JP2015222292A - Optical module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光素子を備えた光モジュールに関する。 The present invention relates to an optical module including an optical element.
従来、図13(a)のように、光モジュールは、基板1の表面に形成された第1溝(導波路形成用溝)1a内に設けられた内部導波路16と、この第1溝1aの先端面に形成された光路変換用のミラー部15とを備えている。また、ミラー部15を介して内部導波路16のコア部17に光信号を発光し、若しくはミラー部15を介して内部導波路16のコア部17からの光信号を受光する光素子12を備えている。
Conventionally, as shown in FIG. 13A, the optical module includes an
さらに、基板1の表面に形成された第2溝1b内に設けられ、内部導波路16のコア部17と光学的に結合するファイバコア部21を有する光ファイバ(外部導波路)2を備えている(特許文献1参照)。
Furthermore, an optical fiber (external waveguide) 2 having a
ところで、光モジュールが動作している場合、ミラー部15と合成樹脂製の内部導波路16は、光吸収によって発熱することがある。特に光素子12が発光素子であるときは、これに近いミラー部15付近は、光が拡がる前であるので、光のパワー密度が高いために、発熱温度が高くなる傾向になる。
By the way, when the optical module is operating, the
このような光モジュールにおいて、短距離や低速伝送であれば、光素子12からの光のパワー密度が低いために、ミラー部15やその近傍の内部導波路16の発熱温度は、問題となるほど高くならない。しかし、長距離や高速伝送であれば、伝送信頼性を確保するために、より高い光出力が必要となり、その分、ミラー部15やその近傍の内部導波路16の発熱温度も高くなる。
In such an optical module, if the transmission distance is short or low, the power density of the light from the
そのため、ミラー部15やその近傍の内部導波路16の温度上昇に起因する応力のために、基板1からコア部17が剥離する可能性がある。
Therefore, there is a possibility that the
そこで、図13(b)のように、コア部17の前端17aをミラー部15から後退させることで温度上昇を抑制して、剥離が発生しにくいように工夫したものが提案されている。
Therefore, as shown in FIG. 13B, a device has been proposed in which the
しかしながら、基板1の傾斜面に反射率の向上のための反射膜(例えばAu膜)を形成してミラー部15が構成されている場合、ミラー部15の温度上昇に起因する応力のために、基板から反射膜が剥離しやすくなる。そのため、モジュールの歩留まり率が低下するという問題があった。
However, when the
なお、図13(b)の背景技術のミラー部15は、基板1の傾斜面の上端と、後退されたコア部17の前端17a付近との間に形成されているように描かれている。しかし、反射膜自体の形成範囲については、十分な研究や開示がなされていないのが実情であった。
13B is drawn so as to be formed between the upper end of the inclined surface of the
本発明は、前記問題を解消するためになされたもので、反射膜の形成範囲に工夫を加えることで、基板から反射膜を剥離しにくくして、歩留まり率を向上させることができる光モジュールを提供することを目的とするものである。 The present invention has been made to solve the above problems, and by adding a device to the formation range of the reflective film, an optical module that makes it difficult to peel the reflective film from the substrate and can improve the yield rate is provided. It is intended to provide.
前記課題を解決するために、本発明は、基板の表面に形成された導波路形成用溝内に設けられた内部導波路と、この溝の先端面に形成された光路変換用のミラー部とを備えている。このミラー部と対向するように基板の表面に実装され、ミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子を備えた光モジュールである。前記ミラー部は、前記導波路形成用溝の先端面である傾斜面に反射膜が形成されることで構成され、前記反射膜は、前記基板の上面から前記内部導波路の長さ方向に延在されている。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides an internal waveguide provided in a waveguide forming groove formed on the surface of a substrate, and an optical path conversion mirror portion formed on the tip surface of the groove. It has. It is mounted on the surface of the substrate so as to face this mirror part, and emits an optical signal to the core part of the internal waveguide through the mirror part, or an optical signal from the core part of the internal waveguide through the mirror part. It is an optical module provided with the optical element which receives light. The mirror portion is configured by forming a reflective film on an inclined surface that is a tip surface of the waveguide forming groove, and the reflective film extends from the upper surface of the substrate in the length direction of the internal waveguide. Be present.
本発明によれば、導波路形成用溝の先端面である傾斜面に反射膜(例えばAu膜)を形成してミラー部を構成し、この反射膜は、基板の上面から内部導波路の長さ方向に延在するように形成範囲を設定したものである。 According to the present invention, a reflective film (for example, an Au film) is formed on the inclined surface that is the tip surface of the waveguide forming groove to form a mirror portion. The formation range is set so as to extend in the vertical direction.
したがって、反射膜は、傾斜面だけに密着しているのでは無く、基板の上面にも密着しているから、基板から反射膜が剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率が向上するようになる。 Therefore, the reflection film is not only in close contact with the inclined surface but also in close contact with the upper surface of the substrate, so that the reflection film is difficult to peel off from the substrate and the yield rate of the optical module is improved. Become.
前記コア部の前端は、前記ミラー部から後退された位置に設定され、前記反射膜は、前記コア部の前端に重ならない付近まで延在されている構成とすることができる。 The front end of the core part may be set at a position retracted from the mirror part, and the reflective film may be extended to the vicinity not overlapping the front end of the core part.
この構成によれば、コア部の前端をミラー部から後退させることで温度上昇を抑制して、コア部に剥離が発生しにくくなる。 According to this configuration, the temperature rise is suppressed by retracting the front end of the core portion from the mirror portion, and the core portion is less likely to be peeled off.
前記反射膜は、前記導波路形成用溝のミラー底付近まで延在されている構成とすることができる。 The reflective film may be configured to extend to near the mirror bottom of the waveguide forming groove.
この構成によれば、反射膜は、さらに導波路形成用溝のミラー底付近まで延在するように形成範囲を設定したものである。したがって、基板から反射膜がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。また、反射膜が基板から剥離しにくくなることと相俟って、反射膜の上にコア部が重なる形態では、結果的にコア部も基板から剥離しにくくなることから、この点からも光モジュールの歩留まり率が向上することになる。 According to this configuration, the formation range of the reflective film is set so as to extend to the vicinity of the mirror bottom of the waveguide forming groove. Therefore, the reflective film is more difficult to peel off from the substrate, and the yield rate of the optical module is further improved. In addition, in combination with the fact that the reflective film is difficult to peel off from the substrate, the core part is also difficult to peel from the substrate when the core part is overlapped on the reflective film. The module yield rate is improved.
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の溝部分の前端付近まで延在されている構成とすることができる。 The reflective film may be configured to extend to the vicinity of the front end of the groove portion of the waveguide forming groove.
この構成によれば、反射膜は、さらに導波路形成用溝の溝部分の前端付近まで延在するように形成範囲を設定したものである。したがって、基板から反射膜がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。 According to this configuration, the formation range of the reflective film is set so as to extend to the vicinity of the front end of the groove portion of the waveguide forming groove. Therefore, the reflective film is more difficult to peel off from the substrate, and the yield rate of the optical module is further improved.
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の溝部分の前端よりも後方まで延在されている構成とすることができる。 The reflective film may be configured to extend further to the rear than the front end of the groove portion of the waveguide forming groove.
この構成によれば、反射膜は、さらに導波路形成用溝の溝部分の前端よりも後方まで延在するように形成範囲を設定したものである。したがって、基板から反射膜がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。 According to this configuration, the formation range of the reflective film is set so as to extend further to the rear than the front end of the groove portion of the waveguide forming groove. Therefore, the reflective film is more difficult to peel off from the substrate, and the yield rate of the optical module is further improved.
前記反射膜は、前記内部導波路のコア部の幅よりも狭幅に設定されている構成とすることができる。 The reflective film may be configured to be narrower than the width of the core portion of the internal waveguide.
この構成によれば、反射膜は、内部導波路のコア部の幅よりも狭幅の形成範囲に設定したものである。したがって、基板から反射膜が剥離しにくくなることと相俟って、反射膜の上にコア部の両側部分が重ならなくなるから、コア部自体も基板から剥離しにくくなるので、光モジュールの歩留まり率が向上することになる。 According to this configuration, the reflective film is set in a formation range narrower than the width of the core portion of the internal waveguide. Therefore, coupled with the fact that the reflective film is difficult to peel off from the substrate, both side portions of the core portion do not overlap on the reflective film, so the core portion itself is also difficult to peel off from the substrate. The rate will improve.
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の上端付近の幅に設定されている構成とすることができる。 The reflection film may be configured to have a width in the vicinity of the upper end of the waveguide forming groove.
この構成によれば、反射膜は、さらに導波路形成用溝の上端付近の幅に形成範囲を設定したものである。したがって、基板から反射膜がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。反射膜が基板から剥離しにくくなることと相俟って、反射膜の上にクラッド部とコア部が重なる形態では、結果的にクラッド部とコア部も基板から剥離しにくくなることから、この点からも光モジュールの歩留まり率が向上することになる。 According to this configuration, the reflective film has a formation range set to a width near the upper end of the waveguide forming groove. Therefore, the reflective film is more difficult to peel off from the substrate, and the yield rate of the optical module is further improved. Combined with the fact that the reflective film is difficult to peel off from the substrate, the clad part and the core part are overlapped on the reflective film. As a result, the clad part and the core part are also difficult to peel from the substrate. From the point of view, the yield rate of the optical module is improved.
前記反射膜は、前記導波路形成用溝の上端幅よりも広幅に設定されている構成とすることができる。 The reflective film may be configured to be wider than the upper end width of the waveguide forming groove.
この構成によれば、反射膜は、さらに導波路形成用溝の上端幅よりも広幅に形成範囲を設定したものである。したがって、基板から反射膜がより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。 According to this configuration, the formation range of the reflective film is set wider than the upper end width of the waveguide forming groove. Therefore, the reflective film is more difficult to peel off from the substrate, and the yield rate of the optical module is further improved.
本発明によれば、反射膜の形成範囲に工夫を加えることで、基板から反射膜を剥離しにくくして、歩留まり率を向上させることができる。 According to the present invention, by devising the formation range of the reflective film, it is difficult to peel the reflective film from the substrate, and the yield rate can be improved.
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、背景技術と同一構成・作用の箇所は、同一番号を付して詳細な説明を省略する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that portions having the same configuration and operation as those of the background art are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図1は本発明に係る光モジュールの概略側面図である。図1において、光モジュールは、発光側の第1基板(マウント基板)1と、受光側の第1基板(マウント基板)3と、この第1基板1,3を光学的に結合する光ファイバ2とを備えている。
FIG. 1 is a schematic side view of an optical module according to the present invention. In FIG. 1, an optical module includes a first substrate (mount substrate) 1 on a light emitting side, a first substrate (mount substrate) 3 on a light receiving side, and an
第1基板1,3は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子12aから受光素子12bまでの光結合効率が必要になるので、光素子(発光素子12aと受光素子12b)12を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第1基板1,3として、本実施形態ではシリコン(Si)基板が採用されている。
The
特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能〔この溝を利用して高精度なミラー部15(後述)、溝内に内部導波路16(後述)を形成する。〕となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。 In particular, in the case of a silicon substrate, it is possible to process a highly accurate etching groove on the surface by utilizing the crystal orientation of silicon [a highly accurate mirror portion 15 (described later) using this groove, and an internal waveguide 16 ( (To be described later). ]. In addition, the silicon substrate has good flatness.
第1基板1,3は、それよりもサイズが大きい第2基板(インタポーザ基板)6の表面(上面)にそれぞれ設置されている。各第2基板6の裏面(下面)には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ7がそれぞれ取付けられている。
The
第1基板1の表面(上面)には、電気信号を光信号に変換する発光素子12aが発光面を下向きとしてバンプ12c〔図13(b)参照〕でフリップチップ実装されている。また、第2基板6の表面には、この発光素子12aに電気信号を送信するためのIC回路が形成されたIC基板(信号処理部)4aが実装されている。
On the surface (upper surface) of the
発光素子12aとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)〕が採用されている。この発光素子12aはLED等でもよい。
In the present embodiment, a surface emitting laser (VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)) that is a semiconductor laser is employed as the
IC基板4aは、前記VCSELを駆動させるドライバICであり、発光素子12aの近傍に配設されている。そして、発光素子12aおよびIC基板4aは、第1基板1の表面に形成されたメタル回路(銅や金スパッタによるパターニング回路)に接続されている。
The
第1基板1の表面には、図2(c)に示すような略V字形の第1溝(導波路形成用溝)1aと、第1溝1aよりも深い略V字形の第2溝1bが前後方向に連なって形成されている。
On the surface of the
第1溝1aの先端面には、発光素子12aの真下となる位置に、光路を90度屈曲させるための光路変換用のミラー部15が形成されている。このミラー部15は、図2を参照すれば、基板1の第1溝1aの先端面である傾斜面1cに、反射率の向上のための反射膜(例えばAu膜)15aを形成して構成されている。図2以下では、反射膜15aは比較的厚く描かれているが、実際には数μm程度の厚さである。なお、反射膜15aの光路変換に必要な範囲は、図2(a)にクロスハッチングで示す程度であり、その他の範囲は、光路変換機能を有しない。
On the front end surface of the
第1基板1の第1溝1a内には、第1基板1の発光素子12aと光学的に結合する内部導波路16が設けられている。
In the
内部導波路16は、図2を参照すれば、光が伝播する屈折率の高いコア部17と、それよりも屈折率の低いクラッド部18とから構成されている。コア部17の左右の両面は、クラッド部18で覆われている。コア部17の上部は、第1基板1の表面と略同じ高さであり、クラッド部18の上部は、第1基板1の表面よりも僅かに盛り上げられている。クラッド部18の上部は、第1溝1aの両側で基板1の表面に密着されている。
Referring to FIG. 2, the
図1に戻って、内部導波路16が設けられた第1基板1の表面の所定位置には、発光素子12aが実装され、この発光素子12aと第1基板1の表面との間には、アンダーフィルが充填されている。
Returning to FIG. 1, a
一方、受光側の第1基板3の基本的な構成は、発光側の第1基板1と同様に構成されている。ただし、受光側の第1基板3の表面(上面)に、光信号を電気信号に変換する受光素子12bが受光面を下向きとしてフリップチップ実装されている。また、第2基板6の表面に、この受光素子12bに電気信号を送信するためのIC回路が形成されたIC基板(信号処理部)4bが実装されている点で、発光側の第1基板1と異なる。この受光素子12bとしては、PD(Photo Diode)が採用されており、IC基板4bは、電流・電圧の変換を行うTIA(Trans−impedance Amplifier)などの素子である。
On the other hand, the basic configuration of the first substrate 3 on the light receiving side is the same as that of the
発光側の第1基板1と受光側の第1基板3およびIC基板4a,4bは、第2基板6の表面に取付けたシールドケース8でそれぞれシールドされていて、光ファイバ2は、シールドケース8の貫通孔8aを貫通させている。
The
光ファイバ2は、発光側の第1基板1の内部導波路16のコア部17と、受光側の第1基板3の内部導波路16のコア部17とを光学的に結合可能なファイバコア部21を内部に有している。そして、このファイバコア部21の外周を包囲するファイバクラッド部22と、このファイバクラッド部22の外周を被覆する被覆部23とで構成されるコードタイプである。このファイバコア部21とファイバクラッド部22と被覆部23は円形状である。
The
光ファイバ2は、シールドケース8の貫通孔8aを貫通して第1基板1の第2溝1bの手前付近で被覆部23が剥がされて、ファイバクラッド部22が露出されている。
The
そして、第1基板1の第2溝1bに光ファイバ2のファイバクラッド部22を設置して、第1溝1aとの境部分の立ち上がり傾斜部でファイバクラッド部22の位置決めをする。このときに、第1基板1の内部導波路16のコア部17と光ファイバ2のファイバコア部21の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。
And the fiber clad
第1基板1の表面の位置において、光ファイバ2のファイバクラッド部22の上部には押えブロック24が配置され、この押えブロック24と第2溝1bとの間の空間には、接着剤が充填されている。
At the position of the surface of the
このように、光ファイバ2のファイバクラッド部22の先端側は、押えブロック24で第2溝1bに押え付けられた状態で、押えブロック24とともに第1基板1に接着剤で接着固定されるようになる。
As described above, the front end side of the fiber clad
図2は、第1実施形態の内部導波路16であり、(a)は平面図、(b)は(a)のI−I線断面図、(c)は(a)のII−II線断面図である。
2A and 2B show the
基板1の第1溝1aの断面形状は略V字形である。また、クラッド部18の上部の幅は、ミラー底1eの最大幅Wよりも広く設定されているが、狭く設定されていても差し支えはない。
The cross-sectional shape of the
コア部17の前端17aは、ミラー部15から後退された位置に設定されている。また、クラッド部18の前端18aは、第1溝1aの略V字形の溝部分の前端1dの位置に設定しているが、必ずしもこの位置である必要はない。これらのことは、第1溝1aの断面形状を略台形とした場合でも同様である。
The
基板1の傾斜面1cに形成された反射膜15aは、ミラー底1eの最大幅Wよりも広い幅で、前端15bの付近から基板1の上面に広く密着されている。そして、内部導波路16の長さ方向に、少なくともコア部17の前端17aに重ならない直前付近まで延在されている。なお、重ならないのであれば、コア部17の前端17aと一致してもよい。
The
第1実施形態の構成であれば、第1溝1aの傾斜面1cに反射膜15aを形成してミラー部15を構成している。この反射膜15aは、基板1の上面から内部導波路16の長さ方向に、少なくともコア部17の前端17aに重ならない付近まで延在するように形成範囲(符号A参照)を設定したものである。
If it is the structure of 1st Embodiment, the
したがって、反射膜15aは、傾斜面1cだけに密着しているのでは無く、基板1の上面にも広く密着しているから、基板1から反射膜15aが剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率が向上するようになる。
Accordingly, since the
特に、第1溝1aの断面形状が略V字形であると、硬化処理用のUV光が届きにくいミラー底1eでのコア部17の密着性が悪くなる。そこで、コア部17の前端17aの付近を基板1に直接密着させ、反射膜15aに重ならないようにすることで、コア部17の剥離防止により良い効果が得られる。また、コア部17の前端17aをミラー部15から後退した位置に設定することで、コア部17の温度上昇が抑制されて剥離が発生しにくくなる。
In particular, when the cross-sectional shape of the
図3は、第2実施形態の内部導波路16であり、(a)は平面図、(b)は(a)のI−I線断面図である。第1実施形態と相違するのは、反射膜15aは、ミラー底1eの付近まで延在するように形成範囲(符号B参照)を設定した点である。
3A and 3B show the
第2実施形態の構成であれば、基板1から反射膜15aがより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。また、反射膜15aが基板1から剥離しにくくなることと相俟って、反射膜15aの上にコア部17が重なる形態(以下の各実施形態も含む。)では、結果的にコア部17も基板1から剥離しにくくなる。これにより、光モジュールの歩留まり率が向上することになる。
If it is the structure of 2nd Embodiment, the
図4は、第3実施形態の内部導波路16であり、(a)は平面図、(b)は(a)のI−I線断面図である。第1実施形態と相違するのは、反射膜15aは、第1溝1aの溝部分の前端1dの付近まで延在するように形成範囲(符号C参照)を設定した点である。
4A and 4B show the
第3実施形態の構成であれば、基板1から反射膜15aがより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。
If it is the structure of 3rd Embodiment, the
図5は、第4実施形態の内部導波路16であり、(a)は平面図、(b)は(a)のI−I線断面図、(c)は(a)のII−II線断面図である。第1実施形態と相違するのは、反射膜15aは、第1溝1aの溝部分の前端1dよりも後方まで延在するように形成範囲(符号D参照)を設定した点である。
5A and 5B show the
第4実施形態の構成であれば、基板1から反射膜15aがより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。
If it is the structure of 4th Embodiment, it will become difficult to peel the
第1〜第4実施形態において、コア部17の前端17aは、ミラー部15から後退された位置に設定する必要は必ずしも無い。すなわち、第1実施形態に対応する図9(a)(b)のように、コア部17の上部は、第1基板1の表面よりも僅かに盛り上げられており、その前端17aはミラー部15の上端付近に位置させている。また、クラッド部18の上部は、コア部17の上部よりも僅かに盛り上げられており、その前端18aはミラー部15の上端よりも延在して、基板1の表面に密着させている。このように構成することもできる。
In the first to fourth embodiments, the
なお、第2実施形態に対応する図9(c)(d)、第3実施形態に対応する図10(a)(b)、第4実施形態に対応する図10(c)(d)も同様である。 9C and 9D corresponding to the second embodiment, FIGS. 10A and 10B corresponding to the third embodiment, and FIGS. 10C and 10D corresponding to the fourth embodiment. It is the same.
図6は、第5実施形態の内部導波路16であり、(a)は平面図、(b)は(a)のI−I線断面図、(c)は(a)のII−II線断面図である。第4実施形態と相違するのは、反射膜15aは、内部導波路16のコア部17の幅よりも狭幅となるように形成範囲(符号E参照)を設定した点である。
6A and 6B show the
第5実施形態の構成であれば、基板1から反射膜15aが剥離しにくくなることと相俟って、反射膜15aの上にコア部17の両側部分が重ならなくなるから、コア部17自体も基板1から剥離しにくくなる。これにより、光モジュールの歩留まり率が向上することになる。
With the configuration of the fifth embodiment, coupled with the fact that the
図7は、第6実施形態の内部導波路16であり、(a)は平面図、(b)は(a)のI−I線断面図、(c)は(a)のII−II線断面図である。第4実施形態と相違するのは、反射膜15aは、第1溝1aの上端1f付近の幅となるように形成範囲(符号F参照)を設定した点である。
7A and 7B show the
第6実施形態の構成であれば、反射膜15aが基板1から剥離しにくくなることと相俟って、反射膜15aの上にクラッド部18とコア部17が重なる形態では、結果的にクラッド部18とコア部17も基板1から剥離しにくくなる。これにより、光モジュールの歩留まり率が向上することになる。
With the configuration of the sixth embodiment, coupled with the fact that the
図8は、第7実施形態の内部導波路16であり、(a)は平面図、(b)は(a)のI−I線断面図、(c)は(a)のII−II線断面図である。第7実施形態は、基本的には図5の第4実施形態と同じ構成であり、具体的には、反射膜15aは、第1溝1aの上端1fの幅よりも広幅となるように形成範囲(符号G参照)を設定した点である。
8A and 8B show the
第7実施形態の構成であれば、基板1から反射膜15aがより剥離しにくくなって、光モジュールの歩留まり率がより向上するようになる。
If it is the structure of 7th Embodiment, the
第5〜第7実施形態において、コア部17の前端17aは、ミラー部15から後退された位置に設定する必要は必ずしも無い。すなわち、第5実施形態に対応する図11(a)のように、コア部17の上部は、第1基板1の表面よりも僅かに盛り上げられており、その前端17aはミラー部15の上端付近に位置させている。また、クラッド部18の上部は、コア部17の上部よりも僅かに盛り上げられており、その前端18aはミラー部15の上端よりも延在して、基板1の表面に密着させている。このように構成することもできる。
In the fifth to seventh embodiments, the
なお、第6実施形態に対応する図11(b)、第7実施形態に対応する図11(c)も同様である。 The same applies to FIG. 11 (b) corresponding to the sixth embodiment and FIG. 11 (c) corresponding to the seventh embodiment.
第1〜第4実施形態(図9、図10の変形例も含む。)は、反射膜15aを内部導波路16の長さ方向に延在させることで、基板1との密着性を良好にするものである。
In the first to fourth embodiments (including the modified examples of FIGS. 9 and 10), the
第5〜第7実施形態(図11の変形例も含む。)は、反射膜15aを内部導波路16の幅方向に延在させることで、基板1との密着性を良好にするものである。
In the fifth to seventh embodiments (including the modification of FIG. 11), the
これらのことから、第1〜第4実施形態と5〜第7実施形態とを適宜に組み合わせることも可能である。例えば、図12(a)は、第1実施形態と第5実施形態とを組み合わせた変形例、図12(b)は第1実施形態と第6実施形態とを組み合わせた変形例である。その他、図12(c)のように、第1実施形態において、反射膜15aをコア部17の両側に沿って内部導波路16の長さ方向に延在させること等もできる。
From these things, it is also possible to combine 1st-4th embodiment and 5th-7th embodiment suitably. For example, FIG. 12A is a modified example in which the first embodiment and the fifth embodiment are combined, and FIG. 12B is a modified example in which the first embodiment and the sixth embodiment are combined. In addition, as shown in FIG. 12C, in the first embodiment, the
1 第1基板(基板)
1a 第1溝(導波路形成用溝)
1c 傾斜面(先端面)
1d 溝部分の前端
1e ミラー底
1f 上端
12a 発光素子
12b 受光素子
15 ミラー部
15a 反射膜
15b 前端
16 内部導波路
17 コア部
17a 前端
18 クラッド部
18a 前端
1 First substrate (substrate)
1a 1st groove (groove for waveguide formation)
1c Inclined surface (tip surface)
1d
Claims (8)
前記ミラー部は、前記導波路形成用溝の先端面である傾斜面に反射膜が形成されることで構成され、前記反射膜は、前記基板の上面から前記内部導波路の長さ方向に延在されていることを特徴とする光モジュール。 An internal waveguide provided in a waveguide forming groove formed on the surface of the substrate, an optical path converting mirror formed on the front end surface of the groove, and the surface of the substrate so as to face the mirror And an optical module that includes at least an optical element that emits an optical signal to the core portion of the internal waveguide via the mirror portion or receives an optical signal from the core portion of the internal waveguide via the mirror portion. In
The mirror portion is configured by forming a reflective film on an inclined surface that is a tip surface of the waveguide forming groove, and the reflective film extends from the upper surface of the substrate in the length direction of the internal waveguide. An optical module characterized by being present.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014105935A JP2015222292A (en) | 2014-05-22 | 2014-05-22 | Optical module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
ID=54785352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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- 2014-05-22 JP JP2014105935A patent/JP2015222292A/en active Pending
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