JP2015188147A - Waveguide and method of manufacturing the same - Google Patents

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真弥 井上
満 本上
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満 本上
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Naoki NAGAOKA
直樹 永岡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a waveguide capable of transmitting an electromagnetic wave of a terahertz band without lowering transmission efficiency and being easily manufactured, and also to provide a method of manufacturing the same.SOLUTION: A waveguide 100 includes a laminate L2 composed of an outside metal layer 10, an insulation layer 20 and an inside metal layer 30. Bent parts F1, F2, F3 are provided in the laminate L2. The outside metal layer 10 is cylindrically bent along the bent parts F1, F2, F3 so that the inside metal layer 30 is disposed inside. In this case, the laminate L2 is held in the state bent integrally along the bent parts F1, F2, F3. One end and the other end of a laminate L2 are bonded to each other via an adhesive layer 40. As a result, a hollow waveguide 1 surrounded by the inside metal layer 30 is formed.

Description

本発明は、テラヘルツ帯域、例えば0.05THz以上10THz以下の周波数の電磁波を伝送する導波管およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a waveguide for transmitting an electromagnetic wave having a terahertz band, for example, a frequency of 0.05 THz to 10 THz, and a method for manufacturing the same.

テラヘルツ帯域の電磁波を用いたテラヘルツ通信は、短距離超高速通信、および非圧縮・無遅延の超高精細映像伝送等の種々の用途への応用が期待されている。テラヘルツ帯域の電磁波を伝送するために導波管が用いられる。特許文献1に記載される導波管は、屈曲可能なジャバラ部を有し、ジャバラ部の両端に矩形状の管部が設けられる。   Terahertz communication using electromagnetic waves in the terahertz band is expected to be applied to various uses such as short-range ultrahigh-speed communication and uncompressed / delayed ultrahigh-definition video transmission. Waveguides are used to transmit terahertz band electromagnetic waves. The waveguide described in Patent Document 1 has a bendable bellows portion, and rectangular tube portions are provided at both ends of the bellows portion.

特開平6−326505号公報JP-A-6-326505

特許文献1のフレキシブル導波管は、40GHz帯で使用可能に設計されている。テラヘルツ帯域の電磁波を伝送するためには、導波管の断面の寸法を1mm以下と極めて小さくする必要がある。特許文献1の導波管をこのような寸法で製造することは極めて困難である。   The flexible waveguide of Patent Document 1 is designed to be usable in the 40 GHz band. In order to transmit electromagnetic waves in the terahertz band, it is necessary to make the cross-sectional dimension of the waveguide as extremely small as 1 mm or less. It is extremely difficult to manufacture the waveguide of Patent Document 1 with such dimensions.

また、特許文献1の導波管では、使用可能な周波数帯を高くするため、管内に誘電体が設けられる。しかしながら、誘電体を通して電磁波が伝送される場合、誘電損失により伝送効率が低下する。   Further, in the waveguide of Patent Document 1, a dielectric is provided in the tube in order to increase the usable frequency band. However, when electromagnetic waves are transmitted through a dielectric, transmission efficiency is reduced due to dielectric loss.

本発明の目的は、伝送効率を低下させることなくテラヘルツ帯域の電磁波を伝送可能でかつ容易に製造することが可能な導波管およびその製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a waveguide that can transmit a terahertz band electromagnetic wave and can be easily manufactured without reducing transmission efficiency, and a method for manufacturing the same.

(1)第1の発明に係る導波管は、テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送する導波路を有する導波管であって、支持層と、支持層の一面上に形成される絶縁層と、絶縁層の一面上に形成される導電層とを備え、支持層は、絶縁層および導電層よりも高い剛性を有し、導電層が内側になるように支持層が筒状に折曲されることにより、導電層により囲まれた導波路が形成される。   (1) A waveguide according to a first invention is a waveguide having a waveguide for transmitting an electromagnetic wave in a terahertz band, and includes a support layer, an insulating layer formed on one surface of the support layer, A conductive layer formed on one surface of the insulating layer, the support layer has higher rigidity than the insulating layer and the conductive layer, and the support layer is bent into a cylindrical shape so that the conductive layer is on the inside As a result, a waveguide surrounded by the conductive layer is formed.

この導波管においては、支持層の一面上に絶縁層が形成され、絶縁層の一面上に導電層が形成される。導電層が内側になるように支持層が筒状に折曲されることにより、導電層により囲まれた導波路が形成される。   In this waveguide, an insulating layer is formed on one surface of the support layer, and a conductive layer is formed on one surface of the insulating layer. The support layer is bent into a cylindrical shape so that the conductive layer is on the inside, thereby forming a waveguide surrounded by the conductive layer.

この場合、絶縁層および導電層よりも高い剛性を有する支持層によって導波路の形状および寸法が維持される。そのため、支持層の折曲位置および折曲角度を調整することにより、導波路の形状および寸法を容易に調整することができる。したがって、導波路の断面の寸法を極めて小さい値に容易に設定することができる。その結果、テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送可能な導波管を容易に製造することができる。   In this case, the shape and dimensions of the waveguide are maintained by the support layer having higher rigidity than the insulating layer and the conductive layer. Therefore, the shape and dimensions of the waveguide can be easily adjusted by adjusting the bending position and the bending angle of the support layer. Therefore, the dimension of the cross section of the waveguide can be easily set to an extremely small value. As a result, a waveguide capable of transmitting electromagnetic waves in the terahertz band can be easily manufactured.

また、導電層により囲まれた中空の導波路が形成されるので、導波路の誘電正接が空気と等しくなる。そのため、誘電損失による伝送効率の低下が防止される。   In addition, since a hollow waveguide surrounded by the conductive layer is formed, the dielectric loss tangent of the waveguide becomes equal to air. Therefore, a decrease in transmission efficiency due to dielectric loss is prevented.

(2)支持層の他面に、一方向に平行に延びる複数の溝部が形成され、複数の溝部に沿って支持層が折曲されることにより、導波路が形成されてもよい。   (2) A plurality of grooves extending in parallel in one direction may be formed on the other surface of the support layer, and the support layer may be bent along the plurality of grooves to form a waveguide.

