JP2017072156A - Method of manufacturing semiconductive roller - Google Patents

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勇祐 谷尾
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method that enables a semiconductive roller to be manufactured with higher productivity than now by eliminating a step of inserting a temporary core causing a trouble.SOLUTION: An uncrosslinked cylindrical body 13, from which a semiconductive roller is made, is crosslinked by being heated within a vulcanizer in the state of being housed in a linear storage groove 8 making a cross-section of an inner bottom surface 7 assume a concavely-curved shape like an arc with a diameter R1.05-2.6 times larger than a diameter Rof the cylindrical body.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、例えば電子写真法を利用した画像形成装置に組み込んで使用される半導電性ローラの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductive roller used by being incorporated in an image forming apparatus using, for example, electrophotography.

例えばレーザープリンタや静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機等の、電子写真法を利用した画像形成装置においては、概略下記の工程を経て、用紙の表面に画像が形成される。
まず、光導電性を有する感光体の表面を一様に帯電させた状態で露光して、当該表面に、形成画像に対応する静電潜像を形成する(帯電工程→露光工程)。
For example, in an image forming apparatus using electrophotography, such as a laser printer, an electrostatic copying machine, a plain paper facsimile machine, or a complex machine of these, an image is formed on the surface of a sheet through the following steps. The
First, the surface of the photoconductive photoconductor is exposed in a uniformly charged state, and an electrostatic latent image corresponding to the formed image is formed on the surface (charging step → exposure step).

次いで、微小な着色粒子であるトナーを所定の電位に帯電させた状態で、上記感光体の表面に接触させる。そうするとトナーが、静電潜像の電位パターンに応じて感光体の表面に選択的に付着されて、当該静電潜像がトナー像に現像される(現像工程)。
次いで上記トナー像を用紙の表面に転写したのち(転写工程)、さらに定着させることにより(定着工程)、当該用紙の表面に画像が形成される。
Next, the toner, which is minute colored particles, is brought into contact with the surface of the photoreceptor in a state where the toner is charged to a predetermined potential. Then, the toner is selectively attached to the surface of the photoconductor according to the potential pattern of the electrostatic latent image, and the electrostatic latent image is developed into a toner image (development process).
Next, after the toner image is transferred onto the surface of the paper (transfer process), and further fixed (fixing process), an image is formed on the surface of the paper.

また転写工程では、感光体の表面に形成したトナー像を、用紙の表面に直接に転写させずに、まず像担持体の表面に一旦転写(一次転写工程)させたのち、当該像担持体の表面から用紙の表面に再転写させる(二次転写工程)場合もある。
このあと、転写が終了した感光体の表面に残留するトナーを除去する(クリーニング工程)ことにより、一連の画像形成が終了する。
In the transfer step, the toner image formed on the surface of the photoconductor is first transferred to the surface of the image carrier (primary transfer step) without being directly transferred to the surface of the paper, and then the image carrier In some cases, retransfer is performed from the front side to the front side of the paper (secondary transfer process).
Thereafter, the toner remaining on the surface of the photoconductor after the transfer is removed (cleaning step), thereby completing a series of image formation.

上記各工程のうち感光体の帯電工程、現像工程、転写工程(一次、二次転写工程を含む)、およびクリーニング工程には、それぞれの用途に応じた半導電性を付与した半導電性ローラが用いられる。
かかる半導電性ローラは、例えば半導電性および架橋性を有するゴム組成物を、押出機のヘッドを通して筒状に押出成形し、次いで所定の長さにカットして筒状体を形成し、当該筒状体を、加硫缶内で加熱して架橋させることによって製造される。中心の通孔には、架橋後に芯金が挿通される。
Among the above processes, the charging process, the developing process, the transfer process (including the primary and secondary transfer processes), and the cleaning process of the photosensitive member include a semiconductive roller provided with a semiconductivity according to each application. Used.
Such a semiconductive roller is formed by, for example, extruding a rubber composition having semiconductivity and crosslinkability into a cylindrical shape through a head of an extruder, and then cutting it into a predetermined length to form a cylindrical body. It is manufactured by heating and crosslinking a cylindrical body in a vulcanizing can. A cored bar is inserted into the central through hole after crosslinking.

また架橋に際しては、上記通孔に架橋用の仮芯を挿通して、押出成形時に筒状体に生じた湾曲や変形を矯正したり、架橋時に上記湾曲が大きくなるのを抑制したりするとともに、架橋時の筒状体が加硫缶内の他部材と部分的に接触して変形したりしないように、上記仮芯を加硫缶のトレーに吊るして筒状体を中空に保持した状態で、トレーごと加硫缶内に収容して架橋させた後、仮芯を実際の芯金に装着しなおすのが一般的である(特許文献1等)。   In addition, when bridging, a bridging temporary core is inserted into the through hole to correct the curve and deformation generated in the cylindrical body at the time of extrusion molding, and to prevent the curve from becoming large at the time of crosslinking. The tubular body is held in a hollow state by suspending the temporary core from the vulcanizing can tray so that the tubular body at the time of crosslinking is not partially deformed by contacting with other members in the vulcanizing can. In general, after the tray is accommodated in a vulcanizing can and crosslinked, the temporary core is reattached to an actual core (Patent Document 1, etc.).

特開2015−7668号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2015-7668

上記仮芯の挿通工程は、半導電性ローラの生産性を向上するために自動化が普及している。
すなわち、所定の長さにカットした筒状体を1本ずつ、一対の受枠の間に挟んで固定した状態で、仮芯を、固定された筒状体の一方の開口から通孔内に挿通させる操作を、シリンダ等の動作によって自動的に実施する装置が開発され、実用化されている。
Automation of the temporary core insertion process is widely used in order to improve the productivity of the semiconductive roller.
That is, with the cylindrical bodies cut to a predetermined length one by one sandwiched between a pair of receiving frames, the temporary core is inserted into the through-hole from one opening of the fixed cylindrical body. Devices have been developed and put into practical use that automatically perform the operation to be performed by the operation of a cylinder or the like.

しかし、例えば個々の筒状体の寸法差や、あるいは受枠を開閉する際のずれ等が原因で、受枠に保持した筒状体の通孔と芯金の中心位置がずれて、安全のために装置が自動停止するといったトラブルが多発し、このことが半導電性ローラの生産性を現状よりも向上できない一因となっている。
本発明の目的は、トラブルの原因となる仮芯の挿通工程を無くして、現状よりも高い生産性でもって半導電性ローラを製造できる製造方法を提供することにある。
However, for the sake of safety, for example, due to the difference in dimensions of individual cylindrical bodies or the displacement when opening and closing the receiving frame, the through hole of the cylindrical body held by the receiving frame and the center position of the core metal are shifted. Troubles such as the automatic stop of the apparatus occur frequently, which is one of the reasons why the productivity of the semiconductive roller cannot be improved as compared with the current situation.
An object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of manufacturing a semiconductive roller with a higher productivity than the current state without a temporary core insertion process causing trouble.

本発明は、半導電性および架橋性を有するゴム組成物を、押出機のヘッドを通して所定半径の筒状に押出成形し、次いで所定長にカットして筒状体を形成し、前記筒状体を、内底面の断面形状が、前記筒状体の半径の1.05倍以上、2.6倍以下の半径の、円弧状の凹曲面とされた、前記筒状体のカット後の全長以上の長さを有する直線状の収容溝内に収容した状態で、加硫缶内で加熱して架橋させる工程を含むことを特徴とする半導電性ローラの製造方法である。   According to the present invention, a rubber composition having semiconductivity and crosslinkability is extruded through a head of an extruder into a cylinder having a predetermined radius, and then cut into a predetermined length to form a cylindrical body. The cross-sectional shape of the inner bottom surface is an arc-shaped concave curved surface having a radius not less than 1.05 times and not more than 2.6 times the radius of the cylindrical body, and not less than the total length after cutting of the cylindrical body A method for producing a semiconductive roller, comprising a step of heating and crosslinking in a vulcanizing can in a state of being accommodated in a linear accommodation groove having a length of 5 mm.

本発明によれば、トラブルの原因となる仮芯の挿通工程を無くして、現状よりも高い生産性でもって半導電性ローラを製造できる製造方法を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method which can eliminate the temporary core insertion process which causes a trouble, and can manufacture a semiconductive roller with productivity higher than the present condition can be provided.

図(a)は、本発明の製造方法の、実施の形態の一例において使用する加硫缶用のトレーの概略を説明する斜視図、図(b)は、上記トレーの要部を拡大して示す端面図である。Fig. (A) is a perspective view for explaining the outline of a tray for a vulcanization can used in an example of an embodiment of the production method of the present invention, and Fig. (B) is an enlarged view of a main part of the tray. FIG. 上記例の製造方法によって製造される半導電性ローラの一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the semiconductive roller manufactured with the manufacturing method of the said example. 半導電性ローラのローラ抵抗値を測定する方法を説明する図である。It is a figure explaining the method to measure the roller resistance value of a semiconductive roller.

本発明は、半導電性および架橋性を有するゴム組成物を、押出機のヘッドを通して所定半径の筒状に押出成形し、次いで所定長にカットして筒状体を形成し、前記筒状体を、内底面の断面形状が、前記筒状体の半径の1.05倍以上、2.6倍以下の半径の、円弧状の凹曲面とされた、前記筒状体のカット後の全長以上の長さを有する直線状の収容溝内に収容した状態で、加硫缶内で加熱して架橋させる工程を含むことを特徴とする半導電性ローラの製造方法である。   According to the present invention, a rubber composition having semiconductivity and crosslinkability is extruded through a head of an extruder into a cylinder having a predetermined radius, and then cut into a predetermined length to form a cylindrical body. The cross-sectional shape of the inner bottom surface is an arc-shaped concave curved surface having a radius not less than 1.05 times and not more than 2.6 times the radius of the cylindrical body, and not less than the total length after cutting of the cylindrical body A method for producing a semiconductive roller, comprising a step of heating and crosslinking in a vulcanizing can in a state of being accommodated in a linear accommodation groove having a length of 5 mm.

本発明によれば、押出成形して所定長にカットした架橋前の筒状体を上記収容溝に収容して湾曲を矯正するとともに、架橋時に上記湾曲が大きくなるのを抑制した状態で、加硫缶内に収容して加熱することにより、従来の、中空に保持した状態で架橋させた場合と同等の、変形や湾曲等のない良好な状態に架橋させることができる。
これは収容溝の内底面の断面形状が、上記のように筒状体の外周面に沿う円弧状の凹曲面とされるとともに、その半径が上記の範囲に設定されているためである。
According to the present invention, the tubular body before cross-linking that has been extruded and cut to a predetermined length is accommodated in the housing groove to correct the curvature, and the curving is prevented from becoming large during the cross-linking. By storing in a sulfur can and heating, it is possible to crosslink in a good state without deformation or bending, which is equivalent to the conventional case of crosslinking in a hollow state.
This is because the cross-sectional shape of the inner bottom surface of the housing groove is an arc-shaped concave curved surface along the outer peripheral surface of the cylindrical body as described above, and the radius is set in the above range.

すなわち、収容溝の内底面の半径が筒状体の半径の1.05倍未満では、当該内底面と、筒状体の外周面との接触部分が増加するため、架橋時の筒状体に凹みを生じやすくなる。
そして生じた凹みが、その後の研磨によっても解消されずに残ったり、凹みは解消されたとしても、もとの凹みがあった箇所の内部構造の不均一により、ローラ抵抗値にムラを生じたりするといった問題を生じる。
That is, when the radius of the inner bottom surface of the housing groove is less than 1.05 times the radius of the cylindrical body, the contact portion between the inner bottom surface and the outer peripheral surface of the cylindrical body increases. It becomes easy to produce a dent.
The resulting dents remain unresolved by subsequent polishing, or even if the dents are eliminated, the roller resistance value may become uneven due to non-uniform internal structure where the original dents were. Cause problems.

一方、収容溝の内底面の半径が筒状体の半径の2.6倍を超える場合には、当該収容溝と筒状体との間の隙間が大きすぎて、収容溝に架橋前の筒状体を収容した際に、当該筒状体の湾曲を十分に矯正できなかったり、架橋時に上記湾曲が大きくなるのを十分に抑制できなかったりするため、架橋後の筒状体の湾曲が大きくなりすぎる傾向がある。
そして、その後の工程で通孔に芯金を挿通しても、筒状体の湾曲を十分に矯正できずに外周面に研磨残りが生じたり、湾曲を十分に矯正できたとしても、矯正によって生じた内部構造の不均一により、ローラ抵抗値にムラを生じたりするといった問題を生じる。
On the other hand, when the radius of the inner bottom surface of the accommodation groove exceeds 2.6 times the radius of the cylindrical body, the gap between the accommodation groove and the cylindrical body is too large, and the cylinder before bridging is formed in the accommodation groove. When the cylindrical body is accommodated, it is not possible to sufficiently correct the curvature of the cylindrical body, or it is not possible to sufficiently suppress the increase of the curvature at the time of crosslinking. There is a tendency to become too much.
And even if the cored bar is inserted into the through hole in the subsequent process, even if the curved surface of the cylindrical body cannot be sufficiently corrected and a polishing residue is generated on the outer peripheral surface, or the curvature can be sufficiently corrected, Due to the non-uniformity of the generated internal structure, there arises a problem that the roller resistance value is uneven.

また収容溝の内底面の半径が筒状体の半径の2.6倍を超える場合には、上記筒状体の外周面の曲率半径と、収容溝の内底面の曲率半径との差が大きくなりすぎて、架橋時の筒状体に、収容溝の内底面に沿った大きな凹みを生じやすくなる。
これに対し、収容溝の内底面の半径を、筒状体の半径の10.5倍以上、2.6倍以下に設定することで、架橋時の筒状体に凹みが生じたり、湾曲が大きくなったりするのを極力抑制できる。
In addition, when the radius of the inner bottom surface of the receiving groove exceeds 2.6 times the radius of the cylindrical body, the difference between the radius of curvature of the outer peripheral surface of the cylindrical body and the radius of curvature of the inner bottom surface of the receiving groove is large. It becomes too much and it becomes easy to produce the big dent along the inner bottom face of an accommodation groove in the cylindrical body at the time of bridge | crosslinking.
On the other hand, by setting the radius of the inner bottom surface of the receiving groove to be 10.5 times or more and 2.6 times or less of the radius of the cylindrical body, the cylindrical body at the time of crosslinking is dented or curved. It can be suppressed as much as possible.

そのため筒状体を、従来の、中空に保持した状態で架橋させた場合と同等の、変形や湾曲等のない良好な状態に架橋させることができ、トラブルの原因となる仮芯の挿通工程を無くして、現状よりも高い生産性でもって半導電性ローラを製造することが可能となる。
〈半導電性ローラの製造方法〉
図1(a)は、本発明の製造方法の、実施の形態の一例において使用する加硫缶用のトレーの概略を説明する斜視図、図1(b)は、上記トレーの要部を拡大して示す端面図である。
Therefore, it is possible to crosslink the cylindrical body in a good state without deformation or bending, equivalent to the conventional case where it is cross-linked while being held in a hollow state. Without it, it becomes possible to manufacture a semiconductive roller with higher productivity than the present situation.
<Method of manufacturing semiconductive roller>
FIG. 1 (a) is a perspective view for explaining the outline of a tray for a vulcanizing can used in an example of an embodiment of the production method of the present invention, and FIG. 1 (b) is an enlarged view of a main part of the tray. It is an end elevation shown.

また図2は、上記例の製造方法によって製造される半導電性ローラの一例を示す斜視図である。
図2を参照して、この例の半導電性ローラ1は、半導電性および架橋性を有するゴム組成物によって非多孔質でかつ単層の筒状に形成されているとともに、その中心の通孔2にシャフト3が挿通されて固定されたものである。
FIG. 2 is a perspective view showing an example of a semiconductive roller manufactured by the manufacturing method of the above example.
Referring to FIG. 2, the semiconductive roller 1 of this example is formed of a non-porous and single-layered cylinder by a rubber composition having semiconductivity and crosslinkability, and the center of the roller 1 The shaft 3 is inserted into the hole 2 and fixed.

シャフト3は、例えば鉄、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼等の金属によって一体に形成される。
上記シャフト3は、例えば導電性を有する接着剤を介して半導電性ローラ1と電気的に接合されるとともに機械的に固定されるか、あるいは通孔2の内径よりも外径の大きいものを通孔2に圧入することで、半導電性ローラ1と電気的に接合されるとともに機械的に固定されて一体に回転される。
The shaft 3 is integrally formed of a metal such as iron, aluminum, an aluminum alloy, or stainless steel.
The shaft 3 is electrically fixed to the semiconductive roller 1 via, for example, a conductive adhesive and is mechanically fixed, or has an outer diameter larger than the inner diameter of the through hole 2. By press-fitting into the through-hole 2, it is electrically joined to the semiconductive roller 1 and is mechanically fixed and rotated integrally.

半導電性ローラ1の外周面4には、図1中に拡大して示すように酸化膜5を形成してもよい。
酸化膜5を形成すると、当該酸化膜5が誘電層として機能して半導電性ローラ1の誘電正接を低減できる。
また、例えば半導電性ローラ1を帯電ローラとして使用した際に、酸化膜5が低摩擦層として機能して、外添剤等の付着および蓄積をより一層良好に抑制できる。
An oxide film 5 may be formed on the outer peripheral surface 4 of the semiconductive roller 1 as shown in an enlarged manner in FIG.
When the oxide film 5 is formed, the oxide film 5 functions as a dielectric layer, and the dielectric loss tangent of the semiconductive roller 1 can be reduced.
For example, when the semiconductive roller 1 is used as a charging roller, the oxide film 5 functions as a low friction layer, and adhesion and accumulation of external additives and the like can be further suppressed.

しかも酸化膜5は、例えば酸化性雰囲気中で紫外線を照射等するだけで簡単に形成できるため、半導電性ローラ1の生産性が低下したり製造コストが高くついたりするのを抑制できる。ただし酸化膜5は形成しなくてもよい。
図1(a)(b)を参照して、この例の製造方法において使用するトレー6は、内底面7の、長さ方向と直交方向の断面形状が円弧状の凹曲面とされた直線状の収容溝8を複数本(図では28本)、互いに平行に配設してなるものである。
In addition, since the oxide film 5 can be easily formed, for example, by simply irradiating ultraviolet rays in an oxidizing atmosphere, it is possible to suppress the productivity of the semiconductive roller 1 from being lowered and the manufacturing cost from being increased. However, the oxide film 5 may not be formed.
1 (a) and 1 (b), a tray 6 used in the manufacturing method of this example has a linear shape in which the cross-sectional shape of the inner bottom surface 7 in the direction orthogonal to the length direction is an arc-shaped concave curved surface. A plurality of the receiving grooves 8 (28 in the figure) are arranged in parallel to each other.

図の例の場合、個々の収容溝8は、鉄板等を、上記内底面7の半径Rが一定となるように曲げ加工等して形成された略半筒体9の内面として構成されている。
上記複数本の略半筒体9を、互いに平行に配設した一対の枠体10間に、長さ方向を枠体10の長さ方向と直交させて架け渡した状態で、当該枠体10に対して溶接等によって固定するとともに、隣り合う略半筒体9同士も溶接等によって互いに固定することで、略矩形平板状のトレー6が構成されている。
For example in the figure, each receiving groove 8, an iron plate or the like, is configured as an inner surface of a substantially semi-cylindrical body 9 which radius R 1 is formed by processing such as bending to be constant in the inner bottom surface 7 Yes.
In a state where the plurality of substantially half-cylindrical bodies 9 are bridged between a pair of frame bodies 10 arranged in parallel to each other so that the length direction is orthogonal to the length direction of the frame body 10, the frame body 10. In contrast, the substantially semi-cylindrical trays 6 are configured by fixing the adjacent substantially half-cylindrical bodies 9 to each other by welding or the like.

また一対の枠体10の両端間には、当該一対の枠体10間の間隔を規定するとともに、トレー6を、図示しない加硫缶に対しで出し入れする際等に把手として用いることができるロッド11が架け渡された状態で固定されている。
なお図1(a)において符号12は、当該トレー6を加硫缶に対して出し入れする際に、当該加硫缶内のレールに載置してスライドさせるためのガイドである。
Further, a rod that can be used as a handle when the tray 6 is inserted into and removed from a vulcanizing can (not shown) is defined between both ends of the pair of frame bodies 10 while defining the interval between the pair of frame bodies 10. 11 is fixed in a state of being bridged.
In FIG. 1A, reference numeral 12 denotes a guide for placing and sliding the tray 6 on a rail in the vulcanizing can when the tray 6 is taken in and out of the vulcanizing can.

略半筒体9の内面である収容溝8の内底面7の半径Rは、前述したように、当該収容溝8に収容して加硫缶内で架橋させる、半導電性ローラ1の前駆体としての筒状体13の半径Rの1.05倍以上、2.6倍以下である必要がある。この理由は、先に説明したとおりである。
なお、前述した効果をより一層向上することを考慮すると、収容溝8の内底面7の半径Rは、上記範囲でも筒状体13の半径Rの1.09倍以上であるのが好ましく、1.82倍以下であるのが好ましい。
As described above, the radius R 1 of the inner bottom surface 7 of the housing groove 8 that is the inner surface of the substantially semi-cylindrical body 9 is the precursor of the semiconductive roller 1 that is housed in the housing groove 8 and crosslinked in the vulcanizing can. as cylindrical body 13 radius R 2 of 1.05 times or more of the body, it is necessary that 2.6 times or less. The reason for this is as described above.
In consideration of further improving the above-described effect, the radius R 1 of the inner bottom surface 7 of the receiving groove 8 is preferably 1.09 times or more the radius R 2 of the cylindrical body 13 even in the above range. It is preferably 1.82 times or less.

より具体的には、例えば直径が16.5mm、半径Rが8.25mmである筒状体13を架橋させる場合、収容溝8の内底面7の半径Rは8.7mm以上、特に9mm以上であるのが好ましく、21.4mm以下、特に15mm以下であるのが好ましい。
また、例えば内底面7の半径Rが11.5mmである収容溝8は、半径Rが4.5mm以上で、かつ10.9mm以下、特に10mm以下の範囲の、種々の半径の筒状体13の架橋に使用できる。
More specifically, for example, when the cylindrical body 13 having a diameter of 16.5 mm and a radius R 2 of 8.25 mm is cross-linked, the radius R 1 of the inner bottom surface 7 of the receiving groove 8 is 8.7 mm or more, particularly 9 mm. Preferably, it is 21.4 mm or less, particularly 15 mm or less.
Further, for example, the receiving groove 8 in which the radius R 1 of the inner bottom surface 7 is 11.5 mm is a cylindrical shape having various radii with a radius R 2 of 4.5 mm or more and 10.9 mm or less, particularly 10 mm or less. It can be used to crosslink the body 13.

また収容溝8の長さ、すなわちこの例の場合は略半筒体9の長さLは、当該収容溝8に収容して加硫缶内で架橋させる筒状体13のカット後の全長L以上であればよいが、架橋時の筒状体13の膨張等を考慮すると、上記全長Lの1.1倍以上であるのが特に好ましい。
しかし、筒状体13の全長Lに対する収容溝8の長さLが長すぎる場合には、トレー6の大きさや加硫缶の容量等が過大になって、筒状体13の処理効率が低下するため、上記収容溝8の長さLは、筒状体13の全長Lの1.4倍以下程度であるのが好ましい。
The length of the receiving groove 8, i.e. the length L 1 of substantially semi-cylindrical body 9 in this example, the overall length after cutting of the tubular body 13 to be accommodated in the receiving groove 8 is cross-linked in a vulcanizer Although it may be L 2 or more, in consideration of expansion of the cylindrical body 13 at the time of crosslinking, it is particularly preferably 1.1 times or more of the total length L 2 .
However, when the length L 1 of the receiving groove 8 of the total length L 2 of the cylindrical body 13 is too long, the size and capacity of the vulcanizer of the tray 6 becomes excessively large, the processing efficiency of the tubular body 13 Therefore, the length L 1 of the housing groove 8 is preferably about 1.4 times or less of the total length L 2 of the cylindrical body 13.

ただし筒状体13の全長Lと、使用する加硫缶の容量やトレー6の大きさとの兼ね合いによっては、例えば1本の収容溝8内に2本以上の筒状体13を長さ方向に並べて収容して架橋させることも可能であり、その場合、収容溝8の長さLの上限は上記の限りではない。
上記トレー6を用いるこの例の製造方法においては、まず半導電性および架橋性を有するゴム組成物を調製し、かかるゴム組成物を、押出機のヘッドを通して所定半径の筒状に押出成形したのち所定長にカットする工程を繰り返して複数本の筒状体13を作製する。
However, depending on the balance between the total length L 2 of the cylindrical body 13 and the capacity of the vulcanizing can to be used and the size of the tray 6, for example, two or more cylindrical bodies 13 are disposed in the longitudinal direction in one receiving groove 8. Tile be crosslinked housing is also possible, in which case, the upper limit of the length L 1 of the receiving groove 8 is not limited to the above.
In the manufacturing method of this example using the tray 6, the rubber composition having semiconductivity and crosslinkability is first prepared, and the rubber composition is extruded through a head of an extruder into a cylinder having a predetermined radius. A plurality of cylindrical bodies 13 are produced by repeating the process of cutting to a predetermined length.

そして上記複数本の筒状体13を、上記トレー6上の各収容溝8内に収容して、加硫缶内で加熱して架橋させる。架橋の条件は、従来同様でよい。
収容溝8内へ筒状体13を収容する作業、および架橋後の筒状体13を収容溝8から取り出す作業はいずれも自動化が容易であり、しかもこれらの作業は、従来の、筒状体13の通孔に仮芯を挿通する作業のような位置合わせが不要で、自動化しても、装置が自動停止するといったトラブルが多発するおそれがない。
The plurality of cylindrical bodies 13 are accommodated in the accommodating grooves 8 on the tray 6 and are heated and crosslinked in a vulcanizing can. The conditions for crosslinking may be the same as in the prior art.
Both the operation of housing the cylindrical body 13 in the housing groove 8 and the operation of taking out the crosslinked tubular body 13 from the housing groove 8 are easy to automate, and these operations are the conventional cylindrical body. Positioning such as the operation of inserting the temporary core into the thirteen through holes is unnecessary, and even if it is automated, there is no possibility of frequent troubles such as the automatic stop of the apparatus.

そのため上記トレー6を用いて筒状体13を架橋させることにより、トラブルの原因となる仮芯の挿通工程を無くして、現状よりも高い生産性でもって半導電性ローラ1を製造できる。
架橋以降の工程は、従来同様に実施できる。
すなわち架橋させた筒状体13を、オーブン等を用いて加熱して二次架橋させ、冷却したのち所定の長さにカットするとともに所定の外径となるように研磨して、図2に示す半導電性ローラ1を作製する。
Therefore, by cross-linking the cylindrical body 13 using the tray 6, the semiconductive roller 1 can be manufactured with a higher productivity than the current state without a temporary core insertion process causing trouble.
The steps after the cross-linking can be carried out in the same manner as before.
That is, the cross-linked cylindrical body 13 is secondarily cross-linked by heating using an oven or the like, cooled, cut to a predetermined length and polished to a predetermined outer diameter, as shown in FIG. The semiconductive roller 1 is produced.

シャフト3は、架橋後から研磨後までの任意の時点で、通孔2に挿通して固定できる。
ただし架橋後、まず通孔2にシャフト3を挿通した状態で二次架橋〜研磨をするのが好ましい。これにより二次架橋時の膨張収縮による半導電性ローラ1の反りや変形を防止できる。また、シャフト3を中心として回転させながら研磨することで当該研磨の作業性を向上し、なおかつ外周面4のフレを抑制できる。
The shaft 3 can be inserted through the through-hole 2 and fixed at any time from cross-linking to after polishing.
However, after crosslinking, it is preferable to first perform secondary crosslinking to polishing in a state where the shaft 3 is inserted into the through hole 2. Thereby, the curvature and deformation | transformation of the semiconductive roller 1 by the expansion / contraction at the time of secondary bridge | crosslinking can be prevented. Further, by polishing while rotating about the shaft 3, the workability of the polishing can be improved, and the flare of the outer peripheral surface 4 can be suppressed.

シャフト3は、先に説明したように通孔2の内径よりも外径の大きいものを通孔2に圧入するか、あるいは導電性を有する熱硬化性接着剤を介して、二次架橋前の筒状体に挿通すればよい。
後者の場合は、オーブン中での加熱によって半導電性ローラ1が二次架橋されるのと同時に熱硬化性接着剤が硬化して、シャフト3が筒状体に電気的に接合されるとともに、機械的に固定される。
As described above, the shaft 3 is either press-fitted into the through-hole 2 having an outer diameter larger than the inner diameter of the through-hole 2 or through a thermosetting adhesive having conductivity before the secondary crosslinking. What is necessary is just to penetrate the cylindrical body.
In the latter case, the thermosetting adhesive is cured at the same time as the semiconductive roller 1 is secondarily crosslinked by heating in the oven, and the shaft 3 is electrically joined to the cylindrical body. Fixed mechanically.

また前者の場合は、圧入と同時に電気的な接合と機械的な固定が完了する。
次いで研磨後の外周面4に、必要に応じて酸化膜5を形成することで、上記例の半導電性ローラ1が製造される。
なお酸化膜5は、先に説明したように半導電性ローラ1の外周面4に紫外線を照射して形成するのが、簡単で効率よく酸化膜5を形成できるため好ましい。すなわち半導電性ローラ1の外周面4を構成するゴム組成物それ自体を、酸化性雰囲気下、所定波長の紫外線を所定時間照射して酸化させることで酸化膜5が形成される。
In the former case, electrical joining and mechanical fixing are completed simultaneously with press-fitting.
Subsequently, the semiconductive roller 1 of the said example is manufactured by forming the oxide film 5 as needed in the outer peripheral surface 4 after grinding | polishing.
As described above, the oxide film 5 is preferably formed by irradiating the outer peripheral surface 4 of the semiconductive roller 1 with ultraviolet rays because the oxide film 5 can be formed easily and efficiently. That is, the oxide film 5 is formed by oxidizing the rubber composition itself constituting the outer peripheral surface 4 of the semiconductive roller 1 by irradiating with ultraviolet rays having a predetermined wavelength for a predetermined time in an oxidizing atmosphere.

しかも酸化膜5は、上記のように半導電性ローラ1の外周面4を構成するゴム組成物それ自体が紫外線の照射によって酸化されて形成されるため、従来の、塗剤を塗布して形成される被覆層のような問題を生じることがなく、厚みや表面形状等の均一性に優れている。
照射する紫外線の波長は、ゴム組成物を効率よく酸化させて酸化膜5を形成することを考慮すると100nm以上であるのが好ましく、400nm以下、特に300nm以下であるのが好ましい。また照射の時間は30秒間以上、特に1分間以上であるのが好ましく、30分間以下、特に20分間以下であるのが好ましい。
Moreover, the oxide film 5 is formed by oxidizing the rubber composition itself constituting the outer peripheral surface 4 of the semiconductive roller 1 by irradiation with ultraviolet rays as described above. Thus, there is no problem as in the coated layer, and the thickness and surface shape are excellent in uniformity.
In consideration of efficiently oxidizing the rubber composition to form the oxide film 5, the wavelength of the ultraviolet rays to be irradiated is preferably 100 nm or more, preferably 400 nm or less, particularly preferably 300 nm or less. The irradiation time is preferably 30 seconds or more, particularly preferably 1 minute or more, and is preferably 30 minutes or less, particularly preferably 20 minutes or less.

ただし酸化膜5は、例えばオゾン曝露等の他の方法で形成してもよいし、前述したように省略してもよい。
〈ゴム組成物〉
半導電性ローラ1のもとになるゴム組成物としては、半導電性および架橋性を有する種々のゴム組成物が使用可能である。
However, the oxide film 5 may be formed by other methods such as ozone exposure, or may be omitted as described above.
<Rubber composition>
As the rubber composition used as the basis of the semiconductive roller 1, various rubber compositions having semiconductive and crosslinkability can be used.

以下には、ゴム分としてイオン導電性ゴムであるエピクロルヒドリンゴムを含むことでイオン導電性が付与されたゴム組成物の一例を示すが、ゴム組成物の組成は必ずしもこれに限定されるものではない。
〈エピクロルヒドリンゴム〉
ゴム分のうちエピクロルヒドリンゴムとしては、繰り返し単位としてエピクロルヒドリンを含み、イオン導電性を有する種々の重合体が使用可能である。
In the following, an example of a rubber composition imparted with ion conductivity by including epichlorohydrin rubber, which is an ion conductive rubber, as a rubber component is shown, but the composition of the rubber composition is not necessarily limited thereto. .
<Epichlorohydrin rubber>
Among the rubber components, as the epichlorohydrin rubber, various polymers containing epichlorohydrin as a repeating unit and having ionic conductivity can be used.

かかるエピクロルヒドリンゴムとしては、例えばエピクロルヒドリン単独重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド二元共重合体(ECO)、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド二元共重合体、エピクロルヒドリン−アリルグリシジルエーテル二元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体(GECO)、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル四元共重合体等の1種または2種以上が挙げられる。   Examples of such epichlorohydrin rubber include epichlorohydrin homopolymer, epichlorohydrin-ethylene oxide binary copolymer (ECO), epichlorohydrin-propylene oxide binary copolymer, epichlorohydrin-allyl glycidyl ether binary copolymer, epichlorohydrin-ethylene oxide. 1 type or 2 types of allyl glycidyl ether terpolymer (GECO), epichlorohydrin-propylene oxide-allyl glycidyl ether ternary copolymer, epichlorohydrin-ethylene oxide-propylene oxide-allyl glycidyl ether quaternary copolymer, etc. The above is mentioned.

中でもエチレンオキサイドを含む共重合体、特にECOおよび/またはGECOが好ましい。
上記両共重合体におけるエチレンオキサイド含量は、いずれも30モル%以上、特に50モル%以上であるのが好ましく、80モル%以下であるのが好ましい。
エチレンオキサイドは半導電性ローラのローラ抵抗値を下げる働きをする。しかしエチレンオキサイド含量がこの範囲未満ではかかる働きが十分に得られないため、ローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
Among them, a copolymer containing ethylene oxide, particularly ECO and / or GECO is preferable.
The ethylene oxide content in both copolymers is preferably 30 mol% or more, particularly preferably 50 mol% or more, and preferably 80 mol% or less.
Ethylene oxide serves to lower the roller resistance value of the semiconductive roller. However, when the ethylene oxide content is less than this range, such a function cannot be obtained sufficiently, so that the roller resistance value may not be sufficiently reduced.

一方、エチレンオキサイド含量が上記の範囲を超える場合にはエチレンオキサイドの結晶化が起こり、分子鎖のセグメント運動が妨げられるため、逆にローラ抵抗値が上昇する傾向がある。また架橋後の半導電性ローラが硬くなりすぎたり、架橋前のゴム組成物の、加熱溶融時の粘度が上昇して加工性が低下したりするおそれもある。
ECOにおけるエピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は20モル%以上であるのが好ましく、70モル%以下、特に50モル%以下であるのが好ましい。
On the other hand, when the ethylene oxide content exceeds the above range, crystallization of ethylene oxide occurs and the segment motion of the molecular chain is hindered, so that the roller resistance value tends to increase. In addition, the semiconductive roller after crosslinking may become too hard, or the viscosity of the rubber composition before crosslinking may increase when heated and melted, resulting in decreased processability.
The epichlorohydrin content in ECO is the remaining amount of ethylene oxide content. That is, the epichlorohydrin content is preferably 20 mol% or more, preferably 70 mol% or less, and particularly preferably 50 mol% or less.

またGECOにおけるアリルグリシジルエーテル含量は0.5モル%以上、特に2モル%以上であるのが好ましく、10モル%以下、特に5モル%以下であるのが好ましい。
アリルグリシジルエーテルは、それ自体が側鎖として自由体積を確保するために機能することにより、エチレンオキサイドの結晶化を抑制して、半導電性ローラのローラ抵抗値を低下させる働きをする。しかしアリルグリシジルエーテル含量がこの範囲未満では、かかる働きが得られないため、ローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
Further, the allylic glycidyl ether content in GECO is preferably 0.5 mol% or more, particularly preferably 2 mol% or more, more preferably 10 mol% or less, and particularly preferably 5 mol% or less.
The allyl glycidyl ether itself functions to secure a free volume as a side chain, thereby suppressing the crystallization of ethylene oxide and reducing the roller resistance value of the semiconductive roller. However, when the allyl glycidyl ether content is less than this range, such a function cannot be obtained, so that the roller resistance value may not be sufficiently reduced.

一方、アリルグリシジルエーテルはGECOの架橋時に架橋点として機能するため、アリルグリシジルエーテル含量が上記の範囲を超える場合には、GECOの架橋密度が高くなりすぎることによって分子鎖のセグメント運動が妨げられて、却ってローラ抵抗値が上昇する傾向がある。
GECOにおけるエピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量、およびアリルグリシジルエーテル含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は10モル%以上、特に15モル%以上であるのが好ましく、69.5モル%以下、特に48モル%以下であるのが好ましい。
On the other hand, since allyl glycidyl ether functions as a crosslinking point during GECO crosslinking, when the allyl glycidyl ether content exceeds the above range, the GECO crosslinking density becomes too high, preventing the molecular chain segment movement. On the other hand, the roller resistance value tends to increase.
The epichlorohydrin content in GECO is the remaining amount of ethylene oxide content and allyl glycidyl ether content. That is, the epichlorohydrin content is preferably 10 mol% or more, more preferably 15 mol% or more, and preferably 69.5 mol% or less, particularly 48 mol% or less.

なおGECOとしては、先に説明した3種の単量体を共重合させた狭義の意味での共重合体のほかに、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体(ECO)をアリルグリシジルエーテルで変性した変性物も知られており、かかる変性物も、GECOとして使用可能である。
エピクロルヒドリンゴムの配合割合は、次に説明するジエン系ゴムとの併用系では、帯電ローラの場合、ゴム分の総量100質量部中の15質量部以上、特に50質量部以上であるのが好ましく、80質量部以下、特に70質量部以下であるのが好ましい。また現像ローラでは、ゴム分の総量100質量部中の5質量部以上、特に10質量部以上であるのが好ましく、50質量部以下、特に30質量部以下であるのが好ましい。
As GECO, in addition to the above-described copolymer in the narrow sense obtained by copolymerization of the three types of monomers, a modification obtained by modifying epichlorohydrin-ethylene oxide copolymer (ECO) with allyl glycidyl ether. Things are also known, and such modified products can also be used as GECO.
The blending ratio of epichlorohydrin rubber is preferably 15 parts by mass or more, particularly 50 parts by mass or more, in the total amount of 100 parts by mass of rubber in the case of a charging roller in the combination system with diene rubber described below. It is preferably 80 parts by mass or less, particularly 70 parts by mass or less. Further, in the developing roller, it is preferably 5 parts by mass or more, particularly 10 parts by mass or more, preferably 50 parts by mass or less, particularly 30 parts by mass or less, in 100 parts by mass of the total rubber content.

〈ジエン系ゴム〉
ゴム分としては、上記エピクロルヒドリンゴムとともにジエン系ゴムを併用してもよい。
ジエン系ゴムは、半導電性ローラ1の機械的強度や耐久性等を向上したり、当該半導電性ローラ1にゴムとしての特性、すなわち柔軟で、しかも圧縮永久ひずみが小さくヘタリを生じにくい特性等を付与したりするために機能する。
<Diene rubber>
As the rubber component, a diene rubber may be used in combination with the epichlorohydrin rubber.
The diene rubber improves the mechanical strength and durability of the semiconductive roller 1 or has a characteristic as a rubber for the semiconductive roller 1, that is, a characteristic that is flexible and has a small compression set and hardly causes settling. And so on.

また、半導電性ローラ1の外周面4に紫外線を照射した際に酸化されて、当該外周面4に酸化膜5を形成するのも主にジエン系ゴムである。
ジエン系ゴムとしては、例えばスチレンブタジエンゴム(SBR)、クロロプレンゴム(CR)、アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)、ブタジエンゴム(BR)、天然ゴム、およびイソプレンゴム(IR)からなる群より選ばれた少なくとも1種が挙げられる。
Further, it is mainly diene rubber that is oxidized when the outer peripheral surface 4 of the semiconductive roller 1 is irradiated with ultraviolet rays to form an oxide film 5 on the outer peripheral surface 4.
Examples of the diene rubber include at least selected from the group consisting of styrene butadiene rubber (SBR), chloroprene rubber (CR), acrylonitrile butadiene rubber (NBR), butadiene rubber (BR), natural rubber, and isoprene rubber (IR). One type is mentioned.

〈架橋成分〉
架橋成分としては、主にエピクロルヒドリンゴムを架橋させるためのチオウレア系架橋剤、ジエン系ゴムや、あるいはエピクロルヒドリンゴムのうちGECO等を架橋させるための硫黄系架橋剤、および両架橋剤用の促進剤を併用するのが好ましい。
(チオウレア系架橋剤および促進剤)
チオウレア系架橋剤としては、分子中にチオウレア基を有し、主としてエピクロルヒドリンゴムの架橋剤として機能しうる種々の化合物が使用可能である。
<Crosslinking component>
The crosslinking component mainly includes a thiourea-based crosslinking agent for crosslinking epichlorohydrin rubber, a diene rubber, or a sulfur-based crosslinking agent for crosslinking GECO, etc. of epichlorohydrin rubber, and an accelerator for both crosslinking agents. It is preferable to use together.
(Thiourea crosslinking agent and accelerator)
As the thiourea-based crosslinking agent, various compounds having a thiourea group in the molecule and mainly functioning as a crosslinking agent for epichlorohydrin rubber can be used.

チオウレア系架橋剤としては、例えばテトラメチルチオウレア、トリメチルチオウレア、エチレンチオウレア(別名:2−メルカプトイミダゾリン)、式(1):
(C2n+1NH)C=S (1)
〔式中、nは1〜10の整数を示す。〕で表されるチオウレア等の1種または2種以上が挙げられる。特にエチレンチオウレアが好ましい。
Examples of the thiourea-based crosslinking agent include tetramethylthiourea, trimethylthiourea, ethylenethiourea (also known as 2-mercaptoimidazoline), formula (1):
(C n H 2n + 1 NH) 2 C = S (1)
[In formula, n shows the integer of 1-10. ] 1 type (s) or 2 or more types, such as thiourea represented by these. In particular, ethylene thiourea is preferable.

チオウレア系架橋剤の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり0.3質量部以上であるのが好ましく、1質量部以下であるのが好ましい。
チオウレア系架橋剤用の促進剤としては、例えば1,3−ジフェニルグアニジン(D)、1,3−ジ−o−トリルグアニジン(DT)、1−o−トリルビグアニド(BG)等のグアニジン系促進剤などの1種または2種以上が挙げられる。特に1,3−ジ−o−トリルグアニジン(DT)が好ましい。
The blending ratio of the thiourea-based crosslinking agent is preferably 0.3 parts by mass or more and preferably 1 part by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of rubber.
Examples of accelerators for thiourea crosslinking agents include guanidine accelerators such as 1,3-diphenylguanidine (D), 1,3-di-o-tolylguanidine (DT), and 1-o-tolylbiguanide (BG). 1 type or 2 types or more, such as an agent, is mentioned. In particular, 1,3-di-o-tolylguanidine (DT) is preferable.

促進剤の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり0.3質量部以上であるのが好ましく、1質量部以下であるのが好ましい。
(硫黄系架橋剤および促進剤)
硫黄系架橋剤としては硫黄、および含硫黄系架橋剤からなる群より選ばれた少なくとも1種が用いられる。
The blending ratio of the accelerator is preferably 0.3 parts by mass or more per 100 parts by mass of the total amount of rubber, and is preferably 1 part by mass or less.
(Sulfur-based crosslinking agent and accelerator)
As the sulfur-based crosslinking agent, at least one selected from the group consisting of sulfur and sulfur-containing crosslinking agents is used.

このうち含硫黄系架橋剤としては、分子中に硫黄を含み、ジエン系ゴムやGECOの架橋剤として機能しうる種々の有機化合物が使用可能である。含硫黄系架橋剤としては、例えば4,4′−ジチオジモルホリン(R)等が挙げられる。
ただし硫黄系架橋剤としては特に硫黄が好ましい。
硫黄の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり1質量部以上であるのが好ましく、2質量部以下であるのが好ましい。
Among these, as the sulfur-containing crosslinking agent, various organic compounds that contain sulfur in the molecule and can function as a crosslinking agent for diene rubber or GECO can be used. Examples of the sulfur-containing crosslinking agent include 4,4′-dithiodimorpholine (R).
However, sulfur is particularly preferable as the sulfur-based crosslinking agent.
The blending ratio of sulfur is preferably 1 part by mass or more and preferably 2 parts by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of rubber.

また架橋剤として含硫黄系架橋剤を使用する場合、その配合割合は、分子中に含まれる硫黄の、ゴム分の総量100質量部あたりの質量部が上記の範囲となるように調整するのが好ましい。
硫黄系架橋剤用の促進剤としては、例えばチアゾール系促進剤、チウラム系促進剤、スルフェンアミド系促進剤、ジチオカルバミン酸塩系促進剤等の、分子中に硫黄を含む含硫黄系促進剤の1種または2種以上が挙げられる。
When a sulfur-containing crosslinking agent is used as the crosslinking agent, the blending ratio is adjusted so that the mass part of the sulfur contained in the molecule per 100 parts by mass of the total rubber content falls within the above range. preferable.
Examples of accelerators for sulfur-based crosslinking agents include sulfur-containing accelerators containing sulfur in the molecule, such as thiazole accelerators, thiuram accelerators, sulfenamide accelerators, and dithiocarbamate accelerators. 1 type or 2 types or more are mentioned.

このうちチアゾール系促進剤とチウラム系促進剤とを併用するのが好ましい。
チアゾール系促進剤としては、例えば2−メルカプトベンゾチアゾール(M)、ジ−2−ベンゾチアゾリルジスルフィド(DM)、2−メルカプトベンゾチアゾールの亜鉛塩(MZ)、2-メルカプトベンゾチアゾールのシクロヘキシルアミン塩(HM、M60−OT)、2−(N,N−ジエチルチオカルバモイルチオ)ベンゾチアゾール(64)、2−(4′−モルホリノジチオ)ベンゾチアゾール(DS、MDB)等の1種または2種以上が挙げられる。特にジ−2−ベンゾチアゾリルジスルフィド(DM)が好ましい。
Of these, it is preferable to use a thiazole accelerator and a thiuram accelerator in combination.
Examples of the thiazole accelerator include 2-mercaptobenzothiazole (M), di-2-benzothiazolyl disulfide (DM), zinc salt of 2-mercaptobenzothiazole (MZ), and cyclohexylamine of 2-mercaptobenzothiazole. 1 type or 2 types of salt (HM, M60-OT), 2- (N, N-diethylthiocarbamoylthio) benzothiazole (64), 2- (4'-morpholinodithio) benzothiazole (DS, MDB), etc. The above is mentioned. In particular, di-2-benzothiazolyl disulfide (DM) is preferable.

またチウラム系促進剤としては、例えばテトラメチルチウラムモノスルフィド(TS)、テトラメチルチウラムジスルフィド(TT、TMT)、テトラエチルチウラムジスルフィド(TET)、テトラブチルチウラムジスルフィド(TBT)、テトラキス(2-エチルヘキシル)チウラムジスルフィド(TOT−N)、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド(TRA)等の1種または2種以上が挙げられる。特にテトラメチルチウラムモノスルフィド(TS)が好ましい。   Examples of the thiuram accelerator include tetramethylthiuram monosulfide (TS), tetramethylthiuram disulfide (TT, TMT), tetraethylthiuram disulfide (TET), tetrabutylthiuram disulfide (TBT), tetrakis (2-ethylhexyl) thiuram. One type or two or more types such as disulfide (TOT-N) and dipentamethylene thiuram tetrasulfide (TRA) can be used. Tetramethylthiuram monosulfide (TS) is particularly preferable.

上記2種の含硫黄系促進剤の併用系において、チアゾール系促進剤の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり1質量部以上、2質量部以下であるのが好ましい。またチウラム系促進剤の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり0.3質量部以上、1質量部以下であるのが好ましい。
〈イオン塩〉
ゴム組成物は、さらに、分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンと、陽イオンとの塩(イオン塩)をも含んでいるのが好ましい。
In the combined system of the two sulfur-containing accelerators, the blending ratio of the thiazole accelerator is preferably 1 part by mass or more and 2 parts by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of rubber. The blending ratio of the thiuram accelerator is preferably 0.3 parts by weight or more and 1 part by weight or less per 100 parts by weight of the total amount of rubber.
<Ion salt>
The rubber composition preferably further contains a salt (ionic salt) of an anion having a fluoro group and a sulfonyl group and a cation in the molecule.

かかるイオン塩を含むことで、半導電性ローラにさらに良好な半導電性を付与できる。
イオン塩を構成する、分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンとしては、例えばフルオロアルキルスルホン酸イオン、ビス(フルオロアルキルスルホニル)イミドイオン、トリス(フルオロアルキルスルホニル)メチドイオン等の1種または2種以上が挙げられる。
By including such an ionic salt, better semiconductivity can be imparted to the semiconductive roller.
Examples of the anion having a fluoro group and a sulfonyl group in the molecule constituting the ionic salt include one or two of fluoroalkylsulfonic acid ion, bis (fluoroalkylsulfonyl) imide ion, tris (fluoroalkylsulfonyl) methide ion, etc. The above is mentioned.

このうちフルオロアルキルスルホン酸イオンとしては、例えばCFSO 、CSO 等の1種または2種以上が挙げられる。
またビス(フルオロアルキルスルホニル)イミドイオンとしては、例えば(CFSO)、(CSO)、(CSO)(CFSO)N、(FSO)(CFSO)N、(C17SO)(CFSO)N、(CFCHOSO)、(CFCFCHOSO)、(HCFCFCHOSO)、[(CF)CHOSO]等の1種または2種以上が挙げられる。
Of these, examples of the fluoroalkylsulfonic acid ion include one or more of CF 3 SO 3 , C 4 F 9 SO 3 —, and the like.
Examples of bis (fluoroalkylsulfonyl) imide ions include (CF 3 SO 2 ) 2 N , (C 2 F 5 SO 2 ) 2 N , (C 4 F 9 SO 2 ) (CF 3 SO 2 ) N −. , (FSO 2 C 6 F 4 ) (CF 3 SO 2 ) N , (C 8 F 17 SO 2 ) (CF 3 SO 2 ) N , (CF 3 CH 2 OSO 2 ) 2 N , (CF 3 CF 2 CH 2 OSO 2) 2 N -, (HCF 2 CF 2 CH 2 OSO 2) 2 N - include one or more of such -, [(CF 3) 2 CHOSO 2] 2 N.

さらにトリス(フルオロアルキルスルホニル)メチドイオンとしては、例えば(CFSO)、(CFCHOSO)等の1種または2種以上が挙げられる。
また陽イオンとしては、例えばナトリウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金属のイオン、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等の第2族元素のイオン、遷移元素のイオン、両性元素の陽イオン、第4級アンモニウムイオン、イミダゾリウム陽イオン等の1種または2種以上が挙げられる。
Further, examples of the tris (fluoroalkylsulfonyl) methide ion include one or more of (CF 3 SO 2 ) 3 C , (CF 3 CH 2 OSO 2 ) 3 C − and the like.
Examples of the cation include ions of alkali metals such as sodium, lithium and potassium, ions of group 2 elements such as beryllium, magnesium, calcium, strontium and barium, ions of transition elements, cations of amphoteric elements, One kind or two or more kinds such as a quaternary ammonium ion and an imidazolium cation may be mentioned.

イオン塩としては、特に陽イオンとしてリチウムイオンを用いたリチウム塩、および陽イオンとしてカリウムイオンを用いたカリウム塩が好ましい。
中でも、ゴム組成物のイオン導電性を向上して半導電性ローラのローラ抵抗値を低下させる効果の点で、(CFSO)NLi〔リチウム・ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド〕、および/または(CFSO)NK〔カリウム・ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド〕が好ましい。
As the ionic salt, a lithium salt using lithium ion as a cation and a potassium salt using potassium ion as a cation are particularly preferable.
Among them, (CF 3 SO 2 ) 2 NLi [lithium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide], and in terms of the effect of improving the ionic conductivity of the rubber composition and reducing the roller resistance value of the semiconductive roller, / Or (CF 3 SO 2 ) 2 NK [potassium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide] is preferred.

イオン塩の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり0.5質量部以上、特に0.8質量部以上であるのが好ましく、5質量部以下、特に4質量部以下であるのが好ましい。
イオン塩の配合割合がこの範囲未満では、半導電性ローラのイオン導電性を向上して、ローラ抵抗値を低下させる効果が十分に得られないおそれがある。
The blending ratio of the ionic salt is preferably 0.5 parts by mass or more, particularly 0.8 parts by mass or more, preferably 5 parts by mass or less, particularly 4 parts by mass or less, per 100 parts by mass of the total amount of rubber. .
If the blending ratio of the ionic salt is less than this range, the effect of reducing the roller resistance value by improving the ionic conductivity of the semiconductive roller may not be obtained.

一方、範囲を超えてもそれ以上の効果が得られないだけでなく、過剰のイオン塩が半導電性ローラの外周面にブルームして感光体を汚染したり、紫外線の照射等による酸化膜の形成を妨げたりするおそれがある。
〈その他〉
ゴム組成物には、さらに必要に応じて各種の添加剤を配合してもよい。添加剤としては、例えば促進助剤、受酸剤、可塑剤、加工助剤、劣化防止剤、充填剤、スコーチ防止剤、滑剤、顔料、帯電防止剤、難燃剤、中和剤、造核剤、共架橋剤等が挙げられる。
On the other hand, not only the effect beyond that range is not obtained, but also the excessive ionic salt blooms on the outer peripheral surface of the semiconductive roller to contaminate the photoconductor, or the oxide film due to ultraviolet irradiation etc. May interfere with formation.
<Others>
You may mix | blend various additives with a rubber composition further as needed. Examples of additives include acceleration aids, acid acceptors, plasticizers, processing aids, deterioration inhibitors, fillers, scorch prevention agents, lubricants, pigments, antistatic agents, flame retardants, neutralizing agents, and nucleating agents. And a co-crosslinking agent.

このうち促進助剤としては、例えば亜鉛華等の金属化合物;ステアリン酸、オレイン酸、綿実脂肪酸等の脂肪酸、その他従来公知の促進助剤の1種または2種以上が挙げられる。
促進助剤の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり3質量部以上であるのが好ましく、7質量部以下であるのが好ましい。
Among these, examples of the acceleration aid include metal compounds such as zinc white; fatty acids such as stearic acid, oleic acid, and cottonseed fatty acid; and other conventionally known acceleration aids.
The blending ratio of the accelerator aid is preferably 3 parts by mass or more and preferably 7 parts by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of rubber.

受酸剤は、ゴム分の架橋時にエピクロルヒドリンゴムやCRから発生する塩素系ガスが半導電性ローラ内に残留したり、それによって架橋阻害や感光体の汚染等を生じたりするのを防止するために機能する。
受酸剤としては、酸受容体として作用する種々の物質を用いることができるが、中でも分散性に優れたハイドロタルサイト類またはマグサラットが好ましく、特にハイドロタルサイト類が好ましい。
The acid acceptor prevents chlorine-based gas generated from epichlorohydrin rubber or CR from remaining in the semiconductive roller during crosslinking of the rubber component, thereby preventing crosslinking inhibition or contamination of the photoreceptor. To work.
As the acid acceptor, various substances acting as an acid acceptor can be used. Among them, hydrotalcite or magsarat having excellent dispersibility is preferable, and hydrotalcite is particularly preferable.

また、ハイドロタルサイト類等を酸化マグネシウムや酸化カリウムと併用するとより高い受酸効果を得ることができ、感光体の汚染をより一層良好に防止できる。
受酸剤の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり3質量部以上であるのが好ましく、7質量部以下であるのが好ましい。
可塑剤としては、例えばジブチルフタレート(DBP)、ジオクチルフタレート(DOP)、トリクレジルホスフェート等の各種可塑剤や、極性ワックス等の各種ワックス等が挙げられる。また加工助剤としては、例えばステアリン酸亜鉛等の脂肪酸金属塩などが挙げられる。
In addition, when hydrotalcite or the like is used in combination with magnesium oxide or potassium oxide, a higher acid receiving effect can be obtained, and contamination of the photoreceptor can be prevented even better.
The blending ratio of the acid acceptor is preferably 3 parts by mass or more and preferably 7 parts by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of rubber.
Examples of the plasticizer include various plasticizers such as dibutyl phthalate (DBP), dioctyl phthalate (DOP), and tricresyl phosphate, and various waxes such as polar wax. Examples of the processing aid include fatty acid metal salts such as zinc stearate.

可塑剤および/または加工助剤の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり3質量部以下であるのが好ましい。
劣化防止剤としては、各種の老化防止剤や酸化防止剤等が挙げられる。
このうち老化防止剤は、半導電性ローラのローラ抵抗値の環境依存性を低減するとともに、連続通電時のローラ抵抗値の上昇を抑制する働きをする。老化防止剤としては、例えばジエチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラック(登録商標)NEC−P〕、ジブチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラックNBC〕等が挙げられる。
The blending ratio of the plasticizer and / or processing aid is preferably 3 parts by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of rubber.
Examples of the deterioration preventing agent include various antiaging agents and antioxidants.
Among these, the anti-aging agent functions to reduce the environmental dependency of the roller resistance value of the semiconductive roller and to suppress an increase in the roller resistance value during continuous energization. As an anti-aging agent, for example, nickel diethyldithiocarbamate [Nocrac (registered trademark) NEC-P manufactured by Ouchi Shinsei Chemical Industry Co., Ltd.], nickel dibutyldithiocarbamate [Nocrack NBC manufactured by Ouchi Shinsei Chemical Industrial Co., Ltd.] Etc.

老化防止剤の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり0.3質量部以上、1質量部以下であるのが好ましい。
充填剤としては、例えば酸化亜鉛、シリカ、カーボン、カーボンブラック、クレー、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム等の1種または2種以上が挙げられる。
The blending ratio of the antioxidant is preferably 0.3 parts by mass or more and 1 part by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of rubber.
Examples of the filler include one or more of zinc oxide, silica, carbon, carbon black, clay, talc, calcium carbonate, magnesium carbonate, aluminum hydroxide, and the like.

充填剤を配合することにより、半導電性ローラの機械的強度等を向上できる。
充填剤の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり5質量部以上であるのが好ましく、20質量部以下であるのが好ましい。
また充填剤として導電性カーボンブラック等の導電性充填剤を配合して、半導電性ローラに電子導電性を付与してもよい。
By blending the filler, the mechanical strength of the semiconductive roller can be improved.
The blending ratio of the filler is preferably 5 parts by mass or more and preferably 20 parts by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of rubber.
Further, a conductive filler such as conductive carbon black may be blended as a filler to impart electronic conductivity to the semiconductive roller.

導電性カーボンブラックとしては、例えばアセチレンブラック等が挙げられる。
導電性カーボンブラックの配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり1質量部以上であるのが好ましく、5質量部以下であるのが好ましい。
スコーチ防止剤としては、例えばN−シクロへキシルチオフタルイミド、無水フタル酸、N−ニトロソジフエニルアミン、2,4−ジフエニル−4−メチル−1−ペンテン等の1種または2種以上が挙げられる。特にN−シクロへキシルチオフタルイミドが好ましい。
Examples of the conductive carbon black include acetylene black.
The blending ratio of conductive carbon black is preferably 1 part by mass or more and preferably 5 parts by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of rubber.
Examples of the scorch inhibitor include one or more of N-cyclohexylthiophthalimide, phthalic anhydride, N-nitrosodiphenylamine, 2,4-diphenyl-4-methyl-1-pentene, and the like. . N-cyclohexylthiophthalimide is particularly preferable.

スコーチ防止剤の配合割合は、ゴム分の総量100質量部あたり0.1質量部以上であるのが好ましく、1質量部以下であるのが好ましい。
共架橋剤とは、それ自体が架橋するとともにゴム分とも架橋反応して全体を高分子化する働きを有する成分を指す。
共架橋剤としては、例えばメタクリル酸エステルや、あるいはメタクリル酸またはアクリル酸の金属塩等に代表されるエチレン性不飽和単量体、1,2−ポリブタジエンの官能基を利用した多官能ポリマ類、あるいはジオキシム等の1種または2種以上が挙げられる。
The blending ratio of the scorch inhibitor is preferably 0.1 parts by mass or more and preferably 1 part by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of rubber.
The co-crosslinking agent refers to a component that itself has a function of crosslinking and also having a function of crosslinking the rubber component to polymerize the whole.
Examples of co-crosslinking agents include methacrylic acid esters, or ethylenically unsaturated monomers represented by metal salts of methacrylic acid or acrylic acid, polyfunctional polymers using functional groups of 1,2-polybutadiene, Or 1 type, or 2 or more types, such as dioxime, is mentioned.

このうちエチレン性不飽和単量体としては、例えば下記(a)〜(h)で表される化合物等の1種または2種以上が挙げられる。
(a) アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸類。
(b) マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸類。
(c) (a)(b)の不飽和カルボン酸類のエステルまたは無水物。
Among these, examples of the ethylenically unsaturated monomer include one or more of compounds represented by the following (a) to (h).
(a) Monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid.
(b) Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid.
(c) Esters or anhydrides of unsaturated carboxylic acids of (a) (b).

(d) (a)〜(c)の金属塩。
(e) 1,3−ブタジエン、イソプレン、2−クロル−1,3−ブタジエンなどの脂肪族共役ジエン。
(f) スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどの芳香族ビニル化合物。
(d) Metal salts of (a) to (c).
(e) Aliphatic conjugated dienes such as 1,3-butadiene, isoprene and 2-chloro-1,3-butadiene.
(f) Aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene, vinyl toluene, ethyl vinyl benzene and divinyl benzene.

(g) トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、ビニルピリジンなどの、複素環を有するビニル化合物。
(h) その他、(メタ)アクリロニトリルもしくはα−クロルアクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物、アクロレイン、ホルミルステロール、ビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルブチルケトン。
(g) Vinyl compounds having a heterocyclic ring, such as triallyl isocyanurate, triallyl cyanurate, and vinylpyridine.
(h) Other vinyl cyanide compounds such as (meth) acrylonitrile or α-chloroacrylonitrile, acrolein, formylsterol, vinyl methyl ketone, vinyl ethyl ketone, vinyl butyl ketone.

また(c)の不飽和カルボン酸類のエステルとしては、モノカルボン酸類のエステルが好ましい。
モノカルボン酸類のエステルとしては、例えば下記の各種化合物等の1種または2種以上が挙げられる。
メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、i−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、i−ブチル(メタ)アクリレート、n−ぺンチル(メタ)アクリレート、i−ぺンチル(メタ)アクリレート、n−へキシル(メタ)アクリレート、シクロへキシル(メタ)アクリレート、2−エチルへキシル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、i−ノニル(メタ)アクリレート、tert−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ヒドロキシメチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートなどの、(メタ)アクリル酸のアルキルエステル。
The ester of unsaturated carboxylic acids (c) is preferably an ester of monocarboxylic acids.
Examples of the esters of monocarboxylic acids include one or more of the following various compounds.
Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, i-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, i-butyl (meth) acrylate, n-pentyl (meta ) Acrylate, i-pentyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, i-nonyl (meth) ), Tert-butylcyclohexyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, hydroxymethyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, and other alkyl esters of (meth) acrylic acid.

アミノエチル(メタ)アクリレート、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ブチルアミノエチル(メタ)アクリレートなどの、(メタ)アクリル酸のアミノアルキルエステル。
べンジル(メタ)アクリレート、ベンゾイル(メタ)アクリレート、アリル(メタ)アクリレートなどの、芳香族環を有する(メタ)アクリレート。
Aminoalkyl esters of (meth) acrylic acid, such as aminoethyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, and butylaminoethyl (meth) acrylate.
(Meth) acrylates having an aromatic ring, such as benzyl (meth) acrylate, benzoyl (meth) acrylate, and allyl (meth) acrylate.

グリシジル(メタ)アクリレート、メタグリシジル(メタ)アクリレート、エポキシシクロヘキシル(メタ)アクリレートなどの、エポキシ基を有する(メタ)アクリレート。
N−メチロール(メタ)アクリルアミド、γ−(メタ)アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、テトラハイドロフルフリルメタクリレートなどの、各種官能基を有する(メタ)アクリレート。
(Meth) acrylates having an epoxy group, such as glycidyl (meth) acrylate, metaglycidyl (meth) acrylate, and epoxycyclohexyl (meth) acrylate.
(Meth) acrylate having various functional groups such as N-methylol (meth) acrylamide, γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, and tetrahydrofurfuryl methacrylate.

エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンジメタクリレート(EDMA)、ポリエチレングリコールジメタクリレート、イソブチレンエチレンジメタクリレートなどの多官能(メタ)アクリレート。
以上で説明した各成分を含むゴム組成物は、従来同様に調製できる。まずゴム分を所定の割合で配合して素練りし、次いでイオン塩と、架橋成分以外の各種添加剤とを加えて混練した後、最後に架橋成分を加えて混練することでゴム組成物が得られる。混練には、例えばインターミックス、バンバリミキサ、ニーダ、押出機等の密閉式の混練機や、あるいはオープンロール等を用いることができる。
Polyfunctional (meth) acrylates such as ethylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethylene dimethacrylate (EDMA), polyethylene glycol dimethacrylate, and isobutylene ethylene dimethacrylate.
The rubber composition containing each component demonstrated above can be prepared similarly to the past. First, the rubber component is blended at a predetermined ratio and kneaded, then the ionic salt and various additives other than the crosslinking component are added and kneaded, and finally the rubber composition is added and kneaded by adding the crosslinking component. can get. For kneading, for example, a closed kneader such as an intermix, a Banbury mixer, a kneader, an extruder, or an open roll can be used.

〈半導電性ローラ1〉
前述した各工程を経て製造される半導電性ローラ1の半径Rや硬さ、ローラ抵抗値等は、その構造や用途等に応じて任意の範囲に設定できる。
例えば帯電ローラとして用いる、前述したように非多孔質でかつ単層の半導電性ローラ1は、直径が8mm(半径R:4mm)以上であるのが好ましく、15mm(半径R:7.5mm)以下であるのが好ましい。またショアA硬さは55°以上であるのが好ましく、65°以下であるのが好ましい。さらにローラ抵抗値は、1×10Ω以上であるのが好ましく、1×10Ω以下であるのが好ましい。
<Semiconductive roller 1>
The radius R 2 , hardness, roller resistance value, and the like of the semiconductive roller 1 manufactured through the above-described steps can be set in an arbitrary range depending on the structure and application.
For example, as described above, the non-porous single-layer semiconductive roller 1 used as a charging roller preferably has a diameter of 8 mm (radius R 2 : 4 mm) or more, and 15 mm (radius R 2 : 7. 5 mm) or less. The Shore A hardness is preferably 55 ° or more, and preferably 65 ° or less. Furthermore, the roller resistance value is preferably 1 × 10 5 Ω or more, and preferably 1 × 10 6 Ω or less.

また現像ローラとして用いる、非多孔質でかつ単層の半導電性ローラ1は、直径が10mm(半径R:5mm)以上であるのが好ましく、17mm(半径R:8.5mm)以下であるのが好ましい。またショアA硬さは40°以上であるのが好ましく、50°以下であるのが好ましい。さらにローラ抵抗値は、1×10Ω以上であるのが好ましく、1×10Ω以下であるのが好ましい。 The non-porous single-layer semiconductive roller 1 used as a developing roller preferably has a diameter of 10 mm (radius R 2 : 5 mm) or more, and 17 mm (radius R 2 : 8.5 mm) or less. Preferably there is. The Shore A hardness is preferably 40 ° or more, and preferably 50 ° or less. Further, the roller resistance value is preferably 1 × 10 6 Ω or more, and preferably 1 × 10 7 Ω or less.

なお本発明ではショアA硬さを、日本工業規格JIS K6253−3:2012に記載の測定方法に則って、温度23±2℃の条件で、高分子計器(株)製のマイクロゴム硬度計MD−1を用いて測定した値でもって表すこととする。
また半導電性ローラ1のローラ抵抗値は、下記の方法で測定した値でもって表すこととする。ローラ抵抗値は、半導電性ローラ1の外周面4に酸化膜5を形成する場合は、当該酸化膜5を形成した状態でのローラ抵抗値である。
In the present invention, the Shore A hardness is measured according to the measurement method described in Japanese Industrial Standard JIS K6253-3-3 : 2012 under the condition of a temperature of 23 ± 2 ° C., a micro rubber hardness meter MD manufactured by Kobunshi Keiki Co., Ltd. It shall be expressed by a value measured using -1.
The roller resistance value of the semiconductive roller 1 is expressed by a value measured by the following method. The roller resistance value is a roller resistance value in a state where the oxide film 5 is formed when the oxide film 5 is formed on the outer peripheral surface 4 of the semiconductive roller 1.

半導電性ローラ1を、上記のように非多孔質でかつ単層に形成すると、その構造を簡略化できるとともに、耐久性等を向上できる。
また半導電性ローラ1を非多孔質とすると、当該半導電性ローラ1のもとになる筒状体13を収容溝8に収容した状態で架橋させる際に、当該筒状体13が変形するのをより一層良好に抑制できる。
When the semiconductive roller 1 is non-porous and formed in a single layer as described above, the structure can be simplified and the durability and the like can be improved.
If the semiconductive roller 1 is non-porous, the cylindrical body 13 is deformed when the cylindrical body 13 that is the basis of the semiconductive roller 1 is cross-linked in the state of being accommodated in the accommodation groove 8. Can be suppressed even better.

なお単層とは、ゴムからなる層の数が単層であることを指し、酸化膜5は層数に含まないこととする。
半導電性ローラ1の、上述した各特性を調整するためには、例えばゴム組成物を構成するゴム分や架橋剤、あるいは他の添加剤の種類や組み合わせ、あるいは配合割合等を調整すればよい。
The single layer means that the number of rubber layers is a single layer, and the oxide film 5 is not included in the number of layers.
In order to adjust the above-described characteristics of the semiconductive roller 1, for example, the type and combination of the rubber component, the crosslinking agent, or other additives constituting the rubber composition, or the blending ratio may be adjusted. .

〈ローラ抵抗値の測定〉
図3は、半導電性ローラ1のローラ抵抗値を測定する方法を説明する図である。
図2、図3を参照して、本発明では半導電性ローラ1のローラ抵抗値R(Ω)を、温度23±2℃、相対湿度55±2%の常温常湿環境下、印加電圧100Vの条件で、下記の方法によって測定した値でもって表すこととする。
<Roller resistance value measurement>
FIG. 3 is a diagram illustrating a method for measuring the roller resistance value of the semiconductive roller 1.
2 and 3, in the present invention, the roller resistance value R (Ω) of the semiconductive roller 1 is set to an applied voltage of 100 V in a normal temperature and humidity environment of a temperature of 23 ± 2 ° C. and a relative humidity of 55 ± 2%. It shall be expressed with the value measured by the following method under the above conditions.

すなわち一定の回転速度で回転させることができるアルミニウムドラム14を用意し、かかるアルミニウムドラム14の外周面15に上方から、シャフト3を挿通して固定した半導電性ローラ1の外周面4(酸化膜5を形成する場合は、当該酸化膜5を形成した外周面4)を接触させる。
またシャフト3とアルミニウムドラム14との間には、直流電源16および抵抗17を直列に接続して計測回路18を構成する。直流電源16は(−)側をシャフト3、(+)側を抵抗17と接続する。抵抗17の抵抗値rは100Ωとする。
That is, an aluminum drum 14 that can be rotated at a constant rotational speed is prepared, and the outer peripheral surface 4 (oxide film) of the semiconductive roller 1 that is fixed to the outer peripheral surface 15 of the aluminum drum 14 by inserting the shaft 3 from above. 5 is formed, the outer peripheral surface 4) on which the oxide film 5 is formed is brought into contact.
A DC power supply 16 and a resistor 17 are connected in series between the shaft 3 and the aluminum drum 14 to constitute a measurement circuit 18. The DC power source 16 is connected to the shaft 3 on the (−) side and to the resistor 17 on the (+) side. The resistance value r of the resistor 17 is 100Ω.

次いで、シャフト3の両端部にそれぞれ500gの荷重Fをかけて半導電性ローラ1の外周面4をアルミニウムドラム14に圧接させた状態で、当該アルミニウムドラム14を回転(回転数:30rpm)させながら、両者間に直流電源16から直流100Vの印加電圧Eを印加した際に抵抗17にかかる検出電圧Vを、4秒間で100回計測してその平均値を求める。   Next, the aluminum drum 14 is rotated (rotation number: 30 rpm) in a state where the outer peripheral surface 4 of the semiconductive roller 1 is pressed against the aluminum drum 14 by applying a load F of 500 g to both ends of the shaft 3. The detection voltage V applied to the resistor 17 when the applied voltage E of 100 V DC is applied from the DC power source 16 between them is measured 100 times in 4 seconds to obtain the average value.

検出電圧Vの平均値と印加電圧E(=100V)とから、半導電性ローラ1のローラ抵抗値R(Ω)は、基本的に式(a)′:
R=r×E/(V−r) (a)′
によって求められる。ただし式(a)′中の分母中の−rの項は微小とみなすことができるため、本発明では式(a):
R=r×E/V (a)
によって求めた値でもって半導電性ローラ1のローラ抵抗値R(Ω)とすることとする。
From the average value of the detection voltage V and the applied voltage E (= 100 V), the roller resistance value R (Ω) of the semiconductive roller 1 is basically the formula (a) ′:
R = r × E / (V−r) (a) ′
Sought by. However, since the -r term in the denominator in the formula (a) ′ can be regarded as being minute, in the present invention, the formula (a):
R = r × E / V (a)
It is assumed that the roller resistance value R (Ω) of the semiconductive roller 1 is the value obtained by the above.

なお本発明の構成は、以上で説明した図の例のものには限定されない。
例えば半導電性ローラ1は単層には限定されず、外周面4側の外層とシャフト3側の内層の2層のゴム層を備えた積層構造に形成してもよい。
本発明の製造方法によって製造される半導電性ローラは、帯電ローラ、現像ローラのほか、例えば転写ローラ、クリーニングローラ等としてレーザープリンタ、静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機等の、電子写真法を利用した画像形成装置に用いることができる。
Note that the configuration of the present invention is not limited to the example illustrated in the above description.
For example, the semiconductive roller 1 is not limited to a single layer, and may be formed in a laminated structure including two rubber layers, an outer layer on the outer peripheral surface 4 side and an inner layer on the shaft 3 side.
The semiconductive roller manufactured by the manufacturing method of the present invention includes a charging roller, a developing roller, a laser roller, an electrostatic copying machine, a plain paper facsimile machine, or a combination of these as a transfer roller, a cleaning roller, etc. It can be used for an image forming apparatus using electrophotography.

〈実施例1〉
(ゴム組成物の調製)
下記の各ゴム分を配合した。
(A) ECO〔ダイソー(株)製のエピクロマー(登録商標)D、エチレンオキサイド含量:61モル%〕15質量部
(B) GECO〔ダイソー(株)製のエピオン(登録商標)−301L、EO/EP/AGE=73/23/4(モル比)〕45質量部
(C) CR〔昭和電工(株)製のショウプレン(登録商標)WRT〕10質量部
(D) NBR〔JSR(株)製のJSR N250 SL、低ニトリルNBR、アクリロニトリル含量:20%〕30質量部
上記(A)〜(D)のゴム分計100質量部を、バンバリミキサを用いて素練りしながら、まず下記表1に示す各成分のうち架橋成分以外を加えて混練し、最後に架橋成分を加えてさらに混練してゴム組成物を調製した。
<Example 1>
(Preparation of rubber composition)
The following rubber components were blended.
(A) ECO [Epichromer (registered trademark) D manufactured by Daiso Corporation, ethylene oxide content: 61 mol%] 15 parts by mass
(B) GECO [Epion (registered trademark) -301L manufactured by Daiso Corporation, EO / EP / AGE = 73/23/4 (molar ratio)] 45 parts by mass
(C) CR [Showen (registered trademark) WRT manufactured by Showa Denko KK] 10 parts by mass
(D) NBR [JSR N250 SL manufactured by JSR Corporation, low nitrile NBR, acrylonitrile content: 20%] 30 parts by mass Using 100 parts by mass of the above rubber components (A) to (D) using a Banbury mixer While kneading, first of all, the components shown in Table 1 below were added and kneaded, and finally the crosslinking component was added and further kneaded to prepare a rubber composition.

Figure 2017072156
Figure 2017072156

表1中の各成分は下記のとおり。なお表中の質量部は、ゴム分の総量100質量部あたりの質量部である。
イオン塩:カリウム・ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド〔三菱マテリアル電子化成(株)製のEF−N112〕
受酸剤:ハイドロタルサイト類〔協和化学工業(株)製のDHT−4A(登録商標)−2〕
促進助剤:酸化亜鉛2種〔三井金属鉱業(株)製〕
充填剤:導電性カーボンブラック〔アセチレンブラック、電気化学工業(株)製のデンカ ブラック(登録商標)、粒状〕
加工助剤:ステアリン酸亜鉛〔堺化学工業(株)製のSZ−2000〕
老化防止剤:ジブチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラック(登録商標)NBC〕
チオウレア系架橋剤:エチレンチオウレア〔2−メルカプトイミダゾリン、川口化学工業(株)製のアクセル(登録商標)22−S〕
促進剤DT:1,3−ジ−o−トリルグアニジン〔グアニジン系促進剤、三新化学工業(株)製のサンセラー(登録商標)DT〕
分散性硫黄:架橋剤〔鶴見化学工業(株)製の商品名サルファックスPS、硫黄分:99.5%〕
促進剤DM:ジ−2−ベンゾチアゾリルジスルフィド〔チアゾール系促進剤、大内新興化学工業(株)製のノクセラー(登録商標)DM〕
促進剤TS:テトラメチルチウラムモノスルフィド〔チウラム系促進剤、三新化学工業(株)製のサンセラーTS〕
(半導電性ローラの製造)
上記ゴム組成物をφ60の押出成形機に供給して、外径φ16.5mm、内径φ5.5mmの筒状に押出成形して筒状体13を作製した。
Each component in Table 1 is as follows. In addition, the mass part in a table | surface is a mass part per 100 mass parts of total amounts of a rubber part.
Ion salt: Potassium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide [EF-N112 manufactured by Mitsubishi Materials Electronics Chemical Co., Ltd.]
Acid acceptor: Hydrotalcite [DHT-4A (registered trademark) -2 manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.]
Acceleration aid: 2 types of zinc oxide [Mitsui Metal Mining Co., Ltd.]
Filler: Conductive carbon black [acetylene black, Denka Black (registered trademark) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., granular]
Processing aid: Zinc stearate [SZ-2000 manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.]
Anti-aging agent: Nickel dibutyldithiocarbamate [NOCRACK (registered trademark) NBC manufactured by Ouchi Shinsei Chemical Co., Ltd.]
Thiourea-based cross-linking agent: ethylenethiourea [2-mercaptoimidazoline, Axel (registered trademark) 22-S manufactured by Kawaguchi Chemical Co., Ltd.]
Accelerator DT: 1,3-di-o-tolylguanidine [guanidine accelerator, Sunseller (registered trademark) DT manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.]
Dispersible sulfur: cross-linking agent [trade name Sulfax PS manufactured by Tsurumi Chemical Co., Ltd., sulfur content: 99.5%]
Accelerator DM: di-2-benzothiazolyl disulfide [thiazole accelerator, Noxeller (registered trademark) DM manufactured by Ouchi Shinsei Chemical Co., Ltd.]
Accelerator TS: Tetramethylthiuram monosulfide [Thiuram accelerator, Sunseller TS manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.]
(Manufacture of semi-conductive rollers)
The rubber composition was supplied to an extrusion molding machine having a diameter of 60 mm and extruded into a cylindrical shape having an outer diameter of 16.5 mm and an inner diameter of 5.5 mm to produce a cylindrical body 13.

次いで上記筒状体13を、図1(a)(b)に示すトレー1の、内底面7の半径Rが11.5mmである収容溝8に収容した状態で、加硫缶内で160℃×30分間架橋させた。
上記収容溝8の内底面7の半径Rは、筒状体13の半径R(=8.25mm)の1.39倍であった。
架橋させた筒状体を、外周面に導電性の熱硬化性接着剤(ポリアミド系)を塗布した外径φ6mmの金属シャフトに装着し直して、オーブン中で150℃×60分間加熱して、当該金属シャフトに接着させて両端をカットしたのち、外周面を、広幅研磨機を用いて外径がφ9.5mmになるまで乾式研磨した。
Then the cylindrical body 13, of the tray 1 shown in FIG. 1 (a) (b), in a state where the radius R 1 of the inner bottom surface 7 is housed in the housing groove 8 is 11.5 mm, in the vulcanizer 160 Crosslinking was carried out at 30 ° C. for 30 minutes.
The radius R 1 of the inner bottom surface 7 of the housing groove 8 was 1.39 times the radius R 2 (= 8.25 mm) of the cylindrical body 13.
The cross-linked cylindrical body was reattached to a metal shaft having an outer diameter of φ6 mm coated with a conductive thermosetting adhesive (polyamide type) on the outer peripheral surface, and heated in an oven at 150 ° C. for 60 minutes, After being bonded to the metal shaft and cutting both ends, the outer peripheral surface was dry-polished using a wide polishing machine until the outer diameter was 9.5 mm.

研磨後の外周面4をアルコール拭きしたのち、UV光源から外周面までの距離を50mmとしてUV処理装置にセットし、30rpmで回転させながら紫外線を15分間照射することで酸化膜5を形成して半導電性ローラ1を製造した。
〈実施例2〜4、比較例1、2〉
内底面7の半径Rが8mm(比較例1)、9mm(実施例2)、15mm(実施例3)、21mm(実施例4)、および22mm(比較例5)である収容溝8を有するトレー1を使用したこと以外は実施例1と同様にして半導電性ローラ1を製造した。
After the outer peripheral surface 4 after polishing is wiped with alcohol, the distance from the UV light source to the outer peripheral surface is set to 50 mm and set in a UV processing apparatus, and the oxide film 5 is formed by irradiating with ultraviolet rays for 15 minutes while rotating at 30 rpm. A semiconductive roller 1 was produced.
<Examples 2 to 4, Comparative Examples 1 and 2>
The inner bottom surface 7 has a receiving groove 8 having a radius R 1 of 8 mm (Comparative Example 1), 9 mm (Example 2), 15 mm (Example 3), 21 mm (Example 4), and 22 mm (Comparative Example 5). A semiconductive roller 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the tray 1 was used.

収容溝8の内底面7の半径Rは、筒状体13の半径R(=8.25mm)の0.97倍(比較例1)、1.09倍(実施例2)、1.82倍(実施例3)、2.55倍(実施例4)、および2.67倍(比較例2)であった。
〈凹み評価〉
上記各実施例、比較例で製造途中の、架橋直後の筒状体13を観察して、下記の基準で凹みの有無を評価した。
The radius R 1 of the inner bottom surface 7 of the receiving groove 8 is 0.97 times (Comparative Example 1) and 1.09 times (Example 2) of the radius R 2 (= 8.25 mm) of the cylindrical body 13. They were 82 times (Example 3), 2.55 times (Example 4), and 2.67 times (Comparative Example 2).
<Dent evaluation>
The cylindrical body 13 immediately after cross-linking during the production in each of the above Examples and Comparative Examples was observed, and the presence or absence of a dent was evaluated according to the following criteria.

◎:全く凹みは見られなかった。
○:ごくわずかに凹みが見られたが、通好に芯金を挿通後の研磨によって修正可能なレベルであった。
×:研磨によって修正できない凹みが見られた。
〈湾曲評価〉
上記筒状体13を観察して、下記の基準で湾曲の有無を評価した。
A: No dent was seen at all.
○: Although a slight dent was seen, it was a level that could be corrected by polishing after inserting the core metal.
X: The dent which cannot be corrected by grinding | polishing was seen.
<Bending evaluation>
The cylindrical body 13 was observed, and the presence or absence of bending was evaluated according to the following criteria.

◎:全く湾曲は見られなかった。
○:ごくわずかに湾曲が見られたが、通孔に芯金を挿通後の研磨によって修正可能なレベルであった。
×:研磨によって修正できない湾曲が見られた。
〈ローラ抵抗値の均一性評価〉
前述したローラ抵抗値の測定において、4秒間で100回計測した個々の計測値から、それぞれ式(a)によってローラ抵抗値を求めてその最大値と最小値を抽出し、かかる最大値と最小値の比(最大値)/(最小値)を求めて、下記の基準でローラ抵抗値の均一性を評価した。
(Double-circle): The curve was not seen at all.
○: Although a slight curve was seen, it was a level that could be corrected by polishing after inserting the cored bar into the through hole.
X: The curve which cannot be corrected by grinding | polishing was seen.
<Evaluation of uniformity of roller resistance>
In the above-mentioned measurement of the roller resistance value, the roller resistance value is obtained from each measured value measured 100 times in 4 seconds by the equation (a), and the maximum value and the minimum value are extracted. The ratio (maximum value) / (minimum value) was obtained, and the uniformity of the roller resistance value was evaluated according to the following criteria.

◎:上記比は1.2以下であった。
○:上記比は1.2を超え、かつ2.0以下であった。
×:上記比は2.0を超えていた。
以上の結果を表2に示す。
A: The above ratio was 1.2 or less.
○: The above ratio exceeded 1.2 and was 2.0 or less.
X: The above ratio exceeded 2.0.
The results are shown in Table 2.

Figure 2017072156
Figure 2017072156

表2の実施例1〜4、比較例1、2の結果より、架橋前の筒状体を、内底面の断面形状が上記筒状体の半径Rの1.05倍以上、2.6倍以下の半径Rである円弧状の凹曲面とされた直線状の収容溝内に収容した状態で架橋させることにより、仮芯の挿通工程を無くして現状よりも高い生産性でもって、しかも凹み、湾曲、ローラ抵抗値のムラ等のない良好な半導電性ローラを製造できることが判った。 From the results of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 in Table 2, the cross-sectional shape of the inner bottom surface of the tubular body before cross-linking is 1.05 times or more the radius R 2 of the tubular body, 2.6. By bridging in a state of being accommodated in a linear accommodation groove having an arcuate concave curved surface having a radius R 1 less than double, the temporary core insertion process is eliminated, and the productivity is higher than the current level. It has been found that a good semiconductive roller free from dents, curvatures, unevenness in roller resistance, etc. can be produced.

1 半導電性ローラ
2 通孔
3 シャフト
4 外周面
5 酸化膜
6 トレー
7 内底面
8 収容溝
9 略半筒体
10 枠体
11 ロッド
12 ガイド
13 筒状体
14 アルミニウムドラム
15 外周面
16 直流電源
17 抵抗
18 計測回路
F 荷重
長さ
全長
半径
半径
V 検出電圧
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductive roller 2 Through-hole 3 Shaft 4 Outer peripheral surface 5 Oxide film 6 Tray 7 Inner bottom surface 8 Accommodating groove 9 Substantially semi-cylindrical body 10 Frame body 11 Rod 12 Guide 13 Cylindrical body 14 Aluminum drum 15 Outer peripheral surface 16 DC power supply 17 Resistance 18 Measuring circuit F Load L 1 Length L 2 Full length R 1 Radius R 2 Radius V Detection voltage

Claims (2)

半導電性および架橋性を有するゴム組成物を、押出機のヘッドを通して所定半径の筒状に押出成形し、次いで所定長にカットして筒状体を形成し、前記筒状体を、内底面の断面形状が、前記筒状体の半径の1.05倍以上、2.6倍以下の半径の、円弧状の凹曲面とされた、前記筒状体のカット後の全長以上の長さを有する直線状の収容溝内に収容した状態で、加硫缶内で加熱して架橋させる工程を含むことを特徴とする半導電性ローラの製造方法。   A rubber composition having semiconductivity and crosslinkability is extruded through a head of an extruder into a cylinder having a predetermined radius, and then cut into a predetermined length to form a cylindrical body. The cross-sectional shape is an arc-shaped concave curved surface having a radius not less than 1.05 times and not more than 2.6 times the radius of the cylindrical body, and has a length that is not less than the total length after cutting of the cylindrical body. A method for producing a semiconductive roller, comprising a step of heating and crosslinking in a vulcanizing can in a state of being accommodated in a linear accommodation groove having the same. 前記収容溝を複数本、互いに平行に配設したトレーを用いて、複数本の筒状体を同時に架橋させる請求項1に記載の半導電性ローラの製造方法。   The manufacturing method of the semiconductive roller of Claim 1 which bridge | crosslinks several cylindrical bodies simultaneously using the tray which arrange | positioned the said accommodating groove | channel in parallel and mutually mutually.
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