JP2016184711A - Inspection apparatus of semiconductor wafer and automatic inspection method of semiconductor wafer - Google Patents

Inspection apparatus of semiconductor wafer and automatic inspection method of semiconductor wafer Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a defect inspection apparatus capable of detecting only a defect on the wafer surface, without being influence by the surface state of an inspection stage, even for a wafer transmitting light.SOLUTION: An inspection apparatus of semiconductor wafer includes an inspection stage, and a wafer mounting jig to be mounted on the inspection stage. The wafer mounting jig has a hollow cylinder as the body, and has a counterbore provided along the inner periphery, on the upper surface side, i.e., the side opposite to the side in contact with the inspection stage, in the sidewall of the cylinder. The counterbore is formed while having a diameter larger than that of a semiconductor wafer becoming an inspection object. When mounting the semiconductor wafer on the bottom face of the counterbore so as to come into contact with the reverse face of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is held while keeping a constant distance between the inspection stage. The constant distance is determined based on the amount of the semiconductor wafer inspection light, reflected on the inspection stage surface.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は半導体ウエハの検査技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer inspection technique.

半導体装置の製造のためのウエハプロセスにおいては、ウエハの品質管理、歩留り向上のために、ウエハプロセス中の主要工程や重要工程で、随時にウエハの欠陥検査を実施して、異物や欠陥の特定、推移管理、問題のあるプロセスの検出および迅速なフィードバックなどのアクションが必須になる。   In wafer processes for manufacturing semiconductor devices, defect inspection of wafers is performed at any time in the main processes and important processes in the wafer process to identify foreign matters and defects in order to improve wafer quality control and yield. , Actions such as transition management, problem process detection and quick feedback are essential.

また、ダウンフォール、三角欠陥、キャロットなどの半導体装置の動作不良の原因となる基板欠陥が多い低品質ウエハ、例えば炭化珪素(SiC)ウエハ、窒化ガリウム(GaN)ウエハなどのワイドバンドギャップ半導体ウエハにおいては、ウエハそのものの欠陥を検査し、ウエハプロセスを通した電気特性などとの相関を取ることで、電気特性に問題を生じさせる欠陥を特定する。そして、その結果をウエハの製造工程にフィードバックすることで、そのような欠陥が生じない基板製造プロセスを構築し、ウエハ品質の向上および歩留り向上を図っている。   In addition, in a low-quality wafer having a large number of substrate defects, such as a downfall, a triangular defect, and a carrot, which cause a malfunction of the semiconductor device, such as a wide band gap semiconductor wafer such as a silicon carbide (SiC) wafer or a gallium nitride (GaN) wafer. Inspects defects of the wafer itself, and correlates with electrical characteristics through the wafer process to identify defects that cause problems in electrical characteristics. Then, by feeding back the result to the wafer manufacturing process, a substrate manufacturing process in which such a defect does not occur is constructed to improve the wafer quality and the yield.

ここで、ウエハの欠陥検査を行う検査装置においては、従来は、例えば特許文献1の図1に開示されるように、検査装置の平坦な検査ステージ直上に自動搬送あるいはマニュアル(手載せ)搬送でウエハを搭載し、さらにウエハ裏面側からの真空吸着などでウエハを検査ステージに固定して検査を行っている。   Here, in an inspection apparatus for inspecting a defect of a wafer, conventionally, as disclosed in, for example, FIG. 1 of Patent Document 1, automatic conveyance or manual (hand-mounted) conveyance is performed immediately above a flat inspection stage of the inspection apparatus. A wafer is mounted, and inspection is performed by fixing the wafer to an inspection stage by vacuum suction or the like from the back side of the wafer.

一般的なランプ発光式のウエハ検査装置では、検査ステージ上に搭載したウエハに、キセノンランプ等の光源から発する光(可視光)を入射させ、その反射光を検出し、画像認識することで欠陥を検出している。   In a general lamp-emitting wafer inspection system, light (visible light) emitted from a light source such as a xenon lamp is incident on a wafer mounted on an inspection stage, the reflected light is detected, and an image is recognized. Is detected.

Siウエハなどの可視光に対して不透明なウエハでは、光が透過しないので表面状態の欠陥を精度良く検出することができるが、SiCウエハなどの可視光に対して半透明なウエハでは、検査ステージ直上に搭載したSiCウエハを入射光が透過し、検査ステージ表面上に存在する反射率の高いキズや異物などからの反射光を検出してしまうため、本来検出すべきSiCウエハ表面上の欠陥だけでなく、検査ステージ表面上のキズや異物なども欠陥(疑似欠陥)として検出されてしまう。このため、本来の検出精度が低下し、結果として、歩留り向上のためのフィードバックの精度低下や遅延を招く。   A wafer that is opaque to visible light, such as a Si wafer, does not transmit light, so that surface state defects can be detected with high accuracy. However, a wafer that is semi-transparent to visible light, such as a SiC wafer, can be used as an inspection stage. Incident light is transmitted through the SiC wafer mounted directly above, and reflected light from scratches or foreign matters with high reflectivity existing on the surface of the inspection stage is detected, so only defects on the surface of the SiC wafer that should be detected originally are detected. In addition, scratches or foreign matters on the surface of the inspection stage are also detected as defects (pseudo defects). For this reason, the original detection accuracy is lowered, and as a result, feedback accuracy is lowered and a delay is caused to improve the yield.

なお、上記のような問題は、ランプ発光式のウエハ検査装置に限定されるものではなく、例えば、一定波長のレーザー光をウエハに照射し、その反射光(散乱光)を検出器で検出するレーザー式のウエハ検査装置でも起こりうる問題である。   The above-described problems are not limited to the lamp light emission type wafer inspection apparatus. For example, the wafer is irradiated with a laser beam having a predetermined wavelength, and the reflected light (scattered light) is detected by a detector. This is a problem that may occur even in a laser type wafer inspection apparatus.

特開2006−329630号公報JP 2006-329630 A

検査結果の迅速なフィードバックや早期の歩留り向上を図るためには、SiCウエハなどの半透明なウエハに対しても、検査ステージの表面状態の影響を受けずに、ウエハ表面の欠陥のみを検出できる欠陥検査装置が求められている。   For quick feedback of inspection results and early yield improvement, it is possible to detect only defects on the wafer surface without being affected by the surface state of the inspection stage even for semi-transparent wafers such as SiC wafers. There is a need for defect inspection equipment.

本発明は上記のような問題を解決するためになされたものであり、光を透過するウエハに対しても、検査ステージの表面状態の影響を受けずに、ウエハ表面の欠陥のみを検出できる欠陥検査装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and is capable of detecting only defects on the wafer surface without being affected by the surface state of the inspection stage even on a wafer that transmits light. An object is to provide an inspection device.

本発明に係る半導体ウエハの検査装置は、光により半導体ウエハの欠陥検査を行う半導体ウエハの検査装置であって、検査ステージと、前記検査ステージ上に載置されるウエハ搭載治具と、を備え、前記ウエハ搭載治具は、内部が中空となった円筒を本体とし、前記円筒の側壁において、前記検査ステージに接する側とは反対側となる上面側に、内周に沿って設けられた座繰り部を有し、前記座繰り部は、検査対象となる半導体ウエハの直径より大きな直径を有して形成され、前記座繰り部の底面部に前記半導体ウエハの裏面が接するように前記半導体ウエハを搭載することで、前記半導体ウエハが前記検査ステージとの間に一定距離を保って保持され、前記一定距離は、前記半導体ウエハの検査のための光の前記検査ステージ表面での反射量に基づいて決定される。   A semiconductor wafer inspection apparatus according to the present invention is a semiconductor wafer inspection apparatus for inspecting a defect of a semiconductor wafer by light, and includes an inspection stage and a wafer mounting jig placed on the inspection stage. The wafer mounting jig has a hollow cylindrical body as a main body, and a seat provided along the inner circumference on the upper surface side opposite to the side in contact with the inspection stage on the side wall of the cylinder. The semiconductor wafer is formed so as to have a diameter larger than the diameter of the semiconductor wafer to be inspected, and the back surface of the semiconductor wafer is in contact with the bottom surface of the countersink. By mounting the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is held at a constant distance from the inspection stage, and the constant distance reflects light on the inspection stage surface for the inspection of the semiconductor wafer. It is determined on the basis of.

本発明に係る半導体ウエハの検査装置によれば、半導体ウエハが検査ステージとの間に一定距離を保って保持されるので、検査ステージの表面からの光の反射はゼロまたは無視できるほどに小さくなり、検査ステージの表面のキズや異物などが疑似欠陥として検出されず、本来検出すべき半導体ウエハの欠陥のみを正確に検出することができる。また、座繰り部では半導体ウエハを搭載するだけであり、真空吸着することはないので半導体ウエハに反りがある場合でも、真空吸着時の吸着不良や吸着による応力に起因するウエハ割れ、また厚みが薄い半導体ウエハを真空吸着することによるウエハ割れを防止することができる。   According to the semiconductor wafer inspection apparatus of the present invention, since the semiconductor wafer is held at a constant distance from the inspection stage, the reflection of light from the surface of the inspection stage becomes zero or negligible. In addition, scratches or foreign matters on the surface of the inspection stage are not detected as pseudo defects, and only defects of the semiconductor wafer that should be detected can be detected accurately. In addition, since the semiconductor wafer is only mounted on the countersink, and vacuum suction is not performed, even when the semiconductor wafer is warped, wafer cracking due to suction failure or stress due to suction, Wafer cracking due to vacuum suction of a thin semiconductor wafer can be prevented.

本発明に係る実施の形態1のウエハ搭載治具の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the wafer mounting jig of Embodiment 1 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態1のウエハ搭載治具の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the wafer mounting jig of Embodiment 1 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態1のウエハ搭載治具にウエハを搭載した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which mounted the wafer in the wafer mounting jig of Embodiment 1 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態1のウエハ搭載治具にウエハを搭載した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which mounted the wafer in the wafer mounting jig of Embodiment 1 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態2のウエハ搭載治具の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the wafer mounting jig of Embodiment 2 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態2のウエハ搭載治具の平面図である。It is a top view of the wafer mounting jig of Embodiment 2 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態3の自動検査方法を説明する図である。It is a figure explaining the automatic inspection method of Embodiment 3 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態3の自動検査方法を説明する図である。It is a figure explaining the automatic inspection method of Embodiment 3 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態3の自動検査方法を説明する図である。It is a figure explaining the automatic inspection method of Embodiment 3 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態3の自動検査方法を説明する図である。It is a figure explaining the automatic inspection method of Embodiment 3 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態3の自動検査方法を説明する図である。It is a figure explaining the automatic inspection method of Embodiment 3 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態3の自動検査方法を説明する図である。It is a figure explaining the automatic inspection method of Embodiment 3 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態3の自動検査方法を説明する図である。It is a figure explaining the automatic inspection method of Embodiment 3 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態4のウエハ搭載治具の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the wafer mounting jig of Embodiment 4 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態4のウエハ搭載治具の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the wafer mounting jig of Embodiment 4 which concerns on this invention. 本発明に係る実施の形態4のウエハ搭載治具においてウエハが浮き上がった状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which the wafer floated in the wafer mounting jig of Embodiment 4 which concerns on this invention.

<実施の形態1>
図1は、本発明に係る実施の形態1の欠陥検査装置における検査ステージ上で使用されるウエハ搭載治具10の構成を示す断面図であり、図2は、ウエハ搭載治具10を上面側(検査ステージSTとは反対側)から見た平面図であり、図2におけるA−A線での断面図が図1に相当する。なお、図2において検査ステージSTは省略している。
<Embodiment 1>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a wafer mounting jig 10 used on the inspection stage in the defect inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. FIG. 3 is a plan view seen from the side opposite to the inspection stage ST, and a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2 corresponds to FIG. In FIG. 2, the inspection stage ST is omitted.

図1および図2に示されるように、ウエハ搭載治具10は、内部が中空となった円筒を本体とし、円筒の側壁1は、上面側に、内周に沿って設けられた座繰り部11を有し、下面側端面が検査ステージSTの上面に接するように配置されている。なお、ウエハ搭載治具10は、例えば、図示されないねじ等により検査ステージSTの上面に固定されているが、固定方法はこれに限定されるものではない。なお、一般的に金属で構成される検査ステージSTの表面には、完全には削除できない要素として、キズSCや異物FOなどが存在することを模式的に示している。   As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer mounting jig 10 has a hollow cylindrical body as a main body, and the side wall 1 of the cylinder is a counterbored portion provided along the inner periphery on the upper surface side. 11 and is arranged so that the lower surface side end surface is in contact with the upper surface of the inspection stage ST. The wafer mounting jig 10 is fixed to the upper surface of the inspection stage ST with, for example, a screw (not shown), but the fixing method is not limited to this. Note that the surface of the inspection stage ST, which is generally made of metal, schematically shows that there are scratches SC, foreign objects FO, and the like as elements that cannot be completely deleted.

座繰り部11は、ウエハを搭載可能なように、ウエハの直径より大きな直径を有して形成されており、座繰り部11の底面部111にウエハの裏面が接するようにウエハを搭載することで、座繰り部11内にウエハが保持されると共に、座繰り部11の直径の寸法公差で決まる精度でウエハが位置決めされることとなる。なお、座繰り部11の側面部112の高さは、ウエハの厚みと同じか、ウエハの厚みよりも高く設定される。   The countersink portion 11 is formed to have a diameter larger than the diameter of the wafer so that the wafer can be mounted, and the wafer is mounted so that the back surface of the wafer is in contact with the bottom surface portion 111 of the countersink portion 11. Thus, the wafer is held in the countersink 11 and the wafer is positioned with an accuracy determined by the dimensional tolerance of the diameter of the countersink 11. Note that the height of the side surface portion 112 of the counterbore portion 11 is set to be equal to or higher than the thickness of the wafer.

図3は、ウエハ搭載治具10にウエハWFを搭載した状態を示す断面図であり、図4は、その状態でウエハ搭載治具10を上面側から見た平面図である。ここで、ウエハWFは、SiCウエハ、GaNウエハなどのワイドバンドギャップ半導体ウエハを対象としており、これらのウエハは可視光や所定波長のレーザー光の一部を透過する性質(半透過性)を有している。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the wafer WF is mounted on the wafer mounting jig 10, and FIG. 4 is a plan view of the wafer mounting jig 10 viewed from the upper surface side in this state. Here, the wafer WF is intended for wide band gap semiconductor wafers such as SiC wafers and GaN wafers, and these wafers have the property of transmitting part of visible light or laser light of a predetermined wavelength (semi-transmission). doing.

図3に示すように、座繰り部11内に保持されたウエハWFは、真空吸着等による固定はされていない。また、座繰り部11内にウエハWFが保持されることで、ウエハWFと側壁1で囲まれた領域は中空状態となり、ウエハWFと検査ステージSTの表面との間は一定距離に保たれている。この距離の一例としては500μm程度が挙げられるが、これに限定されるものではなく、検査ステージSTの表面での光の反射量ができるだけ小さくなるような距離に設定すれば良いので、500μmよりも大きくても、小さくても良い。   As shown in FIG. 3, the wafer WF held in the counterbore 11 is not fixed by vacuum suction or the like. In addition, by holding the wafer WF in the counterbore part 11, the region surrounded by the wafer WF and the side wall 1 is in a hollow state, and a constant distance is maintained between the wafer WF and the surface of the inspection stage ST. Yes. An example of this distance is about 500 μm. However, the distance is not limited to this, and the distance may be set such that the reflection amount of light on the surface of the inspection stage ST is as small as possible. It can be large or small.

この状態でウエハWFの上方からキセノンランプ等の光源から発する光(可視光)や所定波長のレーザー光を入射させ、その反射光を検出し、画像認識することでウエハWFの基板欠陥を検出するが、ウエハWFと検査ステージSTの表面との間は上述したように中空状態となっており、検査ステージSTの表面からの光の反射はゼロまたは無視できるほどに小さいので、検査ステージSTの表面のキズSCや異物FOなどが疑似欠陥として検出されず、本来検出すべきウエハWFの基板欠陥のみを正確に検出することができる。   In this state, light (visible light) emitted from a light source such as a xenon lamp or laser light having a predetermined wavelength is incident from above the wafer WF, the reflected light is detected, and an image is recognized to detect a substrate defect of the wafer WF. However, the space between the wafer WF and the surface of the inspection stage ST is hollow as described above, and the reflection of light from the surface of the inspection stage ST is zero or negligibly small. The scratch SC or foreign material FO is not detected as a pseudo defect, and only the substrate defect of the wafer WF to be detected can be detected accurately.

また、ウエハ搭載治具10ではウエハWFは座繰り部11の底面部111に搭載されるだけであり、真空吸着することはないのでウエハWFに反りがある場合でも、真空吸着時の吸着不良や吸着による応力に起因するウエハ割れ、また厚みが薄いウエハを真空吸着することによるウエハ割れを防止することができる。   Further, in the wafer mounting jig 10, the wafer WF is only mounted on the bottom surface portion 111 of the countersink portion 11 and is not vacuum-sucked. Therefore, even when the wafer WF is warped, suction failure during vacuum suction or Wafer cracking due to stress due to suction, and wafer cracking due to vacuum suction of a thin wafer can be prevented.

<実施の形態2>
以上説明した実施の形態1のウエハ搭載治具10に対して、その側壁の一部を切り欠くことでウエハWFの搭載および取り出しを容易にした構成を採用しても良い。
<Embodiment 2>
The wafer mounting jig 10 according to the first embodiment described above may be configured such that the wafer WF can be easily mounted and removed by cutting out a part of the side wall.

図5は、本発明に係る実施の形態1の欠陥検査装置における検査ステージ上で使用されるウエハ搭載治具10Aの構成を示す側面図であり、図6は、ウエハ搭載治具10Aを上面側から見た平面図であり、図6における矢印Y方向からの側面図が図5に相当する。なお、図6において検査ステージSTは省略している。なお、座繰り部11Aの底面部111Aおよび側面部112Aは、ウエハ搭載治具10の底面部111および側面部112と同じである。   FIG. 5 is a side view showing a configuration of a wafer mounting jig 10A used on the inspection stage in the defect inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 6 shows the wafer mounting jig 10A on the upper surface side. FIG. 5 is a plan view seen from the side, and a side view from the direction of arrow Y in FIG. 6 corresponds to FIG. In FIG. 6, the inspection stage ST is omitted. The bottom surface portion 111A and the side surface portion 112A of the counterbore portion 11A are the same as the bottom surface portion 111 and the side surface portion 112 of the wafer mounting jig 10.

図5および図6に示されるように、ウエハ搭載治具10Aは、その側壁1Aの一部が上面側端面から下面側端面まで一定の幅で切り欠かれた切り欠き部NPとなっている。切り欠き部NPは、側壁1Aを厚み方向(直径方向)に完全に除去しているので、ウエハ搭載治具10Aの反対側の側壁の内面が見える構成となっている。   As shown in FIGS. 5 and 6, the wafer mounting jig 10 </ b> A has a notch NP in which a part of the side wall 1 </ b> A is notched with a certain width from the upper surface side end surface to the lower surface side end surface. Since the notch NP completely removes the side wall 1A in the thickness direction (diameter direction), the inner surface of the opposite side wall of the wafer mounting jig 10A can be seen.

このような構成を採ることで、ウエハ搭載治具10AにウエハWFを搭載する際に、以下のような操作が可能となる。すなわち、ウエハWFの裏面にエアーピンセットの真空吸着面を吸着させてウエハWFをウエハ搭載治具10A上まで搬送し、ウエハ搭載治具10Aに搭載する際には、ウエハWFを吸着したままエアーピンセットを切り欠き部NP上側から切り欠き部NP内に差し入れ、エアーピンセットの位置を微調整しながらウエハがウエハ搭載治具10Aの座繰り部11Aの底面部111Aに接するように搭載する。そして、ウエハが座繰り部11A内で保持された段階でエアーピンセットの真空吸着を解除し、エアーピンセットを切り欠き部NPを通して抜き出す。ウエハWFをウエハ搭載治具10Aから取り出す際には、逆の操作を行えば良い。   By adopting such a configuration, the following operations are possible when the wafer WF is mounted on the wafer mounting jig 10A. That is, when the vacuum suction surface of the air tweezers is attracted to the back surface of the wafer WF, the wafer WF is transferred onto the wafer mounting jig 10A and mounted on the wafer mounting jig 10A, the air tweezers are adsorbed while the wafer WF is adsorbed. Is inserted into the notch NP from the upper side of the notch NP, and the wafer is mounted so that the position of the air tweezers is finely adjusted so as to be in contact with the bottom surface 111A of the countersink 11A of the wafer mounting jig 10A. Then, when the wafer is held in the counterbore 11A, the vacuum suction of the air tweezers is released, and the air tweezers are extracted through the notch NP. When taking out the wafer WF from the wafer mounting jig 10A, the reverse operation may be performed.

このように、ウエハ搭載治具10Aを用いることで、切り欠き部NPを通してウエハWFの搭載および取り出しが可能となるので、ウエハWFの前面(デバイス形成面)にエアーピンセット等の搬送治具の真空吸着面を吸着させてウエハWFを搬送することによる表面汚染を防止でき、ウエハWFの搭載および取り出し作業を容易にすることができる。   As described above, by using the wafer mounting jig 10A, the wafer WF can be mounted and taken out through the notch NP, so that a vacuum of a transfer jig such as air tweezers is formed on the front surface (device forming surface) of the wafer WF. Surface contamination due to the suction surface being sucked and the wafer WF being transported can be prevented, and the loading and unloading operations of the wafer WF can be facilitated.

なお、このような操作を行うのであれば、ウエハと検査ステージSTの表面との間の距離は、少なくともエアーピンセットの真空吸着部の最大厚みよりも大きくしなければならない。   If such an operation is performed, the distance between the wafer and the surface of the inspection stage ST must be at least larger than the maximum thickness of the vacuum suction portion of the air tweezers.

<実施の形態3>
従来的なウエハの自動検査では、検査対象ウエハがセットされたカセットから、アーム状の治具で検査対象ウエハを真空吸着させて取り出し、それを検査ステージ上に搬送し、検査ステージ上に搭載する。そして、検査ステージ直上でウエハの一部あるいは全面を真空吸着させて、ウエハを検査する。この検査方法によって検出されたウエハの欠陥には、検査ステージ上のキズや異物等による疑似欠陥も含まれており、検出精度が低いという問題がある。
<Embodiment 3>
In conventional automatic wafer inspection, the wafer to be inspected is vacuum-sucked by an arm-shaped jig from the cassette in which the wafer to be inspected is set, transported onto the inspection stage, and mounted on the inspection stage. . Then, the wafer is inspected by vacuum-sucking a part or the entire surface of the wafer immediately above the inspection stage. Wafer defects detected by this inspection method include pseudo defects due to scratches or foreign matter on the inspection stage, and there is a problem that detection accuracy is low.

これに対し、以上説明した実施の形態2のウエハ搭載治具10Aを、アーム搬送機構を備えた検査装置に適用することで、ウエハの自動搬送による検査スループットの向上を図ると共に、検査ステージ上のキズや異物等による疑似欠陥を検出しないので、高い検出精度が得られる。   On the other hand, by applying the wafer mounting jig 10A of the second embodiment described above to an inspection apparatus provided with an arm transfer mechanism, the inspection throughput can be improved by automatic transfer of wafers and the inspection stage can be improved. Since a pseudo defect due to scratches or foreign matter is not detected, high detection accuracy can be obtained.

以下、図7〜図13を用いて、本発明に係る実施の形態3の自動検査方法について説明する。   Hereinafter, the automatic inspection method according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図7はウエハ搭載治具10Aの側面図であり、切り欠き部NPは図面に向かって左側にあるので視認されず、破線で示されている。また、図8は、ウエハ搭載治具10Aに向けてウエハWFを自動搬送している状態を上方から見た平面図であり、真空吸着機能を有する搬送アームAM上にウエハWFが搭載されている。搬送アームAMの先端部に真空吸着部が設けられ、ウエハWFの裏面が真空吸着されているが、真空吸着部の図示は省略している。なお、図8における矢印Z方向からの側面図が図7に相当する。   FIG. 7 is a side view of the wafer mounting jig 10A, and the notch NP is not visible because it is on the left side of the drawing, and is indicated by a broken line. FIG. 8 is a plan view of the state in which the wafer WF is automatically transferred toward the wafer mounting jig 10A as viewed from above, and the wafer WF is mounted on the transfer arm AM having a vacuum suction function. . A vacuum suction unit is provided at the tip of the transfer arm AM, and the back surface of the wafer WF is vacuum-sucked, but the vacuum suction unit is not shown. In addition, the side view from the arrow Z direction in FIG. 8 corresponds to FIG.

図9は、搬送アームAM上に搭載されたウエハWFが、ウエハ搭載治具10Aまで搬送されて来た状態を側面から見た図であり、搬送アームAMは切り欠き部NPの上方に位置しており、搬送アームAMを降下させることで搬送アームAMが切り欠き部NP内に差し入れられる。   FIG. 9 is a side view of the state in which the wafer WF mounted on the transfer arm AM has been transferred to the wafer mounting jig 10A. The transfer arm AM is located above the notch NP. The transport arm AM is inserted into the notch NP by lowering the transport arm AM.

図10は、搬送アームAMを降下させて切り欠き部NP内に差し入れ、ウエハWFが座繰り部11A内で保持された状態を示す側面図であり、図11は、その状態でウエハ搭載治具10Aを上面側から見た平面図である。   FIG. 10 is a side view showing a state in which the transfer arm AM is lowered and inserted into the notch NP, and the wafer WF is held in the countersink 11A. FIG. 11 shows the wafer mounting jig in this state. It is the top view which looked at 10A from the upper surface side.

図10および図11に示されるように、ウエハWFが座繰り部11A内で保持されると、座繰り部11Aの直径の寸法公差で決まる精度でウエハが位置決めされる。   As shown in FIGS. 10 and 11, when the wafer WF is held in the countersunk portion 11A, the wafer is positioned with an accuracy determined by the dimensional tolerance of the diameter of the countersink 11A.

その後、搬送アームAMの真空吸着を解除し、搬送アームAMを切り欠き部NPを通して抜き出す。図12は、搬送アームAMを切り欠き部NPを介して抜き出して移動させる状態を示す側面図である。また、図13は、搬送アームAMを抜き出した状態のウエハ搭載治具10Aを上面側から見た平面図である。   Thereafter, the vacuum suction of the transfer arm AM is released, and the transfer arm AM is extracted through the notch NP. FIG. 12 is a side view showing a state in which the transfer arm AM is extracted and moved through the notch NP. FIG. 13 is a plan view of the wafer mounting jig 10A with the transfer arm AM extracted as viewed from the upper surface side.

図12に示すように、座繰り部11A内に保持されたウエハWFは、真空吸着等による固定はされていない。   As shown in FIG. 12, the wafer WF held in the counterbore 11A is not fixed by vacuum suction or the like.

この状態でウエハWFの上方からキセノンランプ等の光源から発する可視光や所定波長のレーザー光を入射させ、その反射光を検出し、画像認識することでウエハWFの基板欠陥を検出するが、ウエハWFと検査ステージSTの表面との間は上述したように中空状態となっており、検査ステージSTの表面からの光の反射量はゼロまたは無視できるほどに小さいので、検査ステージSTの表面のキズや異物などが疑似欠陥として検出されず、本来検出すべきウエハWFの基板欠陥のみを正確に検出することができる。   In this state, visible light emitted from a light source such as a xenon lamp or a laser beam having a predetermined wavelength is incident from above the wafer WF, the reflected light is detected, and an image is recognized to detect a substrate defect of the wafer WF. Since the space between the WF and the surface of the inspection stage ST is hollow as described above, the amount of light reflected from the surface of the inspection stage ST is zero or negligibly small. Therefore, only the substrate defect of the wafer WF that should be detected can be accurately detected.

また、ウエハ搭載治具10AではウエハWFは座繰り部11に搭載されるだけであり、真空吸着することはないのでウエハWFに反りがある場合でも、真空吸着時の吸着不良や吸着による応力に起因するウエハ割れ、また厚みが薄いウエハを真空吸着することによるウエハ割れを防止することができる。   Further, in the wafer mounting jig 10A, the wafer WF is only mounted on the countersink portion 11, and is not vacuum-sucked. Therefore, even when the wafer WF is warped, suction failure during vacuum suction and stress due to suction are affected. It is possible to prevent wafer cracking due to wafer cracking due to vacuum suction of a wafer having a small thickness.

ウエハWFの検査が終了した後、ウエハWFをウエハ搭載治具10Aから取り出す際には、搬送アームAMが切り欠き部NP内に差し込まれ、ウエハWFを真空吸着した後、搭載とは逆の操作を行って、ウエハWFを取り出す。   When the wafer WF is taken out of the wafer mounting jig 10A after the inspection of the wafer WF is completed, the transfer arm AM is inserted into the notch NP and the wafer WF is vacuum-sucked, and then the operation opposite to that for mounting is performed. To remove the wafer WF.

このように、ウエハ搭載治具10Aを、アーム搬送機構を備えた検査装置に適用することで、ウエハWFの自動搬送による検査スループットが向上する。   Thus, by applying the wafer mounting jig 10A to an inspection apparatus provided with an arm transfer mechanism, the inspection throughput by automatic transfer of the wafer WF is improved.

<変形例>
なお、上述したウエハ搭載治具10Aは、その側壁1Aの一部が上面側端面から下面側端面まで一定の幅で切り欠かれた切り欠き部NPとなった構成を採っていたが、側壁1Aの一部を完全に除去するのではなく、例えば、上面側端面からウエハWFの厚みプラス搬送アームを抜き差しできる高さ分だけ一定の幅で除去した構成としても良い。
<Modification>
The wafer mounting jig 10A described above has a configuration in which a part of the side wall 1A is a notch NP that is notched with a constant width from the upper surface side end surface to the lower surface side end surface. For example, a configuration may be adopted in which a part of the wafer WF is removed from the upper surface side end face with a constant width corresponding to the thickness of the wafer WF plus the height at which the transfer arm can be inserted and removed.

また、上述したウエハ搭載治具10Aは、その側壁1Aに1つの切り欠き部NPを設けた構成となっていたが、アーム搬送以外の搬送方式、例えばベルト搬送方式などに適用する場合には、切り欠き部NPと対面する場所にも同様の切り欠き部を設け、搬送ベルトを2つの切り欠き部に渡るように設けた構成としても良い。この場合、搬送ベルトは、検査ステージ上に設けられることになるが、ウエハと検査ステージとの距離を大きくすることで、搬送ベルトが検出されることは防止される。また、切り欠き部の個数や配置は上記のように限定されるものではなく、搬送方式に合わせて設定すれば良い。   In addition, the wafer mounting jig 10A described above has a configuration in which one notch NP is provided on the side wall 1A. However, when applied to a transport method other than arm transport, such as a belt transport method, A similar notch may be provided at a location facing the notch NP, and the conveyor belt may be provided so as to extend over the two notches. In this case, the transport belt is provided on the inspection stage, but detection of the transport belt is prevented by increasing the distance between the wafer and the inspection stage. Further, the number and arrangement of the notches are not limited as described above, and may be set in accordance with the transport method.

<実施の形態4>
実施の形態1のウエハ搭載治具10においては、ウエハ搭載治具10からウエハWFを取り出す場合には、例えば、ウエハWFの前面にエアーピンセットの真空吸着面を吸着させて取り出す方法を採るが、ウエハWFの裏面に気体を吹き付けて、ウエハWFを浮かせる機構を設けることで、ウエハWFの搭載および取り出しを容易にした構成を採用しても良い。
<Embodiment 4>
In the wafer mounting jig 10 according to the first embodiment, when taking out the wafer WF from the wafer mounting jig 10, for example, a method is adopted in which the vacuum suction surface of the air tweezers is adsorbed to the front surface of the wafer WF and taken out. A configuration that facilitates mounting and taking out the wafer WF by providing a mechanism that blows gas to the back surface of the wafer WF to float the wafer WF may be employed.

図14は、本発明に係る実施の形態3の欠陥検査装置における検査ステージ上で使用されるウエハ搭載治具10Bの構成を示す断面図であり、図15は、ウエハ搭載治具10Bを上面側から見た平面図であり、図15におけるB−B線での断面図が図14に相当する。なお、図15において検査ステージSTは省略している。   FIG. 14 is a cross-sectional view showing a configuration of a wafer mounting jig 10B used on the inspection stage in the defect inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention. FIG. 15 shows the wafer mounting jig 10B on the upper surface side. FIG. 14 is a plan view seen from FIG. 14, and a sectional view taken along line BB in FIG. 15 corresponds to FIG. Note that the inspection stage ST is omitted in FIG.

図14および図15に示されるように、ウエハ搭載治具10Bは、円筒の側壁1Bの上面側に設けられた座繰り部11Bの底面部111Bに、気体吹き出し孔OPを複数有した構成となっている。なお、座繰り部11Bの側面部112Bは、ウエハ搭載治具10の側面部112と同じである。   As shown in FIGS. 14 and 15, the wafer mounting jig 10 </ b> B has a configuration in which a plurality of gas blowing holes OP are provided on the bottom surface portion 111 </ b> B of the countersink portion 11 </ b> B provided on the upper surface side of the cylindrical side wall 1 </ b> B. ing. The side surface portion 112B of the counterbore portion 11B is the same as the side surface portion 112 of the wafer mounting jig 10.

複数の気体吹き出し孔OPは、底面部111Bの円周に沿って設けられており、それぞれは、底面部111Bから検査ステージST側に向けて垂直に延在するように設けられた縦孔12の開口部を構成している。そして、縦孔12のそれぞれは、側壁1Bの内部において、ウエハ搭載治具10Bの直径方向に延在するように設けられた横孔14に連通している。   The plurality of gas blowing holes OP are provided along the circumference of the bottom surface part 111B, and each of the vertical holes 12 provided so as to extend vertically from the bottom surface part 111B toward the inspection stage ST side. An opening is formed. Each of the vertical holes 12 communicates with a horizontal hole 14 provided so as to extend in the diameter direction of the wafer mounting jig 10B inside the side wall 1B.

また、側壁1Bの内部には、側壁1Bの円周に沿って気体流路13が設けられている。気体流路13は、側壁1Bの下部側であって側壁1Bの外周寄りの位置に設けられており、複数の横孔14と連通している。   Moreover, the gas flow path 13 is provided in the side wall 1B along the circumference of the side wall 1B. The gas flow path 13 is provided at a position near the outer periphery of the side wall 1B on the lower side of the side wall 1B, and communicates with the plurality of lateral holes 14.

また、気体流路13は、側壁1Bの外側から、側壁1Bの直径方向に挿入された気体導入部15と連通しており、気体導入部15から導入された気体(空気、窒素)GSが、気体流路13、横孔14および縦孔12を通って、気体吹き出し孔OPから吹き出す構成となっている。なお、気体流路13、横孔14および縦孔12は、気体流路と総称することができる。   The gas flow path 13 communicates with the gas introduction part 15 inserted in the diameter direction of the side wall 1B from the outside of the side wall 1B, and the gas (air, nitrogen) GS introduced from the gas introduction part 15 is It is configured to blow out from the gas blowing hole OP through the gas flow path 13, the horizontal hole 14 and the vertical hole 12. In addition, the gas flow path 13, the horizontal hole 14, and the vertical hole 12 can be named generically as a gas flow path.

図16は、気体吹き出し孔OPから吹き出す気体GSによってウエハWFがウエハ搭載治具10Bの上方に浮き上がった状態を示す断面図である。図16に示すように、ウエハWFを側壁1Bの上側端面よりも高い位置まで浮かせることで、エアーピンセットなどの搬送治具を側壁1BとウエハWFの裏面との間の隙間から挿入し、ウエハWFの裏面を搬送治具で真空吸着させることが可能となる。   FIG. 16 is a cross-sectional view showing a state in which the wafer WF is lifted above the wafer mounting jig 10B by the gas GS blown from the gas blowing hole OP. As shown in FIG. 16, the wafer WF is lifted to a position higher than the upper end surface of the side wall 1B, so that a transfer jig such as an air tweezer is inserted from the gap between the side wall 1B and the back surface of the wafer WF. It is possible to vacuum-suck the back surface of the substrate with a conveying jig.

なお、上記構成は、ウエハ搭載治具10BからウエハWFを取り出す場合だけでなく、搭載する場合にも利用可能である。すなわち、気体吹き出し孔OPから気体GSを吹き出させ、裏面が搬送治具で真空吸着されたウエハWFをウエハ搭載治具10Bの上方まで搬送し、搬送治具の真空吸着を解除して、一旦、ウエハWFを浮かせた後、気体GSの吹き出し圧力を徐々に弱めることで、ウエハWFが座繰り部11B内に保持されるようにすれば良い。   The above configuration can be used not only when the wafer WF is taken out from the wafer mounting jig 10B but also when it is mounted. That is, the gas GS is blown out from the gas blowing hole OP, the wafer WF whose back surface is vacuum-sucked by the transport jig is transported to above the wafer mounting jig 10B, the vacuum suction of the transport jig is released, After the wafer WF is lifted, the blowing pressure of the gas GS is gradually reduced so that the wafer WF is held in the countersink portion 11B.

このように、ウエハ搭載治具10Bを用いることで、ウエハWFを浮かせた状態で搭載および取り出しが可能となるので、ウエハWFの前面にエアーピンセット等の搬送治具の真空吸着面を吸着させてウエハWFを搬送することによる表面汚染を防止でき、ウエハWFの搭載および取り出し作業を容易にすることができる。   As described above, by using the wafer mounting jig 10B, the wafer WF can be mounted and taken out in a floating state. Therefore, the vacuum suction surface of a transfer jig such as an air tweezer is adsorbed on the front surface of the wafer WF. Surface contamination due to the transfer of the wafer WF can be prevented, and the loading and unloading operations of the wafer WF can be facilitated.

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。   It should be noted that the present invention can be freely combined with each other within the scope of the invention, and each embodiment can be appropriately modified or omitted.

1,1A,1B 側壁、10,10A,10B ウエハ搭載治具、11,11A,11B 座繰り部、111,111A,111B 底面部、AM 搬送アーム、OP 気体吹き出し孔、ST 検査ステージ。   1, 1A, 1B Side wall, 10, 10A, 10B Wafer mounting jig, 11, 11A, 11B Countersink part, 111, 111A, 111B Bottom surface part, AM transfer arm, OP gas blowing hole, ST inspection stage.

Claims (5)

光により半導体ウエハの欠陥検査を行う半導体ウエハの検査装置であって、
検査ステージと、
前記検査ステージ上に載置されるウエハ搭載治具と、を備え、
前記ウエハ搭載治具は、内部が中空となった円筒を本体とし、前記円筒の側壁において、前記検査ステージに接する側とは反対側となる上面側に、内周に沿って設けられた座繰り部を有し、
前記座繰り部は、検査対象となる半導体ウエハの直径より大きな直径を有して形成され、前記座繰り部の底面部に前記半導体ウエハの裏面が接するように前記半導体ウエハを搭載することで、前記半導体ウエハが前記検査ステージとの間に一定距離を保って保持され、
前記一定距離は、前記半導体ウエハの検査のための光の前記検査ステージ表面での反射量に基づいて決定される、半導体ウエハの検査装置。
A semiconductor wafer inspection apparatus for inspecting defects of a semiconductor wafer by light,
Inspection stage,
A wafer mounting jig placed on the inspection stage,
The wafer mounting jig has a hollow cylinder as a main body, and a countersink provided along an inner circumference on an upper surface side opposite to a side in contact with the inspection stage on a side wall of the cylinder. Part
The counterbored portion is formed with a diameter larger than the diameter of the semiconductor wafer to be inspected, and by mounting the semiconductor wafer so that the back surface of the semiconductor wafer is in contact with the bottom surface of the counterbored portion, The semiconductor wafer is held at a certain distance from the inspection stage,
The apparatus for inspecting a semiconductor wafer, wherein the fixed distance is determined based on a reflection amount of light for inspecting the semiconductor wafer on a surface of the inspection stage.
前記ウエハ搭載治具は、
前記側壁の一部を上面側端面から下面側にかけて切り欠かれた切り欠き部NPを有する、請求項1記載の半導体ウエハの検査装置。
The wafer mounting jig is
2. The semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 1, further comprising a cutout portion NP cut out from a part of the side wall from an upper surface side end surface to a lower surface side.
前記切り欠き部は、
前記側壁の上面側端面から下面側端面まで切り欠かれている、請求項2記載の半導体ウエハの検査装置。
The notch is
The semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 2, wherein the side wall is cut out from an upper surface side end surface to a lower surface side end surface.
前記ウエハ搭載治具は、
前記側壁の前記座繰り部の前記底面部に設けられた、複数の気体吹き出し孔を有し、
前記複数の気体吹き出し孔は、前記底面部の円周に沿って設けられ、それぞれは、前記側壁内部に設けられた気体流路に連通し、前記ウエハ搭載治具の外部から前記気体流路に供給される気体を吹き出す、請求項1記載の半導体ウエハの検査装置。
The wafer mounting jig is
A plurality of gas blowing holes provided in the bottom surface portion of the countersunk portion of the side wall;
The plurality of gas blowing holes are provided along the circumference of the bottom surface portion, each communicating with a gas flow path provided inside the side wall, and from the outside of the wafer mounting jig to the gas flow path. The semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 1, wherein the supplied gas is blown out.
請求項2記載の半導体ウエハの検査装置を用いた半導体ウエハの自動検査方法であって、
前記半導体ウエハの検査装置は、
前記検査ステージ上に載置された前記ウエハ搭載治具に対して前記半導体ウエハの搭載および取り出しを行うアーム搬送機構をさらに備え、
(a)前記アーム搬送機構の搬送アームに、裏面側が接するように前記半導体ウエハを載置して、前記ウエハ搭載治具の上方まで搬送するステップと、
(b)前記切り欠き部内に差し入れられるように前記搬送アームを降下させ、前記半導体ウエハを前記座繰り部内に保持するステップと、
(c)前記搬送アームを前記切り欠き部を通して抜き出すステップと、
(d)前記半導体ウエハの上方から前記半導体ウエハの検査のための光を入射させ、その反射光を検出して、画像認識することで前記半導体ウエハの欠陥を検出するステップと、を備える半導体ウエハの自動検査方法。
A semiconductor wafer automatic inspection method using the semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 2,
The semiconductor wafer inspection apparatus comprises:
An arm transport mechanism for loading and unloading the semiconductor wafer with respect to the wafer mounting jig placed on the inspection stage;
(A) placing the semiconductor wafer on the transfer arm of the arm transfer mechanism so that the back surface is in contact with the transfer arm and transferring the wafer to above the wafer mounting jig;
(B) lowering the transfer arm so as to be inserted into the notch, and holding the semiconductor wafer in the countersink;
(C) extracting the transfer arm through the notch,
And (d) detecting a defect of the semiconductor wafer by causing light for inspection of the semiconductor wafer to enter from above the semiconductor wafer, detecting the reflected light, and recognizing an image. Automatic inspection method.
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