出力信号Svh02 +と出力信号Svh02 −の差分から、第3検出動作における第3出力信号Svh02が算出される。
In FIGS. 21A and 21B, the code division selection drive in the first direction D x corresponds to the component “1” in the third row of the square matrix H h , and the
図21(C)及び図21(D)において、第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの4行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの3行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。図21(C)に示す第4検出動作の正符号選択動作Te03 +では、出力信号Svh03 +=Svh03 ++−Svh03 +−が算出される。図21(D)に示す第4検出動作の負符号選択動作Te03 −では、出力信号Svh03 −=Svh03 −+−Svh03 −−が算出される。出力信号Svh03 +と出力信号Svh03 −の差分から、第4検出動作における第3出力信号Svh03が算出される。
In FIG. 21C and FIG. 21D , the code division selection drive in the first direction D x corresponds to the component “1” in the fourth row of the square matrix H h , and the
図22(A)は、第5検出動作の正符号選択動作Te10 +を示し、図22(B)は、第5検出動作の負符号選択動作Te10 −を示し、図22(C)は、第6検出動作の正符号選択動作Te11 +を示し、図22(D)は、第6検出動作の負符号選択動作Te11 −を示す。図23(A)は、第7検出動作の正符号選択動作Te12 +を示し、図23(B)は、第7検出動作の負符号選択動作Te12 −を示し、図23(C)は、第8検出動作の正符号選択動作Te13 +を示し、図23(D)は、第8検出動作の負符号選択動作Te13 −を示す。 22A shows the positive sign selection operation Te 10 + of the fifth detection operation, FIG. 22B shows the negative sign selection operation Te 10 − of the fifth detection operation, and FIG. FIG. 22D shows the positive sign selection operation Te 11 + of the sixth detection operation, and FIG. 22D shows the negative sign selection operation Te 11 − of the sixth detection operation. FIG. 23A shows a positive sign selection operation Te 12 + of the seventh detection operation, FIG. 23B shows a negative sign selection operation Te 12 − of the seventh detection operation, and FIG. FIG. 23D shows the positive sign selection operation Te 13 + of the eighth detection operation, and FIG. 23D shows the negative sign selection operation Te 13 − of the eighth detection operation.
図22及び図23に示すように、第5検出動作から第8検出動作における第1方向Dxの符号分割選択駆動は、図20(A)から図20(D)及び図21(A)から図21(D)と同様に、正方行列Hhの第1検出対象と正方行列Hhの第2検出対象の第1電極25が選択される。
As shown in FIGS. 22 and 23, the code division selectively driven in the first direction D x in the eighth detection operation from the fifth detection operation, from FIG. 20 (D) and FIG. 21 (A) from FIG. 20 (A) similar to FIG. 21 (D), the
図22(A)に示す第5検出動作の正符号選択動作Te10 +において、正方行列Hvの2行目の成分「1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+2)の第1電極25が、正方行列Hvの第1検出対象の第1電極25として選択される。また、正方行列Hhの1行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)に属する第1電極25が、正方行列Hhの第1検出対象の第1電極25として選択される。図22(A)に示す第5検出動作の正符号選択動作Te10 +では、出力信号Svh10 +=Svh10 ++−Svh10 +−が算出される。
The positive sign selection operation Te 10 + the fifth detection operation shown in FIG. 22 (A), in correspondence with the components "1" of the second row of square matrix H v, the second electrode block BKNB (n), BKNB ( n + 2)
図22(B)に示す第5検出動作の負符号選択動作Te10 −において、正方行列Hvの2行目の成分「−1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n+1)、BKNB(n+3)の第1電極25が、正方行列Hvの第2検出対象の第1電極25として選択される。図22(B)に示す第5検出動作の負符号選択動作Te10 −では、出力信号Svh10 −=Svh10 −+−Svh10 −−が算出される。出力信号Svh10 +と出力信号Svh10 −の差分から、第5検出動作における第3出力信号Svh10が算出される。
Negative sign selection operation Te 10 of the fifth detection operation shown in FIG. 22 (B) - In, corresponds to the second line of the components of the square matrix H v "-1", the second electrode block BKNB (n + 1), BKNB (n + 3) the
図22(C)、図22(D)の第6検出動作は、それぞれ、第2方向Dyの符号分割選択駆動が図22(A)、図22(B)と同様の選択となっている。第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの2行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの2行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。図22(C)に示す第6検出動作の正符号選択動作Te11 +では、出力信号Svh11 +=Svh11 ++−Svh11 +−が算出される。図22(D)に示す第6検出動作の負符号選択動作Te11 −では、出力信号Svh11 −=Svh11 −+−Svh11 −−が算出される。出力信号Svh11 +と出力信号Svh11 −の差分から、第6検出動作における第3出力信号Svh11が算出される。
