JP2016149911A - Power conversion device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、昇圧回路とインバータ回路とが形成された電力変換装置に関する。 The present invention relates to a power conversion device in which a booster circuit and an inverter circuit are formed.
直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置として、複数の電子部品と、該電子部品を冷却する複数の冷却管とを備え、これら電子部品と冷却管とを積層して積層体を構成したものが知られている(下記特許文献1参照)。 As a power conversion device that performs power conversion between DC power and AC power, a plurality of electronic parts and a plurality of cooling pipes for cooling the electronic parts are provided, and the electronic parts and the cooling pipes are stacked and stacked. The thing which comprised the body is known (refer the following patent document 1).
上記電子部品には、リアクトルと、昇圧用半導体モジュールと、平滑コンデンサと、インバータ用半導体モジュールとがある。リアクトルと昇圧用半導体モジュールとは、直流電源の電圧を昇圧する昇圧回路を構成している。また、上記平滑コンデンサとインバータ用半導体モジュールとは、インバータ回路を構成している。上記複数の電子部品は、バスバーによって互いに電気接続されている。 The electronic component includes a reactor, a boosting semiconductor module, a smoothing capacitor, and an inverter semiconductor module. The reactor and the boosting semiconductor module constitute a boosting circuit that boosts the voltage of the DC power supply. Further, the smoothing capacitor and the semiconductor module for inverter constitute an inverter circuit. The plurality of electronic components are electrically connected to each other by a bus bar.
しかしながら、上記電力変換装置は、上記バスバーに大きなインダクタンスが寄生する可能性があった。すなわち、上記電力変換装置では、昇圧回路を構成する電子部品同士、またはインバータ回路を構成する電子部品同士が互いに離れていることがあり、これらの電子部品同士を接続するバスバーの長さが長くなる場合がある。そのため、バスバーに大きなインダクタンスが寄生する可能性がある。したがって、上記インバータ用半導体モジュールをスイッチング動作させたときに、このインダクタンスが原因となって大きなサージが発生することが考えられる。 However, the power converter may have a large inductance parasitic on the bus bar. That is, in the above power converter, the electronic components constituting the booster circuit or the electronic components constituting the inverter circuit may be separated from each other, and the length of the bus bar connecting these electronic components becomes long. There is a case. Therefore, a large inductance may be parasitic on the bus bar. Therefore, it is conceivable that a large surge occurs due to this inductance when the inverter semiconductor module is switched.
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、バスバーに寄生するインダクタンスをより低減できる電力変換装置を提供しようとするものである。 The present invention has been made in view of such a background, and an object of the present invention is to provide a power converter that can further reduce the inductance parasitic on the bus bar.
本発明の一態様は、複数の電子部品と、
該電子部品を冷却する複数の冷却管と、
上記電子部品を互いに電気接続するバスバーとを備え、
上記電子部品と上記冷却管とを積層して積層体を構成してあり、
上記複数の電子部品には、リアクトルと、半導体素子を内蔵し上記リアクトルに接続した昇圧用半導体モジュールと、平滑コンデンサと、半導体素子を内蔵し上記平滑コンデンサに接続したインバータ用半導体モジュールとがあり、
上記リアクトルと上記昇圧用半導体モジュールとは、直流電源の電圧を昇圧する昇圧回路を構成し、上記平滑コンデンサと上記インバータ用半導体モジュールとは、インバータ回路を構成しており、
上記昇圧回路を構成する複数の上記電子部品は、上記冷却管を介して互いに隣り合い、昇圧用部品群を形成しており、上記インバータ回路を構成する複数の上記電子部品は、上記冷却管を介して互いに隣り合い、インバータ用部品群を形成しており、
上記昇圧用部品群と上記インバータ用部品群とは、上記冷却管を介して互いに隣り合っていることを特徴とする電力変換装置にある。
One embodiment of the present invention includes a plurality of electronic components;
A plurality of cooling pipes for cooling the electronic component;
A bus bar for electrically connecting the electronic components to each other;
The electronic component and the cooling pipe are laminated to form a laminate.
The plurality of electronic components include a reactor, a step-up semiconductor module containing a semiconductor element and connected to the reactor, a smoothing capacitor, and an inverter semiconductor module containing a semiconductor element and connected to the smoothing capacitor.
The reactor and the boosting semiconductor module constitute a boosting circuit that boosts the voltage of a DC power supply, and the smoothing capacitor and the inverter semiconductor module constitute an inverter circuit,
The plurality of electronic components constituting the booster circuit are adjacent to each other via the cooling pipe to form a boosting component group, and the plurality of electronic parts constituting the inverter circuit include the cooling pipe. Are adjacent to each other to form a group of inverter parts,
The boosting component group and the inverter component group are adjacent to each other through the cooling pipe.
上記電力変換装置においては、昇圧回路を構成する複数の電子部品を、冷却管を介して互いに隣り合うように配置して、昇圧用部品群を形成している。そのため、昇圧回路を構成する複数の電子部品を互いに近い位置に配置でき、これらを接続するバスバーを短くすることができる。そのため、バスバーに寄生するインダクタンスを低減できる。 In the above power conversion device, a plurality of electronic components constituting the booster circuit are arranged adjacent to each other via a cooling pipe to form a booster component group. Therefore, a plurality of electronic components constituting the booster circuit can be arranged at positions close to each other, and the bus bar connecting them can be shortened. Therefore, the inductance parasitic on the bus bar can be reduced.
同様に、上記電力変換装置では、インバータ回路を構成する複数の電子部品を、冷却管を介して互いに隣り合うように配置して、インバータ用部品群を形成している。そのため、インバータ回路を構成する複数の電子部品を互いに近い位置に配置でき、これらを接続するバスバーを短くすることができる。そのため、バスバーに寄生するインダクタンスを低減できる。 Similarly, in the above power converter, a plurality of electronic components constituting the inverter circuit are arranged adjacent to each other via a cooling pipe to form an inverter component group. Therefore, a plurality of electronic parts constituting the inverter circuit can be arranged at positions close to each other, and the bus bar connecting them can be shortened. Therefore, the inductance parasitic on the bus bar can be reduced.
また、上記電力変換装置では、上記昇圧用部品群と上記インバータ用部品群とを、冷却管を介して互いに隣り合う位置に配置している。そのため、バスバーのうち、昇圧用部品群とインバータ用部品群とを繋ぐ部位を短くすることができ、この部位に寄生するインダクタンスを低減することができる。 In the power converter, the boosting component group and the inverter component group are arranged at positions adjacent to each other via a cooling pipe. Therefore, a portion of the bus bar that connects the boosting component group and the inverter component group can be shortened, and the parasitic inductance at this portion can be reduced.
以上説明したように、上記電力変換装置では、バスバーに寄生するインダクタンスを低減できる。そのため、インバータ用半導体モジュールをスイッチング動作させたときに、大きなサージが発生することを抑制できる。 As described above, in the power converter, the inductance parasitic on the bus bar can be reduced. Therefore, it is possible to suppress a large surge from occurring when the inverter semiconductor module is switched.
以上のごとく、本発明によれば、バスバーに寄生するインダクタンスをより低減できる電力変換装置を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a power converter that can further reduce the inductance parasitic on the bus bar.
上記電力変換装置は、電気自動車やハイブリッド車等に搭載するための、車載用電力変換装置とすることができる。 The power conversion device can be a vehicle-mounted power conversion device to be mounted on an electric vehicle, a hybrid vehicle, or the like.
(実施例1)
上記電力変換装置に係る実施例について、図1〜図3を用いて説明する。図1、図2に示すごとく、本例の電力変換装置1は、複数の電子部品2(2a,2b,2c,2d)と、該電子部品2を冷却する複数の冷却管3と、電子部品2を互いに電気接続するバスバー4(4p,4n,4u,4i)とを備える。電子部品2と冷却管3とは積層され、積層体10を構成している。
Example 1
The Example which concerns on the said power converter device is described using FIGS. 1-3. As shown in FIGS. 1 and 2, the
電子部品2には、リアクトル2aと、昇圧用半導体モジュール2bと、平滑コンデンサ2cと、インバータ用半導体モジュール2dとがある。昇圧用半導体モジュール2bとインバータ用半導体モジュール2dは、共に、半導体素子23(図3参照)を内蔵している。昇圧用半導体モジュール2bはリアクトル2aに接続している。また、インバータ用半導体モジュール2dは平滑コンデンサ2cに接続している。
The
リアクトル2aと昇圧用半導体モジュール2bとは、直流電源8(図3参照)の電圧を昇圧する昇圧回路11を構成している。平滑コンデンサ2cとインバータ用半導体モジュール2dは、インバータ回路12を構成している。
昇圧回路11を構成する複数の電子部品2(2a,2b)は、冷却管3を介して互いに隣り合い、昇圧用部品群21を形成している。また、インバータ回路12を構成する複数の電子部品2(2c,2d)は、冷却管3を介して互いに隣り合い、インバータ用部品群22を形成している。
昇圧用部品群21とインバータ用部品群22とは、冷却管3を介して互いに隣り合っている。
The plurality of electronic components 2 (2a, 2b) constituting the
The
本例の電力変換装置1は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置である。
The
本例の電力変換装置1は、昇圧回路11を構成する電子部品2として、リアクトル2aおよび昇圧用半導体モジュール2bの他に、フィルタコンデンサ2eを備える。フィルタコンデンサ2eは、直流電源8(図3参照)から供給される直流電流Iに含まれるノイズ電流を除去するために設けられている。フィルタコンデンサ2eは、昇圧用部品群21に含まれている。
The
図3に示すごとく、本例の電力変換装置1は、第1インバータ回路121と第2インバータ回路122とを備える。第1インバータ回路121と第2インバータ回路122とは、それぞれ別の三相交流モータ81(81a,81b)に接続している。本例では、上記昇圧回路11を用いて、直流電源8の電圧を昇圧し、さらにインバータ回路12を用いて、昇圧後の直流電力を交流電力に変換している。これにより、三相交流モータ81a,81bを駆動し、上記車両を走行させている。
As shown in FIG. 3, the
図2に示すごとく、インバータ用半導体モジュール2dは、半導体素子23(IGBT素子:図3参照)を内蔵する本体部24と、該本体部24から突出したパワー端子25と、制御端子26とを備える。パワー端子25には、直流電圧が加わる正極端子25pおよび負極端子25nと、三相交流モータ81に接続される交流端子25cとがある。正極端子25pには、正極バスバー4pが接続している。また、負極端子25nには、負極バスバー4nが接続している。
As shown in FIG. 2, the
また、制御端子26は、制御回路基板19に接続している。この制御回路基板19を用いて、半導体モジュール2b,2dのスイッチング動作を制御している。
なお、昇圧用半導体モジュール2bも、インバータ用半導体モジュール2dと同様の構造になっている。
The
The boosting
図1に示すごとく、本例の電力変換装置1は、バスバー4として、上記正極バスバー4p及び負極バスバー4nの他に、昇圧用バスバー4uと、入力バスバー4iとを備える。入力バスバー4iは、フィルタコンデンサ2eの正端子201と、リアクトル2aの入力端子203とに接続している。また、昇圧用バスバー4uは、リアクトル2aの出力端子204と、昇圧用半導体モジュール2bの交流端子25cとに接続している。
As shown in FIG. 1, the
正極バスバー4pは、全ての半導体モジュール2b,2dの正極端子25pと、平滑コンデンサ2cの正端子205とに接続している。負極バスバー4nは、全ての半導体モジュール2b,2dの負極端子25nと、平滑コンデンサ2cの負端子206と、フィルタコンデンサ2eの負端子202とに接続している。正極バスバー4pの端部41と負極バスバー4nの端部42とは、ケース13の外側に突出している。これらの端部41,42は、上記直流電源8(図3参照)に接続される。
The
図1に示すごとく、積層体10の積層方向(X方向)に隣り合う2つの冷却管3は、一対の連結管17によって連結されている。連結管17は、パワー端子25の突出方向(Z方向)とX方向との双方に直交する幅方向(Y方向)における、冷却管3の両端部に設けられている。
As shown in FIG. 1, two cooling
また、複数の冷却管3のうち、X方向における一端に位置する端部冷却管3aには、冷媒16を導入するための導入管14と、冷媒16を導出するための導出管15とが接続している。導入管14から冷媒16を導入すると、冷媒16は連結管17を通って全ての冷却管3内を流れ、導出管15から導出する。これにより、個々の電子部品2(2a〜2e)を冷却している。
Further, among the plurality of cooling
また、図1に示すごとく、ケース13の第1壁部131と積層体10との間には、加圧部材18(板ばね)が配されている。この加圧部材18を用いて、積層体10を、ケース13の第2壁部132に向けて加圧している。これにより、冷却管3と電子部品2との間の接触圧を確保すると共に、積層体10をケース13内に固定している。
In addition, as shown in FIG. 1, a pressure member 18 (plate spring) is disposed between the
また、本例では上述したように、昇圧用部品群21とインバータ用部品群22とを、冷却管3を介して互いに隣り合う位置に配置している。昇圧用部品群21を構成する電子部品2(2a,2b,2e)は、インバータ用部品群22に近い方から、昇圧用半導体モジュール2b、リアクトル2a、フィルタコンデンサ2eの順に配されている。
In this example, as described above, the boosting
本例の作用効果について説明する。図1に示すごとく、本例の電力変換装置1では、昇圧回路11を構成する複数の電子部品2(2a,2b,2e)を、冷却管3を介して互いに隣り合うように配置して、昇圧用部品群21を形成している。そのため、昇圧回路11を構成する電子部品2であるリアクトル2aおよび昇圧用半導体モジュール2bを互いに近い位置に配置でき、これらを接続するバスバー4(昇圧用バスバー4u)を短くすることができる。そのため、昇圧用バスバー4uに寄生するインダクタンスを低減できる。
The effect of this example will be described. As shown in FIG. 1, in the
つまり、仮に、図10に示すごとく、昇圧回路911を構成する複数の電子部品92(92a,92b,92e)を、冷却管93を介して互いに隣り合うように配置しなかったとすると、リアクトル92aおよび昇圧用半導体モジュール92bが離れてしまう。そのため、これらを繋ぐ昇圧用バスバー94uが長くなってしまう。例えば図10の構成では、昇圧用バスバー94uは、インバータ用半導体モジュール92dと平滑コンデンサ92cとを跨ぐ必要があるため、長くなってしまう。そのため、昇圧用バスバー94uに大きなインダクタンスが寄生しやすくなる。
これに対して、図1に示すごとく、本例のように、昇圧回路11を構成する複数の電子部品2(2a,2b,2e)を、冷却管3を介して互いに隣り合うように配置すれば、昇圧用半導体モジュール2bとリアクトル2aとを接近させることができ、昇圧用バスバー4uを短くすることができる。そのため、昇圧用バスバー4uに寄生するインダクタンスを低減できる。
In other words, as shown in FIG. 10, if the plurality of electronic components 92 (92a, 92b, 92e) constituting the
On the other hand, as shown in FIG. 1, a plurality of electronic components 2 (2a, 2b, 2e) constituting the
また、本例では、インバータ回路11を構成する複数の電子部品2(2c,2d)を、冷却管3を介して互いに隣り合うように配置して、インバータ用部品群22を形成している。そのため、インバータ回路12を構成する複数の電子部品2(2c,2d)を互いに近い位置に配置でき、バスバー4(4p,4n)に寄生するインダクタンスを低減できる。
In this example, the plurality of electronic components 2 (2c, 2d) constituting the
つまり、仮に、図10に示すごとく、インバータ回路912を構成する複数の電子部品92(92c,92d)を、冷却管93を介して互いに隣り合うように配置しなかったとすると、これらの電子部品92(92c,92d)が互いに遠い位置に配されてしまう。例えば図10の構成では、平滑コンデンサ92cとインバータ用半導体モジュール92dとの間にリアクトル92aが配されているため、平滑コンデンサ92cとインバータ用半導体モジュール92dとが離れてしまう。そのため、正極バスバー94pおよび負極バスバー94nのうち、平滑コンデンサ92cとインバータ用半導体モジュール92dとを繋ぐ部位が長くなってしまう。したがって、この部位に大きなインダクタンスが寄生してしまう。
これに対して、図1に示す如く、本例のように、インバータ回路12を構成する複数の電子部品2(インバータ用半導体モジュール2d、平滑コンデンサ2c)を、冷却管3を介して互いに隣り合うようにすれば、これらの電子部品2(2d,2c)を互いに接近させることができる。そのため、正極バスバー4pおよび負極バスバー4nのうち、これらの電子部品2(2d,2c)を接続する部位を短くすることができる。したがって、この部位に大きなインダクタンスが寄生しにくくなる。
That is, as shown in FIG. 10, if a plurality of electronic components 92 (92c, 92d) constituting the
On the other hand, as shown in FIG. 1, a plurality of electronic components 2 (
また、図1に示すごとく、本例では、昇圧用部品群21とインバータ用部品群22とを、冷却管3を介して互いに隣り合う位置に配置している。そのため、バスバー4(4p,4n)のうち、昇圧用部品群21とインバータ用部品群22とを繋ぐ部位を短くすることができ、この部位に寄生するインダクタンスを低減することができる。
As shown in FIG. 1, in this example, the boosting
以上説明したように、本例では、バスバー4に寄生するインダクタンスを低減できる。そのため、インバータ用半導体モジュール2dをスイッチング動作させたときに、大きなサージが発生することを抑制できる。
また、本例では、バスバー4(4p,4n,4u,4i)の長さを短くすることができるため、バスバー4を構成する金属材料の使用量を低減できる。そのため、電力変換装置1の製造コストを低減できる。また、電力変換装置1を軽量化できる。
As described above, in this example, the inductance parasitic on the
Moreover, in this example, since the length of the bus bar 4 (4p, 4n, 4u, 4i) can be shortened, the usage-amount of the metal material which comprises the
また、本例の電力変換装置1は、昇圧回路11を構成する電子部品2として、フィルタコンデンサ2eを備える。フィルタコンデンサ2eは、昇圧用部品群21に含まれている。昇圧回路11を構成する電子部品2(2e,2a,2b)は、冷却管3を介して互いに隣り合っている。
そのため、フィルタコンデンサ2eとリアクトル2aとを互いに近づけることができる。したがって、これらフィルタコンデンサ2eとリアクトル2aとを接続する入力バスバー4iの長さを短くすることができ、該入力バスバー4iに寄生するインダクタンスを低減することができる。
In addition, the
Therefore, the
仮に、図10に示すごとく、昇圧回路911を構成する複数の電子部品92(92e,92a,92b)が、冷却管93を介して隣り合っていなかったとすると、入力バスバー94iが長くなることがある。つまり、図10の構成では、フィルタコンデンサ94eとリアクトル92aとの間にインバータ用半導体モジュール92dが介在しているため、入力バスバー94iが、インバータ用半導体モジュール92dを跨ぐ必要が生じる。そのため、入力バスバー94iが長くなってしまい、大きなインダクタンスが寄生しやすくなる。
これに対して、図1に示すごとく、本例のように、昇圧回路11を構成する複数の電子部品2(2e,2a,2b)を、冷却管93を介して互いに隣り合うように構成すれば、フィルタコンデンサ2eとリアクトル2aとを近づけることができる。そのため、入力バスバー4iを短くすることができ、入力バスバー4iに大きなインダクタンスが寄生することを抑制できる。
As shown in FIG. 10, if the plurality of electronic components 92 (92e, 92a, 92b) constituting the
On the other hand, as shown in FIG. 1, a plurality of electronic components 2 (2e, 2a, 2b) constituting the
また、本例では、昇圧用部品群21を構成する電子部品2(2a,2b,2e)は、インバータ用部品群22に近い方から、昇圧用半導体モジュール2b、リアクトル2a、フィルタコンデンサ2eの順に配されている。
そのため、バスバー4に寄生するインダクタンスをより低減できる。すなわち、上記構成にすると、インバータ用部品群22と昇圧用半導体モジュール2bとを隣接配置できる。したがって、正極バスバー4pおよび負極バスバー4nのうち、インバータ用部品群22と昇圧用半導体モジュール2bとを繋ぐ部位を短くすることができる。そのため、この部位に寄生するインダクタンスを低減できる。また、上記構成にすると、昇圧用半導体モジュール2bとリアクトル2aとを隣接配置することができる。そのため、これらを繋ぐ昇圧用バスバー4uを短くすることができ、該昇圧用バスバー4uに寄生するインダクタンスを低減できる。さらに、上記構成にすると、リアクトル2aとフィルタコンデンサ2eとを隣接配置できるため、これらを接続する入力バスバー4iを短くすることができ、該入力バスバー4iに寄生するインダクタンスを低減できる。
Further, in this example, the electronic components 2 (2a, 2b, 2e) constituting the boosting
Therefore, the inductance parasitic on the
以上のごとく、本例によれば、バスバーに寄生するインダクタンスをより低減できる電力変換装置を提供することができる。 As described above, according to this example, it is possible to provide a power conversion device that can further reduce inductance parasitic on the bus bar.
(実施例2)
以下の実施例においては、図面に用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
(Example 2)
In the following embodiments, the same reference numerals used in the drawings among the reference numerals used in the drawings represent the same components as in the first embodiment unless otherwise specified.
本例は、昇圧用部品群21を構成する電子部品2(2a,2b,2e)の配置位置を変更した例である。図4に示すごとく、本例では、昇圧用部品群21を構成する電子部品2を、インバータ用部品群22に近い方から、昇圧用半導体モジュール2b、フィルタコンデンサ2e、リアクトル2aの順に配置してある。
In this example, the arrangement position of the electronic components 2 (2a, 2b, 2e) constituting the boosting
上記構成にした場合も、実施例1と同様に、昇圧用半導体モジュール2bを、インバータ用部品群22の近傍に配することができる。そのため、正極バスバー4p及び負極バスバー4nのうち、インバータ用部品群22と昇圧用半導体モジュール2bとを接続する部位を短くすることができ、この部位に寄生するインダクタンスを低減できる。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
Also in the case of the above configuration, the boosting
In addition, the configuration and operational effects similar to those of the first embodiment are provided.
(実施例3)
本例は、平滑コンデンサ2cの数を変更した例である。本例では、図5に示すごとく、平滑コンデンサ2cの数を一個にしてある。平滑コンデンサ2cは、インバータ用部品群22の中央に配されている。
(Example 3)
In this example, the number of smoothing
上記構成にすると、個々のインバータ用半導体モジュール2dから平滑コンデンサ2cまでの距離を略均等にすることができる。そのため、インバータ用半導体モジュール2dと平滑コンデンサ2cとの間を繋ぐバスバー4p,4nに寄生するインダクタンスを、全てのインバータ用半導体モジュール2dについて、略均一にすることができる。また、上記構成にすると、平滑コンデンサ2cの数が一個であるため、実施例1と比較して、部品点数を低減できる。そのため、電力変換装置1の製造コストを低減できる。また、電力変換装置1のX方向長さを短くすることができる。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
With the above configuration, the distance from each
In addition, the configuration and operational effects similar to those of the first embodiment are provided.
(実施例4)
本例は、昇圧用部品群21を構成する電子部品2(2a,2b,2e)の配置位置を変更した例である。図6に示すごとく、本例では、昇圧用部品群21を構成する電子部品2を、インバータ用部品群22に近い方から、フィルタコンデンサ2e、昇圧用半導体モジュール2b、リアクトル2aの順に配置してある。
Example 4
In this example, the arrangement position of the electronic components 2 (2a, 2b, 2e) constituting the boosting
上記構成にした場合も、実施例1と同様に、昇圧用半導体モジュール2bとリアクトル2aとを、互いに接近させることができる。そのため、これら昇圧用半導体モジュール2とリアクトル2aとを繋ぐ昇圧用バスバー4uの長さを短くすることができ、該昇圧用バスバー4uに大きなインダクタンスが寄生することを抑制できる。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
Also in the case of the above configuration, the step-up
In addition, the configuration and operational effects similar to those of the first embodiment are provided.
(実施例5)
本例は、インバータ用半導体モジュール2dの数を変更した例である。図7、図8に示すごとく、本例では、インバータ用半導体モジュール2dを3個しか備えていない。この3個のインバータ用半導体モジュール2dと平滑コンデンサ2cとによって、インバータ回路12を構成している。インバータ回路12は、一個の三相交流モータ81に接続している。
(Example 5)
In this example, the number of
本例では、図7に示すごとく、実施例1と同様に、複数のインバータ用半導体モジュール2dと平滑コンデンサ2cとによって、インバータ用部品群22が構成されている。また、昇圧用半導体モジュール2bとリアクトル2aとフィルタコンデンサ2eとによって、昇圧用部品群21が構成されている。昇圧用部品群21を構成する電子部品2(2b,2a,2e)は、インバータ用部品群22に近い方から、昇圧用半導体モジュール2b、リアクトル2a、フィルタコンデンサ2eの順に配されている。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
In this example, as shown in FIG. 7, the
In addition, the configuration and operational effects similar to those of the first embodiment are provided.
(実施例6)
本例は、昇圧用部品群21を構成する電子部品2(2a,2b,2e)の配置位置を変更した例である。図9に示すごとく、本例では、昇圧用部品群21を構成する電子部品2を、インバータ用部品群22に近い方から、リアクトル2a,昇圧用半導体モジュール2b、フィルタコンデンサ2eの順に配置してある。
(Example 6)
In this example, the arrangement position of the electronic components 2 (2a, 2b, 2e) constituting the boosting
上記構成にした場合も、実施例1と同様に、昇圧用半導体モジュール2bとリアクトル2aとを、互いに近い位置に配することができる。そのため、これら昇圧用半導体モジュール2とリアクトル2aとを繋ぐ昇圧用バスバー4uの長さを短くすることができ、該昇圧用バスバー4uに大きなインダクタンスが寄生することを抑制できる。
その他、実施例1と同様の構成および作用効果を備える。
Also in the case of the above configuration, the step-up
In addition, the configuration and operational effects similar to those of the first embodiment are provided.
1 電力変換装置
10 積層体
11 昇圧回路
12 インバータ回路
2 電子部品
2a リアクトル
2b 昇圧用半導体モジュール
2c 平滑コンデンサ
2d インバータ用半導体モジュール
21 昇圧用部品群
22 インバータ用部品群
3 冷却管
4 バスバー
DESCRIPTION OF
Claims (3)
該電子部品(2)を冷却する複数の冷却管(3)と、
上記電子部品(2)を互いに電気接続するバスバー(4)とを備え、
上記電子部品(2)と上記冷却管(3)とを積層して積層体(10)を構成してあり、
上記複数の電子部品(2)には、リアクトル(2a)と、半導体素子(23)を内蔵し上記リアクトル(2a)に接続した昇圧用半導体モジュール(2b)と、平滑コンデンサ(2c)と、半導体素子(23)を内蔵し上記平滑コンデンサ(2c)に接続したインバータ用半導体モジュール(2b)とがあり、
上記リアクトル(2a)と上記昇圧用半導体モジュール(2b)とは、直流電源(8)の電圧を昇圧する昇圧回路(11)を構成し、上記平滑コンデンサ(2c)と上記インバータ用半導体モジュール(2d)とは、インバータ回路(12)を構成しており、
上記昇圧回路(11)を構成する複数の上記電子部品(2)は、上記冷却管(3)を介して互いに隣り合い、昇圧用部品群(21)を形成しており、上記インバータ回路(12)を構成する複数の上記電子部品(2)は、上記冷却管(3)を介して互いに隣り合い、インバータ用部品群(22)を形成しており、
上記昇圧用部品群(21)と上記インバータ用部品群(22)とは、上記冷却管(3)を介して互いに隣り合っていることを特徴とする電力変換装置(1)。 A plurality of electronic components (2);
A plurality of cooling pipes (3) for cooling the electronic component (2);
A bus bar (4) for electrically connecting the electronic components (2) to each other;
The electronic component (2) and the cooling pipe (3) are laminated to form a laminate (10),
The plurality of electronic components (2) include a reactor (2a), a semiconductor module for boosting (2b) that includes a semiconductor element (23) and is connected to the reactor (2a), a smoothing capacitor (2c), a semiconductor There is a semiconductor module for inverter (2b) having a built-in element (23) and connected to the smoothing capacitor (2c),
The reactor (2a) and the boosting semiconductor module (2b) constitute a boosting circuit (11) that boosts the voltage of the DC power supply (8). The smoothing capacitor (2c) and the inverter semiconductor module (2d) ) Constitutes the inverter circuit (12),
The plurality of electronic components (2) constituting the booster circuit (11) are adjacent to each other via the cooling pipe (3) to form a booster component group (21), and the inverter circuit (12 A plurality of the electronic components (2) constituting the above are adjacent to each other via the cooling pipe (3) to form an inverter component group (22).
The power converter (1), wherein the boosting component group (21) and the inverter component group (22) are adjacent to each other via the cooling pipe (3).
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