JP2015198084A - High-frequency power system and plasma processing apparatus comprising the same - Google Patents
High-frequency power system and plasma processing apparatus comprising the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015198084A JP2015198084A JP2015047950A JP2015047950A JP2015198084A JP 2015198084 A JP2015198084 A JP 2015198084A JP 2015047950 A JP2015047950 A JP 2015047950A JP 2015047950 A JP2015047950 A JP 2015047950A JP 2015198084 A JP2015198084 A JP 2015198084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency power
- frequency
- power source
- unit
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000026676 system process Effects 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 34
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、高周波電力を消費する負荷部、及びこの負荷部に高周波電力を供給する高周波電源等を備えた高周波電力システム、並びにこの高周波電力システムを備えたプラズマ処理装置に関する。 The present invention relates to a high-frequency power system including a load unit that consumes high-frequency power, a high-frequency power source that supplies high-frequency power to the load unit, and a plasma processing apparatus including the high-frequency power system.
上記プラズマ処理装置の一例として、従来、下記特許文献1に開示されるようなエッチング装置が知られている。このエッチング装置は、上方にプラズマ生成空間が形成され、その下方に処理空間が形成される処理チャンバと、前記処理空間内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記プラズマ生成空間に対応する処理チャンバの外方に捲回されたコイルと、前記プラズマ生成空間内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記コイルに高周波電力を供給する第1高周波電源と、前記コイルと第1高周波電源との間に接続され、前記第1高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第1高周波電源のインピーダンスに整合させる第1整合器と、前記基台に高周波電力を供給する第2高周波電源と、前記基台と第2高周波電源との間に接続され、前記第2高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第2高周波電源のインピーダンスに整合させる第2整合器とを備えている。
As an example of the plasma processing apparatus, conventionally, an etching apparatus as disclosed in
ところで、高周波電力を用いたプラズマ処理装置では、高周波の特性上、電磁波が周囲に発散しないように、従来、高周波機器を電磁遮蔽部材でシールドするようにしている。上記プラズマ処理装置を電磁遮蔽部材でシールドした概略的な構造を図6に示す。同図6に示すように、このプラズマ処理装置100は、前記特許文献1の開示されるエッチング装置と基本的な構造を同じくするものであり、処理チャンバ101、コイル104、ガス供給部106、第1高周波電源110、第1整合器120、第2高周波電源130及び第2整合器140を備える。
By the way, in a plasma processing apparatus using high-frequency power, conventionally, a high-frequency device is shielded by an electromagnetic shielding member so that electromagnetic waves do not diverge to the surroundings due to high-frequency characteristics. FIG. 6 shows a schematic structure in which the plasma processing apparatus is shielded by an electromagnetic shielding member. As shown in FIG. 6, the
前記処理チャンバ101は、上部チャンバ102及びその下方に設けられた下部チャンバ103からなり、上部チャンバ102内にプラズマ生成空間102aが形成され、下部チャンバ103内に、前記プラズマ生成空間102aに連通する処理空間103aが形成されており、この処理空間103a内に、処理対象の基板が載置される基台105が配設され、また、前記上部チャンバ102の外方に前記コイル104が捲回されている。そして、この上部チャンバ102及びコイル104が、電磁遮蔽部材で構成されたシールドボックス107内に配設されている。前記上部チャンバ102の周壁部分(図においてハッチングで示した部分)は、絶縁性を有するセラミックから構成され、シールドボックス107は、前記上部チャンバ102の下部に接続している(図6中の黒丸印部分参照)。
The
また、基台105と下チャンバ103との間には絶縁部材105aが設けれ、この絶縁部材105aによって基台105と下チャンバ103との間が電気的に絶縁されており、更に、基台105の下方領域が、下チャンバ103の下端部に接続された(図6中の黒丸印部分参照)シールドボックス108によって下チャンバ103を含めてシールドされている。尚、ガス供給部106は高周波を伴わないため、シールドボックス107外に配設され、適宜配管を通して、前記上部チャンバ102のプラズマ生成空間102a内に処理ガスを供給する。また、シールドボックス107には、入力端子107aが設けられており、入力端子107aとコイル104の一方端の入力部とが伝送線によって接続され、コイル104の他方端が前記入力端子107aを介してシールドボックス107に接続されている。また、シールドボックス108には、入力端子108aが設けられており、この入力端子108aと基台105とが伝送線によって接続されている。
In addition, an
また、下チャンバ103は接地されており、シールドボックス107,108もこの下チャンバ103を介して接地されている。また、従来の一般的なサイズ(直径が2インチ〜12インチ)の基板を処理するための、前記上チャンバ102の内径は、100mm〜350mmに設定されている。
The
前記第1高周波電源110は、前記コイル104に高周波電力を供給する電源であり、電気的に順次接続されたスイッチング電源111、発振・増幅器112及びRFセンサ113と、制御回路114とを備え、これらが同じく電磁遮蔽部材で構成されたシールドボックス115内に配設されている。前記スイッチング電源111は、入力端子115aを介し外部から供給される交流200Vの電力を直流に変換して発振・増幅器112に供給し、発振・増幅器112は、供給された直流電力を変換して、前記コイル104に供給すべき高周波電力を生成し、生成した高周波電力を、前記RFセンサ113を介して前記第1整合器120に伝送する。この発振・増幅器112は、入力端子115bを介し外部から入力される制御信号によって作動する制御回路114によって制御され、制御回路114は、RFセンサ113によって検出され、フィードバックされる周波数及び電力に応じて、前記発振・増幅器112を制御し、必要な周波数及び電力の高周波電力を生成させる。尚、従来、前記コイル104に供給されるべき高周波電力の周波数は、一般的には13.56MHzに設定され、電力は1000W〜6000W程度の範囲で適宜設定される。
The first high-
前記第1整合器120は、前記第1高周波電源110と、前記コイル104との間に設けられるもので、電気的に順次接続されたRFセンサ121、整合回路122及びRFセンサ123と、制御回路124とを備え、これらが同じく電磁遮蔽部材で構成されたシールドボックス125内に配設されている。前記整合回路122は、第1高周波電源110のインピーダンスと、この第1高周波電源110に対する負荷側のインピーダンスとを整合させる、即ち、第1高周波電源110への反射波を最小にする回路であり、入力端子12a介し外部から入力される制御信号によって作動する制御回路124により制御される。前記RFセンサ121は、入力側の高周波電力の周波数及び電力を検出し、一方、前記RFセンサ123は、出力側の高周波電力の周波数及び電力を検出するセンサであり、それぞれの検出信号が制御回路124に入力され、前記制御回路124は、これらの検出信号を基に、前記反射波が最小となるように、前記整合回路122のインピーダンスを調整する。
The