この場合、支持層を容易に折曲することができる。それにより、導波路の断面を予め定められた形状および寸法に容易に形成することができる。   In this case, the support layer can be easily bent. Thereby, the cross section of the waveguide can be easily formed in a predetermined shape and size.

(3)支持層は、一方向に対して垂直な面上において矩形状をなすように折曲されてもよい。   (3) The support layer may be bent so as to form a rectangular shape on a surface perpendicular to one direction.

この場合、矩形状の断面を有する導波路が形成される。そのため、テラヘルツ帯域の電磁波を良好に伝送することができる。   In this case, a waveguide having a rectangular cross section is formed. Therefore, the electromagnetic wave in the terahertz band can be transmitted satisfactorily.

(4)支持層、絶縁層および導電層は、一方向に平行な端面をそれぞれ有し、支持層、絶縁層および導電層の少なくとも1つは、一方向に平行に延びる接着部を有し、導波路が形成されるように支持層が折曲された状態で、支持層、絶縁層および導電層の端面が、接着剤層を介して接着部に接着されてもよい。   (4) The support layer, the insulating layer, and the conductive layer each have an end face parallel to one direction, and at least one of the support layer, the insulating layer, and the conductive layer has an adhesive portion that extends parallel to the one direction, The end surfaces of the support layer, the insulating layer, and the conductive layer may be bonded to the bonding portion via the adhesive layer in a state where the support layer is bent so that the waveguide is formed.

この場合、折曲された状態の支持層の形状を容易に維持することができる。   In this case, the shape of the bent support layer can be easily maintained.

(5)接着剤層の導電率は、10[S/m]以上であってもよい。 (5) The electrical conductivity of the adhesive layer may be 10 5 [S / m] or more.

この場合、接着剤層に起因する電磁波の伝送損失が低減される。   In this case, transmission loss of electromagnetic waves caused by the adhesive layer is reduced.

(6)支持層は、導波路が延びる方向に並ぶように複数の部分に分離されてもよい。   (6) The support layer may be separated into a plurality of portions so as to be aligned in the direction in which the waveguide extends.

この場合、支持層が分離された部分で、絶縁層および導電層を屈曲させることができる。それにより、導波管のフレキシブル性が高くなる。したがって、電磁波の伝送方向を任意に調整することができる。   In this case, the insulating layer and the conductive layer can be bent at the portion where the support layer is separated. This increases the flexibility of the waveguide. Therefore, the transmission direction of electromagnetic waves can be arbitrarily adjusted.

(7)絶縁層は、樹脂により形成されてもよい。   (7) The insulating layer may be formed of a resin.

この場合、絶縁層の可撓性を高めることができる。それにより、導波管のフレキシブル性が高くなり、電磁波の伝送方向を容易に調整することができる。   In this case, the flexibility of the insulating layer can be increased. Thereby, the flexibility of the waveguide is improved, and the transmission direction of the electromagnetic wave can be easily adjusted.

(8)第2の発明に係る導波管の製造方法は、テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送する導波路を有する導波管の製造方法であって、支持層の一面上に支持体よりも低い剛性を有する絶縁層を形成する工程と、絶縁層の一面上に支持体よりも低い剛性を有する導電層を形成する工程と、導電層が内側になるように支持層を筒状に折曲することにより、導電層により囲まれた導波路を形成する工程とを備える。   (8) A method for manufacturing a waveguide according to a second aspect of the present invention is a method for manufacturing a waveguide having a waveguide for transmitting electromagnetic waves in the terahertz band, and is lower than the support on one surface of the support layer. A step of forming a rigid insulating layer, a step of forming a conductive layer having rigidity lower than that of the support on one surface of the insulating layer, and a bending of the support layer into a cylindrical shape so that the conductive layer is on the inside. And a step of forming a waveguide surrounded by the conductive layer.

この製造方法においては、支持層の一面上に絶縁層が形成され、絶縁層の一面上に導電層が形成される。導電層が内側になるように支持層が筒状に折曲されることにより、導電層により囲まれた導波路が形成される。   In this manufacturing method, an insulating layer is formed on one surface of the support layer, and a conductive layer is formed on one surface of the insulating layer. The support layer is bent into a cylindrical shape so that the conductive layer is on the inside, thereby forming a waveguide surrounded by the conductive layer.

この場合、絶縁層および導電層よりも高い剛性を有する支持層によって導波路の形状および寸法が維持される。そのため、支持層の折曲位置および折曲角度を調整することにより、導波路の形状および寸法を容易に調整することができる。したがって、導波路の断面の寸法を極めて小さい値に容易に設定することができる。その結果、テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送可能な導波管を容易に製造することができる。   In this case, the shape and dimensions of the waveguide are maintained by the support layer having higher rigidity than the insulating layer and the conductive layer. Therefore, the shape and dimensions of the waveguide can be easily adjusted by adjusting the bending position and the bending angle of the support layer. Therefore, the dimension of the cross section of the waveguide can be easily set to an extremely small value. As a result, a waveguide capable of transmitting electromagnetic waves in the terahertz band can be easily manufactured.

また、導電層により囲まれた中空の導波路が形成されるので、導波路の誘電正接が空気と等しくなる。そのため、誘電損失による伝送効率の低下が防止される。   In addition, since a hollow waveguide surrounded by the conductive layer is formed, the dielectric loss tangent of the waveguide becomes equal to air. Therefore, a decrease in transmission efficiency due to dielectric loss is prevented.

本発明によれば、伝送効率の低下が防止されつつテラヘルツ帯域の電磁波を伝送可能な導波管を容易に製造することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to easily manufacture a waveguide capable of transmitting electromagnetic waves in the terahertz band while preventing a decrease in transmission efficiency.

本発明の第1の実施の形態に係る導波管の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a waveguide according to a first embodiment of the present invention. 図1の導波管の断面図である。It is sectional drawing of the waveguide of FIG. 図1および図2の導波管の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the waveguide of FIG. 1 and FIG. 図1および図2の導波管の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the waveguide of FIG. 1 and FIG. 図1および図2の導波管の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the waveguide of FIG. 1 and FIG. 図1および図2の導波管の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the waveguide of FIG. 1 and FIG. 積層体の他の折曲例について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the other bending example of a laminated body. 本発明の第2の実施の形態に係る導波管の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of the waveguide which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図8の導波管の模式的平面図である。FIG. 9 is a schematic plan view of the waveguide of FIG. 8. 図8および図9の導波管の製造工程について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing process of the waveguide of FIG. 8 and FIG. 図1および図2の導波管の変形例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modification of the waveguide of FIGS. 1 and 2. 他の実施の形態における導波管の断面図である。It is sectional drawing of the waveguide in other embodiment. 実施例に係る導波管の断面図である。It is sectional drawing of the waveguide which concerns on an Example. 実施例におけるシミュレーション結果を示す図である。It is a figure which shows the simulation result in an Example. 実施例におけるシミュレーション結果を示す図である。It is a figure which shows the simulation result in an Example.

以下、本発明の実施の形態に係る導波管およびその製造方法について説明する。以下の説明では、0.05THz〜10THzの周波数帯域をテラヘルツ帯域と呼ぶ。本実施の形態に係る導波管は、テラヘルツ帯域内の少なくとも特定の周波数を有する電磁波の伝送が可能である。   Hereinafter, a waveguide and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described. In the following description, a frequency band of 0.05 THz to 10 THz is referred to as a terahertz band. The waveguide according to this embodiment can transmit an electromagnetic wave having at least a specific frequency within the terahertz band.

(A)第1の実施の形態
(1)導波管の構成
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る導波管の外観斜視図である。図2は、図1の導波管の断面図である。図1および図2に示すように、導波管100は矩形状の断面を有する筒体であり、筒体により囲まれる空間に電磁波が伝送される導波路1が形成される。導波管100は、外側金属層10、絶縁層20および内側金属層30からなる積層体L2を含む。
(A) First Embodiment (1) Configuration of Waveguide FIG. 1 is an external perspective view of a waveguide according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the waveguide of FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the waveguide 100 is a cylindrical body having a rectangular cross section, and a waveguide 1 through which electromagnetic waves are transmitted is formed in a space surrounded by the cylindrical body. The waveguide 100 includes a laminated body L2 composed of the outer metal layer 10, the insulating layer 20, and the inner metal layer 30.

外側金属層10は例えばステンレス鋼からなり、絶縁層20は例えばポリイミドからなり、内側金属層30は例えば銅からなる。外側金属層10の一面上に絶縁層20が形成され、絶縁層20の一面上に内側金属層30が形成される。図2に示すように、積層体L2には、折曲部F1,F2,F3が設けられる。内側金属層30が内側になるように、外側金属層10が折曲部F1,F2,F3に沿って筒状に折曲される。この場合、積層体L2が折曲部F1,F2,F3に沿って一体的に折曲された状態で保持される。積層体L2の一端部と他端部とは、接着剤層40を介して互いに接着される。これにより、内側金属層30により囲まれた中空の導波路1が形成される。   The outer metal layer 10 is made of, for example, stainless steel, the insulating layer 20 is made of, for example, polyimide, and the inner metal layer 30 is made of, for example, copper. An insulating layer 20 is formed on one surface of the outer metal layer 10, and an inner metal layer 30 is formed on one surface of the insulating layer 20. As shown in FIG. 2, the laminated body L2 is provided with bent portions F1, F2, and F3. The outer metal layer 10 is bent into a cylindrical shape along the bent portions F1, F2, and F3 so that the inner metal layer 30 is on the inner side. In this case, the stacked body L2 is held in a state of being integrally bent along the bent portions F1, F2, and F3. One end and the other end of the laminate L2 are bonded to each other via the adhesive layer 40. Thereby, the hollow waveguide 1 surrounded by the inner metal layer 30 is formed.

(2)導波管の製造方法
図1の導波管100の製造方法について説明する。図3〜図7は、図1の導波管100の製造工程を示す図である。図3(a)、図4(a)および図5(a)は、製造過程にある導波管100の平面図である。図3(b)、図4(b)および図5(b)には、図3(a)、図4(a)および図5(a)のA1−A1線断面、A2−A2線断面、およびA3−A3線断面がそれぞれ示される。
(2) Manufacturing Method of Waveguide A manufacturing method of the waveguide 100 of FIG. 1 will be described. 3 to 7 are views showing a manufacturing process of the waveguide 100 of FIG. 3 (a), 4 (a) and 5 (a) are plan views of the waveguide 100 in the manufacturing process. 3 (b), FIG. 4 (b), and FIG. 5 (b), FIG. 3 (a), FIG. 4 (a) and FIG. And A3-A3 line cross sections are shown respectively.

図3に示すように、例えばステンレス鋼からなる外側金属層10の一面(図4では下面)上に例えばポリイミドからなる絶縁層20が形成されることにより、長尺状の積層体L1が形成される。絶縁層20は、例えばラミネートまたは塗布により形成される。外側金属層10の厚みt1は、例えば20μm以上100μm以下であることが好ましい。絶縁層20の厚みt2は、例えば1μm以上1000μm以下であることが好ましい。   As shown in FIG. 3, by forming an insulating layer 20 made of, for example, polyimide on one surface (the lower surface in FIG. 4) made of, for example, stainless steel, a long laminate L1 is formed. The The insulating layer 20 is formed by lamination or application, for example. The thickness t1 of the outer metal layer 10 is preferably 20 μm or more and 100 μm or less, for example. The thickness t2 of the insulating layer 20 is preferably 1 μm or more and 1000 μm or less, for example.

外側金属層10は、絶縁層20および内側金属層30よりも高い剛性を有し、かつ折曲可能な材料からなる。外側金属層10の材料は、ステンレス鋼に限らず、アルミニウム(Al)等の他の金属、またはアルミニウム合金等の合金であってもよい。絶縁層20の材料は、ポリイミドに限らず、エポキシ等の他の樹脂材料であってもよい。   The outer metal layer 10 is made of a material that has higher rigidity than the insulating layer 20 and the inner metal layer 30 and can be bent. The material of the outer metal layer 10 is not limited to stainless steel, but may be another metal such as aluminum (Al) or an alloy such as an aluminum alloy. The material of the insulating layer 20 is not limited to polyimide, but may be other resin materials such as epoxy.

次に、図4に示すように、絶縁層20と反対側の外側金属層10の面(図4では上面)に例えばハーフエッチングにより複数(本例では3つ)の溝部Cが形成される。ハーフエッチングは、例えば所定のパターンを有するフォトレジストマスクおよび塩化鉄溶液を用いたウェットエッチングにより行うことができる。複数の溝部Cは、図2の折曲部F1,F2,F3に対応する位置に形成される。ハーフエッチングの代わりに、例えばYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)レーザを用いた機械的加工により複数の溝部Cが形成されてもよい。   Next, as shown in FIG. 4, a plurality (three in this example) of groove portions C are formed on the surface of the outer metal layer 10 opposite to the insulating layer 20 (upper surface in FIG. 4) by, for example, half etching. Half etching can be performed, for example, by wet etching using a photoresist mask having a predetermined pattern and an iron chloride solution. The plurality of groove portions C are formed at positions corresponding to the bent portions F1, F2, and F3 in FIG. Instead of half etching, a plurality of grooves C may be formed by mechanical processing using, for example, a YAG (yttrium, aluminum, garnet) laser.

次に、図5に示すように、絶縁層20の一面(図5では下面)上に例えば銅からなる内側金属層30が形成されることにより、積層体L2が形成される。内側金属層30は、例えば蒸着により形成される。内側金属層30の厚みt3は、例えば0.2μm以上1000μm以下であることが好ましい。内側金属層30の厚みt3は、表皮効果により電磁波が集中する厚み以上であることが好ましい。内側金属層30の材料は、銅に限らず、金(Au)、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金、あるいはその他の導電性材料であってもよい。   Next, as illustrated in FIG. 5, an inner metal layer 30 made of, for example, copper is formed on one surface (the lower surface in FIG. 5) of the insulating layer 20, thereby forming the stacked body L <b> 2. The inner metal layer 30 is formed by vapor deposition, for example. The thickness t3 of the inner metal layer 30 is preferably not less than 0.2 μm and not more than 1000 μm, for example. The thickness t3 of the inner metal layer 30 is preferably equal to or greater than the thickness at which electromagnetic waves concentrate due to the skin effect. The material of the inner metal layer 30 is not limited to copper, but may be another metal such as gold (Au) or aluminum, an alloy such as a copper alloy or an aluminum alloy, or another conductive material.

図6に示すように、内側金属層30が内側になるように外側金属層10が折曲部F1〜F3に沿って折曲される。各折曲部F1〜F3における外側金属層10の折り曲げ角度は略90°である。その状態で、積層体L2の一端部と他端部とが接着剤層40により互いに接着される。本例では、積層体L2の一端部における外側金属層10、絶縁層20および内側金属層30の端面が、積層体L2の他端部における内側金属層30の一面に接着される。この場合、積層体L2の他端部における内側金属層30の一面が、接着部に相当する。   As shown in FIG. 6, the outer metal layer 10 is bent along the bent portions F1 to F3 so that the inner metal layer 30 is on the inner side. The bending angle of the outer metal layer 10 at each of the bent portions F1 to F3 is approximately 90 °. In this state, one end and the other end of the laminate L2 are bonded to each other by the adhesive layer 40. In this example, the end surfaces of the outer metal layer 10, the insulating layer 20, and the inner metal layer 30 at one end of the laminate L2 are bonded to one surface of the inner metal layer 30 at the other end of the laminate L2. In this case, one surface of the inner metal layer 30 at the other end of the multilayer body L2 corresponds to an adhesive portion.

接着剤層40は導電性を有することが好ましい。接着剤層40の導電率は、10[S/m]以上であることが好ましく、10[S/m]以上であることがより好ましい。接着剤層40の材料として、例えば、導電性フィラーを含有する粘着剤が用いられる。 The adhesive layer 40 preferably has conductivity. The conductivity of the adhesive layer 40 is preferably 10 3 [S / m] or more, and more preferably 10 5 [S / m] or more. As a material for the adhesive layer 40, for example, a pressure-sensitive adhesive containing a conductive filler is used.

これにより、図1および図2の導波管100が完成する。導波管100の内側の幅方向の寸法(導波路1の幅方向の寸法)D1(図2)は、30μm以上5700μm以下であることが好ましい。導波管100の内側の厚み方向の寸法(導波路1の厚み方向の寸法)D2(図2)は、30μm以上5700μm以下であることが好ましい。   Thereby, the waveguide 100 of FIG. 1 and FIG. 2 is completed. The dimension in the width direction inside the waveguide 100 (the dimension in the width direction of the waveguide 1) D1 (FIG. 2) is preferably 30 μm or more and 5700 μm or less. The dimension in the thickness direction inside the waveguide 100 (the dimension in the thickness direction of the waveguide 1) D2 (FIG. 2) is preferably 30 μm or more and 5700 μm or less.

(3)他の折曲例
外側金属層10の折曲位置は上記の例に限定されない。図7は、外側金属層10の他の折曲例について説明するための図である。図7の例について、図1および図2の例と異なる点を説明する。図7の例では、内側金属層30が内側になるように、外側金属層10が折曲部F1a,F2a,F3a,F4aに沿って折曲される。各折曲部F1a〜F4aにおける外側金属層10の折り曲げ角度は略90°である。その状態で、外側金属層10、絶縁層20および内側金属層30の一端面と他端面とが接着剤層40により互いに接着される。この場合、外側金属層10、絶縁層20および内側金属層30の他端面が接着部に相当する。
(3) Other bending examples The bending position of the outer metal layer 10 is not limited to the above example. FIG. 7 is a view for explaining another bending example of the outer metal layer 10. Regarding the example of FIG. 7, differences from the example of FIGS. 1 and 2 will be described. In the example of FIG. 7, the outer metal layer 10 is bent along the bent portions F1a, F2a, F3a, and F4a so that the inner metal layer 30 is on the inner side. The bending angle of the outer metal layer 10 in each of the bent portions F1a to F4a is approximately 90 °. In this state, one end surface and the other end surface of the outer metal layer 10, the insulating layer 20, and the inner metal layer 30 are bonded to each other by the adhesive layer 40. In this case, the other end surfaces of the outer metal layer 10, the insulating layer 20, and the inner metal layer 30 correspond to the bonding portion.

(4)効果
第1の実施の形態では、外側金属層10、絶縁層20および内側金属層30からなる積層体L2が形成され、内側金属層30が内側になるように外側金属層10が筒状に折曲されることにより、内側金属層30により囲まれた導波路1が形成される。この場合、絶縁層20および内側金属層30よりも高い剛性を有する外側金属層10によって導波路1の形状および寸法が維持される。そのため、外側金属層10の折曲位置をおよび折曲角度を調整することにより、導波路1の形状および寸法を容易に調整することができる。したがって、導波路1の断面の寸法を極めて小さい値に容易に設定することができる。その結果、テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送可能な導波管100を容易に製造することができる。
(4) Effect In the first embodiment, the laminated body L2 including the outer metal layer 10, the insulating layer 20, and the inner metal layer 30 is formed, and the outer metal layer 10 is cylindrical so that the inner metal layer 30 is on the inner side. The waveguide 1 surrounded by the inner metal layer 30 is formed by being bent into a shape. In this case, the shape and dimensions of the waveguide 1 are maintained by the outer metal layer 10 having higher rigidity than the insulating layer 20 and the inner metal layer 30. Therefore, the shape and dimension of the waveguide 1 can be easily adjusted by adjusting the bending position and the bending angle of the outer metal layer 10. Therefore, the dimension of the cross section of the waveguide 1 can be easily set to an extremely small value. As a result, the waveguide 100 capable of transmitting electromagnetic waves in the terahertz band can be easily manufactured.

また、本実施の形態では、外側金属層10の他面に複数の溝部Cが形成され、その複数の溝部Cに沿って外側金属層10が折曲される。これにより、外側金属層10を容易に折曲することができる。それにより、導波路1の断面を予め定められた形状および寸法に容易に形成することができる。   In the present embodiment, a plurality of groove portions C are formed on the other surface of the outer metal layer 10, and the outer metal layer 10 is bent along the plurality of groove portions C. Thereby, the outer side metal layer 10 can be bent easily. Thereby, the cross section of the waveguide 1 can be easily formed in a predetermined shape and size.

また、本実施の形態では、積層体L2の一端部と他端部とが導電性を有する接着剤層40を介して互いに接着される。これにより、接着剤層40に起因する電磁波の伝送損失の増大を抑制しつつ、積層体L2の形状を容易に維持することができる。   Moreover, in this Embodiment, the one end part and other end part of the laminated body L2 are mutually adhere | attached through the adhesive bond layer 40 which has electroconductivity. Thereby, the shape of the laminated body L2 can be easily maintained, suppressing the increase in the transmission loss of the electromagnetic waves resulting from the adhesive bond layer 40.

(B)第2の実施の形態
(1)導波管の構成
図8は、本発明の第2の実施の形態に係る導波管の外観斜視図である。図9は、図8の導波管の模式的平面図である。図8および図9の導波管100aについて、図1および図2の導波管100と異なる点を説明する。
(B) Second Embodiment (1) Configuration of Waveguide FIG. 8 is an external perspective view of a waveguide according to a second embodiment of the present invention. FIG. 9 is a schematic plan view of the waveguide of FIG. The difference between the waveguide 100a of FIGS. 8 and 9 from the waveguide 100 of FIGS. 1 and 2 will be described.

本実施の形態に係る導波管100aにおいては、外側金属層10に複数のスリットSLが形成されることにより、外側金属層10が複数の領域10aに分離される。各スリットSLは、導波路1が延びる方向(以下、導波方向と呼ぶ)DRに対して垂直な面に沿うように形成される。本例において、複数のスリットSLは、それぞれ同じ幅を有し、かつ導波方向DRにおいて等間隔に形成される。それにより、複数の領域10aは、導波方向DRにおいてそれぞれ同じ幅を有し、かつ等間隔で配置される。   In the waveguide 100a according to the present embodiment, a plurality of slits SL are formed in the outer metal layer 10, whereby the outer metal layer 10 is separated into a plurality of regions 10a. Each slit SL is formed along a plane perpendicular to a direction DR in which the waveguide 1 extends (hereinafter referred to as a waveguide direction) DR. In the present example, the plurality of slits SL have the same width and are formed at equal intervals in the waveguide direction DR. Thereby, the plurality of regions 10a have the same width in the waveguide direction DR and are arranged at equal intervals.

(2)導波管の製造方法
図8および図9の導波管100aの製造工程について、図3〜図6の例と異なる点を説明する。図10は、図8および図9の導波管100aの製造工程について説明するための図である。図10(a)は、製造過程にある導波管100aの平面図である。図10(b)には、図10(a)のA4−A4線断面が示され、図10(c)には、図10(a)のA5−A5線断面が示される。
(2) Manufacturing Method of Waveguide The difference between the manufacturing process of the waveguide 100a of FIGS. 8 and 9 from the example of FIGS. FIG. 10 is a diagram for explaining a manufacturing process of the waveguide 100a of FIGS. FIG. 10A is a plan view of the waveguide 100a in the manufacturing process. FIG. 10B shows a cross section taken along line A4-A4 of FIG. 10A, and FIG. 10C shows a cross section taken along line A5-A5 of FIG. 10A.

まず、図3および図4の工程と同様に、外側金属層10の一面上に絶縁層20が形成され、外側金属層10の他面に複数の溝部Cが形成される。続いて、図10に示すように、外側金属層10に複数のスリットSLが溝部Cに対して垂直にかつ等間隔で形成される。これにより、外側金属層10が複数の領域10aに分離される。複数のスリットSLは、溝部Cと同様に、ハーフエッチングにより形成されてもよく、またはYAGレーザ等を用いた機械的加工により形成されてもよい。   First, as in the steps of FIGS. 3 and 4, the insulating layer 20 is formed on one surface of the outer metal layer 10, and a plurality of grooves C are formed on the other surface of the outer metal layer 10. Subsequently, as shown in FIG. 10, a plurality of slits SL are formed in the outer metal layer 10 perpendicularly to the groove C and at equal intervals. Thereby, the outer metal layer 10 is separated into a plurality of regions 10a. The plurality of slits SL may be formed by half-etching similarly to the groove C, or may be formed by mechanical processing using a YAG laser or the like.

各スリットSLの幅は、100μm以上10000μm以下であることが好ましい。隣り合うスリットSLの間隔は、50μm以上1000μm以下であることが好ましい。   The width of each slit SL is preferably 100 μm or more and 10,000 μm or less. The interval between adjacent slits SL is preferably 50 μm or more and 1000 μm or less.

その後、図5および図6の工程と同様に、絶縁層20の一面上に内側金属層30が形成され、外側金属層10が折曲部F1〜F3に沿って折曲されるとともに積層体L2の一端部と他端部とが接着剤層40により互いに接着される。これにより、図8および図9の導波管100aが完成する。   Thereafter, as in the steps of FIGS. 5 and 6, the inner metal layer 30 is formed on one surface of the insulating layer 20, the outer metal layer 10 is bent along the bent portions F1 to F3, and the laminate L2. One end portion and the other end portion of each are bonded to each other by the adhesive layer 40. Thereby, the waveguide 100a of FIGS. 8 and 9 is completed.

なお、外側金属層10の折曲位置は、図8および図9の例に限定されない。図7の例と同様に外側金属層10が折曲されてもよく、または他の位置で外側金属層10が折曲されてもよい。   In addition, the bending position of the outer metal layer 10 is not limited to the example of FIG. 8 and FIG. The outer metal layer 10 may be bent as in the example of FIG. 7, or the outer metal layer 10 may be bent at other positions.

(3)効果
第2の実施の形態においても、上記第1の実施の形態と同様に、外側金属層10が折曲されることによって内側金属層30により囲まれた導波路1が形成される。そのため、外側金属層10の折曲位置および折曲角度を調整することにより、導波路1の形状および寸法を容易に調整することができる。したがって、導波路1の断面の寸法を極めて小さい値に容易に設定することができる。その結果、テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送可能な導波管100aを容易に製造することができる。
(3) Effect Also in the second embodiment, the waveguide 1 surrounded by the inner metal layer 30 is formed by bending the outer metal layer 10 as in the first embodiment. . Therefore, the shape and dimension of the waveguide 1 can be easily adjusted by adjusting the bending position and the bending angle of the outer metal layer 10. Therefore, the dimension of the cross section of the waveguide 1 can be easily set to an extremely small value. As a result, the waveguide 100a capable of transmitting electromagnetic waves in the terahertz band can be easily manufactured.

また、本実施の形態では、外側金属層10が複数の領域10aに分離されるので、導波管100aを容易に屈曲させることができる。それにより、電磁波の伝送方向を任意に調整することができる。   In the present embodiment, the outer metal layer 10 is separated into a plurality of regions 10a, so that the waveguide 100a can be bent easily. Thereby, the transmission direction of electromagnetic waves can be adjusted arbitrarily.

(4)スリットの他の例
図8および図9の例では、複数のスリットSLが導波方向DRに対して垂直な面に沿うようにかつ等間隔で形成されるが、スリットSLの位置および角度はこれに限定されない。導波管100aを所望の方向に屈曲可能であれば、複数のスリットSLが導波方向DRに対して傾斜する面に沿うように形成されてもよく、または導波方向DRの周りに螺旋状に形成されてもよい。また、スリットSLの間隔が一定でなくてもよい。
(4) Other examples of slits In the example of FIGS. 8 and 9, the plurality of slits SL are formed along the plane perpendicular to the waveguide direction DR and at equal intervals. The angle is not limited to this. If the waveguide 100a can be bent in a desired direction, the plurality of slits SL may be formed along a surface inclined with respect to the waveguide direction DR, or spiral around the waveguide direction DR. May be formed. Further, the interval between the slits SL may not be constant.

(C)他の変形例
図11および図12は、導波管100の変形例を示す断面図である。図8および図9の導波管100aにおいても図11または図12の例と同様に変形させることができる。
(C) Other Modifications FIGS. 11 and 12 are cross-sectional views showing modifications of the waveguide 100. The waveguide 100a shown in FIGS. 8 and 9 can be modified similarly to the example shown in FIG. 11 or FIG.

図11の導波管100においては、積層体L2の両端面が、中央に向かって傾斜するように設けられる。この場合、外側金属層10、絶縁層20および内側金属層30の一端面と他端面とを容易に接着することができる。   In the waveguide 100 of FIG. 11, both end surfaces of the laminated body L2 are provided so as to be inclined toward the center. In this case, the one end surface and the other end surface of the outer metal layer 10, the insulating layer 20, and the inner metal layer 30 can be easily bonded.

図12(a)の例においては、導波管100は三角形状の断面を有する。この場合、外側金属層10が折曲部F1b,F2bに沿って折曲され、積層体L2の一端部と他端部とが接着剤層40を介して接着される。図12(b)の例においては、導波管100は五角形状の断面を有する。この場合、外側金属層10が折曲部F1c,F2c,F3c,F4cに沿って折曲され、積層体L2の一端部と他端部とが接着剤層40を介して接着される。図12(c)の例においては、導波管100は円形状の断面を有する。この場合、外側金属層10が円形に折曲され、積層体L2の一端部と他端部とが接着剤層40を介して接着される。   In the example of FIG. 12A, the waveguide 100 has a triangular cross section. In this case, the outer metal layer 10 is bent along the bent portions F <b> 1 b and F <b> 2 b, and one end and the other end of the stacked body L <b> 2 are bonded via the adhesive layer 40. In the example of FIG. 12B, the waveguide 100 has a pentagonal cross section. In this case, the outer metal layer 10 is bent along the bent portions F1c, F2c, F3c, and F4c, and one end and the other end of the multilayer body L2 are bonded via the adhesive layer 40. In the example of FIG. 12C, the waveguide 100 has a circular cross section. In this case, the outer metal layer 10 is bent into a circular shape, and one end and the other end of the multilayer body L <b> 2 are bonded via the adhesive layer 40.

このように、導波管100,100aは矩形以外の多角形状の断面を有してもよく、または円形状の断面を有してもよく、または他の形状の断面を有してもよい。   Thus, the waveguides 100 and 100a may have a polygonal cross section other than a rectangle, or may have a circular cross section, or may have a cross section of another shape.

また、上記実施の形態では、折曲部に対応する外側金属層10の位置に溝部Cが形成されるが、本発明はこれに限らない。外側金属層10を折曲可能である場合には、折曲部に対応する位置に溝部でなくミシン目が形成されてもよく、または単にインク等による印のみが付されてもよく、あるいは何も設けられなくてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the groove part C is formed in the position of the outer side metal layer 10 corresponding to a bending part, this invention is not limited to this. If the outer metal layer 10 can be bent, a perforation may be formed at a position corresponding to the bent portion instead of the groove portion, or only a mark by ink or the like may be attached, or whatever May not be provided.

また、上記実施の形態では、接着剤層40を介して積層体L2の一端部と他端部とが接着されることにより積層体L2の形状が保持されるが、本発明はこれに限らない。融着等の他の方法により積層体L2の一端部と他端部とが接合されてもよい。また、積層体L2の形状が保持可能であれば、外側金属層10が折曲された状態で積層体L2が接着および接合されなくてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the one end part and other end part of the laminated body L2 are adhere | attached through the adhesive bond layer 40, the shape of the laminated body L2 is hold | maintained, but this invention is not limited to this. . The one end part and the other end part of the laminated body L2 may be joined by other methods such as fusion. Moreover, if the shape of the laminated body L2 can be maintained, the laminated body L2 may not be bonded and bonded in a state where the outer metal layer 10 is bent.

(D)請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(D) Correspondence between each component of claim and each part of embodiment The following describes an example of a correspondence between each component of the claim and each part of the embodiment. It is not limited.

上記実施の形態においては、外側金属層10が支持層の例であり、絶縁層20が絶縁層の例であり、内側金属層30が導電層の例であり、導波路1が導波路の例である。   In the above embodiment, the outer metal layer 10 is an example of a support layer, the insulating layer 20 is an example of an insulating layer, the inner metal layer 30 is an example of a conductive layer, and the waveguide 1 is an example of a waveguide. It is.

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。   As each constituent element in the claims, various other elements having configurations or functions described in the claims can be used.

(E)実施例
接着剤層40の有無およびその導電性の高低と電磁波の伝送効率との関係をシミュレーションにより解析した。図13は、実施例に係る導波管100の断面図である。図13(a)には、実施例1〜5に係る導波管100が示され、図13(b)には、実施例6に係る導波管100が示される。
(E) Examples The presence / absence of the adhesive layer 40 and the relationship between the conductivity level and the transmission efficiency of electromagnetic waves were analyzed by simulation. FIG. 13 is a cross-sectional view of the waveguide 100 according to the embodiment. FIG. 13A illustrates the waveguide 100 according to the first to fifth embodiments, and FIG. 13B illustrates the waveguide 100 according to the sixth embodiment.

図13(a)に示すように、実施例1〜5の導波管100は、図1および図2の導波管100と同じ構成を有する。外側金属層10の厚みt1を50μmとし、絶縁層20の厚みt2を25μmとし、内側金属層30の厚みt3を16μmとした。また、導波路1の幅方向の寸法D1を864μmとし、導波路1の厚み方向の寸法D2を432μmとした。また、外側金属層10の材料をステンレスとし、その導電率を1.1×10[S/m]とした。内側金属層30の材料を銅とし、その導電率を5.9×10[S/m]とした。 As illustrated in FIG. 13A, the waveguide 100 according to the first to fifth embodiments has the same configuration as the waveguide 100 illustrated in FIGS. 1 and 2. The thickness t1 of the outer metal layer 10 was 50 μm, the thickness t2 of the insulating layer 20 was 25 μm, and the thickness t3 of the inner metal layer 30 was 16 μm. Further, the dimension D1 in the width direction of the waveguide 1 was set to 864 μm, and the dimension D2 in the thickness direction of the waveguide 1 was set to 432 μm. The material of the outer metal layer 10 was stainless steel, and the electrical conductivity was 1.1 × 10 6 [S / m]. The material of the inner metal layer 30 was copper, and its conductivity was 5.9 × 10 7 [S / m].

実施例1における接着剤層40の導電率を10[S/m]とし、実施例2における接着剤層40の導電率を10[S/m]とし、実施例3における接着剤層40の導電率を10[S/m]とし、実施例4における接着剤層40の導電率を10[S/m]とし、実施例5における接着剤層40の導電率を10[S/m]とした。 The conductivity of the adhesive layer 40 in Example 1 is 10 3 [S / m], the conductivity of the adhesive layer 40 in Example 2 is 10 4 [S / m], and the adhesive layer 40 in Example 3 is used. conductivity of the 10 5 [S / m], the conductivity of the adhesive layer 40 in example 4 and 10 6 [S / m], the conductivity of the adhesive layer 40 in example 5 10 7 [S / M].

図13(b)に示すように、実施例6では、接着剤層40が設けられず、外側金属層10、絶縁層20および内側金属層30がそれぞれ無端の筒状に設けられる。これらの点を除いて、実施例6に係る導波管100は、実施例1〜5の導波管100と同じ構成を有する。実施例6の構成は、シミュレーション上の仮想的な構成である。   As shown in FIG. 13B, in Example 6, the adhesive layer 40 is not provided, and the outer metal layer 10, the insulating layer 20, and the inner metal layer 30 are each provided in an endless cylindrical shape. Except for these points, the waveguide 100 according to the sixth embodiment has the same configuration as the waveguide 100 of the first to fifth embodiments. The configuration of the sixth embodiment is a virtual configuration on simulation.

実施例1〜6の導波管100において、テラヘルツ帯域の電磁波が伝送されるときの透過特性をシミュレーションにより求めた。図14および図15は、実施例1〜6におけるシミュレーション結果を示す図である。図14において、横軸は電磁波の周波数[THz]を示し、縦軸は伝送損失[dB/mm]を示す。図15において、横軸は接着剤層40の導電率[S/m]を示し、縦軸は伝送損失[dB/mm]を示す。   In the waveguide 100 of Examples 1 to 6, the transmission characteristics when the terahertz band electromagnetic wave was transmitted were obtained by simulation. 14 and 15 are diagrams showing simulation results in Examples 1 to 6. FIG. In FIG. 14, the horizontal axis represents the frequency [THz] of the electromagnetic wave, and the vertical axis represents the transmission loss [dB / mm]. In FIG. 15, the horizontal axis indicates the conductivity [S / m] of the adhesive layer 40, and the vertical axis indicates the transmission loss [dB / mm].

図14および図15に示すように、接着剤層40の導電率が高いほど、伝送損失が小さいことがわかった。接着剤層40の導電率が10[S/m]以上である実施例4および実施例5においては、接着剤層40が設けられない実施例6と伝送損失がほぼ同じであることがわかった。 As shown in FIG. 14 and FIG. 15, it was found that the higher the conductivity of the adhesive layer 40, the smaller the transmission loss. In Example 4 and Example 5 in which the electrical conductivity of the adhesive layer 40 is 10 6 [S / m] or more, it can be seen that the transmission loss is substantially the same as in Example 6 in which the adhesive layer 40 is not provided. It was.

また、図15に示すように、電磁波の周波数が低い場合、接着剤層40の導電率の差による電磁波の伝送損失の差が大きい。接着剤層40の導電率が10[S/m]以上である実施例3〜5では、電磁波の周波数が0.22[THz]または0.25[THz]である場合でも、接着剤層40が設けられない実施例6との伝送損失の差が小さい。そのため、接着剤層40の導電率が10[S/m]以上であることが好ましいことがわかった。 As shown in FIG. 15, when the frequency of the electromagnetic wave is low, the difference in the transmission loss of the electromagnetic wave due to the difference in the conductivity of the adhesive layer 40 is large. In Examples 3 to 5 in which the conductivity of the adhesive layer 40 is 10 5 [S / m] or more, the adhesive layer is used even when the frequency of the electromagnetic wave is 0.22 [THz] or 0.25 [THz]. The difference in transmission loss with the sixth embodiment in which 40 is not provided is small. Therefore, it was found that the electrical conductivity of the adhesive layer 40 is preferably 10 5 [S / m] or more.

本発明は、テラヘルツ帯域の周波数を有する電磁波の伝送に利用することができる。   The present invention can be used for transmission of electromagnetic waves having a frequency in the terahertz band.

1 導波路
10 外側金属層
20 絶縁層
30 内側金属層
40 接着剤層
100 導波管
C 溝部
SL スリット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Waveguide 10 Outer metal layer 20 Insulating layer 30 Inner metal layer 40 Adhesive layer 100 Waveguide C Groove part SL Slit

Claims (8)

テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送する導波路を有する導波管であって、
支持層と、
前記支持層の一面上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の一面上に形成される導電層とを備え、
前記支持層は、前記絶縁層および前記導電層よりも高い剛性を有し、
前記導電層が内側になるように前記支持層が筒状に折曲されることにより、前記導電層により囲まれた前記導波路が形成される、導波管。
A waveguide having a waveguide for transmitting electromagnetic waves in the terahertz band,
A support layer;
An insulating layer formed on one surface of the support layer;
A conductive layer formed on one surface of the insulating layer,
The support layer has higher rigidity than the insulating layer and the conductive layer,
A waveguide in which the waveguide surrounded by the conductive layer is formed by bending the support layer into a cylindrical shape so that the conductive layer is on the inside.
前記支持層の他面に、一方向に平行に延びる複数の溝部が形成され、
前記複数の溝部に沿って前記支持層が折曲されることにより、前記導波路が形成される、請求項1記載の導波管。
A plurality of grooves extending in parallel in one direction are formed on the other surface of the support layer,
The waveguide according to claim 1, wherein the waveguide is formed by bending the support layer along the plurality of grooves.
前記支持層は、前記一方向に対して垂直な面上において矩形状をなすように折曲される、請求項2記載の導波管。 The waveguide according to claim 2, wherein the support layer is bent so as to form a rectangular shape on a plane perpendicular to the one direction. 前記支持層、前記絶縁層および前記導電層は、一方向に平行な端面をそれぞれ有し、
前記支持層、前記絶縁層および前記導電層の少なくとも1つは、前記一方向に平行に延びる接着部を有し、
前記導波路が形成されるように前記支持層が折曲された状態で、前記支持層、前記絶縁層および前記導電層の前記端面が、接着剤層を介して前記接着部に接着される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の導波管。
The support layer, the insulating layer, and the conductive layer each have an end face parallel to one direction,
At least one of the support layer, the insulating layer, and the conductive layer has an adhesive portion extending in parallel with the one direction;
In a state where the support layer is bent so that the waveguide is formed, the end surfaces of the support layer, the insulating layer, and the conductive layer are bonded to the bonding portion via an adhesive layer. The waveguide according to any one of claims 1 to 3.
前記接着剤層の導電率は、10[S/m]以上である、請求項4記載の導波管。 The waveguide according to claim 4, wherein the adhesive layer has a conductivity of 10 5 [S / m] or more. 前記支持層は、前記導波路が延びる方向に並ぶように複数の部分に分離される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の導波管。 The waveguide according to any one of claims 1 to 5, wherein the support layer is separated into a plurality of portions so as to be aligned in a direction in which the waveguide extends. 前記絶縁層は、樹脂により形成される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の導波管。 The waveguide according to any one of claims 1 to 6, wherein the insulating layer is formed of a resin. テラヘルツ帯域内の電磁波を伝送する導波路を有する導波管の製造方法であって、
支持層の一面上に前記支持体よりも低い剛性を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の一面上に前記支持体よりも低い剛性を有する導電層を形成する工程と、
前記導電層が内側になるように前記支持層を筒状に折曲することにより、前記導電層により囲まれた前記導波路を形成する工程とを備える、導波管の製造方法。
A method of manufacturing a waveguide having a waveguide for transmitting electromagnetic waves in a terahertz band,
Forming an insulating layer having rigidity lower than that of the support on one surface of the support layer;
Forming a conductive layer having a lower rigidity than the support on one surface of the insulating layer;
Forming the waveguide surrounded by the conductive layer by bending the support layer into a cylindrical shape so that the conductive layer is on the inside.
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