JP2016173971A - Dc shut-off device - Google Patents

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a DC shut-off device capable of shutting off a fault point at a low cost.SOLUTION: The DC shut-off device is a device for shutting off a fault point in DC current power transmission systems D1 and D2 which are connected to each other by two power transmission lines W1 and W2. The DC shut-off device includes: an electric reactor L1 which is serially connected to the power transmission line W1; a mechanical shut-off device M1 which has a mechanical contact; a semiconductor shut-off device S1 which is connected in parallel to the electric reactor L1 and the mechanical shut-off device M1; and a semiconductor shut-off device S2 which is connected to a node between the electric reactor L1 and a mechanical shut-off device M1 and the power transmission line W2.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明の実施形態は、直流送電系統における事故点を切り離す直流遮断装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a DC interrupting device that isolates an accident point in a DC power transmission system.

環境負荷低減や電源の多様化の観点から、風力発電や太陽光発電などの再生可能エネルギーを利用した発電の普及が進んでいる。これらの風力・太陽光発電は、大規模化が進んでおり、洋上風力発電や、砂漠地帯での太陽光、太陽熱発電などで実用化され始めている。洋上や砂漠は都市部等の需要地から地理的に離れているため、長距離において大電力を送電することとなる。このような長距離大電力の送電には、交流送電システムに比べて送電コストが安い高電圧直流送電(HVDC:High-Voltage Direct Current)が適用されている。   From the viewpoint of reducing environmental impact and diversifying power sources, power generation using renewable energy such as wind power generation and solar power generation has been spreading. These wind power and solar power generation have been increasing in scale, and are beginning to be put into practical use in offshore wind power generation, solar light in desert areas, solar thermal power generation, and the like. Since offshore and desert are geographically distant from demand areas such as urban areas, large power is transmitted over long distances. For such long-distance high-power transmission, high-voltage direct current (HVDC), which has a lower transmission cost than an AC transmission system, is applied.

HVDCを長距離大電流送電に適用した場合、交流送電システムに比べて、低コストとなる上、送電損失が少ない高効率システムを構築することが可能である。しかし、落雷などに起因した系統事故が生じた場合、事故個所を切り離すことが困難となる。例えば機械式接点を用いた場合、交流送電システムでは、周波数50Hzまたは60Hzの半サイクルごとに生じる電流ゼロ点で電流遮断ができる。しかし、直流電流では電流ゼロ点が生じないため、機械式接点では電流を遮断することができない。   When HVDC is applied to long-distance high-current power transmission, it is possible to construct a high-efficiency system with low cost and low power transmission loss compared to an AC power transmission system. However, when a system accident caused by lightning strikes occurs, it is difficult to isolate the accident location. For example, when a mechanical contact is used, in an AC power transmission system, current can be interrupted at a current zero point that occurs every half cycle at a frequency of 50 Hz or 60 Hz. However, since a zero current point does not occur with a direct current, the current cannot be interrupted with a mechanical contact.

従って、従来のHVDCにおいては、機械式遮断器に並列にLC回路を接続した構成を有する直流遮断装置が提案されている。この遮断装置では、遮断の際に断路器を閉じることでLC回路から機械式遮断器へ共振電流を流し、機械式遮断器に対して電流ゼロ点を生じさせて遮断を実現する。しかし、共振電流の振幅が一定以上ない場合には電流ゼロ点がつくれないため、振幅が得られるまでに時間がかかり、遮断に時間を要するおそれがある。このような背景から、半導体素子を用いて、高速遮断を行う方式が提案されている。   Therefore, in the conventional HVDC, a DC circuit breaker having a configuration in which an LC circuit is connected in parallel to a mechanical circuit breaker has been proposed. In this circuit breaker, when the circuit breaker is closed, the circuit breaker is closed to cause a resonance current to flow from the LC circuit to the mechanical circuit breaker, thereby generating a current zero point for the mechanical circuit breaker to realize the circuit breaker. However, when the amplitude of the resonance current is not greater than a certain value, a zero current point cannot be created, so that it takes time until the amplitude is obtained, and it may take time to cut off. From such a background, a method of performing high-speed cutoff using a semiconductor element has been proposed.

国際公開第2012/045360号明細書International Publication No. 2012/045360 Specification 欧州特許出願公開0867998号明細書European Patent Application No. 0867998

しかしながら、半導体素子を用いた遮断方式では、送電する電力の全てが、常時複数の半導体素子を通過することになる。そのため、半導体素子の抵抗により大きな導通損失が発生する。半導体素子による損失増加により、通常運転時においては送電効率の低下を招くこととなる。従って、送電効率の低下をカバーするために、装置が大型化したり高コスト化したりしていた。   However, in the interruption method using semiconductor elements, all of the transmitted power always passes through a plurality of semiconductor elements. Therefore, a large conduction loss occurs due to the resistance of the semiconductor element. Due to the increase in loss due to the semiconductor element, power transmission efficiency is reduced during normal operation. Therefore, in order to cover the decrease in power transmission efficiency, the apparatus has been increased in size and cost.

本発明の実施形態は、上記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものである。その目的は、事故点の遮断を可能とし、低コスト化された直流遮断装置を提供することである。   The embodiment of the present invention has been proposed in order to solve the above-described problems of the prior art. The purpose is to provide a DC circuit breaker that can cut off the accident point and reduce the cost.

上記のような目的を達成するための実施形態の直流遮断装置は、2本の送電線により接続される直流送電系統における事故点を切り離す直流遮断装置であって、第1の送電線に直列接続される、第1のリアクトルと、機械式接点を有する第1のメカ断路器と、前記第1のリアクトルと、前記第1のメカ断路器と、に並列接続される第1の半導体遮断器と、前記第1のリアクトルと前記第1のメカ断路器との接続点と、第2の送電線に接続される第2の半導体遮断器と、を有することを特徴とする。   A DC interrupting device according to an embodiment for achieving the above object is a DC interrupting device for disconnecting an accident point in a DC transmission system connected by two transmission lines, and is connected in series to the first transmission line. A first semiconductor breaker connected in parallel to the first reactor, the first mechanical disconnector having a mechanical contact, the first reactor, and the first mechanical disconnector; And a connection point between the first reactor and the first mechanical disconnector, and a second semiconductor circuit breaker connected to a second power transmission line.

第1の実施形態の直流遮断装置の構成の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram showing an example of composition of a direct-current circuit breaker of a 1st embodiment. 第1の実施形態の直流遮断装置において、定常動作時の電流経路を示す経路図である。In the DC circuit breaker according to the first embodiment, it is a path diagram showing a current path during steady operation. 第1の実施形態の直流遮断装置において、地絡事故が発生した場合の電流経路を示す経路図である。In the DC circuit breaker according to the first embodiment, it is a path diagram showing a current path when a ground fault occurs. 第1の実施形態の直流遮断装置において、事故発生後に半導体遮断器を閉極した場合の電流経路を示す経路図である。In the DC circuit breaker according to the first embodiment, it is a path diagram showing a current path when the semiconductor circuit breaker is closed after an accident occurs. 第1の実施形態の直流遮断装置において、事故発生後に第1の半導体遮断器とメカ断路器を開極した場合の電流経路を示す経路図である。In the direct-current circuit breaker of 1st Embodiment, it is a path | route diagram which shows the electric current path | route at the time of opening a 1st semiconductor circuit breaker and a mechanical circuit breaker after accident occurrence. 第1の実施形態の直流遮断装置において、事故発生後に第2の半導体遮断器を開極した場合の電流経路を示す経路図である。In the direct-current circuit breaker of 1st Embodiment, it is a route diagram which shows the electric current path | route at the time of opening a 2nd semiconductor circuit breaker after accident occurrence. 第1の実施形態の直流遮断装置において、各構成部の電流を測定した結果を示すグラフである。It is a graph which shows the result of having measured the current of each composition part in the direct-current circuit breaker of a 1st embodiment. 第2の実施形態の直流遮断装置の構成の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of a structure of the DC circuit breaker of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の直流遮断装置の他の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other structure of the direct-current circuit breaker of 2nd Embodiment. 第3の実施形態の直流遮断装置の構成の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of a structure of the direct current | flow interruption | blocking apparatus of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の直流遮断装置の他の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other structure of the DC circuit breaker of 3rd Embodiment. 第4の実施形態の直流遮断装置の他の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other structure of the DC circuit breaker of 4th Embodiment. 半導体遮断装置の他の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other structural example of a semiconductor cutoff device.

[第1の実施形態]
[1.構成]
以下、本発明の第1の実施形態について、図面を参照して説明する。図1は、本実施形態の直流遮断装置の構成の一例を示す回路図である。直流遮断装置は、直流送電系統に流れる直流電流を遮断するものである。本実施形態では、直流送電系統D1,D2が、2本の送電線W1,W2により接続されている。直流送電系統D1において、送電線W1が接続される側が正側であり、送電線W2が接続される側が負側である。定常動作時において、電流は、送電線W1を介して直流送電系統D1から直流送電系統D2に流れる。直流遮断装置は、2本の送電線W1,W2に接続されている。図中の系統インピーダンスはケーブルや架空線の抵抗等を示す。
[First Embodiment]
[1. Constitution]
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the DC interrupter of this embodiment. The direct current interrupt device interrupts direct current flowing through the direct current power transmission system. In the present embodiment, the DC power transmission systems D1 and D2 are connected by two power transmission lines W1 and W2. In the DC power transmission system D1, the side to which the transmission line W1 is connected is the positive side, and the side to which the transmission line W2 is connected is the negative side. During steady operation, current flows from the DC power transmission system D1 to the DC power transmission system D2 via the power transmission line W1. The DC interrupter is connected to two power transmission lines W1 and W2. The system impedance in the figure indicates the resistance of cables and overhead wires.

直流送電装置は、リアクトルL1,L2、機械接点式電流断路器M1(以下メカ断路器M1という)、半導体遮断器S1,S2を有する。送電線W1には、リアクトルL1,L2、メカ断路器M1を直列接続した回路が接続されている。具体的には、直流送電系統D1側から、リアクトルL1、メカ断路器M1、リアクトルL1の順で配置されている。リアクトルL1、メカ遮断器M1には、半導体遮断器S1が並列接続されている。半導体遮断器S2は、リアクトルL1とメカ断路器M1の接続点と、送電線W2の間に接続されている。   The DC power transmission device includes reactors L1 and L2, a mechanical contact type current disconnector M1 (hereinafter referred to as a mechanical disconnector M1), and semiconductor breakers S1 and S2. A circuit in which reactors L1 and L2 and a mechanical disconnector M1 are connected in series is connected to the power transmission line W1. Specifically, from the DC power transmission system D1 side, the reactor L1, the mechanical disconnector M1, and the reactor L1 are arranged in this order. A semiconductor circuit breaker S1 is connected in parallel to the reactor L1 and the mechanical circuit breaker M1. The semiconductor circuit breaker S2 is connected between the connection point of the reactor L1 and the mechanical disconnector M1 and the power transmission line W2.

メカ断路器M1は、機械式接点を有する。メカ断路器M1は、この機械式接点が切り離された状態で、事故点を切り離すのに必要な直流電圧に耐える絶縁耐圧を有するように構成される。半導体遮断器S1,S2は、IGBT等の自己消弧型のスイッチング素子を用いることができる。半導体遮断器S1,S2のそれぞれには、一定電圧以上が印加されると導通する非線形素子アレスタA1,A2が並列接続されている。非線形素子アレスタA1,A2は、半導体を過電圧から保護する。   The mechanical disconnector M1 has a mechanical contact. The mechanical disconnector M1 is configured to have a withstand voltage that can withstand a DC voltage necessary for disconnecting the accident point in a state where the mechanical contact is disconnected. The semiconductor circuit breakers S1 and S2 can use self-extinguishing switching elements such as IGBTs. Each of the semiconductor circuit breakers S1 and S2 is connected in parallel with non-linear element arresters A1 and A2 that conduct when a predetermined voltage or more is applied. The nonlinear element arresters A1 and A2 protect the semiconductor from overvoltage.

半導体遮断器S1,S2、及びメカ断路器M1の接点の開閉は、CPUやメモリを含み所定のプログラムで動作するコンピュータや専用の電子回路で構成される不図示の制御装置で行われる。制御装置は、直流送電系統D1,D2の状態を検知して自動で接点の開閉を行う構成とするが、制御装置を介してオペレータにより手動操作されることもできる。   The contacts of the semiconductor circuit breakers S1 and S2 and the mechanical disconnector M1 are opened and closed by a control device (not shown) configured by a computer including a CPU and a memory and operating with a predetermined program and a dedicated electronic circuit. The control device detects the state of the DC power transmission systems D1 and D2 and automatically opens and closes the contacts, but can be manually operated by an operator via the control device.

[2.動作]
本実施形態の直流遮断装置の動作について、図2〜6を参照して説明する。また、図7に示すグラフを用いて、各構成部における電流の状態を合わせて説明する。図7の横軸は時間を示し、縦軸は電流値を示す。なお、以下の説明では、接点を閉じた状態をオン状態と表現し、接点を開いた状態をオフ状態として表現する。
[2. Operation]
The operation of the DC interrupter of this embodiment will be described with reference to FIGS. In addition, the current state in each component will be described with reference to the graph shown in FIG. In FIG. 7, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the current value. In the following description, a state where the contact is closed is expressed as an on state, and a state where the contact is opened is expressed as an off state.

(1)定常動作時
まず、定常動作時では、図2に示す通り、メカ断路器M1をオン状態、半導体遮断器S1,S2をオフ状態として動作させる。従って、直流送電系統D1から直流送電系統D2に電力融通する場合、図中太い矢印で示す通り、電力はリアクトルL1、メカ断路器M1、リアクトルL2を通過して流れる。すなわち、電力損失が大きい半導体を通過すること無く、電力融通される。図7では、A点までの値が定常動作時の各構成部の電流値を示している。
(1) During steady operation First, during steady operation, as shown in FIG. 2, the mechanical disconnector M1 is turned on and the semiconductor breakers S1 and S2 are turned off. Therefore, when power is exchanged from the DC power transmission system D1 to the DC power transmission system D2, power flows through the reactor L1, the mechanical disconnector M1, and the reactor L2, as indicated by thick arrows in the figure. That is, power can be interchanged without passing through a semiconductor with a large power loss. In FIG. 7, the values up to point A indicate the current value of each component during steady operation.

(2)事故発生時
次に、図3に示す通り、直流送電系統D2側において、送電線地絡事故が起きた場合の動作について説明する。送電線地絡事故等の系統事故が発生した場合、系統インピーダンスおよびリアクトルL1,L2に系統電圧が印加される。図7では事故発生時点をA点として示す。この場合、送電電力の特性インピーダンスに対して、系統インピーダンスおよびリアクトルL1,L2の%インピーダンスは小さく、抵抗が小さくなるため、図7のA点からB点の間に示されるように、メカ断路器M1およびリアクトルL1,L2の系統電流は瞬時に上昇する。
(2) When Accident Occurs Next, as shown in FIG. 3, an operation when a transmission line ground fault occurs on the DC power transmission system D2 side will be described. When a system fault such as a power transmission line ground fault occurs, the system voltage is applied to the system impedance and reactors L1 and L2. In FIG. 7, the accident occurrence time is shown as point A. In this case, the system impedance and the% impedance of the reactors L1 and L2 are small and the resistance is small with respect to the characteristic impedance of the transmission power. The system current of M1 and reactors L1 and L2 rises instantaneously.

このような事故が起きた場合、図4に示す通り、半導体遮断器S1,S2をオン状態に移行する(図7のB点)。すると、図4にて斜線の矢印で示す通り、直流送電系統D1の正側から、系統インピーダンスを経由し、半導体遮断器S1、メカ断路器M1、半導体遮断器S2を通り、直流送電系統D1の負側へ至る電流経路P1が形成される。   When such an accident occurs, as shown in FIG. 4, the semiconductor circuit breakers S1 and S2 are turned on (point B in FIG. 7). Then, as indicated by the hatched arrows in FIG. 4, from the positive side of the DC power transmission system D1, via the system impedance, the semiconductor circuit breaker S1, the mechanical disconnector M1, the semiconductor circuit breaker S2, and the DC power transmission system D1. A current path P1 leading to the negative side is formed.

電流経路P1が形成されると、リアクトルL1は、半導体遮断器S1およびメカ断路器M1により両端を短絡される。よって、リアクトルL1の両端に印加される電圧が低下し、図7のB点からC点の間に示すように、リアクトルL1を流れる電流はほとんど変化せず一定値となる。また、メカ断路器M1、半導体遮断器S2を介して、地絡事故点と直流送電系統D1の負側が接続され同電位となる。そのため、リアクトルL2の両端に印加される電圧が低下し、図7のB点からC点の間に示すように、リアクトルL2を流れる電流の変化量が小さくなる。   When the current path P1 is formed, the reactor L1 is short-circuited at both ends by the semiconductor breaker S1 and the mechanical disconnector M1. Therefore, the voltage applied to both ends of the reactor L1 is reduced, and the current flowing through the reactor L1 hardly changes and becomes a constant value as shown between the points B and C in FIG. In addition, the ground fault point and the negative side of the DC power transmission system D1 are connected through the mechanical disconnector M1 and the semiconductor circuit breaker S2 to have the same potential. Therefore, the voltage applied to both ends of reactor L2 decreases, and the amount of change in the current flowing through reactor L2 decreases as shown between points B and C in FIG.

以上のように、半導体遮断器S1,S2をオン状態とすることでリアクトルL1,L2が短絡されるため、リアクトルL1,L2に印加されていた電圧は、系統インピーダンスに印加されることとなる。従って、系統インピーダンスを流れる電流は、図7のB点からC点の間に示すように、さらに増加する。上述の通り、半導体遮断器S1,S2をオン状態としたことで、リアクトルL1を流れる電流は一定値となっている。そのため、系統インピーダンスに流れる電流の増加分は、半導体遮断器S1、メカ断路器M1、半導体遮断器S2を経由して、直流送電系統D1の負側へ流れる。   As described above, the reactors L1 and L2 are short-circuited by turning on the semiconductor circuit breakers S1 and S2, so that the voltage applied to the reactors L1 and L2 is applied to the system impedance. Therefore, the current flowing through the system impedance further increases as shown between points B and C in FIG. As described above, since the semiconductor circuit breakers S1 and S2 are turned on, the current flowing through the reactor L1 has a constant value. Therefore, the increase in the current flowing through the system impedance flows to the negative side of the DC power transmission system D1 via the semiconductor circuit breaker S1, the mechanical disconnector M1, and the semiconductor circuit breaker S2.

図3および4を比較すると明らかな通り、事故発生時にメカ断路器M1を流れる電流は、事故発生前にメカ断路器M1を流れる電流と逆方向の流れとなる。よって、事故発生時に系統インピーダンスに流れる電流が増加した場合、メカ断路器M1を流れる逆方向の流れの電流が徐々に増加し、それ以前にメカ断路器M1を流れていた電流を打ち消すこととなる。図7のB点からC点の間に示すように、メカ断路器M1を流れる電流は徐々に低下する。その結果、メカ断路器M1に電流ゼロ点が形成されるため(図7のZ点)、図5に示すように、電流ゼロ点にてメカ断路器M1をオフ状態に移行させる。   As is clear from a comparison of FIGS. 3 and 4, the current flowing through the mechanical disconnector M1 when an accident occurs is in a direction opposite to the current flowing through the mechanical disconnector M1 before the accident occurs. Therefore, if the current flowing through the system impedance increases when an accident occurs, the current in the reverse direction flowing through the mechanical disconnector M1 gradually increases, and the current flowing through the mechanical disconnector M1 before that will be canceled out. . As shown between point B and point C in FIG. 7, the current flowing through the mechanical disconnector M1 gradually decreases. As a result, a current zero point is formed in the mechanical disconnector M1 (point Z in FIG. 7), and as shown in FIG. 5, the mechanical disconnector M1 is shifted to the OFF state at the current zero point.

メカ断路器M1をオフ状態に移行した後、図5に示すように、半導体遮断器S1をオフ状態に移行し(図7のC点)、リアクトルL2を流れる電流を遮断する。リアクトルL2に蓄積された誘導性エネルギーは、半導体遮断器S1とアレスタA1で減衰されるため、半導体遮断器S1に過大な電圧が印加されることはない。   After the mechanical disconnector M1 is shifted to the off state, the semiconductor circuit breaker S1 is shifted to the off state (point C in FIG. 7), and the current flowing through the reactor L2 is interrupted as shown in FIG. Since the inductive energy accumulated in the reactor L2 is attenuated by the semiconductor circuit breaker S1 and the arrester A1, an excessive voltage is not applied to the semiconductor circuit breaker S1.

最後に、図6に示す通り、半導体遮断器S2をオフ状態に移行し(図7のD点)、半導体遮断器S2を流れる電流を遮断する。この動作により、系統インピーダンスおよびリアクトルL1を流れる電流が遮断される。以上の動作により、地絡事故点と、健全な直流送電系統D1が切り離され、事故点除去が可能な状態となる。   Finally, as shown in FIG. 6, the semiconductor circuit breaker S2 is turned off (point D in FIG. 7), and the current flowing through the semiconductor circuit breaker S2 is interrupted. By this operation, the system impedance and the current flowing through the reactor L1 are cut off. With the above operation, the ground fault point and the healthy DC power transmission system D1 are disconnected, and the fault point can be removed.

[3.作用効果]
以上のような本実施形態の作用効果は以下のとおりである。
(1)本実施形態の直流遮断装置は、2本の送電線W1,W2により接続される直流送電系統D1,D2における事故点を切り離す直流遮断装置であって、送電線W1に直列接続される、リアクトルL1と、機械式接点を有するメカ断路器M1と、リアクトルL1とメカ断路器M1とに並列接続される半導体遮断器S1と、リアクトルL1とメカ断路器M1との接続点と、送電線W2に接続される半導体遮断器S2と、を有する。
[3. Effect]
The operational effects of the present embodiment as described above are as follows.
(1) The DC interrupting device of the present embodiment is a DC interrupting device that disconnects an accident point in the DC power transmission systems D1, D2 connected by two power transmission lines W1, W2, and is connected in series to the power transmission line W1. A reactor L1, a mechanical disconnector M1 having a mechanical contact, a semiconductor circuit breaker S1 connected in parallel to the reactor L1 and the mechanical disconnector M1, a connection point between the reactor L1 and the mechanical disconnector M1, and a transmission line And a semiconductor circuit breaker S2 connected to W2.

従って、定常動作の場合には、半導体素子を電流が通過することがないため、半導体素子の抵抗により導通損失が発生することがない。そのため、装置の大型化を抑制し、低コスト化された直流遮断器を提供することができる。また、事故が発生した場合には、電流ゼロ点を形成することが可能となるため、機械式接点を有するメカ断路器M1を用いて電流を遮断することができる。   Therefore, in the steady operation, no current passes through the semiconductor element, so that no conduction loss occurs due to the resistance of the semiconductor element. Therefore, it is possible to provide a DC circuit breaker that suppresses an increase in size of the device and is reduced in cost. In addition, when an accident occurs, a current zero point can be formed, so that the current can be interrupted using the mechanical disconnector M1 having a mechanical contact.

(2)直流送電系統D1,D2の定常動作時においては、メカ断路器M1をオン状態とし、半導体遮断器S1,S2をオフ状態とする。従って、定常動作の場合には、半導体素子を電流が通過することがないため、半導体素子の抵抗により導通損失が発生することがない。そのため、装置の大型化を抑制し、低コスト化された直流遮断器を提供することができる。 (2) During the steady operation of the DC power transmission systems D1 and D2, the mechanical disconnector M1 is turned on and the semiconductor breakers S1 and S2 are turned off. Therefore, in the steady operation, no current passes through the semiconductor element, so that no conduction loss occurs due to the resistance of the semiconductor element. Therefore, it is possible to provide a DC circuit breaker that suppresses an increase in size of the device and is reduced in cost.

(3)直流送電系統D1,D2において事故が発生した場合には、半導体遮断器S1,S2をオン状態とし、電流ゼロ点においてメカ断路器M1をオフ状態とし、その後、半導体遮断器S1,S2を順次オフ状態として、事故点を切り離す。従って、事故が発生した場合には、電流ゼロ点を形成することが可能となるため、機械式接点を有するメカ断路器M1を用いて電流を遮断することができる。また、電流ゼロ点でメカ遮断器M1の接点をオフ状態に移行させることができるため、直流電流導通時のようにアークを引いて電流が流れ続けるような現象が発生しない。そのため、アーク電流を遮断する能力がないような断路器を用いた場合も開極が可能となる。従って、より低コスト化された直流遮断装置を提供することができる。 (3) When an accident occurs in the DC power transmission systems D1 and D2, the semiconductor breakers S1 and S2 are turned on, the mechanical disconnector M1 is turned off at the current zero point, and then the semiconductor breakers S1 and S2 In order to isolate the accident point. Accordingly, when an accident occurs, it is possible to form a zero current point, so that the current can be interrupted using the mechanical disconnector M1 having a mechanical contact. In addition, since the contact of the mechanical circuit breaker M1 can be shifted to the OFF state at the current zero point, a phenomenon in which an electric current continues to flow by drawing an arc as in the case of direct current conduction does not occur. Therefore, even when a disconnector that does not have the ability to interrupt the arc current is used, the opening can be performed. Therefore, it is possible to provide a DC cut-off device with a lower cost.

[第2の実施形態]
第2の実施形態の直流遮断装置の構成は、基本的には第1の実施形態と同じである。ただし、本実施形態の直流遮断装置では、図8に示す通り、リアクトルL2に、機械接点式電流断路器M1(以下、メカ断路器M2という)が直列接続されている。メカ断路器M2の構成は、メカ断路器M1と同じである。
[Second Embodiment]
The configuration of the DC interrupter of the second embodiment is basically the same as that of the first embodiment. However, in the DC interrupter of this embodiment, as shown in FIG. 8, a mechanical contact type current disconnector M1 (hereinafter referred to as a mechanical disconnector M2) is connected in series to the reactor L2. The structure of the mechanical disconnector M2 is the same as that of the mechanical disconnector M1.

以上のような直流遮断装置では、上記実施形態に加え、以下のような作用効果を得ることができる。上述の通り、半導体遮断器S1は、リアクトルL2を流れる電流を遮断する。この遮断時に必要な耐圧は、リアクトルL1の両端に生じる電圧程度であり、直流送電系統電圧よりも低い電圧である。しかし、半導体遮断器S2をオフ状態とした直後は、直流送電系統D1と地絡事故点間の電圧が半導体遮断器S1に印加される。従って、遮断時に必要な耐圧は低くとも、最終的には直流送電系統電圧程度の耐圧が必要になる。そのため、従来では、直流送電系統電圧程度の耐圧を得るために、例えば複数の半導体素子を多直列に接続して半導体遮断器S2を構成することがあった。   In the DC interrupter as described above, the following operational effects can be obtained in addition to the above embodiment. As described above, the semiconductor circuit breaker S1 interrupts the current flowing through the reactor L2. The withstand voltage required at the time of this interruption is about the voltage generated at both ends of the reactor L1, and is a voltage lower than the DC transmission system voltage. However, immediately after the semiconductor circuit breaker S2 is turned off, a voltage between the DC power transmission system D1 and the ground fault point is applied to the semiconductor circuit breaker S1. Therefore, even if the withstand voltage required at the time of interruption is low, the withstand voltage about the DC transmission system voltage is finally required. Therefore, conventionally, in order to obtain a withstand voltage about the DC transmission system voltage, for example, a plurality of semiconductor elements are connected in series to configure the semiconductor circuit breaker S2.

しかし、メカ断路器M2が接続された本実施形態では、事故発生時において、半導体遮断器S1をオフ状態とした後に、メカ断路器M2を開極する。よって、半導体遮断器S2をオフ状態とした後の電圧は、メカ断路器M2に印加されることになる。以上より、半導体遮断器S1の耐圧は、リアクトルL2を流れる電流を遮断する際に必要な耐圧分のみとなる。   However, in this embodiment in which the mechanical disconnector M2 is connected, the mechanical disconnector M2 is opened after the semiconductor circuit breaker S1 is turned off when an accident occurs. Therefore, the voltage after the semiconductor circuit breaker S2 is turned off is applied to the mechanical disconnector M2. From the above, the withstand voltage of the semiconductor circuit breaker S1 is only the withstand voltage necessary for interrupting the current flowing through the reactor L2.

なお、図9に示す通り、メカ断路器M2は、半導体遮断器S1に直列接続される構成としても同様の作用効果が得られる。すなわち、図9に斜線で示す通り、半導体遮断器S2がオフ状態となった後に電圧が印加される回路にメカ断路器M2を接続することで、同様の作用効果が得られる。   In addition, as shown in FIG. 9, the mechanical disconnector M2 can obtain the same operation effect even if it is configured in series with the semiconductor circuit breaker S1. That is, as shown by the oblique lines in FIG. 9, the same effect can be obtained by connecting the mechanical disconnector M2 to a circuit to which a voltage is applied after the semiconductor circuit breaker S2 is turned off.

以上のように、本実施形態では、リアクトルL2に直列接続されるメカ断路器M2(図8)、または、半導体遮断器S1に直列接続されるメカ断路器M2(図9)を有する。従って、高い耐圧を有するメカ断路器M2に、半導体遮断器S2をオフ状態とした後の電圧を印加することができる。そのため、半導体遮断器S1は、リアクトルL2を流れる電流を遮断する際に必要な耐圧分を有していれば良い。半導体遮断器S1の耐圧が低減されるため、例えば必要となる半導体素子の数を減らすことができる。メカ断路器M2は半導体素子に比べ安価であるため、メカ断路器M2を用いて半導体遮断器S1にかかるコストを低減することで、低コスト化された直流遮断装置を提供することができる。   As described above, the present embodiment includes the mechanical disconnector M2 (FIG. 8) connected in series to the reactor L2 or the mechanical disconnector M2 (FIG. 9) connected in series to the semiconductor circuit breaker S1. Therefore, the voltage after the semiconductor circuit breaker S2 is turned off can be applied to the mechanical disconnector M2 having a high breakdown voltage. For this reason, the semiconductor circuit breaker S1 only needs to have a withstand voltage component necessary for interrupting the current flowing through the reactor L2. Since the breakdown voltage of the semiconductor circuit breaker S1 is reduced, for example, the number of necessary semiconductor elements can be reduced. Since the mechanical disconnector M2 is less expensive than the semiconductor element, the cost of the semiconductor breaker S1 can be reduced by using the mechanical disconnector M2 to provide a low-cost DC interrupter.

[第3の実施形態]
第3の実施形態の直流遮断器の構成は、基本的には第2の実施形態と同じである。ただし、図10および11に示す通り、半導体遮断器S1に代えて、真空遮断器VがリアクトルL1、メカ遮断器M1に並列接続されている。すなわち、上記実施形態では、半導体遮断器S1が遮断していたリアクトルL2の電流を、真空遮断器Vにより遮断する構成としたものである。
[Third Embodiment]
The configuration of the DC circuit breaker of the third embodiment is basically the same as that of the second embodiment. However, as shown in FIGS. 10 and 11, a vacuum circuit breaker V is connected in parallel to the reactor L1 and the mechanical circuit breaker M1 instead of the semiconductor circuit breaker S1. That is, in the said embodiment, it is set as the structure which interrupts | blocks with the vacuum circuit breaker V the electric current of the reactor L2 which the semiconductor circuit breaker S1 interrupted | blocked.

第2の実施形態と同様に、本実施形態では、リアクトルL2に直列接続されるメカ断路器M2(図10)、または、真空遮断器Vに直列接続されるメカ断路器M2(図11)を有する。従って、高い耐圧を有するメカ断路器M2に、半導体遮断器S2をオフ状態とした後の電圧を印加することができる。そのため、真空遮断器Vは、リアクトルL2を流れる電流を遮断する際に必要な耐圧分を有していれば良いこととなる。したがって、耐圧が数kVと低い真空遮断器Vを、半導体遮断器S1の代わりに用いることができる。真空遮断器Vは、半導体遮断器S1より安価なため、より低コスト化された直流遮断装置を提供することができる。   Similar to the second embodiment, in this embodiment, the mechanical disconnector M2 (FIG. 10) connected in series to the reactor L2 or the mechanical disconnector M2 (FIG. 11) connected in series to the vacuum circuit breaker V is used. Have. Therefore, the voltage after the semiconductor circuit breaker S2 is turned off can be applied to the mechanical disconnector M2 having a high breakdown voltage. Therefore, the vacuum circuit breaker V should just have a pressure | voltage resistant component required when interrupting | blocking the electric current which flows through the reactor L2. Therefore, a vacuum circuit breaker V having a low breakdown voltage of several kV can be used instead of the semiconductor circuit breaker S1. Since the vacuum circuit breaker V is less expensive than the semiconductor circuit breaker S1, it is possible to provide a DC circuit breaker with a lower cost.

[第4の実施形態]
第4の実施形態の直流遮断器の構成は、基本的には第1の実施形態と同じである。ただし、図12に示す通り、半導体遮断器S1,S2として、スイッチング素子と分圧抵抗を並列接続し、スイッチング素子のゲート駆動電源を得るように構成されている。すなわち、半導体スイッチング素子に、分圧抵抗R1,R2が並列接続されている。分圧抵抗R1,R2には、ゲート駆動回路Cが接続されている。ゲート駆動回路Cは、スイッチング素子のゲートGを駆動する回路である。
[Fourth Embodiment]
The configuration of the DC circuit breaker of the fourth embodiment is basically the same as that of the first embodiment. However, as shown in FIG. 12, the semiconductor circuit breakers S1 and S2 are configured to connect a switching element and a voltage dividing resistor in parallel to obtain a gate drive power supply for the switching element. That is, the voltage dividing resistors R1 and R2 are connected in parallel to the semiconductor switching element. A gate drive circuit C is connected to the voltage dividing resistors R1 and R2. The gate drive circuit C is a circuit that drives the gate G of the switching element.

半導体遮断器S1,S2は、定常動作時はオフ状態となる。この場合、系統電圧により、スイッチング素子のコレクタ-エミッタ間に電圧が印加される。この電圧は、分圧抵抗器R1,R2で分圧して取り込まれ、ゲート駆動に適した電圧へ降圧される。従って、事故時においては、降圧された電圧によりゲート駆動回路CがゲートGを駆動することで、半導体遮断器S1,S2はオン状態に移行される。   The semiconductor circuit breakers S1 and S2 are turned off during steady operation. In this case, a voltage is applied between the collector and the emitter of the switching element by the system voltage. This voltage is divided and taken in by the voltage dividing resistors R1 and R2, and is stepped down to a voltage suitable for gate driving. Therefore, in the event of an accident, the gate circuit C drives the gate G with the reduced voltage, so that the semiconductor circuit breakers S1 and S2 are turned on.

例えば、複数のスイッチング素子を多直列に接続した場合、各スイッチング素子が電源を必要とする。そのため、数百kVの電源が必要となる場合もある。数百kVの電圧を地上から送る場合、それに対応する耐圧を有するトランス等を配置する必要が生じ、直流遮断装置が高コスト化する。しかし、本実施形態では、スイッチング素子と分圧抵抗R1,R2が並列接続されている。そのため、スイッチング素子がそれぞれの電源を賄うことができるため、低コスト化された直流遮断装置を提供することができる。   For example, when a plurality of switching elements are connected in series, each switching element requires a power source. Therefore, a power supply of several hundred kV may be required. When a voltage of several hundred kV is sent from the ground, it is necessary to arrange a transformer having a withstand voltage corresponding to the voltage, and the cost of the DC interrupter increases. However, in this embodiment, the switching element and the voltage dividing resistors R1 and R2 are connected in parallel. Therefore, since the switching element can cover each power source, it is possible to provide a low-cost DC interrupter.

[他の実施形態]
(1)上記の実施形態では、半導体遮断器S1、S2として、自己消弧型の素子を1つ用い、非線形素子アレスタA1,A2を並列に接続した。ただし、半導体遮断器S1,S2としては種々の構成を採用することができる。例えば、図13(a)に示す通り、自己消弧型の素子のみを用いても良い。図13(b)に示す通り、自己消弧型のスイッチング素子とダイオードを並列に接続しても良い。図13(c)に示す通り、自己消弧型のスイッチング素子を逆直列に接続し、双方向の電流を遮断できる構成としても良い。図13(d)に示す通り、自己消弧型のスイッチング素子を多直列に接続し、半導体遮断器S1,S2の耐圧を向上させる構成としても良い。このように構成すれば、より高い電圧の直流送電系統へ上記実施形態の直流遮断装置を適用することが可能となる。
[Other Embodiments]
(1) In the above embodiment, one self-extinguishing element is used as the semiconductor breakers S1 and S2, and the nonlinear element arresters A1 and A2 are connected in parallel. However, various configurations can be adopted as the semiconductor circuit breakers S1 and S2. For example, as shown in FIG. 13A, only a self-extinguishing element may be used. As shown in FIG. 13B, a self-extinguishing switching element and a diode may be connected in parallel. As shown in FIG. 13 (c), a self-extinguishing type switching element may be connected in anti-series to cut off bidirectional current. As shown in FIG. 13 (d), self-extinguishing switching elements may be connected in series to improve the breakdown voltage of the semiconductor circuit breakers S1 and S2. If comprised in this way, it will become possible to apply the DC interrupting device of the said embodiment to the DC transmission system of a higher voltage.

(2)本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 (2) Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

D1,D2…直流送電系統
W1,W2…送電線
L1,L2…リアクトル
S1,S2…半導体遮断器
A1,A2…アレスタ
M1,M2…メカ断路器
V…真空遮断器
G…ゲート
C…ゲート駆動回路
R1,R2…分圧抵抗
D1, D2 ... DC power transmission system W1, W2 ... Transmission lines L1, L2 ... Reactors S1, S2 ... Semiconductor breakers A1, A2 ... Arrester M1, M2 ... Mechanical disconnector V ... Vacuum breaker G ... Gate C ... Gate drive circuit R1, R2 ... Voltage divider resistors

Claims (8)

2本の送電線により接続される直流送電系統における事故点を切り離す直流遮断装置であって、
第1の送電線に直列接続される、第1のリアクトルと、機械式接点を有する第1のメカ断路器と、
前記第1のリアクトルと、前記第1のメカ断路器と、に並列接続される第1の半導体遮断器と、
前記第1のリアクトルと前記第1のメカ断路器との接続点と、第2の送電線に接続される第2の半導体遮断器と、を有することを特徴とする直流遮断装置。
A DC interrupting device for disconnecting an accident point in a DC transmission system connected by two transmission lines,
A first reactor connected in series to the first power transmission line; a first mechanical disconnector having a mechanical contact;
A first semiconductor circuit breaker connected in parallel to the first reactor and the first mechanical disconnector;
A DC circuit breaker comprising: a connection point between the first reactor and the first mechanical disconnector; and a second semiconductor circuit breaker connected to a second power transmission line.
前記直流送電系統の定常動作時においては、前記第1のメカ断路器をオン状態とし、前記第1の半導体遮断器および前記第2の半導体遮断器をオフ状態とすることを特徴とする請求項1記載の直流遮断装置。   The first mechanical circuit breaker is turned on and the first semiconductor breaker and the second semiconductor circuit breaker are turned off during steady operation of the DC power transmission system. The DC interrupter according to 1. 前記直流送電系統において事故が発生した場合には、
前記第1の半導体遮断器および前記第2の半導体遮断器をオン状態とし、
電流ゼロ点において前記第1のメカ断路器をオフ状態とし、
その後、前記第1の半導体遮断器および前記第2の半導体遮断器を順次オフ状態として、事故点を切り離すことを特徴とする請求項1または2記載の直流遮断装置。
If an accident occurs in the DC transmission system,
Turning on the first semiconductor circuit breaker and the second semiconductor circuit breaker;
At the current zero point, turn off the first mechanical disconnector;
3. The DC circuit breaker according to claim 1, wherein the fault point is separated by sequentially turning off the first semiconductor circuit breaker and the second semiconductor circuit breaker. 4.
前記第1のメカ断路器に直列接続される第2のリアクトルと
前記第2のリアクトルに直列接続される第2のメカ断路器と、をさらに有することを特徴とする請求項1〜3いずれか一項記載の直流遮断装置。
The second reactor connected in series to the first mechanical disconnector and the second mechanical disconnector connected in series to the second reactor, further comprising: The DC interrupter according to one item.
前記第1の半導体遮断器に直列接続される第2のメカ断路器をさらに有することを特徴とする請求項1〜3いずれか一項記載の直流遮断装置。   The DC breaker according to any one of claims 1 to 3, further comprising a second mechanical disconnector connected in series to the first semiconductor breaker. 前記第1の半導体遮断器に代えて、真空遮断器が前記第1のリアクトルと、前記第1のメカ断路器と、に並列接続されることを特徴とする、請求項4または5記載の直流遮断装置。   6. The direct current according to claim 4, wherein instead of the first semiconductor circuit breaker, a vacuum circuit breaker is connected in parallel to the first reactor and the first mechanical disconnector. Shut-off device. 前記第1の半導体遮断器または前記第2の半導体遮断器は、多直列に接続された複数の自己消弧型のスイッチング素子で構成されることを特徴とする請求項1〜5いずれか一項記載の直流遮断装置。   6. The first semiconductor circuit breaker or the second semiconductor circuit breaker includes a plurality of self-extinguishing switching elements connected in series. The direct current circuit breaker described. 前記第1の半導体遮断器または前記第2の半導体遮断器は、スイッチング素子と分圧抵抗が並列接続され、前記分圧抵抗によりスイッチング素子のゲート駆動電源を得るように構成されることを特徴とする請求項1〜5、7のいずれか一項に記載の直流遮断装置。
The first semiconductor circuit breaker or the second semiconductor circuit breaker is configured such that a switching element and a voltage dividing resistor are connected in parallel, and the gate driving power source of the switching element is obtained by the voltage dividing resistor. The direct-current circuit breaker according to any one of claims 1 to 5 and 7.
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