JP2017077689A - Matrix, transcript and method for producing matrix - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a matrix, a transcript, and a method for producing a matrix having improved mass productivity.SOLUTION: A matrix has a cylindrical or columnar base material, and an uneven structure formed on the peripheral surface of the base material. The uneven structure has a first uneven structure formed in a first region, a second uneven structure formed in a second region, and a layered structure in which the first uneven structure and the second uneven structure are layered, the layered structure being formed in a layered region between the first region and the second region.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、原盤、転写物および原盤の製造方法に関する。   The present invention relates to a master, a transcript, and a method for manufacturing the master.

近年、微細加工技術の一つとして、表面に微細なパターンが形成された平板形状または円柱形状の原盤を樹脂シート等に押し当て、原盤上の微細なパターンを樹脂シート等に転写するナノインプリント技術の開発が進められている。また、このようなナノインプリント技術に用いられる原盤(モールドともいう)の開発も進められている。   In recent years, as one of the microfabrication technologies, nanoimprint technology has been developed in which a flat or cylindrical master with a fine pattern formed on its surface is pressed against a resin sheet, etc., and the fine pattern on the master is transferred to a resin sheet, etc. Development is underway. In addition, the development of masters (also called molds) used in such nanoimprint technology is also underway.

例えば、下記の特許文献1には、レーザ光を照射することで熱反応型レジスト層に微細パターンを形成したスリーブ形状のモールドが開示されている。   For example, Patent Document 1 below discloses a sleeve-shaped mold in which a fine pattern is formed on a heat-reactive resist layer by irradiating a laser beam.

下記の特許文献2には、外周に沿って2つ以上のパターン部が設けられたロール形状のモールドが開示されている。また、特許文献2には、モールドの外周に設けられた各パターン部の間には、さらに未パターン部を設けることが開示されている。   The following Patent Document 2 discloses a roll-shaped mold in which two or more pattern portions are provided along the outer periphery. Patent Document 2 discloses that an unpatterned portion is further provided between the pattern portions provided on the outer periphery of the mold.

特許第4977212号公報Japanese Patent No. 4977212 特開2013−86388号公報JP 2013-86388 A

ここで、特許文献1および2に開示されたモールドでは、円柱または円筒形状の基材を軸中心に回転させながら、外周面にレーザ光を照射することでパターンを形成している。   Here, in the molds disclosed in Patent Documents 1 and 2, a pattern is formed by irradiating the outer peripheral surface with laser light while rotating a columnar or cylindrical base material about the axis.

このような円柱または円筒形状の原盤において、基材の外周面の広い領域を精度よくパターン形成する技術が求められていた。ただし、例えば、基材の軸方向にレーザ光源を移動させるスライダを長くした場合、スライダの位置決め精度が低下するため、パターン形状の精度が低下するという問題点があった。また、パターンを形成する露光時間を長くした場合、熱膨張等によりパターン形状の精度が低下するという問題点があった。すなわち、外周面の広い領域にパターン形成した原盤は、量産性が低かった。   In such a columnar or cylindrical master, there has been a demand for a technique for accurately patterning a wide area of the outer peripheral surface of a base material. However, for example, when the slider for moving the laser light source in the axial direction of the substrate is lengthened, there is a problem that the accuracy of the pattern shape is lowered because the positioning accuracy of the slider is lowered. Further, when the exposure time for forming the pattern is increased, there is a problem that the accuracy of the pattern shape is lowered due to thermal expansion or the like. That is, the master disc patterned on a wide area on the outer peripheral surface has low mass productivity.

そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、より高い量産性を有する、新規かつ改良された原盤、該原盤の転写物、該原盤の製造方法を提供することにある。   Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a new and improved master disc having higher mass productivity, a transcript of the master disc, and production of the master disc. It is to provide a method.

上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、円筒または円柱形状の基材と、前記基材の外周面に形成された凹凸構造と、を備え、前記凹凸構造は、第1領域に形成された第1の凹凸構造と、第2領域に形成された第2の凹凸構造と、前記第1の凹凸構造と、前記第2の凹凸構造とが重畳されて、前記第1領域と前記第2領域との間の重畳領域に形成された重畳構造と、を含む、原盤が提供される。   In order to solve the above problems, according to an aspect of the present invention, a cylindrical or columnar base material and a concavo-convex structure formed on an outer peripheral surface of the base material, the concavo-convex structure is a first The first concavo-convex structure formed in the region, the second concavo-convex structure formed in the second region, the first concavo-convex structure, and the second concavo-convex structure are overlapped to form the first region. And a superposition structure formed in a superposition region between the first region and the second region.

前記基材の軸方向における前記重畳領域の幅は、1μm以下であってもよい。   The width of the overlapping region in the axial direction of the base material may be 1 μm or less.

前記第1の凹凸構造、および前記第2の凹凸構造は、同一のパターン形状であってもよい。   The first concavo-convex structure and the second concavo-convex structure may have the same pattern shape.

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上記に記載の原盤の外周面に形成された凹凸構造に対する反転構造が表面に形成された、転写物が提供される。   Moreover, in order to solve the said subject, according to another viewpoint of this invention, the transcription | transfer material by which the inversion structure with respect to the uneven structure formed in the outer peripheral surface of the above-mentioned original disk was formed in the surface is provided. .

さらに、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、円筒または円柱形状の基材の外周面に、第1のレーザ光を用いて第1の凹凸構造を形成すると共に、第2のレーザ光を用いて第2の凹凸構造を形成するステップと、前記第1の凹凸構造が形成された領域の端部に、第2のレーザ光を用いて前記第2の凹凸構造を重畳形成するステップと、を含む、原盤の製造方法が提供される。   Furthermore, in order to solve the above-described problem, according to another aspect of the present invention, a first concavo-convex structure is formed on the outer peripheral surface of a cylindrical or columnar substrate using a first laser beam, Forming a second concavo-convex structure using a second laser beam; and forming the second concavo-convex structure using a second laser beam at an end of a region where the first concavo-convex structure is formed. And a method of manufacturing a master, including a step of superposing and forming.

前記第1の凹凸構造と、前記第2の凹凸構造とが重畳形成された領域の前記基材の軸方向における幅は、前記基材の軸方向における前記第2のレーザ光の照射間隔の5倍以下であってもよい。   The width in the axial direction of the base material of the region where the first concavo-convex structure and the second concavo-convex structure are superimposed is 5 of the irradiation interval of the second laser light in the axial direction of the base material. It may be less than double.

前記基材からの反射光の変化に基づいて、前記第2の凹凸構造の重畳形成を停止させるステップをさらに含んでもよい。   The method may further include a step of stopping the overlapping formation of the second concavo-convex structure based on a change in reflected light from the base material.

前記第2の凹凸構造の重畳形成は、前記基材の外周一周分以上にわたって前記第2のレーザ光の反射光が変化した場合に停止されてもよい。   The overlapping formation of the second concavo-convex structure may be stopped when the reflected light of the second laser light changes over the circumference of the base material for one round or more.

前記反射光の変化は、前記反射光の強度の変化であってもよい。   The change in the reflected light may be a change in the intensity of the reflected light.

前記第1のレーザ光の照射位置と、前記第2のレーザ光の照射位置との距離は、前記基材の軸方向において前記第2の凹凸構造が形成された距離よりも小さくてもよい。   The distance between the irradiation position of the first laser light and the irradiation position of the second laser light may be smaller than the distance at which the second concavo-convex structure is formed in the axial direction of the base material.

前記基材の外周面には、さらに第3のレーザ光を用いて第3の凹凸構造が形成されてもよい。   A third concavo-convex structure may be further formed on the outer peripheral surface of the substrate using a third laser beam.

以上説明したように本発明によれば、高い量産性を有する原盤を提供することができる。   As described above, according to the present invention, a master having high mass productivity can be provided.

本発明の一実施形態に係る原盤を模式的に示した斜視図である。It is the perspective view which showed typically the original disk which concerns on one Embodiment of this invention. 同実施形態に係る原盤の露光方法を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed the exposure method of the original disk which concerns on the same embodiment. 重畳領域の形成の様態を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed the aspect of formation of a superimposition area | region. 同実施形態に係る原盤を露光する露光装置の光学系の一例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed an example of the optical system of the exposure apparatus which exposes the original disk concerning the embodiment. 同実施形態に係る原盤を露光する露光装置の光学系の他の例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed the other example of the optical system of the exposure apparatus which exposes the original disk based on the embodiment. 同実施形態に係る原盤を用いて転写物を製造する転写装置を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the transfer apparatus which manufactures a transcription | transfer material using the original recording concerning the embodiment. 実施例1に係る原盤を用いて製造した転写物の重複領域を撮像したSEM画像である。3 is an SEM image obtained by imaging an overlapping region of a transcript manufactured using the master according to Example 1. FIG.

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。   Exemplary embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in this specification and drawing, about the component which has the substantially same function structure, duplication description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol.

<1.原盤の構成>
まず、図1を参照して、本発明の一実施形態に係る原盤の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る原盤1を模式的に示した斜視図である。
<1. Composition of master>
First, with reference to FIG. 1, the structure of the master which concerns on one Embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a master 1 according to this embodiment.

図1に示すように、本実施形態に係る原盤1は、例えば、外周面に凹凸構造11が形成された基材10からなる。   As shown in FIG. 1, the master 1 according to the present embodiment includes, for example, a base material 10 having an uneven structure 11 formed on the outer peripheral surface.

原盤1は、例えば、ロールツーロール(roll−to−roll)方式のナノインプリントに用いられる原盤である。ロールツーロール方式のナノインプリントでは、原盤1を回転させながら、原盤1の外周面を樹脂基材等に押圧することによって、外周面に形成された凹凸構造を樹脂基材等に転写することができる。すなわち、原盤1は、外周面に形成された凹凸構造を転写した転写物を効率良く大面積にて製造することができる。なお、原盤1によって凹凸構造が転写された転写物は、例えば、反射防止フィルムなどの光学体として使用することができる。   The master 1 is a master used for, for example, roll-to-roll nanoimprint. In the roll-to-roll nanoimprint, the concavo-convex structure formed on the outer peripheral surface can be transferred to the resin base material and the like by pressing the outer peripheral surface of the master 1 against the resin base material while rotating the master 1. . That is, the master 1 can efficiently produce a transfer product having a concavo-convex structure formed on the outer peripheral surface in a large area. In addition, the transcription | transfer material by which the uneven structure was transcribe | transferred by the original disk 1 can be used as optical bodies, such as an antireflection film, for example.

基材10は、例えば、円筒または円柱形状の部材である。基材10の形状は、図1で示すように内部に空洞を有する中空の円筒形状であってもよく、内部に空洞を有さない中実の円柱形状であってもよい。基材10の材料は、特に限定されず、溶融石英ガラスおよび合成石英ガラスなどの石英ガラス(SiO)、ステンレス鋼などの金属、ならびにステンレス鋼などの金属の外周面をSiO等で被覆したものなどを用いることができる。 The base material 10 is, for example, a cylindrical or columnar member. The shape of the substrate 10 may be a hollow cylindrical shape having a cavity inside as shown in FIG. 1, or may be a solid columnar shape having no cavity inside. The material of the base material 10 is not particularly limited, and quartz glass (SiO 2 ) such as fused silica glass and synthetic quartz glass, a metal such as stainless steel, and an outer peripheral surface of a metal such as stainless steel are covered with SiO 2 or the like. Things can be used.

基材10の大きさは、特に限定されるものではないが、例えば、軸方向の長さは100mm以上であってもよく、外径は50mm以上300mm以下であってもよい。また、基材10が円筒形状である場合、円筒の厚みは2mm以上50mm以下であってもよい。   Although the magnitude | size of the base material 10 is not specifically limited, For example, the length of an axial direction may be 100 mm or more, and an outer diameter may be 50 mm or more and 300 mm or less. Moreover, when the base material 10 is cylindrical shape, the thickness of a cylinder may be 2 mm or more and 50 mm or less.

凹凸構造11は、基材10の外周面に形成され、任意の凹凸を有する構造である。また、凹凸構造11が形成された領域は、複数の領域と、各領域の間に設けられた重畳領域とを含む。例えば、図1に示すように、凹凸構造11が形成された領域は、第1領域12と、第2領域13と、第1領域12および第2領域13の間に設けられた重畳領域14とを含む。   The concavo-convex structure 11 is a structure formed on the outer peripheral surface of the base material 10 and having arbitrary concavo-convex. The region where the concavo-convex structure 11 is formed includes a plurality of regions and overlapping regions provided between the regions. For example, as shown in FIG. 1, the region where the concavo-convex structure 11 is formed includes a first region 12, a second region 13, and an overlapping region 14 provided between the first region 12 and the second region 13. including.

第1領域12は、第1の凹凸構造が形成された領域であり、第2領域13は、第2の凹凸構造が形成された領域である。第1の凹凸構造と、第2の凹凸構造とは、同一のパターン形状であってもよく、異なるパターン形状であってもよい。例えば、第1の凹凸構造、および第2の凹凸構造は、凹凸の平均周期が可視光帯域の波長以下(より具体的には、100nm以上350nm以下)である凹凸構造(いわゆる、モスアイ構造)であってもよい。また、第1の凹凸構造、および第2の凹凸構造がモスアイ構造である場合、凹部または凸部の平面配置は、四方格子であってもよく、六方格子であってもよく、ランダム配置であってもよい。   The first region 12 is a region where the first concavo-convex structure is formed, and the second region 13 is a region where the second concavo-convex structure is formed. The first uneven structure and the second uneven structure may have the same pattern shape or different pattern shapes. For example, the first concavo-convex structure and the second concavo-convex structure are concavo-convex structures (so-called moth-eye structures) in which the average period of the concavo-convex is not more than the wavelength of the visible light band (more specifically, not less than 100 nm and not more than 350 nm). There may be. Further, when the first concavo-convex structure and the second concavo-convex structure are moth-eye structures, the planar arrangement of the concave portions or the convex portions may be a tetragonal lattice, a hexagonal lattice, or a random arrangement. May be.

重畳領域14は、第1の凹凸構造と、第2の凹凸構造とを重畳した重畳構造が形成された領域である。重畳領域14は、基材10の外周に沿って第1領域12と第2領域13との間に設けられる。   The overlapping region 14 is a region where an overlapping structure in which the first uneven structure and the second uneven structure are overlapped is formed. The overlapping region 14 is provided between the first region 12 and the second region 13 along the outer periphery of the base material 10.

重畳構造は、第1の凹凸構造と、第2の凹凸構造とを平面視した形状にて重畳した構造であってもよく、第1の凹凸構造と、第2の凹凸構造とを立体的に重畳した構造であってもよい。例えば、第1の凹凸構造、および第2の凹凸構造がフォトリソグラフィによって形成される場合、重畳領域14は、第1の凹凸構造を形成するための露光と、第2の凹凸構造を形成するための露光とが重畳して行われた多重露光領域であってもよい。   The superimposed structure may be a structure in which the first concavo-convex structure and the second concavo-convex structure are overlapped in a plan view, and the first concavo-convex structure and the second concavo-convex structure are three-dimensionally arranged. An overlapping structure may be used. For example, when the first concavo-convex structure and the second concavo-convex structure are formed by photolithography, the overlapping region 14 is used to form the exposure and the second concavo-convex structure for forming the first concavo-convex structure. A multiple exposure region obtained by superimposing the above exposure may be used.

また、原盤1の軸方向における重畳領域14の幅は、1μm以下であってもよい。重畳領域14の幅が1μm以下である場合、重畳領域14を目視で視認することが困難になるため、第1領域12と、第2領域13との繋ぎ目を視認しにくくすることができる。そのため、原盤1を用いて凹凸構造11を大面積に転写し、転写物を枚葉に切り分けた場合、枚葉物において重畳領域14が視認されにくいため、枚葉物ごとの品質のばらつきを小さくすることができる。   Further, the width of the overlapping region 14 in the axial direction of the master 1 may be 1 μm or less. When the width of the overlapping region 14 is 1 μm or less, it is difficult to visually recognize the overlapping region 14, so that it is difficult to visually recognize the joint between the first region 12 and the second region 13. Therefore, when the concave / convex structure 11 is transferred to a large area using the master 1 and the transfer product is cut into single sheets, the overlapping region 14 is difficult to be visually recognized in the single sheets, so that the variation in quality among the single sheets is small. can do.

上述したように、本実施形態に係る原盤1は、基材10の外周に形成された凹凸構造11において、第1の凹凸構造が形成された第1領域12と、第2の凹凸構造が形成された第2領域13との繋ぎ目を視認しにくくすることができる。したがって、本実施形態によれば、より広い領域に凹凸構造11を形成した原盤1を作製することができるため、より大面積の転写物を製造することができる。   As described above, in the master 1 according to the present embodiment, in the uneven structure 11 formed on the outer periphery of the base material 10, the first region 12 in which the first uneven structure is formed and the second uneven structure are formed. It is possible to make it difficult to visually recognize the joint between the second region 13 and the second region 13. Therefore, according to the present embodiment, since the master 1 in which the concavo-convex structure 11 is formed in a wider area can be produced, a transfer product having a larger area can be produced.

なお、図1では、原盤1において凹凸構造11が形成された領域が、第1の凹凸構造が形成された第1領域12と、第2の凹凸構造が形成された第2領域13と、を含む例を示したが、本発明は上記例示に限定されない。   In FIG. 1, the region where the uneven structure 11 is formed on the master 1 includes a first region 12 where the first uneven structure is formed and a second region 13 where the second uneven structure is formed. Although the example which contains is shown, this invention is not limited to the said illustration.

例えば、原盤1において凹凸構造11が形成された領域は、第1の凹凸構造が形成された第1領域と、第2の凹凸構造が形成された第2領域と、第3の凹凸構造が形成された第3領域とを含んでもよい。このような場合、第1領域と第2領域との間には、第1の凹凸構造と第2の凹凸構造とが重畳された構造が形成された重畳領域が設けられ、第2領域と第3領域との間には、第2の凹凸構造と第3の凹凸構造とが重畳された構造が形成された重畳領域が設けられる。すなわち、凹凸構造11が形成された領域は、複数の領域と、各領域の間に設けられた重畳領域とを含んでいればよく、複数の領域の数は特に限定されない。   For example, in the master 1, the region in which the concavo-convex structure 11 is formed includes the first region in which the first concavo-convex structure is formed, the second region in which the second concavo-convex structure is formed, and the third concavo-convex structure. The third region may be included. In such a case, an overlap region in which a structure in which the first uneven structure and the second uneven structure are overlapped is provided between the first region and the second region, and the second region and the second region are provided. Between the three regions, an overlapping region in which a structure in which the second uneven structure and the third uneven structure are overlapped is provided. That is, the region in which the concavo-convex structure 11 is formed only needs to include a plurality of regions and overlapping regions provided between the regions, and the number of the plurality of regions is not particularly limited.

<2.原盤の製造方法>
続いて、図2〜図5を参照して、本実施形態に係る原盤1の製造方法について説明する。図2は、本実施形態に係る原盤1の露光方法を示した模式図である。なお、図2(A)は、露光開始時の原盤1の状態を示しており、図2(B)は、露光中の原盤1の状態を示している。
<2. Master production method>
Then, with reference to FIGS. 2-5, the manufacturing method of the original recording 1 concerning this embodiment is demonstrated. FIG. 2 is a schematic view showing an exposure method of the master 1 according to this embodiment. 2A shows the state of the master 1 at the start of exposure, and FIG. 2B shows the state of the master 1 during exposure.

図2に示すように、本実施形態に係る原盤1の製造方法では、基材10への露光は、複数のレーザヘッドを備えた露光装置2によって行われる。   As shown in FIG. 2, in the manufacturing method of the master 1 according to the present embodiment, the exposure to the base material 10 is performed by the exposure apparatus 2 including a plurality of laser heads.

例えば、露光装置2は、第1のレーザヘッド23と、第2のレーザヘッド24と、第1のレーザヘッド23および第2のレーザヘッド24が組み付けられたヘッドステージ22と、ヘッドステージ22を基材10の軸方向に移動させるスライダ21とを備える。なお、第1のレーザヘッド23と、第2のレーザヘッド24との組み付け位置は、逆であってもよいことは言うまでもない。   For example, the exposure apparatus 2 is based on the first laser head 23, the second laser head 24, the head stage 22 on which the first laser head 23 and the second laser head 24 are assembled, and the head stage 22. And a slider 21 that moves in the axial direction of the material 10. Needless to say, the assembly positions of the first laser head 23 and the second laser head 24 may be reversed.

また、基材10への露光は、例えば、ヘッドステージ22をスライダ21に沿って動かし、軸中心に回転する基材10に第1のレーザヘッド23、および第2のレーザヘッド24からレーザ光を照射することで行われる。これにより、基材10は、露光装置2によってスパイラル状に露光される。   Further, the exposure to the base material 10 is performed by, for example, moving the head stage 22 along the slider 21 and applying laser light from the first laser head 23 and the second laser head 24 to the base material 10 that rotates about the axis center. This is done by irradiating. Thereby, the base material 10 is exposed in a spiral shape by the exposure apparatus 2.

基材10は、上述したように、円筒または円柱形状の部材である。また、基材10の外周面には、露光によるパターン形成のため、レジスト層(図示せず)が成膜される。   As described above, the base material 10 is a cylindrical or columnar member. Further, a resist layer (not shown) is formed on the outer peripheral surface of the base material 10 for pattern formation by exposure.

レジスト層は、ポジ型またはネガ型のいずれのレジストで形成されてもよい。また、レジスト層に用いられるレジストは、有機系レジストまたは無機系レジストのいずれであってもよい。有機系レジストとしては、例えば、ノボラック系レジスト、または化学増幅型レジストなどを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、タングステン、モリブデン、バナジウム、タンタル、鉄、ニッケル、銅、チタン、ルテニウム、銀、亜鉛、アルミニウム、タリウム、ホウ素、ゲルマニウム、ニオブ、ケイ素、ウラン、テルル、ビスマス、コバルト、クロム、スズ、ジルコニウム、およびマンガンなどの1種または2種以上の無機元素を含む金属酸化物を用いることができる。なお、詳しくは後述するが、レジスト層は、露光前後で反射率等の特性が変化するレジストで形成されることが好ましい。   The resist layer may be formed of either positive type or negative type resist. The resist used for the resist layer may be either an organic resist or an inorganic resist. As the organic resist, for example, a novolac resist or a chemically amplified resist can be used. Examples of the inorganic resist include tungsten, molybdenum, vanadium, tantalum, iron, nickel, copper, titanium, ruthenium, silver, zinc, aluminum, thallium, boron, germanium, niobium, silicon, uranium, tellurium, bismuth, A metal oxide containing one or more inorganic elements such as cobalt, chromium, tin, zirconium, and manganese can be used. In addition, although mentioned later in detail, it is preferable that a resist layer is formed with the resist from which characteristics, such as a reflectance, change before and behind exposure.

有機系レジストにてレジスト層を成膜する場合、スピンコーティング、スリットコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、またはスクリーン印刷等を用いることができる。また、無機系レジストにてレジスト層を成膜する場合、スパッタ法等を用いることができる。   When forming a resist layer with an organic resist, spin coating, slit coating, dip coating, spray coating, screen printing, or the like can be used. In addition, when a resist layer is formed using an inorganic resist, a sputtering method or the like can be used.

スライダ21は、ヘッドステージ22を基材10の軸方向に精密に移動させる。具体的には、スライダ21は、サーボ制御によって高い位置決め精度にて、第1のレーザヘッド23および第2のレーザヘッド24を組み付けたヘッドステージ22を基材10の軸方向に移動させる。これにより、露光装置2は、基材10の一方の端部から他方の端部へ高い位置精度にてレーザ光を照射することができる。スライダ21は、例えば、ナノメートル単位の位置決め精度を有する精密スライダであってもよい。   The slider 21 moves the head stage 22 precisely in the axial direction of the substrate 10. Specifically, the slider 21 moves the head stage 22 assembled with the first laser head 23 and the second laser head 24 in the axial direction of the substrate 10 with high positioning accuracy by servo control. Thereby, the exposure apparatus 2 can irradiate a laser beam with high positional accuracy from one edge part of the base material 10 to the other edge part. The slider 21 may be, for example, a precision slider having positioning accuracy in nanometer units.

ヘッドステージ22は、第1のレーザヘッド23、および第2のレーザヘッド24を基材10の軸方向に所定の距離だけ離隔して組み付けるステージである。ヘッドステージ22の形状は、第1のレーザヘッド23、および第2のレーザヘッド24を組み付けることができれば、どのような形状であってもよい。   The head stage 22 is a stage in which the first laser head 23 and the second laser head 24 are assembled with a predetermined distance apart in the axial direction of the substrate 10. The shape of the head stage 22 may be any shape as long as the first laser head 23 and the second laser head 24 can be assembled.

ここで、第1のレーザヘッド23と、第2のレーザヘッド24との距離は、スライダ21が基材10の軸方向に移動可能な距離よりも小さいことが好ましい。このような場合、露光装置2は、第1のレーザヘッド23によって露光された第1領域12と、第2のレーザヘッド24によって露光された第2領域13とが重畳するように基材10を露光することができる。   Here, the distance between the first laser head 23 and the second laser head 24 is preferably smaller than the distance that the slider 21 can move in the axial direction of the substrate 10. In such a case, the exposure apparatus 2 moves the substrate 10 so that the first region 12 exposed by the first laser head 23 and the second region 13 exposed by the second laser head 24 overlap each other. Can be exposed.

すなわち、露光装置2は、第1領域12と、第2領域13との間に未露光領域(すなわち、パターンが形成されない領域)が生じないように露光を行う。これは、パターンが形成されていない領域は、基材10の軸方向における幅がわずかであっても視認されやすいため、露光装置2は、パターンが形成されていない領域が生じないように露光することが好ましいためである。したがって、本実施形態に係る原盤1では、第1のレーザヘッド23によって露光された第1領域12と、第2のレーザヘッド24によって露光された第2領域13との間に、第1のレーザヘッド23、および第2のレーザヘッド24の各々によって多重露光された重畳領域が形成される。   That is, the exposure apparatus 2 performs exposure so that an unexposed area (that is, an area where no pattern is formed) does not occur between the first area 12 and the second area 13. This is because the area where the pattern is not formed is easily visible even if the width of the base material 10 in the axial direction is small, so that the exposure apparatus 2 exposes so that the area where the pattern is not formed does not occur. This is because it is preferable. Therefore, in the master 1 according to this embodiment, the first laser is between the first region 12 exposed by the first laser head 23 and the second region 13 exposed by the second laser head 24. Overlapping regions subjected to multiple exposure are formed by each of the head 23 and the second laser head 24.

第1のレーザヘッド23、および第2のレーザヘッド24は、基材10の外周面へ照射されるレーザ光の光源、およびレーザ光を基材10の外周面へ導く各種光学系を含む。また、第1のレーザヘッド23、および第2のレーザヘッド24は、ヘッドステージ22に基材10に軸方向に所定の距離を離隔して組み付けられる。第1のレーザヘッド23、および第2のレーザヘッド24に含まれるレーザ光源は、レーザ光を発するものであればどのようなものでも使用可能であるが、例えば、固体レーザ光源または半導体レーザ光源などを使用することができる。また、第1のレーザヘッド23、および第2のレーザヘッド24から照射されるレーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、400nm〜500nmの青色光帯域の波長であってもよい。   The first laser head 23 and the second laser head 24 include a light source of laser light applied to the outer peripheral surface of the base material 10 and various optical systems that guide the laser light to the outer peripheral surface of the base material 10. Further, the first laser head 23 and the second laser head 24 are assembled to the head stage 22 at a predetermined distance in the axial direction on the substrate 10. As the laser light source included in the first laser head 23 and the second laser head 24, any laser light source that emits laser light can be used. For example, a solid laser light source or a semiconductor laser light source is used. Can be used. Further, the wavelength of the laser light emitted from the first laser head 23 and the second laser head 24 is not particularly limited, but may be, for example, a wavelength in a blue light band of 400 nm to 500 nm.

本実施形態に係る原盤1の製造に用いられる露光装置2は、2つのレーザ光源を用いて同時に基材10への露光を行うことができるため、スライダ21の移動量の2倍の長さの基材10の外周面の領域を露光することができる。したがって、露光装置2は、より長軸の基材10の外周面をより短時間で露光することができる。また、露光装置2は、ヘッドステージ22にさらにレーザヘッド(すなわち、第3、第4のレーザヘッド)を組み付けることにより、さらに長軸の基材10の外周面をさらに短時間で露光することも可能である。   Since the exposure apparatus 2 used for manufacturing the master 1 according to the present embodiment can simultaneously expose the substrate 10 using two laser light sources, the exposure apparatus 2 has a length twice as long as the movement amount of the slider 21. The area of the outer peripheral surface of the substrate 10 can be exposed. Therefore, the exposure apparatus 2 can expose the outer peripheral surface of the longer-axis base material 10 in a shorter time. Further, the exposure apparatus 2 can further expose the outer peripheral surface of the long-axis substrate 10 in a shorter time by further assembling a laser head (that is, the third and fourth laser heads) to the head stage 22. Is possible.

なお、露光された基材10は、有機溶媒、またはアルカリ溶液などによって現像され、露光されたパターンがレジスト層に形成されることで、原盤1が製造される。また、パターンが形成されたレジスト層をマスクにして、さらに基材10をエッチングすることで、露光されたパターンが基材10の表面に形成された原盤1を製造してもよい。   The exposed substrate 10 is developed with an organic solvent, an alkaline solution, or the like, and the exposed pattern is formed on the resist layer, whereby the master 1 is manufactured. Further, the master 1 in which the exposed pattern is formed on the surface of the base 10 may be manufactured by further etching the base 10 using the resist layer on which the pattern is formed as a mask.

続いて、図3を参照して第1領域12と、第2領域13との間の重畳領域について説明する。図3は、重畳領域の形成の様態を示した説明図である。なお、図3において、X軸方向は、基材10の周方向であり、Y軸方向は、基材10の軸方向である。   Next, the overlapping region between the first region 12 and the second region 13 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an explanatory diagram showing a form of formation of the overlapping region. In FIG. 3, the X-axis direction is the circumferential direction of the substrate 10, and the Y-axis direction is the axial direction of the substrate 10.

重畳領域は、第1のレーザヘッド23、および第2のレーザヘッド24の各々によって多重露光された領域である。具体的には、図3に示すように、基材10は、軸方向にスパイラル状に露光されるため、スライダ21の移動に伴い、第1のレーザヘッド23による露光領域と、第2のレーザヘッド24による露光領域とが重なることになる。   The overlapping region is a region that has been subjected to multiple exposure by each of the first laser head 23 and the second laser head 24. Specifically, as shown in FIG. 3, since the base material 10 is exposed in a spiral shape in the axial direction, the exposure region by the first laser head 23 and the second laser are moved along with the movement of the slider 21. The exposure area by the head 24 overlaps.

そのため、重畳領域14では、第1のレーザヘッド23からのレーザ光の照射によって形成された第1の潜像121に、さらに第2のレーザヘッド24からのレーザ光の照射によって第2の潜像131が重畳形成される。これにより、現像後、第1の潜像121のみが形成された領域が第1領域12となり、第2の潜像131のみが形成された領域が第2領域13となる。また、第1の潜像121と第2の潜像131とが重畳形成された領域が重畳領域14となる。   Therefore, in the overlapping region 14, the first latent image 121 formed by the laser beam irradiation from the first laser head 23 is further applied to the second latent image by the laser beam irradiation from the second laser head 24. 131 is superimposed. Thus, after development, an area where only the first latent image 121 is formed becomes the first area 12, and an area where only the second latent image 131 is formed becomes the second area 13. In addition, a region where the first latent image 121 and the second latent image 131 are superimposed is a superimposed region 14.

ここで、露光装置2は、第1の潜像121が形成された領域に、第2のレーザヘッド24からのレーザ光の照射が行われ、重畳領域14が形成された場合、露光を終了し、スライダ21を停止させる。   Here, the exposure apparatus 2 ends the exposure when the region where the first latent image 121 is formed is irradiated with the laser light from the second laser head 24 and the overlapping region 14 is formed. Then, the slider 21 is stopped.

例えば、露光装置2は、第1のレーザヘッド23と、第2のレーザヘッド24との組み付け距離に基づいて、第1のレーザヘッド23によってレーザ光が照射されたと想定される位置にスライダ21が達した場合に、露光を終了し、スライダ21を停止させてもよい。具体的には、第1のレーザヘッド23と、第2のレーザヘッド24との基材10の軸方向における距離が260mmである場合、露光装置2は、基材10の軸方向に260mmの距離分、露光した場合に、露光を終了し、スライダ21を停止させてもよい。   For example, the exposure apparatus 2 has the slider 21 at a position where it is assumed that the first laser head 23 is irradiated with laser light based on the assembly distance between the first laser head 23 and the second laser head 24. When it reaches, the exposure may be terminated and the slider 21 may be stopped. Specifically, when the distance in the axial direction of the base material 10 between the first laser head 23 and the second laser head 24 is 260 mm, the exposure apparatus 2 has a distance of 260 mm in the axial direction of the base material 10. When the exposure is performed for the number of minutes, the exposure may be terminated and the slider 21 may be stopped.

ただし、第1のレーザヘッド23と、第2のレーザヘッド24との基材10の軸方向における距離は、それぞれのレーザヘッド23、24の組み付け精度によって誤差を含む。また、スライダ21、およびヘッドステージ22などの熱膨張により、第1のレーザヘッド23と、第2のレーザヘッド24との基材10の軸方向における距離は、露光中に変動する可能性がある。したがって、上記のようにスライダ21等の移動距離に基づいて露光を終了させた場合、重畳領域14の基材10の軸方向における幅を視認されない程度に小さくすることは困難である。   However, the distance in the axial direction of the substrate 10 between the first laser head 23 and the second laser head 24 includes an error depending on the assembly accuracy of the laser heads 23 and 24. Further, due to thermal expansion of the slider 21 and the head stage 22, the distance in the axial direction of the substrate 10 between the first laser head 23 and the second laser head 24 may vary during exposure. . Therefore, when the exposure is terminated based on the movement distance of the slider 21 or the like as described above, it is difficult to reduce the width of the overlapping region 14 in the axial direction of the base material 10 so as not to be visually recognized.

そのため、露光装置2は、第2のレーザヘッド24からレーザ光が照射される位置に潜像が形成されているか否かを判断し、該判断に基づいて、露光の停止を判断することが好ましい。   Therefore, it is preferable that the exposure apparatus 2 determines whether or not a latent image is formed at a position irradiated with laser light from the second laser head 24, and determines stop of exposure based on the determination. .

具体的には、露光装置2は、基材10の外周面からの反射光の変化に基づいて、第2のレーザヘッド24からレーザ光が照射される位置に、潜像が形成されているか否かを判断してもよい。例えば、露光されることで反射率が変化するレジストにてレジスト層を形成した場合、露光後のレジスト層からの反射光の強度は、未露光のレジスト層からの反射光の強度に対して変化することになる。そのため、露光装置2は、基材10の外周面からの反射光の強度等の変化を検出することにより、基材10の外周面のレジスト層に潜像が形成されているか否かを判断することができる。   Specifically, the exposure apparatus 2 determines whether or not a latent image is formed at a position irradiated with laser light from the second laser head 24 based on a change in reflected light from the outer peripheral surface of the substrate 10. It may be judged. For example, when a resist layer is formed with a resist whose reflectivity changes by exposure, the intensity of reflected light from the resist layer after exposure changes relative to the intensity of reflected light from the unexposed resist layer. Will do. Therefore, the exposure apparatus 2 determines whether or not a latent image is formed on the resist layer on the outer peripheral surface of the base material 10 by detecting a change in the intensity of reflected light from the outer peripheral surface of the base material 10. be able to.

また、露光装置2は、反射光の強度の変化ではなく、反射光の非点収差の変動幅を検出することにより、基材10の外周面のレジスト層に潜像が形成されているか否かを判断してもよい。露光されることで膨張するレジストにてレジスト層を形成した場合、露光後のレジスト層の表面は平坦性が低下することになる。そのため、露光装置2は、基材10の外周面とのフォーカスのずれ(すなわち、非点収差)の変動量を検出することにより、基材10の外周面のレジスト層に潜像が形成されているか否かを判断することができる。   Further, the exposure apparatus 2 detects whether or not a latent image is formed on the resist layer on the outer peripheral surface of the substrate 10 by detecting the fluctuation range of the astigmatism of the reflected light, not the change in the intensity of the reflected light. May be judged. When a resist layer is formed of a resist that expands when exposed to light, the surface of the resist layer after the exposure has reduced flatness. Therefore, the exposure apparatus 2 detects a fluctuation amount of focus shift (ie, astigmatism) with the outer peripheral surface of the base material 10, thereby forming a latent image on the resist layer on the outer peripheral surface of the base material 10. It can be determined whether or not.

潜像が形成されているか否かの判断に用いられる反射光は、第2のレーザヘッド24から照射したレーザ光の反射光であってもよく、レーザ光のフォーカスを制御するために、別途、照射している光の反射光であってもよい。ただし、フォーカス制御用の光の照射位置は、第2のレーザヘッド24から照射されたレーザ光の照射位置と異なるため、第2のレーザヘッド24から照射したレーザ光の反射光を用いて、レジスト層に潜像が形成されているか否かを判断することが好ましい。   The reflected light used for determining whether or not a latent image is formed may be reflected light of the laser light emitted from the second laser head 24. In order to control the focus of the laser light, separately, It may be the reflected light of the irradiating light. However, since the irradiation position of the focus control light is different from the irradiation position of the laser light emitted from the second laser head 24, the reflected light of the laser light emitted from the second laser head 24 is used to form a resist. It is preferable to determine whether or not a latent image is formed on the layer.

例えば、露光されることで反射率が低下する金属酸化物をレジスト層に用いる場合、露光装置2は、レジスト層からの反射光の強度が閾値以下となったか否かに基づいて、基材10の外周面のレジスト層に潜像が形成されているか否かを判断してもよい。なお、閾値は、反射されるレーザ光の強度、金属酸化物の種類、および潜像のパターン密度によって、適宜設定することが可能である。   For example, when a metal oxide whose reflectance is reduced by exposure is used for the resist layer, the exposure apparatus 2 uses the base material 10 based on whether or not the intensity of reflected light from the resist layer is equal to or less than a threshold value. It may be determined whether or not a latent image is formed on the resist layer on the outer peripheral surface. The threshold value can be appropriately set according to the intensity of the reflected laser beam, the type of metal oxide, and the pattern density of the latent image.

また、露光装置2は、上記の基材10からの反射光の変化が基材10の外周一周分以上にわたって検出された場合に、露光を停止することが好ましい。これは、露光装置2は、基材10をスパイラル状に露光しているため、一部領域で第1の潜像121と第2の潜像131とが重畳形成されたとしても、基材10の外周の他の領域(例えば、基材10の外周の反対側の領域)では、第1の潜像121と第2の潜像131とが重畳形成されているとは限らないためである。そのため、露光装置2は、基材10の外周一周分以上にわたって反射光が変化した場合に、露光を停止させることが好ましい。また、基材10の外周に存在する欠陥等による誤検出を回避するためにも、基材10の外周一周分以上にわたって反射光が変化した場合に、露光を停止させることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the exposure apparatus 2 stops the exposure when the change in the reflected light from the base material 10 is detected over the entire circumference of the base material 10. This is because, since the exposure apparatus 2 exposes the base material 10 in a spiral shape, even if the first latent image 121 and the second latent image 131 are overlapped in a partial region, the base material 10 This is because the first latent image 121 and the second latent image 131 are not necessarily overlapped and formed in other regions of the outer periphery (for example, the region on the opposite side of the outer periphery of the base material 10). Therefore, it is preferable that the exposure apparatus 2 stops the exposure when the reflected light changes over the circumference of the base material 10 over one round. Further, in order to avoid erroneous detection due to defects or the like existing on the outer periphery of the base material 10, it is preferable to stop the exposure when the reflected light changes over the outer periphery of the base material 10.

また、基材10の軸方向における重畳領域14の幅は、基材10の軸方向における第2のレーザヘッド24から照射されたレーザ光の照射間隔の5倍以下とすることが好ましく、2倍以下とすることがより好ましい。具体的には、露光装置2は、一周ごとに所定の間隔(トラックピッチともいう)を取りながら基材10をスパイラル状に露光している。このとき、第2の潜像131が第1の潜像121に重畳形成される重畳領域14は、第2のレーザヘッド24による露光の五周分以下とすることが好ましく、二周分以下とすることがより好ましい。これによれば、基材10の軸方向における重畳領域14の幅が小さくなることで、重畳領域14の視認性を低下させることができるため、第1領域12と、第2領域13との繋ぎ目を視認しにくくすることができる。   The width of the overlapping region 14 in the axial direction of the substrate 10 is preferably 5 times or less of the irradiation interval of the laser light emitted from the second laser head 24 in the axial direction of the substrate 10. More preferably, it is as follows. Specifically, the exposure apparatus 2 exposes the substrate 10 in a spiral shape while taking a predetermined interval (also referred to as a track pitch) every round. At this time, the overlapping region 14 in which the second latent image 131 is superimposed on the first latent image 121 is preferably less than or equal to five rounds of exposure by the second laser head 24, and less than or equal to two rounds. More preferably. According to this, since the visibility of the overlapping region 14 can be reduced by reducing the width of the overlapping region 14 in the axial direction of the base material 10, the connection between the first region 12 and the second region 13. The eyes can be made difficult to see.

続いて、本実施形態に係る原盤1を露光するレーザヘッドの光学系について説明する。図4および図5は、第1および第2のレーザヘッド23、24の光学系を説明する説明図である。   Next, the optical system of the laser head that exposes the master 1 according to this embodiment will be described. 4 and 5 are explanatory views for explaining the optical systems of the first and second laser heads 23 and 24. FIG.

まず、図4を参照して、第1および第2のレーザヘッド23、24の光学系の一例について説明する。図4で示す光学系200Aは、スライダ21の移動位置によって、露光の終了を判断する場合の光学系である。また、図4で示す光学系200Aは、各レーザヘッド23、24に備えられる。ただし、露光するパターンが同じ場合、制御機構310は、レーザヘッド同士にて共有されても構わない。   First, an example of the optical system of the first and second laser heads 23 and 24 will be described with reference to FIG. An optical system 200 </ b> A shown in FIG. 4 is an optical system for determining the end of exposure based on the movement position of the slider 21. Further, the optical system 200 </ b> A shown in FIG. 4 is provided in each laser head 23, 24. However, when the pattern to be exposed is the same, the control mechanism 310 may be shared between the laser heads.

図4に示すように、光学系200Aは、レーザ光源201と、第1ミラー202と、フォトダイオード(PhotoDiode:PD)203と、集光レンズ204と、電気光学偏向素子(Electro Optic Deflector:EOD)206と、コリメータレンズ205と、第2ミラー207と、ビームエキスパンダ(Beam expander:BEX)208と、対物レンズ209と、を備える。また、レーザ光源201は、制御機構310によって制御され、レーザ光源201から発振されたレーザ光210は、スピンドルモータ301によって回転するターンテーブル302上に載置された基材10に照射される。   As shown in FIG. 4, the optical system 200 </ b> A includes a laser light source 201, a first mirror 202, a photodiode (PhotoDiode: PD) 203, a condensing lens 204, and an electro-optic deflector (Electro Optical Deflector: EOD). 206, a collimator lens 205, a second mirror 207, a beam expander (BEX) 208, and an objective lens 209. The laser light source 201 is controlled by the control mechanism 310, and the laser light 210 oscillated from the laser light source 201 is applied to the base material 10 placed on the turntable 302 rotated by the spindle motor 301.

レーザ光源201は、基材10の外周面に成膜されたレジスト層を露光するためのレーザ光210を発振する光源であり、例えば、400nm〜500nmの青色光帯域の波長のレーザ光を発する半導体レーザである。レーザ光源201から出射されたレーザ光210は、平行ビームのまま直進し、第1ミラー202で反射される。また、第1ミラー202にて反射されたレーザ光210は、集光レンズ204によって電気光学偏向素子206に集光された後、コリメータレンズ205によって、再度、平行ビーム化される。平行ビーム化されたレーザ光210は、第2ミラー207によって反射され、ビームエキスパンダ208に水平に導かれる。   The laser light source 201 is a light source that oscillates a laser beam 210 for exposing a resist layer formed on the outer peripheral surface of the substrate 10, for example, a semiconductor that emits a laser beam having a wavelength in the blue light band of 400 nm to 500 nm. It is a laser. The laser light 210 emitted from the laser light source 201 travels straight as a parallel beam and is reflected by the first mirror 202. The laser light 210 reflected by the first mirror 202 is condensed on the electro-optic deflection element 206 by the condensing lens 204 and then converted into a parallel beam again by the collimator lens 205. The collimated laser beam 210 is reflected by the second mirror 207 and guided horizontally to the beam expander 208.

第1ミラー202は、偏光ビームスプリッタで構成され、偏光成分の一方を反射させ、偏光成分の他方を透過させる機能を有する。第1ミラー202を透過した偏光成分は、フォトダイオード203によって光電変換され、光電変換された受光信号は、レーザ光源201に入力される。これにより、レーザ光源201は、入力された受光信号によるフィードバックに基づいてレーザ光210の変調を行うことができる。   The first mirror 202 includes a polarization beam splitter, and has a function of reflecting one of the polarization components and transmitting the other of the polarization components. The polarization component transmitted through the first mirror 202 is photoelectrically converted by the photodiode 203, and the photoelectrically received light signal is input to the laser light source 201. Thereby, the laser light source 201 can modulate the laser beam 210 based on the feedback by the received light reception signal.

電気光学偏向素子206は、レーザ光210の照射位置をナノメートル程度の距離で制御することが可能な素子である。露光装置2は、電気光学偏向素子206により、基材10に照射されるレーザ光210の照射位置を微調整することが可能である。   The electro-optic deflection element 206 is an element that can control the irradiation position of the laser light 210 at a distance of about nanometers. The exposure apparatus 2 can finely adjust the irradiation position of the laser beam 210 applied to the substrate 10 by the electro-optic deflection element 206.

ビームエキスパンダ208は、第2ミラー207によって導かれたレーザ光210を所望のビーム形状に整形し、対物レンズ209を介して、レーザ光210を基材10の外周面に成膜されたレジスト層に照射する。   The beam expander 208 shapes the laser beam 210 guided by the second mirror 207 into a desired beam shape, and the laser beam 210 is formed on the outer peripheral surface of the base material 10 via the objective lens 209. Irradiate.

ここで、ターンテーブル302により基材10を回転させながら、レーザ光210を基材10の軸方向に移動させ、レジスト層へレーザ光210を間欠的に照射することでレジスト層への露光が行われる。なお、レーザ光210の移動は、上述したように、スライダ21を矢印R方向へ移動することによって行われる。   Here, while rotating the base material 10 by the turntable 302, the laser light 210 is moved in the axial direction of the base material 10, and the laser light 210 is intermittently applied to the resist layer, thereby exposing the resist layer. Is called. The laser beam 210 is moved by moving the slider 21 in the arrow R direction as described above.

また、露光装置は、レーザ光210による照射位置を四方格子状や六方格子状などの2次元パターンにするための制御機構310を備える。制御機構310は、フォーマッタ311と、ドライバ312とを備え、レーザ光210の照射を制御する。ドライバ312は、フォーマッタが生成した制御信号に基づいてレーザ光源201の出力を制御する。また、ドライバ312は、2次元パターンがトラックごとに同期するように、1トラックごとにフォーマッタ311からの制御信号と、スピンドルモータ301のサーボ信号とを同期させている。これにより、基材10のレジスト層へのレーザ光210の照射が制御される。   The exposure apparatus also includes a control mechanism 310 for making the irradiation position of the laser beam 210 into a two-dimensional pattern such as a tetragonal lattice shape or a hexagonal lattice shape. The control mechanism 310 includes a formatter 311 and a driver 312 and controls the irradiation of the laser light 210. The driver 312 controls the output of the laser light source 201 based on the control signal generated by the formatter. The driver 312 synchronizes the control signal from the formatter 311 and the servo signal of the spindle motor 301 for each track so that the two-dimensional pattern is synchronized for each track. Thereby, irradiation of the laser beam 210 to the resist layer of the substrate 10 is controlled.

図4に示す光学系を含むレーザヘッドを備える露光装置は、スライダ21の移動位置が他のレーザヘッドによって露光された領域に達した場合に、ドライバ312によってレーザ光源201からのレーザ光210の出力を停止させる。これにより、露光装置は、第1の潜像121と、第2の潜像131とが重畳形成された重畳領域14を含む原盤1を製造することができる。   The exposure apparatus including the laser head including the optical system shown in FIG. 4 outputs the laser light 210 from the laser light source 201 by the driver 312 when the movement position of the slider 21 reaches the area exposed by the other laser head. Stop. As a result, the exposure apparatus can manufacture the master 1 including the overlapping region 14 in which the first latent image 121 and the second latent image 131 are superimposed.

続いて、図5を参照して、第1および第2のレーザヘッド23、24の光学系の他の例について説明する。図5で示す光学系200Bは、基材10の外周面からの反射光の変化に基づいて、露光の終了を判断する場合の光学系である。また、図5で示す光学系200Bは、各レーザヘッド23、24に備えられる。ただし、露光するパターンが同じ場合、制御機構310は、レーザヘッド同士にて共有されても構わない。   Next, another example of the optical system of the first and second laser heads 23 and 24 will be described with reference to FIG. An optical system 200 </ b> B illustrated in FIG. 5 is an optical system for determining the end of exposure based on a change in reflected light from the outer peripheral surface of the substrate 10. Further, the optical system 200B shown in FIG. 5 is provided in each of the laser heads 23 and 24. However, when the pattern to be exposed is the same, the control mechanism 310 may be shared between the laser heads.

図5に示すように、光学系200Bは、レーザ光源201と、第1ミラー202と、フォトダイオード203と、集光レンズ204と、電気光学偏向素子206と、コリメータレンズ205と、制御機構310と、第2ミラー207と、ビームエキスパンダ(Beam expander:BEX)208と、対物レンズ209と、偏光変換素子222と、偏光ビームスプリッタ(Polarizing Beam Splitter:PBS)221と、フォトダイオード(Photodiode:PD)223とを備える。また、レーザ光源201は、制御機構310によって制御され、レーザ光源201から発振されたレーザ光210は、スピンドルモータ301によって回転するターンテーブル302上に載置された基材10に照射される。   As shown in FIG. 5, the optical system 200B includes a laser light source 201, a first mirror 202, a photodiode 203, a condensing lens 204, an electro-optic deflection element 206, a collimator lens 205, a control mechanism 310, and the like. , Second mirror 207, beam expander (BEX) 208, objective lens 209, polarization conversion element 222, polarization beam splitter (PBS) 221, and photodiode (Photodiode: PD). 223. The laser light source 201 is controlled by the control mechanism 310, and the laser light 210 oscillated from the laser light source 201 is applied to the base material 10 placed on the turntable 302 rotated by the spindle motor 301.

ここで、レーザ光源201、第1ミラー202、フォトダイオード203、集光レンズ204、電気光学偏向素子206、コリメータレンズ205、第2ミラー207、制御機構310、スピンドルモータ301、およびターンテーブル302については、図4で説明した構成と実質的に同様であるため、ここでの説明は省略する。   Here, the laser light source 201, the first mirror 202, the photodiode 203, the condenser lens 204, the electro-optic deflection element 206, the collimator lens 205, the second mirror 207, the control mechanism 310, the spindle motor 301, and the turntable 302 are described. 4 is substantially the same as the configuration described in FIG.

偏光変換素子222は、偏光の位相を90°回転させる1/4波長板で構成され、偏光ビームスプリッタ221と組み合わせることで、基材10からの反射光のみをフォトダイオード223に導く。具体的には、基材10に照射されるレーザ光210に対して、基材10から反射されたレーザ光210は、偏光変換素子222を2回通り抜けることで180°の位相差を有するようになる。該位相差を利用することで、偏光ビームスプリッタ221は、基材10へ照射されるレーザ光210を透過させ、基材10から反射したレーザ光210をフォトダイオード223に導くことができる。   The polarization conversion element 222 is composed of a quarter wavelength plate that rotates the phase of polarized light by 90 °, and is combined with the polarization beam splitter 221 to guide only the reflected light from the substrate 10 to the photodiode 223. Specifically, the laser light 210 reflected from the base material 10 has a phase difference of 180 ° by passing through the polarization conversion element 222 twice with respect to the laser light 210 irradiated on the base material 10. Become. By using the phase difference, the polarization beam splitter 221 can transmit the laser light 210 irradiated to the base material 10 and guide the laser light 210 reflected from the base material 10 to the photodiode 223.

基材10から反射したレーザ光210は、フォトダイオード223によって光電変換され、光電変換された受光信号は、ドライバ312に入力される。ドライバ312は、光電変換された受光信号の強度等を検出し、基材10の外周一周分以上にわたって受光信号の強度等が変化した場合、レーザ光源201からのレーザ光210の出力を停止させる。これにより、露光装置は、第1の潜像121と、第2の潜像131とが重畳形成された重畳領域14を含む原盤1を製造することができる。   The laser beam 210 reflected from the substrate 10 is photoelectrically converted by the photodiode 223, and the received light signal subjected to the photoelectric conversion is input to the driver 312. The driver 312 detects the intensity of the received light signal that has been subjected to photoelectric conversion, and stops the output of the laser light 210 from the laser light source 201 when the intensity of the received light signal has changed over the circumference of the substrate 10 or more. As a result, the exposure apparatus can manufacture the master 1 including the overlapping region 14 in which the first latent image 121 and the second latent image 131 are superimposed.

図4および図5にて説明した光学系を備えるレーザヘッドによって、外周面にレジスト層が形成された基材10を露光し、露光した基材10を現像することで、露光されたパターンがレジスト層に形成された原盤1を製造することができる。また、パターンが形成されたレジスト層をマスクにして、さらに基材10をエッチングすることで、基材10の表面に露光されたパターンが形成された原盤1を製造してもよい。   The substrate 10 having a resist layer formed on the outer peripheral surface is exposed by a laser head including the optical system described in FIGS. 4 and 5, and the exposed substrate 10 is developed, so that the exposed pattern becomes a resist. The master 1 formed in the layer can be manufactured. Further, the master 1 in which the exposed pattern is formed on the surface of the base 10 may be manufactured by further etching the base 10 using the resist layer on which the pattern is formed as a mask.

<3.原盤の使用例>
次に、図6を参照して、上記にて説明した原盤1の使用例について説明する。本実施形態に係る原盤1は、例えば、ロールツーロール方式のナノインプリントに用いられる原盤である。本実施形態に係る原盤1は、図6を参照して転写装置を用いることで、原盤1の外周面に形成された凹凸構造11を転写した転写物を連続的に製造することができる。図6は、本実施形態に係る原盤1を用いて転写物を製造する転写装置を説明する説明図である。
<3. Example of use of master disc>
Next, a usage example of the master 1 described above will be described with reference to FIG. The master 1 according to the present embodiment is a master used for, for example, a roll-to-roll nanoimprint. The master 1 according to the present embodiment can continuously produce a transfer product in which the concavo-convex structure 11 formed on the outer peripheral surface of the master 1 is transferred by using a transfer device with reference to FIG. FIG. 6 is an explanatory view for explaining a transfer apparatus for producing a transfer product using the master 1 according to the present embodiment.

図6に示すように、転写装置は、原盤1と、基材供給ロール51と、巻取ロール52と、ガイドロール53、54と、ニップロール55と、剥離ロール56と、塗布装置57と、光源58とを備える。   As shown in FIG. 6, the transfer device includes a master 1, a base material supply roll 51, a take-up roll 52, guide rolls 53 and 54, a nip roll 55, a peeling roll 56, a coating apparatus 57, and a light source. 58.

基材供給ロール51は、シート形態のシート基材61がロール状に巻かれたロールであり、巻取ロール52は、凹凸構造11を転写した樹脂層が積層されたシート基材61を巻き取るロールである。また、ガイドロール53、54は、シート形態のシート基材61を搬送するロールである。ニップロール55は、樹脂層が積層されたシート基材61を原盤1に押圧するロールであり、剥離ロール56は、凹凸構造11を樹脂層に転写した後、樹脂層が積層されたシート基材61を原盤1から剥離するロールである。   The base material supply roll 51 is a roll in which a sheet-shaped sheet base material 61 is wound in a roll shape, and the take-up roll 52 winds up the sheet base material 61 on which the resin layer to which the concavo-convex structure 11 is transferred is laminated. It is a roll. The guide rolls 53 and 54 are rolls that convey the sheet base sheet 61 in the form of a sheet. The nip roll 55 is a roll that presses the sheet base 61 on which the resin layer is laminated against the master 1, and the peeling roll 56 is a sheet base 61 on which the resin layer is laminated after the concavo-convex structure 11 is transferred to the resin layer. Is a roll that peels from the master 1.

塗布装置57は、コーターなどの塗布手段を備え、光硬化樹脂組成物をシート基材61に塗布し、樹脂層を形成する。塗布装置57は、例えば、グラビアコーター、ワイヤーバーコーター、またはダイコーターなどであってもよい。また、光源58は、光硬化樹脂組成物を硬化可能な波長の光を発する光源であり、例えば、紫外線ランプなどであってもよい。   The coating device 57 includes coating means such as a coater, and applies the photocurable resin composition to the sheet base 61 to form a resin layer. The coating device 57 may be, for example, a gravure coater, a wire bar coater, or a die coater. The light source 58 is a light source that emits light having a wavelength capable of curing the photocurable resin composition, and may be, for example, an ultraviolet lamp.

なお、光硬化性樹脂組成物は、所定の波長の光が照射されることによって硬化する樹脂である。具体的には、光硬化性樹脂組成物は、アクリル樹脂アクリレート、エポキシアクリレートなどの紫外線硬化樹脂であってもよい。また、光硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、開始剤、フィラー、機能性添加剤、溶剤、無機材料、顔料、帯電防止剤、または増感色素などを含んでもよい。   In addition, a photocurable resin composition is resin hardened | cured when the light of a predetermined wavelength is irradiated. Specifically, the photocurable resin composition may be an ultraviolet curable resin such as an acrylic resin acrylate or an epoxy acrylate. Moreover, the photocurable resin composition may contain an initiator, a filler, a functional additive, a solvent, an inorganic material, a pigment, an antistatic agent, a sensitizing dye, or the like, if necessary.

転写装置では、まず、基材供給ロール51からガイドロール53を介して、シート基材61が連続的に送出される。送出されたシート基材61に対して、塗布装置57により光硬化樹脂組成物が塗布され、シート基材61に樹脂層が積層される。また、樹脂層が積層されたシート基材61は、ニップロール55によって原盤1に押圧される。これにより、原盤1の外周面に形成された凹凸構造11が樹脂層に転写される。凹凸構造11が転写された樹脂層は、光源58からの光の照射により硬化される。続いて、硬化した樹脂層が積層されたシート基材61は、剥離ロール56により原盤1から剥離され、ガイドロール54を介して巻取ロール52に送出され、巻き取られる。   In the transfer device, first, the sheet base material 61 is continuously fed from the base material supply roll 51 through the guide roll 53. The photocurable resin composition is applied to the sent sheet base 61 by the coating device 57, and the resin layer is laminated on the sheet base 61. In addition, the sheet base material 61 on which the resin layer is laminated is pressed against the master 1 by the nip roll 55. Thereby, the concavo-convex structure 11 formed on the outer peripheral surface of the master 1 is transferred to the resin layer. The resin layer to which the concavo-convex structure 11 is transferred is cured by irradiation with light from the light source 58. Subsequently, the sheet base material 61 on which the cured resin layer is laminated is peeled from the master 1 by the peeling roll 56, sent to the winding roll 52 through the guide roll 54, and wound.

このような転写装置によれば、本実施形態に係る原盤1の外周面に形成された凹凸構造11が転写された転写物を連続的に製造することが可能である。   According to such a transfer apparatus, it is possible to continuously manufacture a transfer product on which the concavo-convex structure 11 formed on the outer peripheral surface of the master 1 according to this embodiment is transferred.

以下では、実施例および比較例を参照しながら、本実施形態に係る原盤について、さらに具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、本実施形態に係る原盤、および原盤の製造方法の実施可能性および効果を示すための一条件例であり、本発明に係る原盤、および原盤の製造方法が以下の実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the master according to the present embodiment will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. In addition, the Example shown below is one example of conditions for showing the feasibility and effects of the master according to the present embodiment and the master manufacturing method, and the master and the master manufacturing method according to the present invention are as follows. However, the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
4.5mm厚、直径150mm、軸方向の長さ550mmの円筒形状の石英ガラス製基材の外周面にスパッタ法によって金属酸化物からなるレジスト層を膜厚60nmにて成膜した。
Example 1
A resist layer made of a metal oxide was formed to a thickness of 60 nm on the outer peripheral surface of a cylindrical quartz glass substrate having a thickness of 4.5 mm, a diameter of 150 mm, and an axial length of 550 mm by sputtering.

続いて、2つのレーザヘッドを基材の軸方向に250mm離隔して組み付けたスライダを備える露光装置を用いて熱リソグラフィを行い、レジスト層に潜像を形成した。レーザ光の光源には、それぞれ波長405nmのレーザ光を発する青色半導体レーザを用いた。また、レーザヘッドは、それぞれ別途のレーザ光を用いて、非点収差法によるオートフォーカス制御を施した。   Subsequently, thermal lithography was performed using an exposure apparatus provided with a slider in which two laser heads were assembled with a distance of 250 mm in the axial direction of the substrate to form a latent image on the resist layer. As a laser light source, a blue semiconductor laser emitting laser light having a wavelength of 405 nm was used. The laser heads were subjected to autofocus control by the astigmatism method using separate laser beams.

露光するパターン形状としては、ドットを千鳥状に配列した六方格子配列を用いた。ドットの基材の周方向のピッチは、230nmとし、基材の軸方向のピッチは160nmとした。基材を900rpmで回転させ、レーザ光源を組み付けたスライドを基材の軸方向に2.4μm/秒にて走査しながら36時間露光したところ、基材の軸方向に約500mmの領域にわたって露光を行うことができた。   As a pattern shape to be exposed, a hexagonal lattice arrangement in which dots are arranged in a staggered pattern was used. The pitch in the circumferential direction of the substrate of the dots was 230 nm, and the pitch in the axial direction of the substrate was 160 nm. When the substrate was rotated at 900 rpm and the slide assembled with the laser light source was scanned at 2.4 μm / second in the axial direction of the substrate for 36 hours, exposure was performed over an area of about 500 mm in the axial direction of the substrate. Could be done.

さらに、露光済みの基材をTMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)の2.38質量%水溶液を用いて現像し、露光した部分のレジスト層を溶解させることで、外周面に露光パターンが形成された原盤を製造した。   Furthermore, the exposed substrate was developed using a 2.38 mass% aqueous solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide), and the exposed portion of the resist layer was dissolved to form an exposure pattern on the outer peripheral surface. A master was produced.

なお、露光は、露光するレーザ光の反射光の強度が閾値以下となったことを検出することで自動的に停止させた。具体的には、反射光の強度が基材の外周2周分にわたって閾値以下となった場合、レーザ光の出力を停止させた。なお、レジスト層の未露光部からの反射光の強度が340mVであり、露光済み部からの反射光の強度が270mVであるため、閾値は、300mVに設定した。   Note that the exposure was automatically stopped by detecting that the intensity of the reflected light of the laser beam to be exposed was equal to or less than the threshold value. Specifically, the output of the laser beam was stopped when the intensity of the reflected light was equal to or less than the threshold value over the outer circumference of the substrate. Since the intensity of the reflected light from the unexposed portion of the resist layer is 340 mV and the intensity of the reflected light from the exposed portion is 270 mV, the threshold value was set to 300 mV.

(実施例2)
4.5mm厚、直径150mm、軸方向の長さ800mmの円筒形状の石英ガラス製基材を用い、3つのレーザヘッドを基材の軸方向に250mmずつ離隔して組み付けたスライダを備える露光装置を用いて熱リソグラフィを行った以外は、実施例1と同様にして原盤を製造した。なお、実施例2では、36時間にて基材の軸方向に約750mmの領域にわたって露光を行うことができた。
(Example 2)
An exposure apparatus provided with a slider in which a cylindrical quartz glass substrate having a thickness of 4.5 mm, a diameter of 150 mm, and an axial length of 800 mm is used, and three laser heads are assembled 250 mm apart in the axial direction of the substrate. A master was manufactured in the same manner as in Example 1 except that thermal lithography was performed. In Example 2, the exposure could be performed over an area of about 750 mm in the axial direction of the substrate in 36 hours.

(実施例3)
レーザヘッドを組み付けたスライダの位置座標が250mmに達したことを検出することで露光を自動的に停止させたこと以外は、実施例1と同様にして原盤を製造した。なお、実施例2では、36時間にて基材の軸方向に約500mmの領域にわたって露光を行うことができた。
(Example 3)
A master was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the exposure was automatically stopped by detecting that the position coordinates of the slider with the laser head assembled reached 250 mm. In Example 2, the exposure could be performed over an area of about 500 mm in the axial direction of the substrate in 36 hours.

(比較例1)
1つのレーザヘッドを組み付けたスライダを備える露光装置を用いて熱リソグラフィを行った以外は、実施例1と同様にして原盤を製造した。なお、比較例1では、36時間にて基材の軸方向に約250mmの領域にわたって露光を行うことができた。
(Comparative Example 1)
A master was manufactured in the same manner as in Example 1 except that thermal lithography was performed using an exposure apparatus having a slider with one laser head assembled. In Comparative Example 1, the exposure could be performed over an area of about 250 mm in the axial direction of the substrate in 36 hours.

(原盤の評価)
実施例1〜3、比較例1にて製造した原盤において、原盤の外周面の凹凸構造を転写物に転写し、重複領域の基材の軸方向の幅を光学顕微鏡によって測定した。さらに、重複領域の視認性を目視によって評価した。その結果を表1に示す。なお、「−」は、重複領域が存在しない場合、および評価できない場合を表す。また、「A」は、重複領域が視認できなかったことを表し、「B」は、重複領域が視認できたことを表す。
(Evaluation of the master)
In the masters produced in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, the concavo-convex structure on the outer peripheral surface of the master was transferred to a transferred material, and the axial width of the base material in the overlapping region was measured with an optical microscope. Furthermore, the visibility of the overlapping region was evaluated visually. The results are shown in Table 1. Note that “−” represents a case where there is no overlapping region and a case where the evaluation cannot be performed. “A” represents that the overlapping area was not visually recognized, and “B” represents that the overlapping area was visually recognized.

表1に示すように、実施例1〜3は、比較例1に対して、同じ露光時間で、より広い領域にパターン形成することができることがわかる。また、重複領域が存在する場合でも、実施例1および2は、実施例3に対して、重複領域の幅を小さくすることができ、かつ目視にて視認されないことがわかる。   As shown in Table 1, it can be seen that Examples 1 to 3 can form a pattern in a wider area in the same exposure time as in Comparative Example 1. Moreover, even when an overlapping area exists, it turns out that Example 1 and 2 can make the width | variety of an overlapping area small compared with Example 3, and is not visually recognized visually.

また、実施例1に係る原盤を用いて製造した転写物の重複領域を走査型電子顕微鏡(Scanning Electoron Microscope:SEM)にて観察し、拡大倍率3万倍、または6万倍にて撮像した画像を図7に示す。図7の(A)は、転写物の重複領域を拡大倍率3万倍にて撮像したSEM画像であり、図7の(B)は、転写物の重複領域を拡大倍率6万倍にて撮像したSEM画像である。また、図7の画像に正対した場合の縦方向が基材の軸方向であり、横方向が基材の周方向である。   In addition, an overlapping area of a transcript produced using the master according to Example 1 was observed with a scanning electron microscope (SEM), and was captured at a magnification of 30,000 or 60,000. Is shown in FIG. 7A is an SEM image obtained by imaging the overlapping area of the transcript at an enlargement magnification of 30,000 times, and FIG. 7B is an image of the overlapping area of the transcript at an enlargement magnification of 60,000 times. This is a SEM image. Moreover, the vertical direction when facing the image of FIG. 7 is the axial direction of the base material, and the horizontal direction is the circumferential direction of the base material.

図7の(A)を参照すると、画像の中央部に重複領域が存在するものの、重複領域を挟んで画像の上下に存在する第1領域、および第2領域とほぼ見分けがつかない程度とすることができることがわかる。また、図7の(B)を参照すると、多重露光されているため、第1領域、および第2領域よりもパターンが大きくなっている重複領域の幅は、ほぼ300nm程度であることがわかる。すなわち、実施例1に係る原盤の重複領域は、基材の軸方向の幅が1μm以下であり、かつ基材の軸方向における露光ピッチの2倍以下であることがわかる。   Referring to FIG. 7A, although there is an overlapping area in the center of the image, the first area and the second area that exist above and below the image across the overlapping area are almost indistinguishable. You can see that Also, referring to FIG. 7B, it can be seen that the width of the overlapping region where the pattern is larger than that of the first region and the second region is approximately 300 nm because of the multiple exposure. That is, it can be seen that the overlapping area of the master disk according to Example 1 has a width in the axial direction of the base material of 1 μm or less and twice or less of an exposure pitch in the axial direction of the base material.

以上説明したように、本発明の一実施形態によれば、より広い領域に凹凸構造が形成され、かつ凹凸構造のパターン間の繋ぎ目である重複領域が視認しにくい原盤を提供することができる。したがって、本発明の一実施形態によれば、より高い量産性を有する原盤、および該原盤の製造方法を提供することができる。また、本実施系に係る原盤の転写物の量産性も向上させることが可能である。   As described above, according to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a master disk in which a concavo-convex structure is formed in a wider area and an overlapping area that is a joint between patterns of the concavo-convex structure is difficult to visually recognize. . Therefore, according to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a master having higher mass productivity and a method for manufacturing the master. In addition, it is possible to improve the mass productivity of the transcript of the master according to this embodiment.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious that a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains can come up with various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims. Of course, it is understood that these also belong to the technical scope of the present invention.

原盤 1
基材 10
凹凸構造 11
第1領域 12
第2領域 13
重複領域 14
露光装置 2
スライダ 21
ヘッドステージ 22
第1のレーザヘッド 23
第2のレーザヘッド 24

Master 1
Base material 10
Uneven structure 11
First region 12
Second region 13
Overlapping area 14
Exposure device 2
Slider 21
Headstage 22
First laser head 23
Second laser head 24

Claims (11)

円筒または円柱形状の基材と、
前記基材の外周面に形成された凹凸構造と、
を備え、
前記凹凸構造は、
第1領域に形成された第1の凹凸構造と、
第2領域に形成された第2の凹凸構造と、
前記第1の凹凸構造と、前記第2の凹凸構造とが重畳されて、前記第1領域と前記第2領域との間の重畳領域に形成された重畳構造と、
を含む、原盤。
A cylindrical or columnar substrate;
The concavo-convex structure formed on the outer peripheral surface of the substrate;
With
The uneven structure is
A first concavo-convex structure formed in the first region;
A second concavo-convex structure formed in the second region;
An overlapping structure formed in an overlapping region between the first region and the second region by overlapping the first uneven structure and the second uneven structure;
Including the master.
前記基材の軸方向における前記重畳領域の幅は、1μm以下である、請求項1に記載の原盤。   The master according to claim 1, wherein a width of the overlapping region in the axial direction of the base material is 1 μm or less. 前記第1の凹凸構造、および前記第2の凹凸構造は、同一のパターン形状である、請求項1または2に記載の原盤。   The master according to claim 1, wherein the first concavo-convex structure and the second concavo-convex structure have the same pattern shape. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の原盤の外周面に形成された凹凸構造に対する反転構造が表面に形成された、転写物。   A transfer product, wherein a reverse structure with respect to the concavo-convex structure formed on the outer peripheral surface of the master according to any one of claims 1 to 3 is formed on the surface. 円筒または円柱形状の基材の外周面に、第1のレーザ光を用いて第1の凹凸構造を形成すると共に、第2のレーザ光を用いて第2の凹凸構造を形成するステップと、
前記第1の凹凸構造が形成された領域の端部に、第2のレーザ光を用いて前記第2の凹凸構造を重畳形成するステップと、
を含む、原盤の製造方法。
Forming a first concavo-convex structure on the outer peripheral surface of a cylindrical or columnar substrate using a first laser beam, and forming a second concavo-convex structure using a second laser beam;
A step of superimposing the second concavo-convex structure on the end portion of the region where the first concavo-convex structure is formed using a second laser beam;
A method for manufacturing a master, including
前記第1の凹凸構造と、前記第2の凹凸構造とが重畳形成された領域の前記基材の軸方向における幅は、前記基材の軸方向における前記第2のレーザ光の照射間隔の5倍以下である、請求項5に記載の原盤の製造方法。   The width in the axial direction of the base material of the region where the first concavo-convex structure and the second concavo-convex structure are superimposed is 5 of the irradiation interval of the second laser light in the axial direction of the base material. The method for producing a master according to claim 5, wherein the master disk is twice or less. 前記基材からの反射光の変化に基づいて、前記第2の凹凸構造の重畳形成を停止させるステップをさらに含む、請求項5または6に記載の原盤の製造方法。   The master disc manufacturing method according to claim 5, further comprising a step of stopping the formation of the second concavo-convex structure based on a change in reflected light from the base material. 前記第2の凹凸構造の重畳形成は、前記基材の外周一周分以上にわたって前記第2のレーザ光の反射光が変化した場合に停止される、請求項7に記載の原盤の製造方法。   The master disk manufacturing method according to claim 7, wherein the formation of the second concavo-convex structure is stopped when the reflected light of the second laser light changes over the circumference of the base material for one round or more. 前記反射光の変化は、前記反射光の強度の変化である、請求項7または8に記載の原盤の製造方法。   The method for manufacturing a master according to claim 7 or 8, wherein the change in the reflected light is a change in the intensity of the reflected light. 前記第1のレーザ光の照射位置と、前記第2のレーザ光の照射位置との距離は、前記基材の軸方向において前記第2の凹凸構造が形成された距離よりも小さい、請求項5〜9のいずれか一項に記載の原盤の製造方法。   The distance between the irradiation position of the first laser light and the irradiation position of the second laser light is smaller than the distance at which the second concavo-convex structure is formed in the axial direction of the base material. The manufacturing method of the original disk as described in any one of -9. 前記基材の外周面には、さらに第3のレーザ光を用いて第3の凹凸構造が形成される、請求項5〜10のいずれか一項に記載の原盤の製造方法。

The method for manufacturing a master according to any one of claims 5 to 10, wherein a third concavo-convex structure is further formed on the outer peripheral surface of the base material using a third laser beam.

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