JP2016147772A - Single crystal manufacturing apparatus - Google Patents

Single crystal manufacturing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2016147772A
JP2016147772A JP2015024661A JP2015024661A JP2016147772A JP 2016147772 A JP2016147772 A JP 2016147772A JP 2015024661 A JP2015024661 A JP 2015024661A JP 2015024661 A JP2015024661 A JP 2015024661A JP 2016147772 A JP2016147772 A JP 2016147772A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cooling water
rotating shaft
crucible
single crystal
manufacturing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015024661A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6350323B2 (en
Inventor
信平 阿部
Shinpei Abe
信平 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP2015024661A priority Critical patent/JP6350323B2/en
Publication of JP2016147772A publication Critical patent/JP2016147772A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6350323B2 publication Critical patent/JP6350323B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a single crystal manufacturing apparatus capable of preventing a rotary shaft, a support member, etc., from being overheated and also manufacturing a single crystal of high quality safely while avoiding being larger in size.SOLUTION: The present invention relates to a single crystal manufacturing apparatus which comprises a crucible and a seed crystal in a chamber. The single crystal manufacturing apparatus has a rotary shaft coupled to at least one of the crucible and seed crystal, and also has a support member installed at an outer periphery of the rotary shaft through a bearing, both of the rotary shaft and support member having a cooling water passage.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、単結晶製造装置、特に、溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置に関する。   The present invention relates to a single crystal manufacturing apparatus, and more particularly to an SiC single crystal manufacturing apparatus using a solution method.

単結晶を製造する方法として、チャンバ内に設置された坩堝内の原料溶液に、種結晶を浸漬させて引き上げる方法がある。   As a method for producing a single crystal, there is a method in which a seed crystal is immersed in a raw material solution in a crucible installed in a chamber and pulled up.

ＳｉＣ（シリコンカーバイド）単結晶の製造方法として、溶液法がある。溶液法においては、チャンバー内に設けられた黒鉛坩堝に原料Ｓｉ（シリコン）を装入し、加熱コイルで原料を溶融し、Ｓｉ溶液とする。このＳｉ溶液に黒鉛坩堝からＣを溶解させてＳｉ−Ｃ溶液とし、このＳｉ−Ｃ溶液に種結晶を浸漬して引き上げ、単結晶を製造する。その際、種結晶と坩堝の少なくとも一方を回転する。   There is a solution method as a method for producing a SiC (silicon carbide) single crystal. In the solution method, raw material Si (silicon) is charged into a graphite crucible provided in a chamber, and the raw material is melted with a heating coil to obtain an Si solution. C is dissolved in this Si solution from a graphite crucible to obtain a Si-C solution, and a seed crystal is immersed in this Si-C solution and pulled up to produce a single crystal. At that time, at least one of the seed crystal and the crucible is rotated.

特許文献１には、チョクラルスキー法により、チャンバ内で坩堝を回転しつつ、Ｓｉ単結晶を製造する装置及び方法が開示されている。特許文献１に開示される装置及び方法においては、坩堝に連結された回転軸に放熱用フィンが設置され、その放熱フィンに冷却ガスが吹き付けられる。   Patent Document 1 discloses an apparatus and a method for producing a Si single crystal while rotating a crucible in a chamber by the Czochralski method. In the apparatus and method disclosed in Patent Document 1, a heat radiating fin is installed on a rotating shaft connected to a crucible, and cooling gas is blown onto the heat radiating fin.

特開平８−９１９８１号公報JP-A-8-91981

回転軸には熱に弱いベアリング等が設置されている。Ｓｉ単結晶を製造する場合は、シリコンカーバイドと比べて融点が低いため、ベアリング等が受ける熱の量は、それほど多くない。したがって、回転軸に設置された放熱フィンが、冷却ガスによって冷却される程度で足りる場合も多い。   The rotating shaft is installed with bearings that are sensitive to heat. When manufacturing Si single crystal, since the melting point is lower than that of silicon carbide, the amount of heat received by the bearing or the like is not so much. Therefore, in many cases, it is sufficient that the radiating fins installed on the rotating shaft are cooled by the cooling gas.

また、回転軸に放熱フィンが設置されると、チャンバサイズが大きくなり、ひいては、単結晶製造装置が大型化する。   In addition, if the radiating fins are installed on the rotating shaft, the chamber size increases, and as a result, the single crystal manufacturing apparatus increases in size.

一方、ＳｉＣ単結晶を製造する場合には、Ｓｉ溶液内に黒鉛坩堝のＣを溶解させたＳｉ−Ｃとするため、Ｓｉ溶液の温度を非常に高くする必要があり、ベアリング等が受ける熱の量は非常に多い。したがって、回転軸が冷却ガスによって冷却される程度では、冷却能力が不足する。特に、単結晶製造装置を小型化すると、ベアリング等が加熱コイルや原料溶液の熱源に近づき、冷却不足が深刻となる。   On the other hand, when producing a SiC single crystal, the temperature of the Si solution needs to be very high in order to obtain Si-C in which C of the graphite crucible is dissolved in the Si solution. The amount is very large. Therefore, the cooling capacity is insufficient to the extent that the rotating shaft is cooled by the cooling gas. In particular, when the single crystal manufacturing apparatus is downsized, the bearings and the like become closer to the heating coil and the heat source of the raw material solution, and insufficient cooling becomes serious.

本発明は、上記課題を解決する単結晶製造装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the single crystal manufacturing apparatus which solves the said subject.

本発明の要旨は、次のとおりである。
〈１〉チャンバの内部に、坩堝と種結晶を備える単結晶製造装置であって、前記坩堝と前記種結晶の少なくとも一方に、回転軸が連結されており、前記回転軸の外周に、ベアリングを介して支持部材が設置されており、前記回転軸及び前記支持部材のいずれも、冷却水流路を有している、単結晶製造装置。 The gist of the present invention is as follows.
<1> A single crystal manufacturing apparatus including a crucible and a seed crystal inside a chamber, wherein a rotation shaft is connected to at least one of the crucible and the seed crystal, and a bearing is provided on an outer periphery of the rotation shaft. A single crystal manufacturing apparatus in which a support member is installed, and each of the rotating shaft and the support member has a cooling water flow path.

本発明によれば、ベアリング等が内径側と外径側の両方から充分に冷却されるため、回転軸を短くしてベアリング等が熱源に近くなっても、冷却能力が不足することがなく、単結晶製造装置を小型化することができる。   According to the present invention, since the bearings and the like are sufficiently cooled from both the inner diameter side and the outer diameter side, even if the rotation shaft is shortened and the bearings are close to the heat source, the cooling capacity is not insufficient. The single crystal manufacturing apparatus can be reduced in size.

本発明に係る単結晶製造装置の実施形態の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of embodiment of the single crystal manufacturing apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る単結晶製造装置の別の実施形態の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of another embodiment of the single crystal manufacturing apparatus based on this invention.

以下、本発明に係る単結晶製造装置の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明を限定するものではない。例えば、上述したように、本発明は、坩堝内の溶液の温度が非常に高温となるＳｉＣ単結晶の製造装置として用いて特に好適であるが、坩堝内の溶液の温度がそれほど高温とならないＳｉ単結晶の製造装置として用いても当然よい。   Hereinafter, embodiments of a single crystal manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, embodiment shown below does not limit this invention. For example, as described above, the present invention is particularly suitable for use as an apparatus for producing an SiC single crystal in which the temperature of the solution in the crucible becomes extremely high, but Si in which the temperature of the solution in the crucible does not become so high. Of course, it may be used as a single crystal manufacturing apparatus.

図１は、本発明に係る単結晶製造装置の実施形態の概略を示す図である。   FIG. 1 is a diagram showing an outline of an embodiment of a single crystal manufacturing apparatus according to the present invention.

（本発明の単結晶製造装置の全体構造）
本発明の単結晶製造装置１００は、坩堝１と、種結晶２と、加熱コイル３が、チャンバ４の内部に格納されている。 (Overall structure of single crystal production apparatus of the present invention)
In the single crystal manufacturing apparatus 100 of the present invention, a crucible 1, a seed crystal 2, and a heating coil 3 are stored in a chamber 4.

チャンバ４には、真空ポンプ５が連結される。また、チャンバ４には真空計６が連結される。チャンバ４の内部は、微少な酸素も混入しないよう、真空ポンプ５で排気した後、不活性ガス供給源（図示せず）から、ヘリウム等の不活性ガスを導入し、チャンバ４の内部を正圧とする。この状態で、加熱コイル３により原料を加熱、溶融して、原料溶液７とする。この原料溶液７に種結晶２を浸漬し、引き上げ機構（図示せず）により種結晶２を引き上げる。   A vacuum pump 5 is connected to the chamber 4. A vacuum gauge 6 is connected to the chamber 4. The inside of the chamber 4 is evacuated by a vacuum pump 5 so that a minute amount of oxygen is not mixed, and then an inert gas such as helium is introduced from an inert gas supply source (not shown) to correct the inside of the chamber 4. Pressure. In this state, the raw material is heated and melted by the heating coil 3 to obtain a raw material solution 7. The seed crystal 2 is immersed in the raw material solution 7, and the seed crystal 2 is pulled up by a pulling mechanism (not shown).

種結晶２は、種結晶回転軸１０と連結され、坩堝１は、坩堝回転軸５０と連結される。   The seed crystal 2 is connected to the seed crystal rotation shaft 10, and the crucible 1 is connected to the crucible rotation shaft 50.

種結晶回転軸１０には、種結晶回転軸１０を回転させる機構（図示せず）が連結される。坩堝回転軸５０には、坩堝回転軸５０を回転させる機構（図示せず）が連結される。   A mechanism (not shown) for rotating the seed crystal rotation shaft 10 is connected to the seed crystal rotation shaft 10. A mechanism (not shown) for rotating the crucible rotating shaft 50 is connected to the crucible rotating shaft 50.

種結晶回転軸１０の外周には、ベアリング２１ａ、２１ｂを介して支持部材２０が設置される。坩堝回転軸５０の外周には、ベアリング６１ａ、６１ｂを介して支持部材６０が設置される。   A support member 20 is installed on the outer periphery of the seed crystal rotating shaft 10 via bearings 21a and 21b. A support member 60 is installed on the outer periphery of the crucible rotating shaft 50 via bearings 61a and 61b.

（種結晶回転軸の冷却）
種結晶回転軸１０は、回転軸アウタ１１ａと回転軸インナ１１ｂを備えた二重構造である。回転軸アウタ１１ａには軸方向に溝が設けられ、その溝と回転軸インナ１１ｂとで、冷却水流路１２が形成される。冷却水流路１２の両端は、回転軸１０を構成する回転軸アウタ１１ａの外周に開口部１３ａ、１３ｂを有する。 (Cooling of seed crystal rotation shaft)
The seed crystal rotating shaft 10 has a double structure including a rotating shaft outer 11a and a rotating shaft inner 11b. The rotating shaft outer 11a is provided with a groove in the axial direction, and the cooling water channel 12 is formed by the groove and the rotating shaft inner 11b. Both ends of the cooling water flow path 12 have openings 13 a and 13 b on the outer periphery of the rotating shaft outer 11 a constituting the rotating shaft 10.

種結晶回転軸１０の坩堝１と反対側の端部１４は、チャンバ４の外部へ突出する。この端部１４に、３本の環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃが挿通される。環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃを介して、種結晶回転軸１０を構成する回転軸アウタ１１ａの外周に、シールハウジング１６が設置される。シールハウジング１６の内周は円筒状であり、シールハウジング１６の内周が、環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃの外周と接する。   An end portion 14 of the seed crystal rotation shaft 10 opposite to the crucible 1 protrudes outside the chamber 4. Three annular packings 15a, 15b, and 15c are inserted through the end portion 14. A seal housing 16 is installed on the outer periphery of the rotating shaft outer 11a constituting the seed crystal rotating shaft 10 via the annular packings 15a, 15b, 15c. The inner periphery of the seal housing 16 is cylindrical, and the inner periphery of the seal housing 16 is in contact with the outer periphery of the annular packings 15a, 15b, 15c.

３本の環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃのうち、環状パッキン１５ａと環状パッキン１５ｂは、隣り合う２本の環状パッキンである。環状パッキン１５ｂと環状パッキン１５ｃも同様である。   Of the three annular packings 15a, 15b and 15c, the annular packing 15a and the annular packing 15b are two adjacent annular packings. The same applies to the annular packing 15b and the annular packing 15c.

回転軸アウタ１１ａの外周と、環状パッキン１５ａと、シールハウジング１６の内周と、環状パッキン１５ｂとで冷却水供給室１７ａを形成する。この冷却水供給室１７ａに、冷却水流路１２の一端の開口部１３ａが連通する。シールハウジング１６に、冷却水導入口１８ａが設置され、この冷却水導入口１８ａは、冷却水供給室１７ａに連通する。   A cooling water supply chamber 17a is formed by the outer periphery of the rotating shaft outer 11a, the annular packing 15a, the inner periphery of the seal housing 16, and the annular packing 15b. An opening 13a at one end of the cooling water flow path 12 communicates with the cooling water supply chamber 17a. A cooling water inlet 18a is installed in the seal housing 16, and the cooling water inlet 18a communicates with the cooling water supply chamber 17a.

回転軸アウタ１１ａの外周と、環状パッキン１５ｂと、シールハウジング１６の内周と、環状パッキン１５ｃとで冷却排出室１７ｂを形成する。この冷却水排出室１７ｂに、冷却水流路１２の他端の開口部１３ｂが連通する。シールハウジング１６に、冷却水排出口１８ｂが設置され、この冷却水排出口１８ｂは、冷却水排出室１７ｂに連通する。   The outer periphery of the rotating shaft outer 11a, the annular packing 15b, the inner periphery of the seal housing 16, and the annular packing 15c form a cooling discharge chamber 17b. The cooling water discharge chamber 17b communicates with the opening 13b at the other end of the cooling water flow path 12. A cooling water discharge port 18b is installed in the seal housing 16, and the cooling water discharge port 18b communicates with the cooling water discharge chamber 17b.

このようにして形成された、冷却水供給室１７ａと冷却水排出室１７ｂにより、回転中の種結晶回転軸１０に冷却水を給排水することができる。   With the cooling water supply chamber 17a and the cooling water discharge chamber 17b thus formed, the cooling water can be supplied to and discharged from the rotating seed crystal rotating shaft 10.

冷却水導入口１８ａから導入された冷却水は、冷却水流路１２を経て、ベアリング２１ａ、２１ｂをそれらの内周側から冷却し、冷却水排出口１８ｂから排出される。   The cooling water introduced from the cooling water inlet 18a passes through the cooling water passage 12, cools the bearings 21a and 21b from the inner peripheral side thereof, and is discharged from the cooling water outlet 18b.

回転軸アウタ１１ａと、３本の環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃを介して設置されるシールハウジング１６とで、回転シール１９を構成する。回転シール１９は、種結晶回転軸１０の軸方向に貫通孔Ｈを有している。この貫通孔Ｈに種結晶回転軸１０が挿通されることにより、種結晶回転軸１０を回転させることができる。   A rotary seal 19 is constituted by the rotary shaft outer 11a and the seal housing 16 installed via the three annular packings 15a, 15b, 15c. The rotary seal 19 has a through hole H in the axial direction of the seed crystal rotary shaft 10. By inserting the seed crystal rotating shaft 10 into the through hole H, the seed crystal rotating shaft 10 can be rotated.

冷却水供給室１７ａと冷却水排出室１７ｂの内部にある冷却水は、３本の環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃによって封止されている。また、３本の環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、回転中の種結晶回転軸１０を構成する回転軸アウタ１１ａと摩擦されている。したがって、回転シール１９の冷却水漏れに対する信頼性は、高いとはいえない。   The cooling water inside the cooling water supply chamber 17a and the cooling water discharge chamber 17b is sealed by three annular packings 15a, 15b and 15c. Further, the three annular packings 15a, 15b, and 15c are rubbed with the rotating shaft outer 11a constituting the rotating seed crystal rotating shaft 10. Therefore, it cannot be said that the reliability with respect to the cooling water leakage of the rotary seal 19 is high.

しかし、万が一、環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃが破損し、回転シール１９から水漏れが発生しても、回転シール１９はチャンバ４の外部に設置されているため、目視によって、すぐに水漏れを発見することができる。   However, even if the annular packings 15a, 15b, and 15c are broken and water leaks from the rotary seal 19, the rotary seal 19 is installed outside the chamber 4, so that the water leak is immediately observed visually. Can be found.

（種結晶回転軸を支持する部材の冷却）
支持部材２０は、ハウジングアウタ２２ａとハウジングインナ２２ｂを備えた二重構造である。ハウジングインナ２２ｂの外周には螺旋状の溝が設けられ、その溝とハウジングアウタ２２ａとで冷却水流路２３が形成される。 (Cooling of the member that supports the seed crystal rotation shaft)
The support member 20 has a double structure including a housing outer 22a and a housing inner 22b. A spiral groove is provided on the outer periphery of the housing inner 22b, and a cooling water flow path 23 is formed by the groove and the housing outer 22a.

ハウジングインナ２２ｂの外周には、円周状の溝が設けられ、Ｏリング２５ａ、２５ｂが格納される。このＯリング２５ａ、２５ｂは、ハウジングアウタ２２ａとハウジングインナ２２ｂとを結合させることにより、適度に変形し、冷却水流路２３からの冷却水の漏れを防止する。   A circumferential groove is provided on the outer periphery of the housing inner 22b to store the O-rings 25a and 25b. The O-rings 25a and 25b are appropriately deformed by connecting the housing outer 22a and the housing inner 22b, and prevent leakage of the cooling water from the cooling water passage 23.

ハウジングアウタ２２ａには、冷却水導入口２４ａと、冷却水排出口２４ｂが設置される。冷却水導入口２４ａから導入された冷却水は、冷却水流路２３を経て、ベアリング２１ａ、２１ｂをそれらの外周側から冷却し、冷却水排出口２４ｂから排出される。   A cooling water introduction port 24a and a cooling water discharge port 24b are installed in the housing outer 22a. The cooling water introduced from the cooling water inlet 24a passes through the cooling water passage 23, cools the bearings 21a and 21b from the outer peripheral side thereof, and is discharged from the cooling water outlet 24b.

べアリング２１ａ、２１ｂは、種結晶回転軸１０に設けられた冷却水流路１２により、ベアリング２１ａ、２１ｂの内周側から冷却されると同時に、支持部材２０に設けられた冷却水流路２３により、ベアリング２１ａ、２１ｂの外周側からも冷却される。   The bearings 21 a and 21 b are cooled from the inner peripheral side of the bearings 21 a and 21 b by the cooling water passage 12 provided on the seed crystal rotating shaft 10, and at the same time by the cooling water passage 23 provided in the support member 20. Cooling is also performed from the outer peripheral side of the bearings 21a and 21b.

環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃと比べると、Ｏリング２５ａ、２５ｂは、坩堝１に近いため、より多くの熱を受ける。しかし、Ｏリング２５ａ、２５ｂは、冷却水流路２３に近いため、充分に冷却されており、熱によって破損することはない。また、Ｏリング２５ａ、２５ｂは、環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃと異なり、種結晶回転軸１０から摩擦を受けることもないため、摩耗によって破損することもない。   Compared with the annular packings 15a, 15b, 15c, the O-rings 25a, 25b are closer to the crucible 1 and therefore receive more heat. However, since the O-rings 25a and 25b are close to the cooling water passage 23, they are sufficiently cooled and are not damaged by heat. Further, unlike the annular packings 15a, 15b, and 15c, the O-rings 25a and 25b are not subjected to friction from the seed crystal rotating shaft 10 and are not damaged by wear.

（坩堝回転軸の冷却）
坩堝回転軸５０は、回転軸アウタ５１ａと回転軸インナ５１ｂを備えた二重構造である。回転軸アウタ５１ａには軸方向に溝が設けられ、その溝と回転軸インナ５１ｂとで、冷却水流路５２が形成される。冷却水流路５２の両端は、回転軸５０を構成する回転軸アウタ５１ａの外周に開口部５３ａ、５３ｂを有する。 (Cool crucible shaft cooling)
The crucible rotating shaft 50 has a double structure including a rotating shaft outer 51a and a rotating shaft inner 51b. The rotating shaft outer 51a is provided with a groove in the axial direction, and the cooling water flow path 52 is formed by the groove and the rotating shaft inner 51b. Both ends of the cooling water flow path 52 have openings 53 a and 53 b on the outer periphery of the rotating shaft outer 51 a constituting the rotating shaft 50.

坩堝回転軸５０の坩堝１と反対側の端部５４は、チャンバ４の外部へ突出する。この端部５４に、３本の環状パッキン５５ａ、５５ｂ、５５ｃが挿通される。環状パッキン５５ａ、５５ｂ、５５ｃを介して、坩堝回転軸５０を構成する回転軸アウタ５１ａの外周に、シールハウジング５６が設置される。シールハウジング５６の内周は円筒状であり、シールハウジング５６の内周が、環状パッキン５５ａ、５５ｂ、５５ｃの外周と接する。   An end 54 of the crucible rotating shaft 50 opposite to the crucible 1 protrudes outside the chamber 4. Three annular packings 55a, 55b, and 55c are inserted through the end portion 54. A seal housing 56 is installed on the outer periphery of the rotary shaft outer 51a constituting the crucible rotary shaft 50 via the annular packings 55a, 55b, 55c. The inner periphery of the seal housing 56 is cylindrical, and the inner periphery of the seal housing 56 is in contact with the outer periphery of the annular packings 55a, 55b, and 55c.

３本の環状パッキン５５ａ、５５ｂ、５５ｃのうち、環状パッキン５５ａと環状パッキン５５ｂは、隣り合う２本の環状パッキンである。環状パッキン５５ｂと環状パッキン５５ｃも同様である。   Of the three annular packings 55a, 55b, and 55c, the annular packing 55a and the annular packing 55b are adjacent two annular packings. The same applies to the annular packing 55b and the annular packing 55c.

回転軸アウタ５１ａの外周と、環状パッキン５５ａと、シールハウジング５６の内周と、環状パッキン５５ｂとで冷却水供給室５７ａを形成する。この冷却水供給室５７ａに、冷却水流路５２の一端の開口部５３ａが連通する。シールハウジング５６に、冷却水導入口５８ａが設置され、この冷却水導入口５８ａは、冷却水供給室５７ａに連通する。   A cooling water supply chamber 57a is formed by the outer periphery of the rotating shaft outer 51a, the annular packing 55a, the inner periphery of the seal housing 56, and the annular packing 55b. An opening 53a at one end of the cooling water flow path 52 communicates with the cooling water supply chamber 57a. A cooling water inlet 58a is installed in the seal housing 56, and this cooling water inlet 58a communicates with the cooling water supply chamber 57a.

回転軸アウタ５１ａの外周と、環状パッキン５５ｂと、シールハウジング５６の内周と、環状パッキン５５ｃとで冷却排出室５７ｂを形成する。この冷却水排出室５７ｂに、冷却水流路５２の他端の開口部５３ｂが連通する。シールハウジング５６に、冷却水排出口５８ｂが設置され、この冷却水排出口５８ｂは、冷却水排出室５７ｂに連通する。   The outer periphery of the rotating shaft outer 51a, the annular packing 55b, the inner periphery of the seal housing 56, and the annular packing 55c form a cooling discharge chamber 57b. The cooling water discharge chamber 57b communicates with the opening 53b at the other end of the cooling water flow path 52. A cooling water discharge port 58b is installed in the seal housing 56, and the cooling water discharge port 58b communicates with the cooling water discharge chamber 57b.

このようにして形成された、冷却水供給室５７ａと冷却水排出室５７ｂにより、回転中の坩堝回転軸５０に冷却水を給排水することができる。   The cooling water supply chamber 57a and the cooling water discharge chamber 57b formed as described above can supply and discharge the cooling water to the rotating crucible rotating shaft 50.

冷却水導入口５８ａから導入された冷却水は、冷却水流路５２を経て、ベアリング６１ａ、６１ｂをそれらの内周側から冷却し、冷却水排出口５８ｂから排出される。   The cooling water introduced from the cooling water introduction port 58a passes through the cooling water channel 52, cools the bearings 61a and 61b from the inner peripheral side thereof, and is discharged from the cooling water discharge port 58b.

回転軸アウタ５１ａと、３本の環状パッキン５５ａ、５５ｂ、５５ｃを介して設置されるシールハウジング５６とで、回転シール５９を構成する。回転シール５９は、坩堝回転軸５０の軸方向に貫通孔Ｈを有している。この貫通孔Ｈに坩堝回転軸５０が挿通されることにより、坩堝回転軸５０を回転させることができる。   A rotary seal 59 is constituted by the rotary shaft outer 51a and the seal housing 56 installed via the three annular packings 55a, 55b, and 55c. The rotary seal 59 has a through hole H in the axial direction of the crucible rotary shaft 50. By inserting the crucible rotary shaft 50 into the through hole H, the crucible rotary shaft 50 can be rotated.

冷却水供給室５７ａと冷却水排出室５７ｂの内部にある冷却水は、３本の環状パッキン５５ａ、５５ｂ、５５ｃによって封止されている。また、３本の環状パッキン５５ａ、５５ｂ、５５ｃは、回転中の坩堝回転軸５０を構成する回転軸アウタ１１ａと摩擦されている。したがって、回転シール５９の冷却水漏れに対する信頼性は、高いとはいえない。   The cooling water in the cooling water supply chamber 57a and the cooling water discharge chamber 57b is sealed by three annular packings 55a, 55b, and 55c. Further, the three annular packings 55a, 55b, 55c are rubbed against the rotating shaft outer 11a constituting the rotating crucible rotating shaft 50. Therefore, it cannot be said that the reliability of the rotary seal 59 with respect to cooling water leakage is high.

しかし、万が一、環状パッキン５５ａ、５５ｂ、５５ｃが破損し、回転シール５９から水漏れが発生しても、回転シール５９はチャンバ４の外部に設置されているため、目視によって、すぐに水漏れを発見することができる。   However, even if the annular packings 55a, 55b, and 55c are broken and water leaks from the rotary seal 59, the rotary seal 59 is installed outside the chamber 4, so that the water leak is immediately observed visually. Can be found.

（坩堝回転軸を支持する部材の冷却）
支持部材６０は、ハウジングアウタ６２ａとハウジングインナ６２ｂを備えた二重構造である。ハウジングインナ６２ｂの外周には螺旋状の溝が設けられ、その溝とハウジングアウタ６２ａとで冷却水流路６３が形成される。 (Cooling of the member that supports the crucible rotating shaft)
The support member 60 has a double structure including a housing outer 62a and a housing inner 62b. A spiral groove is provided on the outer periphery of the housing inner 62b, and a cooling water flow path 63 is formed by the groove and the housing outer 62a.

ハウジングインナ６２ｂの外周には、円周状の溝が設けられ、Ｏリング６５ａ、６５ｂが格納される。このＯリング６５ａ、６５ｂは、ハウジングアウタ６２ａとハウジングインナ６２ｂとを結合させることにより、適度に変形し、冷却水流路６３からの冷却水の漏れを防止する。   A circumferential groove is provided on the outer periphery of the housing inner 62b to store the O-rings 65a and 65b. The O-rings 65a and 65b are appropriately deformed by connecting the housing outer 62a and the housing inner 62b to prevent leakage of the cooling water from the cooling water flow path 63.

ハウジングアウタ６２ａには、冷却水導入口６４ａと、冷却水排出口６４ｂが設置される。冷却水導入口６４ａから導入された冷却水は、冷却水流路６３を経て、ベアリング６１ａ、６１ｂを外周側から冷却し、冷却水排出口６４ｂから排出される。   A cooling water inlet 64a and a cooling water outlet 64b are installed in the housing outer 62a. The cooling water introduced from the cooling water introduction port 64a passes through the cooling water flow path 63, cools the bearings 61a and 61b from the outer peripheral side, and is discharged from the cooling water discharge port 64b.

べアリング６１ａ、６１ｂは、坩堝回転軸５０に設けられた冷却水流路５２により、ベアリング６１ａ、６１ｂの内周側から冷却されると同時に、支持部材６０に設けられた冷却水流路６３により、ベアリング６１ａ、６１ｂの外周側からも冷却される。   The bearings 61 a and 61 b are cooled from the inner peripheral side of the bearings 61 a and 61 b by the cooling water passage 52 provided in the crucible rotating shaft 50, and at the same time by the cooling water passage 63 provided in the support member 60. It cools also from the outer peripheral side of 61a, 61b.

環状パッキン５５ａ、５５ｂ、５５ｃと比べると、Ｏリング６５ａ、６５ｂは、坩堝１に近いため、より多くの熱を受ける。しかし、Ｏリング６５ａ、６５ｂは、冷却水流路６３に近いため、充分に冷却されており、熱によって破損することはない。また、Ｏリング６５ａ、６５ｂは、環状パッキン５５ａ、５５ｂ、５５ｃと異なり、坩堝回転軸５０から摩擦を受けることもないため、摩耗によって破損することもない。   Compared to the annular packings 55a, 55b, 55c, the O-rings 65a, 65b are closer to the crucible 1 and therefore receive more heat. However, since the O-rings 65a and 65b are close to the cooling water flow path 63, they are sufficiently cooled and are not damaged by heat. Further, unlike the annular packings 55a, 55b, and 55c, the O-rings 65a and 65b are not subjected to friction from the crucible rotating shaft 50 and are not damaged by wear.

本実施形態では、種結晶２と坩堝１の両方を回転する実施形態を示したが、種結晶２及び坩堝１のいずれかを回転してもよい。   In this embodiment, although embodiment which rotates both the seed crystal 2 and the crucible 1 was shown, you may rotate either the seed crystal 2 or the crucible 1.

また、環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、３本以上であってもよい。例えば、３本の環状パッキン１５ａ、１５ｂ、１５ｃそれぞれを２重にして、冷却水導入口１７ａ、冷却水排出室１７ｂからの冷却水の漏れに対する信頼性を高めてもよい。   Further, the annular packings 15a, 15b, 15c may be three or more. For example, each of the three annular packings 15a, 15b, and 15c may be doubled to increase the reliability against cooling water leakage from the cooling water inlet 17a and the cooling water discharge chamber 17b.

さらに、図２は、本発明に係る単結晶装置の別の実施形態の概略を示す図である。   Further, FIG. 2 is a diagram showing an outline of another embodiment of the single crystal device according to the present invention.

ハウジングインナ２２ｂの外周に設けられた溝に格納されたＯリング２５ａ、２５ｂに代えて、ハウジングアウタ２２ａとハウジングインナ２２ｂを溶接してもよい。溶接方法は、例えば、溶接ビード２６ａ、２６ｂを図２に示したように設ける。   Instead of the O-rings 25a and 25b stored in the grooves provided on the outer periphery of the housing inner 22b, the housing outer 22a and the housing inner 22b may be welded. In the welding method, for example, the weld beads 26a and 26b are provided as shown in FIG.

同様に、ハウジングインナ６２ｂの外周に設けられた溝に格納されたＯリング６５ａ、６５ｂに代えて、ハウジングアウタ６２ａとハウジングインナ６２ｂを溶接してもよい。溶接方法は、例えば、溶接ビード６６ａ、６６ｂを、図２に示したように設ける。   Similarly, the housing outer 62a and the housing inner 62b may be welded instead of the O-rings 65a and 65b stored in the grooves provided on the outer periphery of the housing inner 62b. In the welding method, for example, weld beads 66a and 66b are provided as shown in FIG.

本発明によれば、装置の大型化を避けつつ、高品質の単結晶を、安全に製造することができる。したがって、本発明は、産業上の利用可能性が大きい。   According to the present invention, a high-quality single crystal can be safely manufactured while avoiding an increase in the size of the apparatus. Therefore, the present invention has great industrial applicability.

１ 坩堝
２ 種結晶
３ 加熱コイル
４ チャンバ
５ 真空ポンプ
６ 真空計
７ 原料溶液
１０ 種結晶回転軸
１１ａ、５１ａ 回転軸アウタ
１１ｂ、５１ｂ 回転軸インナ
１２、２３、５２、６３ 冷却水流路
１３ａ、１３ｂ、５３ａ、５３ｂ 開口部
１４、５４ 端部
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、５５ａ、５５ｂ、５５ｃ 環状パッキン
１６、５６ シールハウジング
１７ａ、５７ａ 冷却水供給室
１７ｂ、５７ｂ 冷却水排出室
１８ａ、２４ａ、５８ａ、６４ａ 冷却水導入口
１８ｂ、２４ｂ、５８ｂ、６４ｂ 冷却水排出口
１９、５９ 回転シール
２０、６０ 支持部材
２１ａ、２１ｂ、６１ａ、６１ｂ ベアリング
２２ａ、６２ａ ハウジングアウタ
２２ｂ、６２ｂ ハウジングインナ
２５ａ、２５ｂ、６５ａ、６５ｂ Ｏリング
２６ａ、２６ｂ、６６ａ、６６ｂ 溶接ビード
５０ 坩堝回転軸
Ｈ 貫通孔
１００ 単結晶製造装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Crucible 2 Seed crystal 3 Heating coil 4 Chamber 5 Vacuum pump 6 Vacuum gauge 7 Raw material solution 10 Seed crystal rotating shaft 11a, 51a Rotating shaft outer 11b, 51b Rotating shaft inner 12, 23, 52, 63 Cooling water channel 13a, 13b, 53a, 53b Opening 14, 54 End 15a, 15b, 15c, 55a, 55b, 55c Annular packing 16, 56 Seal housing 17a, 57a Cooling water supply chamber 17b, 57b Cooling water discharge chamber 18a, 24a, 58a, 64a Cooling Water inlet 18b, 24b, 58b, 64b Cooling water outlet 19, 59 Rotating seal 20, 60 Support member 21a, 21b, 61a, 61b Bearing 22a, 62a Housing outer 22b, 62b Housing inner 25a, 25b, 65a, 65b O Ring 26a, 26b, 66 , 66b weld bead 50 crucible rotation axis H through hole 100 single crystal manufacturing apparatus

Claims (1)

