JP2017163094A - Magnetic sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は磁気センサに関する。 The present invention relates to a magnetic sensor.
磁場を検出する磁気センサとしてＧＭＲ（巨大磁気抵抗）効果やＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）効果を用いたＭＲ磁気センサがある。
ＭＲ磁気センサは、非磁性体を強磁性体で挟んだ構造（強磁性体／非磁性／強磁性体）を有し、一方の磁性体の磁化を反強磁性体で固定し（磁化固定層）、もう一方の強磁性体（磁化自由層）の磁化は外部磁場に対して自由に回転できる構造を有している（スピンバルブ構造）。ＭＲ磁気センサは、外部磁場Ｈが加わり、磁化固定層の磁化と磁化自由層の磁化との相対角が変化すると、非磁性体である中間層を流れる電流が変化するため、磁場を検出することができる（例えば、特許文献１参照）。
As magnetic sensors for detecting a magnetic field, there are MR magnetic sensors using the GMR (giant magnetoresistance) effect and the TMR (tunnel magnetoresistance) effect.
The MR magnetic sensor has a structure in which a nonmagnetic material is sandwiched between ferromagnetic materials (ferromagnetic material / nonmagnetic material / ferromagnetic material), and the magnetization of one magnetic material is fixed with an antiferromagnetic material (magnetization pinned layer). ), The magnetization of the other ferromagnetic material (magnetization free layer) has a structure that can rotate freely with respect to an external magnetic field (spin valve structure). An MR magnetic sensor detects a magnetic field because an external magnetic field H is applied and the relative angle between the magnetization of the magnetization fixed layer and the magnetization of the magnetization free layer changes, so that the current flowing through the intermediate layer that is a non-magnetic material changes. (For example, refer to Patent Document 1).
ＭＲ磁気センサは微小な磁場で大きな磁気抵抗（ＭＲ）変化を示すことが知られており、主にハードディスクの磁気ヘッドなどに用いられている。また、ＭＲ磁気センサは、ホール効果を用いた磁気センサと比較して高感度（微小磁場の検出が可能）であることが知られている（例えば、特許文献２参照）。 An MR magnetic sensor is known to exhibit a large magnetoresistance (MR) change with a small magnetic field, and is mainly used for a magnetic head of a hard disk. Further, it is known that the MR magnetic sensor has higher sensitivity (detection of a minute magnetic field) than a magnetic sensor using the Hall effect (see, for example, Patent Document 2).
上述したように、ＧＭＲ効果やＴＭＲ効果を用いたＭＲ磁気センサは、ホール効果を用いた磁気センサと比較して高感度（微小磁場の検出が可能）である。その一方で、ＭＲ磁気センサは、磁場に応じて抵抗が変化する範囲、すなわち検出可能な磁場範囲（ダイナミックレンジ）が、ホール効果を用いた磁気センサと比較して狭いという欠点がある。
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、より広い検出可能な磁場範囲を実現することが可能な磁気センサを提供することを目的とする。
As described above, the MR magnetic sensor using the GMR effect or the TMR effect has higher sensitivity (detection of a minute magnetic field is possible) than a magnetic sensor using the Hall effect. On the other hand, the MR magnetic sensor has a disadvantage that the range in which the resistance changes according to the magnetic field, that is, the detectable magnetic field range (dynamic range) is narrower than that of the magnetic sensor using the Hall effect.
Accordingly, the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a magnetic sensor capable of realizing a wider detectable magnetic field range.
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る磁気センサは、基板と、前記基板上に配置された感磁ユニットと、を備え、前記感磁ユニットは、外部磁場に応じて磁化が変化する磁化自由層と、第１の方向に磁化が固定された磁化固定層と、前記磁化自由層と前記磁化固定層との間に配置された非磁性層と、を含む積層部を有し、平面視において、前記磁化固定層は、前記磁化自由層と重複する位置で、かつ、前記第１の方向に垂直な第２の方向で前記磁化自由層の面積を２分割する軸から外れた位置、に配置されていることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a magnetic sensor according to an aspect of the present invention includes a substrate and a magnetic sensing unit disposed on the substrate, and the magnetic sensing unit is magnetized according to an external magnetic field. A stacking unit including: a magnetization free layer that changes; a magnetization fixed layer whose magnetization is fixed in a first direction; and a nonmagnetic layer disposed between the magnetization free layer and the magnetization fixed layer. In a plan view, the magnetization fixed layer is off the axis that divides the area of the magnetization free layer into two in a second direction perpendicular to the first direction at a position overlapping the magnetization free layer. It is arranged at a position.
本発明の一態様に係る磁気センサによれば、より広い検出可能な磁場範囲を実現することの可能な磁気センサを提供することができる。 According to the magnetic sensor of one embodiment of the present invention, a magnetic sensor capable of realizing a wider detectable magnetic field range can be provided.
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。 Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.
＜磁気センサ＞
本実施形態に係る磁気センサは、基板と、基板上に配置された感磁ユニットと、を備える。感磁ユニットは、外部磁場に応じて磁化が変化する磁化自由層と、第１の方向に磁化が固定された磁化固定層と、磁化自由層と磁化固定層との間に配置された非磁性層と、を含む積層部を有する。平面視において、磁化固定層は、磁化自由層と重複する位置で、かつ、第１の方向に垂直な第２の方向で磁化自由層の面積を２分割する軸から外れた位置、に配置されている。すなわち、平面視において、磁化固定層は、磁化自由層と重複する位置で、かつ、第２の方向で磁化自由層の面積を２分割する軸を覆わない位置、に配置されている。これにより、本実施形態に係る磁気センサは、従来の磁気センサと比べて、検出可能な磁場範囲が増大する。
<Magnetic sensor>
The magnetic sensor according to the present embodiment includes a substrate and a magnetic sensitive unit disposed on the substrate. The magnetosensitive unit includes a magnetization free layer whose magnetization changes according to an external magnetic field, a magnetization fixed layer whose magnetization is fixed in a first direction, and a nonmagnetic layer disposed between the magnetization free layer and the magnetization fixed layer. A stacked portion including a layer. In plan view, the magnetization fixed layer is disposed at a position overlapping the magnetization free layer and at a position off the axis that divides the area of the magnetization free layer into two in the second direction perpendicular to the first direction. ing. That is, in a plan view, the magnetization fixed layer is disposed at a position that overlaps with the magnetization free layer and at a position that does not cover the axis that bisects the area of the magnetization free layer in the second direction. As a result, the magnetic field according to the present embodiment increases the detectable magnetic field range as compared with the conventional magnetic sensor.
なお、本発明における検出可能な磁場範囲（抵抗変化範囲、又は、ダイナミックレンジとも称する）とは、抵抗値が最大になるときの外部磁場と、抵抗値が最小になるときの外部磁場の差分である。抵抗が最大、または最小になるときの外部磁場とは、ゼロ磁場周辺の大きく抵抗変化する領域における１次近似直線と、抵抗が最大または最小となり、変化しなくなった領域における近似直線との交点における外部磁場で定義される。
本実施形態に係る磁気センサが、従来の磁気センサと比べて検出可能な磁場範囲が増大する作用は、磁化自由層の磁区構造に関わるものであると本発明者は推定している。磁区とは、スピンが同じ方向を向いている区画のことである。磁化自由層は、通常、強磁性体の持つエネルギーが最小になるようにいくつかの磁区に分かれて存在しており、これを磁区構造という。
In the present invention, the detectable magnetic field range (also referred to as resistance change range or dynamic range) is the difference between the external magnetic field when the resistance value is maximum and the external magnetic field when the resistance value is minimum. is there. The external magnetic field when the resistance becomes maximum or minimum is the intersection of the primary approximate line in the region where the resistance changes greatly around the zero magnetic field and the approximate line in the region where the resistance becomes the maximum or minimum and no longer changes. Defined by external magnetic field.
The inventor presumes that the action of the magnetic sensor according to the present embodiment increasing the detectable magnetic field range as compared with the conventional magnetic sensor is related to the magnetic domain structure of the magnetization free layer. A magnetic domain is a section in which spins are directed in the same direction. The magnetization free layer is usually divided into several magnetic domains so that the energy of the ferromagnetic material is minimized, and this is called a magnetic domain structure.
本実施形態に係る磁気センサにおいても、磁化自由層に磁区構造が発現しうる。本実施形態に係る磁気センサから得られる磁気抵抗変化は、磁化自由層と磁化固定層の界面の磁化状態に依存する。従来の磁気センサでは磁化状態が急激に変化するため、抵抗変化範囲が非常に狭かったが、本実施形態に係る磁気センサでは磁気状態が緩やかに変化するため、抵抗変化範囲が増大している。 Also in the magnetic sensor according to the present embodiment, a magnetic domain structure can appear in the magnetization free layer. The magnetoresistance change obtained from the magnetic sensor according to the present embodiment depends on the magnetization state of the interface between the magnetization free layer and the magnetization fixed layer. In the conventional magnetic sensor, since the magnetization state changes abruptly, the resistance change range is very narrow. However, in the magnetic sensor according to the present embodiment, the magnetic state changes gradually, and thus the resistance change range is increased.
以下、本実施形態に係る磁気センサの各構成部について、例を挙げて説明する。
（１）基板
本実施形態の磁気センサにおける基板は、その上に所望の積層部を形成することが可能なものであれば特に制限されない。基板の一例としては、Ｓｉ基板やガラス基板が挙げられるがこの限りではない。素子との絶縁性を確保する観点から、基板は、Ｓｉ基板上にＳｉ酸化膜（ＳｉＯ２等）を成膜したものが好ましい。このときＳｉ基板は、ＩＣ（集積回路）などとの組み合わせの目的でパターニングされたものであってもよい。
Hereinafter, each component of the magnetic sensor according to the present embodiment will be described with examples.
(1) Substrate The substrate in the magnetic sensor of the present embodiment is not particularly limited as long as a desired stacked portion can be formed thereon. Examples of the substrate include, but are not limited to, a Si substrate and a glass substrate. From the viewpoint of ensuring insulation from the element, the substrate is preferably a substrate in which a Si oxide film (SiO 2 or the like) is formed on a Si substrate. At this time, the Si substrate may be patterned for the purpose of combination with an IC (integrated circuit) or the like.
（２）積層部
本実施形態の磁気センサにおける積層部は、外部磁場に応じて磁化が変化する磁化自由層と、第１の方向に磁化が固定された磁化固定層と、磁化自由層と磁化固定層との間に配置された非磁性層と、を含む。換言すると、本実施形態の磁気センサにおける積層部は、磁化自由層と、非磁性層と、磁化固定層とがこの順で積層される。磁化自由層と、非磁性層と、磁化固定層とが、この順で積層されていれば、本発明の効果を損なわない範囲で層の上下、間に他の層が挿入されていてもよい。積層部の最上部には、酸化防止の観点から、非磁性のキャップ層を備えていることが好ましい。非磁性のキャップ層は、配線部との接続の観点から、Ａｕ、Ｒｕ、Ｔａなどの導電性材料であることが好ましい。
(2) Laminate Part The laminate part of the magnetic sensor of this embodiment includes a magnetization free layer whose magnetization changes according to an external magnetic field, a magnetization fixed layer whose magnetization is fixed in a first direction, a magnetization free layer, and a magnetization And a nonmagnetic layer disposed between the fixed layer. In other words, in the laminated portion in the magnetic sensor of the present embodiment, the magnetization free layer, the nonmagnetic layer, and the magnetization fixed layer are laminated in this order. If the magnetization free layer, the nonmagnetic layer, and the magnetization fixed layer are laminated in this order, other layers may be inserted between the upper and lower layers of the layer as long as the effects of the present invention are not impaired. . From the viewpoint of preventing oxidation, it is preferable that a nonmagnetic cap layer is provided at the uppermost part of the stacked portion. The nonmagnetic cap layer is preferably a conductive material such as Au, Ru, or Ta from the viewpoint of connection with the wiring portion.
また、積層部は基板上に複数存在してもよい。複数の積層部は、直列もしくは並列、またはその直並列（すなわち、直列と並列との組み合わせ）に接続されていてもよい。また、配線部により接続された積層部の群が、基板上に複数独立に存在していてもよい。
積層部は公知の方法で形成することが可能であり、一例としては、スパッタ法により形成することができる。また、複数の積層部を形成する場合、基板上に形成された積層膜を、フォトリソグラフィー法で形成されたマスク部材を用いてドライエッチングやウェットエッチングすることにより形成することができる。
Further, a plurality of stacked portions may exist on the substrate. The plurality of stacked portions may be connected in series or parallel, or in series or parallel (that is, a combination of series and parallel). In addition, a plurality of groups of stacked portions connected by wiring portions may exist independently on the substrate.
The stacked portion can be formed by a known method, and as an example, can be formed by a sputtering method. When a plurality of stacked portions are formed, the stacked film formed on the substrate can be formed by dry etching or wet etching using a mask member formed by a photolithography method.
（３）磁化自由層
本実施形態の磁気センサにおける磁化自由層は、外部磁場によって容易に磁化される強磁性材料で主に構成される。磁化自由層は、１つの材料で構成される必要はなく、多層膜であってもよい。強磁性材料としては、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅＳｉＢ、ＣｏＦｅなどが用いられるがこの限りではない。磁気感度向上のため、磁化自由層中にＲｕやＴａなどの非磁性層が挿入された多層膜であることが好ましい。
(3) Free magnetization layer The free magnetization layer in the magnetic sensor of this embodiment is mainly composed of a ferromagnetic material that is easily magnetized by an external magnetic field. The magnetization free layer does not have to be composed of one material, and may be a multilayer film. As the ferromagnetic material, NiFe, CoFeB, CoFeSiB, CoFe and the like are used, but not limited thereto. In order to improve magnetic sensitivity, a multilayer film in which a nonmagnetic layer such as Ru or Ta is inserted in the magnetization free layer is preferable.
（４）非磁性層
本実施形態の磁気センサにおける非磁性層は、非磁性材料で構成される。一般的に、非磁性層には、ＧＭＲ素子の場合はＣｕなどの金属材料が用いられ、ＴＭＲ素子の場合はＡｌ２Ｏ３やＭｇＯ等の絶縁材料が用いられるが、この限りではない。高磁気感度化のため、非磁性層にＭｇＯを利用することが好ましい。
(4) Nonmagnetic layer The nonmagnetic layer in the magnetic sensor of this embodiment is made of a nonmagnetic material. In general, for the GMR element, a metal material such as Cu is used for the nonmagnetic layer, and for the TMR element, an insulating material such as Al 2 O 3 or MgO is used, but this is not restrictive. In order to increase the magnetic sensitivity, it is preferable to use MgO for the nonmagnetic layer.
（５）磁化固定層
本実施形態の磁気センサにおける磁化固定層は、外部磁場によって磁化方向が容易に変化しないように、強磁性材料を主に用いて構成される。磁化固定層は、１つの材料で構成される必要はなく、多層膜であってもよい。一例としては、磁化固定層は、強磁性材料を反強磁性材料でピン止めした構造が用いられる。軟磁性材料としては、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅＳｉＢ、ＣｏＦｅなどが用いられるがこの限りではない。磁気感度向上のため、磁化固定層中にＲｕやＴａなどの非磁性層が挿入された多層膜であることが好ましい。また、反強磁性材料としてＩｒＭｎ、ＰｔＭｎなどが用いられるが、本発明はこの構成に限定されない。
磁化固定層は、第１の方向に磁化が固定されており、平面視において、磁化自由層と重複する位置で、かつ、第２の方向で磁化自由層の面積を２分割する軸から外れた位置、に配置されている。
(5) Magnetization pinned layer The magnetization pinned layer in the magnetic sensor of the present embodiment is mainly composed of a ferromagnetic material so that the magnetization direction is not easily changed by an external magnetic field. The magnetization fixed layer does not need to be composed of one material, and may be a multilayer film. As an example, the fixed magnetization layer has a structure in which a ferromagnetic material is pinned with an antiferromagnetic material. As the soft magnetic material, NiFe, CoFeB, CoFeSiB, CoFe and the like are used, but not limited thereto. In order to improve magnetic sensitivity, a multilayer film in which a nonmagnetic layer such as Ru or Ta is inserted in the magnetization fixed layer is preferable. Further, IrMn, PtMn, or the like is used as an antiferromagnetic material, but the present invention is not limited to this configuration.
The magnetization fixed layer has magnetization fixed in the first direction, and in a plan view, deviated from the axis that divides the area of the magnetization free layer into two in a position overlapping with the magnetization free layer in the second direction. Position.
また、磁化固定層が磁化自由層と重複する位置に複数存在する場合であって、複数の磁化固定層のうちの一部（少なくとも１つ以上）の磁化固定層が、第２の方向で磁化自由層の面積を２分割する軸を覆う位置にある場合でも、この軸を覆う位置にある磁化固定層が、軸を覆わない位置（すなわち、軸から外れた位置）にある磁化固定層と電気的に接続されていなければ、本実施形態に該当する。
磁化自由層と重複する位置に磁化固定層を形成する場合、磁化固定層は、公知の方法で形成することが可能であり、一例としては、フォトリソグラフィー法で形成されたマスク部材を形成し、ドライエッチングなどの技術を用いて不要な磁化固定層を除去することで形成することができる。
In addition, when a plurality of magnetization fixed layers are present at positions overlapping with the magnetization free layer, a part (at least one) of the plurality of magnetization fixed layers is magnetized in the second direction. Even when the area of the free layer covers the axis that bisects the axis, the magnetization fixed layer at the position covering the axis is electrically connected to the magnetization fixed layer at a position that does not cover the axis (ie, a position off the axis). If they are not connected to each other, it corresponds to this embodiment.
When forming the magnetization fixed layer at a position overlapping with the magnetization free layer, the magnetization fixed layer can be formed by a known method, for example, by forming a mask member formed by a photolithography method, It can be formed by removing an unnecessary magnetization fixed layer using a technique such as dry etching.
（６）保護層
本実施形態に係る磁気センサにおける保護層は、配線部と積層部との絶縁を保つために用いる。保護層の材料は積層部と配線部を絶縁可能なものであれば特に制限されず、一例として酸化ケイ素、窒化ケイ素が挙げられる。保護層は積層部の表面全体を覆うように形成され、配線部との接合部分に通電窓（すなわち、開口部）が存在する。本発明において通電窓の位置や形状は限定されない。
(6) Protective layer The protective layer in the magnetic sensor according to the present embodiment is used to maintain insulation between the wiring portion and the laminated portion. The material of the protective layer is not particularly limited as long as it can insulate the laminated portion and the wiring portion, and examples thereof include silicon oxide and silicon nitride. The protective layer is formed so as to cover the entire surface of the laminated portion, and an energization window (that is, an opening) exists at a joint portion with the wiring portion. In the present invention, the position and shape of the energization window are not limited.
（７）配線部
本実施形態に係る磁気センサにおける配線部は、絶縁層上に形成された通電窓を介して電極と積層部とを接続する。また、直列接続、並列接続を行う場合、積層部同士を電気的に接続するためにも用いる。
配線部の材料としては、積層部同士、電極間を電気的に接続することが可能な導電性の材料（例えばＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕなど）であれば特に制限されない。また、配線部は単一の材料からなってもよいし、複数の材料の混合又は積層であってもよい。配線部は公知の方法で形成することが可能であり、一例としては、フォトリソグラフィー法で形成されたマスク部材、及び、積層部の全面に、蒸着法やスパッタリング法により導電性材料を形成し、さらに剥離液を用いてマスク部材を剥離すること（すなわち、リフトオフ法）により形成することができる。基板上に電極を形成する場合、電極も配線部と同一プロセスで作製することができる。
(7) Wiring part The wiring part in the magnetic sensor according to the present embodiment connects the electrode and the laminated part through an energization window formed on the insulating layer. Moreover, when performing serial connection and parallel connection, it uses also for electrically connecting laminated parts.
The material of the wiring part is not particularly limited as long as it is a conductive material (for example, Au, Cu, Cr, Ni, Al, Ta, Ru, etc.) that can electrically connect the laminated parts and the electrodes. . Further, the wiring portion may be made of a single material, or may be a mixture or a laminate of a plurality of materials. The wiring portion can be formed by a known method, for example, a mask member formed by a photolithography method, and a conductive material is formed on the entire surface of the laminated portion by an evaporation method or a sputtering method. Further, it can be formed by peeling the mask member using a peeling solution (ie, lift-off method). When forming an electrode on a substrate, the electrode can also be manufactured in the same process as the wiring portion.
（８）その他
本実施形態に係る磁気センサは、外部から電力を供給するための外部接続配線をさらに備えていてもよい。外部接続配線は、外部端子と電極とを電気的に接続する部材であり、例えば金属細線（ボンディングワイヤー）や、金属バンプ等を用いることができる。
また、本実施形態に係る磁気センサは、第１の方向に平行な磁場を磁化固定層に印加するバイアス磁石をさらに備えていてもよい。例えば、積層部の上方に保護層（絶縁層）を介してバイアス磁石が配置されていてもよい。
(8) Others The magnetic sensor according to the present embodiment may further include external connection wiring for supplying electric power from the outside. The external connection wiring is a member that electrically connects an external terminal and an electrode, and for example, a metal thin wire (bonding wire), a metal bump, or the like can be used.
The magnetic sensor according to the present embodiment may further include a bias magnet that applies a magnetic field parallel to the first direction to the magnetization fixed layer. For example, a bias magnet may be disposed above the stacked portion via a protective layer (insulating layer).
＜具体例＞
以下、本実施形態をより詳細に説明するために、図面を用いて具体例を示す。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
<Specific example>
Hereinafter, in order to explain this embodiment in more detail, a specific example is shown using a drawing. Note that, in each drawing described below, parts having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof is omitted.
（１）構成の一例
（１．１）第１の例
図１は、本実施形態に係る磁気センサ１の構成例を模式的に示す図である。図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＸ１−Ｘ´１間の断面図である。
図１に示す磁気センサ１は、基板１０と、基板１０上に配置された感磁ユニット１１と、を備える。感磁ユニット１１は、外部磁場に応じて磁化が変化する磁化自由層２１と、非磁性層２２と、第１の方向（図１中の矢印の方向であり、紙上で左から右の方向）に磁化が固定された磁化固定層２３と、がこの順で基板１上に配置された積層部２０を有する。平面視において、磁化固定層２３は、磁化自由層２１と重複する位置で、かつ、第１の方向に垂直な第２の方向で磁化自由層２１の面積を２分割する軸（すなわち、直線）Ａ−Ａ’から外れた位置、に配置されている。
なお、図１では、感磁ユニット１１が１つの積層部２０を有する場合を例示している。また、図１では、保護層及び配線部の図示を省略している。さらに、図１では、第１の方向と第２の方向とにそれぞれ垂直な方向として、第３の方向を示している。第３の方向は、磁気センサの厚さの方向に相当する。
(1) Configuration Example (1.1) First Example FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration example of a magnetic sensor 1 according to the present embodiment. FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line X1-X′1 in FIG.
A magnetic sensor 1 shown in FIG. 1 includes a substrate 10 and a magnetic sensing unit 11 disposed on the substrate 10. The magnetosensitive unit 11 includes a magnetization free layer 21 whose magnetization changes in response to an external magnetic field, a nonmagnetic layer 22, and a first direction (the direction of the arrow in FIG. 1 and the direction from left to right on the paper). And a magnetization fixed layer 23 whose magnetization is fixed to each other, and a stacked portion 20 disposed on the substrate 1 in this order. In a plan view, the magnetization fixed layer 23 is an axis (that is, a straight line) that divides the area of the magnetization free layer 21 into two in a second direction perpendicular to the first direction at a position overlapping the magnetization free layer 21. It is arranged at a position deviated from AA ′.
FIG. 1 illustrates the case where the magnetic sensing unit 11 has one laminated portion 20. Moreover, in FIG. 1, illustration of a protective layer and a wiring part is abbreviate | omitted. Further, in FIG. 1, the third direction is shown as a direction perpendicular to the first direction and the second direction, respectively. The third direction corresponds to the thickness direction of the magnetic sensor.
（１．２）第２の例
図２は、本実施形態に係る磁気センサ２の構成例を模式的に示す平面図である。磁気センサ２において、磁気センサ１と異なる点は磁化自由層２１の形状にある。これ以外は、磁気センサ２は磁気センサ１と同じ構成である。平面視において、磁化自由層２１の重心である第１の点（Ｐ１）から磁化自由層２１の外縁までの最長距離をなす方向αと、第１の方向と、がなす角度θ１が４５度以上１３５度以下となっている。重心とは、物体の各部分に働く重力の合力が作用すると考えられる点のことであり、質量中心、又は重力中心とも称される。
(1.2) Second Example FIG. 2 is a plan view schematically showing a configuration example of the magnetic sensor 2 according to the present embodiment. The magnetic sensor 2 is different from the magnetic sensor 1 in the shape of the magnetization free layer 21. Other than this, the magnetic sensor 2 has the same configuration as the magnetic sensor 1. In plan view, an angle θ1 formed by the first direction and the direction α that forms the longest distance from the first point (P1) that is the center of gravity of the magnetization free layer 21 to the outer edge of the magnetization free layer 21 is 45 degrees or more. It is less than 135 degrees. The center of gravity is a point where the resultant force of gravity acting on each part of the object is considered to act, and is also referred to as the center of mass or the center of gravity.
例えば、平面視において、磁化自由層２１は、第１の方向よりも第２の方向に長い長方形となっている。第２の方向に長い長方形とは、第２の方向と、長方形の長手方向とがなす角が４５度未満であることを意味し、好ましくは３０度以下であり、より好ましくは２５度以下である。
このような構成であれば、磁性体内での反磁場の効果が大きくなる。このため、抵抗変化範囲（ダイナミックレンジ）の増大という観点から、磁気センサ１よりも磁気センサ２の方が好ましい場合がある。上記の角度θ１が６０度以上１２０度以下であればより好ましい。なお、図２では、保護層及び配線部の図示を省略している。
For example, in a plan view, the magnetization free layer 21 has a rectangular shape that is longer in the second direction than in the first direction. The long rectangle in the second direction means that the angle formed by the second direction and the longitudinal direction of the rectangle is less than 45 degrees, preferably 30 degrees or less, more preferably 25 degrees or less. is there.
With such a configuration, the effect of the demagnetizing field in the magnetic body is increased. For this reason, the magnetic sensor 2 may be preferable to the magnetic sensor 1 from the viewpoint of increasing the resistance change range (dynamic range). More preferably, the angle θ1 is 60 degrees or more and 120 degrees or less. In FIG. 2, the protective layer and the wiring portion are not shown.
（１．３）第３の例
図３は、本実施形態に係る磁気センサ３の構成例を模式的に示す図である。図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＸ３−Ｘ´３間の断面図である。
磁化自由層２１の磁化状態は、還流磁区構造をとりうる。還流磁区構造とは、各磁区の磁化が等価な方向を向き、磁束の流れが還流する磁区構造のことである。磁化自由層２１の磁化状態が還流磁区構造をとることで、磁極が外に現れず、静磁的に安定な構造となる。後述の図１８（実施例１１、比較例１１）、図２１（実施例１２、比較例１２）も還流磁区構造をとっている。
磁化自由層２１の磁化状態が還流磁区構造をとる場合、ノイズ低減のため面積を確保する観点から、磁化固定層は、平面視で次の条件を満たすように形成されていることが好ましい。
(1.3) Third Example FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a configuration example of the magnetic sensor 3 according to the present embodiment. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line X3-X′3 in FIG.
The magnetization state of the magnetization free layer 21 can take a reflux magnetic domain structure. The return magnetic domain structure is a magnetic domain structure in which the magnetization of each magnetic domain is directed in an equivalent direction and the flow of magnetic flux is returned. When the magnetization state of the magnetization free layer 21 has a reflux magnetic domain structure, the magnetic pole does not appear outside, and a magnetostatically stable structure is obtained. FIG. 18 (Example 11 and Comparative Example 11), which will be described later, and FIG. 21 (Example 12 and Comparative Example 12) also have a reflux magnetic domain structure.
When the magnetization state of the magnetization free layer 21 has a reflux domain structure, the magnetization fixed layer is preferably formed so as to satisfy the following condition in plan view from the viewpoint of securing an area for noise reduction.
すなわち、図３に示すように、平面視において、第１の点（Ｐ１）から磁化固定層２３の外縁までの最長距離をなす、磁化固定層の外縁上の点を第２の点（Ｐ２）とする。また、第２の方向であって第１の点（Ｐ１）を通る軸Ａ−Ａ’からの距離が最短となる磁化固定層２３の外縁上の点であって、第１の点との距離が最長となる点を第３の点（Ｐ３）とする。平面視において、この第２の点（Ｐ２）から第３の点（Ｐ３）への方向βと、第１の方向と、がなす角度θ２が１０度以上１７０度以下であることが好ましい。例えば、平面視において、磁化固定層２３の形状は台形である。なお、図３では、保護層及び配線部の図示を省略している。 That is, as shown in FIG. 3, in plan view, the point on the outer edge of the magnetization fixed layer that forms the longest distance from the first point (P1) to the outer edge of the magnetization fixed layer 23 is the second point (P2). And Further, it is a point on the outer edge of the magnetization fixed layer 23 that has the shortest distance from the axis AA ′ passing through the first point (P1) in the second direction, and the distance from the first point. Is the third point (P3). In plan view, an angle θ2 formed by the direction β from the second point (P2) to the third point (P3) and the first direction is preferably 10 degrees or more and 170 degrees or less. For example, in plan view, the magnetization fixed layer 23 has a trapezoidal shape. In FIG. 3, illustration of the protective layer and the wiring portion is omitted.
（１．４）第４の例
図４は、本実施形態に係る磁気センサ４の構成例を模式的に示す断面図である。図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＸ４−Ｘ´４間の断面図である。
本実施形態では、積層部２０を直列、または並列に接続するため、図４に示すように、平面視において、磁化自由層２１と重複する位置に２つ以上の磁化固定層２３が存在している。すなわち、磁化自由層２１の一方の面側に複数の磁化固定層２３が配置されている。なお、図４では、保護層及び配線部の図示を省略している。
(1.4) Fourth Example FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of the magnetic sensor 4 according to the present embodiment. 4A is a plan view, and FIG. 4B is a cross-sectional view between X4 and X′4 in FIG. 4A.
In the present embodiment, since the stacked portions 20 are connected in series or in parallel, as shown in FIG. 4, two or more magnetization fixed layers 23 exist at positions overlapping the magnetization free layer 21 in a plan view. Yes. That is, a plurality of magnetization fixed layers 23 are arranged on one surface side of the magnetization free layer 21. In FIG. 4, illustration of the protective layer and the wiring portion is omitted.
図５は、磁気センサ４が備える複数の感磁ユニット１１を直列に接続する場合を模式的に示す図であり、図５（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるＸ５−Ｘ´５間の断面図である。
図５に示すように、磁気センサ４は複数の感磁ユニット１１を有する。そして、これら複数の感磁ユニット１１は、配線部４０によって直列接続される。通電の際、電流は、配線部４０→（第１の）感磁ユニット１１→配線部４０→（第２の）感磁ユニット１１→配線部４０→…の順で流れる。
FIG. 5 is a diagram schematically showing a case where a plurality of magnetic sensing units 11 included in the magnetic sensor 4 are connected in series, FIG. 5A is a plan view, and FIG. 5B is a diagram in FIG. It is sectional drawing between X5-X'5 in a).
As shown in FIG. 5, the magnetic sensor 4 has a plurality of magnetic sensing units 11. The plurality of magnetic sensing units 11 are connected in series by the wiring portion 40. At the time of energization, the current flows in the order of the wiring section 40 → (first) magnetic sensing unit 11 → wiring section 40 → (second) magnetic sensing unit 11 → wiring section 40 →.
また、各感磁ユニット１１の内部では、非磁性層２２による接合界面を介して、配線部４０→磁化自由層２１→配線部４０→…の順で流れる。すなわち、配線部４０→磁化固定層２３→非磁性層２２→磁化自由層２１→非磁性層２２→磁化固定層２３→配線部４０→…の順で流れる。なお、配線部４０の幅は特に限定されない。
図６は、磁気センサ４が備える複数の積層部２０を並列に接続する場合を模式的に示す平面図である。図６に示すように、複数の積層部２０は、２つ以上の磁化固定層２３が同一の配線部４０で覆われることにより、並列に接続される。
本実施形態では、図５又は図６に示したように、電気的に接続された磁化固定層２３が軸Ａ−Ａ’から外れた位置（すなわち、軸Ａ−Ａ’を覆わない位置）にあれば、その位置や数は制限されない。なお、図５（ａ）、図６では、保護層３０の図示を省略している。
Further, in each magnetic sensing unit 11, it flows in the order of the wiring part 40 → the magnetization free layer 21 → the wiring part 40 →... Via the bonding interface by the nonmagnetic layer 22. That is, the current flows in the order of the wiring part 40 → the magnetization fixed layer 23 → the nonmagnetic layer 22 → the magnetization free layer 21 → the nonmagnetic layer 22 → the magnetization fixed layer 23 → the wiring part 40 →. The width of the wiring part 40 is not particularly limited.
FIG. 6 is a plan view schematically showing a case where a plurality of stacked portions 20 included in the magnetic sensor 4 are connected in parallel. As shown in FIG. 6, the plurality of stacked units 20 are connected in parallel by covering two or more magnetization fixed layers 23 with the same wiring unit 40.
In the present embodiment, as shown in FIG. 5 or FIG. 6, the electrically connected magnetization fixed layer 23 is at a position off the axis AA ′ (that is, a position not covering the axis AA ′). If there is, the position and number are not limited. In addition, illustration of the protective layer 30 is abbreviate | omitted in Fig.5 (a) and FIG.
（１．５）第５の構成例
図７は、本実施形態に係る磁気センサ５の構成例を模式的に示す断面図である。図７（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）におけるＸ７−Ｘ´７間の断面図である。図７に示すように、本実施形態では、磁化固定層２３が基板１０側に存在していてもよい。この場合、磁化自由層２１と基板１０との間に保護層（絶縁層）３１が配置されていてもよい。なお、図７では、保護層及び配線部の図示を省略している。
(1.5) Fifth Configuration Example FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of the magnetic sensor 5 according to this embodiment. FIG. 7A is a plan view, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line X7-X'7 in FIG. 7A. As shown in FIG. 7, in this embodiment, the magnetization fixed layer 23 may exist on the substrate 10 side. In this case, a protective layer (insulating layer) 31 may be disposed between the magnetization free layer 21 and the substrate 10. In FIG. 7, the protective layer and the wiring portion are not shown.
（１．６）第６の構成例
図８は、本実施形態に係る磁気センサ６の構成例を模式的に示す断面図である。図８（ａ）は平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）におけるＸ８−Ｘ´８間の断面図である。本実施形態において、磁化自由層２１の平面視による形状は、矩形（正方形、長方形等）に限定されない。例えば図８に示すように、磁化自由層２１の平面視による形状は円形（楕円、正円等）であってもよい。また、図示しないが、磁化自由層２１の平面視による形状は、矩形、円形以外の形であってもよい。なお、図８では、保護層及び配線部の図示を省略している。
以上に記載した第１〜第６の構成例は任意に組み合わせてもよい。そのように組み合わせた態様も、本実施形態に含まれる。
(1.6) Sixth Configuration Example FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of the magnetic sensor 6 according to this embodiment. 8A is a plan view, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line X8-X'8 in FIG. 8A. In the present embodiment, the shape of the magnetization free layer 21 in plan view is not limited to a rectangle (such as a square or a rectangle). For example, as shown in FIG. 8, the shape of the magnetization free layer 21 in plan view may be a circle (an ellipse, a perfect circle, etc.). Although not shown, the shape of the magnetization free layer 21 in plan view may be a shape other than a rectangle or a circle. In FIG. 8, illustration of the protective layer and the wiring portion is omitted.
The first to sixth configuration examples described above may be arbitrarily combined. Such a combined aspect is also included in the present embodiment.
（２）製造方法の一例
次に、本実施形態に係る磁気センサ４の製造方法について説明する。
図９は、本実施形態に係る磁気センサ４の製造方法を工程順に示す断面図である。
図９（ａ）に示すように、まず基板１０上にマグネトロンスパッタ法などの公知の方法で積層膜２０’を製膜する。次に、この積層膜２０’上にフォトリソグラフィー法等により第１のマスク部材５０を形成する。第１のマスク部材５０は、積層膜２０’上に所望の箇所に所望の形状で形成してよい。そして、この第１のマスク部材５０をマスクに、ドライエッチング等の公知の方法で積層膜２０’をエッチングして分離する。これにより、図９（ｂ）に示すように、複数の分離された積層膜２０’を基板１０上に形成する。その後、第１のマスク部材５０を除去する。
(2) Example of Manufacturing Method Next, a manufacturing method of the magnetic sensor 4 according to this embodiment will be described.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the magnetic sensor 4 according to this embodiment in the order of steps.
As shown in FIG. 9A, first, a laminated film 20 ′ is formed on the substrate 10 by a known method such as a magnetron sputtering method. Next, a first mask member 50 is formed on the laminated film 20 ′ by photolithography or the like. The first mask member 50 may be formed in a desired shape at a desired location on the laminated film 20 ′. Then, using the first mask member 50 as a mask, the stacked film 20 ′ is etched and separated by a known method such as dry etching. As a result, as shown in FIG. 9B, a plurality of separated laminated films 20 ′ are formed on the substrate 10. Thereafter, the first mask member 50 is removed.
次に、フォトリソグラフィー法等により、磁化固定層２３を形成するための第２のマスク部材５１を形成する。そして、この第２のマスク部材５１をマスクに、ドライエッチング等の公知の方法で、磁化固定層２３をエッチングする。この時、第２のマスク部材５１に覆われていない非磁性層２２の一部またはすべてがエッチングされてもよい。さらに、第２のマスク部材５１に覆われていない磁化自由層２１の一部がエッチングされてもよい。これにより、図９（ｃ）に示すように、磁化固定層２３を磁化自由層２１と重複する位置に形成し、複数の積層部２０を基板１０上に形成する。その後、第２のマスク部材５１を除去する。 Next, a second mask member 51 for forming the magnetization fixed layer 23 is formed by photolithography or the like. Then, using the second mask member 51 as a mask, the magnetization fixed layer 23 is etched by a known method such as dry etching. At this time, a part or all of the nonmagnetic layer 22 that is not covered by the second mask member 51 may be etched. Furthermore, a part of the magnetization free layer 21 that is not covered by the second mask member 51 may be etched. As a result, as shown in FIG. 9C, the magnetization fixed layer 23 is formed at a position overlapping the magnetization free layer 21, and a plurality of stacked portions 20 are formed on the substrate 10. Thereafter, the second mask member 51 is removed.
次に、複数の積層部２０上の全面にＰＣＶＤ法など公知の方法を利用して絶縁膜を成膜する。次に、フォトリソグラフィー法等により、配線部との接続のための通電窓を形成したい部分を露出し、それ以外の領域を覆う第３のマスク部材５２を絶縁膜上に形成する。そして、この第３のマスク部材５２をマスクに、ドライエッチング等の公知の方法で絶縁膜をエッチングする。これにより、配線部との接続のための通電窓３０ａを有する保護層（絶縁層）３０を形成する。その後、第３のマスク部材５２を除去する。
次に、図９（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、配線部が形成される領域と電極が形成される領域とを露出し、それ以外の領域を覆う第４のマスク部材５３を保護層３０上に形成する。そして、この第４のマスク部材５３をマスクに配線部及び端部電極の材料となる導電膜（例えば、金属膜）を基板１０の上方に成膜する。その後、リフトオフ法等の公知の方法により第４のマスク部材５３を除去し、配線部及び電極を形成する。その後、必要に応じて、全体を保護し、電極部のみ開口した保護層（絶縁層）を成膜してもよい。
Next, an insulating film is formed on the entire surface of the plurality of stacked portions 20 by using a known method such as a PCVD method. Next, a third mask member 52 is formed on the insulating film by exposing the portion where the energization window for connection to the wiring portion is to be formed by photolithography or the like and covering the other region. Then, using the third mask member 52 as a mask, the insulating film is etched by a known method such as dry etching. Thereby, the protective layer (insulating layer) 30 having the energization window 30a for connection with the wiring portion is formed. Thereafter, the third mask member 52 is removed.
Next, as shown in FIG. 9D, a fourth mask member 53 that exposes the region where the wiring part is formed and the region where the electrode is formed and covers the other region by photolithography or the like. Is formed on the protective layer 30. Then, using the fourth mask member 53 as a mask, a conductive film (for example, a metal film) serving as a material for the wiring portion and the end electrode is formed on the substrate 10. Thereafter, the fourth mask member 53 is removed by a known method such as a lift-off method, and a wiring portion and an electrode are formed. Thereafter, if necessary, a protective layer (insulating layer) may be formed by protecting the whole and opening only the electrode portion.
次に、磁化固定層２３の磁化を第１の方向に固定するため、第１の方向に磁場をかけながら熱処理を行う。この時、磁化固定層２３と磁化自由層２１の磁化方向を直交化させるため、まず第２の方向に磁場をかけながら第１の熱処理を行い、その後、第１の熱処理よりも低い温度で、第１の方向に磁場をかけながら第２の熱処理を行ってもよい。第１、第２の熱処理の温度はそれぞれ２５０℃以上４００℃以下が好ましい。熱処理（第１、第２の熱処理）後、めっき膜やバイアス磁石をさらにその上に形成してもよい。
以上の工程により本実施形態に係る磁気センサ４を得ることができる。
Next, in order to fix the magnetization of the magnetization fixed layer 23 in the first direction, heat treatment is performed while applying a magnetic field in the first direction. At this time, in order to orthogonalize the magnetization directions of the magnetization fixed layer 23 and the magnetization free layer 21, first, the first heat treatment is performed while applying a magnetic field in the second direction, and then at a temperature lower than that of the first heat treatment, The second heat treatment may be performed while applying a magnetic field in the first direction. The temperature of the first and second heat treatment is preferably 250 ° C. or more and 400 ° C. or less, respectively. After the heat treatment (first and second heat treatment), a plating film or a bias magnet may be further formed thereon.
The magnetic sensor 4 according to this embodiment can be obtained through the above steps.
＜実施形態の効果＞
本発明の実施形態によれば、平面視において、第１の方向に磁化が固定された磁化固定層２３が、磁化自由層２１と重複する位置で、かつ、第２の方向で磁化自由層２１の面積を２分割する軸Ａ−Ａ’から外れた位置に配置される。これにより、後述の図１３（比較例１）、図１４（比較例２）に示した磁気センサと比べて、磁気センサの検出可能な磁場範囲（ダイナミックレンジ）増大させることができる。
<Effect of embodiment>
According to the embodiment of the present invention, in a plan view, the magnetization fixed layer 23 whose magnetization is fixed in the first direction overlaps with the magnetization free layer 21 and the magnetization free layer 21 in the second direction. Is arranged at a position deviated from the axis AA ′ that divides the area of the area into two. Thereby, compared with the magnetic sensor shown in FIG. 13 (Comparative Example 1) and FIG. 14 (Comparative Example 2) which will be described later, the magnetic field range (dynamic range) detectable by the magnetic sensor can be increased.
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１〜４と比較例１、２では、磁化固定層の位置の違いによる、抵抗変化範囲について検討した。
また、実施例１１、１２と比較例１１、１２では、磁化自由層の磁区構造観察を行い、抵抗変化因について考察した。
Examples of the present invention will be described below.
In Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2, the resistance change range due to the difference in the position of the magnetization fixed layer was examined.
In Examples 11 and 12 and Comparative Examples 11 and 12, the domain structure of the magnetization free layer was observed and the resistance change factor was considered.
＜抵抗変化範囲＞
本実施例、比較例における検出可能な磁場範囲（抵抗変化範囲）は、抵抗値が最大になるときの外部磁場と、抵抗値が最小になるときの外部磁場の差分であり、抵抗が最大、または最小になるときの外部磁場をゼロ磁場周辺の大きく抵抗変化する領域における１次近似直線と、抵抗が最大または最小となり、変化しなくなった領域における近似直線との交点として算出した。
<Resistance change range>
In this example and the comparative example, the detectable magnetic field range (resistance change range) is the difference between the external magnetic field when the resistance value becomes maximum and the external magnetic field when the resistance value becomes minimum, and the resistance is maximum, Alternatively, the external magnetic field at the time of the minimum is calculated as the intersection of the primary approximate line in the region where the resistance changes greatly around the zero magnetic field and the approximate line in the region where the resistance becomes the maximum or minimum and no longer changes.
＜実施例１＞
まず実施例１について説明する。
［軸方向の定義］
説明の簡単化のため軸方向を以下のように定義する。（図１６参照）
ｘ方向：磁化固定層２３の磁化方向であり、第１の方向
ｙ方向：平面視において第１の方向に垂直な第２の方向
ｚ方向：ｘ方向、ｙ方向に垂直な第３の方向
<Example 1>
First, Example 1 will be described.
[Definition of axial direction]
To simplify the explanation, the axial direction is defined as follows. (See Figure 16)
x direction: magnetization direction of the magnetization fixed layer 23, first direction y direction: second direction perpendicular to the first direction in plan view z direction: third direction perpendicular to the x direction and y direction
［座標の定義］
説明の簡単化のため、平面視で、磁化自由層２１における各位置の座標を以下のように定義する。
（０．０）：磁化自由層２１の重心の座標位置（図１６参照）、基準座標とする
（ｘ，ｙ）：
ｘ：磁化自由層２１におけるｘ方向の座標位置
ｙ：磁化自由層２１におけるｙ方向の座標位置
なお、ｘ、ｙの単位はμｍとする。
[Definition of coordinates]
For simplification of description, the coordinates of each position in the magnetization free layer 21 are defined as follows in plan view.
(0.0): Coordinate position of the center of gravity of the magnetization free layer 21 (see FIG. 16), set as reference coordinates (x, y):
x: coordinate position in the x direction in the magnetization free layer 21 y: coordinate position in the y direction in the magnetization free layer 21 The unit of x and y is μm.
［磁気センサの形成と測定］
図１０は、実施例１に係る磁気センサの構成例を模式的に示す平面図である。
図１０に示す実施例１では、表面にＳｉＯ２が１μｍ程度製膜された基板１０上に、シード層としてＴａ、磁化自由層２１としてＮｉＦｅ、Ｒｕ、ＣｏＦｅＢ、非磁性層としてＭｇＯ、磁化固定層２３としてＣｏＦｅＢ、Ｒｕ、ＣｏＦｅ、キャップ層としてＴａ、Ｒｕをこの順で積層し、積層膜を形成した。
次にこの積層膜上にフォトリソグラフィー法により、１００μｍ角のサイズの第１のマスク部材を複数形成した。次に、ＥＣＲプラズマエッチング装置を用いて、第１のマスク部材で覆われていない積層膜を除去し、１００μｍ角サイズの分離された積層膜を複数形成した。その後、第１のマスク部材を除去した。
[Formation and measurement of magnetic sensor]
FIG. 10 is a plan view schematically illustrating a configuration example of the magnetic sensor according to the first embodiment.
In Example 1 shown in FIG. 10, Ta is used as a seed layer, NiFe, Ru, CoFeB is used as a magnetization free layer 21, MgO is used as a nonmagnetic layer, and a magnetization fixed layer is formed on a substrate 10 having a SiO 2 film formed on the surface thereof. CoFeB, Ru, CoFe as 23 and Ta and Ru as the cap layers were laminated in this order to form a laminated film.
Next, a plurality of first mask members having a size of 100 μm square were formed on the laminated film by photolithography. Next, using an ECR plasma etching apparatus, the laminated film not covered with the first mask member was removed, and a plurality of separated laminated films having a size of 100 μm square were formed. Thereafter, the first mask member was removed.
次に、フォトリソグラフィー法により、磁化固定層２３を形成するための第２のマスク部材を、分離された複数の積層膜すべての上に２つずつ形成した。２つの第２のマスク部材を１０μｍ角のサイズに形成するとともに、その重心が磁化自由層２１の（−４０，２５）、（−４０，−２５）の座標位置にそれぞれ位置するように形成した。次に、ＥＣＲプラズマエッチング装置を用いて、第２のマスク部材で覆われていない積層膜を非磁性層まで除去した。これにより、複数の積層部を基板１０上に形成した。その後、第２のマスク部材を除去した。 Next, two second mask members for forming the magnetization fixed layer 23 were formed on each of the plurality of separated laminated films by photolithography. The two second mask members are formed to a size of 10 μm square, and the center of gravity is formed to be positioned at the coordinate positions of (−40, 25) and (−40, −25) of the magnetization free layer 21. . Next, the multilayer film not covered with the second mask member was removed to the nonmagnetic layer using an ECR plasma etching apparatus. As a result, a plurality of stacked portions were formed on the substrate 10. Thereafter, the second mask member was removed.
次に、複数の積層部が形成された基板１０上に、ＳｉＯ２からなる保護膜を成膜した。次に、通電窓作製のためフォトリソグラフィー法により、すべての磁化固定層２３の中央付近のみ露出し、それ以外の領域を覆う第３のマスク部材を保護膜上に形成した。そして、この第３のマスク部材をマスクに、ＲＩＥエッチング装置を用いて保護膜の露出部分をエッチングした。これにより、配線部との接続のための通電窓を有する保護層を形成した。その後、第３のマスク部材を除去した。
次に、フォトリソグラフィー法により、各通電窓を直列に接続するような配線部が形成される領域と、電極が形成される領域とを露出し、それ以外の領域を覆う第４のマスク部材を保護層３０上に形成した。次に、マグネトロンスパッタ装置を用いて全面に金属膜を積層した。その後、リフトオフ法により第４のマスク部材を除去し、金属膜から配線部４０及び電極を形成した。
次に、磁場中熱処理装置を用いて、ｙ方向に磁場をかけながら３２５℃で１時間熱処理（第１の熱処理）を行った。その後さらに、ｘ方向に磁場をかけながら３００℃で２０分熱処理（第２の熱処理）を行った。以上の処理により、磁気センサを作製した。
作製した磁気センサに１００ｍＶの電圧をかけながら、ｘ方向から外部磁場を−５０Ｏｅ〜５０Ｏｅまで変化させ、磁気抵抗変化の測定を行った。
Next, a protective film made of SiO 2 was formed on the substrate 10 on which a plurality of stacked portions were formed. Next, a third mask member that was exposed only near the center of all the magnetization fixed layers 23 and covered the other region was formed on the protective film by photolithography to produce a current-carrying window. Then, using the third mask member as a mask, the exposed portion of the protective film was etched using an RIE etching apparatus. Thus, a protective layer having an energization window for connection with the wiring portion was formed. Thereafter, the third mask member was removed.
Next, a photolithography method is used to expose a region where a wiring portion that connects each energization window in series and a region where an electrode is formed, and a fourth mask member that covers the other region. It was formed on the protective layer 30. Next, a metal film was laminated on the entire surface using a magnetron sputtering apparatus. Thereafter, the fourth mask member was removed by a lift-off method, and the wiring portion 40 and the electrode were formed from the metal film.
Next, using a heat treatment apparatus in a magnetic field, heat treatment (first heat treatment) was performed at 325 ° C. for 1 hour while applying a magnetic field in the y direction. Thereafter, heat treatment (second heat treatment) was performed at 300 ° C. for 20 minutes while applying a magnetic field in the x direction. The magnetic sensor was produced by the above process.
While applying a voltage of 100 mV to the produced magnetic sensor, the external magnetic field was changed from −50 Oe to 50 Oe from the x direction, and the magnetoresistance change was measured.
＜実施例２＞
次に実施例２について説明する。
図１１は、実施例２に係る磁気センサの構成例を模式的に示す平面図である。
図１１に示す実施例２では、磁化固定層２３を形成する際、２つの第２のマスク部材を１０μｍ角のサイズに形成するとともに、その重心が磁化自由層２１の（４０，２５）、（４０，−２５）の座標位置にそれぞれ位置するように形成した。これ以外は、実施例１と同様の方法で、磁気センサの形成と、磁気抵抗変化の測定とを行った。
<Example 2>
Next, Example 2 will be described.
FIG. 11 is a plan view schematically illustrating a configuration example of the magnetic sensor according to the second embodiment.
In Example 2 shown in FIG. 11, when the magnetization fixed layer 23 is formed, the two second mask members are formed to a size of 10 μm square, and the center of gravity is (40, 25), ( 40, -25). Other than this, the formation of the magnetic sensor and the measurement of the magnetoresistance change were performed in the same manner as in Example 1.
＜実施例３＞
次に実施例３について説明する。
図１２は、実施例３に係る磁気センサの構成例を模式的に示す平面図である。
図１２に示す実施例３では、磁化固定層２３を形成する際、２つの第２のマスク部材を１０μｍ角のサイズに形成するとともに、その重心が磁化自由層２１の（−４０，０）、（４０，０）の座標位置にそれぞれ位置するように形成した。これ以外は、実施例１と同様の方法で、磁気センサの形成と、磁気抵抗変化の測定とを行った。
<Example 3>
Next, Example 3 will be described.
FIG. 12 is a plan view schematically illustrating a configuration example of the magnetic sensor according to the third embodiment.
In Example 3 shown in FIG. 12, when the magnetization fixed layer 23 is formed, the two second mask members are formed to a size of 10 μm square, and the center of gravity is (−40, 0) of the magnetization free layer 21. It was formed so as to be located at the coordinate position of (40, 0). Other than this, the formation of the magnetic sensor and the measurement of the magnetoresistance change were performed in the same manner as in Example 1.
＜実施例４＞
次に実施例４について説明する。
図１３は、実施例４に係る磁気センサの構成例を模式的に示す平面図である。
図１３に示す実施例４では、磁化固定層２３を形成する際、複数の第２のマスク部材を１５μｍ角のサイズに形成するとともに、その重心が磁化自由層２１の（−３７．５，１５．５）、（−３７．５，３５．５）、（−３７．５，−１５．５）、（−３７．５，−３５．５）の座標位置にそれぞれ位置するように形成した。また、配線部４０を形成する際は、２つずつ磁化固定層２３を並列接続し、各磁化自由層２１は直列に接続した。これ以外は、実施例１と同様の方法で、磁気センサの形成と、磁気抵抗変化の測定とを行った。
<Example 4>
Next, Example 4 will be described.
FIG. 13 is a plan view schematically illustrating a configuration example of the magnetic sensor according to the fourth embodiment.
In Example 4 shown in FIG. 13, when the magnetization fixed layer 23 is formed, a plurality of second mask members are formed in a size of 15 μm square, and the center of gravity is (−37.5, 15 of the magnetization free layer 21). .5), (-37.5, 35.5), (-37.5, -15.5), and (-37.5, -35.5). Further, when forming the wiring part 40, the magnetization fixed layers 23 were connected in parallel two by two, and the magnetization free layers 21 were connected in series. Other than this, the formation of the magnetic sensor and the measurement of the magnetoresistance change were performed in the same manner as in Example 1.
＜比較例１＞
次に、比較例１について説明する。
図１４は、比較例１に係る磁気センサの構成を模式的に示す平面図である。
図１４に示す比較例１では、磁化固定層２３を形成する際、２つの第２のマスク部材５１を１０μｍ角のサイズに形成するとともに、その重心が磁化自由層２１の（０，２５）、（０，−２５）の座標位置にそれぞれ位置するように形成した。これ以外は、実施例１と同様の方法で、磁気センサの形成と、磁気抵抗変化の測定とを行った。
<Comparative Example 1>
Next, Comparative Example 1 will be described.
FIG. 14 is a plan view schematically showing the configuration of the magnetic sensor according to the first comparative example.
In Comparative Example 1 shown in FIG. 14, when the magnetization fixed layer 23 is formed, the two second mask members 51 are formed in a size of 10 μm square, and the center of gravity is (0, 25) of the magnetization free layer 21. It formed so that it might each be located in the coordinate position of (0, -25). Other than this, the formation of the magnetic sensor and the measurement of the magnetoresistance change were performed in the same manner as in Example 1.
＜比較例２＞
次に比較例２について説明する。
図１５は、比較例２に係る磁気センサの構成を模式的に示す平面図である。
図１５に示す比較例２では、磁化固定層２３を形成する際、１０個のうち５個の磁化自由層２１について、ｙ方向で磁化自由層２１の面積を２分割する軸Ａ−Ａ’上に４つの第２のマスク部材を１５μｍ角のサイズで形成した。また、配線部４０を形成する際は、２つずつ磁化固定層２３を並列接続し、各磁化自由層２１は直列に接続した。これ以外は、実施例１と同様の方法で、磁気センサの形成と、磁気抵抗変化の測定とを行った。
<Comparative example 2>
Next, Comparative Example 2 will be described.
FIG. 15 is a plan view schematically showing the configuration of the magnetic sensor according to the second comparative example.
In Comparative Example 2 shown in FIG. 15, when the magnetization fixed layer 23 is formed, five of the ten magnetization free layers 21 are on the axis AA ′ that divides the area of the magnetization free layer 21 into two in the y direction. Four second mask members were formed in a size of 15 μm square. Further, when forming the wiring part 40, the magnetization fixed layers 23 were connected in parallel two by two, and the magnetization free layers 21 were connected in series. Other than this, the formation of the magnetic sensor and the measurement of the magnetoresistance change were performed in the same manner as in Example 1.
＜実施例、比較例の比較＞
上述の実施例１〜４及び比較例１、２の各パラメータを表１に示す。
また、実施例１と比較例１の磁気抵抗曲線を図１７に示す。図１７の横軸は外部磁場を示し、縦軸は抵抗変化率を示している。
<Comparison of Examples and Comparative Examples>
Table 1 shows the parameters of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 described above.
Moreover, the magnetoresistive curves of Example 1 and Comparative Example 1 are shown in FIG. In FIG. 17, the horizontal axis represents the external magnetic field, and the vertical axis represents the resistance change rate.
表１に各実施例、比較例の抵抗変化範囲を示す。前述のように、実施例と比較例の違いは磁化固定層の位置のみである。表１に示すように、本発明の実施例１〜４はいずれも比較例１、２よりも抵抗変化範囲が広いことが分かり、明らかに本発明の効果があることが分かる。 Table 1 shows the resistance change range of each example and comparative example. As described above, the only difference between the example and the comparative example is the position of the magnetization fixed layer. As shown in Table 1, it can be seen that each of Examples 1 to 4 of the present invention has a wider resistance change range than Comparative Examples 1 and 2, and clearly shows the effect of the present invention.
＜磁区構造観察＞
本発明の抵抗変化の原理は、すでに公知である、ＧＭＲ効果（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｅｆｆｅｃｔ）またはＴＭＲ効果（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｅｆｆｅｃｔ）によるものである。ＴＭＲ効果による抵抗値の変化は、磁化自由層の磁化と磁化固定層の磁化の相対角の変化によるものであり、これらの界面において抵抗が変化する。本発明は、磁化自由層の一部と磁化固定層が重複した位置にあることから、磁化固定層と重複した位置の磁化自由層の磁化状態で決定されると推測できる。そこで、本発明による抵抗変化範囲の増大は、磁化自由層の磁区構造に由来するものであると考え、これを確かめるために磁区観察顕微鏡を用いて磁化自由層の磁化状態を確認した。
<Magnetic domain structure observation>
The principle of the resistance change of the present invention is based on the GMR effect (Giant Magneto Resistance effect) or the TMR effect (Tunnel Magneto Resistance effect) which is already known. The change in resistance value due to the TMR effect is due to a change in the relative angle between the magnetization of the magnetization free layer and the magnetization of the magnetization fixed layer, and the resistance changes at these interfaces. In the present invention, since a part of the magnetization free layer and the magnetization fixed layer overlap each other, it can be estimated that the magnetization is determined by the magnetization state of the magnetization free layer at the position overlapping with the magnetization fixed layer. Therefore, the increase in the resistance change range according to the present invention is considered to be derived from the magnetic domain structure of the magnetization free layer, and in order to confirm this, the magnetization state of the magnetization free layer was confirmed using a magnetic domain observation microscope.
磁区観察顕微鏡は、縦Ｋｅｒｒ効果を用いて光学的に磁化の向きを検出するための機器であり、入射光と平行な磁化の量に応じて、コントラストが変化する。順平行、反平行がそれぞれ白、黒に対応し、それ以外は磁化方向の向きに応じた明るさの灰色となる。すなわち、所望領域の平均コントラスト値をとることで、相対的な磁化状態の比較が可能となる。そこで磁化自由層のみのサンプルを作製して磁化自由層表面を観察し、一部の領域の平均コントラスト値を抜き出して比較することで、磁化状態の領域依存性を確認した。 The magnetic domain observation microscope is a device for optically detecting the direction of magnetization using the longitudinal Kerr effect, and the contrast changes according to the amount of magnetization parallel to incident light. Forward-parallel and anti-parallel correspond to white and black, respectively, and the others are gray in brightness according to the direction of the magnetization direction. That is, by taking the average contrast value of the desired region, it is possible to compare the relative magnetization states. Therefore, a sample of only the magnetization free layer was prepared, the surface of the magnetization free layer was observed, and the average contrast value of a part of the regions was extracted and compared to confirm the region dependence of the magnetization state.
＜実施例１１＞
実施例１１について説明する。
［磁区観察用素子の形成と測定］
磁区観察は、磁化自由層表面の観察を行うため、実施例、比較例の素子構造では測定できない。そこで、磁化自由層２１のみを持つ素子を作製した。
まず実施例１と同様の手順で、１００μｍ角サイズの分離された積層膜を形成した。次に、ＥＣＲプラズマエッチング装置を用いて、積層膜を非磁性層２２まで除去した。次に、ＴＥＯＳ−ＣＶＤを利用し、ＳｉＯ２からなる保護膜を成膜した。
<Example 11>
Example 11 will be described.
[Formation and measurement of magnetic domain observation element]
In the magnetic domain observation, since the surface of the magnetization free layer is observed, the element structures of the examples and comparative examples cannot be measured. Therefore, an element having only the magnetization free layer 21 was produced.
First, a separated laminated film having a 100 μm square size was formed in the same procedure as in Example 1. Next, the laminated film was removed up to the nonmagnetic layer 22 using an ECR plasma etching apparatus. Next, a protective film made of SiO 2 was formed using TEOS-CVD.
次に、磁場中熱処理装置を用いて、ｙ方向に磁場をかけながら３２５℃で１時間熱処理（第１の熱処理）を行った。その後さらに、ｘ方向に磁場をかけながら３００℃で２０分熱処理（第２の熱処理）を行った。以上の処理により、磁区観察用素子を作製した。
次に、磁区観察顕微鏡を用いて、ｘ方向に−２０Ｏｅ〜２０Ｏｅを印加したときの、作製した磁区観察用素子の縦Ｋｅｒｒ効果による磁区像（図１８）を取得した。その後、解析ソフトを用いて、磁化自由層２１の（−３０，２５）の座標位置を重心とした、１０μｍ角サイズの領域（図１８のａ位置）の平均コントラスト値を取得した。
Next, using a heat treatment apparatus in a magnetic field, heat treatment (first heat treatment) was performed at 325 ° C. for 1 hour while applying a magnetic field in the y direction. Thereafter, heat treatment (second heat treatment) was performed at 300 ° C. for 20 minutes while applying a magnetic field in the x direction. The magnetic domain observation element was produced by the above processing.
Next, the magnetic domain image (FIG. 18) by the vertical Kerr effect of the produced magnetic domain observation element when -20 Oe to 20 Oe was applied in the x direction was obtained using a magnetic domain observation microscope. After that, using the analysis software, an average contrast value of a 10 μm square size region (a position in FIG. 18) with the coordinate position (−30, 25) of the magnetization free layer 21 as the center of gravity was obtained.
＜実施例１２＞
次に実施例１２について説明する。実施例１２では、磁化自由層２１のｘ方向長さを６０μｍ、ｙ方向長さを１４０μｍとして形成した。これ以外は、実施例１１と同様の方法で、磁区観察用素子の形成と、磁区像（図２１）の取得及び測定を行い、磁化自由層２１の（−２５，０）の座標位置における、１０μｍ角サイズの領域（図２１のＤ位置）の平均コントラスト値を取得した。
<Example 12>
Next, Example 12 will be described. In Example 12, the magnetization free layer 21 was formed with a length in the x direction of 60 μm and a length in the y direction of 140 μm. Except for this, the formation of the magnetic domain observation element, the acquisition and measurement of the magnetic domain image (FIG. 21) were performed in the same manner as in Example 11, and the (−25, 0) coordinate position of the magnetization free layer 21 was The average contrast value of a 10 μm square size region (D position in FIG. 21) was obtained.
＜比較例１１＞
実施例１１と同様の磁区像において、磁化自由層２１の（０，２５）の座標位置における、１０μｍ角サイズの領域（図１８のｂ位置）の平均コントラスト値を取得した。
＜比較例１２＞
実施例１２と同様の磁区像において、磁化自由層２１の（０，５５）の座標位置における、１０μｍ角サイズの領域（図２１のＣ位置）の平均コントラスト値を取得した。
<Comparative Example 11>
In the same magnetic domain image as in Example 11, the average contrast value of the 10 μm square size region (position b in FIG. 18) at the (0, 25) coordinate position of the magnetization free layer 21 was obtained.
<Comparative Example 12>
In the same magnetic domain image as in Example 12, the average contrast value of the 10 μm square size region (position C in FIG. 21) at the (0, 55) coordinate position of the magnetization free layer 21 was obtained.
＜磁区観察結果の比較＞
実施例１１、比較例１１、実施例１２、比較例１２の平均コントラスト値を縦軸、その時の印加磁場を横軸としてプロットしたものをそれぞれ、図１９、図２０、図２２、図２３に示す。
いずれの比較でも、実施例の方が比較例と比べて、平均コントラスト値の変化を検出可能な磁場範囲（ダイナミックレンジ）が広いことが分かる。コントラスト値の変化は磁化状態の変化に対応し、抵抗値の変化に対応する。すなわち、実施例１〜４と比較例１、２の違いは、実施例１１、１２と比較例１１、１２の違いに起因するものであると推定される。
また、実施例１１と実施例１２を比較すると、実施例１２の方が、抵抗変化範囲が広くゼロ磁場付近の抵抗値のジャンプが抑制されている。抵抗変化範囲の拡大は、磁化自由層２１のｘ方向の幅の縮小による効果も含まれるが、より高い線形性を確保できるという点で実施例１２の方がより好ましい。
<Comparison of magnetic domain observation results>
The plots of Example 11, Comparative Example 11, Example 12, and Comparative Example 12 plotted with the average contrast value as the vertical axis and the applied magnetic field at that time as the horizontal axis are shown in FIGS. 19, 20, 22, and 23, respectively. .
In any comparison, it can be seen that the magnetic field range (dynamic range) in which the change in the average contrast value can be detected in the example is wider than that in the comparative example. A change in contrast value corresponds to a change in magnetization state and corresponds to a change in resistance value. That is, it is estimated that the difference between Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 is caused by the difference between Examples 11 and 12 and Comparative Examples 11 and 12.
Further, when Example 11 and Example 12 are compared, Example 12 has a wider resistance change range and suppresses a jump in resistance near the zero magnetic field. Although the expansion of the resistance change range includes the effect of reducing the width of the magnetization free layer 21 in the x direction, the embodiment 12 is more preferable in that higher linearity can be secured.
図１８、図１９によると、磁化が±ｘ方向を向いている場合、黒または白くなり、磁化が±ｙ方向を向いている場合、灰色となっている。したがって、磁区構造は、還流磁区構造をとっていることが分かる。還流磁区構造の場合、ｘ＝０の軸上だけでなく、中央付近から４隅の角に向かって広がるように、磁化変化が急激な領域が存在している。すなわち、図３に示したように、磁化固定層２３の平面視による形状を台形等にして、磁化変化が急激な領域を避けるように磁化固定層２３を形成することができればより好ましい。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
According to FIGS. 18 and 19, when the magnetization is in the ± x direction, the color is black or white, and when the magnetization is in the ± y direction, the color is gray. Therefore, it can be seen that the magnetic domain structure has a reflux magnetic domain structure. In the case of the reflux magnetic domain structure, there is a region in which the magnetization change is abrupt so as to spread from the vicinity of the center toward the corners of the four corners as well as on the axis of x = 0. That is, as shown in FIG. 3, it is more preferable if the magnetization fixed layer 23 can be formed in a trapezoidal shape or the like so as to avoid a region in which the magnetization change is abrupt.
As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置および方法における動作、手順等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の順序に関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。 The execution order of each process such as operation, procedure, etc. in the apparatus and method shown in the claims, specification, and drawings is not clearly indicated as “before”, “prior”, etc. Note that, unless the output of the previous process is used in the subsequent process, it can be implemented in any order. Regarding the order in the claims, the description, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for the sake of convenience, this means that it is essential to carry out in this order. is not.
１〜６ 磁気センサ
１０ 基板
１１ 感磁ユニット
２０ 積層部
２０’ 積層膜
２１ 磁化自由層
２２ 非磁性層
２３ 磁化固定層
３０、３１ 保護層
４０ 配線部
５０ 第１のマスク部材
５１ 第２のマスク部材
５２ 第３のマスク部材
５３ 第４のマスク部材
1 to 6 Magnetic sensor 10 Substrate 11 Magnetic sensing unit 20 Laminated portion 20 ′ Laminated film 21 Magnetized free layer 22 Nonmagnetic layer 23 Magnetized fixed layer 30, 31 Protective layer 40 Wiring portion 50 First mask member 51 Second mask member 52 3rd mask member 53 4th mask member
Claims (8)
前記基板上に配置された感磁ユニットと、を備え、
前記感磁ユニットは、外部磁場に応じて磁化が変化する磁化自由層と、第１の方向に磁化が固定された磁化固定層と、前記磁化自由層と前記磁化固定層との間に配置された非磁性層と、を含む積層部を有し、
平面視において、前記磁化固定層は、前記磁化自由層と重複する位置で、かつ、前記第１の方向に垂直な第２の方向で前記磁化自由層の面積を２分割する軸から外れた位置、に配置されている磁気センサ。 A substrate,
A magnetic sensing unit disposed on the substrate,
The magnetosensitive unit is disposed between a magnetization free layer whose magnetization changes according to an external magnetic field, a magnetization fixed layer whose magnetization is fixed in a first direction, and the magnetization free layer and the magnetization fixed layer. And a nonmagnetic layer,
In a plan view, the magnetization fixed layer is a position that overlaps with the magnetization free layer, and a position that is off an axis that divides the area of the magnetization free layer into two in a second direction perpendicular to the first direction. , Magnetic sensor being arranged in.
前記第２の方向であって前記第１の点を通る軸からの距離が最短となる前記磁化固定層の外縁上の点であって、前記第１の点との距離が最長となる点を第３の点としたとき、
前記第２の点から前記第３の点への方向と、前記第１の方向と、がなす角度が１０度以上１７０度以下である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の磁気センサ。 In plan view, a point on the outer edge of the magnetization fixed layer that forms the longest distance from the first point that is the center of gravity of the magnetization free layer to the outer edge of the magnetization fixed layer is defined as a second point,
A point on the outer edge of the magnetization fixed layer that has the shortest distance from the axis passing through the first point in the second direction, and that has the longest distance from the first point. As the third point,
4. The angle formed by the direction from the second point to the third point and the first direction is 10 degrees or more and 170 degrees or less. 5. Magnetic sensor.
前記複数の感磁ユニットは電気的に直列接続される請求項１から請求項６の何れか一項に記載の磁気センサ。 A plurality of the magnetic sensing units are provided,
The magnetic sensor according to claim 1, wherein the plurality of magnetic sensitive units are electrically connected in series.
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- 2016-03-11 JP JP2016048632A patent/JP6594806B2/en active Active
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