JP2015197570A - Manufacturing method of electro-optical device and substrate connection device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板の端子に配線基板が接続された電気光学装置の製造方法、および基板の
端子と配線基板との接続に用いられる基板接続装置に関するものである。
The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device in which a wiring board is connected to a terminal of the substrate, and a substrate connecting apparatus used for connecting the terminal of the substrate and the wiring substrate.
図12に示すように、電気光学装置100は、第1基板10の一方面10s側に電気光
学層50が設けられており、かかる電気光学層50が設けられた電気光学層配置領域10
dによって表示領域10aが構成される。ここで、電気光学装置100が液晶装置の場合
、電気光学層50は液晶層であり、電気光学装置100が有機エレクトロルミネッセンス
装置の場合、電気光学層50は発光層等である。電気光学装置100では、基板接続工程
において、第1基板10の一方面10s側のうち、電気光学層配置領域10d(表示領域
10a)と側面10e(基板側面)との間に設けられた端子102に配線基板60を接続
し、配線基板60を介して第1基板10に信号等を供給する。
As shown in FIG. 12, the electro-
The
かかる基板接続工程では、ステージ240によって第1基板10の他方面10t側を支
持した状態で、加熱した加圧ヘッド250によって、端子102と配線基板60とが異方
性導電膜70を介して重なっている領域を配線基板60側から加圧する。ここで、ステー
ジ240としては、第1基板10の他方面10t側のうち、表示領域10aを含む領域を
支持する第1ステージ210と、第1ステージ210から離間する位置で端子102の形
成領域を支持する第2ステージ220とを備えた構成が提案されている(特許文献1、2
参照)。
In such a substrate connection process, the
reference).
特許文献1、2に記載の基板接続装置において、例えば、第1ステージ210をステン
レス鋼製とし、第2ステージ220を石英製とすれば、第2ステージ220は第1ステー
ジ210より熱伝導性が低い。このため、第1基板10が石英基板である場合、端子10
2の形成領域から第2ステージ220に熱が逃げにくい一方、第1基板10を伝って表示
領域10a(電気光学層50)側に向かおうとする熱を第1ステージ210の側に逃がす
ことができる。従って、異方性導電膜70の温度と電気光学層50の温度との間には大き
な温度差が発生する。それ故、異方性導電膜70の温度が180℃になっても、電気光学
層50の温度は80℃以下であるため、電気光学層50が熱劣化することを防止すること
ができる。
In the substrate connecting apparatuses described in Patent Documents 1 and 2, for example, if the
While heat is unlikely to escape from the formation region 2 to the
しかしながら、第1基板10がシリコン基板等の半導体基板である場合等、第1基板1
0自身の熱伝導性が高い場合には、第1基板10を伝って熱が伝わりやすいため、異方性
導電膜70の温度が上昇しにくいだけでなく、異方性導電膜70の温度と電気光学層50
の温度との差が小さい。それ故、加圧ヘッド250による加熱温度を高めて、異方性導電
膜70の温度を180℃まで上昇させると、電気光学層50の温度が80℃を超えてしま
い、電気光学層50が熱劣化するという問題点がある。
However, when the
When the thermal conductivity of 0 itself is high, heat is easily transmitted through the
The difference from the temperature is small. Therefore, when the heating temperature by the
以上の問題点に鑑みて、本発明は、基板の端子に配線基板を接続する際の熱によって、
電気光学層が熱劣化することを抑制することのできる電気光学装置の製造方法、および基
板接続装置を提供することにある。
In view of the above problems, the present invention is based on the heat generated when connecting the wiring board to the terminals of the board.
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electro-optical device and a substrate connecting device that can suppress thermal degradation of the electro-optical layer.
上記課題を解決するために、本発明は、一方面側に電気光学層が配置された電気光学層
配置領域と基板側面との間に端子が設けられた第1基板と、前記端子に接続された配線基
板と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記端子に前記配線基板を接続する基
板接続工程では、前記第1基板の他方面側のうち、前記電気光学層配置領域と重なる領域
を第1ステージで支持し、該第1ステージと離間する位置で、熱伝導率が前記第1ステー
ジの熱伝導率未満の第2ステージによって、前記第1基板の前記他方面側のうち、前記端
子が設けられている領域と重なる領域を支持し、前記第1ステージと前記第2ステージと
の間において前記第2ステージと離間する位置で、熱伝導率が前記第1ステージの熱伝導
率未満で、前記第2ステージの熱伝導率と同等またはそれ以上の第3ステージによって、
前記第1基板の前記他方面側を支持した状態で、加熱した加圧ヘッドによって前記端子と
前記配線基板とが重なっている領域を前記配線基板側から加圧することを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, the present invention provides a first substrate in which a terminal is provided between an electro-optic layer arrangement region in which an electro-optic layer is arranged on one side and a substrate side surface, and is connected to the terminal. In the substrate connecting step of connecting the wiring substrate to the terminal, the electro-optical layer arrangement region of the other surface side of the first substrate overlaps with the terminal. The region is supported by the first stage, and at a position away from the first stage, the second stage whose thermal conductivity is lower than the thermal conductivity of the first stage, among the other surface side of the first substrate, The region where the terminal overlaps is supported, and the thermal conductivity of the first stage is between the first stage and the second stage so as to be separated from the second stage. Less than that of the second stage The conductivity equal to or higher than the third stage,
A region in which the terminal and the wiring board overlap is pressed from the wiring board side by a heated pressure head while the other surface side of the first board is supported.
また、本発明は、第1基板の一方面に電気光学層が配置された電気光学層配置領域と基
板側面との間に設けられた端子に配線基板を接続する基板接続装置であって、前記第1基
板の他方面側のうち、前記電気光学層配置領域と重なる領域を支持する第1ステージと、
該第1ステージと離間する位置で、前記第1基板の前記他方面側のうち、前記端子が設け
られている領域と重なる領域を支持し、熱伝導率が前記第1ステージの熱伝導率未満の第
2ステージと、前記第1ステージと前記第2ステージとの間において前記第2ステージと
離間する位置で前記第1基板の前記他方面側を支持し、熱伝導率が前記第1ステージの熱
伝導率未満で、前記第2ステージの熱伝導率と同等またはそれ以上の第3ステージと、前
記端子と前記配線基板とが重なっている領域を前記配線基板側から加圧しながら加熱する
加圧ヘッドと、を有することを特徴とする。
Further, the present invention is a board connecting apparatus for connecting a wiring board to a terminal provided between an electro-optic layer arrangement region where an electro-optic layer is arranged on one side of a first board and the side of the board, A first stage that supports a region of the other surface side of the first substrate that overlaps the electro-optic layer arrangement region;
Supporting a region overlapping the region where the terminals are provided on the other surface side of the first substrate at a position separated from the first stage, the thermal conductivity is less than the thermal conductivity of the first stage. And supporting the other surface side of the first substrate at a position spaced from the second stage between the first stage and the second stage, and the thermal conductivity of the first stage is Pressurization that heats a third stage that is less than thermal conductivity and equal to or higher than the thermal conductivity of the second stage, and pressurizes a region where the terminal and the wiring board overlap from the wiring board side. And a head.
本発明では、第2ステージは第1ステージより熱伝導性が低い。このため、第1基板に
おいて端子が形成されている領域から第2ステージへは熱が逃げにくい、また、第1ステ
ージと第2ステージとの間において第2ステージから離間する位置に配置された第3ステ
ージは、第1ステージより熱伝導性が低い。このため、第1基板において端子が形成され
ている領域から第3ステージへは熱が逃げにくい。一方、第1基板を伝って電気光学層配
置領域に向かおうとする熱については第1ステージの側に逃がすことができる。従って、
端子が形成されている領域と電気光学層との温度差が大きいので、端子が形成されて端子
が形成されている領域を十分に加熱しても、電気光学層の温度が低い。よって、基板の端
子に配線基板を接続する際の熱によって、電気光学層が熱劣化することを抑制することが
できる。
In the present invention, the second stage has lower thermal conductivity than the first stage. For this reason, it is difficult for heat to escape from the region where the terminals are formed on the first substrate to the second stage, and between the first stage and the second stage, the second stage is disposed at a position away from the second stage. The three stages have lower thermal conductivity than the first stage. For this reason, heat hardly escapes from the region where the terminals are formed on the first substrate to the third stage. On the other hand, the heat that travels through the first substrate toward the electro-optic layer arrangement region can be released to the first stage side. Therefore,
Since the temperature difference between the region where the terminal is formed and the electro-optical layer is large, the temperature of the electro-optical layer is low even if the region where the terminal is formed and the terminal is sufficiently heated. Therefore, it is possible to suppress thermal degradation of the electro-optic layer due to heat generated when connecting the wiring board to the terminals of the board.
本発明は、前記第1基板が半導体基板である場合に適用すると効果的である。第1基板
が半導体基板である場合には、半導体基板の熱伝導性が高いので、熱が電気光学層に伝わ
りやすいが、本発明によれば、第3ステージを設けたため、端子が形成されている領域と
電気光学層との温度差が大きい。このため、基板の端子に配線基板を接続する際の熱によ
って、電気光学層が熱劣化することを抑制することができる。
The present invention is effective when applied to the case where the first substrate is a semiconductor substrate. When the first substrate is a semiconductor substrate, heat is easily transferred to the electro-optic layer because the semiconductor substrate has high thermal conductivity. However, according to the present invention, since the third stage is provided, the terminal is formed. The temperature difference between the area and the electro-optic layer is large. For this reason, it is possible to suppress thermal degradation of the electro-optic layer due to heat generated when the wiring board is connected to the terminals of the board.
本発明において、前記加圧ヘッドによって前記端子と前記配線基板とが重なっている領
域を加圧している間、前記第1ステージの温度は前記第2ステージの温度未満であり、前
記第3ステージの温度は前記第2ステージの温度以下であり、前記第3ステージの温度は
前記第1ステージの温度以上であることが好ましい。かかる構成によれば、基板の端子に
配線基板を接続する際の熱によって、電気光学層が熱劣化することを抑制することができ
る。
In the present invention, the temperature of the first stage is lower than the temperature of the second stage while pressurizing the region where the terminal and the wiring board overlap with the pressurizing head, and the temperature of the third stage Preferably, the temperature is equal to or lower than the temperature of the second stage, and the temperature of the third stage is equal to or higher than the temperature of the first stage. According to such a configuration, it is possible to suppress thermal degradation of the electro-optic layer due to heat when the wiring board is connected to the terminals of the board.
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記基板接続工程では、前記電気光学
層配置領域と前記端子との間に放熱部材を当接させた状態で、前記加圧ヘッドによって前
記端子と前記配線基板とが重なっている領域を加圧することが好ましい。また、本発明に
係る基板接続装置において、前記第1基板の前記一方面のうち、前記電気光学層配置領域
と前記端子との間に当接する放熱部材をさらに有していることが好ましい。かかる構成に
よれば、第1基板を介して電気光学層に伝わろうとする熱を放熱部材に逃がすことができ
る。従って、電気光学層に放熱部材を直接当接させなくても、電気光学層の温度上昇を抑
制することができる。また、電気光学層に向けて熱を伝える第1基板に放熱部材を当接さ
せて、電気光学層に伝わろうとする熱を放熱部材に逃がすため、電気光学層の温度上昇を
効果的に抑制することができる。それ故、電気光学層の熱劣化を抑制することができる。
In the method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention, in the substrate connecting step, the pressure head causes the terminal and the terminal to be in contact with a heat dissipation member between the electro-optical layer arrangement region and the terminal. It is preferable to pressurize the area where the wiring board overlaps. Moreover, the board | substrate connection apparatus which concerns on this invention WHEREIN: It is preferable to further have a thermal radiation member contact | abutted between the said electro-optical layer arrangement | positioning area | region and the said terminal among the said one surfaces of a said 1st board | substrate. According to this configuration, heat that is transmitted to the electro-optic layer through the first substrate can be released to the heat radiating member. Therefore, the temperature rise of the electro-optic layer can be suppressed without directly contacting the heat radiating member to the electro-optic layer. In addition, since the heat dissipation member is brought into contact with the first substrate that transmits heat toward the electro-optic layer, and the heat that is transmitted to the electro-optic layer is released to the heat dissipation member, the temperature increase of the electro-optic layer is effectively suppressed. be able to. Therefore, thermal degradation of the electro-optic layer can be suppressed.
本発明において、前記放熱部材は、付勢部材によって前記第1基板に向けて付勢された
状態で当該第1基板の前記一方面に当接することが好ましい。かかる構成によれば、放熱
部材が過大な力で第1基板に当接しないので、第1基板の損傷を防止することができる。
また、放熱部材が第1基板に密着するので、第1基板と付勢部材との間での熱伝導性を高
めることができる。
In the present invention, it is preferable that the heat radiating member abuts on the one surface of the first substrate in a state of being urged toward the first substrate by the urging member. According to this configuration, since the heat dissipation member does not contact the first substrate with an excessive force, damage to the first substrate can be prevented.
Moreover, since the heat dissipation member is in close contact with the first substrate, the thermal conductivity between the first substrate and the biasing member can be enhanced.
本発明において、前記放熱部材は、前記付勢部材を介して前記加圧ヘッドに保持されて
いることが好ましい。かかる構成によれば、加圧ヘッドが第1基板に向けて移動した際、
付勢部材および放熱部材も加圧ヘッドに連動して移動し、放熱部材は、付勢部材によって
第1基板に向けて付勢されることになる。従って、放熱部材に対する駆動機構が不要であ
る。
In this invention, it is preferable that the said heat radiating member is hold | maintained at the said pressurization head via the said urging | biasing member. According to this configuration, when the pressure head moves toward the first substrate,
The urging member and the heat radiating member also move in conjunction with the pressure head, and the heat radiating member is urged toward the first substrate by the urging member. Therefore, a driving mechanism for the heat radiating member is unnecessary.
本発明において、前記付勢部材は、保護シートを介して前記第1基板に当接することが
好ましい。かかる構成によれば、第1基板の一方面側において表示領域と端子との間に配
線等が設けられている場合でも、配線等が放熱部材によって損傷することを抑制すること
ができる。
In the present invention, it is preferable that the urging member abuts on the first substrate via a protective sheet. According to such a configuration, even when a wiring or the like is provided between the display region and the terminal on the one surface side of the first substrate, the wiring or the like can be prevented from being damaged by the heat dissipation member.
本発明において、前記基板接続工程では、前記第1基板が位置する側とは反対側から前
記電気光学層を冷却することが好ましい。かかる構成によれば、電気光学層の温度上昇を
より抑えることができるので、電気光学層の熱劣化を抑制することができる。
In the present invention, in the substrate connection step, it is preferable that the electro-optic layer is cooled from the side opposite to the side where the first substrate is located. According to such a configuration, the temperature increase of the electro-optic layer can be further suppressed, so that thermal degradation of the electro-optic layer can be suppressed.
本発明において、前記基板接続工程では、前記ステージのうち、平面視で前記表示領域
と重なる部分を冷却することが好ましい。かかる構成によれば、電気光学層の温度上昇を
より抑えることができるので、電気光学層の熱劣化を抑制することができる。
In the present invention, in the substrate connecting step, it is preferable to cool a portion of the stage that overlaps the display area in plan view. According to such a configuration, the temperature increase of the electro-optic layer can be further suppressed, so that thermal degradation of the electro-optic layer can be suppressed.
本発明は、電気光学装置が液晶装置である場合に適用すると効果的である。液晶装置は
、前記第1基板の前記一方面側にシール材を介して配置された第2基板を有し、前記電気
光学層は、前記第1基板と前記第2基板との間のうち、前記シール材によって囲まれた位
置に設けられた液晶層である。このため、液晶層は、第1基板と反対側が第2基板で覆わ
れているため、第2基板側からは放熱しにくい。しかるに本発明では、端子が形成されて
端子が形成されている領域を十分に加熱しても、電気光学層の温度が低いので、基板の端
子に配線基板を接続する際の熱によって、電気光学層が熱劣化することを抑制することが
できる。
The present invention is effective when applied to a case where the electro-optical device is a liquid crystal device. The liquid crystal device includes a second substrate disposed on the one surface side of the first substrate via a sealing material, and the electro-optic layer is between the first substrate and the second substrate. It is a liquid crystal layer provided at a position surrounded by the sealing material. For this reason, since the liquid crystal layer is covered with the second substrate on the side opposite to the first substrate, it is difficult to radiate heat from the second substrate side. However, in the present invention, even if the region where the terminals are formed and the region where the terminals are formed is sufficiently heated, the temperature of the electro-optic layer is low. It can suppress that a layer heat-degrades.
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各
層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異な
らしめてある。
Embodiments of the present invention will be described below. In the drawings to be referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing.
[実施の形態1]
(電気光学装置の構成)
図1は、本発明が適用される電気光学装置100の一例の説明図であり、図1(a)、
(b)は各々、電気光学装置100を各構成要素とともに第2基板20の側から見た平面
図、およびそのH−H′断面図である。
[Embodiment 1]
(Configuration of electro-optical device)
FIG. 1 is an explanatory diagram of an example of an electro-
FIG. 5B is a plan view of the electro-
図1(a)、(b)に示す電気光学装置100は、液晶装置であり、液晶パネル100
pを有している。液晶パネル100p(電気光学装置100)では、第1基板10(素子
基板)と第2基板20(対向基板)とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り
合わされており、シール材107は第2基板20の外縁に沿うように枠状に設けられてい
る。シール材107は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間
の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材10
7aが配合されている。液晶パネル100pにおいて、第1基板10と第2基板20との
間のうち、シール材107によって囲まれた領域内には、液晶層からなる電気光学層50
が設けられている。従って、本形態では、シール材107によって囲まれた領域が、電気
光学層配置領域10dである。シール材107には、液晶注入口107cとして利用され
る途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口107cは、液晶材料の注入後、封止
材107dによって封止されている。
The electro-
p. In the
7a is blended. In the
Is provided. Therefore, in this embodiment, the region surrounded by the sealing
電気光学装置100において、第1基板10および第2基板20はいずれも四角形であ
り、第1基板10は、X方向(第1方向)で対向する2つの側面10g、10h(基板側
面)と、Y方向(第2方向)で対向する2つの側面10e、10f(基板側面)とを備え
ている。また、第2基板20は、X方向で対向する2つの側面20g、20hと、Y方向
で対向する2つの側面20e、20fとを備えている。
In the electro-
電気光学装置100の略中央には、電気光学層50を備えた表示領域10aが四角形の
領域として設けられており、かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けら
れている。表示領域10aの外側は、四角枠状の外周領域10cになっている。
A
本形態において、第1基板10は第2基板20より平面サイズが大きい。このため、第
1基板10は、第2基板20の側面20eから張り出した張出領域11を有しており、張
出領域11は、第1基板10においてY方向の一方側に位置する側面10eと表示領域1
0aとの間に位置する。
In this embodiment, the
It is located between 0a.
第1基板10の一方面10sおよび他方面10tのうち、第2基板20と対向する一方
面10sの側において、張出領域11には、第1基板10の側面10eに沿って複数の端
子102が形成されている。従って、複数の端子102は、第1基板10の一方面10s
において表示領域10aと側面10eとの間に形成されている。本形態において、端子1
02は、ITO膜等の導電膜からなる。また、第1基板10の一方面10sにおいて、端
子102と表示領域10aとの間にはデータ線駆動回路101が形成され、側面10eに
隣接する他の側面10g、10hの各々に沿って走査線駆動回路104が形成されている
。
Of the one
Are formed between the
02 is made of a conductive film such as an ITO film. Further, on one
端子102は、第1基板10の一方面10sにおいて側面10e側の縁から表示領域1
0aの側に離間した位置に設けられている。端子102には、フレキシブル配線基板等か
らなる配線基板60が異方性導電膜70等により接続されており、第1基板10には、配
線基板60を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。
The terminal 102 is connected to the display region 1 from the edge on the
It is provided at a position separated on the 0a side. A
第1基板10の一方面10sの側において、表示領域10aには、画素電極9aや画素
トランジスター(図示せず)がマトリクス状に配列されている。従って、表示領域10a
は、画素電極9aがマトリクス状に配列された画素電極配列領域10pとして構成されて
いる。かかる構成の第1基板10において、画素電極9aの上層側には配向膜16が形成
されている。第1基板10の一方面10sの側において、表示領域10aより外側の外周
領域10cのうち、表示領域10aとシール材107とに挟まれた四角枠状の周辺領域1
0bには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9bが形成されている。
On the one
Is configured as a pixel
A
第2基板20の一方面20sおよび他方面20tのうち、第1基板10と対向する一方
面20sの側には共通電極21が形成されている。共通電極21は、第2基板20の略全
面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100aに跨って形成されている。本形態に
おいて、共通電極21は、第2基板20の略全面に形成されている。
A
第2基板20の一方面20sの側には、共通電極21の下層側に遮光層29が形成され
、共通電極21の表面には配向膜26が積層されている。配向膜16、26は、ポリイミ
ドや無機配向膜からなる。本形態において、配向膜16、26は、例えば、SiOX(x
<2)、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方
蒸着膜(無機配向膜)からなり、電気光学層50に用いた誘電異方性が負のネマチック液
晶化合物を傾斜垂直配向させる。従って、電気光学装置100は、ノーマリブラックのV
Aモードとして動作する。
A light shielding layer 29 is formed on the lower side of the
<2) An obliquely deposited film (inorganic alignment film) such as SiO 2 , TiO 2 , MgO, Al 2 O 3 , In 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Ta 2 O 5, etc. The nematic liquid crystal compound having a negative dielectric anisotropy is tilted and vertically aligned. Accordingly, the electro-
Operates as A mode.
遮光層29は、表示領域10aの外周縁に沿って延在する額縁部分29aとして形成さ
れており、遮光層29の内周縁によって表示領域10aが規定されている。また、遮光層
29は、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部
29bとしても形成されている。額縁部分29aはダミー画素電極9bと重なる位置に形
成されており、額縁部分29aの外周縁は、シール材107の内周縁との間に隙間を隔て
た位置にある。従って、額縁部分29aとシール材107とは重なっていない。
The light shielding layer 29 is formed as a frame portion 29 a extending along the outer peripheral edge of the
電気光学装置100において、シール材107より外側には、第2基板20の一方面2
0sの側の4つの角部分に基板間導通用電極25が形成されており、第1基板10の一方
面10sの側には、第2基板20の4つの角部分(基板間導通用電極25)と対向する位
置に基板間導通用電極19が形成されている。本形態において、基板間導通用電極25は
、共通電極21の一部からなる。基板間導通用電極19には、共通電位Vcomが印加され
ている。基板間導通用電極19と基板間導通用電極25との間には、導電粒子を含んだ基
板間導通材19aが配置されており、第2基板20の共通電極21は、基板間導通用電極
19、基板間導通材19aおよび基板間導通用電極25を介して、第1基板10側に電気
的に接続されている。このため、共通電極21は、第1基板10の側から共通電位Vcom
が印加されている。シール材107は、略同一の幅寸法をもって第2基板20の外周縁に
沿って設けられているが、第2基板20の角部分と重なる領域では基板間導通用電極19
、25を避けて内側を通るように設けられている。
In the electro-
Inter-substrate conduction electrodes 25 are formed at four corners on the 0 s side, and four corner portions (inter-substrate conduction electrode 25) of the
Is applied. The sealing
, 25 so as to pass through the inside.
(基板本体10w、20w等の構成)
電気光学装置100は、透過型液晶装置または反射型液晶装置等を用いることができる
。電気光学装置100が透過型液晶装置である場合、第1基板10の基板本体10w、お
よび第2基板20の基板本体20wのいずれにも、石英基板等の透光性基板が用いられる
。また、電気光学装置100が透過型液晶装置である場合、画素電極9aおよび共通電極
21は、ITO(Indium Tin Oxide)膜やIZO(Indium Zinc Oxide)膜等の透光性導
電膜により形成される。かかる透過型の液晶装置(電気光学装置100)では、例えば、
第2基板20の側から入射した光が第1基板10の側から出射される間に変調されて画像
を表示する。
(Configuration of the
The electro-
Light incident from the
電気光学装置100が反射型液晶装置である場合、共通電極21は、ITO膜やIZO
膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極9aは、アルミニウム膜等の反射性導電膜
により形成される。かかる反射型の液晶装置(電気光学装置100)では、第1基板10
および第2基板20のうち、第2基板20の側から入射した光が第1基板10で反射して
出射される間に変調されて画像を表示する。このため、電気光学装置100が反射型液晶
装置である場合、第1基板10の基板本体10w、および第2基板20の基板本体20w
のいずれにも、石英基板等の透光性基板を用いることができる。また、電気光学装置10
0が反射型液晶装置である場合、第2基板20の基板本体20wに石英基板等の透光性基
板を用い、第1基板10の基板本体10wには、シリコン基板等の半導体基板を用いるこ
とができる。
When the electro-
The
Of the
In either case, a light-transmitting substrate such as a quartz substrate can be used. Further, the electro-
When 0 is a reflective liquid crystal device, a translucent substrate such as a quartz substrate is used for the
以下の説明では、電気光学装置100が反射型液晶装置であり、第2基板20の基板本
体20wに石英基板が用いられ、第1基板10の基板本体10wには、シリコン基板が用
いられている場合を例示する。
In the following description, the electro-
電気光学装置100は、例えば、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子
機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第2基板20には、カラーフ
ィルター(図示せず)が形成される。また、電気光学装置100は、電子ペーパーとして
用いることができる。また、電気光学装置100では、電気光学層50に使用する液晶材
料の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィ
ルム、位相差フィルム、偏光板等が電気光学装置100に対して所定の向きに配置される
。さらに、電気光学装置100は、後述する投射型表示装置(液晶プロジェクター)にお
いて、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各電気
光学装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された
各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されな
い。
The electro-
(基板接続装置200の構成)
図2は、本発明の実施の形態1に係る基板接続装置200の要部構成を模式的に示す説
明図であり、電気光学装置100および基板接続装置200をY方向に沿って切断した様
子を模式的に示してある。図3は、本発明を適用した基板接続装置200に用いたステー
ジ240の説明図であり、図3(a)、(b)は、第1ステージ210と第2ステージ2
20との間のみに第3ステージ230を設けた場合の説明図、および第1ステージ210
の周りに第3ステージ230を設けた場合の説明図である。
(Configuration of the substrate connecting apparatus 200)
FIG. 2 is an explanatory view schematically showing a main configuration of the
FIG. 6 is an explanatory diagram when the
It is explanatory drawing at the time of providing the
図2に示す基板接続装置200は、第1基板10の一方面10sにおいて電気光学層5
0が設けられた電気光学層配置領域10d(表示領域10a)と側面10eとの間に設け
られた端子102に配線基板60を接続するための装置であり、端子102と配線基板6
0との接続は、液晶パネル100pの状態で行われる。配線基板60は、フレキシブル配
線基板であり、ポリイミド等のベースフィルム61に対して、配線層62およびソルダー
レジスト63が順に積層された構造になっている。配線層62のうち、ソルダーレジスト
63から露出している部分が、端子102に接続される端子として利用される。本形態に
おいて、第1基板10の端子102と配線基板60とは異方性導電膜70によって接続さ
れる。
A
0 is an apparatus for connecting the
Connection to 0 is performed in the state of the
本形態の基板接続装置200は、第1基板10の他方面10t側を支持するステージ2
40と、端子102と配線基板60とが異方性導電膜70を介して重なっている領域を配
線基板60側から加圧しながら加熱する加圧ヘッド250とを有しており、加圧ヘッド2
50は、ヘッド駆動装置(図示せず)によって、矢印Aで示すように、ステージ240に
接近する方向および離間する方向に上下駆動される。加圧ヘッド250にはヒーター25
5が内蔵されている。ヒーター255は、加圧ヘッド250が設定温度になるまで一定電
流が連続通電される構成の他、加圧ヘッド250の現状温度と設定温度との差に応じた電
流が通電される構成を有している。
The
40, and a
50 is driven up and down by a head driving device (not shown) in a direction approaching and separating from the
5 is built-in. The
ステージ240は、第1基板10の他方面10t側のうち、電気光学層配置領域10d
と重なる領域を支持する第1ステージ210と、第1ステージ210の側方で端子102
の形成領域と重なる領域を支持する第2ステージ220とを備えている。第2ステージ2
20は固定であるのに対して、第1ステージ210は、ステージ駆動装置(図示せず)に
よって、矢印Cで示すように、上下方向に駆動される。また、ステージ駆動装置は、第1
ステージ210を液晶パネル100p(第1基板10)の面内方向(厚さ方向に直交する
方向)にも搬送可能である。
The
The
And a
While 20 is fixed, the
The
ステージ240において、第1ステージ210と第2ステージ220とは離間しており
、第1ステージ210と第2ステージ220との間には第3ステージ230が設けられて
いる。第3ステージ230は、第2ステージ220と離間し、第1ステージ210と隣り
合う位置に配置されている。第2ステージ220および第3ステージ230の幅寸法(Y
方向の寸法)は、第1ステージ210より狭く、第3ステージ230の幅寸法(Y方向の
寸法)は、第2ステージ220より狭い。本形態において、第3ステージは、第1ステー
ジ210と接する構成になっているが、第1ステージ210と離間している構成であって
もよい。
In the
(Dimension in the direction) is narrower than that of the
本形態においては、図3(a)に示すように、第1ステージ210は、四角形の板状で
あり、第2ステージ220は、第1ステージ210の1つの面に対向する板状である。ま
た、第3ステージ230は、第1ステージ210と第2ステージ220との間に板状に設
けられている。また、図3(b)に示すように、第3ステージ230は、第1ステージ2
10の周りを全周にわたって囲む枠状であってもよい。また、第3ステージ230は、固
定式、および第1ステージ210と連動して移動する方式のいずれであってもよい。
In the present embodiment, as shown in FIG. 3A, the
It may be a frame shape surrounding the entire circumference of 10. The
このように構成したステージ240において、第2ステージ220の熱伝導率は、第1
ステージ210の熱伝導率未満である。また、第3ステージ230の熱伝導率は、第1ス
テージ210の熱伝導率未満で、第2ステージ220の熱伝導率以上であり、各ステージ
熱伝導率は、以下の関係
第2ステージ220≦第3ステージ230<第1ステージ210
を有している。
In the
It is less than the thermal conductivity of
have.
本形態において、第1ステージ210はステンレス鋼等の金属製であり、第2ステージ
220は石英製であり、第3ステージ230は、第2ステージ220と同様、石英製であ
る。第1ステージ210は、各種ステンレス鋼のうち、SUS304(ステンレス鋼)製
からなる。この場合、第2ステージ220と第3ステージ230は、熱伝導率が等しいが
、第3ステージ230は、第2ステージ220より熱伝導率が高くてもよい。
In this embodiment, the
本形態において、第2ステージ220には、ヒーター225が内蔵されており、予備加
熱が可能である。第1ステージ210および第3ステージ230にも、予備加熱用のヒー
ター(図示せず)が設けられることがある。
In this embodiment, the
(電気光学装置100の製造方法)
本形態の電気光学装置100の製造工程では、液晶パネル100pを製造した後、基板
接続工程において、液晶パネル100pの第1基板10の端子102に配線基板60を接
続して電気光学装置100とする。
(Method of manufacturing electro-optical device 100)
In the manufacturing process of the electro-
かかる基板接続工程では、まず、第2ステージ220を130℃程度の温度にまで予備
加熱しておく。また、第1ステージ210についても130℃程度の温度にまで予備加熱
しておくことがある。この時点では、第1ステージ210は、第2ステージ220より上
方で待機している。
In the substrate connection step, first, the
次に、液晶パネル100pを第1ステージ210に載置し、液晶パネル100pの第1
基板10の他方面10tが第1ステージ210に支持された状態とする。次に、第1ステ
ージ210が移動し、第1基板10の他方面10tのうち、端子102が形成されている
領域が第2ステージ220に支持される。その結果、第1ステージ210は、第1基板1
0の他方面10t側のうち、電気光学層配置領域10dと重なる領域を支持し、第2ステ
ージ220は、第1ステージ210から離間する位置で、第1基板10の他方面10t側
のうち、端子102が設けられている領域と重なる領域を支持した状態となる。また、第
3ステージ230は、第1ステージ210と第2ステージ220との間において第2ステ
ージ220と離間する位置で第1基板10の他方面10t側を支持した状態となる。本形
態において、第1ステージ210は、電気光学層配置領域10dと重なる領域より広い領
域を支持しており、封止材107dおよびシール材107と重なる領域も支持している。
このため、第3ステージ230は、封止材107dおよびシール材107に対して端子1
02側で隣り合う領域と重なる領域を支持している。
Next, the
It is assumed that the
Of the
Therefore, the
A region overlapping with the adjacent region on the 02 side is supported.
次に、第1基板10の端子102が形成されている領域に対して配線基板60が異方性
導電膜70を介して重なった状態とする。その際、異方性導電膜70を第1基板10の側
に設けた後、配線基板60を第1基板10に重ねる。また、配線基板60に異方性導電膜
70を仮固定しておき、その後、配線基板60を第1基板10に重ねてもよい。ここで、
配線基板60は、液晶パネル100pの電気光学層配置領域10d(表示領域10a)の
側に位置する縁が、端子102より表示領域10a側に位置するように第1基板10に重
ねられる。また、配線基板60は、ソルダーレジスト63が、第1基板10の一方面10
sに対して0.2mm程度重なるように第1基板10に重ねられる。
Next, the
The
It is overlaid on the
次に、加熱した加圧ヘッド250を下降させ、加圧ヘッド250によって端子102と
配線基板60とが重なっている領域を配線基板60側から加圧する。その結果、異方性導
電膜70が180℃以上の温度、例えば200℃まで加熱され、異方性導電膜70の樹脂
成分が溶融する。その間、第1ステージ210の温度は第2ステージ220の温度未満で
あり、第3ステージ230の温度は第2ステージ220の温度以下であり、第3ステージ
230の温度は第1ステージ210の温度以上である。
Next, the
次に、加圧ヘッド250を上昇させて加圧ヘッド250を配線基板60から離間させ、
異方性導電膜70の樹脂成分を固化させる。このようにして、第1基板10の一方面10
sでは、異方性導電膜70によって端子102に配線基板60が接続されると、電気光学
装置100が得られる。しかる後には、第1ステージ210が移動し、電気光学装置10
0の排出が行われる。以降、別の液晶パネル100pに対する配線基板60の接続工程が
実行される。
Next, the
The resin component of the anisotropic
In s, when the
Zero discharge is performed. Thereafter, the connection process of the
(本形態の作用および主な効果)
図7は、本発明の実施の形態1に係る基板接続装置200における熱の流れを模式的に
示す説明図である。
(Operation and main effect of this form)
FIG. 7 is an explanatory diagram schematically showing the flow of heat in the
本形態の電気光学装置100において、第2基板20の基板本体20wが石英基板であ
り、第1基板10の基板本体10wはシリコン基板である。また、基板接続装置200に
おいて、第1ステージ210はSUS製であり、第2ステージ220は石英製であり、第
3ステージ230は石英製である。
In the electro-
ここで、各材料の熱伝導率は、以下の値
石英=1.66W・m-1・K-1
SUS304=16.7W・m-1・K-1
シリコン=149W・m-1・K-1
アルミニウム=236W・m-1・K-1
である。このため、各部材の熱伝導率は、以下の関係
第3ステージ230≦第2ステージ220<第1ステージ210<第1基板10
を有している。
Here, the thermal conductivity of each material is as follows: Quartz = 1.66 W · m −1 · K −1
SUS304 = 16.7 W · m −1 · K −1
Silicon = 149W ・ m −1・ K −1
Aluminum = 236W ・ m -1・ K -1
It is. Therefore, the thermal conductivity of each member has the following relationship:
have.
従って、加圧ヘッド250からの熱によって異方性導電膜70が加熱された際、異方性
導電膜70の熱は、矢印E1で示すように、第2ステージ220に伝わるが、第2ステー
ジ220は、熱伝導性が低い。このため、熱が第2ステージ220から逃げにくい。また
、異方性導電膜70の熱は、矢印E5で示すように、第3ステージ230に伝わるが、第
3ステージ230は、熱伝導性が低い。このため、熱が第3ステージ230から逃げにく
い。従って、第2ステージ220および第3ステージ230によって、端子102が形成
されている領域や異方性導電膜70からの放熱を抑制することができるので、異方性導電
膜70を十分に加熱することができる。
Therefore, when the anisotropic
また、異方性導電膜70の熱は、矢印E3で示すように、第1基板10を介して表示領
域10aの電気光学層50に伝わろうとするが、かかる熱は、矢印E2で示すように、熱
伝導性が高い第1ステージ210に逃げる。このため、加圧ヘッド250によって端子1
02と配線基板60とが重なっている領域を加圧している間、第1ステージ210の温度
は第2ステージ220の温度未満であり、第3ステージ230の温度は第2ステージ22
0の温度以下であり、第3ステージ230の温度は第1ステージ210の温度以上である
。
Further, the heat of the anisotropic
While the area where 02 and the
The temperature of the
特に本形態では、第1基板10がシリコン基板(半導体基板)であるため、熱伝導性が
高いが、本形態では、第2ステージ220および第3ステージ230によって、端子10
2が形成されている領域や異方性導電膜70からの放熱を抑制し、電気光学層50に伝わ
ろうとする熱を第1ステージ210に逃がしている。
In particular, in this embodiment, since the
2, heat dissipation from the region where 2 is formed and the anisotropic
従って、端子102が形成されている領域や異方性導電膜70の温度と、電気光学層5
0の温度との差が大きい。それ故、端子102が形成されている領域や異方性導電膜70
を十分に加熱しても、電気光学層50の温度が低い。例えば、異方性導電膜70を180
℃以上の温度まで加熱しても、電気光学層50の温度が80℃を超えにくい。よって、第
1基板10の端子102に配線基板60を接続する際の熱によって、電気光学層50が熱
劣化することを抑制することができる。
Accordingly, the region where the terminal 102 is formed, the temperature of the anisotropic
The difference from the temperature of 0 is large. Therefore, the region where the terminal 102 is formed or the anisotropic
Even if the layer is sufficiently heated, the temperature of the electro-
Even if the electro-
また、第1基板10の端子102に配線基板60を接続する際の熱によって、電気光学
層50が熱劣化しにくいたため、電気光学層配置領域10dと端子102との距離を狭め
ることができるので、電気光学装置100の小型化を図ることができる。
In addition, since the electro-
[実施の形態2]
図5は、本発明の実施の形態2に係る基板接続装置200の要部構成を模式的に示す説
明図であり、電気光学装置100および基板接続装置200をY方向に沿って切断した様
子を模式的に示してある。図6は、本発明の実施の形態2に係る基板接続装置200にお
いて、加圧ヘッド250と放熱部材280とを付勢部材290を介して連結した形態を模
式的に示す説明図である。図7は、本発明の実施の形態2に係る基板接続装置200にお
ける熱の流れを模式的に示す説明図である。なお、本形態および後述する実施の形態3、
4、5の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号
を付して図示し、それらの詳細な説明を省略する。
[Embodiment 2]
FIG. 5 is an explanatory view schematically showing the configuration of the main part of the
Since the basic configurations 4 and 5 are the same as those in the first embodiment, common portions are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.
図5に示す基板接続装置200も、実施の形態1と同様、ステージ240は、金属製の
第1ステージ210と、石英製の第2ステージ220と、石英製の第3ステージ230と
を有している。本形態の基板接続装置200は、加圧ヘッド250に対して、配線基板6
0が位置する側とは反対側で隣り合う位置に放熱部材280が設けられている。かかる放
熱部材280は、放熱部材駆動装置(図示せず)によって、矢印Bで示すように、ステー
ジ240に接近する方向および離間する方向に上下駆動される。放熱部材280は、第1
基板10より熱伝導性が高い部材、例えば、金属製の板状部材からなる。本形態において
、放熱部材280は、アルミニウム製の板状部材からなる。
5 also includes a
A
It consists of a member with higher thermal conductivity than the
また、図6に示すように、放熱部材280と加圧ヘッド250とコイルバネ等の付勢部
材290を介して連結され、放熱部材280と加圧ヘッド250とが一体に駆動されるこ
ともある。いずれの場合も、放熱部材280は、加圧ヘッド250と連動してステージ2
40に接近する方向および離間する方向に駆動される。
In addition, as shown in FIG. 6, the
It is driven in a direction toward 40 and a direction away from it.
図6(a)に示す形態では、加圧ヘッド250から側方に突出した支持部材251と放
熱部材280との間に付勢部材290が配置されており、第1基板10に放熱部材280
が当接するタイミングと、加圧ヘッド250が配線基板60に当接するタイミングとが同
時である。これに対して、図6(b)に示す形態では、図6(a)に示す形態より、放熱
部材280が下方に位置する。このため、第1基板10に放熱部材280が当接した後、
加圧ヘッド250が配線基板60に当接する。
In the form shown in FIG. 6A, the urging
The timing at which the
The
このように構成した基板接続装置200では、基板接続工程において、放熱部材280
および加圧ヘッド250を下降させ、第1基板10の一方面10sのうち、電気光学層配
置領域10d(表示領域10a)と端子102との間12に放熱部材280を当接させ、
この状態で、加熱した加圧ヘッド250によって端子102と配線基板60とが重なって
いる領域を配線基板60側から加圧する。その際、第1基板10に放熱部材280が当接
するタイミングと、加圧ヘッド250が配線基板60に当接するタイミングとが同時であ
ってもよいし、第1基板10に放熱部材280が当接するタイミングと、加圧ヘッド25
0が配線基板60に当接するタイミングとがずれていてもよい。例えば、第1基板10に
放熱部材280が当接した後、加圧ヘッド250が配線基板60に当接する構成であって
もよいし、加圧ヘッド250が配線基板60に当接した後、第1基板10に放熱部材28
0が当接する構成であってもよい。
In the
Then, the
In this state, a region where the terminal 102 and the
The timing at which 0 contacts the
The structure which 0 contacts may be sufficient.
本形態では、配線基板60は、液晶パネル100pの表示領域10aの側に位置する縁
が、端子102より表示領域10a側に位置している。また、液晶パネル100pにおい
て、第2基板20の側面20eには封止材107dが設けられている。従って、放熱部材
280は、第1基板10の一方面10sに対して、電気光学層配置領域10d(表示領域
10a)と端子102との間12のうち、封止材107dと配線基板60の表示領域10
aの側の縁とに挟まれた領域に当接する。
In this embodiment, the
It abuts on the region sandwiched between the a-side edge.
次に、放熱部材280および加圧ヘッド250を上昇させ、放熱部材280を第1基板
10から離間させるとともに、加圧ヘッド250を配線基板60から離間させ、異方性導
電膜70の樹脂成分を固化させる。その際、第1基板10から放熱部材280が離間する
タイミングと、加圧ヘッド250が配線基板60から離間するタイミングとが同時であっ
てもよいし、第1基板10から放熱部材280が離間するタイミングと、加圧ヘッド25
0が配線基板60から離間するタイミングとがずれていてもよい。例えば、第1基板10
から放熱部材280が離間した後、加圧ヘッド250が配線基板60から離間する構成で
あってもよいし、加圧ヘッド250が配線基板60から離間した後、第1基板10から放
熱部材280が離間する構成であってもよい。
Next, the
The timing at which 0 is separated from the
After the
このように本形態では、第2ステージ220および第3ステージ230によって、端子
102が形成されている領域や異方性導電膜70からの放熱を抑制し、電気光学層50に
伝わろうとする熱を第1ステージ210に逃がしているため、実施の形態1と同様な効果
を奏する。また、本形態では、第1基板10の一方面10sのうち、電気光学層配置領域
10d(表示領域10a)と端子102との間12に放熱部材280を当接させる。この
ため、図7に示すように、異方性導電膜70の熱は、矢印E3で示すように、第1基板1
0を介して表示領域10aの電気光学層50に伝わろうとするが、第1基板10の一方面
10sには、端子102と表示領域10aとの間に放熱部材280が当接している。この
ため、第1基板10を介して電気光学層50に伝わろうとする熱は、矢印E4で示すよう
に、電気光学層50に伝わる前に放熱部材280に逃げ、放熱される。
As described above, in the present embodiment, the
The
従って、電気光学層50に放熱部材280を直接当接させなくても、電気光学層50の
温度上昇を抑制することができる。また、電気光学層50に向けて熱を伝える第1基板1
0に放熱部材280を当接させて、電気光学層50に伝わろうとする熱を放熱部材280
に逃がすため、電気光学層50の温度上昇を効果的に抑制することができる。特に本形態
では、第1基板10がシリコン基板(半導体基板)であるため、熱伝導性が高いが、本形
態では、電気光学層50に向けて熱を伝える第1基板10に放熱部材280を当接させて
、電気光学層50に伝わろうとする熱を放熱部材280に逃がす。このため、電気光学層
50の温度上昇を確実に抑制することができる。それ故、異方性導電膜70を180℃以
上の温度まで加熱しても、電気光学層50の温度が80℃を超えることを防止することが
できるので、電気光学層50の熱劣化を抑制することができる。
Accordingly, the temperature increase of the electro-
The
Therefore, the temperature increase of the electro-
また、図6を参照して説明したように、放熱部材280は、付勢部材290によって第
1基板10に向けて付勢した場合には、放熱部材280が過大な力で第1基板10に当接
しないので、第1基板10の損傷を防止することができる。また、放熱部材280が第1
基板10に密着するので、第1基板10と放熱部材280との間での熱伝導性を高めるこ
とができる。従って、電気光学層50の温度上昇を抑えることができるので、電気光学層
50の熱劣化を抑制することができる。また、図6を参照して説明したように、放熱部材
280が付勢部材290を介して加圧ヘッド250に保持されている場合には、加圧ヘッ
ド250が第1基板10に向けて移動した際、付勢部材290および放熱部材280も加
圧ヘッド250に連動して移動し、放熱部材280は、付勢部材290によって第1基板
10に向けて付勢されることになる。従って、放熱部材280に対する駆動機構が不要で
ある。
Further, as described with reference to FIG. 6, when the
Since it adheres to the
[実施の形態3]
図8は、本発明の実施の形態3に係る基板接続装置200の要部構成を模式的に示す説
明図であり、電気光学装置100および基板接続装置200をY方向に沿って切断した様
子を模式的に示してある。
[Embodiment 3]
FIG. 8 is an explanatory view schematically showing a main configuration of the
実施の形態1では、放熱部材280が第1基板10の一方面10sに直接当接していた
が、本形態においては、図8に示すように、放熱部材280が保護シート270を介して
第1基板10の一方面10sに当接している。本形態において、保護シート270は樹脂
シート等の弾性を有するシートである。その他の構成は実施の形態2と同様である。
In the first embodiment, the
本形態によれば、第1基板10の一方面10s側において表示領域10aと端子102
との間に配線等が設けられている場合でも、配線等が放熱部材280によって損傷するこ
とを抑制することができる。
According to this embodiment, the
Even when a wiring or the like is provided between them, the wiring and the like can be prevented from being damaged by the
[実施の形態4]
図9は、本発明の実施の形態4に係る基板接続装置200の要部構成を模式的に示す説
明図であり、電気光学装置100および基板接続装置200をY方向に沿って切断した様
子を模式的に示してある。
[Embodiment 4]
FIG. 9 is an explanatory view schematically showing the main configuration of the
実施の形態1では、第2基板20側に対する強制冷却を行わなかったが、本形態におい
ては、図9に示すように、第1基板10が位置する側とは反対側から電気光学層50を強
制冷却する。より具体的には、第2基板20の他方面20tに対して、矢印Gで示すよう
に、ノズル260から冷却空気等の冷却気体を吹き付ける。本形態では、第2基板20の
他方面20tに対して、端子102が位置する側とは反対側から斜めに冷却気体を吹き付
ける。その他の構成は実施の形態2と同様である。
In the first embodiment, forced cooling is not performed on the
本形態においては、第1基板10が位置する側とは反対側から電気光学層50を強制冷
却する。このため、電気光学層50の温度上昇をより抑えることができるので、電気光学
層50の熱劣化を抑制することができる。なお、本形態は、実施の形態1に適用してもよ
い。また、第1基板10が位置する側とは反対側からの強制冷却としては、冷却気体の吹
き付けの他、ベルチェ素子を備えた冷却部材や、内部を冷媒が流れる冷却部材を第2基板
20に当接させてもよい。
In this embodiment, the electro-
[実施の形態5]
図10は、本発明の実施の形態5に係る基板接続装置200の要部構成を模式的に示す
説明図であり、電気光学装置100および基板接続装置200をY方向に沿って切断した
様子を模式的に示してある。
[Embodiment 5]
FIG. 10 is an explanatory view schematically showing the main configuration of the
実施の形態1では、ステージ240に対して強制冷却を行わなかったが、本形態におい
ては、図10に示すように、ステージ240のうち、平面視で表示領域10aと重なる部
分を強制冷却する。より具体的には、第1ステージ210に穴215を設け、かかる穴2
15内に、冷媒を流す強制冷却、ベルチェ素子を備えた冷却部材を配置した強制冷却、あ
るいは内部を冷媒が流れる冷却部材を配置した強制冷却を行う。その他の構成は実施の形
態2と同様である。
In the first embodiment, the forced cooling is not performed on the
15 is forcibly cooled by flowing a refrigerant, forcibly cooled by a cooling member provided with a Bertier element, or forcibly cooled by a cooling member through which a refrigerant flows. Other configurations are the same as those of the second embodiment.
本形態においては、ステージ240のうち、平面視で表示領域10aと重なる部分を強
制冷却するため、電気光学層50の温度上昇をより抑えることができる。それ故、電気光
学層50の熱劣化を抑制することができる。なお、本形態は、実施の形態1、4に適用し
てもよい。
In the present embodiment, the portion of the
[他の電気光学装置の構成例]
上記実施の形態においては、異方性導電膜を用いた基板の接続を行ったが、異方性導電
ペーストを用いる場合に本発明を適用してもよい。また、低融点ハンダを用いて基板の接
続を行う場合に本発明を適用してもよい。
[Configuration example of other electro-optical device]
In the above embodiment, the substrates are connected using the anisotropic conductive film, but the present invention may be applied when using the anisotropic conductive paste. Further, the present invention may be applied to the case where the substrates are connected using low melting point solder.
上記実施の形態では、シール材107の液晶注入口107cを封止材107dによって
封止したが、シール材107に液晶注入口107cがなく、表示領域10aと端子102
との間に封止材107dが設けられていない場合に本発明を適用してもよい。また、基板
の接続については、第2基板20の他方面20tに防塵ガラス等を貼付した状態で行って
もよい。
In the above embodiment, the liquid
The present invention may be applied when the sealing
上記実施の形態において、電気光学装置100は反射型液晶装置であったが、電気光学
装置100が透過型液晶装置である場合に本発明を適用してもよい。また、電気光学装置
100が有機エレクトロルミネッセンス装置である場合に本発明を適用してもよく、この
場合、電気光学層50は発光層等である。
In the above embodiment, the electro-
[電子機器への搭載例]
(投射型表示装置の構成例)
図11は、本発明を適用した投射型表示装置(電子機器)の一例の概略構成図である。
図11に示す投射型表示装置1000は、光源光を発生する光源部1021と、光源部1
021から出射された光源光を赤色光R、緑色光G、および青色光Bの3色の色光に分離
する色分離導光光学系1023と、色分離導光光学系1023から出射された各色の光源
光によって照明される光変調部1025とを有している。また、投射型表示装置1000
は、光変調部1025から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズ
ム1027(合成光学系)と、クロスダイクロイックプリズム1027を経た像光をスク
リーン(不図示)に投射する投射光学系1029とを備えている。本形態において、光変
調部1025を構成する複数の電気光学装置100(反射型液晶装置)、およびクロスダ
イクロイックプリズム1027(光合成光学系)は、光学ユニット1200を構成してい
る。
[Example of mounting on electronic devices]
(Configuration example of a projection display device)
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of an example of a projection display device (electronic device) to which the present invention is applied.
A
The color separation light guide
Includes a cross dichroic prism 1027 (combining optical system) that combines the image light of each color emitted from the
かかる投射型表示装置1000において、光源部1021は、光源1021aと、一対
のフライアイ光学系1021d、1021eと、偏光変換部材1021gと、重畳レンズ
1021iとを備えている。本形態においては、光源部1021は、放物面からなるリフ
レクタ1021fを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系1021d、10
21eは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズか
らなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変
換部材1021gは、フライアイ光学系1021eから出射した光源光を、例えば図面に
平行なp偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ1021iは
、偏光変換部材1021gを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調
部1025に設けた複数の電気光学装置100を各々均一に重畳照明可能とする。
In the
21e is composed of a plurality of element lenses arranged in a matrix in a plane orthogonal to the system optical axis, and the light source light is divided by these element lenses to be individually condensed and diverged. The
色分離導光光学系1023は、クロスダイクロイックミラー1023aと、ダイクロイ
ックミラー1023bと、反射ミラー1023j、1023kとを備える。色分離導光光
学系1023において、光源部1021からの略白色の光源光は、クロスダイクロイック
ミラー1023aに入射する。クロスダイクロイックミラー1023aを構成する一方の
第1ダイクロイックミラー1031aで反射された赤色光Rは、反射ミラー1023jで
反射されダイクロイックミラー1023bを透過して、入射側偏光板1037r、p偏光
を透過させる一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032r、および光学補
償板1039rを介して、p偏光のまま、電気光学装置100(赤色用液晶パネル100
R)に入射する。
The color separation light guide
R).
また、第1ダイクロイックミラー1031aで反射された緑色光Gは、反射ミラー10
23jで反射され、その後、ダイクロイックミラー1023bでも反射されて、入射側偏
光板1037g、p偏光を透過させる一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1
032g、および光学補償板1039gを介して、p偏光のまま、電気光学装置100(
緑色用液晶パネル100G)に入射する。
Further, the green light G reflected by the first
23j, then reflected by the
032g and the
The light enters the green
これに対して、クロスダイクロイックミラー1023aを構成する他方の第2ダイクロ
イックミラー1031bで反射された青色光Bは、反射ミラー1023kで反射されて、
入射側偏光板1037b、p偏光を透過する一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏
光板1032b、および光学補償板1039bを介して、p偏光のまま、電気光学装置1
00(青色用液晶パネル100B)に入射する。なお、光学補償板1039r、1039
g、1039bは、電気光学装置100への入射光および出射光の偏光状態を調整するこ
とで、液晶層の特性を光学的に補償している。
On the other hand, the blue light B reflected by the other second
Incident-side
00 (incident on the blue
g and 1039b optically compensate the characteristics of the liquid crystal layer by adjusting the polarization state of the incident light and the outgoing light to the electro-
このように構成した投射型表示装置1000では、光学補償板1039r、1039g
、1039bを経て入射した3色の光は各々、各電気光学装置100において変調される
。その際、電気光学装置100から出射された変調光のうち、s偏光の成分光は、ワイヤ
ーグリッド偏光板1032r、1032g、1032bで反射し、出射側偏光板1038
r、1038g、1038bを介してクロスダイクロイックプリズム1027に入射する
。クロスダイクロイックプリズム1027には、X字状に交差する第1誘電体多層膜10
27aおよび第2誘電体多層膜1027bが形成されており、一方の第1誘電体多層膜1
027aは赤色光Rを反射し、他方の第2誘電体多層膜1027bは青色光Bを反射する
。従って、3色の光は、クロスダイクロイックプリズム1027において合成され、投射
光学系1029に出射される。そして、投射光学系1029は、クロスダイクロイックプ
リズム1027で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン(図示せず。)に
投射する。
In the
Each of the three colors of light incident through 1039b is modulated in each electro-
The light enters the cross
27a and a second
027a reflects red light R, and the other second
(他の投射型表示装置)
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を
用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の電気光学装置(液晶装置)に供
給するように構成してもよい。
(Other projection display devices)
For the projection display device, an LED light source that emits light of each color is used as the light source unit, and the color light emitted from the LED light source is supplied to another electro-optical device (liquid crystal device). It may be configured.
(他の電子機器)
本発明を適用した電気光学装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話
機、情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)、デジタルカメラ、液晶テ
レビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等
の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
(Other electronic devices)
As for the electro-
9a・・画素電極、10・・第1基板、10a・・表示領域、10d・・電気光学層配置
領域、10e〜10h・・第1基板の側面、10s・・第1基板の一方面、10t・・第
1基板の他方面、10w・・基板本体、11・・張出領域、12・・表示領域と端子との
間、20・・第2基板、20w・・基板本体、50・・電気光学層、60・・配線基板、
70・・異方性導電膜、100・・電気光学装置、100p・・液晶パネル、102・・
端子、200・・基板接続装置、210・・第1ステージ、215・・第1ステージの強
制冷却用の穴、220・・第2ステージ、225・・第2ステージのヒーター、230・
・第3ステージ、240・・ステージ、250・・加圧ヘッド、251・・支持部材、2
55・・加圧ヘッドのヒーター、260・・ノズル、270・・保護シート、280・・
放熱部材、290・・付勢部材、1000・・投射型表示装置、1200・・光学ユニッ
ト
9a ... Pixel electrode, 10 ... First substrate, 10a ... Display area, 10d ... Electro-optical layer arrangement area, 10e-10h ... Side face of the first substrate, 10s ... One side of the first substrate, 10t ..The other side of the first substrate, 10w ..Substrate body, 11 ..Extended region, 12 ..Between display region and terminal, 20 ..Second substrate, 20 w ..Substrate body, 50 ..Electricity Optical layer, 60 ... wiring board,
70 .. Anisotropic conductive film, 100 ... Electro-optical device, 100p ... Liquid crystal panel, 102 ...
-Third stage, 240-Stage, 250-Pressure head, 251-Support member, 2
55 .... Pressure head heater, 260 ... Nozzle, 270 ... Protective sheet, 280 ...
Heat dissipation member, 290 ... Biasing member, 1000 ... Projection type display device, 1200 ... Optical unit
Claims (12)
られた第1基板と、前記端子に接続された配線基板と、を有する電気光学装置の製造方法
であって、
前記端子に前記配線基板を接続する基板接続工程では、前記第1基板の他方面側のうち
、前記電気光学層配置領域と重なる領域を第1ステージで支持し、該第1ステージと離間
する位置で、熱伝導率が前記第1ステージの熱伝導率未満の第2ステージによって、前記
第1基板の前記他方面側のうち、前記端子が設けられている領域と重なる領域を支持し、
前記第1ステージと前記第2ステージとの間において前記第2ステージと離間する位置で
、熱伝導率が前記第1ステージの熱伝導率未満で、前記第2ステージの熱伝導率と同等ま
たはそれ以上の第3ステージによって、前記第1基板の前記他方面側を支持した状態で、
加熱した加圧ヘッドによって前記端子と前記配線基板とが重なっている領域を前記配線基
板側から加圧することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 Manufacture of an electro-optical device having a first substrate provided with a terminal between an electro-optical layer arrangement region in which an electro-optical layer is arranged on one surface side and a side surface of the substrate, and a wiring substrate connected to the terminal A method,
In the board connecting step of connecting the wiring board to the terminal, a position of the other surface side of the first board that overlaps with the electro-optic layer arrangement area is supported by the first stage and is separated from the first stage. And supporting the region overlapping the region where the terminal is provided on the other surface side of the first substrate by the second stage having a thermal conductivity lower than the thermal conductivity of the first stage.
At a position spaced from the second stage between the first stage and the second stage, the thermal conductivity is less than the thermal conductivity of the first stage and is equal to or equal to the thermal conductivity of the second stage. With the above third stage supporting the other side of the first substrate,
A method for manufacturing an electro-optical device, wherein a region where the terminal and the wiring board overlap is pressed from the wiring board side by a heated pressure head.
製造方法。 The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the first substrate is a semiconductor substrate.
間、前記第1ステージの温度は前記第2ステージの温度未満であり、前記第3ステージの
温度は前記第2ステージの温度以下であり、前記第3ステージの温度は前記第1ステージ
の温度以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法。 While the area where the terminal and the wiring board overlap is pressed by the pressing head, the temperature of the first stage is lower than the temperature of the second stage, and the temperature of the third stage is the first 3. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the temperature of the third stage is equal to or lower than the temperature of the second stage, and the temperature of the third stage is equal to or higher than the temperature of the first stage.
せた状態で、前記加圧ヘッドによって前記端子と前記配線基板とが重なっている領域を加
圧することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。 In the substrate connection step, a region where the terminal and the wiring substrate overlap is pressed by the pressure head with a heat dissipation member in contact with the electro-optical layer arrangement region and the terminal. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1.
板の前記一方面に当接することを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置の製造方法。 5. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 4, wherein the heat radiating member is in contact with the one surface of the first substrate while being urged toward the first substrate by the urging member. .
する請求項5に記載の電気光学装置の製造方法。 6. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 5, wherein the heat radiating member is held by the pressure head via the biasing member.
4乃至6の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。 The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 4, wherein the heat radiating member is in contact with the first substrate via a protective sheet.
却することを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。 8. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein, in the substrate connecting step, the electro-optical layer is cooled from a side opposite to a side where the first substrate is located. .
の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。 The said board | substrate connection process cools a said 1st stage, The 1st thru | or 8 characterized by the above-mentioned.
The method of manufacturing an electro-optical device according to any one of the above.
前記電気光学層は、前記第1基板と前記第2基板との間のうち、前記シール材によって
囲まれた位置に設けられた液晶層であることを特徴とする請求項1乃至9の何れか一項に
記載の電気光学装置の製造方法。 A second substrate disposed on one side of the first substrate via a sealant;
10. The liquid crystal layer according to claim 1, wherein the electro-optical layer is a liquid crystal layer provided at a position surrounded by the sealing material between the first substrate and the second substrate. A method for manufacturing an electro-optical device according to one item.
けられた端子に配線基板を接続する基板接続装置であって、
前記第1基板の他方面側のうち、前記電気光学層配置領域と重なる領域を支持する第1
ステージと、
該第1ステージと離間する位置で、前記第1基板の前記他方面側のうち、前記端子が設
けられている領域と重なる領域を支持し、熱伝導率が前記第1ステージの熱伝導率未満の
第2ステージと、
前記第1ステージと前記第2ステージとの間において前記第2ステージと離間する位置
で前記第1基板の前記他方面側を支持し、熱伝導率が前記第1ステージの熱伝導率未満で
、前記第2ステージの熱伝導率と同等またはそれ以上の第3ステージと、
前記端子と前記配線基板とが重なっている領域を前記配線基板側から加圧しながら加熱
する加圧ヘッドと、
を有することを特徴とする基板接続装置。 A board connection device for connecting a wiring board to a terminal provided between an electro-optic layer arrangement area where a electro-optic layer is arranged on one side of a first board and the side of the board,
A first supporting the region overlapping the electro-optic layer arrangement region on the other surface side of the first substrate.
Stage,
Supporting a region overlapping the region where the terminals are provided on the other surface side of the first substrate at a position separated from the first stage, the thermal conductivity is less than the thermal conductivity of the first stage. And the second stage of
Supporting the other surface side of the first substrate at a position spaced from the second stage between the first stage and the second stage, the thermal conductivity is less than the thermal conductivity of the first stage, A third stage equal to or greater than the thermal conductivity of the second stage;
A pressure head that heats the region where the terminal and the wiring board overlap while pressing from the wiring board side;
A board connecting apparatus comprising:
る放熱部材をさらに有していることを特徴とする請求項11に記載の基板接続装置。 The board connecting device according to claim 11, further comprising a heat dissipating member that abuts between the electro-optic layer arrangement region and the terminal among the one surface of the first board.
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---|---|---|---|
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2019234888A1 (en) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Method for manufacturing display panel and display panel |
-
2014
- 2014-04-01 JP JP2014075167A patent/JP2015197570A/en active Pending
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WO2019234888A1 (en) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Method for manufacturing display panel and display panel |
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