JP2016164941A - Manufacturing method of lithographic apparatus, lithographic apparatus, and manufacturing method of article - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、リソグラフィ装置の製造方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a lithographic apparatus manufacturing method, a lithographic apparatus, and an article manufacturing method.
半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴い、荷電粒子線などのビームを用いて基板にパターンを形成するリソグラフィ装置(描画装置)が注目されている。例えば、描画装置では、真空中において荷電粒子線を基板に照射する必要がある。そのため、特許文献1に記載された描画装置のように、基板を保持して移動可能なステージが真空チャンバに収容されうる。 2. Description of the Related Art With the miniaturization and high integration of circuit patterns in semiconductor integrated circuits, lithographic apparatuses (drawing apparatuses) that form patterns on a substrate using a beam such as a charged particle beam have attracted attention. For example, in a drawing apparatus, it is necessary to irradiate a substrate with a charged particle beam in a vacuum. Therefore, as in the drawing apparatus described in Patent Document 1, a stage that can move while holding the substrate can be accommodated in the vacuum chamber.
描画装置では、基板にパターンを高精度に形成するため、荷電粒子線を基板に照射する照射部と基板を保持するステージとの相対位置を正確に計測することが好ましい。特許文献1には、照射部によって支持された干渉計(ヘッド部)を用いて照射部とステージとの相対位置を計測する描画装置が記載されている。しかしながら、特許文献1に記載された構成の描画装置の製造時にあたっての干渉計の光軸(計測軸)の調整は、ステージを真空チャンバに収容し且つ照射部を真空チャンバに固定した後でないと行うことができないため、困難となりうる。 In a drawing apparatus, in order to form a pattern on a substrate with high accuracy, it is preferable to accurately measure a relative position between an irradiation unit that irradiates the substrate with a charged particle beam and a stage that holds the substrate. Patent Document 1 describes a drawing apparatus that measures the relative position between an irradiation unit and a stage using an interferometer (head unit) supported by the irradiation unit. However, the adjustment of the optical axis (measurement axis) of the interferometer at the time of manufacturing the drawing apparatus having the configuration described in Patent Document 1 is not performed after the stage is accommodated in the vacuum chamber and the irradiation unit is fixed to the vacuum chamber. It can be difficult because it cannot be done.
そこで、本発明は、ヘッド部の計測軸の調整に有利な技術を提供することを例示的目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a technique advantageous for adjusting the measurement axis of the head unit.
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置の製造方法は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置の製造方法であって、前記リソグラフィ装置は、ベースと、前記ベースに支持され、前記基板を保持して前記ベースに対して移動可能なステージと、前記ベースおよび前記ステージを収容するチャンバと、前記チャンバに固定された計測対象部材と、前記ベースに支持され、前記計測対象部材の位置を計測するためのヘッド部と、を含み、前記製造方法は、前記ベースと前記計測対象部材との位置関係を規定するための位置決め部材を用いて、前記計測対象部材を前記ベースに対して位置決めする第1工程と、前記第1工程で位置決めされた前記計測対象部材に対して前記ヘッド部の計測軸を調整する第2工程と、前記第2工程の後、前記チャンバに前記ベースを収容する第3工程と、を含むことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a lithographic apparatus manufacturing method according to an aspect of the present invention is a lithographic apparatus manufacturing method for forming a pattern on a substrate, the lithographic apparatus being supported by a base and the base. A stage that holds the substrate and is movable relative to the base, a chamber that houses the base and the stage, a measurement target member fixed to the chamber, and a measurement target member supported by the base, A head portion for measuring the position of the measurement object, wherein the manufacturing method uses a positioning member for defining a positional relationship between the base and the measurement target member, and uses the positioning member to position the measurement target member with respect to the base. And a second step of adjusting a measurement axis of the head unit with respect to the measurement target member positioned in the first step. , After the second step, characterized in that it comprises a third step of accommodating the base into the chamber.
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.
本発明によれば、例えば、ヘッド部の計測軸の調整に有利な技術を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide a technique advantageous for adjusting the measurement axis of the head unit.
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、ビームとして荷電粒子線(電子線)を基板に照射して基板にパターンを形成する描画装置について説明するが、それに限られるものではない。例えば、ビームとしての光(光ビーム)を用いて基板を露光する露光装置などのリソグラフィ装置においても、本発明を適用することができる。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member thru | or element, and the overlapping description is abbreviate | omitted. In the following embodiments, a drawing apparatus that forms a pattern on a substrate by irradiating the substrate with a charged particle beam (electron beam) as a beam will be described, but the present invention is not limited thereto. For example, the present invention can be applied to a lithography apparatus such as an exposure apparatus that exposes a substrate using light (light beam) as a beam.
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態の描画装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態の描画装置100を示す概略図である。描画装置100は、例えば、基板Wにパターンを形成するために荷電粒子線(ビーム)を基板Wに照射する照射部CLと、基板Wを保持してベース上を移動可能なステージFSと、照射部CLとステージFSとの相対位置を計測する計測部PLとを含みうる。また、描画装置100は、例えばCPUやメモリなどを有し、基板Wへの描画処理を制御する(描画装置100の各部を制御する)制御部CNTを含みうる。描画装置100では、一般に、真空中において荷電粒子線を基板Wに照射する必要がある。そのため、第1実施形態の描画装置100では、ベースBSおよびステージFSがチャンバVCの内部に収容され、照射部CLがチャンバVCの上壁によって支持されうる。これにより、描画装置100は、チャンバVCの内部を真空状態にして、真空中において荷電粒子線を基板Wに照射することができる。ここで、チャンバVCは、例えば、描画装置100が配置される床からの振動を低減するためのマウントMTを介して当該床によって支持されうる。また、描画装置100には、チャンバVCに対するベースBSの位置を調整する調整部PDが、ベースBSとチャンバVCの底壁との間に設けられうる。調整部PDは、例えば、描画装置100の電源を落とした後においてもベースBSの位置を維持することができるようなアクチュエータを含みうる。
<First Embodiment>
A
照射部CL(カラム)は、例えば、チャンバVCの上壁によって支持され、基板Wにパターンを形成するように荷電粒子線(ビーム)を基板Wに照射する。照射部CLは、例えば、荷電粒子線を射出する荷電粒子源や、荷電粒子線の基板Wへの照射と非照射とを切り換えるためのブランカ、荷電粒子線を基板上で走査するための偏向器などを含み、1本もしくは複数の荷電粒子線を基板Wに照射する。 The irradiation unit CL (column) is supported by, for example, the upper wall of the chamber VC, and irradiates the substrate W with a charged particle beam (beam) so as to form a pattern on the substrate W. The irradiation unit CL includes, for example, a charged particle source that emits a charged particle beam, a blanker that switches between irradiation and non-irradiation of the charged particle beam to the substrate W, and a deflector that scans the charged particle beam on the substrate. The substrate W is irradiated with one or a plurality of charged particle beams.
ステージFSは、ベースBSによって支持される。ステージFSは、基板Wを保持し、基板Wの面と平行な方向(例えばXY方向)においてベースBSに対して移動可能に構成されている。例えば、図1に示す描画装置100では、第1スライダXSと第2スライダYSとが設けられている。第1スライダXSは、ベース上において第2スライダYSをX方向に移動させることができ、第2スライダYSは、第1スライダ上においてステージFSをY方向に移動させることができる。このように第1スライダXSと第2スライダYSとをベース上に設けることにより、基板Wを保持するステージFSをベース上でXY方向に移動可能に構成することができる。また、ステージFSは、Z方向やθ方向(Z軸周りの回転方向)における基板Wの位置を調整する機能や、基板Wの傾き(チルト)を補正する機能などを有していてもよい。
The stage FS is supported by the base BS. The stage FS is configured to hold the substrate W and be movable with respect to the base BS in a direction parallel to the surface of the substrate W (for example, the XY direction). For example, in the
計測部PL(ヘッド部)は、ベースBSによって支持される。計測部PLは、チャンバVC(或いは照射部CL)に固定されたプレートMP(計測対象部材)およびステージFSにそれぞれ光を照射し、プレートMPで反射された光とステージFSで反射された光とを用いて照射部CLとステージFSとの相対位置を計測する。第1実施形態では、計測部PLが、第1計測部PLY、第2計測部PLXおよび第3計測部PLZを含み、第1計測部PLY、第2計測部PLXおよび第3計測部PLZのそれぞれがベースBSによって支持されている。 Measuring unit PL (head unit) is supported by base BS. The measurement unit PL irradiates the plate MP (measurement target member) fixed to the chamber VC (or the irradiation unit CL) and the stage FS with light, and reflects the light reflected by the plate MP and the light reflected by the stage FS. Is used to measure the relative position between the irradiation unit CL and the stage FS. In the first embodiment, the measurement unit PL includes a first measurement unit PLY, a second measurement unit PLX, and a third measurement unit PLZ, and each of the first measurement unit PLY, the second measurement unit PLX, and the third measurement unit PLZ. Is supported by the base BS.
第1計測部PLYは、Y方向におけるステージFSの位置をそれぞれ計測する2つの干渉計と、Y方向におけるプレートMPの位置をそれぞれ計測する2つの干渉計とを含みうる。ステージFSの位置を計測する2つの干渉計の各々は、ステージFSの−Y方向側の面に光(BSY1、BSY2)を照射し、当該面で反射された光を用いて、Y方向におけるステージFSの位置を計測する。これら2つの干渉計は、Z方向に沿って配置されうる。また、プレートMPの位置を計測する2つの干渉計の各々は、プレートMPの−Y方向側の面に光(BCY1、BCY2)を照射し、当該面で反射された光を用いて、Y方向におけるプレートMPの位置を計測する。これら2つの干渉計は、Z方向に沿って配置されうる。このように第1計測部PLYを構成することにより、第1計測部PLYは、Y方向およびωX方向におけるステージFSの位置と、Y方向およびωX方向におけるプレートMPの位置とをそれぞれ計測することができる。即ち、第1計測部PLYは、Y方向およびωX方向における照射部CL(プレートMP)とステージFSとの相対位置を計測することができる。 The first measurement unit PLY can include two interferometers that respectively measure the position of the stage FS in the Y direction and two interferometers that respectively measure the position of the plate MP in the Y direction. Each of the two interferometers that measure the position of the stage FS irradiates light (BSY1, BSY2) on the surface on the −Y direction side of the stage FS, and uses the light reflected on the surface to perform the stage in the Y direction. Measure the position of the FS. These two interferometers can be arranged along the Z direction. In addition, each of the two interferometers that measure the position of the plate MP irradiates light (BCY1, BCY2) on the surface on the −Y direction side of the plate MP, and uses the light reflected on the surface in the Y direction. The position of the plate MP is measured. These two interferometers can be arranged along the Z direction. By configuring the first measurement unit PLY as described above, the first measurement unit PLY can measure the position of the stage FS in the Y direction and the ωX direction and the position of the plate MP in the Y direction and the ωX direction, respectively. it can. That is, the first measurement unit PLY can measure the relative position between the irradiation unit CL (plate MP) and the stage FS in the Y direction and the ωX direction.
第2計測部PLXは、X方向におけるステージFSの位置をそれぞれ計測する3つの干渉計と、X方向におけるプレートMPの位置をそれぞれ計測する3つの干渉計とを含みうる。ステージFSの位置を計測する3つの干渉計の各々は、ステージFSのX方向側の面に光(BSX1、BSX2、BSX3)を照射し、当該面で反射された光を用いて、X方向におけるステージFSの位置を計測する。これら3つの干渉計は、光BSX1を射出する干渉計と光BSX2を射出する干渉計とがZ方向に沿って並び、かつ光BSX1を射出する干渉計と光BSX3を射出する干渉計とがY方向に沿って並ぶように配置されうる。また、プレートMPの位置を計測する3つの干渉計の各々は、プレートMPのX方向側の面に光(BCX1、BCX2、BCX3)を照射し、当該面で反射された光を用いて、X方向におけるプレートMPの位置を計測する。これら3つの干渉計は、光BCX1を射出する干渉計と光BCX2を射出する干渉計とがZ方向に沿って並び、かつ光BCX1を射出する干渉計と光BCX3を射出する干渉計とがY方向に沿って並ぶように配置されうる。このように第2計測部PLXを構成することにより、第2計測部PLXは、X方向、ωY方向およびωZ方向におけるステージFSの位置と、X方向、ωY方向およびωZ方向におけるプレートMPの位置とをそれぞれ計測することができる。即ち、第2計測部PLXは、X方向、ωY方向およびωZ方向における照射部CL(プレートMP)とステージFSとの相対位置を計測することができる。 The second measurement unit PLX can include three interferometers that respectively measure the position of the stage FS in the X direction and three interferometers that respectively measure the position of the plate MP in the X direction. Each of the three interferometers that measure the position of the stage FS irradiates light (BSX1, BSX2, BSX3) on the surface of the stage FS on the X direction side, and uses the light reflected on the surface in the X direction. The position of the stage FS is measured. In these three interferometers, an interferometer that emits light BSX1 and an interferometer that emits light BSX2 are arranged along the Z direction, and an interferometer that emits light BSX1 and an interferometer that emits light BSX3 are Y. It can arrange | position so that it may align along a direction. In addition, each of the three interferometers that measure the position of the plate MP irradiates light (BCX1, BCX2, BCX3) on the surface on the X direction side of the plate MP, and uses the light reflected on the surface, X The position of the plate MP in the direction is measured. In these three interferometers, an interferometer that emits light BCX1 and an interferometer that emits light BCX2 are arranged along the Z direction, and an interferometer that emits light BCX1 and an interferometer that emits light BCX3 are Y It can arrange | position so that it may align along a direction. By configuring the second measurement unit PLX in this way, the second measurement unit PLX can detect the position of the stage FS in the X direction, the ωY direction, and the ωZ direction, and the position of the plate MP in the X direction, the ωY direction, and the ωZ direction. Can be measured respectively. That is, the second measurement unit PLX can measure the relative position between the irradiation unit CL (plate MP) and the stage FS in the X direction, the ωY direction, and the ωZ direction.
第3計測部PLZは、ステージFSとプレートMPとのZ方向における相対位置を計測する干渉計を含みうる。当該干渉計は、ビームスプリッタBDを介して、ステージFSのZ方向側の面およびプレートMPの−Z方向側の面にそれぞれ光(ZS、ZC)を照射し、それらの面で反射された光を用いて、ステージFSとプレートMPとのZ方向における相対位置を計測する。即ち、第3計測部PLZは、Z方向における照射部CL(プレートMP)とステージFSとの相対位置を計測することができる。 The third measurement unit PLZ can include an interferometer that measures a relative position between the stage FS and the plate MP in the Z direction. The interferometer emits light (ZS, ZC) to the surface on the Z direction side of the stage FS and the surface on the −Z direction side of the plate MP via the beam splitter BD, and the light reflected by these surfaces. Is used to measure the relative position of the stage FS and the plate MP in the Z direction. That is, the third measurement unit PLZ can measure the relative position between the irradiation unit CL (plate MP) and the stage FS in the Z direction.
このように構成された描画装置100では、照射部CLとステージFSとの相対位置を正確に計測するため、描画装置100の製造時において計測部PL(干渉計)の光軸(計測軸)が調整されうる。しかしながら、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容し、プレートMPをチャンバVCに固定した後で計測部PLの光軸を調整することは、チャンバ内のスペースの点で困難になりうる。そのため、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容する前において、計測部PLの光軸を調整することが好ましい。一方で、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容する前ではプレートMPがベースBSに対して位置決めされていないため、プレートMPが位置決めされていない状態では、計測部PLの光軸を調整することはできない。そこで、第1実施形態の描画装置100では、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容する前において、位置決め部材KBによってプレートMPがベースBSに対して位置決めされる。そして、位置決め部材KBによって位置決めされたプレートMPに対する計測部PLの光軸が調整される。
In the
以下に、第1実施形態に係る描画装置100の製造方法について、図2を参照しながら説明する。図2は、描画装置100の製造方法を示すフローチャートである。ここで、以下では、実際に照射部CLに固定されるプレートMPを用いて、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容する前(S101〜S103の工程)に計測部PLの光軸の調整を行う例について説明する。しかしながら、それに限られるものではなく、例えば、計測部PLの光軸の調整の際に、計測部PLからの光が照射される面を有し、かつプレートMPより軽い仮プレートをプレートMPの代わりに用いてもよい。このようにプレートMPより軽い仮プレートを用いることにより、計測部PLの光軸を調整している間において、プレートMPの重さでベースBSが歪むことなどを低減させることができる。
Below, the manufacturing method of the
S101では、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容する前において、ステージFSに対する計測部PLからの光の入射角度が許容範囲に収まるように、計測部PLの光軸(ステージFSの位置を計測するための干渉計の光軸)を調整する。例えば、第1計測部PLYからの光を反射するステージFSの面をY方向に対して垂直に配置し、ステージFSをY方向に移動させたときの第1計測部PLにおける受光強度の変化が許容範囲に収まるように、第1計測部PLYの光軸を調整する。また、第2計測部PLXからの光を反射するステージFSの面をX方向に対して垂直に配置し、ステージFSをX方向に移動させたときの第2計測部PLXにおける受光強度の変化が許容範囲に収まるように、第2計測部PLXの光軸を調整する。同様に、第3計測部PLZからの光を反射するステージFSの面をXY方向に対して平行に配置し、ステージFSをZ方向に移動させたときの第3計測部PLZにおける受光強度の変化が許容範囲に収まるように、第3計測部PLZの光軸を調整する。 In S101, before the base BS and the stage FS are accommodated in the chamber VC, the optical axis of the measuring unit PL (the position of the stage FS is measured so that the incident angle of light from the measuring unit PL with respect to the stage FS is within an allowable range. To adjust the optical axis of the interferometer. For example, when the surface of the stage FS that reflects light from the first measurement unit PLY is arranged perpendicular to the Y direction and the stage FS is moved in the Y direction, the change in the received light intensity in the first measurement unit PL is The optical axis of the first measurement unit PLY is adjusted so as to be within the allowable range. In addition, when the surface of the stage FS that reflects the light from the second measurement unit PLX is arranged perpendicular to the X direction and the stage FS is moved in the X direction, the change in the received light intensity in the second measurement unit PLX is The optical axis of the second measurement unit PLX is adjusted so as to be within the allowable range. Similarly, the change in the received light intensity in the third measurement unit PLZ when the surface of the stage FS that reflects the light from the third measurement unit PLZ is arranged parallel to the XY direction and the stage FS is moved in the Z direction. Is adjusted within the allowable range, the optical axis of the third measurement unit PLZ is adjusted.
S102では、プレートMPを位置決めするための位置決め部材KBをベースBSに固定し、ベースBSに固定された位置決め部材KBによってプレートMPを位置決めする(第1工程)。例えば、ベースBSは、図1に示すように、位置決め部材KBを配置すべきベース上の位置を規定する、即ち、位置決め部材KBをベースBに対して位置決めするための基準部材RBを有する。基準部材RBには、位置決め部材KBのX方向における位置を規定するための基準面(Y−Z面)、Y方向における位置を規定するための基準面(Z−X面)、およびZ方向における位置を規定するための基準面(X−Y面)が設けられている。そして、基準部材RBにおけるそれらの基準面に位置決め部材KBを押し当てた状態で当該位置決め部材KBをベースBSに固定する。これにより、位置決め部材KBをベース上の所望の位置に配置することができる。また、図3に示すように、ベースBSに固定された位置決め部材KBにプレートMPを押し当てることによって、プレートMPをベースBSに対して位置決めし、当該プレートMPを位置決め部材KBに固定する。 In S102, the positioning member KB for positioning the plate MP is fixed to the base BS, and the plate MP is positioned by the positioning member KB fixed to the base BS (first step). For example, as shown in FIG. 1, the base BS has a reference member RB for defining a position on the base where the positioning member KB is to be arranged, that is, for positioning the positioning member KB with respect to the base B. The reference member RB includes a reference plane (YZ plane) for defining the position of the positioning member KB in the X direction, a reference plane (ZX plane) for defining the position in the Y direction, and the Z direction. A reference plane (XY plane) for defining the position is provided. Then, the positioning member KB is fixed to the base BS in a state where the positioning member KB is pressed against the reference surfaces of the reference member RB. Thereby, the positioning member KB can be disposed at a desired position on the base. Further, as shown in FIG. 3, the plate MP is positioned with respect to the base BS by pressing the plate MP against the positioning member KB fixed to the base BS, and the plate MP is fixed to the positioning member KB.
S103では、位置決めされたプレートMPに対する計測部PLからの光の入射角度が許容範囲に収まるように、計測部PLの光軸(プレートMPの位置を計測するための干渉計の光軸)を調整する(第2工程)。例えば、第1計測部PLYからの光を反射するプレートMPの面に対する当該光の入射角度が許容範囲に収まるように、第1計測部PLYの光軸(第1計測部PLYから射出される光の方向)を調整する。このとき、第1計測部PLYからの光がプレートMPの面に垂直に入射するように第1計測部PLYの光軸を調整することが好ましい。また、第2計測部PLXからの光を反射するプレートMPの面に対する当該光の入射角度が許容範囲に収まるように、第2計測部PLXの光軸を調整する。同様に、第3計測部PLZからの光を反射するプレートMPの面に対する当該光の入射角度が許容範囲に収まるように、第3計測部PLZの光軸を調整する。 In S103, the optical axis of the measurement unit PL (the optical axis of the interferometer for measuring the position of the plate MP) is adjusted so that the incident angle of light from the measurement unit PL with respect to the positioned plate MP is within an allowable range. (Second step). For example, the optical axis of the first measurement unit PLY (light emitted from the first measurement unit PLY is set so that the incident angle of the light with respect to the surface of the plate MP that reflects the light from the first measurement unit PLY falls within an allowable range. ) Direction. At this time, it is preferable to adjust the optical axis of the first measurement unit PLY so that the light from the first measurement unit PLY is perpendicularly incident on the surface of the plate MP. Further, the optical axis of the second measurement unit PLX is adjusted so that the incident angle of the light with respect to the surface of the plate MP that reflects the light from the second measurement unit PLX falls within an allowable range. Similarly, the optical axis of the third measurement unit PLZ is adjusted so that the incident angle of the light with respect to the surface of the plate MP reflecting the light from the third measurement unit PLZ falls within an allowable range.
S104では、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容する(第3工程)。このとき、S101〜S103において仮プレートを用いた場合では、仮プレートを取り外した状態で、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容する。また、プレートMPを取り外した状態で、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容してもよい。この場合、ベースBSおよびステージFSがチャンバVCに収容された後、位置決め部材KBにより位置決めして(例えば位置決め部材KBに押し当てて)プレートMPが取り付けられうる。S105では、図4に示すように、照射部CLをプレートMPに対して位置決めし、プレートMPおよび照射部CLをチャンバVCの上壁に固定する(第4工程)。S106では、位置決め部材KBをチャンバVCから取り除く(第5工程)。 In S104, the base BS and the stage FS are accommodated in the chamber VC (third step). At this time, when the temporary plate is used in S101 to S103, the base BS and the stage FS are accommodated in the chamber VC with the temporary plate removed. Further, the base BS and the stage FS may be accommodated in the chamber VC with the plate MP removed. In this case, after the base BS and the stage FS are accommodated in the chamber VC, the plate MP can be attached by being positioned by the positioning member KB (for example, pressed against the positioning member KB). In S105, as shown in FIG. 4, the irradiation part CL is positioned with respect to the plate MP, and the plate MP and the irradiation part CL are fixed to the upper wall of the chamber VC (fourth step). In S106, the positioning member KB is removed from the chamber VC (fifth step).
上述したように、第1実施形態に係る描画装置100の製造方法では、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容する前において、位置決め部材KBを用いてプレートMPをベースBSに対して位置決めする。これにより、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容したり、プレートMPおよび照射部CLをチャンバVCに固定したりする前であっても、照射部CLとステージFSとの相対位置を計測する計測部PLの光軸を調整することができる。
As described above, in the method of manufacturing the
ここで、S105においてプレートMPをチャンバVCに固定するとき、ベースBSとプレートMPとの相対位置が少しずれることがある。そのため、プレートMPをチャンバVCに固定し、位置決め部材KBをチャンバVCから取り除いた後、プレートMPに対する計測部PLからの光の入射角度が許容範囲に収まるように、調整部PDによって相対位置を調整するとよい。例えば、計測部PLにおける受光強度が許容範囲に収まるように、好ましくは受光強度が最も大きくなるように、調整部PDによって相対位置を調整するとよい。 Here, when the plate MP is fixed to the chamber VC in S105, the relative position between the base BS and the plate MP may be slightly shifted. Therefore, after fixing the plate MP to the chamber VC and removing the positioning member KB from the chamber VC, the relative position is adjusted by the adjusting unit PD so that the incident angle of light from the measuring unit PL with respect to the plate MP is within an allowable range. Good. For example, the relative position may be adjusted by the adjustment unit PD so that the received light intensity in the measurement unit PL is within an allowable range, and preferably the received light intensity is maximized.
<第2実施形態>
第2実施形態の描画装置200には、図5に示すように、プレートMPとベースBSとの間の相対位置を計測する第2計測部DTが更に設けられている。第2計測部DTは、例えば、ベース上に配置されうる。そして、第2実施形態の描画装置200の製造方法では、ベースBSをチャンバVCに収容した後、位置決め部材KBを用いずに、第2計測部DTによる計測結果に基づいてベースBSとプレートMPとの相対位置が調整部PDによって調整される。以下に、第2実施形態に係る描画装置200の製造方法について、図6を参照しながら説明する。図6は、第2実施形態に係る描画装置200の製造方法を示すフローチャートである。ここで、図6のフローチャートにおけるS201〜S203の工程は、図2のフローチャートにおけるS101〜S103の工程と同様であるため、ここでは説明を省略する。また、S202(第1工程)では、位置決め部材KBによってプレートMPを位置決めすることに加えて、ヘッド部PLの光軸の調整がなされた状態でプレートMPとベースBSとの間の相対位置が第2計測部DTによって計測される。
Second Embodiment
As shown in FIG. 5, the
S204では、位置決め部材KBをベースBSから取り外し、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容する。ここで、S201〜S203において仮プレートを用いた場合では、仮プレートを取り外した状態で、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容する。また、プレートMPを取り外した状態で、ベースBSおよびステージFSをチャンバVCに収容してもよい。S205では、位置決め部材KBをベースBSから取り外した状態で、照射部CL(上記のように前もってプレートMPを取り外した場合には、さらにプレートMPも)をチャンバVCの上壁に固定する(第6工程)。S206では、S202の工程(第2工程)での第2計測部DTによる計測結果に基づいて、ベースBSとプレートMPとの相対位置を調整部PDによって調整する(第7工程)。例えば、ベースBSとプレートMPとの相対位置を第2計測部DTに計測させ、第2計測部DTによって計測された相対位置が、S202の工程での計測結果に近づくように調整部PDを制御する。これにより、チャンバVCに収容されたベースBSとプレートMPとの位置関係を、計測部PLの光軸の調整を行ったときのベースBSとプレートMPとの位置関係に近づけることができる。即ち、計測部PLからの光のプレートMPに対する入射角度を許容範囲に収めることができる。 In S204, the positioning member KB is removed from the base BS, and the base BS and the stage FS are accommodated in the chamber VC. Here, when the temporary plate is used in S201 to S203, the base BS and the stage FS are accommodated in the chamber VC with the temporary plate removed. Further, the base BS and the stage FS may be accommodated in the chamber VC with the plate MP removed. In S205, with the positioning member KB removed from the base BS, the irradiation unit CL (or the plate MP if the plate MP is removed in advance as described above) is fixed to the upper wall of the chamber VC (the sixth). Process). In S206, the relative position between the base BS and the plate MP is adjusted by the adjustment unit PD based on the measurement result by the second measurement unit DT in the step of S202 (second step) (seventh step). For example, the second measurement unit DT is caused to measure the relative position between the base BS and the plate MP, and the adjustment unit PD is controlled so that the relative position measured by the second measurement unit DT approaches the measurement result in the process of S202. To do. Thereby, the positional relationship between the base BS and the plate MP accommodated in the chamber VC can be brought close to the positional relationship between the base BS and the plate MP when the optical axis of the measuring unit PL is adjusted. That is, the incident angle of the light from the measurement unit PL with respect to the plate MP can be within an allowable range.
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置(描画装置)を用いて潜像パターンを形成する工程(基板に描画を行う工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を処理(例えば現像)する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。なお、リソグラフィ装置は、ビーム(荷電粒子線またはEUV光等)を用いてパターン形成(パターニング)を基板に行う装置に限られず、インプリント装置であってもよい。その場合、上記の現像工程は、形成されたレジストパターンにおける残膜を除去する周知のエッチング工程またはその他の周知の工程に置換されうる。
<Embodiment of Method for Manufacturing Article>
The method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. The method for manufacturing an article of the present embodiment includes a step of forming a latent image pattern on the photosensitive agent applied to the substrate using the above-described lithography apparatus (drawing apparatus) (a step of drawing on the substrate), and a latent image formed in such a step. Processing (for example, developing) the substrate on which the image pattern is formed. Further, the manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like). The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method. Note that the lithography apparatus is not limited to an apparatus that performs pattern formation (patterning) on a substrate using a beam (such as charged particle beam or EUV light), and may be an imprint apparatus. In that case, the above-described development process can be replaced with a known etching process for removing the remaining film in the formed resist pattern or another known process.
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。 As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.
CL:照射部、MP:プレート、FS:ステージ、BS:ベース、VC:チャンバ、PL:計測部、100:描画装置 CL: irradiation unit, MP: plate, FS: stage, BS: base, VC: chamber, PL: measurement unit, 100: drawing device
Claims (10)
前記リソグラフィ装置は、
ベースと、
前記ベースに支持され、前記基板を保持して前記ベースに対して移動可能なステージと、
前記ベースおよび前記ステージを収容するチャンバと、
前記チャンバに固定された計測対象部材と、
前記ベースに支持され、前記計測対象部材の位置を計測するためのヘッド部と、を含み、
前記製造方法は、
前記ベースと前記計測対象部材との位置関係を規定するための位置決め部材を用いて、前記計測対象部材を前記ベースに対して位置決めする第1工程と、
前記第1工程で位置決めされた前記計測対象部材に対して前記ヘッド部の計測軸を調整する第2工程と、
前記第2工程の後、前記チャンバに前記ベースを収容する第3工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。 A method for manufacturing a lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate, comprising:
The lithographic apparatus comprises:
Base and
A stage supported by the base and movable relative to the base while holding the substrate;
A chamber containing the base and the stage;
A measurement target member fixed to the chamber;
A head portion supported by the base and measuring the position of the measurement target member,
The manufacturing method includes:
A first step of positioning the measurement target member with respect to the base using a positioning member for defining a positional relationship between the base and the measurement target member;
A second step of adjusting a measurement axis of the head unit with respect to the measurement target member positioned in the first step;
A third step of accommodating the base in the chamber after the second step;
The manufacturing method characterized by including.
前記製造方法は、
前記第3工程の後、前記照射部を前記位置決め部材に対して位置決めして前記チャンバに固定する第4工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 The lithographic apparatus includes an irradiation unit that irradiates the substrate with a beam for forming the pattern;
The manufacturing method includes:
The manufacturing method according to claim 1, further comprising a fourth step of positioning the irradiation unit with respect to the positioning member and fixing the irradiation unit to the chamber after the third step.
前記第1工程は、前記位置決め部材を前記基準部材に対して位置決めして固定する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の製造方法。 The base has a reference member for positioning the positioning member;
The manufacturing method according to any one of claims 1 to 4, wherein the first step includes a step of positioning and fixing the positioning member with respect to the reference member.
前記第2工程は、前記ヘッド部の計測軸の調整がなされた状態での前記相対位置を前記計測部に計測させ、
前記製造方法は、
前記第3工程の後、前記位置決め部材を取り外した状態で前記計測対象部材またはそれに代わる計測対象部材を前記チャンバに固定する第6工程と、
前記第6工程の後、前記第2工程での計測結果に基づいて、前記調整部による調整を行う第7工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 The lithography apparatus includes a measurement unit that measures a relative position between the measurement target member and the base, and an adjustment unit that adjusts the position of the base with respect to the chamber,
The second step causes the measurement unit to measure the relative position in a state where the measurement axis of the head unit is adjusted,
The manufacturing method includes:
After the third step, a sixth step of fixing the measurement target member or a measurement target member instead thereof to the chamber in a state where the positioning member is removed;
After the sixth step, based on the measurement result in the second step, a seventh step for adjusting by the adjustment unit;
The manufacturing method of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
ベースと、
前記ベースに支持され、前記基板を保持して前記ベースに対して移動可能なステージと、
前記パターンを形成するためのビームを前記基板に照射する照射部と、
前記ベースおよび前記ステージを収容し、前記照射部を支持するチャンバと、
前記照射部に固定された計測対象部材と、
前記ベースに支持され、前記計測対象部材の位置を計測するためのヘッド部と、
を含み、
前記ベースは、前記計測対象部材を位置決めするための基準部材を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。 A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate,
Base and
A stage supported by the base and movable relative to the base while holding the substrate;
An irradiation unit for irradiating the substrate with a beam for forming the pattern;
A chamber that houses the base and the stage and supports the irradiation unit;
A measurement target member fixed to the irradiation unit;
A head unit supported by the base for measuring the position of the measurement target member;
Including
The lithographic apparatus, wherein the base includes a reference member for positioning the measurement target member.
前記工程でパターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 Forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to claim 8,
Processing the substrate on which the pattern has been formed in the step;
A method for producing an article comprising:
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