JP2015144140A - Target supply device, control system of the same, control device of the same, and control circuit of the same - Google Patents

Target supply device, control system of the same, control device of the same, and control circuit of the same Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a target supply device capable of suppressing wasteful consumption of a target.SOLUTION: A target supply device 1 controls gas pressure inside a tank 30 for storing molten tin 34 which is liquid melting target material output from a nozzle 31 by gas pressure supplied from a gas cylinder 40 comprising a pressure controller 41. The target supply device 1 comprises: a gas flow channel L2 with one end connected to the tank 30 and the other end forming an exhaust aperture La; a valve 43 disposed on the gas flow channel L2; and a controller 60 decompressing inside of the tank 30 by opening the valve 43 when the molten tin 34 is not output from the nozzle 30. When EUV light is not output, consumption of the molten tin 34 is suppressed by stopping the supply or reducing supply speed of the target 13.

Description

この発明は、ターゲットにレーザ光を照射してプラズマを生成し該プラズマから極端紫外(EUV:extreme ultra violet)光を発生する極端紫外光光源装置に用いられるターゲット供給装置、その制御システム、その制御装置およびその制御回路に関する。   The present invention relates to a target supply device used in an extreme ultraviolet light source device for generating plasma by irradiating a target with laser light and generating extreme ultra violet (EUV) light from the plasma, its control system, and its control The present invention relates to a device and a control circuit thereof.

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、65nm〜32nmの微細加工、さらには30nm以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば30nm以下の微細加工の要求に応えるべく、波長13nm程度の極端紫外光(EUV)光源と縮小投影反射光学系(Reduced Projection Reflective Optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。   In recent years, along with miniaturization of semiconductor processes, miniaturization of transfer patterns in optical lithography of semiconductor processes has been rapidly progressing. In the next generation, 65 nm to 32 nm fine processing, and further 30 nm or less fine processing will be required. For this reason, for example, in order to meet the demand for fine processing of 30 nm or less, it is expected to develop an exposure apparatus that combines an extreme ultraviolet (EUV) light source having a wavelength of about 13 nm and a reduced projection reflective optical system. Yes.

EUV光源としては、ターゲットにレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたLPP(Laser Produced Plasma:レーザ励起プラズマ)光源と、放電によって生成されるプラズマを用いたDPP(Discharge Produced Plasma)光源と、軌道放射光を用いたSR(Synchrotron Radiation)光源との3種類がある。これらのうち、LPP光源は、DPP光源やSR光源と比較してプラズマ密度を大きくできるので、黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られるという利点を有する。また、LPP光源は、ターゲット物質を選択することによって、所望の波長帯の強い光を得ることが可能であるという利点を有する。さらに、LPP光源は、光源の周囲に電極等の構造物がなく、ほぼ等方的な角度分布をもつ点光源であるので、2πステラジアンという極めて大きな捕集立体角の確保が可能である等の利点を有する。これらのような利点を有するLPP光源は、数十から数百ワット以上のパワーが要求されるEUVリソグラフィ用の光源として注目されている。   As an EUV light source, an LPP (Laser Produced Plasma) light source using plasma generated by irradiating a target with a laser beam, and a DPP (Discharge Produced Plasma) light source using plasma generated by discharge And SR (Synchrotron Radiation) light source using orbital radiation. Among these, the LPP light source can increase the plasma density as compared with the DPP light source and the SR light source, and thus has an advantage that extremely high luminance close to black body radiation can be obtained. In addition, the LPP light source has an advantage that light having a desired wavelength band can be obtained by selecting a target material. Furthermore, since the LPP light source is a point light source having no isotropic structures around the light source and having an approximately isotropic angular distribution, an extremely large collection solid angle of 2π steradians can be secured. Have advantages. The LPP light source having such advantages has attracted attention as a light source for EUV lithography that requires power of several tens to several hundred watts or more.

このLPP方式によるEUV光光源装置は、まず、真空チャンバ内に供給されるターゲット物質に対してレーザ光を照射することにより、ターゲット物質が励起されてプラズマ化する。すると、このプラズマからEUV光を含む様々な波長成分よりなる光が放射される。そこでEUV光光源装置は、所望の波長成分、たとえば13.5nmの波長成分のEUV光を選択的に反射するEUV光集光ミラーを用いてEUV光を所定の位置に集光する。集光されたEUV光は、露光装置に入力される。EUV光集光ミラーの反射面には、たとえば、モリブデン(Mo)の薄膜とシリコン(Si)の薄膜とが交互に積層された構造を持つ多層膜(Mo/Si多層膜)が形成されている。この多層膜は、波長13.5nmのEUV光に対して高反射率(約60%から70%)を示す。   In this LPP EUV light source device, first, a target material supplied into a vacuum chamber is irradiated with a laser beam to excite the target material into plasma. Then, light composed of various wavelength components including EUV light is emitted from the plasma. Therefore, the EUV light source device condenses EUV light at a predetermined position using an EUV light condensing mirror that selectively reflects EUV light having a desired wavelength component, for example, a wavelength component of 13.5 nm. The condensed EUV light is input to the exposure apparatus. For example, a multilayer film (Mo / Si multilayer film) having a structure in which molybdenum (Mo) thin films and silicon (Si) thin films are alternately stacked is formed on the reflective surface of the EUV light collector mirror. . This multilayer film exhibits high reflectivity (about 60% to 70%) with respect to EUV light having a wavelength of 13.5 nm.

特開2007−266234号公報JP 2007-266234 A

ところで、従来のターゲット供給装置は、ガスボンベからのガスでターゲット供給装置のタンク内を加圧することでターゲットを常時供給している。しかしながら、ウェハー交換時や露光装置またはEUV光光源装置の調整時など、EUV光を出力する必要のないときは、ターゲットを供給する必要がない。このため、EUV光を出力する必要のないときのターゲットの供給は、ターゲットの浪費となっていた。   By the way, the conventional target supply apparatus always supplies the target by pressurizing the inside of the tank of the target supply apparatus with the gas from the gas cylinder. However, when it is not necessary to output EUV light, such as when changing wafers or adjusting the exposure apparatus or EUV light source apparatus, it is not necessary to supply a target. For this reason, supply of the target when it is not necessary to output EUV light has been a waste of the target.

この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ターゲットの浪費を低減することが可能なターゲット供給装置、その制御システム、その制御装置およびその制御回路を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a target supply device, a control system thereof, a control device thereof, and a control circuit thereof capable of reducing target waste.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明によるターゲット供給装置は、液状のターゲット材を蓄えるタンクと、前記タンク内の前記液状ターゲット材を出力するノズルと、前記タンク内へガスを供給するガス供給源と、を備え、前記タンク内のガス圧を、圧力調整器が備えつけられたガス供給源から供給されるガスの圧力で制御するターゲット供給装置であって、一端が前記タンクに接続され、他端が排気口を形成する減圧ガス流路と、前記減圧ガス流路上に設置した減圧用バルブと、前記減圧用バルブの開閉を制御するコントローラと、を有し、前記コントローラが、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させない場合、前記減圧用バルブを開にして前記タンク内を減圧することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, a target supply apparatus according to the present invention includes a tank for storing a liquid target material, a nozzle for outputting the liquid target material in the tank, and a gas into the tank. A target supply device for controlling the gas pressure in the tank by the pressure of the gas supplied from the gas supply source provided with a pressure regulator, one end of the tank A decompression gas flow path whose other end forms an exhaust port, a decompression valve installed on the decompression gas path, and a controller for controlling opening and closing of the decompression valve, wherein the controller When the target material is not output from the nozzle, the pressure reducing valve is opened to depressurize the tank.

上記した本発明によるターゲット供給装置は、前記ターゲット材が、前記タンク内の圧力によって前記タンクに設けられた前記ノズルから出力することを特徴とする。   The target supply apparatus according to the present invention described above is characterized in that the target material outputs from the nozzle provided in the tank by the pressure in the tank.

上記した本発明によるターゲット供給装置は、前記ノズルと対向する位置に設けられた電極をさらに備え、前記ターゲット材が、前記タンク内の圧力と前記電極に電位が与えられることで生じた静電引力とによって前記ノズルから出力することを特徴とする。   The target supply device according to the present invention described above further includes an electrode provided at a position facing the nozzle, and the target material is an electrostatic attractive force generated by applying a pressure in the tank and a potential to the electrode. And outputting from the nozzle.

上記した本発明によるターゲット供給装置は、前記ガス供給源と前記タンクとを接続するとともに前記圧力調整器が配置された昇圧ガス流路と、前記圧力調整器と前記タンクとの間の前記昇圧ガス流路上に設置した昇圧用バルブと、をさらに備え、前記減圧ガス流路の一端が、前記昇圧用バルブと前記タンクとの間の前記昇圧ガス流路に接続され、前記コントローラが、前記ターゲット材を前記ノズルから出力する場合、前記昇圧用バルブを開にするとともに前記減圧用バルブを閉にすることで前記タンク内を昇圧し、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させない場合、前記昇圧用バルブを閉にするとともに前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧することを特徴とする。   The above-described target supply apparatus according to the present invention includes a pressurization gas passage that connects the gas supply source and the tank and in which the pressure regulator is disposed, and the pressurization gas between the pressure regulator and the tank. A pressure increasing valve installed on the flow path, one end of the pressure reducing gas flow path is connected to the pressure increasing gas flow path between the pressure increasing valve and the tank, and the controller includes the target material When the pressure increase valve is opened and the pressure reduction valve is closed to increase the pressure inside the tank, and when the target material is not output from the nozzle, the pressure increase valve is The inside of the tank is decompressed by closing and opening the decompression valve.

上記した本発明によるターゲット供給装置は、前記減圧用バルブより前記タンク側の前記減圧ガス流路に接続する第1ガス流路と、前記第1ガス流路の他端に接続された真空ポンプと、前記第1ガス流路上に設けられた第1バルブと、をさらに備え、前記コントローラが、前記ターゲット材の前記ノズルからの出力を停止する場合、前記第1バルブを閉にするとともに前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧した後、前記減圧用バルブを閉にし且つ前記第1バルブを開にするとともに前記真空ポンプを用いて前記タンク内をさらに減圧することを特徴とする。   The above-described target supply device according to the present invention includes a first gas passage connected to the decompression gas passage on the tank side from the decompression valve, and a vacuum pump connected to the other end of the first gas passage. A first valve provided on the first gas flow path, and when the controller stops the output of the target material from the nozzle, the controller closes the first valve and reduces the pressure. After reducing the pressure in the tank by opening a valve, the pressure reducing valve is closed and the first valve is opened, and the pressure in the tank is further reduced using the vacuum pump. .

上記した本発明によるターゲット供給装置は、前記排気口に接続され前記タンクの容量に比して大きい容量を有した減圧タンクと、一端が前記減圧タンクに接続され他端が前記第1バルブと前記真空ポンプとの間の第1ガス流路に接続された第2ガス流路と、前記第2ガス流路上に設けられた第2バルブと、をさらに備え、前記コントローラが、前記第2バルブを開にした状態で前記減圧タンク内を前記真空ポンプを用いて真空排気しておき、前記ターゲット材の前記ノズルからの出力を停止させる場合、前記第1バルブと前記第2バルブとを閉にするとともに前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧した後、前記減圧用バルブを閉にし且つ前記第1バルブを開にするとともに前記真空ポンプを用いて前記タンク内をさらに減圧することを特徴とする。   The target supply device according to the present invention described above includes a decompression tank connected to the exhaust port and having a capacity larger than the capacity of the tank, one end connected to the decompression tank, and the other end connected to the first valve and the first valve. A second gas channel connected to the first gas channel between the vacuum pump and a second valve provided on the second gas channel; and the controller controls the second valve. When the vacuum tank is evacuated using the vacuum pump in an open state, and the output of the target material from the nozzle is stopped, the first valve and the second valve are closed. In addition, after the pressure in the tank is reduced by opening the pressure reducing valve, the pressure reducing valve is closed and the first valve is opened, and the inside of the tank is further reduced using the vacuum pump. Characterized in that it.

上記した本発明によるターゲット供給装置は、前記排気口に接続され前記タンクの容量に比して大きい容量を有した減圧タンクと、一端が前記減圧タンクに接続された第3ガス流路と、前記第3ガス流路の他端に接続された真空ポンプと、前記第3ガス流路上に設けられた第3バルブと、をさらに備え、前記コントローラが、前記第3バルブを開にした状態で前記減圧タンク内を前記真空ポンプを用いて真空排気しておき、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させない場合、前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧することを特徴とする。   The target supply device according to the present invention described above includes a decompression tank connected to the exhaust port and having a capacity larger than the capacity of the tank, a third gas flow path having one end connected to the decompression tank, A vacuum pump connected to the other end of the third gas flow path; and a third valve provided on the third gas flow path, wherein the controller opens the third valve and When the inside of the decompression tank is evacuated using the vacuum pump and the target material is not output from the nozzle, the inside of the tank is decompressed by opening the decompression valve.

上記した本発明によるターゲット供給装置は、前記圧力調整器と前記昇圧バルブとの間に一端が接続された第4ガス流路と、前記第4ガス流路の他端に接続され前記タンクの容量に比して大きい容量を有した蓄積タンクと、前記第4ガス流路上に設けられた第4バルブと、をさらに備え、前記コントローラが、前記昇圧用バルブを閉にするとともに前記第4バルブを開にすることで前記蓄積タンク内を昇圧しておき、前記タンク内を昇圧する場合、前記昇圧用バルブを開にすることで前記蓄積タンクによる昇圧アシストを受けて前記タンク内を昇圧することを特徴とする。   The target supply device according to the present invention described above includes a fourth gas flow path having one end connected between the pressure regulator and the pressure increasing valve, and a capacity of the tank connected to the other end of the fourth gas flow path. A storage tank having a capacity larger than that of the first gas flow path; and a fourth valve provided on the fourth gas flow path, wherein the controller closes the boost valve and the fourth valve. When the pressure in the storage tank is increased by opening the tank, and the pressure in the tank is increased, the pressure in the tank is increased by receiving a pressure increase assist by the storage tank by opening the pressure increasing valve. Features.

上記した本発明によるターゲット供給装置は、前記圧力調整器と前記昇圧用バルブとの間の前記昇圧ガス流路上に設けられ、前記圧力調整器よりも高精度の圧力調整が可能な高精度圧力調整器と、前記圧力調整器と前記高精度圧力調整器との間の前記昇圧ガス流路上に設けられた第5バルブと、前記第5バルブと前記高精度圧力調整器とをバイパスするバイパスガス流路と、前記バイパスガス流路上に設けられた第6バルブと、をさらに備え、前記コントローラが、前記タンク内を昇圧する場合、前記第5バルブを閉にするとともに前記第6バルブを開にすることで前記圧力調整器によって圧力調整されたガスを前記バイパスガス流路を介して前記タンク内に供給した後、前記第5バルブを開にするとともに前記第6バルブを閉にすることで前記高精度圧力調整器によって圧力調整されたガスを前記タンク内に供給することを特徴とする。   The above-described target supply device according to the present invention is provided on the pressurization gas flow path between the pressure regulator and the pressure boosting valve, and is capable of highly accurate pressure regulation than the pressure regulator. Gas, bypass gas flow bypassing the fifth valve and the high-precision pressure regulator, a fifth valve provided on the pressurization gas flow path between the pressure regulator and the high-precision pressure regulator And a sixth valve provided on the bypass gas flow path. When the controller boosts the pressure in the tank, the controller closes the fifth valve and opens the sixth valve. By supplying the gas whose pressure has been adjusted by the pressure regulator into the tank through the bypass gas flow path, the fifth valve is opened and the sixth valve is closed. The gas whose pressure is adjusted by serial precision pressure regulator and supplying to the tank.

また、本発明によるターゲット供給部の制御システムは、ノズルから出力される液状のターゲット材を蓄えるタンク内のガス圧を圧力調整器が備えつけられたガス供給源から供給されるガスの圧力で制御するターゲット供給部の制御システムであって、前記タンク内の圧力を前記ターゲット材が前記ノズルから出力される所定圧まで昇圧する昇圧機構と、前記タンク内の圧力を減圧する減圧機構と、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させる場合、前記昇圧機構を制御することで前記タンク内を前記所定圧に昇圧して維持し、前記ターゲット材の出力が不要な場合、前記減圧機構を制御して前記タンク内を減圧することで、前記ターゲット材の出力を停止、または、前記ターゲット材の出力を減少させるコントローラと、を備えたことを特徴とする。   In addition, the control system of the target supply unit according to the present invention controls the gas pressure in the tank that stores the liquid target material output from the nozzle by the pressure of the gas supplied from the gas supply source provided with the pressure regulator. A control system for a target supply unit, wherein the pressure in the tank is increased to a predetermined pressure at which the target material is output from the nozzle, the pressure reducing mechanism for reducing the pressure in the tank, and the target material Is output from the nozzle, the pressure inside the tank is increased to the predetermined pressure by controlling the pressure increasing mechanism, and when the output of the target material is unnecessary, the pressure reducing mechanism is controlled to control the inside of the tank. A controller that stops the output of the target material by reducing the pressure or reduces the output of the target material. And butterflies.

また、本発明によるターゲット供給部の制御システムは、ノズルから出力される液状のターゲット材を蓄えるタンク内のガス圧を圧力調整器が備えつけられたガス供給源から供給されるガスの圧力で制御するターゲット供給部の制御システムであって、前記ガス供給源と前記タンクとを接続するとともに前記圧力調整器が配置された昇圧ガス流路と、前記圧力調整器と前記タンクとの間の前記昇圧ガス流路上に設置した昇圧用バルブと、前記タンクと前記昇圧用バルブとの間の前記昇圧ガス流路に一端が接続され、他端が排気口を形成する減圧ガス流路と、前記減圧ガス流路上に設置した減圧用バルブと、前記減圧用バルブより前記タンク側の前記減圧ガス流路に接続する第1ガス流路と、前記第1ガス流路の他端に接続された真空ポンプと、前記第1ガス流路上に設けられた第1バルブと、前記昇圧用バルブと前記減圧用バルブと前記タンクとの間の流路内の圧力を検出する圧力計と、前記圧力計が検出する圧力に基づいて、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させる場合、前記昇圧用バルブを開にするとともに前記減圧用バルブおよび第1バルブを閉にすることで前記タンク内を昇圧し、前記ターゲット材の前記ノズルからの出力を停止させる場合、前記第1バルブを閉の状態で前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧した後、前記減圧用バルブを閉にするとともに前記第1バルブを開にすることで前記タンク内をさらに減圧するコントローラと、を備えたことを特徴とする。   In addition, the control system of the target supply unit according to the present invention controls the gas pressure in the tank that stores the liquid target material output from the nozzle by the pressure of the gas supplied from the gas supply source provided with the pressure regulator. A control system for a target supply unit, wherein the gas supply source and the tank are connected to each other, and the pressure increase gas flow path in which the pressure regulator is disposed, and the pressure increase gas between the pressure regulator and the tank A pressure increasing valve installed on the flow path, a pressure reducing gas flow path having one end connected to the pressure increasing gas flow path between the tank and the pressure increasing valve, and the other end forming an exhaust port; and the pressure reducing gas flow A decompression valve installed on the road, a first gas passage connected to the decompression gas passage on the tank side from the decompression valve, and a vacuum pump connected to the other end of the first gas passage; A first valve provided on the first gas flow path; a pressure gauge for detecting pressure in the flow path between the pressure increasing valve, the pressure reducing valve and the tank; and a pressure detected by the pressure gauge. When the target material is output from the nozzle, the pressure inside the tank is increased by opening the pressure increasing valve and closing the pressure reducing valve and the first valve. When stopping the output from the nozzle, the inside of the tank is decompressed by opening the decompression valve while the first valve is closed, and then the decompression valve is closed and the first valve is And a controller that further depressurizes the inside of the tank by opening the tank.

また、本発明によるターゲット供給部の制御装置は、圧力調整器が備えつけられたガス供給源とノズルを有するタンク内のターゲット材を前記ガス供給源から供給されるガスの圧力で前記ノズルから出力するターゲット供給部とを接続する昇圧ガス流路と、前記圧力調整器と前記タンクとの間の前記昇圧ガス流路上に設置した昇圧用バルブと、前記タンクと前記昇圧用バルブとの間の前記昇圧ガス流路に一端が接続され、他端が排気口を形成する減圧ガス流路と、前記減圧ガス流路上に設置した減圧用バルブと、前記減圧用バルブより前記タンク側の前記減圧ガス流路に接続する第1ガス流路と、前記第1ガス流路の他端に接続された真空ポンプと、前記第1ガス流路上に設けられた第1バルブと、前記昇圧用バルブと前記減圧用バルブと前記タンクとの間の流路内の圧力を検出する圧力計と、を含む制御回路を備えたターゲット供給部の制御装置であって、前記圧力計が検出する圧力に基づいて、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させる場合、前記昇圧用バルブを開にするとともに前記減圧用バルブおよび第1バルブを閉にすることで前記タンク内を昇圧し、前記ターゲット材の前記ノズルからの出力を停止させる場合、前記第1バルブを閉の状態で前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧した後、前記減圧用バルブを閉にするとともに前記第1バルブを開にすることで前記タンク内をさらに減圧するコントローラを備えたことを特徴とする。   In addition, the control device of the target supply unit according to the present invention outputs the gas supply source provided with the pressure regulator and the target material in the tank having the nozzle from the nozzle at the pressure of the gas supplied from the gas supply source. A boosting gas flow path connecting a target supply unit, a boosting valve installed on the boosting gas flow path between the pressure regulator and the tank, and the boosting pressure between the tank and the boosting valve. A decompression gas passage having one end connected to the gas passage and the other end forming an exhaust port; a decompression valve installed on the decompression gas passage; and the decompression gas passage closer to the tank than the decompression valve A first gas flow path connected to the first gas flow path, a vacuum pump connected to the other end of the first gas flow path, a first valve provided on the first gas flow path, the pressure increasing valve, and the pressure reducing pressure Valve and front A control device of a target supply unit including a control circuit including a pressure gauge for detecting a pressure in a flow path between the tank and the tank, wherein the target material is selected based on the pressure detected by the pressure gauge. When outputting from the nozzle, when opening the pressure-up valve and increasing the pressure in the tank by closing the pressure-reducing valve and the first valve, to stop the output of the target material from the nozzle, After reducing the pressure in the tank by opening the pressure reducing valve while the first valve is closed, the tank is closed by closing the pressure reducing valve and opening the first valve. Further, a controller for reducing the pressure is provided.

また、本発明によるターゲット供給部の制御回路は、圧力調整器が備えつけられたガス供給源とノズルを有するタンク内のターゲット材を前記ガス供給源から供給されるガスの圧力で前記ノズルから出力するターゲット供給部とを接続する昇圧ガス流路と、前記圧力調整器と前記タンクとの間の前記昇圧ガス流路上に設置した昇圧用バルブと、前記タンクと前記昇圧用バルブとの間の前記昇圧ガス流路に一端が接続され、他端が排気口を形成する減圧ガス流路と、前記減圧ガス流路上に設置した減圧用バルブと、前記減圧用バルブより前記タンク側の前記減圧ガス流路に接続する第1ガス流路と、前記第1ガス流路の他端に接続された真空ポンプと、前記第1ガス流路上に設けられた第1バルブと、前記昇圧用バルブと前記減圧用バルブと前記タンクとの間の流路内の圧力を検出する圧力計と、を備え、前記圧力計が検出する圧力に基づいて、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させる場合、前記昇圧用バルブを開にするとともに前記減圧用バルブおよび第1バルブを閉にすることで前記タンク内を昇圧し、前記ターゲット材の前記ノズルからの出力を停止する場合、前記第1バルブが閉の状態で前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧した後、前記減圧用バルブを閉にするとともに前記第1バルブを開にすることで前記タンク内をさらに減圧することを特徴とする。   In addition, the control circuit of the target supply unit according to the present invention outputs a gas supply source provided with a pressure regulator and a target material in a tank having a nozzle from the nozzle at the pressure of the gas supplied from the gas supply source. A boosting gas flow path connecting a target supply unit, a boosting valve installed on the boosting gas flow path between the pressure regulator and the tank, and the boosting pressure between the tank and the boosting valve. A decompression gas passage having one end connected to the gas passage and the other end forming an exhaust port; a decompression valve installed on the decompression gas passage; and the decompression gas passage closer to the tank than the decompression valve A first gas flow path connected to the first gas flow path, a vacuum pump connected to the other end of the first gas flow path, a first valve provided on the first gas flow path, the pressure increasing valve, and the pressure reducing pressure Valve and front A pressure gauge that detects a pressure in a flow path between the tank and the tank, and when the target material is output from the nozzle based on the pressure detected by the pressure gauge, the pressure increasing valve is opened. In addition, when the pressure inside the tank is increased by closing the pressure reducing valve and the first valve and the output of the target material from the nozzle is stopped, the pressure reducing valve is turned on while the first valve is closed. After the inside of the tank is decompressed by opening, the inside of the tank is further decompressed by closing the decompression valve and opening the first valve.

この発明によれば、溶融ターゲット材の噴出を不必要とする場合に、前記減圧ガス流路上に設置した減圧用バルブを用いて前記タンク内を減圧することが可能となるため、ターゲットの浪費を低減することが可能なターゲット供給装置、その制御システム、その制御装置およびその制御回路を実現することができる。   According to the present invention, when it is not necessary to eject the molten target material, the inside of the tank can be decompressed using the decompression valve installed on the decompression gas flow path. It is possible to realize a target supply device that can be reduced, its control system, its control device, and its control circuit.

図1は、この発明の実施の形態1によるターゲット供給装置を用いる極端紫外光光源装置の構成を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an extreme ultraviolet light source device using a target supply device according to Embodiment 1 of the present invention. 図2は、図1に示したターゲット供給装置の詳細構成を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a detailed configuration of the target supply device illustrated in FIG. 1. 図3は、図2に示したコントローラによる圧力切替処理手順を示す全体フローチャートである。FIG. 3 is an overall flowchart showing a pressure switching processing procedure by the controller shown in FIG. 図4は、図3に示した減圧処理の処理手順を示す詳細フローチャートである。FIG. 4 is a detailed flowchart showing a processing procedure of the decompression process shown in FIG. 図5は、この発明の実施の形態2によるターゲット供給装置の詳細構成を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a detailed configuration of a target supply device according to Embodiment 2 of the present invention. 図6は、図5に示したコントローラによる圧力切替処理手順を示す全体フローチャートである。FIG. 6 is an overall flowchart showing a pressure switching processing procedure by the controller shown in FIG. 図7は、この発明の実施の形態3によるターゲット供給装置の詳細構成を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing a detailed configuration of a target supply device according to Embodiment 3 of the present invention. 図8は、図7に示したコントローラによる圧力切替処理手順を示す全体フローチャートである。FIG. 8 is an overall flowchart showing a pressure switching processing procedure by the controller shown in FIG. 図9は、図8に示した減圧後処理の処理手順を示す詳細フローチャートである。FIG. 9 is a detailed flowchart showing a processing procedure of the post-decompression processing shown in FIG. 図10は、この発明の実施の形態4によるターゲット供給装置の詳細構成を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing a detailed configuration of a target supply device according to Embodiment 4 of the present invention. 図11は、図10に示したコントローラによる圧力切替処理手順を示す全体フローチャートである。FIG. 11 is an overall flowchart showing a pressure switching processing procedure by the controller shown in FIG. 図12は、この発明の実施の形態5によるターゲット供給装置の詳細構成を示す模式図である。FIG. 12 is a schematic diagram showing a detailed configuration of a target supply device according to Embodiment 5 of the present invention. 図13は、図12に示した減圧処理の処理手順を示す詳細フローチャートである。FIG. 13 is a detailed flowchart showing a processing procedure of the decompression processing shown in FIG. 図14は、この発明の実施の形態5の変形例1によるターゲット供給装置の詳細構成を示す模式図である。FIG. 14 is a schematic diagram showing a detailed configuration of the target supply device according to the first modification of the fifth embodiment of the present invention. 図15は、この発明の実施の形態5の変形例2によるターゲット供給装置の詳細構成を示す模式図である。FIG. 15 is a schematic diagram showing a detailed configuration of the target supply device according to the second modification of the fifth embodiment of the present invention. 図16は、この発明の実施の形態5の変形例3によるターゲット供給装置の詳細構成を示す模式図である。FIG. 16 is a schematic diagram showing a detailed configuration of a target supply device according to Modification 3 of Embodiment 5 of the present invention. 図17は、この発明の実施の形態6によるターゲット供給装置の詳細構成を示す模式図である。FIG. 17 is a schematic diagram showing a detailed configuration of a target supply device according to Embodiment 6 of the present invention. 図18は、図17に示したコントローラによる圧力切替処理手順を示す全体フローチャートである。FIG. 18 is an overall flowchart showing a pressure switching processing procedure by the controller shown in FIG.

以下、図面を参照して、この発明を実施するためのいくつかの形態によるターゲット供給装置、その制御システム、その制御装置およびその制御回路について説明する。   Hereinafter, a target supply device, a control system thereof, a control device thereof, and a control circuit thereof according to some embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

実施の形態1
図1は、この発明の実施の形態1によるターゲット供給装置が用いられる極端紫外光光源装置の構成を示す模式図である。図2は、図1に示したターゲット供給装置の詳細構成を示す模式図である。なお、図1に示した極端紫外光光源装置は、レーザビームをターゲット物質に照射して励起させることにより極端紫外光を生成するレーザ励起プラズマ(LPP)方式を採用している。
Embodiment 1
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an extreme ultraviolet light source device in which a target supply device according to Embodiment 1 of the present invention is used. FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a detailed configuration of the target supply device illustrated in FIG. 1. The extreme ultraviolet light source device shown in FIG. 1 employs a laser excited plasma (LPP) system that generates extreme ultraviolet light by irradiating a target material with a laser beam and exciting it.

図1に示すように、この極端紫外光光源装置は、極端紫外光の生成が行われる真空チャンバ10と、真空チャンバ10内の所定位置にターゲット13を供給するターゲット供給部11と、ターゲット13を供給するために、ターゲット13を加圧するガスを供給するガスボンベ40と、加圧するガスの圧力を調整する圧力調整器41と、加圧するガスの圧力を切り替える圧力切替機構25と、ターゲット13に照射される励起用レーザビーム20を生成するドライバレーザ15と、ドライバレーザ15によって生成される励起用レーザビーム20を集光するレーザ集光光学系16と、ターゲット13に励起用レーザビーム20が照射されることによって発生するプラズマ18から放出される極端紫外光19を集光するように反射する集光ミラー14と、真空チャンバ10内を真空に保つための排気装置17と、極端紫外光光源装置全体を制御するメインコントローラCとを有する。ここで、ターゲット供給部11、ガスボンベ40、圧力調整器41、および圧力切替機構25は、ターゲット供給装置1を構成する。また、圧力切替機構25は、ターゲット供給部11内のガス圧を所定圧まで昇圧して維持する制御を少なくとも行うコントローラ60と、ターゲット供給部11内のガス圧を昇圧するとともに所定圧に維持する昇圧機構25aと、ターゲット供給部11内のガス圧を減圧する減圧機構25bとを有する。さらに、メインコントローラCは、少なくともターゲット供給装置1に対して昇圧指示および減圧指示などの制御指示を与える。昇圧指示を与える場合とは、たとえば、極端紫外光を用いる図示しない露光装置が極端紫外光を必要とする場合であり、減圧指示を与える場合とは、たとえば、露光装置側が極端紫外光を必要としない場合である。   As shown in FIG. 1, the extreme ultraviolet light source device includes a vacuum chamber 10 in which extreme ultraviolet light is generated, a target supply unit 11 that supplies a target 13 to a predetermined position in the vacuum chamber 10, and a target 13. In order to supply the gas, a gas cylinder 40 that supplies a gas that pressurizes the target 13, a pressure regulator 41 that adjusts the pressure of the gas to be pressurized, a pressure switching mechanism 25 that switches the pressure of the gas to be pressurized, and the target 13 are irradiated. The driver laser 15 that generates the excitation laser beam 20, the laser condensing optical system 16 that condenses the excitation laser beam 20 generated by the driver laser 15, and the target 13 are irradiated with the excitation laser beam 20. The condensing mirror which reflects so that the extreme ultraviolet light 19 emitted from the plasma 18 generated by this may be condensed 14, has an exhaust system 17 for keeping the vacuum chamber 10 is evacuated, the main controller C which controls the entire extreme ultraviolet light source device. Here, the target supply unit 11, the gas cylinder 40, the pressure regulator 41, and the pressure switching mechanism 25 constitute the target supply device 1. Further, the pressure switching mechanism 25 boosts the gas pressure in the target supply unit 11 and maintains it at a predetermined pressure, at least the controller 60 that performs control to increase and maintain the gas pressure in the target supply unit 11 to a predetermined pressure. The pressure increase mechanism 25a and the pressure reduction mechanism 25b which reduces the gas pressure in the target supply part 11 are provided. Further, the main controller C gives control instructions such as a pressure increase instruction and a pressure decrease instruction to at least the target supply device 1. The case of giving a pressure increase instruction is, for example, a case where an exposure apparatus (not shown) that uses extreme ultraviolet light requires extreme ultraviolet light, and the case of giving a pressure reduction instruction, for example, requires that the exposure apparatus side requires extreme ultraviolet light. This is the case.

ここで、真空チャンバ内にターゲットを供給するターゲット供給装置1は、溶融した液状のSn、Li等のターゲット材料が充填されたタンク30を備える。タンク30内部のターゲット材(溶融錫34)は、タンク30の外壁に設けられたヒータ33によって溶融される。ターゲット供給装置1は、溶融されたターゲット材を蓄えるタンク30を、圧力調整器41で減圧したガスボンベ40からのガスで加圧する。これにより、タンク30の先端に取り付けられたノズル31から、ターゲット13である溶融金属(Sn、Li等)が射出される。ターゲット13は、ジェットまたはドロップレットの形態で射出される。ドロップレットは、例えばコンティニュアスジェット法により生成することができる。コンティニュアスジェット法では、ピエゾ素子32等の振動素子を用いて溶融金属のジェット表面に規則的な擾乱が与えられる。これにより、均一な体積のドロップレットがノズルから出射される。   Here, the target supply device 1 for supplying a target into a vacuum chamber includes a tank 30 filled with a target material such as molten liquid Sn or Li. The target material (molten tin 34) inside the tank 30 is melted by the heater 33 provided on the outer wall of the tank 30. The target supply device 1 pressurizes the tank 30 that stores the melted target material with the gas from the gas cylinder 40 decompressed by the pressure regulator 41. Thereby, the molten metal (Sn, Li, etc.) which is the target 13 is inject | emitted from the nozzle 31 attached to the front-end | tip of the tank 30. FIG. The target 13 is ejected in the form of a jet or a droplet. The droplets can be generated by, for example, a continuous jet method. In the continuous jet method, regular disturbance is given to the jet surface of the molten metal using a vibrating element such as the piezo element 32. As a result, a droplet having a uniform volume is emitted from the nozzle.

このターゲット供給装置1から真空チャンバ10内の所定位置にターゲット13が供給されると共に、ドライバレーザ15から出射された励起用レーザビーム20がレーザ集光光学系16を介して真空チャンバ10内の所定位置に集光されると、ターゲット13に励起用レーザビーム20が照射されることによってプラズマ18を発生する。その後、このプラズマ18からは、極端紫外光19が放射される。集光ミラー14は、この極端紫外光19を集光して真空チャンバ10外の図示しない露光装置側に出射する。なお、励起用レーザビーム20がパルスレーザ光である場合、ターゲット13の照射タイミングとパルス発生タイミングとは、メインコントローラCによって同期制御される。   The target 13 is supplied from the target supply device 1 to a predetermined position in the vacuum chamber 10, and the excitation laser beam 20 emitted from the driver laser 15 is supplied to the predetermined position in the vacuum chamber 10 via the laser focusing optical system 16. When focused on the position, plasma 18 is generated by irradiating the target 13 with the excitation laser beam 20. Thereafter, extreme ultraviolet light 19 is emitted from the plasma 18. The condensing mirror 14 condenses the extreme ultraviolet light 19 and emits it to the exposure apparatus side (not shown) outside the vacuum chamber 10. When the excitation laser beam 20 is a pulse laser beam, the irradiation timing of the target 13 and the pulse generation timing are synchronously controlled by the main controller C.

この極端紫外光源装置では、例えば、ターゲット13として、金属(液体または固体のSn、Li)が用いられ、ドライバレーザ15として、比較的波長の長い光を生成することができる炭酸ガス(CO)レーザが用いられる。レーザ光エネルギーから極端紫外光エネルギーへの変換効率が高い金属には、Snがある。このSnに炭酸ガスレーザを照射した場合の変換効率は2〜4%程度である。 In this extreme ultraviolet light source device, for example, metal (liquid or solid Sn, Li) is used as the target 13, and carbon dioxide gas (CO 2 ) that can generate light having a relatively long wavelength as the driver laser 15. A laser is used. Sn is a metal having high conversion efficiency from laser light energy to extreme ultraviolet light energy. The conversion efficiency when this Sn is irradiated with a carbon dioxide laser is about 2 to 4%.

レーザ集光光学系16は、少なくとも1つのレンズおよび/または少なくとも1つのミラーで構成される。レーザ集光光学系16は、図1に示すように、真空チャンバ10の外側に配置しても良いが、真空チャンバ10の内側に配置しても良い。   The laser focusing optical system 16 includes at least one lens and / or at least one mirror. As shown in FIG. 1, the laser focusing optical system 16 may be disposed outside the vacuum chamber 10, but may be disposed inside the vacuum chamber 10.

集光ミラー14は、プラズマ18から放射される様々な波長成分の内から、所定の波長成分(例えば、13.5nm付近の極端紫外光)を選択的に反射し、かつ集光する集光光学系である。集光ミラー14は、凹状の反射面を有している。この反射面には、例えば、波長が13.5nm付近の極端紫外光を選択的に反射するモリブデン(Mo)およびシリコン(Si)の多層膜が形成されている。   The condensing mirror 14 selectively reflects and condenses a predetermined wavelength component (for example, extreme ultraviolet light near 13.5 nm) among various wavelength components emitted from the plasma 18. It is a system. The condensing mirror 14 has a concave reflecting surface. For example, a multilayer film of molybdenum (Mo) and silicon (Si) that selectively reflects extreme ultraviolet light having a wavelength of around 13.5 nm is formed on the reflecting surface.

図2に示すように、ターゲット供給部11は、溶融錫(Sn)34を内部に収納し、内部圧力を例えば高圧または所定圧力に維持できるタンク30と、タンク30の外部側面に配置されてタンク30内のSnを溶融する温調部材としてのヒータ33と、溶融Snをターゲット13として噴出するノズル31と、ノズル31近傍に配置され、ターゲット13をドロップレットとしてノズル31から連続して噴出させるピエゾ素子32とを有する。   As shown in FIG. 2, the target supply unit 11 contains a molten tin (Sn) 34 inside, a tank 30 that can maintain an internal pressure at, for example, a high pressure or a predetermined pressure, and a tank 30 disposed on the outer side surface of the tank 30. A heater 33 as a temperature control member that melts Sn in 30, a nozzle 31 that ejects molten Sn as a target 13, and a piezo that is arranged in the vicinity of the nozzle 31 and continuously ejects from the nozzle 31 as a droplet 13. Element 32.

圧力調整器41は、ガスボンベ40からのガスが設定された所定のガス圧となるように自律的に圧力調整を行う。圧力調整器41とタンク30との間は、ガス流路L1およびLによって接続される。ガス流路L1上には、流路の開閉を行うバルブ42が設けられる。一方、ガス流路L1およびLの接続点P1には、ガス流路L2が分岐している。ガス流路L2の他端には、排気口Laが形成されている。ガス流路L2上には、流路の開閉を行うバルブ43が設けられる。また、このバルブ43と接続点P1との間の接続点P2からは、ガス流路L3が分岐している。ガス流路L3の他端には、真空ポンプ46が接続される。さらに、真空ポンプ46と接続点P2との間のガス流路L3上には、流路の開閉を行うバルブ44が設けられる。また、接続点P1近傍には、ガス流路内の圧力を検出する圧力計45が設けられる。コントローラ60は、メインコントローラCからの指示および圧力計45の圧力値をもとに、バルブ42,43および44の開閉制御ならびに真空ポンプ46の駆動制御を行う。   The pressure regulator 41 autonomously adjusts the pressure so that the gas from the gas cylinder 40 has a predetermined gas pressure. The pressure regulator 41 and the tank 30 are connected by gas flow paths L1 and L. A valve 42 that opens and closes the flow path is provided on the gas flow path L1. On the other hand, the gas flow path L2 is branched to the connection point P1 of the gas flow paths L1 and L. An exhaust port La is formed at the other end of the gas flow path L2. A valve 43 that opens and closes the flow path is provided on the gas flow path L2. Further, a gas flow path L3 is branched from a connection point P2 between the valve 43 and the connection point P1. A vacuum pump 46 is connected to the other end of the gas flow path L3. Further, a valve 44 for opening and closing the flow path is provided on the gas flow path L3 between the vacuum pump 46 and the connection point P2. Further, a pressure gauge 45 for detecting the pressure in the gas flow path is provided in the vicinity of the connection point P1. The controller 60 performs open / close control of the valves 42, 43 and 44 and drive control of the vacuum pump 46 based on the instruction from the main controller C and the pressure value of the pressure gauge 45.

ここで、図3および図4に示したフローチャートを参照して、コントローラ60によるタンク30内の圧力切替制御処理手順について説明する。図3に示すように、コントローラ60は、まず、初期設定として、バルブ42,43および44を閉にし(ステップS101)、その後、圧力調整器41の設定圧力に、ターゲット供給時に使用する圧力を設定する(ステップS102)。なお、ステップS102の設定は、この実施の形態1では、予め手動で行われる。その後、コントローラ60は、メインコントローラCから昇圧の指示が有ったか否かを判断する(ステップS103)。昇圧の指示がない場合(ステップS103,No)、コントローラ60は、ステップS103の判断処理を繰り返す。一方、昇圧の指示が有った場合(ステップS103,Yes)、コントローラ60は、バルブ42を開にすることで(ステップS104)、ガス流路L1およびLを介してタンク30内を昇圧する。これにより、タンク30内の圧力が、ターゲット13を供給するのに必要な圧力となる。   Here, with reference to the flowchart shown in FIG. 3 and FIG. 4, the pressure switching control processing procedure in the tank 30 by the controller 60 will be described. As shown in FIG. 3, the controller 60 first closes the valves 42, 43, and 44 as an initial setting (step S <b> 101), and then sets the pressure used when supplying the target to the set pressure of the pressure regulator 41. (Step S102). Note that the setting in step S102 is manually performed in advance in the first embodiment. Thereafter, the controller 60 determines whether or not there is an instruction for boosting from the main controller C (step S103). When there is no instruction for boosting (No at Step S103), the controller 60 repeats the determination process at Step S103. On the other hand, when there is an instruction to increase the pressure (step S103, Yes), the controller 60 increases the pressure in the tank 30 via the gas flow paths L1 and L by opening the valve 42 (step S104). Thereby, the pressure in the tank 30 becomes a pressure necessary for supplying the target 13.

その後、コントローラ60は、メインコントローラCから減圧の指示が有ったか否かを判断する(ステップS105)。減圧の指示がない場合(ステップS105,No)、コントローラ60は、バルブ42の開状態を維持する。これにより、タンク30内を所定の圧力状態に維持する圧力調整器41による圧力調整が行われる。一方、減圧の指示が有った場合(ステップS105,Yes)、コントローラ60は、バルブ42を閉にする(ステップS106)ことで、昇圧処理を終了し、続いて、減圧処理を行う(ステップS107)。この減圧処理後、コントローラ60は、さらに昇圧の指示があったか否かを判断する(ステップS108)。昇圧の指示が有った場合(ステップS108,Yes)、コントローラ60は、ステップS104に移行し、減圧処理で閉としたバルブ42を開にすることで、昇圧処理を再開する。一方、昇圧の指示がなかった場合(ステップS108,No)、コントローラ60は、さらにメインコントローラCから終了指示が有ったか否かを判断する(ステップS109)。終了指示がなかった場合(ステップS109,No)、コントローラ60は、ステップS108に移行し、昇圧の指示があるまで待機する。一方、終了指示が有った場合(ステップS109,Yes)、コントローラ60は、本処理を終了する。   Thereafter, the controller 60 determines whether or not there is a pressure reduction instruction from the main controller C (step S105). If there is no instruction for depressurization (No in step S105), the controller 60 maintains the valve 42 in the open state. Thereby, the pressure adjustment by the pressure regulator 41 which maintains the inside of the tank 30 in a predetermined pressure state is performed. On the other hand, when there is an instruction for depressurization (step S105, Yes), the controller 60 closes the valve 42 (step S106), thereby ending the pressurization process, and subsequently performing the depressurization process (step S107). ). After the decompression process, the controller 60 determines whether or not there has been a further pressure increase instruction (step S108). When there is an instruction to increase the pressure (step S108, Yes), the controller 60 proceeds to step S104 and restarts the pressure increasing process by opening the valve 42 closed by the pressure reducing process. On the other hand, when there is no instruction for boosting (No at Step S108), the controller 60 further determines whether or not there is an end instruction from the main controller C (Step S109). If there is no termination instruction (No at Step S109), the controller 60 proceeds to Step S108 and waits until there is an instruction for boosting. On the other hand, when there is an end instruction (step S109, Yes), the controller 60 ends this process.

ステップS107の減圧処理では、図4に示すように、コントローラ60は、まず真空ポンプ46を起動させる(ステップS111)。なお、真空ポンプ46は、常時起動していてもよい。真空ポンプ46を常時起動しておくことで、減圧の時間を短縮することができる。その後、コントローラ60は、バルブ43を開にする(ステップS112)ことで、タンク30内を加圧しているガスを排気口Laから排気する。これにより、タンク30内の圧力が低下する。ここで、ターゲット13が供給される真空チャンバ10内が真空であるため、タンク30内の圧力が大気圧程度となった場合でも、真空チャンバ10内の圧力とタンク30内の圧力との差圧から、ターゲット13の供給は停止しない。ターゲット13の供給を停止するには、ポンプ30内の圧力を数十Pa〜数百Paまで減圧する必要がある。そこで、コントローラ60は、つぎの処理として、圧力計45の計測値Pが大気圧より若干高い圧力Phigh(例えば、1.1気圧)以下になったか否かを判断する(ステップS113)。   In the decompression process in step S107, as shown in FIG. 4, the controller 60 first activates the vacuum pump 46 (step S111). The vacuum pump 46 may be always activated. By always starting the vacuum pump 46, the time for depressurization can be shortened. Thereafter, the controller 60 opens the valve 43 (step S112), thereby exhausting the gas pressurizing the tank 30 from the exhaust port La. Thereby, the pressure in the tank 30 falls. Here, since the inside of the vacuum chamber 10 to which the target 13 is supplied is vacuum, even when the pressure in the tank 30 becomes about atmospheric pressure, the pressure difference between the pressure in the vacuum chamber 10 and the pressure in the tank 30. Therefore, the supply of the target 13 does not stop. In order to stop the supply of the target 13, it is necessary to reduce the pressure in the pump 30 to several tens Pa to several hundred Pa. Therefore, as the next process, the controller 60 determines whether or not the measured value P of the pressure gauge 45 has become a pressure Phigh (for example, 1.1 atmospheres) slightly higher than the atmospheric pressure (step S113).

圧力計45の計測値Pが圧力Phigh以下でない場合(ステップS113,No)、コントローラ60は、ステップS113の判断処理を繰り返す。一方、圧力計45の計測値Pが圧力Phigh以下になった場合(ステップS113,Yes)、コントローラ60は、バルブ43を閉にし(ステップS114)、さらにバルブ44を開にする(ステップS115)。これにより、タンク30内のガスが真空ポンプ46によって排気されることで、タンク30内部が真空引きされる。   When the measured value P of the pressure gauge 45 is not less than or equal to the pressure Phigh (No at Step S113), the controller 60 repeats the determination process at Step S113. On the other hand, when the measured value P of the pressure gauge 45 becomes equal to or lower than the pressure Phigh (step S113, Yes), the controller 60 closes the valve 43 (step S114) and further opens the valve 44 (step S115). As a result, the gas in the tank 30 is exhausted by the vacuum pump 46, whereby the inside of the tank 30 is evacuated.

その後、コントローラ60は、さらに、圧力計45の計測値Pがターゲット13の供給が停止する圧力Plow(例えば、数十Pa〜数百Pa)以下になったか否かを判断する(ステップS116)。圧力計45の計測値Pが圧力Plow以下でない場合(ステップS116,No)、コントローラ60は、ステップS116の判断処理を繰り返す。一方、圧力計45の計測値Pが圧力Plow以下となった場合(ステップS116,Yes)、コントローラ60は、バルブ44を閉にする(ステップS117)。なお、ターゲットの供給が停止する圧力Plowは、ノズル31径、ターゲット13の残量および温度に依存する。その後、真空ポンプ46が常時起動でない場合、コントローラ60は、真空ポンプ46を停止し(ステップS118)、ステップS107にリターンする。ただし、真空ポンプ46が常時起動の場合、コントローラ60は、ステップS117を実行せず、そのままステップS107にリターンする。   Thereafter, the controller 60 further determines whether or not the measured value P of the pressure gauge 45 has become equal to or lower than a pressure Plow (for example, several tens of Pa to several hundred Pa) at which the supply of the target 13 is stopped (Step S116). When the measured value P of the pressure gauge 45 is not equal to or lower than the pressure Plow (No at Step S116), the controller 60 repeats the determination process at Step S116. On the other hand, when the measured value P of the pressure gauge 45 becomes equal to or lower than the pressure Plow (step S116, Yes), the controller 60 closes the valve 44 (step S117). The pressure Plow at which the supply of the target stops depends on the diameter of the nozzle 31, the remaining amount of the target 13, and the temperature. Thereafter, if the vacuum pump 46 is not always activated, the controller 60 stops the vacuum pump 46 (step S118) and returns to step S107. However, when the vacuum pump 46 is always activated, the controller 60 does not execute Step S117 and returns to Step S107 as it is.

以上のように、この実施の形態1では、圧力調整器41とターゲット供給部11のタンク30との間に圧力切替機構25を配置し、この圧力切替機構25を用いてタンク30内の加圧処理と減圧処理とを行うことで、ターゲット13の供給と停止とを行うように構成されている。この構成により、この実施の形態1では、EUV光を出力する必要のないときはターゲット13の供給を停止することが可能となる。この結果、無駄なターゲットの消費が抑えられ、ターゲット13の消費を抑えた極端紫外光光源装置を実現することができる。   As described above, in the first embodiment, the pressure switching mechanism 25 is disposed between the pressure regulator 41 and the tank 30 of the target supply unit 11, and the pressure in the tank 30 is increased using the pressure switching mechanism 25. By performing the process and the decompression process, the target 13 is supplied and stopped. With this configuration, in Embodiment 1, it is possible to stop the supply of the target 13 when it is not necessary to output EUV light. As a result, it is possible to realize an extreme ultraviolet light source device that suppresses useless consumption of the target and suppresses consumption of the target 13.

実施の形態2
つぎに、この発明の実施の形態2について説明する。図5は、この発明の実施の形態2によるターゲット供給装置の構成を示す模式図である。図5に示すように、この実施の形態2によるターゲット供給装置2では、上述の実施の形態1によるターゲット供給装置1の圧力調整器41とバルブ42との間の接続点P3にガス流路L4が接続される。このガス流路L4の他端には、タンク47が設けられる。また、流路L4上には、バルブ48が設けられる。このタンク47の容量は、タンク30の容量に比して大きく、たとえばタンク30の容量の10倍程度である。その他の構成は、図2に示したターゲット供給装置1の構成と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。
Embodiment 2
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a target supply device according to Embodiment 2 of the present invention. As shown in FIG. 5, in the target supply device 2 according to the second embodiment, the gas flow path L4 is connected to the connection point P3 between the pressure regulator 41 and the valve 42 of the target supply device 1 according to the first embodiment. Is connected. A tank 47 is provided at the other end of the gas flow path L4. A valve 48 is provided on the flow path L4. The capacity of the tank 47 is larger than the capacity of the tank 30, for example, about 10 times the capacity of the tank 30. The other configuration is the same as the configuration of the target supply device 1 shown in FIG. 2, and the same components are denoted by the same reference numerals.

タンク30内の昇圧に要する昇圧時間は、圧力調整器41に流せるガス流量で決定される。このため、このガス流量が少ない場合、昇圧時間が長くなってしまう。そこで、この実施の形態2では、予め昇圧タンク47内に充填した圧力ガスを用いてガス流量を補う。これにより、タンク30内の昇圧に要する昇圧時間を短縮することが可能となる。   The pressure increase time required for pressure increase in the tank 30 is determined by the gas flow rate that can flow to the pressure regulator 41. For this reason, when the gas flow rate is small, the pressure increase time becomes long. Therefore, in the second embodiment, the gas flow rate is compensated by using the pressure gas previously filled in the booster tank 47. As a result, it is possible to shorten the pressure increase time required for pressure increase in the tank 30.

ここで、図6に示したフローチャートを参照して、コントローラ60に対応するコントローラ61によるタンク30内の圧力切替制御処理手順について説明する。図6に示すように、コントローラ61は、まず、初期設定として、バルブ42,43,44および48を閉にし(ステップS201)、さらに、圧力調整器41の設定圧力に、ターゲット供給時に使用する圧力を設定する(ステップS202)。その後、コントローラ61は、バルブ48を開にし(ステップS203)、続いて、メインコントローラCから昇圧の指示が有ったか否かを判断する(ステップS204)。昇圧の指示がない場合(ステップS204,No)、コントローラ61は、ステップS204の判断処理を繰り返す。一方、昇圧の指示が有った場合(ステップS204,Yes)、コントローラ61は、バルブ42を開にする(ステップS205)ことで、タンク47のアシスト圧力を得て、ガス流路L4,L1およびLを介してタンク30内を昇圧する。これにより、タンク30内がターゲット13を供給するのに必要な圧力となる。その後、コントローラ61は、設定時間後、さらに例えば数秒経過した後、バルブ48を閉にする(ステップS206)。これは、タンク47内のガスをタンク30に導入したのみでは、タンク30内の圧力が使用する圧力まで達しない場合があるためである。そこで、設定時間よりも数秒長く、圧力調整器41を通してガスボンベ40からのガスを供給することで、タンク30に供給されるガス流量を増大させる。なお、ステップS206でバルブ48を閉にしているのは、タンク30に接続されたガス流路の配管容量を小さくするためである。使用しないガス流路をバルブで閉鎖することで、ガスの供給時間を短縮することが可能となる。ただし、このステップS206の処理は、省略してもよい。   Here, with reference to the flowchart shown in FIG. 6, the pressure switching control processing procedure in the tank 30 by the controller 61 corresponding to the controller 60 will be described. As shown in FIG. 6, the controller 61 first closes the valves 42, 43, 44, and 48 as an initial setting (step S <b> 201), and further uses the set pressure of the pressure regulator 41 as the pressure used when the target is supplied. Is set (step S202). Thereafter, the controller 61 opens the valve 48 (step S203), and subsequently determines whether or not there is an instruction for boosting from the main controller C (step S204). If there is no instruction for boosting (No at Step S204), the controller 61 repeats the determination process at Step S204. On the other hand, when there is an instruction to increase the pressure (step S204, Yes), the controller 61 opens the valve 42 (step S205), thereby obtaining the assist pressure of the tank 47, and the gas flow paths L4, L1 and The pressure in the tank 30 is increased through L. Thereby, the pressure in the tank 30 necessary for supplying the target 13 is obtained. Thereafter, the controller 61 closes the valve 48 after a set time, for example, after several seconds have passed (step S206). This is because the pressure in the tank 30 may not reach the pressure to be used only by introducing the gas in the tank 47 into the tank 30. Therefore, the gas flow rate supplied to the tank 30 is increased by supplying the gas from the gas cylinder 40 through the pressure regulator 41 for several seconds longer than the set time. Note that the valve 48 is closed in step S206 in order to reduce the piping capacity of the gas flow path connected to the tank 30. By closing the unused gas flow path with a valve, the gas supply time can be shortened. However, the process of step S206 may be omitted.

その後、上述の実施の形態1と同様に、コントローラ61は、メインコントローラCから減圧の指示が有ったか否かを判断する(ステップS207)。減圧の指示がない場合(ステップS207,No)、コントローラ61は、バルブ42の開状態を維持する。これにより、タンク30内を所定の圧力状態に維持する圧力調整器41による圧力調整が行われる。一方、減圧の指示が有った場合(ステップS207,Yes)、コントローラ61は、バルブ42を閉にする(ステップS208)ことで、昇圧処理を終了し、続いて、減圧処理を行う(ステップS209)。この減圧処理は、図4に示した処理である。この減圧処理後、さらにバルブ48を開にする(ステップS210)ことで、タンク47内を所定の圧力状態にする。   Thereafter, similarly to the first embodiment described above, the controller 61 determines whether or not there has been a pressure reduction instruction from the main controller C (step S207). When there is no instruction for depressurization (step S207, No), the controller 61 maintains the open state of the valve. Thereby, the pressure adjustment by the pressure regulator 41 which maintains the inside of the tank 30 in a predetermined pressure state is performed. On the other hand, when there is an instruction for depressurization (step S207, Yes), the controller 61 closes the valve 42 (step S208), thereby ending the pressurization process, and subsequently performing the depressurization process (step S209). ). This decompression process is the process shown in FIG. After this decompression process, the valve 48 is further opened (step S210), thereby bringing the tank 47 into a predetermined pressure state.

その後、コントローラ61は、さらに昇圧の指示があったか否かを判断する(ステップS211)。昇圧の指示が有った場合(ステップS211,Yes)、コントローラ61は、ステップS205に移行し、減圧処理で閉になっているバルブ42を開にして上述したタンク47を用いた昇圧処理を再開する。一方、昇圧の指示がなかった場合(ステップS211,No)、コントローラ61は、さらにメインコントローラCから終了指示が有ったか否かを判断する(ステップS212)。終了指示がなかった場合(ステップS212,No)、コントローラ61は、ステップS211に移行し、昇圧の指示があるまで待機する。一方、終了指示が有った場合(ステップS212,Yes)、コントローラ61は、本処理を終了する。   Thereafter, the controller 61 determines whether or not there has been a further boosting instruction (step S211). When there is an instruction to increase the pressure (step S211, Yes), the controller 61 proceeds to step S205, and opens the valve 42 that has been closed by the depressurization process and restarts the pressure increase process using the tank 47 described above. To do. On the other hand, when there is no boost instruction (step S211, No), the controller 61 further determines whether or not there is an end instruction from the main controller C (step S212). When there is no termination instruction (No at Step S212), the controller 61 proceeds to Step S211 and waits until there is an instruction for boosting. On the other hand, when there is an end instruction (step S212, Yes), the controller 61 ends this process.

以上のように、この実施の形態2では、上述の実施の形態1と同様に、必要に応じてターゲット物質の供給と停止とを行うことが可能であるため、EUV光を出力する必要のないときはターゲット13の供給を停止することが可能となる。この結果、無駄なターゲットの消費が抑えられ、ターゲット13の消費の少ない極端紫外光光源装置を実現することができる。特に、この実施の形態2では、昇圧時にタンク47による昇圧のアシストを行うようにしているので、昇圧時間を短縮することが可能である。この結果、ターゲット13の消費がより抑えられた極端紫外光光源装置を実現することができる。   As described above, in the second embodiment, similarly to the first embodiment described above, it is possible to supply and stop the target material as necessary, so there is no need to output EUV light. In some cases, the supply of the target 13 can be stopped. As a result, it is possible to realize an extreme ultraviolet light source device that suppresses wasteful target consumption and consumes less target 13. In particular, in the second embodiment, since the boosting assistance by the tank 47 is performed at the time of boosting, the boosting time can be shortened. As a result, it is possible to realize an extreme ultraviolet light source device in which the consumption of the target 13 is further suppressed.

実施の形態3
つぎに、この発明の実施の形態3について説明する。図7は、この発明の実施の形態3によるターゲット供給装置の構成を示す模式図である。図7に示すように、この実施の形態3によるターゲット供給装置3では、上述の実施の形態1に示したガス流路L2の排気口Laに替えて、タンク49が設けられている。このタンク49は、タンク30の容積に比して大きく、たとえばタンク30の容積の100倍程度の容積を備える。このタンク49には、さらにバルブ44と真空ポンプ46との間のガス流路L3上の接続点P3と接続されたガス流路L5が設けられる。このガス流路L5上には、バルブ50が設けられる。また、タンク49には、タンク内の圧力を検出する圧力計51が設けられる。その他の構成は、図2に示したターゲット供給装置1の構成と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。
Embodiment 3
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of a target supply apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. As shown in FIG. 7, in the target supply device 3 according to the third embodiment, a tank 49 is provided in place of the exhaust port La of the gas flow path L2 shown in the first embodiment. The tank 49 is larger than the volume of the tank 30, and has a volume that is, for example, about 100 times the volume of the tank 30. The tank 49 is further provided with a gas flow path L5 connected to a connection point P3 on the gas flow path L3 between the valve 44 and the vacuum pump 46. A valve 50 is provided on the gas flow path L5. The tank 49 is provided with a pressure gauge 51 for detecting the pressure in the tank. The other configuration is the same as the configuration of the target supply device 1 shown in FIG. 2, and the same components are denoted by the same reference numerals.

例えば、タンク30から排気口Laまでの排気ラインが長く流路抵抗が大きい場合、タンク30内の圧力を大気圧程度まで下げるのに長い時間を要する。そこで、この実施の形態3では、大気圧より減圧した容積の大きいタンク49を排気ラインに接続しておくことによって排気ラインの圧力勾配を大きくする。この結果、排気ラインの排気流速が上がり、排気時間を短縮することが可能となる。   For example, when the exhaust line from the tank 30 to the exhaust port La is long and the flow resistance is large, it takes a long time to reduce the pressure in the tank 30 to about atmospheric pressure. Therefore, in the third embodiment, the pressure gradient of the exhaust line is increased by connecting a tank 49 having a large volume depressurized from the atmospheric pressure to the exhaust line. As a result, the exhaust flow rate in the exhaust line increases, and the exhaust time can be shortened.

ここで、図8および図9に示したフローチャートを参照して、コントローラ60に対応するコントローラ62によるタンク30内の圧力切替制御処理手順について説明する。図8は、コントローラ62による圧力切替制御処理手順を示す全体フローチャートである。図8と図3とを比較すると明らかなように、この実施の形態3では、図3に示したステップS107とステップS108との間に、減圧処理後の減圧後処理(ステップS308)が実行される。その他の処理は、上述の実施の形態1と同じである。なお、図8のステップS301〜S307は、図3のステップS101からS107に相当し、図8のステップS309およびS310は、図3のステップS108およびS109に相当する。   Here, with reference to the flowcharts shown in FIGS. 8 and 9, the pressure switching control processing procedure in the tank 30 by the controller 62 corresponding to the controller 60 will be described. FIG. 8 is an overall flowchart showing a pressure switching control processing procedure by the controller 62. As is clear from comparison between FIG. 8 and FIG. 3, in the third embodiment, post-depressurization processing (step S308) after depressurization processing is executed between step S107 and step S108 shown in FIG. The Other processes are the same as those in the first embodiment. Note that steps S301 to S307 in FIG. 8 correspond to steps S101 to S107 in FIG. 3, and steps S309 and S310 in FIG. 8 correspond to steps S108 and S109 in FIG.

図9は、図8のステップS308による減圧後処理手順を示す詳細フローチャートである。この減圧後処理は、つぎの減圧処理を行うための準備処理として、タンク49内を真空排気して減圧しておく処理である。図9において、まずコントローラ62は、真空ポンプ46を起動する(ステップS401)。なお、真空ポンプ46は常時起動していてもよい。真空ポンプ46を常時起動しておくことで、減圧時間を短縮することができる。その後、コントローラ62は、バルブ50を開にする(ステップS402)ことで、タンク49内のガスを真空排気する。   FIG. 9 is a detailed flowchart showing the post-decompression processing procedure in step S308 of FIG. This post-decompression process is a process in which the tank 49 is evacuated and depressurized as a preparatory process for performing the next depressurization process. In FIG. 9, the controller 62 first activates the vacuum pump 46 (step S401). The vacuum pump 46 may be always activated. By always starting the vacuum pump 46, the decompression time can be shortened. Thereafter, the controller 62 opens the valve 50 (step S402), thereby evacuating the gas in the tank 49.

その後、コントローラ62は、圧力計51の計測値Pが、真空圧Pv以下、たとえば1Pa以下であるか否かを判断する(ステップS403)。圧力計51の計測値Pが真空圧Pv以下でない場合(ステップS403,No)、コントローラ62は、このステップS403の判断処理を繰り返し行う。一方、圧力計51の計測値Pが真空圧Pv以下である場合(ステップS403,Yes)、コントローラ62は、バルブ50を閉にし(ステップS404)、さらに真空ポンプ46を停止し(ステップS405)、その後、ステップS308にリターンする。なお、真空ポンプ46が常時起動の場合、コントローラ62は、ステップS404の処理後、そのままステップS308にリターンする。   Thereafter, the controller 62 determines whether or not the measured value P of the pressure gauge 51 is equal to or lower than the vacuum pressure Pv, for example, 1 Pa (step S403). When the measured value P of the pressure gauge 51 is not equal to or lower than the vacuum pressure Pv (No at Step S403), the controller 62 repeatedly performs the determination process at Step S403. On the other hand, when the measured value P of the pressure gauge 51 is equal to or lower than the vacuum pressure Pv (step S403, Yes), the controller 62 closes the valve 50 (step S404), and further stops the vacuum pump 46 (step S405). Thereafter, the process returns to step S308. When the vacuum pump 46 is always activated, the controller 62 returns to step S308 as it is after step S404.

以上のように、この実施の形態3では、上述の実施の形態1と同様に、必要に応じてターゲット物質の供給と停止とを行うことが可能であるため、EUV光を出力する必要のないときはターゲット13の供給を停止することが可能となる。この結果、無駄なターゲットの消費が抑えられ、ターゲット13の消費の少ない極端紫外光光源装置を実現することができる。特に、この実施の形態3では、タンク49を用いて減圧処理を行うので、タンク30からの排気ラインの圧力勾配を大きくすることが可能である。この結果、排気流速を上げることができるため、減圧時間をさらに短くすることができる。   As described above, in the third embodiment, as in the first embodiment, it is possible to supply and stop the target material as necessary, so that it is not necessary to output EUV light. In some cases, the supply of the target 13 can be stopped. As a result, it is possible to realize an extreme ultraviolet light source device that suppresses wasteful target consumption and consumes less target 13. In particular, in the third embodiment, since the decompression process is performed using the tank 49, the pressure gradient of the exhaust line from the tank 30 can be increased. As a result, the exhaust gas flow rate can be increased, and the decompression time can be further shortened.

実施の形態4
つぎに、この発明の実施の形態4について説明する。図10は、この発明の実施の形態4によるターゲット供給装置の構成を示す模式図である。図10に示すように、この実施の形態4によるターゲット供給装置4では、上述の実施の形態1によるターゲット供給装置1の圧力調整器41とバルブ42との間のガス流路L1上に圧力コントローラ52が設けられるとともに、この圧力コントローラ52をバイパスするために圧力コントローラ52の入力側および出力側のガス流路L1上の接続点P5およびP6を接続するガス流路L6が設けられる。さらに、接続点P5と圧力コントローラ52との間のガス流路L1上には、バルブ53が設けられるととともに、ガス流路L6上には、バルブ54が設けられる。その他の構成は、図2に示したターゲット供給装置1の構成と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。
Embodiment 4
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 10 is a schematic diagram showing a configuration of a target supply apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. As shown in FIG. 10, in the target supply device 4 according to the fourth embodiment, a pressure controller is provided on the gas flow path L1 between the pressure regulator 41 and the valve 42 of the target supply device 1 according to the first embodiment. 52 and a gas flow path L6 for connecting the connection points P5 and P6 on the gas flow path L1 on the input side and output side of the pressure controller 52 in order to bypass the pressure controller 52. Further, a valve 53 is provided on the gas flow path L1 between the connection point P5 and the pressure controller 52, and a valve 54 is provided on the gas flow path L6. The other configuration is the same as the configuration of the target supply device 1 shown in FIG. 2, and the same components are denoted by the same reference numerals.

ここで、タンク30内のターゲット材である溶融錫34を加圧する圧力は、ターゲット13の速度に影響する。このため、タンク30内の圧力を一定に保つことが好ましい。通常、この圧力は、圧力調整器41を用いて調整される。ただし、用途によっては、より高精度な圧力制御が要求される場合がある。そこで、この実施の形態4では、高精度の圧力制御を行う圧力コントローラ52がガス流路L1上に設けられる。ただし、この高精度の圧力コントローラ51は、最大ガス流量が小さい。このため、この圧力コントローラ51を通して昇圧する場合、所望する圧力に達するまでに長い時間を要する。そこで、この実施の形態4では、ガス流路L1をバイパスするバイパスラインとしてのガス流路L6を設け、圧力コントローラ52による高精度の圧力制御を行う場合、このガス流路L6を介してガスを流入する。これにより、圧力コントローラ52をガス流路L1上に設けた場合でも、昇圧時間を短くすることが可能となる。   Here, the pressure for pressurizing the molten tin 34 as the target material in the tank 30 affects the speed of the target 13. For this reason, it is preferable to keep the pressure in the tank 30 constant. Normally, this pressure is adjusted using the pressure regulator 41. However, more accurate pressure control may be required depending on the application. Therefore, in the fourth embodiment, a pressure controller 52 that performs highly accurate pressure control is provided on the gas flow path L1. However, this high-precision pressure controller 51 has a small maximum gas flow rate. For this reason, when the pressure is increased through the pressure controller 51, it takes a long time to reach a desired pressure. Therefore, in the fourth embodiment, when a gas flow path L6 is provided as a bypass line that bypasses the gas flow path L1, and the pressure controller 52 performs high-precision pressure control, the gas is passed through the gas flow path L6. Inflow. Thereby, even when the pressure controller 52 is provided on the gas flow path L1, it is possible to shorten the pressure increase time.

ここで、図11に示したフローチャートを参照して、コントローラ60に対応するコントローラ63によるタンク30内の圧力切替制御処理手順について説明する。図11に示すように、コントローラ63は、まず、初期設定として、バルブ42,43,44,53および54を閉にする(ステップS501)。その後、コントローラ63は、圧力調整器41の設定圧力に、ターゲット供給時に使用する圧力より高い圧力、例えば、使用する圧力の1.1倍の圧力を設定する(ステップS502)。なお、この圧力設定は、予め設定されていてもよいし、コントローラ63によって設定されてもよい。その後、コントローラ63は、メインコントローラCから昇圧の指示があったか否かを判断する(ステップS503)。メインコントローラCから昇圧の指示がなかった場合(ステップS503,No)、コントローラ63は、このステップS503の判断処理を繰り返す。一方、メインコントローラCから昇圧の指示があった場合(ステップS503,Yes)、コントローラ63は、バルブ54および42を開にする(ステップS504)ことで、タンク30内を昇圧する。   Here, with reference to the flowchart shown in FIG. 11, the pressure switching control processing procedure in the tank 30 by the controller 63 corresponding to the controller 60 will be described. As shown in FIG. 11, the controller 63 first closes the valves 42, 43, 44, 53, and 54 as an initial setting (step S501). Thereafter, the controller 63 sets, as the set pressure of the pressure regulator 41, a pressure higher than the pressure used when the target is supplied, for example, 1.1 times the pressure used (step S502). This pressure setting may be set in advance or may be set by the controller 63. Thereafter, the controller 63 determines whether or not there is an instruction for boosting from the main controller C (step S503). When there is no instruction for boosting from the main controller C (No at Step S503), the controller 63 repeats the determination process at Step S503. On the other hand, when there is a pressure increase instruction from the main controller C (step S503, Yes), the controller 63 increases the pressure in the tank 30 by opening the valves 54 and 42 (step S504).

その後、コントローラ63は、圧力計45の計測値Pが、ターゲット供給時に使用する使用圧力の90%以上になったか否かを判断する(ステップS505)。圧力計45の計測値Pが使用圧力の90%以上でない場合(ステップS505,No)、コントローラ63は、このステップS505の判断処理を繰り返して昇圧処理を継続する。一方、圧力計45の計測値Pが使用圧力の90%以上であった場合(ステップS505,Yes)、コントローラ63は、バルブ54を閉にし(ステップS506)、さらにバルブ53を開にすると共に、圧力コントローラ52を用いてタンク30内の圧力をターゲット供給に使用する使用圧力まで昇圧させる(ステップS507)。   Thereafter, the controller 63 determines whether or not the measured value P of the pressure gauge 45 has reached 90% or more of the operating pressure used at the time of target supply (step S505). When the measured value P of the pressure gauge 45 is not 90% or more of the operating pressure (No at Step S505), the controller 63 repeats the determination process at Step S505 and continues the pressure increasing process. On the other hand, when the measured value P of the pressure gauge 45 is 90% or more of the operating pressure (step S505, Yes), the controller 63 closes the valve 54 (step S506), further opens the valve 53, Using the pressure controller 52, the pressure in the tank 30 is increased to a working pressure used for target supply (step S507).

その後、コントローラ63は、メインコントローラCから減圧の指示があったか否かを判断する(ステップS508)。メインコントローラCから減圧の指示がない場合(ステップS508,No)、コントローラ63は、このステップS508の判断処理を繰り返すことで、圧力コントローラ52による高精度の圧力制御を行う。一方、メインコントローラCから減圧の指示があった場合(ステップS508,Yes)、コントローラ63は、バルブ42および53を閉にすることで、圧力コントローラ52による圧力制御を停止する(ステップS509)。その後、コントローラ63は、ステップS107と同じ減圧処理を行う(ステップS510)。   Thereafter, the controller 63 determines whether or not there is a pressure reduction instruction from the main controller C (step S508). When there is no instruction for pressure reduction from the main controller C (No in step S508), the controller 63 performs highly accurate pressure control by the pressure controller 52 by repeating the determination processing in step S508. On the other hand, when there is a pressure reduction instruction from the main controller C (step S508, Yes), the controller 63 stops the pressure control by the pressure controller 52 by closing the valves 42 and 53 (step S509). Thereafter, the controller 63 performs the same decompression process as that in step S107 (step S510).

このステップS510の減圧処理後、コントローラ63は、さらに昇圧の指示があったか否かを判断する(ステップS511)。昇圧の指示が有った場合(ステップS511,Yes)、コントローラ63は、ステップS504に移行し、昇圧処理を再開する。一方、昇圧の指示がなかった場合(ステップS511,No)、コントローラ63は、さらにメインコントローラCから終了指示が有ったか否かを判断する(ステップS512)。終了指示がなかった場合(ステップS512,No)、コントローラ63は、ステップS511に移行し、昇圧の指示があるまで待機する。一方、終了指示が有った場合(ステップS512,Yes)、コントローラ63は、本処理を終了する。   After the decompression process in step S510, the controller 63 determines whether or not there has been a further pressure increase instruction (step S511). When there is an instruction for boosting (step S511, Yes), the controller 63 proceeds to step S504 and restarts the boosting process. On the other hand, when there is no instruction for boosting (No in step S511), the controller 63 further determines whether or not there is an end instruction from the main controller C (step S512). When there is no end instruction (No at Step S512), the controller 63 proceeds to Step S511 and waits until there is an instruction for boosting. On the other hand, if there is an end instruction (step S512, Yes), the controller 63 ends this process.

以上のように、この実施の形態4では、上述の実施の形態1と同様に、必要に応じてターゲット物質の供給と停止とを行うことが可能であるため、EUV光を出力する必要のないときはターゲット13の供給を停止することが可能となる。この結果、無駄なターゲットの消費が抑えられ、ターゲット13の消費の少ない極端紫外光光源装置を実現することができる。特に、この実施の形態4では、ガス流路L1をバイパスするバイパスラインとしてのガス流路L6を設け、圧力コントローラ52による高精度の圧力制御を行う場合はガス流路L6を介してガスの導入を行うため、ガス流路L1に高精度の圧力コントローラ52を設けた場合でもタンク30内の昇圧を短時間に行うことが可能である。   As described above, in the fourth embodiment, similarly to the first embodiment described above, it is possible to supply and stop the target material as necessary, so there is no need to output EUV light. In some cases, the supply of the target 13 can be stopped. As a result, it is possible to realize an extreme ultraviolet light source device that suppresses wasteful target consumption and consumes less target 13. In particular, in the fourth embodiment, a gas flow path L6 is provided as a bypass line that bypasses the gas flow path L1, and when high-precision pressure control is performed by the pressure controller 52, gas is introduced via the gas flow path L6. Therefore, even when a highly accurate pressure controller 52 is provided in the gas flow path L1, the pressure in the tank 30 can be increased in a short time.

実施の形態5
つぎに、この発明の実施の形態5について説明する。図12は、この発明の実施の形態5によるターゲット供給装置の構成を示す模式図である。図12に示すように、この実施の形態5によるターゲット供給装置5は、上述の実施の形態1によるターゲット供給装置1と同様の構成を備える。ただし、本実施の形態5によるターゲット供給装置5では、ターゲット供給装置1における真空ポンプ46、ガス流路L3、およびバルブ44が削除されている。その他の構成は、図2に示したターゲット供給装置1の構成と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。
Embodiment 5
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. FIG. 12 is a schematic diagram showing a configuration of a target supply device according to Embodiment 5 of the present invention. As shown in FIG. 12, the target supply device 5 according to the fifth embodiment has the same configuration as the target supply device 1 according to the first embodiment. However, in the target supply device 5 according to the fifth embodiment, the vacuum pump 46, the gas flow path L3, and the valve 44 in the target supply device 1 are omitted. The other configuration is the same as the configuration of the target supply device 1 shown in FIG. 2, and the same components are denoted by the same reference numerals.

ここで、上述の実施の形態1では、ターゲット13の供給を停止する際、タンク30内を真空ポンプで数十Pa〜数百Paまで排気していたため、停止までに長い時間を要していた。一方、大気圧程度までの排気であれば、真空ポンプで排気する必要がないため、排気時間を短くすることができる。ここで、ターゲット物質供給時の速度Vは次の式1で表すことができる。

Figure 2015144140
なお、式1において、ΔPは、ターゲット物質を加圧する圧力であり、Phは、圧力損失であり、ρは、ターゲット物質の密度である。 Here, in the above-described first embodiment, when the supply of the target 13 is stopped, the inside of the tank 30 is evacuated to several tens to several hundreds of Pa with a vacuum pump, and thus it takes a long time to stop. . On the other hand, if exhausting to about atmospheric pressure, there is no need to exhaust with a vacuum pump, so the exhaust time can be shortened. Here, the speed V at the time of supplying the target material can be expressed by the following formula 1.
Figure 2015144140
In Equation 1, ΔP is a pressure for pressurizing the target material, Ph is a pressure loss, and ρ is a density of the target material.

式1より、加圧圧力が数MPaから大気圧(0.1MPa)まで下がると、ターゲット物質の速度が1/10程度になることが分かる。よって、ターゲット物質を加圧する圧力を大気圧程度まで下げることで、ターゲット物質の消費量を大きく低減することができる。そこで、この実施の形態5では、タンク30内の圧力を大気圧程度まで減圧することで、ターゲット13の消費量を大幅に低減する。これにより、EUV光を必要としない場合、ターゲット物質の消費量を大幅に抑えることが可能な極端紫外光光源装置を実現することが可能となる。なお、タンク30内の圧力を大気圧程度まで減圧する構成は、簡素な構成により実現可能であるため、極端紫外光光源装置の構成を簡略化することも可能となる。   From Equation 1, it can be seen that when the pressurization pressure is reduced from several MPa to atmospheric pressure (0.1 MPa), the speed of the target material becomes about 1/10. Therefore, by reducing the pressure for pressurizing the target material to about atmospheric pressure, the consumption amount of the target material can be greatly reduced. Therefore, in the fifth embodiment, the consumption of the target 13 is greatly reduced by reducing the pressure in the tank 30 to about atmospheric pressure. As a result, when EUV light is not required, it is possible to realize an extreme ultraviolet light source device that can significantly reduce the consumption of the target material. In addition, since the structure which reduces the pressure in the tank 30 to about atmospheric pressure is realizable with a simple structure, it also becomes possible to simplify the structure of an extreme ultraviolet light source device.

ここで、図13に示したフローチャートを参照して、コントローラ60に対応するコントローラ64による減圧処理手順について説明する。なお、昇圧処理は、上述の実施の形態1と同じである。ただし、図3に示したステップS107の減圧処理手順が異なる。図13に示すように、コントローラ64は、まずバルブ43を開にする(ステップS601)ことで、タンク30内を加圧しているガスを大気圧程度まで排気する。その後、コントローラ64は、圧力計45の計測値Pが大気圧より若干高い圧力Phigh以下、例えば1.1気圧以下になったか否かを判断する(ステップS602)。圧力計45の計測値Pが圧力Phigh以下でない場合(ステップS602,No)、コントローラ64は、このステップS602の判断処理を繰り返す。一方、圧力計45の計測値Pが圧力Phigh以下である場合(ステップS602,Yes)、コントローラ64は、バルブ43を閉にし(ステップS603)、その後、ステップS107にリターンする。   Here, the decompression process procedure by the controller 64 corresponding to the controller 60 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. The boosting process is the same as that in the first embodiment. However, the decompression processing procedure of step S107 shown in FIG. 3 is different. As shown in FIG. 13, the controller 64 first opens the valve 43 (step S601), thereby exhausting the gas pressurized in the tank 30 to about atmospheric pressure. Thereafter, the controller 64 determines whether or not the measured value P of the pressure gauge 45 has become a pressure Phigh that is slightly higher than the atmospheric pressure, for example, 1.1 atmospheric pressure or less (step S602). When the measured value P of the pressure gauge 45 is not equal to or lower than the pressure Phigh (step S602, No), the controller 64 repeats the determination process of step S602. On the other hand, when the measured value P of the pressure gauge 45 is equal to or lower than the pressure Phigh (step S602, Yes), the controller 64 closes the valve 43 (step S603), and then returns to step S107.

以上のように、この実施の形態5では、必要に応じてターゲット物質の供給と供給量の低減とを行うことが可能であるため、EUV光を出力する必要のないときはターゲット13の供給量を低減することが可能となる。この結果、真空ポンプなどの複雑な構成を用いずとも、簡易な構成で無駄なターゲット物質の消費を抑えることができ、これにより、ターゲット13の消費の少ない極端紫外光光源装置を実現することができる。   As described above, in the fifth embodiment, it is possible to supply the target material and reduce the supply amount as necessary. Therefore, when it is not necessary to output the EUV light, the supply amount of the target 13 is as follows. Can be reduced. As a result, it is possible to suppress wasteful consumption of the target material with a simple structure without using a complicated structure such as a vacuum pump, thereby realizing an extreme ultraviolet light source device that consumes less target 13. it can.

なお、上述した実施の形態1〜5の昇圧機構と減圧機構とは、適宜組み合わせた圧力切替機構25とするターゲット供給装置を実現できる。また、減圧機構なども適宜変更が可能である。その一例について以下に説明する。   It should be noted that the above-described pressure increasing mechanism and pressure reducing mechanism of the first to fifth embodiments can realize a target supply device that is appropriately combined with the pressure switching mechanism 25. Further, the pressure reducing mechanism and the like can be appropriately changed. One example will be described below.

変形例1
図14は、上述の実施の形態5に示した構成に上述の実施の形態2に示した昇圧側の構成を適用した変形例1によるターゲット供給装置の構成を示す模式図である。すなわち、この変形例1では、昇圧機構として上述の実施の形態2に示した構成を用い、減圧機構として上述の実施の形態5に示した構成を用いる。これにより、昇圧処理では、上述の実施の形態2と同様に、タンク47を用いて短時間での昇圧を行うことができ、減圧処理では、上述の実施の形態5と同様に、簡易な構成でターゲット物質の消費を抑えることができる。
Modification 1
FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a configuration of a target supply device according to Modification 1 in which the boost-side configuration described in the above-described second embodiment is applied to the configuration illustrated in the above-described fifth embodiment. That is, in the first modification, the configuration shown in the above-described second embodiment is used as the pressure increasing mechanism, and the configuration described in the above-described fifth embodiment is used as the pressure reducing mechanism. Thereby, in the pressure increasing process, as in the above-described second embodiment, the pressure can be increased in a short time using the tank 47, and in the pressure reducing process, a simple configuration is performed as in the above-described fifth embodiment. The consumption of the target material can be suppressed.

変形例2
図15は、上述の実施の形態3に示した減圧機構の構成を簡易にした変形例2によるターゲット供給装置の構成を示す模式図である。図15に示すように、この変形例2では、上述の実施の形態3に示したガス流路L3およびバルブ44が削除され、ガス流路L5の接続点P3が真空ポンプ46に接続されている。その他の構成は、上述の実施の形態3と同じである。この変形例2では、減圧処理前に予め真空ポンプ46でタンク49内を真空排気しておくことで、簡易な構成でかつ短時間で減圧処理を行うことが可能となる。
Modification 2
FIG. 15 is a schematic diagram showing a configuration of a target supply device according to Modification 2 in which the configuration of the decompression mechanism shown in the third embodiment is simplified. As shown in FIG. 15, in the second modification, the gas flow path L3 and the valve 44 shown in the third embodiment are deleted, and the connection point P3 of the gas flow path L5 is connected to the vacuum pump 46. . Other configurations are the same as those in the third embodiment. In the second modification, the tank 49 is evacuated by the vacuum pump 46 in advance before the decompression process, so that the decompression process can be performed in a short time with a simple configuration.

変形例3
図16は、上述の実施の形態5に示した構成に上述の実施の形態4に示した昇圧側の構成を適用した変形例3によるターゲット供給装置の構成を示す模式図である。すなわち、この変形例3では、昇圧機構として上述の実施の形態4に示した構成を用い、減圧機構として上述の実施の形態5に示した構成を用いる。これにより、昇圧処理では、上述の実施の形態4と同様に、短時間での昇圧と高精度な圧力制御とを行うことができるとともに、上述の実施の形態5と同様に、簡易な構成で無駄なターゲット物質の消費を抑えることができる。
Modification 3
FIG. 16 is a schematic diagram illustrating a configuration of a target supply device according to Modification 3 in which the configuration on the boosting side illustrated in the above-described fourth embodiment is applied to the configuration illustrated in the above-described fifth embodiment. That is, in the third modification, the configuration shown in the above-described fourth embodiment is used as the pressure increasing mechanism, and the configuration shown in the above-described fifth embodiment is used as the pressure reducing mechanism. As a result, in the boosting process, it is possible to perform boosting in a short time and highly accurate pressure control as in the fourth embodiment, and with a simple configuration as in the fifth embodiment. Consumption of useless target material can be suppressed.

なお、上述した実施の形態1〜5および変形例1〜3では、タンク30に直接接続されるガス流路が共通のガス流路Lであった。ただし、この構成に限定されるものではない。たとえば、昇圧側のガス流路L1および減圧側のガス流路L2をそれぞれ個別にタンク30に接続してもよい。   In Embodiments 1 to 5 and Modifications 1 to 3 described above, the gas flow path directly connected to the tank 30 is the common gas flow path L. However, it is not limited to this configuration. For example, the gas passage L1 on the boosting side and the gas passage L2 on the decompression side may be individually connected to the tank 30.

実施の形態6
つぎに、この発明の実施の形態6について説明する。上述した実施の形態1〜5およびその変形例では、ターゲットの供給方法にコンティニュアスジェット法を採用していた。このため、上述の実施の形態1〜5およびその変形例では、タンク30内の圧力が数MPa〜十数MPa程度の比較的高い圧力に維持されていた。これに対し、本実施の形態6では、静電引出し法を採用する。この静電引出し法では、ノズル先端と対向する位置に電極が配置される。例えば、ノズル先端を接地して、この電極に電圧を印加すると、ターゲット材に静電引力が働く。この静電引力とタンク内のガス圧により、ノズル先端からターゲット材が、ドロップレットの形態で射出される。このように、静電引出し法を採用したターゲット供給装置では、電極に電圧を印加することにより、静電引力が働くため、ターゲット材を蓄えるタンク内部の圧力は、コンティニュアスジェット法を採用した場合よりも、比較的低い圧力、たとえば1MPa以下の圧力であってもよい。
Embodiment 6
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. In the above-described first to fifth embodiments and the modifications thereof, the continuous jet method is adopted as the target supply method. For this reason, in the above-described first to fifth embodiments and modifications thereof, the pressure in the tank 30 is maintained at a relatively high pressure of about several MPa to several tens of MPa. On the other hand, in the sixth embodiment, the electrostatic extraction method is adopted. In this electrostatic extraction method, an electrode is disposed at a position facing the nozzle tip. For example, when a nozzle tip is grounded and a voltage is applied to this electrode, electrostatic attraction acts on the target material. With this electrostatic attraction and the gas pressure in the tank, the target material is ejected from the nozzle tip in the form of droplets. As described above, in the target supply device adopting the electrostatic extraction method, the electrostatic attraction works by applying a voltage to the electrode, so the pressure inside the tank storing the target material adopts the continuous jet method. A relatively low pressure, for example, a pressure of 1 MPa or less may be used.

ここで、本実施の形態6によるターゲット供給装置の一例を説明する。なお、以下の説明では、上述の実施の形態1によるターゲット供給装置1に、静電引出し法を適用した場合を例に挙げる。ただし、これに限定されず、上述の実施の形態2〜5およびその変形例のいずれに対しても、この実施の形態6を適用することは可能である。   Here, an example of the target supply apparatus according to the sixth embodiment will be described. In the following description, a case where the electrostatic extraction method is applied to the target supply device 1 according to the first embodiment will be described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the sixth embodiment can be applied to any of the above-described second to fifth embodiments and the modifications thereof.

図17は、この実施の形態6によるターゲット供給装置の構成を示す模式図である。図17に示すように、この実施の形態6によるターゲット供給装置6は、図2に示すターゲット供給装置1と同様の構成において、ターゲット供給部11がターゲット供給部21に置き換えられている。ターゲット供給部21は、ターゲット供給部11と同様の構成の構成に加え、ノズル先端31aと対向した配置された電極36と、電極36とノズル先端31aとの間を絶縁しつつ一定の距離d離間した状態に固定する絶縁部35と、を備える。なお、電極36におけるノズル31と対応する部分、すなわちターゲット13の射出軌道には、ターゲット13を通過させる孔36aが形成されている。   FIG. 17 is a schematic diagram showing the configuration of the target supply device according to the sixth embodiment. As shown in FIG. 17, in the target supply device 6 according to the sixth embodiment, the target supply unit 11 is replaced with a target supply unit 21 in the same configuration as the target supply device 1 shown in FIG. In addition to the configuration of the target supply unit 11, the target supply unit 21 is spaced apart from the electrode 36 disposed opposite to the nozzle tip 31 a by a certain distance d while insulating the electrode 36 and the nozzle tip 31 a from each other. And an insulating portion 35 that is fixed to the state. Note that a hole 36 a through which the target 13 passes is formed in a portion of the electrode 36 corresponding to the nozzle 31, that is, in the injection trajectory of the target 13.

電極36には、ターゲット材をノズル31から引き付ける電界を発生するための電圧信号が入力される。この電圧信号は、矩形波、三角波または正弦(余弦)波などのパルス信号であっても、定電圧信号であってもよい。また、ノズル先端部31aは、接地されていてもよいし、電圧信号の極性と逆極性の電位が与えられていてもよい。高精度の電圧信号を印加することにより、溶融金属であるターゲット材をノズル31から引き出す力(静電引力)を一定に保つことが可能となる。さらに、ノズル31の先端部分であるノズル先端31aは、ターゲット13の射出方向へ円錐状に突出している。これにより、電極36とノズル31との間に形成される電界をノズル先端部31a付近に集中させることが可能となり、この結果、効率的にターゲット材をノズル31から引き出してターゲット13として射出することが可能となる。   A voltage signal for generating an electric field that attracts the target material from the nozzle 31 is input to the electrode 36. This voltage signal may be a pulse signal such as a rectangular wave, a triangular wave, or a sine (cosine) wave, or a constant voltage signal. The nozzle tip 31a may be grounded, or may be given a potential having a polarity opposite to the polarity of the voltage signal. By applying a high-accuracy voltage signal, it is possible to maintain a constant force (electrostatic attractive force) for drawing the target material, which is a molten metal, from the nozzle 31. Further, a nozzle tip 31 a that is a tip portion of the nozzle 31 projects in a conical shape in the injection direction of the target 13. As a result, the electric field formed between the electrode 36 and the nozzle 31 can be concentrated in the vicinity of the nozzle tip 31a. As a result, the target material can be efficiently pulled out from the nozzle 31 and emitted as the target 13. Is possible.

以上のように、静電引力を用いてドロップオンデマンドで能動的にターゲット13をノズル31から射出させる、いわゆる静電引出し法によるターゲット供給装置6においても、上述した実施の形態1〜5およびその変形例と同様に、タンク30内部の圧力を一定の圧力(<1MPa)に保つことが好ましい。   As described above, also in the target supply device 6 based on the so-called electrostatic extraction method in which the target 13 is actively ejected from the nozzle 31 by drop-on-demand using electrostatic attraction, the above-described first to fifth embodiments and the above-described embodiments As in the modification, it is preferable to keep the pressure inside the tank 30 at a constant pressure (<1 MPa).

なお、タンク内を加圧する圧力は、ターゲット材(溶融Sn)をノズル先端31aから出力する臨界値程度でよい。臨界値Pは、以下の式3で表すことができる。

Figure 2015144140
なお、式2において、γはターゲット材の表面張力、rはノズル先端31aの孔の半径、ρはターゲット材の密度、gは重力加速度、hはノズル先端31aからターゲット材の上液面までの高さである。 In addition, the pressure which pressurizes the inside of a tank may be about the critical value which outputs a target material (molten Sn) from the nozzle tip 31a. The critical value P can be expressed by Equation 3 below.
Figure 2015144140
In Equation 2, γ is the surface tension of the target material, r is the radius of the hole of the nozzle tip 31a, ρ is the density of the target material, g is gravitational acceleration, and h is the nozzle tip 31a to the upper liquid level of the target material. It is height.

ここで、ターゲット材の表面張力γ=0.573[N/m]、ノズル先端31aの孔の半径r=5[μm]、ターゲット材の密度ρ=7000[kg/m]、重力加速度g=9.8[N/s]、ノズル先端31aからターゲット材の上液面までの高さh=0.2[m]とすると、ガス圧の臨界値P=215[kPa]となる。 Here, the surface tension of the target material γ = 0.573 [N / m], the radius r of the hole at the nozzle tip 31a = 5 [μm], the density of the target material ρ = 7000 [kg / m 3 ], and the gravitational acceleration g Assuming that 9.8 [N / s] and the height h from the nozzle tip 31a to the upper liquid level of the target material is 0.2 [m], the critical value of gas pressure P is 215 [kPa].

また、静電引出し法を用いた場合におけるタンク30内圧力についての許容変動範囲(たとえば変動を誤差として見なせる程度の値)は、その5パーセント以下の値と仮定すると、たとえば±10Pa程度であることが分かる。このように、タンク30内部の圧力変動幅をたとえば±10Pa以下という小さい変動範囲内に抑えることで、ターゲット13の速度変動を小さくして、EUV光が集光する位置の変動を抑えることが可能となり、この結果、露光機において生じる露光ムラを低減することができる極端紫外光光源装置が実現される。なお、本実施の形態6においても、溶融錫34の温度を一定に制御するヒータ33を設けているので、ターゲット13の速度変動をより小さくして、EUV光が集光する位置の変動をより抑えることが可能となり、この結果、露光機において生じる露光ムラをより低減することができる極端紫外光光源装置が実現される。   Further, when the electrostatic extraction method is used, the allowable fluctuation range (for example, a value that can be regarded as an error) of the pressure in the tank 30 is, for example, about ± 10 Pa, assuming that the value is 5% or less. I understand. In this way, by suppressing the pressure fluctuation range inside the tank 30 within a small fluctuation range of, for example, ± 10 Pa or less, it is possible to reduce the speed fluctuation of the target 13 and to suppress fluctuations in the position where the EUV light is collected. As a result, an extreme ultraviolet light source device capable of reducing exposure unevenness generated in the exposure machine is realized. Also in the sixth embodiment, since the heater 33 for controlling the temperature of the molten tin 34 to be constant is provided, the speed fluctuation of the target 13 is further reduced, and the fluctuation of the position where the EUV light is condensed is further increased. As a result, it is possible to realize an extreme ultraviolet light source device capable of further reducing exposure unevenness generated in the exposure machine.

つぎに、図18に示すフローチャートを参照して、コントローラ60に対応するコントローラ68によるタンク30内の圧力切替制御処理手順について説明する。図18は、コントローラ68による圧力切替制御処理手順を示す全体フローチャートである。図18と図3とを比較すると明らかなように、この実施の形態6では、図3に示したステップS101とステップS102との間に、電極36にターゲット射出用の電圧を印加する処理(ステップS601)が実行され、また、図3に示したステップS109の後に、電極36への電圧の印加を停止する処理(ステップS602)が実行される。その他の行程は、図3と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。ただし、ステップS104の結果、タンク30内のガス圧は、上述の式2による臨界値程度で、且つ、電極36に電圧を印加した状態でノズル31からターゲット13が出力する圧力に制御される。また、ステップS107の減圧処理は、上述において図4を用いて説明した処理と同様である。   Next, a pressure switching control processing procedure in the tank 30 by the controller 68 corresponding to the controller 60 will be described with reference to a flowchart shown in FIG. FIG. 18 is an overall flowchart showing a pressure switching control processing procedure by the controller 68. As is apparent from a comparison between FIG. 18 and FIG. 3, in the sixth embodiment, a process for applying a target injection voltage to the electrode 36 between step S101 and step S102 shown in FIG. S601) is executed, and after step S109 shown in FIG. 3, a process of stopping the application of voltage to the electrode 36 (step S602) is executed. Since the other steps are the same as those in FIG. 3, detailed description thereof is omitted here. However, as a result of step S <b> 104, the gas pressure in the tank 30 is controlled to a pressure that is about the critical value according to the above-described equation 2 and that the target 13 outputs from the nozzle 31 while a voltage is applied to the electrode 36. The decompression process in step S107 is the same as the process described above with reference to FIG.

以上のように構成および動作することで、本実施の形態6のように静電引出し法を採用したターゲット供給装置においても、上記した実施の形態およびその変形例と同様の効果を奏することが可能である。   With the configuration and operation as described above, even in the target supply device that employs the electrostatic extraction method as in the sixth embodiment, it is possible to achieve the same effects as those in the above-described embodiment and its modifications. It is.

なお、上記実施の形態およびその変形例は本発明を実施するための例にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本発明の範囲内であり、更に本発明の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。さらに、上述の各実施の形態およびその変形例は、相互に適宜組み合わせることが可能である。   It should be noted that the above-described embodiments and modifications thereof are merely examples for carrying out the present invention, and the present invention is not limited to these, and various modifications according to specifications and the like are within the scope of the present invention. Furthermore, it is obvious from the above description that various other embodiments are possible within the scope of the present invention. Furthermore, the above-described embodiments and modifications thereof can be appropriately combined with each other.

1〜6 ターゲット供給装置
10 真空チャンバ
11,21 ターゲット供給部
13 ターゲット
14 集光ミラー
15 ドライバレーザ
16 レーザ集光光学系
17 排気装置
18 プラズマ
19 極端紫外光
20 励起用レーザビーム
25 圧力切替機構
25a 昇圧機構
25b 減圧機構
30,47 タンク
31 ノズル
31a ノズル先端
32 ピエゾ素子
33 ヒータ
34 溶融錫
35 絶縁部
36 電極
36a 孔
40 ガスボンベ
41 圧力調整器
42,43,44,48,50,53,54 バルブ
45,51 圧力計
46 真空ポンプ
49 タンク
60〜68 コントローラ
L,L1〜L6 ガス流路
La 排気口
P1〜P6 接続点
C メインコントローラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1-6 Target supply apparatus 10 Vacuum chamber 11, 21 Target supply part 13 Target 14 Condensing mirror 15 Driver laser 16 Laser condensing optical system 17 Exhaust apparatus 18 Plasma 19 Extreme ultraviolet light 20 Excitation laser beam 25 Pressure switching mechanism 25a Pressure | voltage rise Mechanism 25b Pressure reducing mechanism 30, 47 Tank 31 Nozzle 31a Nozzle tip 32 Piezo element 33 Heater 34 Molten tin 35 Insulating part 36 Electrode 36a Hole 40 Gas cylinder 41 Pressure regulator 42, 43, 44, 48, 50, 53, 54 Valve 45, 51 Pressure gauge 46 Vacuum pump 49 Tank 60 to 68 Controller L, L1 to L6 Gas flow path La Exhaust port P1 to P6 Connection point C Main controller

Claims (13)

液状のターゲット材を蓄えるタンクと、前記タンク内の前記液状ターゲット材を出力するノズルと、前記タンク内へガスを供給するガス供給源と、を備え、前記タンク内のガス圧を、圧力調整器が備えつけられたガス供給源から供給されるガスの圧力で制御するターゲット供給装置であって、
一端が前記タンクに接続され、他端が排気口を形成する減圧ガス流路と、
前記減圧ガス流路上に設置した減圧用バルブと、
前記減圧用バルブの開閉を制御するコントローラと、
を有し、
前記コントローラは、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させない場合、前記減圧用バルブを開にして前記タンク内を減圧することを特徴とするターゲット供給装置。
A tank for storing a liquid target material; a nozzle for outputting the liquid target material in the tank; and a gas supply source for supplying a gas into the tank. A pressure regulator for adjusting the gas pressure in the tank. A target supply device that controls the pressure of a gas supplied from a gas supply source equipped with
A decompression gas flow path having one end connected to the tank and the other end forming an exhaust port;
A pressure reducing valve installed on the pressure reducing gas flow path;
A controller for controlling opening and closing of the pressure reducing valve;
Have
When the controller does not output the target material from the nozzle, the controller opens the pressure reducing valve to reduce the pressure in the tank.
前記ターゲット材は、前記タンク内の圧力によって前記タンクに設けられた前記ノズルから出力することを特徴とする請求項1に記載のターゲット供給装置。   The target supply apparatus according to claim 1, wherein the target material is output from the nozzle provided in the tank by pressure in the tank. 前記ノズルと対向する位置に設けられた電極をさらに備え、
前記ターゲット材は、前記タンク内の圧力と前記電極に電位が与えられることで生じた静電引力とによって前記ノズルから出力することを特徴とする請求項1に記載のターゲット供給装置。
It further comprises an electrode provided at a position facing the nozzle,
The target supply apparatus according to claim 1, wherein the target material is output from the nozzle by a pressure in the tank and an electrostatic attractive force generated by applying a potential to the electrode.
前記ガス供給源と前記タンクとを接続するとともに前記圧力調整器が配置された昇圧ガス流路と、
前記圧力調整器と前記タンクとの間の前記昇圧ガス流路上に設置した昇圧用バルブと、
をさらに備え、
前記減圧ガス流路の一端は、前記昇圧用バルブと前記タンクとの間の前記昇圧ガス流路に接続され、
前記コントローラは、前記ターゲット材を前記ノズルから出力する場合、前記昇圧用バルブを開にするとともに前記減圧用バルブを閉にすることで前記タンク内を昇圧し、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させない場合、前記昇圧用バルブを閉にするとともに前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のターゲット供給装置。
A pressurizing gas flow path for connecting the gas supply source and the tank and in which the pressure regulator is disposed;
A pressure increasing valve installed on the pressure increasing gas flow path between the pressure regulator and the tank;
Further comprising
One end of the decompression gas channel is connected to the pressurization gas channel between the boosting valve and the tank,
When outputting the target material from the nozzle, the controller boosts the inside of the tank by opening the pressure increasing valve and closing the pressure reducing valve, and does not output the target material from the nozzle. In this case, the target supply device according to any one of claims 1 to 3, wherein the tank is depressurized by closing the pressure increasing valve and opening the pressure reducing valve.
前記減圧用バルブより前記タンク側の前記減圧ガス流路に接続する第1ガス流路と、
前記第1ガス流路の他端に接続された真空ポンプと、
前記第1ガス流路上に設けられた第1バルブと、
をさらに備え、
前記コントローラは、前記ターゲット材の前記ノズルからの出力を停止する場合、前記第1バルブを閉にするとともに前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧した後、前記減圧用バルブを閉にし且つ前記第1バルブを開にするとともに前記真空ポンプを用いて前記タンク内をさらに減圧することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のターゲット供給装置。
A first gas passage connected to the decompression gas passage on the tank side from the decompression valve;
A vacuum pump connected to the other end of the first gas flow path;
A first valve provided on the first gas flow path;
Further comprising
The controller, when stopping the output of the target material from the nozzle, depressurizes the tank by closing the first valve and opening the depressurization valve, and then depressurizing the depressurization valve. 5. The target supply device according to claim 1, wherein the tank is closed and the first valve is opened, and the inside of the tank is further depressurized using the vacuum pump.
前記排気口に接続され前記タンクの容量に比して大きい容量を有した減圧タンクと、
一端が前記減圧タンクに接続され他端が前記第1バルブと前記真空ポンプとの間の第1ガス流路に接続された第2ガス流路と、
前記第2ガス流路上に設けられた第2バルブと、
をさらに備え、
前記コントローラは、前記第2バルブを開にした状態で前記減圧タンク内を前記真空ポンプを用いて真空排気しておき、前記ターゲット材の前記ノズルからの出力を停止させる場合、前記第1バルブと前記第2バルブとを閉にするとともに前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧した後、前記減圧用バルブを閉にし且つ前記第1バルブを開にするとともに前記真空ポンプを用いて前記タンク内をさらに減圧することを特徴とする請求項5に記載のターゲット供給装置。
A decompression tank connected to the exhaust port and having a capacity larger than the capacity of the tank;
A second gas flow path having one end connected to the decompression tank and the other end connected to a first gas flow path between the first valve and the vacuum pump;
A second valve provided on the second gas flow path;
Further comprising
When the controller is configured to evacuate the decompression tank with the vacuum pump while the second valve is open, and to stop the output of the target material from the nozzle, The tank is depressurized by closing the second valve and opening the pressure reducing valve, and then closing the pressure reducing valve and opening the first valve and using the vacuum pump. The target supply device according to claim 5, wherein the inside of the tank is further depressurized.
前記排気口に接続され前記タンクの容量に比して大きい容量を有した減圧タンクと、
一端が前記減圧タンクに接続された第3ガス流路と、
前記第3ガス流路の他端に接続された真空ポンプと、
前記第3ガス流路上に設けられた第3バルブと、
をさらに備え、
前記コントローラは、前記第3バルブを開にした状態で前記減圧タンク内を前記真空ポンプを用いて真空排気しておき、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させない場合、前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のターゲット供給装置。
A decompression tank connected to the exhaust port and having a capacity larger than the capacity of the tank;
A third gas flow path having one end connected to the decompression tank;
A vacuum pump connected to the other end of the third gas flow path;
A third valve provided on the third gas flow path;
Further comprising
The controller evacuates the decompression tank using the vacuum pump while the third valve is opened, and opens the decompression valve when the target material is not output from the nozzle. The target supply device according to claim 1, wherein the inside of the tank is depressurized.
前記圧力調整器と前記昇圧バルブとの間に一端が接続された第4ガス流路と、
前記第4ガス流路の他端に接続され前記タンクの容量に比して大きい容量を有した蓄積タンクと、
前記第4ガス流路上に設けられた第4バルブと、
をさらに備え、
前記コントローラは、前記昇圧用バルブを閉にするとともに前記第4バルブを開にすることで前記蓄積タンク内を昇圧しておき、前記タンク内を昇圧する場合、前記昇圧用バルブを開にすることで前記蓄積タンクによる昇圧アシストを受けて前記タンク内を昇圧することを特徴とする請求項4〜7のいずれか一つに記載のターゲット供給装置。
A fourth gas flow path having one end connected between the pressure regulator and the pressure increasing valve;
A storage tank connected to the other end of the fourth gas flow path and having a capacity larger than the capacity of the tank;
A fourth valve provided on the fourth gas flow path;
Further comprising
The controller closes the boost valve and opens the fourth valve to boost the pressure in the storage tank, and when boosting the tank, opens the boost valve. The target supply device according to any one of claims 4 to 7, wherein the pressure in the tank is increased by receiving a pressure increase assist by the storage tank.
前記圧力調整器と前記昇圧用バルブとの間の前記昇圧ガス流路上に設けられ、前記圧力調整器よりも高精度の圧力調整が可能な高精度圧力調整器と、
前記圧力調整器と前記高精度圧力調整器との間の前記昇圧ガス流路上に設けられた第5バルブと、
前記第5バルブと前記高精度圧力調整器とをバイパスするバイパスガス流路と、
前記バイパスガス流路上に設けられた第6バルブと、
をさらに備え、
前記コントローラは、前記タンク内を昇圧する場合、前記第5バルブを閉にするとともに前記第6バルブを開にすることで前記圧力調整器によって圧力調整されたガスを前記バイパスガス流路を介して前記タンク内に供給した後、前記第5バルブを開にするとともに前記第6バルブを閉にすることで前記高精度圧力調整器によって圧力調整されたガスを前記タンク内に供給することを特徴とする請求項4〜7のいずれか一つに記載のターゲット供給装置。
A high-accuracy pressure regulator that is provided on the pressurization gas flow path between the pressure regulator and the booster valve, and is capable of pressure regulation with higher accuracy than the pressure regulator;
A fifth valve provided on the pressurization gas passage between the pressure regulator and the high-precision pressure regulator;
A bypass gas flow path that bypasses the fifth valve and the high-precision pressure regulator;
A sixth valve provided on the bypass gas flow path;
Further comprising
When the pressure inside the tank is increased, the controller closes the fifth valve and opens the sixth valve so that the gas whose pressure is adjusted by the pressure regulator passes through the bypass gas passage. After the supply into the tank, the gas adjusted in pressure by the high-precision pressure regulator is supplied into the tank by opening the fifth valve and closing the sixth valve. The target supply device according to any one of claims 4 to 7.
ノズルから出力される液状のターゲット材を蓄えるタンク内のガス圧を圧力調整器が備えつけられたガス供給源から供給されるガスの圧力で制御するターゲット供給部の制御システムであって、
前記タンク内の圧力を前記ターゲット材が前記ノズルから出力される所定圧まで昇圧する昇圧機構と、
前記タンク内の圧力を減圧する減圧機構と、
前記ターゲット材を前記ノズルから出力させる場合、前記昇圧機構を制御することで前記タンク内を前記所定圧に昇圧して維持し、前記ターゲット材の出力が不要な場合、前記減圧機構を制御して前記タンク内を減圧することで、前記ターゲット材の出力を停止、または、前記ターゲット材の出力を減少させるコントローラと、
を備えたことを特徴とするターゲット供給部の制御システム。
A control system for a target supply unit that controls a gas pressure in a tank for storing a liquid target material output from a nozzle by a gas pressure supplied from a gas supply source provided with a pressure regulator,
A pressure increasing mechanism for increasing the pressure in the tank to a predetermined pressure output from the nozzle by the target material;
A pressure reducing mechanism for reducing the pressure in the tank;
When outputting the target material from the nozzle, the inside of the tank is boosted and maintained at the predetermined pressure by controlling the pressure increasing mechanism, and when the output of the target material is unnecessary, the pressure reducing mechanism is controlled. A controller that stops the output of the target material by reducing the pressure in the tank, or reduces the output of the target material;
A control system for a target supply unit.
ノズルから出力される液状のターゲット材を蓄えるタンク内のガス圧を圧力調整器が備えつけられたガス供給源から供給されるガスの圧力で制御するターゲット供給部の制御システムであって、
前記ガス供給源と前記タンクとを接続するとともに前記圧力調整器が配置された昇圧ガス流路と、
前記圧力調整器と前記タンクとの間の前記昇圧ガス流路上に設置した昇圧用バルブと、
前記タンクと前記昇圧用バルブとの間の前記昇圧ガス流路に一端が接続され、他端が排気口を形成する減圧ガス流路と、
前記減圧ガス流路上に設置した減圧用バルブと、
前記減圧用バルブより前記タンク側の前記減圧ガス流路に接続する第1ガス流路と、
前記第1ガス流路の他端に接続された真空ポンプと、
前記第1ガス流路上に設けられた第1バルブと、
前記昇圧用バルブと前記減圧用バルブと前記タンクとの間の流路内の圧力を検出する圧力計と、
前記圧力計が検出する圧力に基づいて、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させる場合、前記昇圧用バルブを開にするとともに前記減圧用バルブおよび第1バルブを閉にすることで前記タンク内を昇圧し、前記ターゲット材の前記ノズルからの出力を停止させる場合、前記第1バルブを閉の状態で前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧した後、前記減圧用バルブを閉にするとともに前記第1バルブを開にすることで前記タンク内をさらに減圧するコントローラと、
を備えたことを特徴とするターゲット供給部の制御システム。
A control system for a target supply unit that controls a gas pressure in a tank for storing a liquid target material output from a nozzle by a gas pressure supplied from a gas supply source provided with a pressure regulator,
A pressurizing gas flow path for connecting the gas supply source and the tank and in which the pressure regulator is disposed;
A pressure increasing valve installed on the pressure increasing gas flow path between the pressure regulator and the tank;
One end is connected to the pressurization gas flow path between the tank and the pressurization valve, and the other end forms a discharge port.
A pressure reducing valve installed on the pressure reducing gas flow path;
A first gas passage connected to the decompression gas passage on the tank side from the decompression valve;
A vacuum pump connected to the other end of the first gas flow path;
A first valve provided on the first gas flow path;
A pressure gauge for detecting a pressure in a flow path between the pressure increasing valve, the pressure reducing valve and the tank;
When outputting the target material from the nozzle based on the pressure detected by the pressure gauge, the pressure inside the tank is increased by opening the pressure increasing valve and closing the pressure reducing valve and the first valve. When stopping the output of the target material from the nozzle, the pressure reducing valve is opened with the first valve closed, and then the pressure reducing valve is closed. And a controller that further depressurizes the tank by opening the first valve;
A control system for a target supply unit.
圧力調整器が備えつけられたガス供給源とノズルを有するタンク内のターゲット材を前記ガス供給源から供給されるガスの圧力で前記ノズルから出力するターゲット供給部とを接続する昇圧ガス流路と、前記圧力調整器と前記タンクとの間の前記昇圧ガス流路上に設置した昇圧用バルブと、前記タンクと前記昇圧用バルブとの間の前記昇圧ガス流路に一端が接続され、他端が排気口を形成する減圧ガス流路と、前記減圧ガス流路上に設置した減圧用バルブと、前記減圧用バルブより前記タンク側の前記減圧ガス流路に接続する第1ガス流路と、前記第1ガス流路の他端に接続された真空ポンプと、前記第1ガス流路上に設けられた第1バルブと、前記昇圧用バルブと前記減圧用バルブと前記タンクとの間の流路内の圧力を検出する圧力計と、を含む制御回路を備えたターゲット供給部の制御装置であって、
前記圧力計が検出する圧力に基づいて、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させる場合、前記昇圧用バルブを開にするとともに前記減圧用バルブおよび第1バルブを閉にすることで前記タンク内を昇圧し、前記ターゲット材の前記ノズルからの出力を停止させる場合、前記第1バルブを閉の状態で前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧した後、前記減圧用バルブを閉にするとともに前記第1バルブを開にすることで前記タンク内をさらに減圧するコントローラを備えたことを特徴とするターゲット供給部の制御装置。
A gas supply source provided with a pressure regulator, and a pressure increase gas flow path for connecting a target material in a tank having a nozzle with a target supply unit that outputs the target material from the nozzle at the pressure of the gas supplied from the gas supply source; One end is connected to the pressurizing gas passage between the pressure regulator and the tank, and the other end is exhausted. A decompression gas passage forming an opening, a decompression valve installed on the decompression gas passage, a first gas passage connected to the decompression gas passage on the tank side from the decompression valve, and the first A vacuum pump connected to the other end of the gas flow path, a first valve provided on the first gas flow path, a pressure in the flow path between the pressure increasing valve, the pressure reducing valve and the tank. A pressure gauge to detect, A control device of the target supply unit having a control circuit which includes,
When outputting the target material from the nozzle based on the pressure detected by the pressure gauge, the pressure inside the tank is increased by opening the pressure increasing valve and closing the pressure reducing valve and the first valve. When stopping the output of the target material from the nozzle, the pressure reducing valve is opened with the first valve closed, and then the pressure reducing valve is closed. And a controller for further reducing the pressure in the tank by opening the first valve.
圧力調整器が備えつけられたガス供給源とノズルを有するタンク内のターゲット材を前記ガス供給源から供給されるガスの圧力で前記ノズルから出力するターゲット供給部とを接続する昇圧ガス流路と、
前記圧力調整器と前記タンクとの間の前記昇圧ガス流路上に設置した昇圧用バルブと、
前記タンクと前記昇圧用バルブとの間の前記昇圧ガス流路に一端が接続され、他端が排気口を形成する減圧ガス流路と、
前記減圧ガス流路上に設置した減圧用バルブと、
前記減圧用バルブより前記タンク側の前記減圧ガス流路に接続する第1ガス流路と、
前記第1ガス流路の他端に接続された真空ポンプと、
前記第1ガス流路上に設けられた第1バルブと、
前記昇圧用バルブと前記減圧用バルブと前記タンクとの間の流路内の圧力を検出する圧力計と、
を備え、
前記圧力計が検出する圧力に基づいて、前記ターゲット材を前記ノズルから出力させる場合、前記昇圧用バルブを開にするとともに前記減圧用バルブおよび第1バルブを閉にすることで前記タンク内を昇圧し、前記ターゲット材の前記ノズルからの出力を停止する場合、前記第1バルブが閉の状態で前記減圧用バルブを開にすることで前記タンク内を減圧した後、前記減圧用バルブを閉にするとともに前記第1バルブを開にすることで前記タンク内をさらに減圧することを特徴とするターゲット供給部の制御回路。
A gas supply source provided with a pressure regulator, and a pressure increase gas flow path for connecting a target material in a tank having a nozzle with a target supply unit that outputs the target material from the nozzle at the pressure of the gas supplied from the gas supply source;
A pressure increasing valve installed on the pressure increasing gas flow path between the pressure regulator and the tank;
One end is connected to the pressurization gas flow path between the tank and the pressurization valve, and the other end forms a discharge port.
A pressure reducing valve installed on the pressure reducing gas flow path;
A first gas passage connected to the decompression gas passage on the tank side from the decompression valve;
A vacuum pump connected to the other end of the first gas flow path;
A first valve provided on the first gas flow path;
A pressure gauge for detecting a pressure in a flow path between the pressure increasing valve, the pressure reducing valve and the tank;
With
When outputting the target material from the nozzle based on the pressure detected by the pressure gauge, the pressure inside the tank is increased by opening the pressure increasing valve and closing the pressure reducing valve and the first valve. When stopping the output of the target material from the nozzle, the pressure reducing valve is opened while the first valve is closed, and the pressure reducing valve is then closed. In addition, the control circuit of the target supply unit further reduces the pressure in the tank by opening the first valve.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1173942A (en) * 1997-06-20 1999-03-16 Toshiba Corp Device and method for liquid-injecting, and battery thereof
JP2000091095A (en) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp X-ray generating device
JP2006307944A (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Ckd Corp Tank structure
JP2008226462A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Komatsu Ltd Extreme-ultraviolet light source device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1173942A (en) * 1997-06-20 1999-03-16 Toshiba Corp Device and method for liquid-injecting, and battery thereof
JP2000091095A (en) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp X-ray generating device
JP2006307944A (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Ckd Corp Tank structure
JP2008226462A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Komatsu Ltd Extreme-ultraviolet light source device

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