チャンバの内部に、坩堝と種結晶を備える単結晶製造装置であって、
前記坩堝と前記種結晶の少なくとも一方に、回転軸が連結されており、
前記回転軸の外周に、ベアリングを介して支持部材が設置されており、
前記回転軸及び前記支持部材のいずれも、冷却水流路を有している、
単結晶製造装置。 A single crystal manufacturing apparatus including a crucible and a seed crystal inside a chamber,
A rotating shaft is connected to at least one of the crucible and the seed crystal,
A support member is installed on the outer periphery of the rotating shaft via a bearing,
Both the rotating shaft and the support member have a cooling water flow path.
Single crystal manufacturing equipment.
JP2015024661A 2015-02-10 2015-02-10 Single crystal manufacturing equipment Expired - Fee Related JP6350323B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015024661A JP6350323B2 (en) 2015-02-10 2015-02-10 Single crystal manufacturing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015024661A JP6350323B2 (en) 2015-02-10 2015-02-10 Single crystal manufacturing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016147772A true JP2016147772A (en) 2016-08-18
JP6350323B2 JP6350323B2 (en) 2018-07-04

Family

ID=56691572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015024661A Expired - Fee Related JP6350323B2 (en) 2015-02-10 2015-02-10 Single crystal manufacturing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6350323B2 (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06219889A (en) * 1993-01-27 1994-08-09 Komatsu Electron Metals Co Ltd Device for pulling up semiconductor single crystal
JPH0881294A (en) * 1994-09-09 1996-03-26 Nippon Steel Corp Device for producing silicon single crystal
JPH08169796A (en) * 1994-12-20 1996-07-02 Sumitomo Metal Ind Ltd Apparatus for pulling up single crystal
JPH10273375A (en) * 1997-03-27 1998-10-13 Super Silicon Kenkyusho:Kk Pedestal device for crystal growth furnace
JP2000169290A (en) * 1998-12-08 2000-06-20 Toshiba Ceramics Co Ltd Device for pulling single crystal
JP2007277041A (en) * 2006-04-06 2007-10-25 Covalent Materials Corp Single crystal pulling apparatus
KR20110107258A (en) * 2010-10-08 2011-09-30 박광준 Ingot grower
KR20120097992A (en) * 2011-02-28 2012-09-05 김영기 Semiconductor single crystal growth apparatus
JP2013256411A (en) * 2012-06-13 2013-12-26 Sharp Corp Thin plate manufacturing apparatus

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06219889A (en) * 1993-01-27 1994-08-09 Komatsu Electron Metals Co Ltd Device for pulling up semiconductor single crystal
JPH0881294A (en) * 1994-09-09 1996-03-26 Nippon Steel Corp Device for producing silicon single crystal
JPH08169796A (en) * 1994-12-20 1996-07-02 Sumitomo Metal Ind Ltd Apparatus for pulling up single crystal
JPH10273375A (en) * 1997-03-27 1998-10-13 Super Silicon Kenkyusho:Kk Pedestal device for crystal growth furnace
JP2000169290A (en) * 1998-12-08 2000-06-20 Toshiba Ceramics Co Ltd Device for pulling single crystal
JP2007277041A (en) * 2006-04-06 2007-10-25 Covalent Materials Corp Single crystal pulling apparatus
KR20110107258A (en) * 2010-10-08 2011-09-30 박광준 Ingot grower
KR20120097992A (en) * 2011-02-28 2012-09-05 김영기 Semiconductor single crystal growth apparatus
JP2013256411A (en) * 2012-06-13 2013-12-26 Sharp Corp Thin plate manufacturing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP6350323B2 (en) 2018-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105531518B (en) Mechanical seal
JP5372772B2 (en) Tandem seal
JP5960028B2 (en) Heat treatment equipment
US7746982B2 (en) Rotary anode X-ray tube
WO2016058457A1 (en) Bushing for cooling dual-side mechanical seal friction pair and centrifugal pump cooling system thereof
US9732441B2 (en) Production apparatus and production method of SiC single crystal
JP5482859B2 (en) Single crystal silicon manufacturing apparatus and manufacturing method
JP2013010691A5 (en) Single crystal silicon manufacturing apparatus and manufacturing method
JP2007230845A (en) Single crystal growth apparatus
JP6350324B2 (en) Single crystal manufacturing equipment
JP6350323B2 (en) Single crystal manufacturing equipment
JP5912670B2 (en) Work gas cooling system
JP5453671B2 (en) Sealing mechanism for vacuum heat treatment furnace
JP2018200068A (en) Seal mechanism and mechanical seal
CN106122037A (en) A kind of chiller of high-temperature pump suspension body
KR20110107258A (en) Ingot grower
KR102495613B1 (en) Rotary type magnetic fluid seal apparatus
JP2009049061A (en) Device and method for processing semiconductor wafer
JP3971355B2 (en) Magnetic fluid seal device
TW202122698A (en) Cryogenic heat transfer system and ion implantation system
JP2010203738A (en) End cap of heat treatment furnace
JP2010050301A (en) Annealing furnace
JP5973940B2 (en) Tandem mechanical seal device
JP2018179093A (en) Mechanical seal
JP2018194148A (en) Shaft sealing device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170316

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180508

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180521

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6350323

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees