JP2016533562A5 - - Google Patents

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  1. 光学的に透明で電気絶縁性の基板(1)、該基板上に配列された少なくとも1つの光学的に透明で導電性のセンサ要素(2x、2y)、及び前記光学的に透明なセンサ要素に電気的に接触させるための少なくとも1つの接触構造(4、4’)を有するタッチセンサ装置(10)であって、前記接触構造が組成Mo(ここで、b≧0であり、Xは、ニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムの群から選ばれる元素又はこれらのニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムの群から選ばれる複数の元素の組合せである。)を有する金属オキシニトリドから作られた少なくとも1つの層を有することを特徴とするタッチセンサ装置。
  2. 前記金属オキシニトリドからなる層が20%未満の反射率を有することを特徴とする請求項1に記載のタッチセンサ装置。
  3. 前記金属オキシニトリド層Moが窒素原子の3倍以上、9倍以下の酸素原子を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のタッチセンサ装置。
  4. 前記金属オキシニトリド層Moについて、下記の関係が成り立つことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のタッチセンサ装置。
    0≦b≦0.25a、0.5≦c≦0.75、0.01≦d≦0.2、a+b+c+d=1及びc+d≦0.8。
  5. 前記接触構造が複数層状に構成されており、更に、Al、Mo、Cu、Ag若しくはAu又はこれらの金属の1つに基づく合金からなる金属層を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のタッチセンサ装置。
  6. センサ電極として形成された前記センサ要素が格子状に配列されており、複数の第一のセンサ要素が第一の方向において異なる位置に配列されており、複数の第二のセンサ要素が第二の方向において異なる位置に配列されており、前記センサ電極が、各場合において、交点において少なくとも1つの電気絶縁層により互いに分離されており、前記複数の第一のセンサ電極が前記交点において金属オキシニトリドを有する前記接触構造(4)により接触していることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のタッチセンサ装置。
  7. 前記接触構造(4’)が前記タッチセンサ要素を活性化エレクトロニクス又は解析エレクトロニクスに電気的に接続するための接触端子として形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のタッチセンサ装置。
  8. 投影型容量式タッチセンサとして形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のタッチセンサ装置。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のタッチセンサ装置を有するタッチセンサディスプレイユニット(タッチパネル)であって、該タッチセンサ装置がディスプレイユニットの上流に搭載され(アウトセル)又はディスプレイユニット中に組み込まれている(オンセル、インセル)タッチセンサディスプレイユニット。
  10. 前記接触構造が少なくとも1つの金属層及び少なくとも1つのオキシニトリド層を有し、層の順序において、前記金属オキシニトリド層が、前記金属層からの間隔よりも更に大きい間隔をおいて前記ディスプレイユニット層から離れて配置されている請求項9に記載のタッチセンサディスプレイ。
  11. 請求項1〜8のいずれかに記載のタッチセンサ装置の接触構造を製造するためのスパッタリングターゲットMo1−z(ここで、Xは、ニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムからなる元素群から選ばれる複数の元素の組合せであり、0≦z≦0.2である。)の使用。
  12. 請求項1〜8のいずれかに記載のタッチセンサ装置を製造するための方法であって、前記金属オキシニトリド層が、酸素及び窒素の供給下に、スパッタリングターゲットMo1−z(ここで、Xは、ニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムからなる元素群から選ばれる元素又はこのニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムからなる元素群から選ばれる複数の元素の組合せであり、0≦z≦0.2である。)を用いて、気相蒸着法により製造される方法。
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