JP2015201344A - microwave heating device - Google Patents

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道生 瀧川
Michio Takigawa
道生 瀧川
良夫 稲沢
Yoshio Inasawa
良夫 稲沢
佐々木 拓郎
Takuo Sasaki
拓郎 佐々木
本間 幸洋
Koyo Honma
幸洋 本間
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microwave heating device which prevents a failure in a microwave radiation source and is capable of efficiently using microwave energy for heating a specimen.SOLUTION: On a circumference with a reactor 1 as a central part, a plurality of microwave radiation sources 4 are provided. For one microwave radiation source 4, the other microwave radiation source 4 is disposed at a position deviated from an opposing position via the reactor 1. Between the microwave radiation sources 4 on the circumference where the microwave radiation sources 4 are disposed, a plurality of sub reflectors 5 are provided. The sub reflector 5 is disposed at a position facing the microwave radiation source 4 via the reactor 1. Thus, a microwave II that is reflected without being absorbed by a specimen 21, is reflected by the sub reflector 5 and the specimen 21 is irradiated again therewith. Therefore, a failure in the microwave radiation source 4 is prevented and microwave energy can be efficiently used for heating the specimen 21.

Description

この発明は、試料にマイクロ波を照射して加熱するマイクロ波加熱装置に関するものである。   The present invention relates to a microwave heating apparatus that heats a sample by irradiating it with microwaves.

マイクロ波伝送技術の分野においては、例えば太陽発電衛星(Solar Power Satellite,SPS)の実現に向けて、高効率伝送技術やアクティブフェーズドアレーアンテナ(Active Phased Array Antenna,APAA)によるビーム制御技術などに関する様々な研究開発が行われている。   In the field of microwave transmission technology, for example, various technologies related to high-efficiency transmission technology and beam control technology using an active phased array antenna (APAA) for the realization of a solar power satellite (SPS). R & D is underway.

また、これらのマイクロ波伝送技術を工業用のアプリケーションに応用する動向もみられる。例えば、特許文献1及び特許文献2には、原料にマイクロ波を照射して加熱することで溶融銑鉄を製造する製鉄システムが開示されている。また、非特許文献1には、マイクロ波を用いた製鉄システムにおいて、マイクロ波放射源をフェーズドアレーアンテナで構成する技術について開示されている。さらに、最近では、マイクロ波を化学反応に応用することで化学反応時間を短縮する技術も注目されている。   There is also a trend to apply these microwave transmission technologies to industrial applications. For example, Patent Document 1 and Patent Document 2 disclose an iron manufacturing system that manufactures molten pig iron by irradiating and heating a raw material with microwaves. Non-Patent Document 1 discloses a technique for configuring a microwave radiation source with a phased array antenna in an iron-making system using microwaves. Furthermore, recently, a technique for shortening a chemical reaction time by applying a microwave to a chemical reaction is also attracting attention.

現状、マイクロ波伝送技術は小規模な装置に適用される例が多い。しかしながら、例えば製鉄システムのように、大規模かつ大電力の装置の開発も求められている。   At present, microwave transmission technology is often applied to small-scale devices. However, development of large-scale and high-power devices such as an iron manufacturing system is also demanded.

国際公開第2010/087464号International Publication No. 2010/087464 特開2013−11384号公報JP2013-11384A

佐藤、永田、篠原、三谷、樫村、「フェーズドアレーアンテナを使った工業用マイクロ波アプリケーターの概念設計」、第5回日本電磁波エネルギー応用学会シンポジウム講演要旨集、2011年、pp.98−99Sato, Nagata, Shinohara, Mitani, Kashimura, “Conceptual design of industrial microwave applicator using phased array antenna”, Proceedings of the 5th Symposium of Japan Electromagnetic Energy Application Society, 2011, pp. 98-99

特許文献1、特許文献2及び非特許文献1に開示された従来の製鉄システムは、反応炉の周囲にマイクロ波放射源を円周状に配列している。このため、特定のマイクロ波放射源(以下「第1マイクロ波放射源」という)が放射したマイクロ波のうち、加熱対象の試料で吸収されなかったマイクロ波は、この試料で反射されて、反応炉を介して第1マイクロ波放射源と対峙したマイクロ波放射源(以下「第2マイクロ波放射源」という)に照射される。これにより、第2マイクロ波放射源の故障が発生する課題があった。   The conventional iron manufacturing systems disclosed in Patent Document 1, Patent Document 2, and Non-Patent Document 1 have microwave radiation sources arranged circumferentially around a reaction furnace. For this reason, of the microwaves radiated from a specific microwave radiation source (hereinafter referred to as “first microwave radiation source”), the microwaves that are not absorbed by the sample to be heated are reflected by this sample and reacted. A microwave radiation source (hereinafter referred to as a “second microwave radiation source”) facing the first microwave radiation source is irradiated through a furnace. Thereby, there was a problem that a failure of the second microwave radiation source occurred.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、マイクロ波放射源の故障を防ぐことができるマイクロ波加熱装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a microwave heating apparatus that can prevent a failure of a microwave radiation source.

この発明のマイクロ波加熱装置は、反応炉に収容され、かつ試料載置面を有する試料台と、試料載置面と対向配置された主反射鏡と、主反射鏡と対向して反応炉の周囲に配置され、かつ試料載置面にマイクロ波を照射する複数のマイクロ波放射源とを具備し、マイクロ波放射源は、反応炉を介して対峙する位置からずらした位置に他のマイクロ波放射源を配置してなるものである。   A microwave heating apparatus according to the present invention includes a sample stage housed in a reaction furnace and having a sample mounting surface, a main reflecting mirror disposed opposite to the sample mounting surface, and a main reflecting mirror facing the main reflecting mirror. A plurality of microwave radiation sources arranged around and irradiating the sample mounting surface with microwaves, and the microwave radiation sources are located at positions shifted from positions facing each other through the reactor. A radiation source is arranged.

この発明のマイクロ波加熱装置によれば、マイクロ波放射源の故障を防ぐことができる。   According to the microwave heating apparatus of the present invention, failure of the microwave radiation source can be prevented.

この発明の実施の形態1のマイクロ波加熱装置の上面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the upper surface of the microwave heating device of Embodiment 1 of this invention. 図1に示すマイクロ波加熱装置のA−A’線に沿う断面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the cross section along the A-A 'line | wire of the microwave heating apparatus shown in FIG. この発明の実施の形態1の他のマイクロ波加熱装置の上面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the upper surface of the other microwave heating apparatus of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1の他のマイクロ波加熱装置の上面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the upper surface of the other microwave heating apparatus of Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態2のマイクロ波加熱装置の上面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the upper surface of the microwave heating device of Embodiment 2 of this invention. 図5に示すマイクロ波加熱装置のA−A’線に沿う断面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the cross section along the A-A 'line | wire of the microwave heating apparatus shown in FIG. この発明の実施の形態2の他のマイクロ波加熱装置の上面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the upper surface of the other microwave heating apparatus of Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態3の副反射鏡の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the subreflective mirror of Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態3のマイクロ波加熱装置の上面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the upper surface of the microwave heating device of Embodiment 3 of this invention. 図9に示すマイクロ波加熱装置のA−A’線に沿う断面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the cross section along the A-A 'line | wire of the microwave heating apparatus shown in FIG. この発明の実施の形態4のマイクロ波加熱装置の上面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the upper surface of the microwave heating device of Embodiment 4 of this invention. 図11に示すマイクロ波加熱装置のA−A’線に沿う断面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the cross section along the A-A 'line | wire of the microwave heating apparatus shown in FIG. この発明の実施の形態5のマイクロ波加熱装置の上面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the upper surface of the microwave heating device of Embodiment 5 of this invention. 図13に示すマイクロ波加熱装置のA−A’線に沿う断面から見た構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure seen from the cross section along the A-A 'line | wire of the microwave heating apparatus shown in FIG.

実施の形態1.
図1及び図2を参照して、この発明の実施の形態1のマイクロ波加熱装置について説明する。
図中、1は反応炉である。反応炉1は、開口部11を有し、その内部に試料台2が収容されている。試料台2には、加熱対象の試料21が載置されるようになっている。
Embodiment 1 FIG.
With reference to FIG.1 and FIG.2, the microwave heating apparatus of Embodiment 1 of this invention is demonstrated.
In the figure, 1 is a reactor. The reaction furnace 1 has an opening 11 in which a sample stage 2 is accommodated. A sample 21 to be heated is placed on the sample stage 2.

試料21の載置面(試料載置面)22と対向して、主反射鏡3が配置されている。主反射鏡3の形状は、B−B’線に沿う中心軸に対して回転対称な形状になっている。   The main reflecting mirror 3 is disposed so as to face the mounting surface (sample mounting surface) 22 of the sample 21. The shape of the main reflecting mirror 3 is a rotationally symmetric shape with respect to the central axis along the line B-B ′.

主反射鏡3と対向した複数のマイクロ波放射源4が、反応炉1の周囲に設けられている。マイクロ波放射源4は、反応炉1を介して対峙する位置からずらした位置に他のマイクロ波放射源4を配置している。   A plurality of microwave radiation sources 4 facing the main reflecting mirror 3 are provided around the reaction furnace 1. In the microwave radiation source 4, another microwave radiation source 4 is arranged at a position shifted from the position facing the reactor 1.

主反射鏡3と対向した複数の副反射鏡5が、反応炉1の周囲に設けられている。副反射鏡5は、反応炉1を介してマイクロ波放射源4と対峙する位置に配置されている。   A plurality of sub-reflecting mirrors 5 facing the main reflecting mirror 3 are provided around the reaction furnace 1. The sub-reflecting mirror 5 is disposed at a position facing the microwave radiation source 4 through the reaction furnace 1.

ここで、マイクロ波放射源4は、反応炉1を中心部とする円周上に配置されている。副反射鏡5は、マイクロ波放射源4を配置した円周上のマイクロ波放射源4間に配置されている。すなわち、図1に示す如く、円周の直径に沿うA−A’線において、一端部にマイクロ波放射源4が配置され、かつ他端部に対となる副反射鏡5が配置されている。   Here, the microwave radiation source 4 is arranged on a circumference centering on the reaction furnace 1. The sub-reflecting mirror 5 is disposed between the microwave radiation sources 4 on the circumference where the microwave radiation source 4 is disposed. That is, as shown in FIG. 1, a microwave radiation source 4 is disposed at one end and a pair of sub-reflecting mirrors 5 are disposed at the other end along the line AA ′ along the diameter of the circumference. .

図2を参照して、このようにして構成されたマイクロ波加熱装置100の動作について説明する。
まず、実線の矢印で示す如く、マイクロ波放射源4が主反射鏡3に向けてマイクロ波Iを放射する。主反射鏡3は、放射されたマイクロ波Iを反射して、試料台2の載置面22の中央部23に収束させる。これにより、載置面22に置かれた試料21にマイクロ波Iが照射され、試料21が加熱される。
With reference to FIG. 2, the operation of the microwave heating apparatus 100 configured as described above will be described.
First, as indicated by a solid arrow, the microwave radiation source 4 radiates the microwave I toward the main reflecting mirror 3. The main reflecting mirror 3 reflects the radiated microwave I and converges it on the central portion 23 of the mounting surface 22 of the sample table 2. Thereby, the microwave I is irradiated to the sample 21 placed on the mounting surface 22, and the sample 21 is heated.

このとき、試料21に照射されたマイクロ波Iの一部は、試料21での加熱反応により吸収される。吸収されなかった残余のマイクロ波IIは、主反射鏡3の中心軸に対してマイクロ波Iと線対称な方向に向けて反射される。   At this time, a part of the microwave I irradiated to the sample 21 is absorbed by the heating reaction in the sample 21. The remaining microwave II that has not been absorbed is reflected in a direction symmetrical to the microwave I with respect to the central axis of the main reflecting mirror 3.

マイクロ波IIは、主反射鏡3で反射されて、副反射鏡5に入射する。副反射鏡5は、入射したマイクロ波IIを入射方向と同じ方向に向けて反射する。反射されたマイクロ波IIIは、主反射鏡3で反射されて、試料台2の載置面22の中央部23に収束する。これにより、載置面22に置かれた試料21にマイクロ波IIIが再び照射され、試料21を更に加熱することができる。   The microwave II is reflected by the main reflecting mirror 3 and enters the sub-reflecting mirror 5. The sub-reflecting mirror 5 reflects the incident microwave II in the same direction as the incident direction. The reflected microwave III is reflected by the main reflecting mirror 3 and converges on the central portion 23 of the mounting surface 22 of the sample table 2. Thereby, the microwave III is again irradiated to the sample 21 placed on the mounting surface 22, and the sample 21 can be further heated.

このとき、試料21で吸収されなかったマイクロ波IIIの一部が、試料21で反射して、再びマイクロ波放射源4に戻る場合がある。しかしながら、試料21における2回の吸収、及びマイクロ波放射源4と副反射鏡5間を往復する伝搬経路における伝搬損失により、マイクロ波放射源4に戻るマイクロ波の電力は十分に小さくなっている。これにより、マイクロ波放射源4の故障を防ぐことができる。   At this time, a part of the microwave III that has not been absorbed by the sample 21 may be reflected by the sample 21 and return to the microwave radiation source 4 again. However, the power of the microwave returning to the microwave radiation source 4 is sufficiently small due to the two absorptions in the sample 21 and the propagation loss in the propagation path reciprocating between the microwave radiation source 4 and the sub-reflection mirror 5. . Thereby, failure of the microwave radiation source 4 can be prevented.

以上のように、この実施の形態1のマイクロ波加熱装置100は、反応炉1を中心部とする円周上に、複数のマイクロ波放射源4を設けている。マイクロ波放射源4は、反応炉1を介して対峙する位置からずらした位置に他のマイクロ波放射源4を配置している。
マイクロ波放射源4と反応炉1を介して対峙する位置に他のマイクロ波放射源4が配置されている場合、試料21で反射したマイクロ波IIが他のマイクロ波放射源4を故障させてしまう。これに対し、マイクロ波加熱装置100のように、対峙する位置からずらした位置に他のマイクロ波放射源4を配置することにより、他のマイクロ波放射源4の故障を防ぐことができる。
As described above, the microwave heating apparatus 100 according to the first embodiment is provided with a plurality of microwave radiation sources 4 on the circumference centered on the reaction furnace 1. In the microwave radiation source 4, another microwave radiation source 4 is arranged at a position shifted from the position facing the reactor 1.
When another microwave radiation source 4 is disposed at a position facing the microwave radiation source 4 through the reactor 1, the microwave II reflected by the sample 21 causes the other microwave radiation source 4 to fail. End up. On the other hand, the failure of the other microwave radiation sources 4 can be prevented by arranging the other microwave radiation sources 4 at positions shifted from the facing positions as in the microwave heating device 100.

また、マイクロ波放射源4を配置した円周上のマイクロ波放射源4間に、複数の副反射鏡5を設けている。副反射鏡5は、反応炉1を介してマイクロ波放射源4と対峙する位置に配置している。
この結果、試料21で吸収されずに反射されたマイクロ波IIを副反射鏡5で反射して試料21に再び照射することで、マイクロ波放射源4の故障を防ぐとともに、マイクロ波のエネルギーを試料21の加熱に効率良く用いることができる。
A plurality of sub-reflecting mirrors 5 are provided between the microwave radiation sources 4 on the circumference where the microwave radiation sources 4 are arranged. The sub-reflecting mirror 5 is disposed at a position facing the microwave radiation source 4 through the reaction furnace 1.
As a result, the microwave II reflected without being absorbed by the sample 21 is reflected by the sub-reflecting mirror 5 and irradiates the sample 21 again, thereby preventing the microwave radiation source 4 from being broken and reducing the microwave energy. The sample 21 can be efficiently used for heating.

なお、マイクロ波放射源4の配置数は、図1に示す15個に限定されるものではない。任意の個数のマイクロ波放射源4を配置したものとしてよい。また、マイクロ波放射源4は、任意の種類のアンテナ等を用いて構成したものとしてよい。また、マイクロ波放射源4が放射するマイクロ波の周波数は、試料21の材質や加熱する温度に応じて任意の周波数としてよい。   In addition, the number of arrangement | positioning of the microwave radiation source 4 is not limited to 15 pieces shown in FIG. Any number of microwave radiation sources 4 may be arranged. Further, the microwave radiation source 4 may be configured using an arbitrary type of antenna or the like. The frequency of the microwave radiated from the microwave radiation source 4 may be an arbitrary frequency depending on the material of the sample 21 and the temperature to be heated.

また、主反射鏡3の形状は、図1及び図2に示す回転対称な形状に限定されるものではない。マイクロ波I及びマイクロ波IIIを載置面22の所定の部位に収束させるものであれば、任意の形状のものを用いてよい。また、主反射鏡3の枚数は、図1及び図2に示す1枚に限定されるものではない。マイクロ波I及びマイクロ波IIIを載置面22の所定の部位に収束させるものであれば、任意の枚数のものを用いてよい。   Further, the shape of the main reflecting mirror 3 is not limited to the rotationally symmetric shape shown in FIGS. Any shape may be used as long as the microwave I and the microwave III are converged to a predetermined portion of the mounting surface 22. Further, the number of main reflecting mirrors 3 is not limited to one shown in FIGS. An arbitrary number of microwaves may be used as long as the microwaves I and III are converged to a predetermined part of the mounting surface 22.

また、反応炉1の形状は、図1及び図2に示す有底状の形状に限定されるものではない。試料21の形状や温度特性に応じて、図1及び図2では断面が矩形状のものを示しているが、例えば円形状又は多角形状など、任意の形状のものを用いてよい。   Moreover, the shape of the reactor 1 is not limited to the bottomed shape shown in FIG.1 and FIG.2. Depending on the shape and temperature characteristics of the sample 21, FIGS. 1 and 2 show a rectangular cross section. For example, a circular shape or a polygonal shape may be used.

また、副反射鏡5の形状は、図1及び図2に示す形状に限定されるものではない。マイクロ波IIの入射方向と同じ方向にマイクロ波IIIを反射するものであれば、任意の形状のものを用いてよい。   Further, the shape of the sub-reflecting mirror 5 is not limited to the shape shown in FIGS. Any shape that reflects the microwave III in the same direction as the incident direction of the microwave II may be used.

また、マイクロ波放射源4及び副反射鏡5の配置は、副反射鏡5がマイクロ波放射源4と反応炉1を介して対峙したものであればよく、図1に示す如く円周上に交互に設けた配置に限定されるものではない。例えば、図3又は図4に示す如く、複数のマイクロ波放射源4を隣接して円周上に配置するとともに、複数の副反射鏡5を隣接して円周上に配置したものとしてもよい。   Further, the arrangement of the microwave radiation source 4 and the sub-reflecting mirror 5 is not limited as long as the sub-reflecting mirror 5 is opposed to the microwave radiation source 4 via the reaction furnace 1, and is arranged on the circumference as shown in FIG. It is not limited to the arrangement provided alternately. For example, as shown in FIG. 3 or FIG. 4, a plurality of microwave radiation sources 4 may be arranged adjacently on the circumference, and a plurality of sub-reflecting mirrors 5 may be arranged adjacently on the circumference. .

また、反応炉1、試料台2、主反射鏡3及び副反射鏡5は、任意の構成材料を用いて構成したものとしてよい。   Moreover, the reaction furnace 1, the sample stage 2, the main reflecting mirror 3, and the sub-reflecting mirror 5 may be configured using arbitrary constituent materials.

実施の形態2.
図5及び図6を参照して、マイクロ波放射源及び副反射鏡を正奇数角形上に配置したマイクロ波加熱装置について説明する。図5では、正奇数角形の一例として正十五角形を描画している。なお、実施の形態1と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
Embodiment 2. FIG.
With reference to FIG.5 and FIG.6, the microwave heating apparatus which has arrange | positioned the microwave radiation source and the sub-reflecting mirror on the positive / odd square shape is demonstrated. In FIG. 5, a regular pentagon is drawn as an example of a regular odd-odd square. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structural member similar to Embodiment 1, and description is abbreviate | omitted.

マイクロ波放射源4は、反応炉1を中心部とする正十五角形の頂点にそれぞれ配置されている。副反射鏡5は、マイクロ波放射源4を配置した正十五角形の頂点間の辺上にそれぞれ配置されている。   The microwave radiation sources 4 are respectively arranged at the apexes of a regular pentagon with the reaction furnace 1 as the center. The sub-reflecting mirrors 5 are respectively disposed on the sides between the vertices of the regular pentagon where the microwave radiation source 4 is disposed.

一般に、正奇数角形においては、対角線が正奇数角形の中心を通らないようになっている。したがって、正十五角形の頂点に配置されたマイクロ波放射源4は、反応炉1を介して対峙する位置からずらした位置に他のマイクロ波放射源4が配置されている。   Generally, in a regular odd-odd square, the diagonal line does not pass through the center of the regular odd-odd square. Therefore, the microwave radiation source 4 disposed at the apex of the regular pentagon is disposed at a position shifted from the position facing the reactor 1 through the reaction furnace 1.

また、正奇数角形においては、頂点と、頂点間の辺の中点とを結ぶ線が正奇数角形の中心を通るようになっている。したがって、正十五角形の頂点間の辺上に配置された副反射鏡5は、この正十五角形の頂点に配置された対となるマイクロ波放射源4と、反応炉1を介して対峙する位置に配置されている。   In the case of a positive odd-numbered square, a line connecting the vertex and the midpoint of the side between the vertexes passes through the center of the positive-odd square. Accordingly, the sub-reflecting mirror 5 disposed on the side between the vertices of the regular pentagon is opposed to the pair of microwave radiation sources 4 disposed at the vertices of the regular pentagon via the reactor 1. Is arranged.

このようにして構成されたマイクロ波加熱装置200は、以下のように実施の形態1のマイクロ波加熱装置100と同様に動作する。
すなわち、マイクロ波放射源4が放射したマイクロ波Iは、試料21に照射される。試料21で反射されたマイクロ波IIは、副反射鏡5に入射する。副反射鏡5でマイクロ波IIの入射方向と同じ方向に反射されたマイクロ波IIIは、試料21に再び照射される。
The microwave heating apparatus 200 configured as described above operates in the same manner as the microwave heating apparatus 100 of the first embodiment as follows.
In other words, the sample 21 is irradiated with the microwave I emitted from the microwave radiation source 4. The microwave II reflected by the sample 21 enters the sub-reflecting mirror 5. Microwave III reflected by the sub-reflecting mirror 5 in the same direction as the incident direction of the microwave II is irradiated again on the sample 21.

副反射鏡5でマイクロ波IIの入射方向と同じ方向に反射されたマイクロ波IIIが、試料21に再び照射されることにより、マイクロ波IIIのエネルギーも試料21の加熱に用いることができる。また、マイクロ波放射源4に戻るマイクロ波の電力は十分に小さくなっているため、マイクロ波放射源4の故障を防ぐことができる。   By irradiating the sample 21 again with the microwave III reflected in the same direction as the incident direction of the microwave II by the sub-reflecting mirror 5, the energy of the microwave III can also be used for heating the sample 21. Moreover, since the microwave power returning to the microwave radiation source 4 is sufficiently small, failure of the microwave radiation source 4 can be prevented.

以上のように、この実施の形態2のマイクロ波加熱装置200は、反応炉1を中心部とする正十五角形の頂点に複数のマイクロ波放射源4をそれぞれ配置している。
マイクロ波放射源4と反応炉1を介して対峙する位置に他のマイクロ波放射源4が配置されている場合、試料21で反射したマイクロ波IIが他のマイクロ波放射源4を故障させてしまう。これに対し、マイクロ波加熱装置200のように、正奇数角形の頂点に他のマイクロ波放射源4を配置することにより、他のマイクロ波放射源4の故障を防ぐことができる。
As described above, in the microwave heating apparatus 200 according to the second embodiment, the plurality of microwave radiation sources 4 are arranged at the apexes of a regular pentagon with the reaction furnace 1 as the center.
When another microwave radiation source 4 is disposed at a position facing the microwave radiation source 4 through the reactor 1, the microwave II reflected by the sample 21 causes the other microwave radiation source 4 to fail. End up. On the other hand, the failure of other microwave radiation sources 4 can be prevented by arranging the other microwave radiation sources 4 at the vertices of positive and odd squares as in the microwave heating device 200.

また、マイクロ波放射源4を配置した正十五角形の頂点間の辺上に副反射鏡5を配置している。
この結果、試料21で吸収されずに反射されたマイクロ波IIを副反射鏡5で反射して試料21に再び照射することで、マイクロ波放射源4の故障を防ぐとともに、マイクロ波のエネルギーを試料21の加熱に効率よく用いることができる。
Further, the sub-reflecting mirror 5 is disposed on the side between the vertices of the regular pentagon where the microwave radiation source 4 is disposed.
As a result, the microwave II reflected without being absorbed by the sample 21 is reflected by the sub-reflecting mirror 5 and irradiates the sample 21 again, thereby preventing the microwave radiation source 4 from being broken and reducing the microwave energy. The sample 21 can be efficiently used for heating.

なお、マイクロ波放射源4の配置数は、図5に示す15個に限定されるものではない。反応炉1を中心部とする任意の正奇数角形の頂点にマイクロ波放射源4を配置し、かつこの正奇数角形の頂点間の辺上に副反射鏡5を配置したものとしてよい。   In addition, the number of arrangement | positioning of the microwave radiation source 4 is not limited to 15 pieces shown in FIG. The microwave radiation source 4 may be disposed at the apex of an arbitrary positive / odd square having the reaction furnace 1 as the center, and the sub-reflecting mirror 5 may be disposed on the side between the apexes of the positive / odd square.

また、図7に示す如く、反応炉1を中心部とする正奇数角形の頂点に副反射鏡5を配置し、かつこの正奇数角形の頂点間の辺上にマイクロ波放射源4を配置したものとしてもよい。   Further, as shown in FIG. 7, the sub-reflecting mirror 5 is arranged at the apex of the positive / odd square having the reactor 1 as the center, and the microwave radiation source 4 is arranged on the side between the apexes of the positive / odd square. It may be a thing.

実施の形態3.
図8〜図10を参照して、副反射鏡をいわゆる「3面コーナーリフレクタ」で構成したマイクロ波加熱装置について説明する。なお、実施の形態1と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
Embodiment 3 FIG.
With reference to FIGS. 8-10, the microwave heating apparatus which comprised the sub-reflection mirror with what is called a "three-surface corner reflector" is demonstrated. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structural member similar to Embodiment 1, and description is abbreviate | omitted.

図8に示す如く、マイクロ波を反射する直角三角形状の3枚の平面鏡51a〜51cを、互いに直交する3平面(x−z平面、x−y平面及びy−z平面)にそれぞれ沿うように組み合わせることで、3面コーナーリフレクタの副反射鏡5aが構成されている。副反射鏡5aは、白抜きの矢印で示す如く、入射したマイクロ波IIを平面鏡51a〜51cで各々1回ずつ(すなわち合計3回)反射して、最終的にマイクロ波IIの入射方向と同じ方向にマイクロ波IIIを反射するものである。   As shown in FIG. 8, three plane mirrors 51 a to 51 c each having a right triangle shape that reflects microwaves are respectively along three planes (xz plane, xy plane, and yz plane) orthogonal to each other. By combining them, the sub-reflecting mirror 5a of the three-surface corner reflector is configured. The sub-reflecting mirror 5a reflects the incident microwave II once each by the plane mirrors 51a to 51c (that is, a total of three times) as shown by the white arrow, and finally the same as the incident direction of the microwave II. The microwave III is reflected in the direction.

副反射鏡5aは、主反射鏡3と対向して反応炉1の周囲に設けられている。副反射鏡5aは、反応炉1を介してマイクロ波放射源4と対峙する位置に配置されている。   The sub-reflecting mirror 5 a is provided around the reaction furnace 1 so as to face the main reflecting mirror 3. The sub-reflecting mirror 5 a is disposed at a position facing the microwave radiation source 4 through the reaction furnace 1.

このようにして構成されたマイクロ波加熱装置300は、以下のように実施の形態1のマイクロ波加熱装置100と同様に動作する。
すなわち、マイクロ波放射源4が放射したマイクロ波Iは、試料21に照射される。試料21で反射されたマイクロ波IIは、副反射鏡5aに入射する。副反射鏡5aでマイクロ波IIの入射方向と同じ方向に反射されたマイクロ波IIIは、試料21に再び照射される。
The microwave heating apparatus 300 configured as described above operates in the same manner as the microwave heating apparatus 100 of the first embodiment as follows.
In other words, the sample 21 is irradiated with the microwave I emitted from the microwave radiation source 4. The microwave II reflected by the sample 21 enters the sub-reflecting mirror 5a. The microwave III reflected by the sub-reflecting mirror 5a in the same direction as the incident direction of the microwave II is irradiated again on the sample 21.

副反射鏡5aでマイクロ波IIの入射方向と同じ方向に反射されたマイクロ波IIIが、試料21に再び照射されることにより、マイクロ波IIIのエネルギーも試料21の加熱に用いることができる。また、マイクロ波放射源4に戻るマイクロ波の電力は十分に小さくなっているため、マイクロ波放射源4の故障を防ぐことができる。   By irradiating the sample 21 again with the microwave III reflected by the sub-reflecting mirror 5a in the same direction as the incident direction of the microwave II, the energy of the microwave III can also be used for heating the sample 21. Moreover, since the microwave power returning to the microwave radiation source 4 is sufficiently small, failure of the microwave radiation source 4 can be prevented.

以上のように、この実施の形態3のマイクロ波加熱装置300は、3面コーナーリフレクタで構成した副反射鏡5aを有している。
この結果、試料21で吸収されずに反射されたマイクロ波IIを副反射鏡5aで反射して試料21に再び照射することで、マイクロ波放射源4の故障を防ぐとともに、マイクロ波のエネルギーを試料21の加熱に効率良く用いることができる。
As described above, the microwave heating apparatus 300 according to the third embodiment has the sub-reflecting mirror 5a configured with the three-surface corner reflector.
As a result, the microwave II reflected without being absorbed by the sample 21 is reflected by the sub-reflecting mirror 5a and irradiates the sample 21 again, thereby preventing the microwave radiation source 4 from being damaged and reducing the energy of the microwave. The sample 21 can be efficiently used for heating.

なお、副反射鏡5aは、任意の構成材料及び寸法の3面コーナーリフレクタを用いて構成したものとしてよい。   The sub-reflecting mirror 5a may be configured using a three-surface corner reflector having an arbitrary constituent material and dimensions.

また、マイクロ波放射源4及び副反射鏡5aの配置は、図9に示す円周上の配置に限定されるものではない。図5又は図7に示す如く、正奇数角形上に配置したものとしてもよい。   Further, the arrangement of the microwave radiation source 4 and the sub-reflecting mirror 5a is not limited to the arrangement on the circumference shown in FIG. As shown in FIG. 5 or FIG. 7, they may be arranged on positive and odd squares.

実施の形態4.
図11及び図12を参照して、マイクロ波放射源をいわゆる「アクティブフェーズドアレーアンテナ」で構成したマイクロ波加熱装置について説明する。なお、実施の形態1と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
Embodiment 4 FIG.
With reference to FIG.11 and FIG.12, the microwave heating apparatus which comprised the microwave radiation source by what is called an "active phased array antenna" is demonstrated. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structural member similar to Embodiment 1, and description is abbreviate | omitted.

図中、41はアレーアンテナ部である。アレーアンテナ部41は、複数のアンテナ素子を配列してなるサブアレーを複数配列して構成されている。各々のサブアレーと図示しない給電部との間に、増幅器42と移相器43とが直列に接続されている。アレーアンテナ部41、増幅器42及び移相器43によって、アクティブフェーズドアレーアンテナのマイクロ波放射源4aが構成されている。   In the figure, reference numeral 41 denotes an array antenna unit. The array antenna unit 41 is configured by arranging a plurality of subarrays formed by arranging a plurality of antenna elements. An amplifier 42 and a phase shifter 43 are connected in series between each subarray and a power supply unit (not shown). The array antenna unit 41, the amplifier 42, and the phase shifter 43 constitute a microwave radiation source 4a of an active phased array antenna.

このようにして構成されたマイクロ波放射源4aは、増幅器42の増幅量を調整することで、対応するサブアレーが放射するマイクロ波の振幅が変化するものである。また、移相器43の移相量を調整することで、対応するサブアレーが放射するマイクロ波の位相が変化するものである。   The microwave radiation source 4a configured in this way changes the amplitude of the microwave radiated from the corresponding subarray by adjusting the amplification amount of the amplifier 42. Further, by adjusting the phase shift amount of the phase shifter 43, the phase of the microwave radiated from the corresponding sub-array changes.

マイクロ波放射源4aは、主反射鏡3と対向して反応炉1の周囲に設けられている。マイクロ波放射源4aは、反応炉1を介して対峙する位置からずらした位置に他のマイクロ波放射源4aを配置している。   The microwave radiation source 4 a is provided around the reaction furnace 1 so as to face the main reflecting mirror 3. In the microwave radiation source 4a, another microwave radiation source 4a is disposed at a position shifted from a position facing the reactor 1 through the reaction furnace 1.

このようにして構成されたマイクロ波加熱装置400は、以下のように実施の形態1のマイクロ波加熱装置100と同様に動作する。
すなわち、マイクロ波放射源4aが放射したマイクロ波Iは、試料21に照射される。試料21で反射されたマイクロ波IIは、副反射鏡5に入射する。副反射鏡5でマイクロ波IIの入射方向と同じ方向に反射されたマイクロ波IIIは、試料21に再び照射される。
The microwave heating apparatus 400 configured as described above operates in the same manner as the microwave heating apparatus 100 of the first embodiment as follows.
That is, the microwave I emitted from the microwave radiation source 4a is applied to the sample 21. The microwave II reflected by the sample 21 enters the sub-reflecting mirror 5. Microwave III reflected by the sub-reflecting mirror 5 in the same direction as the incident direction of the microwave II is irradiated again on the sample 21.

副反射鏡5でマイクロ波IIの入射方向と同じ方向に反射されたマイクロ波IIIが、試料21に再び照射されることにより、マイクロ波IIIのエネルギーも試料21の加熱に用いることができる。また、マイクロ波放射源4aに戻るマイクロ波の電力は十分に小さくなっているため、マイクロ波放射源4aの故障を防ぐことができる。   By irradiating the sample 21 again with the microwave III reflected in the same direction as the incident direction of the microwave II by the sub-reflecting mirror 5, the energy of the microwave III can also be used for heating the sample 21. Moreover, since the electric power of the microwave returning to the microwave radiation source 4a is sufficiently small, failure of the microwave radiation source 4a can be prevented.

さらに、各々のサブアレーに対応した増幅器42の増幅量及び移相器43の移相量を調整することで、試料21に照射されるマイクロ波Iの照射分布を制御することができる。   Furthermore, by adjusting the amplification amount of the amplifier 42 and the phase shift amount of the phase shifter 43 corresponding to each subarray, the irradiation distribution of the microwave I irradiated to the sample 21 can be controlled.

以上のように、この実施の形態4のマイクロ波加熱装置400は、アクティブフェーズドアレーアンテナで構成したマイクロ波放射源4aを有している。
この結果、試料21で吸収されずに反射されたマイクロ波IIを副反射鏡5で反射して試料21に再び照射することで、マイクロ波放射源4aの故障を防ぐとともに、マイクロ波のエネルギーを試料21の加熱に効率良く用いることができる。
また、増幅器42の増幅量及び移相器43の移相量を調整することで、試料21に照射されるマイクロ波Iの照射分布をフレキシブルに制御することができる。
As described above, the microwave heating apparatus 400 according to the fourth embodiment has the microwave radiation source 4a configured by the active phased array antenna.
As a result, the microwave II reflected without being absorbed by the sample 21 is reflected by the sub-reflecting mirror 5 and irradiates the sample 21 again, thereby preventing the failure of the microwave radiation source 4a and reducing the microwave energy. The sample 21 can be efficiently used for heating.
Further, by adjusting the amplification amount of the amplifier 42 and the phase shift amount of the phase shifter 43, the irradiation distribution of the microwave I irradiated on the sample 21 can be flexibly controlled.

なお、増幅器42及び移相器43は、各々のサブアレーと給電部間に代えて、各々のアンテナ素子と給電部間に接続したものとしてもよい。   The amplifier 42 and the phase shifter 43 may be connected between each antenna element and the power feeding unit instead of between each subarray and the power feeding unit.

また、マイクロ波放射源4a及び副反射鏡5の配置は、図11に示す円周上の配置に限定されるものではない。図5又は図7に示す如く、正奇数角形上に配置したものとしてもよい。   Further, the arrangement of the microwave radiation source 4a and the sub-reflecting mirror 5 is not limited to the arrangement on the circumference shown in FIG. As shown in FIG. 5 or FIG. 7, they may be arranged on positive and odd squares.

また、副反射鏡5は、図8に示す3面コーナーリフレクタを用いて構成したものとしてもよい。   Further, the sub-reflecting mirror 5 may be configured using a three-surface corner reflector shown in FIG.

実施の形態5.
図13及び図14を参照して、反応炉の外部に加熱手段を設けたマイクロ波加熱装置について説明する。なお、実施の形態1と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
Embodiment 5 FIG.
With reference to FIG.13 and FIG.14, the microwave heating apparatus which provided the heating means outside the reaction furnace is demonstrated. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structural member similar to Embodiment 1, and description is abbreviate | omitted.

反応炉1の外部に、加熱手段7が設けられている。加熱手段7は、反応炉1に外部から熱を加えるものであり、例えば加熱装置又は燃焼装置で構成されている。   A heating means 7 is provided outside the reaction furnace 1. The heating means 7 applies heat to the reaction furnace 1 from the outside, and is constituted by, for example, a heating device or a combustion device.

このようにして構成されたマイクロ波加熱装置500は、以下のように実施の形態1のマイクロ波加熱装置100と同様に動作する。
すなわち、マイクロ波放射源4が放射したマイクロ波Iは、試料21に照射される。試料21で反射されたマイクロ波IIは、副反射鏡5に入射する。副反射鏡5でマイクロ波IIの入射方向と同じ方向に反射されたマイクロ波IIIは、試料21に再び照射される。
The microwave heating apparatus 500 configured as described above operates in the same manner as the microwave heating apparatus 100 of the first embodiment as follows.
In other words, the sample 21 is irradiated with the microwave I emitted from the microwave radiation source 4. The microwave II reflected by the sample 21 enters the sub-reflecting mirror 5. Microwave III reflected by the sub-reflecting mirror 5 in the same direction as the incident direction of the microwave II is irradiated again on the sample 21.

副反射鏡5でマイクロ波IIの入射方向と同じ方向に反射されたマイクロ波IIIが、試料21に再び照射されることにより、マイクロ波IIIのエネルギーも試料21の加熱に用いることができる。また、マイクロ波放射源4に戻るマイクロ波の電力は十分に小さくなっているため、マイクロ波放射源4の故障を防ぐことができる。   By irradiating the sample 21 again with the microwave III reflected in the same direction as the incident direction of the microwave II by the sub-reflecting mirror 5, the energy of the microwave III can also be used for heating the sample 21. Moreover, since the microwave power returning to the microwave radiation source 4 is sufficiently small, failure of the microwave radiation source 4 can be prevented.

さらに、試料21にマイクロ波I及びマイクロ波IIIを照射することに加えて、加熱手段7によって反応炉1に外部から加熱することで、反応炉1の内部の温度を上昇させて、試料21の加熱反応の反応速度を速めることができる。   Furthermore, in addition to irradiating the sample 21 with the microwave I and the microwave III, by heating the reaction furnace 1 from the outside by the heating means 7, the temperature inside the reaction furnace 1 is raised, The reaction rate of the heating reaction can be increased.

以上のように、この実施の形態5のマイクロ波加熱装置500は、反応炉1の外部に加熱手段7を設けている。
この結果、試料21で吸収されずに反射されたマイクロ波IIを副反射鏡5で反射して試料21に再び照射することで、マイクロ波放射源4の故障を防ぐとともに、マイクロ波のエネルギーを試料21の加熱に効率良く用いることができる。
さらに、加熱手段7によって反応炉1に外部から加熱することで、反応炉1の内部の温度を上昇させて、試料21を更に効率良く加熱することができる。
As described above, the microwave heating apparatus 500 according to the fifth embodiment is provided with the heating means 7 outside the reaction furnace 1.
As a result, the microwave II reflected without being absorbed by the sample 21 is reflected by the sub-reflecting mirror 5 and irradiates the sample 21 again, thereby preventing the microwave radiation source 4 from being broken and reducing the microwave energy. The sample 21 can be efficiently used for heating.
Furthermore, by heating the reaction furnace 1 from the outside by the heating means 7, the temperature inside the reaction furnace 1 can be raised and the sample 21 can be heated more efficiently.

なお、加熱手段7は、反応炉1の内部の温度が十分に上昇するものであれば、任意の装置又は手段によって構成したものとしてよい。   The heating means 7 may be constituted by any device or means as long as the temperature inside the reaction furnace 1 is sufficiently increased.

また、マイクロ波放射源4及び副反射鏡5の配置は、図13に示す円周上の配置に限定されるものではない。図5又は図7に示す如く、正奇数角形上に配置したものとしてもよい。   Further, the arrangement of the microwave radiation source 4 and the sub-reflecting mirror 5 is not limited to the arrangement on the circumference shown in FIG. As shown in FIG. 5 or FIG. 7, they may be arranged on positive and odd squares.

また、副反射鏡5は、図8に示す3面コーナーリフレクタを用いて構成したものとしてもよい。   Further, the sub-reflecting mirror 5 may be configured using a three-surface corner reflector shown in FIG.

また、マイクロ波放射源4は、アクティブフェーズドアレーアンテナを用いて構成したものとしてもよい。   The microwave radiation source 4 may be configured using an active phased array antenna.

なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。   In the present invention, within the scope of the invention, any combination of the embodiments, or any modification of any component in each embodiment, or omission of any component in each embodiment is possible. .

1 反応炉、2 試料台、3 主反射鏡、4,4a マイクロ波放射源、5,5a 副反射鏡、7 加熱手段、11 開口部、21 試料、22 載置面(試料載置面)、23 中央部、41 アレーアンテナ部、42 増幅器、43 移相器、51a,51b,51c 平面鏡、100,200,300,400,500 マイクロ波加熱装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reactor, 2 Sample stand, 3 Main reflector, 4, 4a Microwave radiation source, 5, 5a Sub reflector, 7 Heating means, 11 Opening part, 21 Sample, 22 Mounting surface (sample mounting surface), 23 central part, 41 array antenna part, 42 amplifier, 43 phase shifter, 51a, 51b, 51c plane mirror, 100, 200, 300, 400, 500 microwave heating device.

Claims (7)

反応炉に収容され、かつ試料載置面を有する試料台と、
前記試料載置面と対向配置された主反射鏡と、
前記主反射鏡と対向して前記反応炉の周囲に配置され、かつ前記試料載置面にマイクロ波を照射する複数のマイクロ波放射源とを具備し、
前記マイクロ波放射源は、前記反応炉を介して対峙する位置からずらした位置に他の前記マイクロ波放射源を配置してなる
ことを特徴とするマイクロ波加熱装置。
A sample stage housed in a reaction furnace and having a sample mounting surface;
A main reflector disposed opposite to the sample mounting surface;
A plurality of microwave radiation sources that are disposed around the reactor facing the main reflector and irradiate the sample mounting surface with microwaves;
The microwave heating apparatus, wherein the microwave radiation source is formed by disposing another microwave radiation source at a position shifted from a position facing the reactor through the reaction furnace.
前記主反射鏡と対向し、かつ前記反応炉を介して前記マイクロ波放射源と対峙する位置に配置されて、試料で反射したマイクロ波を前記試料載置面に再照射する副反射鏡を具備することを特徴とする請求項1記載のマイクロ波加熱装置。   A sub-reflecting mirror that is disposed at a position facing the main reflecting mirror and facing the microwave radiation source via the reaction furnace and that re-irradiates the sample mounting surface with the microwave reflected by the sample; The microwave heating apparatus according to claim 1, wherein 前記マイクロ波放射源は、前記反応炉を中心部とする円周上に配置され、
前記副反射鏡は、前記円周上の前記マイクロ波放射源間に配置してなる
ことを特徴とする請求項2記載のマイクロ波加熱装置。
The microwave radiation source is disposed on a circumference centered on the reactor,
The microwave heating device according to claim 2, wherein the sub-reflecting mirror is disposed between the microwave radiation sources on the circumference.
前記マイクロ波放射源は、前記反応炉を中心部とする正奇数角形の頂点に配置され、
前記副反射鏡は、前記正奇数角形の前記頂点間の辺上に配置してなる
ことを特徴とする請求項2記載のマイクロ波加熱装置。
The microwave radiation source is arranged at the apex of positive and odd squares with the reactor as a central part,
The microwave heating device according to claim 2, wherein the sub-reflecting mirror is disposed on a side between the vertices of the regular odd-odd square.
前記副反射鏡は、3面コーナーリフレクタで構成したことを特徴とする請求項2から請求項4のうちのいずれか1項記載のマイクロ波加熱装置。   The microwave heating device according to any one of claims 2 to 4, wherein the sub-reflecting mirror is configured by a three-surface corner reflector. 前記マイクロ波放射源は、放射するマイクロ波の振幅及び位相を調整自在なアクティブフェーズドアレーアンテナで構成したことを特徴とする請求項2から請求項5のうちのいずれか1項記載のマイクロ波加熱装置。   6. The microwave heating according to any one of claims 2 to 5, wherein the microwave radiation source is configured by an active phased array antenna capable of adjusting the amplitude and phase of the radiated microwave. apparatus. 前記反応炉の外部に設けられ、かつ前記反応炉に加熱する加熱手段を具備することを特徴とする請求項2から請求項6のうちのいずれか1項記載のマイクロ波加熱装置。   The microwave heating apparatus according to any one of claims 2 to 6, further comprising a heating unit provided outside the reaction furnace and heating the reaction furnace.
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