JP2016148868A - Driving method of electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Driving method of electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2016148868A
JP2016148868A JP2016085632A JP2016085632A JP2016148868A JP 2016148868 A JP2016148868 A JP 2016148868A JP 2016085632 A JP2016085632 A JP 2016085632A JP 2016085632 A JP2016085632 A JP 2016085632A JP 2016148868 A JP2016148868 A JP 2016148868A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
subfield
electro
pixel electrodes
liquid crystal
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016085632A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6210126B2 (en
Inventor
広島 安
Yasushi Hiroshima
安 広島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2016085632A priority Critical patent/JP6210126B2/en
Publication of JP2016148868A publication Critical patent/JP2016148868A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6210126B2 publication Critical patent/JP6210126B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress an influence of photo-deterioration of a liquid crystal panel.SOLUTION: The present driving method is a driving method of an electro-optical device comprising a plurality of pixel electrodes, an opposing electrode corresponding to the plurality of pixel electrodes, and an electro-optical layer held between the plurality of pixel electrodes and the opposing electrode, the method including the step of, for each of a plurality of sub field periods obtained by dividing one frame period, applying a voltage corresponding to either one of a first gradation value or a second gradation value to between each of the plurality of pixel electrodes and the opposing electrode, where the time length of all of the plurality of sub field periods is 2.78 milliseconds or less.SELECTED DRAWING: Figure 9

Description

本発明は、電気光学装置の駆動に関する。   The present invention relates to driving of an electro-optical device.

特許文献1は、液晶層を駆動する回路を石英基板上に形成した液晶パネルを開示している。特許文献2は、1フレームを複数のサブフレームに分割し、各サブフレームにおいては0Vまたは5Vの電圧を印加することにより中間階調を表現する技術を開示している。
特許文献3および4は、サブフィールド毎に印加電圧の極性を反転させる技術を開示している。特許文献5は、1フレームにおいて正極性電圧が印加されるサブフィールドの時間と負極性電圧が印加されるサブフィールドの時間とを等しくする技術が開示されている。
Patent Document 1 discloses a liquid crystal panel in which a circuit for driving a liquid crystal layer is formed on a quartz substrate. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228561 discloses a technique for expressing halftones by dividing one frame into a plurality of subframes and applying a voltage of 0 V or 5 V to each subframe.
Patent Documents 3 and 4 disclose techniques for reversing the polarity of the applied voltage for each subfield. Patent Document 5 discloses a technique for equalizing the time of a subfield to which a positive voltage is applied and the time of a subfield to which a negative voltage is applied in one frame.

特開平10−293320号公報JP-A-10-293320 特開2001−100180号公報JP 2001-100180 A 特開2010−191038号公報JP 2010-191038 A 特開2002−169517号公報JP 2002-169517 A 特開2010−85955号公報JP 2010-85955 A

特許文献1〜5には、液晶パネルの光劣化の影響を抑制する技術は開示されていない。
これに対し本発明は、液晶パネルの光劣化の影響を抑制する技術を提供する。
Patent Documents 1 to 5 do not disclose a technique for suppressing the influence of light deterioration of the liquid crystal panel.
On the other hand, this invention provides the technique which suppresses the influence of the optical deterioration of a liquid crystal panel.

本発明は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向する対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極とに挟まれた電気光学層とを有する電気光学装置の駆動方法であって、1フレーム期間を分割した複数のサブフィールド期間の各々について、前記複数の画素電極の各々と前記対向電極との間に第1階調値および第2階調値のいずれかに対応する電圧を印加するステップを有し、前記複数のサブフィールド期間のすべてについて、サブフィールド期間の時間長が2.78ミリ秒以下であることを特徴とする駆動方法を提供する。
この駆動方法によれば、サブフィールド期間の時間長が2.78ミリ秒を超える場合と比較して、電気光学層の光劣化による表示特性の変化を抑制することができる。
The present invention is a driving method of an electro-optical device, which includes a plurality of pixel electrodes, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes, and an electro-optical layer sandwiched between the plurality of pixel electrodes and the counter electrode. For each of a plurality of subfield periods obtained by dividing one frame period, a voltage corresponding to either the first gradation value or the second gradation value between each of the plurality of pixel electrodes and the counter electrode. The driving method is characterized in that, for all of the plurality of subfield periods, the time length of the subfield period is 2.78 milliseconds or less.
According to this driving method, a change in display characteristics due to light degradation of the electro-optic layer can be suppressed as compared with a case where the time length of the subfield period exceeds 2.78 milliseconds.

好ましい態様において、前記複数のサブフィールド期間の時間長が、異なるk個の時間長tiのいずれかであり(iは、1≦i≦kである整数)、前記k個の時間長tiは、1≦i≦k−1の範囲においてti<ti+1であり、時間長tiのサブフィールド期間において、時間長ti+1のサブフィールド期間とは逆の極性の電圧が前記電気光学層に印加されてもよい。
この駆動方法によれば、時間長tiのサブフィールド期間において、時間長ti+1のサブフィールド期間とは逆の極性の電圧が前記電気光学層に印加される場合と比較して、電気光学層の光劣化による表示特性の変化を抑制することができる。
In a preferred embodiment, a time length of the plurality of subfield periods is any one of k different time lengths t i (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ k), and the k time lengths t i are set. is a t i <t i + 1 in 1 ≦ i ≦ k-1 in the range in the sub-field period of the time length t i, the opposite polarity voltage to the time length t i + 1 of the subfield period The electro-optical layer may be applied.
According to this driving method, in the subfield period having the time length ti, the electro-optical layer is compared with the case where a voltage having a polarity opposite to that of the subfield period having the time length t i + 1 is applied to the electrooptical layer. Changes in display characteristics due to light degradation of the layer can be suppressed.

別の好ましい態様において、前記複数のサブフィールド期間の時間長が、異なるk個の時間長tiのいずれかであり(iは、1≦i≦kである整数)、前記k個の時間長tiは、1≦i≦k−2の範囲において40マイクロ秒≦(ti+ti+2)≦2.78ミリ秒であってもよい。
この駆動方法によれば、時間長の和(ti+ti+2)が2.78ミリ秒を超える場合と比較して、電気光学層の光劣化による表示特性の変化を抑制することができる。
In another preferred embodiment, a time length of the plurality of subfield periods is any one of k different time lengths t i (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ k), and the k time lengths t i may be 40 microseconds ≦ (t i + t i + 2 ) ≦ 2.78 milliseconds in the range of 1 ≦ i ≦ k−2.
According to this driving method, a change in display characteristics due to light degradation of the electro-optic layer can be suppressed as compared with a case where the sum of time lengths (t i + t i +2 ) exceeds 2.78 milliseconds. .

さらに別の好ましい態様において、1フレーム期間において、前記電気光学層に正極性の電圧が印加されるサブフィールド期間の時間長の総和と、前記電気光学層に負極性の電圧が印加されるサブフィールド期間の時間長の総和との差が2.78ミリ秒以下であってもよい。
この駆動方法によれば、電気光学層に正極性の電圧が印加されるサブフィールド期間の時間長の総和と、電気光学層に負極性の電圧が印加されるサブフィールド期間の時間長の総和との差が2.78ミリ秒を超える場合と比較して、電気光学層の光劣化による表示特性の変化を抑制することができる。
In still another preferred embodiment, in one frame period, a total time length of a subfield period in which a positive voltage is applied to the electro-optic layer, and a subfield in which a negative voltage is applied to the electro-optic layer. The difference from the total time length of the period may be 2.78 milliseconds or less.
According to this driving method, the sum of the time lengths of the subfield period in which the positive voltage is applied to the electro-optic layer, and the sum of the time lengths of the sub-field period in which the negative voltage is applied to the electro-optic layer, Compared with the case where the difference between the two exceeds 2.78 milliseconds, a change in display characteristics due to light degradation of the electro-optic layer can be suppressed.

また、本発明は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向する対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極とに挟まれた電気光学層と、1フレーム期間を分割した複数のサブフィールド期間の各々について、前記複数の画素電極の各々と前記対向電極との間に第1階調値および第2階調値のいずれかに対応する電圧を印加するための信号を出力するデータ線駆動回路とを有し、前記複数のサブフィールド期間のすべてについて、サブフィールド期間の時間長が2.78ミリ秒以下であることを特徴とする電気光学装置を提供する。
この電気光学装置によれば、サブフィールド期間の時間長が2.78ミリ秒を超える場合と比較して、電気光学層の光劣化による表示特性の変化を抑制することができる。
In addition, the present invention provides a plurality of pixel electrodes, a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes, an electro-optical layer sandwiched between the plurality of pixel electrodes and the counter electrode, and a plurality of divided one frame periods For each of the subfield periods, a signal for applying a voltage corresponding to either the first gradation value or the second gradation value is output between each of the plurality of pixel electrodes and the counter electrode. There is provided an electro-optical device including a data line driving circuit, wherein a time length of a subfield period is 2.78 milliseconds or less for all of the plurality of subfield periods.
According to this electro-optical device, a change in display characteristics due to light degradation of the electro-optical layer can be suppressed as compared with a case where the time length of the subfield period exceeds 2.78 milliseconds.

さらに、本発明は、上記の電気光学装置を有する電子機器を提供する。
この電子機器によれば、サブフィールド期間の時間長が2.78ミリ秒を超える場合と比較して、電気光学層の光劣化による表示特性の変化を抑制することができる。
Furthermore, the present invention provides an electronic apparatus having the above electro-optical device.
According to this electronic apparatus, it is possible to suppress a change in display characteristics due to light degradation of the electro-optic layer as compared with a case where the time length of the subfield period exceeds 2.78 milliseconds.

一実施形態に係る電子機器1の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the electronic device 1 which concerns on one Embodiment. 液晶パネル100の構造を示す図である。2 is a diagram showing a structure of a liquid crystal panel 100. FIG. 素子基板101の構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a configuration of an element substrate 101. FIG. 画素110の等価回路を示す図である。2 is a diagram illustrating an equivalent circuit of a pixel 110. FIG. 液晶パネル100の駆動方法を示すタイミングチャートである。3 is a timing chart illustrating a method for driving the liquid crystal panel 100. 液晶パネル100の電圧−透過率特性(V−T特性)を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a voltage-transmittance characteristic (VT characteristic) of the liquid crystal panel 100. 液晶層105の特性が劣化するメカニズムを説明する図である。It is a figure explaining the mechanism in which the characteristic of the liquid crystal layer 105 deteriorates. 極性反転時の透過率の過渡特性を示す図である。It is a figure which shows the transient characteristic of the transmittance | permeability at the time of polarity reversal. サブフィールドの構成を例示する図である。It is a figure which illustrates the structure of a subfield. 変形例1に係るサブフィールドの構成を例示する図である。It is a figure which illustrates the structure of the subfield concerning the modification 1. 変形例5を説明する図である。It is a figure explaining the modification 5. FIG. 変形例6を説明する図である。It is a figure explaining the modification 6. FIG.

1.構成
図1は、一実施形態に係る電子機器1の構成を示すブロック図である。この例で、電子機器1はいわゆるリア型プロジェクターである。電子機器1は、液晶パネル100と、光源11と、光学系12と、反射鏡13と、反射鏡14と、スクリーン15とを有する。液晶パネル100は、ライトバルブとして機能する。光源11は、光を出力する。光源11から出射された光は、液晶パネル100を透過することにより画像情報が与えられる。光学系12は、液晶パネル100を透過した光束を制御し、反射鏡13に向けて光束を出射する。反射鏡13および反射鏡14は、光束をスクリーン15に導く。スクリーン15には、液晶パネル100によって制御された画像が表示される。
1. Configuration FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an electronic apparatus 1 according to an embodiment. In this example, the electronic device 1 is a so-called rear type projector. The electronic device 1 includes a liquid crystal panel 100, a light source 11, an optical system 12, a reflecting mirror 13, a reflecting mirror 14, and a screen 15. The liquid crystal panel 100 functions as a light valve. The light source 11 outputs light. The light emitted from the light source 11 passes through the liquid crystal panel 100 and is given image information. The optical system 12 controls the light beam transmitted through the liquid crystal panel 100 and emits the light beam toward the reflecting mirror 13. The reflecting mirror 13 and the reflecting mirror 14 guide the light beam to the screen 15. An image controlled by the liquid crystal panel 100 is displayed on the screen 15.

図2(A)は、液晶パネル100の構造を示す斜視図である。図2(B)は、図2(A)におけるH−h線における断面を示す模式図である。液晶パネル100は、素子基板101と、対向基板102と、液晶層105とを有する。素子基板101と対向基板102とは、スペーサー(図示省略)を含むシール材90によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせられている。液晶層105は、この間隙に封入されている。液晶層105は、例えばVA(Vertical Alignment)型の液晶である。   FIG. 2A is a perspective view showing the structure of the liquid crystal panel 100. FIG. 2B is a schematic diagram illustrating a cross section taken along the line Hh in FIG. The liquid crystal panel 100 includes an element substrate 101, a counter substrate 102, and a liquid crystal layer 105. The element substrate 101 and the counter substrate 102 are bonded together with a sealant 90 including a spacer (not shown) so that the electrode formation surfaces face each other while maintaining a certain gap. The liquid crystal layer 105 is sealed in this gap. The liquid crystal layer 105 is, for example, a VA (Vertical Alignment) type liquid crystal.

素子基板101および対向基板102は、それぞれ石英などの透明性を有する基板を有する。素子基板101にあっては、対向基板102よりもY方向のサイズが長い。奥側(h側)が揃えられているので、素子基板101の手前側(H側)の一辺が対向基板102から張り出している。この張り出した領域にX方向に沿って複数のコネクター107が設けられている。複数のコネクター107は、外部の回路から各種信号や各種電圧、画像信号などを供給するための端子である。   The element substrate 101 and the counter substrate 102 each have a transparent substrate such as quartz. The element substrate 101 is longer in the Y direction than the counter substrate 102. Since the back side (h side) is aligned, one side of the front side (H side) of the element substrate 101 protrudes from the counter substrate 102. A plurality of connectors 107 are provided in the protruding region along the X direction. The plurality of connectors 107 are terminals for supplying various signals, various voltages, image signals, and the like from an external circuit.

素子基板101において対向基板102と対向する面には、画素電極118が形成されている。画素電極118は、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明性を有する導電層をパターニングしたものである。また、素子基板101には、データ線駆動回路140が形成されている。対向基板102において、素子基板101と対向する面に設けられた対向電極108は、同じくITOなどの透明性を有する導電層である。   A pixel electrode 118 is formed on a surface of the element substrate 101 facing the counter substrate 102. The pixel electrode 118 is obtained by patterning a transparent conductive layer such as ITO (Indium Tin Oxide). A data line driving circuit 140 is formed on the element substrate 101. In the counter substrate 102, the counter electrode 108 provided on the surface facing the element substrate 101 is a conductive layer having transparency such as ITO.

図3は、素子基板101の構成を示す図である。素子基板101は、石英基板上に形成された駆動回路を有する。この駆動回路は、m本の走査線103と、n本のデータ線104と、m行n列に配置された画素110と、タイミング制御回路120と、走査線駆動回路130と、データ線駆動回路140とを有する。画素110は、走査線103とデータ線104との交差に対応して設けられている。m行n列に配置された画素110により、表示領域150が形成される。タイミング制御回路120は、走査線駆動回路130およびデータ線駆動回路140が動作するタイミングを制御する信号、例えばスタート信号DYおよび反転化信号FRを出力する。走査線駆動回路130は、m本の走査線103に、走査信号を供給する。走査信号は、m本の走査線103の中から1本の走査線103を順次排他的に選択するための信号である。データ線駆動回路140は、コネクター107を介して入力された画像信号に応じたデータ信号を、n本のデータ線104に供給する。データ信号は、その画素110の階調値に応じた電圧(以下「データ電圧」という)を示す。対向基板102には、対向電極108が形成されている。対向電極108は、すべての画素110に共通である。液晶層105は、印加される電圧に応じた光学状態を示す電気光学素子の一例である。   FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of the element substrate 101. The element substrate 101 has a drive circuit formed on a quartz substrate. This driving circuit includes m scanning lines 103, n data lines 104, pixels 110 arranged in m rows and n columns, a timing control circuit 120, a scanning line driving circuit 130, and a data line driving circuit. 140. The pixel 110 is provided corresponding to the intersection of the scanning line 103 and the data line 104. A display region 150 is formed by the pixels 110 arranged in m rows and n columns. The timing control circuit 120 outputs signals for controlling the timing at which the scanning line driving circuit 130 and the data line driving circuit 140 operate, for example, a start signal DY and an inversion signal FR. The scanning line driving circuit 130 supplies a scanning signal to the m scanning lines 103. The scanning signal is a signal for sequentially and exclusively selecting one scanning line 103 from the m scanning lines 103. The data line driving circuit 140 supplies a data signal corresponding to the image signal input via the connector 107 to the n data lines 104. The data signal indicates a voltage (hereinafter referred to as “data voltage”) corresponding to the gradation value of the pixel 110. A counter electrode 108 is formed on the counter substrate 102. The counter electrode 108 is common to all the pixels 110. The liquid crystal layer 105 is an example of an electro-optic element that exhibits an optical state in accordance with an applied voltage.

図4は、画素110の等価回路を示す図である。画素110は、トランジスター111と、容量素子112と、画素電極118と、対向電極108とを有する。トランジスター111は、走査信号に応じてデータ線104と画素電極118との導通状態を制御するスイッチング手段の一例である。この例で、トランジスター111は、nチャネル型のTFT(Thin Film Transistor)である。トランジスター111のゲートおよびソースは、走査線103およびデータ線104に接続されている。トランジスター111のドレインは、画素電極118に接続されている。画素電極118は、画素110の各々に固有のものが1つずつ設けられている。画素電極118と対向電極108との間には、液晶層105が挟持されている。対向電極108には、共通電位LCcomが与えられる。トランジスター111が導通状態になっているとき、液晶層105には、データ電圧と共通電位LCcomとの差に応じた電圧が印加される。液晶層105は、データ電圧に応じた光学状態を示す。容量素子112は、データ電圧を保持するための保持容量である。容量素子112の一端はトランジスター111のドレインに接続されている。容量素子112の他端には共通電位Vcomが与えられる。この例では、Vcom=LCcomである。   FIG. 4 is a diagram illustrating an equivalent circuit of the pixel 110. The pixel 110 includes a transistor 111, a capacitor 112, a pixel electrode 118, and a counter electrode 108. The transistor 111 is an example of a switching unit that controls a conduction state between the data line 104 and the pixel electrode 118 in accordance with a scanning signal. In this example, the transistor 111 is an n-channel TFT (Thin Film Transistor). The gate and source of the transistor 111 are connected to the scanning line 103 and the data line 104. The drain of the transistor 111 is connected to the pixel electrode 118. One pixel electrode 118 is provided for each pixel 110. A liquid crystal layer 105 is sandwiched between the pixel electrode 118 and the counter electrode 108. A common potential LCcom is applied to the counter electrode 108. When the transistor 111 is in a conductive state, a voltage corresponding to the difference between the data voltage and the common potential LCcom is applied to the liquid crystal layer 105. The liquid crystal layer 105 shows an optical state corresponding to the data voltage. The capacitor element 112 is a storage capacitor for storing a data voltage. One end of the capacitor 112 is connected to the drain of the transistor 111. A common potential Vcom is applied to the other end of the capacitor 112. In this example, Vcom = LCcom.

2.動作
図5は、液晶パネル100の駆動方法を示すタイミングチャートである。画像は1フレームごとに書き替えられる。例えば、フレーム速度は60フレーム/秒、すなわち垂直同期信号(図示略)の周波数は60Hzであり、1フレーム期間(以下、単に「1フレーム」という)は16.7ミリ秒である。液晶パネル100はサブフィールド駆動により駆動される。サブフィールド駆動において、1フレームは複数のサブフィールド期間(以下、単に「サブフィールド」という)に分割される。スタート信号DYは、サブフィールドの始期を示す信号である。スタート信号DYとしてH(High)レベルのパルスが供給されると、走査線駆動回路130は、走査線103の走査を開始、すなわち、m本の走査線103に走査信号Gi(1≦i≦m)を出力する。1つのサブフィールドにおいて、走査信号Gは、順次排他的にHレベルの電圧になる信号である。Hレベルの走査信号を選択信号といい、L(Low)レベルの走査信号を非選択信号という。また、第i行の走査線103に選択信号が供給されることを、「第i行の走査線103が選択される」という。トランジスター111は、非選択信号が入力されているときは絶縁状態(オフ状態)であり、選択信号が入力されているときは導通状態(オン状態)である。第j列のデータ線104に供給される出データ信号Sjは、走査信号と同期している。例えば、第i行の走査線103が選択されているときは、第i行第j列の画素110の階調値に対応する電圧を示す信号がデータ信号Sjとして供給される。
2. Operation FIG. 5 is a timing chart showing a method for driving the liquid crystal panel 100. The image is rewritten every frame. For example, the frame rate is 60 frames / second, that is, the frequency of the vertical synchronization signal (not shown) is 60 Hz, and one frame period (hereinafter simply referred to as “one frame”) is 16.7 milliseconds. The liquid crystal panel 100 is driven by subfield driving. In subfield driving, one frame is divided into a plurality of subfield periods (hereinafter simply referred to as “subfields”). The start signal DY is a signal indicating the start of the subfield. When an H (High) level pulse is supplied as the start signal DY, the scanning line driving circuit 130 starts scanning the scanning line 103, that is, the scanning signal Gi (1 ≦ i ≦ m) is supplied to the m scanning lines 103. ) Is output. In one subfield, the scanning signal G is a signal that sequentially becomes an H level voltage. An H level scanning signal is called a selection signal, and an L (Low) level scanning signal is called a non-selection signal. The supply of the selection signal to the i-th scanning line 103 is referred to as “the i-th scanning line 103 is selected”. The transistor 111 is in an insulated state (off state) when a non-selection signal is input, and is in a conductive state (on state) when a selection signal is input. The output data signal Sj supplied to the j-th column data line 104 is synchronized with the scanning signal. For example, when the i-th row scanning line 103 is selected, a signal indicating a voltage corresponding to the gradation value of the pixel 110 in the i-th row and j-th column is supplied as the data signal Sj.

データ信号Sjは、第1階調値および第2階調値の2値のいずれかの電圧(例えば、0Vまたは5V)を示す信号である。印加される電圧が0Vのサブフィールドを、「オフのサブフィールド」といい、あるサブフィールドにおいて0Vの電圧を印加することを「サブフィールドをオフにする」という。同様に、印加される電圧の絶対値が5Vのサブフィールドを、「オンのサブフィールド」といい、あるサブフィールドにおいて絶対値が5Vの電圧を印加することを「サブフィールドをオンにする」という。サブフィールド駆動においては、オンにするサブフィールドとオフにするサブフィールドの割合を制御することにより1フレームにおける中間階調を表現する。   The data signal Sj is a signal indicating one of the binary values of the first gradation value and the second gradation value (for example, 0V or 5V). A subfield having an applied voltage of 0V is referred to as “off subfield”, and applying a voltage of 0V in a certain subfield is referred to as “turning off the subfield”. Similarly, a subfield whose applied voltage has an absolute value of 5V is referred to as “on subfield”, and application of a voltage having an absolute value of 5V in a certain subfield is referred to as “turning on the subfield”. . In subfield driving, intermediate gray levels in one frame are expressed by controlling the ratio of subfields to be turned on and subfields to be turned off.

反転化信号FRは、データ電圧の極性を示す信号である。例えば、反転化信号FRがHレベルのサブフィールドにおいて正極性のデータ電圧(例えば+5V)が印加され、反転化信号FRがLレベルのサブフィールドにおいて負極性のデータ電圧(例えば−5V)が印加される。反転化信号FRは、スタート信号DYと同期してHレベルとLレベルが切り替わる信号である。すなわち、データ電圧の極性は、サブフィールド毎に切り替わる。   The inversion signal FR is a signal indicating the polarity of the data voltage. For example, a positive data voltage (for example, + 5V) is applied in a subfield where the inverted signal FR is at an H level, and a negative data voltage (for example, −5V) is applied in a subfield where the inverted signal FR is at an L level. The The inversion signal FR is a signal that switches between the H level and the L level in synchronization with the start signal DY. That is, the polarity of the data voltage is switched for each subfield.

図6は、液晶パネル100の電圧−透過率特性(V−T特性)を示す図である。この図を用いて、従来技術の問題点を説明する。図5において、横軸は液晶層105に印加される電圧を、縦軸は液晶層105の透過率を示している。破線は初期(例えば未使用時)の特性を、実線は劣化後(例えばある時間光照射された後)の特性を示す。電子機器1において、スクリーン15に投影される画像を明るくするためには、より高輝度の光源11が用いられる。液晶パネル100は、光源11から照射される光によって特性が劣化する。
図5の例では、劣化後において、V−T曲線が全体的に初期よりも高電圧側にシフトしている。例えば液晶層105に3Vの電圧を印加する場合を考えると、劣化後は初期よりも透過率が低下している。すなわち、劣化後は初期よりも画像が暗くなる。
FIG. 6 is a diagram illustrating the voltage-transmittance characteristics (VT characteristics) of the liquid crystal panel 100. The problem of the prior art will be described with reference to this figure. In FIG. 5, the horizontal axis represents the voltage applied to the liquid crystal layer 105, and the vertical axis represents the transmittance of the liquid crystal layer 105. A broken line indicates an initial characteristic (for example, when not in use), and a solid line indicates a characteristic after deterioration (for example, after light irradiation for a certain period of time). In the electronic device 1, a light source 11 with higher luminance is used to brighten an image projected on the screen 15. The characteristics of the liquid crystal panel 100 deteriorate due to the light emitted from the light source 11.
In the example of FIG. 5, the VT curve is generally shifted to the higher voltage side than the initial state after deterioration. For example, considering the case where a voltage of 3 V is applied to the liquid crystal layer 105, the transmittance is lower than the initial value after deterioration. That is, after the deterioration, the image becomes darker than the initial stage.

図7は、液晶層105の特性が劣化するメカニズムを説明する図である。図7(A)は、初期状態の液晶層105の様子を示す模式図である。初期状態においては、液晶層105の外部から与えられる電圧は液晶層105に印加される。光源11から光を照射されると、液晶層105において不純物イオンが発生する。不純物イオンとしては、液晶層105に含まれていた不純物が光照射によりイオン化したもの、液晶分子が光照射により分解されイオン化したもの、またはシール材90もしくは封止材から混入した不純物が光照射によりイオン化したものが考えられる。図7(B)は、不純物イオンの影響を示す図である。不純物イオンの中には、液晶層105中を移動する可動イオンがある。例えば、対向電極108および画素電極118にそれぞれ0Vおよび−3Vの電圧が印加された場合、負極性の不純物イオンは対向電極108側に移動し、正極性の不純物イオンは画素電極118側に移動する。これらの不純物イオンにより、液晶層105において内部電界Eiが発生する。内部電界Eiは、対向電極108および画素電極118の電位差に応じた電界(以下「外部電界Ee」という)を打ち消す向きの電界である。すなわち、液晶層105に印加される実効的な電圧は、外部電界Eeから内部電界Eiを差し引いた電界に対応する電圧が印加される。すなわち、液晶層105に印加される実効的な電圧の絶対値は、3Vよりも低くなる。   FIG. 7 is a diagram for explaining the mechanism by which the characteristics of the liquid crystal layer 105 deteriorate. FIG. 7A is a schematic diagram illustrating a state of the liquid crystal layer 105 in an initial state. In the initial state, a voltage applied from the outside of the liquid crystal layer 105 is applied to the liquid crystal layer 105. When light is irradiated from the light source 11, impurity ions are generated in the liquid crystal layer 105. As the impurity ions, impurities contained in the liquid crystal layer 105 are ionized by light irradiation, liquid crystal molecules are decomposed and ionized by light irradiation, or impurities mixed from the sealing material 90 or the sealing material are irradiated by light irradiation. Ionized can be considered. FIG. 7B is a diagram illustrating the influence of impurity ions. Among the impurity ions, there are movable ions that move in the liquid crystal layer 105. For example, when voltages of 0 V and −3 V are applied to the counter electrode 108 and the pixel electrode 118, negative impurity ions move to the counter electrode 108 side, and positive impurity ions move to the pixel electrode 118 side. . Due to these impurity ions, an internal electric field Ei is generated in the liquid crystal layer 105. The internal electric field Ei is an electric field in a direction that cancels an electric field corresponding to a potential difference between the counter electrode 108 and the pixel electrode 118 (hereinafter referred to as “external electric field Ee”). That is, the effective voltage applied to the liquid crystal layer 105 is a voltage corresponding to an electric field obtained by subtracting the internal electric field Ei from the external electric field Ee. That is, the absolute value of the effective voltage applied to the liquid crystal layer 105 is lower than 3V.

液晶パネルにおいては、一般的に、パネルの焼き付きを防ぐため極性反転駆動が行われる。極性反転駆動とは、例えば3Vの電圧に相当する透過率を得るために、−3Vの電圧と+3Vの電圧とを交互に印加することをいう。極性反転駆動の周波数が不純物イオンの移動度に対して十分に低い場合、不純物イオンは、印加電圧の極性反転に追従して移動する。   In a liquid crystal panel, in general, polarity inversion driving is performed in order to prevent the panel from burning. Polarity inversion driving refers to applying a voltage of -3V and a voltage of + 3V alternately in order to obtain a transmittance corresponding to a voltage of 3V, for example. When the polarity inversion driving frequency is sufficiently lower than the mobility of impurity ions, the impurity ions move following the polarity inversion of the applied voltage.

図8は、極性反転時の透過率の過渡特性を示す図である。横軸は時間を、縦軸は透過率を示している。破線は初期の特性を、実線は劣化後の特性を示している。印加電圧の極性が反転した瞬間、外部電界Eeと内部電界Eiの向きが揃う(図7(C))。この瞬間、液晶層105に印加される実効的な電圧の絶対値は、3Vよりも高くなる。すなわちこのとき、液晶層105の透過率は初期状態よりも高くなる。その後、時間の経過とともに不純物イオンは移動する。不純物イオンの移動に伴い、内部電界Eiはゼロになった後、最終的には外部電界を打ち消す向きを向く(図7(D))。すなわち、液晶層105の透過率は初期状態よりも低い値に収束する。その後再び極性が反転すると、外部電界Eeと内部電界Eiの向きが揃い、透過率が上昇する。透過率は時間の経過とともに低下し、初期状態よりも低い値に収束する。   FIG. 8 is a diagram showing a transient characteristic of transmittance at the time of polarity reversal. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents transmittance. A broken line indicates an initial characteristic, and a solid line indicates a characteristic after deterioration. At the moment when the polarity of the applied voltage is reversed, the directions of the external electric field Ee and the internal electric field Ei are aligned (FIG. 7C). At this moment, the absolute value of the effective voltage applied to the liquid crystal layer 105 becomes higher than 3V. That is, at this time, the transmittance of the liquid crystal layer 105 is higher than that in the initial state. Thereafter, the impurity ions move with time. As the impurity ions move, the internal electric field Ei becomes zero, and finally turns to cancel the external electric field (FIG. 7D). That is, the transmittance of the liquid crystal layer 105 converges to a value lower than the initial state. Thereafter, when the polarity is reversed again, the directions of the external electric field Ee and the internal electric field Ei are aligned, and the transmittance increases. The transmittance decreases with time and converges to a lower value than the initial state.

図7で説明したメカニズムによれば、極性反転の周波数を上昇させると、不純物イオンの移動が極性反転に追従できなくなり、その影響を低減できるはずである。本願の発明者らの研究によれば、極性反転の周波数を360Hz以上(すなわち、極性反転の周期を2.78ミリ秒以下)にすることにより、不純物イオンの透過率に対する影響を無視できる程度に低減できることがわかった。360Hz以上の高い周波数で極性反転を行うことにより、たとえ光劣化により液晶層105中に不純物イオンが発生したとしても、透過率に対する影響を低減することができる。   According to the mechanism described with reference to FIG. 7, if the frequency of polarity reversal is increased, the movement of impurity ions cannot follow the polarity reversal, and the influence should be reduced. According to the study by the inventors of the present application, by setting the frequency of polarity reversal to 360 Hz or more (that is, the period of polarity reversal is 2.78 milliseconds or less), the influence on the transmittance of impurity ions can be ignored. It was found that it can be reduced. By performing polarity inversion at a high frequency of 360 Hz or higher, even if impurity ions are generated in the liquid crystal layer 105 due to light degradation, the influence on the transmittance can be reduced.

図9は、サブフィールドの構成を例示する図である。この例では、1フレームはSF1〜SF20の20個のサブフィールドにより構成される。すべてのサブフィールドについて時間長(幅)はtsで均一である。例えば1フレームが16.7ミリ秒である場合(垂直同期周波数が60Hzである場合)、ts=0.833ミリ秒である。すなわち、データ電圧の極性が切り替わる周期は2.78ミリ秒より短い。したがって、液晶パネル100によれば、データ電圧の極性が切り替わる周期が2.78ミリ秒を超える場合と比較して、不純物イオンによる透過率への影響が低減された駆動を行うことができる。なお、極性反転の周期すなわちサブフィールドの時間長は、20.0マイクロ秒以上であることが望ましい。これは、サブフィールドの時間長が20.0マイクロ秒未満になると、この速度では液晶分子がほとんど応答できなくなるためである。   FIG. 9 is a diagram illustrating the configuration of subfields. In this example, one frame is composed of 20 subfields SF1 to SF20. The time length (width) is uniform at ts for all subfields. For example, when one frame is 16.7 milliseconds (when the vertical synchronization frequency is 60 Hz), ts = 0.833 milliseconds. That is, the cycle in which the polarity of the data voltage switches is shorter than 2.78 milliseconds. Therefore, according to the liquid crystal panel 100, it is possible to perform driving in which the influence of the impurity ions on the transmittance is reduced as compared with the case where the cycle of switching the polarity of the data voltage exceeds 2.78 milliseconds. The polarity inversion period, that is, the subfield time length is preferably 20.0 microseconds or more. This is because when the time length of the subfield is less than 20.0 microseconds, the liquid crystal molecules hardly respond at this speed.

3.他の実施形態
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以下、変形例をいくつか説明する。以下の変形例のうち2つ以上のものが組み合わせて用いられてもよい。
3. Other Embodiments The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. Hereinafter, some modifications will be described. Two or more of the following modifications may be used in combination.

3−1.変形例1
図10は、変形例1に係るサブフィールドの構成を例示する図である。複数のサブフィールドの時間長は均一でなくてもよい。変形例1においては、サブフィールドの時間長は、t1、t2、t3、およびt4の4種類(t1<t2<t3<t4)のいずれかである。1フレームは、複数(この例では5つ)のブロックに分割されている。1ブロックは、複数(この例では4つ)のサブフィールドに分割されている。1ブロック内の4つのサブフィールドの時間長は、t1、t2、t3、およびt4である。この例で、サブフィールドの時間長は、20.0マイクロ秒≦t1<t2<t3<t4≦2.78ミリ秒である。時間長t4の一番長いサブフィールドにおいても、不純物イオンによる透過率への影響が低減された駆動を行うことができる。
3-1. Modification 1
FIG. 10 is a diagram illustrating the configuration of subfields according to the first modification. The time length of the plurality of subfields may not be uniform. In the first modification, the time length of the subfield is one of four types (t 1 <t 2 <t 3 <t 4 ), t1, t2, t3, and t4. One frame is divided into a plurality of (in this example, five) blocks. One block is divided into a plurality (four in this example) of subfields. The time lengths of the four subfields in one block are t 1 , t 2 , t 3 , and t 4 . In this example, the time length of the subfield is 20.0 microseconds ≦ t 1 <t 2 <t 3 <t 4 ≦ 2.78 milliseconds. Even in the subfield having the longest time length t 4 , it is possible to perform driving in which the influence of the impurity ions on the transmittance is reduced.

3−2.変形例2
図10の例において、時間長tiのサブフィールドにおいて印加されるデータ電圧の極性と、時間長ti-1のサブフィールドおよび時間長ti+1のサブフィールドにおいて印加されるデータ電圧の極性とは逆である。このような構成により、時間長tiのサブフィールドにおいて印加されるデータ電圧の極性と、時間長ti-1のサブフィールドおよび時間長ti+1のサブフィールドにおいて印加されるデータ電圧の極性とが同じである構成と比較して、データ電圧の極性差(正極性の電圧が印加された時間と負極性の電圧が印加された時間との差)を小さくすることができる。例えば図10において、SF1〜SF5をオンにする例を考える。このとき、極性差Δtは、Δt=t1−t2+t3−t4+t1である。
仮に、時間長ti-1のサブフィールドおよび時間長ti+1のサブフィールドにおいて印加されるデータ電圧の極性とが同じである例を考えると、極性差Δtcは、Δtc=t1+t2+t3+t4−t1となる。図10の構成により、極性差を低減できていることがわかる。
しかし、時間長ti-1のサブフィールドおよび時間長ti+1のサブフィールドにおいて印加されるデータ電圧の極性とが同じであってもよい。
3-2. Modification 2
In the example of FIG. 10, the polarity of the data voltage applied in the subfield of time length t i and the polarity of the data voltage applied in the subfield of time length t i−1 and the subfield of time length t i + 1. The opposite is true. With this configuration, the polarity of the data voltage applied in the subfield of time length t i and the polarity of the data voltage applied in the subfield of time length t i−1 and the subfield of time length t i + 1. As compared with the configuration in which the same is applied, the polarity difference of the data voltage (the difference between the time when the positive voltage is applied and the time when the negative voltage is applied) can be reduced. For example, consider an example in which SF1 to SF5 are turned on in FIG. At this time, the polarity difference Δt is Δt = t 1 −t 2 + t 3 −t 4 + t 1 .
Considering an example in which the polarity of the data voltage applied in the subfield of time length t i-1 and the subfield of time length t i + 1 is the same, the polarity difference Δtc is Δtc = t 1 + t 2 + T 3 + t 4 −t 1 . It can be seen that the polarity difference can be reduced by the configuration of FIG.
However, the polarity of the data voltage applied in the subfield of time length t i-1 and the subfield of time length t i + 1 may be the same.

3−3.変形例3
図10の例において、1ブロックは、時間長が異なるk個(k=4)のサブフィールドにより構成される。1フレーム中のサブフィールドの総数をSFtotalと表すと(SFtotal=20)、変形例3において、サブフィールドの総数SFtotalとサブフィールドの種類の数kは、次式(1)の関係を満たす。

Figure 2016148868
ここで、Δtfは、1ブロック内における極性差の代表値であり、次式(2)で表される。
Figure 2016148868
Δtfは、1ブロック内のすべてのサブフィールドがオンである場合の極性差に相当する。式(1)の条件を採用することにより、1ブロック内のすべてのサブフィールドがオンである場合も、不純物イオンの影響を低減することができる。 3-3. Modification 3
In the example of FIG. 10, one block is composed of k (k = 4) subfields having different time lengths. The total number of subfields in one frame is represented as SF total (SF total = 20) , in the modified example 3, the number k of types of total SF total subfield of subfields, the following relationship (1) Fulfill.
Figure 2016148868
Here, Δtf is a representative value of the polarity difference in one block, and is expressed by the following equation (2).
Figure 2016148868
Δtf corresponds to a polarity difference when all subfields in one block are on. By adopting the condition of Expression (1), the influence of impurity ions can be reduced even when all subfields in one block are on.

3−4.変形例4
変形例4において、時間長tiとti+2との和、すなわち、隣接する2つの同極性のサブフィールドの時間長の和は、2.78ミリ秒以下である。中間階調を表現するために、あるサブフィールドと隣接するサブフィールドだけでなく、2つ隣のサブフィールドをオンにする場合がある。例えば、図10の例で、SF1〜SF5、およびSF7をオンにする場合を考える。第2番目のブロックにおいてSF5およびSF7は同極性であり、逆極性のSF6がオフであるので、極性差はt1とt3との和に依存している。したがって、ti+ti+2≦2.78ミリ秒という条件を採用することにより、不純物イオンの影響を低減することができる。なお、液晶分子の応答速度を考慮すると、ti+ti+2の下限値は40.0マイクロ秒(1サブフィールドにつき20.0マイクロ秒)である。すなわち、40.0マイクロ秒≦ti+ti+2≦2.78ミリ秒である。
3-4. Modification 4
In the fourth modification, the sum of the time lengths t i and t i + 2 , that is, the sum of the time lengths of two adjacent subfields having the same polarity is 2.78 milliseconds or less. In order to express halftone, not only a subfield adjacent to a certain subfield but also two adjacent subfields may be turned on. For example, consider the case of turning on SF1 to SF5 and SF7 in the example of FIG. In the second block, SF5 and SF7 are of the same polarity and SF6 of opposite polarity is off, so the polarity difference depends on the sum of t 1 and t 3 . Therefore, the influence of impurity ions can be reduced by adopting the condition of t i + t i + 2 ≦ 2.78 milliseconds. In consideration of the response speed of the liquid crystal molecules, the lower limit of t i + t i + 2 is 40.0 microseconds (20.0 microseconds per subfield). That is, 40.0 microseconds ≦ t i + t i + 2 ≦ 2.78 milliseconds.

3−5.変形例5
図11は、変形例5を説明する図である。変形例5において、液晶パネル100は、ある階調を表現するSFコードが複数存在する場合には、極性差が2.78ミリ秒以下になるSFコードが用いられる。「SFコード」とは、オンにするサブフィールドの組み合わせをいう。例えば、ある階調を表現するのに、図11(A)〜(C)の3つのSFコードが存在する場合、データ線駆動回路140は、これらのうち、極性差が2.78ミリ秒以下になるSFコードに従ったデータ電圧をデータ線104に出力する。別の例で、データ線駆動回路140は、これらのうち、極性差が最小になるSFコードに従ったデータ電圧をデータ線104に出力してもよい。
3-5. Modification 5
FIG. 11 is a diagram for explaining the fifth modification. In the fifth modification, when there are a plurality of SF codes that express a certain gradation, the liquid crystal panel 100 uses an SF code having a polarity difference of 2.78 milliseconds or less. “SF code” refers to a combination of subfields to be turned on. For example, when the three SF codes of FIGS. 11A to 11C exist to express a certain gradation, the data line driving circuit 140 has a polarity difference of 2.78 milliseconds or less. The data voltage according to the SF code is output to the data line 104. In another example, the data line driving circuit 140 may output a data voltage to the data line 104 according to the SF code that minimizes the polarity difference.

3−6.変形例6
図12は、変形例6を説明する図である。実施形態においては、1フレーム内のサブフィールドの極性またはSFコードの構成について説明した。上記の内容に加えて、変形例6では、1フレーム毎にデータ電圧の極性を反転させるいわゆるフレーム反転駆動が用いられる。図12においては、第1フレームと、それに続く第2フレームにおけるサブフィールドの極性が示されている。例えば、複数フレームに渡って同じ画像を表示し続ける場合を考えると、あるフレームで発生した極性差を、その次のフレームでキャンセルすることができる。
3-6. Modification 6
FIG. 12 is a diagram illustrating the sixth modification. In the embodiment, the polarity of the subfield in one frame or the configuration of the SF code has been described. In addition to the above contents, the sixth modification uses so-called frame inversion driving in which the polarity of the data voltage is inverted every frame. In FIG. 12, the polarities of the subfields in the first frame and the subsequent second frame are shown. For example, considering the case where the same image is continuously displayed over a plurality of frames, the polarity difference generated in one frame can be canceled in the next frame.

3−7.変形例7
サブフィールドの時間長の上限値は2.78ミリ秒に限定されない。要は、不純物イオンが追従できない程度の速さでデータ電圧の極性を切り替えられればよい。すなわちこの上限値は、不純物イオンの移動度、温度、液晶層の粘度等の条件に応じて変更されてもよい。サブフィールドの時間長の上限値は1ミリ秒以下であることがより好ましい。
また、液晶層105は、透過型に限られず、反射型であってもよい。また、液晶層105は、ノーマリーブラックモードに限られず、例えばTN方式として、電圧無印加時において液晶層120が白状態となるノーマリーホワイトモードであってもよい。さらに、液晶以外の電気光学素子が用いられてもよい。
また、画素回路は図4に例示したものに限定されない。液晶層105に対し所望の電圧を印加できるものであれば、どのような構成の回路が用いられてもよい。
また、電子機器1は、リア型プロジェクターに限定されない。電子機器1は、プロジェクター、パーソナルコンピューター、PDA(Personal Digital Assistant)、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、または携帯ゲーム機であってもよい。
3-7. Modification 7
The upper limit value of the time length of the subfield is not limited to 2.78 milliseconds. In short, it is only necessary to switch the polarity of the data voltage at such a speed that impurity ions cannot follow. That is, the upper limit value may be changed according to conditions such as impurity ion mobility, temperature, and liquid crystal layer viscosity. The upper limit value of the time length of the subfield is more preferably 1 millisecond or less.
Further, the liquid crystal layer 105 is not limited to a transmissive type, and may be a reflective type. The liquid crystal layer 105 is not limited to the normally black mode, and may be a normally white mode in which the liquid crystal layer 120 is in a white state when no voltage is applied, for example, as a TN mode. Further, an electro-optical element other than liquid crystal may be used.
The pixel circuit is not limited to that illustrated in FIG. As long as a desired voltage can be applied to the liquid crystal layer 105, a circuit having any configuration may be used.
The electronic device 1 is not limited to a rear projector. The electronic device 1 may be a projector, a personal computer, a PDA (Personal Digital Assistant), a mobile phone, a smartphone, a tablet terminal, or a portable game machine.

1…電子機器、11…光源、12…光学系、13…反射鏡、14…反射鏡、15…スクリーン、90…シール材、100…液晶パネル、101…素子基板、102…対向基板、103…走査線、104…データ線、105…液晶層、107…コネクター、108…対向電極、110…画素、111…トランジスター、112…容量素子、118…画素電極、120…タイミング制御回路、130…走査線駆動回路、140…データ線駆動回路、150…表示領域。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic device, 11 ... Light source, 12 ... Optical system, 13 ... Reflecting mirror, 14 ... Reflecting mirror, 15 ... Screen, 90 ... Sealing material, 100 ... Liquid crystal panel, 101 ... Element substrate, 102 ... Opposite substrate, 103 ... Scanning line, 104 ... data line, 105 ... liquid crystal layer, 107 ... connector, 108 ... counter electrode, 110 ... pixel, 111 ... transistor, 112 ... capacitive element, 118 ... pixel electrode, 120 ... timing control circuit, 130 ... scanning line Drive circuit, 140... Data line drive circuit, 150... Display area.

Claims (6)

複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対向する対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極とに挟まれた電気光学層とを有する電気光学装置の駆動方法であって、
1フレーム期間を分割した複数のサブフィールド期間の各々について、前記複数の画素電極の各々と前記対向電極との間に第1階調値および第2階調値のいずれかに対応する電圧を印加するステップ
を有し、
前記複数のサブフィールド期間のすべてについて、サブフィールド期間の時間長が2.78ミリ秒以下である
ことを特徴とする駆動方法。
A driving method for an electro-optical device, comprising: a plurality of pixel electrodes; a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes; and an electro-optical layer sandwiched between the plurality of pixel electrodes and the counter electrode.
For each of a plurality of subfield periods obtained by dividing one frame period, a voltage corresponding to either the first gradation value or the second gradation value is applied between each of the plurality of pixel electrodes and the counter electrode. The step of
The driving method, wherein a time length of the subfield period is 2.78 milliseconds or less for all of the plurality of subfield periods.
前記複数のサブフィールド期間の時間長が、異なるk個の時間長tiのいずれかであり(iは、1≦i≦kである整数)、
前記k個の時間長tiは、1≦i≦k−1の範囲においてti<ti+1であり、
時間長tiのサブフィールド期間において、時間長ti+1のサブフィールド期間とは逆の極性の電圧が前記電気光学層に印加される
ことを特徴とする請求項1に記載の駆動方法。
A time length of the plurality of subfield periods is any one of k different time lengths t i (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ k);
The k time lengths t i satisfy t i <t i + 1 in the range of 1 ≦ i ≦ k−1.
In the subfield period duration t i, The method according to claim 1, characterized in that the opposite polarity voltage is applied to said electro-optic layer and the length of time t i + 1 of the subfield period.
前記複数のサブフィールド期間の時間長が、異なるk個の時間長tiのいずれかであり(iは、1≦i≦kである整数)、
前記k個の時間長tiは、1≦i≦k−2の範囲において40マイクロ秒≦(ti+ti+2)≦2.78ミリ秒である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の駆動方法。
A time length of the plurality of subfield periods is any one of k different time lengths t i (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ k);
3. The k time lengths ti are 40 microseconds ≦ (t i + t i + 2 ) ≦ 2.78 milliseconds in the range of 1 ≦ i ≦ k−2. The driving method described.
1フレーム期間において、前記電気光学層に正極性の電圧が印加されるサブフィールド期間の時間長の総和と、前記電気光学層に負極性の電圧が印加されるサブフィールド期間の時間長の総和との差が2.78ミリ秒以下である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の駆動方法。
In one frame period, a sum of time lengths of subfield periods in which a positive voltage is applied to the electro-optic layer, and a sum of time lengths of subfield periods in which a negative voltage is applied to the electro-optic layer, The driving method according to claim 1, wherein the difference is less than or equal to 2.78 milliseconds.
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に対向する対向電極と、
前記複数の画素電極と前記対向電極とに挟まれた電気光学層と、
1フレーム期間を分割した複数のサブフィールド期間の各々について、前記複数の画素電極の各々と前記対向電極との間に第1階調値および第2階調値のいずれかに対応する電圧を印加するための信号を出力するデータ線駆動回路と
を有し、
前記複数のサブフィールド期間のすべてについて、サブフィールド期間の時間長が2.78ミリ秒以下である
ことを特徴とする電気光学装置。
A plurality of pixel electrodes;
A counter electrode facing the plurality of pixel electrodes;
An electro-optic layer sandwiched between the plurality of pixel electrodes and the counter electrode;
For each of a plurality of subfield periods obtained by dividing one frame period, a voltage corresponding to either the first gradation value or the second gradation value is applied between each of the plurality of pixel electrodes and the counter electrode. And a data line driving circuit for outputting a signal for
The electro-optical device, wherein a time length of the subfield period is 2.78 milliseconds or less for all of the plurality of subfield periods.
請求項5に記載の電気光学装置を有する電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 5.
JP2016085632A 2016-04-21 2016-04-21 Electro-optical device driving method, electro-optical device, and electronic apparatus Active JP6210126B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016085632A JP6210126B2 (en) 2016-04-21 2016-04-21 Electro-optical device driving method, electro-optical device, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016085632A JP6210126B2 (en) 2016-04-21 2016-04-21 Electro-optical device driving method, electro-optical device, and electronic apparatus

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011088425A Division JP5927772B2 (en) 2011-04-12 2011-04-12 Electro-optical device driving method, electro-optical device, and electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016148868A true JP2016148868A (en) 2016-08-18
JP6210126B2 JP6210126B2 (en) 2017-10-11

Family

ID=56687908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016085632A Active JP6210126B2 (en) 2016-04-21 2016-04-21 Electro-optical device driving method, electro-optical device, and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6210126B2 (en)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002169517A (en) * 2000-12-04 2002-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for driving active matrix type liquid crystal display
US20070132792A1 (en) * 2005-12-09 2007-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving thereof
US20070171241A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device
JP2007219505A (en) * 2006-01-20 2007-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its driving method
JP2008122840A (en) * 2006-11-15 2008-05-29 Victor Co Of Japan Ltd Method for driving image display device
JP2009075500A (en) * 2007-09-25 2009-04-09 Seiko Epson Corp Liquid crystal device and electronic apparatus
US20100207966A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Seiko Epson Corporation Driving method for liquid crystal display apparatus, liquid crystal display apparatus, and electronic device
WO2010137216A1 (en) * 2009-05-25 2010-12-02 セイコーエプソン株式会社 Method for driving electro-optical device, electro-optical device, and electronic device

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002169517A (en) * 2000-12-04 2002-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for driving active matrix type liquid crystal display
US20070132792A1 (en) * 2005-12-09 2007-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving thereof
JP2007163580A (en) * 2005-12-09 2007-06-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display apparatus
US20070171241A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device
JP2007219505A (en) * 2006-01-20 2007-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its driving method
JP2008122840A (en) * 2006-11-15 2008-05-29 Victor Co Of Japan Ltd Method for driving image display device
JP2009075500A (en) * 2007-09-25 2009-04-09 Seiko Epson Corp Liquid crystal device and electronic apparatus
US20100207966A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Seiko Epson Corporation Driving method for liquid crystal display apparatus, liquid crystal display apparatus, and electronic device
JP2010191038A (en) * 2009-02-17 2010-09-02 Seiko Epson Corp Driving method for liquid crystal display, the liquid crystal display, and electronic device
WO2010137216A1 (en) * 2009-05-25 2010-12-02 セイコーエプソン株式会社 Method for driving electro-optical device, electro-optical device, and electronic device
JP2010271611A (en) * 2009-05-25 2010-12-02 Seiko Epson Corp Driving method of electrooptical device, electrooptical device, and electronic equipment
US20120062535A1 (en) * 2009-05-25 2012-03-15 Seiko Epson Corporation Driving method of electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP6210126B2 (en) 2017-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101471195B1 (en) Method of driving electro-optical element, pixel circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
JP3918536B2 (en) Electro-optical device driving method, driving circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
US8791879B2 (en) Apparatus and method for driving display optical device
JP4254820B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
KR100759697B1 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
JP4020158B2 (en) Electro-optical device, drive circuit, and electronic apparatus
KR20110092993A (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
JP4245550B2 (en) Liquid crystal display with improved video quality and driving method thereof
US10685612B2 (en) Liquid crystal display device and liquid crystal display method
US20060125813A1 (en) Active matrix liquid crystal display with black-inserting circuit
JP2008242383A (en) Electrophoretic display device, driving method of electrophoretic display device, and electronic apparatus
US20070146291A1 (en) Active matrix liquid crystal display and driving method
JP2010217252A (en) Electrooptical device, electronic equipment and driving method for electrooptical device
JP2009210607A (en) Liquid crystal display device
JP4306759B2 (en) Image display device, display panel, and driving method of image display device
JP5927772B2 (en) Electro-optical device driving method, electro-optical device, and electronic apparatus
WO2010137216A1 (en) Method for driving electro-optical device, electro-optical device, and electronic device
JP6210126B2 (en) Electro-optical device driving method, electro-optical device, and electronic apparatus
KR20110076086A (en) Liquid crystal on silicon display
JP2009222777A (en) Display device, electronic device and system
JP2005250034A (en) Electrooptical device, driving method of electrooptical device and electronic appliance
JP2010044295A (en) Electrooptical apparatus, its driving method, and electronic device
JP4023517B2 (en) Electro-optical device, drive circuit, and electronic apparatus
JP2008165135A (en) Electrooptical device and its driving method, and electronic equipment
JP2008158385A (en) Electrooptical device and its driving method, and electronic equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170228

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170327

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170815

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170828

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6210126

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150