JP2016201787A - Power Amplifier Module - Google Patents

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剛 佐藤
幹一郎 竹中
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    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the reception band noise in a power amplifier module using a power supply voltage supplied from a DC-DC converter.SOLUTION: The power amplifier module includes: a first power amplifier which amplifies a first signal and outputs a second signal; a first noise elimination circuit which is input with a first voltage supplied from a DC-DC converter and outputs a second voltage having removed noise of the first voltage as a power supply voltage of the first power amplifier.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、電力増幅モジュールに関する。   The present invention relates to a power amplification module.

携帯電話等の移動体通信機においては、基地局へ送信する信号の電力を増幅するために電力増幅モジュールが用いられる。近年、携帯電話においては、高速なデータ通信の規格である、ＨＳＵＰＡ（High Speed Uplink Packet Access）やＬＴＥ（Long Term Evolution）、ＬＴＥ−Ａｄｖａｎｃｅｄなどの変調方式が採用されてきている。このような通信規格では、通信速度を向上させるために、位相および振幅のずれや歪みを小さくすることが重要となる。すなわち、電力増幅モジュールに高い線形性が求められる。また、このような通信規格では、通信速度を向上させるために、信号の振幅が変化する範囲（ダイナミックレンジ）が広くなることが多い。そして、ダイナミックレンジが大きい場合においても線形性を高くするためには、高い電源電圧が必要となり、電力増幅モジュールにおける消費電力が大きくなる傾向にある。   In a mobile communication device such as a mobile phone, a power amplification module is used to amplify the power of a signal transmitted to a base station. In recent years, modulation schemes such as HSUPA (High Speed Uplink Packet Access), LTE (Long Term Evolution), and LTE-Advanced, which are high-speed data communication standards, have been adopted in mobile phones. In such communication standards, it is important to reduce phase and amplitude deviations and distortions in order to improve communication speed. That is, high linearity is required for the power amplification module. In such communication standards, in order to improve the communication speed, the range (dynamic range) in which the amplitude of the signal changes is often wide. In order to increase linearity even when the dynamic range is large, a high power supply voltage is required, and power consumption in the power amplification module tends to increase.

他方、携帯電話においては、通話や通信の可能時間を長くするために、消費電力を低減させることが求められる。例えば、特許文献１には、入力される変調信号の振幅レベルに応じて電源電圧を制御することによって電力効率の向上を図る、エンベロープトラッキング（ＥＴ：Envelope Tracking）方式を採用した電力増幅モジュールが開示されている。また、平均出力電力に応じて電源電圧を制御する平均電力トラッキング（ＡＰＴ：Average Power Tracking）方式を採用した電力増幅モジュールも知られている。   On the other hand, in a mobile phone, it is required to reduce power consumption in order to increase the possible time for a call or communication. For example, Patent Document 1 discloses a power amplification module that employs an envelope tracking (ET) method that improves power efficiency by controlling a power supply voltage according to the amplitude level of an input modulation signal. Has been. There is also known a power amplification module that employs an average power tracking (APT) system that controls a power supply voltage in accordance with the average output power.

特表２００５−５１３９４３号公報JP-T-2005-513943

エンベロープトラッキング方式や平均電力トラッキング方式の電力増幅モジュールでは、電源電圧を変化させるために、ＤＣ−ＤＣコンバータが用いられる。そのため、エンベロープトラッキング動作や平均電力トラッキング動作の際には、電源回路から出力されるノイズにより、電力増幅モジュールの受信帯域雑音特性が劣化することがある。   In the power amplification module of the envelope tracking method or the average power tracking method, a DC-DC converter is used to change the power supply voltage. Therefore, during the envelope tracking operation and the average power tracking operation, the reception band noise characteristics of the power amplification module may be deteriorated due to noise output from the power supply circuit.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ＤＣ−ＤＣコンバータから供給される電源電圧を用いる電力増幅モジュールにおいて、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to suppress deterioration of reception band noise characteristics in a power amplification module using a power supply voltage supplied from a DC-DC converter.

本発明の一側面に係る電力増幅モジュールは、第１の信号を増幅して第２の信号を出力する第１の電力増幅器と、ＤＣ−ＤＣコンバータから供給される第１の電圧が入力され、第１の電圧のノイズを除去した第２の電圧を、第１の電力増幅器の電源電圧として出力する第１のノイズ除去回路と、を備える。   A power amplification module according to one aspect of the present invention receives a first power amplifier that amplifies a first signal and outputs a second signal, and a first voltage supplied from a DC-DC converter, A first noise removing circuit that outputs a second voltage from which noise of the first voltage has been removed as a power supply voltage of the first power amplifier.

本発明によれば、ＤＣ−ＤＣコンバータから供給される電源電圧を用いる電力増幅モジュールにおいて、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the power amplification module using the power supply voltage supplied from a DC-DC converter, it becomes possible to suppress degradation of a reception band noise characteristic.

本発明の一実施形態である電力増幅モジュールを含む送信ユニットの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the transmission unit containing the power amplification module which is one Embodiment of this invention. ＲＦ部の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of RF part. 固定の電源電圧を用いて電力増幅を行った場合の電力損失の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the power loss at the time of performing power amplification using a fixed power supply voltage. エンベロープトラッキングによる可変の電源電圧を用いて電力増幅を行った場合の電力損失の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the power loss at the time of performing power amplification using the variable power supply voltage by envelope tracking. 電力増幅モジュール１１３Ａの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of 113 A of power amplification modules. ノイズ除去回路５４０の構成例を示す図である。5 is a diagram illustrating a configuration example of a noise removal circuit 540. FIG. ノイズ除去回路５４０の他の構成例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating another configuration example of the noise removal circuit 540. ノイズ除去回路５４０の他の構成例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating another configuration example of the noise removal circuit 540. ノイズ除去回路５４０の他の構成例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating another configuration example of the noise removal circuit 540. 電力増幅モジュール１１３Ａの他の構成例を示す図である。It is a figure which shows the other structural example of 113 A of power amplification modules. 電力増幅モジュール１１３Ａの他の構成例を示す図である。It is a figure which shows the other structural example of 113 A of power amplification modules. 送信ユニットの他の構成例を示す図である。It is a figure which shows the other structural example of a transmission unit. 電力増幅モジュール１１３Ｂの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the power amplification module 113B. 電力増幅モジュール１１３Ｂの他の構成例を示す図である。It is a figure which shows the other structural example of the power amplification module 113B. 電力増幅モジュール１１３Ｂの他の構成例を示す図である。It is a figure which shows the other structural example of the power amplification module 113B. 電力増幅モジュール１１３Ｂの他の構成例を示す図である。It is a figure which shows the other structural example of the power amplification module 113B. 電力増幅モジュール１１３Ｂの他の構成例を示す図である。It is a figure which shows the other structural example of the power amplification module 113B. 電力増幅モジュール１１３Ｂの他の構成例を示す図である。It is a figure which shows the other structural example of the power amplification module 113B.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態である電力増幅モジュールを含む送信ユニットの構成例を示す図である。送信ユニット１００Ａは、例えば、携帯電話等の移動体通信機において、音声やデータなどの各種信号を基地局へ送信するために用いられる。本実施形態の送信ユニット１００Ａは、無線周波数（ＲＦ：Radio Frequency）における複数の周波数帯域（マルチバンド）に対応している。なお、移動体通信機は基地局から信号を受信するための受信ユニットも備えるが、ここでは説明を省略する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a transmission unit including a power amplification module according to an embodiment of the present invention. The transmission unit 100A is used for transmitting various signals such as voice and data to a base station in a mobile communication device such as a mobile phone. The transmission unit 100A of the present embodiment is compatible with a plurality of frequency bands (multiband) in a radio frequency (RF). Although the mobile communication device also includes a receiving unit for receiving signals from the base station, description thereof is omitted here.

図１に示すように、送信ユニット１００Ａは、ベースバンド部１１０、ＲＦ部１１１、電源回路１１２、電力増幅モジュール１１３Ａ、フロントエンド部１１４、及びアンテナ１１５を備える。なお、本実施形態では、電力増幅モジュール１１３Ａは、エンベロープトラッキング方式を採用しているものとして説明するが、平均電力トラッキング方式等、電源電圧が変動する他の方式を採用するものであってもよい。後述する電力増幅モジュール１１３Ｂについても同様である。   As illustrated in FIG. 1, the transmission unit 100A includes a baseband unit 110, an RF unit 111, a power supply circuit 112, a power amplification module 113A, a front end unit 114, and an antenna 115. In the present embodiment, the power amplification module 113A is described as adopting the envelope tracking method, but other methods in which the power supply voltage fluctuates such as an average power tracking method may be adopted. . The same applies to a power amplification module 113B described later.

ベースバンド部１１０は、ＨＳＵＰＡやＬＴＥ等の変調方式に基づいて、音声やデータなどの入力信号を変調し、変調信号を出力する。本実施形態では、ベースバンド部１１０から出力される変調信号は、振幅および位相をＩＱ平面上で表したＩＱ信号（Ｉ信号及びＱ信号）として出力される。ＩＱ信号の周波数は、例えば、数ＭＨｚから数１０ＭＨｚ程度である。   The baseband unit 110 modulates an input signal such as voice or data based on a modulation scheme such as HSUPA or LTE, and outputs a modulated signal. In the present embodiment, the modulation signal output from the baseband unit 110 is output as an IQ signal (I signal and Q signal) whose amplitude and phase are expressed on the IQ plane. The frequency of the IQ signal is, for example, about several MHz to several tens of MHz.

ＲＦ部１１１は、ベースバンド部１１０から出力されるＩＱ信号から、無線送信を行うためのＲＦ信号（ＲＦIN）を生成する。ＲＦ信号は、例えば、数百ＭＨｚから数ＧＨｚ程度である。また、ＲＦ部１１１は、ＩＱ信号に基づいて変調信号の振幅レベルを検出し、電力増幅モジュール１１３Ａに供給される電圧ＶREGがＲＦ信号の振幅レベルに応じたレベルとなるように、電源回路１１２に対して電源制御信号ＣＴＲＬを出力する。つまり、ＲＦ部１１１は、エンベロープトラッキングを行うために電源制御信号ＣＴＲＬを出力する。 The RF unit 111 generates an RF signal (RF IN ) for performing wireless transmission from the IQ signal output from the baseband unit 110. The RF signal is, for example, about several hundred MHz to several GHz. The RF unit 111 detects the amplitude level of the modulation signal based on the IQ signal, and the power supply circuit 112 so that the voltage V REG supplied to the power amplification module 113A becomes a level corresponding to the amplitude level of the RF signal. Power supply control signal CTRL is output. That is, the RF unit 111 outputs the power control signal CTRL for performing envelope tracking.

なお、ＲＦ部１１１において、ＩＱ信号からＲＦ信号へのダイレクトコンバージョンが行われるのではなく、ＩＱ信号が中間周波数（ＩＦ：Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号に変換され、ＩＦ信号からＲＦ信号が生成されることとしてもよい。   The RF unit 111 does not perform direct conversion from an IQ signal to an RF signal, but converts the IQ signal to an intermediate frequency (IF) signal and generates an RF signal from the IF signal. Also good.

電源回路１１２は、ＲＦ部１１１から出力される電源制御信号ＣＴＲＬに応じたレベルの電源電圧ＶREGを生成し、電力増幅モジュール１１３Ａに供給する。電源回路１１２は、例えば、電源制御信号ＣＴＲＬに応じたレベルの電圧ＶREGを入力電圧（例えば所定レベルの電源電圧CC等）から生成するＤＣ−ＤＣコンバータ（昇圧又は降圧）を含むことができる。なお、前述のとおり、電源回路１１２は、エンベロープトラッキング方式に限られず、平均電力トラッキング方式等、他の方式に基づいて電圧ＶREGを生成してもよい。 The power supply circuit 112 generates a power supply voltage V REG having a level corresponding to the power supply control signal CTRL output from the RF unit 111, and supplies the power supply voltage VREG to the power amplification module 113A. The power supply circuit 112 can include, for example, a DC-DC converter (step-up or step-down) that generates a voltage V REG having a level corresponding to the power control signal CTRL from an input voltage (for example, a power supply voltage CC having a predetermined level). As described above, the power supply circuit 112 is not limited to the envelope tracking method, and may generate the voltage V REG based on another method such as an average power tracking method.

電力増幅モジュール１１３Ａは、電源回路１１２から供給される電圧ＶREGに基づいて、ＲＦ部１１１から出力されるＲＦ信号（ＲＦIN）の電力を、基地局に送信するために必要なレベルまで増幅し、増幅信号（ＲＦOUT）を出力する。 Based on the voltage V REG supplied from the power supply circuit 112, the power amplification module 113A amplifies the power of the RF signal (RF IN ) output from the RF unit 111 to a level necessary for transmission to the base station. The amplified signal (RF OUT ) is output.

フロントエンド部１１４は、増幅信号（ＲＦOUT）に対するフィルタリングや、基地局から受信する受信信号とのスイッチングなどを行う。フロントエンド部１１４から出力される増幅信号は、アンテナ１１５を介して基地局に送信される。 The front end unit 114 performs filtering on the amplified signal (RF OUT ), switching with a reception signal received from the base station, and the like. The amplified signal output from the front end unit 114 is transmitted to the base station via the antenna 115.

図２は、ＲＦ部１１１の構成の一例を示す図である。図２に示すように、ＲＦ部１１１は、遅延回路２００，２０１、ＲＦ変調部２０２、振幅レベル検出部２０３、及びデジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ：Digital to Analog Converter）２０４を備える。   FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the configuration of the RF unit 111. As shown in FIG. 2, the RF unit 111 includes delay circuits 200 and 201, an RF modulation unit 202, an amplitude level detection unit 203, and a digital-to-analog converter (DAC) 204.

遅延回路２００，２０１は、ＲＦ信号が電力増幅モジュール１１３Ａに入力されるタイミングと、ＲＦ信号の振幅レベルに応じた電圧ＶREGが電力増幅モジュール１１３Ａに供給されるタイミングとを合わせるために、ＩＱ信号を所定時間遅延させる回路である。 The delay circuits 200 and 201 match the IQ signal to match the timing when the RF signal is input to the power amplification module 113A and the timing when the voltage V REG corresponding to the amplitude level of the RF signal is supplied to the power amplification module 113A. Is a circuit that delays a predetermined time.

ＲＦ変調部２０２は、ＩＱ信号からＲＦ信号を生成して出力する。具体的には、ＲＦ変調部２０２は、例えば、Ｉ信号と搬送波信号とを乗算器で合成するとともに、Ｑ信号と、９０度位相をずらした搬送波信号とを乗算器で合成し、これらの合成信号を減算器で合成することにより、ＲＦ信号を得ることができる。   The RF modulation unit 202 generates and outputs an RF signal from the IQ signal. Specifically, for example, the RF modulation unit 202 combines the I signal and the carrier wave signal with a multiplier, and combines the Q signal and the carrier wave signal whose phase is shifted by 90 degrees with a multiplier, and combines them. An RF signal can be obtained by combining the signals with a subtractor.

振幅レベル検出部２０３は、ＩＱ信号に基づいて変調信号の振幅レベルを検出する。ここで検出される振幅レベルは、ＲＦ変調部２０２から出力されるＲＦ信号の振幅レベルに応じたものとなる。   The amplitude level detection unit 203 detects the amplitude level of the modulation signal based on the IQ signal. The amplitude level detected here corresponds to the amplitude level of the RF signal output from the RF modulation unit 202.

ＤＡＣ２０４は、振幅レベル検出部２０３から出力される電源制御信号をアナログ信号に変換して出力する。   The DAC 204 converts the power control signal output from the amplitude level detection unit 203 into an analog signal and outputs the analog signal.

図３及び図４を参照して、エンベロープトラッキングによる電源電圧制御の一例を説明する。図３には、固定の電源電圧を用いて電力増幅を行った場合の電力損失の一例が示されている。図３に示すように、ＲＦ信号の振幅レベルが大きく変化する場合、ＲＦ信号の振幅の最大レベルに合わせた固定の電源電圧を採用すると、ＲＦ信号の振幅レベルが小さい区間における電力損失は大きなものとなる。   An example of power supply voltage control by envelope tracking will be described with reference to FIGS. FIG. 3 shows an example of power loss when power amplification is performed using a fixed power supply voltage. As shown in FIG. 3, when the amplitude level of the RF signal changes greatly, if a fixed power supply voltage that matches the maximum amplitude level of the RF signal is adopted, the power loss in the section where the amplitude level of the RF signal is small is large. It becomes.

図４には、エンベロープトラッキングによる可変の電源電圧を用いて電力増幅を行った場合の電力損失の一例が示されている。図４に示すように、ＲＦ信号の振幅レベルに応じて電源電圧を変動させることにより、電力損失を低減させることができる。   FIG. 4 shows an example of power loss when power amplification is performed using a variable power supply voltage by envelope tracking. As shown in FIG. 4, the power loss can be reduced by changing the power supply voltage in accordance with the amplitude level of the RF signal.

本実施形態では、電源回路１１２は、ＲＦ部１１１から出力される電源制御信号に基づいて、電力増幅モジュール１１３Ａに供給される電圧ＶREGを、ＲＦ信号の振幅レベルに応じたレベルに制御する。 In the present embodiment, the power circuit 112 controls the voltage V REG supplied to the power amplification module 113A to a level corresponding to the amplitude level of the RF signal based on the power control signal output from the RF unit 111.

図５は、電力増幅モジュール１１３Ａの構成例を示す図である。図５に示すように、電力増幅モジュール１１３Ａ１は、電力増幅器５００，５０１、バイアス回路５１０，５１１、整合回路５２０，５２１，５２２、インダクタ５３０，５３１、及びノイズ除去回路５４０を含んでいる。   FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of the power amplification module 113A. As illustrated in FIG. 5, the power amplification module 113A1 includes power amplifiers 500 and 501, bias circuits 510 and 511, matching circuits 520, 521, and 522, inductors 530 and 531, and a noise removal circuit 540.

電力増幅器５００，５０１は、二段の増幅器を構成しており、入力されるＲＦ信号（ＲＦIN）を増幅して、増幅信号（ＲＦOUT）を出力する。各電力増幅器は、バイポーラトランジスタ（例えばヘテロ接合バイポーラトランジスタ）を含んで構成され、入力される信号を増幅して出力する。１段目（ドライブ段）の電力増幅器５００（第２の電力増幅器）は、入力信号（第３の信号）を増幅した信号（第１の信号）を出力する。２段目（パワー段）の電力増幅器５０１（第１の電力増幅器）は、電力増幅器５００から出力される信号（第１の信号）を増幅した信号（第２の信号）を出力する。 The power amplifiers 500 and 501 constitute a two-stage amplifier, which amplifies an input RF signal (RF IN ) and outputs an amplified signal (RF OUT ). Each power amplifier includes a bipolar transistor (for example, a heterojunction bipolar transistor), and amplifies and outputs an input signal. The first stage (drive stage) power amplifier 500 (second power amplifier) outputs a signal (first signal) obtained by amplifying the input signal (third signal). The second stage (power stage) power amplifier 501 (first power amplifier) outputs a signal (second signal) obtained by amplifying the signal (first signal) output from the power amplifier 500.

バイアス回路５１０，５１１は、それぞれ、電力増幅器５００，５０１に対してバイアスを供給する。   Bias circuits 510 and 511 supply bias to power amplifiers 500 and 501, respectively.

整合回路５２０，５２１，５２２は、回路間のインピーダンスをマッチングさせるために設けられている。整合回路５２０，５２１，５２２は、それぞれ、例えば、インダクタやキャパシタを用いて構成される。   Matching circuits 520, 521, and 522 are provided to match impedances between circuits. The matching circuits 520, 521, and 522 are each configured using, for example, an inductor or a capacitor.

インダクタ５３０，５３１は、ＲＦ信号のアイソレーション用に設けられている。   The inductors 530 and 531 are provided for RF signal isolation.

ノイズ除去回路５４０（第１のノイズ除去回路）は、電源回路１１２から供給される電圧ＶREG（第１の電圧）のノイズを除去した電圧ＶFIL（第２の電圧）を生成する。具体的には、ノイズ除去回路５４０は、ＲＦ信号の送受信周波数間隔（送信信号の周波数と受信信号の周波数との間隔）の周波数のノイズを除去する。なお、ノイズ除去回路５４０は、電圧ＶREGのノイズを除去するものであり、電圧ＶFILの電圧値は、電圧ＶREGの電圧値と実質的に同等である。 The noise removal circuit 540 (first noise removal circuit) generates a voltage V FIL (second voltage) obtained by removing noise from the voltage V REG (first voltage) supplied from the power supply circuit 112. Specifically, the noise removal circuit 540 removes noise at a frequency of the RF signal transmission / reception frequency interval (interval between the frequency of the transmission signal and the frequency of the reception signal). The noise removal circuit 540 removes noise of the voltage V REG , and the voltage value of the voltage V FIL is substantially equal to the voltage value of the voltage V REG .

電力増幅モジュール１１３Ａ１では、１段目の電力増幅器５００には、所定レベルの電圧ＶCCが、電源電圧として供給される。他方、２段目の電力増幅器５０１には、ノイズ除去回路５４０によってノイズが除去された電圧ＶFILが供給される。即ち、電力増幅モジュール１１３Ａ１では、２段目の電力増幅器５０１が、エンベロープトラッキング方式により動作する。 In the power amplification module 113A1, a predetermined level of voltage V CC is supplied to the first-stage power amplifier 500 as a power supply voltage. On the other hand, the voltage V FIL from which noise has been removed by the noise removal circuit 540 is supplied to the second-stage power amplifier 501. That is, in the power amplification module 113A1, the second-stage power amplifier 501 operates by the envelope tracking method.

図６Ａは、ノイズ除去回路５４０の構成例を示す図である。図６Ａに示すように、ノイズ除去回路５４０Ａは、インダクタ６００及びキャパシタ６０１を含む。インダクタ６００は、第１の端子に電圧ＶREGが供給され、第２の端子がインダクタ５３１に接続される。キャパシタ６０１は、第１の端子がインダクタ６００の第２の端子に接続され、第２の端子が接地される。この接続により、インダクタ６００及びキャパシタ６０１は、低域通過フィルタ（ＬＰＦ：Low Pass Filter）を構成する。これにより、ノイズ除去回路５４０Ａは、電圧ＶREGのノイズを除去した電源電圧ＶFILを出力する。なお、ノイズ除去回路５４０Ａでは、例えば、ＬＰＦのカットオフ周波数がＲＦ信号の送受信周波数間隔より低い周波数となるように、インダクタ６００及びキャパシタ６０１が選択される。 FIG. 6A is a diagram illustrating a configuration example of the noise removal circuit 540. As shown in FIG. 6A, the noise removal circuit 540A includes an inductor 600 and a capacitor 601. Inductor 600 is supplied with voltage V REG at a first terminal and connected to inductor 531 at a second terminal. The capacitor 601 has a first terminal connected to the second terminal of the inductor 600 and a second terminal grounded. With this connection, the inductor 600 and the capacitor 601 constitute a low-pass filter (LPF). Thereby, the noise removal circuit 540A outputs the power supply voltage V FIL from which the noise of the voltage V REG has been removed. In the noise removal circuit 540A, for example, the inductor 600 and the capacitor 601 are selected so that the cutoff frequency of the LPF is lower than the transmission / reception frequency interval of the RF signal.

図６Ｂは、ノイズ除去回路５４０の他の構成例を示す図である。図６Ｂに示すように、ノイズ除去回路５４０Ｂは、インダクタ６１０及びキャパシタ６１１を含む。インダクタ６１０は、第１の端子に電圧ＶREGが供給され、第２の端子がキャパシタ６１１の第１の端子に接続される。キャパシタ６１１は、第１の端子がインダクタ６１０の第２の端子に接続され、第２の端子が接地される。この接続により、インダクタ６１０及びキャパシタ６１１は、ＬＣ直列共振回路となることにより、帯域阻止フィルタ（ＢＥＦ：Band Elimination Filter）を構成する。これにより、ノイズ除去回路５４０Ｂは、電圧ＶREGのノイズを除去した電源電圧ＶFILを出力する。なお、ノイズ除去回路５４０Ｂでは、例えば、ＢＥＦの阻止周波数の帯域にＲＦ信号の送受信周波数間隔が含まれるように、インダクタ６００及びキャパシタ６０１が選択される。このとき、インダクタ６１０やキャパシタ６１１のＱ値や素子値を調整することで、広い周波数帯域を減衰させることや、特定の周波数のみを減衰させることが可能となる。 FIG. 6B is a diagram illustrating another configuration example of the noise removal circuit 540. As shown in FIG. 6B, the noise removal circuit 540B includes an inductor 610 and a capacitor 611. Inductor 610 has a first terminal supplied with voltage V REG and a second terminal connected to the first terminal of capacitor 611. The capacitor 611 has a first terminal connected to the second terminal of the inductor 610 and a second terminal grounded. By this connection, the inductor 610 and the capacitor 611 constitute an LC series resonance circuit, thereby forming a band elimination filter (BEF). Thereby, the noise removal circuit 540B outputs the power supply voltage V FIL from which the noise of the voltage V REG has been removed. In the noise removal circuit 540B, for example, the inductor 600 and the capacitor 601 are selected so that the RF signal transmission / reception frequency interval is included in the band of the BEF blocking frequency. At this time, it is possible to attenuate a wide frequency band or attenuate only a specific frequency by adjusting the Q value and element value of the inductor 610 and the capacitor 611.

図６Ｃは、ノイズ除去回路５４０の他の構成例を示す図である。図６Ｃに示すノイズ除去回路５４０Ｃは、図６Ａに示したノイズ除去回路５４０Ａのキャパシタ６０１が、キャパシタ６２０に変更されている点を除き、ノイズ除去回路５４０Ａと同一である。ノイズ除去回路５４０Ａと同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。キャパシタ６２０は、周波数制御信号に応じて容量値を変更可能な可変キャパシタである。従って、ノイズ除去回路５４０Ｃでは、キャパシタ６２０の容量値を変更することにより、ＬＰＦのカットオフ周波数を調整することができる。   FIG. 6C is a diagram illustrating another configuration example of the noise removal circuit 540. The noise removal circuit 540C illustrated in FIG. 6C is the same as the noise removal circuit 540A except that the capacitor 601 of the noise removal circuit 540A illustrated in FIG. 6A is changed to a capacitor 620. The same components as those of the noise removal circuit 540A are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. Capacitor 620 is a variable capacitor whose capacitance value can be changed according to the frequency control signal. Therefore, the noise removal circuit 540C can adjust the cutoff frequency of the LPF by changing the capacitance value of the capacitor 620.

図６Ｄは、ノイズ除去回路５４０の他の構成例を示す図である。図６Ｄに示すノイズ除去回路５４０Ｄは、図６Ｂに示したノイズ除去回路５４０Ｂのキャパシタ６１１が、キャパシタ６３０に変更されている点を除き、ノイズ除去回路５４０Ｂと同一である。ノイズ除去回路５４０Ｂと同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。キャパシタ６３０は、周波数制御信号に応じて容量値を変更可能な可変キャパシタである。従って、ノイズ除去回路５４０Ｄでは、キャパシタ６３０の容量値を変更することにより、ＢＥＦの阻止周波数を調整することができる。   FIG. 6D is a diagram illustrating another configuration example of the noise removal circuit 540. The noise removal circuit 540D illustrated in FIG. 6D is the same as the noise removal circuit 540B except that the capacitor 611 of the noise removal circuit 540B illustrated in FIG. 6B is changed to a capacitor 630. The same components as those of the noise removal circuit 540B are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. Capacitor 630 is a variable capacitor whose capacitance value can be changed according to the frequency control signal. Therefore, the noise removal circuit 540D can adjust the BEF blocking frequency by changing the capacitance value of the capacitor 630.

ここで、電力増幅モジュールにおける受信帯域雑音特性について検討する。電力増幅モジュールを、エンベロープトラッキング方式ではなく、通常の方式（平均電力追従モード）で動作させる際の受信帯域雑音レベルは、Ｂａｎｄ５（８２４〜８４９ＭＨｚ）において−１３５ｄＢｍ／Ｈｚ程度である。   Here, the reception band noise characteristic in the power amplification module is examined. The reception band noise level when the power amplifying module is operated not in the envelope tracking method but in the normal method (average power tracking mode) is about −135 dBm / Hz in Band 5 (824 to 849 MHz).

電力増幅モジュールをエンベロープトラッキング方式で動作させる場合の受信帯域雑音レベルＰは、エンベロープトラッキング用の電源回路における送受信周波数間隔の周波数での雑音レベルをＰET、電力増幅モジュールにおける受信帯域雑音レベルをＰPA、電力増幅モジュールのコンバージョンゲインをＧとすると、電源回路のノイズ除去を考慮しない場合、Ｐ＝ＰET×Ｇ＋ＰPAとなる。 The reception band noise level P when the power amplification module is operated in the envelope tracking system is P ET , the noise level at the frequency of the transmission / reception frequency interval in the power supply circuit for envelope tracking, and the reception band noise level in the power amplification module is P PA. When the conversion gain of the power amplification module is G, P = P ET × G + P PA when noise removal of the power supply circuit is not considered.

例えば、ＰET＝−１３０ｄＢｍ／Ｈｚ、ＰPA＝−１３５ｄＢｍ／Ｈｚ、Ｇ＝−３ｄＢとすると、Ｐ＝−１３０．８８ｄＢｍ／Ｈｚとなる。従って、通常の方式の場合と比較して、受信帯域雑音レベルが約４ｄＢｍ／Ｈｚ劣化する。 For example, when P ET = −130 dBm / Hz, P PA = −135 dBm / Hz, and G = −3 dB, P = −130.88 dBm / Hz. Therefore, the reception band noise level is deteriorated by about 4 dBm / Hz as compared with the case of the normal method.

電力増幅モジュール１１３Ａ１では、ノイズ除去回路５４０によって、電圧ＶREGのノイズが除去される。例えば、ノイズ除去回路５４０により、ＰETが１０ｄＢ低下したとすると、Ｐ＝−１３４．３６ｄＢｍ／Ｈｚとなる。従って、通常の方式の場合からの受信帯域雑音レベルの劣化は、約０．５ｄＢｍ／Ｈｚに改善される。 In the power amplification module 113A1, the noise of the voltage V REG is removed by the noise removal circuit 540. For example, the noise removal circuit 540, when the P ET drops 10 dB, the P = -134.36dBm / Hz. Therefore, the degradation of the reception band noise level from the case of the normal system is improved to about 0.5 dBm / Hz.

このように、電力増幅モジュール１１３Ａ１では、ノイズ除去回路５４０によって電源電圧ＶREGのノイズが除去されることにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。 As described above, in the power amplification module 113A1, the noise of the power supply voltage V REG is removed by the noise removal circuit 540, so that deterioration of the reception band noise characteristic can be suppressed.

図７は、電力増幅モジュール１１３Ａの他の構成例を示す図である。電力増幅モジュール１１３Ａ２は、１段目の電力増幅器５００にも、ノイズ除去回路５４０から出力される電圧ＶFILが供給されている点を除き、図５に示した電力増幅モジュール１１３Ａ１と同一の構成である。電力増幅モジュール１１３Ａ１と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。 FIG. 7 is a diagram illustrating another configuration example of the power amplification module 113A. The power amplification module 113A2 has the same configuration as the power amplification module 113A1 shown in FIG. 5 except that the voltage V FIL output from the noise removal circuit 540 is also supplied to the first-stage power amplifier 500. is there. The same components as those of the power amplification module 113A1 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

電力増幅モジュール１１３Ａ２では、１段目の電力増幅器５００及び２段目の電力増幅器５０１の双方に、ノイズ除去回路５４０によってノイズが除去された電圧ＶFILが供給される。即ち、電力増幅モジュール１１３Ａ２では、電力増幅器５００，５０１の双方が、エンベロープトラッキング方式により動作する。 In the power amplification module 113A2, the voltage V FIL from which noise has been removed by the noise removal circuit 540 is supplied to both the first-stage power amplifier 500 and the second-stage power amplifier 501. That is, in the power amplification module 113A2, both the power amplifiers 500 and 501 operate by the envelope tracking method.

電力増幅モジュール１１３Ａ２においても、電力増幅モジュール１１３Ａ１と同様に、ノイズ除去回路５４０によって電圧ＶREGのノイズが除去されることにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。 Also in the power amplification module 113A2, similarly to the power amplification module 113A1, the noise of the voltage V REG is removed by the noise removal circuit 540, so that deterioration of the reception band noise characteristic can be suppressed.

図８は、電力増幅モジュール１１３Ａの他の構成例を示す図である。電力増幅モジュール１１３Ａ３は、ノイズ除去回路７００をさらに備える点を除き、図７に示した電力増幅モジュール１１３Ａ２と同一の構成である。電力増幅モジュール１１３Ａ２と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。   FIG. 8 is a diagram illustrating another configuration example of the power amplification module 113A. The power amplification module 113A3 has the same configuration as the power amplification module 113A2 shown in FIG. 7 except that the power amplification module 113A3 further includes a noise removal circuit 700. The same components as those of the power amplification module 113A2 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

ノイズ除去回路７００（第２のノイズ除去回路）は、ノイズ除去回路５４０と同様に、電源電圧ＶREG（第１の電圧）のノイズを除去した電圧ＶFIL2（第３の電圧）を生成する。ノイズ除去回路７００の構成は、ノイズ除去回路５４０と同様であるため説明を省略する。 Similarly to the noise removal circuit 540, the noise removal circuit 700 (second noise removal circuit) generates a voltage V FIL2 (third voltage) from which noise of the power supply voltage V REG (first voltage) is removed. Since the configuration of the noise removal circuit 700 is the same as that of the noise removal circuit 540, description thereof is omitted.

電力増幅モジュール１１３Ａ３では、１段目の電力増幅器５００には、ノイズ除去回路７００によってノイズが除去された電圧ＶFIL2が供給される。また、２段目の電力増幅器５０１には、ノイズ除去回路５４０によってノイズが除去された電圧ＶFILが供給される。即ち、電力増幅モジュール１１３Ａ３では、電力増幅器５００，５０１の双方が、エンベロープトラッキング方式により動作する。 In the power amplification module 113A3, the voltage V FIL2 from which noise has been removed by the noise removal circuit 700 is supplied to the first-stage power amplifier 500. Further, the voltage V FIL from which noise has been removed by the noise removal circuit 540 is supplied to the power amplifier 501 at the second stage. That is, in the power amplification module 113A3, both the power amplifiers 500 and 501 operate by the envelope tracking method.

電力増幅モジュール１１３Ａ３においても、電力増幅モジュール１１３Ａ２と同様に、ノイズ除去回路５４０，７００によって電圧ＶREGのノイズが除去されることにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。さらに、電力増幅モジュール１１３Ａ３では、１段目と２段目で別々にノイズ除去回路が設けられている。これにより、各段の特性に応じてノイズ除去の特性を調整することが可能となる。 Also in the power amplification module 113A3, as in the power amplification module 113A2, the noise of the voltage V REG is removed by the noise removal circuits 540 and 700, so that deterioration of the reception band noise characteristics can be suppressed. Furthermore, in the power amplification module 113A3, noise removal circuits are separately provided in the first stage and the second stage. This makes it possible to adjust the noise removal characteristics according to the characteristics of each stage.

図９は、送信ユニットの他の構成例を示す図である。送信ユニット１００Ｂは、図１に示した電力増幅モジュール１１３Ａの代わりに電力増幅モジュール１１３Ｂを備える点を除いて、送信ユニット１００Ａと同一の構成である。送信ユニット１００Ａと同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。   FIG. 9 is a diagram illustrating another configuration example of the transmission unit. The transmission unit 100B has the same configuration as the transmission unit 100A except that it includes a power amplification module 113B instead of the power amplification module 113A shown in FIG. The same components as those of the transmission unit 100A are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

電力増幅モジュール１１３Ｂは、電源回路１１２を内蔵する。図１０は、電力増幅モジュール１１３Ｂの構成例を示す図である。電力増幅モジュール１１３Ｂ１は、電源回路１１２を内蔵する点を除いて、図５に示した電力増幅モジュール１１３Ａ１と同一の構成である。電力増幅モジュール１１３Ａ１と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。   The power amplification module 113B includes a power supply circuit 112. FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration example of the power amplification module 113B. The power amplification module 113B1 has the same configuration as the power amplification module 113A1 shown in FIG. 5 except that the power supply circuit 112 is incorporated. The same components as those of the power amplification module 113A1 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

エンベロープトラッキング用の電源回路を内蔵した電力増幅モジュール１１３Ｂ１では、電源回路と電力増幅器との距離が近く、配線等による電圧低減の影響を低減できる。また、電力増幅器と電源回路を最短で接続することができるため、レイアウトの小型化や、配線部等からの放射ノイズの抑制が可能となる。   In the power amplification module 113B1 incorporating the power supply circuit for envelope tracking, the distance between the power supply circuit and the power amplifier is short, and the influence of voltage reduction due to wiring or the like can be reduced. Further, since the power amplifier and the power supply circuit can be connected in the shortest time, the layout can be downsized and the radiation noise from the wiring portion or the like can be suppressed.

図１１は、電力増幅モジュール１１３Ｂの他の構成例を示す図である。電力増幅モジュール１１３Ｂ２は、電源回路１１２を内蔵する点を除いて、図７に示した電力増幅モジュール１１３Ａ２と同一の構成である。電力増幅モジュール１１３Ａ２と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。   FIG. 11 is a diagram illustrating another configuration example of the power amplification module 113B. The power amplification module 113B2 has the same configuration as the power amplification module 113A2 shown in FIG. 7 except that the power supply circuit 112 is incorporated. The same components as those of the power amplification module 113A2 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

電力増幅モジュール１１３Ｂ２においても、電力増幅モジュール１１３Ａ２と同様に、ノイズ除去回路５４０によって電圧ＶREGのノイズが除去されることにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。 Also in the power amplification module 113B2, similarly to the power amplification module 113A2, the noise of the voltage V REG is removed by the noise removal circuit 540, so that deterioration of the reception band noise characteristics can be suppressed.

図１２は、電力増幅モジュール１１３Ｂの他の構成例を示す図である。電力増幅モジュール１１３Ｂ３は、電源回路１１２を内蔵する点を除いて、図８に示した電力増幅モジュール１１３Ａ３と同一の構成である。電力増幅モジュール１１３Ａ３と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。   FIG. 12 is a diagram illustrating another configuration example of the power amplification module 113B. The power amplification module 113B3 has the same configuration as the power amplification module 113A3 shown in FIG. 8 except that the power supply circuit 112 is incorporated. The same components as those of the power amplification module 113A3 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

電力増幅モジュール１１３Ｂ３においても、電力増幅モジュール１１３Ａ３と同様に、ノイズ除去回路５４０によって電圧ＶREGのノイズが除去されることにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。 Also in the power amplification module 113B3, as in the power amplification module 113A3, the noise of the voltage V REG is removed by the noise removal circuit 540, so that deterioration of the reception band noise characteristic can be suppressed.

図１３は、電力増幅モジュール１１３Ｂの他の構成例を示す図である。図１２に示した電力増幅モジュール１１３Ｂ３と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。   FIG. 13 is a diagram illustrating another configuration example of the power amplification module 113B. The same components as those of the power amplification module 113B3 shown in FIG.

電力増幅モジュール１１３Ｂ４は、第１の周波数帯域（ハイバンド）及び第２の周波数帯域（ローバンド）に対応している。具体的には、電力増幅器５００Ｈ，５０１Ｈは、ハイバンド用の電力増幅器を構成している。１段目の電力増幅器５００Ｈ（第２の電力増幅器）は、ハイバンドの入力信号（第３の信号）を増幅した信号（第１の信号）を出力する。２段目の電力増幅器５０１Ｈ（第１の電力増幅器）は、電力増幅器５００Ｈから出力される信号（第１の信号）を増幅した信号（第２の信号）を出力する。また、電力増幅器５００Ｌ，５０１Ｌは、ローバンド用の電力増幅器を構成している。１段目の電力増幅器５００Ｌ（第４の電力増幅器）は、ローバンドの入力信号（第６の信号）を増幅した信号（第４の信号）を出力する。２段目の電力増幅器５０１Ｌ（第３の電力増幅器）は、電力増幅器５００Ｌから出力される信号（第４の信号）を増幅した信号（第５の信号）を出力する。   The power amplification module 113B4 corresponds to the first frequency band (high band) and the second frequency band (low band). Specifically, the power amplifiers 500H and 501H constitute a high-band power amplifier. The first-stage power amplifier 500H (second power amplifier) outputs a signal (first signal) obtained by amplifying a high-band input signal (third signal). The second-stage power amplifier 501H (first power amplifier) outputs a signal (second signal) obtained by amplifying the signal (first signal) output from the power amplifier 500H. The power amplifiers 500L and 501L constitute a low-band power amplifier. The first-stage power amplifier 500L (fourth power amplifier) outputs a signal (fourth signal) obtained by amplifying a low-band input signal (sixth signal). The second-stage power amplifier 501L (third power amplifier) outputs a signal (fifth signal) obtained by amplifying the signal (fourth signal) output from the power amplifier 500L.

電力増幅モジュール１１３Ｂ４では、１段目の電力増幅器５００Ｈ，５００Ｌには、ノイズ除去回路７００によってノイズが除去された電圧ＶFIL2が供給される。また、２段目の電力増幅器５０１Ｈ，５０１Ｌには、ノイズ除去回路５４０によってノイズが除去された電圧ＶFILが供給される。即ち、電力増幅モジュール１１３Ｂ４では、電力増幅器５００Ｈ，５００Ｌ，５０１Ｈ，５０１Ｌの全てが、エンベロープトラッキング方式により動作する。 In the power amplification module 113B4, the voltage V FIL2 from which noise has been removed by the noise removal circuit 700 is supplied to the first-stage power amplifiers 500H and 500L. The voltage V FIL from which noise has been removed by the noise removal circuit 540 is supplied to the second-stage power amplifiers 501H and 501L. That is, in the power amplification module 113B4, all of the power amplifiers 500H, 500L, 501H, and 501L operate by the envelope tracking method.

電力増幅モジュール１１３Ｂ４においても、電力増幅モジュール１１３Ｂ３と同様に、ノイズ除去回路５４０，７００によって電圧ＶREGのノイズが除去されることにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。さらに、電力増幅モジュール１１３Ｂ４では、ハイバンドとローバンドでノイズ除去回路７００，５４０を共有することにより、コスト上昇を抑制することが可能となる。 Also in the power amplification module 113B4, as in the power amplification module 113B3, the noise of the voltage V REG is removed by the noise removal circuits 540 and 700, so that deterioration of the reception band noise characteristics can be suppressed. Furthermore, in the power amplification module 113B4, it is possible to suppress an increase in cost by sharing the noise removal circuits 700 and 540 in the high band and the low band.

図１４は、電力増幅モジュール１１３Ｂの他の構成例を示す図である。図１３に示した電力増幅モジュール１１３Ｂ４と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。   FIG. 14 is a diagram illustrating another configuration example of the power amplification module 113B. The same components as those of the power amplification module 113B4 shown in FIG.

電力増幅モジュール１１３Ｂ５は、電力増幅モジュール１１３Ｂ４と同様に、第１の周波数帯域（ハイバンド）及び第２の周波数帯域（ローバンド）に対応している。   Similarly to the power amplification module 113B4, the power amplification module 113B5 corresponds to the first frequency band (high band) and the second frequency band (low band).

電力増幅モジュール１１３Ｂ５では、ノイズ除去回路がハイバンドとローバンドで別々に設けられている。具体的には、ハイバンドの１段目の電力増幅器５００Ｈには、ノイズ除去回路７００Ｈによってノイズが除去された電源電圧ＶFIL2_Hが供給される。また、ハイバンドの２段目の電力増幅器５０１Ｈには、ノイズ除去回路５４０Ｈによってノイズが除去された電源電圧ＶFIL_Hが供給される。また、ローバンドの１段目の電力増幅器５００Ｌには、ノイズ除去回路７００Ｌによってノイズが除去された電源電圧ＶFIL2_Lが供給される。そして、ローバンドの２段目の電力増幅器５０１Ｌには、ノイズ除去回路５４０Ｌによってノイズが除去された電源電圧ＶFIL_Lが供給される。 In the power amplification module 113B5, noise removal circuits are separately provided for the high band and the low band. Specifically, the power supply voltage V FIL2 — H from which noise has been removed by the noise removal circuit 700H is supplied to the first-stage power amplifier 500H in the high band. Further, the power supply voltage V FIL — H from which noise has been removed by the noise removal circuit 540H is supplied to the high-band second-stage power amplifier 501H. Further, the power supply voltage V FIL2 — L from which noise has been removed by the noise removal circuit 700L is supplied to the first-stage power amplifier 500L in the low band. Then, in the second stage of the power amplifier 501L of the low band, the power supply voltage noise is removed by the noise removal circuit 540 L V FIL _ L is supplied.

電力増幅モジュール１１３Ｂ５においても、電力増幅モジュール１１３Ｂ４と同様に、ノイズ除去回路５４０Ｈ，５４０Ｌ，７００Ｈ，７００Ｌによって電圧ＶREGのノイズが除去されることにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。さらに、電力増幅モジュール１１３Ｂ５では、ノイズ除去回路がハイバンドとローバンドで別々に設けられていることにより、それぞれのバンドに合わせた適切なノイズ除去が可能となる。 Also in the power amplification module 113B5, as in the power amplification module 113B4, the noise of the voltage V REG is removed by the noise removal circuits 540H, 540L, 700H, and 700L, so that deterioration of the reception band noise characteristics can be suppressed. . Further, in the power amplification module 113B5, noise removal circuits are provided separately for the high band and the low band, so that appropriate noise removal according to each band can be performed.

図１５は、電力増幅モジュール１１３Ｂの他の構成例を示す図である。図１３に示した電力増幅モジュール１１３Ｂ４と同等の構成には同等の符号を付して説明を省略する。   FIG. 15 is a diagram illustrating another configuration example of the power amplification module 113B. The same components as those of the power amplification module 113B4 shown in FIG.

電力増幅モジュール１１３Ｂ６では、電力増幅モジュール１１３Ｂ４と異なり、２段目の電力増幅器のみが、エンベロープトラッキング方式により動作する。具体的には、２段目の電力増幅器５０１Ｈ，５０１Ｌには、電圧ＶREGのノイズを除去した電圧ＶFILが供給される一方、１段目の電力増幅器５００Ｈ，５００Ｌには、電圧ＶCCが供給される。 In the power amplification module 113B6, unlike the power amplification module 113B4, only the second-stage power amplifier operates by the envelope tracking method. Specifically, the voltage V FIL from which noise of the voltage V REG is removed is supplied to the second stage power amplifiers 501H and 501L, while the voltage V CC is supplied to the first stage power amplifiers 500H and 500L. Supplied.

電力増幅モジュール１１３Ｂ６においても、電力増幅モジュール１１３Ｂ４と同様に、ノイズ除去回路５４０によって電源電圧ＶREGのノイズが除去されることにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。なお、図１４に示した電力増幅モジュール１１３Ｂ５においても、２段目の電力増幅器のみがエンベロープトラッキング方式により動作する構成とすることができる。 Also in the power amplification module 113B6, as in the power amplification module 113B4, the noise of the power supply voltage V REG is removed by the noise removal circuit 540, so that deterioration of the reception band noise characteristic can be suppressed. In the power amplification module 113B5 shown in FIG. 14, only the second-stage power amplifier can be configured to operate according to the envelope tracking method.

以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。電力増幅モジュール１１３Ａ１〜１１３Ａ３，１１３Ｂ１〜１１３Ｂ３によれば、ＲＦ信号の振幅に応じて変動する電圧ＶREGのノイズを除去した電圧ＶFILが、電力増幅器５０１の電源電圧として供給される。これにより、エンベロープトラッキング方式の電力増幅モジュールにおける、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。なお、本実施形態では、エンベロープトラッキング方式を採用する電力増幅モジュールの場合について説明したが、平均電力トラッキング方式等、電源電圧が変動する他の方式を採用する電力増幅モジュールにおいても、同様の効果を得ることができる。 The exemplary embodiments of the present invention have been described above. According to the power amplification modules 113A1 to 113A3 and 113B1 to 113B3, the voltage V FIL from which the noise of the voltage V REG that fluctuates according to the amplitude of the RF signal is removed is supplied as the power supply voltage of the power amplifier 501. As a result, it is possible to suppress the degradation of the reception band noise characteristics in the envelope tracking type power amplification module. In the present embodiment, the case of the power amplification module that employs the envelope tracking method has been described. However, the same effect can be obtained in a power amplification module that employs another method in which the power supply voltage varies, such as an average power tracking method. Can be obtained.

なお、電力増幅モジュール１１３Ａ１〜１１３Ａ３，１１３Ｂ１〜１１３Ｂ３は、二段の電力増幅器により構成されているが、電力増幅器の段数は二段に限られず、一段であってもよいし、三段以上であってもよい。   The power amplification modules 113A1 to 113A3 and 113B1 to 113B3 are configured by two-stage power amplifiers, but the number of stages of the power amplifiers is not limited to two, and may be one or more than three. May be.

また、電力増幅モジュール１１３Ｂ１〜１１３Ｂ３によれば、電圧ＶREGを生成する電源回路１１２を内蔵した構成において、電圧ＶREGのノイズを除去した電圧ＶFILが、電力増幅器５０１の電源電圧として供給される。 Further, according to the power amplifier module 113B1～113B3, in the structure with a built-in power supply circuit 112 for generating a voltage V REG, the voltage V FIL free of noise voltage V REG, is supplied as a power supply voltage of the power amplifier 501 .

また、電力増幅モジュール１１３Ａ１〜１１３Ａ３，１１３Ｂ１〜１１３Ｂ３では、図６Ｃや図６Ｄに例示したように、ノイズ除去の周波数を調整可能な構成とすることができる。これにより、マルチバンドに対応している場合において、利用する周波数の送受信周波数間隔に応じて、ノイズ除去の周波数を調整することが可能となる。   Further, in the power amplification modules 113A1 to 113A3 and 113B1 to 113B3, as illustrated in FIG. 6C and FIG. 6D, the noise removal frequency can be adjusted. Thereby, in the case of supporting multiband, the frequency of noise removal can be adjusted according to the transmission / reception frequency interval of the frequency to be used.

また、電力増幅モジュール１１３Ａ１〜１１３Ａ３，１１３Ｂ１〜１１３Ｂによれば、二段の電力増幅器を備える構成においても、電圧ＶREGのノイズを除去した電圧ＶFILを電力増幅器５０１に供給することにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。 Further, according to the power amplification modules 113A1 to 113A3 and 113B1 to 113B, even in the configuration including the two-stage power amplifier, by supplying the voltage V FIL from which the noise of the voltage V REG is removed to the power amplifier 501, the reception band Deterioration of noise characteristics can be suppressed.

なお、電力増幅モジュール１１３Ａ２，１１３Ｂ２に示したように、１段目（ドライブ段）の電力増幅器５００に対しても、電圧ＶREGのノイズを除去した電圧ＶFILを供給することにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。 As shown in the power amplification modules 113A2 and 113B2, the reception band noise is also obtained by supplying the voltage V FIL from which the noise of the voltage V REG has been removed to the first stage (drive stage) power amplifier 500. Deterioration of characteristics can be suppressed.

また、電力増幅モジュール１１３Ａ３，１１３Ｂ３に示したように、電圧ＶREGのノイズを除去した電圧ＶFIL2を１段目の電力増幅器５００に供給するノイズ除去回路７００を備えることも可能である。これにより、各段の特性に応じてノイズ除去の特性を調整することが可能となる。 Further, as shown in the power amplification modules 113A3 and 113B3, a noise removal circuit 700 that supplies the voltage V FIL2 from which the noise of the voltage V REG is removed to the first-stage power amplifier 500 may be provided. This makes it possible to adjust the noise removal characteristics according to the characteristics of each stage.

また、電力増幅モジュール１１３Ｂ４によれば、ハイバンドの電力増幅器５００Ｈ，５５０１Ｈとローバンドの電力増幅器５００Ｌ，５０１Ｌとを備える構成においても、電力増幅モジュール１１３Ｂ３と同様に、ノイズ除去回路５４０，７００によって電圧ＶREGのノイズが除去されることにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。さらに、電力増幅モジュール１１３Ｂ４では、ハイバンドとローバンドでノイズ除去回路７００，５４０を共有することにより、コスト上昇を抑制することが可能となる。 Further, according to the power amplification module 113B4, in the configuration including the high-band power amplifiers 500H and 5501H and the low-band power amplifiers 500L and 501L, as with the power amplification module 113B3, the voltage V V is reduced by the noise removal circuits 540 and 700. By removing the REG noise, it is possible to suppress the degradation of the reception band noise characteristics. Furthermore, in the power amplification module 113B4, it is possible to suppress an increase in cost by sharing the noise removal circuits 700 and 540 in the high band and the low band.

また、電力増幅モジュール１１３Ｂ５によれば、ハイバンドの電力増幅器５００Ｈ，５５０１Ｈとローバンドの電力増幅器５００Ｌ，５０１Ｌとを備える構成においても、電力増幅モジュール１１３Ｂ４と同様に、ノイズ除去回路５４０Ｈ，５４０Ｌ，７００Ｈ，７００Ｌよって電源電圧ＶREGのノイズが除去されることにより、受信帯域雑音特性の劣化を抑制することができる。さらに、電力増幅モジュール１１３Ｂ５では、ノイズ除去回路がハイバンドとローバンドで別々に設けられていることにより、それぞれのバンドに合わせた適切なノイズ除去が可能となる。 Further, according to the power amplification module 113B5, in the configuration including the high-band power amplifiers 500H and 5501H and the low-band power amplifiers 500L and 501L, the noise removal circuits 540H, 540L, 700H, By removing the noise of the power supply voltage V REG by 700L, it is possible to suppress the deterioration of the reception band noise characteristic. Further, in the power amplification module 113B5, noise removal circuits are provided separately for the high band and the low band, so that appropriate noise removal according to each band can be performed.

なお、電力増幅モジュール１１３Ｂ４，１１３Ｂ５では、周波数帯域をハイバンド及びローバンドの２つとしたが、周波数帯域の数はこれに限られず、３つ以上であってもよい。   In the power amplification modules 113B4 and 113B5, two frequency bands are used, a high band and a low band, but the number of frequency bands is not limited to this and may be three or more.

以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。   Each embodiment described above is for facilitating understanding of the present invention, and is not intended to limit the present invention. The present invention can be changed / improved without departing from the spirit thereof, and the present invention includes equivalents thereof. In other words, those obtained by appropriately modifying the design of each embodiment by those skilled in the art are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention. For example, each element included in each embodiment and its arrangement, material, condition, shape, size, and the like are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate. In addition, each element included in each embodiment can be combined as much as technically possible, and combinations thereof are included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.

１００Ａ，１００Ｂ 送信ユニット
１１０ ベースバンド部
１１１ ＲＦ部
１１２ 電源回路
１１３Ａ，１１３Ａ１，１１３Ａ２，１１３Ａ３，１１３Ｂ，１１３Ｂ１，１１３Ｂ２，１１３Ｂ３，１１３Ｂ４，１１３Ｂ５，１１３Ｂ６ 電力増幅モジュール
１１４ フロントエンド部
１１５ アンテナ
２００，２０１ 遅延回路
２０２ ＲＦ変調部
２０３ 振幅レベル検出部
２０４ ＤＡＣ
５００，５００Ｈ，５００Ｌ，５０１，５０１Ｈ，５０１Ｌ 電力増幅器
５１０，５１０Ｈ，５１０Ｌ，５１１，５１１Ｈ，５１１Ｌ バイアス回路
５２０，５２０Ｈ，５２０Ｌ，５２１，５２１Ｈ，５２１Ｌ，５２２，５２２Ｈ，５２２Ｌ 整合回路
５３０，５３０Ｈ，５３０Ｌ，５３１，５３１Ｈ，５３１Ｌ，６００，６１０ インダクタ
５４０，５４０Ａ，５４０Ｂ，５４０Ｃ，５４０Ｄ，５４０Ｈ，５４０Ｌ，７００，７００Ｈ，７００Ｌ ノイズ除去回路
６０１，６１１，６２０ キャパシタ 100A, 100B Transmitting unit 110 Baseband unit 111 RF unit 112 Power supply circuit 113A, 113A1, 113A2, 113A3, 113B, 113B1, 113B2, 113B3, 113B4, 113B5, 113B6 Power amplification module 114 Front end unit 115 Antenna 200, 201 Delay circuit 202 RF modulation unit 203 Amplitude level detection unit 204 DAC
500, 500H, 500L, 501, 501H, 501L Power amplifier 510, 510H, 510L, 511, 511H, 511L Bias circuit 520, 520H, 520L, 521, 521H, 521L, 522H, 522L Matching circuit 530, 530H, 530L , 531, 531H, 531L, 600, 610 Inductors 540, 540A, 540B, 540C, 540D, 540H, 540L, 700, 700H, 700L Noise reduction circuits 601, 611, 620 Capacitors

Claims (12)

第１の信号を増幅して第２の信号を出力する第１の電力増幅器と、
ＤＣ−ＤＣコンバータから供給される第１の電圧が入力され、前記第１の電圧のノイズを除去した第２の電圧を、前記第１の電力増幅器の電源電圧として出力する第１のノイズ除去回路と、
を備える電力増幅モジュール。 A first power amplifier that amplifies the first signal and outputs a second signal;
A first noise removal circuit that receives a first voltage supplied from a DC-DC converter and outputs a second voltage from which noise of the first voltage is removed as a power supply voltage of the first power amplifier. When,
A power amplification module comprising: 請求項１に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第１の電圧は、前記第１の信号の振幅に応じて変動する、
電力増幅モジュール。 The power amplification module according to claim 1,
The first voltage varies according to the amplitude of the first signal.
Power amplification module. 請求項１に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第１の電圧は、前記電力増幅モジュールの平均出力電力に応じて変動する、
電力増幅モジュール。 The power amplification module according to claim 1,
The first voltage varies according to an average output power of the power amplification module.
Power amplification module. 請求項１〜３の何れか一項に記載の電力増幅モジュールであって、
前記ＤＣ−ＤＣコンバータが内蔵されている、
電力増幅モジュール。 The power amplification module according to any one of claims 1 to 3,
The DC-DC converter is built-in,
Power amplification module. 請求項１〜４の何れか一項に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第１のノイズ除去回路は、周波数制御信号に応じて、ノイズ除去の周波数を調整可能である、
電力増幅モジュール。 The power amplification module according to any one of claims 1 to 4,
The first noise removal circuit can adjust the frequency of noise removal according to a frequency control signal.
Power amplification module. 請求項１〜５の何れか一項に記載の電力増幅モジュールであって、
第３の信号を増幅して前記第１の信号を出力する第２の電力増幅器をさらに備える、
電力増幅モジュール。 The power amplification module according to any one of claims 1 to 5,
A second power amplifier for amplifying a third signal and outputting the first signal;
Power amplification module. 請求項６に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第１のノイズ除去回路は、さらに、前記第２の電圧を、前記第２の電力増幅器の電源電圧として出力する、
電力増幅モジュール。 The power amplification module according to claim 6,
The first noise removal circuit further outputs the second voltage as a power supply voltage of the second power amplifier.
Power amplification module. 請求項６に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第１の電圧が入力され、前記第１の電圧のノイズを除去した第３の電圧を、前記第２の電力増幅器の電源電圧として出力する第２のノイズ除去回路をさらに備える、
電力増幅モジュール。 The power amplification module according to claim 6,
A second noise removing circuit that receives the first voltage and outputs a third voltage from which noise of the first voltage is removed as a power supply voltage of the second power amplifier;
Power amplification module. 請求項８に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第１の信号とは異なる周波数帯域の第４の信号を増幅して第５の信号を出力する第３の電力増幅器をさらに備え、
前記第１のノイズ除去回路は、さらに、前記第２の電圧を、前記第３の電力増幅器の電源電圧として出力する、
電力増幅モジュール。 The power amplification module according to claim 8, wherein
A third power amplifier that amplifies a fourth signal in a frequency band different from the first signal and outputs a fifth signal;
The first noise removal circuit further outputs the second voltage as a power supply voltage of the third power amplifier.
Power amplification module. 請求項９に記載の電力増幅モジュールであって、
第６の信号を増幅して前記第４の信号を出力する第４の電力増幅器をさらに備え、
前記第２のノイズ除去回路は、さらに、前記第３の電圧を、前記第４の電力増幅器の電源電圧として出力する、
電力増幅モジュール。 The power amplification module according to claim 9, wherein
A fourth power amplifier for amplifying a sixth signal and outputting the fourth signal;
The second noise removal circuit further outputs the third voltage as a power supply voltage of the fourth power amplifier.
Power amplification module. 請求項８に記載の電力増幅モジュールであって、
前記第１の信号とは異なる周波数帯域の第４の信号を増幅して第５の信号を出力する第３の電力増幅器と、
前記第１の電圧が入力され、前記第１の電圧のノイズを除去した第４の電圧を、前記第３の電力増幅器の電源電圧として出力する第３のノイズ除去回路と、
をさらに備える電力増幅モジュール。 The power amplification module according to claim 8, wherein
A third power amplifier that amplifies a fourth signal in a frequency band different from the first signal and outputs a fifth signal;
A third noise removing circuit that receives the first voltage and outputs a fourth voltage from which noise of the first voltage has been removed as a power supply voltage of the third power amplifier;
A power amplification module further comprising: 請求項１１に記載の電力増幅モジュールであって、
第６の信号を増幅して前記第４の信号を出力する第４の電力増幅器と、
前記第１の電圧が入力され、前記第１の電圧のノイズを除去した第５の電圧を、前記第４の電力増幅器の電源電圧として出力する第４のノイズ除去回路と、
をさらに備える電力増幅モジュール。 The power amplification module according to claim 11, wherein
A fourth power amplifier for amplifying a sixth signal and outputting the fourth signal;
A fourth noise removal circuit that receives the first voltage and outputs a fifth voltage obtained by removing noise of the first voltage as a power supply voltage of the fourth power amplifier;
A power amplification module further comprising:
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