JP2017097362A - Patterning apparatus, method for controlling positioning device, and method for manufacturing article - Google Patents

Patterning apparatus, method for controlling positioning device, and method for manufacturing article Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a patterning apparatus capable of improving a positioning accuracy more than before in a positioning device which switches a position measurement means.SOLUTION: The present invention is related to a patterning apparatus for forming a pattern to a first region and a second region of a substrate on a movable body. In a positioning device for positioning a movable body, a control means controls a driving means capable of driving the movable body in a first direction on the basis of a control deviation corresponding to position-commanding information in a first direction of the movable body and position information, and a control parameter having a predetermined value, and changes a value of the control parameter by a timing different from that for switching position information used for controlling a driving means after forming a pattern to the first region and before beginning to form a pattern to the second region when switching position information used for controlling the movable body to position information obtained by measurement of a second measurement means from position information obtained by measurement of a first measurement means.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、移動体を位置決めする位置決め装置を有するパターニング装置に関する。また、このようなパターニング装置における位置決め装置の制御方法、あるいは物品の製造方法に関する。   The present invention relates to a patterning device having a positioning device for positioning a moving body. The present invention also relates to a method for controlling a positioning device in such a patterning device or a method for manufacturing an article.

半導体デバイスや液晶デバイス等を製造するためのリソグラフィ装置では、従来から、基板や原版を搭載するステージを位置決めする位置決め装置が用いられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in a lithography apparatus for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal device, etc., a positioning apparatus that positions a stage on which a substrate or an original plate is mounted has been used.

特許文献1には、ステージのZ軸方向(投影光学系の光軸に沿う方向)における位置を計測するための位置計測手段として干渉計を用いることが記載されている。干渉計からのZ軸方向に進む計測光は、ステージの上面に配置されたミラーに反射され、干渉計は、反射された光と参照光との干渉により生じる干渉縞から位置を計測する。   Patent Document 1 describes that an interferometer is used as position measurement means for measuring the position of the stage in the Z-axis direction (direction along the optical axis of the projection optical system). The measurement light traveling in the Z-axis direction from the interferometer is reflected by a mirror disposed on the upper surface of the stage, and the interferometer measures the position from the interference fringes generated by the interference between the reflected light and the reference light.

また、特許文献1には、複数の干渉計および複数のミラーをステージのXY方向位置に応じて切り替えて用いることが記載されている。このように複数の干渉計および複数のミラーを切り替えて用いることで、一方の干渉計からの計測光が投影光学系によって遮蔽されたとしても他方の干渉計からの計測光を用いてステージの位置を計測することができる。   Patent Document 1 describes that a plurality of interferometers and a plurality of mirrors are switched and used in accordance with the XY direction position of the stage. Thus, by switching between a plurality of interferometers and a plurality of mirrors, even if the measurement light from one interferometer is shielded by the projection optical system, the position of the stage is measured using the measurement light from the other interferometer. Can be measured.

干渉計で検出されたステージのZ軸方向位置は、ステージの位置フィードバック制御に用いられるが、特許文献1はZ軸方向位置フィードバック制御の詳細について言及していない。   The Z-axis direction position of the stage detected by the interferometer is used for stage position feedback control, but Patent Document 1 does not mention the details of the Z-axis direction position feedback control.

特開2002−319541号公報JP 2002-319541 A

近年、リソグラフィ装置に対して、解像度、オーバーレイ精度をさらに向上させることが要求されており、位置決め装置にはさらに高い位置決め性能が求められている。   In recent years, it has been required for the lithography apparatus to further improve the resolution and overlay accuracy, and the positioning apparatus is required to have higher positioning performance.

本発明は、位置計測手段を切り替えて用いる位置決め装置において、従来よりも位置決め精度を高めることが可能な位置決め装置を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a positioning apparatus that can improve positioning accuracy as compared with the conventional positioning apparatus that uses position measuring means by switching.

本発明にかかるパターニング装置は、移動体の第1方向の位置を計測しながら移動体を位置決めする位置決め装置を有し、前記移動体上に配置された基板の第1領域に対してパターンの形成を行い、前記第1領域に対するパターンの形成のあと前記位置決め装置が前記移動体を前記第1方向と交差する第2方向に移動させてから前記基板の第2領域に対してパターンの形成を行うパターニング装置であって、前記位置決め装置は、前記移動体の第1方向における位置を計測可能な第1計測手段及び第2計測手段と、前記移動体を前記第1方向に駆動可能な駆動手段と、前記第1計測手段または前記第2計測手段により計測された前記移動体の前記第1方向における位置を示す位置情報に基づいて、前記駆動手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記移動体の前記第1方向における位置指令情報と前記位置情報とに応じた制御偏差と、所定の値に設定された制御パラメータと、に基づいて前記駆動手段を制御し、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報を、前記第1計測手段の計測により得られた位置情報から前記第2計測手段の計測により得られた位置情報へ切り替える場合、前記第1領域に対するパターンの形成を終えた後且つ前記第2領域に対するパターンの形成の開始前の、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報の切り替えとは異なるタイミングで、前記制御パラメータの値を変更することを特徴とする。   A patterning device according to the present invention includes a positioning device that positions a moving body while measuring a position of the moving body in a first direction, and forms a pattern on a first region of a substrate disposed on the moving body. After the pattern is formed on the first region, the positioning device moves the moving body in the second direction intersecting the first direction, and then forms the pattern on the second region of the substrate. A patterning device, wherein the positioning device includes a first measuring unit and a second measuring unit capable of measuring a position of the moving body in a first direction, and a driving unit capable of driving the moving body in the first direction. Control means for controlling the driving means based on position information indicating the position of the movable body in the first direction measured by the first measuring means or the second measuring means. The control means controls the driving means based on a control deviation according to position command information in the first direction of the moving body and the position information, and a control parameter set to a predetermined value, When the position information used for controlling the driving means is switched from the position information obtained by the measurement of the first measuring means to the position information obtained by the measurement of the second measuring means, the pattern information for the first region is changed. The value of the control parameter is changed at a timing different from the switching of the position information used for controlling the driving unit after the formation is completed and before the formation of the pattern for the second region is started. .

本発明によれば、位置計測手段を切り替えて用いる位置決め装置を有するパターニング装置において、従来よりも位置決め装置の位置決め精度を高めることが可能なパターニング装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the patterning apparatus which has the positioning apparatus which switches and uses a position measurement means, the patterning apparatus which can raise the positioning accuracy of a positioning apparatus compared with the past can be provided.

半導体露光装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of a semiconductor exposure apparatus. ウエハステージの周辺の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the periphery of a wafer stage. 半導体露光装置の制御部を示す図である。It is a figure which shows the control part of a semiconductor exposure apparatus. 位置制御の制御ブロックを示す図である。It is a figure which shows the control block of position control. 制御パラメータの切り替えにより生じる制御偏差を示す図である。It is a figure which shows the control deviation which arises by switching of a control parameter. ウエハ上の複数のショット領域を示す図である。It is a figure which shows the several shot area | region on a wafer. 制御パラメータの変更のタイミングを示す図である。It is a figure which shows the timing of a change of a control parameter. 位置決め方法のフローを説明する図である。It is a figure explaining the flow of the positioning method.

(実施例1)
図1は、半導体露光装置100を示す図である。図2は、図1におけるウエハステージ10の周辺を示す斜視図である。本実施例では、ステップ・アンド・スキャン型の露光装置(パターニング装置)を説明する。
Example 1
FIG. 1 is a view showing a semiconductor exposure apparatus 100. FIG. 2 is a perspective view showing the periphery of the wafer stage 10 in FIG. In this embodiment, a step-and-scan type exposure apparatus (patterning apparatus) will be described.

半導体露光装置100には、転写すべきパターンが形成されたレチクル(原版)と、感光剤が塗布されたウエハ(基板)が搬入される。照明系32は、レチクルステージ33に搭載された不図示のレチクルをスリット光で照明し、投影系34は、レチクルのパターン像をウエハステージ10(位置決め装置)に搭載された不図示のウエハ上に投影する。レチクルステージ33とウエハステージ10を走査方向(Y軸方向)に同期して移動させることで、レチクルのパターンを感光剤が塗布されたウエハ上に転写する。本実施例では、照明系32、投影系34によりウエハにパターン(感光剤への潜像を含む)を形成するためのパターニング手段を構成する。   The semiconductor exposure apparatus 100 carries in a reticle (original) on which a pattern to be transferred is formed and a wafer (substrate) coated with a photosensitive agent. The illumination system 32 illuminates a reticle (not shown) mounted on the reticle stage 33 with slit light, and the projection system 34 places a pattern image of the reticle on a wafer (not shown) mounted on the wafer stage 10 (positioning device). Project. By moving the reticle stage 33 and the wafer stage 10 in synchronization with the scanning direction (Y-axis direction), the reticle pattern is transferred onto the wafer coated with the photosensitive agent. In this embodiment, patterning means for forming a pattern (including a latent image on the photosensitive agent) on the wafer by the illumination system 32 and the projection system 34 is configured.

ウエハステージ10は、定盤41に対してX軸方向に長ストロークで移動可能なXステージ31と、Xステージに対してY方向に長ストロークで移動可能なYステージ40を備える。さらに、Yステージ40に対して短ストロークにX軸方向、Y軸方向、Z軸方向(投影系の光軸方向)、ωx方向、ωy方向、ωz方向(以下、6軸方向と称する)に移動可能なトップステージ(移動体)27を備える。   The wafer stage 10 includes an X stage 31 that can move with a long stroke in the X-axis direction with respect to the surface plate 41 and a Y stage 40 that can move with a long stroke in the Y direction with respect to the X stage. Further, it moves in a short stroke with respect to the Y stage 40 in the X-axis direction, Y-axis direction, Z-axis direction (projection optical axis direction), ωx direction, ωy direction, and ωz direction (hereinafter referred to as 6-axis direction). A possible top stage (moving body) 27 is provided.

ここで、ωx方向はX軸回りの回転方向、ωy方向はY軸回りの回転方向、ωz方向はZ軸回りの回転方向を示す。ウエハを保持するウエハチャック(保持手段)26は、トップステージ27上に搭載されている。   Here, the ωx direction indicates the rotation direction around the X axis, the ωy direction indicates the rotation direction around the Y axis, and the ωz direction indicates the rotation direction around the Z axis. A wafer chuck (holding means) 26 that holds the wafer is mounted on a top stage 27.

Xステージ31は、Xリニアモータ42により駆動され、Xリニアモータ42は、定盤41上に配置された複数のコイル(固定子)と、Xステージ31に設けられた永久磁石(可動子)とを有する。Yステージ40は、Yリニアモータ35により駆動され、Yリニアモータ35は、Xステージ31上に配置された複数のコイル(固定子)と、Yステージ40に設けられた永久磁石(可動子)と、を有する。Xステージ31とYステージ40との間には軸受が構成され、Xリニアモータ42の駆動によりXステージ31とYステージ40は一体でX方向に移動する。Yステージ40およびXステージ31は、定盤41上に気体軸受を介して支持される。   The X stage 31 is driven by an X linear motor 42, and the X linear motor 42 includes a plurality of coils (stator) disposed on the surface plate 41, and a permanent magnet (movable element) provided on the X stage 31. Have The Y stage 40 is driven by a Y linear motor 35. The Y linear motor 35 includes a plurality of coils (stator) disposed on the X stage 31, and a permanent magnet (movable element) provided on the Y stage 40. Have. A bearing is formed between the X stage 31 and the Y stage 40, and the X stage 31 and the Y stage 40 move together in the X direction by driving the X linear motor 42. The Y stage 40 and the X stage 31 are supported on the surface plate 41 via a gas bearing.

トップステージ27は、複数のリニアモータにより6軸方向に駆動される。本実施例では、X軸方向用のXリニアモータを2つ、Y軸方向用のYリニアモータを1つ、Z軸方向用のZリニアモータ44(駆動手段)を3つが設けられる(図1では、Zリニアモータ44のみ図示している)。各リニアモータは、Yステージ40上に配置されたコイル(固定子)と、トップステージ27に設けられた永久磁石(可動子)と、を有する。また、トップステージ27は、不図示の自重支持機構により、Yステージ40上に浮上した状態で支持される。   The top stage 27 is driven in six axial directions by a plurality of linear motors. In this embodiment, two X linear motors for the X axis direction, one Y linear motor for the Y axis direction, and three Z linear motors 44 (drive means) for the Z axis direction are provided (FIG. 1). Only the Z linear motor 44 is illustrated). Each linear motor has a coil (stator) disposed on the Y stage 40 and a permanent magnet (movable element) provided on the top stage 27. Further, the top stage 27 is supported in a state of floating on the Y stage 40 by a self-weight support mechanism (not shown).

投影系34は、複数の光学素子と、複数の光学素子を収納した鏡筒とを有し、鏡筒支持体35により支持されている。鏡筒支持体35は、エアマウント36を介してベース部材38上に支持され、定盤41は、エアマウント37を介してベース部材38上に支持される。エアマウント36、37は、例えば、公知の能動的(アクティブ)除振装置である。このような能動的除振装置は、床からベース部材38を介して伝わる振動を低減するとともに、内臓アクチュエータとセンサにより鏡筒支持体35、定盤41上で物体が移動することによって生じる振動を抑制する。   The projection system 34 includes a plurality of optical elements and a lens barrel that houses the plurality of optical elements, and is supported by a lens barrel support 35. The lens barrel support 35 is supported on the base member 38 via the air mount 36, and the surface plate 41 is supported on the base member 38 via the air mount 37. The air mounts 36 and 37 are, for example, known active vibration isolation devices. Such an active vibration isolator reduces vibrations transmitted from the floor via the base member 38, and vibrations generated by the movement of an object on the lens barrel support 35 and the surface plate 41 by the built-in actuator and sensor. Suppress.

また、ウエハステージ10は、トップステージ27の位置を計測する干渉計(位置計測手段)を備える。X干渉計24a,24bは、X軸方向に進む計測光をトップステージ27上のミラー29に照射し、反射された光と参照光との干渉により生じる干渉縞からトップステージ27のX軸方向位置を計測(検出)する。Y干渉計23a、23b、23cは、Y軸方向に進む計測光をトップステージ27上のミラー28に照射し、反射された光と参照光との干渉により生じる干渉縞からトップステージ27のY軸方向位置を計測(検出)する。また、X干渉計24aと24bの計測値の差分を用いて、トップステージ27のωy方向位置を計測し、Y干渉計23aと23bの計測値の差分を用いて、トップステージ27のωx方向位置を計測する。さらに、Y干渉計23bと23cの計測値の差分を用いて、トップステージ27のωz方向位置を計測する。   Further, the wafer stage 10 includes an interferometer (position measuring means) that measures the position of the top stage 27. The X interferometers 24a and 24b irradiate the mirror 29 on the top stage 27 with measurement light traveling in the X-axis direction, and the position of the top stage 27 in the X-axis direction from interference fringes caused by interference between the reflected light and the reference light. Is measured (detected). The Y interferometers 23a, 23b, and 23c irradiate the measurement light traveling in the Y-axis direction onto the mirror 28 on the top stage 27, and the Y-axis of the top stage 27 from the interference fringes generated by the interference between the reflected light and the reference light. Measure (detect) the direction position. Further, the ωy direction position of the top stage 27 is measured using the difference between the measurement values of the X interferometers 24a and 24b, and the ωx direction position of the top stage 27 is measured using the difference between the measurement values of the Y interferometers 23a and 23b. Measure. Further, the position of the top stage 27 in the ωz direction is measured using the difference between the measured values of the Y interferometers 23b and 23c.

Z干渉計25a,25bは、Z軸方向に進む計測光をトップステージ27上のミラー30a,30bに照射し、反射された光と参照光との干渉により生じる干渉縞からトップステージ27のZ軸方向位置を計測(検出)する。Z干渉計25aからの計測光は、鏡筒支持体35に固定されたミラー21a,22aを介してミラー30aに照射され、ミラー30aで反射された計測光はミラー21a,22aを介して干渉計25aに導かれる。同様に、Z干渉計25bからの計測光は、鏡筒支持体35に固定されたミラー21b,22bを介してミラー30bに照射され、ミラー30bで反射された計測光はミラー21b,22bを介して干渉計25bに導かれる。また、干渉計25aからの参照光はミラー21aを介してミラー22aに照射され、ミラー22aで反射された参照光がミラー21aを介して干渉計25aに導かれる。同様に、干渉計25bからの参照光はミラー21bを介してミラー22bに照射され、ミラー22bで反射された参照光がミラー21bを介して干渉計25bに導かれる。   The Z interferometers 25a and 25b irradiate measurement light traveling in the Z-axis direction onto the mirrors 30a and 30b on the top stage 27, and the Z-axis of the top stage 27 from interference fringes generated by interference between the reflected light and the reference light. Measure (detect) the direction position. The measurement light from the Z interferometer 25a is irradiated onto the mirror 30a via the mirrors 21a and 22a fixed to the lens barrel support 35, and the measurement light reflected by the mirror 30a passes through the mirrors 21a and 22a. 25a. Similarly, the measurement light from the Z interferometer 25b is irradiated to the mirror 30b via the mirrors 21b and 22b fixed to the lens barrel support 35, and the measurement light reflected by the mirror 30b passes through the mirrors 21b and 22b. Is guided to the interferometer 25b. Further, the reference light from the interferometer 25a is applied to the mirror 22a via the mirror 21a, and the reference light reflected by the mirror 22a is guided to the interferometer 25a via the mirror 21a. Similarly, the reference light from the interferometer 25b is irradiated to the mirror 22b via the mirror 21b, and the reference light reflected by the mirror 22b is guided to the interferometer 25b via the mirror 21b.

ミラー30a,30bはY軸方向に沿って長い形状であり、ミラー21a,21b,22a,22bはX軸方向に沿って長い形状であり、Z干渉計25a,25bはXステージ31上に配置されている。このような構成により、トップステージ27のXY方向の位置に関わらず、ミラー30aまたはミラー30bに計測光を照射することができる。ミラー22a,22bの間には投影系34が配置されており、ミラー30a,30bの一方の上方に投影系34が位置する場合には、他方のミラーを用いて位置を計測することができる。なお、Xステージ31にZ干渉計25a,25bを設ける代わりにミラーやプリズムを設けて、外部に配置されたZ干渉計25a,25bからの計測光および参照光をこれらの光学部材によりミラー21a,22aへ導光してもよい。   The mirrors 30a and 30b have a long shape along the Y-axis direction, the mirrors 21a, 21b, 22a and 22b have a long shape along the X-axis direction, and the Z interferometers 25a and 25b are disposed on the X stage 31. ing. With such a configuration, the mirror 30a or the mirror 30b can be irradiated with measurement light regardless of the position of the top stage 27 in the XY direction. A projection system 34 is disposed between the mirrors 22a and 22b. When the projection system 34 is positioned above one of the mirrors 30a and 30b, the position can be measured using the other mirror. Instead of providing the Z interferometers 25a and 25b on the X stage 31, mirrors and prisms are provided, and the measurement light and reference light from the Z interferometers 25a and 25b arranged outside are mirrored by these optical members to the mirrors 21a and 25b. You may guide to 22a.

トップステージ27とYステージ40との間には、位置センサ(不図示)が設けられている。本実施形態では、位置センサとしてリニアエンコーダを用いている。3箇所に設けられたリニアエンコーダにより、Yステージ40に対するトップステージ27のZ軸方向、ωx方向、ωy方向における位置を計測可能である。このリニアエンコーダは、ミラー30a、30bの面形状を計測、補正するキャリブレーションにおいて用いられ、代わりに静電容量センサなどを用いることもできる。   A position sensor (not shown) is provided between the top stage 27 and the Y stage 40. In this embodiment, a linear encoder is used as the position sensor. The positions of the top stage 27 with respect to the Y stage 40 in the Z-axis direction, the ωx direction, and the ωy direction can be measured by the linear encoders provided at three locations. This linear encoder is used in calibration for measuring and correcting the surface shapes of the mirrors 30a and 30b, and a capacitance sensor or the like can be used instead.

半導体露光装置100は、CPU、メモリ等を含む制御部50を備える。図3は、制御部50の詳細を示す図である。なお、以下の説明では、トップステージ27のZ軸方向位置の制御について説明する。   The semiconductor exposure apparatus 100 includes a control unit 50 including a CPU, a memory, and the like. FIG. 3 is a diagram illustrating details of the control unit 50. In the following description, control of the position of the top stage 27 in the Z-axis direction will be described.

制御部50は、主制御部51と、ステージ制御部52と、を有する。主制御部51は、半導体露光装置の全体のシーケンスを制御し、ステージ制御部52に対して、位置指令情報を送信する。なお、位置指令情報を送信する代わりに、位置指令情報を生成するために必要な情報を送信し、ステージ制御部52が位置指令情報を生成してもよい。また、半導体露光装置は、基板の表面のZ軸方向位置を検出するフォーカス検出部を備えており、主制御部51の代わりにフォーカス検出部から位置指令情報Zを取得してもよい。 The control unit 50 includes a main control unit 51 and a stage control unit 52. The main control unit 51 controls the entire sequence of the semiconductor exposure apparatus and transmits position command information to the stage control unit 52. Instead of transmitting the position command information, information necessary for generating the position command information may be transmitted, and the stage control unit 52 may generate the position command information. The semiconductor exposure apparatus is provided with a focus detection unit for detecting the Z-axis direction position of the surface of the substrate, the position command information Z r from the focus detecting unit may acquire the place of the main control unit 51.

ステージ制御部52(制御手段)は、PID制御部53と、制御パラメータ変更部(変更手段)54と、切り替え部(切り替え手段)55と、を備える。ステージ制御部52は、主制御部51から位置指令情報を取得し、干渉計25a,25bからトップステージ27の位置情報(位置計測情報)を取得し、取得された位置指令情報と位置情報とにもとづいて、トップステージ27の位置をフィードバック制御する。   The stage control unit 52 (control unit) includes a PID control unit 53, a control parameter change unit (change unit) 54, and a switching unit (switching unit) 55. The stage control unit 52 acquires position command information from the main control unit 51, acquires position information (position measurement information) of the top stage 27 from the interferometers 25a and 25b, and acquires the acquired position command information and position information. First, the position of the top stage 27 is feedback controlled.

図4は、トップステージ27の位置制御を示す制御ブロック図である。位置指令情報Zrに対して干渉計25aまたは25bからの位置情報Zmがフィードバックされ、制御偏差ezがPID制御部53に入力される。PID制御部53は、所定の値に設定可能な制御パラメータと、制御偏差ezと、にもとづいて、リニアモータ44を駆動するための制御入力uzを生成する。制御対象は、ドライバ43、リニアモータ44、トップステージ27、を含み、制御入力はドライバ43に入力される。本実施形態において、制御パラメータは、制御偏差ezに対する制御入力のuzの感度を示し、例えば、比例ゲインKp、積分ゲインKi、微分ゲインKdのいずれか、あるいは少なくとも2つの組み合わせである。なお、Z軸方向以外の方向の位置制御についても、干渉計の切り替えがないことを除き同様のフィードバック制御が行われる。   FIG. 4 is a control block diagram showing the position control of the top stage 27. The position information Zm from the interferometer 25 a or 25 b is fed back to the position command information Zr, and the control deviation ez is input to the PID control unit 53. The PID control unit 53 generates a control input uz for driving the linear motor 44 based on the control parameter that can be set to a predetermined value and the control deviation ez. Control targets include a driver 43, a linear motor 44, and a top stage 27, and a control input is input to the driver 43. In the present embodiment, the control parameter indicates the sensitivity of the control input uz with respect to the control deviation ez, and is, for example, any one of the proportional gain Kp, the integral gain Ki, the differential gain Kd, or a combination of at least two. Note that the same feedback control is performed for position control in directions other than the Z-axis direction except that there is no interferometer switching.

切り替え部55は、制御入力uの生成において使用する干渉計を、干渉計25aから干渉計25bに、あるいは、干渉計25bから干渉計25aに切り替える。 Switching unit 55, an interferometer for use in the generation of the control input u z, the interferometer 25b from the interferometer 25a, or switching to the interferometer 25a from the interferometer 25b.

例えば、ミラー30aの上方に投影系34が位置する場合、干渉計25aからの計測光が投影系34に遮られてしまい、計測ができないことがある。そこで、切り替え部55は、トップステージ27のX軸方向(またはXY方向)の位置情報に基づいて、制御指令の生成に用いる干渉計を切り替える。トップステージ27のX軸方向の位置情報は、干渉計24a,24bから取得されるものであってもよく、主制御部51から取得される位置指令情報であってもよい。また、切り替えに用いる情報は、ショット領域を特定する情報であってもよく、トップステージ27のX軸方向の位置に相関のある情報であればよい。   For example, when the projection system 34 is located above the mirror 30a, measurement light from the interferometer 25a may be blocked by the projection system 34, and measurement may not be possible. Therefore, the switching unit 55 switches the interferometer used for generating the control command based on the position information of the top stage 27 in the X-axis direction (or XY direction). The position information of the top stage 27 in the X-axis direction may be acquired from the interferometers 24 a and 24 b or may be position command information acquired from the main control unit 51. Further, the information used for switching may be information for specifying a shot area, and may be information having a correlation with the position of the top stage 27 in the X-axis direction.

干渉計の切り替えは、干渉計25a,25bにより同時に計測が可能な位置にトップステージ27が位置するときに、切り替え前に用いていた一方の干渉計の計測値を、切り替え後に用いる他方の干渉計に引き渡すことで行われる。   The interferometer is switched when the top stage 27 is located at a position where the interferometers 25a and 25b can simultaneously measure the other interferometer used after switching the measured value of the one interferometer used before the switching. It is done by handing over to.

制御パラメータ変更部54は、PID制御部53に設定された制御パラメータを変更する。本実施例では、メモリ(記憶手段)に予め2つの値を記憶しておき、2つの値を切り替えてPID制御部53の設定値(第1の設定値と第2の設定値)とすることで、制御パラメータを変更する。制御パラメータの変更は、干渉計の切り替えに応じて行われる。なお、本明細書において、「切り替えに応じて」は、干渉計の切り替え後に制御パラメータが変更される場合に限らず、切り替えの前に制御パラメータが変更される場合も包括する意味で用いている。制御パラメータを変更することにより、干渉計の切り替えによりフィードバック制御系の制御特性が変化した場合であっても高い制御性能を得ることができる。すなわち、位置決め装置が高い位置決め精度を得ることが可能となる。また、本実施例のように干渉計の切り替えとともに使用されるミラーも切り替わる構成においては特に、切り替えにともなう制御特性の変化が大きいため、本発明による位置決め精度向上の効果は大きい。   The control parameter changing unit 54 changes the control parameter set in the PID control unit 53. In the present embodiment, two values are stored in advance in a memory (storage means), and the two values are switched to be set values of the PID control unit 53 (first set value and second set value). Change the control parameters. The change of the control parameter is performed according to the switching of the interferometer. In this specification, “according to switching” is used not only in the case where the control parameter is changed after the interferometer is switched, but also in the case where the control parameter is changed before the switching. . By changing the control parameter, high control performance can be obtained even when the control characteristics of the feedback control system change due to the switching of the interferometer. That is, the positioning device can obtain high positioning accuracy. Also, in the configuration in which the mirror used together with the switching of the interferometer is switched as in the present embodiment, since the control characteristics change greatly with the switching, the effect of improving the positioning accuracy according to the present invention is great.

つづいて、制御パラメータの変更のタイミングについて説明をする。図5は、制御パラメータを変更したときの制御偏差を示す図である。横軸は時間であり、縦軸はX軸方向の位置指令情報(上図)、Z軸方向の制御偏差(下図)である。図中点線で示したタイミングで制御パラメータを変更している。図から分かるように、制御パラメータを変更した直後は、制御偏差が大きくなってしまい、フィードバック制御により時間Tを経て所定の範囲内まで収束する。 Next, the timing for changing the control parameters will be described. FIG. 5 is a diagram showing the control deviation when the control parameter is changed. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents position command information in the X-axis direction (upper figure) and control deviation in the Z-axis direction (lower figure). The control parameter is changed at the timing indicated by the dotted line in the figure. As can be seen, immediately after changing a control parameter, the control deviation becomes large, convergence over time T 1 by the feedback control to within a predetermined range.

本実施例では、この制御偏差の増大が露光をする際(基板に露光光を照射している間)の位置決め精度に与える影響を低減するように、制御パラメータの変更のタイミングを決定している。   In this embodiment, the timing for changing the control parameter is determined so as to reduce the influence of the increase in the control deviation on the positioning accuracy during exposure (while the substrate is irradiated with exposure light). .

図6は、ウエハ上の複数のショット領域(1回の走査で露光される被処理領域)を示す図である。図7は、本実施例の制御パラメータの変更のタイミングを示す図である。横軸は時間であり、縦軸はトップステージのX軸方向の位置である。図6の矢印で示すとおり、ショット領域Sに対してY軸方向(負の向き)にスリット光を走査し、つづいてショット領域Sに対してY軸方向(正の向き)にスリット光を走査する場合について説明する。ショット領域Sとショット領域Sの露光の間には、X軸方向へのステップ移動が行われる。スリット光の走査およびステップ移動は、ウエハステージ10の駆動により行われる。 FIG. 6 is a diagram showing a plurality of shot areas (processed areas exposed by one scan) on the wafer. FIG. 7 is a diagram illustrating the timing of changing the control parameter according to the present embodiment. The horizontal axis is time, and the vertical axis is the position of the top stage in the X-axis direction. As shown by the arrows in FIG. 6, to scan the slit light in the Y-axis direction (negative direction) with respect to the shot area S A, followed by the Y-axis direction with respect to the shot area S B (positive direction) to the slit light A case of scanning will be described. Between the exposure of the shot area S A and a shot area S B, step movement in the X-axis direction is performed. The scanning of the slit light and the step movement are performed by driving the wafer stage 10.

干渉計の切り替えがステップ移動の最中のXA位置で生じる場合、制御パラメータの変更を同時に行ってしまうと、ショット領域SBの露光(第2ショット領域へのパターン形成)開始時に制御偏差が十分に小さくなっていない可能性がある。そこで、本実施例では、露光開始時tSよりも時間T1以上早いタイミングt3(露光開始時tsよりもT1早いタイミングt2よりも前)で制御パラメータを変更する。つまり、制御パラメータ変更部54は、ショット領域SBの露光開始(パターン形成の開始)のタイミングに関する(相関のある)情報を取得し、この情報にもとづいて、制御パラメータの変更を行う。   When the interferometer is switched at the XA position during the step movement, if the control parameters are changed at the same time, the control deviation is sufficiently large at the start of exposure of the shot area SB (pattern formation on the second shot area). It may not be small. Therefore, in this embodiment, the control parameter is changed at a timing t3 that is earlier than the exposure start time tS by a time T1 or more (before a timing t2 that is T1 earlier than the exposure start time ts). That is, the control parameter changing unit 54 acquires (correlated) information related to the timing of the exposure start (pattern formation start) of the shot area SB, and changes the control parameter based on this information.

また、本実施例では、ショット領域SAの露光(第1ショット領域へのパターン形成)をする際の位置決め精度に与える影響を低減する必要があるため、ショット領域SAの露光終了時teよりも後にパラメータの変更を行う。つまり、制御パラメータ変更部54は、ショット領域SAの露光終了のタイミングに関する(相関のある)情報を取得し、この情報にもとづいて、制御パラメータの変更を行う。   Further, in this embodiment, since it is necessary to reduce the influence on the positioning accuracy when performing exposure of the shot area SA (pattern formation on the first shot area), it is later than the exposure end time te of the shot area SA. Change the parameters. That is, the control parameter changing unit 54 acquires (correlated) information related to the timing of the exposure end of the shot area SA, and changes the control parameter based on this information.

一例として、ステップ移動の最中XA位置で生じる干渉計の切り替えより早いタイミングとなるステップ移動の開始とともに、制御パラメータの変更を行ってもよい。ステップ移動に要する時間は、制御偏差が十分小さくなるまでに要する時間よりも長いため、ショット領域SAとショット領域SBの両方の露光をする際の位置決め精度に与える影響を低減することが可能となる。この場合、上述の露光開始のタイミングに関する情報は、ショット領域SBに向けてのステップ移動の開始信号となる。なお、タイミングに関する情報としては、時刻情報、ショット領域の情報、移動体の位置に関する情報などを用いてもよい。   As an example, the control parameter may be changed along with the start of the step movement at a timing earlier than the interferometer switching occurring at the XA position during the step movement. Since the time required for the step movement is longer than the time required until the control deviation becomes sufficiently small, it is possible to reduce the influence on the positioning accuracy when exposing both the shot area SA and the shot area SB. . In this case, the information related to the exposure start timing described above is a start signal for step movement toward the shot area SB. Note that time information, shot area information, information on the position of the moving body, and the like may be used as the timing information.

上述の実施例では、位置計測手段の好適な例として干渉計を用いたが、これに限定されず、他の位置計測手段を用いてもよい。また、駆動手段として好適な例としてリニアモータを用いたが、これに限定されず、他の駆動手段を用いてもよい。また、制御手段、切り替え手段、変更手段は、CPU(プロセッサ)、メモリ、ROMを有する1つの回路基板で構成されてもよく、複数の回路基板で構成してもよい。   In the above-described embodiment, an interferometer is used as a suitable example of the position measuring means, but the present invention is not limited to this, and other position measuring means may be used. Moreover, although the linear motor was used as a suitable example as a drive means, it is not limited to this, You may use another drive means. Further, the control means, the switching means, and the changing means may be constituted by a single circuit board having a CPU (processor), a memory, and a ROM, or may be constituted by a plurality of circuit boards.

また、本実施例では、制御パラメータの好適な例としてPID制御の比例ゲインKp、積分ゲインKi、微分ゲインKdを挙げているが、変更する制御パラメータをノッチフィルタの周波数、ローパスフィルタのカットオフ周波数としてもよい。また、Z軸方向用の干渉計を切り替える例を挙げたが、Y軸方向用やX軸方向用の干渉計を切り替える場合にも適用可能である。   Further, in this embodiment, the PID control proportional gain Kp, integral gain Ki, and differential gain Kd are cited as preferred examples of the control parameters, but the control parameters to be changed are the notch filter frequency and the low-pass filter cutoff frequency. It is good. Moreover, although the example which switches the interferometer for Z-axis directions was given, it is applicable also when switching the interferometer for Y-axis directions or X-axis directions.

上述の実施例では、好適な例としてステップ・アンド・スキャン型の半導体露光装置に用いられる位置決め装置について説明をしたが、これに限られない。ステップ・アンド・リピート型の半導体露光装置、インプリント装置、マスクレスの荷電粒子線描画装置などのリソグラフィ装置に適用することができる。この場合、パターニング手段は、各装置によって構成が異なる。また、リソグラフィ装置以外でも、高い位置決め精度が要求される装置(例えば、顕微鏡や加工装置)にも適用可能である。   In the above-described embodiment, the positioning apparatus used in the step-and-scan type semiconductor exposure apparatus is described as a preferred example, but the present invention is not limited to this. The present invention can be applied to lithography apparatuses such as step-and-repeat type semiconductor exposure apparatuses, imprint apparatuses, and maskless charged particle beam drawing apparatuses. In this case, the patterning means has a different configuration depending on each apparatus. In addition to the lithography apparatus, the present invention can also be applied to an apparatus (for example, a microscope or a processing apparatus) that requires high positioning accuracy.

図8は、上述の位置決め方法のフローを説明する図(制御パラメータの変更に関わる部分を抜粋)である。本実施例の位置決め方法は、トップテーブル27のZ軸方向における位置を計測し、計測された位置情報にもとづいてフィードバック制御を行い、トップテーブル27を位置決めする。位置決め方法は、フィードバック制御に用いる位置計測手段を、干渉計25aから干渉計25bに切り替える工程(S10)と、切り替えに応じて、フィードバック制御に用いる制御パラメータの設定値を変更する工程(S20)と、を含む。上述の制御部50のメモリに格納されたプログラムがコンピュータにこれらの処理を実行させてもよい。   FIG. 8 is a diagram for explaining the flow of the positioning method described above (excerpted from the part related to the control parameter change). In the positioning method of this embodiment, the position of the top table 27 in the Z-axis direction is measured, and feedback control is performed based on the measured position information to position the top table 27. The positioning method includes a step (S10) of switching the position measuring means used for feedback control from the interferometer 25a to the interferometer 25b, and a step of changing the set value of the control parameter used for feedback control according to the switching (S20). ,including. A program stored in the memory of the control unit 50 described above may cause the computer to execute these processes.

[物品の製造方法]
つぎに、リソグラフィ装置を利用した物品の製造方法について説明する。本明細書において、本明細書において「物品」は半導体デバイス、液晶表示デバイス、これらのデバイスを製造する時に使用するレチクル(マスク)、微細構造体など、リソグラフィのパターニングにより形成可能なものを意味する。
[Product Manufacturing Method]
Next, a method for manufacturing an article using a lithography apparatus will be described. In this specification, the term “article” means a semiconductor device, a liquid crystal display device, a reticle (mask) used when manufacturing these devices, a microstructure, or the like that can be formed by lithographic patterning. .

一例として半導体デバイスを説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の半導体露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像、エッチングする工程を含む。なお、エッチング工程の代わりにドーピングする工程を行う場合もあり、現像後は、いくつかの処理形態がある。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。   A semiconductor device will be described as an example. A semiconductor device is manufactured through a pre-process for producing an integrated circuit on a wafer and a post-process for completing an integrated circuit chip on the wafer produced in the pre-process as a product. The pre-process includes a step of exposing the wafer coated with the photosensitive agent using the semiconductor exposure apparatus described above, and a step of developing and etching the wafer. Note that a doping step may be performed instead of the etching step, and there are several processing forms after development. The post-process includes an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (encapsulation). A liquid crystal display device is manufactured through a process of forming a transparent electrode. The step of forming the transparent electrode includes a step of applying a photosensitive agent to a glass substrate on which a transparent conductive film is deposited, a step of exposing the glass substrate on which the photosensitive agent is applied using the above-described exposure apparatus, and a glass substrate. The process of developing is included. According to the device manufacturing method of the present embodiment, it is possible to manufacture a higher quality device than before.

Claims (20)

移動体の第1方向の位置を計測しながら移動体を位置決めする位置決め装置を有し、前記移動体上に配置された基板の第1領域に対してパターンの形成を行い、前記第1領域に対するパターンの形成のあと前記位置決め装置が前記移動体を前記第1方向と交差する第2方向に移動させてから前記基板の第2領域に対してパターンの形成を行うパターニング装置であって、
前記位置決め装置は、
前記移動体の第1方向における位置を計測可能な第1計測手段及び第2計測手段と、
前記移動体を前記第1方向に駆動可能な駆動手段と、
前記第1計測手段または前記第2計測手段により計測された前記移動体の前記第1方向における位置を示す位置情報に基づいて、前記駆動手段を制御する制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記移動体の前記第1方向における位置指令情報と前記位置情報とに応じた制御偏差と、所定の値に設定された制御パラメータと、に基づいて前記駆動手段を制御し、
前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報を、前記第1計測手段の計測により得られた位置情報から前記第2計測手段の計測により得られた位置情報へ切り替える場合、前記第1領域に対するパターンの形成を終えた後且つ前記第2領域に対するパターンの形成の開始前の、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報の切り替えとは異なるタイミングで、前記制御パラメータの値を変更することを特徴とするパターニング装置。
A positioning device configured to position the moving body while measuring a position of the moving body in the first direction; forming a pattern on the first area of the substrate disposed on the moving body; A patterning device for forming a pattern on a second region of the substrate after the positioning device moves the moving body in a second direction intersecting the first direction after the pattern is formed,
The positioning device includes:
First measuring means and second measuring means capable of measuring the position of the moving body in the first direction;
Driving means capable of driving the movable body in the first direction;
Control means for controlling the drive means based on position information indicating the position of the movable body in the first direction measured by the first measurement means or the second measurement means,
The control means controls the driving means based on a control deviation according to position command information in the first direction of the moving body and the position information, and a control parameter set to a predetermined value,
When the position information used for controlling the driving means is switched from the position information obtained by the measurement of the first measuring means to the position information obtained by the measurement of the second measuring means, the pattern information for the first region is changed. The value of the control parameter is changed at a timing different from the switching of the position information used for controlling the driving unit after the formation is completed and before the formation of the pattern for the second region is started. Patterning device.
前記第1領域に対するパターンの形成を終えた後、かつ、前記第2領域に対するパターンの形成の開始前に、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報を前記第1計測手段の計測により得られた位置情報から前記第2計測手段の計測により得られた位置情報に切り替えることを特徴とする請求項1に記載のパターニング装置。   After the formation of the pattern for the first region and before the start of the formation of the pattern for the second region, the position information used for controlling the driving unit is obtained by measurement of the first measuring unit. The patterning apparatus according to claim 1, wherein the pattern information is switched from position information to position information obtained by measurement by the second measurement unit. 変更後の前記制御パラメータの値は、変更前の前記制御パラメータの値を用いて前記移動体を移動させた場合よりも、前記第2領域にパターンを形成している間の前記移動体の位置決め偏差を低減する値であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターニング装置。   The value of the control parameter after the change is determined when the moving body is positioned while the pattern is formed in the second region, compared to the case where the moving body is moved using the value of the control parameter before the change. The patterning apparatus according to claim 1, wherein the patterning apparatus is a value that reduces the deviation. 前記制御パラメータは、比例ゲインKp、積分ゲインKi、微分ゲインKd、ノッチフィルタの周波数、およびローパスフィルタのカットオフ周波数のうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパターニング装置。   4. The control parameter according to claim 1, wherein the control parameter is at least one of a proportional gain Kp, an integral gain Ki, a differential gain Kd, a notch filter frequency, and a low-pass filter cutoff frequency. The patterning device according to item. 前記制御手段は、前記駆動手段の制御を行うためのPID制御部を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のパターニング装置。   The patterning apparatus according to claim 1, wherein the control unit includes a PID control unit for controlling the driving unit. 前記第1方向は高さ方向であって、前記第1計測手段および前記第2計測手段は、前記第2方向において互いに異なる位置に設けられていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のパターニング装置。   The first direction is a height direction, and the first measurement unit and the second measurement unit are provided at different positions in the second direction. The patterning apparatus according to claim 1. 前記制御手段は、前記移動体の前記第2方向における位置に関する情報に基づいて、前記第1計測手段の計測により得られた位置情報から前記第2計測手段の計測により得られた位置情報へ、前記駆動手段の制御に用いる位置情報の切り替えを行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターニング装置。   The control means, based on information on the position of the moving body in the second direction, from position information obtained by measurement of the first measurement means, to position information obtained by measurement of the second measurement means, The patterning apparatus according to claim 1, wherein position information used for controlling the driving unit is switched. 前記第1領域に対するパターンの形成を行うための第1位置から前記第2領域に対するパターンの形成を行うための第2位置へ、前記移動体を前記第2方向にステップ移動させることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のパターニング装置。   The moving body is stepwise moved in the second direction from a first position for forming a pattern for the first region to a second position for forming a pattern for the second region. The patterning apparatus according to claim 1. 前記第1計測手段および前記第2計測手段はそれぞれ干渉計であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のパターニング装置。   The patterning apparatus according to claim 1, wherein each of the first measurement unit and the second measurement unit is an interferometer. 前記第1計測手段および前記第2計測手段はそれぞれ干渉計であって、
前記第1計測手段は前記移動体に設けられた第1ミラーの前記第1方向の位置の計測により前記位置情報を得、
前記第2計測手段は前記移動体に設けられた第2ミラーの前記第1方向の位置の計測により前記位置情報を得、
前記第2ミラーは、前記基板の配置される部分から見て前記第1ミラーとは反対側且つ前記第1ミラーから前記第2方向側に離れて配置されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のパターニング装置。
Each of the first measuring means and the second measuring means is an interferometer,
The first measuring means obtains the position information by measuring the position of the first mirror provided in the moving body in the first direction,
The second measuring means obtains the position information by measuring the position of the second mirror provided in the moving body in the first direction,
2. The second mirror is disposed on a side opposite to the first mirror as viewed from a portion on which the substrate is disposed and spaced apart from the first mirror in the second direction. 9. The patterning device according to any one of items 1 to 8.
前記パターニング装置は、ステップ・アンド・スキャン型の露光装置、ステップ・アンド・リピート型の露光装置、インプリント装置、荷電粒子線描画装置から選択されるいずれかであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載のパターニング装置。   2. The patterning apparatus is selected from a step-and-scan exposure apparatus, a step-and-repeat exposure apparatus, an imprint apparatus, and a charged particle beam drawing apparatus. 11. The patterning device according to any one of 1 to 10. 物品の製造方法において、
請求項1乃至11のいずれか1項に記載のパターニング装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された前記基板を処理する工程と、を有し、
該処理した基板を用いて物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
In a method for manufacturing an article,
Forming a pattern on a substrate using the patterning device according to claim 1;
Processing the substrate on which a pattern is formed, and
A method for producing an article, comprising producing the article using the treated substrate.
移動体の第1方向の位置を計測しながら移動体上に配置された基板の第1領域に対してパターンの形成を行い、前記第1領域に対するパターンの形成のあと前記移動体を前記第1方向と交差する第2方向に移動させてから前記基板の第2領域に対してパターンの形成を行うパターニング装置に用いられる位置決め装置であって、前記移動体の第1方向における位置を計測可能な第1計測手段および第2計測手段と、前記移動体を前記第1方向に駆動可能な駆動手段と、前記第1計測手段または前記第2計測手段により計測された前記移動体の第1方向における位置を示す位置情報に基づいて前記駆動手段を制御する制御手段と、を有する位置決め装置の制御方法において、
前記移動体の前記第1方向における位置指令情報と前記位置情報とに応じた制御偏差と、所定の値に設定された制御パラメータと、に基づいて、前記駆動手段を制御する工程を含み、
前記駆動手段の制御に用いる位置情報を前記第1計測手段の計測により得られた位置情報から前記第2計測手段の計測により得られた位置情報へ切り替える場合、前記第1領域に対するパターンの形成を終えた後且つ前記第2領域に対するパターンの形成の開始前の、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報の切り替えとは異なるタイミングタイミングで前記制御パラメータの前記所定の値を変更することを特徴とする制御方法。
While measuring the position of the moving body in the first direction, a pattern is formed on the first region of the substrate disposed on the moving body, and after forming the pattern on the first region, the moving body is moved to the first area. A positioning device for use in a patterning apparatus that forms a pattern on a second region of the substrate after moving in a second direction that intersects the direction, and is capable of measuring the position of the movable body in the first direction First measuring means and second measuring means, driving means capable of driving the moving body in the first direction, and the moving body measured in the first direction by the first measuring means or the second measuring means. In a control method for a positioning apparatus, the control means for controlling the drive means based on position information indicating a position,
Including a step of controlling the driving unit based on a control deviation according to the position command information in the first direction of the movable body and the position information, and a control parameter set to a predetermined value,
When switching the position information used for controlling the driving means from the position information obtained by the measurement of the first measuring means to the position information obtained by the measurement of the second measuring means, pattern formation for the first region is performed. The predetermined value of the control parameter is changed at a timing different from the switching of the position information used for the control of the driving means after finishing and before the start of pattern formation for the second region. Control method to do.
前記第1領域に対するパターンの形成を終えた後、かつ、前記第2領域に対するパターンの形成の開始前に、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報を前記第1計測手段の計測により得られた位置情報から前記第2計測手段の計測により得られた位置情報に切り替えることを特徴とする請求項13に記載の制御方法。   After the formation of the pattern for the first region and before the start of the formation of the pattern for the second region, the position information used for controlling the driving unit is obtained by measurement of the first measuring unit. The control method according to claim 13, wherein the position information is switched to position information obtained by measurement by the second measurement unit. 変更後の前記制御パラメータの値は、変更前の前記制御パラメータの値を用いて前記移動体を移動させた場合よりも、前記第2領域にパターンを形成している間の前記移動体の位置決め偏差を低減する値であることを特徴とする請求項13又は14に記載のパターニング装置。   The value of the control parameter after the change is determined when the moving body is positioned while the pattern is formed in the second region, compared to the case where the moving body is moved using the value of the control parameter before the change. 15. The patterning device according to claim 13, wherein the patterning device is a value that reduces the deviation. 前記制御パラメータは、比例ゲインKp、積分ゲインKi、微分ゲインKd、ノッチフィルタの周波数、およびローパスフィルタのカットオフ周波数のうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項13乃至15のいずれか1項に記載の制御方法。   16. The control parameter according to claim 13, wherein the control parameter is at least one of a proportional gain Kp, an integral gain Ki, a differential gain Kd, a notch filter frequency, and a low-pass filter cutoff frequency. The control method according to item. 前記制御手段は、前記駆動手段に対してPID制御を行うことを特徴とする請求項13乃至16のいずれか1項に記載の制御方法。   The control method according to claim 13, wherein the control unit performs PID control on the driving unit. 前記第1方向は高さ方向であって、前記第1計測手段および前記第2計測手段は、前記第2方向において互いに異なる位置に設けられており、
前記移動体の前記第2方向における位置に関する情報に基づいて、前記第1計測手段から得られた位置情報から前記第2計測手段から得られた位置情報へ、前記駆動手段の制御に用いる位置情報の切り替えを行うことを特徴とする請求項13乃至17のいずれか1項に記載の制御方法。
The first direction is a height direction, and the first measuring means and the second measuring means are provided at different positions in the second direction,
Position information used for controlling the driving means from position information obtained from the first measuring means to position information obtained from the second measuring means based on information on the position of the moving body in the second direction The control method according to claim 13, wherein switching is performed.
前記第1計測手段および前記第2計測手段はそれぞれ干渉計であって、
前記第1計測手段は前記移動体に設けられた第1ミラーの前記第1方向の位置の計測により前記位置情報を得、
前記第2計測手段は前記移動体に設けられた第2ミラーの前記第1方向の位置の計測により前記位置情報を得、
前記第2ミラーは、前記基板の配置される部分から見て前記第1ミラーとは反対側且つ前記第1ミラーから前記第2方向側に離れて配置されていることを特徴とする請求項13乃至18のいずれか1項に記載の制御方法。
Each of the first measuring means and the second measuring means is an interferometer,
The first measuring means obtains the position information by measuring the position of the first mirror provided in the moving body in the first direction,
The second measuring means obtains the position information by measuring the position of the second mirror provided in the moving body in the first direction,
The said 2nd mirror is arrange | positioned away from the said 1st mirror and the said 2nd direction side away from the said 1st mirror seeing from the part by which the said board | substrate is arrange | positioned, It is characterized by the above-mentioned. The control method according to any one of 1 to 18.
移動体を位置決めする位置決め装置を有し、前記移動体上に配置された基板の第1領域に対して処理を行い、前記第1領域に対する処理のあと前記位置決め装置が前記移動体を移動させてから前記基板の第2領域に対して処理を行う処理装置であって、
前記位置決め装置は、
前記移動体の第1方向における位置を計測可能な第1計測手段及び第2計測手段と、
前記移動体を前記第1方向に駆動可能な駆動手段と、
前記第1計測手段または前記第2計測手段により計測された前記移動体の前記第1方向における位置を示す位置情報に基づいて、前記駆動手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記移動体の前記第1方向における位置指令情報と前記位置情報とに応じた制御偏差と、所定の値に設定された制御パラメータと、に基づいて前記駆動手段を制御し、
前記第1領域に対する処理を終えた後かつ前記第2領域に対する処理を開始するまでの間において、
前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報を前記第1計測手段の計測により得られた位置情報から前記第2計測手段の計測により得られた位置情報へ切り替えることと、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報の切り替えよりも早いタイミングで前記制御パラメータの前記所定の値を変更することと、を行うことを特徴とする処理装置。
A positioning device for positioning the moving body, performing a process on a first area of the substrate disposed on the moving body, and the positioning apparatus moving the moving body after the processing on the first area; A processing apparatus for performing processing on the second region of the substrate,
The positioning device includes:
First measuring means and second measuring means capable of measuring the position of the moving body in the first direction;
Driving means capable of driving the movable body in the first direction;
Control means for controlling the drive means based on position information indicating the position of the movable body in the first direction measured by the first measurement means or the second measurement means, and the control means Controls the drive means based on a control deviation according to the position command information in the first direction of the moving body and the position information, and a control parameter set to a predetermined value,
After finishing the process for the first area and before starting the process for the second area,
The position information used for the control of the driving means is switched from the position information obtained by the measurement of the first measuring means to the position information obtained by the measurement of the second measuring means, and is used for the control of the driving means. Changing the predetermined value of the control parameter at a timing earlier than the switching of the position information.
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