JP2015211062A - Membrane structure of conductive pattern and method of manufacturing conductive pattern - Google Patents

Membrane structure of conductive pattern and method of manufacturing conductive pattern Download PDF

Info

Publication number
JP2015211062A
JP2015211062A JP2014090017A JP2014090017A JP2015211062A JP 2015211062 A JP2015211062 A JP 2015211062A JP 2014090017 A JP2014090017 A JP 2014090017A JP 2014090017 A JP2014090017 A JP 2014090017A JP 2015211062 A JP2015211062 A JP 2015211062A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
conductive pattern
metal nanoparticle
ink
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014090017A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
知大 今村
Tomohiro Imamura
知大 今村
宮本 慎一
Shinichi Miyamoto
宮本  慎一
山田 英幸
Hideyuki Yamada
英幸 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2014090017A priority Critical patent/JP2015211062A/en
Publication of JP2015211062A publication Critical patent/JP2015211062A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a thin film pattern where metal nanoparticle film is never peeled off from a plastic base material even after optical burning, without inserting a new layer, such as a resin layer, between the plastic base material and metal nanoparticle film, and to provide its membrane structure.SOLUTION: In the membrane structure of a conductive pattern formed by optical burning after patterning metal nanoparticle diffusion ink on a base material, sintering progresses more for the metal nanoparticles at a part separated from the base material of the membrane structure, and the cavity in the membrane structure is reduced.

Description

本発明は、薄膜パターンの形成方法、及びその薄膜パターンの膜構造に関するものである。   The present invention relates to a method for forming a thin film pattern and a film structure of the thin film pattern.

近年、印刷技術による電子デバイス形成プロセスである”プリンテッドエレクトロニクス(PE)”では、導電性を有する金属製の機能性材料の印刷パターニングが盛んにおこなわれている。   In recent years, “printed electronics (PE)”, which is an electronic device formation process using printing technology, has been actively printing patterning of metallic functional materials having conductivity.

例えば、金属配線形成について、その印刷形成プロセス技術は企業間で競われており、高解像度なパターニング技術に焦点を当て、様々な印刷方法が開発されている。   For example, with respect to metal wiring formation, the printing process technology is competing among companies, and various printing methods have been developed focusing on high-resolution patterning technology.

一方で、高位置精度のパターニング技術に関しては、高解像度なパターニング技術と比較すると、優先度が低くなっているのが現状である。しかしながら、高解像度なパターニング技術が進めば、必然と高位置精度のパターニング技術が求められてくる。   On the other hand, the high position accuracy patterning technology has a lower priority than the high resolution patterning technology. However, if high-resolution patterning technology advances, patterning technology with high positional accuracy will inevitably be required.

プリンテッドエレクトロニクスでは、印刷基材として、PETフィルム、PENフィルムに代表される安価なプラスチック基材が用いられることが多く、高位置精度パターニング実現のためには、目的のプラスチック基材へ正確にパターニングすることはもちろん、印刷後のプラスチック基材の管理・コントロールも必要となってくる。   In printed electronics, inexpensive plastic substrates such as PET film and PEN film are often used as printing substrates, and in order to achieve high positional accuracy patterning, patterning is accurately performed on the target plastic substrate. Of course, management and control of the plastic substrate after printing is also necessary.

とりわけ、材料を焼成する工程では、プラスチック基材に高温の熱が負荷される場合が多く、熱耐性の乏しいプラスチック基材に関しては、大きく歪が生じてしまう問題点がある。   In particular, in the process of firing the material, high-temperature heat is often applied to the plastic substrate, and there is a problem in that a large amount of distortion occurs with respect to the plastic substrate with poor heat resistance.

そこで、基材への熱負荷を軽減する焼成方法として、キセノンフラッシュ光源などを用いた光焼成方法が注目されている。この手法を用いると、ごく短時間の間に、パターニングした金属性の機能性材料のみ、高温の熱が負荷され、その基材であるプラスチック基材への負荷を軽減することができる。   Thus, as a firing method for reducing the thermal load on the base material, a light firing method using a xenon flash light source or the like has attracted attention. When this method is used, only a patterned metallic functional material is loaded with high-temperature heat in a very short time, and the load on the plastic substrate that is the substrate can be reduced.

現在、金属製の機能性材料としては、銀や銅のナノサイズの微粒子が分散されている金属ナノ粒子分散インクが扱われることが多い。例えば、この金属ナノ粒子分散インクに対して、キセノンフラッシュ光源で光焼成を行なうと、数ミリ秒の間に、金属ナノ粒子周辺の有機保護膜などを不活性化、金属ナノ粒子同士の焼結を促し、高い導電性を得ることができる。   Currently, metal nanoparticle-dispersed ink in which nano-sized fine particles of silver or copper are dispersed is often used as the functional material made of metal. For example, when this metal nanoparticle-dispersed ink is light baked with a xenon flash light source, the organic protective film around the metal nanoparticles is inactivated and the metal nanoparticles are sintered between each other within a few milliseconds. And high conductivity can be obtained.

しかしながら、光焼成は金属ナノ粒子の焼結を急激に誘起させ膜化させるため、金属ナノ粒子の焼結起因の収縮応力や、金属ナノ粒子膜からの熱伝達による基材の伸縮(基材温度の上昇および下降による基材の膨張および収縮)によって、基材と金属ナノ粒子膜の間でせん断応力が発生し、形成した金属ナノ粒子膜が基材からはがれてしまう問題点がある。経験的にも熱耐性に乏しい安価なプラスチック基材ほど、その傾向が顕著である。   However, since photo-firing rapidly induces the sintering of metal nanoparticles to form a film, shrinkage stress due to sintering of metal nanoparticles or expansion / contraction of the substrate due to heat transfer from the metal nanoparticle film (substrate temperature) There is a problem that shearing stress is generated between the base material and the metal nanoparticle film due to the expansion and contraction of the base material due to the rise and fall of the base material, and the formed metal nanoparticle film is peeled off from the base material. The tendency is more conspicuous as the cheaper plastic substrate has poor heat resistance.

以上のように、プラスチック基材上に金属ナノ粒子分散インクを高位置精度にパターニングし、その後、機能性を得るためのパターニングの後工程である焼成方法として、光焼成は有効な手段の一つだが、金属ナノ粒子の焼結起因の収縮応力や、金属ナノ粒子膜からの熱伝達による基材の伸縮によって、基材と金属ナノ粒子膜の間でせん断応力が発生し、基材から形成した金属ナノ粒子膜がはがれてしまう問題点がある。   As described above, light baking is one of effective means as a baking method that is a post-patterning process for patterning metal nanoparticle-dispersed ink on a plastic substrate with high positional accuracy and then obtaining functionality. However, due to the shrinkage stress caused by the sintering of metal nanoparticles and the expansion and contraction of the base material due to heat transfer from the metal nanoparticle film, a shear stress was generated between the base material and the metal nanoparticle film, which was formed from the base material. There is a problem that the metal nanoparticle film is peeled off.

この問題点を解決する手段として特許文献1には、プラスチック基材と金属ナノ粒子膜の間に樹脂層を挿入する技術が開示されているが、新たに樹脂層を挿入する事によってコストの上昇を避けることができない。   As a means for solving this problem, Patent Document 1 discloses a technique for inserting a resin layer between a plastic substrate and a metal nanoparticle film, but the cost increases by newly inserting a resin layer. Cannot be avoided.

特開2014−11199号公報JP 2014-11199 A

上記の問題点を解決するため、本発明の課題は、樹脂層など新たな層をプラスチック基材と金属ナノ粒子膜の間に挿入することなく、光焼成後においてもプラスチック基材から金属ナノ粒子膜が剥離することがない薄膜パターンの形成方法およびその膜構造を提供することを課題とする。   In order to solve the above problems, the object of the present invention is to provide a metal nanoparticle from a plastic substrate even after light firing without inserting a new layer such as a resin layer between the plastic substrate and the metal nanoparticle film. It is an object of the present invention to provide a method for forming a thin film pattern in which a film does not peel and a film structure thereof.

本発明は、上記の課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、その課題を解決する手段を見出すに至った。具体的には、粒子の焼結の進行を膜厚方向にコントロールすることで、更には、金属ナノ粒子膜の厚さ方向において、その表面近傍は高い導電性を重視して粒子成長を促し、基材近傍は密着性を重視して粒子の焼結の進行を抑制することにより、高い導電性を獲得すると同時に、プラスチック基材と金属ナノ粒子膜の間でせん断応力を抑制することが可能となることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present invention has found a means for solving the problems. Specifically, by controlling the progress of particle sintering in the film thickness direction, further, in the thickness direction of the metal nanoparticle film, the surface vicinity emphasizes high conductivity and promotes particle growth, In the vicinity of the base material, it is possible to suppress the shearing stress between the plastic base material and the metal nanoparticle film at the same time as acquiring high conductivity by suppressing the progress of sintering of the particles with an emphasis on adhesion. As a result, the present invention has been completed.

そこで、上記課題を解決する手段として、本発明の請求項1は、金属ナノ粒子分散インキをプラスチック基材上にパターン化後、光焼成することによって形成した導電パターンの膜構造であって、前記膜構造の前記基材から離れた部位の金属ナノ粒子ほど焼結が進み、その膜構造中の空隙が減少していることを特徴とする導電パターンの膜構造である。   Therefore, as a means for solving the above-mentioned problem, claim 1 of the present invention is a film structure of a conductive pattern formed by patterning a metal nanoparticle-dispersed ink on a plastic substrate, followed by light baking, and The metal structure is a film structure of a conductive pattern characterized in that sintering progresses as the metal nanoparticles in a part of the film structure away from the substrate, and voids in the film structure decrease.

また、請求項2は、金属ナノ粒子分散インキを使用した導電パターンの製造方法であって、
プラスチック基材上に金属ナノ粒子分散インキのパターンを形成するパターン形成工程と、
前記の工程で形成された金属ナノ粒子を含むパターンに光を照射することにより焼結する光焼成工程と、をこの順に備えてなり、
前記光焼成工程は、前記基材が透明である波長領域の光源を用い、1回に照射する時間を1ミリ秒以下、照射する光の積算量を0.5mJ/cm以上とすることを特徴とする導電パターンの製造方法である。
Further, claim 2 is a method for producing a conductive pattern using metal nanoparticle-dispersed ink,
A pattern forming process for forming a metal nanoparticle-dispersed ink pattern on a plastic substrate;
A photo-firing step of sintering by irradiating light onto the pattern containing the metal nanoparticles formed in the above-mentioned steps, in this order,
The light baking step uses a light source in a wavelength region in which the substrate is transparent, and the irradiation time is 1 millisecond or less, and the integrated amount of light to be irradiated is 0.5 mJ / cm 2 or more. It is the manufacturing method of the conductive pattern characterized.

また、請求項3は、前記金属ナノ粒子分散インクの金属ナノ粒子の粒子径が、動的光散乱法を用いて測定した体積平均径で100nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の導電パターンの導電パターンの製造方法である。   Further, according to claim 3, the particle diameter of the metal nanoparticles of the metal nanoparticle-dispersed ink is 100 nm or less in terms of a volume average diameter measured using a dynamic light scattering method. It is a manufacturing method of the conductive pattern of this conductive pattern.

また、請求項4は、前記光源がキセノンフラッシュ光源またはパルスレーザー光源であることを特徴とする請求項2または3に記載の導電パターンの製造方法である。   A fourth aspect of the present invention is the conductive pattern manufacturing method according to the second or third aspect, wherein the light source is a xenon flash light source or a pulse laser light source.

また、請求項5は、前記パターン形成工程が、凸版印刷または凹版印刷または孔版印刷または平版印刷またはインクジェット印刷を使用することを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の導電パターンの製造方法である。   Further, in claim 5, the pattern forming step uses relief printing, intaglio printing, stencil printing, planographic printing, or ink jet printing, and manufacturing the conductive pattern according to any one of claims 2 to 4. Is the method.

本発明は以上の特徴を持つことから、下記に示す効果がある。   Since the present invention has the above features, the following effects are obtained.

即ち、上記請求項1に係る発明によれば、膜厚方向に粒子の焼結の進行をコントロールすることで、電子が移動する薄膜パターン表面は粒子の焼結を促すことでコンダクティビティが増加し、基材近傍は、粒子の焼結を抑制することで、膜構造の体積の減少が少なく、収縮応力の発生が抑制され、基材との密着性を損なうことがない。その粒子の焼結の進行の尺度として、膜構造中の空隙の量、グレインサイズ、結晶子サイズなどを用いる。また基材近傍に関してはバインダー成分が膜構造中の空隙に多く残ることで、密着性を向上させることができる。   That is, according to the first aspect of the invention, by controlling the progress of particle sintering in the film thickness direction, the surface of the thin film pattern on which electrons move increases the conductivity by encouraging particle sintering. In the vicinity of the base material, by suppressing the sintering of the particles, the volume of the film structure is reduced little, the generation of shrinkage stress is suppressed, and the adhesion with the base material is not impaired. As a measure of the progress of the sintering of the particles, the amount of voids in the film structure, grain size, crystallite size and the like are used. Further, regarding the vicinity of the base material, a large amount of the binder component remains in the voids in the film structure, whereby the adhesion can be improved.

また、上記請求項2、3に係る発明によれば、微粒子が金属粒子であることで、粒子の焼結後に導電化の機能を得ることができ、粒径が100nm以下であることで、それより大きい粒子に比べて、単位質量当りの表面積がはるかに大きくなり、表面での現象である粒子の焼結は、粒子が小さいほうが容易に焼結する。また、沈降などの問題点を防ぐことができる。   Further, according to the inventions according to the second and third aspects, since the fine particles are metal particles, a conductive function can be obtained after the particles are sintered, and the particle size is 100 nm or less. Compared to larger particles, the surface area per unit mass is much larger, and the sintering of particles, a phenomenon at the surface, is easier to sinter with smaller particles. In addition, problems such as sedimentation can be prevented.

また、上記請求項4に係る発明によれば、エネルギー源として、キセノンフラッシュランプ光源を用いることで、短時間の光照射で強度のエネルギーを得ることができ、金属ナノ粒子分散インクの焼成と相性が非常に良い。また、ランニングコストが安い、タクトが早い、装置の簡便さなどの運用面でのメリットがある。またエネルギー源として、パルスレーザー光源を用いることで、他の手段と比較して、極短時間で強度のエネルギーを得ることができるメリットがある。   In addition, according to the invention according to the fourth aspect, by using a xenon flash lamp light source as an energy source, it is possible to obtain energy of intensity by light irradiation in a short time, and compatibility with firing of metal nanoparticle dispersed ink. Very good. In addition, there are operational advantages such as low running cost, fast tact, and simplicity of the device. Further, by using a pulse laser light source as an energy source, there is an advantage that energy of intensity can be obtained in an extremely short time as compared with other means.

本発明の実施例で使用した反転印刷装置の構成の例を示した概略説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic explanatory diagram illustrating an example of the configuration of a reverse printing apparatus used in an embodiment of the present invention. 本発明の実施例でPETフィルム上に銅の金属ナノ粒子分散インクをパターニングした光焼成前のサンプルの顕微鏡写真。The microscope picture of the sample before the light baking which patterned the copper metal nanoparticle dispersion | distribution ink on the PET film in the Example of this invention. 本発明の実施例でPETフィルム上に銅の金属ナノ粒子分散インクをパターニングしたサンプルについて、条件1と条件2で光焼成したサンプルの顕微鏡写真。The microscope picture of the sample photobaked by the conditions 1 and 2 about the sample which patterned the metal nanoparticle dispersion | distribution ink of copper on the PET film in the Example of this invention. 条件1のときの金属ナノ粒子膜の断面について推測されるモデルであって、金属ナノ粒子膜の表面側は焼結が進行し空隙が減少しているのに対し、基材側は焼結の進行が少なく、空隙が減少していない状況を表した模式図。It is a model inferred about the cross section of the metal nanoparticle film in the condition 1, and the surface side of the metal nanoparticle film is sintered and the voids are reduced, whereas the substrate side is sintered. The schematic diagram showing the situation where there is little progress and the space | gap is not reducing.

本発明の実施の形態について、以下に説明する。
(金属ナノ粒子分散インク)
金属ナノ粒子膜を作製するための材料としては、溶媒中で金属ナノ粒子が安定に分散するための有機保護膜が付着している金属ナノ粒子を溶媒に分散させた金属ナノ粒子分散インクを用いることができる。金属ナノ粒子の種類としては金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウム、ロジウム等が挙げられる。
Embodiments of the present invention will be described below.
(Metal nanoparticle dispersed ink)
As a material for producing the metal nanoparticle film, a metal nanoparticle-dispersed ink in which metal nanoparticles having an organic protective film for stably dispersing the metal nanoparticles in a solvent is dispersed in the solvent is used. be able to. Gold, silver, copper, nickel, platinum, palladium, rhodium etc. are mentioned as a kind of metal nanoparticle.

金属ナノ粒子の粒径は、10〜100nm程度の粒径が好ましい。ここで、粒径とは、動的光散乱法を用いた測定データから算出した体積平均径を指す。粒径が小さいほど、サイズ効果により、金属ナノ粒子同士の融着温度が低くなり、より小さい熱エネルギーで金属皮膜化することが可能となる。しかしながら、金属ナノ粒子分散インクとしての分散安定性は悪くなり、凝集などが発生する可能性が高くなる。   The particle size of the metal nanoparticles is preferably about 10 to 100 nm. Here, the particle diameter refers to a volume average diameter calculated from measurement data using a dynamic light scattering method. The smaller the particle size, the lower the fusion temperature between the metal nanoparticles due to the size effect, and the metal film can be formed with smaller thermal energy. However, the dispersion stability as the metal nanoparticle-dispersed ink is deteriorated, and the possibility of occurrence of aggregation is increased.

溶媒には、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤及び炭化水素系溶剤などが使用される。エステル系溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、エトキシエチルプロピオネート、アルコール系溶剤として、1−ブタノール、3メトキシ−3メチル−1ブタノール、1−ヘキサノール、1,3ブタンジオール、1−ペンタノール、2−メチル1−ブタノール、4−メチル−2−ペンタノール、エーテル系溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールターシャリーブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、炭化水素系溶剤として、ソルベッソ100(エクソン化学社製)、ソルベッソ150(エクソン化学社製)などが挙げられる。
As the solvent, ester solvents, alcohol solvents, ether solvents, hydrocarbon solvents and the like are used. As ester solvents, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethoxyethyl propionate, as alcohol solvents, 1-butanol, 3methoxy-3methyl-1butanol, 1-hexanol, 1,3 butanediol, 1-pentanol, 2-methyl 1-butanol, 4-methyl-2-pentanol, ether solvents such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol tertiary butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol butyl ether, ethylene glycol Ethyl ether, ethylene glycol methyl ether, diethylene glycol butyl ether, diethylene glycol ethyl ether, hydrocarbon As the solvent, Solvesso (produced by Exxon Chemical Co.) 100, (manufactured by Exxon Chemical Co.) Solvesso 150 and the like.

また、受像層組成物の塗布性、分散安定性などの点から、適宜選択して使用されるものとして、水、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、トルエン、キシレン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ジクライム、シクロヘキサノンなどが挙げられる。   In addition, from the viewpoint of coating properties and dispersion stability of the image-receiving layer composition, water, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, toluene, xylene, ethyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, diclime, cyclohexanone are appropriately selected and used. Etc.

バインダー樹脂としては、プラスチック基材との密着力を向上させるため、セルロース系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、またそれらの複合樹脂などが使用できる。また、低温で分解するものが望ましい。   As the binder resin, a cellulose-based resin, an epoxy-based resin, an acrylic-based resin, a urethane-based resin, or a composite resin thereof can be used in order to improve the adhesion with the plastic substrate. Moreover, what decomposes | disassembles at low temperature is desirable.

また、これらのインキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、レベリング剤等が添加されてもよい。なお、本発明のインキはこれらに限定されるものではない。   Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a leveling agent, etc. may be added to these inks as needed. The ink of the present invention is not limited to these.

(光焼成)
光焼成に用いるキセノンフラッシュ光源については、特にこれに限定するものではないが、プラスチック基材の光透過性に合わせて特定の波長領域をカットすることが望ましい。この理由として、プラスチック基材が透過できない特定波長のエネルギーを吸収することで、プラスチック基材自体が発熱してしまう可能性があるからである。
(Light baking)
The xenon flash light source used for light baking is not particularly limited, but it is desirable to cut a specific wavelength region in accordance with the light transmittance of the plastic substrate. This is because the plastic substrate itself may generate heat by absorbing energy of a specific wavelength that cannot be transmitted by the plastic substrate.

また、照射回数に関しては、金属ナノ粒子分散インキの金属ナノ粒子やプラスチック基材によって単発照射と複数回照射のどちらでも選択できる。複数回照射では、例えば照射の周波数を0.1Hz〜500Hzまで選択でき、膜厚方向に光焼成後の粒子の焼結の進行を制御するために、その条件を1回ずつ設定することができるものが望ましい。   Moreover, regarding the frequency | count of irradiation, either single-shot irradiation or multiple irradiation can be selected with the metal nanoparticle of a metal nanoparticle dispersion ink, or a plastic base material. In the multiple irradiation, for example, the irradiation frequency can be selected from 0.1 Hz to 500 Hz, and the conditions can be set once to control the progress of the sintering of the particles after the light baking in the film thickness direction. Things are desirable.

キセノンフラッシュ光源を光源とした場合の照射エネルギーは、複数回照射であっても、膜厚方向に粒子の焼結の進行を制御するために、その条件を1回ずつ設定することができる。ここで、金属ナノ粒子の焼結を促進するために、照射エネルギーの積算量は、0.5J/cm以上が望ましい。但し、あまりに照射エネルギーが大きい場合、表面にクレータ状の凹凸が発生し、機能性を損なう可能性があるため、金属ナノ粒子の種類によって、上限値が存在する。 Irradiation energy when a xenon flash light source is used as a light source can be set once for controlling the progress of particle sintering in the film thickness direction even if irradiation is performed a plurality of times. Here, in order to promote the sintering of the metal nanoparticles, the integrated amount of irradiation energy is desirably 0.5 J / cm 2 or more. However, if the irradiation energy is too high, crater-like irregularities may be generated on the surface and the functionality may be impaired, so there is an upper limit depending on the type of metal nanoparticles.

また、単発照射、複数回照射に限らず、1回の照射時間は、パターン表面のみの粒子の焼結を促すため、パターン表面の粒子の焼結を促進できる範囲の中で、短時間であることが望ましい。時間としては1ミリ秒以下が望ましい。ここで粒子の焼結とは、金属ナノ粒子を構成する原子の熱拡散による移動が起こり、金属ナノ粒子同士が融合し一体化する方向に変化することを指す。このことにより、金属ナノ粒子膜からなるパターン表面の導電率は、その金属のバルクの導電率に近づく方向に変化する。これは金属ナノ粒子間の空隙が無くなる方向に構造が変化するからである。同時に、体積が小さくなるため、金属ナノ粒子膜には収縮する方向の応力(収縮応力)が発生する。   Moreover, not only single irradiation and multiple irradiations, one irradiation time is a short time within a range in which the sintering of the particles on the pattern surface can be promoted in order to promote the sintering of the particles on the pattern surface only. It is desirable. The time is preferably 1 millisecond or less. Here, the sintering of the particles means that the atoms constituting the metal nanoparticles move due to thermal diffusion and change in a direction in which the metal nanoparticles are fused and integrated. As a result, the conductivity of the pattern surface made of the metal nanoparticle film changes in a direction approaching the conductivity of the bulk of the metal. This is because the structure changes in a direction in which there are no voids between the metal nanoparticles. At the same time, since the volume is reduced, a stress (shrinkage stress) in the shrinking direction is generated in the metal nanoparticle film.

一方、パターン表面から膜厚方向に、すなわちプラスチック基材に近づくほど、金属ナノ粒子が焼結し一体化する度合いが小さくなる。このことは、膜構造中の応力の観点から見ると、プラスチック基材に近いほど元の膜構造に近く、収縮応力が小さいため、プラスチック基材から剥がれ難い。またプラスチック基材に近いほど、膜構造中の空隙が多く残り、その空隙に金属ナノ粒子分散インク中のバインダー樹脂などが存在するため、プラスチック基材との密着性が良くなる。   On the other hand, the closer the film surface is to the film thickness direction, that is, the closer to the plastic substrate, the smaller the degree to which the metal nanoparticles are sintered and integrated. From the viewpoint of the stress in the film structure, this means that the closer to the plastic substrate, the closer to the original film structure, and the smaller the shrinkage stress, the harder it is to peel off from the plastic substrate. Further, the closer to the plastic substrate, the more voids in the film structure remain, and the binder resin in the metal nanoparticle-dispersed ink is present in the voids, so that the adhesion with the plastic substrate is improved.

また、一般的な大気中の熱焼成において、銅粒子のように酸素と反応して機能性に影響を与えてしまう材料に関しては、複数回照射ではなく、単発照射が望ましい。   Further, in general thermal firing in the atmosphere, single-shot irradiation is desirable instead of multiple irradiations for materials that react with oxygen and affect functionality, such as copper particles.

(金属ナノ粒子膜のパターン形成)
パターン形成方法としては、印刷によるパターン形成が望ましく、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、孔版印刷、インクジェット印刷などが挙げられる。中でも、凸版印刷の一種であるフレキソ印刷やブランケットを使用した反転印刷などは、薄膜かつ高精細のパターニングが可能である。
(Metal nanoparticle film pattern formation)
The pattern formation method is preferably pattern formation by printing, and includes letterpress printing, intaglio printing, planographic printing, stencil printing, ink jet printing, and the like. In particular, flexographic printing, which is a type of letterpress printing, and reverse printing using a blanket, are capable of thin film and high-definition patterning.

また、パターン形成ではなく、均一なインク液膜が必要な場合は、例えばディッピング法、ロールコート、グラビアコート、リバースコート、エアナイフコート、ダイコート、スプレーコート法等を用いることができる。中でも、ダイコート、キャップコート、ロールコート、アプリケータは、広い範囲の粘度のインクについて均一なインク液膜を形成することができる。   Further, when a uniform ink liquid film is required instead of pattern formation, for example, dipping, roll coating, gravure coating, reverse coating, air knife coating, die coating, spray coating, or the like can be used. Among them, the die coat, cap coat, roll coat, and applicator can form a uniform ink liquid film for ink having a wide range of viscosity.

(プラスチック基材)
使用するプラスチック基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド、ナイロン、アラミド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニル、トリアセチルセルロースなどのフィルム、シートを用いることもできる。
(Plastic substrate)
Examples of the plastic substrate used include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone, cycloolefin polymer, polyimide, nylon, aramid, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, and triacetyl. A film or sheet of cellulose or the like can also be used.

また、これらプラスチック基材には、アンカー層を設けてもよい。アンカー層の形成材料としては、高分子ポリマー、溶剤を主成分とし、任意に微粒子などを添加した塗布組成物を使用することができる。本発明のアンカー層を構成する材料としては、透明であること、熱耐性があること、金属粒子との密着がよいことなどの性能が要求される。   Moreover, you may provide an anchor layer in these plastic base materials. As a material for forming the anchor layer, a coating composition containing a polymer and a solvent as main components and optionally added with fine particles and the like can be used. The material constituting the anchor layer of the present invention is required to have performance such as transparency, heat resistance, and good adhesion to metal particles.

高分子ポリマーとしては、ポリアクリル酸エステル、ポリメタアクリル酸エステル、ポリエチルアクリル酸エステル、スチレンーブタジエン共重合体、ブタジエン共重合体、アクリロニトリルーブタジエン共重合体、クロロプレン共重合体、架橋アクリル樹脂、架橋スチレン樹脂、フッ素樹脂、フッ化ビニリデン、ベンゾグアナミン樹脂、フエノール樹脂、ポリオレフィン樹脂、セルロース、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、スチレン−メタアクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、スチレン−アクリルアミド共重合体、n−イソブチルアクリレート、アクリロニトリル、酢酸ビニル、アクリルアミド、シリコーン樹脂、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ロジン系樹脂、ポリエチレン、ポリカーボネート、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアルコール、セルロース系樹脂、エポキシ樹脂、酢酸ビニル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、酢酸ビニル−アクリル共重合体、塩化ビニル樹脂、ポリウレタン、等が挙げられるがこれに限定されるものではない。これらポリマーにアクリル基、カルボキシル基、イソシアネート基などの反応性部位を付与したもの、更にはこれらに必要に応じて架橋剤、光開始剤などを添加して、硬化型ポリマーとしても使用できる。   High molecular weight polymers include polyacrylate, polymethacrylate, polyethylacrylate, styrene-butadiene copolymer, butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene copolymer, chloroprene copolymer, and crosslinked acrylic resin. Cross-linked styrene resin, fluorine resin, vinylidene fluoride, benzoguanamine resin, phenol resin, polyolefin resin, cellulose, styrene-acrylate copolymer, styrene-methacrylate copolymer, polystyrene, styrene-acrylamide copolymer , N-isobutyl acrylate, acrylonitrile, vinyl acetate, acrylamide, silicone resin, polyvinyl acetal, polyamide, polyimide, rosin resin, polyethylene, polycarbonate, chloride Examples include, but are not limited to, nylidene resin, polyvinyl alcohol, cellulose resin, epoxy resin, vinyl acetate resin, ethylene-vinyl acetate copolymer, vinyl acetate-acrylic copolymer, vinyl chloride resin, polyurethane, and the like. is not. These polymers can be used as a curable polymer by adding a reactive site such as an acryl group, a carboxyl group, an isocyanate group or the like, and further adding a crosslinking agent, a photoinitiator or the like as necessary.

以下に、PETフィルム上へ銅の金属ナノ粒子分散インクのパターニングを行う実施例を示して更に詳しく説明する。   Hereinafter, an example in which copper metal nanoparticle dispersed ink is patterned on a PET film will be described in more detail.

印刷方法は、インク剥離性フィルムを用いた反転印刷法を選択した。この印刷方法は、インク剥離性フィルムへインク液を塗工し、該インク液を予備乾燥した予備乾燥インク膜に、凸部パターンが非画像パターンである凸版を押し当て引き離すことで、予備乾燥インク膜の不要な部分を凸版の凸部に転写除去し、該インク剥離性フィルム上に残った画像パターンを、被印刷基材に転写することで、多様で高精細な薄膜パターンを得ることを特徴としている。   As a printing method, a reverse printing method using an ink peelable film was selected. In this printing method, an ink liquid is applied to an ink peelable film, and a pre-dried ink is formed by pressing and separating a relief plate having a non-image pattern on a pre-dried ink film obtained by pre-drying the ink liquid. Transfer unnecessary parts of the film to the convex part of the relief plate, and transfer the image pattern remaining on the ink-releasable film to the substrate to be printed. It is said.

反転印刷を行う装置は、図1に示す通り、インク剥離性フィルム106と、被印刷基材109、当該インク剥離性フィルム106の搬送の制御を行なう、インク剥離性フィルム巻き出し部107とインク剥離性フィルム巻き取り部108の搬送系とインク塗工部101、インク乾燥部102、パターン除去部103、アライメント部104、基材貼り合わせ部105、を備えて構成されている。   As shown in FIG. 1, an apparatus that performs reverse printing includes an ink peelable film 106, a substrate to be printed 109, and an ink peelable film unwinding unit 107 that controls the conveyance of the ink peelable film 106 and the ink peelable. The film forming unit 108 includes a transport system, an ink coating unit 101, an ink drying unit 102, a pattern removing unit 103, an alignment unit 104, and a substrate bonding unit 105.

使用した銅の金属ナノ粒子分散インクは、芳香族炭化水素系で平均粒径は30〜50nm、銅の含有量は20〜50wt%であり、添加物としてレベリング剤(添加量0.5wt%、ビックケミージャパン社製、製品名:BYK333)、バインダー(添加量5wt%、積水化学工業社製、製品名:エスレックBK)、転写性付与剤を混ぜている。   The copper metal nanoparticle-dispersed ink used is an aromatic hydrocarbon type having an average particle size of 30 to 50 nm and a copper content of 20 to 50 wt%, and a leveling agent (addition amount of 0.5 wt%, BIC Chemie Japan Co., Ltd., product name: BYK333), binder (addition amount 5 wt%, Sekisui Chemical Co., Ltd., product name: ESREC BK), transferability imparting agent are mixed.

インク剥離性フィルム106として、基材厚100μmのPETフィルム上に剥離性シリコーンゴムを塗布して乾燥させ、厚さ10μmとしたものを使用した。また、金属ナノ粒子分散インクの塗工性を向上させるために、その膜面に対して濡れ性が向上する表面処理(USHIO社製、製品名:SHV07、表面処理方法:スプレー塗布、乾燥後、紫外線172nmの光照射)を施した。   As the ink peelable film 106, a film having a thickness of 10 μm was used by applying a peelable silicone rubber on a PET film having a substrate thickness of 100 μm and drying it. Further, in order to improve the coating properties of the metal nanoparticle-dispersed ink, a surface treatment that improves wettability with respect to the film surface (manufactured by USHIO, product name: SHV07, surface treatment method: spray coating, after drying, (Irradiation with ultraviolet light of 172 nm).

まず、インク塗工部101で、可動ステージ上に設けられた多孔質性材料を用いた吸着面にインク剥離性フィルム106を固定し、ダイヘッドを用いて、金属ナノ粒子分散インクを均一に200nmの厚さに調整してベタ膜塗工をおこなった。   First, in the ink coating unit 101, the ink releasable film 106 is fixed to the adsorption surface using the porous material provided on the movable stage, and the metal nanoparticle-dispersed ink is uniformly distributed to 200 nm using a die head. Solid film coating was performed by adjusting the thickness.

その後、減圧乾燥機であるインク乾燥部102へ、金属ナノ粒子分散インクのベタ膜が形成されたインク剥離性フィルム106を搬送し、半乾燥させ、パターン除去部103まで搬送させる。   Thereafter, the ink peelable film 106 on which the solid film of the metal nanoparticle-dispersed ink is formed is transported to the ink drying unit 102 that is a vacuum dryer, semi-dried, and transported to the pattern removing unit 103.

パターン除去部103は、可動ステージに樹脂製(またはガラス製でも良い。)の凸版が吸着により装着されており、インク剥離性フィルム106上のインク塗工面を該凸版に近づけた後、可動ステージに設けられているローラをインク剥離性フィルム106の上から押し当て、回転させながら印圧をかけ、インク剥離性フィルム106を該凸版から剥がすことにより、凸版の凸部と接した塗工膜を凸版に転移させ、インク剥離性フィルム106上にパターンを得る。   The pattern removing unit 103 has a resin-made (or glass-made) relief plate attached to the movable stage by suction, and after the ink coating surface on the ink peelable film 106 is brought close to the relief plate, The roller provided is pressed from above the ink peelable film 106, applied with printing pressure while being rotated, and the ink peelable film 106 is peeled off from the relief printing plate to remove the coating film in contact with the relief of the relief printing plate. To obtain a pattern on the ink peelable film 106.

次に、可動性ステージと複数の顕微鏡カメラから構成されているアライメント部104で、インク剥離性フィルム106が透明なことを利用して、インク剥離性フィルム106上に得られたパターンの一部や位置合わせ用のマークパターン(第1の位置合わせパターン)と、PET上に予め設けられた位置合わせ用パターン(第2の位置合わせパターン)を透過画像で認識し、アライメントをおこなう。   Next, in the alignment unit 104 composed of a movable stage and a plurality of microscope cameras, a part of the pattern obtained on the ink peelable film 106 is obtained using the fact that the ink peelable film 106 is transparent. The alignment mark pattern (first alignment pattern) and the alignment pattern (second alignment pattern) provided in advance on the PET are recognized by the transmission image, and alignment is performed.

貼り合わせ部105には、前記アライメント部104に設置された可動性ステージ上にローラが設けられる。貼り合わせ部105に設置された可動性ステージに固定されたPE
Tと、わずかな隙間をあけて設置されたインク剥離性フィルム106の上から、同じく前記貼り合わせ部105に設置されたローラを押し当て、可動性ステージの移動と共にローラを回転させながら印圧をかけ、つぎにインク剥離性フィルム106をPETから剥がすことにより、被印刷基材109であるPETフィルムにパターンを転写した。
The laminating unit 105 is provided with a roller on a movable stage installed in the alignment unit 104. PE fixed to a movable stage installed in the bonding unit 105
T and the ink peelable film 106 installed with a slight gap are pressed against the roller installed in the bonding section 105, and the printing pressure is applied while rotating the roller as the movable stage moves. Then, the ink peelable film 106 was peeled off from the PET, whereby the pattern was transferred to the PET film as the substrate 109 to be printed.

PETフィルム上に銅の金属ナノ粒子分散インクをパターニングした結果を図2に示す。ストライプパターンであれば、10μm以下の良好なパターンが得られた。   The result of patterning the copper metal nanoparticle dispersed ink on the PET film is shown in FIG. In the case of a stripe pattern, a good pattern of 10 μm or less was obtained.

得られたサンプルを、キセノン光源フラッシュ光源を備えた光焼成装置によって、光焼成を行なった。高いエネルギーを極短時間(200ns以下)で、光焼成を行なったサンプル(条件1)、比較例として、条件1と積算エネルギーは同等になるように、光焼成装置に負荷する電圧を低下させ、照射時間を条件1より長く設定した条件(2000ns)にてサンプル(条件2)を作製した。   The obtained sample was light baked by a light baking apparatus equipped with a xenon light source flash light source. A sample (Condition 1) that has been light baked with high energy in a very short time (200 ns or less), and as a comparative example, the voltage applied to the light baked apparatus is reduced so that the accumulated energy is equivalent to Condition 1; A sample (condition 2) was produced under the condition (2000 ns) where the irradiation time was set longer than condition 1.

それぞれ光焼成後の密着性を比較すると、条件1では、PETフィルム上から金属ナノ粒子膜の剥離は無く焼成できていたのに対して、条件2では、PET上から金属ナノ粒子膜のはがれが発生した。(図3)   When the adhesion after light baking was compared, in condition 1, the metal nanoparticle film was peeled off from the PET film, whereas in condition 2, the metal nanoparticle film peeled off from the PET. Occurred. (Figure 3)

条件1のとき、金属ナノ粒子膜の断面について推測されるモデルを図4に示す。これは、光焼成時のキセノンフラッシュ光源の照射時間が短いが故に、金属ナノ粒子膜の極表面のみ粒子の焼結が促進され、金属ナノ粒子の焼結の進行状態に傾斜を持たせることができたと考えられる。   FIG. 4 shows a model estimated for the cross section of the metal nanoparticle film under the condition 1. This is because, since the irradiation time of the xenon flash light source at the time of light firing is short, the sintering of the particles is promoted only on the extreme surface of the metal nanoparticle film, and the progress of the sintering of the metal nanoparticles can be inclined. It is thought that it was made.

金属ナノ粒子膜には、金属ナノ粒子と金属ナノ粒子の間に空隙が存在する。また光焼結の進行に伴って、金属ナノ粒子同士が溶けて一体化するように振る舞い、見かけの粒子サイズが大きくなる。また空隙が少なくなって、導電性が高くなる。X線回折から測定できる結晶子のサイズも大きくなる。また、その空隙が潰れて体積が減少する方向に収縮応力が発生する。   In the metal nanoparticle film, there are voids between the metal nanoparticles and the metal nanoparticles. Further, as the photo-sintering progresses, the metal nanoparticles behave as if they are melted and integrated, and the apparent particle size increases. In addition, the gap is reduced and the conductivity is increased. The crystallite size that can be measured from X-ray diffraction also increases. In addition, contraction stress is generated in a direction in which the voids are crushed and the volume is reduced.

一方で、被印刷基材109すなわちPETフィルムの表面近傍の金属ナノ粒子は、熱伝導によって熱負荷が与えられるものの金属ナノ粒子膜の表面と比較すると温度が低く、粒子の焼結が抑制される結果、金属ナノ粒子膜の収縮応力の発生が小さかったため、PETフィルムとの収縮差が小さく、金属ナノ粒子膜がはがれなかったと推測できる。条件2では、キセノンフラッシュ光源の照射時間が長かったために、PETフィルム表面近傍の金属ナノ粒子まで、粒子の焼結が進行した結果、金属ナノ粒子膜の収縮応力の発生が大きくなるため、PETフィルムとの収縮差が大きくなり、金属ナノ粒子膜がはがれたと考える。   On the other hand, although the metal nanoparticles near the surface of the substrate 109 to be printed, that is, the PET film, are given a thermal load by heat conduction, the temperature is lower than the surface of the metal nanoparticle film, and the sintering of the particles is suppressed. As a result, since the generation of shrinkage stress of the metal nanoparticle film was small, it can be estimated that the shrinkage difference from the PET film was small and the metal nanoparticle film was not peeled off. Under condition 2, since the irradiation time of the xenon flash light source was long, the sintering of the particles progressed to the metal nanoparticles near the surface of the PET film. As a result, the generation of shrinkage stress of the metal nanoparticle film increased. The shrinkage difference between the metal nanoparticle film and the metal nanoparticle film was peeled off.

以上、金属ナノ粒子膜の厚さ方向に対して、金属ナノ粒子の粒子成長の度合いをコントロールし、傾斜を持たせることで、密着性の不具合なく高精細パターンの形成が可能となる。   As described above, by controlling the degree of particle growth of the metal nanoparticles with respect to the thickness direction of the metal nanoparticle film and imparting an inclination, it is possible to form a high-definition pattern without any problem of adhesion.

101・・・インク塗工部
102・・・インク乾燥部
103・・・パターン除去部
104・・・アライメント部
105・・・貼り合わせ部
106・・・インク剥離性フィルム
107・・・インク剥離性フィルム巻き出し部
108・・・インク剥離性フィルム巻き取り部
109・・・被印刷基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Ink application part 102 ... Ink drying part 103 ... Pattern removal part 104 ... Alignment part 105 ... Bonding part 106 ... Ink peelable film 107 ... Ink peelability Film unwinding part 108 ... Ink peelable film winding part 109 ... Printed substrate

Claims (5)

金属ナノ粒子分散インキをプラスチック基材上にパターン化後、光焼成することによって形成した導電パターンの膜構造であって、前記膜構造の前記基材から離れた部位の金属ナノ粒子ほど焼結が進み、その膜構造中の空隙が減少していることを特徴とする導電パターンの膜構造。   It is a film structure of a conductive pattern formed by patterning a metal nanoparticle-dispersed ink on a plastic substrate, followed by photo-baking, and the metal nanoparticles in a part of the film structure that is away from the substrate are sintered as much as possible. A film structure of a conductive pattern, characterized in that the voids in the film structure are reduced. 金属ナノ粒子分散インキを使用した導電パターンの製造方法であって、
プラスチック基材上に金属ナノ粒子分散インキのパターンを形成するパターン形成工程と、
前記の工程で形成された金属ナノ粒子を含むパターンに光を照射することにより焼結する光焼成工程と、をこの順に備えてなり、
前記光焼成工程は、前記基材が透明である波長領域の光源を用い、1回に照射する時間を1ミリ秒以下、照射する光の積算量を0.5mJ/cm以上とすることを特徴とする導電パターンの製造方法。
A method for producing a conductive pattern using metal nanoparticle dispersed ink,
A pattern forming process for forming a metal nanoparticle-dispersed ink pattern on a plastic substrate;
A photo-firing step of sintering by irradiating light onto the pattern containing the metal nanoparticles formed in the above-mentioned steps, in this order,
The light baking step uses a light source in a wavelength region in which the substrate is transparent, and the irradiation time is 1 millisecond or less, and the integrated amount of light to be irradiated is 0.5 mJ / cm 2 or more. A method for producing a conductive pattern.
前記金属ナノ粒子分散インクの金属ナノ粒子の粒子径が、動的光散乱法を用いて測定した体積平均径で100nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の導電パターンの導電パターンの製造方法。   3. The conductive pattern of the conductive pattern according to claim 2, wherein a particle diameter of the metal nanoparticles of the metal nanoparticle-dispersed ink is 100 nm or less in terms of a volume average diameter measured using a dynamic light scattering method. Production method. 前記光源がキセノンフラッシュ光源またはパルスレーザー光源であることを特徴とする請求項2または3に記載の導電パターンの製造方法。   4. The method for producing a conductive pattern according to claim 2, wherein the light source is a xenon flash light source or a pulse laser light source. 前記パターン形成工程が、凸版印刷または凹版印刷または孔版印刷または平版印刷またはインクジェット印刷を使用することを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。   5. The method for producing a conductive pattern according to claim 2, wherein the pattern forming step uses letterpress printing, intaglio printing, stencil printing, planographic printing, or ink jet printing.
JP2014090017A 2014-04-24 2014-04-24 Membrane structure of conductive pattern and method of manufacturing conductive pattern Pending JP2015211062A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014090017A JP2015211062A (en) 2014-04-24 2014-04-24 Membrane structure of conductive pattern and method of manufacturing conductive pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014090017A JP2015211062A (en) 2014-04-24 2014-04-24 Membrane structure of conductive pattern and method of manufacturing conductive pattern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015211062A true JP2015211062A (en) 2015-11-24

Family

ID=54613069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014090017A Pending JP2015211062A (en) 2014-04-24 2014-04-24 Membrane structure of conductive pattern and method of manufacturing conductive pattern

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015211062A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3028126B1 (en) Bonding electronic components to patterned nanowire transparent conductors
KR101193315B1 (en) Structuring of electrical functional layers by means of a transfer film and structuring the adhesive
JP6700787B2 (en) Method for producing transparent conductor on substrate
US10492305B2 (en) Patterned overcoat layer
US10362685B2 (en) Protective coating for printed conductive pattern on patterned nanowire transparent conductors
US20130305943A1 (en) Ink composition for printing, and printing method using same
US9554473B2 (en) Apparatus and method for providing an embedded structure and for providing an electro-optical device including the same
US9205638B2 (en) Method of forming printed patterns
Suganuma et al. Printing Technology
Liang et al. Femtosecond Laser Patterning Wettability‐Assisted PDMS for Fabrication of Flexible Silver Nanowires Electrodes
JP2010023393A (en) Printing method and printing apparatus
JP2015211062A (en) Membrane structure of conductive pattern and method of manufacturing conductive pattern
US11284521B2 (en) Electronic devices comprising a via and methods of forming such electronic devices
JP2008251887A (en) Pattern forming method and manufacturing method of electronic element
JP2011235543A (en) Method of printing high definition pattern, color filter produced by the same, and printing device
CN105829970B (en) Substrate comprising a circuit pattern, method and system for providing a substrate comprising a circuit pattern
JP2009096073A (en) Printing method, method of manufacturing color filter, and color filter
KR101431225B1 (en) Pattern forming method by transferring of ink
WO2015022855A1 (en) Transparent conductive film forming method
JP2009038110A (en) Electromagnetic wave shield member for plasma display, and manufacturing method thereof
CN117711834A (en) Graphene micro-line array, preparation method thereof and supercapacitor
JP2014133311A (en) Printing method and printing device
JP2012011713A (en) Printing method
JP2013072945A (en) Method of manufacturing color filter