JP2017134036A - Sensor IC - Google Patents

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伸之 芦田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sensor IC capable of improving the detection sensitivity of a molecule/cell/tissue.SOLUTION: The sensor IC includes: a base plate; and at least one resonator 50 disposed on the base plate. The at least one resonator 50 is configured to change the resonant frequency depending on the physical properties of an object to be inspected adjacent thereto. A sensor IC 1 for detecting a state of the object to be inspected based on the resonant frequency of the at least one resonator 50, includes an antibody 201 for capturing protein on the surface of the sensor IC1.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、高周波発振器を備えており、水分を含む被検査体の変化を検知するセンサICに関する。   The present invention relates to a sensor IC that includes a high-frequency oscillator and detects a change in an object to be inspected containing moisture.

各家庭や簡易診断所等で利用される、人体の診断機器には、低価格、小型化、検査時間の短縮、操作の簡便性等が要求される。半導体集積回路上に形成されたセンサIC(Integrated Circuit:半導体集積回路)は、このような要求を満たすことができる。   A human body diagnostic device used in each home, a simple diagnostic laboratory, and the like is required to be low in price, downsized, shortened examination time, and easy to operate. A sensor IC (Integrated Circuit: semiconductor integrated circuit) formed on a semiconductor integrated circuit can satisfy such requirements.

例えば、特許文献1には、半導体集積回路上に形成されたセンサICの一例が開示されている。図9の(a)および(b)は、特許文献1に係るセンサICを説明するための図である。   For example, Patent Document 1 discloses an example of a sensor IC formed on a semiconductor integrated circuit. 9A and 9B are diagrams for explaining a sensor IC according to Patent Document 1. FIG.

図9の(a)は、インダクタ111に磁性粒子113および被検査体114を接触させた状態を示す図である。半導体基板101上に被検査体114を接触させると、被検査体114に付着させた磁性粒子113の変動により透磁率が変化し、その透磁率の変化によって、インダクタ111のインダクタンスが影響を受ける。これにより、発振器が出力する発振周波数が変化し、検出器(図示せず)は発振周波数の変化を検知する。発振周波数の変化は、被検査体114の性質の変動を示す。   FIG. 9A is a diagram showing a state in which the magnetic particles 113 and the test object 114 are brought into contact with the inductor 111. When the inspection object 114 is brought into contact with the semiconductor substrate 101, the magnetic permeability changes due to the fluctuation of the magnetic particles 113 attached to the inspection object 114, and the inductance of the inductor 111 is affected by the change of the magnetic permeability. As a result, the oscillation frequency output from the oscillator changes, and the detector (not shown) detects the change in the oscillation frequency. The change in the oscillation frequency indicates a change in the property of the inspection object 114.

米国特許出願公開第2009/0267596号明細書(2009年10月29日公開)US Patent Application Publication No. 2009/0267596 (published on October 29, 2009)

H.Yada, M.Nagai, K.Tanaka, "Origin of the fast relaxation component of water and heavy water revealed by terahertz time-domain attenuated total reflection spectroscopy", Chemical Physics Letters, pp.166-170, 2008H. Yada, M. Nagai, K. Tanaka, "Origin of the fast relaxation component of water and heavy water revealed by terahertz time-domain attenuated total reflection spectroscopy", Chemical Physics Letters, pp.166-170, 2008

各家庭や簡易診断所等で利用される人体の診断機器における被検査体は、いろいろな分子・細胞・組織が含まれる液体であることが多い。特許文献1の様なセンサは、検査感度がセンサ表面近傍で高いという特徴を持つ。しかし、特許文献1に係るセンサでは、当該液体中にセンサを置いた時に、標的となる分子・細胞・組織をセンサ表面に選択的に配置する手段が無いので、標的となる分子・細胞・組織の検査感度が良くないという課題がある。   In many cases, a subject to be inspected in a human body diagnostic device used in each home or a simple diagnostic laboratory is a liquid containing various molecules, cells, and tissues. A sensor like patent document 1 has the characteristics that inspection sensitivity is high near the sensor surface. However, in the sensor according to Patent Document 1, there is no means for selectively placing a target molecule / cell / tissue on the sensor surface when the sensor is placed in the liquid. There is a problem that inspection sensitivity is not good.

本発明は、上記の課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、検出感度の向上を可能とするセンサICを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a sensor IC capable of improving detection sensitivity.

上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るセンサICは、基板と、前記基板に配置された少なくとも1つの共振器とを備えており、前記少なくとも1つの共振器は、自身の近傍にある被検査体の物性に応じて共振周波数を変化させるものであり、前記少なくとも1つの共振器の前記共振周波数に基づき、前記被検査体の状態を検出するセンサICであって、前記センサICの表面に、特定の分子、細胞、および組織のうち少なくとも1つを捕捉する捕捉部を備えていることを特徴としている。   In order to solve the above-described problem, a sensor IC according to one embodiment of the present invention includes a substrate and at least one resonator disposed on the substrate, and the at least one resonator has its own resonator. A sensor IC that changes a resonance frequency in accordance with a physical property of an object to be inspected in the vicinity, and detects a state of the object to be inspected based on the resonance frequency of the at least one resonator, the sensor IC It is characterized by having a capturing part that captures at least one of specific molecules, cells, and tissues on the surface of the IC.

本発明の一態様によれば、標的となる分子・細胞・組織を捕捉する捕捉部をセンサ表面に具備することで、被検査体導入前後のセンサICの共振器の共振周波数を測定することで、共振周波数のシフトで標的となる分子・細胞・組織が前記被検査体中に存在するか否かを調べることが可能となる。更に、標的となる分子・細胞・組織をセンサ表面に捕捉することで、被検査体中の標的となる分子・細胞・組織の検出感度が改善される。   According to one aspect of the present invention, by providing the sensor surface with a capturing unit that captures a target molecule, cell, or tissue, by measuring the resonance frequency of the resonator of the sensor IC before and after the test object is introduced. It becomes possible to examine whether or not the target molecule, cell, or tissue exists in the object to be examined by the shift of the resonance frequency. Furthermore, by capturing the target molecule / cell / tissue on the sensor surface, the detection sensitivity of the target molecule / cell / tissue in the test object is improved.

従って、本発明の一態様によれば、検出感度の向上が可能となる。   Therefore, according to one embodiment of the present invention, detection sensitivity can be improved.

さらに、センサIC表面に複数種類の捕捉部を固定化することで、一つのセンサICで被検査体中に存在する分子・細胞・組織を複数種類検出することが可能となる。   Furthermore, by immobilizing a plurality of types of capture parts on the surface of the sensor IC, it is possible to detect a plurality of types of molecules, cells, and tissues present in the object to be inspected with one sensor IC.

本発明の実施形態1に係るセンサICを説明するための図であり、(a)は、半導体基板の断面A−A’の位置を示し、(b)は、半導体基板の断面A−A’を示す断面図であり、(c)は、対応する回路図を示す。It is a figure for demonstrating the sensor IC which concerns on Embodiment 1 of this invention, (a) shows the position of cross section AA 'of a semiconductor substrate, (b) is cross section AA' of a semiconductor substrate. (C) shows a corresponding circuit diagram. 本発明の実施形態1に係るセンサICのセンシング原理を説明するための図であり、(a)、(c)、(e)は、図1の(a)の半導体基板の断面A−A’の断面図であり、(a)は、保護膜に水を接触させた状態、(c)は、水に標的タンパク質が含まれない被検査体を注入した後の状態、(e)は、水に標的タンパク質が含まれる被検査体を注入した後に抗体が標的タンパク質を捕捉した状態であり、(b)、(d)、(f)は、それぞれ、状態(a)、(c)、(e)での、センサICにおいて、検出回路を用いて測定した発振器の発振周波数の図である。It is a figure for demonstrating the sensing principle of sensor IC which concerns on Embodiment 1 of this invention, (a), (c), (e) is the cross section AA 'of the semiconductor substrate of (a) of FIG. (A) is a state in which water is in contact with the protective film, (c) is a state after injecting a test object in which the target protein is not contained in water, and (e) is a state in which water is in contact with water. Is a state in which the antibody captures the target protein after injecting the test object containing the target protein in (b), (d), and (f), respectively, the states (a), (c), and (e) In the sensor IC, the oscillation frequency of the oscillator measured using the detection circuit is shown. 本発明の実施形態2に係るセンサICの断面図であり、(a)は、保護膜に溝を形成して捕捉部である抗体を固定化する場合、(b)は、保護膜上に金薄膜を形成して抗体を固定化する場合の図である。It is sectional drawing of sensor IC which concerns on Embodiment 2 of this invention, (a) forms a groove | channel in a protective film, and immobilizes the antibody which is a capture part, (b) is gold on a protective film. It is a figure in the case of forming a thin film and immobilizing an antibody. 本発明の実施形態3に係るセンサICの断面図であり、(a)は、捕捉部である抗体を固定化部を介して保護膜に固定化する場合、(b)は、抗体をゲル層を介して保護膜に固定化する場合の図である。It is sectional drawing of sensor IC which concerns on Embodiment 3 of this invention, (a) is the case where the antibody which is a capture part is fix | immobilized to a protective film through an immobilization part, (b) is a gel layer. It is a figure in the case of fixing to a protective film through this. 本発明の実施形態5に係るセンサICの断面図であり、(a)は、プローブDNAが捕捉部の場合、(b)は、プローブDNAが標的DNAを捕捉した場合の図である。It is sectional drawing of sensor IC which concerns on Embodiment 5 of this invention, (a) is a figure when probe DNA capture | acquires target DNA, when probe DNA is a capture part. 本発明の実施形態6に係るセンサICの断面図であり、(a)は、タンパク質が捕捉部の場合、(b)は、タンパク質が標的となる抗体を捕捉した場合の図である。It is sectional drawing of sensor IC which concerns on Embodiment 6 of this invention, (a) is a figure when the protein capture | acquires the antibody which becomes a target, (b) is a capture part. 本発明の実施形態7に係るセンサICを説明するための図であり、インダクタの替りにキャパシタでセンシングする場合であり、(a)は、半導体基板の断面B−B’の位置を示し、(b)は、半導体基板の断面B−B’を示す断面図であり、(c)は、対応する回路図を示す。It is a figure for demonstrating the sensor IC which concerns on Embodiment 7 of this invention, and is a case where it senses with a capacitor instead of an inductor, (a) shows the position of the cross section BB 'of a semiconductor substrate, b) is a cross-sectional view showing a cross-section BB ′ of the semiconductor substrate, and (c) is a corresponding circuit diagram. 本発明の実施形態8に係るセンサICの構成図であり、複数発振器を具備し、複数種類の抗体が固定化されている場合の図である。It is a block diagram of sensor IC which concerns on Embodiment 8 of this invention, and is a figure when it comprises multiple oscillators and multiple types of antibodies are immobilized. 特許文献1の構成図であり、(a)は、半導体基板の断面C−C’の位置を示し、(b)は、半導体基板の断面C−C’を示す断面図である。FIG. 2 is a configuration diagram of Patent Document 1, in which (a) shows a position of a cross section C-C ′ of a semiconductor substrate, and (b) is a cross sectional view showing a cross section C-C ′ of the semiconductor substrate. シランカップリング反応の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a silane coupling reaction.

以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。ただし、この実施形態に記載されている構成は、特に特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the configuration described in this embodiment is merely an illustrative example, and is not intended to limit the scope of the present invention only to that unless otherwise specified. In the drawings described below, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof is omitted.

本発明の実施の形態に係るセンサICは、半導体基板(基板)の表面に被検査体を接触させて、被検査体が持つ誘電率、透磁率、または、被検査体の性質が変化したときに変化する誘電率、透磁率を検知するセンサIC(Integrated Circuit:半導体集積回路)である。   In the sensor IC according to the embodiment of the present invention, when the object to be inspected is brought into contact with the surface of the semiconductor substrate (substrate), the dielectric constant, magnetic permeability, or property of the object to be inspected changes. This is a sensor IC (Integrated Circuit: semiconductor integrated circuit) that detects a dielectric constant and a magnetic permeability that change.

〔実施形態1〕
まず、本発明の実施形態1に係るセンサIC1について、図1の(a)〜(c)を参照して説明する。図1の(a)は、センサIC1の構成図であり、断面A−A’の位置を示す。図1の(b)は、センサIC1の断面A−A’を示す断面図である。図1の(c)は、センサIC1と対応する回路図である。
Embodiment 1
First, the sensor IC 1 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1A is a configuration diagram of the sensor IC 1 and shows the position of the cross section AA ′. FIG. 1B is a cross-sectional view showing a cross section AA ′ of the sensor IC1. FIG. 1C is a circuit diagram corresponding to the sensor IC1.

(発振器の構成)
図1の(c)に示すように、発振器(発振部)20は、差動回路40と、差動回路40の差動間に形成されている共振器50と、電流源60とを含む。共振器50は、30〜200GHzのいずれかの共振周波数を有する。30〜200GHzは、水の複素誘電率の変化が大きく、誘電率の周波数特性の変化を高感度で検出できる周波数である。
(Configuration of oscillator)
As shown in FIG. 1C, the oscillator (oscillator) 20 includes a differential circuit 40, a resonator 50 formed between the differential circuits 40, and a current source 60. The resonator 50 has a resonance frequency of 30 to 200 GHz. 30 to 200 GHz is a frequency at which the change in the complex dielectric constant of water is large, and the change in the frequency characteristic of the dielectric constant can be detected with high sensitivity.

差動回路40は、互いにクロスカップルされたNMOSトランジスタM1およびNMOSトランジスタM2を含む。なお、適宜別の差動回路を用いてよい。例えば、バイポーラトランジスタを用いてもよい。   Differential circuit 40 includes an NMOS transistor M1 and an NMOS transistor M2 that are cross-coupled to each other. Note that another differential circuit may be used as appropriate. For example, a bipolar transistor may be used.

共振器50は、差動回路40の差動間に並列に接続されている、インダクタ52とキャパシタ54とを含む。また、共振器50が共振する共振周波数が、発振器20が発振する発振周波数である。共振器50は、電磁波の送受信をするような狭義のアンテナではないため、波長による開口径の制限を受けない。このため、共振器50のサイズは、200GHzの電磁波の波長約1.5mmの四半波長より小さい200μm四方以下(一辺200μmの正方形に収まるサイズ)とすることができる。   The resonator 50 includes an inductor 52 and a capacitor 54 connected in parallel between the differentials of the differential circuit 40. The resonance frequency at which the resonator 50 resonates is the oscillation frequency at which the oscillator 20 oscillates. Since the resonator 50 is not a narrowly defined antenna that transmits and receives electromagnetic waves, the resonator 50 is not limited by the aperture diameter due to the wavelength. For this reason, the size of the resonator 50 can be set to 200 μm square or less (a size that fits in a square having a side of 200 μm), which is smaller than a quarter wavelength of a wavelength of about 1.5 mm of an electromagnetic wave of 200 GHz.

インダクタ52は、半導体基板10の金属層のうち、最上層(基板と被検査体との接触位置に最も近い層)に形成されている(すなわち、最上位金属層130)。インダクタ52は、共振器50の回路サイズの大部分を占める。また、共振器50は、発振器20の回路サイズの大部分を占める。本実施形態において、共振器50の平面視におけるサイズが、一辺200μmの正方形に収まるサイズとなるように、インダクタ52の面積が定められている。なお、キャパシタ54は、トランジスタM1、M2のゲート容量や、図示しない配線の寄生容量などにより形成されてもよい。   The inductor 52 is formed in the uppermost layer (the layer closest to the contact position between the substrate and the object to be inspected) among the metal layers of the semiconductor substrate 10 (that is, the uppermost metal layer 130). The inductor 52 occupies most of the circuit size of the resonator 50. The resonator 50 occupies most of the circuit size of the oscillator 20. In the present embodiment, the area of the inductor 52 is determined so that the size of the resonator 50 in a plan view is a size that fits in a square having a side of 200 μm. The capacitor 54 may be formed by gate capacitances of the transistors M1 and M2, parasitic capacitances of wirings not shown, and the like.

インダクタ52およびキャパシタ54はLC回路を形成しており、インダクタ52のインダクタンスとキャパシタ54のキャパシタンスとにより、共振器50の共振周波数および発振器20の発振周波数が決まる。   The inductor 52 and the capacitor 54 form an LC circuit, and the resonance frequency of the resonator 50 and the oscillation frequency of the oscillator 20 are determined by the inductance of the inductor 52 and the capacitance of the capacitor 54.

この場合、発振器20の発振周波数fは、下記の数式(1)により表される。   In this case, the oscillation frequency f of the oscillator 20 is expressed by the following formula (1).

f=1/{2π√(LC)} ・・・(1)
ここで、Lはインダクタ52のインダクタンス(磁束鎖交数/電流)の値、Cはキャパシタ54のキャパシタンス(電気容量)と基準となる被検査体203(図2の(c)および(e)参照)搭載時のインダクタ52に生じる寄生容量の和である。発振器20が30GHz以上200GHz以下のいずれかの周波数で発振するように、インダクタンスおよびキャパシタンスが定められる。
f = 1 / {2π√ (LC)} (1)
Here, L is the value of the inductance (number of flux linkages / current) of the inductor 52, C is the capacitance (electric capacity) of the capacitor 54 and the test object 203 as a reference (see (c) and (e) of FIG. 2). ) The sum of the parasitic capacitances generated in the inductor 52 when mounted. The inductance and the capacitance are determined so that the oscillator 20 oscillates at any frequency of 30 GHz or more and 200 GHz or less.

例えば、インダクタ52のインダクタンスが1nH付近であり、キャパシタ54のキャパシタンスが27fF付近である場合、共振器50の共振周波数および発振器20の発振周波数は約30GHz付近である。   For example, when the inductance of the inductor 52 is around 1 nH and the capacitance of the capacitor 54 is around 27 fF, the resonance frequency of the resonator 50 and the oscillation frequency of the oscillator 20 are around 30 GHz.

(センサICの構成)
図1の(a)に示す様に、センサIC1は、発振器20、分周器(分周部)30、および、検出回路(推定部)3を備えている。少なくとも発振器20は、半導体基板(基板)10上に形成される。分周器30および検出回路3は、半導体基板10に形成されてもよく、半導体基板10とは別の部材に形成されてもよく、検出回路3は例えば、市販のマイコン等で代用してもよい。
(Configuration of sensor IC)
As shown in FIG. 1A, the sensor IC 1 includes an oscillator 20, a frequency divider (frequency divider) 30, and a detection circuit (estimator) 3. At least the oscillator 20 is formed on a semiconductor substrate (substrate) 10. The frequency divider 30 and the detection circuit 3 may be formed on the semiconductor substrate 10 or may be formed on a member different from the semiconductor substrate 10, and the detection circuit 3 may be replaced by, for example, a commercially available microcomputer. Good.

分周器30は、発振器20が発振する発振周波数を分周し、当該分周した周波数を有する出力信号を検出回路3に出力する周波数分周器である。分周器30の分周比は1/N(Nは1以上の有理数)である。分周器30は、検出回路3へ入力される信号を検出回路3が扱いやすいように、検出回路3へ入力される信号の周波数を、発振器20の発振周波数の1/N倍にする。これにより、検出回路3へ入力される信号の周波数が、検出回路3が動作する周波数帯に収まる。なお、分周器30は、本発明の課題を解決するための必須の構成ではない。   The frequency divider 30 is a frequency divider that divides the oscillation frequency oscillated by the oscillator 20 and outputs an output signal having the divided frequency to the detection circuit 3. The frequency dividing ratio of the frequency divider 30 is 1 / N (N is a rational number of 1 or more). The frequency divider 30 sets the frequency of the signal input to the detection circuit 3 to 1 / N times the oscillation frequency of the oscillator 20 so that the detection circuit 3 can easily handle the signal input to the detection circuit 3. As a result, the frequency of the signal input to the detection circuit 3 falls within the frequency band in which the detection circuit 3 operates. The frequency divider 30 is not an essential configuration for solving the problems of the present invention.

検出回路3は、分周器30が出力する周波数と、分周器30の分周比1/Nとから、発振器20の発振周波数を算出する。すなわち、検出回路3は、分周器30の出力信号を参照して、所定期間(例えば100msec)に、入力された信号をカウントし、そのカウント値に分周器30の分周比の逆数N、および、1秒/所定期間を積算することにより、発振器20の発振周波数を推定する。なお、検出回路3は、分周器30から出力される信号の周波数の変化を、所定期間カウントするカウンタ回路を備えている。   The detection circuit 3 calculates the oscillation frequency of the oscillator 20 from the frequency output from the frequency divider 30 and the frequency division ratio 1 / N of the frequency divider 30. That is, the detection circuit 3 refers to the output signal of the frequency divider 30 and counts the input signal for a predetermined period (for example, 100 msec), and the count value is the reciprocal N of the frequency division ratio of the frequency divider 30. And the oscillation frequency of the oscillator 20 is estimated by integrating 1 second / predetermined period. The detection circuit 3 includes a counter circuit that counts a change in the frequency of the signal output from the frequency divider 30 for a predetermined period.

(表面に抗体を固定化したセンサICの構成)
分子間に働く分子間力や、電気双極子等を介した静電気力などの物理吸着によって、抗体201を保護膜115に固定化する。つまり、センサIC1は、インダクタ52とその他の回路112とが形成された半導体基板10に対し、さらに、少なくともインダクタ52を(例えば、発振器20全体を)被覆するように形成された保護膜115と、保護膜115の表面上に形成された抗体(捕捉部)201とを有する。なお、その他の回路112は、キャパシタ54および差動回路40を少なくとも含んでいる。
(Configuration of sensor IC with antibody immobilized on the surface)
The antibody 201 is immobilized on the protective film 115 by physical adsorption such as intermolecular force acting between molecules or electrostatic force via an electric dipole or the like. That is, the sensor IC 1 further includes a protective film 115 formed so as to cover at least the inductor 52 (for example, the entire oscillator 20) on the semiconductor substrate 10 on which the inductor 52 and the other circuit 112 are formed. And an antibody (capture part) 201 formed on the surface of the protective film 115. The other circuit 112 includes at least the capacitor 54 and the differential circuit 40.

抗体201が、本実施形態1における標的分子・細胞・組織を捕捉する捕捉部となる。図1の(a)は、センサIC1を保護膜115の上側から見た図(図示の簡潔化のため、図1の(a)においては保護膜115の図示を省略している)であり、図1の(b)は、センサIC1の、図1の(a)の断面A−A’での断面図である。   The antibody 201 serves as a capturing unit that captures target molecules, cells, and tissues in the first embodiment. FIG. 1A is a view of the sensor IC 1 as viewed from the upper side of the protective film 115 (for simplicity of illustration, the protective film 115 is not shown in FIG. 1A). FIG. 1B is a cross-sectional view of the sensor IC 1 taken along a cross-section AA ′ in FIG.

(標的タンパク質の検出)
被検査体203中におけるタンパク質204の有無を、センサIC1にて検出する方法を、図1の(a)〜(c)および図2の(a)〜(f)を参照して以下に説明する。
(Target protein detection)
A method for detecting the presence or absence of the protein 204 in the test object 203 with the sensor IC 1 will be described below with reference to FIGS. 1 (a) to (c) and FIGS. 2 (a) to (f). .

図2の(a)〜(f)は、センサIC1のセンシング原理を説明するための図であり、図2の(a)、(c)、(e)は、図1の(a)の半導体基板10の断面A−A’の断面図である。図2の(a)は、保護膜115に水202を接触させた状態、図2の(c)は、水202に標的タンパク質であるタンパク質204が含まれない被検査体203を注入した後の状態、図2の(e)は、水202にタンパク質204が含まれる被検査体203を注入した後に抗体201がタンパク質204を捕捉した状態である。図2の(b)、(d)、(f)は、それぞれ、図2の(a)、(c)、(e)での、センサIC1において、検出回路3を用いて測定した発振器20の発振周波数の図である。   FIGS. 2A to 2F are diagrams for explaining the sensing principle of the sensor IC1, and FIGS. 2A, 2C, and 2E are semiconductors of FIG. 3 is a cross-sectional view of a cross section AA ′ of the substrate 10. FIG. 2A shows a state in which water 202 is in contact with the protective film 115, and FIG. 2C shows a state after injecting a test object 203 that does not contain the target protein protein 204 into the water 202. FIG. 2E shows a state in which the antibody 201 captures the protein 204 after injecting the test object 203 containing the protein 204 in the water 202. (B), (d), and (f) of FIG. 2 respectively show the oscillator 20 measured by using the detection circuit 3 in the sensor IC 1 in (a), (c), and (e) of FIG. It is a figure of an oscillation frequency.

まず、保護膜115に水202を接触させる。検出回路3は、発振器20の発振周波数f1を推定する。次に、保護膜115に接触した水202に被検査体203を注入する。検出回路3は、発振器20の発振周波数f2を推定する。   First, water 202 is brought into contact with the protective film 115. The detection circuit 3 estimates the oscillation frequency f1 of the oscillator 20. Next, the test object 203 is injected into the water 202 that has come into contact with the protective film 115. The detection circuit 3 estimates the oscillation frequency f2 of the oscillator 20.

ユーザは、まず、センサIC1の保護膜115に水202を接触させて、図2の(a)に示す状態で、センサIC1の測定を行う。発振器20の発振周波数は、分周器30により1/Nの周波数に分周され、検出回路3により所定期間カウントされる。そして、検出回路3は、発振器20の発振周波数f1を推定する。   First, the user brings the water 202 into contact with the protective film 115 of the sensor IC1, and measures the sensor IC1 in the state shown in FIG. The oscillation frequency of the oscillator 20 is divided by the frequency divider 30 to a frequency of 1 / N and counted by the detection circuit 3 for a predetermined period. Then, the detection circuit 3 estimates the oscillation frequency f1 of the oscillator 20.

次に、センサIC1の保護膜115に接触している水202に被検査体203を注入して、センサIC1の測定を行う。同様に、発振器20の発振周波数は、分周器30により1/Nの周波数に分周され、検出回路3により所定期間カウントされる。そして、検出回路3は、発振器20の発振周波数f2を推定する。   Next, the test object 203 is injected into the water 202 that is in contact with the protective film 115 of the sensor IC1, and the sensor IC1 is measured. Similarly, the oscillation frequency of the oscillator 20 is divided by the frequency divider 30 to a frequency of 1 / N and counted by the detection circuit 3 for a predetermined period. Then, the detection circuit 3 estimates the oscillation frequency f2 of the oscillator 20.

ここで、被検査体203中にタンパク質204が存在しない場合には、抗体201は何も捕捉せず、抗体201が標的外物質205を捕捉しない図2の(c)に示した状態になり、図2の(d)の様にf2=f1となる。   Here, when the protein 204 does not exist in the test object 203, the antibody 201 does not capture anything, and the antibody 201 does not capture the non-target substance 205, and the state shown in FIG. As shown in FIG. 2D, f2 = f1.

一方、被検査体203中に抗体201の標的となるタンパク質204が存在すると、抗体201はタンパク質204を捕捉して、図2の(e)に示した状態になり、水202の誘電率が変化する。   On the other hand, when the protein 204 that is the target of the antibody 201 is present in the test object 203, the antibody 201 captures the protein 204 and enters the state shown in FIG. 2E, and the dielectric constant of the water 202 changes. To do.

水202の誘電率が変化する理由は以下の通りである。水溶液中では、NaClの様な電解質の溶質の場合には溶質のイオンへの電離によって、糖の様な非電解質の溶質の場合には溶質分子中の極性の偏りによって、静電気力や水素結合が生じる。この静電気力や水素結合を介して、水分子が溶質に束縛される糖などを含む水溶液中では、溶質または溶質分子が電離し、イオン等が静電気力や水素結合などで結び付くことにより、水和現象が起こることが知られている。タンパク質などの巨大分子の活性にも水和現象が大きく関わる。水溶液中では、水和現象や水分子がタンパク質に置き換わることそのものにより、バルク水(溶質から十分離れて束縛されない状態の水)が減少することで、バルク水の誘電率がタンパク質の誘電率に変化する。非特許文献1のFig.2に、バルク水の複素誘電率を示したグラフが示されている。バルク水の緩和現象によって、特に30GHz〜200GHzの周波数領域で複素誘電率の変動が大きい。バルク水の量が変動すると、上記した周波数領域では複素誘電率も変動することが示唆される。   The reason why the dielectric constant of the water 202 changes is as follows. In an aqueous solution, electrostatic forces and hydrogen bonds are caused by ionization of solute ions in the case of electrolyte solutes such as NaCl, and by polarity bias in solute molecules in the case of non-electrolyte solutes such as sugars. Arise. In an aqueous solution containing sugar, etc., in which water molecules are bound to the solute through this electrostatic force or hydrogen bond, the solute or solute molecule is ionized, and ions are bound by electrostatic force or hydrogen bond to hydrate. The phenomenon is known to occur. Hydration is also a major factor in the activity of macromolecules such as proteins. In aqueous solution, the hydration phenomenon and water molecules are replaced by proteins themselves, and the bulk water (water that is not sufficiently bound away from the solute) is reduced, so the dielectric constant of the bulk water changes to the dielectric constant of the protein. To do. FIG. 2 is a graph showing the complex dielectric constant of bulk water. Due to the relaxation phenomenon of bulk water, the fluctuation of the complex dielectric constant is particularly large in the frequency range of 30 GHz to 200 GHz. It is suggested that when the amount of bulk water varies, the complex dielectric constant also varies in the above-described frequency region.

この様に誘電率(ε)が変化すると、容量Cのうち、発振器20のインダクタ52に生じる寄生容量成分が変化する。これは、C=ε×d/Sの式から明らかである(d:誘電体の厚さ、S:誘電体の面積)。そして、性質変化の前後における、キャパシタ54の容量と寄生容量値との和に相当する全体の容量値Cの差ΔCが発振器20の発振周波数f1とf2の差Δfとして表れる。差Δfと差ΔCとの関係式を、下記の数式(2)に示す。   When the dielectric constant (ε) changes in this way, the parasitic capacitance component generated in the inductor 52 of the oscillator 20 in the capacitor C changes. This is apparent from the equation C = ε × d / S (d: thickness of dielectric, S: area of dielectric). Then, the difference ΔC of the entire capacitance value C corresponding to the sum of the capacitance of the capacitor 54 and the parasitic capacitance value before and after the property change appears as a difference Δf between the oscillation frequencies f1 and f2 of the oscillator 20. A relational expression between the difference Δf and the difference ΔC is shown in the following mathematical formula (2).

Δf=1/〔2π√{L(C+ΔC)}〕―1/{2π√(LC)} ・・・(2)
つまり、被検査体203中にタンパク質204が存在すると、f2≠f1となる。この様に、保護膜115に接触した水202に被検査体203を注入する前の発振器20の発振周波数f1と、注入後の発振周波数f2を検出回路3で検出した際に、
f2≠f1であれば、被検査体203中にタンパク質204が有る
f2=f1であれば、被検査体203中にタンパク質204が無い
と判定することができる。
Δf = 1 / [2π√ {L (C + ΔC)}] − 1 / {2π√ (LC)} (2)
That is, if the protein 204 is present in the test object 203, f2 ≠ f1. Thus, when the detection circuit 3 detects the oscillation frequency f1 of the oscillator 20 before injecting the test object 203 into the water 202 in contact with the protective film 115 and the oscillation frequency f2 after injection,
If f2 ≠ f1, there is a protein 204 in the test object 203. If f2 = f1, it can be determined that there is no protein 204 in the test object 203.

(効果)
ユーザは、被検査体203を注入する前の発振器20の発振周波数f1と、注入した後の発振周波数f2とを比較することにより、被検査体203中にタンパク質204が有るか無いかを判定することが可能となる。
(effect)
The user compares the oscillation frequency f1 of the oscillator 20 before injecting the test object 203 with the oscillation frequency f2 after injection to determine whether or not the protein 204 is present in the test object 203. It becomes possible.

例えば、抗体201が抗オボアルブミン抗体である場合には、被検査体203に卵白を構成する主要なタンパク質であるオボアルブミンの有無を判定する食品アレルゲン検査が、センサIC1で可能となる。なお、抗体201は抗オボアルブミン抗体に限定されるものではなく、ホエーやカゼイン等のその他のタンパク質を捕捉する抗体でも良い。   For example, when the antibody 201 is an anti-ovalbumin antibody, a food allergen test for determining the presence or absence of ovalbumin, which is a main protein constituting egg white, in the test subject 203 is possible with the sensor IC1. The antibody 201 is not limited to the anti-ovalbumin antibody, and may be an antibody that captures other proteins such as whey and casein.

更に、抗体201が抗A抗体であれば、A型およびAB型の血液中の赤血球表面に存在するA抗原が、被検査体203中に有るか・無いかが検出可能となる。なお、抗体201は抗A抗体に限定されるものではなく、抗B抗体でも良い。   Furthermore, if the antibody 201 is an anti-A antibody, it is possible to detect whether or not the A antigen present on the surface of red blood cells in the blood of type A and type AB is present in the test subject 203. The antibody 201 is not limited to the anti-A antibody, and may be an anti-B antibody.

更に、水202は、水に限定されるものではなく、抗体201とタンパク質204との抗体・抗原反応を阻害しなければ、リン酸緩衝生理食塩水(PBS)等の他の液体でもよい。   Furthermore, the water 202 is not limited to water, and may be other liquids such as phosphate buffered saline (PBS) as long as the antibody-antigen reaction between the antibody 201 and the protein 204 is not inhibited.

〔実施形態2〕
前記実施形態1では、物理吸着で、捕捉部である抗体201を保護膜115上に、図1の(b)に示す様に固定化しているが、下記の物理吸着で固定化しても良い。
[Embodiment 2]
In the first embodiment, the antibody 201 serving as a capturing part is immobilized on the protective film 115 by physical adsorption as shown in FIG. 1B, but may be immobilized by physical adsorption described below.

図3の(a)は、保護膜115に溝210を形成して捕捉部である抗体201を固定化する場合、図3の(b)は、保護膜115上に金薄膜211を形成して抗体201を固定化する場合の図である。   3A shows a case where a groove 210 is formed in the protective film 115 to immobilize the antibody 201 as a capturing part. FIG. 3B shows a case where a gold thin film 211 is formed on the protective film 115. It is a figure in the case of immobilizing the antibody 201.

図3の(a)に示す様に、保護膜115にフォトリソグラフィーとエッチングとの組み合わせで溝210を形成し、溝210上に抗体201を物理吸着させることで、抗体201を固定化しても良い。   As shown in FIG. 3A, the antibody 201 may be immobilized by forming a groove 210 in the protective film 115 by a combination of photolithography and etching, and physically adsorbing the antibody 201 on the groove 210. .

また、図3の(b)に示す様に、保護膜115上に金薄膜211を形成し、金薄膜211上に抗体201を物理吸着させることで、抗体201を固定化しても良い。さらに、フォトリソグラフィーとエッチングとの組み合わせで、金薄膜211をインダクタ52の上に島状に形成しても良い。   Further, as shown in FIG. 3B, the antibody 201 may be immobilized by forming a gold thin film 211 on the protective film 115 and physically adsorbing the antibody 201 on the gold thin film 211. Further, the gold thin film 211 may be formed in an island shape on the inductor 52 by a combination of photolithography and etching.

(効果)
溝210を形成することで、抗体201の形成領域を溝210に限定することが可能となる。抗体は金に強く吸着することが知られているので、金薄膜211を形成することで抗体201の固定化の為の吸着力が改善される。さらに、金薄膜211の形状を島状にすることで、抗体201の形成領域を限定することが可能となる。
(effect)
By forming the groove 210, the region where the antibody 201 is formed can be limited to the groove 210. Since it is known that the antibody strongly adsorbs to gold, the adsorption force for immobilizing the antibody 201 is improved by forming the gold thin film 211. Furthermore, the formation region of the antibody 201 can be limited by making the gold thin film 211 into an island shape.

〔実施形態3〕
前記実施形態1において、抗体201を保護膜115に物理吸着で固定化する方法について説明した。本実施形態3では、固定化部212を用いた抗体201の保護膜115への固定化について、図4の(a)および(b)、ならびに図10を参照して説明する。
[Embodiment 3]
In the first embodiment, the method for immobilizing the antibody 201 on the protective film 115 by physical adsorption has been described. In the third embodiment, the immobilization of the antibody 201 on the protective film 115 using the immobilization unit 212 will be described with reference to FIGS. 4A and 4B and FIG.

図4の(a)は、捕捉部である抗体201を固定化部212を介して保護膜115に固定化する場合、図4の(b)は、抗体201をゲル層213を介して保護膜115に固定化する場合の図である。図10は、シランカップリング反応の一例を示す図である。   4A shows a case where the antibody 201 as a capturing part is immobilized on the protective film 115 via the immobilization part 212. FIG. 4B shows a case where the antibody 201 is protected via the gel layer 213. FIG. FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a silane coupling reaction.

まず、保護膜115を酸化して、表面にOH基を形成する。次に、保護膜115表面を、3−アミノプロピルトリエトキシシラン(APTMS)等でアミノ化して、保護膜115表面にアミノ基221を形成する。次に、アミノ基221が形成された保護膜115表面に対し、3−マレイミドプロピオン酸N−スクシンイミド(SMP)等でマレイミド化して、保護膜115表面にマレイミド基222を形成する。次に、マレイミド基222が形成された保護膜115表面に、チオール・ビオチン等を用いてビオチン化を行い、ビオチン223を保護膜115に固定化する。次に、ビオチン223が固定化された保護膜115表面にアビジン224を導入し、ビオチン・アビジン反応を行い、アビジン224をビオチン223と結合する。最後に、アビジン224が固定化された保護膜115表面に、ビオチン(標識化用)で標識化した抗体201を導入して、ビオチン・アビジン反応で、ビオチン(標識化用)をアビジン224に結合させる。つまり、抗体201は、ビオチン(標識化用)、アビジン224、ビオチン223、およびビオチン化・マレイミド化・アミノ化で形成される分子群を介して、図4の(a)に示す様に、抗体201を保護膜115に固定化することが出来る。図4の(a)の固定化部212は、シランカップリングによって生じる、保護膜115と抗体201との間の有機化合物である、ビオチン(標識化用)、アビジン224、ビオチン223、およびビオチン化・マレイミド化・アミノ化で形成される分子群となる。   First, the protective film 115 is oxidized to form OH groups on the surface. Next, the surface of the protective film 115 is aminated with 3-aminopropyltriethoxysilane (APTMS) or the like to form amino groups 221 on the surface of the protective film 115. Next, the surface of the protective film 115 on which the amino group 221 is formed is maleimidized with 3-maleimidopropionic acid N-succinimide (SMP) or the like to form a maleimide group 222 on the surface of the protective film 115. Next, biotinylation is performed on the surface of the protective film 115 on which the maleimide group 222 is formed using thiol / biotin or the like, and the biotin 223 is immobilized on the protective film 115. Next, avidin 224 is introduced to the surface of the protective film 115 on which biotin 223 is immobilized, and a biotin-avidin reaction is performed to bind avidin 224 to biotin 223. Finally, the antibody 201 labeled with biotin (for labeling) is introduced onto the surface of the protective film 115 on which the avidin 224 is immobilized, and biotin (for labeling) is bound to the avidin 224 by the biotin-avidin reaction. Let In other words, the antibody 201 is produced through biotin (for labeling), avidin 224, biotin 223, and a group of molecules formed by biotinylation / maleimidation / amination as shown in FIG. 201 can be fixed to the protective film 115. 4A is an organic compound between the protective film 115 and the antibody 201 generated by silane coupling, biotin (for labeling), avidin 224, biotin 223, and biotinylation. -It is a group of molecules formed by maleimidation / amination.

なお、上記一連の反応をシランカップリングと呼ぶ。抗体201を半導体基板10に固定化する目的が達成するならば、上記反応に限定されるものではなく、他のシランカップリングであっても良い。   The above series of reactions is called silane coupling. If the purpose of immobilizing the antibody 201 on the semiconductor substrate 10 is achieved, the reaction is not limited to the above reaction, and other silane couplings may be used.

さらに、上記シランカップリングでは、ビオチン・アビジン反応でアビジン224をビオチン223に結合させているが、アビジン224の替りにストレプトアビジンを用いても良い。   Furthermore, in the silane coupling, avidin 224 is bound to biotin 223 by a biotin-avidin reaction, but streptavidin may be used instead of avidin 224.

さらに、抗体201を半導体基板10に固定化する目的が達成するならば、途中の物質も代替物質であってもよく、固定化手法もシランカップリングに限定されない。   Furthermore, if the purpose of immobilizing the antibody 201 on the semiconductor substrate 10 is achieved, the intermediate substance may be an alternative substance, and the immobilization technique is not limited to silane coupling.

例えば、ジチオプロピオン酸等を用いたアミンカップリングで抗体201を固定化しても良い。更に、ポリエチレングリコール等のスペーサー物質を介して、単体の長さを長くしたアミンカップリングで抗体201を固定化しても良い。   For example, the antibody 201 may be immobilized by amine coupling using dithiopropionic acid or the like. Further, the antibody 201 may be immobilized by amine coupling in which the length of a single substance is increased via a spacer substance such as polyethylene glycol.

また、アミンカップリングでアビジンもしくはストレプトアビジンを固定化し、ビオチンで標識化した抗体201によるビオチン・アビジン反応で、抗体201を固定化しても良い。   Alternatively, avidin or streptavidin may be immobilized by amine coupling, and antibody 201 may be immobilized by biotin-avidin reaction with antibody 201 labeled with biotin.

さらに、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)などのアルコキシド(シリカ前駆体)を、酸性、若しくは塩基性条件で、加水分解・重縮合反応を行わせる事によって、アルコールを脱離させて合成するゾル・ゲル法によってゲル層213を形成し、図4の(b)に示す様に、ゲル層213形成中に抗体210を固定化しても良い。   Further, a sol-gel method in which an alcohol is removed from an alkoxide (silica precursor) such as tetraethyl orthosilicate (TEOS) by hydrolysis or polycondensation reaction under acidic or basic conditions. Thus, the gel layer 213 may be formed, and the antibody 210 may be immobilized during the formation of the gel layer 213 as shown in FIG.

(効果)
化学反応による結合を使うので、物理吸着よりも吸着力が高い。
(effect)
Adsorption is higher than physical adsorption because it uses bonds by chemical reaction.

〔実施形態4〕
本実施形態4では、前記実施形態1の捕捉部である抗体201が、抗サイトケラチン抗体であるとする。抗サイトケラチン抗体は、上皮性細胞の細胞骨格を成す中間径フィラメントであるサイトケラチンを捕捉する。つまり、抗体201が抗サイトケラチン抗体の場合には、細胞を捕捉することになる。
[Embodiment 4]
In the fourth embodiment, it is assumed that the antibody 201 that is the capturing unit of the first embodiment is an anti-cytokeratin antibody. Anti-cytokeratin antibodies capture cytokeratin, an intermediate filament that forms the cytoskeleton of epithelial cells. That is, when the antibody 201 is an anti-cytokeratin antibody, the cells are captured.

前記の実施形態1と同様に、保護膜115に接触した水202に被検査体203を注入する前の発振器20の発振周波数f1と、注入した後の発振周波数f2とを検出回路3で検出した際に、
f2≠f1であれば、被検査体203中に細胞が有る
f2=f1であれば、被検査体203中に細胞が無い
と判定することができる。
As in the first embodiment, the detection circuit 3 detects the oscillation frequency f1 of the oscillator 20 before the test object 203 is injected into the water 202 in contact with the protective film 115 and the oscillation frequency f2 after the injection. When
If f2 ≠ f1, there is a cell in the inspection object 203. If f2 = f1, it can be determined that there is no cell in the inspection object 203.

発振周波数f1とf2とを比較することにより、被検査体203における標的細胞の有無を検出することができる。   By comparing the oscillation frequencies f1 and f2, it is possible to detect the presence or absence of the target cell in the test subject 203.

さらに、細胞の状態が、正常であるか、がん化しているかで、細胞自身の誘電率変化や、細胞による水和状態の変化に起因する細胞周囲の水の誘電率の変化が生じる。この誘電率の違いによって、発振器20の発振周波数も変化する。つまり、センサIC1の発振器20の発振周波数を推定することで、抗体201に捕捉された細胞が正常細胞であるかがん細胞であるが検出可能となる。   Furthermore, depending on whether the state of the cell is normal or cancerous, a change in the dielectric constant of the cell itself or a change in the dielectric constant of water around the cell due to a change in the hydration state by the cell occurs. Due to the difference in dielectric constant, the oscillation frequency of the oscillator 20 also changes. That is, by estimating the oscillation frequency of the oscillator 20 of the sensor IC1, it is possible to detect whether the cell captured by the antibody 201 is a normal cell or a cancer cell.

また、温度・pH・薬液・抗原等の外部刺激による細胞の活性化によっても、細胞自身の誘電率変化や、細胞による水和状態の変化に起因する細胞周囲の水の誘電率の変化が生じる。まず、抗体201が細胞を捕捉したことを発振器20の発振周波数で確認する。細胞捕捉を確認した後に、刺激を与える前の発振器20の発振周波数f1と、刺激を与えた後の発振周波数f2との比較により、細胞が刺激により活性化したか否かが検出可能となる。   In addition, activation of cells by external stimuli such as temperature, pH, drug solution, and antigen also causes changes in the dielectric constant of the cells themselves and the dielectric constant of water around the cells due to changes in the hydration state by the cells. . First, it is confirmed by the oscillation frequency of the oscillator 20 that the antibody 201 has captured the cell. After confirming the cell capture, it is possible to detect whether the cell is activated by the stimulus by comparing the oscillation frequency f1 of the oscillator 20 before applying the stimulus and the oscillation frequency f2 after applying the stimulus.

細胞の状態の違いは、正常細胞・がん細胞、細胞の活性・不活性に限定されるものでなく、細胞自身もしくは周囲の水の誘電率を変化させる様な状態の違いは総じて、本発明で検出可能となる。   The difference in the state of the cells is not limited to normal cells / cancer cells, and the activity / inactivity of the cells, but the differences in the states that change the dielectric constant of the cells themselves or the surrounding water are generally defined in the present invention. Can be detected.

また、抗体201は、抗サイトケラチンに限定されるものではない。例えば、抗体201が抗好塩基球抗体の場合には、好塩基球を選択的に捕捉することが可能となる。   The antibody 201 is not limited to anti-cytokeratin. For example, when the antibody 201 is an anti-basophil antibody, basophils can be selectively captured.

捕捉部は、抗体201に限定されるものではなく、分子・細胞・組織が捕捉する捕捉部であるという目的が達成されるならば、ビオチン、アビジン、ストレプトアビジン、ペプチド、融合タンパク質、アプタマー等でも良い。   The capture unit is not limited to the antibody 201, and biotin, avidin, streptavidin, peptide, fusion protein, aptamer, etc. can be used as long as the purpose of capturing the molecule, cell, or tissue is achieved. good.

(効果)
細胞の検出、および、温度・pH・薬液・抗原等の外部刺激による細胞の活性化がセンシング可能となり、薬品の分子・細胞・組織への影響などを検査等医学・薬学へ応用することが可能となる。
(effect)
Detection of cells and activation of cells by external stimuli such as temperature, pH, drug solution, antigen, etc. can be sensed, and the influence of drugs on molecules, cells, tissues, etc. can be applied to medicine and pharmacy It becomes.

〔実施形態5〕
本実施形態5では、前記実施形態1の捕捉部である抗体201が、捕捉部をプローブDNA(デオキシリボ核酸)であるとする。図5の(a)は、プローブDNA214が捕捉部の場合、図5の(b)は、プローブDNA214が標的DNA215を捕捉した場合の図である。図5の(a)に示す様に、プローブDNA(デオキシリボ核酸)214を固定化部212によって固定化する。アデニン(A)、グアニン(G)、シトシン(C)、チミン(T)の塩基配列がプローブDNA214と相補的な標的DNA215が標的となる。
[Embodiment 5]
In the fifth embodiment, it is assumed that the antibody 201 serving as the capturing unit in the first embodiment is a probe DNA (deoxyribonucleic acid). 5A is a diagram in the case where the probe DNA 214 is a capture unit, and FIG. 5B is a diagram in the case where the probe DNA 214 captures the target DNA 215. FIG. As shown in FIG. 5A, the probe DNA (deoxyribonucleic acid) 214 is immobilized by the immobilization unit 212. Target DNA 215 whose base sequences of adenine (A), guanine (G), cytosine (C), and thymine (T) are complementary to probe DNA 214 is targeted.

標的DNA215をプローブDNA214が保護膜115表面に導入すると、アデニン(A)とチミン(T)間、グアニン(G)とシトシン(C)間の水素結合によるハイブリダイゼーションによって、プローブDNA214によって相補的な塩基配列の標的DNA215が捕捉される。DNAが1本鎖から2本鎖になることによるDNA自身の誘電率変化と、ハイブリダイゼーションによる水和状態の変化に起因する周囲の水の誘電率変化により、発振器20の発振周波数が変化する。   When the target DNA 215 is introduced into the surface of the protective film 115 by the probe DNA 214, a complementary base by the probe DNA 214 is obtained by hybridization by hydrogen bonding between adenine (A) and thymine (T), or between guanine (G) and cytosine (C). The target DNA 215 of the sequence is captured. The oscillation frequency of the oscillator 20 changes due to a change in the dielectric constant of the DNA itself due to the DNA changing from a single strand to a double strand, and a change in the dielectric constant of the surrounding water due to the change in the hydration state due to hybridization.

実施形態1で説明した方法と同様のことを実施する。つまり、保護膜115に接触した水202に被検査体203を注入する前の発振器20の発振周波数f1と、注入後の発振周波数f2とを検出回路3で検出した際に、
f2≠f1であれば、被検査体203中に標的DNA215が有る
f2=f1であれば、被検査体203中に標的DNA215が無い
と判定することができる。
The same method as that described in the first embodiment is performed. That is, when the detection circuit 3 detects the oscillation frequency f1 of the oscillator 20 before injecting the test object 203 into the water 202 in contact with the protective film 115 and the oscillation frequency f2 after injection,
If f2 ≠ f1, the target DNA 215 is present in the test object 203. If f2 = f1, it can be determined that the target DNA 215 is not present in the test object 203.

以上においては、DNA(デオキシリボ核酸)について説明したが、限定されるものではなく、RNA(リボ核酸)であっても良い。   In the above, although DNA (deoxyribonucleic acid) was demonstrated, it is not limited and RNA (ribonucleic acid) may be sufficient.

固定化部212は、実施形態3で説明したもののいずれかである。更に、実施形態1および2にて説明した様に、固定化部212を用いない物理吸着による固定化であっても構わない。   The immobilization unit 212 is any of those described in the third embodiment. Furthermore, as described in the first and second embodiments, immobilization by physical adsorption without using the immobilization unit 212 may be used.

(効果)
被検査体203中における標的DNA215の有無がセンサIC1によって検出可能となり、遺伝子解析やDNAチップ、および薬品のDNAへの影響等の医学・薬学への応用が可能となる。
(effect)
Presence / absence of the target DNA 215 in the inspected object 203 can be detected by the sensor IC1, and application to medicine / pharmaceutics such as genetic analysis, DNA chip, and influence of drug on DNA is possible.

〔実施形態6〕
前記実施形態1では、抗体201が捕捉部であり、タンパク質204が標的であった。本実施形態4では、逆に、タンパク質204を捕捉部とし、抗体201を標的とする。図6の(a)は、タンパク質204が捕捉部の場合、図6の(b)は、タンパク質204が標的となる抗体201を捕捉した場合の図である。図6の(a)に示す様に、固定化部212でタンパク質204を保護膜115に固定化する。
[Embodiment 6]
In the first embodiment, the antibody 201 is a capture unit and the protein 204 is a target. In the fourth embodiment, conversely, the protein 204 is used as a capture unit and the antibody 201 is used as a target. 6A is a diagram in the case where the protein 204 is a capture unit, and FIG. 6B is a diagram in the case where the protein 204 captures the target antibody 201. As shown in FIG. 6A, the protein 204 is immobilized on the protective film 115 by the immobilization unit 212.

次に実施形態1で説明した方法と同様の方法でセンサIC1を用いて、発振器20の発振周波数を測定する。   Next, the oscillation frequency of the oscillator 20 is measured using the sensor IC 1 in the same manner as described in the first embodiment.

前記実施形態1と同様に、まず保護膜115に水202を接触させる。検出回路3は、発振器20の発振周波数f1を推定する。次に、保護膜115に接触した水202に被検査体203を注入する。検出回路3は発振周波数f2を推定する。   As in the first embodiment, first, water 202 is brought into contact with the protective film 115. The detection circuit 3 estimates the oscillation frequency f1 of the oscillator 20. Next, the test object 203 is injected into the water 202 that has come into contact with the protective film 115. The detection circuit 3 estimates the oscillation frequency f2.

もし、被検査体203にタンパク質204の標的となる抗体201が存在すれば、抗体抗原反応により、抗体201は図6の(b)に示す様にタンパク質204に捕捉される。逆に、被検査体203にタンパク質204の標的となる抗体201がなければ、タンパク質204は図6の(a)に示す状態を維持する。この時、
f2≠f1であれば、被検査体203中に抗体201が有る
f2=f1であれば、被検査体203中に抗体201が無い
と判定することができる。
If the antibody 201 that is the target of the protein 204 exists in the test object 203, the antibody 201 is captured by the protein 204 as shown in FIG. On the other hand, if the test subject 203 does not have the antibody 201 that is the target of the protein 204, the protein 204 maintains the state shown in FIG. At this time,
If f2 <> f1, the antibody 201 is present in the test object 203. If f2 = f1, it can be determined that the antibody 201 is not present in the test object 203.

標的物質は、タンパク質や抗体に、限定されるものではなく、タンパク質以外の分子・細胞・組織であっても構わない。   The target substance is not limited to proteins and antibodies, and may be molecules, cells, or tissues other than proteins.

(効果)
例えば、血液等の被検査体203にタンパク質204を捕捉する抗体201の有無をセンサIC1で検出できるので、アレルギー診断等の医学薬学への応用が可能となる。
(effect)
For example, since the sensor IC1 can detect the presence or absence of the antibody 201 that captures the protein 204 in the subject 203 such as blood, it can be applied to medical pharmacy such as allergy diagnosis.

〔実施形態7〕
次に、本発明の実施形態7に係るセンサIC1について、図7の(a)〜(c)を参照して説明する。図7の(a)は、本実施形態に係るセンサIC1を上から見た図であり、半導体基板10の断面B−B’の位置を示す。図7の(b)は、半導体基板10の断面B−B’を示す断面図である。図7の(c)は、本実施形態に係る発振器20の回路図である。本発明の実施形態1と比較すると、インダクタ52およびキャパシタ54の構成が異なる。
[Embodiment 7]
Next, a sensor IC 1 according to Embodiment 7 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7A is a view of the sensor IC 1 according to the present embodiment as viewed from above, and shows the position of the cross section BB ′ of the semiconductor substrate 10. FIG. 7B is a cross-sectional view showing a cross section BB ′ of the semiconductor substrate 10. FIG. 7C is a circuit diagram of the oscillator 20 according to the present embodiment. Compared to the first embodiment of the present invention, the configurations of the inductor 52 and the capacitor 54 are different.

(発振器、センサ回路の構成)
発振器20は、差動回路40と、差動回路40の差動間に形成されている共振器50と、発振器20の駆動を制御信号に従って制御する電流源60とを含む。発振器20は、30〜200GHzのいずれかの共振周波数を有する。
(Configuration of oscillator and sensor circuit)
The oscillator 20 includes a differential circuit 40, a resonator 50 formed between the differential circuits 40, and a current source 60 that controls driving of the oscillator 20 according to a control signal. The oscillator 20 has any resonance frequency of 30 to 200 GHz.

図7の(a)および(b)に示す構成においては、キャパシタ54が、半導体基板10の金属層のうち、最上層である金属層(最上位金属層130)に形成されている。また、平面視において、キャパシタ54は、発振器20が半導体基板10で占める面積の大部分であり、櫛形に形成されている。   In the configuration shown in FIGS. 7A and 7B, the capacitor 54 is formed on the uppermost metal layer (uppermost metal layer 130) among the metal layers of the semiconductor substrate 10. In plan view, the capacitor 54 is a large part of the area occupied by the oscillator 20 on the semiconductor substrate 10 and is formed in a comb shape.

また、インダクタ52は、最上層でない金属層に形成されてもよく、トランジスタで構成されるアクティブインダクタ等であってもよい。   Further, the inductor 52 may be formed in a metal layer that is not the uppermost layer, or may be an active inductor formed of a transistor.

キャパシタ54は、最上層である金属層に形成されているため、半導体基板10の表面に付着した水分および被検査体などにより、キャパシタ54のキャパシタンスが変化する。そして、発振器20が発振する発振周波数が変化する。   Since the capacitor 54 is formed in the metal layer that is the uppermost layer, the capacitance of the capacitor 54 changes due to moisture adhering to the surface of the semiconductor substrate 10, an object to be inspected, and the like. And the oscillation frequency which the oscillator 20 oscillates changes.

この様に、本実施形態7では、センシングする構造が実施形態1のインダクタ52がキャパシタ54に変わる。しかし、センサ上の誘電率変化によって発振器20の発振周波数が変化する原理や、検出回路3で発振器20の発振周波数を推定する原理は、実施形態1と同様である。   As described above, in the seventh embodiment, the sensing structure is changed from the inductor 52 of the first embodiment to the capacitor 54. However, the principle that the oscillation frequency of the oscillator 20 changes due to the change in the dielectric constant on the sensor and the principle that the detection circuit 3 estimates the oscillation frequency of the oscillator 20 are the same as in the first embodiment.

(タンパク質204の検出)
前記実施形態1と同様に、まず保護膜115に水202を接触させる。検出回路3は、発振器20の発振周波数f1を推定する。次に、保護膜115に接触した水202に被検査体203を注入する。検出回路3は発振周波数f2を推定する。
(Detection of protein 204)
As in the first embodiment, first, water 202 is brought into contact with the protective film 115. The detection circuit 3 estimates the oscillation frequency f1 of the oscillator 20. Next, the test object 203 is injected into the water 202 that has come into contact with the protective film 115. The detection circuit 3 estimates the oscillation frequency f2.

もし、被検査体203に抗体201の標的となるタンパク質204が存在すれば、抗体抗原反応により、抗体201はタンパク質204を捕捉する。逆に、被検査体203に標的となるタンパク質204がなければ、抗体201がタンパク質204を捕捉することはない。この時、
f2≠f1であれば、被検査体203中にタンパク質204が有る
f2=f1であれば、被検査体203中にタンパク質204が無い
と判定することができる。つまり、被検査体203におけるタンパク質204の有無をセンサIC1で検出することができる。
If the protein 204 that is the target of the antibody 201 exists in the test object 203, the antibody 201 captures the protein 204 by the antibody antigen reaction. On the other hand, if the target protein 204 is not present in the test object 203, the antibody 201 will not capture the protein 204. At this time,
If f2 ≠ f1, there is a protein 204 in the test object 203. If f2 = f1, it can be determined that there is no protein 204 in the test object 203. That is, the presence or absence of the protein 204 in the test object 203 can be detected by the sensor IC1.

捕捉部や固定化部については、実施形態1から6に記載の方法であっても良い。   The method described in the first to sixth embodiments may be used for the capturing unit and the immobilizing unit.

(効果)
本発明は、標的となる分子・細胞・組織を検出するセンサICである。インダクタ52とキャパシタ54の100GHz前後での高周波数における電界分布が異なる。つまり、標的の形状・サイズによって、検出感度が高い構造を選択することが可能となる。
(effect)
The present invention is a sensor IC that detects a target molecule, cell, or tissue. The electric field distribution at a high frequency around 100 GHz differs between the inductor 52 and the capacitor 54. That is, a structure with high detection sensitivity can be selected depending on the shape and size of the target.

〔実施形態8〕
次に、本発明の実施形態8に係るセンサIC1について、図8を参照して説明する。図8は、本実施形態に係るセンサICの構成図である。
[Embodiment 8]
Next, a sensor IC 1 according to Embodiment 8 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a configuration diagram of the sensor IC according to the present embodiment.

(発振器、センサICの構成)
半導体基板10に、複数個の発振器20a、20b、20c、・・・が形成されている。発振器20a、20b、20c、・・・は、実施形態1で説明したのと同様に、それぞれ、差動回路40と、共振器50と、電流源60とを具備する(図8には図示していない)。
(Configuration of oscillator and sensor IC)
A plurality of oscillators 20 a, 20 b, 20 c,... Are formed on the semiconductor substrate 10. The oscillators 20a, 20b, 20c,... Each include a differential circuit 40, a resonator 50, and a current source 60, as described in the first embodiment (shown in FIG. 8). Not)

発振器20aには抗体(抗体a)201aが、発振器20bには抗体(抗体b)201bが、発振器20cには抗体(抗体c)201cが、それぞれ固定化されている。   An antibody (antibody a) 201a is immobilized on the oscillator 20a, an antibody (antibody b) 201b is immobilized on the oscillator 20b, and an antibody (antibody c) 201c is immobilized on the oscillator 20c.

ここで説明の便宜上、抗体201aの標的タンパク質を「タンパク質204a」と称し、抗体201bの標的タンパク質を「タンパク質204b」と称する。   For convenience of explanation, the target protein of the antibody 201a is referred to as “protein 204a”, and the target protein of the antibody 201b is referred to as “protein 204b”.

実施形態1と同様に、センサIC1に被検査体203を注入する前に、各発振器20の発振周波数f1を推定し、注入後に発振器20の発振周波数f2を推定する。   As in the first embodiment, the oscillation frequency f1 of each oscillator 20 is estimated before injecting the test object 203 into the sensor IC1, and the oscillation frequency f2 of the oscillator 20 is estimated after injection.

発振器20aにおいて、
f2≠f1であれば、被検査体203中にタンパク質204aが有る
f2=f1であれば、被検査体203中にタンパク質204aが無い
と判定することができる。
In the oscillator 20a,
If f2 ≠ f1, there is a protein 204a in the inspection object 203. If f2 = f1, it can be determined that there is no protein 204a in the inspection object 203.

同様に、発振器20bにおいて、
f2≠f1であれば、被検査体203中にタンパク質204bが有る
f2=f1であれば、被検査体203中にタンパク質204bが無い
と判定することができる。
Similarly, in the oscillator 20b,
If f2 ≠ f1, there is a protein 204b in the inspection object 203. If f2 = f1, it can be determined that there is no protein 204b in the inspection object 203.

(効果)
この様に、同一の半導体基板10に、複数個の発振器20を形成し、複数種類の抗体201を固定化して、センサIC1を構成する。これにより、一つのセンサIC1で複数種類のタンパク質204を検出することが可能となる。
(effect)
In this way, a plurality of oscillators 20 are formed on the same semiconductor substrate 10 and a plurality of types of antibodies 201 are immobilized to constitute the sensor IC 1. Thereby, it is possible to detect a plurality of types of proteins 204 with one sensor IC1.

例えば、抗体201aが抗カゼイン抗体で、抗体201bが抗ホエー抗体であるとする。この場合には、被検査体203における、牛乳に含まれるタンパク質であるカゼインやホエー、それぞれの有無を、1個のセンサIC1で検出可能となる。   For example, it is assumed that the antibody 201a is an anti-casein antibody and the antibody 201b is an anti-whey antibody. In this case, the presence or absence of casein and whey, which are proteins contained in milk, in the inspected object 203 can be detected by one sensor IC1.

また、例えば、抗体201aが抗A抗体で、抗体201bが抗B抗体であるとする。この場合には、被検査体203にA抗原とB抗原の有無が検出できるので、例えば血液型のABO判定が1個のセンサIC1で可能となる。   For example, it is assumed that the antibody 201a is an anti-A antibody and the antibody 201b is an anti-B antibody. In this case, since the presence or absence of the A antigen and the B antigen can be detected in the subject 203, for example, the blood type ABO determination can be performed by one sensor IC1.

捕捉部と固定化部については、実施形態1から6に記載の方法であっても良い。更に、センシング手段については、実施形態7に記載のキャパシタであっても良い。   The method described in the first to sixth embodiments may be used for the capturing unit and the immobilizing unit. Further, the sensing means may be the capacitor described in the seventh embodiment.

〔まとめ〕
本発明の態様1に係るセンサICは、基板(半導体基板10)と、前記基板に配置された少なくとも1つの共振器とを備えており、前記少なくとも1つの共振器は、自身の近傍にある被検査体の物性に応じて共振周波数を変化させるものであり、前記少なくとも1つの共振器の前記共振周波数に基づき、前記被検査体の状態を検出するセンサICであって、前記センサICの表面に、特定の分子、細胞、および組織のうち少なくとも1つ(タンパク質204)を捕捉する捕捉部(抗体201他)を備えている。
[Summary]
The sensor IC according to the first aspect of the present invention includes a substrate (semiconductor substrate 10) and at least one resonator disposed on the substrate, and the at least one resonator is in the vicinity of itself. A sensor IC that changes a resonance frequency in accordance with physical properties of an inspection object and detects a state of the object to be inspected based on the resonance frequency of the at least one resonator, and is provided on a surface of the sensor IC. , A capture unit (antibody 201, etc.) that captures at least one of specific molecules, cells, and tissues (protein 204).

上記の構成によれば、標的となる分子・細胞・組織を捕捉する捕捉部をセンサ表面に具備することで、被検査体導入前後のセンサICの共振器の共振周波数を測定することで、共振周波数のシフトで標的となる分子・細胞・組織が前記被検査体中に存在するか否かを調べることが可能となる。更に、標的となる分子・細胞・組織をセンサ表面に捕捉することで、被検査体中の標的となる分子・細胞・組織の検出感度が改善される。   According to the above configuration, the sensor surface is provided with a capturing unit that captures a target molecule, cell, or tissue, so that the resonance frequency of the resonator of the sensor IC before and after the inspected object is measured can be measured. It becomes possible to examine whether or not the target molecule, cell, or tissue exists in the test subject by the frequency shift. Furthermore, by capturing the target molecule / cell / tissue on the sensor surface, the detection sensitivity of the target molecule / cell / tissue in the test object is improved.

従って、上記の構成によれば、検出感度の向上が可能となる。   Therefore, according to the above configuration, detection sensitivity can be improved.

本発明の態様2に係るセンサICは、上記態様1において、前記捕捉部を前記センサICの表面に固定させる固定化部を備えている。   The sensor IC which concerns on aspect 2 of this invention is equipped with the fixing | fixed part which fixes the said capture | acquisition part to the surface of the said sensor IC in the said aspect 1. FIG.

上記の構成によれば、固定化部によって、捕捉部をセンサICの表面に固定させることが容易となる。   According to said structure, it becomes easy to fix a capture part to the surface of sensor IC by an immobilization part.

本発明の態様3に係るセンサICは、上記態様1または2において、前記捕捉部は、抗体を有している。   The sensor IC according to aspect 3 of the present invention is the above-described aspect 1 or 2, wherein the capturing unit includes an antibody.

本発明の態様4に係るセンサICは、上記態様1から3のいずれかにおいて、前記捕捉部は、DNAを有している。   The sensor IC according to aspect 4 of the present invention is the sensor IC according to any one of the aspects 1 to 3, wherein the capturing unit includes DNA.

上記の構成によれば、抗体および/またはDNAによって、捕捉部を実現することができる。   According to said structure, a capture part is realizable with an antibody and / or DNA.

本発明の態様5に係るセンサICは、上記態様1から4のいずれかにおいて、少なくとも2つの前記共振器を備えており、2つの前記共振器の一方が備えている前記捕捉部が捕捉する前記分子、細胞、および組織のうち少なくとも1つと、2つの前記共振器の他方が備えている前記捕捉部が捕捉する前記分子、細胞、および組織のうち少なくとも1つとが、互いに異なっている。   A sensor IC according to aspect 5 of the present invention includes the at least two resonators according to any one of the above aspects 1 to 4, and the capturing unit included in one of the two resonators captures the sensor IC. At least one of molecules, cells, and tissues is different from at least one of the molecules, cells, and tissues that are captured by the capturing unit included in the other of the two resonators.

上記の構成によれば、センサIC表面に複数種類の捕捉部を固定化することで、一つのセンサICで被検査体中に存在する分子・細胞・組織を複数種類検出することが可能となる。   According to the above configuration, it is possible to detect a plurality of types of molecules / cells / tissues present in the test object with a single sensor IC by immobilizing a plurality of types of capturing parts on the surface of the sensor IC. .

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, a new technical feature can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.

1 センサIC
10 半導体基板(基板)
50 共振器
201、201a、201b、201c 抗体(捕捉部)(特定の分子、細胞、および組織のうち少なくとも1つ)
203 被検査体
204 タンパク質(特定の分子、細胞、および組織のうち少なくとも1つ)(捕捉部)
212 固定化部
214 プローブDNA(捕捉部)
1 Sensor IC
10 Semiconductor substrate (substrate)
50 Resonator 201, 201a, 201b, 201c Antibody (capture part) (at least one of specific molecule, cell, and tissue)
203 Inspected object 204 Protein (at least one of specific molecule, cell, and tissue) (capture part)
212 Immobilization unit 214 Probe DNA (capture unit)

Claims (5)

基板と、
前記基板に配置された少なくとも1つの共振器とを備えており、
前記少なくとも1つの共振器は、自身の近傍にある被検査体の物性に応じて共振周波数を変化させるものであり、
前記少なくとも1つの共振器の前記共振周波数に基づき、前記被検査体の状態を検出するセンサICであって、
前記センサICの表面に、特定の分子、細胞、および組織のうち少なくとも1つを捕捉する捕捉部を備えていることを特徴とするセンサIC。
A substrate,
And at least one resonator disposed on the substrate,
The at least one resonator changes a resonance frequency according to physical properties of an object to be inspected in the vicinity of the resonator,
A sensor IC for detecting a state of the device under test based on the resonance frequency of the at least one resonator;
A sensor IC comprising a capturing unit that captures at least one of specific molecules, cells, and tissues on a surface of the sensor IC.
前記センサICは、前記捕捉部を前記センサICの表面に固定させる固定化部を備えていることを特徴とする請求項1に記載のセンサIC。   The sensor IC according to claim 1, wherein the sensor IC includes an immobilization unit that fixes the capturing unit to a surface of the sensor IC. 前記捕捉部は、抗体を有していることを特徴とする請求項1または2に記載のセンサIC。   The sensor IC according to claim 1, wherein the capturing unit includes an antibody. 前記捕捉部は、DNAを有していることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のセンサIC。   The sensor IC according to any one of claims 1 to 3, wherein the capturing unit includes DNA. 前記センサICは、少なくとも2つの前記共振器を備えており、
2つの前記共振器の一方が備えている前記捕捉部が捕捉する前記分子、細胞、および組織のうち少なくとも1つと、2つの前記共振器の他方が備えている前記捕捉部が捕捉する前記分子、細胞、および組織のうち少なくとも1つとが、互いに異なっていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のセンサIC。
The sensor IC includes at least two of the resonators,
At least one of the molecules, cells, and tissues captured by the capture unit included in one of the two resonators, and the molecule captured by the capture unit included in the other of the two resonators, The sensor IC according to any one of claims 1 to 4, wherein at least one of the cells and the tissue is different from each other.
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