JP2017011265A - プラズマエッチング耐性コーティングを備えたプラズマエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を処理するための装置が提供されている。チャンバ壁476が、処理チャンバ空洞を形成している。基板を支持するための基板支持体420が、処理チャンバ空洞内にある。処理チャンバ空洞内にガスを供給するためのガス流入口440が、基板表面の上方にある。処理チャンバ空洞内にRF電力を通すための窓412が、セラミックまたは石英の窓本体と、セラミック窓本体の表面上の酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つのコーティングと、を備える。コイル410が、処理チャンバ空洞の外側にあり、窓は、処理チャンバ空洞とコイルとの間にある。
【選択図】図4
Description
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
[適用例1]
基板を処理するための装置であって、
処理チャンバ空洞を形成するチャンバ壁と、
前記処理チャンバ空洞内で前記基板を支持するための基板支持体と、
前記処理チャンバ空洞内にRF電力を通すための窓であって、
セラミックまたは石英の窓本体と、
前記処理チャンバ空洞側の前記窓本体の表面上のコーティングであって、前記窓本体の少なくとも1つの表面上に、酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つを含む、コーティングと、を備えた、窓と、
前記処理チャンバ空洞の外側のコイルと、
を備え、
前記窓は、前記処理チャンバ空洞と前記コイルとの間にある、装置。
[適用例2]
適用例1に記載の装置であって、前記窓本体の表面上の酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つの前記コーティングは、プラズマ化学蒸着、物理蒸着、化学蒸着、原子層蒸着、または、エアロゾル蒸着の内の少なくとも1つによって形成される、装置。
[適用例3]
適用例2に記載の装置であって、前記窓本体の表面上の酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つの前記コーティングは、1〜50ミクロンの厚さである、装置。
[適用例4]
適用例3に記載の装置であって、前記窓本体は、石英または酸化アルミニウムの内の少なくとも1つを含む、装置。
[適用例5]
適用例4に記載の装置であって、前記コーティングは、60%を超える純度である、装置。
[適用例6]
適用例1に記載の装置であって、さらに、
前記チャンバ壁から前記窓まで伸びるピナクルリングを備え、
前記ピナクルは、前記チャンバ壁および前記窓に対して傾斜しており、前記ピナクルは、
ピナクル本体と、
酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つを含み、前記ピナクル本体の少なくとも1つの表面を被覆するコーティングと、を備える、装置。
[適用例7]
適用例6に記載の装置であって、さらに、
前記窓を通して前記処理チャンバ内にガスを供給するためのガス流入口を備え、
前記ガス流入口は、
流入口本体と、
酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つを含み、前記流入口本体の少なくとも1つの表面を被覆するコーティングと、を備える、装置。
[適用例8]
適用例1に記載の装置であって、前記窓本体の表面を被覆する、酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つの前記コーティングは、プラズマ化学蒸着または物理蒸着の内の少なくとも1つによって形成される、装置。
[適用例9]
基板をプラズマ処理するための装置であって、
処理チャンバ空洞を形成するチャンバ壁と、
前記処理チャンバ空洞内で前記基板を支持するための基板支持体と、
前記処理チャンバ空洞内にガスを供給するためのガス流入口と、
前記処理チャンバ空洞内のガスをプラズマに変換するための少なくとも1つのプラズマ電極と、
前記処理チャンバ空洞内の表面上に、酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つを含み、1〜50ミクロンの厚さを有するコーティングと、
を備える、装置。
[適用例10]
適用例9に記載の装置であって、前記プラズマ処理チャンバは、さらに、
前記少なくとも1つのプラズマ電極を前記処理チャンバ空洞から隔離する電力窓と、
前記チャンバ壁から前記電力窓まで伸びるピナクルと、
を備え、
前記ガス流入口は、前記電力窓を通して伸び、前記コーティングは、前記電力窓、ピナクル、または、ガス流入口の内の少なくとも1つの表面を被覆する、装置。
[適用例11]
適用例9に記載の装置であって、前記窓本体の表面を被覆する、酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つの前記コーティングは、プラズマ化学蒸着、物理蒸着、化学蒸着、原子層蒸着、または、エアロゾル蒸着の内の少なくとも1つによって形成される、装置。
[適用例12]
適用例9に記載の装置であって、さらに、ライナを備え、前記コーティングは、前記ライナを被覆する、装置。
[適用例13]
適用例9に記載の装置であって、前記窓本体の表面を被覆する、酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つの前記コーティングは、プラズマ化学蒸着または物理蒸着の内の少なくとも1つによって形成される、装置。
[適用例14]
適用例9に記載の装置であって、さらに、エッジリングを備え、前記コーティングは、前記エッジリングを被覆する、装置。
[適用例15]
プラズマエッチングチャンバで用いる装置であって、
本体と、
酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つを含み、前記本体の表面を被覆し、1〜50ミクロンの厚さを有するコーティングと、
を備える、装置。
[適用例16]
適用例15に記載の装置であって、前記本体は、Si、石英、SiC、SiN、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ステンレス鋼、または、炭化アルミニウムの内の少なくとも1つを含む、装置。
