JP2016001555A - Gas analyzer - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas analyzer capable of preventing contamination due to fluorine with respect to an ion source even in the presence of fluorine and keeping the measurement sensitivity and operable time for a long time.SOLUTION: Disclosed is a gas analyzer 100 which is equipped with an ion box 11 inside which sample gas is introduced, and analyzes the sample gas ionized in the ion box 11. The ion box 11 is formed by specific metal and fluoride of the specific metal is gas under measurement conditions of the gas analyzer.

Description

本発明は、フッ素存在下でサンプルガスをイオン化して分析するガス分析計に関するものである。   The present invention relates to a gas analyzer that ionizes and analyzes a sample gas in the presence of fluorine.

例えば半導体製造装置では、プロセスチャンバ内に残留しているガスの量を測定し、メンテナンスや品質の管理を行っている。このような目的のために、プロセスチャンバ内からサンプルガスを導入し、そのサンプルガスをイオン源においてイオン化して分析するガス分析計(特許文献1参照)が用いられている。   For example, in a semiconductor manufacturing apparatus, the amount of gas remaining in a process chamber is measured, and maintenance and quality control are performed. For this purpose, a gas analyzer (see Patent Document 1) that introduces a sample gas from the process chamber and ionizes and analyzes the sample gas in an ion source is used.

ところで、前記ガス分析計はフッ素存在下において使用すると、測定精度に影響が出る程度に測定感度が低下するまでの時間や、前記イオン源が物理的に動作不能となるまでの時間が通常の使用環境下に比べて短くなってしまうという問題がある。   By the way, when the gas analyzer is used in the presence of fluorine, the time until the measurement sensitivity is lowered to the extent that the measurement accuracy is affected, and the time until the ion source becomes physically inoperable There is a problem that it becomes shorter than in the environment.

この問題の原因について本願発明者らが鋭意検討を行った結果、例えばニッケル、鉄等からなるインコネル(登録商標)で形成されており、サンプルガスが内部に導入されるイオンボックスと、前記イオンボックス内へ自由電子を射出し、サンプルガスをイオン化させるフィラメントと、を具備する前記イオン源では、以下に記載するような現象が生じていることを初めて見出した。   As a result of intensive studies by the inventors of the present invention on the cause of this problem, the ion box is formed of, for example, Inconel (registered trademark) made of nickel, iron, or the like, and a sample gas is introduced therein, and the ion box It has been found for the first time that the following phenomenon occurs in the ion source including a filament that injects free electrons into the sample gas and ionizes the sample gas.

すなわち、フッ素存在下では、前記イオンボックスを形成するニッケルとフッ素が反応してその表面にフッ化物の膜が形成されてしまい、この膜は不導体であるために前記フィラメントから射出された自由電子により帯電することになる。   That is, in the presence of fluorine, nickel and fluorine forming the ion box react to form a fluoride film on the surface, and this film is a non-conductor, so the free electrons emitted from the filament Will be charged.

このため、前記イオンボックスは通常の使用環境下で使用されている場合よりも電位が低くなり、前記フィラメントから射出される自由電子が前記イオンボックスの内部まで導入されにくくなる。   For this reason, the potential of the ion box is lower than when the ion box is used in a normal use environment, and free electrons emitted from the filament are less likely to be introduced into the ion box.

すると、サンプルガスがイオン化される量も小さくなり、ファラデーカップ等の検出器で検出されるサンプルガスのイオンの量も小さくなるため感度低下が生じることになる。   Then, the amount of ionized sample gas is reduced, and the amount of sample gas ions detected by a detector such as a Faraday cup is also reduced, resulting in a decrease in sensitivity.

さらに、前記ガス分析計は、前記イオンボックスにおける電位の低下、又は、感度の低下が検出されると、前記フィラメントに印加される電圧を上昇させ、射出される自由電子の量を大きくするように構成されている。このため、前記イオンボックスでフッ化物の膜が形成されて、当該イオンボックスの電位が下がり、感度も低下すると、フィラメントに印加される電圧は大きくなる。したがって、前記フィラメントにかかる負荷が設計されているよりも短時間で大きくなってしまい、この結果、フィラメントの断線に至って動作不能となるまでの時間が短くなっていると考えられる。   Furthermore, the gas analyzer increases the voltage applied to the filament and increases the amount of emitted free electrons when a decrease in potential or sensitivity in the ion box is detected. It is configured. For this reason, when a fluoride film is formed in the ion box, the potential of the ion box decreases and the sensitivity also decreases, the voltage applied to the filament increases. Therefore, the load applied to the filament is increased in a shorter time than designed, and as a result, it is considered that the time until the filament is broken and becomes inoperable is shortened.

特開平9−320517号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-320517

本発明は上述したような問題を鑑みてなされたものであり、フッ素存在下であってもイオンボックスへのフッ素による汚染を防ぎ、測定感度を保ったまま高寿命化を実現できるガス分析装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems. A gas analyzer that can prevent the ion box from being contaminated by fluorine even in the presence of fluorine and can achieve a long life while maintaining measurement sensitivity. The purpose is to provide.

すなわち、本発明のガス分析装置は、サンプルガスが内部に導入されるイオンボックスを具備し、前記イオンボックスでイオン化されたサンプルガスについて分析するガス分析計であって、前記イオンボックスが、特定金属で形成されており、前記特定金属のフッ化物が前記ガス分析計の測定条件において気体であることを特徴とする。   That is, the gas analyzer of the present invention is a gas analyzer that includes an ion box into which a sample gas is introduced and analyzes the sample gas ionized in the ion box, and the ion box includes a specific metal. The fluoride of the specific metal is a gas under the measurement conditions of the gas analyzer.

このようなものであれば、フッ素存在下で使用してもフッ素元素を含む活性種はイオンボックスを形成する特定金属と反応して気化してしまうので、イオンボックスにおいて不導体膜が形成されるようなフッ素による汚染を防ぐことができる。   In such a case, even when used in the presence of fluorine, the active species containing fluorine element reacts with the specific metal forming the ion box and is vaporized, so that a nonconductive film is formed in the ion box. Such contamination by fluorine can be prevented.

したがって、フッ素存在下でもイオンボックスにおいて電位の低下が生じ、サンプルガスをイオン化するための自由電子やイオン等が導入されにくくなり、サンプルガスをイオン化しにくくなる現象が発生せず、感度や製品寿命が低下も生じにくい。   Therefore, even in the presence of fluorine, the potential drops in the ion box, making it difficult for free electrons or ions to ionize the sample gas to be introduced. However, it is difficult for a decrease to occur.

例えば前記ガス分析計が半導体製造装置のプロセスチャンバ内の残留ガスを測定する場合に、感度低下や製品寿命が短くなるのを防ぐのに適したガス分析計とするには、前記特定金属のフッ化物が所定の真空度で気化するものであればよい。   For example, when the gas analyzer measures a residual gas in a process chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, a gas analyzer suitable for preventing a reduction in sensitivity and a shortening of the product life can be used. Any substance that vaporizes at a predetermined degree of vacuum may be used.

前記イオンボックスの立体形状を曲げ加工等の簡単な加工で形成しやすくするとともに、特定金属の使用量を必要最小限としつつ製造コストを低減できるようにするには、前記イオンボックスが、前記特定金属以外の金属で形成された母材を前記特定金属でメッキして形成されているものであればよい。   In order to make it easy to form the three-dimensional shape of the ion box by a simple process such as bending, and to reduce the manufacturing cost while minimizing the amount of the specific metal used, the ion box has the specific What is necessary is just to be formed by plating a base material made of a metal other than a metal with the specific metal.

イオンボックスがフッ素により汚染されることによる感度低下を防ぐとともに、フィラメントが断線して動作不能となるまでの時間を長くするのに効果的なメッキ箇所としては、前記イオンボックスが、イオン化されたサンプルガスを検出する検出部側の底面をなすボトム部材と、上面及び側面をなすトップ部材とから構成されており、前記トップ部材の内側が少なくとも前記特定金属によりメッキされているものが挙げられる。   The ion box is an ionized sample as an effective plating point for preventing the decrease in sensitivity due to the contamination of the ion box with fluorine and extending the time until the filament becomes disconnected and becomes inoperable. It is comprised from the bottom member which makes the bottom face by the side of the detection part which detects gas, and the top member which makes an upper surface and a side surface, The inside of the said top member is what is plated with the said specific metal at least.

フッ素が存在していたとしてもガス分析計の感度低下や短寿命化を防ぐとともに、メッキのしやすさや、メッキ後の加工の容易さ等も実現でき、製造を容易できるようにするには、前記特定金属が白金であればよい。   To prevent the gas analyzer from decreasing in sensitivity and shortening its service life even when fluorine is present, it is possible to realize ease of plating, ease of processing after plating, etc. The specific metal may be platinum.

前記イオンボックスと、前記イオンボックスへ自由電子を射出するフィラメントと、がイオン源を構成しており、前記フィラメントが、タングステンを含まず、レニウムで形成されているものであれば、フッ素存在下でも、フッ素と反応して前記フィラメントが短時間でやせ細り断線してしまうのを防ぐことで長寿命化をより実現できる。   If the ion box and a filament that emits free electrons to the ion box constitute an ion source, and the filament does not contain tungsten and is formed of rhenium, even in the presence of fluorine, It is possible to realize a longer life by preventing the filament from thinning and breaking in a short time by reacting with fluorine.

ガス分析計の具体的な実施の態様としては、前記イオン源でイオン化されたサンプルガスのイオンを電荷と質量との比に応じて分離する質量分離部と、前記質量分離部を通過したイオンを検出する検出部と、をさらに備えたものが挙げられる。   As a specific embodiment of the gas analyzer, a mass separation unit that separates ions of the sample gas ionized by the ion source according to a ratio of charge to mass, and ions that have passed through the mass separation unit What further has a detection part to detect is mentioned.

このように本発明のガス分析計によれば、前記イオンボックスが、フッ素元素由来の活性種と反応し、測定条件下において気化するフッ化物を形成する特定金属で形成されているので、フッ素存在下でも不導体膜が形成されず、この不導体膜に起因する感度低下や短寿命化を防ぐことができる。   Thus, according to the gas analyzer of the present invention, since the ion box is formed of a specific metal that reacts with an active species derived from elemental fluorine and vaporizes under measurement conditions, A non-conductive film is not formed even underneath, and it is possible to prevent a decrease in sensitivity and a shortened life due to this non-conductive film.

本発明の一実施形態に係るガス分析計の使用用途を示す模式図。The schematic diagram which shows the use application of the gas analyzer which concerns on one Embodiment of this invention. 同実施形態に係るガス分析計を示す模式図。The schematic diagram which shows the gas analyzer which concerns on the same embodiment. 同実施形態におけるガス分析計の詳細を示す模式的斜視図。The typical perspective view which shows the detail of the gas analyzer in the same embodiment. 同実施形態におけるイオンボックスの構造を示す模式図。The schematic diagram which shows the structure of the ion box in the embodiment. 従来のガス分析計におけるフッ素雰囲気下における寿命試験結果及び感度試験結果を示す模式的グラフ。The typical graph which shows the lifetime test result in the fluorine atmosphere in the conventional gas analyzer, and a sensitivity test result. 同実施形態のガス分析計のフッ素雰囲気下における寿命試験結果及び感度試験結果を示す模式的グラフ。The typical graph which shows the lifetime test result in the fluorine atmosphere of the gas analyzer of the same embodiment, and a sensitivity test result.

本発明の一実施形態に係るガス分析計100について各図を参照しながら説明する。   A gas analyzer 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施形態のガス分析計100は、図1に示すように半導体製造装置200において半導体や液晶パネル、太陽電池等に成膜が行われるプロセスチャンバC内の在留ガスの分圧を測定する残留ガス分析装置(RGA)である。ここでプロセスチャンバCは、所定の真空度に減圧された部屋である。   As shown in FIG. 1, the gas analyzer 100 of the present embodiment is a residual gas that measures the partial pressure of the residence gas in the process chamber C in which a semiconductor, a liquid crystal panel, a solar cell, etc. are formed in a semiconductor manufacturing apparatus 200 It is an analyzer (RGA). Here, the process chamber C is a room whose pressure is reduced to a predetermined degree of vacuum.

図1に示すようにこのガス分析計100は、イオン化されたサンプルガスについて分析するガス分析計100であって、プロセスチャンバC内へと挿入されたセンシング機構SNと、プロセスチャンバCの外部に隣接して設けられる操作表示部Dとからなる。ここで、分析するとは、イオンの存在している量や濃度の測定することや、イオンの存在の有無を検出することを含む概念である。   As shown in FIG. 1, the gas analyzer 100 is a gas analyzer 100 that analyzes an ionized sample gas, and includes a sensing mechanism SN inserted into the process chamber C and an outside of the process chamber C. The operation display unit D is provided. Here, the analysis is a concept including measuring the amount and concentration of ions and detecting the presence or absence of ions.

前記センシング機構SNは、図2の模式図及び図3の詳細図に示すように四重極質量分離計をなすものであり、プロセスチャンバC内のサンプルガスがイオン化されるイオン源1と、イオンの質量分離が行われる質量分離部2と、前記質量分離部2を通過したイオンを電流として検出する検出部3と、から構成されている。前記操作表示部Dは、前記検出部3で検出される電流に基づき、例えば成膜の品質管理に関わる酸素、窒素、水の分圧を算出し、その経時変化を表示するものである。なお、前記プロセスチャンバC内には、略真空に保たれているが成膜のための成分ガス等として導入されたフッ素も存在する。   The sensing mechanism SN forms a quadrupole mass separator as shown in the schematic diagram of FIG. 2 and the detailed view of FIG. 3, and includes an ion source 1 in which the sample gas in the process chamber C is ionized, and an ion The mass separation unit 2 is configured to perform mass separation, and the detection unit 3 detects ions that have passed through the mass separation unit 2 as current. The operation display unit D calculates, for example, partial pressures of oxygen, nitrogen, and water related to the quality control of film formation based on the current detected by the detection unit 3, and displays the change with time. In the process chamber C, there is also fluorine introduced as a component gas or the like for film formation although it is kept in a substantially vacuum.

前記イオン源1は、サンプルガスが内部に導入されるイオンボックス11と、前記イオンボックス11へ自由電子を射出するフィラメント12を具備するものである。   The ion source 1 includes an ion box 11 into which a sample gas is introduced, and a filament 12 that emits free electrons to the ion box 11.

前記イオンボックス11(イオン化室、イオン化部)は、図3に示すように概略扁平六角柱状に形成されており、その各面にサンプルガス及び自由電子が導入される開口が形成された箱体のものであって、その内部でサンプルガスがイオン化されるものである。また、このイオンボックス11は、鉄及びニッケルを含むインコネル等の合金を母材としてその表面にメッキが施されたものである。前記イオンボックス11は、図4(a)、図4(b)に示すようにイオン化されたサンプルガスを検出する検出部3側の底面をなすボトム部材11aと、上面及び側面をなすトップ部材11bとから構成してある。図4(a)に示すように前記ボトム部材11aは、平板状の母材にメッキを施した後、一部を折り曲げて形成してある。また、図4(b)に示すように前記トップ部材11bは、平板状の母材にメッキを施した後に、各側面部を折り曲げて扁平六角柱状に形成してある。そして、図4(c)に示すように前記トップ部材11bの底面に前記ボトム部材11aを取り付けることで前記イオンボックス11が形成してある。   The ion box 11 (ionization chamber, ionization part) is formed in a substantially flat hexagonal column shape as shown in FIG. 3, and a box body in which openings for introducing sample gas and free electrons are formed on each surface. And the sample gas is ionized therein. The ion box 11 has a surface plated with an alloy such as Inconel containing iron and nickel as a base material. As shown in FIGS. 4A and 4B, the ion box 11 includes a bottom member 11a that forms a bottom surface on the detection unit 3 side that detects ionized sample gas, and a top member 11b that forms an upper surface and side surfaces. It is composed of. As shown in FIG. 4A, the bottom member 11a is formed by bending a part of a flat base material after plating. Further, as shown in FIG. 4B, the top member 11b is formed in a flat hexagonal columnar shape by bending each side surface portion after plating a flat base material. And as shown in FIG.4 (c), the said ion box 11 is formed by attaching the said bottom member 11a to the bottom face of the said top member 11b.

より具体的には前記イオンボックス11は、フッ素元素を含む活性種(例えば、F+、フッ素原子、フッ素分子、フッ素イオン等)と反応して、ガス分析計100の測定条件において気体のフッ化物を形成する金属である特定金属で形成してある。ここで、ガス分析計100の測定条件とは、例えば、サンプルガスがイオン化されるのに適した温度や圧力等の条件を言う。また、特定金属により形成されているとは、イオンボックス全体が特定金属により形成されていること、特定金属を含む合金で形成されていること、特定金属によりメッキされていることを少なくとも含む概念である。なお、本実施形態ではイオンボックス11には特定金属によるメッキが施してある。   More specifically, the ion box 11 reacts with an active species containing a fluorine element (for example, F +, fluorine atom, fluorine molecule, fluorine ion, etc.) to generate gaseous fluoride under the measurement conditions of the gas analyzer 100. It is made of a specific metal that is a metal to be formed. Here, the measurement conditions of the gas analyzer 100 refer to conditions such as temperature and pressure suitable for ionizing the sample gas, for example. In addition, being formed of a specific metal is a concept including at least that the entire ion box is formed of a specific metal, formed of an alloy containing the specific metal, and plated with the specific metal. is there. In the present embodiment, the ion box 11 is plated with a specific metal.

すなわち、前記イオンボックス11には、フッ素と反応して所定温度以下の沸点を有するフッ化物を形成する特定金属によりメッキを施してある。ここで所定温度以下の沸点とは、例えば標準状態におけるフッ素化合物の沸点が予め定めた閾値以下となるものを言う。前記閾値はプロセスチャンバCが置かれている部屋の室温、プロセスチャンバC内の温度等に基づいて設定される。本実施形態では、六フッ化白金の標準状態での沸点である69.1℃を閾値として定めてある。また、前記イオンボックス11をメッキする特定金属については使用される環境の真空度でフッ化物が気化するものを選んでいる。本実施形態では、後述する長寿命化、感度低下を防ぐとともに、曲げ加工の容易さを両立させるために母材に対して白金(Pt)をメッキしたものによりイオンボックス11としている。   That is, the ion box 11 is plated with a specific metal that reacts with fluorine to form a fluoride having a boiling point equal to or lower than a predetermined temperature. Here, the boiling point equal to or lower than a predetermined temperature refers to, for example, a boiling point of a fluorine compound in a standard state that is equal to or lower than a predetermined threshold value. The threshold is set based on the room temperature of the room in which the process chamber C is placed, the temperature in the process chamber C, and the like. In the present embodiment, 69.1 ° C., which is the boiling point of platinum hexafluoride in the standard state, is determined as the threshold value. In addition, as the specific metal for plating the ion box 11, a metal that is vaporized by the degree of vacuum in the environment in which it is used is selected. In the present embodiment, the ion box 11 is made of platinum (Pt) plated on a base material in order to prevent a long life and a decrease in sensitivity, which will be described later, and to make the bending process easy.

前記フィラメント12は、タングステン(W)を含まず、レニウム(Re)で形成されているものである。このフィラメント12に印加される電圧は、単位時間当たりのサンプルガスのイオン化能力が略一定に保たれるように、前記検出部3から出力される電流値に基づいてフィードバック制御されるように構成してある。すなわち、前記イオンボックス11でのイオン化能力が低下すると自動的に印加される電圧が大きくなり、最終的には前記フィラメント12が切れてしまうまでの間は、この電圧制御が継続されるようにしてある。   The filament 12 does not contain tungsten (W) and is formed of rhenium (Re). The voltage applied to the filament 12 is configured to be feedback-controlled based on the current value output from the detection unit 3 so that the ionization capability of the sample gas per unit time is kept substantially constant. It is. That is, when the ionization capacity in the ion box 11 is lowered, the voltage automatically applied increases, and this voltage control is continued until the filament 12 is finally cut. is there.

前記質量分離部2は、4本の平行なロッド状電極を具備し、相対するロッド状電極の極性を同じにして直流電圧と高周波交流電圧を重畳した電圧を印加して四重極電場を形成してするものである。この四重極電場は、前記イオン源1から入射したイオンのうち分析対象である酸素イオン、水素イオンのみが前記検出部3へと通過し、その他の電荷/質量比を有するイオンはロッド状電極と衝突する等して前記検出部3へと通過しないように形成してある。   The mass separation unit 2 includes four parallel rod-shaped electrodes, and forms a quadrupole electric field by applying a voltage in which a DC voltage and a high-frequency AC voltage are superimposed with the same polarity of the opposite rod-shaped electrodes. It is what you do. In this quadrupole electric field, only oxygen ions and hydrogen ions to be analyzed among the ions incident from the ion source 1 pass to the detection unit 3, and other ions having a charge / mass ratio are rod-shaped electrodes. So as not to pass through the detection unit 3 due to collision with the sensor.

前記検出部3は、ファラデーカップを具備し、入射したイオンの数やその電荷に応じた電流を出力するものである。出力される電流値は前記操作表示部Dにおいて所定の演算により換算されて残留ガスの有無やその分圧を算出するのに用いられる。   The detection unit 3 includes a Faraday cup and outputs a current corresponding to the number of incident ions and their charges. The output current value is converted by the operation display unit D by a predetermined calculation and used to calculate the presence of residual gas and its partial pressure.

このように構成された本実施形態のガス分析計100によるフッ素存在下での寿命延長効果、感度低下防止効果について、インコネルで形成され、メッキが行われていないイオンボックスと、タングステンとレニウムの合金で形成されたフィラメントと、を備えた従来のガス分析計と本実施形態のガス分析計100とを比較しながら説明する。図5のグラフは従来のガス分析計における寿命試験及び感度試験の結果であり、図6のグラフは本実施形態のガス分析計100における寿命試験及び感度試験の結果である。両方の比較実験においては、測定対象を六フッ化硫黄(SF6)としており、センシング機構の周囲にはフッ素が存在するようにしてある。また、寿命についてはフィラメントに印加される電流、電圧をモニタリングし、フィラメントが切れてそれらの測定値が検出できなくなる時点により判定している。感度低下については同量のイオンが前記検出部3に入射している場合に前記検出部3から出力される電流値のオーダが1ケタ低下したことにより感度低下が発生したと判定している。   An ion box formed of inconel and not plated and an alloy of tungsten and rhenium with respect to the life extension effect and the sensitivity reduction prevention effect in the presence of fluorine by the gas analyzer 100 of the present embodiment configured as described above. The conventional gas analyzer provided with the filament formed in the above and the gas analyzer 100 of the present embodiment will be described in comparison. The graph of FIG. 5 is the result of the life test and sensitivity test in the conventional gas analyzer, and the graph of FIG. 6 is the result of the life test and sensitivity test in the gas analyzer 100 of this embodiment. In both comparative experiments, the measurement object is sulfur hexafluoride (SF6), and fluorine is present around the sensing mechanism. Further, the lifetime is determined by monitoring the current and voltage applied to the filament and determining when the measured value cannot be detected due to the filament being cut. Regarding the sensitivity reduction, when the same amount of ions are incident on the detection unit 3, it is determined that the sensitivity reduction has occurred because the order of the current value output from the detection unit 3 has decreased by one digit.

従来のガス分析計では、センシング機構の周囲にフッ素が存在している場合には、図5(a)に示されるように60時間経過後にはフィラメントの断線が生じ寿命に到達している。また、図5(b)に示されるように20時間経過後には感度の低下が生じている。   In the conventional gas analyzer, when fluorine exists around the sensing mechanism, as shown in FIG. 5 (a), the filament breaks after 60 hours and reaches the end of its life. Further, as shown in FIG. 5B, the sensitivity is lowered after 20 hours.

一方、本実施形態のガス分析計100では図6(a)に示されるように120時間経過後までフィラメント12の断線は生じておらず、また図6(b)に示されるようにフィラメント12の断線までの間は感度については略一定に保たれている。   On the other hand, in the gas analyzer 100 of the present embodiment, the filament 12 is not broken until 120 hours have elapsed as shown in FIG. 6A, and the filament 12 has no breakage as shown in FIG. 6B. Until the disconnection, the sensitivity is kept substantially constant.

すなわち、図5及び図6の比較から分かるように本実施形態のガス分析計100であれば、前記イオンボックス11に白金のメッキが施されていること、フィラメント12にタングステンが含まれていないことによりフッ素の存在下においても長寿命化を実現するとともに、寿命を迎えるまでの間においては略感度低下を生じさせないようにできている。   That is, as can be seen from the comparison between FIG. 5 and FIG. 6, in the gas analyzer 100 of this embodiment, the ion box 11 is plated with platinum, and the filament 12 does not contain tungsten. As a result, it is possible to extend the life even in the presence of fluorine, and to prevent a substantial decrease in sensitivity until the end of the life.

このような寿命及び感度の差が生じているのは以下のような現象が生じているためであると考えられる。従来のガス分析計のイオンボックスでは、フッ素が存在するとイオンボックスを形成しているニッケルにより不導体膜が表面に形成され、不導体膜に自由電子が帯電し、イオンボックス内に自由電子が導入されにくくなる。そうすると、サンプルガスのイオン化能力が保たれるようにフィラメントには過大な電圧が印加される続けることになり、フィラメントが短時間で切れる原因となる。また、サンプルガスのイオン化能力が低下しているので感度低下も発生することになる。   This difference in lifetime and sensitivity is considered to be due to the following phenomenon. In the ion box of a conventional gas analyzer, when fluorine is present, a non-conductive film is formed on the surface by nickel forming the ion box, free electrons are charged in the non-conductive film, and free electrons are introduced into the ion box. It becomes difficult to be done. As a result, an excessive voltage is continuously applied to the filament so that the ionization ability of the sample gas is maintained, which causes the filament to break in a short time. In addition, since the ionization ability of the sample gas is reduced, the sensitivity is also reduced.

これに対して、本実施形態のガス分析計100では、前記イオンボックス11をメッキしている白金がフッ素と反応してフッ化物を形成するとともに、すぐに気化するようにしてあるので、前記イオンボックス11の表面には不導体膜は形成されない。このことによって、フッ素の存在下であっても長寿命化及び感度の維持を実現できている。   On the other hand, in the gas analyzer 100 of the present embodiment, the platinum plating the ion box 11 reacts with fluorine to form a fluoride and vaporizes immediately. A nonconductive film is not formed on the surface of the box 11. This makes it possible to extend the life and maintain sensitivity even in the presence of fluorine.

また、本実施形態のフィラメント12にはフッ素と反応し、気化してしまうタングステンを含んでいないので、フッ素存在下でもフィラメント12が急速にやせ細ることを防ぐことができる。このことも本実施形態のガス分析計100の長寿命化に貢献している。   In addition, since the filament 12 of this embodiment does not contain tungsten that reacts with fluorine and vaporizes, the filament 12 can be prevented from rapidly thinning even in the presence of fluorine. This also contributes to extending the life of the gas analyzer 100 of the present embodiment.

その他の実施形態について説明する。   Other embodiments will be described.

前記実施形態では、前記イオンボックスの表面には白金をメッキしていたが、前記イオンボックスについてその他のフッ素と反応して所定の温度以下で気化するフッ化物を形成する特定金属によりメッキしても構わない。   In the embodiment, platinum is plated on the surface of the ion box, but the ion box may be plated with a specific metal that forms a fluoride that reacts with other fluorine to vaporize at a predetermined temperature or lower. I do not care.

前記イオンボックスをメッキするための特定金属としては、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、テクネチウム(Tc)等の遷移金属のいずれかを挙げることができる。これらの特定金属のフッ化物は、白金とフッ素の化合物である六フッ化白金の沸点よりも低い沸点を有するので気化するので、前記実施形態と同等の効果を奏し得る。また、これらの特定金属、及び、白金単体ではなく、複数種類の特定金属によりメッキしてもよい。また、ガス分析計の測定条件において気体のフッ化物を形成する金属であれば、典型金属を用いても構わない。   As the specific metal for plating the ion box, any of transition metals such as molybdenum (Mo), tungsten (W), iridium (Ir), rhenium (Re), and technetium (Tc) can be used. Since these specific metal fluorides have a boiling point lower than that of platinum hexafluoride, which is a compound of platinum and fluorine, and are vaporized, the same effects as in the above embodiment can be obtained. Moreover, you may plate with these specific metals and multiple types of specific metals instead of platinum simple substance. In addition, a typical metal may be used as long as it is a metal that forms a gaseous fluoride under the measurement conditions of the gas analyzer.

加えて、フッ素以外の元素が前記イオンボックスに不導体膜を形成するのを防ぐように、前記イオンボックスを形成する金属を選択してもよい。この場合は、フッ素以外の元素と反応して、ガス分析計の測定条件において気体の化合物を形成する金属で前記イオンボックスを形成すればよい。   In addition, the metal forming the ion box may be selected so as to prevent elements other than fluorine from forming a non-conductive film on the ion box. In this case, the ion box may be formed of a metal that reacts with an element other than fluorine to form a gaseous compound under the measurement conditions of the gas analyzer.

前記イオンボックスの全表面に特定金属のメッキを行わなくてもよく、少なくとも一部がメッキされていればよい。例えば、前記イオンボックスの内面側が特定金属によりメッキされていれば、長寿命化と感度低下防止の効果を得ることができる。より具体的には、少なくともトップ部材の内側が特定金属によりメッキされていればよい。また、イオン源の一部に特定金属によるメッキを施したものであってもよい。前記イオンボックスの母材についてもインコネルに限られるものではなく、その他の合金等であってもよい。本発明の効果は、前記イオンボックスの母材の組成においてフッ素と反応して気化しないフッ化物を形成するものを含んでいる場合に顕著となる。   The entire surface of the ion box may not be plated with a specific metal, and only needs to be at least partially plated. For example, if the inner surface side of the ion box is plated with a specific metal, the effect of prolonging the life and preventing the sensitivity from being lowered can be obtained. More specifically, it is sufficient that at least the inside of the top member is plated with a specific metal. Further, a part of the ion source may be plated with a specific metal. The base material of the ion box is not limited to Inconel, but may be other alloys. The effect of the present invention becomes remarkable when the composition of the base material of the ion box includes one that forms a fluoride that does not vaporize by reacting with fluorine.

また、イオンボックス自体が特定金属又は特定金属を含む合金で形成されていても構わない。この場合、特定金属がイオンボックスの表面にあり、フッ素元素、又は、フッ素元素由来のイオン等と接触し、反応できるように構成されていればよい。   Further, the ion box itself may be formed of a specific metal or an alloy containing the specific metal. In this case, it is sufficient that the specific metal is on the surface of the ion box and can contact and react with elemental fluorine or ions derived from elemental fluorine.

