JP2016153732A - Moisture content detection unit, and moisture content detection method - Google Patents

Moisture content detection unit, and moisture content detection method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a moisture content detection unit with which it is possible to improve the reliability of sensitivity of detecting a moisture content included in a gas.SOLUTION: The moisture content detection unit includes a moisture detection part 23 including a porous metal complex layer 23-2 that comprises a filter 23-1 having light permeability and a porous metal complex covering one surface 23-1a of the filter 23-1, to which is supplied a gas containing moisture. The porous metal complex contains a metal and an organic ligand coordinated with the metal, the organic ligand including a structure of one of trimesic acid, terephthalic acid, imidazole, 1,3,5-tris(4-carboxyphenyl)benzene, 1,2,4,5-tetrakis(4-carboxyphenyl)benzene, and 2-hydroxyterephthalic acid.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ガス中に含まれる水分を検出する水分濃度検出ユニット、及び該水分濃度検出ユニットを用いた水分濃度検出方法に関する。   The present invention relates to a moisture concentration detection unit for detecting moisture contained in a gas, and a moisture concentration detection method using the moisture concentration detection unit.

一般的に、窒素やアルゴン等の工業ガスの製造プロセスでは、該工業ガスの品質を確保する上で、該工業ガスの純度を管理することが重要となる。
窒素やアルゴン等の工業ガスは、乾燥空気を原料とし、精留分離プロセスにより製造する。このため、従来、製造プロセスの不具合を監視する目的で、製造された工業ガス中に含まれる水分の濃度を測定することが行われている。
また、精留分離後の製品工業ガスにおいても、外気から水分等の不純物が混入する可能性があるため、ガスの純度を管理する上で、水分の濃度をモニターすることは極めて重要となる。
Generally, in the manufacturing process of industrial gases such as nitrogen and argon, it is important to manage the purity of the industrial gas in order to ensure the quality of the industrial gas.
Industrial gases such as nitrogen and argon are produced by a rectification separation process using dry air as a raw material. For this reason, conventionally, for the purpose of monitoring defects in the manufacturing process, the concentration of water contained in the manufactured industrial gas has been measured.
Further, in the product industrial gas after rectification separation, impurities such as moisture may be mixed from the outside air. Therefore, it is extremely important to monitor the concentration of moisture in managing the purity of the gas.

例えば、半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造装置では、プロセスの系内に残留する水分を除去するために、大量の不活性ガスを用いた置換処理が必要となる。
上記置換処理時には、プロセスの系内の水分濃度を適切に管理することで、過剰な不活性ガスの浪費を防ぐことが可能となる。
For example, in a semiconductor device manufacturing apparatus that manufactures semiconductor devices, a replacement process using a large amount of inert gas is required to remove moisture remaining in the process system.
During the replacement process, it is possible to prevent waste of excess inert gas by appropriately managing the water concentration in the process system.

従来の湿度検出センサとして、例えば、特許文献1に開示された湿度検出センサ(静電容量センサ)がある。
特許文献1には、一対の電極、及び一対の電極間に配置された高分子膜よりなるセンサ本体が、基板に厚さ方向に貫通する少なくとも1個の貫通孔を有する基板の片面に配置された湿度検出センサが開示されている。
また、特許文献1には、一対の電極の材料として、金属等の導電材料を用いることや、高分子膜の材料として、電気絶縁性及び乾湿特性を有する有機高分子材料を用いることが開示されている。
As a conventional humidity detection sensor, for example, there is a humidity detection sensor (capacitance sensor) disclosed in Patent Document 1.
In Patent Document 1, a sensor body composed of a pair of electrodes and a polymer film disposed between the pair of electrodes is disposed on one surface of a substrate having at least one through-hole penetrating the substrate in the thickness direction. A humidity detection sensor is disclosed.
Patent Document 1 discloses that a conductive material such as a metal is used as the material for the pair of electrodes, and an organic polymer material having electrical insulation and wet / dry characteristics is used as the material for the polymer film. ing.

特開2002−328110号公報JP 2002-328110 A

しかしながら、特許文献1に開示された湿度検出センサは、吸湿性の高い高分子膜を用いているため、例えば、試料を高濃度(例えば、100ppm以上)の水分含有ガスから低濃度(例えば、10ppb以下)の水分含有ガスに切り替えた場合において、センサ本体に吸着した高濃度の水分を速やかに脱離させることが困難であった。     However, since the humidity detection sensor disclosed in Patent Document 1 uses a highly hygroscopic polymer film, for example, a sample is changed from a high concentration (for example, 100 ppm or more) moisture-containing gas to a low concentration (for example, 10 ppb). In the case of switching to the moisture-containing gas described below, it was difficult to quickly desorb the high-concentration moisture adsorbed on the sensor body.

このため、湿度検出センサの指示値が、現在測定中の水分含有ガスの水分濃度に対応する値になるまでに多くの時間を要し(言い換えれば、応答速度が遅いため)、その結果、水分濃度の検出感度の信頼性が低下してしまうという問題があった。   For this reason, it takes a long time for the indicated value of the humidity detection sensor to become a value corresponding to the moisture concentration of the moisture-containing gas currently being measured (in other words, because the response speed is slow). There was a problem that the reliability of density detection sensitivity was lowered.

そこで、本発明は、ガス中に含まれる水分濃度の検出感度の信頼性を向上させることの可能な水分濃度検出ユニット、及び水分濃度検出方法を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a moisture concentration detection unit and a moisture concentration detection method capable of improving the reliability of detection sensitivity of moisture concentration contained in gas.

上記課題を解決するため、請求項1に係る発明によれば、ガス中に含まれる水分の濃度を検出する水分濃度検出ユニットであって、光透過性を有するフィルタ、及び該フィルタの一面を覆う多孔性金属錯体よりなる多孔性金属錯体層を含む水分検出部と、前記フィルタの一面と接触する面とは反対側に位置する前記多孔性金属錯体層の一面に、特定波長の光を照射する光源と、前記多孔性金属錯体層の一面に、前記ガスを供給するガス供給用経路と、前記水分検出部を介して、前記光源と対向するように配置され、前記光源から照射され、かつ前記水分検出部を透過した透過光を受光し、該透過光の強度に応じた電圧を発生させる受光部と、前記電圧を計測する電圧計測部と、を有し、前記多孔性金属錯体は、金属、及び該金属と配位結合する有機配位子を含み、前記有機配位子は、下記一般式(1)〜(6)で示されるいずれかの構造を含むことを特徴とする水分濃度検出ユニットが提供される。   In order to solve the above-mentioned problem, according to the first aspect of the present invention, there is provided a moisture concentration detection unit for detecting the concentration of moisture contained in a gas, and covers a light-transmitting filter and one surface of the filter. Irradiate light of a specific wavelength onto one surface of the porous metal complex layer located on the opposite side of the surface that contacts the one surface of the filter and the surface of the filter that includes a porous metal complex layer made of a porous metal complex. A light source, a gas supply path for supplying the gas to one surface of the porous metal complex layer, and the moisture detection unit are arranged to face the light source, irradiated from the light source, and A light-receiving unit that receives the transmitted light that has passed through the moisture detection unit and generates a voltage corresponding to the intensity of the transmitted light; and a voltage-measuring unit that measures the voltage. And coordinate bond with the metal It comprises an organic ligand, wherein the organic ligand, water concentration detection unit is provided, which comprises any of the structures represented by the following general formula (1) to (6).

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また、請求項2に係る発明によれば、前記金属は、CuまたはCoであることを特徴とする請求項1記載の水分濃度検出ユニットが提供される。   Moreover, according to the invention which concerns on Claim 2, the said metal is Cu or Co, The moisture concentration detection unit of Claim 1 characterized by the above-mentioned is provided.

また、請求項3に係る発明によれば、前記多孔性金属錯体は、銅ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシレートであることを特徴とする請求項1または2記載の水分濃度検出ユニットが提供される。   According to the invention of claim 3, the moisture concentration detection unit according to claim 1 or 2, wherein the porous metal complex is copper benzene-1,3,5-tricarboxylate. Provided.

また、請求項4に係る発明によれば、前記光源から照射される前記光の波長は、350nm以上650nm以下であることを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか1項記載の水分濃度検出ユニットが提供される。   Moreover, according to the invention which concerns on Claim 4, the wavelength of the said light irradiated from the said light source is 350 nm or more and 650 nm or less, The moisture of any one of Claims 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. A concentration detection unit is provided.

また、請求項5に係る発明によれば、請求項1ないし4のうち、いずれか1項記載の水分濃度検知ユニットを用いた水分濃度検出方法であって、前記光源を用いて、前記多孔性金属錯体層の一面に、前記特定波長の光を照射する工程と、前記光の照射を継続させた状態で、前記多孔性金属錯体層の一面に、前記水分を含んだ前記ガスを供給する工程と、前記受光部により、前記特定波長の光のうち、前記水分検出部を透過した前記透過光を受光するとともに、該透過光の強度に応じた電圧を発生させる工程と、前記電圧計測部により前記電圧を計測する工程と、を含むことを特徴とする水分濃度検出方法が提供される。   Moreover, according to the invention which concerns on Claim 5, it is a moisture concentration detection method using the moisture concentration detection unit of any one of Claims 1 thru | or 4, Comprising: The said light source is used, The said porosity A step of irradiating one surface of the metal complex layer with the light of the specific wavelength, and a step of supplying the gas containing moisture to the one surface of the porous metal complex layer in a state where the irradiation of the light is continued. A step of receiving the transmitted light transmitted through the moisture detection unit out of the light of the specific wavelength by the light receiving unit, and generating a voltage according to the intensity of the transmitted light, and the voltage measuring unit And a step of measuring the voltage.

本発明によれば、ガス中に含まれる水分濃度の検出感度の信頼性を向上させることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the reliability of the detection sensitivity of the moisture concentration contained in gas can be improved.

本発明の実施の形態に係る水分濃度検出ユニットの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the moisture concentration detection unit which concerns on embodiment of this invention. 試料ガスに含まれる水分濃度と受光部の電圧出力値との関係を示す検量線のグラフである。It is a graph of the calibration curve which shows the relationship between the moisture concentration contained in sample gas, and the voltage output value of a light-receiving part. ガスの供給開始からの経過時間と受光部の電圧出力値との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the elapsed time from the supply start of gas, and the voltage output value of a light-receiving part. 多孔性金属錯体層に照射する光の波長と受光部の電圧出力値との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the wavelength of the light irradiated to a porous metal complex layer, and the voltage output value of a light-receiving part.

以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の水分濃度検出ユニットの寸法関係とは異なる場合がある。   Embodiments to which the present invention is applied will be described below in detail with reference to the drawings. The drawings used in the following description are for explaining the configuration of the embodiment of the present invention, and the size, thickness, dimensions, etc. of each part shown in the figure are the dimensional relationships of the actual moisture concentration detection unit. May be different.

(実施の形態)
図1は、本発明の実施の形態に係る水分濃度検出ユニットの概略構成を示す断面図である。
図1を参照するに、本実施の形態の水分濃度検出ユニット10は、光源11と、光源位置規制部材13と、電源14と、第1の光ファイバ16と、ガス経路内蔵部材18と、ガス供給管21と、水分検出部23と、シール部材24と、水分検出部固定部材26と、第2の光ファイバ28と、受光部固定部材31と、受光部33と、電圧計測部35と、水分濃度算出部36と、を有する。
(Embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a moisture concentration detection unit according to an embodiment of the present invention.
Referring to FIG. 1, a moisture concentration detection unit 10 of the present embodiment includes a light source 11, a light source position regulating member 13, a power source 14, a first optical fiber 16, a gas path built-in member 18, and a gas. A supply pipe 21, a moisture detector 23, a seal member 24, a moisture detector fixing member 26, a second optical fiber 28, a light receiver fixing member 31, a light receiver 33, a voltage measuring unit 35, A water concentration calculation unit 36.

光源11は、第1の光ファイバ16を介して、水分検出部23に特定波長の光を照射する。光源11としては、照射する光の波長を可変なものを用いるとよい。光源11としては、例えば、LEDランプを用いることができる。
多孔性金属錯体層23−2の材料として、例えば、銅ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシレートを用いる場合、光源11が照射する光の波長(特定波長)は、例えば、350nm以上650nm以下の範囲内にするとよい。
The light source 11 irradiates the moisture detection unit 23 with light having a specific wavelength via the first optical fiber 16. As the light source 11, a light source having a variable wavelength of light to be irradiated may be used. As the light source 11, for example, an LED lamp can be used.
For example, when copper benzene-1,3,5-tricarboxylate is used as the material of the porous metal complex layer 23-2, the wavelength of light emitted from the light source 11 (specific wavelength) is, for example, 350 nm or more and 650 nm or less. It is better to be within the range.

光源11が照射する光の波長が350nm未満であると、光源11から照射され、水分検出部23を透過した透過光の強度を受光部33が受光した際、電圧を発生させることが困難となる可能性がある。
また、光源11が照射する光の波長が650nmよりも大きくなると、光源11から照射され、水分検出部23を透過した透過光の強度を受光部33が受光した際、電圧を発生させることが困難となる可能性がある。
したがって、光源11が照射する光の波長は、例えば、350nm以上650nm以下の範囲内にすることで、受光部33が透過光の強度に応じた電圧を出力することが可能となるので、受光部33が出力する電圧値(電圧出力値)を用いて、ガスに含まれる水分濃度を算出することができる。
When the wavelength of the light emitted from the light source 11 is less than 350 nm, it is difficult to generate a voltage when the light receiving unit 33 receives the intensity of the transmitted light that is emitted from the light source 11 and transmitted through the moisture detection unit 23. there is a possibility.
Further, when the wavelength of light emitted from the light source 11 becomes larger than 650 nm, it is difficult to generate a voltage when the light receiving unit 33 receives the intensity of transmitted light that is emitted from the light source 11 and transmitted through the moisture detecting unit 23. There is a possibility.
Accordingly, by setting the wavelength of the light emitted from the light source 11 within the range of 350 nm to 650 nm, for example, the light receiving unit 33 can output a voltage corresponding to the intensity of the transmitted light. The moisture concentration contained in the gas can be calculated using the voltage value (voltage output value) output by 33.

また、上記銅ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシレートを用いる場合、光源11が照射する光の波長は、例えば、450nm以上550nm以下がより好ましい。光源11が照射する光の波長を450nm以上550nm以下の範囲内とすることで、ガスに含まれる水分濃度をより精度良く算出することができる。   Moreover, when using the said copper benzene-1,3,5-tricarboxylate, as for the wavelength of the light which the light source 11 irradiates, 450 nm or more and 550 nm or less are more preferable, for example. By setting the wavelength of the light emitted from the light source 11 within the range of 450 nm or more and 550 nm or less, the moisture concentration contained in the gas can be calculated with higher accuracy.

光源位置規制部材13は、第1の光ファイバ16の他端16Bよりも下方に配置されている。光源位置規制部材13は、固定用金具(図示せず)を介して、第1の光ファイバ16の他端16Bを固定している。
光源位置規制部材13は、光源11の外形に対応した貫通部13Aを有する。貫通部13Aは、光源位置規制部材13の中央部に設けられている。貫通部13Aは、光源11が水分検出部23に特定波長の光を照射可能な状態で、光源11の位置を規制している。光源11は、光源位置規制部材13の貫通部13Aに固定されている。
電源14は、光源11のプラス端子11A及びマイナス端子11Bと電気的に接続されている。電源14から電力が供給された際、光源11は、特定波長の光を照射する。
The light source position restricting member 13 is disposed below the other end 16 </ b> B of the first optical fiber 16. The light source position restricting member 13 fixes the other end 16 </ b> B of the first optical fiber 16 via a fixing bracket (not shown).
The light source position restricting member 13 has a penetrating portion 13 </ b> A corresponding to the outer shape of the light source 11. The penetrating portion 13 </ b> A is provided at the center of the light source position regulating member 13. 13 A of penetration parts are regulating the position of the light source 11 in the state in which the light source 11 can irradiate the moisture detection part 23 with the light of a specific wavelength. The light source 11 is fixed to the penetrating portion 13 </ b> A of the light source position regulating member 13.
The power source 14 is electrically connected to the plus terminal 11A and the minus terminal 11B of the light source 11. When power is supplied from the power source 14, the light source 11 emits light of a specific wavelength.

第1の光ファイバ16は、その一端16Aが水分検出部23を構成する多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aと対向するように配置され、他端16Bが光源11と対向するように配置されている。
第1の光ファイバ16は、所定の方向(水分検出部23から光源11に向かう方向)に延在している。第1の光ファイバ16は、第1の部分38と、第2の部分39と、を有する。第1及び第2の部分38,39は、第1の光ファイバ16の延在方向と同じ方向に延在している。
The first optical fiber 16 is arranged so that one end 16 </ b> A faces the one surface 23-2 a of the porous metal complex layer 23-2 constituting the moisture detection unit 23, and the other end 16 </ b> B faces the light source 11. Is arranged.
The first optical fiber 16 extends in a predetermined direction (a direction from the moisture detection unit 23 toward the light source 11). The first optical fiber 16 has a first portion 38 and a second portion 39. The first and second portions 38 and 39 extend in the same direction as the extending direction of the first optical fiber 16.

第1の部分38は、円柱形状とされたコア部16−1のみで構成されている。第1の部分38は、第1の光ファイバ16の延在方向に設けられた挿入穴42、及び多孔性金属錯体層露出部45に配置されている。
第2の部分39は、コア部16−1と、コア部16−1の側面を覆うクラッド部16−2と、で構成されている。第2の部分39は、その一部が挿入穴42に配置されており、残りの部分がガス経路内蔵部材18の下方に配置されている。第1及び第2の部分38,39を構成するコア部16−1は、一体とされている。
The 1st part 38 is comprised only by the core part 16-1 made into the column shape. The first portion 38 is disposed in the insertion hole 42 provided in the extending direction of the first optical fiber 16 and the porous metal complex layer exposed portion 45.
The 2nd part 39 is comprised by the core part 16-1 and the clad part 16-2 which covers the side surface of the core part 16-1. A part of the second portion 39 is disposed in the insertion hole 42, and the remaining portion is disposed below the gas path built-in member 18. The core part 16-1 which comprises the 1st and 2nd parts 38 and 39 is united.

第1の光ファイバ16の一端16Aは、コア部16−1のみで構成されており、第1の光ファイバ16の他端16Bは、コア部16−1及びクラッド部16−2で構成されている。
第1の光ファイバ16の一端16Aは、ガス経路内蔵部材18の上面に対して面一とされている。第1の光ファイバ16の他端16Bを構成するコア部16−1は、光源11と対向するように配置されている。
第1の光ファイバ16の他端16Bを構成するクラッド部16−2は、光源位置規制部材13の上面に固定されている。
One end 16A of the first optical fiber 16 is composed of only the core portion 16-1, and the other end 16B of the first optical fiber 16 is composed of the core portion 16-1 and the cladding portion 16-2. Yes.
One end 16 </ b> A of the first optical fiber 16 is flush with the upper surface of the gas path built-in member 18. The core portion 16-1 constituting the other end 16 </ b> B of the first optical fiber 16 is disposed so as to face the light source 11.
The clad portion 16-2 constituting the other end 16 </ b> B of the first optical fiber 16 is fixed to the upper surface of the light source position regulating member 13.

第1の光ファイバ16を構成するコア部16−1は、光源11が照射する特定波長の光を伝送するとともに、伝送した該光を多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに照射する。
第1の光ファイバ16を構成するコア部16−1の直径は、例えば、0.5mm〜3mmの範囲内で適宜設定することができる。この場合、クラッド部16−2の厚さは、例えば、1mm〜3mmの範囲内で適宜設定することができる。
The core portion 16-1 constituting the first optical fiber 16 transmits light of a specific wavelength irradiated by the light source 11, and irradiates the surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2 with the transmitted light. To do.
The diameter of the core part 16-1 which comprises the 1st optical fiber 16 can be suitably set within the range of 0.5 mm-3 mm, for example. In this case, the thickness of the cladding part 16-2 can be appropriately set within a range of 1 mm to 3 mm, for example.

このように、一端16Aが水分検出部23を構成する多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aと対向するように配置され、他端16Bが光源11と対向するように配置された第1の光ファイバ16を設けることで、光源11が照射した光を多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに効率良く照射させることができる。   As described above, the first end 16A is disposed so as to face the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2 constituting the moisture detection unit 23, and the other end 16B is disposed so as to face the light source 11. By providing the one optical fiber 16, the light irradiated by the light source 11 can be efficiently irradiated onto the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2.

ガス経路内蔵部材18は、部材本体41と、挿入穴42と、ガス供給用経路43と、多孔性金属錯体層露出部45と、ガス排出用経路46と、を有する。
部材本体41は、柱状とされた部材である。部材本体41の一面には、シール部材24を介して、水分検出部23が配置されている。部材本体41の材料としては、例えば、ステンレス等を用いることができる。
The gas path built-in member 18 includes a member main body 41, an insertion hole 42, a gas supply path 43, a porous metal complex layer exposed portion 45, and a gas discharge path 46.
The member body 41 is a columnar member. On one surface of the member main body 41, the moisture detection unit 23 is disposed via the seal member 24. As a material of the member main body 41, for example, stainless steel or the like can be used.

挿入穴42は、部材本体41の下端側から部材本体41の中心に延在するように配置された穴である。挿入穴42の一端は、部材本体41の下端から露出されている。
挿入穴42は、第1の光ファイバ16の延在方向と同じ方向に延在している。挿入穴42には、第1及び第2の部分38,39の一部が挿入されている。挿入穴42は、第2の部分39の位置を規制している。挿入穴42の直径は、例えば、第2の部分39の直径と等しくなるように構成することができる。
The insertion hole 42 is a hole arranged so as to extend from the lower end side of the member main body 41 to the center of the member main body 41. One end of the insertion hole 42 is exposed from the lower end of the member main body 41.
The insertion hole 42 extends in the same direction as the extending direction of the first optical fiber 16. Part of the first and second portions 38 and 39 is inserted into the insertion hole 42. The insertion hole 42 restricts the position of the second portion 39. The diameter of the insertion hole 42 can be configured to be equal to the diameter of the second portion 39, for example.

ガス供給用経路43は、挿入穴42の外側に位置する部材本体41の下部を貫通し、かつ挿入穴42と交差するように配置されている。ガス供給用経路43は、挿入穴42と一体とされている。ガス供給用経路43は、挿入穴42に挿入された第1の光ファイバ16のうち、第1の部分38(言い換えれば、挿入穴42よりも縮径されたコア部16−1)を露出している。
ガス供給用経路43には、水分を含んだガスが供給される。そして、ガス供給用経路43に供給された該ガスは、第1の部分38の延在方向に案内されることで、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに供給される。
The gas supply path 43 passes through the lower part of the member main body 41 located outside the insertion hole 42 and is disposed so as to intersect the insertion hole 42. The gas supply path 43 is integrated with the insertion hole 42. The gas supply path 43 exposes the first portion 38 of the first optical fiber 16 inserted into the insertion hole 42 (in other words, the core portion 16-1 having a diameter smaller than that of the insertion hole 42). ing.
A gas containing moisture is supplied to the gas supply path 43. The gas supplied to the gas supply path 43 is supplied to the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2 by being guided in the extending direction of the first portion 38.

多孔性金属錯体層露出部45は、挿入穴42上に位置する部材本体41を貫通するように設けられた凹部である。多孔性金属錯体層露出部45の上端は、部材本体41の上面から露出されている。
多孔性金属錯体層露出部45は、挿入穴42の上端と一体に構成されている。多孔性金属錯体層露出部45は、挿入穴42よりも幅広形状とされている。多孔性金属錯体層露出部45は、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aと対向するように配置されている。
The porous metal complex layer exposed portion 45 is a recess provided so as to penetrate the member main body 41 located on the insertion hole 42. The upper end of the porous metal complex layer exposed portion 45 is exposed from the upper surface of the member main body 41.
The porous metal complex layer exposed portion 45 is configured integrally with the upper end of the insertion hole 42. The porous metal complex layer exposed portion 45 is formed wider than the insertion hole 42. The porous metal complex layer exposed portion 45 is disposed so as to face the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2.

ガス排出用経路46は、多孔性金属錯体層露出部45の外側に位置する部材本体41の上部を貫通し、かつ多孔性金属錯体層露出部45と交差するように設けられている。
ガス排出用経路46は、多孔性金属錯体層露出部45と一体とされている。ガス排出用経路46は、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに供給されたガスを、多孔性金属錯体層露出部45を介して、ガス経路内蔵部材18の外側に排出するための経路である。
The gas discharge path 46 is provided so as to pass through the upper part of the member main body 41 located outside the porous metal complex layer exposed portion 45 and intersect the porous metal complex layer exposed portion 45.
The gas discharge path 46 is integrated with the porous metal complex layer exposed portion 45. The gas discharge path 46 discharges the gas supplied to the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2 to the outside of the gas path built-in member 18 through the porous metal complex layer exposed portion 45. This is the route.

ガス供給管21は、第1の部分38との間に隙間を介在させることの可能な大きさとされた管状部材である。ガス供給管21は、第2の部分39よりも上方に位置する挿入部42、及び多孔性金属錯体層露出部45に配置されている。
ガス供給管21は、挿入穴42と略同じ外径とされており、挿入部42に固定されている。ガス供給管21は、第1の部分38を収容している。ガス供給管21の上端は、部材本体41の上面に対して面一とされている。
The gas supply pipe 21 is a tubular member having a size capable of interposing a gap with the first portion 38. The gas supply pipe 21 is disposed in the insertion portion 42 located above the second portion 39 and the porous metal complex layer exposed portion 45.
The gas supply pipe 21 has substantially the same outer diameter as the insertion hole 42 and is fixed to the insertion portion 42. The gas supply pipe 21 accommodates the first portion 38. The upper end of the gas supply pipe 21 is flush with the upper surface of the member main body 41.

ガス供給管21と第1の部分38との間には、第1の部分38の延在方向に延在する環状空間51が形成されている。ガス供給管21は、ガス供給用経路43と対向する部分に切欠き部21Aを有する。
切欠き部21Aは、ガス供給用経路43に供給された水分を含むガスを環状空間51にっ導くための導入部として機能する。また、環状空間51は、ガス供給用経路43に供給されたガスを、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに案内する経路として機能する。
An annular space 51 extending in the extending direction of the first portion 38 is formed between the gas supply pipe 21 and the first portion 38. The gas supply pipe 21 has a notch 21 </ b> A at a portion facing the gas supply path 43.
The cutout portion 21 </ b> A functions as an introduction portion for guiding the gas containing moisture supplied to the gas supply path 43 to the annular space 51. The annular space 51 functions as a path for guiding the gas supplied to the gas supply path 43 to the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2.

第1の部分38の直径が2mmの場合、ガス供給管21の内径としては、例えば、3mmとすることができる。
ガス供給管21としては、例えば、ステンレス製のチューブを用いることができる。
When the diameter of the first portion 38 is 2 mm, the inner diameter of the gas supply pipe 21 can be set to 3 mm, for example.
As the gas supply pipe 21, for example, a stainless steel tube can be used.

水分検出部23は、フィルタ23−1と、多孔性金属錯体層23−2と、を有する。水分検出部23は、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aが第1の光ファイバ16の一端16A及び多孔性金属錯体層露出部45と対向するとともに、シール部材24を介して、部材本体41の上面(言い換えれば、ガス経路内蔵部材18の上面)に押圧されるように配置されている。   The moisture detection unit 23 includes a filter 23-1 and a porous metal complex layer 23-2. The moisture detector 23 has one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2 facing the one end 16A of the first optical fiber 16 and the porous metal complex layer exposed portion 45, and via the seal member 24. It arrange | positions so that it may press on the upper surface of the member main body 41 (in other words, the upper surface of the gas path | route built-in member 18).

フィルタ23−1は、多孔性金属錯体層23−2が配置される一面23−1aを有する。フィルタ23−1の一面23−1aは、第1の光ファイバ16の一端16A及び多孔性金属錯体層露出部45と対向するように配置されている。フィルタ23−1は、光透過性を有する材料で構成されている。
フィルタ23−1としては、例えば、波長が100nm〜1000nmの光を20%以上透過させるものを用いることができる。
フィルタ23−1としては、例えば、テフロン(登録商標)製メッシュを用いることができる。
フィルタ23−1としてテフロン(登録商標)製メッシュを用いる場合、フィルタ23−1の厚さは、例えば、0.1mm〜3mmの範囲内で適宜設定することができる。
The filter 23-1 has one surface 23-1a on which the porous metal complex layer 23-2 is disposed. One surface 23-1a of the filter 23-1 is disposed so as to face the one end 16A of the first optical fiber 16 and the porous metal complex layer exposed portion 45. The filter 23-1 is made of a light transmissive material.
As the filter 23-1, for example, a filter that transmits 20% or more of light having a wavelength of 100 nm to 1000 nm can be used.
As the filter 23-1, for example, a Teflon (registered trademark) mesh can be used.
When a Teflon (registered trademark) mesh is used as the filter 23-1, the thickness of the filter 23-1 can be appropriately set within a range of 0.1 mm to 3 mm, for example.

多孔性金属錯体層23−2は、フィルタ23−1の一面23−1aを覆うように配置されている。多孔性金属錯体層23−2は、多孔性金属錯体(以下、「多孔性金属錯体A」という)で構成されている。
多孔性金属錯体Aは、金属有機構造体(MOF:Metal Organic Frameworks)であり、金属(以下、「金属B」という)と有機配位子(以下、「有機配位子D」という)とを含む。該金属有機構造体では、金属Bと有機配位子D(有機リガンド)とが相互作用することで、活性炭やゼオライトをはるかに超える高表面積を持つ多孔質の配位ネットワーク構造を有する。
The porous metal complex layer 23-2 is disposed so as to cover the one surface 23-1a of the filter 23-1. The porous metal complex layer 23-2 is composed of a porous metal complex (hereinafter referred to as “porous metal complex A”).
The porous metal complex A is a metal organic structure (MOF: Metal Organic Frameworks), and includes a metal (hereinafter referred to as “metal B”) and an organic ligand (hereinafter referred to as “organic ligand D”). Including. The metal organic structure has a porous coordination network structure having a high surface area far exceeding that of activated carbon or zeolite by the interaction of metal B and organic ligand D (organic ligand).

金属B及び有機配位子Dは、架橋構造であるため、高いガス吸脱着性能を有する。また、該架橋構造により構成された骨格には、数nm〜数十nm程度の隙間が存在しており、当該隙間にガス分子が取り込まれる。
したがって、上記金属有機構造体を用いることで、上記隙間において、可逆的なガス分子の吸脱着を短時間で繰り返すことが可能となる。
Since the metal B and the organic ligand D have a crosslinked structure, they have high gas adsorption / desorption performance. In addition, a gap of several nm to several tens of nm exists in the skeleton formed by the crosslinked structure, and gas molecules are taken into the gap.
Therefore, by using the metal organic structure, it is possible to repeat reversible adsorption / desorption of gas molecules in the gap in a short time.

有機配位子Dとしては、下記一般式(7)に示す構造とされたトリメシン酸、下記一般式(8)に示す構造とされたテレフタル酸、下記一般式(9)に示す構造とされたイミダゾール、下記一般式(10)に示す構造とされた1,3,5-トリス(4-カルボキシフェニル)ベンゼン、下記一般式(11)に示す構造とされた1,2,4,5-テトラキス(4-カルボキシフェニル)ベンゼン、及び下記一般式(12)に示す構造とされた2-ヒドロキシテレフタル酸のうち、いずれかを含むものを用いるとよい。   The organic ligand D was trimesic acid having a structure represented by the following general formula (7), terephthalic acid having a structure represented by the following general formula (8), and a structure represented by the following general formula (9). Imidazole, 1,3,5-tris (4-carboxyphenyl) benzene having a structure represented by the following general formula (10), 1,2,4,5-tetrakis having a structure represented by the following general formula (11) It is preferable to use any of (4-carboxyphenyl) benzene and 2-hydroxyterephthalic acid having a structure represented by the following general formula (12).

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上記一般式(7)〜(12)で示されるいずれかの構造を含む有機配位子Dを用いることで、構造内に多数の空隙が生じるため、水分の吸脱着の容易な金属有機構造体を作製することができる。
ベンゼン環にカルボキシル基が2つ配位したテレフタル酸、並びにカルボキシル基が3つ配位したトリカルボン酸を有機配位子Dとして用いる場合、金属Bとしては、例えば、Zn、Cu、Co、Cr、Al、Sc、及びLiを用いることができる。
By using the organic ligand D including any one of the structures represented by the above general formulas (7) to (12), a large number of voids are generated in the structure, so that the metal organic structure can easily absorb and desorb moisture. Can be produced.
When terephthalic acid in which two carboxyl groups are coordinated to the benzene ring and tricarboxylic acid in which three carboxyl groups are coordinated are used as the organic ligand D, examples of the metal B include Zn, Cu, Co, Cr, Al, Sc, and Li can be used.

また、テレフタル酸にのみ配位する金属Bとしては、例えば、Fe、Ni、Zr、及びBeを例示することができる。
また、トリカルボン酸にのみ配位する金属Bとしては、例えば、Cu、Nd、Sm、Mo、Tm、及びYbを例示することができる。
金属Bとしては、例えば、CuまたはCoを用いることが好ましい。このように、金属BとしてCuまたはCoを用いることで、水分の吸脱着による発色を顕著にすることができる。
Examples of the metal B that coordinates only to terephthalic acid include Fe, Ni, Zr, and Be.
Examples of the metal B that coordinates only to tricarboxylic acid include Cu, Nd, Sm, Mo, Tm, and Yb.
For example, Cu or Co is preferably used as the metal B. As described above, by using Cu or Co as the metal B, color development due to moisture adsorption / desorption can be made remarkable.

多孔性金属錯体Aとなる金属有機構造体としては、例えば、銅ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシレート(銅原子にベンゼントリカルボン酸が配位した金属錯体であるCu−BTC(Copper Benzene‐1,3,5−Tricarboxylate))を用いるとよい。
その他、コバルト原子にベンゼントリカルボン酸が配位した金属錯体であるCo−BTC、鉄原子にベンゼントリカルボン酸が配位した金属錯体であるFe−BTC、モリブテン原子にベンゼントリカルボン酸が配位した金属錯体であるMo−BTC、クロム原子にテレフタル酸が配位したCr−TPA(Chromium-Tererhthalic acid)、亜鉛原子にテレフタル酸が配位したCr−TPA等を用いてもよい。
Examples of the metal organic structure to be the porous metal complex A include copper benzene-1,3,5-tricarboxylate (Cu-BTC (Copper Benzene- which is a metal complex in which benzene tricarboxylic acid is coordinated to a copper atom). 1,3,5-Triboxylate)) may be used.
In addition, Co-BTC, which is a metal complex in which benzenetricarboxylic acid is coordinated to a cobalt atom, Fe-BTC, which is a metal complex in which benzenetricarboxylic acid is coordinated to an iron atom, and a metal complex in which benzenetricarboxylic acid is coordinated to a molybten atom Alternatively, Mo-BTC, Cr-TPA (chromium-terephthalic acid) in which terephthalic acid is coordinated to a chromium atom, Cr-TPA in which terephthalic acid is coordinated to a zinc atom may be used.

多孔性金属錯体Aは、水分子に対する反応に特徴がある。多孔性金属錯体Aは、水分子の可逆的な吸脱着を速やかに行うため、該水分子の濃度が変化した際、該変化の量に応じて発色度合が顕著に変化し、水分濃度の変化を速やかに検出することが可能となる。例えば、銅ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシレートの場合、青色の濃淡の発色度合が顕著に変化する。   The porous metal complex A is characterized by a reaction with water molecules. Since the porous metal complex A rapidly performs reversible adsorption / desorption of water molecules, when the concentration of the water molecules changes, the degree of color development changes significantly according to the amount of the change, and the change in the water concentration Can be detected promptly. For example, in the case of copper benzene-1,3,5-tricarboxylate, the color density of the blue shade changes remarkably.

多孔性金属錯体A(金属有機構造体)として銅ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシレートを用いた場合、多孔性金属錯体層23−2の厚さは、例えば、10μm以上100μm以下の範囲内で適宜選択することができる。
多孔性金属錯体層23−2の厚さが10μmよりも薄いと、前述の水分濃度に対する発色変化を感知しない可能性がある。多孔性金属錯体層23−2の厚さが100μmよりも厚いと、光が透過しない可能性がある。
したがって、多孔性金属錯体層23−2の厚さを10μm以上1000μm以下とすることで、光の透過を効率よく行うことが可能となる。
When copper benzene-1,3,5-tricarboxylate is used as the porous metal complex A (metal organic structure), the thickness of the porous metal complex layer 23-2 is, for example, in the range of 10 μm to 100 μm. Can be selected as appropriate.
When the thickness of the porous metal complex layer 23-2 is less than 10 μm, there is a possibility that the color change with respect to the water concentration is not sensed. If the thickness of the porous metal complex layer 23-2 is larger than 100 μm, light may not be transmitted.
Therefore, by setting the thickness of the porous metal complex layer 23-2 to 10 μm or more and 1000 μm or less, light can be transmitted efficiently.

上記構成とされた水分検出部23は、多孔性金属錯体層23−2に水分を含むガスが供給され、かつ光源11から特定波長の光が照射された際、該ガスに含まれる水分濃度に応じた強度の透過光を透過させる。該透過光は、第2の光ファイバ28に供給される。   The moisture detection unit 23 configured as described above has a concentration of moisture contained in the gas when the gas containing moisture is supplied to the porous metal complex layer 23-2 and light of a specific wavelength is irradiated from the light source 11. The transmitted light of the corresponding intensity is transmitted. The transmitted light is supplied to the second optical fiber 28.

シール部材24は、リング状の部材であり、部材本体41の上面と多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aとの間に配置されている。シール部材24は、部材本体41の上面と多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aとの間から、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに供給したガスが漏れることを防止する機能を有する。
シール部材24としては、例えば、Oリング(環状パッキン)を用いることができる。
The seal member 24 is a ring-shaped member, and is disposed between the upper surface of the member main body 41 and the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2. The seal member 24 is configured such that the gas supplied to the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2 leaks from between the upper surface of the member main body 41 and the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2. It has a function to prevent.
As the seal member 24, for example, an O-ring (annular packing) can be used.

水分検出部固定部材26は、中央部を貫通する挿入穴26Aを有した板状の部材である。挿入穴26Aは、第2の光ファイバ28の直径(外径)と略等しい大きさとされている。
水分検出部固定部材26は、挿入穴26Aが多孔性金属錯体層露出部45と対向するように、ガス経路内蔵部材18の上方に配置されている。
水分検出部固定部材26の下面26aは、挿入穴26Aの下端を塞ぐように配置されたフィルタ23−1の他面23−1bと接触している。水分検出部固定部材26の下面26aには、水分検出部23が固定されている。水分検出部固定部材26を構成する材料としては、例えば、アクリロリトリル、ブタジエン、及びスチレンが共重合したABS樹脂を用いることができる。
The moisture detection unit fixing member 26 is a plate-like member having an insertion hole 26A penetrating the center portion. The insertion hole 26 </ b> A has a size substantially equal to the diameter (outer diameter) of the second optical fiber 28.
The moisture detection unit fixing member 26 is disposed above the gas path built-in member 18 so that the insertion hole 26 </ b> A faces the porous metal complex layer exposed portion 45.
The lower surface 26a of the moisture detection unit fixing member 26 is in contact with the other surface 23-1b of the filter 23-1 disposed so as to close the lower end of the insertion hole 26A. The moisture detector 23 is fixed to the lower surface 26 a of the moisture detector fixing member 26. As a material constituting the moisture detector fixing member 26, for example, an ABS resin obtained by copolymerization of acrylitolyl, butadiene, and styrene can be used.

第2の光ファイバ28は、その一端28A側に位置する部分が挿入穴26Aに挿入された状態で、水分検出部固定部材26に固定されている。第2の光ファイバ28の一端28Aは、フィルタ23−1の他面23−1bと接触している。第2の光ファイバ28は、第1の光ファイバ16と同じ方向に延在するように配置されている。   The second optical fiber 28 is fixed to the moisture detection unit fixing member 26 in a state where the portion located on the one end 28A side is inserted into the insertion hole 26A. One end 28A of the second optical fiber 28 is in contact with the other surface 23-1b of the filter 23-1. The second optical fiber 28 is disposed so as to extend in the same direction as the first optical fiber 16.

第2の光ファイバ28は、コア部28−1と、クラッド部28−2と、で構成されている。コア部28−1の一端は、第1の部分38を構成するコア部16−1の一端と対向するように配置されている。
このように、第2の光ファイバ28を構成するコア部28−1の一端と、第1の部分38を構成するコア部16−1の一端と、を対向配置させることで、水分検出部23を通過した透過光をコア部28−1に効率良く導くことが可能となるので、ガスに含まれる水分の濃度を精度良く検出することができる。
The second optical fiber 28 includes a core portion 28-1 and a cladding portion 28-2. One end of the core portion 28-1 is disposed so as to face one end of the core portion 16-1 constituting the first portion 38.
As described above, the moisture detection unit 23 is configured by opposingly arranging one end of the core part 28-1 constituting the second optical fiber 28 and one end of the core part 16-1 constituting the first part 38. Since the transmitted light that has passed through can be efficiently guided to the core portion 28-1, the concentration of moisture contained in the gas can be detected with high accuracy.

また、コア部28−1に効率良く透過光を導く観点から、コア部28−1の直径は、例えば、第1の光ファイバ16を構成するコア部16−1の直径と同じ大きさにするとよい。
コア部28−1としては、例えば、第1の光ファイバ16を構成するコア部28−2と同様な構成のものを用いることができる。
クラッド部28−2は、コア部28−1の側面を覆うように配置されている。クラッド部28−2としては、例えば、第1の光ファイバ16を構成するクラッド部16−2と同様な構成のものを用いることができる。
Further, from the viewpoint of efficiently guiding transmitted light to the core 28-1, the diameter of the core 28-1 is, for example, the same as the diameter of the core 16-1 constituting the first optical fiber 16. Good.
As the core part 28-1, for example, the same structure as the core part 28-2 constituting the first optical fiber 16 can be used.
The clad portion 28-2 is disposed so as to cover the side surface of the core portion 28-1. As the clad part 28-2, for example, one having the same configuration as the clad part 16-2 constituting the first optical fiber 16 can be used.

受光部固定部材31は、中央部を貫通する挿入穴31Aを有した板状の部材である。挿入穴31Aは、第2の光ファイバ28の直径(外径)と略等しい大きさとされている。
挿入穴31Aには、第2の光ファイバ28の他端28B側に位置する部分が挿入されている。第2の光ファイバ28の他端28側は、挿入穴31Aに挿入された状態で、受光部固定部材31に固定されている。
受光部固定部材31は、平坦で、かつ挿入穴31Aの上端を露出する上面31aを有する。受光部固定部材31を構成する材料としては、例えば、ステンレスを用いることができる。
The light receiving portion fixing member 31 is a plate-like member having an insertion hole 31A penetrating the center portion. The insertion hole 31 </ b> A has a size substantially equal to the diameter (outer diameter) of the second optical fiber 28.
A portion located on the other end 28B side of the second optical fiber 28 is inserted into the insertion hole 31A. The other end 28 side of the second optical fiber 28 is fixed to the light receiving portion fixing member 31 while being inserted into the insertion hole 31A.
The light receiving portion fixing member 31 is flat and has an upper surface 31a that exposes the upper end of the insertion hole 31A. As a material constituting the light receiving portion fixing member 31, for example, stainless steel can be used.

受光部33は、コア部16−1、水分検出部23、及びコア部28−1を通過した透過光を受光可能な状態で、挿入穴31Aの上端を塞ぐように、受光部固定部材31の上面31aに固定されている。
これにより、受光部33は、第2の光ファイバ28、水分検出部23、及び第1の光ファイバ16を介して、光源11と対向するように配置されている。
受光部33は、電圧計測部35と電気的に接続されている。受光部33は、水分検出部23を透過した透過光を受光し、該透過光の強度に応じた電圧を発生させ、電圧を出力する。受光部33としては、例えば、フォトダイオードや光電子増倍管等を用いることができる。
The light receiving unit 33 is configured to receive the transmitted light that has passed through the core unit 16-1, the moisture detection unit 23, and the core unit 28-1, and closes the upper end of the insertion hole 31A. It is fixed to the upper surface 31a.
Accordingly, the light receiving unit 33 is disposed so as to face the light source 11 via the second optical fiber 28, the moisture detection unit 23, and the first optical fiber 16.
The light receiving unit 33 is electrically connected to the voltage measuring unit 35. The light receiving unit 33 receives the transmitted light transmitted through the moisture detection unit 23, generates a voltage corresponding to the intensity of the transmitted light, and outputs the voltage. For example, a photodiode or a photomultiplier tube can be used as the light receiving unit 33.

電圧計測部35は、水分濃度算出部36と電気的に接続されている。電圧計測部35は、受光部33から出力された電圧を計測し、計測した受光部33の出力電圧値を水分濃度算出部36に送信する。
水分濃度算出部36は、記憶部(図示せず)と、演算部(図示せず)と、を有する。該記憶部には、ガスに含まれる水分濃度と受光部33の出力電圧値との関係を示す検量線に関するデータ(予め取得されたデータ)が格納されている。
演算部(図示せず)では、上記検量線、及び電圧計測部35が計測した出力電圧値に基づいて、ガスに含まれる水分濃度を算出する。水分濃度算出部36としては、例えば、パーソナルコンピュータを用いることができる。
The voltage measurement unit 35 is electrically connected to the moisture concentration calculation unit 36. The voltage measuring unit 35 measures the voltage output from the light receiving unit 33 and transmits the measured output voltage value of the light receiving unit 33 to the moisture concentration calculating unit 36.
The moisture concentration calculation unit 36 includes a storage unit (not shown) and a calculation unit (not shown). The storage unit stores data related to a calibration curve (data acquired in advance) indicating the relationship between the moisture concentration contained in the gas and the output voltage value of the light receiving unit 33.
The calculation unit (not shown) calculates the moisture concentration contained in the gas based on the calibration curve and the output voltage value measured by the voltage measurement unit 35. As the moisture concentration calculation unit 36, for example, a personal computer can be used.

第1の実施の形態の水分濃度検出ユニットは、光透過性を有するフィルタ23−1、及びフィルタ23−1の一面23−1aを覆う多孔性金属錯体Aよりなる多孔性金属錯体層23−2を含む水分検出部23を備え、多孔性金属錯体は、金属B、及び該金属Bと配位結合する有機配位子Dとして、上記一般式(7)〜(12)で示されるいずれかの構造を含む。
上記一般式(7)〜(12)で示されるいずれかの構造を含む有機配位子Dを備えた多孔性金属錯体Aからなる多孔性金属錯体層23−2は、数nm〜数十nm程度の隙間を有した架橋構造であるため、水分子の可逆的な吸脱着を速やかに行うことが可能となる。
The moisture concentration detection unit of the first embodiment includes a porous metal complex layer 23-2 made of a porous metal complex A that covers a light-transmitting filter 23-1 and one surface 23-1a of the filter 23-1. The porous metal complex includes any one of the above-described general formulas (7) to (12) as the metal B and the organic ligand D coordinated with the metal B. Includes structure.
The porous metal complex layer 23-2 composed of the porous metal complex A provided with the organic ligand D including any one of the structures represented by the general formulas (7) to (12) is several nm to several tens nm. Since the cross-linked structure has a gap of a certain degree, it becomes possible to rapidly perform reversible adsorption / desorption of water molecules.

したがって、水分濃度の低いガス(例えば、10ppb以下)から水分濃度の高いガ(例えば、100ppm以上)スに切り替えて水分濃度を検出する場合や、水分濃度の高いガスから水分濃度の低いガスに切り替えて水分濃度を検出する場合においても、測定対象でないガスに含まれていた水分の影響を受けにくくなるので、ガス中に含まれる水分濃度の検出感度の信頼性を向上させることができる。   Therefore, when the moisture concentration is detected by switching from a gas having a low moisture concentration (for example, 10 ppb or less) to a gas having a high moisture concentration (for example, 100 ppm or more), or from a gas having a high moisture concentration to a gas having a low moisture concentration. Even when the moisture concentration is detected, it is difficult to be affected by the moisture contained in the gas that is not the object of measurement, so the reliability of the detection sensitivity of the moisture concentration contained in the gas can be improved.

次に、図1を参照して、図1に示す水分濃度検出ユニット10を用いた本実施の形態の水分濃度検出方法について説明する。
初めに、光源11を用いて、第1の光ファイバ16を介して、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに特定波長の光を照射する。
このとき、350nm以上650nm以下の範囲内、好ましくは、450nm以上550nm以下の範囲内の特定波長の光を照射するとよい。
Next, with reference to FIG. 1, the water concentration detection method of this Embodiment using the water concentration detection unit 10 shown in FIG. 1 is demonstrated.
First, the light source 11 is used to irradiate the surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2 with light having a specific wavelength via the first optical fiber 16.
At this time, light with a specific wavelength within a range of 350 nm to 650 nm, preferably 450 nm to 550 nm may be irradiated.

次いで、光源11による光の照射を継続させた状態で、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに、水分を含んだガスを供給する。このとき、水分を含んだガスは、ガス供給用経路43及び環状空間51を介して、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに供給する。
これにより、多孔性金属錯体層23−2は、該ガスに含まれる水分の濃度に応じて色が変化し、この色の変化により、水分検出部23を透過する透過光の強度が変化する。該透過光は、第2の光ファイバ28を介して、受光部33に供給される。
Next, in a state where the light irradiation by the light source 11 is continued, a gas containing moisture is supplied to the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2. At this time, the gas containing moisture is supplied to the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2 through the gas supply path 43 and the annular space 51.
As a result, the color of the porous metal complex layer 23-2 changes according to the concentration of moisture contained in the gas, and the intensity of transmitted light that passes through the moisture detection unit 23 changes due to the change in color. The transmitted light is supplied to the light receiving unit 33 via the second optical fiber 28.

その後、受光部33は、特定波長の光のうち、水分検出部23を透過した透過光を受光するとともに、該透過光の強度に応じた電圧を出力させる。
次いで、電圧計測部35を用いて、透過光の強度に応じた受光部33の出力電圧値を計測する。電圧計測部35により計測された出力電圧値は、水分濃度算出部36に送信される。
次いで、水分濃度算出部36では、水分濃度算出部36の記憶部(図示せず)に格納されたガスに含まれる水分濃度と受光部33の出力電圧値との関係を示す検量線と、電圧計測部35により計測された出力電圧値と、に基づいて、ガスに含まれていた水分濃度を算出する。
Thereafter, the light receiving unit 33 receives the transmitted light that has passed through the moisture detection unit 23 among the light of the specific wavelength, and outputs a voltage corresponding to the intensity of the transmitted light.
Next, the output voltage value of the light receiving unit 33 corresponding to the intensity of the transmitted light is measured using the voltage measuring unit 35. The output voltage value measured by the voltage measurement unit 35 is transmitted to the moisture concentration calculation unit 36.
Next, in the moisture concentration calculation unit 36, a calibration curve indicating the relationship between the moisture concentration contained in the gas stored in the storage unit (not shown) of the moisture concentration calculation unit 36 and the output voltage value of the light receiving unit 33, and the voltage Based on the output voltage value measured by the measuring unit 35, the moisture concentration contained in the gas is calculated.

本実施の形態の水分濃度検出方法は、光源11を用いて、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに、特定波長の光を照射する工程と、該光の照射を継続させた状態で、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに、水分を含んだガスを供給する工程と、受光部33により、特定波長の光のうち、水分検出部23を透過した透過光を受光するとともに、該透過光の強度に応じた電圧を発生(出力)させる工程と、電圧計測部35により該電圧を計測する工程と、を含み、多孔性金属錯体層23−2が、上記一般式(7)〜(12)で示されるいずれかの構造を含む有機配位子Dを備えた多孔性金属錯体Aで形成されている。   In the moisture concentration detection method of the present embodiment, the light source 11 is used to irradiate the surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2 with light of a specific wavelength, and the light irradiation is continued. In the state, the step of supplying a gas containing moisture to the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2 and the light transmitted through the moisture detection unit 23 among the light of a specific wavelength by the light receiving unit 33 And a step of generating (outputting) a voltage corresponding to the intensity of the transmitted light, and a step of measuring the voltage by the voltage measuring unit 35. The porous metal complex A is provided with an organic ligand D including any one of the structures represented by the general formulas (7) to (12).

このため、多孔性金属錯体層23−2が、水分子の可逆的な吸脱着を速やかに行うことが可能となる。
したがって、水分濃度の低いガス(例えば、10ppb以下)から水分濃度の高いガ(例えば、100ppm以上)スに切り替えて水分濃度を検出する場合や、水分濃度の高いガスから水分濃度の低いガスに切り替えて水分濃度を検出する場合においても、測定対象でないガスに含まれていた水分の影響(言い換えれば、直前に測定したガスの影響)を受けにくくなるので、ガス中に含まれる水分濃度の検出感度の信頼性を向上させることができる。
For this reason, the porous metal complex layer 23-2 can quickly perform reversible adsorption / desorption of water molecules.
Therefore, when the moisture concentration is detected by switching from a gas having a low moisture concentration (for example, 10 ppb or less) to a gas having a high moisture concentration (for example, 100 ppm or more), or from a gas having a high moisture concentration to a gas having a low moisture concentration. Even when the moisture concentration is detected, it is less susceptible to the influence of moisture contained in the gas that is not the object of measurement (in other words, the influence of the gas measured immediately before), so the detection sensitivity of the moisture concentration contained in the gas Reliability can be improved.

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and within the scope of the present invention described in the claims, Various modifications and changes are possible.

以下、実施例及び比較例について説明するが、本発明は、下記実施例に限定されない。   Hereinafter, although an example and a comparative example are explained, the present invention is not limited to the following example.

(実施例)
<水分検出部の作製>
図1を参照して、水分検出部23の作製方法について説明する。
まず、厚さ1mmのテフロン(登録商標)製のフィルタ(アドバンテック株式会社製のPFO20(型番))を直径10mmの円形となるように切り出すことで、フィルタ23−1を作製した。
次いで、銅ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシレート(以下、「Cu−BTC」という)の分散液(多孔性金属錯体層23−2の材料)を作製した。該分散液は、Cu−BTCとして、BASF Ltd.社製のHKUST−1(型番)1mgをアセトン5mLに溶解させることで作製した。
(Example)
<Production of moisture detector>
With reference to FIG. 1, the production method of the moisture detection part 23 is demonstrated.
First, a filter 23-1 was produced by cutting out a Teflon (registered trademark) filter (PFO20 (model number) manufactured by Advantech Co., Ltd.) having a thickness of 1 mm so as to be a circle having a diameter of 10 mm.
Next, a dispersion of copper benzene-1,3,5-tricarboxylate (hereinafter referred to as “Cu-BTC”) (a material of the porous metal complex layer 23-2) was produced. The dispersion was designated as Cu-BTC as BASF Ltd. It was prepared by dissolving 1 mg of HKUST-1 (model number) manufactured by KK in 5 mL of acetone.

次いで、マイクロシリンジを用いて、作製した分散液を全量吸引した。次いで、フィルタフォルダとして、日本ミリポア株式会社のSX0001300(型番)を準備し、該フィルタフォルダの内部に、フィルタ23−1を配置させた。
次いで、上記フィルタフォルダにマイクロシリンジの先端を取り付け、マイクロシリンジ内に吸引された上記分散液をフィルタ23−1の一面23−1aに吹き付けた。
その後、分散液が塗布されたフィルタ23−1を自然乾燥させることで、フィルタ23−1の一面23−1aに厚さ100μmの多孔性金属錯体層23−2を形成した。このような手法により、フィルタ23−1及び多孔性金属錯体層23−2を有する水分検出部23を作製した。
Next, the entire amount of the produced dispersion was sucked using a microsyringe. Subsequently, SX0001300 (model number) of Nihon Millipore Corporation was prepared as a filter folder, and the filter 23-1 was placed inside the filter folder.
Next, the tip of a microsyringe was attached to the filter folder, and the dispersion liquid sucked into the microsyringe was sprayed on one surface 23-1a of the filter 23-1.
Thereafter, the filter 23-1 coated with the dispersion was naturally dried to form a porous metal complex layer 23-2 having a thickness of 100 μm on one surface 23-1a of the filter 23-1. By such a method, the moisture detection part 23 which has the filter 23-1 and the porous metal complex layer 23-2 was produced.

<水分濃度検出ユニットの構成>
ここで、実施例に使用した図1に示す水分濃度検出ユニット10の構成について説明する。
光源11としては、Kingbright Electronic Co.Ltd.製のLEDランプであるL−7113QBC−D(型番)を用いた。第1及び第2の光ファイバ16,28としては、エドモンドオプティクスジャパン株式会社製の02−550(型番)を用いた。ガス供給管21としては、内径が2.0mmとされた株式会社光モール製の1433(型番)を用いた。
シール部材24としては、株式会社マスオカ製のOリングであるP−5(型番)を用いた。受光部33としては、TAOS Inc.製のTSL−257(型番)を用いた。電圧計測部35としては、日置電機株式会社製のDT4281(型番)を用いた。水分濃度算出部36としては、市販のパーソナルコンピュータを使用した。また、水分検出部23としては、上記説明した手法で作製されたものを用いた。
<Configuration of moisture concentration detection unit>
Here, the configuration of the moisture concentration detection unit 10 shown in FIG. 1 used in the embodiment will be described.
As the light source 11, Kingbright Electronic Co. Ltd .. L-7113QBC-D (model number), which is an LED lamp manufactured by, was used. As the first and second optical fibers 16 and 28, 02-550 (model number) manufactured by Edmund Optics Japan Ltd. was used. As the gas supply pipe 21, 1433 (model number) manufactured by Hikari Mall Co., Ltd. having an inner diameter of 2.0 mm was used.
As the sealing member 24, P-5 (model number) which is an O-ring made by Masoka Co., Ltd. was used. As the light receiving unit 33, TSL-257 (model number) manufactured by TAOS Inc. was used. As the voltage measuring unit 35, DT4281 (model number) manufactured by Hioki Electric Co., Ltd. was used. A commercially available personal computer was used as the moisture concentration calculator 36. Further, as the moisture detection unit 23, the one manufactured by the above-described method was used.

<検量線の作製>
初めに、純度99.9999%とされた大陽日酸株式会社製の超高純度窒素ガスと、ベースガスが窒素ガスであって、水分濃度が100ppmとされた大陽日酸株式会社製の標準ガスと、を準備した。
次いで、超高純度窒素ガスと標準ガスとを希釈することで、水分濃度が0ppmとされた試料ガスE1、水分濃度が2ppmとされた試料ガスE2、水分濃度が4ppmとされた試料ガスE3、水分濃度が6ppmとされた試料ガスE4、水分濃度が8ppmとされた試料ガスE5、水分濃度が10ppmとされた試料ガスE6、水分濃度が20ppmとされた試料ガスE7、水分濃度が40ppmとされた試料ガスE8、水分濃度が60ppmとされた試料ガスE9、水分濃度が80ppmとされた試料ガスE10、及び水分濃度が100ppmとされた試料ガスE11を作製した。
<Preparation of calibration curve>
First, an ultra-high purity nitrogen gas manufactured by Taiyo Nippon Sanso Co., Ltd. with a purity of 99.9999% and a base gas made of Taiyo Nippon Sanso Corporation with a water concentration of 100 ppm. Standard gas was prepared.
Next, by diluting the ultra high purity nitrogen gas and the standard gas, the sample gas E1 having a moisture concentration of 0 ppm, the sample gas E2 having a moisture concentration of 2 ppm, the sample gas E3 having a moisture concentration of 4 ppm, Sample gas E4 having a moisture concentration of 6 ppm, sample gas E5 having a moisture concentration of 8 ppm, sample gas E6 having a moisture concentration of 10 ppm, sample gas E7 having a moisture concentration of 20 ppm, and moisture concentration of 40 ppm Sample gas E8, sample gas E9 having a water concentration of 60 ppm, sample gas E10 having a water concentration of 80 ppm, and sample gas E11 having a water concentration of 100 ppm were prepared.

次いで、電源14を起動させて、光源11から、波長470nmの光を照射させた。次いで、圧力が0.1MPaとされた1000sccmの試料ガスE1を、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに供給させた。このとき、試料ガスE1には、水分が含まれていないため、多孔性金属錯体層23−2の色に変化は見られなかった。
その後、電圧計測部35を用いて、試料ガスE1が供給された水分検出部23を透過した透過光の強度に応じた受光部33の出力電圧値を測定した。この場合の出力電圧値は、0.1Vであった。
Subsequently, the power supply 14 was started and the light source 11 was irradiated with light having a wavelength of 470 nm. Next, 1000 sccm of the sample gas E1 having a pressure of 0.1 MPa was supplied to the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2. At this time, since the sample gas E1 did not contain moisture, no change was observed in the color of the porous metal complex layer 23-2.
Thereafter, using the voltage measuring unit 35, the output voltage value of the light receiving unit 33 corresponding to the intensity of the transmitted light transmitted through the moisture detecting unit 23 supplied with the sample gas E1 was measured. The output voltage value in this case was 0.1V.

次いで、光源11から、波長500nmの光を照射させ、その後、多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに、圧力が0.1MPaとされた1000sccmの試料ガスE2を供給させた。このとき、試料ガスE2には、2ppmの濃度の水分が含まれているため、多孔性金属錯体層23−2は青系の色に変化した。
その後、電圧計測部35を用いて、試料ガスE2が供給された水分検出部23を透過した透過光の強度に応じた受光部33の出力電圧値を測定した。この場合の電圧値は、0.12Vとなり、試料ガスE1導入時からの電圧差は0.02Vとなった。
Subsequently, the light source 11 was irradiated with light having a wavelength of 500 nm, and then, 1000 sccm of the sample gas E2 having a pressure of 0.1 MPa was supplied to the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2. At this time, since the sample gas E2 contains moisture at a concentration of 2 ppm, the porous metal complex layer 23-2 changed to a blue color.
Thereafter, using the voltage measuring unit 35, the output voltage value of the light receiving unit 33 corresponding to the intensity of the transmitted light transmitted through the moisture detecting unit 23 supplied with the sample gas E2 was measured. The voltage value in this case was 0.12V, and the voltage difference from the time when the sample gas E1 was introduced was 0.02V.

次いで、上述した試料ガスE2を供給させた際の受光部33の出力電圧値を求める処理と同様な処理を、試料ガスE3〜D11に対しても行った。
その結果、試料ガスE3を供給したときの受光部33の出力電圧値は0.14V(電圧差0.04V)、試料ガスE4を供給したときの受光部33の出力電圧値は0.16V(電圧差0.06V)、試料ガスE5を供給したときの受光部33の出力電圧値は0.18V(電圧差0.08V)、試料ガスE6を供給したときの受光部33の出力電圧値は0.2V(電圧差0.1V)、試料ガスE7を供給したときの受光部33の出力電圧値は0.24V(電圧差0.14V)、試料ガスE8を供給したときの受光部33の出力電圧値は0.3V(電圧差0.2V)、試料ガスE9を供給したときの受光部33の出力電圧値は0.14V(電圧差0.04V)、試料ガスE10を供給したときの受光部33の出力電圧値は0.4V(電圧差0.3V)、試料ガスE11を供給したときの受光部33の出力電圧値は0.43V(電圧差0.33V)であった。
Next, the same processing as the processing for obtaining the output voltage value of the light receiving unit 33 when the sample gas E2 is supplied was performed on the sample gases E3 to D11.
As a result, the output voltage value of the light receiving unit 33 when the sample gas E3 is supplied is 0.14V (voltage difference 0.04V), and the output voltage value of the light receiving unit 33 when the sample gas E4 is supplied is 0.16V ( When the sample gas E5 is supplied, the output voltage value of the light receiving unit 33 is 0.18V (voltage difference 0.08V), and when the sample gas E6 is supplied, the output voltage value of the light receiving unit 33 is The output voltage value of the light receiving part 33 when the sample gas E7 is supplied is 0.2V (voltage difference 0.14V), and the light receiving part 33 when the sample gas E8 is supplied. The output voltage value is 0.3V (voltage difference 0.2V), the output voltage value of the light receiving unit 33 when the sample gas E9 is supplied is 0.14V (voltage difference 0.04V), and the sample gas E10 is supplied. The output voltage value of the light receiving unit 33 is 0.4 V (voltage difference 0.3 ), The output voltage value of the light receiving portion 33 when the supply of the sample gas E11 was 0.43 V (voltage difference 0.33 V).

試料ガスE1〜D11に含まれる水分濃度と、試料ガスE1〜D11を供給したときの受光部33の電圧値と、をプロットしてグラフ化した結果を図2に示す。
図2は、試料ガスに含まれる水分濃度と受光部の電圧出力値との関係を示す検量線のグラフである。
FIG. 2 shows the result of plotting the moisture concentration contained in the sample gases E1 to D11 and the voltage value of the light receiving unit 33 when the sample gases E1 to D11 are supplied.
FIG. 2 is a graph of a calibration curve showing the relationship between the moisture concentration contained in the sample gas and the voltage output value of the light receiving unit.

<水分濃度の検出感度>
図2に示す検量線を用いて、シグナルノイズ比(S/N比)計算法により、実施例の水分濃度検出ユニット10を用いた場合の水分濃度の検出感度(検出限界)を計算した。具体的には、下記式(I)を用いて検出限界(以下、「検出限界L」という)を求めた。
下記式(I)において、Lは検出限界、Sは試料ガスのシグナル強度、Nはノイズ幅、Cは試料ガス中の水分濃度をそれぞれ示している。なお、下記式(I)では、ノイズ幅の2倍の値を検出限界Lと定義した。
<Detection sensitivity of moisture concentration>
Using the calibration curve shown in FIG. 2, the moisture concentration detection sensitivity (detection limit) when the moisture concentration detection unit 10 of the example was used was calculated by the signal noise ratio (S / N ratio) calculation method. Specifically, the detection limit (hereinafter referred to as “detection limit L”) was determined using the following formula (I).
In the following formula (I), L is the detection limit, S is the signal intensity of the sample gas, N is the noise width, and C is the moisture concentration in the sample gas. In the following formula (I), a value twice the noise width is defined as the detection limit L.

L=(N/S)×2C ・・・(I)   L = (N / S) × 2C (I)

上記式(I)に、N=1mV、S=20mV、C=100ppbを代入することで、実施例の水分濃度検出ユニット10が検出可能な水分濃度が10ppb(=検出限界L)であることが分かった。   By substituting N = 1 mV, S = 20 mV, and C = 100 ppb into the above formula (I), the water concentration that can be detected by the water concentration detection unit 10 of the embodiment is 10 ppb (= detection limit L). I understood.

<応答速度の評価>
次に、純度99.9999%とされた大陽日酸株式会社製の超高純度窒素ガスと、ベースガスが窒素ガスであって、水分濃度が100ppmとされた大陽日酸株式会社製の標準ガスと、を交互に多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに供給し、このとき受光部33から出力される出力電圧値を測定した。この結果を図3に示す。
<Evaluation of response speed>
Next, an ultra-high purity nitrogen gas manufactured by Taiyo Nippon Sanso Co., Ltd. with a purity of 99.9999%, and a base gas manufactured by Taiyo Nippon Sanso Corporation with a moisture concentration of 100 ppm. The standard gas was alternately supplied to the one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2, and the output voltage value output from the light receiving unit 33 at this time was measured. The result is shown in FIG.

図3は、ガスの供給開始からの経過時間と受光部の電圧出力値との関係を示すグラフである。
図3を参照するに、超高純度窒素ガスを供給させた状態から標準ガスに切り替えた場合において、受光部33の出力電圧値が標準ガスに起因する出力電圧値に切り替わる時間は、約1分程度であった。
また、標準ガスを供給させた状態から超高純度窒素ガスに切り替えた場合において、受光部33の出力電圧値が超高純度窒素ガスに起因する出力電圧値に切り替わる時間は、約3分程度であった。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the elapsed time from the start of gas supply and the voltage output value of the light receiving unit.
Referring to FIG. 3, when switching from the state in which ultra-high purity nitrogen gas is supplied to the standard gas, the time for the output voltage value of the light receiving unit 33 to switch to the output voltage value resulting from the standard gas is about 1 minute. It was about.
In addition, when the standard gas is supplied and switched to the ultra high purity nitrogen gas, the time for the output voltage value of the light receiving unit 33 to switch to the output voltage value caused by the ultra high purity nitrogen gas is about 3 minutes. there were.

<光源から照射する光の波長の検討>
ここでは、光源11として、上述したLEDランプに替えて、照射する光の波長を変化させることが可能な株式会社インデコ製の半導体レーザ照射装置であるDL SHGpro(型番)を用いたこと以外は、上述した水分濃度検出ユニット10と同じ構成とされた装置を用いた。
そして、透過光の強度を電圧値として検出するために必要な光(半導体レーザ照射装置から照射する光)の波長域を検討した。
<Examination of wavelength of light emitted from light source>
Here, the light source 11 is replaced with the above-described LED lamp, except that DL SHGpro (model number), which is a semiconductor laser irradiation device manufactured by Indeco Co., Ltd., capable of changing the wavelength of light to be irradiated, is used. An apparatus having the same configuration as the moisture concentration detection unit 10 described above was used.
And the wavelength range of light (light irradiated from a semiconductor laser irradiation apparatus) required in order to detect the intensity | strength of transmitted light as a voltage value was examined.

このとき、水分濃度が1ppmとされた大陽日酸株式会社製の標準ガスを多孔性金属錯体層23−2の一面23−2aに供給した。
また、半導体レーザ照射装置から照射する光の波長は、350nm、375nm、400nm、425nm、450nm、475nm、500nm、525nm、550nm、575nm、600nm、625nm、650nm、675nm、及び700nmとした。そして、各波長のときに、受光部33から出力される出力電圧値を測定した。この結果を図4に示す。
At this time, a standard gas manufactured by Taiyo Nippon Sanso Co., Ltd. having a moisture concentration of 1 ppm was supplied to one surface 23-2a of the porous metal complex layer 23-2.
The wavelengths of light emitted from the semiconductor laser irradiation apparatus were 350 nm, 375 nm, 400 nm, 425 nm, 450 nm, 475 nm, 500 nm, 525 nm, 550 nm, 575 nm, 600 nm, 625 nm, 650 nm, 675 nm, and 700 nm. And the output voltage value output from the light-receiving part 33 at each wavelength was measured. The result is shown in FIG.

図4は、多孔性金属錯体層に照射する光の波長と受光部の電圧出力値との関係を示すグラフである。
なお、図4からは分かり難いが、波長が350nmのときの受光部33の電圧出力値は0.1Vあり、波長が650nmのときの受光部33の電圧出力値は0.1Vであった。また、波長が675nm及び700nmのときの受光部33の電圧出力値は0.1Vであった。
図4に示す結果から、透過光の強度を電圧値として検出するために必要な光の波長域は、350nm以上650nm以下であることが確認できた。
また、受光部33の電圧出力値を0.004V以上にするために必要な光の波長域は、450nm以上550nm以下であることが確認できた。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the wavelength of light applied to the porous metal complex layer and the voltage output value of the light receiving unit.
Although it is difficult to understand from FIG. 4, the voltage output value of the light receiving unit 33 when the wavelength is 350 nm is 0.1 V, and the voltage output value of the light receiving unit 33 when the wavelength is 650 nm is 0.1 V. Further, the voltage output value of the light receiving unit 33 when the wavelength was 675 nm and 700 nm was 0.1V.
From the results shown in FIG. 4, it was confirmed that the wavelength range of light necessary for detecting the intensity of transmitted light as a voltage value is 350 nm or more and 650 nm or less.
Moreover, it has confirmed that the wavelength range of the light required in order to make the voltage output value of the light-receiving part 33 0.004V or more is 450 nm or more and 550 nm or less.

(比較例1)
比較例1では、実施例で使用した銅ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシレートに替えて、和光純薬株式会社製の銅フタリロシアニンであるPhthalocyanine Copper(II)を用いて、多孔性金属錯体層を作製したこと以外は、同様な手法により、比較例1の水分検出部を作製した。
比較例1の多孔性金属錯体層は、実施例の多孔性金属錯体層23−2と同様な手法により作製した。また、比較例1の多孔性金属錯体層の厚さは、100μmとした。比較例1の基板としては、実施例で説明した厚さ1mmで、かつ直径10mmのテフロン(登録商標)フィルタ(ADVANTEC製のPFO20(型番))を用いた。
(Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, in place of the copper benzene-1,3,5-tricarboxylate used in the examples, a Phthalocyanine Copper (II) which is a copper phthalylocyanine manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was used. A moisture detection part of Comparative Example 1 was produced in the same manner except that the metal complex layer was produced.
The porous metal complex layer of Comparative Example 1 was produced by the same method as the porous metal complex layer 23-2 of the example. Moreover, the thickness of the porous metal complex layer of Comparative Example 1 was 100 μm. As the substrate of Comparative Example 1, the Teflon (registered trademark) filter (PFO20 (model number) manufactured by ADVANTEC) having a thickness of 1 mm and a diameter of 10 mm described in the examples was used.

次いで、図1に示す水分濃度検出ユニット10に比較例1の水分検出部をセットし、ベースガスが窒素ガスであって、水分濃度が300ppbとされた大陽日酸株式会社製の標準ガスを比較例1の多孔性金属錯体層に供給し、このときの透過光の強度に応じた受光部33の出力電圧値を測定したところ、受光部33からの電圧の出力は確認できなかった。
同様な試験を、ベースガスが窒素ガスであって、水分濃度が500ppbとされた大陽日酸株式会社製の標準ガスと、水分濃度が1000ppbとされた大陽日酸株式会社製の標準ガスと、を用いて行った。これらの標準ガスの場合も受光部33からの電圧の出力は確認できなかった。
また、上記3種の標準ガスを用いた場合において、比較例1の多孔性金属錯体層の色の変化はみられなかった。このことから、比較例1の多孔性金属錯体層は、水分との反応により、色が変化しないことが確認できた。
Next, the moisture detection unit of Comparative Example 1 is set in the moisture concentration detection unit 10 shown in FIG. 1, and a standard gas manufactured by Taiyo Nippon Sanso Corporation with a base gas of nitrogen gas and a moisture concentration of 300 ppb is used. When the output voltage value of the light-receiving part 33 according to the intensity | strength of the transmitted light at this time was measured by supplying to the porous metal complex layer of the comparative example 1, the output of the voltage from the light-receiving part 33 was not able to be confirmed.
A similar test was conducted using a standard gas made by Taiyo Nippon Sanso Corporation with a base gas of nitrogen gas and a water concentration of 500 ppb, and a standard gas made by Taiyo Nippon Sanso Corporation with a water concentration of 1000 ppb. And performed using. Even in the case of these standard gases, voltage output from the light receiving unit 33 could not be confirmed.
Further, when the above three kinds of standard gases were used, no change in the color of the porous metal complex layer of Comparative Example 1 was observed. From this, it was confirmed that the color of the porous metal complex layer of Comparative Example 1 did not change due to the reaction with moisture.

(比較例2)
初めに、特許文献1に記載された静電容量センサと同様な原理を採用したGEセンシング&インスペクション・テクノロジーズ株式会社製の水分検出センサであるMS−1と、純度99.9999%とされた大陽日酸株式会社製の超高純度窒素ガスと、ベースガスが窒素ガスであって、水分濃度が100ppmとされた大陽日酸株式会社製の標準ガスと、を準備した。
(Comparative Example 2)
First, MS-1 which is a moisture detection sensor manufactured by GE Sensing & Inspection Technologies Co., Ltd. adopting the same principle as the capacitance sensor described in Patent Document 1, and a purity of 99.9999%. An ultra-high purity nitrogen gas manufactured by Nippon Oil & Acid Co., Ltd. and a standard gas manufactured by Taiyo Nippon Sanso Co., Ltd. having a base gas of nitrogen gas and a water concentration of 100 ppm were prepared.

次いで、上記超高純度窒素ガス及び標準ガスを実施例で使用した希釈器を用いて希釈して水分濃度を変化させて、水分検出センサ(MS−1)の水分濃度の検出限界を算出した。その結果、水分検出センサ(MS−1)の水分濃度の検出限界は、0.5ppm(500ppb)であった。   Next, the ultrahigh purity nitrogen gas and the standard gas were diluted with the diluter used in the examples to change the moisture concentration, and the moisture concentration detection limit of the moisture detection sensor (MS-1) was calculated. As a result, the detection limit of the moisture concentration of the moisture detection sensor (MS-1) was 0.5 ppm (500 ppb).

次いで、水分検出センサ(MS−1)に対して、初めに超高純度窒素ガスを供給し、次いで、超高純度窒素ガスの供給を停止させた上で標準ガスを供給し、その後、標準ガスの供給を停止させた上で超高純度窒素ガスを供給し、水分検出センサ(MS−1)からの信号出力時間を連続的に測定した。
その結果、超高純度窒素ガスから標準ガスへ切り替えた場合には、水分検出センサ(MS−1)の出力信号が標準ガスに関する出力信号になるまでの時間が約30分であった。また、標準ガスから超高純度窒素ガスへ切り替えた場合には、水分検出センサ(MS−1)の出力信号が超高純度窒素ガスに関する出力信号になるまでの時間が約44分であった。
Next, the ultra-high purity nitrogen gas is first supplied to the moisture detection sensor (MS-1), and then the supply of the ultra-high purity nitrogen gas is stopped and then the standard gas is supplied, and then the standard gas is supplied. After stopping supply of ultra high purity nitrogen gas, the signal output time from the moisture detection sensor (MS-1) was continuously measured.
As a result, when the ultra high purity nitrogen gas was switched to the standard gas, the time until the output signal of the moisture detection sensor (MS-1) became an output signal related to the standard gas was about 30 minutes. When the standard gas was switched to the ultra high purity nitrogen gas, the time until the output signal of the moisture detection sensor (MS-1) became an output signal related to the ultra high purity nitrogen gas was about 44 minutes.

(実施例及び比較例2の水分濃度の検出感度の評価結果のまとめ)
上記実施例及び比較例2の水分濃度の検出感度の結果から、比較例2の検出限界が0.5ppm(500ppb)であるのに対して、実施例では、検出限界が10ppbであり、実施例の水分検出部23の水分濃度の検出感度が非常に高いことが確認できた。
(Summary of evaluation results of detection sensitivity of moisture concentration in Example and Comparative Example 2)
From the result of the detection sensitivity of the moisture concentration in the above-mentioned example and comparative example 2, the detection limit of comparative example 2 is 0.5 ppm (500 ppb), whereas in the example, the detection limit is 10 ppb. It was confirmed that the moisture detection sensitivity of the moisture detector 23 was very high.

(実施例及び比較例2の応答速度の評価結果のまとめ)
上記実施例及び比較例2の応答速度の結果から、超高純度窒素ガスから標準ガスへ切り替えた場合において、標準ガスに関する電圧値或いは出力信号になるまでの時間は、実施例の場合、比較例2の1/30程度の時間で済むことが確認できた。
また、標準ガスから超高純度窒素ガスへ切り替えた場合には、実施例の場合、比較例2の1/15程度の時間で済むことが確認できた。
以上の結果から、実施例の水分検出部23は、比較例2の水分検出センサ(MS−1)と比較して、ガスを切り替えた際の応答速度が非常に速いことが確認できた。
(Summary of evaluation results of response speed of Example and Comparative Example 2)
From the result of the response speed of the above example and comparative example 2, when switching from the ultra high purity nitrogen gas to the standard gas, the time until the voltage value or the output signal related to the standard gas becomes the comparative example in the case of the example. It was confirmed that about 1/30 of the time was sufficient.
In addition, when switching from the standard gas to the ultra-high purity nitrogen gas, it was confirmed that in the example, it took about 1/15 of the time of Comparative Example 2.
From the above results, it was confirmed that the moisture detection unit 23 of the example had a very fast response speed when the gas was switched compared to the moisture detection sensor (MS-1) of the comparative example 2.

本発明は、ガスに含まれる水分濃度を検出する水分濃度検出ユニットに適用可能である。   The present invention is applicable to a moisture concentration detection unit that detects a moisture concentration contained in a gas.

10…水分濃度検出ユニット、11…光源、11A…プラス端子、11B…マイナス端子、13…光源位置規制部材、13A…貫通部、14…電源、16…第1の光ファイバ、16A,28A…一端、16B,28B…他端、16−1,28−1…コア部、16−2,28−2…クラッド部、18…ガス経路内蔵部材、21…ガス供給管、21A…切欠き部、23…水分検出部、23−1…フィルタ、23−1a,23−2a…一面、23−1b…他面、23−2…多孔性金属錯体層、24…シール部材、26…水分検出部固定部材、26a…下面、26A,31A,42…挿入穴、28…第2の光ファイバ、31…受光部固定部材、31a…上面、33…受光部、35…電圧計測部、36…水分濃度算出部、38…第1の部分、39…第2の部分、41…部材本体、43…ガス供給用経路、45…多孔性金属錯体層露出部、46…ガス排出用経路、51…環状空間   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Moisture concentration detection unit, 11 ... Light source, 11A ... Positive terminal, 11B ... Negative terminal, 13 ... Light source position control member, 13A ... Penetration part, 14 ... Power supply, 16 ... First optical fiber, 16A, 28A ... One end , 16B, 28B ... the other end, 16-1, 28-1 ... core part, 16-2, 28-2 ... clad part, 18 ... gas path built-in member, 21 ... gas supply pipe, 21A ... notch part, 23 ... moisture detector, 23-1 ... filter, 23-1a, 23-2a ... one side, 23-1b ... other side, 23-2 ... porous metal complex layer, 24 ... seal member, 26 ... moisture detector fixing member , 26a ... lower surface, 26A, 31A, 42 ... insertion hole, 28 ... second optical fiber, 31 ... light receiving portion fixing member, 31a ... upper surface, 33 ... light receiving portion, 35 ... voltage measuring portion, 36 ... moisture concentration calculating portion 38 ... first part, 39 ... second Portion, 41 ... member body, 43 ... gas supply path 45 ... porous metal complex layer exposed portion, 46 ... gas discharge passage, 51 ... annular space

Claims (5)

ガス中に含まれる水分の濃度を検出する水分濃度検出ユニットであって、
光透過性を有するフィルタ、及び該フィルタの一面を覆う多孔性金属錯体よりなる多孔性金属錯体層を含む水分検出部と、
前記フィルタの一面と接触する面とは反対側に位置する前記多孔性金属錯体層の一面に、特定波長の光を照射する光源と、
前記多孔性金属錯体層の一面に、前記ガスを供給するガス供給用経路と、
前記水分検出部を介して、前記光源と対向するように配置され、前記光源から照射され、かつ前記水分検出部を透過した透過光を受光し、該透過光の強度に応じた電圧を発生させる受光部と、
前記電圧を計測する電圧計測部と、
を有し、
前記多孔性金属錯体は、金属、及び該金属と配位結合する有機配位子を含み、
前記有機配位子は、下記一般式(1)〜(6)で示されるいずれかの構造を含むことを特徴とする水分濃度検出ユニット。
Figure 2016153732
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Figure 2016153732
Figure 2016153732
Figure 2016153732
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A moisture concentration detection unit for detecting the concentration of moisture contained in gas,
A moisture detector comprising a filter having light permeability and a porous metal complex layer made of a porous metal complex covering one surface of the filter;
A light source that emits light of a specific wavelength to one surface of the porous metal complex layer located on the opposite side of the surface that contacts one surface of the filter;
A gas supply path for supplying the gas to one surface of the porous metal complex layer;
It is arranged to face the light source through the moisture detection unit, receives transmitted light that is emitted from the light source and transmitted through the moisture detection unit, and generates a voltage according to the intensity of the transmitted light. A light receiver;
A voltage measuring unit for measuring the voltage;
Have
The porous metal complex includes a metal and an organic ligand coordinated with the metal,
The said organic ligand contains the structure in any one shown by following General formula (1)-(6), The moisture concentration detection unit characterized by the above-mentioned.
Figure 2016153732
Figure 2016153732
Figure 2016153732
Figure 2016153732
Figure 2016153732
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前記金属は、CuまたはCoであることを特徴とする請求項1記載の水分濃度検出ユニット。   The moisture concentration detecting unit according to claim 1, wherein the metal is Cu or Co. 前記多孔性金属錯体は、銅ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシレートであることを特徴とする請求項1または2記載の水分濃度検出ユニット。   The moisture concentration detection unit according to claim 1 or 2, wherein the porous metal complex is copper benzene-1,3,5-tricarboxylate. 前記光源から照射される前記光の波長は、350nm以上650nm以下であることを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか1項記載の水分濃度検出ユニット。   4. The moisture concentration detection unit according to claim 1, wherein the light emitted from the light source has a wavelength of 350 nm or more and 650 nm or less. 5. 請求項1ないし4のうち、いずれか1項記載の水分濃度検知ユニットを用いた水分濃度検出方法であって、
前記光源を用いて、前記多孔性金属錯体層の一面に、前記特定波長の光を照射する工程と、
前記光の照射を継続させた状態で、前記多孔性金属錯体層の一面に、前記水分を含んだ前記ガスを供給する工程と、
前記受光部により、前記特定波長の光のうち、前記水分検出部を透過した前記透過光を受光するとともに、該透過光の強度に応じた電圧を発生させる工程と、
前記電圧計測部により前記電圧を計測する工程と、
を含むことを特徴とする水分濃度検出方法。
A moisture concentration detection method using the moisture concentration detection unit according to any one of claims 1 to 4,
Irradiating one surface of the porous metal complex layer with light of the specific wavelength using the light source;
Supplying the gas containing the moisture to one surface of the porous metal complex layer in a state where the light irradiation is continued;
A step of receiving the transmitted light transmitted through the moisture detection unit out of the light of the specific wavelength by the light receiving unit, and generating a voltage according to the intensity of the transmitted light;
Measuring the voltage by the voltage measuring unit;
A method for detecting moisture concentration, comprising:
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