JP2016188775A - Pressure sensor - Google Patents
Pressure sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016188775A JP2016188775A JP2015068134A JP2015068134A JP2016188775A JP 2016188775 A JP2016188775 A JP 2016188775A JP 2015068134 A JP2015068134 A JP 2015068134A JP 2015068134 A JP2015068134 A JP 2015068134A JP 2016188775 A JP2016188775 A JP 2016188775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- base
- semiconductor
- diaphragm
- pressure sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、圧力センサに関し、特に、半導体型圧力検出装置を収容した液封入式の圧力センサに関する。 The present invention relates to a pressure sensor, and more particularly, to a liquid-filled pressure sensor containing a semiconductor-type pressure detection device.
従来、ダイアフラムで区画されてオイルが封入された受圧室内に半導体型圧力検出装置を収容した液封入式の圧力センサは、冷凍冷蔵装置や空調装置に装備されて冷媒圧力を検知したり、産業用機器に装備されて各種の流体圧力の検知に使用されている。
半導体型圧力検出装置は、上記受圧室内に配置され、受圧空間内の圧力変化を電気信号に変換して外部に出力する機能を有している。
受圧空間内に配置されるダイアフラムは、可撓性の金属板で構成されているため、使用される環境によって、半導体からなる圧力検出素子と金属筐体との間で電位差が発生したり、封入されたオイルが静電気を帯びたりすると、圧力検出素子の表面に電荷が滞留して圧力検出素子の検出動作に不具合が生ずる場合がある。
Conventionally, a liquid-filled pressure sensor that contains a semiconductor-type pressure detection device in a pressure-receiving chamber that is partitioned by a diaphragm and sealed with oil is installed in a freezer / refrigerator or an air conditioner to detect refrigerant pressure, It is installed in equipment and used to detect various fluid pressures.
The semiconductor-type pressure detection device is disposed in the pressure receiving chamber and has a function of converting a pressure change in the pressure receiving space into an electric signal and outputting the electric signal to the outside.
The diaphragm placed in the pressure-receiving space is made of a flexible metal plate, so that depending on the environment in which it is used, a potential difference may occur between the pressure sensing element made of semiconductor and the metal housing, or it may be sealed If the oil is charged with static electricity, charges may accumulate on the surface of the pressure detection element, which may cause a malfunction in the detection operation of the pressure detection element.
そこで、上記圧力検出素子が収容されている受圧空間内に導電性部材をさらに配置し、この導電性部材を電気回路のゼロ電位に接続することにより、上記不具合の解消を図る圧力センサが下記の特許文献1に開示されている。 Therefore, a pressure sensor that solves the above-described problem by further disposing a conductive member in the pressure receiving space in which the pressure detecting element is accommodated and connecting the conductive member to the zero potential of the electric circuit is as follows. It is disclosed in Patent Document 1.
しかしながら、特許文献1に開示されている圧力センサでは、上記圧力検出素子及び導電性部材が上記受圧空間を形成する上側部材(ベース)との間で帯電した場合、ダイアフラムに対する距離において、圧力検出素子の方が導電性部材よりも対向する表面が近い(両者の間隔が狭い)配置となる。
このため、圧力検出素子とダイアフラムとの間に帯電する電荷量が、導電性部材とダイアフラムとの間に帯電する電荷量よりも大きくなってしまうことがあり、導電性部材を設けても十分にその役割を果たさなくなるという懸念がある。
However, in the pressure sensor disclosed in Patent Document 1, when the pressure detection element and the conductive member are charged with the upper member (base) forming the pressure receiving space, the pressure detection element is at a distance from the diaphragm. In this arrangement, the opposing surfaces are closer than the conductive member (the distance between them is narrow).
For this reason, the amount of charge charged between the pressure detection element and the diaphragm may be larger than the amount of charge charged between the conductive member and the diaphragm. There is concern that it will not play its role.
そこで、本発明の目的は、受圧空間内に導電性部材を配置した場合に、圧力検出素子よりも導電性部材に電荷を集中させて、圧力検出素子の電気回路のゼロ電位より外部アースへ電荷を逃がすことができる圧力センサを提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to concentrate the charge on the conductive member rather than the pressure detecting element when the conductive member is arranged in the pressure receiving space, and charge the external potential from the zero potential of the electric circuit of the pressure detecting element. It is to provide a pressure sensor that can release the pressure.
