JP2017139474A - Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device - Google Patents

Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a novel compound which can be used as material for a light-emitting element; specifically, a novel compound which can be suitably used as material for a light-emitting element where a phosphorescent compound enabling high emission efficiency of the light-emitting element is used as a light-emitting substance; and a novel compound which has the characteristics described above and can be easily synthesized and inexpensively manufactured.SOLUTION: A compound is provided in which one or more dibenzothiophenyl groups or dibenzofuranyl groups are directly bonded to a dibenzo[f,h]quinoxaline skeleton.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物、発光素子、発光装置、電子機器、及
び照明装置に関する。
The present invention relates to a dibenzo [f, h] quinoxaline compound, a light-emitting element, a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device.

近年、エレクトロルミネッセンス(EL:Electro Luminescence)
を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は
、一対の電極間に発光物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加すること
により、発光物質からの発光を得ることができる。
In recent years, EL (Electro Luminescence)
Research and development of light-emitting elements using GaN have been actively conducted. The basic structure of these light-emitting elements is such that a layer containing a light-emitting substance is sandwiched between a pair of electrodes. By applying a voltage to this element, light emission from the light-emitting substance can be obtained.

このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く
、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好
適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも
大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
Since such a light-emitting element is a self-luminous type, it has advantages such as higher pixel visibility than a liquid crystal display and the need for a backlight, and is considered suitable as a flat panel display element. In addition, it is a great advantage that such a light-emitting element can be manufactured to be thin and light. Another feature is that the response speed is very fast.

この発光素子は発光層を膜状に形成することが可能であるため、面状に発光を得ることが
できる。このことは、白熱電球やLEDに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表され
る線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い
Since this light-emitting element can form a light-emitting layer in a film shape, light emission can be obtained in a planar shape. This is a feature that is difficult to obtain with a point light source typified by an incandescent bulb or LED, or a line light source typified by a fluorescent lamp, and therefore has a high utility value as a surface light source applicable to illumination or the like.

エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光物質が有機化合物であるか、無機
化合物であるかによって大別することができる。発光物質に有機化合物を用い、一対の電
極間に当該有機化合物を含む層を設けた有機EL素子の場合、一対の電極間に電圧を印加
することにより、陰極から電子が、陽極から正孔(ホール)がそれぞれ発光性の有機化合
物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、注入した電子及び正孔が再結合した結果
、発光性の有機化合物を励起状態に至らしめ、励起された発光性の有機化合物から発光を
得るものである。
Light-emitting elements using electroluminescence can be broadly classified according to whether the light-emitting substance is an organic compound or an inorganic compound. In the case of an organic EL element in which an organic compound is used as a light-emitting substance and a layer containing the organic compound is provided between a pair of electrodes, a voltage is applied between the pair of electrodes so that electrons from the cathode and holes ( Holes) are each injected into the layer containing a light-emitting organic compound, and current flows. As a result of recombination of the injected electrons and holes, the light-emitting organic compound is brought into an excited state, and light emission is obtained from the excited light-emitting organic compound.

有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能
であり、一重項励起状態(S)からの発光が蛍光、三重項励起状態(T)からの発光
がりん光と呼ばれている。また、発光素子におけるその統計的な生成比率は、S:T
=1:3であると考えられている。
As the types of excited states formed by the organic compound, a singlet excited state and a triplet excited state are possible, and light emission from the singlet excited state (S * ) is fluorescence, and from the triplet excited state (T * ). Luminescence is called phosphorescence. Further, the statistical generation ratio of the light emitting element is S * : T *.
= 1: 3.

一重項励起状態から発光する化合物(以下、蛍光性化合物と称す)では室温において、三
重項励起状態からの発光(りん光)は観測されず、一重項励起状態からの発光(蛍光)の
みが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子における内部量子効率(注
入したキャリアに対して発生するフォトンの割合)の理論的限界は、S:T=1:3
であることを根拠に25%とされている。
In a compound emitting light from a singlet excited state (hereinafter referred to as a fluorescent compound), light emission from the triplet excited state (phosphorescence) is not observed at room temperature, and only light emission from the singlet excited state (fluorescence) is observed. Is done. Therefore, the theoretical limit of internal quantum efficiency (ratio of photons generated with respect to injected carriers) in a light-emitting element using a fluorescent compound is S * : T * = 1: 3.
On the basis of this, it is 25%.

一方、三重項励起状態から発光する化合物(以下、りん光性化合物と称す)を用いれば、
三重項励起状態からの発光(りん光)が観測される。また、りん光性化合物は項間交差(
一重項励起状態から三重項励起状態へ移ること)が起こりやすいため、内部量子効率は1
00%まで理論上は可能となる。つまり、りん光性化合物を用いた発光素子は、蛍光性化
合物を用いた発光素子より高い発光効率が容易に実現可能となる。このような理由から、
高効率な発光素子を実現するために、りん光性化合物を用いた発光素子の開発が近年盛ん
に行われている。
On the other hand, if a compound that emits light from a triplet excited state (hereinafter referred to as a phosphorescent compound) is used,
Light emission (phosphorescence) from the triplet excited state is observed. In addition, phosphorescent compounds are intersystem crossing (
The internal quantum efficiency is 1 because the transition from the singlet excited state to the triplet excited state is likely to occur.
It is theoretically possible to 00%. That is, a light emitting element using a phosphorescent compound can easily realize higher light emission efficiency than a light emitting element using a fluorescent compound. For this reason,
In order to realize a highly efficient light-emitting element, development of a light-emitting element using a phosphorescent compound has been actively conducted in recent years.

上述したりん光性化合物を用いて発光素子の発光層を形成する場合、りん光性化合物の濃
度消光や三重項−三重項消滅による消光を抑制するために、発光層は他の化合物からなる
マトリクス中に該りん光性化合物を分散させて形成することが多い。この時、マトリクス
となる化合物はホスト材料、りん光性化合物のようにマトリクス中に分散される化合物は
ゲスト材料と呼ばれる。
When the light emitting layer of the light emitting element is formed using the phosphorescent compound described above, the light emitting layer is a matrix made of another compound in order to suppress concentration quenching of the phosphorescent compound and quenching due to triplet-triplet annihilation. It is often formed by dispersing the phosphorescent compound therein. At this time, a compound which becomes a matrix is called a host material, and a compound dispersed in the matrix like a phosphorescent compound is called a guest material.

りん光性化合物をゲスト材料とする場合、ホスト材料に必要とされる特性の一つに、「該
りん光性化合物よりも高い三重項準位(基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差)を
有すること」がある。
When a phosphorescent compound is used as a guest material, one of the characteristics required for the host material is “a triplet level higher than that of the phosphorescent compound (energy difference between ground state and triplet excited state). To have.

また、一重項準位(基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差)は通常三重項準位より
も高い位置に存在するため、高い三重項準位を有する物質は高い一重項準位を有する。し
たがって、上述したような高い三重項準位を有する物質は、蛍光性化合物を発光物質(ゲ
スト材料)として用いた発光素子においても有益である。
In addition, since the singlet level (energy difference between the ground state and the singlet excited state) is usually higher than the triplet level, a substance having a high triplet level has a high singlet level. . Therefore, a substance having a high triplet level as described above is also useful for a light-emitting element using a fluorescent compound as a light-emitting substance (guest material).

りん光性化合物をゲスト材料とする場合のホスト材料の一例として、ジベンゾ[f,h]
キノキサリン環を有する化合物の研究がなされている(例えば、特許文献1、特許文献2
参照)。
As an example of a host material in the case where a phosphorescent compound is used as a guest material, dibenzo [f, h]
Studies on compounds having a quinoxaline ring have been made (for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
reference).

国際公開第03/058667号International Publication No. 03/058667 特開2007−189001号公報JP 2007-189001 A

発光素子に有機化合物を用いた場合、均一で安定した面発光を得るためには有機化合物で
形成する薄膜はアモルファス性であることが望ましい。アモルファス性の薄膜において全
体または部分的に結晶が形成する、いわゆる結晶化が生じると、電極間に流れる電流に変
化が生じるため、均一な面発光を得られなくなるだけでなく、発光効率や信頼性が低下し
やすい。
When an organic compound is used for the light-emitting element, it is desirable that the thin film formed of the organic compound is amorphous in order to obtain uniform and stable surface emission. When so-called crystallization occurs in which an amorphous thin film is formed entirely or partially, the current flowing between the electrodes changes, so that not only uniform surface emission cannot be obtained, but also light emission efficiency and reliability. Is prone to decline.

有機化合物が電気や光のエネルギーを吸収し励起状態となったとき、他の基底状態の有機
化合物との相互作用によりエキシマー(励起二量体)を形成する場合がある。エキシマー
となることにより励起状態が安定化するため、エキシマーの一重項準位や三重項準位は元
の物質のそれと比較して低下する現象が生じる。結晶化し易い有機化合物は励起状態にな
ったときにエキシマーを形成しやすい場合が多い。
When an organic compound absorbs electricity or light energy to be in an excited state, an excimer (excited dimer) may be formed by interaction with another organic compound in the ground state. Since the excited state is stabilized by becoming an excimer, a phenomenon occurs in which the singlet level or triplet level of the excimer is lower than that of the original substance. Organic compounds that are easily crystallized often tend to form excimers when in an excited state.

ジベンゾ[f,h]キノキサリン環は、平面的な構造を有しているため、結晶化しやすい
構造である。結晶化しやすいためジベンゾ[f,h]キノキサリン環を有する化合物は、
励起状態になるとエキシマーを形成しやすい。エキシマーが形成されると、その一重項準
位や三重項準位は低いため、目的の発光中心物質を励起できない恐れがある。また、素子
の駆動中に結晶化した場合、膜質の変化によってキャリアバランスが変化してしまう場合
がある。このことから素子の発光効率や信頼性が低くなりやすい。
Since the dibenzo [f, h] quinoxaline ring has a planar structure, it is a structure that is easily crystallized. A compound having a dibenzo [f, h] quinoxaline ring because it is easy to crystallize,
Excimer is likely to form when excited. When an excimer is formed, its singlet level or triplet level is low, so that the target luminescent center substance may not be excited. Further, when crystallization occurs during driving of the element, the carrier balance may change due to a change in film quality. For this reason, the luminous efficiency and reliability of the device tend to be lowered.

また、低消費電力で信頼性の高い発光装置、電子機器、及び照明装置を実現するために、
駆動電圧が低い発光素子、発光効率の高い発光素子、又は長寿命の発光素子が求められて
いる。また、これらの発光素子は安価に作製できることによって、よりその価値を高める
ことができる。
In order to realize a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device with low power consumption and high reliability,
There is a demand for a light-emitting element with low driving voltage, a light-emitting element with high emission efficiency, or a light-emitting element with a long lifetime. In addition, these light-emitting elements can be manufactured at low cost, so that the value thereof can be further increased.

ジベンゾ[f,h]キノキサリン環は、縮環構造を有しているため、キャリア輸送性が高
い。また、複素環であることから、特に電子輸送性に優れている。さらに、三重項準位も
比較的高い骨格である。そのため、上記のような結晶化しやすい特性を克服した構造にす
ることが可能であれば、良好なキャリア輸送性を保ちつつ、ホスト材料として好適に用い
ることができる。
Since the dibenzo [f, h] quinoxaline ring has a condensed ring structure, it has a high carrier transport property. Moreover, since it is a heterocyclic ring, it is especially excellent in electron transport property. Further, the triplet level is a relatively high skeleton. Therefore, if it is possible to achieve a structure that overcomes the above-described characteristics that facilitate crystallization, the structure can be suitably used as a host material while maintaining good carrier transportability.

よって、本発明の一態様は、発光素子用の材料として用いることのできる新規化合物を提
供することを目的とする。特に、発光効率の高い発光素子を実現可能とするりん光性化合
物を発光物質に用いた発光素子用材料として好適に用いることのできる新規化合物を提供
することを目的とする。また、前述の特性を備えた上で合成が容易で安価に製造すること
が可能な新規化合物を提供することを目的とする。
Therefore, an object of one embodiment of the present invention is to provide a novel compound that can be used as a material for a light-emitting element. In particular, it is an object of the present invention to provide a novel compound that can be suitably used as a light-emitting element material using a phosphorescent compound that can realize a light-emitting element with high luminous efficiency as a light-emitting substance. Another object of the present invention is to provide a novel compound that has the above-mentioned properties and that can be easily synthesized and manufactured at low cost.

また、本発明の一態様は、駆動電圧が低い発光素子を提供することを目的とする。また、
本発明の一態様は、発光効率が高い発光素子を提供することを目的とする。また、本発明
の一態様は、長寿命な発光素子を提供することを目的とする。本発明の一態様は、上述の
発光素子を用いることにより、消費電力の低減された発光装置、電子機器、及び照明装置
を各々提供することを目的とする。また、本発明の一態様は、上述の発光素子を用いるこ
とにより、コストパフォーマンスに優れた発光装置、電子機器、及び照明装置を各々提供
することを目的とする。
Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting element with low driving voltage. Also,
An object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting element with high emission efficiency. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting element having a long lifetime. An object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device each having reduced power consumption by using the above light-emitting element. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device each having excellent cost performance by using the above light-emitting element.

本発明は上述の課題のうちいずれか一を解決すればよいものとする。 The present invention should solve any one of the above-mentioned problems.

本発明の一態様は、単数もしくは複数のジベンゾチオフェニル基又はジベンゾフラニル基
がジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格に直接結合した化合物である。
One embodiment of the present invention is a compound in which one or more dibenzothiophenyl groups or dibenzofuranyl groups are directly bonded to a dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton.

キノキサリン骨格を有する化合物は、電子輸送性が高く、発光素子に用いることで駆動電
圧の低い素子を実現できる。本発明の一態様の化合物は、ジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン環と、さらに1つ以上のジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格を有するため
、キャリアを受け取ることが容易となる。したがって、該化合物を発光層のホスト材料に
用いることで、電子と正孔の再結合が発光層内で行われるキャリアバランスのよい発光素
子を作製することができ、結果として長寿命な素子を実現できる。
A compound having a quinoxaline skeleton has a high electron transporting property, and an element with a low driving voltage can be realized by being used for a light-emitting element. Since the compound of one embodiment of the present invention has a dibenzo [f, h] quinoxaline ring and one or more dibenzothiophene skeletons or dibenzofuran skeletons, the carrier can be easily received. Therefore, by using the compound as a host material of the light emitting layer, a light emitting element with good carrier balance in which recombination of electrons and holes is performed in the light emitting layer can be manufactured, and as a result, a long life element is realized. it can.

また、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環にジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン
骨格が直接結合していることから、立体的な構造をとりやすく、膜にした場合に結晶化し
にくくなる。結晶化が抑制されたことによって当該化合物を用いた発光素子は均一で安定
な面発光を得ることができるため信頼性が向上し、長寿命な発光素子を実現できる。また
、エキシマー形成を原因とする励起準位の低下を抑制することができバンドギャップの低
下及びT1準位やS1準位の低下を防ぐことができる。そのため、発光素子に用いること
で発光効率が高い素子を実現できる。
In addition, since the dibenzothiophene skeleton or the dibenzofuran skeleton is directly bonded to the dibenzo [f, h] quinoxaline ring, it is easy to form a three-dimensional structure and is difficult to crystallize when formed into a film. By suppressing crystallization, a light-emitting element using the compound can obtain uniform and stable surface light emission, so that reliability is improved and a light-emitting element with a long lifetime can be realized. In addition, a decrease in excitation level due to excimer formation can be suppressed, and a decrease in band gap and a decrease in T1 level or S1 level can be prevented. Therefore, an element with high light emission efficiency can be realized by using the light emitting element.

すなわち、本発明の一態様は単数もしくは複数のジベンゾチオフェニル基又はジベンゾフ
ラニル基がジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格に直接結合したジベンゾ[f,h]キノ
キサリン化合物を含む発光素子である。なお、当該ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物はジベンゾチオフェニル基又はジベンゾフラニル基は4位でジベンゾ[f,h]キノキ
サリン骨格に結合した化合物であることがより好ましい。
That is, one embodiment of the present invention is a light-emitting element including a dibenzo [f, h] quinoxaline compound in which one or more dibenzothiophenyl groups or dibenzofuranyl groups are directly bonded to a dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton. The dibenzo [f, h] quinoxaline compound is more preferably a compound in which the dibenzothiophenyl group or dibenzofuranyl group is bonded to the dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton at the 4-position.

本発明の一態様は、下記一般式(G1)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物である。
One embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by General Formula (G1) below.

一般式(G1)中R乃至R10のいずれか一は置換又は無置換のジベンゾチオフェン−
4−イル基または置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基であり、他の基はそれぞ
れ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置
換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、
置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4−イル
基及び置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基のいずれかである。
In General Formula (G1), any one of R 1 to R 10 is a substituted or unsubstituted dibenzothiophene-
A 4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group, and the other groups are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted group. A biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group,
One of a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.

また、上記一般式(G1)において、R乃至R10のいずれか一又は複数が置換基を有
する基である場合、当該置換基のとりうる範囲は、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル
基、又はビフェニル基である。なお、置換基を有する基であるほうが、一般式(G1)で
表される化合物を立体的な構造とすることが可能であるため、結晶化の抑制に有効であり
、好ましい構成である。
In the general formula (G1), when any one or more of R 1 to R 10 is a group having a substituent, the possible range of the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, phenyl Group or biphenyl group. Note that a group having a substituent is more preferable because it can make the compound represented by the general formula (G1) have a three-dimensional structure and is more effective in suppressing crystallization.

本発明の一態様は、下記一般式(G1)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物である。
One embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by General Formula (G1) below.

一般式(G1)中、R乃至R10のいずれか一は下記一般式(G1−1)で表される基
であり、他の基はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフ
ェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置
換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基及び下記一般式(G1−2
)で表される基のいずれかである。
In General Formula (G1), any one of R 1 to R 10 is a group represented by the following General Formula (G1-1), and the other groups are each independently hydrogen and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted phenanthryl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, and the following general formula (G1-2)
).

一般式(G1−1)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R11乃至R17はそれぞれ独立に
水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基及び置換又は無置換のビ
フェニル基のいずれかを表す。また一般式(G1−2)中、Eは硫黄又は酸素を表し、
21乃至R27はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換の
フェニル基及び置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。
In General Formula (G1-1), E 1 represents sulfur or oxygen, and R 11 to R 17 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and substituted or unsubstituted. Represents one of the biphenyl groups. In general formula (G1-2), E 2 represents sulfur or oxygen,
R 21 to R 27 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and a substituted or unsubstituted biphenyl group.

また、上記一般式(G1)、(G1−1)及び(G1−2)において、R乃至R10
11乃至R17及びR21乃至R27のいずれか一又は複数が置換基を有する基である
場合、当該置換基は、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、又はビフェニル基のいず
れかである。なお、R乃至R10、R11乃至R17及びR21乃至R27は置換基を
有する基であるほうが、一般式(G1)で表される化合物を立体的な構造とすることが可
能であるため、結晶化の抑制に有効であり、好ましい構成である。
In the general formulas (G1), (G1-1), and (G1-2), R 1 to R 10 ,
When any one or more of R 11 to R 17 and R 21 to R 27 is a group having a substituent, the substituent is any one of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or a biphenyl group. It is. Note that R 1 to R 10 , R 11 to R 17, and R 21 to R 27 are a group having a substituent, so that the compound represented by General Formula (G1) can have a three-dimensional structure. Therefore, it is effective for suppressing crystallization and is a preferable configuration.

また、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格は、4位でジベンゾ[f,h]キ
ノキサリン骨格と結合しているため、共役が広がりづらく、HOMO準位とLUMO準位
間のバンドギャップが広く、三重項準位や一重項準位が高くなり、好ましい構成である。
In addition, since the dibenzothiophene skeleton or the dibenzofuran skeleton is bonded to the dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton at the 4-position, conjugation is difficult to expand, the band gap between the HOMO level and the LUMO level is wide, and the triplet level The position and singlet level are increased, which is a preferable structure.

また、膜質の安定性を考慮すると、分子量は450以上が好ましい。具体的にはR乃至
10、R11乃至R17及びR21乃至R27のいずれか1又は複数が上述の取りうる
基のうち、水素以外であることが好ましい。また、蒸着で成膜する場合を考慮すると、分
子量は1500以下であることが好ましい。また、湿式による成膜法を選択する場合は、
乃至R10、R11乃至R17及びR21乃至R27のいずれか1又は複数がアルキ
ル基であるか、もしくはアルキル基を有する基であることが好ましい。
In consideration of the stability of the film quality, the molecular weight is preferably 450 or more. Specifically, any one or more of R 1 to R 10 , R 11 to R 17, and R 21 to R 27 are preferably other than hydrogen among the possible groups described above. In consideration of the case where the film is formed by vapor deposition, the molecular weight is preferably 1500 or less. Also, when selecting a wet film formation method,
Any one or more of R 1 to R 10 , R 11 to R 17 and R 21 to R 27 are preferably an alkyl group or a group having an alkyl group.

また、合成の簡便さから、(G1−1)及び(G1−2)は同じ基であることが好ましい
Moreover, it is preferable that (G1-1) and (G1-2) are the same groups from the simplicity of a synthesis | combination.

本発明の一態様は、下記一般式(G2)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物である。
One embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by General Formula (G2) below.

一般式(G2)中、R、R、R、R、R及びRのうちいずれか一は置換又は
無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基または置換又は無置換のジベンゾフラン−4−
イル基であり、他の基はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置
換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又
は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換の
ジベンゾチオフェン−4−イル基及び置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基のい
ずれかである。
In General Formula (G2), any one of R 1 , R 2 , R 4 , R 5 , R 8 and R 9 is a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran- 4-
Each other group is independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted Any of a substituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.

また、上記一般式(G2)において、R、R、R、R、R及びRのいずれか
一又は複数が置換基を有する基である場合、当該置換基のとりうる範囲は、炭素数1〜6
のアルキル基、フェニル基、又はビフェニル基のいずれかである。なお、R、R、R
、R、R及びRは置換基を有する基であるほうが、一般式(G2)で表される化
合物を立体的な構造とすることが可能であるため、結晶化の抑制に有効であり、好ましい
構成である。
In the above general formula (G2), when any one or more of R 1 , R 2 , R 4 , R 5 , R 8 and R 9 is a group having a substituent, the range that the substituent can take Has 1 to 6 carbon atoms
Or an alkyl group, a phenyl group, or a biphenyl group. R 1 , R 2 , R
4 , R 5 , R 8, and R 9 are groups having a substituent, so that the compound represented by the general formula (G2) can have a three-dimensional structure, which is more effective in suppressing crystallization. This is a preferred configuration.

また、本発明の一態様は、下記一般式(G2)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン化合物である。
Another embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by General Formula (G2) below.

一般式(G2)中、R、R、R、R、R及びRのうちいずれか一は下記一般
式(G1−1)で表される基であり、他の基はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアル
キル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換
のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル
基及び下記一般式(G1−2)で表される基のいずれかであるジベンゾ[f,h]キノキ
サリン化合物である。
In General Formula (G2), any one of R 1 , R 2 , R 4 , R 5 , R 8 and R 9 is a group represented by General Formula (G1-1) below, and the other groups are Each independently hydrogen, alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted phenanthryl group, substituted or unsubstituted Or a dibenzo [f, h] quinoxaline compound which is any one of the groups represented by the following general formula (G1-2).

一般式(G1−1)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R11乃至R17はそれぞれ独立に
水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基及び置換又は無置換のビ
フェニル基のいずれかを表す。また一般式(G1−2)中、Eは硫黄又は酸素を表し、
21乃至R27はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換の
フェニル基及び置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。
In General Formula (G1-1), E 1 represents sulfur or oxygen, and R 11 to R 17 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and substituted or unsubstituted. Represents one of the biphenyl groups. In general formula (G1-2), E 2 represents sulfur or oxygen,
R 21 to R 27 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and a substituted or unsubstituted biphenyl group.

また、上記一般式(G2)、(G1−1)及び(G1−2)において、R、R、R
、R、R、R、R11乃至R17及びR21乃至R27のいずれか一又は複数が置
換基を有する基である場合、当該置換基は、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、又
はビフェニル基のいずれかである。なお、置換基を有する基であるほうが、一般式(G2
)で表される化合物を立体的な構造とすることが可能であるため、結晶化の抑制に有効で
あり、好ましい構成である。
In the general formulas (G2), (G1-1), and (G1-2), R 1 , R 2 , R 4
, R 5 , R 8 , R 9 , R 11 to R 17 and R 21 to R 27 are a group having a substituent, the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. , A phenyl group, or a biphenyl group. Note that a group having a substituent has a general formula (G2
) Is effective in suppressing crystallization and is a preferred structure.

本発明の一態様は、下記一般式(G3)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物である。
One embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by General Formula (G3) below.

一般式(G3)中、R及びRのうちどちらか一方は置換又は無置換のジベンゾチオフ
ェン−4−イル基又は置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基であり、他方は水素
、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニ
ル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置
換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基及び置換又
は無置換のジベンゾフラン−4−イル基のいずれかである。
In General Formula (G3), either R 4 or R 9 is a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group, and the other is hydrogen or carbon. An alkyl group of 1 to 6; a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted phenanthryl group; a substituted or unsubstituted triphenylenyl group; An unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group and a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.

また、上記一般式(G3)において、R及びRのどちらか又は両方が置換基を有する
基である場合、当該置換基のとりうる範囲は、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、
又はビフェニル基である。なお、置換基を有する基であるほうが、一般式(G3)で表さ
れる化合物を立体的な構造とすることが可能であるため、結晶化の抑制に有効であり、好
ましい構成である。
In the above general formula (G3), when either or both of R 4 and R 9 are groups having a substituent, the possible range of the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group ,
Or it is a biphenyl group. Note that a group having a substituent is more preferable for suppressing crystallization because the compound represented by the general formula (G3) can have a three-dimensional structure.

また、本発明の一態様は、下記一般式(G3)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン化合物である。
Another embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by General Formula (G3) below.

一般式(G3)中、R及びRのうちどちらか一方は下記一般式(G1−1)で表され
る基であり、他方は水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置
換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナン
トリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基及び下記一般式(G1−2)で表される
基のいずれかであるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物である。
In General Formula (G3), one of R 4 and R 9 is a group represented by General Formula (G1-1) below, and the other is hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, substituted or non-substituted. A substituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, and a group represented by the following general formula (G1-2) Or a dibenzo [f, h] quinoxaline compound.

一般式(G1−1)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R11乃至R17はそれぞれ独立に
水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基及び置換又は無置換のビ
フェニル基のいずれかを表す。また一般式(G1−2)中、Eは硫黄又は酸素を表し、
21乃至R27はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換の
フェニル基及び置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。
In General Formula (G1-1), E 1 represents sulfur or oxygen, and R 11 to R 17 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and substituted or unsubstituted. Represents one of the biphenyl groups. In general formula (G1-2), E 2 represents sulfur or oxygen,
R 21 to R 27 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and a substituted or unsubstituted biphenyl group.

また、上記一般式(G3)、(G1−1)及び(G1−2)において、R、R、R
乃至R17及びR21乃至R27のいずれか一又は複数が置換基を有する基である場合
、当該置換基のとりうる範囲は、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、又はビフェニ
ル基のいずれかである。なお、R、R、R11乃至R17及びR21乃至R27は置
換基を有する基であるほうが、一般式(G3)で表される化合物を立体的な構造とするこ
とが可能であるため、結晶化の抑制に有効であり、好ましい構成である。
In the general formulas (G3), (G1-1), and (G1-2), R 4 , R 9 , R 1
When any one or more of 1 to R 17 and R 21 to R 27 is a group having a substituent, the possible range of the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or a biphenyl group One of them. Note that the compound represented by the general formula (G3) can have a three-dimensional structure when R 4 , R 9 , R 11 to R 17, and R 21 to R 27 are groups having a substituent. Therefore, it is effective for suppressing crystallization and is a preferable configuration.

本発明の一態様は、下記一般式(G4)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物である。
One embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by General Formula (G4) below.

一般式(G4)中、R及びRのうちいずれか一方は置換又は無置換のジベンゾチオフ
ェン−4−イル基または置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基であり、他方は水
素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェ
ニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無
置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基及び置換
又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基のいずれかである。
In General Formula (G4), any one of R 5 and R 8 is a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group, and the other is hydrogen or carbon. An alkyl group of 1 to 6; a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted phenanthryl group; a substituted or unsubstituted triphenylenyl group; An unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group and a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.

また、上記一般式(G4)において、R及びRのいずれか一方又は両方が置換基を有
する基である場合、当該置換基のとりうる範囲は、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル
基、又はビフェニル基のいずれかである。なお、置換基を有する基であるほうが、一般式
(G4)で表される化合物を立体的な構造とすることが可能であるため、結晶化の抑制に
有効であり、好ましい構成である。
In the above general formula (G4), when either one or both of R 5 and R 8 is a group having a substituent, the possible range of the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, phenyl Either a group or a biphenyl group. Note that a group having a substituent is more preferable for suppressing crystallization because the compound represented by the general formula (G4) can have a three-dimensional structure.

また、本発明の一態様は、下記一般式(G4)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン化合物である。
Another embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by General Formula (G4) below.

一般式(G4)中、R及びRのうちいずれか一は下記一般式(G1−1)で表される
基であり、他方は水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換
又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナント
リル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基及び下記一般式(G1−2)で表される基
のいずれかであるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物である。
In General Formula (G4), any one of R 5 and R 8 is a group represented by the following General Formula (G1-1), and the other is hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted. A substituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, and a group represented by the following general formula (G1-2) Or a dibenzo [f, h] quinoxaline compound.

一般式(G1−1)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R11乃至R17はそれぞれ独立に
水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基及び置換又は無置換のビ
フェニル基のいずれかを表す。また一般式(G1−2)中、Eは硫黄又は酸素を表し、
21乃至R27はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換の
フェニル基及び置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。
In General Formula (G1-1), E 1 represents sulfur or oxygen, and R 11 to R 17 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and substituted or unsubstituted. Represents one of the biphenyl groups. In general formula (G1-2), E 2 represents sulfur or oxygen,
R 21 to R 27 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and a substituted or unsubstituted biphenyl group.

また、上記一般式(G4)、(G1−1)及び(G1−2)において、R、R、R
乃至R17及びR21乃至R27のいずれか一又は複数が置換基を有する基である場合
、当該置換基は、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、又はビフェニル基のいずれか
である。なお、R、R、R11乃至R17及びR21乃至R27は置換基を有する基
であるほうが、一般式(G4)で表される化合物を立体的な構造とすることが可能である
ため、結晶化の抑制に有効であり、好ましい構成である。
In the general formulas (G4), (G1-1), and (G1-2), R 4 , R 9 , R 1
When any one or more of 1 to R 17 and R 21 to R 27 is a group having a substituent, the substituent is any one of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or a biphenyl group. is there. Note that the compound represented by General Formula (G4) can have a three-dimensional structure when R 4 , R 9 , R 11 to R 17, and R 21 to R 27 are groups having a substituent. Therefore, it is effective for suppressing crystallization and is a preferable configuration.

本発明の一態様は、下記一般式(G5)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物である。
One embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by General Formula (G5) below.

一般式(G5)中、Rは置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基または置換
又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基を表す。
In General Formula (G5), R 2 represents a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.

また、上記一般式(G5)において、Rに置換するジベンゾチオフェン−4−イル基ま
たはジベンゾフラン−4−イル基が置換基を有する場合、当該置換基のとりうる範囲は、
炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、又はビフェニル基である。なお、Rに置換す
るジベンゾチオフェン−4−イル基またはジベンゾフラン−4−イル基は置換基を有する
ほうが、一般式(G5)で表される化合物を立体的な構造とすることが可能であるため、
結晶化の抑制に有効であり、好ましい構成である。
In the general formula (G5), when the dibenzothiophen-4-yl group or the dibenzofuran-4-yl group substituted on R 2 has a substituent, the range that the substituent can take is as follows:
It is a C1-C6 alkyl group, a phenyl group, or a biphenyl group. Note that the compound represented by the general formula (G5) can have a three-dimensional structure when the dibenzothiophen-4-yl group or the dibenzofuran-4-yl group substituted for R 2 has a substituent. For,
It is effective in suppressing crystallization and is a preferred configuration.

また、本発明の一態様は、下記一般式(G5)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン化合物である。
Another embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by General Formula (G5) below.

一般式(G5)中、Rは下記一般式(G1−1)で表される基を表す。 In General Formula (G5), R 2 represents a group represented by General Formula (G1-1) below.

一般式(G1−1)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R11乃至R17はそれぞれ独立に
水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基及び置換又は無置換のビ
フェニル基のいずれかを表す。
In General Formula (G1-1), E 1 represents sulfur or oxygen, and R 11 to R 17 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and substituted or unsubstituted. Represents one of the biphenyl groups.

また、上記一般式(G5)及び(G1−1)において、R及びR11乃至R17のいず
れか一又は複数が置換基を有する基である場合、当該置換基は、炭素数1〜6のアルキル
基、フェニル基、又はビフェニル基のいずれかである。なお、R及びR11乃至R17
は置換基を有する基であるほうが、一般式(G5)で表される化合物を立体的な構造とす
ることが可能であるため、結晶化の抑制に有効であり、好ましい構成である。
In the general formulas (G5) and (G1-1), when any one or more of R 2 and R 11 to R 17 is a group having a substituent, the substituent has 1 to 6 carbon atoms. Or an alkyl group, a phenyl group, or a biphenyl group. R 2 and R 11 to R 17
Is a group having a substituent, which is more effective in suppressing crystallization and is a preferable structure because the compound represented by the general formula (G5) can have a three-dimensional structure.

なお、上記一般式(G1)乃至(G5)の構造を有するジベンゾ[f,h]キノキサリン
化合物において、一般式(G1−1)で表される基が下記一般式(G2−1)で表される
基であり、一般式(G1−2)で表される基が下記一般式(G2−2)で表される基であ
るジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物が材料の調達が容易であり、安価に合成できる
ため、工業的に有利な構成である。
Note that in the dibenzo [f, h] quinoxaline compound having the structure represented by the general formulas (G1) to (G5), a group represented by the general formula (G1-1) is represented by the following general formula (G2-1). A dibenzo [f, h] quinoxaline compound in which the group represented by the general formula (G1-2) is a group represented by the following general formula (G2-2) is easy to procure materials, Since it can be synthesized at low cost, it is an industrially advantageous configuration.

一般式(G2−1)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R11、R13及びR16はそれぞ
れ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基及び置換又は無
置換のビフェニル基のいずれかを表す。また一般式(G2−2)中、Eは硫黄又は酸素
を表し、R21、R23及びR26はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、
置換又は無置換のフェニル基及び置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。
In General Formula (G2-1), E 1 represents sulfur or oxygen, and R 11 , R 13, and R 16 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and a substituted group Or it represents either an unsubstituted biphenyl group. In General Formula (G2-2), E 2 represents sulfur or oxygen, and R 21 , R 23, and R 26 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
It represents either a substituted or unsubstituted phenyl group and a substituted or unsubstituted biphenyl group.

また、合成の簡便さから(G2−1)及び(G2−2)は同じ基であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that (G2-1) and (G2-2) are the same group from the simplicity of a synthesis | combination.

また、本発明の一態様は下記構造式(100)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン化合物である。
Another embodiment of the present invention is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by the following structural formula (100).

上記構造式(100)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物のように、ジベ
ンゾチオフェン骨格の4位にフェニル基が結合しているなど、置換基を有している構造が
、立体的な構造をとりやすく、結晶化が起こりにくいため好ましい構造である。
A structure having a substituent such as a phenyl group bonded to the 4-position of the dibenzothiophene skeleton, such as a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by the structural formula (100), is steric. It is a preferable structure because it is easy to take a simple structure and hardly causes crystallization.

キノキサリン骨格を有する化合物は、電子輸送性が高く、発光素子に用いることで駆動電
圧の低い素子を実現できる。また、上記ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物は、ジベ
ンゾ[f,h]キノキサリン環と、さらに1つ以上のジベンゾチオフェン骨格又はジベン
ゾフラン骨格を有するため、電子と正孔、両方のキャリアを受け取ることが容易となる。
したがって、該化合物を発光層のホスト材料に用いることで、電子と正孔の再結合が発光
層内で行われる発光素子を作製することができ、結果として長寿命な素子を実現できる。
A compound having a quinoxaline skeleton has a high electron transporting property, and an element with a low driving voltage can be realized by being used for a light-emitting element. In addition, since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound has a dibenzo [f, h] quinoxaline ring and one or more dibenzothiophene skeletons or dibenzofuran skeletons, it can receive both electrons and holes. It becomes easy.
Therefore, by using the compound as a host material for the light-emitting layer, a light-emitting element in which recombination of electrons and holes is performed in the light-emitting layer can be manufactured. As a result, a long-life element can be realized.

また、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環にジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン
骨格が結合していることから、立体的な構造をとりやすく、膜にした場合に結晶化しにく
くなる。結晶化が抑制されたことによって当該化合物を用いた発光素子は均一で安定な面
発光を得ることができる。また、信頼性が向上し、長寿命な発光素子を実現できる。また
、エキシマー形成を原因とする励起準位の低下を抑制することができる。そのため、発光
素子に用いることで発光効率が高い素子を実現できる。
In addition, since the dibenzothiophene skeleton or the dibenzofuran skeleton is bonded to the dibenzo [f, h] quinoxaline ring, it is easy to form a three-dimensional structure and is difficult to crystallize when formed into a film. By suppressing crystallization, a light-emitting element using the compound can obtain uniform and stable surface light emission. In addition, reliability can be improved and a light-emitting element with a long lifetime can be realized. In addition, it is possible to suppress a decrease in excitation level caused by excimer formation. Therefore, an element with high light emission efficiency can be realized by using the light emitting element.

また、本発明の一態様の化合物はジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格に直接ジベンゾチ
オフェン骨格又はジベンゾフラン骨格が4位で結合しているため、合成がしやすく、安価
に提供することが可能なジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物である。
In addition, in the compound of one embodiment of the present invention, a dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton is directly bonded to the dibenzothiophene skeleton or the dibenzofuran skeleton at the 4-position. Therefore, the dibenzo can be easily synthesized and can be provided at low cost. [F, h] quinoxaline compound.

また、本発明の一態様は、上記ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子で
ある。特に、陽極及び陰極間に発光層を有する発光素子において、該発光層が、発光物質
と、本発明の一態様のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物とを含む構成が好ましい。
Another embodiment of the present invention is a light-emitting element including the above dibenzo [f, h] quinoxaline compound. In particular, in a light-emitting element having a light-emitting layer between an anode and a cathode, the light-emitting layer preferably includes a light-emitting substance and the dibenzo [f, h] quinoxaline compound of one embodiment of the present invention.

また、陽極及び陰極間に発光層を有する発光素子において、該発光層が、発光物質と、電
子輸送性化合物と、正孔輸送性化合物と、を含み、該電子輸送性化合物は、本発明の一態
様のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物であり、該正孔輸送性化合物は、該電子輸送
性化合物よりも正孔輸送性が高く、カルバゾール骨格、トリアリールアミン骨格、ジベン
ゾチオフェン骨格、又はジベンゾフラン骨格を有することが好ましい。
In the light-emitting element having a light-emitting layer between an anode and a cathode, the light-emitting layer includes a light-emitting substance, an electron transporting compound, and a hole transporting compound, and the electron transporting compound is A dibenzo [f, h] quinoxaline compound according to one embodiment, wherein the hole transporting compound has a hole transporting property higher than that of the electron transporting compound, and is a carbazole skeleton, a triarylamine skeleton, a dibenzothiophene skeleton, or a dibenzofuran. It preferably has a skeleton.

さらに、このとき、発光層の陽極側に接する層が、該発光層に含まれる正孔輸送性化合物
を含むことが好ましい。
Furthermore, at this time, the layer in contact with the anode side of the light emitting layer preferably contains a hole transporting compound contained in the light emitting layer.

また、上記発光素子において、発光層の陰極側に接する層が、本発明の一態様のジベンゾ
[f,h]キノキサリン化合物を含むことが好ましい。
In the above light-emitting element, the layer in contact with the cathode side of the light-emitting layer preferably contains the dibenzo [f, h] quinoxaline compound of one embodiment of the present invention.

また、本発明の一態様は、上記発光素子を発光部に備える発光装置である。また、本発明
の一態様は、該発光装置を表示部に備える電子機器である。また、本発明の一態様は、該
発光装置を発光部に備える照明装置である。
Another embodiment of the present invention is a light-emitting device including the light-emitting element in a light-emitting portion. Another embodiment of the present invention is an electronic device including the light-emitting device in a display portion. Another embodiment of the present invention is a lighting device including the light-emitting device in a light-emitting portion.

本発明の一態様のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を用いた発光素子は、駆動電圧
が低いため、消費電力の小さい発光装置を実現することができる。また、本発明の一態様
のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を用いた発光素子は発光効率が高いことからも
、消費電力の低い発光装置を実現することができる。同様に、本発明の一態様を適用する
ことで、消費電力の低い電子機器及び照明装置を実現することができる。また、本発明の
一態様のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を用いた発光素子は寿命の長い発光素子
であることから、信頼性の高い発光装置、電子機器及び照明装置をおのおの実現すること
が可能となる。また、安価に合成することができる上記ジベンゾ[f,h]キノキサリン
化合物を用いていることから、コストパフォーマンスに優れた発光装置、電子機器及び照
明装置を各々実現することができる。
Since a light-emitting element using the dibenzo [f, h] quinoxaline compound of one embodiment of the present invention has low driving voltage, a light-emitting device with low power consumption can be realized. In addition, since the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound of one embodiment of the present invention has high emission efficiency, a light-emitting device with low power consumption can be realized. Similarly, by applying one embodiment of the present invention, an electronic device and a lighting device with low power consumption can be realized. In addition, since a light-emitting element using the dibenzo [f, h] quinoxaline compound of one embodiment of the present invention is a light-emitting element having a long lifetime, a highly reliable light-emitting device, electronic device, and lighting device can each be realized. It becomes possible. In addition, since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound that can be synthesized at low cost is used, a light emitting device, an electronic device, and a lighting device each having excellent cost performance can be realized.

なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた画像表示デバイスを含む。ま
た、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、TAB(Tape Autom
ated Bonding)テープ、もしくはTCP(Tape Carrier Pa
ckage)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板
が設けられたモジュール、又は発光素子にCOG(Chip On Glass)方式に
よりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さ
らに、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。
Note that the light-emitting device in this specification includes an image display device using a light-emitting element. In addition, a connector such as an anisotropic conductive film, TAB (Tape Auto)
aated Bonding tape or TCP (Tape Carrier Pa)
all of the modules in which the IC (integrated circuit) is directly mounted on the light emitting element by the COG (Chip On Glass) method. It shall be included in the device. Furthermore, a light emitting device used for a lighting fixture or the like is also included.

本発明の一態様は、発光素子用の材料、特に、発光層の発光物質を分散させるホスト材料
として好適に用いることのできる新規ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を提供でき
る。本発明の一態様は、駆動電圧が低い発光素子を提供できる。また、本発明の一態様は
、発光効率が高い発光素子を提供できる。また、本発明の一態様は、長寿命な発光素子を
提供できる。本発明の一態様は、該発光素子を用いることにより、消費電力の低減された
発光装置、電子機器、及び照明装置を提供できる。本発明の一態様は、該発光素子を用い
ることにより、コストパフォーマンスに優れた発光装置、電子機器、及び照明装置を提供
できる。
One embodiment of the present invention can provide a novel dibenzo [f, h] quinoxaline compound that can be suitably used as a material for a light-emitting element, particularly as a host material for dispersing a light-emitting substance in a light-emitting layer. One embodiment of the present invention can provide a light-emitting element with low driving voltage. One embodiment of the present invention can provide a light-emitting element with high emission efficiency. One embodiment of the present invention can provide a light-emitting element having a long lifetime. One embodiment of the present invention can provide a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device with low power consumption by using the light-emitting element. One embodiment of the present invention can provide a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device with excellent cost performance by using the light-emitting element.

発光素子の概念図。The conceptual diagram of a light emitting element. アクティブマトリクス型発光装置の概念図。1 is a conceptual diagram of an active matrix light-emitting device. パッシブマトリクス型発光装置の概念図。1 is a conceptual diagram of a passive matrix light emitting device. 照明装置の概念図。The conceptual diagram of an illuminating device. 電子機器を表す図。FIG. 10 illustrates an electronic device. 電子機器を表す図。FIG. 10 illustrates an electronic device. 照明装置を表す図。The figure showing an illuminating device. 照明装置を表す図。The figure showing an illuminating device. 車載表示装置及び照明装置を表す図。The figure showing a vehicle-mounted display apparatus and an illuminating device. 電子機器を表す図。FIG. 10 illustrates an electronic device. 2−(6−フェニルジベンゾチオフェン−4−イル)ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2DBTDBq−IV)のH NMRチャートを示す図。FIG. 9 shows a 1 H NMR chart of 2- (6-phenyldibenzothiophen-4-yl) dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 2DBTDBq-IV). 2DBTDBq−IVの吸収スペクトル及び発光スペクトル。Absorption spectrum and emission spectrum of 2DBTDBq-IV. 発光素子1の輝度−電流効率特性を表す図。FIG. 11 shows luminance-current efficiency characteristics of the light-emitting element 1. 発光素子1の電圧−輝度特性を表す図。FIG. 6 shows voltage-luminance characteristics of the light-emitting element 1. 発光素子1の輝度−色度座標特性を表す図。FIG. 6 is a diagram illustrating luminance-chromaticity coordinate characteristics of the light-emitting element 1. 発光素子1の輝度−パワー効率特性を表す図。FIG. 6 shows luminance-power efficiency characteristics of the light-emitting element 1. 発光素子1の発光スペクトルを表す図。FIG. 9 shows an emission spectrum of the light-emitting element 1. 発光素子1の時間−規格化輝度特性を表す図。FIG. 9 shows time-normalized luminance characteristics of the light-emitting element 1.

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.

(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物について説
明する。本発明の一態様は、単数もしくは複数のジベンゾチオフェン−4−イル基又はジ
ベンゾフラン−4−イル基がジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格に直接結合した化合物
である。
(Embodiment 1)
In this embodiment, a dibenzo [f, h] quinoxaline compound of one embodiment of the present invention will be described. One embodiment of the present invention is a compound in which one or more dibenzothiophen-4-yl groups or dibenzofuran-4-yl groups are directly bonded to a dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton.

キノキサリン骨格を有する化合物は、電子輸送性が高く、発光素子に用いることで駆動電
圧の低い素子を実現できる。上記化合物は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と、さら
に1つ以上のジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格を有し、これらの骨格が正
孔輸送性を有するため、電子と正孔、両方のキャリアを受け取ることが容易となる。した
がって、該化合物を発光層のホスト材料に用いることで、電子と正孔の再結合が発光層内
で行われる、キャリアバランスのよい発光素子を作製することができ、結果として長寿命
な素子を実現できる。
A compound having a quinoxaline skeleton has a high electron transporting property, and an element with a low driving voltage can be realized by being used for a light-emitting element. The above compound has a dibenzo [f, h] quinoxaline ring and one or more dibenzothiophene skeletons or dibenzofuran skeletons, and these skeletons have a hole transporting property. Easy to receive. Therefore, by using the compound as a host material for the light-emitting layer, a light-emitting element with a good carrier balance in which recombination of electrons and holes is performed in the light-emitting layer can be manufactured. realizable.

また、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環にジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン
骨格が結合していることから、立体的な構造をとりやすく、膜にした場合に結晶化しにく
くなる。結晶化が抑制されたことによって当該化合物を用いた発光素子は均一で安定な面
発光を得ることができるため信頼性が向上し、長寿命な発光素子を実現できる。また、平
面的な構造を有する分子で発生しやすいエキシマー形成を原因とする励起準位の低下を抑
制することができる。そのため、発光素子に用いることで発光効率が高い素子を実現でき
る。
In addition, since the dibenzothiophene skeleton or the dibenzofuran skeleton is bonded to the dibenzo [f, h] quinoxaline ring, it is easy to form a three-dimensional structure and is difficult to crystallize when formed into a film. By suppressing crystallization, a light-emitting element using the compound can obtain uniform and stable surface light emission, so that reliability is improved and a light-emitting element with a long lifetime can be realized. In addition, it is possible to suppress a decrease in excitation level due to excimer formation that is likely to occur in molecules having a planar structure. Therefore, an element with high light emission efficiency can be realized by using the light emitting element.

特に、結晶化やエキシマー形成による三重項準位の低下を抑制することができることから
、平面的なジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格を有していながら、赤色から緑色のりん
光発光を呈する発光中心物質を用いた発光素子にも好適に適用することができる。また、
上述のように同骨格はキャリア輸送性にも優れるため、本実施の形態で説明するジベンゾ
[f,h]キノキサリン化合物を用いることで、駆動電圧の低い発光素子を提供すること
が可能となる。さらに、寿命も良好な発光素子をえることが可能となる。すなわち、本実
施の形態で説明するジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物は赤色から緑色のりん光発光
を呈する発光中心物質を用いた発光素子により好適に適用できる。
In particular, since the reduction of the triplet level due to crystallization and excimer formation can be suppressed, the emission center exhibiting red to green phosphorescence emission while having a planar dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton. The present invention can also be suitably applied to a light-emitting element using a substance. Also,
As described above, since this skeleton is also excellent in carrier transportability, a light-emitting element with low driving voltage can be provided by using the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in this embodiment. Furthermore, a light-emitting element with a long lifetime can be obtained. That is, the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in this embodiment can be preferably applied to a light-emitting element using an emission center substance that emits red to green phosphorescence.

以下より具体的に本実施の形態におけるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を説明す
る。本実施の形態で説明するジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物は、下記一般式(G
1)で表される。
The dibenzo [f, h] quinoxaline compound in the present embodiment will be described more specifically below. The dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in this embodiment has the following general formula (G
1).

一般式(G1)中、R乃至R10のいずれか一は置換又は無置換のジベンゾチオフェン
−4−イル基または置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基であり、他の基はそれ
ぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無
置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基
、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4−イ
ル基及び置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基のいずれかである。
In General Formula (G1), any one of R 1 to R 10 is a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group, and the other groups are independent of each other. Hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl A group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group and a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.

上記一般式(G1)において、R、R、R及びR10が全て水素である構成、すな
わち下記一般式(G2)で表される構成を有するジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物
は原料の入手が容易であり、また、合成が容易であるため、より安価に合成することがで
き、工業的に好ましい構成である。
In the general formula (G1), a dibenzo [f, h] quinoxaline compound having a structure in which R 3 , R 6 , R 7 and R 10 are all hydrogen, that is, a structure represented by the following general formula (G2) is a raw material. Is easily available and can be synthesized at a lower cost, which is an industrially preferable configuration.

一般式(G2)中、R、R、R、R、R及びRのいずれか一は置換又は無置
換のジベンゾチオフェン−4−イル基または置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル
基であり、他の基はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換の
フェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無
置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のジベ
ンゾチオフェン−4−イル基及び置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基のいずれ
かである。
In General Formula (G2), any one of R 1 , R 2 , R 4 , R 5 , R 8, and R 9 is a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4 -Yl group, and the other groups are each independently hydrogen, alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or An unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.

また、同様に上記一般式(G1)において、R乃至R、R乃至R及びR10が全
て水素である構成、すなわち下記一般式(G3)で表される構成を有するジベンゾ[f,
h]キノキサリン化合物は原料の入手が容易であり、また、合成が容易であるため、より
安価に合成することができ、工業的に好ましい構成である。
Similarly, in the general formula (G1), R 1 to R 3 , R 6 to R 8, and R 10 are all hydrogen, that is, a dibenzo [f having a configuration represented by the following general formula (G3) ,
h] The quinoxaline compound is easily available and can be synthesized at a lower cost, and is an industrially preferable structure.

一般式(G3)中、R及びRのうちどちらか一方は置換又は無置換のジベンゾチオフ
ェン−4−イル基または置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基であり、他方は水
素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェ
ニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無
置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基及び置換
又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基のいずれかである。
In General Formula (G3), any one of R 4 and R 9 is a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group, and the other is hydrogen or carbon. An alkyl group of 1 to 6; a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted phenanthryl group; a substituted or unsubstituted triphenylenyl group; An unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group and a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.

また、同様に上記一般式(G1)において、R乃至R、R、R、R及びR10
が全て水素である構成、すなわち下記一般式(G4)で表される構成を有するジベンゾ[
f,h]キノキサリン化合物は原料の入手が容易であり、また、合成が容易であるため、
より安価に合成することができ、工業的に好ましい構成である。
Similarly, in the general formula (G1), R 1 to R 4 , R 6 , R 7 , R 9 and R 10
Are all hydrogen, that is, a dibenzo having a configuration represented by the following general formula (G4) [
The f, h] quinoxaline compound is easily available and can be easily synthesized.
It can be synthesized at a lower cost and is an industrially preferable configuration.

一般式(G4)中、R及びRのうち一方は置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4
−イル基または置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基であり、他方は水素、炭素
数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、
置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のト
リフェニレニル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基及び置換又は無置
換のジベンゾフラン−4−イル基のいずれかである。
In General Formula (G4), one of R 5 and R 8 is substituted or unsubstituted dibenzothiophene-4
-Yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group, the other being hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group,
Any of substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted phenanthryl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group and substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group It is.

また、同様に上記一般式(G1)において、R、R乃至R10が全て水素である構成
、すなわち下記一般式(G5)で表される構成を有するジベンゾ[f,h]キノキサリン
化合物は原料の入手が容易であり、また、合成が容易であるため、より安価に合成するこ
とができ、工業的に好ましい構成である。
Similarly, in the general formula (G1), a dibenzo [f, h] quinoxaline compound having a structure in which R 1 and R 3 to R 10 are all hydrogen, that is, a structure represented by the following general formula (G5) Since it is easy to obtain raw materials and is easy to synthesize, it can be synthesized at a lower cost, which is an industrially preferable configuration.

一般式(G5)中、Rは置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基または置換
又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基を表す。
In General Formula (G5), R 2 represents a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.

また、上記一般式(G1)乃至(G5)において、R乃至R10のいずれか一又は複数
が置換基を有する基である場合、当該置換基のとりうる範囲は、炭素数1〜6のアルキル
基、フェニル基、又はビフェニル基のいずれかである。なお、置換基を有する基であるほ
うが、一般式(G1)乃至(G5)で表される化合物を立体的な構造とすることが可能で
あるため、結晶化の抑制に有効であり、好ましい構成である。
In the above general formulas (G1) to (G5), when any one or more of R 1 to R 10 is a group having a substituent, the range that the substituent can have is one having 1 to 6 carbon atoms. Either an alkyl group, a phenyl group, or a biphenyl group. Note that a group having a substituent is more effective in suppressing crystallization because the compounds represented by the general formulas (G1) to (G5) can have a three-dimensional structure, and a preferable structure. It is.

上記一般式(G1)乃至(G5)のR乃至R10においては、少なくとも一つが置換又
は無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基または置換又は無置換のジベンゾフラン−4
−イル基であることによって、立体的な構造となり結晶化を抑制することができる。結晶
化が抑制されたことによって、当該ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を用いた発光
素子は均一で安定な面発光を得ることができるため信頼性が向上し、長寿命な発光素子を
得ることが可能となる。また、立体的な構造となったことでエキシマー形成を抑制するこ
とができ、エキシマー形成を起因の励起準位の低下を抑制することができることから、当
該ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物は赤色から緑色のりん光を発する発光物質を用
いた発光素子にも好適に使用することが可能な化合物である。
In R 1 to R 10 of the above general formulas (G1) to (G5), at least one of them is a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4.
By being -yl group, it becomes a three-dimensional structure and can suppress crystallization. By suppressing crystallization, a light-emitting element using the dibenzo [f, h] quinoxaline compound can obtain uniform and stable surface light emission, so that reliability is improved and a long-life light-emitting element is obtained. Is possible. In addition, the formation of a three-dimensional structure can suppress excimer formation, and the reduction of the excited level caused by excimer formation can be suppressed. Therefore, the dibenzo [f, h] quinoxaline compound is red. It is a compound that can be suitably used for a light-emitting element using a light-emitting substance that emits green phosphorescence.

上記、ジベンゾチオフェン−4−イル基及びジベンゾフラン−4−イル基は下記一般式(
G1−1)又は(G1−2)で表すことができる。
The dibenzothiophen-4-yl group and the dibenzofuran-4-yl group are represented by the following general formula (
G1-1) or (G1-2).

一般式(G1−1)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R11乃至R17はそれぞれ独立に
水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基及び置換又は無置換のビ
フェニル基のいずれかを表す。また一般式(G1−2)中、Eは硫黄又は酸素を表し、
21乃至R27はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換の
フェニル基及び置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。R11乃至R17やR
21乃至R27はフェニル基やビフェニル基のような比較的大きい基である方が結晶化を
より抑制することが可能となり、好ましい構成である。特にフェニル基は、バンドギャッ
プや三重項準位の低下を招きにくく好ましい基である。
In General Formula (G1-1), E 1 represents sulfur or oxygen, and R 11 to R 17 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and substituted or unsubstituted. Represents one of the biphenyl groups. In general formula (G1-2), E 2 represents sulfur or oxygen,
R 21 to R 27 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and a substituted or unsubstituted biphenyl group. R 11 to R 17 and R
21 to R 27 are a relatively large group such as a phenyl group or a biphenyl group, which can suppress crystallization more and is a preferable configuration. In particular, a phenyl group is a preferable group that hardly causes a decrease in band gap or triplet level.

また、上記一般式(G1−1)及び(G1−2)において、R11乃至R17及びR21
乃至R27のいずれか一又は複数が置換基を有する基である場合、当該置換基は、炭素数
1〜6のアルキル基、フェニル基、又はビフェニル基のいずれかである。なお、置換基を
有する基であるほうが、一般式(G1)乃至(G5)で表される化合物をより立体的な構
造とすることが可能であるため、結晶化やエキシマー形成の抑制に有効であり、好ましい
構成である。
In the general formulas (G1-1) and (G1-2), R 11 to R 17 and R 21 are used.
Or if any one or more of R 27 is a group having a substituent, the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, is either a phenyl group, or a biphenyl group. Note that a group having a substituent is more effective in suppressing crystallization and excimer formation because the compounds represented by the general formulas (G1) to (G5) can have a more three-dimensional structure. There is a preferable configuration.

上記一般式(G1−1)におけるR12、R14、R15及びR17、上記一般式(G1
−2)におけるR22、R24、R25及びR27が全て水素である構成、すなわち下記
一般式(G2−1)及び(G2−2)で表される基を有するジベンゾ[f,h]キノキサ
リン化合物は原料の入手が容易であり、また、合成が容易であるため、より安価に合成す
ることができ、工業的に好ましい構成である。
R 12 , R 14 , R 15 and R 17 in the general formula (G1-1), the general formula (G1
-2) in which R 22 , R 24 , R 25 and R 27 are all hydrogen, that is, dibenzo [f, h] having a group represented by the following general formulas (G2-1) and (G2-2) The quinoxaline compound is easily available and can be synthesized at a lower cost because it is easy to synthesize.

一般式(G2−1)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R11、R13及びR16はそれぞ
れ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基及び置換又は無
置換のビフェニル基のいずれかを表す。また一般式(G2−2)中、Eは硫黄又は酸素
を表し、R11、R13及びR16はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、
置換又は無置換のフェニル基及び置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。
In General Formula (G2-1), E 1 represents sulfur or oxygen, and R 11 , R 13, and R 16 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and a substituted group Or it represents either an unsubstituted biphenyl group. In General Formula (G2-2), E 2 represents sulfur or oxygen, and R 11 , R 13, and R 16 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
It represents either a substituted or unsubstituted phenyl group and a substituted or unsubstituted biphenyl group.

また、上記一般式(G2−1)及び(G2−2)において、R11、R13及びR16
びR21、R23及びR26のいずれか一又は複数が置換基を有する基である場合、当該
置換基は、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基、又はビフェニル基のいずれかである
。なお、置換基を有する基であるほうが、一般式(G1)乃至(G5)で表される化合物
をより立体的な構造とすることが可能であるため、結晶化やエキシマー形成の抑制に有効
であり、好ましい構成である。
In the above general formulas (G2-1) and (G2-2), any one or more of R 11 , R 13 and R 16 and R 21 , R 23 and R 26 are groups having a substituent. The substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or a biphenyl group. Note that a group having a substituent is more effective in suppressing crystallization and excimer formation because the compounds represented by the general formulas (G1) to (G5) can have a more three-dimensional structure. There is a preferable configuration.

上記一般式(G1)乃至(G5)で表されるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物の具
体例としては、下記構造式(100)〜構造式(110)、構造式(120)〜構造式(
123)及び構造式(130)〜構造式(133)に示されるジベンゾ[f,h]キノキ
サリン化合物を挙げることができる。但し、本発明はこれらに限定されない。
Specific examples of the dibenzo [f, h] quinoxaline compounds represented by the general formulas (G1) to (G5) include the following structural formulas (100) to (110), (120) to (
123) and dibenzo [f, h] quinoxaline compounds represented by structural formulas (130) to (133). However, the present invention is not limited to these.

本発明の一態様のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物の合成方法としては種々の反応
を適用することができる。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、一般式(G
1)で表される本発明の一態様のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を合成すること
ができる。なお、本発明の一態様であるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物の合成方
法は、以下の合成方法に限定されない。
As a method for synthesizing the dibenzo [f, h] quinoxaline compound of one embodiment of the present invention, various reactions can be applied. For example, the general reaction (G
The dibenzo [f, h] quinoxaline compound of one embodiment of the present invention represented by 1) can be synthesized. Note that the synthesis method of the dibenzo [f, h] quinoxaline compound which is one embodiment of the present invention is not limited to the following synthesis method.

≪一般式(G1)で表されるジベンゾキノキサリン化合物の合成方法≫
合成スキーム(A−1)に示すように、ハロゲン化ジベンゾキノキサリン化合物(a1)
とジベンゾチオフェン−4−ホウ素化合物又はジベンゾフラン−4−ホウ素化合物(a2
)とをカップリングさせることで、上記一般式(G1)で表されるジベンゾ[f,h]キ
ノキサリン化合物を合成することができる。合成スキーム(A−1)を以下に示す。
<< Method for Synthesizing Dibenzoquinoxaline Compound Represented by General Formula (G1) >>
As shown in the synthesis scheme (A-1), the halogenated dibenzoquinoxaline compound (a1)
And dibenzothiophene-4-boron compound or dibenzofuran-4-boron compound (a2
) Can be synthesized to synthesize a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by the general formula (G1). A synthesis scheme (A-1) is shown below.

化合物(a1)のR101〜R110のいずれか一はハロゲノ基を表し、その他はそれぞ
れ独立にハロゲノ基、水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、
置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナ
ントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれかを表す。ハロゲノ基は塩素
、臭素、ヨウ素のいずれかであれば良く、反応性の高さからヨウ素、臭素、塩素の順で好
ましい。化合物(a2)のホウ素基としてはボロン酸基やジアルコキシボロン基が挙げら
れる。
Any one of R 101 to R 110 of the compound (a1) represents a halogeno group, and the others independently represent a halogeno group, hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group,
It represents any one of a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, and a substituted or unsubstituted triphenylenyl group. The halogeno group may be any one of chlorine, bromine, and iodine, and iodine, bromine, and chlorine are preferable in this order because of their high reactivity. Examples of the boron group of the compound (a2) include a boronic acid group and a dialkoxyboron group.

なお、合成スキーム(A−1)においては、化合物(a1)のハロゲノ基が結合している
炭素と化合物(a2)のホウ素基の結合している炭素が結合する。
Note that in the synthesis scheme (A-1), the carbon to which the halogeno group of the compound (a1) is bonded to the carbon to which the boron group of the compound (a2) is bonded.

なお、合成スキーム(A−1)のカップリング反応には様々な反応を適用できるが、その
一例としては、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を挙げることができる。具体的
には鈴木・宮浦反応を用いることができる。
Note that various reactions can be applied to the coupling reaction in the synthesis scheme (A-1). As an example, a synthesis method using a metal catalyst in the presence of a base can be given. Specifically, the Suzuki-Miyaura reaction can be used.

なお、上記一般式(G1)において、置換または無置換のジベンゾチオフェン−4−イル
基または置換または無置換のジベンゾフラン−4−イル基が複数結合している場合、これ
ら複数結合している置換基が同じものであれば、同時にカップリング反応を行うことで合
成が容易となる。
In the above general formula (G1), when a plurality of substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl groups or substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl groups are bonded, these multiple bonded substituents Are the same, the synthesis is facilitated by carrying out the coupling reaction at the same time.

本実施の形態のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物は、広いバンドギャップ及び高い
一重項準位や三重項準位を有するため、発光素子において、発光層の発光物質を分散させ
るホスト材料に用いることで、高い発光効率を有する発光素子を得ることができる。特に
、りん光性化合物を分散させるホスト材料として好適である。また、本実施の形態のジベ
ンゾ[f,h]キノキサリン化合物は、電子輸送性の高い物質であるため、発光素子にお
ける電子輸送層の材料として好適に用いることができる。本実施の形態のジベンゾ[f,
h]キノキサリン化合物を用いることにより、駆動電圧の低い発光素子を実現することが
できる。また、発光効率の高い発光素子を実現することができる。また、長寿命の発光素
子を実現することができる。さらに、この発光素子を用いることで、消費電力の低減され
た発光装置、電子機器及び照明装置を得ることができる。
Since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound of this embodiment has a wide band gap and a high singlet level or triplet level, the dibenzo [f, h] quinoxaline compound is used as a host material in which a light-emitting substance in a light-emitting layer is dispersed in a light-emitting element. Thus, a light-emitting element having high luminous efficiency can be obtained. In particular, it is suitable as a host material for dispersing a phosphorescent compound. In addition, since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound of this embodiment is a substance having a high electron transporting property, it can be suitably used as a material for an electron transporting layer in a light-emitting element. Dibenzo [f,
h] By using a quinoxaline compound, a light-emitting element with low driving voltage can be realized. In addition, a light-emitting element with high emission efficiency can be realized. In addition, a long-life light emitting element can be realized. Furthermore, by using this light-emitting element, a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device with reduced power consumption can be obtained.

なお、本発明の一態様であるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物は、有機薄膜太陽
電池に用いることもできる。より具体的には、キャリア輸送性があるため、キャリア輸送
層、キャリア注入層に用いることができる。また、光励起するため、発電層として用いる
ことができる。
Note that the dibenzo [f, h] quinoxaline compound which is one embodiment of the present invention can also be used for an organic thin film solar cell. More specifically, since it has carrier transportability, it can be used for a carrier transport layer and a carrier injection layer. Further, since it is optically excited, it can be used as a power generation layer.

(実施の形態2)
本実施の形態では実施の形態1で説明したジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を用
いた発光素子の詳細な構造の例について図1(A)を用いて以下に説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, an example of a detailed structure of a light-emitting element using the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is described below with reference to FIG.

本実施の形態における発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。本形態において
、発光素子は、第1の電極101と、第2の電極102と、第1の電極101と第2の電
極102との間に設けられたEL層103とから構成されている。なお、本形態では第1
の電極101は陽極として機能し、第2の電極102は陰極として機能するものとして、
以下説明をする。つまり、第1の電極101の方が第2の電極102よりも電位が高くな
るように、第1の電極101と第2の電極102に電圧を印加したときに、発光が得られ
る構成となっている。本実施の形態における発光素子はEL層103中のいずれかの層に
ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物が用いられている発光素子である。
The light-emitting element in this embodiment includes a plurality of layers between a pair of electrodes. In this embodiment mode, the light-emitting element includes a first electrode 101, a second electrode 102, and an EL layer 103 provided between the first electrode 101 and the second electrode 102. In this embodiment, the first
The electrode 101 functions as an anode, and the second electrode 102 functions as a cathode.
A description will be given below. That is, light emission is obtained when voltage is applied to the first electrode 101 and the second electrode 102 so that the potential of the first electrode 101 is higher than that of the second electrode 102. ing. The light-emitting element in this embodiment is a light-emitting element in which a dibenzo [f, h] quinoxaline compound is used in any layer of the EL layer 103.

第1の電極101としては、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合
金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例
えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、ケイ
素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛
、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)等が挙げられる
。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲ
ル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化イ
ンジウムに対し1〜20wt%の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法
により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化イン
ジウム(IWZO)は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5〜5wt%、酸
化亜鉛を0.1〜1wt%含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成する
ことができる。この他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(
W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu
)、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられ
る。グラフェンも用いることができる。
As the first electrode 101, a metal, an alloy, a conductive compound, a mixture thereof, or the like having a high work function (specifically, 4.0 eV or more) is preferably used. Specifically, for example, indium tin oxide (ITO), indium oxide-tin oxide containing silicon or silicon oxide, indium oxide-zinc oxide, indium oxide containing zinc oxide and zinc oxide ( IWZO) and the like. These conductive metal oxide films are usually formed by a sputtering method, but may be formed by applying a sol-gel method or the like. For example, indium oxide-zinc oxide can be formed by a sputtering method using a target in which 1 to 20 wt% of zinc oxide is added to indium oxide. Indium oxide containing tungsten oxide and zinc oxide (IWZO) is formed by sputtering using a target containing 0.5 to 5 wt% tungsten oxide and 0.1 to 1 wt% zinc oxide with respect to indium oxide. can do. In addition, gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), tungsten (
W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu
), Palladium (Pd), or a nitride of a metal material (for example, titanium nitride). Graphene can also be used.

EL層103の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層ま
たは正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い
物質を含む層、バイポーラ性(電子及び正孔の輸送性の高い物質)の物質を含む層等を適
宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層
、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。本実施の形態では、EL層1
03は、第1の電極101の上に順に積層した正孔注入層111、正孔輸送層112、発
光層113、電子輸送層114、電子注入層115を有する構成について説明する。各層
を構成する材料について以下に具体的に示す。
There is no particular limitation on the stacked structure of the EL layer 103, and a layer containing a substance with a high electron-transport property or a layer containing a substance with a high hole-transport property, a layer containing a substance with a high electron-injection property, or a high hole-injection property A layer containing a substance, a layer containing a bipolar substance (a substance having a high electron and hole transporting property), and the like may be combined as appropriate. For example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like can be appropriately combined. In this embodiment, the EL layer 1
03 describes a structure including a hole injection layer 111, a hole transport layer 112, a light emitting layer 113, an electron transport layer 114, and an electron injection layer 115 that are sequentially stacked over the first electrode 101. The materials constituting each layer are specifically shown below.

正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナ
ジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いること
ができる。この他、フタロシアニン(略称:HPc)や銅フタロシアニン(CuPC)
等のフタロシアニン系の化合物、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル
)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’−ビス{4−[ビス
(3−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−N,N’−ジフェニル−(1,1’−ビフ
ェニル)−4,4’−ジアミン(略称:DNTPD)等の芳香族アミン化合物、或いはポ
リ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS
)等の高分子等によっても正孔注入層111を形成することができる。
The hole injection layer 111 is a layer containing a substance having a high hole injection property. Molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide, manganese oxide, or the like can be used. In addition, phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc) and copper phthalocyanine (CuPC)
Phthalocyanine compounds such as 4,4′-bis [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: DPAB), N, N′-bis {4- [bis (3- Aromatic amine compounds such as methylphenyl) amino] phenyl} -N, N′-diphenyl- (1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine (abbreviation: DNTPD), or poly (ethylenedioxythiophene) / Poly (styrene sulfonic acid) (PEDOT / PSS)
The hole injection layer 111 can also be formed by a polymer such as).

また、正孔注入層111として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有さ
せた複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質
を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選
ぶことができる。つまり、第1の電極101として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕
事関数の小さい材料も用いることができるようになる。アクセプター性物質としては、7
,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラフルオロキノジメタン(略称:F
−TCNQ)、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げるこ
とができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げるこ
とができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸
化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため
好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いや
すいため好ましい。
For the hole-injecting layer 111, a composite material in which an acceptor substance is contained in a substance having a high hole-transport property can be used. Note that by using a substance having an acceptor substance contained in a substance having a high hole-transport property, a material for forming an electrode can be selected regardless of the work function of the electrode. That is, not only a material with a high work function but also a material with a low work function can be used for the first electrode 101. Acceptable substances include 7
, 7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (abbreviation: F
4- TCNQ), chloranil and the like. Moreover, a transition metal oxide can be mentioned. In addition, oxides of metals belonging to Groups 4 to 8 in the periodic table can be given. Specifically, vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide are preferable because of their high electron accepting properties. Among these, molybdenum oxide is especially preferable because it is stable in the air, has a low hygroscopic property, and is easy to handle.

複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール
誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など
、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては
、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、1×10−6cm
/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。ただし、電子よりも正孔の
輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料にお
ける正孔輸送性の高い物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
As the substance having a high hole-transport property used for the composite material, various organic compounds such as aromatic amine compounds, carbazole derivatives, aromatic hydrocarbons, and high molecular compounds (oligomers, dendrimers, polymers, and the like) can be used. Note that the organic compound used for the composite material is preferably an organic compound having a high hole-transport property. Specifically, 1 × 10 −6 cm 2
A substance having a hole mobility of / Vs or higher is preferable. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Hereinafter, organic compounds that can be used as a substance having a high hole transporting property in the composite material are specifically listed.

例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’−ジ(p−トリル)−N,N’−ジフ
ェニル−p−フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’−ビス[N−(4−
ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N
,N’−ビス{4−[ビス(3−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−N,N’−ジフ
ェニル−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(略称:DNTPD)、1,3
,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン
(略称:DPA3B)等を挙げることができる。
For example, as an aromatic amine compound, N, N′-di (p-tolyl) -N, N′-diphenyl-p-phenylenediamine (abbreviation: DTDPPA), 4,4′-bis [N- (4-
Diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: DPAB), N
, N′-bis {4- [bis (3-methylphenyl) amino] phenyl} -N, N′-diphenyl- (1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine (abbreviation: DNTPD), 1 , 3
, 5-tris [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] benzene (abbreviation: DPA3B), and the like.

複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、3−[N−
(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバ
ゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3
−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)
、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]
−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等を挙げることができる。
Specific examples of the carbazole derivative that can be used for the composite material include 3- [N—
(9-phenylcarbazol-3-yl) -N-phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA1), 3,6-bis [N- (9-phenylcarbazole-3)
-Yl) -N-phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2)
, 3- [N- (1-naphthyl) -N- (9-phenylcarbazol-3-yl) amino]
-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCN1) and the like can be given.

また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、4,4’−
ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−
カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−
9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、1,4−ビス[
4−(N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等を用
いることができる。
Other carbazole derivatives that can be used for the composite material include 4,4′-
Di (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), 1,3,5-tris [4- (N-
Carbazolyl) phenyl] benzene (abbreviation: TCPB), 9- [4- (10-phenyl-)
9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA), 1,4-bis [
4- (N-carbazolyl) phenyl] -2,3,5,6-tetraphenylbenzene or the like can be used.

また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2−tert
−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、2−
tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ビス(3,
5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−tert−ブチル−9
,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−BuDBA)、9,1
0−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラ
セン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuAn
th)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)
、2−tert−ブチル−9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセ
ン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−
テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメ
チル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,9’−ビアントリル、10,1
0’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス(2−フェニルフェニ
ル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフ
ェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、
ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン等が挙げられる。ま
た、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10−6
cm/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14〜42である芳香族炭化水素を用いる
ことがより好ましい。
Moreover, as an aromatic hydrocarbon which can be used for a composite material, for example, 2-tert
-Butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 2-
tert-Butyl-9,10-di (1-naphthyl) anthracene, 9,10-bis (3
5-diphenylphenyl) anthracene (abbreviation: DPPA), 2-tert-butyl-9
, 10-bis (4-phenylphenyl) anthracene (abbreviation: t-BuDBA), 9,1
0-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPAnth), 2-tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuAn)
th), 9,10-bis (4-methyl-1-naphthyl) anthracene (abbreviation: DMNA)
2-tert-butyl-9,10-bis [2- (1-naphthyl) phenyl] anthracene, 9,10-bis [2- (1-naphthyl) phenyl] anthracene, 2,3,6,7-
Tetramethyl-9,10-di (1-naphthyl) anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene, 9,9′-bianthryl, 10,1
0′-diphenyl-9,9′-bianthryl, 10,10′-bis (2-phenylphenyl) -9,9′-bianthryl, 10,10′-bis [(2,3,4,5,6- Pentaphenyl) phenyl] -9,9′-bianthryl, anthracene, tetracene, rubrene,
Examples include perylene, 2,5,8,11-tetra (tert-butyl) perylene, and the like. In addition, pentacene, coronene, and the like can also be used. Thus, 1 × 10 −6
It is more preferable to use an aromatic hydrocarbon having a hole mobility of cm 2 / Vs or more and having 14 to 42 carbon atoms.

なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよ
い。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’−ビス(2,2−
ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−
ジフェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等が挙げられる。
Note that the aromatic hydrocarbon that can be used for the composite material may have a vinyl skeleton. Examples of the aromatic hydrocarbon having a vinyl group include 4,4′-bis (2,2-
Diphenylvinyl) biphenyl (abbreviation: DPVBi), 9,10-bis [4- (2,2-
Diphenylvinyl) phenyl] anthracene (abbreviation: DPVPA) and the like.

また、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフェ
ニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニル
アミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](
略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス
(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)等の高分子化合物を用いることも
できる。
In addition, poly (N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK), poly (4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA), poly [N- (4- {N ′-[4- (4-diphenylamino)] Phenyl] phenyl-N′-phenylamino} phenyl) methacrylamide] (
An abbreviation: PTPDMA) or a polymer compound such as poly [N, N′-bis (4-butylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) benzidine] (abbreviation: Poly-TPD) can also be used.

正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質と
しては、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェ
ニル(略称:NPB)やN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル
−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4,4’,4’’
−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,
4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニ
ルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオ
レン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)、4−フェニル
−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFL
P)などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に1×
10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。また、上述の複合材料にお
ける正孔輸送性の高い物質として挙げた有機化合物も正孔輸送層112に用いることがで
きる。また、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリ
フェニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いることもできる。但し、
電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、
正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以
上積層したものとしてもよい。
The hole transport layer 112 is a layer containing a substance having a high hole transport property. Examples of the substance having a high hole-transport property include 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: NPB) and N, N′-bis (3-methylphenyl). ) -N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (abbreviation: TPD), 4,4 ′, 4 ″
-Tris (N, N-diphenylamino) triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,
4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 4,4′-bis [N- (spiro-9,9′-bifluorene) -2-yl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: BSPB), 4-phenyl-4 ′-(9-phenylfluoren-9-yl) triphenylamine (abbreviation: BPAFL)
An aromatic amine compound such as P) can be used. The substances mentioned here are mainly 1x
It is a substance having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or higher. In addition, organic compounds mentioned as substances having a high hole-transport property in the above-described composite material can also be used for the hole-transport layer 112. Alternatively, a high molecular compound such as poly (N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK) or poly (4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA) can be used. However,
Any other substance may be used as long as it has a property of transporting more holes than electrons. In addition,
The layer containing a substance having a high hole-transport property is not limited to a single layer, and two or more layers containing the above substances may be stacked.

発光層113は、発光性の物質を含む層である。発光層113は、発光物質単独の膜で
構成されていても、ホスト材料中に発光中心物質を分散された膜で構成されていても良い
The light emitting layer 113 is a layer containing a light emitting substance. The light emitting layer 113 may be formed of a film made of a light emitting material alone or may be formed of a film in which a light emitting center material is dispersed in a host material.

発光層113において、発光物質、若しくは発光中心物質として用いることが可能な材
料としては特に限定は無く、これら材料が発する光は蛍光であってもりん光であっても良
い。上記発光物質又は発光中心物質としては例えば、以下のようなものが挙げられる。蛍
光発光性の物質としては、N,N’−ビス〔4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9
−イル)フェニル〕−N,N’−ジフェニル−ピレン−1,6−ジアミン(略称:1,6
FLPAPrn)、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]
−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(
9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェ
ニルアミン(略称:YGAPA)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(9
,10−ジフェニル−2−アントリル)トリフェニルアミン(略称:2YGAPPA)、
N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H
−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、ペリレン、2,5,8,11−テト
ラ−tert−ブチルペリレン(略称:TBP)、4−(10−フェニル−9−アントリ
ル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略
称:PCBAPA)、N,N’’−(2−tert−ブチルアントラセン−9,10−ジ
イルジ−4,1−フェニレン)ビス[N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレ
ンジアミン](略称:DPABPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(9,10−ジ
フェニル−2−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2P
CAPPA)、N−[4−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]−N,
N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPPA)、N
,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’−オクタフェニルジベンゾ[g
,p]クリセン−2,7,10,15−テトラアミン(略称:DBC1)、クマリン30
、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバ
ゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェ
ニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−
アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−
N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、
N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,N
’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、9
,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−N−[4−(9H−カルバゾール−
9−イル)フェニル]−N−フェニルアントラセン−2−アミン(略称:2YGABPh
A)、N,N,9−トリフェニルアントラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)ク
マリン545T、N,N’−ジフェニルキナクリドン、(略称:DPQd)、ルブレン、
5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン
(略称:BPT)、2−(2−{2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル}−
6−メチル−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル(略称:DCM1)、2
−{2−メチル−6−[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[i
j]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニト
リル(略称:DCM2)、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テト
ラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,14−ジフェニル−N,N
,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオラン
テン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)、2−{2−イソプロピル−6−
[2−(1,1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−
ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロ
パンジニトリル(略称:DCJTI)、2−{2−tert−ブチル−6−[2−(1,
1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij
]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリ
ル(略称:DCJTB)、2−(2,6−ビス{2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル
]エテニル}−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル(略称:BisDCM
)、2−{2,6−ビス[2−(8−メトキシ−1,1,7,7−テトラメチル−2,3
,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル
]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:BisDCJTM)など
が挙げられる。りん光発光性の物質としては、ビス[2−(3’,5’−ビストリフルオ
ロメチルフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称
:Ir(CFppy)(pic))、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル
)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIr
acac)、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(略
称:[Ir(ppy)])、ビス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム
(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(ppy)(acac)])、ビス(
1,2−ジフェニル−1H−ベンゾイミダゾラト)イリジウム(III)アセチルアセト
ナート(略称:[Ir(pbi)(acac)])、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)
イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(bzq)(acac)]
)、トリス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(bzq)
])、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウム(
III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(dpo)(acac)])、ビス[2
−(4’−パーフルオロフェニルフェニル)ピリジナト]イリジウム(III)アセチル
アセトナート(略称:[Ir(p−PF−ph)(acac)])、ビス(2−フェニ
ルベンゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:
[Ir(bt)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−
フルオロフェニル)−5−メチルピラジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(F
dppr−Me)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス[2−(4−メトキ
シフェニル)−3,5−ジメチルピラジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(d
mmoppr)(acac)])、トリス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イ
リジウム(III)(略称:[Ir(pq)])、ビス(2−フェニルキノリナト−N
,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(pq)(ac
ac)])、(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジメチル−2−フェニルピラジナト
)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppr−Me)(acac)])、(アセ
チルアセトナト)ビス(5−イソプロピル−3−メチル−2−フェニルピラジナト)イリ
ジウム(III)(略称:[Ir(mppr−iPr)(acac)])、ビス[2−
(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III
)アセチルアセトナート(略称:[Ir(btp)(acac)])、ビス(1−フェ
ニルイソキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:
[Ir(piq)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4
−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(Fdpq
(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジ
ナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tppr)(acac)])、ビス(2
,3,5−トリフェニルピラジナト)(ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(
略称:[Ir(tppr)(dpm)])、(アセチルアセトナト)ビス(6−ter
t−ブチル−4−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tBu
ppm)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(4,6−ジフェニルピリミ
ジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(dppm)(acac)])、2,3
,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白金
(II)(略称:PtOEP)、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン
)テルビウム(III)(略称:[Tb(acac)(Phen)])、トリス(1,
3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(
III)(略称:[Eu(DBM)(Phen)])、トリス[1−(2−テノイル)
−3,3,3−トリフルオロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(II
I)(略称:[Eu(TTA)(Phen)])などが挙げられる。なお、実施の形態
1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物も発光物質もしくは発光中心物質とし
て用いることができる。当該ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物は紫色から緑色の範
囲にスペクトルを有する光を発する発光中心物質である。
There is no particular limitation on a material that can be used as the light-emitting substance or the light-emitting center substance in the light-emitting layer 113, and light emitted from these materials may be either fluorescence or phosphorescence. Examples of the luminescent substance or luminescent center substance include the following. As the fluorescent substance, N, N′-bis [4- (9-phenyl-9H-fluorene-9
-Yl) phenyl] -N, N′-diphenyl-pyrene-1,6-diamine (abbreviation: 1,6
FLPAPrn), N, N′-bis [4- (9H-carbazol-9-yl) phenyl]
-N, N'-diphenylstilbene-4,4'-diamine (abbreviation: YGA2S), 4- (
9H-carbazol-9-yl) -4 ′-(10-phenyl-9-anthryl) triphenylamine (abbreviation: YGAPA), 4- (9H-carbazol-9-yl) -4 ′-(9
, 10-diphenyl-2-anthryl) triphenylamine (abbreviation: 2YGAPPA),
N, 9-diphenyl-N- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H
-Carbazole-3-amine (abbreviation: PCAPA), perylene, 2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene (abbreviation: TBP), 4- (10-phenyl-9-anthryl) -4 '-( 9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBAPA), N, N ″-(2-tert-butylanthracene-9,10-diyldi-4,1-phenylene) bis [N , N ′, N′-triphenyl-1,4-phenylenediamine] (abbreviation: DPABPA), N, 9-diphenyl-N- [4- (9,10-diphenyl-2-anthryl) phenyl] -9H— Carbazole-3-amine (abbreviation: 2P
CAPPA), N- [4- (9,10-diphenyl-2-anthryl) phenyl] -N,
N ′, N′-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPAPPA), N
, N, N ′, N ′, N ″, N ″, N ′ ″, N ′ ″-octaphenyldibenzo [g
, P] chrysene-2,7,10,15-tetraamine (abbreviation: DBC1), coumarin 30
N- (9,10-diphenyl-2-anthryl) -N, 9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA), N- [9,10-bis (1,1′-biphenyl-) 2-yl) -2-anthryl] -N, 9-diphenyl-9H-carbazole-3-
Amine (abbreviation: 2PCABPhA), N- (9,10-diphenyl-2-anthryl)-
N, N ′, N′-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPAPA),
N- [9,10-bis (1,1′-biphenyl-2-yl) -2-anthryl] -N, N
', N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPABPhA), 9
, 10-bis (1,1′-biphenyl-2-yl) -N- [4- (9H-carbazole-
9-yl) phenyl] -N-phenylanthracen-2-amine (abbreviation: 2YGABPh)
A), N, N, 9-triphenylanthracen-9-amine (abbreviation: DPhAPhA) coumarin 545T, N, N′-diphenylquinacridone, (abbreviation: DPQd), rubrene,
5,12-bis (1,1′-biphenyl-4-yl) -6,11-diphenyltetracene (abbreviation: BPT), 2- (2- {2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl}-
6-methyl-4H-pyran-4-ylidene) propanedinitrile (abbreviation: DCM1), 2
-{2-methyl-6- [2- (2,3,6,7-tetrahydro-1H, 5H-benzo [i
j] quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: DCM2), N, N, N ′, N′-tetrakis (4-methylphenyl) tetracene-5,11 -Diamine (abbreviation: p-mPhTD), 7,14-diphenyl-N, N
, N ′, N′-tetrakis (4-methylphenyl) acenaphtho [1,2-a] fluoranthene-3,10-diamine (abbreviation: p-mPhAFD), 2- {2-isopropyl-6-
[2- (1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H, 5H-
Benzo [ij] quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: DCJTI), 2- {2-tert-butyl-6- [2- (1,
1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H, 5H-benzo [ij
] Quinolidine-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: DCJTB), 2- (2,6-bis {2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl}- 4H-pyran-4-ylidene) propanedinitrile (abbreviation: BisDCM)
), 2- {2,6-bis [2- (8-methoxy-1,1,7,7-tetramethyl-2,3).
, 6,7-tetrahydro-1H, 5H-benzo [ij] quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: BisDCJTM). As a phosphorescent substance, bis [2- (3 ′, 5′-bistrifluoromethylphenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ] iridium (III) picolinate (abbreviation: Ir (CF 3 ppy) 2 (pic )), Bis [2- (4 ′, 6′-difluorophenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: FIr)
acac), tris (2-phenylpyridinato-N, C2 ' ) iridium (III) (abbreviation: [Ir (ppy) 3 ]), bis (2-phenylpyridinato-N, C2 ' ) iridium (III) Acetylacetonate (abbreviation: [Ir (ppy) 2 (acac)]), bis (
1,2-diphenyl-1H-benzimidazolato) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (pbi) 2 (acac)]), bis (benzo [h] quinolinato)
Iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (bzq) 2 (acac)]
), Tris (benzo [h] quinolinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (bzq)
3 ]), bis (2,4-diphenyl-1,3-oxazolate-N, C 2 ′ ) iridium (
III) Acetylacetonate (abbreviation: [Ir (dpo) 2 (acac)]), bis [2
-(4'-perfluorophenylphenyl) pyridinato] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (p-PF-ph) 2 (acac)]), bis (2-phenylbenzothiazolate-N, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation:
[Ir (bt) 2 (acac)]), (acetylacetonato) bis [2,3-bis (4-
Fluorophenyl) -5-methylpyrazinato] iridium (III) (abbreviation: [Ir (F
dppr-Me) 2 (acac)]), (acetylacetonato) bis [2- (4-methoxyphenyl) -3,5-dimethylpyrazinato] iridium (III) (abbreviation: [Ir (d
mmoppr) 2 (acac)]), tris (2-phenylquinolinato-N, C2 ' ) iridium (III) (abbreviation: [Ir (pq) 3 ]), bis (2-phenylquinolinato-N
, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (pq) 2 (ac
ac)]), (acetylacetonato) bis (3,5-dimethyl-2-phenylpyrazinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (mppr-Me) 2 (acac)]), (acetylacetonato ) Bis (5-isopropyl-3-methyl-2-phenylpyrazinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (mppr-iPr) 2 (acac)]), bis [2-
(2′-Benzo [4,5-α] thienyl) pyridinato-N, C 3 ′ ] iridium (III
) Acetylacetonate (abbreviation: [Ir (btp) 2 (acac)]), bis (1-phenylisoquinolinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation:
[Ir (piq) 2 (acac)]), (acetylacetonato) bis [2,3-bis (4
-Fluorophenyl) quinoxalinato] iridium (III) (abbreviation: [Ir (Fdpq
) 2 (acac)]), (acetylacetonato) bis (2,3,5-triphenylpyrazinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (tppr) 2 (acac)]), bis (2
, 3,5-Triphenylpyrazinato) (dipivaloylmethanato) iridium (III) (
Abbreviations: [Ir (tppr) 2 (dpm)]), (acetylacetonato) bis (6-ter
t-butyl-4-phenylpyrimidinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (tBu
ppm) 2 (acac)]), (acetylacetonato) bis (4,6-diphenylpyrimidinato) iridium (III) (abbreviation: [Ir (dppm) 2 (acac)]), 2, 3
, 7, 8, 12, 13, 17, 18-octaethyl-21H, 23H-porphyrin platinum (II) (abbreviation: PtOEP), tris (acetylacetonato) (monophenanthroline) terbium (III) (abbreviation: [Tb ( acac) 3 (Phen)]), Tris (1,
3-diphenyl-1,3-propanedionate) (monophenanthroline) europium (
III) (abbreviation: [Eu (DBM) 3 (Phen)]), tris [1- (2-thenoyl)
−3,3,3-trifluoroacetonato] (monophenanthroline) europium (II
I) (abbreviation: [Eu (TTA) 3 (Phen)]) and the like. Note that the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 can also be used as the light-emitting substance or the emission center substance. The dibenzo [f, h] quinoxaline compound is an emission center substance that emits light having a spectrum in a purple to green range.

また、上記ホスト材料として用いることが可能な材料としては、特に限定はないが、例
えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、トリス(
4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq)、ビス(
10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq)、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I)(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)、ビ
ス[2−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、
ビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)な
どの金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1
,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブ
チルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−
7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル
)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’,2’’−(1,3,5−ベ
ンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI
)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、
9−[4−(5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル)フェニル]−9
H−カルバゾール(略称:CO11)などの複素環化合物、4,4’−ビス[N−(1−
ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα−NPD)、N,
N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]
−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビ
フルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳
香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピ
レン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化
合物が挙げられ、具体的には、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth
)、N,N−ジフェニル−9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−
9H−カルバゾール−3−アミン(略称:CzA1PA)、4−(10−フェニル−9−
アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、4−(9H−カルバゾール−9
−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:YG
APA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニ
ル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、N,9−ジフェニル−N
−{4−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]フェニル}−9H−カル
バゾール−3−アミン(略称:PCAPBA)、N,9−ジフェニル−N−(9,10−
ジフェニル−2−アントリル)−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA
)、6,12−ジメトキシ−5,11−ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’
’,N’’,N’’’,N’’’−オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン−2,7
,10,15−テトラアミン(略称:DBC1)、9−[4−(10−フェニル−9−ア
ントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、3,6−ジフェニル−
9−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称
:DPCzPA)、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称
:DPPA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−te
rt−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、
9,9’−ビアントリル(略称:BANT)、9,9’−(スチルベン−3,3’−ジイ
ル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’−(スチルベン−4,4’−ジイル
)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’−(ベンゼン−1,3,5
−トリイル)トリピレン(略称:TPB3)などを挙げることができる。また、実施の形
態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物もホスト材料として好適に用いるこ
とができる。これら及び公知の物質の中から、上記発光中心物質のバンドギャップより大
きなバンドギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。また、
発光中心物質がりん光を発する物質である場合、ホスト材料は該発光中心物質の三重項準
位(基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差)よりも大きい三重項準位を有する物質
を選択すれば良い。同じく、発光中心物質が蛍光を発する物質である場合、ホスト材料は
該発光中心物質の一重項準位(基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差)よりも大き
い一重項準位を有する物質を選択すればよい。
There is no particular limitation on a material that can be used as the host material. For example, tris (8-quinolinolato) aluminum (III) (abbreviation: Alq), tris (
4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) (abbreviation: Almq 3 ), bis (
10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium (II) (abbreviation: BeBq 2),
Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (II
I) (abbreviation: BAlq), bis (8-quinolinolato) zinc (II) (abbreviation: Znq), bis [2- (2-benzoxazolyl) phenolato] zinc (II) (abbreviation: ZnPBO),
Metal complexes such as bis [2- (2-benzothiazolyl) phenolato] zinc (II) (abbreviation: ZnBTZ), 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1
, 3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD) −
7), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 2,2 ′, 2 ″-(1 , 3,5-Benzenetriyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazole) (abbreviation: TPBI)
), Bathophenanthroline (abbreviation: BPhen), bathocuproin (abbreviation: BCP),
9- [4- (5-Phenyl-1,3,4-oxadiazol-2-yl) phenyl] -9
Heterocyclic compounds such as H-carbazole (abbreviation: CO11), 4,4′-bis [N- (1-
Naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: NPB or α-NPD), N,
N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl]
-4,4'-diamine (abbreviation: TPD), 4,4'-bis [N- (spiro-9,9'-bifluoren-2-yl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: BSPB), etc. An aromatic amine compound is mentioned. In addition, condensed polycyclic aromatic compounds such as anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, pyrene derivatives, chrysene derivatives, and dibenzo [g, p] chrysene derivatives can be given. Specifically, 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPAnth)
), N, N-diphenyl-9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl]-
9H-carbazol-3-amine (abbreviation: CzA1PA), 4- (10-phenyl-9-
Anthryl) triphenylamine (abbreviation: DPhPA), 4- (9H-carbazole-9)
-Yl) -4 '-(10-phenyl-9-anthryl) triphenylamine (abbreviation: YG)
APA), N, 9-diphenyl-N- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCAPA), N, 9-diphenyl-N
-{4- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] phenyl} -9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCAPBA), N, 9-diphenyl-N- (9,10-
Diphenyl-2-anthryl) -9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA)
), 6,12-dimethoxy-5,11-diphenylchrysene, N, N, N ′, N ′, N ′
', N ″, N ′ ″, N ′ ″-octaphenyldibenzo [g, p] chrysene-2,7
, 10,15-tetraamine (abbreviation: DBC1), 9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA), 3,6-diphenyl-
9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: DPCzPA), 9,10-bis (3,5-diphenylphenyl) anthracene (abbreviation: DPPA), 9,10- Di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 2-te
rt-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA),
9,9′-bianthryl (abbreviation: BANT), 9,9 ′-(stilbene-3,3′-diyl) diphenanthrene (abbreviation: DPNS), 9,9 ′-(stilbene-4,4′-diyl) Diphenanthrene (abbreviation: DPNS2), 3,3 ′, 3 ″-(benzene-1,3,5
-Triyl) tripyrene (abbreviation: TPB3). In addition, the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 can also be preferably used as the host material. From these and known substances, one or more kinds of substances having a band gap larger than the band gap of the emission center substance may be selected and used. Also,
When the emission center substance emits phosphorescence, the host material selects a substance having a triplet level larger than the triplet level of the emission center substance (energy difference between the ground state and the triplet excited state). Just do it. Similarly, when the emission center substance is a substance that emits fluorescence, the host material is a substance having a singlet level larger than the singlet level of the emission center substance (energy difference between the ground state and the singlet excited state). Just choose.

なお、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物をホスト材料とし
て用いた発光素子は、当該ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物が、一重項準位や三重
項準位が高いこと、また、エキシマーを形成しにくいことから発光効率が高い発光素子と
することができる。また、当該ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物が良好な電子輸送
性を有することから、駆動電圧の小さい発光素子とすることができる。また、当該ジベン
ゾ[f,h]キノキサリン化合物が結晶化しにくいこと、また、電子と正孔の両方のキャ
リアを受け取りやすいことから、寿命の長い発光素子とすることができる。さらに、当該
ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物は、緑色から赤色(緑色を含むそれより長波長側
)のりん光を発する物質を発光中心物質とした発光素子により好適に用いることができる
。これは、当該ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物の高い三重項準位を有することか
ら、有効に緑色から赤色のりん光発光物質を励起することができ、発光効率の高い発光素
子を提供することが容易となるためである。
Note that in the light-emitting element using the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 as a host material, the dibenzo [f, h] quinoxaline compound has a high singlet level or triplet level. In addition, since it is difficult to form an excimer, a light emitting element with high light emission efficiency can be obtained. In addition, since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound has favorable electron transport properties, a light-emitting element with low driving voltage can be obtained. In addition, since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound is difficult to crystallize and easily receives both electrons and holes, a light-emitting element having a long lifetime can be obtained. Further, the dibenzo [f, h] quinoxaline compound can be suitably used for a light-emitting element in which a phosphor that emits green to red (long wavelength side including green) phosphorescence is used. This is because the dibenzo [f, h] quinoxaline compound has a high triplet level, so that it is possible to effectively excite a green to red phosphorescent substance and to provide a light emitting element with high emission efficiency. This is because it becomes easy.

実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物は、ジベンゾ[f,h]キ
ノキサリン環に加えてジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格を有するため、
正孔を受け取ることが容易となる。したがって、この化合物を発光層のホスト材料に用い
ることで、電子と正孔の再結合が発光層内で行われ、発光素子の寿命の低下を抑制するこ
とができる。さらに、この化合物は、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格
が導入されることにより、立体的に嵩高い構造となり、膜にした場合に結晶化しにくく、
発光素子に用いることで長寿命な素子を実現できる。また、立体的に嵩高い構造であるこ
とから、当該ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物はエキシマーを形成しにくく、エキ
シマー形成による励起準位の低下を防ぐことができることから、発光効率の高い発光素子
を実現することができる。
Since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 has a dibenzothiophene skeleton or a dibenzofuran skeleton in addition to the dibenzo [f, h] quinoxaline ring,
It becomes easier to receive holes. Therefore, by using this compound for the host material of the light emitting layer, recombination of electrons and holes is performed in the light emitting layer, and a reduction in the lifetime of the light emitting element can be suppressed. Furthermore, this compound has a sterically bulky structure by introducing a dibenzothiophene skeleton or a dibenzofuran skeleton, and is difficult to crystallize when formed into a film.
By using it as a light emitting element, an element having a long life can be realized. In addition, since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound has a three-dimensionally bulky structure, the dibenzo [f, h] quinoxaline compound hardly forms an excimer and can prevent a decrease in excitation level due to excimer formation. Can be realized.

また、ジベンゾ[f,h]キノキサリン環に、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフ
ラン骨格が結合した化合物は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格がLUMO準位に対
して支配的な骨格である。また、該化合物は、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定
によれば、少なくとも−2.8eV以下、具体的には−2.9eV以下の深いLUMO準
位を有する。例えば、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物の一
つである2−(6−フェニルジベンゾチオフェン−4−イル)ジベンゾ[f,h]キノキ
サリン(略称:2DBTDBq−IV)のCV測定から求めたLUMO準位は、−2.9
9eVである。一方、上述した[Ir(mppr−Me)(acac)]、[Ir(m
ppr−iPr)(acac)]、[Ir(tppr)(acac)]、[Ir(t
ppr)(dpm)]のようなピラジン骨格を有するりん光性化合物や、[Ir(tB
uppm)(acac)]、[Ir(dppm)(acac)]のようなピリミジン
骨格を有するりん光性化合物に代表されるジアジン骨格を有するりん光性化合物は、ほぼ
同等の深いLUMO準位を有している。したがって、実施の形態1に記載のジベンゾ[f
,h]キノキサリン化合物をホスト材料とし、ジアジン骨格(特にピラジン骨格やピリミ
ジン骨格)を有するりん光性化合物をゲスト材料とする発光層の構成は、発光層内での電
子のトラップを極力抑制することができ、極めて低い駆動電圧が実現できる。
A compound in which a dibenzothiophene skeleton or a dibenzofuran skeleton is bonded to a dibenzo [f, h] quinoxaline ring is a skeleton in which the dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton is dominant with respect to the LUMO level. Further, the compound has a deep LUMO level of at least −2.8 eV or less, specifically −2.9 eV or less, according to cyclic voltammetry (CV) measurement. For example, 2- (6-phenyldibenzothiophen-4-yl) dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 2DBTDBq-IV) which is one of the dibenzo [f, h] quinoxaline compounds described in Embodiment 1 The LUMO level obtained from CV measurement is -2.9.
9 eV. On the other hand, [Ir (mppr-Me) 2 (acac)], [Ir (m
ppr-iPr) 2 (acac)], [Ir (tppr) 2 (acac)], [Ir (t
phosphorescent compounds having a pyrazine skeleton such as [ppr) 2 (dpm)], and [Ir (tB
uppm) 2 (acac)], [Ir (dppm) 2 (acac)] and other phosphorescent compounds having a diazine skeleton typified by a phosphorescent compound having a pyrimidine skeleton are substantially equivalent deep LUMO levels. have. Therefore, the dibenzo [f described in Embodiment 1]
, H] The structure of the light-emitting layer using a quinoxaline compound as a host material and a phosphorescent compound having a diazine skeleton (particularly a pyrazine skeleton or a pyrimidine skeleton) as a guest material suppresses electron trapping in the light-emitting layer as much as possible. And an extremely low driving voltage can be realized.

なお、発光層113は2層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第1
の発光層と第2の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層113とする場合、第1
の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第2の発光層のホスト材料
として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。
Note that the light-emitting layer 113 can be formed of a plurality of layers of two or more layers. For example, the first
When the light emitting layer 113 and the second light emitting layer are sequentially laminated from the hole transport layer side to form the light emitting layer 113,
There is a configuration in which a substance having a hole transporting property is used as the host material of the light emitting layer, and a substance having an electron transporting property is used as the host material of the second light emitting layer.

以上のような構成を有する発光層は、複数の材料で構成されている場合、真空蒸着法で
の共蒸着や、混合溶液としてインクジェット法やスピンコート法やディップコート法など
を用いて作製することができる。
When the light emitting layer having the above structure is composed of a plurality of materials, the light emitting layer should be manufactured by co-evaporation using a vacuum evaporation method, or by using an inkjet method, a spin coating method, a dip coating method, or the like as a mixed solution. Can do.

電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス(8−キ
ノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)
アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)
ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニ
ルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリ
ン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2−(2−ヒドロキシ
フェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX))、ビス[2−(2−ヒ
ドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))などのオキサゾ
ール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属
錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1
,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−
ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD
−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニ
ル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:BP
hen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いることができる。また、実施の
形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物も好適に用いることができる。こ
こに述べた物質は、主に1×10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質である
。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層とし
て用いても構わない。
The electron transport layer 114 is a layer containing a substance having a high electron transport property. For example, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq), tris (4-methyl-8-quinolinolato)
Aluminum (abbreviation: Almq 3 ), bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato)
It is a layer formed of a metal complex having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton, such as beryllium (abbreviation: BeBq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (abbreviation: BAlq). In addition, bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzoxazolate] zinc (abbreviation: Zn (BOX) 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzothiazolate] zinc (abbreviation: Zn (BTZ)) A metal complex having an oxazole-based or thiazole-based ligand such as 2 ) can also be used. In addition to metal complexes, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1
, 3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD) and 1,3-bis [5- (p-tert-
Butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD
-7), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), bathophenanthroline (abbreviation: BP)
hen), bathocuproine (abbreviation: BCP), and the like can also be used. In addition, the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 can also be preferably used. The substances mentioned here are mainly substances having an electron mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that other than the above substances, any substance that has a property of transporting more electrons than holes may be used for the electron-transport layer.

また、電子輸送層114は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積
層したものとしてもよい。
Further, the electron-transport layer 114 is not limited to a single layer, and two or more layers including the above substances may be stacked.

また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。
これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加し
た層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節す
ることが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発
生する問題(例えば素子寿命の低下)の抑制に大きな効果を発揮する。
Further, a layer for controlling the movement of electron carriers may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer.
This is a layer obtained by adding a small amount of a substance having a high electron trapping property to a material having a high electron transporting property as described above. By suppressing the movement of electron carriers, the carrier balance can be adjusted. Such a configuration is very effective in suppressing problems that occur when electrons penetrate through the light emitting layer (for example, a reduction in device lifetime).

実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物はキャリア輸送性に優れ
るため、電子輸送層114の材料として用いることによって、駆動電圧の小さい発光素子
を得ることが容易となる。また、当該ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物はバンドギ
ャップが広く、三重項準位も高いことから、緑色から赤色のりん光を発する発光層113
に隣接する電子輸送層114の材料として用いても、発光中心物質の励起エネルギーを失
活させる恐れが少なく、発光効率の高い緑色から赤色の発光素子を得ることが容易となる
Since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 has excellent carrier transport properties, a light-emitting element with low driving voltage can be easily obtained by using the dibenzo [f, h] quinoxaline compound as a material for the electron transport layer 114. In addition, since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound has a wide band gap and a high triplet level, the light-emitting layer 113 emits green to red phosphorescence.
Even when used as a material for the electron transport layer 114 adjacent to the light emitting element, there is little fear of deactivating the excitation energy of the luminescent center substance, and it becomes easy to obtain a green to red light emitting element with high luminous efficiency.

また、電子輸送層114と第2の電極102との間に、第2の電極102に接して電子
注入層115を設けてもよい。電子注入層115としては、フッ化リチウム(LiF)、
フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)等のようなアルカリ金属又は
アルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有す
る物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させ
たもの、例えばAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いることができ
る。なお、電子注入層115として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金
属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第2の電極102からの
電子注入が効率良く行われるためより好ましい。
Further, an electron injection layer 115 may be provided in contact with the second electrode 102 between the electron transport layer 114 and the second electrode 102. As the electron injection layer 115, lithium fluoride (LiF),
An alkali metal or an alkaline earth metal such as cesium fluoride (CsF), calcium fluoride (CaF 2 ), or the like, or a compound thereof can be used. For example, a layer made of a substance having an electron transporting property containing an alkali metal or an alkaline earth metal or a compound thereof, for example, a layer containing magnesium (Mg) in Alq can be used. Note that by using an electron injection layer 115 containing an alkali metal or an alkaline earth metal in a layer made of a substance having an electron transporting property, electron injection from the second electrode 102 is efficiently performed. Therefore, it is more preferable.

第2の電極102を形成する物質としては、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV
以下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる
。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素
、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム
(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、および
これらを含む合金(MgAg、AlLi)、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Y
b)等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第2の電極
102と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わら
ず、Al、Ag、ITO、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化ス
ズ等様々な導電性材料を第2の電極102として用いることができる。これら導電性材料
は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可
能である。
As a material for forming the second electrode 102, a work function is small (specifically, 3.8 eV).
The following may be used: metals, alloys, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples of such cathode materials include elements belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table of elements, that is, alkali metals such as lithium (Li) and cesium (Cs), and magnesium (Mg) and calcium (Ca ), Alkaline earth metals such as strontium (Sr), and alloys (MgAg, AlLi), europium (Eu), ytterbium (Y
and rare earth metals such as b) and alloys containing them. However, by providing an electron injection layer between the second electrode 102 and the electron transport layer, indium oxide-tin oxide containing Al, Ag, ITO, silicon or silicon oxide regardless of the work function. Various conductive materials such as the above can be used for the second electrode 102. These conductive materials can be formed by a sputtering method, an inkjet method, a spin coating method, or the like.

また、EL層103の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用い
ることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用い
ても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない
In addition, as a formation method of the EL layer 103, various methods can be used regardless of a dry method or a wet method. For example, a vacuum deposition method, an ink jet method, a spin coating method, or the like may be used. Moreover, you may form using the different film-forming method for each electrode or each layer.

電極についても、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペース
トを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法
を用いて形成しても良い。
The electrode may also be formed by a wet method using a sol-gel method, or may be formed by a wet method using a paste of a metal material. Alternatively, a dry method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method may be used.

以上のような構成を有する発光素子は、第1の電極101と第2の電極102との間に
生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層113において
正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層113に発光領域が形成さ
れるような構成となっている。
In the light-emitting element having the above structure, current flows due to a potential difference generated between the first electrode 101 and the second electrode 102, so that holes are formed in the light-emitting layer 113 that is a layer containing a highly light-emitting substance. And electrons recombine and emit light. That is, a light emitting region is formed in the light emitting layer 113.

発光は、第1の電極101または第2の電極102のいずれか一方または両方を通って
外部に取り出される。従って、第1の電極101または第2の電極102のいずれか一方
または両方は、透光性を有する電極で成る。第1の電極101のみが透光性を有する電極
である場合、発光は第1の電極101を通って取り出される。また、第2の電極102の
みが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極102を通って取り出される。第
1の電極101および第2の電極102がいずれも透光性を有する電極である場合、発光
は第1の電極101および第2の電極102を通って、両方から取り出される。
Light emission is extracted outside through one or both of the first electrode 101 and the second electrode 102. Therefore, either one or both of the first electrode 101 and the second electrode 102 is a light-transmitting electrode. When only the first electrode 101 is a light-transmitting electrode, light emission is extracted through the first electrode 101. In the case where only the second electrode 102 is a light-transmitting electrode, light emission is extracted through the second electrode 102. In the case where both the first electrode 101 and the second electrode 102 are light-transmitting electrodes, light emission is extracted from both through the first electrode 101 and the second electrode 102.

なお、第1の電極101と第2の電極102との間に設けられる層の構成は、上記のも
のには限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近
接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極101および第2の電極
102から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。
Note that the structure of the layers provided between the first electrode 101 and the second electrode 102 is not limited to the above. However, in order to suppress quenching caused by the proximity of the light emitting region and the metal used for the electrode and the carrier injection layer, holes and electrons are separated from the first electrode 101 and the second electrode 102. A structure in which a light-emitting region in which is recombined is provided is preferable.

また、直接発光層に接する正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層113における発光領
域に近い方に接するキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を
抑制するため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光物質もしくは、発光層に含ま
れる発光中心物質が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で構成
することが好ましい。
In addition, the hole transport layer and the electron transport layer that are in direct contact with the light emitting layer, in particular, the carrier transport layer that is in contact with the light emitting region closer to the light emitting layer 113 suppresses energy transfer from excitons generated in the light emitting layer. The band gap is preferably composed of a light emitting material constituting the light emitting layer or a material having a band gap larger than that of the light emission center material included in the light emitting layer.

本実施の形態における発光素子において、電子輸送層に、実施の形態1に記載のジベン
ゾ[f,h]キノキサリン化合物を用いる場合、発光物質もしくは発光中心物質がりん光
を呈する物質であっても、効率良く発光させることができ、発光効率の良好な発光素子を
得ることができるようになる。このことで、より発光効率が高く、低消費電力の発光素子
を提供することが可能となる。また、色純度の良い発光を得ることができる発光素子を提
供することができるようになる。また、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキ
サリン化合物は、キャリアの輸送性に優れることから、駆動電圧の小さい発光素子を提供
することが可能となる。
In the light-emitting element in this embodiment, when the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is used for the electron-transporting layer, the light-emitting substance or the emission center substance is a substance that exhibits phosphorescence Light can be emitted efficiently, and a light emitting element with good light emission efficiency can be obtained. Accordingly, it is possible to provide a light emitting element with higher light emission efficiency and lower power consumption. In addition, a light-emitting element capable of obtaining light emission with good color purity can be provided. In addition, since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 has excellent carrier transport properties, a light-emitting element with low driving voltage can be provided.

本実施の形態における発光素子は、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に作製す
ればよい。基板上に作製する順番としては、第1の電極101側から順に積層しても、第
2の電極側から順に積層しても良い。発光装置は一基板上に一つの発光素子を形成したも
のでも良いが、複数の発光素子を形成しても良い。一基板上にこのような発光素子を複数
作製することで、素子分割された照明装置やパッシブマトリクス型の発光装置を作製する
ことができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジ
スタ(TFT)を形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよ
い。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発
光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでも
よいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTに用いる半導体の結晶性についても特
に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、T
FT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでも
よいし、若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであ
ってもよい。
The light-emitting element in this embodiment may be manufactured over a substrate made of glass, plastic, or the like. As the order of manufacturing on the substrate, the layers may be sequentially stacked from the first electrode 101 side or may be sequentially stacked from the second electrode side. The light emitting device may be one in which one light emitting element is formed on one substrate, but a plurality of light emitting elements may be formed. By manufacturing a plurality of such light-emitting elements over one substrate, an element-divided lighting device or a passive matrix light-emitting device can be manufactured. Alternatively, for example, a thin film transistor (TFT) may be formed over a substrate made of glass, plastic, or the like, and a light-emitting element may be formed over an electrode electrically connected to the TFT. Thus, an active matrix light-emitting device in which driving of the light-emitting element is controlled by the TFT can be manufactured. Note that the structure of the TFT is not particularly limited. A staggered TFT or an inverted staggered TFT may be used. Further, there is no particular limitation on the crystallinity of the semiconductor used for the TFT, and an amorphous semiconductor or a crystalline semiconductor may be used. T
The driving circuit formed on the FT substrate may also be composed of N-type and P-type TFTs, or may be composed of only one of N-type TFTs and P-type TFTs.

(実施の形態3)
本実施の形態は、複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子(以下、積層型素子と
もいう)の態様について、図1(B)を参照して説明する。この発光素子は、第1の電極
と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユニットとし
ては、実施の形態2で示したEL層103と同様な構成を用いることができる。つまり、
実施の形態2で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施
の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子ということができる。
(Embodiment 3)
In this embodiment, an embodiment of a light-emitting element having a structure in which a plurality of light-emitting units is stacked (hereinafter also referred to as a stacked element) is described with reference to FIG. This light-emitting element is a light-emitting element having a plurality of light-emitting units between a first electrode and a second electrode. As the light-emitting unit, a structure similar to that of the EL layer 103 described in Embodiment 2 can be used. That means
The light-emitting element described in Embodiment 2 is a light-emitting element having one light-emitting unit, and can be referred to as a light-emitting element having a plurality of light-emitting units in this embodiment.

図1(B)において、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユ
ニット511と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511
と第2の発光ユニット512との間には電荷発生層513が設けられている。第1の電極
501と第2の電極502はそれぞれ実施の形態2における第1の電極101と第2の電
極102に相当し、実施の形態2で説明したものと同様なものを適用することができる。
また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異な
る構成であってもよい。
In FIG. 1B, a first light-emitting unit 511 and a second light-emitting unit 512 are stacked between a first electrode 501 and a second electrode 502, and the first light-emitting unit 511 is stacked.
A charge generation layer 513 is provided between the first light emitting unit 512 and the second light emitting unit 512. The first electrode 501 and the second electrode 502 correspond to the first electrode 101 and the second electrode 102 in Embodiment 2, respectively, and those similar to those described in Embodiment 2 can be applied. it can.
Further, the first light emitting unit 511 and the second light emitting unit 512 may have the same configuration or different configurations.

電荷発生層513には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機
化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態2で示した複合材料であり、有機化合物と
バナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機
化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化
合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができ
る。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が1×10−6
cm/Vs以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送
性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複
合体は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を
実現することができる。
The charge generation layer 513 includes a composite material of an organic compound and a metal oxide. This composite material of an organic compound and a metal oxide is the composite material described in Embodiment 2, and includes an organic compound and a metal oxide such as vanadium oxide, molybdenum oxide, or tungsten oxide. As the organic compound, various compounds such as an aromatic amine compound, a carbazole compound, an aromatic hydrocarbon, and a high molecular compound (oligomer, dendrimer, polymer, etc.) can be used. The organic compound has a hole mobility of 1 × 10 −6 as a hole transporting organic compound.
It is preferable to apply one that is cm 2 / Vs or higher. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Since a composite of an organic compound and a metal oxide is excellent in carrier injecting property and carrier transporting property, low voltage driving and low current driving can be realized.

なお、電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と他の材料に
より構成される層を組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複
合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合
物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材
料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。
Note that the charge generation layer 513 may be formed by combining a layer including a composite material of an organic compound and a metal oxide with a layer formed using another material. For example, a layer including a composite material of an organic compound and a metal oxide may be combined with a layer including one compound selected from electron donating substances and a compound having a high electron transporting property. Alternatively, a layer including a composite material of an organic compound and a metal oxide may be combined with a transparent conductive film.

いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電
荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502の間に電圧を印加したときに、
一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば
良い。例えば、図1(B)において、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高
くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電
子を注入し、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。
In any case, the charge generation layer 513 sandwiched between the first light-emitting unit 511 and the second light-emitting unit 512 has a voltage applied between the first electrode 501 and the second electrode 502.
Any device that injects electrons into one light emitting unit and injects holes into the other light emitting unit may be used. For example, in FIG. 1B, in the case where a voltage is applied so that the potential of the first electrode is higher than the potential of the second electrode, the charge generation layer 513 has electrons in the first light-emitting unit 511. As long as it injects holes into the second light emitting unit 512.

本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、3つ以
上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本
実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で
仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま高輝度領域での発光が可能である。
電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は
、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる
。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
Although the light-emitting element having two light-emitting units has been described in this embodiment mode, the present invention can be similarly applied to a light-emitting element in which three or more light-emitting units are stacked. As in the light-emitting element according to this embodiment, a plurality of light-emitting units are partitioned and arranged between a pair of electrodes by a charge generation layer, whereby light emission in a high-luminance region can be performed while keeping a current density low. .
Since the current density can be kept low, a long-life element can be realized. Further, when illumination is used as an application example, the voltage drop due to the resistance of the electrode material can be reduced, so that uniform light emission over a large area is possible. Further, a light-emitting device that can be driven at a low voltage and consumes low power can be realized.

また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体とし
て、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子
において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係にな
るようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である
。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係に
ある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また
、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニ
ットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニ
ットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
Further, by making the light emission colors of the respective light emitting units different, light emission of a desired color can be obtained as the whole light emitting element. For example, in a light-emitting element having two light-emitting units, the light-emitting element that emits white light as a whole by making the light emission color of the first light-emitting unit and the light emission color of the second light-emitting unit complementary colors It is also possible to obtain The complementary color refers to a relationship between colors that become achromatic when mixed. That is, white light emission can be obtained by mixing light obtained from substances that emit light of complementary colors. The same applies to a light-emitting element having three light-emitting units. For example, the first light-emitting unit has a red light emission color, the second light-emitting unit has a green light emission color, and the third light-emitting unit has a third light-emitting unit. When the emission color of is blue, the entire light emitting element can emit white light.

本実施の形態の発光素子は実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物を含むことから、発光効率の良好な発光素子とすることができる。また、駆動電圧の小
さな発光素子とすることができる。また、寿命の長い発光素子とすることができる。又、
当該ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物が含まれる発光ユニットは発光中心物質由来
の光を色純度良く得られるため、発光素子全体としての色の調製が容易となる。
Since the light-emitting element of this embodiment includes the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1, a light-emitting element with favorable light emission efficiency can be obtained. Further, a light-emitting element with low driving voltage can be obtained. In addition, a light-emitting element with a long lifetime can be obtained. or,
Since the light-emitting unit including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound can obtain light derived from the luminescent center substance with high color purity, the color of the entire light-emitting element can be easily prepared.

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。   Note that this embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.

(実施の形態4)
本実施の形態では、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含
む発光素子(すなわち、実施の形態2又は実施の形態3に記載の発光素子)を用いた発光
装置について説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, a light-emitting device using the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 (that is, the light-emitting element described in Embodiment 2 or 3) is described. To do.

本実施の形態では、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含
む発光素子を用いて作製された発光装置について図2を用いて説明する。なお、図2(A
)は、発光装置を示す上面図、図2(B)は図2(A)をA−BおよびC−Dで切断した
断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された
駆動回路部(ソース線駆動回路)601、画素部602、駆動回路部(ゲート線駆動回路
)603を含んでいる。また、604は封止基板、625は乾燥剤、605はシール材で
あり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。
In this embodiment, a light-emitting device manufactured using a light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 will be described with reference to FIGS. Note that FIG.
) Is a top view showing the light-emitting device, and FIG. 2B is a cross-sectional view of FIG. 2A cut along AB and CD. This light-emitting device includes a drive circuit portion (source line drive circuit) 601, a pixel portion 602, and a drive circuit portion (gate line drive circuit) 603 indicated by dotted lines, which control light emission of the light-emitting elements. Reference numeral 604 denotes a sealing substrate; 625, a desiccant; 605, a sealant;

なお、引き回し配線608はソース線駆動回路601及びゲート線駆動回路603に入
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプ
リントサーキット)609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号
等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント
配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光
装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものと
する。
Note that the lead wiring 608 is a wiring for transmitting a signal input to the source line driver circuit 601 and the gate line driver circuit 603, and a video signal, a clock signal, an FPC (flexible printed circuit) 609 serving as an external input terminal, Receives start signal, reset signal, etc. Although only the FPC is shown here, a printed wiring board (PWB) may be attached to the FPC. The light-emitting device in this specification includes not only a light-emitting device body but also a state in which an FPC or a PWB is attached thereto.

次に、断面構造について図2(B)を用いて説明する。素子基板610上には駆動回路
部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路601
と、画素部602中の一つの画素が示されている。
Next, a cross-sectional structure will be described with reference to FIG. A driver circuit portion and a pixel portion are formed over the element substrate 610. Here, a source line driver circuit 601 which is a driver circuit portion is formed.
One pixel in the pixel portion 602 is shown.

なお、ソース線駆動回路601はnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT62
4とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路
、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板
上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を
基板上ではなく外部に形成することもできる。
Note that the source line driver circuit 601 includes an n-channel TFT 623 and a p-channel TFT 62.
4 is formed. The drive circuit may be formed of various CMOS circuits, PMOS circuits, or NMOS circuits. In this embodiment mode, a driver integrated type in which a driver circuit is formed over a substrate is shown; however, this is not necessarily required, and the driver circuit can be formed outside the substrate.

また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とその
ドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。
なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ
型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
The pixel portion 602 is formed by a plurality of pixels including a switching TFT 611, a current control TFT 612, and a first electrode 613 electrically connected to the drain thereof.
Note that an insulator 614 is formed so as to cover an end portion of the first electrode 613. Here, a positive photosensitive acrylic resin film is used.

また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有
する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性ア
クリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有
する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、ネガ型の感光性樹脂、
或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
In order to improve the coverage, a curved surface having a curvature is formed at the upper end or the lower end of the insulator 614. For example, when positive photosensitive acrylic is used as a material for the insulator 614, it is preferable that only the upper end portion of the insulator 614 has a curved surface with a curvature radius (0.2 μm to 3 μm). Further, as the insulator 614, a negative photosensitive resin,
Alternatively, any of positive type photosensitive resins can be used.

第1の電極613上には、EL層616、および第2の電極617がそれぞれ形成され
ている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数
の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、またはケイ素を含有したイン
ジウム錫酸化物膜、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、
クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウ
ムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタ
ン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗
も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる
An EL layer 616 and a second electrode 617 are formed over the first electrode 613. Here, as a material used for the first electrode 613 functioning as an anode, a material having a high work function is preferably used. For example, an ITO film, an indium tin oxide film containing silicon, an indium oxide film containing 2 to 20 wt% zinc oxide, a titanium nitride film,
In addition to a single layer film such as a chromium film, a tungsten film, a Zn film, or a Pt film, a stack of titanium nitride and a film containing aluminum as a main component, a titanium nitride film, a film containing aluminum as a main component, and a titanium nitride film. A three-layer structure or the like can be used. Note that with a stacked structure, resistance as a wiring is low, good ohmic contact can be obtained, and a function as an anode can be obtained.

また、EL層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート
法等の種々の方法によって形成される。EL層616は、実施の形態1で示したジベンゾ
[f,h]キノキサリン化合物を含んでいる。また、EL層616を構成する他の材料と
しては、低分子化合物、または高分子化合物(オリゴマー、デンドリマーを含む)であっ
ても良い。
The EL layer 616 is formed by various methods such as an evaporation method using an evaporation mask, an inkjet method, and a spin coating method. The EL layer 616 includes the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1. Further, as another material forming the EL layer 616, a low molecular compound or a high molecular compound (including an oligomer and a dendrimer) may be used.

さらに、EL層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材
料としては、仕事関数の小さい材料(Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化
合物、MgAg、MgIn、AlLi等)を用いることが好ましい。なお、EL層616
で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を
薄くした金属薄膜と、透明導電膜(ITO、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジ
ウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛(ZnO)等)との積層を用いる
のが良い。
Further, as a material used for the second electrode 617 formed over the EL layer 616 and functioning as a cathode, a material having a low work function (Al, Mg, Li, Ca, or an alloy or compound thereof, MgAg, MgIn, AlLi or the like is preferably used. Note that the EL layer 616
In the case where the light generated in step 2 transmits through the second electrode 617, the second electrode 617 includes a thin metal film and a transparent conductive film (ITO, indium oxide containing 2 to 20 wt% zinc oxide). In addition, a stack with indium tin oxide containing silicon, zinc oxide (ZnO), or the like is preferably used.

なお、第1の電極613、EL層616、第2の電極617でもって、発光素子が形成
されている。当該発光素子は実施の形態2の構成を有する発光素子である。なお、画素部
は複数の発光素子が形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施
の形態2又は実施の形態3で説明した構成を有する実施の形態1に記載の発光素子と、そ
れ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。
Note that a light-emitting element is formed using the first electrode 613, the EL layer 616, and the second electrode 617. The light-emitting element is a light-emitting element having the structure of Embodiment 2. Note that a plurality of light-emitting elements are formed in the pixel portion; however, in the light-emitting device in this embodiment, the light-emitting device described in Embodiment 1 has the structure described in Embodiment 2 or Embodiment 3. Both the element and a light-emitting element having any other structure may be included.

さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、
素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素
子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されてお
り、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材605で充填され
る場合もある。
Further, the sealing substrate 604 is bonded to the element substrate 610 with the sealing material 605,
A light-emitting element 618 is provided in a space 607 surrounded by the element substrate 610, the sealing substrate 604, and the sealant 605. Note that the space 607 is filled with a filler, and may be filled with a sealant 605 in addition to an inert gas (such as nitrogen or argon).

なお、シール材605にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。ま
た、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また
、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberg
lass−Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド
)、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
Note that an epoxy resin or glass frit is preferably used for the sealant 605. Moreover, it is desirable that these materials are materials that do not transmit moisture and oxygen as much as possible. Further, as a material used for the sealing substrate 604, in addition to a glass substrate and a quartz substrate, FRP (Fiberg
A plastic substrate made of glass-reinforced plastics), PVF (polyvinyl fluoride), polyester, acrylic, or the like can be used.

以上のようにして、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含
む発光素子を用いて作製された発光装置を得ることができる。
As described above, a light-emitting device manufactured using the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 can be obtained.

本実施の形態における発光装置は、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサ
リン化合物を含む発光素子を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることが
できる。具体的には、実施の形態1で示したジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物はバ
ンドギャップが大きく、一重項準位や三重項準位が高いため、発光物質からのエネルギー
の移動を抑制することが可能であることから、発光効率の良好な発光素子を提供すること
ができ、もって、消費電力の低減された発光装置とすることができる。また、ジベンゾ[
f,h]キノキサリン化合物はキャリア輸送性の高い化合物であることから、駆動電圧の
小さい発光素子を得ることができ、駆動電圧の小さい発光装置を得ることができる。また
、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を用いた発光素子は、結
晶化を抑制することができることから寿命の長い発光素子であり、信頼性の高い発光装置
を提供することができる。
Since the light-emitting device in this embodiment uses the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1, a light-emitting device having favorable characteristics can be obtained. Specifically, the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 has a large band gap and a high singlet level or triplet level, and thus suppresses energy transfer from the light-emitting substance. Therefore, a light-emitting element with favorable light emission efficiency can be provided, and thus a light-emitting device with reduced power consumption can be obtained. Dibenzo [
Since the f, h] quinoxaline compound is a compound having a high carrier transport property, a light emitting element with a low driving voltage can be obtained, and a light emitting device with a low driving voltage can be obtained. The light-emitting element using the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is a light-emitting element with a long lifetime because it can suppress crystallization, and provides a highly reliable light-emitting device. be able to.

以上のように、本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について説明し
たが、この他、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図3には本発明を適用
して作製したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図3(A)は、発光装置を
示す斜視図、図3(B)は図3(A)をX−Yで切断した断面図である。図3において、
基板951上には、電極952と電極956との間にはEL層955が設けられている。
電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層9
54が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁
と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短
辺方向の断面は、台形状であり、底辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁
層953と接する辺)の方が上辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層9
53と接しない辺)よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に
起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置に
おいても、低駆動電圧で動作する実施の形態1に記載の、実施の形態1に記載のジベンゾ
[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子を有することによって、低消費電力で駆動
させることができる。また、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物を含むために発光効率の高い実施の形態1に記載の発光素子を含むことによって、低消
費電力で駆動させることができる。また、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノ
キサリン化合物を含む実施の形態1に記載の発光素子を有することによって信頼性の高い
発光装置とすることが可能となる。
As described above, although the active matrix light-emitting device is described in this embodiment mode, a passive matrix light-emitting device may also be used. FIG. 3 shows a passive matrix light-emitting device manufactured by applying the present invention. 3A is a perspective view illustrating the light-emitting device, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line XY in FIG. 3A. In FIG.
An EL layer 955 is provided between the electrode 952 and the electrode 956 over the substrate 951.
An end portion of the electrode 952 is covered with an insulating layer 953. A partition layer 9 is formed on the insulating layer 953.
54 is provided. The side wall of the partition wall layer 954 has an inclination such that the distance between one side wall and the other side wall becomes narrower as it approaches the substrate surface. That is, the cross section in the short side direction of the partition wall layer 954 has a trapezoidal shape, and the bottom side (the side facing the insulating layer 953 in the same direction as the surface direction of the insulating layer 953) is the top side (the surface of the insulating layer 953). Facing the same direction as the direction of the insulating layer 9
Shorter than 53). In this manner, by providing the partition layer 954, defects in the light-emitting element due to static electricity or the like can be prevented. In addition, a passive matrix light-emitting device also has a light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 described in Embodiment 1 that operates at a low driving voltage. It can be driven with power consumption. In addition, since the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is included, the light-emitting element described in Embodiment 1 with high emission efficiency can be included, so that the device can be driven with low power consumption. In addition, by including the light-emitting element described in Embodiment 1 including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1, a highly reliable light-emitting device can be provided.

(実施の形態5)
本実施の形態では、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を用
いた発光素子を照明装置として用いる例を図4を参照しながら説明する。図4(B)は照
明装置の上面図、図4(A)は図4(B)におけるE−F断面図である。
(Embodiment 5)
In this embodiment, an example in which the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is used as a lighting device will be described with reference to FIGS. 4B is a top view of the lighting device, and FIG. 4A is a cross-sectional view taken along line EF in FIG. 4B.

本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有する基板400上に、第1
の電極401が形成されている。第1の電極401は実施の形態3における第1の電極1
01に相当する。
In the lighting device in this embodiment, the first light-transmitting substrate 400 serving as the support is provided over the first substrate.
Electrode 401 is formed. The first electrode 401 is the first electrode 1 in the third embodiment.
Corresponds to 01.

第1の電極401上には補助電極402が設けられている。本実施の形態では、第1の
電極401側から発光を取り出す例を示したため、第1の電極401は透光性を有する材
料により形成する。補助電極402は透光性を有する材料の導電率の低さを補うために設
けられており、第1の電極401の抵抗が高いことによる電圧降下を起因とする発光面内
の輝度むらを抑制する機能を有する。補助電極402は少なくとも第1の電極401の材
料よりも導電率の大きい材料を用いて形成し、好ましくはアルミニウムなどの導電率の大
きい材料を用いて形成すると良い。なお、補助電極402における第1の電極401と接
する部分以外の表面は絶縁層で覆われていることが好ましい。これは、取り出すことがで
きない補助電極402上部からの発光を抑制するためであり、無効電流を低減し、電力効
率の低下を抑制するためである。なお、補助電極402の形成と同時に第2の電極404
に電圧を供給するためのパッド412を形成しても良い。
An auxiliary electrode 402 is provided over the first electrode 401. In this embodiment, an example in which light emission is extracted from the first electrode 401 side is described; therefore, the first electrode 401 is formed using a light-transmitting material. The auxiliary electrode 402 is provided to compensate for the low conductivity of the light-transmitting material, and suppresses uneven luminance in the light-emitting surface due to a voltage drop due to the high resistance of the first electrode 401. Has the function of The auxiliary electrode 402 is formed using at least a material having higher conductivity than the material of the first electrode 401, and preferably formed using a material having high conductivity such as aluminum. Note that the surface of the auxiliary electrode 402 other than the portion in contact with the first electrode 401 is preferably covered with an insulating layer. This is for suppressing light emission from the upper part of the auxiliary electrode 402 that cannot be taken out, for reducing reactive current and suppressing reduction in power efficiency. Note that the second electrode 404 is formed simultaneously with the formation of the auxiliary electrode 402.
A pad 412 for supplying a voltage may be formed.

第1の電極401と補助電極402上にはEL層403が形成されている。EL層40
3は実施の形態2におけるEL層103の構成、発光ユニット511、512及び電荷発
生層513を合わせた構成に相当する。なお、これら構成については当該記載を参照され
たい。なお、EL層403は第1の電極401よりも平面的に見て少し大きく形成するこ
とが、第1の電極401と第2の電極404とのショートを抑制する絶縁層の役割も担え
るため好ましい構成である。
An EL layer 403 is formed over the first electrode 401 and the auxiliary electrode 402. EL layer 40
3 corresponds to the structure of the EL layer 103 in Embodiment Mode 2, and the structure in which the light emitting units 511 and 512 and the charge generation layer 513 are combined. For these configurations, refer to the description. Note that the EL layer 403 is preferably formed slightly larger than the first electrode 401 in plan view because the EL layer 403 can also serve as an insulating layer for suppressing a short circuit between the first electrode 401 and the second electrode 404. It is a configuration.

EL層403を覆って第2の電極404を形成する。第2の電極404は実施の形態3
における第2の電極102に相当し、同様の構成を有する。本実施の形態においては、発
光は第1の電極401側から取り出されるため、第2の電極404は反射率の高い材料に
よって形成されることが好ましい。本実施の形態において、第2の電極404はパッド4
12と接続することによって、電圧が供給されるものとする。
A second electrode 404 is formed so as to cover the EL layer 403. The second electrode 404 is the same as in Embodiment Mode 3.
This corresponds to the second electrode 102 in FIG. In this embodiment mode, light emission is extracted from the first electrode 401 side; therefore, the second electrode 404 is preferably formed using a highly reflective material. In the present embodiment, the second electrode 404 is the pad 4
By connecting to 12, a voltage is supplied.

以上、第1の電極401、EL層403、及び第2の電極404(及び補助電極402
)を有する発光素子を本実施の形態で示す照明装置は有している。当該発光素子は発光効
率の高い発光素子であるため、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装
置とすることができる。また、当該発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子であるため、
消費電力の小さい照明装置とすることができる。また、当該発光素子は信頼性の高い発光
素子であることから、本実施の形態における照明装置は信頼性の高い照明装置とすること
ができる。
As described above, the first electrode 401, the EL layer 403, and the second electrode 404 (and the auxiliary electrode 402)
The lighting device described in this embodiment includes a light-emitting element including Since the light-emitting element is a light-emitting element with high emission efficiency, the lighting device in this embodiment can be a lighting device with low power consumption. In addition, since the light emitting element is a light emitting element with a low driving voltage,
A lighting device with low power consumption can be obtained. Further, since the light-emitting element is a highly reliable light-emitting element, the lighting device in this embodiment can be a highly reliable lighting device.

以上の構成を有する発光素子を、シール材405、406を用いて封止基板407を固
着し、封止することによって照明装置が完成する。なお、空間408はシール材405,
406、封止基板407、及び、基板400によって囲まれている。シール材405、4
06はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材406には乾燥剤を混ぜるこ
ともでき、これにより、水分を吸着することができ、信頼性の向上につながる。
The lighting device is completed by fixing and sealing the sealing substrate 407 to the light-emitting element having the above structure using the sealing materials 405 and 406. Note that the space 408 is a sealing material 405.
It is surrounded by 406, the sealing substrate 407 and the substrate 400. Sealing material 405, 4
06 can be either one. In addition, a desiccant can be mixed in the inner sealing material 406, so that moisture can be adsorbed, leading to improvement in reliability.

また、パッド412、第1の電極401及び補助電極402の一部をシール材405、
406の外に伸張して設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、そ
の上にコンバーターなどを搭載したICチップ420などを設けても良い。
Further, a part of the pad 412, the first electrode 401, and the auxiliary electrode 402 is formed with a sealant 405,
By extending outside 406, an external input terminal can be obtained. Further, an IC chip 420 mounted with a converter or the like may be provided thereon.

以上、本実施の形態に記載の照明装置は、EL素子に実施の形態1に記載のジベンゾ[
f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子を有することから、消費電力の小さい照明装
置とすることができる。また、駆動電圧の低い照明装置とすることができる。また、信頼
性の高い照明装置とすることができる。
As described above, in the lighting device described in this embodiment, the dibenzo described in Embodiment 1 [
f, h] Since the light-emitting element including the quinoxaline compound is included, a lighting device with low power consumption can be obtained. In addition, the lighting device can have a low driving voltage. Further, a highly reliable lighting device can be obtained.

(実施の形態6)
本実施の形態では、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含
む発光素子をその一部に含む電子機器の例について説明する。実施の形態1に記載のジベ
ンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子は発光効率が良好であり、消費電力が
低減された発光素子である。その結果、本実施の形態に記載の電子機器は、消費電力が低
減された発光部を有する電子機器とすることが可能である。また、実施の形態1に記載の
ジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子で
あるため、駆動電圧の小さい電子機器とすることが可能である。また、実施の形態1に記
載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子は寿命の長い発光素子である
ため、本実施の形態に記載の電子機器は信頼性の高い電子機器とすることが可能である。
(Embodiment 6)
In this embodiment, examples of electronic devices each including a light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 will be described. The light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 has high emission efficiency and reduced power consumption. As a result, the electronic device described in this embodiment can be an electronic device including a light-emitting portion with reduced power consumption. Further, since the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is a light-emitting element having a low driving voltage, the electronic device can have a low driving voltage. Since the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is a light-emitting element having a long lifetime, the electronic device described in this embodiment is a highly reliable electronic device. Is possible.

上記発光素子を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテ
レビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタル
ビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう
)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機など
が挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。
As an electronic device to which the light-emitting element is applied, for example, a television device (also referred to as a television or a television receiver), a monitor for a computer, a digital camera, a digital video camera, a digital photo frame, a mobile phone (a mobile phone, Large-sized game machines such as portable telephones, portable game machines, portable information terminals, sound reproduction apparatuses, and pachinko machines. Specific examples of these electronic devices are shown below.

図5(A)は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体710
1に表示部7103が組み込まれている。また、ここでは、スタンド7105により筐体
7101を支持した構成を示している。表示部7103により、映像を表示することが可
能であり、表示部7103は、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化
合物を含む発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効
率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とするこ
とが可能である。また、寿命の長い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発
光素子で構成される表示部7103を有するテレビジョン装置は消費電力の低減されたテ
レビジョン装置とすることができる。また、駆動電圧の小さいテレビジョン装置とするこ
とが可能である。また、信頼性の高いテレビジョン装置とすることができる。
FIG. 5A illustrates an example of a television device. The television device includes a housing 710.
1, a display portion 7103 is incorporated. Here, a structure in which the housing 7101 is supported by a stand 7105 is shown. Images can be displayed on the display portion 7103, and the display portion 7103 includes light-emitting elements including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 arranged in a matrix. . The light-emitting element can be a light-emitting element with favorable light emission efficiency. Further, a light-emitting element with low driving voltage can be obtained. In addition, a light-emitting element with a long lifetime can be obtained. Therefore, the television device including the display portion 7103 including the light-emitting element can be a television device with reduced power consumption. In addition, a television device with low driving voltage can be provided. Further, a highly reliable television device can be obtained.

テレビジョン装置の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作
機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を
操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110
から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。
The television device can be operated with an operation switch included in the housing 7101 or a separate remote controller 7110. Operation keys 7109 provided on the remote controller 7110
Thus, the channel and volume can be operated, and the video displayed on the display portion 7103 can be operated. Further, the remote controller 7110 is connected to the remote controller 7110.
Alternatively, a display portion 7107 for displaying information output from the computer may be provided.

なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般
のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信
ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向(送信者
と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
Note that the television device is provided with a receiver, a modem, and the like. General TV broadcasts can be received by the receiver, and connected to a wired or wireless communication network via a modem, so that it can be unidirectional (sender to receiver) or bidirectional (sender and receiver). It is also possible to perform information communication between each other or between recipients).

図5(B)はコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キー
ボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。
なお、このコンピュータは、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物を含む発光素子をマトリクス状に配列して表示部7203に用いることにより作製され
る。当該発光素子は発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧
の小さい発光素子とすることが可能である。また、寿命の長い発光素子とすることが可能
である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7203を有するコンピュータは消
費電力の低減されたコンピュータとすることができる。また、駆動電圧の小さいコンピュ
ータとすることが可能である。また、信頼性の高いコンピュータとすることが可能である
FIG. 5B illustrates a computer, which includes a main body 7201, a housing 7202, a display portion 7203, a keyboard 7204, an external connection port 7205, a pointing device 7206, and the like.
Note that this computer is manufactured by arranging light-emitting elements including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 in a matrix to be used for the display portion 7203. The light-emitting element can have high emission efficiency. Further, a light-emitting element with low driving voltage can be obtained. In addition, a light-emitting element with a long lifetime can be obtained. Therefore, a computer including the display portion 7203 which includes the light-emitting elements can be a computer with reduced power consumption. Further, the computer can have a low driving voltage. In addition, a highly reliable computer can be obtained.

図5(C)は携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成され
ており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には、実施の
形態1で説明した発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7304が組み込
まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図5(C)に示す携
帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LEDランプ7
308、入力手段(操作キー7309、接続端子7310、センサ7311(力、変位、
位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時
間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外
線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン7312)等を備えている。もちろん、
携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304および表示部
7305の両方、または一方に実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化
合物を含む発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部を用いていればよく、そ
の他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図5(C)に示す携帯型遊技機
は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能
や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図5(C
)に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができ
る。上述のような表示部7304を有する携帯型遊技機は、表示部7304に用いられて
いる発光素子が、良好な発光効率を有することから、消費電力の低減された携帯型遊技機
とすることができる。また、表示部7304に用いられている発光素子が低い駆動電圧で
駆動させることができることから、駆動電圧の小さい携帯型遊技機とすることができる。
また、表示部7304に用いられている発光素子が寿命の長い発光素子であることから、
信頼性の高い携帯型遊技機とすることができる。
FIG. 5C illustrates a portable game machine, which includes two housings, a housing 7301 and a housing 7302, which are connected with a joint portion 7303 so that the portable game machine can be opened or folded. A display portion 7304 manufactured by arranging the light-emitting elements described in Embodiment 1 in a matrix is incorporated in the housing 7301, and a display portion 7305 is incorporated in the housing 7302. In addition, the portable game machine shown in FIG. 5C includes a speaker portion 7306, a recording medium insertion portion 7307, an LED lamp 7, and the like.
308, input means (operation key 7309, connection terminal 7310, sensor 7311 (force, displacement,
Position, velocity, acceleration, angular velocity, rotation speed, distance, light, liquid, magnetism, temperature, chemical, sound, time, hardness, electric field, current, voltage, power, radiation, flow rate, humidity, gradient, vibration, smell or Including a function of measuring infrared rays), a microphone 7312), and the like. of course,
The structure of the portable game machine is not limited to the above, and a light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 in at least one of the display portion 7304 and the display portion 7305 or a matrix is used as a matrix. It is only necessary to use display units that are arranged in a shape, and other accessory equipment can be provided as appropriate. The portable game machine shown in FIG. 5C shares the information by reading a program or data recorded in a recording medium and displaying the program or data on a display unit, or by performing wireless communication with another portable game machine. It has a function. Note that FIG.
The functions of the portable game machine shown in (1) are not limited to this, and can have various functions. The portable game machine having the display portion 7304 as described above can be a portable game machine with low power consumption because the light-emitting element used for the display portion 7304 has favorable light emission efficiency. it can. Further, since the light-emitting element used for the display portion 7304 can be driven with a low driving voltage, a portable game machine with low driving voltage can be provided.
In addition, since the light-emitting element used for the display portion 7304 has a long lifetime,
A portable gaming machine with high reliability can be obtained.

図5(D)は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機は、筐体7401に組み込ま
れた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ74
05、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、実施の形態1に
記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子をマトリクス状に配列して
作製された表示部7402を有している。当該発光素子は発光効率の良好な発光素子とす
ることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、
寿命の長い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示
部7402を有する携帯電話機は消費電力の低減された携帯電話機とすることができる。
また、駆動電圧の小さい携帯電話機とすることが可能である。また、信頼性の高い携帯電
話機とすることが可能である。
FIG. 5D illustrates an example of a mobile phone. The cellular phone includes a display portion 7402 incorporated in a housing 7401, an operation button 7403, an external connection port 7404, a speaker 74, and the like.
05, a microphone 7406, and the like. Note that the cellular phone 7400 includes a display portion 7402 which is manufactured by arranging light-emitting elements including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 in a matrix. The light-emitting element can have high emission efficiency. Further, a light-emitting element with low driving voltage can be obtained. Also,
A light-emitting element having a long lifetime can be obtained. Therefore, a cellular phone including the display portion 7402 including the light-emitting element can be a cellular phone with reduced power consumption.
Further, a mobile phone with a low driving voltage can be provided. In addition, a highly reliable mobile phone can be obtained.

図5(D)に示す携帯電話機は、表示部7402を指などで触れることで、情報を入力す
ることができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成
するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
The mobile phone illustrated in FIG. 5D can have a structure in which information can be input by touching the display portion 7402 with a finger or the like. In this case, operations such as making a call or creating a mail can be performed by touching the display portion 7402 with a finger or the like.

表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
There are mainly three screen modes of the display portion 7402. The first mode is a display mode mainly for displaying an image. The first is a display mode mainly for displaying images, and the second is an input mode mainly for inputting information such as characters. The third is a display + input mode in which the display mode and the input mode are mixed.

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部7402の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
For example, when making a call or creating a mail, the display portion 7402 may be set to a character input mode mainly for inputting characters, and an operation for inputting characters displayed on the screen may be performed. In this case, it is preferable to display a keyboard or number buttons on most of the screen of the display portion 7402.

また、携帯電話機内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検
出装置を設けることで、携帯電話機の向き(縦か横か)を判断して、表示部7402の画
面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
In addition, by providing a detection device having a sensor for detecting inclination such as a gyroscope or an acceleration sensor inside the mobile phone, the orientation (portrait or horizontal) of the mobile phone is determined, and the screen display of the display portion 7402 is automatically displayed. Can be switched automatically.

また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作
ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
Further, the screen mode is switched by touching the display portion 7402 or operating the operation button 7403 of the housing 7401. Further, switching can be performed depending on the type of image displayed on the display portion 7402. For example, if the image signal to be displayed on the display unit is moving image data, the mode is switched to the display mode, and if it is text data, the mode is switched to the input mode.

また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示
部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
Further, in the input mode, when a signal detected by the optical sensor of the display unit 7402 is detected and there is no input by a touch operation of the display unit 7402 for a certain period, the screen mode is switched from the input mode to the display mode. You may control.

表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部74
02に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
The display portion 7402 can function as an image sensor. For example, the display unit 74
The user can be authenticated by touching 02 with a palm or a finger and capturing an image of a palm print, a fingerprint, or the like. In addition, if a backlight that emits near-infrared light or a sensing light source that emits near-infrared light is used for the display portion, finger veins, palm veins, and the like can be imaged.

なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態1乃至実施の形態5に示した構成を適宜組
み合わせて用いることができる。
Note that the structure described in this embodiment can be combined with any of the structures described in Embodiments 1 to 5 as appropriate.

以上の様に実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素
子を備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に
適用することが可能である。実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物を含む発光素子を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができ
る。また、駆動電圧の小さい電子機器を得ることができる。
As described above, the applicable range of the light-emitting device including the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is so wide that the light-emitting device can be applied to electronic devices in various fields. It is. By using the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1, an electronic device with reduced power consumption can be obtained. In addition, an electronic device with a low driving voltage can be obtained.

図6は、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子
をバックライトに適用した液晶表示装置の一例である。図6に示した液晶表示装置は、筐
体901、液晶層902、バックライトユニット903、筐体904を有し、液晶層90
2は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライトユニット903には、
実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子が用いられ
おり、端子906により、電流が供給されている。
FIG. 6 illustrates an example of a liquid crystal display device in which the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is applied to a backlight. The liquid crystal display device illustrated in FIG. 6 includes a housing 901, a liquid crystal layer 902, a backlight unit 903, and a housing 904.
2 is connected to the driver IC 905. The backlight unit 903 includes
The light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is used, and current is supplied from a terminal 906.

実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子を液晶表
示装置のバックライトに適用したことにより、消費電力の低減されたバックライトが得ら
れる。また、実施の形態2に記載の発光素子を用いることで、面発光の照明装置が作製で
き、また大面積化も可能である。これにより、バックライトの大面積化が可能であり、液
晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、実施の形態2に記載の発光素子を適用した
バックライトは従来と比較し厚みを小さくできるため、表示装置の薄型化も可能となる。
By applying the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 to a backlight of a liquid crystal display device, a backlight with reduced power consumption can be obtained. In addition, by using the light-emitting element described in Embodiment Mode 2, a surface-emitting lighting device can be manufactured and the area can be increased. Thereby, the area of the backlight can be increased, and the area of the liquid crystal display device can be increased. Further, the backlight to which the light-emitting element described in Embodiment 2 is applied can be thinner than the conventional backlight, so that the display device can be thinned.

図7は、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子
を、照明装置である電気スタンドに用いた例である。図7に示す電気スタンドは、筐体2
001と、光源2002を有し、光源2002として、実施の形態5に記載の発光装置が
用いられている。
FIG. 7 illustrates an example in which the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is used for a table lamp which is a lighting device. The desk lamp shown in FIG.
001 and a light source 2002, and the light-emitting device described in Embodiment 5 is used as the light source 2002.

図8は、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子
を、室内の照明装置3001として用いた例である。実施の形態1に記載のジベンゾ[f
,h]キノキサリン化合物を含む発光素子は消費電力の低減された発光素子であるため、
消費電力の低減された照明装置とすることができる。また、実施の形態1に記載のジベン
ゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子は大面積化が可能であるため、大面積の
照明装置として用いることができる。また、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キ
ノキサリン化合物を含む発光素子は、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いる
ことが可能となる。
FIG. 8 illustrates an example in which the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is used as an indoor lighting device 3001. Dibenzo [f described in Embodiment 1
, H] a light-emitting element including a quinoxaline compound is a light-emitting element with reduced power consumption.
A lighting device with reduced power consumption can be obtained. Further, since the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 can have a large area, the light-emitting element can be used as a large-area lighting device. Further, since the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 is thin, it can be used as a thin lighting device.

実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子は、自動
車のフロントガラスやダッシュボードにも搭載することができる。図9に実施の形態2に
記載の発光素子を自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。表示
5000乃至表示5005は実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合
物を含む発光素子を用いて設けられた表示である。
The light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 can be mounted on a windshield or a dashboard of an automobile. FIG. 9 illustrates one mode in which the light-emitting element described in Embodiment 2 is used for a windshield or a dashboard of an automobile. The display 5000 to the display 5005 are provided using the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1.

表示5000と表示5001は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態1に記
載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子を搭載した表示装置である。
実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子は、第1の
電極と第2の電極を透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見える
、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれ
ば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置するこ
とができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料に
よる有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトラ
ンジスタを用いると良い。
A display 5000 and a display 5001 are display devices on which a light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 provided on a windshield of an automobile is mounted.
In the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1, the first electrode and the second electrode are formed using a light-transmitting electrode, so that the opposite side can be seen through. A display device in a see-through state can be obtained. If it is a see-through display, it can be installed without obstructing the field of view even if it is installed on the windshield of an automobile. Note that in the case where a transistor for driving or the like is provided, a light-transmitting transistor such as an organic transistor using an organic semiconductor material or a transistor using an oxide semiconductor is preferably used.

表示5002はピラー部分に設けられた実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノ
キサリン化合物を含む発光素子を搭載した表示装置である。表示5002には、車体に設
けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完する
ことができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示5003は車体によ
って遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによ
って、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を
映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
A display 5002 is a display device mounted with a light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 provided in a pillar portion. The display 5002 can complement the field of view blocked by the pillars by displaying an image from the imaging means provided on the vehicle body. Similarly, the display 5003 provided on the dashboard portion compensates the blind spot and improves safety by projecting an image from the imaging means provided outside the automobile from the field of view blocked by the vehicle body. it can. By displaying the video so as to complement the invisible part, it is possible to check the safety more naturally and without a sense of incongruity.

表示5004や表示5005はナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター
、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供すること
ができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更すること
ができる。なお、これら情報は表示5000乃至表示5003にも設けることができる。
また、表示5000乃至表示5005は照明装置として用いることも可能である。
The display 5004 and the display 5005 can provide various other information such as navigation information, a speedometer and a tachometer, a travel distance, an oil supply amount, a gear state, and an air conditioner setting. The display items and layout can be appropriately changed according to the user's preference. Note that these pieces of information can also be provided in the display 5000 to the display 5003.
In addition, the display 5000 to the display 5005 can be used as a lighting device.

実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子は駆動電
圧の小さい発光素子とすることができる。また、消費電力の小さい発光装置とすることが
できる。このことから、表示5000乃至表示5005のような大きな画面を数多く設け
ても、バッテリーに負荷をかけることが少なく、快適に使用することができることから実
施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を含む発光素子を用いた発光
装置または照明装置は、車載用の発光装置又は照明装置として好適に用いることができる
The light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 can be a light-emitting element with low driving voltage. Further, a light-emitting device with low power consumption can be obtained. For this reason, even if a large number of large screens such as the display 5000 to the display 5005 are provided, the load on the battery is reduced, and the dibenzo [f, h] described in Embodiment 1 can be used comfortably. A light-emitting device or a lighting device using a light-emitting element containing a quinoxaline compound can be suitably used as a vehicle-mounted light-emitting device or lighting device.

図10(A)及び図10(B)は2つ折り可能なタブレット型端末の一例である。図1
0(A)は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、表示部9631a
、表示部9631b、表示モード切り替えスイッチ9034、電源スイッチ9035、省
電力モード切り替えスイッチ9036、留め具9033、操作スイッチ9038、を有す
る。なお、当該タブレット端末は、実施の形態1に記載のジベンゾ[f,h]キノキサリ
ン化合物を用いた発光素子を備えた発光装置を表示部9631a、表示部9631bの一
方又は両方に用いることにより作製される。
10A and 10B illustrate an example of a tablet terminal that can be folded. FIG.
0 (A) is an open state, and the tablet terminal includes a housing 9630 and a display portion 9631a.
, A display portion 9631b, a display mode switching switch 9034, a power switch 9035, a power saving mode switching switch 9036, a fastener 9033, and an operation switch 9038. Note that the tablet terminal is manufactured using the light-emitting device including the light-emitting element including the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment 1 for one or both of the display portion 9631a and the display portion 9631b. The

表示部9631aは、一部をタッチパネル領域9632aとすることができ、表示され
た操作キー9637にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部963
1aにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域
がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部963
1aの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部96
31aの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部9631bを表示
画面として用いることができる。
Part of the display portion 9631 a can be a touch panel region 9632 a and data can be input when a displayed operation key 9637 is touched. The display portion 963
In 1a, as an example, a configuration in which half of the area has a display-only function and a configuration in which the other half has a touch panel function is shown, but the configuration is not limited thereto. Display unit 963
All the regions 1a may have a touch panel function. For example, the display unit 96
The entire surface of 31a can be displayed as a keyboard button and used as a touch panel, and the display portion 9631b can be used as a display screen.

また、表示部9631bにおいても表示部9631aと同様に、表示部9631bの一
部をタッチパネル領域9632bとすることができる。また、タッチパネルのキーボード
表示切り替えボタン9639が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで
表示部9631bにキーボードボタンを表示することができる。
Further, in the display portion 9631b as well, like the display portion 9631a, part of the display portion 9631b can be a touch panel region 9632b. In addition, a keyboard button can be displayed on the display portion 9631b by touching a position where the keyboard display switching button 9639 on the touch panel is displayed with a finger, a stylus, or the like.

また、タッチパネル領域9632aとタッチパネル領域9632bに対して同時にタッ
チ入力することもできる。
Further, touch input can be performed on the touch panel region 9632a and the touch panel region 9632b at the same time.

また、表示モード切り替えスイッチ9034は、縦表示または横表示などの表示の向き
を切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替え
スイッチ9036は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外
光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セ
ンサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置
を内蔵させてもよい。
A display mode switching switch 9034 can switch the display direction such as vertical display or horizontal display, and can select switching between monochrome display and color display. The power saving mode change-over switch 9036 can optimize the display luminance in accordance with the amount of external light during use detected by an optical sensor built in the tablet terminal. The tablet terminal may include not only an optical sensor but also other detection devices such as a gyroscope, an acceleration sensor, and other sensors that detect inclination.

また、図10(A)では表示部9631bと表示部9631aの表示面積が同じ例を示
しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表
示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネ
ルとしてもよい。
FIG. 10A illustrates an example in which the display areas of the display portion 9631b and the display portion 9631a are the same, but there is no particular limitation, and one size may be different from the other size, and the display quality may be different. May be different. For example, one display panel may be capable of displaying images with higher definition than the other.

図10(B)は、閉じた状態であり、本実施の形態におけるタブレット型端末では、筐
体9630、太陽電池9633、充放電制御回路9634、バッテリー9635、DCD
Cコンバータ9636を備える例を示す。なお、図10(B)では充放電制御回路963
4の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する構成について
示している。
FIG. 10B illustrates a closed state. In the tablet terminal in this embodiment, the housing 9630, the solar battery 9633, the charge / discharge control circuit 9634, the battery 9635, and the DCD
An example including a C converter 9636 is shown. In FIG. 10B, the charge / discharge control circuit 963 is used.
4 illustrates a configuration including a battery 9635 and a DCDC converter 9636.

なお、タブレット型端末は2つ折り可能なため、未使用時に筐体9630を閉じた状態
にすることができる。従って、表示部9631a、表示部9631bを保護できるため、
耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
Note that since the tablet terminal can be folded in two, the housing 9630 can be closed when not in use. Therefore, since the display portion 9631a and the display portion 9631b can be protected,
It is possible to provide a tablet terminal with excellent durability and high reliability from the viewpoint of long-term use.

また、この他にも図10(A)及び図10(B)に示したタブレット型端末は、様々な
情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻な
どを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ
入力機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有する
ことができる。
In addition, the tablet terminal shown in FIGS. 10A and 10B has a function for displaying various information (still images, moving images, text images, etc.), a calendar, a date, or a time. A function for displaying on the display unit, a touch input function for performing touch input operation or editing of information displayed on the display unit, a function for controlling processing by various software (programs), and the like can be provided.

タブレット型端末の表面に装着された太陽電池9633によって、電力をタッチパネル
、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は
、筐体9630の一面または二面に設けられていると効率的なバッテリー9635の充電
を行う構成とすることができるため好適である。
Electric power can be supplied to the touch panel, the display unit, the video signal processing unit, or the like by the solar battery 9633 mounted on the surface of the tablet terminal. Note that it is preferable that the solar battery 9633 be provided on one or two surfaces of the housing 9630 because the battery 9635 can be efficiently charged.

また、図10(B)に示す充放電制御回路9634の構成、及び動作について図10(
C)にブロック図を示し説明する。図10(C)には、太陽電池9633、バッテリー9
635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3
、表示部9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ963
6、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3が、図10(B)に示す充放電制御
回路9634に対応する箇所となる。
Further, the structure and operation of the charge / discharge control circuit 9634 illustrated in FIG.
A block diagram is shown in FIG. FIG. 10C illustrates a solar battery 9633, a battery 9
635, DCDC converter 9636, converter 9638, switches SW1 to SW3
, A display portion 9631, a battery 9635, a DCDC converter 963
6, the converter 9638, and the switches SW1 to SW3 are portions corresponding to the charge / discharge control circuit 9634 illustrated in FIG.

まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する
。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようDC
DCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に
太陽電池9633で充電された電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コン
バータ9638で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また
、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバ
ッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。
First, an example of operation in the case where power is generated by the solar battery 9633 using external light is described. The power generated by the solar battery is DC so that it becomes a voltage for charging the battery 9635.
The DC converter 9636 performs step-up or step-down. When the power charged in the solar battery 9633 is used for the operation of the display portion 9631, the switch SW1 is turned on, and the converter 9638 increases or decreases the voltage required for the display portion 9631. In the case where display on the display portion 9631 is not performed, the battery 9635 may be charged by turning off SW1 and turning on SW2.

なお、太陽電池9633については、発電手段の一例として示したが、発電手段は特に
限定されず、圧電素子(ピエゾ素子)や熱電変換素子(ペルティエ素子)などの他の発電
手段によってバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。無線(非接触)で電
力を送受信して充電する無接点電力電送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて
行う構成としてもよく、発電手段を有さなくとも良い。
Note that although the solar cell 9633 is shown as an example of the power generation unit, the power generation unit is not particularly limited, and the battery 9635 is charged by another power generation unit such as a piezoelectric element (piezo element) or a thermoelectric conversion element (Peltier element). The structure which performs this may be sufficient. A non-contact power transmission module that wirelessly (contactlessly) transmits and receives power for charging and a combination of other charging means may be used, and the power generation means may not be provided.

また、上記表示部9631を具備していれば、図10に示した形状のタブレット型端末
に限定されない。
Further, as long as the display portion 9631 is included, the tablet terminal is not limited to the shape illustrated in FIG.

<合成例1>
本実施例では、実施の形態1に構造式(101)として記載のジベンゾ[f,h]キノ
キサリン化合物である2−(6−フェニルジベンゾチオフェン−4−イル)ジベンゾ[f
,h]キノキサリン(略称:2DBTDBq−IV)の合成方法について説明する。2D
BTDBq−IVの構造式を以下に示す。
<Synthesis Example 1>
In this example, 2- (6-phenyldibenzothiophen-4-yl) dibenzo [f], which is the dibenzo [f, h] quinoxaline compound described in Embodiment Mode 1 as the structural formula (101).
, H] A method for synthesizing quinoxaline (abbreviation: 2DBTDBq-IV) will be described. 2D
The structural formula of BTDBq-IV is shown below.

[ステップ1:2−(6−フェニルジベンゾチオフェン−4−イル)ジベンゾ[f,h]
キノキサリン(略称:2DBTDBq−IV)の合成法]
[Step 1: 2- (6-Phenyldibenzothiophen-4-yl) dibenzo [f, h]
Method for synthesizing quinoxaline (abbreviation: 2DBTDBq-IV)]

2−クロロジベンゾ[f,h]キノキサリンを0.58g(2.1mmol)、4−フェ
ニルジベンゾチオフェン−6−ボロン酸を0.58g(1.9mmol)、テトラキス(
トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)を50mg(80μmol)、トルエン50
mL、エタノール3mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液4mLの混合物を、200m
L三口フラスコにて減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、85℃で7時間加
熱撹拌し、反応させた。
0.58 g (2.1 mmol) of 2-chlorodibenzo [f, h] quinoxaline, 0.58 g (1.9 mmol) of 4-phenyldibenzothiophene-6-boronic acid, tetrakis (
50 mg (80 μmol) of triphenylphosphine) palladium (0), toluene 50
200 mL of a mixture of mL, ethanol 3 mL, 2 mol / L potassium carbonate aqueous solution 4 mL
After deaeration with stirring under reduced pressure in an L three-necked flask, the mixture was reacted by heating and stirring at 85 ° C. for 7 hours under a nitrogen atmosphere.

反応後、この反応混合液をろ過し、ろ物を水、トルエンの順ですすいだ。得られたろ物を
温トルエンに溶かし、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−168
55)、シリカゲル、フロリジール(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−0
0135)を用い、この順でろ過した。得られたろ液をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製した。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒としては、トルエンを用
いた。得られたフラクションを濃縮し、トルエンを加えて超音波洗浄し、ろ取したところ
目的物の淡黄色粉末を、収量0.51mg、収率55%で得た。また、上記合成法の反応
スキームを下記反応式(a−1)に示す。
After the reaction, this reaction mixture was filtered, and the filtrate was rinsed with water and toluene in this order. The obtained filtrate was dissolved in warm toluene, and celite (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., catalog number: 531-168) was obtained.
55), silica gel, Florisil (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., catalog number: 540-0)
0135) and filtered in this order. The obtained filtrate was purified by silica gel column chromatography. At this time, toluene was used as a developing solvent for chromatography. The obtained fraction was concentrated, toluene was added, and the mixture was ultrasonically washed and filtered. As a result, a light yellow powder of the target product was obtained in a yield of 0.51 mg and a yield of 55%. A reaction scheme of the above synthesis method is shown in the following reaction formula (a-1).

シリカゲル薄層クロマトグラフィー(TLC)でのRf値(展開溶媒 酢酸エチル:ヘキ
サン=1:10)は、目的物が0.31、2−クロロジベンゾ[f,h]キノキサリンは
0.55だった。
The Rf value (developing solvent, ethyl acetate: hexane = 1: 10) in silica gel thin layer chromatography (TLC) was 0.35 for the target product, 0.31,2-chlorodibenzo [f, h] quinoxaline.

上記ステップ1で得られた化合物を核磁気共鳴法(NMR)により測定した。以下に測定
データを示す。
The compound obtained in Step 1 was measured by nuclear magnetic resonance (NMR). The measurement data is shown below.

H NMR(CDCl3,300MHz):δ(ppm)=7.54−7.85(m,
10H),7.92−7.95(m,2H),8.26(dd,J=7.2Hz,J=1
.5Hz,1H),8.40−8.44(m,2H),8.64−8.68(m,2H)
,9.26−9.29(m,1H),9.58(dd,J=6.9Hz,J=0.9Hz
,1H),9.69(s,1H)。
1 H NMR (CDCl3, 300 MHz): δ (ppm) = 7.54 to 7.85 (m,
10H), 7.92-7.95 (m, 2H), 8.26 (dd, J = 7.2 Hz, J = 1)
. 5Hz, 1H), 8.40-8.44 (m, 2H), 8.64-8.68 (m, 2H)
, 9.26-9.29 (m, 1H), 9.58 (dd, J = 6.9 Hz, J = 0.9 Hz)
, 1H), 9.69 (s, 1H).

また、H NMRチャートを図11(A)、(B)に示す。なお,図11(B)は、図
11(A)を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物である2DBTDB
q−IV(略称)が得られたことを確認した。
In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 11B is an enlarged chart of FIG. From the measurement results, the target 2DBTDB
It was confirmed that q-IV (abbreviation) was obtained.

また、2DBTDBq−IVのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図1
2(A)に、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図12(B)に、それぞれ示す
。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を
用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行
った。溶液の吸収スペクトルについては石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収ス
ペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜の吸収スペクトルについては石英基板
の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。図12において横軸は波長(n
m)、縦軸は強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では393nm付近に吸収ピ
ークが見られ、発光波長のピークは、425nm(励起波長395nm)であった。また
、薄膜の場合では405nm、388nm、316nm、260nm及び244nm付近
に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは461nm(励起波長404nm)であった
The absorption spectrum and emission spectrum of a toluene solution of 2DBTDBq-IV are shown in FIG.
FIG. 12B shows the absorption spectrum and emission spectrum of the thin film in FIG. An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used for measuring the absorption spectrum. The solution was put in a quartz cell, and the thin film was deposited on a quartz substrate to prepare a sample for measurement. As for the absorption spectrum of the solution, an absorption spectrum obtained by subtracting the absorption spectrum measured by putting only toluene in a quartz cell was shown, and as the absorption spectrum of the thin film, an absorption spectrum obtained by subtracting the absorption spectrum of the quartz substrate was shown. In FIG. 12, the horizontal axis represents the wavelength (n
m), the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, an absorption peak was observed at around 393 nm, and the peak of the emission wavelength was 425 nm (excitation wavelength: 395 nm). In the case of the thin film, absorption peaks were observed in the vicinity of 405 nm, 388 nm, 316 nm, 260 nm, and 244 nm, and the emission wavelength peak was 461 nm (excitation wavelength 404 nm).

また、2DBTDBq−IVの薄膜の光学的特性を測定した(測定機器:理研計器社製、
AC−2)。なお、薄膜の光学的特性の測定は以下のように行った。
Further, the optical properties of the 2DBTDBq-IV thin film were measured (measuring instrument: manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.,
AC-2). In addition, the measurement of the optical characteristic of the thin film was performed as follows.

HOMO準位の値は、大気中にて光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定したイ
オン化ポテンシャルの値を、負の値に換算することにより得た。また、LUMO準位の値
は、薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したTaucプロットから吸
収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとしてHOMO準位の値に加算する
ことにより得た。
The value of the HOMO level was obtained by converting the value of the ionization potential measured in the air by photoelectron spectroscopy (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., AC-2) into a negative value. The LUMO level value is obtained by using the data of the absorption spectrum of the thin film, obtaining the absorption edge from the Tauc plot assuming direct transition, and adding the absorption edge as an optical energy gap to the HOMO level value. Obtained.

薄膜の光学的特性の測定結果より、2DBTDBq−IVのHOMO準位は、−5.59
eV、LUMO準位は、−2.66eV、及びバンドギャップ(Bg)は、2.93eV
と測定及び算出された。
From the measurement results of the optical properties of the thin film, the HOMO level of 2DBTDBq-IV is −5.59.
eV, LUMO level is -2.66 eV, and band gap (Bg) is 2.93 eV.
Measured and calculated.

また2DBTDBq−IVの溶液の電気化学的特性(酸化反応特性、還元反応特性)を
サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって測定した。なお測定には、電気化学ア
ナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600A又は600C)を
用いた。
Further, the electrochemical characteristics (oxidation reaction characteristics, reduction reaction characteristics) of the 2DBTDBq-IV solution were measured by cyclic voltammetry (CV) measurement. For the measurement, an electrochemical analyzer (manufactured by BAS Co., Ltd., model number: ALS model 600A or 600C) was used.

測定では、参照電極に対する作用電極の電位を適切な範囲で変化させて各々酸化ピーク
電位、還元ピーク電位を得た。得られたピーク電位から2DBTDBq−IVのHOMO
準位は−6.22eV、LUMO準位は−2.99eVと算出された。
In the measurement, the potential of the working electrode with respect to the reference electrode was changed within an appropriate range to obtain an oxidation peak potential and a reduction peak potential, respectively. From the obtained peak potential, HOMO of 2DBTDBq-IV
The level was calculated to be −6.22 eV, and the LUMO level was calculated to be −2.99 eV.

以下、CV測定の方法及びHOMO準位、LUMO準位の算出方法について詳述する。   Hereinafter, the method of CV measurement and the calculation method of the HOMO level and the LUMO level will be described in detail.

CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)(
Sigma−Aldrich社製、99.8%、カタログ番号;22705−6)を用い
、支持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−BuNClO
((株)東京化成製、カタログ番号;T0836)を100mmol/Lの濃度となるよ
うに溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した
The solution in the CV measurement was dehydrated N, N-dimethylformamide (DMF) (
Sigma-Aldrich, 99.8%, catalog number: 22705-6), tetra-n-butylammonium perchlorate (n-Bu 4 NClO 4 ) as a supporting electrolyte
(Manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., catalog number; T0836) was dissolved to a concentration of 100 mmol / L, and the measurement target was further dissolved to a concentration of 2 mmol / L.

作用電極は白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE白金電極)を、補助電極とし
ては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))
を、参照電極としてはAg/Ag電極(ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系
参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温(20〜25℃)で行った。また、CV
測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。
The working electrode is a platinum electrode (produced by BAS Co., Ltd., PTE platinum electrode), and the auxiliary electrode is a platinum electrode (produced by BAS Co., Ltd., Pt counter electrode for VC-3 (5 cm)).
As a reference electrode, an Ag / Ag + electrode (manufactured by BAS Co., Ltd., RE5 non-aqueous solvent system reference electrode) was used. In addition, the measurement was performed at room temperature (20-25 degreeC). Also, CV
The scanning speed of measurement was unified to 0.1 V / s.

酸化反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.39Vから1.50
Vまで変化させた後、1.50Vから−0.39Vまで変化させる走査を1サイクルとし
、測定した。
The measurement of the oxidation reaction characteristic is performed by changing the potential of the working electrode with respect to the reference electrode from −0.39 V to 1.50.
After changing the voltage to V, scanning was performed by changing the voltage from 1.50 V to -0.39 V as one cycle.

還元反応特性の測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−1.23Vから−2.1
0Vまで変化させた後、−2.10Vから−1.23Vまで変化させる走査を1サイクル
とし、測定した。
The reduction reaction characteristic was measured by changing the potential of the working electrode with respect to the reference electrode from −1.23 V to −2.1.
After changing to 0V, the scanning to change from -2.10V to -1.23V was made into 1 cycle, and it measured.

HOMO準位は、2DBTDBq−IVの酸化反応測定における酸化ピーク電位Epa
と還元ピーク電位Epcとから半波電位E1/2(EpaとEpcの中間の電位)を算出
し、半波電位E1/2を用いた参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーから
差し引くことにより算出した。
The HOMO level is the oxidation peak potential E pa in the oxidation reaction measurement of 2DBTDBq-IV.
A half-wave potential E 1/2 (an intermediate potential between E pa and E pc ) is calculated from the reduction peak potential E pc and the potential energy with respect to the vacuum level of the reference electrode using the half-wave potential E 1/2. Calculated by subtracting.

2DBTDBq−IVの酸化反応測定における酸化ピーク電位Epaは1.35V、還
元ピーク電位Epcは1.20Vであった。これより半波電位E1/2は1.28Vであ
り、本測定に用いた参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーが−4.94e
Vであることから、2DBTDBq−IVの溶液状態におけるHOMO準位は−4.94
−1.28=−6.22eVと算出できる。
In the oxidation reaction measurement of 2DBTDBq-IV, the oxidation peak potential E pa was 1.35V, and the reduction peak potential E pc was 1.20V. Accordingly, the half-wave potential E 1/2 is 1.28 V, and the potential energy with respect to the vacuum level of the reference electrode used in this measurement is −4.94e.
Since it is V, the HOMO level in the solution state of 2DBTDBq-IV is −4.94.
It can be calculated as −1.28 = −6.22 eV.

LUMO準位は、2DBTDBq−IVの還元反応測定における還元ピーク電位Epc
酸化ピーク電位Epaとから半波電位E1/2(EpaとEpcの中間の電位)を算出し
、半波電位E1/2を用いた参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーから差
し引くことにより算出した。
The LUMO level is calculated by calculating a half-wave potential E 1/2 (potential between E pa and E pc ) from the reduction peak potential E pc and the oxidation peak potential E pa in the reduction reaction measurement of 2DBTDBq-IV. It was calculated by subtracting from the potential energy with respect to the vacuum level of the reference electrode using the potential E1 / 2 .

2DBTDBq−IVの還元反応測定における還元ピーク電位Epcは−2.00V、
酸化ピーク電位Epaは−1.90Vであった。これより半波電位E1/2は−1.95
Vであり、本測定に用いた参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーが−4.
94eVであることから2DBTDBq−IVの溶液状態におけるLUMO準位は−4.
94−(−1.95)=−2.99eVと算出できる。
The reduction peak potential E pc in the reduction reaction measurement of 2DBTDBq-IV is −2.00 V,
The oxidation peak potential E pa was -1.90V. Thus, the half wave potential E 1/2 is −1.95.
V, and the potential energy with respect to the vacuum level of the reference electrode used in this measurement is −4.
Since it is 94 eV, the LUMO level in the solution state of 2DBTDBq-IV is −4.
94 − (− 1.95) = − 2.99 eV.

なお、参照電極(Ag/Ag電極)の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、
Ag/Ag電極のフェルミ準位に相当し、その算出は、真空準位からのポテンシャルエ
ネルギーが既知の物質を当該参照電極(Ag/Ag電極)を用いて測定した値から行え
ば良い。
The potential energy of the reference electrode (Ag / Ag + electrode) with respect to the vacuum level is
The calculation corresponds to the Fermi level of the Ag / Ag + electrode, and the calculation may be performed from a value obtained by measuring a substance having a known potential energy from the vacuum level using the reference electrode (Ag / Ag + electrode).

本実施例で用いる参照電極(Ag/Ag電極)の真空準位に対するポテンシャルエネ
ルギー(eV)の算出方法を具体的に説明する。メタノール中におけるフェロセンの酸化
還元電位は、標準水素電極に対して+0.610[V vs. SHE]であることが知
られている(参考文献;Christian R.Goldsmith et al.,
「J.Am.Chem.Soc.」, Vol.124, No.1,83−96,
2002)。一方、本実施例で用いる参照電極を用いて、メタノール中におけるフェロセ
ンの酸化還元電位を求めたところ、+0.11V[vs.Ag/Ag]であった。した
がって、この参照電極のポテンシャルエネルギーは、標準水素電極に対して0.50[e
V]低くなっていることがわかった。
A method for calculating the potential energy (eV) with respect to the vacuum level of the reference electrode (Ag / Ag + electrode) used in this embodiment will be specifically described. The redox potential of ferrocene in methanol is +0.610 [V vs. SHE] (references; Christian R. Goldsmith et al.,
“J. Am. Chem. Soc.”, Vol. 124, no. 1,83-96,
2002). On the other hand, when the oxidation-reduction potential of ferrocene in methanol was determined using the reference electrode used in this example, +0.11 V [vs. Ag / Ag + ]. Therefore, the potential energy of this reference electrode is 0.50 [e with respect to the standard hydrogen electrode.
V] was found to be lower.

ここで、標準水素電極の真空準位からのポテンシャルエネルギーは−4.44eVであ
ることが知られている(参考文献;大西敏博・小山珠美著、「高分子EL材料」(共立出
版)、p.64−67)。以上のことから、用いた参照電極の真空準位に対するポテンシ
ャルエネルギーは、−4.44−0.50=−4.94[eV]であると算出できる。
Here, it is known that the potential energy from the vacuum level of the standard hydrogen electrode is −4.44 eV (reference: Toshihiro Onishi, Tamami Koyama, “Polymer EL Material” (Kyoritsu Shuppan), p. .64-67). From the above, the potential energy of the used reference electrode with respect to the vacuum level can be calculated as −4.44−0.50 = −4.94 [eV].

本実施例では、本発明の一態様の発光素子について図1(A)を用いて説明する。本実施
例で用いる材料の化学式を以下に示す。
In this example, a light-emitting element of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The chemical formula of the material used in this example is shown below.

以下に、本実施例の発光素子1の作製方法を示す。 A method for manufacturing the light-emitting element 1 of this example is described below.

(発光素子1)
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリン
グ法にて成膜し、第1の電極101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極
面積は2mm×2mmとした。ここで、第1の電極101は、発光素子の陽極として機能
する電極である。
(Light emitting element 1)
First, indium tin oxide containing silicon oxide (ITSO) was formed over a glass substrate by a sputtering method, so that the first electrode 101 was formed. The film thickness was 110 nm and the electrode area was 2 mm × 2 mm. Here, the first electrode 101 is an electrode that functions as an anode of the light-emitting element.

次に、基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200
℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
Next, as a pretreatment for forming a light emitting element on the substrate, the substrate surface is washed with water, and 200
After baking at 0 ° C. for 1 hour, UV ozone treatment was performed for 370 seconds.

その後、10−4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度
放冷した。
Thereafter, the substrate is introduced into a vacuum vapor deposition apparatus whose internal pressure is reduced to about 10 −4 Pa, vacuum baking is performed at 170 ° C. for 30 minutes in a heating chamber in the vacuum vapor deposition apparatus, and then the substrate is released for about 30 minutes. Chilled.

次に、第1の電極101が形成された面が下方となるように、第1の電極101が形成さ
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4Pa程度まで減
圧した後、第1の電極101上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、4−フェニル−4’
−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)と
酸化モリブデン(VI)を共蒸着することで、正孔注入層111を形成した。その膜厚は
、40nmとし、BPAFLPと酸化モリブデンの比率は、重量比で4:2(=BPAF
LP:酸化モリブデン)となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で
、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
Next, the substrate on which the first electrode 101 is formed is fixed to a substrate holder provided in the vacuum evaporation apparatus so that the surface on which the first electrode 101 is formed is downward, and is approximately 10 −4 Pa. Then, 4-phenyl-4 ′ is deposited on the first electrode 101 by vapor deposition using resistance heating.
The hole injection layer 111 was formed by co-evaporation of-(9-phenylfluoren-9-yl) triphenylamine (abbreviation: BPAFLP) and molybdenum oxide (VI). The film thickness is 40 nm, and the ratio of BPAFLP to molybdenum oxide is 4: 2 by weight (= BPAF
LP: molybdenum oxide). Note that the co-evaporation method is an evaporation method in which evaporation is performed simultaneously from a plurality of evaporation sources in one processing chamber.

次に、正孔注入層111上に、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イ
ル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)を20nmの膜厚となるように成膜し、
正孔輸送層112を形成した。
Next, 4-phenyl-4 ′-(9-phenylfluoren-9-yl) triphenylamine (abbreviation: BPAFLP) was formed over the hole injection layer 111 so as to have a thickness of 20 nm.
A hole transport layer 112 was formed.

さらに、実施例1にて合成した2−(6−フェニルジベンゾチオフェン−4−イル)ジベ
ンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2DBTDBq−IV)、4,4’−ジ(1−ナフ
チル)−4’’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミン
(略称:PCBNBB)及び(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジメチル−2−フェ
ニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppr−Me)(acac
)])を共蒸着し、正孔輸送層112上に発光層113を形成した。ここで2DBTDB
q−IV、PCBNBB及び[Ir(mppr−Me)(acac)]の重量比は、1
:0.25:0.06(=2DBTDBq−IV:PCBNBB:[Ir(mppr−M
e)(acac)])となるように調節した。また、発光層113の膜厚は40nmと
した。
Furthermore, 2- (6-phenyldibenzothiophen-4-yl) dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: 2DBTDBq-IV), 4,4′-di (1-naphthyl) -4 synthesized in Example 1 ''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBNBB) and (acetylacetonato) bis (3,5-dimethyl-2-phenylpyrazinato) iridium (III) ( Abbreviation: [Ir (mppr-Me) 2 (acac
)]) Was co-evaporated to form a light emitting layer 113 on the hole transport layer 112. Where 2DBTDB
The weight ratio of q-IV, PCBNBB and [Ir (mppr-Me) 2 (acac)] is 1
: 0.25: 0.06 (= 2DBTDBq-IV: PCBNBB: [Ir (mppr-M
e) 2 (acac)]). The thickness of the light emitting layer 113 was 40 nm.

さらに、発光層113上に2DBTDBq−IVを膜厚10nmとなるように成膜し、そ
の後、バソフェナントロリン(略称:BPhen)を膜厚20nmとなるように成膜し、
電子輸送層114を形成した。
Further, 2DBTDBq-IV is formed to a thickness of 10 nm over the light-emitting layer 113, and then bathophenanthroline (abbreviation: BPhen) is formed to a thickness of 20 nm.
An electron transport layer 114 was formed.

さらに、電子輸送層114上に、フッ化リチウム(LiF)を1nmの膜厚となるように
蒸着し、電子注入層115を形成した。
Further, lithium fluoride (LiF) was deposited on the electron transport layer 114 so as to have a thickness of 1 nm to form an electron injection layer 115.

最後に、陰極として機能する第2の電極102として、アルミニウムを200nmの膜厚
となるように蒸着することで、本実施例の発光素子1を作製した。
Lastly, as the second electrode 102 functioning as a cathode, aluminum was deposited to a thickness of 200 nm, whereby the light-emitting element 1 of this example was manufactured.

なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。 Note that, in the above-described vapor deposition process, the vapor deposition was all performed by a resistance heating method.

以上により得られた発光素子1の素子構造を表1に示す。 Table 1 shows an element structure of the light-emitting element 1 obtained as described above.

発光素子1を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されない
ようにガラス基板により封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定
を行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
After the light-emitting element 1 was sealed with a glass substrate in a glove box in a nitrogen atmosphere so that the light-emitting element was not exposed to the air, the operating characteristics of the light-emitting element were measured. The measurement was performed at room temperature (atmosphere kept at 25 ° C.).

発光素子1の輝度−電流効率特性を図13に示す。図13において、横軸は輝度(cd/
)、縦軸は電流効率(cd/A)を表す。また、電圧−輝度特性を図14に示す。図
14において、横軸は電圧(V)、縦軸は輝度(cd/m)を表す。また、輝度−色度
座標特性を図15に示す。図15において、横軸は輝度(cd/m)、縦軸は色度座標
(x座標、又はy座標)を示す。また、輝度−パワー効率特性を図16に示す。図16に
おいて、横軸は輝度(cd/m)、縦軸はパワー効率(lm/W)を示す。また、発光
素子における輝度1000cd/m付近のときの電圧(V)、電流密度(mA/cm
)、CIE色度座標(x、y)、輝度(cd/m)、電流効率(cd/A)、外部量子
効率(%)を表2に示す。
FIG. 13 shows luminance-current efficiency characteristics of the light-emitting element 1. In FIG. 13, the horizontal axis represents luminance (cd /
m 2 ), and the vertical axis represents current efficiency (cd / A). Further, voltage-luminance characteristics are shown in FIG. In FIG. 14, the horizontal axis represents voltage (V), and the vertical axis represents luminance (cd / m 2 ). In addition, FIG. 15 shows luminance-chromaticity coordinate characteristics. In FIG. 15, the horizontal axis represents luminance (cd / m 2 ), and the vertical axis represents chromaticity coordinates (x coordinate or y coordinate). Further, FIG. 16 shows luminance-power efficiency characteristics. In FIG. 16, the horizontal axis represents luminance (cd / m 2 ) and the vertical axis represents power efficiency (lm / W). Also, voltage at the vicinity of the luminance 1000 cd / m 2 in the light-emitting element (V), current density (mA / cm 2
), CIE chromaticity coordinates (x, y), luminance (cd / m 2 ), current efficiency (cd / A), and external quantum efficiency (%) are shown in Table 2.

また、発光素子1に0.1mAの電流を流した際の発光スペクトルを、図17に示す。図
17において、横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。図17及び表
2に示す通り、1000cd/m付近の輝度の時の発光素子1のCIE色度座標は(x
,y)=(0.54,0.45)であった。発光素子1は、[Ir(mppr−Me)
(acac)]に由来する発光が得られたことがわかった。このことから、本発明の一態
様のジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物である2DBTDBq−IVは、橙色りん光
材料を十分に発光させることができるT1準位を有することがわかった。このことから、
橙色のりん光発光材料のホスト材料として用いることができることがわかった。
In addition, an emission spectrum when a current of 0.1 mA is passed through the light-emitting element 1 is shown in FIG. In FIG. 17, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). As shown in FIG. 17 and Table 2, the CIE chromaticity coordinate of the light-emitting element 1 when the luminance is around 1000 cd / m 2 is (x
, Y) = (0.54, 0.45). The light-emitting element 1 has [Ir (mppr-Me) 2
It was found that luminescence derived from (acac)] was obtained. Thus, it was found that 2DBTDBq-IV, which is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound of one embodiment of the present invention, has a T1 level capable of sufficiently emitting an orange phosphorescent material. From this,
It was found that it can be used as a host material for an orange phosphorescent material.

図14及び表2から、発光素子1は、駆動電圧が低いことがわかった。発光素子1では、
発光層のホスト材料と電子輸送層の材料に、本発明の一態様のジベンゾ[f,h]キノキ
サリン化合物である2DBTDBq−IVを用いた。よって、駆動電圧の低い素子を実現
することができる。
From FIG. 14 and Table 2, it was found that the light emitting element 1 had a low driving voltage. In the light emitting element 1,
2DBTDBq-IV, which is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound of one embodiment of the present invention, was used as the host material for the light-emitting layer and the material for the electron transport layer. Therefore, an element with a low driving voltage can be realized.

また、図13、図16及び表2から、発光素子1は、電流効率、パワー効率及び外部量子
効率共に高いことがわかった。2DBTDBq−IVは、ジベンゾチオフェン環が、ジベ
ンゾ[f,h]キノキサリン環と結合しているジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物で
あり、結晶化によるバンドギャップやT1準位の低下が起こりにくい材料である。よって
、橙色りん光発光物質である[Ir(mppr−Me)(acac)]を有効に励起す
ることができ、発光効率の高い素子を実現することができる。
13 and 16 and Table 2 show that the light-emitting element 1 has high current efficiency, power efficiency, and external quantum efficiency. 2DBTDBq-IV is a dibenzo [f, h] quinoxaline compound in which a dibenzothiophene ring is bonded to a dibenzo [f, h] quinoxaline ring, and is a material in which the band gap and T1 level are not easily lowered by crystallization. is there. Therefore, [Ir (mppr-Me) 2 (acac)], which is an orange phosphorescent substance, can be excited effectively, and an element with high emission efficiency can be realized.

また、図15から、発光素子1は、低輝度から高輝度まで、色変化がほとんど見られなか
った。このことから、発光素子1は、キャリアバランスの良好な素子であると言える。
From FIG. 15, the light-emitting element 1 hardly showed any color change from low luminance to high luminance. From this, it can be said that the light emitting element 1 is an element having a good carrier balance.

次に、発光素子1の信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図18に示す。図18にお
いて、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度(%)を示し、横軸は素子の駆動
時間(h)を示す。信頼性試験は、室温で行い、初期輝度を5000cd/mに設定し
、電流密度一定の条件で本実施例の発光素子を駆動した。図18から、発光素子1の48
0時間後の輝度は初期輝度の55%を保っていた。この信頼性試験の結果から、発光素子
1は、長寿命であることが明らかとなった。
Next, a reliability test of the light-emitting element 1 was performed. The result of the reliability test is shown in FIG. In FIG. 18, the vertical axis represents the normalized luminance (%) when the initial luminance is 100%, and the horizontal axis represents the element driving time (h). The reliability test was performed at room temperature, the initial luminance was set to 5000 cd / m 2, and the light-emitting element of this example was driven under a constant current density condition. As shown in FIG.
The luminance after 0 hour maintained 55% of the initial luminance. From the result of this reliability test, it was revealed that the light-emitting element 1 has a long life.

以上示したように、実施例1で作製した2DBTDBq−IVを発光層のホスト材料及び
電子輸送層の材料として用いることにより、駆動電圧が低く、発光効率が高く、長寿命で
ある発光素子を作製することができた。
As described above, by using 2DBTDBq-IV manufactured in Example 1 as a host material and an electron transport layer material for a light-emitting layer, a light-emitting element with low driving voltage, high light emission efficiency, and long life is manufactured. We were able to.

本実施例では、実施の形態1に一般式(G1)として示した本発明の一態様である構造式
(101)、構造式(120)、構造式(130)及び構造式(133)で表されるジベ
ンゾ[f,h]キノキサリン化合物の三重項準位(T1)を算出した。上記4つの構造式
を以下に示す。
In this example, the structural formula (101), the structural formula (120), the structural formula (130), and the structural formula (133) which are one embodiment of the present invention shown as the general formula (G1) in Embodiment Mode 1 are used. The triplet level (T1) of the dibenzo [f, h] quinoxaline compound was calculated. The above four structural formulas are shown below.

計算方法に関しては以下の通りである。なお、量子化学計算プログラムとしては、Gau
ssian09を使用した。計算は、ハイパフォーマンスコンピュータ(SGI社製、A
ltix4700)を用いて行った。
The calculation method is as follows. In addition, as a quantum chemistry calculation program, Gau
ssian09 was used. The calculation is performed by a high performance computer (AGI, A
ltix4700).

まず、一重項における最安定構造を密度汎関数法で計算した。基底関数として、6−31
1(それぞれの原子価軌道に三つの短縮関数を用いたtriple split val
ence基底系の基底関数)を全ての原子に適用した。上述の基底関数により、例えば、
水素原子であれば、1s〜3sの軌道が考慮され、また、炭素原子であれば、1s〜4s
、2p〜4pの軌道が考慮されることになる。さらに、計算精度向上のため、分極基底系
として、水素原子にはp関数を、水素原子以外にはd関数を加えた。汎関数はB3LYP
を用いた。
First, the most stable structure in a singlet was calculated by the density functional method. As a basis function, 6-31
1 (triple split val using three shortening functions for each valence orbital
ense basis set) was applied to all atoms. By the above basis function, for example,
If it is a hydrogen atom, the orbit of 1s-3s will be considered, and if it is a carbon atom, 1s-4s will be considered.
2p-4p trajectories will be considered. Furthermore, in order to improve calculation accuracy, a p function was added to hydrogen atoms and a d function was added to other than hydrogen atoms as a polarization basis set. The functional is B3LYP
Was used.

続けて、三重項における最安定構造を計算した。一重項と三重項における最安定構造のエ
ネルギー差から、三重項準位のエネルギーを計算した。基底関数は、6−311G(d,
p)を用いた。汎関数はB3LYPである。
Subsequently, the most stable structure in the triplet was calculated. The energy of the triplet level was calculated from the energy difference of the most stable structure in the singlet and triplet. The basis function is 6-311G (d,
p) was used. The functional is B3LYP.

計算した結果を表3に示す。 The calculated results are shown in Table 3.

以上の結果より、本発明の一態様であるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物は高い三
重項準位をもつことが示唆された。
From the above results, it was suggested that the dibenzo [f, h] quinoxaline compound which is one embodiment of the present invention has a high triplet level.

101 第1の電極
102 第2の電極
103 EL層
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
400 基板
401 第1の電極
402 補助電極
403 EL層
404 第2の電極
405 シール材
406 シール材
407 封止基板
408 空間
412 パッド
420 ICチップ
501 第1の電極
502 第2の電極
511 第1の発光ユニット
512 第2の発光ユニット
513 電荷発生層
601 駆動回路部(ソース線駆動回路)
602 画素部
603 駆動回路部(ゲート線駆動回路)
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用TFT
612 電流制御用TFT
613 第1の電極
614 絶縁物
616 EL層
617 第2の電極
618 発光素子
623 nチャネル型TFT
624 pチャネル型TFT
901 筐体
902 液晶層
903 バックライトユニット
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 EL層
956 電極
2001 筐体
2002 光源
3001 照明装置
5000 表示
5001 表示
5002 表示
5003 表示
5004 表示
5005 表示
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7301 筐体
7302 筐体
7303 連結部
7304 表示部
7305 表示部
7306 スピーカ部
7307 記録媒体挿入部
7308 LEDランプ
7309 操作キー
7310 接続端子
7311 センサ
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7400 携帯電話機
9033 留め具
9034 スイッチ
9035 電源スイッチ
9036 スイッチ
9037 操作キー
9038 操作スイッチ
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a タッチパネル領域
9632b タッチパネル領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9638 コンバータ
9639 ボタン
101 first electrode 102 second electrode 103 EL layer 111 hole injection layer 112 hole transport layer 113 light emitting layer 114 electron transport layer 115 electron injection layer 400 substrate 401 first electrode 402 auxiliary electrode 403 EL layer 404 second Electrode 405 sealing material 406 sealing material 407 sealing substrate 408 space 412 pad 420 IC chip 501 first electrode 502 second electrode 511 first light emitting unit 512 second light emitting unit 513 charge generation layer 601 drive circuit section ( Source line drive circuit)
602 Pixel portion 603 Drive circuit portion (gate line drive circuit)
604 Sealing substrate 605 Sealing material 607 Space 608 Wiring 609 FPC (flexible printed circuit)
610 Element substrate 611 TFT for switching
612 Current control TFT
613 First electrode 614 Insulator 616 EL layer 617 Second electrode 618 Light-emitting element 623 n-channel TFT
624 p-channel TFT
901 Case 902 Liquid crystal layer 903 Backlight unit 904 Case 905 Driver IC
906 Terminal 951 Substrate 952 Electrode 953 Insulating layer 954 Partition layer 955 EL layer 956 Electrode 2001 Housing 2002 Light source 3001 Lighting device 5000 Display 5001 Display 5002 Display 5003 Display 5004 Display 5005 Display 7101 Housing 7103 Display unit 7105 Stand 7107 Display unit 7109 Operation Key 7110 Remote controller 7201 Main body 7202 Case 7203 Display unit 7204 Keyboard 7205 External connection port 7206 Pointing device 7301 Case 7302 Case 7303 Connection unit 7304 Display unit 7305 Display unit 7306 Speaker unit 7307 Recording medium insertion unit 7308 LED lamp 7309 Operation Key 7310 Connection terminal 7311 Sensor 7401 Housing 7402 Display unit 7403 Operation button 7404 External connection port 7405 Peaker 7406 Microphone 7400 Mobile phone 9033 Fastener 9034 Switch 9035 Power switch 9036 Switch 9037 Operation key 9038 Operation switch 9630 Display unit 9631a Display unit 9631b Display unit 9632a Touch panel region 9632b Touch panel region 9633 Solar cell 9634 Charge / discharge control circuit 9635 Battery 9636 DCDC Converter 9638 Converter 9539 Button

Claims (10)

置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基または置換もしくは無置換のジベンゾフラン−4−イル基が、ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格に直接結合し、分子量が450以上であるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を有する発光素子。   A substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group is directly bonded to the dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton and has a molecular weight of 450 or more. A light-emitting element having a quinoxaline compound. 6位に置換基を有するジベンゾチオフェン−4−イル基または6位に置換基を有するジベンゾフラン−4−イル基が、ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格に直接結合し、分子量が450以上であるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を有する発光素子。   A dibenzothiophen-4-yl group having a substituent at the 6-position or a dibenzofuran-4-yl group having a substituent at the 6-position is directly bonded to the dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton and has a molecular weight of 450 or more. [F, h] A light-emitting element having a quinoxaline compound. 置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基または置換もしくは無置換のジベンゾフラン−4−イル基が2つ以上、ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格に直接結合しているジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を有する発光素子。   Dibenzo [f, h] quinoxaline in which two or more substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl groups or two or more substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl groups are directly bonded to the dibenzo [f, h] quinoxaline skeleton A light-emitting element having a compound. 下記式(G1)で表され、分子量は450以上であるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を有する発光素子。

(但し、式中R乃至R10のいずれか一は、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基または置換もしくは無置換のジベンゾフラン−4−イル基であり、他の基は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基、置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基のいずれかである。)
A light-emitting element having a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by the following formula (G1) and having a molecular weight of 450 or more.

(However, in the formula, any one of R 1 to R 10 is a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group, and the other groups are independent of each other. Hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl A group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group, or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.)
下記式(G1)で表され、分子量は450以上であるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を有する発光素子。

(但し、式中R乃至R10のいずれか一は、6位に置換基を有するジベンゾチオフェン−4−イル基または6位に置換基を有するジベンゾフラン−4−イル基であり、他の基は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェン−4−イル基、置換又は無置換のジベンゾフラン−4−イル基のいずれかである。)
A light-emitting element having a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by the following formula (G1) and having a molecular weight of 450 or more.

(In the formula, any one of R 1 to R 10 is a dibenzothiophen-4-yl group having a substituent at the 6-position or a dibenzofuran-4-yl group having a substituent at the 6-position; Are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, substituted or It is an unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophen-4-yl group, or a substituted or unsubstituted dibenzofuran-4-yl group.)
下記式(G1)で表され、分子量は450以上であるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を有する発光素子。

(但し、式中R乃至R10のいずれか一は、下記式(G1−1)で表される基であり、他の基は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、下記式(G1−2)で表される基のいずれかである。)

(式(G1−1)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R11乃至R17は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また式(G1−2)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R21乃至R27は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。)
A light-emitting element having a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by the following formula (G1) and having a molecular weight of 450 or more.

(In the formula, any one of R 1 to R 10 is a group represented by the following formula (G1-1), and the other groups are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, A substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, represented by the following formula (G1-2) Any one of the groups.)

(In Formula (G1-1), E 1 represents sulfur or oxygen, and R 11 to R 17 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted Represents any one of substituted biphenyl groups, and in Formula (G1-2), E 2 represents sulfur or oxygen, and R 21 to R 27 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, Or represents an unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted biphenyl group.)
下記式(G1)で表され、分子量は450以上であるジベンゾ[f,h]キノキサリン化合物を有する発光素子。

(但し、式中R乃至R10のいずれか一は、下記式(G1−1)で表される基であり、他の基は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、下記式(G1−2)で表される基のいずれかである。)

(式(G1−1)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R11は、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表し、R12乃至R17は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また式(G1−2)中、Eは硫黄又は酸素を表し、R21乃至R27は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。)
A light-emitting element having a dibenzo [f, h] quinoxaline compound represented by the following formula (G1) and having a molecular weight of 450 or more.

(In the formula, any one of R 1 to R 10 is a group represented by the following formula (G1-1), and the other groups are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, A substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, represented by the following formula (G1-2) Any one of the groups.)

(In Formula (G1-1), E 1 represents sulfur or oxygen, and R 11 represents any of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, and a substituted or unsubstituted biphenyl group. R 12 to R 17 each independently represents any one of hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, and a compound represented by the formula (G1-2). E 2 represents sulfur or oxygen, and each of R 21 to R 27 is independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, or a substituted or unsubstituted biphenyl group. Represents.)
請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載の発光素子を発光部に備える発光装置。   A light-emitting device comprising the light-emitting element according to claim 1 in a light-emitting unit. 請求項8に記載の発光装置を表示部に備える電子機器。   An electronic apparatus comprising the light emitting device according to claim 8 in a display unit. 請求項8に記載の発光装置を発光部に備える照明装置。   The illuminating device which equips a light emission part with the light-emitting device of Claim 8.
JP2017043502A 2011-11-04 2017-03-08 Light emitting element, light emitting device, electronic device, lighting device Active JP6219544B2 (en)

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