JP2016517237A - 高電圧パルス発生装置及び高電圧パルス発生方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、高電圧パルスを例えば誘導電圧重畳装置(IVA)によって発生させる装置及び方法に関する。この場合、電磁波を半径方向伝送線路(19)から同軸伝送線路(21)へ伝送する目的で、初段(17)において半径方向伝送線路(19)と同軸伝送線路(21)の間に、電磁的に結合を行うファネル状の中間部材(23)が配置されている。

Description

本発明は、独立請求項の上位概念に記載の高電圧パルス発生装置、及びこの装置に対応する方法に関する。
電気工学においてパワーパルス技術(パルスパワー)の分野では、科学技術及び産業上の用途として、数kW〜数100TWの振幅の高電圧パルス及び高電力パルスが利用され、この場合、パルス持続時間はps〜msの範囲にある。
産業上の用途の一例を挙げると、いわゆるエレクトロポレーションのためには、例えば250kVの電圧、数10kAの電流を、1μs〜2μsのパルス持続時間で発生させることができるようなパルス発生装置が必要とされる。
このようなパルス発生装置を実現するために可能なトポロジーは、いわゆる誘導電圧重畳装置 "inductive voltage adder"であり、これはIVAと略される。このような発生装置によって、コンパクトな構造が実現される。その理由は、この発生装置はパルス発生中、n個の個別の電圧源から成る直列接続回路として合成されるからである。物理的には、トランスとみなされる導体ジオメトリにおいて、IVA内の電磁界が合成される。
Hansjoahim Bluhm著 "Pulsed Power Systems Principles and Applications" Springer Verlag Berlin Heidelberg, 2006には、特にその第7章第192頁〜201頁に、IVAの構造及び動作が開示されている。
この手法によれば、IVA(誘導電圧重畳装置)の設計は実質的にトランスによって決定される。個々のトランス段を適切に設計することによって、IVAのサイズを最適化するためのモジュール構造を得ることができる。ここで特に必要とされるのは、順次連続する個々の段を電気的に最適に互いに整合させて、IVAの動作にとって問題となるような電気信号の反射が各段の間に発生しないようにすることである。このことは特に、初段と2番目の段についてあてはまる。その理由は、従来一般に用いられている同軸の配置であると、2番目の段自体は入力端を備えていないことから、初段を2番目の段と同一のジオメトリで構成することができないからである。
IVAによれば、スイッチオンプロセス中及び定常状態中、反射係数に基づき、波動特性を利用して電流振幅を高めることができる。図1には、従来のIVAの原理が示されている。図1には、具体例として4段のIVAの基本原理が示されている。図1の左側に描かれている複数の電圧源の直列接続配置の場合と同様に、図1の右側に描かれているように、パルス線路を電圧増倍回路として実現することができ、これは1つの線路の正の導体を別の線路の負の導体と接続することによって行われる。このように導体を交互に接続しても短絡が発生しないようにする目的で、パルス持続時間中は接続を絶縁しておかなければならない。このような絶縁はIVAの実施形態に応じて、ケーブルトランスの形態の十分に長い伝送線路によっても達成できるし、あるいは十分に大きい結合インダクタンスによる結合を介して達成できる。伝播遅延時間ではなく個々の段のパルス線路を加えて誘導的な絶縁を利用すれば、いっそうコンパクトな構造を実現することができる。図2には、IVAによる磁気的な絶縁を利用した電圧重畳の原理が示されている。
図2には、磁気的な絶縁を利用したIVAの従来の実施例が示されている。図2には、同軸に配置された6つの段が示されている。参照符号1は真空インタフェースであり、参照符号3は真空、参照符号5はリング状ギャップ、参照符号7は磁気コア、参照符号9はダイオード、さらに参照符号11はオイルである。シリンダ状のキャビティによってIVAの内導体が形成されており、このキャビティに対し、同軸に配置された慣用の電圧源Uxから半径方向で給電が行われる。ここで説明している適用事例の場合、個々のキャビティ各々は、例えば0.1〜50μsの持続時間のパルスを、例えば1〜10kVの範囲にある数kVの電圧振幅U0と、10kAよりも大きい10数kAないしは数10kAの最大電流振幅I0で供給する。電圧振幅を重畳する目的で、同軸伝送線路への移行領域における電磁界のベクトル加算が利用される。このようにしてIVAは、n個(nは段数)の個々の電圧源の合計によって重畳された1つの電圧パルスを発生する。したがって図2による装置は、6倍の電圧パルスを発生する。電圧振幅を重畳する目的で、1つの電圧源の正の導体が次の電圧源の負の導体と接続される。このことから各キャビティにおいて、中央電極と電流の流れる方向で下流にある外電極との間で、必然的に導電接続が形成される。このようにして線路出力端において短絡が発生するのを回避するために、この区間において相対的な透磁率を高めることで、接続のインピーダンスが著しく高められる。この目的で、電圧源の容積の一部分が、強磁性材料から成るトロイダルコアによって充填される。
図3には、初段に関する従来の実施例が示されている。図3には、波動伝播主軸HAを中心に回転対称に形成された、従来のシミュレーションモデルの一部分が示されている。この場合、端子13(又はポート)に信号が供給されて、端子15まで案内される。この場合、半径方向伝送線路19における中空シリンダダクト18に沿って、同軸線路又は同軸伝送線路21における中空シリンダダクト20へと案内され、さらにこの同軸伝送線路21に沿って案内される。ダクト18と20は、導電性材料22を含む壁によって仕切られて形成されている。
図4には、上方の特性曲線によって給電信号Eの時間推移が示されており、中央の特性曲線によって反射信号成分Rの時間推移が示されており、下方の信号経過特性によって、伝送される信号成分Tが示されている。このような構造において、図示されていないパルス発生モジュールは、端子13として表されている。このようなジオメトリによれば、後続の段とほぼ同一のジオメトリである、という利点が得られる。しかしながら、例えば図4に示されているように、シミュレーションの結果からわかるのは、1番目の結合段もしくはトランス段では入力信号の反射が著しく多い、ということであり、その結果、端子15において必要とされる出力電力が得られるようにするためには、実際の適用において入力電力がかなり大きくなってしまう。したがってこのような従来の解決手法は、端子13のモジュールを後続の段で用いられるモジュールとは電気的に大きく異ならせなければならないことから、技術的に極めて不都合である。
このためIVAの初段は従来、一般的には同軸の給電を介して実現されており、ゆえに初段のジオメトリは、後続の段とは大きく異なったものとなっている。その結果、公知の解決手段の場合には、配置構成が複雑になっており、ひいてはそれにかかるコストも高いものとなっている。
Hansjoahim Bluhm著 "Pulsed Power Systems Principles and Applications" Springer Verlag Berlin Heidelberg, 2006
したがって本発明の課題は、誘導電圧重畳装置(IVA)の初段を適切なジオメトリで配置することにあり、この場合、初段を、後続の段においてパルスを発生させるために用いられるサブモジュールとできるかぎり同一のサブモジュールによって実現できるようにすることである。さらに本発明の課題は、パルス整合のための対応する方法を提供することである。
この課題は、独立請求項に記載の装置及び方法により解決される。
本発明の第1の観点によれば、本発明は、高電圧パルス発生装置、例えば誘導電圧重畳装置に関する。この場合、パルス発生中、波動伝播主軸に沿って配置されたn個の個別の電圧源段の直列接続回路の複数の電磁界が、トランスにおいて合成され、各段において波がそれぞれ、第1の特性インピーダンスを有する半径方向伝送線路に沿って、第2の特性インピーダンスを有する同軸伝送線路へ伝播する。本発明の特徴によれば、初段では後続の段とは異なり、半径方向伝送線路から同軸伝送線路へ途切れることなく連続する移行領域によって、第1の特性インピーダンスから第2の特性インピーダンスへの連続的な移行が行われる。
本発明の第2の観点によれば、本発明は、例えば誘導電圧重畳装置を用いた、高電圧パルス発生方法に関する。この場合、パルス発生中、波動伝播主軸に沿って配置されたn個の個別の電圧源段の直列接続回路の複数の電磁界を、トランスにおいて合成し、各段において波をそれぞれ、第1の特性インピーダンスを有する半径方向伝送線路に沿って、第2の特性インピーダンスを有する同軸伝送線路へ伝播させる。本発明の特徴によれば、初段では後続の段とは異なり、半径方向伝送線路から同軸伝送線路へ途切れることなく連続する移行領域によって、第1の特性インピーダンスから第2の特性インピーダンスへの連続的な移行を行わせる。
本発明によれば、コンパクトでありかつできる限り低コストで構成可能なパルス発生装置が形成されて使用される。本発明によれば、以下のような第1トランス段の構成が提案される。即ち、本発明によって提案されたジオメトリによって、すべての整合回路網、スイッチ、キャパシタ、及びドライバ回路を、他のすべてのトランス段に対しモジュール式に選択することができる。このようにすれば、第1トランス段と後続のトランス段との間で、モジュール式の構造を実現することができる。IVAをモジュール式構造にすることによって、コストが低減され、かつ、よりコンパクトな構造を実現することができる。本発明によれば、以下のようなIVAの第1トランス段の構成が提案される。即ちこの場合、電磁波は、半径方向伝送線路を経て同軸伝送線路へと伝送される。これら2つの線路は、ファネル状の中間部材(テーパ部材)によって互いに結合される。IVAの初段に関する本発明の実施形態によれば、電力が反射なく初段へ給電される。この場合、パルス発生モジュールが結合される領域(第1端子13)において、後続の段と同様に半径方向の配置が得られる。2番目の段に反射なく結合されることから、初段においても後続の段と同じ電力で動作させることができる。このようにすれば、初段においても後続のすべての段と同じモジュールを使用することができ、それによってこの種の装置の複雑さ、不確実性及びコストが著しく小さくなる。このようにすれば、システム全体をそのモジュール性能及び構造体積に関して、最適化することができる。さらにこの種のシステムの総コストを、効果的に削減することができる。
従属請求項には、本発明のさらに別の有利な実施形態が記載されている。
1つの有利な実施形態によれば、初段における連続的な移行を、半径方向伝送線路の第1の特性インピーダンスと、同軸伝送線路の内半径及び外半径と、電磁界の特性インピーダンスとによって行うことができる。
さらに別の有利な実施形態によれば、初段の移行領域において、波動伝播主軸を横切る方向で延在する半径方向伝送線路の壁を、波動伝播主軸に対し回転対称で曲線状に推移させながら、この波動伝播主軸に沿って延在する同軸伝送線路の壁に、連続的に移行させることができる。
さらに別の有利な実施形態によれば、初段の移行領域に、第1の立体的材料延在部分を設け、この立体的材料延在部分が、波動伝播主軸HAに対し垂直方向に位置する円形の横断面を有するようにし、この円形の横断面の半径を、波動伝播主軸に沿ってこの軸の方向で、同軸伝送線路の外導体の外半径から内導体の外半径まで、連続的に減少するように形成することができる。この場合、立体的材料延在部分とは例えば、ある材料を含む一般的な三次元の物理的なボディ又はこの種のボディの領域のことである。
ここで、「波動伝播主軸(HA)に沿ってこの軸の方向で」とは、「波動伝播主軸(HA)に沿って、波動伝播主軸(HA)の方向で」という意味であり、例えば「波動伝播主軸に対し平行に延在し、しかも波動伝播主軸が指す方向に延在し」ということを意味する。この方向とは、波が主として伝播する方向のことである。
さらに別の有利な実施形態によれば、初段の移行領域UEに、第2の立体的材料延在部分を設け、この第2の立体的材料延在部分が、波動伝播主軸に対し垂直方向に位置する円形の横断面を有するようにし、この円形の横断面の外半径を一定にし、この円形の横断面の内半径を、波動伝播主軸に沿ってこの軸の方向で、同軸伝送線路の外導体の外半径から出発して内半径に向かって、連続的に減少するように形成することができる。
さらに別の有利な実施形態によれば、第1の立体的材料延在部分の横断面の半径を、及び/又は、第2の立体的材料延在部分の横断断面の内半径を、半径方向伝送線路の側から出発して同軸伝送線路の側へ向かう方向で、指数関数的に低減するように形成することができる。
さらに別の有利な実施形態によれば、第1の立体的材料延在部分の横断面の半径の半径推移と、第2の立体的材料延在部分の横断断面の内半径の半径推移とを、半径方向伝送線路の側から出発して同軸伝送線路の側へ向かう方向で、互いに平行に延在するように形成することができる。
さらに別の有利な実施形態によれば、第1の立体的材料延在部分を、ソリッドな別個の中間部材として形成することができる。
さらに別の有利な実施形態によれば、この中間部材は、波動伝播主軸(HA)に沿ってこの軸の方向で、例えば半径方向に先細りする、ソリッドなファネル形状の外面推移を有することができる。
さらに別の有利な実施形態によれば、第1の立体的材料延在部分と第2の立体的材料延在部分が、同一の材料を含むようにすることができ、例えば銅、鋼又はアルミニウムを含むようにすることができる。
さらに別の有利な実施形態によれば、n個の段はすべて、それらの電気工学的な結線又はそれらの電気的な接続に関して、同一のモジュール構造を有することができる。
次に、図面を参照しながら実施例に基づき本発明について詳しく説明する。
IVAの従来の実施例を示す図 IVAの従来の別の実施例を示す図 IVAの第1トランス段の従来の実施例を示す図 第1トランス段の従来の実施例によるシミュレーションを示す図 IVAの第1トランス段の本発明による実施例を示す図 IVAの第1トランス段の本発明による実施例による信号推移を示す図 本発明によるIVAの初段の電界を示す図 IVAの初段に関する本発明による実施例の磁界を示す図 IVAの初段に関する本発明による実施例を別の示すさらに別の図
図5には、IVA(誘導電圧重畳装置)の初段に関する本発明による第1実施例が示されている。この実施例によれば、初段は波動伝播主軸HAに沿って回転対称に延在している。図3と同様に、第1端子13に信号が給電され、第2端子15へと導かれる。
この初段17において、最初に電磁波が半径方向伝送線路19に沿って伝送され、その後、同軸伝送線路21に沿って伝送される。つまりこの図では垂直方向の中空シリンダ状伝送線路19に沿って、この図では水平方向の中空シリンダ状の同軸線路21へと電磁波が導かれていき、この同軸線路21の外側には外導体27が、内側には内導体25が設けられている。
移行領域UEおいて、波動伝播主軸HAを横切る方向で延在する半径方向伝送線路19の中空シリンダダクト18が、曲線状の境界を有する導電性材料22の表面に沿って、曲線状に推移しながら、波動伝播主軸HAに沿って延在する同軸伝送線路21の中空シリンダダクト20へ、均質に連続的に移行する。
半径方向伝送線路19から同軸伝送線路21への移行部分に沿って、この実施例ではソリッドな中間部材23が配置されている。この中間部材23は、有利には円形の横断面を有するように、波動伝播主軸HAに対し回転対称にこの軸に沿って、第1半径を有する第1外周面から、第1半径よりも小さい第2半径を有する第2外周面まで、三次元的にもしくは立体的に延在している。この場合、第2半径は有利には、内導体25の外半径と等しく、つまりは中空シリンダ状の同軸線路21の内半径と等しい。さらに、中空シリンダ状の同軸線路21を外側に対して区切っている外導体27と、外導体27と接触し外導体に属する材料22との間で、移行領域UEにおいて、第2の立体的なもしくは三次元の材料延在部分が設けられていると有利である。この第2の立体的材料延在部分は、波動伝播主軸HAに対し垂直方向に位置する円形の横断面を有しており、その外半径は一定であり、内半径は、波動伝播主軸HAに沿ってこの軸の方向で、同軸伝送線路21の外導体の外半径から出発して内半径まで、連続的に小さくなるように形成されている。半径方向伝送線路19の側から出発して同軸伝送線路21の側へ向かう方向で、横断面の半径及び/又は内半径を、指数関数的に小さくなるように形成することができる。有利には、第1及び第2の空間的材料延在部の半径の半径推移及び/又は内半径の半径推移は、半径方向伝送線路19の側から出発して同軸伝送線路21の側まで、互いに平行に推移するように形成されている。
ソリッドな中間部材23は例えばソリッドなファネル状であり、半径方向伝送線路を同軸伝送線路と結合し、テーパと呼ぶこともできる。中間部材23を、ソリッドでない構造で形成してもよく、例えば貫通開口部又は孔を備えたファネルとして形成してもよい。その際、特に有利であるのは、半径方向伝送線路と同軸伝送線路の特性インピーダンスが互いに整合されていることである。半径方向伝送線路の第1の特性インピーダンスは、次式によって記述することができる。
Figure 2016517237
ただし、kは波数ベクトル、Z0は377Ωの値の電磁界の特性インピーダンス、さらにG0(Kr)及びG1(Kr)は、Hankeと類似しておりHollandにより定義された関数である。
同軸線路の第2の特性インピーダンスは、例えば次式によって記述することができる。
Figure 2016517237
ただし、R1は同軸線路の内半径、R2は同軸線路の外半径、Z0は377Ωの値の電磁界の特性インピーダンスである。同様に、R1は内導体25の半径であり、さらにR2は外導体27の内半径である。式(1)及び(2)から、特性インピーダンスの作用を認識することができる。本発明によれば、半径方向伝送線路19を同軸伝送線路21と、ファネル状構造の形態で的確に結合することによって、両方の特性インピーダンスを互いに整合させようというものである。このようにすることで、半径方向伝送線路19から同軸伝送線路21及びIVAの同軸構造へ、反射のない給電を行うことができる。
図6には、本発明によるIVAの初段を用いた場合の、反射信号Rと伝送信号Tの時間推移が、時間領域で示されている。このシミュレーションによれば、反射Rが近似的に2%よりも小さいことが示されている。半径方向伝送線路19と同軸伝送線路21との整合も、両方の線路を互いに結合する指数関数によって達成することができる。この種の指数関数は、構造が互いに連続的に移行するような特性を有していなければならない。
図7には、本発明によるIVAの初段における電界の推移が示されている。この場合、矢印はベクトル場を表す。
図8には、本発明によるIVAの初段における磁界が示されている。この場合、矢印はベクトル場を表す。
図9には、本発明によるファネル状の中間部材23が別の視点で示されている。この図によれば、異なる導体構造への上述の中間部材23もしくはテーパ部材の整合は、半径方向伝送線路19から同軸伝送線路21への内半径及び外半径をそれぞれ異なるように選定することによって行われる。図9には具体例として、外導体27の外半径Rが53.5の値を有し、内導体25の半径R1がR=45であることが示されている。図9には、ファネル状の中間部材23によって結合されている半径方向伝送線路19と同軸伝送線路21との整合について示されており、この場合、それらの内半径と外半径は結合部分に沿って変化している。実際の適用においては、半径方向伝送線路19と同軸線路21を、異なる2つの半径で結合すれば十分である。
本発明は、高電圧パルスを例えば誘導電圧重畳装置IVAによって発生させる装置及び方法に関する。この場合、電磁波を半径方向伝送線路19から同軸伝送線路21へ伝送する目的で、初段17において半径方向伝送線路19と同軸伝送線路21の間に、電磁的に結合を行うファネル状の中間部材23が配置されている。

Claims (24)

  1. 高電圧パルス発生装置、例えば誘導電圧重畳装置(IVA)であって、
    パルス発生中、波動伝播主軸(HA)に沿って配置されたn個の個別の電圧源段の直列接続回路の複数の電磁界が、トランスにおいて合成され、
    各段において波がそれぞれ、第1の特性インピーダンスを有する半径方向伝送線路(19)に沿って、第2の特性インピーダンスを有する同軸伝送線路(21)へ伝播する、
    高電圧パルス発生装置において、
    初段(17)では後続の段とは異なり、前記半径方向伝送線路(19)から前記同軸伝送線路(21)へ途切れることなく連続する移行領域(UE)によって、前記第1の特性インピーダンスから前記第2の特性インピーダンスへの連続的な移行が行われることを特徴とする、
    高電圧パルス発生装置。
  2. 前記初段(17)における連続的な移行は、前記半径方向伝送線路(19)の前記第1の特性インピーダンスと、前記同軸伝送線路(21)の内半径及び外半径と、電磁界の特性インピーダンスとによって行われる、
    請求項1に記載の装置。
  3. 前記初段(17)の移行領域(UE)において、前記波動伝播主軸(HA)を横切る方向で延在する前記半径方向伝送線路(19)の壁が、前記波動伝播主軸(HA)に対し回転対称で曲線状に推移しながら、該波動伝播主軸(HA)に沿って延在する前記同軸伝送線路(21)の壁に、連続的に移行する、
    請求項1又は2に記載の装置。
  4. 前記初段(17)の前記移行領域(UE)に、第1の立体的材料延在部分が設けられており、該第1の立体的材料延在部分は、前記波動伝播主軸(HA)に対し垂直方向に位置する円形の横断面を有しており、該円形の横断面の半径は、前記波動伝播主軸(HA)に沿って該波動伝播主軸の方向で、前記同軸伝送線路(21)の外導体(27)の外半径から出発して内導体(25)の外半径まで、連続的に減少するように形成されている、
    請求項3に記載の装置。
  5. 前記第1の立体的材料延在部分の横断面の半径は、前記半径方向伝送線路(19)の側から出発して前記同軸伝送線路(21)の側へ向かう方向で、指数関数的に低減するように形成されている、
    請求項4に記載の装置。
  6. 前記初段(17)の前記移行領域(UE)に、第2の立体的材料延在部分が設けられており、該第2の立体的材料延在部分は、前記波動伝播主軸(HA)に対し垂直方向に位置する円形の横断面を有しており、該円形の横断面の外半径は一定であり、該円形の横断面の内半径は、前記波動伝播主軸(HA)に沿って該軸の方向で、前記同軸伝送線路(21)の外導体(27)の外半径から出発して内半径に向かって、連続的に減少するように形成されている、
    請求項3、4又は5に記載の装置。
  7. 前記第2の立体的材料延在部分の横断面の内半径は、前記半径方向伝送線路(19)の側から出発して、前記同軸伝送線路(21)の側へ向かう方向で、指数関数的に低減するように形成されている、
    請求項6に記載の装置。
  8. 前記第1の立体的材料延在部分の横断面の半径の半径推移と、前記第2の立体的材料延在部分の横断面の内半径の半径推移とは、前記半径方向伝送線路(19)の側から出発して前記同軸伝送線路(21)の側へ向かう方向で、互いに平行に延在するように形成されている、
    請求項6又は7に記載の装置。
  9. 前記第1の立体的材料延在部分は、別個の中間部材(23)として形成されている、
    請求項4から8のいずれか1項に記載の装置。
  10. 前記中間部材(23)は、前記波動伝播主軸(HA)に沿って該軸の方向で、テーパ状のファネルの外面推移を有する、
    請求項9に記載の装置。
  11. 前記第1の立体的材料延在部分と第2の立体的材料延在部分は、同一の材料を含んでおり、例えば銅、鋼又はアルミニウムを含んでいる、
    請求項6から10のいずれか1項に記載の装置。
  12. 前記n個の段はすべて、電気工学的な結線に関して同一のモジュール構造を有する、
    請求項1から11のいずれか1項に記載の装置。
  13. 例えば誘導電圧重畳装置(IVA)を用いた、高電圧パルス発生方法であって、
    パルス発生中、波動伝播主軸(HA)に沿って配置されたn個の個別の電圧源段の直列接続回路の複数の電磁界を、トランスにおいて合成し、
    各段において波をそれぞれ、第1の特性インピーダンスを有する半径方向伝送線路(19)に沿って、第2の特性インピーダンスを有する同軸伝送線路(21)へ伝播させる、
    高電圧パルス発生方法において、
    初段(17)では後続の段とは異なり、前記半径方向伝送線路(19)から前記同軸伝送線路(21)へ途切れることなく連続する移行領域(UE)によって、前記第1の特性インピーダンスから前記第2の特性インピーダンスへ連続的に移行させることを特徴とする、
    高電圧パルス発生方法。
  14. 前記初段(17)における連続的な移行を、前記半径方向伝送線路(19)の前記第1の特性インピーダンスと、前記同軸伝送線路(21)の内半径及び外半径と、電磁界の特性インピーダンスとによって行う、
    請求項13に記載の方法。
  15. 前記初段(17)の移行領域(UE)において、前記波動伝播主軸(HA)を横切る方向で延在する前記半径方向伝送線路(19)の壁を、前記波動伝播主軸(HA)に対し回転対称で曲線状に推移させながら、該波動伝播主軸(HA)に沿って延在する前記同軸伝送線路(21)の壁に、連続的に移行させる、
    請求項13又は14に記載の方法。
  16. 前記初段(17)の前記移行領域(UE)に、第1の立体的材料延在部分を設け、該立体的材料延在部分は、前記波動伝播主軸(HA)に対し垂直方向に位置する円形の横断面を有し、該円形の横断面の半径を、前記波動伝播主軸(HA)に沿って該軸の方向で、前記同軸伝送線路(21)の外導体(27)の外半径から出発して内導体(25)の外半径まで、連続的に減少するように形成する、
    請求項14に記載の方法。
  17. 前記第1の立体的材料延在部分の横断面の半径を、前記半径方向伝送線路(19)の側から出発して前記同軸伝送線路(21)の側へ向かう方向で、指数関数的に低減するように形成する、
    請求項16に記載の方法。
  18. 前記初段(17)の前記移行領域(UE)に、第2の立体的材料延在部分を設け、該第2の立体的材料延在部分は、前記波動伝播主軸(HA)に対し垂直方向に位置する円形の横断面を有し、該円形の横断面の外半径を一定にし、該円形の横断面の内半径を、前記波動伝播主軸(HA)に沿って該軸の方向で、前記同軸伝送線路(21)の外導体(27)の外半径から出発して内半径に向かって、連続的に減少するように形成する、
    請求項15、16又は17に記載の方法。
  19. 前記第2の立体的材料延在部分の横断面の内半径は、前記半径方向伝送線路(19)の側から出発して、前記同軸伝送線路(21)の側へ向かう方向で、指数関数的に低減するように形成されている、
    請求項18に記載の方法。
  20. 前記第1の立体的材料延在部分の横断面の半径の半径推移と、前記第2の立体的材料延在部分の横断面の内半径の半径推移とを、前記半径方向伝送線路(19)の側から出発して前記同軸伝送線路(21)の側へ向かう方向で、互いに平行に延在するように形成する、
    請求項18又は19に記載の方法。
  21. 前記第1の立体的材料延在部分を、別個の中間部材(23)として形成する、
    請求項16から20のいずれか1項に記載の方法。
  22. 前記中間部材(23)は、前記波動伝播主軸(HA)に沿って該軸の方向で、テーパ状のファネルの外面推移を有する、
    請求項21に記載の方法。
  23. 前記第1の立体的材料延在部分と第2の立体的材料延在部分は同一の材料を含み、例えば銅、鋼又はアルミニウムを含む、
    請求項18から22のいずれか1項に記載の方法。
  24. 前記n個の段すべては、電気工学的な結線に関して同一のモジュール構造を有する、
    請求項13から23のいずれか1項に記載の方法。
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