前記フィラメントについてはタングステンとレニウムの合金を用い、前記イオンボックスにフッ素と反応して容易に気化するフッ化物を形成する特定金属によるメッキを施して、前記ガス分析計を構成してもよい。   For the filament, an alloy of tungsten and rhenium may be used, and the gas analyzer may be configured by plating the ion box with a specific metal that forms a fluoride that easily vaporizes by reacting with fluorine.

前記実施形態では、自由電子によってサンプルガスをイオン化していたが、例えばイオンや放射線等によってサンプルガスをイオン化しても構わない。また、ガス分析計としては、実施形態に示した質量分離部、検出部以外の構成を用いても構わない。また、ガス分析計の用途としては残留ガス分析計だけでなく、その他の用途であっても構わない。要するに、イオン源によりイオン化されたサンプルガスについて分析するガス分析計であれば、本発明の効果を享受できる。   In the above embodiment, the sample gas is ionized by free electrons, but the sample gas may be ionized by, for example, ions or radiation. Moreover, as a gas analyzer, you may use structures other than the mass separation part shown in embodiment, and a detection part. Further, the gas analyzer may be used not only for the residual gas analyzer but also for other purposes. In short, any gas analyzer that analyzes the sample gas ionized by the ion source can enjoy the effects of the present invention.

その他、本発明の趣旨に反しない範囲において、様々な実施形態の変形や組み合わせを行っても構わない。   In addition, various modifications and combinations of the embodiments may be made without departing from the spirit of the present invention.

200・・・半導体製造装置
100・・・ガス分析計(RGA)
1 ・・・イオン源
11 ・・・イオンボックス
12 ・・・フィラメント
2 ・・・質量分離部
3 ・・・検出部
200 ... Semiconductor manufacturing apparatus 100 ... Gas analyzer (RGA)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ion source 11 ... Ion box 12 ... Filament 2 ... Mass separation part 3 ... Detection part

Claims (7)

サンプルガスが内部に導入されるイオンボックスを具備し、前記イオンボックスでイオン化されたサンプルガスについて分析するガス分析計であって、
前記イオンボックスが、特定金属で形成されており、
前記特定金属のフッ化物が、前記ガス分析計の測定条件において気体であることを特徴とするガス分析計。
A gas analyzer comprising an ion box into which a sample gas is introduced, and analyzing the sample gas ionized in the ion box,
The ion box is made of a specific metal;
The gas analyzer is characterized in that the fluoride of the specific metal is a gas under the measurement conditions of the gas analyzer.
前記特定金属のフッ化物が所定の真空度で気化するものである請求項1記載のガス分析計。   The gas analyzer according to claim 1, wherein the fluoride of the specific metal is vaporized at a predetermined degree of vacuum. 前記イオンボックスが、前記特定金属以外の金属で形成された母材を前記特定金属でメッキして形成されている請求項1又は2記載のガス分析計。   The gas analyzer according to claim 1 or 2, wherein the ion box is formed by plating a base material formed of a metal other than the specific metal with the specific metal. 前記イオンボックスが、イオン化されたサンプルガスを検出する検出部側の底面をなすボトム部材と、上面及び側面をなすトップ部材とから構成されており、
前記トップ部材の内側が少なくとも前記特定金属によりメッキされている請求項3記載のガス分析計。
The ion box includes a bottom member that forms a bottom surface on the detection unit side that detects ionized sample gas, and a top member that forms an upper surface and a side surface.
The gas analyzer according to claim 3, wherein an inner side of the top member is plated with at least the specific metal.
前記特定金属が白金である請求項1乃至4いずれかに記載のガス分析計。   The gas analyzer according to claim 1, wherein the specific metal is platinum. 前記イオンボックスと、前記イオンボックスへ自由電子を射出するフィラメントと、がイオン源を構成しており、
前記フィラメントが、タングステンを含まず、レニウムで形成されている請求項1乃至5いずれかに記載のガス分析計。
The ion box and a filament that emits free electrons to the ion box constitute an ion source,
The gas analyzer according to claim 1, wherein the filament does not contain tungsten and is formed of rhenium.
前記イオン源でイオン化されたサンプルガスのイオンを電荷と質量との比に応じて分離する質量分離部と、
前記質量分離部を通過したイオンを検出する検出部と、をさらに備えた請求項1乃至6いずれかに記載のガス分析計。
A mass separation unit that separates ions of the sample gas ionized by the ion source according to a ratio of charge to mass;
The gas analyzer according to claim 1, further comprising: a detection unit that detects ions that have passed through the mass separation unit.
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