JP2016046376A - High frequency module and method of manufacturing high frequency module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、集合基板を切断して個片化される絶縁基板に電子部品等が実装されてなる高周波モジュールとその製造方法とに関わる。 The present invention relates to a high-frequency module in which an electronic component or the like is mounted on an insulating substrate cut into individual pieces by cutting an aggregate substrate, and a method for manufacturing the same.
従来から、携帯機器等に内蔵される高周波モジュールにおいては、集合基板状態の絶縁基板上に集積回路を含む複数の電子部品を実装し、同じ絶縁基板上にパターン形成されたアンテナを設ける方法が一般的である。しかし、このように絶縁基板上にアンテナや複数の電子部品を実装した場合、絶縁基板における実装面積が非常に大きくなってしまい、高周波モジュールの大型化に繋がってしまっていた。このような問題を解決するため、複数の電子部品を封止部材で封止し、封止部材の表面にアンテナを設け、アンテナと複数の電子部品とを接続導体で接続する構造とした高周波モジュールが提案されている。 Conventionally, in a high-frequency module built in a portable device or the like, a method in which a plurality of electronic components including an integrated circuit are mounted on an insulating substrate in a collective substrate state and a patterned antenna is provided on the same insulating substrate is generally used. Is. However, when an antenna or a plurality of electronic components are mounted on an insulating substrate in this way, the mounting area on the insulating substrate becomes very large, leading to an increase in the size of the high-frequency module. In order to solve such a problem, a high frequency module having a structure in which a plurality of electronic components are sealed with a sealing member, an antenna is provided on the surface of the sealing member, and the antenna and the plurality of electronic components are connected with a connection conductor. Has been proposed.
この種の高周波モジュールが特許文献1に開示されている。特許文献1に開示された高周波無線モジュール900を図16に示す。
This type of high-frequency module is disclosed in
この高周波無線モジュール900では、モジュール基板901上に無線送受信機能部を構成するIC921や受動素子922等の電子部品を実装し、これらを電気的な絶縁性を有する封止部材902によって封止する。さらに、封止部材902の内部にシールド電極931を設ける。また、封止部材902の上面には逆F型アンテナやパッチアンテナ等の平面パターンで形成可能なアンテナ導体903を設け、このアンテナ導体903を、接続導体932によってモジュール基板901内部の配線912または封止部材902に埋設されている電子部品912、922と電気的に接続する。
In the high-frequency
このように構成された高周波無線モジュール900においては、集合基板状態で作成する際のモジュール基板901の取り個数を増加させることができるため、モジュール形状を小型化することができる。
In the high-frequency
しかしながら、高周波モジュール900では以下のような課題があった。高周波モジュール900では、上述したように封止部材902の上面に設けたアンテナ導体903を接続導体932によって電子部品912及び922と電気的に接続している。しかし、高周波モジュール900の製造工程上、接続導体932をモジュール基板901上に載置してから封止部材902を充填するため、接続導体932には自立するための太さが必要である。従って、接続導体932が高周波モジュール900内に比較的大きな領域を占めることになる。特に、高周波モジュール900に小型化がより強く要求されるようになるにつれて、接続導体932の占める領域の割合がより大きくなっていた。そのため、高周波モジュール900の小型化を妨げる結果となっていた。
However, the
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、集合基板の取り個数を増加させ、小型化が可能な高周波モジュールの製造方法を提供することにある。また、小型化された高周波モジュールを提供することにある。 The present invention has been made in view of the actual situation of the prior art, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a high-frequency module capable of increasing the number of collective substrates and reducing the size. Another object is to provide a miniaturized high frequency module.
この課題を解決するために、本発明の高周波モジュールの製造方法は、集合基板上に配線パターンを形成する第1工程と、電子部品と導電性ポストとを前記集合基板上に取り付ける第2工程と、前記電子部品を覆う封止樹脂を前記集合基板上に設ける第3工程と、前記封止樹脂の表面にアンテナパターンを形成する第4工程と、前記集合基板及び前記封止樹脂を切断して個片化する第5工程と、を有し、前記導電性ポストは、前記集合基板が切断される位置に跨がって載置されると共に、前記個片化する工程で分割される、という特徴を有する。 In order to solve this problem, a method for manufacturing a high-frequency module according to the present invention includes a first step of forming a wiring pattern on a collective substrate, and a second step of attaching an electronic component and a conductive post on the collective substrate. A third step of providing a sealing resin covering the electronic component on the collective substrate; a fourth step of forming an antenna pattern on the surface of the sealing resin; and cutting the collective substrate and the sealing resin. And the conductive post is placed across the position where the collective substrate is cut, and is divided in the step of dividing into pieces. Has characteristics.
このように構成された高周波モジュールの製造方法は、導電性ポストが分割されて、高周波モジュール1台当たりの導電性ポストの占める領域の面積が小さくなるため、集合基板の取り個数を増加させることができ、小型化が可能な高周波モジュールの製造方法を提供することができる。 In the method of manufacturing a high-frequency module configured in this way, the conductive posts are divided, and the area occupied by the conductive posts per high-frequency module is reduced, so that the number of collective substrates can be increased. The manufacturing method of the high frequency module which can be reduced and can be provided can be provided.
また、この課題を解決するために、本発明の高周波モジュールは、矩形状の絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられた配線パターンと、前記絶縁基板上に設けられた電子部品と、前記絶縁基板上に設けられた導電性ポストと、前記電子部品と前記配線パターンとを覆う封止樹脂と、前記封止樹脂上に設けられたアンテナパターンと、を備え、前記アンテナパターンは、前記導電性ポスト及び前記配線パターンを介して前記電子部品に接続されており、前記導電性ポストは、前記絶縁基板の1つの辺の中央に設けられていて、前記導電性ポストの側面が露出している、という特徴を有する。 In order to solve this problem, the high-frequency module of the present invention includes a rectangular insulating substrate, a wiring pattern provided on the insulating substrate, an electronic component provided on the insulating substrate, and the insulation. A conductive post provided on a substrate; a sealing resin that covers the electronic component and the wiring pattern; and an antenna pattern provided on the sealing resin. It is connected to the electronic component via a post and the wiring pattern, the conductive post is provided at the center of one side of the insulating substrate, and the side surface of the conductive post is exposed, It has the characteristics.
このように構成された高周波モジュールは、絶縁基板の1つの辺の中央に設けられている導電性ポストの占める領域の面積が小さい。そのため、小型化された高周波モジュールを得ることができる。 The high-frequency module configured in this manner has a small area occupied by a conductive post provided at the center of one side of the insulating substrate. Therefore, a miniaturized high frequency module can be obtained.
また、この課題を解決するために、本発明の高周波モジュールは、矩形状の絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられた配線パターンと、前記絶縁基板上に設けられた電子部品と、前記絶縁基板上に設けられた導電性ポストと、前記電子部品と前記配線パターンとを覆う封止樹脂と、前記封止樹脂上に設けられたアンテナパターンと、を備え、前記アンテナパターンは、前記導電性ポスト及び前記配線パターンを介して前記電子部品に接続されており、前記導電性ポストは、前記絶縁基板の1つの角に設けられていて、前記導電性ポストの側面が露出している、という特徴を有する。 In order to solve this problem, the high-frequency module of the present invention includes a rectangular insulating substrate, a wiring pattern provided on the insulating substrate, an electronic component provided on the insulating substrate, and the insulation. A conductive post provided on a substrate; a sealing resin that covers the electronic component and the wiring pattern; and an antenna pattern provided on the sealing resin. It is connected to the electronic component via a post and the wiring pattern, the conductive post is provided at one corner of the insulating substrate, and the side surface of the conductive post is exposed. Have
このように構成された高周波モジュールは、絶縁基板の1つの角に設けられている導電性ポストの占める領域の面積が更に小さい。そのため、より小型化された高周波モジュールを得ることができる。 In the high-frequency module configured as described above, the area occupied by the conductive posts provided at one corner of the insulating substrate is further reduced. Therefore, a more miniaturized high frequency module can be obtained.
本発明の高周波モジュールの製造方法は、導電性ポストが分割されて、高周波モジュール1台当たりの導電性ポストの占める領域の面積が小さくなるため、集合基板の取り個数を増加させることができ、小型化が可能な高周波モジュールの製造方法を提供することができる。また、本発明の高周波モジュールは、絶縁基板の1つの辺の中央に設けられている導電性ポストの占める領域の面積が小さい。そのため、小型化された高周波モジュールを得ることができる。また、本発明の高周波モジュールは、絶縁基板の1つの角に設けられている導電性ポストの占める領域の面積が更に小さい。そのため、より小型化された高周波モジュールを得ることができる。 In the method of manufacturing a high frequency module according to the present invention, since the conductive posts are divided and the area occupied by the conductive posts per high frequency module is reduced, the number of collective substrates can be increased, and the size can be reduced. It is possible to provide a method of manufacturing a high-frequency module that can be realized. In the high-frequency module of the present invention, the area occupied by the conductive post provided in the center of one side of the insulating substrate is small. Therefore, a miniaturized high frequency module can be obtained. In the high frequency module of the present invention, the area occupied by the conductive posts provided at one corner of the insulating substrate is further reduced. Therefore, a more miniaturized high frequency module can be obtained.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。尚、本明細書では、特に断りの無い限り、各図面のX1側を右側、X2側を左側、Y1側を奥側、Y2側を手前側、Z1側を上側、Z2側を下側として説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification, unless otherwise specified, the X1 side of each drawing is described as the right side, the X2 side as the left side, the Y1 side as the back side, the Y2 side as the near side, the Z1 side as the upper side, and the Z2 side as the lower side. To do.
[第1実施形態]
まず、本発明の第1実施形態の製造方法である高周波モジュール100の製造方法について、図1乃至図8を用いて説明する。
[First embodiment]
First, the manufacturing method of the
図1は、高周波モジュール100の製造方法で使用する集合基板20を示す平面図である。尚、今後説明する高周波モジュール200及び高周波モジュール300の製造方法で使用する集合基板20の平面図も、図1に示す集合基板20の平面図と同一である。図2は、高周波モジュール100の製造方法に関わる集合基板20の切断前の状態の斜視図であり、図3は、高周波モジュール100の製造方法に関わる集合基板20の切断前の状態の平面図である。図4は、高周波モジュール100の製造方法・第1工程に関わる説明図であり、図5は、第2工程に関わる説明図であり、図6は、第3工程に関わる説明図であり、図7は、第4工程に関わる説明図であり、図8は、第5工程に関わる説明図である。尚、図4乃至図8においては、それぞれ(a)に平面図、(b)に側面図を示している。
FIG. 1 is a plan view showing a
図1に示すように、本発明の高周波モジュールの製造方法では、集合基板20が用意される。集合基板20には、複数の縦の切断ライン21及び複数の横の切断ライン22で区切られた、矩形形状をした複数の絶縁基板11が格子状に形成されている。その後、複数の絶縁基板11に対応する電子回路がそれぞれ一括して設けられて複数の高周波モジュールが形成される。本発明の高周波モジュールの製造方法は、集合基板20を縦の切断ライン21及び横の切断ライン22を中心線として切断して個片化することにより高周波モジュールを得る製造方法である。
As shown in FIG. 1, in the method for manufacturing a high-frequency module of the present invention, a
高周波モジュール100の製造方法は、集合基板20内の隣り合う2つの絶縁基板11を一組として、高周波モジュール100を製造する製造方法である。本説明は、集合基板20の内の任意の隣り合う2つの絶縁基板11について行う。集合基板20内の他の複数の絶縁基板11に対しても、その製造方法は同様である。
The method for manufacturing the high-
高周波モジュール100の製造方法における集合基板20の切断前の状態では、図3に示すように、集合基板20内の隣り合う2つの絶縁基板11にそれぞれ配線パターン1が形成されており、図2及び図3に示すように、高周波モジュール100内の電子回路を構成する複数の電子部品3が取り付けられている。配線パターン1及び電子部品3は、封止樹脂7によって封止されている。封止樹脂7上には、高周波モジュール100内の電子回路を構成するアンテナ9のアンテナ素子であるミアンダ形状のアンテナパターン9aが形成されている。
In the state before the
図2及び図3に示すように、2つの絶縁基板11それぞれの隣り合う辺の中央には、2つの絶縁基板11を跨って導電性ポスト5が取り付けられている。導電性ポスト5は、2つの絶縁基板11それぞれで配線パターン1に接続されていると共に、封止樹脂7上でアンテナパターン9aの一端に接続されている。従って、絶縁基板11上の電子部品3が導電性ポスト5を介して封止樹脂7上のアンテナパターン9aにそれぞれ接続されている。即ち、導電性ポスト5は、2つの絶縁基板11に形成される電子回路それぞれに共用される。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
図3から分かるように、導電性ポスト5が2つの絶縁基板11に形成される電子回路それぞれに共用され、2つの同一の高周波モジュール100を得るため、2つの絶縁基板11上のそれぞれの配線パターン1、電子部品3、及びアンテナパターン9aは、導電性ポスト5を中心点として点対称に配設される。2つの絶縁基板11がその後切断されることによって、2つの高周波モジュール100が製造される。導電性ポスト5は、2つの絶縁基板11それぞれにおいて、絶縁基板11の切断後、元の導電性ポスト5の大きさに対して半分の大きさとなる。
As can be seen from FIG. 3, the
次に、高周波モジュール100の製造方法における、各製造工程について説明する。
Next, each manufacturing process in the manufacturing method of the
高周波モジュール100の製造方法の第1工程では、図4(a)、図4(b)に示すように、集合基板20上に複数の配線パターン1が形成される。配線パターン1は、その後配設される複数の電子部品3と導電性ポスト5とを接続するために設けられるもので、銅箔等の導電性の金属を印刷することによって形成される。また、それぞれの配線パターン1の両端部の、電子部品3や導電性ポスト5が載置される箇所に接続電極1a及び接続電極1bが配設される。
In the first step of the method of manufacturing the high-
高周波モジュール100の製造方法の第2工程では、図5(a)、図5(b)に示すように、集合基板20上に電子部品3と導電性ポスト5とが取り付けられる。電子部品3は、高周波モジュール100に搭載される電子回路の主要部となる高周波回路を内蔵した集積回路や、抵抗・キャパシタ等の受動部品で構成される。電子部品3は、図4(a)、図4(b)で示した接続電極1a上に載置される。
In the second step of the method for manufacturing the high-
導電性ポスト5は、導電性を有する金属等で形成され、その両端間が導通している。また、導電性ポスト5は、角柱型状又は円筒型状となっている。導電性ポスト5は、図4(a)、図4(b)で示した、2つの絶縁基板11それぞれの隣り合う辺の中央に形成された接続電極1b上に載置される。従って、導電性ポスト5は、集合基板20が切断される位置に跨がって載置されることになる。その後、電子部品3及び導電性ポスト5を、リフロー半田によって接続電極1a及び接続電極1bに取り付ける。その結果、導電性ポスト5の一端が配線パターン1を介して電子部品3に接続される。
The
このように、電子部品3及び導電性ポスト5は、接続電極1a及び接続電極1bに載置され、その後リフロー半田によって取り付けられるが、載置時及び取り付け時において、絶縁基板11に塗布されたリフロー半田上で安定的に自立していなければならない。即ち、実装時のマウント機材の振動や運搬時の振動、又はリフロー炉の風や振動で倒れてしまわないことが要求される。特に、導電性ポスト5は、電子部品3より背の高い柱形状となっているため倒れ易くなっている。従って、角柱型状又は円筒型状となっている導電性ポスト5の実装面には自立するための所定の実装面積が必要とされる。また、この導電性ポスト5の実装面積は絶縁基板11の面積に関係しない。即ち、絶縁基板11の面積が小さくなっても、必要な導電性ポスト5の実装面積は変わらない。
As described above, the
前述したように、導電性ポスト5の実装面には、自立するための所定の実装面積が必要とされるが、高周波モジュール100の製造方法では、導電性ポスト5を2つの絶縁基板11で共用することによって、従来の製造方法に比べて、1つの絶縁基板11上に占める導電性ポスト5の領域の面積を1/2とすることができる。
As described above, a predetermined mounting area for self-supporting is required on the mounting surface of the
高周波モジュール100の製造方法の第3工程では、図6(a)、図6(b)に示すように、電子部品3を覆う封止樹脂7が集合基板20上に設けられる。即ち、集合基板20上の電子部品3に対して樹脂封止が行なわれる。樹脂封止は、高周波モジュール100内の電子回路を衝撃、温度、湿度などの外部要因から守るために、電子部品3の周囲を固めることによって行なわれる。封止樹脂7としては熱硬化性の樹脂が使用される。樹脂封止は、電子部品3及び導電性ポスト5が取り付けられた集合基板20を所定の型に入れ、この型の中に樹脂を熱で溶かしながら流し込み、固まらせることによって行われる。樹脂封止の結果、配線パターン1と電子部品3と導電性ポスト5の大部分は封止樹脂7によって覆われるが、図6(b)に示すように、導電性ポスト5の頭部だけは封止樹脂7から露出する。
In the third step of the method for manufacturing the high-
薄型化が要求される高周波モジュール100の集合基板20の厚さを0.3mm、樹脂の厚さを0.7mmとした場合、例えば、導電性ポスト5の頭部が封止樹脂7から露出する厚さを0.1mmとなるようにするためには、導電性ポスト5の高さを0.8mmとすれば良い。その結果、高周波モジュール100の厚さを1.1mmと薄型化することができる。
When the thickness of the
高周波モジュール100の製造方法の第4工程では、図7(a)、図7(b)に示すように、封止樹脂7の上側の表面にアンテナパターン9aが形成される。アンテナパターン9aは、導電性の金属を封止樹脂7の上側の表面に印刷することによって形成される。アンテナパターン9aが封止樹脂7の表面に印刷されると共に、アンテナパターン9aは、封止樹脂7から露出している導電性ポスト5の頭部に接続される。アンテナパターン9aは、図7(a)に示すように、2つの絶縁基板11の中央にある導電性ポスト5を中心として、点対称に形成される。尚、高周波モジュール100の製造方法では、アンテナ9をミアンダ形状のアンテナパターン9aを有するモノポールアンテナとしているが、逆F型アンテナ等の他のアンテナの形式としても良い。
In the fourth step of the method for manufacturing the high-
高周波モジュール100の製造方法の第5工程では、図8(a)、図8(b)に示すように、集合基板20及び封止樹脂7を切断して個片化する。第5工程では、図1で示した集合基板20の縦の切断ライン21及び横の切断ライン22に沿って切断する。この時、導電性ポスト5は、集合基板20を絶縁基板11に個片化する工程で同時に分割され、それぞれ分割された導電性ポスト5aとなる。
In the fifth step of the method of manufacturing the high-
高周波モジュール100の形状は、個片化されることによって矩形形状となるが、高周波モジュール100の製造方法が2つの絶縁基板11を1組として製造する方法であるため、個片化された形状は平面視正方形形状でも長方形形状でも良い。
The shape of the high-
このように、本発明の高周波モジュール100の製造方法は、導電性ポスト5が分割されて、高周波モジュール100の1台当たりの導電性ポスト5の占める領域の面積が小さくなるため、集合基板20の取り個数を増加させることができ、小型化が可能な高周波モジュール100の製造方法を提供することができる。
Thus, in the method for manufacturing the
次に、本発明の第1実施形態の製造方法によって製造された高周波モジュール100について、図9を用いて説明する。
Next, the high-
本発明の高周波モジュール100の製造方法によって製造された高周波モジュール100を図9(a)及び図9(b)に示す。図9(a)は、高周波モジュール100の斜視図であり、図9(b)は、高周波モジュール100の平面図である。
FIG. 9A and FIG. 9B show the
図9(a)、図9(b)に示すように、高周波モジュール100は、矩形状の絶縁基板11と、絶縁基板11上に設けられた配線パターン1と、絶縁基板11上に設けられた電子部品3と、絶縁基板11上に設けられた分割された導電性ポスト5aと、電子部品3と配線パターン1とを覆う封止樹脂7と、封止樹脂7上に設けられたアンテナパターン9aと、を備えている。そして、アンテナパターン9aは、分割された導電性ポスト5a及び配線パターン1を介して、電子部品3に接続されている。高周波モジュール100の形状は、平面視正方形形状だけでなく長方形形状であっても良い。
As shown in FIGS. 9A and 9B, the high-
高周波モジュール100は、前述した高周波モジュール100の製造方法によって製造されているため、分割された導電性ポスト5aが絶縁基板11の1つの辺の中央に設けられている。従って、分割された導電性ポスト5aの絶縁基板11上に占める領域の面積は、1つの導電性ポスト5の必要とする実装面積の半分の大きさとなっている。
Since the high-
また、分割された導電性ポスト5aは、製造時に絶縁基板11の1つの辺に沿って分割されるため、その側面が露出している。分割された導電性ポスト5aの側面が露出しているため、高周波モジュール100を性能検査する時に、高周波モジュール100の横から検査用プローブを当てることができる。従って、高周波モジュール100の性能検査を容易に行うことができる。
Further, since the divided
このように高周波モジュール100は、絶縁基板11の1つの辺の中央に設けられている分割された導電性ポスト5aの占める領域の面積が小さい。そのため、小型化された高周波モジュール100を得ることができる。
Thus, in the
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態の製造方法である高周波モジュール200の製造方法について、図10及び図11を用いて説明する。
[Second Embodiment]
Next, the manufacturing method of the
図10は、高周波モジュール200の製造方法に関わる集合基板20の切断前の状態の斜視図であり、図11は、高周波モジュール200の製造方法に関わる集合基板20の切断前の状態の平面図である。
FIG. 10 is a perspective view of a state before cutting the
高周波モジュール200の製造方法は、集合基板20内で図1に示した縦の切断ライン21と横の切断ライン22の交差する点を中心とした互いに隣接した4つの絶縁基板11を一組として、高周波モジュール200を製造する製造方法である。本説明は、集合基板20の内の任意の互いに隣接した4つの絶縁基板11について行う。集合基板20の他の複数の絶縁基板11についても、その製造方法は同様である。
In the method of manufacturing the high-
高周波モジュール200の製造方法における集合基板20の切断前の状態では、図11に示すように、集合基板20内の4つの絶縁基板11にそれぞれ配線パターン1が形成されており、図10及び図11に示すように、高周波モジュール200内の電子回路を構成する複数の電子部品3が取り付けられている。配線パターン1及び電子部品3は、封止樹脂7によって封止されている。封止樹脂7上には、高周波モジュール200内の電子回路を構成するアンテナ9のアンテナ素子であるアンテナパターン9aが形成されている。
In the state before the
尚、集合基板20上に配線パターン1を形成する工程と、電子部品3と導電性ポスト5とを集合基板20上に取り付ける工程と、電子部品3を覆う封止樹脂7を集合基板20上に設ける工程と、封止樹脂7の表面にアンテナパターン9aを形成する工程と、集合基板20及び封止樹脂7を切断して個片化する工程とは、高周波モジュール100の製造工程と同等である。
The step of forming the
図10及び図11に示すように、4つの絶縁基板11の中心には、4つの絶縁基板11を跨って導電性ポスト5が取り付けられている。導電性ポスト5は、4つの絶縁基板11それぞれで配線パターン1に接続されていると共に、封止樹脂7上でアンテナパターン9aの一端に接続されている。従って、絶縁基板11上の電子部品3が導電性ポスト5を介して封止樹脂7上のアンテナパターン9aにそれぞれ接続されている。即ち、導電性ポスト5は、4つの絶縁基板11に形成される電子回路それぞれに共用される。
As shown in FIGS. 10 and 11, the
図11から分かるように、導電性ポスト5が4つの絶縁基板11に形成される電子回路それぞれに共用され、4つの同一の高周波モジュール200を得るため、4つの絶縁基板11それぞれの配線パターン1、電子部品3、及びアンテナパターン9aは、導電性ポスト5を中心点として回転対称に配設される。4つの絶縁基板11がその後切断されることによって、4つの高周波モジュール200が製造される。導電性ポスト5は、4つの絶縁基板11それぞれにおいて、絶縁基板11の切断後、元の導電性ポスト5の大きさに対して1/4の大きさとなる。
As can be seen from FIG. 11, the
小型化が要求される高周波モジュール200の形状は、個片化されることによって矩形形状となるが、高周波モジュール200の製造方法では、高周波モジュール100の製造方法とは異なり、4つの絶縁基板11を1組として製造する方法であるため、個片化された形状は平面視長方形形状ではなく、正方形形状となる。
The shape of the high-
このように、本発明の高周波モジュール200の製造方法は、導電性ポスト5が、互いに接続され平面視正方形形状となった4つの絶縁基板11の中央に設けられているため、4つの絶縁基板11がその後切断されることによって、4つの絶縁基板11それぞれにおける導電性ポスト5の占める領域の面積は、元の導電性ポスト5の実装面積に対して1/4となる。即ち、導電性ポスト5が分割されて、高周波モジュール200の1台当たりの導電性ポスト5の占める領域の面積がより小さくなる。そのため、集合基板20の取り個数をより増加させることができ、より小型にすることが可能な高周波モジュール200の製造方法を提供することができる。
Thus, in the method for manufacturing the high-
次に、本発明の第2実施形態の製造方法によって製造された高周波モジュール200について、図12を用いて説明する。
Next, the
高周波モジュール200を図12(a)及び図12(b)に示す。図12(a)は、高周波モジュール200の斜視図であり、図12(b)は、高周波モジュール200の平面図である。
The high-
図12(a)、図12(b)に示すように、高周波モジュール200は、矩形状の絶縁基板11と、絶縁基板11上に設けられた配線パターン1と、絶縁基板11上に設けられた電子部品3と、絶縁基板11上に設けられた導電性ポスト5と、電子部品3と配線パターン1とを覆う封止樹脂7と、封止樹脂7上に設けられたアンテナパターン9aと、を備えている。そして、アンテナパターン9aは、導電性ポスト5及び配線パターン1を介して電子部品3に接続されている。高周波モジュール200の形状は平面視正方形形状である。
As shown in FIGS. 12A and 12B, the high-
導電性ポスト5は、前述した高周波モジュール200の製造方法によって製造されているため、絶縁基板11の1つの角に設けられている。また、導電性ポスト5が製造時にそれぞれの絶縁基板11の角において分割されるため、それぞれ分割された導電性ポスト5bとなり、その側面は2つの方向に亘って露出している。更に、分割された導電性ポスト5bの絶縁基板11上に占める領域の面積は、1つの導電性ポスト5を4つに分割した面積であるため、導電性ポスト5の実装面積の1/4の大きさとなっている。
Since the
このように高周波モジュール200は、絶縁基板11の1つの角に設けられている導電性ポスト5の占める領域の面積がより小さくなる。そのため、より小型化された高周波モジュール200を得ることができる。
As described above, in the high-
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態の製造方法である高周波モジュール300の製造方法について、図13及び図14を用いて説明する。
[Third embodiment]
Next, the manufacturing method of the
図13は、高周波モジュール300の製造方法に関わる集合基板20の切断前の状態の斜視図であり、図14は、高周波モジュール300の製造方法に関わる集合基板20の切断前の状態の平面図である。
FIG. 13 is a perspective view of a state before cutting the
高周波モジュール300の製造方法は、集合基板20内で図1に示した縦の切断ライン21と横の切断ライン22の交差する点の全てに導電性ポスト5を載置する製造方法である。
The manufacturing method of the
高周波モジュール300の製造方法における集合基板20の切断前の状態では、図14に示すように、集合基板20内の全ての絶縁基板11にそれぞれ配線パターン1が形成されている。また、図13及び図14に示すように、高周波モジュール300内の電子回路を構成する複数の電子部品3が取り付けられている。配線パターン1及び電子部品3は封止樹脂7によって封止されている。封止樹脂7上には、高周波モジュール300内の電子回路を構成するアンテナ9のアンテナ素子であるアンテナパターン9aが形成されている。すべての配線パターン1、電子部品3及びアンテナパターン9aは、集合基板20上でそれぞれ同一の方向を向く配置となっており、高周波モジュール100又は高周波モジュール200のような、それぞれ同士が対照となるような配置にはなっていない。
In the state before the
尚、集合基板20上に配線パターン1を形成する工程と、電子部品3と導電性ポスト5とを集合基板20上に取り付ける工程と、電子部品3を覆う封止樹脂7を集合基板20上に設ける工程と、封止樹脂7の表面にアンテナパターン9aを形成する工程と、集合基板20及び封止樹脂7を切断して個片化する工程とは、高周波モジュール100の製造工程と同等である。
The step of forming the
図13及び図14に示すように、集合基板20内の全ての絶縁基板11それぞれの4つの角には、導電性ポスト5が取り付けられている。導電性ポスト5は全ての絶縁基板11それぞれの4つの角に設けられているが、1つの絶縁基板11に設けられている配線パターン1及びアンテナパターン9aは、絶縁基板11それぞれの4つの角の内、右側で奥側(X1側でY1側)の1つの導電性ポスト5だけに接続されている。従って、右側で奥側(X1側でY1側)の1つの導電性ポスト5以外の他の3つの導電性ポスト5は、1つの絶縁基板11内で、配線パターン1にもアンテナパターン9aにも接続されていない。従って、導電性ポスト5は、個別の絶縁基板11に形成される電子回路それぞれと共用されることはない。集合基板20を絶縁基板11毎に切断することによって、個別の高周波モジュール300が製造される。
As shown in FIGS. 13 and 14, the
図1に示した集合基板20の切断される部分、即ち縦の切断ライン21上と横の切断ライン22上には配線パターンがないため、一般的には集合基板20にそりが発生し易くなる。しかし、この集合基板20の切断される部分の、縦の切断ライン21と横の切断ライン22との交差する点それぞれに、導電性ポスト5を形成させているため、集合基板20におけるそりの発生を抑制することができる。
Since there is no wiring pattern on the part to be cut of the
高周波モジュール300の形状は、個片化されることによって矩形形状となるが、高周波モジュール300の製造方法が個別の絶縁基板11をそれぞれ同等に扱う製造方法であるため、個片化された形状は平面視正方形形状であっても長方形形状であっても良い。
The shape of the high-
このように、本発明の高周波モジュール300の製造方法は、集合基板20の切断される部分の、縦の切断ライン21と横の切断ライン22との交差する点それぞれに、導電性ポスト5を形成させているため、集合基板20におけるそりの発生を抑制することができる。
As described above, in the method for manufacturing the high-
次に、本発明の第3実施形態の製造方法によって製造された高周波モジュール300について、図15を用いて説明する。
Next, the
高周波モジュール300を図15(a)及び図15(b)に示す。図15(a)は、高周波モジュール300の斜視図であり、図15(b)は、高周波モジュール200の平面図である。
The high-
図15(a)、図15(b)に示すように、高周波モジュール300は、矩形状の絶縁基板11と、絶縁基板11上に設けられた配線パターン1と、絶縁基板11上に設けられた電子部品3と、絶縁基板11上に設けられた導電性ポスト5と、電子部品3と配線パターン1とを覆う封止樹脂7と、封止樹脂7上に設けられたアンテナパターン9aと、を備えている。そして、アンテナパターン9aは、右側で奥側(X1側でY1側)にある導電性ポスト5及び配線パターン1を介して、電子部品3に接続されている。高周波モジュール300の形状は、平面視正方形形状又は長方形形状である。
As shown in FIGS. 15A and 15B, the high-
導電性ポスト5は、前述した高周波モジュール300の製造方法によって製造されているため、分割されて絶縁基板11の4つの角にそれぞれ設けられている。絶縁基板11の4つの角にそれぞれ設けられた導電性ポスト5は、配線パターン1及びアンテナパターン9aに接続されている分割された導電性ポスト5bと、その他のどこにも接続されていない3つの分割された導電性ポスト5cとから成る。分割された導電性ポスト5b及び分割された導電性ポスト5cは、製造時にそれぞれの絶縁基板11の角において分割されるため、その側面がそれぞれ2つの方向に亘って露出している。
Since the
全ての絶縁基板11の角にある分割された導電性ポスト5b又は分割された導電性ポスト5cの、絶縁基板11上に占めるそれぞれの領域の面積は、1つの導電性ポスト5の実装面積を4つに分割した面積となっている。1つの分割された導電性ポスト5b及び3つの分割された導電性ポスト5cは、それぞれ絶縁基板11の4つの角に位置しているが、通常、絶縁基板11の角には、配線パターン1や電子部品3を設けることがない。従って、導電性ポスト5b及び導電性ポスト5cが高周波モジュール300内の配線パターン1や電子部品3の配設に影響を与えることはない。尚、分割された導電性ポスト5cは、高周波モジュール300内に形成された電子回路内のグランド用パターンに使用されても良い。
The area of each region on the insulating
以上説明したように、本発明の高周波モジュールの製造方法は、導電性ポストが分割されて、高周波モジュール1台当たりの導電性ポストの占める領域の面積が小さくなるため、集合基板の取り個数を増加させることができ、小型化が可能な高周波モジュールの製造方法を提供することができる。また、本発明の高周波モジュールは、絶縁基板の1つの辺の中央に設けられている導電性ポストの占める領域の面積が小さい。そのため、小型化された高周波モジュールを得ることができる。また、本発明の高周波モジュールは、絶縁基板の1つの角に設けられている導電性ポストの占める領域の面積が更に小さい。そのため、より小型化された高周波モジュールを得ることができる。 As described above, in the method of manufacturing a high frequency module according to the present invention, the conductive posts are divided, and the area occupied by the conductive posts per high frequency module is reduced. The manufacturing method of the high frequency module which can be made small and can be reduced can be provided. In the high-frequency module of the present invention, the area occupied by the conductive post provided in the center of one side of the insulating substrate is small. Therefore, a miniaturized high frequency module can be obtained. In the high frequency module of the present invention, the area occupied by the conductive posts provided at one corner of the insulating substrate is further reduced. Therefore, a more miniaturized high frequency module can be obtained.
本発明は上記の実施形態の記載に限定されず、その効果が発揮される態様で適宜変更して実施することができる。 The present invention is not limited to the description of the above embodiment, and can be implemented with appropriate modifications in a mode in which the effect is exhibited.
1 配線パターン
1a 接続電極
1b 接続電極
3 電子部品
5 導電性ポスト
5a 分割された導電性ポスト
5b 分割された導電性ポスト
5c 分割された導電性ポスト
7 封止樹脂
9 アンテナ
9a アンテナパターン
11 絶縁基板
20 集合基板
21 縦の切断ライン
22 横の切断ライン
100 高周波モジュール
200 高周波モジュール
300 高周波モジュール
DESCRIPTION OF
Claims (3)
電子部品と導電性ポストとを前記集合基板上に取り付ける第2工程と、
前記電子部品を覆う封止樹脂を前記集合基板上に設ける第3工程と、
前記封止樹脂の表面にアンテナパターンを形成する第4工程と、
前記集合基板及び前記封止樹脂を切断して個片化する第5工程と、を有し、
前記導電性ポストは、前記集合基板が切断される位置に跨がって載置されると共に、前記個片化する工程で分割されることを特徴とする高周波モジュールの製造方法。 A first step of forming a wiring pattern on the aggregate substrate;
A second step of attaching an electronic component and a conductive post on the aggregate substrate;
A third step of providing a sealing resin covering the electronic component on the collective substrate;
A fourth step of forming an antenna pattern on the surface of the sealing resin;
And a fifth step of cutting the collective substrate and the sealing resin into pieces,
The method of manufacturing a high-frequency module, wherein the conductive post is placed across a position where the collective substrate is cut, and is divided in the step of dividing into pieces.
前記絶縁基板上に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基板上に設けられた電子部品と、
前記絶縁基板上に設けられた導電性ポストと、
前記電子部品と前記配線パターンとを覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂上に設けられたアンテナパターンと、を備え、
前記アンテナパターンは、前記導電性ポスト及び前記配線パターンを介して前記電子部品に接続されており、
前記導電性ポストは、前記絶縁基板の1つの辺の中央に設けられていて、前記導電性ポストの側面が露出していることを特徴とする高周波モジュール。 A rectangular insulating substrate;
A wiring pattern provided on the insulating substrate;
Electronic components provided on the insulating substrate;
A conductive post provided on the insulating substrate;
A sealing resin that covers the electronic component and the wiring pattern;
An antenna pattern provided on the sealing resin,
The antenna pattern is connected to the electronic component via the conductive post and the wiring pattern,
The high-frequency module according to claim 1, wherein the conductive post is provided at a center of one side of the insulating substrate, and a side surface of the conductive post is exposed.
前記絶縁基板上に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基板上に設けられた電子部品と、
前記絶縁基板上に設けられた導電性ポストと、
前記電子部品と前記配線パターンとを覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂上に設けられたアンテナパターンと、を備え、
前記アンテナパターンは、前記導電性ポスト及び前記配線パターンを介して前記電子部品に接続されており、
前記導電性ポストは、前記絶縁基板の1つの角に設けられていて、前記導電性ポストの側面が露出していることを特徴とする高周波モジュール。
A rectangular insulating substrate;
A wiring pattern provided on the insulating substrate;
Electronic components provided on the insulating substrate;
A conductive post provided on the insulating substrate;
A sealing resin that covers the electronic component and the wiring pattern;
An antenna pattern provided on the sealing resin,
The antenna pattern is connected to the electronic component via the conductive post and the wiring pattern,
The conductive post is provided at one corner of the insulating substrate, and a side face of the conductive post is exposed.
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WO2023162367A1 (en) * | 2022-02-24 | 2023-08-31 | 住友電気工業株式会社 | Method for producing transmission substrate |
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2014
- 2014-08-22 JP JP2014169449A patent/JP2016046376A/en active Pending
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