JP2015160286A - Mems mounting structure - Google Patents
Mems mounting structure Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015160286A JP2015160286A JP2014037400A JP2014037400A JP2015160286A JP 2015160286 A JP2015160286 A JP 2015160286A JP 2014037400 A JP2014037400 A JP 2014037400A JP 2014037400 A JP2014037400 A JP 2014037400A JP 2015160286 A JP2015160286 A JP 2015160286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mems
- mounting structure
- sealant
- chip
- moisture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、チップ実装構造に関するものであり、特に、微小電気機械システム(micro electro mechanical system, MEMS)に関するものである。 The present invention relates to a chip mounting structure, and more particularly to a micro electro mechanical system (MEMS).
微小電気機械システム(micro electro mechanical system, MEMS)は、超小型実装構造で製造された微小電気機械デバイスであり、製造技術は、集積回路(integrated circuit, IC)の技術に非常によく似ている。しかしながら、MEMSデバイスと周辺環境間の力学的、光学的または磁力の相互作用は、従来のICよりも多い。 A micro electro mechanical system (MEMS) is a micro electro mechanical device manufactured with a microminiature mounting structure, and the manufacturing technology is very similar to that of an integrated circuit (IC). . However, there are more mechanical, optical or magnetic interactions between the MEMS device and the surrounding environment than conventional ICs.
MEMSデバイスは、マイクロサイズの電子機械部品(例えば、スイッチ、ミラー、コンデンサ、加速度計、センサ、静電容量センサ、アクチュエータ等)を含むことができ、MEMSデバイスは、シングルブロックの方法でICと一体化することによって、ソリッドステート装置全体の挿入損失(insertion loss)または電界分離効果(electrical isolation effect)を大きく変えることができる。しかしながら、実装構造全体のマクロの世界において、MEMSデバイスは非常に壊れやすく、いつでもわずかな静電気や表面張力による影響を受け、欠陥が生じる可能性がある。そのため、MEMSデバイスの汚染や損傷を防止するため、通常、MEMS装置は、チップと蓋の間の空間に密封される。 MEMS devices can include micro-sized electromechanical components (eg, switches, mirrors, capacitors, accelerometers, sensors, capacitance sensors, actuators, etc.), and MEMS devices can be integrated with ICs in a single block manner. By doing so, the insertion loss or electrical isolation effect of the entire solid state device can be greatly changed. However, in the macro world of the entire mounting structure, MEMS devices are very fragile and can be affected by slight static electricity and surface tension at any time, resulting in defects. Therefore, in order to prevent contamination and damage of the MEMS device, the MEMS device is usually sealed in a space between the chip and the lid.
図1は、従来のMEMS実装構造の概略図である。図1を参照すると、従来のMEMS実装構造10は、カバープレート12と、チップ14と、シーラント(sealant)16と、MEMSデバイス18とを含む。カバープレート12は、シーラント16でチップに固定され、MEMSデバイス18は、チップ14とカバープレート12の間の空間に密封される。
FIG. 1 is a schematic diagram of a conventional MEMS mounting structure. Referring to FIG. 1, a conventional
しかしながら、従来のMEMS実装構造10は、チップ14とカバープレート12の間の空間をシーラント16で密封しているが、湿度の高い環境で一定の期間使用すると、シーラント16に亀裂が生じて、カバープレート12とチップ14の間に大きな隙間ができやすく、それによって、チップ14とカバープレート12の間の空間に水分が浸透し、MEMSデバイス18の通常操作に影響を与える可能性がある。
However, in the conventional
本発明は、より優れた耐湿特性を提供するMEMS実装構造を提供する。 The present invention provides a MEMS mounting structure that provides better moisture resistance.
本発明は、チップと、MEMSデバイスと、蓋と、シーラントと、第1防湿層(moisture barrier)とを含むMEMS実装構造を提供する。チップは、アクティブ面を含む。MEMSデバイスは、アクティブ面の上に配置される。蓋は、チップの上を覆い、MEMSデバイスを入れる凹部を含む。シーラントは、チップと蓋の間に配置され、凹部を密封する。シーラントの厚さは、MEMSデバイスの高さよりも小さい。第1防湿層は、チップ、シーラントおよび蓋の周囲にコーティングされる。 The present invention provides a MEMS mounting structure including a chip, a MEMS device, a lid, a sealant, and a first moisture barrier. The chip includes an active surface. The MEMS device is disposed on the active surface. The lid covers the chip and includes a recess for receiving the MEMS device. A sealant is disposed between the tip and the lid and seals the recess. The sealant thickness is less than the height of the MEMS device. A first moisture barrier is coated around the chip, sealant and lid.
本発明の1つの実施形態中、MEMS実装構造は、さらに、第1基板と、第2基板と、第2防湿層とを含む。第1基板は、空洞(cavity)を有し、空洞の中に、チップ、MEMSデバイス、蓋、シーラントおよび第1防湿層が配置される。第2基板は、第1基板の上に配置され、空洞を覆う。第2防湿層は、第1基板と第2基板の間の境界域で密封される。 In one embodiment of the present invention, the MEMS mounting structure further includes a first substrate, a second substrate, and a second moisture-proof layer. The first substrate has a cavity, and a chip, a MEMS device, a lid, a sealant, and a first moisture-proof layer are disposed in the cavity. The second substrate is disposed on the first substrate and covers the cavity. The second moisture barrier layer is sealed at a boundary region between the first substrate and the second substrate.
本発明の1つの実施形態中、MEMS実装構造は、さらに、成形コンパウンド(molding compound)を含み、空洞の中に配置され、第1防湿層の周囲で密封される。 In one embodiment of the present invention, the MEMS mounting structure further includes a molding compound, disposed in the cavity, and sealed around the first moisture barrier.
本発明の1つの実施形態中、第1防湿層の上に形成された成形コンパウンドの投影領域は、第1防湿層の上に形成されたシーラントの投影領域を覆う。 In one embodiment of the present invention, the projection area of the molding compound formed on the first moisture barrier layer covers the projection area of the sealant formed on the first moisture barrier layer.
本発明の1つの実施形態中、MEMS実装構造は、さらに、空洞の中に配置された吸湿素子を含む。 In one embodiment of the present invention, the MEMS mounting structure further includes a hygroscopic element disposed in the cavity.
本発明の1つの実施形態中、第2基板は、シーラントを覆うエリアを有する。 In one embodiment of the present invention, the second substrate has an area that covers the sealant.
本発明の1つの実施形態中、MEMS実装構造がミラーを有し、凹部は、アクティブ面と向かい合う上面を有し、上面とアクティブ面の間の距離は、ミラーの傾斜時の高さよりも大きい。 In one embodiment of the present invention, the MEMS mounting structure has a mirror, the recess has an upper surface facing the active surface, and the distance between the upper surface and the active surface is larger than the height when the mirror is tilted.
本発明の1つの実施形態中、シーラントの厚さは、約1μm〜10μmである。 In one embodiment of the invention, the thickness of the sealant is about 1 μm to 10 μm.
本発明の1つの実施形態中、MEMSデバイスは、ミラーと、スイッチと、コンデンサと、加速度計と、センサと、アクチュエータ(actuator)とを含む。 In one embodiment of the present invention, the MEMS device includes a mirror, a switch, a capacitor, an accelerometer, a sensor, and an actuator.
本発明の1つの実施形態中、シーラントの材料は、エポキシ樹脂である。 In one embodiment of the present invention, the sealant material is an epoxy resin.
