JP2016205967A - Method for determining quality of polyimide film, copper-clad laminate sheet using polyimide film and method for manufacturing flexible wiring board - Google Patents

Method for determining quality of polyimide film, copper-clad laminate sheet using polyimide film and method for manufacturing flexible wiring board Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for determining the quality of a polyimide film for flexible wiring boards for manufacturing a flexible wiring board having a small warp and torsion, a high yield thereby and high productivity.SOLUTION: The method for determining the quality of a polyimide film is used for a flexible wiring board having a metal layer laminated on the polyimide film. The polyimide film has MD and TD directions orthogonal in the flat surface thereof. In the polyimide film, an orientation angle of molecules in a plane showing the maximum orientation being the maximum value obtained by measuring orientation in the flat surface is 0 degree or more and 30 degrees or less in the absolute value of a difference between the TD and MD directions of the polyimide film, and a surface orientation degree ratio of the front to the rear of the polyimide film is less than 1.0.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、チップ・オン・フィルム(COF:Chip On Film)やフレキシブルプリント配線板(FPC:Flexible Printed Circuit)等に使用されるポリイミドフィルムの良否判定方法並びにそのポリイミドフィルムを用いた銅張積層板(FCCL:Flexible Copper Clad Laminate)及びフレキシブル配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for determining pass / fail of a polyimide film used for a chip on film (COF), a flexible printed circuit (FPC), and the like, and a copper-clad laminate using the polyimide film The present invention relates to a manufacturing method of a flexible wiring board (FCCL: Flexible Copper Clad Laminate).

フレキシブル配線板は、その自在に屈曲できる性質を活かしてハードディスクの読み書きヘッドやプリンターヘッド等の電子機器の可動部の屈曲を要する配線部分、携帯電話等小型電子機器や液晶ディスプレイ装置内のわずかな隙間を通す配線部分等電子部品や光学部品、包装材料等に広く産業界で用いられている。使用するフレキシブル配線板は、一般的に銅層とポリイミドフィルム等の樹脂フィルムとからなる積層構造のフレキシブルな銅張積層板に対して、サブトラクティブ法やセミアディティブ法等を用いて配線加工することで作製されている。   Flexible wiring boards take advantage of their freely bendable properties, such as wiring parts that require bending of moving parts of hard disk read / write heads and printer heads, and small gaps in small electronic devices such as mobile phones and liquid crystal display devices. Widely used in industry for electronic parts, optical parts, packaging materials, etc. The flexible wiring board to be used is generally a wiring process using a subtractive method or semi-additive method for a flexible copper-clad laminate with a laminated structure consisting of a copper layer and a resin film such as a polyimide film. It is made with.

この配線加工法の一つであるサブトラクティブ法とは、銅張積層板の銅層をエッチング処理して配線以外の不要部分を除去する方法である。具体的には、銅張積層板の銅層の表面にフォトレジスト層を成膜した後、このフォトレジスト層にパターニング処理を施すことにより導体配線として残したい部分以外の銅層の表面を露出させ、この銅層の露出部分を、銅を溶かすエッチング液を用いて選択的に除去することで導体配線を形成し、その後水洗するものである。その後、必要に応じて配線に錫めっき等を施し、錫めっき後、必要な個所にソルダーレジストを塗布し硬化させてソルダーレジスト膜を形成しフレキシブル配線板が完成する。完成したフレキシブル配線板には半導体素子等の電子部品が実装されて回路装置となる。   The subtractive method, which is one of the wiring processing methods, is a method of removing unnecessary portions other than wiring by etching the copper layer of the copper-clad laminate. Specifically, after forming a photoresist layer on the surface of the copper layer of the copper clad laminate, the photoresist layer is subjected to patterning to expose the surface of the copper layer other than the portion to be left as the conductor wiring. The exposed portion of the copper layer is selectively removed using an etching solution that dissolves copper to form a conductor wiring, and then washed with water. Then, tin plating etc. are given to wiring as needed, and after tin plating, a solder resist is apply | coated and hardened in a required part, a solder resist film is formed, and a flexible wiring board is completed. Electronic components such as semiconductor elements are mounted on the completed flexible wiring board to form a circuit device.

このように、フレキシブル配線板を製造する過程で、ソルダーレジスト法による硬化等により、熱が銅張積層板に付加されることになる。ここで、銅張積層板は、銅層と樹脂フィルムの積層体であり、銅層も樹脂フィルムも熱や配線加工を起因とする膨張・収縮が起こる。また、銅層と樹脂フィルムとでは、その材質が異なるため、膨張・収縮には差がある。そのため、これら膨張・収縮差に起因する反り・ネジレ挙動が問題となっている。   Thus, in the process of manufacturing the flexible wiring board, heat is applied to the copper-clad laminate by curing by a solder resist method or the like. Here, the copper clad laminate is a laminate of a copper layer and a resin film, and both the copper layer and the resin film undergo expansion and contraction due to heat and wiring processing. Further, since the copper layer and the resin film are made of different materials, there is a difference in expansion / contraction. For this reason, warpage and twisting behavior due to the difference between the expansion and contraction are problematic.

加えて、一般的には、フレキシブル配線板では樹脂フィルムの厚みの方が厚い。また、配線加工後のフレキシブル配線板の表面は、銅は選択的に除去されているため、樹脂フィルムの占める面積は、銅の占める面積よりも大きい。そのため、相対的に金属膜層よりも樹脂フィルムの膨張・収縮の影響が大きく、樹脂フィルム自体の示す反り・ネジレ、そして、樹脂フィルム加熱後のそれら因子は、上に述べた銅層と樹脂層の膨張・収縮差に起因する反り・ネジレよりも主要な不具合の要因である。   In addition, in general, the thickness of the resin film is larger in the flexible wiring board. Moreover, since copper is selectively removed from the surface of the flexible wiring board after wiring processing, the area occupied by the resin film is larger than the area occupied by copper. Therefore, the influence of the expansion and contraction of the resin film is relatively larger than that of the metal film layer. The warp and twist of the resin film itself, and those factors after the resin film is heated are the copper layer and the resin layer described above. This is a major cause of defects rather than warping and twisting due to the difference in expansion and contraction of the material.

この反り・ネジレの原因は、樹脂フィルムに用いられるポリイミドフィルムの製造工程中の、延伸や高温での焼成によるもので、これらの工程を経た樹脂フィルムは、樹脂フィルム幅方向で分子鎖の配向や歪による内部応力が生じ、その結果、反り・ネジレとなって表れている。   The cause of this warp and twist is due to stretching or baking at a high temperature during the manufacturing process of the polyimide film used for the resin film. The resin film that has undergone these processes is the orientation of molecular chains in the resin film width direction and Internal stress due to distortion occurs, and as a result, it appears as warping and twisting.

樹脂フィルムの反りやネジレは、フレキシブル配線板の配線ピッチの微細化によりフレキシブル配線板と半導体素子等の電子部品とを接続する際の配線パターンとの位置合わせに係わり、半導体素子の多ピン化の進展に従い要求される精度に対応することが厳しくなってきている。   The warping and twisting of the resin film is related to the alignment of the wiring pattern when connecting the flexible wiring board and an electronic component such as a semiconductor element by reducing the wiring pitch of the flexible wiring board. It is becoming strict to meet the required accuracy with progress.

そこで、特許文献1では銅張積層板の原料であるポリイミドフィルムについて、ネジレが少なくなるような樹脂フィルムの製造方法が提案されている。しかしながら、特許文献1のポリイミドフィルムは45度と135度の配向の強さを指標にしているだけであり、ネジレと関係する配向の角度については触れていない。また、反り・ネジレは配向の角度だけでなく、表裏の差も影響し、更に、銅張積層板に加工したときには銅の内部応力と樹脂フィルムの内部応力の差によってネジレが増幅されるため、この管理範囲では不十分である。近年求められる配線の幅は10〜15μm程度となっており、反り・ネジレが発生しないフレキシブル配線板が強く要求されるためである。   Therefore, Patent Document 1 proposes a method for producing a resin film that reduces twisting with respect to a polyimide film that is a raw material of a copper-clad laminate. However, the polyimide film of Patent Document 1 only uses the orientation strengths of 45 degrees and 135 degrees as an index, and does not mention the orientation angle related to twist. In addition, warpage and twist affect not only the orientation angle but also the difference between the front and back, and furthermore, when processed into a copper clad laminate, the twist is amplified by the difference between the internal stress of copper and the internal stress of the resin film, This scope of management is insufficient. This is because the wiring width required in recent years is about 10 to 15 μm, and a flexible wiring board that does not warp or twist is strongly demanded.

また、特に液晶ディスプレイ等の電子機器において、これらの大型化や薄型化により、フレキシブル配線板が引き回す配線長さが増大する傾向もある。この配線長さの増大により、電子機器の組み立て工程においては、フレキシブル配線板上の電極と他のフレキシブル配線板上にはない電極とを接続する際に、フレキシブル配線板の反りやネジレに伴う電極同士の位置合わせ時間が増加し、電子機器組み立て工程の生産性低下が問題となってきた。   In particular, in an electronic device such as a liquid crystal display, there is a tendency that the wiring length drawn by the flexible wiring board increases due to the increase in size and thickness. Due to this increase in wiring length, in the assembly process of electronic equipment, when an electrode on a flexible wiring board is connected to an electrode that is not on another flexible wiring board, an electrode accompanying warping or twisting of the flexible wiring board. The alignment time between each other has increased, and the productivity reduction in the electronic device assembly process has become a problem.

これらの時代背景も要因となり、近年求められる配線幅のスペックに対応するためには、銅張積層板のロット毎にパラメータを調整しなければならない。そのようなロットごとのパラメータの調整は、工程の調整の手間、調整時の原料ロス、製品の品質バラツキの悪化、歩留まり低下等様々な悪影響を及ぼす。そのため、反り・ネジレを検討していないフレキシブル配線板を近年の小型電子機器に使用した場合には、その歩留りが低下し、生産性の悪いフレキシブル配線板となってしまうという問題がある。   The background of these times is also a factor, and in order to cope with the wiring width specifications required in recent years, it is necessary to adjust parameters for each lot of copper clad laminates. Such parameter adjustment for each lot has various adverse effects such as labor for process adjustment, raw material loss at the time of adjustment, deterioration of product quality variation, and yield reduction. Therefore, when a flexible wiring board that has not been studied for warping and twisting is used in recent small electronic devices, there is a problem in that the yield decreases and the productivity becomes a flexible wiring board.

特開2014−093317号公報JP 2014-093317 A

本発明は、ポリイミドフィルムの良否判定方法において、反り・ネジレが小さく、そのため、その歩留りが高く、生産性の高いフレキシブル配線板を製造することのできるポリイミドフィルムの良否判定方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a polyimide film quality determination method that can produce a flexible wiring board with high yield and high yield because warpage and twist are small in the polyimide film quality determination method. And

本発明者らは、フレキシブル配線板の製造工程の一つである銅張積層板製造工程において、銅張積層板の原料として用いる樹脂フィルムであるポリイミドフィルムについて、鋭意検討をした。その結果、銅張積層板に用いられているポリイミドフィルムの配向を所定の装置で評価し、配向を所定範囲に制限したポリイミドフィルムを銅張積層板の樹脂フィルムとして用いてフレキシブル配線板を製造することで、フレキシブル配線板の反り・ネジレが小さいことを発見した。そのため、ポリイミドフィルムの配向を用いたポリイミドフィルムの良否判定方法によって製造されたポリイミドフィルムは、その歩留りが高く、生産性の高い銅張積層板及びフレキシブル配線板が製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。   The present inventors diligently studied about a polyimide film which is a resin film used as a raw material for a copper-clad laminate in a copper-clad laminate production process that is one of the production processes of a flexible wiring board. As a result, the orientation of the polyimide film used in the copper-clad laminate is evaluated by a predetermined apparatus, and a flexible wiring board is manufactured using the polyimide film whose orientation is limited to a predetermined range as the resin film of the copper-clad laminate. As a result, it was discovered that the warping and twisting of the flexible wiring board was small. Therefore, the polyimide film manufactured by the polyimide film quality determination method using the orientation of the polyimide film is found to have a high yield and high productivity of copper-clad laminates and flexible wiring boards, completing the present invention. It came to do.

すなわち、本発明の第一は、ポリイミドフィルム上に金属層が積層されているフレキシブル配線基板に用いる、前記ポリイミドフィルムの良否判定方法であって、前記ポリイミドフィルムが、芳香族ジアミンと3,3’−4,4’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物とからなるイミド結合を含み、前記ポリイミドフィルムのTD方向の熱膨張係数が10ppm/K以上16ppm/K以下であり、前記ポリイミドフィルムは、その平面内で直交するMD方向とTD方向とを有しており、前記ポリイミドフィルムは、前記平面内における配向を測定し、その最大値である最大配向を示す面内の分子の配向角度が、前記ポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値で0度以上30度以下であり、前記ポリイミドフィルムは、下記で定義される表裏の表面配向度比が1.0未満であるポリイミドフィルムの良否判定方法。
表裏の表面配向度比:ポリイミドフィルムにおける金属層の積層面(A)と、非積層面(B)とで、それぞれのポリイミドフィルム表面の表面配向を測定し、それぞれの表面における配向の平面内分布を楕円換算して楕円率(楕円率=楕円長軸に相当する最大配向/楕円短軸に相当する最小配向)を算出し、表裏両面における楕円率の比である、楕円率(B)/楕円率(A)を表裏の表面配向度比とする。
That is, the first of the present invention is a method for determining the quality of the polyimide film used for a flexible wiring board in which a metal layer is laminated on the polyimide film, wherein the polyimide film is composed of an aromatic diamine and 3,3 ′. The polyimide film has an imide bond composed of -4,4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, and the thermal expansion coefficient in the TD direction of the polyimide film is 10 ppm / K or more and 16 ppm / K or less. The polyimide film has an MD direction and a TD direction orthogonal to each other, and the polyimide film measures the orientation in the plane, and the orientation angle of molecules in the plane showing the maximum orientation which is the maximum value is the polyimide film. The absolute value of the difference in the TD direction or MD direction of the film is 0 degree or more and 30 degrees or less, and the polyimide film is Quality determination method of the polyimide film surface orientation ratio of the front and back being defined is less than 1.0.
Surface orientation degree ratio of front and back: The surface orientation of each polyimide film surface is measured on the laminated surface (A) and non-laminated surface (B) of the metal layer in the polyimide film, and the in-plane distribution of orientation on each surface Is converted into an ellipse to calculate the ellipticity (ellipticity = maximum orientation corresponding to the major axis of the ellipse / minimum orientation corresponding to the minor axis of the ellipse). Let the rate (A) be the surface orientation degree ratio of the front and back.

本発明の第二は、前記配向の測定を、複屈折を利用した光学的評価により行う第一の発明に記載のポリイミドフィルムの良否判定方法である。   A second aspect of the present invention is the polyimide film quality determination method according to the first aspect, wherein the orientation is measured by optical evaluation using birefringence.

本発明の第三は、第一又は第二の発明に記載の良否判定方法を経てスクリーニングされたポリイミドフィルムと、前記ポリイミドフィルムの一方の表面に下地金属層と、銅層と、を積層する工程と、を含む銅張積層板の製造方法である。   The third of the present invention is a step of laminating a polyimide film screened through the pass / fail judgment method according to the first or second invention, and a base metal layer and a copper layer on one surface of the polyimide film. And a method for producing a copper clad laminate.

本発明の第四は、第三の発明に記載の製造方法により製造された銅張積層板に配線加工を施す工程を含むフレキシブル配線板の製造方法である。   4th of this invention is a manufacturing method of a flexible wiring board including the process of performing wiring processing on the copper clad laminated board manufactured by the manufacturing method as described in 3rd invention.

本発明の第五は、前記配線加工が、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により行う第四の発明に記載のフレキシブル配線板の製造方法である。   A fifth aspect of the present invention is the method for manufacturing a flexible wiring board according to the fourth aspect, wherein the wiring processing is performed by a subtractive method or a semi-additive method.

本発明の良否判定方法により、良判定となったポリイミドフィルムを用いた銅張積層板及び銅張積層板を用いたフレキシブル配線板は、反り・ネジレが抑制されることから、電子機器の組み立て工程において、位置合わせが容易となり、その歩留りが高く、生産性の向上を可能とする。   According to the quality determination method of the present invention, the copper-clad laminate using the polyimide film that has been judged good and the flexible wiring board using the copper-clad laminate are suppressed in warping and twisting, and the assembly process of the electronic device In this case, the alignment becomes easy, the yield is high, and the productivity can be improved.

本発明の銅張積層板の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of the copper clad laminated board of this invention. 本発明の乾式めっきの一実施形態であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置の一具体例の正面図である。It is a front view of one specific example of the roll-to-roll sputtering apparatus which is one embodiment of the dry plating of the present invention. 本発明の湿式めっきの一実施形態であるロール・ツー・ロール電気めっき装置の一具体例の正面図である。It is a front view of one specific example of the roll-to-roll electroplating apparatus which is one Embodiment of the wet plating of this invention. 本発明の銅張積層板の反り・ネジレ評価時の模式図である。It is a schematic diagram at the time of warpage and twist evaluation of the copper clad laminate of the present invention.

以下、本発明の実施形態について説明する。本発明に係るポリイミドフィルムの良否判定方法は、ポリイミドフィルムとして、面内における配向の最大値である最大配向を示す面内の分子の配向角度が、ポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値で0度以上30度以下であり、かつ、表裏の分子配向の比である表面配向度比が1.0未満とするポリイミドフィルムの良否判定方法である。また、本発明に係るフレキシブル配線板の製造方法は、良否判定方法を経てスクリーニングされたポリイミドフィルムを用いる製造方法であって、図1に示すように、樹脂フィルムの一方の面側に銅を積層するフレキシブル銅張積層板形成工程と、銅をエッチングして銅配線を形成する工程を含むフレキシブル配線板の製造方法である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. The polyimide film quality determination method according to the present invention is such that, as a polyimide film, the in-plane molecular orientation angle indicating the maximum orientation, which is the maximum in-plane orientation, is the absolute difference between the TD direction and the MD direction of the polyimide film. This is a polyimide film quality determination method in which the value is 0 degree or more and 30 degrees or less, and the surface orientation degree ratio, which is the ratio of the front and back molecular orientations, is less than 1.0. Moreover, the manufacturing method of the flexible wiring board which concerns on this invention is a manufacturing method using the polyimide film screened through the quality determination method, Comprising: As shown in FIG. 1, it laminates | stacks copper on the one surface side of a resin film A flexible copper-clad laminate forming step and a method of manufacturing a flexible wiring board including a step of etching copper to form a copper wiring.

(1)銅張積層板
まず、フレキシブル配線板の製造の前提となる銅張積層板について説明する。フレキシブル配線板の製造に用いられる銅張積層板は、接着剤を用いて電解銅箔や圧延銅箔をベース層である絶縁性の樹脂フィルムに接着した「銅箔/接着剤層/樹脂フィルム」からなる3層構造の銅張積層板(以下、3層銅張積層板とも称する。)と、銅層若しくは銅箔と樹脂フィルムとが直接接合した「銅層若しくは銅箔/樹脂フィルム」からなる構造の銅張積層板(以下、銅張積層板とも称する。)とに分類することができる。
(1) Copper-clad laminate First, a copper-clad laminate, which is a premise for manufacturing a flexible wiring board, will be described. Copper-clad laminates used in the production of flexible wiring boards are "copper foil / adhesive layer / resin film" in which electrolytic copper foil or rolled copper foil is bonded to an insulating resin film as a base layer using an adhesive. A copper-clad laminate having a three-layer structure (hereinafter also referred to as a three-layer copper-clad laminate) and a “copper layer or copper foil / resin film” in which a copper layer or copper foil and a resin film are directly joined. It can be classified into a copper clad laminate having a structure (hereinafter also referred to as a copper clad laminate).

本発明の対象とする銅張積層板は、更に次の3種類に大別することができる。即ち、樹脂フィルムの表面に下地金属層と銅層を順次めっきして形成した銅張積層板(通称メタライジング基板)、銅箔に樹脂フィルムのワニスを塗って絶縁層を形成した銅張積層板(通称キャスト基板)、及び銅箔に樹脂フィルムをラミネートした銅張積層板(通称ラミネート基板)の3種類である。   The copper-clad laminate targeted by the present invention can be further divided into the following three types. That is, a copper clad laminate (commonly known as a metalizing substrate) formed by sequentially plating a base metal layer and a copper layer on the surface of a resin film, and a copper clad laminate obtained by applying a resin film varnish to a copper foil to form an insulating layer. (Commonly called cast substrate) and copper-clad laminate (commonly called laminate substrate) obtained by laminating a resin film on copper foil.

これらのうち、メタライジング基板は銅層の薄膜化が可能であり、かつ樹脂フィルムと銅層や下地金属層との界面の平滑性が高いため、キャスト基板やラミネート基板あるいは3層銅張積層板と比較して配線ピッチの微細化に適している。   Among these, the metallizing substrate can make the copper layer thin, and the smoothness of the interface between the resin film and the copper layer or the base metal layer is high, so the cast substrate, the laminate substrate, or the three-layer copper-clad laminate It is suitable for miniaturization of wiring pitch compared to

一方、キャスト基板やラミネート基板あるいは3層銅張積層板では、樹脂フィルム等と銅箔の界面のアンカー効果による密着性を向上のため、銅箔の表面うち樹脂フィルム側の表面粗さを粗くしているので、樹脂フィルムと銅箔の界面の平滑性は望めない。そのため、本発明に係る銅張積層板は、銅張積層板で、メタライジング基板を用いることが望ましい。   On the other hand, in cast substrates, laminate substrates, or three-layer copper-clad laminates, the surface roughness on the resin film side of the copper foil surface is increased in order to improve the adhesion due to the anchor effect at the interface between the resin film and the copper foil. Therefore, the smoothness of the interface between the resin film and the copper foil cannot be expected. Therefore, it is desirable that the copper-clad laminate according to the present invention is a copper-clad laminate and a metalizing substrate is used.

(2)メタライジング基板
次に、本発明の一実施形態であるメタライジング基板について説明する。図1はメタライジング基板(銅張積層板6)の一例を示す模式断面図である。
ポリイミドフィルムを用いた樹脂フィルム1の少なくとも片面に、樹脂フィルム1側から順に下地金属層2、銅薄膜層3、及び銅電気めっき層4が積層され、銅層5は銅薄膜層3と銅電気めっき層4とから構成されている。
(2) Metalizing board Next, the metalizing board which is one embodiment of the present invention is explained. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a metallizing substrate (copper-clad laminate 6).
The base metal layer 2, the copper thin film layer 3, and the copper electroplating layer 4 are laminated in order from the resin film 1 side on at least one surface of the resin film 1 using the polyimide film, and the copper layer 5 includes the copper thin film layer 3 and the copper electric layer. And a plating layer 4.

下地金属層2は、主として蒸着法やスパッタリング法等の乾式めっき法によって樹脂フィルム1の表面に形成される。ここで、下地金属層2は樹脂フィルム1と銅層5との密着性や耐熱性等の信頼性を確保するものである。従って、下地金属層2の材質は、ニッケル、クロム、又はこれらを主成分とする合金のいずれか1種とするのが好ましい。特に、密着強度や配線作製時のエッチングしやすさを考慮すると、ニッケル・クロム合金が適している。   The base metal layer 2 is formed on the surface of the resin film 1 mainly by a dry plating method such as a vapor deposition method or a sputtering method. Here, the base metal layer 2 ensures reliability such as adhesion and heat resistance between the resin film 1 and the copper layer 5. Therefore, it is preferable that the material of the base metal layer 2 is any one of nickel, chromium, or an alloy containing these as a main component. In particular, a nickel-chromium alloy is suitable in consideration of adhesion strength and ease of etching during wiring production.

下地金属層2に用いるニッケル・クロム合金は、その組成が、クロムを15質量%以上22質量%以下とするのが望ましく、これにより優れた耐食性や耐マイグレーション性が得られる。このうち、20質量%クロムのニッケル・クロム合金はニクロム合金として流通しており、マグネトロンスパッタリング法のスパッタリングターゲットとして容易に入手可能である。また、ニッケル又はクロムを含む合金には、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、コバルト等を添加してもよい。更に、クロム濃度の異なる複数のニッケル・クロム合金の薄膜を積層して、ニッケル・クロム合金に関して濃度勾配を有する下地金属層を成膜してもよい。   The nickel-chromium alloy used for the base metal layer 2 desirably has a chromium content of 15% by mass or more and 22% by mass or less, whereby excellent corrosion resistance and migration resistance can be obtained. Among these, nickel / chromium alloy of 20% by mass chromium is distributed as a nichrome alloy and can be easily obtained as a sputtering target of the magnetron sputtering method. Further, chromium, vanadium, titanium, molybdenum, cobalt, or the like may be added to an alloy containing nickel or chromium. Further, a plurality of nickel-chromium alloy thin films having different chromium concentrations may be laminated to form a base metal layer having a concentration gradient with respect to the nickel-chromium alloy.

下地金属層2の膜厚は、3〜50nmが望ましい。この下地金属層2の膜厚が3nm未満では、ポリイミドフィルムからなる樹脂フィルム1と銅層5との密着性を保てず、耐食性や耐マイグレーション性で劣るおそれがある。一方、下地金属層2の膜厚が50nmを超えると、サブトラクティブ法やセミアディティブ法で配線加工する際に下地金属層2の十分な除去が困難な場合が生じる。このように下地金属層2の除去が不十分な場合は、配線間のマイグレーション等の不具合が懸念される。   The film thickness of the base metal layer 2 is desirably 3 to 50 nm. If the film thickness of the base metal layer 2 is less than 3 nm, the adhesion between the resin film 1 made of a polyimide film and the copper layer 5 cannot be maintained, and the corrosion resistance and migration resistance may be inferior. On the other hand, if the thickness of the base metal layer 2 exceeds 50 nm, it may be difficult to sufficiently remove the base metal layer 2 when wiring processing is performed by a subtractive method or a semi-additive method. Thus, when the removal of the base metal layer 2 is insufficient, there is a concern about problems such as migration between wirings.

銅薄膜層3は、下地金属層2同様に、主として真空蒸着法、スパッタリング法やイオンプレーティング等の乾式めっき法によって下地金属層2の表面に形成される。銅薄膜層3は、主に銅で構成され、その膜厚は、10nm以上1μm以下が望ましい。銅薄膜層3の膜厚が10nm未満では、後述する銅電気めっき層4を電気めっき法で成膜する際の導電性の確保が困難になり、電気めっきの際の外観不良に繋がる。銅薄膜層3の膜厚が1μmを超えても銅張積層板の品質上の問題は生じないが、生産性が低下する問題を生じることから1μm以下が望ましい。   Similar to the base metal layer 2, the copper thin film layer 3 is formed on the surface of the base metal layer 2 mainly by a dry plating method such as vacuum deposition, sputtering, or ion plating. The copper thin film layer 3 is mainly composed of copper, and the film thickness is desirably 10 nm or more and 1 μm or less. When the film thickness of the copper thin film layer 3 is less than 10 nm, it becomes difficult to ensure conductivity when a copper electroplating layer 4 described later is formed by an electroplating method, which leads to poor appearance during electroplating. Even if the film thickness of the copper thin film layer 3 exceeds 1 μm, there is no problem in the quality of the copper-clad laminate, but 1 μm or less is desirable because it causes a problem of lowering productivity.

銅電気めっき層4と銅薄膜層3を合わせた銅層5の膜厚は12μm以下が望ましい。銅層5の膜厚が12μmを超えると配線ピッチ50μm以下のフレキシブル配線板への化学エッチング配線加工(サブトラクティブ法等の配線加工)が困難となる。また、銅層5の膜厚は、薄くなるほどフレキシブル配線板としての導電性は低下することになるが、この膜厚を5μm以上とすれば十分な導電性を有したフレキシブル配線板となる。   As for the film thickness of the copper layer 5 which combined the copper electroplating layer 4 and the copper thin film layer 3, 12 micrometers or less are desirable. When the film thickness of the copper layer 5 exceeds 12 μm, chemical etching wiring processing (wiring processing such as a subtractive method) to a flexible wiring board having a wiring pitch of 50 μm or less becomes difficult. Moreover, although the electrical conductivity as a flexible wiring board will fall, so that the film thickness of the copper layer 5 becomes thin, if this film thickness shall be 5 micrometers or more, it will become a flexible wiring board with sufficient electroconductivity.

樹脂フィルム1に使用するポリイミドフィルムは、芳香族ポリイミドフィルムを用いる。ポリイミドフィルムの特性は、芳香族ジアミンと芳香族酸無水物とによるイミド化合物により支配されるので、本発明に係るフレキシブル配線板の製造方法では、ポリイミドフィルムが、芳香族ジアミンと3,3‘−4,4−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物からなるイミド化合物を含有する。なお、芳香族ジアミンには、パラフェニレンジアミン等のジアミノベンゼンが挙げられる。このようなイミド結合をもつポリイミドフィルムには例えば、「ユーピレックス(登録商標 宇部興産株式会社製)」が知られている。「ユーピレックス(登録商標)」フィルムは市場で容易に入手することができる。   The polyimide film used for the resin film 1 is an aromatic polyimide film. Since the characteristics of the polyimide film are governed by an imide compound comprising an aromatic diamine and an aromatic acid anhydride, in the method for producing a flexible wiring board according to the present invention, the polyimide film is composed of an aromatic diamine and 3,3′- It contains an imide compound composed of 4,4-diphenyltetracarboxylic dianhydride. Aromatic diamines include diaminobenzenes such as paraphenylenediamine. For example, “UPILEX (registered trademark, manufactured by Ube Industries)” is known as a polyimide film having such an imide bond. “Upilex®” film is readily available on the market.

また、ポリイミドフィルムは、延伸によってTD方向の熱膨張係数が10ppm/K以上16ppm/K以下であるポリイミドフィルムとする。熱膨張係数がこのような範囲であることで、フレキシブル配線板の反り・ネジレを抑制することができる。なお、本明細書における熱膨張係数とは、50℃から200℃の範囲内で5℃/minの速度で昇温したときの熱膨張係数を意味する。   The polyimide film is a polyimide film having a thermal expansion coefficient in the TD direction of 10 ppm / K or more and 16 ppm / K or less by stretching. When the thermal expansion coefficient is in such a range, warping and twisting of the flexible wiring board can be suppressed. In addition, the thermal expansion coefficient in this specification means the thermal expansion coefficient when the temperature is increased at a rate of 5 ° C./min within the range of 50 ° C. to 200 ° C.

ポリイミドフィルムの厚みは、柔軟性とフィルムとして形状が保てる厚みであればよく、厚み10μm〜50μmが望ましい。   The thickness of a polyimide film should just be the thickness which can keep a shape as a softness | flexibility and a film, and thickness 10 micrometers-50 micrometers are desirable.

(3)メタライジング基板の製造方法
次に、本発明の一実施形態であるメタライジング基板の製造方法について説明する。メタライジング基板の製造方法の一例としては、以下に示す(a)〜(c)の3工程を経て製造される。
(3) Manufacturing method of metallizing substrate Next, the manufacturing method of the metalizing substrate which is one Embodiment of this invention is demonstrated. As an example of a manufacturing method of a metalizing substrate, it is manufactured through the following three steps (a) to (c).

(a)脱水工程:樹脂フィルムとして用いるポリイミドフィルムに対して脱水処理を行う。
(b)乾式めっき工程:脱水処理したポリイミドフィルムの少なくとも一方の表面にスパッタリング法等の乾式めっき法で下地金属層を成膜し、下地金属層の表面に乾式めっき法で銅薄膜層を成膜する。
(c)湿式めっき工程:下地金属層と銅薄膜層が成膜された銅薄膜層付樹脂フィルムの銅薄膜層の表面に、硫酸銅水溶液中で電気めっき法等の湿式めっき法で銅電気めっきを成膜する。
(A) Dehydration step: A dehydration treatment is performed on a polyimide film used as a resin film.
(B) Dry plating process: A base metal layer is formed on at least one surface of a dehydrated polyimide film by a dry plating method such as sputtering, and a copper thin film layer is formed on the surface of the base metal layer by a dry plating method. To do.
(C) Wet plating process: Copper electroplating by a wet plating method such as an electroplating method in an aqueous copper sulfate solution on the surface of the copper thin film layer of the resin film with a copper thin film layer on which the base metal layer and the copper thin film layer are formed. Is deposited.

以下、メタライジング基板の製造方法について詳しく説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing the metalizing substrate will be described in detail.

(a)脱水工程
メタライジング基板に用いられるポリイミドフィルムは、後述の乾式めっきを施す前に脱水することが好ましい。この脱水が不十分であると、下地金属層に水分が取り込まれて酸化してしまい、サブトラクティブ法を用いたフレキシブル配線板を作製する時に、十分な化学エッチング処理を行うことができない。
(A) Dehydration process It is preferable to dehydrate the polyimide film used for the metalizing substrate before performing dry plating described below. If this dehydration is insufficient, moisture will be taken into the base metal layer and oxidized, and sufficient chemical etching cannot be performed when a flexible wiring board using the subtractive method is produced.

このため、配線の縁や配線間に下地金属層が溶け残り、エッチング残渣と呼ばれる金属成分が残存することに起因して、得られるフレキシブル配線板の絶縁信頼性が低下するといった問題がある。   For this reason, there is a problem that the insulation reliability of the obtained flexible wiring board is lowered due to the fact that the base metal layer remains undissolved between the edges of the wiring and between the wirings, and a metal component called an etching residue remains.

ポリイミドフィルムはロール状に巻回されているので、ロール・ツー・ロールでポリイミドフィルムを搬送しながら連続的に脱水処理を行う。脱水処理の方法は特に限定されないが、ヒーター等の加熱装置を用いて大気中若しくは減圧雰囲気下で加熱する方法、減圧雰囲気下でプラズマ処理又はイオンビーム処理をする方法等、公知の方法を用いればよい。
これらの方法を用いて、ポリイミドフィルムにシワが発生しないように脱水処理を行う。
Since the polyimide film is wound in a roll shape, the dehydration process is continuously performed while the polyimide film is conveyed by roll-to-roll. The method of the dehydration treatment is not particularly limited, and a known method such as a method of heating in the air or in a reduced pressure atmosphere using a heating device such as a heater, a method of performing plasma treatment or ion beam treatment in a reduced pressure atmosphere, or the like may be used. Good.
Using these methods, dehydration treatment is performed so that wrinkles are not generated in the polyimide film.

(b)乾式めっき工程
ポリイミドフィルムに下地金属層や銅薄膜層を成膜するには、例えば図2に示すロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いればよい。なお、乾式めっき方法はこのスパッタリングに限定されることはなく、真空蒸着、イオンプレーティング等を用いてもかまわない。
(B) Dry plating process In order to form a base metal layer or a copper thin film layer on a polyimide film, for example, a roll-to-roll sputtering apparatus shown in FIG. 2 may be used. The dry plating method is not limited to this sputtering, and vacuum deposition, ion plating, or the like may be used.

この図2に示すロール・ツー・ロールスパッタリング装置10は、直方体状のチャンバー12内にその構成要素のほとんどを収納した構造になっている。チャンバー12の形状は図2の直方体形状に限られるものではなく、10−4Pa〜1Pa程度の減圧状態を維持できるのであれば円筒形状等の他の形状でもよい。 The roll-to-roll sputtering apparatus 10 shown in FIG. 2 has a structure in which most of its constituent elements are housed in a rectangular parallelepiped chamber 12. The shape of the chamber 12 is not limited to the rectangular parallelepiped shape of FIG. 2, and may be other shapes such as a cylindrical shape as long as a reduced pressure state of about 10 −4 Pa to 1 Pa can be maintained.

