JP2017118094A - Sealant for semiconductor - Google Patents

Sealant for semiconductor Download PDF

Info

Publication number
JP2017118094A
JP2017118094A JP2016144802A JP2016144802A JP2017118094A JP 2017118094 A JP2017118094 A JP 2017118094A JP 2016144802 A JP2016144802 A JP 2016144802A JP 2016144802 A JP2016144802 A JP 2016144802A JP 2017118094 A JP2017118094 A JP 2017118094A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
sealing material
resin
parts
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016144802A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6199451B2 (en
Inventor
田 完 二
Yutaka Nita
田 完 二
藤 和 也 佐
Kazuya Sato
藤 和 也 佐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Holdings Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Ink Mfg Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Ink Mfg Co Ltd filed Critical Taiyo Ink Mfg Co Ltd
Priority to JP2016144802A priority Critical patent/JP6199451B2/en
Publication of JP2017118094A publication Critical patent/JP2017118094A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6199451B2 publication Critical patent/JP6199451B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sealant for semiconductor, which can suppress the formation of a gap between a semiconductor chip and a sealant for semiconductor in a fan-out type wafer level package with re-wiring formed thereon.SOLUTION: A sealant for semiconductor comprises an oxidizer capable of oxidizing a semiconductor in order to prevent a side face of a semiconductor chip from being etched to form a gap by a liquid developer to be used when a region of the sealant for semiconductor is formed in a periphery of the semiconductor chip and a re-wiring layer connected to electrodes is also provided in the region for the sealant for semiconductor.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、半導体チップを保護する半導体用封止材に関し、とりわけ、外部接続用電極の配置領域が半導体の平面サイズよりも大きいファンアウト（Fan-out）型のウェハレベルパッケージに用いられる半導体用封止材に関する。   The present invention relates to a semiconductor sealing material for protecting a semiconductor chip, and more particularly to a semiconductor used in a fan-out type wafer level package in which an arrangement area of an external connection electrode is larger than a semiconductor planar size. It relates to a sealing material.

近年、半導体回路等の分野おいて小型化の要求が高まっており、その要求に応えるために半導体回路はそのチップサイズに近いパッケージ（Chip Size Package）に実装されることがある。チップサイズパッケージを実現する手段の一つとして、ウエハレベルで接合し断片化するウェハレベルパッケージ（Wafer Level Package、以下、ＷＬＰと略す場合がある。）と呼ばれるパッケージ方法が提案されている。ＷＬＰは、低コスト化、小型化に寄与し得るため、注目されている。ＷＬＰは、電極が形成された回路基板上にフェースダウンで実装される。   In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization in the field of semiconductor circuits and the like, and in order to meet such demands, semiconductor circuits are sometimes mounted in a package (Chip Size Package) close to the chip size. As one means for realizing a chip size package, a package method called a wafer level package (hereinafter sometimes abbreviated as WLP) that is bonded and fragmented at a wafer level has been proposed. WLP is attracting attention because it can contribute to cost reduction and size reduction. The WLP is mounted face down on a circuit board on which electrodes are formed.

ところで、半導体チップの小型化、高集積化に伴って、半導体チップの外部接続用の電極（端子、バンプ）の数は多くなる傾向にあり、そのため半導体チップの外部接続用の電極のピッチは小さくなる傾向にある。しかしながら、微細なピッチでバンプが形成された半導体チップを回路基板上に直接実装するのは必ずしも容易ではない。   By the way, with the miniaturization and high integration of the semiconductor chip, the number of electrodes (terminals and bumps) for external connection of the semiconductor chip tends to increase. Therefore, the pitch of the electrodes for external connection of the semiconductor chip is small. Tend to be. However, it is not always easy to directly mount a semiconductor chip on which bumps are formed at a fine pitch on a circuit board.

上記のような課題に対して、半導体チップの外周に半導体用封止材の領域を形成し、電極に接続された再配線層を半導体用封止材の領域にも設けて、バンプのピッチを大きくすることが提案されている。このようなＷＬＰは、半導体チップのサイズに対してバンプの配置エリアのサイズが大きくなるため、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ（以下、ＦＯ−ＷＬＰと略す場合がある。）と称される。   In order to solve the above problems, a semiconductor encapsulant region is formed on the outer periphery of the semiconductor chip, and a rewiring layer connected to the electrode is also provided in the semiconductor encapsulant region, so that the bump pitch is reduced. It has been proposed to be larger. Such a WLP is called a fan-out type wafer level package (hereinafter sometimes abbreviated as FO-WLP) because the size of the bump arrangement area is larger than the size of the semiconductor chip.

ＦＯ−ＷＬＰでは、半導体チップが半導体用封止材により埋め込まれる。半導体チップの回路面は外側にむき出しとなり、半導体チップと半導体用封止材との境界が形成される。半導体チップを埋め込む半導体用封止材の領域にも、半導体チップの電極に接続された再配線層が設けられ、バンプが再配線層を介して半導体チップの電極に電気的に接続される。かかるバンプのピッチは、半導体チップの電極のピッチに対して大きく設定できるようになる。   In FO-WLP, a semiconductor chip is embedded with a semiconductor sealing material. The circuit surface of the semiconductor chip is exposed to the outside, and a boundary between the semiconductor chip and the semiconductor sealing material is formed. A rewiring layer connected to the electrode of the semiconductor chip is also provided in the region of the semiconductor sealing material for embedding the semiconductor chip, and the bump is electrically connected to the electrode of the semiconductor chip through the rewiring layer. The pitch of the bumps can be set larger than the pitch of the electrodes of the semiconductor chip.

また、半導体チップのみならず、複数の電子部品を１つのパッケージ内に収めたり、複数の半導体チップを半導体用封止材に埋め込み1つの半導体部品とすることも考えられる。このようなパッケージでは、複数の電子部品が半導体用封止材により埋め込まれる。複数の電子部品を埋め込む半導体用封止材には、電子部品の電極に接続された再配線層が設けられ、バンプが再配線層を介して電子部品の電極に電気的に接続される。この場合にも、半導体チップのサイズに対してバンプの配置エリアのサイズが大きくなるため、ＦＯ−ＷＬＰといえる。   It is also conceivable that not only a semiconductor chip but also a plurality of electronic components are housed in one package, or a plurality of semiconductor chips are embedded in a semiconductor sealing material to form one semiconductor component. In such a package, a plurality of electronic components are embedded with a semiconductor sealing material. The semiconductor sealing material for embedding a plurality of electronic components is provided with a rewiring layer connected to the electrodes of the electronic components, and the bumps are electrically connected to the electrodes of the electronic components via the rewiring layers. Also in this case, since the size of the bump arrangement area is larger than the size of the semiconductor chip, it can be said to be FO-WLP.

このようなパッケージでは、一般的に支持体上に一定の間隔を設けて半導体チップや電子部品を配置し、半導体用封止材を用いて埋め込み、封止材を加熱硬化させた後に、支持体から剥離して疑似ウエハが作製される。続いて、疑似ウエハの半導体チップ回路面から拡張された半導体用封止材料領域にかけて、再配線層が形成される。このようにしてバンプのピッチは、半導体チップの電極のピッチに対して大きく設定できるようになる。   In such a package, in general, a semiconductor chip or an electronic component is arranged at a certain interval on a support, embedded with a semiconductor sealing material, and the sealing material is heat-cured, and then the support. A pseudo wafer is produced by peeling from the substrate. Subsequently, a rewiring layer is formed from the semiconductor chip circuit surface of the pseudo wafer to the expanded semiconductor sealing material region. In this way, the pitch of the bumps can be set larger than the pitch of the electrodes of the semiconductor chip.

再配線層の形成においては、一般的に、ポジ型の感応性樹脂を、疑似ウエハの半導体チップ回路面に塗布し、プリベークを行い、フォトマスク等を介して開口したい領域にＵＶ光線等の活性光線を照射し、続いてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）等の現像液を用いて現像を行い、加熱キュア、酸素プラズマ処理等を行い、メタル電極のスパッタリングを行い、さらにフォトレジスト層を形成し配線をパターニングして再配線層を形成していく（例えば、特許文献１等）。   In the formation of the rewiring layer, generally, a positive-type sensitive resin is applied to the semiconductor chip circuit surface of the pseudo wafer, pre-baked, and activated with UV light or the like in an area to be opened through a photomask or the like. Irradiate light, then develop using a developer such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide), heat cure, oxygen plasma treatment, etc., metal electrode sputtering, and further form a photoresist layer The wiring is patterned to form a rewiring layer (for example, Patent Document 1).

特開２０１３−３８２７０号公報JP 2013-38270 A

しかしながら、上記したような工程を経てＦＯ−ＷＬＰを製造すると、半導体チップと半導体用封止材との境界に隙間が発生し、その後に形成される再配線層の信頼性を低下させているという問題があった。また、この隙間により、完成したＦＯ−ＷＬＰの製品信頼性を低下させる問題があった。   However, when the FO-WLP is manufactured through the above-described steps, a gap is generated at the boundary between the semiconductor chip and the semiconductor sealing material, and the reliability of the rewiring layer formed thereafter is reduced. There was a problem. In addition, this gap has a problem of reducing the product reliability of the completed FO-WLP.

したがって、本発明の目的は、半導体チップと半導体用封止材との間に隙間が形成されることを抑制できる半導体用封止材、とりわけＦＯ−ＷＬＰ用封止材を提供することにある。   Therefore, the objective of this invention is providing the sealing material for semiconductors which can suppress that a clearance gap is formed between a semiconductor chip and the sealing material for semiconductors, especially the sealing material for FO-WLP.

本発明者らは、半導体チップと半導体用封止材との境界が生じるという現象を詳細に検討したところ、この隙間が、再配線層を形成する際に用いる現像工程において発生していることを突き止めた。そして、さらに検討を進めたところ、現像工程の際に、現像液が半導体用封止材に埋め込まれた半導体チップ側面の境界にも侵入し、場合によっては半導体用封止材にしみ込み、この浸入ないし染み込んだ現像液によって半導体チップ側面がエッチングされることにより、半導体チップ側面と半導体用封止材との境界に隙間が生じていることが判明した。   The present inventors have studied in detail the phenomenon that the boundary between the semiconductor chip and the semiconductor sealing material is generated, and it is found that this gap is generated in the development process used when the rewiring layer is formed. I found it. Then, further investigation was made, and during the development process, the developer also entered the boundary of the side surface of the semiconductor chip embedded in the semiconductor encapsulant, and in some cases, the semiconductor encapsulant soaked. It has been found that a gap is formed at the boundary between the side surface of the semiconductor chip and the semiconductor sealing material by etching the side surface of the semiconductor chip with the developer that has penetrated or soaked.

そして、本発明者らは、上記知見に基づいて鋭意検討した結果、半導体ウエハが現像液によってエッチングされないような成分を、半導体用封止材に添加しておくことにより、再配線層形成の再に現像液を用いても半導体チップ側面と半導体用封止材との境界に隙間が形成されることを抑制でき、その結果、再配線層の形成を容易とし、完成したＦＯ−ＷＬＰの信頼性を高められることが分かった。   As a result of intensive studies based on the above findings, the present inventors have added a component that prevents the semiconductor wafer from being etched by the developer to the semiconductor encapsulant, thereby regenerating the rewiring layer. Even when a developing solution is used, it is possible to suppress the formation of a gap at the boundary between the side surface of the semiconductor chip and the sealing material for the semiconductor. As a result, the rewiring layer can be easily formed and the reliability of the completed FO-WLP It was found that can be improved.

本発明による半導体用封止材は、半導体を酸化させ得る酸化剤を含んでなることを特徴とするものである。   The semiconductor sealing material according to the present invention is characterized by comprising an oxidizing agent capable of oxidizing a semiconductor.

本発明の態様においては、半導体用封止材が、硬化性成分、硬化剤成分、硬化促進剤成分、および無機フィラーを含んでいてもよい。   In the embodiment of the present invention, the semiconductor sealing material may contain a curable component, a curing agent component, a curing accelerator component, and an inorganic filler.

本発明の態様においては、半導体用封止材がシート状の形状を有していてもよい。   In the aspect of the present invention, the semiconductor sealing material may have a sheet-like shape.

本発明の態様においては、ファンアウト型のウェハレベルパッケージに用いられてもよい。   In the embodiment of the present invention, it may be used for a fan-out type wafer level package.

本発明の半導体用封止材によれば、とりわけＦＯ−ＷＬＰにおいて、半導体チップと半導体用封止材との間に隙間が形成されることを抑制できる。その結果、ＦＯ−ＷＬＰの製造の際の再配線層の形成を容易とし、完成したＦＯ−ＷＬＰの信頼性を高めることができる。   According to the semiconductor sealing material of the present invention, it is possible to suppress the formation of a gap between the semiconductor chip and the semiconductor sealing material, particularly in FO-WLP. As a result, the rewiring layer can be easily formed during the manufacture of the FO-WLP, and the reliability of the completed FO-WLP can be improved.

半導体用封止材は、半導体ウエハを加工した半導体素子（例えば半導体チップ等）を熱や埃から保護して半導体パッケージとするものであり、半導体素子全体を被覆するよう封止して絶縁するものである。該半導体用封止材は、後記するような封止材としての各成分を含むものであるが、本発明による半導体用封止材は、半導体を酸化させ得る酸化剤を含むことに特徴を有している。上記したように、例えばＦＯ−ＷＬＰを製造する際には、半導体用封止材により半導体チップ等を埋設して形成した疑似ウエハの半導体チップ回路面に再配線層が形成されるが、その再配線層をパターニングして形成する際に、ＴＭＡＨ等の現像液が用いられる。現像処理の際に、埋設した半導体チップと半導体用封止材との界面に現像液が浸入する。例えば、シリコン半導体チップである場合、シリコンがＴＭＡＨ現像液によりエッチングされてしまい、埋設された半導体ウエハと半導体用封止材との間に隙間を生じさせてしまう。本発明においては、半導体用封止材に半導体ウエハを酸化させ得る酸化剤が含まれているため、半導体チップを半導体用封止材で封止する際に、半導体チップの表面が酸化される。例えば、シリコン（Ｓｉ）半導体チップの場合は、半導体チップの表面にＳｉＯ２の極薄い被膜が形成される。そのため、その後の現像処理の際に現像液が半導体チップと半導体用封止材との界面に浸入しても、酸化皮膜（ＳｉＯ２）によりシリコン半導体が現像液によりエッチングされてしまうことを抑制することができるものと考えられる。これはあくまでも本発明者らの推測であり、本発明が当該論理に拘束されるものではない。 The semiconductor sealing material protects a semiconductor element (for example, a semiconductor chip) processed from a semiconductor wafer from heat and dust to form a semiconductor package, and seals and insulates the entire semiconductor element. It is. The semiconductor sealing material contains each component as a sealing material as described later, but the semiconductor sealing material according to the present invention is characterized by containing an oxidizing agent capable of oxidizing the semiconductor. Yes. As described above, for example, when manufacturing FO-WLP, a rewiring layer is formed on the semiconductor chip circuit surface of the pseudo wafer formed by embedding a semiconductor chip or the like with a semiconductor sealing material. When patterning the wiring layer, a developer such as TMAH is used. During the development processing, the developer enters the interface between the embedded semiconductor chip and the semiconductor sealing material. For example, in the case of a silicon semiconductor chip, silicon is etched by a TMAH developer, and a gap is generated between the embedded semiconductor wafer and the semiconductor sealing material. In the present invention, since the semiconductor encapsulant contains an oxidizing agent that can oxidize the semiconductor wafer, the surface of the semiconductor chip is oxidized when the semiconductor chip is encapsulated with the semiconductor encapsulant. For example, in the case of a silicon (Si) semiconductor chip, a very thin film of SiO 2 is formed on the surface of the semiconductor chip. Therefore, even if the developer enters the interface between the semiconductor chip and the semiconductor sealing material during the subsequent development processing, the silicon semiconductor is prevented from being etched by the developer due to the oxide film (SiO 2 ). Can be considered. This is only a guess of the present inventors, and the present invention is not bound to the logic.

半導体用封止材により封止される半導体チップとしては、シリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）、ＳｉＧｅ等が挙げられるが、シリコン半導体が一般的である。   Examples of the semiconductor chip sealed with the semiconductor sealing material include silicon (Si), germanium (Ge), SiGe, and the like, but a silicon semiconductor is generally used.

本発明において使用できる酸化剤としては、上記したような半導体を酸化させ得る酸化剤であれば特に制限されるものではなく、有機系の酸化剤および無機系の酸化剤のいずれであってもよいが、後記する半導体用封止材を構成する他の成分との相溶性の観点からは有機系の酸化剤を好ましく使用することができる。   The oxidizing agent that can be used in the present invention is not particularly limited as long as it is an oxidizing agent capable of oxidizing the semiconductor as described above, and may be either an organic oxidizing agent or an inorganic oxidizing agent. However, from the viewpoint of compatibility with other components constituting the semiconductor sealing material described later, an organic oxidizing agent can be preferably used.

有機系の酸化剤としては、有機酸化剤または有機過酸化物を好適に使用することができる。有機酸化剤としては、ヒドロペルオキシド類、キノン類、ピリジン類、有機ニトロ化合物等が挙げられる。また、有機過酸化物としては、ｍ−クロロ過安息香酸、過安息香酸、過酢酸、過ギ酸、過酸化ベンゾイル、過酸化ジエチル、過酸化ジアセチル等が挙げられる。   As the organic oxidizing agent, an organic oxidizing agent or an organic peroxide can be preferably used. Examples of the organic oxidizing agent include hydroperoxides, quinones, pyridines, and organic nitro compounds. Examples of the organic peroxide include m-chloroperbenzoic acid, perbenzoic acid, peracetic acid, performic acid, benzoyl peroxide, diethyl peroxide, and diacetyl peroxide.

ヒドロペルオキシド類としては、ｔ−ブチルハイドロオキサイド、クメンハイドロオキサイドビス（トリメチルシリル）ペルオキサイド、エチルヒドロペルオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、コハク酸ペルオキシド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロペルオキシド等が挙げられる。   Hydroperoxides include t-butyl hydroxide, cumene hydroxide bis (trimethylsilyl) peroxide, ethyl hydroperoxide, tert-butyl hydroperoxide, succinic acid peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, etc. Is mentioned.

キノン類としては、ｐ−クロラニル（テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノン）、ｏ−クロラニル、テトラブロモ−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン、クロロベンゾキノン、ジクロロベンゾキノン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、置換アントラキノン、２，３，５，６−テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノン等が挙げられる。   As quinones, p-chloranil (tetrachloro-p-benzoquinone), o-chloranil, tetrabromo-1,4-benzoquinone, 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone, chlorobenzoquinone, Examples include dichlorobenzoquinone, benzoquinone, naphthoquinone, anthraquinone, substituted anthraquinone, 2,3,5,6-tetrachloro-p-benzoquinone, and the like.

ピリジン類としては、ピリジンオキシド、ピリジンＮ−オキサイド、ジメチルアミノピリジンオキシド、２，２，６，６，−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシド、トリメチルアミンＮ−オキサイド等が挙げられる。   Examples of pyridines include pyridine oxide, pyridine N-oxide, dimethylaminopyridine oxide, 2,2,6,6, -tetramethyl-1-piperidinyl oxide, and trimethylamine N-oxide.

有機ニトロ化合物としてはメタニトロベンゼンスルホン酸塩、パラニトロ安息香酸塩、ニトロガニジン、芳香族ニトロスルフホネート等が挙げられる。   Examples of the organic nitro compound include metanitrobenzene sulfonate, paranitrobenzoate, nitroganidine, and aromatic nitrosulfonate.

また、市販されている過酸化物を使用してもよく、例えば日本油脂株式会社のパーテトラＡ、パーヘキサＨＣ、パーヘキサＣ、パーヘキサＶ、パーヘキサ２２の商品名で市販されているパーオキシケタール類、パーブチルＨ、パークミルＨ、パークミルＰ、パーメンタＨ、パーオクタＨの商品名で市販されているハイドロパーオキサイド類、パーブチルＣ、パーブチルＤ、パーヘキシルＤの商品名で市販されているジアルキルパーオキサイド類、パーロイルＩＢ、パーロイル３５５、パーロイルＬ、パーロイルＳＡ、ナイパーＢＷ、ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０、ナイパーＢＭＴ−Ｍの商品名で市販されているジアシルパーオキサイド類、パーロイルＩＰＰ、パーロイルＮＰＰ、パーロイルＴＣＰ、パーロイルＯＰＰ、パーロイルＳＢＰの商品名で市販されているパーオキシジカーボネート類、パークミルＮＤ、パーオクタＮＤ、パーヘキシルＮＤ、パーブチルＮＤ、パーヘキシルＰＶ、パーブチルＰＶ、パーヘキサ２５Ｏ、パーオクタＯ、パーヘキシルＯ、パーブチルＯ、パーブチルＬ、パーブチル３５５、パーヘキシルＩ、パーブチルＩ、パーブチルＥ、パーヘキサ２５Ｚ、パーブチルＡ、パーヘキシルＺ、パーブチルＺＴ、パーブチルＺ、その他ペロマーＡＣ、ＢＴＴＢ−２５の商品名で市販されているパーオキシエステル類を使用することができる。   Commercially available peroxides may also be used. For example, peroxyketals and perbutyl which are commercially available under the trade names of Pertetra A, Perhexa HC, Perhexa C, Perhexa V, Perhexa 22 from Nippon Oil & Fats Co., Ltd. Hydroperoxides marketed under the trade names H, Parkmill H, Parkmill P, Permenta H, Perocta H, Peralkyl C, Perbutyl D, Dialkyl peroxides marketed under the trade name Perhexyl D, Parroyl IB, Products of diacyl peroxides, paroyl IPP, paroyl NPP, paroyl TCP, paroyl OPP, paroyl SBP marketed under the trade names of Parroyl 355, Parroyl L, Parroyl SA, Nyper BW, Nyper BMT-K40, Nyper BMT-M Name Commercially available peroxydicarbonates, parkmill ND, perocta ND, perhexyl ND, perbutyl ND, perhexyl PV, perbutyl PV, perhexa 25O, perocta O, perhexyl O, perbutyl O, perbutyl L, perbutyl 355, perhexyl I, perbutyl Peroxyesters commercially available under the trade names of I, perbutyl E, perhexa 25Z, perbutyl A, perhexyl Z, perbutyl ZT, perbutyl Z, other peromers AC, and BTTB-25 can be used.

上記した酸化剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を混合して使用してもよい。   The above oxidizing agents may be used alone or in combination of two or more.

また、本発明においては、上記した酸化剤の中でも、半導体チップの表面に酸化物層を形成させる半導体との反応性（酸化性）と半導体用封止材としての安定性の両立の観点からは、有機過酸化物やキノン類が好ましく用いられる。   In the present invention, among the oxidizing agents described above, from the viewpoint of both the reactivity with the semiconductor that forms an oxide layer on the surface of the semiconductor chip (oxidation) and the stability as a semiconductor sealing material. Organic peroxides and quinones are preferably used.

半導体用封止材他の成分と混合される無機系酸化剤としては、酸化銀、酸化銅、酸化ゲルマニウム、酸化インジウム、酸化マンガン、酸化鉛、酸化レニウム、酸化テルルが挙げられる。これらの中で酸化マンガン、酸化鉛が酸化剤としての反応性と封止材材料としての安定性のバランスから好ましい。   Examples of the inorganic oxidant mixed with the semiconductor sealing material and other components include silver oxide, copper oxide, germanium oxide, indium oxide, manganese oxide, lead oxide, rhenium oxide, and tellurium oxide. Among these, manganese oxide and lead oxide are preferable from the balance of reactivity as an oxidizing agent and stability as a sealing material.

酸化剤の含有量は、酸化剤以外の成分の固形分換算での合計質量を１００質量部としたときに、０．０１〜１０質量部の範囲であることが好ましく、０．０５〜８質量部の範囲であることがより好ましく、０．１〜５質量部の範囲であることが特に好ましい。酸化剤の含有量を上記範囲とすることにより、半導体用封止材を酸化分解させることなく、半導体チップ側面の隙間形成を抑制することができる。   The content of the oxidizing agent is preferably in the range of 0.01 to 10 parts by mass, and 0.05 to 8 parts by mass when the total mass in terms of solid content of components other than the oxidizing agent is 100 parts by mass. The range is more preferably in the range of 0.1 to 5 parts by mass. By setting the content of the oxidizing agent in the above range, formation of a gap on the side surface of the semiconductor chip can be suppressed without oxidizing and decomposing the semiconductor sealing material.

上記したように、酸化剤の種類によっては、半導体用封止材を構成する樹脂成分が酸化されてしまう場合がある。そのため、本発明においては、半導体用封止材に酸化防止剤が含有さえていてもよい。酸化防止剤としては、ラジカル連鎖防止剤として機能するフェノール系酸化防止剤やアミン系酸化防止剤、過酸化物分解剤として機能するリン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、金属不活性化剤として機能するヒドラジン系酸化防止剤、アミド系酸化防止剤等が挙げられる。これらの中でも、フェノール系酸化防止剤やアミン系酸化防止剤を好適に使用することができる。また、市販の酸化防止剤を使用してもよく、例えば、アデカスタブ ＡＯ−２０、ＡＯ−３０、ＡＯ−４０、ＡＯ−５０、ＡＯ−５０Ｆ、ＡＯ−６０、ＡＯ−６０Ｇ、ＡＯ−８０、ＡＯ−３３０、アデカスタブ ＰＥＰ−３６／３６Ａ、ＨＰ−１０、２１１２、２１１２ＲＧ、ＰＥＰ−８、ＰＥＰ−８Ｗ、１１７８、１５００、Ｃ、１３５Ａ、３０１０、ＴＰＰＡＤＥＫＡスタブ ＡＯ−４１２Ｓ、ＡＯ−５０３等が挙げられる。   As described above, depending on the type of the oxidizing agent, the resin component constituting the semiconductor sealing material may be oxidized. Therefore, in this invention, antioxidant may contain even in the sealing material for semiconductors. Antioxidants include phenolic antioxidants and amine antioxidants that function as radical chain inhibitors, phosphorus antioxidants that function as peroxide decomposers, sulfur antioxidants, and metal deactivators. Hydrazine antioxidants, amide antioxidants, and the like that function as Among these, phenolic antioxidants and amine-based antioxidants can be preferably used. Moreover, you may use commercially available antioxidant, for example, ADK STAB AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-50F, AO-60, AO-60G, AO-80, AO -330, Adekastab PEP-36 / 36A, HP-10, 2112, 2112RG, PEP-8, PEP-8W, 1178, 1500, C, 135A, 3010, TPPADEKA stub AO-412S, AO-503 and the like.

本発明による半導体封止材に酸化防止剤が含まれる場合、その含有量は、酸化剤の官能基のモル数を１００％としたときに、酸化防止剤の官能基のモル数が５〜９９％の範囲であることが好ましく、８〜９０％の範囲であることがより好ましく、１０〜８０％の範囲であることが特に好ましい。酸化防止剤の含有量を上記の範囲とすることにより、酸化剤の半導体との反応性（酸化性）を維持しながら、酸化剤の反応性を調整して樹脂成分の酸化分解を抑制することができる。   When the antioxidant is contained in the semiconductor sealing material according to the present invention, the content thereof is 5 to 99 moles of the functional group of the antioxidant when the mole number of the functional group of the oxidant is 100%. %, Preferably in the range of 8 to 90%, particularly preferably in the range of 10 to 80%. By keeping the content of the antioxidant in the above range, the reactivity of the oxidant with the semiconductor (oxidation) is maintained, and the reactivity of the oxidant is adjusted to suppress the oxidative decomposition of the resin component. Can do.

本発明による半導体用封止材には、後記するような硬化性成分、硬化剤成分、硬化促進剤成分、無機フィラー等が含まれていてもよい。以下、半導体用封止材を構成する酸化剤および酸化防止剤以外の成分について説明する。   The semiconductor sealing material according to the present invention may contain a curable component, a curing agent component, a curing accelerator component, an inorganic filler, and the like as described later. Hereinafter, components other than the oxidizing agent and the antioxidant that constitute the semiconductor sealing material will be described.

＜硬化性成分＞
半導体用封止材の硬化性成分としては特に制限なく従来公知の樹脂を用いることができるが、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。エポキシ樹脂には反応前の形状から固形、半固形、液状のエポキシ樹脂がある。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。 <Curable component>
A conventionally known resin can be used as the curable component of the semiconductor sealing material without any particular limitation, but an epoxy resin is preferably used. Epoxy resins include solid, semi-solid, and liquid epoxy resins from the pre-reaction shape. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

固形エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製ＨＰ−４７００（ナフタレン型エポキシ樹脂）、ＤＩＣ社製ＥＸＡ４７００（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、日本化薬社製ＮＣ−７０００（ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のナフタレン型エポキシ樹脂；日本化薬社製ＥＰＰＮ−５０２Ｈ（トリスフェノールエポキシ樹脂）等のフェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製エピクロンＨＰ−７２００Ｈ（ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のジシクロペンタジエンアラルキル型エポキシ樹脂；日本化薬社製ＮＣ−３０００Ｈ（ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂；日本化薬社製ＮＣ−３０００Ｌ等のビフェニル／フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ＤＩＣ社製エピクロンＮ６６０、エピクロンＮ６９０、日本化薬社製ＥＯＣＮ−１０４Ｓ等のノボラック型エポキシ樹脂；三菱化学社製ＹＸ−４０００等のビフェニル型エポキシ樹脂；新日鉄住金化学社製ＴＸ０７１２等のリン含有エポキシ樹脂；日産化学工業社製ＴＥＰＩＣ等のトリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。     As the solid epoxy resin, HP-4700 (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, EXA4700 (tetrafunctional naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, NC-7000 (polyfunctional solid epoxy resin containing naphthalene skeleton) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Naphthalene-type epoxy resins such as EPPN-502H (trisphenol epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Epoxidized products (trisphenol-type epoxy resins) of condensation products of phenols and aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group; Dicyclopentadiene aralkyl epoxy resin such as Epiklon HP-7200H (dicyclopentadiene skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; biphenyl aralkyl such as NC-3000H (biphenyl skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Type Epoxy Resin; biphenyl / phenol novolak type epoxy resin such as NC-3000L manufactured by Nippon Kayaku; novolak type epoxy resin such as Epicron N660 and Epicron N690 manufactured by DIC, EOCN-104S manufactured by Nippon Kayaku; YX- manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation Biphenyl type epoxy resin such as 4000; Phosphorus-containing epoxy resin such as TX0712 manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co .; Tris (2,3-epoxypropyl) isocyanurate such as TEPIC manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.

半固形エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製エピクロン８６０、エピクロン９００−ＩＭ、エピクロンＥＸＡ―４８１６、エピクロンＥＸＡ−４８２２、東都化成社製エポトートＹＤ−１３４、三菱化学社製ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ８７２、住友化学工業社製ＥＬＡ−１３４等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ＤＩＣ社製エピクロンＨＰ−４０３２等のナフタレン型エポキシ樹脂；ＤＩＣ社製エピクロンＮ−７４０等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。   As semi-solid epoxy resins, DIC Corporation Epicron 860, Epicron 900-IM, Epicron EXA-4816, Epicron EXA-4822, Toto Kasei Epoto YD-134, Mitsubishi Chemical Corporation jER834, jER872, Sumitomo Chemical Industries, Ltd. Examples thereof include bisphenol A type epoxy resins such as ELA-134; naphthalene type epoxy resins such as Epicron HP-4032 manufactured by DIC; and phenol novolac type epoxy resins such as Epicron N-740 manufactured by DIC.

半固形エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製エピクロン８６０、エピクロン９００−ＩＭ、エピクロンＥＸＡ―４８１６、エピクロンＥＸＡ−４８２２、東都化成社製エポトートＹＤ−１３４、三菱化学社製ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ８７２、住友化学工業社製ＥＬＡ−１３４等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ＤＩＣ社製エピクロンＨＰ−４０３２等のナフタレン型エポキシ樹脂；ＤＩＣ社製エピクロンＮ−７４０等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。   As semi-solid epoxy resins, DIC Corporation Epicron 860, Epicron 900-IM, Epicron EXA-4816, Epicron EXA-4822, Toto Kasei Epoto YD-134, Mitsubishi Chemical Corporation jER834, jER872, Sumitomo Chemical Industries, Ltd. Examples thereof include bisphenol A type epoxy resins such as ELA-134; naphthalene type epoxy resins such as Epicron HP-4032 manufactured by DIC; and phenol novolac type epoxy resins such as Epicron N-740 manufactured by DIC.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。   Liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, aminophenol type epoxy resin And alicyclic epoxy resins.

上記した硬化性成分は、１種を単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。硬化性成分の配合量は、半導体用封止材を構成する全固形分１００質量部に対して、５〜５０質量部であることが好ましく、１０〜４０質量部であることがより好ましい。また、液状エポキシ樹脂の配合量は、硬化性成分全体に対して、０〜４５質量部であることが好ましく、０〜３０質量部であることがより好ましく、０〜５質量部であることが特に好ましい。液状エポキシ樹脂の配合量が０〜４５質量部の範囲であると、硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が高くなり、クラック耐性が良くなる場合がある。   The above-mentioned curable components can be used alone or in combination of two or more. It is preferable that the compounding quantity of a sclerosing | hardenable component is 5-50 mass parts with respect to 100 mass parts of total solids which comprise the sealing material for semiconductors, and it is more preferable that it is 10-40 mass parts. Moreover, it is preferable that it is 0-45 mass parts with respect to the whole curable component, as for the compounding quantity of a liquid epoxy resin, it is more preferable that it is 0-30 mass parts, and it is 0-5 mass parts. Particularly preferred. When the blending amount of the liquid epoxy resin is in the range of 0 to 45 parts by mass, the glass transition temperature (Tg) of the cured product is increased and crack resistance may be improved.

＜硬化剤成分＞
本発明による半導体用封止材を構成する成分として、硬化剤成分が含まれていてもよい。硬化剤成分は、上記した硬化性成分と反応する官能基を有するものである。このような硬化剤成分としては、フェノール樹脂、ポリカルボン酸およびその酸無水物、シアネートエステル樹脂、活性エステル樹脂等が挙げられ、フェノール樹脂が好ましい。これらのうち１種を単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。 <Curing agent component>
A curing agent component may be included as a component constituting the semiconductor sealing material according to the present invention. The curing agent component has a functional group that reacts with the above-described curable component. Examples of such a curing agent component include phenol resins, polycarboxylic acids and acid anhydrides thereof, cyanate ester resins, active ester resins, and the like, and phenol resins are preferred. Among these, one kind can be used alone, or two or more kinds can be used in combination.

フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、Ｘｙｌｏｋ型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、クレゾール／ナフトール樹脂、ポリビニルフェノール類、フェノール／ナフトール樹脂、α−ナフトール骨格含有フェノール樹脂、トリアジン含有クレゾールノボラック樹脂等の従来公知のものを、１種を単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of phenol resins include phenol novolac resins, alkylphenol volac resins, bisphenol A novolac resins, dicyclopentadiene type phenol resins, Xylok type phenol resins, terpene modified phenol resins, cresol / naphthol resins, polyvinylphenols, phenol / naphthol resins, Conventionally known ones such as an α-naphthol skeleton-containing phenol resin and a triazine-containing cresol novolak resin can be used singly or in combination of two or more.

ポリカルボン酸およびその酸無水物は、一分子中に２個以上のカルボキシル基を有する化合物およびその酸無水物であり、例えば（メタ）アクリル酸の共重合物、無水マレイン酸の共重合物、二塩基酸の縮合物等の他、カルボン酸末端イミド樹脂等のカルボン酸末端を有する樹脂が挙げられる。   The polycarboxylic acid and its acid anhydride are a compound having two or more carboxyl groups in one molecule and its acid anhydride, for example, a copolymer of (meth) acrylic acid, a copolymer of maleic anhydride, In addition to condensates of dibasic acids, resins having carboxylic acid ends such as carboxylic acid-terminated imide resins can be mentioned.

シアネートエステル樹脂は、一分子中に２個以上のシアネートエステル基（−ＯＣＮ）を有する化合物である。シアネートエステル樹脂は、従来公知のものをいずれも使用することができる。シアネートエステル樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂、アルキルフェノールノボラック型シアネートエステル樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＦ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＳ型シアネートエステル樹脂が挙げられる。また、一部がトリアジン化したプレポリマーであってもよい。   The cyanate ester resin is a compound having two or more cyanate ester groups (—OCN) in one molecule. Any conventionally known cyanate ester resins can be used. Examples of the cyanate ester resin include phenol novolac type cyanate ester resin, alkylphenol novolak type cyanate ester resin, dicyclopentadiene type cyanate ester resin, bisphenol A type cyanate ester resin, bisphenol F type cyanate ester resin, and bisphenol S type cyanate ester resin. Is mentioned. Further, it may be a prepolymer partially triazine.

活性エステル樹脂は、一分子中に２個以上の活性エステル基を有する樹脂である。活性エステル樹脂は、一般に、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物との縮合反応によって得ることができる。中でも、ヒドロキシ化合物としてフェノール化合物またはナフトール化合物を用いて得られる活性エステル化合物が好ましい。フェノール化合物またはナフトール化合物としては、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。   The active ester resin is a resin having two or more active ester groups in one molecule. The active ester resin can generally be obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and a hydroxy compound. Among these, an active ester compound obtained by using a phenol compound or a naphthol compound as the hydroxy compound is preferable. Examples of phenol compounds or naphthol compounds include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol , Dicyclopentadienyl diphenol, phenol novolac and the like.

硬化剤成分として、上記した以外にも脂環式オレフィン重合体を用いることができる。好適に使用できる脂環式オレフィン重合体としては、（１）カルボキシル基およびカルボン酸無水物基（以下、「カルボキシル基等」と称する）のいずれか少なくとも１種を有する脂環式オレフィンを、必要に応じて他の単量体と共に重合したもの、（２）カルボキシル基等を有する芳香族オレフィンを、必要に応じて他の単量体と共に重合して得られる（共）重合体の芳香環部分を水素化したもの、（３）カルボキシル基等を有しない脂環式オレフィンと、カルボキシル基等を有する単量体とを共重合したもの、（４）カルボキシル基等を有しない芳香族オレフィンと、カルボキシル基等を有する単量体とを共重合して得られる共重合体の芳香環部分を水素化したもの、（５）カルボキシル基等を有しない脂環式オレフィン重合体にカルボキシル基等を有する化合物を変性反応により導入したもの、または（６）前記（１）〜（５）のようにして得られるカルボン酸エステル基を有する脂環式オレフィン重合体のカルボン酸エステル基を、例えば加水分解等によりカルボキシル基に変換したもの等が挙げられる。   As the curing agent component, an alicyclic olefin polymer other than those described above can be used. As the alicyclic olefin polymer which can be suitably used, an alicyclic olefin having at least one of (1) a carboxyl group and a carboxylic anhydride group (hereinafter referred to as “carboxyl group etc.”) is necessary. (2) Aromatic ring portion of (co) polymer obtained by polymerizing aromatic olefin having carboxyl group or the like with other monomer as necessary (3) a copolymer of an alicyclic olefin having no carboxyl group and a monomer having a carboxyl group, (4) an aromatic olefin having no carboxyl group, A copolymer obtained by copolymerizing a monomer having a carboxyl group or the like with a hydrogenated aromatic ring part, and (5) a carbocyclic olefin polymer having no carboxyl group or the like. A compound in which a compound having a sil group or the like is introduced by a modification reaction, or (6) a carboxylic acid ester group of an alicyclic olefin polymer having a carboxylic acid ester group obtained as described in (1) to (5) above. Examples thereof include those converted into a carboxyl group by hydrolysis or the like.

上記した硬化剤成分のなかでも、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、活性エステル樹脂、脂環式オレフィン重合体が好ましい。特に、極性が高く、比誘電率を抑制しやすいことより、フェノール樹脂を用いることがより好ましい。   Among the above-described curing agent components, phenol resin, cyanate ester resin, active ester resin, and alicyclic olefin polymer are preferable. In particular, it is more preferable to use a phenol resin because it has high polarity and easily suppresses the relative dielectric constant.

硬化剤成分は、硬化性成分のエポキシ基等の官能基（硬化反応可能な官能基）と、当該官能基と反応し得る硬化剤成分の官能基との割合（硬化剤成分の官能基の数／硬化性成分の官能基の数：当量比）が０．２〜５となるような割合で含まれることが好ましい。当量比を上記の範囲とすることにより、より一層、保護特性に優れた半導体用封止材を得ることができる。   The curing agent component is a ratio of a functional group (functional group capable of curing reaction) such as an epoxy group of the curable component and a functional group of the curing agent component capable of reacting with the functional group (the number of functional groups of the curing agent component). / The number of functional groups of the curable component: equivalent ratio) is preferably included at a ratio of 0.2 to 5. By setting the equivalent ratio in the above range, it is possible to obtain a semiconductor sealing material that is further excellent in protective properties.

＜硬化促進剤成分＞
本発明による半導体用封止材を構成する成分として、硬化促進剤成分が含まれていてもよい。硬化促進剤成分は硬化性成分の硬化反応を促進させるものであり、封止材の半導体ウエハへの密着性および耐熱性をより一層向上させることができる。硬化促進剤成分としては、イミダゾールおよびその誘導体；アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等のグアナミン類；ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォン、ジシアンジアミド、尿素、尿素誘導体、メラミン、多塩基ヒドラジド等のポリアミン類；これらの有機酸塩およびエポキシアダクトのいずれか少なくとも１種；三フッ化ホウ素のアミン錯体；エチルジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−キシリル−Ｓ−トリアジン等のトリアジン誘導体類；トリメチルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルオクチルアミン、Ｎ−ベンジルジメチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ヘキサ（Ｎ−メチル）メラミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノフェノール）、テトラメチルグアニジン、ｍ−アミノフェノール等のアミン類；ポリビニルフェノール、ポリビニルフェノール臭素化物、フェノールノボラック、アルキルフェノールノボラック等のポリフェノール類；トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス−２−シアノエチルホスフィン等の有機ホスフィン類；トリ−ｎ−ブチル（２，５−ジヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロマイド、ヘキサデシルトリブチルホスホニウムクロライド等のホスホニウム塩類；ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、フェニルトリブチルアンモニウムクロライド等の４級アンモニウム塩類；前記多塩基酸無水物；ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボロエート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、２，４，６−トリフェニルチオピリリウムヘキサフルオロホスフェート等の光カチオン重合触媒；スチレン−無水マレイン酸樹脂；フェニルイソシアネートとジメチルアミンの等モル反応物や、トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等の有機ポリイソシアネートとジメチルアミンの等モル反応物、金属触媒等の従来公知の硬化促進剤が挙げられ、これら１種を単独または２種以上混合して用いることができる。 <Curing accelerator component>
As a component constituting the semiconductor sealing material according to the present invention, a curing accelerator component may be included. The curing accelerator component promotes the curing reaction of the curable component, and can further improve the adhesion of the sealing material to the semiconductor wafer and the heat resistance. Curing accelerator components include imidazole and derivatives thereof; guanamines such as acetoguanamine and benzoguanamine; diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, m-xylenediamine, diaminodiphenylsulfone, dicyandiamide, urea, urea derivatives, melamine, polybasic hydrazide At least one of these organic acid salts and epoxy adducts; an amine complex of boron trifluoride; ethyldiamino-S-triazine, 2,4-diamino-S-triazine, 2,4-diamino Triazine derivatives such as -6-xylyl-S-triazine; trimethylamine, triethanolamine, N, N-dimethyloctylamine, N-benzyldimethylamine, pyridine, N-methylmorpholine, hexa (N-methyl) Amines such as melamine, 2,4,6-tris (dimethylaminophenol), tetramethylguanidine, m-aminophenol; polyphenols such as polyvinylphenol, polyvinylphenol bromide, phenol novolac, alkylphenol novolac; tributylphosphine, tri Organic phosphines such as phenylphosphine and tris-2-cyanoethylphosphine; phosphonium salts such as tri-n-butyl (2,5-dihydroxyphenyl) phosphonium bromide and hexadecyltributylphosphonium chloride; benzyltrimethylammonium chloride and phenyltributylammonium chloride Quaternary ammonium salts such as the above; polybasic acid anhydrides; diphenyliodonium tetrafluoroboroates; Photocationic polymerization catalysts such as rusulfonium hexafluoroantimonate and 2,4,6-triphenylthiopyrylium hexafluorophosphate; styrene-maleic anhydride resin; equimolar reaction product of phenyl isocyanate and dimethylamine, and tolylene diisocyanate Conventionally known curing accelerators such as an equimolar reaction product of an organic polyisocyanate such as isophorone diisocyanate and dimethylamine, a metal catalyst, and the like can be used, and one of these can be used alone or in combination of two or more.

硬化促進剤成分は必須ではないが、特に硬化反応を促進したい場合には、上記した硬化性成分１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２０質量部の範囲で用いることができる。硬化促進剤成分として金属触媒を使用する場合、その含有量は、硬化性成分１００質量部に対して金属換算で１０〜５５０ｐｐｍが好ましく、２５〜２００ｐｐｍが好ましい。   The curing accelerator component is not essential, but when the curing reaction is particularly desired to be accelerated, it can be used preferably in the range of 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the curable component described above. When using a metal catalyst as a hardening accelerator component, the content is preferably 10 to 550 ppm in terms of metal with respect to 100 parts by mass of the curable component, and preferably 25 to 200 ppm.

＜無機フィラー成分＞
本発明による半導体用封止材には、無機フィラー成分が含まれていてもよい。無機フィラー成分が含有されることにより半導体用封止材の信頼性が向上する。また、半導体用封止材の裏面等にレーザーマーキングを施すことにより、レーザー光により削り取られた部分に無機フィラー成分が露出して、反射光が拡散するために白色に近い色を呈する。これにより、半導体用封止材が後述する着色剤成分を含有する場合、レーザーマーキング部分と他の部分とでコントラスト差が得られ、マーキング（印字）が明瞭になるという効果がある。 <Inorganic filler component>
The semiconductor sealing material according to the present invention may contain an inorganic filler component. By including the inorganic filler component, the reliability of the semiconductor sealing material is improved. Further, by applying laser marking to the back surface of the semiconductor sealing material, the inorganic filler component is exposed at the portion scraped off by the laser beam, and the reflected light diffuses to exhibit a color close to white. Thereby, when the sealing material for semiconductors contains the colorant component mentioned later, there is an effect that a contrast difference is obtained between the laser marking portion and other portions, and the marking (printing) becomes clear.

無機フィラー成分としては、従来公知のものを制限なく使用することができ、例えばシリカ、アルミナ、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられ、１種を単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。これらの中でも、フィルムの中の比誘電率を制御するためにシリカ、アルミナ、酸化チタンが好ましい。   As the inorganic filler component, conventionally known ones can be used without limitation, for example, powders such as silica, alumina, talc, aluminum hydroxide, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide, boron nitride, and the like. Examples thereof include spheroidized beads, single crystal fibers, and glass fibers. One kind can be used alone, or two or more kinds can be mixed and used. Among these, silica, alumina, and titanium oxide are preferable in order to control the relative dielectric constant in the film.

無機フィラー成分は、平均粒子径は、好ましくは０．０１〜１５μｍ、より好ましくは０．０２〜１２μｍ、特に好ましくは０．０３〜１０μｍのものを使用することが好ましい。なお、本明細書中、平均粒子径は、電子顕微鏡で無作為に選んだ無機フィラー（Ｃ）２０個の長軸径を測定し、その算術平均値として算出される個数平均粒子径とする。   The inorganic filler component preferably has an average particle size of 0.01 to 15 μm, more preferably 0.02 to 12 μm, and particularly preferably 0.03 to 10 μm. In the present specification, the average particle diameter is the number average particle diameter calculated as the arithmetic average value of 20 major axis diameters of 20 inorganic fillers (C) randomly selected with an electron microscope.

無機フィラー成分の含有量は、半導体用封止材を構成する全固形成分１００質量部に対して、好ましくは１０〜２０００質量部、より好ましくは３０〜１８００質量部、特に好ましくは６０〜１５００質量部である。   The content of the inorganic filler component is preferably 10 to 2000 parts by mass, more preferably 30 to 1800 parts by mass, and particularly preferably 60 to 1500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid components constituting the semiconductor sealing material. Part.

＜着色剤成分＞
本発明による半導体用封止材には、着色剤成分が含まれていてもよい。着色剤成分が含まれることにより、保護膜を備えた半導体チップを機器に組み込んだ際に、周囲の装置から発生する赤外線等による半導体装置の誤作動を防止することができる。また、レーザーマーキング等の手段により保護膜に刻印を行った場合に、文字、記号等のマークが認識しやすくなる。すなわち、保護膜が形成された半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が通常レーザーマーキング法（レーザー光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法）により印字されるが、保護膜が着色剤を含有することで、保護膜のレーザー光により削り取られた部分とそうでない部分のコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。 <Colorant component>
The colorant component may be contained in the semiconductor sealing material according to the present invention. By including the colorant component, it is possible to prevent malfunction of the semiconductor device due to infrared rays or the like generated from surrounding devices when a semiconductor chip provided with a protective film is incorporated in the device. Further, when a protective film is engraved by means such as laser marking, marks such as characters and symbols can be easily recognized. That is, in a semiconductor chip on which a protective film is formed, the product number or the like is usually printed on the surface of the protective film by a laser marking method (a method in which the surface of the protective film is scraped off by laser light and printed). By containing, the contrast difference of the part scraped off with the laser beam of the protective film and the part which is not so is fully obtained, and visibility improves.

着色剤成分として、有機または無機の顔料および染料を１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができるが、これらの中でも電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、ペリレンブラック、酸化鉄、アニリンブラック、活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の誤作動防止の観点からはカーボンブラックが特に好ましい。また、カーボンブラックに代えて、赤、青、緑、黄色などの顔料を混合し、黒色またはそれに近い黒色系の色とすることもできる。   As the colorant component, organic or inorganic pigments and dyes can be used alone or in combination of two or more. Among these, black pigments are preferable from the viewpoint of electromagnetic wave and infrared shielding properties. Examples of the black pigment include carbon black, perylene black, iron oxide, aniline black, activated carbon, and the like, but are not limited thereto. Carbon black is particularly preferable from the viewpoint of preventing malfunction of the semiconductor device. Further, in place of carbon black, pigments such as red, blue, green, and yellow can be mixed to obtain black or a close black color.

着色剤成分は、半導体用封止材を構成する全固形分１００質量部に対して、好ましくは０．１〜３５質量部、さらに好ましくは０．５〜２５質量部、特に好ましくは１〜１５質量部の割合で含有される。   The colorant component is preferably 0.1 to 35 parts by weight, more preferably 0.5 to 25 parts by weight, particularly preferably 1 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the total solid content constituting the semiconductor sealing material. It is contained at a ratio of parts by mass.

＜カップリング剤成分＞
半導体用封止材の被着体（半導体ウエハ）に対する接着性、密着性および保護膜の凝集性のいずれか少なくとも１方を向上させるため、無機物と反応する官能基および有機官能基と反応する官能基を有するカップリング剤成分が含まれていてもよい。また、カップリング剤成分が含まれることにより、半導体用封止材を硬化して得られる保護膜の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上させることができる。このようなカップリング剤としては、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、シランカップリング剤等が挙げられる。これらのうちでも、シランカップリング剤が好ましい。 <Coupling agent component>
A functional group that reacts with an inorganic substance and a functional group that reacts with an organic functional group in order to improve at least one of adhesion, adhesion, and cohesiveness of a protective film to an adherend (semiconductor wafer) of a semiconductor sealing material A coupling agent component having a group may be contained. Moreover, the water resistance can be improved without impairing the heat resistance of the protective film obtained by hardening | curing the sealing material for semiconductors by including a coupling agent component. Examples of such coupling agents include titanate coupling agents, aluminate coupling agents, silane coupling agents, and the like. Of these, silane coupling agents are preferred.

シランカップリング剤に含有される有機基としては、例えば、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、アミノ基、ウレイド基、クロロプロピル基、メルカプト基、ポリスルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。シランカップリング剤として市販されているものを使用することができ、例えば、ＫＡ−１００３、ＫＢＭ−１００３、ＫＢＥ−１００３、ＫＢＭ−３０３、ＫＢＭ−４０３、ＫＢＥ−４０２、ＫＢＥ−４０３、ＫＢＭ−１４０３、ＫＢＭ−５０２、ＫＢＭ−５０３、ＫＢＥ−５０２、ＫＢＥ−５０３、ＫＢＭ−５１０３、ＫＢＭ−６０２、ＫＢＭ−６０３、ＫＢＥ−６０３、ＫＢＭ−９０３、ＫＢＥ−９０３、ＫＢＥ−９１０３、ＫＢＭ−９１０３、ＫＢＭ−５７３、ＫＢＭ−５７５、ＫＢＭ−６１２３、ＫＢＥ−５８５、ＫＢＭ−７０３、ＫＢＭ−８０２、ＫＢＭ−８０３、ＫＢＥ−８４６、ＫＢＥ−９００７（いずれも商品名；信越シリコーン社製）などを挙げることができる。これらは１種を単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。   Examples of organic groups contained in the silane coupling agent include vinyl groups, epoxy groups, styryl groups, methacryloxy groups, acryloxy groups, amino groups, ureido groups, chloropropyl groups, mercapto groups, polysulfide groups, and isocyanate groups. Can be mentioned. Commercially available silane coupling agents can be used, for example, KA-1003, KBM-1003, KBE-1003, KBM-303, KBM-403, KBE-402, KBE-403, KBM-1403. , KBM-502, KBM-503, KBE-502, KBE-503, KBM-5103, KBM-602, KBM-603, KBE-603, KBM-903, KBE-903, KBE-9103, KBM-9103, KBM -573, KBM-575, KBM-6123, KBE-585, KBM-703, KBM-802, KBM-803, KBE-846, KBE-9007 (all trade names; manufactured by Shin-Etsu Silicone) it can. These may be used alone or in combination of two or more.

＜フィルム性付与ポリマー成分＞
本発明による半導体用封止材は、液状、顆粒状、シート状などの形態をとることが可能である。この中でシート状の半導体用封止材とする場合、フィルム形成性を付与するポリマー成分（フィルム性付与ポリマー）を添加してもよい。本明細書において、フィルム性付与ポリマー成分は、後記する反応性のフィルム付与性ポリマー成分と区別するため、反応性官能基を有していないポリマー成分を意味するものとする。このようなフィルム性付与ポリマー成分としては、熱可塑性ポリヒドロキシポリエーテル樹脂や、エピクロルヒドリンと各種２官能フェノール化合物の縮合物であるフェノキシ樹脂またはその骨格に存在するヒドロキシエーテル部の水酸基を各種酸無水物や酸クロリドを使用してエステル化したフェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ブロック共重合体等が挙げられる。これらのポリマーは１種を単独または２種以上を組み合わせて用いてもよい。フィルム（ないしシート）形状を維持できるためには、これらポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常２×１０４以上であり、２×１０４〜３×１０６であることが好ましい。 <Film property imparting polymer component>
The semiconductor sealing material according to the present invention can be in the form of liquid, granule, sheet or the like. In this, when it is set as a sheet-like semiconductor sealing material, you may add the polymer component (film property provision polymer) which provides film formability. In the present specification, the film property-imparting polymer component means a polymer component having no reactive functional group in order to be distinguished from the reactive film-imparting polymer component described later. Examples of such film-imparting polymer components include thermoplastic polyhydroxy polyether resins, phenoxy resins that are condensates of epichlorohydrin and various bifunctional phenol compounds, or hydroxyl groups in the hydroxy ether portion present in the skeleton, and various acid anhydrides. And phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyamide resin, polyamideimide resin, block copolymer and the like esterified using acid chloride. These polymers may be used alone or in combination of two or more. In order to maintain the film (or sheet) shape, the weight average molecular weight (Mw) of these polymers is usually 2 × 10 4 or more, and preferably 2 × 10 4 to 3 × 10 6 .

なお、本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）の値は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー法（ＧＰＣ）法（ポリスチレン標準）により、下記測定装置、測定条件にて測定できる。
測定装置：Ｗａｔｅｒｓ製「Ｗａｔｅｒｓ ２６９５」
検出器：Ｗａｔｅｒｓ製「Ｗａｔｅｒｓ２４１４」、ＲＩ（示差屈折率計）
カラム：Ｗａｔｅｒｓ製「ＨＳＰｇｅｌ Ｃｏｌｕｍｎ，ＨＲ ＭＢ−Ｌ，３μｍ，６ｍｍ×１５０ｍｍ」×２＋Ｗａｔｅｒｓ製「ＨＳＰｇｅｌ Ｃｏｌｕｍｎ，ＨＲ１，３μｍ，６ｍｍ×１５０ｍｍ」×２
測定条件：
カラム温度：４０℃
ＲＩ検出器設定温度：３５℃
展開溶媒：テトラヒドロフラン
流速：０．５ｍｌ／分
サンプル量：１０μｌ
サンプル濃度：０．７ｗｔ％ In addition, in this specification, the value of a weight average molecular weight (Mw) can be measured with the following measuring apparatus and measurement conditions by the gel permeation chromatography method (GPC) method (polystyrene standard).
Measuring device: “Waters 2695” manufactured by Waters
Detector: “Waters 2414” manufactured by Waters, RI (differential refractometer)
Column: “HSPgel Column, HR MB-L, 3 μm, 6 mm × 150 mm” × 2 from Waters × “HSPgel Column, HR1, 3 μm, 6 mm × 150 mm” × 2 from Waters
Measurement condition:
Column temperature: 40 ° C
RI detector set temperature: 35 ° C
Developing solvent: Tetrahydrofuran Flow rate: 0.5 ml / min Sample volume: 10 μl
Sample concentration: 0.7 wt%

ポリビニルアセタール樹脂は、例えば、ポリビニルアルコール樹脂をアルデヒドでアセタール化することで得られる。上記アルデヒドとしては、特に限定されず、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド等が挙げられる。   The polyvinyl acetal resin is obtained, for example, by acetalizing a polyvinyl alcohol resin with an aldehyde. The aldehyde is not particularly limited, and examples thereof include formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, butyraldehyde and the like.

フェノキシ樹脂の具体例としては東都化成社製ＦＸ２８０、ＦＸ２９３、三菱化学社製ＹＸ８１００、ＹＬ６９５４、ＹＬ６９７４等が挙げられる。   Specific examples of the phenoxy resin include FX280 and FX293 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., YX8100, YL6954 and YL6974 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、積水化学工業社製エスレックＫＳシリーズ、ポリアミド樹脂としては日立化成社製ＫＳ５０００シリーズ、日本化薬社製ＢＰシリーズ、   Specific examples of the polyvinyl acetal resin include SLECK KS series manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., and the polyamide resin includes KS5000 series manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., BP series manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.

ポリアミドイミド樹脂としては日立化成社製ＫＳ９０００シリーズ等が挙げられる。   Examples of the polyamide-imide resin include KS9000 series manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

熱可塑性ポリヒドロキシポリエーテル樹脂は、フルオレン骨格を有する場合、高いガラス転移点を有し耐熱性に優れるため、半固形または固形エポキシ樹脂による低い熱膨張率を維持すると共にそのガラス転移点を維持し、得られる硬化皮膜は低い熱膨張率と高いガラス転移点をバランス良く併せ有するものとなる。また、熱可塑性ポリヒドロキシポリエーテル樹脂は水酸基を有するため、半導体ウエハに対して良好な密着性を示す。   When a thermoplastic polyhydroxypolyether resin has a fluorene skeleton, it has a high glass transition point and excellent heat resistance, so it maintains a low coefficient of thermal expansion due to a semi-solid or solid epoxy resin and maintains its glass transition point. The resulting cured film has a low thermal expansion coefficient and a high glass transition point in a well-balanced manner. Moreover, since the thermoplastic polyhydroxy polyether resin has a hydroxyl group, it exhibits good adhesion to a semiconductor wafer.

フィルム性付与ポリマー成分は、上記した成分を構成するモノマーがブロック共重合したものであってもよい。ブロック共重合体とは、性質の異なる二種類以上のポリマーが、共有結合で繋がり長い連鎖になった分子構造の共重合体のことである。ブロック共重合体としてはＡ−Ｂ−Ａ型またはＡ−Ｂ−Ａ’型ブロック共重合体が好ましい。Ａ−Ｂ−Ａ型およびＡ−Ｂ−Ａ’型ブロック共重合体のうち、中央のＢがソフトブロックでありガラス転移温度（Ｔｇ）が低く、その両外側ＡまたはＡ’がハードブロックでありガラス転移温度（Ｔｇ）が中央のＢブロックよりも高いポリマー単位により構成されているものが好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）は示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により測定される。ＡとＡ’は相互に異なるポリマー単位でも同一のポリマー単位でも良い。   The film property-imparting polymer component may be obtained by block copolymerization of monomers constituting the above-described components. The block copolymer is a copolymer having a molecular structure in which two or more kinds of polymers having different properties are connected by a covalent bond to form a long chain. The block copolymer is preferably an ABA type or AB-A 'type block copolymer. Among the ABA type and ABA 'type block copolymers, the central B is a soft block and the glass transition temperature (Tg) is low, and both outer sides A or A' are hard blocks. What is comprised by the polymer unit whose glass transition temperature (Tg) is higher than a central B block is preferable. The glass transition temperature (Tg) is measured by differential scanning calorimetry (DSC). A and A 'may be different polymer units or the same polymer unit.

また、Ａ−Ｂ−Ａ型およびＡ−Ｂ−Ａ’型ブロック共重合体のうち、ＡまたはＡ’が、Ｔｇが５０℃以上のポリマー単位からなり、Ｂのガラス転移温度（Ｔｇ）が、ＡまたはＡ’のＴｇ以下であるポリマー単位からなるブロック共重合体がさらに好ましい。また、Ａ−Ｂ−Ａ型およびＡ−Ｂ−Ａ’型ブロック共重合体のうち、ＡまたはＡ’が、後記する硬化性成分との相溶性が高いものが好ましく、Ｂが硬化性成分との相溶性が低いものが好ましい。このように、両端のブロックがマトリックス（硬化性成分）に相溶であり、中央のブロックがマトリックス（硬化性成分）に不相溶であるブロック共重合体とすることで、マトリックス中において特異的な構造を示しやすくなると考えられる。   Moreover, among ABA type and ABA 'type block copolymers, A or A' consists of polymer units having a Tg of 50 ° C or higher, and the glass transition temperature (Tg) of B is: More preferred is a block copolymer comprising polymer units having a Tg of A or A ′ or less. Of the ABA type and ABA 'type block copolymers, A or A' is preferably highly compatible with the curable component described later, and B is a curable component. Those having low compatibility are preferred. In this way, a block copolymer in which the blocks at both ends are compatible with the matrix (curable component) and the block at the center is incompatible with the matrix (curable component) is unique in the matrix. It is thought that it becomes easy to show a simple structure.

上記した種々のポリマーのなかでも、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フルオレン骨格を有する熱可塑性ポリヒドロキシポリエーテル樹脂、ブロック共重合体が好ましい。   Of the various polymers described above, phenoxy resins, polyvinyl acetal resins, thermoplastic polyhydroxy polyether resins having a fluorene skeleton, and block copolymers are preferred.

半導体用封止材を構成する全成分占めるフィルム性付与ポリマー成分の割合は、特に限定されるものではなく、全成分の合計を１００質量部としたときに１０〜５０質量部であることが好ましく、より好ましくは１５〜４５質量部である。   The ratio of the film-forming polymer component occupying all components constituting the semiconductor sealing material is not particularly limited, and is preferably 10 to 50 parts by mass when the total of all components is 100 parts by mass. More preferably, it is 15-45 mass parts.

＜反応性フィルム性付与ポリマー成分＞
半導体用封止材を構成する成分として、後記する硬化性成分と反応し得るフィルム性付与ポリマー成分が含まれていてもよい。このような反応性フィルム性付与ポリマーとしては、カルボキシル基含有樹脂またはフェノール樹脂を用いると好ましい。特に、カルボキシル基含有樹脂を用いると、硬化性成分としてエポキシ樹脂が含まれる場合にエポキシ樹脂と反応し易く、フィルム形成性を付与しつつ半導体保護膜としての特性が向上するため好ましい。 <Reactive film property-imparting polymer component>
As a component constituting the semiconductor sealing material, a film property-imparting polymer component capable of reacting with a curable component described later may be contained. As such a reactive film imparting polymer, it is preferable to use a carboxyl group-containing resin or a phenol resin. In particular, the use of a carboxyl group-containing resin is preferable because it easily reacts with an epoxy resin when an epoxy resin is included as a curable component, and improves the properties as a semiconductor protective film while imparting film-forming properties.

カルボキシル基含有樹脂としては、以下の（１）〜（７）の樹脂を好適に使用することができる。
（１）脂肪族ジイソシアネート、分岐脂肪族ジイソシアネート、脂環式ジイソシアネート、芳香族ジイソシアネート等のジイソシアネートと、ジメチロールプロピオン酸、ジメチロールブタン酸等のカルボキシル基を含有する、ジアルコール化合物、ポリカーボネート系ポリオール、ポリエーテル系ポリオール、ポリエステル系ポリオール、ポリオレフィン系ポリオール、ビスフェノールＡ系アルキレンオキシド付加体ジオール、フェノール性ヒドロキシル基およびアルコール性ヒドロキシル基を有する化合物等のジオール化合物の重付加反応によるカルボキシル基含有ウレタン樹脂、
（２）ジイソシアネートと、カルボキシル基含有ジアルコール化合物の重付加反応によるカルボキシル基含有ウレタン樹脂、
（３）（メタ）アクリル酸等の不飽和カルボン酸と、スチレン、α−メチルスチレン、低級アルキル（メタ）アクリレート、イソブチレン等の不飽和基含有化合物との共重合により得られるカルボキシル基含有樹脂、
（４）２官能エポキシ樹脂または２官能オキセタン樹脂にアジピン酸、フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸等のジカルボン酸を反応させ、生じた水酸基に無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸等の２塩基酸無水物を付加させたカルボキシル基含有ポリエステル樹脂、
（５）エポキシ樹脂またはオキセタン樹脂を開環させ、生成した水酸基に多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基含有樹脂、
（６）１分子中に複数のフェノール性水酸基を有する化合物、すなわちポリフェノール化合物を、エチレンオキシド、プロピレンオキシド等のアルキレンオキシドと反応させて得られるポリアルコール樹脂等の反応生成物に、多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基含有樹脂、および
（７）１分子中に複数のフェノール性水酸基を有する化合物、すなわちポリフェノール化合物を、エチレンオキシド、プロピレンオキシド等のアルキレンオキシドと反応させて得られるポリアルコール樹脂等の反応生成物に、（メタ）アクリル酸等の不飽和基含有モノカルボン酸を反応させ、得られる反応生成物に、更に多塩基酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基含有樹脂、
等の樹脂を好適に使用することができる。なお、本明細書において、（メタ）アクリレートとは、アクリレート、メタクリレートおよびそれらの混合物を意味する。 As the carboxyl group-containing resin, the following resins (1) to (7) can be suitably used.
(1) Dialcohol compounds, polycarbonate-based polyols containing diisocyanates such as aliphatic diisocyanates, branched aliphatic diisocyanates, alicyclic diisocyanates, aromatic diisocyanates, and carboxyl groups such as dimethylolpropionic acid and dimethylolbutanoic acid, Carboxyl group-containing urethane resin by polyaddition reaction of diol compounds such as polyether polyols, polyester polyols, polyolefin polyols, bisphenol A alkylene oxide adduct diols, compounds having phenolic hydroxyl groups and alcoholic hydroxyl groups,
(2) a carboxyl group-containing urethane resin by polyaddition reaction of diisocyanate and a carboxyl group-containing dialcohol compound,
(3) a carboxyl group-containing resin obtained by copolymerization of an unsaturated carboxylic acid such as (meth) acrylic acid and an unsaturated group-containing compound such as styrene, α-methylstyrene, lower alkyl (meth) acrylate, and isobutylene,
(4) A dicarboxylic acid such as adipic acid, phthalic acid or hexahydrophthalic acid is reacted with a bifunctional epoxy resin or a bifunctional oxetane resin, and the resulting hydroxyl groups such as phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, etc. A carboxyl group-containing polyester resin to which a dibasic acid anhydride is added,
(5) a carboxyl group-containing resin obtained by ring-opening an epoxy resin or an oxetane resin and reacting the generated hydroxyl group with a polybasic acid anhydride,
(6) A polybasic acid anhydride is added to a reaction product such as a polyalcohol resin obtained by reacting a compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups in one molecule, that is, a polyphenol compound with an alkylene oxide such as ethylene oxide or propylene oxide. And (7) a polyalcohol resin obtained by reacting a compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups in one molecule, that is, a polyphenol compound, with an alkylene oxide such as ethylene oxide or propylene oxide. A carboxyl group-containing resin obtained by reacting a reaction product such as (meth) acrylic acid or the like with an unsaturated group-containing monocarboxylic acid, and further reacting the resulting reaction product with a polybasic acid anhydride,
Etc. can be used suitably. In the present specification, (meth) acrylate means acrylate, methacrylate, and a mixture thereof.

上記した樹脂のなかで、上記（１）、（２）、（６）および（７）は塩素を含有していないことから、非感光性カルボキシル基含有樹脂として使用することができる。これらの中でも（６）および（７）の樹脂が全ての特性におけるバランスがよいことから好ましい。   Among the above-described resins, the above (1), (2), (6) and (7) do not contain chlorine, and therefore can be used as a non-photosensitive carboxyl group-containing resin. Among these, the resins (6) and (7) are preferable because they have a good balance in all properties.

反応性フィルム性付与ポリマーの重量平均分子量は、樹脂骨格により異なるが、一般的には２×１０３〜１．５×１０５の範囲であることが好ましく、より好ましくは３×１０３〜１×１０５の範囲であるが、これら範囲に限定されるものではない。 Although the weight average molecular weight of the reactive film-forming polymer varies depending on the resin skeleton, it is generally preferably in the range of 2 × 10 3 to 1.5 × 10 5 , more preferably 3 × 10 3 to 1. The range is × 10 5 , but is not limited to these ranges.

半導体用封止材を構成する全成分占める反応性フィルム性付与ポリマー成分の割合は、特に限定されるものではなく、例えば上記したフィルム性付与ポリマー１００質量部のうち２０〜６０質量部を反応性フィルム性付与ポリマーに置き換えることが好ましい。   The ratio of the reactive film property-imparting polymer component occupying all components constituting the semiconductor sealing material is not particularly limited. For example, 20 to 60 parts by mass of the above-described film property-imparting polymer 100 parts by mass is reactive. It is preferable to replace it with a film-imparting polymer.

＜その他の成分＞
本発明による半導体用封止材には、上記した成分以外に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、連鎖移動剤、剥離剤などが挙げられる。 <Other ingredients>
In addition to the above-described components, various additives may be blended in the semiconductor sealing material according to the present invention as necessary. Examples of various additives include leveling agents, plasticizers, ion scavengers, gettering agents, chain transfer agents, release agents and the like.

半導体用封止材をフィルム形状とした際の厚さは封止する半導体チップや電子部品の厚みより厚ければ特に限定されないが、好ましくは３〜８００μｍ、より好ましくは５〜７００μｍ、特に好ましくは７〜６００μｍである。   The thickness when the sealing material for semiconductor is made into a film shape is not particularly limited as long as it is thicker than the thickness of the semiconductor chip or electronic component to be sealed, but is preferably 3 to 800 μm, more preferably 5 to 700 μm, and particularly preferably. 7 to 600 μm.

本発明による半導体用封止材は単層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。   The semiconductor sealing material according to the present invention may have a single layer structure or a multilayer structure.

本発明による半導体用封止材は、可視光線、赤外線および紫外線のいずれか少なくとも１種の透過性を示す尺度である、波長３００〜１２００ｎｍにおける最大透過率は２０％以下であることが好ましく、０〜１５％であることがより好ましく、０％を超え１０％以下であることがさらに好ましく、０．００１〜８％であることが特に好ましい。波長３００〜１２００ｎｍにおける半導体用封止材の最大透過率を上記範囲とすることで、可視光波長領域および赤外波長領域のいずれか少なくとも１種の透過性の低下が生じ、半導体装置の赤外線起因の誤作動の防止や、印字の視認性向上といった効果が得られる。波長３００〜１２００ｎｍにおける半導体用封止材の最大透過率は、上記した着色剤成分の種類および含有量により調整できる。なお、本明細書において、半導体用封止材の最大透過率は、ＵＶ−ｖｉｓスペクトル検査装置（（株）島津製作所製）を用いて、硬化後の半導体用封止材（厚み２５μｍ）の３００〜１２００ｎｍでの全光線透過率を測定し、透過率の最も高い値（最大透過率）をいうものとする。   The semiconductor sealing material according to the present invention preferably has a maximum transmittance of 20% or less at a wavelength of 300 to 1200 nm, which is a scale showing at least one of visible light, infrared light and ultraviolet light. It is more preferably ˜15%, more preferably more than 0% and 10% or less, and particularly preferably 0.001-8%. By setting the maximum transmittance of the semiconductor encapsulant at a wavelength of 300 to 1200 nm within the above range, at least one of the visible light wavelength region and the infrared wavelength region is deteriorated in transmittance, and the infrared rays of the semiconductor device are caused. Effects such as prevention of malfunctions and improved visibility of printing. The maximum transmittance of the semiconductor sealing material at a wavelength of 300 to 1200 nm can be adjusted by the type and content of the colorant component described above. In this specification, the maximum transmittance of the semiconductor encapsulant is 300 of the cured semiconductor encapsulant (thickness 25 μm) using a UV-vis spectrum inspection apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation). The total light transmittance at ˜1200 nm is measured, and the highest value of transmittance (maximum transmittance) is assumed.

本発明による半導体用封止材の形態は、液状、顆粒、タブレット状、シート状いずれでもよいが、容易に取扱いできることからシート状の形状を有していることが好ましい。   The form of the semiconductor sealing material according to the present invention may be liquid, granule, tablet, or sheet, but preferably has a sheet shape because it can be easily handled.

＜半導体用封止材の製造方法＞
本発明による半導体用封止材は、上記各成分を割合で混合して得られる組成物（保護膜形成用組成物）を用いて得られる。保護膜形成用組成物は予め溶媒で希釈しておいてもよく、また混合時に溶媒に加えてもよい。また、保護膜形成用組成物の使用時に、溶媒で希釈してもよい。溶媒としては、酢酸エチル、酢酸メチル、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、ヘプタンなどが挙げられる。この方法で液状品の半導体用封止材を得ることができる。 <Manufacturing method of sealing material for semiconductor>
The sealing material for semiconductors by this invention is obtained using the composition (composition for protective film formation) obtained by mixing said each component in a ratio. The composition for forming a protective film may be diluted with a solvent in advance, or may be added to the solvent during mixing. Moreover, you may dilute with a solvent at the time of use of the composition for protective film formation. Examples of the solvent include ethyl acetate, methyl acetate, diethyl ether, dimethyl ether, acetone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, hexane, cyclohexane, toluene, heptane and the like. By this method, a liquid semiconductor sealing material can be obtained.

上記のようにして調製された半導体用封止材組成物を支持体上に塗布して製膜することによりシート状の半導体用封止材とすることができる。製膜方法としては、従来公知の方法を適用することができ、平板プレス法、ロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなどの公知の手段により保護膜形成用組成物を支持体上に塗工し、乾燥することにより半導体用封止材を得ることができる。また、保護膜形成用組成物の塗工量を調整することにより、上記したような厚みの半導体用封止材を得ることができる。   By applying the semiconductor encapsulant composition prepared as described above onto a support and forming a film, a sheet-like encapsulant for semiconductor can be obtained. As the film forming method, a conventionally known method can be applied, and the protective film forming composition is formed on the support by a known means such as a flat plate press method, a roll knife coater, a gravure coater, a die coater, or a reverse coater. By applying and drying, a semiconductor sealing material can be obtained. Moreover, the semiconductor sealing material having the above-described thickness can be obtained by adjusting the coating amount of the protective film-forming composition.

支持体としては、セパレート紙、セパレートフィルム、セパ紙、剥離フィルム、剥離紙等の従来公知のものを好適に使用できる。また、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステルフィルム、延伸ポリプロピレンフィルム（ＯＰＰ）等のポリオレフィンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムからなる離型紙用基材の片面または両面に離型層を形成したものを用いてもよい。離型層としては、離型性を有する材料であれば、特に限定されないが、例えば、シリコーン樹脂、有機樹脂変性シリコーン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。   As the support, conventionally known materials such as a separate paper, a separate film, a separate paper, a release film, and a release paper can be suitably used. Also, release on one or both sides of a release paper substrate made of a polyester film such as polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN), a polyolefin film such as stretched polypropylene film (OPP), or a plastic film such as polyimide film. You may use what formed the layer. The release layer is not particularly limited as long as it has a release property, and examples thereof include silicone resins, organic resin-modified silicone resins, and fluororesins.

本発明の半導体用封止材は、プリント配線基板の封止材、太陽電池材料の封止材、電線・ケーブルの封止材基板と半導体チップとの接着剤にも用いることができる。特に、本発明の半導体用封止材は、半導体チップと、前記半導体チップの回路形成面が表面に露出するように半導体チップを埋設する半導体用封止材と、前記半導体チップの回路形成面側に設けられた再配線層と、を備え、前記再配線層が、半導体チップ領域以外の半導体用封止材領域にも設けられているファンアウト型のウェハレベルパッケージに好適に使用できる。   The sealing material for semiconductors of the present invention can also be used as a sealing material for printed wiring boards, a sealing material for solar cell materials, and an adhesive between a sealing material substrate for electric wires and cables and a semiconductor chip. In particular, the semiconductor encapsulant of the present invention includes a semiconductor chip, a semiconductor encapsulant that embeds the semiconductor chip so that the circuit formation surface of the semiconductor chip is exposed on the surface, and the circuit formation surface side of the semiconductor chip. The rewiring layer can be suitably used for a fan-out type wafer level package provided in a semiconductor sealing material region other than the semiconductor chip region.

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、特に断りのないかぎり、「部」とは質量部を意味するものとする。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples. Unless otherwise specified, “parts” means parts by mass.

＜反応性フィルム付与ポリマー１の合成＞
温度計、窒素導入装置兼アルキレンオキシド導入装置および撹拌装置を備えたオートクレーブに、ビスフェノールＡ-ホルムアルデヒド型フェノール樹脂（明和化成（株）製、商品名「ＢＰＡ−Ｄ」、ＯＨ当量：１２０）１２０．０ｇ、水酸化カリウム１．２０ｇおよびトルエン１２０．０ｇを仕込み、撹拌しつつ系内を窒素置換し、加熱昇温した。次に、プロピレンオキシド６３．８ｇを徐々に滴下し、１２５〜１３２℃、０〜４．８ｋｇ／ｃｍ2で１６時間反応させた。 <Synthesis of Reactive Film-Granting Polymer 1>
Into an autoclave equipped with a thermometer, a nitrogen introduction device / alkylene oxide introduction device and a stirring device, a bisphenol A-formaldehyde type phenol resin (Maywa Kasei Co., Ltd., trade name “BPA-D”, OH equivalent: 120) 0 g, 1.20 g of potassium hydroxide and 120.0 g of toluene were charged, the inside of the system was replaced with nitrogen while stirring, and the temperature was raised by heating. Next, 63.8 g of propylene oxide was gradually added dropwise and reacted at 125 to 132 ° C. and 0 to 4.8 kg / cm 2 for 16 hours.

その後、反応溶液を室温まで冷却し、この反応溶液に８９％リン酸１．５６ｇを添加混合して水酸化カリウムを中和し、不揮発分６２．１％、水酸基価が１８２．２ｇ／ｅｑ．であるビスフェノールＡ-ホルムアルデヒド型フェノール樹脂のプロピレンオキシド反応溶液を得た。これは、フェノール性水酸基１当量当りアルキレンオキシドが平均１．０８モル付加しているものであった。   Thereafter, the reaction solution was cooled to room temperature, and 1.56 g of 89% phosphoric acid was added to and mixed with this reaction solution to neutralize potassium hydroxide, and the nonvolatile content was 62.1% and the hydroxyl value was 182.2 g / eq. A propylene oxide reaction solution of bisphenol A-formaldehyde type phenol resin was obtained. This was an average of 1.08 moles of alkylene oxide added per equivalent of phenolic hydroxyl group.

得られたノボラック型クレゾール樹脂のアルキレンオキシド反応溶液２９３．０ｇ、アクリル酸４３．２ｇ、メタンスルホン酸１１．５３ｇ、メチルハイドロキノン０．１８ｇおよびトルエン２５２．９ｇを、撹拌機、温度計および空気吹き込み管を備えた反応器に仕込み、空気を１０ｍｌ／分の速度で吹き込み、撹拌しながら、１１０℃で１２時間反応させた。   293.0 g of the obtained novolak-type cresol resin alkylene oxide reaction solution, 43.2 g of acrylic acid, 11.53 g of methanesulfonic acid, 0.18 g of methylhydroquinone and 252.9 g of toluene were mixed with a stirrer, a thermometer and an air blowing tube. The reaction vessel was charged with air at a rate of 10 ml / min and reacted at 110 ° C. for 12 hours while stirring.

反応により生成した水は、トルエンとの共沸混合物として１２．６ｇ留出した。その後、反応溶液を室温まで冷却し、得られた反応溶液を１５％水酸化ナトリウム水溶液３５．３５ｇで中和し、次いで水洗した。その後、エバポレーターにてトルエンをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１１８．１ｇで置換しつつ留去し、ノボラック型アクリレート樹脂溶液を得た。   12.6 g of water produced by the reaction was distilled as an azeotrope with toluene. Thereafter, the reaction solution was cooled to room temperature, and the resulting reaction solution was neutralized with 35.35 g of a 15% aqueous sodium hydroxide solution and then washed with water. Thereafter, toluene was distilled off while substituting 118.1 g of propylene glycol monomethyl ether acetate with an evaporator to obtain a novolak acrylate resin solution.

次に、得られたノボラック型アクリレート樹脂溶液３３２．５ｇおよびトリフェニルホスフィン１．２２ｇを、撹拌器、温度計および空気吹き込み管を備えた反応器に仕込み、空気を１０ｍｌ／分の速度で吹き込み、撹拌しながら、テトラヒドロフタル酸無水物６０．８ｇを徐々に加え、９５〜１０１℃で６時間反応させ、固形物の酸価８８ｍｇＫＯＨ／ｇ、不揮発分７１％のカルボキシル基含有樹脂を得た。これを樹脂溶液Ａとする。樹脂溶液Ａに含まれる反応性フィルム性付与ポリマー（カルボキシル基含有樹脂）成分の重量平均分子量は約４×１０３であった。 Next, 332.5 g of the obtained novolac acrylate resin solution and 1.22 g of triphenylphosphine were charged into a reactor equipped with a stirrer, a thermometer and an air blowing tube, and air was blown at a rate of 10 ml / min. While stirring, 60.8 g of tetrahydrophthalic anhydride was gradually added and reacted at 95 to 101 ° C. for 6 hours to obtain a carboxyl group-containing resin having a solid acid value of 88 mgKOH / g and a nonvolatile content of 71%. This is designated as resin solution A. The weight average molecular weight of the reactive film imparting polymer (carboxyl group-containing resin) component contained in the resin solution A was about 4 × 10 3 .

なお、重量平均分子量（Ｍｗ）の値は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー法（ＧＰＣ）法（ポリスチレン標準）により、下記測定装置、測定条件にて測定した。
測定装置：Ｗａｔｅｒｓ製「Ｗａｔｅｒｓ ２６９５」
検出器：Ｗａｔｅｒｓ製「Ｗａｔｅｒｓ２４１４」、ＲＩ（示差屈折率計）
カラム：Ｗａｔｅｒｓ製「ＨＳＰｇｅｌ Ｃｏｌｕｍｎ，ＨＲ ＭＢ−Ｌ，３μｍ，６ｍｍ×１５０ｍｍ」×２＋Ｗａｔｅｒｓ製「ＨＳＰｇｅｌ Ｃｏｌｕｍｎ，ＨＲ １，３μｍ，６ｍｍ×１５０ｍｍ」×２
測定条件：
カラム温度：４０℃
ＲＩ検出器設定温度：３５℃
展開溶媒：テトラヒドロフラン
流速：０．５ｍｌ／分
サンプル量：１０μｌ
サンプル濃度：０．７ｗｔ％ The value of the weight average molecular weight (Mw) was measured by the gel permeation chromatography method (GPC) method (polystyrene standard) under the following measuring apparatus and measurement conditions.
Measuring device: “Waters 2695” manufactured by Waters
Detector: “Waters 2414” manufactured by Waters, RI (differential refractometer)
Column: “HSPgel Column, HR MB-L, 3 μm, 6 mm × 150 mm” × 2 from Waters × “HSPgel Column, HR 1,3 μm, 6 mm × 150 mm” × 2 from Waters
Measurement condition:
Column temperature: 40 ° C
RI detector set temperature: 35 ° C
Developing solvent: Tetrahydrofuran Flow rate: 0.5 ml / min Sample volume: 10 μl
Sample concentration: 0.7 wt%

＜半導体用封止材１の作製＞
以下の成分を、メチルエチルケトンに、溶解・分散させて、固形分質量濃度２０％の封止材用組成溶液１を調製した。
・アントラキノン ２部
・フェノキシ樹脂（東都化成社製ＦＸ２９３） ５０部
・樹脂溶液Ａ ７０．４部
・ナフタレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製ＮＣ−７０００） ３０部
・ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製 ＹＸ−４０００） １０部
・フェノール樹脂（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製 ＤＥＮ−４３１） １０部
・カーボンブラック（三菱化学社製、カーボンＭＡ−１００） １０部
・球状シリカ（アドマテックス社製 アドマファインＳＯ−Ｅ２） ２００部
・水酸化アルミニウム（昭和電工（株）製ハイジライト４２Ｍ） １５０部
・シランカップリング剤（信越化学社製 ＫＢＭ−４０３） ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製 ２ＰＺ） ２部 <Preparation of semiconductor sealing material 1>
The following components were dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone to prepare a composition solution 1 for a sealing material having a solid content mass concentration of 20%.
・ 2 parts of anthraquinone ・ 50 parts of phenoxy resin (FX293 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) ・ 70.4 parts of resin solution A ・ 30 parts of naphthalene type epoxy resin (NC-7000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) ・ Bixylenol type epoxy resin (Mitsubishi Chemical) YX-4000 made by the company 10 parts phenol resin (DEN-431 made by The Dow Chemical Company) 10 parts carbon black (made by Mitsubishi Chemical Corporation, carbon MA-100) 10 parts spherical silica (Admatechs) Admafine SO-E2) 200 parts Aluminum hydroxide (Hidelite 42M, Showa Denko KK) 150 parts Silane coupling agent (KBM-403, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 2 parts 2-phenylimidazole (Shikoku Chemicals) 2 parts made by Kogyo Co., Ltd. 2 parts

封止材用組成溶液１を表面に剥離処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）に塗布し、１００℃で１０分乾燥させて厚み５０μｍの半導体用封止材１を作製した。このフィルムを６枚積層して厚み３００μｍの半導体用封止材１を作製した。   The sealing material composition solution 1 was applied to a polyethylene terephthalate film (PET film) whose surface was peeled off, and dried at 100 ° C. for 10 minutes to prepare a sealing material 1 for semiconductor having a thickness of 50 μm. Six films were laminated to produce a semiconductor sealing material 1 having a thickness of 300 μm.

＜半導体用封止材２の作製＞
以下の成分を配合し、ロール混練機で７０℃４分間、続いて１２０℃６分間加熱し、合計１０分間、減圧（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）しながら溶融混練し、混練物２を作製した。
・アントラキノン ２部
・ナフタレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製ＮＣ−７０００） ３０部
・ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製 ＹＸ−４０００） １０部
・フェノール樹脂（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製 ＤＥＮ−４３１） １０部
・カーボンブラック（カーボンＭＡ−１００） １０部
・球状シリカ（アドマテックス社製 アドマファインＳＯ−Ｅ２） ５００部
・シランカップリング剤（信越化学社製 ＫＢＭ−４０３） ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製 ２ＰＺ） ２部 <Preparation of semiconductor sealing material 2>
The following components were blended, heated at 70 ° C. for 4 minutes in a roll kneader, then heated at 120 ° C. for 6 minutes, and melt-kneaded while reducing pressure (0.01 kg / cm 2 ) for a total of 10 minutes to prepare kneaded product 2 .
・ Anthraquinone 2 parts ・ Naphthalene type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd. NC-7000) 30 parts ・ Bixylenol type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation YX-4000) 10 parts ・ Phenolic resin (The Dow Chemical Company) DEN-431) 10 parts Carbon black (Carbon MA-100) 10 parts Spherical silica (Admatechs Admafine SO-E2) 500 parts Silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical KBM-403) 2 parts・ 2-Phenylimidazole (2PZ manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) 2 parts

得られた混練物２を２枚の５０ｕｍのカバーフィルム（帝人ピューレックスフィルム）に挟むように配置し、平板プレス法により混練物をシート状に形成し、厚さ３００ｕｍのシート状の半導体用封止材２を得た。   The obtained kneaded material 2 is arranged so as to be sandwiched between two 50 um cover films (Teijin Purex film), and the kneaded material is formed into a sheet shape by a flat plate pressing method. A stop material 2 was obtained.

＜半導体用封止材３の作製＞
以下の成分を配合し、ロール混練機で７０℃４分間、続いて１２０℃６分間加熱し、合計１０分間、減圧（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）しながら溶融混練し、混練物３を作製した。
・二酸化マンガン ５部
・エポキシ樹脂（商品名エピコート１００１；ＪＥＲ社製） ３０部
・フェノール樹脂（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製 ＤＥＮ−４３１） １０部
・Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １５：３ ０．８部
・Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １４７ ０．５５部
・Ｐａｌｉｏｇｅｎ Ｒｅｄ Ｋ３５８０ １．５部
・球状シリカ（アドマテックス社製 アドマファインＳＯ−Ｅ２） ４００部
・シランカップリング剤（信越化学社製 ＫＢＭ−４０３） ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製 ２ＰＺ） ２部 <Preparation of semiconductor sealing material 3>
The following components were blended, heated at 70 ° C. for 4 minutes in a roll kneader, then heated at 120 ° C. for 6 minutes, and melt-kneaded for 10 minutes in total while reducing the pressure (0.01 kg / cm 2 ) to prepare a kneaded product 3 .
-Manganese dioxide 5 parts-Epoxy resin (trade name Epicoat 1001; manufactured by JER) 30 parts-Phenol resin (DEN-431, manufactured by The Dow Chemical Company) 10 parts-C.I. I. Pigment Blue 15: 3 0.8 part C.I. I. Pigment Yellow 147 0.55 part, Paliogen Red K3580 1.5 part, spherical silica (Admafine SO-E2 manufactured by Admatechs) 400 part, silane coupling agent (KBM-403 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 2 parts, 2- 2 parts of phenylimidazole (2PZ manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)

得られた混練物３を２枚の５０ｕｍのＰＥＴフィルム（帝人ピューレックスフィルム）に挟むように配置し、平板プレス法により混練物をシート状に形成し、厚さ３００ｕｍのシート状の半導体用封止材３を得た。   The obtained kneaded product 3 is placed so as to be sandwiched between two 50 um PET films (Teijin Purex film), and the kneaded product is formed into a sheet by a flat plate pressing method. A stop material 3 was obtained.

＜半導体用封止材４の作製＞
以下の成分を配合し、ロール混練機で７０℃４分間、続いて１２０℃６分間加熱し、合計１０分間、減圧（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）しながら溶融混練し、混練物４を作製した。
・過酸化ベンゾイル ３部
・ナフタレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製ＮＣ−７０００） ３０部
・ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製 ＹＸ−４０００） １０部
・フェノール樹脂（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製 ＤＥＮ−４３１） １０部
・カーボンブラック（三菱化学社製、カーボンＭＡ−１００） １０部
・球状シリカ（アドマテックス社製 アドマファインＳＯ−Ｅ２） ６００部
・酸化チタン（石原産業（株）製 ＣＲ−９０） １５部
・シランカップリング剤（信越化学社製 ＫＢＭ−４０３） ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製 ２ＰＺ） ２部 <Preparation of Semiconductor Sealant 4>
The following components were blended, heated at 70 ° C. for 4 minutes in a roll kneader, then heated at 120 ° C. for 6 minutes, and melt-kneaded for 10 minutes in total while reducing pressure (0.01 kg / cm 2 ) to prepare kneaded product 4 .
• 3 parts of benzoyl peroxide • 30 parts of naphthalene type epoxy resin (NC-7000, Nippon Kayaku Co., Ltd.) • 10 parts of bixylenol type epoxy resin (YX-4000, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) • Phenol resin (The Dow Chemical) DEN-431) 10 parts carbon black (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, carbon MA-100) 10 parts spherical silica (Admafine SO-E2 made by Admatechs) 600 parts titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd.) CR-90) 15 parts ・ Silane coupling agent (KBE-403, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 2 parts ・ 2-phenylimidazole (2PZ, Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) 2 parts

得られた混練物４を２枚の５０ｕｍのカバーフィルム（帝人ピューレックスフィルム）に挟むように配置し、平板プレス法により混練物をシート状に形成し、厚さ３００ｕｍのシート状の半導体用封止材４を得た。   The obtained kneaded product 4 is arranged so as to be sandwiched between two 50 um cover films (Teijin Purex film), and the kneaded product is formed into a sheet by a flat plate pressing method. A stop material 4 was obtained.

＜半導体用封止材５の作製＞
以下の成分を配合し、ロール混練機で７０℃４分間、続いて１２０℃６分間加熱し、合計１０分間、減圧（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）しながら溶融混練し、混練物５を作製した。
・アントラキノン（分子量２０８） ３部
・酸化防止剤（アデカスタブ ＡＯ−６０） １部
・ナフタレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製ＮＣ−７０００） ３０部
・ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製 ＹＸ−４０００） １０部
・フェノール樹脂（ザ・ダウ・ケミカル・カンパニ−製 ＤＥＮ−４３１） １０部
・カーボンブラック（三菱化学社製、カーボンＭＡ−１００） １０部
・球状シリカ（アドマテックス社製 アドマファインＳＯ−Ｅ２） ５００部
・シランカップリング剤（信越化学社製 ＫＢＭ−４０３） ２部
・２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製 ２ＰＺ） ２部
なお、半導体用封止材５において、酸化防止剤の官能基のモル数は、酸化剤であるアントラキノンの官能基のモル数を１００％とすると、約１２％となる。 <Preparation of semiconductor sealing material 5>
The following components were blended, heated at 70 ° C. for 4 minutes in a roll kneader, then heated at 120 ° C. for 6 minutes, and melt-kneaded while reducing pressure (0.01 kg / cm 2 ) for a total of 10 minutes to prepare kneaded product 5 .
・ Anthraquinone (molecular weight 208) 3 parts ・ Antioxidant (ADK STAB AO-60) 1 part ・ Naphthalene type epoxy resin (Nippon Kayaku NC-7000) 30 parts ・ Bixylenol type epoxy resin (Mitsubishi Chemical YX-) 4000) 10 parts phenolic resin (DEN-431 manufactured by The Dow Chemical Company) 10 parts carbon black (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., carbon MA-100) 10 parts spherical silica (manufactured by Admatechs, Admafine SO) -E2) 500 parts-Silane coupling agent (KBM-403 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 2 parts-2-Phenylimidazole (2PZ manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) 2 parts The number of moles of the functional group of the agent is about 12% when the number of moles of the functional group of the anthraquinone that is the oxidizing agent is 100%. Become.

得られた混練物５を２枚の５０ｕｍのカバーフィルム（帝人ピューレックスフィルム）に挟むように配置し、平板プレス法により混練物をシート状に形成し、厚さ３００ｕｍのシート状の半導体用封止材５を得た。   The obtained kneaded material 5 is arranged so as to be sandwiched between two 50 um cover films (Teijin Purex film), and the kneaded material is formed into a sheet shape by a flat plate pressing method. A stop material 5 was obtained.

＜半導体用封止材６の作製＞
アントラキノンを用いなかったこと以外は半導体用封止材１と同様に操作して、厚み３００μｍの半導体用封止材６を作製した。 <Preparation of semiconductor sealing material 6>
A semiconductor encapsulant 6 having a thickness of 300 μm was produced in the same manner as in the semiconductor encapsulant 1 except that no anthraquinone was used.

＜半導体用封止材７の作製＞
アントラキノンを用いなかったこと以外は半導体用封止材２と同様に操作して、厚み３００μｍの半導体用封止材７を作製した。 <Preparation of semiconductor sealing material 7>
A semiconductor encapsulant 7 having a thickness of 300 μm was produced in the same manner as in the semiconductor encapsulant 2 except that no anthraquinone was used.

＜半導体用封止材８の作製＞
二酸化マンガンを用いなかったこと以外は半導体用封止材３と同様に操作して、厚み３００μｍの半導体用封止材８を作製した。 <Preparation of semiconductor sealing material 8>
A semiconductor encapsulant 8 having a thickness of 300 μm was produced in the same manner as in the semiconductor encapsulant 3 except that manganese dioxide was not used.

＜半導体用封止材９の作製＞
過酸化ベンゾイルを用いなかったこと以外は半導体用封止材４と同様に操作して、厚み３００μｍの半導体用封止材９を作製した。 <Preparation of semiconductor sealing material 9>
A semiconductor encapsulant 9 having a thickness of 300 μm was produced in the same manner as in the semiconductor encapsulant 4 except that benzoyl peroxide was not used.

＜半導体用封止材１０の作製＞
アントラキノンとアデカスタブ ＡＯ−６０を用いなかったこと以外は半導体用封止材５と同様に操作して、厚み３００μｍの半導体用封止材１０を作製した。 <Preparation of semiconductor sealing material 10>
A semiconductor encapsulant 10 having a thickness of 300 μm was produced in the same manner as in the semiconductor encapsulant 5 except that anthraquinone and Adeka Stab AO-60 were not used.

＜半導体ウエハの準備＞
半導体ウエハとして、キャノシス株式会社製の片面に１００ｎｍのＳｉＯ２膜が形成された、４ｉｎｃｈ 厚み２００ｕｍに研磨されたＰ型シリコンウエハを準備した。 <Preparation of semiconductor wafer>
As a semiconductor wafer, a P-type silicon wafer polished to a 4-inch thickness of 200 μm with a 100 nm SiO 2 film formed on one side made by Canosis Co., Ltd. was prepared.

＜半導体パッケージの作製＞
上記した半導体ウエハをダイシング装置を用いてダイシングを行い、１０ｍｍ×１０ｍｍ角の半導体チップを得た。ＳＵＳ製平面基板上に仮固定フィルムを配置し、上記の半導体チップをＳｉＯ２面が仮固定フィルムと接触するようにさらに配置した。この上に２０ｍｍ×２０ｍｍ角シート状の半導体用封止材を中心位置がおよそ一致するように積層し、加熱式プレス圧着機を用いて１５０℃で１時間圧縮成形させた。得られた積層体から仮固定フィルムをはがして半導体パッケージを得た。 <Fabrication of semiconductor packages>
The above semiconductor wafer was diced using a dicing apparatus to obtain a 10 mm × 10 mm square semiconductor chip. A temporarily fixed film was disposed on a SUS flat substrate, and the semiconductor chip was further disposed such that the SiO 2 surface was in contact with the temporarily fixed film. A 20 mm × 20 mm square sheet-shaped semiconductor encapsulant was laminated thereon so that the center positions were approximately the same, and compression-molded at 150 ° C. for 1 hour using a heating type press crimping machine. The temporarily fixed film was peeled off from the obtained laminate to obtain a semiconductor package.

＜評価＞
２５℃のＴＭＡＨ２．３８％水溶液（商品名ＡＤ−１０、多摩化学工業株式会社製）を準備し、ここに作製した半導体パッケージを半導体チップのＳｉＯ２面が上になるように浸漬し、５分間処理した。その後半導体パッケージを取り出し、純水で２回リンスした。その後エアブローで水分を飛ばし、１００℃に設定したホットプレートに５分間のせて回収した。得られた処理後の半導体パッケージは半導体チップ側から半導体チップと封止材の境界部分を光学顕微鏡および電子顕微鏡で観察し、隙間が発生せず密着しているものを〇、隙間が観察されるものを×と判定した。評価結果は下記の表１に示される通りであった。 <Evaluation>
A TMAH 2.38% aqueous solution (trade name AD-10, manufactured by Tama Chemical Industry Co., Ltd.) at 25 ° C. was prepared, and the semiconductor package produced here was immersed so that the SiO 2 surface of the semiconductor chip was on top for 5 minutes. Processed. Thereafter, the semiconductor package was taken out and rinsed twice with pure water. Thereafter, moisture was blown off by air blow, and the mixture was collected on a hot plate set at 100 ° C. for 5 minutes. As for the obtained semiconductor package after processing, the boundary part between the semiconductor chip and the sealing material is observed with an optical microscope and an electron microscope from the semiconductor chip side. The thing was determined as x. The evaluation results were as shown in Table 1 below.

Figure 2017118094
Figure 2017118094

表１に示された評価結果からも明らかなように、酸化剤を含む半導体用封止材を用いた実施例１〜５は、アルカリ処理しても半導体チップと封止材の境界が密着しており良好であった。一方、酸化剤を含まない半導体封止材を用いた比較例１〜５では、アルカリ処理により半導体チップと封止材の境界に隙間が発生していた。推測ではあるが、実施例１〜５の半導体ウエハでは、半導体用封止材に含まれる酸化剤により、半導体チップであるＳｉの表面が酸化されてＳｉＯ２からなる薄膜が形成され、その結果、アルカリ処理による半導体チップの側面のエッチングが抑制されたものと考えられる。 As is clear from the evaluation results shown in Table 1, in Examples 1 to 5 using the semiconductor sealing material containing an oxidant, the boundary between the semiconductor chip and the sealing material is in close contact with the alkali treatment. It was good. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 5 using a semiconductor encapsulant that does not contain an oxidant, a gap was generated at the boundary between the semiconductor chip and the encapsulant due to the alkali treatment. Although it is speculated, in the semiconductor wafers of Examples 1 to 5, the oxidant contained in the semiconductor sealing material oxidizes the surface of Si as a semiconductor chip to form a thin film made of SiO 2 . It is considered that the etching of the side surface of the semiconductor chip due to the alkali treatment was suppressed.

Claims (4)

半導体を酸化させ得る酸化剤を含んでなる半導体用封止材。   A semiconductor sealing material comprising an oxidizing agent capable of oxidizing a semiconductor. 硬化性成分、硬化剤成分、硬化促進剤成分、および無機フィラーを含んでなる、請求項１に記載の半導体用封止材。   The semiconductor sealing material according to claim 1, comprising a curable component, a curing agent component, a curing accelerator component, and an inorganic filler. シート状の形状を有する、請求項１または２に記載の半導体用封止材。   The sealing material for semiconductors of Claim 1 or 2 which has a sheet-like shape. ファンアウト型のウェハレベルパッケージに用いられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体用封止材。   The semiconductor sealing material according to claim 1, which is used for a fan-out type wafer level package.
JP2016144802A 2016-07-22 2016-07-22 Sealant for semiconductor Active JP6199451B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016144802A JP6199451B2 (en) 2016-07-22 2016-07-22 Sealant for semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016144802A JP6199451B2 (en) 2016-07-22 2016-07-22 Sealant for semiconductor

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015254480A Division JP5978380B1 (en) 2015-12-25 2015-12-25 Sealant for semiconductor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017118094A true JP2017118094A (en) 2017-06-29
JP6199451B2 JP6199451B2 (en) 2017-09-20

Family

ID=59234673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016144802A Active JP6199451B2 (en) 2016-07-22 2016-07-22 Sealant for semiconductor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6199451B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190013669A (en) * 2017-08-01 2019-02-11 아사히 가세이 가부시키가이샤 Semiconductor device and method of manufacturing the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036552A (en) * 1998-07-17 2000-02-02 Fujitsu Ltd Semiconductor device and separately taking out method of metal component in sealing material used therein
JP2000109543A (en) * 1998-10-07 2000-04-18 Hitachi Chem Co Ltd Epoxy resin composition for semiconductor sealing use and semiconductor device using the same
JP2004161886A (en) * 2002-11-13 2004-06-10 Tomoegawa Paper Co Ltd Curable adhesive composition for semiconductor encapsulation, and adhesive sheet
JP2015056458A (en) * 2013-09-10 2015-03-23 株式会社東芝 Semiconductor device
JP2015126124A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 日東電工株式会社 Semiconductor package manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036552A (en) * 1998-07-17 2000-02-02 Fujitsu Ltd Semiconductor device and separately taking out method of metal component in sealing material used therein
JP2000109543A (en) * 1998-10-07 2000-04-18 Hitachi Chem Co Ltd Epoxy resin composition for semiconductor sealing use and semiconductor device using the same
JP2004161886A (en) * 2002-11-13 2004-06-10 Tomoegawa Paper Co Ltd Curable adhesive composition for semiconductor encapsulation, and adhesive sheet
JP2015056458A (en) * 2013-09-10 2015-03-23 株式会社東芝 Semiconductor device
JP2015126124A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 日東電工株式会社 Semiconductor package manufacturing method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190013669A (en) * 2017-08-01 2019-02-11 아사히 가세이 가부시키가이샤 Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20210070260A (en) * 2017-08-01 2021-06-14 아사히 가세이 가부시키가이샤 Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR102410691B1 (en) * 2017-08-01 2022-06-17 아사히 가세이 가부시키가이샤 Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR102505475B1 (en) * 2017-08-01 2023-03-02 아사히 가세이 가부시키가이샤 Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20230035293A (en) * 2017-08-01 2023-03-13 아사히 가세이 가부시키가이샤 Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR102616333B1 (en) * 2017-08-01 2023-12-20 아사히 가세이 가부시키가이샤 Semiconductor device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP6199451B2 (en) 2017-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6937701B2 (en) Dry film and printed wiring board
JP5062714B2 (en) Active energy ray-curable resin composition and use thereof
TWI745366B (en) Curable resin composition, dry film, cured product, and printed wiring board
KR102103660B1 (en) Curable resin composition and fan-out wafer level package
JP5978380B1 (en) Sealant for semiconductor
KR20200124700A (en) Resin composition for laminated electronic parts, dry film, cured product, laminated electronic parts and printed wiring board
JP6142101B1 (en) Protective film forming film
JP6199451B2 (en) Sealant for semiconductor
JP6672069B2 (en) Curable resin composition
JP6779719B2 (en) Warp straightener for fan-out type wafer level package
JP2021141261A (en) Electronic element-sealing film, electronic component arranged by use thereof, and manufacturing method of such electronic component
KR102403104B1 (en) semiconductor encapsulant
JP7444192B2 (en) Photosensitive resin composition
WO2021045085A1 (en) Curable resin composition, dry film and cured product of same, and electronic component containing said cured product
JP2022149899A (en) Photosensitive resin composition
KR20180111600A (en) Curable composition, dry film, cured product and printed wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170728

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170823

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6199451

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250