上記目的を達成するために、本発明の圧力センサは、流体の圧力を受圧するダイアフラムと、前記ダイアフラムとの間でオイル等の絶縁性媒質が封入された受圧空間が形成されるベースと、前記受圧空間内に設けられるとともにアースパッドを含む複数のボンディングパッドを備えた半導体型圧力検出装置と、前記ベースに植設され前記半導体型圧力検出装置と電気的に接続される複数の端子ピン及び前記半導体型圧力検出装置のゼロ電位と接続される1つのアース端子ピンとを具備した圧力センサであって、前記ベース上には、前記半導体型圧力検出装置の周囲位置に除電板が設けられており、前記除電板は、前記ベースからの高さが前記半導体型圧力検出装置の前記ベースからの高さよりも高い位置となるように配置されており、前記除電板は、前記半導体型圧力検出装置のアースパッド及び前記アース端子ピンと電気的に接続されたことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a pressure sensor according to the present invention includes a diaphragm that receives a pressure of a fluid, a base in which a pressure receiving space in which an insulating medium such as oil is enclosed is formed between the diaphragm, A semiconductor-type pressure detection device provided in the pressure-receiving space and provided with a plurality of bonding pads including a ground pad; a plurality of terminal pins implanted in the base and electrically connected to the semiconductor-type pressure detection device; A pressure sensor including a single ground terminal pin connected to a zero potential of a semiconductor type pressure detection device, wherein a neutralization plate is provided on the base at a peripheral position of the semiconductor type pressure detection device; The neutralization plate is disposed so that a height from the base is higher than a height from the base of the semiconductor pressure detector, Plate, characterized in that the connected ground pad and the ground terminal pin and electrically the semiconductor-type pressure sensing device.
また、本発明の圧力センサにおいて、前記除電板は、前記アース端子ピンとハンダ付けにより電気的に接続されている。
さらに、本発明の圧力センサにおいて、前記除電板は、前記半導体型圧力検出装置の周囲位置の一部に除電板を設けるように構成してもよい。
In the pressure sensor of the present invention, the charge removal plate is electrically connected to the ground terminal pin by soldering.
Furthermore, in the pressure sensor of the present invention, the charge removal plate may be configured to provide a charge removal plate in a part of the peripheral position of the semiconductor pressure detection device.
本発明の圧力センサによれば、圧力検出素子よりも導電性部材(除電板)に電荷を集中させることができるため、静電気等に対する耐性及び信頼性に優れた圧力センサを提供できる。 According to the pressure sensor of the present invention, charges can be concentrated on the conductive member (static discharge plate) rather than the pressure detection element, and therefore, a pressure sensor excellent in resistance to static electricity and the like and reliability can be provided.
図1は、本発明による圧力センサの縦断面図である。また、図2は、本発明による圧力センサの半導体型圧力検出装置を取り付けた部分の近傍を受圧空間側から見た概略図である。
図1に示すように、圧力センサ1は、段付の円筒形状のカバー10を有し、カバー10の大径の開口部10aには、後述する半導体型圧力検出装置60が搭載されたベース40、図示されない流体流入管が接続される接続ナット20を支持する取付部材30、ベース40及び取付部材30によりその外周部が挟持されたダイアフラム50等より成る圧力検出ユニット2が挿入される。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a pressure sensor according to the present invention. FIG. 2 is a schematic view of the vicinity of the portion where the semiconductor type pressure detecting device of the pressure sensor according to the present invention is attached as viewed from the pressure receiving space side.
As shown in FIG. 1, the pressure sensor 1 includes a stepped
皿状のベース40とダイアフラム50で区画される受圧空間52にはオイル等の絶縁性の液状媒質が充填される。ボール99は、ベース40に形成された孔(図示せず)を介して受圧空間52内に液状媒質を充填した後に該孔を封止する為のものであり、ベース40に溶接等の手段で固着される。
ベース40の受圧空間52側の中央部には半導体型圧力検出装置60が搭載される。半導体型圧力検出装置60は、ガラス製の台座62とそれに貼付された圧力検出素子(半導体チップ)64とからなる。圧力検出素子64は、この例においては8つのボンディングパッド(電極)を備え、そのうちの3つは出力信号用の電源入力パッド、アースパッド(ゼロ電位)及び信号出力パッドであり、残る5つは信号調整用パッドである。
The
A semiconductor-type
ベース40において、半導体型圧力検出装置60の周囲には、当該ベース40を貫通する複数本(例えば8本)の端子ピン70,72が、ハーメチックシール74により絶縁封止されて設けられる。
また、複数の端子ピンのうちの1つはアース端子ピン72として機能する。そして、当該アース端子ピン72とそれ以外の7本の端子ピン70とは、中継基板90に接続される。
In the
One of the plurality of terminal pins functions as the
半導体型圧力検出装置60(圧力検出素子64)に形成されている電源入力パッド及び信号出力パッドは上記複数本の端子ピン70のうちの2本と接続され、アースパッドはアース端子ピン72と接続される。そして、これら3つの端子ピン70,72は、中継基板90に設けられた金属配線パターン及び該中継基板90に取り付けられたコネクタ92を介してリード線94のそれぞれに連結される。
また、リード線94は、当該圧力センサ1が設置された冷凍冷蔵装置や空調装置等の制御盤内に設けられた図示されない電気回路に接続される。これにより、アース端子ピン72は、リード線94を介して外部アースに接続される。
The power input pad and signal output pad formed in the semiconductor type pressure detecting device 60 (pressure detecting element 64) are connected to two of the plurality of
Further, the
なお、中継基板90に接続される複数本の端子ピン70,72は、出力信号を出力する上記3つのパッドに接続された出力用端子ピンのみでも良く、またそれらに加えて圧力検出素子64に形成されている信号調整用パッドに接続された5つの端子ピン70のうちの少なくとも1つをさらに接続しても良い。
このような構成により、中継基板90は、コネクタ92を挟んで両側の位置に端子ピン70,72との接続点を備える構造となっているため、リード線94に引張力等が加えられた場合であっても、端子ピン70,72に横方向の応力が加わることがなく、結果として端子ピン70,72とベース40とを固定するハーメチックシール74が破損するのを防止できる。
The plurality of
With such a configuration, the
図2に示すように、半導体型圧力検出装置60の圧力検出素子64に設けられた各ボンディングパッドのうち、アースパッドを除く7つのボンディングパッドは、7本の端子ピン70とボンディングワイヤ80でそれぞれ電気的に接続(結線)される。また、アースパッドは、後述する除電板100とボンディングワイヤ81で電気的に接続(結線)される。
そして、上述の圧力検出ユニット2がカバー10内に配置された後、カバー10の大径の開口部10a側及び小径の開口部10b側(リード線94が導出される側)からカバー10の内部に樹脂Pが充填、固化され、これによりカバー10内に圧力検出ユニット2が固定される。
As shown in FIG. 2, among the bonding pads provided on the
After the pressure detection unit 2 is disposed in the
接続ナット20に導入される流体は流体導入室32内に入り、その圧力でダイアフラム50が変形し、受圧空間52内の媒質を加圧する。
半導体型圧力検出素子64はこの圧力変動を検知して電気信号に変換し、端子ピン70を介して電気信号を外部に出力する。
The fluid introduced into the
The semiconductor-type
本発明の一実施例による圧力センサ1において、半導体型圧力検出装置60を囲むように(半導体型圧力検出装置60の周囲に)、除電板100がベース40上に接着剤等により貼り付けてある。
除電板100は、外部形状が多角形状の平面形状を有し、内側に半導体型圧力検出装置60の外周を囲むための窓孔100aと、アース端子ピン72を挿通する為の孔部100bを設けてある。
また、除電板100がベース40上に貼り付けられた状態で、当該除電板100に設けられた孔部100bに挿通されたアース端子ピン72の先端部72aは、除電板100の上面100cからやや突出しており、除電板100とアース端子ピンとの間はハンダ付け110等により電気的に接続される(図3参照)。
In the pressure sensor 1 according to one embodiment of the present invention, the neutralizing
The
In addition, the
アース端子ピンは、リード線94を介して当該圧力センサ1が設置された冷凍冷蔵装置や空調装置等の制御盤内に設けられた電気回路のゼロ電位(外部アース)に接続されるものであり、半導体型圧力検出装置60の周囲に帯電する電位、あるいは受圧空間52内に充填された液状媒質に帯電する電位は除電板100を介して除電され、これにより半導体型圧力検出装置60の帯電に起因する作動不良が防止される。
The ground terminal pin is connected to a zero potential (external ground) of an electric circuit provided in a control panel of a refrigerating / refrigeration apparatus or an air conditioner in which the pressure sensor 1 is installed via a
図3は、図1に示した縦断面図のうち半導体型圧力検出装置及び除電板の位置関係を示す要部の拡大図である。
図3に示すように、ベース40の受圧空間52側には、台座62を介して圧力検出素子64が取り付けられている。
また、ベース40の上記圧力検出素子64に隣接する位置には、除電板100が取り付けられており、その一部はベース40を貫通するアース端子ピン72とハンダ付け110によって電気的に接続されている。
FIG. 3 is an enlarged view of a main part showing the positional relationship between the semiconductor pressure detector and the charge removal plate in the longitudinal sectional view shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a
Further, a neutralizing
本発明による圧力センサにおいて、ベース40の表面から除電板100の表面までの高さh2は、上記ベース40の表面から圧力検出素子64の表面までの高さh1よりも高くなるように構成さされている。
このような構成を備えた本発明による圧力センサが、例えば静電気等により帯電した場合、圧力検出素子64及び除電板100は、ダイアフラム50との間で見かけ上のキャパシタ(蓄電器)をそれぞれ形成する。
In the pressure sensor according to the present invention, the height h2 from the surface of the
When the pressure sensor according to the present invention having such a configuration is charged by, for example, static electricity, the
このとき、上記のとおり、ベース40から除電板100の表面までの高さh2は、ベース40から圧力検出素子64の表面までの高さh1よりも高くなるように構成されているため、除電板100の表面の方が圧力検出素子64の表面よりもダイアフラム50に近い位置に配置される。
また、面間距離が近くなるため、除電板100とダイアフラム50との間の容量は、圧力検出素子64とダイアフラム50との間の容量よりも大きくなる。
したがって、帯電した電荷は、圧力検出素子64の表面よりも優先的に除電板100の表面に蓄積されることとなり、結果として圧力検出素子64に帯電による誤動作等の不具合が生じるのを防止することができる。
At this time, as described above, the height h2 from the
Further, since the inter-surface distance is reduced, the capacity between the
Accordingly, the charged electric charge is accumulated on the surface of the
除電板100は、例えば、セラミックス、ガラス等の無機材料、又はポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)、PPS等の耐熱性に富んだ絶縁板を設け、その片側の面に導電層を形成した構造を有し、接着剤層を介してベース40上に固着される。このとき、導電層は金属の板状で構成したり、あるいは印刷や焼成で形成してもよい。
また、導電層の材料としては、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等が代表的であるが、高電圧耐久性を得るためにタングステンやモリブデン等が高融点材料を用いることもできる。
The
As the material for the conductive layer, gold, silver, copper, aluminum, nickel and the like are typical, but tungsten, molybdenum and the like can use a high melting point material in order to obtain high voltage durability.
上記実施例において、除電板100を半導体型圧力検出装置60の周囲を囲繞する態様で配置する場合を例示したが、除電板100は、半導体型圧力検出装置60の周囲の一部(側面)のみに取り付けるように構成してもよい。
この場合、除電板100は、半導体型圧力検出装置60の周囲を囲繞するものと比べて小型化できるため、圧力センサ全体を軽量化することができる。
In the above embodiment, the case where the
In this case, since the
上記説明したとおり、本発明による圧力センサにおいて、除電板100は、ベース40からの高さが半導体型圧力検出装置60のベース40からの高さより高い位置に設定されている。換言すれば、除電板100の表面高さ位置が半導体型圧力検出装置60の表面高さ位置よりもダイアフラム50に近くなるように構成されている。
これにより、圧力センサが何らかの理由で帯電した場合であっても、除電板100とダイアフラム50との間に優先的に電荷を集中させるとともにアース端子ピンを介して外部に逃がすことができるため、圧力センサの除電を効果的に実施することができる。
したがって、本発明による圧力センサは、受圧空間52内の帯電を効果的に除去して半導体型圧力検出装置60の作動不良をより確実に防止することができる。
As described above, in the pressure sensor according to the present invention, the
Thus, even when the pressure sensor is charged for some reason, the charge can be concentrated preferentially between the
Therefore, the pressure sensor according to the present invention can effectively remove the charge in the
本発明による圧力センサは、半導体型圧力検出装置の周囲に又はその側方位置に除電板を設けてあるので、受圧空間内の静電気等による影響を防止して、センサとしての信頼性を向上することができる。
また、除電板100とアース端子ピン72との間はハンダ付け110により電気的に接続されるものとしたが、本発明は特にこれのみに限定されることはなく、カシメ、圧着、圧入、溶接、あるいは導電性接着剤を用いた接着やボンディングワイヤを用いた接続等の手法により、電気的に接続されても良い。
The pressure sensor according to the present invention is provided with a static eliminating plate around or at a side position of the semiconductor type pressure detecting device, thereby preventing the influence of static electricity in the pressure receiving space and improving the reliability as the sensor. be able to.
Further, the
1 圧力センサ 10 カバー
20 接続ナット 30 取付部材
32 流体導入室 40 ベース
50 ダイアフラム 52 受圧空間
60 半導体型圧力検出装置 62 台座
64 圧力検出素子 70 端子ピン
72 アース端子ピン
74 ハーメチックシール 80 ボンディングワイヤ
81 アース用ボンディングワイヤ 90 中継基板
92 コネクタ 94 リード線
100 除電板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (4)
前記ダイアフラムとの間でオイル等の絶縁性媒質が封入された受圧空間が形成されるベースと、
前記受圧空間内に設けられるとともにアースパッドを含む複数のボンディングパッドを備えた半導体型圧力検出装置と、
前記ベースに植設され前記半導体型圧力検出装置と電気的に接続される複数の端子ピン及び前記半導体型圧力検出装置のゼロ電位と接続される1つのアース端子ピンとを具備した圧力センサであって、
前記ベース上には、前記半導体型圧力検出装置の周囲位置に除電板が設けられており、
前記除電板は、前記ベースからの高さが前記半導体型圧力検出装置の前記ベースからの高さよりも高い位置となるように配置されており、
前記除電板は、前記半導体型圧力検出装置のアースパッド及び前記アース端子ピンと電気的に接続されたことを特徴とする圧力センサ。 A diaphragm for receiving the pressure of the fluid;
A base in which a pressure receiving space in which an insulating medium such as oil is sealed is formed between the diaphragm and the diaphragm;
A semiconductor-type pressure detection device provided in the pressure receiving space and provided with a plurality of bonding pads including a ground pad;
A pressure sensor comprising a plurality of terminal pins implanted in the base and electrically connected to the semiconductor type pressure detecting device, and one ground terminal pin connected to a zero potential of the semiconductor type pressure detecting device. ,
On the base, a neutralization plate is provided at a peripheral position of the semiconductor-type pressure detection device,
The charge removal plate is disposed so that the height from the base is higher than the height from the base of the semiconductor pressure detector,
The pressure sensor, wherein the static eliminating plate is electrically connected to an earth pad and the earth terminal pin of the semiconductor type pressure detecting device.
前記ダイアフラムとの間でオイル等の絶縁性媒質が封入された受圧空間が形成されるベースと、
前記受圧空間内に設けられるとともにアースパッドを含む複数のボンディングパッドを備えた半導体型圧力検出装置と、
前記ベースに植設され前記半導体型圧力検出装置と電気的に接続される複数の端子ピン及び前記半導体型圧力検出装置のゼロ電位と接続される1つのアース端子ピンとを具備した圧力センサであって、
前記ベース上には、前記半導体型圧力検出装置の周囲位置の一部に除電板が設けられており、
前記除電板は、前記ベースからの高さが前記半導体型圧力検出装置の前記ベースからの高さよりも高い位置となるように配置されており、
前記除電板は、前記半導体型圧力検出装置のアースパッド及び前記アース端子ピンと電気的に接続されたことを特徴とする圧力センサ。 A diaphragm for receiving the pressure of the fluid;
A base in which a pressure receiving space in which an insulating medium such as oil is sealed is formed between the diaphragm and the diaphragm;
A semiconductor-type pressure detection device provided in the pressure receiving space and provided with a plurality of bonding pads including a ground pad;
A pressure sensor comprising a plurality of terminal pins implanted in the base and electrically connected to the semiconductor type pressure detecting device, and one ground terminal pin connected to a zero potential of the semiconductor type pressure detecting device. ,
On the base, a neutralization plate is provided in a part of the peripheral position of the semiconductor type pressure detection device,
The charge removal plate is disposed so that the height from the base is higher than the height from the base of the semiconductor pressure detector,
The pressure sensor, wherein the static eliminating plate is electrically connected to an earth pad and the earth terminal pin of the semiconductor type pressure detecting device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015068134A JP6422383B2 (en) | 2015-03-30 | 2015-03-30 | Pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015068134A JP6422383B2 (en) | 2015-03-30 | 2015-03-30 | Pressure sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016188775A true JP2016188775A (en) | 2016-11-04 |
JP6422383B2 JP6422383B2 (en) | 2018-11-14 |
Family
ID=57240454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015068134A Active JP6422383B2 (en) | 2015-03-30 | 2015-03-30 | Pressure sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6422383B2 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005181066A (en) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Denso Corp | Pressure sensor |
JP3987386B2 (en) * | 2001-11-20 | 2007-10-10 | 株式会社鷺宮製作所 | Pressure sensor |
US7311007B2 (en) * | 2002-12-12 | 2007-12-25 | Danfoss A/S | Pressure sensor |
JP6111151B2 (en) * | 2013-06-21 | 2017-04-05 | 株式会社不二工機 | Pressure sensor |
JP6205145B2 (en) * | 2013-03-13 | 2017-09-27 | 株式会社不二工機 | Pressure sensor |
-
2015
- 2015-03-30 JP JP2015068134A patent/JP6422383B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3987386B2 (en) * | 2001-11-20 | 2007-10-10 | 株式会社鷺宮製作所 | Pressure sensor |
US7311007B2 (en) * | 2002-12-12 | 2007-12-25 | Danfoss A/S | Pressure sensor |
JP2005181066A (en) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Denso Corp | Pressure sensor |
JP6205145B2 (en) * | 2013-03-13 | 2017-09-27 | 株式会社不二工機 | Pressure sensor |
JP6111151B2 (en) * | 2013-06-21 | 2017-04-05 | 株式会社不二工機 | Pressure sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6422383B2 (en) | 2018-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6111151B2 (en) | Pressure sensor | |
TWI633289B (en) | Pressure sensor | |
JP6205145B2 (en) | Pressure sensor | |
EP3208588B1 (en) | Pressure detection unit and pressure sensor using the same | |
JP6892404B2 (en) | Pressure sensor | |
KR20170096575A (en) | Pressure detecting unit and pressure sensor using the same | |
US9891128B2 (en) | Pressure sensor having a digital circuit unit connected to adjustment terminals and earth terminals | |
JP2016205871A (en) | Pressure sensor | |
CN110418950B (en) | Pressure sensor | |
CN111936835B (en) | Pressure sensor | |
JP6523762B2 (en) | Pressure sensor | |
JP6422383B2 (en) | Pressure sensor | |
WO2021065554A1 (en) | Pressure detection unit and pressure sensor using same | |
JP6498021B2 (en) | Pressure sensor | |
JP7345174B2 (en) | pressure sensor | |
JP7345173B2 (en) | pressure sensor | |
JP7308522B2 (en) | pressure sensor | |
JP6464012B2 (en) | Pressure sensor | |
JP7325099B2 (en) | pressure sensor | |
JP7291948B2 (en) | pressure sensor | |
JP2021056070A (en) | Pressure detection unit and pressure sensor using the same | |
JP4045988B2 (en) | Pressure sensor | |
JP2016191699A (en) | Pressure sensor | |
JP2016191632A (en) | Pressure sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180918 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181016 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6422383 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |