JP2016149181A - Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing device - Google Patents

Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing device Download PDF

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和孝 滝澤
Kazutaka Takizawa
和孝 滝澤
彰 渡部
Akira Watabe
彰 渡部
香里 木村
Kaori Kimura
香里 木村
剛 鬼塚
Tsuyoshi Onizuka
剛 鬼塚
岩崎 剛之
Takayuki Iwasaki
剛之 岩崎
雅弘 高下
Masahiro Takashita
雅弘 高下
竹尾 昭彦
Akihiko Takeo
昭彦 竹尾
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic recording medium which has good flying characteristics of a head, good in-plane uniformity of a pattern, and only small size variations.SOLUTION: A magnetic recording medium includes a base, a magnetic recording layer comprising a plurality of convex magnetic layers and formed on the base, and a protective film formed on the magnetic recording layer. There are gaps in regions surrounded by the protective film, a surface of the base, and corresponding side walls of the magnetic layers.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明の実施形態は、磁気記録媒体、及びその製造方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a magnetic recording medium and a method for manufacturing the same.

情報量の著しい増加に伴い、大容量情報記録装置の実現が渇望されている。ハードディスクドライブ(HDD)技術では高記録密度化を実現するため、垂直磁気記録を中心とした種々の技術開発が進められており、さらに、記録密度の向上と熱ゆらぎ耐性を両立できる媒体としてパターンド媒体が提案されており、その製造技術の開発が活発化している。   As the amount of information increases significantly, realization of a large-capacity information recording apparatus is eagerly desired. In order to achieve high recording density in hard disk drive (HDD) technology, various technological developments centered on perpendicular magnetic recording have been promoted, and patterned media that can achieve both improved recording density and resistance to thermal fluctuations have been developed. Media has been proposed, and development of its manufacturing technology has become active.

パターンド媒体は、単数もしくは複数の磁気的な領域を1セルとして記録するものであり、1ビットの情報を1セルで記録するためには、各記録セル同士が磁気的に分離されていれば良い。そのため、微細加工技術を用いて磁性ドット部と非磁性を同一平面内で形成すればよく、半導体製造技術を適用することで基板上に設けられた磁気記録層に対して微細凹凸パターンを形成し、物理的にパターンを分断することで磁気的に独立したパターンを得る方法がある。   A patterned medium records one or more magnetic areas as one cell. In order to record 1-bit information in one cell, the recording cells must be magnetically separated from each other. good. Therefore, it is only necessary to form the magnetic dot part and the non-magnetism in the same plane using a microfabrication technique, and by applying a semiconductor manufacturing technique, a fine uneven pattern is formed on the magnetic recording layer provided on the substrate. There is a method of obtaining a magnetically independent pattern by physically dividing the pattern.

磁性ドットパターンを設けるためには、あらかじめ磁性膜上にマスクを形成しておき、凹凸パターンを転写すればよい。あるいは、マスク材に凹凸パターンを設けた後、高エネルギーで照射されたイオンを磁性領域へ注入することでパターンを選択的に失活させる方法や、凹凸型をレジスト材に押下して凹凸パターンを転写する方法もある。   In order to provide the magnetic dot pattern, a mask is formed on the magnetic film in advance and the uneven pattern may be transferred. Alternatively, after providing a concavo-convex pattern on the mask material, the pattern can be selectively deactivated by implanting ions irradiated with high energy into the magnetic region, or the concavo-convex pattern can be formed by pressing the concavo-convex mold on the resist material. There is also a method of transferring.

凹凸パターンが設けられた磁性膜には、磁気ヘッドの走査に伴う媒体表面の摩耗と、外部環境に曝された際の腐食を防ぐために、通常、保護膜が形成される。保護膜は、磁気記録層からの磁界信号を高効率で得るための磁気スペーシングを狭くするために薄くしなければならないが、コロージョンを防ぐための厚さを確保しておく必要もある。   A protective film is usually formed on the magnetic film provided with the concavo-convex pattern in order to prevent wear on the surface of the medium accompanying scanning of the magnetic head and corrosion when exposed to the external environment. The protective film must be thin in order to narrow the magnetic spacing for obtaining the magnetic field signal from the magnetic recording layer with high efficiency, but it is also necessary to secure a thickness for preventing the corrosion.

前述したような、基板上に設けられた磁気記録層の凹凸に対して保護膜を形成する場合、パターンピッチが十分に広い場合はパターン上面および側面を一様に保護膜が被覆するため、平坦性を損なわずに済む。ところが、高記録密度化を狙うパターンド媒体においては、凹凸間の間隔が著しく狭くなるため、保護膜が一様に形成されず、凹凸差の位置依存性が大きくなる。そのため、磁気ヘッドの浮上安定性が悪化し、信号S/Nの低下が避けられない。また、デジタル信号の1と0を識別するためのパターンが配されるデータ領域と、ヘッドの位置決め情報を担うサーボ領域とが混在する場合では、パターンの疎密が大きいため、保護膜が一様に被覆されない。したがって、狭ピッチ凹凸パターンにおける保護膜の被覆性は、ヘッドの浮上安定性の改善と、磁気スペーシング低減による信号S/N改善に直結する重要な項目となる。   When forming a protective film against the irregularities of the magnetic recording layer provided on the substrate as described above, if the pattern pitch is sufficiently wide, the protective film uniformly covers the upper and side surfaces of the pattern, so that the flatness is flat. There is no loss of sex. However, in a patterned medium aiming at higher recording density, the interval between the irregularities becomes remarkably narrow, so that the protective film is not uniformly formed, and the position dependency of the irregularities increases. Therefore, the flying stability of the magnetic head is deteriorated, and the signal S / N is inevitably lowered. In the case where a data area in which a pattern for identifying 1 and 0 of a digital signal is arranged and a servo area that carries head positioning information are mixed, the pattern is so dense that the protective film is uniform. Not covered. Therefore, the coverage of the protective film in the narrow pitch uneven pattern is an important item directly linked to improvement of the flying stability of the head and improvement of the signal S / N by reducing the magnetic spacing.

例えば、基板上に設けた凹凸パターンを下地として、磁性膜を成膜することで磁気記録凹凸パターンを得る技術では、保護膜成膜後のパターンは凹凸差が大きく、浮上安定性を劣化させることになり、信号S/Nが低下する問題がある。   For example, in a technique for obtaining a magnetic recording uneven pattern by depositing a magnetic film using an uneven pattern provided on a substrate as a base, the pattern after the formation of a protective film has a large unevenness and deteriorates flying stability. Thus, there is a problem that the signal S / N decreases.

また、例えば、基板上に成膜した磁気記録層の粒界部分をエッチングにより選択的に除去し、磁気記録凹凸パターンを得る技術では、特許文献1と同様の問題を解決することが困難であった。   In addition, for example, with the technique of selectively removing the grain boundary portion of the magnetic recording layer formed on the substrate by etching to obtain the magnetic recording uneven pattern, it is difficult to solve the same problem as in Patent Document 1. It was.

特開2010−192016号公報JP 2010-192016 A 特開2007−26558号公報JP 2007-26558 A

本発明の実施形態は、ヘッドの浮上特性及び凸パターンの面内均一性が良好な磁気記録媒体を提供することを目的とする。   An object of an embodiment of the present invention is to provide a magnetic recording medium having good head flying characteristics and in-plane uniformity of a convex pattern.

実施形態によれば、基板、
該基板上に形成された、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層、
該磁気記録層上に形成された保護膜、及び
該保護膜と、該基板表面と、各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙を含むことを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
According to an embodiment, the substrate,
A magnetic recording layer comprising a plurality of convex magnetic layers formed on the substrate;
A magnetic recording medium comprising: a protective film formed on the magnetic recording layer; and a gap provided in a region surrounded by the protective film, the substrate surface, and a side wall of each magnetic layer. Provided.

実施形態にかかる磁気記録媒体の構成を模式的に表す断面図である。It is sectional drawing which represents typically the structure of the magnetic recording medium concerning embodiment. 実施形態に用いられる磁気記録層の周期パターンの例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the example of the periodic pattern of the magnetic-recording layer used for embodiment. 実施形態に用いられる磁気記録層の周期パターンの例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the example of the periodic pattern of the magnetic-recording layer used for embodiment. 実施形態に用いられる磁気記録層の周期パターンの例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the example of the periodic pattern of the magnetic-recording layer used for embodiment. 実施形態に用いられる磁気記録層の周期パターンの例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the example of the periodic pattern of the magnetic-recording layer used for embodiment. 磁性層と保護層との寸法の関係を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the relationship of the dimension of a magnetic layer and a protective layer. 第1の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the magnetic-recording medium concerning 1st Embodiment. 第2の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the magnetic-recording medium concerning 2nd Embodiment. 第3の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the magnetic-recording medium concerning 3rd Embodiment. 第4の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the magnetic-recording medium concerning 4th Embodiment. 第5の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the magnetic recording medium concerning 5th Embodiment. 第6の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the magnetic-recording medium concerning 6th Embodiment. ナノインプリントスタンパー作製工程を表す図である。It is a figure showing a nanoimprint stamper preparation process. ナノインプリントスタンパー作製工程の変形例を表す図である。It is a figure showing the modification of a nanoimprint stamper preparation process. 第1の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法のさらに他の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating another example of the manufacturing method of the magnetic-recording medium based on 1st Embodiment. 自己組織化リソグラフィーによる磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the manufacturing method of the magnetic-recording medium by self-organizing lithography. 金属微粒子を用いた磁気記録媒体の製造工程の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the manufacturing process of the magnetic-recording medium using a metal microparticle. 金属微粒子を用いた磁気記録媒体の製造工程の他の一例を表す図である。It is a figure showing another example of the manufacturing process of the magnetic-recording medium using a metal microparticle. 磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの一例を表す図である。It is a figure showing an example of the recording bit pattern with respect to the circumferential direction of a magnetic recording medium. 実施形態にかかる磁気記録媒体を適用可能な磁気記録再生装置の一例を、一部分解した斜視図である。1 is a partially exploded perspective view of an example of a magnetic recording / reproducing apparatus to which a magnetic recording medium according to an embodiment can be applied. 保護膜の斜方成膜時の成膜材料の照射角度と成膜された保護膜の膜厚との関係を表すグラフである。It is a graph showing the relationship between the irradiation angle of the film-forming material at the time of oblique film formation of a protective film, and the film thickness of the formed protective film. 磁性記録層の凸部高さと保護層材料濃度との関係を表すグラフである。It is a graph showing the relationship between the convex part height of a magnetic-recording layer, and a protective layer material density | concentration. 実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の上面SEM写真Upper surface SEM photograph of one example of magnetic recording medium according to embodiment 実施形態にかかる磁気記録媒体の一例の断面TEM写真Sectional TEM photograph of one example of magnetic recording medium according to embodiment

実施形態にかかる磁気記録媒体は、基板、基板上に形成された、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層、磁気記録層上に形成された保護膜を含み、さらに、保護膜と、基板表面と、各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙を含む。   The magnetic recording medium according to the embodiment includes a substrate, a magnetic recording layer formed on the substrate, which is composed of a plurality of convex magnetic layers, and a protective film formed on the magnetic recording layer. It includes a gap provided in a region surrounded by the substrate surface and the side wall of each magnetic layer.

また、実施形態にかかる磁気記録再生装置は、基板、基板上に形成された、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層、磁気記録層上に形成された保護膜を含む磁気記録媒体と、記録再生ヘッドとを含み、さらに、保護膜と、基板表面と、各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙を含む。   A magnetic recording / reproducing apparatus according to an embodiment includes a substrate, a magnetic recording layer formed on the substrate, which includes a plurality of convex magnetic layers, and a protective film formed on the magnetic recording layer. And a recording / reproducing head, and further includes a gap provided in a region surrounded by the protective film, the substrate surface, and the side wall of each magnetic layer.

さらに、実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、
基板上に磁気記録層を形成する工程、
磁気記録層をパターニングして、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層を形成する工程、及び
磁気記録層の凸パターンに対して、保護膜材料を斜方成膜することにより、磁気記録層上に保護膜を形成するとともに、保護膜と、基板表面と、各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に空隙を設ける工程を含む。
Furthermore, the manufacturing method of the magnetic recording medium according to the embodiment includes:
Forming a magnetic recording layer on the substrate;
Magnetic recording layer is formed by obliquely depositing a protective film material on the magnetic recording layer by patterning the magnetic recording layer to form a magnetic recording layer composed of a plurality of convex magnetic layers. Forming a protective film on the layer, and providing a void in a region surrounded by the protective film, the substrate surface, and the side wall of each magnetic layer.

実施形態によれば、保護膜と、基板表面と、各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に空隙が設けられていることにより、保護膜が凸状の磁性層間を連結して、磁性層間に設けられた保護膜の凹みが低減され、媒体表面における面内均一性に優れる。これにより、ヘッド操作時の浮上安定性が向上し、凹部分に発生する気流が少ないためにヘッドが落ち込みにくくなり、これによるヘッドクラッシュ頻度を極めて少なくできる。また、浮上安定と磁気スペーシングの縮小により、良好な信号S/N値が得られる。   According to the embodiment, the gap is provided in the region surrounded by the protective film, the substrate surface, and the side wall of each magnetic layer, so that the protective film connects the convex magnetic layers, The dent of the protective film provided on the medium is reduced, and the in-plane uniformity on the medium surface is excellent. Thereby, the flying stability at the time of operating the head is improved, and since the air flow generated in the concave portion is small, the head is difficult to drop, and the frequency of head crash due to this can be extremely reduced. In addition, a good signal S / N value can be obtained by levitation stability and reduction of magnetic spacing.

ここで、斜方成膜とは、成膜材料を成膜すべき基材表面に対し斜め方向から入射させて成膜することを示す。成膜技術としては、例えば真空蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着などの方法を適用することができる。   Here, the oblique film forming means that the film forming material is formed by being incident on the surface of the base material to be formed from an oblique direction. As the film forming technique, for example, a method such as vacuum evaporation, sputtering, or ion beam evaporation can be applied.

以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

図1に、実施形態にかかる磁気記録媒体の構成を模式的に表す断面図を示す。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the magnetic recording medium according to the embodiment.

図1に示すように、実施形態にかかる磁気記録媒体100は、基板1上に形成された周期的なパターンをもつ複数の凸状の磁性層26をもつ磁気記録層2を有する磁気記録媒体であって、基板1上に形成された図示しない連続した非磁性層上に形成された磁性を有する磁気記録層2を含み、凸パターンで形成された磁気記録層2と、凹パターンの非磁性領域から構成され、凸パターンで形成される磁気記録層2と隣接する凸パターンとその上部に形成された保護膜9によって囲まれる領域内に設けられた空隙18と、を含む。   As shown in FIG. 1, a magnetic recording medium 100 according to an embodiment is a magnetic recording medium having a magnetic recording layer 2 having a plurality of convex magnetic layers 26 having a periodic pattern formed on a substrate 1. A magnetic recording layer 2 having magnetism formed on a continuous nonmagnetic layer (not shown) formed on the substrate 1 and having a convex pattern; and a nonmagnetic region having a concave pattern And a magnetic recording layer 2 formed in a convex pattern, and a convex pattern adjacent to the magnetic recording layer 2 and a void 18 provided in a region surrounded by a protective film 9 formed thereon.

ここで、磁気記録層2を構成する凸状の磁性層26のパターンは基板1面内において周期的である。パターンピッチは20nm以下にすることができる。20nmを越えると、凸状磁気記録層の上面および側面に保護膜が一様に被覆されることになり、凹凸差が増加することでヘッドの浮上特性が悪化する傾向がある。   Here, the pattern of the convex magnetic layer 26 constituting the magnetic recording layer 2 is periodic in the surface of the substrate 1. The pattern pitch can be 20 nm or less. When the thickness exceeds 20 nm, the upper and side surfaces of the convex magnetic recording layer are uniformly covered with a protective film, and the flying height of the head tends to deteriorate due to an increase in the unevenness difference.

また、実用的には、パターンピッチは2nm以上にすることができる。2nm未満であると、パターンの分離性が悪くなり、凹凸パターンの転写性が劣化する傾向がある。   In practice, the pattern pitch can be 2 nm or more. When the thickness is less than 2 nm, the pattern separability deteriorates and the transferability of the concavo-convex pattern tends to deteriorate.

図2から図5に、実施形態に係る磁気記録媒体の磁気記録層の周期パターンの例を表す模式図を、各々示す。   FIGS. 2 to 5 are schematic views showing examples of the periodic pattern of the magnetic recording layer of the magnetic recording medium according to the embodiment.

この周期パターンの上面形状は、図2(a)に示すような円形301、図3(a)に示すような楕円形303、図4(a)に示すような正方形305、矩形、図5(a)に示すような多角形307などの種々の構造を有し、かつそれらの種類と数に依らず基板上に混在する。その立体形状は、図2(b)に示すような円柱304、図3(b)に示すような円錐306、図4(b)に示すような角柱308、角錐、図5(b)に示すような多角柱309などの構造を有する。すなわち、基板面に対するテーパー角度の値は自由に取り得る。   The upper surface shape of this periodic pattern is a circle 301 as shown in FIG. 2A, an ellipse 303 as shown in FIG. 3A, a square 305, a rectangle as shown in FIG. It has various structures such as a polygon 307 as shown in a) and is mixed on the substrate regardless of the type and number thereof. The three-dimensional shape is a cylinder 304 as shown in FIG. 2 (b), a cone 306 as shown in FIG. 3 (b), a prism 308 and a pyramid as shown in FIG. 4 (b), and as shown in FIG. 5 (b). Such a structure such as a polygonal column 309 is provided. That is, the value of the taper angle with respect to the substrate surface can be freely set.

また、ここで言う周期的パターンのピッチとは凸状の磁性層のパターンの重心点から隣接する凸状パターンの重心点までの距離、すなわちピッチが2回以上連続している状態を示す。この周期パターンは面内で一様に配されることが好ましい。パターン欠損などの理由でピッチ周期的にならず、ある箇所で不連続な値をもって途絶しても、再度ピッチが周期的になっていれば良い。   In addition, the pitch of the periodic pattern referred to here indicates a distance from the center of gravity of the pattern of the convex magnetic layer to the center of gravity of the adjacent convex pattern, that is, a state where the pitch is continuous twice or more. This periodic pattern is preferably arranged uniformly in the plane. Even if the pitch is not periodic due to a pattern deficiency or the like, and it is interrupted with a discontinuous value at a certain position, the pitch may be periodic again.

保護膜の厚さは、磁気記録層の凸パターンの高さよりも低い値を有することができる。また、凸部の磁気記録層の側壁部分における保護膜濃度分布は傾斜を有し得る。保護膜濃度分布は、媒体表面側で高く、基板側において低くなり得る。この保護膜濃度は、磁気記録層を構成する材料の側面に対する保護膜材料の主成分元素の濃度である。ここで言う主成分元素とは、保護膜材料を構成する種々の元素のうち原子量組成で50%以上の量を含む元素のことを意味する。すなわち、凸状磁気記録層の露出した側面においては、基板表面の方がより保護膜材料の主成分の付着が多いことを示す。   The thickness of the protective film can have a value lower than the height of the convex pattern of the magnetic recording layer. Further, the protective film concentration distribution in the side wall portion of the convex magnetic recording layer may have an inclination. The protective film concentration distribution can be high on the medium surface side and low on the substrate side. This protective film concentration is the concentration of the main component element of the protective film material with respect to the side surface of the material constituting the magnetic recording layer. The main component element mentioned here means an element containing an amount of 50% or more by atomic weight composition among various elements constituting the protective film material. That is, on the exposed side surface of the convex magnetic recording layer, the surface of the substrate is more adhered to the main component of the protective film material.

保護膜の材料は種々の材料から選択され、例えば金属、非金属、合金、酸化物、及び窒化物をはじめとしたそれらの化合物等が使用できる。   The material of the protective film is selected from various materials, and for example, compounds such as metals, non-metals, alloys, oxides, and nitrides can be used.

さらに、保護膜材料は凸状磁気記録層上で最も厚く、凸−凸間で薄い構造となる。   Further, the protective film material is thickest on the convex magnetic recording layer and has a thin structure between the convex and convex portions.

凸状磁気記録層と保護膜材料とで囲まれた凹パターン部分には、磁気記録層材料ならびに保護膜材料が存在しない空隙領域となる。該空隙領域は大気雰囲気、真空雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気で構成され得る。   In the concave pattern portion surrounded by the convex magnetic recording layer and the protective film material, there is a void area where the magnetic recording layer material and the protective film material do not exist. The void region can be composed of an air atmosphere, a vacuum atmosphere, or an inert gas atmosphere.

この空隙領域上部には保護膜が配され、凸−凸パターン間をブリッジ状に連結する。したがって、凹状パターンが基板面に露出されないため、ヘッド浮上時に発生する気流の渦が生じず、ヘッドの基板面に対する落ち込みが抑制されるので、ヘッド走査時における浮上安定性が改善される。   A protective film is disposed on the upper portion of the gap region, and connects the convex and convex patterns in a bridge shape. Therefore, since the concave pattern is not exposed on the substrate surface, the vortex of the airflow generated when the head floats is not generated, and the drop of the head with respect to the substrate surface is suppressed, so that the flying stability during head scanning is improved.

図6に、磁性層と保護層との寸法の関係を表す模式図を示す。   FIG. 6 is a schematic diagram showing the dimensional relationship between the magnetic layer and the protective layer.

図6(a)は、磁気記録媒体の上方向から見た磁性層と保護層の配置を表す図を示す。   FIG. 6A shows the arrangement of the magnetic layer and the protective layer as viewed from above the magnetic recording medium.

図6(b)は、そのX−X’断面図を示す。   FIG. 6B is a sectional view taken along the line X-X ′.

図6(c)は、そのY−Y’断面図を示す。   FIG. 6C shows a Y-Y ′ sectional view thereof.

図6(b),図6(c)のように、周期パターンの位置により保護層9は異なる厚さを有する。具体的には、パターンが最近接となるX−X’間において、ドット上部の保護層9厚をt1、磁性層26のドット間の保護層9厚をt2とし、パターンが最遠隔となるY−Y’間において、ドット間の保護層9厚をt3とした場合、t1≦t2≦t3の条件となる。   As shown in FIGS. 6B and 6C, the protective layer 9 has a different thickness depending on the position of the periodic pattern. Specifically, the thickness of the protective layer 9 at the top of the dot is t1 and the thickness of the protective layer 9 between the dots of the magnetic layer 26 is t2 between XX ′ where the pattern is closest, and the pattern is the remotest Y When the protective layer 9 thickness between dots is t3 between −Y ′, the condition is t1 ≦ t2 ≦ t3.

実施形態に係る磁気記録媒体によれば、媒体表面における凹凸差の位置依存性を小さくでき、面内均一性に優れ、しかも磁気ヘッドの浮上特性(グライド特性)が良好で、磁気スペーシング縮小による信号S/Nの良好な磁気記録媒体が得られる。凹部分に発生する気流が少なく、ヘッド落ち込みによるヘッドクラッシュ頻度が極めて少なくできるほか、浮上安定による信号S/Nを両立し得る磁気記録媒体となる。   According to the magnetic recording medium according to the embodiment, the position dependency of the unevenness difference on the surface of the medium can be reduced, the in-plane uniformity is excellent, and the flying characteristics (glide characteristics) of the magnetic head are good, and the magnetic spacing is reduced. A magnetic recording medium having a good signal S / N can be obtained. The magnetic recording medium is capable of reducing the airflow generated in the concave portion, extremely reducing the frequency of head crashes due to the head drop, and achieving both signal S / N due to flying stability.

また、実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、例えば以下の7つの実施形態に分けることができる。   In addition, the method of manufacturing a magnetic recording medium according to the embodiment can be divided into, for example, the following seven embodiments.

図7(a)ないし図7(e)に、第1の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図を示す。   FIG. 7A to FIG. 7E are process diagrams of the method for manufacturing the magnetic recording medium according to the first embodiment.

第1の実施形態では、図7(a)に示すように、基板1上に磁気記録層2を形成する工程と、磁気記録層2上にマスク層3を形成する工程と、マスク層3上にレジスト層19を形成する工程と、図7(b)に示すように、レジスト層19をパターニングして凸パターンを設ける工程と、図7(c)に示すように、凸パターンをマスク層3へ転写する工程と、図7(d)に示すように、マスク層3から磁気記録層2へ転写する工程と、磁気記録層2上からマスク層3を除去する工程と、図7(e)に示すように、磁気記録層2の凸パターンに対して保護膜材料を斜方成膜し、磁気記録層2上に保護膜9を形成する工程により磁気記録媒体101を形成する工程とを含む。得られた磁気記録媒体101は、磁気記録層2上に形成された保護膜9、及び保護膜9と、基板1表面と、磁気記録層2の各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙18を含む。   In the first embodiment, as shown in FIG. 7A, a step of forming a magnetic recording layer 2 on the substrate 1, a step of forming a mask layer 3 on the magnetic recording layer 2, and a step on the mask layer 3 The step of forming the resist layer 19 on the substrate, the step of patterning the resist layer 19 to provide a convex pattern as shown in FIG. 7B, and the step of forming the convex pattern on the mask layer 3 as shown in FIG. As shown in FIG. 7D, the step of transferring from the mask layer 3 to the magnetic recording layer 2, the step of removing the mask layer 3 from the magnetic recording layer 2, and the step of FIG. And forming a magnetic recording medium 101 by obliquely forming a protective film material on the convex pattern of the magnetic recording layer 2 and forming a protective film 9 on the magnetic recording layer 2. . The obtained magnetic recording medium 101 is in a region surrounded by the protective film 9 formed on the magnetic recording layer 2, the protective film 9, the surface of the substrate 1, and the side walls of each magnetic layer of the magnetic recording layer 2. It includes a void 18 provided.

図8(a)ないし図8(f)に第2の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図を示す。   FIG. 8A to FIG. 8F show process diagrams of a method for manufacturing a magnetic recording medium according to the second embodiment.

第2の実施形態は第1の実施形態の変形例である。ここでは、図8(f)に示すように、保護膜材料の斜方成膜の角度を図8(e)とは異なる角度に変更することにより、斜方成膜の角度を、適宜、複数回設定して、図8(e)にて形成された保護膜9の上にさらに保護膜を堆積し、保護膜9’を形成すること以外は第1の実施形態と同様にして、磁気記録媒体101と同様の構成を有する磁気記録媒体102を形成することができる。   The second embodiment is a modification of the first embodiment. Here, as shown in FIG. 8F, the angle of oblique film formation of the protective film material is changed to an angle different from that in FIG. Magnetic recording is performed in the same manner as in the first embodiment except that a protective film is further deposited on the protective film 9 formed in FIG. 8E and a protective film 9 ′ is formed. A magnetic recording medium 102 having a configuration similar to that of the medium 101 can be formed.

図9(a)ないし図9(f)に第3の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図を示す。   FIG. 9A to FIG. 9F show process diagrams of a method for manufacturing a magnetic recording medium according to the third embodiment.

図9(a)ないし図9(f)は、図7(e)の代わりに図9(e)及び図9(f)が用いられていること以外は、図7(a)ないし図7(e)と同様である。   9 (a) through 9 (f) are similar to FIGS. 7 (a) through 7 (f) except that FIG. 9 (e) and FIG. 9 (f) are used instead of FIG. 7 (e). Same as e).

第3の実施形態は、図9(e)及び図9(f)に示すように、保護膜材料を斜方成膜に供することより、図7(e)の保護膜9の厚さよりも厚い厚さを有する保護膜9bを形成した後、エッチングによりその膜厚を低減すること以外は第1の実施形態と同様にして、磁気記録媒体101と同様の構成を有する磁気記録媒体103を形成することができる。   In the third embodiment, as shown in FIGS. 9 (e) and 9 (f), the thickness of the protective film 9 shown in FIG. After forming the protective film 9b having a thickness, a magnetic recording medium 103 having the same configuration as the magnetic recording medium 101 is formed in the same manner as in the first embodiment except that the film thickness is reduced by etching. be able to.

図10(a)ないし図10(g)に第4の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図を示す。   FIG. 10A to FIG. 10G are process diagrams of a method for manufacturing a magnetic recording medium according to the fourth embodiment.

図10(a)ないし図10(g)は、図10(f)及び図10(g)をさらに含むこと以外は、図7(a)ないし図7(e)と同様の工程を有する。   FIGS. 10A to 10G have the same steps as FIGS. 7A to 7E except that FIG. 10F and FIG. 10G are further included.

第4の実施形態は、図10(e)に示すように保護膜材料を用いて斜方成膜により第1の保護膜21を形成した後、図10(f)に示すように保護膜材料を含む塗布液20を塗布し、斜方成膜した第1の保護膜21上にさらに第2の保護膜22を積層して保護膜9を形成すること以外は、第1の実施形態と同様にして、磁気記録媒体101と同様の構成を有する磁気記録媒体104を形成することができる。   In the fourth embodiment, after forming the first protective film 21 by oblique film formation using a protective film material as shown in FIG. 10E, the protective film material as shown in FIG. Except for applying the coating liquid 20 containing, and forming a protective film 9 by further laminating a second protective film 22 on the obliquely formed first protective film 21, the same as in the first embodiment. Thus, the magnetic recording medium 104 having the same configuration as the magnetic recording medium 101 can be formed.

図11(a)ないし図11(h)に第5の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図を示す。   FIG. 11A to FIG. 11H show process diagrams of a magnetic recording medium manufacturing method according to the fifth embodiment.

第5の実施形態によれば、図11(a)に示すように、マスク層3とレジスト層19との間に、転写層11を設ける工程をさらに含み、図11(c)に示すように、凸パターンをマスク層に転写する工程の前に凸パターンを転写層11に転写する工程をさらに含む以外は、第1の実施形態と同様にして磁気記録媒体105を得ることができる。なお、図11(b)はレジスト層をパターニングして凸パターンを形成する工程,図11(d)は、凸パターンをマスク層に転写する工程、図11(e)は、凸パターンを磁気記録層に転写する工程を示し、図11(f)はマスク層を除去することにより、凸状の複数の磁性層からなる磁気記録媒体2を訂正する工程を示し、図11(g)は、斜方成膜において保護膜材料を斜め方向に適用する工程を表し、これにより、図11(h)に示すように、磁気記録媒体101と同様の構成を有する磁気記録媒体105を形成することができる。   According to the fifth embodiment, as shown in FIG. 11A, the method further includes the step of providing the transfer layer 11 between the mask layer 3 and the resist layer 19, as shown in FIG. The magnetic recording medium 105 can be obtained in the same manner as in the first embodiment except that the method further includes the step of transferring the convex pattern to the transfer layer 11 before the step of transferring the convex pattern to the mask layer. 11B is a step of patterning the resist layer to form a convex pattern, FIG. 11D is a step of transferring the convex pattern to the mask layer, and FIG. 11E is a magnetic recording of the convex pattern. FIG. 11 (f) shows a step of correcting the magnetic recording medium 2 composed of a plurality of convex magnetic layers by removing the mask layer, and FIG. 11 (g) shows an oblique process. In this method, a process of applying a protective film material in an oblique direction is shown, and as a result, a magnetic recording medium 105 having the same configuration as that of the magnetic recording medium 101 can be formed as shown in FIG. .

図12(a)ないし図12(h)に第6の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の工程図を示す。   FIG. 12A to FIG. 12H show process drawings of a method for manufacturing a magnetic recording medium according to the sixth embodiment.

第6の実施形態では、図12(a)に示すように、磁気記録層2とマスク層3の間にさらに剥離層12を設ける工程をさらに含み、図12(d)に示すように、凸パターンを磁気記録層2に転写する工程の前に、凸パターンを剥離層12に転写する工程をさらに含むこと以外は第1の実施形態と同様にして、磁気記録媒体106を得ることができる。なお図12(b)はレジスト層をパターニングして凸パターンを形成する工程,図12(c)は、凸パターンをマスク層に転写する工程、図12(e)は、凸パターンを磁気記録層に転写する工程を示し、図12(f)は、剥離層を除去することにより凸状の複数の磁性層からなる磁気記録媒体2を形成する工程を示し、図12(g)は、斜方成膜において保護膜材料を斜め方向に適用する工程を表し、これにより、図12(h)に示すように、磁気記録媒体101と同様の構成を有する磁気記録媒体106を形成することができる。   In the sixth embodiment, as shown in FIG. 12A, the method further includes a step of providing a release layer 12 between the magnetic recording layer 2 and the mask layer 3, and as shown in FIG. The magnetic recording medium 106 can be obtained in the same manner as in the first embodiment except that the method further includes the step of transferring the convex pattern to the release layer 12 before the step of transferring the pattern to the magnetic recording layer 2. 12B is a step of patterning the resist layer to form a convex pattern, FIG. 12C is a step of transferring the convex pattern to the mask layer, and FIG. 12E is a step of transferring the convex pattern to the magnetic recording layer. FIG. 12F shows the step of forming the magnetic recording medium 2 composed of a plurality of convex magnetic layers by removing the release layer, and FIG. This represents a step of applying the protective film material in the oblique direction in the film formation, and as a result, a magnetic recording medium 106 having the same configuration as the magnetic recording medium 101 can be formed as shown in FIG.

第7の実施形態では、図13ないし図15に示すように、基板上に設けた凸パターンをテンプレートとしてナノインプリントスタンパーを作製し、ナノインプリントスタンパーを用いてレジスト層に凸パターンを設け、凸パターンをマスク層に転写し、磁気記録媒体を得ることができる。   In the seventh embodiment, as shown in FIGS. 13 to 15, a nanoimprint stamper is produced using a convex pattern provided on a substrate as a template, a convex pattern is provided on the resist layer using the nanoimprint stamper, and the convex pattern is masked. Transfer to the layer to obtain a magnetic recording medium.

図13は、ナノインプリントスタンパー作製工程を表す図を示す。   FIG. 13 is a diagram illustrating a nanoimprint stamper manufacturing process.

まず、図13(a)に示すように、基板1上にレジスト層19を形成する。   First, as shown in FIG. 13A, a resist layer 19 is formed on the substrate 1.

次に、図13(b)に示すように、レジスト層19をパターニングし、凸状パターンのレジスト層19を得る。   Next, as shown in FIG. 13B, the resist layer 19 is patterned to obtain a resist layer 19 having a convex pattern.

続いて、図13(c)に示すように、凸状のレジスト層19上に導電膜13を成膜する。後述する電鋳の際には、導電不良が生じるとめっき成長が阻害され、パターン欠損につながるため、この導電膜13は凸パターンの表面ならびに側面において均一に成膜されていることが好ましい。ただし、金属微粒子ならびに基板に導電性材料を適用する場合はその限りではなく、凸パターンに電気的な導通があれば良い。この場合は導電膜13が金属微粒子上部、側面、および溝部にのみ成膜されていても良い。   Subsequently, as illustrated in FIG. 13C, the conductive film 13 is formed on the convex resist layer 19. In electroforming, which will be described later, if conductive failure occurs, plating growth is hindered and leads to pattern defects. Therefore, the conductive film 13 is preferably formed uniformly on the surface and side surfaces of the convex pattern. However, this is not the case when a conductive material is applied to the metal fine particles and the substrate, and the convex pattern only needs to be electrically conductive. In this case, the conductive film 13 may be formed only on the upper part, the side surface, and the groove part of the metal fine particles.

導電膜13は種々の材料から選択できる。導電膜13の材料として例えば、Ni、Al、Ti、C、Au、Ag、Cr、Cuなどが挙げられる。ここではNiを用いた例を説明する。   The conductive film 13 can be selected from various materials. Examples of the material of the conductive film 13 include Ni, Al, Ti, C, Au, Ag, Cr, and Cu. Here, an example using Ni will be described.

続いて、図13(d)に示すように、マスター原盤をスルファミン酸NiあるいはNiP浴に浸漬・通電し、電鋳を行なって、導電膜13上にスタンパーとなる電鋳層14を形成する。めっき後の膜厚、すなわちスタンパーの厚さはめっき浴の水素イオン濃度、温度、粘度の他、通電電流値、めっき時間などを変更することで調整できる。この電鋳は電解めっき、あるいは無電解めっきにより行なうことができる。   Subsequently, as shown in FIG. 13 (d), the master master is immersed in a sulfamic acid Ni or NiP bath and energized to perform electroforming, thereby forming an electroformed layer 14 serving as a stamper on the conductive film 13. The film thickness after plating, that is, the thickness of the stamper can be adjusted by changing the current value, plating time, etc., in addition to the hydrogen ion concentration, temperature and viscosity of the plating bath. This electroforming can be performed by electrolytic plating or electroless plating.

このようにして得られたスタンパー201を、図13(e)に示すように基板1上から離型する。最後に、凸パターン面以外の不要な箇所を機械的に除去し、さらに円形、矩形などの所望の形状に加工することで、スタンパーが完成し得る。   The stamper 201 obtained in this way is released from the substrate 1 as shown in FIG. Finally, unnecessary portions other than the convex pattern surface are mechanically removed and further processed into a desired shape such as a circle or a rectangle, whereby the stamper can be completed.

図14(a)ないし図14(i)に、ナノインプリントスタンパー作製工程の変形例を表す図を示す。   FIG. 14A to FIG. 14I are diagrams showing modifications of the nanoimprint stamper manufacturing process.

図14(a)に示すように、基板1上に、マスク層3,転写層11,及びレジスト層19を形成する。   As shown in FIG. 14A, a mask layer 3, a transfer layer 11, and a resist layer 19 are formed on the substrate 1.

次に、図14(b)に示すように、レジスト層19をパターニングして凸状パターンのレジスト層19を得る。   Next, as shown in FIG. 14B, the resist layer 19 is patterned to obtain a resist layer 19 having a convex pattern.

続いて図14(c)に示すように、凸状パターンを転写層11に転写する。   Subsequently, as shown in FIG. 14C, the convex pattern is transferred to the transfer layer 11.

その後、図14(d)に示すように、凸状パターンをマスク層3に転写する。   Thereafter, the convex pattern is transferred to the mask layer 3 as shown in FIG.

さらに、図14(e)に示すように、凸状パターンを基板1に転写する。   Further, as shown in FIG. 14E, the convex pattern is transferred to the substrate 1.

続いて、図14(f)に示すように、マスク層を剥離して、凸状パターンが形成された基板1を得る。   Then, as shown in FIG.14 (f), a mask layer is peeled and the board | substrate 1 with which the convex-shaped pattern was formed is obtained.

続いて、図14(g)に示すように、基板1上に導電膜13を成膜する。   Subsequently, as shown in FIG. 14G, a conductive film 13 is formed on the substrate 1.

続いて、図14(h)に示すように、マスター原盤をスルファミン酸NiあるいはNiP浴に浸漬・通電し、電鋳を行なって、導電膜13上にスタンパーとなる電鋳層14を形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 14 (h), the master master is immersed in a sulfamic acid Ni or NiP bath and energized to perform electroforming to form an electroformed layer 14 serving as a stamper on the conductive film 13.

このようにして得られたスタンパー202を、図14(i)に示すように基板1上から離型する。   The stamper 202 obtained in this way is released from the substrate 1 as shown in FIG.

さらに、図14(g)の工程の後、マスク層3を介して基板1に凸パターンを転写し、図示しない基板にも凸パターンが転写されたマスター原盤を用いてスタンパーを作製することも可能である。   Further, after the step of FIG. 14 (g), it is possible to transfer a convex pattern to the substrate 1 through the mask layer 3, and to produce a stamper using a master master having the convex pattern transferred to a substrate (not shown). It is.

スタンパーをマスター原盤として代替し、複製スタンパーを作製することができる。この場合は、NiスタンパーからNiスタンパーを得る方法や、Niスタンパーから樹脂スタンパーを得る方法などが挙げられる。   A replica stamper can be produced by replacing the stamper as a master master. In this case, a method of obtaining a Ni stamper from a Ni stamper, a method of obtaining a resin stamper from a Ni stamper, and the like can be mentioned.

図15(a)ないし図15(j)に、第1の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法のさらに他の一例を説明するための図を示す。   FIGS. 15A to 15J are views for explaining yet another example of the method for manufacturing the magnetic recording medium according to the first embodiment.

図15(a)に示すように、これらのレジスト材料を、基板1上に磁気記録層2およびマスク層3を有する試料上に塗布し、レジスト層15を形成する。次いで、図15(b)に示すように、レジスト層15に対して凸パターンを有する樹脂スタンパー202をインプリントする。インプリントの際、樹脂スタンパー202がレジストに押下されるとレジストが流動化し、凸パターンが形成される。ここで、レジスト層15に対して紫外線などのエネルギーを付与することで、凸パターンを形成しているレジスト層15を硬化させ、次いで樹脂スタンパー202を離型すればレジスト層15の凸パターンが得られる。樹脂スタンパー202の離型を容易に行なうために、あらかじめ樹脂スタンパー202表面にシランカップリング剤などによる離型処理を行なっておいてもよい。   As shown in FIG. 15A, these resist materials are applied onto a sample having a magnetic recording layer 2 and a mask layer 3 on a substrate 1 to form a resist layer 15. Next, as shown in FIG. 15B, a resin stamper 202 having a convex pattern is imprinted on the resist layer 15. At the time of imprinting, when the resin stamper 202 is pressed by the resist, the resist is fluidized and a convex pattern is formed. Here, by applying energy such as ultraviolet rays to the resist layer 15, the resist layer 15 forming the convex pattern is cured, and then the resin stamper 202 is released to obtain the convex pattern of the resist layer 15. It is done. In order to easily release the resin stamper 202, the surface of the resin stamper 202 may be previously subjected to release treatment with a silane coupling agent or the like.

次に、図15(c)に示すように、インプリントレジストを押下した樹脂スタンパー202を離型する。ここで、樹脂スタンパー202離型後におけるレジスト層15の凹部にはレジスト材料が残渣として残存しているため、図15(d)に示すように、これをエッチングにより除去することでマスク層3の表面を露出させる。ポリマーベースのレジスト材料は、一般的にOエッチャントに対するエッチング耐性が低いため、Oガスを用いたドライエッチングを行なうことで容易に残渣を除去できる。無機材料を含む場合は、レジストパターンが残るようにエッチングガスを適宜変更することができる。以降、図15(d)、(f)、(g)、(h)に示すように、凸パターンをマスク層3、磁気記録層2へ転写する。 Next, as shown in FIG. 15C, the resin stamper 202 having pressed the imprint resist is released. Here, since the resist material remains as a residue in the concave portion of the resist layer 15 after the mold release of the resin stamper 202, the mask layer 3 is removed by etching as shown in FIG. Expose the surface. Since polymer-based resist materials generally have low etching resistance against O 2 etchants, residues can be easily removed by dry etching using O 2 gas. When an inorganic material is included, the etching gas can be changed as appropriate so that the resist pattern remains. Thereafter, the convex pattern is transferred to the mask layer 3 and the magnetic recording layer 2 as shown in FIGS. 15 (d), (f), (g), and (h).

その後、図15(i)に示すように、磁気記録層2の凸パターンに対して保護膜材料を斜方成膜し、磁気記録層2上に保護膜9を形成する工程により、図15(j)に示すように、磁気記録媒体107を形成する。得られた磁気記録媒体107は、磁気記録層2上に形成された保護膜9、及び保護膜9と、基板1表面と、磁気記録層2の各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙18を含む。   Thereafter, as shown in FIG. 15 (i), a protective film material is obliquely formed on the convex pattern of the magnetic recording layer 2, and a protective film 9 is formed on the magnetic recording layer 2, thereby forming the protective film 9 in FIG. As shown in j), the magnetic recording medium 107 is formed. The obtained magnetic recording medium 107 is in a region surrounded by the protective film 9 formed on the magnetic recording layer 2, the protective film 9, the surface of the substrate 1, and the side walls of each magnetic layer of the magnetic recording layer 2. It includes a void 18 provided.

このようにして、凸パターンを有する磁気記録媒体107をナノインプリントにより作製することができる。   In this way, the magnetic recording medium 107 having a convex pattern can be manufactured by nanoimprinting.

第1ないし第7の実施形態において、レジスト層に凸パターンを設ける方法として、図16から図18に示すように例えばエネルギー線を用いたリソグラフィー、ナノインプリント、少なくとも2種類以上のポリマー鎖を有するブロックコポリマーからなる自己組織化膜を用いたマスク、あるいは金属微粒子をマスクとして用いたパターニング方法が挙げられる。自己組織化膜を用いる場合は、膜内にミクロ相分離構造を形成した後、1種のポリマー相を選択的に除去し、残存したポリマー相をマスクとすることで凸パターンを転写することができる。また、金属微粒子マスクを用いる場合は、同一平面上に配された金属微粒子を独立したマスク層として用いることで、凸パターンを転写することができる。さらに、上記凸パターンを凸テンプレートとして、該テンプレートからナノインプリントスタンパを作製し、それを用いて凸パターン転写を行なって構わない。   In the first to seventh embodiments, as a method of providing a convex pattern on the resist layer, as shown in FIGS. 16 to 18, for example, lithography using energy rays, nanoimprint, block copolymer having at least two kinds of polymer chains And a patterning method using a metal fine particle as a mask. When a self-assembled film is used, a convex pattern can be transferred by forming a microphase separation structure in the film and then selectively removing one polymer phase and using the remaining polymer phase as a mask. it can. Moreover, when using a metal fine particle mask, a convex pattern can be transcribe | transferred by using the metal fine particle distribute | arranged on the same plane as an independent mask layer. Further, using the convex pattern as a convex template, a nanoimprint stamper may be produced from the template, and the convex pattern may be transferred using the nanoimprint stamper.

図16に、自己組織化リソグラフィーによる磁気記録媒体の製造方法の一例を表す図を示す。   FIG. 16 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a magnetic recording medium by self-organized lithography.

まず、図16(a)に示すように、基板1上に、磁気記録層2、及びマスク層3が形成された磁気記録媒体を用意する。   First, as shown in FIG. 16A, a magnetic recording medium in which a magnetic recording layer 2 and a mask layer 3 are formed on a substrate 1 is prepared.

自己組織化膜を用いる場合は、図7(a)に示すように基板1上に、磁気記録層2、マスク層3、及びレジスト層19を形成し、及び図1(b)に示すようにフォトリソグラフィーにより凸パターンを転写する代わりに、図16(a)に示すマスク層3の上に、図16(b)に示す2種類以上のポリマー鎖を有するブロックコポリマーからなる自己組織化層24を形成し、図16(c)に示すように、例えば,熱アニールを行うことにより、自己組織化層24にミクロ相分離構造25,26を形成した後、図16(d)に示すように1種のポリマー相25を選択的に除去し、残存したポリマー26をマスクとすることで凸パターンを転写する。続いて、図16(e)に示すように、凸パターンをマスク層3へ転写する工程、図16(f)に示すように、凸パターンを磁気記録層2へ転写する工程、マスク層3を剥離して、図16(g)に示すように、パターン加工された磁気記録媒体を得る工程を含む。   In the case of using a self-assembled film, the magnetic recording layer 2, the mask layer 3, and the resist layer 19 are formed on the substrate 1 as shown in FIG. 7A, and as shown in FIG. Instead of transferring the convex pattern by photolithography, a self-assembled layer 24 made of a block copolymer having two or more types of polymer chains shown in FIG. 16B is formed on the mask layer 3 shown in FIG. As shown in FIG. 16C, the microphase separation structures 25 and 26 are formed in the self-assembled layer 24 by, for example, thermal annealing, and then, as shown in FIG. The seed polymer phase 25 is selectively removed, and the remaining polymer 26 is used as a mask to transfer the convex pattern. Subsequently, as shown in FIG. 16 (e), the step of transferring the convex pattern to the mask layer 3, as shown in FIG. 16 (f), the step of transferring the convex pattern to the magnetic recording layer 2, and the mask layer 3 A step of peeling and obtaining a patterned magnetic recording medium as shown in FIG.

さらに、図16(h)に示すように、磁気記録層2の凸パターンに対して保護膜材料を斜方成膜し、磁気記録層2上に保護膜9を形成する工程により、図16(i)に示すように、磁気記録媒体108を形成する。得られた磁気記録媒体108は、磁気記録層2上に形成された保護膜9、及び保護膜9と、基板1表面と、磁気記録層2の各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙18を含む。   Further, as shown in FIG. 16H, a protective film material is obliquely formed on the convex pattern of the magnetic recording layer 2, and a protective film 9 is formed on the magnetic recording layer 2, thereby forming the protective film 9 in FIG. As shown in i), the magnetic recording medium 108 is formed. The obtained magnetic recording medium 108 is in a region surrounded by the protective film 9 formed on the magnetic recording layer 2, the protective film 9, the surface of the substrate 1, and the side wall of each magnetic layer of the magnetic recording layer 2. It includes a void 18 provided.

図17(a)ないし図17(h)に金属微粒子を用いた磁気記録媒体の製造工程の一例を表す図を示す。   FIGS. 17A to 17H show an example of a manufacturing process of a magnetic recording medium using metal fine particles.

まず、図17(a)に示すように、基板1上に設けられた磁気記録媒体2上にマスク層3を形成する。   First, as shown in FIG. 17A, a mask layer 3 is formed on a magnetic recording medium 2 provided on a substrate 1.

次に、図17(b)に示すように、金属微粒子4と第1の溶媒5を含む金属微粒子塗布液6をマスク層3へ滴下、塗布するとともに、図17(c)に示すように、マスク層3上に、複数の金属微粒子4が配列された金属微粒子膜8を得る。   Next, as shown in FIG. 17B, a metal fine particle coating solution 6 containing the metal fine particles 4 and the first solvent 5 is dropped and applied to the mask layer 3, and as shown in FIG. A metal fine particle film 8 in which a plurality of metal fine particles 4 are arranged is obtained on the mask layer 3.

引き続き、図17(d)に示すように金属微粒子膜8により構成される凸パターンをマスク層3へ転写する。   Subsequently, as shown in FIG. 17D, the convex pattern constituted by the metal fine particle film 8 is transferred to the mask layer 3.

次に、図17(e)に示すように金属微粒子膜8とパターニングされたマスク層3を介して、磁気記録層2に凸パターンを転写する。   Next, as shown in FIG. 17E, the convex pattern is transferred to the magnetic recording layer 2 through the metal fine particle film 8 and the patterned mask layer 3.

さらに続いて、図17(f)に示すように磁気記録層2上のマスク層3および単層金属微粒子膜8を除去することにより、基板1と、その上に設けられたパターニングされた磁気記録層2とを得る。   Subsequently, as shown in FIG. 17 (f), the mask layer 3 and the single-layer metal fine particle film 8 on the magnetic recording layer 2 are removed, whereby the patterned magnetic recording provided on the substrate 1 is provided. Layer 2 is obtained.

その後、図17(g)に示すように、磁気記録層2の凸パターンに対して保護膜材料を斜方成膜し、磁気記録層2上に保護膜9を形成する工程により、図15(j)に示すように、磁気記録媒体109を形成する。得られた磁気記録媒体109は、磁気記録層2上に形成された保護膜9、及び保護膜9と、基板1表面と、磁気記録層2の各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙18を含む。   Thereafter, as shown in FIG. 17G, a protective film material is obliquely formed on the convex pattern of the magnetic recording layer 2 to form a protective film 9 on the magnetic recording layer 2, thereby forming the protective film 9 in FIG. As shown in j), the magnetic recording medium 109 is formed. The obtained magnetic recording medium 109 is in a region surrounded by the protective film 9 formed on the magnetic recording layer 2, the protective film 9, the surface of the substrate 1, and the side walls of each magnetic layer of the magnetic recording layer 2. It includes a void 18 provided.

図18に、金属微粒子を用いた磁気記録媒体の製造工程の他の一例を表す図を示す。   FIG. 18 is a diagram showing another example of the manufacturing process of the magnetic recording medium using metal fine particles.

まず、基板上に磁気記録層が形成された磁気記録媒体を用意する。   First, a magnetic recording medium having a magnetic recording layer formed on a substrate is prepared.

図18(a)に示すように、基板1上に設けられた磁気記録媒体2上にマスク層3を形成する。   As shown in FIG. 18A, a mask layer 3 is formed on a magnetic recording medium 2 provided on a substrate 1.

次に、図18(b)に示すように、図示しない保護材により被覆された金属微粒子4と溶媒5を含む金属微粒子塗布液6をマスク層3へ滴下、塗布し、図18(c)に示すように、複数の金属微粒子が規則正しく配列された金属微粒子膜8を得る。   Next, as shown in FIG. 18 (b), a metal fine particle coating solution 6 containing metal fine particles 4 and a solvent 5 covered with a protective material (not shown) is dropped and applied to the mask layer 3, and FIG. 18 (c) is applied. As shown, a metal fine particle film 8 in which a plurality of metal fine particles are regularly arranged is obtained.

続いて、図18(d)に示すように、金属微粒子膜8表面と、金属微粒子膜8が形成されたマスク層3表面とを被覆するオーバーコート層16を形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 18D, an overcoat layer 16 covering the surface of the metal fine particle film 8 and the surface of the mask layer 3 on which the metal fine particle film 8 is formed is formed.

その後、図18(e)に示すように、オーバーコート層16を介して金属微粒子膜8にエネルギー線を照射することにより、金属微粒子4表面の保護材を失活する。   Thereafter, as shown in FIG. 18 (e), the protective material on the surface of the metal fine particles 4 is deactivated by irradiating the metal fine particle film 8 with energy rays through the overcoat layer 16.

さらに、図18(f)に示すように、金属微粒子層8をマスクとしてオーバーコート層16をエッチングすることにより、マスク層3表面に金属微粒子膜8からなる凸パターンを形成する。   Further, as shown in FIG. 18 (f), the overcoat layer 16 is etched using the metal fine particle layer 8 as a mask to form a convex pattern made of the metal fine particle film 8 on the surface of the mask layer 3.

引き続き、図18(g)に示すように単層の金属微粒子膜8により構成される凸パターンをマスク層3へ転写する。   Subsequently, as shown in FIG. 18G, the convex pattern constituted by the single-layer metal fine-particle film 8 is transferred to the mask layer 3.

次に、図18(h)に示すように、単層の金属微粒子膜8とパターニングされたマスク層3を介して、磁気記録層2に凸パターンを転写する。   Next, as shown in FIG. 18H, the convex pattern is transferred to the magnetic recording layer 2 through the single-layer metal fine particle film 8 and the patterned mask layer 3.

さらに続いて、図18(i)に示すように、磁気記録層2上のマスク層3および単層金属微粒子膜8を除去することにより、基板1と、その上に設けられたパターニングされた磁気記録層2とを得る。   Subsequently, as shown in FIG. 18 (i), by removing the mask layer 3 and the single-layer metal fine particle film 8 on the magnetic recording layer 2, the substrate 1 and the patterned magnetic layer provided thereon are obtained. Recording layer 2 is obtained.

さらに、図18(j)に示すように、磁気記録層2の凸パターンに対して保護膜材料を斜方成膜し、磁気記録層2上に保護膜9を形成する工程により、図18(k)に示すように、磁気記録媒体110を形成する。得られた磁気記録媒体110は、磁気記録層2上に形成された保護膜9、及び保護膜9と、基板1表面と、磁気記録層2の各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙18を含む。   Further, as shown in FIG. 18 (j), a protective film material is obliquely formed on the convex pattern of the magnetic recording layer 2, and a protective film 9 is formed on the magnetic recording layer 2, thereby forming a protective film 9 in FIG. As shown in k), the magnetic recording medium 110 is formed. The obtained magnetic recording medium 110 is in a region surrounded by the protective film 9 formed on the magnetic recording layer 2, the protective film 9, the surface of the substrate 1, and the side wall of each magnetic layer of the magnetic recording layer 2. It includes a void 18 provided.

保護膜の成膜では、基板面に対して斜方から保護膜材料を照射することで磁気記録層上に保護膜を形成する。このとき、保護膜材料を斜方成膜に供する際の角度は保護膜形成の途中で適宜変更してもよく、複数の照射角度を設定して保護膜を形成することができる。   In forming the protective film, the protective film is formed on the magnetic recording layer by irradiating the protective film material obliquely with respect to the substrate surface. At this time, the angle at which the protective film material is used for oblique film formation may be appropriately changed during the formation of the protective film, and the protective film can be formed by setting a plurality of irradiation angles.

ここで、照射角度とは、基板面に対し垂直方向を0°、水平方向を90°とした場合に測定した角度をいう。すなわち、基板表面と保護層材料とが対向する場合が0°、基板凹凸側面が保護層材料と対向する場合が90°である。   Here, the irradiation angle refers to an angle measured when the vertical direction with respect to the substrate surface is 0 ° and the horizontal direction is 90 °. That is, the case where the substrate surface and the protective layer material face each other is 0 °, and the case where the substrate uneven surface faces the protective layer material is 90 °.

保護膜材料を斜方成膜する場合、固定された保護膜材料源に対して試料治具を傾けて配置するか、治具に装荷した試料基板を傾けて配置するか、あるいは、固定された基板材料に対して保護膜材料源を傾けて配置するなどの方法がある。   When the protective film material is formed obliquely, the sample jig is inclined with respect to the fixed protective film material source, the sample substrate loaded on the jig is inclined, or fixed. There is a method such as disposing the protective film material source at an angle with respect to the substrate material.

保護膜材料は種々の材料から選択できるが、非磁性材料を用いることが好ましい。例えば、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Y、Zr、Mo、Pd、Ag、xHf、W、Pt、Auなどから選択できる。   The protective film material can be selected from various materials, but a nonmagnetic material is preferably used. For example, it can be selected from Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn, Ge, Y, Zr, Mo, Pd, Ag, xHf, W, Pt, Au, and the like.

保護膜材料の厚さは、磁気スペーシングの低減による信号S/Nの改善を図るため、5nm以下にすることが好ましい。また、凸パターンに対する被覆性を良好にするため、0.1nmよりも厚くしておくことが望ましい。   The thickness of the protective film material is preferably 5 nm or less in order to improve the signal S / N by reducing the magnetic spacing. Moreover, in order to make the coverage with respect to a convex pattern favorable, it is desirable to make it thicker than 0.1 nm.

磁気記録層および保護膜によって囲まれる空隙領域は、保護膜形成中の雰囲気に置換され得る。例えば、He、N、Arのような不活性ガス雰囲気中で保護膜を成膜した場合は、空隙に不活性ガスが充填される。 The void area surrounded by the magnetic recording layer and the protective film can be replaced with the atmosphere during the formation of the protective film. For example, when the protective film is formed in an inert gas atmosphere such as He, N 2 , and Ar, the void is filled with the inert gas.

第2の実施形態において、保護膜材料を斜方成膜するための照射角度はθ1、θ2、θ3、…θn(nは整数)のように、異なる角度を適宜設定しても良い。   In the second embodiment, the irradiation angles for forming the protective film material obliquely may be set as appropriate, such as θ1, θ2, θ3,... Θn (n is an integer).

第3の実施形態において、保護膜材料を斜方成膜して厚膜を形成した後、ウェットエッチングやドライエッチングによりその膜厚を低減し、表面ラフネスを小さくすることができる。また、第2の実施形態と組合せて、異なる照射角度で斜方成膜した後エッチングによる保護膜厚低減工程を繰り返しても構わない。   In the third embodiment, after forming a thick film by forming the protective film material obliquely, the film thickness can be reduced by wet etching or dry etching, and the surface roughness can be reduced. Further, in combination with the second embodiment, the protective film thickness reduction process by etching may be repeated after oblique film formation at different irradiation angles.

第4の実施形態において、斜方入射して成膜した保護膜材料の表面に対して、保護膜材料を含む溶液を保護膜表面に塗布し、表面ラフネスを低減することもできる。この保護膜材料の塗布は種々の方法によりなされ、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スピンキャスト法、ラングミュアブロジェット法、インクジェット法などの方法を適用することが可能である。   In the fourth embodiment, a surface roughness can be reduced by applying a solution containing a protective film material to the surface of the protective film material formed by oblique incidence. The protective film material is applied by various methods. For example, a spin coating method, a dip coating method, a spin casting method, a Langmuir Blodget method, an ink jet method, or the like can be applied.

第5の実施形態において、マスク層上に設ける転写層は種々の材料から構成される。また、その加工の際はウェットエッチングやドライエッチングなどの方法を適用可能である。転写層を用いることで、凸パターンの転写精度を改善できる。   In the fifth embodiment, the transfer layer provided on the mask layer is made of various materials. In addition, methods such as wet etching and dry etching can be applied during the processing. By using the transfer layer, the transfer accuracy of the convex pattern can be improved.

第6の実施形態において、磁気記録層に設ける剥離層は金属、合金、化合物、有機物などの種々の材料から構成され得る。凸パターンを磁気記録層へ転写した後、剥離層を溶解することでマスク層およびその上層に存在するパーティクルなども媒体表面から除去できるため、媒体表面を清浄化し、表面性を改善可能である。   In the sixth embodiment, the release layer provided on the magnetic recording layer can be composed of various materials such as metals, alloys, compounds, and organic substances. After transferring the convex pattern to the magnetic recording layer, the mask layer and the particles existing on the mask layer can be removed from the medium surface by dissolving the release layer. Therefore, the surface of the medium can be cleaned and the surface properties can be improved.

第7の実施形態において、基板上に設けられたレジスト層の凸パターンからインプリントスタンパを作製し、該インプリントスタンパを用いたナノインプリントリソグラフィーにより、磁気記録層に凸パターンを転写する。ナノインプリントを適用することで基板の大面積に渡りパターンを一括転写でき、製造スループットを向上可能である。   In the seventh embodiment, an imprint stamper is produced from a convex pattern of a resist layer provided on a substrate, and the convex pattern is transferred to the magnetic recording layer by nanoimprint lithography using the imprint stamper. By applying nanoimprinting, a pattern can be collectively transferred over a large area of the substrate, and manufacturing throughput can be improved.

なお、上述した係る製造方法の第1ないし第7の実施形態は、相互に組み合わせて実施しても良い。 Note that the first to seventh embodiments of the manufacturing method according to the above may be combined with each other.

上記実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法によれば、磁気記録媒体上の凹凸差を低減し、ヘッドの浮上特性が良好で、しかも磁気スペーシングの縮小による信号S/Nの優れた磁気記録媒体を製造できる。また、ヘッドの浮上特性が良好な媒体表面の保護膜を簡便に形成することが可能であり、製造プロセスの簡易化が実現される。   According to the method for manufacturing a magnetic recording medium according to the above-described embodiment, the difference in unevenness on the magnetic recording medium is reduced, the flying characteristics of the head are good, and the signal S / N is excellent due to the reduction in magnetic spacing. Media can be manufactured. Further, it is possible to easily form a protective film on the surface of the medium with good head flying characteristics, thereby simplifying the manufacturing process.

磁気記録層形成工程
まず、基板上に磁気記録層を形成し、磁気記録媒体を得る。
Magnetic recording layer forming step First, a magnetic recording layer is formed on a substrate to obtain a magnetic recording medium.

基板の形状には何ら限定は無いが、通常は円形で、硬質のものが用いられる。例えば、ガラス基板、金属含有基板、カーボン基板、セラミックス基板などが用いられる。パターンの面内均一性を良好にするため、基板表面の凸パターンは小さくすることが望ましい。また、必要に応じて基板表面には酸化膜をはじめとした保護膜を形成しておくことも可能である。   Although there is no limitation on the shape of the substrate, it is usually circular and hard. For example, a glass substrate, a metal-containing substrate, a carbon substrate, a ceramic substrate, or the like is used. In order to improve the in-plane uniformity of the pattern, it is desirable to make the convex pattern on the substrate surface small. In addition, a protective film such as an oxide film can be formed on the substrate surface as necessary.

ガラス基板には、ソーダライムガラスやアルミノシリケートガラスに代表されるアモルファスガラスや、リチウム系ガラスに代表される結晶化ガラスを用いることができる。また、セラミックス基板にはアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素を主成分とする焼結体基板を用いることが可能である。   As the glass substrate, amorphous glass typified by soda lime glass or aluminosilicate glass, or crystallized glass typified by lithium glass can be used. In addition, a sintered body substrate mainly composed of alumina, aluminum nitride, or silicon nitride can be used as the ceramic substrate.

基板上にはコバルトを主成分とした垂直磁気記録層を有する磁気記録層が形成される。   A magnetic recording layer having a perpendicular magnetic recording layer mainly composed of cobalt is formed on the substrate.

ここで、基板と垂直磁気記録層の間には高透磁率を有する軟磁性裏打ち層(SUL; Soft Under Layer)を形成することができる。軟磁性裏打ち層は垂直磁気記録層を磁化するための磁気ヘッドからの記録磁界を環流させるといった磁気ヘッド機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で十分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させることができる。   Here, a soft magnetic under layer (SUL) having a high magnetic permeability can be formed between the substrate and the perpendicular magnetic recording layer. The soft magnetic underlayer bears a part of the magnetic head function of circulating the recording magnetic field from the magnetic head for magnetizing the perpendicular magnetic recording layer, and applies a steep and sufficient perpendicular magnetic field to the recording layer of the magnetic field, Recording / reproduction efficiency can be improved.

軟磁性裏打ち層には例えばFe、Ni、Coを含む材料を用いることができる。これらの材料のうち、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界が存在せず優れた軟磁性を示すアモルファス材料を好ましく使用できる。軟磁性アモルファス材料を使用することにより、記録媒体の低ノイズ化を図ることができる。軟磁性アモルファス材料として、例えば、Coを主成分として、これに対しZr、Nb、Hf、Ti、Taのうち少なくとも1種を含有したCo合金、例えばCoZr、CoZrNb、及びCoZrTaなどを選択できる。   For the soft underlayer, for example, a material containing Fe, Ni, Co can be used. Of these materials, amorphous materials exhibiting excellent soft magnetism without crystal magnetic anisotropy, crystal defects and grain boundaries can be preferably used. By using a soft magnetic amorphous material, the noise of the recording medium can be reduced. As the soft magnetic amorphous material, for example, a Co alloy containing Co as a main component and containing at least one of Zr, Nb, Hf, Ti, and Ta, such as CoZr, CoZrNb, and CoZrTa can be selected.

また、軟磁性裏打ち層と基板との間には軟磁性裏打ち層の密着性向上のために下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ni、Ti、Ta、W、Cr、Pt、その合金、その酸化物、及びその窒化物などを用いることができ、例えばNiTa、及びNiCrなどを用いることが可能である。なお、これらの層は複数で構成されても構わない。   In addition, an underlayer can be provided between the soft magnetic backing layer and the substrate in order to improve the adhesion of the soft magnetic backing layer. As the underlayer material, Ni, Ti, Ta, W, Cr, Pt, an alloy thereof, an oxide thereof, a nitride thereof, or the like can be used. For example, NiTa, NiCr, or the like can be used. These layers may be composed of a plurality.

更に、軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間には非磁性金属材料からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間の交換結合相互作用を遮断することと、垂直磁気記録層の結晶性を制御することの二つである。中間層材料としては、Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si、あるいはその合金、その酸化物、及びその窒化物から選択することができる。   Furthermore, an intermediate layer made of a nonmagnetic metal material can be provided between the soft magnetic underlayer and the perpendicular magnetic recording layer. The role of the intermediate layer is to block the exchange coupling interaction between the soft magnetic underlayer and the perpendicular magnetic recording layer and to control the crystallinity of the perpendicular magnetic recording layer. The intermediate layer material can be selected from Ru, Pt, Pd, W, Ti, Ta, Cr, Si, or alloys thereof, oxides thereof, and nitrides thereof.

垂直磁気記録層は、Coを主成分とするとともに少なくともPtを含み、更に金属酸化物を含むことができる。Co及びPtに加えて、他にもB、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、及びRuから選ばれる1種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含有することで、磁性粒子の微粒子化を促進し、結晶性、配向性を向上させることができ、これにより、高記録密度に適した記録再生特性と熱ゆらぎ特性を得ることができる。垂直磁気記録層は具体的にCoPt系合金、CoCr系合金、CoCrPt系合金、CoPtO、CoPtCrO、CoPtSi、CoPtCrSi、CoCrSiOなどの合金を用いることが可能である。 The perpendicular magnetic recording layer can contain Co as a main component, at least Pt, and further contain a metal oxide. In addition to Co and Pt, one or more elements selected from B, Ta, Mo, Cu, Nd, W, Nb, Sm, Tb, and Ru can be included. By containing the above elements, it is possible to promote the micronization of the magnetic particles and improve the crystallinity and orientation, thereby obtaining recording / reproducing characteristics and thermal fluctuation characteristics suitable for high recording density. . Specifically, an alloy such as a CoPt alloy, a CoCr alloy, a CoCrPt alloy, CoPtO, CoPtCrO, CoPtSi, CoPtCrSi, or CoCrSiO 2 can be used for the perpendicular magnetic recording layer.

垂直磁気記録層の厚さは、再生出力信号を高確度で測定するために1.0nm厚以上が好ましく、信号強度の歪を抑えるために40nm厚以下が好ましい。1.0nmよりも薄いと再生出力が極めて小さくノイズ成分が優位になる傾向がある。逆に、40nmよりも厚い場合は再生出力が過剰となり、信号波形に歪が生じる傾向がある。   The thickness of the perpendicular magnetic recording layer is preferably 1.0 nm or more in order to measure the reproduction output signal with high accuracy, and 40 nm or less in order to suppress distortion of the signal intensity. If it is thinner than 1.0 nm, the reproduction output is extremely small and the noise component tends to be dominant. Conversely, if it is thicker than 40 nm, the reproduction output becomes excessive and the signal waveform tends to be distorted.

垂直磁気記録層上部には保護層を設けることができる。保護層は、垂直磁気記録層の腐食・劣化を防ぐとともに、磁気ヘッドが記録媒体に接触した時に生じる媒体表面の損傷を防ぐ効果がある。保護層材料としては、例えばC、Pd、SiO、ZrOを含むものが挙げられる。カーボンはsp結合炭素(グラファイト)とsp結合炭素(ダイヤモンド)に分類できる。耐久性、耐食性はsp結合炭素の方が優れ、逆に平坦性はsp結合炭素の方が優れる。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法により行われ、sp結合炭素とsp結合炭素が混在したアモルファスカーボンが成膜されるが、sp結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン(DLC)と呼ばれ、耐久性、耐食性、平坦性に優れており、磁気記録層の保護層としてより好適である。 A protective layer can be provided on the perpendicular magnetic recording layer. The protective layer has the effects of preventing corrosion and deterioration of the perpendicular magnetic recording layer and preventing damage to the medium surface that occurs when the magnetic head comes into contact with the recording medium. Examples of the protective layer material include those containing C, Pd, SiO 2 , and ZrO 2 . Carbon can be classified into sp 2 bonded carbon (graphite) and sp 3 bonded carbon (diamond). Durability and corrosion resistance are superior to sp 3 bonded carbon, and conversely flatness is superior to sp 2 bonded carbon. Usually, the deposition of carbon is performed by sputtering using a graphite target, although amorphous carbon sp 2 -bonded carbon and sp 3 -bonded carbon are mixed is deposited, in which the ratio of sp 3 -bonded carbon is larger diamond It is called like carbon (DLC) and is excellent in durability, corrosion resistance and flatness, and is more suitable as a protective layer for a magnetic recording layer.

保護層の上部には更に潤滑層を設けることができる。潤滑層に用いられる潤滑剤としては、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などが挙げられる。以上により、基板上に垂直磁気記録媒体が形成される。   A lubricating layer can be further provided on the protective layer. Examples of the lubricant used in the lubricating layer include perfluoropolyether, fluorinated alcohol, and fluorinated carboxylic acid. Thus, a perpendicular magnetic recording medium is formed on the substrate.

マスク層形成工程
磁気記録層の上に凸パターン転写用のマスク層を形成する。
Mask layer forming step A mask layer for transferring a convex pattern is formed on the magnetic recording layer.

磁気記録層上に保護層が設けられている場合には、マスク層は保護層上に設けることができる。   When a protective layer is provided on the magnetic recording layer, the mask layer can be provided on the protective layer.

このマスク層は磁気記録層の加工における主マスクとなるため、磁気記録層ならびに後述の金属微粒子材料とのエッチング選択比を維持できるような材料を用いることが好ましい。具体的な材料としては、例えば、Al、C、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Fe、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Au、Hf、Ta、W、Ptからなる群から選択され、これらの化合物もしくは合金からなる材料をマスク層へ適用することも可能である。ここで、化合物とは酸化物、窒化物、ホウ化物、炭化物などから選ばれ、また合金は上記の群から選択される2種類以上の材料により構成される。この場合、マスク層の上に形成される金属微粒子膜の材料と凸パターン寸法に対してエッチング選択比を確保し得るマスク層材料を選択し、さらにその膜厚を適切に決定すすることができる。   Since this mask layer serves as a main mask in the processing of the magnetic recording layer, it is preferable to use a material that can maintain an etching selectivity with respect to the magnetic recording layer and the metal fine particle material described later. Specific materials include, for example, Al, C, Si, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Cu, Fe, Zn, Ga, Zr, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, Au, and Hf. It is also possible to apply to the mask layer a material selected from the group consisting of Ta, W, and Pt and consisting of these compounds or alloys. Here, the compound is selected from oxides, nitrides, borides, carbides, and the like, and the alloy is composed of two or more materials selected from the above group. In this case, it is possible to select a mask layer material that can ensure an etching selectivity with respect to the material of the metal fine particle film formed on the mask layer and the convex pattern dimension, and to determine the film thickness appropriately. .

これらのマスク層は、真空蒸着法、電子線蒸着法、分子線蒸着法、イオンビーム蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法に代表される物理的気相成長法(PVD:Physical Vapor Deposition)、及び熱・光・プラズマを用いた化学的気相成長法(CVD:Chemical Vapor Deposition)などにより形成できる。   These mask layers are formed by physical vapor deposition (PVD: Physical Vapor Deposition) represented by vacuum deposition, electron beam deposition, molecular beam deposition, ion beam deposition, ion plating, and sputtering. In addition, it can be formed by chemical vapor deposition (CVD) using heat, light, or plasma.

マスク層の厚さは、物理的・化学的気相成長法においてはプロセスガス圧力、ガス流量、基板温度、投入電力、到達真空度、チャンバー雰囲気、成膜時間などのパラメータを適宜変更することで調整が可能である。このマスク層上部に形成される金属微粒子層の配列精度ならびに凸パターンの転写精度は、マスク層の表面ラフネスに強く依存する。したがって、マスク層においてはその表面ラフネスを低減しておくことが好ましく、上記成膜条件を種々調整することでこれを実現可能である。狭ピッチパターンを高精細にパターニングするために、所望のパターンピッチに対して表面ラフネスの周期は小さいことが特に好ましい。また、平均表面ラフネスの値は0.6nm以下であることが望ましい。0.6nmよりも大きいと、後述する金属微粒子の配列精度が悪化し、磁気記録媒体の信号S/Nが劣化するためで傾向がある。   The thickness of the mask layer can be changed by appropriately changing parameters such as process gas pressure, gas flow rate, substrate temperature, input power, ultimate vacuum, chamber atmosphere, and film formation time in physical and chemical vapor deposition. Adjustment is possible. The alignment accuracy of the metal fine particle layer formed on the mask layer and the transfer accuracy of the convex pattern strongly depend on the surface roughness of the mask layer. Therefore, it is preferable to reduce the surface roughness of the mask layer, and this can be realized by variously adjusting the film forming conditions. In order to pattern a narrow pitch pattern with high definition, it is particularly preferable that the period of the surface roughness is small with respect to a desired pattern pitch. The average surface roughness value is preferably 0.6 nm or less. If it is larger than 0.6 nm, the alignment accuracy of metal fine particles, which will be described later, deteriorates and the signal S / N of the magnetic recording medium tends to deteriorate.

表面ラフネスを低減するためには上記成膜条件を種々変更する他、マスク層材料を結晶質のものから非晶質のものにすることで、これを実現可能である。   In order to reduce the surface roughness, this can be realized by changing the film forming conditions variously and changing the mask layer material from crystalline to amorphous.

マスク層の厚さは、剥離層および磁気記録層とのエッチング選択比や凸パターン寸法を考慮して決定することができる。マスク層成膜の際には、例えばプロセスガス圧力、ガス流量、基板温度、投入電力、到達真空度、チャンバー雰囲気、及び成膜時間などのパラメータを変えることで調整できる。成膜で用いるスパッタガスはArをはじめとした希ガスを主とすることが可能であり、さらに成膜するマスク材料によってO、Nなどの反応性ガスを混合することで所望の合金を成膜することもできる。 The thickness of the mask layer can be determined in consideration of the etching selectivity with respect to the release layer and the magnetic recording layer and the convex pattern dimension. The mask layer can be formed by adjusting parameters such as process gas pressure, gas flow rate, substrate temperature, input power, ultimate vacuum, chamber atmosphere, and film formation time. The sputtering gas used in the film formation can be mainly a rare gas such as Ar, and a desired alloy can be obtained by mixing a reactive gas such as O 2 or N 2 with a mask material to be formed. A film can also be formed.

また、マスク層の厚さは微細パターンを高精細に転写するために、1nm以上50nm以下にすることが好ましい。1nmよりも薄いとマスク層が均一に成膜されず、また、50nmよりも厚いと深さ方向に対する凸パターンの転写精度が劣化する傾向がある。   The thickness of the mask layer is preferably 1 nm or more and 50 nm or less in order to transfer a fine pattern with high definition. If it is thinner than 1 nm, the mask layer is not uniformly formed, and if it is thicker than 50 nm, the transfer accuracy of the convex pattern in the depth direction tends to deteriorate.

後述のように、マスク層を介して凸パターンを磁気記録層へ形成した後、マスク層を除去することで凸パターンを有する磁気記録層を得ることができる。ここで、マスク層を除去する場合はドライエッチングもしくはウェットエッチングなどの方法を適用するが、あらかじめマスク層と磁気記録層との間に剥離層を形成しておき、これを除去することで磁気記録層上からマスク層を剥離することもできる。磁気記録層上に保護層が設けられている場合には、剥離層は保護層上に設けることができる。   As will be described later, after forming the convex pattern on the magnetic recording layer via the mask layer, the magnetic recording layer having the convex pattern can be obtained by removing the mask layer. Here, when removing the mask layer, a method such as dry etching or wet etching is applied. However, a peeling layer is formed between the mask layer and the magnetic recording layer in advance, and the magnetic recording is performed by removing this. The mask layer can also be peeled from the layer. In the case where a protective layer is provided on the magnetic recording layer, the release layer can be provided on the protective layer.

剥離層はドライエッチングおよびウェットエッチングにより剥離され、最終的にはマスク材料を磁気記録層上から除去する役割を果たす。   The release layer is peeled off by dry etching and wet etching, and finally plays a role of removing the mask material from the magnetic recording layer.

剥離層は種々の無機材料及び高分子材料から選定でき、これを溶解可能なエッチング溶液を適切に選択できる。   The release layer can be selected from various inorganic materials and polymer materials, and an etching solution capable of dissolving them can be appropriately selected.

剥離層に使用可能な無機材料として、例えば、C、Mo、W、Zn、Co、Ge、Al、Cu、Au、Ag、Ni、Si、SiO及びCrなどの金属、化合物、および2種類以上の金属からなる合金などが挙げられる。これらの無機材料は、O、CF、Cl、H、N、Arなどのエッチングガスを用いたドライエッチングで剥離できる。 As the inorganic materials usable in the peeling layer, for example, C, Mo, W, Zn , Co, Ge, Al, Cu, Au, Ag, Ni, Si, metals such as SiO 2 and Cr, compounds, and two or more An alloy made of any of these metals can be used. These inorganic materials can be peeled off by dry etching using an etching gas such as O 2 , CF 4 , Cl 2 , H 2 , N 2 , and Ar.

また、各材料に対して塩酸、リン酸、硝酸、ホウ酸、酢酸、弗化水素酸、弗化アンモニウム、過塩素酸、臭化水素酸、カルボン酸、スルホン酸、過酸化水素水などの酸、あるいは水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、水酸化バリウム水溶液、水酸化マグネシウム水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、フェニルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどのアルカリ溶液を適用可能である。   For each material, acid such as hydrochloric acid, phosphoric acid, nitric acid, boric acid, acetic acid, hydrofluoric acid, ammonium fluoride, perchloric acid, hydrobromic acid, carboxylic acid, sulfonic acid, hydrogen peroxide water, etc. Or aqueous sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide, barium hydroxide, magnesium hydroxide, ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, etc. An alkaline solution can be applied.

また、溶液のpHを調整するための緩衝液を適宜追加しても構わない。 Moreover, you may add suitably the buffer solution for adjusting the pH of a solution.

剥離層には高分子材料も適用できる。例えば、汎用レジスト材料に代表されるノボラック樹脂、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、メチルスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルピロリドン、及びポリメチルセルロースなどが挙げられる。これらのレジスト材料は有機溶媒もしくは水を用いて剥離できる。なお、エッチング耐性を向上させるために、高分子材料と金属を含有するコンポジット材料を使用することも可能である。   A polymer material can also be applied to the release layer. Examples thereof include novolak resins represented by general-purpose resist materials, polystyrene, polymethyl methacrylate, methyl styrene, polyethylene terephthalate, polyhydroxy styrene, polyvinyl pyrrolidone, and polymethyl cellulose. These resist materials can be removed using an organic solvent or water. In addition, in order to improve etching resistance, it is also possible to use a composite material containing a polymer material and a metal.

上記の酸、アルカリ、有機溶媒を用いたウェットエッチングにより剥離層を溶解する場合は、磁気記録層および基板に対する溶解速度が剥離層の溶解速度に対して十分に小さいことが望ましい。   When the release layer is dissolved by wet etching using the above acid, alkali, or organic solvent, it is desirable that the dissolution rate with respect to the magnetic recording layer and the substrate is sufficiently lower than the dissolution rate of the release layer.

マスク層は1層または2層以上形成することができる。前述のような磁気記録層および剥離層上のマスク層を例えば第1のマスク層、及び第2のマスク層を含む積層体にすることも可能である。例えば第1のマスク層と第2のマスク層とを異なる材料から構成することで、エッチング選択比を大きくし、転写精度を改善することが可能である。ここでは便宜上、第2のマスク層を第1のマスク層に対する転写層と呼び、基板側から磁気記録層/マスク層/転写層のように表記する。   One or two or more mask layers can be formed. The magnetic recording layer and the mask layer on the release layer as described above may be a laminate including, for example, a first mask layer and a second mask layer. For example, by configuring the first mask layer and the second mask layer from different materials, it is possible to increase the etching selectivity and improve the transfer accuracy. Here, for convenience, the second mask layer is referred to as a transfer layer for the first mask layer, and is expressed as magnetic recording layer / mask layer / transfer layer from the substrate side.

この転写層は金属微粒子材料およびマスク層材料とのエッチング選択比を考慮して、種々の材料から適切に選択できる。マスク材料の組み合わせを決める場合、エッチング溶液あるいはエッチングガスに対応した金属材料を選択することができる。ドライエッチングを想定して各材料を組み合わせる場合、例えば、基板側からマスク層/転写層の順にC/Si、Si/Al、Si/Ni、Si/Cu、Si/Mo、Si/MoSi、Si/Ta、Si/Cr、Si/W、Si/Ti、Si/Ru、Si/Hfなどが挙げられる他、SiをSiO、Si、SiCなどで置き換えた構成にすることができる。また、Al/Ni、Al/Ti、Al/TiO、Al/TiN、Cr/Al、Cr/Ni、Cr/MoSi、Cr/W、GaN/Ni、GaN/NiTa、GaN/NiV、Ta/Ni、Ta/Cu、Ta/Al、Ta/Cr、などの積層体を選択できる。なお、マスク加工で使用するエッチングガスに応じて、これらの各種マスク材料の積層順序は入れ替えても構わない。 This transfer layer can be appropriately selected from various materials in consideration of the etching selectivity with the metal fine particle material and the mask layer material. When determining a combination of mask materials, a metal material corresponding to an etching solution or an etching gas can be selected. When combining the materials assuming dry etching, for example, C / Si, Si / Al, Si / Ni, Si / Cu, Si / Mo, Si / MoSi 2 , Si in the order of the mask layer / transfer layer from the substrate side In addition to / Ta, Si / Cr, Si / W, Si / Ti, Si / Ru, Si / Hf, etc., Si can be replaced with SiO 2 , Si 3 N 4 , SiC, or the like. Al / Ni, Al / Ti, Al / TiO 2 , Al / TiN, Cr / Al 2 O 3 , Cr / Ni, Cr / MoSi 2 , Cr / W, GaN / Ni, GaN / NiTa, GaN / NiV , Ta / Ni, Ta / Cu, Ta / Al, Ta / Cr, etc. can be selected. Note that the stacking order of these various mask materials may be changed depending on the etching gas used in the mask processing.

マスク材料の組み合わせおよび積層順は上記のものに限定されるわけではなく、パターン寸法とエッチング選択比の観点から適切に選択することができる。また、ドラエッチングと共にウェットエッチングによるパターニングも可能であるため、これを考慮して各マスク材料を選定することができる。   The combination and stacking order of the mask materials are not limited to those described above, and can be appropriately selected from the viewpoints of pattern dimensions and etching selectivity. In addition, patterning by wet etching as well as dry etching is possible, so that each mask material can be selected in consideration of this.

ウェットエッチングによりマスク層をパターニングする場合は、凸パターンの幅方向に対するサイドエッチを抑制する。この場合は、マスク材料の組成、エッチング溶液の濃度、およびやエッチング時間をはじめとした各種パラメータを設定することで実現可能である。   When patterning the mask layer by wet etching, side etching in the width direction of the convex pattern is suppressed. This case can be realized by setting various parameters including the composition of the mask material, the concentration of the etching solution, and the etching time.

レジスト層形成工程
次に、マスク層上に凸パターン形成用のレジスト層を形成する。
Next, a resist layer for forming a convex pattern is formed on the mask layer.

レジスト層に微細な凸パターンを形成するために、例えば、ノボラック樹脂などに代表される紫外線・電子線露光用レジスト、熱や紫外線照射による硬化作用を有するナノインプリント用レジスト、高分子の自己組織化膜、および金属微粒子などを適用することが可能である。   In order to form a fine convex pattern on the resist layer, for example, a resist for ultraviolet / electron beam exposure typified by a novolac resin, a nanoimprint resist having a curing action by heat or ultraviolet irradiation, a polymer self-assembled film It is possible to apply metal fine particles and the like.

露光あるいはナノインプリントを行う場合に用いるレジスト層は、レジスト材料の前駆体溶液の塗布を行うことで形成できる。この場合は、パターンピッチや下層のマスク層へのエッチング選択比を勘案してレジスト層の厚さを決定することができる。   The resist layer used for exposure or nanoimprinting can be formed by applying a precursor solution of a resist material. In this case, the thickness of the resist layer can be determined in consideration of the pattern pitch and the etching selectivity to the underlying mask layer.

溶液の塗布では、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、スピンキャスティング法、ディップコーティング法、インクジェット法などの種々の方法により基板上に塗布を行うことができる。塗布直後のレジスト層は溶媒を多く含んでいるため、レジスト材料の流動性を下げるためにプリベークを行なうことができる。マスク層に対するレジスト層の密着性が悪い場合は、マスク層表面に前処理を行なうことができる。具体的には、マスク層の水分除去のためのベーキングや、ヘキサメチルジシラザン溶液の塗布による疎水化処理などが挙げられる。   Application of the solution can be performed on the substrate by various methods such as spin coating, spray coating, spin casting, dip coating, and ink jet. Since the resist layer immediately after coating contains a large amount of solvent, pre-baking can be performed to lower the fluidity of the resist material. When the adhesion of the resist layer to the mask layer is poor, the mask layer surface can be pretreated. Specific examples include baking for removing moisture from the mask layer and hydrophobic treatment by application of a hexamethyldisilazane solution.

レジスト層は1層ではなく、転写工程に合わせて、例えば露光感度の異なるレジスト層を多層構造にすることができる。   The resist layer is not a single layer, and a resist layer having a different exposure sensitivity can have a multilayer structure, for example, in accordance with the transfer process.

また、レジスト材料の種類には何ら限定はなく、主鎖切断型、化学増幅型、架橋型などの各種レジスト材料を用いることが可能である。   There is no limitation on the type of resist material, and various resist materials such as a main chain cutting type, a chemical amplification type, and a crosslinking type can be used.

マスク層上部に凸パターン形成用の自己組織化層を形成し、これを凸パターンに転写することも可能である。自己組織化膜は少なくとも異なる2つのポリマー鎖を有するジブロックコポリマーに代表され、その基本構造は(ブロックA)−(ブロックB)のように化学的特性が相互に異なるポリマー同士の末端が共有結合しているものである。自己組織化膜はジブロックコポリマーに限定されるわけではなく、材料の組み合わせによっては他にもトリブロックコポリマーやランダムコポリマーを使用することができる。   It is also possible to form a self-assembled layer for forming a convex pattern on the mask layer and transfer it to the convex pattern. The self-assembled film is typified by a diblock copolymer having at least two different polymer chains, and the basic structure of the self-assembled film is covalently bonded to the ends of polymers having different chemical properties such as (Block A)-(Block B). It is what you are doing. The self-assembled film is not limited to a diblock copolymer, and other triblock copolymers and random copolymers may be used depending on the combination of materials.

ポリマーブロックを形成する材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリビニルピリジン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリジメチルアクリルアミド、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリエチルアクリル酸、ポリプロピルアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリラクチド、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレングリコール、ポリカプロラクトン、ポリフッ化ビニリデン、及びポリアクリルアミドなどが挙げられ、これらの中から異なる2種類以上のポリマーを用いてブロックコポリマーを構成することができる。   Examples of the material that forms the polymer block include polyethylene, polystyrene, polyisoprene, polybutadiene, polypropylene, polydimethylsiloxane, polyvinylpyridine, polymethyl methacrylate, polybutyl acrylate, polybutyl methacrylate, polydimethylacrylamide, polyethylene oxide, and polypropylene oxide. , Polyacrylic acid, polyethylacrylic acid, polypropylacrylic acid, polymethacrylic acid, polylactide, polyvinyl carbazole, polyethylene glycol, polycaprolactone, polyvinylidene fluoride, and polyacrylamide. A block copolymer can be constituted by using the following polymer.

ブロックコポリマーを用いた自己組織化膜はスピンコーティング法などによりマスク層上に成膜できる。この場合は、各相を構成するポリマー同士が相溶となるような溶媒を選択し、これを溶解させた溶液を塗布液として用いることができる。   A self-assembled film using a block copolymer can be formed on the mask layer by a spin coating method or the like. In this case, a solvent in which the polymers constituting each phase are compatible with each other can be selected, and a solution in which the solvent is dissolved can be used as the coating solution.

具体的な溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールトリメチルエーテル、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、アニソール、及びジエチレングリコールトリエチルエーテルなどが挙げられる。   Specific solvents include, for example, toluene, xylene, hexane, heptane, octane, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol trimethyl ether, ethyl lactate, Examples include ethyl pyruvate, cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, tetrahydrofuran, anisole, and diethylene glycol triethyl ether.

自己組織化膜の膜厚は、これらの溶媒を用いた際の塗布液の濃度や成膜時に設定する各種パラメータを用いて変更することができる。   The film thickness of the self-assembled film can be changed using the concentration of the coating liquid when these solvents are used and various parameters set during film formation.

自己組織化膜は熱などのエネルギーが付与されることでポリマー同士が相分離し、膜内部にミクロ相分離構造が形成される。ミクロ相分離構造は、自己組織化膜を構成するポリマーの分子量などにより異なる様相を呈し、例えばジブロックコポリマーにおいてはポリマーAの海状(マトリックス)パターンにポリマーBの島状ドットあるいはシリンダー構造が形成される他、ポリマーAおよびBが同一平面上で積層となるラメラ構造や、海−島パターンが逆転したスフィア構造が形成され得る。このパターンにおける一方のポリマー相を選択的に除去することにより、自己組織化膜の凸パターンを形成することができる。   In the self-assembled film, polymers such as heat are phase-separated by applying energy such as heat, and a microphase-separated structure is formed inside the film. The microphase-separated structure exhibits different aspects depending on the molecular weight of the polymer constituting the self-assembled film. For example, in the case of a diblock copolymer, an island-like dot or cylinder structure of polymer B is formed in the sea-like (matrix) pattern of polymer A. In addition, a lamella structure in which the polymers A and B are laminated on the same plane or a sphere structure in which the sea-island pattern is reversed can be formed. By selectively removing one polymer phase in this pattern, a convex pattern of the self-assembled film can be formed.

自己組織化膜のミクロ相分離構造を形成する際には外部からエネルギーを付与する。エネルギーの付与は、熱を用いたアニールや、あるいは溶媒雰囲気中に試料を曝露する、いわゆる溶媒アニール等によって行うことができる。熱アニールを行う際は、自己組織化膜の配列精度を劣化させない温度を設定しておく。   Energy is applied from the outside when the microphase separation structure of the self-assembled film is formed. The energy can be applied by annealing using heat, or so-called solvent annealing in which a sample is exposed to a solvent atmosphere. When performing thermal annealing, a temperature that does not deteriorate the alignment accuracy of the self-assembled film is set.

なお、自己組織化パターンの配列精度を向上させるため、マスク層上部を化学的に修飾してもよい。具体的にはブロックコポリマーを構成するいずれかのポリマー相をマスク表面に修飾しておくことで、ブロックコポリマーの配列を改善できる。この場合は、ポリマーの塗布・アニール・リンスにより分子レベルでの表面修飾が可能である。この上に前述のブロックコポリマー溶液を塗布することで、面内均一性の良いパターンを得ることが可能となる。   Note that the upper portion of the mask layer may be chemically modified in order to improve the alignment accuracy of the self-assembled pattern. Specifically, the arrangement of the block copolymer can be improved by modifying one of the polymer phases constituting the block copolymer on the mask surface. In this case, surface modification at the molecular level can be performed by polymer application, annealing, and rinsing. By applying the above-mentioned block copolymer solution on this, it is possible to obtain a pattern with good in-plane uniformity.

他にも、所望のパターンピッチとなるような金属微粒子をマスクとすることができる。金属微粒子をマスク層とする場合、微粒子自体がマスク層の凸部に相当するため、これを維持できる範囲においては下部へパターンを転写することが可能である。金属微粒子材料を用いることで、大面積に対する一喝パターニングが可能となり、電子線露光をはじめとする従来の凸パターン形成方法と比較してプロセス時間を大幅に短縮できる。また、後述するナノインプリント法に応用することで大面積に対するパターニングを安価に実施することが可能である。   In addition, metal fine particles having a desired pattern pitch can be used as a mask. When metal fine particles are used as a mask layer, since the fine particles themselves correspond to the convex portions of the mask layer, the pattern can be transferred to the lower portion as long as this can be maintained. By using the metal fine particle material, it is possible to perform patterning for a large area, and the process time can be greatly reduced as compared with conventional convex pattern forming methods such as electron beam exposure. Moreover, it is possible to perform patterning on a large area at low cost by applying to the nanoimprint method described later.

凸パターンマスクとして金属微粒子を用いる場合、基板上の広範囲に渡り金属微粒子が単層配列していることが好ましく、これにより磁気記録媒体における信号強度の位置ばらつきを小さくできる他、パターン転写後における異常突起の低減に伴い良好なグライド特性が得られる。   When metal fine particles are used as the convex pattern mask, it is preferable that the metal fine particles are arranged in a single layer over a wide area on the substrate, which can reduce the signal intensity positional variation in the magnetic recording medium, and abnormalities after pattern transfer Good glide characteristics can be obtained as the protrusions are reduced.

金属微粒子マスクには、基板上に単層配列させたものを用いる。   As the metal fine particle mask, a single layer array on the substrate is used.

凸パターンマスクとなる金属微粒子を基板上に配列させる際、溶媒中に金属微粒子が分散している塗布液、いわゆる分散液を用いる。以降では塗布液と呼称する。この塗布液は少なくとも1種類以上の金属微粒子が互いに一定の間隔を維持しながら単分散しているものである。ここで言う単分散とは、金属微粒子同士が凝集・融着せずに独立して溶液中に存在している状態を意味する。   When the metal fine particles to be the convex pattern mask are arranged on the substrate, a coating solution in which the metal fine particles are dispersed in a solvent, that is, a so-called dispersion liquid is used. Hereinafter, it is referred to as a coating solution. In this coating solution, at least one type of metal fine particles are monodispersed while maintaining a certain distance from each other. The term “monodispersed” as used herein means a state in which metal fine particles exist independently in a solution without agglomeration and fusion.

金属微粒子が溶媒中で安定に分散するためには、金属微粒子表面が保護材によって被覆されていることが好ましい。この保護材の定義は、界面活性剤を含み、かつ金属微粒子表面を被覆しているというものである。さらに、金属微粒子材料に対する親和性が高いことが望ましい。   In order for the metal fine particles to be stably dispersed in the solvent, the surface of the metal fine particles is preferably coated with a protective material. The definition of this protective material is that it contains a surfactant and covers the surface of the metal fine particles. Furthermore, it is desirable that the affinity for the metal fine particle material is high.

この保護材は、種々の方法により微細化された金属微粒子を分散媒中へ分散させる前に付与しておくことが好ましいが、製法によっては、分散媒中へ添加することで微粒子を再分散させる方法にしても構わない。   This protective material is preferably applied before the metal fine particles refined by various methods are dispersed in the dispersion medium, but depending on the production method, the fine particles are re-dispersed by adding to the dispersion medium. It doesn't matter how.

この保護材は、金属微粒子同士のvan der waals引力を低減する化学的な作用の他、高分子鎖の立体障害に伴う物理的な作用により金属微粒子同士の凝集を抑制する役割を果たしている。   This protective material plays the role which suppresses aggregation of metal microparticles by the physical effect | action accompanying the steric hindrance of a polymer chain other than the chemical effect | action which reduces van der Waals attraction between metal microparticles.

具体的な保護材としてチオール基、アミノ基、ケトン基、カルボキシル基、エーテル基、水酸基などが挙げられ、具体的にはアルカンチオール、ドデカンチオール、ポリビニルピロリドン、オレイルアミンなどが好適である。他にも、ポリカルボン酸ナトリウム、ポリカルボン酸アンモニウムなどのポリマー材料などを挙げることができる。   Specific examples of the protective material include thiol groups, amino groups, ketone groups, carboxyl groups, ether groups, and hydroxyl groups. Specifically, alkanethiol, dodecanethiol, polyvinylpyrrolidone, oleylamine, and the like are preferable. In addition, polymer materials such as sodium polycarboxylate and ammonium polycarboxylate can be used.

金属微粒子材料にはC、Pt、Ni、Pd、Co、Al、Ti、Ce、Si、Fe、Au、Ag、Cu、Ta、Zr、Zn、Mo、W、Ruの群から選ばれる少なくとも1種、上記群から選択される2種類以上からなる合金、混合物、酸化物から構成される材料を用いることができる。   The metal fine particle material is at least one selected from the group consisting of C, Pt, Ni, Pd, Co, Al, Ti, Ce, Si, Fe, Au, Ag, Cu, Ta, Zr, Zn, Mo, W, and Ru. A material composed of an alloy, a mixture, or an oxide composed of two or more selected from the above group can be used.

また、金属微粒子のサイズとしては、平均粒径が2nm以上50nm以下のものを用いることが望ましい。2nmよりも小さい微粒子は製造がより困難であり、また50nmよりも大きい場合は多層構造となった微粒子マスクの剥離が不十分で平坦性を損なうためである。   Further, it is desirable to use a metal fine particle having an average particle diameter of 2 nm to 50 nm. This is because fine particles smaller than 2 nm are more difficult to produce, and when larger than 50 nm, the fine particle mask having a multilayer structure is insufficiently peeled and flatness is impaired.

金属微粒子を分散させる溶媒は種々の有機溶媒から選択可能である。具体的には、例えば、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールトリメチルエーテル、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、テトラデカン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、アニソール、及びジエチレングリコールトリエチルエーテル、エタノール、メタノール、イソプロパノール、水などが挙げられる。 The solvent in which the metal fine particles are dispersed can be selected from various organic solvents. Specifically, for example, toluene, xylene, hexane, heptane, octane, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol trimethyl ether, ethyl lactate, pyruvic acid Examples include ethyl, tetradecane, cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, tetrahydrofuran, anisole, and diethylene glycol triethyl ether, ethanol, methanol, isopropanol, water, and the like.

上記のような金属微粒子および溶媒を混合することで、金属微粒子塗布液を得る。なお、微粒子同士の凝集が生じる場合は、混合後に超音波分散などの方法を用いることで、金属微粒子を再分散させることが可能である。   A metal fine particle coating solution is obtained by mixing the metal fine particles and the solvent as described above. In addition, when aggregation of microparticles | fine-particles arises, it is possible to re-disperse metal microparticles by using methods, such as ultrasonic dispersion, after mixing.

また、金属微粒子塗布液に対して金属微粒子の単分散を促進させるための分散剤を添加しても構わない。分散剤は保護材ならびに溶媒との組合せに対して適切に選択することが可能であり、例えば、ポリカルボン酸ナトリウム、ポリカルボン酸アンモニウム、ポリカルボン酸アミン、ポリアルキルアミン、ポリアミンなどから選択できる。微粒子調製過程において、凝集によって生じた二次粒子は粒子径が比較的大きく、パターンの均一性を損なうことに繋がるため、メンブレンフィルタなどで適宜分散液のフィルタリングを行なっておくことが望ましい。   Moreover, you may add the dispersing agent for promoting the monodispersion of a metal microparticle with respect to a metal microparticle coating liquid. The dispersant can be appropriately selected for the combination with the protective material and the solvent, and can be selected from, for example, sodium polycarboxylate, ammonium polycarboxylate, amine polycarboxylate, polyalkylamine, polyamine and the like. In the fine particle preparation process, secondary particles generated by aggregation have a relatively large particle size, which leads to a loss of pattern uniformity. Therefore, it is desirable to appropriately filter the dispersion with a membrane filter or the like.

分散液の溶媒はマスク層の表面性に対応するよう変更が可能である。また、マクロな塗布ムラ、すなわち金属微粒子が均一塗布されていない領域を縮小するため、分散液に高分子材料からなるバインダーを添加することで塗布性を改善することが可能であり、分散液の溶媒に可溶な高分子材料を選択して分散液を調製することができる。   The solvent of the dispersion can be changed to correspond to the surface property of the mask layer. In addition, in order to reduce the macro unevenness of coating, that is, the area where the metal fine particles are not uniformly applied, it is possible to improve the coating property by adding a binder made of a polymer material to the dispersion. A dispersion can be prepared by selecting a polymer material that is soluble in a solvent.

さらに、金属微粒子塗布液にはバインダーとして種々の高分子材料を添加することが可能であり、これによりマスク層に対する塗布性を改善できる他、下地に対するパターンの固着を強化することが可能である。   Furthermore, various polymer materials can be added as a binder to the metal fine particle coating solution, thereby improving the coating property on the mask layer and enhancing the adhesion of the pattern to the base.

バインダーに用いる高分子材料は塗布液の溶媒に溶解されるものであれば良く、例えば、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどを用いることが可能である。   The polymer material used for the binder may be any material that can be dissolved in the solvent of the coating solution. For example, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, or the like can be used.

これらの溶媒中に金属微粒子が単分散した金属微粒子塗布液をマスク層上へ滴下・塗布する。   A metal fine particle coating solution in which metal fine particles are monodispersed in these solvents is dropped and applied onto the mask layer.

金属微粒子分散液も、レジスト溶液や自己組織化膜のポリマー溶液と同様に、スピンコーティング法をはじめとした種々の方法により基板上への塗布が可能である。この際、金属微粒子が限局的に多層構造になると転写均一性を損なうため、基板上の広範囲に渡って単層構造となるように塗布条件を調整することがこのましい。   Similarly to the resist solution and the polymer solution of the self-assembled film, the metal fine particle dispersion can be applied onto the substrate by various methods such as a spin coating method. At this time, if the metal fine particles have a localized multi-layer structure, transfer uniformity is impaired. Therefore, it is preferable to adjust the coating conditions so that a single-layer structure is formed over a wide range on the substrate.

マスク層上へ滴下する塗布液量は、所望の塗布面積に対して十分に被覆され得る量に設定しておけばよい。また、金属微粒子層を多層で形成する際は、溶液濃度、溶液粘度、塗布条件を種々調整すれば良い。例えば、スピンコーティング法では大面積に対して多層構造を形成するため、塗布回転数は10000回転以下に設定しておくことが望ましい。回転数が10000回転以上になると、金属微粒子の欠陥領域が拡大し、単層化が困難になるためで傾向がある。スピンコーティングで金属微粒子を塗布する場合、内周に比べて中周ならびに外周側において金属微粒子の欠陥領域を少なくできる。そのため、信号S/Nは内周よりも中外周において良好な値を示すことになる。   What is necessary is just to set the quantity of the coating liquid dripped on a mask layer to the quantity which can be fully coat | covered with respect to a desired application area. Further, when the metal fine particle layer is formed in multiple layers, various adjustments may be made to the solution concentration, the solution viscosity, and the coating conditions. For example, since the spin coating method forms a multilayer structure over a large area, it is desirable to set the coating rotation speed to 10,000 rotations or less. When the rotation speed is 10,000 rotations or more, the defect region of the metal fine particles is enlarged and it becomes difficult to form a single layer. When the metal fine particles are applied by spin coating, the defect region of the metal fine particles can be reduced on the middle and outer peripheral sides as compared with the inner periphery. For this reason, the signal S / N shows a better value in the middle and outer circumferences than in the inner circumference.

また、マスク層の表面に前処理を施すことにより、金属微粒子塗布液に対する親和性が高め、金属微粒子塗布液の塗布性、すなわち面内均一性を改善可能である。例えば、基板加熱やシランカップリング剤の塗布を行う方法が挙げられる他、溶媒に対して親和性の高い高分子材料をマスク層上に設けておく方法などでも良い。   Further, by pre-treating the surface of the mask layer, the affinity for the metal fine particle coating solution is increased, and the coating property of the metal fine particle coating solution, that is, in-plane uniformity can be improved. For example, a method of heating the substrate or applying a silane coupling agent may be mentioned, or a method of providing a high molecular material with high affinity for the solvent on the mask layer may be used.

金属微粒子を塗布した基板に対して適切な後処理を行うことで微粒子の固着を強めることが可能である。具体的には、基板加熱を行うことで塗布液中の溶媒を除去する方法が挙げられる。この場合、微粒子周囲の保護材が熱分解されない温度に設定しておくことが好ましい。   By performing an appropriate post-treatment on the substrate coated with metal fine particles, it is possible to enhance the adhesion of the fine particles. Specifically, a method of removing the solvent in the coating solution by heating the substrate can be mentioned. In this case, it is preferable to set a temperature at which the protective material around the fine particles is not thermally decomposed.

後述するように、金属微粒子を凸パターンとして用いる場合、エッチング等の加工中に生じる微粒子の凝集により、パターンの転写精度が著しく劣化する問題がある。そこで、下記のプロセスを導入して凝集を緩和することもできる。   As will be described later, when metal fine particles are used as a convex pattern, there is a problem that transfer accuracy of the pattern is remarkably deteriorated due to aggregation of fine particles generated during processing such as etching. Therefore, the following process can be introduced to reduce aggregation.

具体的には、凝集を緩和し得る金属微粒子の凸パターンマスクを形成するプロセスは、前述した(1)金属微粒子を基板上に配列させる工程、に加えて、(2)金属微粒子を物理的に固着するオーバーコート膜を形成する工程、(3)エネルギー線を照射し、微粒子の保護材を失活させる工程からなる。 Specifically, the process of forming a convex pattern mask of metal fine particles that can alleviate agglomeration includes (2) the step of arranging the metal fine particles on the substrate, and (2) physically metal fine particles. A step of forming an overcoat film to be fixed; and (3) a step of irradiating energy rays to deactivate the protective material for fine particles.

基板上に金属微粒子を単層配列させた後、金属微粒子を被覆するオーバーコート膜を形成する。このオーバーコート膜は前述のごとく金属微粒子表面および、保護材を被覆する薄膜である。   After the metal fine particles are arranged in a single layer on the substrate, an overcoat film covering the metal fine particles is formed. As described above, this overcoat film is a thin film covering the surface of the metal fine particles and the protective material.

オーバーコート膜は、同一平面内に配列された金属微粒子を一様に固着させる膜になる。保護材ならびに下層のマスク層をエッチングする場合は、プラズマ曝露や加熱による保護材の失活に伴い微粒子が凝集することになる。これに対して、あらかじめ金属微粒子をオーバーコート膜で固着させておくことで、保護基失活に要するエネルギー印加による凝集を抑える事が可能となる。また、オーバーコート膜の材料は保護材と保護材の間隙にも成膜されるため、金属微粒子表面に付着する。このため、金属微粒子の化学的な活性を下げることで凝集を抑制する作用も併せ持つ。   The overcoat film is a film that uniformly fixes the metal fine particles arranged in the same plane. When the protective material and the lower mask layer are etched, the fine particles are aggregated as the protective material is deactivated by plasma exposure or heating. On the other hand, it is possible to suppress agglomeration due to energy application required for deactivating the protective group by fixing the metal fine particles in advance with the overcoat film. In addition, since the material of the overcoat film is also formed in the gap between the protective material and the protective material, it adheres to the surface of the metal fine particles. For this reason, it has the effect | action which suppresses aggregation by reducing the chemical activity of a metal microparticle.

オーバーコート膜は種々の材料から選択できる。例えば前述のような金属微粒子材料と同様に、C、Pt、Ni、Pd、Co、Al、Ti、Ce、Si、Fe、Au、Ag、Cu、Ta、Zr、Zn、Mo、W、Ru、Geなどの群から選択でき、さらにこれらの合金、酸化物、窒化物などの化合物から選択してもよい。   The overcoat film can be selected from various materials. For example, similar to the metal fine particle material as described above, C, Pt, Ni, Pd, Co, Al, Ti, Ce, Si, Fe, Au, Ag, Cu, Ta, Zr, Zn, Mo, W, Ru, It can be selected from the group such as Ge, and further may be selected from compounds such as alloys, oxides and nitrides thereof.

また、オーバーコート膜は後述するエネルギー線を透過させることで保護基を失活させる役割を持つため、エネルギー線を遮断する厚さよりも薄くしておくことが望ましく、10nm以下にしておくことが作製プロセス上はより好ましい。オーバーコート膜を薄膜で成膜することが困難である場合は、あらかじめ厚膜で成膜を行いエッチングどの方法による薄膜化を後から行っても良い。   In addition, since the overcoat film has a role of deactivating the protective group by transmitting energy rays to be described later, it is desirable to make the thickness less than the thickness that blocks the energy rays, and it is preferable that the thickness be 10 nm or less. More preferable in terms of process. When it is difficult to form an overcoat film as a thin film, a thick film may be formed in advance and the film may be thinned by any etching method later.

続いて、金属微粒子の保護材を失活させる。具体的には、外部からエネルギー線を照射し、保護材である高分子鎖を切断する。   Subsequently, the metal particulate protective material is deactivated. Specifically, energy rays are irradiated from the outside to cut the polymer chain that is a protective material.

エネルギー線の照射に伴い金属微粒子が保護材を失うと、隣接する微粒子との間隙が自由空間である場合は直ちに凝集するが、前述のようにオーバーコート膜による物理的な固着のため、保護材が失活されても凝集は抑制される。さらに、保護材間隙すなわち金属微粒子表面に成膜されたオーバーコート膜が金属微粒子の化学的活性を下げるため、金属微粒子はその凝集が抑制されている状態にある。   When the metal fine particles lose the protective material due to the irradiation of energy rays, they immediately aggregate when the gap between the adjacent fine particles is free space. However, as described above, the protective material is physically fixed by the overcoat film. Aggregation is suppressed even if is deactivated. Furthermore, since the overcoat film formed on the protective material gap, that is, on the surface of the metal fine particles lowers the chemical activity of the metal fine particles, the metal fine particles are in a state where their aggregation is suppressed.

エネルギー線は種々のものから選択することができ、例えば紫外線、電子線、X線などを用いることが可能である。また、エネルギー線を照射する場合は真空中の他、He、Arのような不活性ガス雰囲気であっても良い。タクトタイムの観点からは、より簡便に照射できるエネルギー線として紫外線を用いるのが好適である。   The energy beam can be selected from various types, and for example, ultraviolet rays, electron beams, X-rays, and the like can be used. Moreover, when irradiating energy rays, in addition to the vacuum, an inert gas atmosphere such as He or Ar may be used. From the viewpoint of tact time, it is preferable to use ultraviolet rays as energy rays that can be irradiated more easily.

また、エネルギー線により照射するエネルギーは波長、印加電圧などの種々のパラメータにより適切に設定できる。   Moreover, the energy irradiated by the energy beam can be appropriately set by various parameters such as wavelength and applied voltage.

上記オーバーコート膜に対してエッチングを行い、これを除去することで金属微粒子からなる凸パターンをマスク上に設ける。   The overcoat film is etched and removed to provide a convex pattern made of metal fine particles on the mask.

前述のように、種々の材料からなるオーバーコート膜は適切なエッチングガスを選ぶことで容易に除去できる。また、後述するように下層となるマスク層ごと一括で加工して凸パターンを設けても良い。   As described above, the overcoat film made of various materials can be easily removed by selecting an appropriate etching gas. Further, as will be described later, the convex mask pattern may be provided by processing the mask layer as a lower layer at once.

オーバーコート膜形成、エネルギー線照射、オーバーコート膜加工の一連の工程は複数回繰り返しても良く、金属微粒子の凝集を抑制し得るまで行っても構わない。   A series of steps of overcoat film formation, energy beam irradiation, and overcoat film processing may be repeated a plurality of times, or may be performed until aggregation of metal fine particles can be suppressed.

マスク層パターニング工程
次に、金属微粒子を凸パターンとして、マスク層へパターン転写する。
Mask Layer Patterning Step Next, the metal fine particles are transferred as a convex pattern to the mask layer.

マスク層の加工では、マスク層材料とエッチングガスの組み合わせにより多様な層構成と加工方法が実現され得る。   In the processing of the mask layer, various layer configurations and processing methods can be realized by combining the mask layer material and the etching gas.

凸パターンの幅方向におけるエッチングに対して厚さ方向のエッチングが有意となるように、微細加工を行う場合はドライエッチングを適用することが好ましい。ドライエッチングで使用するプラズマは、容量結合、誘導結合、電子サイクロトロン共鳴、多周波重畳結合などの種々の方法により発生させることができる。また、凸パターンのパターン寸法の調整のために、プロセスガス圧力、ガス流量、プラズマ投入電力、バイアス電力、基板温度、チャンバー雰囲気、及び到達真空度などのパラメータを設定することができる。   When performing microfabrication, it is preferable to apply dry etching so that etching in the thickness direction is significant with respect to etching in the width direction of the convex pattern. The plasma used in dry etching can be generated by various methods such as capacitive coupling, inductive coupling, electron cyclotron resonance, and multifrequency superposition coupling. In addition, parameters such as process gas pressure, gas flow rate, plasma input power, bias power, substrate temperature, chamber atmosphere, and ultimate vacuum can be set to adjust the pattern size of the convex pattern.

エッチング選択比を大きくするためにマスク材料を積層した場合は、エッチングガスを適切に選択することができる。エッチングガスにはCF、C、C、C、C、C、ClF、CCl、CClF、CCBrF、CHF、NF、CHなどのフッ素系ガスや、Cl、BCl、CCl、SiCl4などの塩素系ガスが挙げられる。その他、H、N、O、Br、HBr、NH、CO、C、He、Ne、Ar、Kr、Xeなどの各種ガスを適用することができる。また、エッチング速度やエッチング選択比を調整するためにこれらのガスを2種類以上混ぜた混合ガスを使用することも可能である。なお、ウェットエッチングによるパターニングも可能であり、この場合はエッチング選択比を確保でき、かつ幅方向へのエッチングを抑制し得るエッチング溶液を選定しておくとよい。同様に、イオンミリングのような物理的エッチングを行っても構わない。 When the mask material is laminated in order to increase the etching selectivity, the etching gas can be selected appropriately. Etching gas includes CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 6 , C 3 F 8 , C 5 F 8 , C 4 F 8 , ClF 3 , CCl 3 F 5 , C 2 ClF 5 , CCBrF 3 , CHF 3 Fluorine gases such as NF 3 and CH 2 F 2 and chlorine gases such as Cl 2 , BCl 3 , CCl 4 , and SiCl 4 . In addition, various gases such as H 2 , N 2 , O 2 , Br 2 , HBr, NH 3 , CO, C 2 H 4 , He, Ne, Ar, Kr, and Xe can be applied. It is also possible to use a mixed gas obtained by mixing two or more of these gases in order to adjust the etching rate and the etching selectivity. Patterning by wet etching is also possible, and in this case, it is preferable to select an etching solution that can secure an etching selectivity and can suppress etching in the width direction. Similarly, physical etching such as ion milling may be performed.

前述のように、パターンの転写精度を改善するためにマスク層とレジスト層との間に転写層を1層設けておくことができる。さらにレジスト層の凸パターンを転写層に転写した後、レジスト層を除去してからマスク層へ凸パターンを転写してもよい。   As described above, one transfer layer can be provided between the mask layer and the resist layer in order to improve the pattern transfer accuracy. Furthermore, after transferring the convex pattern of the resist layer to the transfer layer, the convex pattern may be transferred to the mask layer after removing the resist layer.

レジスト層を転写層上から除去するためにはウェットエッチングやドライエッチングを適用することが可能である。例えば、有機レジスト材料などは有機溶媒によるウェットエッチングを行うことで、容易に転写層上から除去することができる。また、金属を含むマスクを用いる場合は、金属を溶解し得る溶液を適切に選択することでウェットエッチングを実施可能である。これにより、例えば金属微粒子などのように加工中の凝集を抑制せしめ、エッチングによる副生成物の付着に伴う凹部分の閉塞や、転写精度劣化を軽微にすることが可能となる。なお、レジスト材料を選択的に除去可能であれば、ドライエッチングを行なっても構わない。   In order to remove the resist layer from the transfer layer, wet etching or dry etching can be applied. For example, an organic resist material or the like can be easily removed from the transfer layer by performing wet etching with an organic solvent. When a mask containing metal is used, wet etching can be performed by appropriately selecting a solution capable of dissolving the metal. As a result, for example, aggregation during processing such as metal fine particles can be suppressed, and clogging of the concave portion accompanying transfer of by-products due to etching and transfer accuracy deterioration can be minimized. Note that dry etching may be performed as long as the resist material can be selectively removed.

転写層層はレジスト層とのエッチング選択比を考慮して多様な構成となり得るが、前述のように、例えば基板側からC/Si、Ta/Al、Al/Ni、Si/Crなどの構成にすることができる。   The transfer layer layer can have various configurations in consideration of the etching selection ratio with the resist layer. As described above, for example, the transfer layer layer has a configuration such as C / Si, Ta / Al, Al / Ni, or Si / Cr from the substrate side. can do.

レジスト凸パターン間の間隔が著しく狭い場合、意図的にレジストの凸部分をエッチングすることで微粒子間隔を調整しても良い。具体的な方法として、ドライエッチングにおけるサイドエッチを大きくする方法や、イオンミリングにおけるイオン種の入射角度を調整して金属微粒子を幅方向にスリミングする方法などが挙げられる。以上のようにして、レジスト層の凸パターンをマスク層へ転写できる。   When the interval between the resist convex patterns is extremely narrow, the fine particle interval may be adjusted by intentionally etching the convex portions of the resist. Specific examples include a method of increasing side etching in dry etching and a method of slimming metal fine particles in the width direction by adjusting the incident angle of ion species in ion milling. As described above, the convex pattern of the resist layer can be transferred to the mask layer.

上記のようなレジスト層に凸パターンを設ける方法の他に、ナノインプリントリソグラフィーを適用する方法もある。具体的には、基板、もしくは基板上のマスクパターンをテンプレートとしてナノインプリントスタンパーを作製し、それを用いて磁気記録媒体上のレジスト層に凸パターンを転写する。テンプレートとするレジスト層の凸パターンには種々のものを用いることが可能であるが、ここでは、より簡易的な製造方法で安価に作製し得る金属微粒子を用いた方法について説明する。   In addition to the method of providing a convex pattern on the resist layer as described above, there is a method of applying nanoimprint lithography. Specifically, a nanoimprint stamper is produced using a substrate or a mask pattern on the substrate as a template, and a convex pattern is transferred to a resist layer on the magnetic recording medium using the nanoimprint stamper. Although various patterns can be used for the convex pattern of the resist layer used as a template, here, a method using metal fine particles that can be manufactured at a low cost by a simpler manufacturing method will be described.

実施形態に係るスタンパーの製造方法は、
基板上に金属微粒子を形成する工程と、金属微粒子を被覆するオーバーコート膜を形成する工程と、エネルギー線を照射して金属微粒子周囲の保護材を失活させる工程と、金属微粒子をマスクとして凸パターンを形成する工程と、金属微粒子により構成される凸パターン上に凸パターンを有する導電層を形成する工程と、導電層を電極として電鋳層を形成する工程と、導電層を剥離することにより凸パターンが転写された電鋳層からなるスタンパーを形成する工程からなり、さらにこれを用いた磁気記録媒体の製造方法は
基板上に磁気記録層を形成する工程と、
磁気記録層上にマスク層を形成する工程と、
インプリントレジスト層をマスク層上に形成する工程と、
スタンパーを用いて、インプリントレジスト層上に凸パターンを転写する工程と、
凸パターンをマスク層へ転写する工程と、
凸パターンを磁気記録層へ転写する工程と、
マスク層を磁気記録層上から除去する工程と、
を具備する。
The manufacturing method of the stamper according to the embodiment is as follows:
A step of forming metal fine particles on the substrate, a step of forming an overcoat film covering the metal fine particles, a step of inactivating a protective material around the metal fine particles by irradiating energy rays, and using the metal fine particles as a mask. A step of forming a pattern, a step of forming a conductive layer having a convex pattern on a convex pattern composed of metal fine particles, a step of forming an electroformed layer using the conductive layer as an electrode, and peeling the conductive layer The method further comprises a step of forming a stamper made of an electroformed layer to which the convex pattern is transferred, and a method of manufacturing a magnetic recording medium using the same includes a step of forming a magnetic recording layer on a substrate
Forming a mask layer on the magnetic recording layer;
Forming an imprint resist layer on the mask layer;
Using a stamper to transfer a convex pattern on the imprint resist layer;
Transferring the convex pattern to the mask layer;
Transferring the convex pattern to the magnetic recording layer;
Removing the mask layer from the magnetic recording layer;
It comprises.

ナノインプリントリソグラフィーは、微細凸パターンが表面に形成されたナノインプリントスタンパー(以降、スタンパーと呼ぶ)を転写用レジスト層に押下してパターン転写を行うものであり、ステップアンドリピート方式の紫外線露光や電子線露光などの技術と比較して、試料の大面積に対してレジストパターンを一括転写できる。したがって、製造スループットが増加するため、製造時間短縮・コスト削減を実現できる。   Nanoimprint lithography performs pattern transfer by pressing a nanoimprint stamper (hereinafter referred to as a stamper) with a micro-convex pattern formed on its surface onto a transfer resist layer. Step-and-repeat UV exposure and electron beam exposure are used. Compared with such techniques, the resist pattern can be collectively transferred to a large area of the sample. Therefore, since the manufacturing throughput is increased, the manufacturing time can be reduced and the cost can be reduced.

スタンパーは、微細凸パターンを具備する基板、いわゆるマスター原盤(モールド、原盤)から取得することが可能であり、多くの場合、マスター原盤の微細パターンに対する電鋳により作製される。マスター原盤用の基板にはSiをはじめとして、SiO、SiC、SiOC、Si、C、などの他、B、Ga、In、Pなどの不純物をドーピングした半導体基板を用いることができる。他にも導電性を有する材料からなる基板を用いることができる。また、基板の3次元的な形状に関する限定は無く、円形、矩形、ドーナツ形のものを用いることができる。 The stamper can be obtained from a substrate having a fine convex pattern, that is, a so-called master master (mold, master), and is often produced by electroforming the fine pattern of the master master. As a substrate for the master master, a semiconductor substrate doped with impurities such as B, Ga, In, and P in addition to Si, SiO 2 , SiC, SiOC, Si 3 N 4 , C, and the like can be used. . In addition, a substrate made of a conductive material can be used. Moreover, there is no limitation regarding the three-dimensional shape of a board | substrate, A circular, rectangular, and donut shape thing can be used.

マスター原盤のパターンは、前述のように金属微粒子を凸パターンとしても良いし、金属微粒子パターンをマスク層へ転写したものを電鋳用パターンとして適用可能である他、何らかの方法によりマスター原盤に凸パターンを転写した後、これを電鋳用パターンとすることができる。   As described above, the master master pattern may be a metal fine particle convex pattern, or a metal fine particle pattern transferred to a mask layer can be applied as a pattern for electroforming. After transferring, this can be used as an electroforming pattern.

続いて、マスター原盤の凸パターンに対して電鋳を行い、スタンパーを作製する。電鋳、すなわち、めっき金属には種々の材料が挙げられるが、ここでは一例として、Niからなるスタンパーの作製方法を説明する。   Subsequently, electroforming is performed on the convex pattern of the master master to produce a stamper. Various materials can be used for electroforming, that is, plated metal. Here, as an example, a method for producing a stamper made of Ni will be described.

マスター原盤の凸パターンに導電性を付与するため、単層構造の金属微粒子の表面に導電膜を成膜する。後述する電鋳の際には、導電不良が生じるとめっき成長が阻害され、パターン欠損につながるため、この導電膜は凸パターンの表面ならびに側面において均一に成膜されていることが好ましい。ただし、金属微粒子ならびに基板に導電性材料を適用する場合はその限りではなく、凸パターンに電気的な導通があれば良い。この場合は導電膜が金属微粒子上部、側面、および溝部にのみ成膜されていても良い。   In order to impart conductivity to the convex pattern of the master master, a conductive film is formed on the surface of the single layer metal fine particles. In electroforming, which will be described later, if a conductive failure occurs, plating growth is hindered and leads to pattern defects. Therefore, the conductive film is preferably formed uniformly on the surface and side surfaces of the convex pattern. However, this is not the case when a conductive material is applied to the metal fine particles and the substrate, and the convex pattern only needs to be electrically conductive. In this case, the conductive film may be formed only on the upper part, the side surface, and the groove part of the metal fine particles.

導電膜は種々の材料から選択できる。導電膜の材料として例えば、Ni、Al、Ti、C、Au、Agなどが挙げられる。ここではNiを用いた例を説明する。   The conductive film can be selected from various materials. Examples of the conductive film material include Ni, Al, Ti, C, Au, and Ag. Here, an example using Ni will be described.

なお、金属微粒子に対して成膜した導電膜を金属微粒子パターンと一体化させても良い。   The conductive film formed on the metal fine particles may be integrated with the metal fine particle pattern.

続いて、マスター原盤をスルファミン酸NiあるいはNiP浴に浸漬・通電し、電鋳を行なって、導電膜上にスタンパーとなる電鋳層を形成する。めっき後の膜厚、すなわちスタンパーの厚さはめっき浴の水素イオン濃度、温度、粘度の他、通電電流値、めっき時間などを変更することで調整できる。この電鋳は電解めっき、あるいは無電解めっきにより行なうことができる。   Subsequently, the master master is immersed in a sulfamic acid Ni or NiP bath and energized, and electroforming is performed to form an electroformed layer serving as a stamper on the conductive film. The film thickness after plating, that is, the thickness of the stamper can be adjusted by changing the current value, plating time, etc., in addition to the hydrogen ion concentration, temperature and viscosity of the plating bath. This electroforming can be performed by electrolytic plating or electroless plating.

このようにして得られたスタンパーを、基板上から離型する。スタンパーの凸パターン表面に金属微粒子層が残存している場合は、凸パターン表面に対してエッチングを行うことで残渣として残った金属微粒子を除去し、凸パターンを露出させることができる。あるいは、スタンパーが難溶かつ金属微粒子が易溶となる剥離液を選択し、これを用いたウェットエッチングを行っても良い。最後に、凸パターン面以外の不要な箇所を機械的に除去し、さらに円形、矩形などの所望の形状に加工することで、スタンパーが完成し得る。   The stamper thus obtained is released from the substrate. When the metal fine particle layer remains on the convex pattern surface of the stamper, the metal fine particles remaining as a residue can be removed by etching the convex pattern surface, and the convex pattern can be exposed. Alternatively, a stripping solution in which the stamper is hardly soluble and the metal fine particles are easily soluble may be selected, and wet etching using this may be performed. Finally, unnecessary portions other than the convex pattern surface are mechanically removed and further processed into a desired shape such as a circle or a rectangle, whereby the stamper can be completed.

ナノインプリントスタンパー作製工程の変形例として基板上にマスク層を設け、さらにマスク層に凸パターンを転写することができる。ここで用いるマスク層は前述のように、金属微粒子とのエッチング選択比を確保できる材料であればよく、マスク層は2層以上の多層構造にしても構わない。さらに、マスク層を介して基板に凸パターンを転写し、基板にも凸パターンが転写されたマスター原版盤を用いてスタンパーを作製することも可能である。   As a modification of the nanoimprint stamper manufacturing process, a mask layer can be provided on the substrate, and a convex pattern can be transferred to the mask layer. As described above, the mask layer used here may be any material that can ensure an etching selectivity with the metal fine particles, and the mask layer may have a multilayer structure of two or more layers. Furthermore, it is also possible to produce a stamper by using a master master plate on which a convex pattern is transferred to a substrate via a mask layer and the convex pattern is also transferred to the substrate.

スタンパーをマスター原盤として代替し、複製スタンパーを作製することができる。この場合は、NiスタンパーからNiスタンパーを得る方法や、Niスタンパーから樹脂スタンパを得る方法などが挙げられる。ここでは、コストパフォーマンスが比較的高く、作製が容易な樹脂スタンパーの作製方法を説明する。   A replica stamper can be produced by replacing the stamper as a master master. In this case, a method of obtaining a Ni stamper from a Ni stamper, a method of obtaining a resin stamper from a Ni stamper, and the like can be mentioned. Here, a method for producing a resin stamper having relatively high cost performance and easy production will be described.

樹脂スタンパーは射出成型により作製する。まず、射出成型装置にNiスタンパーを装荷し、スタンパーの凸パターンへ樹脂溶液材料を流入し、射出成型を行う。樹脂溶液材料としては、シクロオレフィンポリマーやポリカーボネート,ポリメチルメタアクリレートなどを適用可能である他、後述するインプリントレジストとの剥離性の良い材料を選択することができる。射出成型を行った後、Niスタンパー上から試料を剥離することで、凸パターンを有する樹脂スタンパーが得られる。   The resin stamper is manufactured by injection molding. First, a Ni stamper is loaded into an injection molding apparatus, and a resin solution material is introduced into the convex pattern of the stamper to perform injection molding. As the resin solution material, a cycloolefin polymer, polycarbonate, polymethylmethacrylate, or the like can be applied, and a material having good releasability from an imprint resist described later can be selected. After injection molding, the sample is peeled off from the Ni stamper to obtain a resin stamper having a convex pattern.

樹脂スタンパーを用いて、凸パターンを転写することができる。ここでは前述のように、基板側から磁気記録層、マスク層を設けた試料を用い、さらにマスク層上にインプリントレジスト層を形成したものを試料とする。インプリントレジストには熱硬化樹脂や光硬化樹脂をはじめとした各種レジスト材料を用いることが可能であり、例えばイソボルニルアクリレート、アリルメタクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレートなどを適用できる。   The convex pattern can be transferred using a resin stamper. Here, as described above, a sample in which a magnetic recording layer and a mask layer are provided from the substrate side is used, and a sample in which an imprint resist layer is further formed on the mask layer is used. As the imprint resist, various resist materials including a thermosetting resin and a photocurable resin can be used. For example, isobornyl acrylate, allyl methacrylate, dipropylene glycol diacrylate, and the like can be applied.

これらのレジスト材料を、基板に磁気記録層よびマスク層を有する試料上に塗布し、レジスト層を形成する。次いで、レジスト層に対して凸パターンを有する樹脂スタンパーをインプリントする。インプリントの際、樹脂スタンパーがレジストに押下されるとレジストが流動化し、凸パターンが形成される。ここで、レジスト層に対して紫外線などのエネルギーを付与することで、凸パターンを形成しているレジスト層を硬化させ、次いで樹脂スタンパーを離型すればレジスト層の凸パターンが得られる。樹脂スタンパーの離型を容易に行なうために、あらかじめ樹脂スタンパー表面にシランカップリング剤などによる離型処理を行なっておいてもよい。   These resist materials are applied on a sample having a magnetic recording layer and a mask layer on a substrate to form a resist layer. Next, a resin stamper having a convex pattern is imprinted on the resist layer. At the time of imprinting, when the resin stamper is pressed onto the resist, the resist fluidizes and a convex pattern is formed. Here, by applying energy such as ultraviolet rays to the resist layer, the resist layer forming the convex pattern is cured, and then the resin stamper is released to obtain the convex pattern of the resist layer. In order to easily release the resin stamper, the surface of the resin stamper may be previously subjected to a release treatment with a silane coupling agent or the like.

次に、インプリントレジストを押下した樹脂スタンパーを離型する。ここで、樹脂スタンパー離型後におけるレジスト層の凹部にはレジスト材料が残渣として残存しているため、これをエッチングにより除去することでマスク層の表面を露出させる。ポリマーベースのレジスト材料は、一般的にOエッチャントに対するエッチング耐性が低いため、Oガスを用いたドライエッチングを行なうことで容易に残渣を除去できる。無機材料を含む場合は、レジストパターンが残るようにエッチングガスを適宜変更することができる。以降、凸パターンをマスク層、磁気記録層へ転写した後、保護膜を形成する工程を経ることにより、凸パターンを有する磁気記録媒体をナノインプリントにより作製することができる。 Next, the resin stamper in which the imprint resist is pressed is released. Here, since the resist material remains as a residue in the recess of the resist layer after the release of the resin stamper, the surface of the mask layer is exposed by removing the resist material by etching. Since polymer-based resist materials generally have low etching resistance against O 2 etchants, residues can be easily removed by dry etching using O 2 gas. When an inorganic material is included, the etching gas can be changed as appropriate so that the resist pattern remains. Thereafter, after transferring the convex pattern to the mask layer and the magnetic recording layer, a magnetic recording medium having the convex pattern can be produced by nanoimprinting through a step of forming a protective film.

磁気記録層パターニング工程
次に、凸パターンを合金剥離層下部の磁気記録層へ転写する。
Magnetic Recording Layer Patterning Step Next, the convex pattern is transferred to the magnetic recording layer below the alloy release layer.

磁気的な孤立ドットを形成するための代表的な方法としては、上記の反応性イオンエッチングやミリング法などが挙げられる。具体的には、エッチングガスにCOやNH3を適用する反応性イオンエッチングや、He、Ne、Ar、Xe、Krなどの不活性ガスを用いたイオンミリングによりパターニングすることができる。   As a typical method for forming a magnetic isolated dot, the above-described reactive ion etching, milling method and the like can be cited. Specifically, patterning can be performed by reactive ion etching using CO or NH3 as an etching gas, or ion milling using an inert gas such as He, Ne, Ar, Xe, or Kr.

磁気記録層のパターニングを行う際は、マスク層のエッチングレートERmaskに対する磁気記録層のエッチングレートERmagの関係がERmask≦ERmagを満足することが望ましい。すなわち、所望の磁気記録層厚を得るために、エッチングに伴うマスク層の後退は少ないほど良い。   When patterning the magnetic recording layer, it is desirable that the relationship of the etching rate ERmag of the magnetic recording layer to the etching rate ERmask of the mask layer satisfies ERmask ≦ ERmag. In other words, in order to obtain a desired magnetic recording layer thickness, the smaller the mask layer receding with etching, the better.

イオンミリングにより磁気記録層へ凸パターンを転写する場合、加工に伴いマスク側壁に向かって飛散する副生成物、いわゆるリデポ成分を抑制する必要がある。このリデポ成分は、凸パターンマスクの周囲に付着するため、凸パターンの寸法が拡大し、溝部分を埋没させることになるため、分断された磁気記録層パターンを得るためにはリデポ成分を可及的に少なくすることが望ましい。また、剥離層下部の磁気記録層のエッチング時に生じたリデポ成分が剥離層側面を被覆すると、剥離層が剥離溶液に対して曝露されなくなってしまい、剥離性が劣化することになるため、やはりリデポ成分は少ないことが望ましい。   When a convex pattern is transferred to the magnetic recording layer by ion milling, it is necessary to suppress a so-called redepo component, which is a byproduct that scatters toward the mask side wall during processing. Since this redeposit component adheres to the periphery of the convex pattern mask, the size of the convex pattern is enlarged and the groove portion is buried, so that the redepo component is possible to obtain a divided magnetic recording layer pattern. It is desirable to reduce it. In addition, if the redeposit component generated during the etching of the magnetic recording layer below the release layer covers the side surface of the release layer, the release layer will not be exposed to the release solution, and the peelability will deteriorate. It is desirable that there are few components.

磁気記録層に対するイオンミリングでは、イオンの入射角度を変えることで側壁へのリデポ成分を少なくすることができる。この場合は、マスク高さによって最適な入射角度は異なるが20°〜70°の範囲でリデポを抑制することが可能となる。また、イオンの入射角度はミリング中に適宜変更しても構わない。例えば、磁気記録層をイオン入射角度0°でミリング加工した後、イオン入射角度を変更して凸パターンのリデポ部分を選択的に除去する方法などが挙げられる。   In ion milling on the magnetic recording layer, the redeposit component on the side wall can be reduced by changing the incident angle of ions. In this case, although the optimum incident angle differs depending on the mask height, it is possible to suppress redeposition within a range of 20 ° to 70 °. Further, the incident angle of ions may be appropriately changed during milling. For example, after the magnetic recording layer is milled at an ion incident angle of 0 °, the ion incident angle is changed to selectively remove the redeposited portion of the convex pattern.

マスク層除去、剥離工程
磁気記録層へ凸パターンを転写した後、磁気記録層上に存在するマスク層を除去する。このマスク層は除去せずに媒体表面に残存すると異常突起パターンとなるため、走査するヘッドのクラッシュが生じることになるため、可及的に除去しておくことが好ましい。
Mask Layer Removal and Stripping Step After the convex pattern is transferred to the magnetic recording layer, the mask layer existing on the magnetic recording layer is removed. If the mask layer remains on the surface of the medium without being removed, an abnormal projection pattern is formed, and the head to be scanned will crash. Therefore, it is preferably removed as much as possible.

マスク層はドライエッチングおよびウェットエッチングにより除去可能である。ドライエッチングを適用する場合は、マスク層材料を除去し得るエッチングガス種を適切に選択する。   The mask layer can be removed by dry etching and wet etching. When dry etching is applied, an etching gas species that can remove the mask layer material is appropriately selected.

また、前述のように磁気記録層とマスク層との間に剥離層を設けておき、該剥離層を溶解除去することでマスク層をリフトオフしてもよい。ドライエッチングにより化学的に剥離層を除去する場合、マスク層上に付着したパーティクルはパターンとして残存してしまい、最終的には媒体の表面性を劣化させる。ウェットエッチングにより剥離層を溶解する場合は、マスク層およびパーティクルはリフトオフされるため、媒体表面から完全に除去されるため、媒体の表面性の劣化を軽微にできる。よって、磁気記録層上のマスク除去にはウェットエッチングがより好ましい。   Further, as described above, a release layer may be provided between the magnetic recording layer and the mask layer, and the release layer may be dissolved and removed to lift off the mask layer. When the peeling layer is chemically removed by dry etching, the particles adhering to the mask layer remain as a pattern, and finally the surface property of the medium is deteriorated. When the peeling layer is dissolved by wet etching, the mask layer and particles are lifted off, and are completely removed from the surface of the medium. Therefore, deterioration of the surface property of the medium can be minimized. Therefore, wet etching is more preferable for removing the mask on the magnetic recording layer.

剥離層は前述のごとく、酸あるいはアルカリ溶液によって可溶な金属材料を含むため、これを溶解可能なエッチング溶液を適切に選択できる。酸剥離溶液では、例えば、塩酸、リン酸、硝酸、ホウ酸、過塩素酸、臭化水素酸、カルボン酸、スルホン酸、過酸化水素水などが挙げられる。   As described above, since the release layer contains a metal material that is soluble by an acid or alkali solution, an etching solution that can dissolve the metal material can be appropriately selected. Examples of the acid stripping solution include hydrochloric acid, phosphoric acid, nitric acid, boric acid, perchloric acid, hydrobromic acid, carboxylic acid, sulfonic acid, and hydrogen peroxide solution.

アルカリ剥離液では、例えば、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、水酸化バリウム水溶液、水酸化マグネシウム水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、ヒドラジン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、フェニルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどが挙げられる。なお、溶液のpHを調整するための緩衝液を適宜追加しても構わない。   In the alkaline stripping solution, for example, sodium hydroxide aqueous solution, potassium hydroxide aqueous solution, potassium hydroxide aqueous solution, calcium hydroxide aqueous solution, barium hydroxide aqueous solution, magnesium hydroxide aqueous solution, ammonium hydroxide aqueous solution, hydrazine, tetramethylammonium hydroxide, Examples thereof include tetrapropylammonium hydroxide and phenyltrimethylammonium hydroxide. A buffer solution for adjusting the pH of the solution may be added as appropriate.

ウェットエッチングにより剥離層を溶解する場合は、磁気記録層および基板に対する溶解速度が剥離層の溶解速度に対して十分に小さいことが望ましい。   When the release layer is dissolved by wet etching, it is desirable that the dissolution rate with respect to the magnetic recording layer and the substrate is sufficiently smaller than the dissolution rate of the release layer.

保護層形成工程
磁気記録層上のマスク層を除去した後、凸パターン上に保護層を形成する。この保護膜は、凸パターン状磁気記録層の腐食を防止するとともに、ヘッド走査時に生じる媒体表面の摩耗を防ぐ役割を担う。
Step of forming protective layer After removing the mask layer on the magnetic recording layer, a protective layer is formed on the convex pattern. This protective film plays a role of preventing corrosion of the convex patterned magnetic recording layer and preventing abrasion of the medium surface that occurs during head scanning.

狭ピッチパターンに対して保護膜を形成する場合、単純に成膜を行った場合は凸パターン上の保護膜と凹パターン部の保護膜との膜厚差が生じ、ヘッドの浮上特性が劣化する問題がある。また、凹パターンのみを保護膜材料で埋め込んで平坦化する場合、後工程での平坦化が困難であり、凹凸差の場所依存性が顕著になるため、媒体の平坦性が悪化する問題がある。よって、狭ピッチパターンの凸パターンを保護膜材料で完全充填するのは困難であり、同時に、埋め込み後の平坦性が悪化する問題がある。   When a protective film is formed on a narrow pitch pattern, if the film is simply formed, a difference in film thickness occurs between the protective film on the convex pattern and the protective film on the concave pattern portion, and the flying characteristics of the head deteriorate. There's a problem. Further, when flattening is performed by embedding only the concave pattern with a protective film material, it is difficult to flatten in a later process, and the location dependence of the unevenness difference becomes significant, and there is a problem that the flatness of the medium deteriorates. . Therefore, it is difficult to completely fill a convex pattern with a narrow pitch pattern with a protective film material, and at the same time, there is a problem that flatness after embedding is deteriorated.

これに対して前述の製造方法のように、斜方成膜により凸パターンに保護膜を形成することで、媒体表面の平坦性を損なうことなく、パターンに対して保護膜を一様に形成することができる。   On the other hand, by forming the protective film on the convex pattern by oblique film formation as in the manufacturing method described above, the protective film is uniformly formed on the pattern without impairing the flatness of the medium surface. be able to.

磁気記録層のパターンは前述の通り周期的な凸形状であり、種々の構造を取り得る。例えば円柱、円錐、角柱、角錐、多角柱、多角錐などである。基板上の全てのドットパターンの形状が単一形状である必要性はなく、前記形状を有するドットがその数と種類に依らず、基板上に混在していても構わない。   The pattern of the magnetic recording layer is a periodic convex shape as described above, and can take various structures. For example, a cylinder, a cone, a prism, a pyramid, a polygonal column, a polygonal pyramid, and the like. It is not necessary that all dot patterns on the substrate have a single shape, and the dots having the shape may be mixed on the substrate regardless of the number and types thereof.

保護膜を良好に成膜できるパターンピッチは20nm以下である。これよりもピッチが広くなると、保護膜がドット側面および底面に対して一様に被覆されるため、凸パターンを埋め込むことができなくなるためである。ここで、ピッチとは基板上のある凸状ドットパターンの重心点から隣接する凸状パターンの重心点までの距離である。すなわち、周期的とはあるドットを基準にしてピッチが2回以上連続している状態を示す。媒体上のドットパターンは面内で一様に配されていることが好ましいが、ピッチおよびドットサイズはばらつき、すなわち分散を有する。この分散は、媒体からの信号S/Nを高感度にするために、値が20%以下であることが好ましい。   The pattern pitch with which the protective film can be satisfactorily formed is 20 nm or less. This is because if the pitch is wider than this, the protective film is uniformly coated on the side surface and the bottom surface of the dots, so that the convex pattern cannot be embedded. Here, the pitch is a distance from the center of gravity of a certain convex dot pattern on the substrate to the center of gravity of an adjacent convex pattern. That is, the term “periodic” refers to a state in which the pitch is continuous twice or more with a certain dot as a reference. The dot pattern on the medium is preferably arranged uniformly in the plane, but the pitch and the dot size have variations, that is, dispersion. This dispersion is preferably 20% or less in order to make the signal S / N from the medium highly sensitive.

また、パターン欠損などの理由からピッチが必ずしも周期的ではなく、ある箇所で不連続な値で途絶しても、再度ピッチが周期的になっていればよい。この不連続点とは、例えば、レジスト凸パターンの欠損から生じるものである。具体的には、前述した電子線レジストパターンでは電子線描画不良や現像不良に伴うパターン欠損であり、自己組織化ジブロックコポリマー材料では自己組織化パターンがマクロに不連続になるいわゆるドメイン領域がこれに相当する。また、金属微粒子パターンでは、マスク上に配列されない微粒子の欠陥領域であり、ナノインプリントではインプリントの転写不良に伴う欠陥がこれに相当する。いずれの場合も、一旦不連続な領域が生じても再度周期的なパターンが配されていれば媒体の構成上は別段問題は無い。   Further, the pitch is not necessarily periodic due to a pattern defect or the like, and it is only necessary that the pitch is periodic again even if the pitch is interrupted at a discontinuous value at a certain location. This discontinuous point is caused by, for example, a defect in the resist convex pattern. Specifically, in the electron beam resist pattern described above, there is a pattern defect due to electron beam drawing failure or development failure, and in the self-assembled diblock copolymer material, this is a so-called domain region in which the self-assembled pattern is macroscopically discontinuous. It corresponds to. Further, in the metal fine particle pattern, it is a defect region of fine particles that are not arranged on the mask, and in nanoimprint, a defect due to imprint transfer failure corresponds to this. In any case, even if a discontinuous region once occurs, there is no problem in terms of the medium configuration as long as a periodic pattern is arranged again.

保護膜材料は種々の材料から選択できるが、非磁性材料であることが好ましい。具体的には、Al、Si、C、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Y、Zr、Mo、Pd、Ag、Hf、W、Pt、Auから選択され、それらの合金、あるいは酸化物、窒化物などの化合物などから構成され得る。また、カーボン材料を用いる場合は、sp3結合炭素を多く含むDLC膜が好適である。   The protective film material can be selected from various materials, but is preferably a nonmagnetic material. Specifically, selected from Al, Si, C, Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn, Ge, Y, Zr, Mo, Pd, Ag, Hf, W, Pt, Au, alloys thereof, Alternatively, it may be composed of a compound such as an oxide or a nitride. Further, when a carbon material is used, a DLC film containing a large amount of sp3 bonded carbon is preferable.

保護膜材料の厚さは、磁気スペーシングの低減による信号S/Nの改善を図るため、5nm以下にすることが好ましい。5nmよりも厚くなると電気−磁気信号の変換が困難になるからである。また、凸パターンに対する被覆性を良好にするため、0.1nmよりも厚くしておくことが望ましい。0.1nmよりも薄いと被覆性が悪化するためである。   The thickness of the protective film material is preferably 5 nm or less in order to improve the signal S / N by reducing the magnetic spacing. This is because when the thickness is greater than 5 nm, it becomes difficult to convert an electric-magnetic signal. Moreover, in order to make the coverage with respect to a convex pattern favorable, it is desirable to make it thicker than 0.1 nm. This is because if it is thinner than 0.1 nm, the covering property is deteriorated.

保護膜は、磁気記録層凸パターンに対して保護膜材料を斜方成膜することにより得られる。基板面に保護膜材料を斜方成膜する場合は、固定された保護膜材料源に対して試料治具を傾けて配置するか、治具に装荷する試料基板を傾けて配置するか、あるいは、固定された基板材料に対して保護膜材料源を傾けて配置するなどの方法がある。このとき、斜方成膜の角度は保護膜形成の途中で適宜変更しても良く、複数の照射角度を設定することができる。例えば、成膜中に照射角度をθ1、θ2、θ3、…、のように変更しても構わない。   The protective film is obtained by forming a protective film material obliquely on the magnetic recording layer convex pattern. When the protective film material is obliquely formed on the substrate surface, the sample jig is inclined with respect to the fixed protective film material source, the sample substrate loaded on the jig is inclined, or For example, the protective film material source may be inclined with respect to the fixed substrate material. At this time, the angle of oblique film formation may be appropriately changed during the formation of the protective film, and a plurality of irradiation angles can be set. For example, the irradiation angle may be changed to θ1, θ2, θ3,.

斜方入射による成膜方法は、例えば真空蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着などの方法を適用すると良い。また、成膜中は試料を装荷した基板を自転させたり、あるいは材料源に対して試料治具を公転させるなどして、照射された保護膜材料の成膜均一性を改善することが可能である。   As a film formation method by oblique incidence, for example, a method such as vacuum vapor deposition, sputtering, or ion beam vapor deposition may be applied. During film formation, it is possible to improve the film formation uniformity of the irradiated protective film material by rotating the substrate loaded with the sample or revolving the sample jig with respect to the material source. is there.

また、斜方入射により保護膜材料を厚膜で形成した後、表面ラフネスの低減のためにエッチングによる膜厚低減工程を経ても良い。具体的にはウェットエッチングやドライエッチングを適用可能であるが、面内均一性と薄膜に対する加工マージンを確保するために、ドライエッチングを適用するのが好ましい。この膜厚低減工程は前記斜方入射による成膜工程と種々組み合わせることができる。例えば、ある角度θ1での斜方入射により保護膜材料を形成した後、ドライエッチングによる膜厚低減化を行い、次に凸パターンを低減するための角度θ2での斜方入射を行った後、再度ドライエッチングによる膜厚低減を行うなどの方法である。   Further, after forming the protective film material as a thick film by oblique incidence, a film thickness reduction process by etching may be performed to reduce the surface roughness. Specifically, wet etching or dry etching can be applied. However, in order to ensure in-plane uniformity and a processing margin for a thin film, it is preferable to apply dry etching. This film thickness reduction process can be variously combined with the film formation process by oblique incidence. For example, after forming a protective film material by oblique incidence at a certain angle θ1, the film thickness is reduced by dry etching, and then oblique incidence at an angle θ2 for reducing the convex pattern is performed. For example, the film thickness is reduced again by dry etching.

さらに、斜方入射して形成した保護膜材料に対して、別の方法により保護膜材料を形成することも可能である。例えば、保護膜材料を含む溶液を塗布し、斜方入射して得られた平坦な保護膜上にさらに1層保護膜を形成することが可能である。これにより斜方入射で生じた凹凸差を低減化できる。この塗布・成膜の後、前述したドライエッチングを行うことで保護膜の厚さを所望の値に調製しても良い。   Further, the protective film material can be formed by another method with respect to the protective film material formed by oblique incidence. For example, it is possible to form a single-layer protective film on a flat protective film obtained by applying a solution containing a protective film material and obliquely incident. Thereby, the unevenness difference caused by oblique incidence can be reduced. After the coating and film formation, the thickness of the protective film may be adjusted to a desired value by performing the dry etching described above.

保護膜材料を含む溶液は種々の方法により塗布することができる。例えば、スピンコート法、ディップコート法、スピンキャスト法、ラングミュアブロジェット法、インクジェット法などの方法を適用することが可能である。   The solution containing the protective film material can be applied by various methods. For example, methods such as a spin coating method, a dip coating method, a spin casting method, a Langmuir Blodget method, and an ink jet method can be applied.

磁気記録層上に形成された保護膜は、磁気記録層の凸−凸パターン間をブリッジ状に連結する。したがって、磁気記録層間と上部の保護膜とで囲まれた部分は空隙領域となる。   The protective film formed on the magnetic recording layer connects the convex-convex patterns of the magnetic recording layer in a bridge shape. Accordingly, a portion surrounded by the magnetic recording layer and the upper protective film becomes a void region.

この空隙領域は媒体表面の凹凸差を小さくするため、凹パターンにおいてヘッド浮上時の気流の渦が生じない。したがって、媒体表面における気流の乱れ、すなわち風乱が少なくなるので、気流の渦と圧力差に伴うヘッドの基板面に対する落ち込みが抑制される。よって、ヘッド走査時の振動が少なくなり浮上安定性が改善され、媒体表面にヘッドが接触する頻度が少なくなり、クラッシュを避けることが可能となる。   Since this gap area reduces the unevenness of the surface of the medium, the vortex of the air current at the time of flying the head does not occur in the concave pattern. Accordingly, since the turbulence of the air current on the medium surface, that is, the turbulence is reduced, the head stagnation to the substrate surface due to the vortex and the pressure difference is suppressed. Therefore, the vibration during head scanning is reduced, the flying stability is improved, the frequency with which the head contacts the surface of the medium is reduced, and a crash can be avoided.

空隙は大気雰囲気、真空雰囲気、不活性ガス雰囲気で構成され得る。例えば成膜中に要するガス雰囲気で、そのまま空隙領域を置換することも可能であり、具体的なガスとしてはHe、N、Ar、Neなどが挙げられる。 The air gap may be constituted by an air atmosphere, a vacuum atmosphere, or an inert gas atmosphere. For example, it is possible to replace the void region as it is in a gas atmosphere required during film formation, and specific gases include He, N 2 , Ar, Ne, and the like.

磁気記録層の周期パターンの位置により保護層は異なる厚さを有する。具体的には、パターンが最近接となるX−X’間において、ドット上部の保護層厚をt1、ドット間の保護層厚をt2とし、パターンが最遠隔となるY−Y’間において、ドット間の保護層厚をt3とした場合、t1≦t2≦t3の条件となる。   The protective layer has a different thickness depending on the position of the periodic pattern of the magnetic recording layer. Specifically, between XX ′ where the pattern is closest, the protective layer thickness at the top of the dot is t1, the protective layer thickness between the dots is t2, and between YY ′ where the pattern is remotest, When the protective layer thickness between dots is t3, the condition is t1 ≦ t2 ≦ t3.

最後に、保護膜上に図示しないフッ素系潤滑膜を成膜することで、凸パターン状磁気記録層とそれらを上部で連結する保護膜とによって構成された磁気記録媒体を得られる。潤滑剤としてはパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。   Finally, by forming a fluorine-based lubricating film (not shown) on the protective film, it is possible to obtain a magnetic recording medium constituted by the convex pattern magnetic recording layer and a protective film connecting them at the upper part. As the lubricant, perfluoropolyether, fluorinated alcohol, fluorinated carboxylic acid, or the like can be used.

図19に、磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの一例を表す図を示す。   FIG. 19 shows an example of a recording bit pattern with respect to the circumferential direction of the magnetic recording medium.

図19は、磁気記録媒体におけるデータ領域および磁気ヘッドの位置決め情報となるサーボ領域を全て周期パターンで構成するものである。このとき、1ビットを記録再生するためのドット数は単数もしくは複数で構成され得る。 In FIG. 19, the data area on the magnetic recording medium and the servo area that is the positioning information of the magnetic head are all configured by a periodic pattern. At this time, the number of dots for recording / reproducing one bit can be composed of one or more.

図20は、実施形態にかかる磁気記録媒体を適用可能な磁気記録再生装置の一例を、一部分解した斜視図で示す。   FIG. 20 is a partially exploded perspective view showing an example of a magnetic recording / reproducing apparatus to which the magnetic recording medium according to the embodiment can be applied.

同図は、ディスク装置として、実施形態に係るハードディスクドライブのトップカバーを取り外して内部構造を示している。図に示すように、HDDは筐体210を備えている。この筐体210は、上面の開口した矩形箱状のベース211と、図示しない矩形板状のトップカバーとを備えている。トップカバーは、複数のねじによりベースにねじ止めされ、ベースの上端開口を閉塞している。これにより、筐体210内部は気密に保持され、呼吸フィルター226を通してのみ、外部と通気可能となっている。   This figure shows the internal structure of the hard disk drive according to the embodiment with the top cover removed as a disk device. As shown in the figure, the HDD includes a housing 210. The housing 210 includes a rectangular box-shaped base 211 having an open top surface and a rectangular plate-shaped top cover (not shown). The top cover is screwed to the base with a plurality of screws, and closes the upper end opening of the base. As a result, the inside of the casing 210 is kept airtight and can be ventilated to the outside only through the breathing filter 226.

ベース211上には、記録媒体としての磁気ディスク212および駆動部が設けられている。駆動部は、磁気ディスク212を支持および回転させるスピンドルモータ213、磁気ディスクに対して情報の記録、再生を行なう複数、例えば、2つの磁気ヘッド233、これらの磁気ヘッド233を磁気ディスク212の表面に対して移動自在に支持したヘッドアクチュエータ214、ヘッドアクチュエータを回動および位置決めするボイスコイルモータ(以下VCMと呼称する)216を備えている。また、ベース211上には、磁気ヘッド233が磁気ディスク212の最外周に移動した際、磁気ヘッド233を磁気ディスク212から離間した位置に保持するランプロード機構218、HDDに衝撃等が作用した際、ヘッドアクチュエータ214を退避位置に保持するイナーシャラッチ220、およびプリアンプ、ヘッドIC等の電子部品が実装された基板ユニット217が設けられている。   On the base 211, a magnetic disk 212 as a recording medium and a drive unit are provided. The drive unit includes a spindle motor 213 that supports and rotates the magnetic disk 212, a plurality of, for example, two magnetic heads 233 that record and reproduce information on the magnetic disk, and these magnetic heads 233 on the surface of the magnetic disk 212. A head actuator 214 movably supported on the head and a voice coil motor (hereinafter referred to as VCM) 216 for rotating and positioning the head actuator are provided. On the base 211, when the magnetic head 233 moves to the outermost periphery of the magnetic disk 212, an impact or the like acts on the ramp load mechanism 218 that holds the magnetic head 233 at a position separated from the magnetic disk 212, or the HDD. In addition, an inertia latch 220 that holds the head actuator 214 in the retracted position, and a substrate unit 217 on which electronic components such as a preamplifier and a head IC are mounted are provided.

ベース211の外面には、制御回路基板225がねじ止めされ、ベース211の底壁と対向して位置している。制御回路基板225は、基板ユニット217を介してスピンドルモータ213、VCM216、および磁気ヘッド233の動作を制御する。   A control circuit board 225 is screwed to the outer surface of the base 211 and is positioned to face the bottom wall of the base 211. The control circuit board 225 controls operations of the spindle motor 213, the VCM 216, and the magnetic head 233 via the board unit 217.

図20において、磁気ディスク212は、前述の加工方法により形成された凸パターンを有する垂直磁気記録媒体として構成されている。また、磁気ディスク212は前述の通り、例えば、直径約2.5インチの円板状に形成され非磁性体からなる基板219を有している。基板219の各表面には、下地層としての軟磁性層223と、その上層部に、ディスク面に対して垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁気記録層222とが順次積層され、さらにその上に保護膜224が形成されている。   In FIG. 20, a magnetic disk 212 is configured as a perpendicular magnetic recording medium having a convex pattern formed by the above-described processing method. Further, as described above, the magnetic disk 212 includes the substrate 219 made of a nonmagnetic material and formed in a disk shape having a diameter of about 2.5 inches, for example. On each surface of the substrate 219, a soft magnetic layer 223 as an underlayer, and a perpendicular magnetic recording layer 222 having magnetic anisotropy in a direction perpendicular to the disk surface are sequentially laminated on the upper layer, and further A protective film 224 is formed thereon.

また、磁気ディスク212は、スピンドルモータ213のハブに互いに同軸的に嵌合されているとともにハブの上端にねじ止めされたクランプばね221によりクランプされ、ハブに固定されている。磁気ディスク212は、駆動モータとしてのスピンドルモータ213により所定の速度で矢印B方向に回転される。   The magnetic disk 212 is clamped by a clamp spring 221 that is coaxially fitted to the hub of the spindle motor 213 and screwed to the upper end of the hub, and is fixed to the hub. The magnetic disk 212 is rotated in the arrow B direction at a predetermined speed by a spindle motor 213 as a drive motor.

ヘッドアクチュエータ214は、ベース211の底壁上に固定された軸受部215と、軸受部から延出した複数のアーム227と、を備えている。これらのアーム227は、磁気ディスク212の表面と平行に、かつ、互いに所定の間隔を置いて位置しているとともに、軸受部215から同一の方向へ延出している。ヘッドアクチュエータ214は、弾性変形可能な細長い板状のサスペンション230を備えている。サスペンション230は、板ばねにより構成され、その基端がスポット溶接あるいは接着によりアーム227の先端に固定され、アームから延出している。各サスペンション230の延出端にジンバルばね241を介して磁気ヘッド233が支持されている。サスペンション230、ジンバルばね241、および磁気ヘッド233により、ヘッドジンバルアッセンブリを構成している。なお、ヘッドアクチュエータ214は、軸受部215のスリーブと、複数のアームとを一体に形成したいわゆるEブロックを備えた構成としてもよい。   The head actuator 214 includes a bearing portion 215 fixed on the bottom wall of the base 211 and a plurality of arms 227 extending from the bearing portion. These arms 227 are located in parallel to the surface of the magnetic disk 212 and at a predetermined interval from each other, and extend from the bearing portion 215 in the same direction. The head actuator 214 includes an elongated plate-like suspension 230 that can be elastically deformed. The suspension 230 is configured by a leaf spring, and the base end thereof is fixed to the distal end of the arm 227 by spot welding or adhesion, and extends from the arm. A magnetic head 233 is supported on the extended end of each suspension 230 via a gimbal spring 241. The suspension 230, the gimbal spring 241 and the magnetic head 233 constitute a head gimbal assembly. The head actuator 214 may include a so-called E block in which a sleeve of the bearing portion 215 and a plurality of arms are integrally formed.

以下、実施例を示し、実施形態を具体的に説明する。   Hereinafter, an example is shown and an embodiment is described concretely.

(C保護層、EBリソグラフィー)
まず、電子線リソグラフィーによりレジスト層に凸パターンを形成した後、磁気記録層へ転写することを特徴とした製造方法に関して説明する。
(C protective layer, EB lithography)
First, a manufacturing method characterized by forming a convex pattern on a resist layer by electron beam lithography and then transferring it to a magnetic recording layer will be described.

基板には2.5インチ径ドーナツ基板を用い、この上に磁気記録層をDCスパッタ法により形成した。プロセスガスはArとし、ガス圧力0.7Pa、ガス流量35sccm、投入電力500Wに設定し、基板側から10nm厚 NiTa下地層/4nm厚Pd下地層/20nm厚Ru下地層/5nm厚CoPt記録層を順次成膜し、最後に3nm厚Pd保護層を形成することで磁気記録層を得た。   A 2.5-inch diameter donut substrate was used as the substrate, and a magnetic recording layer was formed thereon by DC sputtering. The process gas is Ar, the gas pressure is set to 0.7 Pa, the gas flow rate is set to 35 sccm, and the input power is set to 500 W. From the substrate side, a 10 nm thick NiTa underlayer / 4 nm thick Pd underlayer / 20 nm thick Ru underlayer / 5 nm thick CoPt recording layer A magnetic recording layer was obtained by sequentially forming films and finally forming a 3 nm thick Pd protective layer.

続いて、磁気記録層上に剥離層のラフネス低減のための下地層を形成した。ここでは、Pd膜を選定し、DCスパッタ法により1.5nm厚となるように成膜を行った。また、ここではラフネスを意図的に大きくするためにプロセスガス圧力を4.0Paに高圧化することで成膜を行い、表面ラフネス0.32nmのPd膜を得た。続いて、下地層上に金属剥離層を形成した。本例では、剥離層として酸に可溶なMoを選定し、DCスパッタ法により5nmの厚さとなるように成膜した。   Subsequently, an underlayer for reducing the roughness of the release layer was formed on the magnetic recording layer. Here, a Pd film was selected, and the film was formed by DC sputtering so as to have a thickness of 1.5 nm. Further, here, in order to intentionally increase the roughness, the film was formed by increasing the process gas pressure to 4.0 Pa to obtain a Pd film having a surface roughness of 0.32 nm. Subsequently, a metal release layer was formed on the base layer. In this example, Mo soluble in acid was selected as the release layer, and the film was formed to a thickness of 5 nm by DC sputtering.

引き続き、剥離層上にマスク層を形成した。ここではレジスト層の凸パターンを高精細に転写するために2層のマスクを用いることとし、基板側から第1のマスク層として30nm厚C、さらに上部の転写層として5nm厚Siを適用した。各マスク層の形成では対向ターゲット式DCスパッタ装置を用い、Arガス流量35sccm、Arガス圧力0.7Pa、投入電力500Wとしてスパッタ成膜した。   Subsequently, a mask layer was formed on the release layer. Here, a two-layer mask is used to transfer the convex pattern of the resist layer with high definition, and 30 nm thickness C is applied as the first mask layer from the substrate side, and 5 nm thickness Si is applied as the upper transfer layer. Each mask layer was formed by sputtering using an opposed target type DC sputtering apparatus with an Ar gas flow rate of 35 sccm, an Ar gas pressure of 0.7 Pa, and an input power of 500 W.

次いで,パターニング用の主鎖切断型電子線ポジレジストを成膜した。電子線レジストには日本ゼオン(株)のZEP−520Aを用い,アニソールを溶媒としてZEP−520A:アニソール=1:3の重量比で希釈した溶液に調製した後、基板上に滴下し、回転数2500rpmで30nm厚となるようにスピンコートした。試料は180℃に加熱した真空ホットプレート上で150秒間保持し、プリベークすることで電子線レジストを硬化させた。   Next, a main chain cutting type electron beam positive resist for patterning was formed. ZEP-520A manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd. was used as the electron beam resist, and the solution was diluted to a weight ratio of ZEP-520A: anisole = 1: 3 using anisole as a solvent. It spin-coated so that it might become 30 nm thickness at 2500 rpm. The sample was held on a vacuum hot plate heated to 180 ° C. for 150 seconds and pre-baked to cure the electron beam resist.

次いで、ZrO熱電界放出型電子源を有し、加速電圧100kV・ビーム径2nm径のビームを具備した電子線描画装置を用い、電子線レジストにパターン描画を行った。電子線描画装置は、描画パターンを形成するための信号と、試料ステージの一方向移動機構と同心円回転機構とを具備した、いわゆるx−θ型描画装置である。試料の描画では電子線を偏向するための信号を同期させるとともに、半径方向に対してステージを移動させている。ここで、描画線速度0.15m/秒、ビーム電流値13nA、半径方向への送り量を5nmとして、電子線レジストにピッチ20nmを有するドット/スペースパターンおよびライン/スペースパターンの潜像を形成した。   Next, a pattern was drawn on the electron beam resist using an electron beam drawing apparatus having a ZrO thermal field emission electron source and having a beam with an acceleration voltage of 100 kV and a beam diameter of 2 nm. The electron beam drawing apparatus is a so-called x-θ type drawing apparatus including a signal for forming a drawing pattern, a one-way moving mechanism of a sample stage, and a concentric rotating mechanism. In drawing the sample, the signal for deflecting the electron beam is synchronized and the stage is moved in the radial direction. Here, the drawing linear velocity was 0.15 m / sec, the beam current value was 13 nA, the feed amount in the radial direction was 5 nm, and a dot / space pattern and a line / space pattern latent image having a pitch of 20 nm were formed on the electron beam resist. .

これを現像することで、10nm径ドット/5nmスペース、10nm幅ライン/10nm幅スペースの凸パターンを解像できる。現像液には100%酢酸ノルマルアミルを成分とした有機現像液を用い,液中に20秒間試料を浸漬することで電子線レジストの現像を行った。   By developing this, a convex pattern of 10 nm diameter dots / 5 nm space, 10 nm width line / 10 nm width space can be resolved. An organic developer containing 100% normal amyl acetate as a developer was used as the developer, and the electron beam resist was developed by immersing the sample in the solution for 20 seconds.

引き続き、イソプロピルアルコール中に20秒間試料を浸漬してリンスを行い,Nの直接ブローにより試料表面を乾燥させた。 Subsequently, the sample was immersed in isopropyl alcohol for 20 seconds for rinsing, and the sample surface was dried by direct blowing of N 2 .

マスク層への凸パターン転写はドライエッチングにより行なった。ドライエッチングでは、CFガスおよびOガスを用いた誘導結合型プラズマエッチングを適用した。まず、レジスト下部のSi転写層に凸パターンを転写するためCFガス圧力0.1Pa、ガス流量20sccm、投入電力100W,バイアス電力10Wとし、40秒間エッチングすることでレジスト凸パターンを転写した。続いて、Cマスク層をエッチングするためOガスを用い、ガス圧力0.1Pa、ガス流量20sccm、投入電力100W,バイアス電力20Wとし、65秒間エッチングすることで凸パターンを転写した。 The convex pattern was transferred to the mask layer by dry etching. In dry etching, inductively coupled plasma etching using CF 4 gas and O 2 gas was applied. First, in order to transfer the convex pattern to the Si transfer layer below the resist, CF 4 gas pressure was 0.1 Pa, gas flow rate was 20 sccm, input power was 100 W, bias power was 10 W, and the resist convex pattern was transferred by etching for 40 seconds. Subsequently, O 2 gas was used to etch the C mask layer, the gas pressure was 0.1 Pa, the gas flow rate was 20 sccm, the input power was 100 W, and the bias power was 20 W, and the convex pattern was transferred by etching for 65 seconds.

次に、剥離層および磁気記録層へ凸パターンを転写した。前述のように剥離層と磁気記録層への凸パターン転写では異なるエッチング工程を経て各層を別個にパターニングしても良いが、同一の工程によるものでも構わない。ここではArイオンによるミリング法を適用した。Arイオン加速電圧300V、ガス流量3sccm、プロセス圧力0.1Pa、基板面に対するイオン種の入射角度90°(垂直入射)として、110秒間ミリングを行い、6nm厚Pd/W合金剥離層ならびに5nm厚CoPt記録層へ凸パターンを転写した。   Next, the convex pattern was transferred to the release layer and the magnetic recording layer. As described above, in transferring the convex pattern to the release layer and the magnetic recording layer, each layer may be separately patterned through different etching processes, but the same process may be used. Here, a milling method using Ar ions was applied. Milling was performed for 110 seconds at an Ar ion acceleration voltage of 300 V, a gas flow rate of 3 sccm, a process pressure of 0.1 Pa, and an incident angle of 90 ° (normal incidence) of ion species with respect to the substrate surface, and a 6 nm thick Pd / W alloy release layer and a 5 nm thick CoPt The convex pattern was transferred to the recording layer.

続いて、マスクパターンを剥離するためにウェット剥離を行った。上記のごとく、ここでは酸剥離を可能とするW合金層を剥離層としているため、過酸化水素水を用いてウェット剥離を行った。過酸化水素水は重量パーセント濃度1%となるように調製し、試料を3分間浸漬した。続いて、純水により試料を5分間洗浄し、媒体表面を清浄化した。これにより、磁気記録層上からマスク層ならびに剥離層を除去した。   Subsequently, wet stripping was performed to strip the mask pattern. As described above, since the W alloy layer that enables acid peeling is used as the peeling layer, wet peeling was performed using hydrogen peroxide. The hydrogen peroxide solution was prepared to have a weight percent concentration of 1%, and the sample was immersed for 3 minutes. Subsequently, the sample was washed with pure water for 5 minutes to clean the medium surface. Thereby, the mask layer and the release layer were removed from the magnetic recording layer.

次に、保護層を形成した。前述のように、この保護層は斜方入射により磁気記録層の凸−凸パターンの上部に成膜される。ここでは保護層材料としてCを選定し、DCスパッタ法によりガス圧力2Pa、投入電力200W、照射角度72°として膜厚2nmとなるように成膜した。   Next, a protective layer was formed. As described above, this protective layer is formed on the top of the convex-convex pattern of the magnetic recording layer by oblique incidence. Here, C was selected as the protective layer material, and the film was formed by DC sputtering so that the gas pressure was 2 Pa, the input power was 200 W, the irradiation angle was 72 °, and the film thickness was 2 nm.

最後に、パーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

まず、得られた磁気記録媒体の断面形状を確認するために上面SEM観察を行ったところ、多角形状の周期パターンが明瞭に確認することができた。また、断面TEM像を撮像したところ、5nm凸パターンを有する台形状磁気記録層パターンがあることがわかった。さらに、保護層領域を確認するためにEELS分析を行った。ここでは、保護層材料が無い領域を0とし、保護層材料で充填されている領域を1とした場合、検出強度の相対値を取得することで元素濃度の同定を行った。その結果、磁気記録層凸−凸パターンとその上部においてC保護層が存在し、さらに記録層間に空隙が生じていることがわかった。このとき、保護層元素検出量の結果から、磁気記録層側面における保護層材料濃度は基板表面において、98原子%であり、高濃度であることが確認された。   First, when an upper surface SEM observation was performed in order to confirm the cross-sectional shape of the obtained magnetic recording medium, a polygonal periodic pattern could be clearly confirmed. Further, when a cross-sectional TEM image was taken, it was found that there was a trapezoidal magnetic recording layer pattern having a 5 nm convex pattern. Furthermore, EELS analysis was performed to confirm the protective layer region. Here, when the region without the protective layer material is 0 and the region filled with the protective layer material is 1, the element concentration is identified by obtaining the relative value of the detected intensity. As a result, it was found that the magnetic recording layer convex-convex pattern and the C protective layer existed on the convex pattern, and that a gap was generated between the recording layers. At this time, the result of the detected amount of the protective layer element confirmed that the protective layer material concentration on the side surface of the magnetic recording layer was 98 atomic% on the substrate surface, which was a high concentration.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。   The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed.

最後に、これらの媒体の記録再生特性の評価は、米国GUZIK社製リードライトアナライザRWA1632、およびスピンスタンドS1701MPを用いて、電磁変換特性を測定した。記録再生特性の評価には、書き込みにシールド付(シールドは、磁気ヘッドから出る磁束を収束させる働きを持つ)のシングルポール磁極であるシールディットポール磁極、再生部にTMR素子を用いたヘッドを用いて、記録周波数の条件を線記録密度1200kBPIとして、そのシグナルノイズ比(SNR)を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.3dBの値を得ることができた。   Finally, the recording / reproduction characteristics of these media were evaluated by measuring the electromagnetic conversion characteristics using a read / write analyzer RWA1632 manufactured by GUZIK, USA and a spin stand S1701MP. For evaluation of recording / reproducing characteristics, a shielded pole magnetic pole, which is a single pole magnetic pole with a shield for writing (the shield has a function of converging the magnetic flux emitted from the magnetic head), and a head using a TMR element for the reproducing portion are used. The signal-to-noise ratio (SNR) was measured with the recording frequency condition set to a linear recording density of 1200 kBPI. As a result, a value of 12.3 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

これにより、ヘッドの浮上特性及び凸パターンの面内均一性が良好であることがわかった。   Thereby, it was found that the flying characteristics of the head and the in-plane uniformity of the convex pattern were good.

(C保護層、自己組織化リソグラフィー)
実施例2は、レジスト層にZEP−520Aを用いる替わりに自己組織化膜を用いてミクロ相分離構造を形成せしめ、ミクロ相分離パターンを基にエッチングを行い、自己組織化膜とマスク層とのパターンの転写を良好にするため、マスク層との間に更にSi/C膜を挿入すること以外は実施例1と同様である。
(C protective layer, self-organized lithography)
In Example 2, a microphase separation structure was formed using a self-assembled film instead of using ZEP-520A for the resist layer, and etching was performed based on the microphase separation pattern, and the self-assembled film and the mask layer were separated. In order to improve the pattern transfer, it is the same as Example 1 except that a Si / C film is further inserted between the mask layer.

まず、Si転写層上に自己組織化パターン転写用カーボン膜を3nm厚で成膜した。ここではDCスパッタ法により、Arガス圧力0.7Pa、投入電力500Wとして成膜を行った。   First, a carbon film for self-organized pattern transfer was formed with a thickness of 3 nm on the Si transfer layer. Here, the film was formed by DC sputtering with an Ar gas pressure of 0.7 Pa and an input power of 500 W.

続いて、ブロックコポリマー溶液をカーボン膜上に塗布した。ブロックコポリマー溶液には、ポリスチレンとポリジメチルシロキサンからなるブロック共重合体を塗布溶媒に溶解したものを用いた。ポリスチレンとポリジメチルシロキサンの分子量はそれぞれ11700、2900である。この組成からは、パターンピッチ20nmのミクロ相分離構造が得られる。溶媒にはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用い、重量パーセント濃度1.5%となるようポリマー溶液の調製を行った。   Subsequently, a block copolymer solution was applied onto the carbon film. As the block copolymer solution, a solution obtained by dissolving a block copolymer composed of polystyrene and polydimethylsiloxane in a coating solvent was used. The molecular weights of polystyrene and polydimethylsiloxane are 11700 and 2900, respectively. From this composition, a microphase separation structure with a pattern pitch of 20 nm is obtained. Propylene glycol monomethyl ether acetate was used as a solvent, and a polymer solution was prepared so as to have a weight percent concentration of 1.5%.

この溶液をカーボン膜マスク上に滴下し、回転数5000rpmでスピンコーティングし、単層自己組織化膜となる18nm厚で自己組織化膜を成膜した。単層自己組織化膜とは、媒体の同一平面に対して階層構造を持たず、海状ポリスチレンと島状ポリジメチルシロキサンのミクロ相分離パターンが一層であることを意味する。スピンコートされる自己組織化膜は、塗布中においてマスク層表面への塗布液の濡れ性が場所依存性をもつため、内周側よりも外周側において自己組織化パターンのマクロな欠陥が少なくなる。このことは、後述の信号S/Nの径方向依存性と強く関係する。   This solution was dropped on a carbon film mask and spin-coated at a rotational speed of 5000 rpm to form a self-assembled film having a thickness of 18 nm to be a single-layer self-assembled film. A single-layer self-assembled film means that the microphase separation pattern of sea-like polystyrene and island-like polydimethylsiloxane does not have a hierarchical structure with respect to the same plane of the medium. The spin-coated self-assembled film is less dependent on the outer peripheral side than the inner peripheral side due to the location-dependent wettability of the coating liquid on the mask layer surface during application. . This is strongly related to the radial dependency of the signal S / N described later.

さらに、自己組織化膜内部に海状ポリスチレンと島状ポリジメチルシロキサンドットパターンをミクロ相分離させるため、熱アニールを行った。熱アニールでは真空加熱炉を用い、炉内圧力0.2Paの減圧雰囲気下で170℃・12時間のアニールを行い、自己組織化膜内部に20nmピッチドットからなるミクロ相分離構造を形成した。   Furthermore, thermal annealing was performed to microphase-separate the sea-like polystyrene and island-like polydimethylsiloxane dot patterns inside the self-assembled film. In thermal annealing, a vacuum heating furnace was used, and annealing was performed at 170 ° C. for 12 hours in a reduced pressure atmosphere with a furnace pressure of 0.2 Pa to form a microphase separation structure composed of 20 nm pitch dots inside the self-assembled film.

続いて、相分離パターンを基にエッチングにより凸パターンを形成した。エッチングでは誘導結合プラズマ型リアクティブイオンエッチングにより行った。プロセスガス圧力は0.1Pa、ガス流量は5sccmとした。   Subsequently, a convex pattern was formed by etching based on the phase separation pattern. Etching was performed by inductively coupled plasma type reactive ion etching. The process gas pressure was 0.1 Pa and the gas flow rate was 5 sccm.

まず、自己組織化膜の表層のポリジメチルシロキサンを除去するため、CFガスをエッチャントとし、アンテナ電力50W、バイアス電力5Wで7秒のエッチングを行った。次いで、海状ポリスチレンおよび自己組織化膜下部のC膜に凸パターンを転写するため、Oガスをエッチャントとしてアンテナ電力100W、バイアス電力5Wで110秒エッチングを行った。ポリスチレンの除去に用いるOエッチャントは、下層のC膜もエッチングするため、Si転写層がストッパ層となりエッチングが停止する。さらに、実施例1と同様にCFエッチャントおよびOエッチャントを用いたプラズマエッチングにより、下層のSi転写層およびCマスク層に対するエッチングを行うことで、自己組織化膜の凸パターンをマスク層へ転写した。 First, in order to remove polydimethylsiloxane on the surface layer of the self-assembled film, etching was performed for 7 seconds with an antenna power of 50 W and a bias power of 5 W using CF 4 gas as an etchant. Next, in order to transfer the convex pattern to sea polystyrene and C film below the self-assembled film, etching was performed for 110 seconds with an antenna power of 100 W and a bias power of 5 W using O 2 gas as an etchant. Since the O 2 etchant used for removing the polystyrene also etches the underlying C film, the Si transfer layer becomes a stopper layer and the etching stops. Furthermore, the convex pattern of the self-assembled film is transferred to the mask layer by performing etching on the lower Si transfer layer and C mask layer by plasma etching using CF 4 etchant and O 2 etchant as in Example 1. did.

以降、実施例1と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。 Thereafter, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained through a pattern transfer and peeling process in the same manner as in Example 1.

図23に、得られた磁気記録媒体の上面SEM写真画像を示す。   FIG. 23 shows a top SEM photographic image of the obtained magnetic recording medium.

同図のように、基板面において多角形状の磁気記録ドットが最密充填されていることがわかる。また、磁気記録ドットのピッチは概ね20nm程度である。限局的にドット欠損が認められるが、欠損領域周囲のピッチに影響を及ぼしている様子は見られない。   As shown in the figure, it can be seen that polygonal magnetic recording dots are closely packed on the substrate surface. The pitch of the magnetic recording dots is about 20 nm. Although a dot defect is recognized locally, it does not appear that the pitch around the defect area is affected.

また、図24に得られた磁気記録媒体の断面TEM写真画像を示す。   FIG. 24 shows a cross-sectional TEM photographic image of the magnetic recording medium obtained.

図の凹凸は作製したCoPtドットパターンであり、その上部には斜方照射により形成されたC保護層で被覆されている。C保護層はドット上部および凹部分をブリッジ状に被覆しており、凸パターン間には保護層材料のない間隙領域があることを確認できる。   The irregularities in the figure are the produced CoPt dot pattern, and the upper part thereof is covered with a C protective layer formed by oblique irradiation. The C protective layer covers the upper part of the dot and the concave part in a bridge shape, and it can be confirmed that there is a gap region without the protective layer material between the convex patterns.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.1dBの値を得ることができた。また、外周の信号SNRは内周および中周のそれよりも良好であり、12.8dBであることがわかった。   The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12.1 dB could be obtained as the SNR value of the medium. Further, it was found that the signal SNR on the outer circumference was better than that on the inner circumference and the middle circumference and was 12.8 dB.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例3は、基板上に磁気記録層、マスク層、金属微粒子層をそれぞれ形成した後、磁気記録層へ凸パターンを転写する工程である。後述するように、実施例1から4は、金属微粒子層周囲の保護材を除去・失活するために照射するエネルギー線の種類、および照射雰囲気を変えた場合の例である。
(C protective layer, metal fine particle lithography)
In Example 3, a magnetic recording layer, a mask layer, and a metal fine particle layer are formed on a substrate, and then a convex pattern is transferred to the magnetic recording layer. As will be described later, Examples 1 to 4 are examples in which the type of energy beam to be irradiated and the irradiation atmosphere are changed in order to remove and deactivate the protective material around the metal fine particle layer.

基板には2.5インチ径ドーナツ基板を用い、この上に磁気記録層をDCスパッタ法により形成した。プロセスガスはArとし、ガス圧力0.7Pa、ガス流量35sccm、投入電力500Wに設定し、基板側から10nm厚 NiTa下地層/4nm厚Pd下地層/20nm厚Ru下地層/5nm厚CoPt記録層を順次成膜し、最後に3nm厚Pd保護層を形成することで磁気記録層を得た。   A 2.5-inch diameter donut substrate was used as the substrate, and a magnetic recording layer was formed thereon by DC sputtering. The process gas is Ar, the gas pressure is set to 0.7 Pa, the gas flow rate is set to 35 sccm, and the input power is set to 500 W. From the substrate side, a 10 nm thick NiTa underlayer / 4 nm thick Pd underlayer / 20 nm thick Ru underlayer / 5 nm thick CoPt recording layer A magnetic recording layer was obtained by sequentially forming films and finally forming a 3 nm thick Pd protective layer.

引き続き、Pd保護層上にマスク層を形成した。ここでは、金属微粒子層の凸パターンを高精細に転写するために3層のマスクを用いることとし、基板側から第1のマスク層として30nm厚C、さらに上部の転写層として5nm厚Si、さらに第3のマスク層として3nm厚Cを適用した。各マスク層の形成では対向ターゲット式DCスパッタ装置を用い、Arガス流量35sccm、Arガス圧力0.7Pa、投入電力500Wとしてスパッタ成膜した。   Subsequently, a mask layer was formed on the Pd protective layer. Here, a three-layer mask is used to transfer the convex pattern of the metal fine particle layer with high definition. From the substrate side, the first mask layer is 30 nm thick C, the upper transfer layer is 5 nm thick Si, A 3 nm thickness C was applied as the third mask layer. Each mask layer was formed by sputtering using an opposed target type DC sputtering apparatus with an Ar gas flow rate of 35 sccm, an Ar gas pressure of 0.7 Pa, and an input power of 500 W.

次に、金属微粒子マスクを形成するための塗布液を作製した。この塗布液は金属微粒子の分散液と高分子バインダーの混合溶液からなるものを用いた。   Next, a coating solution for forming a metal fine particle mask was prepared. The coating solution used was a mixed solution of a dispersion of metal fine particles and a polymer binder.

金属微粒子には、アルカンチオール基により表面が被覆されている平均粒径8nmのAuを用いた。高分子バインダーとして平均分子量2800のポリスチレンを用い、金属微粒子に対して重量比Au:ポリスチレン=2:3となるように混合した。また、溶媒はトルエンとし、重量パーセント濃度3.5%となるように希釈し、溶液の調製を行った。最後に、超音波分散機を用いて金属微粒子溶液を分散させ、各微粒子の単分散を促進させることで塗布液を作製した。なお、金属微粒子を単分散させるに当たり、微粒子の分散剤、すなわち界面活性剤を添加しても構わない。   Au having an average particle diameter of 8 nm whose surface is coated with alkanethiol groups was used as the metal fine particles. Polystyrene having an average molecular weight of 2800 was used as the polymer binder, and the metal fine particles were mixed so that the weight ratio was Au: polystyrene = 2: 3. Further, the solvent was toluene, and the solution was prepared by diluting to a weight percent concentration of 3.5%. Finally, a coating solution was prepared by dispersing the metal fine particle solution using an ultrasonic disperser and promoting monodispersion of each fine particle. When monodispersing metal fine particles, a fine particle dispersant, that is, a surfactant may be added.

次いで、C膜上に金属微粒子レジスト層を形成した。作製した金属微粒子塗布液をC膜上へ適量滴下し、回転数4500rpmでスピンコートすることで基板上に金属微粒子層を得た。金属微粒子層も実施例2の自己組織化膜と同様に、スピンコート後は内周側よりも外周側においてマクロな欠陥が少なくなる。さらに、基板をベーキングすることで金属微粒子層の分散媒を除去し、基板との固着を強化した。ベーキングはホットプレートにて行い、温度140℃、保持時間5分間とした。   Next, a metal fine particle resist layer was formed on the C film. An appropriate amount of the prepared metal fine particle coating solution was dropped onto the C film and spin coated at a rotational speed of 4500 rpm to obtain a metal fine particle layer on the substrate. Similarly to the self-assembled film of Example 2, the metal fine particle layer also has fewer macro defects on the outer peripheral side than on the inner peripheral side after spin coating. Furthermore, the dispersion medium of the metal fine particle layer was removed by baking the substrate, and the adhesion to the substrate was strengthened. Baking was performed on a hot plate at a temperature of 140 ° C. and a holding time of 5 minutes.

次に、金属微粒子層にオーバーコート膜を成膜した。このオーバーコート膜は金属微粒子層を上面から一様に被覆することで、微粒子を固着させる役割を担う。オーバーコート膜にはC膜を用いた。   Next, an overcoat film was formed on the metal fine particle layer. This overcoat film plays a role of fixing fine particles by uniformly covering the metal fine particle layer from the upper surface. A C film was used as the overcoat film.

C膜の成膜はDCスパッタ法により行ない、ガス圧力0.7Pa、ガス流量35sccm、投入電力500Wとして、金属微粒子表面から厚さ3nmとなるように成膜した。 The C film was formed by DC sputtering, with a gas pressure of 0.7 Pa, a gas flow rate of 35 sccm, and an input power of 500 W so that the thickness was 3 nm from the surface of the metal fine particles.

引き続き、オーバーコート膜上からエネルギー線を照射した。エネルギー線を照射すると、オーバーコート膜を透過したエネルギー線が金属微粒子周囲の保護材に照射され、保護材を構成する高分子鎖が切断され、金属微粒子の活性が低下する。加えて、オーバーコート膜の材料が保護材間隙を充填するように金属微粒子表面に付着するため、加工後の凝集が生じにくくなる。   Subsequently, energy rays were irradiated from above the overcoat film. When the energy beam is irradiated, the energy beam transmitted through the overcoat film is irradiated to the protective material around the metal fine particle, the polymer chain constituting the protective material is cut, and the activity of the metal fine particle is lowered. In addition, since the material of the overcoat film adheres to the surface of the metal fine particles so as to fill the protective material gap, aggregation after processing is less likely to occur.

ここでは、エネルギー線を紫外線として真空雰囲気中において照射した。照射プロセスでは真空容器中に試料を装荷した後、容器内を真空排気し、10−2Pa台に到達した時点で紫外線を30秒間照射した。その後、Nガスによる容器内ベントを行い、試料を回収した。なお、照射する紫外線の波長は365nmとしたが、その値は本例に限るわけではなく種々の波長を有する紫外線を照射しても構わない。 Here, energy rays were irradiated as ultraviolet rays in a vacuum atmosphere. In the irradiation process, after loading a sample in a vacuum vessel, the inside of the vessel was evacuated and irradiated with ultraviolet rays for 30 seconds when it reached the 10 −2 Pa level. Thereafter, the container was vented with N 2 gas to collect the sample. Although the wavelength of the irradiated ultraviolet light is 365 nm, the value is not limited to this example, and ultraviolet light having various wavelengths may be irradiated.

続いて、金属微粒子層上部のオーバーコート膜および金属微粒子下部のC膜をOエッチャントを用いたドライエッチングにより一括除去する。ドライエッチングでは誘導結合型プラズマエッチングを適用し、圧力0.1Pa、ガス流量20sccm、投入電力40W、バイアス電力40Wに設定し、8秒間エッチングすることでパターンをCマスクに転写した。なお、金属微粒子塗布から金属微粒子パターン転写に要する時間、すなわちタクトタイムは約38分程度である。本例は、後述する比較例に対してタクトタイムを大幅に短縮し得る例であり、製造スループットを改善可能である。 Subsequently, the overcoat film above the metal fine particle layer and the C film below the metal fine particle layer are collectively removed by dry etching using an O 2 etchant. In dry etching, inductively coupled plasma etching was applied, the pressure was set to 0.1 Pa, the gas flow rate was 20 sccm, the input power was 40 W, and the bias power was 40 W. The pattern was transferred to the C mask by etching for 8 seconds. The time required for transferring the metal fine particle pattern from the application of the metal fine particles, that is, the tact time is about 38 minutes. This example is an example in which the tact time can be significantly shortened compared to the comparative example described later, and the manufacturing throughput can be improved.

C膜への凸パターン転写後は上部金属微粒子をマスクとして、さらに下層へパターン転写を行なうことが可能であるが、加工中に生じる微粒子の凝集を完全に抑制するために、微粒子を基板上から除去してもよい。ここでは、Cマスクへの凸パターン転写後に金属微粒子を溶解除去した。   After transferring the convex pattern to the C film, it is possible to transfer the pattern to the lower layer using the upper metal fine particles as a mask. In order to completely suppress the aggregation of the fine particles generated during processing, the fine particles are removed from the substrate. It may be removed. Here, the metal fine particles were dissolved and removed after the convex pattern was transferred to the C mask.

Au微粒子の溶解にはヨウ素/ヨウ化カリウム/水からなる水溶液を用い、それぞれの重量比を1:2:3となるように溶液を調製した。続いて、混合溶液中に試料を10秒間浸漬した後、超純水にて60秒間流水洗浄し、金属微粒子層を基板上から溶解除去した。   An aqueous solution composed of iodine / potassium iodide / water was used for dissolution of the Au fine particles, and the solutions were prepared so that the respective weight ratios were 1: 2: 3. Subsequently, the sample was immersed in the mixed solution for 10 seconds and then washed with running ultrapure water for 60 seconds to dissolve and remove the metal fine particle layer from the substrate.

なお、以降の実施例中では特に断らない限り金属微粒子層下部の凸パターン転写後に基板上から金属微粒子を除去する工程を含む。   In the following examples, unless otherwise specified, a step of removing the metal fine particles from the substrate after transferring the convex pattern under the metal fine particle layer is included.

続いて、下層のSiおよびCマスクへパターンを転写した。本パターンの転写は、上述の誘導結合型プラズマエッチングにより行なった。Si膜への凸パターン転写では、CFガスをエッチャントとし、ガス圧力0.1Pa、ガス流量20sccm、投入電力100W、バイアス電力30Wとして5秒間エッチングを行った。 Subsequently, the pattern was transferred to the underlying Si and C masks. The transfer of this pattern was performed by the above-described inductively coupled plasma etching. In the convex pattern transfer to the Si film, etching was performed for 5 seconds using CF 4 gas as an etchant, gas pressure of 0.1 Pa, gas flow rate of 20 sccm, input power of 100 W, and bias power of 30 W.

さらに、下層のCマスクへパターンを転写した。C膜へのパターン転写ではOエッチャントを用い、ガス圧力0.1Pa、ガス流量20sccm、投入電力40W、バイアス電力40Wとし、28秒間エッチングすることで凸パターンをマスク層へ転写した。 Further, the pattern was transferred to the lower C mask. In the pattern transfer to the C film, an O 2 etchant was used, the gas pressure was 0.1 Pa, the gas flow rate was 20 sccm, the input power was 40 W, the bias power was 40 W, and the convex pattern was transferred to the mask layer by etching for 28 seconds.

次に、磁気記録層へ凸パターンを転写した。ここではArイオンを用いたミリング法を適用した。Arイオン加速電圧300V、ガス流量3sccm、プロセス圧力0.1Pa、基板面に対するイオン種の入射角度90°(垂直入射)として、65秒間ミリングを行い、5nm厚CoPt記録層/3nm厚Pd層へ凸パターンを転写した。また、残存したマスク層を除去するために、Arイオン加速電圧100V、ガス流量3sccm、プロセス圧力0.1Pa、基板面に対するイオン種の入射角度90°(垂直入射)として5秒間ミリングすることで、磁気記録層上からマスク層を除去した。   Next, the convex pattern was transferred to the magnetic recording layer. Here, a milling method using Ar ions was applied. Milling is performed for 65 seconds at an Ar ion acceleration voltage of 300 V, a gas flow rate of 3 sccm, a process pressure of 0.1 Pa, and an incident angle of 90 ° (perpendicular incidence) of ion species with respect to the substrate surface, and convex to a 5 nm thick CoPt recording layer / 3 nm thick Pd layer The pattern was transcribed. Further, in order to remove the remaining mask layer, by milling for 5 seconds at an Ar ion acceleration voltage of 100 V, a gas flow rate of 3 sccm, a process pressure of 0.1 Pa, and an incident angle of 90 ° (normal incidence) of ion species with respect to the substrate surface, The mask layer was removed from the magnetic recording layer.

以降、実施例1と同様に保護層を形成し、最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a protective layer was formed in the same manner as in Example 1, and finally a perfluoropolyether lubricant film was formed with a thickness of 1.5 nm to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.8dBの値を得ることができた。また、外周の信号SNRは内周および中周のそれよりも良好であり、13dBであることがわかった。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, it was possible to obtain a value of 12.8 dB as the SNR value of the medium. Further, it was found that the signal SNR on the outer periphery was better than that on the inner periphery and the intermediate periphery and was 13 dB.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例4は、マスク層上にさらにSiを転写層として1層追加すること以外は、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography)
Example 4 is the same as Example 3 except that one more Si layer is added as a transfer layer on the mask layer.

Si転写層はDCスパッタ法により、ガス圧力0.7Pa、投入電力500Wとして、3nm厚となるように成膜した。また、このSi転写層の加工はCFをエッチャントとした誘導結合型プラズマエッチングにより行ない、ガス圧力0.1Pa、ガス流量20sccm、投入電力100W、バイアス電力30Wとして7秒間エッチングすることで凸パターンを転写した。 The Si transfer layer was formed by DC sputtering so as to have a thickness of 3 nm with a gas pressure of 0.7 Pa and an input power of 500 W. The Si transfer layer is processed by inductively coupled plasma etching using CF 4 as an etchant, and a convex pattern is formed by etching for 7 seconds at a gas pressure of 0.1 Pa, a gas flow rate of 20 sccm, an input power of 100 W, and a bias power of 30 W. Transcribed.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.4dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12.4 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Al保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例5は、斜方成膜により形成する保護層材料をAlとすること以外は、実施例4と同様である。
(Al protective layer, metal fine particle lithography)
Example 5 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Al.

Al保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Al protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Si保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例6は、斜方成膜により形成する保護層材料をSiとすること以外は、実施例4と同様である。
(Si protective layer, metal fine particle lithography)
Example 6 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Si.

Si保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Si protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.1dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12.1 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Ti保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例7は、斜方成膜により形成する保護層材料をTiとすること以外は、実施例4と同様である。
(Ti protective layer, metal fine particle lithography)
Example 7 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Ti.

Ti保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Ti protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として10.8dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 10.8 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(V保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例8は、斜方成膜により形成する保護層材料をVとすること以外は、実施例4と同様である。
(V protective layer, metal fine particle lithography)
Example 8 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is V.

V保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The V protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11.1dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11.1 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Cr保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例9は、斜方成膜により形成する保護層材料をCrとすること以外は、実施例4と同様である。
(Cr protective layer, metal fine particle lithography)
Example 9 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Cr.

Cr保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Cr protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Mn保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例10は、斜方成膜により形成する保護層材料をMnとすること以外は、実施例4と同様である。
(Mn protective layer, metal fine particle lithography)
Example 10 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Mn.

Mn保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Mn protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として10.8dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 10.8 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Cu保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例11は、斜方成膜により形成する保護層材料をCuとすること以外は、実施例4と同様である。
(Cu protective layer, metal fine particle lithography)
Example 11 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Cu.

Cu保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Cu protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11.2dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11.2 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Zn保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例12は、斜方成膜により形成する保護層材料をZnとすること以外は、実施例4と同様である。
(Zn protective layer, metal fine particle lithography)
Example 12 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Zn.

Zn保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Zn protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.5dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12.5 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Ge保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例13は、斜方成膜により形成する保護層材料をGeとすること以外は、実施例4と同様である。
(Ge protective layer, metal fine particle lithography)
Example 13 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Ge.

Ge保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Ge protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として10.9dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 10.9 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Y保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例14は、斜方成膜により形成する保護層材料をYとすること以外は、実施例4と同様である。
(Y protective layer, metal fine particle lithography)
Example 14 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Y.

Y保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Y protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11.8dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11.8 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Zr保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例15は、斜方成膜により形成する保護層材料をZrとすること以外は、実施例4と同様である。
(Zr protective layer, metal fine particle lithography)
Example 15 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Zr.

Zr保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Zr protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.2dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12.2 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Mo保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例16は、斜方成膜により形成する保護層材料をMoとすること以外は、実施例4と同様である。
(Mo protective layer, metal fine particle lithography)
Example 16 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Mo.

Mo保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Mo protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11.6dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11.6 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Pd保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例17は、斜方成膜により形成する保護層材料をPdとすること以外は、実施例4と同様である。
(Pd protective layer, metal fine particle lithography)
Example 17 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Pd.

Pd保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Pd protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.8dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, it was possible to obtain a value of 12.8 dB as the SNR value of the medium.

(Ag保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例18は、斜方成膜により形成する保護層材料をAgとすること以外は、実施例4と同様である。
(Ag protective layer, metal fine particle lithography)
Example 18 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Ag.

Ag保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Ag protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として10.3dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 10.3 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Hf保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例19は、斜方成膜により形成する保護層材料をHfとすること以外は、実施例4と同様である。
(Hf protective layer, metal fine particle lithography)
Example 19 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Hf.

Hf保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Hf protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11.2dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11.2 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(W保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例20は、斜方成膜により形成する保護層材料をWとすること以外は、実施例4と同様である。
(W protective layer, metal fine particle lithography)
Example 20 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is W.

W保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The W protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11.5dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11.5 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Pt保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例21は、斜方成膜により形成する保護層材料をPtとすること以外は、実施例4と同様である。
(Pt protective layer, metal fine particle lithography)
Example 21 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Pt.

Pt保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Pt protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(Au保護層、金属微粒子リソグラフィー)
実施例22は、斜方成膜により形成する保護層材料をAuとすること以外は、実施例4と同様である。
(Au protective layer, metal fine particle lithography)
Example 22 is the same as Example 4 except that the protective layer material formed by oblique film formation is Au.

Au保護層はDCスパッタ法により斜方成膜し、2nm厚となるように成膜した。 The Au protective layer was formed obliquely by a DC sputtering method to a thickness of 2 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として10.9dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 10.9 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、膜厚3nm)
実施例23は、斜方成膜により形成する保護層材料をCとし、さらにその厚さを3nmとすること以外は、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, film thickness 3nm)
Example 23 is the same as Example 3 except that the protective layer material formed by oblique film formation is C and the thickness is 3 nm.

実施例3と同様に、C保護層はDCスパッタ法によりガス圧力2Pa、投入電力200Wとし、パターン面に対するCの照射角度を72°として膜厚3nmとなるように成膜を行った。   As in Example 3, the C protective layer was formed by DC sputtering so that the gas pressure was 2 Pa, the input power was 200 W, the C irradiation angle with respect to the pattern surface was 72 °, and the film thickness was 3 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜により成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, a protective layer material was formed by oblique film formation. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として10.7dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 10.7 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、膜厚3nm)
実施例24は、斜方成膜により形成する保護層材料をCとし、さらにその厚さを3nmとすること以外は、実施例23と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, film thickness 3nm)
Example 24 is the same as Example 23 except that the protective layer material formed by oblique film formation is C and the thickness is 3 nm.

実施例23と同様に、C保護層はDCスパッタ法によりガス圧力2Pa、投入電力200Wとし、パターン面に対するCの照射角度を72°として膜厚4nmとなるように成膜を行った。   As in Example 23, the C protective layer was formed by DC sputtering so that the gas pressure was 2 Pa, the input power was 200 W, the C irradiation angle with respect to the pattern surface was 72 °, and the film thickness was 4 nm.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として9.8dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 9.8 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、照射角度40°)
実施例25は、媒体上に形成する保護層の斜方成膜角度を40°に変更すること以外は、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, irradiation angle 40 °)
Example 25 is the same as Example 3 except that the oblique film formation angle of the protective layer formed on the medium is changed to 40 °.

実施例3と同様に、保護層材料照射源に対向した回転機構を有するディスク治具に試料を装荷し、照射角度が40°となるように試料を配置した。   Similar to Example 3, the sample was loaded on a disk jig having a rotation mechanism facing the protective layer material irradiation source, and the sample was arranged so that the irradiation angle was 40 °.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜により成膜した。得られたC保護膜は、 nmの厚さであった。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, a protective layer material was formed by oblique film formation. The obtained C protective film had a thickness of nm. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11.5dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11.5 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、照射角度50°)
実施例26は、媒体上に形成する保護層の斜方成膜角度を50°に変更すること以外は、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, irradiation angle 50 °)
Example 26 is the same as Example 3 except that the oblique film formation angle of the protective layer formed on the medium is changed to 50 °.

実施例3と同様に、保護層材料照射源に対向した回転機構を有するディスク治具に試料を装荷し、照射角度が50°となるように試料を配置した。   In the same manner as in Example 3, the sample was loaded on a disk jig having a rotation mechanism facing the protective layer material irradiation source, and the sample was arranged so that the irradiation angle was 50 °.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜により成膜した。得られたC保護膜は、 nmの厚さであった。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, a protective layer material was formed by oblique film formation. The obtained C protective film had a thickness of nm. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.2dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12.2 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、照射角度60°)
実施例27は、媒体上に形成する保護層の斜方成膜角度を60°に変更すること以外は、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, irradiation angle 60 °)
Example 27 is the same as Example 3 except that the oblique film formation angle of the protective layer formed on the medium is changed to 60 °.

実施例3と同様に、保護層材料照射源に対向した回転機構を有するディスク治具に試料を装荷し、照射角度が60°となるように試料を配置した。   Similar to Example 3, the sample was loaded on a disk jig having a rotation mechanism facing the protective layer material irradiation source, and the sample was arranged so that the irradiation angle was 60 °.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。得られたC保護膜は、 nmの厚さであった。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. The obtained C protective film had a thickness of nm. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、照射角度70°)
実施例28は、媒体上に形成する保護層の斜方成膜角度を70°に変更すること以外は、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, irradiation angle 70 °)
Example 28 is the same as Example 3 except that the oblique deposition angle of the protective layer formed on the medium is changed to 70 °.

実施例3と同様に、保護層材料照射源に対向した回転機構を有するディスク治具に試料を装荷し、照射角度が70°となるように試料を配置した。   As in Example 3, the sample was loaded on a disk jig having a rotation mechanism facing the protective layer material irradiation source, and the sample was placed so that the irradiation angle was 70 °.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。得られたC保護膜は、 nmの厚さであった。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. The obtained C protective film had a thickness of nm. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.4dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12.4 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、照射角度80°)
実施例29は、媒体上に形成する保護層の斜方成膜角度を80°に変更すること以外は、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, irradiation angle 80 °)
Example 29 is the same as Example 3 except that the oblique deposition angle of the protective layer formed on the medium is changed to 80 °.

実施例3と同様に、保護層材料照射源に対向した回転機構を有するディスク治具に試料を装荷し、照射角度が80°となるように試料を配置した。   Similar to Example 3, the sample was loaded on a disk jig having a rotation mechanism facing the protective layer material irradiation source, and the sample was arranged so that the irradiation angle was 80 °.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。得られたC保護膜は、 nmの厚さであった。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. The obtained C protective film had a thickness of nm. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11.4dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11.4 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、ピッチ18nm)
実施例30は、平均粒径12nm、ピッチ18nmの金属微粒子層を用いて磁気記録層へ凸パターンを転写すること以外は、実施例30と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, pitch 18 nm)
Example 30 is the same as Example 30 except that a convex pattern is transferred to the magnetic recording layer using a metal fine particle layer having an average particle diameter of 12 nm and a pitch of 18 nm.

本例では、金属微粒子にAuを用いた。Auは実施例3と同様に調製・塗布し、基板上に微粒子層を形成した。さらに保護層を形成し、エネルギー線を照射し、凸パターンを磁気記録層まで転写した。   In this example, Au was used for the metal fine particles. Au was prepared and applied in the same manner as in Example 3 to form a fine particle layer on the substrate. Further, a protective layer was formed, irradiated with energy rays, and the convex pattern was transferred to the magnetic recording layer.

保護層材料はCとし、照射角度を80として2nm厚となるように成膜した。   The protective layer material was C, and the film was formed to a thickness of 2 nm with an irradiation angle of 80.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として7.2dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 7.2 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、ピッチ13nm)
実施例31は、平均粒径9nm、ピッチ13nmの金属微粒子層を用いて磁気記録層へ凸パターンを転写すること以外は、実施例30と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, pitch 13 nm)
Example 31 is the same as Example 30 except that a convex pattern is transferred to the magnetic recording layer using a metal fine particle layer having an average particle diameter of 9 nm and a pitch of 13 nm.

本例では、金属微粒子にAuを用いた。Auは実施例3と同様に調製・塗布し、基板上に微粒子層を形成した。さらに保護層を形成し、エネルギー線を照射し、凸パターンを磁気記録層まで転写した。   In this example, Au was used for the metal fine particles. Au was prepared and applied in the same manner as in Example 3 to form a fine particle layer on the substrate. Further, a protective layer was formed, irradiated with energy rays, and the convex pattern was transferred to the magnetic recording layer.

保護層材料はCとし、照射角度を80として2nm厚となるように成膜した。   The protective layer material was C, and the film was formed to a thickness of 2 nm with an irradiation angle of 80.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11.6dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11.6 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、ピッチ8nm)
実施例32は、平均粒径5.5nm、ピッチ8nmの金属微粒子層を用いて磁気記録層へ凸パターンを転写すること以外は、実施例30と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, pitch 8nm)
Example 32 is the same as Example 30 except that the convex pattern is transferred to the magnetic recording layer using a metal fine particle layer having an average particle size of 5.5 nm and a pitch of 8 nm.

本例では、金属微粒子にAuを用いた。Auは実施例3と同様に調製・塗布し、基板上に微粒子層を形成した。さらに保護層を形成し、エネルギー線を照射し、凸パターンを磁気記録層まで転写した。   In this example, Au was used for the metal fine particles. Au was prepared and applied in the same manner as in Example 3 to form a fine particle layer on the substrate. Further, a protective layer was formed, irradiated with energy rays, and the convex pattern was transferred to the magnetic recording layer.

保護層材料はCとし、照射角度を80として2nm厚となるように成膜した。   The protective layer material was C, and the film was formed to a thickness of 2 nm with an irradiation angle of 80.

以降、実施例3と同様に凸パターンをマスク層、磁気記録層へと転写し、溶液によりマスク層を除去した後、保護層材料を斜方成膜した。最後にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, the convex pattern was transferred to the mask layer and the magnetic recording layer in the same manner as in Example 3, and after removing the mask layer with a solution, the protective layer material was formed obliquely. Finally, a magnetic recording medium having a convex pattern was obtained by forming a perfluoropolyether lubricant film with a thickness of 1.5 nm.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12.8dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, it was possible to obtain a value of 12.8 dB as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、照射角度60°→0°)
実施例33は、保護層材料の斜方成膜の角度を段階的に変えること以外は、実施例3と同様である。本例では、斜方成膜の角度を60度から0度に変更した例を示す。
(C protective layer, metal fine particle lithography, irradiation angle 60 ° → 0 °)
Example 33 is the same as Example 3 except that the angle of oblique film formation of the protective layer material is changed stepwise. In this example, the oblique film forming angle is changed from 60 degrees to 0 degrees.

保護層の斜方成膜では、まず照射角度60度にて1.3nm厚Cを成膜し、次いで照射角度を0度、すなわち対向照射により0.7nm厚Cを成膜することで、トータル厚2nmのC保護層を成膜した。   In the oblique film formation of the protective layer, first, a 1.3 nm thickness C film is formed at an irradiation angle of 60 degrees, and then an irradiation angle of 0 degrees, that is, a 0.7 nm thickness C film is formed by facing irradiation. A C protective layer having a thickness of 2 nm was formed.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。媒体の表面ラフネスは、単一の照射角度で保護層を成膜したものよりも小さく、媒体表面に対する磁気ヘッドのヒットを少なくできた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として10.5dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. The surface roughness of the medium was smaller than that obtained by forming the protective layer at a single irradiation angle, and the hit of the magnetic head against the medium surface could be reduced. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 10.5 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、照射角度70°→0°)
実施例34は、保護層材料の斜方成膜の角度を段階的に変えること以外は、実施例3と同様である。本例では、斜方成膜の角度を70度から0度に変更した例を示す。
(C protective layer, metal fine particle lithography, irradiation angle 70 ° → 0 °)
Example 34 is the same as Example 3 except that the angle of oblique film formation of the protective layer material is changed stepwise. This example shows an example in which the angle of oblique film formation is changed from 70 degrees to 0 degrees.

保護層の斜方成膜では、まず照射角度70度にて0.9nm厚Cを成膜し、次いで照射角度を0度、すなわち対向照射により1.1nm厚Cを成膜することで、トータル厚
2nmのC保護層を成膜した。
In the oblique film formation of the protective layer, first, a 0.9 nm thickness C film is formed at an irradiation angle of 70 degrees, and then an irradiation angle of 0 degrees, that is, a 1.1 nm thickness C film is formed by facing irradiation. A C protective layer having a thickness of 2 nm was formed.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。媒体の表面ラフネスは、単一の照射角度で保護層を成膜したものよりも小さく、媒体表面に対する磁気ヘッドのヒットを少なくできた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として10.7dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. The surface roughness of the medium was smaller than that obtained by forming the protective layer at a single irradiation angle, and the hit of the magnetic head against the medium surface could be reduced. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 10.7 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、照射角度80°→0°)
実施例35は、保護層材料の斜方成膜の角度を段階的に変えること以外は、実施例3と同様である。本例では、斜方成膜の角度を80度から0度に変更した例を示す。
(C protective layer, metal fine particle lithography, irradiation angle 80 ° → 0 °)
Example 35 is the same as Example 3 except that the angle of oblique film formation of the protective layer material is changed stepwise. This example shows an example in which the angle of oblique film formation is changed from 80 degrees to 0 degrees.

保護層の斜方成膜では、まず照射角度80度にて0.9nm厚Cを成膜し、次いで照射角度を0度、すなわち対向照射により1.1nm厚Cを成膜することで、トータル厚2nmのC保護層を成膜した。   In the oblique film formation of the protective layer, first, a 0.9 nm thickness C film is formed at an irradiation angle of 80 degrees, and then an irradiation angle of 0 degrees, that is, a 1.1 nm thickness C film is formed by facing irradiation. A C protective layer having a thickness of 2 nm was formed.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。媒体の表面ラフネスは、単一の照射角度で保護層を成膜したものよりも小さく、媒体表面に対する磁気ヘッドのヒットを少なくできた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11dBの値を得ることができた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. The surface roughness of the medium was smaller than that obtained by forming the protective layer at a single irradiation angle, and the hit of the magnetic head against the medium surface could be reduced. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、厚膜から薄膜化)
実施例36から37は、斜方成膜により保護層材料をあらかじめ厚膜で成膜し、エッチングによる薄膜化を行うことで所望の保護層厚を得る例である。マスク層、金属微粒子層、および金属微粒子層から磁気記録層への凸パターン転写、マスク剥離工程に関しては、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, thin film to thin film)
Examples 36 to 37 are examples in which a protective layer material is previously formed as a thick film by oblique film formation, and a desired protective layer thickness is obtained by performing thinning by etching. The mask layer, the metal fine particle layer, the convex pattern transfer from the metal fine particle layer to the magnetic recording layer, and the mask peeling step are the same as in the third embodiment.

保護層材料はCとし、照射角度を70度としたDCスパッタ法により40nm厚となるように成膜した。引き続き、エッチングによりC膜を薄膜化した。ここでは、エッチャントをOとした誘導結合型プラズマエッチングを適用し、ガス圧力0.1Pa、アンテナ電力40W、バイアス電力40Wに設定し、エッチング時間47秒でエッチングを行い、2nm厚C保護層を得た。 The protective layer material was C, and the film was formed to a thickness of 40 nm by DC sputtering with an irradiation angle of 70 degrees. Subsequently, the C film was thinned by etching. Here, inductively coupled plasma etching with an etchant of O 2 is applied, the gas pressure is set to 0.1 Pa, the antenna power is set to 40 W, the bias power is set to 40 W, the etching is performed for 47 seconds, and the 2 nm thick C protective layer is formed. Obtained.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。このとき、媒体面における保護層材料の場所依存性は、単一角度の保護層照射により得られる媒体よりも小さく、凸パターン差の低い媒体が得られた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. At this time, the location dependence of the protective layer material on the medium surface was smaller than the medium obtained by irradiation of the protective layer at a single angle, and a medium having a low convex pattern difference was obtained.

媒体の表面ラフネスは、単一の照射角度で保護層を成膜したものよりも小さく、媒体表面に対する磁気ヘッドのヒットを少なくできた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として12dBの値を得ることができた。   The surface roughness of the medium was smaller than that obtained by forming the protective layer at a single irradiation angle, and the hit of the magnetic head against the medium surface could be reduced. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 12 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、厚膜から薄膜化)
実施例37は、斜方成膜した保護層材料をイオンミリングで薄膜化すること以外は、実施例36と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, thin film to thin film)
Example 37 is the same as Example 36 except that the protective layer material formed obliquely is thinned by ion milling.

保護層材料はCとし、照射角度を70度としたDCスパッタ法により10nm厚となるように成膜した。引き続き、エッチングによりC膜を薄膜化した。ここでは、Arイオンを用いたイオンミリング法を適用した。ガス圧力0.1Pa、ガス流量8sccm、加速電圧300Vとして、336秒のイオンミリングを行い2nm厚C保護層を得た。   The protective layer material was C, and the film was formed to a thickness of 10 nm by DC sputtering using an irradiation angle of 70 degrees. Subsequently, the C film was thinned by etching. Here, an ion milling method using Ar ions was applied. Ion milling was performed at a gas pressure of 0.1 Pa, a gas flow rate of 8 sccm, and an acceleration voltage of 300 V to obtain a 2 nm thick C protective layer.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。このとき、媒体面における保護層材料の場所依存性は、単一角度の保護層照射により得られる媒体よりも小さく、凸パターン差の低い媒体が得られた。   The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. At this time, the location dependence of the protective layer material on the medium surface was smaller than the medium obtained by irradiation of the protective layer at a single angle, and a medium having a low convex pattern difference was obtained.

媒体の表面ラフネスは、単一の照射角度で保護層を成膜したものよりも小さく、媒体表面に対する磁気ヘッドのヒットを少なくできた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11.6dBの値を得ることができた。   The surface roughness of the medium was smaller than that obtained by forming the protective layer at a single irradiation angle, and the hit of the magnetic head against the medium surface could be reduced. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11.6 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、成膜後にSOC成膜)
実施例38は、斜方成膜によりC保護層を形成し、さらにC保護層上にスピンオンカーボン膜を形成した例である。本例における凸パターン形成ならびにスパッタ法による保護層形成に関しては、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, SOC film formation after film formation)
In Example 38, a C protective layer was formed by oblique film formation, and a spin-on carbon film was further formed on the C protective layer. The convex pattern formation and the protective layer formation by sputtering in this example are the same as in Example 3.

まず、斜方成膜によりC保護層を1nm厚で成膜した。続いて、スピンオンカーボン溶液を媒体上にスピンコーティングし、2nm厚となるように均一成膜した。成膜したスピンオンカーボン中の溶媒を除去するため、ホットプレートにて140度・5分間保持のベーキングを行い、後処理とした。   First, a C protective layer having a thickness of 1 nm was formed by oblique film formation. Subsequently, a spin-on carbon solution was spin-coated on the medium, and a uniform film was formed to a thickness of 2 nm. In order to remove the solvent in the spin-on carbon film, baking was carried out at 140 ° C. for 5 minutes on a hot plate, and post-treatment was performed.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。このとき、媒体面の保護層材料はスピンオンカーボンにより凹部分が充填されているため、単一角度の保護層照射により得られる媒体よりもラフネスが小さく、凸パターン差の低い媒体が得られた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. At this time, since the concave portion of the protective layer material on the medium surface was filled with spin-on carbon, a medium having a lower roughness and a lower convex pattern difference was obtained than the medium obtained by single-angle protective layer irradiation.

媒体の表面ラフネスは、単一の照射角度で保護層を成膜したものよりも小さく、媒体表面に対する磁気ヘッドのヒットを少なくできた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として11dBの値を得ることができた。 The surface roughness of the medium was smaller than that obtained by forming the protective layer at a single irradiation angle, and the hit of the magnetic head against the medium surface could be reduced. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 11 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、成膜後にSOC成膜→薄膜化)
実施例38は、斜方成膜によりC保護層を形成し、C保護層上にスピンオンカーボン膜を形成した後、さらにエッチングにより薄膜化を行う例である。本例における凸パターン形成ならびにスパッタ法による保護層形成に関しては、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, SOC film formation after film formation → thinning)
In Example 38, a C protective layer is formed by oblique film formation, and after a spin-on carbon film is formed on the C protective layer, the film is further thinned by etching. The convex pattern formation and the protective layer formation by sputtering in this example are the same as in Example 3.

まず、斜方成膜によりC保護層を2nm厚で成膜した。続いて、スピンオンカーボン溶液を媒体上にスピンコーティングし、20nm厚となるように均一成膜した。成膜したスピンオンカーボン中の溶媒を除去するため、ホットプレートにて140度・5分間保持のベーキングを行い、後処理とした。引き続き、厚膜化されたスピンオンカーボンを薄膜にするため、Oガスをエッチャントとしたエッチングを行った。エッチングは誘導結合プラズマ型リアクティブイオンエッチングとし、ガス圧力0.1Pa、アンテナ電力40W、バイアス電力40Wとし、15秒間のエッチングを行うことでスピンオンカーボン膜を薄膜化し、トータル保護層厚3nmの媒体を得た。 First, a C protective layer having a thickness of 2 nm was formed by oblique film formation. Subsequently, a spin-on carbon solution was spin-coated on the medium, and a uniform film was formed to a thickness of 20 nm. In order to remove the solvent in the spin-on carbon film, baking was carried out at 140 ° C. for 5 minutes on a hot plate, and post-treatment was performed. Subsequently, in order to make the thickened spin-on carbon into a thin film, etching using O 2 gas as an etchant was performed. Etching is inductively coupled plasma reactive ion etching, gas pressure is 0.1 Pa, antenna power is 40 W, bias power is 40 W, and the spin-on carbon film is thinned by performing etching for 15 seconds, and a medium having a total protective layer thickness of 3 nm is formed. Obtained.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることができた。このとき、媒体面の保護層材料はスピンオンカーボンにより凹部分が充填されているため、単一角度の保護層照射により得られる媒体よりもラフネスが小さく、凸パターン差の低い媒体が得られた。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the flying height of 10 nm, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, could be passed. At this time, since the concave portion of the protective layer material on the medium surface was filled with spin-on carbon, a medium having a lower roughness and a lower convex pattern difference was obtained than the medium obtained by single-angle protective layer irradiation.

媒体の表面ラフネスは、単一の照射角度で保護層を成膜したものよりも小さく、媒体表面に対する磁気ヘッドのヒットを少なくできた。また、スピンスタンドを用いて媒体のシグナルノイズ比を測定した。その結果、媒体のSNR値として10.8dBの値を得ることができた。 The surface roughness of the medium was smaller than that obtained by forming the protective layer at a single irradiation angle, and the hit of the magnetic head against the medium surface could be reduced. Further, the signal-to-noise ratio of the medium was measured using a spin stand. As a result, a value of 10.8 dB could be obtained as the SNR value of the medium.

比較例1Comparative Example 1

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、保護層厚6nm)
比較例1は、斜方成膜を行い6nm厚の保護層を形成した場合の例である。本例における磁気記録層、マスク層、金属微粒子層およびそれらへの凸パターン転写と剥離工程については、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, protective layer thickness 6 nm)
Comparative Example 1 is an example in which oblique film formation is performed to form a 6 nm thick protective layer. The magnetic recording layer, the mask layer, the metal fine particle layer, and the convex pattern transfer and peeling process on them are the same as in Example 3.

保護層はCとし、照射角度を70度としてDCスパッタ法により6nm厚で成膜した。   The protective layer was C, and the film was deposited with a thickness of 6 nm by DC sputtering with an irradiation angle of 70 degrees.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、保護層の厚膜化に伴い磁気ヘッドに対する媒体表面凸パターンのヒットが著明に増加し、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることはできなかった。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, as the thickness of the protective layer increases, the hitting of the convex pattern on the medium surface with respect to the magnetic head increases remarkably, and the 10 nm flying height, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, is passed. could not.

比較例2Comparative Example 2

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、保護層厚2nm、照射角度0度)
比較例2は、照射角度0度、すなわち垂直入射による成膜を行い2nm厚の保護層を形成した場合の例である。本例における磁気記録層、マスク層、金属微粒子層およびそれらへの凸パターン転写と剥離工程については、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, protective layer thickness 2 nm, irradiation angle 0 degree)
Comparative Example 2 is an example in which a protective layer having a thickness of 2 nm is formed by performing film formation with an irradiation angle of 0 degree, that is, perpendicular incidence. The magnetic recording layer, the mask layer, the metal fine particle layer, and the convex pattern transfer and peeling process on them are the same as in Example 3.

保護層はCとし、照射角度を0度としてDCスパッタ法により2nm厚で成膜した。   The protective layer was C, and the film was deposited with a thickness of 2 nm by DC sputtering with an irradiation angle of 0 degree.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、保護層の凸パターンのエンハンスに伴い磁気ヘッドに対する媒体表面凸パターンのヒットが著明に増加し、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることはできなかった。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, as the convex pattern of the protective layer is enhanced, the hit of the convex pattern on the medium surface with respect to the magnetic head increases remarkably, and the 10 nm flying height, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, is passed. I couldn't.

比較例3Comparative Example 3

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、保護層厚2nm、照射角度20度)
比較例3は、照射角度を20度とした斜方成膜を行い、2nm厚の保護層を形成した場合の例である。本例における磁気記録層、マスク層、金属微粒子層およびそれらへの凸パターン転写と剥離工程については、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, protective layer thickness 2 nm, irradiation angle 20 degrees)
Comparative Example 3 is an example in which an oblique film formation with an irradiation angle of 20 degrees is performed to form a protective layer having a thickness of 2 nm. The magnetic recording layer, the mask layer, the metal fine particle layer, and the convex pattern transfer and peeling process on them are the same as in Example 3.

保護層はCとし、照射角度を70度としてDCスパッタ法により6nm厚で成膜した。   The protective layer was C, and the film was deposited with a thickness of 6 nm by DC sputtering with an irradiation angle of 70 degrees.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、保護層の凸パターンのエンハンスに伴い磁気ヘッドに対する媒体表面凸パターンのヒットが著明に増加し、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることはできなかった。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, as the convex pattern of the protective layer is enhanced, the hit of the convex pattern on the medium surface with respect to the magnetic head increases remarkably, and the 10 nm flying height, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, is passed. I couldn't.

比較例4Comparative Example 4

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、保護層厚2nm、照射角度85度)
比較例4は、照射角度を85度とした斜方成膜を行い、2nm厚の保護層を形成した場合の例である。本例における磁気記録層、マスク層、金属微粒子層およびそれらへの凸パターン転写と剥離工程については、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, protective layer thickness 2 nm, irradiation angle 85 degrees)
Comparative Example 4 is an example in which a 2 nm thick protective layer is formed by performing oblique film formation with an irradiation angle of 85 degrees. The magnetic recording layer, the mask layer, the metal fine particle layer, and the convex pattern transfer and peeling process on them are the same as in Example 3.

保護層はCとし、照射角度を85度としてDCスパッタ法により6nm厚で成膜した。   The protective layer was C, and the film was deposited with a thickness of 6 nm by DC sputtering with an irradiation angle of 85 degrees.

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、保護層の凸パターンのエンハンスに伴い磁気ヘッドに対する媒体表面凸パターンのヒットが著明に増加し、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることはできなかった。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, as the convex pattern of the protective layer is enhanced, the hit of the convex pattern on the medium surface with respect to the magnetic head increases remarkably, and the 10 nm flying height, which is a standard necessary for performing the read / write evaluation of the medium, is passed. I couldn't.

比較例5Comparative Example 5

(C保護層、金属微粒子リソグラフィー、保護層厚2nm、照射角度0度→70度)
比較例5は、保護層成膜における斜方成膜角度を段階的に変えた場合であるが、実施例33から35で設定した照射角度の順番を入れ換えた例である。本例における磁気記録層、マスク層、金属微粒子層およびそれらへの凸パターン転写と剥離工程については、実施例3と同様である。
(C protective layer, metal fine particle lithography, protective layer thickness 2 nm, irradiation angle 0 ° → 70 °)
Comparative Example 5 is a case where the oblique film formation angle in the protective layer film formation is changed stepwise, but is an example in which the order of the irradiation angles set in Examples 33 to 35 is changed. The magnetic recording layer, the mask layer, the metal fine particle layer, and the convex pattern transfer and peeling process on them are the same as in Example 3.

保護層はCとし、まず照射角度0度、すなわち垂直入射により2nm厚で成膜を行った後、照射角度を70度とした斜方成膜を行い、トータル厚3nmとした保護層を得た。   The protective layer was C. First, a film was formed with an irradiation angle of 0 degree, that is, with a thickness of 2 nm by normal incidence, and then an oblique film formation with an irradiation angle of 70 degrees was performed to obtain a protective layer with a total thickness of 3 nm. .

以降、実施例3と同様にパーフルオロポリエーテル系潤滑膜を1.5nm厚で形成することで凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。   Thereafter, a perfluoropolyether lubricant film having a thickness of 1.5 nm was formed in the same manner as in Example 3 to obtain a magnetic recording medium having a convex pattern.

得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、最初に行った垂直入射で生じた保護層の凸パターンが斜方成膜によりエンハンスされ、磁気ヘッドに対する媒体表面凸パターンのヒットが著明に増加し、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である10nm浮上量をパスすることはできなかった。 The flying height of the head with respect to the obtained magnetic recording medium was measured with a glide height tester, and the flying characteristics were evaluated. As a result, the convex pattern of the protective layer generated by the first perpendicular incidence is enhanced by oblique film formation, and the hit of the convex pattern on the medium surface with respect to the magnetic head is markedly increased, and the read / write evaluation of the medium is performed. Therefore, it was not possible to pass the flying height of 10 nm which is a necessary standard.

上記実施例及び比較例の結果について、下記表1及び表2に示す。

Figure 2016149181
The results of the above Examples and Comparative Examples are shown in Table 1 and Table 2 below.
Figure 2016149181

Figure 2016149181
Figure 2016149181

図21に、実施例1,25,26,27,30及び比較例2,3,4について、保護膜の斜方成膜時の成膜材料の照射角度と成膜された保護膜の膜厚との関係を表すグラフを示す。   FIG. 21 shows the irradiation angle of the film forming material and the film thickness of the formed protective film in the oblique film formation of the protective film for Examples 1, 25, 26, 27, and 30 and Comparative Examples 2, 3, and 4. The graph showing the relationship with is shown.

また、下記表3に、この測定結果を示す。

Figure 2016149181
Table 3 below shows the measurement results.
Figure 2016149181

グラフ401及び表1に示すように、照射角度は40ないし80°であることが好ましい。照射角度が40ないし80°のとき、保護膜の厚さは2ないし3nmであり、この場合はドット間の保護層材料がブリッジ状で成膜され、凸-凸パターン間には空隙が生じる。よって、この照射範囲で保護膜を成膜すれば、凹凸パターンの平坦性を改善し、ヘッドの浮上特性を良化できることがわかった。   As shown in the graph 401 and Table 1, the irradiation angle is preferably 40 to 80 °. When the irradiation angle is 40 to 80 °, the thickness of the protective film is 2 to 3 nm. In this case, the protective layer material between the dots is formed in a bridge shape, and a gap is generated between the convex and convex patterns. Therefore, it was found that if the protective film is formed in this irradiation range, the flatness of the uneven pattern can be improved and the flying characteristics of the head can be improved.

また、図22に、実施例1,2,3,4、比較例2,3,4,5について、磁性記録層の凸部高さと保護層材料濃度との関係を表すグラフの一例を示す。   FIG. 22 shows an example of a graph showing the relationship between the convex portion height of the magnetic recording layer and the protective layer material concentration in Examples 1, 2, 3, 4 and Comparative Examples 2, 3, 4, 5.

また、下記表4に、この測定結果を示す。

Figure 2016149181
Table 4 below shows the measurement results.
Figure 2016149181

グラフ402及び表2に示すように、磁性記録層の凸部高さは、1nmないし10nmであることが好ましい。1nmよりも薄いと磁気記録層の熱ゆらぎ耐性の劣化に加え、斜方照射により保護膜を形成しても平坦化の効果がほとんどないからである。また10nmを超える場合は製造が困難になるためであることがわかった。磁気記録層表面における保護層材料の主成分濃度は凹凸差1nm以上において急峻に増大するため、凸−凸間に空隙を設け、かつ平坦な保護層を形成するためには、磁気記録層の凹凸が1nm以上の場合がより好適である。さらに、凸部高さに対する保護層材料の主成分濃度の変化の傾きは、パターンピッチが狭くなると大きくなる傾向があることがわかった。   As shown in the graph 402 and Table 2, the height of the convex portion of the magnetic recording layer is preferably 1 nm to 10 nm. This is because if the thickness is less than 1 nm, in addition to the deterioration of the thermal fluctuation resistance of the magnetic recording layer, there is almost no flattening effect even if a protective film is formed by oblique irradiation. Moreover, it turned out that it is because manufacture becomes difficult when it exceeds 10 nm. Since the main component concentration of the protective layer material on the surface of the magnetic recording layer increases sharply when the unevenness difference is 1 nm or more, in order to form a flat protective layer with a space between the protrusions and protrusions, the unevenness of the magnetic recording layer Is more preferably 1 nm or more. Furthermore, it was found that the inclination of the change in the main component concentration of the protective layer material with respect to the height of the convex portion tends to increase as the pattern pitch decreases.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

1…基板、2…磁気記録層、3…マスク層、4…金属微粒子、5…第1の溶媒、6…金属微粒子塗布層、7…第2の溶媒、8…金属微粒子膜、9…保護層、18…空隙、26…磁性層、100,101,102,103,104,105,106,107,108,109,110…磁気記録媒体、200,201,202…スタンパー   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Magnetic recording layer, 3 ... Mask layer, 4 ... Metal fine particle, 5 ... 1st solvent, 6 ... Metal fine particle coating layer, 7 ... 2nd solvent, 8 ... Metal fine particle film, 9 ... Protection Layer, 18 ... gap, 26 ... magnetic layer, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110 ... magnetic recording medium, 200, 201, 202 ... stamper

本発明の実施形態は、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置に関する。 Embodiments described herein relate generally to a magnetic recording medium and a magnetic recording / reproducing apparatus .

実施形態によれば、基板、
該基板上に形成された、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層、
該磁気記録層上に形成された保護膜、及び
該保護膜と、該基板表面と、各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙を含み、
前記磁性層の高さは、前記隣接する磁性層間の距離が一番遠い場合の保護膜の厚さよりも大きく、
前記保護膜の厚さは、隣接する磁性層間の距離が一番遠い場合の保護膜の厚さをt3、隣接する磁性層間の距離が一番近い場合の保護膜の厚さをt2、該磁性層上の保護膜の厚さをt1としたとき、t1≦t2≦t3を満たすことを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
According to an embodiment, the substrate,
A magnetic recording layer comprising a plurality of convex magnetic layers formed on the substrate;
Magnetic recording layer formed on the protective film, and viewed including the said protective film, and the substrate surface, a gap provided in the region surrounded by the side walls of the magnetic layers,
The height of the magnetic layer is larger than the thickness of the protective film when the distance between the adjacent magnetic layers is the longest,
The thickness of the protective film is t3 when the distance between the adjacent magnetic layers is the longest, t2 when the distance between the adjacent magnetic layers is the shortest, and the magnetic film Provided is a magnetic recording medium characterized by satisfying t1 ≦ t2 ≦ t3, where t1 is the thickness of the protective film on the layer .

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1] 基板、
該基板上に形成された、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層、
該磁気記録層上に形成された保護膜、及び
該保護膜と、該基板表面と、各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
[2] 隣接する磁性層の中心間のピッチは、各々20nm以下であることを特徴とする[1]に記載の磁気記録媒体。
[3] 前記磁性層の高さは、前記保護膜の高さよりも高いことを特徴とする[1]または2に記載の磁気記録媒体。
[4] 前記保護膜及び前記空隙は、前記凸状の磁性層に対して、保護膜材料を斜方成膜することにより、各々形成される[1]ないし[3]のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
[5] 前記斜方成膜は、前記基板に垂直に入射する方向を0°としたとき、40°ないし80°の角度で行われる[1]ないし[4]のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
[6] 前記保護膜の厚さは、隣接する磁性層間の距離が一番遠い場合の保護膜の厚さをt3、隣接する磁性層間の距離が一番遠い場合の保護膜の厚さをt2、該磁性層上の保護膜の厚さをt1としたとき、t3≦t2≦t1を満たすことを特徴とする[1]ないし[5]のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
[7] 前記磁性層は、各々、円柱、角柱、円錐、及び角錐のいずれかの形状を有することを特徴とする[1]ないし[6]のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
[8] 前記磁性層間に設けられた保護膜の主成分元素は厚さ方向に濃度分布を有し、かつ前記磁性層上に設けられた保護膜は、前記磁性層間に設けられた保護膜よりも、その主性分元素は高濃度であることを特徴とする、[1]ないし[7]のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
[9] 前記保護膜材料は、非磁性材料から構成されることを特徴とする、[1]ないし[8]のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
[10] [1]ないし[9]のいずれか1項に記載の磁気記録媒体と、記録再生ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
[11] 基板上に磁気記録層を形成する工程と、
該磁気記録層をパターニングして、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層を形成する工程と
前記磁気記録層の凸パターンに対して、保護膜材料を斜方成膜することにより、磁気記録層上に保護膜を形成するとともに、該保護膜と、該基板表面と、各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に空隙を設ける工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
[12] 該磁気記録層をパターニングする工程は、
前記磁気記録層上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングして凸状のパターンを設ける工程と、
前記凸状のパターンを前記マスク層へ転写する工程と、
前記凸状のパターンを前記磁気記録層へ転写し、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層上から前記マスク層を除去する工程とを具備する[11]に記載の方法。
[13] 該磁気記録層をパターニングする工程は、
前記磁気記録層上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層上に複数の金属微粒子からなる金属微粒子層を形成する工程と、
該金属微粒子層により構成される凸状のパターンを前記マスク層へ転写する工程と、
前記凸状のパターンを前記磁気記録層へ転写し、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層を形成する工程と、
前記マスク層を前記磁気記録層から除去する工程とを具備する[11]に記載の方法。
[14] 前記複数の金属微粒子は保護材により被覆されており、
該金属微粒子層により構成される凸状のパターンを前記マスク層へ転写する工程の前に、前記金属微粒子層表面上にオーバーコート層を形成する工程と、
該オーバーコート層を介して該金属微粒子層にエネルギー線を照射して該保護材を失活する工程とをさらに具備することを特徴とする[13]に記載の方法。
[15] 前記斜方成膜は、前記基板に対し、前記基板に垂直に入射する方向を0°としたとき、40°ないし80°の角度で行われる[11]ないし[14]のいずれか1項に記載の方法。
Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
Hereinafter, the invention described in the scope of claims of the present application will be appended.
[1] substrate,
A magnetic recording layer comprising a plurality of convex magnetic layers formed on the substrate;
A protective film formed on the magnetic recording layer; and
A magnetic recording medium comprising a gap provided in a region surrounded by the protective film, the substrate surface, and a side wall of each magnetic layer.
[2] The magnetic recording medium according to [1], wherein the pitch between the centers of adjacent magnetic layers is 20 nm or less.
[3] The magnetic recording medium according to [1] or 2, wherein a height of the magnetic layer is higher than a height of the protective film.
[4] The protective film and the gap are each formed by obliquely forming a protective film material on the convex magnetic layer, according to any one of [1] to [3] The magnetic recording medium described.
[5] The oblique film formation is performed at an angle of 40 ° to 80 °, where the direction perpendicular to the substrate is 0 °, according to any one of [1] to [4]. Magnetic recording medium.
[6] The thickness of the protective film is t3 when the distance between adjacent magnetic layers is the longest, and t2 when the distance between adjacent magnetic layers is the longest. The magnetic recording medium according to any one of [1] to [5], wherein t3 ≦ t2 ≦ t1 is satisfied, where t1 is a thickness of the protective film on the magnetic layer.
[7] The magnetic recording medium according to any one of [1] to [6], wherein each of the magnetic layers has a shape of a cylinder, a prism, a cone, or a pyramid.
[8] The main component of the protective film provided between the magnetic layers has a concentration distribution in the thickness direction, and the protective film provided on the magnetic layer is more than the protective film provided between the magnetic layers. The magnetic recording medium according to any one of [1] to [7], wherein the main component is a high concentration.
[9] The magnetic recording medium according to any one of [1] to [8], wherein the protective film material is made of a nonmagnetic material.
[10] A magnetic recording / reproducing apparatus comprising the magnetic recording medium according to any one of [1] to [9] and a recording / reproducing head.
[11] forming a magnetic recording layer on the substrate;
Patterning the magnetic recording layer to form a magnetic recording layer comprising a plurality of convex magnetic layers;
By forming a protective film material obliquely on the convex pattern of the magnetic recording layer, a protective film is formed on the magnetic recording layer, and the protective film, the substrate surface, and the side walls of each magnetic layer And a step of providing a gap in a region surrounded by the magnetic recording medium.
[12] The step of patterning the magnetic recording layer includes:
Forming a mask layer on the magnetic recording layer;
Forming a resist layer on the mask layer;
Providing a convex pattern by patterning the resist layer;
Transferring the convex pattern to the mask layer;
Transferring the convex pattern to the magnetic recording layer and forming a magnetic recording layer comprising a plurality of convex magnetic layers;
The method according to [11], further comprising a step of removing the mask layer from the magnetic recording layer.
[13] The step of patterning the magnetic recording layer includes:
Forming a mask layer on the magnetic recording layer;
Forming a metal fine particle layer comprising a plurality of metal fine particles on the mask layer;
Transferring a convex pattern constituted by the metal fine particle layer to the mask layer;
Transferring the convex pattern to the magnetic recording layer and forming a magnetic recording layer comprising a plurality of convex magnetic layers;
The method according to [11], further comprising a step of removing the mask layer from the magnetic recording layer.
[14] The plurality of metal fine particles are covered with a protective material,
A step of forming an overcoat layer on the surface of the metal fine particle layer before the step of transferring the convex pattern constituted by the metal fine particle layer to the mask layer;
The method according to [13], further comprising a step of deactivating the protective material by irradiating the metal fine particle layer with energy rays through the overcoat layer.
[15] The oblique film formation is performed at an angle of 40 ° to 80 ° when the direction perpendicular to the substrate is 0 ° with respect to the substrate. 2. The method according to item 1.

Claims (15)

基板、
該基板上に形成された、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層、
該磁気記録層上に形成された保護膜、及び
該保護膜と、該基板表面と、各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に設けられた空隙を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
substrate,
A magnetic recording layer comprising a plurality of convex magnetic layers formed on the substrate;
A magnetic recording medium comprising: a protective film formed on the magnetic recording layer; and a void provided in a region surrounded by the protective film, the substrate surface, and a side wall of each magnetic layer.
隣接する磁性層の中心間のピッチは、各々20nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。   The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the pitch between the centers of adjacent magnetic layers is 20 nm or less. 前記磁性層の高さは、前記保護膜の高さよりも高いことを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体。   The magnetic recording medium according to claim 1, wherein a height of the magnetic layer is higher than a height of the protective film. 前記保護膜及び前記空隙は、前記凸状の磁性層に対して、保護膜材料を斜方成膜することにより、各々形成される請求項1ないし3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。   4. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the protective film and the gap are each formed by forming a protective film material obliquely on the convex magnetic layer. 5. . 前記斜方成膜は、前記基板に垂直に入射する方向を0°としたとき、40°ないし80°の角度で行われる請求項1ないし4のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。   5. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the oblique film formation is performed at an angle of 40 ° to 80 ° when a direction perpendicular to the substrate is set to 0 °. 前記保護膜の厚さは、隣接する磁性層間の距離が一番遠い場合の保護膜の厚さをt3、隣接する磁性層間の距離が一番遠い場合の保護膜の厚さをt2、該磁性層上の保護膜の厚さをt1としたとき、t3≦t2≦t1を満たすことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。   The thickness of the protective film is t3 when the distance between the adjacent magnetic layers is the longest, t2 when the distance between the adjacent magnetic layers is the longest, and the thickness of the protective film 6. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein t3 ≦ t2 ≦ t1 is satisfied, where t1 is a thickness of the protective film on the layer. 前記磁性層は、各々、円柱、角柱、円錐、及び角錐のいずれかの形状を有することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。   The magnetic recording medium according to claim 1, wherein each of the magnetic layers has a shape of a cylinder, a prism, a cone, or a pyramid. 前記磁性層間に設けられた保護膜の主成分元素は厚さ方向に濃度分布を有し、かつ前記磁性層上に設けられた保護膜は、前記磁性層間に設けられた保護膜よりも、その主性分元素は高濃度であることを特徴とする、請求項1ないし7のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。   The main component of the protective film provided between the magnetic layers has a concentration distribution in the thickness direction, and the protective film provided on the magnetic layer is more than the protective film provided between the magnetic layers. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the main component is a high concentration. 前記保護膜材料は、非磁性材料から構成されることを特徴とする、請求項1ないし8のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。   The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the protective film material is made of a nonmagnetic material. 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の磁気記録媒体と、記録再生ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。   A magnetic recording / reproducing apparatus comprising the magnetic recording medium according to claim 1 and a recording / reproducing head. 基板上に磁気記録層を形成する工程と、
該磁気記録層をパターニングして、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層を形成する工程と
前記磁気記録層の凸パターンに対して、保護膜材料を斜方成膜することにより、磁気記録層上に保護膜を形成するとともに、該保護膜と、該基板表面と、各磁性層の側壁とによって囲まれる領域内に空隙を設ける工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Forming a magnetic recording layer on the substrate;
By patterning the magnetic recording layer to form a magnetic recording layer composed of a plurality of convex magnetic layers, and forming a protective film material obliquely on the convex pattern of the magnetic recording layer, A step of forming a protective film on the recording layer, and providing a gap in a region surrounded by the protective film, the substrate surface, and the side wall of each magnetic layer. Production method.
該磁気記録層をパターニングする工程は、
前記磁気記録層上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングして凸状のパターンを設ける工程と、
前記凸状のパターンを前記マスク層へ転写する工程と、
前記凸状のパターンを前記磁気記録層へ転写し、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層上から前記マスク層を除去する工程とを具備する請求項11に記載の方法。
The step of patterning the magnetic recording layer includes:
Forming a mask layer on the magnetic recording layer;
Forming a resist layer on the mask layer;
Providing a convex pattern by patterning the resist layer;
Transferring the convex pattern to the mask layer;
Transferring the convex pattern to the magnetic recording layer and forming a magnetic recording layer comprising a plurality of convex magnetic layers;
The method according to claim 11, further comprising the step of removing the mask layer from the magnetic recording layer.
該磁気記録層をパターニングする工程は、
前記磁気記録層上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層上に複数の金属微粒子からなる金属微粒子層を形成する工程と、
該金属微粒子層により構成される凸状のパターンを前記マスク層へ転写する工程と、
前記凸状のパターンを前記磁気記録層へ転写し、複数の凸状の磁性層からなる磁気記録層を形成する工程と、
前記マスク層を前記磁気記録層から除去する工程とを具備する請求項11に記載の方法。
The step of patterning the magnetic recording layer includes:
Forming a mask layer on the magnetic recording layer;
Forming a metal fine particle layer comprising a plurality of metal fine particles on the mask layer;
Transferring a convex pattern constituted by the metal fine particle layer to the mask layer;
Transferring the convex pattern to the magnetic recording layer and forming a magnetic recording layer comprising a plurality of convex magnetic layers;
The method of claim 11, comprising removing the mask layer from the magnetic recording layer.
前記複数の金属微粒子は保護材により被覆されており、
該金属微粒子層により構成される凸状のパターンを前記マスク層へ転写する工程の前に、前記金属微粒子層表面上にオーバーコート層を形成する工程と、
該オーバーコート層を介して該金属微粒子層にエネルギー線を照射して該保護材を失活する工程とをさらに具備することを特徴とする請求項13に記載の方法。
The plurality of metal fine particles are covered with a protective material,
A step of forming an overcoat layer on the surface of the metal fine particle layer before the step of transferring the convex pattern constituted by the metal fine particle layer to the mask layer;
The method according to claim 13, further comprising a step of deactivating the protective material by irradiating the metal fine particle layer with energy rays through the overcoat layer.
前記斜方成膜は、前記基板に対し、前記基板に垂直に入射する方向を0°としたとき、40°ないし80°の角度で行われる請求項11ないし14のいずれか1項に記載の方法。   The oblique film formation is performed at an angle of 40 ° to 80 °, where the direction perpendicular to the substrate is 0 ° with respect to the substrate. Method.
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