JP2017082256A - Thin film deposition system and thin film deposition method - Google Patents
Thin film deposition system and thin film deposition method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017082256A JP2017082256A JP2015208428A JP2015208428A JP2017082256A JP 2017082256 A JP2017082256 A JP 2017082256A JP 2015208428 A JP2015208428 A JP 2015208428A JP 2015208428 A JP2015208428 A JP 2015208428A JP 2017082256 A JP2017082256 A JP 2017082256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- spiral
- substrate
- roll
- belt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、帯状基板に薄膜を形成する薄膜形成装置及びその方法に関する。 The present invention relates to a thin film forming apparatus and method for forming a thin film on a belt-like substrate.
帯状基板の表面に各種薄膜を形成する方法として、ロールツーロール方式が知られている。ロールツーロール方式は、帯状基板をロールから引き出して搬送し、その搬送途中で帯状基板の表面に薄膜を形成した後、その帯状基板を再びロールに巻き取る方式をいう。
例えば、特許文献1には、ロールツーロール方式にて、帯状基板の表面にガスバリア性有機薄膜を形成することが開示されている。
また、特許文献2には、帯状基板を螺旋状の搬送軌跡を描くように搬送している途中で、帯状基板の表面に太陽電池セルの導電膜などを形成することが開示されている。特許文献2の方法は、帯状基板を螺旋状に搬送するので、特許文献1の方法に比して、薄膜形成効率に優れている。
A roll-to-roll method is known as a method of forming various thin films on the surface of a belt-like substrate. The roll-to-roll method refers to a method in which a belt-shaped substrate is pulled out from a roll and transported, a thin film is formed on the surface of the belt-shaped substrate in the middle of transport, and then the belt-shaped substrate is wound around a roll again.
For example, Patent Document 1 discloses that a gas barrier organic thin film is formed on the surface of a strip substrate by a roll-to-roll method.
また、特許文献2の[0029]には、チャンバーと帯状基板を螺旋状に搬送するロールと材料供給部とを有する成膜処理部の複数が直線状に配置されることが開示されている。
かかる特許文献2では、例えば、第1の成膜処理部において帯状基板を右回り方向の螺旋状に搬送しながら第1の薄膜を形成した後、第2の成膜処理部において帯状基板を右回り方向の螺旋状に搬送しながら第2の薄膜を形成し、これを順次繰り返すことにより、複数の薄膜を帯状基板の表面に積層できる。
しかしながら、かかる方法では、帯状基板がその幅方向にずれ易く、その改善が求められる。
Further, [0029] of
In
However, in such a method, the belt-like substrate is easily displaced in the width direction, and improvement thereof is required.
本発明の目的は、薄膜形成効率に優れ、帯状基板が幅方向にずれ難い薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a thin film forming apparatus and a thin film forming method that are excellent in thin film formation efficiency and in which a strip-shaped substrate is not easily displaced in the width direction.
本発明の薄膜形成装置は、帯状基板を螺旋状の搬送軌跡を描くように搬送する途中で前記帯状基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記帯状基板を右回り又は左回りの何れかの方向の螺旋状に搬送する第1螺旋搬送部と、前記第1螺旋搬送部に続いて、前記第1螺旋搬送部とは反対向きの螺旋状に搬送する第2螺旋搬送部と、を有する。 The thin film forming apparatus of the present invention is a thin film forming apparatus for forming a thin film on the surface of the belt-like substrate in the middle of carrying the belt-like substrate so as to draw a spiral conveyance locus. A first spiral transport section that transports in a spiral shape in one direction, and a second spiral transport section that transports the first spiral transport section in a spiral direction opposite to the first spiral transport section, following the first spiral transport section. Have.
本発明の好ましい薄膜形成装置は、前記第1螺旋搬送部と第2螺旋搬送部をそれぞれ複数有し、前記第1螺旋搬送部と第2螺旋搬送部が交互に配置されている。
本発明の好ましい薄膜形成装置は、前記第1螺旋搬送部が前記帯状基板を第1方向に搬送し、且つ、前記第2螺旋搬送部が前記帯状基板を前記第1方向とは反対の方向に搬送するように、前記第1螺旋搬送部と第2螺旋搬送部が、並んで配置されている。
A preferable thin film forming apparatus of the present invention includes a plurality of the first spiral transport units and the second spiral transport units, and the first spiral transport units and the second spiral transport units are alternately arranged.
In a preferred thin film forming apparatus of the present invention, the first spiral transport unit transports the strip substrate in a first direction, and the second spiral transport unit transports the strip substrate in a direction opposite to the first direction. The first spiral transport unit and the second spiral transport unit are arranged side by side so as to transport.
本発明の別の局面によれば、薄膜形成方法を提供する。
本発明の薄膜形成方法は、帯状基板を右回り又は左回りの何れかの方向の螺旋状の搬送軌跡を描くように搬送しながら前記帯状基板の表面に薄膜を形成する第1成膜工程と、
前記薄膜が形成された帯状基板を前記第1成膜工程とは反対の方向の螺旋状の搬送軌跡を描くように搬送しながら前記薄膜の表面にさらに薄膜を形成する第2成膜工程と、を有する。
According to another aspect of the present invention, a method for forming a thin film is provided.
The thin film forming method of the present invention includes a first film forming step of forming a thin film on the surface of the belt-like substrate while carrying the belt-like substrate so as to draw a spiral conveyance locus in either the clockwise direction or the counterclockwise direction. ,
A second film forming step of further forming a thin film on the surface of the thin film while transporting the belt-like substrate on which the thin film is formed so as to draw a spiral transport locus in a direction opposite to the first film forming step; Have
本発明の薄膜形成装置及び薄膜形成方法を用いれば、帯状基板のずれが抑制されるので、目的とする薄膜を帯状基板の所定位置に効率よく形成することができる。 By using the thin film forming apparatus and the thin film forming method of the present invention, the shift of the belt-like substrate is suppressed, so that the target thin film can be efficiently formed at a predetermined position of the belt-like substrate.
以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。ただし、各図における大きさ及び長さなどの寸法は、実際のものとは異なっていることに留意されたい。
また、本明細書において、用語の頭に、「第1」、「第2」を付す場合があるが、この第1などは、用語を区別するためだけに付加されたものであり、その順序や優劣などの特別な意味を持たない。「帯状」とは、一方向における長さが、一方向と直交する方向における長さよりも十分に長い略長方形状を意味する。前記帯状は、例えば、前記一方向における長さがそれと直交する方向における長さの10倍以上の略長方形状であり、好ましくは30倍以上であり、より好ましくは100倍以上である。「長手方向」は、前記帯状の一方向(帯状の長辺と平行な方向)であり、「短手方向」は、前記長手方向と直交する方向(帯状の短辺と平行な方向)である。「PPP〜QQQ]という表記は、「PPP以上QQQ以下」を意味する。
The present invention will be described below with reference to the drawings. However, it should be noted that dimensions such as size and length in each drawing are different from actual ones.
Further, in the present specification, there are cases where “first” and “second” are added to the beginning of the term, but this first etc. is added only for distinguishing the terms, and the order thereof. And has no special meaning such as superiority or inferiority. “Strip shape” means a substantially rectangular shape whose length in one direction is sufficiently longer than the length in a direction orthogonal to one direction. The strip shape is, for example, a substantially rectangular shape whose length in one direction is 10 times or more of the length in a direction perpendicular thereto, preferably 30 times or more, and more preferably 100 times or more. The “longitudinal direction” is one direction of the band (a direction parallel to the long side of the band), and the “short direction” is a direction orthogonal to the longitudinal direction (a direction parallel to the short side of the band). . The notation “PPP to QQQ” means “PPP or more and QQQ or less”.
[第1実施形態]
本発明の薄膜形成装置は、帯状基板を螺旋状の搬送軌跡を描くように搬送する途中で前記帯状基板の表面に薄膜を形成する。本発明の薄膜形成装置は、前記帯状基板を右回り又は左回りの何れかの方向の螺旋状に搬送する第1螺旋搬送部と、前記第1螺旋搬送部に続いて、前記第1螺旋搬送部とは反対向きの螺旋状に搬送する第2螺旋搬送部と、を有し、第1螺旋搬送部及び第2螺旋搬送部において薄膜を形成する。
[First Embodiment]
The thin film forming apparatus of the present invention forms a thin film on the surface of the belt-like substrate in the middle of carrying the belt-like substrate so as to draw a spiral conveyance locus. The thin film forming apparatus of the present invention includes a first spiral transport unit that transports the belt-like substrate in a spiral shape in either a clockwise direction or a counterclockwise direction, and the first spiral transport unit following the first spiral transport unit. And a second spiral transport unit that transports in a spiral shape opposite to the unit, and forms a thin film in the first spiral transport unit and the second spiral transport unit.
<帯状基板>
前記帯状基板は、フレキシブル性を有する。フレキシブルな帯状基板は、ロールに巻くことができる、柔軟なシート状物である。
前記帯状基板としては、例えば、樹脂フィルム、金属シート、ガラスシートなどが挙げられる。帯状基板は、透明又は不透明のいずれでもよい。なお、帯状基板として金属シートを用いる場合、必要に応じて、その金属シートの表面に絶縁層が設けられる。
<Strip substrate>
The strip substrate has flexibility. The flexible strip substrate is a flexible sheet that can be wound around a roll.
Examples of the strip substrate include a resin film, a metal sheet, and a glass sheet. The strip substrate may be either transparent or opaque. In addition, when using a metal sheet as a strip | belt-shaped board | substrate, an insulating layer is provided in the surface of the metal sheet as needed.
前記樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂フィルム;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のα−オレフィンをモノマー成分とするオレフィン系樹脂フィルム;ポリ塩化ビニル系樹脂フィルム;酢酸ビニル系樹脂フィルム;ポリカーボネート系樹脂フィルム;ポリフェニレンスルフィド系樹脂フィルム;ポリアミド(ナイロン)、全芳香族ポリアミド(アラミド)等のアミド系樹脂フィルム;ポリイミド系樹脂フィルム;ポリエーテルエーテルケトン系樹脂フィルム;などが挙げられる。前記樹脂フィルムとしては、成膜源などからの輻射熱による影響を考慮すると、耐熱性が高いフィルム、特に、ガラス転移温度が高く且つ熱収縮し難いフィルムを用いることが好ましい。ガラス転移温度が低い又は熱収縮し易いフィルムを用いると、薄膜の形成の際に帯状基板に歪が生じるおそれがある。このような点から、樹脂フィルムとしては、耐熱性の高いフィルムを用いることが好ましい。例えば、短手方向(TD)及び長手方向(MD)の各収縮率が、ともに0.5%以下である樹脂フィルムが好ましい。このような耐熱性の高い樹脂フィルムとしては、シクロオレフィンポリマー、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、ポリフェニルサルファイド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドなどからなる樹脂フィルムが挙げられる。
前記金属シートの金属としては、例えば、ステンレス、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト、銅、及びこれらの合金等が挙げられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。
帯状基板の厚みは、特に限定されず、通常、20μm〜200μmであり、ハンドリングの観点から50μm〜150μmが好ましい。
また、前記帯状基板の幅は、特に限定されないが、例えば、100mm以下が好ましい。
Examples of the resin film include polyester resin films such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polybutylene terephthalate; α such as polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, ethylene-propylene copolymer, and ethylene-vinyl acetate copolymer. -Olefin resin film containing olefin as monomer component; polyvinyl chloride resin film; vinyl acetate resin film; polycarbonate resin film; polyphenylene sulfide resin film; polyamide (nylon), wholly aromatic polyamide (aramid), etc. Examples include amide resin films; polyimide resin films; polyetheretherketone resin films; As the resin film, it is preferable to use a film having high heat resistance, particularly a film having a high glass transition temperature and hardly causing heat shrinkage in consideration of the influence of radiant heat from a film forming source or the like. When a film having a low glass transition temperature or easily shrinks by heat is used, there is a risk that the band-shaped substrate may be distorted when a thin film is formed. From such a point, it is preferable to use a film having high heat resistance as the resin film. For example, a resin film in which the respective shrinkage rates in the lateral direction (TD) and the longitudinal direction (MD) are both 0.5% or less is preferable. Examples of such a heat-resistant resin film include resin films made of cycloolefin polymer, polyethylene naphthalate, polyethylene sulfide, polyphenyl sulfide, polycarbonate, polyimide, polyamide, and the like.
Examples of the metal of the metal sheet include stainless steel, iron, aluminum, nickel, cobalt, copper, and alloys thereof, and stainless steel is preferably used.
The thickness of the strip substrate is not particularly limited, and is usually 20 μm to 200 μm, and preferably 50 μm to 150 μm from the viewpoint of handling.
The width of the strip substrate is not particularly limited, but is preferably 100 mm or less, for example.
前記帯状基板は、その表面(薄膜を形成する面)に、コロナ放電処理、プラズマ放電処理若しくはイオンエッチング(RIE)処理などの表面改質処理が施されていてもよい。或いは、前記帯状基板の表面に、平滑層及び接着層となり得る、無機物の層又はポリマーの層が形成されていてもよい。 The strip-shaped substrate may be subjected to surface modification treatment such as corona discharge treatment, plasma discharge treatment, or ion etching (RIE) treatment on the surface (surface on which a thin film is formed). Alternatively, an inorganic layer or a polymer layer that can be a smooth layer and an adhesive layer may be formed on the surface of the belt-like substrate.
<薄膜形成装置>
本発明の薄膜形成装置は、ロールツーロール方式にて帯状基板の表面に薄膜を形成する。
薄膜形成装置は、帯状基板を右回り又は左回りの何れかの方向の螺旋状に搬送する第1螺旋搬送部と、前記第1螺旋搬送部に続いて、前記第1螺旋搬送部とは反対向きの螺旋状に搬送する第2螺旋搬送部と、を少なくとも有する。
図1及び図2は、薄膜形成装置の概要を示す概略図である。X方向、Y方向及びZ方向は、それぞれ互いに直交する方向である。図示例では、装置の上下方向をZ方向として表しているが、これに限定されず、例えば、X方向又はY方向が装置の上下方向であってもよい。また、各図の細矢印は、帯状基板の進行方向を示す。
図1及び図2において、ロール91に巻かれた帯状基板2を引き出し、その帯状基板2を薄膜形成装置1に導入して帯状基板2の表面に薄膜を形成した後、薄膜形成済み帯状基板2が再びロール92に巻き取られる。
<Thin film forming equipment>
The thin film forming apparatus of the present invention forms a thin film on the surface of a strip substrate by a roll-to-roll method.
The thin film forming apparatus includes a first spiral transport unit that transports the belt-like substrate in a spiral shape in either the clockwise direction or the counterclockwise direction, and the first spiral transport unit, which is opposite to the first spiral transport unit. And at least a second spiral transport unit that transports in a spiral direction.
1 and 2 are schematic views showing an outline of a thin film forming apparatus. The X direction, the Y direction, and the Z direction are directions orthogonal to each other. In the example of illustration, although the up-down direction of an apparatus is represented as the Z direction, it is not limited to this, For example, the X direction or Y direction may be the up-down direction of an apparatus. Moreover, the thin arrow of each figure shows the advancing direction of a strip | belt-shaped substrate.
1 and 2, the belt-
薄膜形成装置1は、帯状基板を螺旋状の搬送軌跡を描くように搬送する複数の螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dと、各螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dにそれぞれ具備された成膜源と、を有する。
螺旋搬送部は、2つ以上設けられていればよく、3つでもよく、4つ以上でもよい。好ましくは、螺旋搬送部は、偶数設けられる。図示例では、4つの螺旋搬送部7A,7B,7C,7D(第1螺旋搬送部7A、第2螺旋搬送部7B、第3螺旋搬送部7C、第4螺旋搬送部7D)が設けられている。
図示例では、ロール91からロール92までの間に、第1螺旋搬送部7A、第2螺旋搬送部7B、第3螺旋搬送部7C、第4螺旋搬送部7Dの順で配置されている。従って、ロール91から引き出された帯状基板は、第1乃至第4螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dにて順に薄膜が形成された後、再びロール92に巻き取られる。なお、第1乃至第4螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dの間では、帯状基板はロールに巻き取られることなく、帯状基板2の表面に連続して薄膜が形成されていく。
第1乃至第4螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dは、例えば、並んで配置されている。図示例では、第1乃至第4螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dは、Y方向に直線状に並んで配置されている。
The thin film forming apparatus 1 is provided in each of the plurality of
Two or more spiral conveying units may be provided, and may be three or four or more. Preferably, an even number of spiral conveying units are provided. In the illustrated example, four
In the illustrated example, between the
The 1st thru | or 4th
第1螺旋搬送部7Aと第3螺旋搬送部7Cは、搬送する帯状基板2の螺旋の向きが同じである。第2螺旋搬送部7Bと第4螺旋搬送部7Dは、搬送する帯状基板2の螺旋の向きが同じである。第1螺旋搬送部7Aと第2螺旋搬送部7Bは、搬送する帯状基板2の螺旋の向きが反対である。
具体的には、第1螺旋搬送部7A及び第3螺旋搬送部7Cは、X1側からX2側へ見た場合、帯状基板2を右回り(時計回り)の螺旋状の搬送軌跡を描きながら搬送する。この場合、帯状基板2は、X1側からX2側(第1方向11)に搬送される。つまり、第1螺旋搬送部7A及び第3螺旋搬送部7Cは、帯状基板2を右回り方向の螺旋軌跡を描きながら第1方向11に搬送する。第2螺旋搬送部7B及び第4螺旋搬送部7Dは、X2側からX1側へ見た場合、帯状基板2を左回り(反時計回り)の螺旋状の搬送軌跡を描きながら搬送する。この場合、帯状基板2は、X2側からX1側(第2方向12)に搬送される。つまり、第2螺旋搬送部7B及び第4螺旋搬送部7Dは、帯状基板2を左回り方向の螺旋軌跡を描きながら第2方向12に搬送する。第2方向12は、第1方向11と反対の方向である。
The first
Specifically, the first
第1乃至第4螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dは、それぞれ独立して、キャンロールを含む搬送装置と、搬送装置の外側を覆い且つ薄膜形成エリアと非形成エリアを有するチャンバーと、成膜源と、を有する。
図1及び図2に示すように、第1乃至第4螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dは、それぞれキャンロールの回転軸を略平行にした状態で、1つの方向(Y方向)に所望間隔を開けて並んで配置されている。このように配置することにより、薄膜形成装置1の全体が歪な形状とならず、直線状の薄膜形成装置1を構成でき、比較的小さなスペースに薄膜形成装置1を設置できるようになる。
図3及び図4は、第1螺旋搬送部及び第2螺旋搬送部の内部構造を示し、図5は、第1螺旋搬送部の内部構造を示す。
第3螺旋搬送部7Cは、第1螺旋搬送部7Aと同様であり、第4螺旋搬送部7Dは、第2螺旋搬送部7Bと同様であるので、その具体的な説明は省略する。
The first to fourth
As shown in FIGS. 1 and 2, each of the first to fourth
3 and 4 show the internal structures of the first and second spiral transfer sections, and FIG. 5 shows the internal structure of the first spiral transfer section.
Since the third
(第1螺旋搬送部)
第1螺旋搬送部7Aは、図3乃至図5に示すように、キャンロール31Aを含む搬送装置3Aと、搬送装置3Aの外側を覆い且つ薄膜形成エリアと非形成エリアを有するチャンバー4Aと、成膜源6Aと、を有する。前記搬送装置3Aは、右回りの螺旋状の搬送軌跡を描くように帯状基板2を送り、その帯状基板2を薄膜形成エリアと非形成エリアに交互に導いていく。
その搬送装置3Aの基本構成は、帯状基板2をその長手方向に送るように回転可能なキャンロール31Aと、左右一組の補助ロール321A,322Aと、を有する。一方の補助ロールを第1補助ロールといい、もう一方を第2補助ロールという。
(First spiral transport section)
As shown in FIGS. 3 to 5, the first
The basic configuration of the
キャンロール31Aは、その一部が薄膜形成エリアに含まれ且つその残部が非形成エリアに含まれるように、チャンバー4A内に配置されている。第1及び第2補助ロール321A,322Aは、その全部が非形成エリアに含まれるように、チャンバー4A内に配置されている。
キャンロール31Aには、温度制御手段(図示せず)が具備されている。温度制御手段は、キャンロール31Aの周面を通じて帯状基板2を所望の温度に維持するものある。前記温度制御手段としては、例えば、シリコーンオイルなどを循環させる熱媒循環装置などが挙げられる。
The can roll 31A is arranged in the
The can roll 31A is provided with temperature control means (not shown). The temperature control means maintains the belt-
キャンロール31Aは、全体として円柱状に形成されている。キャンロール31Aは、回転軸31Sに回転可能に軸支されている。キャンロール31Aの回転軸31Sは、X方向に延びている。
第1補助ロール321A及び第2補助ロール322Aは、キャンロール31Aよりも小径の円柱状であり、第1補助ロール321A及び第2補助ロール322Aを左右一組として、複数組配置されている。図示例では、8個の第1補助ロール321Aと8個の第2補助ロール322Aが設けられている。従って、8組の第1補助ロール321A及び第2補助ロール322Aが設けられている。
各第1補助ロール321Aは、キャンロール31Aから送られる帯状基板2を第2補助ロール322Aに送るロールであり、各第2補助ロール322Aは、第1補助ロール321Aから送られる帯状基板2をキャンロール31Aに送るロールである。各第1補助ロール321A及び第2補助ロール322Aは、それぞれ独立した回転軸321S,322Sに軸支されている。複数の第1補助ロール321Aの回転軸321Sは、略平行であり、複数の第2補助ロール322Aの回転軸322Sも、略平行に配置されている。また、第1補助ロール321Aの回転軸321Sと第2補助ロール322Aの回転軸322Sもまた略平行に配置されている。ここで、本明細書において、「略平行」は、完全に平行、又は、0度±0.14度の範囲内にあることをいう。
第1補助ロール321Aの回転軸321S及び第2補助ロール322Aの回転軸322Sは、それぞれ、X方向及びY方向を含む面内に含まれ、且つ、X方向に対して傾斜されている。前記X方向に対する第1補助ロール321Aの回転軸321S及び第2補助ロール322Aの回転軸322Sの傾斜角は、鋭角であれば特に限定されず、図示例では、例えば、1度〜15度の範囲内に設定されている。前記傾斜角を調整することにより、帯状基板2を螺旋状に搬送する際の、帯状基板2の間隔を適宜設定できる。
The can roll 31A is formed in a columnar shape as a whole. The can roll 31A is rotatably supported by the
The first
Each first
The
第1補助ロール321A及び第2補助ロール322Aは、キャンロール31Aから離れ且つキャンロール31Aを基準としてZ1側にそれぞれ配置されている。また、第1補助ロール321Aは、Y2側に配置され、第2補助ロール322Aは、Y1側に配置されている。すなわち、第1補助ロール321Aと第2補助ロール322Aは、ほぼY方向において向かい合って対を成し、キャンロール31Aを基準としてZ1側にそれぞれ配置されている。
第1補助ロール321Aの周面のうち最外側部の幅方向中心とキャンロール31Aの周面のうち最外側部とを結んだ仮想線は、Z方向と略平行とされている。また、第2補助ロール322Aの周面のうち最外側部の幅方向中心とキャンロール31Aの周面のうち最外側部とを結んだ仮想線は、Z方向と略平行とされている。前記各仮想線がZ方向と略平行となるように、第1補助ロール321A及び第2補助ロール322Aはそれぞれ配置されている。
The first
An imaginary line connecting the center in the width direction of the outermost portion of the peripheral surface of the first
そして、チャンバー4A内に導かれた帯状基板2は、キャンロール31Aの周面のうちZ2側の半分に掛けられて搬送され、第1補助ロール321Aの周面のうちZ1側の1/4部分に掛けられ、さらに、第2補助ロール322Aの周囲のうちZ1側の反対側1/4部分に掛けられて搬送された後、再び、キャンロール31Aに掛けられ、これを繰り返す。図示例では、帯状基板2は、下方側から見てキャンロール31Aに9回巻き掛けられる。かかる帯状基板2は、キャンロール31Aと第1補助ロール321A及び第2補助ロール322Aとに交互に接して螺旋状の搬送軌跡を描きながら、X1側からX2側へと搬送される。具体的には、チャンバー4A内に導かれた帯状基板2は、キャンロール31AのX1側の端部からキャンロール31Aの周面上を円弧を描きながらY1側からY2側に送られ、キャンロール31Aの最外側部においてキャンロール31Aから離れてZ1側に送られ、第1補助ロール321Aの最外側部において第1補助ロール321Aに接し、そのロール321Aの周面上を円弧を描きながらY1側に送られて第2補助ロール322Aに接し、そのロール322Aの周面上を円弧を描きながらZ2側に送られ、第2補助ロール322Aの最外側部において第2補助ロール322Aから離れた後、再び、キャンロール31Aの反対側の最外側部に接し、キャンロール31Aの周面上を円弧を描きながらY1側からY2側に送られ、これを繰り返す。従って、第1螺旋搬送部は、X1側からX2側へ見た場合、帯状基板2を右回り(時計回り)の螺旋状の搬送軌跡を描きながら搬送する。この場合、帯状基板2の搬送方向は、X1側からX2側(第1方向11)である。
The belt-
なお、補助ロール321A,322Aが傾斜して配置された本実施形態においては、キャンロール31A上において、帯状基板2Aは、キャンロール31Aの周方向に送られる。詳しくは、帯状基板2Aは、帯状基板2Aの幅方向中心がキャンロール31Aの回転軸方向と直交する面内を円弧を描いて移動するように、キャンロール31Aに接しながら搬送される。キャンロール31Aと第1補助ロール321Aの間及びキャンロール31Aと第2補助ロール322Aの間では、それぞれ、帯状基板2は、前記キャンロール31Aの回転軸方向と直交する面内において直線状(Z方向)に移動するように搬送される。
In the present embodiment in which the auxiliary rolls 321A and 322A are inclined, the belt-like substrate 2A is fed in the circumferential direction of the can roll 31A on the can roll 31A. Specifically, the belt-like substrate 2A is transported in contact with the can roll 31A so that the center in the width direction of the belt-like substrate 2A moves in an arc in a plane perpendicular to the rotation axis direction of the can roll 31A. Between the can roll 31A and the first
チャンバー4Aは、キャンロール31A及び補助ロール321A,322Aの外側を覆うことができる大きさに形成されている。このチャンバー4Aの内部には、薄膜形成エリアと非形成エリアを区画するための隔壁47Aが設けられている。
チャンバー4Aの内部は、前記隔壁47Aを基準にして、Z1側が非形成エリアとされ、Z2側が薄膜形成エリアとされている。なお、非形成エリアは、薄膜が形成されないスペースをいい、薄膜形成エリアは、薄膜が形成されるスペースをいう。
The
In the
チャンバー4Aの内部には、成膜源6Aが具備されている。図示例では、成膜源6Aは、1つであるが、チャンバー4A内に、異なる材料又は同一の材料を含む2つ以上の成膜源が具備されていてもよい。
成膜源6Aは、形成目的の薄膜に応じて適宜設定される。成膜源6Aとしては、真空蒸着法の蒸着源、スパッタ法のターゲット、イオンプレーティング法の材料などが挙げられる。
以下、真空蒸着法を例に採って説明する。
チャンバー4Aには、それぞれ真空ポンプ及び反応ガス供給装置(図示せず)が接続されている。真空ポンプは、チャンバー4A内のエアーを引き抜き、チャンバー内の所望の真空度に調整する。反応ガス供給装置は、チャンバー4A内に反応ガスを封入する。反応ガスは、成膜源6Aの種類に応じて適宜設定でき、例えば、酸素含有ガス、窒素含有ガス、炭化水素含有ガス、又はこれらの混合ガスなどが挙げられる。前記酸素含有ガスとしては、酸素(O2)、一酸化二窒素(N2O)、一酸化窒素(NO)などが挙げられ、前記窒素含有ガスとしては、窒素(N2)、アンモニア(NH3)、一酸化窒素(NO)などが挙げられ、前記炭化水素含有ガスとしては、メタン(CH4)、エタン(C2H6)、プロパン(C3H8)、ブタン(C4H10)、エチレン(C2H4)、アセチレン(C2H2)などが挙げられる。
A
The
Hereinafter, the vacuum deposition method will be described as an example.
A vacuum pump and a reaction gas supply device (not shown) are connected to the
なお、特に図示しないが、必要に応じて、チャンバー4Aに、それぞれ独立してプラズマ源及び放電ガス供給装置などを設けてもよい。
前記プラズマ源は、個別チャンバー内にプラズマを発生させる。プラズマは、特に限定されず、例えば、アーク放電プラズマ、グロー放電プラズマなどを用いることができる。グロー放電プラズマなどとは異なり、非常に高い電子密度となることから、アーク放電プラズマを用いることが好ましい。アーク放電プラズマを用いることにより、材料の反応性を高めることができ、非常に緻密な薄膜を帯状基板2に形成できる。プラズマ源としては、例えば、圧力勾配型プラズマガン、直流放電プラズマ発生装置、高周波放電プラズマ発生装置などを利用できる。これらの中では、成膜中において高密度なプラズマを安定的に発生させることが可能であることから、プラズマ源として圧力勾配型プラズマガンを用いることが好ましい。
前記放電ガス供給装置は、チャンバー4A内に、適度な圧力の放電ガスを供給する。前記放電ガスとしては、代表的には、アルゴンガスなどの不活性ガスを用いることができる。
Although not particularly illustrated, a plasma source, a discharge gas supply device, and the like may be independently provided in the
The plasma source generates a plasma in an individual chamber. The plasma is not particularly limited, and for example, arc discharge plasma, glow discharge plasma, or the like can be used. Unlike glow discharge plasma or the like, it is preferable to use arc discharge plasma because it has a very high electron density. By using the arc discharge plasma, the reactivity of the material can be increased, and a very dense thin film can be formed on the belt-
The discharge gas supply device supplies a discharge gas having an appropriate pressure into the
真空蒸着法にて薄膜を形成する場合、成膜源6Aとして蒸着源が用いられる。成膜源6Aの材料を蒸発させる手段としては、前記プラズマを用いることができるが、抵抗加熱や電子ビームなどを用いてもよい。
成膜源6Aとしては、金属;半金属;金属又は半金属の酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物又は酸化窒化炭化物;有機EL素子の有機層に使用される材料;などが挙げられる。
前記金属としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これら以外の金属が挙げられる。アルカリ金属及びアルカリ土類金属以外の金属としては、チタン、アルミニウム、亜鉛、ガリウム、インジウムなどが挙げられる。前記半金属は、金属と非金属の中間の性質を示す物質をいう。前記半金属としては、ケイ素、ゲルマニウム、ヒ素、アンチモン、テルル、ポロニウム、アスタチンなどが挙げられる。有機EL素子の有機層に使用される材料としては、例えば、N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−2,2’−ジメチルベンジジン(略称:α−NPD)、N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−9,9’−スピロビスフルオレン(略称:Spiro−NPB)などのスピロ化合物;トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)などの有機金属錯体;1,3,5−トリス(カルバゾ−ル−9−イル)ベンゼン(略称:TCP)などのカルバゾール誘導体;トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)(Ir(ppy)3)などの有機イリジウム錯体;1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)などの複素芳香族化合物;ポリ(2,5−ピリジン−ジイル)(略称:PPy)などの高分子化合物;などが挙げられる。
When forming a thin film by a vacuum evaporation method, an evaporation source is used as the
As the
Examples of the metal include alkali metals, alkaline earth metals, and other metals. Examples of metals other than alkali metals and alkaline earth metals include titanium, aluminum, zinc, gallium, and indium. The metalloid refers to a substance that exhibits an intermediate property between metal and nonmetal. Examples of the metalloid include silicon, germanium, arsenic, antimony, tellurium, polonium, and astatine. As a material used for the organic layer of the organic EL element, for example, N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (phenyl) -2,2′-dimethylbenzidine (abbreviation: spiro compounds such as α-NPD), N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (phenyl) -9,9′-spirobisfluorene (abbreviation: Spiro-NPB); Organometallic complexes such as (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ); carbazole derivatives such as 1,3,5-tris (carbazol-9-yl) benzene (abbreviation: TCP); tris (2-phenylpyridina) G) Organic iridium complexes such as iridium (III) (Ir (ppy) 3 ); 1,3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] Be Zen (abbreviation: OXD-7) heteroaromatic compounds, such as poly (2,5-pyridine - diyl) (abbreviation: PPy) polymer compounds, such as and the like.
例えば、成膜源6Aとしてケイ素を用い、反応ガスとして窒素ガスを用いた場合には、帯状基板2が第1螺旋搬送部を通過している間に、帯状基板2の表面に窒化ケイ素膜が形成される。成膜源6Aとしてケイ素を用い、反応ガスとして炭素水素ガスを用いた場合には、帯状基板2が第1螺旋搬送部を通過している間に、帯状基板2の表面に炭化ケイ素膜が形成される。
For example, when silicon is used as the
(第2螺旋搬送部)
第2螺旋搬送部7Bは、図3及び図4に示すように、キャンロール31Bを含む搬送装置3Bと、搬送装置の外側を覆い且つ薄膜形成エリアと非形成エリアを有するチャンバー4Bと、成膜源6Bと、を有する。前記搬送装置3Bは、左回りの螺旋状の搬送軌跡を描くように帯状基板2を送り、その帯状基板2を薄膜形成エリアと非形成エリアに交互に導いていく。
その搬送装置3Bの基本構成は、帯状基板2をその長手方向に送るように回転可能なキャンロール31Bと、第1及び第2補助ロール321B,322Bと、を有する。
第2螺旋搬送部7Bにおいては、キャンロール31Bと第1及び第2補助ロール321B,322Bが、第1螺旋搬送部7Aのキャンロール31Aと第1及び第2補助ロール321A,322Aと左右対照的に設けられている点を除いて、第1螺旋搬送部7Aと同様である。以下、第2螺旋搬送部7Bの詳細を説明するにあたって、主として第1螺旋搬送部7Aと異なる構成を主として説明し、同様の構成については、その説明を省略する。
(Second spiral transport section)
As shown in FIGS. 3 and 4, the second spiral transfer unit 7 </ b> B includes a transfer device 3 </ b> B including a can roll 31 </ b> B, a chamber 4 </ b> B that covers the outside of the transfer device and has a thin film formation area and a non-formation area, And a
The basic configuration of the
In the second
キャンロール31Bには、第1螺旋搬送部7Aと同様に、温度制御手段(図示せず)が具備されている。
キャンロール31Bは、全体として円柱状に形成され、その回転軸31Sは、X方向に延びている。
各第1補助ロール321Bは、キャンロール31Bから送られる帯状基板2を第2補助ロール322Bに送るロールであり、各第2補助ロール322Bは、第1補助ロール321Bから送られる帯状基板2をキャンロール31Bに送るロールである。複数の第1補助ロール321Bの回転軸321Sは、略平行であり、複数の第2補助ロール322Bの回転軸322Sも、略平行に配置されている。また、第1補助ロール321Bの回転軸321Sと第2補助ロール322Bの回転軸322Sもまた略平行に配置されている。
第1補助ロール321Bの回転軸321S及び第2補助ロール322Bの回転軸322Sは、それぞれ、X方向及びY方向を含む面内に含まれ、且つ、X方向に対して傾斜されている。また、第1補助ロール321Bの回転軸321S及び第2補助ロール322Bの回転軸322Sは、図3の平面図で見て、第1螺旋搬送部7Aの第1補助ロール321Aの回転軸321S及び第2補助ロール322Aの回転軸322Sとは反対向きに傾斜されている。
The can roll 31B is provided with a temperature control means (not shown) similarly to the first
The can roll 31B is formed in a cylindrical shape as a whole, and the
Each first
The
第1螺旋搬送部7Aを通過した後、チャンバー4B内に導かれた帯状基板2は、キャンロール31Bの周面のうちZ2側の半分に掛けられて搬送され、第1補助ロール321Bに掛けられ、さらに、第2補助ロール322Bに掛けられて搬送された後、再び、キャンロール31Bに掛けられ、これを繰り返す。図示例では、帯状基板2は、キャンロール31Bに9回巻き掛けられる。かかる帯状基板2は、キャンロール31Bと第1補助ロール321B及び第2補助ロール322Bとに交互に接して螺旋状の搬送軌跡を描きながら、X2側からX1側へと搬送される。具体的には、チャンバー4B内に導かれた帯状基板2は、キャンロール31BのX2側の端部からキャンロール31Bの周面上を円弧を描きながらY1側からY2側に送られ、キャンロール31Bの最外側部においてキャンロール31Bから離れてZ1側に送られ、第1補助ロール321Bに接し、そのロール321Bの周面上を円弧を描きながらY1側に送られて第2補助ロール322Bに接し、そのロール322Bの周面上を円弧を描きながらZ2側に送られ、再びキャンロール31Bの反対側の最外側部に接し、キャンロール31Bの周面上を円弧を描きながらY1側からY2側に送られ、これを繰り返す。従って、第2螺旋搬送部7Bは、X2側からX1側へ見た場合、帯状基板2を左回り(反時計回り)の螺旋状の搬送軌跡を描きながら搬送する。この場合、帯状基板2の搬送方向は、X2側からX1側(第2方向12)である。
After passing through the first
第1螺旋搬送部7Aと第2螺旋搬送部7Bの間には、帯状基板2が通る通路99が設けられている。この通路99は、チャンバー4Aとチャンバー4Bの気密状態を保つことができるように、チャンバー4Aとチャンバー4Bの間に設けられている。必要に応じて、前記通路99に圧力調整部を具備させてもよい。前記圧力調整部は、例えば、差圧排気によってチャンバー内の圧力を調整できるものである。
なお、第2螺旋搬送部7Bと第3螺旋搬送部7Cの間及び第3螺旋搬送部7Cと第4螺旋搬送部7Dの間にも、同様な通路99がそれぞれ設けられている。
A
Note that
第2螺旋搬送部7Bのチャンバー4Bの内部には、隔壁47Bが設けられている。また、チャンバー4Bには、成膜源6Bが具備されている。さらに、チャンバー4Bには、真空ポンプ及び反応ガス供給装置(図示せず)が接続され、必要に応じて、プラズマ源及び放電ガス供給装置などが設けられる。
チャンバー4B、隔壁47B、成膜源6B、真空ポンプ、反応ガス供給装置、プラズマ源及び放電ガス供給装置については、第1螺旋搬送部7Aにおいて説明したとおりである。なお、第1乃至第4螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dに具備される各成膜源は、同じでもよく、異なっていてもよい。同様に、第1乃至第4螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dに具備される放電ガス供給装置などの各部材も、互いに同じでもよく、異なっていてもよい。第1乃至第4螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dに同じ部材を具備させることにより、各搬送部にて同じ種類の薄膜を形成でき、各搬送部に異なる部材を具備させることにより、各搬送部にて異なる種類の薄膜を形成できる。つまり、各搬送部にて形成される薄膜の種類は、特に限定されず、各搬送部を適宜設計することにより、様々な薄膜を形成できる。
A
The
<薄膜の形成方法>
上記薄膜形成装置1を用いることによって、所望の薄膜を帯状基板2の表面に形成できる。
まず、各チャンバー4A,4Bに、形成目的の薄膜に応じた成膜源6A,6Bを配置する。必要に応じて、反応ガス供給装置に、形成目的の薄膜に応じた反応ガスを充填する。各真空ポンプを作動させ、各チャンバー4A,4B内を、成膜源や成膜法に応じた真空度に設定する。
温度制御手段を作動させ、キャンロール31A,31Bの周面を所望の温度に昇温させる。例えば、帯状基板2が20℃〜200℃となるように、キャンロール31A,31Bの周面を昇温させる。
搬送装置3A,3Bを作動させ、第1螺旋搬送部7Aにおいて帯状基板2を右回りの螺旋状に搬送し、続いて、第2螺旋搬送部7Bにおいて帯状基板2を左回りの螺旋状に搬送し、さらに、第3螺旋搬送部7Cにおいて帯状基板2を右回りの螺旋状に搬送し、第4螺旋搬送部7Dにおいて帯状基板2を左回りの螺旋状に搬送する。第1乃至第4螺旋搬送部7A,7B,7C,7Dにおいて、帯状基板2は、それぞれ薄膜形成エリアと非形成エリアを交互に通過するようになる。
帯状基板2の搬送速度は、成膜レート及び形成目的の薄膜の厚みなどを考慮して適宜設定でき、例えば、0.1〜20m/分である。一般に、搬送速度を速くすると、比較的厚みの小さい薄膜が形成され、搬送速度を遅くすると、比較的厚みの大きい薄膜が形成される。
<Method for forming thin film>
By using the thin film forming apparatus 1, a desired thin film can be formed on the surface of the
First,
The temperature control means is operated to raise the temperature of the peripheral surfaces of the can rolls 31A and 31B to a desired temperature. For example, the peripheral surfaces of the can rolls 31 </ b> A and 31 </ b> B are heated so that the belt-
The
The conveyance speed of the strip | belt-shaped board |
第1螺旋搬送部7Aは、図3及び図4に示すように、帯状基板2を右回りの螺旋状の搬送軌跡を描くように搬送し、帯状基板2を薄膜形成エリアと非形成エリアを交互に通過させる。帯状基板2が薄膜形成エリアを通過している間に、成膜源6Aに応じた薄膜形成材料が帯状基板2の表面に堆積し、第1の薄膜が形成される(第1成膜工程)。
第1の薄膜が形成された帯状基板2は、通路99を通じて、第1螺旋搬送部7Bに導入される。第2螺旋搬送部7Bは、帯状基板2を左回りの螺旋状の搬送軌跡を描くように搬送し、帯状基板2を薄膜形成エリアと非形成エリアを交互に通過させる。帯状基板2が薄膜形成エリアを通過している間に、成膜源6Bに応じた薄膜形成材料が前記第1の薄膜の表面に堆積し、第2の薄膜が形成される(第2成膜工程)。
以後、同様に、帯状基板2は、通路99を通じて第3螺旋搬送部7Cに導かれ、第2の薄膜の表面に第3の薄膜が形成され、さらに、第4螺旋搬送部7Dに導かれ、第3の薄膜の表面に第4の薄膜が形成される。
このようにして、帯状基板2の表面上に、第1の薄膜/第2の薄膜/第3の薄膜/第4の薄膜からなる4層の薄膜が積層される。
前記薄膜の成膜レートは、適宜設定できるが、例えば、10〜300nm/分である。
前記各薄膜の厚みは、適宜設定できるが、例えば、それぞれ独立して、5nm〜800nmであり、好ましくは、それぞれ独立して10nm〜500nmである。
As shown in FIGS. 3 and 4, the first spiral transfer unit 7 </ b> A transfers the belt-
The belt-
Thereafter, similarly, the strip-shaped
In this way, on the surface of the belt-
Although the film-forming rate of the said thin film can be set suitably, it is 10-300 nm / min, for example.
The thickness of each thin film can be set as appropriate. For example, it is independently 5 nm to 800 nm, preferably 10 nm to 500 nm.
本発明の薄膜形成装置1は、様々な用途に使用できる。
例えば、前記薄膜形成装置1は、透明ガスバリアフィルム、有機ELデバイス、太陽電池、薄膜電池などの製造に使用できる。好ましくは、有機ELデバイスの製造に使用できる。有機ELデバイスは、例えば、照明装置、ディスプレイ装置などとして使用できる。
The thin film forming apparatus 1 of the present invention can be used for various applications.
For example, the thin film forming apparatus 1 can be used for manufacturing a transparent gas barrier film, an organic EL device, a solar battery, a thin film battery, and the like. Preferably, it can be used for manufacture of an organic EL device. The organic EL device can be used as, for example, a lighting device or a display device.
本発明の薄膜形成装置1は、帯状基板2を螺旋状に搬送している間に薄膜を形成するので、装置が長大とならず、薄膜形成効率に優れている。
さらに、本発明の薄膜形成装置1は、第1螺旋搬送部7Aにおいて帯状基板2を右回りの螺旋状に搬送し、それに続いて、第2螺旋搬送部7Bにおいて帯状基板2を左回りの螺旋状に搬送するので、帯状基板2が幅方向にずれ難くなる。例えば、帯状基板を螺旋状に搬送していると、その幅方向(搬送方向)に帯状基板が少しずつずれていくようになる。特に、キャンロールへの巻き掛け回数が多くなるほど、前記帯状基板のずれが加算されていき、キャンロールの後端部においては、帯状基板が幅方向に大きくずれた状態となる。この点、本発明のように、第1螺旋搬送部7Aにおいて帯状基板2を右回り又は左回りの何れかの方向に搬送した後、第2螺旋搬送部7Bにおいてその反対向きの螺旋状で帯状基板2を搬送すると、帯状基板2のずれを矯正できる。つまり、第1螺旋搬送部7Aにおいて帯状基板2は、幅方向一方側に少しずれるが(図示例では、第1螺旋搬送部7Aにおいて、帯状基板2はX2側に少しずれる)、それに続く第2螺旋搬送部7Bにおいて帯状基板2は、幅方向反対側に少しずれるため(図示例では、第2螺旋搬送部7Bにおいて、帯状基板2はX1側に少しずれる)、帯状基板2のずれが矯正される。
このように本発明の薄膜形成装置1及び薄膜形成方法によれば、帯状基板のずれが抑制されるので、目的とする薄膜を帯状基板2の所定位置に形成することができる。
Since the thin film forming apparatus 1 of the present invention forms a thin film while the belt-shaped
Furthermore, the thin film forming apparatus 1 of the present invention transports the belt-
As described above, according to the thin film forming apparatus 1 and the thin film forming method of the present invention, since the shift of the belt-like substrate is suppressed, the target thin film can be formed at a predetermined position on the belt-
なお、本発明の薄膜形成装置は、上記第1実施形態に限られず、本発明の意図する範囲で適宜設計変更できる。以下、本発明の他の実施形態を説明するが、その説明に於いて、主として上記第1実施形態と異なる構成及び効果について説明し、上記第1実施形態と同様の構成などについては、(それを説明したものとして)用語又は符号をそのまま援用し、その構成の説明を省略する場合がある。 The thin film forming apparatus of the present invention is not limited to the first embodiment, and can be appropriately modified within the range intended by the present invention. Hereinafter, other embodiments of the present invention will be described. In the description, configurations and effects different from those of the first embodiment will be mainly described, and configurations similar to those of the first embodiment will be described. In some cases, the term or reference is used as it is, and the description of the configuration is omitted.
[第2実施形態]
上記第1実施形態では、第1螺旋搬送部7Aの搬送装置3Aは、左右一組の補助ロールを有するが、例えば、図6に示すように、搬送装置3Aが1つの補助ロール323Aとキャンロール31Aから構成されていてもよい。
また、図7に示すように、補助ロールを有さない搬送装置3Aを用いてもよい。図7に示す搬送装置3Aによれば、帯状基板2はキャンロール31Aのみに螺旋状に巻き掛けられて搬送される。その他、特に図示しないが、特開2013−139621号公報に開示されたネルソンロールを本発明の搬送装置として用いてもよい。
第2螺旋搬送部7B、第3螺旋搬送部7C及び第4螺旋搬送部7Dの搬送装置も同様に、変更することができる。
本発明の薄膜形成装置1においては、帯状基板2を螺旋状の搬送軌跡を描くように搬送できることを条件として、各螺旋搬送部の搬送装置の具体的構成は、特に限定されず、様々な構造を採用できる。
[Second Embodiment]
In the first embodiment, the
Moreover, as shown in FIG. 7, you may use 3 A of conveying apparatuses which do not have an auxiliary roll. According to the
Similarly, the transport devices of the second
In the thin film forming apparatus 1 of the present invention, on the condition that the belt-
[その他の実施形態]
上記第1実施形態では、螺旋状に搬送される帯状基板2はキャンロールに9回巻き掛けられているが、帯状基板2は2回以上キャンロールに巻き掛けられていることを条件にして、その数は特に限定されない。
[Other Embodiments]
In the first embodiment, the belt-
1 薄膜形成装置
2 帯状基板
3 搬送装置
31A,31B キャンロール
321A,322A,321B,322B 補助ロール
4A,4B チャンバー
6A,6B 成膜源
7A 第1螺旋搬送部
7B 第2螺旋搬送部
7C 第3螺旋搬送部
7D 第4螺旋搬送部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thin
Claims (4)
前記帯状基板を右回り又は左回りの何れかの方向の螺旋状に搬送する第1螺旋搬送部と、前記第1螺旋搬送部に続いて、前記第1螺旋搬送部とは反対向きの螺旋状に搬送する第2螺旋搬送部と、を有する、薄膜形成装置。 In the thin film forming apparatus for forming a thin film on the surface of the belt-shaped substrate in the middle of transporting the belt-shaped substrate so as to draw a spiral transport locus,
A first spiral transport unit that transports the belt-like substrate spirally in either a clockwise direction or a counterclockwise direction, and a spiral shape that is opposite to the first spiral transport unit following the first spiral transport unit. A thin film forming apparatus.
前記薄膜が形成された帯状基板を前記第1成膜工程とは反対の方向の螺旋状の搬送軌跡を描くように搬送しながら前記薄膜の表面にさらに薄膜を形成する第2成膜工程と、
を有する、薄膜形成方法。 A first film forming step of forming a thin film on the surface of the band-shaped substrate while conveying the band-shaped substrate so as to draw a spiral conveyance locus in either the clockwise direction or the counterclockwise direction;
A second film forming step of further forming a thin film on the surface of the thin film while transporting the belt-like substrate on which the thin film is formed so as to draw a spiral transport locus in a direction opposite to the first film forming step;
A method for forming a thin film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015208428A JP2017082256A (en) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | Thin film deposition system and thin film deposition method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015208428A JP2017082256A (en) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | Thin film deposition system and thin film deposition method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017082256A true JP2017082256A (en) | 2017-05-18 |
Family
ID=58711801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015208428A Pending JP2017082256A (en) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | Thin film deposition system and thin film deposition method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017082256A (en) |
-
2015
- 2015-10-22 JP JP2015208428A patent/JP2017082256A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20190112711A1 (en) | Roll-To-Roll Atomic Layer Deposition Apparatus and Method | |
KR101514090B1 (en) | Organic vapor jet deposition using an exhaust | |
US8859032B2 (en) | Organic el device manufacturing method and apparatus | |
US20150147471A1 (en) | Method for producing transparent gas barrier film and apparatus for producing transparent gas barrier film | |
JP5740244B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing organic EL element | |
JP2016519213A5 (en) | ||
EP2805358B1 (en) | Systems for forming photovoltaic cells on flexible substrates | |
WO2015107702A1 (en) | Gas-barrier film | |
US20160126497A1 (en) | Organic electroluminescence device and method for producing organic electroluminescence device | |
WO2014122987A1 (en) | Method for producing transparent gas-barrier film, device for producing transparent gas-barrier film, and organic electroluminescence device | |
EP2773165B1 (en) | Organic electroluminescence device manufacturing method and manufacturing apparatus | |
JP2011046060A (en) | Gas barrier film and method for manufacturing gas barrier film | |
TWI728283B (en) | Deposition apparatus, method of coating a flexible substrate and flexible substrate having a coating | |
JP2017082255A (en) | Thin film deposition system | |
JP2017082256A (en) | Thin film deposition system and thin film deposition method | |
US20220356028A1 (en) | Roller for transporting a flexible substrate, vacuum processing apparatus, and methods therefor | |
KR101996328B1 (en) | The Non-Contact Printing Device of Electronic Circuit Pattern Based on Roll to Roll Process | |
JP2014197474A (en) | Method for manufacturing organic electroluminescent device | |
WO2020025102A1 (en) | Method of coating a flexible substrate with a stack of layers, layer stack, and deposition apparatus for coating a flexible substrate with a stack of layers | |
TWI713937B (en) | Deposition apparatus for coating a flexible substrate, method of coating a flexible substrate and flexible substrate having a coating | |
JP2013179019A (en) | Guide member, guide mechanism and method for manufacturing organic el device |