JP2016161825A - 露光装置、基板、および露光方法 - Google Patents
露光装置、基板、および露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016161825A JP2016161825A JP2015041543A JP2015041543A JP2016161825A JP 2016161825 A JP2016161825 A JP 2016161825A JP 2015041543 A JP2015041543 A JP 2015041543A JP 2015041543 A JP2015041543 A JP 2015041543A JP 2016161825 A JP2016161825 A JP 2016161825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- alignment
- mark
- substrate
- marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】変形の生じやすいワークにおいても、高い露光精度を保ちつつ露光処理の総時間の短縮を図れる露光装置の提供。
【解決手段】アライメントマーク250のうち第1のマーク251は切断領域230,240に位置せず、第1のマーク251に最近接の1つの露光領域210における位置合わせにのみ用いられる。アライメントマーク250のうち第2のマーク252は、縦方向および横方向の切断領域230,240のいずれか一方に位置し、第2のマーク252を間に挟んだ2つの露光領域210に共通して用いられる。アライメントマーク250のうち第3のマーク253は、縦方向および横方向の切断領域230,240の交差箇所に位置し、その交差箇所の周囲に存在する4つの露光領域210に共通して用いられ、複数の露光領域の相互間に形成されたマークの少なくとも一部を、複数の露光領域に共通したマークとして用いて、移動器による移動位置を制御する。
【選択図】図2
【解決手段】アライメントマーク250のうち第1のマーク251は切断領域230,240に位置せず、第1のマーク251に最近接の1つの露光領域210における位置合わせにのみ用いられる。アライメントマーク250のうち第2のマーク252は、縦方向および横方向の切断領域230,240のいずれか一方に位置し、第2のマーク252を間に挟んだ2つの露光領域210に共通して用いられる。アライメントマーク250のうち第3のマーク253は、縦方向および横方向の切断領域230,240の交差箇所に位置し、その交差箇所の周囲に存在する4つの露光領域210に共通して用いられ、複数の露光領域の相互間に形成されたマークの少なくとも一部を、複数の露光領域に共通したマークとして用いて、移動器による移動位置を制御する。
【選択図】図2
Description
本発明は、露光装置、基板、および露光方法に関し、特に、処理工程で伸縮や変形を生じる虞のある基板の露光に適した露光装置、基板、および露光方法に関する。
従来、「逐次露光」や「ステップ・アンド・リピート」と称され、1枚のワーク上に存在する複数の露光領域に対してワークを移動させながら露光を繰り返す露光方法が知られている。各露光領域には、1つのマスクに形成されたパターン(マスクパターン)が逐次露光される。
このような「逐次露光」では、各露光領域について、マスクパターンが所望の位置に露光されるように、マスク(パターン)の位置と露光領域(ワーク)の位置との位置合せが必要となる(例えば特許文献1参照。)。このような位置合わせは「マスクとワークのアライメント」と称される。
このような「逐次露光」では、各露光領域について、マスクパターンが所望の位置に露光されるように、マスク(パターン)の位置と露光領域(ワーク)の位置との位置合せが必要となる(例えば特許文献1参照。)。このような位置合わせは「マスクとワークのアライメント」と称される。
マスクには、アライメントマーク(マスク・アライメントマーク、以下、「マスクマーク」と称する。)が形成されていて、マスクパターンとマスクマークは、あらかじめ設定された位置関係で形成される。一方、ワークにもアライメントマーク(ワーク・アライメントマーク、以下、「ワークマーク」と称する。)が形成されている。ワークマークは、ワークの各露光領域に合わせて、あらかじめ設定された位置関係で形成される。
アライメントの際には、アライメントマーク検出器により、マスクマークとワークマークが検出され、検出されたマスクマークとワークマークが、あらかじめ設定された位置関係になる(例えば一致する)ようにマスクやワークが移動される。これによりマスクとワークが所望の位置関係となり、露光領域の所望の位置にマスクパターンが露光されることとなる。
アライメントの際には、アライメントマーク検出器により、マスクマークとワークマークが検出され、検出されたマスクマークとワークマークが、あらかじめ設定された位置関係になる(例えば一致する)ようにマスクやワークが移動される。これによりマスクとワークが所望の位置関係となり、露光領域の所望の位置にマスクパターンが露光されることとなる。
マスク(パターン)の位置と露光領域(ワーク)の位置との位置合せは、各露光領域について必要となる。そのために、1枚のワークに費やされる露光処理の総時間が長くなる。
ワークが、例えばウエハのような、熱膨張等の影響を受けにくいものであれば、処理工程(露光処理の工程やその前後に行われる他の処理工程など)による変形が少ないので、アライメントマークの検出を例えば第1の露光領域における1回のみ行い、続く第2、第3の露光領域については、ワークをあらかじめ設定した距離だけ移動させて露光するという方法によって時間短縮を図ることが考えられる。
ワークが、例えばウエハのような、熱膨張等の影響を受けにくいものであれば、処理工程(露光処理の工程やその前後に行われる他の処理工程など)による変形が少ないので、アライメントマークの検出を例えば第1の露光領域における1回のみ行い、続く第2、第3の露光領域については、ワークをあらかじめ設定した距離だけ移動させて露光するという方法によって時間短縮を図ることが考えられる。
しかしながら、例えばプリント基板のような樹脂製のワークの場合は、熱などによりワークに変形を生じやすいため、アライメントマークの検出は、第1の露光領域について行い、さらに、第2、第3の露光領域についても行う必要がある。このように、各露光領域についてアライメントマークの検出を行うと、露光処理に要する総時間が長くなってしまう。
そこで、本発明は、変形の生じやすいワークにおいても、高い露光精度を保ちつつ露光処理の総時間の短縮を図ることを課題とする。
そこで、本発明は、変形の生じやすいワークにおいても、高い露光精度を保ちつつ露光処理の総時間の短縮を図ることを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る露光装置の一態様は、露光対象物に光を照射して露光する露光器と、前記露光器に対して前記露光対象物を相対的に移動させることで該露光対象物上の複数の露光領域を該露光器に露光させる移動器と、前記移動器による移動の位置合わせ用として前記露光対象物上に形成されたマークを検出する検出器と、前記検出器によって検出されたマークのうち、前記複数の露光領域の相互間に形成されたマークの少なくとも一部を、該複数の露光領域に共通したマークとして用いて、前記移動器による移動位置を制御する制御器と、を備える。
このような露光装置によれば、前記「共通したマーク」は、1回のマーク検出結果を当該「共通したマーク」が設けられている複数の露光領域それぞれのアライメントに用いることができるのでその分だけ露光処理の総時間が短縮される。また、複数の露光領域の相互間に形成されたマークを利用して各露光領域の位置や変形などが確認することができるため、変形の生じやすいワーク(露光対象物)においても高い露光精度が保たれる。
このような露光装置によれば、前記「共通したマーク」は、1回のマーク検出結果を当該「共通したマーク」が設けられている複数の露光領域それぞれのアライメントに用いることができるのでその分だけ露光処理の総時間が短縮される。また、複数の露光領域の相互間に形成されたマークを利用して各露光領域の位置や変形などが確認することができるため、変形の生じやすいワーク(露光対象物)においても高い露光精度が保たれる。
また、前記露光対象物は、前記露光器で露光された複数の露光領域の相互間に設けられた切断領域で切断されるものであり、前記制御器は、前記検出器が前記切断領域で検出したマークを、該切断領域を挟んで位置する複数の露光領域に共通したマークとして用いるものであることが好ましい。
このような露光装置によれば、アライメントマークを各露光領域の近辺に配備することができるので、余分な配備スペースの発生を回避することができる。
このような露光装置によれば、アライメントマークを各露光領域の近辺に配備することができるので、余分な配備スペースの発生を回避することができる。
また、上記課題を解決するために、本発明に係る基板の一態様は、複数の露光領域と、露光の位置合わせ用として前記複数の露光領域の少なくとも相互間に形成され、該複数の露光領域それぞれの位置合わせに際して共通に用いられるマークと、を備える。
このような基板によれば、「共通に用いられるマーク」の分だけ露光処理の総時間が短縮される。また、複数の露光領域の相互間に形成されたマークを利用して各露光領域の位置や変形などを確認することができるため、変形の生じやすいワークにおいても高い露光精度も保たれる。
このような基板によれば、「共通に用いられるマーク」の分だけ露光処理の総時間が短縮される。また、複数の露光領域の相互間に形成されたマークを利用して各露光領域の位置や変形などを確認することができるため、変形の生じやすいワークにおいても高い露光精度も保たれる。
また、前記基板において、前記マークは、前記基板を前記複数の露光領域の相互間で切断するための切断領域に設けられたものであることが好ましい。このようにすると、アライメントマークを各露光領域の近辺に配備することができるので、余分な配備スペースの発生を回避することができる。
さらに、上記課題を解決するために、本発明に係る露光方法の一態様は、露光の位置合わせ用として露光対象物上に形成されたマークを検出する検出過程と、前記検出過程で検出されたマークのうち、前記複数の露光領域の相互間に形成されたマークの少なくとも一部を該複数の露光領域について共通に用いて各露光領域における露光の位置合わせを行う位置合わせ過程と、前記位置合わせ過程によって位置合わせされた露光領域について露光する露光過程と、を経る。
このような露光方法によれば、位置合わせ過程で共通に用いられるマークの分だけ検出過程での検出時間が短縮されて露光処理の総時間が短縮される。また、位置合わせ過程では、共通に用いられるマークに基づいて位置や変形を確認してから位置合わせをすることができるため、変形の生じやすいワーク(露光対象物)においても高い露光精度が保たれる。
さらに、上記課題を解決するために、本発明に係る露光方法の一態様は、露光の位置合わせ用として露光対象物上に形成されたマークを検出する検出過程と、前記検出過程で検出されたマークのうち、前記複数の露光領域の相互間に形成されたマークの少なくとも一部を該複数の露光領域について共通に用いて各露光領域における露光の位置合わせを行う位置合わせ過程と、前記位置合わせ過程によって位置合わせされた露光領域について露光する露光過程と、を経る。
このような露光方法によれば、位置合わせ過程で共通に用いられるマークの分だけ検出過程での検出時間が短縮されて露光処理の総時間が短縮される。また、位置合わせ過程では、共通に用いられるマークに基づいて位置や変形を確認してから位置合わせをすることができるため、変形の生じやすいワーク(露光対象物)においても高い露光精度が保たれる。
本発明の露光装置、基板、および露光方法によれば、変形の生じやすいワークにおいても、高い露光精度を保ちつつ露光処理の総時間の短縮を図ることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態の露光装置100を示す概略構成図である。
露光装置100は、光照射部10とマスクステージ20と投影光学系30とワークステージ40とアライメント顕微鏡50と制御部60とを備えている。
光照射部10は内部に、光源であるランプや、ランプからの光を反射するミラーなどの光学部品を備えており、露光光Lを出射する。マスクステージ20はマスクMを保持するものである。マスクステージ20はマスクステージ駆動機構21によって駆動されてXY方向(X,Y:マスクステージ20面に平行で互いに直交する方向)に移動するとともに、XY平面に垂直な軸を中心としたθ方向に回転する。マスクMには、マスクパターンMPとマスク・アライメントマーク(以下、「マスクマーク」と称する。)MAMが形成されている。光照射部10から出射された露光光Lは、マスクMに照射される。
図1は、本実施形態の露光装置100を示す概略構成図である。
露光装置100は、光照射部10とマスクステージ20と投影光学系30とワークステージ40とアライメント顕微鏡50と制御部60とを備えている。
光照射部10は内部に、光源であるランプや、ランプからの光を反射するミラーなどの光学部品を備えており、露光光Lを出射する。マスクステージ20はマスクMを保持するものである。マスクステージ20はマスクステージ駆動機構21によって駆動されてXY方向(X,Y:マスクステージ20面に平行で互いに直交する方向)に移動するとともに、XY平面に垂直な軸を中心としたθ方向に回転する。マスクMには、マスクパターンMPとマスク・アライメントマーク(以下、「マスクマーク」と称する。)MAMが形成されている。光照射部10から出射された露光光Lは、マスクMに照射される。
投影光学系30には投影レンズと倍率変更機構が組み込まれており、ワークステージ40上に載置されたワークW上にマスクパターンMPおよびマスクマークMAMを投影する。投影光学系30による投影像は、投影系駆動機構31によって投影光学系30の投影レンズや倍率変更機構が駆動されることによって倍率が変更される。倍率変更機構としては、例えば特許第4419900号に記載の機構が採用されており、投影像の倍率は、縦横同率の変更の他、例えば縦方向や横方向の変更や特定の角度方向での変更なども可能である。
光照射部10とマスクステージ20と投影光学系30とを併せたものが、本発明に言う露光器の一例に相当する。
ワークステージ40は、ワークWを載置し、そのワークWを保持するものである。ワークステージ40は、ワークステージ駆動機構41によって駆動され、XY方向(X,Y:ワークステージ40面に平行で互いに直交する方向)に移動するとともに、XY平面に垂直な軸を中心としたθ方向に回転する。また、ワークステージ40の表面には、マスクマークMAMが投影される位置にミラー42が備えられている。このワークステージ40が、本発明の移動部の一例に相当する。
ワークステージ40は、ワークWを載置し、そのワークWを保持するものである。ワークステージ40は、ワークステージ駆動機構41によって駆動され、XY方向(X,Y:ワークステージ40面に平行で互いに直交する方向)に移動するとともに、XY平面に垂直な軸を中心としたθ方向に回転する。また、ワークステージ40の表面には、マスクマークMAMが投影される位置にミラー42が備えられている。このワークステージ40が、本発明の移動部の一例に相当する。
アライメント顕微鏡50は、ハーフミラー51、複数のレンズ52,53、およびCCDカメラ54を備え、マスクマークMAMの検出と、ワークW上に形成されたワーク・アライメントマーク(以下ワークマーク)WAMを検出するものである。マスクマークMAMの検出は、ワークステージ40のミラー42に反射された像を検出する。図1にはアライメント顕微鏡50が1つ示されているが、本実施形態では例えば4個備えられている。また、アライメント顕微鏡50は図中の矢印方向に移動可能で、必要に応じて投影光学系30とワークステージ40との間に進入し、退避する。アライメント顕微鏡50のCCDカメラ54により受像したマスクマークMAM像、ワークマークWAM像などは、制御部60に送られる。このアライメント顕微鏡50が、本発明の検出器の一例に相当する。
制御部60は露光装置100の全体的な制御を行うものであるが、図1には、アライメントに関する構成が図示されている。制御部60は、CCDカメラ54で受像した画像を処理する画像処理部61と、マスクマークMAMの位置座標情報などの各種パラメータを記憶する記憶部62と、ワークマークWAMの位置座標やマスクマークMAMの位置座標に基づいてマスクステージ20、投影光学系30、およびワークステージ40それぞれの駆動量を算出する演算部63と、マスクステージ駆動機構21、投影系駆動機構31、およびワークステージ駆動機構41に駆動を指示する駆動指示部64とを備える。この制御部60が、本発明にいう制御器の一例に相当する。
モニタ70は制御部60に接続され、画像処理部61で画像処理された画像がモニタ70の画面に表示される。
このような露光装置100による露光手順の説明に先立ち、ワークステージ40に載置されるワークWの一例である基板の例と比較例について説明する。この基板は、本発明の基板の一実施形態に相当する。
モニタ70は制御部60に接続され、画像処理部61で画像処理された画像がモニタ70の画面に表示される。
このような露光装置100による露光手順の説明に先立ち、ワークステージ40に載置されるワークWの一例である基板の例と比較例について説明する。この基板は、本発明の基板の一実施形態に相当する。
図2は、本実施形態の基板200を示す概略構成図である。
本実施形態の基板200は、複数(ここに示す例では例えば3×4=12個)の露光領域210を有しており、各露光領域210には複数(ここに示す例では例えば3×5=15個)の回路パターン220が形成される。また、各露光領域210の相互間には、横方向に延びる切断領域230と、縦方向に延びる切断領域240が設けられており、基板200がこれらの切断領域230,240で切断されることにより、各露光領域210が互いに切り離される。また、各露光領域210内の各回路パターン220も個々に切り離される。
本実施形態の基板200は、複数(ここに示す例では例えば3×4=12個)の露光領域210を有しており、各露光領域210には複数(ここに示す例では例えば3×5=15個)の回路パターン220が形成される。また、各露光領域210の相互間には、横方向に延びる切断領域230と、縦方向に延びる切断領域240が設けられており、基板200がこれらの切断領域230,240で切断されることにより、各露光領域210が互いに切り離される。また、各露光領域210内の各回路パターン220も個々に切り離される。
基板200には、各露光領域210の周囲にアライメントマーク250(即ち図1に示すワークマークWAM)が形成されている。アライメントマーク250は、基板200の四隅に位置する第1のマーク251と、基板200の四辺に位置する第2のマーク252と、基板200の内側に位置する第3のマーク253とを含む。本実施形態では、アライメントマークは20個形成されている。
アライメントマーク250のうち第1のマーク251は切断領域230,240に位置せず、第1のマーク251に最近接の1つの露光領域210における位置合わせにのみ用いられる。
アライメントマーク250のうち第2のマーク252は、縦方向および横方向の切断領域230,240のいずれか一方に位置し、第2のマーク252を間に挟んだ2つの露光領域210に共通して用いられる。
アライメントマーク250のうち第3のマーク253は、縦方向および横方向の切断領域230,240の交差箇所に位置し、その交差箇所の周囲に存在する4つの露光領域210に共通して用いられる。
アライメントマーク250のうち第2のマーク252は、縦方向および横方向の切断領域230,240のいずれか一方に位置し、第2のマーク252を間に挟んだ2つの露光領域210に共通して用いられる。
アライメントマーク250のうち第3のマーク253は、縦方向および横方向の切断領域230,240の交差箇所に位置し、その交差箇所の周囲に存在する4つの露光領域210に共通して用いられる。
図3は、比較例の基板を示す概略構成図である。
この図3に示す比較例の基板300は、図2に示す基板200と同様に例えば3×4=12個の露光領域210を有しているが、アライメントマーク250は各露光領域210に4つずつ形成され、合計で48個形成されている。
これらの基板200,300を用いた露光手順の一例について以下説明する。なお、以下の説明では、図2および図3に示す12個の露光領域210を区別するため、図の最上段について左上隅から右へと順に第1〜第4の露光領域と称し、図の中段について左から右へと順に第5〜第8の露光領域と称し、図の最下段について左下隅から右へと順に第9〜第12の露光領域と称する。また、アライメントマーク250の検出に際しては、上述したように露光装置100に備えられた4つのアライメント顕微鏡50によって露光領域210の4隅に位置するアライメントマーク250が一度に検出される。
この図3に示す比較例の基板300は、図2に示す基板200と同様に例えば3×4=12個の露光領域210を有しているが、アライメントマーク250は各露光領域210に4つずつ形成され、合計で48個形成されている。
これらの基板200,300を用いた露光手順の一例について以下説明する。なお、以下の説明では、図2および図3に示す12個の露光領域210を区別するため、図の最上段について左上隅から右へと順に第1〜第4の露光領域と称し、図の中段について左から右へと順に第5〜第8の露光領域と称し、図の最下段について左下隅から右へと順に第9〜第12の露光領域と称する。また、アライメントマーク250の検出に際しては、上述したように露光装置100に備えられた4つのアライメント顕微鏡50によって露光領域210の4隅に位置するアライメントマーク250が一度に検出される。
まず、比較例の基板300に対する露光手順について説明する。この露光手順では、図1に示す露光装置100の制御部60が比較例の基板300に応じた制御を行うものとする。
図4は、比較例の基板に対する露光手順を表すフローチャートである。
比較例の基板300に対する露光手順では、まず、上述したマスクマークMAMがアライメント顕微鏡50によって検出され、検出されたマスクマークMAMの像が画像処理部61によって処理されてマスクマークMAMの位置座標などが得られ、そのマスクマークMAMの位置座標情報が制御部60の記憶部62に記憶される(ステップS1)。
図4は、比較例の基板に対する露光手順を表すフローチャートである。
比較例の基板300に対する露光手順では、まず、上述したマスクマークMAMがアライメント顕微鏡50によって検出され、検出されたマスクマークMAMの像が画像処理部61によって処理されてマスクマークMAMの位置座標などが得られ、そのマスクマークMAMの位置座標情報が制御部60の記憶部62に記憶される(ステップS1)。
次に、基板300上の例えば第1の露光領域210についてアライメントと露光が行われる。即ち、第1の露光領域210の4隅に形成されているアライメントマーク250がアライメント顕微鏡50によって検出され(ステップS2)、検出されたアライメントマーク250の位置と、記憶部62に記憶されているマスクマークMAMの位置が所定の位置関係となる(例えば一致する)ように、演算部63で駆動量が算出される。
そして、算出された駆動量が駆動指示部64によってマスクステージ20、投影光学系30、およびワークステージ40それぞれに指示されて、露光領域210とマスクMとが位置合わせされ(ステップS3)、そのように位置合わせされた状態でマスクパターンMPが露光領域210に投影されて露光される(ステップS4)。その後、例えば第2の露光領域210から第12の露光領域210について順次に上記ステップS2〜ステップS4の手順が繰り返されて、比較例の基板300全体に対する露光が完了する。
以上説明した比較例における露光手順では、アライメントマーク250の検出が例えば4つのアライメント顕微鏡50により例えば12回必要となる。
以上説明した比較例における露光手順では、アライメントマーク250の検出が例えば4つのアライメント顕微鏡50により例えば12回必要となる。
次に、図2に示す本実施形態の基板200に対する露光手順を説明する。
図5は、本実施形態の基板に対する露光手順を表すフローチャートである。
本実施形態の基板200に対する露光手順でも、まず、上述したマスクマークMAMがアライメント顕微鏡50によって検出され、検出されたマスクマークMAMの像が画像処理部61によって処理されてマスクマークMAMの位置座標などが得られ、そのマスクマークMAMの位置座標情報が制御部60の記憶部62に記憶される(ステップS11)。
図5は、本実施形態の基板に対する露光手順を表すフローチャートである。
本実施形態の基板200に対する露光手順でも、まず、上述したマスクマークMAMがアライメント顕微鏡50によって検出され、検出されたマスクマークMAMの像が画像処理部61によって処理されてマスクマークMAMの位置座標などが得られ、そのマスクマークMAMの位置座標情報が制御部60の記憶部62に記憶される(ステップS11)。
次に、基板200上の全てのアライメントマーク250がアライメント顕微鏡50によって検出され、そのアライメントマーク250の位置座標情報も制御部60の記憶部62に記憶される(ステップS12)。本実施形態のように例えば4つのアライメント顕微鏡50が備えられている場合には、基板200上のアライメントマーク250の検出は、例えば基板200の左上に位置する第1の露光領域210の4隅のアライメントマーク250が最初に検出される。次に、例えば、第1の露光領域210の2つ右に位置する第3の露光領域210の4隅のアライメントマーク250が検出され、その次には、例えば、第3の露光領域210の1つ右に位置する第4の露光領域210の右側の2つのアライメントマーク250が検出される。
その次に、例えば基板200の右下に位置する第12の露光領域210の4隅のアライメントマーク250が検出される。そして、例えば、第12の露光領域210の2つ左に位置する第10の露光領域210の4隅のアライメントマーク250が検出され、最後に、例えば、基板200の左下に位置する第9の露光領域210の左側の2つのアライメントマーク250が検出される。
このように、図2に示す例の基板200では、図3に示す比較例の基板300と同様に12個の露光領域210が存在するが、アライメントマーク250の検出は、例えば4つのアライメント顕微鏡50により例えば6回の検出で終了するので検出に要する時間が比較例よりも短くて済む。
このようなアライメントマークの検出(ステップS12)が、本発明にいう検出過程の一例に相当する。
このように、図2に示す例の基板200では、図3に示す比較例の基板300と同様に12個の露光領域210が存在するが、アライメントマーク250の検出は、例えば4つのアライメント顕微鏡50により例えば6回の検出で終了するので検出に要する時間が比較例よりも短くて済む。
このようなアライメントマークの検出(ステップS12)が、本発明にいう検出過程の一例に相当する。
このように全てのアライメントマーク250の検出が終了したら、次に、露光領域210に対する位置合わせと露光が行われる。即ち、例えば上述したアライメントマーク250の検出直後には第9の露光領域210が投影光学系30による投影箇所に最も近いので、例えば第9の露光領域210の4隅のアライメントマーク250と上述したマスクマークMAMとが所定の位置関係となる(例えば一致する)ように、記憶部62に記憶されている位置座標情報に基づいて演算部63で駆動量が算出される。
その算出された駆動量が駆動指示部64によってマスクステージ20、投影光学系30、およびワークステージ40それぞれに指示されて、露光領域210とマスクMとが位置合わせされる(ステップS13)。そして、そのように位置合わせされた状態でマスクパターンMPが露光領域210に投影されて露光される(ステップS14)。露光領域210の例えば4隅に位置するアライメントマーク250の位置座標情報に基づいて位置合わせが行われるため、露光領域210の変形などにも対応した高精度の位置合わせと露光が実現する。ステップS13が本発明にいう位置合わせ過程の一例に相当し、ステップS14が、本発明にいう露光過程の一例に相当する。
このように例えば第9の露光領域210に対する位置合わせと露光が終了すると、その後、上述したステップS13,ステップS14の手順が繰り返されて、他の露光領域210についても位置合わせと露光が行われる。このとき、例えば第10の露光領域210に対する位置合わせでは、第9の露光領域210に対する位置合わせで用いられた4つのアライメントマーク250の位置座標情報のうち、第9の露光領域210と第10の露光領域210との相互間に位置する例えば2つのアライメントマーク250の位置座標情報が再び用いられて(即ちアライメントマーク250が共通に用いられて)位置合わせが行われる。露光領域210の相互間に位置するアライメントマーク250は一般に露光領域210の近辺に位置していて、いずれの露光領域210に対する位置合わせでも、露光領域210の近辺に位置する例えば4つのアライメントマーク250が用いられるため、いずれの露光領域210でも高精度の位置合わせと露光が実現する。
従って、図2に示す実施形態の基板200に対する露光手順では、高精度な位置合わせおよび露光を実現しつつ、ステップS12における検出時間が短いため、露光処理の総時間が短縮される。
従って、図2に示す実施形態の基板200に対する露光手順では、高精度な位置合わせおよび露光を実現しつつ、ステップS12における検出時間が短いため、露光処理の総時間が短縮される。
次に、図2に示す実施形態とは別の実施形態の基板について説明する。
図6は、別の実施形態の基板を示す概略構成図である。
図6に示す基板400にも、図2に示す基板200と同様に、例えば3×4=12個の露光領域210を有している。また、各露光領域210の相互間には、横方向に延びる切断領域230と、縦方向に延びる切断領域240が設けられており、各露光領域210の周囲にアライメントマーク250が形成されている。
図6に示す基板400の場合は、アライメントマーク250には、基板400の四隅に位置する第1のマーク251と、基板400の上辺と下辺に位置する第2のマーク252と、横方向に延びる切断領域230に位置する第3のマーク254が含まれていて、第3のマーク254については横方向に延びる切断領域230に沿って2列形成されているので、アライメントマーク250は合計で30個形成されている。
図6は、別の実施形態の基板を示す概略構成図である。
図6に示す基板400にも、図2に示す基板200と同様に、例えば3×4=12個の露光領域210を有している。また、各露光領域210の相互間には、横方向に延びる切断領域230と、縦方向に延びる切断領域240が設けられており、各露光領域210の周囲にアライメントマーク250が形成されている。
図6に示す基板400の場合は、アライメントマーク250には、基板400の四隅に位置する第1のマーク251と、基板400の上辺と下辺に位置する第2のマーク252と、横方向に延びる切断領域230に位置する第3のマーク254が含まれていて、第3のマーク254については横方向に延びる切断領域230に沿って2列形成されているので、アライメントマーク250は合計で30個形成されている。
図6に示す基板400に対する露光手順は、図2に示す基板200に対する露光手順とほぼ同様であるが、アライメントマーク250の数や配置が異なるため、アライメントマーク250の検出は、例えば4つのアライメント顕微鏡50により例えば9回の検出が必要となる。このような検出は、図2に示す実施形態の基板200における検出よりも時間を要するが、図3に示す比較例の基板300における検出よりも短時間となり、露光処理の総時間が短縮される。
また、第3のマーク254については、横方向に延びる切断領域230に沿って2列形成されており、縦方向に延びる切断領域240を挟んだ2つの露光領域210では、相互間に位置する第3のマーク254が位置合わせに際して共通に用いられるが、横方向に延びる切断領域230を挟んだ2つの露光領域210については、各々に近い列の第3のマーク254が用いられる。横方向に延びる切断領域230は縦方向に延びる切断領域240よりも幅が広いため、第3のマーク254が2列形成されて各列が別々の露光領域210の位置合わせに非共通に用いられることにより、位置合わせおよび露光の精度が図2に示す実施形態の基板200における位置合わせおよび露光の精度よりも高精度となる。
100…露光装置、10…光照射部、20…マスクステージ、30…投影光学系、
40…ワークステージ、50…アライメント顕微鏡、60…制御部、
200,400…基板、250…アライメントマーク、230,240…切断領域
40…ワークステージ、50…アライメント顕微鏡、60…制御部、
200,400…基板、250…アライメントマーク、230,240…切断領域
Claims (5)
- 露光対象物に光を照射して露光する露光器と、
前記露光器に対して前記露光対象物を相対的に移動させることで該露光対象物上の複数の露光領域を該露光器に露光させる移動器と、
前記移動器による移動の位置合わせ用として前記露光対象物上に形成されたマークを検出する検出器と、
前記検出器によって検出されたマークのうち、前記複数の露光領域の相互間に形成されたマークの少なくとも一部を、該複数の露光領域に共通したマークとして用いて、前記移動器による移動位置を制御する制御器と、
を備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記露光対象物は、前記露光器で露光された複数の露光領域の相互間に設けられた切断領域で切断されるものであり、
前記制御器は、前記検出器が前記切断領域で検出したマークを、該切断領域を挟んで位置する複数の露光領域に共通したマークとして用いるものであることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 複数の露光領域と、
露光の位置合わせ用として前記複数の露光領域の少なくとも相互間に形成され、該複数の露光領域それぞれの位置合わせに際して共通に用いられるマークと、
を備えたことを特徴とする基板。 - 前記マークは、前記基板を前記複数の露光領域の相互間で切断するための切断領域に設けられたものであることを特徴とする請求項3記載の基板。
- 露光の位置合わせ用として露光対象物上に形成されたマークを検出する検出過程と、
前記検出過程で検出されたマークのうち、前記複数の露光領域の相互間に形成されたマークの少なくとも一部を、該複数の露光領域について共通に用いて各露光領域における露光の位置合わせを行う位置合わせ過程と、
前記位置合わせ過程によって位置合わせされた露光領域について露光する露光過程と、
を経ることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015041543A JP2016161825A (ja) | 2015-03-03 | 2015-03-03 | 露光装置、基板、および露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015041543A JP2016161825A (ja) | 2015-03-03 | 2015-03-03 | 露光装置、基板、および露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016161825A true JP2016161825A (ja) | 2016-09-05 |
Family
ID=56846805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015041543A Pending JP2016161825A (ja) | 2015-03-03 | 2015-03-03 | 露光装置、基板、および露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016161825A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020202378A (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | エーティーアンドエス (チョンチン) カンパニー リミテッド | パッド型アラインメントマーカおよびホール型アラインメントマーカを組み合わせた評価によるコンポーネントキャリア構造の位置調整 |
-
2015
- 2015-03-03 JP JP2015041543A patent/JP2016161825A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020202378A (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | エーティーアンドエス (チョンチン) カンパニー リミテッド | パッド型アラインメントマーカおよびホール型アラインメントマーカを組み合わせた評価によるコンポーネントキャリア構造の位置調整 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI742247B (zh) | 雷射加工裝置 | |
US9870961B2 (en) | Wafer processing method | |
EP2184643A2 (en) | Exposure device | |
KR102192600B1 (ko) | 마킹 장치 및 패턴 생성 장치 | |
JP2010162559A (ja) | レーザ加工方法および加工装置並びに被加工物 | |
KR20110030293A (ko) | 워크 얼라인먼트 마크의 검출 방법 및 노광 장치 | |
KR102645397B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 방법, 칩 전사 장치 및 방법 | |
TWI704431B (zh) | 投影曝光裝置、投影曝光方法、投影曝光控制程式、以及曝光用光罩 | |
WO2012148117A2 (ko) | 레이저 분할빔을 이용한 선택적 박막 제거장치 | |
JP2019086709A (ja) | 露光システム、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
EP3485515A1 (en) | Micro led array as illumination source | |
KR20130098838A (ko) | 레이저 가공 장치, 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 프로그램을 기록한 컴퓨터가 판독 가능한 기록 매체 | |
JP2016161825A (ja) | 露光装置、基板、および露光方法 | |
KR20120006988A (ko) | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 | |
WO2016147977A1 (ja) | 描画装置 | |
JP2006315085A (ja) | レーザ加工装置 | |
KR102375197B1 (ko) | 노광 장치 및 노광 방법 | |
JP7088771B2 (ja) | アライメント方法 | |
JP2009302154A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
TW201637762A (zh) | 標記裝置及方法、圖案產生裝置、以及被加工物 | |
KR100922203B1 (ko) | 레이저 디렉트 이미징 시스템용 상하부 노광 엔진의위치정렬방법 및 장치 | |
TWI825895B (zh) | 用於微影蝕刻處理之多攝影機設備 | |
KR20120038086A (ko) | 웨이퍼 스테이지 정렬 방법, 이 방법을 수행하기 위한 장치, 및 이 장치를 포함하는 노광 장치 | |
US20070293032A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
KR101584900B1 (ko) | 듀얼헤드 노광시스템 및 이를 이용한 노광방법 |