In the sixth detection operations of FIGS. 22C and 22D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 22A and 22B, respectively. . In the code division selection driving in the first direction D x , the
図23(A)、図23(B)に示す第7検出動作において、それぞれ、第2方向Dyの符号分割選択駆動は、図22(A)、図22(B)と同様の選択となっている。第7検出動作において、第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの3行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの3行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+2)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。
In the seventh detection operation shown in FIGS. 23A and 23B , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 22A and 22B. ing. In the seventh detection operation, the code division selection driving in the first direction D x corresponds to the component “1” in the third row of the square matrix H h , and the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 1) 1
図23(A)に示す第7検出動作の正符号選択動作Te12 +では、出力信号Svh12 +=Svh12 ++−Svh12 +−が算出される。図23(B)に示す第7検出動作の負符号選択動作Te12 −では、出力信号Svh12 −=Svh12 −+−Svh12 −−が算出される。出力信号Svh12 +と出力信号Svh12 −の差分から、第7検出動作における第3出力信号Svh12が算出される。 In the positive sign selection operation Te 12 + of the seventh detection operation shown in FIG. 23A, the output signal Svh 12 + = Svh 12 ++ −Svh 12 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 12 − of the seventh detection operation shown in FIG. 23B, the output signal Svh 12 − = Svh 12 − + −Svh 12 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 12 + and the output signal Svh 12 − , the third output signal Svh 12 in the seventh detection operation is calculated.
図23(C)、図23(D)に示す第8検出動作において、それぞれ、第2方向Dyの符号分割選択駆動が、図22(A)、図22(B)と同様の選択となっている。第8検出動作において、第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの4行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの4行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。
In the eighth detection operation shown in FIGS. 23C and 23D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 22A and 22B, respectively. ing. In an eighth detection operation, code division selectively driven in the first direction D x, corresponding to the components "1" of the fourth line of square matrix H h,
図23(C)に示す第8検出動作の正符号選択動作Te13 +では、出力信号Svh13 +=Svh13 ++−Svh13 +−が算出される。図23(D)に示す第8検出動作の負符号選択動作Te13 −では、出力信号Svh13 −=Svh13 −+−Svh13 −−が算出される。出力信号Svh13 +と出力信号Svh13 −の差分から、第8検出動作における第3出力信号Svh13が算出される。 In the positive sign selection operation Te 13 + of the eighth detection operation shown in FIG. 23C, the output signal Svh 13 + = Svh 13 ++ −Svh 13 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 13 − of the eighth detection operation shown in FIG. 23D, the output signal Svh 13 − = Svh 13 − + −Svh 13 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 13 + and the output signal Svh 13 − , the third output signal Svh 13 in the eighth detection operation is calculated.
図24(A)は、第9検出動作の正符号選択動作Te20 +を示し、図24(B)は、第9検出動作の負符号選択動作Te20 −を示し、図24(C)は、第10検出動作の正符号選択動作Te21 +を示し、図24(D)は、第10検出動作の負符号選択動作Te21 −を示す。図25(A)は、第11検出動作の正符号選択動作Te22 +を示し、図25(B)は、第11検出動作の負符号選択動作Te22 −を示し、図25(C)は、第12検出動作の正符号選択動作Te23 +を示し、図25(D)は、第12検出動作の負符号選択動作Te23 −を示す。 FIG. 24A shows a positive sign selection operation Te 20 + of the ninth detection operation, FIG. 24B shows a negative sign selection operation Te 20 − of the ninth detection operation, and FIG. FIG. 24D shows the negative sign selection operation Te 21 − of the tenth detection operation. FIG. 24D shows the positive sign selection operation Te 21 + of the tenth detection operation. FIG. 25A shows the positive sign selection operation Te 22 + of the eleventh detection operation, FIG. 25B shows the negative sign selection operation Te 22 − of the eleventh detection operation, and FIG. FIG. 25D shows the positive sign selection operation Te 23 + of the twelfth detection operation, and FIG. 25D shows the negative sign selection operation Te 23 − of the twelfth detection operation.