尚、前記RFセンサ113の出力線は、シールドボックス115の出力端子115cに接続され、一方、RFセンサ121の入力線は、シールドボックス125の入力端子125aに接続され、これら出力端子115cと入力端子125aとが、同軸ケーブル116によって接続されている。また、RFセンサ123の出力線は、シールドボックス125の出力端子125cに接続され、この出力端子125cと、シールドボックス107に設けられた入力端子107aとが、同軸ケーブル126によって接続されている。また、シールドボックス115とシールドボックス125とは、同軸ケーブル116のシールド部によって接続され、同様に、シールドボックス125とシールドボックス107とは、同軸ケーブル126のシールド部によって接続されており、この結果、シールドボックス115,125、及び同軸ケーブル116,126のシールド部は、シールドボックス107、上チャンバ102及び下チャンバ103を介して、それぞれ接地されている。
The output line of the
前記第2高周波電源130は、前記基台105に高周波電力を供給するもので、前記第1高周波電源110と同様に、電気的に順次接続されたスイッチング電源131、発振・増幅器132、RFセンサ133及び制御回路134とを備え、これらが電磁遮蔽部材で構成されたシールドボックス135内に配設される。このスイッチング電源131、発振・増幅器132、RFセンサ133及び制御回路134は、前記基台105に供給する高周波電力が、50W〜6000W程度の範囲である点を除いて、前記第1高周波電源110のスイッチング電源111、発振・増幅器112、RFセンサ113及び制御回路114と、それぞれ同じ機能を有するものである。尚、スイッチング電源131には、入力端子135aを介し外部から交流200Vが供給され、制御回路134には、入力端子135bを介して制御信号が入力される。
The second high-
前記第2整合器140は、前記第2高周波電源130と、前記基台105との間に設けられるもので、前記第1整合器120と同様に、電気的に順次接続されたRFセンサ141、整合回路142及びRFセンサ143と、制御回路144とを備え、これらが同じく電磁遮蔽部材で構成されたシールドボックス145内に配設されている。このRFセンサ141、整合回路142、RFセンサ143及び制御回路144は、前記第1整合器120のRFセンサ121、整合回路122、RFセンサ123及び制御回路124と同じ機能を有するものである。尚、制御回路144には、入力端子145bを介して制御信号が入力される。
The
そして、前記RFセンサ133の出力線は、シールドボックス135の出力端子135cに接続され、一方、RFセンサ141の入力線は、シールドボックス145の入力端子145aに接続され、これら出力端子135cと入力端子145aとが、同軸ケーブル136によって接続されている。また、RFセンサ143の出力線は、シールドボックス145の出力端子145cに接続され、この出力端子145cと、シールドボックス108に設けられた入力端子108aとが、同軸ケーブル146によって接続されている。シールドボックス135とシールドボックス145とは、同軸ケーブル136のシールド部によって接続され、同様に、シールドボックス145とシールドボックス108とは、同軸ケーブル146のシールド部によって接続されており、この結果、シールドボックス135,145、及び同軸ケーブル136,146のシールド部は、シールドボックス108及び下チャンバ103を介して、それぞれ接地されている。
The output line of the
以上の構成を備えたプラズマ処理装置100によれば、第1高周波電源110により生成され、第1整合器120によって反射波が最小となるように調整された高周波電力がコイル104に供給され、プラズマ生成空間102aに供給された処理ガスがこの高周波電力によってプラズマ化される。一方、第2高周波電源130により生成され、第2整合器140によって反射波が最小となるように調整された高周波電力が基台105に供給され、この基台105にバイアス電位が生じる。そして、基台105上に載置された処理対象の基板が、バイアス電位を受けた状態でプラズマにより処理される。
According to the
そして、このプラズマ処理装置100では、上部チャンバ102及びコイル104がシールドボックス107内に配設され、基台105への伝送線がシールドボックス108によってシールドされるとともに、第1高周波電源110、第1整合器120、第2高周波電源130及び第2整合器140が、それぞれシールドボックス115,125,135及び145によってシールドされ、且つ、それぞれの間が、同軸ケーブル116,126,136及び146によって接続されているので、電磁波の外部への発散が防止される。
In the
ところが、上述した従来のプラズマ処理装置100では、上部チャンバ102及びコイル104が、シールドボックス107によってシールドされ、基台105への伝送線がシールドボックス108によってシールドされ、第1高周波電源110、第1整合器120、第2高周波電源130及び第2整合器140が、シールドボックス115,125,135及び145によってそれぞれシールドされるとともに、シールドボックス115,125間が同軸ケーブル116によって接続され、シールドボックス125,107間が同軸ケーブル126によって接続され、シールドボックス135,145間が同軸ケーブル136によって接続され、同様に、シールドボックス145,108間が同軸ケーブル146によって接続されているので、当該同軸ケーブル116,126,136及び146の接続部において、伝送線及びリターン回路の接触抵抗(反射波やロス)が生じて給電効率が低下するため、エネルギー効率が悪いという問題があった。
However, in the above-described conventional
また、第1高周波電源110、第1整合器120、第2高周波電源130や第2整合器140に不具合が生じた場合、これらはシールドボックス115,125,135,145を含むユニットとして構成されているため、ユニット単位で交換する方が便利であるが、この場合、取り外し後、再接続させた同軸ケーブル116,126,136及び146の接続部の接続状態が変化し、これによって前記接触抵抗が変動するため、前記第1整合器120や第2整合器140による整合が必要となり、このため、組み立て再現性が悪く、また、高周波電力を供給する系全体が安定するまでに時間を要するという問題もある。尚、同軸ケーブル116,126,136及び146の接続状態が悪いと、最悪の場合、同部に焼き付きが生じるという問題も起こり得る。また、このため、接続には細心の注意が必要であり、作業性が悪いという問題もある。
Further, when a failure occurs in the first high-
また、各シールドボックス115,125,135,145のインピーダンスは固有値であるため、第1高周波電源110や第2高周波電源130を交換すれば、電源側のインピーダンスが変動し、第1整合器120や第2整合器140を交換すれば負荷側のインピーダンスが変動するため、このインピーダンスの変動によって、第1整合器120や第2整合器140による整合が必要となり、この面でも、高周波電力を供給する系全体が安定するまでに時間を要するという問題がある。
Further, since the impedance of each
また、シールドボックス内に高周波機器を収納すると、当該高周波機器からシールドボックスに高周波エネルギーが伝播するリターン回路が形成され、この高周波エネルギーの伝播によって、エネルギーロスを生じるが、前記従来のプラズマ処理装置では、6つのシールドボックス107,108,115,125,135,145内にそれぞれ高周波機器が収納され、各シールドボックス107,108,115,125,135,145においてエネルギーロスを生じるので、高周波電力を供給する系全体としてのエネルギー効率が悪いという問題もある。
In addition, when a high-frequency device is housed in the shield box, a return circuit for transmitting high-frequency energy from the high-frequency device to the shield box is formed, and energy loss occurs due to the propagation of the high-frequency energy. In the conventional plasma processing apparatus, , High frequency devices are housed in the six
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、高周波電力を供給する機器を交換する作業が容易で、しかもその組み立て再現性が良く、更に、高周波電力を供給する系全体のエネルギー効率が高い高周波電力システム及びこれを備えたプラズマ処理装置の提供を、その目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is easy to replace a device that supplies high-frequency power, and its assembly reproducibility is good. Furthermore, the energy efficiency of the entire system that supplies high-frequency power is improved. An object of the present invention is to provide a high-frequency high-frequency power system and a plasma processing apparatus including the same.
上記課題を解決するための本発明は、高周波電力を消費する負荷部と、前記負荷部に高周波電力を供給する高周波電源と、前記負荷部と高周波電源との間に接続され、前記高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記高周波電源のインピーダンスに整合させる整合器とを備えた高周波電力システムであって、
前記負荷部、高周波電源及び整合器が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つの空間内に配設された高周波電力システムに係る。
The present invention for solving the above problems includes a load unit that consumes high-frequency power, a high-frequency power source that supplies high-frequency power to the load unit, and is connected between the load unit and the high-frequency power source. A high-frequency power system comprising a matching unit that matches the impedance on the load side with the impedance of the high-frequency power source,
The load unit, the high-frequency power source, and the matching unit are related to a high-frequency power system that is disposed in one space closed by a grounded electromagnetic shielding member.
本発明に係る高周波電力システムによれば、負荷部、高周波電源及び整合器が、電磁遮蔽部材により閉塞された一つの空間内に配設されているので、従来のような、各シールドボックス間をエネルギーロスの大きな同軸ケーブルで接続する必要が無く、エネルギー効率を高めることができる。 According to the high frequency power system according to the present invention, the load unit, the high frequency power supply, and the matching unit are disposed in one space closed by the electromagnetic shielding member. It is not necessary to connect with a coaxial cable with a large energy loss, and energy efficiency can be improved.
また、負荷部、高周波電源及び整合器といった構成要素に不都合が生じた場合、これらを交換する必要があるが、これらが収納されるシールドボックスは交換する必要が無く、したがって、前記構成要素を交換した場合でも、従来のようなシールドボックスを交換する場合に比べて、インピーダンスの変動は小さく、また、従来のような同軸ケーブルの再接続による不都合が生じないため、組み立て再現性が良い。 Also, if there are problems with the components such as the load unit, high-frequency power supply, and matching unit, they need to be replaced, but the shield box that houses them does not need to be replaced. Even in this case, the impedance variation is smaller than in the case of replacing the shield box as in the conventional case, and the inconvenience due to the reconnection of the coaxial cable as in the conventional case does not occur, so that the assembly reproducibility is good.
また、従来では、負荷部、高周波電源、及び整合器が、それぞれ別個のシールドボックス内に配設されており、各シールドボックスには、内部の高周波機器から当該各シールドボックスに高周波エネルギーが伝播するリターン回路が形成されるため、各シールドボックスにおいて、エネルギーロスを生じ、全体としてのエネルギー効率の悪いものであったが、本発明によれば、負荷部、高周波電源及び整合器を一つのシールドボックス内に配設しているので、前記リターン回路によって喪失されるエネルギーを最小限にとどめることができ、全体としてのエネルギー効率を高めることができる。 Conventionally, the load unit, the high-frequency power source, and the matching unit are arranged in separate shield boxes, and high-frequency energy propagates from the internal high-frequency device to each shield box. Since a return circuit is formed, energy loss occurs in each shield box, resulting in poor energy efficiency as a whole. According to the present invention, the load unit, the high-frequency power source, and the matching unit are combined into one shield box. Since the energy is lost by the return circuit, the energy efficiency as a whole can be improved.
尚、シールドボックスを構成する電磁遮蔽部材は、特に限定されるものではなく、板金など、従来公知の全ての電磁遮蔽部材が含まれる。また、本発明において、前記高周波電力とは、100kHz以上の周波数の電力をいう。 In addition, the electromagnetic shielding member which comprises a shield box is not specifically limited, All conventionally well-known electromagnetic shielding members, such as sheet metal, are included. In the present invention, the high-frequency power means power having a frequency of 100 kHz or more.
また、本発明において、前記高周波電源は、前記負荷部に50W以下の電力を供給するように構成されているのが好ましい。必要な電力が50W以下の場合には、高周波電源が高周波電力を生成するための電源は、AC200Vである必要はなく、DC24V程度でも流れる電流は4アンペア程度であるから、十分である。したがって、この構成によれば、高周波電力を生成するための電源として直流を用いることができるため、従来必要としたスイッチング電源が不要となり、また、高周波電力を生成するための発振・増幅器を小型にすることができるため、高周波電源をコンパクトな構成とすることができる。 In the present invention, it is preferable that the high-frequency power source is configured to supply power of 50 W or less to the load unit. When the required power is 50 W or less, the power source for the high-frequency power source to generate the high-frequency power does not need to be 200 VAC, and even if it is about 24 VDC, the flowing current is about 4 amperes. Therefore, according to this configuration, since a direct current can be used as a power source for generating high-frequency power, a conventionally required switching power source is not required, and the oscillation / amplifier for generating high-frequency power is downsized. Therefore, the high frequency power supply can be made compact.
また、本発明に係る高周波電力システムは、プラズマ処理装置に好適に適用することができ、かかるプラズマ処理装置の態様としては、
処理室を有する処理チャンバと、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記高周波電力システムとを備えたプラズマ処理装置であって、
前記負荷部は、前記処理室内に供給された処理ガスを、高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部である態様を挙げることができる。
Moreover, the high frequency power system according to the present invention can be suitably applied to a plasma processing apparatus. As an aspect of such a plasma processing apparatus,
A processing chamber having a processing chamber, a processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber, a base disposed in the processing chamber on which a substrate to be processed is placed, and the high-frequency power system. A plasma processing apparatus comprising:
The load unit may include a plasma generation unit that converts the processing gas supplied into the processing chamber into plasma using high-frequency power.
また、本発明に係る高周波電力システムを適用した別の態様のプラズマ処理装置としては、
処理室を有する処理チャンバと、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記高周波電力システムと、前記処理室内に供給された処理ガスを前記高周波電力システムとは別の供給源から供給される高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力システムは、前記基台を前記負荷部として備えるとともに、該基台に高周波電力を供給する高周波電源と、該高周波電源と前記基台との間に接続され、該高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記高周波電源のインピーダンスに整合させる整合器とを備えてなり、
前記基台へ高周波電力を供給する伝送線路、前記高周波電源及び前記整合器が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つの空間内に配設され態様を挙げることができる。
Moreover, as another embodiment of the plasma processing apparatus to which the high frequency power system according to the present invention is applied,
A processing chamber having a processing chamber, a processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber, a base disposed in the processing chamber and on which a substrate to be processed is placed, the high-frequency power system, A plasma processing apparatus comprising: a plasma generation unit configured to convert the processing gas supplied into the processing chamber into plasma by high-frequency power supplied from a supply source different from the high-frequency power system;
The high-frequency power system includes the base as the load unit, a high-frequency power source that supplies high-frequency power to the base, and is connected between the high-frequency power source and the base, and a load side with respect to the high-frequency power source And a matching unit that matches the impedance of the high-frequency power source with the impedance of
The transmission line for supplying high-frequency power to the base, the high-frequency power source, and the matching unit may be arranged in one space closed by a grounded electromagnetic shielding member.
また、本発明に係る高周波電力システムを適用した更に別の態様のプラズマ処理装置としては、
処理室を有する処理チャンバと、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記高周波電力システムとを備えたプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力システムは、前記処理室内に供給された処理ガスを高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部を、前記負荷部として備えるとともに、該プラズマ生成部に高周波電力を供給する第1高周波電源と、該第1高周波電源と前記プラズマ生成部との間に接続され、該第1高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第1高周波電源のインピーダンスに整合させる第1整合器とを備え、更に、前記基台を前記負荷部として備えるとともに、該基台に高周波電力を供給する第2高周波電源と、該第2高周波電源と前記基台との間に接続され、該第2高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第2高周波電源のインピーダンスに整合させる第2整合器とを備えてなり、
前記プラズマ生成部、前記第1高周波電源及び前記第1整合器からなる群、並びに前記基台へ高周波電力を供給する伝送線路、前記第2高周波電源及び前記第2整合器からなる群が、それぞれ接地された電磁遮蔽部材により閉塞された別の一つの空間内に配設されるか、又は、前記2つの群が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つの空間内に共に配設された態様を挙げることができる。
Moreover, as a plasma processing apparatus of still another aspect to which the high frequency power system according to the present invention is applied,
A processing chamber having a processing chamber, a processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber, a base disposed in the processing chamber on which a substrate to be processed is placed, and the high-frequency power system. A plasma processing apparatus comprising:
The high-frequency power system includes, as the load unit, a plasma generation unit that converts the processing gas supplied into the processing chamber into plasma using high-frequency power, and a first high-frequency power source that supplies high-frequency power to the plasma generation unit; A first matching unit connected between the first high-frequency power source and the plasma generating unit, and matching a load-side impedance with respect to the first high-frequency power source to an impedance of the first high-frequency power source; A base is provided as the load section, and is connected between the second high-frequency power source for supplying high-frequency power to the base, the second high-frequency power source and the base, and on the load side with respect to the second high-frequency power source A second matching unit for matching the impedance with the impedance of the second high-frequency power source,
The plasma generator, the group consisting of the first high-frequency power source and the first matching unit, the transmission line supplying high-frequency power to the base, the group consisting of the second high-frequency power source and the second matching unit, respectively The two groups are disposed together in one space blocked by a grounded electromagnetic shielding member, or the two groups are disposed together in one space blocked by a grounded electromagnetic shielding member. Can be mentioned.
更に、この態様のプラズマ処理装置では、前記第1高周波電源及び第2高周波電源は50W以下の電力を供給するように構成されているのが好ましい。第1高周波電源及び第2高周波電源は50W以下の電力を供給するように構成されている場合には、上述と同様に、高周波電力を生成するための電源として直流を用いることができるため、スイッチング電源が不要となり、また、高周波電力を生成するための発振・増幅器を小型にすることができるため、プラズマ生成部及び基台の2か所に高周波電力を供給するシステムとしても、これをコンパクトな構成とすることができる。 Furthermore, in the plasma processing apparatus of this aspect, it is preferable that the first high frequency power source and the second high frequency power source are configured to supply power of 50 W or less. When the first high-frequency power source and the second high-frequency power source are configured to supply power of 50 W or less, direct current can be used as a power source for generating high-frequency power as described above. Since no power supply is required and the oscillation / amplifier for generating high-frequency power can be reduced in size, the system can be made compact as a system for supplying high-frequency power to two locations: the plasma generator and the base. It can be configured.
また、上記各プラズマ生成装置は、更に、そのプラズマ生成部が、前記基台より上方に配設されるとともに、前記処理チャンバの外方に配設された環状のコイルからなる態様を採ることができる。 In addition, each of the plasma generation apparatuses may further take an aspect in which the plasma generation unit is disposed above the base and includes an annular coil disposed outside the processing chamber. it can.
以上のように、本発明に係る高周波電力システム及びこれを備えたプラズマ処理装置によれば、負荷部(前記プラズマ生成部及び基台を含む)、高周波電源(前記第1高周波電源及び第2高周波電源を含む)及び整合器(前記第1整合器及び第2整合器を含む)を一つのシールドボックス内に配設しているので、従来のような、各シールドボックス間をエネルギーロスの大きな同軸ケーブル接続する必要がなく、このため、エネルギー効率を高めることができる。 As described above, according to the high-frequency power system and the plasma processing apparatus including the same according to the present invention, the load section (including the plasma generation section and the base), the high-frequency power supply (the first high-frequency power supply and the second high-frequency power supply). Power supply) and a matching unit (including the first matching unit and the second matching unit) are arranged in one shield box, so that a conventional coaxial with a large energy loss is provided between the shield boxes. There is no need for cable connection, which can increase energy efficiency.
また、負荷部、高周波電源及び整合器といった構成要素を交換する際にも、シールドボックスの交換は必要なく、また、従来のような同軸ケーブルの再接続による不都合を生じないため、組み立て再現性が良い。更に、リターン回路によって喪失されるエネルギーを最小限にとどめることができ、この意味においてもエネルギー効率を高めることができる。 In addition, when replacing components such as the load section, high-frequency power supply, and matching unit, it is not necessary to replace the shield box, and there is no inconvenience due to reconnection of the coaxial cable as in the conventional case. good. Furthermore, the energy lost by the return circuit can be kept to a minimum, and in this sense, energy efficiency can be increased.
また、前記高周波電源を、前記負荷部に50W以下の電力を供給するように構成すれば、高周波電力を生成するための電源として直流を用いることができるため、従来必要としたスイッチング電源が不要となり、また、高周波電力を生成するための発振・増幅器を小型にすることができるため、高周波電源をコンパクトな構成とすることができる。 Further, if the high frequency power supply is configured to supply power of 50 W or less to the load section, a direct current can be used as a power supply for generating the high frequency power, so that a conventionally required switching power supply becomes unnecessary. In addition, since the oscillation / amplifier for generating high-frequency power can be reduced in size, the high-frequency power supply can be made compact.
以下、本発明の具体的な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[第1の実施形態]
まず、本発明の第1の実施形態に係るプラズマ処理装置について、図1に基づき説明する。図1は、本例のプラズマ処理装置の概略構成を示したブロック図である。同図1に示すように、本例のプラズマ処理装置1は、処理チャンバ2、コイル5、ガス供給部7、第1高周波供給部10及び第2高周波供給部20と、電磁遮蔽部材から構成された一つの空間を有するシールドボックス18,28を備える。尚、シールドボックス18,28を構成する電磁遮蔽部材は、特に限定されるものではなく、板金など、従来公知の全ての電磁遮蔽部材が含まれる。また、本例では、コイル5、後述の基台6、第1高周波供給部10、第2高周波供給部20、及びシールドボックス18,28が高周波電力システムを構成する。
[First Embodiment]
First, a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of the plasma processing apparatus of this example. As shown in FIG. 1, the
前記処理チャンバ2は、上部チャンバ3及びその下方に設けられた下部チャンバ4からなり、上部チャンバ3内にプラズマ生成空間3aが形成され、下部チャンバ4内に、前記プラズマ生成空間3aに連通する処理空間4aが形成されており、この処理空間4a内に、処理対象の基板が載置される基台6が配設され、また、前記上部チャンバ3の外方に前記コイル5が捲回され、下チャンバ4は接地されている。また、前記上部チャンバ102の周壁部分(図においてハッチングで示した部分)は、絶縁性を有するセラミックから構成され、基台6と下チャンバ4との間には絶縁部材6aが設けれ、この絶縁部材6aによって基台6と下チャンバ4との間が電気的に絶縁されている。
The
そして、シールドボックス18内には、前記上部チャンバ3、コイル5及び第1高周波供給部10が配設されるとともに、シールドボックス28内には、前記第2高周波供給部20が配設されている。また、シールドボックス18は、前記上部チャンバ3の下部に接続し(図1中の黒丸印部分)、一方、シールドボックス28は下部チャンバ4の下端部に接続して(図1中の黒丸印部分)、基台6の下方領域をシールドしている。尚、ガス供給部7は、シールドボックス18の外側に配設され、前記処理チャンバ2のプラズマ生成空間3aに通じる適宜配管を通して、当該プラズマ生成空間3aに処理ガスを供給する。また、コイル5はシールドボックス18に接続されている。
In the
前記第1高周波供給部10は、前記コイル5に高周波電力を供給する供給部であり、電気的に順次接続されたスイッチング電源11、発振・増幅器12、RFセンサ13、整合回路14及びRFセンサ15と、制御回路16とを備える。スイッチング電源11は、入力端子18aを介し外部から供給される交流200Vの電力を直流に変換して発振・増幅器12に供給し、発振・増幅器12は、供給された直流電力を変換して、前記コイル5に供給すべき高周波電力を生成する。そして、生成された高周波電力は、前記RFセンサ13を介して前記第1整合器14に伝送される。
The first high-
整合回路14は、前記発振・増幅器12のインピーダンスと、自身及びRFセンサ13,15、並びにコイル5を含めた、前記発振・増幅器12に対する負荷側のインピーダンスとを整合させる、即ち、発振・増幅器12への反射波を最小にする回路であり、この整合回路14によって整合された高周波電力がRFセンサ15を介して前記コイル5に供給される。
The matching
RFセンサ13は、前記発振・増幅器12から出力される高周波電力の周波数及び電力を検出して、制御回路16に検出信号を送信し、RFセンサ15は、前記整合回路14から出力される高周波電力の周波数及び電力を検出して、制御回路16に検出信号を送信する。
The
そして、前記制御回路16は、RFセンサ13からの検出信号を基に、前記発振・増幅器12の作動を、当該発振・増幅器12によって生成される高周波電力の周波数及び電力が、入力端子18bを介し制御信号として入力された設定値となるように、フィードバック制御する。また、制御回路16は、RFセンサ13及び15からの検出信号を基に、前記整合回路14の作動を、入力端子18bを介し入力される制御信号に従って、前記反射波が最小となるように制御する。
The
尚、この第1高周波電力供給部10からコイル5に供給される高周波電力は、従来と同様、その周波数は13.56MHzであり、電力は1000W〜6000W程度である。
The high-frequency power supplied from the first high-frequency
前記第2高周波供給部20は、前記基台6に高周波電力を供給する供給部であり、電気的に順次接続されたスイッチング電源21、発振・増幅器22、RFセンサ23、整合回路24及びRFセンサ25と、制御回路26とを備える。これらスイッチング電源21、発振・増幅器22、RFセンサ23、整合回路24、RFセンサ25及び制御回路26は、前記基台6に供給する高周波電力が50W〜6000W程度の範囲である点を除いて、第1高周波供給部10のスイッチング電源11、発振・増幅器12、RFセンサ13、整合回路14、RFセンサ15及び制御回路16と、それぞれ同じ機能を有するものであり、したがって、その詳しい説明については、これを省略する。尚、スイッチング電源21には、入力端子28aを介して外部から交流200Vが供給され、制御回路26には、入力端子28bを介して制御信号が入力される。また、RFセンサ25から前記基台6につながる伝送線は、シールドボックス28内に位置している。
The second high-
以上の構成を備えた本例のプラズマ処理装置1によれば、第1高周波供給部10の発振・増幅器12により生成され、整合回路14によって反射波が最小となるように調整された高周波電力がコイル5に供給され、ガス供給部7からプラズマ生成空間3aに供給された処理ガスがこの高周波電力によってプラズマ化される。一方、第2高周波供給部20の発振・増幅器22により生成され、整合回路24によって反射波が最小となるように調整された高周波電力が基台6に供給され、当該基台6にバイアス電位が生じる。そして、この基台6上に載置された処理対象の基板が、バイアス電位を受けた状態でプラズマにより処理される。
According to the
そして、このプラズマ処理装置1では、高周波電力を伴う構成要素である上部チャンバ3、コイル5、第1高周波供給部10を、接地された一つのシールドボックス18内に配設するとともに、第2高周波供給部20を、接地された一つのシールドボックス28内に配設しているので、従来のような、各シールドボックス間をエネルギーロスの大きな同軸ケーブルで接続する必要が無く、エネルギー効率を高めることができる。
In the
また、上部チャンバ3及びコイル5、並びに第1高周波供給部10及び第2高周波供給部20の各構成要素を交換する必要が生じた場合でも、これらが収納されるシールドボックス18,28は交換する必要がなく、したがって、この構成要素を交換しても、従来のようなシールドボックスを交換する場合に比べて、インピーダンスの変動が小さく、また、従来のような同軸ケーブルの再接続による不都合が生じないため、組み立て再現性が良い。
Moreover, even if it becomes necessary to replace each component of the
また、第1高周波供給部10及び第2高周波供給部20をそれぞれシールドボックス18,28内に収納することで、当該第1高周波供給部10及び第2高周波供給部20では、同じ機能を発揮する上記従来の第1高周波電源110及び第1整合器120、並びに第1高周波電源130及び第1整合器140に比べて、その構成要素から、RFセンサ121及び141を省略することができ、また、従来別々に構成されていた制御回路114及び124を、本例では、一つの制御回路16に一体化し、同様に、従来の制御回路134及び144を、本例では、一つの制御回路26に一体化することができるので、その構成がコンパクトとなり、この結果、シールドボックス18,28の大きさもコンパクトにすることができる。したがって、シールドボックス18,28内に形成されるリターン回路によって、喪失される高周波エネルギーを、従来に比べて低減させることができ、装置全体としてのエネルギー効率を高めることができる。
Further, by storing the first high-
[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態に係るプラズマ処理装置について、図2及び図3に基づき説明する。尚、本例のプラズマ処理装置1’において、上述した第1の実施形態に係るプラズマ処理装置1と同じ構成要素については、同じ符号を付して、その詳しい説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the
本例のプラズマ処理装置1’は、直径が1インチ以下の基板を処理対象とするものであり、図2に示すように、処理チャンバ2’、コイル5’、ガス供給部7、第1高周波供給部10’、第2高周波供給部20’及びシールドボックス18,28を備える。
The
前記処理チャンバ2’は、直径が1インチ以下の基板を処理対象とする関係上、前記処理チャンバ2より全体的に小さいサイズであり、特に、図3に示すように、プラズマ生成空間3a’を形成する部分の内径Dが10mm以上60mm以下に設定されている。尚、図2及び図3において、符号3’は上部チャンバ、符号4’は下部チャンバ、符号4a’は処理空間、符号6’は基台、符号6a’は絶縁部材である。
The
また、前記第1高周波供給部10’は、第1の実施形態に係る第1高周波供給部10のスイッチング電源11を省略するとともに、前記発振・増幅器12に、入力端子18aを介して外部から直流24Vの電力が供給されるように構成され、前記コイル5’に、周波数が40MHz以上100MHz以下、電力が2W以上50W以下の高周波電力を供給するように構成されている。
The first high-
また、第2高周波供給部20’は、第1の実施形態に係る第2高周波供給部20のスイッチング電源21を省略するとともに、前記発振・増幅器22に、入力端子28aを介して外部から直流24Vの電力が供給されるように構成され、前記基台6’に周波数が100kHz以上、電力が50W以下の高周波電力を供給するように構成されている。
The second high-
上述したように、処理チャンバのプラズマ生成空間を形成する部分の、従来の一般的な内径は100〜350mmであり、また、プラズマを生成するためのコイルに供給される高周波電力は、その周波数が13.56MHz、電力が1000W〜6000W程度であるのが一般的であり、従来、このような高電力の高周波電力を生成するために、AC200Vの電源が用いられてきた。 As described above, the conventional general inner diameter of the portion forming the plasma generation space of the processing chamber is 100 to 350 mm, and the high frequency power supplied to the coil for generating plasma has a frequency of Generally, the power is about 13.56 MHz and the power is about 1000 W to 6000 W. Conventionally, an AC 200 V power source has been used to generate such high-frequency high-frequency power.
ところが、本発明者らの知見によれば、直径が1インチ以下の基板を処理する場合、このような高電力は不要で、また、プラズマ生成空間を形成する前記処理チャンバの内径、即ち、図3に示す直径Dは、10mm以上60mm以下が適当であり、この場合、図4及び図5に示すように、周波数が40MHz以上100MHz以下、電力が2W以上の高周波電力を前記コイル5’に供給することで、処理ガスをプラズマ化することができるとともに、生成したプラズマを維持することができる、即ち、基板をプラズマによって処理することができることが判明した。
However, according to the knowledge of the present inventors, when processing a substrate having a diameter of 1 inch or less, such high power is not required, and the inner diameter of the processing chamber forming the plasma generation space, that is, FIG. The diameter D shown in FIG. 3 is suitably 10 mm or more and 60 mm or less. In this case, as shown in FIGS. 4 and 5, high frequency power having a frequency of 40 MHz to 100 MHz and a power of 2 W or more is supplied to the
尚、図4は、前記上部チャンバ3’の内径Dを50mm、コイル5’の内径を60mm、コイル5’の巻き数を1としたプラズマエッチング装置1’を用い、ガス供給部7から処理ガスとしてArガスを前記プラズマ生成空間3a’に供給して、処理チャンバ2’内の圧力を5Pa、コイル5’に供給する高周波電力の大きさを50Wに固定した状態で、当該コイル5’に供給する高周波電力の周波数を変化させ、各周波数におけるプラズマの状態を確認する試験を行った結果を示すものである。この図3から分かるように、周波数が40.68MHz、80MHz及び100MHzの場合、即ち、周波数が40MHz以上100MHz以下の場合に、プラズマ生成空間3a’内にプラズマが発生(着火)し、発生したプラズマが拡散した状態(プラズマ生成空間のほぼ全域に広がった状態)で安定に維持された。
Note that FIG. 4 uses a
また、図5は、安定なプラズマを維持することが可能な高周波電力の大きさの最小値を確認するために、コイル5’に供給する高周波電力の周波数を100MHz、処理チャンバ2’内の圧力を5Pa、処理ガスの流量を3sccmとし、前記上部チャンバ3’の前記内径D、コイル5’の内径、コイル5’の巻き数、処理ガスの種類を変えた種々の条件下において、プラズマが維持される高周波電力の大きさを測定した結果を示すものであり、(a)は前記内径Dを20mm、コイル5’の内径を30mm、コイル5’の巻き数を1とした場合、(b)は前記内径Dを20mm、コイル5’の内径を30mm、コイル5’の巻き数を2とした場合、(c)は前記内径Dを30mm、コイル5’の内径を36mm、コイル5’の巻き数を1とした場合である。同図5から分かるように、高周波電力の大きさを2W以上とすることで、プラズマを維持できることが分かる。尚、コイル5’に供給する電力が50Wを超える場合には、過大なエネルギーの消費につながるので、コイル5’に供給する電力は50W以下であるのが好ましい。
Further, FIG. 5 shows that the frequency of the high-frequency power supplied to the
以上の背景から、本例のプラズマ処理装置1’では、プラズマ生成のためにコイル5’に供給されるべき高周波電力が50W以下で足りることに鑑み、直流電源から前記発振・増幅器12に、直接、電圧が24Vの電力を供給するようにした。第2高周波供給部20’においても同様であり、基台6’に供給すべき高周波電力は50W以下と低電力であるため、直流電源から前記発振・増幅器22に、直接、電圧が24Vの電力を供給するようにした。尚、24Vの直流電力を選択したのは、この電源が他の制御機器に使用され得る電圧で極めて一般的であり、入手し易く、また、価格も廉価であるからであり、当然のことながら、他の電圧の直流電源を用いることができる。
From the above background, in the
斯くして、本例のプラズマ処理装置1’では、第1高周波電力10’の発振・増幅器12及び第1高周波電力20’の発振・増幅器22に、直接、直流電力を供給することができるので、第1の実施形態に係るスイッチング電源11及び21が不要であり、第1高周波供給部10’及び第2高周波供給部20’をコンパクトな構成とすることができる。因みに、前記発振・増幅器12,22を合せて一つのディバイス(チップ)で構成することができる。
Thus, in the
このため、第1高周波供給部10’及び第2高周波供給部20’を処理チャンバ2’の上方に配設して、プラズマ処理装置1’の全体形状を縦長にしたコンパクトなものにすることができ、このようにすることで、当該プラズマ処理装置1’の設置面積を削減することができる。
For this reason, the first high-
以上、本発明の具体的な実施の形態について説明したが、本発明が採り得る態様は、何らこれらに限定されるものではない。 As mentioned above, although specific embodiment of this invention was described, the aspect which this invention can take is not limited to these at all.
例えば、上記の第1の実施形態及び第2の実施形態では、第2高周波供給部20及び20’を設けて、前記基台6,6’に高周波電力を供給するようにしたが、基台6,6’にバイアス電位を与える必要がない場合には、第2高周波供給部20及び20’を設けなくても良い。
For example, in the first and second embodiments described above, the second high-
また、上記の第1の実施形態及び第2の実施形態では、第1高周波供給部10(10’)、コイル5及び上部チャンバ3をシールドボックス18内に設けるとともに、第2高周波供給部20(20’)をシールドボックス28内に設ける構成としたが、これに限るものではなく、第1高周波供給部10(10’)、コイル5、上部チャンバ3及び第2高周波供給部20(20’)を1つのシールドボックス内に配設した構成としても良い。
Moreover, in said 1st Embodiment and 2nd Embodiment, while providing the 1st high frequency supply part 10 (10 '), the
更に、効果的な面ではやや劣るが、第1高周波供給部10(10’)、コイル5及び上部チャンバ3からなる群、第2高周波供給部20(20’)からなる群の、いずれか一方を1つのシールドボックス内に配設し、他方については、図6に示した構成と同様の構成を採用しても良い。
Furthermore, although it is somewhat inferior in terms of effectiveness, either one of the group consisting of the first high-frequency supply unit 10 (10 ′), the
また、第1の実施形態及び第2の実施形態では、コイル5,5’を備えた所謂誘導結合形(ICP)のプラズマ処理装置1,1’としたが、これに限られるものではなく、本発明は、平行平板の電極を備えた所謂容量結合形(CCP)のプラズマ処理装置など、高周波電力を用いたあらゆるプラズマ処理装置として具現化できる。
In the first embodiment and the second embodiment, the so-called inductively coupled (ICP)
また、処理対象としての基板についても、何ら制限はなく、その一例としては、シリコン、炭化ケイ素、サファイア、化合物半導体、ガラス、樹脂などからなる基板を例示することができる。 Moreover, there is no restriction | limiting also about the board | substrate as a process target, The board | substrate which consists of a silicon | silicone, a silicon carbide, a sapphire, a compound semiconductor, glass, resin etc. can be illustrated as the example.
また、上例では、本発明に係る高周波電力システムをプラズマ処理装置に適用したが、これに限られるものではなく、高周波電力を用いる他の装置にも適用することができる。 In the above example, the high frequency power system according to the present invention is applied to the plasma processing apparatus. However, the present invention is not limited to this and can be applied to other apparatuses using high frequency power.
1 プラズマ処理装置
2 処理チャンバ
3 上部チャンバ
3a プラズマ生成空間
4 下部チャンバ
4a 処理空間
5 コイル
6 基台
7 ガス供給部
10 第1高周波供給部
11 スイッチング電源
12 発振・増幅器
13 RFセンサ
14 整合回路
15 RFセンサ
16 制御回路
18 シールドボックス
20 第2高周波供給部
21 スイッチング電源
22 発振・増幅器
23 RFセンサ
24 整合回路
25 RFセンサ
26 制御回路
28 シールドボックス
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記負荷部、高周波電源及び整合器が、電磁遮蔽部材により閉塞された一つの空間内に配設され、
前記高周波電源は、前記負荷部に周波数が27.12MHz以上の電力を供給するように構成され、
前記負荷部は、前記高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部であり、前記プラズマ生成部のプラズマ生成空間を形成するチャンバの内径は60mm以下であることを特徴とする高周波電力システム。 A load unit that consumes high-frequency power; a high-frequency power source that supplies high-frequency power to the load unit; and a load side impedance connected to the high-frequency power source that is connected between the load unit and the high-frequency power source. A high-frequency power system including a matching unit for matching with
The load unit, the high-frequency power source and the matching unit are disposed in one space closed by an electromagnetic shielding member,
The high-frequency power source is configured to supply power having a frequency of 27.12 MHz or more to the load unit,
The high-frequency power system according to claim 1, wherein the load section is a plasma generation section that is turned into plasma by the high-frequency power, and an inner diameter of a chamber that forms a plasma generation space of the plasma generation section is 60 mm or less.
前記高周波電力システムは、前記処理室内に供給された処理ガスを用いて、前記処理対象の基板を処理することを特徴とするプラズマ処理装置。 3. A processing chamber having a processing chamber, a processing gas supply unit for supplying a processing gas into the processing chamber, a base disposed in the processing chamber on which a substrate to be processed is placed, and the claim 1 or 2 A plasma processing apparatus comprising the high-frequency power system described in 1.
The plasma processing apparatus, wherein the high-frequency power system processes a substrate to be processed using a processing gas supplied into the processing chamber.
前記負荷部、高周波電源及び整合器が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つのシールド空間内に配設された高周波電力システムを備え、
前記負荷部が前記処理対象の基板が載置される基台であることを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理装置。 A load unit that consumes high-frequency power; a high-frequency power source that supplies high-frequency power to the load unit; and a load side impedance connected to the high-frequency power source that is connected between the load unit and the high-frequency power source. A high-frequency power system including a matching unit for matching with
The load unit, the high-frequency power source, and the matching unit comprise a high-frequency power system disposed in one shield space closed by a grounded electromagnetic shielding member,
The plasma processing apparatus according to claim 3, wherein the load unit is a base on which the substrate to be processed is placed.
5. The plasma processing apparatus according to claim 3, wherein the plasma generation unit includes an annular coil disposed above the base and disposed outside the processing chamber.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015047950A JP6455783B2 (en) | 2015-03-11 | 2015-03-11 | High frequency power system and plasma processing apparatus equipped with the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015047950A JP6455783B2 (en) | 2015-03-11 | 2015-03-11 | High frequency power system and plasma processing apparatus equipped with the same |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014534686A Division JP5731715B1 (en) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | Plasma processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015198084A true JP2015198084A (en) | 2015-11-09 |
JP6455783B2 JP6455783B2 (en) | 2019-01-23 |
Family
ID=54547637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015047950A Active JP6455783B2 (en) | 2015-03-11 | 2015-03-11 | High frequency power system and plasma processing apparatus equipped with the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6455783B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230084045A (en) | 2021-12-03 | 2023-06-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma processing apparatus |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5990923A (en) * | 1982-10-18 | 1984-05-25 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | Method and device for producing laminar amorphous semiconductor alloy using microwave energy |
JPH04290428A (en) * | 1990-12-03 | 1992-10-15 | Applied Materials Inc | Plasma reactor using uhf/vhf resonance antenna supply source and method therefor |
US5234723A (en) * | 1990-10-05 | 1993-08-10 | Polar Materials Inc. | Continous plasma activated species treatment process for particulate |
JPH0864535A (en) * | 1994-08-18 | 1996-03-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Plasma generator, and method and device for film deposition |
JP2001028244A (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Ebara Corp | Beam source |
JP2002530856A (en) * | 1998-11-12 | 2002-09-17 | ラム リサーチ コーポレーション | Integrated power supply module for plasma processing system |
JP2002313785A (en) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Anelva Corp | High frequency plasma treatment equipment |
JP2002319576A (en) * | 2001-02-02 | 2002-10-31 | Anelva Corp | High frequency plasma processing system |
JP2005158980A (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Kaneka Corp | Cvd system |
JP2006041539A (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Asm Japan Kk | Dual-chamber plasma processing apparatus |
JP2006073354A (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma treatment device |
JP2007180596A (en) * | 2007-04-17 | 2007-07-12 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment apparatus and short circuit of high frequency current |
US20080246406A1 (en) * | 2005-06-23 | 2008-10-09 | The Regents Of The University Of California | Helicon plasma source with permanent magnets |
JP2014506292A (en) * | 2010-12-23 | 2014-03-13 | エレメント シックス リミテッド | Microwave plasma reactor for producing synthetic diamond materials |
-
2015
- 2015-03-11 JP JP2015047950A patent/JP6455783B2/en active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5990923A (en) * | 1982-10-18 | 1984-05-25 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | Method and device for producing laminar amorphous semiconductor alloy using microwave energy |
US5234723A (en) * | 1990-10-05 | 1993-08-10 | Polar Materials Inc. | Continous plasma activated species treatment process for particulate |
JPH04290428A (en) * | 1990-12-03 | 1992-10-15 | Applied Materials Inc | Plasma reactor using uhf/vhf resonance antenna supply source and method therefor |
JPH0864535A (en) * | 1994-08-18 | 1996-03-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Plasma generator, and method and device for film deposition |
JP2002530856A (en) * | 1998-11-12 | 2002-09-17 | ラム リサーチ コーポレーション | Integrated power supply module for plasma processing system |
JP2001028244A (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Ebara Corp | Beam source |
JP2002319576A (en) * | 2001-02-02 | 2002-10-31 | Anelva Corp | High frequency plasma processing system |
JP2002313785A (en) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Anelva Corp | High frequency plasma treatment equipment |
JP2005158980A (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Kaneka Corp | Cvd system |
JP2006041539A (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Asm Japan Kk | Dual-chamber plasma processing apparatus |
JP2006073354A (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma treatment device |
US20080246406A1 (en) * | 2005-06-23 | 2008-10-09 | The Regents Of The University Of California | Helicon plasma source with permanent magnets |
JP2007180596A (en) * | 2007-04-17 | 2007-07-12 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment apparatus and short circuit of high frequency current |
JP2014506292A (en) * | 2010-12-23 | 2014-03-13 | エレメント シックス リミテッド | Microwave plasma reactor for producing synthetic diamond materials |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230084045A (en) | 2021-12-03 | 2023-06-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6455783B2 (en) | 2019-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110573653B (en) | Improved electrode assembly | |
US20130320853A1 (en) | Passive power distribution for multiple electrode inductive plasma source | |
JP2005285564A (en) | Plasma treatment device | |
TW201944729A (en) | Adaptive counter measure control thwarting IMD jamming impairments for RF plasma systems | |
JP2007103102A (en) | High-frequency power supply device | |
KR20070121014A (en) | Termination of secondary frequency in rf power delivery | |
US20230050506A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US10896810B2 (en) | RF generating apparatus and plasma treatment apparatus | |
JP6455783B2 (en) | High frequency power system and plasma processing apparatus equipped with the same | |
JP5731715B1 (en) | Plasma processing equipment | |
US6879870B2 (en) | Method and apparatus for routing harmonics in a plasma to ground within a plasma enhanced semiconductor wafer processing chamber | |
KR101507738B1 (en) | Apparatus and method for plasma ignition and power control | |
EP3973560B1 (en) | Radio frequency generator | |
JP2008041398A (en) | Microwave generator and microwave processor | |
TWI644597B (en) | High frequency power system and plasma processing apparatus provided therewith | |
US6527927B1 (en) | Vacuum treatment system | |
JP2003179029A (en) | High frequency power supply | |
KR20230078406A (en) | Radio frequency generator power control system for improving noise characteristics | |
WO2024150666A1 (en) | Plasma treatment device and plasma treatment method | |
WO2024004256A1 (en) | Plasma treatment device | |
US20230178338A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR101779463B1 (en) | Plasma generator for plasma substrate processing apparatus | |
JP2023001473A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
KR20230073918A (en) | Auto frequency tuning apparatus using impedance table, plasma power apparatus including it and auto frequency tuning mehtod | |
US20110117682A1 (en) | Apparatus and method for plasma processing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180328 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180403 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20180507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180713 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6455783 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |