JP2016166939A - Optical communication device, optical communication module, and manufacturing method for optical communication device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical communication device manufactured at lower cost and keeping the accuracy of attaching an optical fiber.SOLUTION: An optical communication device is surface-mounted on an optical transceiver 500 including a transceiver-side terminal 504 inputting/outputting electric signals, and a grating coupler 503 inputting/outputting optical signals. The optical communication device includes: an electronic circuit chip 110 including a signal terminal to deal with the transceiver-side terminal 504; a guide chip 120 manufactured using a semiconductor substrate and having a penetration hole 121 penetrating the semiconductor substrate in a thickness direction and letting an optical fiber 140 insert therethrough opposite to the grating coupler 503; and a mold resin portion 130 that holds the guide chip 120 oblique to the electronic circuit chip 110 so that the penetration hole 121 is tilted at an angle at which the light is input or output at the grating coupler 503 in the state that the position of the penetration hole 121 relative to the signal terminal is aligned to the position of the grating coupler 503 relative to the transceiver-side terminal 504.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an optical communication device, an optical communication module, and a method for manufacturing an optical communication device.

従来より、プリント回路基板、光CMOSダイ、電子CMOSダイ、金属配線、光源モジュール、光I/O、ワイヤーボンド、光エポキシ、及び光ファイバーを備えるハイブリッド集積光トランシーバがある(例えば、特許文献1の段落0026と図2A及び図2C参照)。   Conventionally, there is a hybrid integrated optical transceiver including a printed circuit board, an optical CMOS die, an electronic CMOS die, a metal wiring, a light source module, an optical I / O, a wire bond, an optical epoxy, and an optical fiber (for example, paragraph of Patent Document 1). 0026 and FIGS. 2A and 2C).

フォトニクスダイは、例えば、導波路、変調器、光検出器、グレーティング結合器、タップ及び結合器といった能動及び受動光装置を有するシリコンチップを備える(例えば、特許文献1の段落0028と図2A及び図2C参照)。変調された光信号は、光I/Oの下に位置するグレーティング結合器を介してフォトニクスダイの外に送信される(例えば、特許文献1の段落0034と図2A及び図2C参照)。   The photonics die includes a silicon chip having active and passive optical devices such as waveguides, modulators, photodetectors, grating couplers, taps and couplers (see, for example, paragraph 0028 and FIGS. 2A and 2B of Patent Document 1). 2C). The modulated optical signal is transmitted out of the photonics die through a grating coupler located below the optical I / O (see, for example, paragraph 0034 and FIGS. 2A and 2C of Patent Document 1).

特開2014−035546号公報JP 2014-035546 A

ところで、従来の光トランシーバでは、光I/Oと光ファイバは、フォトニクスダイに対して傾けた状態で取り付けられている。これは、フォトニクスダイの導波路を横方向に伝送される光信号をグレーティング結合器で上方向に回折させる際に、光信号は垂直には向きを変えず、斜め方向に向きを変えるので、光信号が向きを変える方向に合わせて光I/O及び光ファイバを取り付けるためである。   By the way, in the conventional optical transceiver, the optical I / O and the optical fiber are attached in an inclined state with respect to the photonics die. This is because when an optical signal transmitted laterally through a waveguide of a photonics die is diffracted upward by a grating coupler, the optical signal does not change direction vertically but changes direction obliquely. This is because the optical I / O and the optical fiber are attached in accordance with the direction in which the signal changes direction.

このように、光ファイバをフォトニクスダイに対して傾けた状態で取り付ける場合には、グレーティング結合器と光ファイバとの間での光信号の損失を低減するために、光ファイバの角度を正確に管理することが重要である。   Thus, when the optical fiber is mounted in an inclined state with respect to the photonics die, the angle of the optical fiber is accurately managed in order to reduce the loss of the optical signal between the grating coupler and the optical fiber. It is important to.

しかしながら、光I/Oだけで光ファイバを取り付けるには、光I/Oの形状、及び、光I/Oの取り付け位置等に高い精度が必要になるため、製造コストが増大するという課題があった。   However, in order to attach an optical fiber using only optical I / O, high accuracy is required for the shape of optical I / O, the mounting position of optical I / O, and the like. It was.

そこで、光ファイバの取り付け精度を維持しつつ製造コストを低減した光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法を提供することを目的とする。   Then, it aims at providing the manufacturing method of the optical communication apparatus, the optical communication module, and the optical communication apparatus which reduced the manufacturing cost, maintaining the attachment precision of an optical fiber.

本発明の実施の形態の光通信装置は、電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに表面実装される光通信装置であって、前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと、半導体基板によって作製され、前記半導体基板を厚さ方向に貫通し、前記グレーティングカプラに対向する光ファイバが挿通される貫通孔を有するガイドチップと、前記電子回路チップと前記ガイドチップを保持するモールド樹脂部であって、前記信号端子に対する前記貫通孔の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせた状態で、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記貫通孔が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて保持するモールド樹脂部とを含む。   An optical communication apparatus according to an embodiment of the present invention is an optical communication apparatus that is surface-mounted on an optical transceiver that includes a transceiver-side terminal that inputs or outputs an electrical signal and a grating coupler that inputs or outputs an optical signal. An electronic circuit chip having a signal terminal corresponding to the transceiver side terminal and a semiconductor substrate, and a guide having a through-hole through which the optical fiber facing the grating coupler is inserted through the semiconductor substrate in the thickness direction. A mold resin portion for holding a chip, the electronic circuit chip and the guide chip, wherein the position of the through hole with respect to the signal terminal is matched with the position of the grating coupler with respect to the transceiver side terminal. The through hole is inclined at an angle at which light is input or output by the coupler. Serial and a mold resin portion for holding tilting the guide tip to the electronic circuit chip.

光ファイバの取り付け精度を維持しつつ製造コストを低減した光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法を提供することができる。   It is possible to provide an optical communication device, an optical communication module, and a method for manufacturing the optical communication device that reduce the manufacturing cost while maintaining the optical fiber attachment accuracy.

実施の形態の光通信装置100及び光通信モジュール200を光トランシーバ500に実装した状態を示す断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a state where an optical communication device 100 and an optical communication module 200 according to an embodiment are mounted on an optical transceiver 500. FIG. ガイドチップ320を示す図である。It is a figure which shows the guide chip | tip 320. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. 実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the optical communication apparatus 100 of embodiment in steps. セルフアライメント効果を説明する図である。It is a figure explaining the self-alignment effect. 実施の形態の変形例の光通信装置100及び光通信モジュール200を示す図である。It is a figure which shows the optical communication apparatus 100 and the optical communication module 200 of the modification of embodiment.

以下、本発明の光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法を適用した実施の形態について説明する。   Embodiments to which the optical communication device, the optical communication module, and the method for manufacturing the optical communication device of the present invention are applied will be described below.

<実施の形態>
図1は、実施の形態の光通信装置100及び光通信モジュール200を光トランシーバ500に実装した状態を示す断面図である。図1では図示するように直交座標系の一例であるXYZ座標系を定義する。また、以下では、説明の便宜上、Z軸正方向側にある面を上面と称し、Z軸負方向側にある面を下面と称す。
<Embodiment>
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a state where the optical communication device 100 and the optical communication module 200 according to the embodiment are mounted on an optical transceiver 500. In FIG. 1, an XYZ coordinate system which is an example of an orthogonal coordinate system is defined as illustrated. Hereinafter, for convenience of explanation, a surface on the Z-axis positive direction side is referred to as an upper surface, and a surface on the Z-axis negative direction side is referred to as a lower surface.

光通信装置100は、電子回路チップ110、ガイドチップ120、及びモールド樹脂部130を含む。光通信モジュール200は、光通信装置100に光ファイバ140を追加した構成を有する。図1では、光通信装置100を含む光通信モジュール200は、光トランシーバ500にフリップチップ実装(表面実装)されている。   The optical communication device 100 includes an electronic circuit chip 110, a guide chip 120, and a mold resin portion 130. The optical communication module 200 has a configuration in which an optical fiber 140 is added to the optical communication device 100. In FIG. 1, an optical communication module 200 including the optical communication device 100 is flip-chip mounted (surface mounted) on an optical transceiver 500.

光トランシーバ500は、シリコン基板上に半導体製造技術を用いて、光変調器501、フォトディテクタ502、グレーティングカプラ503、パッド504、及び導波路505等の光送受信機として必要な要素を形成し、シリコン基板をダイシングしてチップ状にしたものである。   The optical transceiver 500 uses a semiconductor manufacturing technique on a silicon substrate to form elements necessary as an optical transceiver such as an optical modulator 501, a photodetector 502, a grating coupler 503, a pad 504, a waveguide 505, and the like. Is diced into chips.

光トランシーバ500は、光半導体チップの一例である。グレーティングカプラ503は、導波路505に形成され、周期的に屈折率が変化する素子であり、導波路505内を伝送される光信号を斜め上の方向に回折して出力する。パッド504は、トランシーバ側端子の一例である。   The optical transceiver 500 is an example of an optical semiconductor chip. The grating coupler 503 is an element that is formed in the waveguide 505 and whose refractive index changes periodically. The grating coupler 503 diffracts and outputs an optical signal transmitted through the waveguide 505 in an obliquely upward direction. The pad 504 is an example of a transceiver side terminal.

電子回路チップ110は、ドライバ部111、TIA(Trans Impedance Amplifier)部112、バンプ113を有する。電子回路チップ110は、例えば、シリコン基板等の半導体基板上に、半導体製造技術を用いて、LSI(Large Scale Integrated circuit:大規模集積回路)によって実現される電子回路を形成し、ダイシングした直方体状のチップである。   The electronic circuit chip 110 includes a driver unit 111, a TIA (Trans Impedance Amplifier) unit 112, and bumps 113. The electronic circuit chip 110 is, for example, a rectangular parallelepiped shape obtained by forming an electronic circuit realized by an LSI (Large Scale Integrated circuit) on a semiconductor substrate such as a silicon substrate using a semiconductor manufacturing technique, and dicing. It is a chip.

ドライバ部111は、入力された電気信号に基づき光変調器501を駆動する電気信号を生成する。   The driver unit 111 generates an electrical signal that drives the optical modulator 501 based on the input electrical signal.

TIA部112は、フォトディテクタから出力される電流信号を電圧信号に変換するトランスインピーダンスアンプである。   The TIA unit 112 is a transimpedance amplifier that converts a current signal output from the photodetector into a voltage signal.

バンプ113は、電子回路チップ110の下面に形成され、ドライバ部111及びTIA部112に接続されている。バンプ113は、リフロー処理によって光トランシーバ500のパッド504に接合される。これにより、ドライバ部111及びTIA部112は、それぞれ、光変調器501及びフォトディテクタ502に接続される。バンプ113は、信号端子の一例である。また、バンプ113が接続される電子回路チップ110の端子を信号端子の一例として捉えてもよい。   The bump 113 is formed on the lower surface of the electronic circuit chip 110 and is connected to the driver unit 111 and the TIA unit 112. The bump 113 is bonded to the pad 504 of the optical transceiver 500 by a reflow process. Thereby, the driver unit 111 and the TIA unit 112 are connected to the optical modulator 501 and the photodetector 502, respectively. The bump 113 is an example of a signal terminal. Further, the terminals of the electronic circuit chip 110 to which the bumps 113 are connected may be taken as an example of signal terminals.

バンプ113は、例えばSn−Ag(錫銀)のようなはんだバンプである。このようなはんだ系のバンプを用いれば、フリップチップ実装時に加熱して溶融させることで、はんだの表面張力によるセルフアライメント効果が得られる。なお、バンプ113は光トランシーバ500側に設けられていてもよい。   The bump 113 is a solder bump such as Sn-Ag (tin silver). If such solder bumps are used, a self-alignment effect due to the surface tension of the solder can be obtained by heating and melting during flip chip mounting. Note that the bump 113 may be provided on the optical transceiver 500 side.

ガイドチップ120は、半導体基板を加工して形成したものであり、ここでは、シリコン基板を用いてガイドチップを作製する形態について説明する。   The guide chip 120 is formed by processing a semiconductor substrate, and here, a mode in which a guide chip is manufactured using a silicon substrate will be described.

ガイドチップ120は、貫通孔121及び凸部122を有する。また、ガイドチップ120は、互いに平行ではない上面120A及び実装面120Bを有する。   The guide chip 120 has a through hole 121 and a convex part 122. The guide chip 120 has an upper surface 120A and a mounting surface 120B that are not parallel to each other.

ガイドチップ120は、薄い直方体状のシリコンチップの上面側を斜めに切削することにより、実装面120Bに対して上面120Aが角度を有する(平行ではない)形状を有する。なお、実装面120Bは、結晶の成長方向に垂直な方向に広がる面である。   The guide chip 120 has a shape in which the upper surface 120A has an angle (not parallel) to the mounting surface 120B by obliquely cutting the upper surface side of a thin rectangular parallelepiped silicon chip. The mounting surface 120B is a surface that extends in a direction perpendicular to the crystal growth direction.

また、ガイドチップ120は、実装面120Bの一端から下側に(シリコンチップの結晶成長方向に)突出する凸部122を有する。このため、ガイドチップ120の断面形状は、図1に示す通りの形状になっている。   Further, the guide chip 120 has a convex portion 122 that protrudes downward (in the crystal growth direction of the silicon chip) from one end of the mounting surface 120B. For this reason, the cross-sectional shape of the guide tip 120 is as shown in FIG.

貫通孔121は、ガイドチップ120の上面120Aから実装面120Bまでシリコンチップの結晶成長方向に平行に貫通している。ガイドチップ120は、貫通孔121内に光ファイバ140の先端140Aが挿通された状態で光ファイバ140を保持する。   The through hole 121 penetrates from the upper surface 120A of the guide chip 120 to the mounting surface 120B in parallel with the crystal growth direction of the silicon chip. The guide chip 120 holds the optical fiber 140 in a state where the distal end 140 </ b> A of the optical fiber 140 is inserted into the through hole 121.

このようなガイドチップ120を実装面120Bを下側にして平面上に配置すると、凸部122があるため、凸部122がある側は、凸部122がない側に比べて凸部122が支点となって持ち上げられ、Z軸及びXY平面に対して傾いた状態になる。ガイドチップ120は、凸部122によって傾けられた状態で、モールド樹脂部130に保持されている。すなわち、ガイドチップ120は、電子回路チップ110に対して傾けられた状態で、モールド樹脂部130に保持されている。   When such a guide chip 120 is arranged on a plane with the mounting surface 120B on the lower side, since the convex portion 122 is present, the convex portion 122 is a fulcrum on the side where the convex portion 122 is present compared to the side where the convex portion 122 is absent. Are lifted and tilted with respect to the Z axis and the XY plane. The guide chip 120 is held by the mold resin portion 130 while being tilted by the convex portion 122. That is, the guide chip 120 is held by the mold resin portion 130 in a state where it is inclined with respect to the electronic circuit chip 110.

ガイドチップ120を電子回路チップ110に対して傾けるのは、ガイドチップ120に対して導波路505が電子回路チップ110の側に伸延しているからである。従って、図1に示す構成の場合、ガイドチップ120は、導波路505がガイドチップ120に対して伸延する方向に傾けられていればよい。   The reason why the guide chip 120 is inclined with respect to the electronic circuit chip 110 is that the waveguide 505 extends toward the electronic circuit chip 110 with respect to the guide chip 120. Therefore, in the case of the configuration shown in FIG. 1, the guide chip 120 only needs to be inclined in the direction in which the waveguide 505 extends with respect to the guide chip 120.

なお、光ファイバ140が貫通孔121に差し込まれる位置は、図1に示すように光通信装置100を光トランシーバ500に実装した状態で、光ファイバ140の先端が、グレーティングカプラ503に突き当たるように設定される。   The position where the optical fiber 140 is inserted into the through hole 121 is set so that the tip of the optical fiber 140 abuts the grating coupler 503 in a state where the optical communication device 100 is mounted on the optical transceiver 500 as shown in FIG. Is done.

モールド樹脂部130は、電子回路チップ110とガイドチップ120とを保持するモールド樹脂部である。モールド樹脂部130は、電子回路チップ110に対して傾いた状態でガイドチップ120を保持する。モールド樹脂部130の上面130Aは、電子回路チップ110の上面110A及びガイドチップ120の上面120Aと面一である。このような構成は、バックグラインドによって電子回路チップ110、ガイドチップ120、及びモールド樹脂部130の上面を削って平坦化することによって得られる。   The mold resin portion 130 is a mold resin portion that holds the electronic circuit chip 110 and the guide chip 120. The mold resin part 130 holds the guide chip 120 while being inclined with respect to the electronic circuit chip 110. The upper surface 130A of the mold resin portion 130 is flush with the upper surface 110A of the electronic circuit chip 110 and the upper surface 120A of the guide chip 120. Such a configuration is obtained by scraping and flattening the upper surfaces of the electronic circuit chip 110, the guide chip 120, and the mold resin portion 130 by back grinding.

モールド樹脂部130によって保持された状態で、電子回路チップ110に対するガイドチップ120の位置は、電子回路チップ110のバンプ113に対する貫通孔121の位置が、パッド504に対するグレーティングカプラ503の位置に合うように設定されている。   The guide chip 120 is held with respect to the electronic circuit chip 110 so that the position of the through hole 121 with respect to the bump 113 of the electronic circuit chip 110 matches the position of the grating coupler 503 with respect to the pad 504 in the state held by the mold resin portion 130. Is set.

また、電子回路チップ110は、上面110Aが光トランシーバ500の上面500Aと平行になるようにモールド樹脂部130によって保持されている。これに対して、ガイドチップ120は、貫通孔121が光ファイバ140の伸延方向を向くように、電子回路チップ110に対して傾けた状態でモールド樹脂部130によって保持されている。   The electronic circuit chip 110 is held by the mold resin portion 130 so that the upper surface 110A is parallel to the upper surface 500A of the optical transceiver 500. On the other hand, the guide chip 120 is held by the mold resin portion 130 in an inclined state with respect to the electronic circuit chip 110 so that the through hole 121 faces the extending direction of the optical fiber 140.

図1中には、光トランシーバ500に含まれる導波路505のうちの一部のみを示すが、導波路505は、グレーティングカプラ503の下側に位置し、X軸方向に伸延している。導波路505は、図1中の右側にあるグレーティングカプラ503と、図1中の左側にあるフォトディテクタ502等の光学素子とを接続する光信号の伝送路である。   Although only a part of the waveguide 505 included in the optical transceiver 500 is shown in FIG. 1, the waveguide 505 is located below the grating coupler 503 and extends in the X-axis direction. The waveguide 505 is an optical signal transmission path that connects the grating coupler 503 on the right side in FIG. 1 and an optical element such as the photodetector 502 on the left side in FIG.

導波路505の内でX軸正方向に伝送され、グレーティングカプラ503で回折されて光ファイバ140に入射する光は、導波路505から直角にZ軸正方向に回折するのではなく、Z軸正方向に対して、例えば、X軸正方向に約8度から約12度傾いた方向に回折する。   Light transmitted in the X-axis positive direction within the waveguide 505, diffracted by the grating coupler 503, and incident on the optical fiber 140 is not diffracted perpendicularly from the waveguide 505 in the Z-axis positive direction. For example, the light is diffracted in a direction inclined from about 8 degrees to about 12 degrees in the positive direction of the X axis.

このため、ガイドチップ120は、グレーティングカプラ503で光ファイバ140に回折される光の角度に合わせて傾けられている。これは、グレーティングカプラ503と光ファイバ140との間での光の損失を低減するためである。   For this reason, the guide chip 120 is tilted according to the angle of the light diffracted by the grating coupler 503 into the optical fiber 140. This is to reduce light loss between the grating coupler 503 and the optical fiber 140.

なお、グレーティングカプラ503に対して光ファイバ140を上述のような角度に傾けておけば、光ファイバ140からグレーティングカプラ503に光信号が入射する際にも同様に光の損失が低減される。このようにガイドチップ120を傾斜させる角度を傾斜角と称する。傾斜角は、一例として、Z軸に対して貫通孔121の中心軸が傾斜する角度で表すこととする。   If the optical fiber 140 is tilted at the above-described angle with respect to the grating coupler 503, the optical loss is similarly reduced when an optical signal enters the grating coupler 503 from the optical fiber 140. The angle at which the guide tip 120 is inclined in this way is referred to as an inclination angle. As an example, the inclination angle is represented by an angle at which the central axis of the through hole 121 is inclined with respect to the Z axis.

実施の形態の光通信装置100は、ガイドチップ120を電子回路チップ110に対して回折光の角度だけ傾けた状態でモールド樹脂部130に保持させ、リフロー処理で電子回路チップ110のバンプ113をパッド504に接合することにより、光ファイバ140とグレーティングカプラ503の位置決めを行えるようにしている。また、位置決めされることにより、光ファイバ140とグレーティングカプラ503は、高精度に結合される。   In the optical communication apparatus 100 according to the embodiment, the guide chip 120 is held on the mold resin portion 130 in a state where the guide chip 120 is inclined with respect to the electronic circuit chip 110 by the angle of diffracted light, and the bump 113 of the electronic circuit chip 110 is padded by reflow processing. By joining to 504, the optical fiber 140 and the grating coupler 503 can be positioned. Further, by positioning, the optical fiber 140 and the grating coupler 503 are coupled with high accuracy.

ガイドチップ120は半導体チップ製であり、モールド樹脂部130によって電子回路チップ110と位置決めが行われている。また、バンプ113とパッド504は、リフロー処理で接合されるため、はんだの表面張力によるセルフアライメント効果により、光ファイバ140とグレーティングカプラ503の位置合わせが高い精度で行われる。   The guide chip 120 is made of a semiconductor chip, and is positioned with the electronic circuit chip 110 by the mold resin portion 130. Further, since the bump 113 and the pad 504 are joined by a reflow process, the alignment of the optical fiber 140 and the grating coupler 503 is performed with high accuracy by the self-alignment effect due to the surface tension of the solder.

実施の形態では、このように位置決め精度が高く、低コストな光ファイバ140とグレーティングカプラ503の位置決めを行える光通信装置100及び光通信モジュール200を提供する。   In the embodiment, the optical communication apparatus 100 and the optical communication module 200 that can position the optical fiber 140 and the grating coupler 503 with high positioning accuracy and low cost are provided.

次に、光通信装置100及び光通信モジュール200の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the optical communication device 100 and the optical communication module 200 will be described.

図2は、ガイドチップ320を示す図である。ガイドチップ320は、図1に示すガイドチップ120を作製するために用いられる。   FIG. 2 is a view showing the guide tip 320. The guide chip 320 is used for producing the guide chip 120 shown in FIG.

ガイドチップ320は、穴部321及び凸部322を有する。また、ガイドチップ320は、上面320A及び実装面320Bを有する。ガイドチップ320の製造方法については後述するが、ガイドチップ320は、シリコン基板をダイシングしたシリコンチップによって実現される。   The guide chip 320 has a hole portion 321 and a convex portion 322. The guide chip 320 has an upper surface 320A and a mounting surface 320B. Although a method for manufacturing the guide chip 320 will be described later, the guide chip 320 is realized by a silicon chip obtained by dicing a silicon substrate.

実装面320Bは、図1に示すガイドチップ120の実装面120Bに対応する面である。穴部321は、上面320A側をバックドリル加工で切削することにより、図1に示す貫通孔121になる。凸部322は、図1に示す凸部122と同一である。   The mounting surface 320B is a surface corresponding to the mounting surface 120B of the guide chip 120 shown in FIG. The hole 321 becomes the through hole 121 shown in FIG. 1 by cutting the upper surface 320A side by back drilling. The convex part 322 is the same as the convex part 122 shown in FIG.

ガイドチップ320は、図2(A)に示すように平面視で正方形であり、一辺の長さは500μmである。穴部321の深さは125μmであり、直径は光ファイバ140の直径に合わせて125μmに設定される。穴部321は、250μmピッチで4つ形成されている。凸部322の高さは66μm、幅は30μmである。   The guide chip 320 is square in plan view as shown in FIG. 2A, and the length of one side is 500 μm. The depth of the hole 321 is 125 μm, and the diameter is set to 125 μm according to the diameter of the optical fiber 140. Four holes 321 are formed at a pitch of 250 μm. The height of the convex part 322 is 66 μm and the width is 30 μm.

なお、これらの値は一例に過ぎないが、このような寸法のガイドチップ320を用いると、傾斜角が8度のガイドチップ120を作製することができる。   Note that these values are merely examples, but when the guide tip 320 having such a size is used, the guide tip 120 having an inclination angle of 8 degrees can be manufactured.

図3乃至図20は、実施の形態の光通信装置100の製造方法を段階的に示す図である。図21は、セルフアライメント効果を説明する図である。図22は、実施の形態の変形例の光通信装置100及び光通信モジュール200を示す図である。   3 to 20 are diagrams illustrating the method of manufacturing the optical communication device 100 according to the embodiment in stages. FIG. 21 is a diagram illustrating the self-alignment effect. FIG. 22 is a diagram illustrating an optical communication device 100 and an optical communication module 200 according to a modification of the embodiment.

図3(A)、図4(A)、図5(A)、図6(A)、図7(A)、図8(A)、図9(A)、図10(A)、図11(A)は平面図であり、図3(B)、図4(B)、図5(B)、図6(B)、図7(B)、図8(B)、図9(B)、図10(B)、図11(B)は断面図である。   3A, FIG. 4A, FIG. 5A, FIG. 6A, FIG. 7A, FIG. 8A, FIG. 9A, FIG. 10A, and FIG. (A) is a plan view, FIG. 3 (B), FIG. 4 (B), FIG. 5 (B), FIG. 6 (B), FIG. 7 (B), FIG. 8 (B), FIG. FIGS. 10B and 11B are cross-sectional views.

まず、ガイドチップ320(図2参照)となるシリコン基板300の上に、例えばSiO(二酸化シリコン)膜310を例えばCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相堆積)法によって100nm成膜する(図3)。 First, for example, a SiO 2 (silicon dioxide) film 310 is formed to a thickness of 100 nm on a silicon substrate 300 to be a guide chip 320 (see FIG. 2) by, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method (FIG. 3). ).

次に、SiO膜310の上にフォトレジストを塗布し、露光処理及び現像処理を行い、フォトレジストパターン311を形成する(図4)。 Next, a photoresist is applied on the SiO 2 film 310, and an exposure process and a development process are performed to form a photoresist pattern 311 (FIG. 4).

次に、例えばCF(四フッ化メタン)ガスを用いてSiO膜310を反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching : RIE)法によりエッチングし、その後フォトレジストパターン311を除去することにより、後に凸部322(図2参照)を形成するためのSiOマスク310Aを形成する(図5)。 Next, the SiO 2 film 310 is etched by a reactive ion etching (RIE) method using, for example, CF 4 (tetrafluoromethane) gas, and then the photoresist pattern 311 is removed. An SiO 2 mask 310A for forming the portion 322 (see FIG. 2) is formed (FIG. 5).

次に、SiOマスク310Aを利用して、例えばHBr(臭化水素)ガスを用いてシリコン基板300をRIE法によって66μmエッチングし、その後SiOマスク310Aを例えばウェットエッチング等により除去することで、シリコン基板300の表面に凸部322を形成する(図6)。 Next, by using the SiO 2 mask 310A, the silicon substrate 300 is etched by 66 μm by RIE using, for example, HBr (hydrogen bromide) gas, and then the SiO 2 mask 310A is removed by, for example, wet etching or the like. Protrusions 322 are formed on the surface of the silicon substrate 300 (FIG. 6).

次に、シリコン基板300と凸部322との上に、例えばSiO膜313を例えばCVD法により100nm成膜し(図7)、SiO膜313の上にフォトレジストを塗布し、露光処理及び現像処理を行うことにより、フォトレジストパターン314を形成する(図8)。フォトレジストパターン314には、後に穴部321(図2参照)を形成する位置に、孔部314Aが形成されている。孔部314Aはフォトレジストパターン314を貫通している。 Next, for example, a SiO 2 film 313 is formed to a thickness of 100 nm on the silicon substrate 300 and the projections 322 by, for example, a CVD method (FIG. 7), a photoresist is applied on the SiO 2 film 313, exposure processing, By performing development processing, a photoresist pattern 314 is formed (FIG. 8). Holes 314A are formed in the photoresist pattern 314 at positions where holes 321 (see FIG. 2) will be formed later. The hole 314A penetrates the photoresist pattern 314.

次に、例えばCFガスを用いてSiO膜313をRIE法によってエッチングし、その後フォトレジストパターン314を除去することにより、ガイドチップ320に穴部321を形成するためのSiOマスク313Aを形成する(図9)。SiOマスク313Aには、後に穴部321(図2参照)を形成する位置に、孔部313Bが形成されている。孔部313BはSiOマスク313Aを貫通している。 Next, for example, the SiO 2 film 313 is etched by RIE using CF 4 gas, and then the photoresist pattern 314 is removed, thereby forming a SiO 2 mask 313A for forming the hole 321 in the guide chip 320. (FIG. 9). In the SiO 2 mask 313A, a hole 313B is formed at a position where a hole 321 (see FIG. 2) is formed later. The hole 313B penetrates the SiO 2 mask 313A.

次に、SiOマスク313Aを用いて、例えばHBrガスを用いてシリコン基板300をRIE法によって125μmエッチングし、シリコン基板300の表面から穴部321を形成する(図10)。穴部321はシリコン基板300を貫通しない。 Next, using the SiO 2 mask 313A, for example, HBr gas is used to etch the silicon substrate 300 by 125 μm by the RIE method, thereby forming a hole 321 from the surface of the silicon substrate 300 (FIG. 10). The hole 321 does not penetrate the silicon substrate 300.

なお、ここではシリコン基板300を貫通しない穴部321を形成する形態について説明するが、穴部321の代わりにシリコン基板300を貫通する孔部を形成してもよい。   Here, a mode in which the hole 321 that does not penetrate the silicon substrate 300 is described, but a hole that penetrates the silicon substrate 300 may be formed instead of the hole 321.

次に、SiOマスク313Aを例えばウェットエッチング等により除去し、シリコン基板300を500μm角にダイシングすることにより、図11に示すガイドチップ320が得られる。 Next, the SiO 2 mask 313A is removed by, for example, wet etching, and the silicon substrate 300 is diced to 500 μm square, whereby the guide chip 320 shown in FIG. 11 is obtained.

次に、電子回路チップ110とガイドチップ120(図1参照)に対してインサートモールド成型を行うことによりモールド樹脂部130(図1参照)を形成する工程について説明する。   Next, a process of forming the mold resin portion 130 (see FIG. 1) by performing insert molding on the electronic circuit chip 110 and the guide chip 120 (see FIG. 1) will be described.

まず、例えばステンレス製の支持基板400の上に、例えば粘着シート401を張り付け、所定の位置に電子回路チップ110を粘着シート401に張り付ける。このとき、電子回路チップ110のバンプ下部電極113Aが下面に位置するようにする。   First, for example, an adhesive sheet 401 is attached on a support substrate 400 made of stainless steel, for example, and the electronic circuit chip 110 is attached to the adhesive sheet 401 at a predetermined position. At this time, the bump lower electrode 113A of the electronic circuit chip 110 is positioned on the lower surface.

バンプ下部電極113Aとしては、例えばAl(アルミニウム)製のバンプ下部電極(Under Bump Metal(UBM))を用いることができる。   As the bump lower electrode 113A, for example, an Al (aluminum) bump lower electrode (Under Bump Metal (UBM)) can be used.

次に、例えばマイクロディスペンサ等を用いて、ガイドチップ320を配置する場所にガイドチップ320の表面を覆う程度の量(例えば0.03mm程度)のフォトレジスト402を塗布する(図12)。 Next, for example, using a microdispenser or the like, an amount of photoresist 402 that covers the surface of the guide chip 320 (for example, about 0.03 mm 3 ) is applied to a place where the guide chip 320 is disposed (FIG. 12).

次に、ガイドチップ320の実装面320B及び凸部322を下に向けた状態で、フォトレジスト402が穴部321に入り込むように、ガイドチップ320を粘着シート401に張り付ける(図13)。   Next, the guide chip 320 is attached to the adhesive sheet 401 so that the photoresist 402 enters the hole 321 with the mounting surface 320B of the guide chip 320 and the convex part 322 facing downward (FIG. 13).

なお、フリップチップ実装用のマウンタを用いて、正確に位置決めを行って電子回路チップ110とガイドチップ320を粘着シート401に張り付けておく。   Note that the electronic circuit chip 110 and the guide chip 320 are attached to the adhesive sheet 401 by accurately positioning using a flip chip mounting mounter.

次に、インサートモールド成型を行い、電子回路チップ110とガイドチップ320の上面及び側面を覆うように粘着シート401上にモールド樹脂組成物を供給し、熱処理によってモールド樹脂組成物を硬化させる。このインサートモールド成型により、支持基板400の上に、電子回路チップ110とガイドチップ320が埋め込まれたモールド樹脂部330が得られる(図14)。モールド樹脂部330は、樹脂基板である。   Next, insert molding is performed, the mold resin composition is supplied onto the adhesive sheet 401 so as to cover the upper surface and side surfaces of the electronic circuit chip 110 and the guide chip 320, and the mold resin composition is cured by heat treatment. By this insert molding, a mold resin portion 330 in which the electronic circuit chip 110 and the guide chip 320 are embedded on the support substrate 400 is obtained (FIG. 14). The mold resin part 330 is a resin substrate.

次に、モールド樹脂部330を粘着シート401及び支持基板400から取り外し、ガイドチップ320の穴部321の内部等に残っているフォトレジスト402を除去する。   Next, the mold resin part 330 is removed from the adhesive sheet 401 and the support substrate 400, and the photoresist 402 remaining inside the hole part 321 of the guide chip 320 is removed.

そして、次に、モールド樹脂部330によって保持された電子回路チップ110、ガイドチップ320、及びモールド樹脂部330の実装面側に、後に行う電解めっき処理のシード層として、例えばTi/Cu(チタン/銅)シード層113Cを、例えばスパッタ法によってそれぞれ100nm、250nm形成する(図15)。Ti/Cuシード層113Cは、Al製のバンプ下部電極113Aの上にも形成される。   Then, on the mounting surface side of the electronic circuit chip 110, the guide chip 320, and the mold resin portion 330 held by the mold resin portion 330, for example, Ti / Cu (titanium / Copper) seed layer 113C is formed to a thickness of 100 nm and 250 nm, for example, by sputtering (FIG. 15). The Ti / Cu seed layer 113C is also formed on the Al bump lower electrode 113A.

次に、Ti/Cuシード層113Cの上にフォトレジストを塗布し、露光処理及び現像処理を行い、後にはんだバンプ113B(図17参照)を形成する際に用いるレジストパターン403を形成する(図16)。   Next, a photoresist is applied on the Ti / Cu seed layer 113C, and an exposure process and a development process are performed to form a resist pattern 403 used when forming solder bumps 113B (see FIG. 17) later (FIG. 16). ).

次に、例えば電解めっき法によって、例えばNi/Sn−Agめっき層をそれぞれ5μm、10μm成膜し、はんだバンプ113Bを形成する(図17)。バンプ下部電極113A、Ti/Cuシード層113C、及びはんだバンプ113Bの積層体は、図1に示すバンプ113と同じバンプ113である。   Next, for example, by electrolytic plating, for example, Ni / Sn—Ag plating layers are formed to have a thickness of 5 μm and 10 μm, respectively, thereby forming solder bumps 113B (FIG. 17). A laminated body of the bump lower electrode 113A, the Ti / Cu seed layer 113C, and the solder bump 113B is the same bump 113 as the bump 113 shown in FIG.

次に、レジストパターン403を剥離し、電子回路チップ110、ガイドチップ320、及びモールド樹脂部330の実装面でバンプ113以外の部分に表出しているTi/Cuシード層113C(シード層)をウェットエッチング処理によって除去する。   Next, the resist pattern 403 is peeled off, and the Ti / Cu seed layer 113C (seed layer) exposed on the portions other than the bumps 113 on the mounting surface of the electronic circuit chip 110, the guide chip 320, and the mold resin portion 330 is wetted. It is removed by an etching process.

さらに、その後、熱処理を行うことで、半球状のバンプ113(はんだバンプ)が形成される(図18)。   Further, heat treatment is then performed to form hemispherical bumps 113 (solder bumps) (FIG. 18).

次に、電子回路チップ110、ガイドチップ320、及びモールド樹脂部330の実装面とは反対側の側を、ガイドチップ320の穴部321が貫通するまでバックグラインド処理で切削する(図19)。これにより、図18に示すガイドチップ320及びモールド樹脂部330は、それぞれ、図1に示すガイドチップ120及びモールド樹脂部130になる。ガイドチップ320の穴部321は、貫通孔121になる。   Next, the side opposite to the mounting surface of the electronic circuit chip 110, the guide chip 320, and the mold resin portion 330 is cut by back grinding until the hole 321 of the guide chip 320 penetrates (FIG. 19). Thereby, the guide chip 320 and the mold resin part 330 shown in FIG. 18 become the guide chip 120 and the mold resin part 130 shown in FIG. 1, respectively. The hole 321 of the guide chip 320 becomes the through hole 121.

このようにして得られた電子回路チップ110、ガイドチップ120、及びモールド樹脂部130を含む基板を適当なサイズでダイシングすることで、電子回路チップ110とガイドチップ120がモールド樹脂部130によって一体的に保持された基板型の光通信装置100が得られる。   The substrate including the electronic circuit chip 110, the guide chip 120, and the mold resin portion 130 thus obtained is diced to an appropriate size, so that the electronic circuit chip 110 and the guide chip 120 are integrated by the mold resin portion 130. The substrate type optical communication device 100 held in the substrate is obtained.

以上のような製造工程により、実施の形態の光通信装置100を作製することができる。   The optical communication device 100 of the embodiment can be manufactured by the manufacturing process as described above.

この基板型の光通信装置100を別途用意した光トランシーバ500に図20に示すようにフリップチップボンディングすることで、光トランシーバ500に形成されたグレーティングカプラ503とガイドチップ120の貫通孔121の位置合わせが完了する。   As shown in FIG. 20, the substrate-type optical communication device 100 is separately flip-chip bonded to an optical transceiver 500 to align the grating coupler 503 formed in the optical transceiver 500 and the through hole 121 of the guide chip 120. Is completed.

このように光トランシーバ500の上に、電子回路チップ110とガイドチップ120が一体化された基板をフリップチップ実装し、ガイドチップ120の貫通孔121に光ファイバ140を差し込むことで、容易に高い位置精度で光ファイバ140とグレーティングカプラ503との結合を実現することができる。   As described above, the substrate on which the electronic circuit chip 110 and the guide chip 120 are integrated is flip-chip mounted on the optical transceiver 500, and the optical fiber 140 is inserted into the through hole 121 of the guide chip 120 so that the position can be easily increased. The coupling between the optical fiber 140 and the grating coupler 503 can be realized with high accuracy.

電子回路チップ110とガイドチップ120は、バンプ113と貫通孔121の位置が、パッド504とグレーティングカプラ503との位置関係に対応するように、正確に位置が決められた状態でモールド樹脂部130によって保持されている。また、ガイドチップ120は、電子回路チップ110に対して、グレーティングカプラ503で光が入出力される角度に合わせた傾斜角を付けた状態でモールド樹脂部130によって保持されている。   The electronic circuit chip 110 and the guide chip 120 are formed by the mold resin portion 130 in a state where the positions of the bumps 113 and the through holes 121 are accurately determined so that the positions correspond to the positional relationship between the pads 504 and the grating coupler 503. Is retained. Further, the guide chip 120 is held by the mold resin portion 130 in a state in which the electronic circuit chip 110 is inclined at an angle that matches the angle at which light is input / output by the grating coupler 503.

このため、上述のように高い位置決め精度による光ファイバ140とグレーティングカプラ503との結合構造を、モールド樹脂部130に保持された電子回路チップ110及びガイドチップ120を含む光通信装置100で容易に実現することができる。   For this reason, the optical fiber 140 and the grating coupler 503 having a high positioning accuracy as described above can be easily realized by the optical communication device 100 including the electronic circuit chip 110 and the guide chip 120 held by the mold resin portion 130. can do.

電子回路チップ110とガイドチップ120の位置合わせは、例えば、フリップチップ実装用のマウンタを用いて行えばよく、電子回路チップ110とガイドチップ120の位置関係は、モールド樹脂部130によって保持されるため、位置合わせの構造を低コストで実現できる。   The electronic circuit chip 110 and the guide chip 120 may be aligned using, for example, a flip-chip mounting mounter, and the positional relationship between the electronic circuit chip 110 and the guide chip 120 is held by the mold resin portion 130. The alignment structure can be realized at low cost.

これは、従来のように、光I/Oと光ファイバをフォトニクスダイに対して傾けた状態で取り付ける構造に対して、結合構造を実現するためのコストを大幅に削減できることを意味する。   This means that the cost for realizing the coupling structure can be greatly reduced as compared with the conventional structure in which the optical I / O and the optical fiber are attached to the photonics die in a tilted state.

従って、実施の形態によれば、光ファイバ140の取り付け精度を維持しつつ、製造コストを低減した光通信装置100、光通信モジュール200、及び光通信装置100の製造方法を提供することができる。   Therefore, according to the embodiment, it is possible to provide an optical communication device 100, an optical communication module 200, and a method for manufacturing the optical communication device 100 that reduce the manufacturing cost while maintaining the mounting accuracy of the optical fiber 140.

また、本実施の形態では、光トランシーバ500のパッド504は、例えばCu/Ni/Auめっきの積層体によって構築される非はんだ系の電極である。非はんだ系のパッド504は、はんだバンプとしてのバンプ113と接合される。   Further, in the present embodiment, the pad 504 of the optical transceiver 500 is a non-solder electrode constructed by, for example, a Cu / Ni / Au plating laminate. The non-solder type pad 504 is joined to a bump 113 as a solder bump.

このように非はんだ系のパッド504にすることで、電子回路チップ110側に形成されたバンプ113(Sn−Agはんだを含むはんだバンプ)が溶融して接触した際に、バンプ113の表面張力によって光トランシーバ500のパッド504に引き寄せられるセルフアライメント効果が得られる。このセルフアライメント効果により、バンプ113とパッド504の高い位置精度が得られる。   By using the non-solder type pad 504 in this way, when the bump 113 (solder bump including Sn-Ag solder) formed on the electronic circuit chip 110 side melts and comes into contact, the surface tension of the bump 113 causes the contact. A self-alignment effect attracted to the pad 504 of the optical transceiver 500 is obtained. Due to this self-alignment effect, high positional accuracy of the bump 113 and the pad 504 can be obtained.

例えば、図21(A)に示すようにバンプ113とパッド504の位置がずれていても、バンプ113の表面張力によって光トランシーバ500のパッド504に引き寄せられるセルフアライメント効果によって、図21(B)に示すように、位置が合わせられる。   For example, as shown in FIG. 21A, even if the positions of the bump 113 and the pad 504 are misaligned, the self-alignment effect that is attracted to the pad 504 of the optical transceiver 500 by the surface tension of the bump 113 results in FIG. As shown, the positions are aligned.

なお、ここでは、電子回路チップ110にはんだバンプとしてのバンプ113を設け、光トランシーバ500に非はんだ系のパッド504を用いる形態について説明したが、逆でもよい。   In this embodiment, the bump 113 as the solder bump is provided on the electronic circuit chip 110 and the non-solder pad 504 is used for the optical transceiver 500.

また、両方がはんだ系バンプでもセルフアライメント効果は得られるので、所望の位置合わせ精度と材料の制約等から、適宜選択すればよい。   Moreover, even if both are solder-type bumps, the self-alignment effect can be obtained. Therefore, it may be selected as appropriate in consideration of desired alignment accuracy and material restrictions.

このように、実施の形態によれば、はんだバンプとしてのバンプ113の表面張力によって光トランシーバ500のパッド504に引き寄せられるセルフアライメント効果が得られる。このため、電子回路チップ110とガイドチップ120とをモールド樹脂部130で位置決めしたことによる位置決め精度の高さに加えて、セルフアライメント効果によるバンプ113とパッド504の高い位置精度が得られる。この結果、光ファイバ140とグレーティングカプラ503との結合構造をより高い位置決め精度で実現することができる。   Thus, according to the embodiment, a self-alignment effect that is attracted to the pad 504 of the optical transceiver 500 by the surface tension of the bump 113 as a solder bump can be obtained. For this reason, in addition to the high positioning accuracy by positioning the electronic circuit chip 110 and the guide chip 120 with the mold resin part 130, the high positional accuracy of the bump 113 and the pad 504 by the self-alignment effect is obtained. As a result, a coupling structure between the optical fiber 140 and the grating coupler 503 can be realized with higher positioning accuracy.

なお、本実施の形態では、図1に示すように光ファイバ140にフェルールのような保護構造がない形態を示したが、例えば図22に示すようにファイバフェルール150が装着された光ファイバ140を貫通孔121に差し込んでもよい。このような場合には、Z軸方向に沿って貫通孔121に挿入される光ファイバ140は、座屈しながら斜めに貫通孔121に挿入される。このため、ファイバフェルール150の端面を斜めに研磨する必要はない。   In the present embodiment, the optical fiber 140 has no protective structure such as a ferrule as shown in FIG. 1. However, for example, as shown in FIG. It may be inserted into the through hole 121. In such a case, the optical fiber 140 inserted into the through hole 121 along the Z-axis direction is inserted into the through hole 121 obliquely while buckling. For this reason, it is not necessary to polish the end face of the fiber ferrule 150 obliquely.

一般に、ファイバフェルールの端面を斜めに研磨する場合には、研磨工程によるコストが生じるが、本実施の形態ではファイバフェルール150の端面を斜めに研磨する必要はないため、低コスト化を図ることができる。   In general, when the end surface of the fiber ferrule is obliquely polished, the cost of the polishing process is generated. However, in this embodiment, it is not necessary to polish the end surface of the fiber ferrule 150 obliquely, so that the cost can be reduced. it can.

なお、以上では、ガイドチップ120の凸部122が電子回路チップ110の側に位置するように配置される形態について説明した。これは、ガイドチップ120に対して導波路505が電子回路チップ110の側に伸延しているからである。   In the above description, the configuration in which the convex portion 122 of the guide chip 120 is disposed on the electronic circuit chip 110 side has been described. This is because the waveguide 505 extends toward the electronic circuit chip 110 with respect to the guide chip 120.

従って、導波路505がガイドチップ120のY軸正方向側からガイドチップ120に対して伸延する場合は、凸部122をY軸正方向側に位置させてガイドチップ120を傾ければよい。   Therefore, when the waveguide 505 extends from the Y-axis positive direction side of the guide chip 120 to the guide chip 120, the guide chip 120 may be tilted with the convex portion 122 positioned on the Y-axis positive direction side.

また、導波路505がガイドチップ120のY軸負方向側からガイドチップ120に対して伸延する場合は、凸部122をY軸負方向側に位置させてガイドチップ120を傾ければよい。   Further, when the waveguide 505 extends from the Y-axis negative direction side of the guide chip 120 to the guide chip 120, the guide chip 120 may be inclined with the convex portion 122 positioned on the Y-axis negative direction side.

導波路505がその他の方向からガイドチップ120に対して伸延する場合は、凸部122がその方向側に位置させてガイドチップ120を傾ければよい。   When the waveguide 505 extends from the other direction with respect to the guide chip 120, the guide chip 120 may be inclined with the convex portion 122 positioned on the direction side.

また、以上では、凸部122を利用してガイドチップ120を傾斜させる形態について説明したが、例えば、インサートモールド成型を行う際に、凸部122の代わりにスペーサ等を用いてガイドチップ120を傾斜させてもよい。このような場合には、ガイドチップ120は、凸部122を含まなくてよい。   In the above description, the guide tip 120 is inclined using the convex portion 122. For example, when insert molding is performed, the guide tip 120 is inclined using a spacer or the like instead of the convex portion 122. You may let them. In such a case, the guide tip 120 may not include the convex portion 122.

また、以上では、光送受信機として機能する光通信装置100及び光通信モジュール200を例として説明した。しかしながら、光通信装置100及び光通信モジュール200が受信機能を持たない光送信装置、又は、送信機能を持たない光受信装置である場合においても、同様に上述の構造を適用することができる。   In the above description, the optical communication device 100 and the optical communication module 200 functioning as an optical transceiver have been described as examples. However, even when the optical communication device 100 and the optical communication module 200 are an optical transmission device that does not have a reception function or an optical reception device that does not have a transmission function, the above-described structure can be similarly applied.

また、光通信装置100及び光通信モジュール200は複数のチャネルを有していてもよいし、合波器、分波器等を有する波長多重通信が可能な光送受信機であってもよい。また、基板、樹脂材料、バンプ等の材料も適宜変更することができる。   Further, the optical communication device 100 and the optical communication module 200 may have a plurality of channels, or may be optical transceivers capable of wavelength division multiplexing communication including a multiplexer, a demultiplexer, and the like. Further, materials such as a substrate, a resin material, and a bump can be appropriately changed.

以上、本発明の例示的な実施の形態の光通信装置、光通信モジュール、及び光通信装置の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1)
電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに表面実装される光通信装置であって、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと、
半導体基板によって作製され、前記半導体基板を厚さ方向に貫通し、前記グレーティングカプラに対向する光ファイバが挿通される貫通孔を有するガイドチップと、
前記電子回路チップと前記ガイドチップを保持するモールド樹脂部であって、前記信号端子に対する前記貫通孔の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせた状態で、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記貫通孔が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて保持するモールド樹脂部と
を含む、光通信装置。
(付記2)
前記電子回路チップの実装面とは反対側の面、前記ガイドチップの実装面とは反対側の面、及び、前記モールド樹脂部の実装面とは反対側の面は、面一である、付記1記載の光通信装置。
(付記3)
前記ガイドチップは、前記ガイドチップの前記実装面の端部において、前記実装面から突出する凸部を有し、
前記ガイドチップは、前記グレーティングカプラに接続される前記光トランシーバの導波路が伸延する側に前記凸部が位置するように配設され、
前記凸部の前記実装面から突出する高さは、前記ガイドチップが前記モールド樹脂部に保持される傾斜角を規定する、付記1又は2記載の光通信装置。
(付記4)
前記電子回路チップは、前記信号端子に配設される、はんだバンプ、又は、パッドをさらに有する、付記1乃至3のいずれか一項記載の光通信装置。
(付記5)
前記パッドは、前記トランシーバ側端子とはんだで接合される、付記4記載の光通信装置。
(付記6)
電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに表面実装される光通信装置であって、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと、
半導体基板によって作製され、前記半導体基板を厚さ方向に貫通し、前記グレーティングカプラに対向する光ファイバが挿通される貫通孔を有するガイドチップと、
前記電子回路チップと前記ガイドチップを保持するモールド樹脂部であって、前記信号端子に対する前記貫通孔の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせた状態で、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記貫通孔が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて保持するモールド樹脂部と、
前記貫通孔に挿通される光ファイバと
を含む、光通信モジュール。
(付記7)
前記光ファイバを前記ガイドチップに固定するフェルールをさらに含む、付記6記載の光通信モジュール。
(付記8)
電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに実装される光通信装置の製造方法であって、
光ファイバの太さに対応した開口径と、所定の深さとを有する穴部を半導体基板に形成することにより、前記穴部を有するガイドチップを形成する工程と、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと前記ガイドチップとを支持基板に実装する工程であって、前記信号端子に対する前記穴部の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせ、かつ、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記穴部が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて前記支持基板に実装するとともに、前記電子回路チップを前記支持基板に実装する工程と、
前記支持基板に実装された前記電子回路チップと前記ガイドチップとをモールド成型し、前記電子回路チップと前記ガイドチップとを保持するモールド樹脂部を形成する工程と、
前記モールド樹脂部、前記電子回路チップ、及び前記ガイドチップの前記支持基板に実装された側の反対側を、前記穴部が貫通するまでバックグラインドで切削する工程と
を含む、光通信装置の製造方法。
(付記9)
前記ガイドチップを形成する工程は、前記ガイドチップの実装面の端部に前記実装面から突出する凸部をさらに形成する工程であり、
前記電子回路チップと前記ガイドチップとを支持基板に実装する工程では、前記グレーティングカプラに接続される前記光トランシーバの導波路が伸延する側に配置される前記凸部が前記支持基板に当接することにより、前記ガイドチップが傾けられる、付記8記載の光通信装置の製造方法。
The optical communication device, the optical communication module, and the method of manufacturing the optical communication device according to the exemplary embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is limited to the specifically disclosed embodiments. Rather, various modifications and changes can be made without departing from the scope of the claims.
Regarding the above embodiment, the following additional notes are disclosed.
(Appendix 1)
An optical communication device that is surface-mounted on an optical transceiver having a transceiver-side terminal that inputs or outputs an electrical signal and a grating coupler that inputs or outputs an optical signal,
An electronic circuit chip having a signal terminal corresponding to the transceiver side terminal;
A guide chip made of a semiconductor substrate, penetrating the semiconductor substrate in the thickness direction, and having a through hole through which an optical fiber facing the grating coupler is inserted;
A mold resin portion for holding the electronic circuit chip and the guide chip, wherein the position of the through hole with respect to the signal terminal is adjusted to the position of the grating coupler with respect to the transceiver side terminal; An optical communication device comprising: a mold resin portion that tilts and holds the guide chip with respect to the electronic circuit chip so that the through hole is inclined at an angle at which the through hole is input or output.
(Appendix 2)
The surface opposite to the mounting surface of the electronic circuit chip, the surface opposite to the mounting surface of the guide chip, and the surface opposite to the mounting surface of the mold resin portion are flush with each other. The optical communication device according to 1.
(Appendix 3)
The guide chip has a protrusion protruding from the mounting surface at an end of the mounting surface of the guide chip,
The guide chip is disposed such that the convex portion is located on a side where a waveguide of the optical transceiver connected to the grating coupler extends.
The optical communication device according to appendix 1 or 2, wherein a height of the convex portion protruding from the mounting surface defines an inclination angle at which the guide chip is held by the mold resin portion.
(Appendix 4)
4. The optical communication device according to claim 1, wherein the electronic circuit chip further includes a solder bump or a pad disposed on the signal terminal. 5.
(Appendix 5)
The optical communication device according to appendix 4, wherein the pad is joined to the transceiver side terminal by solder.
(Appendix 6)
An optical communication device that is surface-mounted on an optical transceiver having a transceiver-side terminal that inputs or outputs an electrical signal and a grating coupler that inputs or outputs an optical signal,
An electronic circuit chip having a signal terminal corresponding to the transceiver side terminal;
A guide chip made of a semiconductor substrate, penetrating the semiconductor substrate in the thickness direction, and having a through hole through which an optical fiber facing the grating coupler is inserted;
A mold resin portion for holding the electronic circuit chip and the guide chip, wherein the position of the through hole with respect to the signal terminal is adjusted to the position of the grating coupler with respect to the transceiver side terminal; A mold resin portion that holds the guide chip tilted with respect to the electronic circuit chip so that the through hole is inclined at an angle at which the input or output is performed;
An optical communication module, comprising: an optical fiber inserted into the through hole.
(Appendix 7)
The optical communication module according to appendix 6, further comprising a ferrule that fixes the optical fiber to the guide chip.
(Appendix 8)
A method of manufacturing an optical communication device mounted on an optical transceiver having a transceiver side terminal for inputting or outputting an electrical signal and a grating coupler for inputting or outputting an optical signal,
Forming a guide chip having the hole by forming a hole having an opening diameter corresponding to the thickness of the optical fiber and a predetermined depth in the semiconductor substrate;
A step of mounting an electronic circuit chip having a signal terminal corresponding to the transceiver side terminal and the guide chip on a support substrate, wherein the position of the hole with respect to the signal terminal is determined by the position of the grating coupler with respect to the transceiver side terminal; The guide chip is tilted with respect to the electronic circuit chip and mounted on the support substrate so that the hole is inclined at an angle at which light is input or output by the grating coupler. Mounting a circuit chip on the support substrate;
Molding the electronic circuit chip and the guide chip mounted on the support substrate, and forming a mold resin portion for holding the electronic circuit chip and the guide chip;
Cutting the opposite side of the mold resin portion, the electronic circuit chip, and the guide chip mounted on the support substrate with a back grind until the hole portion penetrates. Method.
(Appendix 9)
The step of forming the guide chip is a step of further forming a protrusion protruding from the mounting surface at an end of the mounting surface of the guide chip,
In the step of mounting the electronic circuit chip and the guide chip on a support substrate, the convex portion disposed on the side where the waveguide of the optical transceiver connected to the grating coupler extends extends into contact with the support substrate. The method of manufacturing an optical communication device according to appendix 8, wherein the guide tip is tilted by:

100 光通信装置
110 電子回路チップ
111 ドライバ部
112 TIA部
113 バンプ
120 ガイドチップ
120A 上面
120B 実装面
121 貫通孔
122 凸部
130 モールド樹脂部
140 光ファイバ
200 光通信モジュール
320 ガイドチップ
321 穴部
322 凸部
500 光トランシーバ
501 光変調器
502 フォトディテクタ
503 グレーティングカプラ
504 パッド
505 導波路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Optical communication apparatus 110 Electronic circuit chip 111 Driver part 112 TIA part 113 Bump 120 Guide chip 120A Upper surface 120B Mounting surface 121 Through-hole 122 Convex part 130 Mold resin part 140 Optical fiber 200 Optical communication module 320 Guide chip 321 Hole part 322 Convex part 500 Optical Transceiver 501 Optical Modulator 502 Photodetector 503 Grating Coupler 504 Pad 505 Waveguide

Claims (8)

電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに表面実装される光通信装置であって、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと、
半導体基板によって作製され、前記半導体基板を厚さ方向に貫通し、前記グレーティングカプラに対向する光ファイバが挿通される貫通孔を有するガイドチップと、
前記電子回路チップと前記ガイドチップを保持するモールド樹脂部であって、前記信号端子に対する前記貫通孔の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせた状態で、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記貫通孔が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて保持するモールド樹脂部と
を含む、光通信装置。
An optical communication device that is surface-mounted on an optical transceiver having a transceiver-side terminal that inputs or outputs an electrical signal and a grating coupler that inputs or outputs an optical signal,
An electronic circuit chip having a signal terminal corresponding to the transceiver side terminal;
A guide chip made of a semiconductor substrate, penetrating the semiconductor substrate in the thickness direction, and having a through hole through which an optical fiber facing the grating coupler is inserted;
A mold resin portion for holding the electronic circuit chip and the guide chip, wherein the position of the through hole with respect to the signal terminal is adjusted to the position of the grating coupler with respect to the transceiver side terminal; An optical communication device comprising: a mold resin portion that tilts and holds the guide chip with respect to the electronic circuit chip so that the through hole is inclined at an angle at which the through hole is input or output.
前記電子回路チップの実装面とは反対側の面、前記ガイドチップの実装面とは反対側の面、及び、前記モールド樹脂部の実装面とは反対側の面は、面一である、請求項1記載の光通信装置。   The surface opposite to the mounting surface of the electronic circuit chip, the surface opposite to the mounting surface of the guide chip, and the surface opposite to the mounting surface of the mold resin portion are flush with each other. Item 4. The optical communication device according to Item 1. 前記ガイドチップは、前記ガイドチップの前記実装面の端部において、前記実装面から突出する凸部を有し、
前記ガイドチップは、前記グレーティングカプラに接続される前記光トランシーバの導波路が伸延する側に前記凸部が位置するように配設され、
前記凸部の前記実装面から突出する高さは、前記ガイドチップが前記モールド樹脂部に保持される傾斜角を規定する、請求項1又は2記載の光通信装置。
The guide chip has a protrusion protruding from the mounting surface at an end of the mounting surface of the guide chip,
The guide chip is disposed such that the convex portion is located on a side where a waveguide of the optical transceiver connected to the grating coupler extends.
3. The optical communication device according to claim 1, wherein a height of the convex portion protruding from the mounting surface defines an inclination angle at which the guide chip is held by the mold resin portion.
前記電子回路チップは、前記信号端子に配設される、はんだバンプ、又は、パッドをさらに有する、請求項1乃至3のいずれか一項記載の光通信装置。   4. The optical communication device according to claim 1, wherein the electronic circuit chip further includes a solder bump or a pad disposed on the signal terminal. 5. 電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに表面実装される光通信装置であって、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと、
半導体基板によって作製され、前記半導体基板を厚さ方向に貫通し、前記グレーティングカプラに対向する光ファイバが挿通される貫通孔を有するガイドチップと、
前記電子回路チップと前記ガイドチップを保持するモールド樹脂部であって、前記信号端子に対する前記貫通孔の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせた状態で、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記貫通孔が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて保持するモールド樹脂部と、
前記貫通孔に挿通される光ファイバと
を含む、光通信モジュール。
An optical communication device that is surface-mounted on an optical transceiver having a transceiver-side terminal that inputs or outputs an electrical signal and a grating coupler that inputs or outputs an optical signal,
An electronic circuit chip having a signal terminal corresponding to the transceiver side terminal;
A guide chip made of a semiconductor substrate, penetrating the semiconductor substrate in the thickness direction, and having a through hole through which an optical fiber facing the grating coupler is inserted;
A mold resin portion for holding the electronic circuit chip and the guide chip, wherein the position of the through hole with respect to the signal terminal is adjusted to the position of the grating coupler with respect to the transceiver side terminal; A mold resin portion that holds the guide chip tilted with respect to the electronic circuit chip so that the through hole is inclined at an angle at which the input or output is performed;
An optical communication module, comprising: an optical fiber inserted into the through hole.
前記光ファイバを前記ガイドチップに固定するフェルールをさらに含む、請求項5記載の光通信モジュール。   The optical communication module according to claim 5, further comprising a ferrule that fixes the optical fiber to the guide chip. 電気信号を入力又は出力するトランシーバ側端子と、光信号を入力又は出力するグレーティングカプラとを有する光トランシーバに実装される光通信装置の製造方法であって、
光ファイバの太さに対応した開口径と、所定の深さとを有する穴部を半導体基板に形成することにより、前記穴部を有するガイドチップを形成する工程と、
前記トランシーバ側端子に対応する信号端子を有する電子回路チップと前記ガイドチップとを支持基板に実装する工程であって、前記信号端子に対する前記穴部の位置を、前記トランシーバ側端子に対する前記グレーティングカプラの位置に合わせ、かつ、前記グレーティングカプラで光が入力又は出力される角度に前記穴部が傾くように、前記電子回路チップに対して前記ガイドチップを傾けて前記支持基板に実装するとともに、前記電子回路チップを前記支持基板に実装する工程と、
前記支持基板に実装された前記電子回路チップと前記ガイドチップとをモールド成型し、前記電子回路チップと前記ガイドチップとを保持するモールド樹脂部を形成する工程と、
前記モールド樹脂部、前記電子回路チップ、及び前記ガイドチップの前記支持基板に実装された側の反対側を、前記穴部が貫通するまでバックグラインドで切削する工程と
を含む、光通信装置の製造方法。
A method of manufacturing an optical communication device mounted on an optical transceiver having a transceiver side terminal for inputting or outputting an electrical signal and a grating coupler for inputting or outputting an optical signal,
Forming a guide chip having the hole by forming a hole having an opening diameter corresponding to the thickness of the optical fiber and a predetermined depth in the semiconductor substrate;
A step of mounting an electronic circuit chip having a signal terminal corresponding to the transceiver side terminal and the guide chip on a support substrate, wherein the position of the hole with respect to the signal terminal is determined by the position of the grating coupler with respect to the transceiver side terminal; The guide chip is tilted with respect to the electronic circuit chip and mounted on the support substrate so that the hole is inclined at an angle at which light is input or output by the grating coupler. Mounting a circuit chip on the support substrate;
Molding the electronic circuit chip and the guide chip mounted on the support substrate, and forming a mold resin portion for holding the electronic circuit chip and the guide chip;
Cutting the opposite side of the mold resin part, the electronic circuit chip, and the guide chip mounted on the support substrate with a back grind until the hole part penetrates. Method.
前記ガイドチップを形成する工程は、前記ガイドチップの実装面の端部に前記実装面から突出する凸部をさらに形成する工程であり、
前記電子回路チップと前記ガイドチップとを支持基板に実装する工程では、前記グレーティングカプラに接続される前記光トランシーバの導波路が伸延する側に配置される前記凸部が前記支持基板に当接することにより、前記ガイドチップが傾けられる、請求項7記載の光通信装置の製造方法。
The step of forming the guide chip is a step of further forming a protrusion protruding from the mounting surface at an end of the mounting surface of the guide chip,
In the step of mounting the electronic circuit chip and the guide chip on a support substrate, the convex portion disposed on the side where the waveguide of the optical transceiver connected to the grating coupler extends extends into contact with the support substrate. The method of manufacturing an optical communication device according to claim 7, wherein the guide tip is tilted by the step.
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