JP2016192761A - Device and system using the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce influences of noise on data signal transmission.SOLUTION: A device according to an embodiment includes: a substrate; an inductor provided on the substrate; a guard ring having a first guard ring part, which is provided adjacent to a periphery of the inductor, and a second guard ring part, which is provided adjacent to the outer side of the first guard ring part and is connected with one end of the first guard ring part at one end; and a first power source which is connected with the other end of the first guard ring part and the other end of the second guard ring part.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は装置及びそれを用いたシステムに関し、例えば、非接触通信を行う装置及びそれを備えたシステムに関する。   The present invention relates to an apparatus and a system using the apparatus, and more particularly to an apparatus that performs non-contact communication and a system including the apparatus.

特許文献1には、結合素子対の非接触カップリングを用いた無線通信装置が開示されている。結合素子対の各々は、導電性ループを有するインダクタであり、互いの導電性ループが対向するように配置されている。2つの導電性ループの対向配置によって、一方の結合素子を流れる電流によって生じる磁界が他方の結合素子の導電性ループを貫き、データ信号が伝送される。   Patent Literature 1 discloses a wireless communication device using non-contact coupling of a coupling element pair. Each of the coupling element pairs is an inductor having a conductive loop, and is arranged so that the conductive loops face each other. Due to the opposing arrangement of the two conductive loops, the magnetic field generated by the current flowing through one coupling element passes through the conductive loop of the other coupling element and the data signal is transmitted.

特開2014−53813号公報JP 2014-53813 A

従来から、基板上のインダクタやアンテナの周囲には、ノイズをシールドするために、金属層によるガードリングが設けられる場合がある。ガードリングは、ループ状のインダクタを囲むように配置される。特許文献1の無線通信装置においても、ノイズ対策のために、結合素子の周囲に当該結合素子を囲むようにガードリングを配置することが考えられる。   Conventionally, a guard ring made of a metal layer may be provided around an inductor or an antenna on a substrate in order to shield noise. The guard ring is disposed so as to surround the loop-shaped inductor. Also in the wireless communication device of Patent Document 1, it is conceivable to arrange a guard ring around a coupling element so as to surround the coupling element in order to prevent noise.

上述の特許文献1では、一方の結合素子を流れる電流によって生じる磁界内に他方の結合素子を配置して、データ信号を反映した誘導起電力が当該他方の結合素子に発生することによりデータ信号の伝送を行っている。特許文献1の結合素子の周囲にノイズ対策のためにガードリングを設けた場合に、ノイズによりガードリングに電流が流れると、不要な磁界が生じ、データ信号の伝送に問題が生じるおそれがある。   In the above-mentioned Patent Document 1, the other coupling element is arranged in a magnetic field generated by a current flowing through one coupling element, and an induced electromotive force reflecting the data signal is generated in the other coupling element, thereby generating a data signal. We are transmitting. When a guard ring is provided around the coupling element of Patent Document 1 as a noise countermeasure, if a current flows through the guard ring due to noise, an unnecessary magnetic field is generated, which may cause a problem in data signal transmission.

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   Other problems and novel features will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.

一実施の形態において、基板上のインダクタの周囲に隣接して配置されたガードリングは第1ガードリング部と第2ガードリング部とを含み、第1ガードリング部と第2ガードリング部の一端が接続され、第1ガードリング部と第2ガードリング部の他端は第1電源に接続されている。   In one embodiment, the guard ring disposed adjacent to the periphery of the inductor on the substrate includes a first guard ring portion and a second guard ring portion, and one ends of the first guard ring portion and the second guard ring portion. Are connected, and the other ends of the first guard ring portion and the second guard ring portion are connected to the first power source.

前記一実施形態によれば、第1ガードリング部と第2ガードリング部とを含むガードリングにより、ノイズによりガードリングに流れる電流で生じる誘導磁場のデータ信号の伝送への影響を抑制することができる。   According to the embodiment, the guard ring including the first guard ring portion and the second guard ring portion can suppress the influence on the transmission of the data signal of the induced magnetic field generated by the current flowing through the guard ring due to noise. it can.

実施の形態に係るシステムの全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the system which concerns on embodiment. 実施の形態に係る装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the apparatus which concerns on embodiment. 実施の形態1に係る装置の構成の一部を示す図である。2 is a diagram illustrating a part of the configuration of the apparatus according to Embodiment 1. FIG. 図3の装置を上面から見た図である。It is the figure which looked at the apparatus of FIG. 3 from the upper surface. 図4のV−V断面図である。It is VV sectional drawing of FIG. 実施の形態1に係る装置の他の構成の一部を示す図である。It is a figure which shows a part of other structure of the apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態1に係る装置の動作を説明する図である。6 is a diagram for explaining the operation of the apparatus according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態2に係る装置の構成の一部を示す図である。6 is a diagram illustrating a part of the configuration of an apparatus according to Embodiment 2. FIG. 実施の形態3に係る装置の構成の一部を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a part of the configuration of an apparatus according to Embodiment 3. 図9のIX−IX断面図である。It is IX-IX sectional drawing of FIG. 実施の形態4に係る装置の構成の一部を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a part of the configuration of an apparatus according to a fourth embodiment. 実施の形態5に係る装置の構成の一部を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a part of the configuration of an apparatus according to a fifth embodiment. 実施の形態6に係る装置の他の構成の一部を示す図である。FIG. 20 is a diagram illustrating a part of another configuration of the apparatus according to the sixth embodiment. 実施の形態7に係る装置の他の構成の一部を示す図である。FIG. 23 is a diagram showing a part of another configuration of the apparatus according to the seventh embodiment. 実施の形態8に係る装置の他の構成の一部を示す図である。FIG. 20 is a diagram illustrating a part of another configuration of the apparatus according to the eighth embodiment. 比較例の装置の構成の一部を示す図である。It is a figure which shows a part of structure of the apparatus of a comparative example. 図16の装置を上面から見た図である。It is the figure which looked at the apparatus of FIG. 16 from the upper surface. 図17のXIV−XIV断面図である。It is XIV-XIV sectional drawing of FIG. 比較例の装置の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of the apparatus of a comparative example.

以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。また、様々な処理を行う機能ブロックとして図面に記載される要素は、ハードウェア的には、CPU、メモリ、その他の回路で構成することができ、ソフトウェア的には、メモリにロードされたプログラムなどによって実現される。したがって、これらの機能ブロックがハードウェアのみ、ソフトウェアのみ、またはそれらの組合せによっていろいろな形で実現できることは当業者には理解されるところであり、いずれかに限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. For clarity of explanation, the following description and drawings are omitted and simplified as appropriate. In addition, elements described in the drawings as functional blocks for performing various processes can be configured by a CPU, a memory, and other circuits in terms of hardware, and programs loaded in the memory in terms of software, etc. It is realized by. Therefore, it is understood by those skilled in the art that these functional blocks can be realized in various forms by hardware only, software only, or a combination thereof, and is not limited to any one.

以下の実施の形態に示す具体的な値等は、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、それに限定されるものではない。なお、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。   Specific values and the like shown in the following embodiments are merely examples for facilitating understanding of the invention, and are not limited thereto unless otherwise specified. Note that, in each drawing, the same element is denoted by the same reference numeral, and redundant description is omitted as necessary.

実施の形態は、非接触カップリングを用いた近接場での非接触通信を行う装置及びそれを用いたシステムに関する。非接触カップリングは、例えば、誘導性カップリング又は容量性カップリングである。実施の形態に係る装置は、基板上に形成されたインダクタを含む。実施の形態では、このような装置において、安定した高速通信を実現するために、ノイズ対策の一つとしてインダクタの周囲にガードリングが設けられる。   Embodiments relate to a device that performs non-contact communication in a near field using non-contact coupling and a system using the same. Non-contact coupling is, for example, inductive coupling or capacitive coupling. An apparatus according to an embodiment includes an inductor formed on a substrate. In the embodiment, in such a device, in order to realize stable high-speed communication, a guard ring is provided around the inductor as one of noise countermeasures.

まず、図1を参照して、実施の形態に係るシステムの全体構成について説明する。図1は、実施の形態1に係るシステム100の全体構成を示す図である。システム100は、送信部1、受信部2を備える。送信部1は、送信基板10、電源11、送電ドライバ部12、給電コイル13、RFID(radio frequency identifier)チップ14、アンテナ15を有する。受信部2は、受信基板20、電源21、受電ドライバ部22、受電コイル23、リーダライタ24、アンテナ25を有する。   First, an overall configuration of a system according to an embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a system 100 according to the first embodiment. The system 100 includes a transmission unit 1 and a reception unit 2. The transmission unit 1 includes a transmission substrate 10, a power supply 11, a power transmission driver unit 12, a power feeding coil 13, an RFID (radio frequency identifier) chip 14, and an antenna 15. The receiving unit 2 includes a receiving substrate 20, a power source 21, a power receiving driver unit 22, a power receiving coil 23, a reader / writer 24, and an antenna 25.

図1に例示するシステム100は、給電コイル13及び受電コイル23による非接触給電部110、RFIDチップ14に接続されたアンテナ15とリーダライタ24に設けられたアンテナ25とによるRFID通信部120、送信基板10及び受信基板20の結合素子による非接触通信部130を有する。すなわち、実施の形態に係るシステム100は、複数の非接触コネクタを有している。以下、各部の概要について説明する。   A system 100 illustrated in FIG. 1 includes a non-contact power feeding unit 110 including a power feeding coil 13 and a power receiving coil 23, an RFID communication unit 120 including an antenna 15 connected to the RFID chip 14 and an antenna 25 provided on a reader / writer 24, and transmission. A non-contact communication unit 130 including a coupling element of the substrate 10 and the reception substrate 20 is included. That is, the system 100 according to the embodiment has a plurality of non-contact connectors. The outline of each part will be described below.

<非接触給電部110>
システム100では、送信部1から受信部2への非接触(ワイヤレス)での電力供給が可能である。非接触給電には、送信部1の電源11、送電ドライバ部12、給電コイル13、受信部2の電源21、受電ドライバ部22、受電コイル23が用いられる。非接触給電の方式は、例えば、離間して配置された給電コイル13と受電コイル23との間の電磁誘導を利用した電磁誘導方式を用いることができる。
<Non-contact power feeding unit 110>
In the system 100, power can be supplied from the transmitter 1 to the receiver 2 in a non-contact (wireless) manner. For the non-contact power supply, the power supply 11 of the transmission unit 1, the power transmission driver unit 12, the power supply coil 13, the power supply 21 of the reception unit 2, the power reception driver unit 22, and the power reception coil 23 are used. As a non-contact power feeding method, for example, an electromagnetic induction method using electromagnetic induction between the power feeding coil 13 and the power receiving coil 23 that are arranged apart from each other can be used.

図1に示す例において、送信部1側では、電源11から供給された電流は送電ドライバ部12により増幅され、給電コイル13に供給される。給電コイル13では、供給された電流により磁束が発生する。受信部2側では、給電コイル13に発生した磁束により、受電コイル23に電流が流れる。この電流は、受電ドライバ部22で整流され、電源21に供給される。このように、受信部2では、非接触で電源21への電力伝送ができる。なお、非接触給電の方式は、特に制限されず、電磁界の共振結合を利用した磁気共鳴方式等を用いることも可能である。   In the example shown in FIG. 1, on the transmission unit 1 side, the current supplied from the power supply 11 is amplified by the power transmission driver unit 12 and supplied to the power supply coil 13. In the feeding coil 13, a magnetic flux is generated by the supplied current. On the receiving unit 2 side, a current flows through the power receiving coil 23 due to the magnetic flux generated in the power feeding coil 13. This current is rectified by the power receiving driver unit 22 and supplied to the power source 21. Thus, the receiving unit 2 can transmit power to the power source 21 in a non-contact manner. Note that the method of contactless power feeding is not particularly limited, and a magnetic resonance method using resonance coupling of an electromagnetic field can be used.

<RFID通信部120>
システム100では、RFIDチップ14、リーダライタ24を用いて送信部1から受信部2へのRFID通信が可能である。RFIDチップ14、アンテナ15は、RFIDタグを構成する。RFIDチップ14には、アンテナ15と共に共振回路を構成するコンデンサや識別番号等のデータを格納するメモリ回路等が形成されている。RFIDタグは、リーダライタ24から送信される電磁波や電波等を用いた近距離の無線通信によって情報をやりとりする。
<RFID communication unit 120>
In the system 100, RFID communication from the transmission unit 1 to the reception unit 2 is possible using the RFID chip 14 and the reader / writer 24. The RFID chip 14 and the antenna 15 constitute an RFID tag. The RFID chip 14 is formed with a capacitor that forms a resonance circuit together with the antenna 15, a memory circuit that stores data such as an identification number, and the like. The RFID tag exchanges information by short-range wireless communication using electromagnetic waves or radio waves transmitted from the reader / writer 24.

<非接触通信部130>
システム100は、送信基板10及び受信基板20の結合素子を用いた非接触通信を行う。実施の形態では、送信部1には3つの送信基板10が設けられており、受信基板20には3つの受信基板20が設けられた例を示している。
<Non-contact communication unit 130>
The system 100 performs non-contact communication using the coupling elements of the transmission board 10 and the reception board 20. In the embodiment, the transmission unit 1 is provided with three transmission boards 10, and the reception board 20 is provided with three reception boards 20.

図2は、実施の形態に係る装置である送信基板10、受信基板20の構成を示す図である。図2に示すように、送信基板10は、送信チップ30、送信インダクタ31を有している。送信インダクタ31の両端はそれぞれ、送信チップ30の出力ポートTXP、TXNに接続されている。送信チップ30には、差動ドライバ32、PLL(phase locked loop)33、同相モード送信機(CMTX(Common Mode Transmitter))34が設けられている。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the transmission board 10 and the reception board 20 which are apparatuses according to the embodiment. As illustrated in FIG. 2, the transmission substrate 10 includes a transmission chip 30 and a transmission inductor 31. Both ends of the transmission inductor 31 are connected to the output ports TXP and TXN of the transmission chip 30, respectively. The transmission chip 30 includes a differential driver 32, a PLL (phase locked loop) 33, and a common mode transmitter (CMTX) 34.

差動ドライバ32からの信号線対は、それぞれ出力ポートTXP、TXNに接続されている。この信号線対にはPLL33、CMTX34が接続されている。送信基板10上には、接地端子GND、接地配線W、アナロググランドAGND、デジタルグランドDGNDが設けられている。アナロググランドAGND及びデジタルグランドDGNDは、接地配線Wを介して接地端子GNDに接続されている。差動ドライバ32はアナロググランドAGNDに接続され、PLL33はデジタルグランドDGNDに接続されている。   Signal line pairs from the differential driver 32 are connected to output ports TXP and TXN, respectively. A PLL 33 and CMTX 34 are connected to the signal line pair. On the transmission board 10, a ground terminal GND, a ground wiring W, an analog ground AGND, and a digital ground DGND are provided. The analog ground AGND and digital ground DGND are connected to the ground terminal GND via the ground wiring W. The differential driver 32 is connected to the analog ground AGND, and the PLL 33 is connected to the digital ground DGND.

受信基板20は、受信チップ40、受信インダクタ41を有している。受信インダクタ41の両端はそれぞれ、受信チップ40の入力ポートRXP、RXNに接続されている。受信チップ40には、差動増幅器42、ヒステリシスコンパレータ43、同相モード受信機(CMRX(Common Mode Receiver))44が設けられている。   The reception substrate 20 has a reception chip 40 and a reception inductor 41. Both ends of the receiving inductor 41 are connected to the input ports RXP and RXN of the receiving chip 40, respectively. The reception chip 40 is provided with a differential amplifier 42, a hysteresis comparator 43, and a common mode receiver (CMRX) 44.

入力ポートRXP、RXNからの信号線対は、差動増幅器42の入力側に接続されている。入力ポートRXP、RXNからの信号線対には、CMRX44が接続される。差動増幅器42からの出力は、ヒステリシスコンパレータ43に入力される。受信基板20上には、接地端子GND接地配線W、アナロググランドAGND、デジタルグランドDGNDが設けられている。アナロググランドAGND及びデジタルグランドDGNDは、接地配線Wを介して接地端子GNDに接続されている。差動増幅器42は、アナロググランドAGNDに接続され、PLL33はデジタルグランドDGNDに接続されている。   A pair of signal lines from the input ports RXP and RXN is connected to the input side of the differential amplifier 42. A CMRX 44 is connected to the signal line pair from the input ports RXP and RXN. An output from the differential amplifier 42 is input to the hysteresis comparator 43. On the reception board 20, a ground terminal GND ground wiring W, an analog ground AGND, and a digital ground DGND are provided. The analog ground AGND and digital ground DGND are connected to the ground terminal GND via the ground wiring W. The differential amplifier 42 is connected to the analog ground AGND, and the PLL 33 is connected to the digital ground DGND.

実施の形態に係る送信基板10、受信基板20は、一対の送信インダクタ31、受信インダクタ41の間に形成される非接触カップリングを介して、差動モード信号及び同相モード信号を同時に無線伝送することができる。ここで挙げた例では、送信基板10が差動モード信号及び同相モード信号を送信し、受信基板20が差動モード信号及び同相モード信号を受信する。   The transmission board 10 and the reception board 20 according to the embodiment wirelessly transmit the differential mode signal and the common mode signal simultaneously through a non-contact coupling formed between the pair of transmission inductors 31 and the reception inductor 41. be able to. In the example given here, the transmission board 10 transmits the differential mode signal and the common mode signal, and the reception board 20 receives the differential mode signal and the common mode signal.

差動ドライバ32は、送信データ信号(ベースバンド信号)を受信して差動ベースバンド信号を生成し、信号線対を介して送信インダクタ31を駆動する。なお、本実施の形態では、差動モード信号と同相モード信号の同時伝送を想定しているため、差動ドライバ32に起因する同相モードノイズを抑制できることが望ましい。したがって、差動ドライバ32の最終段は、例えばカスコードアンプとすることができる。   The differential driver 32 receives a transmission data signal (baseband signal), generates a differential baseband signal, and drives the transmission inductor 31 via a signal line pair. In the present embodiment, since simultaneous transmission of the differential mode signal and the common mode signal is assumed, it is desirable that the common mode noise caused by the differential driver 32 can be suppressed. Therefore, the final stage of the differential driver 32 can be a cascode amplifier, for example.

PLL33は、送信データ信号のエッジタイミングに応じてVCO(Voltage Controlled Oscillator)の発振周波数および位相を調整し、送信データ信号の周波数及び位相に追従した正弦波クロック信号を生成する。CMTX34は、PLL33によって生成された正弦波クロック信号によって、信号線対の2本の信号線を駆動する。つまり、CMTX344は、正弦波クロック信号を同相モード信号として利用する。   The PLL 33 adjusts the oscillation frequency and phase of a VCO (Voltage Controlled Oscillator) according to the edge timing of the transmission data signal, and generates a sine wave clock signal that follows the frequency and phase of the transmission data signal. The CMTX 34 drives the two signal lines of the signal line pair by the sine wave clock signal generated by the PLL 33. That is, the CMTX 344 uses the sine wave clock signal as a common mode signal.

差動増幅器42は、受信インダクタ41によって受信された差動モード信号とCMTX34によって信号線対に重畳された同相モード信号を受信し、差動モード信号を増幅して出力するとともに、同相モード信号を除去する。ヒステリシスコンパレータ43は、差動ベースバンド信号(つまり、差動パルス信号)を受信し、差動パルス信号の2つの信号電圧の比較結果を出力する。ヒステリシスコンパレータ43の出力は、復元されたデータ信号を示す。CMRX44は、受信インダクタ41を介して同相モード信号を受信し、クロック信号を復元する。   The differential amplifier 42 receives the differential mode signal received by the receiving inductor 41 and the common mode signal superimposed on the signal line pair by the CMTX 34, amplifies and outputs the differential mode signal, and outputs the common mode signal. Remove. The hysteresis comparator 43 receives a differential baseband signal (that is, a differential pulse signal) and outputs a comparison result of two signal voltages of the differential pulse signal. The output of the hysteresis comparator 43 indicates the restored data signal. The CMRX 44 receives the common mode signal via the receiving inductor 41 and restores the clock signal.

送信インダクタ31、受信インダクタ41は、それぞれ送信基板10、受信基板20上に形成された導電性ループからなる。送信インダクタ31、受信インダクタ41とは、互いの導電性ループが対向するように配置される。2つの導電性ループを対向配置することによって、送信インダクタ31を流れる電流によって生じる磁界H(磁束)が効率よく受信インダクタ41の導電性ループを貫き、差動モード信号を高精度で伝送することができる。また、送信インダクタ31、受信インダクタ41を構成する2つの導電性ループが等距離で向かい合う配置によって、結合素子23及び33の容量性カップリング係数を高めることができ、同相モード信号を精度よく伝送することができる。   The transmission inductor 31 and the reception inductor 41 are composed of conductive loops formed on the transmission board 10 and the reception board 20, respectively. The transmission inductor 31 and the reception inductor 41 are arranged so that their conductive loops face each other. By arranging the two conductive loops to face each other, the magnetic field H (magnetic flux) generated by the current flowing through the transmission inductor 31 can efficiently pass through the conductive loop of the reception inductor 41 and transmit the differential mode signal with high accuracy. it can. In addition, by arranging the two conductive loops constituting the transmission inductor 31 and the reception inductor 41 to face each other at an equal distance, the capacitive coupling coefficient of the coupling elements 23 and 33 can be increased, and the common-mode signal is transmitted with high accuracy. be able to.

なお、上述の非接触通信を行う送信基板10、受信基板20の構成は一例であり、他の構成を採用することも可能である。差動モード信号及び同相モード信号の伝送方向は、一方向でも良いし双方向であってもよい。システム100は、差動モード伝送のための差動ドライバ32と差動増幅器42及びヒステリシスコンパレータ43とのペアを複数組有してもよいし、同相モード伝送のためのCMTX34及びCMRX44のペアを複数組有してもよい。また、実施の形態にかかるシステムは、図1に示したように複数の非接触コネクタを有していてもよく、図2に示したように単一の非接触コネクタを有し、非接触通信のみを行うシステムであってもよい。   Note that the above-described configurations of the transmission board 10 and the reception board 20 that perform non-contact communication are merely examples, and other configurations may be employed. The transmission direction of the differential mode signal and the common mode signal may be unidirectional or bidirectional. The system 100 may include a plurality of pairs of differential drivers 32, differential amplifiers 42, and hysteresis comparators 43 for differential mode transmission, and a plurality of pairs of CMTX 34 and CMRX 44 for common mode transmission. You may have a set. Further, the system according to the embodiment may have a plurality of non-contact connectors as shown in FIG. 1, and has a single non-contact connector as shown in FIG. The system which performs only.

実施の形態に係るシステムでは、3つの送信基板10、受信基板20による3つのアンテナペアと、非接触給電部110のアンテナペアと、RFID通信部120のアンテナペアの5つのアンテナペアが設けられている。一般に、基板上に形成されたインダクタが受けるノイズの原因は、以下の二つが考えられる。
(1)基板上に形成された配線で伝送されるデジタル信号が、同一の基板上のグランド電位を電気的に揺らす。(例えば、送信基板10のPLL33のクロック信号やデジタル制御信号が原因で、グランド電位が不安定となる。)
(2)基板の周囲にある無線機(携帯や、無線アンテナ等)とインダクタが結合する。(例えば、送信インダクタ31、受信インダクタ41が非接触給電部110の給電コイル13、受電コイル23や、RFID通信部120のアンテナ15、アンテナ25等と結合する。)
In the system according to the embodiment, five antenna pairs are provided, that is, three antenna pairs of three transmission boards 10 and reception boards 20, an antenna pair of the non-contact power feeding unit 110, and an antenna pair of the RFID communication unit 120. Yes. In general, there are two possible causes of noise received by an inductor formed on a substrate.
(1) A digital signal transmitted through a wiring formed on a substrate electrically shakes the ground potential on the same substrate. (For example, the ground potential becomes unstable due to the clock signal or digital control signal of the PLL 33 of the transmission board 10).
(2) An inductor is coupled with a radio (such as a mobile phone or a radio antenna) around the substrate. (For example, the transmission inductor 31 and the reception inductor 41 are coupled to the power supply coil 13 and the power reception coil 23 of the non-contact power supply unit 110 and the antenna 15 and the antenna 25 of the RFID communication unit 120.)

上述したように、実施の形態では、ノイズ対策のために、増幅器等のアナログブロックのアナロググランドAGNDと、PLL33等のデジタルブロックのデジタルグランドDGNDとを分けて構成している。アナロググランドAGNDとデジタルグランドDGNDとは物理的に分離することも可能である。しかし、コストダウンのために、表面と裏面にそれぞれ1層ずつ金属層が形成された基板(以下、単層基板とする)が用いられる場合がある。このように2層の金属層のみが利用可能な場合、アナロググランドAGNDとデジタルグランドDGNDとは同じ金属層となり、デジタルグランドDGNDのノイズがアナロググランドAGNDに回り込む可能性がある。   As described above, in the embodiment, the analog ground AGND of the analog block such as an amplifier and the digital ground DGND of the digital block such as the PLL 33 are separately configured for noise countermeasures. The analog ground AGND and the digital ground DGND can be physically separated. However, in order to reduce costs, a substrate (hereinafter referred to as a single layer substrate) in which one metal layer is formed on each of the front surface and the back surface may be used. When only two metal layers are available in this way, the analog ground AGND and the digital ground DGND are the same metal layer, and the noise of the digital ground DGND may wrap around the analog ground AGND.

実施の形態では、送信インダクタ31、受信インダクタ41の周囲には、このようなノイズの対策としてガードリングが設けられる。以下、ガードリングの構成について図面を参照して説明する。   In the embodiment, a guard ring is provided around the transmission inductor 31 and the reception inductor 41 as a countermeasure against such noise. Hereinafter, the configuration of the guard ring will be described with reference to the drawings.

実施の形態1.
実施の形態1に係る装置の構成について、図3〜5を参照して説明する。図3は、実施の形態1に係る装置である、送信基板10及び受信基板20の構成の一部を示す図である。図3は、送信基板10、受信基板20上にそれぞれ形成された送信インダクタ31、受信インダクタ41が対向するように配置された状態を示している。図4は、図3に示す送信基板10、受信基板20をそれぞれ上面から見た図である。図5は、図4のV−V断面図である。図5では、送信インダクタ31、受信インダクタ41が対向するように配置された状態となっている。
Embodiment 1 FIG.
The configuration of the apparatus according to Embodiment 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a diagram illustrating a part of the configuration of the transmission board 10 and the reception board 20, which is the device according to the first embodiment. FIG. 3 shows a state in which the transmission inductor 31 and the reception inductor 41 respectively formed on the transmission board 10 and the reception board 20 are arranged to face each other. FIG. 4 is a view of the transmission board 10 and the reception board 20 shown in FIG. 3 as viewed from above. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. In FIG. 5, the transmission inductor 31 and the reception inductor 41 are arranged so as to face each other.

送信基板10の第1面には、送信インダクタ31、二重ガードリング35、接地端子GND、接地配線Wが設けられている。送信インダクタ31、二重ガードリング35、接地配線Wは、送信基板10の第1面に形成された第1金属層により形成されている。接地端子GNDには、送信基板10側の第1電源からグランド電圧が供給される。送信基板10の第1面の裏面の第2面には、送信チップ30が配置されている。   On the first surface of the transmission board 10, a transmission inductor 31, a double guard ring 35, a ground terminal GND, and a ground wiring W are provided. The transmission inductor 31, the double guard ring 35, and the ground wiring W are formed of a first metal layer formed on the first surface of the transmission substrate 10. A ground voltage is supplied to the ground terminal GND from the first power supply on the transmission board 10 side. A transmission chip 30 is disposed on the second surface of the back surface of the first surface of the transmission substrate 10.

送信チップ30のポートTXP、TXMは、送信基板10の第2面に形成された第2金属層からなる配線に接続されている。すなわち、送信基板10は、表面と裏面とにそれぞれ1層ずつ金属層が形成された単層基板である。送信インダクタ31は、送信基板10に設けられたビア、第2金属層からなる配線を介して送信チップ30に接続されている。   The ports TXP and TXM of the transmission chip 30 are connected to a wiring made of a second metal layer formed on the second surface of the transmission substrate 10. That is, the transmission substrate 10 is a single layer substrate in which one metal layer is formed on each of the front surface and the back surface. The transmission inductor 31 is connected to the transmission chip 30 via a wiring formed on the transmission substrate 10 and a second metal layer.

送信インダクタ31の周囲には、二重ガードリング35が設けられている。二重ガードリング35は、平面視で送信インダクタ31を囲繞する。二重ガードリング35は、第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bを含む。第1ガードリング部35aは、送信インダクタ31に隣接するように配置される。第1ガードリング部35aは、送信インダクタ31を囲繞する。第2ガードリング部35bは、第1ガードリング部35aの外側に隣接するように配置される。第2ガードリング部35bは、第1ガードリング部35aを囲繞する。   A double guard ring 35 is provided around the transmission inductor 31. The double guard ring 35 surrounds the transmission inductor 31 in plan view. The double guard ring 35 includes a first guard ring portion 35a and a second guard ring portion 35b. The first guard ring portion 35 a is disposed adjacent to the transmission inductor 31. The first guard ring portion 35a surrounds the transmission inductor 31. The second guard ring portion 35b is disposed so as to be adjacent to the outside of the first guard ring portion 35a. The second guard ring part 35b surrounds the first guard ring part 35a.

第1ガードリング部35aの一端は、第2ガードリング部35bの一端と接続されている。第1ガードリング部35aの他端及び第2ガードリング部35bの他端は、接地配線Wを介して接地端子GNDに接続されている。第1ガードリング部35aと接地配線Wとの接続点は、送信インダクタ31の一方の端子の近傍に配置される。第1ガードリング部35aは、当該第1ガードリング部35aと接地配線Wとの接続点から、送信インダクタ31を囲むように、送信インダクタ31の他方の端子の近傍まで延伸している。   One end of the first guard ring portion 35a is connected to one end of the second guard ring portion 35b. The other end of the first guard ring portion 35a and the other end of the second guard ring portion 35b are connected to the ground terminal GND via the ground wiring W. A connection point between the first guard ring portion 35 a and the ground wiring W is disposed in the vicinity of one terminal of the transmission inductor 31. The first guard ring part 35 a extends from the connection point between the first guard ring part 35 a and the ground wiring W to the vicinity of the other terminal of the transmission inductor 31 so as to surround the transmission inductor 31.

第2ガードリング部35bは、送信インダクタ31の他方の端子の近傍に配置される第1ガードリング部35aの他端から、第1ガードリング部35aを囲むように延伸している。第2ガードリング部35bと接地配線Wとの接続点は、送信インダクタ31の一方の端子の近傍に配置される。ノイズにより第1ガードリング部35aに第1方向に電流が流れた場合、第2ガードリング部35bでは第1方向とは逆の第2方向に電流が流れる。   The second guard ring part 35b extends from the other end of the first guard ring part 35a disposed in the vicinity of the other terminal of the transmission inductor 31 so as to surround the first guard ring part 35a. A connection point between the second guard ring portion 35 b and the ground wiring W is disposed in the vicinity of one terminal of the transmission inductor 31. When current flows in the first direction in the first guard ring portion 35a due to noise, current flows in the second direction opposite to the first direction in the second guard ring portion 35b.

一方、受信基板20についても、送信基板10と略同様の構成を有している。すなわち、受信基板20の第1面には、受信インダクタ41、二重ガードリング45、接地端子GND、接地配線Wが設けられている。受信インダクタ41、二重ガードリング45、接地端子GND、接地配線Wは、受信基板20の第1面に形成された第1金属層により形成されている。接地端子GNDには、受信基板20側の第1電源からグランド電圧が供給される。受信基板20の第1面の裏面の第2面には、受信チップ40が配置されている。   On the other hand, the reception board 20 also has a configuration substantially similar to that of the transmission board 10. That is, the receiving inductor 41, the double guard ring 45, the ground terminal GND, and the ground wiring W are provided on the first surface of the receiving substrate 20. The receiving inductor 41, the double guard ring 45, the ground terminal GND, and the ground wiring W are formed by a first metal layer formed on the first surface of the receiving substrate 20. A ground voltage is supplied to the ground terminal GND from the first power supply on the receiving board 20 side. The receiving chip 40 is arranged on the second surface of the back surface of the first surface of the receiving substrate 20.

受信チップ40のポートRXP、RXMは、受信基板20の第2面に形成された第2金属層からなる配線に接続されている。すなわち、受信基板20は、表面と裏面とにそれぞれ1層ずつ金属層が形成された単層基板である。受信インダクタ41は、受信基板20に設けられたビア、第2金属層からなる配線を介して受信チップ40に接続されている。   The ports RXP and RXM of the receiving chip 40 are connected to the wiring made of the second metal layer formed on the second surface of the receiving substrate 20. That is, the receiving substrate 20 is a single layer substrate in which one metal layer is formed on each of the front surface and the back surface. The reception inductor 41 is connected to the reception chip 40 via a wiring formed on the reception substrate 20 and a second metal layer.

受信インダクタ41の周囲には、二重ガードリング45が設けられている。二重ガードリング45は、平面視で受信インダクタ41を囲繞する。二重ガードリング45は、第1ガードリング部45aと第2ガードリング部45bを含む。第1ガードリング部45aは、受信インダクタ41に隣接するように配置される。第1ガードリング部45aは、受信インダクタ41を囲繞する。第2ガードリング部45bは、第1ガードリング部45aの外側に隣接するように配置される。第2ガードリング部45bは、第1ガードリング部45aを囲繞する。   A double guard ring 45 is provided around the receiving inductor 41. The double guard ring 45 surrounds the reception inductor 41 in plan view. The double guard ring 45 includes a first guard ring portion 45a and a second guard ring portion 45b. The first guard ring portion 45 a is disposed adjacent to the receiving inductor 41. The first guard ring portion 45a surrounds the receiving inductor 41. The second guard ring part 45b is disposed adjacent to the outside of the first guard ring part 45a. The second guard ring part 45b surrounds the first guard ring part 45a.

第1ガードリング部45aの一端は、第2ガードリング部45bの一端と接続されている。第1ガードリング部45aの他端及び第2ガードリング部45bの他端は、接地配線Wを介して接地端子GNDに接続されている。第1ガードリング部45aと接地配線Wとの接続点は、受信インダクタ41の一方の端子の近傍に配置される。第1ガードリング部45aは、当該第1ガードリング部45aと接地配線Wとの接続点から、受信インダクタ41を囲むように、受信インダクタ41の他方の端子の近傍まで延伸している。   One end of the first guard ring portion 45a is connected to one end of the second guard ring portion 45b. The other end of the first guard ring portion 45a and the other end of the second guard ring portion 45b are connected to the ground terminal GND via the ground wiring W. A connection point between the first guard ring portion 45 a and the ground wiring W is disposed in the vicinity of one terminal of the reception inductor 41. The first guard ring part 45 a extends from the connection point between the first guard ring part 45 a and the ground wiring W to the vicinity of the other terminal of the reception inductor 41 so as to surround the reception inductor 41.

第2ガードリング部45bは、受信インダクタ41の他方の端子の近傍に配置される第1ガードリング部45aの他端から、第1ガードリング部45aを囲むように延伸している。第2ガードリング部45bと接地配線Wとの接続点は、受信インダクタ41の一方の端子の近傍に配置される。ノイズにより第1ガードリング部45aに第1方向に電流が流れた場合、第2ガードリング部45bでは第1方向とは逆の第2方向に電流が流れる。   The second guard ring portion 45b extends from the other end of the first guard ring portion 45a disposed in the vicinity of the other terminal of the receiving inductor 41 so as to surround the first guard ring portion 45a. A connection point between the second guard ring portion 45 b and the ground wiring W is disposed in the vicinity of one terminal of the reception inductor 41. When current flows in the first direction in the first guard ring portion 45a due to noise, current flows in the second direction opposite to the first direction in the second guard ring portion 45b.

なお、図3〜5に示す例では、送信基板10、受信基板20の裏面側に、それぞれ送信チップ30、受信チップ40が設けられているが、これに限定されるものではない。図6に示す例は、送信基板10の表面のみに金属層が形成された単層基板でのレイアウトの一例である。図6に示すように、送信基板10の送信インダクタ31が設けられた面と同一の面に送信チップ30を配置することも可能である。送信チップ30と送信インダクタ31とは、送信基板10の表面の金属層により接続される。なお、受信基板20についても同様に、受信インダクタ41が設けられた面と同一の面に送信チップ30を配置することができる。   In the example illustrated in FIGS. 3 to 5, the transmission chip 30 and the reception chip 40 are provided on the back side of the transmission board 10 and the reception board 20, respectively, but the present invention is not limited thereto. The example shown in FIG. 6 is an example of a layout on a single layer substrate in which a metal layer is formed only on the surface of the transmission substrate 10. As shown in FIG. 6, it is also possible to arrange the transmission chip 30 on the same surface as the surface on which the transmission inductor 31 of the transmission substrate 10 is provided. The transmission chip 30 and the transmission inductor 31 are connected by a metal layer on the surface of the transmission substrate 10. Similarly, the receiving chip 20 can be disposed on the same surface as the surface on which the receiving inductor 41 is provided.

ここで、比較として、上述した二重ガードリング35、45ではなく、一重のガードリングを設けた例について説明する。図16は、比較例の装置の構成の一部を示す図である。図17は、図16の送信基板10、受信基板20をそれぞれ上面から見た図である。図18は、図17のXIV−XIV断面図である。図19は、比較例の装置の動作を説明する図である。図16、18では、送信インダクタ31と受信インダクタ41とが対向して配置された状態が示されている。   Here, for comparison, an example in which a single guard ring is provided instead of the double guard rings 35 and 45 described above will be described. FIG. 16 is a diagram illustrating a part of the configuration of the apparatus of the comparative example. FIG. 17 is a view of the transmission board 10 and the reception board 20 of FIG. 16 as viewed from above. 18 is a cross-sectional view taken along the line XIV-XIV in FIG. FIG. 19 is a diagram for explaining the operation of the device of the comparative example. 16 and 18 show a state in which the transmission inductor 31 and the reception inductor 41 are arranged to face each other.

図16、17に示すように、比較例では、送信インダクタ31、受信インダクタ41の周囲にそれぞれ一重のリング状のガードリングGRが設けられている。ガードリングGRは、送信インダクタ31、受信インダクタ41と相似した形状であり、送信インダクタ31、受信インダクタ41を囲繞している。図16に示す例では、等電圧を維持するために、ガードリングGRの複数の点が接地配線Wと接続されている。すなわち、ガードリングGRには、複数のグランド入力点が形成されている。   As shown in FIGS. 16 and 17, in the comparative example, a single ring-shaped guard ring GR is provided around each of the transmission inductor 31 and the reception inductor 41. The guard ring GR has a shape similar to that of the transmission inductor 31 and the reception inductor 41, and surrounds the transmission inductor 31 and the reception inductor 41. In the example shown in FIG. 16, a plurality of points of the guard ring GR are connected to the ground wiring W in order to maintain an equal voltage. That is, a plurality of ground input points are formed on the guard ring GR.

比較例では、上記(2)の基板の周囲にある他の無線機とのインダクタの結合によるノイズに対しては有効であるが、(1)の基板上を伝送されるデジタル信号が、同一の基板上のグランド電位を電気的に揺らすノイズに対する有効性が低い。特に、アナロググランドAGNDとデジタルグランドDGNDとが比較的近いレイアウトパターンや、面積の制約やレイアウトの制限で複数のグランド入力点を取ることが難しい場合には、有効性がさらに低くなる。   In the comparative example, although effective against noise due to inductor coupling with other wireless devices around the board of (2), the digital signals transmitted on the board of (1) are the same. The effectiveness against noise that electrically fluctuates the ground potential on the substrate is low. In particular, if the analog ground AGND and the digital ground DGND are relatively close to each other, or if it is difficult to take a plurality of ground input points due to area restrictions or layout restrictions, the effectiveness is further reduced.

図19を参照して、比較例の装置の動作について説明する。図19では、送信基板10のみを図示している。デジタル信号の伝送時には送信インダクタ31に瞬間的に大きな電流が流れる。実際のグランド電位は有限の抵抗を有しているため、この電流によってグランド電位が変動する。図19の実線の矢印で示すようにグランド電位の変動の影響でガードリングGRに大きな電流が流れると、点線の矢印で示すようにガードリングGR内の送信インダクタ31に干渉磁場が発生する。この結果、送信インダクタ31が伝送しているデータ信号に干渉波が重畳し、エラーが発生する場合がある。   The operation of the device of the comparative example will be described with reference to FIG. In FIG. 19, only the transmission board 10 is illustrated. A large current instantaneously flows through the transmission inductor 31 during transmission of a digital signal. Since the actual ground potential has a finite resistance, the ground potential varies with this current. When a large current flows through the guard ring GR due to the influence of the fluctuation of the ground potential as shown by the solid line arrow in FIG. 19, an interference magnetic field is generated in the transmission inductor 31 in the guard ring GR as shown by the dotted line arrow. As a result, an interference wave may be superimposed on the data signal transmitted by the transmission inductor 31 and an error may occur.

これに対し、図7に、実施の形態1の装置の動作を示す。実施の形態1では、一方の端部同士が接続され、他方の端部が接地配線Wに接続された二重ガードリング35が設けられている。グランド電位が変動するノイズが発生した場合、内周の第1ガードリング部35aと外周の第2ガードリング部35bとで逆方向の電流が流れる。例えば、第1ガードリング部35aに時計回りに電流が流れた場合、誘導磁場は図7中の点線で示すようになる。このとき、第2ガードリング部35bに反時計回りに電流が流れ、誘導磁場は図7中の実線で示すようになる。   On the other hand, FIG. 7 shows the operation of the apparatus of the first embodiment. In the first embodiment, a double guard ring 35 having one end connected to each other and the other end connected to the ground wiring W is provided. When noise that changes the ground potential is generated, currents in opposite directions flow through the first guard ring portion 35a on the inner periphery and the second guard ring portion 35b on the outer periphery. For example, when a current flows clockwise through the first guard ring portion 35a, the induced magnetic field is as indicated by a dotted line in FIG. At this time, a current flows counterclockwise in the second guard ring portion 35b, and the induced magnetic field is as shown by a solid line in FIG.

このように、第1ガードリング部35aに流れる電流と第2ガードリング部35bに流れる電流とで、互いに反対方向に誘導磁場が形成されるため、二重ガードリング35内での誘導磁場がキャンセルされる。このように、グランド電位が変動するノイズにより、二重ガードリング35に電流が流れた場合でも、二重ガードリング35内に配置された送信インダクタ31はノイズの影響を受けない。   In this way, an induced magnetic field is formed in opposite directions by the current flowing through the first guard ring portion 35a and the current flowing through the second guard ring portion 35b, so that the induced magnetic field in the double guard ring 35 is canceled. Is done. Thus, even when a current flows through the double guard ring 35 due to noise whose ground potential varies, the transmission inductor 31 disposed in the double guard ring 35 is not affected by the noise.

ここで、実施の形態1の二重ガードリングと、比較例のガードリングとを同じサイズで設計し、同一レベルのグランドノイズ電流が発生した場合の、ガードリング内のインダクタで生成される干渉波レベルをシミュレーションして比較した結果について説明する。このシミュレーションでは、基板は、16mm厚さのFR4基板(プリント配線基板)であり、基板の表面及び裏面にそれぞれ1層の2層の金属層が形成されるモデルを構築した。基板上には、5mmのサイズのインダクタが形成され、インダクタの周囲に3mm幅のガードリングを設けた。このようなモデルに対して、電磁界解析ツールを用いてパラメータを抽出した。   Here, when the double guard ring of the first embodiment and the guard ring of the comparative example are designed with the same size and the ground noise current of the same level is generated, the interference wave generated by the inductor in the guard ring The results of simulation and comparison of levels will be described. In this simulation, the substrate was a 16 mm thick FR4 substrate (printed wiring substrate), and a model was constructed in which one metal layer and two metal layers were formed on the front and back surfaces of the substrate, respectively. An inductor having a size of 5 mm was formed on the substrate, and a guard ring having a width of 3 mm was provided around the inductor. For such a model, parameters were extracted using an electromagnetic field analysis tool.

抽出したパラメータを回路設計用のプログラムに導入して、ガードリングの端子からグランドノイズ電流を流入させて、インダクタに与える干渉波の周波数特性を確認した。送信基板10でグランドノイズを発生させた場合、実施の形態1のほうが比較例よりも、送信インダクタ31、受信インダクタ41で発生した干渉波レベルがそれぞれ−10dB〜−20dB改善した。   The extracted parameters were introduced into the circuit design program, and the ground noise current was allowed to flow from the guard ring terminal to check the frequency characteristics of the interference wave applied to the inductor. When ground noise was generated in the transmission board 10, the interference wave levels generated in the transmission inductor 31 and the reception inductor 41 were improved by -10 dB to -20 dB, respectively, in the first embodiment than in the comparative example.

このように、実施の形態の二重ガードリング35は、同一の基板上のデジタル信号の伝送に起因するグランドノイズで生成される誘導磁場の影響をキャンセルすることができる。これにより、二重ガードリングが内部のインダクタに与える影響を低減させることができ、安定した高速通信を実現することが可能となる。レイアウトや面積の制限があり、複数のグランド入力点を設けることができない場合、あるいは、基板の両面にそれぞれ形成された2層の金属層以外のベタグランドを設けることができない場合でも、効果的にノイズをシールドすることが可能である。   As described above, the double guard ring 35 according to the embodiment can cancel the influence of the induced magnetic field generated by the ground noise caused by the transmission of the digital signal on the same substrate. As a result, the influence of the double guard ring on the internal inductor can be reduced, and stable high-speed communication can be realized. Even when there are layout and area restrictions and multiple ground input points cannot be provided, or even when a solid ground other than the two metal layers formed on both sides of the substrate cannot be provided, it is effective. It is possible to shield noise.

実施の形態2.
実施の形態2に係る装置について、図8を参照して説明する。図8は、実施の形態2に係る装置の構成の一部を示す図である。図8では、送信基板10、受信基板20をそれぞれ上面から見た図を示している。実施の形態2では、実施の形態1の第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bとの間にコンデンサ36が追加されており、第1ガードリング部45aと第2ガードリング部45bとの間にコンデンサ46が追加されている。
Embodiment 2. FIG.
An apparatus according to Embodiment 2 will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a diagram illustrating a part of the configuration of the apparatus according to the second embodiment. FIG. 8 shows the transmission board 10 and the reception board 20 as viewed from above. In the second embodiment, a capacitor 36 is added between the first guard ring portion 35a and the second guard ring portion 35b of the first embodiment, and the first guard ring portion 45a and the second guard ring portion 45b are A capacitor 46 is added between the two.

コンデンサ36は、第1ガードリング部35aと接地配線Wとの接続点と、第2ガードリング部35bと接地配線Wとの接続点との間に接続されている。一重ガードリング47は、第1ガードリング部45aと接地配線Wとの接続点と、第2ガードリング部45bと接地配線Wとの接続点との間に接続されている。コンデンサ36とコンデンサ46とを追加することにより、共振を利用して、周波数特性を改善して二重ガードリング35、二重ガードリング45のインピーダンスを下げることができる。このように、追加するコンデンサの容量を調整することにより、二重ガードリングの共振周波数を調整することが可能となる。   The capacitor 36 is connected between a connection point between the first guard ring portion 35 a and the ground wiring W and a connection point between the second guard ring portion 35 b and the ground wiring W. The single guard ring 47 is connected between a connection point between the first guard ring part 45a and the ground wiring W and a connection point between the second guard ring part 45b and the ground wiring W. By adding the capacitor 36 and the capacitor 46, it is possible to improve the frequency characteristics and reduce the impedance of the double guard ring 35 and the double guard ring 45 by using resonance. As described above, the resonance frequency of the double guard ring can be adjusted by adjusting the capacitance of the added capacitor.

ここで、実施の形態1において説明したシミュレーション条件で、送信基板10と受信基板20のいずれもがグランドノイズを発生する場合について、グランドノイズの周波数依存性を調べた。実施の形態2のシミュレーション結果では、200MHz帯域でノイズレベルは実施の形態1よりも約10dB下がる。したがって、ノイズレベルが低くなるように追加するコンデンサの容量を調整することで、グランドノイズに対するキャンセル性能を改善することが可能となる。   Here, the frequency dependence of the ground noise was examined in the case where both the transmission substrate 10 and the reception substrate 20 generate ground noise under the simulation conditions described in the first embodiment. According to the simulation result of the second embodiment, the noise level is about 10 dB lower than that of the first embodiment in the 200 MHz band. Therefore, it is possible to improve the cancellation performance with respect to the ground noise by adjusting the capacitance of the added capacitor so that the noise level is lowered.

実施の形態3.
実施の形態3に係る装置について、図9、10を参照して説明する。図9は、実施の形態3に係る装置の構成の一部を示す図である。図9では、送信基板10、受信基板20をそれぞれ上面から見た図を示している。図10は、図9のIX−IX断面図である。
Embodiment 3 FIG.
An apparatus according to Embodiment 3 will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a diagram illustrating a part of the configuration of the apparatus according to the third embodiment. FIG. 9 shows a view of the transmission board 10 and the reception board 20 as viewed from above. 10 is a cross-sectional view taken along the line IX-IX in FIG.

実施の形態3では、実施の形態2と同様に、実施の形態1の第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bとの間にコンデンサ36が追加されており、第1ガードリング部45aと第2ガードリング部45bとの間にコンデンサ46が追加されている。   In the third embodiment, similarly to the second embodiment, a capacitor 36 is added between the first guard ring portion 35a and the second guard ring portion 35b of the first embodiment, and the first guard ring portion 45a. A capacitor 46 is added between the second guard ring portion 45b and the second guard ring portion 45b.

また、二重ガードリング35の外側には、一重ガードリング37が設けられている。一重ガードリング37は、平面視で二重ガードリング35を囲繞する。一重ガードリング37は二重ガードリング35と同様に金属層により形成されている。二重ガードリング45の外側には、一重ガードリング47が設けられている。一重ガードリング47は、平面視で二重ガードリング45を囲繞する。一重ガードリング47は二重ガードリング45と同様の金属層により形成されている。   A single guard ring 37 is provided outside the double guard ring 35. The single guard ring 37 surrounds the double guard ring 35 in plan view. The single guard ring 37 is formed of a metal layer like the double guard ring 35. A single guard ring 47 is provided outside the double guard ring 45. The single guard ring 47 surrounds the double guard ring 45 in plan view. The single guard ring 47 is formed of the same metal layer as the double guard ring 45.

このように、二重ガードリングと一重ガードリングとを組み合わせることにより、上記(1)のグランド電位の変動ノイズと(2)のインダクタの結合ノイズの両方を改善することができる。また、実施の形態2のように、コンデンサ36及びコンデンサ46が設けられているため、二重ガードリングの周波数特性を調整することができる。   Thus, by combining the double guard ring and the single guard ring, both the ground potential fluctuation noise (1) and the inductor coupling noise (2) can be improved. Further, since the capacitor 36 and the capacitor 46 are provided as in the second embodiment, the frequency characteristics of the double guard ring can be adjusted.

ここで、実施の形態3構成と、比較例構成のモデルについて、ガードリングのそれぞれにグランドノイズ電流が発生し、さらに他の無線機のアンテナの干渉が発生した場合の、ガードリング内のインダクタで生成される干渉波レベルをシミュレーションして比較した。シミュレーションの結果によると、実施の形態3の方が比較例に比べ、全周波数領域でグランドノイズレベルが下がっており、ノイズの影響が改善されていた。   Here, with respect to the models of the configuration of the third embodiment and the comparative example configuration, in the inductor in the guard ring when the ground noise current is generated in each of the guard rings and the interference of the antenna of another radio device is generated. The generated interference wave level was simulated and compared. According to the simulation results, the ground noise level is lower in the entire frequency region in the third embodiment than in the comparative example, and the influence of noise is improved.

実施の形態4.
実施の形態4に係る装置について、図11を参照して説明する。図11は、実施の形態4に係る装置の構成の一部を示す図である。図11では、送信基板10のみを上面から見た図を示している。
Embodiment 4 FIG.
An apparatus according to Embodiment 4 will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a diagram illustrating a part of the configuration of the apparatus according to the fourth embodiment. In FIG. 11, only the transmission board 10 is shown as viewed from above.

実施の形態4では、二重ガードリング35は、第1ガードリング構造体38aと第2ガードリング構造体38bとを含む。すなわち、実施の形態4に係る二重ガードリング35は、2つの部分に分割されている。第1ガードリング構造体38aと第2ガードリング構造体38bとにより、送信インダクタ31が囲繞される。   In the fourth embodiment, the double guard ring 35 includes a first guard ring structure 38a and a second guard ring structure 38b. That is, the double guard ring 35 according to Embodiment 4 is divided into two parts. The transmission inductor 31 is surrounded by the first guard ring structure 38a and the second guard ring structure 38b.

第1ガードリング構造体38a、第2ガードリング構造体38bは、それぞれ第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bとを含む。図11に示す例では、送信基板10の上部と下部とにそれぞれ左右方向に延在する接地配線Wが設けられている。第1ガードリング構造体38aは、下部の接地配線Wに接続されている。   The first guard ring structure 38a and the second guard ring structure 38b include a first guard ring part 35a and a second guard ring part 35b, respectively. In the example shown in FIG. 11, ground wirings W extending in the left-right direction are provided on the upper and lower parts of the transmission board 10, respectively. The first guard ring structure 38a is connected to the lower ground wiring W.

第1ガードリング構造体38aにおいて、第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bの一方の端部は接続され、第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bの一方の端部は送信基板10の下部の接地配線Wに接続されている。   In the first guard ring structure 38a, one end of the first guard ring part 35a and the second guard ring part 35b is connected, and one end of the first guard ring part 35a and the second guard ring part 35b is It is connected to the ground wiring W at the bottom of the transmission board 10.

第2ガードリング構造体38bは、上部の接地配線Wに接続されている。第2ガードリング構造体38bにおいて、第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bの一方の端部は接続され、第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bの一方の端部は送信基板10の上部の接地配線Wに接続されている。   The second guard ring structure 38b is connected to the upper ground wiring W. In the second guard ring structure 38b, one end of the first guard ring part 35a and the second guard ring part 35b is connected, and one end of the first guard ring part 35a and the second guard ring part 35b is It is connected to the ground wiring W at the top of the transmission board 10.

グランドノイズ電流が発生した場合、第1ガードリング構造体38a、第2ガードリング構造体38bのそれぞれにおいて、第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bとに互いに反対方向に電流が流れる。これにより、誘導磁場をキャンセルすることが可能となる。   When a ground noise current is generated, current flows in the first guard ring portion 35a and the second guard ring portion 35b in opposite directions to each other in each of the first guard ring structure 38a and the second guard ring structure 38b. Thereby, it is possible to cancel the induction magnetic field.

実施の形態5.
実施の形態5に係る装置について、図12を参照して説明する。図12は、実施の形態5に係る装置の構成の一部を示す図である。図12では、送信基板10のみを上面から見た図を示している。
Embodiment 5 FIG.
An apparatus according to Embodiment 5 will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a diagram illustrating a part of the configuration of the apparatus according to the fifth embodiment. In FIG. 12, only the transmission board 10 is shown as viewed from above.

実施の形態5では、二重ガードリング35は、第1ガードリング構造体39a、第2ガードリング構造体39b、第3ガードリング構造体39c、第4ガードリング構造体39dを含む。すなわち、実施の形態5に係る二重ガードリング35は、4つの部分に分割されている。第1〜第4ガードリング構造体39a〜39dにより、送信インダクタ31が囲繞される。   In the fifth embodiment, the double guard ring 35 includes a first guard ring structure 39a, a second guard ring structure 39b, a third guard ring structure 39c, and a fourth guard ring structure 39d. That is, the double guard ring 35 according to Embodiment 5 is divided into four parts. The transmission inductor 31 is surrounded by the first to fourth guard ring structures 39a to 39d.

第1〜第4ガードリング構造体39a〜39dは、それぞれ第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bとを含む。図12に示す例では、送信基板10の下部に左右方向に延在する接地配線Wが設けられている。また、送信基板10の上端辺、右端辺、左端辺に沿ってコの字型に接地配線Wが設けられている。第1ガードリング構造体39aは、送信基板10の下部の接地配線Wに接続されている。第2〜4ガードリング構造体39b〜39dは、コの字型の接地配線Wに接続されている。   The first to fourth guard ring structures 39a to 39d each include a first guard ring portion 35a and a second guard ring portion 35b. In the example shown in FIG. 12, a ground wiring W extending in the left-right direction is provided below the transmission board 10. A U-shaped ground wiring W is provided along the upper end side, right end side, and left end side of the transmission board 10. The first guard ring structure 39 a is connected to the ground wiring W at the bottom of the transmission board 10. The second to fourth guard ring structures 39b to 39d are connected to a U-shaped ground wiring W.

各第1〜第4ガードリング構造体39a〜39dにおいて、第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bの一方の端部は接続され、第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bの一方の端部は接地配線Wに接続されている。   In each of the first to fourth guard ring structures 39a to 39d, one end of the first guard ring part 35a and the second guard ring part 35b is connected, and the first guard ring part 35a and the second guard ring part 35b are connected. One end of each is connected to the ground wiring W.

グランドノイズ電流が発生した場合、第1〜第4ガードリング構造体39a〜39dのそれぞれにおいて、第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bとに互いに反対方向に電流が流れる。これにより、誘導磁場をキャンセルすることが可能となる。   When the ground noise current is generated, current flows in the first guard ring portion 35a and the second guard ring portion 35b in opposite directions in each of the first to fourth guard ring structures 39a to 39d. Thereby, it is possible to cancel the induction magnetic field.

実施の形態6.
実施の形態6に係る装置について、図13を参照して説明する。図13は、実施の形態6に係る装置の構成の一部を示す図である。図13では、送信基板10のみを上面から見た図を示している。図13に示す例は、送信基板10の表面のみに金属層が形成された単層基板でのレイアウトの一例である。
Embodiment 6 FIG.
An apparatus according to Embodiment 6 will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a diagram illustrating a part of the configuration of the apparatus according to the sixth embodiment. In FIG. 13, only the transmission board 10 is shown as viewed from above. The example shown in FIG. 13 is an example of a layout on a single-layer substrate in which a metal layer is formed only on the surface of the transmission substrate 10.

図13に示すように、送信基板10の第1面には、送信インダクタ31が設けられている。また、送信基板10の送信インダクタ31が設けられた面には、送信チップ30が配置されている。送信チップ30と送信インダクタ31は、接地配線Wが延在する方向に平行な方向に並ぶように配置されている。送信インダクタ31と送信チップ30とは、送信基板10の表面の金属層により接続される。なお、実施の形態1と同様に、送信基板10の裏面に送信チップ30を配置することも可能である。   As shown in FIG. 13, a transmission inductor 31 is provided on the first surface of the transmission substrate 10. A transmission chip 30 is disposed on the surface of the transmission substrate 10 on which the transmission inductor 31 is provided. The transmission chip 30 and the transmission inductor 31 are arranged in a direction parallel to the direction in which the ground wiring W extends. The transmission inductor 31 and the transmission chip 30 are connected by a metal layer on the surface of the transmission substrate 10. As in the first embodiment, it is possible to arrange the transmission chip 30 on the back surface of the transmission substrate 10.

二重ガードリング35は、第1ガードリング部35a、第2ガードリング部35b、第3ガードリング部35cを含む。第1ガードリング部35aは、平面視で送信インダクタ31を囲繞している。第1ガードリング部35aの両端の間には、所定の間隔が設けられている。第1ガードリング部35aの両端は、送信チップ30と送信インダクタ31とを接続する配線を挟むように配置される。   The double guard ring 35 includes a first guard ring portion 35a, a second guard ring portion 35b, and a third guard ring portion 35c. The first guard ring portion 35a surrounds the transmission inductor 31 in plan view. A predetermined interval is provided between both ends of the first guard ring portion 35a. Both ends of the first guard ring part 35a are arranged so as to sandwich a wiring connecting the transmission chip 30 and the transmission inductor 31.

第2ガードリング部35bと第3ガードリング部35cは、第1ガードリング部35aの外側に隣接して配置されている。第1ガードリング部35aは、平面視で第2ガードリング部35bと第3ガードリング部35cとにより囲繞されている。   The second guard ring portion 35b and the third guard ring portion 35c are disposed adjacent to the outside of the first guard ring portion 35a. The first guard ring portion 35a is surrounded by the second guard ring portion 35b and the third guard ring portion 35c in plan view.

第2ガードリング部35b、第3ガードリング部35cの一端は、接地配線Wに接続されている。接地配線Wは、送信基板10の表面に形成された金属層により形成されている。第2ガードリング部35b、第3ガードリング部35cの一端は、接地配線Wを介して接地端子GNDに接続されている。   One ends of the second guard ring portion 35b and the third guard ring portion 35c are connected to the ground wiring W. The ground wiring W is formed by a metal layer formed on the surface of the transmission board 10. One ends of the second guard ring portion 35b and the third guard ring portion 35c are connected to the ground terminal GND via the ground wiring W.

第1ガードリング部35aの一端は第2ガードリング部35bの他端に接続され、第1ガードリング部35aの他端は第3ガードリング部35cの他端に接続されている。送信チップ30と送信インダクタ31とを接続する配線は、第1ガードリング部35aの両端の間に設けられる。   One end of the first guard ring portion 35a is connected to the other end of the second guard ring portion 35b, and the other end of the first guard ring portion 35a is connected to the other end of the third guard ring portion 35c. The wiring connecting the transmission chip 30 and the transmission inductor 31 is provided between both ends of the first guard ring portion 35a.

ノイズにより第1ガードリング部35aに第1方向に電流が流れた場合、第2ガードリング部35b、第3ガードリング部35cでは第1方向とは逆の第2方向に電流が流れる。このように、実施の形態6では、二重ガードリング35の接地配線Wへの接続箇所を1か所とすることができる。   When current flows through the first guard ring portion 35a in the first direction due to noise, current flows in the second direction opposite to the first direction in the second guard ring portion 35b and the third guard ring portion 35c. Thus, in the sixth embodiment, the number of connection points of the double guard ring 35 to the ground wiring W can be one.

なお、二重ガードリング35を図14に示すようにレイアウトすることも可能である。図14に示す例では、図13と同様に、送信チップ30と送信インダクタ31は、接地配線Wが延在する方向に平行な方向に並ぶように配置されている。送信インダクタ31と送信チップ30とは、送信基板10の表面の金属層により接続される。   The double guard ring 35 can be laid out as shown in FIG. In the example shown in FIG. 14, as in FIG. 13, the transmission chip 30 and the transmission inductor 31 are arranged in a direction parallel to the direction in which the ground wiring W extends. The transmission inductor 31 and the transmission chip 30 are connected by a metal layer on the surface of the transmission substrate 10.

二重ガードリング35は第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bを含む。第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bとはいずれも略L字状である。第1ガードリング部35a及び第2ガードリング部35bの一端は、接地配線Wに接続されている。第1ガードリング部35aの他端は、第2ガードリング部35bの他端に接続されている。第1ガードリング部35aと第2ガードリング部35bの接続点は、送信インダクタ31と送信チップ30との接続点の近傍に配置されている。   The double guard ring 35 includes a first guard ring portion 35a and a second guard ring portion 35b. The first guard ring portion 35a and the second guard ring portion 35b are both substantially L-shaped. One ends of the first guard ring portion 35a and the second guard ring portion 35b are connected to the ground wiring W. The other end of the first guard ring portion 35a is connected to the other end of the second guard ring portion 35b. The connection point between the first guard ring part 35 a and the second guard ring part 35 b is arranged in the vicinity of the connection point between the transmission inductor 31 and the transmission chip 30.

なお、図14に示す例では、送信インダクタ31の接地配線W側の辺には、二重ガードリング35が配置されていない。しかし、第1ガードリング部35a及び第2ガードリング部35bの接地配線Wとの接続点を、送信インダクタ31と接地配線Wとの間の位置に移動させ、第1ガードリング部35a、第2ガードリング部35bを送信インダクタ31と接地配線Wとの間にも配置することも可能である。   In the example illustrated in FIG. 14, the double guard ring 35 is not disposed on the side of the transmission inductor 31 on the ground wiring W side. However, the connection point of the first guard ring portion 35a and the second guard ring portion 35b with the ground wiring W is moved to a position between the transmission inductor 31 and the ground wiring W, so that the first guard ring portion 35a and the second guard ring portion 35a It is also possible to arrange the guard ring part 35b between the transmission inductor 31 and the ground wiring W.

実施の形態7.
実施の形態7に係る装置について、図15を参照して説明する。図15は、実施の形態7に係る装置の構成の一部を示す図である。図15では、送信基板10のみを上面から見た図を示している。図15に示す例は、送信基板10の表面のみに金属層が形成された単層基板でのレイアウトの一例である。
Embodiment 7 FIG.
An apparatus according to Embodiment 7 will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a diagram illustrating a part of the configuration of the apparatus according to the seventh embodiment. In FIG. 15, only the transmission board 10 is shown as viewed from above. The example shown in FIG. 15 is an example of a layout on a single-layer substrate in which a metal layer is formed only on the surface of the transmission substrate 10.

図15に示すように、実施の形態7では、送信基板10の第1面に、第1送信インダクタ31a、第2送信インダクタ31bが隣り合うように配置されている。第1送信インダクタ31aと第2送信インダクタ31bとが並ぶ方向は、接地配線Wが延在する方向に平行である。送信基板10の送信インダクタ31が設けられた面には、第1送信チップ30a、第2送信チップ30bが配置されている。第1送信チップ30aと第2送信チップ30bとが並ぶ方向は、接地配線Wが延在する方向に平行である。   As shown in FIG. 15, in the seventh embodiment, the first transmission inductor 31 a and the second transmission inductor 31 b are arranged adjacent to each other on the first surface of the transmission substrate 10. The direction in which the first transmission inductor 31a and the second transmission inductor 31b are arranged is parallel to the direction in which the ground wiring W extends. The first transmission chip 30a and the second transmission chip 30b are disposed on the surface of the transmission substrate 10 on which the transmission inductor 31 is provided. The direction in which the first transmission chip 30a and the second transmission chip 30b are arranged is parallel to the direction in which the ground wiring W extends.

第1送信インダクタ31aは第1送信チップ30aに接続され、第2送信インダクタ31bは第2送信チップ30bに接続されている。第1送信チップ30aと第1送信インダクタ31aは、接地配線Wが延在する方向に垂直な方向に並ぶように配置されている。また、第2送信チップ30bと第2送信インダクタ31bは、接地配線Wが延在する方向に垂直な方向に並ぶように配置されている。   The first transmission inductor 31a is connected to the first transmission chip 30a, and the second transmission inductor 31b is connected to the second transmission chip 30b. The first transmission chip 30a and the first transmission inductor 31a are arranged in a direction perpendicular to the direction in which the ground wiring W extends. The second transmission chip 30b and the second transmission inductor 31b are arranged so as to be aligned in a direction perpendicular to the direction in which the ground wiring W extends.

第1送信インダクタ31aと第1送信チップ30a、第2送信インダクタ31bと第2送信チップ30bの接続は、送信基板10の表面の金属層により行われる。なお、実施の形態1と同様に、送信基板10の裏面に第1送信チップ30a、第2送信チップ30bを配置することも可能である。   The first transmission inductor 31a and the first transmission chip 30a and the second transmission inductor 31b and the second transmission chip 30b are connected by a metal layer on the surface of the transmission substrate 10. As in the first embodiment, the first transmission chip 30a and the second transmission chip 30b can be arranged on the back surface of the transmission substrate 10.

二重ガードリング48は、第1ガードリング部48a、第2ガードリング部48b、第3ガードリング部48cを含む。第1ガードリング部48aは、平面視で第1送信インダクタ31aを囲繞している。第1ガードリング部48aの両端の間には、所定の間隔が設けられている。第2ガードリング部48bは、平面視で第2送信インダクタ31bを囲繞している。第2ガードリング部48bの両端の間には、所定の間隔が設けられている。隣り合う第1送信インダクタ31aと第2送信インダクタ31bとの間には、第1ガードリング部48aと第2ガードリング部48bとが配置される。   The double guard ring 48 includes a first guard ring portion 48a, a second guard ring portion 48b, and a third guard ring portion 48c. The first guard ring portion 48a surrounds the first transmission inductor 31a in plan view. A predetermined interval is provided between both ends of the first guard ring portion 48a. The second guard ring portion 48b surrounds the second transmission inductor 31b in plan view. A predetermined interval is provided between both ends of the second guard ring portion 48b. A first guard ring part 48a and a second guard ring part 48b are arranged between the adjacent first transmission inductor 31a and second transmission inductor 31b.

第3ガードリング部48cは、第1ガードリング部48aと第2ガードリング部48bの外側に隣接して配置されている。第3ガードリング部48cは、平面視で第1ガードリング部48aと第2ガードリング部48bとを囲繞している。第1ガードリング部48a及び第2ガードリング部48bの一端には、接地配線Wが接続されている。第1ガードリング部48a、第2ガードリング部48bの一端は、接地配線Wを介して接地端子GNDに接続されている。   The third guard ring portion 48c is disposed adjacent to the outside of the first guard ring portion 48a and the second guard ring portion 48b. The third guard ring portion 48c surrounds the first guard ring portion 48a and the second guard ring portion 48b in plan view. A ground wiring W is connected to one end of the first guard ring portion 48a and the second guard ring portion 48b. One ends of the first guard ring portion 48 a and the second guard ring portion 48 b are connected to the ground terminal GND via the ground wiring W.

第3ガードリング部48cの一端は第1ガードリング部48aの他端に接続され、第3ガードリング部48cの他端は第2ガードリング部48bの他端に接続されている。第1送信チップ30aと第1送信インダクタ31aとを接続する配線は、第1ガードリング部48aの両端の間に設けられる。また、第2送信チップ30bと第2送信インダクタ31bとを接続する配線は、第2ガードリング部48bの両端の間に設けられる。   One end of the third guard ring portion 48c is connected to the other end of the first guard ring portion 48a, and the other end of the third guard ring portion 48c is connected to the other end of the second guard ring portion 48b. The wiring connecting the first transmission chip 30a and the first transmission inductor 31a is provided between both ends of the first guard ring portion 48a. Further, the wiring connecting the second transmission chip 30b and the second transmission inductor 31b is provided between both ends of the second guard ring portion 48b.

ノイズにより第3ガードリング部35cに第1方向に電流が流れた場合、第1ガードリング部35a、第2ガードリング部35bでは第1方向とは逆の第2方向に電流が流れる。また、第1送信インダクタ31aと第2送信インダクタ31b間の第1ガードリング部35a、第2ガードリング部35bには、それぞれ逆方向に電流が流れる。このように、実施の形態7では、複数のインダクタが設けられた場合でも、二重ガードリング48の接地配線Wへの接続箇所が1か所とすることができる。   When current flows through the third guard ring portion 35c in the first direction due to noise, current flows in the second direction opposite to the first direction in the first guard ring portion 35a and the second guard ring portion 35b. In addition, currents flow in opposite directions in the first guard ring portion 35a and the second guard ring portion 35b between the first transmission inductor 31a and the second transmission inductor 31b. As described above, in the seventh embodiment, even when a plurality of inductors are provided, the connection point of the double guard ring 48 to the ground wiring W can be one.

以上説明したように、実施の形態によれば、基板上にインダクタが形成された装置において、デジタル・スプリアスやグランドノイズを効果的にシールドすることが可能となる。例えば、通信速度がGbpsの非接触カップリングによる高速通信を行うシステムに、上述した実施の形態に係る装置を用いることが想定される。基板はプリント基板に限定されず、フレキシブルプリント基板であってもよい。なお、実施の形態3において、コンデンサ36、コンデンサ46を設けない構成を採用することも可能である。   As described above, according to the embodiment, it is possible to effectively shield digital spurious and ground noise in an apparatus in which an inductor is formed on a substrate. For example, it is assumed that the apparatus according to the above-described embodiment is used in a system that performs high-speed communication by non-contact coupling with a communication speed of Gbps. The substrate is not limited to a printed board, and may be a flexible printed board. In the third embodiment, a configuration in which the capacitor 36 and the capacitor 46 are not provided may be employed.

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments already described, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.

(付記1)
基板と、
前記基板上に設けられたインダクタと、
前記インダクタの周囲に隣接して設けられた第1ガードリング部と、前記第1ガードリング部の外側に隣接して設けられ、一端が前記第1ガードリング部の一端と接続された第2ガードリング部と、を有するガードリングと、
前記第1ガードリング部の他端及び前記第2ガードリング部の他端に接続された第1電源と、
を有する、
装置。
(付記2)
前記ガードリングは、平面視で前記インダクタを囲繞する、
付記1に記載の装置。
(付記3)
前記第1ガードリング部と前記第2ガードリング部との間に設けられたコンデンサをさらに備える、
付記1に記載の装置。
(付記4)
前記第1電源に接続され、前記第2ガードリング部の外側に隣接して設けられた一重ガードリングをさらに備える、
付記1に記載の装置。
(付記5)
前記一重ガードリングは平面視で前記ガードリングを囲繞する、
付記4に記載の装置。
(付記6)
前記ガードリングは、第1ガードリング構造体と第2ガードリング構造体とを有し、
前記第1ガードリング構造体、前記第2ガードリング構造体は、それぞれ前記第1ガードリング部、前記第2ガードリング部を含み、
前記第1ガードリング構造体と前記第2ガードリング構造体とで、前記インダクタが囲繞される、
付記1に記載の装置。
(付記7)
前記ガードリングは、第1ガードリング構造体、第2ガードリング構造体、第3ガードリング構造体、第4ガードリング構造体を有し、
前記第1ガードリング構造体、前記第2ガードリング構造体、前記第3ガードリング構造体、前記第4ガードリング構造体は、それぞれ第1ガードリング部、第2ガードリング部を含み、
前記第1ガードリング構造体、前記第2ガードリング構造体、前記第3ガードリング構造体、前記第4ガードリング構造体で、前記インダクタが囲繞される、
付記1に記載の装置。
(付記8)
前記基板の第1面に形成された第1金属層と、前記第1面の裏面の第2面に形成された第2金属層を有し、
前記ガードリングと、当該ガードリングと前記第1電源とを接続する電源配線とは、前記第1金属層により形成される、
付記1に記載の装置。
(付記9)
前記第2面に配置され、前記インダクタと信号の授受を行うチップをさらに備え、
前記チップに接続される配線は、前記第2金属層により形成され、
前記配線は、前記基板に形成されたビアを介して前記インダクタに接続される、
付記8に記載の装置。
(付記10)
前記インダクタは、対向して配置される対向装置に設けられた対向インダクタとの非接触カップリングにより、当該対向装置との間で差動モード信号及び同相モード信号を同時に非接触で伝送する、
付記1に記載の装置。
(付記11)
前記装置は、前記インダクタに差動モード信号を供給する差動モード送信機及び同相モード信号を供給する同相モード送信機を含む送信部であるか、又は、前記インダクタから差動モード信号を受信する差動モード受信機及び同相モード信号を受信する同相モード受信機を含む受信部であり、
前記差動モード送信機又は前記差動モード受信機に接続されるアナロググランドと、
前記同相モード送信機又は前記同相モード受信機に接続されるデジタルグランドと、
をさらに備える、
付記10に記載の装置。
(付記12)
前記基板は、プリント基板又はフレキシブルプリント基板である付記1に記載の装置。
(付記13)
基板と、
前記基板上に配置されたインダクタと、
第1電源に一端が接続され、平面視で前記インダクタを囲むように設けられ、第1方向に電流を流す第1ガードリング部と、
前記第1ガードリング部の他端に接続され、平面視で前記第1ガードリング部を囲むように設けられ、前記第1方向と逆の第2方向に電流を流す第2ガードリング部と、
を備える、
装置。
(付記14)
付記1〜13のいずれか1項に記載の第1の装置と、
前記インダクタに対向して配置することにより、非接触カップリングを形成して非接触通信を行う対向インダクタを有する第2の装置と、
を備えるシステム。
(付記15)
基板上に形成され、当該基板上に配置されたチップに接続されたインダクタと、
前記インダクタの周囲に隣接して設けられた第1ガードリング部と、一端が前記第1ガードリング部の一端と接続され、前記第1ガードリング部の外側に隣接して設けられた第2ガードリング部とを有し、平面視で前記送信インダクタを囲繞するガードリングと、
前記送信側第1ガードリング部の他端及び前記送信側第2ガードリング部の他端に接続された電源と、
を有する第1の装置と、
前記インダクタに対向して配置することにより、非接触カップリングを形成して非接触通信を行う対向インダクタを有する第2の装置と、
を備える、
システム。
(付記16)
前記第1の装置は、
前記基板の第1面に形成された第1金属層により形成された前記インダクタと、
前記基板の裏面の第2面に配置され、当該第2面に形成された第2金属層に接続された前記チップとを有する、
付記15に記載のシステム。
(付記17)
前記第1の装置は、前記インダクタに差動モード信号を供給する差動モード送信機及び同相モード信号を供給する同相モード送信機と、
前記差動モード送信機に接続されるアナロググランドと、前記同相モード送信機に接続されるデジタルグランドとをさらに備え、
前記インダクタに対向して配置することにより、前記第2の装置と非接触カップリングを形成して非接触通信を行う、
付記15に記載のシステム。
(付記18)
前記第1の装置及び前記第2の装置は、それぞれRFID通信を行うアンテナコイルをさらに備える、付記15に記載のシステム。
(付記19)
前記第1の装置は、非接触で電力を送電する送電部を有し、
前記第2の装置は、前記送電部から送電された電力を非接触で受電する受電部を有する、付記15に記載のシステム。
(付記20)
前記第1ガードリング部と前記第2ガードリング部との間に設けられたコンデンサをさらに備える、
付記15に記載のシステム。
(付記21)
前記電源に接続され、前記第2ガードリング部の外側に隣接して設けられた一重ガードリングをさらに備える、
付記15に記載のシステム。
(付記22)
前記一重ガードリングは平面視で前記ガードリングを囲繞する、
付記21に記載のシステム。
(付記23)
前記ガードリングは、第1ガードリング構造体と第2ガードリング構造体とを有し、
前記第1ガードリング構造体、前記第2ガードリング構造体は、それぞれ前記第1ガードリング部、前記第2ガードリング部を含み、
前記第1ガードリング構造体と前記第2ガードリング構造体とで、前記インダクタが囲繞される、
付記15に記載のシステム。
(付記24)
前記ガードリングは、第1ガードリング構造体、第2ガードリング構造体、第3ガードリング構造体、第4ガードリング構造体を有し、
前記第1ガードリング構造体、前記第2ガードリング構造体、前記第3ガードリング構造体、前記第4ガードリング構造体は、それぞれ前記第1ガードリング部、前記第2ガードリング部を含み、
前記第1ガードリング構造体、前記第2ガードリング構造体、前記第3ガードリング構造体、前記第4ガードリング構造体で、前記インダクタが囲繞される、
付記15に記載のシステム。
(付記25)
基板と、
前記基板上に設けられたインダクタと、
前記インダクタの周囲に隣接して設けられた第1ガードリング部と、前記第1ガードリング部の外側に隣接して設けられた第2ガードリング部及び第3ガードリング部とを有するガードリングと、
前記第2ガードリング部及び前記第3ガードリング部の一端に接続された第1電源と、
を有し、
前記第1ガードリング部の一端は前記第2ガードリング部の他端に接続され、前記第1ガードリング部の他端は前記第3ガードリング部の他端に接続されている、
装置。
(付記26)
前記第1ガードリング部は、平面視で前記インダクタを囲繞し、
前記第2ガードリング部及び前記第3ガードリング部は、平面視で前記第1ガードリング部を囲繞する、
付記25に記載の装置。
(付記27)
前記基板の前記インダクタが形成された面に配置され、前記インダクタに接続されたチップをさらに備える、
付記25に記載の装置。
(付記27)
前記チップは、前記第1ガードリング部の両端の間に設けられた配線により、前記インダクタに接続されている、
付記26に記載の装置。
(付記28)
基板と、
前記基板の同一の面に設けられた第1インダクタ及び第2インダクタと、
前記第1インダクタの周囲に隣接して設けられた第1ガードリング部と、前記第2インダクタの周囲に隣接して設けられた第2ガードリング部と、前記第1ガードリング部及び前記第2ガードリング部の外側に隣接して設けられた第3ガードリング部とを有するガードリングと、
前記第1ガードリング部及び前記第2ガードリング部の一端に接続された第1電源と、
を有し、
前記第3ガードリング部の一端は前記第1ガードリング部の他端に接続され、前記第3ガードリング部の他端は前記第2ガードリング部の他端に接続されている、
装置。
(付記29)
前記第1ガードリング部は、平面視で前記第1インダクタを囲繞し、
前記第2ガードリング部は、平面視で前記第2インダクタを囲繞し、
前記第3ガードリング部は、平面視で、前記第1ガードリング部と前記第2ガードリング部とを囲繞する、
付記28に記載の装置。
(付記30)
前記基板の前記第1インダクタ及び前記第2インダクタが形成された面に配置され、前記第1インダクタに接続された第1チップと、前記第2インダクタに接続された第2チップとをさらに備える、
付記28に記載の装置。
(付記31)
前記基板の前記インダクタが形成された面に配置され、前記インダクタに接続されたチップをさらに備える、
付記1に記載の装置。
(Appendix 1)
A substrate,
An inductor provided on the substrate;
A first guard ring portion provided adjacent to the periphery of the inductor, and a second guard provided adjacent to the outside of the first guard ring portion and having one end connected to one end of the first guard ring portion. A guard ring having a ring portion;
A first power source connected to the other end of the first guard ring portion and the other end of the second guard ring portion;
Having
apparatus.
(Appendix 2)
The guard ring surrounds the inductor in a plan view;
The apparatus according to appendix 1.
(Appendix 3)
A capacitor provided between the first guard ring part and the second guard ring part;
The apparatus according to appendix 1.
(Appendix 4)
A single guard ring connected to the first power source and provided adjacent to the outside of the second guard ring portion;
The apparatus according to appendix 1.
(Appendix 5)
The single guard ring surrounds the guard ring in plan view;
The apparatus according to appendix 4.
(Appendix 6)
The guard ring has a first guard ring structure and a second guard ring structure;
The first guard ring structure and the second guard ring structure each include the first guard ring part and the second guard ring part,
The inductor is surrounded by the first guard ring structure and the second guard ring structure.
The apparatus according to appendix 1.
(Appendix 7)
The guard ring has a first guard ring structure, a second guard ring structure, a third guard ring structure, and a fourth guard ring structure,
The first guard ring structure, the second guard ring structure, the third guard ring structure, and the fourth guard ring structure each include a first guard ring part and a second guard ring part,
The inductor is surrounded by the first guard ring structure, the second guard ring structure, the third guard ring structure, and the fourth guard ring structure;
The apparatus according to appendix 1.
(Appendix 8)
A first metal layer formed on the first surface of the substrate and a second metal layer formed on the second surface of the back surface of the first surface;
The guard ring and the power supply wiring connecting the guard ring and the first power source are formed by the first metal layer.
The apparatus according to appendix 1.
(Appendix 9)
A chip disposed on the second surface for transferring signals to and from the inductor;
The wiring connected to the chip is formed by the second metal layer,
The wiring is connected to the inductor through a via formed in the substrate.
The apparatus according to appendix 8.
(Appendix 10)
The inductor transmits a differential mode signal and a common-mode signal simultaneously and in a non-contact manner with the counter device by non-contact coupling with a counter inductor provided in the counter device arranged to face each other.
The apparatus according to appendix 1.
(Appendix 11)
The apparatus is a transmitter including a differential mode transmitter that supplies a differential mode signal to the inductor and a common mode transmitter that supplies a common mode signal, or receives a differential mode signal from the inductor A receiver including a differential mode receiver and a common mode receiver for receiving a common mode signal;
An analog ground connected to the differential mode transmitter or the differential mode receiver;
A digital ground connected to the common mode transmitter or the common mode receiver;
Further comprising
The apparatus according to appendix 10.
(Appendix 12)
The apparatus according to appendix 1, wherein the board is a printed board or a flexible printed board.
(Appendix 13)
A substrate,
An inductor disposed on the substrate;
One end connected to the first power source, provided to surround the inductor in a plan view, and a first guard ring portion for passing a current in a first direction;
A second guard ring portion connected to the other end of the first guard ring portion, provided so as to surround the first guard ring portion in plan view, and for passing a current in a second direction opposite to the first direction;
Comprising
apparatus.
(Appendix 14)
The first device according to any one of appendices 1 to 13,
A second device having a counter inductor that forms a non-contact coupling and performs non-contact communication by being disposed opposite the inductor;
A system comprising:
(Appendix 15)
An inductor formed on a substrate and connected to a chip disposed on the substrate;
A first guard ring portion provided adjacent to the periphery of the inductor and a second guard provided at one end connected to one end of the first guard ring portion and adjacent to the outside of the first guard ring portion. A guard ring that has a ring portion and surrounds the transmission inductor in plan view;
A power source connected to the other end of the transmission-side first guard ring portion and the other end of the transmission-side second guard ring portion;
A first device comprising:
A second device having a counter inductor that forms a non-contact coupling and performs non-contact communication by being disposed opposite the inductor;
Comprising
system.
(Appendix 16)
The first device includes:
The inductor formed by a first metal layer formed on a first surface of the substrate;
The chip disposed on the second surface of the back surface of the substrate and connected to a second metal layer formed on the second surface;
The system according to appendix 15.
(Appendix 17)
The first device includes a differential mode transmitter for supplying a differential mode signal to the inductor and a common mode transmitter for supplying a common mode signal;
An analog ground connected to the differential mode transmitter; and a digital ground connected to the common mode transmitter;
Non-contact communication is performed by forming a non-contact coupling with the second device by disposing it facing the inductor.
The system according to appendix 15.
(Appendix 18)
The system according to claim 15, wherein each of the first device and the second device further includes an antenna coil that performs RFID communication.
(Appendix 19)
The first device has a power transmission unit that transmits power in a contactless manner,
The system according to appendix 15, wherein the second device includes a power receiving unit that receives the power transmitted from the power transmitting unit in a contactless manner.
(Appendix 20)
A capacitor provided between the first guard ring part and the second guard ring part;
The system according to appendix 15.
(Appendix 21)
A single guard ring connected to the power source and provided adjacent to the outside of the second guard ring portion;
The system according to appendix 15.
(Appendix 22)
The single guard ring surrounds the guard ring in plan view;
The system according to appendix 21.
(Appendix 23)
The guard ring has a first guard ring structure and a second guard ring structure;
The first guard ring structure and the second guard ring structure each include the first guard ring part and the second guard ring part,
The inductor is surrounded by the first guard ring structure and the second guard ring structure.
The system according to appendix 15.
(Appendix 24)
The guard ring has a first guard ring structure, a second guard ring structure, a third guard ring structure, and a fourth guard ring structure,
The first guard ring structure, the second guard ring structure, the third guard ring structure, and the fourth guard ring structure each include the first guard ring part and the second guard ring part,
The inductor is surrounded by the first guard ring structure, the second guard ring structure, the third guard ring structure, and the fourth guard ring structure;
The system according to appendix 15.
(Appendix 25)
A substrate,
An inductor provided on the substrate;
A guard ring having a first guard ring portion provided adjacent to the periphery of the inductor, and a second guard ring portion and a third guard ring portion provided adjacent to the outside of the first guard ring portion; ,
A first power source connected to one end of the second guard ring part and the third guard ring part;
Have
One end of the first guard ring part is connected to the other end of the second guard ring part, and the other end of the first guard ring part is connected to the other end of the third guard ring part,
apparatus.
(Appendix 26)
The first guard ring portion surrounds the inductor in a plan view;
The second guard ring part and the third guard ring part surround the first guard ring part in plan view;
The apparatus according to appendix 25.
(Appendix 27)
A chip disposed on a surface of the substrate on which the inductor is formed and further connected to the inductor;
The apparatus according to appendix 25.
(Appendix 27)
The chip is connected to the inductor by wiring provided between both ends of the first guard ring portion.
Item 27. The device according to item 26.
(Appendix 28)
A substrate,
A first inductor and a second inductor provided on the same surface of the substrate;
A first guard ring portion provided adjacent to the periphery of the first inductor; a second guard ring portion provided adjacent to the periphery of the second inductor; the first guard ring portion; A guard ring having a third guard ring portion provided adjacent to the outside of the guard ring portion;
A first power source connected to one end of the first guard ring part and the second guard ring part;
Have
One end of the third guard ring part is connected to the other end of the first guard ring part, and the other end of the third guard ring part is connected to the other end of the second guard ring part,
apparatus.
(Appendix 29)
The first guard ring portion surrounds the first inductor in a plan view;
The second guard ring portion surrounds the second inductor in a plan view;
The third guard ring part surrounds the first guard ring part and the second guard ring part in plan view;
The apparatus according to appendix 28.
(Appendix 30)
A first chip disposed on a surface of the substrate on which the first inductor and the second inductor are formed and connected to the first inductor; and a second chip connected to the second inductor.
The apparatus according to appendix 28.
(Appendix 31)
A chip disposed on a surface of the substrate on which the inductor is formed and further connected to the inductor;
The apparatus according to appendix 1.

1 送信部
2 受信部
10 送信基板
11 電源
12 送電ドライバ部
13 給電コイル
14 RFIDチップ
15 アンテナ
20 受信基板
21 電源
22 受電ドライバ部
23 受電コイル
24 リーダライタ
25 アンテナ
30 送信チップ
30a 第1送信チップ
30b 第2送信チップ
31 送信インダクタ
31a 第1送信インダクタ
31b 第2送信インダクタ
32 差動ドライバ
33 PLL
34 CMTX
35 二重ガードリング
35a 第1ガードリング部
35b 第2ガードリング部
35c 第3ガードリング部
36 コンデンサ
37 一重ガードリング
38 二分割ガードリング
38a 第1ガードリング構造体
38b 第2ガードリング構造体
39 四分割ガードリング
39a 第1ガードリング構造体
39b 第2ガードリング構造体
39c 第3ガードリング構造体
39d 第4ガードリング構造体
40 受信チップ
41 受信インダクタ
42 差動増幅器
43 ヒステリシスコンパレータ
44 CMRX
45 二重ガードリング
45a 第1ガードリング部
45b 第2ガードリング部
46 コンデンサ
47 一重ガードリング
48 二重ガードリング
48a 第1ガードリング部
48b 第2ガードリング部
48c 第3ガードリング部
100 システム
110 非接触給電部
120 RFID通信部
130 非接触通信部
GND 接地端子
W 接地配線
AGND アナロググランド
DGND デジタルグランド
GR ガードリング
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transmission part 2 Reception part 10 Transmission board 11 Power supply 12 Power transmission driver part 13 Feeding coil 14 RFID chip 15 Antenna 20 Reception board 21 Power supply 22 Power reception driver part 23 Power reception coil 24 Reader / writer 25 Antenna 30 Transmission chip 30a First transmission chip 30b First 2 transmitting chip 31 transmitting inductor 31a first transmitting inductor 31b second transmitting inductor 32 differential driver 33 PLL
34 CMTX
35 Double guard ring 35a First guard ring part 35b Second guard ring part 35c Third guard ring part 36 Capacitor 37 Single guard ring 38 Two-part guard ring 38a First guard ring structure 38b Second guard ring structure 39 Four Split guard ring 39a First guard ring structure 39b Second guard ring structure 39c Third guard ring structure 39d Fourth guard ring structure 40 Receiver chip 41 Receiver inductor 42 Differential amplifier 43 Hysteresis comparator 44 CMRX
45 Double guard ring 45a First guard ring part 45b Second guard ring part 46 Capacitor 47 Single guard ring 48 Double guard ring 48a First guard ring part 48b Second guard ring part 48c Third guard ring part 100 System 110 Non-110 Contact power supply unit 120 RFID communication unit 130 Non-contact communication unit GND Ground terminal W Ground wiring AGND Analog ground DGND Digital ground GR Guard ring

Claims (19)

基板と、
前記基板上に設けられたインダクタと、
前記インダクタの周囲に隣接して設けられた第1ガードリング部と、前記第1ガードリング部の外側に隣接して設けられ、一端が前記第1ガードリング部の一端と接続された第2ガードリング部と、を有するガードリングと、
前記第1ガードリング部の他端及び前記第2ガードリング部の他端に接続された第1電源と、
を有する、
装置。
A substrate,
An inductor provided on the substrate;
A first guard ring portion provided adjacent to the periphery of the inductor, and a second guard provided adjacent to the outside of the first guard ring portion and having one end connected to one end of the first guard ring portion. A guard ring having a ring portion;
A first power source connected to the other end of the first guard ring portion and the other end of the second guard ring portion;
Having
apparatus.
前記ガードリングは、平面視で前記インダクタを囲繞する、
請求項1に記載の装置。
The guard ring surrounds the inductor in a plan view;
The apparatus of claim 1.
前記第1ガードリング部と前記第2ガードリング部との間に設けられたコンデンサをさらに備える、
請求項1に記載の装置。
A capacitor provided between the first guard ring part and the second guard ring part;
The apparatus of claim 1.
前記第1電源に接続され、前記第2ガードリング部の外側に隣接して設けられた一重ガードリングをさらに備える、
請求項1に記載の装置。
A single guard ring connected to the first power source and provided adjacent to the outside of the second guard ring portion;
The apparatus of claim 1.
前記一重ガードリングは平面視で前記ガードリングを囲繞する、
請求項4に記載の装置。
The single guard ring surrounds the guard ring in plan view;
The apparatus according to claim 4.
前記ガードリングは、第1ガードリング構造体と第2ガードリング構造体とを有し、
前記第1ガードリング構造体、前記第2ガードリング構造体は、それぞれ前記第1ガードリング部、前記第2ガードリング部を含み、
前記第1ガードリング構造体と前記第2ガードリング構造体とで、前記インダクタが囲繞される、
請求項1に記載の装置。
The guard ring has a first guard ring structure and a second guard ring structure;
The first guard ring structure and the second guard ring structure each include the first guard ring part and the second guard ring part,
The inductor is surrounded by the first guard ring structure and the second guard ring structure.
The apparatus of claim 1.
前記ガードリングは、第1ガードリング構造体、第2ガードリング構造体、第3ガードリング構造体、第4ガードリング構造体を有し、
前記第1ガードリング構造体、前記第2ガードリング構造体、前記第3ガードリング構造体、前記第4ガードリング構造体は、それぞれ第1ガードリング部、第2ガードリング部を含み、
前記第1ガードリング構造体、前記第2ガードリング構造体、前記第3ガードリング構造体、前記第4ガードリング構造体で、前記インダクタが囲繞される、
請求項1に記載の装置。
The guard ring has a first guard ring structure, a second guard ring structure, a third guard ring structure, and a fourth guard ring structure,
The first guard ring structure, the second guard ring structure, the third guard ring structure, and the fourth guard ring structure each include a first guard ring part and a second guard ring part,
The inductor is surrounded by the first guard ring structure, the second guard ring structure, the third guard ring structure, and the fourth guard ring structure;
The apparatus of claim 1.
前記基板の第1面に形成された第1金属層と、前記第1面の裏面の第2面に形成された第2金属層を有し、
前記ガードリングと、当該ガードリングと前記第1電源とを接続する電源配線とは、前記第1金属層により形成される、
請求項1に記載の装置。
A first metal layer formed on the first surface of the substrate and a second metal layer formed on the second surface of the back surface of the first surface;
The guard ring and the power supply wiring connecting the guard ring and the first power source are formed by the first metal layer.
The apparatus of claim 1.
前記第2面に配置され、前記インダクタと信号の授受を行うチップをさらに備え、
前記チップに接続される配線は、前記第2金属層により形成され、
前記配線は、前記基板に形成されたビアを介して前記インダクタに接続される、
請求項8に記載の装置。
A chip disposed on the second surface for transferring signals to and from the inductor;
The wiring connected to the chip is formed by the second metal layer,
The wiring is connected to the inductor through a via formed in the substrate.
The apparatus according to claim 8.
前記インダクタは、対向して配置される対向装置に設けられた対向インダクタとの非接触カップリングにより、当該対向装置との間で差動モード信号及び同相モード信号を同時に非接触で伝送する、
請求項1に記載の装置。
The inductor transmits a differential mode signal and a common-mode signal simultaneously and in a non-contact manner with the counter device by non-contact coupling with a counter inductor provided in the counter device arranged to face each other.
The apparatus of claim 1.
前記装置は、前記インダクタに差動モード信号を供給する差動モード送信機及び同相モード信号を供給する同相モード送信機を含む送信部であるか、又は、前記インダクタから差動モード信号を受信する差動モード受信機及び同相モード信号を受信する同相モード受信機を含む受信部であり、
前記差動モード送信機又は前記差動モード受信機に接続されるアナロググランドと、
前記同相モード送信機又は前記同相モード受信機に接続されるデジタルグランドと、
をさらに備える、
請求項10に記載の装置。
The apparatus is a transmitter including a differential mode transmitter that supplies a differential mode signal to the inductor and a common mode transmitter that supplies a common mode signal, or receives a differential mode signal from the inductor A receiver including a differential mode receiver and a common mode receiver for receiving a common mode signal;
An analog ground connected to the differential mode transmitter or the differential mode receiver;
A digital ground connected to the common mode transmitter or the common mode receiver;
Further comprising
The apparatus according to claim 10.
前記基板は、プリント基板又はフレキシブルプリント基板である請求項1に記載の装置。   The apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a printed circuit board or a flexible printed circuit board. 基板と、
前記基板上に配置されたインダクタと、
第1電源に一端が接続され、平面視で前記インダクタを囲むように設けられ、第1方向に電流を流す第1ガードリング部と、
前記第1ガードリング部の他端に接続され、平面視で前記第1ガードリング部を囲むように設けられ、前記第1方向と逆の第2方向に電流を流す第2ガードリング部と、
を備える、
装置。
A substrate,
An inductor disposed on the substrate;
One end connected to the first power source, provided to surround the inductor in a plan view, and a first guard ring portion for passing a current in a first direction;
A second guard ring portion connected to the other end of the first guard ring portion, provided so as to surround the first guard ring portion in plan view, and for passing a current in a second direction opposite to the first direction;
Comprising
apparatus.
請求項1〜13のいずれか1項に記載の第1の装置と、
前記インダクタに対向して配置することにより、非接触カップリングを形成して非接触通信を行う対向インダクタを有する第2の装置と、
を備えるシステム。
A first device according to any one of claims 1 to 13;
A second device having a counter inductor that forms a non-contact coupling and performs non-contact communication by being disposed opposite the inductor;
A system comprising:
基板上に形成され、当該基板上に配置されたチップに接続されたインダクタと、
前記インダクタの周囲に隣接して設けられた第1ガードリング部と、一端が前記第1ガードリング部の一端と接続され、前記第1ガードリング部の外側に隣接して設けられた第2ガードリング部とを有し、平面視で前記インダクタを囲繞するガードリングと、
前記第1ガードリング部の他端及び前記第2ガードリング部の他端に接続された電源と、
を有する第1の装置と、
前記インダクタに対向して配置することにより、非接触カップリングを形成して非接触通信を行う対向インダクタを有する第2の装置と、
を備える、
システム。
An inductor formed on a substrate and connected to a chip disposed on the substrate;
A first guard ring portion provided adjacent to the periphery of the inductor and a second guard provided at one end connected to one end of the first guard ring portion and adjacent to the outside of the first guard ring portion. A guard ring that has a ring portion and surrounds the inductor in plan view;
A power source connected to the other end of the first guard ring portion and the other end of the second guard ring portion;
A first device comprising:
A second device having a counter inductor that forms a non-contact coupling and performs non-contact communication by being disposed opposite the inductor;
Comprising
system.
前記第1の装置は、
前記基板の第1面に形成された第1金属層により形成された前記インダクタと、
前記基板の裏面の第2面に配置され、当該第2面に形成された第2金属層に接続された前記チップとを有する、
請求項15に記載のシステム。
The first device includes:
The inductor formed by a first metal layer formed on a first surface of the substrate;
The chip disposed on the second surface of the back surface of the substrate and connected to a second metal layer formed on the second surface;
The system according to claim 15.
前記第1の装置は、前記インダクタに差動モード信号を供給する差動モード送信機及び同相モード信号を供給する同相モード送信機と、
前記差動モード送信機に接続されるアナロググランドと、前記同相モード送信機に接続されるデジタルグランドとをさらに備え、
前記インダクタに対向して配置することにより、前記第2の装置と非接触カップリングを形成して非接触通信を行う、
請求項15に記載のシステム。
The first device includes a differential mode transmitter for supplying a differential mode signal to the inductor and a common mode transmitter for supplying a common mode signal;
An analog ground connected to the differential mode transmitter; and a digital ground connected to the common mode transmitter;
Non-contact communication is performed by forming a non-contact coupling with the second device by disposing it facing the inductor.
The system according to claim 15.
前記第1の装置及び前記第2の装置は、それぞれRFID通信を行うアンテナコイルをさらに備える、請求項15に記載のシステム。   The system according to claim 15, wherein each of the first device and the second device further includes an antenna coil that performs RFID communication. 前記第1の装置は、非接触で電力を送電する送電部を有し、
前記第2の装置は、前記送電部から送電された電力を非接触で受電する受電部を有する、
請求項15に記載のシステム。
The first device has a power transmission unit that transmits power in a contactless manner,
The second device includes a power receiving unit that receives power transmitted from the power transmitting unit in a contactless manner.
The system according to claim 15.
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