このチャンバー12内に、ポリイミドフィルムからなる樹脂フィルムF1が引き出される巻出ロール13、樹脂フィルムF1の搬送に追従して回転するフリーロール11、樹脂フィルムF1を外周面に巻き付けて冷却するキャンロール14、マグネトロンカソード式のスパッタリングカソード15、キャンロール14に隣接して設けられた前フィードロール16a及び後フィードロール16b、張力センサーを備えたテンションロール17a、17b、下地金属層及び銅薄膜層が成膜された樹脂フィルムF2をロール状に巻き取る巻取ロール18が設けられている。   Inside this chamber 12, an unwinding roll 13 from which a resin film F1 made of a polyimide film is drawn, a free roll 11 that rotates following the conveyance of the resin film F1, and a can roll 14 that winds and cools the resin film F1 around the outer peripheral surface. A magnetron cathode type sputtering cathode 15, a front feed roll 16a and a rear feed roll 16b provided adjacent to the can roll 14, tension rolls 17a and 17b equipped with a tension sensor, a base metal layer and a copper thin film layer are formed. A take-up roll 18 is provided for winding the resin film F <b> 2 in a roll shape.

これらのうち、巻出ロール13、キャンロール14、前フィードロール16a、及び巻取ロール18には回転駆動手段であるサーボモータが備わっている。更に巻出ロール13及び巻取ロール18の各々は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって搬送中の樹脂フィルムの張力バランスを保っている。フリーロール11a、11b、キャンロール14、及びテンションロール17a、17bは、外周面が硬質クロムめっきで仕上げられている。   Among these, the unwinding roll 13, the can roll 14, the front feed roll 16 a, and the take-up roll 18 are provided with servo motors that are rotation driving means. Further, each of the unwinding roll 13 and the winding roll 18 maintains the tension balance of the resin film being conveyed by torque control using a powder clutch or the like. The outer surfaces of the free rolls 11a and 11b, the can roll 14 and the tension rolls 17a and 17b are finished with hard chrome plating.

キャンロール14の内部にはチャンバー12の外部から供給される冷媒や温媒が循環しており、キャンロール14の外周面を略一定の温度に調整することができる。このキャンロール14の外周面に対向してスパッタリングカソード15a〜15dが配置されている。キャンロール14の外周面の幅方向におけるスパッタリングカソード15a〜15dの寸法は、樹脂フィルムF1の幅よりも大きいのが好ましい。   A refrigerant and a heating medium supplied from the outside of the chamber 12 circulate inside the can roll 14, and the outer peripheral surface of the can roll 14 can be adjusted to a substantially constant temperature. Sputtering cathodes 15 a to 15 d are arranged facing the outer peripheral surface of the can roll 14. The dimensions of the sputtering cathodes 15a to 15d in the width direction of the outer peripheral surface of the can roll 14 are preferably larger than the width of the resin film F1.

(c)湿式めっき工程
上記乾式めっき法で銅薄膜層が成膜された銅薄膜層付樹脂フィルムF2は、次に湿式めっき法により銅電気めっき層の成膜が行われる。湿式めっき法を行う装置としては、例えば硫酸銅等のめっき浴中にて不溶性アノードを用いて電気めっきを行う装置を挙げることができる。なお、使用する銅めっき浴の組成は、通常用いられるプリント配線板用のハイスロー硫酸銅めっき浴でもよい。
(C) Wet Plating Step Next, the copper electroplated layer is formed by the wet plating method on the resin film F2 with the copper thin film layer on which the copper thin film layer is formed by the dry plating method. Examples of the apparatus for performing the wet plating method include an apparatus for performing electroplating using an insoluble anode in a plating bath such as copper sulfate. In addition, the composition of the copper plating bath to be used may be a commonly used high-throw copper sulfate plating bath for printed wiring boards.

図3には、かかる電気めっき装置の一具体例として、ロール・ツー・ロール電気めっき装置20(以下電気めっき装置20とも称する。)が示されている。この電気めっき装置20は、下地金属層と銅薄膜層を成膜して得られた銅薄膜層付樹脂フィルムF2をロール・ツー・ロールで連続的に搬送することで電気めっき槽21内のめっき液28への浸漬状態と非浸漬状態とを繰り返し、めっき液28に浸漬している間に電気めっきにより金属薄膜の表面に銅電気めっき層を成膜するものである。これにより所定の膜厚の銅層が形成された銅張積層板Sを作製することができる。なお、銅薄膜層付樹脂フィルムF2の搬送速度は、数m〜数十m/分の範囲が好ましい。   FIG. 3 shows a roll-to-roll electroplating apparatus 20 (hereinafter also referred to as electroplating apparatus 20) as a specific example of such an electroplating apparatus. The electroplating apparatus 20 is configured to perform plating in the electroplating tank 21 by continuously transporting a resin film F2 with a copper thin film layer obtained by forming a base metal layer and a copper thin film layer in a roll-to-roll manner. A copper electroplating layer is formed on the surface of the metal thin film by electroplating while being immersed in the plating solution 28 by repeating the immersion in the solution 28 and the non-immersion state. Thereby, the copper clad laminated board S in which the copper layer of the predetermined | prescribed film thickness was formed can be produced. In addition, the conveyance speed of the resin film F2 with a copper thin film layer has the preferable range of several m-several dozen m / min.

具体的に説明すると、銅薄膜層付樹脂フィルムF2は、巻出ロール22から巻き出され、給電ロール26aを経て、電気めっき槽21内のめっき液28に浸漬される。めっき液28内に入った銅薄膜層付樹脂フィルムF2は、反転ロール23により搬送方向が反転された後、めっき液面28aより上に引き上げられる。
反転ロール23での反転の直前及び直後の搬送経路を走行する銅薄膜層付樹脂フィルムF2に対向する位置にはそれぞれアノード24a及びアノード24bが設けられている。各アノードは給電ロールとの間で電圧が印加されるようになっており、例えば給電ロール26a、アノード24a、めっき液、銅薄膜層付樹脂フィルムF2及び電源により電気めっき回路が構成される。
これにより銅薄膜層付樹脂フィルムF2の表面に電気めっき処理が施される。
If it demonstrates concretely, the resin film F2 with a copper thin film layer will be unwound from the unwinding roll 22, and will be immersed in the plating solution 28 in the electroplating tank 21 through the electric power feeding roll 26a. The resin film F2 with a copper thin film layer that has entered the plating solution 28 is pulled up above the plating solution surface 28a after the conveying direction is reversed by the reversing roll 23.
An anode 24a and an anode 24b are respectively provided at positions facing the resin film F2 with a copper thin film layer that runs on the transport path immediately before and immediately after the reversal by the reversing roll 23. A voltage is applied between each anode and a power supply roll. For example, an electroplating circuit is configured by the power supply roll 26a, the anode 24a, a plating solution, a resin film F2 with a copper thin film layer, and a power source.
Thereby, an electroplating process is given to the surface of the resin film F2 with a copper thin film layer.

即ち、11個の給電ロール26a〜26k及び10個の反転ロール23により銅薄膜層付樹脂フィルムF2にはめっき液28への浸漬状態と非浸漬状態とが複数回(図3では合計10回)繰り返され、これにより銅薄膜層付樹脂フィルムF2の銅薄膜層上に徐々に銅層が成膜され、銅張積層板Sを形成していく。最終の反転ロール23で搬送方向が反転せしめられた銅張積層板Sは給電ロール26kを経た後、巻取ロール29に巻き取られる。なお、各アノードを構成する不溶性アノードには導電性セラミックで表面をコーティングした公知のものを使用することができる。   That is, by 11 power supply rolls 26a to 26k and 10 reversing rolls 23, the resin film F2 with a copper thin film layer is immersed in the plating solution 28 several times and in a non-immersed state (total of 10 times in FIG. 3). Repeatedly, a copper layer is gradually formed on the copper thin film layer of the resin film F2 with a copper thin film layer, and the copper-clad laminate S is formed. The copper-clad laminate S whose direction of conveyance has been reversed by the final reversing roll 23 passes through the power supply roll 26k and is then wound around the winding roll 29. As the insoluble anode constituting each anode, a known one whose surface is coated with a conductive ceramic can be used.

電気めっき槽21の外部には、めっき液28に銅イオンを供給する機構が設けられている。このめっき液28への銅イオンの供給は、酸化銅水溶液、水酸化銅水溶液、炭酸銅水溶液等で供給するのが好ましい。あるいは、めっき液中に微量の鉄イオンを添加して、無酸素銅ボールを溶解して銅イオンを供給する方法でもよい。   A mechanism for supplying copper ions to the plating solution 28 is provided outside the electroplating tank 21. It is preferable to supply the copper ions to the plating solution 28 with a copper oxide aqueous solution, a copper hydroxide aqueous solution, a copper carbonate aqueous solution or the like. Or the method of adding a trace amount iron ion in a plating solution, melt | dissolving an oxygen-free copper ball | bowl, and supplying copper ion may be used.

電気めっき中における電流密度は、アノード24aから搬送方向下流に進むにつれて電流密度を段階的に上昇させ、アノード24qから24tで最大の電流密度となるようにするのが好ましい。
このように電流密度を上昇させることで、銅層の変色を防ぐことができる。また、銅層の膜厚が薄い場合に電流密度が高いと銅層の変色が起こりやすいため、めっき中の電流密度は0.1〜8A/dmが望ましい。この電流密度が8A/dmより高くなると銅電気めっき層の外観不良が発生するおそれがある。
The current density during electroplating is preferably increased stepwise from the anode 24a to the downstream in the transport direction so that the maximum current density is obtained from the anodes 24q to 24t.
Thus, discoloration of the copper layer can be prevented by increasing the current density. Further, since the color change tends to occur in the current density is high and the copper layer when the thickness of the copper layer is thin, the current density in the plating 0.1~8A / dm 2 is preferred. When this current density is higher than 8 A / dm 2, there is a possibility that a poor appearance of the copper electroplating layer may occur.

上記説明したように銅電気めっき層が成膜されて、銅張積層板のメタライジング基板が得られる。得られたメタライジング基板は、配線加工に適した幅にスリッターで裁断される。   As described above, a copper electroplating layer is formed to obtain a metallized substrate of a copper-clad laminate. The obtained metallizing substrate is cut with a slitter to a width suitable for wiring processing.

(4)フレキシブル配線板の製造方法
次に、本発明に係るフレキシブル配線板の製造方法を詳細に説明する。先ず、配線ピッチが微細化されたフレキシブル配線板の配線加工方法としては、サブトラクティブ法として以下のものが知られている。
(4) Manufacturing method of flexible wiring board Next, the manufacturing method of the flexible wiring board which concerns on this invention is demonstrated in detail. First, as a wiring processing method of a flexible wiring board with a fine wiring pitch, the following is known as a subtractive method.

配線加工に適した幅に裁断されたメタライジング基板は、その銅層の表面にフォトレジスト膜が形成され、このフォトレジスト膜を露光、現像して所望のパターンを形成する。次に、形成されたフォトレジストパターンをマスクとして、露出した銅層をエッチングして、フォトレジストパターンと略相似形状の銅層と下地金属層からなる配線パターンを形成する。次いでフォトレジスト層をアルカリ溶液等により剥離除去する。フォトレジスト層を剥離除去後に、必要に応じて、錫めっきを施し、ソルダーレジスト膜が形成されてフレキシブル配線板が作製される。   In the metalizing substrate cut to a width suitable for wiring processing, a photoresist film is formed on the surface of the copper layer, and this photoresist film is exposed and developed to form a desired pattern. Next, using the formed photoresist pattern as a mask, the exposed copper layer is etched to form a wiring pattern composed of a copper layer and a base metal layer having a shape substantially similar to the photoresist pattern. Next, the photoresist layer is peeled off with an alkaline solution or the like. After stripping and removing the photoresist layer, tin plating is performed as necessary, and a solder resist film is formed to produce a flexible wiring board.

フォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程は、液状のフォトレジストをスクリーン印刷等公知の塗布方法で銅層表面に塗布され、塗布後、加熱乾燥される。
この液状フォトレジストの加熱乾燥の際に、銅張積層板も熱が加わり熱処理が行われる。
その液状フォトレジストの乾燥条件は、温度100℃〜150℃の範囲で、乾燥時間は5分以上である。
In the photoresist film forming step of forming a photoresist film, a liquid photoresist is applied to the surface of the copper layer by a known coating method such as screen printing, and is heated and dried after coating.
When the liquid photoresist is heated and dried, the copper clad laminate is also heated and subjected to heat treatment.
The drying conditions for the liquid photoresist are a temperature range of 100 ° C. to 150 ° C. and a drying time of 5 minutes or more.

なお、フォトレジスト膜はドライフィルムタイプのフォトレジスト(ドライフィルム)を銅層の表面にラミネートしてもよい。ドライフィルムレジストをラミネートする場合は公知のラミネート方法で、温度100℃〜150℃で数秒以上加圧密着される。瞬間的ではあるが、ドライフィルムレジストのラミネートでも銅張積層板には加熱される熱処理が行われる。   The photoresist film may be a dry film type photoresist (dry film) laminated on the surface of the copper layer. When laminating a dry film resist, it is pressure-contacted at a temperature of 100 ° C. to 150 ° C. for several seconds or more by a known laminating method. Although it is instantaneous, heat treatment to be heated is performed on the copper clad laminate even when laminating a dry film resist.

フォトレジスト膜形成工程の次は露光工程である。銅張積層板の銅層の表面に形成されたフォトレジスト膜は、露光工程においては、銅層に配線パターンを形成するために、所定パターンからなるフォトマスクを介して紫外線をフォトレジストに照射し、露光部を形成する。   Next to the photoresist film forming step is an exposure step. In the exposure process, the photoresist film formed on the surface of the copper layer of the copper clad laminate is irradiated with ultraviolet rays through a photomask having a predetermined pattern in order to form a wiring pattern on the copper layer. Then, an exposed portion is formed.

露光工程の次は現像工程である。露光されたフォトレジストは、現像工程においては、露光領域を現像液で溶解除去し、開口部を有するフォトレジストパターンが形成される。
現像工程は、現像液に、例えば、温度30℃〜50℃とした炭酸ナトリウム水溶液やトリエタノールアミン水溶液等のアルカリ溶液を用い、現像液をシャワー噴射して行う。
The exposure process is followed by a development process. In the developing process, the exposed photoresist is dissolved and removed with a developing solution to form a photoresist pattern having openings.
The developing step is performed by showering the developer with an alkaline solution such as a sodium carbonate aqueous solution or a triethanolamine aqueous solution at a temperature of 30 ° C. to 50 ° C., for example.

現像工程の次は化学エッチング工程である。フォトレジストパターンが形成された後、この化学エッチング工程で、銅張積層板は配線パターンに加工される。エッチング液は銅層や下地金属層(以降あわせて金属膜層とも称する)がエッチングできる組成が望ましい。   Following the development process is a chemical etching process. After the photoresist pattern is formed, the copper-clad laminate is processed into a wiring pattern in this chemical etching process. The etchant preferably has a composition capable of etching a copper layer or a base metal layer (hereinafter also referred to as a metal film layer).

使用するエッチング液としては、例えば、塩化第二銅水溶液や塩化第二鉄水溶液が用いられる。その処理条件としては、例えば、温度が40〜50℃、シャワー圧力が0.1〜0.7MPa、処理時間が20〜120秒という条件でエッチング液を噴射してエッチング処理が行われる。このとき、下地金属層も同時にエッチング除去される。また、必要に応じて過マンガン酸塩水溶液等の下地金属層除去剤をシャワー噴射して下地金属層除去工程を加えてもよい。   As an etching solution to be used, for example, a cupric chloride aqueous solution or a ferric chloride aqueous solution is used. As the processing conditions, for example, the etching process is performed by spraying an etching solution under the conditions of a temperature of 40 to 50 ° C., a shower pressure of 0.1 to 0.7 MPa, and a processing time of 20 to 120 seconds. At this time, the underlying metal layer is also etched away. Moreover, you may add a base metal layer removal process by shower-injecting base metal layer removal agents, such as permanganate aqueous solution, as needed.

この化学エッチング工程を経て配線パターンが形成されると、フォトレジストパターンはフォトレジスト剥離工程で剥離される。フォトレジスト剥離工程においては、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ溶液で、フォトレジストパターンが溶解除去される。   When the wiring pattern is formed through this chemical etching process, the photoresist pattern is stripped in the photoresist stripping process. In the photoresist stripping step, the photoresist pattern is dissolved and removed with an alkaline solution such as an aqueous sodium hydroxide solution.

フォトレジスト除去工程の後、水洗による薬液除去の後、エアーナイフ等の液切により乾燥される。化学エッチング工程とフォトレジスト剥離工程は連続して行われる。   After the photoresist removal step, the chemical solution is removed by washing with water, and then dried by draining with an air knife or the like. The chemical etching process and the photoresist stripping process are performed continuously.

以降必要に応じて、錫めっき工程とソルダーレジスト膜形成工程が行われる。錫めっき工程においては、化学エッチング工程により形成された銅層の配線の表面上に、公知の無電解錫めっき法で、錫めっき層が形成される。錫めっき工程の後水洗による薬液除去の後、エアーナイフ等の液切により乾燥される。乾燥後は次工程のソルダーレジスト膜形成工程へ移る。   Thereafter, a tin plating step and a solder resist film forming step are performed as necessary. In the tin plating step, a tin plating layer is formed on the surface of the copper layer wiring formed by the chemical etching step by a known electroless tin plating method. After the tin plating step, the chemical solution is removed by washing with water, and then dried by draining with an air knife or the like. After drying, the process proceeds to the next solder resist film forming step.

ソルダーレジスト膜形成工程は、スクリーン印刷により、所定パターンのソルダーレジストを配線パターン上に印刷する。ソルダーレジストには、ポリイミド系(日立化成工業株式会社製:SN−9000)やウレタン系(日本ポリテック株式会社製:NPR−3300)のものが使用可能であり、いずれも加熱により硬化するソルダーレジストである。   In the solder resist film forming step, a predetermined pattern of the solder resist is printed on the wiring pattern by screen printing. As the solder resist, polyimide (made by Hitachi Chemical Co., Ltd .: SN-9000) or urethane (made by Nippon Polytech Co., Ltd .: NPR-3300) can be used, both of which are hardened by heating. is there.

ソルダーレジスト印刷の後、ソルダーレジストは加熱硬化される。
ソルダーレジストの加熱硬化条件は、温度100℃〜150℃の範囲に加熱される。ソルダーレジスト加熱硬化でも、銅張積層板には、熱処理が施されることになる。
After the solder resist printing, the solder resist is heated and cured.
The heat curing conditions of the solder resist are heated to a temperature range of 100 ° C to 150 ° C. Even with solder resist heat curing, the copper clad laminate is subjected to heat treatment.

以上の工程を経て、フレキシブル配線板の製品として完成する。そして、必要に応じて電子部品の実装しやすい大きさに裁断される。   Through the above steps, the product is completed as a flexible wiring board product. And if necessary, it is cut into a size that facilitates mounting of electronic components.

(5)ポリイミドフィルムの良否判定方法
次に、本発明の一実施形態であるポリイミドフィルムの良否判定方法について説明する。上記実施形態の銅張積層板やフレキシブル配線板に用いることのできるポリイミドフィルムは、(I)平面内における配向を測定し、その最大値である最大配向を示す面内の分子の配向角度が、ポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値で0度以上30度以下であり、かつ、(II)表裏の表面配向度比が1.0未満とする。なお、本明細書において配向とは、例えば、光学的評価における屈折率等のようにフィルム面内の分子鎖の並びを表すパラメータを意味する。分子鎖が一定方向に配列したポリイミドフィルムをこのような範囲とすることで、当該ポリイミドフィルムを用いた銅張積層板やフレキシブル配線板の反り・ネジレを小さいものとすることができる。
(5) Polyimide film quality determination method Next, a polyimide film quality determination method according to an embodiment of the present invention will be described. The polyimide film that can be used for the copper-clad laminate and the flexible wiring board of the above embodiment is (I) measuring the orientation in the plane, and the orientation angle of the molecules in the plane showing the maximum orientation, which is the maximum value, The absolute value of the difference in the TD direction or MD direction of the polyimide film is 0 degree or more and 30 degrees or less, and (II) the front and back surface orientation ratio is less than 1.0. In the present specification, the orientation means a parameter representing the arrangement of molecular chains in the film plane, such as a refractive index in optical evaluation. By setting the polyimide film in which molecular chains are arranged in a certain direction in such a range, warpage and twist of a copper-clad laminate or a flexible wiring board using the polyimide film can be reduced.

なお、表裏の表面配向度比とは、ポリイミドフィルムの金属層の積層面(A)と、非積層面(B)とで、それぞれのポリイミドフィルム表面の表面配向を測定し、それぞれの表面における配向の平面内分布を楕円換算して楕円率(楕円率=楕円長軸に相当する最大配向/楕円短軸に相当する最小配向)を算出し、表裏両面における楕円率の比である、楕円率(B)/楕円率(A)を表裏の表面配向度比とする。   In addition, the surface orientation degree ratio of the front and back means the surface orientation of each polyimide film surface on the laminated surface (A) and the non-laminated surface (B) of the metal layer of the polyimide film, and the orientation on each surface. The in-plane distribution is converted into an ellipse to calculate an ellipticity (ellipticity = maximum orientation corresponding to the major axis of the ellipse / minimum orientation corresponding to the minor axis of the ellipse). B) / Ellipticity (A) is the ratio of the front and back surface orientation degrees.

(I)ポリイミドフィルムの平面内の分子の配向角度の測定方法
ポリイミドフィルムの平面内の分子の配向角度の測定方法では、まず、ポリイミドフィルムの平面内における配向を測定する。ポリイミドフィルムの配向の測定方法は、直接的に分子配向を評価するX線回折法、赤外分光法、レーザーラマン分光法の他、偏光測定、複屈折等の光学的評価、誘電率等の電気的測定、熱膨張率測定等の熱的測定、引張試験等の力学的測定、超音波による配向評価等間接的に分子配向を評価する方法等を用いることができる。後述するように、表裏の表面配向度比を求める必要性の観点から、赤外分光法や複屈折を利用した光学的評価を用いて配向を求めるのが好ましく、中でも測定精度の観点から複屈折を利用した光学的評価を用いることが最も好ましい。
(I) Method for Measuring Molecular Orientation Angle in the Plane of Polyimide Film In the method for measuring the molecular orientation angle in the plane of the polyimide film, first, the orientation in the plane of the polyimide film is measured. The method for measuring the orientation of the polyimide film includes X-ray diffraction, infrared spectroscopy, laser Raman spectroscopy, which directly evaluates molecular orientation, polarization measurement, optical evaluation such as birefringence, and electrical properties such as dielectric constant. A method for evaluating molecular orientation indirectly such as thermal measurement such as mechanical measurement, thermal expansion coefficient measurement, mechanical measurement such as tensile test, and orientation evaluation by ultrasonic waves can be used. As will be described later, from the viewpoint of the need to determine the surface orientation ratio between the front and back surfaces, it is preferable to determine the orientation using infrared spectroscopy or optical evaluation utilizing birefringence, and in particular, birefringence from the viewpoint of measurement accuracy. It is most preferable to use optical evaluation using

複屈折を利用した光学的評価とは、例えば分光エリプソメトリーによる光学的評価を挙げることができる。分光エリプソメトリーとは、試料表面に一定角度の直線偏光を照射し、試料表面又はバルクで相互作用した反射光の楕円偏光の振幅比と位相差から屈折率等の光学定数を評価する方法である。配向が大きい場合には測定される屈折率は大きくなる。そして、面内の測定角度を一定間隔で変更して試料平面の全方向(360度)の屈折率(配向)を測定することで試料面内の分子鎖の並びを評価することができる。   The optical evaluation using birefringence includes optical evaluation by spectroscopic ellipsometry, for example. Spectroscopic ellipsometry is a method of irradiating a sample surface with linearly polarized light at a certain angle and evaluating optical constants such as refractive index from the amplitude ratio and phase difference of elliptically polarized light of the reflected light interacting with the sample surface or bulk. . When the orientation is large, the measured refractive index becomes large. The alignment of molecular chains in the sample plane can be evaluated by changing the measurement angle in the plane at regular intervals and measuring the refractive index (orientation) in all directions (360 degrees) of the sample plane.

分光エリプソメトリーにより、ポリイミドフィルム表面の屈折率(配向)を測定する場合には、照射角度はポリイミドフィルム表面の法線方向を0度としたときの70度〜80度程度の角度で行うのが好ましい。70度〜80度程度であれば、直線偏光がポリイミドフィルム表面を主として相互作用するからである。また、ポリイミドフィルム表面に照射する偏光の波長は可視領域(400nm〜700nm程度)で測定するのが好ましい。分光エリプソメトリーは、例えばジェー・エー・ウーラム製VASEやセミラボ製SE2000等を使用することで測定することができる。   When the refractive index (orientation) of the polyimide film surface is measured by spectroscopic ellipsometry, the irradiation angle is about 70 ° to 80 ° when the normal direction of the polyimide film surface is 0 °. preferable. This is because linearly polarized light mainly interacts with the polyimide film surface if it is about 70 to 80 degrees. Moreover, it is preferable to measure the wavelength of the polarized light irradiated to the polyimide film surface in a visible region (about 400 nm to 700 nm). Spectral ellipsometry can be measured by using, for example, VASE manufactured by JA Woollam, SE2000 manufactured by Semilab, or the like.

分光エリプソメトリーで分子の配向を測定する場合において、ポリイミドフィルムのバルクを測定する際には、照射角度はポリイミドフィルム表面の法線方向を0度としたときの40度〜70度程度の角度とし直線偏光をポリイミドフィルム内部に透過させ、バルク状態で測定することができる。   When measuring the molecular orientation by spectroscopic ellipsometry, when measuring the bulk of the polyimide film, the irradiation angle is about 40 to 70 degrees when the normal direction of the polyimide film surface is 0 degree. Linearly polarized light can be transmitted through the polyimide film and measured in a bulk state.

本発明のポリイミドフィルムの良否判定方法は、上記のいずれかの方法によりポリイミドフィルムの平面内の全方向の配向を測定し、その最大値である最大配向を求める。最大配向を求める方法は特に限定されるわけではないが、例えば、フィルムの平面内を所定の角度(例えば10度〜30度)毎に、ポリイミドフィルムの面内の全方向(360度)の配向を測定し、配向の平面内分布を楕円換算する。そして当該楕円換算された楕円の長軸から最大配向を求めることができる。   The quality determination method of the polyimide film of the present invention measures the orientation in all directions in the plane of the polyimide film by any one of the above methods, and obtains the maximum orientation which is the maximum value. The method for obtaining the maximum orientation is not particularly limited. For example, the orientation in all directions (360 degrees) in the plane of the polyimide film at every predetermined angle (for example, 10 degrees to 30 degrees) in the plane of the film. Is measured, and the in-plane distribution of orientation is converted into an ellipse. The maximum orientation can be obtained from the major axis of the ellipse converted into the ellipse.

本発明のポリイミドフィルムの良否判定方法は、ポリイミドフィルムの最大配向を求め、最大配向を示す面内の分子の配向角度と、ポリイミドフィルムのTD方向(Transverse Direction)又はMD方向(Machine Direction)の差の絶対値で0度以上30度以下を良否判定基準とする。このような範囲であれば、当該ポリイミドフィルムを用いた銅張積層板やフレキシブル配線板の反り・ネジレを小さいものとすることができる。なお、MD方向とは、ポリイミドフィルムの製造時においてフィルムを二軸延伸し、フィルムが延伸される流れ方向(巻取り方向)を意味し、TD方向とは、フィルムの流れ方向であるMD方向に対し垂直をなす方向を意味する   The polyimide film quality determination method of the present invention obtains the maximum orientation of the polyimide film, and the difference between the orientation angle of the molecules in the plane showing the maximum orientation and the TD direction (Transverse Direction) or MD direction (Machine Direction) of the polyimide film. An absolute value of 0 degrees or more and 30 degrees or less is used as a pass / fail criterion. If it is such a range, the curvature and twist of the copper clad laminated board and flexible wiring board using the said polyimide film can be made small. The MD direction means the flow direction (winding direction) in which the film is biaxially stretched during the production of the polyimide film and the film is stretched, and the TD direction is the MD direction that is the film flow direction. Means the direction perpendicular to

(II)表裏の表面配向度比の算出方法
ポリイミドフィルムの良否判定方法における表裏の表面配向度比の算出方法では、まず、上述のようにポリイミドフィルムの金属層の積層面(A)と、非積層面(B)とで、それぞれのポリイミドフィルム表面の表面配向を測定する。表面配向は、上述と同様の複屈折を利用した光学的評価方法等を用いることにより測定することができる。そして、それぞれの表面における配向の平面内分布を楕円換算して楕円率(楕円長軸に相当する最大配向/楕円短軸に相当する最小配向)を求める。金属層の積層面(A)と、非積層面(B)の楕円率をそれぞれ算出し、表裏両面における楕円率の比である、楕円率(B)/楕円率(A)を算出する。楕円率(B)/楕円率(A)が1.0未満を良否判定基準とする。このような範囲であれば、当該ポリイミドフィルムを用いた銅張積層板やフレキシブル配線板の反り・ネジレを小さいものとすることができる。
(II) Calculation method of front and back surface orientation degree ratio In the calculation method of front and back surface orientation degree ratio in the polyimide film quality determination method, first, as described above, the laminated surface (A) of the polyimide film metal layer, and non- The surface orientation of each polyimide film surface is measured with the laminate surface (B). The surface orientation can be measured by using an optical evaluation method using birefringence similar to that described above. Then, the in-plane distribution of orientation on each surface is converted into an ellipse to obtain an ellipticity (maximum orientation corresponding to the ellipse major axis / minimum orientation corresponding to the ellipse minor axis). The ellipticity of the laminated surface (A) and the non-laminated surface (B) of the metal layer is calculated, respectively, and the ellipticity (B) / ellipticity (A), which is the ratio of the ellipticity of both the front and back surfaces, is calculated. The ellipticity (B) / ellipticity (A) is less than 1.0 as the pass / fail criterion. If it is such a range, the curvature and twist of the copper clad laminated board and flexible wiring board using the said polyimide film can be made small.

(6)フレキシブル配線板
本発明の一実施形態であるメタライジング基板ではポリイミドフィルムの厚みの方が厚く、配線加工後のフレキシブル配線板では金属の占める面積のほうがフィルムの面積より小さい等、相対的に金属膜層よりもポリイミドフィルムの影響が大きい。更に、上記で述べたように、フレキシブル配線板加工時に加熱工程があり、ポリイミドフィルムは加熱されると反り・ネジレが顕著になる傾向がある。これを抑制するためにもポリイミドフィルムの良否判定方法を行い、所定の管理範囲内に限定することが効果的である。そのため、上記のポリイミドフィルムの良否判定方法を経てスクリーニングされたポリイミドフィルムを用いて製造された銅張積層板ならば、メタライジング基板及びそれを用いたフレキシブル配線板の反り・ネジレを抑制できる。
(6) Flexible wiring board Relative to the metalizing substrate according to one embodiment of the present invention, the polyimide film is thicker, and the flexible wiring board after wiring processing has a smaller area occupied by metal than the film area. In addition, the influence of the polyimide film is greater than that of the metal film layer. Furthermore, as described above, there is a heating step when processing a flexible wiring board, and when a polyimide film is heated, warping and twisting tend to become remarkable. In order to suppress this, it is effective to perform a pass / fail judgment method for the polyimide film and limit it within a predetermined management range. Therefore, if it is the copper clad laminated board manufactured using the polyimide film screened through the said quality determination method of a polyimide film, the curvature and twist of a metalizing board and a flexible wiring board using the same can be suppressed.

なおポリイミドフィルムの反り・ネジレ特性は分子鎖の剛直性や熱的特性に起因し、これらの性質は、分子鎖を構成する芳香族酸無水物と芳香族ジアミンとによるイミド化合物により支配されるので、良否判定方法の所定の数値範囲は、芳香族ジアミンと3,3‘−4,4−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物からなるイミド化合物を含有し、かつ、延伸によってTD方向の熱膨張係数が10ppm/K以上16ppm/K以下であるポリイミドフィルム特有のものであり、異なる種類のイミド化合物の場合には、上記両寸法変化率の範囲内の値を示したとしても、反り・ネジレを抑制できる効果が得られないこともある。なお、本明細書における熱膨張係数とは、50℃から200℃の範囲内で5℃/minの速度で昇温したときの熱膨張係数を意味する。   The warping and twisting properties of polyimide films are due to the rigidity and thermal properties of the molecular chain, and these properties are governed by the imide compound formed by the aromatic acid anhydride and aromatic diamine that constitute the molecular chain. The predetermined numerical range of the quality determination method includes an imide compound composed of an aromatic diamine and 3,3′-4,4-diphenyltetracarboxylic dianhydride, and has a thermal expansion coefficient in the TD direction by stretching. It is unique to polyimide films that are 10 ppm / K or more and 16 ppm / K or less, and in the case of different types of imide compounds, warpage and twisting can be suppressed even if values within the above ranges of both dimensional change rates are shown. The effect may not be obtained. In addition, the thermal expansion coefficient in this specification means the thermal expansion coefficient when the temperature is increased at a rate of 5 ° C./min within the range of 50 ° C. to 200 ° C.

その異なる種類のイミド化合物の例としては、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット酸二無水物とからなるイミド化合物がある。このイミド化合物を含有しているポリイミドフィルムとしては、カプトン(登録商標 東レ・デュポン株式会社製)が知られていており、市場で容易に入手することができる。   Examples of the different kinds of imide compounds include imide compounds composed of 4,4'-diaminodiphenyl ether and pyromellitic dianhydride. As a polyimide film containing this imide compound, Kapton (registered trademark, manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) is known and can be easily obtained in the market.

メタライジング基板は、サブトラクティブ法にてフレキシブル配線板に加工されるとして以上説明してきたが、本発明で好ましい範囲とした銅電気めっき層の厚みを1〜2μmとしたメタライジング基板を、セミアディティブ法にてフレキシブル配線板に加工したとしても、反り・ネジレを抑制する効果は十分に発揮され、特に妨げるものではない。   Although the metallizing substrate has been described above as being processed into a flexible wiring board by a subtractive method, a metalizing substrate having a thickness of 1 to 2 μm as a copper electroplating layer, which is a preferable range in the present invention, is semi-additive. Even if it is processed into a flexible wiring board by the method, the effect of suppressing warpage and twisting is sufficiently exerted and does not particularly hinder.

以下、本発明のフレキシブル配線板の製造方法を実施例にもとづいて更に詳細に説明する。なお、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the manufacturing method of the flexible wiring board of this invention is demonstrated still in detail based on an Example. In addition, this invention is not limited to this Example.

(実施例1)
<銅張積層板の製造>
樹脂フィルムに低CTE(線膨張係数)グレードであるポリイミドフィルム(厚さ:35μm 宇部興産社製:ユーピレックス35SGA)の一方の面側に銅をスパッタリングと電気めっきを用いて8μm積層させ、銅張積層板のサンプルを作成した。なお、ポリイミドフィルムは、芳香族ジアミンと3,3’−4,4’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物とからなるイミド結合を含むものであって、ポリイミドフィルムのTD方向の熱膨張係数が10ppm/K以上16ppm/K以下(50℃から200℃の範囲内で5℃/minの速度で昇温したときの熱膨張係数)である。
Example 1
<Manufacture of copper-clad laminate>
Low-CTE (linear expansion coefficient) grade polyimide film (thickness: 35 μm, manufactured by Ube Industries, Ltd .: Upilex 35 SGA) is laminated on one side of the resin film by sputtering and electroplating, and 8 μm is laminated. A sample of the board was made. The polyimide film contains an imide bond composed of an aromatic diamine and 3,3′-4,4′-diphenyltetracarboxylic dianhydride, and the thermal expansion coefficient in the TD direction of the polyimide film is 10 ppm. / K or more and 16 ppm / K or less (coefficient of thermal expansion when the temperature is raised at a rate of 5 ° C./min within the range of 50 ° C. to 200 ° C.).

ポリイミドフィルムは、セミラボ製SE2000を使用し、ポリイミドフィルムに直線偏光を照射し、その反射光によって屈折率を求めた。測定はポリイミドフィルムの平面内において、30度ずつの間隔で360度に渡って測定した。また、直線偏光の入射角は、フィルム表面の法線方向を0度としたときの65度と70度の2点の角度(バルク)で測定した。直線偏光の波長は400nm〜700nmであった。当該測定された屈折率のうち、波長486nmの屈折率を配向として、2点の平均の平面内分布を楕円換算して楕円の長軸から最大配向(表1中、配向角(度)と表記)を求めた。当該ポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とTD方向との差の絶対値は14度、配向角度とMD方向との差の絶対値が76度であった。   The polyimide film used was SE2000 manufactured by Semilab, and the polyimide film was irradiated with linearly polarized light, and the refractive index was determined by the reflected light. The measurement was performed over 360 degrees at intervals of 30 degrees in the plane of the polyimide film. The incident angle of linearly polarized light was measured at two angles (bulk) of 65 degrees and 70 degrees when the normal direction of the film surface was 0 degree. The wavelength of linearly polarized light was 400 nm to 700 nm. Of the measured refractive indexes, the refractive index at a wavelength of 486 nm is used as the orientation, and the average in-plane distribution at two points is converted into an ellipse, and the maximum orientation from the major axis of the ellipse (in Table 1, expressed as the orientation angle (degree)). ) The absolute value of the difference between the orientation angle of molecules in the plane showing the maximum orientation of the polyimide film and the TD direction was 14 degrees, and the absolute value of the difference between the orientation angle and the MD direction was 76 degrees.

また、金属層の積層面と、非積層面の、それぞれのポリイミドフィルム表面の表面配向度比(表1中、配向の表裏差と表記)を測定した。照射角度をフィルム表面の法線方向を0度としたときの80度と75度とした以外は上記同様に屈折率を配向として、ポリイミドフィルム表面及び裏面の平面内分布を楕円換算して、楕円率(楕円長軸に相当する最大配向/楕円短軸に相当する最小配向)をそれぞれ求めた。当該ポリイミドフィルムの表面配向度比(表1中、配向の表裏差と表記)は、非積層面(B)/金属層の積層面(A)で0.9であった。   Moreover, the surface orientation degree ratio (represented as the difference between the front and back of the orientation in Table 1) of each polyimide film surface between the laminated surface of the metal layer and the non-laminated surface was measured. Except that the irradiation angle is 80 degrees and 75 degrees when the normal direction of the film surface is 0 degrees, the refractive index is oriented in the same manner as described above, and the in-plane distribution on the polyimide film surface and the back surface is converted into an ellipse. The ratio (maximum orientation corresponding to the ellipse major axis / minimum orientation corresponding to the ellipse minor axis) was determined. The surface orientation degree ratio of the polyimide film (represented as the difference between the front and back orientations in Table 1) was 0.9 on the non-laminated surface (B) / laminated surface of the metal layer (A).

上記ポリイミドフィルムを真空度0.01〜0.1Paに保持されたチャンバー内で150℃、1分間の加熱処理を行った。なお、このポリイミドフィルムは積層表面未処理である。   The polyimide film was heat-treated at 150 ° C. for 1 minute in a chamber maintained at a vacuum degree of 0.01 to 0.1 Pa. This polyimide film is untreated on the laminated surface.

引き続き、クロムを20質量%含有するニッケル−クロム合金ターゲット、及び銅ターゲットを用い、ポリイミドフィルム表面に厚さ20nmのニッケル−クロム合金層、及び厚さ100nmの銅層を形成した。   Subsequently, a nickel-chromium alloy target containing 20% by mass of chromium and a copper target were used to form a nickel-chromium alloy layer having a thickness of 20 nm and a copper layer having a thickness of 100 nm on the polyimide film surface.

その後、硫酸を180g/L、硫酸銅を80g/L、塩素イオンを50mg/L、及び銅めっき被膜の平滑性等を確保する目的で有機添加剤を所定量添加しためっき液を使用し、種々のめっき条件で厚さ8μmまで電気めっき法によって銅被膜を形成した。   Thereafter, 180 g / L of sulfuric acid, 80 g / L of copper sulfate, 50 mg / L of chloride ions, and a plating solution to which a predetermined amount of an organic additive is added for the purpose of ensuring the smoothness of the copper plating film, etc. A copper film was formed by electroplating to a thickness of 8 μm under the above plating conditions.

以上により、本発明の実施例に係る金属化ポリイミドフィルム基板として、ポリイミドフィルム38μm上に、ニッケル、クロム、銅から構成されるスパッタ金属薄膜20nm、銅薄膜のスパッタ100nm、銅めっき被膜8μmの構成の銅張積層体を得た。   As described above, the metallized polyimide film substrate according to the embodiment of the present invention has a structure of a sputtered metal thin film 20 nm composed of nickel, chromium and copper, a sputtered copper thin film 100 nm, and a copper plating film 8 μm on a polyimide film 38 μm. A copper clad laminate was obtained.

<環境変化試験>
上記銅張積層体サンプルについて、加熱処理を行った。
<Environmental change test>
About the said copper clad laminated body sample, it heat-processed.

銅張積層板を10cm角に切り出し、23℃、50RH%で3日以上放置した後、キーエンス製デジタル寸法測定器(LS−7030)を用いて図4のように4つの角の高さを測定した。また、加熱試験は室温での測定の後、150℃、30分の条件下で処理し、その後、23℃、50RH%で24時間放置したものを同様に測定した。   Cut the copper-clad laminate into 10cm squares and leave them at 23 ° C, 50RH% for 3 days or longer, then measure the height of the four corners using Keyence's digital dimension measuring instrument (LS-7030) as shown in Fig. 4. did. In the heating test, after measurement at room temperature, a treatment was performed under conditions of 150 ° C. and 30 minutes and then left at 23 ° C. and 50 RH% for 24 hours.

実施例1のポリイミドフィルム(厚さ:35μm 宇部興産社製:ユーピレックス35SGA)同様のポリイミドフィルムであって、延伸の程度、温度、取り位置を適宜変更して実施例2及び比較例1〜6のポリイミドフィルムを用意した。なお、ポリイミドフィルムは、芳香族ジアミンと3,3’−4,4’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物とからなるイミド結合を含むものであって、ポリイミドフィルムのTD方向の熱膨張係数が10ppm/K以上16ppm/K以下(50℃から200℃の範囲内で5℃/minの速度で昇温したときの熱膨張係数)である。   It is a polyimide film similar to the polyimide film of Example 1 (thickness: 35 μm Ube Industries, Ltd .: Upilex 35SGA), and the degree of stretching, temperature, and taking position are appropriately changed, and Example 2 and Comparative Examples 1 to 6 A polyimide film was prepared. The polyimide film contains an imide bond composed of an aromatic diamine and 3,3′-4,4′-diphenyltetracarboxylic dianhydride, and the thermal expansion coefficient in the TD direction of the polyimide film is 10 ppm. / K or more and 16 ppm / K or less (coefficient of thermal expansion when the temperature is raised at a rate of 5 ° C./min within the range of 50 ° C. to 200 ° C.).

(実施例2)
実施例1同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値(表1中、配向角(度)と表記)及び表面配向度比(表1中、配向の表裏差と表記)を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とTD方向との差の絶対値が70度、MD方向との差の絶対値が20度、表面配向度比は、非積層面(B)/金属層の積層面(A)で0.8であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例1と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
(Example 2)
Similarly to Example 1, the absolute value of the difference between the orientation angle of the in-plane molecules showing the maximum orientation of the polyimide film and the TD direction or MD direction of the polyimide film (in Table 1, indicated as the orientation angle (degree)) and the degree of surface orientation The ratio (in Table 1, expressed as the difference between the front and back of the orientation) was measured. The absolute value of the difference between the orientation angle of the in-plane molecule showing the maximum orientation and the TD direction is 70 degrees, the absolute value of the difference from the MD direction is 20 degrees, and the surface orientation ratio is non-laminated plane (B) / A copper-clad laminate sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that a polyimide film having a metal layer lamination surface (A) of 0.8 was used, and an environmental change test was performed.

(比較例1)
実施例1同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値(表1中、配向角(度)と表記)及び表面配向度比(表1中、配向の表裏差と表記)を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とTD方向との差の絶対値が42度、MD方向との差の絶対値が48度、表面配向度比は、非積層面(B)/金属層の積層面(A)で0.8であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例1と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
(Comparative Example 1)
Similarly to Example 1, the absolute value of the difference between the orientation angle of the in-plane molecules showing the maximum orientation of the polyimide film and the TD direction or MD direction of the polyimide film (in Table 1, indicated as the orientation angle (degree)) and the degree of surface orientation The ratio (in Table 1, expressed as the difference between the front and back of the orientation) was measured. The absolute value of the difference between the orientation angle of the molecules in the plane showing the maximum orientation and the TD direction is 42 degrees, the absolute value of the difference from the MD direction is 48 degrees, and the surface orientation degree ratio is non-laminated plane (B) / A copper-clad laminate sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that a polyimide film having a metal layer lamination surface (A) of 0.8 was used, and an environmental change test was performed.

(比較例2)
実施例1同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値(表1中、配向角(度)と表記)及び表面配向度比(表1中、配向の表裏差と表記)を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とTD方向との差の絶対値が55度、MD方向との差の絶対値が35度、表面配向度比は、非積層面(B)/金属層の積層面(A)で0.9であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例1と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
(Comparative Example 2)
Similarly to Example 1, the absolute value of the difference between the orientation angle of the in-plane molecules showing the maximum orientation of the polyimide film and the TD direction or MD direction of the polyimide film (in Table 1, indicated as the orientation angle (degree)) and the degree of surface orientation The ratio (in Table 1, expressed as the difference between the front and back of the orientation) was measured. The absolute value of the difference between the orientation angle of the molecule in the plane showing the maximum orientation and the TD direction is 55 degrees, the absolute value of the difference from the MD direction is 35 degrees, and the surface orientation ratio is non-laminated plane (B) / A copper clad laminate sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that a polyimide film having a metal layer lamination surface (A) of 0.9 was used, and an environmental change test was performed.

(比較例3)
実施例1同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値(表1中、配向角(度)と表記)及び表面配向度比(表1中、配向の表裏差と表記)を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とTD方向との差の絶対値が13度、MD方向との差の絶対値が77度、表面配向度比は、非積層面(B)/金属層の積層面(A)で1.0であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例1と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
(Comparative Example 3)
Similarly to Example 1, the absolute value of the difference between the orientation angle of the in-plane molecules showing the maximum orientation of the polyimide film and the TD direction or MD direction of the polyimide film (in Table 1, indicated as the orientation angle (degree)) and the degree of surface orientation The ratio (in Table 1, expressed as the difference between the front and back of the orientation) was measured. The absolute value of the difference between the orientation angle of the molecule in the plane showing the maximum orientation and the TD direction is 13 degrees, the absolute value of the difference from the MD direction is 77 degrees, and the surface orientation ratio is non-laminated plane (B) / A copper clad laminate sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that a polyimide film having a metal layer lamination surface (A) of 1.0 was used, and an environmental change test was performed.

(比較例4)
実施例1同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値(表1中、配向角(度)と表記)及び表面配向度比(表1中、配向の表裏差と表記)を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とTD方向との差の絶対値が78度、MD方向との差の絶対値が12度、表面配向度比は、非積層面(B)/金属層の積層面(A)で1.0であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例1と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
(Comparative Example 4)
Similarly to Example 1, the absolute value of the difference between the orientation angle of the in-plane molecules showing the maximum orientation of the polyimide film and the TD direction or MD direction of the polyimide film (in Table 1, indicated as the orientation angle (degree)) and the degree of surface orientation The ratio (in Table 1, expressed as the difference between the front and back of the orientation) was measured. The absolute value of the difference between the orientation angle of the molecule in the plane showing the maximum orientation and the TD direction is 78 degrees, the absolute value of the difference from the MD direction is 12 degrees, and the surface orientation ratio is non-laminated plane (B) / A copper clad laminate sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that a polyimide film having a metal layer lamination surface (A) of 1.0 was used, and an environmental change test was performed.

(比較例5)
実施例1同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値(表1中、配向角(度)と表記)及び表面配向度比(表1中、配向の表裏差と表記)を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とTD方向との差の絶対値が43度、MD方向との差の絶対値が47度、表面配向度比は、非積層面(B)/金属層の積層面(A)で1.0であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例1と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
(Comparative Example 5)
Similarly to Example 1, the absolute value of the difference between the orientation angle of the in-plane molecules showing the maximum orientation of the polyimide film and the TD direction or MD direction of the polyimide film (in Table 1, indicated as the orientation angle (degree)) and the degree of surface orientation The ratio (in Table 1, expressed as the difference between the front and back of the orientation) was measured. The absolute value of the difference between the orientation angle of the molecules in the plane showing the maximum orientation and the TD direction is 43 degrees, the absolute value of the difference from the MD direction is 47 degrees, and the surface orientation ratio is non-laminated plane (B) / A copper clad laminate sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that a polyimide film having a metal layer lamination surface (A) of 1.0 was used, and an environmental change test was performed.

(比較例6)
実施例1同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値(表1中、配向角(度)と表記)及び表面配向度比(表1中、配向の表裏差と表記)を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とTD方向との差の絶対値が37度、MD方向との差の絶対値が53度、表面配向度比は、非積層面(B)/金属層の積層面(A)で1.1であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例1と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
(Comparative Example 6)
Similarly to Example 1, the absolute value of the difference between the orientation angle of the in-plane molecules showing the maximum orientation of the polyimide film and the TD direction or MD direction of the polyimide film (in Table 1, indicated as the orientation angle (degree)) and the degree of surface orientation The ratio (in Table 1, expressed as the difference between the front and back of the orientation) was measured. The absolute value of the difference between the orientation angle of the molecule in the plane showing the maximum orientation and the TD direction is 37 degrees, the absolute value of the difference from the MD direction is 53 degrees, and the surface orientation ratio is non-laminated plane (B) / A copper-clad laminate sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that a polyimide film having a metal layer lamination surface (A) of 1.1 was used, and an environmental change test was performed.

(反り・ネジレ試験結果)
結果を表1に示した。具体的には、めっき後加熱処理前及び、加熱処理後の各サンプルの反り・ネジレをそれぞれ求めた。反りは図4のように、4つの角の高さの平均値、ネジレは対角線の高さの平均値を算出し、2つの対角線の平均値の差の絶対値をネジレの大きさとした。つまり、この値が小さいほどネジレは小さいことを示し、この値が0であればネジレが無いことを示す。反り・ネジレの値はそれぞれ、実施例1を基準とし、割り算した値を示す。
(Warp / twist test results)
The results are shown in Table 1. Specifically, warpage and twist of each sample after plating and before and after heat treatment were determined. As shown in FIG. 4, the average value of the heights of the four corners and the average value of the heights of the diagonal lines are calculated as warpage, and the absolute value of the difference between the average values of the two diagonal lines is set as the size of the twist. That is, the smaller this value is, the smaller the twist is, and when this value is 0, there is no twist. The values of warpage and torsion are values obtained by dividing based on Example 1.

Figure 2016205967
(表1の配向角(度)には、TD方向の差の絶対値とMD方向の差の絶対値のうち小さい方の値を記載した。)
Figure 2016205967
(The smaller one of the absolute value of the difference in the TD direction and the absolute value of the difference in the MD direction is described as the orientation angle (degree) in Table 1.)

このことから、最大配向を示す面内の分子の配向角度とポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値で0度以上30度以下であって、表裏の表面配向度比(表1中、配向の表裏差と表記)が1.0未満のポリイミドフィルムを用いた実施例に係る銅張積層板は、加熱処理前(表1中、「初期」と表記)及び加熱処理後(表1中「加熱後」と表記)の反り・ネジレの影響が小さいことが分かる。そのため、本発明のポリイミドフィルムの良否判定方法は、銅張積層板の製造工程でのハンドリング強度を向上させた状態で製造することを可能にしつつ、反り・ネジレは小さくなる。そのため、本発明に係るポリイミドフィルムの良否判定方法は、その歩留りが高く、極めて生産性の高い銅張積層板を製造することのできる判定方法であることが分かる。   From this, the absolute value of the difference between the orientation angle of the molecules in the plane showing the maximum orientation and the TD direction or MD direction of the polyimide film is 0 degree or more and 30 degrees or less, and the surface orientation ratio between the front and back surfaces (in Table 1) The copper-clad laminate according to the example using a polyimide film having an orientation difference of less than 1.0 is indicated before heat treatment (indicated as “initial” in Table 1) and after heat treatment (Table 1). It can be seen that the influence of warping and twisting is small. Therefore, the quality determination method of the polyimide film of the present invention makes it possible to manufacture with improved handling strength in the manufacturing process of the copper clad laminate, while reducing warpage and twist. Therefore, it turns out that the quality determination method of the polyimide film which concerns on this invention is the determination method which can manufacture the copper clad laminated board with the high yield and extremely high productivity.

一方、比較例の最大配向を示す面内の分子の配向角度と表裏の表面配向度比が範囲外のフィルムを積層させた銅張積層板は、加熱処理前及び加熱処理後の反り・ネジレは、実施例のものと比較して大きい値を示している。そのため、最大配向を示す面内の分子の配向角度と表裏の表面配向度比が範囲外のポリイミドフィルムを用いた場合には、フレキシブル配線板の寸法が大きく変化することが分かる。   On the other hand, the copper-clad laminate in which the orientation angle of the in-plane molecules showing the maximum orientation of the comparative example and the surface orientation ratio of the front and back are laminated is out of the range, warpage and twist before the heat treatment are The values are larger than those of the examples. Therefore, it can be seen that the dimensions of the flexible wiring board greatly change when using a polyimide film whose in-plane molecular orientation angle showing the maximum orientation and front / back surface orientation ratio is out of range.

このことから、最大配向を示す面内の分子の配向角度と表裏の表面配向度比を管理していないポリイミドフィルムを用いてフレキシブル配線板を製造した場合には、フレキシブル配線板の反り・ネジレのばらつきが大きくなることが推認できる。そのため、最大配向を示す面内の分子の配向角度と表裏の表面配向度比が上記の範囲内のポリイミドフィルムを用いた製造方法と比較すると、最大配向を示す面内の分子の配向角度と表裏の表面配向度比を管理していないポリイミドフィルムを用いた製造方法は反り・ネジレのばらつきが大きくなると考えられるため、生産性の低い製造方法であることが分かる。   Therefore, when a flexible wiring board is manufactured using a polyimide film in which the orientation angle of the molecules in the plane showing the maximum orientation and the surface orientation ratio of the front and back surfaces are not controlled, the warping / twisting of the flexible wiring board It can be inferred that the variation becomes large. Therefore, when compared with the manufacturing method using the polyimide film in which the orientation angle of the in-plane molecules exhibiting the maximum orientation and the surface orientation ratio between the front and back surfaces are within the above range, the orientation angle of the in-plane molecules exhibiting the maximum orientation It can be understood that the manufacturing method using a polyimide film in which the surface orientation degree ratio is not controlled is a manufacturing method with low productivity because it is considered that variations in warpage and twisting increase.

F1 樹脂フィルム
F2 銅薄膜層付樹脂フィルム
S 銅張積層板
1 樹脂フィルム
2 下地金属層
3 銅薄膜層
4 銅電気めっき層
5 銅層
6 銅張積層板
10 ロール・ツー・ロールスパッタリング装置
11a、11b フリーロール
12 チャンバー
13 巻出ロール
14 キャンロール
15a〜15d スパッタリングカソード
16a 前フィードロール
16b 後フィードロール
17a、17b テンションロール
18 巻取ロール
20 ロール・ツー・ロール電気めっき装置
21 電気めっき槽
22 巻出ロール
23 反転ロール
24a〜24t アノード
26a〜26k 給電ロール
28 めっき液
28a めっき液面
29 巻取ロール
30 反り・ネジレ測定サンプル
31〜34 高さ測定箇所
35 反り高さ
F1 resin film F2 resin film with copper thin film layer S copper clad laminate 1 resin film 2 base metal layer 3 copper thin film layer 4 copper electroplating layer 5 copper layer 6 copper clad laminate 10 roll-to-roll sputtering apparatus 11a, 11b Free roll 12 Chamber 13 Unwinding roll 14 Can rolls 15a to 15d Sputtering cathode 16a Front feed roll 16b Rear feed rolls 17a and 17b Tension roll 18 Winding roll 20 Roll-to-roll electroplating apparatus 21 Electroplating tank 22 Unwinding roll 23 Reversing rolls 24a to 24t Anodes 26a to 26k Power feeding roll 28 Plating solution 28a Plating solution surface 29 Winding roll 30 Warp / twist measurement samples 31 to 34 Height measurement point 35 Warp height

Claims (5)

ポリイミドフィルム上に金属層が積層されているフレキシブル配線基板に用いる、前記ポリイミドフィルムの良否判定方法であって、
前記ポリイミドフィルムが、芳香族ジアミンと3,3’−4,4’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物とからなるイミド結合を含み、前記ポリイミドフィルムのTD方向の熱膨張係数が10ppm/K以上16ppm/K以下であり、
前記ポリイミドフィルムは、その平面内で直交するMD方向とTD方向とを有しており、
前記ポリイミドフィルムは、前記平面内における配向を測定し、その最大値である最大配向を示す面内の分子の配向角度が、前記ポリイミドフィルムのTD方向又はMD方向の差の絶対値で0度以上30度以下であり、
前記ポリイミドフィルムは、下記で定義される表裏の表面配向度比が1.0未満であるポリイミドフィルムの良否判定方法。
表裏の表面配向度比:ポリイミドフィルムにおける金属層の積層面(A)と、非積層面(B)とで、それぞれのポリイミドフィルム表面の表面配向を測定し、それぞれの表面における配向の平面内分布を楕円換算して楕円率(楕円率=楕円長軸に相当する最大配向/楕円短軸に相当する最小配向)を算出し、表裏両面における楕円率の比である、楕円率(B)/楕円率(A)を表裏の表面配向度比とする。
A method for determining the quality of the polyimide film, which is used for a flexible wiring board in which a metal layer is laminated on a polyimide film,
The polyimide film includes an imide bond composed of an aromatic diamine and 3,3′-4,4′-diphenyltetracarboxylic dianhydride, and the thermal expansion coefficient in the TD direction of the polyimide film is 10 ppm / K or more and 16 ppm. / K or less,
The polyimide film has an MD direction and a TD direction orthogonal to each other in the plane,
The polyimide film measures the orientation in the plane, and the orientation angle of molecules in the plane showing the maximum orientation which is the maximum value is 0 degree or more in absolute value of the difference in the TD direction or MD direction of the polyimide film. 30 degrees or less,
The said polyimide film is a quality determination method of the polyimide film whose surface orientation degree ratio of the front and back defined below is less than 1.0.
Surface orientation degree ratio of front and back: The surface orientation of each polyimide film surface is measured on the laminated surface (A) and non-laminated surface (B) of the metal layer in the polyimide film, and the in-plane distribution of orientation on each surface Is converted into an ellipse to calculate the ellipticity (ellipticity = maximum orientation corresponding to the major axis of the ellipse / minimum orientation corresponding to the minor axis of the ellipse). Let the rate (A) be the surface orientation degree ratio of the front and back.
前記配向の測定を、複屈折を利用した光学的評価により行う請求項1に記載のポリイミドフィルムの良否判定方法。   The quality determination method of the polyimide film of Claim 1 which performs the measurement of the said orientation by optical evaluation using birefringence. 請求項1又は2に記載の良否判定方法を経てスクリーニングされたポリイミドフィルムと、
前記ポリイミドフィルムの一方の表面に下地金属層と、銅層と、を積層する工程と、を含む銅張積層板の製造方法。
A polyimide film screened through the quality determination method according to claim 1 or 2,
The manufacturing method of the copper clad laminated board including the process of laminating | stacking a base metal layer and a copper layer on one surface of the said polyimide film.
請求項3に記載の製造方法により製造された銅張積層板に配線加工を施す工程を含むフレキシブル配線板の製造方法。   The manufacturing method of a flexible wiring board including the process of performing wiring processing on the copper clad laminated board manufactured by the manufacturing method of Claim 3. 前記配線加工が、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により行う請求項4に記載のフレキシブル配線板の製造方法。   The method for manufacturing a flexible wiring board according to claim 4, wherein the wiring processing is performed by a subtractive method or a semi-additive method.
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