[適用例17]
適用例16に記載の装置であって、前記コーティングは、物理蒸着、化学蒸着、原子層蒸着、または、エアロゾル蒸着の内の少なくとも1つによって形成される、装置。
[適用例18]
適用例16に記載の装置であって、前記コーティングは、99%を超える純度である、装置。
Claims (18)
- 基板を処理するための装置であって、
処理チャンバ空洞を形成するチャンバ壁と、
前記処理チャンバ空洞内で前記基板を支持するための基板支持体と、
前記処理チャンバ空洞内にRF電力を通すための窓であって、
セラミックまたは石英の窓本体と、
前記処理チャンバ空洞側の前記窓本体の表面上のコーティングであって、前記窓本体の少なくとも1つの表面上に、酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つを含む、コーティングと、を備えた、窓と、
前記処理チャンバ空洞の外側のコイルと、
を備え、
前記窓は、前記処理チャンバ空洞と前記コイルとの間にある、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記窓本体の表面上の酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つの前記コーティングは、プラズマ化学蒸着、物理蒸着、化学蒸着、原子層蒸着、または、エアロゾル蒸着の内の少なくとも1つによって形成される、装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記窓本体の表面上の酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つの前記コーティングは、1〜50ミクロンの厚さである、装置。
- 請求項3に記載の装置であって、前記窓本体は、石英または酸化アルミニウムの内の少なくとも1つを含む、装置。
- 請求項4に記載の装置であって、前記コーティングは、60%を超える純度である、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、さらに、
前記チャンバ壁から前記窓まで伸びるピナクルリングを備え、
前記ピナクルは、前記チャンバ壁および前記窓に対して傾斜しており、前記ピナクルは、
ピナクル本体と、
酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つを含み、前記ピナクル本体の少なくとも1つの表面を被覆するコーティングと、を備える、装置。 - 請求項6に記載の装置であって、さらに、
前記窓を通して前記処理チャンバ内にガスを供給するためのガス流入口を備え、
前記ガス流入口は、
流入口本体と、
酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つを含み、前記流入口本体の少なくとも1つの表面を被覆するコーティングと、を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記窓本体の表面を被覆する、酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つの前記コーティングは、プラズマ化学蒸着または物理蒸着の内の少なくとも1つによって形成される、装置。
- 基板をプラズマ処理するための装置であって、
処理チャンバ空洞を形成するチャンバ壁と、
前記処理チャンバ空洞内で前記基板を支持するための基板支持体と、
前記処理チャンバ空洞内にガスを供給するためのガス流入口と、
前記処理チャンバ空洞内のガスをプラズマに変換するための少なくとも1つのプラズマ電極と、
前記処理チャンバ空洞内の表面上に、酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つを含み、1〜50ミクロンの厚さを有するコーティングと、
を備える、装置。 - 請求項9に記載の装置であって、前記プラズマ処理チャンバは、さらに、
前記少なくとも1つのプラズマ電極を前記処理チャンバ空洞から隔離する電力窓と、
前記チャンバ壁から前記電力窓まで伸びるピナクルと、
を備え、
前記ガス流入口は、前記電力窓を通して伸び、前記コーティングは、前記電力窓、前記ピナクル、または、前記ガス流入口の内の少なくとも1つの表面を被覆する、装置。 - 請求項9に記載の装置であって、前記窓本体の表面を被覆する、酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つの前記コーティングは、プラズマ化学蒸着、物理蒸着、化学蒸着、原子層蒸着、または、エアロゾル蒸着の内の少なくとも1つによって形成される、装置。
- 請求項9に記載の装置であって、さらに、ライナを備え、前記コーティングは、前記ライナを被覆する、装置。
- 請求項9に記載の装置であって、前記窓本体の表面を被覆する、酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つの前記コーティングは、プラズマ化学蒸着または物理蒸着の内の少なくとも1つによって形成される、装置。
- 請求項9に記載の装置であって、さらに、エッジリングを備え、前記コーティングは、前記エッジリングを被覆する、装置。
- プラズマエッチングチャンバで用いる装置であって、
本体と、
酸化エルビウム、フッ化エルビウム、酸化サマリウム、フッ化サマリウム、酸化ツリウム、フッ化ツリウム、酸化ガドリニウム、または、フッ化ガドリニウムの内の少なくとも1つを含み、前記本体の表面を被覆し、1〜50ミクロンの厚さを有するコーティングと、
を備える、装置。 - 請求項15に記載の装置であって、前記本体は、Si、石英、SiC、SiN、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ステンレス鋼、または、炭化アルミニウムの内の少なくとも1つを含む、装置。
- 請求項16に記載の装置であって、前記コーティングは、物理蒸着、化学蒸着、原子層蒸着、または、エアロゾル蒸着の内の少なくとも1つによって形成される、装置。
- 請求項16に記載の装置であって、前記コーティングは、99%を超える純度である、装置。
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