JP2017031112A - Phosphorescence material for organic electroluminescent device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセントデバイスを製造するための式(I)の非放射性材料と、前記非放射性材料を含む組成物に関する。 The present invention relates to a non-radioactive material of formula (I) for producing an organic electroluminescent device and a composition comprising said non-radioactive material.
有機発光デバイス(Organic Light−Emitting Devices、OLED)は、高輝度、速いリフレッシュ速度および広色域などの性質を有すると共に、より携帯型電子機器への応用に適しているため、近年注目を集めている。 Organic light-emitting devices (Organic Light-Emitting Devices, OLED) have attracted attention in recent years because they have properties such as high brightness, fast refresh rate and wide color gamut, and are more suitable for application to portable electronic devices. Yes.
一般的に、OLEDは、真空蒸着または塗布技術により順番に被着された、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および陰極を含む。電圧が提供されると、陽極から正孔が有機層に注入(inject)され、陰極から電子が有機層に注入される。注入された正孔は、正孔輸送層を経由して発光層に移動し、電子は、電子輸送層を経由して発光層に移動する。発光層において、正孔と電子が再結合することで励起子(exciton)が生成される。励起子が光電子放出メカニズムにより緩和すると、光が発光される。 In general, an OLED includes an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode, which are sequentially deposited by vacuum deposition or coating techniques. When a voltage is provided, holes from the anode are injected into the organic layer and electrons from the cathode are injected into the organic layer. The injected holes move to the light emitting layer via the hole transport layer, and the electrons move to the light emitting layer via the electron transport layer. In the light emitting layer, excitons are generated by recombination of holes and electrons. Light is emitted when the excitons are relaxed by the photoelectron emission mechanism.
複数層の薄膜構造を含む有機発光(EL)表示デバイスを製造する理由には、電極と有機層の間のインターフェースを安定化することが含まれる。また、有機材料について、電子と正孔の移動性(mobility)は著しく異なるため、適切な正孔輸送層と電子輸送層を使用すれば、正孔と電子は効率的にルミネセント層(luminescent layer)に伝達されることができる。また、発光層における正孔と電子の密度のバランスがとれていれば、発光(luminous)効率を向上させることができる。上述した有機層の適切な組合せは、デバイス効率および寿命を向上させることができる。しかし、実際の表示デバイスの応用用途の要件を全て満足する有機材料を見つけることは、極めて困難である。 Reasons for manufacturing organic light emitting (EL) display devices that include multiple layers of thin film structures include stabilizing the interface between the electrode and the organic layer. In addition, since the mobility of electrons and holes is significantly different for organic materials, holes and electrons can be efficiently converted into a luminescent layer by using an appropriate hole transport layer and electron transport layer. ). Further, if the density of holes and electrons in the light emitting layer is balanced, the luminous efficiency can be improved. Appropriate combinations of the organic layers described above can improve device efficiency and lifetime. However, it is extremely difficult to find an organic material that satisfies all the requirements for application applications of actual display devices.
最初のOLEDに使用された発光材料は、それらの一重項状態により発光し、「蛍光」と称される。蛍光発光は一般的に10ナノ秒以下の時間範囲内に発生する。特許文献1(米国特許第4769292号公報)、特許文献2(米国特許第5844363号公報)、と特許文献3(米国特許第5707745号公報)は、蛍光を使用するOLED材料とデバイスの配置を幾つか開示しており、これらの全ての内容をここに引用する。 The luminescent materials used in the first OLED emit light in their singlet state and are referred to as “fluorescence”. Fluorescence emission generally occurs within a time range of 10 nanoseconds or less. Patent Document 1 (US Pat. No. 4,769,292), Patent Document 2 (US Pat. No. 5,844,363), and Patent Document 3 (US Pat. No. 5,707,745) describe several arrangements of OLED materials and devices using fluorescence. All of which are incorporated herein by reference.
もっと近来、三重項状態(「リン光」)から発光する発光材料を有するOLEDは非特許文献1(Nature, 1998, No.395, p. 151)と非特許文献2(Appl.Phys.Lett., 1999, No.3, p.4)、及び特許文献4(米国特許第7279704号公報)に開示されており、これらの全ての内容をここに引用する。 More recently, OLEDs having a light-emitting material that emits light from a triplet state (“phosphorescence”) are disclosed in Non-Patent Document 1 (Nature, 1998, No. 395, p. 151) and Non-Patent Document 2 (Appl. Phys. Lett. , 1999, No. 3, p.4), and U.S. Pat. No. 7,279,704, the entire contents of which are incorporated herein by reference.
高発光と効率的なリン光OLEDにとって、ホスト材料は非放射性の高三重項エネルギーとバランスのある電荷(正孔/電子)注入/輸送性質を有しなければなりません。また、前記ホスト材料は良好な電気化学安定性、高耐熱性と優れた薄膜安定性を有するべきである。しかしながら、今までは、実用性の点において、前記性質をすべて満足できる化合物はまだ知られていない。 For high emission and efficient phosphorescent OLEDs, the host material must have charge (hole / electron) injection / transport properties balanced with non-radiative high triplet energy. The host material should also have good electrochemical stability, high heat resistance and excellent thin film stability. However, until now, no compound has yet been known that can satisfy all the above properties in terms of practicality.
特許文献、たとえば特許文献5(WO2003/78451号公報)、特許文献6(WO2005/76668号公報)、特許文献7(米国特許公開第2006−51616号公報)、特許文献8(特開第2008−280330号公報)、特許文献9(WO2008/123189号公報)、特許文献10(特開第2009−21336号公報)は、優れた両極性輸送性質を有する材料の開示を試みた。しかし、有機エレクトロルミネッセントデバイスにおける隣接層との分子軌道のエネルギー準位が不整合であるので、高効率及び良好なデバイス安定性を達成する課題はまだ残っている。 Patent Documents, for example, Patent Document 5 (WO2003 / 78451), Patent Document 6 (WO2005 / 76668), Patent Document 7 (US Patent Publication No. 2006-51616), Patent Document 8 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-516). No. 280330), Patent Document 9 (WO 2008/123189), and Patent Document 10 (Japanese Patent Laid-Open No. 2009-21336) attempt to disclose materials having excellent ambipolar transport properties. However, since the energy levels of molecular orbitals with adjacent layers in organic electroluminescent devices are mismatched, there remains a challenge to achieve high efficiency and good device stability.
本発明は、前記課題を解決するために、発光層中のリン光ホスト材料または電子輸送材料、または有機発光デバイス中の励起子ブロック層として使用されることによりデバイスの発光効率と安定性を向上させる有機化合物を提供することを課題とする。特に、本発明は、三重項エネルギーが2.5eV以上であり、優れた電子輸送性質を有することで有機ELデバイスに効率と安定性をもたらす、さまざまの化合物を開示している。 In order to solve the above problems, the present invention improves the luminous efficiency and stability of a device by being used as a phosphorescent host material or electron transport material in a light emitting layer, or an exciton blocking layer in an organic light emitting device. It is an object of the present invention to provide an organic compound. In particular, the present invention discloses various compounds that have triplet energy of 2.5 eV or more and have excellent electron transport properties to bring efficiency and stability to organic EL devices.
本発明は、下記式(I)の化合物を有する有機材料を提供する。
式中、Xは、酸素または硫黄原子を表す。Zは、少なくとも二つ窒素原子またはC2−C6アルキル基を含有する、置換されたまたは置換されていないヘテロ芳香族環を表す。 In the formula, X represents an oxygen or sulfur atom. Z represents a substituted or unsubstituted heteroaromatic ring containing at least two nitrogen atoms or a C2-C6 alkyl group.
本発明の一つの実施態様において、式(I)で表す材料の三重項エネルギーは、2.5eV以上である。 In one embodiment of the invention, the triplet energy of the material represented by formula (I) is 2.5 eV or more.
本発明の他の実施態様において、式(I)で表す具体的な化合物の製造工程を提供する。 In another embodiment of the present invention, a process for preparing a specific compound represented by formula (I) is provided.
本発明のもう一つの実施態様において、上記化合物を有機層に使用されており、前記有機層の厚さが1nm〜500nmである有機エレクトロルミネッセントデバイスを提供する。 In another embodiment of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device in which the above compound is used in an organic layer, and the organic layer has a thickness of 1 nm to 500 nm.
本発明における式(I)で表す化合物は、有機エレクトロルミネッセントデバイスのため、真空蒸着または湿式法によりアモルファス薄膜として製造されてもよい。 The compound represented by the formula (I) in the present invention may be produced as an amorphous thin film by vacuum deposition or a wet method for an organic electroluminescent device.
本発明によれば、高効率及び良好なデバイス安定性を有する有機エレクトロルミネッセントデバイスを提供することができる。 The present invention can provide an organic electroluminescent device having high efficiency and good device stability.
以下、具体的な実施例を用いて本発明を説明する。当業者は、本願明細書を読むことによって、これらおよび他の利点および効果を容易に理解することができる。 Hereinafter, the present invention will be described using specific examples. Those skilled in the art can readily understand these and other advantages and effects by reading the present specification.
本発明に係る有機エレクトロルミネッセントデバイスに用いられ化合物は下記式(I)で表される。
式(I)において、Xは、酸素または硫黄原子を表す。Zは、少なくとも二つ窒素原子またはC2−C6アルキル基を含有する、置換されたまたは置換されていないヘテロ芳香族環を表す。上記式(I)で表す化合物の好ましい実例は下記表1に示す。しかし、本発明はそれらに限定されない。 In the formula (I), X represents an oxygen or sulfur atom. Z represents a substituted or unsubstituted heteroaromatic ring containing at least two nitrogen atoms or a C2-C6 alkyl group. Preferred examples of the compound represented by the formula (I) are shown in Table 1 below. However, the present invention is not limited to them.
式(I)で表す例示化合物F1−F20は、合成スキーム1−4に示された一連の反応により製造されてもよいが、本発明はそれらに限定されない。 Exemplified compounds F1-F20 represented by formula (I) may be produced by a series of reactions shown in Synthesis Scheme 1-4, but the present invention is not limited thereto.
本発明の有機エレクトロルミネッセントデバイスは、基板に重ねられた陽極と陰極との間に少なくとも一つの発光層を有し、リン光ドーパントと式(I)で表される上記化合物をホスト材料として含む発光層を有する。好ましくは、正孔注入/輸送層は陽極と発光層との間に配置され、電子注入/輸送層は陰極と発光層との間に配置される。また、好ましくは、正孔ブロック層は発光層と電子注入/輸送層との間に配置され、電子ブロック層は正孔注入/輸送層と発光層との間に配置される。 The organic electroluminescent device of the present invention has at least one light-emitting layer between an anode and a cathode superimposed on a substrate, and a phosphorescent dopant and the above compound represented by formula (I) as a host material A light emitting layer is included. Preferably, the hole injection / transport layer is disposed between the anode and the light emitting layer, and the electron injection / transport layer is disposed between the cathode and the light emitting layer. Preferably, the hole blocking layer is disposed between the light emitting layer and the electron injection / transport layer, and the electron blocking layer is disposed between the hole injection / transport layer and the light emitting layer.
さらに、式(I)で表される化合物は電子注入/輸送層または正孔ブロック層及び/または電子ブロック層に使用されてもよい。 Furthermore, the compound represented by the formula (I) may be used in an electron injection / transport layer or a hole blocking layer and / or an electron blocking layer.
発光層に使用されるリン光ドーパントは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、および金から選択された少なくとも一つの金属を含有する有機金属錯体であることが好ましい。このような有機金属錯体は上記特許文献に知られており、これらの錯体から適切な錯体を選択して本発明に使用することができる。 The phosphorescent dopant used in the light emitting layer is preferably an organometallic complex containing at least one metal selected from ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Such organometallic complexes are known in the above-mentioned patent documents, and an appropriate complex can be selected from these complexes and used in the present invention.
好ましいリン光ドーパントは、中心に貴金属元素(たとえばIr)を有する錯体(典型的にはIr(ppy)3)、Ir(bt)2(acac)、FIrpicのような錯体、PtOEt3のような錯体を含めるが、本発明はそれらに限定されない。 Preferred phosphorescent dopants include complexes having a noble metal element (eg Ir) at the center (typically Ir (ppy) 3 ), Ir (bt) 2 (acac), complexes such as FIrpic, complexes such as PtOEt 3 However, the present invention is not limited thereto.
発光層において上記リン光ドーパント含有量は、好ましくは3wt%〜10wt%の範囲である。 The phosphorescent dopant content in the light emitting layer is preferably in the range of 3 wt% to 10 wt%.
図面を参照しながら本発明に係る有機発光デバイスの構造を説明するが、本発明はこれらに限定されない。 The structure of the organic light emitting device according to the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
図1は、本発明の一実施例の有機発光デバイス100の概略図である。デバイス100は、基板110、陽極120、正孔注入層130、正孔輸送層140、発光層150、電子輸送層160、電子注入層170、及び陰極180を含んでもよい。デバイス100は、上記層を順番に積層することにより製造されても良い。
FIG. 1 is a schematic view of an organic
図2は、本発明の一実施例の有機発光デバイス200の概略図である。デバイス200は、基板210、陽極220、正孔注入層230、正孔輸送層240、励起子ブロック層245、発光層250、電子輸送層260、電子注入層270、及び陰極280を含んでもよい。
FIG. 2 is a schematic diagram of an organic
図3は、本発明の一実施例の有機発光デバイス300の概略図である。デバイス300は、基板310、陽極320、正孔注入層330、正孔輸送層340、発光層350、励起子ブロック層355、電子輸送層360、電子注入層370、及び陰極380を含んでもよい。
FIG. 3 is a schematic view of an organic
図1ないし3に示す構造と逆の構造を有する有機発光デバイスを製造することも可能である。この逆の構造において、必要に応じて、1つまたは複数層を追加または削除しても良い。 It is also possible to manufacture an organic light emitting device having a structure opposite to that shown in FIGS. In this reverse structure, one or more layers may be added or deleted as necessary.
正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、または電子注入層に使用される材料は、どこかの文献に報告された材料から選んでも良い。 The material used for the hole injection layer, hole transport layer, electron block layer, hole block layer, electron transport layer, or electron injection layer may be selected from materials reported in any literature.
本発明に係る有機発光デバイスは、単一のデバイス、アレイ状に配置された構造を有するデバイスまたはX−Yマトリックスに配置された陽極と陰極を有するデバイスに適用することができる。 The organic light emitting device according to the present invention can be applied to a single device, a device having a structure arranged in an array, or a device having an anode and a cathode arranged in an XY matrix.
従来のリン光OLEDデバイス構造であるデバイスに比べ、本発明の有機発光デバイスは寿命安定性を著しく改善する。 Compared to a device having a conventional phosphorescent OLED device structure, the organic light emitting device of the present invention significantly improves the lifetime stability.
例えば、電子輸送層を形成する電子輸送材料は、発光層を形成する材料と異なり、正孔輸送性質を有することにより、電子輸送層における正孔移動性を促進させ、発光層と電子輸送層の間におけるイオン化ポテンシャル(ionization potential)の差によるキャリア蓄積(carrier accumulation)を防止することができる。 For example, an electron transport material for forming an electron transport layer, unlike a material for forming a light emitting layer, has a hole transport property, thereby promoting hole mobility in the electron transport layer, and Carrier accumulation due to a difference in ionization potential between them can be prevented.
さらに、米国特許第5844363号(全ての内容を本発明に引用する)は、フレキシブルかつ透明な基板と陽極の組合せを開示している。米国特許公開番号第20030230980号(全ての内容を本発明に引用する)は、モル比が50:1でF4−TCNQをm−MTDATAにドープしたpドープ正孔輸送層の実例を開示している。米国特許公開番号第20030230980号(全ての内容を本発明に引用する)は、モル比が1:1でLiをBPhenにドープしたnドープ電子輸送層の実例を開示している。米国特許第5703436号と第5707745号(全ての内容を本発明に引用する)は、透明であって導電性を有してスパッタリング蒸着した(sputter−deposited)ITO層に覆われている金属(例えばMg:Ag)薄膜を有する化合物陰極を含む陰極の実例を開示している。ブロック層の理論および用途は、米国特許第6097147号と米国特許公開番号第20030230980号(全ての内容を本発明に引用する)に説明されている。米国特許公開番号第20040174116号(全ての内容を本発明に引用する)は、注入層の実例を開示している。又、米国特許公開番号第20040174116号(全ての内容を本発明に引用する)には保護層が説明されている。 In addition, US Pat. No. 5,844,363 (incorporated herein in its entirety) discloses a flexible and transparent substrate and anode combination. US Patent Publication No. 20030230980 (incorporated herein in its entirety) discloses an example of a p-doped hole transport layer in which the molar ratio is 50: 1 and F4-TCNQ is doped in m-MTDATA. . US Patent Publication No. 20030230980 (incorporated herein in its entirety) discloses an example of an n-doped electron transport layer in which the molar ratio is 1: 1 and Li is doped into BPhen. U.S. Pat. Nos. 5,703,436 and 5,707,745 (incorporated herein in their entirety) are metals that are transparent, conductive and covered with a sputter-deposited ITO layer (eg, An example of a cathode comprising a compound cathode having a Mg: Ag) thin film is disclosed. The theory and use of blocking layers is described in US Pat. No. 6,097,147 and US Pat. Publication No. 20030230980, the entire contents of which are incorporated herein by reference. US Patent Publication No. 2004014174 (incorporated herein in its entirety) discloses an example of an injection layer. Also, U.S. Patent Publication No. 2004014174 (all content is cited in the present invention) describes a protective layer.
具体的に記載されていない構造と材料を使用してもよく、例えば、米国特許第5247190号(全ての内容を本発明に引用する)に開示された、重合材料を含んだOLED(PLEDs)を使用してもよい。また、単一の有機層を含むOLEDを使用してもよい。OLEDは、米国特許第5707745号(全ての内容を本発明に引用する)に記載されたように、積み重ねられてもよい。 Structures and materials not specifically described may be used, for example, OLEDs (PLEDs) containing polymeric materials disclosed in US Pat. No. 5,247,190, the entire contents of which are incorporated herein by reference. May be used. OLEDs that include a single organic layer may also be used. OLEDs may be stacked as described in US Pat. No. 5,707,745, the entire contents of which are incorporated herein.
特に特定しない限り、様々な実施例の各層は、適切な方法により被着されても良い。有機層について、好適な方法は、熱蒸発、米国特許第6013982号と米国特許第6087196号(全ての内容を本発明に引用する)に記載されたインクジェット(ink−jet)、米国特許第6337102号(全ての内容を本発明に引用する)に記載された有機気相堆積(Organic vapor phase deposition、OVPD)および米国特許出願第10/233,470号(全ての内容を本発明に引用する)に記載された有機気相ジェット・プリンティング(Organic Vapor Jet Printing 、OVJP)による堆積を含む。他の適切な堆積方法は、回転塗布(spin coating)と他の溶液に基づくプロセスを含む。溶液に基づくプロセスは、窒素または不活性雰囲気において行われるのが好適である。他の層について、好適な方法は、熱蒸発を含む。好適なパターン形成法(patterning method)は、マスクによる堆積、米国特許第6294398号と米国特許第6468819号(全ての内容を本発明に引用する)に記載された冷間圧接(cold welding)およびインクジェットとOVJDのように堆積方法と関連しているパターン形成を含む。言うまでもないが、他の方法も使用してもよい。被着される材料は、ある特定の堆積法に適合するように改良しても良い。 Unless otherwise specified, each layer of the various embodiments may be deposited by any suitable method. For organic layers, a preferred method is thermal evaporation, ink-jet described in US Pat. No. 6,139,982 and US Pat. No. 6,087,196, the entire contents of which are incorporated herein by reference, US Pat. No. 6,337,102. (Organic vapor phase deposition, OVPD) and US patent application Ser. No. 10 / 233,470 (all contents cited in the present invention). Including deposition by the described organic vapor jet printing (OVJP). Other suitable deposition methods include spin coating and other solution based processes. The solution based process is preferably performed in nitrogen or an inert atmosphere. For the other layers, suitable methods include thermal evaporation. Suitable patterning methods include mask deposition, cold welding and ink jet as described in US Pat. No. 6,294,398 and US Pat. No. 6,468,819, the entire contents of which are incorporated herein by reference. And patterning associated with the deposition method, such as OVJD. Of course, other methods may also be used. The deposited material may be modified to suit a particular deposition method.
本発明は、発光層にリン光ドーパントとの組合せを使用した場合、従来のデバイスに比べ、有機発光デバイスの発光効率と駆動安定性を著しく改善する。さらに、本発明に係る有機発光デバイスは、フルカラーまたはマルチカラーパネルに適用した場合、パフォーマンスがさらに良くなる。 The present invention significantly improves the light emitting efficiency and driving stability of organic light emitting devices compared to conventional devices when a combination of phosphorescent dopants is used in the light emitting layer. Furthermore, the organic light emitting device according to the present invention has a better performance when applied to a full color or multicolor panel.
実施例
本発明の性質と有効性を明確にするために、下記実例を用いて、本発明を詳細に説明する。しかし、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、本発明は、これらの特定の実施例に限定されない。
EXAMPLES In order to clarify the nature and effectiveness of the present invention, the present invention will be described in detail using the following examples. However, the present invention is not limited to these specific examples without departing from the spirit of the present invention.
この特許に開示された合成実施例に使用される物質は下記の方法で準備した。 The materials used in the synthetic examples disclosed in this patent were prepared in the following manner.
合成実施例1(化合物F1の合成)
2Lのフラスコに、4−(3−クロロフェニル)ジベンゾ[b,d]フラン(38.0g)、11,12−ジヒドロインドロ[2,3−a]カルバゾール(35g)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)(2.3g)、ナトリウム−tert−ブトキシド(39.3g)、キシレン(875ml)、トリ−tert−ブチルホスフィン(2.21g)の混合物を仕込み、窒素雰囲気で還流させた。薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水(500ml)で反応混合物をクエンチし、酢酸エチル(500ml)を使用して抽出された。水(5x250ml)を使用して有機層を抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。さらに純化させるために、集めた酢酸エチル層をセライトカラムクロマトグラフィーに通過させた。続いて、ロータリーエバポレーターを用いて減圧で酢酸エチル層を蒸発させて乾燥させた。n−へキサンを500ml仕込み、ろ過して減圧乾燥することにより、残留物をさらに沈殿させ、11−(3−(ジベンゾ[b,d]フラン−4−yl)フェニル)−11,12−ジヒドロインドロ[2,3−a]−カルバゾールが51g得られた。
1Lのフラスコに、11−(3−(ジベンゾ[b,d]フラン−4−yl)フェニル)−11,12−ジヒドロインドロ[2,3−a]−カルバゾール(50g)、水素化ナトリウム(69.4g)、テトラヒドロフラン(500ml)の混合物を仕込み、窒素雰囲気で40°Cで攪拌した。1時間後、2−クロロ−4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン(32g)を添加し、一夜攪拌し続けた。薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水(200ml)で反応混合物をクエンチし、酢酸エチル(300ml)を使用して抽出された。水を使用して有機層を抽出し(3x150ml)、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。さらに純化させるために、集めた酢酸エチル層をセライトカラムクロマトグラフィーに通過させた。続いて、ロータリーエバポレーターを用いて減圧で酢酸エチル層を蒸発させて乾燥させた。メタノールを300ml仕込み、ろ過して減圧乾燥することにより、残留物をさらに沈殿させた。淡黄色固体としてHPLC純度が99%である化合物F1が36.1g(49%収率)得られた。
化合物F1は融点が251°Cであり、ガラス転移温度が144°Cであった。
1HNMR(CDCl3、400MHz)δ:8.76−8.70(s、1H);8.32−8.20(m、2H);8.22−8.06(m、4H);7.65−7.59(m、1H);7.58−7.10(m、23H)。
観察された化合物F1の三重項エネルギーは2.52eVであった。
Synthesis Example 1 (Synthesis of Compound F1)
In a 2 L flask, 4- (3-chlorophenyl) dibenzo [b, d] furan (38.0 g), 11,12-dihydroindolo [2,3-a] carbazole (35 g), bis (dibenzylideneacetone) A mixture of palladium (0) (2.3 g), sodium-tert-butoxide (39.3 g), xylene (875 ml) and tri-tert-butylphosphine (2.21 g) was charged and refluxed in a nitrogen atmosphere. The reaction was monitored by thin layer chromatography. After the reaction was complete, the reaction mixture was quenched with water (500 ml) and extracted using ethyl acetate (500 ml). The organic layer was extracted using water (5 × 250 ml) and dried over anhydrous sodium sulfate. For further purification, the collected ethyl acetate layers were passed through celite column chromatography. Subsequently, the ethyl acetate layer was evaporated and dried using a rotary evaporator under reduced pressure. The residue was further precipitated by charging 500 ml of n-hexane, filtering and drying under reduced pressure, and 11- (3- (dibenzo [b, d] furan-4-yl) phenyl) -11,12-dihydro 51 g of indolo [2,3-a] -carbazole was obtained.
A 1 L flask was charged with 11- (3- (dibenzo [b, d] furan-4-yl) phenyl) -11,12-dihydroindolo [2,3-a] -carbazole (50 g), sodium hydride ( 69.4 g) and tetrahydrofuran (500 ml) were charged, and the mixture was stirred at 40 ° C. in a nitrogen atmosphere. After 1 hour, 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (32 g) was added and stirring was continued overnight. The reaction was monitored by thin layer chromatography. After the reaction was complete, the reaction mixture was quenched with water (200 ml) and extracted using ethyl acetate (300 ml). The organic layer was extracted using water (3 × 150 ml) and dried over anhydrous sodium sulfate. For further purification, the collected ethyl acetate layers were passed through celite column chromatography. Subsequently, the ethyl acetate layer was evaporated and dried using a rotary evaporator under reduced pressure. The residue was further precipitated by charging 300 ml of methanol, filtering and drying under reduced pressure. As a pale yellow solid, 36.1 g (49% yield) of Compound F1 having an HPLC purity of 99% was obtained.
Compound F1 had a melting point of 251 ° C. and a glass transition temperature of 144 ° C.
1H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ: 8.76-8.70 (s, 1H); 8.32-8.20 (m, 2H); 8.22-8.06 (m, 4H); 65-7.59 (m, 1H); 7.58-7.10 (m, 23H).
The observed triplet energy of Compound F1 was 2.52 eV.
合成実施例2(化合物F2の合成) Synthesis Example 2 (Synthesis of Compound F2)
500mlのフラスコに、4−(3−クロロフェニル)ジベンゾ[b,d]チオフェン(17.2g)、11,12−ジヒドロインドロ[2,3−a]カルバゾール(15g)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)(1g)、ナトリウム−tert−ブチルブトキシド(16.68g)、トリ−tert−ブチルホスフィン(1.01g)の混合物を仕込み、窒素雰囲気でキシレン(375ml)で還流させた。薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水(200ml)で反応混合物をクエンチし、酢酸エチルを使用して抽出された(300ml)。水を使用して有機層を抽出し(5x50ml)、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。さらに純化させるために、集めた酢酸エチル層をセライトカラムクロマトグラフィーに通過させた。続いて、ロータリーエバポレーターを用いて減圧で酢酸エチル層を蒸発させて乾燥させた。n−へキサンを200仕込み、ろ過して減圧乾燥することにより、残留物をさらに沈殿させ、11−(3−(ジベンゾ[b,d]チオフェン−4−イル)フェニル)−11,12−ジヒドロインドロ[2,3−a]−カルバゾール(15.5g)が得られた。 In a 500 ml flask, 4- (3-chlorophenyl) dibenzo [b, d] thiophene (17.2 g), 11,12-dihydroindolo [2,3-a] carbazole (15 g), bis (dibenzylideneacetone) A mixture of palladium (0) (1 g), sodium-tert-butylbutoxide (16.68 g) and tri-tert-butylphosphine (1.01 g) was charged and refluxed with xylene (375 ml) in a nitrogen atmosphere. The reaction was monitored by thin layer chromatography. After the reaction was complete, the reaction mixture was quenched with water (200 ml) and extracted using ethyl acetate (300 ml). The organic layer was extracted using water (5 × 50 ml) and dried over anhydrous sodium sulfate. For further purification, the collected ethyl acetate layers were passed through celite column chromatography. Subsequently, the ethyl acetate layer was evaporated and dried using a rotary evaporator under reduced pressure. The residue was further precipitated by charging 200 n-hexane, filtering and drying under reduced pressure, and 11- (3- (dibenzo [b, d] thiophen-4-yl) phenyl) -11,12-dihydro. Indolo [2,3-a] -carbazole (15.5 g) was obtained.
1Lのフラスコに、11−(3−(ジベンゾ[b,d]チオフェン−4−yl)フェニル)−11,12−ジヒドロインドロ[2,3−a]カルバゾール(15g)、水素化ナトリウム(20.16g)、テトラヒドロフラン(400ml)の混合物をともに仕込んでし窒素雰囲気で40°Cで攪拌した。1時間後、2−クロロ−4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン(9.36g)を添加し、一夜攪拌し続けた。薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水(120ml)で反応混合物をクエンチしand酢酸エチルを使用して抽出された(200ml)。水を使用して有機層を抽出し(3x150ml)、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。さらに純化させるために、集めた酢酸エチル層をセライトカラムクロマトグラフィーに通過させた。続いて、ロータリーエバポレーターを用いて減圧で酢酸エチル層を蒸発させて乾燥させた。メタノールを200ml仕込み、ろ過して減圧乾燥することにより、残留物をさらに沈殿させた。黄色固体としてHPLC純度が99%である化合物F2が16.5g(76%)得られた。
化合物F2は融点が295.2°Cであり、ガラス転移温度が154°Cであった。
1HNMR(CDCl3、400MHz)δ:8.74−8.71(d、1H);8.63−8.45(s、1H);8.39−8.28(t、3H);8.23−8.08(m、4H);7.69−6.95(m、22H)。
観察された化合物F2の三重項エネルギーは2.57eVであった。
A 1 L flask was charged with 11- (3- (dibenzo [b, d] thiophen-4-yl) phenyl) -11,12-dihydroindolo [2,3-a] carbazole (15 g), sodium hydride (20 .16 g) and tetrahydrofuran (400 ml) were charged together and stirred at 40 ° C. in a nitrogen atmosphere. After 1 hour, 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (9.36 g) was added and stirring was continued overnight. The reaction was monitored by thin layer chromatography. After the reaction was complete, the reaction mixture was quenched with water (120 ml) and extracted using ethyl acetate (200 ml). The organic layer was extracted using water (3 × 150 ml) and dried over anhydrous sodium sulfate. For further purification, the collected ethyl acetate layers were passed through celite column chromatography. Subsequently, the ethyl acetate layer was evaporated and dried using a rotary evaporator under reduced pressure. 200 ml of methanol was added, filtered and dried under reduced pressure to further precipitate the residue. As a yellow solid, 16.5 g (76%) of Compound F2 having an HPLC purity of 99% was obtained.
Compound F2 had a melting point of 295.2 ° C and a glass transition temperature of 154 ° C.
1H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ: 8.74-8.71 (d, 1H); 8.63-8.45 (s, 1H); 8.39-8.28 (t, 3H); 23-8.08 (m, 4H); 7.69-6.95 (m, 22H).
The triplet energy of the observed compound F2 was 2.57 eV.
合成実施例3(化合物F3の合成)
合成実施例F1の製法と同様に、HPLC純度が99%である化合物F3を36g(66%収率)準備した。
化合物F3は融点が251°Cであり、ガラス転移温度が144°Cであった。
1HNMR(CDCl3、400MHz)δ:8.59−8.62(dd,1H);8.36−8.40(m,4H);8.29−8.34(m,2H);8.16−8.19(dd,1H);8.11−8.14(d,1H);7.91−7.94(d,1H);7.73−7.75(m、1H);7.56−7.65(d、4H);7.39−7.52(m,7H);7.34−7.37(m,1H);7.26−7.3(m、3H);7.20−7.24(m、3H);6.99−7.06(m、2H)。
観察された化合物F3の三重項エネルギーは2.67eVであった。
Synthesis Example 3 (Synthesis of Compound F3)
Similarly to the production method of Synthesis Example F1, 36 g (66% yield) of Compound F3 having an HPLC purity of 99% was prepared.
Compound F3 had a melting point of 251 ° C. and a glass transition temperature of 144 ° C.
1H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ: 8.59-8.62 (dd, 1H); 8.36-8.40 (m, 4H); 8.29-8.34 (m, 2H); 16-8.19 (dd, 1H); 8.11-8.14 (d, 1H); 7.91-7.94 (d, 1H); 7.73-7.75 (m, 1H); 7.56-7.65 (d, 4H); 7.39-7.52 (m, 7H); 7.34-7.37 (m, 1H); 7.26-7.3 (m, 3H) ); 7.20-7.24 (m, 3H); 6.99-7.06 (m, 2H).
The observed triplet energy of Compound F3 was 2.67 eV.
合成実施例4(化合物F4の合成)
合成実施例F2の製法と同様に、HPLC純度が99%である化合物F4を89g(72%収率)準備した。
化合物F4は融点が286°Cであり、ガラス転移温度が162°Cであった。
1HNMR(CDCl3、400MHz)δ:8.68−8.69(d、1H);8.49−8.54(d、4H);8.3−8.36(m、2H);8.17−8.21(d、1H);8.12−8.14(d、1H);8.07−8.11(d、1H);7.95−7.97(m、1H);7.68−7.72(m、1H)、7.62−7.65(m、1H);7.52−7.57(t,3H);7.39−7.5(m、11H);7.20−7.24(dd,2H);7.07−7.11(t,1H);6.81−6.83(dd,1H)。
観察された化合物F4の三重項エネルギーは2.58eVであった。
Synthesis Example 4 (Synthesis of Compound F4)
In the same manner as in Synthesis Example F2, 89 g (72% yield) of Compound F4 having an HPLC purity of 99% was prepared.
Compound F4 had a melting point of 286 ° C. and a glass transition temperature of 162 ° C.
1H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ: 8.68-8.69 (d, 1H); 8.49-8.54 (d, 4H); 8.3-8.36 (m, 2H); 17-8.21 (d, 1H); 8.12-8.14 (d, 1H); 8.07-8.11 (d, 1H); 7.95-7.97 (m, 1H); 7.68-7.72 (m, 1H), 7.62-7.65 (m, 1H); 7.52-7.57 (t, 3H); 7.39-7.5 (m, 11H) 7.20-7.24 (dd, 2H); 7.07-7.11 (t, 1H); 6.81-6.83 (dd, 1H).
The triplet energy of the observed compound F4 was 2.58 eV.
合成実施例5(化合物F5の合成)
1Lのフラスコに、11−(3−(ジベンゾ[b,d]フラン−4−yl)フェニル)−11,12−ジヒドロインドロ[2,3−a]−カルバゾール(20g)、水素化ナトリウム(4.8g)、トルエン(300ml)の混合物を仕込み、窒素雰囲気で40°Cで攪拌した。1時間後、2−クロロ−4,6−ジフェニル−1,3−ピリミジン(12.8g)を添加し、80°Fで攪拌し続けた。薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水で反応混合物をクエンチし(200ml)、酢酸エチルを使用して抽出された(150ml)。水を使用して有機層を抽出し(3x100ml)、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。さらに純化させるために、集めた酢酸エチル層をセライトカラムクロマトグラフィーに通過させた。続いて、ロータリーエバポレーターを用いて減圧で酢酸エチル層を蒸発させて乾燥させた。n−へキサンを100ml添加し、ろ過して減圧乾燥することにより、残留物をさらに沈殿させた。黄色固体としてHPLC純度が99%以上である化合物F5が18g(85%)得られた。
化合物F5は融点が267°Cであり、ガラス転移温度が151°Cであった。
1HNMR(CDCl3、400MHz)δ:8.37−8.40(m、1H);8.28−8.31(d、1H);8.27−8.28(t、1H);8.18−8.21(m、1H);8.16−8.18(d、1H);7.96−7.99(dd、1H);7.92−7.96(dd、1H);7.68−7.67(t、1H);7.64−7.68(m、1H);7.45−7.49(m,1H);7.34−7.42(t、6H);7.15−7.34(m,14H);7.06−7.10(m,2H)。
観察された化合物F5の三重項エネルギーは2.51eVであった。
Synthesis Example 5 (Synthesis of Compound F5)
To a 1 L flask was added 11- (3- (dibenzo [b, d] furan-4-yl) phenyl) -11,12-dihydroindolo [2,3-a] -carbazole (20 g), sodium hydride ( 4.8 g) and toluene (300 ml) were charged, and the mixture was stirred at 40 ° C. in a nitrogen atmosphere. After 1 hour, 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3-pyrimidine (12.8 g) was added and stirring was continued at 80 ° F. The reaction was monitored by thin layer chromatography. After the reaction was complete, the reaction mixture was quenched with water (200 ml) and extracted using ethyl acetate (150 ml). The organic layer was extracted using water (3 × 100 ml) and dried over anhydrous sodium sulfate. For further purification, the collected ethyl acetate layers were passed through celite column chromatography. Subsequently, the ethyl acetate layer was evaporated and dried using a rotary evaporator under reduced pressure. The residue was further precipitated by adding 100 ml of n-hexane, filtering and drying under reduced pressure. As a yellow solid, 18 g (85%) of Compound F5 having an HPLC purity of 99% or more was obtained.
Compound F5 had a melting point of 267 ° C. and a glass transition temperature of 151 ° C.
1H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ: 8.37-8.40 (m, 1H); 8.28-8.31 (d, 1H); 8.27-8.28 (t, 1H); 18-8.21 (m, 1H); 8.16-8.18 (d, 1H); 7.96-7.99 (dd, 1H); 7.92-7.96 (dd, 1H); 7.68-7.67 (t, 1H); 7.64-7.68 (m, 1H); 7.45-7.49 (m, 1H); 7.34-7.42 (t, 6H) ); 7.15-7.34 (m, 14H); 7.06-7.10 (m, 2H).
The observed triplet energy of Compound F5 was 2.51 eV.
合成実施例6(化合物F6の合成)
合成実施例F5の製法と同様に、HPLC純度が99%である化合物F6を18g(62%収率)準備した。
化合物F6は融点が267°Cであり、ガラス転移温度が151°C。
1HNMR(CDCl3、400MHz)、δ:8.37−8.4(m,1H);8.27−8.31(m,2H);8.19−8.21(m,1H);8.16−8.17(d,1H);7.93−7.96(d,1H);7.87−7.91(m,3H);7.75−7.78(m、1H);7.65−7.70(m,2H);7.55−7.59(m,2H);7.47−7.52(m,2H)、7.35−7.44(m,4H);7.08−7.30(m,12H)。
観察された化合物F6の三重項エネルギーは2.50eVであった。
Synthesis Example 6 (Synthesis of Compound F6)
Similarly to the production method of Synthesis Example F5, 18 g (62% yield) of Compound F6 having an HPLC purity of 99% was prepared.
Compound F6 has a melting point of 267 ° C. and a glass transition temperature of 151 ° C.
1H NMR (CDCl 3 , 400 MHz), δ: 8.37-8.4 (m, 1H); 8.27-8.31 (m, 2H); 8.19-8.21 (m, 1H); 8 .16-8.17 (d, 1H); 7.93-7.96 (d, 1H); 7.87-7.91 (m, 3H); 7.75-7.78 (m, 1H) 7.65-7.70 (m, 2H); 7.55-7.59 (m, 2H); 7.47-7.52 (m, 2H), 7.35-7.44 (m, 4H); 7.08-7.30 (m, 12H).
The observed triplet energy of Compound F6 was 2.50 eV.
合成実施例7(化合物F13の合成)
1Lのフラスコに、11−(3−(ジベンゾ[b,d]フラン−4−yl)フェニル)−11,12−ジヒドロインドロ[2,3−a]−カルバゾール(20g)、水素化ナトリウム(4.8g)、トルエン(300ml)の混合物をともに仕込んでし窒素雰囲気で40°Cで攪拌した。1時間後、2−ブロモエタン(8.8g)と添加し、80°Fで攪拌し続けた。薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水で反応混合物をクエンチし(200ml)し、酢酸エチルを使用して抽出された(150ml)。水を使用して有機層を抽出し(3x100ml)、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。さらに純化させるために、集めた酢酸エチル層をセライトカラムクロマトグラフィーに通過させた。続いて、ロータリーエバポレーターを用いて減圧で酢酸エチル層を蒸発させて乾燥させた。n−へキサンを100ml添加し、ろ過して減圧乾燥することにより、残留物をさらに沈殿させた。黄色固体としてHPLC純度が99%以上である化合物F13が18g(85%)得られた。
化合物F13はガラス転移温度が108°Cであった。
1HNMR(CDCl3、400MHz)δ:8.21−8.23(m、1H);8.19−8.21(t,2H);8.11−8.13(d,1H);8.05−8.07(d,1H);7.98−8.00(t,1H);7.93−7.97(m、2H);.7.56−7.65(d,4H);7.68−7.74(m,2H);7.62−7.65(m,1H);7.51−7.54(m,1H);7.29−7.46(m,4H);7.12−7.15(m,1H);3.75−3.85(q,2H);0.90−0.96(q,3H)。
観察された化合物F13の三重項エネルギーは2.51eVであった。
Synthesis Example 7 (Synthesis of Compound F13)
To a 1 L flask was added 11- (3- (dibenzo [b, d] furan-4-yl) phenyl) -11,12-dihydroindolo [2,3-a] -carbazole (20 g), sodium hydride ( 4.8 g) and toluene (300 ml) were charged together and stirred at 40 ° C. in a nitrogen atmosphere. After 1 hour, 2-bromoethane (8.8 g) was added and stirring was continued at 80 ° F. The reaction was monitored by thin layer chromatography. After the reaction was complete, the reaction mixture was quenched with water (200 ml) and extracted using ethyl acetate (150 ml). The organic layer was extracted using water (3 × 100 ml) and dried over anhydrous sodium sulfate. For further purification, the collected ethyl acetate layers were passed through celite column chromatography. Subsequently, the ethyl acetate layer was evaporated and dried using a rotary evaporator under reduced pressure. The residue was further precipitated by adding 100 ml of n-hexane, filtering and drying under reduced pressure. As a yellow solid, 18 g (85%) of Compound F13 having an HPLC purity of 99% or more was obtained.
Compound F13 had a glass transition temperature of 108 ° C.
1H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ: 8.21-8.23 (m, 1H); 8.19-8.21 (t, 2H); 8.11-8.13 (d, 1H); 05-8.07 (d, 1H); 7.98-8.00 (t, 1H); 7.93-7.97 (m, 2H); 7.56-7.65 (d, 4H); 7.68-7.74 (m, 2H); 7.62-7.65 (m, 1H); 7.51-7.54 (m, 1H) 7.29-7.46 (m, 4H); 7.12-7.15 (m, 1H); 3.75-3.85 (q, 2H); 0.90-0.96 (q , 3H).
The observed triplet energy of Compound F13 was 2.51 eV.
合成実施例8(化合物F15の合成)
合成実施例F13の製法と同様に、HPLC純度が99%である化合物F15を36g(66%収率)準備した。
化合物F15はガラス転移温度が109°Cであった。
1HNMR(CDCl3、400MHz)δ:8.19−8.21(d、1H);8.15−8.19(m、3H);8.11−8.12(s,1H);8.09−8.11(s,1H)、8.03−8.04(d,1H);7.99−8.02(m,1H);7.72−7.75(m,1H);7.64−7.68(m,3H);7.69−7.61(d,1H);7.47−7.53(m、1H);7.34−7.45(m、5H);7.28−7.3(d,1H);7.12−7.15(m、1H);3.74−3.80(q、2H);0.85−0.95(q、3H)。
観察された化合物F15の三重項エネルギーは2.52eVであった。
Synthesis Example 8 (Synthesis of Compound F15)
In the same manner as in Synthesis Example F13, 36 g (66% yield) of Compound F15 having an HPLC purity of 99% was prepared.
Compound F15 had a glass transition temperature of 109 ° C.
1H NMR (CDCl 3 , 400 MHz) δ: 8.19-8.21 (d, 1H); 8.15-8.19 (m, 3H); 8.11-8.12 (s, 1H); 09-8.11 (s, 1H), 8.03-8.04 (d, 1H); 7.99-8.02 (m, 1H); 7.72-7.75 (m, 1H); 7.64-7.68 (m, 3H); 7.69-7.61 (d, 1H); 7.47-7.53 (m, 1H); 7.34-7.45 (m, 5H) 7.28-7.3 (d, 1H); 7.12-7.15 (m, 1H); 3.74-3.80 (q, 2H); 0.85-0.95 (q) 3H).
The observed triplet energy of Compound F15 was 2.52 eV.
実施例1(有機エレクトロルミネッセントデバイスの製造)
基板を蒸発システムに入れる前に、予め基板を溶剤で脱脂し、紫外線オゾンで清浄した。続いて、基板を真空蒸着チェンバーに移動させ、基板の上に全ての他の層を沈着した。約10−6 Torrの真空下で、熱ボートでの蒸発により、図2に示されるように、以下の層を順に沈着した。
a)正孔注入層:HATCN
b)正孔輸送層:HT1
c)励起子−ブロック層:BL(台湾のeRay optoelectronics Tech Co. Ltdの所有材料)
d)発光層:赤光発光リン光ドーパントRD1と、特許実施例(F1−F20)から選択された主体ホスト材料、共同ホストCH1(台湾のeRay optoelectronics Tech Co. Ltdの所有材料)を含む
e)電子輸送層:ET
f)電子注入層:LiF
g)陰極:厚さは約150nmであり、Alを含む。
有機エレクトロルミネッセントデバイスの構造は下記のように表示されても良い:ITO/HATCN(15nm)/HT(140nm)/BL(15nm)/3%RD1:化合物F4:CH1(30nm)/ET(30nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。
Example 1 (Manufacture of an organic electroluminescent device)
Before putting the substrate into the evaporation system, the substrate was degreased with a solvent in advance and cleaned with ultraviolet ozone. Subsequently, the substrate was moved to a vacuum evaporation chamber and all other layers were deposited on the substrate. The following layers were deposited in sequence as shown in FIG. 2 by evaporation in a hot boat under a vacuum of about 10 −6 Torr.
a) Hole injection layer: HATCN
b) Hole transport layer: HT1
c) Exciton-blocking layer: BL (owned material of eRay optoelectronics Tech Co. Ltd., Taiwan)
d) Light-emitting layer: including red-light-emitting phosphorescent dopant RD1 and main host material selected from patent example (F1-F20), joint host CH1 (owned by eRay optoelectronics Tech Co. Ltd, Taiwan) Electron transport layer: ET
f) Electron injection layer: LiF
g) Cathode: The thickness is about 150 nm and contains Al.
The structure of the organic electroluminescent device may be represented as follows: ITO / HATCN (15 nm) / HT (140 nm) / BL (15 nm) / 3% RD1: Compound F4: CH1 (30 nm) / ET ( 30 nm) / LiF (1 nm) / Al (150 nm).
比較実施例 1 :
発光層にRD1を有するCBPを発光ホストとした点を除き、実施例1と同様に赤光発光リン光デバイスを製造する。前記デバイス構造は下記のように表示されても良い:ITO/HATCN(15nm)/HT(140nm)/BL(15nm)/3% RD1: CBP(30nm)/ET(30nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。
これらの層を沈着した後、デバイスを蒸着チェンバーから封止用の乾燥ボックスに移動させ、続いて、UV硬化性エポキシ樹脂と、水分ゲッター(moisture getter)を含むガラス蓋とを用いて封止した。有機ELデバイスは3mm2の発光領域を有する。得られた有機ELデバイスを外部電源に接続し、直流電圧下で使用して、表2に示される発光の性質を確認した。デバイスのエレクトロルミネッセントスペクトルは図4に示される。
Comparative Example 1:
A red light emitting phosphorescent device is manufactured in the same manner as in Example 1 except that CBP having RD1 in the light emitting layer is used as a light emitting host. The device structure may be represented as follows: ITO / HATCN (15 nm) / HT (140 nm) / BL (15 nm) / 3% RD1: CBP (30 nm) / ET (30 nm) / LiF (1 nm) / Al (150 nm).
After depositing these layers, the device was moved from the deposition chamber to a dry box for sealing, followed by sealing using a UV curable epoxy resin and a glass lid containing a moisture getter. . The organic EL device has a light emitting area of 3 mm 2 . The obtained organic EL device was connected to an external power source and used under a DC voltage, and the properties of light emission shown in Table 2 were confirmed. The electroluminescent spectrum of the device is shown in FIG.
本発明において製造されたデバイスの全てのEL性質は、定電流ソース(KEITHLEY 2400 Source Meter、Keithley Instruments株式会社製、Cleveland, Ohio)および光度計(PHOTO RESEARCH SpectraScan PR 650、Photo Research株式会社製、Chatsworth, Calif.)を用いて室温下で測定した。
デバイスの稼働寿命(もしくは安定性)は、デバイスに定電流を通らせ、初期輝度10,000cd/m2かつ室温で測定した。光の色は、国際照明委員会(CIE)の表色系で示した。
All the EL properties of the devices manufactured in the present invention are as follows: constant current source (KEITHLEY 2400 Source Meter, Keithley Instruments Inc., Cleveland, Ohio) and photometer (PHOTO
The service life (or stability) of the device was measured at room temperature by passing a constant current through the device at an initial luminance of 10,000 cd / m 2 . The color of light is shown in the color system of the International Commission on Illumination (CIE).
本実施例で製造された有機エレクトロルミネッセントデバイスの発光のピーク波長、最大発光効率、及び駆動電圧と外部量子効率は表2に示す。図5は、電流密度対発光の図を示している。 Table 2 shows the emission peak wavelength, maximum emission efficiency, driving voltage, and external quantum efficiency of the organic electroluminescent device manufactured in this example. FIG. 5 shows a diagram of current density versus luminescence.
上述のように、本発明の有機ELデバイス材料を用いた有機ELデバイスは、高発光効率、高熱安定性、低駆動電圧および長寿命を有する。
従って、本発明の有機ELデバイスは、フラットパネルディスプレイ、携帯電話ディスプレイ、平面発光体の特性を利用する光源、看板に応用されてもよく、高い技術的価値を有する。
As described above, the organic EL device using the organic EL device material of the present invention has high luminous efficiency, high thermal stability, low driving voltage, and long life.
Therefore, the organic EL device of the present invention may be applied to a flat panel display, a mobile phone display, a light source utilizing the characteristics of a flat light emitter, and a signboard, and has high technical value.
上記では、本発明を具体的な好ましい実施例により説明したが、当業者であれば、本発明の範囲は、それら開示された配置に限定されないことが理解できる。従って、本発明の主張する権利範囲は、すべての類似の調整と類似の構成を包含するように最も広く解釈されるはず。 Although the invention has been described above with reference to specific preferred embodiments, those skilled in the art will recognize that the scope of the invention is not limited to the disclosed arrangements. Accordingly, the claimed scope of the present invention should be construed most broadly to encompass all similar adjustments and similar configurations.
100、200、300 有機発光デバイス
110、210、310 基板
120、220、320 陽極
130、230、330 正孔注入層
140、240、340 正孔輸送層
150、250、350 発光層
160、260、360 電子輸送層
170、270、370 電子注入層
180、280、380 陰極
245 励起子
355 励起子ブロック層
100, 200, 300 Organic
式中、Xは、酸素または硫黄原子を表す。Zは、C2−C6アルキル基、ジフェニルトリアジニル基、ジフェニルピリミジニル基、またはカルボリニル基を表す。
In the formula, X represents an oxygen or sulfur atom. Z represents a C2-C6 alkyl group , a diphenyltriazinyl group, a diphenylpyrimidinyl group, or a carbolinyl group .
式(I)において、Xは、酸素または硫黄原子を表す。Zは、C2−C6アルキル基、または異項原子として少なくとも二つの窒素原子を含有する置換されたまたは置換されていないヘテロ芳香族環基を表す。上記式(I)で表す化合物の好ましい実例は下記表1に示す。しかし、本発明はそれらに限定されない。 In the formula (I), X represents an oxygen or sulfur atom. Z represents a C2-C6 alkyl group or a substituted or unsubstituted heteroaromatic ring group containing at least two nitrogen atoms as hetero atoms . Preferred examples of the compound represented by the formula (I) are shown in Table 1 below. However, the present invention is not limited to them.
Claims (5)
(式中、Xは、酸素または硫黄原子を表す。Zは、少なくとも二つ窒素原子またはC2−C6アルキル基を含有する、置換されたまたは置換されていないヘテロ芳香族環を表す。) An organic material having a compound of the following formula (I).
(In the formula, X represents an oxygen or sulfur atom. Z represents a substituted or unsubstituted heteroaromatic ring containing at least two nitrogen atoms or a C2-C6 alkyl group.)
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Citations (6)
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---|---|---|---|---|
WO2013011891A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | 出光興産株式会社 | Nitrogenated aromatic heterocyclic derivative, and organic electroluminescent element using same |
JP2013530515A (en) * | 2010-04-28 | 2013-07-25 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | Premixed material deposition |
JP2013145791A (en) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | ▲いく▼▲雷▼光電科技股▲分▼有限公司 | Carbazole derivative, organic electroluminescent device using the same, and manufacturing method thereof |
US20150060796A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
WO2015167259A1 (en) * | 2014-04-29 | 2015-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Multi-component host material and organic electroluminescent device comprising the same |
US20150372242A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-24 | E-Ray Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Phosphorescent materials for organic electroluminescent devices |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013530515A (en) * | 2010-04-28 | 2013-07-25 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | Premixed material deposition |
WO2013011891A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | 出光興産株式会社 | Nitrogenated aromatic heterocyclic derivative, and organic electroluminescent element using same |
JP2013145791A (en) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | ▲いく▼▲雷▼光電科技股▲分▼有限公司 | Carbazole derivative, organic electroluminescent device using the same, and manufacturing method thereof |
US20150060796A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
WO2015167259A1 (en) * | 2014-04-29 | 2015-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Multi-component host material and organic electroluminescent device comprising the same |
US20150372242A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-24 | E-Ray Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Phosphorescent materials for organic electroluminescent devices |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113620959A (en) * | 2021-08-10 | 2021-11-09 | 陕西莱特迈思光电材料有限公司 | Organic compound, and organic electroluminescent device and electronic device using same |
CN113620959B (en) * | 2021-08-10 | 2022-07-26 | 陕西莱特迈思光电材料有限公司 | Organic compound, and organic electroluminescent device and electronic device using the same |
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