本発明のMEMS実装構造は、凹部を有する蓋を適用してMEMSデバイスを収容することにより、チップと蓋の間の周辺ギャップの高さを減らし、周辺ギャップの間に配置されたシーラントが凹部を密閉するため、本発明のMEMS実装構造は、より優れた耐湿特性を提供する。また、チップ、蓋およびシーラントの周囲にコーティングされた第1防湿層は、二重保護を提供し、水分が凹部に浸透するのを防ぐ。また、第2防湿層は、第3保護を提供し、第1基板と第2基板によって取り囲まれた空洞内のチップ、MEMSデバイス、蓋、シーラントおよび第1防湿層を密封する。さらに、空洞内に配置された成形コンパウンドは、第1防湿層の周囲に接着され、第4保護を提供する。さらに、空洞内に配置された吸湿素子は、第5保護を提供し、空洞内の水分を吸収する。 In the MEMS mounting structure of the present invention, the height of the peripheral gap between the chip and the lid is reduced by applying the lid having the concave portion to accommodate the MEMS device, and the sealant disposed between the peripheral gap has the concave portion. Due to the sealing, the MEMS mounting structure of the present invention provides better moisture resistance. Also, the first moisture barrier layer coated around the chip, lid and sealant provides double protection and prevents moisture from penetrating into the recess. The second moisture barrier layer also provides third protection and seals the chip, the MEMS device, the lid, the sealant, and the first moisture barrier layer in the cavity surrounded by the first substrate and the second substrate. In addition, a molding compound disposed within the cavity is adhered around the first moisture barrier to provide fourth protection. Furthermore, the hygroscopic element disposed in the cavity provides fifth protection and absorbs moisture in the cavity.
本発明の上記および他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
以下、添付の図面を例として、本発明の実施形態を詳細に説明する。各図面および関連説明において、同一または類似する構成要素には、同一の参照番号を使用する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings and the related description, the same reference numerals are used for the same or similar components.
図2は、本発明の1つの実施形態に係るMEMS実装構造の概略図である。図2を参照すると、本実施形態のMEMS実装構造100は、チップ110と、少なくとも1つのMEMSデバイス120と、蓋130と、シーラント140と、第1防湿層150とを含む。チップ110は、アクティブ面112を含む。チップ110は、例えば、電荷結合素子(charge couple device, CCD)または相補型金属酸化物半導体(complementary metal-oxide semiconductor, CMOS)等の光学センサチップであり、アクティブ面112は、例えば、感光性領域である。しかし、チップ110とアクティブ面112の種類は、これらに限定されない。
FIG. 2 is a schematic diagram of a MEMS mounting structure according to one embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the
MEMSデバイス120は、アクティブ面112の上に配置される。本実施形態において、MEMSデバイス120は、ミラーであるが、MEMSデバイス120は、スイッチ、コンデンサ、加速度計、センサまたはアクチュエータであってもよく、MEMSデバイス120の種類はこれらに限定されない。
The
蓋130は透明であるため、外部の光は(図示せず)は、蓋130を通過して、MEMSデバイス120およびチップ110のアクティブ面112に到達することができる。図2に示すように、蓋130は、チップ110の上を覆い、MEMSデバイス120を入れる凹部132を含む。凹部132は、アクティブ面112と向かい合う上面132aを有する。本実施形態において、上面132aとアクティブ面112の間の距離Dは、ミラー傾斜時の高さよりも大きく、例えば、10μmであり、チップ110と蓋130の間の周辺ギャップの高さHは、約1μm〜10μmである。つまり、チップ110と蓋130の間の周辺ギャップの高さHは、上面132aとアクティブ面112の間の距離Dよりも小さい。
Since the
シーラント140は、チップ110と蓋130の間の周辺ギャップに配置され、凹部132を密封する。図2に示すように、シーラント140の厚さは、MEMSデバイス120の高さよりも小さい。シーラント140の厚さは、チップ110と蓋130の間の周辺ギャップの高さHによって制限される。そのため、シーラント140の厚さは、チップ110と蓋130の間の周辺ギャップの高さHによって約1μm〜10μmの間で変化する。
The
注意すべきこととして、シーラント140は、有機高分子化合物、例えば、エポキシ樹脂である。有機化合物の分子構造は、多くの親水基を有するため、外部の汚染や水分を阻止する能力を有するが、分子構造は、親水基と水分の反応を完全に阻止することはできない。そのため、本実施形態では、チップ110、シーラント140および蓋130の周囲に第1防水層150をコーティングすることにより、シーラント140の親水基と水分の反応を効果的に阻止して、凹部132の不浸透性をさらに高めることができる。こうすることにより、MEMSデバイス120は、MEMS実装構造110内で正常に動作することができる。
It should be noted that the
本実施形態において、第1防水層150は、化学蒸着(chemical vapor deposition, CVD)または物理蒸着(physical vapor deposition, PVD)の技術により形成することができるが、第1防湿層150の形成方法は、これらに限定されない。また、第1防湿層150の材料は、比較的高密度の無機絶縁材料、例えば、親水基を含まないシリカ、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、その他の窒化物、酸化物および酸窒化物であるため、第1防湿層150の耐湿性は、シーラント140の耐湿性よりも強い。つまり、無機絶縁材料は、親水基を有さず、水分と反応しないため、水分を効果的に遮断することができる。そのため、第1防湿層150は、二重保護を提供して、水分の透過の可能性を低減することができる。
In this embodiment, the first
従来のMEMS実装構造10と比較して、本実施形態のMEMS実装構造100は、チップ110と蓋130の間の周辺ギャップが小さく、シーラント140がチップ110と蓋130の間の小さな周辺ギャップを密封し、チップ110、蓋130およびシーラント140の周囲に第1防湿層150がコーティングされる。そのため、本実施形態のMEMS実装構造100は、より優れた耐湿特性を提供することができる。
Compared with the conventional
図3は、本発明の別の実施形態に係るMEMS実装構造の概略図である。図3を参照すると、本実施形態のMEMS実装構造200と上述した実施形態のMEMS実装構造100の間の相違点は、本実施形態のMEMS実装構造200が、さらに、第1基板260と、第2基板270と、第2防湿層280とを含むことである。詳しく説明すると、第1基板260は、空洞262を有する。チップ210、MEMSデバイス220、蓋230、シーラント240および第1防湿層250は、空洞262の中に配置される。第2基板270は、第1基板260の上に配置され、空洞262を覆い、第2防湿層280は、第1基板260と第2基板270の間の境界域で密封される。
FIG. 3 is a schematic view of a MEMS mounting structure according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the difference between the
そのため、MEMS実装構造200において、第1基板260、第2基板270および第2防湿層280は、第3保護を提供し、水分が凹部232に浸透してMEMSデバイス220が故障するのを防ぐことができる。
Therefore, in the
また、本実施形態において、第2基板270は透明であるため、外部の光(図示せず)を通過させることができる。第2基板270は、シーラント240を覆うエリア272を有し、エリア272は、本実施形態において、黒いエリアである。つまり、チップ210の上に形成されたエリア272の投影領域は、チップ210の上に形成されたシーラント240の投影領域を覆う。そのため、エリア272は、外部の光がシーラント240に放射するのを防ぎ、シーラント240の劣化の可能性を低減することができる。
In the present embodiment, since the
図4は、本発明のさらに別の実施形態に係るMEMS実装構造の概略図である。図4を参照すると、本実施形態のMEMS実装構造300と上述した実施形態のMEMS実装構造200の間の相違点は、本実施形態のMEMS実装構造300が、さらに、成形コンパウンド(molding compound)390と、吸湿素子395とを含むことである。成形コンパウンド390は、空洞362の中に配置され、第1防湿層350の周囲に接着される。図4に示すように、第1防湿層350の上に形成された成形コンパウンド390の投影領域は、第1防湿層350の上に形成されたシーラント340の投影領域を覆う。つまり、成形コンパウンド390は、第4保護を提供し、シーラント340と第1防湿層350の物理構造を強化して、シーラント340と第1防湿層350の亀裂の可能性を低減することができる。
FIG. 4 is a schematic view of a MEMS mounting structure according to still another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the difference between the
また、吸湿素子395は、第1基板360と第2基板370によって取り囲まれた空洞362の中に配置され、第5保護を提供する。空洞362に浸透した水分は、凹部332に進入する前に吸湿素子395によって吸収されるため、MEMSデバイス320の正常動作を維持することができる。
In addition, the
以上のように、本発明のMEMS実装構造は、凹部を有する蓋を適用してMEMSデバイスを収容することによって、チップと蓋の間の周辺ギャップの高さを減らし、周辺ギャップの間に配置されたシーラントが凹部を密封するため、本発明のMEMS実装構造は、より優れた耐湿特性を提供する。また、チップ、蓋およびシーラントの周囲にコーティングされた第1防湿層は、二重保護を提供して、水分が凹部に浸透するのを防ぐ。また、第2防湿層は、第3保護を提供し、第1基板と第2基板によって取り囲まれた空洞内のチップ、MEMSデバイス、蓋、シーラントおよび第1防湿層を密封する。さらに、空洞内に配置された成形コンパウンドは、第1防湿層の周囲に接着され、第4保護を提供する。さらに、空洞内に配置された吸湿素子は、第5保護を提供して、空洞内の水分を吸収する。 As described above, the MEMS mounting structure of the present invention reduces the height of the peripheral gap between the chip and the lid by applying the lid having the recess to accommodate the MEMS device, and is disposed between the peripheral gaps. Since the sealant seals the recess, the MEMS mounting structure of the present invention provides better moisture resistance. Also, the first moisture barrier layer coated around the chip, lid and sealant provides double protection and prevents moisture from penetrating into the recess. The second moisture barrier layer also provides third protection and seals the chip, the MEMS device, the lid, the sealant, and the first moisture barrier layer in the cavity surrounded by the first substrate and the second substrate. In addition, a molding compound disposed within the cavity is adhered around the first moisture barrier to provide fourth protection. Furthermore, the hygroscopic element disposed in the cavity provides fifth protection to absorb moisture in the cavity.
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。 As described above, the present invention has been disclosed by the embodiments. However, the present invention is not intended to limit the present invention, and is within the scope of the technical idea of the present invention so that those skilled in the art can easily understand. Therefore, the scope of patent protection should be defined based on the scope of claims and the equivalent area.
本発明は、ミクロンスケールの検出、処理、起動(actuating)を行うデバイスとして適用することのできるMEMS実装構造に関する。 The present invention relates to a MEMS mounting structure that can be applied as a device that performs micron-scale detection, processing, and actuating.
D 距離
H 高さ
10 従来のMEMS実装構造
12 カバープレート
14 チップ
16 シーラント
18 MEMSデバイス
100、200、300 MEMS実装構造
110、210 チップ
112 アクティブ面
120、220、320 MEMSデバイス
130、230 蓋
132、232、332 凹部
132a 上面
140、240、340 シーラント
150、250、350 第1防湿層(first moisture barrier)
260、360 第1基板
262、362 空洞(cavity)
270、370 第2基板
272 エリア
280 第2防湿層
390 成形コンパウンド
395 吸湿素子
D
260, 360
270, 370
Claims (10)
前記アクティブ面の上に配置されたMEMSデバイスと、
前記チップの上を覆い、前記MEMSデバイスを入れる凹部を含む蓋と、
前記チップと前記蓋の間に配置されて、前記凹部を密封し、前記MEMSデバイスの高さよりも小さい厚さを有するシーラントと、
前記チップ、前記シーラントおよび前記蓋の周囲にコーティングされた第1防湿層と
を含むMEMS実装構造。 A chip including an active surface;
A MEMS device disposed on the active surface;
A lid that covers the chip and includes a recess for receiving the MEMS device;
A sealant disposed between the chip and the lid to seal the recess and to have a thickness smaller than the height of the MEMS device;
A MEMS mounting structure including the chip, the sealant, and a first moisture-proof layer coated around the lid.
前記第1基板の上に配置され、前記空洞を覆う第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板の間の境界域で密封された第2防湿層と
をさらに含む請求項1に記載のMEMS実装構造。 A first substrate having a cavity, wherein the chip, the MEMS device, the lid, the sealant, and the first moisture-proof layer are disposed in the cavity;
A second substrate disposed on the first substrate and covering the cavity;
The MEMS mounting structure according to claim 1, further comprising: a second moisture-proof layer sealed at a boundary region between the first substrate and the second substrate.
前記凹部が、前記アクティブ面と向かい合う上面を有し、
前記上面と前記アクティブ面の間の距離が、前記ミラーの傾斜時の高さよりも大きい請求項1から6の何れか1項に記載のMEMS実装構造。 The MEMS mounting structure has a mirror;
The recess has an upper surface facing the active surface;
The MEMS mounting structure according to any one of claims 1 to 6, wherein a distance between the upper surface and the active surface is larger than a height when the mirror is inclined.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014037400A JP5885145B2 (en) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | MEMS mounting structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014037400A JP5885145B2 (en) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | MEMS mounting structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015160286A true JP2015160286A (en) | 2015-09-07 |
JP5885145B2 JP5885145B2 (en) | 2016-03-15 |
Family
ID=54183737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014037400A Active JP5885145B2 (en) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | MEMS mounting structure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5885145B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017181626A (en) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device, manufacturing method for the same, and electronic apparatus |
WO2022156819A1 (en) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Liquid-based cmos mems micro thermal convective accelerometer |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006099065A (en) * | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Idc Llc | System and method for display device with integrated desiccant |
JP2007019107A (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
JP2008166837A (en) * | 2008-03-10 | 2008-07-17 | Kyocera Corp | Substrate for sealing electronic component, electronic device using the same, and method of manufacturing the electronic divice |
JP2009039843A (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Toshiba Corp | Electric part and its manufacturing method |
US20090115007A1 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-07 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Memes package structure |
-
2014
- 2014-02-27 JP JP2014037400A patent/JP5885145B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006099065A (en) * | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Idc Llc | System and method for display device with integrated desiccant |
JP2007019107A (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
JP2009039843A (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Toshiba Corp | Electric part and its manufacturing method |
US20090115007A1 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-07 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Memes package structure |
JP2008166837A (en) * | 2008-03-10 | 2008-07-17 | Kyocera Corp | Substrate for sealing electronic component, electronic device using the same, and method of manufacturing the electronic divice |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017181626A (en) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device, manufacturing method for the same, and electronic apparatus |
WO2022156819A1 (en) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Liquid-based cmos mems micro thermal convective accelerometer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5885145B2 (en) | 2016-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10294096B2 (en) | Process for manufacturing a packaged device, in particular a packaged micro-electro-mechanical sensor, having an accessible structure, such as a mems microphone and packaged device obtained thereby | |
US7786560B2 (en) | MEMS package structure | |
US7781852B1 (en) | Membrane die attach circuit element package and method therefor | |
US10870575B2 (en) | Stressed decoupled micro-electro-mechanical system sensor | |
US7414310B2 (en) | Waferscale package system | |
KR20150105232A (en) | A mems sensor structure for sensing pressure waves and a change in ambient pressure | |
CN102685657A (en) | Component | |
US20090289349A1 (en) | Hermetic sealing of micro devices | |
US9102513B1 (en) | MEMS package structure | |
CN101850942B (en) | Micro electromechanical system packaging structure | |
JP5885145B2 (en) | MEMS mounting structure | |
KR20100023008A (en) | Device having a sandwich structure for detecting thermal radiation, method of production and use of the device | |
JP2007139517A (en) | Method for manufacturing pressure sensor, pressure sensor, and method for mounting pressure sensor | |
US9624097B2 (en) | Manufacturing method thereof | |
US9593008B2 (en) | MEMS sensor including an over-travel stop and method of manufacture | |
US8575550B2 (en) | Apparatus having a screened structure for detecting thermal radiation | |
TWI546245B (en) | Mems package structure | |
CN104876175A (en) | Micro-electro-mechanical system packaging structure | |
JP6084274B2 (en) | MEMS package structure and manufacturing method thereof | |
JP2023070787A (en) | Inertial measurement device | |
KR101252809B1 (en) | Hermetic Package | |
CN113371669A (en) | Semiconductor structure and manufacturing method thereof | |
JP2009231566A (en) | Silicon package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5885145 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |