JP2017110060A - Light-emitting structure and light-emitting device using the same - Google Patents

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師之 山角
Noriyuki YAMAZUMI
師之 山角
恭崇 葛本
Yasutaka Kuzumoto
恭崇 葛本
達也 両輪
Tatsuya Ryowa
達也 両輪
まみ 森下
Mami Morishita
まみ 森下
真 和泉
Makoto Izumi
真 和泉
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting structure using semiconductor nanoparticle phosphors, in which flocculation of the semiconductor nanoparticle phosphors between themselves, elimination of surface modification groups, or the like does not take place, and which has high light-emitting efficiency.SOLUTION: A light-emitting structure includes: a light transmitting base material having pores; a liquid dispersion medium held in the pores of the light transmitting base material; and semiconductor nanoparticle phosphors dispersed in the liquid dispersion medium, as well as a light-emitting device includes: a light source; and a wavelength conversion part having the light-emitting structures dispersed in a light transmitting medium.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、細孔を有する透光性基材と、前記透光性基材の細孔中に保持された液体分散媒と、前記液体分散媒中に分散された半導体ナノ粒子蛍光体とを備える発光性構造体、ならびに、当該発光性構造体を用いた発光装置に関する。   The present invention comprises a translucent substrate having pores, a liquid dispersion medium retained in the pores of the translucent substrate, and a semiconductor nanoparticle phosphor dispersed in the liquid dispersion medium. The present invention relates to a light-emitting structure provided and a light-emitting device using the light-emitting structure.

半導体ナノ粒子蛍光体(量子ドットとも呼ばれる)は、量子サイズ効果によりサイズ可変な(size−tuneable)電子特性から、商業的関心が持たれている。サイズ可変な電子特性は、生体標識、太陽光発電、触媒作用、生体撮像、LED、一般的な空間照明、及び電子発光ディスプレイなどの様々な用途に利用できる。   Semiconductor nanoparticle phosphors (also called quantum dots) are of commercial interest due to their size-tunable electronic properties due to quantum size effects. The variable size electronic properties can be used in a variety of applications such as biomarkers, solar power generation, catalysis, bioimaging, LEDs, general spatial illumination, and electroluminescent displays.

たとえば、特開2014−56896号公報(特許文献1)には、ベース基板と、ベース基板上に設けられた発光素子と、発光素子上の少なくとも一部に形成される第1層封止部(透過性保護層)と、第1層封止部上の少なくとも一部に形成される第2層封止部(第1の蛍光層)とを備え、第2層封止部が2種類以上の半導体量子ドット(半導体ナノ粒子蛍光体)を有する発光デバイスが開示されている(特許文献1の請求項1、3)。特許文献1に記載された発明では、発光素子と、半導体ナノ粒子蛍光体を含む第2層封止部との間に、第1層封止部(透過性保護層)を介在させることで、発光素子の熱による半導体ナノ粒子蛍光体の劣化を緩和し、第2層封止部の安定化を図っている。   For example, in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2014-56896 (Patent Document 1), a base substrate, a light emitting element provided on the base substrate, and a first layer sealing portion formed on at least a part of the light emitting element ( A transparent protective layer) and a second layer sealing portion (first fluorescent layer) formed on at least a part of the first layer sealing portion, and the second layer sealing portion includes two or more types. A light emitting device having a semiconductor quantum dot (semiconductor nanoparticle phosphor) is disclosed (claims 1 and 3 of Patent Document 1). In the invention described in Patent Document 1, by interposing the first layer sealing portion (transparent protective layer) between the light emitting element and the second layer sealing portion containing the semiconductor nanoparticle phosphor, Degradation of the semiconductor nanoparticle phosphor due to the heat of the light emitting element is alleviated, and the second layer sealing portion is stabilized.

しかしながら、特許文献1に記載された発光デバイスでは、半導体ナノ粒子蛍光体を揮発性の溶媒に分散させた蛍光体溶液を、熱硬化性のエポキシ樹脂と混合し、第1層封止部上に滴下し、硬化させて第2層封止部を形成する(特許文献1の段落〔0075〕、〔0078〕)。このように溶媒中に分散させた半導体ナノ粒子蛍光体を、樹脂中に再分散させることで、再分散の際に半導体ナノ粒子蛍光体の凝集などが起こり、発光特性を劣化させてしまうという問題があった。   However, in the light-emitting device described in Patent Document 1, a phosphor solution in which a semiconductor nanoparticle phosphor is dispersed in a volatile solvent is mixed with a thermosetting epoxy resin, and the first layer sealing portion is formed. The second layer sealing portion is formed by dripping and curing (paragraphs [0075] and [0078] of Patent Document 1). By redispersing the semiconductor nanoparticle phosphor dispersed in the solvent in this way in the resin, the aggregation of the semiconductor nanoparticle phosphor occurs at the time of redispersion and the light emission characteristics are deteriorated. was there.

特開2014−56896号公報JP 2014-56896 A

半導体ナノ粒子蛍光体は、液体分散媒中に分散した状態で高効率な蛍光特性が得られる一方で、特許文献1に開示された発光デバイスのように樹脂材料と混合させると、発光効率が低下してしまう。これは、半導体ナノ粒子蛍光体同士の凝集、表面修飾基の脱離などの、樹脂中での半導体ナノ粒子蛍光体の周辺環境の変化に起因するものと考えられる。   The semiconductor nanoparticle phosphor can obtain highly efficient fluorescence characteristics when dispersed in a liquid dispersion medium. On the other hand, when mixed with a resin material as in the light emitting device disclosed in Patent Document 1, the luminous efficiency decreases. Resulting in. This is considered to be caused by changes in the surrounding environment of the semiconductor nanoparticle phosphor in the resin, such as aggregation between the semiconductor nanoparticle phosphors and elimination of surface modification groups.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、半導体ナノ粒子蛍光体同士の凝集、表面修飾基の脱離などが起こることなく、高い発光効率を有する、半導体ナノ粒子蛍光体を用いた新規な発光構造体を提供することである。   The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems. The object of the present invention is to achieve high luminous efficiency without causing aggregation of semiconductor nanoparticle phosphors and elimination of surface modification groups. It is to provide a novel light emitting structure using a semiconductor nanoparticle phosphor.

本発明の発光性構造体は、細孔を有する透光性基材と、透光性基材の細孔中に保持された液体分散媒と、液体分散媒中に分散された半導体ナノ粒子蛍光体とを備えることを特徴とする。   The light-emitting structure of the present invention includes a translucent substrate having pores, a liquid dispersion medium held in the pores of the translucent substrate, and semiconductor nanoparticle fluorescence dispersed in the liquid dispersion medium And a body.

本発明の発光性構造体は、液体分散媒が毛細管力により細孔中に保持されていることが好ましい。   In the luminescent structure of the present invention, the liquid dispersion medium is preferably held in the pores by capillary force.

本発明の発光性構造体において、透光性基材はポーラス構造を有することが好ましい。
本発明の発光性構造体において、透光性基材がカプセル状であることが好ましい。
In the luminescent structure of the present invention, the light-transmitting substrate preferably has a porous structure.
In the luminescent structure of the present invention, the translucent substrate is preferably in the form of a capsule.

本発明の発光性構造体において、透光性基材がキャピラリ状であることが好ましい。
本発明の発光性構造体は、細孔の開口を少なくとも覆う保護基材をさらに備えることが好ましい。
In the luminescent structure of the present invention, the translucent substrate is preferably in the form of a capillary.
It is preferable that the light emitting structure of the present invention further includes a protective base material that covers at least the opening of the pore.

本発明の発光性構造体における透光性基材はガスバリア性を有することが好ましい。
本発明の発光性構造体における液体分散媒は不揮発性であることが好ましい。
The translucent substrate in the luminescent structure of the present invention preferably has gas barrier properties.
The liquid dispersion medium in the luminescent structure of the present invention is preferably non-volatile.

また本発明の発光性構造体における液体分散媒はイオン性液体であることが好ましい。
本発明の発光性構造体における半導体ナノ粒子蛍光体の発光波長が380〜750nmの範囲内であることが好ましい。
The liquid dispersion medium in the light emitting structure of the present invention is preferably an ionic liquid.
The emission wavelength of the semiconductor nanoparticle phosphor in the luminescent structure of the present invention is preferably in the range of 380 to 750 nm.

本発明の発光性構造体は、複数の発光ピークを含むことが好ましい。
本発明はまた、光源と、上述した本発明の発光性構造体が透光性を有する媒体中に分散された波長変換部とを備える発光装置についても提供する。
The light emitting structure of the present invention preferably includes a plurality of light emission peaks.
The present invention also provides a light-emitting device including a light source and a wavelength conversion unit in which the above-described light-emitting structure of the present invention is dispersed in a light-transmitting medium.

本発明の発光装置において、光源がその凹部に搭載された枠体を有し、前記波長変換部が、光源ごと凹部が前記媒体により充填されていてもよい。   In the light emitting device of the present invention, the light source may have a frame body mounted in the recess, and the wavelength conversion unit may be filled with the light source and the recess with the light source.

また本発明の発光装置において、光源がその凹部に搭載された枠体を有し、前記波長変換部が、凹部の開口の少なくとも一部を覆うフィルム状物であってもよい。   In the light emitting device of the present invention, the light source may have a frame body mounted in the recess, and the wavelength conversion unit may be a film-like object that covers at least a part of the opening of the recess.

本発明によれば、樹脂硬化プロセスを使わずに、半導体ナノ粒子蛍光体を分散させた液体分散媒を透光性基材の細孔内に保持しているため、半導体ナノ粒子蛍光体同士の凝集、表面修飾基の脱離など半導体ナノ粒子蛍光体の周辺環境の変化が起こりにくく、半導体ナノ粒子蛍光体が安定的に機能し得るように液体分散媒中に分散させたまま、発光特性の劣化が起こりにくい発光性構造体を提供することができる。また、本発明は、このような発光性構造体を利用した、発光装置についても提供する。   According to the present invention, since the liquid dispersion medium in which the semiconductor nanoparticle phosphor is dispersed is held in the pores of the translucent substrate without using the resin curing process, Changes in the surrounding environment of the semiconductor nanoparticle phosphor, such as aggregation and removal of surface modifying groups, are unlikely to occur, and the light emission characteristics of the semiconductor nanoparticle phosphor remain dispersed in a liquid dispersion medium so that the semiconductor nanoparticle phosphor can function stably. It is possible to provide a light-emitting structure that hardly deteriorates. The present invention also provides a light-emitting device using such a light-emitting structure.

本発明の第1の実施態様の発光性構造体1を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the luminescent structure 1 of the 1st embodiment of this invention. 図1に示した構造の発光性構造体と、同じ半導体ナノ粒子蛍光体を同じ液体分散媒中に分散後、シリコーン樹脂と混合した場合との発光効率を比較して示すグラフである。It is a graph which compares the luminous efficiency of the light emitting structure of the structure shown in FIG. 1, and the case where the same semiconductor nanoparticle fluorescent substance is dispersed in the same liquid dispersion medium and then mixed with a silicone resin. 本発明の第2の実施態様の発光性構造体11を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the luminescent structure 11 of the 2nd embodiment of this invention. 本発明の第3の実施態様の発光性構造体21を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the luminescent structure 21 of the 3rd embodiment of this invention. 本発明の第4の実施態様の発光性構造体31を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the luminescent structure 31 of the 4th embodiment of this invention. 本発明の第5の実施態様の発光性構造体41を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the luminescent structure 41 of the 5th embodiment of this invention. 本発明の第6の実施態様の発光性構造体を模式的に示す図であり、図7(a)には、図4に示した例の発光性構造体21の変形例である発光性構造体21’、図7(b)には、図5に示した例の発光性構造体31の変形例である発光性構造体31’、図7(c)には、図6に示した例の発光性構造体41の変形例である発光性構造体41’をそれぞれ示している。FIG. 7A is a view schematically showing a light emitting structure according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 7A shows a light emitting structure which is a modification of the light emitting structure 21 of the example shown in FIG. FIG. 7B shows a light emitting structure 31 ′ which is a modification of the light emitting structure 31 of the example shown in FIG. 5, and FIG. 7C shows the example shown in FIG. A light emitting structure 41 ′, which is a modification of the light emitting structure 41, is shown. 本発明の第7の実施態様の発光性構造体51を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the luminescent structure 51 of the 7th embodiment of this invention. 本発明の第8の実施態様の発光性構造体61を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the luminescent structure 61 of the 8th embodiment of this invention. 本発明の第9の実施態様の発光性構造体71を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the luminescent structure 71 of the 9th embodiment of this invention. 本発明の第10の実施態様の発光性構造体81を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the luminescent structure 81 of the 10th embodiment of this invention. 本発明の第11の実施態様の発光性構造体91,101,102を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the luminescent structure 91,101,102 of the 11th embodiment of this invention. 本発明の第12の実施態様の発光装置111を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the light-emitting device 111 of the 12th embodiment of this invention. 本発明の第13の実施態様の発光装置111を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the light-emitting device 111 of the 13th embodiment of this invention.

<発光性構造体>
(第1の実施態様の発光性構造体)
図1は、本発明の第1の実施態様の発光性構造体1を模式的に示す図である。本発明の発光性構造体1は、図1に示す例のように、細孔4を有する透光性基材3と、前記透光性基材3の細孔4中に保持された液体分散媒5と、前記液体分散媒5中に分散された半導体ナノ粒子蛍光体2とを備える。
<Luminescent structure>
(Luminescent structure of the first embodiment)
FIG. 1 is a diagram schematically showing a luminescent structure 1 according to a first embodiment of the present invention. As shown in the example shown in FIG. 1, the light-emitting structure 1 of the present invention includes a translucent substrate 3 having pores 4 and a liquid dispersion held in the pores 4 of the translucent substrate 3. A medium 5 and a semiconductor nanoparticle phosphor 2 dispersed in the liquid dispersion medium 5.

本発明の発光性構造体によれば、樹脂硬化プロセスを使わずに、半導体ナノ粒子蛍光体を分散させた液体分散媒を透光性基材の細孔内に保持しているため、半導体ナノ粒子蛍光体同士の凝集、表面修飾基の脱離など半導体ナノ粒子蛍光体の周辺環境の変化が起こりにくく、半導体ナノ粒子蛍光体が安定的に機能し得るように液体分散媒中に分散させたまま、発光特性の劣化が起こりにくい。また、透光性基材3が、液体分散媒に分散された状態の半導体ナノ粒子蛍光体2を取り囲むため、半導体ナノ粒子蛍光体2が空気・水分などに曝されにくく、このような観点からも、半導体ナノ粒子蛍光体の長期安定性が向上される。   According to the light emitting structure of the present invention, since the liquid dispersion medium in which the semiconductor nanoparticle phosphor is dispersed is held in the pores of the translucent substrate without using the resin curing process, It was dispersed in a liquid dispersion medium so that the surrounding environment of the semiconductor nanoparticle phosphor did not easily change, such as aggregation between particle phosphors and elimination of surface modification groups, and the semiconductor nanoparticle phosphor could function stably. As a result, the light emission characteristics are hardly deteriorated. In addition, since the translucent substrate 3 surrounds the semiconductor nanoparticle phosphor 2 in a state dispersed in the liquid dispersion medium, the semiconductor nanoparticle phosphor 2 is not easily exposed to air, moisture, and the like. In addition, the long-term stability of the semiconductor nanoparticle phosphor is improved.

ここで、図2は、図1に示した構造の発光性構造体(半導体ナノ粒子蛍光体として発光波長620nmのコアシェル型CdSe/ZnS、液体分散媒としてN,N,N−トリメチル−N−プロピルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、透光性基材としてダイソーゲル(ダイソーケミカル(株)製)を用いた場合)と、同じ半導体ナノ粒子蛍光体を同じ液体分散媒に分散後、シリコーン樹脂(OE−7620(Dow Corning製))と混合した場合との発光効率(C9920−02G(浜松ホトニクス(株)製)で測定)を比較して示すグラフであり、縦軸は発光効率である。図2のグラフ中、Aは本発明の発光性構造体、Bはシリコーン樹脂に混合した場合を示している。図2からも明らかなように、液体分散媒に分散時の半導体ナノ粒子蛍光体の効率を基準にすると、Bでは約0.3まで下がったのに対し、Aでは約0.7に留まった。このように、本発明の発光性構造体は、樹脂と混合する場合と比較して、半導体ナノ粒子蛍光体の発光特性の劣化が起こりにくいことが分かる。   Here, FIG. 2 shows a light-emitting structure having the structure shown in FIG. 1 (core-shell CdSe / ZnS having an emission wavelength of 620 nm as a semiconductor nanoparticle phosphor, and N, N, N-trimethyl-N-propyl as a liquid dispersion medium. Ammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, Daiso Gel (manufactured by Daiso Chemical Co., Ltd.) as the translucent substrate) and the same semiconductor nanoparticle phosphor in the same liquid dispersion medium, It is a graph which compares and shows the luminous efficiency (measured by C9920-02G (made by Hamamatsu Photonics)) with the case where it mixes with OE-7620 (made by Dow Corning), and a vertical axis | shaft is luminous efficiency. In the graph of FIG. 2, A shows the light emitting structure of the present invention, and B shows the case where it is mixed with a silicone resin. As is clear from FIG. 2, when the efficiency of the semiconductor nanoparticle phosphor when dispersed in the liquid dispersion medium is used as a reference, B decreased to about 0.3, whereas A remained at about 0.7. . Thus, it can be seen that the light emitting structure of the present invention is less likely to deteriorate the light emitting characteristics of the semiconductor nanoparticle phosphor as compared with the case of mixing with a resin.

なお、本発明の発光性構造体は、半導体ナノ粒子蛍光体を分散させた液体分散媒を透光性基材の細孔内に「保持」する構成であり、たとえば中空状の外殻内に、半導体ナノ粒子蛍光体を分散させた液体を「内包」する構成とは異なる。中空状の外殻内に「内包」するためには、半導体ナノ粒子蛍光体を分散させるための液体に制限があるが、半導体ナノ粒子蛍光体を分散させた液体分散媒を透光性基材の細孔内に「保持」する構成である本発明は、用いる液体分散媒は特に制限されない。   The light-emitting structure of the present invention is configured to “hold” the liquid dispersion medium in which the semiconductor nanoparticle phosphor is dispersed in the pores of the translucent substrate. For example, in the hollow outer shell This is different from the configuration in which the liquid in which the semiconductor nanoparticle phosphor is dispersed is “encapsulated”. In order to “enclose” within the hollow outer shell, the liquid for dispersing the semiconductor nanoparticle phosphor is limited, but the liquid dispersion medium in which the semiconductor nanoparticle phosphor is dispersed is used as a light-transmitting substrate. In the present invention, which is configured to “hold” in the pores, the liquid dispersion medium to be used is not particularly limited.

本発明における半導体ナノ粒子蛍光体2は、高い発光効率を有し、かつ発光線幅が非常に狭く、ナノ粒子サイズを調製することにより発光波長を制御できる特徴を有する。一般に液体分散媒中で分散性が良いとき高い発光効率を有するが、樹脂中など固体中に分散させたとき、凝集によりナノ粒子蛍光体間のエネルギー失活が生じて効率が低下する。また、半導体ナノ粒子蛍光体を用いることで、組成制御による発光波長の制御を精密に行なうことができるという利点がある。   The semiconductor nanoparticle phosphor 2 according to the present invention has high luminous efficiency, has a very narrow emission line width, and has the characteristics that the emission wavelength can be controlled by adjusting the nanoparticle size. In general, when the dispersibility is good in a liquid dispersion medium, the light emission efficiency is high, but when dispersed in a solid such as a resin, energy deactivation occurs between the nanoparticle phosphors due to aggregation and the efficiency is lowered. Further, the use of the semiconductor nanoparticle phosphor has an advantage that the emission wavelength can be precisely controlled by the composition control.

半導体ナノ粒子蛍光体の原料としては、特に制限されるものではなく、半導体ナノ粒子蛍光体として従来より用いられるCdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、InN、InP、InAs、InSb、AlP、AlS、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、PbS、PbSe、Si、Ge、MgS、MgSe、MgTeから選ばれる少なくともいずれかであってよい。さらに、半導体ナノ粒子蛍光体は、当業者に知られている二成分コア型、三成分コア型、四成分コア型、コアシェル型またはコアマルチシェル型、ドープされた半導体ナノ粒子蛍光体または傾斜した半導体ナノ粒子蛍光体であってよい。   The raw material of the semiconductor nanoparticle phosphor is not particularly limited, and CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, InN, InP, InAs, InSb, AlP, conventionally used as the semiconductor nanoparticle phosphor. It may be at least one selected from AlS, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, PbS, PbSe, Si, Ge, MgS, MgSe, and MgTe. In addition, semiconductor nanoparticle phosphors are known to those skilled in the art two-component core, three-component core, four-component core, core-shell or core multi-shell, doped semiconductor nanoparticle phosphor or tilted It may be a semiconductor nanoparticle phosphor.

半導体ナノ粒子蛍光体は、その形状については特に制限されないが、球状、ロッド状、ワイヤ状など従来公知の適宜の形状の半導体ナノ粒子蛍光体を特に制限なく用いることができる。特に、形状制御による発光特性の制御の容易さという観点からは、球状の半導体ナノ粒子蛍光体を用いることが好ましい。   The shape of the semiconductor nanoparticle phosphor is not particularly limited, but a semiconductor nanoparticle phosphor having a conventionally known appropriate shape such as a spherical shape, a rod shape, or a wire shape can be used without any particular limitation. In particular, from the viewpoint of easy control of light emission characteristics by shape control, it is preferable to use a spherical semiconductor nanoparticle phosphor.

半導体ナノ粒子蛍光体の粒子径は、原料および所望の発光波長に応じて適宜選択することができ、特に制限されないが、1〜20nmの範囲内であることが好ましく、2〜5nmの範囲内であることがより好ましい。半導体ナノ粒子蛍光体の粒子径が1nm未満である場合には、体積に対する表面積の割合が増えることにより、表面欠陥が支配的となり効果が低下する傾向にあるためであり、また、半導体ナノ粒子蛍光体の粒子径が20nmを超える場合には、分散状態が低下し、凝集・沈降が生じる傾向にあるためである。ここで、半導体ナノ粒子蛍光体の形状が球状である場合には、粒子径は、たとえば粒度分布測定装置により測定された平均粒径もしくは電子顕微鏡により観察された粒子の大きさを指す。また半導体ナノ粒子蛍光体の形状がロッド状である場合には、粒子径は、たとえば電子顕微鏡により測定された短軸および長軸の大きさを指す。さらに、半導体ナノ粒子蛍光体の形状がワイヤ状である場合には、粒子径は、たとえば電子顕微鏡により測定された短軸および長軸の大きさを指す。   The particle diameter of the semiconductor nanoparticle phosphor can be appropriately selected according to the raw material and the desired emission wavelength, and is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 20 nm, and in the range of 2 to 5 nm. More preferably. This is because when the particle diameter of the semiconductor nanoparticle phosphor is less than 1 nm, the ratio of the surface area to the volume increases, so that surface defects tend to be dominant and the effect tends to decrease. This is because when the particle diameter of the body exceeds 20 nm, the dispersed state tends to decrease and aggregation / sedimentation tends to occur. Here, when the shape of the semiconductor nanoparticle phosphor is spherical, the particle diameter refers to, for example, an average particle diameter measured by a particle size distribution measuring apparatus or a particle size observed by an electron microscope. When the semiconductor nanoparticle phosphor is rod-shaped, the particle diameter refers to the size of the short axis and the long axis measured by, for example, an electron microscope. Furthermore, when the shape of the semiconductor nanoparticle phosphor is a wire shape, the particle diameter refers to the size of the short axis and the long axis measured by, for example, an electron microscope.

本発明の発光性構造体において、半導体ナノ粒子蛍光体は、液体分散媒100重量部に対して0.00001〜100重量部の範囲内で分散しているのが好ましく、0.001〜50重量部の範囲内で分散しているのがより好ましい。半導体ナノ粒子蛍光体が、液体分散媒100重量部に対し0.00001重量部未満である場合、濃度が低く十分な発光強度が得られないという傾向にあるためであり、また、液体分散媒100重量部に対し100重量部を超える場合、分散性が悪く半導体ナノ粒子蛍光体同士が凝集しやすい傾向にあり、発光効率が低下するためである。   In the luminescent structure of the present invention, the semiconductor nanoparticle phosphor is preferably dispersed in the range of 0.00001 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the liquid dispersion medium, and 0.001 to 50 parts by weight. More preferably, it is dispersed within the range of parts. This is because when the semiconductor nanoparticle phosphor is less than 0.00001 part by weight with respect to 100 parts by weight of the liquid dispersion medium, the concentration tends to be low and sufficient light emission intensity cannot be obtained. This is because when the amount exceeds 100 parts by weight with respect to parts by weight, the dispersibility is poor and the semiconductor nanoparticle phosphors tend to aggregate with each other, and the light emission efficiency decreases.

本発明の発光性構造体において、液体分散媒は、特に制限されないが、半導体ナノ粒子蛍光体を安定的に分散させ、良好な発光効率が得られる観点からは、トルエン、クロロホルム、ヘキサン、エタノール、メタノールなどの有機分散媒、もしくは水分散媒が好ましい。中でも、極性を持つ有機分散媒は、表面修飾された半導体ナノ粒子蛍光体を安定的に分散できることから、液体分散媒としてトルエンまたはクロロホルムを用いることが好ましい。   In the luminescent structure of the present invention, the liquid dispersion medium is not particularly limited, but from the viewpoint of stably dispersing the semiconductor nanoparticle phosphor and obtaining good luminous efficiency, toluene, chloroform, hexane, ethanol, An organic dispersion medium such as methanol or an aqueous dispersion medium is preferred. Among them, it is preferable to use toluene or chloroform as the liquid dispersion medium because the organic dispersion medium having polarity can stably disperse the surface-modified semiconductor nanoparticle phosphor.

本発明の発光性構造体における透光性基材3は、透光性を有し、細孔4を有する。このような透光性基材3を形成するための材料としては、たとえば主成分の少なくとも一つとしてシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、SiO、Al、ZnO、In、SnO、TiOなどが挙げられる。なお、図1には、透光性基材3が有する細孔4が、少なくともその一部が互いに連通するように形成された例を示している。このような透光性基材3として、市販品を用いても勿論よく、たとえばダイソーゲル(ダイソーケミカル(株)製)などが好適な例として挙げられる。透光性基材3の外形状は特に制限されるものではなく、球状(真球状、楕円球状)、棒状、角柱状、膜状などが挙げられる。 The translucent substrate 3 in the light emitting structure of the present invention has translucency and has pores 4. As a material for forming such a translucent base material 3, for example, at least one of main components is silicone resin, epoxy resin, SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, In 2 O 3 , SnO 2 , Examples thereof include TiO 2 . FIG. 1 shows an example in which the pores 4 of the translucent substrate 3 are formed so that at least some of them communicate with each other. Of course, a commercially available product may be used as such a translucent substrate 3, and for example, Daiso Gel (manufactured by Daiso Chemical Co., Ltd.) may be mentioned as a suitable example. The outer shape of the translucent substrate 3 is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape (true spherical shape, elliptic spherical shape), a rod shape, a prismatic shape, and a film shape.

本発明の発光性構造体1では、細孔4から透光性基材3の内部に液体分散媒を注入・保持させることができるため、液体分散媒に制限がなく、また、透光性基材の透光性により励起光および蛍光の取り込み・取り出しに際して発光効率を低下させずに高い発光効率と固体(粉末)としての取扱い性を両立させることができる。   In the luminescent structure 1 of the present invention, the liquid dispersion medium can be injected and held from the pores 4 into the translucent substrate 3, so that the liquid dispersion medium is not limited. Due to the translucency of the material, it is possible to achieve both high luminous efficiency and handleability as a solid (powder) without lowering the luminous efficiency when taking in and taking out excitation light and fluorescence.

(第2の実施態様の発光性構造体)
図3は、本発明の第2の実施態様の発光性構造体11を模式的に示す図である。なお、図3に示す例の発光性構造体11は、図1に示した例の発光性構造体1と一部を除き同様の構成を有しており、同様の構成を有する部分については同一の参照符を付して説明を省略する。
(Luminescent Structure of Second Embodiment)
FIG. 3 is a diagram schematically showing the luminescent structure 11 according to the second embodiment of the present invention. The example luminescent structure 11 shown in FIG. 3 has the same configuration as that of the example luminescent structure 1 shown in FIG. 1 except for a part thereof, and the same parts are the same. The description is abbreviate | omitted and attached | subjected.

図3に示す例の発光性構造体11は、液体分散媒が毛細管力により細孔中に保持されている。このように、本発明の発光性構造体は、液体分散媒が毛細管力により細孔中に保持されていることが好ましい。これにより、発光性構造体からの液体分散媒の液漏れを防ぎ、取扱い性が向上する。   In the example luminescent structure 11 shown in FIG. 3, the liquid dispersion medium is held in the pores by capillary force. Thus, in the luminescent structure of the present invention, it is preferable that the liquid dispersion medium is held in the pores by capillary force. Thereby, liquid leakage of the liquid dispersion medium from the light emitting structure is prevented, and the handleability is improved.

ここで、一般に、細孔を有する構造体は毛細管現象により液体分散媒を吸着、保持する働きを持つ。以下の関係式を満たすとき、毛細管現象により、内部の液体を保持することができる。   Here, in general, the structure having pores has a function of adsorbing and holding the liquid dispersion medium by capillary action. When the following relational expression is satisfied, the liquid inside can be held by capillary action.

M×g<2πr×T
M:液体分散媒の質量[kg]
g:重力加速度[m/s
r:細孔の半径[m]
T:液体/側表面の表面張力[N/m]
液体分散媒の種類と保持量、構造体の細孔径が上記関係を成立させたとき、毛細管現象が発現し、細孔からの液漏れを防ぎ、発光性構造体を粉末として取り扱うことが容易になる。
M × g <2πr 2 × T
M: Mass of liquid dispersion medium [kg]
g: Gravity acceleration [m / s 2 ]
r: radius of pore [m]
T: surface tension of liquid / side surface [N / m]
When the above relationship is established between the type and retention amount of the liquid dispersion medium and the pore diameter of the structure, capillary action appears, preventing liquid leakage from the pores, making it easy to handle the luminescent structure as powder Become.

(第3の実施態様の発光性構造体)
図4は、本発明の第3の実施態様の発光性構造体21を模式的に示す図である。なお、図4に示す例の発光性構造体21は、図1に示した例の発光性構造体1と一部を除き同様の構成を有しており、同様の構成を有する部分については同一の参照符を付して説明を省略する。図4に示す例の発光性構造体21における透光性基材22は、ポーラス構造を有する。ここで、ポーラス構造とは、透光性基材22の内部に多くの細孔を含むことを特徴とする構造である。
(Luminescent Structure of Third Embodiment)
FIG. 4 is a diagram schematically showing a luminescent structure 21 according to a third embodiment of the present invention. The example luminescent structure 21 shown in FIG. 4 has the same configuration as the luminescent structure 1 shown in FIG. 1 except for a part thereof, and the same configuration is applied to parts having the same configuration. The description is abbreviate | omitted and attached | subjected. The translucent substrate 22 in the light emitting structure 21 of the example shown in FIG. 4 has a porous structure. Here, the porous structure is a structure characterized by including many pores inside the translucent substrate 22.

透光性基材22がポーラス構造を有することで、細孔を多く含むため、細孔内へ液体分散媒を多く保持することができるという利点がある。さらに、蛍光体ナノ粒子蛍光体を液体分散媒に分散させ、ポーラス構造を有する透光性基材に保持させることで、得られた発光性構造体を固体の蛍光部材として取り扱うことが可能となり、発光性構造体を樹脂中に再分散させることが容易に行えるようになる。   Since the translucent substrate 22 has a porous structure, it includes a large number of pores, so that there is an advantage that a large amount of liquid dispersion medium can be held in the pores. Furthermore, by dispersing the phosphor nanoparticle phosphor in a liquid dispersion medium and holding it on a light-transmitting substrate having a porous structure, it becomes possible to handle the obtained luminescent structure as a solid fluorescent member, The light emitting structure can be easily redispersed in the resin.

ポーラス構造を有する透光性基材22を得るためには、たとえば、透光性基材の形成材料として水中でゾルゲル前駆体(金属アルコキシドなど)と界面活性剤を混合し、水分解や縮合などによりシリカのネットワークを形成し、熱処理により有機鋳型を除去すると細孔を持つシリカを主成分とするポーラス構造を有する透光性基材が得られる。あるいは、ポーラス構造を有する透光性基材3として市販品を用いても勿論よく、たとえばダイソーゲル(ダイソーケミカル(株)製)、M.S.GEL(AGCエスアイテック(株)製)などが好適な例として挙げられる。   In order to obtain the translucent substrate 22 having a porous structure, for example, a sol-gel precursor (metal alkoxide, etc.) and a surfactant are mixed in water as a material for forming the translucent substrate, and water decomposition or condensation is performed. By forming a silica network and removing the organic template by heat treatment, a translucent substrate having a porous structure mainly composed of silica with pores is obtained. Alternatively, as a matter of course, a commercially available product may be used as the translucent substrate 3 having a porous structure, for example, Daiso Gel (manufactured by Daiso Chemical Co., Ltd.), M.I. S. A suitable example is GEL (manufactured by AGC S-Tech Co., Ltd.).

(第4の実施態様の発光性構造体)
図5は、本発明の第4の実施態様の発光性構造体31を模式的に示す図である。なお、図5に示す例の発光性構造体31は、図1に示した例の発光性構造体1と一部を除き同様の構成を有しており、同様の構成を有する部分については同一の参照符を付して説明を省略する。
(Luminescent Structure of Fourth Embodiment)
FIG. 5 is a diagram schematically showing a luminescent structure 31 according to a fourth embodiment of the present invention. The light emitting structure 31 of the example shown in FIG. 5 has the same configuration as the light emitting structure 1 of the example shown in FIG. 1 except for a part, and the same parts are the same. The description is abbreviate | omitted and attached | subjected.

本発明の発光性構造体31は、図5に示す例のように、カプセル状の透光性基材32を用いてもよい。この場合、透光性基材32は、内部空間に連通する細孔33を有し、その内部空間には、細孔33を介して注入された、半導体ナノ粒子蛍光体2を分散させた液体分散媒5が収容されている。このようなカプセル状の透光性基材32を用いることで、図1に示した実施態様と比較して、体積当たりの空孔容量が大きく、半導体ナノ粒子蛍光体の液体分散媒の保持量を多くすることが容易であるというような利点がある。   The light-emitting structure 31 of the present invention may use a capsule-like translucent substrate 32 as in the example shown in FIG. In this case, the translucent substrate 32 has pores 33 communicating with the internal space, and the liquid in which the semiconductor nanoparticle phosphor 2 is injected into the internal space through the pores 33 is dispersed. A dispersion medium 5 is accommodated. By using such a capsule-like translucent base material 32, the pore volume per volume is large compared to the embodiment shown in FIG. 1, and the amount of the liquid dispersion medium retained in the semiconductor nanoparticle phosphor There is an advantage that it is easy to increase.

このようなカプセル状の透光性基材32は、たとえばシリカなどの材料で形成されたものを好適に用いることができる。またこのようなカプセル状の透光性基材32として市販品を用いても勿論よい。   As such a capsule-shaped translucent base material 32, what was formed, for example with materials, such as a silica, can be used suitably. Of course, a commercial product may be used as such a capsule-like translucent substrate 32.

(第5の実施態様の発光性構造体)
図6は、本発明の第5の実施態様の発光性構造体41を模式的に示す図である。なお、図6に示す例の発光性構造体41は、図1に示した例の発光性構造体1と一部を除き同様の構成を有しており、同様の構成を有する部分については同一の参照符を付して説明を省略する。
(Luminescent Structure of Fifth Embodiment)
FIG. 6 is a diagram schematically showing a luminescent structure 41 according to a fifth embodiment of the present invention. The light emitting structure 41 in the example shown in FIG. 6 has the same configuration as the light emitting structure 1 in the example shown in FIG. 1 except for a part thereof, and the parts having the same configuration are the same. The description is abbreviate | omitted and attached | subjected.

本発明の発光性構造体41は、図6に示す例のように、キャピラリ状(細孔を有する円筒状の構造体)の透光性基材43を備え、その内部空間(細孔)44に、半導体ナノ粒子蛍光体2を分散させた液体分散媒3を収容するように実現されてもよい。このようにキャピラリ状の透光性基材43を用いることで、図1に示した実施態様と比較して、アレイ化した励起光源とキャピラリを並べることで、エッジ型のディスプレイ用バックライトに容易に利用できるというような利点がある。   As shown in the example shown in FIG. 6, the light emitting structure 41 of the present invention includes a translucent base material 43 having a capillary shape (cylindrical structure having pores), and an internal space (pore) 44. In addition, the liquid dispersion medium 3 in which the semiconductor nanoparticle phosphor 2 is dispersed may be accommodated. By using the capillary-like translucent substrate 43 in this way, an arrayed excitation light source and capillaries are arranged side by side as compared with the embodiment shown in FIG. There is an advantage that can be used.

このようなキャピラリ状の透光性基材43は、たとえばシリカなどの材料で形成されたものを好適に用いることができる。またこのようなキャピラリ状の透光性基材43として市販品を用いても勿論よく、たとえばDURANキャピラリー(ショット日本(株)製)などが好適な例として挙げられる。   As such a capillary-like translucent base material 43, for example, a material formed of a material such as silica can be suitably used. Of course, a commercial product may be used as such a capillary-like translucent substrate 43, and for example, a DURAN capillary (manufactured by Shot Japan Co., Ltd.) may be mentioned as a suitable example.

(第6の実施態様の発光性構造体)
図7は、本発明の第6の実施態様の発光性構造体を模式的に示す図であり、図7(a)には、図4に示した例の発光性構造体21の変形例である発光性構造体21’、図7(b)には、図5に示した例の発光性構造体31の変形例である発光性構造体31’、図7(c)には、図6に示した例の発光性構造体41の変形例である発光性構造体41’をそれぞれ示している。なお、図7(a),(b),(c)に示す例の発光性構造体21’,31’,41’は、それぞれ細孔の開口を少なくとも覆う保護基材24,34,45をさらに備えること以外は同様の構成を有しており、同様の構成を有する部分については同一の参照符を付して説明を省略する。
(Luminescent Structure of Sixth Embodiment)
FIG. 7 is a diagram schematically showing a light emitting structure according to a sixth embodiment of the present invention. FIG. 7A shows a modification of the light emitting structure 21 of the example shown in FIG. A light emitting structure 21 ′, FIG. 7B shows a light emitting structure 31 ′ which is a modification of the light emitting structure 31 of the example shown in FIG. 5, and FIG. A light emitting structure 41 ′, which is a modification of the light emitting structure 41 of the example shown in FIG. Note that the light emitting structures 21 ′, 31 ′, and 41 ′ shown in FIGS. 7A, 7B, and 7C have protective substrates 24, 34, and 45 that cover at least the openings of the pores, respectively. The components have the same configuration except that they are further provided, and portions having the same configuration are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

このように、半導体ナノ粒子蛍光体2を分散させた液体分散媒5を、細孔23,33,44を有する透光性基材の内部に保持させた後、少なくとも細孔23,33,44を塞ぐように保護基材24,34,45で覆うことで、細孔内へのガスの侵入を防ぎ、半導体ナノ粒子蛍光体の発光効率の長期安定化が向上されるという効果が奏される。また、保護基材23,34,45を備えることで、発光性構造体からの液体分散媒の液漏れを物理的に防ぐことができ、取扱い性が向上する。   As described above, after the liquid dispersion medium 5 in which the semiconductor nanoparticle phosphor 2 is dispersed is held in the translucent base material having the pores 23, 33, 44, at least the pores 23, 33, 44. Covering with protective substrates 24, 34, and 45 so as to block the gas prevents the gas from entering the pores and improves the long-term stabilization of the luminous efficiency of the semiconductor nanoparticle phosphor. . Moreover, by providing the protective base materials 23, 34, and 45, liquid leakage of the liquid dispersion medium from the light emitting structure can be physically prevented, and handling properties are improved.

さらに、半導体ナノ粒子蛍光体を分散させた液体分散媒を直接保護基材で覆うことで保護基材内に内包させようとする場合には、内包させる液体分散媒に制限があり、たとえばコアセルベーション法など、内包させる方法も限られる。これに対し、図7に示した例の発光性構造体の場合、細孔を有する透光性基材に半導体ナノ粒子蛍光体を分散させた液体分散媒を保持させた状態で細孔の開口を少なくとも覆うように保護基材を設けるため、たとえば固体に膜を付ける要領で容易に保護基材を設けることができ、保護基材を設ける方法に特に制限はなく、また用いる液体分散媒の種類にも特に制限はない。   Furthermore, when the liquid dispersion medium in which the semiconductor nanoparticle phosphor is dispersed is directly covered with the protective base material to be included in the protective base material, the liquid dispersion medium to be included is limited. For example, the core cell There are also limited methods of inclusion, such as the basation method. On the other hand, in the case of the light emitting structure of the example shown in FIG. 7, the pore opening is maintained in a state in which the liquid dispersion medium in which the semiconductor nanoparticle phosphor is dispersed is held in the translucent substrate having pores. Since the protective base material is provided so as to cover at least the protective base material, for example, the protective base material can be easily provided in the manner of forming a film on the solid. There are no particular restrictions.

なお、保護基材は、少なくとも細孔を塞ぐように設けられていればよく、図7(a),(b)に示す例のように、発光性構造体の最外殻の全体を覆うように設けられていてもよいし、図7(c)に示す例のように、細孔のみを塞ぐように設けられていてもよい。   The protective substrate only needs to be provided so as to block at least the pores, and covers the entire outermost shell of the luminescent structure as in the example shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b). Or may be provided so as to block only the pores as in the example shown in FIG.

保護基材を形成する材料としては特に制限はなく、たとえば主成分の少なくとも一つとしてシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、SiO、Al、ZnO、In、SnO、TiOなどが挙げられる。中でも、加工性の良さと高い安定性から、シリコーン樹脂で形成された保護基材を用いることが好ましい。またこのような保護基材として市販品を用いても勿論よく、たとえばKER−2500(信越化学工業(株)製)などが好適な例として挙げられる。 The material for forming the protective substrate is not particularly limited. For example, as at least one of the main components, silicone resin, epoxy resin, SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, In 2 O 3 , SnO 2 , TiO 2 and the like can be used. Can be mentioned. Especially, it is preferable to use the protective base material formed with the silicone resin from the favorable workability and high stability. Of course, a commercially available product may be used as such a protective base material. For example, KER-2500 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) may be mentioned as a suitable example.

(第7の実施態様の発光性構造体)
図8は、本発明の第7の実施態様の発光性構造体51を模式的に示す図である。なお、図8に示す例の発光性構造体51は、図1に示した例の発光性構造体1と一部を除き同様の構成を有しており、同様の構成を有する部分については同一の参照符を付して説明を省略する。
(Luminescent Structure of Seventh Embodiment)
FIG. 8 is a diagram schematically showing a luminescent structure 51 according to a seventh embodiment of the present invention. The light emitting structure 51 in the example shown in FIG. 8 has the same configuration as the light emitting structure 1 in the example shown in FIG. 1 except for a part, and the same parts are the same. The description is abbreviate | omitted and attached | subjected.

図8に示す例の発光性構造体51は、透光性基材52がガスバリア性を有する。ここで、「ガスバリア性」とは、クーロメトリック法、ガスクロマトグラフ法などの方法で測定された酸素透過率が10000cc/m/day以下(より好適には、0〜300cc/m/dayの範囲内)であることを指す。このようなガスバリア性を有する透光性基材52を用いることで、細孔53の開口以外の部分についてはガスが細孔内に侵入しにくく、このため半導体ナノ粒子蛍光体がガスにより劣化しにくく、半導体ナノ粒子蛍光体の発光効率の長期安定化を図ることができるという利点がある。 In the light emitting structure 51 of the example shown in FIG. 8, the translucent substrate 52 has gas barrier properties. Here, the “gas barrier property” means that the oxygen permeability measured by a method such as a coulometric method or a gas chromatographic method is 10,000 cc / m 2 / day or less (more preferably, 0 to 300 cc / m 2 / day). (Within range). By using the translucent substrate 52 having such a gas barrier property, it is difficult for gas to enter the pores except for the openings of the pores 53, so that the semiconductor nanoparticle phosphor is deteriorated by the gas. There is an advantage that the emission efficiency of the semiconductor nanoparticle phosphor can be stabilized for a long period of time.

このようなガスバリア性を有する透光性基材52の形成材料としては、たとえば、主成分の少なくとも一つとして、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、SiO、Al、In、SnO、TiO、ZnOなどが挙げられる。中でも低酸素透過性を有することが好ましく、ガスバリア性を有する透光性基材として、変性シリコーン樹脂で形成された透光性基材を用いることが好ましい。また、このようなガスバリア性を有する透光性基材として市販品を用いても勿論よく、たとえばOE−7620(Dow Corning製)、SS−6503(サンユレック(株)製)などが好適な例として挙げられる。 As a material for forming such a light-transmitting substrate 52 having gas barrier properties, for example, at least one of the main components is silicone resin, epoxy resin, SiO 2 , Al 2 O 3 , In 2 O 3 , SnO 2. , TiO 2 , ZnO and the like. Among them, it is preferable to have low oxygen permeability, and it is preferable to use a translucent substrate formed of a modified silicone resin as a translucent substrate having gas barrier properties. Of course, commercially available products may be used as such a light-transmitting base material having gas barrier properties. For example, OE-7620 (manufactured by Dow Corning), SS-6503 (manufactured by Sanyu Rec Co., Ltd.) and the like are suitable examples. Can be mentioned.

(第8の実施態様の発光性構造体)
図9は、本発明の第8の実施態様の発光性構造体61を模式的に示す図である。なお、図9に示す例の発光性構造体61は、図1に示した例の発光性構造体1と一部を除き同様の構成を有しており、同様の構成を有する部分については同一の参照符を付して説明を省略する。
(Luminescent Structure of Eighth Embodiment)
FIG. 9 is a diagram schematically showing a luminescent structure 61 according to an eighth embodiment of the present invention. The light emitting structure 61 in the example shown in FIG. 9 has the same configuration as the light emitting structure 1 in the example shown in FIG. 1 except for a part thereof, and the parts having the same configuration are the same. The description is abbreviate | omitted and attached | subjected.

図9に示す例の発光性構造体61では、半導体ナノ粒子蛍光体を分散させる液体分散媒62として不揮発性の液体分散媒を用いている。ここで、「不揮発性」とは、高い沸点(好適には100℃以上)を有する液体を指す。このような不揮発性の液体分散媒の好適な例として、たとえばイソブチルアルコール、トルエン、キシレン、エチレングリコールモノエチルエーテルなどが挙げられる。   In the light emitting structure 61 of the example shown in FIG. 9, a non-volatile liquid dispersion medium is used as the liquid dispersion medium 62 in which the semiconductor nanoparticle phosphor is dispersed. Here, “nonvolatile” refers to a liquid having a high boiling point (preferably 100 ° C. or higher). Preferable examples of such a non-volatile liquid dispersion medium include isobutyl alcohol, toluene, xylene, ethylene glycol monoethyl ether and the like.

本発明では、第8の実施態様の発光性構造体のように、不揮発性の液体分散媒を用いてもよい。このような不揮発性の液体分散媒を用いることで、発光性構造体の細孔に保持させた状態で液体分散媒が気化しにくくなり、細孔内に保持された状態を保つことが容易となり、また、液体分散媒の蒸発による半導体ナノ粒子蛍光体の劣化を防ぐことができるという利点がある。   In the present invention, a non-volatile liquid dispersion medium may be used like the light emitting structure of the eighth embodiment. By using such a non-volatile liquid dispersion medium, the liquid dispersion medium is less likely to vaporize while being held in the pores of the light emitting structure, and it is easy to maintain the state held in the pores. In addition, there is an advantage that deterioration of the semiconductor nanoparticle phosphor due to evaporation of the liquid dispersion medium can be prevented.

(第9の実施態様の発光性構造体)
図10は、本発明の第9の実施態様の発光性構造体71を模式的に示す図である。なお、図10に示す例の発光性構造体71は、図1に示した例の発光性構造体1と一部を除き同様の構成を有しており、同様の構成を有する部分については同一の参照符を付して説明を省略する。
(Luminescent structure of ninth embodiment)
FIG. 10 is a diagram schematically showing a luminescent structure 71 according to a ninth embodiment of the present invention. The light emitting structure 71 in the example shown in FIG. 10 has the same configuration as the light emitting structure 1 in the example shown in FIG. 1 except for a part thereof, and the same parts are the same. The description is abbreviate | omitted and attached | subjected.

図10に示す例の発光性構造体71では、半導体ナノ粒子蛍光体を分散させる液体分散媒72としてイオン性液体を用いている。イオン性液体は蒸気圧をもたずほとんど気化することがない特徴を有し、不揮発性の液体分散媒よりさらに保持状態の保持が可能である。また、イオン性液体は半導体ナノ粒子蛍光体の表面を静電的に安定化させ凝集させずに安定分散させる効果があり、高い発光効率と輝度を示す発光性構造体が得られる。   In the example luminescent structure 71 shown in FIG. 10, an ionic liquid is used as the liquid dispersion medium 72 in which the semiconductor nanoparticle phosphor is dispersed. The ionic liquid has a characteristic that it does not have a vapor pressure and hardly evaporates, and the ionic liquid can be held in a more retained state than the non-volatile liquid dispersion medium. In addition, the ionic liquid has an effect of electrostatically stabilizing the surface of the semiconductor nanoparticle phosphor to stably disperse it without agglomeration, and a luminescent structure exhibiting high luminous efficiency and luminance can be obtained.

イオン性液体としては、たとえば2−(メタクリロイロキシ)−エチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、1−(3−アクリロイロキシ−プロピル)−3−メチルイミダゾリウムエチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、N,N,N−トリメチル−N−プロピルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、N,N−ジメチル−N−メチル−2−(2−メトキシエチル)アンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、1−アリル−3−ブチルイミダゾリウムテトラフルオロボラレート、1−メチル−3−オクチルイミダゾリウムヘキサフルオロフォスファートなどが挙げられる。これらの中でも、水など不純物を含むイオン性液体は半導体ナノ粒子蛍光体の長期安定性を低下させる傾向にあるため、イオン性液体として疎水性で水を容易に分離できるN,N,N−トリメチル−N−プロピルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを用いることが好ましい。   Examples of the ionic liquid include 2- (methacryloyloxy) -ethyltrimethylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, 1- (3-acryloyloxy-propyl) -3-methylimidazolium ethyltrimethylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl). Imido, N, N, N-trimethyl-N-propylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, N, N-dimethyl-N-methyl-2- (2-methoxyethyl) ammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, 1 -Allyl-3-butylimidazolium tetrafluoroborate, 1-methyl-3-octylimidazolium hexafluorophosphate and the like. Among these, since ionic liquids containing impurities such as water tend to lower the long-term stability of the semiconductor nanoparticle phosphor, N, N, N-trimethyl is hydrophobic as an ionic liquid and can easily separate water. It is preferable to use -N-propylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide.

(第10の実施態様の発光性構造体)
図11は、本発明の第10の実施態様の発光性構造体81を模式的に示す図である。なお、図11に示す例の発光性構造体81は、図1に示した例の発光性構造体1と一部を除き同様の構成を有しており、同様の構成を有する部分については同一の参照符を付して説明を省略する。
(Luminescent Structure of Tenth Embodiment)
FIG. 11 is a diagram schematically showing a luminescent structure 81 according to a tenth embodiment of the present invention. The light emitting structure 81 in the example shown in FIG. 11 has the same configuration as the light emitting structure 1 in the example shown in FIG. 1 except for a part, and the same parts are the same. The description is abbreviate | omitted and attached | subjected.

図11に示す例では、発光波長が380〜750nmの範囲内である(すなわち、可視光を発するバンドギャップを有する)半導体ナノ粒子蛍光体82を用いている。このような発光波長を有する半導体ナノ粒子蛍光体を用いることで、青色LEDなどの励起光源との組み合わせにより任意の色味の光源を得ることができるという利点がある。発光波長が380nm未満もしくは発光波長が750nmを超える半導体ナノ粒子蛍光体を用いた場合には、可視光領域外のために殆ど黒く見えるため任意の色味の光源を得るための蛍光体として適さない。   In the example shown in FIG. 11, a semiconductor nanoparticle phosphor 82 having an emission wavelength in the range of 380 to 750 nm (that is, having a band gap that emits visible light) is used. By using a semiconductor nanoparticle phosphor having such an emission wavelength, there is an advantage that a light source of an arbitrary color can be obtained by a combination with an excitation light source such as a blue LED. When a semiconductor nanoparticle phosphor having an emission wavelength of less than 380 nm or an emission wavelength of more than 750 nm is used, it appears to be almost black because it is outside the visible light region, so it is not suitable as a phosphor for obtaining a light source of any color. .

上述のような発光波長を有する半導体ナノ粒子蛍光体82としては、InP、InN、InAs、InSb、InBi、ZnO、In、Ga、ZrO、In、Ga、InSe、GaSe、InTe、GaTe、CdSe、CdTe、CdSなどから選ばれる少なくとも1種が挙げられる。なお、このような半導体ナノ粒子蛍光体82も、上述と同様に、球状、ロッド状、ワイヤ状など従来公知の適宜の形状の半導体ナノ粒子蛍光体を用いればよい。 Examples of the semiconductor nanoparticle phosphor 82 having the above-described emission wavelength include InP, InN, InAs, InSb, InBi, ZnO, In 2 O 3 , Ga 2 O 3 , ZrO 2 , In 2 S 3 , and Ga 2 S. 3 , at least one selected from In 2 Se 3 , Ga 2 Se 3 , In 2 Te 3 , Ga 2 Te 3 , CdSe, CdTe, CdS, and the like. In addition, the semiconductor nanoparticle phosphor 82 may be a semiconductor nanoparticle phosphor having a conventionally known appropriate shape such as a spherical shape, a rod shape, or a wire shape, as described above.

(第11の実施態様の発光性構造体)
図12は、本発明の第11の実施態様の発光性構造体91,101,102を模式的に示す図である。なお、図11に示す例の発光性構造体91,101,102は、図1に示した例の発光性構造体1と一部を除き同様の構成を有しており、同様の構成を有する部分については同一の参照符を付して説明を省略する。
(Luminescent structure of eleventh embodiment)
FIG. 12 is a diagram schematically showing the luminescent structures 91, 101, 102 according to the eleventh embodiment of the present invention. Note that the luminescent structures 91, 101, and 102 in the example shown in FIG. 11 have the same configuration except for a part of the luminescent structure 1 in the example shown in FIG. 1, and have the same configuration. Parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

複数の発光ピークを有するように発光性構造体を実現することで、目的とする発光スペクトルへの調整が容易であるという利点がある。たとえば、赤色の発光ピークと緑色の発光ピークを有する発光性構造体を用いることで、青色の励起光源と組み合わせた場合には、容易に演色性のよい白色光を実現することができる。複数の発光ピークを有するように発光性構造体を実現する方法としては、たとえば、図12(a)に示す例の発光性構造体91のように、互いに異なる発光ピークを有する2種類の半導体ナノ粒子蛍光体(たとえば、赤色を発光する半導体ナノ粒子蛍光体と緑色を発光する半導体ナノ粒子蛍光体)92,93を液体分散媒中に分散させるようにしてもよい。また、図12(b)に示す例のように、互いに異なる発光ピークを有する半導体ナノ粒子蛍光体(たとえば、赤色を発光する半導体ナノ粒子蛍光体と緑色を発光する半導体ナノ粒子蛍光体)92,93をそれぞれ分散させた液体分散媒を別の透光性基材3中に保持させた2種類の発光性構造体101,102を用いることで、複数の発光ピークを有する発光性構造体を実現するようにしてもよい。   By realizing the luminescent structure so as to have a plurality of emission peaks, there is an advantage that adjustment to a target emission spectrum is easy. For example, by using a light emitting structure having a red light emission peak and a green light emission peak, white light with good color rendering can be easily realized when combined with a blue excitation light source. As a method of realizing a light emitting structure having a plurality of light emission peaks, for example, two types of semiconductor nano-particles having light emission peaks different from each other, such as the light emitting structure 91 in the example shown in FIG. Particle phosphors (for example, semiconductor nanoparticle phosphors emitting red light and semiconductor nanoparticle phosphors emitting green light) 92 and 93 may be dispersed in a liquid dispersion medium. Further, as in the example shown in FIG. 12B, semiconductor nanoparticle phosphors having different emission peaks (for example, a semiconductor nanoparticle phosphor emitting red light and a semiconductor nanoparticle phosphor emitting green light) 92, By using two types of light emitting structures 101 and 102 in which a liquid dispersion medium in which 93 is dispersed is held in another translucent substrate 3, a light emitting structure having a plurality of light emission peaks is realized. You may make it do.

<発光装置>
(第12の実施態様の発光装置)
ここで、図13は、本発明の第12の実施態様の発光装置111を模式的に示す図である。本発明は、光源113と、上述した第1〜第11の実施態様のいずれかの発光性構造体が透光性を有する媒体115中に分散された波長変換部112とを備える発光装置(LEDパッケージ)111についても提供する。本発明の発光性構造体は取扱い性(ハンドリング性)がよく、現在利用されている蛍光体と同程度の大きさに作製することによって、現在商業利用されている蛍光体と同じような形態で、現行のプロセスを変更することなく利用することができる。図13に示す発光装置において、発光性構造体以外の光源113、透光性を有する媒体115、枠体114、リード線などは、従来公知の適宜のものを特に制限なく用いることができる。図13に示す例の本発明の発光装置111は、光源113がその凹部に搭載された枠体114を有し、前記波長変換部が、光源ごと凹部が前記媒体により充填されている。
<Light emitting device>
(Light-emitting device of 12th embodiment)
Here, FIG. 13 is a diagram schematically showing a light emitting device 111 according to a twelfth embodiment of the present invention. The present invention includes a light source (LED) and a wavelength conversion unit 112 in which the light emitting structure according to any of the first to eleventh embodiments described above is dispersed in a light transmitting medium 115 (LED). Package) 111 is also provided. The light-emitting structure of the present invention has good handleability (handling property), and is manufactured in the same form as a phosphor currently used commercially by making it to the same size as a phosphor currently used. Can be used without changing the current process. In the light-emitting device shown in FIG. 13, any conventionally known appropriate light source 113, translucent medium 115, frame 114, lead wire, and the like other than the light-emitting structure can be used without any particular limitation. The light emitting device 111 of the example of the present invention shown in FIG. 13 has a frame 114 in which a light source 113 is mounted in a recess, and the wavelength conversion unit is filled with the light source and the recess with the light source.

本発明の発光装置において、光源としては、特に制限されず、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)などを用いることができる。   In the light emitting device of the present invention, the light source is not particularly limited, and a light emitting diode (LED), a laser diode (LD), or the like can be used.

本発明の発光装置41において、光源113および発光性構造体を封入するための透光性を有する媒体としては、特に制限されず、エポキシ、シリコーンおよび(メタ)アクリレート、シリカガラス、シリカゲル、シロキサン、ゾルゲル、ヒドロゲル、アガロース、セルロース、エポキシ、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリビニル、ポリジアセチレン、ポリフェニレンビニレン、ポリスチレン、ポリピロール、ポリイミド、ポリイミダゾール、ポリスルホン、ポリチオフェン、ポリホスフェート、ポリ(メタ)アクリレート、ポリアクリルアミド、ポリペプチド、ポリサッカライドなどが挙げられる。これらを複数組み合わせて透光性を有する媒体として用いてもよい。   In the light-emitting device 41 of the present invention, the light-transmitting medium for encapsulating the light source 113 and the light-emitting structure is not particularly limited, and epoxy, silicone and (meth) acrylate, silica glass, silica gel, siloxane, Sol gel, hydrogel, agarose, cellulose, epoxy, polyether, polyethylene, polyvinyl, polydiacetylene, polyphenylene vinylene, polystyrene, polypyrrole, polyimide, polyimidazole, polysulfone, polythiophene, polyphosphate, poly (meth) acrylate, polyacrylamide, polypeptide And polysaccharides. A plurality of these may be used as a light-transmitting medium.

(第13の実施態様の発光装置)
ここで、図14は、本発明の第13の実施態様の発光装置121を模式的に示す図である。図14に示す例の発光装置121は、光源113がその凹部に搭載された枠体114を有し、前記波長変換部112が、凹部の開口の少なくとも一部を覆うフィルム状物122である。このようなフィルム状物122を波長変換部112として用いることで、図13に示したような、光源ごと凹部が前記媒体により充填されている場合と比較して、励起光源と波長変換部を、凹部内の空間を取り入れた配置にすることで励起光源からの熱の影響が緩和され、波長変換部に含まれる半導体ナノ粒子蛍光体の長期安定性が向上する効果が見込めるという利点がある。波長変換部として用いるフィルム状物は従来公知の適宜の材料、手法で製造することができ、その形成材料および製造方法は特に制限されるものではない。
(Light-emitting device of thirteenth embodiment)
Here, FIG. 14 is a diagram schematically showing a light emitting device 121 according to a thirteenth embodiment of the present invention. The light emitting device 121 of the example shown in FIG. 14 has a frame 114 in which a light source 113 is mounted in a recess, and the wavelength converter 112 is a film-like object 122 that covers at least a part of the opening of the recess. By using such a film-like material 122 as the wavelength conversion unit 112, the excitation light source and the wavelength conversion unit, as shown in FIG. The arrangement incorporating the space in the recesses has the advantage that the effect of heat from the excitation light source is mitigated, and the long-term stability of the semiconductor nanoparticle phosphor contained in the wavelength conversion unit can be improved. The film-like material used as the wavelength conversion part can be produced by a conventionally known appropriate material and method, and the forming material and the production method are not particularly limited.

1 発光性構造体、2 半導体ナノ粒子蛍光体、3 透光性基材、4 細孔、5 液体分散媒、11 発光性構造体、12 透光性基材、13 細孔、21 発光性構造体、22 透光性基材、23 細孔、31 発光性構造体、32 カプセル状の透光性基材、33 細孔、41 発光性構造体、43 キャピラリ状の透光性基材、44 細孔部、21’ 発光性構造体、24 保護基材、31’ 発光性構造体、34 保護基材、41’ 発光性構造体、45 保護基材、51 発光性構造体、52 透光性基材、53 細孔、61 発光性構造体、62 液体分散媒、71 発光性構造体、72 液体分散媒、81 発光性構造体、82 半導体ナノ粒子蛍光体、91 発光性構造体、92 半導体ナノ粒子蛍光体、93 半導体ナノ粒子蛍光体、101 発光性構造体、102 発光性構造体、111 発光装置、112 波長変換部、113 光源、114 枠体、115 媒体、121 発光装置、122 フィルム状物。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Luminescent structure, 2 Semiconductor nanoparticle fluorescent substance, 3 Translucent base material, 4 pore, 5 Liquid dispersion medium, 11 Luminescent structure, 12 Translucent base material, 13 Porous, 21 Luminous structure Body, 22 translucent substrate, 23 pores, 31 luminescent structure, 32 capsule-shaped translucent substrate, 33 pores, 41 luminescent structure, 43 capillary-shaped translucent substrate, 44 Pore part, 21 'luminescent structure, 24 protective substrate, 31' luminescent structure, 34 protective substrate, 41 'luminescent structure, 45 protective substrate, 51 luminescent structure, 52 translucent Substrate, 53 pores, 61 luminescent structure, 62 liquid dispersion medium, 71 luminescent structure, 72 liquid dispersion medium, 81 luminescent structure, 82 semiconductor nanoparticle phosphor, 91 luminescent structure, 92 semiconductor Nanoparticle phosphor, 93 Semiconductor nanoparticle phosphor, 101 Light emission Structure 102 emitting structure 111 light emitting devices, 112 wavelength converting unit, 113 light source, 114 frame, 115 medium, 121 light-emitting device, 122 film material.

Claims (14)

細孔を有する透光性基材と、
前記透光性基材の細孔中に保持された液体分散媒と、
前記液体分散媒中に分散された半導体ナノ粒子蛍光体とを備える、発光性構造体。
A translucent substrate having pores;
A liquid dispersion medium held in the pores of the translucent substrate;
A luminescent structure comprising a semiconductor nanoparticle phosphor dispersed in the liquid dispersion medium.
前記液体分散媒が毛細管力により細孔中に保持されている、請求項1に記載の発光性構造体。   The luminescent structure according to claim 1, wherein the liquid dispersion medium is held in the pores by a capillary force. 前記透光性基材がポーラス構造を有する、請求項1または2に記載の発光性構造体。   The luminescent structure according to claim 1, wherein the translucent substrate has a porous structure. 前記透光性基材がカプセル状である、請求項1または2に記載の発光性構造体。   The luminescent structure according to claim 1, wherein the translucent substrate is in a capsule shape. 前記透光性基材がキャピラリ状である、請求項1または2に記載の発光性構造体。   The luminescent structure according to claim 1 or 2, wherein the translucent substrate has a capillary shape. 前記細孔の開口を少なくとも覆う保護基材をさらに備える、請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光性構造体。   The luminescent structure according to any one of claims 1 to 5, further comprising a protective base material covering at least the opening of the pore. 前記透光性基材がガスバリア性を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光性構造体。   The luminescent structure according to any one of claims 1 to 6, wherein the translucent substrate has gas barrier properties. 前記液体分散媒が不揮発性である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光性構造体。   The luminescent structure according to claim 1, wherein the liquid dispersion medium is nonvolatile. 前記液体分散媒がイオン性液体である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光性構造体。   The luminescent structure according to any one of claims 1 to 7, wherein the liquid dispersion medium is an ionic liquid. 前記半導体ナノ粒子蛍光体の発光波長が380〜750nmの範囲内である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の発光性構造体。   The luminescent structure according to any one of claims 1 to 9, wherein an emission wavelength of the semiconductor nanoparticle phosphor is in a range of 380 to 750 nm. 複数の発光ピークを含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の発光性構造体。   The luminescent structure according to any one of claims 1 to 10, comprising a plurality of luminescence peaks. 光源と、請求項1〜11のいずれか1項に記載の発光性構造体が透光性を有する媒体中に分散された波長変換部とを備える、発光装置。   A light-emitting device provided with a light source and the wavelength conversion part by which the luminescent structure of any one of Claims 1-11 was disperse | distributed in the medium which has translucency. 光源がその凹部に搭載された枠体を有し、前記波長変換部が、光源ごと凹部が前記媒体により充填されている、請求項12に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 12, wherein the light source has a frame body mounted in the concave portion, and the wavelength conversion unit has the concave portion filled with the medium together with the light source. 光源がその凹部に搭載された枠体を有し、前記波長変換部が、凹部の開口の少なくとも一部を覆うフィルム状物である、請求項12に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 12, wherein the light source has a frame body mounted in the recess, and the wavelength conversion unit is a film-like object that covers at least a part of the opening of the recess.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017218574A (en) * 2016-06-07 2017-12-14 シャープ株式会社 Nanoparticle phosphor element and light-emitting element
JP2019184641A (en) * 2018-04-02 2019-10-24 シャープ株式会社 Wavelength conversion member and light-emitting device
WO2020004336A1 (en) * 2018-06-26 2020-01-02 東京応化工業株式会社 Liquid composition, quantum dot-containing film, optical film, luminescent display element panel, and luminescent display device

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0397639A (en) * 1989-09-08 1991-04-23 Hoya Corp Combined material containing dispersed fine particles and production thereof
WO2004110930A1 (en) * 2003-06-12 2004-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composite porous body containing nanoparticle and method for producing same
WO2006054402A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-26 National University Corporation NARA Institute of Science and Technology Composition containing semiconductor ultrafine particle and process for producing the same
WO2007080803A1 (en) * 2006-01-16 2007-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
US20080311380A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Ajjer Llc High refractive index materials and composites thereof
JP2013505347A (en) * 2009-09-23 2013-02-14 ナノコ テクノロジーズ リミテッド Encapsulated semiconductor nanoparticle-based material
WO2014147570A1 (en) * 2013-03-20 2014-09-25 Koninklijke Philips N.V. Encapsulated quantum dots in porous particles
WO2015050243A1 (en) * 2013-10-03 2015-04-09 国立大学法人名古屋工業大学 Composite material hollow particles and method for manufacturing same, and fluorescent material
WO2015140642A2 (en) * 2014-03-18 2015-09-24 Nanoco Technologies, Ltd Quantum dot compositions
WO2015187490A1 (en) * 2014-06-03 2015-12-10 3M Innovative Properties Company Particles with quantum dots and method of making the same
JP2016058172A (en) * 2014-09-08 2016-04-21 一般財団法人電力中央研究所 Light emitting element and electronic apparatus
JP2016062745A (en) * 2014-09-18 2016-04-25 一般財団法人電力中央研究所 Ionic element and electronic apparatus

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0397639A (en) * 1989-09-08 1991-04-23 Hoya Corp Combined material containing dispersed fine particles and production thereof
WO2004110930A1 (en) * 2003-06-12 2004-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composite porous body containing nanoparticle and method for producing same
WO2006054402A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-26 National University Corporation NARA Institute of Science and Technology Composition containing semiconductor ultrafine particle and process for producing the same
WO2007080803A1 (en) * 2006-01-16 2007-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
US20080311380A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Ajjer Llc High refractive index materials and composites thereof
JP2013505347A (en) * 2009-09-23 2013-02-14 ナノコ テクノロジーズ リミテッド Encapsulated semiconductor nanoparticle-based material
WO2014147570A1 (en) * 2013-03-20 2014-09-25 Koninklijke Philips N.V. Encapsulated quantum dots in porous particles
WO2015050243A1 (en) * 2013-10-03 2015-04-09 国立大学法人名古屋工業大学 Composite material hollow particles and method for manufacturing same, and fluorescent material
WO2015140642A2 (en) * 2014-03-18 2015-09-24 Nanoco Technologies, Ltd Quantum dot compositions
WO2015187490A1 (en) * 2014-06-03 2015-12-10 3M Innovative Properties Company Particles with quantum dots and method of making the same
JP2016058172A (en) * 2014-09-08 2016-04-21 一般財団法人電力中央研究所 Light emitting element and electronic apparatus
JP2016062745A (en) * 2014-09-18 2016-04-25 一般財団法人電力中央研究所 Ionic element and electronic apparatus

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017218574A (en) * 2016-06-07 2017-12-14 シャープ株式会社 Nanoparticle phosphor element and light-emitting element
JP2019184641A (en) * 2018-04-02 2019-10-24 シャープ株式会社 Wavelength conversion member and light-emitting device
WO2020004336A1 (en) * 2018-06-26 2020-01-02 東京応化工業株式会社 Liquid composition, quantum dot-containing film, optical film, luminescent display element panel, and luminescent display device
JPWO2020004336A1 (en) * 2018-06-26 2021-08-05 東京応化工業株式会社 Liquid composition, quantum dot-containing film, optical film, light emitting display element panel, and light emitting display device
EP3812805A4 (en) * 2018-06-26 2021-09-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Liquid composition, quantum dot-containing film, optical film, luminescent display element panel, and luminescent display device
JP7119087B2 (en) 2018-06-26 2022-08-16 東京応化工業株式会社 Liquid composition, quantum dot-containing film, optical film, light-emitting display element panel, and light-emitting display device
US11542397B2 (en) 2018-06-26 2023-01-03 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Liquid composition, quantum dot-containing film, optical film, light-emitting display element panel, and light-emitting display device
TWI822806B (en) * 2018-06-26 2023-11-21 日商東京應化工業股份有限公司 Liquid compositions, films containing quantum dots, optical films, light-emitting display element panels and light-emitting display devices

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