図24及び図25に示すように、第9検出動作から第12検出動作における第1方向Dxの符号分割選択駆動は、図20(A)から図20(D)及び図21(A)から図21(D)と同様に、正方行列Hhの第1検出対象と正方行列Hhの第2検出対象の第1電極25が選択される。
As shown in FIGS. 24 and 25, the code division selectively driven in the first direction D x in the 12 detection operation from the ninth detection operation, from FIG. 20 (D) and FIG. 21 (A) from FIG. 20 (A) similar to FIG. 21 (D), the
図24(A)に示す第9検出動作の正符号選択動作Te20 +において、正方行列Hvの3行目の成分「1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)の第1電極25が、正方行列Hvの第1検出対象の第1電極25として選択される。また、正方行列Hhの1行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)に属する第1電極25が、正方行列Hhの第1検出対象の第1電極25として選択される。図24(A)に示す第9検出動作の正符号選択動作Te20 +では、出力信号Svh20 +=Svh20 ++−Svh20 +−が算出される。
Figure 24 9 in the positive sign selection operation Te 20 + detection operation (A), the corresponding to components of "1" in the third line of the square matrix H v, the second electrode block BKNB (n), BKNB ( n + 1)
図24(B)に示す第9検出動作の負符号選択動作Te20 −において、正方行列Hvの3行目の成分「−1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n+2)、BKNB(n+3)の第1電極25が、正方行列Hvの第2検出対象の第1電極25として選択される。図24(B)に示す第9検出動作の負符号選択動作Te20 −では、出力信号Svh20 −=Svh20 −+−Svh20 −−が算出される。出力信号Svh20 +と出力信号Svh20 −の差分から、第9検出動作における第3出力信号Svh20が算出される。
Figure 24 (B) are shown the ninth detection operation of the negative code selection operation Te 20 - In, corresponds to the component of the third row of the square matrix H v "-1", the second electrode block BKNB (n + 2), BKNB (n + 3) the
図24(C)、図24(D)の第10検出動作は、それぞれ、第2方向Dyの符号分割選択駆動が図24(A)、図24(B)と同様の選択となっている。第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの2行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの2行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。図24(C)に示す第10検出動作の正符号選択動作Te21 +では、出力信号Svh21 +=Svh21 ++−Svh21 +−が算出される。図24(D)に示す第10検出動作の負符号選択動作Te21 −では、出力信号Svh21 −=Svh21 −+−Svh21 −−が算出される。出力信号Svh21 +と出力信号Svh21 −の差分から、第10検出動作における第3出力信号Svh21が算出される。
In the tenth detection operations of FIGS. 24C and 24D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 24A and 24B, respectively. . In the code division selection driving in the first direction D x , the
図25(A)、図25(B)に示す第11検出動作において、それぞれ、第2方向Dyの符号分割選択駆動は、図24(A)、図24(B)と同様の選択となっている。第11検出動作において、第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの3行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの3行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+2)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。
In the eleventh detection operations shown in FIGS. 25A and 25B, the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 24A and 24B , respectively. ing. In the 11 detection operation, code division selectively driven in the first direction D x, corresponding to the components of the third row of the square matrix H h "1", the
図25(A)に示す第11検出動作の正符号選択動作Te22 +では、出力信号Svh22 +=Svh22 ++−Svh22 +−が算出される。図25(B)に示す第11検出動作の負符号選択動作Te22 −では、出力信号Svh22 −=Svh22 −+−Svh22 −−が算出される。出力信号Svh22 +と出力信号Svh22 −の差分から、第11検出動作における第3出力信号Svh22が算出される。 In the positive sign selection operation Te 22 + of the eleventh detection operation shown in FIG. 25A, the output signal Svh 22 + = Svh 22 ++ −Svh 22 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 22 − of the eleventh detection operation shown in FIG. 25B, the output signal Svh 22 − = Svh 22 − + −Svh 22 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 22 + and the output signal Svh 22 − , the third output signal Svh 22 in the eleventh detection operation is calculated.
図25(C)、図25(D)に示す第12検出動作において、それぞれ、第2方向Dyの符号分割選択駆動が、図24(A)、図24(B)と同様の選択となっている。第12検出動作において、第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの4行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの4行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。
In the twelfth detection operation shown in FIGS. 25C and 25D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 24A and 24B , respectively. ing. In the twelfth detection operation, the code division selection drive in the first direction D x corresponds to the component “1” in the fourth row of the square matrix H h , and the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 3) 1
図25(C)に示す第12検出動作の正符号選択動作Te23 +では、出力信号Svh23 +=Svh23 ++−Svh23 +−が算出される。図25(D)に示す第12検出動作の負符号選択動作Te23 −では、出力信号Svh23 −=Svh23 −+−Svh23 −−が算出される。出力信号Svh23 +と出力信号Svh23 −の差分から、第12検出動作における第3出力信号Svh23が算出される。 In the positive sign selection operation Te 23 + of the twelfth detection operation shown in FIG. 25C, the output signal Svh 23 + = Svh 23 ++ −Svh 23 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 23 − of the twelfth detection operation illustrated in FIG. 25D, the output signal Svh 23 − = Svh 23 − + −Svh 23 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 23 + and the output signal Svh 23 − , the third output signal Svh 23 in the twelfth detection operation is calculated.
図26(A)は、第13検出動作の正符号選択動作Te30 +を示し、図26(B)は、第13検出動作の負符号選択動作Te30 −を示し、図26(C)は、第14検出動作の正符号選択動作Te31 +を示し、図26(D)は、第14検出動作の負符号選択動作Te31 −を示す。図27(A)は、第15検出動作の正符号選択動作Te32 +を示し、図27(B)は、第15検出動作の負符号選択動作Te32 −を示し、図27(C)は、第16検出動作の正符号選択動作Te33 +を示し、図27(D)は、第16検出動作の負符号選択動作Te33 −を示す。 26A shows the positive sign selection operation Te 30 + of the thirteenth detection operation, FIG. 26B shows the negative sign selection operation Te 30 − of the thirteenth detection operation, and FIG. FIG. 26D shows the positive sign selection operation Te 31 + of the fourteenth detection operation, and FIG. 26D shows the negative sign selection operation Te 31 − of the fourteenth detection operation. 27A shows the positive sign selection operation Te 32 + of the fifteenth detection operation, FIG. 27B shows the negative sign selection operation Te 32 − of the fifteenth detection operation, and FIG. FIG. 27D shows the positive sign selection operation Te 33 + of the sixteenth detection operation, and FIG. 27D shows the negative sign selection operation Te 33 − of the sixteenth detection operation.
図26及び図27に示すように、第13検出動作から第16検出動作における第1方向Dxの符号分割選択駆動は、図20(A)から図20(D)及び図21(A)から図21(D)と同様に、正方行列Hhの第1検出対象と正方行列Hhの第2検出対象の第1電極25が選択される。
As shown in FIGS. 26 and 27, the code division selectively driven in the first direction D x in the 16 detection operation from the 13 detection operation, from FIG. 20 (D) and FIG. 21 (A) from FIG. 20 (A) similar to FIG. 21 (D), the
図26(A)に示す第13検出動作の正符号選択動作Te30 +において、正方行列Hvの4行目の成分「1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+3)の第1電極25が、正方行列Hvの第1検出対象の第1電極25として選択される。また、正方行列Hhの1行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)に属する第1電極25が、正方行列Hhの第1検出対象の第1電極25として選択される。図26(A)に示す第13検出動作の正符号選択動作Te30 +では、出力信号Svh30 +=Svh30 ++−Svh30 +−が算出される。
13 in the detection operation of the positive sign selection operation Te 30 + shown in FIG. 26 (A), corresponding to the components "1" of the fourth line of square matrix H v, the second electrode block BKNB (n), BKNB ( n + 3) the
図26(B)に示す第13検出動作の負符号選択動作Te30 −において、正方行列Hvの4行目の成分「−1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n+1)、BKNB(n+2)の第1電極25が、正方行列Hvの第2検出対象の第1電極25として選択される。図26(B)に示す第13検出動作の負符号選択動作Te30 −では、出力信号Svh30 −=Svh30 −+−Svh30 −−が算出される。出力信号Svh30 +と出力信号Svh30 −の差分から、第13検出動作における第3出力信号Svh30が算出される。
Negative sign selection operation Te 30 of the 13 detection operation shown in FIG. 26 (B) - In, corresponding to the components of the fourth row of the square matrix H v "-1", the second electrode block BKNB (n + 1), BKNB (n + 2)
図26(C)、図26(D)の第14検出動作は、それぞれ、第2方向Dyの符号分割選択駆動が図26(A)、図26(B)と同様の選択となっている。第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの2行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの2行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。図26(C)に示す第14検出動作の正符号選択動作Te31 +では、出力信号Svh31 +=Svh31 ++−Svh31 +−が算出される。図26(D)に示す第14検出動作の負符号選択動作Te31 −では、出力信号Svh31 −=Svh31 −+−Svh31 −−が算出される。出力信号Svh31 +と出力信号Svh31 −の差分から、第14検出動作における第3出力信号Svh31が算出される。
In the fourteenth detection operations of FIGS. 26C and 26D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 26A and 26B, respectively. . In the code division selection driving in the first direction D x , the
図27(A)、図27(B)に示す第15検出動作において、それぞれ、第2方向Dyの符号分割選択駆動は、図26(A)、図26(B)と同様の選択となっている。第15検出動作において、第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの3行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの3行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+2)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。
In the fifteenth detection operations shown in FIGS. 27A and 27B, the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 26A and 26B , respectively. ing. In the fifteenth detection operation, the code division selection drive in the first direction D x corresponds to the component “1” in the third row of the square matrix H h and the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 1) 1
図27(A)に示す第15検出動作の正符号選択動作Te32 +では、出力信号Svh32 +=Svh32 ++−Svh32 +−が算出される。図27(B)に示す第15検出動作の負符号選択動作Te32 −では、出力信号Svh32 −=Svh32 −+−Svh32 −−が算出される。出力信号Svh32 +と出力信号Svh32 −の差分から、第15検出動作における第3出力信号Svh32が算出される。 In the positive sign selection operation Te 32 + of the fifteenth detection operation shown in FIG. 27A, the output signal Svh 32 + = Svh 32 ++ −Svh 32 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 32 − of the fifteenth detection operation shown in FIG. 27B, the output signal Svh 32 − = Svh 32 − + −Svh 32 −− is calculated. Output signal Svh 32 + and the output signal Svh 32 - from the difference, the third output signal Svh 32 in the 15 detection operation is calculated.
図27(C)、図27(D)に示す第16検出動作において、それぞれ、第2方向Dyの符号分割選択駆動が、図26(A)、図26(B)と同様の選択となっている。第16検出動作において、第1方向Dxの符号分割選択駆動は、正方行列Hhの4行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hhの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hhの4行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hhの第2検出対象として選択される。
In the sixteenth detection operation shown in FIGS. 27C and 27D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 26A and 26B , respectively. ing. In the sixteenth detection operation, the code division selection drive in the first direction D x corresponds to the component “1” in the fourth row of the square matrix H h , and the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 3) 1
図27(C)に示す第16検出動作の正符号選択動作Te33 +では、出力信号Svh33 +=Svh33 ++−Svh33 +−が算出される。図27(D)に示す第16検出動作の負符号選択動作Te33 −では、出力信号Svh33 −=Svh33 −+−Svh33 −−が算出される。出力信号Svh33 +と出力信号Svh33 −の差分から、第16検出動作における第3出力信号Svh33が算出される。 In the positive sign selection operation Te 33 + of the sixteenth detection operation shown in FIG. 27C, the output signal Svh 33 + = Svh 33 ++ −Svh 33 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 33 − of the sixteenth detection operation shown in FIG. 27D, the output signal Svh 33 − = Svh 33 − + −Svh 33 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 33 + and the output signal Svh 33 − , the third output signal Svh 33 in the sixteenth detection operation is calculated.
以上説明したように、第1検出動作から第16検出動作により、信号演算部44(図2参照)は、16個の出力信号Svhのデータを算出する。出力信号Svhのデータは記憶部47に保存される。座標抽出部45(図2参照)は、記憶部47から出力信号Svhのデータを受け取って、式(7)に基づいて復号処理を行う。
As described above, the signal calculation unit 44 (see FIG. 2) calculates data of the 16 output signals Svh by the first detection operation to the sixteenth detection operation. Data of the output signal Svh is stored in the
(数7)
Si´=Hv×Svh×Hh …(7)
(Equation 7)
Si ′ = H v × Svh × H h (7)
ここで、Si´は、復号信号であり、図20から図27に示す各第1電極25に対応する行列である。Hvは式(2)に示す正方行列であり、第2方向Dyの変換行列である。Hhは式(6)に示す正方行列であり、第2方向Dyの変換行列である。座標抽出部45は、復号処理によって、復号処理を実行することで検出電極ブロック25B(m)又は第2検出電極ブロックBKNB(n)に含まれる各検出電極の検出信号を取得することができる。座標抽出部45(図2参照)は、復号信号Si´に基づいて、接触又は近接する指等の二次元座標を算出することができる。本実施形態においても、各第1電極25の検出信号を統合した出力信号に基づいて復号処理を行うことで、各ノードの信号値の電圧を上げることなく、時分割選択駆動の16倍の信号強度が得られることとなる。
Here, Si ′ is a decoded signal, and is a matrix corresponding to each
正符号選択動作と負符号選択動作とを連続して実行することで、ノイズ耐性を向上させることが可能である。例えば、図20に示す第1検出動作において、4つの第1出力信号Svh00 ++、第2出力信号Svh00 +−、第1出力信号Svh00 −+、第2出力信号Svh00 −−は、時分割で測定する場合、この順で測定することが好ましい。正方行列Hhの第1検出対象と、第2検出対象の検出時間の間隔が短くなるので、各出力信号にのったノイズ成分がキャンセルされる。又は、例えば、第1出力信号Svh00 ++、第1出力信号Svh00 −+、第2出力信号Svh00 +−、第2出力信号Svh00 −−の順に測定してもよい。この場合、正方行列Hvの第1検出対象と、第2検出対象の検出時間の間隔が短くなるので、各出力信号にのったノイズ成分がキャンセルされる。又は、正符号選択動作を複数回連続して実行した後に負符号選択動作を実行してもよい。図20から図27に示した各検出動作の順番は適宜変更してもよい。 It is possible to improve noise tolerance by continuously performing the positive code selection operation and the negative code selection operation. For example, in the first detection operation illustrated in FIG. 20, four first output signals Svh 00 ++ , second output signal Svh 00 + − , first output signal Svh 00 − + , and second output signal Svh 00 −− When measuring by time division, it is preferable to measure in this order. Since the interval between the detection times of the first detection target and the second detection target of the square matrix H h is shortened, the noise component on each output signal is canceled. Alternatively, for example, the first output signal Svh 00 ++ , the first output signal Svh 00 − + , the second output signal Svh 00 + − , and the second output signal Svh 00 −− may be measured in this order. In this case, a first detection target square matrix H v, the spacing of the second detection target detection time is shortened, the noise component riding on each output signal is canceled. Alternatively, the negative sign selection operation may be executed after the positive sign selection operation is continuously executed a plurality of times. The order of the detection operations shown in FIGS. 20 to 27 may be changed as appropriate.
(第5の実施形態)
図28は、第5の実施形態に係る、第1電極及び各駆動回路のブロック図である。第1から第4の実施形態では、第1電極25が、検出部30の検出電極と、表示パネル20の共通電極とに兼用される場合を説明したが、これに限定されない。図28に示すように、第1電極25Aが表示用の画素電極と検出電極とに兼用されてもよい。本実施形態において、第1から第4の実施形態とは異なり、第2電極22Aは、スリットが形成されていなくてもよく、第1電極25Aは第2電極22Aに重畳して行列状に複数配置されている。
(Fifth embodiment)
FIG. 28 is a block diagram of the first electrode and each drive circuit according to the fifth embodiment. In the first to fourth embodiments, the case where the
図28に示すように、ゲート線GCLとデータ線SGLとが交差して配置される。第1電極25Aは、ゲート線GCLとデータ線SGLとで囲まれた領域に配置される。ソースドライバ13は、マルチプレクサ13Bと、駆動信号生成部13Cと、画素信号生成部13Dとを含む。複数の第1電極25Aは、データ線SGLを介してマルチプレクサ13Bに接続される。ゲート線GCLtは、ゲート線GCLと平行方向に延びて配置される第1電極25Aを走査するための走査信号が供給される。前記走査信号には、表示走査信号Vscan又は検出走査信号Vscansが含まれる。データ線SGLtは、データ線SGLと平行方向に延びて配置される。表示動作の際の表示駆動信号Vcomがデータ線SGLtに供給される。
As shown in FIG. 28, the gate line GCL and the data line SGL are arranged to cross each other. The
なお、図28では、図11のスイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、L3、選択信号生成部16の図示を省略している。
28, illustration of the switch elements SW5 and xSW5, the wirings L1, L2, and L3, and the selection
表示期間Pd1、Pd2(図10参照)において、画素信号生成部13Dから出力された画素信号Vpixがマルチプレクサ13Bに供給される。マルチプレクサ13Bにより選択された第1電極25Aに、画素信号Vpixが供給されて表示動作が実行される。また、第1電極25には、第1電極ドライバ14から表示駆動信号Vcomが供給される。
In the display periods Pd1 and Pd2 (see FIG. 10), the pixel signal Vpix output from the pixel
検出期間Pt1、Pt2(図10参照)において、駆動信号生成部13Cから出力された検出駆動信号Vsが、マルチプレクサ13Bに供給される。マルチプレクサ13Bにより選択された第1電極25Aに、検出駆動信号Vsが供給されて検出動作が実行される。マルチプレクサ13Bは上述した所定の符号に基づいて、第1検出対象の第1電極25Aと、第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極25Aとを選択して、検出駆動信号Vsを供給する。複数の第1電極25Aからの検出信号を統合した出力信号は、マルチプレクサ13Bから信号処理部40(図1、図2参照)に出力される。これにより、符号分割選択駆動が実行される。
In the detection periods Pt1 and Pt2 (see FIG. 10), the detection drive signal Vs output from the drive
なお、第1電極25Aを検出電極として用いる場合には、隣り合う複数の第1電極25Aに対して検出駆動信号Vsを供給し、この複数の第1電極25Aを束ねて駆動してもよい。こうすれば、第1電極25Aを個別に駆動する場合に比べて、適切な分解能で検出を行うことができ、1検出面全体の検出に要する時間を短縮できる。
When the
本実施形態において、マルチプレクサ13Bは表示動作の対象となる第1電極25Aを選択する機能と、検出動作の第1検出対象及び第2検出対象の第1電極25Aを選択する機能を有する。また、ゲート線GCLは、検出動作時に第1電極25Aを走査する検出用ゲート線GCLs(図8参照)の機能を有し、データ線SGLは、検出駆動信号Vsを供給するための検出用データ線SGLsとしての機能を有する。
In the present embodiment, the
検出期間Pt1、Pt2において、第1電極ドライバ14は、検出駆動信号Vsと同期した同一の波形を有する信号を第2電極22Aに供給してもよい。これにより、第2電極22Aは、第1電極25Aと同じ電位で駆動されることとなるため、第1電極25Aと第2電極22Aとの間の寄生容量が低減される。この場合、第2電極22Aはガード電極として用いられる。
In the detection periods Pt1 and Pt2, the
(第6の実施形態)
図29は、第6の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。第1から第4の実施形態では、第1電極25が、検出部30の検出電極と、表示パネル20の共通電極とを兼用する場合を説明したが、これに限定されない。図29に示す表示装置1Aは、画素基板2と、画素基板2と対向する対向基板3と、液晶層6を有している。画素基板2は、第1基板21の上に共通電極COMLが設けられており、共通電極COMLの上に絶縁層24を介して第2電極(画素電極)22が設けられている。共通電極COMLは、表示動作の際に、副画素SPixに対する共通電位となる表示駆動信号Vcomが供給される。
(Sixth embodiment)
FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating a schematic cross-sectional structure of a display device according to the sixth embodiment. In the first to fourth embodiments, the case where the
本実施形態において、第1基板21に対して、共通電極COML、絶縁層24、第2電極22の順で積層されたが、これに限られない。表示パネル20の画素電極と共通電極とは異なる電極を検出電極としてもよい。第1基板21に対して第2電極22、絶縁層24、共通電極COMLの順で積層されてもよいし、共通電極COMLと第2電極22は絶縁層24を介して、同層に形成されてもよい。さらに、共通電極COMLと第2電極22の少なくとも一方は、第2基板31上に配置されてもよい。共通電極COMLは、表示領域Ad(図5参照)と重畳する領域の全面に連続して設けられていてもよく、複数に分割して設けられていてもよい。また、第1電極25は、第2基板31とは異なる基板に形成して、表示パネル20の上に検出部30を装着した構成であってもよい。
In the present embodiment, the common electrode COML, the insulating
また、対向基板3は、第2基板31の下面にカラーフィルタ32が設けられており、第2基板31の上に検出電極である第1電極25が設けられている。この場合、上述した検出用スイッチング素子Trs、検出用データ線SGLs、検出用ゲート線GCLs等は第2基板31側に設けられる。本実施形態では、第2基板31と第1電極25とで検出部30が構成される。このような態様であっても、検出部30は、上述した符号分割選択駆動により、第1電極25間の容量結合を抑制して良好な検出感度を得ることが可能である。
In the
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。 The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to such an embodiment. The content disclosed in the embodiment is merely an example, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Appropriate changes made without departing from the spirit of the present invention naturally belong to the technical scope of the present invention.
例えば、表示パネル20を有さず、検出部30を含む検出装置であってもよい。この場合、少なくとも、第1基板21と、第1電極25と、第1電極ドライバ14と、検出用ゲートドライバ12Bと、信号処理部40と、制御部11とを備えていればよい。第1電極25及び第2電極22は、矩形状であるとしたが、これに限られず、他の形状としてもよい。第1電極25及び第2電極22は、例えば、多角形状や櫛歯形状であってもよい。また、各検出動作は、図20から図28に示した順番に限定されるものではなく適宜変更することができる。
For example, a detection device that does not include the
1、1A 表示装置
2 画素基板
3 対向基板
6 液晶層
10 検出機能付き表示部
11 制御部
12A 表示用ゲートドライバ
12B 検出用ゲートドライバ
13 ソースドライバ
14 第1電極ドライバ
20 表示パネル
21 第1基板
22 第2電極
25 第1電極
30 検出部
31 第2基板
40 信号処理部
42 検出信号増幅部
43 A/D変換部
44 信号演算部
45 座標抽出部
46 検出タイミング制御部
47 記憶部
GCL ゲート線
GCLs 検出用ゲート線
Pix 画素
SPix 副画素
SGL データ線
SGLs 検出用データ線
Vcom 表示駆動信号
Vs 検出駆動信号
Vpix 画素信号
Vscan 表示走査信号
Vscans 検出走査信号
DESCRIPTION OF
Claims (17)
出力信号線と、
第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力し、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力する選択接続部と、を有する検出装置。 A detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object;
An output signal line;
In response to the first selection signal, the first electrode of the first detection target in the detection electrode group is connected to the output signal line, and the detection signals from the selected first electrode of the first detection target are integrated. The first output signal is output to the output signal line, and in response to a second selection signal different from the first selection signal, the second detection target of the detection electrode group that is not included in the first detection target. A selection connecting unit that connects the first electrode and the output signal line, and outputs a second output signal integrated with the detection signal from the selected first electrode of the second detection target to the output signal line; Having a detection device.
前記第1選択パターンの数は、前記検出電極群に含まれる前記第1電極の数と等しい請求項6に記載の検出装置。 The first selection signal includes a plurality of first selection patterns that are combination patterns of the first electrodes selected as the first detection target,
The detection device according to claim 6, wherein the number of the first selection patterns is equal to the number of the first electrodes included in the detection electrode group.
前記信号処理部は、複数の前記第1出力信号と複数の前記第2出力信号に基づいて、前記検出電極群に含まれる1つの前記第1電極の検出信号を算出する請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の検出装置。 In addition, it has a signal processing unit,
The signal processing unit calculates a detection signal of one of the first electrodes included in the detection electrode group based on the plurality of first output signals and the plurality of second output signals. 9. The detection device according to any one of items 8.
前記第1電極は、前記駆動信号が供給されて、前記第1電極の静電容量変化に基づいて前記検出信号を出力する請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の検出装置。 A first electrode driver for supplying a drive signal to the first electrode;
10. The detection device according to claim 1, wherein the first electrode is supplied with the driving signal and outputs the detection signal based on a change in capacitance of the first electrode. 11.
更に前記選択接続部は選択駆動部を有し、
前記選択駆動部は、複数の前記検出電極群のうち検出対象となる前記検出電極群を順次選択し、選択された前記検出電極群の前記スイッチング素子に検出走査信号を供給する請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の検出装置。 A switching element provided corresponding to each of the plurality of first electrodes;
Further, the selection connecting unit has a selection driving unit,
The said selection drive part selects the said detection electrode group used as a detection target among the said some detection electrode groups sequentially, and supplies a detection scanning signal to the said switching element of the selected said detection electrode group. Item 12. The detection device according to any one of Items 11.
外部の物体の接触又は近接により変化する検出信号を検出するための複数の第1電極を含む検出電極群と、
出力信号線と、
第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力し、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力する選択接続部と、を有する表示装置。 A display functional layer for displaying an image;
A detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object;
An output signal line;
In response to the first selection signal, the first electrode of the first detection target in the detection electrode group is connected to the output signal line, and the detection signals from the selected first electrode of the first detection target are integrated. The first output signal is output to the output signal line, and in response to a second selection signal different from the first selection signal, the second detection target of the detection electrode group that is not included in the first detection target. A selection connecting unit that connects the first electrode and the output signal line, and outputs a second output signal integrated with the detection signal from the selected first electrode of the second detection target to the output signal line; Display device.
前記第1電極と前記第2電極によって表示機能層が制御される請求項15に記載の表示装置。 A second electrode facing the first electrode;
The display device according to claim 15, wherein a display function layer is controlled by the first electrode and the second electrode.
前記選択接続部が、第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力するステップと、
前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力するステップとを含む検出方法。 A detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object, an output signal line, and connection and disconnection of the first electrode and the output signal line A detection method of a detection device having a selective connection to be switched,
In response to a first selection signal, the selection connection unit connects the first electrode of the first detection target in the detection electrode group and the output signal line, and from the selected first electrode of the first detection target Outputting a first output signal integrated with the detection signal to the output signal line;
In response to a second selection signal different from the first selection signal, the first electrode of the second detection target not included in the first detection target in the detection electrode group and the output signal line are connected and selected. And outputting a second output signal obtained by integrating the detection signals from the first electrodes to be detected to the output signal line.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/472,475 US10725576B2 (en) | 2016-03-31 | 2017-03-29 | Detection device, display device, and detection method |
CN201710205755.9A CN107272940B (en) | 2016-03-31 | 2017-03-30 | Detection device, display device and detection method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016070362 | 2016-03-31 | ||
JP2016070362 | 2016-03-31 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017188106A true JP2017188106A (en) | 2017-10-12 |
Family
ID=60044905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017066074A Pending JP2017188106A (en) | 2016-03-31 | 2017-03-29 | Detection device, display device, and detection method |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017188106A (en) |
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- 2017-03-30 CN CN201710205755.9A patent/CN107272940B/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107272940B (en) | 2020-06-26 |
CN107272940A (en) | 2017-10-20 |
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