JP2017039965A - Sputtering target - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 MgO Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、非導電性酸化物であるＭｇＯを主成分とするスパッタリングターゲット（以下単に「ターゲット」ともいう。）であって、直流（ＤＣ）スパッタが可能なターゲットに関する。 The present invention relates to a sputtering target (hereinafter also simply referred to as “target”) mainly composed of MgO, which is a nonconductive oxide, and capable of direct current (DC) sputtering.
従来から、基板上への薄膜形成技術としてスパッタリング法が知られている。このスパッタリング法では、真空容器内に導入されたアルゴン等の希ガス元素がプラズマ化し、このプラズマ化された希ガス元素がターゲットに衝突することによって、スパッタ粒子がターゲットから飛び出し、これが基板上に堆積して薄膜が形成される。 Conventionally, a sputtering method is known as a technique for forming a thin film on a substrate. In this sputtering method, a rare gas element such as argon introduced into the vacuum vessel is turned into plasma, and when the plasmad rare gas element collides with the target, the sputtered particles jump out of the target, and this is deposited on the substrate. Thus, a thin film is formed.
このようなスパッタリング法のうち、酸化膜や窒化膜を形成する手法としては、絶縁物の酸化物や窒化物系のターゲットを用いて、印加する電源に高周波（ＲＦ）を利用するＲＦスパッタが一般的である。また、スパッタ空間に酸素や窒素等の反応性ガスを混入させ、ターゲットの構成成分との反応生成物による成膜を行う反応性スパッタも知られている。 Among such sputtering methods, as a method for forming an oxide film or a nitride film, RF sputtering using an oxide or nitride target of an insulator and using a high frequency (RF) as a power source to be applied is generally used. Is. In addition, reactive sputtering is also known in which a reactive gas such as oxygen or nitrogen is mixed in the sputtering space, and a film is formed by a reaction product with a target component.
しかしながら、ＲＦスパッタは、成膜速度が遅く、素子作製の生産効率の低下を招き、また、大面積基板には不向きであり、基板が加熱される、生産コストが高い等の課題を有していた。
一方、反応性スパッタは、成膜速度は速いもの、反応性ガスの導入切り替え等の煩雑な工程を要し、成膜の均一性に劣る、アーキングが発生しやすい等の課題を有していた。
このため、非導電性の酸化物や窒化物を効率的に均一に成膜することができる方法が望まれている。
However, RF sputtering has a slow film formation rate, resulting in a decrease in production efficiency of device fabrication, and is not suitable for a large area substrate, and has problems such as heating the substrate and high production cost. It was.
On the other hand, reactive sputtering has a problem that the film forming speed is high, complicated processes such as reactive gas introduction switching are required, the film forming uniformity is poor, and arcing is likely to occur. .
For this reason, a method capable of efficiently and uniformly depositing a non-conductive oxide or nitride is desired.
ところで、ターゲットが導電性である場合は、最も簡便なスパッタリング法である、ターゲットに印加する電源に直流（ＤＣ；Direct Current）を利用するＤＣスパッタが可能である。
したがって、非導電性物質に導電性物質を添加して、ターゲット全体としては導電性物質とすることにより、これをＤＣスパッタのターゲットとして用いることが可能となる。
By the way, when the target is conductive, DC sputtering that uses direct current (DC) as a power source applied to the target, which is the simplest sputtering method, is possible.
Therefore, by adding a conductive substance to a non-conductive substance to make the entire target a conductive substance, this can be used as a target for DC sputtering.
例えば、特許文献１には、絶縁体であるＭｇＯと導電性化合物であるＴｉＣ、ＶＣ、ＷＣ又はＴｉＮとを主成分としたターゲットにより、ＤＣスパッタによるＭｇＯ膜の成膜が可能となることが記載されている。
特許文献２には、ＭｇＯに、これと同じＮａＣｌ型の結晶構造を持ち、かつ格子定数が近い導電性のＴｉＯを添加したターゲットでは、ＤＣスパッタによる成膜が可能となることが記載されている。
特許文献３には、ＭｇＯに導電性のＴｉＯが固溶した相からなるセラミックス焼結体が記載され、真空薄膜形成法により該セラミックス焼結体の薄膜を形成できることが記載されている。
For example, Patent Document 1 describes that an MgO film can be formed by DC sputtering using a target mainly composed of MgO as an insulator and TiC, VC, WC, or TiN as conductive compounds. Has been.
Patent Document 2 describes that a target obtained by adding MgO to conductive TiO having the same NaCl-type crystal structure and a close lattice constant can be formed by DC sputtering. .
Patent Document 3 describes a ceramic sintered body composed of a phase in which conductive TiO is dissolved in MgO, and describes that a thin film of the ceramic sintered body can be formed by a vacuum thin film forming method.
しかしながら、上記特許文献１に記載されたような導電性化合物をターゲットに添加する場合には、以下のような問題がある。例えば、ＷＣは、結晶系が六方晶系で、結晶構造はＷＣ型構造を有しており、立方晶系でＮａＣｌ型構造であるＭｇＯとは、結晶系及び結晶構造が異なる。さらに、ＭｇＯの結晶の格子定数が４．２０８Åであるのに対して、ＷＣでは２．９０６Åであり、ミスフィット率（両物質の格子定数の差分をＭｇＯの格子定数で割った比率）の差異は３０．９％にも及ぶ。このミスフィット率が高いと、ＭｇＯにＷＣを添加した場合、ＭｇＯの結晶系及び結晶構造が変化し、ＭｇＯ自体の特性が変化するおそれがある。 However, when a conductive compound as described in Patent Document 1 is added to the target, there are the following problems. For example, WC has a hexagonal crystal system and a WC crystal structure, and is different in crystal system and crystal structure from MgO which is cubic and NaCl type. Furthermore, the lattice constant of MgO crystal is 4.208Å, whereas that of WC is 2.906Å, and the difference in misfit rate (the ratio of the difference between the lattice constants of both substances divided by the lattice constant of MgO). Is as high as 30.9%. When this misfit rate is high, when WC is added to MgO, the crystal system and crystal structure of MgO change, and the characteristics of MgO itself may change.
一方、上記特許文献１に記載されたその他の導電性物質であるＴｉＣ、ＶＣ及びＴｉＮはいずれも結晶系が立方晶系で、その結晶構造はＭｇＯと同じＮａＣｌ型構造である。
また、ＴｉＣの格子定数は４．３１８ÅでＭｇＯとのミスフィット率は２．６１％、ＶＣの格子定数は４．１１８ÅでＭｇＯとのミスフィット率は２．１４％、ＴｉＮの格子定数は４．２４９ÅでＭｇＯとのミスフィット率は０．９７％と、いずれも３％以下であり、上記の各導電性物質ＷＣより小さく、ＭｇＯに含まれた状態のターゲットをスパッタして成膜する際に、薄膜中におけるＭｇＯとの整合性の問題はないとも考えられる。
On the other hand, TiC, VC, and TiN, which are other conductive substances described in Patent Document 1, all have a cubic crystal system, and the crystal structure is the same NaCl type structure as MgO.
The lattice constant of TiC is 4.318 mm, the misfit ratio with MgO is 2.61%, the lattice constant of VC is 4.118 mm, the misfit ratio with MgO is 2.14%, and the lattice constant of TiN is 4. .249 mm and the misfit rate with MgO is 0.97%, which is 3% or less, and is smaller than each of the conductive materials WC, and is formed by sputtering a target in a state of being contained in MgO. Furthermore, it is considered that there is no problem of consistency with MgO in the thin film.
しかしながら、上記三つの化合物のうち、最もミスフィット率の小さいＴｉＮの粉末２５ｍｏｌ％をＭｇＯ粉７５ｍｏｌ％に混合して焼結させ、加工したターゲットを用いて、基板上にＤＣスパッタして薄膜を形成し、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）により、結晶方位を測定したところ、ＭｇＯやＴｉＮのピーク以外に、Ｔｉ2Ｎ、ＴｉＮ0.43、ＴｉＮ0.6等の異相が現れる。すなわち、ＴｉＮはＭｇＯとのミスフィット率が小さいにもかかわらず、薄膜中に、本来のＭｇＯの結晶方位とは異なる結晶方位のものを形成することが分かっている。 However, among the above three compounds, 25 mol% of TiN powder with the smallest misfit rate is mixed and sintered with 75 mol% of MgO powder, and a thin film is formed by DC sputtering on the substrate using the processed target. Then, when the crystal orientation was measured with an X-ray diffractometer (XRD), other phases such as Ti 2 N, TiN 0.43 , TiN 0.6, etc. appeared in addition to the MgO and TiN peaks. That is, it is known that TiN has a crystal orientation different from the original crystal orientation of MgO in the thin film even though the misfit rate with MgO is small.
この原因として、これらの導電性物質がＭｇＯのような酸化物ではなく、窒化物や炭化物であることが考えられる。
一方、上記特許文献２、３では、導電性物質にＴｉＯを使用したターゲットが記載されているが、さらに高性能なターゲットとして、ＤＣスパッタが可能で、かつ、ＭｇＯとのミスフィット率が３％以下と十分に低く、形成された薄膜において、ＭｇＯ自体の結晶構造が変化することがないターゲットが要望されている。
The cause is considered that these conductive materials are not oxides such as MgO but nitrides or carbides.
On the other hand, in Patent Documents 2 and 3 described above, a target using TiO as a conductive material is described, but as a higher performance target, DC sputtering is possible and a misfit rate with MgO is 3%. There is a demand for a target that is sufficiently low as follows and that does not change the crystal structure of MgO itself in the formed thin film.
また、これらのいかなる導電性物質が添加されても、ターゲット全体としてはＭｇＯ単体からなるターゲットとは異なる性質を持ち、ターゲットがスパッタされて生成する薄膜の性質も異なってくるという問題が生ずるので、ＭｇＯ自体の特性が変化することがないターゲットが要望されている。 In addition, even if any of these conductive materials are added, the target as a whole has different properties from the target made of MgO alone, and the problem arises that the properties of the thin film produced by sputtering the target also differ. There is a need for a target that does not change the properties of MgO itself.
本発明は、上述した背景技術に鑑みてなされたものであり、ＭｇＯを主成分とするスパッタリングターゲットであって、ＤＣスパッタが可能であり、ＭｇＯ単体と同じ結晶構造を有する薄膜を基板上に形成することができるスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described background art, and is a sputtering target mainly composed of MgO, capable of DC sputtering, and forming a thin film having the same crystal structure as that of MgO alone on a substrate. An object of the present invention is to provide a sputtering target that can be used.
本発明に係るスパッタリングターゲットは、非導電性酸化物であるＭｇＯと導電性物質であるカーボンナノチューブ（以下「ＣＮＴ」という。）とを含み、全体として導電性を有することを特徴とする。
ＭｇＯにＣＮＴを添加することにより、ターゲット全体が導電性を有し、ＤＣスパッタが可能なターゲットを構成することができる。
The sputtering target according to the present invention includes MgO that is a non-conductive oxide and carbon nanotubes (hereinafter referred to as “CNT”) that is a conductive substance, and is characterized by having conductivity as a whole.
By adding CNT to MgO, the target as a whole has conductivity, and a target capable of DC sputtering can be configured.
前記ターゲットにおけるＣＮＴの濃度は５〜３０ｍｏｌ％であることが好ましい。
このような濃度でＣＮＴを含むことにより、前記ターゲットは、導電性を有し、ＤＣスパッタ用として好適に用いることができる。
The concentration of CNT in the target is preferably 5 to 30 mol%.
By containing CNT at such a concentration, the target has conductivity and can be suitably used for DC sputtering.
また、前記ターゲットによれば、スパッタにより、ＭｇＯと同じ結晶構造であるＮａＣｌ型結晶構造を有する薄膜を形成することができる。 Further, according to the target, a thin film having an NaCl type crystal structure which is the same crystal structure as MgO can be formed by sputtering.
本発明によれば、非導電性酸化物であるＭｇＯを主成分とするターゲットであっても、所定量のＣＮＴを導電性物質として添加することにより、ＤＣスパッタが可能となり、かつ、ＭｇＯ単体と同じ結晶構造を有する薄膜をスパッタにより基板上に形成することができる。 According to the present invention, even with a target mainly composed of MgO, which is a non-conductive oxide, DC sputtering can be performed by adding a predetermined amount of CNT as a conductive substance, and MgO alone and A thin film having the same crystal structure can be formed on the substrate by sputtering.
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明に係るスパッタリングターゲットは、非導電性酸化物であるＭｇＯと導電性物質であるＣＮＴとを含み、全体として導電性を有することを特徴とする。
このように、ＭｇＯを主成分とするターゲットに、導電性物質としてＣＮＴを添加することにより、ターゲット全体としては導電性を有するものとなり、ＤＣスパッタが可能なターゲットが得られる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The sputtering target according to the present invention includes MgO, which is a nonconductive oxide, and CNT, which is a conductive substance, and is characterized by having conductivity as a whole.
Thus, by adding CNT as a conductive substance to a target mainly composed of MgO, the target as a whole has conductivity, and a target capable of DC sputtering can be obtained.
また、本発明に係るターゲットをスパッタして基板上に形成した薄膜は、その性状及び形態が、ＭｇＯ単体からなるターゲットを用いて形成した薄膜と同等である。この理由として、ＣＮＴは、物質としてはカーボンであるため、チャンバー内に若干吸入させた酸素と反応し、一酸化炭素ないしは二酸化炭素のいずれかの気体成分を生成して、チャンバー外に流出するためと考えられる。 The thin film formed on the substrate by sputtering the target according to the present invention has the same properties and form as the thin film formed using the target made of MgO alone. The reason for this is that since CNT is carbon as a substance, it reacts with oxygen that is slightly inhaled into the chamber to produce a gas component of either carbon monoxide or carbon dioxide, which flows out of the chamber. it is conceivable that.
ここで、ＣＮＴは、直径０．７〜７０ｎｍ、長さ数１０μｍ以下のチューブ状の炭素の結晶であり、１グラムあたり１００〜１０００ｍ2の大きな表面積を持つ物質である。ＣＮＴは、炭素原子が六角形に規則正しく結合した蜂の巣状の構造をしており、その六員環ネットワークが構成するグラフェンシートが単層又は多層の同軸管状に形成されたものである。本発明では、ＣＮＴとして、単層、多層のいずれのＣＮＴを用いることもできるが、比抵抗の小さい多層ナノチューブを用いることが好ましい。 Here, CNT is a tube-like carbon crystal having a diameter of 0.7 to 70 nm and a length of several tens of μm or less, and is a substance having a large surface area of 100 to 1000 m 2 per gram. The CNT has a honeycomb structure in which carbon atoms are regularly bonded in a hexagonal shape, and a graphene sheet formed by a six-membered ring network is formed in a single-layer or multilayer coaxial tube. In the present invention, single-walled or multi-walled CNTs can be used as the CNTs, but it is preferable to use multi-walled nanotubes having a small specific resistance.
ＣＮＴは、比抵抗が０．０１〜０．０００１Ω・ｃｍと、導電性であり、非導電性物質であるＭｇＯに添加した場合においても、ターゲット全体に導電性を付与することが可能である。 CNT is electrically conductive with a specific resistance of 0.01 to 0.0001 Ω · cm, and even when added to MgO, which is a non-conductive substance, conductivity can be imparted to the entire target.
ＣＮＴの添加量が多いほど、ターゲットの比抵抗が低下することが確認されている。具体的には、前記ターゲットにおけるＣＮＴの濃度は５〜３０ｍｏｌ％であることが好ましい。
ＣＮＴの濃度が５ｍｏｌ％未満では、ターゲット全体の比抵抗を、安定したＤＣスパッタを行うための目安となる０．１Ω・ｃｍ以下とすることが困難になることがある。一方、３０ｍｏｌ％を超えると、ＣＮＴのＣ源が薄膜に残存し、薄膜の特性が、ＭｇＯ単体の薄膜と異なってくることがある。
It has been confirmed that the specific resistance of the target decreases as the amount of CNT added increases. Specifically, the CNT concentration in the target is preferably 5 to 30 mol%.
If the CNT concentration is less than 5 mol%, it may be difficult to set the specific resistance of the entire target to 0.1 Ω · cm or less, which is a guideline for performing stable DC sputtering. On the other hand, if it exceeds 30 mol%, the C source of CNT remains in the thin film, and the characteristics of the thin film may be different from those of the MgO simple film.
上記したとおり、本発明に係るターゲットは、全体として導電性を有し、その比抵抗率は０．００３〜０．５Ω・ｃｍ程度であり、具体的には０．０５〜０．１Ω・ｃｍである。 As described above, the target according to the present invention has conductivity as a whole, and its specific resistivity is about 0.003 to 0.5 Ω · cm, specifically 0.05 to 0.1 Ω · cm. It is.
よって、本発明に係るターゲットは、ＤＣスパッタ用として好適に用いることができ、ＭｇＯ単体と同様のＮａＣｌ結晶構造を有する薄膜をスパッタにより形成することができる。 Therefore, the target according to the present invention can be suitably used for DC sputtering, and a thin film having the same NaCl crystal structure as MgO alone can be formed by sputtering.
また、本発明に係るターゲットにはＣＮＴに加えて、必要に応じて、ＦｅＯ及びＴｉＯなどの導電性酸化物を添加してもよい。ＦｅＯ及びＴｉＯのいずれも、ＭｇＯと同じＮａＣｌ型の結晶構造を持ち、格子定数も近く、導電性を有する。また、ＦｅＯ及びＴｉＯはいずれも、ＭｇＯと同様に金属酸化物であることから、ターゲット中にこれらの導電性酸化物を添加することで、ＭｇＯ単体と同等の結晶構造を形成しやすくなる。
ターゲットにおけるＦｅＯの添加量は、通常２０〜６０ｍｏｌ％であり、ＴｉＯの添加量は、通常２０〜６０ｍｏｌ％である。ＦｅＯ及びＴｉＯの添加量が上記範囲を超えると、ＭｇＯの結晶格子と異なる相が増え、ミスフィット率が高くなる場合がある。
Moreover, in addition to CNT, you may add conductive oxides, such as FeO and TiO, to the target which concerns on this invention as needed. Both FeO and TiO have the same NaCl-type crystal structure as MgO, have a close lattice constant, and have conductivity. In addition, since both FeO and TiO are metal oxides like MgO, it is easy to form a crystal structure equivalent to that of MgO alone by adding these conductive oxides to the target.
The addition amount of FeO in the target is usually 20 to 60 mol%, and the addition amount of TiO is usually 20 to 60 mol%. When the addition amount of FeO and TiO exceeds the above range, the phase different from the crystal lattice of MgO increases and the misfit rate may increase.
本発明に係るターゲットの製造方法は特に限定されるものではないが、例えば、実施例にも示すように、ＭｇＯ粉にＣＮＴ粉を添加して得られた混合粉を１４００〜１６００℃の温度で焼結させることにより作製することができる。
ここで、焼結とは、ホットプレス法、常圧焼結法、ＨＩＰ法（熱間等方圧加圧法）、ＳＰＳ法（放電プラズマ焼結法）等粉末を高温で固めることをいう。
Although the manufacturing method of the target which concerns on this invention is not specifically limited, For example, as shown also in an Example, the mixed powder obtained by adding CNT powder to MgO powder is the temperature of 1400-1600 degreeC. It can be produced by sintering.
Here, sintering refers to solidifying powder at high temperature such as hot pressing method, atmospheric pressure sintering method, HIP method (hot isostatic pressing method), SPS method (discharge plasma sintering method).
以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記の実施例により制限されるものではない。
［実施例１］
ＭｇＯ粉に、ＣＮＴ粉を濃度５ｍｏｌ％となるように添加し、ボールミルにて４時間撹拌して得られた混合粉を、ホットプレス炉にて焼結させ、直径３インチ、厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
このターゲットの四探針抵抗測定による比抵抗は０．１０Ω・ｃｍであった。
このターゲットを用いて、スパッタリング装置にて、スパッタ基板にはシリカガラスを使用して、出力５０ＷでＤＣスパッタを行ったところ、アーキングその他の異常もなく、成膜速度は２．４ｎｍ／分で、安定してスパッタすることができた。
また、前記スパッタによりシリカガラス基板上に生成した薄膜についてＸＲＤ測定を行ったところ、２本の明瞭なＸ線回折ピークが得られ、その回折角はＭｇＯの基準ピークの回折角と一致することが確認された。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example, this invention is not restrict | limited by the following Example.
[Example 1]
A mixed powder obtained by adding CNT powder to MgO powder to a concentration of 5 mol% and stirring for 4 hours in a ball mill is sintered in a hot press furnace, and is a target having a diameter of 3 inches and a thickness of 5 mm. Was made.
The specific resistance of this target measured by four-probe resistance was 0.10 Ω · cm.
Using this target, sputtering was performed with a sputtering apparatus using silica glass as the sputtering substrate, and DC sputtering was performed at an output of 50 W. There was no arcing or other abnormalities, and the deposition rate was 2.4 nm / min. Stable sputtering was possible.
Further, when XRD measurement was performed on the thin film formed on the silica glass substrate by the sputtering, two clear X-ray diffraction peaks were obtained, and the diffraction angle thereof may coincide with the diffraction angle of the MgO reference peak. confirmed.
［実施例２］
ＣＮＴ粉の濃度を３０ｍｏｌ％とし、それ以外については、実施例１と同様にして、ターゲットの作製及び評価を行った。
このターゲットの比抵抗は０．００６Ω・ｃｍであった。
また、アーキングその他の異常もなく、成膜速度は４．５ｎｍ／分で、安定してスパッタすることができた。
また、スパッタにより生成した薄膜のＸＲＤ測定においても、２本の明瞭なＸ線回折ピークが得られ、その回折角はＭｇＯの基準ピークの回折角と一致することが確認された。
[Example 2]
The concentration of CNT powder was set to 30 mol%, and the other targets were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1.
The specific resistance of this target was 0.006 Ω · cm.
Further, there was no arcing or other abnormality, and the film formation rate was 4.5 nm / min, and stable sputtering was possible.
Also, in the XRD measurement of the thin film produced by sputtering, two clear X-ray diffraction peaks were obtained, and it was confirmed that the diffraction angle coincided with the diffraction angle of the MgO reference peak.
［比較例１］
ＭｇＯ粉をそのままホットプレス炉にて焼結させ、直径３インチ、厚さ５ｍｍのターゲットを作製し、実施例１と同様にして、ターゲットの評価を行った。
このターゲットの比抵抗は、ほぼ無限大であったため、スパッタリング装置にて、出力５０ＷでＤＣスパッタを行うことができなかった。
なお、ＲＦスパッタを行ったところ、アーキングその他の異常もなく、成膜速度は０．６ｎｍ／分で、安定してスパッタすることができた。
また、前記ＲＦスパッタにより生成した薄膜のＸＲＤ測定では、数本の明瞭なＸ線回折ピークが得られ、その回折角はＭｇＯの基準ピークの回折角と一致することが確認された。
[Comparative Example 1]
The MgO powder was directly sintered in a hot press furnace to produce a target having a diameter of 3 inches and a thickness of 5 mm, and the target was evaluated in the same manner as in Example 1.
Since the specific resistance of this target was almost infinite, DC sputtering could not be performed at an output of 50 W with a sputtering apparatus.
When RF sputtering was performed, there was no arcing or other abnormality, and the film formation rate was 0.6 nm / min, and it was possible to stably perform sputtering.
In addition, in the XRD measurement of the thin film generated by the RF sputtering, several clear X-ray diffraction peaks were obtained, and it was confirmed that the diffraction angle coincided with the diffraction angle of the MgO reference peak.
［比較例２］
ＭｇＯ粉に、ＴｉＯ粉を濃度２０ｍｏｌ％となるように添加し、ボールミルにて４時間撹拌して得られた混合粉を、ホットプレス炉にて焼結させ、直径３インチ、厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
このターゲットの四探針抵抗測定による比抵抗は０．０９Ω・ｃｍであった。
このターゲットを用いて、スパッタリング装置にて、スパッタ基板にはシリカガラスを使用して、出力５０ＷでＤＣスパッタを行ったところ、アーキングその他の異常はなく安定してスパッタすることはできたが、成膜速度は１．９ｎｍ／分であった。
また、前記スパッタによりシリカガラス基板上に生成した薄膜についてＸＲＤ測定を行ったところ、２本の明瞭なＸ線回折ピークが得られ、その回折角はＭｇＯの基準ピークの回折角と一致することが確認された。
[Comparative Example 2]
TiO powder is added to MgO powder to a concentration of 20 mol%, and the mixed powder obtained by stirring for 4 hours in a ball mill is sintered in a hot press furnace, and the target has a diameter of 3 inches and a thickness of 5 mm. Was made.
The specific resistance of this target measured by four-probe resistance was 0.09 Ω · cm.
Using this target, sputtering was performed with a sputtering apparatus using silica glass as the sputtering substrate and an output of 50 W, and DC sputtering was possible with no arcing and other abnormalities. The film speed was 1.9 nm / min.
Further, when XRD measurement was performed on the thin film formed on the silica glass substrate by the sputtering, two clear X-ray diffraction peaks were obtained, and the diffraction angle thereof may coincide with the diffraction angle of the MgO reference peak. confirmed.
［比較例３］
ＴｉＯ粉の濃度を５０ｍｏｌ％とし、それ以外については、比較例２と同様にして、ターゲットの作製及び評価を行った。
このターゲットの比抵抗は３．２ｍΩ・ｃｍであった。
また、アーキングその他の異常もなく、安定してスパッタすることができたが、成膜速度は１．９ｎｍ／分であった。
比較例２及び３の結果から、ＣＮＴを使用せず、ＴｉＯのみを添加したターゲットでは、本発明のターゲットと比べて、比抵抗には大きな差異はないが、成膜速度では劣ることがわかった。
[Comparative Example 3]
The target was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 2 except that the concentration of TiO powder was 50 mol%.
The specific resistance of this target was 3.2 mΩ · cm.
In addition, it was possible to stably perform sputtering without arcing and other abnormalities, but the film formation rate was 1.9 nm / min.
From the results of Comparative Examples 2 and 3, it was found that the target without using CNT and only TiO was not significantly different in specific resistance as compared with the target of the present invention, but the film formation rate was inferior. .
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2015161146A JP6570175B2 (en) | 2015-08-18 | 2015-08-18 | Sputtering target for direct current sputtering and manufacturing method thereof |
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|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2015161146A Active JP6570175B2 (en) | 2015-08-18 | 2015-08-18 | Sputtering target for direct current sputtering and manufacturing method thereof |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP6570175B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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