JP2016114403A - Power cycle testing device and method for power cycle test - Google Patents

Power cycle testing device and method for power cycle test Download PDF

Info

Publication number
JP2016114403A
JP2016114403A JP2014251755A JP2014251755A JP2016114403A JP 2016114403 A JP2016114403 A JP 2016114403A JP 2014251755 A JP2014251755 A JP 2014251755A JP 2014251755 A JP2014251755 A JP 2014251755A JP 2016114403 A JP2016114403 A JP 2016114403A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
temperature
power
cycle
start temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014251755A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6275631B2 (en
Inventor
則人 菅
Norihito Suga
則人 菅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Espec Corp
Original Assignee
Espec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Espec Corp filed Critical Espec Corp
Priority to JP2014251755A priority Critical patent/JP6275631B2/en
Publication of JP2016114403A publication Critical patent/JP2016114403A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6275631B2 publication Critical patent/JP6275631B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power cycle testing device that can execute a power cycle test and a thermal cycle test concurrently without requiring provision of an adjustment mechanism for adjusting an external environmental temperature of the device.SOLUTION: The power cycle testing device repeats test cycles S1 to S6 each of application of electric power to a test target device and stop of the application and causes repeated temperature changes on the test target device. The power cycle testing device includes an electric-power applying unit for applying electric power to the test target device and a control unit controlling the application by the electric-power applying unit and stop of the application. The control unit adjusts a timing of the application by the electric power applying unit so that initial temperatures T1 to T6 at which application of electric power to the test target device is started will change with repetition of the test cycles S1 to S6.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、パワーサイクル試験装置およびパワーサイクル試験方法に関し、より特定的には、パワーサイクル試験とともにサーマルサイクル試験を併せて実行可能なパワーサイクル試験装置およびパワーサイクル試験方法に関する。   The present invention relates to a power cycle test apparatus and a power cycle test method, and more specifically to a power cycle test apparatus and a power cycle test method capable of executing a thermal cycle test together with a power cycle test.

従来、パワー半導体デバイスの寿命予測のための試験として、電力印加によりデバイス自体を発熱させて熱ストレスを与えるパワーサイクル試験が知られている。このパワーサイクル試験では、デバイスへの電力印加およびその停止による試験サイクルの繰り返しにより、主にデバイスチップの発熱部の温度変化に起因した熱ストレスが与えられる。   2. Description of the Related Art Conventionally, as a test for predicting the life of a power semiconductor device, a power cycle test is known in which the device itself generates heat by applying electric power to apply thermal stress. In this power cycle test, thermal stress is mainly applied due to the temperature change of the heat generating part of the device chip by repeating the test cycle by applying and stopping power to the device.

またデバイスの外部環境温度を変化させることにより、パワーサイクル試験の場合とは異なる熱ストレスが与えられるサーマルサイクル試験がある。特許文献1には、このサーマルサイクル試験と同期させるようにパワーサイクル試験を実行するスーパーインポーズ試験機能を備えた装置が記載されている。スーパーインポーズ試験によれば、実際の使用中に生じる故障モードを想定した熱ストレスを効率良く再現することができる。   In addition, there is a thermal cycle test in which a thermal stress different from that in the power cycle test is applied by changing the external environmental temperature of the device. Patent Document 1 describes an apparatus having a superimpose test function for executing a power cycle test so as to be synchronized with the thermal cycle test. According to the superimpose test, it is possible to efficiently reproduce thermal stress assuming a failure mode that occurs during actual use.

特開2014−20893号公報JP 2014-20893 A

上記特許文献1に記載されたパワーサイクル試験装置では、パワーサイクル試験に加えてサーマルサイクル試験を実行するために、電力印加を行う機構とは別に外部環境温度を調節するための機構(チラー、加熱冷却プレート等)をさらに設ける必要があった。   In the power cycle test apparatus described in Patent Document 1, a mechanism for adjusting the external environment temperature (chiller, heating, etc.) separately from the mechanism for applying power in order to execute the thermal cycle test in addition to the power cycle test. It was necessary to further provide a cooling plate or the like.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスの外部環境温度の調節機構を設ける必要がなく、パワーサイクル試験とともにサーマルサイクル試験を併せて実行可能なパワーサイクル試験装置およびパワーサイクル試験方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to provide a power cycle test apparatus capable of performing both a power cycle test and a thermal cycle test without the need to provide a mechanism for adjusting the external environmental temperature of the device. And providing a power cycle test method.

本発明の一局面に係るパワーサイクル試験装置は、被試験デバイスへの電力印加およびその停止による試験サイクルを繰り返し、前記被試験デバイスに繰り返し温度変化を与えるパワーサイクル試験装置である。上記パワーサイクル試験装置は、前記被試験デバイスに電力を印加するための電力印加部と、前記電力印加部による電力印加および前記電力印加の停止を制御する制御部と、を備える。前記制御部は、前記被試験デバイスへの電力印加が開始される温度である開始温度が前記試験サイクルの繰り返しに伴って変わるように、前記電力印加部による電力印加のタイミングを調整する。   A power cycle test apparatus according to an aspect of the present invention is a power cycle test apparatus that repeats a test cycle by applying and stopping power to a device under test and repeatedly giving a temperature change to the device under test. The power cycle test apparatus includes a power application unit for applying power to the device under test, and a control unit for controlling power application by the power application unit and stopping of the power application. The control unit adjusts the timing of power application by the power application unit so that a start temperature, which is a temperature at which power application to the device under test is started, changes with repetition of the test cycle.

上記パワーサイクル試験装置では、前記試験サイクルの繰り返しに伴って前記開始温度が変わるように、前記被試験デバイスへの電力印加を行うことができる。そのため、前記試験サイクルの繰り返しによるパワーサイクル試験に加え、前記開始温度の変化によって外部環境温度の変化が与えられた場合を疑似的に再現したサーマルサイクル試験が実行可能になる。したがって、上記パワーサイクル試験装置によれば、デバイスの外部環境温度の調節機構を設ける必要がなく、パワーサイクル試験にサーマルサイクル試験を併せたスーパーインポーズ試験を実行することができる。   In the power cycle test apparatus, it is possible to apply power to the device under test so that the start temperature changes as the test cycle is repeated. Therefore, in addition to the power cycle test by repeating the test cycle, it is possible to execute a thermal cycle test that simulates the case where a change in the external environment temperature is given by the change in the start temperature. Therefore, according to the power cycle test apparatus, it is not necessary to provide a mechanism for adjusting the external environmental temperature of the device, and a superimpose test combining a thermal cycle test with a power cycle test can be executed.

上記パワーサイクル試験装置において、前記制御部は、前記試験サイクル毎の前記開始温度が予め設定されたプロファイルに沿って変わるように、前記電力印加部による電力印加のタイミングを調整してもよい。   In the power cycle test apparatus, the control unit may adjust the timing of power application by the power application unit so that the start temperature for each test cycle changes along a preset profile.

これにより、実際の外部環境温度の変化に応じて設定されるプロファイルに沿って前記開始温度を調整することができる。その結果、実使用中に生じる熱ストレスを効率良くデバイスに与えることができる。   Thereby, the said starting temperature can be adjusted along the profile set according to the change of actual external environmental temperature. As a result, the thermal stress generated during actual use can be efficiently applied to the device.

上記パワーサイクル試験装置において、前記制御部は、前記開始温度が前記試験サイクル毎に上昇する昇温ステップと、前記開始温度が前記試験サイクル毎に低下する降温ステップと、を含む前記プロファイルに沿って前記試験サイクル毎の前記開始温度が変わるように、前記電力印加部による電力印加のタイミングを調整してもよい。   In the power cycle test apparatus, the control unit follows the profile including a temperature rising step in which the start temperature increases for each test cycle and a temperature decrease step in which the start temperature decreases for each test cycle. You may adjust the timing of the electric power application by the said electric power application part so that the said starting temperature for every said test cycle may change.

これにより、外部環境温度が上昇および下降する場合にデバイスに与えられる熱ストレスを効率良く再現することができる。   As a result, the thermal stress applied to the device when the external environmental temperature rises and falls can be efficiently reproduced.

上記パワーサイクル試験装置において、前記制御部は、前記開始温度が前記試験サイクル毎に維持される温度維持ステップをさらに含む前記プロファイルに沿って前記試験サイクル毎の前記開始温度が変わるように、前記電力印加部による電力印加のタイミングを調整してもよい。   In the power cycle test apparatus, the control unit is configured so that the start temperature for each test cycle changes along the profile further including a temperature maintaining step in which the start temperature is maintained for each test cycle. You may adjust the timing of the electric power application by an application part.

これにより、外部環境温度が維持される場合にデバイスに与えられる熱ストレスを効率良く再現することができる。   Thereby, it is possible to efficiently reproduce the thermal stress applied to the device when the external environment temperature is maintained.

上記パワーサイクル試験装置において、前記制御部は、前記昇温ステップにおける前記試験サイクル毎の前記開始温度を算出するとともに、前記降温ステップにおける前記試験サイクル毎の前記開始温度を算出してもよい。   In the power cycle test apparatus, the control unit may calculate the start temperature for each test cycle in the temperature raising step and calculate the start temperature for each test cycle in the temperature drop step.

前記試験サイクル毎に算出された前記開始温度に基づいて前記試験サイクルを繰り返すことにより、前記試験サイクル間の移行をスムーズに行うことができる。   By repeating the test cycle based on the start temperature calculated for each test cycle, the transition between the test cycles can be performed smoothly.

本発明の一局面に係るパワーサイクル試験方法は、被試験デバイスへの電力印加およびその停止による試験サイクルを繰り返し、前記被試験デバイスに繰り返し温度変化を与えるパワーサイクル試験方法である。上記パワーサイクル試験方法では、前記被試験デバイスへの電力印加が開始される温度である開始温度が前記試験サイクルの繰り返しに伴って変わるように、電力印加のタイミングが調整される。   A power cycle test method according to one aspect of the present invention is a power cycle test method in which a test cycle is repeatedly performed by applying and stopping power to a device under test, and a temperature change is repeatedly applied to the device under test. In the power cycle test method, the power application timing is adjusted so that a start temperature, which is a temperature at which power application to the device under test is started, changes with repetition of the test cycle.

上記パワーサイクル試験方法では、前記試験サイクルの繰り返しに伴って前記開始温度が変わるように、前記被試験デバイスへの電力印加が行われる。そのため、前記試験サイクルの繰り返しによるパワーサイクル試験に加え、前記開始温度の変化によって外部環境温度の変化が与えられた場合を疑似的に再現したサーマルサイクル試験が実行可能になる。したがって、上記パワーサイクル試験方法によれば、デバイスの外部環境温度の調節機構を設ける必要がなく、パワーサイクル試験にサーマルサイクル試験を併せたスーパーインポーズ試験を実行することができる。   In the power cycle test method, power is applied to the device under test so that the start temperature changes as the test cycle is repeated. Therefore, in addition to the power cycle test by repeating the test cycle, it is possible to execute a thermal cycle test that simulates the case where a change in the external environment temperature is given by the change in the start temperature. Therefore, according to the above power cycle test method, it is not necessary to provide a mechanism for adjusting the external environmental temperature of the device, and a superimpose test in which a thermal cycle test is combined with a power cycle test can be executed.

上記パワーサイクル試験方法において、前記試験サイクル毎の前記開始温度が予め設定されたプロファイルに沿って変わるように、電力印加のタイミングが調整されてもよい。   In the power cycle test method, the timing of power application may be adjusted so that the start temperature for each test cycle changes along a preset profile.

これにより、実際の外部環境温度の変化に応じて設定されるプロファイルに沿って前記開始温度を調整することができる。その結果、実使用中に生じる熱ストレスを効率良くデバイスに与えることができる。   Thereby, the said starting temperature can be adjusted along the profile set according to the change of actual external environmental temperature. As a result, the thermal stress generated during actual use can be efficiently applied to the device.

上記パワーサイクル試験方法において、前記開始温度が前記試験サイクル毎に上昇する昇温ステップと、前記開始温度が前記試験サイクル毎に低下する降温ステップと、を含む前記プロファイルに沿って前記試験サイクル毎の前記開始温度が変わるように、電力印加のタイミングが調整されてもよい。   In the power cycle test method, the temperature rise step for increasing the start temperature for each test cycle, and the temperature decrease step for decreasing the start temperature for each test cycle. The timing of power application may be adjusted so that the start temperature changes.

これにより、外部環境温度が上昇および下降する場合にデバイスに与えられる熱ストレスを効率良く再現することができる。   As a result, the thermal stress applied to the device when the external environmental temperature rises and falls can be efficiently reproduced.

上記パワーサイクル試験方法において、前記開始温度が前記試験サイクル毎に維持される温度維持ステップをさらに含む前記プロファイルに沿って前記試験サイクル毎の前記開始温度が変わるように、電力印加のタイミングが調整されてもよい。   In the power cycle test method, the timing of power application is adjusted so that the start temperature for each test cycle varies along the profile further including a temperature maintaining step in which the start temperature is maintained for each test cycle. May be.

これにより、外部環境温度が維持される場合にデバイスに与えられる熱ストレスを効率良く再現することができる。   Thereby, it is possible to efficiently reproduce the thermal stress applied to the device when the external environment temperature is maintained.

上記パワーサイクル試験方法では、前記昇温ステップにおける前記試験サイクル毎の前記開始温度が算出されるとともに、前記降温ステップにおける前記試験サイクル毎の前記開始温度が算出されてもよい。   In the power cycle test method, the start temperature for each test cycle in the temperature raising step may be calculated, and the start temperature for each test cycle in the temperature lowering step may be calculated.

前記試験サイクル毎に算出された前記開始温度に基づいて前記試験サイクルを繰り返すことにより、前記試験サイクル間の移行をスムーズに行うことができる。   By repeating the test cycle based on the start temperature calculated for each test cycle, the transition between the test cycles can be performed smoothly.

本発明によれば、デバイスの外部環境温度の調節機構を設ける必要がなく、パワーサイクル試験とともにサーマルサイクル試験を併せて実行可能なパワーサイクル試験装置を提供することができる。   According to the present invention, it is not necessary to provide a mechanism for adjusting the external environmental temperature of the device, and it is possible to provide a power cycle test apparatus capable of executing a thermal cycle test together with a power cycle test.

本発明の一実施形態に係るパワーサイクル試験装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the power cycle test apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. IGBTモジュールの構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of an IGBT module. 本発明の一実施形態に係るパワーサイクル試験方法の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the power cycle test method which concerns on one Embodiment of this invention. 上記パワーサイクル試験方法の実行中におけるデバイス温度の時間変化を示すグラフである。It is a graph which shows the time change of device temperature during execution of the above-mentioned power cycle test method. 上記パワーサイクル試験方法の変形例1におけるデバイス温度の時間変化を示すグラフである。It is a graph which shows the time change of the device temperature in the modification 1 of the said power cycle test method. 上記パワーサイクル試験方法の変形例2におけるデバイス温度の時間変化を示すグラフである。It is a graph which shows the time change of the device temperature in the modification 2 of the said power cycle test method. 上記パワーサイクル試験方法の変形例3におけるデバイス温度の時間変化を示すグラフである。It is a graph which shows the time change of the device temperature in the modification 3 of the said power cycle test method.

以下、図面に基づいて、本発明の実施形態につき詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(パワーサイクル試験装置)
まず、本発明の一実施形態に係るパワーサイクル試験装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係るパワーサイクル試験装置1の構成を模式的に示している。図2は、試験対象となるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュール2の構成を模式的に示している。
(Power cycle test equipment)
First, the configuration of a power cycle test apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 schematically shows a configuration of a power cycle test apparatus 1 according to the present embodiment. FIG. 2 schematically shows the configuration of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module 2 to be tested.

パワーサイクル試験装置1は、IGBTモジュール2(被試験デバイス)への電力印加およびその停止による試験サイクルを繰り返し、IGBTモジュール2に繰り返し温度変化を与える装置である。パワーサイクル試験装置1は、電源部10およびゲート制御部20(電力印加部)と、冷却部30と、制御コントローラ40(制御部)と、定電流ユニット50と、を主に有する。IGBTモジュール2は、IGBTチップ11と、IGBTチップ11を収容するためのケース18と、を有する。   The power cycle test apparatus 1 is an apparatus for repeatedly applying a temperature change to the IGBT module 2 by repeating a test cycle by applying and stopping power to the IGBT module 2 (device under test). The power cycle test apparatus 1 mainly includes a power supply unit 10 and a gate control unit 20 (power application unit), a cooling unit 30, a controller 40 (control unit), and a constant current unit 50. The IGBT module 2 includes an IGBT chip 11 and a case 18 for housing the IGBT chip 11.

電源部10は、定電圧定電流(CV/CC)電源を含み、IGBTチップ11のコレクタ端子Cおよびエミッタ端子Eと接続されている。電源部10は、制御コントローラ40からの指令に基づいて、コレクタ端子Cとエミッタ端子Eとの間に所定の電圧(コレクタエミッタ間電圧:VCE)を印加する。 The power supply unit 10 includes a constant voltage constant current (CV / CC) power supply and is connected to the collector terminal C and the emitter terminal E of the IGBT chip 11. The power supply unit 10 applies a predetermined voltage (collector-emitter voltage: V CE ) between the collector terminal C and the emitter terminal E based on a command from the controller 40.

ゲート制御部20は、IGBTチップ11のゲート端子Gと接続されている。ゲート制御部20は、制御部40からの指令に基づいて、ゲート端子Gに所定の電圧(ゲート電圧:V)を印加する。ゲート制御部20により閾値電圧以上のゲート電圧Vが印加された状態で電源部10により所定のコレクタエミッタ間電圧VCEが印加されると、IGBTチップ11にストレス電流Iが流れる。これにより、IGBTチップ11に所定の電力P(I×VCE)が印加される。 The gate control unit 20 is connected to the gate terminal G of the IGBT chip 11. The gate control unit 20 applies a predetermined voltage (gate voltage: V G ) to the gate terminal G based on a command from the control unit 40. When the power supply unit 10 in a state in which the threshold voltage higher than the gate voltage V G is applied a predetermined collector-emitter voltage V CE is applied by the gate control unit 20, the stress current I C flows in the IGBT chip 11. As a result, predetermined power P (I C × V CE ) is applied to the IGBT chip 11.

冷却部30は、電力Pの消費により発熱したIGBTモジュール2を冷却するものであり、空冷ファン付きの放熱器を含む。定電流ユニット50は、IGBTチップ11に一定のストレス電流Iを流すためのものであり、シャント抵抗および差動アンプを含む。 The cooling unit 30 cools the IGBT module 2 that has generated heat due to the consumption of power P, and includes a radiator with an air cooling fan. Constant current unit 50 is for supplying a constant stress current I C in the IGBT chip 11, including a shunt resistor and a differential amplifier.

制御コントローラ40は、電源部10、ゲート制御部20、冷却部30および定電流ユニット50の各々と接続されており(図1中破線)、上記各部の動作を制御する。より具体的には、制御コントローラ40からの指令により電源部10およびゲート制御部20を動作させることで、コレクタエミッタ間電圧VCEおよびゲート電圧Vの印加が制御され、IGBTチップ11への電力印加およびその停止が制御される。また制御コントローラ40からの指令により冷却部30を動作させることで、発熱したIGBTモジュール2を空冷ファンにより冷却することができる。 The controller 40 is connected to each of the power supply unit 10, the gate control unit 20, the cooling unit 30, and the constant current unit 50 (broken line in FIG. 1), and controls the operation of each unit. More specifically, by operating the power supply unit 10 and the gate control unit 20, the application of the collector-emitter voltage V CE and the gate voltage V G is controlled by a command from the controller 40, the power to the IGBT chip 11 Application and its stop are controlled. In addition, by operating the cooling unit 30 according to a command from the controller 40, the heat generated IGBT module 2 can be cooled by the air cooling fan.

次に、IGBTモジュール2の構成について、図2を参照して詳細に説明する。IGBTモジュール2は、IGBTチップ11と、絶縁基板12と、ベース板13と、半田層14,15と、ボンディングワイヤ17と、ケース18と、を主に有する。IGBTチップ11は、半導体基板とその上に形成された絶縁膜および電極により構成され、半田層14により絶縁基板12上に接合されている。IGBTチップ11同士は、アルミニウムなどの材質からなるボンディングワイヤ17により互いに接続されている。   Next, the configuration of the IGBT module 2 will be described in detail with reference to FIG. The IGBT module 2 mainly includes an IGBT chip 11, an insulating substrate 12, a base plate 13, solder layers 14 and 15, a bonding wire 17, and a case 18. The IGBT chip 11 is composed of a semiconductor substrate and an insulating film and electrodes formed thereon, and is joined to the insulating substrate 12 by a solder layer 14. The IGBT chips 11 are connected to each other by bonding wires 17 made of a material such as aluminum.

絶縁基板12は、IGBTチップ11とベース板13とを互いに絶縁するためのものであり、セラミックスなどの材質からなる。絶縁基板12は、半田層15によりベース板13上に接合されている。また、絶縁基板12上には配線パターンが引かれており、当該配線パターンにボンディングワイヤ17が接続されている。   The insulating substrate 12 is for insulating the IGBT chip 11 and the base plate 13 from each other, and is made of a material such as ceramics. The insulating substrate 12 is bonded onto the base plate 13 by the solder layer 15. A wiring pattern is drawn on the insulating substrate 12, and a bonding wire 17 is connected to the wiring pattern.

ベース板13は、IGBTチップ11の駆動により生じる熱を外部に放出するためのものであり、銅などの材質からなる放熱板である。ケース18は、IGBTチップ11および絶縁基板12を内部に収容するためのものであり、樹脂材料などからなる。ケース18の内部には、IGBTチップ11の保護のためにシリコーンゲルなどが封入されている。   The base plate 13 is for releasing heat generated by driving the IGBT chip 11 to the outside, and is a heat radiating plate made of a material such as copper. The case 18 is for housing the IGBT chip 11 and the insulating substrate 12 therein, and is made of a resin material or the like. In the case 18, silicone gel or the like is enclosed for protecting the IGBT chip 11.

IGBTチップ11の発熱部の温度がTj温度であり、ケース18の表面温度がTc温度である。Tj温度はゲート制御部20(図1)に内蔵された計測システムにより測定され、Tc温度はケース18に設けられた熱電対(図示しない)などにより測定される。   The temperature of the heat generating part of the IGBT chip 11 is the Tj temperature, and the surface temperature of the case 18 is the Tc temperature. The Tj temperature is measured by a measurement system built in the gate control unit 20 (FIG. 1), and the Tc temperature is measured by a thermocouple (not shown) provided in the case 18 or the like.

(パワーサイクル試験方法)
次に、上記パワーサイクル試験装置1を用いて行われるパワーサイクル試験方法の手順について説明する。上記パワーサイクル試験方法では、図3のフローチャートに示すように、IGBTモジュール2への電力印加およびその停止による試験サイクルを繰り返し、IGBTモジュール2に繰り返し温度変化を与えることにより、所定の熱ストレスが与えられえる。
(Power cycle test method)
Next, the procedure of the power cycle test method performed using the power cycle test apparatus 1 will be described. In the power cycle test method described above, as shown in the flowchart of FIG. 3, a test cycle by applying and stopping power to the IGBT module 2 is repeated, and a temperature change is repeatedly applied to the IGBT module 2 to give a predetermined thermal stress. I can be.

図4は、上記パワーサイクル試験方法における試験サイクルS1〜S6の繰り返しによるIGBTモジュール2のTj温度の時間変化を示している。図4のグラフ中、横軸は時間を示し、縦軸はTj温度を示している。上記パワーサイクル試験方法では、各試験サイクルS1〜S6においてIGBTモジュール2への電力印加が開始される温度である開始温度T1〜T6が、試験サイクルS1〜S6の繰り返しに伴って変わるように、より具体的には温度プロファイルP1(図4中一点鎖線)に沿って変わるように、制御コントローラ40によりIGBTモジュール2への電力印加のタイミングが調整される。本実施形態では、温度プロファイルP1は、Tj温度が上昇する昇温ステップ、Tj温度が維持される温度維持ステップおよびTj温度が低下する降温ステップを含む。   FIG. 4 shows the time change of the Tj temperature of the IGBT module 2 due to the repetition of the test cycles S1 to S6 in the power cycle test method. In the graph of FIG. 4, the horizontal axis indicates time, and the vertical axis indicates Tj temperature. In the power cycle test method, the start temperatures T1 to T6, which are the temperatures at which power application to the IGBT module 2 is started in each test cycle S1 to S6, are changed as the test cycles S1 to S6 are repeated. Specifically, the timing of application of power to the IGBT module 2 is adjusted by the controller 40 so as to change along the temperature profile P1 (one-dot chain line in FIG. 4). In the present embodiment, the temperature profile P1 includes a temperature increase step in which the Tj temperature increases, a temperature maintenance step in which the Tj temperature is maintained, and a temperature decrease step in which the Tj temperature decreases.

まず、昇温ステップ、温度維持ステップおよび降温ステップの各々について、試験サイクルの繰り返し回数および各ステップの前後におけるTj温度が、制御コントローラ40に入力される。本実施形態では、昇温ステップにおいて試験サイクルS1〜S3、温度維持ステップにおいて試験サイクルS4、降温ステップにおいて試験サイクルS5,S6がそれぞれ設定される。そして、入力された情報に基づいて、昇温ステップにおける試験サイクル毎の開始温度T1〜T3が制御コントローラ40により算出される。また同様に、降温ステップにおける試験サイクル毎の開始温度T5,T6が制御コントローラ40により算出される。開始温度T1〜T6は、後述のように試験サイクル間を移行する際の基準となる温度である。   First, for each of the temperature raising step, the temperature maintaining step, and the temperature lowering step, the number of repetitions of the test cycle and the Tj temperature before and after each step are input to the controller 40. In the present embodiment, test cycles S1 to S3 are set in the temperature raising step, test cycle S4 is set in the temperature maintaining step, and test cycles S5 and S6 are set in the temperature lowering step. Based on the input information, the controller 40 calculates start temperatures T1 to T3 for each test cycle in the temperature raising step. Similarly, the controller 40 calculates start temperatures T5 and T6 for each test cycle in the temperature lowering step. The start temperatures T1 to T6 are temperatures that serve as a reference when transitioning between test cycles as described later.

<昇温ステップ>
まず、昇温ステップについて説明する。はじめに、開始温度T1において制御コントローラ40からの指令によりIGBTモジュール2への電力印加が開始され、試験サイクルS1が開始される。これにより、Tj温度が上昇する。そして、一定時間が経過した後、制御コントローラ40からの指令によりIGBTモジュール2への電力印加が停止される。その後、冷却部30によりIGBTモジュール2が冷却され、Tj温度が低下する。この冷却中、Tj温度は一定の時間間隔で測定される。そして、Tj温度が、次の試験サイクルS2の開始温度T2(>T1)に到達した時点で試験サイクルS1が完了し、試験サイクルS2に移行する。
<Temperature raising step>
First, the temperature raising step will be described. First, application of power to the IGBT module 2 is started by a command from the controller 40 at the start temperature T1, and the test cycle S1 is started. Thereby, Tj temperature rises. Then, after a certain period of time has elapsed, application of power to the IGBT module 2 is stopped by a command from the controller 40. Thereafter, the IGBT module 2 is cooled by the cooling unit 30, and the Tj temperature decreases. During this cooling, the Tj temperature is measured at regular time intervals. Then, when the Tj temperature reaches the start temperature T2 (> T1) of the next test cycle S2, the test cycle S1 is completed, and the test cycle S2 is started.

試験サイクルS2は、Tj温度が開始温度T2に到達し、制御コントローラ40からの指令によりIGBTモジュール2への電力印加が開始されて始まる。そして、上記試験サイクルS1と同様に、一定時間電力印加が行われることによりTj温度が上昇し、その後電力印加が停止される。そして、冷却によりTj温度が低下し、次の試験サイクルS3の開始温度T3(>T2)に到達した時点で試験サイクルS2が完了し、試験サイクルS3に移行する。   The test cycle S2 starts when the Tj temperature reaches the start temperature T2 and application of power to the IGBT module 2 is started by a command from the controller 40. Then, similarly to the test cycle S1, the power application is performed for a certain time, so that the Tj temperature rises, and then the power application is stopped. Then, when the Tj temperature decreases due to cooling and reaches the start temperature T3 (> T2) of the next test cycle S3, the test cycle S2 is completed, and the test cycle S3 is started.

試験サイクルS3は、Tj温度が開始温度T3に到達し、制御コントローラ40からの指令によりIGBTモジュール2への電力印加が開始されて始まる。そして、上記試験サイクルS1,S2と同様に、一定時間電力印加が行われることによりTj温度が上昇し、その後電力印加が停止される。そして、冷却によりTj温度が低下し、次の試験サイクルS4の開始温度T4(>T3)に到達した時点で試験サイクルS3が完了する。   The test cycle S3 starts when the Tj temperature reaches the start temperature T3 and the application of power to the IGBT module 2 is started by a command from the controller 40. Then, similarly to the test cycles S1 and S2, the power application is performed for a certain time, so that the Tj temperature rises, and then the power application is stopped. The test cycle S3 is completed when the Tj temperature decreases due to cooling and reaches the start temperature T4 (> T3) of the next test cycle S4.

このように昇温ステップでは、試験サイクルS1〜S3毎の開始温度T1〜T3が試験サイクルS1〜S3毎に上昇するように設定される。そして、設定された開始温度T1〜T3に基づいて各試験サイクルS1〜S3が開始されるように、制御コントローラ40によりIGBTモジュール2への電力印加のタイミングが調整される。なお、開始温度T1〜T3は、図4に示すように線形的に増加するように設定されてもよいし、非線形的に増加するように設定されてもよい。また昇温ステップにおける試験サイクルの繰り返し回数は限定されない。   Thus, in the temperature raising step, the start temperatures T1 to T3 for each of the test cycles S1 to S3 are set to increase for each of the test cycles S1 to S3. And the timing of the electric power application to the IGBT module 2 is adjusted by the controller 40 so that each test cycle S1-S3 is started based on the set start temperature T1-T3. The start temperatures T1 to T3 may be set so as to increase linearly as shown in FIG. 4, or may be set so as to increase nonlinearly. In addition, the number of test cycles repeated in the temperature raising step is not limited.

<温度維持ステップ>
次に、温度維持ステップについて説明する。Tj温度が開始温度T4に到達した時点で制御コントローラ40からの指令によりIGBTモジュール2への電力印加が開始され、試験サイクルS4が開始される。これにより、Tj温度が上昇する。そして、一定時間経過後、制御コントローラ40からの指令により電力印加が停止される。その後、冷却部30によりIGBTモジュール2が冷却され、Tj温度が低下する。この冷却中、Tj温度は、上記昇温ステップと同様に一定の時間間隔で測定される。そして、Tj温度が開始温度T4と同じ温度である開始温度T5に到達した時点で試験サイクルS4が完了する。
<Temperature maintenance step>
Next, the temperature maintenance step will be described. When the Tj temperature reaches the start temperature T4, application of power to the IGBT module 2 is started by a command from the controller 40, and a test cycle S4 is started. Thereby, Tj temperature rises. Then, after a certain period of time has elapsed, power application is stopped by a command from the controller 40. Thereafter, the IGBT module 2 is cooled by the cooling unit 30, and the Tj temperature decreases. During this cooling, the Tj temperature is measured at regular time intervals in the same manner as in the temperature raising step. And test cycle S4 is completed when Tj temperature reaches start temperature T5 which is the same temperature as start temperature T4.

このように、温度維持ステップでは開始温度T4,T5が試験サイクル毎に維持されるように設定される。   Thus, in the temperature maintenance step, the start temperatures T4 and T5 are set so as to be maintained for each test cycle.

なお、本実施形態では、温度維持ステップにおいて試験サイクルの繰り返し回数が1回に設定されているが、複数回設定されてもよい。この場合、開始温度は試験サイクル毎に一定に維持されるように設定される。   In the present embodiment, the number of repetitions of the test cycle is set to 1 in the temperature maintaining step, but it may be set a plurality of times. In this case, the starting temperature is set to be kept constant for each test cycle.

<降温ステップ>
次に、降温ステップについて説明する。Tj温度が開始温度T5に到達した時点で制御コントローラ40からの指令によりIGBTモジュール2への電力印加が開始され、試験サイクルS5が開始される。これにより、Tj温度が上昇する。そして、一定時間経過後、制御コントローラ40からの指令により電力印加が停止され、その後IGBTモジュール2が冷却される。この冷却中、上記昇温ステップおよび温度維持ステップと同様に、Tj温度は一定の時間間隔で測定される。そして、Tj温度が次の試験サイクルS6の開始温度T6(<T5)に到達した時点で試験サイクルS5が完了し、試験サイクルS6に移行する。
<Cooling step>
Next, the temperature lowering step will be described. When the Tj temperature reaches the start temperature T5, application of power to the IGBT module 2 is started by a command from the controller 40, and a test cycle S5 is started. Thereby, Tj temperature rises. Then, after a certain period of time has elapsed, application of power is stopped by a command from the controller 40, and then the IGBT module 2 is cooled. During this cooling, the Tj temperature is measured at regular time intervals in the same manner as in the temperature raising step and the temperature maintaining step. Then, when the Tj temperature reaches the start temperature T6 (<T5) of the next test cycle S6, the test cycle S5 is completed, and the test cycle S6 is started.

試験サイクルS6は、Tj温度が開始温度T6に到達し、制御コントローラ40からの指令によりIGBTモジュール2への電力印加が開始されて始まる。そして、上記試験サイクルS5と同様に、一定時間電力印加が行われることによりTj温度が上昇し、その後電力印加が停止される。そして、冷却によりTj温度が低下し、温度T7(<T6)に到達した時点で試験サイクルS6が完了する。   The test cycle S6 starts when the Tj temperature reaches the start temperature T6 and the application of power to the IGBT module 2 is started by a command from the controller 40. Then, similarly to the test cycle S5, the power application is performed for a certain time, so that the Tj temperature rises, and then the power application is stopped. The test cycle S6 is completed when the Tj temperature is decreased by cooling and reaches the temperature T7 (<T6).

このように降温ステップでは、開始温度T5,T6が試験サイクルS5,S6毎に低下するように設定される。そして、設定された開始温度T5,T6に基づいて試験サイクルS5,S6が開始されるように、制御コントローラ40によりIGBTモジュール2への電力印加のタイミングが調整される。   Thus, in the temperature lowering step, the start temperatures T5 and T6 are set so as to decrease every test cycle S5 and S6. Then, the timing of application of power to the IGBT module 2 is adjusted by the controller 40 so that the test cycles S5 and S6 are started based on the set start temperatures T5 and T6.

なお、本実施形態では、降温ステップにおいて試験サイクルの繰り返し回数が2回に設定されているが、3回以上に設定されてもよい。この場合、各試験サイクルの開始温度は線形的に低下するように設定されてもよいし、非線形的に低下するように設定されてもよい。   In the present embodiment, the number of repetitions of the test cycle is set to 2 in the temperature lowering step, but may be set to 3 times or more. In this case, the starting temperature of each test cycle may be set so as to decrease linearly or may be set so as to decrease nonlinearly.

以上のように上記パワーサイクル試験方法では、試験サイクルS1〜S6毎の開始温度T1〜T6が試験サイクルの繰り返しに伴って変わるように、制御コントローラ40によりIGBTモジュール2への電力印加のタイミングが調整される。より具体的には、開始温度T1〜T6が予め設定された温度プロファイルP1に沿って変わるように、制御コントローラ40によりIGBTモジュール2への電力印加のタイミングが調整される。   As described above, in the power cycle test method, the timing of applying power to the IGBT module 2 is adjusted by the controller 40 so that the start temperatures T1 to T6 for each of the test cycles S1 to S6 change as the test cycle is repeated. Is done. More specifically, the timing of power application to the IGBT module 2 is adjusted by the controller 40 so that the start temperatures T1 to T6 change along a preset temperature profile P1.

なお、昇温ステップ、温度維持ステップおよび降温ステップの各々において、試験サイクルの繰り返し回数は特に限定されるものではなく、試験条件に応じて適宜設定することができる。また各試験サイクルにおいて、一定時間電力印加を行った後に電力印加が停止されてもよいがこれに限定されず、電力印加によりTj温度が所定の目標値に到達した後に電力印加が停止されるようにタイミングが調整されてもよい。またIGBTモジュール2は自然放熱により冷却されてもよい。   In each of the temperature raising step, the temperature maintaining step, and the temperature lowering step, the number of repetitions of the test cycle is not particularly limited, and can be appropriately set according to the test conditions. Further, in each test cycle, the power application may be stopped after power is applied for a certain time. However, the present invention is not limited to this, and the power application is stopped after the Tj temperature reaches a predetermined target value by the power application. The timing may be adjusted. The IGBT module 2 may be cooled by natural heat dissipation.

(パワーサイクル試験装置およびパワーサイクル試験方法による作用効果)
次に、上記パワーサイクル試験装置1およびこれを用いたパワーサイクル試験方法による作用効果について説明する。
(Effects of power cycle test equipment and power cycle test method)
Next, the effects of the power cycle test apparatus 1 and the power cycle test method using the power cycle test apparatus 1 will be described.

上記パワーサイクル試験装置1およびパワーサイクル試験方法では、試験サイクルS1〜S6の繰り返しに伴って開始温度T1〜T6が変わるようにIGBTモジュール2への電力印加を行うことができる。そのため、試験サイクルS1〜S6の繰り返しによるパワーサイクル試験に加え、開始温度T1〜T6の変化によってIGBTモジュール2の外部環境温度の変化が与えられた場合を疑似的に再現したサーマルサイクル試験が実行可能になる。したがって、上記パワーサイクル試験装置1およびパワーサイクル試験方法によれば、デバイスの外部環境温度の調節機構を設ける必要がなく、パワーサイクル試験にサーマルサイクル試験を併せたスーパーインポーズ試験を実行することができる。   In the power cycle test apparatus 1 and the power cycle test method, it is possible to apply power to the IGBT module 2 so that the start temperatures T1 to T6 change with the repetition of the test cycles S1 to S6. Therefore, in addition to the power cycle test by repeating the test cycles S1 to S6, it is possible to execute a thermal cycle test that simulates the case where a change in the external environment temperature of the IGBT module 2 is given by a change in the start temperature T1 to T6. become. Therefore, according to the power cycle test apparatus 1 and the power cycle test method, it is not necessary to provide a mechanism for adjusting the external environmental temperature of the device, and a superimpose test in which a thermal cycle test is combined with a power cycle test can be executed. it can.

上記パワーサイクル試験装置1において、制御コントローラ40は、試験サイクルS1〜S6毎の開始温度T1〜T6が予め設定された温度プロファイルP1に沿って変わるように、電源部10およびゲート制御部20による電力印加のタイミングを調整する。これにより、実際の外部環境温度の変化に応じて設定される温度プロファイルP1に沿って開始温度T1〜T6を調整することができる。その結果、実使用中に生じる熱ストレスを効率良くデバイスに与えることができる。   In the power cycle test apparatus 1, the controller 40 uses the power from the power supply unit 10 and the gate control unit 20 so that the start temperatures T1 to T6 for the test cycles S1 to S6 change along the preset temperature profile P1. Adjust the timing of application. Thereby, start temperature T1-T6 can be adjusted along the temperature profile P1 set according to the change of actual external environmental temperature. As a result, the thermal stress generated during actual use can be efficiently applied to the device.

上記パワーサイクル試験装置1において、制御コントローラ40は、開始温度T1〜T3が試験サイクルS1〜S3毎に上昇する昇温ステップと、開始温度T5,T6が試験サイクルS5,S6毎に低下する降温ステップと、を含む温度プロファイルP1に沿って試験サイクル毎の開始温度が変わるように、電源部10およびゲート制御部20による電力印加のタイミングを調整する。これにより、外部環境温度が上昇および下降する場合にデバイスに与えられる熱ストレスを効率良く再現することができる。   In the power cycle test apparatus 1, the controller 40 includes a temperature raising step in which the start temperatures T1 to T3 are increased for each of the test cycles S1 to S3, and a temperature lowering step in which the start temperatures T5 and T6 are decreased for each of the test cycles S5 and S6. The power application timing by the power supply unit 10 and the gate control unit 20 is adjusted so that the start temperature for each test cycle changes along the temperature profile P1 including As a result, the thermal stress applied to the device when the external environmental temperature rises and falls can be efficiently reproduced.

上記パワーサイクル試験装置1において、制御コントローラ40は、開始温度T4,T5が試験サイクル毎に維持される温度維持ステップをさらに含む温度プロファイルP1に沿って試験サイクル毎の開始温度が変わるように、電源部10およびゲート制御部20による電力印加のタイミングを調整する。これにより、外部環境温度が維持される場合にデバイスに与えられる熱ストレスを効率良く再現することができる。   In the power cycle test apparatus 1, the controller 40 controls the power supply so that the start temperature for each test cycle changes along the temperature profile P <b> 1 further including a temperature maintenance step in which the start temperatures T <b> 4 and T <b> 5 are maintained for each test cycle. The timing of power application by the unit 10 and the gate control unit 20 is adjusted. Thereby, it is possible to efficiently reproduce the thermal stress applied to the device when the external environment temperature is maintained.

上記パワーサイクル試験装置1において、制御コントローラ40は、昇温ステップにおける試験サイクルS1〜S3毎の開始温度T1〜T3を算出し、かつ降温ステップにおける試験サイクルS5,S6毎の開始温度T5,T6を算出する。試験サイクル毎に算出された開始温度に基づいて試験サイクルを繰り返すことにより、試験サイクル間の移行をスムーズに行うことができる。   In the power cycle test apparatus 1, the controller 40 calculates the start temperatures T1 to T3 for the test cycles S1 to S3 in the temperature raising step, and calculates the start temperatures T5 and T6 for the test cycles S5 and S6 in the temperature drop step. calculate. By repeating the test cycle based on the start temperature calculated for each test cycle, the transition between the test cycles can be performed smoothly.

(変形例)
最後に、上記本実施形態の変形例について、図5〜図7を参照して説明する。図5〜図7には、図4と同様に試験サイクル毎の開始温度を変化させる温度プロファイルが一点鎖線により示されており、横軸は時間を示し、縦軸はTj温度を示している。
(Modification)
Finally, a modified example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5-7, the temperature profile which changes the starting temperature for every test cycle is shown with the dashed-dotted line similarly to FIG. 4, the horizontal axis shows time, and the vertical axis | shaft shows Tj temperature.

図5の変形例1に示すように、昇温ステップおよび降温ステップを含み、温度維持ステップを含まない温度プロファイルP2に沿って試験サイクル毎の開始温度が変化するように、制御コントローラ40により電力印加のタイミングが調整されてもよい。また図6の変形例2に示すように、昇温ステップおよび温度維持ステップを含み、降温ステップを含まない温度プロファイルP3に沿って試験サイクル毎の開始温度が変化するように、制御コントローラ40により電力印加のタイミングが調整されてもよい。また図7の変形例3に示すように、降温ステップおよび温度維持ステップを含み、昇温ステップを含まない温度プロファイルP4に沿って試験サイクル毎の開始温度が変化するように、制御コントローラ40により電力印加のタイミングが調整されてもよい。   As shown in Modification 1 in FIG. 5, power is applied by the controller 40 so that the start temperature for each test cycle changes along a temperature profile P2 that includes a temperature increase step and a temperature decrease step but does not include a temperature maintenance step. The timing may be adjusted. Further, as shown in Modification 2 in FIG. 6, the controller 40 controls the power so that the start temperature for each test cycle changes along the temperature profile P3 including the temperature raising step and the temperature maintaining step and not including the temperature lowering step. The timing of application may be adjusted. Further, as shown in Modification 3 in FIG. 7, the controller 40 controls the power so that the start temperature for each test cycle changes along the temperature profile P4 including the temperature lowering step and the temperature maintaining step and not including the temperature increasing step. The timing of application may be adjusted.

また上記変形例以外にも、昇温ステップ、温度維持ステップおよび降温ステップを任意に組み合わせた温度プロファイルに沿って試験サイクル毎の開始温度が変化するように、制御コントローラ40により電力印加のタイミングが調整されてもよい。また、本発明では、開始温度が試験サイクルの繰り返しに伴って変わるように電力印加のタイミングが調整されればよく、開始温度が予め設定された温度プロファイルに沿って変わるように電力印加のタイミングを調整することに限定されない。   In addition to the above modification, the controller 40 adjusts the timing of power application so that the start temperature for each test cycle changes along a temperature profile that is an arbitrary combination of the temperature raising step, the temperature maintaining step, and the temperature lowering step. May be. Further, in the present invention, it is only necessary to adjust the power application timing so that the start temperature changes as the test cycle repeats, and the power application timing is set so that the start temperature changes along a preset temperature profile. It is not limited to adjusting.

また上記実施形態のように被試験デバイスとしてIGBTモジュール2が用いられる場合に限定されず、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの他のパワー半導体デバイスが同様に用いられてもよい。   Further, the present invention is not limited to the case where the IGBT module 2 is used as a device under test as in the above embodiment, and other power semiconductor devices such as a MOSFET (Metal Oxide Field Effect Transistor) may be used similarly.

なお、上記実施形態および変形例は例示であり、本発明の範囲はこれらに制限されるものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記実施形態および変形例ではなく特許請求の範囲により示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。   In addition, the said embodiment and modification are illustrations, and it should be thought that the range of this invention is not restrict | limited to these. The scope of the present invention is shown not by the above-described embodiments and modifications but by the scope of claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.

1 パワーサイクル試験装置、2 IGBTモジュール(被試験デバイス)、10 電源部(電力印加部)、20 ゲート制御部(電力印加部)、40 制御コントローラ(制御部)、P1〜P4 温度プロファイル(プロファイル)、S1〜S6 試験サイクル、T1〜T6 開始温度。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power cycle test apparatus, 2 IGBT module (device under test), 10 Power supply part (power application part), 20 Gate control part (power application part), 40 Control controller (control part), P1-P4 Temperature profile (profile) , S1-S6 test cycle, T1-T6 starting temperature.

Claims (10)

被試験デバイスへの電力印加およびその停止による試験サイクルを繰り返し、前記被試験デバイスに繰り返し温度変化を与えるパワーサイクル試験装置であって、
前記被試験デバイスに電力を印加するための電力印加部と、
前記電力印加部による電力印加および前記電力印加の停止を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記被試験デバイスへの電力印加が開始される温度である開始温度が前記試験サイクルの繰り返しに伴って変わるように、前記電力印加部による電力印加のタイミングを調整する、パワーサイクル試験装置。
A power cycle test apparatus that repeats a test cycle by applying and stopping power to a device under test and repeatedly giving a temperature change to the device under test,
A power application unit for applying power to the device under test;
A control unit for controlling power application by the power application unit and stopping of the power application,
The control unit adjusts the timing of power application by the power application unit so that a start temperature, which is a temperature at which power application to the device under test is started, changes with repetition of the test cycle. Test equipment.
前記制御部は、前記試験サイクル毎の前記開始温度が予め設定されたプロファイルに沿って変わるように、前記電力印加部による電力印加のタイミングを調整する、請求項1に記載のパワーサイクル試験装置。   The power cycle test apparatus according to claim 1, wherein the control unit adjusts the timing of power application by the power application unit so that the start temperature for each test cycle changes along a preset profile. 前記制御部は、前記開始温度が前記試験サイクル毎に上昇する昇温ステップと、前記開始温度が前記試験サイクル毎に低下する降温ステップと、を含む前記プロファイルに沿って前記試験サイクル毎の前記開始温度が変わるように、前記電力印加部による電力印加のタイミングを調整する、請求項2に記載のパワーサイクル試験装置。   The control unit includes the temperature rising step in which the start temperature increases for each test cycle and the temperature decreasing step in which the start temperature decreases for each test cycle. The power cycle test apparatus according to claim 2, wherein the timing of power application by the power application unit is adjusted so that the temperature changes. 前記制御部は、前記開始温度が前記試験サイクル毎に維持される温度維持ステップをさらに含む前記プロファイルに沿って前記試験サイクル毎の前記開始温度が変わるように、前記電力印加部による電力印加のタイミングを調整する、請求項3に記載のパワーサイクル試験装置。   The control unit includes a timing of power application by the power application unit such that the start temperature for each test cycle changes along the profile further including a temperature maintaining step in which the start temperature is maintained for each test cycle. The power cycle test apparatus according to claim 3, wherein the power cycle test apparatus is adjusted. 前記制御部は、前記昇温ステップにおける前記試験サイクル毎の前記開始温度を算出するとともに、前記降温ステップにおける前記試験サイクル毎の前記開始温度を算出する、請求項3または4に記載のパワーサイクル試験装置。   5. The power cycle test according to claim 3, wherein the control unit calculates the start temperature for each test cycle in the temperature raising step and calculates the start temperature for each test cycle in the temperature decrease step. 6. apparatus. 被試験デバイスへの電力印加およびその停止による試験サイクルを繰り返し、前記被試験デバイスに繰り返し温度変化を与えるパワーサイクル試験方法であって、
前記被試験デバイスへの電力印加が開始される温度である開始温度が前記試験サイクルの繰り返しに伴って変わるように、電力印加のタイミングが調整される、パワーサイクル試験方法。
A power cycle test method that repeats a test cycle by applying and stopping power to a device under test and repeatedly giving a temperature change to the device under test,
A power cycle test method, wherein a power application timing is adjusted such that a start temperature, which is a temperature at which power application to the device under test is started, changes with repetition of the test cycle.
前記試験サイクル毎の前記開始温度が予め設定されたプロファイルに沿って変わるように、電力印加のタイミングが調整される、請求項6に記載のパワーサイクル試験方法。   The power cycle test method according to claim 6, wherein the timing of power application is adjusted so that the start temperature for each test cycle changes along a preset profile. 前記開始温度が前記試験サイクル毎に上昇する昇温ステップと、前記開始温度が前記試験サイクル毎に低下する降温ステップと、を含む前記プロファイルに沿って前記試験サイクル毎の前記開始温度が変わるように、電力印加のタイミングが調整される、請求項7に記載のパワーサイクル試験方法。   The start temperature for each test cycle is changed along the profile including a temperature increasing step for increasing the start temperature for each test cycle and a temperature decrease step for decreasing the start temperature for each test cycle. The power cycle test method according to claim 7, wherein the timing of power application is adjusted. 前記開始温度が前記試験サイクル毎に維持される温度維持ステップをさらに含む前記プロファイルに沿って前記試験サイクル毎の前記開始温度が変わるように、電力印加のタイミングが調整される、請求項8に記載のパワーサイクル試験方法。   The power application timing is adjusted such that the start temperature for each test cycle varies along the profile further including a temperature maintenance step in which the start temperature is maintained for each test cycle. Power cycle test method. 前記昇温ステップにおける前記試験サイクル毎の前記開始温度が算出されるとともに、前記降温ステップにおける前記試験サイクル毎の前記開始温度が算出される、請求項8または9に記載のパワーサイクル試験方法。   The power cycle test method according to claim 8 or 9, wherein the start temperature for each test cycle in the temperature raising step is calculated, and the start temperature for each test cycle in the temperature drop step is calculated.
JP2014251755A 2014-12-12 2014-12-12 Power cycle test apparatus and power cycle test method Active JP6275631B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014251755A JP6275631B2 (en) 2014-12-12 2014-12-12 Power cycle test apparatus and power cycle test method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014251755A JP6275631B2 (en) 2014-12-12 2014-12-12 Power cycle test apparatus and power cycle test method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016114403A true JP2016114403A (en) 2016-06-23
JP6275631B2 JP6275631B2 (en) 2018-02-07

Family

ID=56141317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014251755A Active JP6275631B2 (en) 2014-12-12 2014-12-12 Power cycle test apparatus and power cycle test method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6275631B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7029837B1 (en) * 2021-07-19 2022-03-04 株式会社デンケン Power cycle test equipment and power cycle test method
CN114720166A (en) * 2022-03-17 2022-07-08 西北工业大学 Comprehensive temperature test method for civil airborne equipment

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58165681U (en) * 1982-04-28 1983-11-04 日本電気株式会社 Semiconductor life test equipment
JPH0727817A (en) * 1993-07-09 1995-01-31 Toshiba Corp Method and device for testing connecting/disconnecting operation of semiconductor element
JP2003130920A (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Fujitsu Ten Ltd Repetitive durability-testing method and apparatus of power module
JP2007183167A (en) * 2006-01-06 2007-07-19 Sumitomo Electric Ind Ltd Device evaluation system and method
JP2010245348A (en) * 2009-04-07 2010-10-28 Harison Toshiba Lighting Corp Testing device and testing method
JP2012098224A (en) * 2010-11-04 2012-05-24 Renesas Electronics Corp Power cycle test method and power cycle test apparatus
JP2014020892A (en) * 2012-07-18 2014-02-03 Espec Corp Power cycle testing device
JP2014020893A (en) * 2012-07-18 2014-02-03 Espec Corp Power cycle testing device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58165681U (en) * 1982-04-28 1983-11-04 日本電気株式会社 Semiconductor life test equipment
JPH0727817A (en) * 1993-07-09 1995-01-31 Toshiba Corp Method and device for testing connecting/disconnecting operation of semiconductor element
JP2003130920A (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Fujitsu Ten Ltd Repetitive durability-testing method and apparatus of power module
JP2007183167A (en) * 2006-01-06 2007-07-19 Sumitomo Electric Ind Ltd Device evaluation system and method
JP2010245348A (en) * 2009-04-07 2010-10-28 Harison Toshiba Lighting Corp Testing device and testing method
JP2012098224A (en) * 2010-11-04 2012-05-24 Renesas Electronics Corp Power cycle test method and power cycle test apparatus
JP2014020892A (en) * 2012-07-18 2014-02-03 Espec Corp Power cycle testing device
JP2014020893A (en) * 2012-07-18 2014-02-03 Espec Corp Power cycle testing device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7029837B1 (en) * 2021-07-19 2022-03-04 株式会社デンケン Power cycle test equipment and power cycle test method
JP7349113B2 (en) 2021-07-19 2023-09-22 株式会社デンケン Power cycle test equipment and power cycle test method
CN114720166A (en) * 2022-03-17 2022-07-08 西北工业大学 Comprehensive temperature test method for civil airborne equipment
CN114720166B (en) * 2022-03-17 2024-04-16 西北工业大学 Comprehensive temperature test method for civil airborne equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP6275631B2 (en) 2018-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Scheuermann et al. Power cycling results for different control strategies
JP5829986B2 (en) Power cycle test equipment
JP5731448B2 (en) Power cycle test equipment
JP6221408B2 (en) Thermal resistance measuring method and thermal resistance measuring device
JP6104407B2 (en) Semiconductor device
Scheuermann et al. Impact of load pulse duration on power cycling lifetime of Al wire bonds
JP6119125B2 (en) Semiconductor test apparatus and semiconductor test method
JP2014020892A5 (en)
JP2018096970A (en) Junction temperature measuring method for power modules
JP2017166824A (en) Device for controlling power cycle evaluation test of semiconductor element
JP2017166824A5 (en)
JP6275631B2 (en) Power cycle test apparatus and power cycle test method
CN102393768A (en) Temperature closed-loop control device and testing method
Ayadi et al. Electro-thermal simulation of a three phase inverter with cooling system
Wang et al. Observer based dynamic adaptive cooling system for power modules
JP2008277831A (en) Probing apparatus and operation method therefor
JP2005354812A (en) Inverter apparatus
JP6275629B2 (en) Power cycle test apparatus and power cycle test method
Sarkany et al. Effect of power cycling parameters on predicted IGBT lifetime
Reigosa et al. Comparison of thermal runaway limits under different test conditions based on a 4.5 kV IGBT
US10887947B2 (en) Transistor implemented heat source
JP2012163667A (en) Light source device, video display device, and multi-screen video display device
JP2016171610A (en) Power conversion apparatus
Fodor et al. Thermal Characterization of Passive Cooling Techniques for High-Power Component Clusters
JP2006049567A (en) Semiconductor apparatus and using method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160822

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170512

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170523

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170720

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180110

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6275631

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250