JP2017188106A - Detection device, display device, and detection method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a detection device, a display device, and a detection method which can obtain the excellent detection sensitivity by suppressing the capacitive coupling between electrodes.SOLUTION: A detection device includes: a detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting detection signals that change by the contact or approximation of an external object; an output line; and a selective connection unit which connects between the output signal line and the first electrode of a first detection target among the detection electrode group in accordance with a first selection signal, outputs to the output signal line a first output signal obtained by integrating detection signals from the first electrode of the selected first detection target, connects between the output signal line and the first electrode of a second detection target that is not included in the first detection target among the detection electrode group in accordance with a second selection signal that is different from the first selection signal, and outputs to the output signal line a second output signal obtained by integrating detection signals from the first electrode of the selected second detection target.SELECTED DRAWING: Figure 12

Description

本発明は、検出装置、表示装置及び検出方法に関する。   The present invention relates to a detection device, a display device, and a detection method.

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能な検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、表示装置として用いられている。このような検出装置において、複数の駆動電極を同時に選択して、選択された複数の駆動電極のそれぞれに対して、所定の符号に基づいて位相が決められた駆動信号を供給して外部近接物体の検出を行う符号分割選択駆動が知られている(特許文献1参照)。   In recent years, a so-called touch panel called a detection device capable of detecting an external proximity object has attracted attention. The touch panel is mounted or integrated on a display device such as a liquid crystal display device and used as a display device. In such a detection apparatus, a plurality of drive electrodes are simultaneously selected, and a drive signal whose phase is determined based on a predetermined code is supplied to each of the selected plurality of drive electrodes to thereby provide an external proximity object. A code division selection drive for detecting the above is known (see Patent Document 1).

特開2014−199605号公報JP 2014-199605 A

しかし、相互静電容量方式の場合とは異なり、検出電極の静電容量に基づいて外部近接物体の検出を行う自己静電容量方式の場合には、異なる位相の駆動信号が複数の検出電極に供給されると、検出電極間の容量結合が大きくなるため、検出感度が低下する場合がある。   However, unlike the case of the mutual capacitance method, in the case of the self-capacitance method that detects an external proximity object based on the capacitance of the detection electrodes, drive signals of different phases are applied to the plurality of detection electrodes. When supplied, the capacitive coupling between the detection electrodes increases, and the detection sensitivity may decrease.

本発明は、電極間の容量結合を抑制して、良好な検出感度を得ることが可能な検出装置、表示装置及び検出方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a detection device, a display device, and a detection method capable of suppressing capacitive coupling between electrodes and obtaining good detection sensitivity.

本発明の一態様の検出装置は、外部の物体の接触又は近接により変化する検出信号を検出するための複数の第1電極を含む検出電極群と、出力信号線と、第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力し、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力する選択接続部と、を有する。   According to one embodiment of the present invention, a detection device includes a detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object, an output signal line, and a first selection signal. A first output signal obtained by connecting the first electrode of the first detection target of the detection electrode group and the output signal line and integrating the detection signals from the selected first electrode of the first detection target. In response to a second selection signal that is output to the output signal line and is different from the first selection signal, the first electrode of the second detection target that is not included in the first detection target in the detection electrode group and the output And a selection connection unit that connects the signal line and outputs a second output signal in which the detection signals from the selected first electrodes of the second detection target are integrated to the output signal line.

本発明の一態様の表示装置は、画像を表示させる表示機能層と、外部の物体の接触又は近接により変化する検出信号を検出するための複数の第1電極を含む検出電極群と、出力信号線と、第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力し、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力する選択接続部と、を有する。   A display device according to one embodiment of the present invention includes a display function layer that displays an image, a detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object, and an output signal A detection signal from the first electrode of the first detection target selected by connecting the first electrode of the first detection target of the detection electrode group and the output signal line in accordance with the first selection signal and the line Is output to the output signal line, and a second selection signal different from the first selection signal is not included in the first detection target in the detection electrode group in response to a second selection signal. A selection connecting unit that connects the first electrode to be detected and the output signal line, and outputs a second output signal in which the detection signals from the selected first electrode to be detected are integrated to the output signal line. And having.

本発明の一態様の検出方法は、外部の物体の接触又は近接により変化する検出信号を検出するための複数の第1電極を含む検出電極群と、出力信号線と、前記第1電極と前記出力信号線との接続と遮断とを切り換える選択接続部とを有する検出装置の検出方法であって、前記選択接続部が、第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力するステップと、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力するステップとを含む。   The detection method of one embodiment of the present invention includes a detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object, an output signal line, the first electrode, A detection method of a detection device having a selection connection section for switching between connection and disconnection with an output signal line, wherein the selection connection section is a first detection target in the detection electrode group according to a first selection signal. Connecting the first electrode of the first and the output signal line, and outputting to the output signal line a first output signal in which the detection signals from the selected first electrodes of the first detection target are integrated; In response to a second selection signal different from the one selection signal, the first electrode of the second detection target not included in the first detection target in the detection electrode group and the output signal line are connected and selected. Integrated detection signal from the first electrode of the second detection target An output signal and outputting the output signal line.

図1は、第1の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of the display device according to the first embodiment. 図2は、信号処理部の一構成例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of the signal processing unit. 図3は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。FIG. 3 is an explanatory view for explaining the basic principle of self-capacitance type touch detection. 図4は、自己静電容量方式のタッチ検出の検出駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a detection drive signal and a waveform of the detection signal in the self-capacitance type touch detection. 図5は、表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a module in which a display device is mounted. 図6は、検出機能付き表示部の概略断面構造を表す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a schematic cross-sectional structure of the display unit with a detection function. 図7は、第1の実施形態に係る検出機能付き表示部の画素配列を表す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram illustrating a pixel arrangement of the display unit with a detection function according to the first embodiment. 図8は、第1の実施形態に係る検出部の第1電極の配列を表す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram illustrating an arrangement of the first electrodes of the detection unit according to the first embodiment. 図9は、検出動作の一例を表す模式図である。FIG. 9 is a schematic diagram illustrating an example of the detection operation. 図10は、表示期間と検出期間の配置の一例を表す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an example of the arrangement of the display period and the detection period. 図11は、第1の実施形態に係る駆動回路の一構成例を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram illustrating a configuration example of the drive circuit according to the first embodiment. 図12は、検出対象として選択される第1電極の選択パターンを説明するための説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram for explaining a selection pattern of the first electrode selected as a detection target. 図13は、第1の実施形態に係るマルチプレクサ及びゲートドライバの一動作例を示す説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating an operation example of the multiplexer and the gate driver according to the first embodiment. 図14は、選択対象の第2電極ブロックが変更された場合の、マルチプレクサ及びゲートドライバの一動作例を示す説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram illustrating an operation example of the multiplexer and the gate driver when the second electrode block to be selected is changed. 図15は、第2の実施形態に係る信号処理部の一構成例を示すブロック図である。FIG. 15 is a block diagram illustrating a configuration example of the signal processing unit according to the second embodiment. 図16は、第2の実施形態に係る選択接続部の一構成例を示す回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the selective connection unit according to the second embodiment. 図17は、第2の実施形態に係る選択接続部及びゲートドライバの一動作例を示す説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram illustrating an operation example of the selective connection unit and the gate driver according to the second embodiment. 図18は、選択接続部の他の例を示す回路図である。FIG. 18 is a circuit diagram illustrating another example of the selective connection unit. 図19は、第3の実施形態に係る、検出対象として選択される第1電極の選択パターンの他の例を説明するための説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram for explaining another example of the selection pattern of the first electrode selected as the detection target according to the third embodiment. 図20は、第4の実施形態に係る、第1検出動作及び第2検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the first detection operation and the second detection operation according to the fourth embodiment. 図21は、第3検出動作及び第4検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。FIG. 21 is an explanatory diagram for describing an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the third detection operation and the fourth detection operation. 図22は、第5検出動作及び第6検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。FIG. 22 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the fifth detection operation and the sixth detection operation. 図23は、第7検出動作及び第8検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。FIG. 23 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the seventh detection operation and the eighth detection operation. 図24は、第9検出動作及び第10検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。FIG. 24 is an explanatory diagram for describing an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the ninth detection operation and the tenth detection operation. 図25は、第11検出動作及び第12検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。FIG. 25 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the eleventh detection operation and the twelfth detection operation. 図26は、第13検出動作及び第14検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。FIG. 26 is an explanatory diagram for describing an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the thirteenth detection operation and the fourteenth detection operation. 図27は、第15検出動作及び第16検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。FIG. 27 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the fifteenth detection operation and the sixteenth detection operation. 図28は、第5の実施形態に係る、第1電極及び各駆動回路のブロック図である。FIG. 28 is a block diagram of the first electrode and each drive circuit according to the fifth embodiment. 図29は、第6の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating a schematic cross-sectional structure of a display device according to the sixth embodiment. 図30は、第1電極の検出の順番を説明するための模式図である。FIG. 30 is a schematic diagram for explaining the order of detection of the first electrodes. 図31は、センサ番号と相関関数との関係を模式的に示すグラフである。FIG. 31 is a graph schematically showing the relationship between the sensor number and the correlation function.

本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the constituent elements described below can be appropriately combined. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate modifications while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. In addition, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part in comparison with actual aspects for the sake of clarity of explanation, but are merely examples, and the interpretation of the present invention is not limited. It is not limited. In addition, in the present specification and each drawing, elements similar to those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description may be omitted as appropriate.

(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。図1に示すように、表示装置1は、検出機能付き表示部10と、制御部11と、表示用ゲートドライバ12Aと、検出用ゲートドライバ12Bと、ソースドライバ13と、第1電極ドライバ14と、信号処理部40とを備えている。表示装置1は、検出機能付き表示部10が検出機能を内蔵した表示装置である。検出機能付き表示部10は、表示素子として液晶表示素子を用いている表示パネル20と、タッチ入力を検出する検出装置である検出部30とを一体化した装置である。表示パネル20と検出部30とが一体化した装置とは、例えば、表示パネル20又は検出部30に使用される基板や電極の一部を兼用することを示す。なお、検出機能付き表示部10は、表示パネル20の上に検出部30を装着した、いわゆるオンセルタイプの装置であってもよい。表示パネル20は、例えば、有機EL表示パネルであってもよい。
(First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of the display device according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the display device 1 includes a display unit 10 with a detection function, a control unit 11, a display gate driver 12A, a detection gate driver 12B, a source driver 13, and a first electrode driver 14. The signal processing unit 40 is provided. The display device 1 is a display device in which the display unit 10 with a detection function incorporates a detection function. The display unit with a detection function 10 is a device in which a display panel 20 that uses a liquid crystal display element as a display element and a detection unit 30 that is a detection device that detects a touch input are integrated. The device in which the display panel 20 and the detection unit 30 are integrated indicates, for example, that a part of a substrate or an electrode used for the display panel 20 or the detection unit 30 is also used. The display unit 10 with a detection function may be a so-called on-cell type device in which the detection unit 30 is mounted on the display panel 20. The display panel 20 may be an organic EL display panel, for example.

表示パネル20は、後述するように、表示用ゲートドライバ12Aから供給される表示用の表示走査信号Vscanに従って、1水平ラインずつ順次走査して表示を行う表示装置である。   As will be described later, the display panel 20 is a display device that performs display by sequentially scanning one horizontal line at a time in accordance with the display display scanning signal Vscan supplied from the display gate driver 12A.

制御部11は、外部より供給された映像信号に基づいて、表示用ゲートドライバ12A、検出用ゲートドライバ12B、ソースドライバ13、第1電極ドライバ14及び信号処理部40に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して、又は同期しないで動作するように制御する回路である。   The control unit 11 supplies control signals to the display gate driver 12A, the detection gate driver 12B, the source driver 13, the first electrode driver 14, and the signal processing unit 40 based on the video signal supplied from the outside. These circuits are controlled so as to operate in synchronization with each other or without synchronization.

表示用ゲートドライバ12Aは、制御部11から供給される制御信号に基づいて、検出機能付き表示部10の表示駆動の対象となる1水平ラインを順次選択する機能を有している。検出用ゲートドライバ12Bは、制御部11から供給される制御信号に基づいて、検出用の検出走査信号Vscansを出力し、検出部30の後述する複数の第1電極25のうち、検出対象となる第1電極25を選択する機能を有している。   The display gate driver 12 </ b> A has a function of sequentially selecting one horizontal line as a display drive target of the display unit 10 with a detection function based on a control signal supplied from the control unit 11. The detection gate driver 12B outputs a detection scanning signal Vscan for detection based on a control signal supplied from the control unit 11, and becomes a detection target among a plurality of first electrodes 25 described later of the detection unit 30. It has a function of selecting the first electrode 25.

ソースドライバ13は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、検出機能付き表示部10の、後述する各副画素SPixに画素信号Vpixを供給する回路である。制御部11は、画素信号Vpixを生成し、この画素信号Vpixをソースドライバ13に供給してもよい。   The source driver 13 is a circuit that supplies a pixel signal Vpix to each sub-pixel SPix (described later) of the display unit 10 with a detection function based on a control signal supplied from the control unit 11. The control unit 11 may generate the pixel signal Vpix and supply the pixel signal Vpix to the source driver 13.

第1電極ドライバ14は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、検出機能付き表示部10の第1電極25に検出用の検出駆動信号Vs又は表示用の表示駆動信号Vcomを供給する回路である。   The first electrode driver 14 supplies the detection drive signal Vs for detection or the display drive signal Vcom for display to the first electrode 25 of the display unit 10 with a detection function based on the control signal supplied from the control unit 11. Circuit.

検出部30は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、自己静電容量方式によりタッチ検出動作を行い、外部の導体の接触又は近接を検出する。検出部30は、外部の導体の接触又は近接を検出した場合、選択された第1電極からの検出信号の統合値である出力信号Shを出力する。   The detection unit 30 operates based on the basic principle of capacitive touch detection, performs a touch detection operation by a self-capacitance method, and detects contact or proximity of an external conductor. When detecting contact or proximity of an external conductor, the detection unit 30 outputs an output signal Sh that is an integrated value of detection signals from the selected first electrode.

図2は、信号処理部の一構成例を示すブロック図である。信号処理部40は、制御部11から供給される制御信号と、検出部30から供給される出力信号Shに基づいて、検出部30に対するタッチの有無を検出する回路である。また、信号処理部40は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。この信号処理部40は、検出信号増幅部42と、A/D変換部43と、信号演算部44と、座標抽出部45と、記憶部47とを備える。検出タイミング制御部46は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、A/D変換部43と、信号演算部44と、座標抽出部45とが同期して動作するように制御する。   FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of the signal processing unit. The signal processing unit 40 is a circuit that detects the presence or absence of a touch on the detection unit 30 based on the control signal supplied from the control unit 11 and the output signal Sh supplied from the detection unit 30. In addition, the signal processing unit 40 obtains coordinates at which touch input is performed when there is a touch. The signal processing unit 40 includes a detection signal amplification unit 42, an A / D conversion unit 43, a signal calculation unit 44, a coordinate extraction unit 45, and a storage unit 47. Based on the control signal supplied from the control unit 11, the detection timing control unit 46 controls the A / D conversion unit 43, the signal calculation unit 44, and the coordinate extraction unit 45 to operate in synchronization.

上述のとおり、検出部30は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作する。ここで、図3及び図4を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図3は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図4は、自己静電容量方式のタッチ検出の検出駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図3は、検出回路を併せて示している。   As described above, the detection unit 30 operates based on the basic principle of capacitive touch detection. Here, the basic principle of the self-capacitance type touch detection will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is an explanatory view for explaining the basic principle of self-capacitance type touch detection. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a detection drive signal and a waveform of the detection signal in the self-capacitance type touch detection. FIG. 3 also shows the detection circuit.

指が接触又は近接していない状態において、検出電極E1に所定の周波数(例えば数kHz〜数百kHz程度)の交流矩形波Sgが印加される。検出電極E1は、静電容量C1を有しており、静電容量C1に応じた電流が流れる。電圧検出器DETは、交流矩形波Sgに応じた電流の変動を電圧の変動(実線の波形V(図4参照))に変換する。電圧検出器DETは、例えば図2に示す検出信号増幅部42に含まれる積分回路である。 In a state where the finger is not in contact with or in close proximity, an AC rectangular wave Sg having a predetermined frequency (for example, about several kHz to several hundred kHz) is applied to the detection electrode E1. The detection electrode E1 has a capacitance C1, and a current corresponding to the capacitance C1 flows. The voltage detector DET converts a current fluctuation according to the AC rectangular wave Sg into a voltage fluctuation (solid line waveform V 4 (see FIG. 4)). The voltage detector DET is an integration circuit included in the detection signal amplification unit 42 shown in FIG. 2, for example.

次に、図3に示すように、指が接触又は近接した状態において、指と検出電極E1との間の静電容量C2が、検出電極E1の静電容量C1に加わる。したがって、検出電極E1に交流矩形波Sgが印加されると、静電容量C1及び静電容量C2に応じた電流が流れる。図4に示すように、電圧検出器DETは、交流矩形波Sgに応じた電流の変動を電圧の変動(点線の波形V)に変換する。そして、得られた波形V及び波形Vの電圧値をそれぞれ積分し、これらの値を比較することで、検出電極E1への、指の接触又は近接の有無を判別することができる。なお、信号処理部40は、当該内容に限らず、電圧値を積分せずに比較するようにしてもよい。また、図4では、波形Vと波形Vについて、所定の基準電圧VTHに低下するまでの期間を求めて、これらの期間を比較する等の方法であってもよい。 Next, as shown in FIG. 3, in a state where the finger is in contact with or close to the capacitance, the capacitance C2 between the finger and the detection electrode E1 is added to the capacitance C1 of the detection electrode E1. Therefore, when the AC rectangular wave Sg is applied to the detection electrode E1, a current corresponding to the capacitance C1 and the capacitance C2 flows. As shown in FIG. 4, the voltage detector DET converts a current fluctuation according to the AC rectangular wave Sg into a voltage fluctuation (dotted line waveform V 5 ). Then, by integrating the obtained voltage values of the waveform V 4 and the waveform V 5 and comparing these values, it is possible to determine the presence or absence of finger contact or proximity to the detection electrode E1. The signal processing unit 40 is not limited to the content, and may compare the voltage values without integrating them. In FIG. 4, a method may be used in which a period until the waveform V 2 and the waveform V 3 are reduced to a predetermined reference voltage V TH is obtained and these periods are compared.

具体的には、図3に示すように、検出電極E1はスイッチSW1及びスイッチSW2で切り離すことが可能な構成となっている。図4において、時刻T01のタイミングで交流矩形波Sgは電圧Vに相当する電圧レベルを上昇させる。このときスイッチSW1はオンしておりスイッチSW2はオフしている。このため検出電極E1も電圧Vの電圧上昇となる。次に時刻T11のタイミングの前にスイッチSW1をオフとする。このとき検出電極E1はフローティング状態であるが、検出電極E1の静電容量C1、あるいは検出電極E1の静電容量C1に指等の接触又は近接による静電容量C2を加えた静電容量(C1+C2、図3参照)によって、検出電極E1の電位はVが維持される。更に、時刻T11のタイミングの前にスイッチSW3をオンさせ所定の時間経過後にオフさせ電圧検出器DETをリセットさせる。このリセット動作により出力電圧はVrefと略等しい電圧となる。 Specifically, as shown in FIG. 3, the detection electrode E1 can be separated by a switch SW1 and a switch SW2. In FIG. 4, the AC rectangular wave Sg increases the voltage level corresponding to the voltage V 0 at the timing of time T 01 . At this time, the switch SW1 is on and the switch SW2 is off. Therefore detection electrodes E1 also becomes the voltage rise of the voltage V 0. Then to turn off the switch SW1 in front of the timing of time T 11. At this time, although the detection electrode E1 is in a floating state, the capacitance (C1 + C2) obtained by adding the capacitance C1 of the detection electrode E1 or the capacitance C2 of the detection electrode E1 due to contact or proximity of a finger or the like , by reference to FIG. 3), the potential of the detection electrodes E1 are V 0 is maintained. Moreover, to off after a predetermined time has elapsed to turn on the switch SW3 before the timing of time T 11 to reset the voltage detector DET. By this reset operation, the output voltage becomes substantially equal to Vref.

続いて、時刻T11のタイミングでスイッチSW2をオンさせると、電圧検出器DETの反転入力部が検出電極E1の電圧Vとなり、その後、検出電極E1の静電容量C1(またはC1+C2)と電圧検出器DET内の静電容量C3の時定数に従って電圧検出器DETの反転入力部は基準電圧Vrefまで低下する。このとき、検出電極E1の静電容量C1(またはC1+C2)に蓄積されていた電荷が電圧検出器DET内の容量C3に移動するため、電圧検出器DETの出力が上昇する(図4の検出信号Vdet参照)。電圧検出器DETの出力(検出信号Vdet)は、検出電極E1に指等が近接していないときは、実線で示す波形Vとなり、Vdet=C1・V/C3となる。指等の影響による静電容量が付加されたときは、点線で示す波形Vとなり、Vdet=(C1+C2)・V/C3となる。 Subsequently, when turning on the switch SW2 at time T 11, next to the voltage V 0 which inverting input is the detection electrode E1 of the voltage detector DET, then the capacitance C1 (or C1 + C2) and the voltage of the detection electrodes E1 The inverting input of the voltage detector DET is lowered to the reference voltage Vref according to the time constant of the capacitance C3 in the detector DET. At this time, since the electric charge accumulated in the electrostatic capacitance C1 (or C1 + C2) of the detection electrode E1 moves to the capacitance C3 in the voltage detector DET, the output of the voltage detector DET increases (the detection signal in FIG. 4). Vdet). The output of the voltage detector DET (detection signal Vdet), when the finger or the like to the detection electrodes E1 are not in close proximity, next waveform V 4 shown by a solid line, and Vdet = C1 · V 0 / C3 . When the electrostatic capacitance due to the influence of such a finger is added, becomes a waveform V 5 shown by a dotted line, and Vdet = (C1 + C2) · V 0 / C3.

その後、検出電極E1の静電容量C1(またはC1+C2)の電荷が容量C3に十分移動した後の時刻T31のタイミングでスイッチSW2をオフさせ、スイッチSW1及びスイッチSW3をオンさせることにより、検出電極E1の電位を交流矩形波Sgと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器DETをリセットさせる。なお、このとき、スイッチSW1をオンさせるタイミングは、スイッチSW2をオフさせた後、時刻T02以前であればいずれのタイミングでもよい。また、電圧検出器DETをリセットさせるタイミングは、スイッチSW2をオフさせた後、時刻T12以前であればいずれのタイミングとしてもよい。 Then, turn off the switch SW2 at time T 31 after the charge is sufficiently moved to the capacitor C3 of the capacitance C1 of the detection electrodes E1 (or C1 + C2), by turning on the switch SW1 and the switch SW3, the detection electrode The potential of E1 is set to a low level that is the same potential as the AC rectangular wave Sg, and the voltage detector DET is reset. At this time, the timing to turn on the switch SW1 may be any timing before the time T02 after the switch SW2 is turned off. The timing for resetting the voltage detector DET is, after turning off the switch SW2, may be any timing as long as the time T 12 before.

以上の動作を所定の周波数(例えば数kHz〜数百kHz程度)で繰り返す。波形Vと波形Vとの差分の絶対値|ΔV|に基づいて、外部近接物体の有無(タッチの有無)を測定することができる。なお、検出電極E1の電位は、図4に示すように、指等が近接していないときはVの波形となり、指等の影響による静電容量C2が付加されるときはVの波形となる。波形Vと波形Vとが、それぞれ所定の基準電圧VTHまで下がる時間を測定することにより外部近接物体の有無(タッチの有無)を測定することも可能である。 The above operation is repeated at a predetermined frequency (for example, about several kHz to several hundred kHz). Based on the absolute value | ΔV | of the difference between the waveform V 4 and the waveform V 5 , the presence or absence of an external proximity object (the presence or absence of a touch) can be measured. The potential of the detecting electrode E1, as shown in FIG. 4, when the finger or the like is not close has a waveform of V 2, the waveform of V 3 when the electrostatic capacitance C2 due to the influence of a finger or the like is added It becomes. It is also possible to measure the presence / absence of an external proximity object (the presence / absence of touch) by measuring the time during which the waveform V 2 and the waveform V 3 fall to a predetermined reference voltage V TH .

図2に示す検出信号増幅部42は、検出部30から供給される出力信号Shを増幅する。なお、検出信号増幅部42は、出力信号Shに含まれる高い周波数成分(ノイズ成分)を除去して出力する低域通過アナログフィルタであるアナログLPF(Low Pass Filter)を備えていてもよい。   The detection signal amplification unit 42 illustrated in FIG. 2 amplifies the output signal Sh supplied from the detection unit 30. The detection signal amplifying unit 42 may include an analog LPF (Low Pass Filter) that is a low-pass analog filter that removes and outputs a high frequency component (noise component) included in the output signal Sh.

A/D変換部43は、検出駆動信号Vsに同期したタイミングで、検出信号増幅部42から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。   The A / D converter 43 samples the analog signal output from the detection signal amplifier 42 at a timing synchronized with the detection drive signal Vs, and converts it into a digital signal.

信号演算部44は、A/D変換部43から出力された出力信号に含まれる、検出駆動信号Vsをサンプリングした周波数以外の周波数成分(ノイズ成分)を低減するデジタルフィルタを備えている。信号演算部44は、A/D変換部43から出力された出力信号に基づいて、検出部30に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号演算部44は、出力信号Shに含まれる、指による検出信号Vdetの差分を取り出す処理を行う。この指による差分の信号は、上述した波形Vと波形Vとの差分の絶対値|ΔV|である。信号演算部44は、検出した指による差分の信号を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧未満であれば、外部近接物体が非接触状態であると判断する。一方、信号演算部44は、検出した指による差分の信号を所定のしきい値電圧と比較し、しきい値電圧以上であれば、外部近接物体の接触状態と判断する。このようにして、信号処理部40はタッチ検出が可能となる。また、信号演算部44は、後述するように、検出対象となる複数の第1電極25からの出力信号Shを受け取って、所定の符号に基づいて演算処置を行う。信号演算部44によって演算された第3出力信号が記憶部47に一時的に保存される。記憶部47は、例えばRAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、レジスタ回路等であってもよい。 The signal calculation unit 44 includes a digital filter that reduces frequency components (noise components) included in the output signal output from the A / D conversion unit 43 other than the frequency obtained by sampling the detection drive signal Vs. The signal calculation unit 44 is a logic circuit that detects the presence or absence of a touch on the detection unit 30 based on the output signal output from the A / D conversion unit 43. The signal calculation unit 44 performs a process of extracting the difference between the detection signals Vdet by the finger included in the output signal Sh. The difference signal by the finger is the absolute value | ΔV | of the difference between the waveform V 4 and the waveform V 5 described above. The signal calculation unit 44 compares the detected difference signal by the finger with a predetermined threshold voltage, and determines that the external proximity object is in a non-contact state if it is less than this threshold voltage. On the other hand, the signal calculation unit 44 compares the detected difference signal by the finger with a predetermined threshold voltage, and determines that the contact state of the external proximity object is found if it is equal to or higher than the threshold voltage. In this way, the signal processing unit 40 can perform touch detection. Further, as will be described later, the signal calculation unit 44 receives the output signals Sh from the plurality of first electrodes 25 to be detected, and performs calculation processing based on a predetermined code. The third output signal calculated by the signal calculation unit 44 is temporarily stored in the storage unit 47. The storage unit 47 may be, for example, a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), a register circuit, or the like.

座標抽出部45は、信号演算部44においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部45は、記憶部47に保存された第3出力信号を受け取って、所定の符号に基づいて復号化処理を行う。言い換えると、座標抽出部45は、出力信号Shに基づいて、検出信号Vdetを算出する。座標抽出部45は、復号化された情報に基づいてタッチパネル座標を算出し、得られたタッチパネル座標を検出信号出力Voutとして出力する。なお、座標抽出部45は、タッチパネル座標を算出せずに検出信号出力Voutとして検出信号Vdetを出力してもよい。以上のように、本実施形態の表示装置1は、自己静電容量方式によるタッチ検出の基本原理に基づいて、指などの導体が接触又は近接する位置のタッチパネル座標を検出することができる。   The coordinate extraction unit 45 is a logic circuit that calculates touch panel coordinates when a touch is detected by the signal calculation unit 44. The coordinate extraction unit 45 receives the third output signal stored in the storage unit 47 and performs a decoding process based on a predetermined code. In other words, the coordinate extraction unit 45 calculates the detection signal Vdet based on the output signal Sh. The coordinate extraction unit 45 calculates touch panel coordinates based on the decoded information, and outputs the obtained touch panel coordinates as a detection signal output Vout. Note that the coordinate extraction unit 45 may output the detection signal Vdet as the detection signal output Vout without calculating the touch panel coordinates. As described above, the display device 1 according to the present embodiment can detect touch panel coordinates at a position where a conductor such as a finger contacts or approaches based on the basic principle of touch detection by the self-capacitance method.

図5は、表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。図5に示すように、表示装置1は、後述する画素基板2(第1基板21)と、プリント基板71とを備えている。なお、プリント基板71は、例えば、フレキシブルプリント基板である。画素基板2(第1基板21)は、第1半導体集積回路(第1IC)19、例えば、COG(Chip On Glass)を搭載し、上述した表示パネル20の表示領域Adと、表示領域Adの外側の領域である額縁領域Gdとが形成されている。第1半導体集積回路(第1IC)19は、第1基板21に実装されたICドライバのチップであり、図1に示した制御部11として機能する表示動作に必要な各回路を内蔵した制御装置である。本実施形態では、上述した表示用ゲートドライバ12A、検出用ゲートドライバ12B、ソースドライバ13及び第1電極ドライバ14は、第1基板21上に形成されている。ソースドライバ13は、第1半導体集積回路(第1IC)19に内蔵されていてもよい。また、表示装置1は、第1半導体集積回路(第1IC)19に第1電極ドライバ14、表示用ゲートドライバ12A、検出用ゲートドライバ12Bなどの回路を内蔵してもよい。なお、COGはあくまで実装の一形態であってこれに限られるものでない。例えば、第1半導体集積回路(第1IC)19と同様の機能を有する構成をCOF(Chip on film又はChip on flexible)で設けてもよい。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a module in which a display device is mounted. As shown in FIG. 5, the display device 1 includes a pixel substrate 2 (first substrate 21) described later and a printed circuit board 71. The printed circuit board 71 is a flexible printed circuit board, for example. The pixel substrate 2 (first substrate 21) is mounted with a first semiconductor integrated circuit (first IC) 19, for example, COG (Chip On Glass), and the display area Ad of the display panel 20 described above and the outside of the display area Ad. A frame region Gd, which is a region of A first semiconductor integrated circuit (first IC) 19 is a chip of an IC driver mounted on the first substrate 21, and a control device incorporating each circuit necessary for display operation functioning as the control unit 11 shown in FIG. It is. In the present embodiment, the display gate driver 12 </ b> A, the detection gate driver 12 </ b> B, the source driver 13, and the first electrode driver 14 described above are formed on the first substrate 21. The source driver 13 may be built in the first semiconductor integrated circuit (first IC) 19. Further, the display device 1 may incorporate circuits such as the first electrode driver 14, the display gate driver 12 </ b> A, and the detection gate driver 12 </ b> B in the first semiconductor integrated circuit (first IC) 19. Note that the COG is just a form of mounting and is not limited to this. For example, a configuration having the same function as the first semiconductor integrated circuit (first IC) 19 may be provided by COF (Chip on film or Chip on flexible).

図5に示すように、第1基板21の表示領域Adと重畳する位置において、複数の第1電極25が行列状に設けられている。第1電極25は、矩形状であり、表示領域Adの長辺及び短辺に沿った方向にそれぞれ複数配列されている。各第1電極25には、第1電極ドライバ14から検出駆動信号Vsが供給される。また、各第1電極25は、プリント基板71を介して、プリント基板71に実装された第2半導体集積回路(第2IC)49と接続されている。第2半導体集積回路(第2IC)49は、図1に示した信号処理部40として機能する。各第1電極25の検出信号Vdetが統合された出力信号Shは、プリント基板71を介して第2半導体集積回路(第2IC)49に出力される。また、第1電極25はそれぞれ第2半導体集積回路(第2IC)49に接続されるが、これに限定されない。例えば、第1半導体集積回路(第1IC)19が信号処理部40の機能を内蔵し、各第1電極25がそれぞれ第1半導体集積回路(第1IC)19に接続されていてもよい。   As shown in FIG. 5, a plurality of first electrodes 25 are provided in a matrix at a position overlapping the display area Ad of the first substrate 21. The first electrode 25 has a rectangular shape, and a plurality of first electrodes 25 are arranged in the direction along the long side and the short side of the display area Ad. A detection drive signal Vs is supplied to each first electrode 25 from the first electrode driver 14. Each first electrode 25 is connected to a second semiconductor integrated circuit (second IC) 49 mounted on the printed circuit board 71 via the printed circuit board 71. The second semiconductor integrated circuit (second IC) 49 functions as the signal processing unit 40 shown in FIG. An output signal Sh obtained by integrating the detection signals Vdet of the first electrodes 25 is output to the second semiconductor integrated circuit (second IC) 49 via the printed circuit board 71. The first electrodes 25 are each connected to a second semiconductor integrated circuit (second IC) 49, but are not limited thereto. For example, the first semiconductor integrated circuit (first IC) 19 may incorporate the function of the signal processing unit 40, and each first electrode 25 may be connected to the first semiconductor integrated circuit (first IC) 19.

プリント基板71は、フレキシブルプリント基板に限られず、リジット基板、又は、リジットフレキシブル基板であってもよい。また、第2半導体集積回路(第2IC)49は、プリント基板71上に実装されていなくてもよく、プリント基板71を介して接続されるモジュール外部の制御基板上、若しくは、第1基板21上に備えられていてもよい。本実施形態では、第2半導体集積回路(第2IC)49はプリント基板71に実装されたタッチドライバICであるが、信号処理部40の一部の機能は、第1半導体集積回路(第1IC)19、又は、他のMPUの機能として設けられてもよい。具体的には、タッチドライバICの機能として設けられ得るA/D変換、ノイズ除去等の各種機能のうち一部の機能(例えば、ノイズ除去等)は、タッチドライバICと別個に設けられた第1半導体集積回路(第1IC)19、又は、MPU等の回路で実施されてもよい。図2に示す信号演算部44、座標抽出部45、記憶部47は、第1半導体集積回路(第1IC)19、又は、外部のMPU等に含まれていてもよい。また、第1半導体集積回路(第1IC)19と第2半導体集積回路(第2IC)49とを1つのIC(1チップ構成)にする場合等、例えば、第1基板21上の配線、又は、プリント基板71等の配線を介して、検出信号を第1基板21上の第1半導体集積回路(第1IC)19に伝送するようにしてもよい。   The printed circuit board 71 is not limited to a flexible printed circuit board, and may be a rigid circuit board or a rigid flexible circuit board. Further, the second semiconductor integrated circuit (second IC) 49 may not be mounted on the printed circuit board 71, but on a control board outside the module connected via the printed circuit board 71 or on the first board 21. May be provided. In the present embodiment, the second semiconductor integrated circuit (second IC) 49 is a touch driver IC mounted on the printed circuit board 71, but a part of the function of the signal processing unit 40 is the first semiconductor integrated circuit (first IC). 19 or other MPU functions may be provided. Specifically, some functions (for example, noise removal) among various functions such as A / D conversion and noise removal that can be provided as functions of the touch driver IC are provided separately from the touch driver IC. One semiconductor integrated circuit (first IC) 19 or a circuit such as an MPU may be used. The signal calculation unit 44, the coordinate extraction unit 45, and the storage unit 47 illustrated in FIG. 2 may be included in the first semiconductor integrated circuit (first IC) 19 or an external MPU. Further, when the first semiconductor integrated circuit (first IC) 19 and the second semiconductor integrated circuit (second IC) 49 are integrated into one IC (one-chip configuration), for example, wiring on the first substrate 21 or You may make it transmit a detection signal to the 1st semiconductor integrated circuit (1st IC) 19 on the 1st board | substrate 21 via wiring, such as the printed circuit board 71. FIG.

ソースドライバ13は、第1基板21上の表示領域Adの近傍に形成されている。表示領域Adには、後述する副画素SPixがマトリックス状(行列状)に多数配置されている。額縁領域Gdは、第1基板21の表面を垂直な方向からみて副画素SPixが配置されていない領域である。   The source driver 13 is formed in the vicinity of the display area Ad on the first substrate 21. A large number of sub-pixels SPix, which will be described later, are arranged in a matrix (matrix) in the display area Ad. The frame region Gd is a region where the sub-pixel SPix is not arranged when the surface of the first substrate 21 is viewed from the vertical direction.

表示用ゲートドライバ12A、検出用ゲートドライバ12B及び第1電極ドライバ14は、第1基板21上の額縁領域GdにTFT素子を用いて形成されている。本実施形態では、表示用ゲートドライバ12A、検出用ゲートドライバ12Bの2つの回路が設けられているが、これに限られるものでなく、例えば、額縁領域Gdの一辺に設けられた1つの回路であってもよい。第1電極ドライバ14は、プリント基板71が設けられた額縁領域Gdの一辺に設けられているが、これに限られず、表示用ゲートドライバ12A又は検出用ゲートドライバ12Bの近傍に設けられていてもよい。また、第1電極ドライバ14は、1つの回路が設けられているが、2つの回路で構成されていてもよい。   The display gate driver 12A, the detection gate driver 12B, and the first electrode driver 14 are formed in the frame region Gd on the first substrate 21 using TFT elements. In the present embodiment, two circuits of the display gate driver 12A and the detection gate driver 12B are provided. However, the present invention is not limited to this. For example, one circuit provided on one side of the frame region Gd is used. There may be. The first electrode driver 14 is provided on one side of the frame region Gd where the printed circuit board 71 is provided, but is not limited thereto, and may be provided in the vicinity of the display gate driver 12A or the detection gate driver 12B. Good. The first electrode driver 14 is provided with one circuit, but may be configured with two circuits.

次に検出機能付き表示部10の構成例を詳細に説明する。図6は、検出機能付き表示部の概略断面構造を表す断面図である。図6に示すように、検出機能付き表示部10は、画素基板2と、この画素基板2の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板3と、画素基板2と対向基板3との間に挿設された表示機能層(例えば、液晶層6)とを備えている。言い換えると、第1基板21と第2基板31の間に表示機能層が設けられている。表示機能層は画素基板2として構成されていてもよい。表示機能層は、例えば、第1電極25と第2電極22の間に配置されていてもよい。   Next, a configuration example of the display unit 10 with a detection function will be described in detail. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a schematic cross-sectional structure of the display unit with a detection function. As shown in FIG. 6, the display unit 10 with a detection function includes a pixel substrate 2, a counter substrate 3 disposed to face the pixel substrate 2 in a direction perpendicular to the surface, the pixel substrate 2, the counter substrate 3, And a display function layer (for example, a liquid crystal layer 6) inserted between them. In other words, a display function layer is provided between the first substrate 21 and the second substrate 31. The display function layer may be configured as the pixel substrate 2. For example, the display functional layer may be disposed between the first electrode 25 and the second electrode 22.

画素基板2は、回路基板としての第1基板21と、この第1基板21の上方にマトリックス状に配設された複数の第2電極(画素電極)22と、第1基板21と第2電極22との間に形成された複数の第1電極(検出電極)25と、第1電極25と第2電極22とを絶縁する絶縁層24と、を含む。第1基板21には、TFT(Thin Film Transistor)が配置される。第1基板21の下側には、接着層を介して偏光板(図示しない)を設けてもよい。第1電極25及び第2電極22は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)等の透光性を有する導電性材料が用いられる。   The pixel substrate 2 includes a first substrate 21 as a circuit substrate, a plurality of second electrodes (pixel electrodes) 22 disposed in a matrix above the first substrate 21, and the first substrate 21 and the second electrode. A plurality of first electrodes (detection electrodes) 25 formed between the first electrode 25 and the insulating layer 24 that insulates the first electrode 25 and the second electrode 22 from each other. A TFT (Thin Film Transistor) is arranged on the first substrate 21. A polarizing plate (not shown) may be provided below the first substrate 21 via an adhesive layer. For the first electrode 25 and the second electrode 22, for example, a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) is used.

なお、本実施例において、第1基板21に対して、第1電極25、絶縁層24、第2電極22の順で積層されているが、これに限られない。第1基板21に対して第2電極22、絶縁層24、第1電極25の順で積層されてもよいし、第1電極25と第2電極22とは絶縁層24を介して、同層に形成されてもよい。さらに、第1電極25と第2電極22の少なくとも一方は、第2基板31上に配置されてもよい。   In the present embodiment, the first electrode 25, the insulating layer 24, and the second electrode 22 are stacked in this order on the first substrate 21, but the present invention is not limited to this. The second electrode 22, the insulating layer 24, and the first electrode 25 may be stacked in this order on the first substrate 21, and the first electrode 25 and the second electrode 22 are in the same layer via the insulating layer 24. May be formed. Furthermore, at least one of the first electrode 25 and the second electrode 22 may be disposed on the second substrate 31.

対向基板3は、第2基板31と、この第2基板31の一方の面に形成されたカラーフィルタ32とを含む。さらに、第2基板31の上には、接着層を介して偏光板35が設けられている。なお、カラーフィルタ32は第1基板21上に配置されてもよい。本実施形態において、第1基板21及び第2基板31は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。   The counter substrate 3 includes a second substrate 31 and a color filter 32 formed on one surface of the second substrate 31. Furthermore, a polarizing plate 35 is provided on the second substrate 31 via an adhesive layer. The color filter 32 may be disposed on the first substrate 21. In the present embodiment, the first substrate 21 and the second substrate 31 are, for example, a glass substrate or a resin substrate.

第1基板21と第2基板31との間に液晶層6が設けられる。液晶層6は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、FFS(フリンジフィールドスイッチング)を含むIPS(インプレーンスイッチング)等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図6に示す液晶層6と画素基板2との間、及び液晶層6と対向基板3との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。   The liquid crystal layer 6 is provided between the first substrate 21 and the second substrate 31. The liquid crystal layer 6 modulates light passing therethrough according to the state of the electric field, and for example, a liquid crystal in a transverse electric field mode such as IPS (in-plane switching) including FFS (fringe field switching) is used. Note that alignment films may be provided between the liquid crystal layer 6 and the pixel substrate 2 and between the liquid crystal layer 6 and the counter substrate 3 shown in FIG.

第1基板21の下方には、図示しない照明部が設けられる。照明部は、例えばLED等の光源を有しており、光源からの光を第1基板21に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板2を通過して、その位置の液晶の状態により光が遮られて射出しない部分と射出する部分とが切り換えられることで、表示面に画像が表示される。なお、第2電極22として、第2基板31側から入射する光を反射する反射電極が設けられ、対向基板3側に透光性の第1電極25が設けられた反射型液晶表示装置の場合、第1基板21の下方に照明部は設けなくてもよい。反射型液晶表示装置は、第2基板31の上方にフロントライトを設けていてもよい。この場合、第2基板31側から入射する光は、反射電極(第2電極22)で反射されて、第2基板31を通過して観察者の目に到達する。また、表示パネル20(図1参照)として有機EL表示パネルを用いた場合には、副画素SPix毎に自発光体を有しており、自発光体の点灯量を制御することにより画像が表示されるため、照明部は設ける必要がない。また、表示パネル20として有機EL表示パネルを用いた場合には、表示機能層は画素基板2に含まれていてもよい。例えば、表示機能層である発光層が第1電極と第2電極の間に配置されてもよい。   An illumination unit (not shown) is provided below the first substrate 21. The illumination unit includes a light source such as an LED, and emits light from the light source toward the first substrate 21. Light from the illumination unit passes through the pixel substrate 2, and an image is displayed on the display surface by switching between a part where light is blocked by the state of the liquid crystal at that position and a part where the light is not emitted. In the case of a reflective liquid crystal display device in which a reflective electrode that reflects light incident from the second substrate 31 side is provided as the second electrode 22 and a translucent first electrode 25 is provided on the counter substrate 3 side. The illumination unit may not be provided below the first substrate 21. The reflective liquid crystal display device may be provided with a front light above the second substrate 31. In this case, light incident from the second substrate 31 side is reflected by the reflective electrode (second electrode 22), passes through the second substrate 31, and reaches the eyes of the observer. Further, when an organic EL display panel is used as the display panel 20 (see FIG. 1), each subpixel SPix has a self-luminous body, and an image is displayed by controlling the lighting amount of the self-luminous body. Therefore, it is not necessary to provide an illumination unit. When an organic EL display panel is used as the display panel 20, the display function layer may be included in the pixel substrate 2. For example, a light emitting layer that is a display function layer may be disposed between the first electrode and the second electrode.

図7は、第1の実施形態に係る検出機能付き表示部の画素配列を表す回路図である。図6に示す第1基板21には、図7に示す各副画素SPixのスイッチング素子Tr、各第2電極22に画素信号Vpixを供給するデータ線SGL、各スイッチング素子Trを駆動するゲート線GCL等の配線が形成されている。データ線SGL及びゲート線GCLは、第1基板21の表面と平行な平面に延在する。   FIG. 7 is a circuit diagram illustrating a pixel arrangement of the display unit with a detection function according to the first embodiment. The first substrate 21 shown in FIG. 6 includes a switching element Tr of each sub-pixel SPix shown in FIG. 7, a data line SGL that supplies a pixel signal Vpix to each second electrode 22, and a gate line GCL that drives each switching element Tr. Etc. are formed. The data line SGL and the gate line GCL extend in a plane parallel to the surface of the first substrate 21.

図7に示す表示パネル20は、マトリックス状に配列された複数の副画素SPixを有している。副画素SPixは、それぞれスイッチング素子Tr及び液晶素子LCを備えている。スイッチング素子Trは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成されている。スイッチング素子Trのソース又はドレインの一方はデータ線SGLに接続され、ゲートはゲート線GCLに接続され、ソース又はドレインの他方は液晶素子LCの一端に接続されている。なお、第2電極22(図7では省略して示す)はスイッチング素子Trのソース又はドレインの他方に接続されており、液晶素子LCは、第2電極22を介してスイッチング素子Trと接続される。液晶素子LCは、一端がスイッチング素子Trのソース又はドレインの他方に接続され、他端が選択電極ブロック25Aに接続されている。選択電極ブロック25Aは、副画素SPixの1水平ラインに対応する複数の第1電極25を含む。そして、第1電極25と第2電極22に与えられる電荷に応じて副画素SPixは駆動される。   The display panel 20 shown in FIG. 7 has a plurality of subpixels SPix arranged in a matrix. Each subpixel SPix includes a switching element Tr and a liquid crystal element LC. The switching element Tr is composed of a thin film transistor. In this example, the switching element Tr is composed of an n-channel MOS (Metal Oxide Semiconductor) TFT. One of the source and drain of the switching element Tr is connected to the data line SGL, the gate is connected to the gate line GCL, and the other of the source and drain is connected to one end of the liquid crystal element LC. The second electrode 22 (not shown in FIG. 7) is connected to the other of the source and the drain of the switching element Tr, and the liquid crystal element LC is connected to the switching element Tr via the second electrode 22. . The liquid crystal element LC has one end connected to the other of the source and drain of the switching element Tr and the other end connected to the selection electrode block 25A. The selection electrode block 25A includes a plurality of first electrodes 25 corresponding to one horizontal line of the subpixel SPix. Then, the subpixel SPix is driven in accordance with the electric charge applied to the first electrode 25 and the second electrode 22.

副画素SPixは、ゲート線GCLにより、表示パネル20の同じ行に属する他の副画素SPixと互いに接続されている。ゲート線GCLは、表示用ゲートドライバ12A(図1参照)と接続され、表示用ゲートドライバ12Aより表示走査信号Vscanが供給される。また、副画素SPixは、データ線SGLにより、表示パネル20の同じ列に属する他の副画素SPixと互いに接続されている。データ線SGLは、ソースドライバ13(図1参照)と接続され、ソースドライバ13より画素信号Vpixが供給される。第1電極25(共通電極)は、第1電極ドライバ14(図1参照)と接続され、第1電極ドライバ14より表示駆動信号Vcomが供給される。表示駆動信号Vcomは、複数の副画素SPixに共通電位を与えるための直流の電圧信号である。この例では、同じ一行に属する複数の副画素SPixが1つの選択電極ブロック25Aを共有するようになっている。   The subpixel SPix is connected to other subpixels SPix belonging to the same row of the display panel 20 by the gate line GCL. The gate line GCL is connected to the display gate driver 12A (see FIG. 1), and the display scanning signal Vscan is supplied from the display gate driver 12A. Further, the subpixel SPix is connected to another subpixel SPix belonging to the same column of the display panel 20 by the data line SGL. The data line SGL is connected to the source driver 13 (see FIG. 1), and the pixel signal Vpix is supplied from the source driver 13. The first electrode 25 (common electrode) is connected to the first electrode driver 14 (see FIG. 1), and the display drive signal Vcom is supplied from the first electrode driver 14. The display drive signal Vcom is a DC voltage signal for applying a common potential to the plurality of subpixels SPix. In this example, a plurality of subpixels SPix belonging to the same row share one selection electrode block 25A.

なお、本実施例において、選択電極ブロック25Aの延在方向は、ゲート線GCLの延在方向と平行である場合について説明したが、これに限られない。選択電極ブロック25Aの延在方向は、データ線SGLの延在方向と平行であってもよい。その場合、同じ一列に属する複数の副画素SPixが1つの選択電極ブロック25Aを共有するようになり、第1電極ドライバ14は、表示パネル20上のデータ線SGLの延在方向のいずれかの端部に配置されることとなる。   In the present embodiment, the extending direction of the selection electrode block 25A has been described as being parallel to the extending direction of the gate line GCL, but is not limited thereto. The extending direction of the selection electrode block 25A may be parallel to the extending direction of the data line SGL. In that case, a plurality of subpixels SPix belonging to the same column share one selection electrode block 25A, and the first electrode driver 14 is connected to either end in the extending direction of the data line SGL on the display panel 20. It will be arranged in the part.

図1に示す表示用ゲートドライバ12Aは、ゲート線GCLを順次走査するように駆動する。表示走査信号Vscanが、ゲート線GCLを介して、副画素SPixのスイッチング素子Trのゲートに印加され、副画素SPixのうちの1水平ラインが表示駆動の対象として順次選択される。また、表示装置1は、1水平ラインに属する副画素SPixに対して、ソースドライバ13が画素信号Vpixを供給することにより、1水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、第1電極ドライバ14は、少なくともその1水平ラインに対応する選択電極ブロック25Aに対して表示駆動信号Vcomを印加する。なお、第1電極ドライバ14は、表示走査信号Vscanが印加されている1水平ラインに対応する選択電極ブロック25Aの第1電極25(共通電極)を含む複数又は表示領域Ad全体のすべての第1電極25に対して表示駆動信号Vcomを印加してもよい。   The display gate driver 12A shown in FIG. 1 is driven so as to sequentially scan the gate lines GCL. The display scanning signal Vscan is applied to the gate of the switching element Tr of the subpixel SPix via the gate line GCL, and one horizontal line of the subpixel SPix is sequentially selected as a display driving target. In the display device 1, the source driver 13 supplies the pixel signal Vpix to the sub-pixel SPix belonging to one horizontal line, so that display is performed for each horizontal line. When performing this display operation, the first electrode driver 14 applies the display drive signal Vcom to at least the selection electrode block 25A corresponding to the one horizontal line. The first electrode driver 14 includes a plurality of first electrodes 25 including the first electrodes 25 (common electrodes) of the selection electrode block 25A corresponding to one horizontal line to which the display scanning signal Vscan is applied or all of the first display drivers Ad. A display drive signal Vcom may be applied to the electrode 25.

図6に示すカラーフィルタ32は、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に着色されたカラーフィルタの色領域32R、32G、32Bが周期的に配列されている。上述した図7に示す各副画素SPixに、R、G、Bの3色の色領域32R、32G、32Bが1組として対応付けられ、色領域32R、32G、32Bを1組として画素Pixが構成される。図6に示すように、カラーフィルタ32は、第1基板21と垂直な方向において、液晶層6と対向する。なお、カラーフィルタ32は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ32は、3色の組み合わせに限定されず、4色以上の組み合わせであってもよい。さらに、検出機能付き表示部10は、カラーフィルタ32を有さず、白黒表示であってもよい。   In the color filter 32 shown in FIG. 6, for example, color regions 32R, 32G, and 32B of color filters colored in three colors of red (R), green (G), and blue (B) are periodically arranged. Each of the sub-pixels SPix shown in FIG. 7 is associated with the color regions 32R, 32G, and 32B of three colors R, G, and B as one set, and the pixel Pix with the color regions 32R, 32G, and 32B as a set. Composed. As shown in FIG. 6, the color filter 32 faces the liquid crystal layer 6 in a direction perpendicular to the first substrate 21. The color filter 32 may be a combination of other colors as long as it is colored in a different color. The color filter 32 is not limited to a combination of three colors, and may be a combination of four or more colors. Further, the display unit 10 with the detection function may not be provided with the color filter 32 but may be monochrome display.

図6及び図7に示す第1電極25は、表示パネル20の複数の副画素SPixに共通電位を与える共通電極として機能するとともに、検出部30のタッチ検出を行う際の検出電極としても機能する。図8は、第1の実施形態に係る検出部の第1電極の配列を表す回路図である。   The first electrode 25 illustrated in FIGS. 6 and 7 functions as a common electrode that applies a common potential to the plurality of subpixels SPix of the display panel 20 and also functions as a detection electrode when performing touch detection of the detection unit 30. . FIG. 8 is a circuit diagram illustrating an arrangement of the first electrodes of the detection unit according to the first embodiment.

図8に示す検出部30は、第1基板21(図6参照)に行列状に設けられた第1電極25を有している。第1電極25(検出電極)は、上述した1つの副画素SPixに対応して1つ設けられていてもよく、複数の副画素SPixに対応して1つの第1電極25が設けられていてもよい。第1電極25はそれぞれ検出用スイッチング素子Trsを備えている。検出用スイッチング素子Trsは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成されている。検出用ゲート線GCLsは行方向に延在し、列方向に複数配列されている。検出用データ線SGLsは列方向に延在し、行方向に複数配列されている。第1電極25は、検出用ゲート線GCLsと検出用データ線SGLsとで囲まれた領域に設けられている。検出用スイッチング素子Trsは、検出用ゲート線GCLsと検出用データ線SGLsとの交差部の近傍に設けられており、第1電極25のそれぞれに対応して複数設けられている。   The detection unit 30 illustrated in FIG. 8 includes first electrodes 25 provided in a matrix on the first substrate 21 (see FIG. 6). One first electrode 25 (detection electrode) may be provided corresponding to one subpixel SPix described above, and one first electrode 25 is provided corresponding to a plurality of subpixels SPix. Also good. Each of the first electrodes 25 includes a detection switching element Trs. The detection switching element Trs is constituted by a thin film transistor, and in this example, is constituted by an n-channel MOS (Metal Oxide Semiconductor) type TFT. The detection gate lines GCLs extend in the row direction, and a plurality of detection gate lines GCLs are arranged in the column direction. The detection data lines SGLs extend in the column direction and are arranged in the row direction. The first electrode 25 is provided in a region surrounded by the detection gate lines GCLs and the detection data lines SGLs. The detection switching elements Trs are provided in the vicinity of the intersection between the detection gate line GCLs and the detection data line SGLs, and a plurality of detection switching elements Trs are provided corresponding to each of the first electrodes 25.

検出用スイッチング素子Trsは、第1基板21の上において、図7に示すスイッチング素子Trと同層に設けられていてもよく、異なる層に設けられていてもよい。検出用ゲート線GCLsは、図7に示すゲート線GCLと平行方向に延在し、検出用データ線SGLsは、図7に示すデータ線SGLと平行方向に延在する。検出用ゲート線GCLsは、ゲート線GCLと同層に設けられていてもよく、異なる層に設けられていてもよい。検出用データ線SGLsは、ゲート線GCLと同層に設けられていてもよく、異なる層に設けられていてもよい。   The switching element for detection Trs may be provided on the first substrate 21 in the same layer as the switching element Tr illustrated in FIG. 7 or may be provided in a different layer. The detection gate line GCLs extends in a direction parallel to the gate line GCL shown in FIG. 7, and the detection data line SGLs extends in a direction parallel to the data line SGL shown in FIG. The detection gate line GCLs may be provided in the same layer as the gate line GCL, or may be provided in a different layer. The detection data line SGLs may be provided in the same layer as the gate line GCL, or may be provided in a different layer.

検出用スイッチング素子Trsのソースは検出用データ線SGLsに接続され、ゲートは検出用ゲート線GCLsに接続され、ドレインは第1電極25に接続されている。ここで、共通の検出用ゲート線GCLsに接続された複数の第1電極25を含む電極ブロックを選択電極ブロック25Aとし、共通の検出用データ線SGLsに接続された複数の第1電極25を含む電極ブロックを検出電極ブロック25Bとする。また、図8に示すように、m列目に配列された検出用データ線SGLsと検出電極ブロック25Bとを、それぞれ検出用データ線SGLs(m)、検出電極ブロック25B(m)と示し、n行目に配列された検出用ゲート線GCLsと選択電極ブロック25Aとを、それぞれ検出用ゲート線GCLs(n)と選択電極ブロック25A(n)と示している。   The detection switching element Trs has a source connected to the detection data line SGLs, a gate connected to the detection gate line GCLs, and a drain connected to the first electrode 25. Here, an electrode block including a plurality of first electrodes 25 connected to a common detection gate line GCLs is a selection electrode block 25A, and includes a plurality of first electrodes 25 connected to a common detection data line SGLs. The electrode block is a detection electrode block 25B. Further, as shown in FIG. 8, the detection data lines SGLs and the detection electrode block 25B arranged in the m-th column are indicated as detection data lines SGLs (m) and detection electrode block 25B (m), respectively, and n The detection gate lines GCLs and the selection electrode block 25A arranged in the row are shown as detection gate lines GCLs (n) and a selection electrode block 25A (n), respectively.

図1に示す検出用ゲートドライバ12Bは、検出用ゲート線GCLsのうち1又は2以上の検出用ゲート線GCLsを選択するように駆動する選択駆動部である。検出走査信号Vscansが、選択された検出用ゲート線GCLsを介して、検出用スイッチング素子Trsのゲートに印加され、1又は2以上の選択電極ブロック25Aが検出対象として選択される。また、第1電極ドライバ14(図1参照)は、検出用データ線SGLsを介して、選択電極ブロック25Aに属する第1電極25に対して検出駆動信号Vsを供給する。そして、検出電極ブロック25Bに属する第1電極25は、検出用データ線SGLsを介して、各第1電極25の静電容量変化に応じた検出信号Vdetを信号処理部40に出力する。本実施形態の第1電極25は、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における検出電極E1に対応し、検出部30は、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理に従って接触又は近接する指を検出することができる。   The detection gate driver 12B shown in FIG. 1 is a selection drive unit that drives to select one or more detection gate lines GCLs from among the detection gate lines GCLs. The detection scanning signal Vscans is applied to the gate of the detection switching element Trs via the selected detection gate line GCLs, and one or more selection electrode blocks 25A are selected as detection targets. The first electrode driver 14 (see FIG. 1) supplies the detection drive signal Vs to the first electrodes 25 belonging to the selection electrode block 25A via the detection data lines SGLs. Then, the first electrode 25 belonging to the detection electrode block 25B outputs a detection signal Vdet corresponding to the capacitance change of each first electrode 25 to the signal processing unit 40 via the detection data line SGLs. The first electrode 25 of this embodiment corresponds to the detection electrode E1 in the basic principle of the self-capacitance touch detection described above, and the detection unit 30 follows the basic principle of the self-capacitance touch detection described above. A finger touching or in close proximity can be detected.

図9は、検出動作の一例を表す模式図である。第1電極ブロックBKNは、例えば4つの選択電極ブロック25Aを含んでおり、複数の第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pが列方向に配列されている。検出用ゲートドライバ12Bは、複数の第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pを順次選択し、選択された複数の第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pの選択電極ブロック25Aは、検出駆動信号Vsが供給される。選択されていない第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pは、電圧信号が供給されず、電位が固定されていない、いわゆるフローティング状態となっている。一部の非選択電極ブロックに関しては、選択された第1電極ブロックと非選択の第1電極ブロックとの間の付加容量を低減するために検出駆動信号Vsと同電位の電圧信号が供給されてもよい。   FIG. 9 is a schematic diagram illustrating an example of the detection operation. The first electrode block BKN includes, for example, four selection electrode blocks 25A, and a plurality of first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p are arranged in the column direction. The detection gate driver 12B sequentially selects the plurality of first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p, and the selected electrode block 25A of the selected plurality of first electrode blocks BKN-1, BKN,. A detection drive signal Vs is supplied. The first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p that are not selected are in a so-called floating state in which no voltage signal is supplied and the potential is not fixed. For some non-selected electrode blocks, a voltage signal having the same potential as the detection drive signal Vs is supplied in order to reduce the additional capacitance between the selected first electrode block and the non-selected first electrode block. Also good.

複数の第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pを順次選択して検出動作を行うことにより、1検出面の全体の検出が実行される。第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pは、それぞれ4つの選択電極ブロック25Aを含んでいるが、4つに限られず、2つ、3つ又は5つ以上であってもよい。また、検出用ゲートドライバ12Bは、選択電極ブロック25Aを1行ごとに順次走査してもよい。第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pは、一部の選択電極ブロック25Aが重複するように配列されていてもよい。また、複数の第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pは列方向に配列されている構成に限られず、行列状に配置されていてもよい。   By sequentially selecting a plurality of first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p and performing a detection operation, the entire detection of one detection surface is executed. Each of the first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p includes four selection electrode blocks 25A, but is not limited to four, and may be two, three, or five or more. Further, the detection gate driver 12B may sequentially scan the selection electrode block 25A for each row. The first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p may be arranged so that some of the selection electrode blocks 25A overlap. Moreover, the plurality of first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p are not limited to the configuration arranged in the column direction, and may be arranged in a matrix.

表示装置1の動作方法の一例として、表示装置1は、上述した表示動作(表示期間)とタッチ検出動作(検出期間)とを時分割に行ってもよい。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよいが、以下、表示パネル20の1フレーム期間(1F)、すなわち、一画面分の映像情報が表示されるのに要する時間の中において、タッチ検出動作と表示動作とをそれぞれ複数回に分割して行う方法について説明する。   As an example of the operation method of the display device 1, the display device 1 may perform the above-described display operation (display period) and touch detection operation (detection period) in a time-sharing manner. The touch detection operation and the display operation may be performed in any manner. Hereinafter, one frame period (1F) of the display panel 20, that is, the time required for displaying video information for one screen is displayed. The method for dividing the touch detection operation and the display operation into a plurality of times will be described.

図10は、表示期間と検出期間の配置の一例を表す模式図である。1フレーム期間(1F)は、2つの表示期間Pd1、Pd2及び2つの検出期間Pt1、Pt2からなっており、これらの各期間は、時間軸上において、表示期間Pd1、検出期間Pt1、表示期間Pd2、検出期間Pt2のように交互に配置されている。   FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an example of the arrangement of the display period and the detection period. One frame period (1F) includes two display periods Pd1 and Pd2 and two detection periods Pt1 and Pt2. These periods are displayed on the time axis as a display period Pd1, a detection period Pt1, and a display period Pd2. The detection periods Pt2 are alternately arranged.

制御部11(図1参照)は、表示用ゲートドライバ12Aとソースドライバ13とを介して、各表示期間Pd1、Pd2に選択される複数行の副画素SPix(図7参照)に画素信号Vpixを供給する。   The control unit 11 (see FIG. 1) sends the pixel signal Vpix to the sub-pixels SPix (see FIG. 7) in a plurality of rows selected in the display periods Pd1 and Pd2 via the display gate driver 12A and the source driver 13. Supply.

また、制御部11(図1参照)は、第1電極ドライバ14により、各検出期間Pt1、Pt2に選択される第1電極25に、検出駆動信号Vsを供給する。信号処理部40は、第1電極25から供給される検出信号Vdetに基づいて、タッチ入力の有無及び入力位置の座標の演算を行う。   Further, the control unit 11 (see FIG. 1) supplies the detection drive signal Vs to the first electrode 25 selected in each of the detection periods Pt1 and Pt2 by the first electrode driver 14. Based on the detection signal Vdet supplied from the first electrode 25, the signal processing unit 40 calculates the presence / absence of touch input and the coordinates of the input position.

本実施形態において、第1電極25は表示パネル20の共通電極を兼用するので、制御部11は、表示期間Pd1、Pd2においては、第1電極ドライバ14を介して選択される選択電極ブロック25Aの各第1電極25に、表示用の共通電極電位である表示駆動信号Vcomを供給する。   In the present embodiment, since the first electrode 25 also serves as a common electrode of the display panel 20, the control unit 11 determines the selection electrode block 25A selected via the first electrode driver 14 in the display periods Pd1 and Pd2. A display drive signal Vcom that is a common electrode potential for display is supplied to each first electrode 25.

図10では、1フレーム期間(1F)において1画面分の映像表示を2回に分けて行うことになっているが、1フレーム期間(1F)内の表示期間はさらに多くの回数に分けられていてもよい。検出期間についても、1フレーム期間(1F)中にさらに多くの回数が設けられていてもよい。   In FIG. 10, video display for one screen is performed twice in one frame period (1F), but the display period in one frame period (1F) is further divided into more times. May be. As for the detection period, more times may be provided in one frame period (1F).

検出期間Pt1、Pt2は、それぞれ一検出面の半分ずつのタッチ検出を行ってもよく、それぞれが一画面分のタッチ検出を行ってもよい。1つの検出期間Pt1、Pt2で、上述した第1電極ブロックBKN−1、BKN、…BKN+pのうち1つの第1電極ブロックのタッチ検出を行ってもよい。また、必要に応じて間引き検出等を行ってもよい。また、1フレーム期間(1F)中の表示動作とタッチ検出動作とを複数回に分けずに一回ずつ行ってもよい。   In the detection periods Pt1 and Pt2, half of each detection surface may be touch-detected, or each may perform touch detection for one screen. Touch detection of one first electrode block among the above-described first electrode blocks BKN-1, BKN,... BKN + p may be performed in one detection period Pt1, Pt2. Further, thinning detection or the like may be performed as necessary. Further, the display operation and the touch detection operation during one frame period (1F) may be performed once without dividing into a plurality of times.

検出期間Pt1、Pt2において、表示用のゲート線GCL及びデータ線SGL(図7参照)は、電圧信号が供給されず電位が固定されていないフローティング状態としてもよい。また、表示用のゲート線GCL及びデータ線SGLは、検出駆動信号Vsと同期した同一の波形の信号が供給されてもよい。これにより、検出対象の第1電極25とゲート線GCLとの間の寄生容量及び第1電極25とデータ線SGLとの間の寄生容量が低減されるので、検出誤差の発生や、検出感度の低下を抑制することができる。   In the detection periods Pt1 and Pt2, the display gate line GCL and the data line SGL (see FIG. 7) may be in a floating state in which a voltage signal is not supplied and a potential is not fixed. The display gate line GCL and the data line SGL may be supplied with signals having the same waveform synchronized with the detection drive signal Vs. Thereby, the parasitic capacitance between the first electrode 25 to be detected and the gate line GCL and the parasitic capacitance between the first electrode 25 and the data line SGL are reduced. The decrease can be suppressed.

次に、本実施形態の検出部30の符号分割選択駆動の一例を説明する。図11は、第1の実施形態に係る駆動回路の一構成例を示すブロック図である。図11に示すように、検出用ゲートドライバ12Bは、走査信号生成部15aと、カウンタ15bとを備える。カウンタ15bは制御部11から供給されるクロック信号に基づいて、検出用ゲート線GCLsを選択するタイミングを制御するタイミング制御信号を走査信号生成部15aに供給する。走査信号生成部15aは、検出走査信号Vscansを生成し、カウンタ15bから供給されるタイミング制御信号に基づいて、選択された検出用ゲート線GCLsに検出走査信号Vscansを供給する。走査信号生成部15aは、検出用ゲート線GCLsを順次選択してもよく、複数本同時に選択してもよい。   Next, an example of code division selection driving of the detection unit 30 of this embodiment will be described. FIG. 11 is a block diagram illustrating a configuration example of the drive circuit according to the first embodiment. As shown in FIG. 11, the detection gate driver 12B includes a scanning signal generation unit 15a and a counter 15b. Based on the clock signal supplied from the control unit 11, the counter 15b supplies a timing control signal for controlling the timing for selecting the detection gate line GCLs to the scanning signal generation unit 15a. The scanning signal generation unit 15a generates the detection scanning signal Vscans, and supplies the detection scanning signal Vscans to the selected detection gate lines GCLs based on the timing control signal supplied from the counter 15b. The scanning signal generation unit 15a may sequentially select the detection gate lines GCLs or may select a plurality of the gate lines simultaneously.

検出用ゲートドライバ12Bは、例えば上述した検出期間Ptが終了するタイミングでリセット信号Resetが供給され、走査信号生成部15a及びカウンタ15bがリセットされる。   For example, the detection gate driver 12B is supplied with the reset signal Reset at the timing when the above-described detection period Pt ends, and the scanning signal generation unit 15a and the counter 15b are reset.

図11に示すように、検出部30にはマルチプレクサ14Bが接続されている。マルチプレクサ14Bは、検出用データ線SCLs(図8参照)を介して第1電極25と駆動信号生成部14Aとを接続し、また、第1電極25と信号処理部40とを接続する。選択信号生成部16は、後述する所定の符号に基づいて、検出対象の第1電極25を選択するための選択信号を生成する。カウンタ17は、制御部11から供給されるクロック信号に基づいて、検出対象の第1電極25を選択するタイミングを制御するタイミング制御信号を選択信号生成部16に出力する。選択信号生成部16は、カウンタ17からのタイミング制御信号に基づいて、選択信号をマルチプレクサ14Bに出力する。マルチプレクサ14Bは、選択信号に基づいて、検出用データ線SCLs(図8参照)を介して検出対象となる第1電極25と接続状態となり、検出対象以外の第1電極25との接続を解除する。このようにして、マルチプレクサ14Bにより、検出対象となる第1電極25が選択される。   As shown in FIG. 11, a multiplexer 14 </ b> B is connected to the detection unit 30. The multiplexer 14B connects the first electrode 25 and the drive signal generation unit 14A via the detection data lines SCLs (see FIG. 8), and connects the first electrode 25 and the signal processing unit 40. The selection signal generation unit 16 generates a selection signal for selecting the first electrode 25 to be detected based on a predetermined code described later. Based on the clock signal supplied from the control unit 11, the counter 17 outputs a timing control signal for controlling the timing for selecting the detection-target first electrode 25 to the selection signal generation unit 16. The selection signal generator 16 outputs a selection signal to the multiplexer 14B based on the timing control signal from the counter 17. Based on the selection signal, the multiplexer 14B is connected to the first electrode 25 to be detected via the detection data line SCLs (see FIG. 8) and releases the connection with the first electrode 25 other than the detection target. . In this way, the first electrode 25 to be detected is selected by the multiplexer 14B.

駆動信号生成部14Aは、マルチプレクサ14Bを介して、選択された検出用データ線SCLsに検出駆動信号Vsを供給する。検出対象として選択された第1電極25は、検出用データ線SCLsを介して順番に、又は同時に検出駆動信号Vsが供給される。また、第1電極25からの出力信号Shは、マルチプレクサ14Bを介して信号処理部40に出力される。マルチプレクサ14Bを介することで第1電極25と、駆動信号生成部14Aと信号処理部40のそれぞれとの接続を切り換える構成を簡便にすることができる。検出駆動信号Vsの供給と、出力信号Shの出力とは、例えばスイッチ素子SW5、xSW5により切り替え可能になっている。スイッチ素子SW5がオン(開)のとき、スイッチ素子xSW5がオフ(閉)となり、配線L2及び配線L3を介して出力信号Shが信号処理部40に出力される。スイッチ素子SW5がオフ(閉)のとき、スイッチ素子xSW5がオン(開)となり、配線L1及び配線L3を介して検出駆動信号Vsが検出対象の第1電極25に対して供給される。   The drive signal generator 14A supplies the detection drive signal Vs to the selected detection data line SCLs via the multiplexer 14B. The first electrode 25 selected as the detection target is supplied with the detection drive signal Vs sequentially or simultaneously via the detection data line SCLs. The output signal Sh from the first electrode 25 is output to the signal processing unit 40 via the multiplexer 14B. Through the multiplexer 14B, the configuration for switching the connection between the first electrode 25, the drive signal generation unit 14A, and the signal processing unit 40 can be simplified. The supply of the detection drive signal Vs and the output of the output signal Sh can be switched by, for example, the switch elements SW5 and xSW5. When the switch element SW5 is turned on (opened), the switch element xSW5 is turned off (closed), and the output signal Sh is output to the signal processing unit 40 via the wiring L2 and the wiring L3. When the switch element SW5 is off (closed), the switch element xSW5 is turned on (opened), and the detection drive signal Vs is supplied to the detection target first electrode 25 via the wiring L1 and the wiring L3.

マルチプレクサ14B、スイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、L3、選択信号生成部16、カウンタ17、及び駆動信号生成部14Aは、図1に示す第1電極ドライバ14及び制御部11に含まれていてもよい。例えば、第1電極ドライバ14がマルチプレクサ14B、スイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、L3として機能し、制御部11が選択信号生成部16及びカウンタ17として機能してもよい。マルチプレクサ14B、スイッチ素子SW5、xSW5及び配線L1、L2、L3は、第1基板21上に設けられる。なお、駆動信号生成部14Aとマルチプレクサ14Bとは、第1電極ドライバ14に含まれていてもよく、第1電極ドライバ14とは別に設けられた回路であってもよい。マルチプレクサ14Bは、本発明の「選択接続部」に対応する。   The multiplexer 14B, the switch elements SW5 and xSW5, the wirings L1, L2, and L3, the selection signal generation unit 16, the counter 17, and the drive signal generation unit 14A are included in the first electrode driver 14 and the control unit 11 illustrated in FIG. May be. For example, the first electrode driver 14 may function as the multiplexer 14B, the switch elements SW5 and xSW5, the wirings L1, L2, and L3, and the control unit 11 may function as the selection signal generation unit 16 and the counter 17. The multiplexer 14B, the switch elements SW5 and xSW5, and the wirings L1, L2, and L3 are provided on the first substrate 21. The drive signal generator 14A and the multiplexer 14B may be included in the first electrode driver 14 or may be a circuit provided separately from the first electrode driver 14. The multiplexer 14B corresponds to the “selection connection unit” of the present invention.

本実施形態の検出部30は、第2電極ブロックBKNB(n)について、検出対象となる第1電極25を所定の符号に基づいて選択する。具体的には、マルチプレクサ14Bが検出対象として選択された第1電極25と駆動信号生成部14Aとを接続する。これにより、検出対象として選択された第1電極25に検出駆動信号Vsが供給される。また、選択された第1電極25の静電容量変化に基づいてそれぞれの第1電極25から検出信号が出力される。それぞれの第1電極25の検出信号を統合した信号が出力信号としてマルチプレクサ14Bを介して信号処理部40に出力される。   The detection unit 30 of the present embodiment selects the first electrode 25 to be detected for the second electrode block BKNB (n) based on a predetermined code. Specifically, the multiplexer 14B connects the first electrode 25 selected as the detection target and the drive signal generation unit 14A. As a result, the detection drive signal Vs is supplied to the first electrode 25 selected as the detection target. In addition, a detection signal is output from each first electrode 25 based on the capacitance change of the selected first electrode 25. A signal obtained by integrating the detection signals of the first electrodes 25 is output as an output signal to the signal processing unit 40 via the multiplexer 14B.

図12は、検出対象として選択される第1電極の選択パターンを説明するための説明図である。図12(A)は、第1検出動作Tcの第1電極の選択パターンを示し、図12(B)は、第2検出動作Tcの第1電極の選択パターンを示し、図12(C)は、第3検出動作Tcの第1電極の選択パターンを示し、図12(D)は、第4検出動作Tcの第1電極の選択パターンを示す。 FIG. 12 is an explanatory diagram for explaining a selection pattern of the first electrode selected as a detection target. FIG. 12A shows a selection pattern of the first electrode of the first detection operation Tc 0 , and FIG. 12B shows a selection pattern of the first electrode of the second detection operation Tc 1 , and FIG. ) shows a selection pattern of the third first electrode of the detecting operation Tc 2, FIG. 12 (D) shows a selection pattern of the fourth first electrode of the detection operation Tc 3.

図12では、1つの第2電極ブロックBKNB(n)について説明する。第2電極ブロックBKNB(n)は、共通の配線L3を介してマルチプレクサ14Bに接続された複数の第1電極25を含む。第2電極ブロックBKNB(n)は、行方向に4つ配列された第1電極25を含み、4つの第1電極25は、それぞれ検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)に対応する。また、4つの第1電極25は、それぞれ共通の検出用ゲート線GCLs(n)(図8参照)に接続されている。   In FIG. 12, one second electrode block BKNB (n) will be described. The second electrode block BKNB (n) includes a plurality of first electrodes 25 connected to the multiplexer 14B via a common wiring L3. The second electrode block BKNB (n) includes four first electrodes 25 arranged in the row direction, and the four first electrodes 25 are respectively the detection electrode blocks 25B (m), 25B (m + 1), and 25B (m + 2). ), 25B (m + 3). The four first electrodes 25 are connected to common detection gate lines GCLs (n) (see FIG. 8).

ここで、それぞれの第1電極25から出力される検出信号の信号値をSiとする。第2電極ブロックBKNB(n)からマルチプレクサ14Bを介して、選択信号によって選択された第1電極25の信号値Siを統合した信号値が出力信号Shとして出力される。出力信号Shは、下記の式(1)で表される。すなわち、出力信号Shは、複数の第1電極25から出力される信号値Siの和で表される。 Here, the signal value of the detection signal output from each first electrode 25 is represented by Si q . A signal value obtained by integrating the signal values Si q of the first electrode 25 selected by the selection signal is output from the second electrode block BKNB (n) through the multiplexer 14B as the output signal Sh p . The output signal Sh p is expressed by the following equation (1). That is, the output signal Sh p is represented by the sum of signal values Si q output from the plurality of first electrodes 25.

Figure 2017188106
Figure 2017188106

なお、図12では、図11のスイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、選択信号生成部16、カウンタ17、及び駆動信号生成部14Aの図示を省略している。図12においても、図11で説明したように、配線L2及び配線L3を介して出力信号Shが信号処理部40に出力され、また、配線L1及び配線L3を介して検出駆動信号Vsが検出対象の第1電極25に対して供給される。   In FIG. 12, the switch elements SW5 and xSW5, the wirings L1 and L2, the selection signal generation unit 16, the counter 17, and the drive signal generation unit 14A in FIG. 11 are omitted. Also in FIG. 12, as described in FIG. 11, the output signal Sh is output to the signal processing unit 40 via the wiring L2 and the wiring L3, and the detection drive signal Vs is detected via the wiring L1 and the wiring L3. The first electrode 25 is supplied.

ここで、Siは、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)の各第1電極25からの検出信号に対応する信号値である。Siは、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における、検出電極E1の静電容量C1、あるいは検出電極E1の静電容量C1に指等の接触又は近接による静電容量C2を加えた静電容量(C1+C2、図4参照)に基づいて出力される信号値である。Shは、第2電極ブロックBKNB(n)の出力信号であり、第2電極ブロックBKNB(n)のうち所定の符号に基づいて選択された第1電極25の出力信号を演算して求められる値である。所定の符号は、例えば、下記の式(2)の正方行列Hで定義される。正方行列Hは、アダマール行列であり、「1」又は「−1」を要素とし、任意の異なった2つの行が直交行列となる正方行列である。 Here, Si q is a signal value corresponding to the detection signal from each first electrode 25 of the detection electrode blocks 25B (m), 25B (m + 1), 25B (m + 2), and 25B (m + 3). Si q is the capacitance C1 of the detection electrode E1 or the capacitance C2 due to contact or proximity of a finger or the like to the capacitance C1 of the detection electrode E1 in the basic principle of touch detection of the self-capacitance method described above. This is a signal value output based on the added capacitance (C1 + C2, see FIG. 4). Sh p is an output signal of the second electrode block BKNB (n), and is obtained by calculating an output signal of the first electrode 25 selected based on a predetermined sign in the second electrode block BKNB (n). Value. The predetermined code is defined by, for example, a square matrix H h in the following formula (2). The square matrix H h is a Hadamard matrix, and is a square matrix having “1” or “−1” as elements and any two different rows being orthogonal matrices.

Figure 2017188106
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正方行列Hの次数は、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1電極25の数、すなわち、4つの検出電極ブロック25Bの数である4となる。本実施形態では、4つの第1電極25を含む第2電極ブロックBKNB(n)について説明するが、これに限定されず、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1電極25の個数は2つ、3つ又は5つ以上であってもよい。この場合、正方行列Hの次数もマルチプレクサ14Bによって選択的に制御される第1電極25の個数に応じて変更される。 Order square matrix H h, the number of the first electrode 25 in the second electrode block BKNB (n), i.e., a 4 is the number of four detection electrodes block 25B. In the present embodiment, the second electrode block BKNB (n) including the four first electrodes 25 will be described. However, the present invention is not limited to this, and the number of the first electrodes 25 included in the second electrode block BKNB (n) is There may be two, three, five or more. In this case, the order of the square matrix H h is also changed according to the number of first electrodes 25 that are selectively controlled by the multiplexer 14B.

正方行列Hに対応する第1電極25は、複数の第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)…に対応する。第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)…について正方行列Hに基づいて順次検出動作を行うことにより、1検出面の全体の検出が実行される。第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)…は、一部の第1電極25が重複するように配列されていてもよい。つまり、8列の第1電極25に対して4つの正方行列Hに基づく検出動作を2回行ってもよく、また、5つの正方行列に基づく検出動作を2回行うように、一部の第1電極25に関して重複するように実施してもよい。また、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)…は列方向に配列されている構成に限られず、行列状に配置されていてもよい。第2電極ブロックBKNBは複数である場合に限られず、1つであってもよい。 The first electrode 25 corresponding to the square matrix H h corresponds to a plurality of second electrode blocks BKNB (n), BKNB (n + 1), BKNB (n + 2). The second electrode block BKNB (n), BKNB (n + 1), by sequentially performing the detection operation based on the square matrix H h for BKNB (n + 2) ..., the entire detection of one detection surface is performed. The second electrode blocks BKNB (n), BKNB (n + 1), BKNB (n + 2)... May be arranged so that some of the first electrodes 25 overlap. That is, some detection operations based on the four square matrices H h may be performed twice for the eight electrodes of the first electrodes 25, and some detection operations based on the five square matrices may be performed twice. You may implement so that it may overlap regarding the 1st electrode 25. FIG. The second electrode blocks BKNB (n), BKNB (n + 1), BKNB (n + 2)... Are not limited to the configuration arranged in the column direction, and may be arranged in a matrix. The number of the second electrode blocks BKNB is not limited to a plurality, and may be one.

図12(A)から図12(D)に示すように、第1検出動作Tc、第2検出動作Tc、第3検出動作Tc及び第4検出動作Tcの4つの検出動作に分けて符号分割選択駆動の一例を説明する。図12(A)に示す第1検出動作Tcでは、正方行列Hの1行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図12(B)に示す第2検出動作Tcでは、正方行列Hの2行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図12(C)に示す第3検出動作Tcでは、正方行列Hの3行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図12(D)に示す第4検出動作Tcでは、正方行列Hの4行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。 As shown in FIG. 12A to FIG. 12D, the detection operation is divided into four detection operations: a first detection operation Tc 0 , a second detection operation Tc 1 , a third detection operation Tc 2, and a fourth detection operation Tc 3. An example of code division selection driving will be described. In the first detection operation Tc 0 shown in FIG. 12A, the first electrode 25 is selected according to the selection signal corresponding to the first row of the square matrix H h . Second In the detection operation Tc 1 shown in FIG. 12 (B), the first electrode 25 in response to the selection signal corresponding to the second row of the square matrix H h is selected. In the third detection operation Tc 2 shown in FIG. 12 (C), the first electrode 25 in response to the selection signal corresponding to the third row of the square matrix H h is selected. In the fourth detection operation Tc 3 shown in FIG. 12 (D), the first electrode 25 in response to the selection signal corresponding to the fourth row of the square matrix H h is selected.

第1検出動作Tc、第2検出動作Tc、第3検出動作Tc及び第4検出動作Tcはそれぞれ、正符号選択動作Tc 、Tc 、Tc 、Tc と、負符号選択動作Tc 、Tc 、Tc 、Tc とを含む。正符号選択動作Tc 、Tc 、Tc 、Tc では、正方行列Hの成分「1」に対応する第1選択信号に応じて、第2電極ブロックBKNB(n)のうち第1検出対象となる第1電極25が選択される。図12では、選択された第1電極25に斜線を付して示している。第1検出対象の第1電極25からマルチプレクサ14Bを介して第1出力信号Sh (p=0、1、2、3)が出力される。ここで、第1出力信号Sh は、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1検出対象の第1電極25の検出信号が統合された信号である。 The first detection operation Tc 0 , the second detection operation Tc 1 , the third detection operation Tc 2, and the fourth detection operation Tc 3 are respectively positive code selection operations Tc 0 + , Tc 1 + , Tc 2 + , Tc 3 + , Negative sign selection operations Tc 0 , Tc 1 , Tc 2 and Tc 3 . In the positive code selection operations Tc 0 + , Tc 1 + , Tc 2 + , Tc 3 + , the second electrode block BKNB (n) is changed according to the first selection signal corresponding to the component “1” of the square matrix H h . Of these, the first electrode 25 to be the first detection target is selected. In FIG. 12, the selected first electrode 25 is indicated by hatching. A first output signal Sh p + (p = 0, 1, 2, 3) is output from the first electrode 25 to be detected through the multiplexer 14B. Here, the first output signal Sh p + is a signal in which the detection signals of the first electrodes 25 of the first detection target included in the second electrode block BKNB (n) are integrated.

負符号選択動作Tc 、Tc 、Tc 、Tc では、正方行列Hの成分「−1」に対応する第2選択信号に応じて、第2電極ブロックBKNB(n)のうち、第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極25が選択される。この第2検出対象の第1電極25からマルチプレクサ14Bを介して第2出力信号Sh (p=0、1、2、3)が出力される。ここで、第2出力信号Sh は、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第2検出対象の第1電極25の検出信号が統合された信号である。本実施形態では、正符号選択動作Tc (p=0、1、2、3)と、負符号選択動作Tc (p=0、1、2、3)とが時分割で実行される。このため、各出力信号が1つの電圧検出器DET(図3、図4参照)に時分割で出力されるため、信号処理部40の構成を簡便にすることができる。 In the negative sign selection operations Tc 0 , Tc 1 , Tc 2 , Tc 3 , the second electrode block BKNB (n) is selected according to the second selection signal corresponding to the component “−1” of the square matrix H h. Among these, the first electrode 25 of the second detection target that is not included in the first detection target is selected. The second output signal Sh p (p = 0, 1, 2, 3) is output from the first electrode 25 to be detected through the multiplexer 14B. Here, the second output signal Sh p is a signal obtained by integrating the detection signals of the first electrodes 25 to be detected included in the second electrode block BKNB (n). In this embodiment, a positive sign selection operation Tc p + (p = 0,1,2,3) , the negative sign selection operation Tc p - and (p = 0, 1, 2, 3) is performed in time division The Therefore, each output signal is output to one voltage detector DET (see FIGS. 3 and 4) in a time-sharing manner, so that the configuration of the signal processing unit 40 can be simplified.

信号処理部40の信号演算部44(図2参照)は、第1出力信号Sh と第2出力信号Sh との差分を演算することにより、第3出力信号Sh=Sh −Sh を算出する。信号演算部44は、第3出力信号Shを記憶部47に出力して、第3出力信号Shを一時的に記憶させる。選択信号に応じて選択された第1電極群を電極E1とした場合において、第1出力信号Sh と第2出力信号Sh とは、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における検出信号Vdetに対応する。 The signal calculation unit 44 (see FIG. 2) of the signal processing unit 40 calculates the third output signal Sh p = Sh p + by calculating the difference between the first output signal Sh p + and the second output signal Sh p −. -Sh p - is calculated. The signal calculation unit 44 outputs the third output signal Sh p to the storage unit 47 and temporarily stores the third output signal Sh p . When the first electrode group selected according to the selection signal is the electrode E1, the first output signal Sh p + and the second output signal Sh p are the basics of the self-capacitance type touch detection described above. This corresponds to the detection signal Vdet in principle.

正方行列Hの次数が4の場合、下記の式(3)に示すように、1つの第2電極ブロックBKNB(n)から、4つの出力信号(Sh、Sh、Sh、Sh)が得られる。この場合、4つの第1出力信号Sh 、Sh 、Sh 、Sh と、4つの第2出力信号Sh 、Sh 、Sh 、Sh から、第3出力信号(Sh、Sh、Sh、Sh)がそれぞれ求められる。 When the order of the square matrix H h is 4, as shown in the following equation (3), four output signals (Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 ) are generated from one second electrode block BKNB (n). ) Is obtained. In this case, the four first output signals Sh 0 + , Sh 1 + , Sh 2 + , Sh 3 + and the four second output signals Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 Three output signals (Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 ) are respectively obtained.

Figure 2017188106
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以下では、第2電極ブロックBKNB(n)の各第1電極25から検出される検出信号値が(Si、Si、Si、Si)=(1、7、3、2)である場合を例にとって説明する。検出信号Siは検出電極ブロック25B(m)に対応する第1電極25の検出信号である。検出信号Siは検出電極ブロック25B(m+1)に対応する第1電極25の検出信号である。検出信号Siは検出電極ブロック25B(m+2)に対応する第1電極25の検出信号である。検出信号Siは検出電極ブロック25B(m+3)に対応する第1電極25の検出信号である。 In the following, the detection signal value detected from each first electrode 25 of the second electrode block BKNB (n) is (Si 0 , Si 1 , Si 2 , Si 3 ) = ( 1 , 7 , 3 , 2 ). A case will be described as an example. The detection signal Si 0 is a detection signal of the first electrode 25 corresponding to the detection electrode block 25B (m). The detection signal Si 1 is a detection signal of the first electrode 25 corresponding to the detection electrode block 25B (m + 1). The detection signal Si 2 is a detection signal of the first electrode 25 corresponding to the detection electrode block 25B (m + 2). The detection signal Si 3 is a detection signal of the first electrode 25 corresponding to the detection electrode block 25B (m + 3).

図12(A)に示すように、第1検出動作Tcの正符号選択動作Tc において、正方行列Hの1行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、4つの第1電極25が選択される。4つの第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続される。第1出力信号Sh は、式(3)から、Sh =1×1+1×7+1×3+1×2=13となる。負符号選択動作Tc において、正方行列Hの1行目の成分「−1」が存在しないため、成分「−1」に対応する第2検出対象として第1電極25は選択されない。つまり、4つの第1電極25はマルチプレクサ14Bとの接続が解除される。よって第2出力信号Sh は、Sh =0×1+0×7+0×3+0×2=0となる。第3出力信号Shは、第1出力信号Sh と第2出力信号Sh との差分から、Sh=Sh −Sh =13−0=13となる。 As shown in FIG. 12A, in the positive sign selection operation Tc 0 + of the first detection operation Tc 0 , four detection targets corresponding to the component “1” in the first row of the square matrix H h The first electrode 25 is selected. Four first electrodes 25 are connected to the multiplexer 14B. The first output signal Sh 0 + is Sh 0 + = 1 × 1 + 1 × 7 + 1 × 3 + 1 × 2 = 13 from the equation (3). In the negative sign selection operation Tc 0 , the component “−1” in the first row of the square matrix H h does not exist, so the first electrode 25 is not selected as the second detection target corresponding to the component “−1”. That is, the four first electrodes 25 are disconnected from the multiplexer 14B. Therefore, the second output signal Sh 0 is Sh 0 = 0 × 1 + 0 × 7 + 0 × 3 + 0 × 2 = 0. From the difference between the first output signal Sh 0 + and the second output signal Sh 0 , the third output signal Sh 0 becomes Sh 0 = Sh 0 + −Sh 0 = 13−0 = 13.

次に、図12(B)に示すように、第2検出動作Tcの正符号選択動作Tc において、正方行列Hの2行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。一方、第1検出対象として選択されていない検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)に属する第1電極25は、マルチプレクサ14Bとの接続が解除され、出力信号は出力されない。このため、第1出力信号Sh は、式(3)から、Sh =1×1+0×7+1×3+0×2=4となる。 Next, as shown in FIG. 12B, in the positive sign selection operation Tc 1 + of the second detection operation Tc 1 , the first detection target corresponding to the component “1” in the second row of the square matrix H h is used. The two first electrodes 25 belonging to the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 2) are selected. The first electrode 25 selected as the first detection target is connected to the multiplexer 14B, and an output signal is output. On the other hand, the first electrodes 25 belonging to the detection electrode blocks 25B (m + 1) and 25B (m + 3) not selected as the first detection target are disconnected from the multiplexer 14B, and no output signal is output. Therefore, the first output signal Sh 1 + is expressed as Sh 1 + = 1 × 1 + 0 × 7 + 1 × 3 + 0 × 2 = 4 from Equation (3).

負符号選択動作Tc において、正方行列Hの2行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。一方、第2検出対象として選択されていない検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)に属する第1電極25は、マルチプレクサ14Bとの接続が解除され、出力信号は出力されない。第2出力信号Sh は、Sh =0×1+1×7+0×3+1×2=9となる。第3出力信号Shは、Sh=Sh −Sh =4−9=−5が得られる。 In the negative sign selection operation Tc 1 , as the second detection target corresponding to the component “−1” in the second row of the square matrix H h , the two first firsts belonging to the detection electrode blocks 25B (m + 1) and 25B (m + 3). The electrode 25 is selected. The first electrode 25 selected as the second detection target is connected to the multiplexer 14B, and an output signal is output. On the other hand, the first electrode 25 belonging to the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 2) not selected as the second detection target is disconnected from the multiplexer 14B, and no output signal is output. The second output signal Sh 1 is Sh 1 = 0 × 1 + 1 × 7 + 0 × 3 + 1 × 2 = 9. Third output signal Sh 1 is, Sh 1 = Sh 1 + -Sh 1 - = 4-9 = -5 is obtained.

次に、図12(C)に示すように、第3検出動作Tcの正符号選択動作Tc において、正方行列Hの3行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。第1出力信号Sh は、式(3)から、Sh =1×1+1×7+0×3+0×2=8となる。 Next, as shown in FIG. 12C, in the positive sign selection operation Tc 2 + of the third detection operation Tc 2 , the first detection target corresponding to the component “1” in the third row of the square matrix H h is used. The two first electrodes 25 belonging to the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 1) are selected. The first electrode 25 selected as the first detection target is connected to the multiplexer 14B, and an output signal is output. The first output signal Sh 2 + is expressed as Sh 2 + = 1 × 1 + 1 × 7 + 0 × 3 + 0 × 2 = 8 from Equation (3).

負符号選択動作Tc において、正方行列Hの3行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、検出電極ブロック25B(m+2)、25B(m+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。第2出力信号Sh は、Sh =0×1+0×7+1×3+1×2=5となる。第3出力信号Shは、Sh=Sh −Sh =8−5=3が得られる。 In the negative sign selection operation Tc 2 , as the second detection target corresponding to the component “−1” in the third row of the square matrix H h , the two first firsts belonging to the detection electrode blocks 25B (m + 2) and 25B (m + 3). The electrode 25 is selected. The first electrode 25 selected as the second detection target is connected to the multiplexer 14B, and an output signal is output. The second output signal Sh 2 is Sh 2 = 0 × 1 + 0 × 7 + 1 × 3 + 1 × 2 = 5. As for the third output signal Sh 2 , Sh 2 = Sh 2 + −Sh 2 = 8−5 = 3 is obtained.

次に、図12(D)に示すように、第4検出動作Tcの正符号選択動作Tc において、正方行列Hの4行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。第1出力信号Sh は、式(3)から、Sh =1×1+0×7+0×3+1×2=3となる。 Next, as shown in FIG. 12D, in the positive sign selection operation Tc 3 + of the fourth detection operation Tc 3 , the first detection target corresponding to the component “1” in the fourth row of the square matrix H h is used. The two first electrodes 25 belonging to the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 3) are selected. The first electrode 25 selected as the first detection target is connected to the multiplexer 14B, and an output signal is output. The first output signal Sh 3 + is expressed as Sh 3 + = 1 × 1 + 0 × 7 + 0 × 3 + 1 × 2 = 3 from Equation (3).

負符号選択動作Tc において、正方行列Hの4行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+2)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25がマルチプレクサ14Bに接続され、出力信号が出力される。第2出力信号Sh は、Sh =0×1+1×7+1×3+0×2=10となる。第3出力信号Shは、Sh=Sh −Sh =3−10=−7が得られる。 In the negative sign selection operation Tc 3 , as the second detection target corresponding to the component “−1” in the fourth row of the square matrix H h , the two first firsts belonging to the detection electrode blocks 25B (m + 1) and 25B (m + 2). The electrode 25 is selected. The first electrode 25 selected as the second detection target is connected to the multiplexer 14B, and an output signal is output. The second output signal Sh 3 is Sh 3 = 0 × 1 + 1 × 7 + 1 × 3 + 0 × 2 = 10. The third output signal Sh 3 is, Sh 3 = Sh 3 + -Sh 3 - = 3-10 = -7 is obtained.

信号演算部44は、4つの第3出力信号(Sh、Sh、Sh、Sh)=(13、−5、3、−7)を順次、記憶部47に出力する。なお、信号演算部44は、4つの第1出力信号Sh 、Sh 、Sh 、Sh と、4つの第2出力信号Sh 、Sh 、Sh 、Sh を、それぞれ記憶部47に記憶させて、すべての期間の検出を行った後に4つの第3出力信号Sh、Sh、Sh、Shの演算を行ってもよい。 The signal calculation unit 44 sequentially outputs four third output signals (Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 ) = (13, −5, 3 , −7) to the storage unit 47. The signal calculation unit 44 includes four first output signals Sh 0 + , Sh 1 + , Sh 2 + , Sh 3 + and four second output signals Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 2 . 3 may be stored in the storage unit 47, and the four third output signals Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 may be calculated after all periods have been detected.

座標抽出部45(図2参照)は、信号演算部44が演算した出力信号Sh、Sh、Sh、Shを記憶部47から受け取り、4つの第3出力信号(Sh、Sh、Sh、Sh)=(13、−5、3、−7)を下記の式(4)で復号化する。座標抽出部45は、式(4)に基づいて、復号信号(Si 、Si 、Si 、Si )=(4、28、12、8)を算出する。指が接触又は近接した場合、その位置に対応する第1電極25の復号信号Si 、Si 、Si 、Si の値が変化する。これにより、座標抽出部45は、復号信号Si 、Si 、Si 、Si に基づいて、第2電極ブロックBKNB(n)のうち指が接触又は近接した座標を求めることができる。なお、座標抽出部45は、復号信号Si 、Si 、Si 、Si に基づいて求められた座標を検出信号出力Voutとして出力してもよいし、復号信号Si 、Si 、Si 、Si を検出信号出力Voutとして出力してもよい。 The coordinate extraction unit 45 (see FIG. 2) receives the output signals Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 calculated by the signal calculation unit 44 from the storage unit 47, and four third output signals (Sh 0 , Sh 1). , Sh 2 , Sh 3 ) = (13, −5, 3 , −7) is decoded by the following equation (4). The coordinate extraction unit 45 calculates a decoded signal (Si 0 , Si 1 , Si 2 , Si 3 ) = (4, 28, 12, 8) based on Expression (4). When the finger touches or approaches, the values of the decoded signals Si 0 , Si 1 , Si 2 , Si 3 of the first electrode 25 corresponding to the position change. Thereby, the coordinate extraction unit 45 obtains coordinates where the finger is in contact with or close to the second electrode block BKNB (n) based on the decoded signals Si 0 , Si 1 , Si 2 , Si 3 ′. Can do. The coordinate extraction unit 45 may output the coordinates obtained based on the decoded signals Si 0 , Si 1 , Si 2 , Si 3 as the detection signal output Vout, or the decoded signal Si 0 ′. , Si 1 , Si 2 , Si 3 may be output as the detection signal output Vout.

Figure 2017188106
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以上の符号分割選択駆動によれば、第1検出対象及び第2検出対象として選択された第1電極25からの信号値(Si、Si、Si、Si)=(1、7、3、2)を統合した出力信号である第3出力信号(Sh、Sh、Sh、Sh)から、式(4)による座標抽出部45の復号処理により、個別の第1電極25の信号値(Si、Si、Si、Si)=(1、7、3、2)の正方行列Hの次数にあたる4倍に対応する復号信号(Si 、Si 、Si 、Si )=(4、28、12、8)が得られる。すなわち、各ノードの信号値の電圧を上げることなく、時分割選択駆動の4倍の信号強度が得られることとなる。また、第3出力信号Shは、第1出力信号Sh と第2出力信号Sh との差分により求められるため、外部からノイズが侵入した場合であっても、第1出力信号Sh のノイズ成分と第2出力信号Sh のノイズ成分がキャンセルされる。これにより、ノイズ耐性を向上させることができる。また、本実施形態によれば、所定の符号に基づいて選択された第1検出対象の第1電極25の検出動作と、所定の符号に基づいて選択された、第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極25の検出動作とを、異なる期間に時分割で行う。これにより、第1検出対象の第1電極25と、第2検出対象の第1電極25との容量結合を抑制できるので、検出誤差や検出感度の低下を抑制することができる。 According to the above code division selection driving, the signal values (Si 0 , Si 1 , Si 2 , Si 3 ) = (1, 7,...) From the first electrode 25 selected as the first detection target and the second detection target. From the third output signals (Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 ), which are output signals obtained by integrating 3 and 2), the individual first electrodes 25 are obtained by the decoding process of the coordinate extraction unit 45 according to Expression (4). Signal values (Si 0 , Si 1 , Si 3 ) = decoded signals (Si 0 , Si 1 ) corresponding to four times the order of the square matrix H h of ( 1 , 7 , 3 , 2 ) Si 2 , Si 3 ) = (4, 28, 12, 8) is obtained. That is, a signal strength four times that of the time division selection drive can be obtained without increasing the voltage of the signal value at each node. Further, since the third output signal Sh p is obtained from the difference between the first output signal Sh p + and the second output signal Sh p , the first output signal Sh p can be obtained even when noise enters from the outside. p + noise component and the second output signal Sh p - noise components are canceled. Thereby, noise tolerance can be improved. Further, according to the present embodiment, the detection operation of the first detection target first electrode 25 selected based on the predetermined code and the first detection target selected based on the predetermined code are not included. The detection operation of the first electrode 25 to be detected is performed in a time-sharing manner in different periods. Thereby, since capacitive coupling between the first electrode 25 as the first detection target and the first electrode 25 as the second detection target can be suppressed, it is possible to suppress a detection error and a decrease in detection sensitivity.

なお、式(2)に示す正方行列Hは、一例であって、例えば下記の式(5)に示す正方行列H等であってもよい。この場合、正符号選択動作Tc (p=0、1、2、3)において、成分「1」に対応する第1検出対象の第1電極25が3つ選択され、負符号選択動作Tc (p=0、1、2、3)において、成分「−1」に対応する第2検出対象の第1電極25が1つ選択される。 Note that the square matrix H h shown in Expression (2) is an example, and may be, for example, a square matrix H h shown in Expression (5) below. In this case, in the positive sign selection operation Tc p + (p = 0, 1, 2, 3), three first electrodes 25 to be detected corresponding to the component “1” are selected, and the negative sign selection operation Tc. In p (p = 0, 1, 2, 3), one first electrode 25 to be detected corresponding to the component “−1” is selected.

Figure 2017188106
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図12に示すように、正方行列Hの成分「1」に対応する第1検出対象として選択される第1電極25の組み合わせパターンを示す第1選択パターンは、正符号選択動作Tc (p=0、1、2、3)に示した4つのパターンである。つまり、第1検出対象として選択される第1電極25の第1選択パターンは、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1電極25の数と等しい。また、正方行列Hの成分「−1」に対応する第2検出対象として選択される第1電極25の組み合わせパターンを示す第2選択パターンは、第1選択パターンの数と等しい。第2選択パターンは、負符号選択動作Tc (p=0、1、2、3)に示した4つのパターンであり、第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1電極25の数と等しい。 As shown in FIG. 12, the first selection pattern indicating the combination pattern of the first electrodes 25 selected as the first detection target corresponding to the component “1” of the square matrix H h is the positive code selection operation Tc p + ( The four patterns shown in p = 0, 1, 2, 3). That is, the first selection pattern of the first electrodes 25 selected as the first detection target is equal to the number of the first electrodes 25 included in the second electrode block BKNB (n). Further, the second selection pattern indicating the combination pattern of the first electrodes 25 selected as the second detection target corresponding to the component “−1” of the square matrix H h is equal to the number of the first selection patterns. Second selection pattern is a negative sign selection operation Tc p - a four patterns shown in (p = 0, 1, 2, 3), the number of the first electrode 25 in the second electrode block BKNB (n) Is equal to

正符号選択動作Tc と負符号選択動作Tc とは、検出期間Pt1、Pt2(図10参照)内において、連続した期間で実行され、連続する1組の正符号選択動作Tc と負符号選択動作Tc とが、繰り返し実行される。連続して実行される正符号選択動作Tc と負符号選択動作Tc とで、外部から侵入するノイズの大きさの差が抑制される。このため、第1出力信号Sh と第2出力信号Sh との差分によりノイズ成分がキャンセルされ、ノイズ耐性が向上する。なお、これに限定されず、例えば4つの正符号選択動作Tc (p=0、1、2、3)を連続して実行した後に、4つの負符号選択動作Tc (p=0、1、2、3)を連続して実行する等、適宜変更してもよい。また、正符号選択動作Tc と負符号選択動作Tc とは、それぞれ第2電極ブロックBKNB(n)に含まれる第1電極25の数と等しく、4つずつ設けられる。すなわち、式(1)の正方行列Hの行成分の個数と同じ数となる。 The positive code selection operation Tc p + and the negative code selection operation Tc p are executed in consecutive periods within the detection periods Pt1 and Pt2 (see FIG. 10), and a set of consecutive positive code selection operations Tc p + And the negative sign selection operation Tc p are repeatedly executed. Continuously positive sign selection operation Tc p + and executed negative sign selection operation Tc p - out with the difference in magnitude of the noise entering from the outside is suppressed. For this reason, the noise component is canceled by the difference between the first output signal Sh p + and the second output signal Sh p −, and noise resistance is improved. The present invention is not limited to this, for example, four after performing successively a positive sign selection operation Tc p + (p = 0,1,2,3) , 4 single negative sign selection operation Tc p - (p = 0 , 1, 2, 3) may be changed as appropriate, for example, continuously. Further, a positive sign selection operation Tc p + minus sign selection operation Tc p - and, equal to the number of the first electrode 25 in the second electrode block BKNB (n), respectively, are provided one by 4. That is, the number is the same as the number of row components of the square matrix H h in Expression (1).

第1検出対象の第1電極25と、第2検出対象の第1電極25とは、同じ極性を有する検出駆動信号Vsが供給される。本実施形態では、第1検出対象の検出動作と第2検出対象の検出動作とが時分割で行われるので、検出駆動信号Vsが、第1極性駆動信号と、第1極性駆動信号と極性の異なる第2極性駆動信号とを含み、第1検出対象の第1電極25に第1極性駆動信号が供給され、第2検出対象の第1電極25に第2極性駆動信号を供給してもよい。この場合、第1出力信号Sh と第2出力信号Sh との和を演算することにより、第3出力信号Sh=Sh +Sh が算出される。 The first detection target first electrode 25 and the second detection target first electrode 25 are supplied with a detection drive signal Vs having the same polarity. In the present embodiment, since the detection operation for the first detection target and the detection operation for the second detection target are performed in a time-sharing manner, the detection drive signal Vs has the polarity of the first polarity drive signal, the first polarity drive signal, The first polarity drive signal may be supplied to the first electrode 25 to be detected, and the second polarity drive signal may be supplied to the first electrode 25 to be detected. . In this case, the third output signal Sh p = Sh p + + Sh p is calculated by calculating the sum of the first output signal Sh p + and the second output signal Sh p .

ここで図30及び図31を参照して、ノイズの影響と検出タイミングとの関係を説明する。図30は、第1電極の検出の順番を説明するための模式図である。図31は、センサ番号と相関関数との関係を模式的に示すグラフである。図30及び図31に関しては、本発明と同様の構成の検出装置において、ノイズの影響と検出タイミングとの関係を示すための図面であり、ノイズの影響がどのように推移するかを説明するための図面である。図30に示すように、複数の第1電極25のうち、第1電極25(1)、25(2)、…25(5)、…の順番で選択して、検出動作を行う。具体的には、検出用ゲート線GCLs(n)が選択され、検出用ゲート線GCLs(n)に対応する検出用スイッチング素子Trsがオンになる。マルチプレクサ14Bが、検出用データ線SGLs(m)、(m+1)、(m+2)、(m+3)を順番に選択して、検出駆動信号Vsが供給される。これにより、第1電極25(1)、25(2)、25(3)、25(4)の順番で検出動作が行われる。次に検出用ゲート線GCLs(n+1)が選択され、マルチプレクサ14Bが、検出用データ線SGLs(m)、(m+1)、(m+2)、(m+3)を順番に選択することで、第1電極25(5)、…の順番で検出動作が行われる。なお、図30に示す検出の順番は、説明のために示した順番であり、本実施形態の表示装置1及び検出部30の検出動作は、これに限定されるものではない。   Here, the relationship between the influence of noise and detection timing will be described with reference to FIGS. FIG. 30 is a schematic diagram for explaining the order of detection of the first electrodes. FIG. 31 is a graph schematically showing the relationship between the sensor number and the correlation function. 30 and 31 are diagrams for showing the relationship between the influence of noise and detection timing in a detection apparatus having the same configuration as that of the present invention, and for explaining how the influence of noise changes. It is a drawing of. As shown in FIG. 30, among the plurality of first electrodes 25, the first electrodes 25 (1), 25 (2),... 25 (5),. Specifically, the detection gate line GCLs (n) is selected, and the detection switching element Trs corresponding to the detection gate line GCLs (n) is turned on. The multiplexer 14B selects the detection data lines SGLs (m), (m + 1), (m + 2), and (m + 3) in order, and the detection drive signal Vs is supplied. Thereby, the detection operation is performed in the order of the first electrodes 25 (1), 25 (2), 25 (3), and 25 (4). Next, the detection gate line GCLs (n + 1) is selected, and the multiplexer 14B sequentially selects the detection data lines SGLs (m), (m + 1), (m + 2), and (m + 3), whereby the first electrode 25 is selected. Detection operations are performed in the order of (5),. Note that the detection order shown in FIG. 30 is the order shown for explanation, and the detection operations of the display device 1 and the detection unit 30 of the present embodiment are not limited to this.

図31は、横軸がセンサ番号であり、上述した第1電極25の測定順番に対応する。縦軸は、各第1電極25の出力信号の相関関数である。検出部30にノイズが侵入した場合、各第1電極25の出力信号に誤差が生じる。図31に示すように各第1電極25の出力信号の相関関数は、センサ番号が大きくなるにしたがって減少する傾向を示している。つまり、時間の経過とともにノイズによる誤差成分が大きくなることが示される。例えば、1番目に測定した第1電極25(1)の出力信号と、5番目に測定した第1電極25(5)の出力信号との間で、ノイズの影響による誤差が大きくなっている。   In FIG. 31, the horizontal axis represents the sensor number, and corresponds to the measurement order of the first electrode 25 described above. The vertical axis represents the correlation function of the output signal of each first electrode 25. When noise enters the detection unit 30, an error occurs in the output signal of each first electrode 25. As shown in FIG. 31, the correlation function of the output signal of each first electrode 25 tends to decrease as the sensor number increases. That is, the error component due to noise increases with time. For example, an error due to the influence of noise is large between the output signal of the first electrode 25 (1) measured first and the output signal of the first electrode 25 (5) measured fifth.

したがって、図12に示す、4つの第1出力信号Sh 、Sh 、Sh 、Sh と、4つの第2出力信号Sh 、Sh 、Sh 、Sh との測定は、Sh 、Sh 、Sh 、Sh 、Sh 、Sh 、Sh 、Sh の順番で測定することがより好ましい。こうすれば、第1出力信号Sh と第2出力信号Sh (p=1、2、3、4)との検出時間の間隔が小さくなり、ノイズ成分の差が小さくなる。第3出力信号Shは、Sh=Sh −Sh のように第1出力信号Sh と第2出力信号Sh との差分によって求められるので、第1出力信号Sh のノイズ成分と第2出力信号Sh のノイズ成分がキャンセルされる。 Accordingly, the four first output signals Sh 0 + , Sh 1 + , Sh 2 + , Sh 3 + and the four second output signals Sh 0 , Sh 1 , Sh 2 , Sh 3 shown in FIG. - measurement of a, Sh 0 +, Sh 0 - , Sh 1 +, Sh 1 -, Sh 2 +, Sh 2 -, Sh 3 +, Sh 3 - it is more preferable to measure in order. In this way, the detection time interval between the first output signal Sh p + and the second output signal Sh p (p = 1, 2, 3, 4) is reduced, and the difference in noise components is reduced. Since the third output signal Sh p is obtained by the difference between the first output signal Sh p + and the second output signal Sh p as Sh p = Sh p + −Sh p , the first output signal Sh p The noise component of + and the noise component of the second output signal Sh p are canceled.

次に、図13及び図14を参照して、複数の第2電極ブロックBKNBについての一動作例を説明する。図13は、第1の実施形態に係るマルチプレクサ及びゲートドライバの一動作例を示す説明図である。図14は、選択対象の第2電極ブロックBKNBが変更された場合のマルチプレクサ及びゲートドライバを一動作例を示す説明図である。図13(A)及び図14(A)は、第1検出動作Tcの正符号選択動作Tc を示し、図13(B)及び図14(B)は、第1検出動作Tcの負符号選択動作Tc を示し、図13(C)及び図14(C)は、第2検出動作Tcの正符号選択動作Tc を示す。なお図13及び図14では、検出用ゲートドライバ12B(図1参照)の図示を省略している。 Next, with reference to FIG. 13 and FIG. 14, an operation example of the plurality of second electrode blocks BKNB will be described. FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating an operation example of the multiplexer and the gate driver according to the first embodiment. FIG. 14 is an explanatory diagram illustrating an operation example of the multiplexer and the gate driver when the second electrode block BKNB to be selected is changed. FIGS. 13 (A) and 13 14 (A) is first detected operation Tc indicates a positive sign selection operation Tc 0 + 0, and FIG. 13 (B) and FIG. 14 (B) is in the first detection operation Tc 0 The negative sign selection operation Tc 0 is shown, and FIGS. 13C and 14C show the positive sign selection operation Tc 1 + of the second detection operation Tc 1 . In FIGS. 13 and 14, the detection gate driver 12B (see FIG. 1) is not shown.

図13(A)から図13(C)に示すように、検出用ゲートドライバ12Bから検出用ゲート線GCLs(n)に供給される検出走査信号Vscansがオン(高レベル)になり、検出用ゲート線GCLs(n)に接続された検出用スイッチング素子Trsがオンとなる。検出用ゲート線GCLs(n)に対応する第2電極ブロックBKNB(n)の各第1電極25は、検出対象として選択可能となる。第2電極ブロックBKNB(n)の各第1電極25から、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)を介して検出信号が出力可能となっている。   As shown in FIGS. 13A to 13C, the detection scanning signal Vscan supplied from the detection gate driver 12B to the detection gate line GCLs (n) is turned on (high level), and the detection gate The detection switching element Trs connected to the line GCLs (n) is turned on. Each first electrode 25 of the second electrode block BKNB (n) corresponding to the detection gate line GCLs (n) can be selected as a detection target. Detection signals can be output from the first electrodes 25 of the second electrode block BKNB (n) via the detection data lines SGLs (m), SGLs (m + 1), SGLs (m + 2), and SGLs (m + 3). Yes.

一方、検出用ゲート線GCLs(n+1)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)は、検出走査信号Vscansがオフ(低レベル)となり、検出用ゲート線GCLs(n+1)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)に接続された検出用スイッチング素子Trsがオフとなる。第2電極ブロックBKNB(n+1)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)の各第1電極25は、検出対象として選択されない。   On the other hand, for the detection gate lines GCLs (n + 1), GCLs (n + 2), and GCLs (n + 3), the detection scanning signal Vscans is turned off (low level), and the detection gate lines GCLs (n + 1), GCLs (n + 2), GCLs ( The switching element for detection Trs connected to n + 3) is turned off. The first electrodes 25 of the second electrode blocks BKNB (n + 1), BKNB (n + 2), and BKNB (n + 3) are not selected as detection targets.

第2電極ブロックBKNB(n)の各第1電極25が選択された状態で、上述した第1検出動作Tcの正符号選択動作Tc 、負符号選択動作Tc 、第2検出動作Tcの正符号選択動作Tc …を順番に実行する。第2電極ブロックBKNB(n)の第1電極25から第1出力信号Sh と第2出力信号Sh とがマルチプレクサ14Bを介して出力される。これにより、第2電極ブロックBKNB(n)の各第1電極25と重なる領域における、接触又は近接する指等の第1方向D(検出用ゲート線GCLsに沿った方向)の位置が検出される。 With each first electrode 25 of the second electrode block BKNB (n) selected, the positive sign selection operation Tc 0 + , the negative sign selection operation Tc 0 , and the second detection operation of the first detection operation Tc 0 described above. plus sign selection operation of Tc 1 Tc 1 + ... to be executed in order. The first output signal Sh p + and the second output signal Sh p are output from the first electrode 25 of the second electrode block BKNB (n) via the multiplexer 14B. As a result, the position in the first direction D x (direction along the detection gate line GCLs) of the finger or the like in contact with or in proximity to the first electrode 25 of the second electrode block BKNB (n) is detected. The

次に、図14(A)から図14(C)に示すように、検出用ゲートドライバ12Bから検出用ゲート線GCLs(n+1)に供給される検出走査信号Vscansがオン(高レベル)になり、検出用ゲート線GCLs(n+1)に接続された検出用スイッチング素子Trsがオンとなる。検出用ゲート線GCLs(n+1)に対応する第2電極ブロックBKNB(n+1)の各第1電極25は、検出対象として選択可能となる。   Next, as shown in FIGS. 14A to 14C, the detection scanning signal Vscan supplied from the detection gate driver 12B to the detection gate line GCLs (n + 1) is turned on (high level). The detection switching element Trs connected to the detection gate line GCLs (n + 1) is turned on. Each first electrode 25 of the second electrode block BKNB (n + 1) corresponding to the detection gate line GCLs (n + 1) can be selected as a detection target.

一方、検出用ゲート線GCLs(n)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)は、検出走査信号Vscansがオフ(低レベル)となり、検出用ゲート線GCLs(n)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)に接続された検出用スイッチング素子Trsがオフとなる。第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)の各第1電極25は、検出対象として選択されない。   On the other hand, for the detection gate lines GCLs (n), GCLs (n + 2), GCLs (n + 3), the detection scanning signal Vscans is turned off (low level), and the detection gate lines GCLs (n), GCLs (n + 2), GCLs ( The switching element for detection Trs connected to n + 3) is turned off. The first electrodes 25 of the second electrode blocks BKNB (n), BKNB (n + 2), and BKNB (n + 3) are not selected as detection targets.

第2電極ブロックBKNB(n+1)の各第1電極25が選択された状態で、上述した第1検出動作Tcの正符号選択動作Tc 、負符号選択動作Tc 、第2検出動作Tcの正符号選択動作Tc …を順番に実行する。第2電極ブロックBKNB(n+1)の第1電極25から第1出力信号Sh と第2出力信号Sh とがマルチプレクサ14Bを介して出力される。これにより、第2電極ブロックBKNB(n+1)の各第1電極25と重なる領域における、接触又は近接する指等の第1方向Dの位置が検出される。 With each first electrode 25 of the second electrode block BKNB (n + 1) selected, the positive sign selection operation Tc 0 + , the negative sign selection operation Tc 0 , and the second detection operation of the first detection operation Tc 0 described above. plus sign selection operation of Tc 1 Tc 1 + ... to be executed in order. The first output signal Sh p + and the second output signal Sh p are output from the first electrode 25 of the second electrode block BKNB (n + 1) via the multiplexer 14B. Thus, in the region overlapping with the first electrode 25 of the second electrode block BKNB (n + 1), the position of the first direction D x such as a finger in contact with or close proximity is detected.

このように、検出用ゲートドライバ12Bが、検出用ゲート線GCLs(n)、GCLs(n+1)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)に順次、検出走査信号Vscansを供給する。第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)が順番に選択される。第1方向Dの位置は、上述した符号分割選択駆動の復号信号(Si 、Si 、Si 、Si )に基づいて算出できる。また、第2方向D(検出用データ線SGLsに沿った方向)の位置は、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)のそれぞれの検出結果から算出できる。これにより、指等が接触又は近接する位置の二次元座標が得られる。 In this way, the detection gate driver 12B sequentially supplies the detection scanning signal Vscans to the detection gate lines GCLs (n), GCLs (n + 1), GCLs (n + 2), and GCLs (n + 3). The second electrode blocks BKNB (n), BKNB (n + 1), BKNB (n + 2), and BKNB (n + 3) are selected in order. Position in the first direction D x is the decoded signal of a code division selected driving described above (Si 0 ', Si 1' , Si 2 ', Si 3') can be calculated based on. The position in the second direction D y (the direction along the detection data line SGLs) is the detection result of each of the second electrode blocks BKNB (n), BKNB (n + 1), BKNB (n + 2), and BKNB (n + 3). It can be calculated from Thereby, the two-dimensional coordinate of the position where a finger etc. contact or adjoin is obtained.

なお、図13及び図14に示すように、第2方向Dに配列された第1電極25は、共通の検出用データ線SGLsに接続されているが、これに限定されず、個別の検出用データ線が接続されていてもよい。 As shown in FIG. 13 and FIG. 14, the first electrode 25 arranged in the second direction D y is connected to the common detection data lines SGLS, not limited to this, a separate detection A data line may be connected.

(第2の実施形態)
図15は、第2の実施形態に係る信号処理部の一構成例を示すブロック図である。なお、以下の各実施形態と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。本実施形態の信号処理部40Aは、2つの検出信号増幅部42A、42Bと、2つのA/D変換部43A、43Bを有している。検出信号増幅部42Aは検出部30から第1出力信号を受け取って、第1出力信号を増幅する。A/D変換部43Aは、検出信号増幅部42Aから出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。A/D変換部43Aから出力されるデジタル信号は、記憶部47に保存される。検出信号増幅部42Bは検出部30から第2出力信号を受け取って、第2出力信号を増幅する。A/D変換部43Bは、検出信号増幅部42Bから出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。A/D変換部43Bから出力されるデジタル信号は、記憶部47に保存される。
(Second Embodiment)
FIG. 15 is a block diagram illustrating a configuration example of the signal processing unit according to the second embodiment. In the following embodiments and drawings, elements similar to those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted as appropriate. The signal processing unit 40A of the present embodiment has two detection signal amplification units 42A and 42B and two A / D conversion units 43A and 43B. The detection signal amplification unit 42A receives the first output signal from the detection unit 30, and amplifies the first output signal. The A / D converter 43A samples each analog signal output from the detection signal amplifier 42A and converts it into a digital signal. The digital signal output from the A / D conversion unit 43A is stored in the storage unit 47. The detection signal amplification unit 42B receives the second output signal from the detection unit 30, and amplifies the second output signal. The A / D converter 43B samples each analog signal output from the detection signal amplifier 42B and converts it into a digital signal. The digital signal output from the A / D conversion unit 43B is stored in the storage unit 47.

検出タイミング制御部46は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、A/D変換部43A、43Bと、信号演算部44と、座標抽出部45とが同期して動作するように制御する。   Based on the control signal supplied from the control unit 11, the detection timing control unit 46 controls the A / D conversion units 43A and 43B, the signal calculation unit 44, and the coordinate extraction unit 45 to operate in synchronization. To do.

信号演算部44は、第1出力信号をデジタル変換した信号の情報と、第2出力信号をデジタル変換した信号の情報とを、記憶部47から受け取って、演算処理を行う。信号演算部44の演算結果は記憶部47に保存される。座標抽出部45は、記憶部47からの情報を受け取って、上述した復号化処理を行い、タッチパネル座標を求める。   The signal calculation unit 44 receives information on a signal obtained by digitally converting the first output signal and information on a signal obtained by digitally converting the second output signal from the storage unit 47, and performs calculation processing. The calculation result of the signal calculation unit 44 is stored in the storage unit 47. The coordinate extraction unit 45 receives information from the storage unit 47, performs the above-described decoding process, and obtains touch panel coordinates.

図16は、第2の実施形態に係る選択接続部の一構成例を示す回路図である。図11に示す「選択接続部」としてのマルチプレクサ14Bに換えて、本実施形態では、選択接続部14Cが設けられている。なお、図16では、図11のスイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、L3、選択信号生成部16、及び駆動信号生成部14Aの図示を省略している。選択接続部14Cは、第1スイッチング素子Tr1と、第2スイッチング素子Tr2と、反転部85とを有している。検出用データ線SGLsのそれぞれに第1スイッチング素子Tr1と第2スイッチング素子Tr2とが接続されている。検出用データ線SGLsは、第1スイッチング素子Tr1を介して第1検出器DET1に接続可能となっており、第2スイッチング素子Tr2を介して第2検出器DET2に接続可能となっている。第1スイッチング素子Tr1及び第2スイッチング素子Tr2は、nチャネルのMOS型のTFT素子であってもよい。第1検出器DET1及び第2検出器DET2は、上述した自己静電容量方式の検出原理における電圧検出器DETに対応する。第1検出器DET1は、検出信号増幅部42A(図15参照)に含まれていてもよく、第2検出器DET2は、検出信号増幅部42B(図15参照)に含まれていてもよい。   FIG. 16 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the selective connection unit according to the second embodiment. In this embodiment, a selective connection portion 14C is provided instead of the multiplexer 14B as the “selective connection portion” shown in FIG. In FIG. 16, the switch elements SW5 and xSW5, the wirings L1, L2, and L3, the selection signal generation unit 16, and the drive signal generation unit 14A in FIG. 11 are omitted. The selective connection unit 14C includes a first switching element Tr1, a second switching element Tr2, and an inverting unit 85. A first switching element Tr1 and a second switching element Tr2 are connected to each of the detection data lines SGLs. The detection data line SGLs can be connected to the first detector DET1 via the first switching element Tr1, and can be connected to the second detector DET2 via the second switching element Tr2. The first switching element Tr1 and the second switching element Tr2 may be n-channel MOS type TFT elements. The first detector DET1 and the second detector DET2 correspond to the voltage detector DET in the self-capacitance type detection principle described above. The first detector DET1 may be included in the detection signal amplification unit 42A (see FIG. 15), and the second detector DET2 may be included in the detection signal amplification unit 42B (see FIG. 15).

選択接続部14C、及び図示しないスイッチ素子SW5、xSW5、図示しない配線L1、L2、L3、図示しない選択信号生成部16、図示しない駆動信号生成部14A、カウンタ17、及びデコーダ18は、図1に示す第1電極ドライバ14及び制御部11に含まれていてもよい。例えば、第1電極ドライバ14が選択接続部14C、図示しないスイッチ素子SW5、xSW5及び図示しない配線L1、L2、L3として機能し、制御部11が図示しない選択信号生成部16、図示しない駆動信号生成部14A、カウンタ17及びデコーダ18として機能してもよい。   The selective connection unit 14C, switch elements SW5 and xSW5 (not shown), wirings L1, L2, and L3 (not shown), a selection signal generation unit 16 (not shown), a drive signal generation unit 14A (not shown), a counter 17, and a decoder 18 are illustrated in FIG. It may be included in the first electrode driver 14 and the controller 11 shown. For example, the first electrode driver 14 functions as a selection connection unit 14C, switch elements SW5 and xSW5 (not shown), and wirings L1, L2, and L3 (not shown), and the control unit 11 generates a selection signal generation unit 16 and a drive signal generation (not shown). The unit 14A, the counter 17, and the decoder 18 may function.

第1スイッチング素子Tr1のゲートはデコーダ18に接続される。第2スイッチング素子Tr2のゲートは、反転部85を介してデコーダ18に接続される。デコーダ18は、所定の符号に基づいて、検出対象の第1電極25を選択する選択信号を生成し、第1スイッチング素子Tr1及び第2スイッチング素子Tr2に出力する。デコーダ18は、例えば、正方行列Hの成分「1」に対応してオン(高レベル)となり、成分「−1」に対応してオフ(低レベル)となる信号を生成する。デコーダ18は、カウンタ17から受け取ったタイミング制御信号に基づいて、正方行列Hの1行分の成分に対応する選択信号を出力する。ここで、スイッチング素子Tr1によって選択的に検出用データ線SGLsと接続される配線が第1出力信号線に対応する。第1出力信号線は、第1検出器DET1に接続される。第1出力信号線は、第1選択信号によって選択された検出電極からの検出信号の統合値である第1出力信号が伝達する。また、スイッチング素子Tr2によって選択的に検出用データ線SGLsにと接続される配線が第2出力信号線に対応する。第2出力信号線は、第2検出器DET2に接続される。第2出力信号線は、第2選択信号によって選択された検出電極からの検出信号の統合値である第2出力信号が伝達する。 The gate of the first switching element Tr1 is connected to the decoder 18. The gate of the second switching element Tr2 is connected to the decoder 18 via the inversion unit 85. The decoder 18 generates a selection signal for selecting the first electrode 25 to be detected based on a predetermined code, and outputs the selection signal to the first switching element Tr1 and the second switching element Tr2. For example, the decoder 18 generates a signal that is turned on (high level) corresponding to the component “1” of the square matrix H h and turned off (low level) corresponding to the component “−1”. Based on the timing control signal received from the counter 17, the decoder 18 outputs a selection signal corresponding to the component for one row of the square matrix H h . Here, the wiring selectively connected to the detection data lines SGLs by the switching element Tr1 corresponds to the first output signal line. The first output signal line is connected to the first detector DET1. A first output signal, which is an integrated value of detection signals from the detection electrodes selected by the first selection signal, is transmitted to the first output signal line. Further, the wiring selectively connected to the detection data line SGLs by the switching element Tr2 corresponds to the second output signal line. The second output signal line is connected to the second detector DET2. The second output signal line transmits a second output signal that is an integrated value of the detection signals from the detection electrodes selected by the second selection signal.

デコーダ18から、高レベルの選択信号が出力された場合、第1スイッチング素子Tr1はオンとなり、検出用データ線SGLsと第1検出器DET1とが接続される。一方、第2スイッチング素子Tr2は、反転部85により高レベルの選択信号が反転された低レベルの選択信号が供給される。これにより、第2スイッチング素子Tr2はオフとなり、検出用データ線SGLsと第2検出器DET2との接続が解除される。   When a high-level selection signal is output from the decoder 18, the first switching element Tr1 is turned on, and the detection data line SGLs and the first detector DET1 are connected. On the other hand, the second switching element Tr2 is supplied with a low-level selection signal obtained by inverting the high-level selection signal by the inverting unit 85. As a result, the second switching element Tr2 is turned off, and the connection between the detection data line SGLs and the second detector DET2 is released.

デコーダ18から、低レベルの選択信号が出力された場合、第1スイッチング素子Tr1はオフとなり、検出用データ線SGLsと第1検出器DET1との接続が解除される。一方、第2スイッチング素子Tr2は、反転部85により低レベルの選択信号が反転された高レベルの選択信号が供給される。これにより、第2スイッチング素子Tr2はオンとなり、検出用データ線SGLsと第2検出器DET2とが接続される。   When a low-level selection signal is output from the decoder 18, the first switching element Tr1 is turned off, and the connection between the detection data line SGLs and the first detector DET1 is released. On the other hand, the second switching element Tr2 is supplied with a high-level selection signal obtained by inverting the low-level selection signal by the inverting unit 85. As a result, the second switching element Tr2 is turned on, and the detection data line SGLs and the second detector DET2 are connected.

本実施形態では、選択接続部14Cは、第1スイッチング素子Tr1と、第2スイッチング素子Tr2と、反転部85とを有しているため、第1検出対象の第1電極25を選択するための第1選択信号と、第1選択信号を反転した第2選択信号とが、同時に各検出用データ線SGLsに供給される。また、第1検出器DET1と第2検出器DET2とを有しているため、正方行列Hの成分「1」に対応する第1電極25からの出力信号と、正方行列Hの成分「−1」に対応する第1電極25からの出力信号と、が同時に検出可能となっている。 In the present embodiment, the selection connection unit 14C includes the first switching element Tr1, the second switching element Tr2, and the inversion unit 85, and thus the first connection element 14C for selecting the first electrode 25 to be detected. The first selection signal and the second selection signal obtained by inverting the first selection signal are simultaneously supplied to the detection data lines SGLs. Moreover, since it has a first detector DET1 and a second detector DET2, the output signal from the first electrode 25 corresponding to the components of the square matrix H h "1", components of the square matrix H h " The output signal from the first electrode 25 corresponding to “−1” can be detected simultaneously.

なお、本実施形態において、選択接続部14Cは、反転部85を有しているが、nチャネルとpチャネルのMOS型TFT素子を用いたCMOS(Complementary MOS)回路構成としてもよい。   In the present embodiment, the selective connection unit 14C includes the inversion unit 85. However, a CMOS (Complementary MOS) circuit configuration using n-channel and p-channel MOS TFT elements may be used.

図17は、第2の実施形態に係る選択接続部及びゲートドライバの一動作例を示す説明図である。図17(A)は第1検出動作Tcを示し、図17(B)は第2検出動作Tcを示し、図17(C)は第3検出動作Tcを示し、図17(D)は第4検出動作Tcを示す。図17(A)から図17(D)の各動作において、検出用ゲートドライバ12Bは検出用ゲート線GCLs(n)に検出走査信号Vscansを供給し、第2電極ブロックBKNB(n)が検出対象として選択されている。 FIG. 17 is an explanatory diagram illustrating an operation example of the selective connection unit and the gate driver according to the second embodiment. 17A shows the first detection operation Tc 0 , FIG. 17B shows the second detection operation Tc 1 , FIG. 17C shows the third detection operation Tc 2 , and FIG. shows a fourth detection operation Tc 3. In each operation of FIG. 17A to FIG. 17D, the detection gate driver 12B supplies the detection scanning signal Vscans to the detection gate lines GCLs (n), and the second electrode block BKNB (n) is the detection target. As selected.

図17(A)に示す第1検出動作Tcでは、デコーダ18(図16参照)は正方行列Hの1行目の成分「1」に対応する第1選択信号を選択接続部14Cに出力する。これにより、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)は、選択接続部14Cを介して第1検出器DET1に接続される。検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)に接続された4つの第1電極25が第1検出対象として選択される。一方、正方行列Hの1行目は成分「−1」が含まれないため、第1選択信号を反転した第2選択信号により、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)は、第2検出器DET2との接続が解除される。 In the first detection operation Tc 0 shown in FIG. 17A, the decoder 18 (see FIG. 16) outputs the first selection signal corresponding to the component “1” in the first row of the square matrix H h to the selection connection unit 14C. To do. As a result, the detection data lines SGLs (m), SGLs (m + 1), SGLs (m + 2), and SGLs (m + 3) are connected to the first detector DET1 via the selection connection unit 14C. The four first electrodes 25 connected to the detection data lines SGLs (m), SGLs (m + 1), SGLs (m + 2), and SGLs (m + 3) are selected as the first detection targets. On the other hand, since the first row of the square matrix H h does not include the component “−1”, the detection data lines SGLs (m), SGLs (m + 1), and SGLs are generated by the second selection signal obtained by inverting the first selection signal. (M + 2) and SGLs (m + 3) are disconnected from the second detector DET2.

第1検出動作Tcでは、第1出力信号Sh が第1検出器DET1に出力される。第1出力信号Sh は第2電極ブロックBKNB(n)の4つの第1電極25の検出信号が統合された信号である。一方、第2出力信号Sh は第2検出器DET2に出力されない。第1出力信号Sh 及び第2出力信号Sh は、記憶部47(図14参照)に保存される。 In the first detection operation Tc 0, the first output signal Sh 0 + is output to the first detector DET1. The first output signal Sh 0 + is a signal obtained by integrating the detection signals of the four first electrodes 25 of the second electrode block BKNB (n). On the other hand, the second output signal Sh 0 is not output to the second detector DET2. The first output signal Sh 0 + and the second output signal Sh 0 are stored in the storage unit 47 (see FIG. 14).

図17(B)に示す第2検出動作Tcでは、デコーダ18(図16参照)は正方行列Hの2行目の成分「1」に対応する第1選択信号を選択接続部14Cに出力する。これにより、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+2)は、選択接続部14Cを介して第1検出器DET1に接続される。検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+2)に接続された第1電極25が第1検出対象として選択される。同時に、正方行列Hの2行目の成分「−1」に対応する、第1選択信号を反転した第2選択信号により、検出用データ線SGLs(m+1)、SGLs(m+3)は、第2検出器DET2に接続される。検出用データ線SGLs(m+1)、SGLs(m+3)に接続された第1電極25が第2検出対象として選択される。 In the second detection operation Tc 1 shown in FIG. 17B, the decoder 18 (see FIG. 16) outputs the first selection signal corresponding to the component “1” in the second row of the square matrix H h to the selection connection unit 14C. To do. Thereby, the detection data lines SGLs (m), SGLs (m + 2) are connected to the first detector DET1 via the selective connection unit 14C. The first electrode 25 connected to the detection data lines SGLs (m) and SGLs (m + 2) is selected as the first detection target. At the same time, the detection data lines SGLs (m + 1) and SGLs (m + 3) correspond to the second selection signal corresponding to the component “−1” in the second row of the square matrix H h by the second selection signal. Connected to detector DET2. The first electrode 25 connected to the detection data lines SGLs (m + 1) and SGLs (m + 3) is selected as the second detection target.

第2検出動作Tcでは、第1出力信号Sh が第1検出器DET1に出力される。第1出力信号Sh は第2電極ブロックBKNB(n)の4つの第1電極25のうち、第1検出対象の2つの第1電極25の検出信号が統合された信号である。一方、第2出力信号Sh は第2検出器DET2に出力される。第2出力信号Sh は第2電極ブロックBKNB(n)の4つの第1電極25のうち、第2検出対象の2つの第1電極25の検出信号が統合された信号である。第1出力信号Sh 及び第2出力信号Sh は、記憶部47(図14参照)に保存される。 In the second detection operation Tc 1, the first output signal Sh 1 + is output to the first detector DET1. The first output signal Sh 1 + is a signal obtained by integrating the detection signals of the two first electrodes 25 of the first detection target among the four first electrodes 25 of the second electrode block BKNB (n). On the other hand, the second output signal Sh 1 is output to the second detector DET2. The second output signal Sh 1 is a signal obtained by integrating the detection signals of the two first electrodes 25 to be detected among the four first electrodes 25 of the second electrode block BKNB (n). The first output signal Sh 1 + and the second output signal Sh 1 are stored in the storage unit 47 (see FIG. 14).

図17(C)に示す第3検出動作Tcでは、デコーダ18(図16参照)は正方行列Hの3行目の成分「1」に対応する第1選択信号を選択接続部14Cに出力する。これにより、第1検出対象の第1電極25と第2検出対象の第1電極25とがそれぞれ同時に選択される。また、図17(D)に示す第4検出動作Tcでは、デコーダ18(図16参照)は正方行列Hの4行目の成分「1」に対応する第1選択信号を選択接続部14Cに出力する。これにより、第1検出対象の第1電極25と第2検出対象の第1電極25とがそれぞれ同時に選択される。 In the third detection operation Tc 2 shown in FIG. 17 (C), the decoder 18 (see FIG. 16) output a first selection signal corresponding to the component in the third row of the square matrix H h "1" to the selected connection portion 14C To do. As a result, the first electrode 25 as the first detection target and the first electrode 25 as the second detection target are simultaneously selected. Further, in the fourth detection operation Tc 3 shown in FIG. 17 (D), the decoder 18 (see FIG. 16) is the first selection signal to select connection section 14C corresponding to components of the fourth row of the square matrix H h "1" Output to. As a result, the first electrode 25 as the first detection target and the first electrode 25 as the second detection target are simultaneously selected.

次に、検出用ゲートドライバ12Bは、検出対象として選択する第2電極ブロックBKNBを順次異ならせて、第2電極ブロックBKNBごとに第1検出動作Tcから第4検出動作Tcを行う。 Next, the detection gate driver 12B is sequentially different second electrode block BKNB be selected as the detection target, the fourth detection operation Tc 3 performs a first detection operation Tc 0 every second electrode block BKNB.

以上のように、本実施形態では、第1検出器DET1と第2検出器DET2との2つの検出器を有しているため、正方行列Hの成分「1」に対応する正符号選択動作Tc (p=0、1、2、3)(図12参照)と、正方行列Hの成分「−1」に対応する負符号選択動作Tc (p=0、1、2、3)(図12参照)とが同時に実行可能となっている。正方行列Hの成分「+1」に対応する第1電極25からの出力信号と、正方行列Hの成分「−1」に対応する第1電極25からの出力信号と、が同時に検出可能となっている。したがって、検出に要する時間を短縮することが可能である。この場合、第1検出対象の第1電極25と、第2検出対象の第1電極25とは、同じ極性を有する検出駆動信号Vsが供給される。これにより、第1検出対象の第1電極25と、第2検出対象の第1電極25との容量結合が抑制され、良好な検出感度が得られる。 As described above, in this embodiment, since the first detector DET1 and the second detector DET2 are included, the positive code selection operation corresponding to the component “1” of the square matrix H h is performed. Tc p + (p = 0, 1, 2, 3) (see FIG. 12) and the negative sign selection operation Tc p (p = 0, 1, 2, 3) corresponding to the component “−1” of the square matrix H h 3) (see FIG. 12) can be executed simultaneously. An output signal from the first electrode 25 corresponding to the components of the square matrix H h "+1", the output signal from the first electrode 25 corresponding to the components of the square matrix H h "-1", but can be detected at the same time It has become. Therefore, the time required for detection can be shortened. In this case, the first detection target first electrode 25 and the second detection target first electrode 25 are supplied with the detection drive signal Vs having the same polarity. Thereby, capacitive coupling between the first electrode 25 as the first detection target and the first electrode 25 as the second detection target is suppressed, and good detection sensitivity is obtained.

図18は、選択接続部の他の例を示す回路図である。図11に示す「選択接続部」としてのマルチプレクサ14Bに換えて、本実施形態では、選択接続部14Caが設けられている。なお、図18では、図11のスイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、L3、選択信号生成部16の図示を省略している。本変形例の選択接続部14Caは、共通配線LC1−LC8を有する。共通配線LC1−LC8の一端側は、シフトレジスタ19に接続される。本変形例では、共通配線LC1、LC2の一端側同士が接続され、共通配線LC3、LC4の一端側同士が接続され、共通配線LC5、LC6の一端側同士が接続され、共通配線LC7、LC8の一端側同士が接続される。共通配線LC1、LC3、LC5、LC7の他端側は、第1検出器DET1に接続される。共通配線LC2、LC4、LC6、LC8の他端側は、第2検出器DET2に接続される。   FIG. 18 is a circuit diagram illustrating another example of the selective connection unit. In this embodiment, a selective connection portion 14Ca is provided instead of the multiplexer 14B as the “selective connection portion” shown in FIG. In FIG. 18, the switch elements SW5 and xSW5, the wirings L1, L2, and L3, and the selection signal generation unit 16 in FIG. 11 are not shown. The selective connection portion 14Ca of this modification has common wirings LC1-LC8. One end side of the common lines LC1 to LC8 is connected to the shift register 19. In this modification, one end sides of the common wirings LC1 and LC2 are connected, one end sides of the common wirings LC3 and LC4 are connected, one end sides of the common wirings LC5 and LC6 are connected, and the common wirings LC7 and LC8 are connected. One end sides are connected to each other. The other ends of the common lines LC1, LC3, LC5, and LC7 are connected to the first detector DET1. The other ends of the common lines LC2, LC4, LC6, and LC8 are connected to the second detector DET2.

共通配線LC1、LC3、LC5、LC7は、正方行列Hの各行の成分「1」に対応して、検出用データ線SGLsと接続されている。具体的には、共通配線LC1は正方行列Hの1行目の成分「1」に対応して、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)に接続されている。共通配線LC3は正方行列Hの2行目の成分「1」に対応して、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+2)に接続されている。共通配線LC5は正方行列Hの3行目の成分「1」に対応して、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)に接続されている。共通配線LC7は正方行列Hの4行目の成分「1」に対応して、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+3)に接続されている。 The common lines LC1, LC3, LC5, and LC7 are connected to the detection data line SGLs corresponding to the component “1” of each row of the square matrix H h . Specifically, the common line LC1 corresponds to the component “1” in the first row of the square matrix H h , and the detection data lines SGLs (m), SGLs (m + 1), SGLs (m + 2), and SGLs (m + 3). It is connected to the. Common wiring LC3 is corresponding to the second row of components "1" of the square matrix H h, detection data lines SGLs (m), is connected to the SGLs (m + 2). Common wiring LC5 is corresponding to component "1" in the third line of the square matrix H h, detection data lines SGLs (m), is connected to the SGLs (m + 1). Common wiring LC7 is in correspondence with the components of the fourth row of the square matrix H h "1", detection data lines SGLS (m), is connected to the SGLs (m + 3).

一方、共通配線LC2、LC4、LC6、LC8は、正方行列Hの各行の成分「−1」に対応して、検出用データ線SGLsと接続されている。具体的には、共通配線LC2は正方行列Hの1行目の成分「−1」に対応して、検出用データ線SGLs(m)、SGLs(m+1)、SGLs(m+2)、SGLs(m+3)に接続されていない。共通配線LC4は正方行列Hの2行目の成分「−1」に対応して、検出用データ線SGLs(m+1)、SGLs(m+3)に接続されている。共通配線LC6は正方行列Hの3行目の成分「−1」に対応して、検出用データ線SGLs(m+2)、SGLs(m+3)に接続されている。共通配線LC8は正方行列Hの4行目の成分「−1」に対応して、検出用データ線SGLs(m+1)、SGLs(m+2)に接続されている。 On the other hand, the common lines LC2, LC4, LC6, and LC8 are connected to the detection data line SGLs corresponding to the component “−1” of each row of the square matrix H h . Specifically, the common wiring LC2 corresponds to the component “−1” in the first row of the square matrix H h , and the detection data lines SGLs (m), SGLs (m + 1), SGLs (m + 2), and SGLs (m + 3). ) Is not connected. Common wiring LC4 is to correspond to the component "-1" in the second line of the square matrix H h, detection data lines SGLs (m + 1), is connected to the SGLs (m + 3). The common line LC6 is connected to the detection data lines SGLs (m + 2) and SGLs (m + 3) corresponding to the component “−1” in the third row of the square matrix H h . Common wiring LC8 will correspond to components "-1" in the fourth line of square matrix H h, detection data lines SGLs (m + 1), is connected to the SGLs (m + 2).

シフトレジスタ19は、カウンタ17からのタイミング制御信号に基づいて、駆動信号生成部14Aから供給された検出駆動信号Vsを共通配線LC1―LC8に順次供給する。共通配線LC1―LC8は、正方行列Hの成分「1」又は成分「−1」に対応して検出用データ線SGLsに接続されているので、検出駆動信号Vsを共通配線LC1−LC8に供給することで、上述した第1検出動作Tcから第4検出動作Tcが実行される。例えば、共通配線LC1は、第1検出動作Tcの正符号選択動作Tc に対応する。また、共通配線LC2は、第1検出動作Tcの負符号選択動作Tc に対応する。共通配線LC1と共通配線LC2とは、一端側が接続されているため、同時に検出駆動信号Vsが供給されて、正符号選択動作Tc と負符号選択動作Tc とが同時に実行される。 Based on the timing control signal from the counter 17, the shift register 19 sequentially supplies the detection drive signal Vs supplied from the drive signal generation unit 14A to the common lines LC1-LC8. Since the common lines LC1-LC8 are connected to the detection data lines SGLs corresponding to the component “1” or the component “−1” of the square matrix H h , the detection drive signal Vs is supplied to the common lines LC1-LC8. Thus, the first detection operation Tc 0 to the fourth detection operation Tc 3 described above are executed. For example, the common line LC1 corresponds to the positive sign selection operation Tc 0 + of the first detection operation Tc 0 . The common line LC2 corresponds to the negative sign selection operation Tc 0 of the first detection operation Tc 0 . Since the common wiring LC1 and the common wiring LC2 are connected at one end side, the detection drive signal Vs is supplied at the same time, and the positive sign selection operation Tc 0 + and the negative sign selection operation Tc 0 are simultaneously performed.

選択接続部14Ca、及び図示しないスイッチ素子SW5、xSW5、図示しない配線L1、L2、L3、図示しない選択信号生成部16、駆動信号生成部14A、カウンタ17、及びシフトレジスタ19は、図1に示す第1電極ドライバ14及び制御部11に含まれていてもよい。例えば、第1電極ドライバ14が選択接続部14Ca、図示しないスイッチ素子SW5、xSW5及び図示しない配線L1、L2、L3、及びシフトレジスタ19として機能し、制御部11が図示しない選択信号生成部16、駆動信号生成部14A、カウンタ17として機能してもよい。   The selection connection unit 14Ca, switch elements SW5 and xSW5 (not shown), wirings L1, L2, and L3 (not shown), the selection signal generation unit 16, the drive signal generation unit 14A, the counter 17, and the shift register 19 (not shown) are illustrated in FIG. It may be included in the first electrode driver 14 and the control unit 11. For example, the first electrode driver 14 functions as a selection connection unit 14Ca, switch elements SW5, xSW5 (not shown), wirings L1, L2, L3 (not shown), and a shift register 19, and the control unit 11 selects a selection signal generation unit 16, not shown. The drive signal generation unit 14 </ b> A and the counter 17 may function.

(第3の実施形態)
上述した実施形態では、第2電極ブロックBKNBについて符号分割選択駆動を行うことで、第1方向Dにおけるタッチ入力位置を検出する例を示したが、第2方向Dの検出に適用してもよい。図19は、第3の実施形態に係る、検出対象として選択される第1電極の選択パターンの他の例を説明するための説明図である。図19(A)は第1検出動作Tdの正符号選択動作Td を及び負符号選択動作Td を示す。図19(B)は第2検出動作Tdの正符号選択動作Td 及び負符号選択動作Td を示す。図19(C)は第3検出動作Tdの正符号選択動作Td 及び負符号選択動作Td を示す。図19(D)は第4検出動作Tdの正符号選択動作Td 及び負符号選択動作Td を示す。
(Third embodiment)
In the embodiment described above, by performing the code division selection drive for the second electrode block BKNB, although an example of detecting the touch input position in the first direction D x, is applied to the detection of the second direction D y Also good. FIG. 19 is an explanatory diagram for explaining another example of the selection pattern of the first electrode selected as the detection target according to the third embodiment. FIG. 19A shows the positive sign selection operation Td 0 + and the negative sign selection operation Td 0 of the first detection operation Td 0 . FIG. 19B shows a positive sign selection operation Td 1 + and a negative sign selection operation Td 1 of the second detection operation Td 1 . FIG. 19C shows a positive sign selection operation Td 2 + and a negative sign selection operation Td 2 of the third detection operation Td 2 . FIG. 19D shows a positive sign selection operation Td 3 + and a negative sign selection operation Td 3 of the fourth detection operation Td 3 .

図19では、1つの検出電極ブロック25B(m)について説明する。検出電極ブロック25B(m)は、列方向(第2方向D)に4つ配列された第1電極25を含み、4つの第1電極25は、それぞれ選択電極ブロック25A(n)、25A(n+1)、25A(n+2)、25A(n+3)に対応する。また、4つの第1電極25は、共通の検出用データ線SGLs(m)(図8参照)に接続されている。本実施形態の検出部30において、検出用ゲートドライバ12Bは、検出電極ブロック25B(m)のうち検出対象となる第1電極25を所定の符号に基づいて選択する。選択された第1電極25に検出駆動信号Vsが供給され、第1電極25の静電容量変化に基づいてそれぞれの第1電極25から検出信号が出力される。上述した式(1)と同様に、それぞれの第1電極25の検出信号が統合された出力信号Sv(r=0、1、2、3)が出力される。本実施形態において、検出用データドライバ12Bは、1つの検出電極ブロック25B(m)に含まれる検出電極と、共通の検出用データ線SGLs(m)とを選択的に接続する選択接続部であり、共通の検出用データ線SGLs(m)は出力信号線である。 In FIG. 19, one detection electrode block 25B (m) will be described. The detection electrode block 25B (m) includes four first electrodes 25 arranged in the column direction (second direction D y ). The four first electrodes 25 are selected electrode blocks 25A (n), 25A ( n + 1), 25A (n + 2), and 25A (n + 3). The four first electrodes 25 are connected to a common detection data line SGLs (m) (see FIG. 8). In the detection unit 30 of the present embodiment, the detection gate driver 12B selects the first electrode 25 to be detected from the detection electrode block 25B (m) based on a predetermined code. A detection drive signal Vs is supplied to the selected first electrode 25, and a detection signal is output from each first electrode 25 based on the capacitance change of the first electrode 25. Similarly to the above-described equation (1), an output signal Sv r (r = 0, 1, 2, 3) obtained by integrating the detection signals of the first electrodes 25 is output. In the present embodiment, the detection data driver 12B is a selective connection unit that selectively connects the detection electrodes included in one detection electrode block 25B (m) and the common detection data line SGLs (m). The common detection data line SGLs (m) is an output signal line.

所定の符号は、例えば、下記の式(6)の正方行列Hで定義され、式(1)で示した正方行列Hと同様である。正方行列Hはこれに限られず、他のアダマール行列であってもよい。正方行列Hの次数は、検出電極ブロック25B(m)に含まれる第1電極25の数、すなわち、4つの選択電極ブロック25Aの数である4となる。本実施形態では、4つの第1電極25を含む検出電極ブロック25B(m)について説明するが、これに限定されず、列方向に配列される第1電極25の個数は2つ、3つ又は5つ以上であってもよい。この場合、正方行列Hの次数も検出電極ブロック25B(m)に含まれる第1電極25の個数に応じて変更される。 The predetermined code is defined by, for example, a square matrix H v in the following equation (6), and is the same as the square matrix H h shown in the equation (1). The square matrix Hv is not limited to this, and may be another Hadamard matrix. Order square matrix H v, the number of first electrodes 25 included in the detection electrode block 25B (m), i.e., a 4 is the number of four selection electrode block 25A. In the present embodiment, the detection electrode block 25B (m) including the four first electrodes 25 will be described. However, the present invention is not limited to this, and the number of the first electrodes 25 arranged in the column direction is two, three, or There may be five or more. In this case, the order of the square matrix H v is changed in accordance with the number of the first electrode 25 included in the detection electrode block 25B (m).

Figure 2017188106
Figure 2017188106

図19(A)から図19(D)では、第1検出動作Td、第2検出動作Td、第3検出動作Td及び第4検出動作Tdの4つの検出動作に分けて符号分割選択駆動の一例を説明する。図19(A)に示す第1検出動作Tdでは、正方行列Hの1行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図19(B)に示す第2検出動作Tdでは、正方行列Hの2行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図19(C)に示す第3検出動作Tdでは、正方行列Hの3行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。図19(D)に示す第4検出動作Tdでは、正方行列Hの4行目に対応する選択信号に応じて第1電極25が選択される。 In FIG. 19A to FIG. 19D, code division is performed by dividing into four detection operations of a first detection operation Td 0 , a second detection operation Td 1 , a third detection operation Td 2, and a fourth detection operation Td 3. An example of selection driving will be described. In the first detection operation Td 0 shown in FIG. 19 (A), the first electrode 25 in response to the selection signal corresponding to the first row of the square matrix H v is selected. In the second detection operation Td 1 shown in FIG. 19 (B), the first electrode 25 in response to the selection signal corresponding to the second row of the square matrix H v is selected. In the third detection operation Td 2 shown in FIG. 19 (C), the first electrode 25 in response to the selection signal corresponding to the third row of the square matrix H v is selected. In the fourth detection operation Td 3 shown in FIG. 19 (D), the first electrode 25 in response to the selection signal corresponding to the fourth row of the square matrix H v is selected.

第1検出動作Td、第2検出動作Td、第3検出動作Td及び第4検出動作Tdはそれぞれ、正符号選択動作Td 、Td 、Td 、Td と、負符号選択動作Td 、Td 、Td 、Td とを含む。正符号選択動作Td 、Td 、Td 、Td では、正方行列Hの成分「1」に対応する第1選択信号に応じて、検出電極ブロック25B(m)のうち第1検出対象となる第1電極25が選択される。図19では、選択された第1電極25に斜線を付して示している。第1検出対象の第1電極25からマルチプレクサ14Bを介して第1出力信号Sv (r=0、1、2、3)が出力される。ここで、第1出力信号Sv は、検出電極ブロック25B(m)に含まれる第1検出対象の第1電極25の検出信号が統合された信号である。 The first detection operation Td 0 , the second detection operation Td 1 , the third detection operation Td 2, and the fourth detection operation Td 3 are respectively positive sign selection operations Td 0 + , Td 1 + , Td 2 + , Td 3 + Negative sign selection operations Td 0 , Td 1 , Td 2 and Td 3 . Plus sign selection operation Td 0 +, Td 1 +, Td 2 +, the Td 3 +, in response to the first selection signal corresponding to the component of the square matrix H v "1", of the detecting electrode block 25B (m) The first electrode 25 that is the first detection target is selected. In FIG. 19, the selected first electrode 25 is indicated by hatching. A first output signal Sv r + (r = 0, 1, 2, 3) is output from the first electrode 25 to be detected through the multiplexer 14B. Here, the first output signal Sv r + is a signal in which the detection signals of the first electrodes 25 to be detected included in the detection electrode block 25B (m) are integrated.

負符号選択動作Td 、Td 、Td 、Td では、正方行列Hの成分「−1」に対応する第2選択信号に応じて、検出電極ブロック25B(m)のうち、第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極25が選択される。この第2検出対象の第1電極25からマルチプレクサ14Bを介して第2出力信号Sv (r=0、1、2、3)が出力される。ここで、第2出力信号Sv は、検出電極ブロック25B(m)に含まれる第2検出対象の第1電極25の検出信号が統合された信号である。本実施形態では、正符号選択動作Td (r=0、1、2、3)と、負符号選択動作Td (r=0、1、2、3)とが時分割で実行される。 Negative sign selection operation Td 0 -, Td 1 -, Td 2 -, Td 3 - In, in response to the second selection signal corresponding to the component of the square matrix H v "-1", the detection electrode block 25B of the (m) Among these, the first electrode 25 of the second detection target that is not included in the first detection target is selected. The second output signal Sv r (r = 0, 1, 2, 3) is output from the first electrode 25 to be detected through the multiplexer 14B. Here, the second output signal Sv r is a signal obtained by integrating the detection signals of the first electrodes 25 to be detected included in the detection electrode block 25B (m). In the present embodiment, the plus sign selection operation Td r + (r = 0, 1, 2, 3) and the minus sign selection operation Td r (r = 0, 1, 2, 3) are executed in a time division manner. The

信号処理部40の信号演算部44(図2参照)は、第1出力信号Sv と第2出力信号Sv との差分を演算することにより、第3出力信号Sv=Sv −Sv を算出する。信号演算部44は、第3出力信号Svを記憶部47に出力して、第3出力信号Svを一時的に記憶させる。第1出力信号Sh と第2出力信号Sh とは、選択信号に応じて選択された第1電極群を電極E1とした場合において、上述した自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理における検出信号Vdetに対応する。 The signal calculation unit 44 (see FIG. 2) of the signal processing unit 40 calculates the difference between the first output signal Sv p + and the second output signal Sv p , whereby the third output signal Sv r = Sv r +. -Sv r - is calculated. Signal computing unit 44 outputs the third output signal Sv r in the storage unit 47, and temporarily stores the third output signal Sv r. The first output signal Sh p + and the second output signal Sh p are the basics of the self-capacitance touch detection described above when the first electrode group selected according to the selection signal is the electrode E1. This corresponds to the detection signal Vdet in principle.

正方行列Hの次数が4の場合、上述した式(3)と同様に、1つの検出電極ブロック25B(m)から、4つの出力信号(Sv、Sv、Sv、Sv)が得られる。この場合、4つの第1出力信号Sv 、Sv 、Sv 、Sv と、4つの第2出力信号Sv 、Sv 、Sv 、Sv から、第3出力信号(Sv、Sv、Sv、Sv)がそれぞれ求められる。 If the order of the square matrix H v is 4, similarly to the equation (3) described above, from one detection electrode blocks 25B (m), the four output signals (Sv 0, Sv 1, Sv 2, Sv 3) can get. In this case, the four first output signals Sv 0 + , Sv 1 + , Sv 2 + , Sv 3 + and the four second output signals Sv 0 , Sv 1 , Sv 2 , Sv 3 Three output signals (Sv 0 , Sv 1 , Sv 2 , Sv 3 ) are respectively obtained.

図19(A)に示すように、第1検出動作Tdの正符号選択動作Td では、正方行列Hの1行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、4つの第1電極25が選択される。具体的には、検出用ゲートドライバ12Bが、第1検出対象の第1電極25に対応する検出用ゲート線GCLsに対して検出走査信号Vscansを供給する。これにより、検出用スイッチング素子Trsがオンとなり、第1検出対象の第1電極25により自己静電容量方式の基本原理に基づいた検出が実行される。第1出力信号Sv は4つの第1電極25の検出信号が統合された信号が出力される。 As shown in FIG. 19A, in the positive sign selection operation Td 0 + of the first detection operation Td 0 , four detection targets corresponding to the component “1” in the first row of the square matrix H v are four. The first electrode 25 is selected. Specifically, the detection gate driver 12B supplies the detection scanning signal Vscans to the detection gate lines GCLs corresponding to the first electrodes 25 to be detected. As a result, the detection switching element Trs is turned on, and detection based on the basic principle of the self-capacitance method is executed by the first electrode 25 to be detected. As the first output signal Sv 0 +, a signal in which the detection signals of the four first electrodes 25 are integrated is output.

第1検出動作Tdの負符号選択動作Td では、正方行列Hの1行目の成分「−1」が存在しないため、成分「−1」に対応する第2検出対象として第1電極25は選択されない。よって、第2出力信号Sv は、Sv =0となる。第1出力信号Sv と第2出力信号Sv との差分から、第3出力信号Sv=Sv −Sv が算出される。 In the negative sign selection operation Td 0 − of the first detection operation Td 0 , since the component “−1” in the first row of the square matrix H v does not exist, the first detection target corresponding to the component “−1” is the first. The electrode 25 is not selected. Therefore, the second output signal Sv 0 is Sv 0 = 0. From the difference between the first output signal Sv 0 + and the second output signal Sv 0 , the third output signal Sv 0 = Sv 0 + −Sv 0 is calculated.

次に、図19(B)に示すように、第2検出動作Tdの正符号選択動作Td では、正方行列Hの2行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、選択電極ブロック25A(n)、25A(n+2)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25から第1出力信号Sv が出力される。 Next, as illustrated in FIG. 19B, in the positive sign selection operation Td 1 + of the second detection operation Td 1 , the first detection target corresponding to the component “1” in the second row of the square matrix H v is used. The two first electrodes 25 belonging to the selection electrode blocks 25A (n) and 25A (n + 2) are selected. The first output signal Sv 1 + is output from the first electrode 25 selected as the first detection target.

第2検出動作Tdの負符号選択動作Td では、正方行列Hの2行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、選択電極ブロック25A(n+1)、25A(n+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25から第2出力信号Sv が出力される。第1出力信号Sv と第2出力信号Sv との差分から、第3出力信号Sv=Sv −Sv が算出される。 Second negative sign selection operation Td detecting operation Td 1 1 - So, as a second detection target corresponding to the second row of the components of the square matrix H v "-1", the selection electrode block 25A (n + 1), 25A (n + 3 Two first electrodes 25 belonging to) are selected. The second output signal Sv 1 is output from the first electrode 25 selected as the second detection target. From the difference between the first output signal Sv 1 + and the second output signal Sv 1 , the third output signal Sv 1 = Sv 1 + −Sv 1 is calculated.

次に、図19(C)に示すように、第3検出動作Tdの正符号選択動作Td では、正方行列Hの3行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、選択電極ブロック25A(n)、25A(n+1)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25から第1出力信号Sv が出力される。 Next, as shown in FIG. 19C, in the positive sign selection operation Td 2 + of the third detection operation Td 2 , the first detection target corresponding to the component “1” in the third row of the square matrix H v is used. The two first electrodes 25 belonging to the selection electrode blocks 25A (n) and 25A (n + 1) are selected. The first output signal Sv 2 + is output from the first electrode 25 selected as the first detection target.

第3検出動作Tdの負符号選択動作Td では、正方行列Hの3行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、選択電極ブロック25A(n+2)、25A(n+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25から第2出力信号Sv が出力される。第1出力信号Sv と第2出力信号Sv との差分から、第3出力信号Sv=Sv −Sv が算出される。 Negative sign selection operation Td 2 of the third detection operation Td 2 - In, as a second detection object corresponding to the component of the third row of the square matrix H v "-1", the selection electrode block 25A (n + 2), 25A (n + 3 Two first electrodes 25 belonging to) are selected. The second output signal Sv 2 is output from the first electrode 25 selected as the second detection target. From the difference between the first output signal Sv 2 + and the second output signal Sv 2 , a third output signal Sv 2 = Sv 2 + −Sv 2 is calculated.

次に、図19(D)に示すように、第4検出動作Tdの正符号選択動作Td では、正方行列Hの4行目の成分「1」に対応する第1検出対象として、選択電極ブロック25A(n)、25A(n+3)に属する2つの第1電極25が選択される。第1検出対象として選択された第1電極25から第1出力信号Sv が出力される。 Next, as illustrated in FIG. 19D, in the positive sign selection operation Td 3 + of the fourth detection operation Td 3 , the first detection target corresponding to the component “1” in the fourth row of the square matrix H v is used. The two first electrodes 25 belonging to the selection electrode blocks 25A (n) and 25A (n + 3) are selected. The first output signal Sv 3 + is output from the first electrode 25 selected as the first detection target.

第4検出動作Tdの負符号選択動作Td では、正方行列Hの4行目の成分「−1」に対応する第2検出対象として、選択電極ブロック25A(n+1)、25A(n+2)に属する2つの第1電極25が選択される。第2検出対象として選択された第1電極25から第2出力信号Sv が出力される。第1出力信号Sv と第2出力信号Sv との差分から、第3出力信号Sv=Sv −Sv が算出される。 In the negative sign selection operation Td 3 − of the fourth detection operation Td 3 , as the second detection target corresponding to the component “−1” in the fourth row of the square matrix H v , the selection electrode blocks 25A (n + 1) and 25A (n + 2 Two first electrodes 25 belonging to) are selected. The second output signal Sv 3 is output from the first electrode 25 selected as the second detection target. From the difference between the first output signal Sv 3 + and the second output signal Sv 3 , the third output signal Sv 3 = Sv 3 + −Sv 3 is calculated.

信号演算部44は、4つの出力信号Sv、Sv、Sv、Svを順次、記憶部47に出力する。座標抽出部45(図2参照)は、信号演算部44が演算した出力信号Sv、Sv、Sv、Svを記憶部47から受け取り、上述した式(4)と同様に復号処理を実行する。座標抽出部45は、復号処理を実行することで検出電極ブロック25B(m)に含まれる各検出電極の検出信号を取得することができる。座標抽出部45は、復号信号を算出することで検出電極ブロック25B(m)のうち指が接触又は近接した座標を求めることができる。 The signal calculation unit 44 sequentially outputs four output signals Sv 0 , Sv 1 , Sv 2 , Sv 3 to the storage unit 47. The coordinate extraction unit 45 (see FIG. 2) receives the output signals Sv 0 , Sv 1 , Sv 2 , Sv 3 calculated by the signal calculation unit 44 from the storage unit 47 and performs the decoding process in the same manner as the above-described equation (4). Run. The coordinate extraction unit 45 can acquire a detection signal of each detection electrode included in the detection electrode block 25B (m) by executing a decoding process. The coordinate extraction unit 45 can obtain the coordinates of the detection electrode block 25B (m) where the finger is in contact or close by calculating the decoded signal.

以上のように、符号分割選択駆動により第2方向Dにおけるタッチ入力位置の検出が可能となる。また、本実施形態においても、各第1電極25の検出信号を統合した出力信号から、復号処理を行うことで、各ノードの信号値の電圧を上げることなく、時分割選択駆動の4倍の信号強度が得られることとなる。 As described above, it is possible to detect a touch input position in the second direction D y by code division selection drive. Also in the present embodiment, decoding is performed from an output signal obtained by integrating the detection signals of the first electrodes 25, so that the voltage of the signal value at each node is not increased, and four times that of the time division selection drive. Signal strength will be obtained.

本実施形態において、検出電極ブロック25B(m)の4つの第1電極25は、共通の検出用データ線SGLs(m)(図8参照)に接続されている。このため、正符号選択動作Td と負符号選択動作Td とは時分割で実行される。これにより、第1電極25同士の容量結合を抑制して、検出感度を向上させることができる。なお、検出電極ブロック25B(m)の4つの第1電極25のそれぞれに、1本ずつデータ線を接続した場合には、正符号選択動作Td と負符号選択動作Td とを同時に実行してもよい。 In the present embodiment, the four first electrodes 25 of the detection electrode block 25B (m) are connected to a common detection data line SGLs (m) (see FIG. 8). Therefore, the positive code selection operation Td r + and the negative code selection operation Td r are executed in a time division manner. Thereby, the capacitive coupling between the first electrodes 25 can be suppressed, and the detection sensitivity can be improved. When one data line is connected to each of the four first electrodes 25 of the detection electrode block 25B (m), the positive sign selection operation Td r + and the negative sign selection operation Td r are performed simultaneously. May be executed.

(第4の実施形態)
次に、図20から図27を参照して、第1方向D及び第2方向Dのタッチ入力位置の検出について、符号分割選択駆動を適用した場合の動作例を説明する。図20は、第4の実施形態に係る、第1検出動作及び第2検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図21は、第3検出動作及び第4検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図22は、第5検出動作及び第6検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図23は、第7検出動作及び第8検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図24は、第9検出動作及び第10検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図25は、第11検出動作及び第12検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図26は、第13検出動作及び第14検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。図27は、第15検出動作及び第16検出動作における検出対象として選択される第1電極の選択パターンの例を説明するための説明図である。本実施形態において、検出用ゲートドライバ12B及びマルチプレクサ14Bが、第1方向D及び第2方向Dに配置された検出電極ブロックから第1電極を選択する選択接続部に対応し、マルチプレクサ14Bと検出器(第1検出器、第2検出器)を結ぶ配線が出力信号線に対応する。なお、出力信号線は、検出用ゲートドライバ12Bとマルチプレクサ14Bによって選択された第1電極の検出信号を統合した出力信号を伝達する。
(Fourth embodiment)
Next, with reference to FIG. 20 to FIG. 27, an example of operation when code division selection driving is applied to detection of touch input positions in the first direction D x and the second direction D y will be described. FIG. 20 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the first detection operation and the second detection operation according to the fourth embodiment. FIG. 21 is an explanatory diagram for describing an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the third detection operation and the fourth detection operation. FIG. 22 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the fifth detection operation and the sixth detection operation. FIG. 23 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the seventh detection operation and the eighth detection operation. FIG. 24 is an explanatory diagram for describing an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the ninth detection operation and the tenth detection operation. FIG. 25 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the eleventh detection operation and the twelfth detection operation. FIG. 26 is an explanatory diagram for describing an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the thirteenth detection operation and the fourteenth detection operation. FIG. 27 is an explanatory diagram for explaining an example of a selection pattern of the first electrode selected as a detection target in the fifteenth detection operation and the sixteenth detection operation. In the present embodiment, the detection gate driver 12B, and a multiplexer 14B is, corresponds to the first direction D x and the second direction D y to arranged detection electrodes block selection connecting unit that selects the first electrode, and a multiplexer 14B The wiring connecting the detectors (first detector and second detector) corresponds to the output signal line. The output signal line transmits an output signal obtained by integrating the detection signals of the first electrodes selected by the detection gate driver 12B and the multiplexer 14B.

図20から図27では、図12に示した第1電極の選択パターンと、図19に示した第1電極の選択パターンとを組み合わせて符号分割選択駆動が実行される。   20 to 27, the code division selection drive is executed by combining the selection pattern of the first electrode shown in FIG. 12 and the selection pattern of the first electrode shown in FIG.

図20(A)は、第1検出動作の正符号選択動作Te00 を示し、図20(B)は、第1検出動作の負符号選択動作Te00 を示し、図20(C)は、第2検出動作の正符号選択動作Te01 を示し、図20(D)は、第2検出動作の負符号選択動作Te01 を示す。図20(A)において、第2方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの1行目の成分「1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)に属する第1電極25が、正方行列Hの第1検出対象の第1電極25として選択される。すなわち、検出用ゲート線GCLs(n)、GCLs(n+1)、GCLs(n+2)、GCLs(n+3)に接続された第1電極25が選択される。 20A shows the positive sign selection operation Te 00 + of the first detection operation, FIG. 20B shows the negative sign selection operation Te 00 of the first detection operation, and FIG. FIG. 20D shows the positive sign selection operation Te 01 + of the second detection operation, and FIG. 20D shows the negative sign selection operation Te 01 of the second detection operation. In FIG. 20A, the code division selection drive in the second direction D y corresponds to the component “1” in the first row of the square matrix H v , and the second electrode blocks BKNB (n), BKNB (n + 1) , BKNB (n + 2), first electrodes 25 belonging to BKNB (n + 3) is selected as the first electrode 25 of the first detection target square matrix H v. That is, the first electrode 25 connected to the detection gate lines GCLs (n), GCLs (n + 1), GCLs (n + 2), and GCLs (n + 3) is selected.

また、図20(A)において、第1方向Dの符号分割選択駆動は、正符号選択動作と負符号選択動作とが同時に実行される。正方行列Hの1行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)に属する第1電極25が、正方行列Hの第1検出対象の第1電極25として選択され、マルチプレクサ14Bを介して第1検出器DET1に接続される。正方行列Hの1行目の成分「−1」が存在しないため、成分「−1」に対応する正方行列Hの第2検出対象として第1電極25は選択されない。 Further, in FIG. 20 (A), code division selectively driven in the first direction D x is a positive sign selection operation and the negative sign selection operation are performed simultaneously. The first electrode 25 belonging to the detection electrode blocks 25B (m), 25B (m + 1), 25B (m + 2), and 25B (m + 3) corresponding to the component “1” in the first row of the square matrix H h is a square matrix. It is selected as the first electrode 25 of the first detection target H h, are connected to the first detector DET1 via a multiplexer 14B. Since the component “−1” in the first row of the square matrix H h does not exist, the first electrode 25 is not selected as the second detection target of the square matrix H h corresponding to the component “−1”.

各第1電極25の検出信号を統合した信号が第1出力信号Svh00 ++として出力される。第2出力信号Svh00 +−は、Svh00 +−=0となる。これらの差分から、出力信号Svh00 =Svh00 ++−Svh00 +−が算出される。 A signal obtained by integrating the detection signals of the first electrodes 25 is output as a first output signal Svh 00 ++ . The second output signal Svh 00 + − is Svh 00 + − = 0. From these differences, the output signal Svh 00 + = Svh 00 ++ −Svh 00 + − is calculated.

図20(B)において、第2方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの1行目の成分「−1」が存在しないため、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)、BKNB(n+2)、BKNB(n+3)に属する第1電極25が、成分「−1」に対応する正方行列Hの第2検出対象として選択されない。 In FIG. 20B, the code division selection drive in the second direction D y does not include the component “−1” in the first row of the square matrix H v , so the second electrode blocks BKNB (n), BKNB (n + 1) ), BKNB (n + 2) , first electrodes 25 belonging to BKNB (n + 3) is not selected as the second detection target square matrix H v corresponding to component "-1".

第1出力信号Svh00 −+と第2出力信号Svh00 −−とは、Svh00 −+=Svh00 −−=0となる。これらの差分から、出力信号Svh00 =Svh00 −+−Svh00 −−が算出される。出力信号Svh00 と出力信号Svh00 の差分から、第1検出動作における第3出力信号Svh00が算出される。 The first output signal Svh 00 − + and the second output signal Svh 00 −− are Svh 00 − + = Svh 00 −− = 0. From these differences, the output signal Svh 00 = Svh 00 − + −Svh 00 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 00 + and the output signal Svh 00 , the third output signal Svh 00 in the first detection operation is calculated.

図20(C)、図20(D)は、それぞれ、第2方向Dの符号分割選択駆動が図20(A)、図20(B)と同様の選択となっている。第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの2行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの2行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。図20(C)に示す第2検出動作の正符号選択動作Te01 では、出力信号Svh01 =Svh01 ++−Svh01 +−が算出される。図20(D)に示す第2検出動作の負符号選択動作Te01 では、出力信号Svh01 =Svh01 −+−Svh01 −−が算出される。出力信号Svh01 と出力信号Svh01 の差分から、第2検出動作における第3出力信号Svh01が算出される。 In FIG. 20C and FIG. 20D , the code division selection drive in the second direction D y is the same selection as in FIG. 20A and FIG. 20B, respectively. In the code division selection driving in the first direction D x , the first electrodes 25 of the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 2) are square matrices corresponding to the component “1” in the second row of the square matrix H h. It is selected as the first detection target H h. In correspondence to the component "-1" in the second line of the square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 1), the first electrode 25 of the 25B (m + 3) as the second detection target square matrix H h Is done. In the positive sign selection operation Te 01 + of the second detection operation shown in FIG. 20C, the output signal Svh 01 + = Svh 01 ++ −Svh 01 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 01 − of the second detection operation shown in FIG. 20D, the output signal Svh 01 = Svh 01 − + −Svh 01 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 01 + and the output signal Svh 01 , the third output signal Svh 01 in the second detection operation is calculated.

図21(A)は、第3検出動作の正符号選択動作Te02 を示し、図21(B)は、第3検出動作の負符号選択動作Te02 を示し、図21(C)は、第4検出動作の正符号選択動作Te03 を示し、図21(D)は、第4検出動作の負符号選択動作Te03 を示す。図21(A)から図21(D)において、第2方向Dの符号分割選択駆動は、図20(A)から図20(D)と同様である。つまり、正方行列Hの1行目の成分「1」に対応して、正方行列Hの第1検出対象の第1電極25及び正方行列Hの第2検出対象の第1電極25が選択される。 FIG. 21A shows the positive sign selection operation Te 02 + of the third detection operation, FIG. 21B shows the negative sign selection operation Te 02 of the third detection operation, and FIG. FIG. 21D shows the positive sign selection operation Te 03 + of the fourth detection operation, and FIG. 21D shows the negative sign selection operation Te 03 of the fourth detection operation. In FIGS. 21A to 21D , the code division selection drive in the second direction D y is the same as that in FIGS. 20A to 20D. That is, in response to the first row of the components of the square matrix H v "1", the first electrode 25 of the second detection target of the first first electrode 25 and the square matrix H v of the detected square matrix H v is Selected.

図21(A)及び図21(B)において、第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの3行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの3行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+2)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。図21(A)に示す第3検出動作の正符号選択動作Te02 では、出力信号Svh02 =Svh02 ++−Svh02 +−が算出される。図21(B)に示す第3検出動作の負符号選択動作Te02 では、出力信号Svh02 =Svh02 −+−Svh02 −−が算出される。出力信号Svh02 と出力信号Svh02 の差分から、第3検出動作における第3出力信号Svh02が算出される。 In FIGS. 21A and 21B, the code division selection drive in the first direction D x corresponds to the component “1” in the third row of the square matrix H h , and the detection electrode block 25B (m). the first electrode 25 of the 25B (m + 1) is selected as the first detection target square matrix H h. In correspondence to the component "-1" in the third line of the square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 2), first electrode 25 of the 25B (m + 3) as the second detection target square matrix H h Is done. In the positive sign selection operation Te 02 + of the third detection operation shown in FIG. 21A, the output signal Svh 02 + = Svh 02 ++ −Svh 02 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 02 − of the third detection operation shown in FIG. 21B, the output signal Svh 02 = Svh 02 − + −Svh 02 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 02 + and the output signal Svh 02 , the third output signal Svh 02 in the third detection operation is calculated.

図21(C)及び図21(D)において、第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの4行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの3行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。図21(C)に示す第4検出動作の正符号選択動作Te03 では、出力信号Svh03 =Svh03 ++−Svh03 +−が算出される。図21(D)に示す第4検出動作の負符号選択動作Te03 では、出力信号Svh03 =Svh03 −+−Svh03 −−が算出される。出力信号Svh03 と出力信号Svh03 の差分から、第4検出動作における第3出力信号Svh03が算出される。 In FIG. 21C and FIG. 21D , the code division selection drive in the first direction D x corresponds to the component “1” in the fourth row of the square matrix H h , and the detection electrode block 25B (m) the first electrode 25 of the 25B (m + 3) is selected as the first detection target square matrix H h. In correspondence to the component "-1" in the third line of the square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 1), the first electrode 25 of the 25B (m + 2) as the second detection target square matrix H h Is done. In the positive sign selection operation Te 03 + of the fourth detection operation shown in FIG. 21C, the output signal Svh 03 + = Svh 03 ++ −Svh 03 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 03 − of the fourth detection operation shown in FIG. 21D, the output signal Svh 03 = Svh 03 − + −Svh 03 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 03 + and the output signal Svh 03 , the third output signal Svh 03 in the fourth detection operation is calculated.

図22(A)は、第5検出動作の正符号選択動作Te10 を示し、図22(B)は、第5検出動作の負符号選択動作Te10 を示し、図22(C)は、第6検出動作の正符号選択動作Te11 を示し、図22(D)は、第6検出動作の負符号選択動作Te11 を示す。図23(A)は、第7検出動作の正符号選択動作Te12 を示し、図23(B)は、第7検出動作の負符号選択動作Te12 を示し、図23(C)は、第8検出動作の正符号選択動作Te13 を示し、図23(D)は、第8検出動作の負符号選択動作Te13 を示す。 22A shows the positive sign selection operation Te 10 + of the fifth detection operation, FIG. 22B shows the negative sign selection operation Te 10 of the fifth detection operation, and FIG. FIG. 22D shows the positive sign selection operation Te 11 + of the sixth detection operation, and FIG. 22D shows the negative sign selection operation Te 11 of the sixth detection operation. FIG. 23A shows a positive sign selection operation Te 12 + of the seventh detection operation, FIG. 23B shows a negative sign selection operation Te 12 of the seventh detection operation, and FIG. FIG. 23D shows the positive sign selection operation Te 13 + of the eighth detection operation, and FIG. 23D shows the negative sign selection operation Te 13 of the eighth detection operation.

図22及び図23に示すように、第5検出動作から第8検出動作における第1方向Dの符号分割選択駆動は、図20(A)から図20(D)及び図21(A)から図21(D)と同様に、正方行列Hの第1検出対象と正方行列Hの第2検出対象の第1電極25が選択される。 As shown in FIGS. 22 and 23, the code division selectively driven in the first direction D x in the eighth detection operation from the fifth detection operation, from FIG. 20 (D) and FIG. 21 (A) from FIG. 20 (A) similar to FIG. 21 (D), the first electrode 25 of the second detection target of the first detection target and square matrix H h square matrix H h is selected.

図22(A)に示す第5検出動作の正符号選択動作Te10 において、正方行列Hの2行目の成分「1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+2)の第1電極25が、正方行列Hの第1検出対象の第1電極25として選択される。また、正方行列Hの1行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)に属する第1電極25が、正方行列Hの第1検出対象の第1電極25として選択される。図22(A)に示す第5検出動作の正符号選択動作Te10 では、出力信号Svh10 =Svh10 ++−Svh10 +−が算出される。 The positive sign selection operation Te 10 + the fifth detection operation shown in FIG. 22 (A), in correspondence with the components "1" of the second row of square matrix H v, the second electrode block BKNB (n), BKNB ( n + 2) first electrode 25 is selected as the first electrode 25 of the first detection target square matrix H v. Corresponding to the component “1” in the first row of the square matrix H h , the first electrodes 25 belonging to the detection electrode blocks 25B (m), 25B (m + 1), 25B (m + 2), 25B (m + 3) It is selected as the first electrode 25 of the first detection target square matrix H h. In the positive sign selection operation Te 10 + of the fifth detection operation shown in FIG. 22A, the output signal Svh 10 + = Svh 10 ++ −Svh 10 + − is calculated.

図22(B)に示す第5検出動作の負符号選択動作Te10 において、正方行列Hの2行目の成分「−1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n+1)、BKNB(n+3)の第1電極25が、正方行列Hの第2検出対象の第1電極25として選択される。図22(B)に示す第5検出動作の負符号選択動作Te10 では、出力信号Svh10 =Svh10 −+−Svh10 −−が算出される。出力信号Svh10 と出力信号Svh10 の差分から、第5検出動作における第3出力信号Svh10が算出される。 Negative sign selection operation Te 10 of the fifth detection operation shown in FIG. 22 (B) - In, corresponds to the second line of the components of the square matrix H v "-1", the second electrode block BKNB (n + 1), BKNB (n + 3) the first electrode 25 is selected as the first electrode 25 of the second detection target square matrix H v. In the negative sign selection operation Te 10 − of the fifth detection operation shown in FIG. 22B, the output signal Svh 10 = Svh 10 − + −Svh 10 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 10 + and the output signal Svh 10 , the third output signal Svh 10 in the fifth detection operation is calculated.

図22(C)、図22(D)の第6検出動作は、それぞれ、第2方向Dの符号分割選択駆動が図22(A)、図22(B)と同様の選択となっている。第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの2行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの2行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。図22(C)に示す第6検出動作の正符号選択動作Te11 では、出力信号Svh11 =Svh11 ++−Svh11 +−が算出される。図22(D)に示す第6検出動作の負符号選択動作Te11 では、出力信号Svh11 =Svh11 −+−Svh11 −−が算出される。出力信号Svh11 と出力信号Svh11 の差分から、第6検出動作における第3出力信号Svh11が算出される。 In the sixth detection operations of FIGS. 22C and 22D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 22A and 22B, respectively. . In the code division selection driving in the first direction D x , the first electrodes 25 of the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 2) are square matrices corresponding to the component “1” in the second row of the square matrix H h. It is selected as the first detection target H h. In correspondence to the component "-1" in the second line of the square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 1), the first electrode 25 of the 25B (m + 3) as the second detection target square matrix H h Is done. In the positive sign selection operation Te 11 + of the sixth detection operation shown in FIG. 22C, the output signal Svh 11 + = Svh 11 ++ −Svh 11 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 11 − of the sixth detection operation shown in FIG. 22D, the output signal Svh 11 = Svh 11 − + −Svh 11 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 11 + and the output signal Svh 11 , the third output signal Svh 11 in the sixth detection operation is calculated.

図23(A)、図23(B)に示す第7検出動作において、それぞれ、第2方向Dの符号分割選択駆動は、図22(A)、図22(B)と同様の選択となっている。第7検出動作において、第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの3行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの3行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+2)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。 In the seventh detection operation shown in FIGS. 23A and 23B , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 22A and 22B. ing. In the seventh detection operation, the code division selection driving in the first direction D x corresponds to the component “1” in the third row of the square matrix H h , and the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 1) 1 electrode 25 is selected as the first detection target square matrix H h. In correspondence to the component "-1" in the third line of the square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 2), first electrode 25 of the 25B (m + 3) as the second detection target square matrix H h Is done.

図23(A)に示す第7検出動作の正符号選択動作Te12 では、出力信号Svh12 =Svh12 ++−Svh12 +−が算出される。図23(B)に示す第7検出動作の負符号選択動作Te12 では、出力信号Svh12 =Svh12 −+−Svh12 −−が算出される。出力信号Svh12 と出力信号Svh12 の差分から、第7検出動作における第3出力信号Svh12が算出される。 In the positive sign selection operation Te 12 + of the seventh detection operation shown in FIG. 23A, the output signal Svh 12 + = Svh 12 ++ −Svh 12 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 12 − of the seventh detection operation shown in FIG. 23B, the output signal Svh 12 = Svh 12 − + −Svh 12 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 12 + and the output signal Svh 12 , the third output signal Svh 12 in the seventh detection operation is calculated.

図23(C)、図23(D)に示す第8検出動作において、それぞれ、第2方向Dの符号分割選択駆動が、図22(A)、図22(B)と同様の選択となっている。第8検出動作において、第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの4行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの4行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。 In the eighth detection operation shown in FIGS. 23C and 23D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 22A and 22B, respectively. ing. In an eighth detection operation, code division selectively driven in the first direction D x, corresponding to the components "1" of the fourth line of square matrix H h, detection electrode block 25B (m), 25B of (m + 3) the 1 electrode 25 is selected as the first detection target square matrix H h. In correspondence to the component "-1" in the fourth line of square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 1), the first electrode 25 of the 25B (m + 2) as the second detection target square matrix H h Is done.

図23(C)に示す第8検出動作の正符号選択動作Te13 では、出力信号Svh13 =Svh13 ++−Svh13 +−が算出される。図23(D)に示す第8検出動作の負符号選択動作Te13 では、出力信号Svh13 =Svh13 −+−Svh13 −−が算出される。出力信号Svh13 と出力信号Svh13 の差分から、第8検出動作における第3出力信号Svh13が算出される。 In the positive sign selection operation Te 13 + of the eighth detection operation shown in FIG. 23C, the output signal Svh 13 + = Svh 13 ++ −Svh 13 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 13 − of the eighth detection operation shown in FIG. 23D, the output signal Svh 13 = Svh 13 − + −Svh 13 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 13 + and the output signal Svh 13 , the third output signal Svh 13 in the eighth detection operation is calculated.

図24(A)は、第9検出動作の正符号選択動作Te20 を示し、図24(B)は、第9検出動作の負符号選択動作Te20 を示し、図24(C)は、第10検出動作の正符号選択動作Te21 を示し、図24(D)は、第10検出動作の負符号選択動作Te21 を示す。図25(A)は、第11検出動作の正符号選択動作Te22 を示し、図25(B)は、第11検出動作の負符号選択動作Te22 を示し、図25(C)は、第12検出動作の正符号選択動作Te23 を示し、図25(D)は、第12検出動作の負符号選択動作Te23 を示す。 FIG. 24A shows a positive sign selection operation Te 20 + of the ninth detection operation, FIG. 24B shows a negative sign selection operation Te 20 of the ninth detection operation, and FIG. FIG. 24D shows the negative sign selection operation Te 21 of the tenth detection operation. FIG. 24D shows the positive sign selection operation Te 21 + of the tenth detection operation. FIG. 25A shows the positive sign selection operation Te 22 + of the eleventh detection operation, FIG. 25B shows the negative sign selection operation Te 22 of the eleventh detection operation, and FIG. FIG. 25D shows the positive sign selection operation Te 23 + of the twelfth detection operation, and FIG. 25D shows the negative sign selection operation Te 23 of the twelfth detection operation.

図24及び図25に示すように、第9検出動作から第12検出動作における第1方向Dの符号分割選択駆動は、図20(A)から図20(D)及び図21(A)から図21(D)と同様に、正方行列Hの第1検出対象と正方行列Hの第2検出対象の第1電極25が選択される。 As shown in FIGS. 24 and 25, the code division selectively driven in the first direction D x in the 12 detection operation from the ninth detection operation, from FIG. 20 (D) and FIG. 21 (A) from FIG. 20 (A) similar to FIG. 21 (D), the first electrode 25 of the second detection target of the first detection target and square matrix H h square matrix H h is selected.

図24(A)に示す第9検出動作の正符号選択動作Te20 において、正方行列Hの3行目の成分「1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+1)の第1電極25が、正方行列Hの第1検出対象の第1電極25として選択される。また、正方行列Hの1行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)に属する第1電極25が、正方行列Hの第1検出対象の第1電極25として選択される。図24(A)に示す第9検出動作の正符号選択動作Te20 では、出力信号Svh20 =Svh20 ++−Svh20 +−が算出される。 Figure 24 9 in the positive sign selection operation Te 20 + detection operation (A), the corresponding to components of "1" in the third line of the square matrix H v, the second electrode block BKNB (n), BKNB ( n + 1) first electrode 25 is selected as the first electrode 25 of the first detection target square matrix H v. Corresponding to the component “1” in the first row of the square matrix H h , the first electrodes 25 belonging to the detection electrode blocks 25B (m), 25B (m + 1), 25B (m + 2), 25B (m + 3) It is selected as the first electrode 25 of the first detection target square matrix H h. In the positive sign selection operation Te 20 + of the ninth detection operation shown in FIG. 24A, the output signal Svh 20 + = Svh 20 ++ −Svh 20 + − is calculated.

図24(B)に示す第9検出動作の負符号選択動作Te20 において、正方行列Hの3行目の成分「−1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n+2)、BKNB(n+3)の第1電極25が、正方行列Hの第2検出対象の第1電極25として選択される。図24(B)に示す第9検出動作の負符号選択動作Te20 では、出力信号Svh20 =Svh20 −+−Svh20 −−が算出される。出力信号Svh20 と出力信号Svh20 の差分から、第9検出動作における第3出力信号Svh20が算出される。 Figure 24 (B) are shown the ninth detection operation of the negative code selection operation Te 20 - In, corresponds to the component of the third row of the square matrix H v "-1", the second electrode block BKNB (n + 2), BKNB (n + 3) the first electrode 25 is selected as the first electrode 25 of the second detection target square matrix H v. In the negative sign selection operation Te 20 − of the ninth detection operation shown in FIG. 24B, the output signal Svh 20 = Svh 20 − + −Svh 20 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 20 + and the output signal Svh 20 , the third output signal Svh 20 in the ninth detection operation is calculated.

図24(C)、図24(D)の第10検出動作は、それぞれ、第2方向Dの符号分割選択駆動が図24(A)、図24(B)と同様の選択となっている。第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの2行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの2行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。図24(C)に示す第10検出動作の正符号選択動作Te21 では、出力信号Svh21 =Svh21 ++−Svh21 +−が算出される。図24(D)に示す第10検出動作の負符号選択動作Te21 では、出力信号Svh21 =Svh21 −+−Svh21 −−が算出される。出力信号Svh21 と出力信号Svh21 の差分から、第10検出動作における第3出力信号Svh21が算出される。 In the tenth detection operations of FIGS. 24C and 24D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 24A and 24B, respectively. . In the code division selection driving in the first direction D x , the first electrodes 25 of the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 2) are square matrices corresponding to the component “1” in the second row of the square matrix H h. It is selected as the first detection target H h. In correspondence to the component "-1" in the second line of the square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 1), the first electrode 25 of the 25B (m + 3) as the second detection target square matrix H h Is done. In the positive sign selection operation Te 21 + of the tenth detection operation shown in FIG. 24C, the output signal Svh 21 + = Svh 21 ++ −Svh 21 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 21 − of the tenth detection operation shown in FIG. 24D, the output signal Svh 21 = Svh 21 − + −Svh 21 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 21 + and the output signal Svh 21 , the third output signal Svh 21 in the tenth detection operation is calculated.

図25(A)、図25(B)に示す第11検出動作において、それぞれ、第2方向Dの符号分割選択駆動は、図24(A)、図24(B)と同様の選択となっている。第11検出動作において、第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの3行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの3行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+2)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。 In the eleventh detection operations shown in FIGS. 25A and 25B, the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 24A and 24B , respectively. ing. In the 11 detection operation, code division selectively driven in the first direction D x, corresponding to the components of the third row of the square matrix H h "1", the detection electrode block 25B (m), 25B (m + 1) first 1 electrode 25 is selected as the first detection target square matrix H h. In correspondence to the component "-1" in the third line of the square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 2), first electrode 25 of the 25B (m + 3) as the second detection target square matrix H h Is done.

図25(A)に示す第11検出動作の正符号選択動作Te22 では、出力信号Svh22 =Svh22 ++−Svh22 +−が算出される。図25(B)に示す第11検出動作の負符号選択動作Te22 では、出力信号Svh22 =Svh22 −+−Svh22 −−が算出される。出力信号Svh22 と出力信号Svh22 の差分から、第11検出動作における第3出力信号Svh22が算出される。 In the positive sign selection operation Te 22 + of the eleventh detection operation shown in FIG. 25A, the output signal Svh 22 + = Svh 22 ++ −Svh 22 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 22 − of the eleventh detection operation shown in FIG. 25B, the output signal Svh 22 = Svh 22 − + −Svh 22 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 22 + and the output signal Svh 22 , the third output signal Svh 22 in the eleventh detection operation is calculated.

図25(C)、図25(D)に示す第12検出動作において、それぞれ、第2方向Dの符号分割選択駆動が、図24(A)、図24(B)と同様の選択となっている。第12検出動作において、第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの4行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの4行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。 In the twelfth detection operation shown in FIGS. 25C and 25D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 24A and 24B , respectively. ing. In the twelfth detection operation, the code division selection drive in the first direction D x corresponds to the component “1” in the fourth row of the square matrix H h , and the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 3) 1 electrode 25 is selected as the first detection target square matrix H h. In correspondence to the component "-1" in the fourth line of square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 1), the first electrode 25 of the 25B (m + 2) as the second detection target square matrix H h Is done.

図25(C)に示す第12検出動作の正符号選択動作Te23 では、出力信号Svh23 =Svh23 ++−Svh23 +−が算出される。図25(D)に示す第12検出動作の負符号選択動作Te23 では、出力信号Svh23 =Svh23 −+−Svh23 −−が算出される。出力信号Svh23 と出力信号Svh23 の差分から、第12検出動作における第3出力信号Svh23が算出される。 In the positive sign selection operation Te 23 + of the twelfth detection operation shown in FIG. 25C, the output signal Svh 23 + = Svh 23 ++ −Svh 23 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 23 − of the twelfth detection operation illustrated in FIG. 25D, the output signal Svh 23 = Svh 23 − + −Svh 23 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 23 + and the output signal Svh 23 , the third output signal Svh 23 in the twelfth detection operation is calculated.

図26(A)は、第13検出動作の正符号選択動作Te30 を示し、図26(B)は、第13検出動作の負符号選択動作Te30 を示し、図26(C)は、第14検出動作の正符号選択動作Te31 を示し、図26(D)は、第14検出動作の負符号選択動作Te31 を示す。図27(A)は、第15検出動作の正符号選択動作Te32 を示し、図27(B)は、第15検出動作の負符号選択動作Te32 を示し、図27(C)は、第16検出動作の正符号選択動作Te33 を示し、図27(D)は、第16検出動作の負符号選択動作Te33 を示す。 26A shows the positive sign selection operation Te 30 + of the thirteenth detection operation, FIG. 26B shows the negative sign selection operation Te 30 of the thirteenth detection operation, and FIG. FIG. 26D shows the positive sign selection operation Te 31 + of the fourteenth detection operation, and FIG. 26D shows the negative sign selection operation Te 31 of the fourteenth detection operation. 27A shows the positive sign selection operation Te 32 + of the fifteenth detection operation, FIG. 27B shows the negative sign selection operation Te 32 of the fifteenth detection operation, and FIG. FIG. 27D shows the positive sign selection operation Te 33 + of the sixteenth detection operation, and FIG. 27D shows the negative sign selection operation Te 33 of the sixteenth detection operation.

図26及び図27に示すように、第13検出動作から第16検出動作における第1方向Dの符号分割選択駆動は、図20(A)から図20(D)及び図21(A)から図21(D)と同様に、正方行列Hの第1検出対象と正方行列Hの第2検出対象の第1電極25が選択される。 As shown in FIGS. 26 and 27, the code division selectively driven in the first direction D x in the 16 detection operation from the 13 detection operation, from FIG. 20 (D) and FIG. 21 (A) from FIG. 20 (A) similar to FIG. 21 (D), the first electrode 25 of the second detection target of the first detection target and square matrix H h square matrix H h is selected.

図26(A)に示す第13検出動作の正符号選択動作Te30 において、正方行列Hの4行目の成分「1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n)、BKNB(n+3)の第1電極25が、正方行列Hの第1検出対象の第1電極25として選択される。また、正方行列Hの1行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)、25B(m+2)、25B(m+3)に属する第1電極25が、正方行列Hの第1検出対象の第1電極25として選択される。図26(A)に示す第13検出動作の正符号選択動作Te30 では、出力信号Svh30 =Svh30 ++−Svh30 +−が算出される。 13 in the detection operation of the positive sign selection operation Te 30 + shown in FIG. 26 (A), corresponding to the components "1" of the fourth line of square matrix H v, the second electrode block BKNB (n), BKNB ( n + 3) the first electrode 25 is selected as the first electrode 25 of the first detection target square matrix H v. Corresponding to the component “1” in the first row of the square matrix H h , the first electrodes 25 belonging to the detection electrode blocks 25B (m), 25B (m + 1), 25B (m + 2), 25B (m + 3) It is selected as the first electrode 25 of the first detection target square matrix H h. In the positive sign selection operation Te 30 + of the thirteenth detection operation shown in FIG. 26A, the output signal Svh 30 + = Svh 30 ++ −Svh 30 + − is calculated.

図26(B)に示す第13検出動作の負符号選択動作Te30 において、正方行列Hの4行目の成分「−1」に対応して、第2電極ブロックBKNB(n+1)、BKNB(n+2)の第1電極25が、正方行列Hの第2検出対象の第1電極25として選択される。図26(B)に示す第13検出動作の負符号選択動作Te30 では、出力信号Svh30 =Svh30 −+−Svh30 −−が算出される。出力信号Svh30 と出力信号Svh30 の差分から、第13検出動作における第3出力信号Svh30が算出される。 Negative sign selection operation Te 30 of the 13 detection operation shown in FIG. 26 (B) - In, corresponding to the components of the fourth row of the square matrix H v "-1", the second electrode block BKNB (n + 1), BKNB (n + 2) first electrode 25 is selected as the first electrode 25 of the second detection target square matrix H v. In the negative sign selection operation Te 30 − of the thirteenth detection operation shown in FIG. 26B, the output signal Svh 30 = Svh 30 − + −Svh 30 −− is calculated. Output signal Svh 30 + and the output signal Svh 30 - from the difference, the third output signal Svh 30 in the 13 detection operation is calculated.

図26(C)、図26(D)の第14検出動作は、それぞれ、第2方向Dの符号分割選択駆動が図26(A)、図26(B)と同様の選択となっている。第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの2行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの2行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。図26(C)に示す第14検出動作の正符号選択動作Te31 では、出力信号Svh31 =Svh31 ++−Svh31 +−が算出される。図26(D)に示す第14検出動作の負符号選択動作Te31 では、出力信号Svh31 =Svh31 −+−Svh31 −−が算出される。出力信号Svh31 と出力信号Svh31 の差分から、第14検出動作における第3出力信号Svh31が算出される。 In the fourteenth detection operations of FIGS. 26C and 26D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 26A and 26B, respectively. . In the code division selection driving in the first direction D x , the first electrodes 25 of the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 2) are square matrices corresponding to the component “1” in the second row of the square matrix H h. It is selected as the first detection target H h. In correspondence to the component "-1" in the second line of the square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 1), the first electrode 25 of the 25B (m + 3) as the second detection target square matrix H h Is done. In the positive sign selection operation Te 31 + of the fourteenth detection operation shown in FIG. 26C, the output signal Svh 31 + = Svh 31 ++ −Svh 31 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 31 − of the fourteenth detection operation illustrated in FIG. 26D, the output signal Svh 31 = Svh 31 − + −Svh 31 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 31 + and the output signal Svh 31 , the third output signal Svh 31 in the fourteenth detection operation is calculated.

図27(A)、図27(B)に示す第15検出動作において、それぞれ、第2方向Dの符号分割選択駆動は、図26(A)、図26(B)と同様の選択となっている。第15検出動作において、第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの3行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+1)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの3行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+2)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。 In the fifteenth detection operations shown in FIGS. 27A and 27B, the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 26A and 26B , respectively. ing. In the fifteenth detection operation, the code division selection drive in the first direction D x corresponds to the component “1” in the third row of the square matrix H h and the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 1) 1 electrode 25 is selected as the first detection target square matrix H h. In correspondence to the component "-1" in the third line of the square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 2), first electrode 25 of the 25B (m + 3) as the second detection target square matrix H h Is done.

図27(A)に示す第15検出動作の正符号選択動作Te32 では、出力信号Svh32 =Svh32 ++−Svh32 +−が算出される。図27(B)に示す第15検出動作の負符号選択動作Te32 では、出力信号Svh32 =Svh32 −+−Svh32 −−が算出される。出力信号Svh32 と出力信号Svh32 の差分から、第15検出動作における第3出力信号Svh32が算出される。 In the positive sign selection operation Te 32 + of the fifteenth detection operation shown in FIG. 27A, the output signal Svh 32 + = Svh 32 ++ −Svh 32 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 32 − of the fifteenth detection operation shown in FIG. 27B, the output signal Svh 32 = Svh 32 − + −Svh 32 −− is calculated. Output signal Svh 32 + and the output signal Svh 32 - from the difference, the third output signal Svh 32 in the 15 detection operation is calculated.

図27(C)、図27(D)に示す第16検出動作において、それぞれ、第2方向Dの符号分割選択駆動が、図26(A)、図26(B)と同様の選択となっている。第16検出動作において、第1方向Dの符号分割選択駆動は、正方行列Hの4行目の成分「1」に対応して、検出電極ブロック25B(m)、25B(m+3)の第1電極25が正方行列Hの第1検出対象として選択される。また、正方行列Hの4行目の成分「−1」に対応して、検出電極ブロック25B(m+1)、25B(m+2)の第1電極25が正方行列Hの第2検出対象として選択される。 In the sixteenth detection operation shown in FIGS. 27C and 27D , the code division selection drive in the second direction Dy is the same selection as in FIGS. 26A and 26B , respectively. ing. In the sixteenth detection operation, the code division selection drive in the first direction D x corresponds to the component “1” in the fourth row of the square matrix H h , and the detection electrode blocks 25B (m) and 25B (m + 3) 1 electrode 25 is selected as the first detection target square matrix H h. In correspondence to the component "-1" in the fourth line of square matrix H h, selection detection electrode block 25B (m + 1), the first electrode 25 of the 25B (m + 2) as the second detection target square matrix H h Is done.

図27(C)に示す第16検出動作の正符号選択動作Te33 では、出力信号Svh33 =Svh33 ++−Svh33 +−が算出される。図27(D)に示す第16検出動作の負符号選択動作Te33 では、出力信号Svh33 =Svh33 −+−Svh33 −−が算出される。出力信号Svh33 と出力信号Svh33 の差分から、第16検出動作における第3出力信号Svh33が算出される。 In the positive sign selection operation Te 33 + of the sixteenth detection operation shown in FIG. 27C, the output signal Svh 33 + = Svh 33 ++ −Svh 33 + − is calculated. In the negative sign selection operation Te 33 − of the sixteenth detection operation shown in FIG. 27D, the output signal Svh 33 = Svh 33 − + −Svh 33 −− is calculated. From the difference between the output signal Svh 33 + and the output signal Svh 33 , the third output signal Svh 33 in the sixteenth detection operation is calculated.

以上説明したように、第1検出動作から第16検出動作により、信号演算部44(図2参照)は、16個の出力信号Svhのデータを算出する。出力信号Svhのデータは記憶部47に保存される。座標抽出部45(図2参照)は、記憶部47から出力信号Svhのデータを受け取って、式(7)に基づいて復号処理を行う。   As described above, the signal calculation unit 44 (see FIG. 2) calculates data of the 16 output signals Svh by the first detection operation to the sixteenth detection operation. Data of the output signal Svh is stored in the storage unit 47. The coordinate extraction unit 45 (see FIG. 2) receives the data of the output signal Svh from the storage unit 47 and performs a decoding process based on Expression (7).

(数7)
Si´=H×Svh×H …(7)
(Equation 7)
Si ′ = H v × Svh × H h (7)

ここで、Si´は、復号信号であり、図20から図27に示す各第1電極25に対応する行列である。Hは式(2)に示す正方行列であり、第2方向Dの変換行列である。Hは式(6)に示す正方行列であり、第2方向Dの変換行列である。座標抽出部45は、復号処理によって、復号処理を実行することで検出電極ブロック25B(m)又は第2検出電極ブロックBKNB(n)に含まれる各検出電極の検出信号を取得することができる。座標抽出部45(図2参照)は、復号信号Si´に基づいて、接触又は近接する指等の二次元座標を算出することができる。本実施形態においても、各第1電極25の検出信号を統合した出力信号に基づいて復号処理を行うことで、各ノードの信号値の電圧を上げることなく、時分割選択駆動の16倍の信号強度が得られることとなる。 Here, Si ′ is a decoded signal, and is a matrix corresponding to each first electrode 25 shown in FIGS. H v is the square matrix shown in Equation (2) is a transformation matrix in the second direction D y. H h is a square matrix shown in Expression (6), and is a transformation matrix in the second direction D y . The coordinate extraction unit 45 can acquire a detection signal of each detection electrode included in the detection electrode block 25B (m) or the second detection electrode block BKNB (n) by executing the decoding process by the decoding process. The coordinate extraction unit 45 (see FIG. 2) can calculate two-dimensional coordinates such as a finger that touches or approaches based on the decoded signal Si ′. Also in the present embodiment, the decoding process is performed based on the output signal obtained by integrating the detection signals of the first electrodes 25, thereby increasing the signal of 16 times the time division selection drive without increasing the voltage of the signal value of each node. Strength will be obtained.

正符号選択動作と負符号選択動作とを連続して実行することで、ノイズ耐性を向上させることが可能である。例えば、図20に示す第1検出動作において、4つの第1出力信号Svh00 ++、第2出力信号Svh00 +−、第1出力信号Svh00 −+、第2出力信号Svh00 −−は、時分割で測定する場合、この順で測定することが好ましい。正方行列Hの第1検出対象と、第2検出対象の検出時間の間隔が短くなるので、各出力信号にのったノイズ成分がキャンセルされる。又は、例えば、第1出力信号Svh00 ++、第1出力信号Svh00 −+、第2出力信号Svh00 +−、第2出力信号Svh00 −−の順に測定してもよい。この場合、正方行列Hの第1検出対象と、第2検出対象の検出時間の間隔が短くなるので、各出力信号にのったノイズ成分がキャンセルされる。又は、正符号選択動作を複数回連続して実行した後に負符号選択動作を実行してもよい。図20から図27に示した各検出動作の順番は適宜変更してもよい。 It is possible to improve noise tolerance by continuously performing the positive code selection operation and the negative code selection operation. For example, in the first detection operation illustrated in FIG. 20, four first output signals Svh 00 ++ , second output signal Svh 00 + − , first output signal Svh 00 − + , and second output signal Svh 00 −− When measuring by time division, it is preferable to measure in this order. Since the interval between the detection times of the first detection target and the second detection target of the square matrix H h is shortened, the noise component on each output signal is canceled. Alternatively, for example, the first output signal Svh 00 ++ , the first output signal Svh 00 − + , the second output signal Svh 00 + − , and the second output signal Svh 00 −− may be measured in this order. In this case, a first detection target square matrix H v, the spacing of the second detection target detection time is shortened, the noise component riding on each output signal is canceled. Alternatively, the negative sign selection operation may be executed after the positive sign selection operation is continuously executed a plurality of times. The order of the detection operations shown in FIGS. 20 to 27 may be changed as appropriate.

(第5の実施形態)
図28は、第5の実施形態に係る、第1電極及び各駆動回路のブロック図である。第1から第4の実施形態では、第1電極25が、検出部30の検出電極と、表示パネル20の共通電極とに兼用される場合を説明したが、これに限定されない。図28に示すように、第1電極25Aが表示用の画素電極と検出電極とに兼用されてもよい。本実施形態において、第1から第4の実施形態とは異なり、第2電極22Aは、スリットが形成されていなくてもよく、第1電極25Aは第2電極22Aに重畳して行列状に複数配置されている。
(Fifth embodiment)
FIG. 28 is a block diagram of the first electrode and each drive circuit according to the fifth embodiment. In the first to fourth embodiments, the case where the first electrode 25 is used as both the detection electrode of the detection unit 30 and the common electrode of the display panel 20 has been described. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 28, the first electrode 25A may be used both as a display pixel electrode and a detection electrode. In the present embodiment, unlike the first to fourth embodiments, the second electrode 22A may not be formed with a slit, and a plurality of first electrodes 25A may be superimposed on the second electrode 22A in a matrix. Has been placed.

図28に示すように、ゲート線GCLとデータ線SGLとが交差して配置される。第1電極25Aは、ゲート線GCLとデータ線SGLとで囲まれた領域に配置される。ソースドライバ13は、マルチプレクサ13Bと、駆動信号生成部13Cと、画素信号生成部13Dとを含む。複数の第1電極25Aは、データ線SGLを介してマルチプレクサ13Bに接続される。ゲート線GCLtは、ゲート線GCLと平行方向に延びて配置される第1電極25Aを走査するための走査信号が供給される。前記走査信号には、表示走査信号Vscan又は検出走査信号Vscansが含まれる。データ線SGLtは、データ線SGLと平行方向に延びて配置される。表示動作の際の表示駆動信号Vcomがデータ線SGLtに供給される。   As shown in FIG. 28, the gate line GCL and the data line SGL are arranged to cross each other. The first electrode 25A is disposed in a region surrounded by the gate line GCL and the data line SGL. The source driver 13 includes a multiplexer 13B, a drive signal generation unit 13C, and a pixel signal generation unit 13D. The plurality of first electrodes 25A are connected to the multiplexer 13B via the data line SGL. The gate line GCLt is supplied with a scanning signal for scanning the first electrode 25A arranged extending in a direction parallel to the gate line GCL. The scanning signal includes a display scanning signal Vscan or a detection scanning signal Vscans. Data line SGLt is arranged extending in a direction parallel to data line SGL. A display drive signal Vcom at the time of the display operation is supplied to the data line SGLt.

なお、図28では、図11のスイッチ素子SW5、xSW5、配線L1、L2、L3、選択信号生成部16の図示を省略している。   28, illustration of the switch elements SW5 and xSW5, the wirings L1, L2, and L3, and the selection signal generation unit 16 in FIG. 11 is omitted.

表示期間Pd1、Pd2(図10参照)において、画素信号生成部13Dから出力された画素信号Vpixがマルチプレクサ13Bに供給される。マルチプレクサ13Bにより選択された第1電極25Aに、画素信号Vpixが供給されて表示動作が実行される。また、第1電極25には、第1電極ドライバ14から表示駆動信号Vcomが供給される。   In the display periods Pd1 and Pd2 (see FIG. 10), the pixel signal Vpix output from the pixel signal generation unit 13D is supplied to the multiplexer 13B. The pixel signal Vpix is supplied to the first electrode 25A selected by the multiplexer 13B, and the display operation is executed. The first electrode 25 is supplied with a display drive signal Vcom from the first electrode driver 14.

検出期間Pt1、Pt2(図10参照)において、駆動信号生成部13Cから出力された検出駆動信号Vsが、マルチプレクサ13Bに供給される。マルチプレクサ13Bにより選択された第1電極25Aに、検出駆動信号Vsが供給されて検出動作が実行される。マルチプレクサ13Bは上述した所定の符号に基づいて、第1検出対象の第1電極25Aと、第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極25Aとを選択して、検出駆動信号Vsを供給する。複数の第1電極25Aからの検出信号を統合した出力信号は、マルチプレクサ13Bから信号処理部40(図1、図2参照)に出力される。これにより、符号分割選択駆動が実行される。   In the detection periods Pt1 and Pt2 (see FIG. 10), the detection drive signal Vs output from the drive signal generation unit 13C is supplied to the multiplexer 13B. The detection drive signal Vs is supplied to the first electrode 25A selected by the multiplexer 13B, and the detection operation is executed. The multiplexer 13B selects the first electrode 25A that is the first detection target and the first electrode 25A that is the second detection target that is not included in the first detection target based on the predetermined code described above, and detects the detection drive signal Vs. Supply. An output signal obtained by integrating the detection signals from the plurality of first electrodes 25A is output from the multiplexer 13B to the signal processing unit 40 (see FIGS. 1 and 2). Thereby, code division selection driving is executed.

なお、第1電極25Aを検出電極として用いる場合には、隣り合う複数の第1電極25Aに対して検出駆動信号Vsを供給し、この複数の第1電極25Aを束ねて駆動してもよい。こうすれば、第1電極25Aを個別に駆動する場合に比べて、適切な分解能で検出を行うことができ、1検出面全体の検出に要する時間を短縮できる。   When the first electrode 25A is used as a detection electrode, the detection drive signal Vs may be supplied to a plurality of adjacent first electrodes 25A, and the plurality of first electrodes 25A may be driven in a bundle. By so doing, detection can be performed with appropriate resolution as compared with the case where the first electrodes 25A are individually driven, and the time required for detection of the entire detection surface can be shortened.

本実施形態において、マルチプレクサ13Bは表示動作の対象となる第1電極25Aを選択する機能と、検出動作の第1検出対象及び第2検出対象の第1電極25Aを選択する機能を有する。また、ゲート線GCLは、検出動作時に第1電極25Aを走査する検出用ゲート線GCLs(図8参照)の機能を有し、データ線SGLは、検出駆動信号Vsを供給するための検出用データ線SGLsとしての機能を有する。   In the present embodiment, the multiplexer 13B has a function of selecting the first electrode 25A that is the target of the display operation and a function of selecting the first electrode 25A that is the first detection target and the second detection target of the detection operation. The gate line GCL functions as a detection gate line GCLs (see FIG. 8) for scanning the first electrode 25A during the detection operation, and the data line SGL is detection data for supplying the detection drive signal Vs. It functions as a line SGLs.

検出期間Pt1、Pt2において、第1電極ドライバ14は、検出駆動信号Vsと同期した同一の波形を有する信号を第2電極22Aに供給してもよい。これにより、第2電極22Aは、第1電極25Aと同じ電位で駆動されることとなるため、第1電極25Aと第2電極22Aとの間の寄生容量が低減される。この場合、第2電極22Aはガード電極として用いられる。   In the detection periods Pt1 and Pt2, the first electrode driver 14 may supply a signal having the same waveform synchronized with the detection drive signal Vs to the second electrode 22A. Thereby, since the second electrode 22A is driven at the same potential as the first electrode 25A, the parasitic capacitance between the first electrode 25A and the second electrode 22A is reduced. In this case, the second electrode 22A is used as a guard electrode.

(第6の実施形態)
図29は、第6の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。第1から第4の実施形態では、第1電極25が、検出部30の検出電極と、表示パネル20の共通電極とを兼用する場合を説明したが、これに限定されない。図29に示す表示装置1Aは、画素基板2と、画素基板2と対向する対向基板3と、液晶層6を有している。画素基板2は、第1基板21の上に共通電極COMLが設けられており、共通電極COMLの上に絶縁層24を介して第2電極(画素電極)22が設けられている。共通電極COMLは、表示動作の際に、副画素SPixに対する共通電位となる表示駆動信号Vcomが供給される。
(Sixth embodiment)
FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating a schematic cross-sectional structure of a display device according to the sixth embodiment. In the first to fourth embodiments, the case where the first electrode 25 serves as both the detection electrode of the detection unit 30 and the common electrode of the display panel 20 has been described. However, the present invention is not limited to this. A display device 1 </ b> A illustrated in FIG. 29 includes a pixel substrate 2, a counter substrate 3 facing the pixel substrate 2, and a liquid crystal layer 6. In the pixel substrate 2, a common electrode COML is provided on the first substrate 21, and a second electrode (pixel electrode) 22 is provided on the common electrode COML via an insulating layer 24. The common electrode COML is supplied with a display drive signal Vcom that becomes a common potential for the sub-pixel SPix during a display operation.

本実施形態において、第1基板21に対して、共通電極COML、絶縁層24、第2電極22の順で積層されたが、これに限られない。表示パネル20の画素電極と共通電極とは異なる電極を検出電極としてもよい。第1基板21に対して第2電極22、絶縁層24、共通電極COMLの順で積層されてもよいし、共通電極COMLと第2電極22は絶縁層24を介して、同層に形成されてもよい。さらに、共通電極COMLと第2電極22の少なくとも一方は、第2基板31上に配置されてもよい。共通電極COMLは、表示領域Ad(図5参照)と重畳する領域の全面に連続して設けられていてもよく、複数に分割して設けられていてもよい。また、第1電極25は、第2基板31とは異なる基板に形成して、表示パネル20の上に検出部30を装着した構成であってもよい。   In the present embodiment, the common electrode COML, the insulating layer 24, and the second electrode 22 are stacked in this order on the first substrate 21, but the present invention is not limited thereto. An electrode different from the pixel electrode and the common electrode of the display panel 20 may be used as the detection electrode. The second electrode 22, the insulating layer 24, and the common electrode COML may be stacked on the first substrate 21 in this order, and the common electrode COML and the second electrode 22 are formed in the same layer via the insulating layer 24. May be. Furthermore, at least one of the common electrode COML and the second electrode 22 may be disposed on the second substrate 31. The common electrode COML may be provided continuously over the entire surface of the region overlapping the display region Ad (see FIG. 5), or may be provided in a plurality of divisions. Further, the first electrode 25 may be formed on a substrate different from the second substrate 31 and the detection unit 30 may be mounted on the display panel 20.

また、対向基板3は、第2基板31の下面にカラーフィルタ32が設けられており、第2基板31の上に検出電極である第1電極25が設けられている。この場合、上述した検出用スイッチング素子Trs、検出用データ線SGLs、検出用ゲート線GCLs等は第2基板31側に設けられる。本実施形態では、第2基板31と第1電極25とで検出部30が構成される。このような態様であっても、検出部30は、上述した符号分割選択駆動により、第1電極25間の容量結合を抑制して良好な検出感度を得ることが可能である。   In the counter substrate 3, a color filter 32 is provided on the lower surface of the second substrate 31, and a first electrode 25 that is a detection electrode is provided on the second substrate 31. In this case, the above-described detection switching element Trs, detection data line SGLs, detection gate line GCLs, and the like are provided on the second substrate 31 side. In the present embodiment, the detection unit 30 is configured by the second substrate 31 and the first electrode 25. Even in such an aspect, the detection unit 30 can obtain good detection sensitivity by suppressing capacitive coupling between the first electrodes 25 by the above-described code division selection drive.

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。   The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to such an embodiment. The content disclosed in the embodiment is merely an example, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Appropriate changes made without departing from the spirit of the present invention naturally belong to the technical scope of the present invention.

例えば、表示パネル20を有さず、検出部30を含む検出装置であってもよい。この場合、少なくとも、第1基板21と、第1電極25と、第1電極ドライバ14と、検出用ゲートドライバ12Bと、信号処理部40と、制御部11とを備えていればよい。第1電極25及び第2電極22は、矩形状であるとしたが、これに限られず、他の形状としてもよい。第1電極25及び第2電極22は、例えば、多角形状や櫛歯形状であってもよい。また、各検出動作は、図20から図28に示した順番に限定されるものではなく適宜変更することができる。   For example, a detection device that does not include the display panel 20 and includes the detection unit 30 may be used. In this case, at least the first substrate 21, the first electrode 25, the first electrode driver 14, the detection gate driver 12 </ b> B, the signal processing unit 40, and the control unit 11 may be provided. Although the first electrode 25 and the second electrode 22 are rectangular, they are not limited to this, and may have other shapes. For example, the first electrode 25 and the second electrode 22 may have a polygonal shape or a comb shape. Each detection operation is not limited to the order shown in FIGS. 20 to 28, and can be changed as appropriate.

1、1A 表示装置
2 画素基板
3 対向基板
6 液晶層
10 検出機能付き表示部
11 制御部
12A 表示用ゲートドライバ
12B 検出用ゲートドライバ
13 ソースドライバ
14 第1電極ドライバ
20 表示パネル
21 第1基板
22 第2電極
25 第1電極
30 検出部
31 第2基板
40 信号処理部
42 検出信号増幅部
43 A/D変換部
44 信号演算部
45 座標抽出部
46 検出タイミング制御部
47 記憶部
GCL ゲート線
GCLs 検出用ゲート線
Pix 画素
SPix 副画素
SGL データ線
SGLs 検出用データ線
Vcom 表示駆動信号
Vs 検出駆動信号
Vpix 画素信号
Vscan 表示走査信号
Vscans 検出走査信号
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A Display device 2 Pixel substrate 3 Opposite substrate 6 Liquid crystal layer 10 Display unit with detection function 11 Control unit 12A Display gate driver 12B Detection gate driver 13 Source driver 14 First electrode driver 20 Display panel 21 First substrate 22 First 2 electrode 25 first electrode 30 detection unit 31 second substrate 40 signal processing unit 42 detection signal amplification unit 43 A / D conversion unit 44 signal calculation unit 45 coordinate extraction unit 46 detection timing control unit 47 storage unit GCL gate line GCLs for detection Gate line Pix pixel SPix Subpixel SGL Data line SGLs Detection data line Vcom Display drive signal Vs Detection drive signal Vpix Pixel signal Vscan Display scan signal Vscan Detection scan signal

Claims (17)

外部の物体の接触又は近接により変化する検出信号を検出するための複数の第1電極を含む検出電極群と、
出力信号線と、
第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力し、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力する選択接続部と、を有する検出装置。
A detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object;
An output signal line;
In response to the first selection signal, the first electrode of the first detection target in the detection electrode group is connected to the output signal line, and the detection signals from the selected first electrode of the first detection target are integrated. The first output signal is output to the output signal line, and in response to a second selection signal different from the first selection signal, the second detection target of the detection electrode group that is not included in the first detection target. A selection connecting unit that connects the first electrode and the output signal line, and outputs a second output signal integrated with the detection signal from the selected first electrode of the second detection target to the output signal line; Having a detection device.
前記出力信号線は、前記第1出力信号が供給される第1出力信号線と、前記第2出力信号が供給される第2出力信号線とを含む請求項1に記載の検出装置。   The detection apparatus according to claim 1, wherein the output signal line includes a first output signal line to which the first output signal is supplied and a second output signal line to which the second output signal is supplied. 前記選択接続部は、前記第1検出対象の第1電極と、前記第2検出対象の第1電極とを同時に選択する請求項2に記載の検出装置。   The detection device according to claim 2, wherein the selective connection unit simultaneously selects the first electrode to be detected and the first electrode to be detected. 前記選択接続部は、前記第1検出対象の第1電極と、前記第2検出対象の第1電極とを時分割で選択する請求項1又は請求項2に記載の検出装置。   The detection device according to claim 1, wherein the selection connection unit selects the first electrode to be detected first and the first electrode to be detected second by time division. 前記選択接続部が前記第1検出対象の第1電極を選択する検出動作と、前記第2検出対象の第1電極を選択する検出動作とが連続して実行される請求項4に記載の検出装置。   5. The detection according to claim 4, wherein a detection operation in which the selection connecting unit selects the first electrode to be detected first and a detection operation to select the first electrode to be detected in the second are continuously performed. apparatus. 前記第1選択信号及び前記第2選択信号の少なくとも一方は、所定の符号に基づいて生成される請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の検出装置。   6. The detection device according to claim 1, wherein at least one of the first selection signal and the second selection signal is generated based on a predetermined code. 前記第1選択信号には、前記第1検出対象として選択される前記第1電極の組み合わせパターンである複数の第1選択パターンが含まれ、
前記第1選択パターンの数は、前記検出電極群に含まれる前記第1電極の数と等しい請求項6に記載の検出装置。
The first selection signal includes a plurality of first selection patterns that are combination patterns of the first electrodes selected as the first detection target,
The detection device according to claim 6, wherein the number of the first selection patterns is equal to the number of the first electrodes included in the detection electrode group.
前記第1選択信号には、前記第2検出対象として選択される前記第1電極の組み合わせパターンである複数の第2選択パターンが含まれ、前記第2選択パターンの数は、前記第1選択パターンの数と等しい請求項7に記載の検出装置。   The first selection signal includes a plurality of second selection patterns which are combination patterns of the first electrodes selected as the second detection target, and the number of the second selection patterns is the first selection pattern. The detection device according to claim 7, which is equal to the number of. 更に信号処理部を有し、
前記信号処理部は、複数の前記第1出力信号と複数の前記第2出力信号に基づいて、前記検出電極群に含まれる1つの前記第1電極の検出信号を算出する請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の検出装置。
In addition, it has a signal processing unit,
The signal processing unit calculates a detection signal of one of the first electrodes included in the detection electrode group based on the plurality of first output signals and the plurality of second output signals. 9. The detection device according to any one of items 8.
前記第1電極に駆動信号を供給する第1電極駆動部を有し、
前記第1電極は、前記駆動信号が供給されて、前記第1電極の静電容量変化に基づいて前記検出信号を出力する請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の検出装置。
A first electrode driver for supplying a drive signal to the first electrode;
10. The detection device according to claim 1, wherein the first electrode is supplied with the driving signal and outputs the detection signal based on a change in capacitance of the first electrode. 11.
前記第1電極駆動部は、前記第1検出対象の第1電極に供給される駆動信号と同じ極性の駆動信号を、前記第2検出対象の第1電極に供給する請求項10に記載の検出装置。   The detection according to claim 10, wherein the first electrode driving unit supplies a drive signal having the same polarity as a drive signal supplied to the first electrode to be detected to the first electrode to be detected. apparatus. 複数の前記第1電極のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子を有し、
更に前記選択接続部は選択駆動部を有し、
前記選択駆動部は、複数の前記検出電極群のうち検出対象となる前記検出電極群を順次選択し、選択された前記検出電極群の前記スイッチング素子に検出走査信号を供給する請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の検出装置。
A switching element provided corresponding to each of the plurality of first electrodes;
Further, the selection connecting unit has a selection driving unit,
The said selection drive part selects the said detection electrode group used as a detection target among the said some detection electrode groups sequentially, and supplies a detection scanning signal to the said switching element of the selected said detection electrode group. Item 12. The detection device according to any one of Items 11.
前記選択駆動部は所定の符号に基づいて検出対象となる前記検出電極群を選択する請求項12に記載の検出装置。   The detection device according to claim 12, wherein the selection driving unit selects the detection electrode group to be detected based on a predetermined code. 前記選択接続部は、複数のデータ線とマルチプレクサとを含み、前記複数のデータ線の各々は、前記検出電極群に含まれる前記検出電極に対して選択的に接続され、前記マルチプレクサは、前記出力信号線に接続される前記データ線を選択する請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の検出装置。   The selective connection unit includes a plurality of data lines and a multiplexer, and each of the plurality of data lines is selectively connected to the detection electrode included in the detection electrode group, and the multiplexer includes the output The detection device according to claim 1, wherein the data line connected to the signal line is selected. 画像を表示させる表示機能層と、
外部の物体の接触又は近接により変化する検出信号を検出するための複数の第1電極を含む検出電極群と、
出力信号線と、
第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力し、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力する選択接続部と、を有する表示装置。
A display functional layer for displaying an image;
A detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object;
An output signal line;
In response to the first selection signal, the first electrode of the first detection target in the detection electrode group is connected to the output signal line, and the detection signals from the selected first electrode of the first detection target are integrated. The first output signal is output to the output signal line, and in response to a second selection signal different from the first selection signal, the second detection target of the detection electrode group that is not included in the first detection target. A selection connecting unit that connects the first electrode and the output signal line, and outputs a second output signal integrated with the detection signal from the selected first electrode of the second detection target to the output signal line; Display device.
前記第1電極に対向する第2電極を有し、
前記第1電極と前記第2電極によって表示機能層が制御される請求項15に記載の表示装置。
A second electrode facing the first electrode;
The display device according to claim 15, wherein a display function layer is controlled by the first electrode and the second electrode.
外部の物体の接触又は近接により変化する検出信号を検出するための複数の第1電極を含む検出電極群と、出力信号線と、前記第1電極と前記出力信号線との接続と遮断とを切り換える選択接続部とを有する検出装置の検出方法であって、
前記選択接続部が、第1選択信号に応じて、前記検出電極群のうち第1検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第1検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第1出力信号を前記出力信号線に出力するステップと、
前記第1選択信号とは異なる第2選択信号に応じて、前記検出電極群のうち前記第1検出対象に含まれない第2検出対象の第1電極と前記出力信号線とを接続し、選択された第2検出対象の第1電極からの検出信号が統合された第2出力信号を前記出力信号線に出力するステップとを含む検出方法。
A detection electrode group including a plurality of first electrodes for detecting a detection signal that changes due to contact or proximity of an external object, an output signal line, and connection and disconnection of the first electrode and the output signal line A detection method of a detection device having a selective connection to be switched,
In response to a first selection signal, the selection connection unit connects the first electrode of the first detection target in the detection electrode group and the output signal line, and from the selected first electrode of the first detection target Outputting a first output signal integrated with the detection signal to the output signal line;
In response to a second selection signal different from the first selection signal, the first electrode of the second detection target not included in the first detection target in the detection electrode group and the output signal line are connected and selected. And outputting a second output signal obtained by integrating the detection signals from the first electrodes to be detected to the output signal line.
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